KR102555592B1 - Curable resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, semiconductor device, and thermal base generator - Google Patents

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Abstract

복소환 함유 폴리머 전구체, 및 하기 식 (1-1)로 나타나는 화합물을 포함하는, 경화성 수지 조성물, 상기 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막, 상기 경화막을 포함하는 적층체, 상기 경화막의 제조 방법, 및 상기 경화막 또는 상기 적층체를 포함하는 반도체 디바이스를 제공하는 것이다. 또, 신규 열염기 발생제에 관한 것이다.
식 (1-1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 1가의 유기기를 나타내고, L1은 2가의 연결기를 나타내며, R3은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R1과 R2는 결합하여 환 구조를 형성해도 된다.

Figure 112021093510050-pct00050
A curable resin composition containing a heterocycle-containing polymer precursor and a compound represented by the following formula (1-1), a cured film formed by curing the curable resin composition, a laminate comprising the cured film, a method for producing the cured film, And to provide a semiconductor device including the cured film or the laminate. Moreover, it relates to a novel heat base generator.
In formula (1-1), R 1 and R 2 each independently represent a monovalent organic group, L 1 represents a divalent linking group, R 3 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R 1 and R 2 may combine to form a ring structure.
Figure 112021093510050-pct00050

Description

경화성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 반도체 디바이스, 및 열염기 발생제Curable resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, semiconductor device, and thermal base generator

본 발명은, 복소환 함유 폴리머 전구체를 함유하는 경화성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 반도체 디바이스, 및 열염기 발생제에 관한 것이다.The present invention relates to a curable resin composition containing a heterocycle-containing polymer precursor, a cured film, a laminate, a method for producing a cured film, a semiconductor device, and a thermal base generator.

폴리이미드 수지, 폴리벤즈옥사졸 수지 등의 복소환을 함유하는 폴리머의 전구체("복소환 함유 폴리머 전구체"라고도 한다.)를 환화하여 경화한 수지는, 내열성 및 절연성이 우수하기 때문에, 다양한 용도에 적용되고 있다. 상기 용도로서는 특별히 한정되지 않지만, 실장용의 반도체 디바이스를 예로 들면, 절연막이나 밀봉재의 재료, 또는, 보호막으로서의 이용을 들 수 있다. 또, 플렉시블 기판의 베이스 필름이나 커버 레이 등으로서도 이용되고 있다.Resins cured by cyclization of heterocycle-containing polymer precursors such as polyimide resins and polybenzoxazole resins (also referred to as “heterocycle-containing polymer precursors”) are excellent in heat resistance and insulating properties, so they can be used in a variety of applications. is being applied Although it does not specifically limit as said use, If the semiconductor device for mounting is given as an example, the material of an insulating film or sealing material, or use as a protective film is mentioned. Moreover, it is also used as a base film or cover lay of a flexible substrate.

예를 들면 상술한 용도에 있어서, 복소환 함유 폴리머 전구체는, 복소환 함유 폴리머 전구체를 포함하는 경화성 수지 조성물로서 이용된다. 이와 같은 경화성 수지 조성물을, 예를 들면 도포 등에 의하여 기재(基材)에 적용하고, 그 후, 가열 등에 의하여 상기 복소환 함유 폴리머 전구체를 환화함으로써, 경화한 수지를 기재 상에 형성할 수 있다. 경화성 수지 조성물은, 공지의 도포 방법 등에 의하여 적용 가능하기 때문에, 예를 들면 적용되는 경화성 수지 조성물의 형상, 크기, 적용 위치 등의 설계의 자유도가 높은 등, 제조상의 적응성이 우수하다고 할 수 있다. 폴리이미드 수지 등이 갖는 높은 성능에 더하여, 이와 같은 제조상의 적응성이 우수한 관점에서, 복소환 함유 폴리머 전구체를 포함하는 경화성 수지 조성물의 산업상의 응용 전개가 점차 기대되고 있다.For example, in the use described above, the heterocycle-containing polymer precursor is used as a curable resin composition containing the heterocycle-containing polymer precursor. The cured resin can be formed on the substrate by applying such a curable resin composition to a substrate by, for example, coating and then cyclizing the heterocycle-containing polymer precursor by heating or the like. Since the curable resin composition can be applied by a known coating method or the like, it can be said to have excellent manufacturing adaptability, such as a high degree of freedom in designing, for example, the shape, size, and application position of the curable resin composition to be applied. In addition to the high performance possessed by polyimide resins and the like, industrial application development of curable resin compositions containing heterocycle-containing polymer precursors is expected gradually from the viewpoint of such excellent adaptability in manufacturing.

예를 들면, 특허문헌 1에는, 40℃ 이상으로 가열하면 염기를 발생하는 산성 화합물, 및, pKa 1이 0~4인 음이온과 암모늄 양이온을 갖는 암모늄염으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 열염기 발생제와, 열경화성 수지를 포함하는 열경화성 수지 조성물이 기재되어 있다.For example, in Patent Document 1, an acidic compound that generates a base when heated to 40 ° C. or higher, and an ammonium salt having an anion and an ammonium cation with a pKa 1 of 0 to 4. Thermal base generation containing at least one selected from A thermosetting resin composition comprising a thermosetting resin and a thermosetting resin are disclosed.

또, 특허문헌 2에는, 특정 구조 단위를 갖는 폴리이미드 전구체와, 활성광선 조사에 의하여 라디칼을 발생하는 화합물을 함유하는 경화성 수지 조성물이 기재되어 있다.Further, Patent Literature 2 describes a curable resin composition containing a polyimide precursor having a specific structural unit and a compound that generates radicals when irradiated with actinic light.

특허문헌 1: 국제 공개공보 제2015/199219호Patent Document 1: International Publication No. 2015/199219 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2014-201695호Patent Document 2: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-201695

폴리이미드 전구체 등의 복소환 함유 폴리머 전구체를 포함하는 경화성 수지 조성물에 있어서, 경화성 수지 조성물의 보관 시(예를 들면, 실온(25℃, 이하 동일)에 있어서의 보관 등)에 있어서 환화가 진행되기 어렵고, 또한, 얻어지는 경화물의 파단 신장률이 우수한 경화성 수지 조성물의 제공이 요망되고 있다.In a curable resin composition containing a heterocycle-containing polymer precursor such as a polyimide precursor, during storage of the curable resin composition (for example, storage at room temperature (25° C., the same applies hereinafter), etc.), it is difficult for cyclization to proceed. It is difficult, and provision of a curable resin composition excellent in breaking elongation of the obtained cured product has been desired.

본 명세서에 있어서, 경화성 수지 조성물의 보관 시에 있어서 환화가 진행되기 어려운 것을, "경화성 수지 조성물의 보존 안정성이 우수하다"라고도 한다.In this specification, what cyclization does not progress easily at the time of storage of curable resin composition is also called "excellent storage stability of curable resin composition."

본 발명의 하나의 양태는, 보존 안정성이 우수하고, 또한, 얻어지는 경화막의 파단 신장률이 우수한 경화성 수지 조성물, 상기 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막, 상기 경화막을 포함하는 적층체, 상기 경화막의 제조 방법, 및 상기 경화막 또는 상기 적층체를 포함하는 반도체 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다.One aspect of the present invention is a curable resin composition having excellent storage stability and excellent elongation at break of a cured film obtained, a cured film obtained by curing the curable resin composition, a laminate containing the cured film, and production of the cured film It is an object to provide a method and a semiconductor device including the cured film or the laminate.

또, 본 발명의 다른 하나의 양태는, 신규 열염기 발생제를 제공하는 것을 목적으로 한다.Another aspect of the present invention aims to provide a novel heat base generator.

<1> 복소환 함유 폴리머 전구체, 및<1> Heterocycle-containing polymer precursor, and

하기 식 (1-1)로 나타나는 화합물을 포함하는,Containing a compound represented by the following formula (1-1),

경화성 수지 조성물.A curable resin composition.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112021093510050-pct00001
Figure 112021093510050-pct00001

식 (1-1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 1가의 유기기를 나타내고, L1은 2가의 연결기를 나타내며, R3은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R1과 R2는 결합하여 환 구조를 형성해도 된다.In formula (1-1), R 1 and R 2 each independently represent a monovalent organic group, L 1 represents a divalent linking group, R 3 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R 1 and R 2 may combine to form a ring structure.

<2> 상기 L1이 연결쇄 길이 1~5의 2가의 연결기인, <1>에 기재된 경화성 수지 조성물.<2> The curable resin composition according to <1>, wherein L 1 is a divalent linking group having a link chain length of 1 to 5.

<3> 상기 R1 및 상기 R2가 각각 독립적으로, 탄화 수소기인, <1> 또는 <2>에 기재된 경화성 수지 조성물.<3> The curable resin composition according to <1> or <2>, wherein R 1 and R 2 are each independently a hydrocarbon group.

<4> 상기 L1이, 1,2-에틸렌기, 1,3-프로페인다이일기, 1,2-사이클로헥세인다이일기, 시스바이닐렌기, 1,2-페닐렌기, 1,2-페닐렌메틸렌기, 또는, 1,2-에틸렌옥시-1,2-에틸렌기인, <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.<4> L 1 is 1,2-ethylene group, 1,3-propanediyl group, 1,2-cyclohexanediyl group, cisvinylene group, 1,2-phenylene group, 1,2-phenyl group The curable resin composition according to any one of <1> to <3>, which is a lenmethylene group or a 1,2-ethyleneoxy-1,2-ethylene group.

<5> 상기 R3이, 수소 원자, 알킬기, 또는, 아릴기인, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.<5> The curable resin composition according to any one of <1> to <4>, wherein R 3 is a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group.

<6> 상기 식 (1-1)로 나타나는 화합물의 분자량이 100 이상 2,000 이하인, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.<6> The curable resin composition according to any one of <1> to <5>, wherein the compound represented by the formula (1-1) has a molecular weight of 100 or more and 2,000 or less.

<7> 광라디칼 중합 개시제 및 라디칼 중합성 화합물을 더 포함하는, <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.<7> The curable resin composition according to any one of <1> to <6>, further comprising a photoradical polymerization initiator and a radically polymerizable compound.

<8> 상기 복소환 함유 폴리머 전구체로서, 폴리이미드 전구체 및 폴리벤즈옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 전구체를 포함하는, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.<8> The curable resin composition according to any one of <1> to <7>, containing at least one precursor selected from the group consisting of a polyimide precursor and a polybenzoxazole precursor as the heterocycle-containing polymer precursor.

<9> 상기 복소환 함유 폴리머 전구체로서, 폴리이미드 전구체를 포함하는, <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.<9> The curable resin composition according to any one of <1> to <8>, comprising a polyimide precursor as the heterocycle-containing polymer precursor.

<10> 상기 폴리이미드 전구체가 하기 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 갖는, <9>에 기재된 경화성 수지 조성물;<10> Curable resin composition as described in <9> in which the said polyimide precursor has a repeating unit represented by following formula (1);

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112021093510050-pct00002
Figure 112021093510050-pct00002

식 (1) 중, A1 및 A2는, 각각 독립적으로 산소 원자 또는 -NH-를 나타내고, R111은, 2가의 유기기를 나타내며, R115는, 4가의 유기기를 나타내고, R113 및 R114는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.In Formula (1), A 1 and A 2 each independently represent an oxygen atom or -NH-, R 111 represents a divalent organic group, R 115 represents a tetravalent organic group, and R 113 and R 114 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group each independently.

<11> 상기 식 (1)에 있어서의 R113 및 R114 중 적어도 일방이 라디칼 중합성기를 포함하는, <10>에 기재된 경화성 수지 조성물.<11> The curable resin composition according to <10>, wherein at least one of R 113 and R 114 in the formula (1) contains a radical polymerizable group.

<12> 재배선층용 층간 절연막의 형성에 이용되는, <1> 내지 <11> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.<12> The curable resin composition according to any one of <1> to <11>, which is used for forming an interlayer insulating film for a redistribution layer.

<13> <1> 내지 <12> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막.<13> A cured film formed by curing the curable resin composition according to any one of <1> to <12>.

<14> <13>에 기재된 경화막을 2층 이상 포함하고, 상기 경화막끼리 중 어느 하나의 사이에 금속층을 포함하는 적층체.<14> A laminate comprising two or more layers of the cured film according to <13> and including a metal layer between any of the cured films.

<15> <1> 내지 <12> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물을 기재에 적용하여 막을 형성하는 막 형성 공정을 포함하는, 경화막의 제조 방법.<15> A method for producing a cured film including a film formation step of applying the curable resin composition according to any one of <1> to <12> to a substrate to form a film.

<16> 상기 막을 가열하여 상기 식 (1-1)에 의하여 나타나는 화합물을 분해하는 가열 공정을 더 포함하는, <15>에 기재된 경화막의 제조 방법.<16> The method for producing a cured film according to <15>, which further includes a heating step of heating the film to decompose the compound represented by the formula (1-1).

<17> <13>에 기재된 경화막 또는 <14>에 기재된 적층체를 포함하는, 반도체 디바이스.<17> A semiconductor device comprising the cured film according to <13> or the laminate according to <14>.

<18> 하기 식 (1-2)에 의하여 나타나는 열염기 발생제.<18> A thermobase generator represented by the following formula (1-2).

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112021093510050-pct00003
Figure 112021093510050-pct00003

식 (1) 중, R21 및 R22는 각각 독립적으로, 1가의 유기기를 나타내고, L21은 2가의 연결기를 나타내며, L21의 양 말단의 결합 위치에 있어서의 원자는 모두 탄소 원자이며, R23은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.In Formula (1), R 21 and R 22 each independently represent a monovalent organic group, L 21 represents a divalent linking group, all atoms at bonding positions at both ends of L 21 are carbon atoms, and R 23 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group.

본 발명의 하나의 양태에 의하면, 보존 안정성이 우수하고, 또한, 얻어지는 경화막의 파단 신장률이 우수한 경화성 수지 조성물, 상기 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막, 상기 경화막을 포함하는 적층체, 상기 경화막의 제조 방법, 및 상기 경화막 또는 상기 적층체를 포함하는 반도체 디바이스가 제공된다.According to one aspect of the present invention, a curable resin composition having excellent storage stability and excellent elongation at break of a cured film obtained, a cured film obtained by curing the curable resin composition, a laminate containing the cured film, and the cured film A manufacturing method, and a semiconductor device including the cured film or the laminate are provided.

또, 본 발명의 다른 하나의 양태에 의하면, 신규 열염기 발생제가 제공된다.Moreover, according to another aspect of this invention, a novel heat base generator is provided.

이하, 본 발명의 주요한 실시형태에 대하여 설명한다. 그러나, 본 발명은, 명시한 실시형태에 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the main embodiment of this invention is described. However, the present invention is not limited to the specific embodiments.

본 명세서에 있어서 "~"라는 기호를 이용하여 나타나는 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 각각 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.In this specification, the numerical range represented by the symbol "-" means the range which includes the numerical value described before and after "-" as a lower limit value and an upper limit value, respectively.

본 명세서에 있어서 "공정"이라는 말은, 독립적인 공정뿐만 아니라, 그 공정의 소기의 작용을 달성할 수 있는 한에 있어서, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 공정도 포함하는 의미이다.In this specification, the word "process" is meant to include not only an independent process but also a process that cannot be clearly distinguished from other processes as long as the intended action of the process can be achieved.

본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 기(원자단)와 함께 치환기를 갖는 기(원자단)도 포함한다. 예를 들면, "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함한다.In the notation of a group (atomic group) in this specification, the notation that does not describe substitution and unsubstitution includes a group (atomic group) having a substituent as well as a group (atomic group) having no substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

본 명세서에 있어서 "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 광을 이용한 노광뿐만 아니라, 전자선, 이온빔 등의 입자선을 이용한 노광도 포함한다. 또, 노광에 이용되는 광으로서는, 수은등의 휘선 스펙트럼, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, 극자외선(EUV광), X선, 전자선 등의 활성광선 또는 방사선을 들 수 있다.In this specification, "exposure" includes not only exposure using light but also exposure using particle beams such as electron beams and ion beams, unless otherwise specified. Further, examples of light used for exposure include bright line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet rays represented by an excimer laser, extreme ultraviolet rays (EUV light), active rays such as X-rays and electron beams, or radiation.

본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, "아크릴레이트" 및 "메타크릴레이트"의 양방, 또는 어느 하나를 의미하고, "(메트)아크릴"은, "아크릴" 및 "메타크릴"의 양방, 또는 어느 하나를 의미하며, "(메트)아크릴로일"은, "아크릴로일" 및 "메타크릴로일"의 양방, 또는 어느 하나를 의미한다.In the present specification, "(meth)acrylate" means either or both of "acrylate" and "methacrylate", and "(meth)acryl" means "acryl" and "methacryl". , and "(meth)acryloyl" means both or either of "acryloyl" and "methacryloyl".

본 명세서에 있어서, 구조식 중의 Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타내며, Bu는 뷰틸기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다.In the present specification, Me in the structural formula represents a methyl group, Et represents an ethyl group, Bu represents a butyl group, and Ph represents a phenyl group.

본 명세서에 있어서, 전고형분이란, 조성물의 전체 성분으로부터 용제를 제외한 성분의 총 질량을 말한다. 또 본 명세서에 있어서, 고형분 농도란, 조성물의 총 질량에 대한, 용제를 제외한 다른 성분의 질량 백분율이다.In this specification, the total solid content refers to the total mass of the components excluding the solvent from all components of the composition. Moreover, in this specification, solid content concentration is the mass percentage of other components except a solvent with respect to the total mass of a composition.

본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 특별히 설명하지 않는 한, 젤 침투 크로마토그래피(GPC 측정)에 따라, 폴리스타이렌 환산값으로서 정의된다. 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면 HLC-8220GPC(도소(주)제)를 이용하고, 칼럼으로서 가드 칼럼 HZ-L, TSKgel Super HZM-M, TSKgel Super HZ4000, TSKgel Super HZ3000, TSKgel Super HZ2000(도소(주)제)을 이용함으로써 구할 수 있다. 그들의 분자량은 특별히 설명하지 않는 한, 용리액으로서 THF(테트라하이드로퓨란)를 이용하여 측정한 것으로 한다. 또, GPC 측정에 있어서의 검출은 특별히 설명하지 않는 한, UV선(자외선)의 파장 254nm 검출기를 사용한 것으로 한다.In this specification, the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) are defined as values in terms of polystyrene according to gel permeation chromatography (GPC measurement) unless otherwise specified. In this specification, the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) are, for example, using HLC-8220GPC (manufactured by Tosoh Co., Ltd.), and as a column, guard column HZ-L, TSKgel Super HZM-M , TSKgel Super HZ4000, TSKgel Super HZ3000, TSKgel Super HZ2000 (manufactured by Tosoh Corporation) can be obtained by using. These molecular weights shall be measured using THF (tetrahydrofuran) as an eluent unless otherwise specified. In addition, detection in the GPC measurement assumes that a detector with a wavelength of 254 nm of UV rays (ultraviolet rays) is used unless otherwise specified.

본 명세서에 있어서, 적층체를 구성하는 각층(各層)의 위치 관계에 대하여, "상" 또는 "하"라고 기재했을 때에는, 주목하고 있는 복수의 층 중 기준이 되는 층의 상측 또는 하측에 다른 층이 있으면 된다. 즉, 기준이 되는 층과 상기 다른 층의 사이에, 추가로 제3의 층이나 요소가 개재되어 있어도 되고, 기준이 되는 층과 상기 다른 층은 접하고 있을 필요는 없다. 또, 특별히 설명하지 않는 한, 기재에 대하여 층이 적층되어 가는 방향을 "상"이라고 칭하거나, 또는 감광층이 있는 경우에는, 기재로부터 감광층을 향하는 방향을 "상"이라고 칭하고, 그 반대 방향을 "하"라고 칭한다. 또한, 이와 같은 상하 방향의 설정은, 본 명세서 중에 있어서의 편의를 위함이며, 실제의 양태에 있어서는, 본 명세서에 있어서의 "상" 방향은, 연직 상향과 다른 경우도 있을 수 있다.In this specification, when the positional relationship of each layer constituting the laminate is described as "upper" or "lower", another layer is located above or below the reference layer among a plurality of layers of interest. should have this That is, a third layer or element may be further interposed between the layer serving as the standard and the other layer, and the layer serving as the standard and the other layer need not be in contact with each other. In addition, unless otherwise specified, the direction in which layers are laminated with respect to the substrate is referred to as "upper", or in the case of a photosensitive layer, the direction from the substrate to the photosensitive layer is referred to as "upper", and the opposite direction is called "Ha". Note that the setting of such a vertical direction is for convenience in this specification, and in an actual aspect, there may be cases where the “up” direction in this specification is different from vertically upward.

본 명세서에 있어서, 특별한 기재가 없는 한, 조성물은, 조성물에 포함되는 각 성분으로서 그 성분에 해당하는 2종 이상의 화합물을 포함해도 된다. 또, 특단의 기재가 없는 한, 조성물에 있어서의 각 성분의 함유량이란, 그 성분에 해당하는 모든 화합물의 합계 함유량을 의미한다.In this specification, as long as there is no special description, a composition may also contain two or more types of compounds corresponding to the component as each component contained in a composition. In addition, unless otherwise specified, the content of each component in the composition means the total content of all the compounds corresponding to the component.

본 명세서에 있어서, 물성값은, 특별히 설명하지 않는 한, 온도 23℃ 및 기압 101,325Pa(1기압)의 조건하에서의 값이다.In this specification, the physical property values are values under conditions of a temperature of 23°C and an atmospheric pressure of 101,325 Pa (1 atm) unless otherwise specified.

본 명세서에 있어서, 바람직한 양태의 조합은, 보다 바람직한 양태이다.In this specification, a combination of preferable aspects is a more preferable aspect.

(경화성 수지 조성물)(curable resin composition)

본 발명의 경화성 수지 조성물(이하, 간단히, "본 발명의 조성물"이라고도 한다.)은, 복소환 함유 폴리머 전구체, 및 식 (1-1)로 나타나는 화합물을 포함한다.The curable resin composition of the present invention (hereinafter, simply referred to as "the composition of the present invention") contains a heterocycle-containing polymer precursor and a compound represented by formula (1-1).

또, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 후술하는 광라디칼 중합 개시제 및 후술하는 라디칼 중합성 화합물을 더 포함하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the curable resin composition of this invention further contains the radical photopolymerization initiator mentioned later and the radical polymerizable compound mentioned later.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 보존 안정성이 우수하고, 또한, 얻어지는 경화막의 파단 신장률이 우수하다.Curable resin composition of this invention is excellent in storage stability, and also excellent in the breaking elongation rate of the cured film obtained.

상기 효과가 얻어지는 메커니즘은 불명확하지만, 하기와 같이 추측된다.Although the mechanism by which the said effect is obtained is unknown, it is guessed as follows.

본 발명의 경화성 수지 조성물에 포함되는 식 (1-1)로 나타나는 화합물은, 실온 등의 보관 시의 온도에 있어서는 분해되기 어렵기 때문에 보존 안정성이 우수하고, 또, 예를 들면 가열 등에 의한 경화 시에 있어서는 염기의 발생 효율이 우수하기 때문에, 복소환 함유 폴리머 전구체의 환화가 진행되기 쉽고, 얻어지는 경화막의 파단 신장률이 우수하다고 생각된다.Since the compound represented by formula (1-1) contained in the curable resin composition of the present invention is difficult to decompose at storage temperatures such as room temperature, it is excellent in storage stability and, for example, when cured by heating or the like It is considered that since the generation efficiency of the base is excellent in , the cyclization of the heterocycle-containing polymer precursor tends to proceed, and the elongation at break of the obtained cured film is excellent.

또, 경화성 수지 조성물이 식 (1-1)로 나타나는 화합물을 포함함으로써, 상술한 바와 같이 가열 등에 의하여 복소환 함유 폴리머 전구체의 환화가 진행되기 쉽기 때문에, 구리 등의 기재와의 밀착성도 우수하기 쉽다고 생각된다. 즉, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 이용함으로써, 층간의 밀착성이 우수한 적층체가 얻어지기 쉽다고 생각된다.In addition, since the curable resin composition contains the compound represented by formula (1-1), cyclization of the heterocycle-containing polymer precursor tends to proceed by heating or the like as described above, so that it is easy to have excellent adhesion to substrates such as copper. I think. That is, it is thought that the use of the curable resin composition of the present invention makes it easy to obtain a laminate excellent in adhesion between layers.

여기에서, 특허문헌 1 및 2에는, 식 (1-1)로 나타나는 화합물을 포함하는 경화성 수지 조성물에 대해서는 기재도 시사도 없다.Here, in Patent Documents 1 and 2, there is neither description nor suggestion about the curable resin composition containing the compound represented by Formula (1-1).

이하, 본 발명의 경화성 수지 조성물에 포함되는 성분에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, components included in the curable resin composition of the present invention will be described in detail.

<복소환 함유 폴리머 전구체><Heterocycle-containing polymer precursor>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 복소환 함유 폴리머 전구체를 포함한다.The curable resin composition of the present invention contains a heterocycle-containing polymer precursor.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 상기 복소환 함유 폴리머 전구체로서, 폴리이미드 전구체 및 폴리벤즈옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 전구체를 포함하는 것이 바람직하고, 폴리이미드 전구체를 포함하는 것이 보다 바람직하다.The curable resin composition of the present invention preferably contains, as the heterocycle-containing polymer precursor, at least one precursor selected from the group consisting of a polyimide precursor and a polybenzoxazole precursor, and more preferably contains a polyimide precursor. desirable.

〔폴리이미드 전구체〕[Polyimide precursor]

얻어지는 경화막의 막 강도의 관점에서는, 폴리이미드 전구체는, 하기 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of the film strength of the cured film obtained, the polyimide precursor preferably has a repeating unit represented by the following formula (1).

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112021093510050-pct00004
Figure 112021093510050-pct00004

식 (1) 중, A1 및 A2는, 각각 독립적으로 산소 원자 또는 -NH-를 나타내고, R111은, 2가의 유기기를 나타내며, R115는, 4가의 유기기를 나타내고, R113 및 R114는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.In Formula (1), A 1 and A 2 each independently represent an oxygen atom or -NH-, R 111 represents a divalent organic group, R 115 represents a tetravalent organic group, and R 113 and R 114 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group each independently.

-A1 및 A2--A 1 and A 2 -

식 (1)에 있어서의 A1 및 A2는, 각각 독립적으로, 산소 원자 또는 -NH-를 나타내고, 산소 원자가 바람직하다.A 1 and A 2 in Formula (1) each independently represent an oxygen atom or -NH-, and an oxygen atom is preferable.

-R111--R 111 -

식 (1)에 있어서의 R111은, 2가의 유기기를 나타낸다. 2가의 유기기로서는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족기, 환상의 지방족기, 및 방향족기, 복소 방향족기, 또는 이들을 2 이상 조합한 기가 예시되며, 탄소수 2~20의 직쇄의 지방족기, 탄소수 3~20의 분기의 지방족기, 탄소수 3~20의 환상의 지방족기, 탄소수 6~20의 방향족기, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하고, 탄소수 6~20의 방향족기가 보다 바람직하다.R 111 in Formula (1) represents a divalent organic group. Examples of the divalent organic group include a straight-chain or branched-chain aliphatic group, a cyclic aliphatic group, an aromatic group, a heteroaromatic group, or a group combining two or more of these, and a straight-chain aliphatic group having 2 to 20 carbon atoms and 3 carbon atoms. A branched aliphatic group of ~20, a cyclic aliphatic group of 3 to 20 carbon atoms, an aromatic group of 6 to 20 carbon atoms, or a group consisting of a combination thereof is preferable, and an aromatic group of 6 to 20 carbon atoms is more preferable.

식 (1)에 있어서의 R111은, 다이아민으로부터 유도되는 것이 바람직하다. 폴리이미드 전구체의 제조에 이용되는 다이아민으로서는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족, 환상의 지방족 또는 방향족 다이아민 등을 들 수 있다. 다이아민은, 1종만 이용해도 되고, 2종 이상 이용해도 된다.R 111 in Formula (1) is preferably derived from diamine. As diamine used for manufacture of a polyimide precursor, linear or branched aliphatic, cyclic aliphatic, or aromatic diamine, etc. are mentioned. As for diamine, only 1 type may be used and 2 or more types may be used.

구체적으로는, 다이아민은, 탄소수 2~20의 직쇄 지방족기, 탄소수 3~20의 분기쇄상 또는 환상의 지방족기, 탄소수 6~20의 방향족기, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기를 포함하는 다이아민인 것이 바람직하고, 탄소수 6~20의 방향족기를 포함하는 다이아민인 것이 보다 바람직하다. 방향족기의 예로서는, 하기를 들 수 있다.Specifically, the diamine is a diamine containing a group consisting of a straight-chain aliphatic group having 2 to 20 carbon atoms, a branched or cyclic aliphatic group having 3 to 20 carbon atoms, an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms, or a combination thereof. It is preferable, and it is more preferable that it is diamine containing an aromatic group of 6-20 carbon atoms. As an example of an aromatic group, the following is mentioned.

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112021093510050-pct00005
Figure 112021093510050-pct00005

식 중, A는, 단결합, 또는 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 지방족 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2-, -NHC(=O)- 및, 이들의 조합으로부터 선택되는 기인 것이 바람직하고, 단결합, 또는 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~3의 알킬렌기, -O-, -C(=O)-, -S- 및 S(=O)2-로부터 선택되는 기인 것이 보다 바람직하며, -CH2-, -O-, -S-, -S(=O)2-, -C(CF3)2-, 및 -C(CH3)2-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 기인 것이 더 바람직하다.In formula, A is a single bond or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O) 2 - , -NHC(=O)- and a group selected from combinations thereof, preferably a single bond or an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -C(=O)- , -S- and S(=O) 2 -, more preferably a group selected from -CH 2 -, -O-, -S-, -S(=O) 2 -, -C(CF 3 ) 2 It is more preferably a divalent group selected from the group consisting of -, and -C(CH 3 ) 2 -.

다이아민으로서는, 구체적으로는, 1,2-다이아미노에테인, 1,2-다이아미노프로페인, 1,3-다이아미노프로페인, 1,4-다이아미노뷰테인, 1,6-다이아미노헥세인; 1,2- 또는 1,3-다이아미노사이클로펜테인, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-다이아미노사이클로헥세인, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-비스(아미노메틸)사이클로헥세인, 비스-(4-아미노사이클로헥실)메테인, 비스-(3-아미노사이클로헥실)메테인, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이메틸사이클로헥실메테인 또는 아이소포론다이아민; 메타 또는 파라페닐렌다이아민, 다이아미노톨루엔, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노바이페닐, 4,4'-다이아미노다이페닐에터, 3,3-다이아미노다이페닐에터, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노다이페닐메테인, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노다이페닐설폰, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노다이페닐설파이드, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노벤조페논, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2'-다이메틸-4,4'-다이아미노바이페닐(4,4'-다이아미노-2,2'-다이메틸바이페닐), 3,3'-다이메톡시-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-하이드록시-4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(3-하이드록시-4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인, 비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)설폰, 비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)설폰, 4,4'-다이아미노파라터페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)바이페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(2-아미노페녹시)페닐]설폰, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노다이페닐설폰, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 3,3'-다이에틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 4,4'-다이아미노옥타플루오로바이페닐, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 9,9-비스(4-아미노페닐)-10-하이드로안트라센, 3,3',4,4'-테트라아미노바이페닐, 3,3',4,4'-테트라아미노다이페닐에터, 1,4-다이아미노안트라퀴논, 1,5-다이아미노안트라퀴논, 3,3-다이하이드록시-4,4'-다이아미노바이페닐, 9,9'-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 4,4'-다이메틸-3,3'-다이아미노다이페닐설폰, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 2-(3',5'-다이아미노벤조일옥시)에틸메타크릴레이트, 2,4- 또는 2,5-다이아미노큐멘, 2,5-다이메틸-파라페닐렌다이아민, 아세토구아나민, 2,3,5,6-테트라메틸-파라페닐렌다이아민, 2,4,6-트라이메틸-메타페닐렌다이아민, 비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인, 2,7-다이아미노플루오렌, 2,5-다이아미노피리딘, 1,2-비스(4-아미노페닐)에테인, 다이아미노벤즈아닐라이드, 다이아미노벤조산의 에스터, 1,5-다이아미노나프탈렌, 다이아미노벤조트라이플루오라이드, 1,3-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 1,4-비스(4-아미노페닐)옥타플루오로뷰테인, 1,5-비스(4-아미노페닐)데카플루오로펜테인, 1,7-비스(4-아미노페닐)테트라데카플루오로헵테인, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(2-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-3,5-다이메틸페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-3,5-비스(트라이플루오로메틸)페닐]헥사플루오로프로페인, 파라비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(4-아미노-3-트라이플루오로메틸페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)다이페닐설폰, 4,4'-비스(3-아미노-5-트라이플루오로메틸페녹시)다이페닐설폰, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-트라이플루오로메틸페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 4,4'-다이아미노-2,2'-비스(트라이플루오로메틸)바이페닐, 2,2',5,5',6,6'-헥사플루오로톨리딘 및 4,4'-다이아미노쿼터페닐로부터 선택되는 적어도 1종의 다이아민을 들 수 있다.As diamine, specifically, 1,2-diaminoethane, 1,2-diaminopropane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,6-diaminohexyl three; 1,2- or 1,3-diaminocyclopentane, 1,2-, 1,3- or 1,4-diaminocyclohexane, 1,2-, 1,3- or 1,4-bis (Aminomethyl)cyclohexane, bis-(4-aminocyclohexyl)methane, bis-(3-aminocyclohexyl)methane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethylcyclohexylmethane phosphorus or isophoronediamine; Meta or paraphenylenediamine, diaminotoluene, 4,4'- or 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3-diaminodiphenyl ether , 4,4'- or 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'- or 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'- or 3,3'-diaminodiphenylmethane Phenylsulfide, 4,4'- or 3,3'-diaminobenzophenone, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'- Diaminobiphenyl (4,4'-diamino-2,2'-dimethylbiphenyl), 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis (4 -Aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(3-hydroxy-4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(3 -Hydroxy-4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) Hexafluoropropane, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfone, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)sulfone, 4,4'-diaminoparaterphenyl, 4,4'- Bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(2-aminophenoxy) cy)phenyl]sulfone, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 9,10-bis(4-aminophenyl)anthracene, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenyl Sulfone, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 3,3'-diethyl -4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminooctafluorobiphenyl, 2,2- Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 9,9-bis(4-aminophenyl) -10-hydroanthracene, 3,3',4,4'-tetraaminobiphenyl, 3,3',4,4'-tetraaminodiphenyl ether, 1,4-diaminoanthraquinone, 1,5 -Diaminoanthraquinone, 3,3-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl, 9,9'-bis(4-aminophenyl)fluorene, 4,4'-dimethyl-3,3 '-diaminodiphenylsulfone, 3,3',5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2-(3',5'-diaminobenzoyloxy)ethylmethacryl rate, 2,4- or 2,5-diaminocumene, 2,5-dimethyl-paraphenylenediamine, acetoguanamine, 2,3,5,6-tetramethyl-paraphenylenediamine, 2 ,4,6-trimethyl-metaphenylenediamine, bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane, 2,7-diaminofluorene, 2,5-diaminopyridine, 1,2-bis( 4-aminophenyl)ethane, diaminobenzanilide, diaminobenzoic acid ester, 1,5-diaminonaphthalene, diaminobenzotrifluoride, 1,3-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane , 1,4-bis (4-aminophenyl) octafluorobutane, 1,5-bis (4-aminophenyl) decafluoropentane, 1,7-bis (4-aminophenyl) tetradecafluoro Heptane, 2,2-bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(2-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 2 ,2-bis[4-(4-aminophenoxy)-3,5-dimethylphenyl]hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)-3,5-bis( Trifluoromethyl) phenyl] hexafluoropropane, parabis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) benzene, 4,4'-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) ) Biphenyl, 4,4'-bis (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) diphenylsulfone , 4,4'-bis (3-amino-5-trifluoromethylphenoxy) diphenylsulfone, 2,2-bis [4- (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) phenyl] hexa Fluoropropane, 3,3',5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl , 2,2', 5,5', 6,6'-hexafluorotolidine and at least one diamine selected from 4,4'-diaminoquaterphenyl.

또, 하기에 나타내는 다이아민 (DA-1)~(DA-18)도 바람직하다.Moreover, diamines (DA-1) to (DA-18) shown below are also preferable.

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112021093510050-pct00006
Figure 112021093510050-pct00006

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112021093510050-pct00007
Figure 112021093510050-pct00007

또, 적어도 2개의 알킬렌글라이콜 단위를 주쇄에 갖는 다이아민도 바람직한 예로서 들 수 있다. 바람직하게는, 에틸렌글라이콜쇄, 프로필렌글라이콜쇄 중 어느 일방 또는 양방을 1분자 중에 합하여 2개 이상 포함하는 다이아민, 보다 바람직하게는 방향환을 포함하지 않는 다이아민이다. 구체예로서는, 제파민(등록 상표) KH-511, 제파민(등록 상표) ED-600, 제파민(등록 상표) ED-900, 제파민(등록 상표) ED-2003, 제파민(등록 상표) EDR-148, 제파민(등록 상표) EDR-176, D-200, D-400, D-2000, D-4000(이상 상품명, HUNTSMAN사제), 1-(2-(2-(2-아미노프로폭시)에톡시)프로폭시)프로판-2-아민, 1-(1-(1-(2-아미노프로폭시)프로판-2-일)옥시)프로판-2-아민 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.Further, a diamine having at least two alkylene glycol units in its main chain is also mentioned as a preferable example. Preferably, it is a diamine containing two or more of ethylene glycol chains or propylene glycol chains in combination in one molecule, and more preferably diamines that do not contain an aromatic ring. As specific examples, Jeffamine (registered trademark) KH-511, Jeffamine (registered trademark) ED-600, Jeffamine (registered trademark) ED-900, Jeffamine (registered trademark) ED-2003, Jeffamine (registered trademark) EDR -148, Jeffamine (registered trademark), EDR-176, D-200, D-400, D-2000, D-4000 (above trade names, manufactured by HUNTSMAN), 1-(2-(2-(2-aminopropoxy) )ethoxy)propoxy)propan-2-amine, 1-(1-(1-(2-aminopropoxy)propan-2-yl)oxy)propan-2-amine, etc., but are limited to these It doesn't work.

제파민(등록 상표) KH-511, 제파민(등록 상표) ED-600, 제파민(등록 상표) ED-900, 제파민(등록 상표) ED-2003, 제파민(등록 상표) EDR-148, 제파민(등록 상표) EDR-176의 구조를 이하에 나타낸다.Jeffamine (registered trademark) KH-511, Jeffamine (registered trademark) ED-600, Jeffamine (registered trademark) ED-900, Jeffamine (registered trademark) ED-2003, Jeffamine (registered trademark) EDR-148, The structure of Jeffamine (registered trademark) EDR-176 is shown below.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112021093510050-pct00008
Figure 112021093510050-pct00008

상기에 있어서, x, y, z는 산술 평균값이다.In the above, x, y, and z are arithmetic mean values.

식 (1)에 있어서의 R111은, 얻어지는 경화막의 유연성의 관점에서, -Ar0-L0-Ar0-으로 나타나는 것이 바람직하다. Ar0은, 각각 독립적으로, 방향족 탄화 수소기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 특히 바람직하다)이며, 페닐렌기가 바람직하다. L0은, 단결합, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 지방족 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2-, -NHCO-, 및 이들을 2 이상 조합한 기로 이루어지는 군으로부터 선택된 기를 나타낸다. L0의 바람직한 범위는, 상술한 A와 동일한 의미이다.R 111 in Formula (1) is preferably represented by -Ar 0 -L 0 -Ar 0 - from the viewpoint of flexibility of the resulting cured film. Ar 0 is each independently an aromatic hydrocarbon group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18, and particularly preferably 6 to 10), preferably a phenylene group. L 0 is a single bond, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O) 2 -, -NHCO -, and a group selected from the group consisting of two or more combinations thereof. The preferable range of L 0 has the same meaning as A mentioned above.

식 (1)에 있어서의 R111은, i선 투과율의 관점에서 하기 식 (51) 또는 식 (61)로 나타나는 2가의 유기기인 것이 바람직하다. 특히, i선 투과율, 입수의 용이함의 관점에서 식 (61)로 나타나는 2가의 유기기인 것이 보다 바람직하다.R 111 in formula (1) is preferably a divalent organic group represented by the following formula (51) or formula (61) from the viewpoint of i-line transmittance. In particular, it is more preferably a divalent organic group represented by formula (61) from the viewpoint of i-line transmittance and availability.

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112021093510050-pct00009
Figure 112021093510050-pct00009

식 (51) 중, R50~R57은 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자 또는 1가의 유기기이며, R50~R57 중 적어도 하나는 불소 원자, 메틸기, 플루오로메틸기, 다이플루오로메틸기, 또는 트라이플루오로메틸기이다.In Formula (51), R 50 to R 57 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or a monovalent organic group, and at least one of R 50 to R 57 is a fluorine atom, a methyl group, a fluoromethyl group, or a difluoromethyl group. , or a trifluoromethyl group.

R50~R57 중 1가의 유기기로서는, 탄소수 1~10(바람직하게는 탄소수 1~6)의 무치환의 알킬기, 탄소수 1~10(바람직하게는 탄소수 1~6)의 불화 알킬기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent organic group among R 50 to R 57 include an unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (preferably 1 to 6 carbon atoms), a fluorinated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (preferably 1 to 6 carbon atoms), and the like. can

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112021093510050-pct00010
Figure 112021093510050-pct00010

식 (61) 중, R58 및 R59는, 각각 독립적으로 불소 원자, 플루오로메틸기, 다이플루오로메틸기, 또는 트라이플루오로메틸기이다.In Formula (61), R 58 and R 59 are each independently a fluorine atom, a fluoromethyl group, a difluoromethyl group, or a trifluoromethyl group.

식 (51) 또는 (61)의 구조를 부여하는 다이아민 화합물로서는, 다이메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2'-비스(트라이플루오로메틸)-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2'-비스(플루오로)-4,4'-다이아미노바이페닐, 4,4'-다이아미노옥타플루오로바이페닐 등을 들 수 있다. 이들 1종을 이용하거나, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.As the diamine compound giving the structure of Formula (51) or (61), dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-di Amino biphenyl, 2,2'-bis(fluoro)-4,4'-diamino biphenyl, 4,4'-diamino octafluoro biphenyl, etc. are mentioned. These 1 type may be used, or you may use in combination of 2 or more types.

-R115--R 115 -

식 (1)에 있어서의 R115는, 4가의 유기기를 나타낸다. 4가의 유기기로서는, 방향환을 포함하는 4가의 유기기가 바람직하고, 하기 식 (5) 또는 식 (6)으로 나타나는 기가 보다 바람직하다.R 115 in Formula (1) represents a tetravalent organic group. As the tetravalent organic group, a tetravalent organic group containing an aromatic ring is preferable, and a group represented by the following formula (5) or formula (6) is more preferable.

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112021093510050-pct00011
Figure 112021093510050-pct00011

R112는, A와 동일한 의미이며, 바람직한 범위도 동일하다.R 112 has the same meaning as A, and the preferred range is also the same.

식 (1)에 있어서의 R115가 나타내는 4가의 유기기는, 구체적으로는, 테트라카복실산 이무수물로부터 산 이무수물기를 제거한 후에 잔존하는 테트라카복실산 잔기 등을 들 수 있다. 테트라카복실산 이무수물은, 1종만 이용해도 되고, 2종 이상 이용해도 된다. 테트라카복실산 이무수물은, 하기 식 (7)로 나타나는 화합물이 바람직하다.As for the tetravalent organic group represented by R115 in Formula (1), the tetracarboxylic acid residue etc. which remain|survive after removing the acid dianhydride group from tetracarboxylic acid dianhydride are mentioned specifically,. As for tetracarboxylic dianhydride, only 1 type may be used, and 2 or more types may be used. As for tetracarboxylic dianhydride, the compound represented by following formula (7) is preferable.

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112021093510050-pct00012
Figure 112021093510050-pct00012

R115는, 4가의 유기기를 나타낸다. R115는 식 (1)의 R115와 동일한 의미이다.R 115 represents a tetravalent organic group. R 115 has the same meaning as R 115 in formula (1).

테트라카복실산 이무수물의 구체예로서는, 파이로멜리트산, 파이로멜리트산 이무수물(PMDA), 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐설파이드테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐설폰테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐메테인테트라카복실산 이무수물, 2,2',3,3'-다이페닐메테인테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,7-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 2,2-비스(2,3-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)헥사플루오로프로페인 이무수물, 1,3-다이페닐헥사플루오로프로페인-3,3,4,4-테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,6-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 2,2',3,3'-다이페닐테트라카복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카복실산 이무수물, 1,2,4,5-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,8,9,10-페난트렌테트라카복실산 이무수물, 1,1-비스(2,3-다이카복시페닐)에테인 이무수물, 1,1-비스(3,4-다이카복시페닐)에테인 이무수물, 1,2,3,4-벤젠 테트라카복실산 이무수물, 및, 이들의 탄소수 1~6의 알킬 유도체 및 탄소수 1~6의 알콕시 유도체로부터 선택되는 적어도 1종이 예시된다.Specific examples of tetracarboxylic dianhydride include pyromellitic acid, pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-di Phenylsulfidetetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-diphenylsulfotetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4 '-diphenylmethanetetracarboxylic acid dianhydride, 2,2',3,3'-diphenylmethanetetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,3',4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2,3 ,3',4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,7-naphthalenetetracarboxylic acid Dianhydride, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)propane dianhydride, 2,2-bis(2,3-dicarboxyphenyl)propane dianhydride, 2,2-bis(3,4 -Dicarboxyphenyl)hexafluoropropane dianhydride, 1,3-diphenylhexafluoropropane-3,3,4,4-tetracarboxylic acid dianhydride, 1,4,5,6-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride Water, 2,2',3,3'-diphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1, 4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,8,9,10-phenanthrenetetracarboxylic dianhydride, 1,1-bis(2,3-dicarboxyphenyl)ethane dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl)ethane dianhydride, 1,2,3,4-benzene tetracarboxylic acid dianhydride, and at least one selected from alkyl derivatives having 1 to 6 carbon atoms and alkoxy derivatives having 1 to 6 carbon atoms thereof One paper is exemplified.

또, 하기에 나타내는 테트라카복실산 이무수물 (DAA-1)~(DAA-5)도 바람직한 예로서 들 수 있다.Moreover, tetracarboxylic dianhydride (DAA-1) - (DAA-5) shown below are also mentioned as a preferable example.

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112021093510050-pct00013
Figure 112021093510050-pct00013

-R113 및 R114--R 113 and R 114 -

식 (1)에 있어서의 R113 및 R114는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. R113 및 R114 중 적어도 일방이 라디칼 중합성기를 포함하는 것이 바람직하고, 양방이 라디칼 중합성기를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 라디칼 중합성기로서는, 라디칼의 작용에 의하여, 가교 반응하는 것이 가능한 기이며, 바람직한 예로서, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 들 수 있다.R 113 and R 114 in Formula (1) each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group. It is preferable that at least one of R 113 and R 114 contains a radical polymerizable group, and it is more preferable that both contain a radical polymerizable group. The radical polymerizable group is a group capable of undergoing a crosslinking reaction by the action of a radical, and examples thereof include a group having an ethylenically unsaturated bond.

에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기로서는, 바이닐기, 알릴기, (메트)아크릴로일기, 하기 식 (III)으로 나타나는 기 등을 들 수 있다.Examples of the group having an ethylenically unsaturated bond include a vinyl group, an allyl group, a (meth)acryloyl group, and a group represented by the following formula (III).

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112021093510050-pct00014
Figure 112021093510050-pct00014

식 (III) 중, R200은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기가 바람직하다.In Formula (III), R 200 represents a hydrogen atom or a methyl group, and a methyl group is preferable.

식 (III) 중, R201은, 탄소수 2~12의 알킬렌기, -CH2CH(OH)CH2- 또는 탄소수 4~30의 (폴리)옥시알킬렌기(알킬렌기로서는 탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 특히 바람직하다; 반복수는 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 특히 바람직하다)를 나타낸다. 또한, (폴리)옥시알킬렌기란, 옥시알킬렌기 또는 폴리옥시알킬렌기를 의미한다.In formula (III), R 201 is an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, -CH 2 CH(OH)CH 2 - or a (poly)oxyalkylene group having 4 to 30 carbon atoms (the alkylene group preferably has 1 to 12 carbon atoms) 1 to 6 are more preferred, and 1 to 3 are particularly preferred; the number of repetitions is preferably 1 to 12, more preferably 1 to 6, and particularly preferably 1 to 3). In addition, an oxyalkylene group (poly) means an oxyalkylene group or a polyoxyalkylene group.

적합한 R201의 예는, 에틸렌기, 프로필렌기, 트라이메틸렌기, 테트라메틸렌기, 1,2-뷰테인다이일기, 1,3-뷰테인다이일기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 옥타메틸렌기, 도데카메틸렌기, -CH2CH(OH)CH2-를 들 수 있고, 에틸렌기, 프로필렌기, 트라이메틸렌기, -CH2CH(OH)CH2-가 보다 바람직하다.Examples of suitable R 201 include ethylene group, propylene group, trimethylene group, tetramethylene group, 1,2-butanediyl group, 1,3-butanediyl group, pentamethylene group, hexamethylene group, octamethylene group , a dodecamethylene group, -CH 2 CH(OH)CH 2 -, and an ethylene group, a propylene group, a trimethylene group, and -CH 2 CH(OH)CH 2 - are more preferable.

특히 바람직하게는, R200이 메틸기이며, R201이 에틸렌기이다.Especially preferably, R 200 is a methyl group and R 201 is an ethylene group.

본 발명에 있어서의 폴리이미드 전구체의 바람직한 실시형태로서, R113 또는 R114의 1가의 유기기로서, 1, 2 또는 3개의, 바람직하게는 1개의 산기를 갖는, 지방족기, 방향족기 및 아릴알킬기 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 산기를 갖는 탄소수 6~20의 방향족기, 산기를 갖는 탄소수 7~25의 아릴알킬기를 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 산기를 갖는 페닐기 및 산기를 갖는 벤질기를 들 수 있다. 산기는, 하이드록시기가 바람직하다. 즉, R113 또는 R114는 하이드록시기를 갖는 기인 것이 바람직하다.As a preferable embodiment of the polyimide precursor in the present invention, an aliphatic group, an aromatic group and an arylalkyl group having 1, 2 or 3, preferably 1 acid group as the monovalent organic group of R 113 or R 114 etc. can be mentioned. Specifically, an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms having an acid group and an arylalkyl group having 7 to 25 carbon atoms having an acid group are exemplified. More specifically, a phenyl group having an acid group and a benzyl group having an acid group are exemplified. The acid group is preferably a hydroxy group. That is, R 113 or R 114 is preferably a group having a hydroxyl group.

R113 또는 R114가 나타내는 1가의 유기기로서는, 현상액의 용해도를 향상시키는 치환기가 바람직하게 이용된다.As the monovalent organic group represented by R 113 or R 114 , a substituent that improves solubility in a developing solution is preferably used.

R113 또는 R114가, 수소 원자, 2-하이드록시벤질, 3-하이드록시벤질 및 4-하이드록시벤질인 것이, 수성 현상액에 대한 용해성의 점에서는, 보다 바람직하다.It is more preferable that R 113 or R 114 is a hydrogen atom, 2-hydroxybenzyl, 3-hydroxybenzyl, or 4-hydroxybenzyl from the viewpoint of solubility in an aqueous developing solution.

유기 용제에 대한 용해도의 관점에서는, R113 또는 R114는, 1가의 유기기인 것이 바람직하다. 1가의 유기기로서는, 직쇄 또는 분기의 알킬기, 환상 알킬기, 방향족기가 바람직하고, 방향족기로 치환된 알킬기가 보다 바람직하다.From the viewpoint of solubility in organic solvents, R 113 or R 114 is preferably a monovalent organic group. As the monovalent organic group, a straight-chain or branched alkyl group, a cyclic alkyl group, or an aromatic group is preferable, and an aromatic group-substituted alkyl group is more preferable.

알킬기의 탄소수는 1~30이 바람직하다(환상의 경우는 3 이상). 알킬기는 직쇄, 분기, 환상 중 어느 것이어도 된다. 직쇄 또는 분기의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기, 테트라데실기, 옥타데실기, 아이소프로필기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, t-뷰틸기, 1-에틸펜틸기, 및 2-에틸헥실기를 들 수 있다. 환상의 알킬기는, 단환의 환상의 알킬기여도 되고, 다환의 환상의 알킬기여도 된다. 단환의 환상의 알킬기로서는, 예를 들면 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기 및 사이클로옥틸기를 들 수 있다. 다환의 환상의 알킬기로서는, 예를 들면 아다만틸기, 노보닐기, 보닐기, 캄펜일기, 데카하이드로나프틸기, 트라이사이클로데칸일기, 테트라사이클로데칸일기, 캄포로일기, 다이사이클로헥실기 및 피넨일기를 들 수 있다. 또, 방향족기로 치환된 알킬기로서는, 다음에 설명하는 방향족기로 치환된 직쇄 알킬기가 바람직하다.As for carbon number of an alkyl group, 1-30 are preferable (3 or more in the case of cyclic|annular). Alkyl groups may be straight-chain, branched, or cyclic. Examples of the straight-chain or branched alkyl group include methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, dodecyl, tetradecyl, octadecyl, and iso. A propyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, 1-ethylpentyl group, and 2-ethylhexyl group are mentioned. The cyclic alkyl group may be a monocyclic cyclic alkyl group or a polycyclic cyclic alkyl group. As a monocyclic cyclic alkyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group are mentioned, for example. Examples of the polycyclic cyclic alkyl group include adamantyl group, norbornyl group, bornyl group, campenyl group, decahydronaphthyl group, tricyclodecanyl group, tetracyclodecanyl group, camphoroyl group, dicyclohexyl group and pinenyl group. can be heard As the alkyl group substituted with an aromatic group, a straight-chain alkyl group substituted with an aromatic group described below is preferable.

방향족기로서는, 구체적으로는, 치환 또는 무치환의 방향족 탄화 수소기(기를 구성하는 환상 구조로서는, 벤젠환, 나프탈렌환, 바이페닐환, 플루오렌환, 펜탈렌환, 인덴환, 아줄렌환, 헵탈렌환, 인다센환, 페릴렌환, 펜타센환, 아세나프텐환, 페난트렌환, 안트라센환, 나프타센환, 크리센환, 트라이페닐렌환 등을 들 수 있다), 또는 치환 혹은 무치환의 방향족 복소환기(기를 구성하는 환상 구조로서는, 플루오렌환, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 인돌리진환, 인돌환, 벤조퓨란환, 벤조싸이오펜환, 아이소벤조퓨란환, 퀴놀리진환, 퀴놀린환, 프탈라진환, 나프티리딘환, 퀴녹살린환, 퀴녹사졸린환, 아이소퀴놀린환, 카바졸환, 페난트리딘환, 아크리딘환, 페난트롤린환, 싸이안트렌환, 크로멘환, 잔텐환, 페녹사싸이인환, 페노싸이아진환 또는 페나진환)이다.As an aromatic group, specifically, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group (as a cyclic structure constituting the group, a benzene ring, a naphthalene ring, a biphenyl ring, a fluorene ring, a pentalene ring, an indene ring, an azulene ring, a heptalene ring , indacene ring, perylene ring, pentacene ring, acenaphthene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, naphthacene ring, chrysene ring, triphenylene ring, etc.), or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group (cyclic ring constituting the group) As the structure, fluorene ring, pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, indolizine ring, indole ring, benzo Furan ring, benzothiophene ring, isobenzofuran ring, quinolizine ring, quinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, quinoxaline ring, quinoxazoline ring, isoquinoline ring, carbazole ring, phenanthridine ring, acri Dean ring, phenanthroline ring, cyanthrene ring, chromen ring, xanthene ring, phenoxacyin ring, phenothiazine ring or phenazine ring).

또, 폴리이미드 전구체는, 반복 단위 중에 불소 원자를 갖는 것도 바람직하다. 폴리이미드 전구체 중의 불소 원자 함유량은 10질량% 이상이 바람직하고, 20질량% 이상이 보다 바람직하다. 상한은 특별히 없지만 50질량% 이하가 실제적이다.Moreover, it is also preferable that a polyimide precursor has a fluorine atom in a repeating unit. The fluorine atom content in the polyimide precursor is preferably 10% by mass or more, and more preferably 20% by mass or more. There is no particular upper limit, but 50% by mass or less is practical.

또, 기재와의 밀착성을 향상시킬 목적으로, 실록세인 구조를 갖는 지방족기를 식 (1)로 나타나는 반복 단위로 공중합해도 된다. 구체적으로는, 다이아민 성분으로서, 비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인, 비스(파라아미노페닐)옥타메틸펜타실록세인 등을 들 수 있다.Moreover, you may copolymerize the aliphatic group which has a siloxane structure in the repeating unit represented by Formula (1) for the purpose of improving adhesiveness with a base material. Specifically, as the diamine component, bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane, bis(paraaminophenyl)octamethylpentasiloxane, and the like are exemplified.

식 (1)로 나타나는 반복 단위는, 식 (1-A) 또는 (1-B)로 나타나는 반복 단위인 것이 바람직하다.It is preferable that the repeating unit represented by Formula (1) is a repeating unit represented by Formula (1-A) or (1-B).

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112021093510050-pct00015
Figure 112021093510050-pct00015

A11 및 A12는, 산소 원자 또는 -NH-를 나타내고, R111 및 R112는, 각각 독립적으로, 2가의 유기기를 나타내며, R113 및 R114는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R113 및 R114 중 적어도 일방은, 라디칼 중합성기를 포함하는 기인 것이 바람직하며, 라디칼 중합성기인 것이 보다 바람직하다.A 11 and A 12 represent an oxygen atom or -NH-, R 111 and R 112 each independently represent a divalent organic group, and R 113 and R 114 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group. group, and at least one of R 113 and R 114 is preferably a group containing a radical polymerizable group, and more preferably a radical polymerizable group.

A11, A12, R111, R113 및 R114의 바람직한 범위는, 각각, 식 (1)에 있어서의 A1, A2, R111, R113 및 R114의 바람직한 범위와 동일한 의미이다.The preferred ranges of A 11 , A 12 , R 111 , R 113 and R 114 have the same meaning as the preferred ranges of A 1 , A 2 , R 111 , R 113 and R 114 in formula (1), respectively.

R112의 바람직한 범위는, 식 (5)에 있어서의 R112와 동일한 의미이며, 그중에서도 산소 원자인 것이 보다 바람직하다.The preferred range of R 112 has the same meaning as R 112 in Formula (5), and among these, an oxygen atom is more preferred.

식 중의 카보닐기의 벤젠환에 대한 결합 위치는, 식 (1-A)에 있어서, 4,5,3',4'인 것이 바람직하다. 식 (1-B)에 있어서는, 1,2,4,5인 것이 바람직하다.The bonding position of the carbonyl group in the formula to the benzene ring is preferably 4,5,3',4' in the formula (1-A). In Formula (1-B), it is preferable that it is 1,2,4,5.

폴리이미드 전구체에 있어서, 식 (1)로 나타나는 반복 단위는 1종이어도 되지만, 2종 이상이어도 된다. 또, 식 (1)로 나타나는 반복 단위의 구조 이성체를 포함하고 있어도 된다. 또, 폴리이미드 전구체는, 상기의 식 (1)의 반복 단위 외에, 다른 종류의 반복 단위도 포함해도 된다.The polyimide precursor WHEREIN: Although 1 type may be sufficient as the repeating unit represented by Formula (1), 2 or more types may be sufficient as it. Moreover, structural isomers of the repeating unit represented by Formula (1) may be included. Moreover, a polyimide precursor may also contain other types of repeating units other than the repeating unit of said Formula (1).

본 발명에 있어서의 폴리이미드 전구체의 일 실시형태로서, 전체 반복 단위의 50몰% 이상, 나아가서는 70몰% 이상, 특히 90몰% 이상이 식 (1)로 나타나는 반복 단위인 폴리이미드 전구체가 예시된다. 상한으로서는 100몰% 이하가 실제적이다.As one embodiment of the polyimide precursor in the present invention, a polyimide precursor in which 50 mol% or more, furthermore 70 mol% or more, particularly 90 mol% or more of all repeating units is a repeating unit represented by Formula (1) is exemplified. do. As an upper limit, 100 mol% or less is practical.

폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 2,000~500,000이고, 보다 바람직하게는 5,000~100,000이며, 더 바람직하게는 10,000~50,000이다. 또, 수평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 800~250,000이고, 보다 바람직하게는, 2,000~50,000이며, 더 바람직하게는, 4,000~25,000이다.The weight average molecular weight (Mw) of the polyimide precursor is preferably 2,000 to 500,000, more preferably 5,000 to 100,000, still more preferably 10,000 to 50,000. Moreover, the number average molecular weight (Mn) is preferably 800 to 250,000, more preferably 2,000 to 50,000, still more preferably 4,000 to 25,000.

폴리이미드 전구체의 분자량의 분산도는, 1.5~3.5가 바람직하고, 2~3이 보다 바람직하다.1.5-3.5 are preferable and, as for the degree of dispersion of the molecular weight of a polyimide precursor, 2-3 are more preferable.

본 명세서에 있어서, 분자량의 분산도란, 중량 평균 분자량을 수평균 분자량에 의하여 제거한 값(중량 평균 분자량/수평균 분자량)을 말한다.In the present specification, the degree of dispersion of molecular weight refers to a value obtained by removing the weight average molecular weight by the number average molecular weight (weight average molecular weight/number average molecular weight).

폴리이미드 전구체는, 다이카복실산 또는 다이카복실산 유도체와 다이아민을 반응시켜 얻어진다. 바람직하게는, 다이카복실산 또는 다이카복실산 유도체를, 할로젠화제를 이용하여 할로젠화시킨 후, 다이아민과 반응시켜 얻어진다.A polyimide precursor is obtained by reacting dicarboxylic acid or a dicarboxylic acid derivative with diamine. Preferably, it is obtained by halogenating a dicarboxylic acid or a dicarboxylic acid derivative using a halogenating agent and then reacting with diamine.

폴리이미드 전구체의 제조 방법에서는, 반응 시에, 유기 용제를 이용하는 것이 바람직하다. 유기 용제는 1종이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.In the manufacturing method of a polyimide precursor, it is preferable to use an organic solvent in the case of reaction. 1 type may be sufficient as an organic solvent, and 2 or more types may be sufficient as it.

유기 용제로서는, 원료에 따라 적절히 정할 수 있지만, 피리딘, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터(다이글라임), N-메틸피롤리돈 및 N-에틸피롤리돈이 예시된다.Although it can determine suitably according to a raw material as an organic solvent, pyridine, diethylene glycol dimethyl ether (diglyme), N-methylpyrrolidone, and N-ethylpyrrolidone are illustrated.

폴리이미드 전구체의 제조 시에, 고체를 석출하는 공정을 포함하고 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 반응액 중의 폴리이미드 전구체를, 수중에 침전시키고, 테트라하이드로퓨란 등의 폴리이미드 전구체가 가용인 용제에 용해시킴으로써, 고체 석출할 수 있다.It is preferable to include the process of depositing solid at the time of manufacture of a polyimide precursor. Specifically, solid precipitation can be performed by precipitating the polyimide precursor in the reaction solution in water and dissolving the polyimide precursor such as tetrahydrofuran in a soluble solvent.

〔폴리벤즈옥사졸 전구체〕[Polybenzoxazole precursor]

폴리벤즈옥사졸 전구체는, 하기 식 (2)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that a polybenzoxazole precursor contains the repeating unit represented by following formula (2).

[화학식 16][Formula 16]

Figure 112021093510050-pct00016
Figure 112021093510050-pct00016

식 (2) 중, R121은, 2가의 유기기를 나타내고, R122는, 4가의 유기기를 나타내며, R123 및 R124는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.In Formula (2), R 121 represents a divalent organic group, R 122 represents a tetravalent organic group, and R 123 and R 124 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group.

-R121--R 121 -

식 (2) 중, R121은, 2가의 유기기를 나타낸다. 2가의 유기기로서는, 지방족기(탄소수 1~24가 바람직하고, 1~12가 보다 바람직하며, 1~6이 특히 바람직하다) 및 방향족기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~14가 보다 바람직하며, 6~12가 특히 바람직하다) 중 적어도 일방을 포함하는 기가 바람직하다. R121을 구성하는 방향족기로서는, 상기 식 (1)의 R111의 예를 들 수 있다. 상기 지방족기로서는, 직쇄의 지방족기가 바람직하다. R121은, 4,4'-옥시다이벤조일 클로라이드에서 유래하는 것이 바람직하다.In Formula (2), R 121 represents a divalent organic group. As the divalent organic group, an aliphatic group (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 1 to 12, and particularly preferably 1 to 6 carbon atoms) and an aromatic group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 14 carbon atoms) preferably, and 6 to 12 are particularly preferable), a group containing at least one of them is preferable. Examples of the aromatic group constituting R 121 include R 111 in the formula (1). As said aliphatic group, a straight-chain aliphatic group is preferable. R 121 is preferably derived from 4,4'-oxydibenzoyl chloride.

-R122--R 122 -

식 (2) 중, R122는, 4가의 유기기를 나타낸다. 4가의 유기기로서는, 상기 식 (1)에 있어서의 R115와 동일한 의미이며, 바람직한 범위도 동일하다. R122는, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인에서 유래하는 것이 바람직하다.In formula (2), R 122 represents a tetravalent organic group. The tetravalent organic group has the same meaning as R 115 in the formula (1), and the preferred range is also the same. R 122 is preferably derived from 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane.

-R123 및 R124--R 123 and R 124 -

R123 및 R124는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, 상기 식 (1)에 있어서의 R113 및 R114와 동일한 의미이며, 바람직한 범위도 동일하다.R 123 and R 124 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, and have the same meanings as R 113 and R 114 in the formula (1), and the preferred ranges are also the same.

폴리벤즈옥사졸 전구체는 상기의 식 (2)의 반복 단위 외에, 다른 종류의 반복 단위도 포함해도 된다.A polybenzoxazole precursor may also contain other types of repeating units other than the repeating unit of said Formula (2).

폐환에 따른 경화막의 휨의 발생을 억제할 수 있는 점에서, 폴리벤즈옥사졸 전구체는, 하기 식 (SL)로 나타나는 다이아민 잔기를 다른 종류의 반복 단위로서 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the polybenzoxazole precursor further contains a diamine residue represented by the following formula (SL) as another type of repeating unit, from the viewpoint of being able to suppress the occurrence of curvature of the cured film due to ring closure.

[화학식 17][Formula 17]

Figure 112021093510050-pct00017
Figure 112021093510050-pct00017

Z는, a 구조와 b 구조를 갖고, R1s는 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 탄화 수소기(바람직하게는 탄소수 1~6, 보다 바람직하게는 탄소수 1~3)이며, R2s는 탄소수 1~10의 탄화 수소기(바람직하게는 탄소수 1~6, 보다 바람직하게는 탄소수 1~3)이고, R3s, R4s, R5s, R6s 중 적어도 하나는 방향족기(바람직하게는 탄소수 6~22, 보다 바람직하게는 탄소수 6~18, 특히 바람직하게는 탄소수 6~10)이며, 나머지는 수소 원자 또는 탄소수 1~30(바람직하게는 탄소수 1~18, 보다 바람직하게는 탄소수 1~12, 특히 바람직하게는 탄소수 1~6)의 유기기이고, 각각 동일해도 되며 달라도 된다. a 구조 및 b 구조의 중합은, 블록 중합이어도 되고 랜덤 중합이어도 된다. Z 부분에 있어서, 바람직하게는, a 구조는 5~95몰%, b 구조는 95~5몰%이며, a+b는 100몰%이다.Z has structure a and structure b, R 1s is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (preferably 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 3 carbon atoms), and R 2s is 1 carbon atom -10 hydrocarbon group (preferably 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 3 carbon atoms), and at least one of R 3s , R 4s , R 5s , and R 6s is an aromatic group (preferably 6 to 6 carbon atoms). 22, more preferably 6 to 18 carbon atoms, particularly preferably 6 to 10 carbon atoms), the remainder being hydrogen atoms or 1 to 30 carbon atoms (preferably 1 to 18 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, particularly It is preferably an organic group having 1 to 6 carbon atoms, which may be the same or different. The polymerization of structure a and structure b may be block polymerization or random polymerization. In the Z portion, preferably, the a structure is 5 to 95 mol%, the b structure is 95 to 5 mol%, and a+b is 100 mol%.

식 (SL) 중, 바람직한 Z로서는, b 구조 중의 R5s 및 R6s가 페닐기인 것을 들 수 있다. 또, 식 (SL)로 나타나는 구조의 분자량은, 400~4,000인 것이 바람직하고, 500~3,000이 보다 바람직하다. 분자량은, 일반적으로 이용되는 젤 침투 크로마토그래피에 의하여 구할 수 있다. 상기 분자량을 상기 범위로 함으로써, 폴리벤즈옥사졸 전구체의 탈수 폐환 후의 탄성률을 낮춰, 휨을 억제할 수 있는 효과와 용해성을 향상시키는 효과를 양립시킬 수 있다.In formula (SL), examples of preferred Z include those in which R 5s and R 6s in b structure are phenyl groups. Moreover, it is preferable that it is 400-4,000, and, as for the molecular weight of the structure represented by Formula (SL), 500-3,000 are more preferable. Molecular weight can be determined by gel permeation chromatography, which is generally used. By making the said molecular weight into the said range, the effect of reducing the elastic modulus after dehydration ring closure of a polybenzoxazole precursor, and suppressing warpage, and the effect of improving solubility can be made compatible.

폴리벤즈옥사졸 전구체가, 다른 종류의 반복 단위로서 식 (SL)로 나타나는 다이아민 잔기를 포함하는 경우, 경화성 수지 조성물의 알칼리 가용성을 향상시키는 점에서, 테트라카복실산 이무수물로부터 산 이무수물기의 제거 후에 잔존하는 테트라카복실산 잔기를 반복 단위로서 더 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 테트라카복실산 잔기의 예로서는, 식 (1) 중의 R115의 예를 들 수 있다.When the polybenzoxazole precursor contains a diamine residue represented by formula (SL) as another type of repeating unit, from the point of improving the alkali solubility of the curable resin composition, after removal of the acid dianhydride group from the tetracarboxylic acid dianhydride It is preferable to further include the remaining tetracarboxylic acid residue as a repeating unit. As an example of such a tetracarboxylic acid residue, the example of R115 in Formula (1) is mentioned.

폴리벤즈옥사졸 전구체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 2,000~500,000이고, 보다 바람직하게는 5,000~100,000이며, 더 바람직하게는 10,000~50,000이다. 또, 수평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 800~250,000이고, 보다 바람직하게는, 2,000~50,000이며, 더 바람직하게는, 4,000~25,000이다.The weight average molecular weight (Mw) of the polybenzoxazole precursor is preferably 2,000 to 500,000, more preferably 5,000 to 100,000, still more preferably 10,000 to 50,000. Moreover, the number average molecular weight (Mn) is preferably 800 to 250,000, more preferably 2,000 to 50,000, still more preferably 4,000 to 25,000.

폴리벤즈옥사졸 전구체의 분자량의 분산도는, 1.5~3.5가 바람직하고, 2~3이 보다 바람직하다.1.5-3.5 are preferable and, as for the degree of dispersion of the molecular weight of a polybenzoxazole precursor, 2-3 are more preferable.

본 발명의 경화성 수지 조성물에 있어서의, 복소환 함유 폴리머 전구체의 함유량은, 조성물의 전고형분에 대하여 20질량% 이상인 것이 바람직하고, 30질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 40질량% 이상인 것이 더 바람직하고, 50질량% 이상인 것이 한층 바람직하며, 60질량% 이상인 것이 보다 한층 바람직하고, 70질량% 이상인 것이 더 한층 바람직하다. 또, 본 발명의 경화성 수지 조성물에 있어서의, 복소환 함유 폴리머 전구체의 함유량은, 조성물의 전고형분에 대하여, 99.5질량% 이하인 것이 바람직하고, 99질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 98질량% 이하인 것이 더 바람직하고, 97질량% 이하인 것이 한층 바람직하며, 95질량% 이하인 것이 보다 한층 바람직하다.The content of the heterocycle-containing polymer precursor in the curable resin composition of the present invention is preferably 20% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, and still more preferably 40% by mass or more with respect to the total solid content of the composition. , It is more preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more, and still more preferably 70% by mass or more. The content of the heterocycle-containing polymer precursor in the curable resin composition of the present invention is preferably 99.5% by mass or less, more preferably 99% by mass or less, and 98% by mass or less with respect to the total solid content of the composition. More preferably, it is still more preferably 97% by mass or less, and even more preferably 95% by mass or less.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 복소환 함유 폴리머 전구체를 1종만 포함하고 있어도 되고, 2종 이상 포함하고 있어도 된다. 2종 이상 포함하는 경우, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.Curable resin composition of this invention may contain only 1 type of heterocyclic containing polymer precursor, and may contain 2 or more types. When including 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes the said range.

<식 (1-1)로 나타나는 화합물><Compound represented by formula (1-1)>

본 발명의 경화성 수지 조성물은 식 (1-1)로 나타나는 화합물을 포함한다.Curable resin composition of this invention contains the compound represented by Formula (1-1).

[화학식 18][Formula 18]

Figure 112021093510050-pct00018
Figure 112021093510050-pct00018

식 (1-1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 1가의 유기기를 나타내고, L1은 2가의 연결기를 나타내며, R3은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R1과 R2는 결합하여 환 구조를 형성해도 된다.In formula (1-1), R 1 and R 2 each independently represent a monovalent organic group, L 1 represents a divalent linking group, R 3 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R 1 and R 2 may combine to form a ring structure.

식 (1-1)로 나타나는 화합물은, 분해되어 염기를 발생하는 화합물인 것이 바람직하다. 또, 경화성 수지 조성물을 열에 의하여 경화하는 경우에는, 식 (1-1)로 나타나는 화합물은 열에 의하여 분해되어 염기를 발생하는 화합물인 것이 보다 바람직하다. 즉, 식 (1-1)로 나타나는 화합물은, 염기 발생제인 것이 바람직하고, 열염기 발생제인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the compound represented by Formula (1-1) is a compound which decomposes and generates a base. Moreover, when hardening a curable resin composition with heat, it is more preferable that the compound represented by Formula (1-1) is a compound which decomposes with heat and generates a base. That is, it is preferable that it is a base generator, and, as for the compound represented by Formula(1-1), it is more preferable that it is a heat base generator.

예를 들면, 하기 식 (B-1)에 의하여 나타나는 화합물은, 가열에 의하여, 예를 들면 하기 반응식에 기재된 바와 같이 분해되고, 발생한 다이아이소프로필아민이 염기로서 작용함으로써, 경화성 수지 조성물 중의 복소환 함유 폴리머 전구체의 환화를 촉진한다고 생각된다.For example, the compound represented by the following formula (B-1) is decomposed by heating, for example, as described in the following reaction formula, and the generated diisopropylamine acts as a base to form a heterocyclic ring in the curable resin composition. It is thought to accelerate the cyclization of the containing polymer precursor.

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112021093510050-pct00019
Figure 112021093510050-pct00019

-R1 및 R2--R 1 and R 2 -

식 (1-1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄화 수소기인 것이 바람직하고, 탄소수 1~20의 탄화 수소기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1~10의 탄화 수소기인 것이 보다 바람직하다. 상기 탄화 수소기로서는, 알킬기 또는 아릴기가 바람직하고, 탄소수 1~10의 알킬기, 또는 페닐기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~10의 알킬기가 더 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 아이소프로필기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, t-뷰틸기, 1-에틸펜틸기, 2-에틸헥실기, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 또는 페닐기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 아이소프로필기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, t-뷰틸기, 1-에틸펜틸기, 2-에틸헥실기, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 또는 사이클로옥틸기가 더 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 아이소프로필기, 또는 사이클로헥실기가 가장 바람직하다.In Formula (1-1), each of R 1 and R 2 independently is preferably a hydrocarbon group, more preferably a hydrocarbon group of 1 to 20 carbon atoms, and more preferably a hydrocarbon group of 1 to 10 carbon atoms. . As said hydrocarbon group, an alkyl group or an aryl group is preferable, a C1-C10 alkyl group or a phenyl group is more preferable, and a C1-C10 alkyl group is still more preferable. Specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, A 1-ethylpentyl group, a 2-ethylhexyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, or a phenyl group is preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a view ethyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, 1-ethylpentyl group, 2-ethylhexyl group, A cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, or a cyclooctyl group is more preferred, and a methyl group, ethyl group, isopropyl group, or cyclohexyl group is most preferred.

또, R1과 R2는 결합하여 환 구조를 형성해도 되고, 형성되는 환 구조로서는, 환원수 5 또는 6의 지방족환 구조가 바람직하며, 피롤리딘환, 피페리딘환, 피페라진환, 모폴린환 구조가 보다 바람직하다.Further, R 1 and R 2 may be bonded to form a ring structure, and the ring structure formed is preferably an aliphatic ring structure having 5 or 6 reduced numbers, and is a pyrrolidine ring, piperidine ring, piperazine ring, or morpholine ring. structure is more desirable.

R1 및 R2의 식량(R1 또는 R2에 포함되는 원자의 원자량의 총합)은, 각각, 29~300인 것이 바람직하고, 57~282인 것이 보다 바람직하며, 57~200인 것이 더 바람직하다.The formula of R 1 and R 2 (total sum of atomic weights of atoms in R 1 or R 2 ) is preferably 29 to 300, more preferably 57 to 282, still more preferably 57 to 200, respectively. do.

또, 발생하는 염기의 R1 및 R2는, 발생하는 염기의 염기성이 높아지며, 또한 발생하는 염기의 구리 기재 등의 기재와의 상호 작용이 작고, 얻어지는 경화막과 기재의 밀착성이 향상되는 관점에서는, R1 및 R2가 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬기이거나, 또는 R1 및 R2가 결합하여 환원수 5 혹은 6의 지방족환 구조를 형성하는 것이 바람직하며, R1 및 R2가 각각 독립적으로 에틸기 혹은 아이소프로필기이거나, 또는 R1 및 R2가 결합하여 피페리딘환 구조를 형성하는 것이 보다 바람직하다.In addition, R 1 and R 2 of the generated base increase the basicity of the generated base, and the interaction of the generated base with substrates such as copper substrates is small, and from the viewpoint of improving the adhesion between the obtained cured film and the substrate , R 1 and R 2 are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or R 1 and R 2 are preferably combined to form an aliphatic ring structure having 5 or 6 reducing numbers, and R 1 and R 2 are each independently More preferably, it is an ethyl group or an isopropyl group, or R 1 and R 2 combine to form a piperidine ring structure.

그 외에, R1 및 R2의 구조는, 예를 들면 발생하는 염기의 염기성의 강도, 발생하는 염기와 기재의 상호 작용의 강도, 발생하는 염기의 운동성, 발생하는 염기의 막 중의 타 소재와의 상호 작용 등을 고려하여 선택할 수 있다.In addition, the structure of R 1 and R 2 , for example, the strength of the basicity of the generated base, the strength of the interaction between the generated base and the substrate, the motility of the generated base, and the interaction of the generated base with other materials in the film It can be selected in consideration of interactions, etc.

-L1--L 1 -

식 (1-1) 중, L1은, 연결쇄 길이 1~5의 2가의 연결기인 것이 바람직하고, 연결쇄 길이 2 또는 3의 2가의 연결기인 것이 보다 바람직하다.In formula (1-1), L 1 is preferably a divalent linking group having a linked chain length of 1 to 5, and more preferably a divalent linking group having a linked chain length of 2 or 3.

본 명세서에 있어서, L1의 연결쇄 길이란, L1에 포함되는 원자이며, 또한, 하기 식 (1-1')에 의하여 나타나는 화합물에 있어서의 2개의 탄소 원자 C1과 C2의 사이에 존재하는 원자의 수 중, 최소의 수를 말한다.In this specification, the link chain length of L 1 is an atom contained in L 1 , and between two carbon atoms C 1 and C 2 in the compound represented by the following formula (1-1') The smallest number of atoms present.

하기 식 (1-1')은, 상술한 식 (1-1)에 있어서의 탄소 원자에 각각 C1 및 C2라고 기호를 기재한 것이며, 식 (1-1') 중의 R1, R2, R3 및 L1은 각각, 식 (1-1) 중의 R1, R2, R3 및 L1과 동일한 의미이다.In the following formula (1-1'), carbon atoms in the above-mentioned formula (1-1) are each represented by the symbols C 1 and C 2 , and R 1 and R 2 in the formula (1-1') , R 3 and L 1 respectively have the same meaning as R 1 , R 2 , R 3 and L 1 in formula (1-1).

예를 들면, 상술한 식 (B-1)로 나타나는 화합물에 있어서의 L1은 1,2-페닐렌기이며, 연결쇄 길이는 2이다.For example, L 1 in the compound represented by the formula (B-1) described above is a 1,2-phenylene group, and the length of the linked chain is 2.

[화학식 20][Formula 20]

Figure 112021093510050-pct00020
Figure 112021093510050-pct00020

L1의 양 말단의 결합 위치에 있어서의 원자는 모두 탄소 원자인 것이 바람직하다. L1의 양 말단의 결합 위치란, 상술한 식 (1-1')에 있어서의, L1과 탄소 원자 C1의 결합 부위 및 L1과 탄소 원자 C2의 결합 부위의 2개소를 말한다.It is preferable that all atoms at the bonding positions of both ends of L 1 are carbon atoms. The bonding positions of both ends of L 1 refer to the two positions of the bonding site between L 1 and carbon atom C 1 and the bonding site between L 1 and carbon atom C 2 in the formula (1-1′) described above.

염기의 발생 효율의 관점에서는, L1에 있어서의, 탄소 원자 C1과 탄소 원자 C2의 사이에 존재하는 구조는, 방향환 구조의 일부이거나, 또는 불포화 지방족 탄화 수소 구조인 것이 바람직하고, 페닐렌기(특히 바람직하게는 1,2-페닐렌기) 또는 시스바이닐렌기가 보다 바람직하다. 상기 페닐렌기 또는 시스바이닐렌기는, 공지의 치환기를 더 갖고 있어도 된다.From the viewpoint of base generation efficiency, the structure present between carbon atom C 1 and carbon atom C 2 in L 1 is preferably a part of an aromatic ring structure or an unsaturated aliphatic hydrocarbon structure, and phenyl A rene group (especially preferably a 1,2-phenylene group) or a cisvinylene group is more preferable. The said phenylene group or cisvinylene group may further have a well-known substituent.

또, L1은, 탄소 원자 C1과 탄소 원자 C2의 사이에 존재하는 구조 이외의 구조에 염기 발생 부위를 더 포함해도 된다. 염기 발생 부위로서는, 예를 들면 상술한 식 (1-1)에 있어서의 L1을 제외한 구조(하기 식 (1-1A)에 기재된 2개의 구조의 조합)를 들 수 있다. L1이 탄소 원자 C1과 탄소 원자 C2의 사이에 존재하는 구조 이외의 구조에 염기 발생 부위를 더 포함하는 화합물의 예로서는, 후술하는 식 (B-16, B-17, B-18)로 나타나는 화합물 등을 들 수 있다.In addition, L 1 may further include a base generating site in a structure other than the structure existing between the carbon atom C 1 and the carbon atom C 2 . As a base generating site|part, the structure except L <1> in the above-mentioned formula (1-1) (combination of two structures described in following formula (1-1A)) is mentioned, for example. Examples of compounds in which L 1 further includes a base generating site in a structure other than the structure existing between carbon atom C 1 and carbon atom C 2 are represented by the formulas (B-16, B-17, and B-18) described later. The compound etc. which appear are mentioned.

그 외에, L1의 구조는, 예를 들면 염기의 발생 효율을 고려하여 선택할 수 있다.In addition, the structure of L 1 can be selected in consideration of, for example, the generation efficiency of a base.

[화학식 21][Formula 21]

Figure 112021093510050-pct00021
Figure 112021093510050-pct00021

식 (1-1A) 중, *는 각각 독립적으로 다른 구조와의 결합 부위를 나타내고, R1A, R2A, 및 R3A는 각각, 식 (1-1) 중의 R1, R2, 및 R3과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다. 또, 식 (1-1A) 중의 2개의 구조는, 연결쇄 길이가 1~5인 연결기에 의하여 결합하고 있는 것이 바람직하고, 연결쇄 길이가 2 또는 3인 연결기에 의하여 결합하고 있는 것이 바람직하다. 또, 식 (1-1A) 중의 2개의 구조의 사이에 존재하는 구조는, 방향환 구조의 일부이거나, 또는, 불포화 지방족 탄화 수소 구조인 것이 바람직하다.In formula (1-1A), * each independently represents a binding site with another structure, and R 1A , R 2A , and R 3A are respectively R 1 , R 2 , and R 3 in formula (1-1) It has the same meaning and the preferred aspect is also the same. Moreover, it is preferable that the two structures in Formula (1-1A) are bonded by a linking group having a linked chain length of 1 to 5, and preferably bonded by a linking group having a linked chain length of 2 or 3. Moreover, it is preferable that the structure which exists between the two structures in Formula (1-1A) is a part of aromatic ring structure, or is an unsaturated aliphatic hydrocarbon structure.

L1은 탄화 수소기인 것도 바람직하다. 상기 탄화 수소기로서는, 탄소수 1~5의 알킬렌기, 탄소수 2~5의 알켄일렌기, 또는, 아릴렌기가 바람직하고, 탄소수 2~3의 알킬렌기, 탄소수 2~3의 알켄일렌기, 또는, 페닐렌기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 2~3의 알켄일렌기, 또는, 페닐렌기인 것이 보다 바람직하고, 바이닐렌기 또는, 페닐렌기인 것이 보다 바람직하다.It is also preferable that L 1 is a hydrocarbon group. As the hydrocarbon group, an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, an alkenylene group having 2 to 5 carbon atoms, or an arylene group is preferable, and an alkylene group having 2 to 3 carbon atoms, an alkenylene group having 2 to 3 carbon atoms, or It is more preferably a phenylene group, more preferably an alkenylene group having 2 to 3 carbon atoms or a phenylene group, and more preferably a vinylene group or a phenylene group.

또, L1은, 1,2-에틸렌기, 1,3-프로페인다이일기(트라이메틸렌기), 1,2-사이클로헥세인다이일기, 시스바이닐렌기, 1,2-페닐렌기, 1,2-페닐렌메틸렌기, 또는, 1,2-에틸렌옥시-1,2-에틸렌기인 것이 바람직하고, 시스바이닐렌기 또는 1,2-페닐렌기가 보다 바람직하다.In addition, L 1 is a 1,2-ethylene group, a 1,3-propanediyl group (trimethylene group), a 1,2-cyclohexanediyl group, a cisvinylene group, a 1,2-phenylene group, 1, A 2-phenylenemethylene group or a 1,2-ethyleneoxy-1,2-ethylene group is preferable, and a cisvinylene group or a 1,2-phenylene group is more preferable.

-R3--R 3 -

R3은, 수소 원자 또는 탄화 수소기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 알킬기, 또는, 아릴기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1~20의 알킬기, 또는, 탄소수 6~20의 아릴기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 2~8의 알킬기, 또는, 페닐기인 것이 더 바람직하며, 발생하는 염기의 구리 기재 등의 기재와의 상호 작용이 작고, 얻어지는 경화막과 기재의 밀착성이 향상되는 관점에서는, 탄소수 2~4의 알킬기, 또는, 페닐기가 보다 바람직하다.R 3 is preferably a hydrogen atom or a hydrocarbon group, more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, more preferably an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms or an aryl group of 6 to 20 carbon atoms, and It is more preferably an alkyl group of 2 to 8 carbon atoms or a phenyl group, and the interaction of the generated base with substrates such as copper substrates is small, and from the viewpoint of improving the adhesion between the obtained cured film and the substrate, an alkyl group of 2 to 4 carbon atoms Or, a phenyl group is more preferable.

R3이 알킬기인 경우, 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상 중 어느 구조여도 되고, 환상 구조를 갖는 구조여도 되지만, 염기의 발생 효율의 관점에서는, 직쇄상인 것이 바람직하다.When R 3 is an alkyl group, the alkyl group may have either a linear or branched structure, or may have a cyclic structure, but from the viewpoint of the efficiency of base generation, the alkyl group is preferably linear.

그 외에, R3의 구조는, 예를 들면 염기의 발생 효율, 분해 후의 화합물의 구리 기재 등의 기재와의 상호 작용의 강도, 전자 공여성의 강도 등을 고려하여 선택할 수 있다.In addition, the structure of R 3 can be selected in consideration of, for example, the efficiency of base generation, the strength of interaction of the decomposed compound with substrates such as copper substrates, and the strength of electron donating ability.

-분자량--Molecular Weight-

식 (1-1)로 나타나는 화합물의 분자량은, 예를 들면 분해 온도, 휘발성 등을 고려하여 결정하면 되지만, 100 이상인 것이 바람직하고, 150 이상인 것이 보다 바람직하며, 200 이상인 것이 보다 바람직하고, 250 이상인 것이 더 바람직하다. 상한으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 1,000 이하인 것이 바람직하다.The molecular weight of the compound represented by formula (1-1) may be determined in consideration of, for example, decomposition temperature, volatility, etc., but is preferably 100 or more, more preferably 150 or more, more preferably 200 or more, and 250 or more it is more preferable Although it does not specifically limit as an upper limit, It is preferable that it is 1,000 or less.

-분해 온도--Decomposition temperature-

식 (1-1)로 나타나는 화합물이 열염기 발생제인 경우, 분해 온도는, 50℃ 이상인 것이 바람직하고, 80℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 120℃ 이상인 것이 더 바람직하고, 140℃ 이상인 것이 한층 바람직하다. 상한으로서는, 450℃ 이하인 것이 보다 한층 바람직하고, 350℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 250℃ 이하인 것이 더 바람직하다.When the compound represented by formula (1-1) is a thermobase generator, the decomposition temperature is preferably 50°C or higher, more preferably 80°C or higher, still more preferably 120°C or higher, and still more preferably 140°C or higher. . As an upper limit, it is more preferable that it is 450 degrees C or less, it is more preferable that it is 350 degrees C or less, and it is more preferable that it is 250 degrees C or less.

보다 저온에서 분해되는 화합물로 함으로써, 경화성 수지 조성물의 경화에 필요한 에너지를 감소할 수 있다.By using a compound that decomposes at a lower temperature, the energy required for curing the curable resin composition can be reduced.

한편, 분해 온도를 상기 하한값 이상으로 함으로써, 실온 등에서의 보관 시에 부주의하게 염기를 발생시켜 효과를 촉진하는 것이 억제되어, 경화성 수지 조성물의 보존 안정성이 향상된다.On the other hand, by making the decomposition temperature equal to or higher than the above lower limit, inadvertently generating a base during storage at room temperature or the like to promote the effect is suppressed, and the storage stability of the curable resin composition is improved.

상기 분해 온도는, 식 (1-1)로 나타나는 화합물을 내압 캡슐 중 5℃/분으로 500℃까지 가열한 경우에, 가장 온도가 낮은 발열 피크의 피크 온도로서 구해진다.The decomposition temperature is obtained as the peak temperature of the exothermic peak having the lowest temperature when the compound represented by Formula (1-1) is heated to 500°C at 5°C/min in a pressure-resistant capsule.

식 (1-1)로 나타나는 화합물의 구체예로서는, 하기 화합물을 들 수 있지만, 이들 화합물에 한정되는 것은 아니다.Although the following compounds are mentioned as a specific example of a compound represented by Formula(1-1), It is not limited to these compounds.

[화학식 22][Formula 22]

Figure 112021093510050-pct00022
Figure 112021093510050-pct00022

[화학식 23][Formula 23]

Figure 112021093510050-pct00023
Figure 112021093510050-pct00023

이들 화합물은, 예를 들면 산무수물 화합물과 아민 화합물을 반응시켜 아마이드산 화합물을 합성한 후에, 추가로 상기 아마이드산 화합물과 아민 화합물의 축합 반응에 의하여 합성할 수 있다. 상기 산무수물 화합물, 상기 아민 화합물은, 최종적으로 얻고자 하는 화합물의 구조를 고려하여 적절히 선택하면 된다. 구체적으로는, Organic Chemistry International(2014), 576715/1-576715/10, 10pp 등에 기재된 방법을 이용하여 합성할 수 있다.These compounds can be synthesized, for example, by reacting an acid anhydride compound and an amine compound to synthesize an amide acid compound, and then further subjecting the amide acid compound to a condensation reaction of the amine compound. What is necessary is just to select suitably the said acid anhydride compound and the said amine compound considering the structure of the compound to be finally obtained. Specifically, it can be synthesized using the method described in Organic Chemistry International (2014), 576715/1-576715/10, 10pp and the like.

식 (1-1)로 나타나는 화합물은, 발생하는 염기의 공액산의 pKa가 8 이상인 것이 바람직하고, 9 이상인 것이 보다 바람직하며, 10 이상인 것이 더 바람직하다. 상한은 특별히 없지만, 14 이하인 것이 실제적이다. 특정 열염기 발생제의 pKa를 상기의 범위로 함으로써, 발생한 염기가 복소환 함유 폴리머 전구체의 환화 반응을 효율적으로 진행시키는 것이 가능해져, 저온에서 경화막의 파단 신장률을 높일 수 있는 점에서 바람직하다. 여기에서의 pKa는 이하의 방법으로 특정한 값으로 한다.The compound represented by Formula (1-1) preferably has a pKa of 8 or more, more preferably 9 or more, and still more preferably 10 or more, of the conjugate acid of the generated base. Although there is no particular upper limit, it is practical that it is 14 or less. By setting the pKa of the specific thermal base generator within the above range, the base generated can efficiently promote the cyclization reaction of the heterocycle-containing polymer precursor, and the elongation at break of the cured film can be increased at low temperatures. Here, pKa is set to a specific value by the following method.

본 명세서에서 말하는 pKa란, 산으로부터 수소 이온이 방출되는 해리 반응을 생각하여, 그 평형 상수 Ka를 그 음의 상용 대수 pKa에 의하여 나타낸 것이다. pKa가 작을수록 강한 산인 것을 나타낸다. pKa는, 특별히 설명하지 않는 한, ACD/ChemSketch(등록 상표)에 의한 계산값으로 한다. 또는, 일본 화학회 편 "개정 5판 화학 편람 기초편"에 게재된 값을 참조해도 된다.The pKa as used herein refers to a dissociation reaction in which hydrogen ions are released from an acid, and the equilibrium constant Ka is expressed by the negative common logarithm pKa. It shows that it is a strong acid, so that pKa is small. Unless otherwise specified, pKa is a calculated value by ACD/ChemSketch (registered trademark). Alternatively, you may refer to the values published in the "Basic Edition of the 5th Edition Chemistry Handbook" edited by the Chemical Society of Japan.

식 (1-1)로 나타나는 화합물의 함유량은, 조성물의 보존 안정성 및 얻어지는 경화막의 파단 신장률을 향상시키는 등의 관점에서는, 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.005~50질량%인 것이 바람직하다. 하한은, 0.05질량% 이상이 보다 바람직하며, 0.5질량% 이상이 더 바람직하고, 1질량% 이상이 특히 바람직하다. 상한은, 금속(예를 들면, 배선 등에 이용되는 구리)의 내부식성 등의 관점에서는, 20질량% 이하가 보다 바람직하며, 10질량% 이하가 더 바람직하고, 5질량% 이하가 특히 바람직하다.It is preferable that content of the compound represented by Formula (1-1) is 0.005-50 mass % with respect to the total solid content of curable resin composition from a viewpoint of improving the storage stability of a composition and the elongation at break of the cured film obtained. The lower limit is more preferably 0.05% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, and particularly preferably 1% by mass or more. The upper limit is more preferably 20% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, and particularly preferably 5% by mass or less, from the viewpoint of corrosion resistance of metal (for example, copper used for wiring, etc.).

복소환 함유 폴리머 전구체 100질량부에 대한 식 (1-1)로 나타나는 화합물의 함유량은, 조성물의 보존 안정성 및 얻어지는 경화막의 파단 신장률을 향상시키는 등의 관점에서는, 0.005질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.06질량부 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.5질량부 이상인 것이 더 바람직하고, 1질량부 이상인 것이 더 바람직하다. 상한은, 금속(예를 들면, 배선 등에 이용되는 구리)의 내부식성 등의 관점에서는, 예를 들면 20질량부 이하인 것이 바람직하고, 15질량부 이하인 것이 보다 바람직하며, 10질량부 이하인 것이 더 바람직하고, 7.5질량부 이하인 것이 특히 바람직하다.The content of the compound represented by formula (1-1) with respect to 100 parts by mass of the heterocycle-containing polymer precursor is preferably 0.005 parts by mass or more, from the viewpoint of improving the storage stability of the composition and the elongation at break of the resulting cured film, and the like. It is more preferably 0.5 parts by mass or more, more preferably 1 part by mass or more, and still more preferably 1 part by mass or more. The upper limit is, for example, preferably 20 parts by mass or less, more preferably 15 parts by mass or less, and still more preferably 10 parts by mass or less, from the viewpoint of corrosion resistance of metal (for example, copper used for wiring, etc.), etc. and 7.5 parts by mass or less is particularly preferred.

식 (1-1)로 나타나는 화합물은, 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 2종 이상을 이용하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.1 type or 2 or more types can be used for the compound represented by Formula(1-1). When using 2 or more types, it is preferable that the total amount is the said range.

<다른 염기 발생제><Other base generators>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 다른 염기 발생제를 포함하고 있어도 된다.The curable resin composition of the present invention may contain other base generators.

다른 염기 발생제에는, 상술한 식 (1-1)로 나타나는 화합물은 포함되지 않는 것으로 한다.It is assumed that the compound represented by the formula (1-1) described above is not contained in the other base generator.

다른 염기 발생제로서는, 열염기 발생제 및 광염기 발생제를 들 수 있다.Examples of other base generators include thermal base generators and photobase generators.

다른 열염기 발생제를 포함하는 경우, 국제 공개공보 제2015/199219호 및 국제 공개공보 제2015/199220호에 기재된 것이 예시되며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다. 또, 본 발명에서는, 다른 열염기 발생제를 실질적으로 포함하지 않는 구성으로 할 수도 있다. 실질적으로 포함하지 않는다란, 본 발명의 경화성 수지 조성물에 있어서, 다른 열염기 발생제의 함유량이, 식 (1-1)로 나타나는 화합물의 함유량의 5질량% 이하인 것을 말하고, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량%인 것을 말한다.When another heat base generator is included, what was described in international publication 2015/199219 and international publication 2015/199220 is illustrated, These content is integrated in this specification. Moreover, in this invention, it can also be set as the structure which does not contain other heat base generating agents substantially. Substantially not included means that in the curable resin composition of the present invention, the content of other heat base generators is 5% by mass or less of the content of the compound represented by formula (1-1), preferably 3% by mass Hereinafter, it is more preferably 1% by mass.

<광중합 개시제><Photoinitiator>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that curable resin composition of this invention contains a photoinitiator.

광중합 개시제는, 광라디칼 중합 개시제인 것이 바람직하다. 광라디칼 중합 개시제로서는, 특별히 제한은 없고, 공지의 광라디칼 중합 개시제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 자외선 영역으로부터 가시 영역의 광선에 대하여 감광성을 갖는 광라디칼 중합 개시제가 바람직하다. 또, 광여기된 증감제와 어떠한 작용을 발생시켜, 활성 라디칼을 생성하는 활성제여도 된다.The photopolymerization initiator is preferably a radical photopolymerization initiator. The photo-radical polymerization initiator is not particularly limited, and can be appropriately selected from known photo-radical polymerization initiators. For example, photoradical polymerization initiators having photosensitivity to light rays in the visible range from the ultraviolet range are preferred. Moreover, it may be an activator that generates an active radical by generating some kind of action with a photoexcited sensitizer.

광라디칼 중합 개시제는, 약 300~800nm(바람직하게는 330~500nm)의 범위 내에서 적어도 약 50L·mol-1·cm-1의 몰 흡광 계수를 갖는 화합물을, 적어도 1종 함유하고 있는 것이 바람직하다. 화합물의 몰 흡광 계수는, 공지의 방법을 이용하여 측정할 수 있다. 예를 들면, 자외 가시 분광 광도계(Varian사제 Cary-5 spectrophotometer)로, 아세트산 에틸 용제를 이용하여, 0.01g/L의 농도로 측정하는 것이 바람직하다.The radical photopolymerization initiator preferably contains at least one compound having a molar extinction coefficient of at least about 50 L·mol -1· cm -1 within a range of about 300 to 800 nm (preferably 330 to 500 nm). do. The molar extinction coefficient of a compound can be measured using a known method. For example, it is preferable to measure at a concentration of 0.01 g/L using an ultraviolet and visible spectrophotometer (Cary-5 spectrophotometer manufactured by Varian) using an ethyl acetate solvent.

광라디칼 중합 개시제로서는, 공지의 화합물을 임의로 사용할 수 있다. 예를 들면, 할로젠화 탄화 수소 유도체(예를 들면, 트라이아진 골격을 갖는 화합물, 옥사다이아졸 골격을 갖는 화합물, 트라이할로메틸기를 갖는 화합물 등), 아실포스핀옥사이드 등의 아실포스핀 화합물, 헥사아릴바이이미다졸, 옥심 유도체 등의 옥심 화합물, 유기 과산화물, 싸이오 화합물, 케톤 화합물, 방향족 오늄염, 케톡심에터, 아미노아세토페논 화합물, 하이드록시아세토페논, 아조계 화합물, 아자이드 화합물, 메탈로센 화합물, 유기 붕소 화합물, 철 아레인 착체 등을 들 수 있다. 이들의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0165~0182, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0138~0151의 기재를 참조할 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.As an optical radical polymerization initiator, a known compound can be used arbitrarily. For example, acylphosphine compounds such as halogenated hydrocarbon derivatives (for example, compounds having a triazine skeleton, compounds having an oxadiazole skeleton, compounds having a trihalomethyl group, etc.) and acylphosphine oxides. , hexaarylbiimidazole, oxime compounds such as oxime derivatives, organic peroxides, thio compounds, ketone compounds, aromatic onium salts, ketoxime ethers, aminoacetophenone compounds, hydroxyacetophenones, azo compounds, azide compounds , metallocene compounds, organoboron compounds, iron arene complexes, and the like. About these details, Paragraph 0165 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2016-027357 - 0182 and Paragraph 0138 of International Publication No. 2015/199219 - description of 0151 can be considered into consideration, and this content is integrated in this specification.

케톤 화합물로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2015-087611호의 단락 0087에 기재된 화합물이 예시되며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다. 시판품에서는, 카야큐어 DETX(닛폰 가야쿠(주)제)도 적합하게 이용된다.As a ketone compound, the compound of Paragraph 0087 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-087611 is illustrated, for example, This content is integrated in this specification. In a commercial product, Kayacure DETX (Nippon Kayaku Co., Ltd. product) is also used suitably.

광라디칼 중합 개시제로서는, 하이드록시아세토페논 화합물, 아미노아세토페논 화합물, 및 아실포스핀 화합물도 적합하게 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들면 일본 공개특허공보 평10-291969호에 기재된 아미노아세토페논계 개시제, 일본 특허공보 제4225898호에 기재된 아실포스핀옥사이드계 개시제도 이용할 수 있다.As an optical radical polymerization initiator, a hydroxyacetophenone compound, an aminoacetophenone compound, and an acylphosphine compound can also be used suitably. More specifically, for example, the aminoacetophenone-based initiator described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-291969 and the acylphosphine oxide-based initiator described in Japanese Patent Publication No. 4225898 can also be used.

하이드록시아세토페논계 개시제로서는, IRGACURE 184(IRGACURE는 등록 상표), DAROCUR 1173, IRGACURE 500, IRGACURE 2959, IRGACURE 127(상품명: 모두 BASF사제)을 이용할 수 있다.As the hydroxyacetophenone-based initiator, IRGACURE 184 (IRGACURE is a registered trademark), DAROCUR 1173, IRGACURE 500, IRGACURE 2959, and IRGACURE 127 (trade names: all manufactured by BASF) can be used.

아미노아세토페논계 개시제로서는, 시판품인 IRGACURE 907, IRGACURE 369, 및 IRGACURE 379(상품명: 모두 BASF사제)를 이용할 수 있다.As the aminoacetophenone-based initiator, commercially available products such as IRGACURE 907, IRGACURE 369, and IRGACURE 379 (trade names: all manufactured by BASF) can be used.

아미노아세토페논계 개시제로서, 365nm 또는 405nm 등의 파장 광원에 흡수 극대 파장이 매칭된 일본 공개특허공보 2009-191179호에 기재된 화합물도 이용할 수 있다.As an aminoacetophenone system initiator, the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-191179 in which absorption maximum wavelength was matched with wavelength light sources, such as 365 nm or 405 nm, can also be used.

아실포스핀계 개시제로서는, 2,4,6-트라이메틸벤조일-다이페닐-포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 또, 시판품인 IRGACURE-819나 IRGACURE-TPO(상품명: 모두 BASF사제)를 이용할 수 있다.Examples of the acylphosphine initiator include 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide. In addition, commercially available IRGACURE-819 and IRGACURE-TPO (trade names: both manufactured by BASF) can be used.

메탈로센 화합물로서는, IRGACURE-784(BASF사제) 등이 예시된다.As a metallocene compound, IRGACURE-784 (made by BASF) etc. are illustrated.

광라디칼 중합 개시제로서, 보다 바람직하게는 옥심 화합물을 들 수 있다. 옥심 화합물을 이용함으로써, 노광 래티튜드를 보다 효과적으로 향상시키는 것이 가능해진다. 옥심 화합물은, 노광 래티튜드(노광 마진)가 넓고, 또한 광경화 촉진제로서도 작용하기 때문에, 특히 바람직하다.As an optical radical polymerization initiator, an oxime compound is mentioned more preferably. By using an oxime compound, it becomes possible to improve exposure latitude more effectively. An oxime compound is particularly preferable because it has a wide exposure latitude (exposure margin) and also acts as a photocuring accelerator.

옥심 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2001-233842호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2000-080068호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2006-342166호에 기재된 화합물을 이용할 수 있다.As a specific example of an oxime compound, the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-233842, the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-080068, and the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-342166 can be used.

바람직한 옥심 화합물로서는, 예를 들면 하기의 구조의 화합물이나, 3-벤조일옥시이미노뷰탄-2-온, 3-아세톡시이미노뷰탄-2-온, 3-프로피온일옥시이미노뷰탄-2-온, 2-아세톡시이미노펜탄-3-온, 2-아세톡시이미노-1-페닐프로판-1-온, 2-벤조일옥시이미노-1-페닐프로판-1-온, 3-(4-톨루엔설폰일옥시)이미노뷰탄-2-온, 및 2-에톡시카보닐옥시이미노-1-페닐프로판-1-온 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화성 수지 조성물에 있어서는, 특히 광라디칼 중합 개시제로서 옥심 화합물(옥심계의 광중합 개시제)을 이용하는 것이 바람직하다. 옥심계의 광중합 개시제는, 분자 내에 >C=N-O-C(=O)-의 연결기를 갖는다.As a preferable oxime compound, for example, a compound having the following structures, 3-benzoyloxyiminobutan-2-one, 3-acetoxyiminobutan-2-one, 3-propionyloxyiminobutan-2-one, 2 -Acetoxyiminopentan-3-one, 2-acetoxyimino-1-phenylpropan-1-one, 2-benzoyloxyimino-1-phenylpropan-1-one, 3-(4-toluenesulfonyloxy) Iminobutan-2-one, 2-ethoxycarbonyloxyimino-1-phenylpropan-1-one, etc. are mentioned. In the curable resin composition of the present invention, it is particularly preferable to use an oxime compound (oxime-based photopolymerization initiator) as the radical photopolymerization initiator. An oxime-based photopolymerization initiator has a linking group of >C=N-O-C(=O)- in its molecule.

[화학식 24][Formula 24]

Figure 112021093510050-pct00024
Figure 112021093510050-pct00024

시판품에서는 IRGACURE OXE 01, IRGACURE OXE 02, IRGACURE OXE 03, IRGACURE OXE 04(이상, BASF사제), 아데카 옵토머 N-1919((주)ADEKA제, 일본 공개특허공보 2012-014052호에 기재된 광라디칼 중합 개시제 2)도 적합하게 이용된다. 또, TR-PBG-304(창저우 강력 전자 신재료 유한공사(Changzhou Tronly New Electronic Materials Co., Ltd.)제), 아데카 아클즈 NCI-831 및 아데카 아클즈 NCI-930((주)ADEKA제)도 이용할 수 있다. 또, DFI-091(다이토 케믹스(주)제)을 이용할 수 있다.Commercially available products include IRGACURE OXE 01, IRGACURE OXE 02, IRGACURE OXE 03, IRGACURE OXE 04 (above, manufactured by BASF), Adeka Optomer N-1919 (manufactured by ADEKA Co., Ltd., an optical radical described in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-014052 The polymerization initiator 2) is also suitably used. In addition, TR-PBG-304 (manufactured by Changzhou Trolly New Electronic Materials Co., Ltd.), Adeka Arcles NCI-831 and Adeka Arcles NCI-930 (Co., Ltd.) ADEKA) can also be used. Also, DFI-091 (manufactured by Daito Chemicals Co., Ltd.) can be used.

또, 불소 원자를 갖는 옥심 화합물을 이용하는 것도 가능하다. 그와 같은 옥심 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2010-262028호에 기재되어 있는 화합물, 일본 공표특허공보 2014-500852호의 단락 0345에 기재되어 있는 화합물 24, 36~40, 일본 공개특허공보 2013-164471호의 단락 0101에 기재되어 있는 화합물 (C-3) 등을 들 수 있다.Moreover, it is also possible to use the oxime compound which has a fluorine atom. As a specific example of such an oxime compound, the compound described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-262028, the compound 24, 36-40 described in Paragraph 0345 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-500852, and Unexamined-Japanese-Patent No. 2013- and the compound (C-3) described in paragraph 0101 of No. 164471.

가장 바람직한 옥심 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2007-269779호에 나타나는 특정 치환기를 갖는 옥심 화합물이나, 일본 공개특허공보 2009-191061호에 나타나는 싸이오아릴기를 갖는 옥심 화합물 등을 들 수 있다.As the most preferable oxime compound, the oxime compound which has a specific substituent shown in Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-269779, the oxime compound which has a thioaryl group shown in Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-191061, etc. are mentioned.

광라디칼 중합 개시제는, 노광 감도의 관점에서, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, 벤질다이메틸케탈 화합물, α-하이드록시케톤 화합물, α-아미노케톤 화합물, 아실포스핀 화합물, 포스핀옥사이드 화합물, 메탈로센 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머, 오늄염 화합물, 벤조싸이아졸 화합물, 벤조페논 화합물, 아세토페논 화합물 및 그 유도체, 사이클로펜타다이엔-벤젠-철 착체 및 그 염, 할로메틸옥사다이아졸 화합물, 3-아릴 치환 쿠마린 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물이 바람직하다.Radical photopolymerization initiators are, from the viewpoint of exposure sensitivity, trihalomethyltriazine compounds, benzyldimethylketal compounds, α-hydroxyketone compounds, α-aminoketone compounds, acylphosphine compounds, phosphine oxide compounds, metal Rosene compounds, oxime compounds, triarylimidazole dimers, onium salt compounds, benzothiazole compounds, benzophenone compounds, acetophenone compounds and their derivatives, cyclopentadiene-benzene-iron complexes and their salts, halomethyloxa Compounds selected from the group consisting of diazole compounds and 3-aryl-substituted coumarin compounds are preferred.

더 바람직한 광라디칼 중합 개시제는, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, α-아미노케톤 화합물, 아실포스핀 화합물, 포스핀옥사이드 화합물, 메탈로센 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머, 오늄염 화합물, 벤조페논 화합물, 아세토페논 화합물이며, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, α-아미노케톤 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머, 벤조페논 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물이 한층 바람직하고, 메탈로센 화합물 또는 옥심 화합물을 이용하는 것이 보다 한층 바람직하며, 옥심 화합물이 더 한층 바람직하다.More preferable photoradical polymerization initiators are trihalomethyltriazine compounds, α-amino ketone compounds, acylphosphine compounds, phosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime compounds, triarylimidazole dimers, and onium salt compounds. , A benzophenone compound, an acetophenone compound, at least one compound selected from the group consisting of a trihalomethyltriazine compound, an α-amino ketone compound, an oxime compound, a triarylimidazole dimer, and a benzophenone compound It is preferable, and it is more preferable to use a metallocene compound or an oxime compound, and an oxime compound is still more preferable.

또, 광라디칼 중합 개시제는, 벤조페논, N,N'-테트라메틸-4,4'-다이아미노벤조페논(미힐러케톤) 등의 N,N'-테트라알킬-4,4'-다이아미노벤조페논, 2-벤질-2-다이메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-뷰탄온-1,2-메틸-1-[4-(메틸싸이오)페닐]-2-모폴리노-프로판온-1 등의 방향족 케톤, 알킬안트라퀴논 등의 방향환과 축환한 퀴논류, 벤조인알킬에터 등의 벤조인에터 화합물, 벤조인, 알킬벤조인 등의 벤조인 화합물, 벤질다이메틸케탈 등의 벤질 유도체 등을 이용할 수도 있다. 또, 하기 식 (I)로 나타나는 화합물을 이용할 수도 있다.In addition, the radical photopolymerization initiator is N,N'-tetraalkyl-4,4'-diamino, such as benzophenone and N,N'-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone (Michler's ketone). Benzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1,2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholyl Aromatic ketones such as no-propanone-1, quinones condensed with aromatic rings such as alkylanthraquinone, benzoin ether compounds such as benzoin alkyl ether, benzoin compounds such as benzoin and alkylbenzoin, and benzyldi Benzyl derivatives, such as methyl ketal, etc. can also be used. Moreover, the compound represented by following formula (I) can also be used.

[화학식 25][Formula 25]

Figure 112021093510050-pct00025
Figure 112021093510050-pct00025

식 (I) 중, RI00은, 탄소수 1~20의 알킬기, 1개 이상의 산소 원자에 의하여 중단된 탄소수 2~20의 알킬기, 탄소수 1~12의 알콕시기, 페닐기, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~12의 알콕시기, 할로젠 원자, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 탄소수 2~12의 알켄일기, 1개 이상의 산소 원자에 의하여 중단된 탄소수 2~18의 알킬기 및 탄소수 1~4의 알킬기 중 적어도 1개로 치환된 페닐기, 또는 바이페닐이며, RI01은, 식 (II)로 나타나는 기이거나, RI00과 동일한 기이며, RI02~RI04는 각각 독립적으로 탄소수 1~12의 알킬, 탄소수 1~12의 알콕시기 또는 할로젠이다.In formula (I), R I00 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkyl group having 2 to 20 carbon atoms interrupted by one or more oxygen atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, Alkoxy groups of 1 to 12 carbon atoms, halogen atoms, cyclopentyl groups, cyclohexyl groups, alkenyl groups of 2 to 12 carbon atoms, alkyl groups of 2 to 18 carbon atoms interrupted by one or more oxygen atoms, and alkyl groups of 1 to 4 carbon atoms phenyl group substituted with at least one of them, or biphenyl, R I01 is a group represented by formula (II) or the same group as R I00 , R I02 to R I04 are each independently an alkyl having 1 to 12 carbon atoms; It is a 1-12 alkoxy group or halogen.

[화학식 26][Formula 26]

Figure 112021093510050-pct00026
Figure 112021093510050-pct00026

식 중, RI05~RI07은, 상기 식 (I)의 RI02~RI04와 동일하다.In the formula, R I05 to R I07 are the same as R I02 to R I04 in the formula (I).

또, 광라디칼 중합 개시제는, 국제 공개공보 제2015/125469호의 단락 0048~0055에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.Moreover, as an optical radical polymerization initiator, Paragraph 0048 of International Publication No. 2015/125469 - the compound of 0055 can also be used.

광중합 개시제를 포함하는 경우, 그 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.1~30질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~20질량%이며, 더 바람직하게는 0.5~15질량%이고, 한층 바람직하게는 1.0~10질량%이다. 광중합 개시제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 2종 이상 함유하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When a photopolymerization initiator is included, the content thereof is preferably 0.1 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, and still more preferably 0.5 to 15% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention. It is mass %, More preferably, it is 1.0-10 mass %. The photoinitiator may contain only 1 type, and may contain 2 or more types. When 2 or more types of photoinitiators are contained, it is preferable that the sum total is the said range.

<열중합 개시제><Thermal polymerization initiator>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 중합 개시제로서 열중합 개시제를 포함해도 되고, 특히 열라디칼 중합 개시제를 포함해도 된다. 열라디칼 중합 개시제는, 열의 에너지에 의하여 라디칼을 발생하고, 중합성을 갖는 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열라디칼 중합 개시제를 첨가함으로써, 복소환 함유 폴리머 전구체의 환화와 함께, 복소환 함유 폴리머 전구체의 중합 반응을 진행시킬 수도 있으므로, 보다 고도의 내열화를 달성할 수 있게 된다.Curable resin composition of this invention may contain a thermal polymerization initiator as a polymerization initiator, and may also contain a thermal radical polymerization initiator especially. A thermal radical polymerization initiator is a compound that generates radicals by thermal energy to initiate or accelerate a polymerization reaction of a polymerizable compound. By adding a thermal radical polymerization initiator, the polymerization reaction of the heterocycle-containing polymer precursor can be promoted along with cyclization of the heterocycle-containing polymer precursor, so that a higher degree of heat resistance can be achieved.

열라디칼 중합 개시제로서, 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2008-063554호의 단락 0074~0118에 기재되어 있는 화합물을 들 수 있다.As a thermal radical polymerization initiator, specifically, the compound described in Paragraph 0074 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-063554 - 0118 is mentioned.

열라디칼 중합 개시제를 포함하는 경우, 그 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.1~30질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~20질량%이며, 더 바람직하게는 5~15질량%이다. 열라디칼 중합 개시제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 열라디칼 중합 개시제를 2종 이상 함유하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When a thermal radical polymerization initiator is included, the content thereof is preferably 0.1 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, and still more preferably 5% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention. ~ 15% by mass. The thermal radical polymerization initiator may contain only 1 type, and may contain 2 or more types. When 2 or more types of thermal radical polymerization initiators are contained, it is preferable that the sum total is the said range.

<중합성 화합물><Polymerizable compound>

〔라디칼 중합성 화합물〕[Radically polymerizable compound]

본 발명의 경화성 수지 조성물은 중합성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 중합성 화합물로서는, 라디칼 중합성 화합물을 이용할 수 있다. 라디칼 중합성 화합물은, 라디칼 중합성기를 갖는 화합물이다. 라디칼 중합성기로서는, 바이닐기, 알릴기, 바이닐페닐기, (메트)아크릴로일기 등의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 들 수 있다. 라디칼 중합성기는, (메트)아크릴로일기가 바람직하다.It is preferable that curable resin composition of this invention contains a polymeric compound. As the polymerizable compound, a radical polymerizable compound can be used. A radically polymerizable compound is a compound having a radically polymerizable group. Examples of the radical polymerizable group include groups having ethylenically unsaturated bonds such as a vinyl group, an allyl group, a vinylphenyl group, and a (meth)acryloyl group. The radical polymerizable group has a preferable (meth)acryloyl group.

라디칼 중합성 화합물이 갖는 라디칼 중합성기의 수는, 1개여도 되고, 2개 이상이어도 되지만, 라디칼 중합성 화합물은 라디칼 중합성기를 2개 이상 갖는 것이 바람직하며, 3개 이상 갖는 것이 보다 바람직하다. 상한은, 15개 이하가 바람직하고, 10개 이하가 보다 바람직하며, 8개 이하가 더 바람직하다.The radical polymerizable compound may have one or two or more radical polymerizable groups, but the radical polymerizable compound preferably has two or more radical polymerizable groups, more preferably three or more. The upper limit is preferably 15 or less, more preferably 10 or less, and still more preferably 8 or less.

라디칼 중합성 화합물의 분자량은, 2,000 이하가 바람직하고, 1,500 이하가 보다 바람직하며, 900 이하가 더 바람직하다. 라디칼 중합성 화합물의 분자량의 하한은, 100 이상이 바람직하다.The molecular weight of the radically polymerizable compound is preferably 2,000 or less, more preferably 1,500 or less, and still more preferably 900 or less. As for the lower limit of the molecular weight of a radically polymerizable compound, 100 or more are preferable.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 현상성의 관점에서, 라디칼 중합성기를 2개 이상 포함하는 2관능 이상의 라디칼 중합성 화합물을 적어도 1종 포함하는 것이 바람직하고, 3관능 이상의 라디칼 중합성 화합물을 적어도 1종 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또, 2관능의 라디칼 중합성 화합물과 3관능 이상의 라디칼 중합성 화합물의 혼합물이어도 된다. 예를 들면 2관능 이상의 중합성 모노머의 관능기수란, 1분자 중에 있어서의 라디칼 중합성기의 수가 2개 이상인 것을 의미한다.From the standpoint of developability, the curable resin composition of the present invention preferably contains at least one difunctional or higher radical polymerizable compound containing two or more radical polymerizable groups, and at least one trifunctional or higher radical polymerizable compound. It is more preferable to include Moreover, a mixture of a bifunctional radical polymerizable compound and a trifunctional or higher functional radical polymerizable compound may be used. For example, the number of functional groups of a bifunctional or higher functional polymerizable monomer means that the number of radical polymerizable groups in one molecule is two or more.

라디칼 중합성 화합물의 구체예로서는, 불포화 카복실산(예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 아이소크로톤산, 말레산 등)이나 그 에스터류, 아마이드류를 들 수 있으며, 바람직하게는, 불포화 카복실산과 다가 알코올 화합물의 에스터, 및 불포화 카복실산과 다가 아민 화합물의 아마이드류이다. 또, 하이드록시기나 아미노기, 설판일기 등의 구핵성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 또는 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능 아이소사이아네이트류 또는 에폭시류와의 부가 반응물이나, 단관능 혹은 다관능의 카복실산의 탈수 축합 반응물 등도 적합하게 사용된다. 또, 아이소사이아네이트기나 에폭시기 등의 친전자성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 또는 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능의 알코올류, 아민류, 싸이올류와의 부가 반응물, 또한 할로제노기나 토실옥시기 등의 탈리성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 또는 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능의 알코올류, 아민류, 싸이올류와의 치환 반응물도 적합하다. 또, 다른 예로서, 상기의 불포화 카복실산 대신에, 불포화 포스폰산, 스타이렌 등의 바이닐벤젠 유도체, 바이닐에터, 알릴에터 등으로 치환한 화합물군을 사용하는 것도 가능하다. 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0113~0122의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.Specific examples of the radically polymerizable compound include unsaturated carboxylic acids (eg, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, etc.) and their esters and amides, preferably , esters of unsaturated carboxylic acids and polyhydric alcohol compounds, and amides of unsaturated carboxylic acids and polyhydric amine compounds. In addition, an addition reaction product between an unsaturated carboxylic acid ester or amide having a nucleophilic substituent such as a hydroxyl group, an amino group, or a sulfanyl group, and monofunctional or polyfunctional isocyanates or epoxies, or a monofunctional or polyfunctional carboxylic acid A dehydration condensation reaction product of is also suitably used. In addition, an addition reaction product between an unsaturated carboxylic acid ester or amide having an electrophilic substituent such as an isocyanate group or an epoxy group, and a monofunctional or polyfunctional alcohol, amine, or thiol group, furthermore, a halo xeno group, a tosyloxy group, etc. Also suitable are substitution reaction products of unsaturated carboxylic acid esters or amides having a leaving substituent with monofunctional or polyfunctional alcohols, amines, or thiols. As another example, it is also possible to use a group of compounds substituted with unsaturated phosphonic acids, vinylbenzene derivatives such as styrene, vinyl ethers, allyl ethers and the like instead of the above unsaturated carboxylic acids. As a specific example, Paragraph 0113 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2016-027357 - description of 0122 can be considered into consideration, and these content is integrated in this specification.

또, 라디칼 중합성 화합물은, 상압하에서 100℃ 이상의 비점을 갖는 화합물도 바람직하다. 그 예로서는, 폴리에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올에테인트라이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 헥세인다이올(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인트라이(아크릴로일옥시프로필)에터, 트라이(아크릴로일옥시에틸)아이소사이아누레이트, 글리세린이나 트라이메틸올에테인 등의 다관능 알코올에 에틸렌옥사이드나 프로필렌옥사이드를 부가시킨 후, (메트)아크릴레이트화한 화합물, 일본 공고특허공보 소48-041708호, 일본 공고특허공보 소50-006034호, 일본 공개특허공보 소51-037193호 각 공보에 기재되어 있는 바와 같은 유레테인(메트)아크릴레이트류, 일본 공개특허공보 소48-064183호, 일본 공고특허공보 소49-043191호, 일본 공고특허공보 소52-030490호 각 공보에 기재되어 있는 폴리에스터아크릴레이트류, 에폭시 수지와 (메트)아크릴산의 반응 생성물인 에폭시아크릴레이트류 등의 다관능의 아크릴레이트나 메타크릴레이트 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 2008-292970호의 단락 0254~0257에 기재된 화합물도 적합하다. 또, 다관능 카복실산에 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 환상 에터기와 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메트)아크릴레이트 등도 들 수 있다.Moreover, the compound which has a boiling point of 100 degreeC or more under normal pressure of a radically polymerizable compound is also preferable. Examples thereof include polyethylene glycol di(meth)acrylate, trimethylolethane tri(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, and pentaerythritol. Tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, hexanediol(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(acryloyloxy Compound obtained by adding ethylene oxide or propylene oxide to polyfunctional alcohol such as propyl) ether, tri(acryloyloxyethyl) isocyanurate, glycerin or trimethylolethane, and then (meth)acrylated compound, Japanese Public Notice Urethane (meth)acrylates as described in Japanese Patent Publication No. 48-041708, Japanese Patent Publication No. 50-006034, and Japanese Unexamined Patent Publication No. 51-037193, Japanese Unexamined Patent Publication No. Polyester acrylates described in Japanese Publication No. 48-064183, Japanese Publication No. 49-043191, Japanese Publication No. 52-030490, and epoxy acrylate, which is a reaction product of epoxy resin and (meth)acrylic acid. Polyfunctional acrylates and methacrylates, such as molasses, and mixtures thereof are exemplified. Moreover, Paragraph 0254 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-292970 - the compound of 0257 are also suitable. Moreover, the polyfunctional (meth)acrylate obtained by making the compound which has a cyclic ether group, such as glycidyl (meth)acrylate, and an ethylenically unsaturated bond react with polyfunctional carboxylic acid, etc. are mentioned.

또, 상술 이외의 바람직한 라디칼 중합성 화합물로서, 일본 공개특허공보 2010-160418호, 일본 공개특허공보 2010-129825호, 일본 특허공보 제4364216호 등에 기재되는, 플루오렌환을 갖고, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 2개 이상 갖는 화합물이나, 카도 수지도 사용하는 것이 가능하다.Moreover, as a radically polymerizable compound other than the above-mentioned preferable, it has a fluorene ring described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-160418, Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-129825, Unexamined-Japanese-Patent No. 4364216 etc., and has an ethylenically unsaturated bond It is also possible to use a compound having two or more groups having , and a cardo resin.

또한, 그 외의 예로서는, 일본 공고특허공보 소46-043946호, 일본 공고특허공보 평01-040337호, 일본 공고특허공보 평01-040336호에 기재된 특정 불포화 화합물이나, 일본 공개특허공보 평02-025493호에 기재된 바이닐포스폰산계 화합물 등도 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 소61-022048호에 기재된 퍼플루오로알킬기를 포함하는 화합물을 이용할 수도 있다. 또한 일본 접착 협회지 vol. 20, No. 7, 300~308페이지(1984년)에 광중합성 모노머 및 올리고머로서 소개되어 있는 것도 사용할 수 있다.In addition, as other examples, the specific unsaturated compounds described in Japanese Patent Publication No. 46-043946, Japanese Patent Publication No. Hei 01-040337, and Japanese Patent Publication Hei 01-040336, and Japanese Unexamined Patent Publication Hei 02-025493 and the vinylphosphonic acid-based compounds described in No. Moreover, the compound containing the perfluoroalkyl group of Unexamined-Japanese-Patent No. 61-022048 can also be used. Also, Journal of the Japan Adhesion Association vol. 20, no. Those introduced as photopolymerizable monomers and oligomers on pages 7, 300 to 308 (1984) can also be used.

상기 외에, 일본 공개특허공보 2015-034964호의 단락 0048~0051에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0087~0131에 기재된 화합물도 바람직하게 이용할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.In addition to the above, the compound of Paragraph 0048 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-034964 - 0051, and the compound of Paragraph 0087 of International Publication No. 2015/199219 - 0131 can also be used preferably, These content is integrated in this specification.

또, 일본 공개특허공보 평10-062986호에 있어서 식 (1) 및 식 (2)로서 그 구체예와 함께 기재된, 다관능 알코올에 에틸렌옥사이드나 프로필렌옥사이드를 부가시킨 후에 (메트)아크릴레이트화한 화합물도, 라디칼 중합성 화합물로서 이용할 수 있다.In addition, after adding ethylene oxide or propylene oxide to the polyfunctional alcohol described with specific examples as formula (1) and formula (2) in Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-062986, (meth)acrylated A compound can also be used as a radically polymerizable compound.

또한, 일본 공개특허공보 2015-187211호의 단락 0104~0131에 기재된 화합물도 다른 라디칼 중합성 화합물로서 이용할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.In addition, Paragraph 0104 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-187211 - the compound of 0131 can also be used as another radically polymerizable compound, and these content is integrated in this specification.

라디칼 중합성 화합물로서는, 다이펜타에리트리톨트라이아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-330; 닛폰 가야쿠(주)제), 다이펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-320; 닛폰 가야쿠(주)제, A-TMMT: 신나카무라 가가쿠 고교사제), 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-310; 닛폰 가야쿠(주)제), 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD DPHA; 닛폰 가야쿠(주)제, A-DPH; 신나카무라 가가쿠 고교사제), 및 이들의 (메트)아크릴로일기가 에틸렌글라이콜 잔기 또는 프로필렌글라이콜 잔기를 통하여 결합하고 있는 구조가 바람직하다. 이들의 올리고머 타입도 사용할 수 있다.As a radically polymerizable compound, dipentaerythritol triacrylate (as a commercial item, KAYARAD D-330; manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), dipentaerythritol tetraacrylate (as a commercial item, KAYARAD D-320; Nippon Kayaku Co., Ltd.) ) agent, A-TMMT: manufactured by Shin Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd.), dipentaerythritol penta(meth)acrylate (as a commercial product, KAYARAD D-310; manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), dipentaerythritol hexa(meth) Acrylates (commercially available, KAYARAD DPHA; manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., A-DPH; manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.), and their (meth)acryloyl groups are ethylene glycol residues or propylene glycol residues A structure that is coupled through is preferable. These oligomeric types can also be used.

라디칼 중합성 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면 사토머사제의 에틸렌옥시쇄를 4개 갖는 4관능 아크릴레이트인 SR-494, 에틸렌옥시쇄를 4개 갖는 2관능 메타크릴레이트인 사토머사제의 SR-209, 231, 239, 닛폰 가야쿠(주)제의 펜틸렌옥시쇄를 6개 갖는 6관능 아크릴레이트인 DPCA-60, 아이소뷰틸렌옥시쇄를 3개 갖는 3관능 아크릴레이트인 TPA-330, 유레테인 올리고머 UAS-10, UAB-140(닛폰 세이시사제), NK 에스터 M-40G, NK 에스터 4G, NK 에스터 M-9300, NK 에스터 A-9300, UA-7200(신나카무라 가가쿠 고교사제), DPHA-40H(닛폰 가야쿠(주)제), UA-306H, UA-306T, UA-306I, AH-600, T-600, AI-600(교에이샤 가가쿠사제), 블렘머 PME400(니치유(주)제) 등을 들 수 있다.As a commercial item of a radically polymerizable compound, for example, SR-494, which is a tetrafunctional acrylate having four ethyleneoxy chains manufactured by Sartomer, and SR-494, manufactured by Sartomer, a bifunctional methacrylate having four ethyleneoxy chains, manufactured by Sartomer, 209, 231, 239, DPCA-60 which is a hexafunctional acrylate having 6 pentyleneoxy chains manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., TPA-330 which is a trifunctional acrylate having 3 isobutyleneoxy chains, oil Retainer oligomer UAS-10, UAB-140 (manufactured by Nippon Seishi Co., Ltd.), NK ester M-40G, NK ester 4G, NK ester M-9300, NK ester A-9300, UA-7200 (manufactured by Shin Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd.), DPHA-40H (Nippon Kayaku Co., Ltd.), UA-306H, UA-306T, UA-306I, AH-600, T-600, AI-600 (Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), Blemmer PME400 (Ni Healing Co., Ltd.) etc. are mentioned.

라디칼 중합성 화합물로서는, 일본 공고특허공보 소48-041708호, 일본 공개특허공보 소51-037193호, 일본 공고특허공보 평02-032293호, 일본 공고특허공보 평02-016765호에 기재되어 있는 바와 같은 유레테인아크릴레이트류나, 일본 공고특허공보 소58-049860호, 일본 공고특허공보 소56-017654호, 일본 공고특허공보 소62-039417호, 일본 공고특허공보 소62-039418호에 기재된 에틸렌옥사이드계 골격을 갖는 유레테인 화합물류도 적합하다. 또한, 라디칼 중합성 화합물로서, 일본 공개특허공보 소63-277653호, 일본 공개특허공보 소63-260909호, 일본 공개특허공보 평01-105238호에 기재되는, 분자 내에 아미노 구조나 설파이드 구조를 갖는 화합물을 이용할 수도 있다.As a radical polymerizable compound, as described in Japanese Patent Publication No. 48-041708, Japanese Patent Application Publication No. 51-037193, Japanese Patent Publication No. 02-032293, Japanese Patent Publication No. 02-016765 The same urethane acrylates or ethylene described in Japanese Publication No. 58-049860, Japanese Publication No. 56-017654, Japanese Publication No. 62-039417, Japanese Publication No. 62-039418 Urethane compounds having an oxide-based backbone are also suitable. In addition, as a radical polymerizable compound, as described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-277653, Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-260909, and Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 01-105238, having an amino structure or sulfide structure in the molecule compounds can also be used.

라디칼 중합성 화합물은, 카복시기, 인산기 등의 산기를 갖는 라디칼 중합성 화합물이어도 된다. 산기를 갖는 라디칼 중합성 화합물은, 지방족 폴리하이드록시 화합물과 불포화 카복실산의 에스터가 바람직하고, 지방족 폴리하이드록시 화합물의 미반응의 하이드록시기에 비방향족 카복실산 무수물을 반응시켜 산기를 갖게 한 라디칼 중합성 화합물이 보다 바람직하다. 특히 바람직하게는, 지방족 폴리하이드록시 화합물의 미반응의 하이드록시기에 비방향족 카복실산 무수물을 반응시켜 산기를 갖게 한 라디칼 중합성 화합물에 있어서, 지방족 폴리하이드록시 화합물이 펜타에리트리톨 또는 다이펜타에리트리톨인 화합물이다. 시판품으로서는, 예를 들면 도아 고세이 주식회사제의 다염기산 변성 아크릴 올리고머로서, M-510, M-520 등을 들 수 있다.The radically polymerizable compound may be a radically polymerizable compound having an acid group such as a carboxy group or a phosphoric acid group. The radically polymerizable compound having an acid group is preferably an ester of an aliphatic polyhydroxy compound and an unsaturated carboxylic acid, and a radical polymerizable compound obtained by reacting an unreacted hydroxyl group of the aliphatic polyhydroxy compound with a non-aromatic carboxylic acid anhydride to give an acid group. compounds are more preferred. Particularly preferably, in a radically polymerizable compound obtained by reacting a non-aromatic carboxylic acid anhydride with an unreacted hydroxyl group of an aliphatic polyhydroxy compound to have an acid group, the aliphatic polyhydroxy compound is pentaerythritol or dipentaerythritol It is a phosphorus compound. As a commercial item, M-510, M-520 etc. are mentioned, for example as a polybasic acid denatured acrylic oligomer by Toagosei Co., Ltd. product.

산기를 갖는 라디칼 중합성 화합물의 바람직한 산가는, 0.1~40mgKOH/g이며, 특히 바람직하게는 5~30mgKOH/g이다. 라디칼 중합성 화합물의 산가가 상기 범위이면, 제조상의 취급성이 우수하고, 나아가서는, 현상성이 우수하다. 또, 중합성이 양호하다. 상기 산가는, JIS K 0070:1992의 기재에 준거하여 측정된다.The acid value of the radically polymerizable compound having an acid group is preferably 0.1 to 40 mgKOH/g, particularly preferably 5 to 30 mgKOH/g. When the acid value of the radically polymerizable compound is within the above range, the handleability in production is excellent, and furthermore, the developability is excellent. Moreover, polymerizability is good. The said acid value is measured based on description of JISK0070:1992.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 경화막의 탄성률 제어에 따른 휨 억제의 관점에서, 라디칼 중합성 화합물로서, 단관능 라디칼 중합성 화합물을 바람직하게 이용할 수 있다. 단관능 라디칼 중합성 화합물로서는, n-뷰틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 뷰톡시에틸(메트)아크릴레이트, 카비톨(메트)아크릴레이트, 사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, N-메틸올(메트)아크릴아마이드, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글라이콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글라이콜모노(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산 유도체, N-바이닐피롤리돈, N-바이닐카프로락탐 등의 N-바이닐 화합물류, 알릴글리시딜에터, 다이알릴프탈레이트, 트라이알릴트라이멜리테이트 등의 알릴 화합물류 등이 바람직하게 이용된다. 단관능 라디칼 중합성 화합물로서는, 노광 전의 휘발을 억제하기 위하여, 상압하에서 100℃ 이상의 비점을 갖는 화합물도 바람직하다.Curable resin composition of this invention can preferably use a monofunctional radically polymerizable compound as a radically polymerizable compound from a viewpoint of curvature suppression accompanying control of the elastic modulus of a cured film. Examples of monofunctional radically polymerizable compounds include n-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, carbitol ( meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, phenoxyethyl (meth)acrylate, N-methylol (meth)acrylamide, glycidyl (meth)acrylate, polyethylene glycol (meth)acrylic acid derivatives such as lycol mono(meth)acrylate and polypropylene glycol mono(meth)acrylate, N-vinyl compounds such as N-vinylpyrrolidone and N-vinylcaprolactam, allyl glycol Allyl compounds, such as cydyl ether, diallyl phthalate, and triallyl trimellitate, etc. are used preferably. As the monofunctional radically polymerizable compound, in order to suppress volatilization before exposure, a compound having a boiling point of 100°C or higher under normal pressure is also preferable.

〔상술한 라디칼 중합성 화합물 이외의 중합성 화합물〕[Polymerizable compounds other than the above-mentioned radically polymerizable compounds]

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 상술한 라디칼 중합성 화합물 이외의 중합성 화합물을 더 포함할 수 있다. 상술한 라디칼 중합성 화합물 이외의 중합성 화합물로서는, 하이드록시메틸기, 알콕시메틸기 또는 아실옥시메틸기를 갖는 화합물; 에폭시 화합물; 옥세테인 화합물; 벤즈옥사진 화합물을 들 수 있다.Curable resin composition of this invention can further contain polymeric compounds other than the above-mentioned radically polymerizable compound. Examples of polymerizable compounds other than the radical polymerizable compounds described above include compounds having a hydroxymethyl group, an alkoxymethyl group, or an acyloxymethyl group; epoxy compounds; oxetane compounds; and benzoxazine compounds.

-하이드록시메틸기, 알콕시메틸기 또는 아실옥시메틸기를 갖는 화합물--Compound having a hydroxymethyl group, an alkoxymethyl group or an acyloxymethyl group-

하이드록시메틸기, 알콕시메틸기 또는 아실옥시메틸기를 갖는 화합물로서는, 하기 식 (AM1), (AM4) 또는 (AM5)로 나타나는 화합물이 바람직하다.As a compound which has a hydroxymethyl group, an alkoxymethyl group, or an acyloxymethyl group, the compound represented by the following formula (AM1), (AM4), or (AM5) is preferable.

[화학식 27][Formula 27]

Figure 112021093510050-pct00027
Figure 112021093510050-pct00027

(식 중, t는, 1~20의 정수를 나타내고, R104는 탄소수 1~200의 t가의 유기기를 나타내며, R105는, -OR106 또는, -OCO-R107로 나타나는 기를 나타내고, R106은, 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 유기기를 나타내며, R107은, 탄소수 1~10의 유기기를 나타낸다.)(In the formula, t represents an integer of 1 to 20, R 104 represents an organic group having a t value of 1 to 200, R 105 represents a group represented by -OR 106 or -OCO-R 107 , and R 106 represents a hydrogen atom or an organic group having 1 to 10 carbon atoms, and R 107 represents an organic group having 1 to 10 carbon atoms.)

[화학식 28][Formula 28]

Figure 112021093510050-pct00028
Figure 112021093510050-pct00028

(식 중, R404는 탄소수 1~200의 2가의 유기기를 나타내고, R405는, -OR406 또는, -OCO-R407로 나타나는 기를 나타내며, R406은, 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 유기기를 나타내고, R407은, 탄소수 1~10의 유기기를 나타낸다.)(In the formula, R 404 represents a divalent organic group having 1 to 200 carbon atoms, R 405 represents a group represented by -OR 406 or -OCO-R 407 , and R 406 is a hydrogen atom or an organic group having 1 to 10 carbon atoms. represents a group, and R 407 represents an organic group having 1 to 10 carbon atoms.)

[화학식 29][Formula 29]

Figure 112021093510050-pct00029
Figure 112021093510050-pct00029

(식 중 u는 3~8의 정수를 나타내고, R504는 탄소수 1~200의 u가의 유기기를 나타내며, R505는, -OR506 또는, -OCO-R507로 나타나는 기를 나타내고, R506은, 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 유기기를 나타내며, R507은, 탄소수 1~10의 유기기를 나타낸다.)(In the formula, u represents an integer of 3 to 8, R 504 represents a u-valent organic group having 1 to 200 carbon atoms, R 505 represents a group represented by -OR 506 or -OCO-R 507 , and R 506 is Represents a hydrogen atom or an organic group having 1 to 10 carbon atoms, and R 507 represents an organic group having 1 to 10 carbon atoms.)

식 (AM4)로 나타나는 화합물의 구체예로서는, 46DMOC, 46DMOEP(이상, 상품명, 아사히 유키자이 고교(주)제), DML-MBPC, DML-MBOC, DML-OCHP, DML-PCHP, DML-PC, DML-PTBP, DML-34X, DML-EP, DML-POP, dimethylolBisOC-P, DML-PFP, DML-PSBP, DML-MTrisPC(이상, 상품명, 혼슈 가가쿠 고교(주)제), NIKALAC MX-290(상품명, (주)산와 케미컬제), 2,6-dimethoxymethyl-4-t-butylphenol, 2,6-dimethoxymethyl-p-cresol, 2,6-diacetoxymethyl-p-cresol 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by formula (AM4) include 46DMOC, 46DMOEP (above, trade names, manufactured by Asahi Yukizai Kogyo Co., Ltd.), DML-MBPC, DML-MBOC, DML-OCHP, DML-PCHP, DML-PC, and DML. -PTBP, DML-34X, DML-EP, DML-POP, dimethylolBisOC-P, DML-PFP, DML-PSBP, DML-MTrisPC (above, brand name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), NIKALAC MX-290 ( Trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), 2,6-dimethoxymethyl-4-t-butylphenol, 2,6-dimethoxymethyl-p-cresol, 2,6-diacetoxymethyl-p-cresol, and the like.

또, 식 (AM5)로 나타나는 화합물의 구체예로서는, TriML-P, TriML-35XL, TML-HQ, TML-BP, TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP, HML-TPPHBA, HML-TPHAP, HMOM-TPPHBA, HMOM-TPHAP(이상, 상품명, 혼슈 가가쿠 고교(주)제), TM-BIP-A(상품명, 아사히 유키자이 고교(주)제), NIKALAC MX-280, NIKALAC MX-270, NIKALAC MW-100LM(이상, 상품명, (주)산와 케미컬제)을 들 수 있다.In addition, as specific examples of the compound represented by formula (AM5), TriML-P, TriML-35XL, TML-HQ, TML-BP, TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP, HML-TPPHBA, HML-TPHAP , HMOM-TPPHBA, HMOM-TPHAP (above, product name, Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), TM-BIP-A (product name, Asahi Yukizai Kogyo Co., Ltd. product), NIKALAC MX-280, NIKALAC MX-270 , NIKALAC MW-100LM (above, trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.).

-에폭시 화합물(에폭시기를 갖는 화합물)--Epoxy compound (compound having an epoxy group)-

에폭시 화합물로서는, 1분자 중에 에폭시기를 2 이상 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 에폭시기는, 200℃ 이하에서 가교 반응하고, 또한 가교에서 유래하는 탈수 반응이 일어나지 않기 때문에 막 수축이 일어나기 어렵다. 이 때문에, 에폭시 화합물을 함유하는 것은, 조성물의 저온 경화 및 휨의 억제에 효과적이다.As an epoxy compound, it is preferable that it is a compound which has 2 or more epoxy groups in 1 molecule. Since the epoxy group undergoes a crosslinking reaction at 200°C or less and no dehydration reaction resulting from the crosslinking occurs, film shrinkage is unlikely to occur. For this reason, containing an epoxy compound is effective in low-temperature hardening of a composition and suppression of warpage.

에폭시 화합물은, 폴리에틸렌옥사이드기를 함유하는 것이 바람직하다. 이로써, 보다 탄성률이 저하되고, 또 휨을 억제할 수 있다. 폴리에틸렌옥사이드기는, 에틸렌옥사이드의 반복 단위수가 2 이상인 것을 의미하고, 반복 단위수가 2~15인 것이 바람직하다.It is preferable that the epoxy compound contains a polyethylene oxide group. Thereby, the modulus of elasticity is lowered and the warpage can be suppressed. A polyethylene oxide group means that the number of repeating units of ethylene oxide is 2 or more, and it is preferable that the number of repeating units is 2-15.

에폭시 화합물의 예로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지; 비스페놀 F형 에폭시 수지; 프로필렌글라이콜다이글리시딜에터 등의 알킬렌글라이콜형 에폭시 수지; 폴리프로필렌글라이콜다이글리시딜에터 등의 폴리알킬렌글라이콜형 에폭시 수지; 폴리메틸(글리시딜옥시프로필)실록세인 등의 에폭시기 함유 실리콘 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 구체적으로는, 에피클론(등록 상표) 850-S, 에피클론(등록 상표) HP-4032, 에피클론(등록 상표) HP-7200, 에피클론(등록 상표) HP-820, 에피클론(등록 상표) HP-4700, 에피클론(등록 상표) EXA-4710, 에피클론(등록 상표) HP-4770, 에피클론(등록 상표) EXA-859CRP, 에피클론(등록 상표) EXA-1514, 에피클론(등록 상표) EXA-4880, 에피클론(등록 상표) EXA-4850-150, 에피클론(등록 상표) EXA-4850-1000, 에피클론(등록 상표) EXA-4816, 에피클론(등록 상표) EXA-4822(이상 상품명, DIC(주)제), 리카레진(등록 상표) BEO-60E(상품명, 신니혼 리카(주)), EP-4003S, EP-4000S(이상 상품명, (주)ADEKA제) 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 폴리에틸렌옥사이드기를 함유하는 에폭시 수지가, 휨의 억제 및 내열성이 우수한 점에서 바람직하다. 예를 들면, 에피클론(등록 상표) EXA-4880, 에피클론(등록 상표) EXA-4822, 리카레진(등록 상표) BEO-60E는, 폴리에틸렌옥사이드기를 함유하므로 바람직하다.As an example of an epoxy compound, it is bisphenol-A epoxy resin; bisphenol F-type epoxy resin; Alkylene glycol type epoxy resins, such as propylene glycol diglycidyl ether; polyalkylene glycol type epoxy resins such as polypropylene glycol diglycidyl ether; Epoxy group-containing silicones, such as polymethyl (glycidyloxypropyl) siloxane, etc. are mentioned, but are not limited to these. Specifically, Epiclon (registered trademark) 850-S, Epiclon (registered trademark) HP-4032, Epiclon (registered trademark) HP-7200, Epiclon (registered trademark) HP-820, Epiclon (registered trademark) HP-4700, Epiclon (registered trademark) EXA-4710, Epiclon (registered trademark) HP-4770, Epiclon (registered trademark) EXA-859CRP, Epiclon (registered trademark) EXA-1514, Epiclon (registered trademark) EXA-4880, Epiclon (registered trademark) EXA-4850-150, Epiclon (registered trademark) EXA-4850-1000, Epiclon (registered trademark) EXA-4816, Epiclon (registered trademark) EXA-4822 (above product names) . . Among these, an epoxy resin containing a polyethylene oxide group is preferred in terms of suppression of curvature and excellent heat resistance. For example, Epiclon (registered trademark) EXA-4880, Epiclon (registered trademark) EXA-4822, and Rikaresin (registered trademark) BEO-60E are preferred because they contain a polyethylene oxide group.

-옥세테인 화합물(옥세탄일기를 갖는 화합물)--Oxetane compound (compound having an oxetanyl group)-

옥세테인 화합물로서는, 1분자 중에 옥세테인환을 2개 이상 갖는 화합물, 3-에틸-3-하이드록시메틸옥세테인, 1,4-비스{[(3-에틸-3-옥세탄일)메톡시]메틸}벤젠, 3-에틸-3-(2-에틸헥실메틸)옥세테인, 1,4-벤젠다이카복실산-비스[(3-에틸-3-옥세탄일)메틸]에스터 등을 들 수 있다. 구체적인 예로서는, 도아 고세이 주식회사제의 아론옥세테인 시리즈(예를 들면, OXT-121, OXT-221, OXT-191, OXT-223)를 적합하게 사용할 수 있으며, 이들은 단독으로, 또는 2종 이상 혼합해도 된다.As the oxetane compound, a compound having two or more oxetane rings in one molecule, 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, 1,4-bis{[(3-ethyl-3-oxetanyl)methoxy ]methyl}benzene, 3-ethyl-3-(2-ethylhexylmethyl)oxetane, 1,4-benzenedicarboxylic acid-bis[(3-ethyl-3-oxetanyl)methyl] ester, and the like. . As a specific example, the Aronoxetane series (eg, OXT-121, OXT-221, OXT-191, OXT-223) manufactured by Toagosei Co., Ltd. can be suitably used, and these can be used alone or in combination of two or more. do.

-벤즈옥사진 화합물(벤즈옥사졸일기를 갖는 화합물)--Benzoxazine compound (compound having a benzoxazolyl group)-

벤즈옥사진 화합물은, 개환 부가 반응에서 유래하는 가교 반응 때문에, 경화 시에 탈가스가 발생하지 않고, 또한 열수축을 작게 하여 휨의 발생이 억제되는 점에서 바람직하다.The benzoxazine compound is preferable in that it does not generate degassing during curing due to a crosslinking reaction derived from a ring-opening addition reaction, and suppresses occurrence of warpage by reducing heat shrinkage.

벤즈옥사진 화합물의 바람직한 예로서는, B-a형 벤즈옥사진, B-m형 벤즈옥사진(이상, 상품명, 시코쿠 가세이 고교사제), 폴리하이드록시스타이렌 수지의 벤즈옥사진 부가물, 페놀 노볼락형 다이하이드로벤즈옥사진 화합물을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용하거나, 또는 2종 이상 혼합해도 된다.Preferred examples of the benzoxazine compound include B-a-type benzoxazine, B-m-type benzoxazine (above, trade name, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), benzoxazine adducts of polyhydroxystyrene resins, and phenol novolac-type dihydrobenzene. An oxazine compound is mentioned. These may be used independently or may mix 2 or more types.

중합성 화합물을 함유하는 경우, 그 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0질량% 초과 60질량% 이하인 것이 바람직하다. 하한은 5질량% 이상이 보다 바람직하다. 상한은, 50질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 30질량% 이하인 것이 더 바람직하다.When containing a polymeric compound, it is preferable that the content is more than 0 mass % and 60 mass % or less with respect to the total solids of curable resin composition of this invention. As for a lower limit, 5 mass % or more is more preferable. As for an upper limit, it is more preferable that it is 50 mass % or less, and it is still more preferable that it is 30 mass % or less.

중합성 화합물은 1종을 단독으로 이용해도 되지만, 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다. 2종 이상을 병용하는 경우에는 그 합계량이 상기의 범위가 되는 것이 바람직하다.A polymeric compound may be used individually by 1 type, but may mix and use 2 or more types. When using 2 or more types together, it is preferable that the total amount becomes said range.

<용제><Solvent>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 용제를 함유하는 것이 바람직하다. 용제는, 공지의 용제를 임의로 사용할 수 있다. 용제는 유기 용제가 바람직하다. 유기 용제로서는, 에스터류, 에터류, 케톤류, 방향족 탄화 수소류, 설폭사이드류, 아마이드류 등의 화합물을 들 수 있다.Curable resin composition of this invention preferably contains a solvent. A well-known solvent can be used arbitrarily as a solvent. The solvent is preferably an organic solvent. Examples of the organic solvent include compounds such as esters, ethers, ketones, aromatic hydrocarbons, sulfoxides, and amides.

에스터류로서, 예를 들면, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, γ-뷰티로락톤, ε-카프로락톤, δ-발레로락톤, 알킬옥시아세트산 알킬(예를 들면, 알킬옥시아세트산 메틸, 알킬옥시아세트산 에틸, 알킬옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예를 들면, 3-알킬옥시프로피온산 메틸, 3-알킬옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예를 들면, 2-알킬옥시프로피온산 메틸, 2-알킬옥시프로피온산 에틸, 2-알킬옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.As esters, for example, ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, ε-caprolactone, δ-valerolactone, alkylalkyloxyacetate (e.g., methyl alkyloxyacetate, ethyl alkyloxyacetate, butyl alkyloxyacetate (e.g., methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, etc.), 3-alkyloxypropionate alkyl esters (eg, 3-alkyloxymethylpropionate, 3-alkyloxyethylpropionate, etc.) (e.g., 3-methoxymethylpropionate, 3-methoxyethylpropionate, 3-ethoxymethylpropionate, 3-ethoxyethylpropionate, etc.), 2-alkyloxypropionic acid alkyl esters (e.g., 2 -Alkyloxymethylpropionate, 2-alkyloxyethylpropionate, 2-alkyloxypropylpropionate, etc. (e.g., 2-methoxymethylpropionate, 2-methoxyethylpropionate, 2-methoxypropylpropionate, 2-ethoxy methyl propionate, 2-ethoxyethylpropionate)), 2-alkyloxy-2-methylmethylpropionate and 2-alkyloxy-2-methylethylpropionate (e.g. 2-methoxy-2-methylmethylpropionate, 2 -ethoxy-2-methylethylpropionate, etc.), methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, ethyl 2-oxobutanoate and the like are mentioned as suitable ones.

에터류로서, 예를 들면, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.As ethers, for example, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve Acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate , propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, etc. are mentioned as suitable ones.

케톤류로서, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.As the ketones, for example, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, 3-heptanone and the like can be cited as suitable ones.

방향족 탄화 수소류로서, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌, 아니솔, 리모넨 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.As aromatic hydrocarbons, for example, toluene, xylene, anisole, limonene, etc. are mentioned as suitable ones.

설폭사이드류로서, 예를 들면, 다이메틸설폭사이드를 적합한 것으로서 들 수 있다.As sulfoxides, for example, dimethyl sulfoxide is mentioned as a suitable one.

아마이드류로서, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸아세트아마이드, N,N-다이메틸폼아마이드 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.As the amides, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide and the like are mentioned as suitable ones.

용제는, 도포면 성상(性狀)의 개량 등의 관점에서, 2종 이상을 혼합하는 형태도 바람직하다.As for the solvent, a form in which two or more types are mixed is also preferable from the viewpoint of improving the properties of the coated surface.

본 발명에서는, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤, 다이메틸설폭사이드, 에틸카비톨아세테이트, 뷰틸카비톨아세테이트, N-메틸-2-피롤리돈, 프로필렌글라이콜메틸에터, 및 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트로부터 선택되는 1종의 용제, 또는 2종 이상으로 구성되는 혼합 용제가 바람직하다. 다이메틸설폭사이드와 γ-뷰티로락톤의 병용이 특히 바람직하다.In the present invention, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl cellosolve acetate, ethyl lactate, diethylene glycol dimethyl ether, butyl acetate, methyl 3-methoxypropionate, 2-heptane one, cyclohexanone, cyclopentanone, γ-butyrolactone, dimethyl sulfoxide, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, N-methyl-2-pyrrolidone, propylene glycol methyl ether, and A single solvent selected from propylene glycol methyl ether acetate or a mixed solvent composed of two or more solvents is preferred. Combination use of dimethyl sulfoxide and γ-butyrolactone is particularly preferred.

용제의 함유량은, 도포성의 관점에서, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분 농도가 5~80질량%가 되는 양으로 하는 것이 바람직하고, 5~75질량%가 되는 양으로 하는 것이 보다 바람직하며, 10~70질량%가 되는 양으로 하는 것이 더 바람직하고, 40~70질량%가 되도록 하는 것이 한층 바람직하다. 용제 함유량은, 원하는 두께와 도포 방법에 따라 조절하면 된다.The content of the solvent is preferably an amount such that the total solid concentration of the curable resin composition of the present invention is 5 to 80% by mass, and more preferably 5 to 75% by mass, from the viewpoint of applicability, It is more preferable to set it as 10-70 mass %, and it is still more preferable to set it as 40-70 mass %. What is necessary is just to adjust solvent content according to the desired thickness and coating method.

용제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 용제를 2종 이상 함유하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The solvent may contain only 1 type, and may contain 2 or more types. When containing 2 or more types of solvents, it is preferable that the sum total is the said range.

<마이그레이션 억제제><Migration inhibitor>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 마이그레이션 억제제를 더 포함하는 것이 바람직하다. 마이그레이션 억제제를 포함함으로써, 금속층(금속 배선) 유래의 금속 이온이 경화성 수지 조성물층 내로 이동하는 것을 효과적으로 억제 가능해진다.It is preferable that curable resin composition of this invention further contains a migration inhibitor. By including a migration inhibitor, it becomes possible to effectively suppress the migration of metal ions derived from the metal layer (metal wiring) into the curable resin composition layer.

마이그레이션 억제제로서는, 특별히 제한은 없지만, 복소환(피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피라졸환, 아이소옥사졸환, 아이소싸이아졸환, 테트라졸환, 피리딘환, 피리다진환, 피리미딘환, 피라진환, 피페리딘환, 피페라진환, 모폴린환, 2H-피란환 및 6H-피란환, 트라이아진환)을 갖는 화합물, 싸이오 요소류 및 설판일기를 갖는 화합물, 힌더드 페놀계 화합물, 살리실산 유도체계 화합물, 하이드라자이드 유도체계 화합물을 들 수 있다. 특히, 1,2,4-트라이아졸, 벤조트라이아졸 등의 트라이아졸계 화합물, 1H-테트라졸, 5-페닐테트라졸 등의 테트라졸계 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.The migration inhibitor is not particularly limited, but is a heterocyclic ring (pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyrazole ring, isoxazole ring, isothiazole ring, tetrazole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, piperidine ring, piperazine ring, morpholine ring, 2H-pyran ring and 6H-pyran ring, triazine ring) compounds having thioureas and sulfanyl groups , hindered phenol-based compounds, salicylic acid derivative-based compounds, and hydrazide derivative-based compounds. In particular, triazole-based compounds such as 1,2,4-triazole and benzotriazole, and tetrazole-based compounds such as 1H-tetrazole and 5-phenyltetrazole can be preferably used.

또는 할로젠 이온 등의 음이온을 포착하는 이온 트랩제를 사용할 수도 있다.Alternatively, an ion trapping agent that traps negative ions such as halogen ions can also be used.

그 외의 마이그레이션 억제제로서는, 일본 공개특허공보 2013-015701호의 단락 0094에 기재된 방청제, 일본 공개특허공보 2009-283711호의 단락 0073~0076에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2011-059656호의 단락 0052에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2012-194520호의 단락 0114, 0116 및 0118에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0166에 기재된 화합물 등을 사용할 수 있다.As other migration inhibitors, the rust inhibitor described in paragraph 0094 of JP-A-2013-015701, the compound described in paragraphs 0073 to 0076 of JP-A-2009-283711, the compound described in paragraph 0052 of JP-A-2011-059656, The compound described in Paragraph 0114 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2012-194520, 0116, and 0118, the compound of Paragraph 0166 of International Publication No. 2015/199219, etc. can be used.

마이그레이션 억제제의 구체예로서는, 하기 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the migration inhibitor include the following compounds.

[화학식 30][Formula 30]

Figure 112021093510050-pct00030
Figure 112021093510050-pct00030

경화성 수지 조성물이 마이그레이션 억제제를 갖는 경우, 마이그레이션 억제제의 함유량은, 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.01~5.0질량%인 것이 바람직하고, 0.05~2.0질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.1~1.0질량%인 것이 더 바람직하다.When the curable resin composition has a migration inhibitor, the content of the migration inhibitor is preferably 0.01 to 5.0% by mass, more preferably 0.05 to 2.0% by mass, and 0.1 to 1.0% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition. % is more preferred.

마이그레이션 억제제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 마이그레이션 억제제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.One type of migration inhibitor may be sufficient as it, and 2 or more types may be sufficient as it. When there are 2 or more types of migration inhibitors, it is preferable that the sum total is the said range.

<중합 금지제><Polymerization inhibitor>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 중합 금지제를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that curable resin composition of this invention contains a polymerization inhibitor.

중합 금지제로서는, 예를 들면 하이드로퀴논, p-메톡시페놀, 다이-tert-뷰틸-p-크레졸, 파이로갈롤, p-tert-뷰틸카테콜, 1,4-벤조퀴논, 다이페닐-p-벤조퀴논, 4,4'-싸이오비스(3-메틸-6-tert-뷰틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-tert-뷰틸페놀), N-나이트로소-N-페닐하이드록시아민알루미늄염, 페노싸이아진, N-나이트로소다이페닐아민, N-페닐나프틸아민, 에틸렌다이아민 사아세트산, 1,2-사이클로헥세인다이아민 사아세트산, 글라이콜에터다이아민 사아세트산, 2,6-다이-tert-뷰틸-4-메틸페놀, 5-나이트로소-8-하이드록시퀴놀린, 1-나이트로소-2-나프톨, 2-나이트로소-1-나프톨, 2-나이트로소-5-(N-에틸-N-설포프로필아미노)페놀, N-나이트로소-N-(1-나프틸)하이드록시아민암모늄염, 비스(4-하이드록시-3,5-tert-뷰틸)페닐메테인 등이 적합하게 이용된다. 또, 일본 공개특허공보 2015-127817호의 단락 0060에 기재된 중합 금지제, 및 국제 공개공보 제2015/125469호의 단락 0031~0046에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.As a polymerization inhibitor, for example, hydroquinone, p-methoxyphenol, di-tert-butyl-p-cresol, pyrogalol, p-tert-butylcatechol, 1,4-benzoquinone, diphenyl-p -Benzoquinone, 4,4'-thiobis(3-methyl-6-tert-butylphenol), 2,2'-methylenebis(4-methyl-6-tert-butylphenol), N-nitroso- N-phenylhydroxyamine aluminum salt, phenothiazine, N-nitrosodiphenylamine, N-phenylnaphthylamine, ethylenediamine tetraacetic acid, 1,2-cyclohexanediamine tetraacetic acid, glycol Terdiamine tetraacetic acid, 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol, 5-nitroso-8-hydroxyquinoline, 1-nitroso-2-naphthol, 2-nitroso-1- Naphthol, 2-nitroso-5-(N-ethyl-N-sulfopropylamino)phenol, N-nitroso-N-(1-naphthyl)hydroxyamine ammonium salt, bis(4-hydroxy-3 ,5-tert-butyl)phenylmethane and the like are suitably used. Moreover, the polymerization inhibitor of Paragraph 0060 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-127817, and Paragraph 0031 of International Publication No. 2015/125469 - the compound of 0046 can also be used.

또, 하기 화합물을 이용할 수 있다(Me는 메틸기이다).In addition, the following compounds can be used (Me is a methyl group).

[화학식 31][Formula 31]

Figure 112021093510050-pct00031
Figure 112021093510050-pct00031

본 발명의 경화성 수지 조성물이 중합 금지제를 갖는 경우, 중합 금지제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.01~5질량%인 것이 바람직하고, 0.02~3질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.05~2.5질량%인 것이 더 바람직하다.When the curable resin composition of the present invention has a polymerization inhibitor, the content of the polymerization inhibitor is preferably 0.01 to 5% by mass, and preferably 0.02 to 3% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention. It is more preferable, and it is more preferable that it is 0.05-2.5 mass %.

중합 금지제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 중합 금지제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.1 type of polymerization inhibitor may be sufficient as it, and 2 or more types may be sufficient as it. When there are 2 or more types of polymerization inhibitors, it is preferable that the sum total is the said range.

<금속 접착성 개량제><Metal Adhesion Improver>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 전극이나 배선 등에 이용되는 금속 재료와의 접착성을 향상시키기 위한 금속 접착성 개량제를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 금속 접착성 개량제로서는, 실레인 커플링제 등을 들 수 있다.The curable resin composition of the present invention preferably contains a metal adhesion improving agent for improving adhesion to metal materials used for electrodes, wiring, and the like. As a metal adhesion improver, a silane coupling agent etc. are mentioned.

실레인 커플링제의 예로서는, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0167에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2014-191002호의 단락 0062~0073에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2011/080992호의 단락 0063~0071에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2014-191252호의 단락 0060~0061에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2014-041264호의 단락 0045~0052에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2014/097594호의 단락 0055에 기재된 화합물을 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 2011-128358호의 단락 0050~0058에 기재된 바와 같이 다른 2종 이상의 실레인 커플링제를 이용하는 것도 바람직하다. 또, 실레인 커플링제는, 하기 화합물을 이용하는 것도 바람직하다. 이하의 식 중, Et는 에틸기를 나타낸다.As an example of a silane coupling agent, the compound described in Paragraph 0167 of International Publication No. 2015/199219, the compound of Paragraph 0062 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-191002 - 0073, Paragraph 0063 - 0071 of International Publication No. 2011/080992 The compound described, the compound described in paragraphs 0060 to 0061 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-191252, the compound described in paragraphs 0045 to 0052 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-041264, and the compound described in paragraph 0055 of International Publication No. 2014/097594. can Moreover, it is also preferable to use another 2 or more types of silane coupling agents as Paragraph 0050 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-128358 - 0058 describe. Moreover, it is also preferable to use the following compound as a silane coupling agent. In the formulas below, Et represents an ethyl group.

[화학식 32][Formula 32]

Figure 112021093510050-pct00032
Figure 112021093510050-pct00032

또, 금속 접착성 개량제로서는, 일본 공개특허공보 2014-186186호의 단락 0046~0049에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2013-072935호의 단락 0032~0043에 기재된 설파이드계 화합물을 이용할 수도 있다.Moreover, as a metal adhesion improver, the compound of Paragraph 0046 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-186186 - 0049, and the sulfide type compound of Paragraph 0032 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-072935 - 0043 can also be used.

금속 접착성 개량제의 함유량은 복소환 함유 폴리머 전구체 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1~30질량부이고, 보다 바람직하게는 0.5~15질량부의 범위이며, 더 바람직하게는 0.5~5질량부의 범위이다. 상기 하한값 이상으로 함으로써 경화 공정 후의 경화막과 금속층의 접착성이 양호해지고, 상기 상한값 이하로 함으로써 경화 공정 후의 경화막의 내열성, 기계 특성이 양호해진다. 금속 접착성 개량제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 2종 이상 이용하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The content of the metal adhesion improving agent is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 0.5 to 15 parts by mass, still more preferably 0.5 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the heterocycle-containing polymer precursor. am. When the value is equal to or greater than the lower limit, the adhesion between the cured film and the metal layer after the curing step is improved, and when the value is equal to or less than the upper limit, the heat resistance and mechanical properties of the cured film after the curing step are improved. The metal adhesion improver may be one type or two or more types. When using 2 or more types, it is preferable that the sum total is the said range.

<그 외의 첨가제><Other additives>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 필요에 따라, 각종 첨가물, 예를 들면 열산발생제, N-페닐다이에탄올아민 등의 증감제, 연쇄 이동제, 계면활성제, 고급 지방산 유도체, 무기 입자, 경화제, 경화 촉매, 충전제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 응집 방지제 등을 배합할 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 그 합계 배합량은 조성물의 고형분의 3질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.The curable resin composition of the present invention, as necessary, various additives such as a thermal acid generator, a sensitizer such as N-phenyldiethanolamine, a chain transfer agent, a surfactant, Higher fatty acid derivatives, inorganic particles, curing agents, curing catalysts, fillers, antioxidants, ultraviolet absorbers, anti-aggregation agents and the like can be blended. When blending these additives, the total compounding amount is preferably 3% by mass or less of the solid content of the composition.

〔증감제〕[sensitizer]

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 증감제를 포함하고 있어도 된다. 증감제는, 특정 활성 방사선을 흡수하여 전자 여기 상태가 된다. 전자 여기 상태가 된 증감제는, 열염기 발생제, 열라디칼 중합 개시제, 광라디칼 중합 개시제 등과 접촉하여, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 발생한다. 이로써, 열염기 발생제, 열라디칼 중합 개시제, 광라디칼 중합 개시제는 화학 변화를 일으켜 분해되어, 라디칼, 산 또는 염기를 생성한다. 증감제의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0161~0163에 기재된 증감 색소의 기재를 참조할 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.Curable resin composition of this invention may contain the sensitizer. A sensitizer absorbs specific actinic radiation and becomes an electronic excited state. The sensitizer in an electronically excited state comes into contact with a thermal base generator, a thermal radical polymerization initiator, an optical radical polymerization initiator, and the like, and actions such as electron transfer, energy transfer, and heat generation occur. As a result, the thermal base generator, thermal radical polymerization initiator, and photoradical polymerization initiator undergo chemical change and are decomposed to generate radicals, acids, or bases. About the detail of a sensitizer, Paragraph 0161 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2016-027357 - description of the sensitizing dye of 0163 can be considered into consideration, and this content is integrated in this specification.

본 발명의 경화성 수지 조성물이 증감제를 포함하는 경우, 증감제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.01~20질량%인 것이 바람직하고, 0.1~15질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.5~10질량%인 것이 더 바람직하다. 증감제는, 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.When the curable resin composition of the present invention contains a sensitizer, the content of the sensitizer is preferably 0.01 to 20% by mass, and more preferably 0.1 to 15% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention. It is preferable, and it is more preferable that it is 0.5-10 mass %. A sensitizer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

〔연쇄 이동제〕[Chain transfer agent]

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 연쇄 이동제를 함유해도 된다. 연쇄 이동제는, 예를 들면 고분자 사전 제3판(고분자 학회 편, 2005년) 683-684 페이지에 정의되어 있다. 연쇄 이동제로서는, 예를 들면 분자 내에 SH, PH, SiH, 및 GeH를 갖는 화합물군이 이용된다. 이들은, 저활성의 라디칼에 수소를 공여하여, 라디칼을 생성하거나, 혹은, 산화된 후, 탈프로톤함으로써 라디칼을 생성할 수 있다. 특히, 싸이올 화합물을 바람직하게 이용할 수 있다.Curable resin composition of this invention may contain a chain transfer agent. The chain transfer agent is defined, for example, in Polymer Dictionary 3rd Edition (The Polymer Society, 2005), pages 683-684. As the chain transfer agent, for example, a group of compounds having SH, PH, SiH, and GeH in the molecule are used. These can generate radicals by donating hydrogen to radicals with low activity to generate radicals, or by deprotonating after being oxidized. In particular, a thiol compound can be preferably used.

또, 연쇄 이동제는, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0152~0153에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.Moreover, as a chain transfer agent, Paragraph 0152 of International Publication No. 2015/199219 - the compound of 0153 can also be used.

본 발명의 경화성 수지 조성물이 연쇄 이동제를 갖는 경우, 연쇄 이동제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분 100질량부에 대하여, 0.01~20질량부가 바람직하고, 1~10질량부가 보다 바람직하며, 1~5질량부가 더 바람직하다. 연쇄 이동제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 연쇄 이동제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When the curable resin composition of the present invention has a chain transfer agent, the content of the chain transfer agent is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total solids of the curable resin composition of the present invention. , 1 to 5 parts by mass is more preferable. 1 type of chain transfer agent may be sufficient as it, and 2 or more types may be sufficient as it. When there are 2 or more types of chain transfer agents, it is preferable that the sum total is the said range.

〔계면활성제〕〔Surfactants〕

본 발명의 경화성 수지 조성물에는, 도포성을 보다 향상시키는 관점에서, 각 종류의 계면활성제를 첨가해도 된다. 계면활성제로서는, 불소계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 각 종류의 계면활성제를 사용할 수 있다. 또, 하기 계면활성제도 바람직하다. 하기 식 중, 주쇄의 반복 단위를 나타내는 괄호는 각 반복 단위의 함유량(몰%)을, 측쇄의 반복 단위를 나타내는 괄호는 각 반복 단위의 반복수를 각각 나타낸다.You may add each kind of surfactant to the curable resin composition of this invention from a viewpoint of further improving applicability. As surfactant, each kind of surfactant, such as a fluorochemical surfactant, a nonionic surfactant, a cationic surfactant, anionic surfactant, and a silicone type surfactant, can be used. Moreover, the following surfactants are also preferable. In the following formula, parentheses indicating the repeating unit of the main chain indicate the content (mol%) of each repeating unit, and parentheses indicating the repeating unit of the side chain indicate the repeating number of each repeating unit.

[화학식 33][Formula 33]

Figure 112021093510050-pct00033
Figure 112021093510050-pct00033

또, 계면활성제는, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0159~0165에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.Moreover, Paragraph 0159 of International Publication No. 2015/199219 - the compound of 0165 can also be used for surfactant.

본 발명의 경화성 수지 조성물이 계면활성제를 갖는 경우, 계면활성제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.001~2.0질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.005~1.0질량%이다. 계면활성제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 계면활성제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When the curable resin composition of the present invention has a surfactant, the content of the surfactant is preferably 0.001 to 2.0% by mass, more preferably 0.005 to 1.0% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention. am. 1 type of surfactant may be sufficient as it, and 2 or more types may be sufficient as it. When there are 2 or more types of surfactants, it is preferable that the sum total is the said range.

〔고급 지방산 유도체〕[Higher Fatty Acid Derivatives]

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 산소에 기인하는 중합 저해를 방지하기 위하여, 베헨산이나 베헨산 아마이드와 같은 고급 지방산 유도체를 첨가하여, 도포 후의 건조의 과정에서 조성물의 표면에 편재시켜도 된다.In order to prevent inhibition of polymerization due to oxygen, the curable resin composition of the present invention may add a higher fatty acid derivative such as behenic acid or behenic acid amide, and may be unevenly distributed on the surface of the composition during drying after application.

또, 고급 지방산 유도체는, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0155에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.Moreover, the compound of Paragraph 0155 of International Publication No. 2015/199219 can also be used for a higher fatty acid derivative.

본 발명의 경화성 수지 조성물이 고급 지방산 유도체를 갖는 경우, 고급 지방산 유도체의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.1~10질량%인 것이 바람직하다. 고급 지방산 유도체는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 고급 지방산 유도체가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When the curable resin composition of the present invention has a higher fatty acid derivative, the content of the higher fatty acid derivative is preferably 0.1 to 10% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention. 1 type of higher fatty acid derivative may be sufficient as it, and 2 or more types may be sufficient as it. When two or more types of higher fatty acid derivatives are used, it is preferable that the total is within the above range.

<그 외의 함유 물질에 대한 제한><Restrictions on other substances contained>

본 발명의 경화성 수지 조성물의 수분 함유량은, 도포면 성상의 관점에서, 5질량% 미만이 바람직하고, 1질량% 미만이 보다 바람직하며, 0.6질량% 미만이 더 바람직하다.The water content of the curable resin composition of the present invention is preferably less than 5% by mass, more preferably less than 1% by mass, and even more preferably less than 0.6% by mass, from the viewpoint of coated surface properties.

본 발명의 경화성 수지 조성물의 금속 함유량은, 절연성의 관점에서, 5질량ppm(parts per million) 미만이 바람직하고, 1질량ppm 미만이 보다 바람직하며, 0.5질량ppm 미만이 더 바람직하다. 금속으로서는, 나트륨, 칼륨, 마그네슘, 칼슘, 철, 크로뮴, 니켈 등을 들 수 있다. 금속을 복수 포함하는 경우는, 이들 금속의 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.From an insulating viewpoint, the metal content of the curable resin composition of the present invention is preferably less than 5 ppm by mass (parts per million), more preferably less than 1 ppm by mass, and still more preferably less than 0.5 ppm by mass. As a metal, sodium, potassium, magnesium, calcium, iron, chromium, nickel, etc. are mentioned. When a plurality of metals are included, it is preferable that the sum of these metals is within the above range.

또, 본 발명의 경화성 수지 조성물에 의도치 않게 포함되는 금속 불순물을 저감시키는 방법으로서는, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 구성하는 원료로서 금속 함유량이 적은 원료를 선택하거나, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 구성하는 원료에 대하여 필터 여과를 행하거나, 장치 내를 폴리테트라플루오로에틸렌 등으로 라이닝하여 컨태미네이션을 가능한 한 억제한 조건하에서 증류를 행하는 등의 방법을 들 수 있다.In addition, as a method for reducing metal impurities unintentionally contained in the curable resin composition of the present invention, a raw material having a low metal content is selected as a raw material constituting the curable resin composition of the present invention, or the curable resin composition of the present invention is constituted A method of filtering the raw material to be treated, lining the inside of the apparatus with polytetrafluoroethylene or the like, and distilling under conditions in which contamination is suppressed as much as possible can be cited.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 반도체 재료로서의 용도를 고려하면, 할로젠 원자의 함유량이, 배선 부식성의 관점에서, 500질량ppm 미만이 바람직하고, 300질량ppm 미만이 보다 바람직하며, 200질량ppm 미만이 더 바람직하다. 그중에서도, 할로젠 이온의 상태로 존재하는 것은, 5질량ppm 미만이 바람직하고, 1질량ppm 미만이 보다 바람직하며, 0.5질량ppm 미만이 더 바람직하다. 할로젠 원자로서는, 염소 원자 및 브로민 원자를 들 수 있다. 염소 원자 및 브로민 원자, 또는 염소 이온 및 브로민 이온의 합계가 각각 상기 범위인 것이 바람직하다.In the curable resin composition of the present invention, considering the use as a semiconductor material, the content of halogen atoms is preferably less than 500 ppm by mass, more preferably less than 300 ppm by mass, and less than 200 ppm by mass, from the viewpoint of wiring corrosiveness. this is more preferable Especially, as for what exists in the state of a halogen ion, less than 5 mass ppm is preferable, less than 1 mass ppm is more preferable, and less than 0.5 mass ppm is still more preferable. As a halogen atom, a chlorine atom and a bromine atom are mentioned. It is preferable that the sum of chlorine atoms and bromine atoms, or chlorine ions and bromine ions, respectively is within the above range.

본 발명의 경화성 수지 조성물의 수용 용기로서는 종래 공지의 수용 용기를 이용할 수 있다. 또, 수용 용기로서는, 원재료나 조성물 중으로의 불순물 혼입을 억제하는 것을 목적으로, 용기 내벽을 6종 6층의 수지로 구성된 다층 보틀이나, 6종의 수지를 7층 구조로 한 보틀을 사용하는 것도 바람직하다. 이와 같은 용기로서는 예를 들면 일본 공개특허공보 2015-123351호에 기재된 용기를 들 수 있다.A conventionally well-known container can be used as a container for the curable resin composition of the present invention. In addition, as the container, for the purpose of suppressing the mixing of impurities into the raw material or composition, a multi-layered bottle whose inner wall is composed of 6 types of 6-layer resin or a bottle in which 6 types of resin are used in a 7-layer structure is also used. desirable. As such a container, the container of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-123351 is mentioned, for example.

<조성물의 조제><Preparation of composition>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 상기 각 성분을 혼합하여 조제할 수 있다. 혼합 방법은 특별히 한정은 없고, 종래 공지의 방법으로 행할 수 있다.Curable resin composition of this invention can be prepared by mixing each said component. The mixing method is not particularly limited, and a conventionally known method can be used.

또, 조성물 중의 먼지나 미립자 등의 이물을 제거할 목적으로, 필터를 이용한 여과를 행하는 것이 바람직하다. 필터 구멍 직경은, 1μm 이하가 바람직하고, 0.5μm 이하가 보다 바람직하며, 0.1μm 이하가 더 바람직하다. 필터의 재질은, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌 또는 나일론이 바람직하다. 필터는, 유기 용제로 미리 세정한 것을 이용해도 된다. 필터 여과 공정에서는, 복수 종의 필터를 직렬 또는 병렬로 접속하여 이용해도 된다. 복수 종의 필터를 사용하는 경우는, 구멍 직경 또는 재질이 다른 필터를 조합하여 사용해도 된다. 또, 각종 재료를 복수 회 여과해도 된다. 복수 회 여과하는 경우는, 순환 여과여도 된다. 또, 가압하여 여과를 행해도 된다. 가압하여 여과를 행하는 경우, 가압하는 압력은 0.05MPa 이상 0.3MPa 이하가 바람직하다.Moreover, it is preferable to perform filtration using a filter for the purpose of removing foreign substances such as dust and fine particles in the composition. The filter hole diameter is preferably 1 μm or less, more preferably 0.5 μm or less, and still more preferably 0.1 μm or less. The material of the filter is preferably polytetrafluoroethylene, polyethylene or nylon. As the filter, one previously washed with an organic solvent may be used. In the filter filtration process, you may connect and use multiple types of filters in series or parallel. In the case of using a plurality of types of filters, filters having different pore diameters or materials may be used in combination. Moreover, you may filter various materials multiple times. When filtering multiple times, circulation filtration may be sufficient. Moreover, you may perform filtration by pressurizing. When filtration is performed by pressurization, the pressurized pressure is preferably 0.05 MPa or more and 0.3 MPa or less.

필터를 이용한 여과 외에, 흡착재를 이용한 불순물의 제거 처리를 행해도 된다. 필터 여과와 흡착재를 이용한 불순물 제거 처리를 조합해도 된다. 흡착재로서는, 공지의 흡착재를 이용할 수 있다. 예를 들면, 실리카젤, 제올라이트 등의 무기계 흡착재, 활성탄 등의 유기계 흡착재를 들 수 있다.In addition to filtration using a filter, an impurity removal treatment using an adsorbent may be performed. Filter filtration and impurity removal treatment using an adsorbent may be combined. As the adsorbent, a known adsorbent can be used. Examples thereof include inorganic adsorbents such as silica gel and zeolite, and organic adsorbents such as activated carbon.

<조성물의 용도><Use of the composition>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 재배선층용 층간 절연막의 형성에 이용되는 것이 바람직하다.The curable resin composition of the present invention is preferably used for forming an interlayer insulating film for a redistribution layer.

또, 그 외에, 반도체 디바이스의 절연막의 형성, 또는 스트레스 버퍼막의 형성 등에도 이용할 수 있다.In addition, it can also be used for forming an insulating film of a semiconductor device or forming a stress buffer film.

(경화막, 적층체, 반도체 디바이스, 및 그들의 제조 방법)(Cured film, laminate, semiconductor device, and manufacturing method thereof)

다음으로, 경화막, 적층체, 반도체 디바이스, 및 그들의 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, a cured film, a laminate, a semiconductor device, and their manufacturing method are described.

본 발명의 경화막은, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어진다. 본 발명의 경화막의 막두께는, 예를 들면 0.5μm 이상으로 할 수 있고, 1μm 이상으로 할 수 있다. 또, 상한값으로서는, 100μm 이하로 할 수 있고, 30μm 이하로 할 수도 있다.The cured film of the present invention is obtained by curing the curable resin composition of the present invention. The film thickness of the cured film of the present invention can be, for example, 0.5 μm or more, and can be 1 μm or more. Moreover, as an upper limit, it can be 100 micrometers or less, and can also be 30 micrometers or less.

본 발명의 경화막을 2층 이상, 나아가서는, 3~7층 적층하여 적층체로 해도 된다. 본 발명의 적층체는, 경화막을 2층 이상 포함하고, 상기 경화막끼리 중 어느 하나의 사이에 금속층을 포함하는 양태가 바람직하다. 이와 같은 금속층은, 재배선층 등의 금속 배선으로서 바람직하게 이용된다.It is good also as a laminated body by laminating the cured film of this invention in 2 or more layers, and also 3-7 layers. It is preferable that the layered product of the present invention includes two or more layers of cured films and includes a metal layer between any one of the cured films. Such a metal layer is preferably used as metal wiring such as a redistribution layer.

본 발명의 경화막의 적용 가능한 분야로서는, 반도체 디바이스의 절연막, 재배선층용 층간 절연막, 스트레스 버퍼막 등을 들 수 있다. 그 외에, 밀봉 필름, 기판 재료(플렉시블 프린트 기판의 베이스 필름이나 커버 레이, 층간 절연막), 또는 상기와 같은 실장 용도의 절연막을 에칭으로 패턴 형성하는 것 등을 들 수 있다. 이들 용도에 대해서는, 예를 들면 사이언스 & 테크놀로지 주식회사 "폴리이미드의 고기능화와 응용 기술"2008년 4월, 가키모토 마사아키/감수, CMC 테크니컬 라이브러리 "폴리이미드 재료의 기초와 개발" 2011년 11월 발행, 일본 폴리이미드·방향족계 고분자 연구회/편 "최신 폴리이미드 기초와 응용" 엔·티·에스, 2010년 8월 등을 참조할 수 있다.Examples of applicable fields of the cured film of the present invention include insulating films for semiconductor devices, interlayer insulating films for redistribution layers, and stress buffer films. In addition, pattern formation of a sealing film, a substrate material (a base film or cover lay of a flexible printed circuit board, an interlayer insulating film), or an insulating film for mounting use as described above by etching may be used. Regarding these applications, for example, Science & Technology Co., Ltd. "Highly functional polyimide and application technology" April 2008, Masaaki Kakimoto/Supervisor, CMC Technical Library "Fundamentals and Development of Polyimide Materials" November 2011, Japanese Polyimide/Aromatic Polymer Research Society/edition "Latest Polyimide Basics and Applications", N.T.S., August 2010, etc. can be referenced.

또, 본 발명에 있어서의 경화막은, 오프셋 판면 또는 스크린 판면 등의 판면의 제조, 성형 부품의 에칭으로의 사용, 일렉트로닉스, 특히, 마이크로 일렉트로닉스에 있어서의 보호 래커 및 유전층의 제조 등에도 이용할 수도 있다.In addition, the cured film in the present invention can also be used for the production of a plate surface such as an offset plate surface or a screen plate surface, use for etching of molded parts, production of protective lacquer and dielectric layer in electronics, particularly microelectronics.

본 발명의 경화막의 제조 방법(이하, 간단히 "본 발명의 제조 방법"이라고도 한다.)은, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 기재에 적용하여 막을 형성하는 막 형성 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 또, 본 발명의 경화막의 제조 방법은, 상기 막 형성 공정을 포함하고, 또한 상기 막을 가열하여 상기 식 (1-1)에 의하여 나타나는 화합물을 분해하는 가열 공정을 더 포함하는 것이 보다 바람직하다.The method for producing a cured film of the present invention (hereinafter also simply referred to as "the production method of the present invention") preferably includes a film forming step of applying the curable resin composition of the present invention to a substrate to form a film. Further, the method for producing a cured film of the present invention preferably includes the film formation step and further includes a heating step of heating the film to decompose the compound represented by the formula (1-1).

구체적으로는, 이하의 (a)~(d)의 공정을 포함하는 것도 바람직하다.Specifically, it is also preferable to include the following steps (a) to (d).

(a) 경화성 수지 조성물을 기재에 적용하여 막(경화성 수지 조성물층)을 형성하는 막 형성 공정(a) Film formation step of forming a film (curable resin composition layer) by applying a curable resin composition to a substrate

(b) 막 형성 공정 후, 막을 노광하는 노광 공정(b) an exposure step of exposing the film to light after the film forming process

(c) 노광된 상기 막에 대하여, 현상 처리를 행하는 현상 공정(c) a developing step of subjecting the exposed film to development

(d) 현상된 상기 막을 가열하여 상기 식 (1-1)에 의하여 나타나는 화합물을 분해하는 가열 공정(d) a heating step of decomposing the compound represented by Formula (1-1) by heating the developed film

상기 가열 공정에 있어서 가열함으로써, 노광으로 경화한 수지층을 더 경화시킬 수 있다. 이 가열 공정에서, 예를 들면 상기 식 (1-1)에 의하여 나타나는 화합물이 분해되어, 충분한 경화성이 얻어진다.By heating in the said heating process, the resin layer hardened by exposure can be further hardened. In this heating step, for example, the compound represented by the formula (1-1) is decomposed, and sufficient curability is obtained.

본 발명의 바람직한 실시형태에 관한 적층체의 제조 방법은, 본 발명의 경화막의 제조 방법을 포함한다. 본 실시형태의 적층체의 제조 방법은, 상기의 경화막의 제조 방법에 따라, 경화막을 형성 후, 재차, (a)의 공정, 또는 (a)~(c)의 공정, 또는 (a)~(d)의 공정을 추가로 행한다. 특히, 상기 각 공정을 순서대로, 복수 회, 예를 들면 2~5회(즉, 합계로 3~6회) 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이 경화막을 적층함으로써, 적층체로 할 수 있다. 본 발명에서는 특히 경화막을 마련한 부분의 위 또는 경화막의 사이, 또는 그 양자에 금속층을 마련하는 것이 바람직하다. 또한, 적층체의 제조에 있어서는, (a)~(d)의 공정을 모두 반복할 필요는 없고, 상기와 같이, 적어도 (a), 바람직하게는 (a)~(c) 또는 (a)~(d)의 공정을 복수 회 행함으로써 경화막의 적층체를 얻을 수 있다.The method for producing a laminate according to a preferred embodiment of the present invention includes the method for producing a cured film of the present invention. The manufacturing method of the laminated body of this embodiment, according to the manufacturing method of the said cured film, after forming a cured film, the process of (a) again, or the process of (a) - (c), or (a) - ( The process of d) is further performed. In particular, it is preferable to perform each of the above steps sequentially in a plurality of times, for example, 2 to 5 times (ie, 3 to 6 times in total). By laminating the cured film in this way, it can be set as a laminated body. In this invention, it is preferable to provide a metal layer especially on the part where the cured film was provided, or between cured films, or both. In addition, in the manufacture of the laminate, it is not necessary to repeat all of the steps (a) to (d), and as described above, at least (a), preferably (a) to (c) or (a) to A layered product of a cured film can be obtained by performing the process of (d) a plurality of times.

<막 형성 공정(층 형성 공정)><Film formation process (layer formation process)>

본 발명의 바람직한 실시형태에 관한 제조 방법은, 경화성 수지 조성물을 기재에 적용하여 막(층상)으로 하는, 막 형성 공정(층 형성 공정)을 포함한다.A manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention includes a film formation step (layer formation step) in which the curable resin composition is applied to a base material to form a film (layer form).

기재의 종류는, 용도에 따라 적절히 정할 수 있지만, 실리콘, 질화 실리콘, 폴리실리콘, 산화 실리콘, 어모퍼스 실리콘 등의 반도체 제작 기재, 석영, 유리, 광학 필름, 세라믹 재료, 증착막, 자성막, 반사막, Ni, Cu, Cr, Fe 등의 금속 기재, 종이, SOG(Spin On Glass), TFT(박막 트랜지스터) 어레이 기재, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전극판 등 특별히 제약되지 않는다. 본 발명에서는, 특히, 반도체 제작 기재가 바람직하고, 실리콘 기재가 보다 바람직하다.The type of base material can be appropriately determined depending on the application, but semiconductor manufacturing base materials such as silicon, silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, and amorphous silicon, quartz, glass, optical film, ceramic material, vapor deposition film, magnetic film, reflective film, Ni , metal substrates such as Cu, Cr, and Fe, paper, SOG (Spin On Glass), TFT (thin film transistor) array substrates, electrode plates of plasma display panels (PDP), and the like are not particularly limited. In the present invention, a semiconductor fabrication substrate is particularly preferred, and a silicon substrate is more preferred.

또, 기재로서는, 예를 들면 판상의 기재(기판)가 이용된다.Moreover, as a base material, a plate-shaped base material (substrate) is used, for example.

또, 수지층의 표면이나 금속층의 표면에 경화성 수지 조성물층을 형성하는 경우는, 수지층이나 금속층이 기재가 된다.Moreover, when forming a curable resin composition layer on the surface of a resin layer or the surface of a metal layer, a resin layer or a metal layer serves as a base material.

경화성 수지 조성물을 기재에 적용하는 수단으로서는, 도포가 바람직하다.As a means of applying the curable resin composition to the substrate, application is preferable.

구체적으로는, 적용하는 수단으로서는, 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비어 코트법, 익스트루젼 코트법, 스프레이 코트법, 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 및 잉크젯법 등이 예시된다. 경화성 수지 조성물층의 두께의 균일성의 관점에서, 보다 바람직하게는 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 스프레이 코트법, 잉크젯법이다. 방법에 따라 적절한 고형분 농도나 도포 조건을 조정함으로써, 원하는 두께의 수지층을 얻을 수 있다. 또, 기재의 형상에 따라서도 도포 방법을 적절히 선택할 수 있으며, 웨이퍼 등의 원형 기재이면 스핀 코트법이나 스프레이 코트법, 잉크젯법 등이 바람직하고, 직사각형 기재이면 슬릿 코트법이나 스프레이 코트법, 잉크젯법 등이 바람직하다. 스핀 코트법의 경우는, 예를 들면 500~2,000rpm의 회전수로, 10초~1분 정도 적용할 수 있다.Specifically, as the means to be applied, a dip coating method, an air knife coating method, a curtain coating method, a wire bar coating method, a gravure coating method, an extrusion coating method, a spray coating method, a spin coating method, a slit coating method, and An inkjet method etc. are illustrated. From the viewpoint of the uniformity of the thickness of the curable resin composition layer, spin coating method, slit coating method, spray coating method, and inkjet method are more preferable. A resin layer having a desired thickness can be obtained by appropriately adjusting the solid content concentration and application conditions according to the method. In addition, the coating method can be appropriately selected depending on the shape of the substrate. For circular substrates such as wafers, spin coating, spray coating, or ink jetting are preferable, and for rectangular substrates, slit coating, spray coating, or inkjet methods are preferred. etc. are preferred. In the case of spin coating, it can be applied for about 10 seconds to 1 minute at a rotational speed of 500 to 2,000 rpm, for example.

또, 미리 가지지체 상에 상기 부여 방법에 따라 부여하여 형성한 도막을, 기재 상에 전사하는 방법을 적용할 수도 있다.In addition, a method of transferring onto a base material a coating film formed by applying on a temporary support body in advance according to the above application method may be applied.

전사 방법에 관해서는 일본 공개특허공보 2006-023696호의 단락 0023, 0036~0051이나, 일본 공개특허공보 2006-047592호의 단락 0096~0108에 기재된 제작 방법을 본 발명에 있어서도 적합하게 이용할 수 있다.Regarding the transfer method, the production methods described in paragraphs 0023 and 0036 to 0051 of JP2006-023696 and paragraphs 0096 to 0108 of JP2006-047592 can be suitably used in the present invention.

<건조 공정><Drying process>

본 발명의 제조 방법은, 상기 막(경화성 수지 조성물층)을 형성 후, 막 형성 공정(층 형성 공정) 후에, 용제를 제거하기 위하여 건조하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 바람직한 건조 온도는 50~150℃이며, 70℃~130℃가 보다 바람직하고, 90℃~110℃가 더 바람직하다. 건조 시간으로서는, 30초~20분이 예시되며, 1분~10분이 바람직하고, 3분~7분이 보다 바람직하다.The production method of the present invention may include a step of drying to remove the solvent after the film (curable resin composition layer) is formed and after the film formation step (layer formation step). A preferable drying temperature is 50 to 150°C, more preferably 70°C to 130°C, still more preferably 90°C to 110°C. As drying time, 30 seconds - 20 minutes are illustrated, 1 minute - 10 minutes are preferable, and 3 minutes - 7 minutes are more preferable.

<노광 공정><Exposure process>

본 발명의 제조 방법은, 상기 막(경화성 수지 조성물층)을 노광하는 노광 공정을 포함해도 된다. 노광량은, 경화성 수지 조성물을 경화할 수 있는 한 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 파장 365nm에서의 노광 에너지 환산으로 100~10,000mJ/cm2 조사하는 것이 바람직하고, 200~8,000mJ/cm2 조사하는 것이 보다 바람직하다.The production method of the present invention may also include an exposure step of exposing the film (curable resin composition layer). The exposure amount is not particularly determined as long as the curable resin composition can be cured, but is preferably irradiated at 100 to 10,000 mJ/cm 2 , and irradiated at 200 to 8,000 mJ/cm 2 in terms of exposure energy at a wavelength of 365 nm, for example. it is more preferable

노광 파장은, 190~1,000nm의 범위에서 적절히 정할 수 있으며, 240~550nm가 바람직하다.The exposure wavelength can be appropriately determined in the range of 190 to 1,000 nm, and is preferably 240 to 550 nm.

노광 파장은, 광원과의 관계에서 말하면, (1) 반도체 레이저(파장 830nm, 532nm, 488nm, 405nm etc.), (2) 메탈할라이드 램프, (3) 고압 수은등, g선(파장 436nm), h선(파장 405nm), i선(파장 365nm), 브로드(g, h, i선의 3파장), (4) 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저(파장 248nm), ArF 엑시머 레이저(파장 193nm), F2 엑시머 레이저(파장 157nm), (5) 극단 자외선; EUV(파장 13.6nm), (6) 전자선 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화성 수지 조성물에 대해서는, 특히 고압 수은등에 의한 노광이 바람직하고, 그중에서도, i선에 의한 노광이 바람직하다. 이로써, 특히 높은 노광 감도가 얻어질 수 있다.Regarding the exposure wavelength, in relation to the light source, (1) semiconductor laser (wavelength 830nm, 532nm, 488nm, 405nm etc.), (2) metal halide lamp, (3) high pressure mercury lamp, g-ray (wavelength 436nm), h ray (wavelength 405nm), i-ray (wavelength 365nm), broad (three wavelengths of g, h, i-ray), (4) excimer laser, KrF excimer laser (wavelength 248nm), ArF excimer laser (wavelength 193nm), F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), (5) extreme ultraviolet; EUV (wavelength 13.6 nm), (6) electron beam, etc. are mentioned. Regarding the curable resin composition of the present invention, exposure by a high-pressure mercury lamp is particularly preferred, and exposure by i-line is particularly preferred. In this way, a particularly high exposure sensitivity can be obtained.

<현상 처리 공정><Development process>

본 발명의 제조 방법은, 노광된 막(경화성 수지 조성물층)에 대하여, 현상 처리를 행하는 현상 처리 공정을 포함해도 된다. 현상을 행함으로써, 노광되어 있지 않은 부분(비노광부)이 제거된다. 현상 방법은, 원하는 패턴을 형성할 수 있으면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 퍼들, 스프레이, 침지, 초음파 등의 현상 방법이 채용 가능하다.The manufacturing method of the present invention may also include a developing treatment step of performing developing treatment on the exposed film (curable resin composition layer). By developing, the unexposed part (unexposed part) is removed. The developing method is not particularly limited as long as a desired pattern can be formed, and for example, developing methods such as puddle, spray, immersion, and ultrasonic waves can be employed.

현상은 현상액을 이용하여 행한다. 현상액은, 노광되어 있지 않은 부분(비노광부)이 제거되는 것이면, 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 현상액은, 유기 용제를 포함하는 것이 바람직하고, 현상액이 유기 용제를 90% 이상 포함하는 것이 보다 바람직하다. 본 발명에서는, 현상액은, ClogP값이 -1~5인 유기 용제를 포함하는 것이 바람직하고, ClogP값이 0~3인 유기 용제를 포함하는 것이 보다 바람직하다. ClogP값은, ChemBioDraw에 구조식을 입력하여 계산값으로서 구할 수 있다.Development is performed using a developing solution. A developing solution can be used without particular limitation as long as the unexposed portion (non-exposed portion) is removed. It is preferable that the developing solution contains an organic solvent, and it is more preferable that the developing solution contains 90% or more of the organic solvent. In the present invention, the developing solution preferably contains an organic solvent having a ClogP value of -1 to 5, and more preferably contains an organic solvent having a ClogP value of 0 to 3. The ClogP value can be obtained as a calculated value by inputting a structural formula into ChemBioDraw.

유기 용제는, 에스터류로서, 예를 들면, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, γ-뷰티로락톤, ε-카프로락톤, δ-발레로락톤, 알킬옥시아세트산 알킬(예: 알킬옥시아세트산 메틸, 알킬옥시아세트산 에틸, 알킬옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-알킬옥시프로피온산 메틸, 3-알킬옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-알킬옥시프로피온산 메틸, 2-알킬옥시프로피온산 에틸, 2-알킬옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸 등, 및, 에터류로서, 예를 들면, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등, 및, 케톤류로서 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈 등, 및, 방향족 탄화 수소류로서 예를 들면, 톨루엔, 자일렌, 아니솔, 리모넨 등, 설폭사이드류로서 다이메틸설폭사이드를 적합하게 들 수 있다.The organic solvent is esters, for example, ethyl acetate, n-butyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate , ethyl lactate, γ-butyrolactone, ε-caprolactone, δ-valerolactone, alkyloxyacetic acid (e.g. methyl alkyloxyacetate, ethyl alkyloxyacetate, butyl alkyloxyacetate (e.g. methoxyacetic acid) methyl, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, etc.)), 3-alkyloxypropionate alkyl esters (eg: 3-alkyloxymethylpropionate, 3-alkyloxyethylpropionate, etc.) (e.g., 3-methoxymethylpropionate, 3-methoxyethylpropionate, 3-ethoxymethylpropionate, 3-ethoxyethylpropionate, etc.), 2-alkyloxypropionate alkyl esters (e.g., 2-alkyl Methyl oxypropionate, ethyl 2-alkyloxypropionate, propyl 2-alkyloxypropionate, etc. (e.g., methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate , 2-ethoxyethylpropionate)), 2-alkyloxy-2-methylmethylpropionate and 2-alkyloxy-2-methylethylpropionate (e.g., 2-methoxy-2-methylmethylpropionate, ethyl oxy-2-methylpropionate, etc.), methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, ethyl 2-oxobutanoate, etc., and as ethers, for example For example, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol Col monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol mono Ethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, etc., and ketones, for example, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, 3-heptanone, N-methyl- Examples of 2-pyrrolidone and the like and aromatic hydrocarbons include, for example, toluene, xylene, anisole and limonene, and dimethyl sulfoxide as sulfoxides.

본 발명에서는, 특히 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤이 바람직하고, 사이클로펜탄온이 보다 바람직하다.In the present invention, cyclopentanone and γ-butyrolactone are particularly preferred, and cyclopentanone is more preferred.

현상액은, 50질량% 이상이 유기 용제인 것이 바람직하고, 70질량% 이상이 유기 용제인 것이 보다 바람직하며, 90질량% 이상이 유기 용제인 것이 더 바람직하다. 또, 현상액은, 100질량%가 유기 용제여도 된다.It is preferable that 50 mass % or more of a developing solution is an organic solvent, it is more preferable that it is 70 mass % or more of an organic solvent, and it is still more preferable that 90 mass % or more is an organic solvent. Moreover, 100 mass % of a developing solution may be an organic solvent.

현상 시간으로서는, 10초~5분이 바람직하다. 현상 시의 현상액의 온도는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 통상, 20~40℃에서 행할 수 있다.As developing time, 10 second - 5 minutes are preferable. The temperature of the developing solution at the time of development is not particularly determined, but it can be usually performed at 20 to 40°C.

현상액을 이용한 처리 후, 린스를 더 행해도 된다. 린스는, 현상액과는 다른 용제로 행하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 경화성 수지 조성물에 포함되는 용제를 이용하여 린스할 수 있다. 린스 시간은, 5초~1분이 바람직하다.You may further rinse after the process using a developing solution. It is preferable to rinse with a solvent different from the developing solution. For example, it can rinse using the solvent contained in curable resin composition. The rinse time is preferably 5 seconds to 1 minute.

<가열 공정><Heating process>

본 발명의 제조 방법은, 상기 막을 가열하여 상기 식 (1-1)에 의하여 나타나는 화합물을 분해하는 공정(가열 공정)을 포함하는 것이 바람직하다.The production method of the present invention preferably includes a step of heating the film to decompose the compound represented by the formula (1-1) (heating step).

가열 공정은, 막 형성 공정(층 형성 공정), 건조 공정, 및 현상 공정 후에 포함되는 것이 바람직하다. 가열 공정에서는, 예를 들면 상기 식 (1-1)에 의하여 나타나는 화합물이 분해됨으로써 염기가 발생하고, 복소환 함유 폴리머 전구체의 환화 반응이 진행된다. 또, 본 발명의 조성물은 복소환 함유 폴리머 전구체 이외의 라디칼 중합성 화합물을 포함하고 있어도 되지만, 미반응의 복소환 함유 폴리머 전구체 이외의 라디칼 중합성 화합물의 경화 등도 이 공정에서 진행시킬 수 있다. 가열 공정에 있어서의 층의 가열 온도(최고 가열 온도)로서는, 50℃ 이상인 것이 바람직하고, 80℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 140℃ 이상인 것이 더 바람직하고, 150℃ 이상인 것이 한층 바람직하며, 160℃ 이상인 것이 보다 한층 바람직하고, 170℃ 이상인 것이 더 한층 바람직하다. 상한으로서는, 500℃ 이하인 것이 바람직하고, 450℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 350℃ 이하인 것이 더 바람직하고, 250℃ 이하인 것이 한층 바람직하며, 220℃ 이하인 것이 보다 한층 바람직하다.The heating step is preferably included after the film forming step (layer forming step), the drying step, and the developing step. In the heating step, a base is generated by decomposition of the compound represented by the formula (1-1), and the cyclization reaction of the heterocycle-containing polymer precursor proceeds. Further, the composition of the present invention may contain a radically polymerizable compound other than the heterocycle-containing polymer precursor, but curing of the unreacted radically polymerizable compound other than the heterocycle-containing polymer precursor can also proceed in this step. The heating temperature (maximum heating temperature) of the layer in the heating step is preferably 50°C or higher, more preferably 80°C or higher, still more preferably 140°C or higher, still more preferably 150°C or higher, and 160°C or higher It is more preferable, and it is still more preferable that it is 170 degreeC or more. The upper limit is preferably 500°C or less, more preferably 450°C or less, still more preferably 350°C or less, still more preferably 250°C or less, and even more preferably 220°C or less.

가열은, 가열 개시 시의 온도부터 최고 가열 온도까지 1~12℃/분의 승온 속도로 행하는 것이 바람직하고, 2~10℃/분이 보다 바람직하며, 3~10℃/분이 더 바람직하다. 승온 속도를 1℃/분 이상으로 함으로써, 생산성을 확보하면서, 아민의 과잉된 휘발을 방지할 수 있으며, 승온 속도를 12℃/분 이하로 함으로써, 경화막의 잔존 응력을 완화할 수 있다.Heating is preferably carried out at a heating rate of 1 to 12°C/minute from the temperature at the start of heating to the highest heating temperature, more preferably 2 to 10°C/minute, and still more preferably 3 to 10°C/minute. By setting the temperature increase rate to 1°C/min or more, excessive volatilization of amine can be prevented while securing productivity, and by setting the temperature increase rate to 12°C/min or less, the residual stress of the cured film can be relieved.

가열 개시 시의 온도는, 20℃~150℃가 바람직하고, 20℃~130℃가 보다 바람직하며, 25℃~120℃가 더 바람직하다. 가열 개시 시의 온도는, 최고 가열 온도까지 가열하는 공정을 개시할 때의 온도를 말한다. 예를 들면, 경화성 수지 조성물을 기재 상에 적용한 후, 건조시키는 경우, 이 건조 후의 막(층)의 온도이며, 예를 들면 경화성 수지 조성물에 포함되는 용제의 비점보다, 30~200℃ 낮은 온도부터 서서히 승온시키는 것이 바람직하다.The temperature at the start of heating is preferably 20°C to 150°C, more preferably 20°C to 130°C, still more preferably 25°C to 120°C. The temperature at the start of heating refers to the temperature at the time of starting the process of heating to the highest heating temperature. For example, when drying after applying curable resin composition on a substrate, it is the temperature of the film (layer) after this drying, for example, from a temperature 30 to 200°C lower than the boiling point of the solvent contained in curable resin composition. It is preferable to raise the temperature gradually.

가열 시간(최고 가열 온도에서의 가열 시간)은, 10~360분인 것이 바람직하고, 20~300분인 것이 보다 바람직하며, 30~240분인 것이 더 바람직하다.The heating time (heating time at the highest heating temperature) is preferably 10 to 360 minutes, more preferably 20 to 300 minutes, and still more preferably 30 to 240 minutes.

특히 다층의 적층체를 형성하는 경우, 경화막의 층간의 밀착성의 관점에서, 가열 온도는 180℃~320℃에서 가열하는 것이 바람직하고, 180℃~260℃에서 가열하는 것이 보다 바람직하다. 그 이유는 확실하지 않지만, 이 온도로 함으로써, 층간의 복소환 함유 폴리머 전구체의 에타인일기끼리가 가교 반응을 진행하고 있기 때문이라고 생각된다.In particular, in the case of forming a multi-layered laminate, the heating temperature is preferably from 180°C to 320°C, more preferably from 180°C to 260°C, from the viewpoint of the interlayer adhesion of the cured film. Although the reason for this is not certain, it is considered that the crosslinking reaction between the ethynyl groups of the interlayer heterocycle-containing polymer precursor is proceeding at this temperature.

가열은 단계적으로 행해도 된다. 예로서, 25℃부터 180℃까지 3℃/분으로 승온시키고, 180℃에서 60분 유지하며, 180℃부터 200℃까지 2℃/분으로 승온시키고, 200℃에서 120분 유지함과 같은 전처리 공정을 행해도 된다. 전처리 공정으로서의 가열 온도는 100~200℃가 바람직하고, 110~190℃인 것이 보다 바람직하며, 120~185℃인 것이 더 바람직하다. 이 전처리 공정에 있어서는, 미국 특허공보 9159547호에 기재된 바와 같이 자외선을 조사하면서 처리하는 것도 바람직하다. 이와 같은 전처리 공정에 의하여 막의 특성을 향상시키는 것이 가능하다. 전처리 공정은 10초간~2시간 정도의 짧은 시간으로 행하면 되고, 15초~30분간이 보다 바람직하다. 전처리는 2단계 이상의 스텝으로 해도 되며, 예를 들면 100~150℃의 범위에서 전처리 공정 1을 행하고, 그 후에 150~200℃의 범위에서 전처리 공정 2를 행해도 된다.Heating may be performed stepwise. For example, a pretreatment step such as raising the temperature from 25 ° C to 180 ° C at 3 ° C / min, holding at 180 ° C for 60 minutes, raising the temperature from 180 ° C to 200 ° C at 2 ° C / min, and holding at 200 ° C for 120 minutes You can do it. The heating temperature as a pretreatment step is preferably 100 to 200°C, more preferably 110 to 190°C, and still more preferably 120 to 185°C. In this pretreatment process, it is also preferable to process while irradiating ultraviolet rays as described in US Patent Publication No. 9159547. It is possible to improve the properties of the film by such a pretreatment process. What is necessary is just to perform a pretreatment process in a short time of about 10 second - about 2 hours, and 15 second - 30 minutes are more preferable. The pretreatment may be carried out in two or more steps, for example, the pretreatment step 1 may be performed in the range of 100 to 150°C, and then the pretreatment step 2 may be performed in the range of 150 to 200°C.

또한, 가열 후 냉각해도 되고, 이 경우의 냉각 속도로서는, 1~5℃/분인 것이 바람직하다.Moreover, you may cool after heating, and as a cooling rate in this case, it is preferable that it is 1-5 degrees C/min.

가열 공정은, 질소, 헬륨, 아르곤 등의 불활성 가스를 흘려보내는 것 등에 의하여, 저산소 농도의 분위기에서 행하는 것이 복소환 함유 폴리머 전구체의 분해를 방지하는 점에서 바람직하다. 산소 농도는, 50ppm(체적비) 이하가 바람직하고, 20ppm(체적비) 이하가 보다 바람직하다.The heating step is preferably carried out in an atmosphere with a low oxygen concentration by flowing an inert gas such as nitrogen, helium, or argon to prevent decomposition of the heterocycle-containing polymer precursor. The oxygen concentration is preferably 50 ppm (volume ratio) or less, and more preferably 20 ppm (volume ratio) or less.

<금속층 형성 공정><Metal layer formation process>

본 발명의 제조 방법은, 현상 처리 후의 막(경화성 수지 조성물층)의 표면에 금속층을 형성하는 금속층 형성 공정을 포함하고 있는 것이 바람직하다.The production method of the present invention preferably includes a metal layer forming step of forming a metal layer on the surface of the film (curable resin composition layer) after development.

금속층으로서는, 특별히 한정 없이, 이미 알려진 금속종을 사용할 수 있으며, 구리, 알루미늄, 니켈, 바나듐, 타이타늄, 크로뮴, 코발트, 금 및 텅스텐이 예시되고, 구리 및 알루미늄이 보다 바람직하며, 구리가 더 바람직하다.As the metal layer, without particular limitation, known metal species can be used, and copper, aluminum, nickel, vanadium, titanium, chromium, cobalt, gold and tungsten are exemplified, copper and aluminum are more preferable, and copper is still more preferable. .

금속층의 형성 방법은, 특별히 한정 없이, 이미 알려진 방법을 적용할 수 있다. 예를 들면, 일본 공개특허공보 2007-157879호, 일본 공표특허공보 2001-521288호, 일본 공개특허공보 2004-214501호, 일본 공개특허공보 2004-101850호에 기재된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 포토리소그래피, 리프트 오프, 전해 도금, 무전해 도금, 에칭, 인쇄, 및 이들을 조합한 방법 등이 생각된다. 보다 구체적으로는, 스퍼터링, 포토리소그래피 및 에칭을 조합한 패터닝 방법, 포토리소그래피와 전해 도금을 조합한 패터닝 방법을 들 수 있다.As the method of forming the metal layer, a known method can be applied without particular limitation. For example, the method described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-157879, Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-521288, Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-214501, and Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-101850 can be used. For example, photolithography, lift-off, electrolytic plating, electroless plating, etching, printing, and methods combining these may be considered. More specifically, a patterning method in which sputtering, photolithography and etching are combined, and a patterning method in which photolithography and electrolytic plating are combined are exemplified.

금속층의 두께로서는, 가장 후육부(厚肉部)에서, 0.1~50μm가 바람직하고, 1~10μm가 보다 바람직하다.The thickness of the metal layer is preferably 0.1 to 50 μm, more preferably 1 to 10 μm, in the thickest part.

<적층 공정><Laminating process>

본 발명의 제조 방법은, 적층 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the manufacturing method of this invention further includes a lamination process.

적층 공정이란, 경화막(수지층) 또는 금속층의 표면에, 재차, (a) 막 형성 공정(층 형성 공정), (b) 노광 공정, (c) 현상 처리 공정, (d) 가열 공정을, 이 순서로 행하는 것을 포함하는 일련의 공정이다. 단, (a)의 막 형성 공정만을 반복하는 양태여도 된다. 또, (d) 가열 공정은 적층의 마지막 또는 중간에 일괄하여 행하는 양태로 해도 된다. 즉, (a)~(c)의 공정을 소정의 횟수 반복하여 행하고, 그 후에 (d)의 가열을 함으로써, 적층된 경화성 수지 조성물층을 일괄로 경화하는 양태로 해도 된다. 또, (c) 현상 공정 후에는 (e) 금속층 형성 공정을 포함해도 되고, 이 때에도 그때마다 (d)의 가열을 행해도 되며, 소정 횟수 적층시킨 후에 일괄하여 (d)의 가열을 행해도 된다. 적층 공정에는, 상기 건조 공정이나 가열 공정 등을 적절히 더 포함하고 있어도 되는 것은 말할 것도 없다.The lamination step is, on the surface of the cured film (resin layer) or metal layer, (a) film formation step (layer formation step), (b) exposure step, (c) development treatment step, (d) heating step, It is a series of steps including performing in this order. However, an aspect in which only the film formation step of (a) is repeated may be used. Further, (d) the heating step may be performed collectively at the end or in the middle of the lamination. That is, it is good also as an aspect in which the laminated curable resin composition layer is cured collectively by repeating the steps (a) to (c) a predetermined number of times and then heating in (d). Further, after the developing step (c), the metal layer forming step (e) may be included, and even at this time, the heating in (d) may be performed each time, or the heating in (d) may be performed collectively after laminating a predetermined number of times. . Needless to say, the above-described drying step, heating step, and the like may be appropriately further included in the lamination step.

적층 공정 후, 추가로 적층 공정을 행하는 경우에는, 상기 가열 공정 후, 상기 노광 공정 후, 또는 상기 금속층 형성 공정 후에, 추가로, 표면 활성화 처리 공정을 행해도 된다. 표면 활성화 처리로서는, 플라즈마 처리가 예시된다.When the lamination process is further performed after the lamination process, a surface activation treatment process may be further performed after the heating process, the exposure process, or the metal layer forming process. As the surface activation treatment, plasma treatment is exemplified.

상기 적층 공정은, 2~5회 행하는 것이 바람직하고, 3~5회 행하는 것이 보다 바람직하다.It is preferable to perform the said lamination process 2 to 5 times, and it is more preferable to perform it 3 to 5 times.

예를 들면, 수지층/금속층/수지층/금속층/수지층/금속층과 같은, 수지층이 3층 이상 7층 이하인 구성이 바람직하고, 3층 이상 5층 이하가 더 바람직하다.For example, a resin layer/metal layer/resin layer/metal layer/resin layer/metal layer is preferably composed of 3 or more layers and 7 or less layers, more preferably 3 or more and 5 layers or less.

본 발명에서는 특히, 금속층을 마련한 후, 상기 금속층을 덮도록, 상기 경화성 수지 조성물의 경화막(수지층)을 더 형성하는 양태가 바람직하다. 구체적으로는, (a) 막 형성 공정, (b) 노광 공정, (c) 현상 공정, (e) 금속층 형성 공정, (d) 가열 공정의 순서로 반복하는 양태, 또는 (a) 막 형성 공정, (b) 노광 공정, (c) 현상 공정, (e) 금속층 형성 공정의 순서로 반복하여, 마지막 또는 중간에 일괄하여 (d) 가열 공정을 마련하는 양태를 들 수 있다. 경화성 수지 조성물층(수지층)을 적층하는 적층 공정과, 금속층 형성 공정을 번갈아 행함으로써, 경화성 수지 조성물층(수지층)과 금속층을 번갈아 적층할 수 있다.In this invention, after providing a metal layer especially, the aspect which further forms the cured film (resin layer) of the said curable resin composition so that the said metal layer may be covered is preferable. Specifically, (a) film formation process, (b) exposure process, (c) development process, (e) metal layer formation process, (d) heating process, or (a) film formation process, (b) Exposure process, (c) Development process, (e) Metal layer formation process are repeated in order, and the aspect which provides (d) heating process collectively at the end or in the middle is mentioned. By alternately performing the lamination step of laminating the curable resin composition layer (resin layer) and the metal layer forming step, the curable resin composition layer (resin layer) and the metal layer can be alternately laminated.

본 발명은, 본 발명의 경화막 또는 적층체를 갖는 반도체 디바이스도 개시한다. 본 발명의 경화성 수지 조성물을 재배선층용 층간 절연막의 형성에 이용한 반도체 디바이스의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0213~0218의 기재 및 도 1의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.The present invention also discloses a semiconductor device having the cured film or laminate of the present invention. As a specific example of a semiconductor device in which the curable resin composition of the present invention is used to form an interlayer insulating film for a redistribution layer, the description in paragraphs 0213 to 0218 of Japanese Patent Laid-Open No. 2016-027357 and the description in FIG. 1 can be referred to. incorporated herein by reference.

(열염기 발생제)(thermal base generator)

본 발명의 열염기 발생제는, 하기 식 (1-2)에 의하여 나타나는 열염기 발생제이다.The thermal base generator of the present invention is a thermal base generator represented by the following formula (1-2).

[화학식 34][Formula 34]

Figure 112021093510050-pct00034
Figure 112021093510050-pct00034

식 (1-2) 중, R21 및 R22는 각각 독립적으로, 1가의 유기기를 나타내고, L21은 2가의 연결기를 나타내며, L21의 양 말단의 결합 위치에 있어서의 원자는 모두 탄소 원자이고, R23은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.In Formula (1-2), R 21 and R 22 each independently represent a monovalent organic group, L 21 represents a divalent linking group, and atoms at bonding positions at both ends of L 21 are all carbon atoms; , R 23 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group.

식 (1-2)에 있어서의 R21, R22, 및 R23은 각각 독립적으로, 식 (1-1)에 있어서의 R1, R2, 및 R3과 각각 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.R 21 , R 22 , and R 23 in formula (1-2) each independently have the same meaning as R 1 , R 2 , and R 3 in formula (1-1), and preferred embodiments are also same.

식 (1-2)에 있어서의 L21은, 양 말단의 결합 위치에 있어서의 원자가 모두 탄소 원자에 한정되고 있는 것 이외에는, 식 (1-1)에 있어서의 L1과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.L 21 in the formula (1-2) has the same meaning as L 1 in the formula (1-1), except that the atoms at the bonding positions at both ends are all limited to carbon atoms. Preferred Embodiments is also the same

<용도><Use>

본 발명의 열염기 발생제의 용도로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 상술한 복소환 함유 폴리머 전구체와 병용함으로써, 경화성 수지 조성물을 구성할 수 있다.Although it does not specifically limit as a use of the heat base generator of this invention, Curable resin composition can be comprised, for example by using together with the above-mentioned heterocycle containing polymer precursor.

또, 본 발명의 열염기 발생제는, 예를 들면 실온에 있어서 분해되기 어려워, 가열 시의 염기 발생 효율이 우수하다고 생각된다. 그 때문에, 공지의 열염기 발생제가 이용되고 있는 다양한 용도에 있어서, 종래의 열염기 발생제 대신에, 또는 종래의 열염기 발생제와 병용하여, 본 발명의 열염기 발생제를 이용하는 것이 유용하다라고 생각된다.In addition, it is considered that the thermal base generator of the present invention is difficult to decompose, for example, at room temperature, and is excellent in base generation efficiency during heating. Therefore, in various applications where known thermal base generators are used, it is useful to use the thermal base generator of the present invention instead of the conventional thermal base generator or in combination with the conventional thermal base generator. I think.

실시예Example

이하에 실시예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 수순 등은, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한, 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다. "부", "%"는 특별히 설명하지 않는 한, 질량 기준이다.The present invention will be described in more detail by way of examples below. The materials, usage amount, ratio, treatment content, treatment procedure, etc. shown in the following examples can be appropriately changed as long as they do not deviate from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the specific examples shown below. "Part" and "%" are based on mass unless otherwise specified.

<합성예 1><Synthesis Example 1>

〔파이로멜리트산 이무수물, 4,4'-다이아미노다이페닐에터 및 벤질알코올로부터의 폴리이미드 전구체 (A-1: 라디칼 중합성기를 갖지 않는 폴리이미드 전구체)의 합성〕[Synthesis of polyimide precursor (A-1: polyimide precursor having no radical polymerizable group) from pyromellitic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether and benzyl alcohol]

14.06g(64.5밀리몰)의 파이로멜리트산 이무수물(140℃에서 12시간 건조)과, 14.22g(131.58밀리몰)의 벤질알코올을, 50mL의 N-메틸피롤리돈에 현탁시키고, 몰레큘러시브로 건조시켰다. 현탁액을 100℃에서 3시간 가열했다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각하고, 21.43g(270.9밀리몰)의 피리딘 및 90mL의 N-메틸피롤리돈을 첨가했다. 이어서, 반응 혼합물을 -10℃로 냉각하고, 온도를 -10±4℃로 유지하면서 16.12g(135.5밀리몰)의 SOCl2를 10분 동안 첨가했다. SOCl2를 첨가하고 있는 동안, 점도가 증가했다. 50mL의 N-메틸피롤리돈으로 희석한 후, 반응 혼합물을 실온에서 2시간 교반했다. 이어서, 100mL의 N-메틸피롤리돈에 11.08g(58.7밀리몰)의 4,4'-다이아미노다이페닐에터를 용해시킨 용액을, -5~0℃에서 20분 동안 반응 혼합물에 적하했다. 이어서, 반응 혼합물을 0℃에서 1시간 반응시킨 후, 에탄올을 70g 첨가하고, 실온에서 하룻밤 교반했다. 이어서, 5리터의 수중에서 폴리이미드 전구체를 침전시켜, 물-폴리이미드 전구체 혼합물을 5,000rpm의 속도로 15분간 교반했다. 폴리이미드 전구체를 여과하여 제거하고, 4리터의 수중에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 이어서, 얻어진 폴리이미드 전구체를 감압하에서, 45℃에서 3일간 건조했다. 이 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량은, 18,000이었다.14.06 g (64.5 mmol) of pyromellitic dianhydride (dried at 140° C. for 12 hours) and 14.22 g (131.58 mmol) of benzyl alcohol were suspended in 50 mL of N-methylpyrrolidone, and sieved with a molecular sieve. dried. The suspension was heated at 100°C for 3 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature, and 21.43 g (270.9 mmol) of pyridine and 90 mL of N-methylpyrrolidone were added. The reaction mixture was then cooled to -10 °C and 16.12 g (135.5 mmol) SOCl 2 was added over 10 minutes maintaining the temperature at -10 ± 4 °C. While adding SOCl 2 , the viscosity increased. After diluting with 50 mL of N-methylpyrrolidone, the reaction mixture was stirred at room temperature for 2 hours. Then, a solution in which 11.08 g (58.7 mmol) of 4,4'-diaminodiphenyl ether was dissolved in 100 mL of N-methylpyrrolidone was added dropwise to the reaction mixture at -5 to 0°C for 20 minutes. Next, after making the reaction mixture react at 0 degreeC for 1 hour, 70g of ethanol was added, and it stirred at room temperature overnight. Then, the polyimide precursor was precipitated in 5 liters of water, and the water-polyimide precursor mixture was stirred at a speed of 5,000 rpm for 15 minutes. The polyimide precursor was removed by filtration, stirred again for 30 minutes in 4 liters of water, and filtered again. Next, the obtained polyimide precursor was dried at 45°C for 3 days under reduced pressure. The weight average molecular weight of this polyimide precursor was 18,000.

[화학식 35][Formula 35]

Figure 112021093510050-pct00035
Figure 112021093510050-pct00035

<합성예 2><Synthesis Example 2>

〔파이로멜리트산 이무수물, 4,4'-다이아미노다이페닐에터 및 2-하이드록시에틸메타크릴레이트로부터의 폴리이미드 전구체 (A-2: 라디칼 중합성기를 갖는 폴리이미드 전구체)의 합성〕[Synthesis of polyimide precursor (A-2: polyimide precursor having radical polymerizable group) from pyromellitic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether and 2-hydroxyethyl methacrylate]

14.06g(64.5밀리몰)의 파이로멜리트산 이무수물(140℃에서 12시간 건조했다)과, 16.8g(129밀리몰)의 2-하이드록시에틸메타크릴레이트와, 0.05g의 하이드로퀴논과, 20.4g(258밀리몰)의 피리딘과, 100g의 다이글라임(다이에틸렌글라이콜다이메틸에터)을 혼합하여, 60℃의 온도에서 18시간 교반하고, 파이로멜리트산과 2-하이드록시에틸메타크릴레이트의 다이에스터를 제조했다. 이어서, 얻어진 다이에스터를 SOCl2에 의하여 염소화한 후, 합성예 1과 동일한 방법으로 4,4'-다이아미노다이페닐에터로 폴리이미드 전구체로 변환하여, 합성예 1과 동일한 방법으로 폴리이미드 전구체를 얻었다. 이 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량은, 19,000이었다.14.06 g (64.5 mmol) of pyromellitic dianhydride (dried at 140 ° C for 12 hours), 16.8 g (129 mmol) of 2-hydroxyethyl methacrylate, 0.05 g of hydroquinone, and 20.4 g of (258 mmol) of pyridine and 100 g of diglyme (diethylene glycol dimethyl ether) were mixed, stirred at a temperature of 60 ° C. for 18 hours, pyromellitic acid and 2-hydroxyethyl methacrylate of diesters were prepared. Subsequently, the obtained diester was chlorinated with SOCl 2 , and then converted into a polyimide precursor with 4,4′-diaminodiphenyl ether in the same manner as in Synthesis Example 1, to obtain a polyimide precursor in the same manner as in Synthesis Example 1. got The weight average molecular weight of this polyimide precursor was 19,000.

[화학식 36][Formula 36]

Figure 112021093510050-pct00036
Figure 112021093510050-pct00036

<합성예 3><Synthesis Example 3>

〔4,4'-옥시다이프탈산 무수물, 4,4'-다이아미노다이페닐에터 및 2-하이드록시에틸메타크릴레이트로부터의 폴리이미드 전구체 (A-3: 라디칼 중합성기를 갖는 폴리이미드 전구체)의 합성〕[Polyimide precursor from 4,4'-oxydiphthalic anhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether and 2-hydroxyethyl methacrylate (A-3: polyimide precursor having a radical polymerizable group) Synthesis of ]

20.0g(64.5밀리몰)의 4,4'-옥시다이프탈산 무수물(140℃에서 12시간 건조했다)과, 16.8g(129밀리몰)의 2-하이드록시에틸메타크릴레이트와, 0.05g의 하이드로퀴논과, 20.4g(258밀리몰)의 피리딘과, 100g의 다이글라임을 혼합하여, 60℃의 온도에서 18시간 교반하고, 4,4'-옥시다이프탈산과 2-하이드록시에틸메타크릴레이트의 다이에스터를 제조했다. 이어서, 얻어진 다이에스터를 SOCl2에 의하여 염소화한 후, 합성예 1과 동일한 방법으로 4,4'-다이아미노다이페닐에터로 폴리이미드 전구체로 변환하여, 합성예 1과 동일한 방법으로 폴리이미드 전구체를 얻었다. 이 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량은, 18,000이었다.20.0 g (64.5 mmol) of 4,4'-oxydiphthalic anhydride (dried at 140°C for 12 hours), 16.8 g (129 mmol) of 2-hydroxyethyl methacrylate, 0.05 g of hydroquinone, , 20.4 g (258 mmol) of pyridine and 100 g of diglyme were mixed, stirred at a temperature of 60 ° C. for 18 hours, diester of 4,4'-oxydiphthalic acid and 2-hydroxyethyl methacrylate has manufactured Subsequently, the obtained diester was chlorinated with SOCl 2 , and then converted into a polyimide precursor with 4,4′-diaminodiphenyl ether in the same manner as in Synthesis Example 1, to obtain a polyimide precursor in the same manner as in Synthesis Example 1. got The weight average molecular weight of this polyimide precursor was 18,000.

[화학식 37][Formula 37]

Figure 112021093510050-pct00037
Figure 112021093510050-pct00037

<합성예 4><Synthesis Example 4>

〔4,4'-옥시다이프탈산 무수물, 4,4'-다이아미노-2,2'-다이메틸바이페닐(오쏘톨리딘) 및 2-하이드록시에틸메타크릴레이트로부터의 폴리이미드 전구체 (A-4: 라디칼 중합성기를 갖는 폴리이미드 전구체)의 합성〕[Polyimide precursor from 4,4'-oxydiphthalic anhydride, 4,4'-diamino-2,2'-dimethylbiphenyl (orthotolidine) and 2-hydroxyethyl methacrylate (A- 4: Synthesis of polyimide precursor having a radical polymerizable group)]

20.0g(64.5밀리몰)의 4,4'-옥시다이프탈산 무수물(140℃에서 12시간 건조했다)과, 16.8g(129밀리몰)의 2-하이드록시에틸메타크릴레이트와, 0.05g의 하이드로퀴논과, 20.4g(258밀리몰)의 피리딘과, 100g의 다이글라임을 혼합하여, 60℃의 온도에서 18시간 교반하고, 4,4'-옥시다이프탈산과 2-하이드록시에틸메타크릴레이트의 다이에스터를 제조했다. 이어서, 얻어진 다이에스터를 SOCl2에 의하여 염소화한 후, 합성예 1과 동일한 방법으로 4,4'-다이아미노-2,2'-다이메틸바이페닐로 폴리이미드 전구체로 변환하여, 합성예 1과 동일한 방법으로 폴리이미드 전구체를 얻었다. 이 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량은, 19,000이었다.20.0 g (64.5 mmol) of 4,4'-oxydiphthalic anhydride (dried at 140°C for 12 hours), 16.8 g (129 mmol) of 2-hydroxyethyl methacrylate, 0.05 g of hydroquinone, , 20.4 g (258 mmol) of pyridine and 100 g of diglyme were mixed, stirred at a temperature of 60 ° C. for 18 hours, diester of 4,4'-oxydiphthalic acid and 2-hydroxyethyl methacrylate has manufactured Subsequently, the resulting diester was chlorinated with SOCl 2 , and then converted into a polyimide precursor with 4,4'-diamino-2,2'-dimethylbiphenyl in the same manner as in Synthesis Example 1, A polyimide precursor was obtained in the same manner. The weight average molecular weight of this polyimide precursor was 19,000.

[화학식 38][Formula 38]

Figure 112021093510050-pct00038
Figure 112021093510050-pct00038

<합성예 5><Synthesis Example 5>

〔2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인 및 4,4'-옥시다이벤조일 클로라이드로부터의 폴리벤즈옥사졸 전구체 (A-5)의 합성〕[Synthesis of polybenzoxazole precursor (A-5) from 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane and 4,4'-oxydibenzoyl chloride]

N-메틸-2-피롤리돈 100mL에, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인 13.92g을 첨가하여, 교반 용해했다. 계속해서, 온도를 0~5℃로 유지하면서, 11.21g의 4,4'-옥시다이벤조일 클로라이드를 10분간으로 적하한 후, 60분간 교반을 계속했다. 이어서, 6리터의 수중에서 폴리벤즈옥사졸 전구체를 침전시켜, 물-폴리벤즈옥사졸 전구체 혼합물을 5000rpm의 속도로 15분간 교반했다. 폴리벤즈옥사졸 전구체를 여과하여 제거하고, 6리터의 수중에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 이어서, 얻어진 폴리벤즈옥사졸 전구체를 감압하에서, 45℃에서 3일간 건조했다. 이 폴리벤즈옥사졸 전구체의 중량 평균 분자량은, 15,000이었다.To 100 mL of N-methyl-2-pyrrolidone, 13.92 g of 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane was added and dissolved by stirring. Subsequently, while maintaining the temperature at 0 to 5°C, 11.21 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride was added dropwise over 10 minutes, and then stirring was continued for 60 minutes. Then, the polybenzoxazole precursor was precipitated in 6 liters of water, and the water-polybenzoxazole precursor mixture was stirred at a speed of 5000 rpm for 15 minutes. The polybenzoxazole precursor was removed by filtration, stirred again in 6 liters of water for 30 minutes, and filtered again. Then, the obtained polybenzoxazole precursor was dried under reduced pressure at 45°C for 3 days. The weight average molecular weight of this polybenzoxazole precursor was 15,000.

[화학식 39][Formula 39]

Figure 112021093510050-pct00039
Figure 112021093510050-pct00039

<합성예 6><Synthesis Example 6>

〔화합물 B-1~B-18의 합성〕[Synthesis of Compounds B-1 to B-18]

Organic Chemistry International(2014), 576715/1-576715/10, 10pp에 기재된 방법을 참고로 화합물 B-1~B-18을 합성했다.Compounds B-1 to B-18 were synthesized with reference to the method described in Organic Chemistry International (2014), 576715/1-576715/10, 10pp.

<합성예 7><Synthesis Example 7>

〔4,4'-옥시다이프탈산 무수물, 4,4'-다이아미노다이페닐에터, 및 2-하이드록시에틸메타크릴레이트로부터의 폴리이미드 전구체 (A-6: 라디칼 중합성기를 갖는 폴리이미드 전구체)의 합성〕[Polyimide precursor from 4,4'-oxydiphthalic anhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether, and 2-hydroxyethyl methacrylate (A-6: polyimide precursor having a radical polymerizable group ) Synthesis of]

4,4'-옥시다이프탈산 무수물(ODPA) 155.1g을 2리터 용량의 세퍼러블 플라스크에 넣고, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트(HEMA) 134.0g 및 γ-뷰티로락톤 400ml를 첨가했다. 실온하에서 교반하면서, 피리딘 79.1g을 첨가함으로써, 반응 혼합물을 얻었다. 반응에 의한 발열의 종료 후, 실온까지 방랭하고, 추가로 16시간 정치했다.155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA) was placed in a separable flask with a capacity of 2 liters, and 134.0 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 400 ml of γ-butyrolactone were added. A reaction mixture was obtained by adding 79.1 g of pyridine while stirring at room temperature. After completion of heat generation due to the reaction, it was allowed to cool to room temperature and was further left still for 16 hours.

다음으로, 빙랭하에 있어서, 반응 혼합물에, 다이사이클로헥실카보다이이미드(DCC) 206.3g을 γ-뷰티로락톤 180ml에 용해한 용액을, 교반하면서 40분 동안 첨가했다. 계속해서, 4,4'-다이아미노다이페닐에터 93.0g을 γ-뷰티로락톤 350ml에 현탁한 현탁액을, 교반하면서 60분 동안 첨가했다. 추가로 실온에서 2시간 교반한 후, 에틸알코올 30ml를 첨가하여 1시간 교반했다. 그 후, γ-뷰티로락톤 400ml를 첨가했다. 반응 혼합물에 발생한 침전물을, 여과에 의하여 제거하고, 반응액을 얻었다.Next, a solution in which 206.3 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) was dissolved in 180 ml of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture under ice-cooling over 40 minutes while stirring. Subsequently, a suspension obtained by suspending 93.0 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether in 350 ml of γ-butyrolactone was added over 60 minutes while stirring. Furthermore, after stirring at room temperature for 2 hours, 30 ml of ethyl alcohol was added and stirred for 1 hour. After that, 400 ml of γ-butyrolactone was added. A precipitate generated in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction liquid.

얻어진 반응액을 3리터의 에틸알코올에 첨가하여, 조(粗) 폴리머로 이루어지는 침전물을 생성했다. 생성한 조 폴리머를 여과 채취하고, 테트라하이드로퓨란 1.5리터에 용해하여 조 폴리머 용액을 얻었다. 얻어진 조 폴리머 용액을 28리터의 물에 적하하여 폴리머를 침전시키고, 얻어진 침전물을 여과 채취한 후에 진공 건조함으로써, 분말상의 폴리머 A-6을 얻었다. 이 폴리머 A-6의 중량 평균 분자량(Mw)을 측정한 결과, 20,000이었다. The obtained reaction liquid was added to 3 liters of ethyl alcohol to produce a precipitate composed of a crude polymer. The resulting crude polymer was collected by filtration and dissolved in 1.5 liters of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The obtained crude polymer solution was dropped into 28 liters of water to precipitate the polymer, and the obtained precipitate was collected by filtration and vacuum dried to obtain a powdery polymer A-6. It was 20,000 as a result of measuring the weight average molecular weight (Mw) of this polymer A-6.

<합성예 8><Synthesis Example 8>

〔3,3'4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 4,4'-다이아미노다이페닐에터, 및 2-하이드록시에틸메타크릴레이트로부터의 폴리이미드 전구체 (A-7: 라디칼 중합성기를 갖는 폴리이미드 전구체)의 합성〕[Polyimide precursor from 3,3'4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether, and 2-hydroxyethyl methacrylate (A-7: radical polymerization Synthesis of Polyimide Precursor with Sexual Groups]

합성예 7에 있어서, 4,4'-옥시다이프탈산 무수물 155.1g 대신에, 3,3'4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물 147.1g을 이용한 것 이외에는, 합성예 7에 기재된 방법과 동일하게 하여 반응을 행함으로써, 폴리머 A-7을 얻었다. 이 폴리머 A-7의 중량 평균 분자량(Mw)을 측정한 결과, 22,000이었다.In Synthesis Example 7, the method described in Synthesis Example 7 is the same except that 147.1 g of 3,3'4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride was used instead of 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic anhydride. Polymer A-7 was obtained by allowing the reaction to occur. It was 22,000 as a result of measuring the weight average molecular weight (Mw) of this polymer A-7.

<실시예 1~40 및 비교예 C1, C2><Examples 1 to 40 and Comparative Examples C1 and C2>

각 실시예 및 비교예에 있어서, 각각, 하기 표 1 또는 표 2에 기재된 성분을 혼합하여, 각 경화성 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 경화성 수지 조성물을, 미세 구멍의 폭이 0.45μm인 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 통하여 가압 여과했다.In each Example and Comparative Example, each curable resin composition was obtained by mixing the components described in Table 1 or Table 2 below, respectively. The obtained curable resin composition was filtered under pressure through a polytetrafluoroethylene filter having a fine pore width of 0.45 µm.

표 1 또는 표 2 중, "질량부"란의 수치는 각 성분의 함유량(질량부)을 나타내고 있다.In Table 1 or Table 2, the numerical value in the "parts by mass" column shows the content (parts by mass) of each component.

또, 표 1 또는 표 2 중, "-"의 기재는 해당하는 성분을 함유하고 있지 않는 것을 나타내고 있다.In Table 1 or Table 2, "-" indicates that the corresponding component is not contained.

[표 1][Table 1]

Figure 112021093510050-pct00040
Figure 112021093510050-pct00040

[표 2][Table 2]

Figure 112021093510050-pct00041
Figure 112021093510050-pct00041

표 1 또는 표 2에 기재한 각 성분의 상세는 하기와 같다.The detail of each component described in Table 1 or Table 2 is as follows.

〔복소환 함유 폴리머 전구체〕[Heterocycle-Containing Polymer Precursor]

·A-1~A-5: 상기에서 합성한 A-1~A-5A-1 to A-5: A-1 to A-5 synthesized above

〔식 (1-1)로 나타나는 화합물〕[Compound represented by Formula (1-1)]

·B-1~B-18: 상기의 예시 화합물 B-1~B-18B-1 to B-18: Exemplary compounds B-1 to B-18 above

·비교예를 위한 화합물 RB-1: 하기 식 (RB-1)에 의하여 나타나는 화합물Compound RB-1 for Comparative Example: a compound represented by the following formula (RB-1)

[화학식 40][Formula 40]

Figure 112021093510050-pct00042
Figure 112021093510050-pct00042

〔광라디칼 중합 개시제〕[Radical Photopolymerization Initiator]

·C-1: IRGACURE OXE 01(BASF사제)・C-1: IRGACURE OXE 01 (manufactured by BASF)

·C-2: IRGACURE OXE 02(BASF사제)・C-2: IRGACURE OXE 02 (manufactured by BASF)

·C-3: IRGACURE 369(BASF사제)C-3: IRGACURE 369 (manufactured by BASF)

〔라디칼 중합성 화합물〕[Radically polymerizable compound]

·D-1: A-DPH(신나카무라 가가쿠 고교(주)제, 다이펜타에리트리톨헥사아크릴레이트)D-1: A-DPH (manufactured by Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd., dipentaerythritol hexaacrylate)

·D-2: SR-209(사토머사제, 하기 화합물))D-2: SR-209 (manufactured by Sartomer, the following compound))

[화학식 41][Formula 41]

Figure 112021093510050-pct00043
Figure 112021093510050-pct00043

·D-3: A-TMMT(신나카무라 가가쿠 고교(주)제, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트))D-3: A-TMMT (Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd., pentaerythritol tetraacrylate))

〔중합 금지제〕[Polymerization inhibitor]

·E-1: 2,6-다이-tert-뷰틸-4-메틸페놀(도쿄 가세이 고교사제)E-1: 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.)

·E-2: 파라벤조퀴논(도쿄 가세이 고교(주)제)E-2: Parabenzoquinone (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.)

·E-3: 파라메톡시페놀(도쿄 가세이 고교(주)제)E-3: Paramethoxyphenol (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.)

·E-4: 2-나이트로소-1-나프톨(도쿄 가세이 고교(주)제)E-4: 2-nitroso-1-naphthol (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.)

〔마이그레이션 억제제〕[migration inhibitor]

·F-1~F-4: 하기 식 (F-1)~식 (F-4)로 나타나는 화합물F-1 to F-4: Compounds represented by the following formulas (F-1) to (F-4)

[화학식 42][Formula 42]

Figure 112021093510050-pct00044
Figure 112021093510050-pct00044

〔금속 접착성 개량제〕[Metal Adhesion Improver]

·G-1~G-3: 하기 식 (G-1)~식 (G-4)로 나타나는 화합물G-1 to G-3: Compounds represented by the following formulas (G-1) to (G-4)

[화학식 43][Formula 43]

Figure 112021093510050-pct00045
Figure 112021093510050-pct00045

〔용제〕〔solvent〕

I-1: γ-뷰티로락톤(산와 유카사제)I-1: γ-butyrolactone (manufactured by Sanwa Yuka Co., Ltd.)

I-2: 다이메틸설폭사이드(후지필름 와코 준야쿠(주)제)I-2: Dimethyl sulfoxide (manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

I-3: N-메틸-2-피롤리돈(Ashland사제)I-3: N-methyl-2-pyrrolidone (manufactured by Ashland)

I-4: 락트산 에틸(도쿄 가세이 고교(주)제)I-4: Ethyl lactate (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.)

〔첨가제〕〔additive〕

H-1: N-페닐다이에탄올아민(도쿄 가세이 고교(주)제)H-1: N-phenyldiethanolamine (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.)

<평가><evaluation>

각 실시예 및 비교예에 있어서, 각각, 표 3에 기재된 경화성 수지 조성물을 이용하여, 보존 안정성, 파단 신장률, 및 밀착성의 평가를 행했다.In each Example and Comparative Example, storage stability, elongation at break, and adhesion were evaluated using the curable resin composition described in Table 3, respectively.

각 평가에 있어서의 평가 방법의 상세를 하기에 기재한다.The details of the evaluation method in each evaluation are described below.

〔보존 안정성〕[Storage stability]

각 실시예 및 비교예에 있어서, 각각, E형 점도계를 이용하여 각 경화성 수지 조성물의 점도(0일)를 측정했다. 차광의 밀폐 용기 내, 25℃에서 14일간, 경화성 수지 조성물을 정치한 후, 재차 E형 점도계를 이용하여 상기 정치 후의 각 경화성 수지 조성물의 점도(14일)를 측정했다. 각 실시예 및 각 비교예에 있어서, 각각, 상기 점도(0일) 및 상기 점도(14일)의 값을 이용하여, 이하의 식으로부터, 점도 변동률을 산출했다. 점도 변동률이 낮으면 낮을수록, 보존 안정성이 높은 것을 나타낸다. 평가는 하기 평가 기준에 따라 행했다. 평가 결과는 표 3의 "보존 안정성"란에 기재했다.In each Example and Comparative Example, the viscosity (0 day) of each curable resin composition was measured using an E-type viscometer, respectively. After leaving the curable resin composition still at 25°C for 14 days in a light-shielded airtight container, the viscosity (14 days) of each curable resin composition after the stationary was measured again using an E-type viscometer. In each Example and each Comparative Example, the viscosity fluctuation rate was calculated from the following equation using the values of the viscosity (0th day) and the viscosity (14th day), respectively. The lower the viscosity fluctuation rate, the higher the storage stability. Evaluation was performed according to the following evaluation criteria. The evaluation results were described in the "storage stability" column of Table 3.

점도 변동률(%)=|100×{1-(점도(14일)/점도(0일))}|Viscosity change rate (%)=|100×{1-(viscosity (14 days)/viscosity (0 days))}|

점도의 측정은 25℃에서 행하는 것으로 하고, 그 외에는 JIS Z 8803:2011에 준거하는 것으로 했다.Viscosity was measured at 25°C, and the rest was in accordance with JIS Z 8803:2011.

-평가 기준--Evaluation standard-

A: 점도 변동률이 5% 이하였다.A: The viscosity fluctuation rate was 5% or less.

B: 점도 변동률이 5% 초과 20% 이하였다.B: The viscosity fluctuation rate was more than 5% and 20% or less.

C: 점도 변동률이 20%를 초과했다.C: The viscosity fluctuation rate exceeded 20%.

〔파단 신장률〕[Elongation at break]

각 실시예 및 비교예에 있어서, 각각, 각 경화성 수지 조성물을, 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코트법에 의하여 층상으로 적용(도포)하고, 경화성 수지 조성물층을 형성했다. 얻어진 경화성 수지 조성물층을 적용한 실리콘 웨이퍼를 핫플레이트 상에서, 100℃에서 5분간 건조하고, 실리콘 웨이퍼 상에 20μm의 두께가 균일한 경화성 수지 조성물층으로 했다. 실리콘 웨이퍼 상의 경화성 수지 조성물층을, 스테퍼(Nikon NSR 2005 i9C)를 이용하여, 500mJ/cm2의 노광 에너지로 노광했다. 상기 노광한 경화성 수지 조성물층(수지층)을, 질소 분위기하에서, 10℃/분의 승온 속도로 승온시켜, 180℃에 도달한 후, 이 온도를 3시간 유지했다. 경화 후의 수지층을 4.9% 불화 수소산 용액에 침지하고, 실리콘 웨이퍼로부터 수지층을 박리하여, 수지막 1을 얻었다.In each Example and Comparative Example, each curable resin composition was applied (coated) layer by layer on a silicon wafer by a spin coating method to form a curable resin composition layer. The silicon wafer to which the obtained curable resin composition layer was applied was dried on a hot plate at 100°C for 5 minutes to form a curable resin composition layer having a uniform thickness of 20 µm on the silicon wafer. The curable resin composition layer on the silicon wafer was exposed with an exposure energy of 500 mJ/cm 2 using a stepper (Nikon NSR 2005 i9C). The exposed curable resin composition layer (resin layer) was heated at a temperature increase rate of 10°C/min under a nitrogen atmosphere, and after reaching 180°C, this temperature was maintained for 3 hours. The cured resin layer was immersed in a 4.9% hydrofluoric acid solution, and the resin layer was peeled from the silicon wafer to obtain a resin film 1.

수지막 1의 파단 신장률을 인장 시험기(텐실론)를 이용하여 크로스 헤드 스피드 300mm/분, 시료 폭 10mm, 시료 길이 50mm로서 필름의 길이 방향, 및 폭방향에 대하여, 25℃, 65% 상대 습도(RH)의 환경하에서 JIS-K6251:2017에 준거하여 파단 신장률을 측정했다. 파단 신장률은, Eb(%)=(Lb-L0)/L100(Eb: 절단 시 인장, L0: 시험 전의 시험편의 길이, Lb: 시험편이 절단되었을 때의 시험편의 길이)으로 산출했다. 평가는 길이 방향의 파단 신장률을 5회 측정하고, 그 평균값을 이용했다. 평가는 하기 평가 기준에 따라 행했다. 평가 결과는 표 3의 "파단 신장률"란에 기재했다.The elongation at break of the resin film 1 was measured using a tensile tester (Tensilon) at a cross head speed of 300 mm/min, a sample width of 10 mm, and a sample length of 50 mm in the longitudinal and width directions of the film at 25° C. and 65% relative humidity ( RH), the elongation at break was measured based on JIS-K6251:2017. Elongation at break is, E b (%) = (L b -L 0 ) / L 0 × 100 (E b : tensile at break, L 0 : length of the test piece before testing, L b : length of the test piece when the test piece is cut length) was calculated. For evaluation, the elongation at break in the longitudinal direction was measured 5 times, and the average value was used. Evaluation was performed according to the following evaluation criteria. The evaluation results are shown in the "elongation at break" column of Table 3.

-평가 기준--Evaluation standard-

A: 파단 신장률이 60%를 초과했다.A: The elongation at break exceeded 60%.

B: 파단 신장률이 55% 초과 60% 이하였다.B: The elongation at break was more than 55% and 60% or less.

C: 파단 신장률이 40% 초과 55% 이하였다.C: The elongation at break was more than 40% and 55% or less.

D: 파단 신장률이 40% 이하였다.D: The elongation at break was 40% or less.

〔밀착성(구리 밀착성)〕[adhesion (copper adhesion)]

각 실시예 및 비교예에 있어서, 각각, 각 경화성 수지 조성물을, 구리 기판 상에 스핀 코트법에 의하여 층상으로 적용하고, 100℃에서 5분간 건조하여, 막두께 20μm의 경화성 수지 조성물층을 형성했다. 얻어진 경화성 수지 조성물층을 적용한 구리 기판을 핫플레이트 상에서, 100℃에서 5분간 건조하고, 구리 기판 상에 20μm의 두께가 균일한 경화성 수지 조성물층을 형성했다. 구리 기판 상의 경화성 수지 조성물층을, 스테퍼(Nikon NSR 2005 i9C)를 이용하여, 500mJ/cm2의 노광 에너지로 100평방μm의 정사각형상의 비마스크부를 갖는 포토마스크를 사용하여 노광하고, 그 후 사이클로펜탄온으로 60초간 현상하여, 100μm 사각형의 수지층을 얻었다. 또한 질소 분위기하에서, 10℃/분의 승온 속도로 승온시켜, 180℃에 도달한 후, 이 온도를 3시간 유지했다.In each Example and Comparative Example, each curable resin composition was applied in layers on a copper substrate by a spin coating method, and dried at 100 ° C. for 5 minutes to form a curable resin composition layer having a film thickness of 20 μm. . The copper substrate to which the obtained curable resin composition layer was applied was dried on a hot plate at 100° C. for 5 minutes, and a curable resin composition layer having a uniform thickness of 20 μm was formed on the copper substrate. The curable resin composition layer on the copper substrate was exposed to light using a stepper (Nikon NSR 2005 i9C) at an exposure energy of 500 mJ/cm 2 using a photomask having a 100 square μm square non-mask portion, and then cyclopentane. It was developed at on for 60 seconds to obtain a 100 µm square resin layer. Further, in a nitrogen atmosphere, the temperature was raised at a heating rate of 10°C/min, and after reaching 180°C, this temperature was maintained for 3 hours.

구리 기판 상의 100μm 사각형의 수지층에 대하여, 25℃, 65% 상대 습도(RH)의 환경하에서, 본드 테스터(XYZTEC사제, CondorSigma)를 이용하여, 전단력을 측정했다. 전단력이 크면 클수록 밀착력이 커 바람직한 결과가 된다. 평가는 하기 평가 기준에 따라 행했다. 평가 결과는 표 3의 "밀착성"란에 기재했다.The shear force was measured for a 100 μm square resin layer on a copper substrate in an environment of 25° C. and 65% relative humidity (RH) using a bond tester (manufactured by XYZTEC, CondorSigma). The greater the shear force, the greater the adhesion, resulting in a desirable result. Evaluation was performed according to the following evaluation criteria. The evaluation results are described in the "Adhesiveness" column of Table 3.

-평가 기준--Evaluation standard-

A: 전단력이 40gf를 초과했다.A: The shear force exceeded 40 gf.

B: 전단력이 25gf 초과 40gf 이하였다.B: The shear force was more than 25 gf and 40 gf or less.

C: 전단력이 25gf 이하였다.C: The shear force was 25 gf or less.

단, 1gf는 9.80665×10-3N(뉴턴)으로 한다.However, 1 gf is 9.80665 × 10 -3 N (Newton).

[표 3][Table 3]

Figure 112021093510050-pct00046
Figure 112021093510050-pct00046

이상의 결과로부터, 본 발명에 관한, 복소환 함유 폴리머 전구체, 및 식 (1-1)로 나타나는 화합물을 포함하는 경화성 수지 조성물은, 보존 안정성이 우수하고, 또한, 얻어지는 경화막의 파단 신장률이 우수한 것을 알 수 있다.From the above results, it was found that the curable resin composition containing the heterocycle-containing polymer precursor and the compound represented by formula (1-1) according to the present invention has excellent storage stability and excellent elongation at break of the resulting cured film. can

비교예 1에 관한 경화성 수지 조성물은, 식 (1-1)로 나타나는 화합물을 함유하지 않고, 식 (RB-1)로 나타나는 화합물을 열염기 발생제로서 함유한다. 이 비교예 1에 관한 경화성 수지 조성물은, 보존 안정성이 뒤떨어지는 것을 알 수 있다.The curable resin composition according to Comparative Example 1 does not contain the compound represented by formula (1-1), but contains the compound represented by formula (RB-1) as a heat base generator. It is understood that the curable resin composition according to Comparative Example 1 is inferior in storage stability.

비교예 2에 관한 경화성 수지 조성물은, 식 (1-1)로 나타나는 화합물을 함유하지 않는다. 이 비교예 2에 관한 경화성 수지 조성물은, 파단 신장률이 뒤떨어지는 것을 알 수 있다.The curable resin composition according to Comparative Example 2 does not contain a compound represented by Formula (1-1). It is understood that the curable resin composition according to Comparative Example 2 is inferior in elongation at break.

<실시예 101><Example 101>

실시예 1에 기재된 경화성 수지 조성물을, 구리박층이 형성된 수지 기재의 표면에 스핀 코트법에 의하여 층상으로 적용하고, 100℃에서 5분간 건조하여, 막두께 20μm의 경화성 수지 조성물층을 형성한 후, 스테퍼(니콘제, NSR1505 i6)를 이용하여 노광했다. 노광은 마스크(패턴이 1:1 라인 앤드 스페이스이며, 선폭이 10μm인 바이너리 마스크)를 통하여, 파장 365nm로 행했다. 노광 후, 사이클로펜탄온으로 30초간 현상하고, PGMEA로 20초간 린스하여, 패턴을 얻었다.The curable resin composition described in Example 1 was applied in layers to the surface of the resin substrate on which the copper foil layer was formed by spin coating, and dried at 100 ° C. for 5 minutes to form a curable resin composition layer having a film thickness of 20 μm, Exposure was performed using a stepper (manufactured by Nikon, NSR1505 i6). Exposure was performed at a wavelength of 365 nm through a mask (a binary mask with a 1:1 line-and-space pattern and a line width of 10 μm). After exposure, it was developed for 30 seconds with cyclopentanone and rinsed with PGMEA for 20 seconds to obtain a pattern.

이어서, 230℃에서 3시간 가열하고, 재배선층용 층간 절연막을 형성했다. 이 재배선층용 층간 절연막은, 절연성이 우수했다.Subsequently, it was heated at 230°C for 3 hours to form an interlayer insulating film for a redistribution layer. This interlayer insulating film for the redistribution layer was excellent in insulating properties.

또, 이들의 재배선층용 층간 절연막을 사용하여 반도체 디바이스를 제조한 결과, 문제없이 동작하는 것을 확인했다.In addition, as a result of manufacturing semiconductor devices using these interlayer insulating films for redistribution layers, it was confirmed that they operated without problems.

Claims (18)

복소환 함유 폴리머 전구체, 및
하기 식 (1-1)로 나타나는 화합물을 포함하는, 경화성 수지 조성물.
[화학식 1]
Figure 112023049831026-pct00047

식 (1-1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 1가의 유기기를 나타내고, L1은 탄소수 1~5의 알킬렌기 또는 탄소수 2~5의 알케닐렌기를 나타내며, R3은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R1과 R2는 결합하여 환 구조를 형성해도 된다.
a heterocycle-containing polymer precursor, and
Curable resin composition containing the compound represented by following formula (1-1).
[Formula 1]
Figure 112023049831026-pct00047

In formula (1-1), R 1 and R 2 each independently represent a monovalent organic group, L 1 represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or an alkenylene group having 2 to 5 carbon atoms, and R 3 is a hydrogen atom. Alternatively, it represents a monovalent organic group, and R 1 and R 2 may combine to form a ring structure.
청구항 1에 있어서,
상기 L1이 연결쇄 길이 1~5의 2가의 연결기인, 경화성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Curable resin composition, wherein said L 1 is a divalent linking group having a link chain length of 1 to 5.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 R1 및 상기 R2가 각각 독립적으로, 탄화 수소기인, 경화성 수지 조성물.
According to claim 1 or claim 2,
Wherein R 1 and R 2 are each independently a hydrocarbon group, curable resin composition.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 L1이, 1,2-에틸렌기, 1,3-프로페인다이일기, 1,2-사이클로헥세인다이일기, 시스바이닐렌기, 또는, 1,2-에틸렌옥시-1,2-에틸렌기인, 경화성 수지 조성물.
According to claim 1 or claim 2,
L 1 is a 1,2-ethylene group, a 1,3-propanediyl group, a 1,2-cyclohexanediyl group, a cisvinylene group, or a 1,2-ethyleneoxy-1,2-ethylene group. , curable resin composition.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 R3이, 수소 원자, 알킬기, 또는, 아릴기인, 경화성 수지 조성물.
According to claim 1 or claim 2,
The curable resin composition in which said R3 is a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 식 (1-1)로 나타나는 화합물의 분자량이 100 이상 2,000 이하인, 경화성 수지 조성물.
According to claim 1 or claim 2,
Curable resin composition whose molecular weight of the compound represented by said Formula (1-1) is 100 or more and 2,000 or less.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
광라디칼 중합 개시제 및 라디칼 중합성 화합물을 더 포함하는, 경화성 수지 조성물.
According to claim 1 or claim 2,
A curable resin composition further comprising an optical radical polymerization initiator and a radically polymerizable compound.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 복소환 함유 폴리머 전구체로서, 폴리이미드 전구체 및 폴리벤즈옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 전구체를 포함하는, 경화성 수지 조성물.
According to claim 1 or claim 2,
A curable resin composition comprising at least one precursor selected from the group consisting of a polyimide precursor and a polybenzoxazole precursor as the heterocycle-containing polymer precursor.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 복소환 함유 폴리머 전구체로서, 폴리이미드 전구체를 포함하는, 경화성 수지 조성물.
According to claim 1 or claim 2,
Curable resin composition containing a polyimide precursor as said heterocycle containing polymer precursor.
청구항 9에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가 하기 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 갖는, 경화성 수지 조성물;
[화학식 2]
Figure 112021093510050-pct00048

식 (1) 중, A1 및 A2는, 각각 독립적으로 산소 원자 또는 -NH-를 나타내고, R111은, 2가의 유기기를 나타내며, R115는, 4가의 유기기를 나타내고, R113 및 R114는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.
The method of claim 9,
Curable resin composition in which the said polyimide precursor has a repeating unit represented by following formula (1);
[Formula 2]
Figure 112021093510050-pct00048

In Formula (1), A 1 and A 2 each independently represent an oxygen atom or -NH-, R 111 represents a divalent organic group, R 115 represents a tetravalent organic group, and R 113 and R 114 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group each independently.
청구항 10에 있어서,
상기 식 (1)에 있어서의 R113 및 R114 중 적어도 일방이 라디칼 중합성기를 포함하는, 경화성 수지 조성물.
The method of claim 10,
Curable resin composition in which at least one of R113 and R114 in said Formula (1) contains a radical polymerizable group.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
재배선층용 층간 절연막의 형성에 이용되는, 경화성 수지 조성물.
According to claim 1 or claim 2,
A curable resin composition used for forming an interlayer insulating film for a redistribution layer.
청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막.A cured film obtained by curing the curable resin composition according to claim 1 or 2. 청구항 13에 기재된 경화막을 2층 이상 포함하고, 상기 경화막끼리 중 어느 하나의 사이에 금속층을 포함하는 적층체.A laminate comprising two or more layers of the cured film according to claim 13 and including a metal layer between any of the cured films. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 경화성 수지 조성물을 기재에 적용하여 막을 형성하는 막 형성 공정을 포함하는, 경화막의 제조 방법.A method for producing a cured film comprising a film formation step of applying the curable resin composition according to claim 1 or 2 to a substrate to form a film. 청구항 15에 있어서,
상기 막을 가열하여 상기 식 (1-1)에 의하여 나타나는 화합물을 분해하는 가열 공정을 더 포함하는, 경화막의 제조 방법.
The method of claim 15
A method for producing a cured film, further comprising a heating step of heating the film to decompose the compound represented by the formula (1-1).
청구항 13에 기재된 경화막을 포함하는, 반도체 디바이스.A semiconductor device comprising the cured film according to claim 13. 하기 식 (1-2)에 의하여 나타나는 열염기 발생제.
[화학식 3]
Figure 112023049831026-pct00049

식 (1-2) 중, R21 및 R22는 각각 독립적으로, 1가의 유기기를 나타내고, L21은 탄소수 1~5의 알킬렌기 또는 탄소수 2~5의 알켄일렌기를 나타내며, L21의 양 말단의 결합 위치에 있어서의 원자는 모두 탄소 원자이고, R23은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.
A thermobase generator represented by the following formula (1-2).
[Formula 3]
Figure 112023049831026-pct00049

In Formula (1-2), R 21 and R 22 each independently represent a monovalent organic group, L 21 represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or an alkenylene group having 2 to 5 carbon atoms, and both ends of L 21 All atoms at the bonding position of are carbon atoms, and R 23 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202219092A (en) * 2020-09-01 2022-05-16 日商富士軟片股份有限公司 Curable resin composition, cured object, layered product, method for producing cured object, semiconductor device, and photobase generator
WO2023120035A1 (en) * 2021-12-23 2023-06-29 富士フイルム株式会社 Resin composition, cured object, laminate, cured object manufacturing method, laminate manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004198678A (en) 2002-12-18 2004-07-15 Toray Ind Inc Positive photosensitive resin precursor composition
WO2010001779A1 (en) 2008-07-01 2010-01-07 日本電気株式会社 Photosensitive insulating resin composite and pattern forming method using the same
JP2013222020A (en) * 2012-04-16 2013-10-28 Fujifilm Corp Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device
WO2018151195A1 (en) 2017-02-20 2018-08-23 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, heterocyclic ring-containing polymer precursor, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device
WO2018181182A1 (en) * 2017-03-29 2018-10-04 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5071803B2 (en) * 2007-09-03 2012-11-14 学校法人東京理科大学 Photosensitive resin composition
JP6151475B2 (en) * 2010-09-30 2017-06-21 大日本印刷株式会社 Photosensitive resin composition, pattern forming material, and pattern forming method
JP6136486B2 (en) 2013-04-08 2017-05-31 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 Resin composition and pattern forming method using the same
TWI671343B (en) 2014-06-27 2019-09-11 日商富士軟片股份有限公司 Thermosetting resin composition, cured film, method for producing cured film, and semiconductor device
TWI830588B (en) * 2016-08-01 2024-01-21 日商富士軟片股份有限公司 Photosensitive resin composition, cured film, laminated body, manufacturing method of cured film, laminated body manufacturing method, and semiconductor element
JP7133027B2 (en) * 2018-09-27 2022-09-07 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, semiconductor device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004198678A (en) 2002-12-18 2004-07-15 Toray Ind Inc Positive photosensitive resin precursor composition
WO2010001779A1 (en) 2008-07-01 2010-01-07 日本電気株式会社 Photosensitive insulating resin composite and pattern forming method using the same
JP2013222020A (en) * 2012-04-16 2013-10-28 Fujifilm Corp Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device
WO2018151195A1 (en) 2017-02-20 2018-08-23 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, heterocyclic ring-containing polymer precursor, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device
WO2018181182A1 (en) * 2017-03-29 2018-10-04 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device

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