KR102548007B1 - Image sensor and its manufacturing method, image recognition method, electronic equipment - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 75
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 claims description 14
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 33
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
Abstract
본 출원은 이미지 센서 및 그의 제조 방법, 이미지 인식 방법, 전자 설비를 개시하였고, 이미지 센서는, 복수의 센서 유닛(101)을 포함하고, 복수의 센서 유닛(101)이 어레이로 배치되는 센서 유닛 어레이(10)-여기서, 각 센서 유닛(101)은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 센서 유닛(101)은 적어도 하나의 상호 연결 구조(1014)를 포함함-; 각 센서 유닛(101)의 상호 연결 구조(1014)를 노출시키고, 센서 유닛 어레이(10)를 피복하는 패키징층(20); 상호 연결 구조(1014)에 전기적으로 연결되고, 패키징층(20)의 일측에 위치하는 재배선층(30); 재배선층(30)에 전기적으로 연결되고, 패키징층(20)으로부터 멀어지는 재배선층(30)의 일측에 위치하는 회로기판(40); 을 포함한다.The present application discloses an image sensor, a manufacturing method thereof, an image recognition method, and electronic equipment. The image sensor includes a plurality of sensor units 101, and a sensor unit array in which the plurality of sensor units 101 are disposed in an array. (10) wherein each sensor unit 101 is configured to generate a portion size image of an imaging object, each sensor unit 101 including at least one interconnection structure 1014; a packaging layer 20 exposing the interconnect structure 1014 of each sensor unit 101 and covering the sensor unit array 10; a redistribution layer 30 electrically connected to the interconnection structure 1014 and located on one side of the packaging layer 20; a circuit board 40 electrically connected to the redistribution layer 30 and located on one side of the redistribution layer 30 away from the packaging layer 20; includes
Description
본 출원은 2019년 3월 4일에 중국특허청에 제출된 출원번호가 201910160614.9인 중국특허출원의 우선권을 주장하는바, 상기 출원의 전부 내용은 참조로서 본 출원에 포함된다.This application claims the priority of the Chinese patent application with application number 201910160614.9 filed with the Chinese Intellectual Property Office on March 4, 2019, the entire content of which is incorporated herein by reference.
본 출원의 실시예는 이미지 센서 기술분야에 관한 것으로, 예를 들어, 이미지 센서 및 그의 제조 방법, 이미지 인식 방법, 전자 설비에 관한 것이다.Embodiments of the present application relate to the field of image sensor technology, for example, an image sensor and a manufacturing method thereof, an image recognition method, and electronic equipment.
이미지 센서는 광학 이미지를 전기 신호로 변환한다. 컴퓨터 및 통신 산업이 발전함에 따라, 디지털 카메라, 캠코더, 개인 통신 시스템(Personal Communication System, PCS), 게임 호스트, 카메라 및 의료용 마이크로 카메라와 같은 다양한 분야에서 고성능 이미지 센서가 점차 요구되고 있다. An image sensor converts an optical image into an electrical signal. As the computer and communication industries develop, high-performance image sensors are gradually required in various fields such as digital cameras, camcorders, personal communication systems (PCS), game hosts, cameras, and medical micro-cameras.
관련 기술에서, 이미지 센서는 이미지 센서칩과 이미지 센서칩을 커버하는 렌즈를 포함하고, 렌즈를 통해 이미징 물체를 이미지 센서칩에 이미징한 후, 이미지 센서칩의 외주에 설치된 제어 유닛을 통해 이미지 센서칩이 노광되도록 제어하여, 광신호를 전기 신호로 변환함으로써, 이미징 물체의 이미지를 획득하게 된다.In a related art, an image sensor includes an image sensor chip and a lens covering the image sensor chip, and after imaging an imaging object to the image sensor chip through the lens, a control unit installed on the outer periphery of the image sensor chip controls the image sensor chip. An image of an imaging object is obtained by controlling the light to be exposed and converting an optical signal into an electrical signal.
그러나, 관련 기술 중의 이미지 센서는 면적이 비교적 큰 이미지 센서칩을 요구하고, 이미지 센서칩은 가격이 높기 때문에, 이미지 센서의 비용도 높게 된다.However, since the image sensor in the related art requires an image sensor chip with a relatively large area and a high price, the cost of the image sensor is also high.
본 출원의 실시예는 관련 기술 중의 이미지 센서의 제조 비용이 높은 상황이 발생하는 것을 방지하기 위한 이미지 센서 및 그의 제조 방법, 이미지 인식 방법, 전자 설비를 제공한다.Embodiments of the present application provide an image sensor, a manufacturing method thereof, an image recognition method, and electronic equipment for preventing a situation in which the manufacturing cost of the image sensor is high among related technologies.
제 1 방면에 있어서, 본 출원의 실시예는 이미지 센서를 제공하며, 해당 이미지 센서는, 복수의 센서 유닛을 포함하고, 복수의 상기 센서 유닛이 어레이로 배치되는 센서 유닛 어레이-여기서, 각 상기 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 상기 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함함-; 각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키고, 상기 센서 유닛 어레이를 피복하는 패키징층; 상기 상호 연결 구조에 전기적으로 연결되고, 상기 패키징층의 일측에 위치하는 재배선층; 상기 재배선층에 전기적으로 연결되고, 상기 패키징층으로부터 멀어지는 상기 재배선층의 일측에 위치하는 회로기판; 을 포함한다.In a first aspect, an embodiment of the present application provides an image sensor, the image sensor includes a plurality of sensor units, and a sensor unit array in which a plurality of the sensor units are arranged in an array - wherein each of the sensors units are configured to generate a portion size image of an imaging object, each said sensor unit comprising at least one interconnection structure; a packaging layer exposing interconnection structures of each of the sensor units and covering the sensor unit array; a redistribution layer electrically connected to the interconnection structure and positioned on one side of the packaging layer; a circuit board electrically connected to the redistribution layer and positioned on one side of the redistribution layer away from the packaging layer; includes
제 2 방면에 있어서, 본 출원의 실시예는 이미지 센서의 제조 방법을 더 제공하며, 해당 방법은, 베이스 기판을 제공하는 단계; 상기 베이스 기판에 센서 유닛 어레이를 형성하는 단계-여기서, 상기 센서 유닛 어레이는 복수의 센서 유닛을 포함하며, 복수의 상기 센서 유닛은 어레이로 배치되며, 각 상기 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 상기 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함함-; 상기 베이스 기판에 패키징층을 제조하고, 상기 패키징층은 상기 센서 유닛 어레이를 피복하며, 각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키는 단계; 상기 베이스 기판으로부터 멀어지는 상기 패키징층의 일측에 재배선층을 제조하는 단계-여기서, 상기 재배선층이 상기 상호 연결 구조에 전기적으로 연결됨-; 상기 패키징층으로부터 멀어지는 상기 재배선층의 일측에 회로기판을 제조하는 단계-여기서, 상기 회로기판이 상기 재배선층에 전기적으로 연결됨-; 를 포함한다.In a second aspect, an embodiment of the present application further provides a method for manufacturing an image sensor, the method comprising: providing a base substrate; Forming an array of sensor units on the base substrate, wherein the array of sensor units includes a plurality of sensor units, wherein the plurality of sensor units are arranged in an array, each of the sensor units generating a portion-size image of an imaging object. configured to generate, each said sensor unit comprising at least one interconnection structure; manufacturing a packaging layer on the base substrate, the packaging layer covering the array of sensor units and exposing interconnection structures of each of the sensor units; manufacturing a redistribution layer on one side of the packaging layer away from the base substrate, wherein the redistribution layer is electrically connected to the interconnection structure; manufacturing a circuit board on one side of the redistribution layer away from the packaging layer, wherein the circuit board is electrically connected to the redistribution layer; includes
제 3 방면에 있어서, 본 출원의 실시예는 제 1 방면에서 제공한 이미지 센서를 사용한 이미지 센서 인식 방법을 더 제공하며, 해당 방법은, 센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 인식 이미지를 획득하는 단계; 상기 복수의 부분 크기 인식 이미지에 기반하여, 적어도 두 개의 이미지 특징점 위치 정보를 획득하는 단계; 상기 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 상기 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식하는 단계; 를 포함한다.In a third aspect, an embodiment of the present application further provides an image sensor recognition method using the image sensor provided in the first aspect, wherein the method acquires a plurality of portion size recognition images generated by the sensor unit array. doing; obtaining positional information of at least two image feature points based on the plurality of partial size-recognized images; recognizing a recognized image collected by the image sensor using an image feature point recognition algorithm according to the location information of the at least two image feature points; includes
제 4 방면에 있어서, 본 출원의 실시예는 전자 설비를 더 제공하며, 해당 전자 설비는 제 1 방면에서 제공한 이미지 센서를 포함한다.In the fourth aspect, the embodiments of the present application further provide electronic equipment, and the electronic equipment includes the image sensor provided in the first aspect.
도 1은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서의 구조 개략도이다.
도 2는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 3은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 4는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 5는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 6은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 7은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 8은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 9는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 10은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이다.
도 11은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서의 이미징 원리 개략도이다.
도 12는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서의 이미지 수집 원리 개략도이다.
도 13은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법의 흐름 개략도이다.
도 14는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법의 원리 개략도이다.
도 15는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서가 사람 얼굴 이미지를 인식하는 이미징 원리 개략도이다.
도 16은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서가 사람 얼굴 이미지를 인식하는 이미지 수집 원리 개략도이다.
도 17은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서 제조 방법의 흐름 개략도이다.
도 18 내지 도 24는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서 제조 방법의 각 단계의 구조 개략도이다. 1 is a structural schematic diagram of an image sensor provided in an embodiment of the present application.
2 is a structural schematic diagram of a sensor unit provided in an embodiment of the present application.
3 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
4 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
5 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
6 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
7 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
8 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
9 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
10 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application.
11 is a schematic diagram of an imaging principle of an image sensor provided in an embodiment of the present application.
12 is a schematic diagram of an image acquisition principle of an image sensor provided in an embodiment of the present application.
13 is a flow schematic diagram of an image recognition method provided in an embodiment of the present application.
14 is a principle schematic diagram of an image recognition method provided in an embodiment of the present application.
15 is a schematic diagram of an imaging principle in which an image sensor recognizes a human face image provided by an embodiment of the present application.
16 is a schematic diagram of an image collection principle in which an image sensor recognizes a human face image provided in an embodiment of the present application.
17 is a flow schematic diagram of a method for manufacturing an image sensor provided by an embodiment of the present application.
18 to 24 are structural schematic diagrams of each step of a method for manufacturing an image sensor provided in an embodiment of the present application.
본 출원의 실시예는 이미지 센서를 제공하며, 해당 이미지 센서는, 복수의 센서 유닛을 포함하고, 복수의 센서 유닛이 어레이로 배치되는 센서 유닛 어레이-여기서, 각 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함함-; 각 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키고, 센서 유닛 어레이를 피복하는 패키징층; 상호 연결 구조에 전기적으로 연결되고, 패키징층의 일측에 위치하는 재배선층; 재배선층에 전기적으로 연결되고, 패키징층으로부터 멀어지는 재배선층의 일측에 위치하는 회로기판; 을 포함한다. 상기 기술방안을 사용하면, 이미지 센서는 센서 유닛 어레이를 포함하고, 센서 유닛 어레이는 복수의 센서 유닛을 포함하며, 어레이로 배치된 복수의 센서 유닛을 포함하는 센서를 설치하고, 각 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성함으로써, 전체적으로 설치된 센서칩에 비해, 센서칩의 커버 면적을 줄일 수 있으며, 이미징 품질에 영향을 주지 않는 상황에서, 전체 이미지 센서의 총 부피를 효과적으로 줄일 수 있어, 이미지 센서의 소형화 설계를 쉽게 구현할 수 있으며, 이미지 센서의 제조 비용을 절감한다. 아울러, 각 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함하기 때문에, 전체 센서 유닛 어레이는 상호 연결 구조와 재배선층을 통해 회로기판과 연결되므로, 팬 아웃 공정을 통해 전체 이미지 센서를 패키징함으로써, 우수한 패키징 효과를 확보한다.Embodiments of the present application provide an image sensor, wherein the image sensor includes a plurality of sensor units, wherein the plurality of sensor units are arranged in an array, wherein each sensor unit is a portion-size image of an imaging object. wherein each sensor unit includes at least one interconnection structure; a packaging layer exposing the interconnection structure of each sensor unit and covering the sensor unit array; a redistribution layer electrically connected to the interconnection structure and positioned on one side of the packaging layer; a circuit board electrically connected to the redistribution layer and positioned on one side of the redistribution layer away from the packaging layer; includes Using the above technical solution, the image sensor includes a sensor unit array, the sensor unit array includes a plurality of sensor units, and a sensor including a plurality of sensor units arranged in an array is installed, and each sensor unit is configured to image By generating a partial-size image of an object, the cover area of the sensor chip can be reduced compared to the sensor chip installed as a whole, and the total volume of the entire image sensor can be effectively reduced in a situation that does not affect the imaging quality, resulting in an image sensor The miniaturized design of can be easily implemented, and the manufacturing cost of the image sensor is reduced. In addition, since each sensor unit includes at least one interconnection structure, since the entire sensor unit array is connected to the circuit board through the interconnection structure and the redistribution layer, the entire image sensor is packaged through a fan-out process, resulting in excellent packaging. secure the effect
도 1은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서의 구조 개략도이며, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서는, 복수의 센서 유닛(101)을 포함하고, 복수의 센서 유닛(101)이 어레이로 배치되는 센서 유닛 어레이(10)-여기서, 각 센서 유닛(101)은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 센서 유닛(101)은 적어도 하나의 상호 연결 구조(1014)를 포함함-; 각 센서 유닛(101)의 상호 연결 구조(1014)를 노출시키고, 센서 유닛 어레이(10)를 피복하는 패키징층(20); 상호 연결 구조(1014)에 전기적으로 연결되고, 패키징층(20)의 일측에 위치하는 재배선층(30); 재배선층(30)에 전기적으로 연결되고, 패키징층(20)으로부터 멀어지는 재배선층(30)의 일측에 위치하는 회로기판(40); 을 포함한다.1 is a structural schematic diagram of an image sensor provided in an embodiment of the present application, and as shown in FIG. 1, the image sensor provided in an embodiment of the present application includes a plurality of
도 1에 도시된 바와 같이, 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서는 센서 유닛 어레이(10)를 포함할 수 있고, 센서 유닛 어레이(10)의 복수의 센서 유닛(101)은 어레이로 배치되며, 각 센서 유닛(101)은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하므로, 관련 기술의 이미지 센서의 전면에 설치되는 센서칩에 비해, 본 발명의 실시예는 창조적으로 "전체를 분해하다()"라는 개념을 이미지 센서에 응용하여, 관련 기술의 전면에 설계된 이미지 센서칩을 센서 유닛 어레이(10)로 설계하고, 센서 유닛 어레이(10)는 독립적으로 설치된 복수의 센서 유닛(101)을 포함하며, 각 센서 유닛(101)은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성한다. 전면의 이미지 센서칩에 비해, 본 출원의 실시예의 기술방안은 이미지 센서칩의 커버 면적을 감소함으로써, 이미지 센서의 제조 비용을 절감할 수 있다.As shown in FIG. 1 , the image sensor provided in one embodiment of the present application may include a
도 1 을 참조하면, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서에서, 각 센서 유닛(101)은 모두 적어도 하나의 상호 연결 구조(1014)를 포함하되, 각 상호 연결 구조(1014)는 재배선층(30)에 전기적으로 연결되고, 재배선층(30)은 회로기판(40)에 연결되므로, 상호 연결 구조(1014)와 재배선층(30)을 통해 센서 유닛(101)과 회로기판의 전기적 연결 관계를 구현한다. 본 출원의 실시예의 이미지 센서는 팬 아웃 공정을 통해 패키징되기 때문에, 센서 유닛(101)이 도선을 통해 회로기판(40)에 직접 연결되는 방식에 비해, 이미지 센서에 보다 많은 센서 유닛(101)을 통합시킬 수 있으므로, 통합 영활성이 좋고; 또한 우수한 이미지 센서의 패키징 효과를 확보할 수 있다.Referring to FIG. 1 , in the image sensor provided by the embodiment of the present application, each
상술한 내용을 종합하면, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서는, 어레이로 배치된 복수의 센서 유닛을 포함하는 센서를 설치하고, 각 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성함으로써, 전체적으로 설치된 센서칩에 비해, 센서칩의 커버 면적을 줄일 수 있으며, 이미징 품질에 영향을 주지 않는 상황에서, 전체 이미지 센서의 총 부피를 효과적으로 줄일 수 있어, 이미지 센서의 소형화 설계를 쉽게 구현할 수 있으며, 이미지 센서의 제조 비용을 절감한다. 아울러, 각 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함하고, 전체 센서 유닛 어레이는 재배선층을 통해 회로기판과 연결되므로, 팬 아웃 공정을 통해 전체 이미지 센서를 패키징함으로써, 우수한 패키징 효과를 확보한다.In summary, the image sensor provided in the embodiments of the present application installs a sensor including a plurality of sensor units arranged in an array, and each sensor unit generates a portion-size image of an imaging object, so that the overall Compared to the installed sensor chip, the cover area of the sensor chip can be reduced, and the total volume of the entire image sensor can be effectively reduced in a situation that does not affect the imaging quality, making it easy to implement a miniaturized design of the image sensor. Reduce the manufacturing cost of the sensor. In addition, since each sensor unit includes at least one interconnection structure and the entire sensor unit array is connected to the circuit board through a redistribution layer, an excellent packaging effect is secured by packaging the entire image sensor through a fan-out process.
도 2는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 센서 유닛의 구조 개략도이며, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 출원의 실시예에서 제공한 센서 유닛(101)은, 패키징 커버 플레이트(1011); 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 패키징 커버 플레이트(1011)의 일측에 위치한 센서칩(1012); 이미징 물체의 일부 입사광선을 수신하고 일부 입사광선을 센서칩(1012)에 이미징하며, 센서칩(1012)의 감광측의 일측에 위치한 적어도 하나의 광학소자(1013); 를 더 포함할 수 있다.2 is a structural schematic diagram of a sensor unit provided in an embodiment of the present application, and as shown in FIG. 2, the
예시적으로, 패키징 커버 플레이트(1011)는 연성 기판일 수 있으며, 그의 재료는 폴리이미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트 및 폴리에테르술폰 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 패키징 커버 플레이트(1011)는 강성 기판일 수도 있고, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 유리 기판 또는 기타 강성 기판일 수 있다. 본 출원의 실시예는 기판의 유형 및 재료에 대하여 한정하지 않는다.Illustratively, the
광학소자(1013)는 각각의 센서칩(1012)에 대응되도록 설치된다. 이미지 센서가 작업할 때, 광학소자(1013)는 이미징 물체의 일부 입사광선을 수신하고 해당 일부 입사광선을 이에 대응되는 센서칩(1012)에 이미징하며, 센서칩(1012)은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성한다.The
렌즈를 예로 들면, 광학 렌즈의 이미징 원리에 따르면, 1/f=1/u+1/v이고, 여기서, f는 렌즈의 초점 거리를 나타내고, u는 이미지 거리(image distance)를 나타내며, v는 물체 거리(object distance)를 나타낸다. 렌즈의 초점 거리 f 및 렌즈에서 이미징 물체까지의 거리 v를 조정하여, 광학소자(1013)와 센서칩(1012) 사이의 거리 u를 조정하므로, 상의 면적이 물체 면적보다 일정한 배수만큼 작도록 하고, 센서칩(1012)의 크기를 제어하여, 센서칩(1012)의 설계에 자유도를 제공하며, 각 센서칩(1012)의 크기를 영활하게 설정하도록 확보한다.Taking a lens as an example, according to the imaging principle of an optical lens, 1/f=1/u+1/v, where f represents the focal length of the lens, u represents the image distance, and v represents Indicates the object distance. By adjusting the focal length f of the lens and the distance v from the lens to the imaging object, the distance u between the
일 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 광학소자(1013)는 패키징 커버 플레이트(1011)가 위치하는 필름층과 센서칩(1012)이 위치하는 필름층 사이에 위치할 수 있고; 도 3에 도시된 바와 같이, 광학소자(1013)는 센서칩(1012)으로부터 멀어지는 패키징 커버 플레이트(1011)의 일측에 위치할 수도 있으며, 본 출원의 실시예는 이에 대해 한정하지 않는다.In one embodiment, as shown in FIG. 2 , the
일 실시예에서, 각 센서칩(1012)은 적어도 하나의 광학소자(1013)에 대응될 수 있고, 도 2는 각각의 센서칩(1012)이 하나의 광학소자(1013)에 대응될 수 있는 경우를 예로 들어 설명하였고, 도 4는 각각의 센서칩(1012)이 두 개의 광학소자(1013)에 대응될 수 있는 경우를 예로 들어 설명하였으며, 본 출원의 실시예는 이에 대해 한정하지 않는다.In one embodiment, each
일 실시예에서, 상호 연결 구조(1014)는 금속 솔더볼, 금속 본딩패드 및 금속 돌출점 중의 적어도 하나를 포함할 수 있고, 본 출원의 실시예는 이에 대해 한정하지 않으며, 상호 연결 구조(1014)는 전기적 연결 및 기계적 연결 작용을 충족하기만 하면 되며, 본 출원의 실시예의 도면에서는 상호 연결 구조(1014)가 금속 솔더볼인 경우만을 예로 들어 예시적으로 설명하였다.In one embodiment, the
도 5, 도 6 및 도 7은 각각 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 디스플레이 패널의 구조 개략도이며, 도 5, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 출원의 실시예에서 제공한 센서 유닛은, 개구가 형성되어 있고, 패키징 커버 플레이트(1011)의 적어도 일측 표면에 위치하는 코팅층(1015)을 더 포함할 수 있다. 패키징 커버 플레이트(1011)가 위치하는 평면에서의 개구의 수직 투영과 패키징 커버 플레이트(1011)가 위치하는 평면에서의 광학소자(1013)의 수직 투영에는 교차되게 겹치는 영역이 존재한다.5, 6 and 7 are structural schematic diagrams of another display panel provided in an embodiment of the present application, respectively, and as shown in FIGS. 5, 6 and 7, a sensor provided in an embodiment of the present application The unit may further include a
예시적으로, 도 5는 센서칩(1012)을 향하는 패키징 커버 플레이트(1011)의 일측에 코팅층(1015)이 설치되는 경우를 예로 들어 설명하였고, 도 6은 센서칩(1012)으로부터 멀어지는 패키징 커버 플레이트(1011)의 일측에 코팅층(1015)이 설치되는 경우를 예로 들어 설명하였으며, 도 7은 패키징 커버 플레이트(1011)의 양측에 코팅층(1015)이 설치되는 경우를 예로 들어 설명하였다. 도 5, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 패키징 커버 플레이트(1011)의 적어도 일측 표면에 코팅층(1015)이 설치되고, 코팅층(1015)에는 개구가 형성되어 있으며, 패키징 커버 플레이트(1011)가 위치하는 평면에서의 개구의 수직 투영과 패키징 커버 플레이트(1011)가 위치하는 평면에서의 광학소자(1013)의 수직 투영에는 교차되게 겹치는 영역이 존재하므로, 코팅층(1015) 및 코팅층(1015)의 개구에 의해 특정된 조리개(aperture)가 형성되도록 확보하여, 이미징 물체가 방출한 광선이 특정된 조리개를 통해 광학소자(1013)에 도달하게 함으로써, 간섭광을 필터링하는 것을 확보할 수 있어, 이미지 센서의 이미지 품질을 향상시킨다.Illustratively, FIG. 5 describes the case where the
일 실시예에서, 본 출원의 실시예에서 제공한 센서칩(101)의 경우, 광학소자(1013)는 렌즈, 이미징홀 및 시준기 중의 적어도 하나일 수 있다. 도 1 내지 도 7은 광학소자(1013)가 렌즈인 경우를 예로 들어 설명하였고, 도 8 및 도 9는 광학소자(1013)가 이미징홀인 경우를 예로 들어 설명하였다.In one embodiment, in the case of the
일 실시예에서, 도 2 내지 도 9를 참조하면, 본 출원의 일 실시예에서 제공한 센서 유닛(101)은 패키징 커버 플레이트(1011)가 위치하는 필름층과 센서칩(1012)이 위치하는 필름층 사이에 위치하는 심(shim)(1016)을 더 포함할 수 있다. 예시적으로, 패키징 커버 플레이트(1011)와 센서칩(1012) 사이에 심(1016)을 설치하고, 심(1016)의 두께를 조절하여 광학소자(1013)와 센서칩(1012) 사이의 거리를 조절하는 목적을 달성할 수 있고, 즉 이미지 거리를 조절하는 목적을 달성함으로써, 본 출원의 실시예에서 제공한 센서 유닛(101)이 이미지 거리를 조절할 수 있는 센서 유닛(101)임을 보증하고, 센서 유닛의 기능이 영활하고 다양함을 확보한다.In one embodiment, referring to FIGS. 2 to 9 , the
도 10은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 다른 센서 유닛의 구조 개략도이고, 도 10에 도시된 바와 같이, 광학소자(1013)가 센서칩(1012)으로부터 멀어지는 패키징 커버 플레이트(1011)의 일측에 위치하는 경우, 본 출원의 실시예에서 제공한 센서 유닛(101)은 심(1016)을 포함하지 않을 수 있으며, 패키징 커버 플레이트(1011)의 두께를 조절하여 광학소자(1013)와 센서칩(1012) 사이의 거리를 조절하는 목적을 달성하고, 즉 이미지 거리를 조절하는 목적을 달성하므로, 본 출원의 실시예에서 제공한 센서 유닛(101)이 이미지 거리를 조절할 수 있는 센서 유닛(101)임을 보증할 수 있을 뿐만 아니라, 센서 유닛(101)의 간단한 구조를 확보할 수도 있다.10 is a structural schematic diagram of another sensor unit provided in an embodiment of the present application, and as shown in FIG. 10, an
일 실시예에서, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서는 센서 유닛 어레이 (10)를 포함하되, 센서 유닛 어레이(10)는 복수의 센서 유닛(101)을 포함하고, 각 센서 유닛(101)은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하므로, 전체 센서 유닛 어레이(10)는 이미징 물체의 완전한 크기 이미지를 생성할 수 있고, 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성할 수도 있으며, 본 출원의 실시예는 이에 대해 한정하지 않는다. 이미지 인식을 수행할 때, 센서 유닛 어레이(10)가 이미징 물체의 완전한 크기 이미지를 생성하는 경우, 센서 유닛 어레이(10)가 생성한 이미징 물체의 완전한 크기 이미지와 미리 설정된 이미징 물체의 이미지를 비교하여 이미지 인식을 수행할 수 있으며, 본 출원의 실시예는 이에 대해 더 이상 반복하여 설명하지 않는다. 본 출원의 실시예는 센서 유닛 어레이(10)가 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성할 때 이미지 인식을 어떻게 수행하는지에 대해 집중적으로 기술하며, 아래에서 설명할 것이다.In one embodiment, the image sensor provided in the embodiments of the present application includes a
도 11은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서의 이미징 원리 개략도이며; 도 12는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서의 이미지 수집 원리 개략도이다. 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 센서 유닛(101)은 이미징 물체의 입사광선에 기반하여 이미징 물체 커버 영역(S)을 형성하고, 서로 인접한 두 개의 센서 유닛(101)의 커버 영역(S) 사이의 거리는 L이고, 여기서, L>0이다.11 is a schematic diagram of an imaging principle of an image sensor provided in an embodiment of the present application; 12 is a schematic diagram of an image acquisition principle of an image sensor provided in an embodiment of the present application. 11 and 12, the
예시적으로, 서로 인접한 두 개의 센서 유닛(101)의 커버 영역(S) 사이의 거리가 L>0인 경우, 본 출원의 실시예에서 제공한 센서 유닛 어레이(10)의 유효 시야각이 이미징 물체를 완전히 커버하지 못함을 설명하고, 센서 유닛 어레이(10)는 이미징 물체의 완전한 크기 이미지를 획득하지 못하게 되므로, 통상적인 이미지 인식 방법으로 이미지 인식을 수행할 수 없다. 이에 기반하여, 본 출원의 실시예는 창조적으로 "이미지 특징점 인식"을 사용한 이미지 인식 방법을 제출한다.Illustratively, when the distance between the cover areas S of two
도 13은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법의 흐름 개략도이고, 도 14는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법의 원리 개략도이며, 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법은 단계(S110) 내지 단계(S130)를 포함할 수 있다.13 is a flow schematic diagram of an image recognition method provided in an embodiment of the present application, and FIG. 14 is a principle schematic diagram of an image recognition method provided in an embodiment of the present application, as shown in FIGS. 13 and 14. , The image recognition method provided in the embodiment of the present application may include steps S110 to S130.
단계(S110)에서, 센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 인식 이미지를 획득한다. In step S110, a plurality of portion size recognition images generated by the sensor unit array are acquired.
예시적으로, 우선 센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 인식 이미지를 획득하고, 해당 단계는 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서의 수집에 의해 완성된다.Exemplarily, first, a plurality of portion size recognition images generated by the sensor unit array are acquired, and the corresponding step is completed by collecting image sensors provided in the embodiments of the present application.
단계(S120)에서, 상기 복수의 부분 크기 인식 이미지에 기반하여, 적어도 두 개의 이미지 특징점 위치 정보를 획득한다.In step S120, location information of at least two image feature points is obtained based on the plurality of partial size recognition images.
예시적으로, 도 14에 도시된 바와 같이, 이미지 센서가 최종적으로 수집한 인식 이미지는 복수의 부분 크기 인식 이미지로 구성된 어레이이며, 각 부분 크기 인식 이미지는 인식 이미지에서 인식에 사용될 수 있는 도 14의 검은색 원점과 같은 특징점을 포함하는 일정한 확률을 갖는다.14 exemplarily, as shown in FIG. 14 , the recognition image finally collected by the image sensor is an array composed of a plurality of portion size recognition images, each of which can be used for recognition in the recognition image. It has a certain probability of including a feature point such as a black origin.
각 센서 유닛 어레이는 M행, N열의 센서 유닛을 포함할 수 있고, 각 센서 유닛은 X행, Y열의 픽셀을 포함할 수 있다. 따라서, 센서 유닛의 커버 범위에 포함되는 하나의 이미지 특징점에 대해서는, 특징 공간에 위치하는 하나의 좌표(x, y, m, n, α)로 표시할 수 있다. 여기서, x는 어느 센서 유닛에서의 이미지 특징점의 가로 좌표를 표시하고, 여기서, 0≤x≤X이며; y는 어느 센서 유닛에서의 이미지 특징점의 세로 좌표를 표시하고, 여기서, 0≤y≤Y이며; m는 전체 센서 유닛 어레이에서의 이미지 특징점이 위치하는 센서 유닛의 가로 좌표를 표시하고, 여기서, 0≤m≤M이며; n는 전체 센서 유닛 어레이에서의 이미지 특징점이 위치하는 센서 유닛의 세로 좌표를 표시하고, 여기서, 0≤n≤N이며; α는 이미지 특징점의 특징각을 표시하고, 도 14에서는 지문 교차점을 이미지의 특징점으로 하고, 지문 교차점 위치 측의 협각을 이미지 특징점의 특징각으로 하는 경우를 예로 들어 설명하였다.Each sensor unit array may include sensor units in rows M and columns N, and each sensor unit may include pixels in rows X and columns Y. Accordingly, one image feature point included in the coverage range of the sensor unit may be displayed as one coordinate (x, y, m, n, α) located in the feature space. Here, x denotes the horizontal coordinate of an image feature point in a certain sensor unit, where 0≤x≤X; y represents the ordinate of an image feature point in a certain sensor unit, where 0≤y≤Y; m represents the horizontal coordinate of the sensor unit where the image feature point in the entire sensor unit array is located, where 0≤m≤M; n represents the ordinate of the sensor unit where the image feature point in the entire sensor unit array is located, where 0≤n≤N; α denotes the feature angle of the image feature point, and in FIG. 14 , the case where the fingerprint intersection point is the image feature point and the included angle at the location of the fingerprint intersection point is the feature angle of the image feature point has been described as an example.
전체 센서 유닛 어레이에서의 각 센서 유닛의 위치는 이미 알려져 있기 때문에, 센서 유닛의 커버 범위 내에 위치한 모든 이미지 특징점의 집합을 확인하여 획득할 수 있다.Since the location of each sensor unit in the entire sensor unit array is already known, a set of all image feature points located within a coverage range of the sensor unit can be identified and obtained.
단계(S130)에서, 상기 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 상기 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식한다.In step S130, the recognition image collected by the image sensor is recognized using an image feature point recognition algorithm according to the location information of the at least two image feature points.
예시적으로, 획득한 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식한다.Exemplarily, the recognition image collected by the image sensor is recognized by using an image feature point recognition algorithm according to the obtained positional information of at least two image feature points.
이미지 특징점 인식 알고리즘은 본 분야에 공지된 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용할 수 있고, 예를 들어, 이미지 특징점 인식 알고리즘은 doi: 10.1109/34.566808의 문헌 "Direct gray-scale minutiae detection in fingerprints", doi: 10.1109/TPAMI.2007.250596의 문헌 "Pores and ridges High-resolution fingerprint matching using level 3 features", doi: 10.1016/S0031-3203(98)00107-1의 문헌 "Fingerprint minutiae extraction from skeletonized binary images" 및 doi: 10.1109/ICCACS.2015.7361357의 문헌 "Extraction of high confidence minutiae points from fingerprint images"을 참고할 수 있다.The image feature point recognition algorithm may use an image feature point recognition algorithm known in the art, for example, the image feature point recognition algorithm is described in the document "Direct gray-scale minutiae detection in fingerprints", doi: 10.1109/34.566808, doi: 10.1109/ "Pores and ridges High-resolution fingerprint matching using level 3 features" by TPAMI.2007.250596, "Fingerprint minutiae extraction from skeletonized binary images" by doi: 10.1016/S0031-3203(98)00107-1 and doi: 10.1109/ICCACS Reference may be made to "Extraction of high confidence minutiae points from fingerprint images" of 2015.7361357.
본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법은, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서가 수집한 인식 이미지에 기반하여, 우선, 센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 인식 이미지를 획득하고, 다음, 복수의 부분 크기 인식 이미지에 기반하여, 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보를 획득하며, 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식한다. 이미지 센서가 수집한 인식 이미지는 모든 인식 이미지 정보를 포함할 수 없으므로, 본 출원의 실시예는 창조적으로 "이미지 특징점 인식"의 이미지 인식 방법을 사용하여, 이미지 인식 방법이 정확하게 실행 가능하도록 보장하고, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법은 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 정확하게 인식할 수 있도록 확보한다.The image recognition method provided in the embodiment of the present application first obtains a plurality of portion size recognition images generated by a sensor unit array based on the recognition image collected by the image sensor provided in the embodiment of the present application; , Then, based on a plurality of part size recognition images, position information of at least two image feature points is acquired, and based on the position information of the at least two image feature points, recognition collected by the image sensor is performed using an image feature point recognition algorithm. Recognize images. Since the recognition image collected by the image sensor cannot contain all recognition image information, the embodiment of the present application creatively uses the image recognition method of "image feature point recognition" to ensure that the image recognition method is accurately executable; The image recognition method provided in the embodiment of the present application ensures that the recognition image collected by the image sensor provided in the embodiment of the present application can be accurately recognized.
일 실시예에서, 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식하는 단계는, 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 임의의 두 개의 이미지 특징점 사이의 거리를 계산하는 단계; 임의의 두 개의 이미지 특징점 사이의 거리에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식하는 단계; 를 포함할 수 있다. In an embodiment, recognizing the recognition image collected by the image sensor using an image feature point recognition algorithm according to the location information of the at least two image feature points may include a random image based on the location information of the at least two image feature points. calculating a distance between two image feature points; Recognizing a recognized image collected by an image sensor using an image feature point recognition algorithm according to a distance between any two image feature points; can include
예시적으로, 도 14에 도시된 바와 같이, 전체 센서 유닛 어레이에서의 각 센서 유닛의 위치는 이미 알려져 있기 때문에, 센서 유닛의 커버 범위 내에 위치한 모든 이미지 특징점의 집합을 확인하여 획득할 수 있으며, 집합 내부의 각 이미지 특징점 사이의 거리는 정확하게 계산되어 획득할 수 있다. 전체 이미지 특징점 집합 내부 구성원의 좌표는 유일성과 정확성을 가지며, 이미지 특징점에 기반하는 이미지 인식 알고리즘에 의해 이용될 수 있으므로, 이미지 인식 기능을 구현하게 된다.Exemplarily, as shown in FIG. 14 , since the position of each sensor unit in the entire sensor unit array is already known, a set of all image feature points located within a coverage range of the sensor unit may be identified and obtained. The distance between each image feature point in the interior can be accurately calculated and obtained. Since the coordinates of the members of the whole image feature point set have uniqueness and accuracy and can be used by an image recognition algorithm based on the image feature point, the image recognition function is implemented.
일 실시예에서, 센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 인식 이미지를 획득하는 단계 이전에, 센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 기록 이미지를 여러 번 획득하고, 부분 크기 기록 이미지 라이브러리를 생성하는 단계; 부분 크기 기록 이미지 라이브러리에 따라, 이미지 스티칭 알고리즘을 사용하여 완전한 크기 기록 이미지를 생성하는 단계; 를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, prior to the step of acquiring the plurality of part size-recognized images generated by the sensor unit array, the plurality of part size recorded images generated by the sensor unit array are acquired several times, and the part size recorded image library is stored. generating; generating a full-size recorded image according to the part-size recorded image library using an image stitching algorithm; may further include.
예시적으로, 이미지 인식은 일반적으로 이미지 기록과 이미지 인식 등 두 개의 과정으로 나눌 수 있다. 이미지 기록 과정에서 시스템은 기록된 대상이 이미지 센서의 이미지 기록 평면 내에서 여러 번 이동하고, 센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 기록 이미지를 여러 번 획득하며, 부분 크기 기록 이미지 라이브러리를 생성하는 것을 요구할 수 있다. 다음 부분 크기 기록 이미지 라이브러리에 따라, 이미지 스티칭 알고리즘을 사용하여 부분 크기 기록 이미지를 커팅 및 스티칭하여 모든 이미지 특징점 정보를 포함하는 완전한 기록 이미지를 생성한다. 추후의 이미지 인식 과정에서, 획득한 일부 이미지 특징점을 포함하는 인식 이미지에 기반하여, 모든 이미지 특징점을 포함하는 기록 이미지와 비교함으로써, 이미지 인식을 수행한다.Illustratively, image recognition can generally be divided into two processes: image recording and image recognition. In the image recording process, the system moves the recorded object several times in the image recording plane of the image sensor, acquires a plurality of part size recorded images generated by the sensor unit array several times, and creates a part size recorded image library. you can ask for According to the following part-size recorded image library, the part-size recorded images are cut and stitched using an image stitching algorithm to generate a complete recorded image including all image feature point information. In a later image recognition process, image recognition is performed by comparing the obtained recognition image including some image feature points with a recorded image including all image feature points.
설명해야 할 것은, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 인식 방법은 지문 인식만을 예로 들어 설명한다. 이해할 수 있는 것은, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서의 센서 유닛의 이미지 거리와 광학 소자의 초점 거리는 모두 조절 가능하기 때문에, 본 출원의 실시예의 센서 유닛의 물체 거리도 조절 가능하므로, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서도 물체 거리가 다른 물체를 인식할 수 있고, 예를 들어, 사람 얼굴 인식 알고리즘과 배합하여, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서는 도 15 및 도 16에 도시된 바와 같은 사람 얼굴 인식을 구현할 수 있다.It should be noted that the image recognition method provided in the embodiments of the present application is described by taking only fingerprint recognition as an example. It can be understood that since both the image distance of the sensor unit of the image sensor provided in the embodiment of the present application and the focal length of the optical element are both adjustable, the object distance of the sensor unit of the embodiment of the present application is also adjustable. The image sensor provided in the embodiment of can also recognize objects with different object distances, for example, in combination with a human face recognition algorithm, the image sensor provided in the embodiment of the present application is shown in FIGS. 15 and 16 Human face recognition as described above can be implemented.
본 출원의 실시예는 이미지 센서의 제조 방법을 더 제공하며, 도 17에 도시된 바와 같이, 본 출원의 일 실시예에서 제공한 이미지 센서의 제조 방법은 단계(S210) 내지 단계(S250)를 포함할 수 있다.An embodiment of the present application further provides a method for manufacturing an image sensor, and as shown in FIG. 17 , the method for manufacturing an image sensor provided in an embodiment of the present application includes steps S210 to S250. can do.
단계(S210)에서, 베이스 기판을 제공한다.In step S210, a base substrate is provided.
도 18은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 베이스 기판을 제조하는 구조 개략도이며, 도 18에 도시된 바와 같이, 베이스 기판(50)은 연성 기판일 수 있고, 강성 기판일 수도 있으며, 본 출원의 실시예는 베이스 기판(50)의 유형 및 재료에 대하여 한정하지 않는다.18 is a structural schematic diagram of manufacturing a base substrate provided in an embodiment of the present application, and as shown in FIG. 18, the
단계(S220)에서, 상기 베이스 기판에 센서 유닛 어레이를 형성하고, 상기 센서 유닛 어레이는 복수의 센서 유닛을 포함하며, 복수의 상기 센서 유닛은 어레이로 배치되며; 각 상기 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 상기 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함한다.In step S220, a sensor unit array is formed on the base substrate, the sensor unit array includes a plurality of sensor units, and the plurality of sensor units are arranged in an array; Each said sensor unit is configured to generate a portion size image of an imaging object, each said sensor unit including at least one interconnection structure.
도 19는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 베이스 기판에 센서 유닛 어레이(10)가 형성된 구조 개략도이며, 도 19에 도시된 바와 같이, 복수의 센서 유닛(101)은 베이스 기판(50)에 어레이로 배치되어 센서 유닛 어레이(10)를 형성한다.19 is a structural schematic diagram in which a
일 실시예에서, 센서 유닛 어레이(10)는 접착액으로 베이스 기판(50)에 접착될 수 있다.In one embodiment, the
일 실시예에서, 상호 연결 구조(1014)의 재료는 주로 솔더 금속이다. 예를 들어, Sn, Ag, Cu, Pb, Au, Ni, Zn, Mo, Ta, Bi, In 및 그의 합금이다.In one embodiment, the material of
단계(S230)에서, 상기 베이스 기판에 패키징층을 제조하고, 상기 패키징층은 상기 센서 유닛 어레이를 피복하며, 각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시킨다.In step S230, a packaging layer is formed on the base substrate, and the packaging layer covers the sensor unit array and exposes the interconnection structure of each sensor unit.
예시적으로, 베이스 기판에 패키징층을 제조하고, 패키징층은 상기 센서 유닛 어레이를 피복하며, 각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키는 단계는, 베이스 기판에 패키징층을 제조하고, 패키징층이 센서 유닛 어레이를 피복하는 단계; 패키징층에 대하여 씨닝(thinning) 처리를 수행하여, 각 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키는 단계; 를 포함할 수 있다.Exemplarily, the step of manufacturing a packaging layer on a base substrate, the packaging layer covering the sensor unit array, and exposing the interconnection structure of each of the sensor units may include manufacturing a packaging layer on the base substrate, and covering the sensor unit array; performing a thinning process on the packaging layer to expose the interconnection structure of each sensor unit; can include
도 20은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 패키징층을 제조하는 구조 개략도이고, 도 21은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 패키징층에 대하여 씨닝 처리를 수행하는 구조 개략도이며, 도 20 및 도 21에 도시된 바와 같이, 우선 베이스 기판(50)에 패키징층(20)을 제조하고, 패키징층(20)이 센서 유닛 어레이(10)를 완전히 피복하도록 확보하며, 다음 패키징층(20)에 대하여 씨닝 처리를 수행하여, 추후의 조작을 위해 각 센서 유닛(101)의 상호 연결 구조(1014)를 노출시킨다.20 is a structural schematic diagram of manufacturing a packaging layer provided in an embodiment of the present application, and FIG. 21 is a structural schematic diagram of performing a thinning treatment on a packaging layer provided in an embodiment of the present application. As shown in 21, first, a
단계(S240)에서, 상기 베이스 기판으로부터 멀어지는 상기 패키징층의 일측에 재배선층을 제조하고, 상기 재배선층은 상기 상호 연결 구조에 전기적으로 연결된다.In step S240, a redistribution layer is fabricated on one side of the packaging layer away from the base substrate, and the redistribution layer is electrically connected to the interconnection structure.
도 22는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 재배선층을 제조하는 구조 개략도이며, 도 22에 도시된 바와 같이, 재배선층(20)의 제조는 일련의 박막증착, 전기도금, 포토리소그라피, 현상, 및 에칭 등 공정을 포함할 수 있다. 재배선층(20)의 재료는 금속 재료일 수 있고, 예를 들어, Al, Au, Cr, Ni, Cu, Mo, Ti, Ta, Ni-Cr, W 및 그의 합금이다.22 is a structural schematic diagram of manufacturing a redistribution layer provided in an embodiment of the present application. As shown in FIG. 22, the manufacture of the
단계(S250)에서, 상기 패키징층으로부터 멀어지는 상기 재배선층의 일측에 회로기판을 제조하고, 상기 회로기판은 상기 재배선층에 전기적으로 연결된다.In step S250, a circuit board is fabricated on one side of the redistribution layer away from the packaging layer, and the circuit board is electrically connected to the redistribution layer.
도 23은 본 출원의 일 실시예에서 제공한 회로기판을 제조하는 구조 개략도이며, 도 23에 도시된 바와 같이, 패키징층(20)으로부터 멀어지는 재배선층(30)의 일측에 회로기판(40)을 제조하여, 센서 유닛(101)과 회로기판(40)의 전기적 연결을 구현한다.23 is a structural schematic diagram of manufacturing a circuit board provided in an embodiment of the present application. As shown in FIG. 23, a
상술한 바와 같이, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서의 제조 방법은, 어레이로 배치된 복수의 센서 유닛을 포함하는 센서를 설치하고, 각 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성함으로써, 전체적으로 설치된 센서칩에 비해, 센서칩의 커버 면적을 줄일 수 있으며, 이미징 품질에 영향을 주지 않은 상황에서, 전체 이미지 센서의 총 부피를 효과적으로 줄일 수 있어, 이미지 센서의 소형화 설계를 쉽게 구현할 수 있으며, 이미지 센서의 제조 비용을 절감한다. 아울러, 각 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함하고, 전체 센서 유닛 어레이는 재배선층을 통해 회로기판과 연결되므로, 팬 아웃 공정을 통해 전체 이미지 센서를 패키징함으로써, 우수한 패키징 효과를 확보한다.As described above, the manufacturing method of the image sensor provided in the embodiment of the present application is to install a sensor including a plurality of sensor units arranged in an array, and each sensor unit generates a partial size image of an imaging object, Compared to the sensor chip installed as a whole, the cover area of the sensor chip can be reduced, and the total volume of the entire image sensor can be effectively reduced in a situation that does not affect the imaging quality, so the miniaturization of the image sensor can be easily implemented. Reduce the manufacturing cost of image sensors. In addition, since each sensor unit includes at least one interconnection structure and the entire sensor unit array is connected to the circuit board through a redistribution layer, an excellent packaging effect is secured by packaging the entire image sensor through a fan-out process.
일 실시예에서, 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서의 제조 방법은 베이스 기판을 박리하는 단계를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the manufacturing method of the image sensor provided in the embodiments of the present application may further include the step of peeling the base substrate.
예시적으로, 도 24는 본 출원의 일 실시예에서 제공한 베이스 기판(50)을 박리한 후 얻은 최종 이미지 센서의 구조 개략도이다. 추후 재배선층(30) 및 회로기판(40)을 제조하기 위해, 베이스 기판(50)은 센서칩 어레이(10)를 적재하도록 구성되고, 재배선층(30)과 회로기판(40)을 완성한 후, 베이스 기판(10)을 박리하여 이미지 센서의 박형화 설계를 확보할 수 있다.Illustratively, FIG. 24 is a structural schematic diagram of a final image sensor obtained after peeling off the
본 출원의 실시예는 전자 장치를 더 제공하고, 상기 전자 장치는 본 출원의 실시예에서 제공한 이미지 센서를 포함할 수 있으며, 여기서 더 이상 반복하여 설명하지 않는다. 일 실시예에서, 본 출원의 실시예에서 제공한 전자 설정 장치는 카메라, 비디오 카메라, 카드 펀칭기, 렌즈 모듈 또는 이미지 센서를 사용해야 하는 기타 전자 설비일 수 있으며, 본 출원의 실시예에서는 더 이상 일일이 열거하지 않는다.Embodiments of the present application further provide an electronic device, and the electronic device may include an image sensor provided in the embodiments of the present application, which is not described herein again. In an embodiment, the electronic setting device provided in the embodiments of the present application may be a camera, a video camera, a card punching machine, a lens module, or other electronic equipment that requires the use of an image sensor, and the embodiments of the present application do not enumerate them one by one. I never do that.
Claims (14)
각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키고, 상기 센서 유닛 어레이를 피복하는 패키징층;
상기 상호 연결 구조에 전기적으로 연결되고, 상기 패키징층의 일측에 위치하는 재배선층;
상기 재배선층에 전기적으로 연결되고, 상기 패키징층으로부터 멀어지는 상기 재배선층의 일측에 위치하는 회로기판; 을 포함하며,
각 상기 센서 유닛은 이미징 물체의 입사광선에 기반하여 이미징 물체 커버 영역을 형성하고;
서로 인접한 두 개의 상기 센서 유닛의 커버 영역 사이의 거리는 L이고, 여기서 L>0인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.an array of sensor units comprising a plurality of sensor units, wherein the plurality of sensor units are arranged in an array, wherein each said sensor unit is configured to generate a portion size image of an imaging object, each said sensor unit having at least one mutual contains linking structures;
a packaging layer exposing interconnection structures of each of the sensor units and covering the sensor unit array;
a redistribution layer electrically connected to the interconnection structure and positioned on one side of the packaging layer;
a circuit board electrically connected to the redistribution layer and positioned on one side of the redistribution layer away from the packaging layer; Including,
each of the sensor units forms an imaging object cover area based on an incident light ray of the imaging object;
The image sensor, characterized in that the distance between the cover areas of the two sensor units adjacent to each other is L, where L>0.
상기 센서 유닛은,
패키징 커버 플레이트;
이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 상기 패키징 커버 플레이트의 일측에 위치한 센서칩;
상기 이미징 물체의 일부 입사광선을 수신하고 상기 일부 입사광선을 상기 센서칩에 이미징하며, 상기 센서칩의 감광측의 일측에 위치한 적어도 하나의 광학소자; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.According to claim 1,
The sensor unit,
packaging cover plate;
a sensor chip positioned on one side of the packaging cover plate and configured to generate a portion-size image of an imaging object;
at least one optical element located on one side of the photosensitive side of the sensor chip for receiving some incident light rays from the imaging object and imaging the partial incident light rays on the sensor chip; Image sensor characterized in that it further comprises.
상기 광학소자는 상기 패키징 커버 플레이트가 위치하는 필름층과 상기 센서칩이 위치하는 필름층 사이에 위치하거나;
상기 광학소자는 상기 센서칩으로부터 멀어지는 상기 패키징 커버 플레이트의 일측에 위치하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. According to claim 2,
The optical element is located between the film layer where the packaging cover plate is located and the film layer where the sensor chip is located;
The image sensor, characterized in that the optical element is located on one side of the packaging cover plate away from the sensor chip.
상기 센서 유닛은, 개구가 형성되어 있고, 상기 패키징 커버 플레이트의 적어도 일측 표면에 위치하는 코팅층을 더 포함하고;
상기 패키징 커버 플레이트가 위치하는 평면에서의 상기 개구의 수직 투영과 상기 패키징 커버 플레이트가 위치하는 평면에서의 상기 광학소자의 수직 투영에는 교차되게 겹치는 영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.According to claim 2,
The sensor unit further includes a coating layer having an opening and positioned on at least one side surface of the packaging cover plate;
The image sensor of claim 1 , wherein a cross-overlapping region exists between a vertical projection of the aperture on a plane where the packaging cover plate is located and a vertical projection of the optical element on a plane where the packaging cover plate is located.
상기 센서 유닛은 상기 패키징 커버 플레이트가 위치하는 필름층과 상기 센서칩이 위치하는 필름층 사이에 위치하는 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.According to claim 2,
The sensor unit may further include a spacer positioned between a film layer on which the packaging cover plate is positioned and a film layer on which the sensor chip is positioned.
상기 광학소자는 렌즈, 이미징홀, 시준기 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.According to claim 2,
The optical element may include at least one of a lens, an imaging hole, and a collimator.
상기 베이스 기판에 센서 유닛 어레이를 형성하는 단계-여기서, 상기 센서 유닛 어레이는 복수의 센서 유닛을 포함하며, 복수의 상기 센서 유닛은 어레이로 배치되며, 각 상기 센서 유닛은 이미징 물체의 부분 크기 이미지를 생성하도록 구성되고, 각 상기 센서 유닛은 적어도 하나의 상호 연결 구조를 포함하며, 각 상기 센서 유닛은 이미징 물체의 입사광선에 기반하여 이미징 물체 커버 영역을 형성하고, 서로 인접한 두 개의 상기 센서 유닛의 커버 영역 사이의 거리는 L이고, 여기서 L>0임-;
상기 베이스 기판에 패키징층을 제조하고, 상기 패키징층은 상기 센서 유닛 어레이를 피복하며, 각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키는 단계;
상기 베이스 기판으로부터 멀어지는 상기 패키징층의 일측에 재배선층을 제조하는 단계-여기서, 상기 재배선층이 상기 상호 연결 구조에 전기적으로 연결됨-;
상기 패키징층으로부터 멀어지는 상기 재배선층의 일측에 회로기판을 제조하는 단계-여기서, 상기 회로기판이 상기 재배선층에 전기적으로 연결됨-; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.providing a base substrate;
Forming an array of sensor units on the base substrate, wherein the array of sensor units includes a plurality of sensor units, wherein the plurality of sensor units are arranged in an array, each of the sensor units generating a portion-size image of an imaging object. wherein each of the sensor units includes at least one interconnection structure, wherein each of the sensor units forms an imaging object cover area based on an incident light beam of an imaging object, and covers two of the sensor units adjacent to each other. The distance between regions is L, where L>0;
manufacturing a packaging layer on the base substrate, the packaging layer covering the array of sensor units and exposing interconnection structures of each of the sensor units;
manufacturing a redistribution layer on one side of the packaging layer away from the base substrate, wherein the redistribution layer is electrically connected to the interconnection structure;
manufacturing a circuit board on one side of the redistribution layer away from the packaging layer, wherein the circuit board is electrically connected to the redistribution layer; Method for manufacturing an image sensor comprising a.
상기 베이스 기판에 패키징층을 제조하고, 상기 패키징층은 상기 센서 유닛 어레이를 피복하며, 각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키는 단계는,
상기 베이스 기판에 패키징층을 제조하고, 상기 패키징층은 상기 센서 유닛 어레이를 피복하는 단계;
상기 패키징층에 대하여 씨닝 처리를 수행하여, 각 상기 센서 유닛의 상호 연결 구조를 노출시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.According to claim 7,
Manufacturing a packaging layer on the base substrate, the packaging layer covering the sensor unit array, and exposing the interconnection structure of each sensor unit,
manufacturing a packaging layer on the base substrate and covering the sensor unit array with the packaging layer;
exposing interconnection structures of each of the sensor units by performing a thinning process on the packaging layer; Method for manufacturing an image sensor comprising a.
상기 베이스 기판을 박리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.According to claim 7,
The manufacturing method of the image sensor, characterized in that it further comprises the step of peeling the base substrate.
센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 인식 이미지를 획득하는 단계;
상기 복수의 부분 크기 인식 이미지에 기반하여, 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보를 획득하는 단계;
상기 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 상기 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 인식 방법.Using the image sensor according to any one of claims 1 to 6,
obtaining a plurality of portion size recognition images generated by the sensor unit array;
obtaining location information of at least two image feature points based on the plurality of partial size recognition images;
recognizing a recognized image collected by the image sensor using an image feature point recognition algorithm according to the location information of the at least two image feature points; Image recognition method comprising a.
상기 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 상기 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식하는 단계는,
상기 적어도 두 개의 이미지 특징점의 위치 정보에 따라, 임의의 두 개의 이미지 특징점 사이의 거리를 계산하는 단계;
상기 임의의 두 개의 이미지 특징점 사이의 거리에 따라, 이미지 특징점 인식 알고리즘을 사용하여, 상기 이미지 센서가 수집한 인식 이미지를 인식하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 인식 방법.According to claim 10,
Recognizing the recognition image collected by the image sensor using an image feature point recognition algorithm according to the location information of the at least two image feature points,
calculating a distance between two arbitrary image feature points according to the location information of the at least two image feature points;
recognizing a recognized image collected by the image sensor using an image feature point recognition algorithm according to a distance between the arbitrary two image feature points; Image recognition method comprising a.
센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 인식 이미지를 획득하는 단계 이전에,
센서 유닛 어레이에 의해 생성된 복수의 부분 크기 기록 이미지를 여러 번 획득하고, 부분 크기 기록 이미지 라이브러리를 생성하는 단계;
상기 부분 크기 기록 이미지 라이브러리에 따라, 이미지 스티칭 알고리즘을 사용하여 완전한 크기 기록 이미지를 생성하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 인식 방법.According to claim 10,
Prior to acquiring a plurality of portion size recognition images generated by the sensor unit array,
acquiring a plurality of part-size recorded images generated by the sensor unit array multiple times, and creating a part-size recorded image library;
generating a full-size recorded image according to the part-size recorded image library using an image stitching algorithm; Image recognition method characterized in that it further comprises.
Electronic equipment comprising the image sensor according to any one of claims 1 to 6.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910160614.9 | 2019-03-04 | ||
CN201910160614.9A CN111725185A (en) | 2019-03-04 | 2019-03-04 | Image sensor, manufacturing method thereof, image recognition method and electronic equipment |
PCT/CN2019/122025 WO2020177412A1 (en) | 2019-03-04 | 2019-11-29 | Image sensor, preparation method thereof, image recognition method, and electronic apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210093985A KR20210093985A (en) | 2021-07-28 |
KR102548007B1 true KR102548007B1 (en) | 2023-06-27 |
Family
ID=72337192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217018819A KR102548007B1 (en) | 2019-03-04 | 2019-11-29 | Image sensor and its manufacturing method, image recognition method, electronic equipment |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220004792A1 (en) |
JP (1) | JP7105014B2 (en) |
KR (1) | KR102548007B1 (en) |
CN (1) | CN111725185A (en) |
WO (1) | WO2020177412A1 (en) |
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2019
- 2019-03-04 CN CN201910160614.9A patent/CN111725185A/en active Pending
- 2019-11-29 KR KR1020217018819A patent/KR102548007B1/en active IP Right Grant
- 2019-11-29 WO PCT/CN2019/122025 patent/WO2020177412A1/en active Application Filing
- 2019-11-29 US US17/298,311 patent/US20220004792A1/en active Pending
- 2019-11-29 JP JP2021529710A patent/JP7105014B2/en active Active
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---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7105014B2 (en) | 2022-07-22 |
CN111725185A (en) | 2020-09-29 |
US20220004792A1 (en) | 2022-01-06 |
JP2022508232A (en) | 2022-01-19 |
KR20210093985A (en) | 2021-07-28 |
WO2020177412A1 (en) | 2020-09-10 |
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