KR102563797B1 - Quality measuring device, measuring method thereof and recording medium thereof - Google Patents

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KR102563797B1
KR102563797B1 KR1020210113458A KR20210113458A KR102563797B1 KR 102563797 B1 KR102563797 B1 KR 102563797B1 KR 1020210113458 A KR1020210113458 A KR 1020210113458A KR 20210113458 A KR20210113458 A KR 20210113458A KR 102563797 B1 KR102563797 B1 KR 102563797B1
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Abstract

본 발명은 디바이스 품질 검사 장치에 관한 것이다. 특히 본 발명은 멀티 포트 또는 멀티 터미널을 포함하는 디바이스를 자동으로 품질을 검사하기 위한 파라미터를 측정하는 장치, 측정 방법 및 기록매체 에 관한 것이다. 본 발명의 복수의 터미널을 포함하는 피측정 장치를 테스트하기 위한 파라미터 측정 장치는, 제1 포트 및 제2 포트를 포함하는 포트, 제1 포트 및 제2 포트에 각각 선택적으로 연결될 수 있도록 구성된 복수의 스위치 및 복수의 스위치 중 2개의 스위치를 선택하고, 2개의 스위치를 각각 제1 포트 및 제2 포트에 교차로 연결하도록 복수의 스위치를 제어하고, 2개의 스위치 중 어느 하나를 통해 피측정 장치에 테스트 신호를 입력하도록 제1 포트를 제어하고, 포트를 통해 획득된 반사 신호 및 응답 신호를 기초로 S 파라미터를 측정하는 프로세서 를 포함한다.The present invention relates to a device quality inspection apparatus. In particular, the present invention relates to an apparatus for measuring parameters for automatically quality testing a device including multi-ports or multi-terminals, a measuring method, and a recording medium. The parameter measurement device for testing a device to be measured including a plurality of terminals according to the present invention includes a plurality of ports configured to be selectively connected to ports including first and second ports, and to first and second ports, respectively. Select two switches among the switch and the plurality of switches, control the plurality of switches to cross-connect the two switches to the first port and the second port, respectively, and send a test signal to the device under test through one of the two switches and a processor for controlling the first port to input , and measuring the S parameter based on the reflection signal and the response signal obtained through the port.

Description

품질 측정 장치, 이의 측정 방법 및 이의 기록매체{Quality measuring device, measuring method thereof and recording medium thereof}Quality measuring device, measuring method thereof and recording medium thereof {Quality measuring device, measuring method thereof and recording medium thereof}

본 발명은 디바이스 품질 검사 장치에 관한 것이다. 특히 본 발명은 멀티 포트 또는 멀티 터미널을 포함하는 디바이스를 자동으로 품질을 검사하기 위한 파라미터를 측정하는 장치, 측정 방법 및 기록매체 에 관한 것이다. The present invention relates to a device quality inspection apparatus. In particular, the present invention relates to an apparatus for measuring parameters for automatically quality testing a device including multi-ports or multi-terminals, a measuring method, and a recording medium.

RF 디바이스와 같은 주파수 장치의 특성을 분석하기 위해, 디바이스 품질 검사 장치가 자주 이용된다. 디바이스 품질 검사 장치는 테스트 중인 디바이스(DUT; Device Under Test)의 여러 가지 테스트 파라미터, 즉 전달 함수, 반사 특성, 및 위상 특성(이하에서는 "스캐터링 파라미터 S" 또는 "S 파라미터")을 얻는다. S 파라미터는 당 기술분야에서 주지된 기술이며, 디바이스 품질 검사 장치로부터의 테스트 신호의 응답에 따른 테스트 중인 디바이스의 주파수 응답(전압 및 위상)을 관찰함으로써 결정된다. To analyze the characteristics of a frequency device such as an RF device, a device quality inspection device is often used. A device quality inspection apparatus obtains various test parameters of a device under test (DUT), namely a transfer function, reflection characteristics, and phase characteristics (hereinafter referred to as “scattering parameter S” or “S parameter”). The S-parameter is a well-known technique in the art and is determined by observing the frequency response (voltage and phase) of the device under test according to the response of the test signal from the device quality tester.

한편, S 파라미터 측정의 대상이 되는 DUT 또는 피측정 장치는 2개의 터미널(포트)뿐만 아니라 3개 이상의 터미널을 포함하도록 형성되는 경우가 있다. 이러한 피측정 장치의 S 파라미터를 측정하기 위해, 나사 결선 형태의 SMA 포트를 연결하고 분리하는 시간과 노동력의 낭비가 증가되며, 연결 및 분리에 따라 케이블 손상률 증가한다는 단점이 있어왔다. On the other hand, there are cases in which a DUT or a device under measurement, which is an object of S-parameter measurement, is formed to include not only two terminals (ports) but also three or more terminals. In order to measure the S-parameter of the device to be measured, time and labor for connecting and disconnecting the screw-type SMA port increases, and the damage rate of the cable increases due to connection and disconnection.

특히, 3상 4선 등 8 터미널 이상 되는 피측정 장치와 같이, 터미널의 수가 증가함에 따라 포트와 터미널의 연결을 변경하는 횟수가 급격히 증가하게 된다 예를 들어, N 터미널 피측정 장치에 대하여 NC2 회의 분리 및 연결을 수행하여야 한다.In particular, as the number of terminals increases, such as a device under test with more than 8 terminals such as 3-phase 4-wire, the number of times of changing the connection between the port and the terminal increases rapidly. For example, N C for an N terminal device under test. 2 disconnection and connection must be performed.

일본 공개특허공보 특개2000-329808호(2000.11.30.)Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-329808 (November 30, 2000) 미국 특허출원공개공보 US2009/0102491호(2009.04.23.)US Patent Application Publication No. US2009/0102491 (2009.04.23.)

본 발명은 상술한 필요성에 따른 것으로, 다채널 피측정 장치에 대하여, 포트와 한번의 연결만으로 피측정 장치의 품질을 측정하는 측정 장치, 측정 방법 및 기록매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in accordance with the above-described needs, and an object of the present invention is to provide a measuring device, a measuring method, and a recording medium for measuring the quality of a multi-channel device to be measured with only one connection to a port.

또한, 본 발명은 포트의 연결 이후 자동으로 피측정 장치의 품질을 측정하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a method for automatically measuring the quality of a device to be measured after connecting a port.

그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. However, these tasks are illustrative, and the scope of the present invention is not limited thereby.

본 발명의 일 실시 예에 따른 복수의 터미널을 포함하는 피측정 장치를 테스트하기 위한 파라미터 측정 장치는, 제1 포트 및 제2 포트를 포함하는 포트;상기 제1 포트 및 상기 제2 포트에 각각 선택적으로 연결될 수 있도록 구성된 복수의 스위치; 및 상기 복수의 스위치 중 2개의 스위치를 선택하고, 상기 2개의 스위치를 각각 상기 제1 포트 및 상기 제2 포트에 교차로 연결하도록 상기 복수의 스위치를 제어하고, 상기 2개의 스위치 중 어느 하나를 통해 상기 피측정 장치에 테스트 신호를 입력하도록 상기 제1 포트를 제어하고, 상기 포트를 통해 획득된 반사 신호 및 응답 신호를 기초로 S 파라미터를 측정하는 프로세서; 를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an apparatus for measuring a parameter for testing a device to be measured including a plurality of terminals includes a port including a first port and a second port; selectively to the first port and the second port, respectively. A plurality of switches configured to be connected to; and selecting two switches from among the plurality of switches, controlling the plurality of switches to cross-connect the two switches to the first port and the second port, respectively, through one of the two switches. a processor for controlling the first port to input a test signal to a device under test, and measuring an S parameter based on a reflection signal and a response signal obtained through the port; can include

또한, 상기 프로세서는 상기 2개의 스위치 중 어느 하나를 통해 상기 피측정 장치에 테스트 신호를 입력하도록 상기 제2 포트를 제어하고, 상기 포트를 통해 획득된 반사 신호 및 응답 신호를 기초로 S 파라미터를 측정할 수 있다.In addition, the processor controls the second port to input a test signal to the device under test through one of the two switches, and measures an S parameter based on a reflection signal and a response signal obtained through the port. can do.

또한, 상기 복수의 스위치의 수는 상기 피측정 장치의 터미널 수와 동일할 수 있다. Also, the number of the plurality of switches may be equal to the number of terminals of the device under test.

또한, 상기 복수의 스위치 각각은 SPTT(Single Pole Triple Throw)이고, 상기 복수의 스위치 각각은 상기 제1 포트, 상기 제2 포트 및 정규화된 임피던스를 포함하는 내부 저항기에 선택적으로 연결될 수 있고, 상기 프로세서는 상기 복수의 스위치 중 2개의 스위치를 제외한 나머지 스위치는 상기 내부 저항기에 연결되도록 상기 복수의 스위치를 제어할 수 있다.In addition, each of the plurality of switches is a single pole triple throw (SPTT), each of the plurality of switches may be selectively connected to an internal resistor including the first port, the second port, and a normalized impedance, and the processor may control the plurality of switches so that the remaining switches except for two switches among the plurality of switches are connected to the internal resistor.

한편, 복수의 터미널을 포함하는 피측정 장치를 테스트하기 위한 파라미터 측정 장치의 측정 방법은, 프로세서에 의해, 복수의 스위치 중 2개의 스위치를 선택하는 단계; 상기 프로세서에 의해, 상기 2개의 스위치를 각각 포트의 제1 포트 및 제2 포트에 교차로 연결하는 단계; 상기 프로세서에 의해, 상기 2개의 스위치 중 어느 하나를 통해 상기 피측정 장치에 테스트 신호를 입력하는 단계; 및 상기 프로세서에 의해, 상기 포트를 통해 획득된 반사 신호 및 응답 신호를 기초로 S 파라미터를 측정하는 단계; 를 포함할 수 있다.Meanwhile, a method of measuring a parameter measuring device for testing a device under test including a plurality of terminals includes selecting two switches among a plurality of switches by a processor; cross-connecting, by the processor, the two switches to a first port and a second port of each port; inputting, by the processor, a test signal to the device under test through one of the two switches; and measuring, by the processor, an S parameter based on a reflection signal and a response signal obtained through the port. can include

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 기록매체는 상기 파라미터 측정 방법을 실행 시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체일 수 있다. Meanwhile, the recording medium according to an embodiment of the present invention may be a computer-readable recording medium on which a program for executing the parameter measuring method is recorded.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features, and advantages other than those described above will become clear from the detailed description, claims, and drawings for carrying out the invention below.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 파라미터 측정 장치는 포트를 스위치부를 통해 피측정 장치에 연결한 후 자동으로 S 파라미터를 순차적으로 측정할 수 있다. According to one embodiment of the present invention made as described above, the parameter measurement device can automatically sequentially measure S-parameters after connecting the port to the device to be measured through the switch unit.

이에 따라, 파라미터 측정 장치의 포트와 DUT 포트(또는 DUT 터미널) 간 연결을 여러 번 변경할 필요가 없다는 점에서 시간 및 케이블 손상을 절감할 수 있다는 효과가 있다. Accordingly, there is an effect that time and cable damage can be saved in that it is not necessary to change the connection between the port of the parameter measurement device and the DUT port (or DUT terminal) several times.

물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예예 따른 품질 검사 시스템을 설명하기 위한 시스템도이다.
도 2는 피측정 장치로써 능동 EMI 필터를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 파라미터 측정 장치의 구성요소를 설명하기 위한 블록도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 S 파라미터를 측정하기 위한 스위치 선택 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 파라미터 측정 장치의 스위치 동작 방법 및 파라미터 측정 방법을 순차적으로 도시한 도면이다.
1 is a system diagram for explaining a quality inspection system according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram for explaining an active EMI filter as a device under measurement.
3 is a block diagram for explaining the components of a parameter measuring device according to an embodiment of the present invention.
4 is a flowchart illustrating a switch selection method for measuring an S parameter according to an embodiment of the present invention.
5 to 7 are diagrams sequentially illustrating a method of operating a switch and a method of measuring parameters of a parameter measurement device according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 개시의 다양한 실시예가 첨부된 도면과 연관되어 기재된다. 본 개시의 다양한 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들이 도면에 예시되고 관련된 상세한 설명이 기재되어 있다. 그러나 이는 본 개시의 다양한 실시예를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 개시의 다양한 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경 및/또는 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용되었다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described in conjunction with the accompanying drawings. Various embodiments of the present disclosure may make various changes and have various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and related detailed descriptions are described. However, this is not intended to limit the various embodiments of the present disclosure to specific embodiments, and should be understood to include all changes and/or equivalents or substitutes included in the spirit and technical scope of the various embodiments of the present disclosure. In connection with the description of the drawings, like reference numerals have been used for like elements.

본 개시의 다양한 실시예에서, "포함하다." 또는 "가지다." 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In various embodiments of the present disclosure, “comprises.” or "to have." The terms such as are intended to specify that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features or numbers, steps, operations, components, parts, or It should be understood that it does not preclude the possibility of existence or addition of combinations thereof.

본 개시의 다양한 실시예에서 "또는" 등의 표현은 함께 나열된 단어들의 어떠한, 그리고 모든 조합을 포함한다. 예를 들어, "A 또는 B"는, A를 포함할 수도, B를 포함할 수도, 또는 A 와 B 모두를 포함할 수도 있다.In various embodiments of this disclosure, expressions such as “or” include any and all combinations of the words listed together. For example, "A or B" may include A, may include B, or may include both A and B.

본 개시의 다양한 실시예에서 사용된 "제1", "제2", "첫째", 또는 "둘째" 등의 표현들은 다양한 실시예들의 다양한 구성요소들을 수식할 수 있지만, 해당 구성요소들을 한정하지 않는다. 예를 들어, 상기 표현들은 해당 구성요소들의 순서 및/또는 중요도 등을 한정하지 않으며, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있다. Expressions such as "first", "second", "first", or "second" used in various embodiments of the present disclosure may modify various components of various embodiments, but do not limit the components. don't For example, the above expressions do not limit the order and/or importance of corresponding components, and may be used to distinguish one component from another.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 상기 어떤 구성요소와 상기 다른 구성요소 사이에 새로운 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. When an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, the element may be directly connected or connected to the other element, but with the other element. It should be understood that other new components may exist between the other components.

본 개시의 실시 예에서 "모듈", "유닛", "부(part)" 등과 같은 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 수행하는 구성요소를 지칭하기 위한 용어이며, 이러한 구성요소는 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되거나 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다. 또한, 복수의 "모듈", "유닛", "부(part)" 등은 각각이 개별적인 특정한 하드웨어로 구현될 필요가 있는 경우를 제외하고는, 적어도 하나의 모듈이나 칩으로 일체화되어 적어도 하나의 프로세서로 구현될 수 있다.In the embodiments of the present disclosure, terms such as “module,” “unit,” and “part” are terms used to refer to components that perform at least one function or operation, and these components are hardware or software. It may be implemented or implemented as a combination of hardware and software. In addition, a plurality of "modules", "units", "parts", etc. are integrated into at least one module or chip, except for cases where each of them needs to be implemented with separate specific hardware, so that at least one processor can be implemented as

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 개시의 다양한 실시예에서 명백하게 정의되지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in various embodiments of the present disclosure, ideal or excessively formal. not interpreted as meaning

이하에서, 첨부된 도면을 이용하여 본 발명의 다양한 실시 예들에 대하여 구체적으로 설명한다. Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail using the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예예 따른 품질 검사 시스템을 설명하기 위한 시스템도이다. 1 is a system diagram for explaining a quality inspection system according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 품질 검사 시스템은 품질 검사 장치 또는 파라미터 측정 장치(10, 이하 파라미터 측정 장치) 및 피측정 장치(20)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , the quality inspection system of the present invention may include a quality inspection device or parameter measurement device 10 (hereinafter referred to as parameter measurement device) and a device to be measured 20 .

이때, 파라미터 측정 장치(10)는 테스트 파라미터, 즉 전달 함수, 반사 특성, 및 위상 특성(이하에서는 "S 파라미터")을 획득하기 위한 구성이다. S파라미터는 당 기술분야에서 주지된 기술이며, 네트워크 분석기로부터의 테스트 신호의 응답에 따른 테스트 중인 디바이스의 주파수 응답(전압 및 위상)을 관찰함으로써 결정된다.At this time, the parameter measurement device 10 is a component for acquiring test parameters, that is, transfer function, reflection characteristics, and phase characteristics (hereinafter referred to as “S parameters”). S-parameters are a well-known technique in the art and are determined by observing the frequency response (voltage and phase) of the device under test according to the response of the test signal from the network analyzer.

특히 본 발명의 파라미터 측정 장치(10)는 다채널 DUT(Device Under Test) 또는 피측정 장치(20)와 한번의 연결만으로 자동으로 S 파라미터를 측정할 수 있다. In particular, the parameter measuring device 10 of the present invention can automatically measure the S-parameter with only one connection to a multi-channel DUT (Device Under Test) or the device under test 20.

DUT(Device Under Test) 또는 피측정 장치(20)는 S-파라미터(또는 산란계수)의 피측정의 대상이 되는 장치일 수 있다. 일 실시예에 따르면 피측정 장치(20)는 EMI 필터(특히, 능동 EMI 필터)일 수 있다. 이때, 능동 EMI 필터는 공통 모드(CM) 노이즈를 저감시키는 능동형 전류 보상 장치일 수 있다. A device under test (DUT) or a device under test 20 may be a device to be measured for S-parameters (or scattering coefficients). According to an embodiment, the device under test 20 may be an EMI filter (in particular, an active EMI filter). In this case, the active EMI filter may be an active current compensation device that reduces common mode (CM) noise.

구체적으로 능동 EMI 필터는 제1 장치와 연결되는 적어도 둘 이상의 대전류 경로 각각에 공통 모드(Common Mode)로 입력되는 제1 전류를 능동적으로 보상하는 전류 보상 장치일 수 있다. 능동 EMI 필터는 제2 장치에 의해 공급되는 제2 전류를 상기 제1 장치에 전달하는 적어도 둘 이상의 대전류 경로 상의 제1 전류를 감지하여, 제1 전류에 대응되는 출력 신호를 생성하는 센싱부, 출력 신호를 증폭하여 증폭된 출력 신호를 생성하는 증폭부, 증폭된 출력 신호에 기초하여 보상 전류를 생성하는 보상부 및 보상 전류가 적어도 둘 이상의 대전류 경로 각각으로 흐르는 경로를 제공하는 보상 커패시터부를 포함하는 전류 보상 장치일 수 있다. 이에 대하여 구체적인 내용은 도 2를 통해 설명하기로 한다. Specifically, the active EMI filter may be a current compensation device that actively compensates for a first current input in a common mode to each of at least two high current paths connected to the first device. The active EMI filter includes a sensing unit generating an output signal corresponding to the first current by sensing a first current on at least two or more high current paths that transfer a second current supplied by a second device to the first device; A current comprising an amplification unit that amplifies a signal to generate an amplified output signal, a compensation unit that generates a compensation current based on the amplified output signal, and a compensation capacitor unit that provides a path through which the compensation current flows into at least two or more large current paths, respectively. It may be a compensating device. Details regarding this will be described with reference to FIG. 2 .

도 2는 피측정 장치로써 능동 EMI 필터를 설명하기 위한 도면이다. 2 is a diagram for explaining an active EMI filter as a device under measurement.

제2 장치(2)는 제1 장치(3)에 전원을 전류 및/또는 전압의 형태로 공급하기 위한 다양한 형태의 장치일 수 있다. 가령 제2 장치(2)는 전원을 생산하여 공급하는 장치일 수도 있고, 다른 장치에 의해 생성된 전원을 공급하는 장치(예컨대 전기 자동차 충전 장치)일 수도 있다. 물론 제2 장치(2)는 저장된 에너지를 공급하는 장치일 수도 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 본 발명의 사상이 이에 한정되는 것은 아니다.The second device 2 may be various types of devices for supplying power to the first device 3 in the form of current and/or voltage. For example, the second device 2 may be a device that generates and supplies power or may be a device that supplies power generated by another device (eg, an electric vehicle charging device). Of course, the second device 2 may also be a device for supplying stored energy. However, this is illustrative and the spirit of the present invention is not limited thereto.

본 명세서에서 제1 장치(3)는 전술한 제2 장치(2)가 공급하는 전원을 사용하는 다양한 형태의 장치일 수 있다. 가령 제1 장치(3)는 제2 장치(2)가 공급하는 전원을 이용하여 구동되는 부하일 수 있다. 또한, 제1 장치(3)는 제2 장치(2)가 공급하는 전원을 이용하여 에너지를 저장하고, 저장된 에너지를 이용하여 구동되는 부하(예컨대 전기 자동차)일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 본 발명의 사상이 이에 한정되는 것은 아니다.In this specification, the first device 3 may be various types of devices using the power supplied by the second device 2 described above. For example, the first device 3 may be a load driven by using power supplied by the second device 2 . In addition, the first device 3 may be a load (eg, an electric vehicle) that stores energy using power supplied by the second device 2 and is driven using the stored energy. However, this is illustrative and the spirit of the present invention is not limited thereto.

전술한 바와 같이 둘 이상의 대전류 경로(111, 112) 각각은 제2 장치(2)에 의해 공급되는 전원, 즉 제2 전류(I21, I22)를 제1 장치(3)에 전달하는 경로일 수 있는 데, 일 실시예에 따르면, 제2 전류(I21, I22)는 제2 주파수 대역의 주파수를 갖는 교류 전류일 수 있다. 이때 제2 주파수 대역은 가령 50Hz 내지 60Hz의 범위를 갖는 대역일 수 있다.As described above, each of the two or more high current paths 111 and 112 may be a path for transferring the power supplied by the second device 2, that is, the second currents I21 and I22 to the first device 3. However, according to one embodiment, the second currents I21 and I22 may be alternating currents having a frequency of the second frequency band. In this case, the second frequency band may be, for example, a band having a range of 50 Hz to 60 Hz.

또한, 둘 이상의 대전류 경로(111, 112) 각각은 제1 장치(3)에서 발생한 노이즈, 즉 제1 전류(I11, I12)의 적어도 일부가 제2 장치(2)에 전달되는 경로일 수도 있다. 이때 제1 전류(I11, I12)는 둘 이상의 대전류 경로(111, 112) 각각에 대해 공통 모드(Common Mode)로 입력 될 수 있다. In addition, each of the two or more high current paths 111 and 112 may be a path through which at least a part of noise generated in the first device 3, that is, the first currents I11 and I12 is transmitted to the second device 2. At this time, the first currents I11 and I12 may be input in a common mode to each of the two or more high current paths 111 and 112 .

제1 전류(I11, I12)는 다양한 원인에 의해 제1 장치(3)에서 의도치 않게 발생되는 전류일 수 있다. 가령 제1 전류(I11, I12)는 제1 장치(3)와 주변 환경 사이의 가상의 커패시턴스(Capacitance)에 의해 발생되는 노이즈 전류일 수 있다. The first currents I11 and I12 may be currents unintentionally generated in the first device 3 for various reasons. For example, the first currents I11 and I12 may be noise currents generated by virtual capacitance between the first device 3 and the surrounding environment.

제1 전류(I11, I12)는 제1 주파수 대역의 주파수를 갖는 전류일 수 있다. 이때 제1 주파수 대역은 전술한 제2 주파수 대역보다 높은 주파수 대역을 가질 수 있는 데, 예컨대 150KHz 내지 30MHz의 범위를 갖는 대역일 수 있다. The first currents I11 and I12 may be currents having a frequency of the first frequency band. In this case, the first frequency band may have a higher frequency band than the aforementioned second frequency band, and may be, for example, a band having a range of 150 KHz to 30 MHz.

한편, 둘 이상의 대전류 경로(111, 112)는 도 2에 도시된 바와 같이 두 개의 경로를 포함할 수도 있고, 세 개의 경로 또는 네 개의 경로를 포함할 수도 있다. 대전류 경로(111, 112)의 수는 제1 장치(3) 및/또는 제2 장치(2)가 사용하는 전원의 종류 및/또는 형태에 따라 달라질 수 있다.Meanwhile, the two or more high current paths 111 and 112 may include two paths, three paths, or four paths, as shown in FIG. 2 . The number of high current paths 111 and 112 may vary depending on the type and/or form of power used by the first device 3 and/or the second device 2 .

한편, 센싱부(120)는 대전류 경로(111, 112)에 전기적으로 연결되어 둘 이상의 대전류 경로(111, 112) 상의 제1 전류(I11, I12)를 감지하고, 제1 전류(I11, I12)에 대응되는 출력 신호를 생성할 수 있다. 바꾸어 말하면 센싱부(120)는 대전류 경로(111, 112) 상의 제1 전류(I11, I12)를 감지하는 수단을 의미할 수 있다.Meanwhile, the sensing unit 120 is electrically connected to the high current paths 111 and 112 to sense the first currents I11 and I12 on the two or more high current paths 111 and 112, and to generate the first currents I11 and I12. An output signal corresponding to can be generated. In other words, the sensing unit 120 may mean a means for sensing the first currents I11 and I12 on the high current paths 111 and 112 .

일 실시예에 따르면, 센싱부(120)는 센싱 변압기로 구현될 수 있다. 이때 센싱 변압기는 대전류 경로(111, 112)와 절연된 상태에서 대전류 경로(111, 112) 상의 제1 전류(I11, I12)를 감지하기 위한 수단일 수 있다. According to an embodiment, the sensing unit 120 may be implemented as a sensing transformer. In this case, the sensing transformer may be a means for sensing the first currents I11 and I12 on the high current paths 111 and 112 while being insulated from the high current paths 111 and 112 .

일 실시예에 따르면, 센싱부(120)는 증폭부(130)의 입력단과 차동(Differential)으로 연결될 수 있다. 증폭부(130)는 센싱부(120)에 전기적으로 연결되어, 센싱부(120)가 출력한 출력 신호를 증폭하여, 증폭된 출력 신호를 생성할 수 있다. 본 발명에서 증폭부(130)에 의한 '증폭'은 증폭 대상의 크기 및/또는 위상을 조절하는것을 의미할 수 있다. According to an embodiment, the sensing unit 120 may be differentially connected to an input terminal of the amplifying unit 130 . The amplifier 130 may be electrically connected to the sensing unit 120 to amplify an output signal output by the sensing unit 120 and generate an amplified output signal. In the present invention, 'amplification' by the amplifier 130 may mean adjusting the size and/or phase of an amplification target.

증폭부(130)의 증폭에 의해, 전류 보상 장치(100)는 제1 전류(I11, I12)와 크기가 동일하고 위상이 반대인 보상 전류(IC1, IC2)를 생성하여 대전류 경로(111, 112) 상의 제1 전류(I11, I12)를 보상할 수 있다.By the amplification of the amplification unit 130, the current compensation device 100 generates compensation currents IC1 and IC2 having the same magnitude as the first currents I11 and I12 and opposite phases to the large current paths 111 and 112 ) may compensate for the first currents I11 and I12.

증폭부(130)는 다양한 수단으로 구현될 수 있다. 일 실시예에에서 증폭부(130)는 OP-AMP를 포함할 수 있다. 다른 실시예에에서 증폭부(130)는 OP-AMP 이외에 저항과 커패시터 등 복수의 수동 소자들을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예서, 증폭부(130)는 BJT(Bipolar Junction Transistor)를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예서, 증폭부(130)는 BJT 이외에 저항과 커패시터 등 복수의 수동 소자들을 포함할 수 있다. 다만 증폭부(130)의 위와 같은 구현 방식은 예시적인것으로 본 발명의 사상이 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명에서 설명하는 '증폭'을 위한 수단은 본 발명의 증폭부(130)로 제한 없이 사용될 수 있다.The amplifier 130 may be implemented in various means. In one embodiment, the amplifier 130 may include an OP-AMP. In another embodiment, the amplifier 130 may include a plurality of passive elements such as resistors and capacitors in addition to the OP-AMP. In another embodiment, the amplifier 130 may include a bipolar junction transistor (BJT). In another embodiment, the amplifier 130 may include a plurality of passive elements such as resistors and capacitors in addition to the BJT. However, the above implementation method of the amplification unit 130 is exemplary and the spirit of the present invention is not limited thereto, and the means for 'amplification' described in the present invention can be used without limitation as the amplification unit 130 of the present invention. can

증폭부(130)는 제1 장치(3) 및/또는 제2 장치(2)와 구분되는 제3 장치(4)로부터 전원을 공급받아, 센싱부가 출력한 출력신호를 증폭하여 증폭 전류를 생성할 수 있다. 이때 제3 장치(4)는 제1 장치(3) 및 제2 장치(2)와 무관한 전원으로부터 전원을 공급받아 증폭부(130)의 입력 전원을 생성하는 장치일 수 있다. 선택적으로 제3 장치(4)는 제1 장치(3) 및 제2 장치(2) 중 어느 하나의 장치로부터 전원을 공급 받아 증폭부(130)의 입력 전원을 생성하는 장치일 수도 있다.The amplification unit 130 receives power from the third device 4 that is distinct from the first device 3 and/or the second device 2 and amplifies the output signal output by the sensing unit to generate an amplified current. can In this case, the third device 4 may be a device that generates input power of the amplifying unit 130 by receiving power from a power source independent of the first device 3 and the second device 2 . Optionally, the third device 4 may be a device that generates input power of the amplifier 130 by receiving power from any one of the first device 3 and the second device 2 .

보상부(140)는 증폭부(130)에 전기적으로 연결되고, 전술한 증폭부(130)에 의해 증폭된 출력 신호에 기초하여 보상 전류를 생성할 수 있다.The compensation unit 140 may be electrically connected to the amplification unit 130 and generate a compensation current based on the output signal amplified by the amplification unit 130 described above.

보상부(140)는 증폭부(130)의 출력단과 증폭부(130)의 기준전위(기준전위 2)를 연결하는 경로와 전기적으로 연결되어 보상 전류를 생성할 수 있다. 보상부(140)는 보상 커패시터부(150) 및 전류 보상 장치(100)의 기준전위(기준전위 1)를 연결하는 경로와 전기적으로 연결될 수 있다. 증폭부(130)의 기준전위(기준전위 2)와 전류 보상 장치(100)의 기준전위(기준전위 1)는 서로 구분되는 전위일 수 있다.The compensation unit 140 may be electrically connected to a path connecting an output terminal of the amplification unit 130 and a reference potential (reference potential 2) of the amplification unit 130 to generate a compensation current. The compensation unit 140 may be electrically connected to a path connecting the compensation capacitor unit 150 and the reference potential (reference potential 1) of the current compensation device 100 . The reference potential (reference potential 2) of the amplifier 130 and the reference potential (reference potential 1) of the current compensation device 100 may be distinct potentials.

보상 커패시터부(150)는 보상부(140)에 의해 생성된 보상 전류가 둘 이상의 대전류 경로 각각으로 흐르는 경로를 제공할 수 있다.The compensation capacitor unit 150 may provide a path through which the compensation current generated by the compensation unit 140 flows to each of two or more high current paths.

일 실시예에 따르면, 보상 커패시터부(150)는 보상부(140)에 의해 생성된 전류가 둘 이상의 대전류 경로(111, 112) 각각으로 흐르는 경로를 제공하는 보상 커패시터부(150)로 구현될 수 있다. 이때 보상 커패시터부(150)는 능동 EMI 필터(1)의 기준전위(기준전위 1)와 둘 이상의 대전류 경로(111, 112) 각각을 연결하는 적어도 둘 이상의 보상 커패시터를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the compensation capacitor unit 150 may be implemented as a compensation capacitor unit 150 providing a path through which the current generated by the compensation unit 140 flows to two or more high current paths 111 and 112, respectively. there is. In this case, the compensation capacitor unit 150 may include at least two or more compensation capacitors connecting the reference potential (reference potential 1) of the active EMI filter 1 and the two or more high current paths 111 and 112, respectively.

상기와 같이 구성된 능동 EMI 필터(1)는 둘 이상의 대전류 경로(111, 112) 상의 특정 조건의 전류를 감지하고 이를 능동적으로 보상할 수 있고, 능동 EMI 필터(1)의 소형화에도 불구하고 고전류, 고전압 및/또는 고전력 시스템에 적용될 수 있다.The active EMI filter 1 configured as described above can detect current under a specific condition on two or more high current paths 111 and 112 and actively compensate for it, and despite the miniaturization of the active EMI filter 1, high current and high voltage and/or high power systems.

한편, 상술한 능동 EMI 필터는 피측정 장치(20)의 일 예에 불과하며, 주파수를 이용하는 신호를 처리하는 다양한 아날로그 회로(또는 RF)를 포함하는 모든 종류의 장치를 의미할 수 있다. Meanwhile, the above-described active EMI filter is just one example of the device under measurement 20, and may refer to all types of devices including various analog circuits (or RF) that process signals using frequencies.

피측정 장치(20)는 2개의 터미널(포트)뿐만 아니라 3개 이상의 터미널로 형성되는 경우가 있다. 피측정 장치(20)의 S-파라미터를 측정하기 위해, 2개의 포트를 갖는 파라미터 측정 장치(10)는 3개 이상의 터미널에 대하여 교차로 2개씩 조합하여 측정할 수 있다. 이에 대하여는 추후에 자세히 설명하기로 한다. The device under test 20 may be formed of not only two terminals (ports) but also three or more terminals. In order to measure the S-parameter of the device under test 20, the parameter measuring device 10 having two ports may combine two intersections for three or more terminals and measure them. This will be described in detail later.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 파라미터 측정 장치의 구성요소를 설명하기 위한 블록도이다. 3 is a block diagram for explaining the components of a parameter measuring device according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 파라미터 측정 장치(10)는 신호 생성부(100), 포트(200), 스위치부(300) 및 프로세서(400)를 포함할 수 있다. 이때, 포트(200)는 제1 포트(P1) 및 제2 포트(P2)를 포함할 수 있고, 스위치부(300)는 제1 스위치(SW1) 내지 제n 스위치(SWn)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3 , the parameter measurement device 10 may include a signal generator 100 , a port 200 , a switch unit 300 and a processor 400 . At this time, the port 200 may include a first port P1 and a second port P2, and the switch unit 300 may include a first switch SW1 to an n-th switch SWn. .

신호 생성부(100)는 프로세서(400)로부터의 제어 신호에 응답하여 주파수가 소정 범위내에서 선형적으로 가변되는 테스트 신호를 생성하기 위한 구성이다. The signal generator 100 is a component for generating a test signal whose frequency is linearly variable within a predetermined range in response to a control signal from the processor 400 .

포트(200)는 스위치부(300)를 통해 피측정 장치(20)의 터미널(또는 DUT 포트)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상술한 바와 같이 포트(200)는 2개의 입력-출력 포트(테스트 포트 P1, P2)를 포함할 수 있다. 포트(200)는 프로세서(400)의 제어신호에 따라 선택된 스위치를 통해서 피측정 장치(20)에 연결될 수 있고, 신호 생성부(100)에서 생성한 테스트 신호를 피측정 장치(20)에 공급할 수 있다. The port 200 may be electrically connected to a terminal (or DUT port) of the device under test 20 through the switch unit 300 . As described above, the port 200 may include two input-output ports (test ports P1 and P2). The port 200 may be connected to the device under test 20 through a switch selected according to the control signal of the processor 400, and may supply the test signal generated by the signal generator 100 to the device under test 20. there is.

스위치부(300)는 제1 스위치(SW1) 내지 제n 스위치(SWn)를 포함할 수 있다. 제1 스위치(SW1) 내지 제n 스위치(SWn) 각각은 제1 포트(P1) 및 제2 포트(P2)를 선택적으로 결정하도록 구성될 수 있다. The switch unit 300 may include a first switch SW1 to an nth switch SWn. Each of the first switch SW1 to the nth switch SWn may be configured to selectively determine the first port P1 and the second port P2.

예를 들어, 제1 스위치(SW1) 내지 제n 스위치(SWn) 각각은 EPX36MA8과 같은 SPDT(Single Pole Double Throw) 형태의 스위치일 수 있고, TS5A3359DCUT과 같은 0SP3T(Single Pole 3 Throw) 형태의 스위치일 수 있으나, 이는 일예에 불과하고, 다양한 선택적 스위치를 통해 구현될 수 있다. For example, each of the first switch (SW1) to the nth switch (SWn) may be a single pole double throw (SPDT) type switch such as EPX36MA8 or a single pole 3 throw (0SP3T) type switch such as TS5A3359DCUT However, this is only an example and can be implemented through various optional switches.

제1 스위치(SW1) 내지 제n 스위치(SWn) 각각은 외부 신호 경로 또는 각 터미널에 대응하는 내부 저항기로 회로를 접속시키는 스위칭 회로를 포함할 수 있다. 스위치 내의 각 내부 저항기는 통상 50Ω인 측정 장치(10)의 정규화된 특성 임피던스로 설정될 수 있다. Each of the first switch SW1 to the nth switch SWn may include a switching circuit connecting a circuit with an external signal path or an internal resistor corresponding to each terminal. Each internal resistor in the switch may be set to the normalized characteristic impedance of the measurement device 10, which is typically 50 ohms.

프로세서(400)는 파라미터 측정 장치(10)를 전반적으로 제어하기 위한 제어부일 수 있다. 특히, 프로세서(400)는 메모리(미도시)에 저장된 각종 프로그램을 이용하여 파라미터 측정 장치(10)의 전반적인 동작을 제어한다.The processor 400 may be a control unit for overall control of the parameter measurement device 10 . In particular, the processor 400 controls the overall operation of the parameter measurement device 10 using various programs stored in a memory (not shown).

구체적으로, 프로세서(400)는 피측정 장치(20)의 복수의 터미널 중 2개의 터미널을 선택하기 위해 스위치부(300)를 제어할 수 있다. Specifically, the processor 400 may control the switch unit 300 to select two terminals among a plurality of terminals of the device under measurement 20 .

프로세서(400)는 선택된 2개의 스위치를 통해 피측정 장치(20)로 공급할 테스트 신호를 생성하도록 신호 생성부(100)를 제어할 수 있다. 프로세서(400)는 신호 생성부(100)가 생성한 테스트 신호를 피측정 장치(20)로 공급하도록 포트(200)를 제어할 수 있다. 구체적으로 프로세서(400)는 상기 2개의 스위치를 각각 상기 제1 포트 및 상기 제2 포트에 교차로 연결하도록 상기 복수의 스위치를 제어하고, 상기 2개의 스위치 중 어느 하나를 통해 상기 피측정 장치(20)에 테스트 신호를 입력하도록 상기 제1 포트(P1)를 제어하고, 상기 포트를 통해 획득된 반사 신호 및 응답 신호를 기초로 S 파라미터를 측정할 수 있다. The processor 400 may control the signal generator 100 to generate a test signal to be supplied to the device under test 20 through the selected two switches. The processor 400 may control the port 200 to supply the test signal generated by the signal generator 100 to the device under test 20 . Specifically, the processor 400 controls the plurality of switches to cross-connect the two switches to the first port and the second port, respectively, and transmits the device under test 20 through any one of the two switches. It is possible to control the first port (P1) to input a test signal to, and measure the S-parameter based on the reflection signal and the response signal obtained through the port.

프로세서(400)는 테스트 중인 피측정 장치(20)에 스위프(sweep) 주파수 신호(테스트 신호)를 전송하도록 입력 포트를 제어하고, 테스트 중인 피측정 장치(20)의 응답 출력 신호를 수신하도록 출력 포트를 제어할 수 있다. 이때, 입력 포트 및 출력 포트는 포트(200) 중 스위프(sweep) 방향에 따라 변경 될 수 있다. The processor 400 controls the input port to transmit a sweep frequency signal (test signal) to the device under test 20, and the output port to receive a response output signal of the device under test 20. can control. At this time, the input port and the output port may be changed according to a sweep direction among the ports 200 .

구체적으로 상기 프로세서(400)는 상기 2개의 스위치 중 어느 하나를 통해 상기 피측정 장치(20)에 테스트 신호를 입력하도록 상기 제2 포트(P2)를 제어하고, 상기 포트(200)를 통해 획득된 반사 신호 및 응답 신호를 기초로 S 파라미터를 측정할 수 있다. Specifically, the processor 400 controls the second port P2 to input a test signal to the device under test 20 through one of the two switches, and obtains a test signal through the port 200. Based on the reflected signal and the response signal, the S-parameter can be measured.

즉, 프로세서(400)는 포트(200)에 입력된 테스트 신호에 대응하는 피측정 장치(20)의 반사 또는 응답 신호를 측정하고, 이를 기초로 피측정 장치(20)에 대한 S 파라미터를 획득할 수 있다. 구체적으로, 주파수 변환된 입력 신호 및 기준 신호는 AD 컨버터(미도시)에 의해 디지털 신호로 각각 변환될 수 있고, 디지털 신호는 디지털 신호 처리기(DSP, 65)에 의해 처리되어, 프로세서(400)는 테스트 중인 피측정 장치(20)의 S 파라미터를 결정할 수 있다. 프로세서(400)는 획득한 S 파라미터를 기초로 Z 파라미터를 추출할 수 있고, 이후 회로 파라미터를 계산할 수 있다. That is, the processor 400 measures a reflection or response signal of the device under test 20 corresponding to the test signal input to the port 200, and obtains an S-parameter for the device under test 20 based on the measured reflection signal. can Specifically, the frequency-converted input signal and the reference signal may be converted into digital signals by an AD converter (not shown), and the digital signals are processed by a digital signal processor (DSP, 65), so that the processor 400 The S-parameter of the device under test 20 may be determined. The processor 400 may extract a Z parameter based on the obtained S parameter, and then calculate a circuit parameter.

프로세서(400)는 CPU, 램(RAM), 롬(ROM), 시스템 버스를 포함할 수 있다. 여기서, 롬은 시스템 부팅을 위한 명령어 세트가 저장되는 구성이고, CPU는 롬에 저장된 명령어에 따라 파라미터 측정 장치(100)의 메모리에 저장된 운영체제를 램에 복사하고, O/S를 실행시켜 시스템을 부팅시킨다. 부팅이 완료되면, CPU는 메모리(미도시)에 저장된 각종 애플리케이션을 램에 복사하고, 실행시켜 각종 동작을 수행할 수 있다. 이상에서는 프로세서(400)가 하나의 CPU만을 포함하는 것으로 설명하였지만, 구현 시에는 복수의 CPU(또는 DSP, SoC 등)으로 구현될 수 있다.The processor 400 may include a CPU, RAM, ROM, and a system bus. Here, the ROM is a configuration in which a command set for system booting is stored, and the CPU copies the operating system stored in the memory of the parameter measurement device 100 to the RAM according to the command stored in the ROM, and executes the O / S to boot the system let it When booting is completed, the CPU may copy various applications stored in a memory (not shown) to RAM and execute them to perform various operations. In the above, the processor 400 has been described as including only one CPU, but may be implemented with a plurality of CPUs (or DSPs, SoCs, etc.).

본 발명의 일 실시 예에 따라, 프로세서(400)는 디지털 신호를 처리하는 디지털 시그널 프로세서(digital signal processor(DSP), 마이크로 프로세서(microprocessor), TCON(Time controller)으로 구현될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 중앙처리장치(central processing unit(CPU)), MCU(Micro Controller Unit), MPU(micro processing unit), 컨트롤러(controller), 어플리케이션 프로세서(application processor(AP)), 또는 커뮤니케이션 프로세서(communication processor(CP)), ARM 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함하거나, 해당 용어로 정의될 수 있다. 또한, 프로세서(400)는 프로세싱 알고리즘이 내장된 SoC(System on Chip), LSI(large scale integration)로 구현될 수도 있고, FPGA(Field Programmable gate array) 형태로 구현될 수도 있다.According to an embodiment of the present invention, the processor 400 may be implemented as a digital signal processor (DSP), a microprocessor, or a time controller (TCON) that processes digital signals. However, this It is not limited to, a central processing unit (CPU), a micro controller unit (MCU), a micro processing unit (MPU), a controller, an application processor (AP), or a communication processor ( communication processor (CP)), an ARM processor, or one or more of them, or may be defined in terms of the corresponding term. In addition, the processor 400 may include a system on chip (SoC) with a built-in processing algorithm, a large scale integration (LSI) ), or may be implemented in the form of a Field Programmable Gate Array (FPGA).

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 S 파라미터를 측정하기 위한 스위치 선택 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 4 is a flowchart illustrating a switch selection method for measuring an S parameter according to an embodiment of the present invention.

파라미터 측정 장치(10)는 스위치(300) 중 포트(200)와 연결하기 위한 두 개의 스위치를 선택할 수 있다. 이때, 스위치(300)는 피측정 장치(20)의 포트 또는 터미널의 수에 대응되는 수와 동일할 수 있다. 예를 들면, 피측정 장치(20)의 터미널의 수가 4개이라면, 스위치부(300)는 SW1 내지 SW4의 스위치를 포함할 수 있고, 피측정 장치(20)의 터미널의 수가 n개이라면, 스위치부(300)는 SW1 내지 SWn의 스위치를 포함할 수 있다.The parameter measuring device 10 may select two switches to be connected to the port 200 among the switches 300 . In this case, the number of switches 300 may be the same as the number corresponding to the number of ports or terminals of the device under test 20 . For example, if the number of terminals of the device under test 20 is 4, the switch unit 300 may include switches SW1 to SW4, and if the number of terminals of the device under test 20 is n, the switch unit 300 may include switches. Unit 300 may include switches SW1 to SWn.

한편, 파라미터 측정 장치(10)는 SW1 내지 SWn의 스위치 중 제1 포트(P1)와 제2 포트(P2)에 각각 연결하기 위한 두 개의 스위치 SWi 및 SWj를 선택할 수 있다. 파라미터 측정 장치(10)는 포트(200)에 연결하기 위한 스위치 넘버(i,j)를 각각 i=1, j=2로 설정할 수 있다(S400). Meanwhile, the parameter measuring device 10 may select two switches SWi and SWj for connecting to the first port P1 and the second port P2, respectively, among the switches SW1 to SWn. The parameter measurement device 10 may set switch numbers (i, j) for connection to the port 200 to i=1 and j=2 (S400).

파라미터 측정 장치(10)는 선택된 SWi 및 SWj(예를 들어, SW1 및 SW2)를 포트(200)와 연결할 수 있다(S410). 예를 들어, 파라미터 측정 장치(10)는 제1 스위치(SWi)를 입력 포트(P1)에 연결할 수 있고, 제2 스위치(SWj)를 출력 포트(P2)에 연결할 수 있다. The parameter measurement device 10 may connect the selected SWi and SWj (eg, SW1 and SW2) to the port 200 (S410). For example, the parameter measuring device 10 may connect the first switch SWi to the input port P1 and connect the second switch SWj to the output port P2.

파라미터 측정 장치(10)는 제1 스위치(SWi)가 연결된 입력 포트(P1)를 통해 테스트 신호를 인가할 수 있고(S420), 제2 스위치(SWj)가 연결된 출력 포트(P2)를 통해 획득된 응답 출력 신호를 기초로 피측정 장치(20)의 S 파라미터를 측정할 수 있다(S430). The parameter measurement device 10 may apply a test signal through the input port P1 to which the first switch SWi is connected (S420), and obtain the obtained signal through the output port P2 to which the second switch SWj is connected. Based on the response output signal, the S-parameter of the device under test 20 may be measured (S430).

한편, 파라미터 측정 장치(10)는 제2 스위치(SWj)에 대응되는 터미널이 피측정 장치(20)의 복수의 터미널 중 측정되지 않은 최종 터미널인지 여부(j=n)를 확인할 수 있다(S440). Meanwhile, the parameter measurement device 10 may check whether the terminal corresponding to the second switch SWj is the final terminal that has not been measured among the plurality of terminals of the device under measurement 20 (j=n) (S440). .

제2 스위치(SWj)에 대응되는 터미널이 최종 터미널이 아닌 경우(S440-N), 파라미터 측정 장치(10)는 제2 스위치(SWj)에 대응되는 피측정 장치(20)의 터미널 번호를 증가(j = j+1)시킬 수 있다(S450). 이후, 파라미터 측정 장치(10)는 선택된 SWi 및 SWj(예를 들어, SW1 및 SW3)를 포트(200)와 연결할 수 있고(S410), 제2 스위치(SWj)에 대응되는 터미널이 피측정 장치(20)의 복수의 터미널 중 측정되지 않은 최종 터미널(j=n)이 될 때까지 S 파라미터 측정을 반복한다. If the terminal corresponding to the second switch SWj is not the final terminal (S440-N), the parameter measuring device 10 increases the terminal number of the device under test 20 corresponding to the second switch SWj ( j = j + 1) (S450). Thereafter, the parameter measuring device 10 may connect the selected SWi and SWj (eg, SW1 and SW3) with the port 200 (S410), and the terminal corresponding to the second switch SWj is the device under test ( S-parameter measurement is repeated until the final unmeasured terminal (j=n) among the plurality of terminals in 20) is reached.

한편, 파라미터 측정 장치(10)는 제1 스위치(SWi)에 대응되는 터미널이 피측정 장치(20)의 복수의 터미널 중 측정되지 않은 최종 터미널인지 여부(i=n)를 확인할 수 있다(S460).Meanwhile, the parameter measuring device 10 may check whether the terminal corresponding to the first switch SWi is the final terminal that has not been measured among a plurality of terminals of the device under measurement 20 (i=n) (S460). .

제1 스위치(SWi)에 대응되는 터미널이 최종 터미널이 아닌 경우(S460-N), 파라미터 측정 장치(10)는 제1 스위치(SWi)에 대응되는 피측정 장치(20)의 터미널 번호를 증가(i = i+1)시킬 수 있고, 제2 스위치(SWj)에 대응되는 피측정 장치(20)의 터미널 번호를 변경(j = i+1)할 수 있다(S470). 이후, 파라미터 측정 장치(10)는 선택된 SWi 및 SWj(예를 들어, SW2 및 SW3)를 포트(200)와 연결할 수 있고(S410), 제2 스위치(SWj)에 대응되는 터미널이 피측정 장치(20)의 복수의 터미널 중 측정되지 않은 최종 터미널(j=n)이 될 때까지 S 파라미터 측정을 반복할 수 있다. If the terminal corresponding to the first switch SWi is not the final terminal (S460-N), the parameter measuring device 10 increases the terminal number of the device under test 20 corresponding to the first switch SWi ( i = i+1), and the terminal number of the device under test 20 corresponding to the second switch SWj can be changed (j = i+1) (S470). Thereafter, the parameter measurement device 10 may connect the selected SWi and SWj (eg, SW2 and SW3) with the port 200 (S410), and the terminal corresponding to the second switch SWj is the device under test ( S-parameter measurement may be repeated until the final unmeasured terminal (j=n) among the plurality of terminals of 20) is reached.

파라미터 측정 장치(10)는 제1 스위치(SWi)에 대응되는 터미널이 피측정 장치(20)의 복수의 터미널 중 측정되지 않은 최종 터미널(i=n)이 될 때까지 S 파라미터 측정을 반복할 수 있다. The parameter measurement device 10 may repeat the S parameter measurement until the terminal corresponding to the first switch SWi becomes the final unmeasured terminal (i=n) among the plurality of terminals of the device under measurement 20. there is.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 파라미터 측정 장치의 스위치 동작 방법 및 파라미터 측정 방법을 순차적으로 도시한 도면이다. 5 to 7 are diagrams sequentially illustrating a method of operating a switch and a method of measuring parameters of a parameter measurement device according to an embodiment of the present invention.

도 5 내지 도 7은 피측정 장치(20)가 총 6개의 DUT 포트 또는 터미널(T1 내지 T6)을 포함하는 실시예를 도시한다. 스위치부(300)의 각각의 스위치(SW1 내지 SW6)는 각각 피측정 장치(20)의 터미널(T1 내지 T6)에 대응되는 것일 수 있다. 5 to 7 show an embodiment in which the device under test 20 includes a total of six DUT ports or terminals T1 to T6. Each of the switches SW1 to SW6 of the switch unit 300 may correspond to the terminals T1 to T6 of the device under test 20, respectively.

도 5 내지 도 7의 스위치부(300)의 각각의 스위치(SW1 내지 SW6)는 SP3T(Single Pole 3 Throw) 또는 SPTT(Single Pole Triple Throw) 형식의 스위치로 구현된 것이다. 구체적으로, 각각의 스위치(SW1 내지 SW6)는 제1 포트(P1), 제2 포트(P2) 및 각 터미널에 대응하는 정규화된 임피던스를 포함하는 내부 저항기에 선택적으로 연결 가능한 SP3T 스위치일 수 있다. Each of the switches SW1 to SW6 of the switch unit 300 of FIGS. 5 to 7 is implemented as a single pole three throw (SP3T) or single pole triple throw (SPTT) type switch. Specifically, each of the switches SW1 to SW6 may be an SP3T switch selectively connectable to an internal resistor including a first port P1, a second port P2, and normalized impedance corresponding to each terminal.

파라미터 측정 장치(10)는 각각의 스위치(SW1 내지 SW6) 중 포트(200)와 연결하기 위한 2개의 스위치를 선택할 수 있다. 도 5에서는 제1 스위치(SW1) 및 제2 스위치(SW2)가 포트(200)와 연결하기 위한 2개의 스위치로 선택된 것을 도시한다. The parameter measurement device 10 may select two switches to be connected to the port 200 from among the switches SW1 to SW6. 5 shows that the first switch SW1 and the second switch SW2 are selected as two switches for connection with the port 200 .

도 5의 실시예에서 SW1 및 SW2를 제외한 나머지 SW3 내지 SW6는 정규화된 임피던스를 포함하는 내부 저항기에 연결될 수 있다. 제1 스위치(SW1)와 연결된 제1 포트(P1)로부터 테스트 신호를 입력받은 피측정 장치(20)는 테스트 신호에 대응하는 반사 신호 및 제2 포트(P2)로 출력되는 응답 신호를 기초로 S 파라미터(S11, S21)를 측정할 수 있다. In the embodiment of FIG. 5 , SW3 to SW6 excluding SW1 and SW2 may be connected to an internal resistor including a normalized impedance. Upon receiving the test signal from the first port P1 connected to the first switch SW1, the device under test 20 receives the S test signal based on the reflected signal corresponding to the test signal and the response signal output through the second port P2. Parameters S11 and S21 can be measured.

파라미터 측정 장치(10)는 제1 스위치(SW1)를 유지한 채 제2 스위치를 SW2 부터 SW6까지 변경하며 S 파라미터를 측정할 수 있다. 도 6은 파라미터 측정 장치(10)가 제2 스위치를 SW6까지 변경한 것을 도시한 도면이다. 도 6을 참조하면, 제1 스위치(SW1) 및 제2 스위치(SW6)를 제외한 나머지 스위치 SW2 내지 SW5는 정규화된 임피던스를 포함하는 내부 저항기에 연결된다. The parameter measuring device 10 may measure the S-parameter by changing the second switch from SW2 to SW6 while maintaining the first switch SW1. 6 is a diagram showing that the parameter measurement device 10 changes the second switch to SW6. Referring to FIG. 6 , the remaining switches SW2 to SW5 excluding the first switch SW1 and the second switch SW6 are connected to an internal resistor including a normalized impedance.

도 7을 참조하면, 파라미터 측정 장치(10)는 제1 스위치를 SW1으로 유지한 채 제2 스위치를 SW2에서 SW6까지 변경하며 S 파라미터를 측정한 후, 제1 스위치를 SW1에서 SW2로 변경한 것을 도시한다. Referring to FIG. 7 , the parameter measurement device 10 measures the S parameter by changing the second switch from SW2 to SW6 while maintaining the first switch at SW1, and then changing the first switch from SW1 to SW2. show

파라미터 측정 장치(10)는 제1 스위치(SW2) 및 제2 스위치(SW3)를 포트(200)에 연결하여 S 파라미터를 측정한 후, 제1 스위치(SW2)를 유지한 채 제2 스위치를 SW4 내지 SW6로 변경하며 S 파라미터를 측정할 수 있다. The parameter measuring device 10 connects the first switch SW2 and the second switch SW3 to the port 200 to measure the S parameter, and then switches the second switch SW4 while maintaining the first switch SW2. to SW6, the S parameter can be measured.

본 발명에 따르면, 파라미터 측정 장치(10)는 포트(200)를 스위치부(300)에 연결한 후 자동으로 피측정 장치(20)에 대한 S 파라미터를 순차적으로 측정할 수 있다. According to the present invention, the parameter measuring device 10 can automatically sequentially measure the S parameters of the device under test 20 after connecting the port 200 to the switch unit 300 .

즉, 본 발명에 따른 파라미터 측정 장치(10)는 복수의 터미널을 포함하는 피측정 장치(20)에 대한 S 파라미터 측정에 있어서, 파라미터 측정 장치(10)의 포트와 DUT 포트(또는 DUT 터미널) 간 연결을 여러 번 변경할 필요가 없다는 점에서 시간 및 케이블 손상을 절감할 수 있다는 효과가 있다. That is, the parameter measuring device 10 according to the present invention measures the S parameter of the device under measurement 20 including a plurality of terminals, between the port of the parameter measuring device 10 and the DUT port (or DUT terminal). This has the effect of saving time and cable damage by not having to change connections multiple times.

한편, 상술한 본 발명의 다양한 실시 예들에 따른 방법들은, 기존 전자 장치에 설치 가능한 어플리케이션 형태로 구현될 수 있다. Meanwhile, the methods according to various embodiments of the present disclosure described above may be implemented in the form of an application that can be installed in an existing electronic device.

또한, 상술한 본 발명의 다양한 실시 예들에 따른 방법들은, 기존 전자 장치에 대한 소프트웨어 업그레이드, 또는 하드웨어 업그레이드 만으로도 구현될 수 있다. In addition, the methods according to various embodiments of the present disclosure described above may be implemented only by upgrading software or hardware of an existing electronic device.

또한, 상술한 본 발명의 다양한 실시예들은 전자 장치에 구비된 임베디드 서버, 또는 전자장치의 외부 서버를 통해 수행되는 것도 가능하다. In addition, various embodiments of the present invention described above may be performed through an embedded server included in the electronic device or an external server of the electronic device.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 이상에서 설명된 다양한 실시예들은 소프트웨어(software), 하드웨어(hardware) 또는 이들의 조합을 이용하여 컴퓨터(computer) 또는 이와 유사한 장치로 읽을 수 있는 기록매체(computer readable recording medium)에 저장된 명령어를 포함하는 소프트웨어로 구현될 수 있다. 일부 경우에 있어 본 명세서에서 설명되는 실시예들이 프로세서 자체로 구현될 수 있다. 소프트웨어적인 구현에 의하면, 본 명세서에서 설명되는 절차 및 기능과 같은 실시 예들은 별도의 소프트웨어 모듈들로 구현될 수 있다. 소프트웨어 모듈들 각각은 본 명세서에서 설명되는 하나 이상의 기능 및 동작을 수행할 수 있다. On the other hand, according to one embodiment of the present invention, the various embodiments described above use software, hardware, or a combination thereof to record a medium readable by a computer or similar device ( It may be implemented as software including instructions stored in a computer readable recording medium). In some cases, the embodiments described herein may be implemented in a processor itself. According to software implementation, embodiments such as procedures and functions described in this specification may be implemented as separate software modules. Each of the software modules may perform one or more functions and operations described herein.

한편, 컴퓨터(computer) 또는 이와 유사한 장치는, 저장 매체로부터 저장된 명령어를 호출하고, 호출된 명령어에 따라 동작이 가능한 장치로서, 개시된 실시 예들에 따른 장치를 포함할 수 있다. 상기 명령이 프로세서에 의해 실행될 경우, 프로세서가 직접, 또는 상기 프로세서의 제어 하에 다른 구성요소들을 이용하여 상기 명령에 해당하는 기능을 수행할 수 있다. 명령은 컴파일러 또는 인터프리터에 의해 생성 또는 실행되는 코드를 포함할 수 있다. On the other hand, a computer (computer) or a device similar thereto, as a device capable of calling a command stored in a storage medium and operating according to the called command, may include a device according to the disclosed embodiments. When the command is executed by a processor, the processor may perform a function corresponding to the command directly or by using other components under the control of the processor. An instruction may include code generated or executed by a compiler or interpreter.

기기로 읽을 수 있는 기록매체는, 비일시적 기록매체(non-transitory computer readable recording medium)의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장매체가 신호(signal)를 포함하지 않으며 실재(tangible)한다는 것을 의미할 뿐 데이터가 저장매체에 반영구적 또는 임시적으로 저장됨을 구분하지 않는다. 이때 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체란 레지스터, 캐쉬, 메모리 등과 같이 짧은 순간 동안 데이터를 저장하는 매체가 아니라 반영구적으로 데이터를 저장하며, 기기에 의해 판독(reading)이 가능한 매체를 의미한다. 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체의 구체적인 예로는, CD, DVD, 하드 디스크, 블루레이 디스크, USB, 메모리카드, ROM 등이 있을 수 있다.The device-readable recording medium may be provided in the form of a non-transitory computer readable recording medium. Here, 'non-temporary' only means that the storage medium does not contain a signal and is tangible, but does not distinguish whether data is stored semi-permanently or temporarily in the storage medium. In this case, the non-transitory computer-readable medium is not a medium that stores data for a short moment, such as a register, cache, or memory, but a medium that stores data semi-permanently and is readable by a device. Specific examples of the non-transitory computer readable medium may include a CD, DVD, hard disk, Blu-ray disk, USB, memory card, ROM, and the like.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.As such, the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but this is only exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. . Therefore, the true technical scope of protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

10: 파라미터 측정 장치
20: 피측정 장치
100: 신호 생성부
200: 포트
300: 스위치부
400: 프로세서
10: Parameter measuring device
20: device under test
100: signal generator
200: port
300: switch unit
400: processor

Claims (9)

3개 이상의 터미널을 포함하는 피측정 장치를 테스트하기 위한 파라미터 측정 장치에 있어서,
테스트 신호를 생성하는 신호 생성부;
입력 포트 및 출력 포트만으로 구성된 포트;
상기 피측정 장치의 상기 3개 이상의 터미널에 일대일 대응하고, 상기 3개 이상의 터미널에 일대일 연결되며, 상기 입력 포트 및 상기 출력 포트에 각각 선택적으로 연결될 수 있도록 구성된 복수의 스위치; 및
상기 복수의 스위치 중 2개의 스위치를 선택하고, 상기 2개의 스위치를 각각 상기 입력 포트 및 상기 출력 포트에 교차로 연결하도록 상기 복수의 스위치를 제어하고, 상기 2개의 스위치 중 어느 하나를 통해 상기 피측정 장치에 상기 테스트 신호를 입력하도록 상기 입력 포트를 제어하고, 상기 포트를 통해 획득된 반사 신호 및 응답 신호를 기초로 S 파라미터를 측정하는 프로세서; 를 포함하는 파라미터 측정 장치.
A parameter measuring device for testing a device to be measured including three or more terminals, comprising:
a signal generating unit generating a test signal;
A port consisting of only an input port and an output port;
a plurality of switches configured to correspond to the three or more terminals of the device under test on a one-to-one basis, to be connected to the three or more terminals on a one-to-one basis, and to be selectively connected to the input port and the output port, respectively; and
Selecting two switches among the plurality of switches, controlling the plurality of switches to cross-connect the two switches to the input port and the output port, respectively, and the device under test through one of the two switches a processor for controlling the input port to input the test signal to and measuring an S parameter based on a reflection signal and a response signal obtained through the port; Parameter measuring device comprising a.
제1항에 있어서,
상기 프로세서는 상기 2개의 스위치 중 어느 하나를 통해 상기 피측정 장치에 테스트 신호를 입력하도록 상기 출력 포트를 제어하고, 상기 포트를 통해 획득된 반사 신호 및 응답 신호를 기초로 S 파라미터를 측정하는 파라미터 측정 장치.
According to claim 1,
The processor controls the output port to input a test signal to the device under test through one of the two switches, and measures an S parameter based on a reflection signal and a response signal obtained through the port. Device.
제1항에 있어서,
상기 복수의 스위치의 수는 상기 피측정 장치의 터미널 수와 동일한 파라미터 측정 장치.
According to claim 1,
The number of the plurality of switches is equal to the number of terminals of the device under measurement.
제1항에 있어서,
상기 복수의 스위치 각각은 SPTT(Single Pole Triple Throw)이고,
상기 복수의 스위치 각각은 상기 입력 포트, 상기 출력 포트 및 정규화된 임피던스를 포함하는 내부 저항기에 선택적으로 연결될 수 있고,
상기 프로세서는 상기 복수의 스위치 중 2개의 스위치를 제외한 나머지 스위치는 상기 내부 저항기에 연결되도록 상기 복수의 스위치를 제어하는 파라미터 측정 장치.
According to claim 1,
Each of the plurality of switches is a single pole triple throw (SPTT),
Each of the plurality of switches may be selectively connected to the input port, the output port, and an internal resistor including a normalized impedance,
The processor controls the plurality of switches such that the remaining switches except for two switches among the plurality of switches are connected to the internal resistor.
n개의 터미널(여기서 n은 3이상의 자연수)을 포함하는 피측정 장치를 테스트하기 위한 파라미터 측정 장치의 측정 방법에 있어서,
프로세서에 의해, 복수의 스위치 중 제i 스위치 및 제j 스위치(여기서 i와 j는 자연수)를 선택하는 단계;
상기 프로세서에 의해, 상기 2개의 스위치를 각각 포트의 제1 포트 및 제2 포트에 교차로 연결하는 단계;
상기 프로세서에 의해, 상기 2개의 스위치 중 어느 하나를 통해 상기 피측정 장치에 테스트 신호를 입력하는 단계;
상기 프로세서에 의해, 상기 포트를 통해 획득된 반사 신호 및 응답 신호를 기초로 S 파라미터를 측정하는 단계; 및
상기 프로세서에 의해, 제j 스위치에 대응되는 터미널이 상기 피측정 장치의 상기 n개의 터미널 중 측정되지 않은 최종 터미널인지 여부를 확인하는 단계;
를 포함하며,
상기 포트는 상기 제1 포트 및 상기 제2 포트로만 구성되며,
상기 복수의 스위치는 상기 피측정 장치의 상기 n개의 터미널에 일대일 대응하고, 상기 n개의 터미널에 일대일 연결되는 파라미터 측정 방법.
A measuring method of a parameter measuring device for testing a device to be measured including n terminals (where n is a natural number of 3 or more), the method comprising:
selecting, by a processor, an ith switch and a jth switch (where i and j are natural numbers) among the plurality of switches;
cross-connecting, by the processor, the two switches to a first port and a second port of each port;
inputting, by the processor, a test signal to the device under test through one of the two switches;
measuring, by the processor, an S parameter based on a reflection signal and a response signal obtained through the port; and
confirming, by the processor, whether a terminal corresponding to a jth switch is a final unmeasured terminal among the n terminals of the device under test;
Including,
The port is composed of only the first port and the second port,
The plurality of switches correspond one-to-one to the n terminals of the device under test and are connected to the n terminals one-to-one.
제5항에 있어서,
상기 테스트 신호는 주파수가 소정 범위내에서 선형적으로 가변되는 것인, 파라미터 측정 방법.
According to claim 5,
The method of measuring a parameter, wherein the frequency of the test signal is linearly varied within a predetermined range.
제5항에 있어서,
상기 제j 스위치에 대응되는 터미널이 최종 터미널이 아닌 경우, 상기 프로세서에 의해, 상기 제j 스위치에 대응되는 상기 피측정 장치의 터미널 번호를 증가(j = j+1)시키는 단계; 및
상기 프로세서에 의해, 복수의 스위치 중 제i 스위치 및 제j 스위치를 선택하는 단계;
를 더 포함하는, 파라미터 측정 방법.
According to claim 5,
increasing, by the processor, a terminal number of the device under test corresponding to the jth switch (j = j+1) when the terminal corresponding to the jth switch is not a final terminal; and
selecting, by the processor, an i-th switch and a j-th switch among a plurality of switches;
Further comprising a, parameter measurement method.
제5항에 있어서,
상기 제j 스위치에 대응되는 터미널이 상기 최종 터미널인지 여부를 확인하는 단계 이후,
상기 프로세서에 의해, 상기 제i 스위치에 대응되는 터미널이 상기 피측정 장치의 상기 n개의 터미널 중 측정되지 않은 최종 터미널인지 여부를 확인하는 단계;
를 더 포함하는, 파라미터 측정 방법.
According to claim 5,
After checking whether the terminal corresponding to the jth switch is the final terminal,
confirming, by the processor, whether a terminal corresponding to the i-th switch is a final unmeasured terminal among the n terminals of the device under test;
Further comprising a, parameter measurement method.
제8항에 있어서,
상기 제i 스위치에 대응되는 터미널이 최종 터미널이 아닌 경우, 상기 프로세서에 의해, 상기 제i 스위치에 대응되는 상기 피측정 장치의 터미널 번호를 증가(i = i+1)시키고, 상기 제j 스위치에 대응되는 상기 피 측정 장치의 터미널 번호를 변경(j=i+1)하는 단계; 및
상기 프로세서에 의해, 복수의 스위치 중 제i 스위치 및 제j 스위치를 선택하는 단계;
를 더 포함하는, 파라미터 측정 방법.
According to claim 8,
When the terminal corresponding to the ith switch is not the final terminal, the processor increments the terminal number of the device under test corresponding to the ith switch (i = i+1), and changing the corresponding terminal number of the measured device (j=i+1); and
selecting, by the processor, an i-th switch and a j-th switch among a plurality of switches;
Further comprising a, parameter measurement method.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000329808A (en) * 1999-05-19 2000-11-30 Advantest Corp S parameter test set and signal separator
JP2005117467A (en) * 2003-10-09 2005-04-28 Mitsubishi Electric Corp High-frequency switching device
US20090102491A1 (en) * 2005-08-18 2009-04-23 Masaki Bessho Multiport test-set for switch module in network analyzer
JP2016063478A (en) * 2014-09-19 2016-04-25 新日本無線株式会社 High frequency switch device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2012491A1 (en) * 2007-07-02 2009-01-07 Alcatel Lucent Method of distributing geo-localisation information

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000329808A (en) * 1999-05-19 2000-11-30 Advantest Corp S parameter test set and signal separator
JP2005117467A (en) * 2003-10-09 2005-04-28 Mitsubishi Electric Corp High-frequency switching device
US20090102491A1 (en) * 2005-08-18 2009-04-23 Masaki Bessho Multiport test-set for switch module in network analyzer
JP2016063478A (en) * 2014-09-19 2016-04-25 新日本無線株式会社 High frequency switch device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Dongil Shin et al., A Common-Mode Active Filter in a Compact Package for a Switching Mode Power Supply, 2014 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility (2014.8.8.)

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