KR102555203B1 - 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 96
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 86
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 46
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 38
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 38
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000087 laser glass Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Hg 12 Chemical compound 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M silver bromide Chemical compound [Ag]Br ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/20—Bonding
- B23K26/21—Bonding by welding
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K31/00—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups
- B23K31/02—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups relating to soldering or welding
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
본 발명은 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법에 관한 것으로, 하부 투광 플레이트의 상면에 복수의 중공 영역들과 상기 복수의 중공 영역들의 외곽에 위치하는 복수의 측면 투광 플레이트들을 형성하는 단계; 상기 복수의 중공 영역들에 퀀텀닷 형광체(Quantum dot, QD)를 주입하는 단계; 상기 하부 투광 플레이트의 상부에 상부 투광 플레이트를 배치하고, 상기 상부 투광 플레이트의 상면에 수직한 방향으로 제1 파장의 레이저 빔을 조사하여 상기 측면 투광 플레이트들 및 상기 상부 투광 플레이트를 용접하는 단계; 및 상기 측면 투광 플레이트들을 수직한 방향으로 컷팅하여 복수의 퀀덤닷 플레이트 조립체를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 용접 단계는, 공기 제거용 지그를 이용하여 상기 중공 영역들을 진공 상태로 유지하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 투광 플레이트 바디의 중공 영역에 QD 형광체가 실링된 퀀텀닷 플레이트 조립체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
발광 소자(LIGHT EMITTING DEVICE, LED)는 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
이에 기존의 광원을 발광 소자로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 실내/외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 발광 소자를 사용하는 경우가 증가하고 있다.
한편, LED 분야에서는 백색 LED에 대한 수요가 높다. 이러한 백색 LED를 구현하는 방식에는 여러 색상의 LED 칩들을 조합하는 방식과, 특정 색의 광을 방사하는 LED 칩과 해당 칩에서 방사되는 광의 파장을 변환하는 형광체를 조합하는 방식이 있다. 현재 백색 LED를 구현하기 위해서는 후자의 방식이 주로 사용되고 있으며, 가장 대표적으로는 청색 LED 칩 위에 YAG: Ce 벌크 형광체를 도포하여 백색 LED를 구현하고 있다.
그런데, 이러한 벌크 형광체를 적용한 LED 패키지는 디스플레이 제작 시, 고색재현성을 구현하기 어려운 문제가 있다. 이를 해결하기 위해, 최근에는 양자점(quantum dot, QD) 형광체를 이용하여 LED 패키지를 구현하기 위한 다양한 시도들이 진행되고 있다.
양자점은 반도체 특성을 갖는 수십 나노미터(nm) 이하 크기의 나노 입자를 말하며, 양자 제한 효과(quantum confinement effect)에 의해 벌크 크기의 입자들과는 상이한 특성을 나타내기 때문에 크게 주목 받고 있는 핵심 소재이다.
그런데, 이러한 양자점은 외부의 환경 조건(수분, 산소, 열 등)에 매우 취약하여 성능 저하가 쉽게 발생하는 문제가 있다. 특히, 레일 타입의 양자점은 레일 형태에 따른 가공의 어려움이 있고 열에 취약한 문제가 있다. 또한, 필름 타입의 양자점은 대면적 사용에 따른 고 비용 문제가 있다.
그리고, 종래에는 수지(polymer)에 양자점(QD)을 혼합하여 이를 시트(sheet) 상태로 만들고, 이 시트 표면을 외부의 수분 등으로부터 보호하고 제품 수명(life cycle)을 유지하기 위해, 다수의 베리어층(barrier layer)을 시트 표면에 코팅하는 방법을 사용하였다. 그러나 이러한 종래의 방법은 베리어층을 여러 번 코팅해야 함에 따라, 제조 비용이 많이 들고, 무엇보다도 양자점(QD)을 완벽하게 외부로부터 보호하는데 한계가 있었다.
본 발명은 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다. 또 다른 목적은 투광 플레이트 바디의 중공 영역(Empty Portion)에 QD 형광체가 실링된 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법을 제공함에 있다.
또 다른 목적은 투광 플레이트 바디의 중공 영역에 배치된 QD 형광체와 상부 투광 플레이트 사이의 빈 공간에 존재하는 공기를 제거하여 진공 상태를 유지하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법을 제공함에 있다.
또 다른 목적은 투광 플레이트 바디의 중공 영역에 배치된 QD 형광체와 상부 투광 플레이트 사이의 빈 공간에 질소(N2) 가스를 포함하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따르면, 하부 투광 플레이트의 상면에 복수의 중공 영역들과 상기 복수의 중공 영역들의 외곽에 위치하는 복수의 측면 투광 플레이트들을 형성하는 단계; 상기 복수의 중공 영역들에 퀀텀닷 형광체(Quantum dot, QD)를 주입하는 단계; 상기 하부 투광 플레이트의 상부에 상부 투광 플레이트를 배치하고, 상기 상부 투광 플레이트의 상면에 수직한 방향으로 제1 파장의 레이저 빔을 조사하여 상기 측면 투광 플레이트들 및 상기 상부 투광 플레이트를 용접하는 단계; 및 상기 측면 투광 플레이트들을 수직한 방향으로 컷팅하여 복수의 퀀덤닷 플레이트 조립체를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 용접 단계는, 공기 제거용 지그를 이용하여 상기 중공 영역들을 진공 상태로 유지하는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 하부 투광 플레이트의 상면에 복수의 중공 영역들과 상기 복수의 중공 영역들의 외곽에 위치하는 복수의 측면 투광 플레이트들을 형성하는 단계; 상기 복수의 중공 영역들에 퀀텀닷(Quantum dot, QD) 형광체를 주입하는 단계; 상기 하부 투광 플레이트의 상부에 상기 상부 투광 플레이트를 배치하고, 상기 상부 투광 플레이트의 상면에 수직한 방향으로 레이저 빔을 조사하여 상기 측면 투광 플레이트들 및 상기 상부 투광 플레이트를 용접하는 단계; 및 상기 측면 투광 플레이트들을 수직한 방향으로 컷팅하여 복수의 퀀덤닷 플레이트 조립체를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 용접 단계는, 질소 주입용 지그를 이용하여 상기 중공 영역들에 질소(N2) 가스를 주입하는 것을 특징으로 하는 퀀덤닷 플레이트 조립체의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시 예들에 따른 퀀텀닷 플레이트 조립체와 그 제조방법의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 상부 투광 플레이트와 하부 투광 플레이트 사이의 중공 영역에 QD 형광체를 주입한 후 레이저 빔으로 상부 및 하부 투광 플레이트를 용접하여 QD 플레이트 조립체를 구현함으로써, 외부의 환경 조건에 취약한 QD 형광체를 안전하게 보호할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 공기 제거용 지그를 이용한 레이저 글래스 용접을 통해 투광 플레이트 바디의 중공 영역에 배치된 QD 형광체와 상부 투광 플레이트 사이의 빈 공간을 진공 상태로 유지함으로써, 외부의 환경 조건(수분, 산소 등)에 의한 QD 형광체의 성능 저하를 최소화할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 질소 주입용 지그를 이용한 레이저 글래스 용접을 통해 투광 플레이트 바디의 중공 영역에 배치된 QD 형광체와 상부 투광 플레이트 사이의 빈 공간에 질소 가스를 주입함으로써, 외부의 환경 조건(수분, 산소 등)에 의한 QD 형광체의 성능 저하를 최소화할 수 있다는 장점이 있다.
다만, 본 발명의 실시 예들에 따른 퀀텀닷 플레이트 조립체와 그 제조방법이 달성할 수 있는 효과는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 사시도;
도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 단면도;
도 1c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 분해 사시도;
도 2는 퀀텀닷의 크기와 발광 색상 간의 관계를 설명하기 위해 참조되는 도면;
도 3은 하부 투광 플레이트의 트렌치를 형성하는 방법들을 예시하기 위해 참조되는 도면;
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 제조방법을 설명하는 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 레이저 용접 공정을 설명하는 순서도;
도 6은 도 5의 레이저 용접 공정에 사용되는 공기 제거용 지그의 구성을 예시하는 도면;
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 레이저 용접 공정을 설명하는 순서도;
도 8은 도 7의 레이저 용접 공정에 사용되는 질소 주입용 지그의 구성을 예시하는 도면.
도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 단면도;
도 1c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 분해 사시도;
도 2는 퀀텀닷의 크기와 발광 색상 간의 관계를 설명하기 위해 참조되는 도면;
도 3은 하부 투광 플레이트의 트렌치를 형성하는 방법들을 예시하기 위해 참조되는 도면;
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 제조방법을 설명하는 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 레이저 용접 공정을 설명하는 순서도;
도 6은 도 5의 레이저 용접 공정에 사용되는 공기 제거용 지그의 구성을 예시하는 도면;
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 레이저 용접 공정을 설명하는 순서도;
도 8은 도 7의 레이저 용접 공정에 사용되는 질소 주입용 지그의 구성을 예시하는 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하, 본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명은 투광 플레이트 바디의 중공 영역에 QD 형광체가 실링된 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법을 제안한다. 또한, 본 발명은 투광 플레이트 바디의 중공 영역에 배치된 QD 형광체와 상부 투광 플레이트 사이의 빈 공간에 존재하는 공기를 제거하여 진공 상태를 유지하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법을 제안한다. 또한, 본 발명은 투광 플레이트 바디의 중공 영역에 배치된 QD 형광체와 상부 투광 플레이트 사이의 빈 공간에 질소(N2) 가스를 포함하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법을 제안한다.
이하에서는, 본 발명의 다양한 실시 예들에 대하여, 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 사시도이고, 도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 단면도이며, 도 1c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 분해 사시도이다.
도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 퀀텀닷 플레이트 조립체(또는 QD 플레이트 조립체, 100)는 빛의 파장을 변환하는 QD 물질(110), 상기 QD 물질(110)을 실링하는 투광 플레이트 바디를 포함할 수 있다.
QD 물질(110)은 퀀텀닷(또는 양자점, Quantum Dot)을 포함하는 색광 변환 물질로서, 아크릴레이트(acrylate) 또는 에폭시 폴리머(epoxy polymer) 또는 이들의 조합과 같은 매트릭스 물질에 퀀텀닷을 혼합 또는 분산하여 형성될 수 있다. 이하 본 명세서에서, 상기 QD 물질(110)은 QD 형광체로 지칭될 수 있다.
퀀텀닷은 지름이 수 나노미터(nm)인 반도체 나노 입자로 양자구속 혹은 양자가둠 효과(Quantum Confinement Effect)와 같은 양자 역학(Quantum Mechanics)적 특성을 지니고 있다. 여기서, 양자구속 효과란 반도체 나노 입자의 크기가 작아짐에 따라 띠 간격 에너지(band gap energy)가 커지는(역으로 파장은 작아지는) 현상을 의미한다. 화학 합성 공정으로 만들어지는 퀀텀닷은 재료를 바꾸지 않고 입자 크기를 조절하는 것만으로도 원하는 색상을 구현할 수 있다. 가령, 도 2에 도시된 바와 같이, 양자구속 효과에 따라 나노 입자 크기가 작을수록 짧은 파장을 갖는 청색 빛을 발광할 수 있고, 나노 입자의 크기가 클수록 긴 파장을 갖는 적색 빛을 발광할 수 있다. 본 실시 예에서, 나노 입자는 약 100nm 이하, 약 50nm 이하, 약 20nm 이하, 약 15nm 이하의 크기를 가질 수 있고, 또는 약 2 내지 10nm 크기 범위에 있을 수 있다.
퀀텀닷은 Ⅱ-Ⅵ족, Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅳ족 물질일 수 있으며, 구체적으로 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, InP, GaP, GaInP2, PbS, ZnO, TiO2, AgI, AgBr, Hg12, PbSe, In2S3, In2Se3, Cd3P2, Cd3As2 또는 GaAs일 수 있다. 또한, 퀀텀닷은 코어-쉘 구조(core-shell)를 가질 수 있다. 여기서, 코어(core)는 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 및 HgS로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함하고, 쉘(shell)은 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 및 HgS로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.
투광 플레이트 바디는 하부 투광 플레이트(120), 상기 하부 투광 플레이트(120)의 상면에 형성되는 복수개의 측면 투광 플레이트(140), 상기 하부 투광 플레이트(120) 상면에 대응하며 상기 복수개의 측면 투광 플레이트(140)의 상면에 형성되는 상부 투광 플레이트(130)를 포함할 수 있다.
투광 플레이트 바디의 내측에는 QD 물질(110)을 실장하기 위한 중공 영역(또는 트렌치 영역, 150)이 형성될 수 있다.
하부 투광 플레이트(120)는 투광성이 좋은 투명한 재질로 형성될 수 있다. 또한, 하부 투광 플레이트(120)는 용접성 또는 접합성이 좋은 재질로 형성될 수 있다. 바람직한 실시 예로, 상기 하부 투광 플레이트(120)는 유리 재질로 형성될 수 있다.
하부 투광 플레이트(120)의 상면(또는 상부)에는 중공 영역(150) 및 측면 투광 플레이트(140)가 형성될 수 있다. 하부 투광 플레이트(120)의 상면에 중공 영역(150) 및 측면 투광 플레이트들(140)을 형성하는 방법으로는, 크게 세 가지 공정 즉, 기계적 가공 공정, 화학적 가공 공정 및 조립 공정 등이 있다.
가령, 도 3에 도시된 바와 같이, 기계적 가공 공정은 그라인더(grinder)로 하부 투광 플레이트(120)의 상면을 깎아서 트렌치를 형성하는 공정이다. 화학적 가공 공정은 에칭 용액과 마스크(mask)로 하부 투광 플레이트(120)의 상면을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정이다. 조립 공정은 복수 개의 글래스 부재들을 레이저로 용접하여 트렌치를 형성하는 공정이다.
하부 투광 플레이트(120)의 전체적인 형상은 얇은 플레이트 형상으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 하부 투광 플레이트(120)의 상면과 하면은 미리 결정된 모양(가령, 직사각형, 정사각형, 원형, 타원형 등)으로 형성될 수 있다. 또한, 하부 투광 플레이트(120)는 균일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다.
중공 영역(150)의 전체적인 형상은 하부 투광 플레이트(120)의 외부 형상과 동일 또는 유사한 모양으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 중공 영역(150)의 상면과 하면은 미리 결정된 모양(가령, 직사각형, 정사각형, 원형, 타원형 등)으로 형성될 수 있다. 상기 중공 영역(150)은 균일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 중공 영역(150)은 하부 투광 플레이트(120)의 두께보다 작은 두께를 갖도록 형성될 수 있다.
복수의 측면 투광 플레이트들(140)은 하부 투광 플레이트(120)의 상면의 맨 가장자리 영역을 따라 중공 영역(150)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 복수의 측면 투광 플레이트들(140)은 직사각형의 고리 모양으로 형성될 수 있다.
상부 투광 플레이트(130)는 하부 투광 플레이트(120)와 동일한 재질 즉, 투광성 및 용접성이 좋은 투명한 재질로 형성될 수 있다. 바람직한 실시 예로, 상기 상부 투광 플레이트(130)는 유리 재질로 형성될 수 있다.
상부 투광 플레이트(130)는 측면 투광 플레이트들(140)의 상부에 배치되어, 상기 중공 영역(150)에 존재하는 QD 물질(110)을 커버할 수 있다. 하부 투광 플레이트(120)와 복수의 측면 투광 플레이트들(140)이 서로 만나는 영역을 펨토 레이저 빔으로 용접(welding)하여 QD 플레이트 조립체(100)를 형성할 수 있다. 이러한 레이저 글래스 용접(laser glass welding)을 통해, 하부 투광 플레이트(120)와 상부 투광 플레이트(130)와 측면 투광 플레이트들(140) 사이의 빈 공간(즉, 중공 영역, 150)에 QD 물질(110)을 밀봉할 수 있다.
상부 투광 플레이트(130)는 측면 투광 플레이트들(140)의 상부와 만나는 접촉부와 상기 중공 영역(150)에 대응되는 평탄(Flat)부를 구비할 수 있다.
상부 투광 플레이트(130)의 전체적인 형상은 얇은 플레이트 형상으로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 상부 투광 플레이트(130)의 상면과 하면은 미리 결정된 모양(가령, 직사각형, 정사각형, 원형, 타원형 등)으로 형성될 수 있다. 상부 투광 플레이트(130)는 균일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다.
상부 투광 플레이트(130)는 하부 투광 플레이트(120)와 동일한 모양 및 크기를 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 하부 플레이트(120)와 상부 투광 플레이트(130)와 복수의 측면 투광 플레이트들(140)은 높은 평탄도를 갖도록 형성되어, 레이저 용접으로 인한 접합율을 향상시킬 수 있다. 일 예로, 상부 투광 플레이트(130)와 하부 투광 플레이트(120)와 복수의 측면 투광 플레이트들(140)은 1 마이크로미터(㎛) 이하의 평탄도를 가질 수 있다.
투광 플레이트 바디의 중공 영역(150)에 배치된 QD 물질(110)과 상부 투광 플레이트(130) 사이의 빈 공간은 진공 상태로 유지되거나 혹은 질소 가스(N2)로 채워질 수 있다.
이러한 QD 물질(110), 하부 투광 플레이트(120), 상부 투광 플레이트(130) 및 측면 투광 플레이트들(140)을 포함하는 QD 플레이트 조립체(100)는 LED 칩(미도시) 상에 배치되어, 상기 LED 칩에서 방사되는 빛의 파장을 효과적으로 변환할 수 있다. 또한, 상기 QD 플레이트 조립체(100)는 레이저 빔을 이용하여 투광 플레이트 바디의 중공 영역(150)에 QD 물질(110)을 실링함으로써, 외부의 환경 조건에 취약한 QD 물질을 안전하게 보호할 수 있다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 QD 플레이트 조립체의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 일정한 크기 및 두께를 갖는 하부 투광 플레이트(또는 제1 글래스 플레이트, 410)를 생성할 수 있다. 상기 하부 투광 플레이트(410)는 미리 결정된 모양(가령, 직사각형 또는 정사각형)을 갖는 판 형상으로 구성될 수 있다.
하부 투광 플레이트(410)의 상면에 복수의 중공 영역들(420)과 상기 복수의 중공 영역들(420)의 외곽에 위치하는(또는 상기 복수의 중공 영역들을 둘러싸는) 복수의 측면 투광 플레이트들(413)을 형성할 수 있다. 일 실시 예로, 하부 투광 플레이트(410)의 상면을 그라인더(grinder)로 깎아서 복수의 중공 영역들(420)과 복수의 측면 투광 플레이트들(413)을 형성할 수 있다. 한편, 다른 실시 예로, 하부 투광 플레이트(410)의 상면을 에칭 용액 및 마스크(mask)로 식각하여 복수의 중공 영역들(420)과 복수의 측면 투광 플레이트들(413)을 형성할 수 있다.
트렌치 공정이 완료된 하부 투광 플레이트(410)는 복수의 중공 영역들(420)에 대응하는 평탄부(411)와 상기 평탄부(411)로부터 수직 방향으로 연장되는 복수의 측면 투광 플레이트들(413)로 구성될 수 있다.
복수의 중공 영역들(420)은 하부 투광 플레이트(410)의 상면에 매트릭스 형태로 배열되도록 형성될 수 있다. 상기 복수의 중공 영역들(420)은 일정한 간격으로 배치되도록 형성될 수 있다. 한편, 다른 실시 예로, 복수의 중공 영역들(420)은 하부 투광 플레이트(410)의 상면에 일렬로 배열되도록 형성될 수도 있다.
각각의 중공 영역(420)은 서로 동일한 모양 및 크기를 갖도록 형성될 수 있다. 일 예로, 각각의 중공 영역(420)은 얇은 직육면체 모양으로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 중공 영역(420)은 균일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다.
도 4c를 참조하면, 트렌치 공정이 완료된 하부 투광 플레이트(410)를 챔버(chamber) 내부로 이동시킨 후, 챔버 내부의 공기를 외부로 배출하여 상기 챔버 내부를 진공 상태로 만들 수 있다.
이러한 진공 조건에서, 형광체 주입 장치(미도시)를 이용하여 QD 형광체(430)를 하부 투광 플레이트(410)의 상면에 형성된 복수의 중공 영역들(420)에 주입할 수 있다.
통상 QD 형광체(430)는 졸(sol) 상태이므로, 각 중공 영역(420)의 하부에서부터 상부 방향으로 채워지게 된다. 상기 QD 형광체(430)는 형광체 주입 장치를 통해 복수의 측면 투광 플레이트들(413)의 상면과 동일한 높이 혹은 그 보다 약간 낮은 높이까지 주입될 수 있다.
QD 형광체(430)의 주입이 모두 완료되면, 챔버 내부의 온도를 미리 결정된 온도까지 상승시켜 복수의 중공 영역들(420)에 주입된 QD 형광체(430)를 단단하게 경화시킬 수 있다. 이에 따라, QD 형광체(430)는 중공 영역(420)의 형상에 대응한다.
이후, 레이저 글래스 용접을 수행하기 위해, 세척 장치를 이용하여 QD 형광체(430)와 인접한 측면 투광 플레이트들(413)의 상면을 세척할 수 있다. 또한, 세척 장치를 이용하여 측면 투광 플레이트들(413)과 용접할 상부 투광 플레이트(또는 제2 글래스 플레이트, 440)를 세척할 수도 있다.
도 4d를 참조하면, 일정한 모양 및 크기를 갖는 상부 투광 플레이트(440)를 생성할 수 있다. 마찬가지로, 상기 상부 투광 플레이트(440)는 미리 결정된 모양(가령, 직사각형 또는 정사각형)을 갖는 판 형상으로 구성될 수 있다.
상부 투광 플레이트(440)는 측면 투광 플레이트들(413)의 상부에 배치되어, 복수의 중공 영역들(420)에 존재하는 QD 형광체(430)를 커버할 수 있다. 이와 같이 적층된 하부 및 상부 투광 플레이트들(410, 440)을 투광 플레이트 조립체라 지칭하도록 한다.
하부 투광 플레이트(410)와 복수의 측면 투광 플레이트들(413)과 상부 투광 플레이트(440)는 높은 평탄도를 갖도록 형성되어, 레이저 용접으로 인한 접합율을 향상시킬 수 있다. 일 예로, 하부 투광 플레이트(410)와 복수의 측면 투광 플레이트들(413)과 상부 투광 플레이트(440)의 평탄도는 1 마이크로미터 이하를 가질 수 있다.
하부 및 상부 투광 플레이트들(410, 440)이 적층된 상태에서, 레이저 장치(450)를 이용하여 미리 결정된 파장을 갖는 펨토 레이저 빔(femto laser beam)을 상부 투광 플레이트(440)의 상면에 수직한 방향으로 조사할 수 있다. 이때, 상기 미리 결정된 파장은 1000㎚ 내지 1100㎚의 파장을 포함할 수 있으며, 좀 더 바람직하게는 1030㎚ 내지 1060㎚의 파장을 포함할 수 있다.
레이저 장치(450)는 복수의 측면 투광 플레이트들(413)의 상면과 상부 투광 플레이트(440)의 하면이 서로 만나는 영역(즉, 도 4d에 도시된 점선 영역, 460)을 따라 펨토 레이저 빔을 조사할 수 있다. 상기 펨토 레이저 빔이 조사된 글래스 영역은 고온(가령, 2000℃ 내지 3000℃)으로 용융되어, 측면 투광 플레이트들(413)과 상부 투광 플레이트(440)를 접합시킨다. 본 발명에 따른 레이저 글래스 용접은 10-3g/㎡/day 미만의 투습도(즉, 단위면적당 습기가 침투할 수 있는 정도, Water Vapor Transmission Rate)를 유지함으로써, 상기 측면 투광 플레이트들(413)과 상부 투광 플레이트(440) 사이로 습기가 침투하는 것을 방지할 수 있다.
이러한 레이저 글래스 용접을 통해, 하부 투광 플레이트(410)와 상부 투광 플레이트(440) 사이에 존재하는 복수의 중공 영역들(420) 속에 QD 형광체(430)를 완벽하게 밀봉(sealing)할 수 있게 된다.
도 4e를 참조하면, 레이저 글래스 용접 완료 시, 컷팅 장치(미도시)를 이용하여 각 중공 영역들(420) 사이의 중간 지점(즉, 도 4e에 도시된 점선 영역, 470)을 따라 상부 투광 플레이트(440)의 상면에 수직한 방향으로 자를 수 있다. 즉, 컷팅 장치를 이용하여 복수의 측면 투광 플레이트들을 수직 방향으로 자를 수 있다. 이러한 단위 플레이트 영역에 따른 컷팅 공정을 통해 복수의 QD 플레이트 조립체(100)를 제작할 수 있다. 상기 컷팅 공정은 예를 들어, 블레이드(blade)를 이용해 물리적인 힘을 가하여 분리시키는 브레이킹 공정, 각 중공 영역들 사이에 레이저를 조사하여 분리시키는 레이저 스크라이빙 공정, 습식 식각 또는 건식 식각을 이용하여 분리시키는 식각 공정 등을 포함할 수 있으며 반드시 이에 한정되지는 않는다.
이상, 상술한 과정들을 통해 생성된 QD 플레이트 조립체는, 일체로 형성된 투광 플레이트 바디의 중공 영역에 QD 형광체를 실링함으로써, 외부의 환경 조건에 취약한 QD 형광체를 안전하게 보호할 수 있다.
그런데, 레이저 글래스 용접 과정에서, 복수의 측면 투광 플레이트들(413)과 상부 투광 플레이트(440) 사이의 작은 틈 사이로 공기가 침투하여 QD 플레이트 조립체의 성능을 저하시키는 문제가 있었다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 하부 투광 플레이트(410)와 상부 투광 플레이트(440) 사이의 빈 공간에 침투된 공기를 제거하는 공정을 추가할 필요가 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 레이저 용접 공정을 설명하는 순서도이고, 도 6은 도 5의 레이저 용접 공정에 사용되는 공기 제거용 지그의 구성을 예시하는 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 레이저 용접 공정 시, 하부 투광 플레이트와 상부 투광 플레이트 사이의 빈 공간에 존재하는 공기를 제거하기 위한 공기 제거용 지그(600)를 마련할 수 있다(S510).
공기 제거용 지그(600)는, 투광 플레이트 조립체(500)를 실장하기 위한 챔버(610)와, 챔버(610) 내부의 공기를 제거하기 위한 하나 이상의 진공 포트(620)와, 챔버(610)를 레이저 용접 지그(미도시)에 설치하기 위한 장착부(630)와, 챔버(610)의 개방된 상면을 커버하기 위한 상판부(640)와, 챔버(610)와 상판부(640) 사이에 배치되는 실링부(650)를 포함할 수 있다.
챔버(610)는 투광 플레이트 조립체(500)를 실장하기 위한 내부 공간을 구비할 수 있다. 상기 챔버(610)는 내열성을 갖는 금속 재질로 형성될 수 있다.
진공 포트(620)는 챔버(610)의 일 측면으로부터 외부로 돌출되도록 형성될 수 있다. 상기 진공 포트(620)는 챔버(610)와 동일한 재질로 형성될 수 있다.
장착부(630)는 챔버(610)의 하부에 설치되며, 공기 제거용 지그(600)를 레이저 용접 지그에 장착하기 위한 하나 이상의 체결 부재들을 포함할 수 있다. 이에 따라, 공기 제거용 지그(600)는 레이저 용접 지그에 고정되어 사용될 수 있다.
상판부(640)는 챔버(610)의 상부에 배치되어, 상기 챔버(610)의 개방된 상면을 커버할 수 있다. 상기 상판부(640)의 적어도 일 부분은 레이저 빔을 투과할 수 있는 석영(quartz) 재질로 형성될 수 있다.
실링부(650)는 챔버(610)와 상판부(640) 사이에 배치되어, 외부 공기가 챔버(610)와 상판부(640) 사이로 진입하지 못하도록 실링할 수 있다. 상기 실링부(650)는 탄성력을 갖는 재질로 형성될 수 있다.
이러한 공기 제거용 지그(600)를 레이저 장비의 아래에 위치하는 레이저 용접 지그에 설치할 수 있다(S520). 여기서, 레이저 용접 지그는, 레이저 용접 공정을 보조하기 위한 기계 설비로서, 공기 제거용 지그(600)를 고정시키기 위한 고정부와 공기 제거용 지그(600)를 2축(X축/Y축) 방향 또는 3축(X축/Y축/Z축) 방향으로 이동시키기 위한 구동부를 포함할 수 있다.
공기 제거용 지그(600)의 설치가 완료되면, 하부 투광 플레이트와 상부 투광 플레이트를 조립하여 투광 플레이트 조립체(500)를 형성할 수 있다(S530). 즉, QD 형광체가 주입된 하부 투광 플레이트의 상부에 상부 투광 플레이트를 적층할 수 있다.
공기 제거용 지그(600)의 상판부(640)를 분리한 후, 투광 플레이트 조립체(500)를 상기 공기 제거용 지그(600)의 챔버(610) 내부로 이동할 수 있다(S540). 상기 투광 플레이트 조립체(500)의 이동이 완료되면, 상판부(640)를 공기 제거용 지그(600)의 상부에 체결하여 외부의 공기가 챔버(610) 내부로 들어가지 못하도록 한다.
한편, 다른 실시 예로, 공기 제거용 지그(600)의 상판부(640)를 분리한 상태에서 하부 및 상부 투광 플레이트를 챔버(610) 내부로 이동한 다음, 상기 챔버(610) 내부에서 하부 및 상부 투광 플레이트를 조립할 수 있다. 상기 하부 및 상부 투광 플레이트의 조립이 완료되면, 상판부(640)를 공기 제거용 지그(600)의 상부에 체결하여 외부 공기가 챔버(610) 내부로 들어가지 못하도록 한다.
이후, 챔버(610)의 일 측면에 설치된 진공 포트(620)를 통해 챔버(610) 내부에 존재하는 공기를 모두 제거할 수 있다(S550). 이에 따라, 하부 투광 플레이트와 상부 투광 플레이트 사이에 존재하는 공간들은 진공 상태를 유지하게 된다.
이와 같이 챔버(610) 내부를 진공 상태로 유지한 상태에서, 레이저 장치를 이용하여 제1 파장 대를 갖는 레이저 빔을 공기 제거용 지그(600)의 상면에 수직한 방향으로 조사할 수 있다(S560). 이러한 레이저 빔은 공기 제거용 지그(600)의 상판부(640)를 투과하여 챔버(610) 내부에 존재하는 하부 투광 플레이트와 상부 투광 플레이트를 용접하게 된다.
레이저 글래스 용접이 완료되면, 공기 제거용 지그(600)의 상판부(640)를 분리하여 챔버(610) 내부에 존재하는 투광 플레이트 조립체(500)를 컷팅 공정실로 이동할 수 있다(S570). 상기 컷팅 공정실에서, 투광 플레이트 조립체(500)를 단위 플레이트 영역에 따라 컷팅하여 복수의 QD 플레이트 조립체들을 제조할 수 있다.
한편, 다른 실시 예로, 투광 플레이트 조립체(500)를 챔버(610) 외부로 이동할 필요 없이, 챔버(610) 내부에 존재하는 투광 플레이트 조립체(500)에 대해 제1 파장 대와 다른 제2 파장 대를 갖는 레이저 빔을 조사하여 상기 투광 플레이트 조립체(500)를 컷팅할 수 있다. 상기 컷팅 공정을 통해 제조된 복수의 QD 플레이트 조립체들을 공기 제거용 지그(600) 밖으로 이동할 수 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 공기 제거용 지그를 이용하여 레이저 글래스 용접을 수행함으로써, 하부 투광 플레이트의 중공 영역에 배치된 QD 형광체와 상부 투광 플레이트 사이의 빈 공간을 진공 상태로 유지할 수 있는 퀀텀닷 플레이트 조립체를 제조할 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 레이저 용접 공정을 설명하는 순서도이고, 도 8은 도 7의 레이저 용접 공정에 사용되는 질소 주입용 지그의 구성을 예시하는 도면이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 레이저 용접 공정 시, 하부 투광 플레이트와 상부 투광 플레이트 사이의 빈 공간에 질소(N2)를 주입하기 위한 질소 주입용 지그(800)를 마련할 수 있다(S710).
질소 주입용 지그(800)는, 투광 플레이트 조립체(700)를 실장하기 위한 하부 지그 모듈(810)과, 상기 하부 지그 모듈(810)의 개방된 상면을 커버하기 위한 상부 지그 모듈(820)을 포함할 수 있다.
하부 지그 모듈(810)은 투광 플레이트 조립체(700)를 실장하기 위한 몸체부(811), 질소 주입용 지그(800)를 이동하기 위한 그립 부재(813), 상부 지그 모듈(820)을 하부 지그 모듈(810)에 결합하기 위한 체결 부재(815), 질소 주입용 지그(800)를 다른 설비에 고정시키기 위한 고정 부재(817), 하부 지그 모듈(810)과 상부 지그 모듈(820) 사이로 외부 기체의 진입을 차단하기 위한 실링부(819) 등을 포함할 수 있다.
몸체부(811)는 투광 플레이트 조립체(700)를 실장하기 위한 내부 공간을 구비할 수 있다. 상기 몸체부(811)의 상면은 석영(quartz) 재질로 형성될 수 있다. 그립 부재(813)는 몸체부(811)의 일 측면으로부터 외부로 돌출되도록 형성될 수 있다. 실링부(819)는 몸체부(811)의 상부 테두리 영역에 배치되어, 외부 기체가 하부 지그 모듈(810)와 상부 지그 모듈(820) 사이로 진입하지 못하도록 실링할 수 있다. 상기 실링부(819)는 탄성력을 갖는 재질로 형성될 수 있다.
상부 지그 모듈(820)은 하부 지그 모듈(810)의 상부에 배치되어, 상기 하부 지그 모듈(810)의 개방된 상면을 커버할 수 있다. 상기 상부 지그 모듈(820)의 적어도 일 부분은 레이저 빔을 투과할 수 있는 석영(quartz) 재질로 형성될 수 있다.
이러한 질소 주입용 지그(800)를 질소 공정실로 이동하고, 상기 질소 공정실에 설치된 고정판(750)에 질소 주입용 지그(800)를 장착할 수 있다(S720). 여기서, 질소 공정실은, 질소(N2) 가스가 100%로 채워진 공정실을 의미한다. 상기 질소 공정실에서 작업하는 이유는, 퀀텀닷이 질소(N2) 가스와는 반응하지 않기 때문이다.
질소 주입용 지그(800)와 함께 하부 및 상부 투광 플레이트를 질소 공정실로 이동하고, 해당 공정실에서 하부 및 상부 투광 플레이트를 조립하여 투광 플레이트 조립체(700)를 형성할 수 있다(S730). 즉, 질소 공정실에서 QD 형광체가 주입된 하부 투광 플레이트의 상부에 상부 투광 플레이트를 적층할 수 있다.
이후, 투광 플레이트 조립체(700)를 질소 주입용 지그(800)의 하부 지그 모듈(810)로 이동할 수 있다(S740). 상기 투광 플레이트 조립체(700)의 이동이 완료되면, 상부 지그 모듈(820)을 하부 지그 모듈(810)에 체결하여 외부의 기체가 질소 주입용 지그(800) 내부로 들어가지 못하도록 한다.
한편, 다른 실시 예로, 하부 및 상부 투광 플레이트를 하부 지그 모듈(810)로 이동한 다음, 해당 모듈(810)에서 하부 및 상부 투광 플레이트를 조립할 수 있다. 상기 하부 및 상부 투광 플레이트의 조립이 완료되면, 상부 지그 모듈(820)을 하부 지그 모듈(810)에 체결하여 외부의 기체가 질소 주입용 지그(800) 내부로 들어가지 못하도록 한다. 이러한 과정들을 통해, 하부 투광 플레이트와 상부 투광 플레이트 사이에 존재하는 공간들에는 질소(N2) 가스만이 채워지게 된다.
질소 주입용 지그(800)의 조립이 완료되면, 투광 플레이트 조립체(700)와 질소 가스를 포함하는 질소 주입용 지그(800)를 질소 공정실에서 레이저 용접실로 이동할 수 있다(S750).
이러한 질소 주입용 지그(800)를 레이저 장비의 아래에 위치하는 레이저 용접 지그에 설치할 수 있다(S760). 여기서, 레이저 용접 지그는, 레이저 용접 공정을 보조하기 위한 기계 설비로서, 질소 주입용 지그(800)를 고정시키기 위한 고정부와 질소 주입용 지그(800)를 2축(X축/Y축) 방향 또는 3축(X축/Y축/Z축) 방향으로 이동시키기 위한 구동부를 포함할 수 있다.
질소 주입용 지그(800)의 설치가 완료되면, 레이저 장치를 이용하여 제1 파장 대를 갖는 레이저 빔을 질소 주입용 지그(800)의 상면에 수직한 방향으로 조사할 수 있다(S770). 이러한 레이저 빔은 상부 지그 모듈(820)을 투과하여 하부 지그 모듈(810)에 존재하는 하부 투광 플레이트와 상부 투광 플레이트를 용접하게 된다.
레이저 글래스 용접이 완료되면, 질소 주입용 지그(800)의 상부 지그 모듈(820)을 분리하여 하부 지그 모듈(810)에 존재하는 투광 플레이트 조립체(700)를 컷팅 공정실로 이동할 수 있다(S780). 상기 컷팅 공정실에서, 투광 플레이트 조립체(700)를 단위 플레이트 영역에 따라 컷팅하여 복수의 QD 플레이트 조립체들을 제조할 수 있다.
한편, 다른 실시 예로, 투광 플레이트 조립체(500)를 질소 주입용 지그(800) 외부로 이동할 필요 없이, 해당 지그(800)의 내부에 존재하는 투광 플레이트 조립체(700)에 대해 제1 파장 대와 다른 제2 파장 대를 갖는 레이저 빔을 조사하여 상기 투광 플레이트 조립체(700)를 컷팅할 수 있다. 상기 컷팅 공정을 통해 제조된 복수의 QD 플레이트 조립체들을 질소 주입용 지그(800) 밖으로 이동할 수 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 질소 주입용 지그를 이용하여 레이저 글래스 용접을 수행함으로써, 하부 투광 플레이트의 중공 영역에 배치된 QD 형광체와 상부 투광 플레이트 사이의 빈 공간에 질소 가스를 포함하는 퀀텀닷 플레이트 조립체를 제조할 수 있다.
한편 이상에서는 본 발명의 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되지 않으며, 후술 되는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: QD 플레이트 조립체 110: QD 형광체
120: 하부 투광 플레이트 121: 측면 투광 플레이트
123: 중공 영역 130: 상부 투광 플레이트
120: 하부 투광 플레이트 121: 측면 투광 플레이트
123: 중공 영역 130: 상부 투광 플레이트
Claims (20)
- 하부 투광 플레이트의 상면에 복수의 중공 영역들과 상기 복수의 중공 영역들의 외곽에 위치하는 복수의 측면 투광 플레이트들을 형성하는 단계;
상기 복수의 중공 영역들에 퀀텀닷 형광체(Quantum dot, QD)를 주입하는 단계;
상기 하부 투광 플레이트의 상부에 상부 투광 플레이트를 배치하고, 상기 상부 투광 플레이트의 상면에 수직한 방향으로 제1 파장의 레이저 빔을 조사하여 상기 측면 투광 플레이트들 및 상기 상부 투광 플레이트를 용접하는 단계; 및
상기 측면 투광 플레이트들을 수직한 방향으로 컷팅하여 복수의 퀀텀닷 플레이트 조립체를 형성하는 단계를 포함하되,
상기 용접 단계는, 공기 제거용 지그를 이용하여 상기 중공 영역들을 진공 상태로 유지하는 것을 특징으로 하며,
상기 공기 제거용 지그는, 상기 하부 투광 플레이트, 상기 측면 투광 플레이트들 및 상기 상부 투광 플레이트를 실장하기 위한 챔버, 상기 챔버 내부의 공기를 제거하기 위한 하나 이상의 진공 포트, 상기 챔버를 레이저 용접 지그에 설치하기 위한 장착부, 상기 챔버의 개방된 상면을 커버하기 위한 상판부, 및 상기 챔버와 상기 상판부 사이에 배치되는 실링부 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 용접 단계는,
상기 공기 제거용 지그를 레이저 용접 지그에 설치하는 단계; 및
상기 상부 투광 플레이트, 상기 측면 투광 플레이트들 및 상기 하부 투광 플레이트를 상기 공기 제거용 지그의 내부로 이동하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 제3항에 있어서, 상기 용접 단계는,
상기 공기 제거용 지그의 내부에 존재하는 공기를 제거하는 단계; 및
상기 공기 제거용 지그의 상면에 수직한 방향으로 레이저 빔을 조사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 제4항에 있어서,
상기 공기 제거용 지그의 상면은 석영(quartz) 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 공기 제거용 지그의 실링부는 탄성력을 갖는 재질로 형성되는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 제1항에 있어서, 상기 퀀텀닷 플레이트 조립체를 형성하는 단계는,
제2 파장의 레이저 빔으로 컷팅하여 상기 퀀텀닷 플레이트 조립체를 형성하며,
상기 제1 파장의 레이저 빔과 상기 제2 파장의 레이저 빔은 서로 다른 파장 대를 갖는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 레이저 빔은, 1000㎚ 내지 1100㎚의 파장을 갖는 펨토 레이저 빔임을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 상부 투광 플레이트, 상기 측면 투광 플레이트들 및 상기 하부 투광 플레이트의 평탄도는 1 마이크로미터(㎛) 이하인 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 중공 영역들은, 기계적 가공 공정, 화학적 가공 공정 및 조립 공정 중 어느 하나의 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 하부 투광 플레이트의 상면에 복수의 중공 영역들과 상기 복수의 중공 영역들의 외곽에 위치하는 복수의 측면 투광 플레이트들을 형성하는 단계;
상기 복수의 중공 영역들에 퀀텀닷(Quantum dot, QD) 형광체를 주입하는 단계;
상기 하부 투광 플레이트의 상부에 상부 투광 플레이트를 배치하고, 상기 상부 투광 플레이트의 상면에 수직한 방향으로 제1 파장의 레이저 빔을 조사하여 상기 측면 투광 플레이트들 및 상기 상부 투광 플레이트를 용접하는 단계; 및
상기 측면 투광 플레이트들을 수직한 방향으로 컷팅하여 복수의 퀀텀닷 플레이트 조립체를 형성하는 단계를 포함하되,
상기 용접 단계는, 질소 주입용 지그를 이용하여 상기 중공 영역들에 질소(N2) 가스를 주입하는 것을 특징으로 하며,
상기 질소 주입용 지그는, 상기 하부 투광 플레이트, 상기 측면 투광 플레이트들 및 상기 상부 투광 플레이트를 실장하기 위한 하부 지그 모듈과, 상기 하부 지그 모듈의 개방된 상면을 커버하기 위한 상부 지그 모듈을 포함하며,
상기 하부 지그 모듈은, 상기 하부 투광 플레이트, 상기 측면 투광 플레이트들 및 상기 상부 투광 플레이트를 실장하기 위한 몸체부, 상기 질소 주입용 지그를 이동하기 위한 그립 부재, 상기 상부 지그 모듈을 상기 하부 지그 모듈에 결합하기 위한 체결 부재, 상기 질소 주입용 지그를 다른 설비에 고정시키기 위한 고정 부재, 및 상기 하부 지그 모듈과 상기 상부 지그 모듈 사이로 외부 기체의 진입을 차단하기 위한 실링부 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 삭제
- 삭제
- 제11항에 있어서, 상기 용접 단계는,
상기 질소 주입용 지그와 상기 하부 투광 플레이트, 상기 측면 투광 플레이트들 및 상기 상부 투광 플레이트를 질소 공정실로 이동하는 단계; 및
상기 하부 투광 플레이트, 상기 측면 투광 플레이트들 및 상기 상부 투광 플레이트를 상기 질소 주입용 지그의 내부로 이동하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 제14항에 있어서, 상기 용접 단계는,
상기 질소 주입용 지그를 레이저 용접실로 이동하는 단계; 및
상기 질소 주입용 지그의 상면에 수직한 방향으로 상기 제1 파장의 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 제11항에 있어서,
상기 질소 주입용 지그의 상면은 석영(quartz) 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 제11항에 있어서,
상기 제1 파장의 레이저 빔은, 1000㎚ 내지 1100㎚의 파장을 갖는 펨토 레이저 빔임을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 제11항에 있어서,
상기 하부 투광 플레이트, 상기 측면 투광 플레이트들 및 상기 상부 투광 플레이트의 평탄도는 1 마이크로미터(㎛) 이하인 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 제11항에 있어서,
상기 중공 영역들은, 기계적 가공 공정, 화학적 가공 공정 및 조립 공정 중 어느 하나의 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법. - 제11항에 있어서, 상기 퀀텀닷 플레이트 조립체를 형성하는 단계는,
제2 파장의 레이저 빔으로 컷팅하여 상기 퀀텀닷 플레이트 조립체를 형성하며,
상기 제1 파장의 레이저 빔과 상기 제2 파장의 레이저 빔은 서로 다른 파장 대를 갖는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조 방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180095391A KR102555203B1 (ko) | 2018-08-16 | 2018-08-16 | 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법 |
| PCT/KR2018/016210 WO2019190026A1 (ko) | 2018-03-26 | 2018-12-19 | 퀀텀닷 플레이트 조립체와 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 led 모듈 |
| US16/272,210 US10879432B2 (en) | 2018-03-26 | 2019-02-11 | Quantum dot plate assembly and LED package and module comprising the same |
| US16/950,360 US20210091273A1 (en) | 2018-03-26 | 2020-11-17 | Quantum dot plate assembly and led package and module comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180095391A KR102555203B1 (ko) | 2018-08-16 | 2018-08-16 | 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200020099A KR20200020099A (ko) | 2020-02-26 |
| KR102555203B1 true KR102555203B1 (ko) | 2023-07-14 |
Family
ID=69637740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180095391A KR102555203B1 (ko) | 2018-03-26 | 2018-08-16 | 퀀텀닷 플레이트 조립체의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102555203B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102351000B1 (ko) * | 2021-06-10 | 2022-01-14 | 주식회사 바이더엠 | 퀀텀닷필름을 이용한 파장제어 기능이 구비된 led모듈 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170345977A1 (en) * | 2014-11-17 | 2017-11-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Conversion element and production method thereof |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102166715B1 (ko) * | 2014-04-02 | 2020-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광원 유닛 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 |
| KR102389815B1 (ko) * | 2017-06-05 | 2022-04-22 | 삼성전자주식회사 | 양자점 유리셀 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 |
-
2018
- 2018-08-16 KR KR1020180095391A patent/KR102555203B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170345977A1 (en) * | 2014-11-17 | 2017-11-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Conversion element and production method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20200020099A (ko) | 2020-02-26 |
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