KR102548007B1 - Image sensor and its manufacturing method, image recognition method, electronic equipment - Google Patents

Image sensor and its manufacturing method, image recognition method, electronic equipment Download PDF

Info

Publication number
KR102548007B1
KR102548007B1 KR1020217018819A KR20217018819A KR102548007B1 KR 102548007 B1 KR102548007 B1 KR 102548007B1 KR 1020217018819 A KR1020217018819 A KR 1020217018819A KR 20217018819 A KR20217018819 A KR 20217018819A KR 102548007 B1 KR102548007 B1 KR 102548007B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
image
sensor
sensor unit
packaging
layer
Prior art date
Application number
KR1020217018819A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210093985A (en
Inventor
디 지앙
텅 왕
다롱 장
Original Assignee
쑤저우 믹소센스 테크놀로지 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쑤저우 믹소센스 테크놀로지 리미티드 filed Critical 쑤저우 믹소센스 테크놀로지 리미티드
Publication of KR20210093985A publication Critical patent/KR20210093985A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102548007B1 publication Critical patent/KR102548007B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/041Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
    • H01L25/042Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F18/00Pattern recognition
    • G06F18/20Analysing
    • G06F18/22Matching criteria, e.g. proximity measures
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/70Determining position or orientation of objects or cameras
    • G06T7/73Determining position or orientation of objects or cameras using feature-based methods
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/10Image acquisition
    • G06V10/12Details of acquisition arrangements; Constructional details thereof
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/10Image acquisition
    • G06V10/12Details of acquisition arrangements; Constructional details thereof
    • G06V10/14Optical characteristics of the device performing the acquisition or on the illumination arrangements
    • G06V10/147Details of sensors, e.g. sensor lenses
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/70Arrangements for image or video recognition or understanding using pattern recognition or machine learning
    • G06V10/74Image or video pattern matching; Proximity measures in feature spaces
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12Fingerprints or palmprints
    • G06V40/1335Combining adjacent partial images (e.g. slices) to create a composite input or reference pattern; Tracking a sweeping finger movement
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12Fingerprints or palmprints
    • G06V40/1347Preprocessing; Feature extraction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561Batch processing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5386Geometry or layout of the interconnection structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636Interconnect structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685Process for coatings or optical elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687Wafer level processing
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/79Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector

Abstract

본 출원은 이미지 센서 및 그의 제조 방법, 이미지 인식 방법, 전자 설비를 개시하였고, 이미지 센서는, 복수의 센서 유닛(101)을 포함하고, 복수의 센서 유닛(101)이 어레이로 배치되는 센서 유닛 어레이(10)-여기서, 각 센서 유닛(101)은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 센서 유닛(101)은 적어도 하나의 상호 연결 구조(1014)를 포함함-; 각 센서 유닛(101)의 상호 연결 구조(1014)를 노출시키고, 센서 유닛 어레이(10)를 피복하는 패키징층(20); 상호 연결 구조(1014)에 전기적으로 연결되고, 패키징층(20)의 일측에 위치하는 재배선층(30); 재배선층(30)에 전기적으로 연결되고, 패키징층(20)으로부터 멀어지는 재배선층(30)의 일측에 위치하는 회로기판(40); 을 포함한다.The present application discloses an image sensor, a manufacturing method thereof, an image recognition method, and electronic equipment. The image sensor includes a plurality of sensor units 101, and a sensor unit array in which the plurality of sensor units 101 are disposed in an array. (10) wherein each sensor unit 101 is configured to generate a portion size image of an imaging object, each sensor unit 101 including at least one interconnection structure 1014; a packaging layer 20 exposing the interconnect structure 1014 of each sensor unit 101 and covering the sensor unit array 10; a redistribution layer 30 electrically connected to the interconnection structure 1014 and located on one side of the packaging layer 20; a circuit board 40 electrically connected to the redistribution layer 30 and located on one side of the redistribution layer 30 away from the packaging layer 20; includes

Description

이미지 센서 및 그의 제조 방법, 이미지 인식 방법, 전자 설비Image sensor and its manufacturing method, image recognition method, electronic equipment

본 출원은 2019년 3월 4일에 중국특허청에 제출된 출원번호가 201910160614.9인 중국특허출원의 우선권을 주장하는바, 상기 출원의 전부 내용은 참조로서 본 출원에 포함된다.This application claims the priority of the Chinese patent application with application number 201910160614.9 filed with the Chinese Intellectual Property Office on March 4, 2019, the entire content of which is incorporated herein by reference.

본 출원의 실시예는 이미지 센서 기술분야에 관한 것으로, 예를 들어, 이미지 센서 및 그의 제조 방법, 이미지 인식 방법, 전자 설비에 관한 것이다.Embodiments of the present application relate to the field of image sensor technology, for example, an image sensor and a manufacturing method thereof, an image recognition method, and electronic equipment.

이미지 센서는 광학 이미지를 전기 신호로 변환한다. 컴퓨터 및 통신 산업이 발전함에 따라, 디지털 카메라, 캠코더, 개인 통신 시스템(Personal Communication System, PCS), 게임 호스트, 카메라 및 의료용 마이크로 카메라와 같은 다양한 분야에서 고성능 이미지 센서가 점차 요구되고 있다. An image sensor converts an optical image into an electrical signal. As the computer and communication industries develop, high-performance image sensors are gradually required in various fields such as digital cameras, camcorders, personal communication systems (PCS), game hosts, cameras, and medical micro-cameras.

관련 기술에서, 이미지 센서는 이미지 센서칩과 이미지 센서칩을 커버하는 렌즈를 포함하고, 렌즈를 통해 이미징 물체를 이미지 센서칩에 이미징한 후, 이미지 센서칩의 외주에 설치된 제어 유닛을 통해 이미지 센서칩이 노광되도록 제어하여, 광신호를 전기 신호로 변환함으로써, 이미징 물체의 이미지를 획득하게 된다.In a related art, an image sensor includes an image sensor chip and a lens covering the image sensor chip, and after imaging an imaging object to the image sensor chip through the lens, a control unit installed on the outer periphery of the image sensor chip controls the image sensor chip. An image of an imaging object is obtained by controlling the light to be exposed and converting an optical signal into an electrical signal.

그러나, 관련 기술 중의 이미지 센서는 면적이 비교적 큰 이미지 센서칩을 요구하고, 이미지 센서칩은 가격이 높기 때문에, 이미지 센서의 비용도 높게 된다.However, since the image sensor in the related art requires an image sensor chip with a relatively large area and a high price, the cost of the image sensor is also high.

본 출원의 실시예는 관련 기술 중의 이미지 센서의 제조 비용이 높은 상황이 발생하는 것을 방지하기 위한 이미지 센서 및 그의 제조 방법, 이미지 인식 방법, 전자 설비를 제공한다.Embodiments of the present application provide an image sensor, a manufacturing method thereof, an image recognition method, and electronic equipment for preventing a situation in which the manufacturing cost of the image sensor is high among related technologies.

제 1 방면에 있어서, 본 출원의 실시예는 이미지 센서를 제공하며, 해당 이미지 센서는, 복수의 센서 유닛을 포함하고, 복수의 상기 센서 유닛이 어레이로 배치되는 센서 유닛 어레이-여기서, 각 상기 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 상기 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함함-; 각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키고, 상기 센서 유닛 어레이를 피복하는 패키징층; 상기 상호 연결 구조에 전기적으로 연결되고, 상기 패키징층의 일측에 위치하는 재배선층; 상기 재배선층에 전기적으로 연결되고, 상기 패키징층으로부터 멀어지는 상기 재배선층의 일측에 위치하는 회로기판; 을 포함한다.In a first aspect, an embodiment of the present application provides an image sensor, the image sensor includes a plurality of sensor units, and a sensor unit array in which a plurality of the sensor units are arranged in an array - wherein each of the sensors units are configured to generate a portion size image of an imaging object, each said sensor unit comprising at least one interconnection structure; a packaging layer exposing interconnection structures of each of the sensor units and covering the sensor unit array; a redistribution layer electrically connected to the interconnection structure and positioned on one side of the packaging layer; a circuit board electrically connected to the redistribution layer and positioned on one side of the redistribution layer away from the packaging layer; includes

제 2 방면에 있어서, 본 출원의 실시예는 이미지 센서의 제조 방법을 더 제공하며, 해당 방법은, 베이스 기판을 제공하는 단계; 상기 베이스 기판에 센서 유닛 어레이를 형성하는 단계-여기서, 상기 센서 유닛 어레이는 복수의 센서 유닛을 포함하며, 복수의 상기 센서 유닛은 어레이로 배치되며, 각 상기 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 상기 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함함-; 상기 베이스 기판에 패키징층을 제조하고, 상기 패키징층은 상기 센서 유닛 어레이를 피복하며, 각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키는 단계; 상기 베이스 기판으로부터 멀어지는 상기 패키징층의 일측에 재배선층을 제조하는 단계-여기서, 상기 재배선층이 상기 상호 연결 구조에 전기적으로 연결됨-; 상기 패키징층으로부터 멀어지는 상기 재배선층의 일측에 회로기판을 제조하는 단계-여기서, 상기 회로기판이 상기 재배선층에 전기적으로 연결됨-; 를 포함한다.In a second aspect, an embodiment of the present application further provides a method for manufacturing an image sensor, the method comprising: providing a base substrate; Forming an array of sensor units on the base substrate, wherein the array of sensor units includes a plurality of sensor units, wherein the plurality of sensor units are arranged in an array, each of the sensor units generating a portion-size image of an imaging object. configured to generate, each said sensor unit comprising at least one interconnection structure; manufacturing a packaging layer on the base substrate, the packaging layer covering the array of sensor units and exposing interconnection structures of each of the sensor units; manufacturing a redistribution layer on one side of the packaging layer away from the base substrate, wherein the redistribution layer is electrically connected to the interconnection structure; manufacturing a circuit board on one side of the redistribution layer away from the packaging layer, wherein the circuit board is electrically connected to the redistribution layer; includes

제 3 방면에 있어서, 본 출원의 실시예는 제 1 방면에서 제공한 이미지 센서를 사용한 이미지 센서 인식 방법을 더 제공하며, 해당 방법은, 센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 인식 이미지를 획득하는 단계; 상기 복수의 부분 크기 인식 이미지에 기반하여, 적어도 두 개의 이미지 특징점 위치 정보를 획득하는 단계; 상기 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 상기 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식하는 단계; 를 포함한다.In a third aspect, an embodiment of the present application further provides an image sensor recognition method using the image sensor provided in the first aspect, wherein the method acquires a plurality of portion size recognition images generated by the sensor unit array. doing; obtaining positional information of at least two image feature points based on the plurality of partial size-recognized images; recognizing a recognized image collected by the image sensor using an image feature point recognition algorithm according to the location information of the at least two image feature points; includes

제 4 방면에 있어서, 본 출원의 실시예는 전자 설비를 더 제공하며, 해당 전자 설비는 제 1 방면에서 제공한 이미지 센서를 포함한다.In the fourth aspect, the embodiments of the present application further provide electronic equipment, and the electronic equipment includes the image sensor provided in the first aspect.

도 1은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서의 구조 개략도이다.
도 2는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 3은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 4는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 5는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 6은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 7은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 8은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 9는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 10은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 11은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서의 이미징 원리 개략도이다.
도 12는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서의 이미지 수집 원리 개략도이다.
도 13은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법의 흐름 개략도이다.
도 14는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법의 원리 개략도이다.
도 15는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서가 사람 얼굴 이미지를 인식하는 이미징 원리 개략도이다.
도 16은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서가 사람 얼굴 이미지를 인식하는 이미지 수집 원리 개략도이다.
도 17은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서 제조 방법의 흐름 개략도이다.
도 18 내지 도 24는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서 제조 방법의 각 단계의 구조 개략도이다.
1 is a structural schematic diagram of an image sensor provided in an embodiment of the present application.
2 is a structural schematic diagram of a sensor unit provided in an embodiment of the present application.
3 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
4 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
5 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
6 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
7 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
8 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
9 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
10 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
11 is a schematic diagram of an imaging principle of an image sensor provided in an embodiment of the present application.
12 is a schematic diagram of an image acquisition principle of an image sensor provided in an embodiment of the present application.
13 is a flow schematic diagram of an image recognition method provided in an embodiment of the present application.
14 is a principle schematic diagram of an image recognition method provided in an embodiment of the present application.
15 is a schematic diagram of an imaging principle in which an image sensor recognizes a human face image provided by an embodiment of the present application.
16 is a schematic diagram of an image collection principle in which an image sensor recognizes a human face image provided in an embodiment of the present application.
17 is a flow schematic diagram of a method for manufacturing an image sensor provided by an embodiment of the present application.
18 to 24 are structural schematic diagrams of each step of a method for manufacturing an image sensor provided in an embodiment of the present application.

본 출원의 실시예는 이미지 센서를 제공하며, 해당 이미지 센서는, 복수의 센서 유닛을 포함하고, 복수의 센서 유닛이 어레이로 배치되는 센서 유닛 어레이-여기서, 각 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함함-; 각 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키고, 센서 유닛 어레이를 피복하는 패키징층; 상호 연결 구조에 전기적으로 연결되고, 패키징층의 일측에 위치하는 재배선층; 재배선층에 전기적으로 연결되고, 패키징층으로부터 멀어지는 재배선층의 일측에 위치하는 회로기판; 을 포함한다. 상기 기술방안을 사용하면, 이미지 센서는 센서 유닛 어레이를 포함하고, 센서 유닛 어레이는 복수의 센서 유닛을 포함하며, 어레이로 배치된 복수의 센서 유닛을 포함하는 센서를 설치하고, 각 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성함으로써, 전체적으로 설치된 센서칩에 비해, 센서칩의 커버 면적을 줄일 수 있으며, 이미징 품질에 영향을 주지 않는 상황에서, 전체 이미지 센서의 총 부피를 효과적으로 줄일 수 있어, 이미지 센서의 소형화 설계를 쉽게 구현할 수 있으며, 이미지 센서의 제조 비용을 절감한다. 아울러, 각 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함하기 때문에, 전체 센서 유닛 어레이는 상호 연결 구조와 재배선층을 통해 회로기판과 연결되므로, 팬 아웃 공정을 통해 전체 이미지 센서를 패키징함으로써, 우수한 패키징 효과를 확보한다.Embodiments of the present application provide an image sensor, wherein the image sensor includes a plurality of sensor units, wherein the plurality of sensor units are arranged in an array, wherein each sensor unit is a portion-size image of an imaging object. wherein each sensor unit includes at least one interconnection structure; a packaging layer exposing the interconnection structure of each sensor unit and covering the sensor unit array; a redistribution layer electrically connected to the interconnection structure and positioned on one side of the packaging layer; a circuit board electrically connected to the redistribution layer and positioned on one side of the redistribution layer away from the packaging layer; includes Using the above technical solution, the image sensor includes a sensor unit array, the sensor unit array includes a plurality of sensor units, and a sensor including a plurality of sensor units arranged in an array is installed, and each sensor unit is configured to image By generating a partial-size image of an object, the cover area of the sensor chip can be reduced compared to the sensor chip installed as a whole, and the total volume of the entire image sensor can be effectively reduced in a situation that does not affect the imaging quality, resulting in an image sensor The miniaturized design of can be easily implemented, and the manufacturing cost of the image sensor is reduced. In addition, since each sensor unit includes at least one interconnection structure, since the entire sensor unit array is connected to the circuit board through the interconnection structure and the redistribution layer, the entire image sensor is packaged through a fan-out process, resulting in excellent packaging. secure the effect

도 1은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서의 구조 개략도이며, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서는, 복수의 센서 유닛(101)을 포함하고, 복수의 센서 유닛(101)이 어레이로 배치되는 센서 유닛 어레이(10)-여기서, 각 센서 유닛(101)은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 센서 유닛(101)은 적어도 하나의 상호 연결 구조(1014)를 포함함-; 각 센서 유닛(101)의 상호 연결 구조(1014)를 노출시키고, 센서 유닛 어레이(10)를 피복하는 패키징층(20); 상호 연결 구조(1014)에 전기적으로 연결되고, 패키징층(20)의 일측에 위치하는 재배선층(30); 재배선층(30)에 전기적으로 연결되고, 패키징층(20)으로부터 멀어지는 재배선층(30)의 일측에 위치하는 회로기판(40); 을 포함한다.1 is a structural schematic diagram of an image sensor provided in an embodiment of the present application, and as shown in FIG. 1, the image sensor provided in an embodiment of the present application includes a plurality of sensor units 101, An array of sensor units 10 in which a plurality of sensor units 101 are arranged in an array, wherein each sensor unit 101 is configured to generate a portion size image of an imaging object, each sensor unit 101 having at least one including interconnection structure 1014; a packaging layer 20 exposing the interconnect structure 1014 of each sensor unit 101 and covering the sensor unit array 10; a redistribution layer 30 electrically connected to the interconnection structure 1014 and located on one side of the packaging layer 20; a circuit board 40 electrically connected to the redistribution layer 30 and located on one side of the redistribution layer 30 away from the packaging layer 20; includes

도 1에 도시된 바와 같이, 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서는 센서 유닛 어레이(10)를 포함할 수 있고, 센서 유닛 어레이(10)의 복수의 센서 유닛(101)은 어레이로 배치되며, 각 센서 유닛(101)은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하므로, 관련 기술의 이미지 센서의 전면에 설치되는 센서칩에 비해, 본 발명의 실시예는 창조적으로 "전체를 분해하다(

Figure 112021070170787-pct00001
)"라는 개념을 이미지 센서에 응용하여, 관련 기술의 전면에 설계된 이미지 센서칩을 센서 유닛 어레이(10)로 설계하고, 센서 유닛 어레이(10)는 독립적으로 설치된 복수의 센서 유닛(101)을 포함하며, 각 센서 유닛(101)은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성한다. 전면의 이미지 센서칩에 비해, 본 출원의 실시예의 기술방안은 이미지 센서칩의 커버 면적을 감소함으로써, 이미지 센서의 제조 비용을 절감할 수 있다.As shown in FIG. 1 , the image sensor provided in one embodiment of the present application may include a sensor unit array 10, and a plurality of sensor units 101 of the sensor unit array 10 are arranged in an array. Since each sensor unit 101 generates a partial-size image of the imaging object, compared to the sensor chip installed in front of the image sensor of the related art, the embodiment of the present invention creatively "disassembles the whole (
Figure 112021070170787-pct00001
)" is applied to the image sensor, the image sensor chip designed in the foreground of the related technology is designed as a sensor unit array 10, and the sensor unit array 10 includes a plurality of independently installed sensor units 101 and each sensor unit 101 generates a partial-size image of the imaging object Compared to the front image sensor chip, the technical solution of the embodiment of the present application reduces the cover area of the image sensor chip, thereby reducing the manufacturing cost of the image sensor. can save

도 1 을 참조하면, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서에서, 각 센서 유닛(101)은 모두 적어도 하나의 상호 연결 구조(1014)를 포함하되, 각 상호 연결 구조(1014)는 재배선층(30)에 전기적으로 연결되고, 재배선층(30)은 회로기판(40)에 연결되므로, 상호 연결 구조(1014)와 재배선층(30)을 통해 센서 유닛(101)과 회로기판의 전기적 연결 관계를 구현한다. 본 출원의 실시예의 이미지 센서는 팬 아웃 공정을 통해 패키징되기 때문에, 센서 유닛(101)이 도선을 통해 회로기판(40)에 직접 연결되는 방식에 비해, 이미지 센서에 보다 많은 센서 유닛(101)을 통합시킬 수 있으므로, 통합 영활성이 좋고; 또한 우수한 이미지 센서의 패키징 효과를 확보할 수 있다.Referring to FIG. 1 , in the image sensor provided by the embodiment of the present application, each sensor unit 101 includes at least one interconnection structure 1014, and each interconnection structure 1014 includes a redistribution layer ( 30), and since the redistribution layer 30 is connected to the circuit board 40, the electrical connection between the sensor unit 101 and the circuit board is established through the interconnection structure 1014 and the redistribution layer 30. implement Since the image sensor of the embodiment of the present application is packaged through a fan-out process, more sensor units 101 are included in the image sensor than in a method in which the sensor unit 101 is directly connected to the circuit board 40 through a wire. Since it can be incorporated, the integrative activity is good; In addition, an excellent image sensor packaging effect can be secured.

상술한 내용을 종합하면, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서는, 어레이로 배치된 복수의 센서 유닛을 포함하는 센서를 설치하고, 각 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성함으로써, 전체적으로 설치된 센서칩에 비해, 센서칩의 커버 면적을 줄일 수 있으며, 이미징 품질에 영향을 주지 않는 상황에서, 전체 이미지 센서의 총 부피를 효과적으로 줄일 수 있어, 이미지 센서의 소형화 설계를 쉽게 구현할 수 있으며, 이미지 센서의 제조 비용을 절감한다. 아울러, 각 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함하고, 전체 센서 유닛 어레이는 재배선층을 통해 회로기판과 연결되므로, 팬 아웃 공정을 통해 전체 이미지 센서를 패키징함으로써, 우수한 패키징 효과를 확보한다.In summary, the image sensor provided in the embodiments of the present application installs a sensor including a plurality of sensor units arranged in an array, and each sensor unit generates a portion-size image of an imaging object, so that the overall Compared to the installed sensor chip, the cover area of the sensor chip can be reduced, and the total volume of the entire image sensor can be effectively reduced in a situation that does not affect the imaging quality, making it easy to implement a miniaturized design of the image sensor. Reduce the manufacturing cost of the sensor. In addition, since each sensor unit includes at least one interconnection structure and the entire sensor unit array is connected to the circuit board through a redistribution layer, an excellent packaging effect is secured by packaging the entire image sensor through a fan-out process.

도 2는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 센서 유닛의 구조 개략도이며, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 출원의 실시예에서 제공한 센서 유닛(101)은, 패키징 커버 플레이트(1011); 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 패키징 커버 플레이트(1011)의 일측에 위치한 센서칩(1012); 이미징 물체의 일부 입사광선을 수신하고 일부 입사광선을 센서칩(1012)에 이미징하며, 센서칩(1012)의 감광측의 일측에 위치한 적어도 하나의 광학소자(1013); 를 더 포함할 수 있다.2 is a structural schematic diagram of a sensor unit provided in an embodiment of the present application, and as shown in FIG. 2, the sensor unit 101 provided in an embodiment of the present application includes a packaging cover plate 1011; a sensor chip 1012 located on one side of the packaging cover plate 1011 and configured to generate a portion-size image of an imaging object; at least one optical element 1013 located on one side of the photosensitive side of the sensor chip 1012 for receiving some incident light rays from the imaging object and imaging some incident light rays on the sensor chip 1012; may further include.

예시적으로, 패키징 커버 플레이트(1011)는 연성 기판일 수 있으며, 그의 재료는 폴리이미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트 및 폴리에테르술폰 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 패키징 커버 플레이트(1011)는 강성 기판일 수도 있고, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 유리 기판 또는 기타 강성 기판일 수 있다. 본 출원의 실시예는 기판의 유형 및 재료에 대하여 한정하지 않는다.Illustratively, the packaging cover plate 1011 may be a flexible substrate, and its material may include at least one of polyimide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyarylate, and polyethersulfone. The packaging cover plate 1011 may be a rigid substrate, for example, a silicon wafer, a glass substrate, or other rigid substrate. Embodiments of the present application are not limited with respect to the type and material of the substrate.

광학소자(1013)는 각각의 센서칩(1012)에 대응되도록 설치된다. 이미지 센서가 작업할 때, 광학소자(1013)는 이미징 물체의 일부 입사광선을 수신하고 해당 일부 입사광선을 이에 대응되는 센서칩(1012)에 이미징하며, 센서칩(1012)은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성한다.The optical element 1013 is installed to correspond to each sensor chip 1012 . When the image sensor is working, the optical element 1013 receives some incident light rays from the imaging object and images the part incident light rays to the corresponding sensor chip 1012, which is the part size of the imaging object. create an image

렌즈를 예로 들면, 광학 렌즈의 이미징 원리에 따르면, 1/f=1/u+1/v이고, 여기서, f는 렌즈의 초점 거리를 나타내고, u는 이미지 거리(image distance)를 나타내며, v는 물체 거리(object distance)를 나타낸다. 렌즈의 초점 거리 f 및 렌즈에서 이미징 물체까지의 거리 v를 조정하여, 광학소자(1013)와 센서칩(1012) 사이의 거리 u를 조정하므로, 상의 면적이 물체 면적보다 일정한 배수만큼 작도록 하고, 센서칩(1012)의 크기를 제어하여, 센서칩(1012)의 설계에 자유도를 제공하며, 각 센서칩(1012)의 크기를 영활하게 설정하도록 확보한다.Taking a lens as an example, according to the imaging principle of an optical lens, 1/f=1/u+1/v, where f represents the focal length of the lens, u represents the image distance, and v represents Indicates the object distance. By adjusting the focal length f of the lens and the distance v from the lens to the imaging object, the distance u between the optical element 1013 and the sensor chip 1012 is adjusted so that the area of the image is smaller than the area of the object by a certain multiple, By controlling the size of the sensor chip 1012, a degree of freedom is provided in the design of the sensor chip 1012, and it is ensured that the size of each sensor chip 1012 can be set smoothly.

일 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 광학소자(1013)는 패키징 커버 플레이트(1011)가 위치하는 필름층과 센서칩(1012)이 위치하는 필름층 사이에 위치할 수 있고; 도 3에 도시된 바와 같이, 광학소자(1013)는 센서칩(1012)으로부터 멀어지는 패키징 커버 플레이트(1011)의 일측에 위치할 수도 있으며, 본 출원의 실시예는 이에 대해 한정하지 않는다.In one embodiment, as shown in FIG. 2 , the optical element 1013 may be positioned between a film layer where the packaging cover plate 1011 is located and a film layer where the sensor chip 1012 is located; As shown in FIG. 3 , the optical element 1013 may be located on one side of the packaging cover plate 1011 away from the sensor chip 1012, but the embodiment of the present application is not limited thereto.

일 실시예에서, 각 센서칩(1012)은 적어도 하나의 광학소자(1013)에 대응될 수 있고, 도 2는 각각의 센서칩(1012)이 하나의 광학소자(1013)에 대응될 수 있는 경우를 예로 들어 설명하였고, 도 4는 각각의 센서칩(1012)이 두 개의 광학소자(1013)에 대응될 수 있는 경우를 예로 들어 설명하였으며, 본 출원의 실시예는 이에 대해 한정하지 않는다.In one embodiment, each sensor chip 1012 may correspond to at least one optical element 1013, and in FIG. 2 , each sensor chip 1012 may correspond to one optical element 1013. has been described as an example, and FIG. 4 has been described as an example in which each sensor chip 1012 can correspond to two optical elements 1013, and embodiments of the present application are not limited thereto.

일 실시예에서, 상호 연결 구조(1014)는 금속 솔더볼, 금속 본딩패드 및 금속 돌출점 중의 적어도 하나를 포함할 수 있고, 본 출원의 실시예는 이에 대해 한정하지 않으며, 상호 연결 구조(1014)는 전기적 연결 및 기계적 연결 작용을 충족하기만 하면 되며, 본 출원의 실시예의 도면에서는 상호 연결 구조(1014)가 금속 솔더볼인 경우만을 예로 들어 예시적으로 설명하였다.In one embodiment, the interconnection structure 1014 may include at least one of a metal solder ball, a metal bonding pad, and a metal protruding point, the embodiments of the present application are not limited thereto, and the interconnection structure 1014 may include It is only necessary to satisfy the electrical connection and mechanical connection, and in the drawings of the embodiment of the present application, only the case where the interconnection structure 1014 is a metal solder ball has been exemplarily described.

도 5, 도 6 및 도 7은 각각 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 디스플레이 패널의 구조 개략도이며, 도 5, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 출원의 실시예에서 제공한 센서 유닛은, 개구가 형성되어 있고, 패키징 커버 플레이트(1011)의 적어도 일측 표면에 위치하는 코팅층(1015)을 더 포함할 수 있다. 패키징 커버 플레이트(1011)가 위치하는 평면에서의 개구의 수직 투영과 패키징 커버 플레이트(1011)가 위치하는 평면에서의 광학소자(1013)의 수직 투영에는 교차되게 겹치는 영역이 존재한다.5, 6 and 7 are structural schematic diagrams of another display panel provided in an embodiment of the present application, respectively, and as shown in FIGS. 5, 6 and 7, a sensor provided in an embodiment of the present application The unit may further include a coating layer 1015 having an opening and positioned on at least one surface of the packaging cover plate 1011 . An overlapping region exists between the vertical projection of the opening on the plane where the packaging cover plate 1011 is located and the vertical projection of the optical element 1013 on the plane where the packaging cover plate 1011 is located.

예시적으로, 도 5는 센서칩(1012)을 향하는 패키징 커버 플레이트(1011)의 일측에 코팅층(1015)이 설치되는 경우를 예로 들어 설명하였고, 도 6은 센서칩(1012)으로부터 멀어지는 패키징 커버 플레이트(1011)의 일측에 코팅층(1015)이 설치되는 경우를 예로 들어 설명하였으며, 도 7은 패키징 커버 플레이트(1011)의 양측에 코팅층(1015)이 설치되는 경우를 예로 들어 설명하였다. 도 5, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 패키징 커버 플레이트(1011)의 적어도 일측 표면에 코팅층(1015)이 설치되고, 코팅층(1015)에는 개구가 형성되어 있으며, 패키징 커버 플레이트(1011)가 위치하는 평면에서의 개구의 수직 투영과 패키징 커버 플레이트(1011)가 위치하는 평면에서의 광학소자(1013)의 수직 투영에는 교차되게 겹치는 영역이 존재하므로, 코팅층(1015) 및 코팅층(1015)의 개구에 의해 특정된 조리개(aperture)가 형성되도록 확보하여, 이미징 물체가 방출한 광선이 특정된 조리개를 통해 광학소자(1013)에 도달하게 함으로써, 간섭광을 필터링하는 것을 확보할 수 있어, 이미지 센서의 이미지 품질을 향상시킨다.Illustratively, FIG. 5 describes the case where the coating layer 1015 is installed on one side of the packaging cover plate 1011 facing the sensor chip 1012 as an example, and FIG. 6 illustrates the packaging cover plate moving away from the sensor chip 1012. The case where the coating layer 1015 is installed on one side of the (1011) has been described as an example, and FIG. 7 has been described as an example where the coating layer 1015 is installed on both sides of the packaging cover plate 1011. 5, 6 and 7, a coating layer 1015 is installed on at least one surface of the packaging cover plate 1011, an opening is formed in the coating layer 1015, and the packaging cover plate 1011 Since the vertical projection of the opening on the plane where is located and the vertical projection of the optical element 1013 on the plane where the packaging cover plate 1011 is located have cross-overlapping regions, the coating layer 1015 and the coating layer 1015 By ensuring that an aperture specified by the aperture is formed, it is possible to ensure that the light beam emitted by the imaging object reaches the optical element 1013 through the specified aperture, thereby filtering the interfering light, thereby ensuring that the image sensor improve the image quality of

일 실시예에서, 본 출원의 실시예에서 제공한 센서칩(101)의 경우, 광학소자(1013)는 렌즈, 이미징홀 및 시준기 중의 적어도 하나일 수 있다. 도 1 내지 도 7은 광학소자(1013)가 렌즈인 경우를 예로 들어 설명하였고, 도 8 및 도 9는 광학소자(1013)가 이미징홀인 경우를 예로 들어 설명하였다.In one embodiment, in the case of the sensor chip 101 provided in the embodiment of the present application, the optical element 1013 may be at least one of a lens, an imaging hole, and a collimator. In FIGS. 1 to 7, the case where the optical element 1013 is a lens has been described as an example, and in FIGS. 8 and 9, the case where the optical element 1013 is an imaging hole has been described as an example.

일 실시예에서, 도 2 내지 도 9를 참조하면, 본 출원의 일 실시예에서 제공한 센서 유닛(101)은 패키징 커버 플레이트(1011)가 위치하는 필름층과 센서칩(1012)이 위치하는 필름층 사이에 위치하는 심(shim)(1016)을 더 포함할 수 있다. 예시적으로, 패키징 커버 플레이트(1011)와 센서칩(1012) 사이에 심(1016)을 설치하고, 심(1016)의 두께를 조절하여 광학소자(1013)와 센서칩(1012) 사이의 거리를 조절하는 목적을 달성할 수 있고, 즉 이미지 거리를 조절하는 목적을 달성함으로써, 본 출원의 실시예에서 제공한 센서 유닛(101)이 이미지 거리를 조절할 수 있는 센서 유닛(101)임을 보증하고, 센서 유닛의 기능이 영활하고 다양함을 확보한다.In one embodiment, referring to FIGS. 2 to 9 , the sensor unit 101 provided in one embodiment of the present application includes a film layer where the packaging cover plate 1011 is located and a film layer where the sensor chip 1012 is located. It may further include shims 1016 located between the layers. Illustratively, a shim 1016 is installed between the packaging cover plate 1011 and the sensor chip 1012, and the thickness of the shim 1016 is adjusted to increase the distance between the optical element 1013 and the sensor chip 1012. By achieving the purpose of adjusting, that is, adjusting the image distance, it is ensured that the sensor unit 101 provided in the embodiment of the present application is a sensor unit 101 capable of adjusting the image distance, and the sensor Ensure that unit functions are flexible and diverse.

도 10은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이고, 도 10에 도시된 바와 같이, 광학소자(1013)가 센서칩(1012)으로부터 멀어지는 패키징 커버 플레이트(1011)의 일측에 위치하는 경우, 본 출원의 실시예에서 제공한 센서 유닛(101)은 심(1016)을 포함하지 않을 수 있으며, 패키징 커버 플레이트(1011)의 두께를 조절하여 광학소자(1013)와 센서칩(1012) 사이의 거리를 조절하는 목적을 달성하고, 즉 이미지 거리를 조절하는 목적을 달성하므로, 본 출원의 실시예에서 제공한 센서 유닛(101)이 이미지 거리를 조절할 수 있는 센서 유닛(101)임을 보증할 수 있을 뿐만 아니라, 센서 유닛(101)의 간단한 구조를 확보할 수도 있다.10 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application, and as shown in FIG. 10, an optical element 1013 is located on one side of a packaging cover plate 1011 away from a sensor chip 1012. When positioned, the sensor unit 101 provided in the embodiment of the present application may not include the shim 1016, and the optical element 1013 and the sensor chip 1012 may not be included by adjusting the thickness of the packaging cover plate 1011. ) achieves the purpose of adjusting the distance between them, that is, the purpose of adjusting the image distance, so it is ensured that the sensor unit 101 provided in the embodiment of the present application is a sensor unit 101 capable of adjusting the image distance. Not only can this be done, but it is also possible to ensure a simple structure of the sensor unit 101.

일 실시예에서, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서는 센서 유닛 어레이 (10)를 포함하되, 센서 유닛 어레이(10)는 복수의 센서 유닛(101)을 포함하고, 각 센서 유닛(101)은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하므로, 전체 센서 유닛 어레이(10)는 이미징 물체의 완전한 크기 이미지를 생성할 수 있고, 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성할 수도 있으며, 본 출원의 실시예는 이에 대해 한정하지 않는다. 이미지 인식을 수행할 때, 센서 유닛 어레이(10)가 이미징 물체의 완전한 크기 이미지를 생성하는 경우, 센서 유닛 어레이(10)가 생성한 이미징 물체의 완전한 크기 이미지와 미리 설정된 이미징 물체의 이미지를 비교하여 이미지 인식을 수행할 수 있으며, 본 출원의 실시예는 이에 대해 더 이상 반복하여 설명하지 않는다. 본 출원의 실시예는 센서 유닛 어레이(10)가 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성할 때 이미지 인식을 어떻게 수행하는지에 대해 집중적으로 기술하며, 아래에서 설명할 것이다.In one embodiment, the image sensor provided in the embodiments of the present application includes a sensor unit array 10, wherein the sensor unit array 10 includes a plurality of sensor units 101, and each sensor unit 101 Since produces a partial-size image of the imaging object, the entire sensor unit array 10 can create a full-size image of the imaging object, and can also create a partial-size image of the imaging object, the embodiments of the present application are thus not limited to When performing image recognition, when the sensor unit array 10 generates a full-size image of an imaging object, the full-size image of the imaging object generated by the sensor unit array 10 is compared with a preset image of the imaging object Image recognition can be performed, and the embodiments of this application will not be described again and again. Embodiments of the present application focus on how the sensor unit array 10 performs image recognition when generating a portion-size image of an imaging object, which will be described below.

도 11은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서의 이미징 원리 개략도이며; 도 12는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서의 이미지 수집 원리 개략도이다. 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 센서 유닛(101)은 이미징 물체의 입사광선에 기반하여 이미징 물체 커버 영역(S)을 형성하고, 서로 인접한 두 개의 센서 유닛(101)의 커버 영역(S) 사이의 거리는 L이고, 여기서, L>0이다.11 is a schematic diagram of an imaging principle of an image sensor provided in an embodiment of the present application; 12 is a schematic diagram of an image acquisition principle of an image sensor provided in an embodiment of the present application. 11 and 12, the sensor unit 101 forms an imaging object cover area S based on the incident light of the imaging object, and the cover area S of two sensor units 101 adjacent to each other ) is L, where L>0.

예시적으로, 서로 인접한 두 개의 센서 유닛(101)의 커버 영역(S) 사이의 거리가 L>0인 경우, 본 출원의 실시예에서 제공한 센서 유닛 어레이(10)의 유효 시야각이 이미징 물체를 완전히 커버하지 못함을 설명하고, 센서 유닛 어레이(10)는 이미징 물체의 완전한 크기 이미지를 획득하지 못하게 되므로, 통상적인 이미지 인식 방법으로 이미지 인식을 수행할 수 없다. 이에 기반하여, 본 출원의 실시예는 창조적으로 "이미지 특징점 인식"을 사용한 이미지 인식 방법을 제출한다.Illustratively, when the distance between the cover areas S of two adjacent sensor units 101 is L>0, the effective viewing angle of the sensor unit array 10 provided in the embodiment of the present application is an imaging object. Explaining that it does not cover completely, the sensor unit array 10 cannot acquire a full-size image of the imaged object, so image recognition cannot be performed by a conventional image recognition method. Based on this, the embodiments of the present application creatively present an image recognition method using "image feature point recognition".

도 13은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법의 흐름 개략도이고, 도 14는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법의 원리 개략도이며, 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법은 단계(S110) 내지 단계(S130)를 포함할 수 있다.13 is a flow schematic diagram of an image recognition method provided in an embodiment of the present application, and FIG. 14 is a principle schematic diagram of an image recognition method provided in an embodiment of the present application, as shown in FIGS. 13 and 14. , The image recognition method provided in the embodiment of the present application may include steps S110 to S130.

단계(S110)에서, 센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 인식 이미지를 획득한다. In step S110, a plurality of portion size recognition images generated by the sensor unit array are acquired.

예시적으로, 우선 센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 인식 이미지를 획득하고, 해당 단계는 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서의 수집에 의해 완성된다.Exemplarily, first, a plurality of portion size recognition images generated by the sensor unit array are acquired, and the corresponding step is completed by collecting image sensors provided in the embodiments of the present application.

단계(S120)에서, 상기 복수의 부분 크기 인식 이미지에 기반하여, 적어도 두 개의 이미지 특징점 위치 정보를 획득한다.In step S120, location information of at least two image feature points is obtained based on the plurality of partial size recognition images.

예시적으로, 도 14에 도시된 바와 같이, 이미지 센서가 최종적으로 수집한 인식 이미지는 복수의 부분 크기 인식 이미지로 구성된 어레이이며, 각 부분 크기 인식 이미지는 인식 이미지에서 인식에 사용될 수 있는 도 14의 검은색 원점과 같은 특징점을 포함하는 일정한 확률을 갖는다.14 exemplarily, as shown in FIG. 14 , the recognition image finally collected by the image sensor is an array composed of a plurality of portion size recognition images, each of which can be used for recognition in the recognition image. It has a certain probability of including a feature point such as a black origin.

각 센서 유닛 어레이는 M행, N열의 센서 유닛을 포함할 수 있고, 각 센서 유닛은 X행, Y열의 픽셀을 포함할 수 있다. 따라서, 센서 유닛의 커버 범위에 포함되는 하나의 이미지 특징점에 대해서는, 특징 공간에 위치하는 하나의 좌표(x, y, m, n, α)로 표시할 수 있다. 여기서, x는 어느 센서 유닛에서의 이미지 특징점의 가로 좌표를 표시하고, 여기서, 0≤x≤X이며; y는 어느 센서 유닛에서의 이미지 특징점의 세로 좌표를 표시하고, 여기서, 0≤y≤Y이며; m는 전체 센서 유닛 어레이에서의 이미지 특징점이 위치하는 센서 유닛의 가로 좌표를 표시하고, 여기서, 0≤m≤M이며; n는 전체 센서 유닛 어레이에서의 이미지 특징점이 위치하는 센서 유닛의 세로 좌표를 표시하고, 여기서, 0≤n≤N이며; α는 이미지 특징점의 특징각을 표시하고, 도 14에서는 지문 교차점을 이미지의 특징점으로 하고, 지문 교차점 위치 측의 협각을 이미지 특징점의 특징각으로 하는 경우를 예로 들어 설명하였다.Each sensor unit array may include sensor units in rows M and columns N, and each sensor unit may include pixels in rows X and columns Y. Accordingly, one image feature point included in the coverage range of the sensor unit may be displayed as one coordinate (x, y, m, n, α) located in the feature space. Here, x denotes the horizontal coordinate of an image feature point in a certain sensor unit, where 0≤x≤X; y represents the ordinate of an image feature point in a certain sensor unit, where 0≤y≤Y; m represents the horizontal coordinate of the sensor unit where the image feature point in the entire sensor unit array is located, where 0≤m≤M; n represents the ordinate of the sensor unit where the image feature point in the entire sensor unit array is located, where 0≤n≤N; α denotes the feature angle of the image feature point, and in FIG. 14 , the case where the fingerprint intersection point is the image feature point and the included angle at the location of the fingerprint intersection point is the feature angle of the image feature point has been described as an example.

전체 센서 유닛 어레이에서의 각 센서 유닛의 위치는 이미 알려져 있기 때문에, 센서 유닛의 커버 범위 내에 위치한 모든 이미지 특징점의 집합을 확인하여 획득할 수 있다.Since the location of each sensor unit in the entire sensor unit array is already known, a set of all image feature points located within a coverage range of the sensor unit can be identified and obtained.

단계(S130)에서, 상기 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 상기 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식한다.In step S130, the recognition image collected by the image sensor is recognized using an image feature point recognition algorithm according to the location information of the at least two image feature points.

예시적으로, 획득한 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식한다.Exemplarily, the recognition image collected by the image sensor is recognized by using an image feature point recognition algorithm according to the obtained positional information of at least two image feature points.

이미지 특징점 인식 알고리즘은 본 분야에 공지된 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용할 수 있고, 예를 들어, 이미지 특징점 인식 알고리즘은 doi: 10.1109/34.566808의 문헌 "Direct gray-scale minutiae detection in fingerprints", doi: 10.1109/TPAMI.2007.250596의 문헌 "Pores and ridges High-resolution fingerprint matching using level 3 features", doi: 10.1016/S0031-3203(98)00107-1의 문헌 "Fingerprint minutiae extraction from skeletonized binary images" 및 doi: 10.1109/ICCACS.2015.7361357의 문헌 "Extraction of high confidence minutiae points from fingerprint images"을 참고할 수 있다.The image feature point recognition algorithm may use an image feature point recognition algorithm known in the art, for example, the image feature point recognition algorithm is described in the document "Direct gray-scale minutiae detection in fingerprints", doi: 10.1109/34.566808, doi: 10.1109/ "Pores and ridges High-resolution fingerprint matching using level 3 features" by TPAMI.2007.250596, "Fingerprint minutiae extraction from skeletonized binary images" by doi: 10.1016/S0031-3203(98)00107-1 and doi: 10.1109/ICCACS Reference may be made to "Extraction of high confidence minutiae points from fingerprint images" of 2015.7361357.

본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법은, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서가 수집한 인식 이미지에 기반하여, 우선, 센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 인식 이미지를 획득하고, 다음, 복수의 부분 크기 인식 이미지에 기반하여, 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보를 획득하며, 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식한다. 이미지 센서가 수집한 인식 이미지는 모든 인식 이미지 정보를 포함할 수 없으므로, 본 출원의 실시예는 창조적으로 "이미지 특징점 인식"의 이미지 인식 방법을 사용하여, 이미지 인식 방법이 정확하게 실행 가능하도록 보장하고, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법은 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 정확하게 인식할 수 있도록 확보한다.The image recognition method provided in the embodiment of the present application first obtains a plurality of portion size recognition images generated by a sensor unit array based on the recognition image collected by the image sensor provided in the embodiment of the present application; , Then, based on a plurality of part size recognition images, position information of at least two image feature points is acquired, and based on the position information of the at least two image feature points, recognition collected by the image sensor is performed using an image feature point recognition algorithm. Recognize images. Since the recognition image collected by the image sensor cannot contain all recognition image information, the embodiment of the present application creatively uses the image recognition method of "image feature point recognition" to ensure that the image recognition method is accurately executable; The image recognition method provided in the embodiment of the present application ensures that the recognition image collected by the image sensor provided in the embodiment of the present application can be accurately recognized.

일 실시예에서, 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식하는 단계는, 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 임의의 두 개의 이미지 특징점 사이의 거리를 계산하는 단계; 임의의 두 개의 이미지 특징점 사이의 거리에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식하는 단계; 를 포함할 수 있다. In an embodiment, recognizing the recognition image collected by the image sensor using an image feature point recognition algorithm according to the location information of the at least two image feature points may include a random image based on the location information of the at least two image feature points. calculating a distance between two image feature points; Recognizing a recognized image collected by an image sensor using an image feature point recognition algorithm according to a distance between any two image feature points; can include

예시적으로, 도 14에 도시된 바와 같이, 전체 센서 유닛 어레이에서의 각 센서 유닛의 위치는 이미 알려져 있기 때문에, 센서 유닛의 커버 범위 내에 위치한 모든 이미지 특징점의 집합을 확인하여 획득할 수 있으며, 집합 내부의 각 이미지 특징점 사이의 거리는 정확하게 계산되어 획득할 수 있다. 전체 이미지 특징점 집합 내부 구성원의 좌표는 유일성과 정확성을 가지며, 이미지 특징점에 기반하는 이미지 인식 알고리즘에 의해 이용될 수 있으므로, 이미지 인식 기능을 구현하게 된다.Exemplarily, as shown in FIG. 14 , since the position of each sensor unit in the entire sensor unit array is already known, a set of all image feature points located within a coverage range of the sensor unit may be identified and obtained. The distance between each image feature point in the interior can be accurately calculated and obtained. Since the coordinates of the members of the whole image feature point set have uniqueness and accuracy and can be used by an image recognition algorithm based on the image feature point, the image recognition function is implemented.

일 실시예에서, 센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 인식 이미지를 획득하는 단계 이전에, 센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 기록 이미지를 여러 번 획득하고, 부분 크기 기록 이미지 라이브러리를 생성하는 단계; 부분 크기 기록 이미지 라이브러리에 따라, 이미지 스티칭 알고리즘을 사용하여 완전한 크기 기록 이미지를 생성하는 단계; 를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, prior to the step of acquiring the plurality of part size-recognized images generated by the sensor unit array, the plurality of part size recorded images generated by the sensor unit array are acquired several times, and the part size recorded image library is stored. generating; generating a full-size recorded image according to the part-size recorded image library using an image stitching algorithm; may further include.

예시적으로, 이미지 인식은 일반적으로 이미지 기록과 이미지 인식 등 두 개의 과정으로 나눌 수 있다. 이미지 기록 과정에서 시스템은 기록된 대상이 이미지 센서의 이미지 기록 평면 내에서 여러 번 이동하고, 센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 기록 이미지를 여러 번 획득하며, 부분 크기 기록 이미지 라이브러리를 생성하는 것을 요구할 수 있다. 다음 부분 크기 기록 이미지 라이브러리에 따라, 이미지 스티칭 알고리즘을 사용하여 부분 크기 기록 이미지를 커팅 및 스티칭하여 모든 이미지 특징점 정보를 포함하는 완전한 기록 이미지를 생성한다. 추후의 이미지 인식 과정에서, 획득한 일부 이미지 특징점을 포함하는 인식 이미지에 기반하여, 모든 이미지 특징점을 포함하는 기록 이미지와 비교함으로써, 이미지 인식을 수행한다.Illustratively, image recognition can generally be divided into two processes: image recording and image recognition. In the image recording process, the system moves the recorded object several times in the image recording plane of the image sensor, acquires a plurality of part size recorded images generated by the sensor unit array several times, and creates a part size recorded image library. you can ask for According to the following part-size recorded image library, the part-size recorded images are cut and stitched using an image stitching algorithm to generate a complete recorded image including all image feature point information. In a later image recognition process, image recognition is performed by comparing the obtained recognition image including some image feature points with a recorded image including all image feature points.

설명해야 할 것은, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법은 지문 인식만을 예로 들어 설명한다. 이해할 수 있는 것은, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서의 센서 유닛의 이미지 거리와 광학 소자의 초점 거리는 모두 조절 가능하기 때문에, 본 출원의 실시예의 센서 유닛의 물체 거리도 조절 가능하므로, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서도 물체 거리가 다른 물체를 인식할 수 있고, 예를 들어, 사람 얼굴 인식 알고리즘과 배합하여, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서는 도 15 및 도 16에 도시된 바와 같은 사람 얼굴 인식을 구현할 수 있다.It should be noted that the image recognition method provided in the embodiments of the present application is described by taking only fingerprint recognition as an example. It can be understood that since both the image distance of the sensor unit of the image sensor provided in the embodiment of the present application and the focal length of the optical element are both adjustable, the object distance of the sensor unit of the embodiment of the present application is also adjustable. The image sensor provided in the embodiment of can also recognize objects with different object distances, for example, in combination with a human face recognition algorithm, the image sensor provided in the embodiment of the present application is shown in FIGS. 15 and 16 Human face recognition as described above can be implemented.

본 출원의 실시예는 이미지 센서의 제조 방법을 더 제공하며, 도 17에 도시된 바와 같이, 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서의 제조 방법은 단계(S210) 내지 단계(S250)를 포함할 수 있다.An embodiment of the present application further provides a method for manufacturing an image sensor, and as shown in FIG. 17 , the method for manufacturing an image sensor provided in an embodiment of the present application includes steps S210 to S250. can do.

단계(S210)에서, 베이스 기판을 제공한다.In step S210, a base substrate is provided.

도 18은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 베이스 기판을 제조하는 구조 개략도이며, 도 18에 도시된 바와 같이, 베이스 기판(50)은 연성 기판일 수 있고, 강성 기판일 수도 있으며, 본 출원의 실시예는 베이스 기판(50)의 유형 및 재료에 대하여 한정하지 않는다.18 is a structural schematic diagram of manufacturing a base substrate provided in an embodiment of the present application, and as shown in FIG. 18, the base substrate 50 may be a flexible substrate or a rigid substrate, and may be a rigid substrate. The embodiment is not limited to the type and material of the base substrate 50 .

단계(S220)에서, 상기 베이스 기판에 센서 유닛 어레이를 형성하고, 상기 센서 유닛 어레이는 복수의 센서 유닛을 포함하며, 복수의 상기 센서 유닛은 어레이로 배치되며; 각 상기 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 상기 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함한다.In step S220, a sensor unit array is formed on the base substrate, the sensor unit array includes a plurality of sensor units, and the plurality of sensor units are arranged in an array; Each said sensor unit is configured to generate a portion size image of an imaging object, each said sensor unit including at least one interconnection structure.

도 19는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 베이스 기판에 센서 유닛 어레이(10)가 형성된 구조 개략도이며, 도 19에 도시된 바와 같이, 복수의 센서 유닛(101)은 베이스 기판(50)에 어레이로 배치되어 센서 유닛 어레이(10)를 형성한다.19 is a structural schematic diagram in which a sensor unit array 10 is formed on a base substrate provided in an embodiment of the present application, and as shown in FIG. 19, a plurality of sensor units 101 are arrayed on a base substrate 50 are disposed to form the sensor unit array 10 .

일 실시예에서, 센서 유닛 어레이(10)는 접착액으로 베이스 기판(50)에 접착될 수 있다.In one embodiment, the sensor unit array 10 may be adhered to the base substrate 50 with an adhesive.

일 실시예에서, 상호 연결 구조(1014)의 재료는 주로 솔더 금속이다. 예를 들어, Sn, Ag, Cu, Pb, Au, Ni, Zn, Mo, Ta, Bi, In 및 그의 합금이다.In one embodiment, the material of interconnect structure 1014 is primarily a solder metal. For example, Sn, Ag, Cu, Pb, Au, Ni, Zn, Mo, Ta, Bi, In and alloys thereof.

단계(S230)에서, 상기 베이스 기판에 패키징층을 제조하고, 상기 패키징층은 상기 센서 유닛 어레이를 피복하며, 각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시킨다.In step S230, a packaging layer is formed on the base substrate, and the packaging layer covers the sensor unit array and exposes the interconnection structure of each sensor unit.

예시적으로, 베이스 기판에 패키징층을 제조하고, 패키징층은 상기 센서 유닛 어레이를 피복하며, 각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키는 단계는, 베이스 기판에 패키징층을 제조하고, 패키징층이 센서 유닛 어레이를 피복하는 단계; 패키징층에 대하여 씨닝(thinning) 처리를 수행하여, 각 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키는 단계; 를 포함할 수 있다.Exemplarily, the step of manufacturing a packaging layer on a base substrate, the packaging layer covering the sensor unit array, and exposing the interconnection structure of each of the sensor units may include manufacturing a packaging layer on the base substrate, and covering the sensor unit array; performing a thinning process on the packaging layer to expose the interconnection structure of each sensor unit; can include

도 20은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 패키징층을 제조하는 구조 개략도이고, 도 21은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 패키징층에 대하여 씨닝 처리를 수행하는 구조 개략도이며, 도 20 및 도 21에 도시된 바와 같이, 우선 베이스 기판(50)에 패키징층(20)을 제조하고, 패키징층(20)이 센서 유닛 어레이(10)를 완전히 피복하도록 확보하며, 다음 패키징층(20)에 대하여 씨닝 처리를 수행하여, 추후의 조작을 위해 각 센서 유닛(101)의 상호 연결 구조(1014)를 노출시킨다.20 is a structural schematic diagram of manufacturing a packaging layer provided in an embodiment of the present application, and FIG. 21 is a structural schematic diagram of performing a thinning treatment on a packaging layer provided in an embodiment of the present application. As shown in 21, first, a packaging layer 20 is fabricated on the base substrate 50, ensuring that the packaging layer 20 completely covers the sensor unit array 10, and then for the packaging layer 20 A thinning process is performed to expose the interconnect structure 1014 of each sensor unit 101 for later manipulation.

단계(S240)에서, 상기 베이스 기판으로부터 멀어지는 상기 패키징층의 일측에 재배선층을 제조하고, 상기 재배선층은 상기 상호 연결 구조에 전기적으로 연결된다.In step S240, a redistribution layer is fabricated on one side of the packaging layer away from the base substrate, and the redistribution layer is electrically connected to the interconnection structure.

도 22는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 재배선층을 제조하는 구조 개략도이며, 도 22에 도시된 바와 같이, 재배선층(20)의 제조는 일련의 박막증착, 전기도금, 포토리소그라피, 현상, 및 에칭 등 공정을 포함할 수 있다. 재배선층(20)의 재료는 금속 재료일 수 있고, 예를 들어, Al, Au, Cr, Ni, Cu, Mo, Ti, Ta, Ni-Cr, W 및 그의 합금이다.22 is a structural schematic diagram of manufacturing a redistribution layer provided in an embodiment of the present application. As shown in FIG. 22, the manufacture of the redistribution layer 20 involves a series of thin film deposition, electroplating, photolithography, development, And it may include processes such as etching. The material of the redistribution layer 20 may be a metal material, for example, Al, Au, Cr, Ni, Cu, Mo, Ti, Ta, Ni-Cr, W, and alloys thereof.

단계(S250)에서, 상기 패키징층으로부터 멀어지는 상기 재배선층의 일측에 회로기판을 제조하고, 상기 회로기판은 상기 재배선층에 전기적으로 연결된다.In step S250, a circuit board is fabricated on one side of the redistribution layer away from the packaging layer, and the circuit board is electrically connected to the redistribution layer.

도 23은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 회로기판을 제조하는 구조 개략도이며, 도 23에 도시된 바와 같이, 패키징층(20)으로부터 멀어지는 재배선층(30)의 일측에 회로기판(40)을 제조하여, 센서 유닛(101)과 회로기판(40)의 전기적 연결을 구현한다.23 is a structural schematic diagram of manufacturing a circuit board provided in an embodiment of the present application. As shown in FIG. 23, a circuit board 40 is placed on one side of the redistribution layer 30 away from the packaging layer 20. By manufacturing, electrical connection between the sensor unit 101 and the circuit board 40 is implemented.

상술한 바와 같이, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서의 제조 방법은, 어레이로 배치된 복수의 센서 유닛을 포함하는 센서를 설치하고, 각 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성함으로써, 전체적으로 설치된 센서칩에 비해, 센서칩의 커버 면적을 줄일 수 있으며, 이미징 품질에 영향을 주지 않은 상황에서, 전체 이미지 센서의 총 부피를 효과적으로 줄일 수 있어, 이미지 센서의 소형화 설계를 쉽게 구현할 수 있으며, 이미지 센서의 제조 비용을 절감한다. 아울러, 각 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함하고, 전체 센서 유닛 어레이는 재배선층을 통해 회로기판과 연결되므로, 팬 아웃 공정을 통해 전체 이미지 센서를 패키징함으로써, 우수한 패키징 효과를 확보한다.As described above, the manufacturing method of the image sensor provided in the embodiment of the present application is to install a sensor including a plurality of sensor units arranged in an array, and each sensor unit generates a partial size image of an imaging object, Compared to the sensor chip installed as a whole, the cover area of the sensor chip can be reduced, and the total volume of the entire image sensor can be effectively reduced in a situation that does not affect the imaging quality, so the miniaturization of the image sensor can be easily implemented. Reduce the manufacturing cost of image sensors. In addition, since each sensor unit includes at least one interconnection structure and the entire sensor unit array is connected to the circuit board through a redistribution layer, an excellent packaging effect is secured by packaging the entire image sensor through a fan-out process.

일 실시예에서, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서의 제조 방법은 베이스 기판을 박리하는 단계를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the manufacturing method of the image sensor provided in the embodiments of the present application may further include the step of peeling the base substrate.

예시적으로, 도 24는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 베이스 기판(50)을 박리한 후 얻은 최종 이미지 센서의 구조 개략도이다. 추후 재배선층(30) 및 회로기판(40)을 제조하기 위해, 베이스 기판(50)은 센서칩 어레이(10)를 적재하도록 구성되고, 재배선층(30)과 회로기판(40)을 완성한 후, 베이스 기판(10)을 박리하여 이미지 센서의 박형화 설계를 확보할 수 있다.Illustratively, FIG. 24 is a structural schematic diagram of a final image sensor obtained after peeling off the base substrate 50 provided in one embodiment of the present application. In order to manufacture the redistribution layer 30 and the circuit board 40 later, the base substrate 50 is configured to mount the sensor chip array 10, and after completing the redistribution layer 30 and the circuit board 40, By peeling off the base substrate 10, it is possible to secure the thin design of the image sensor.

본 출원의 실시예는 전자 장치를 더 제공하고, 상기 전자 장치는 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서를 포함할 수 있으며, 여기서 더 이상 반복하여 설명하지 않는다. 일 실시예에서, 본 출원의 실시예에서 제공한 전자 설정 장치는 카메라, 비디오 카메라, 카드 펀칭기, 렌즈 모듈 또는 이미지 센서를 사용해야 하는 기타 전자 설비일 수 있으며, 본 출원의 실시예에서는 더 이상 일일이 열거하지 않는다.Embodiments of the present application further provide an electronic device, and the electronic device may include an image sensor provided in the embodiments of the present application, which is not described herein again. In an embodiment, the electronic setting device provided in the embodiments of the present application may be a camera, a video camera, a card punching machine, a lens module, or other electronic equipment that requires the use of an image sensor, and the embodiments of the present application do not enumerate them one by one. I never do that.

Claims (14)

복수의 센서 유닛을 포함하고, 복수의 상기 센서 유닛이 어레이로 배치되는 센서 유닛 어레이-여기서, 각 상기 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 상기 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함함-;
각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키고, 상기 센서 유닛 어레이를 피복하는 패키징층;
상기 상호 연결 구조에 전기적으로 연결되고, 상기 패키징층의 일측에 위치하는 재배선층;
상기 재배선층에 전기적으로 연결되고, 상기 패키징층으로부터 멀어지는 상기 재배선층의 일측에 위치하는 회로기판; 을 포함하며,
각 상기 센서 유닛은 이미징 물체의 입사광선에 기반하여 이미징 물체 커버 영역을 형성하고;
서로 인접한 두 개의 상기 센서 유닛의 커버 영역 사이의 거리는 L이고, 여기서 L>0인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
an array of sensor units comprising a plurality of sensor units, wherein the plurality of sensor units are arranged in an array, wherein each said sensor unit is configured to generate a portion size image of an imaging object, each said sensor unit having at least one mutual contains linking structures;
a packaging layer exposing interconnection structures of each of the sensor units and covering the sensor unit array;
a redistribution layer electrically connected to the interconnection structure and positioned on one side of the packaging layer;
a circuit board electrically connected to the redistribution layer and positioned on one side of the redistribution layer away from the packaging layer; Including,
each of the sensor units forms an imaging object cover area based on an incident light ray of the imaging object;
The image sensor, characterized in that the distance between the cover areas of the two sensor units adjacent to each other is L, where L>0.
제1항에 있어서,
상기 센서 유닛은,
패키징 커버 플레이트;
이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 상기 패키징 커버 플레이트의 일측에 위치한 센서칩;
상기 이미징 물체의 일부 입사광선을 수신하고 상기 일부 입사광선을 상기 센서칩에 이미징하며, 상기 센서칩의 감광측의 일측에 위치한 적어도 하나의 광학소자; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
According to claim 1,
The sensor unit,
packaging cover plate;
a sensor chip positioned on one side of the packaging cover plate and configured to generate a portion-size image of an imaging object;
at least one optical element located on one side of the photosensitive side of the sensor chip for receiving some incident light rays from the imaging object and imaging the partial incident light rays on the sensor chip; Image sensor characterized in that it further comprises.
제2항에 있어서,
상기 광학소자는 상기 패키징 커버 플레이트가 위치하는 필름층과 상기 센서칩이 위치하는 필름층 사이에 위치하거나;
상기 광학소자는 상기 센서칩으로부터 멀어지는 상기 패키징 커버 플레이트의 일측에 위치하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
According to claim 2,
The optical element is located between the film layer where the packaging cover plate is located and the film layer where the sensor chip is located;
The image sensor, characterized in that the optical element is located on one side of the packaging cover plate away from the sensor chip.
제2항에 있어서,
상기 센서 유닛은, 개구가 형성되어 있고, 상기 패키징 커버 플레이트의 적어도 일측 표면에 위치하는 코팅층을 더 포함하고;
상기 패키징 커버 플레이트가 위치하는 평면에서의 상기 개구의 수직 투영과 상기 패키징 커버 플레이트가 위치하는 평면에서의 상기 광학소자의 수직 투영에는 교차되게 겹치는 영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
According to claim 2,
The sensor unit further includes a coating layer having an opening and positioned on at least one side surface of the packaging cover plate;
The image sensor of claim 1 , wherein a cross-overlapping region exists between a vertical projection of the aperture on a plane where the packaging cover plate is located and a vertical projection of the optical element on a plane where the packaging cover plate is located.
제2항에 있어서,
상기 센서 유닛은 상기 패키징 커버 플레이트가 위치하는 필름층과 상기 센서칩이 위치하는 필름층 사이에 위치하는 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
According to claim 2,
The sensor unit may further include a spacer positioned between a film layer on which the packaging cover plate is positioned and a film layer on which the sensor chip is positioned.
제2항에 있어서,
상기 광학소자는 렌즈, 이미징홀, 시준기 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
According to claim 2,
The optical element may include at least one of a lens, an imaging hole, and a collimator.
베이스 기판을 제공하는 단계;
상기 베이스 기판에 센서 유닛 어레이를 형성하는 단계-여기서, 상기 센서 유닛 어레이는 복수의 센서 유닛을 포함하며, 복수의 상기 센서 유닛은 어레이로 배치되며, 각 상기 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 상기 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함하며, 각 상기 센서 유닛은 이미징 물체의 입사광선에 기반하여 이미징 물체 커버 영역을 형성하고, 서로 인접한 두 개의 상기 센서 유닛의 커버 영역 사이의 거리는 L이고, 여기서 L>0임-;
상기 베이스 기판에 패키징층을 제조하고, 상기 패키징층은 상기 센서 유닛 어레이를 피복하며, 각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키는 단계;
상기 베이스 기판으로부터 멀어지는 상기 패키징층의 일측에 재배선층을 제조하는 단계-여기서, 상기 재배선층이 상기 상호 연결 구조에 전기적으로 연결됨-;
상기 패키징층으로부터 멀어지는 상기 재배선층의 일측에 회로기판을 제조하는 단계-여기서, 상기 회로기판이 상기 재배선층에 전기적으로 연결됨-; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
providing a base substrate;
Forming an array of sensor units on the base substrate, wherein the array of sensor units includes a plurality of sensor units, wherein the plurality of sensor units are arranged in an array, each of the sensor units generating a portion-size image of an imaging object. wherein each of the sensor units includes at least one interconnection structure, wherein each of the sensor units forms an imaging object cover area based on an incident light beam of an imaging object, and covers two of the sensor units adjacent to each other. The distance between regions is L, where L>0;
manufacturing a packaging layer on the base substrate, the packaging layer covering the array of sensor units and exposing interconnection structures of each of the sensor units;
manufacturing a redistribution layer on one side of the packaging layer away from the base substrate, wherein the redistribution layer is electrically connected to the interconnection structure;
manufacturing a circuit board on one side of the redistribution layer away from the packaging layer, wherein the circuit board is electrically connected to the redistribution layer; Method for manufacturing an image sensor comprising a.
제7항에 있어서,
상기 베이스 기판에 패키징층을 제조하고, 상기 패키징층은 상기 센서 유닛 어레이를 피복하며, 각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키는 단계는,
상기 베이스 기판에 패키징층을 제조하고, 상기 패키징층은 상기 센서 유닛 어레이를 피복하는 단계;
상기 패키징층에 대하여 씨닝 처리를 수행하여, 각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
According to claim 7,
Manufacturing a packaging layer on the base substrate, the packaging layer covering the sensor unit array, and exposing the interconnection structure of each sensor unit,
manufacturing a packaging layer on the base substrate and covering the sensor unit array with the packaging layer;
exposing interconnection structures of each of the sensor units by performing a thinning process on the packaging layer; Method for manufacturing an image sensor comprising a.
제7항에 있어서,
상기 베이스 기판을 박리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
According to claim 7,
The manufacturing method of the image sensor, characterized in that it further comprises the step of peeling the base substrate.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 이미지 센서를 사용하고,
센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 인식 이미지를 획득하는 단계;
상기 복수의 부분 크기 인식 이미지에 기반하여, 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보를 획득하는 단계;
상기 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 상기 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 인식 방법.
Using the image sensor according to any one of claims 1 to 6,
obtaining a plurality of portion size recognition images generated by the sensor unit array;
obtaining location information of at least two image feature points based on the plurality of partial size recognition images;
recognizing a recognized image collected by the image sensor using an image feature point recognition algorithm according to the location information of the at least two image feature points; Image recognition method comprising a.
제10항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 상기 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식하는 단계는,
상기 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 임의의 두 개의 이미지 특징점 사이의 거리를 계산하는 단계;
상기 임의의 두 개의 이미지 특징점 사이의 거리에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 상기 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 인식 방법.
According to claim 10,
Recognizing the recognition image collected by the image sensor using an image feature point recognition algorithm according to the location information of the at least two image feature points,
calculating a distance between two arbitrary image feature points according to the location information of the at least two image feature points;
recognizing a recognized image collected by the image sensor using an image feature point recognition algorithm according to a distance between the arbitrary two image feature points; Image recognition method comprising a.
제10항에 있어서,
센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 인식 이미지를 획득하는 단계 이전에,
센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 기록 이미지를 여러 번 획득하고, 부분 크기 기록 이미지 라이브러리를 생성하는 단계;
상기 부분 크기 기록 이미지 라이브러리에 따라, 이미지 스티칭 알고리즘을 사용하여 완전한 크기 기록 이미지를 생성하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 인식 방법.
According to claim 10,
Prior to acquiring a plurality of portion size recognition images generated by the sensor unit array,
acquiring a plurality of part-size recorded images generated by the sensor unit array multiple times, and creating a part-size recorded image library;
generating a full-size recorded image according to the part-size recorded image library using an image stitching algorithm; Image recognition method characterized in that it further comprises.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 이미지 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 설비.
Electronic equipment comprising the image sensor according to any one of claims 1 to 6.
삭제delete
KR1020217018819A 2019-03-04 2019-11-29 Image sensor and its manufacturing method, image recognition method, electronic equipment KR102548007B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910160614.9 2019-03-04
CN201910160614.9A CN111725185A (en) 2019-03-04 2019-03-04 Image sensor, manufacturing method thereof, image recognition method and electronic equipment
PCT/CN2019/122025 WO2020177412A1 (en) 2019-03-04 2019-11-29 Image sensor, preparation method thereof, image recognition method, and electronic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210093985A KR20210093985A (en) 2021-07-28
KR102548007B1 true KR102548007B1 (en) 2023-06-27

Family

ID=72337192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217018819A KR102548007B1 (en) 2019-03-04 2019-11-29 Image sensor and its manufacturing method, image recognition method, electronic equipment

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220004792A1 (en)
JP (1) JP7105014B2 (en)
KR (1) KR102548007B1 (en)
CN (1) CN111725185A (en)
WO (1) WO2020177412A1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104916599A (en) * 2015-05-28 2015-09-16 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 Chip packaging method and chip packaging structure

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2753541B2 (en) * 1990-02-19 1998-05-20 株式会社ニコン Still image pickup device
EP3328048B1 (en) 2008-05-20 2021-04-21 FotoNation Limited Capturing and processing of images using monolithic camera array with heterogeneous imagers
JP5324890B2 (en) * 2008-11-11 2013-10-23 ラピスセミコンダクタ株式会社 Camera module and manufacturing method thereof
US8963334B2 (en) * 2011-08-30 2015-02-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Die-to-die gap control for semiconductor structure and method
CN203616766U (en) * 2013-12-18 2014-05-28 格科微电子(上海)有限公司 An optical fingerprint acquisition apparatus and a portable electronic apparatus
CN104021374B (en) * 2014-05-28 2018-03-30 上海思立微电子科技有限公司 A kind of fingerprint sensor array
JP6051399B2 (en) * 2014-07-17 2016-12-27 関根 弘一 Solid-state imaging device and manufacturing method thereof
WO2017036344A1 (en) * 2015-08-28 2017-03-09 苏州晶方半导体科技股份有限公司 Image sensor package structure and packaging method thereof
KR102070665B1 (en) * 2015-09-02 2020-01-29 차이나 와퍼 레벨 씨에스피 씨오., 엘티디. Package structure and packaging method
KR101796660B1 (en) * 2016-04-19 2017-11-10 삼성전자주식회사 Electronic device for supporting the fingerprint verification and operating method thereof
CN105975935B (en) 2016-05-04 2019-06-25 腾讯科技(深圳)有限公司 A kind of face image processing process and device
US10714402B2 (en) 2016-06-20 2020-07-14 Sony Corporation Semiconductor chip package for improving freedom of arrangement of external terminals
CN107480584B (en) * 2017-07-05 2021-11-26 上海交通大学 Scanning type fingerprint identification and touch control integrated screen
EP3647995A4 (en) * 2018-09-21 2020-05-06 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. Fingerprint identification apparatus and electronic device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104916599A (en) * 2015-05-28 2015-09-16 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 Chip packaging method and chip packaging structure

Also Published As

Publication number Publication date
JP7105014B2 (en) 2022-07-22
CN111725185A (en) 2020-09-29
US20220004792A1 (en) 2022-01-06
JP2022508232A (en) 2022-01-19
KR20210093985A (en) 2021-07-28
WO2020177412A1 (en) 2020-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN209640880U (en) Optical fingerprint identification device and electronic equipment
CN107832749B (en) Array substrate, preparation method thereof, fingerprint identification method and display device
CN209640885U (en) Optical image acquisition unit, optical image acquisition system and electronic equipment
US9756228B2 (en) Low profile camera and vision sensor
CN112889266B (en) Electronic device including camera module in display and method for compensating image around camera module
CN109416744A (en) Improved camera calibration system, target and process
CN212433783U (en) Optical fingerprint device and electronic equipment
JP2009225064A (en) Image input device, authentication device, and electronic apparatus having them mounted thereon
JP2009087329A (en) Image input device and personal authentication device
US11641524B2 (en) Electronic device and method for displaying image in electronic device
CN210041952U (en) Optical image acquisition device and electronic equipment
CN111597859A (en) Screen assembly and electronic equipment
CN109103209B (en) Image sensor, preparation method thereof and electronic equipment
WO2020219877A1 (en) Image sensor system
KR102548007B1 (en) Image sensor and its manufacturing method, image recognition method, electronic equipment
US11068684B2 (en) Fingerprint authentication sensor module and fingerprint authentication device
US8605210B2 (en) Optical module for a cellular phone
CN109417591A (en) Optical image acquisition device and electronic equipment
JP2021177551A (en) Optical imaging device
CN209312760U (en) Imaging sensor and electronic equipment
JP2017143491A (en) Multilayer type imaging device and imaging apparatus
CN108899336B (en) Signal identification system, preparation method thereof and electronic equipment
CN210052171U (en) Optical fingerprint device and electronic equipment
CN112040203B (en) Computer storage medium, terminal device, image processing method and device
TW202205844A (en) Sensor with multiple focal zones

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right