KR102551289B1 - 터치 센서 내장형 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다수의 터치 센서들을 갖는 터치 스크린, 터치 센서들에 터치 구동신호를 인가하고, 터치 구동신호에 따른 터치 센서 신호를 센싱하여 센싱값을 출력하는 센싱 유닛, 센싱값이 미리 설정된 센싱 범위를 벗어나는 경우 센싱값 조정 제어신호를 생성하는 제어신호 생성부 및 센싱값 조정 제어신호에 따른 전하 소거용 펄스를 터치 센서 신호가 인가되는 센싱 유닛의 입력단에 인가하여, 터치 센서 신호의 진폭을 적응적으로 줄이는 전하 소거부를 포함한다.

Description

터치 센서 내장형 표시장치{A touch sensor integrated type display device}
본 발명은 터치 센서 내장형 표시장치에 관한 것이다.
유저 인터페이스(User Interface, UI)는 사람(사용자)이 쉽게 자신이 원하는 대로 각종 전자 기기를 제어할 수 있게 한다. 이러한 유저 인터페이스의 대표적인 예로는 키패드, 키보드, 마우스, 온스크린 디스플레이(On Screen Display, OSD), 적외선 통신 혹은 고주파(RF) 통신 기능을 갖는 원격 제어기(Remote controller) 등이 있다. 유저 인터페이스 기술은 사용자 감성과 조작 편의성을 높이는 방향으로 발전을 거듭하고 있다. 최근, 유저 인터페이스는 터치 UI, 음성 인식 UI, 3D UI 등으로 진화되고 있다.
터치 UI는 휴대용 정보기기에 필수적으로 채택되고 있다. 터치 UI는 표시장치의 화면 상에 터치 스크린을 형성하는 방법으로 구현되고 있다. 이러한 터치 스크린은 정전 용량 방식으로 구현될 수 있다. 정전 용량 방식의 터치 센서를 갖는 터치 스크린은 손가락 또는 전도성 물질이 터치 센서에 접촉될 때 정전 용량(capacitance) 변화 즉, 터치 센서의 전하 변화량을 센싱하여 터치 입력을 감지한다.
정전 용량 방식의 터치 센서는 자기 용량(Self Capacitance) 센서 또는 상호 용량(Mutual Capacitance) 센서로 구현될 수 있다. 자기 용량 센서의 전극들 각각은 한 방향을 따라 형성된 센서 배선들과 일대일(1:1)로 연결될 수 있다. 상호 용량 센서는 유전층을 사이에 두고 직교하는 센서 배선들(Tx, Rx)의 교차부에 형성될 수 있다.
정전 용량 센서를 갖는 터치 스크린은 다수의 센싱 유닛들에 연결된다. 각 센싱 유닛은 센싱 채널을 통해 터치 스크린으로부터 터치 센서 신호를 수신하여 터치 센서의 전하 변화량을 센싱한다. 이러한 센싱 유닛은 터치 IC(Integrated Circuit)에 집적되어 터치 스크린의 센서 배선들에 연결될 수 있다.
센싱 유닛의 일 예가 도 1에 나타나 있다. 도 1은 터치 스크린(TSP)이 자기 용량 센서(Cs)로 구현될 때의 센싱 유닛을 보여준다.
도 1에서와 같이, 센싱 유닛은 연산증폭기(Operational amplifier; OP Amp)와 센싱 커패시터(Cf)를 포함할 수 있다. 연산증폭기(OP)의 반전 입력단자(-)는 센싱 채널을 통해 터치 센서(Cs)에 연결되고, 연산증폭기(OP)의 비반전 입력단자(+)는 기준전압(Vref) 단자에 연결되며, 연산증폭기(OP)의 출력단자는 센싱 커패시터(Cf)를 경유하여 반전 입력단자(-)에 연결될 수 있다.
도 1의 센싱 유닛에서 연산증폭기(OP)는 비반전 증폭기로 기능한다. 센싱 유닛의 출력전압(Vout)은 수학식 1과 같이 나타낼 수 있다.
Figure 112015129538200-pat00001
수학식 1에서, 기준전압(Vref)은 고전위 레벨(VH)과 저전위 레벨(VL) 사이에서 스윙하는 교류(AC) 레벨이고, ΔV은 기준전압(Vref)의 스윙폭을 나타내고, CS는 자기 용량 센서(Cs)의 자기 용량을 나타내며, CFB는 센싱 커패시터(Cf)의 용량을 나타낸다. 자기 용량 센서(Cs)의 전하 변화량을 지시하는 도 1의 출력전압(Vout)은 기준전압(Vref)과 동일한 전압 극성을 갖는다.
이러한 센싱 유닛의 출력전압(Vout)에 대한 허용 범위는 터치 IC 사이즈 등을 고려하여 설계 시에 미리 정해진다. 그런데, 표시장치가 대면적화됨에 따라 터치 스크린(TSP)의 사이즈가 증가하면서 터치 센서의 자기 용량값이 증가되고 있다. 터치 센서의 용량값(CS)이 증가되면 상기 수학식 1에서와 같이 센싱 유닛의 출력전압(Vout)이 증가하게 되며, 경우에 따라서 센싱 유닛의 출력전압(Vout)이 정해진 허용 범위를 벗어나 세츄레이션(saturation)되는 문제가 발생되기도 한다. 센싱 유닛의 출력전압(Vout)에 따라 터치 또는 비터치에 대한 판정이 이루어지므로, 출력전압(Vout)이 허용 범위를 벗어나 세츄레이션되는 경우 터치 여부 구분이 불가능해진다.
본 발명의 목적은 센싱 유닛의 센싱값이 정해진 허용 범위를 벗어나 세츄레이션되는 것을 방지할 수 있도록 한 터치 센서 내장형 표시장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 다수의 터치 센서들을 갖는 터치 스크린, 터치 센서들에 터치 구동신호를 인가하고, 터치 구동신호에 따른 터치 센서 신호를 센싱하여 센싱값을 출력하는 센싱 유닛, 센싱값이 미리 설정된 센싱 범위를 벗어나는 경우 센싱값 조정 제어신호를 생성하는 제어신호 생성부 및 센싱값 조정 제어신호에 따른 전하 소거용 펄스를 터치 센서 신호가 인가되는 센싱 유닛의 입력단에 인가하여, 터치 센서 신호의 진폭을 적응적으로 줄이는 전하 소거부를 포함한다.
센싱값 조정 제어신호는 제1 조정 제어신호와 제2 조정 제어신호 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 전하 소거부는 제1 조정 제어신호에 따라 기준 토글신호의 진폭을 조정하여 전하 소거용 펄스를 출력하는 펄스 인가부와, 일측 단자가 센싱 유닛의 입력단에 접속되고 타측 단자가 펄스 인가부의 출력단에 접속되어, 펄스 인가부로부터 입력되는 전하 소거용 펄스를 센싱 유닛의 입력단에 인가하는 커패시터부를 포함할 수 있다.
펄스 인가부는 제1 조정 제어신호에 따라 전원 전압을 조정하는 가변 저항 스트링과, 전원 전압에 따라 기준 토글신호의 진폭을 조정하여 전하 소거용 펄스를 생성하는 레벨 쉬프터를 포함할 수 있다.
커패시터부의 커패시턴스 값은 제2 센싱값 조정 제어신호에 따라 조정되는 것을 포함할 수 있다.
커패시터부는 일측 단자에 병렬로 서로 접속된 다수의 커패시터들과, 커패시터들 각각에 직렬 접속되며, 타측 단자에 병렬로 서로 접속된 다수의 스위치들을 포함할 수 있다.
본 발명은 전하 소거부를 선택적으로 조정함으로써, 터치 센싱에 대한 터치 원시 데이터가 세추레이션(Saturation)되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 센싱 유닛에서 출력되는 센싱값을 센싱하여 터치 센서 신호의 진폭을 적응적으로 줄임으로써, 센싱 유닛의 센싱값이 정해진 허용 범위를 벗어나 세츄레이션되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 1은 터치 스크린이 자기 용량 센서로 구현될 때의 종래 센싱 유닛을 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 터치 센서 내장형 표시장치가 적용되는 표시장치를 보여주는 블록도.
도 3는 자기 용량 센서로 구현되는 터치 스크린의 일 예를 보여주는 도면.
도 4a 내지 도 4c는 표시소자에 탑재되는 터치 스크린의 일 예를 보여주는 도면들.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 제어신호 생성부, 센싱 유닛 및 전하 소거부의 블록도.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 전하 소거부가 센싱 유닛에 접속된 구성을 보여주는 도면.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따라 펄스 인가부와 커패시터부로 구현되는 전하 소거부를 보여주는 도면.
도 8은 도 7의 펄스 인가부 중에서 가변 저항 스트링을 보여주는 도면.
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 다수의 센싱 유닛들, 다수의 제어신호 생성부들 및 다수의 전하 소거부들이 센싱 채널을 통해 터치 센서에 연결되는 것을 보여주는 도면.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따라 전하 소거부를 이용하여 보정되는 것을 보여주는 도면.
도 12 및 도 13은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 다수의 센싱 유닛들, 다수의 제어신호 생성부들 및 다수의 전하 소거부들이 센싱 채널을 통해 터치 센서에 연결되는 것을 보여주는 도면.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따라 전하 소거부를 이용하여 멀티플렉서 별로보정되는 것을 보여주는 도면.
도 15은 본 발명에 따른 전하 소거부가 멀티플렉서 별로 타겟값을 설정하는 것을 보여주는 도면.
도 16은 본 발명에 따라 데이터 원시 데이터가 기설정된 타겟값에 수렴되는 것을 보여주는 도면.
도 17은 본 발명에 따라 MCU를 통해 자동 보정되는 것을 보여주는 도면.
이하, 도 2 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.
본 발명의 터치 센서 내장형 표시장치는 액정표시소자(Liquid Crystal Display, LCD), 전계방출 표시소자(Field Emission Display: FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 유기발광 다이오드 표시소자(Organic Light Emitting Display, OLED), 전기영동 표시소자(Electrophoresis, EPD) 등의 평판 표시소자 기반으로 구현될 수 있다. 이하의 실시 예에서, 평판 표시소자의 일 예로서 표시장치를 액정표시소자 중심으로 설명하지만, 본 발명의 표시장치는 액정표시소자에 한정되지 않는다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 2 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 터치 센서 내장형 표시장치는 터치 스크린(TSP)과 터치 IC(20)를 포함한다.
본 발명의 터치 센서 내장형 표시장치는 다수의 정전 용량 센서들을 통해 터치 입력을 감지하는 정전 용량 방식의 터치 스크린(TSP)으로 구현될 수 있다. 정전 용량 방식의 터치 스크린은 다수의 터치 센서들을 포함한다. 터치 센서들 각각은 정전 용량(capacitance)을 포함한다. 정전 용량은 자기 정전 용량(Self Capacitance)과 상호 정전 용량(Mutual Capacitance)으로 나뉘어질 수 있다. 자기 정전 용량은 한 방향으로 형성된 단층의 도체 배선을 따라 형성될 수 있다. 상호 정전 용량은 직교하는 두 도체 배선들 사이에 형성될 수 있다. 본 발명에서는 자기 정전 용량(Self Capacitance)과 상호 정전 용량(Mutual Capacitance) 중에서 자기 용량 센서(Cs)로 구현되는 터치 스크린(TSP)을 중심으로 설명한다.
자기 용량 센서(Cs)로 구현되는 터치 스크린(TSP)은, 도 3과 같이, 터치 전극(21)들 각각이 한 방향을 따라 형성된 센서 배선들(22)과 일대일(1:1)로 연결될 수 있다. 자기 용량 센서(Cs)는 터치 전극들(21) 각각에 형성된 정전 용량을 포함한다. 자기 용량 센싱 방법은 터치 구동신호가 센서 배선(22)을 통해 전극(21)에 인가되면 전하(Q)가 터치 센서(Cs)에 축적된다. 이때 손가락이나 전도성 물체가 전극(31)에 접촉되면 자기 용량 센서(Cs)에 추가로 기생 용량(Cf)이 연결되어 커패시턴스 값이 변한다. 따라서, 손가락이 터치된 센서와 그렇지 않은 센서 간에 커패시턴스(Capaciance) 값이 달라져 터치 여부를 판단할 수 있다.
터치 스크린(TSP)은 도 4a와 같이 표시패널의 상부 편광판(POL1) 상에 접합되거나, 도 4b와 같이 표시패널의 상부 편광판(POL1)과 상부 기판(GLS1) 사이에 형성될 수 있다. 또한, 터치 스크린(TSP)의 터치 센서들(Cs)은 도 4c와 같이 표시패널의 픽셀 어레이에 내장될 수 있다. 도 4a 내지 도 4c에서 "PIX"는 액정셀의 픽셀전극, "GLS2"는 하부 기판, "POL2"는 하부 편광판을 각각 의미한다.
터치 IC(20)는 터치 전후 터치 센서의 전하 변화량을 센싱하여 손가락과 같은 전도성 물질의 터치 여부와 그 위치를 판단한다. 터치 IC(20)는 센싱 채널들(S1~Sm)에 연결된 다수의 센싱 유닛들(SU#1~SU#m)과, 센싱값이 미리 설정된 센싱 범위를 벗어나는 경우 센싱값 조정 제어신호를 생성하는 제어신호 생성부 및 센싱값 조정 제어신호에 따른 전하 소거용 펄스를 터치 센서 신호가 인가되는 센싱 유닛(SU)의 입력단에 인가하여, 터치 센서 신호의 진폭을 적응적으로 줄이는 전하 소거부를 포함한다.
각 센싱 유닛(SU)은 다수의 센싱 채널들을 통해 터치 센서들로부터 터치 센서 신호를 수신하고, 수신된 터치 센서 신호를 이용하여 터치 입력을 센싱한다. 센싱 채널들(S1~Sm)은 센서 배선들(22)에 일대일(1:1)로 연결될 수 있다. 센싱 유닛(SU)은 터치 센서 신호를 수신하기 위해 연산증폭기(OP)와 센싱 커패시터(Cf)를 구비하는 전하 증폭기(32) 및 출력 전압(Vout1~Voutm)을 아날로그-디지털 변환하기 위한 아날로그 디지털 변환부(ADC)를 포함한다. 아날로그 디지털 변환부(ADC)는 출력 전압(Vout1~Voutm)을 아날로그-디지털 변환하여 디지털 값인 센싱값을 출력할 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다.
센싱 유닛(SU)은 도시하지 않은 터치 구동신호 생성기를 포함하여 터치 센서들(Cs)에 터치 구동신호를 공급할 수 있다. 터치 구동신호는 구형파 형태의 펄스, 정현파, 삼각파 등 다양한 형태로 발생될 수 있으나, 본 발명의 경우 구형파로 구현됨이 바람직하다. 터치 구동신호는 센싱 유닛(SU)의 전하 증폭기에 전하가 N(N은 2 이상의 양의 정수)회 이상 누적될 수 있도록 터치 센서들(Cs) 각각에 N회 인가될 수 있다. 센싱 유닛(SU)은 터치 센서들(Cs)로부터의 전하(Q)를 전하 증폭기에 누적하고 센싱값을 출력한다.
그리고, 터치 IC(20)는 터치 센싱 알고리즘을 실행하여 센싱값을 기준값과 비교하여 기준값보다 큰 결과값을 터치 입력 위치의 터치 센서 신호로 판정할 수 있다. 터치 IC(20)로부터 출력된 터치 레포트(Touch Report)는 터치 입력들 각각의 좌표 정보(TDATA(XY))를 포함하여 호스트 시스템(18)으로 전송될 수 있다.
대화면 터치 스크린(TSP)에서 센싱 유닛(SU)의 센싱값이 정해진 허용 범위를 벗어나 세츄레이션(saturation)되는 문제를 해결하기 위해, 본 발명의 터치 IC(20)는 도 5와 같이 다수의 센싱 유닛(SU)들, 다수의 제어신호 생성부(34)들 및 다수의 전하 소거부(31)들을 구비할 수 있다.
다수의 제어신호 생성부(34)들 각각은 센싱값이 미리 설정된 센싱 범위를 벗어나는 경우 센싱값 조정 제어신호를 생성한다. 제어신호 생성부(34)는 센싱값이 미리 설정된 센싱 범위를 벗어나지 않을 경우 센싱값 조정 제어신호를 생성하지 않는다. 미리 설정된 센싱 범위는 센싱 범위의 중간 값인 기준 센싱값을 기준으로 5% 범위 내에 포함되는 것이 바람직하다. 이와 같이 기준 센싱값을 기준으로 5% 범위 내로 센싱 범위를 설정함으로써, 센싱 범위를 벗어난 센싱값이 센싱값 조정 제어신호를 통해 빠르고 정확하게 조정될 수 있다. 센싱값 조정 제어신호는 제1 조정 제어신호와 제2 조정 제어신호 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
전하 소거부(31)는 제어신호 생성부(34)에 접속된다. 전하 소거부(31)는 센싱값 조정 제어신호를 입력받아 센싱값 조정 제어신호에 따른 전하 소거용 펄스를 생성한다. 전하 소거부(31)는 다수의 센싱 채널들 각각에 대응되도록 복수 개가 배치된다. 전하 소거부(31)는 센싱값 조정 제어신호에 따른 전하 소거용 펄스를 터치 센서 신호가 인가되는 센싱 유닛(SU)의 입력단에 인가함으로써, 터치 센서 신호의 진폭을 적응적으로 줄이는 역할을 한다. 즉, 전하 소거부(31)는 전하 소거용 펄스를 터치 센서 신호가 인가되는 센싱 유닛(SU)의 입력단에 인가하여, 터치 센서 신호의 진폭을 적응적으로 줄일 수 있다.
다수의 전하 소거부(34)과 함께 센싱 유닛들(SU#1~SU#m)의 구체적 구성 및 동작에 대해서는 도 6 내지 도 17을 참조로 자세히 설명하기로 한다.
한편, 본 발명의 터치 센서 내장형 표시장치는 표시패널(DIS), 디스플레이 구동회로(12,14,16), 호스트 시스템(18)을 포함할 수 있다.
표시패널(DIS)은 두 장의 기판들 사이에 형성된 액정층을 포함한다. 표시패널(DIS)의 픽셀 어레이는 데이터라인들(D1~Dm, m은 양의 정수)과 게이트라인들(G1~Gn, n은 양의 정수)에 의해 정의된 픽셀 영역에 형성된 픽셀들을 포함한다. 픽셀들 각각은 데이터라인들(D1~Dm)과 게이트라인들(G1~Gn)의 교차되는 영역에 형성된 TFT들(Thin Film Transistor), 데이터전압을 충전하는 픽셀전극, 픽셀전극에 접속되어 액정셀의 전압을 유지시키기 위한 스토리지 커패시터(Storage Capacitor, Cst) 등을 포함할 수 있다.
표시패널(DIS)의 상부 기판에는 블랙매트릭스, 컬러필터 등이 형성될 수 있다. 표시패널(DIS)의 하부 기판은 COT(Color filter On TFT) 구조로 구현될 수 있다. 이 경우에, 블랙매트릭스와 컬러필터는 표시패널(DIS)의 하부 기판에 형성될 수 있다. 공통전압이 공급되는 공통전극은 표시패널(DIS)의 상부 기판이나 하부 기판에 형성될 수 있다. 표시패널(DIS)의 상부 기판과 하부 기판 각각에는 편광판이 부착되고 액정과 접하는 내면에 액정의 프리틸트각을 설정하기 위한 배향막이 형성된다. 표시패널(DIS)의 상부 기판과 하부 기판 사이에는 액정셀의 셀갭(Cell gap)을 유지하기 위한 컬럼 스페이서가 형성된다.
표시패널(DIS)의 배면 아래에는 백라이트 유닛이 배치될 수 있다. 백라이트 유닛은 에지형(edge type) 또는 직하형(Direct type) 백라이트 유닛으로 구현되어 표시패널(DIS)에 빛을 조사한다. 표시패널(DIS)은 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드 등 공지된 어떠한 액정 모드로도 구현될 수 있다.
디스플레이 구동회로는 데이터 구동회로(12), 스캔 구동회로(14) 및 타이밍 컨트롤러(16)를 포함하여 입력 영상의 비디오 데이터를 표시패널(DIS)의 픽셀들에 기입한다. 데이터 구동회로(12)는 타이밍 컨트롤러(16)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 정극성/부극성 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 출력한다. 데이터 구동회로(12)로부터 출력된 데이터전압은 데이터라인들(D1~Dm)에 공급된다. 스캔 구동회로(14)는 데이터전압에 동기되는 게이트펄스(또는 스캔펄스)를 게이트라인들(G1~Gn)에 순차적으로 공급하여 데이터 전압이 기입되는 표시패널(DIS)의 픽셀라인을 선택한다.
타이밍 컨트롤러(16)는 호스트 시스템(18)으로부터 입력되는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍신호를 입력받아 데이터 구동회로(12)와 스캔 구동회로(14)의 동작 타이밍을 동기시킨다. 스캔 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE) 등을 포함한다. 데이터 타이밍 제어신호는 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 극성제어신호(Polarity, POL), 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다.
호스트 시스템(18)은 텔레비젼 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 호스트 시스템(18)은 스케일러(scaler)를 내장한 SoC(System on chip)을 포함하여 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시패널(DIS)에 표시하기에 적합한 포맷으로 변환한다. 호스트 시스템(18)은 디지털 비디오 데이터와 함께 타이밍 신호들(Vsync, Hsync, DE, MCLK)을 타이밍 컨트롤러(16)로 전송한다. 또한, 호스트 시스템(18)은 터치 스크린 구동회로로부터 입력되는 터치 레포트의 좌표 정보(XY)와 연계된 응용 프로그램을 실행한다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 전하 소거부(31)가 센싱 유닛(SU)에 접속된 구성을 보여준다. 실시 예에 따른 전하 소거부(31)는 도 7에서와 같이, 펄스 인가부(36)와 커패시터부(37)로 구현될 수 있다.
터치 스크린(TSP)이 자기 용량 센서(Cs)로 구현될 때, 센싱 유닛(SU)은 도 6과 같이 연산증폭기(OP, 30)와 센싱 커패시터(Cf)를 구비하는 전하 증폭기(32)를 포함할 수 있다. 연산증폭기(OP, 30)의 반전 입력단자(-)는 센싱 채널을 통해 상호 용량 센서(Cp)에 연결되고, 연산증폭기(OP, 30)의 비반전 입력단자(+)는 기준전압용 신호 단자에 연결되며, 연산증폭기(OP, 30)의 출력단자(OPP)는 센싱 커패시터(Cf)를 경유하여 반전 입력단자(-)에 연결될 수 있다. 도 6의 센싱 유닛(SU)에서 연산증폭기(OP, 30)는 비반전 증폭기로 기능한다.
기준전압용 신호는 자기 용량 센서(Cs)를 센싱하기 위해 제1 전위 레벨(VH)과 제2 전위 레벨(VL) 사이에서 스윙하는 교류 형태로 연산증폭기(OP, 30)의 비반전 입력단자(+)에 입력된다. 제1 전위 레벨(VH)은 제2 전위 레벨(VL)보다 높은 전위 레벨이다.
센싱 커패시터(Cf)는 반전 입력단자 (-)를 통해 입력되는 터치 센서 신호를 적분하는 기능을 갖는다. 센싱 유닛(SU)의 리셋 스위치(RST)는 일정 주기로 센싱 커패시터(Cf)를 리셋시키는 기능을 수행한다.
전하 소거부(31)는 펄스 인가부(36)와 커패시터부(37)를 구비한다. 전하 소거부(31)는 다수의 입력단자(IPP1,IPP2,IPP3)와 하나의 출력단자(OPP)를 포함한다. 다수의 입력단자(IPP1,IPP2,IPP3)와 하나의 출력단자(OPP)는 펄스 인가부(36)와 커패시터부(37)와 접속된다. 다수의 입력단자(IPP1,IPP2,IPP3)는 제1 입력단자(IPP1) 내지 제3 입력단자(IPP3)를 포함한다. 제1 입력단자(IPP1)는 제어신호 생성부(34)에 접속되어 제1 조정 제어신호를 입력받는다. 제2 입력단자(IPP2)는 제1 입력단자(IPP1)와 이격되어 배치되면서 제어신호 생성부(34)에 접속되어 제2 조정 제어신호를 입력받는다. 제3 입력단자(IPP3)는 기준 토글신호를 생성하는 토글신호 생성기에 접속되어 기준 토글신호를 입력받는다. 출력단자(OPP)는 반전 입력단자(-)에 접속되어 전하 소거용 펄스를 출력한다. 여기서는 제1 입력단자(IPP1)와 제2 입력단자(IPP2)를 분리하여 제1 조정 제어신호와 제2 제어신호를 각각 입력받는 것을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 입력단자(IPP1)와 제2 입력단자(IPP2)가 하나의 입력단자(IPP1,IPP2,IPP3)로 구성되어, 제어신호 생성부(34)로부터 센싱값 조정 제어신호를 입력 받은 후 제1 조정 제어신호와 제2 제어신호를 분리할 수 있다.
펄스 인가부(36)는 제1 입력단자(IPP1)를 통해 제1 조정 제어신호를 입력 받고, 제3 입력단자(IPP3)를 통해 기준 토글신호를 입력 받는다. 펄스 인가부(36)는 제1 조정 제어신호에 따라 기준 토글신호의 진폭을 조정하여 전하 소거용 펄스를 출력한다. 펄스 인가부(36)는 전하소거용 연산증폭기(OP,36a), 가변 저항 스트링(36b), 및 레벨 쉬프터(36c)를 포함한다.
전하소거용 연산증폭기(OP,36a)는 제1 입력단, 제2 입력단, 및 출력단을 포함한다. 제1 입력단은 외부에서 생성되는 기준전압의 입력단(VBGR)에 접속되어 기준전압을 입력 받는다. 제2 입력단은 가변 저항 스트링(36b)과 접속되어 출력단을 통해 출력되는 전원 전압을 피드백 받는다. 출력단은 제1 입력단에 입력된 기준전압과 제2 입력단에 입력된 전원 전압을 통해 연산된 전원 전압을 출력한다. 가변 저항 스트링(36b)은 출력단과 제2 입력단 사이에 배치된다.
가변 저항 스트링(36b)은 제1 입력단자(IPP1)에 접속되어, 제1 조정 제어신호를 입력받아 전원 전압을 조정한다. 가변 저항 스트링(36b)은 전하소거용 연산증폭기(OP,36a)의 출력단에 접속되어 출력되는 전원 전압을 입력받아 제1 조정 제어신호에 따라 조정한 후 접속된 연산증폭기(OP,30)의 제2 입력단에 조정된 전원 전압을 공급한다.
가변 저항 스트링(36b)은 가변 저항을 포함할 수 있다. 이에 한정되는 것은 아니며, 도 8에 도시된 바와 같이, 가변 저항 스트링(36b)은 다수의 저항(RA,RB_1 내지 RB-M)과 다수의 스위치(RS1 내지 RSn)를 포함한다. 다수의 저항(RA,RB_1 내지 RB-M)들은 직렬로 접속된다. 다수의 저항(RA,RB_1 내지 RB-M) 중 첫 번째로 배치되는 저항(RA)의 일단은 연산증폭기(OP)의 출력단에 접속되며, 마지막 번째 배치되는 저항(RB-M)의 타단은 그라운드전압(GND)에 접속된다. 다수의 스위치(RS1 내지 RSn)들의 일단 각각은 저항(RA,RB_1 내지 RB-M)과 직렬로 이웃하는 저항(RA,RB_1 내지 RB-M) 사이에 접속되고, 타단은 공통으로 연결되어 전하소거용 연산증폭기(OP,36a)의 제2 입력단에 접속된다. 다수의 스위치(RS1 내지 RSn)들은 제1 조정 제어신호에 따라, 턴 온(turn on)/턴 오프(turn off) 동작된다. 다수의 스위치(RS1 내지 RSn)들은 제1 입력단자(IPP1)를 통해 입력된 제1 조정 제어신호에 따라 턴 온(turn on)/턴 오프(turn off) 동작하여 연산증폭기(OP)의 출력단을 통해 입력되는 전원 전압을 용이하게 조정하고, 조정된 전원 전압을 연산증폭기(OP)의 제2 입력단에 피드백할 수 있다. 제1 조정 제어신호는 다수의 스위치(RS1 내지 RSn)들 중 원하는 저항값에 해당하는 스위치를 턴 온(turn on)하여 저항비를 조정할 수 있다.
예를 들어, 스위치 RS2가 제1 조정 제어신호에 응답하여 턴 온되면(turn on), 스위치 RA+스위치 RB_1를 더한 저항값과 스위치 RB_2 내지 스위치 RB_M을 모두 더한 저항값 간의 저항비로 조정될 수 있다. 이러한 저항비를 이용하여 전원 전압을 용이하게 조정할 수 있다.
레벨 쉬프터(36c)는 전원 전압에 따라 기준 토글신호의 진폭을 조정하여 전하 소거용 펄스를 생성한다. 레벨 쉬프터(36c)는 가변 저항 스트링(36b)을 통해 조정된 전원 전압에 따라 제3 입력단자(IPP3)를 통해 입력되는 기준 토글신호의 진폭을 조정할 수 있다. 이에 레벨 쉬프터(36c)는 기준 토글신호의 진폭이 조정된 전하 소거용 펄스를 생성할 수 있다. 여기서 레벨 쉬프터(36c)는 상술한 바와 같이, 전원 전압에 따라 기준 토글신호의 진폭을 조정하여 전하 소거용 펄스를 생성할 수 있다면 어떠한 타입으로도 사용될 수 있다.
또한, 펄스 인가부(36)는 전하소거용 연산증폭기(OP,36a)의 출력단과 레벨 쉬프터(36c) 사이에 전원 스위치부(36c)를 배치할 수 있다. 전원 스위치부(36c)는 복수의 스위치들(S1,S2)을 포함하고, 외부로부터 외부전압을 공급받아 펄스 인가부(36)를 구동하거나 펄스 인가부(36)의 내부전압을 이용하여 구동할 수 있다. 전원 스위치부(36c)는 주변의 온습도, 회로의 상태, 등을 고려하여 외부전압 또는 내부전압을 선택하여 구동할 수 있다.
커패시터부(37)는 일측 단자가 센싱 유닛(SU)의 입력단에 접속되고 타측 단자가 펄스 인가부(36)의 출력단에 접속되어, 펄스 인가부(36)로부터 입력되는 전하 소거용 펄스를 센싱 유닛(SU)의 입력단에 인가한다. 커패시터부(37)는 다수의 커패시터들(Cccr1 내지 Cccrn)과 다수의 스위치들(CS1 내지 CSn)을 포함한다. 다수의 커패시터들(Cccr1 내지 Cccrn)은 커패시터부(37)의 일측 단자에 병렬로 서로 접속된다. 다수의 스위치들(CS1 내지 CSn)은 커패시터들(Cccr1 내지 Cccrn) 각각에 직렬 접속되며, 타측 단자에 병렬로 서로 접속된다. 다수의 스위치들(CS1 내지 CSn)은 제2 입력단자(IPP2)를 통해 입력된 제2 조정 제어신호에 따라 턴 온(turn on)/턴 오프(turn off) 동작하여 커패시터부(37)의 커패시턴스 값을 조정한다. 커패시터부(37)의 커패시턴스 값은 제2 조정 제어신호에 따라 조정된다.
센싱 유닛(SU)의 출력전압은 수학식 2와 같이 나타낼 수 있다.
Figure 112015129538200-pat00002
수학식 2에서, 기준전압(Vref)은 제1 전위 레벨(VH)과 제2 전위 레벨(VL) 사이에서 스윙하는 교류(AC) 레벨이고, ΔV은 기준전압(Vref)의 스윙폭을 나타내고, CS는 자기 용량 센서(Cs)의 자기 용량을 나타내며, CCR는 전하 소거부(31)의 자기 용량을 나타내며, VCR은 전하 소거부(31)의 전압을 나타내며, CF는 센싱 커패시터(Cf)의 용량을 나타낸다. 수학식 2에서, VCR와 CFB가 실질적으로 고정된 값을 가질 경우, 전하 소거부(31)의 CCR를 변경함으로써, 세추레이션(Saturation)이 되지 않도록 출력 전압을 허용된 범위 내에 포함할 수 있다.
ADC(33)는 아날로그 신호를 디지털 신호 형태의 데이터로 변환하는 특수한 부호기이다. ADC(33)는 그 입력 전압 범위 즉, 센싱 레인지가 정해져 있다. ADC(33)의 전압 범위는 AD 변환의 분해능에 따라 달라질 수 있으나, 통상 Evref(ADC(33) 기준전압) ~ Evref+3V로 설정될 수 있다. 여기서, AD 변환의 분해능이란 아날로그 입력 전압을 디지털 값으로 변환할 수 있는 비트값을 지시한다. ADC(33)에 입력되는 아날로그 신호가 ADC(33)의 입력 범위를 벗어나는 경우, ADC(33)의 출력값은 입력 전압 범위의 하한값으로 언더 플로우(underflow)되거나 또는, 입력 전압 범위의 상한값으로 오버 플로우(overflow) 될 수 있다.
이렇게 ADC(33)의 오버 레인지(over range) 현상이 생기면 센싱의 정확도가 떨어진다. ADC(33)의 오버 레인지 현상을 방지하기 위해 본 발명은, 전하 소거부(31) 중 펄스 인가부(36)를 이용하여 전하 소거부(31)의 전압인 VCR을 조정하고, 전하 소거부(31) 중 커패시터부(37)를 이용하여 전하 소거부(31)의 자기 용량인 CCR을 조정할 수 있다.
본 발명은 CCR를 고정한 상태에서 펄스 인가부(36)로 VCR을 조정하거나 VCR를 고정한 상태에서 커패시터부(37)로 CCR를 조정하여 전원 전압을 조정할 수 있다.
도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 다수의 센싱 유닛(SU)들, 다수의 제어신호 생성부(34)들 및 다수의 전하 소거부(31)들이 센싱 채널을 통해 터치 센서에 연결되는 것을 보여준다.
도 9을 참조하면, 다수의 터치 센서(① 내지 ⑫) 각각은 센싱 채널을 통해 센싱 유닛(SU)에 대응되어 접속된다. 이에 대한 자세한 설명은 앞에서 충분히 설명하였으므로 여기서는 생략하기로 한다.
센싱 유닛(SU)은 전하 증폭기(32)와 ADC(33) 사이에 멀티플렉서(MUX)를 더 포함할 수 있다.
멀티플렉서(MUX)는 전하 증폭기(32)를 선택적으로 ADC(33)에 연결할 수 있다. 멀티플렉서(MUX)의 일력단은 다수의 전하 증폭기(32)와 접속되고, 다수의 전하 증폭기(32)를 선택적으로 연결하고, 출력단은 ADC(33)에 접속된다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따라 전하 소거부(31)를 이용하여 보정되는 것을 보여준다.
도 11의 케이스 (a)는 글로벌 보정으로 전체의 센싱 유닛(SU)의 전하 소거부(31) 값을 동시에 변경할 수 있다. ADC(33)의 입력 범위를 벗어난 터치 원시 데이터를 전하 소거부(31)를 통해 글로벌 보정함으로써, 터치 원시 데이터들이 ADC(33)의 입력 범위 내에 포함될 수 있다.
도 11의 케이스 (b)는 개별 보정으로 센싱 유닛(SU)의 전하 소거부(31) 값을 개별적으로 변경할 수 있다. ADC(33)의 입력 범위를 벗어난 터치 원시 데이터를 전하 소거부(31)를 통해 개별적으로 보정함으로써, 터치 원시 데이터들이 ADC(33)의 입력 범위 내에 포함될 수 있다.
전하 소거부(31)는 글로벌 보정과 개별 보정을 각각 할 수도 있지만, 글로벌 보정과 개별 보정을 함께 적용함으로써, 터치 감도를 더욱 개선시킬 수 있다.
전하 소거부(31)는 글로벌 보정을 통해 ADC(33)의 입력 범위를 벗어난 터치 원시 데이터를 ADC(33)의 입력 범위 내로 보정하고, 보정된 터치 원시 데이터가 기설정된 타켓값에 가까워지도록 터치 원시 데이터별로 개별 보정을 할 수 있다. 여기서 타켓값은 ADC(33)의 최대값의 중간 값으로 설정되는 것이 바람직하다.
도 12 및 도 13은 본 발명에 따른 다수의 센싱 유닛(SU)들, 다수의 제어신호 생성부(34)들 및 다수의 전하 소거부(31)들이 센싱 채널을 통해 터치 센서에 연결되는 것을 보여준다.
도 12를 참조하면, 다수의 터치 센서(① 내지 ⑧)들과 전하 증폭기(32) 사이에 제1 멀티플렉서(MUX)를 더 포함할 수 있다.
다수의 터치 센서(① 내지 ⑧)는 하나의 멀티플렉서(MUX)에 접속될 수 있다. 제1 멀티플렉서(MUX)는 다수의 터치 센서들을 선택적으로 전하 증폭기(32)에 연결할 수 있다.
제1 터치 센서 내지 제8 터치 센서는 제0 멀티플렉서(MUX)에 선택적으로 접속되고, 제9 터치 센서 내지 제16 터치 센서는 제1 멀티플렉서(MUX)에 선택적으로 접속된다. 이와 같이, 제1 멀티플렉서(MUX)를 포함함으로써, 터치 스크린의 전면적에 대한 터치 원시 데이터의 편차가 감소된다. 터치 원시 데이터의 편차가 감소됨에 따라 터치 성능이 개선될 수 있다. 여기서는 멀티플렉서(MUX)가 10개인 것을 도시하였지만 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 멀티플렉서(MUX)가 가로 방향으로 구동되는 것을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 세로 방향으로 구동될 수도 있다.
센싱 유닛(SU)은 전하 증폭기(32)와 ADC(33) 사이에 제2 멀티플렉서(MUX)를 더 포함할 수 있다. 제2 멀티플렉서(MUX)는 전하 증폭기(32)를 선택적으로 ADC(33)에 연결할 수 있다. 제2 멀티플렉서(MUX)의 일력단은 다수의 전하 증폭기(32)와 접속되고, 다수의 전하 증폭기(32)를 선택적으로 연결하고, 출력단은 ADC(33)에 접속된다.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따라 전하 소거부(31)를 이용하여 멀티플렉서(MUX)별로보정되는 것을 보여준다.
도 14을 참조하면, 전하 소거부(31)는 멀티플렉서(MUX) 별로 보정할 수 있다. 전하 소거부(31)는 멀티플렉서(MUX) 별로 센싱 유닛(SU)의 전하 소거부(31) 값을 동시에 변경할 수 있다. ADC(33)의 입력 범위를 벗어난 터치 원시 데이터를, 전하 소거부(31)를 통해 멀티플렉서(MUX) 별로 보정함으로써, 터치 원시 데이터들이 ADC(33)의 입력 범위 내에 포함될 수 있다.
또한, 전하 소거부(31)는 멀티플렉서(MUX)에 접속된 터치 센서 별로 보정할 수 있다. 전하 소거부(31)는 센싱 유닛(SU)의 전하 소거부(31) 값을 각각의 터치 센서 별로 변경할 수 있다. ADC(33)의 입력 범위를 벗어난 터치 원시 데이터를 전하 소거부(31)를 통해 각각의 터치 센서 별로 보정함으로써, 터치 원시 데이터들이 ADC(33)의 입력 범위 내에 포함될 수 있다.
전하 소거부(31)는 멀티플렉서(MUX) 별로 보정하면서 멀티플렉서(MUX)에 접속된 터치 센서 별로 보정을 각각 할 수도 있지만, 이를 함께 적용함으로써, 터치 감도를 더욱 개선시킬 수 있다.
전하 소거부(31)는 멀티플렉서(MUX) 별로 ADC(33)의 입력 범위를 벗어난 터치 원시 데이터를 ADC(33)의 입력 범위 내로 보정하고, 보정된 터치 원시 데이터가 기설정된 타켓값에 가까워지도록 터치 원시 데이터별로 터치 센서별로 보정을 할 수 있다. 여기서 타켓값은 ADC(33)의 최대값의 절반 정도인 것이 바람직하다.
도 15은 본 발명에 따른 전하 소거부(31)가 멀티플렉서(MUX) 별로 타겟값을 설정하는 것을 보여준다.
도 15에 도시된 바와 같이, 타켓값은 멀티플렉서(MUX) 별로 다를 수 있으나, 이를 보정하여 전체 멀티플렉서(MUX)가 실질적으로 동일한 타켓값이 되도록 기울기 편차를 보정할 수 있다.
제0 멀티플렉서(MUX)의 터치 원시 데이터가 타켓값보다 낮고, 제8 멀티플렉서(MUX)의 터치 원시 데이터가 타켓값보다 높을 경우에는 전하 소거부(31)를 이용하여 제0 멀티플렉서(MUX)의 터치 원시 데이터가 높아지도록 보정하고, 제8 멀티플렉서(MUX)의 터치 원시 데이터가 낮아지도록 보정할 수 있다. 이에 따라 소거 전하부를 조정함으로써 전체 멀티플렉서(MUX)가 실질적으로 동일한 타켓값이 되도록 기울기 편차를 보정할 수 있다. 여기서 소거 전하부는 펄스인가부와 커패시터부(37)를 함께 동작시켜 조정하거나 각각 동작시켜 조정할 수 있다. 이에 대한 설명은 앞에서 충분히 설명하였으므로 여기서는 생략하기로 한다.
도 16은 본 발명에 따른 전하 소거부(31)가 멀티플렉서(MUX) 별로 타겟값을 설정하는 것을 보여준다.
도 16은 본 발명에 따라 데이터 원시 데이터가 기설정된 타겟값에 수렴되는 것을 보여준다.
센싱값이 미리 설정된 센싱 범위를 벗어나는 경우 제어신호 생성부(34)가 이를 감지하여 센싱값 조정 제어신호를 생성한다.
제어신호 생성부(34)는 생성된 센싱값 조정 제어신호를 전하 소거부(31)에 인가한다.
전하 소거부(31)는 센싱값 조정 제어신호가 인가되면, ADC(33)의 입력 범위를 벗어난 터치 원시 데이터를 ADC(33)의 입력 범위 내로 보정한다.
전하 소거부(31)는 터치 원시 데이터가 기설정된 타켓값에 수렴되도록 터치 원시 데이터를 상향 조정하거나 하향 조정하면서 기설정된 타켓값(오차범위 포함)에 수렴되도록 조정할 수 있다. 예를 들어, 전하 소거부(31)는 터치 원시 데이터가 타켓값보다 클 경우에는 저항값을 증가시키고, 터치 원시 데이터가 타켓값보다 작을 경우 저항값을 감소시키면서 조정할 수 있다.
터치 원시 데이터가 기설정된 타켓값에 수렴되면, 제어신호 생성부(34)는 센싱값 조정 제어신호가 생성되는 것을 중단한다.
상술한 같이 본 발명은 ADC(33)의 출력을 실시간으로 모니터링하는 제어신호 생성부(34)를 통하여 각 센싱 유닛(SU)에 접속된 전하 소거부(31)를 제어할 수 있다. 본 발명은 전하 소거부(31)를 통해 전하 소거용 펄스를 선택적으로 조정함으로써, 터치 센싱에 대한 터치 원시 데이터가 세추레이션(Saturation)되는 것을 미연에 방지할 수 있다. 또한, 다수의 터치 센서 간의 편차 및 증폭기의 오프셋에 대한 편차에 대해 보상이 가능하다.
본 발명은 도 17에 도시된 바와 같이, MCU을 통해 주변 외부 환경(온도, 전압 drop 등) 변화를 주기적으로 감지할 수 있다. 주변 외부 환경(온도, 전압 drop 등) 변화가 감지되면, ADC(33)의 출력을 실시간으로 모니터링하는 제어신호 생성부(34)를 통해 자동 보정(Auto calibration)을 수행할 수 있다. 도 17의 a는 보정 전의 터치 원시 데이터를 보여주는 것이고, b는 보정 후 조정된 터치 원시 데이터를 보여준다.
이와 같이, 자동 보정되면, 기설정된 타켓값을 벗어난 터치 원시 데이터를 기설정된 타켓값으로 수렴시킴으로써, 터치 감도를 개선할 수 있다.
본 발명의 자동 보정은 제품이 파워 온되는 동안 또는 파워 오프일 때 수행할 수 있으며, 센싱기간의 초기화 기간 이전에 수행될 수도 있다. 이에 터치 성능이 저하되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DIS : 표시패널 TSP : 터치 스크린
12 : 데이터 구동회로 13 : 게이트 구동회로
16 : 타이밍 컨트롤러 18 :호스트 시스템
20 : 터치 IC 21 : 터치 전극
22 : 센서 배선 30 : 연산증폭기
31 : 전하 소거부 32 : 전하 증폭기
33 : ADC 34 : 제어신호 생성부

Claims (5)

  1. 다수의 터치 센서들을 갖는 터치 스크린;
    상기 터치 센서들에 터치 구동신호를 인가하고, 상기 터치 구동신호에 따른 터치 센서 신호를 센싱하여 센싱값을 출력하는 센싱 유닛;
    상기 센싱값이 미리 설정된 센싱 범위를 벗어나는 경우 센싱값 조정 제어신호를 생성하는 제어신호 생성부; 및
    상기 센싱값 조정 제어신호에 따른 전하 소거용 펄스를 상기 터치 센서 신호가 인가되는 상기 센싱 유닛의 입력단에 인가하여, 상기 터치 센서 신호의 진폭을 적응적으로 줄이는 전하 소거부를 포함하되,
    상기 전하 소거부는,
    전하소거용 연산증폭기 및 레벨 쉬프터를 포함하여 기준 토글신호의 진폭을 조정하여 상기 전하 소거용 펄스를 출력하는 펄스 인가부, 및 ; 및
    일측 단자가 상기 센싱 유닛의 입력단에 접속되고 타측 단자가 상기 펄스 인가부의 출력단에 접속되어, 상기 펄스 인가부로부터 입력되는 상기 전하 소거용 펄스를 상기 센싱 유닛의 입력단에 인가하는 커패시터부를 포함하고,
    상기 펄스 인가부는,
    상기 연산증폭기의 출력단과 상기 커패시터부 사이에 배치되고, 외부전압을 공급받는 상기 연산증폭기의 출력 또는 내부전압 중 하나를 상기 레벨 쉬프터에 선택적으로 연결하는 전원 스위치부를 더 포함하고,
    상기 전하 소거부는,
    상기 펄스 인가부 및 상기 커패시터부 중 어느 하나를 선택적으로 이용하여 상기 전하 소거용 펄스를 조절하고, 상기 전원 스위치부에 의해 상기 내부전압이 상기 레벨 쉬프터에 연결될 때 상기 커패시터부를 통해 상기 전하 소거용 펄스가 조절되는 터치 센서 내장형 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 센싱값 조정 제어신호는 제1 조정 제어신호와 제2 조정 제어신호 중 적어도 어느 하나를 포함하는 터치 센서 내장형 표시장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 연산증폭기는,
    상기 제1 조정 제어신호에 따라 전원 전압을 조정하는 가변 저항 스트링에 연결되고,
    상기 레벨 쉬프터는,
    상기 전원 전압에 따라 상기 기준 토글신호의 진폭을 조정하여 상기 전하 소거용 펄스를 생성하는 터치 센서 내장형 표시장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 커패시터부의 커패시턴스 값은 상기 제2 조정 제어신호에 따라 조정되는 터치 센서 내장형 표시장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 커패시터부는
    상기 일측 단자에 병렬로 서로 접속된 다수의 커패시터들과,
    상기 커패시터들 각각에 직렬 접속되며, 상기 타측 단자에 병렬로 서로 접속된 다수의 스위치들을 포함하는 터치 센서 내장형 표시장치.
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