KR102545519B1 - Reflective Optical System with Minimized Polarization Modulation and Spectroscopic Ellipsometer Provided Therewith - Google Patents
Reflective Optical System with Minimized Polarization Modulation and Spectroscopic Ellipsometer Provided Therewith Download PDFInfo
- Publication number
- KR102545519B1 KR102545519B1 KR1020220000199A KR20220000199A KR102545519B1 KR 102545519 B1 KR102545519 B1 KR 102545519B1 KR 1020220000199 A KR1020220000199 A KR 1020220000199A KR 20220000199 A KR20220000199 A KR 20220000199A KR 102545519 B1 KR102545519 B1 KR 102545519B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- optical system
- polarization
- reflective
- light
- plane
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 127
- 230000010287 polarization Effects 0.000 title claims abstract description 124
- 238000001615 p wave Methods 0.000 claims abstract description 36
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/286—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising for controlling or changing the state of polarisation, e.g. transforming one polarisation state into another
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/281—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for attenuating light intensity, e.g. comprising rotatable polarising elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 반사형 광학계 및 이를 구비한 분광 타원계에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 편광 변조가 최소화되도록 반사면들이 배치된 반사형 광학계 및 이를 구비한 분광 타원계에 관한 것이다.The present invention relates to a reflective optical system and a spectroscopic ellipsometer having the same, and more particularly, to a reflective optical system having reflective surfaces arranged to minimize polarization modulation and a spectroscopic ellipsometer equipped with the same.
반도체 박막의 두께 및 굴절률(refractive index, n), 흡광계수(extinction coefficient, k), 광학적 밴드갭(optical bandgap) 등의 정보를 도출하기 위한 방법으로서 분광 타원법(spectroscopic ellipsometry, SE)이 사용된다. 분광 타원법은 물질에 입사된 빛이 표면에서 반사 또는 투과 후, 그 매질의 굴절률이나 두께에 따라 편광 상태가 변화하는 성질을 이용하여 물질의 광학적인 특성을 조사하는 분석법이다.Spectroscopic ellipsometry (SE) is used as a method for deriving information such as thickness, refractive index (n), extinction coefficient (k), and optical bandgap of a semiconductor thin film. . Spectroscopic ellipsometry is an analysis method that investigates the optical properties of a material by using the property that the polarization state changes according to the refractive index or thickness of the medium after light incident on the material is reflected or transmitted through the surface.
반도체 산업 분야에서 사용되는 분광 타원계(spectroscopic ellipsometer)는 수십 ㎛의 크기를 갖는 미세 초점(micro focal spot)을 갖고 있는데, 이를 이루기 위해 투과형 혹은 반사형 광학 소자를 이용한 광학계를 구성하게 된다.A spectroscopic ellipsometer used in the semiconductor industry has a micro focal spot having a size of several tens of μm. To achieve this, an optical system using a transmissive or reflective optical element is configured.
대표적인 투과형 광학 소자는 렌즈이며, 렌즈를 사용하는 투과형 광학계는 투과 물질의 특성상 파장별 굴절률 차이로 인해 발생하는 색 수차로 인한 파장 별 스폿 크기의 차이가 가장 큰 문제로 지적된다.A typical transmissive optical element is a lens, and the biggest problem in a transmissive optical system using a lens is a difference in spot size for each wavelength due to chromatic aberration caused by a difference in refractive index for each wavelength due to the characteristics of a transmissive material.
이를 회피하기 위해 반사형 광학계를 이용하는 경우에는 반사에 의한 편광 변화가 가장 큰 문제로 나타난다.In the case of using a reflective optical system to avoid this, polarization change due to reflection appears as the biggest problem.
도 1은 종래의 타원 분광계를 나타낸 도면이며, 도 2는 도 1에 도시된 타원 분광계를 위에서 바라본 도면이다. 도 1과 2에 도시된 바와 같이, 종래의 반사형 광학계는 광원에서 발생된 광을 편광시키기 위한 편광자(polarizer, 1)와, 편광자(1)를 통과한 광이 시료(S) 표면의 측정 스팟을 향하도록 광을 반사시키는 한 쌍의 제1 반사면(2)들을 포함하는 제1 반사형 광학계(3)와, 시료(S) 표면에서 반사된 광이 검광자(analyzer, 7)를 향하도록 광을 반사시키는 한 쌍의 제2 반사면(4)들을 포함하는 제2 반사형 광학계(5)와, 시료(S) 표면에서 반사된 광의 편광 상태 감지를 위한 검광자(7)를 포함한다.1 is a view showing a conventional elliptical spectrometer, and FIG. 2 is a view of the elliptical spectrometer shown in FIG. 1 viewed from above. As shown in FIGS. 1 and 2, the conventional reflective optical system includes a polarizer (1) for polarizing light generated from a light source, and the light passing through the polarizer (1) is measured at a spot on the surface of a sample (S). A first reflective
또한, 타원 분광계는 광원(9)과 광원(9)에서 나온 광을 편광자(1)에 전달하는 한 쌍의 미러(11)와 검광자(7)를 통과한 광을 분광계(spectrometer, 15)에 전달하는 한 쌍의 미러(13)를 더 포함한다.In addition, the elliptical spectrometer transmits light passing through a light source 9 and a pair of
도 3은 도 1에 도시된 반사형 광학계에서의 제1 편광면(PP,1)과 제2 편광면(Pp,2)을 나타낸 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 도 1과 2에 도시된 반사형 광학계에서는 입사광(RI)와 시료(S)의 법선(N)과 반사광(RR)이 이루는 입사면(PI), 제1 편광면(PP,1) 및 제2 편광면(PP,2)이 같은 평면을 이룬다. 제1 편광면(PP,1)과 제2 편광면(PP,2)은 각각 제1 반사형 광학계(3)를 통과한 광의 p 파 편광면과 제2 반사형 광학계(5)를 통과한 광의 p 파 편광면을 의미한다.FIG. 3 is a diagram illustrating a first polarization plane P P,1 and a second polarization plane Pp, 2 in the reflective optical system shown in FIG. 1 . As shown in FIG. 3, in the reflective optical system shown in FIGS. 1 and 2, the incident light (R I ), the normal line (N) of the sample (S), and the reflected light (R R ) form an incident surface (P I ), The first polarization plane (P P,1 ) and the second polarization plane (P P,2 ) form the same plane. The first polarization plane (P P,1 ) and the second polarization plane (P P,2 ) pass through the p-wave polarization plane of the light passing through the first reflection type
빛의 파동적 고유 특성 중의 하나인 편광은 매질의 표면에서 반사되는 경우, 매질의 복소 굴절률과 같은 매질의 광학적 성질에 따라 변조된다. 따라서 반사형 광학계에서는 제1 반사면(2)들과 제2 반사면(4)들에서의 반사과정에서 의도하지 않아도 편광 변조가 발생하게 되는데, 편광을 제어하여 수 Å부터 수백 nm 두께의 박막 두께를 측정해야 하는 분광 타원계의 경우 의도하지 않은 편광의 변화는 측정값의 오차를 발생시킨다. 따라서 이런 편광 변조를 상쇄할 수 있는 방법이 고려되어야 한다. 특히, 편광 변조가 편광자(1)와 검광자(7) 사이에서 발생할 경우 편광에 직접적으로 영향을 미치기 때문에 편광자(1)와 검광자(7) 사이의 광 경로에서의 편광 변조를 상쇄하는 것이 매우 중요하다.Polarization, one of the unique wave properties of light, is modulated according to the optical properties of the medium, such as the complex refractive index of the medium, when it is reflected from the surface of the medium. Therefore, in the reflective optical system, polarization modulation occurs unintentionally during the reflection process on the first
도 1 내지 3에 도시된 종래의 반사형 광학계에서는 입사면(PI), 제1 편광면(PP,1) 및 제2 편광면(PP,2)이 같은 평면을 이룬다. 하지만, 반사과정에서 p 파와 s 파의 위상과 크기가 서로 다르게 변화하기 때문에, 제1 편광면(PP,1)에서의 p 파의 위상과 크기는 입사면(PI)에서의 p 파의 위상과 크기와 다르다. s 파도 마찬가지이다. 따라서 시료(S)에 입사되는 편광은 편광자(1)를 통과한 편광과 다른 타원 계수를 가지는 편광이 된다. 예를 들어, 편광자(1)를 통과한 직선 편광은 시료(S)에 입사할 때에는 타원 편광으로 변조된다.In the conventional reflective optical system shown in FIGS. 1 to 3 , an incident plane (P I ), a first polarization plane (P P,1 ), and a second polarization plane (P P,2 ) form the same plane. However, since the phase and magnitude of the p-wave and the s-wave change differently during the reflection process, the phase and magnitude of the p-wave at the first polarization plane (P P,1 ) are the same as those of the p-wave at the incident plane (P I ). different from phase and size. The same goes for s waves. Accordingly, the polarized light incident on the sample S becomes polarized light having a different ellipticity coefficient from the polarized light passing through the
좀 더 구체적으로, 이상적인 반사체를 시료로 하고, 600nm 파장의 광을 사용하는 분광 타원계에 있어서, 편광자(1)와 검광자(7) 사이에 편광에 영향을 주는 광소자가 없는 경우에 얻어지는 타원 상수(Δ, ψ)의 크기를 각각 (36.179, 2.435)라고 할 때, 편광자(1)와 검광자(7) 사이에 편광에 영향을 주는 마이크로 스폿용 반사형 광학계가 존재하게 되면 타원 상수(Δ, ψ)가 (21.746, 1.949)로 변조되는 시뮬레이션 결과를 얻게 된다. 이는 마이크로 스폿을 위하여 추가된 반사형 광학계에 의해 타원 상수 변조(dΔ, dψ)가 (14.433, 0.486) 발생한 것이다. Δ값은 타겟 영역에 입사되는 p 파 및 s 파가 반사 후에 갖게 되는 위상차이며, Ψ값은 반사된 광의 p 파와 s 파의 반사계수비(tan Ψ)의 각도를 나타낸다.More specifically, in a spectroscopic ellipsometer using an ideal reflector as a sample and using light with a wavelength of 600 nm, the ellipticity constant obtained when there is no optical element affecting polarization between the
이러한 편광 변조를 상쇄할 수 있는 방법으로, 한국등록특허 제10-2137053호에는 광의 진행방향에 대해서 45도를 이루는 한 쌍의 반사면들이 90도 틀어져서 배치된 편광 출사부와 편광 입사부를 각각 구비하는 방법이 개시되어 있다. 상기 방법에서는 하나의 반사면을 기준으로 p 편광이 다른 하나의 반사면을 기준으로 s 편광이 되도록 하여 편광 변조를 상쇄한다.As a method of offsetting this polarization modulation, Korean Patent Registration No. 10-2137053 discloses a pair of reflective surfaces constituting 45 degrees with respect to the traveling direction of light, each having a polarization emitting unit and a polarization entering unit disposed at an angle of 90 degrees. A method of doing so is disclosed. In the above method, polarization modulation is canceled by making p-polarized light with respect to one reflective surface to s-polarized light with respect to the other reflective surface.
그러나 이러한 방법을 적용하여도 편광 변조는 남아 있다는 문제가 있다. 예를 들어, 상기 방법과 유사한 방법으로, 시료와 검광자 사이의 반사형 광학계에만 90도 틀어진 반사면들을 적용하여 편광 상태를 시뮬레이션하면 타원 상수(Δ, ψ)는 (33.851, 1.883)가 되어, 편광 변조로 인한 타원 상수 변조(dΔ, dψ)는 (2.328, 0.552) 발생하게 된다. However, there is a problem that polarization modulation remains even when this method is applied. For example, in a similar way to the above method, if the polarization state is simulated by applying 90-degree reflective surfaces only to the reflective optical system between the sample and the analyzer, the ellipticity constants (Δ, ψ) become (33.851, 1.883), The elliptic constant modulation (dΔ, dψ) due to the polarization modulation is (2.328, 0.552).
그 이유는 다음과 같다. 예를 들어, 반사형 광학계의 반사면에 의한 편광 변조가 p 파 기준 10% 발생한다고 할 때, 편광자 측 반사면에서 시료까지의 경로에서 p 파에 편광 변조가 10% 발생하는 것을 의미한다.The reason for this is as follows. For example, when it is assumed that 10% of the polarization modulation by the reflective surface of the reflective optical system occurs on the basis of the p-wave, 10% of the polarization modulation of the p-wave occurs in the path from the reflective surface on the polarizer side to the sample.
p 파 기준 편광 변조가 10%인 광이 시료에 입사하면, 시료에 의한 편광 변조 중 10%는 편광자 측 반사면에서의 편광 변조 10%를 포함하게 된다. 이는 시료에 의한 편광 변조가 50%라 할 때, 50%의 10% 즉, 5%의 추가적인 편광 변조를 일으키게 된다는 것이다.When light having a p-wave reference polarization modulation of 10% is incident on a sample, 10% of the polarization modulation by the sample includes 10% of the polarization modulation at the reflective surface on the polarizer side. This means that when the polarization modulation by the sample is 50%, 10% of 50%, that is, 5% additional polarization modulation occurs.
시료에서 반사된 광이 90도 회전한 검광자 측 반사면에 입사하여 p 파가 s 파로 바뀌어 다시 10% 편광 변조를 상쇄한다고 할 때, 이는 시료에 의한 편광 변조에서 발생한 추가적인 편광 변조 5%만을 상쇄할 수 있게 된다. 따라서 편광자 측 반사면에서 발생한 10%의 편광 변조 중 일부만 상쇄할 수 있다.Assuming that the light reflected from the sample is incident on the reflective surface on the analyzer side rotated by 90 degrees and the p-wave is changed to an s-wave to cancel the 10% polarization modulation, this cancels out only the additional 5% of the polarization modulation caused by the polarization modulation by the sample You will be able to do it. Therefore, only a part of the 10% polarization modulation generated at the polarizer-side reflective surface can be canceled.
본 발명은 편광 변조를 최소화할 수 있는 새로운 반사형 광학계 및 이를 구비한 분광 타원계를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a novel reflective optical system capable of minimizing polarization modulation and a spectroscopic ellipsometer equipped with the same.
상술한 목적을 달성하기 위해서 본 발명은, 광원과 시료 표면 사이에 위치하며, 상기 광원에서 발생된 광을 편광시키기 위한 편광자(polarizer)와, 상기 시료 표면에서 반사된 광의 편광상태 감지를 위한 검광자(analyzer)를 포함하며, 상기 편광자를 통과하는 광 및 상기 시료 표면의 법선을 포함하는 제1 평면과, 상기 검광자를 통과하는 광 및 상기 시료 표면의 법선을 포함하는 제2 평면을 규정하는 반사형 광학계로서, 상기 편광자와 상기 시료 표면 사이에 배치되며, 상기 편광자를 통과한 광이 상기 시료 표면의 측정 스팟을 향하도록 광의 진행경로를 변경시키도록 구성된 적어도 하나의 제1 반사면을 포함하는 제1 반사형 광학계와; 상기 시료 표면과 상기 검광자 사이에 배치되며, 상기 시료 표면의 측정 스팟에서 반사된 광이 상기 검광자를 향하도록 광의 진행경로를 변경시키도록 구성된 적어도 하나의 제2 반사면을 포함하는 제2 반사형 광학계를 포함하는 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is located between a light source and the sample surface, and a polarizer for polarizing light generated from the light source, and an analyzer for detecting the polarization state of light reflected from the sample surface. (analyzer) and defines a first plane including the light passing through the polarizer and the normal of the sample surface, and a second plane including the light passing through the analyzer and the normal of the sample surface. An optical system comprising: a first reflective surface disposed between the polarizer and the sample surface and configured to change a propagation path of light so that the light passing through the polarizer is directed to a measurement spot on the sample surface; a reflective optical system; A second reflective type including at least one second reflective surface disposed between the sample surface and the analyzer and configured to change a propagation path of light so that the light reflected from the measurement spot on the sample surface is directed toward the analyzer. A reflective optical system including an optical system in which polarization modulation is minimized is provided.
여기서, 상기 제1 반사면에서의 반사에 의한 편광 변조(polarization modulation)를 상쇄하기 위해서, 상기 제1 반사면은, 상기 제1 반사형 광학계를 통과한 광의 p 파 편광면인 제1 편광면이 상기 제1 평면을 제1 기준축을 기준으로 제1 방향으로 회전시킨 면과 나란하게 형성되도록 배치된다.Here, in order to cancel polarization modulation due to reflection from the first reflection surface, the first reflection surface is a first polarization plane that is a p-wave polarization plane of light passing through the first reflection type optical system. The first plane is arranged to be formed parallel to a plane rotated in a first direction with respect to a first reference axis.
상기 제1 편광면 기준으로 상기 제1 반사형 광학계를 통과한 광의 일부는 p파로 진행하고, 일부는 s 파로 진행한다.A part of the light passing through the first reflection type optical system based on the first polarization plane travels as a p-wave and a part as an s-wave.
그리고 상기 제2 반사면에서의 반사에 의한 편광 변조를 상쇄하기 위해서, 상기 제2 반사면은, 상기 제2 반사형 광학계를 통과한 광의 p 파 편광면인 제2 편광면이 상기 제2 평면을 상기 제1 기준축과 다른 제2 기준축을 기준으로 제2 방향으로 회전시킨 면과 나란하게 형성되도록 배치된다.And, in order to cancel the polarization modulation due to reflection from the second reflection surface, the second polarization plane, which is a p-wave polarization plane of light passing through the second reflection type optical system, forms the second plane. It is arranged to be formed parallel to a surface rotated in a second direction based on a second reference axis different from the first reference axis.
상기 제2 편광면 기준으로 상기 제2 반사형 광학계를 통과한 광의 일부는 p 파로 진행하고, 일부는 s 파로 진행한다.A part of the light passing through the second reflection type optical system based on the second polarization plane travels as a p-wave and a part as an s-wave.
또한, 본 발명은, 상기 제1 기준축은 상기 편광자를 통과하는 광의 광축이며, 상기 제2 기준축은 상기 검광자를 통과하는 광의 광축인 것을 특징으로 하는 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계를 제공한다.In addition, the present invention provides a reflective optical system in which polarization modulation is minimized, wherein the first reference axis is an optical axis of light passing through the polarizer, and the second reference axis is an optical axis of light passing through the analyzer.
또한, 상기 제1 기준축은 상기 제1 반사형 광학계를 통과하여 상기 시료 표면에 입사하는 광의 광축이며, 상기 제2 기준축은 상기 시료 표면에서 반사되어 상기 제2 반사형 광학계에 입사하는 광의 광축인 것을 특징으로 하는 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계를 제공한다. In addition, the first reference axis is an optical axis of light passing through the first reflection type optical system and incident on the sample surface, and the second reference axis is an optical axis of light reflected from the sample surface and incident on the second reflection type optical system. Provided is a reflective optical system in which polarization modulation is minimized.
또한, 상기 제1 회전방향과 제2 회전방향으로의 회전 각도는 제1 반사면과 제2 반사면의 재질 및 상기 제1 반사형 광학계에 입사하는 광의 입사각과 상기 제2 반사형 광학계에 입사하는 광의 입사각에 기초하여 정해지는 것을 특징으로 하는 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계를 제공한다.In addition, the rotation angle between the first rotation direction and the second rotation direction is the material of the first reflection surface and the second reflection surface and the angle of incidence of light incident on the first reflection type optical system and the angle of incidence of light incident on the second reflection type optical system. Provided is a reflective optical system in which polarization modulation is minimized, characterized in that it is determined based on the incident angle of light.
또한, 상기 제1 회전방향과 상기 제2 회전방향은 서로 반대방향인 것을 특징으로 하는 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계를 제공한다.In addition, the first rotation direction and the second rotation direction are opposite to each other, providing a reflective optical system in which polarization modulation is minimized.
또한, 상기 제1 회전방향으로의 회전 각도와 제2 회전방향으로의 회전 각도의 크기가 동일한 것을 특징으로 하는 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계를 제공한다.In addition, a rotational angle in the first rotational direction and a rotational angle in the second rotational direction are the same in a reflective optical system in which polarization modulation is minimized.
또한, 본 발명은 상술한 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계를 구비한 타원 분광계를 제공한다.In addition, the present invention provides an ellipsoidal spectrometer equipped with a reflective optical system in which the above-described polarization modulation is minimized.
본 발명에 따른 반사형 광학계는 편광 변조를 최소화할 수 있다는 장점이 있다.The reflective optical system according to the present invention has an advantage of minimizing polarization modulation.
도 1은 종래의 타원 분광계를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 타원 분광계를 위에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 반사형 광학계에서의 제1 편광면과 제2 편광면을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계를 입체적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 반사형 광학계를 구비한 타원 분광계를 위에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 4에 도시된 반사형 광학계에서의 제1 편광면과 제2 편광면을 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing a conventional ellipsometric spectrometer.
FIG. 2 is a view of the ellipsometer shown in FIG. 1 viewed from above.
FIG. 3 is a view showing a first polarization plane and a second polarization plane in the reflective optical system shown in FIG. 1 .
4 is a three-dimensional view of a reflective optical system in which polarization modulation is minimized according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a top view of the ellipsometric spectrometer including the reflective optical system shown in FIG. 4 .
FIG. 6 is a view showing a first polarization plane and a second polarization plane in the reflective optical system shown in FIG. 4 .
이하, 첨부된 도면을 첨부하여 본 발명의 일실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태들로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 더욱 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize more clear description, and elements indicated by the same reference numerals in the drawings mean the same elements.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계를 입체적으로 나타낸 도면이며, 도 5는 도 4에 도시된 반사형 광학계를 구비한 타원 분광계를 위에서 바라본 도면이다.4 is a three-dimensional view of a reflective optical system in which polarization modulation is minimized according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a top view of an ellipsoidal spectrometer including the reflective optical system shown in FIG. 4 .
도 4와 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계(20)는 편광자(21)와, 제1 반사형 광학계(23)와, 제2 반사형 광학계(25)와, 검광자(27)를 포함한다.4 and 5, the reflective
편광자(21)는 광원(30)에서 발생된 광을 편광시키는 역할을 한다. 예를 들어, 편광자(21)는 광원(30)에서 발생한 광을 p 편광(p 파)과 s 편광(s 파)의 위상이 동일한 직선 편광으로 변환시킬 수 있다.The
제1 반사형 광학계(23)는 편광자(21)와 시료(S) 표면 사이에 배치된다. 제1 반사형 광학계(23)는 편광자(21)를 통과한 광이 시료(S) 표면의 측정 스팟을 향하도록 광의 진행경로를 변경시키도록 구성된다. The first reflective
제1 반사형 광학계(23)는 적어도 하나의 제1 반사면(22a, 22b)을 포함한다. 도 2에 도시된 실시예에서는 한 쌍의 제1 반사면들(22a, 22b)을 구비하는 것으로 도시되어 있으나, 하나의 제1 반사면을 구비하거나, 세 개 이상의 제1 반사면들을 구비할 수도 있다.The first reflective
여기서 제1 반사면들(22a, 22b)은 제1 반사면들(22a, 22b)에서의 반사에 의한 편광 변조를 상쇄할 수 있도록 배치된다.Here, the first
제1 반사면들(22a, 22b)의 p 파와 s 파에 대한 반사계수가 서로 다르기 때문에 광의 진행 경로를 기준으로, 상류 측에 배치되는 제1 반사면(22a)에 입사한 직선 편광은 타원 편광으로 변한다. 그리고 하류 측에 배치된 제1 반사면(22b)에서 다시 반사되는 과정에서 다시 편광 변조가 생긴다.Since the reflection coefficients of the first
본 발명에서는 제1 반사형 광학계(23)를 통과한 광의 p 파 편광면인 제1 편광면(PP,1)이 제1 평면(P1)을 제1 기준축(A1)을 기준으로 제1 방향으로 회전시킨 면과 나란하게 형성되도록 제1 반사면들(22a, 22b)을 배치하여 제1 반사면들(22a, 22b)에 의한 편광 변조를 상쇄한다. 제1 평면(P1)은 편광자(21)를 통과한 광의 광축과 시료(S)의 법선(N)을 포함하는 평면이다.In the present invention, the first polarization plane (P P,1 ), which is the p-wave polarization plane of the light passing through the first reflection type
본 발명에서는 제1 반사형 광학계(23)에서 발생하는 편광 변조를 일부 p 파, 일부 s 파로 바꿈으로써, 제1 반사면들(22a, 22b)에서 발생하는 편광 변조를 자체적으로 상쇄하여 시료(S)에 입사하는 광의 편광 상태를 편광자(21)를 통과한 광의 편광 상태, 예를 들어 직선 편광 상태로 유지할 수 있도록 구성된다.In the present invention, by changing the polarization modulation generated in the first reflection type
p 파 편광면은 p 파의 진동방향과 광의 진행방향을 포함하는 면을 의미한다.The p-wave polarization plane refers to a plane including the direction of vibration of the p-wave and the traveling direction of light.
도 6은 도 4에 도시된 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계에서의 제1 편광면(PP,1)과 제2 편광면(PP,2)을 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating a first polarization plane P P,1 and a second polarization plane P P,2 in the reflective optical system in which polarization modulation is minimized shown in FIG. 4 .
도 6에 도시된 바와 같이, 제1 기준축(A1)은, 예를 들어, 편광자(21)를 통과하는 입사광의 광축일 수 있다. 제1 방향은 시계방향일 수 있다. 회전 각도(α)는 제1 반사면들(22a, 22b)의 재질 및 제1 반사형 광학계(23)에 입사하는 광의 입사각에 기초하여 정해진다. 회전 각도(α)는 예를 들어, 30 내지 40도일 수 있다.As shown in FIG. 6 , the first reference axis A 1 may be, for example, an optical axis of incident light passing through the
또한, 제1 기준축(A1)은 제1 반사형 광학계(23)를 통과하여 시료(S) 표면에 입사하는 광의 광축일 수도 있다.Also, the first reference axis A 1 may be an optical axis of light passing through the first reflective
편광 변조를 최소화하는 제1 반사형 광학계(23)를 이루기 위한 제1 방향의 회전 각도(α), 이동 조건은 제1 반사형 광학계(23)를 구성하는 제1 반사면들(22a, 22b)의 곡률 반경, 제1 반사면들(22a, 22b)에 입사되는 광의 입사각, 제1 반사면들(22a, 22b)의 재질, 코팅 종류 등의 조건에 따라 결정된다.The rotation angle α in the first direction for forming the first reflection type
제1 편광면(PP,1) 기준으로 제1 반사형 광학계(23)를 통과한 광의 일부는 p 파로 진행하고, 일부는 s 파로 진행한다.Some of the light passing through the first reflection type
도시된 편광 변조가 최소화된 제1 반사형 광학계(23)는 제1 반사면들(22a, 22b)이 편광 변조를 최소화하기 위해 제1 편광면(PP,1)에서 나타나는 p 파를 진행 면에 대해 일부 p 파와 일부 s 파로 구분하고, 다시 시료(S)에서 반사된 후 시료(S)에서 반사 전 일부 p 파인 것을 일부 s 파로, 시료(S)에서 반사 전 일부 s 파인 것을 일부 p 파로 반사되도록 고안된다.In the illustrated first reflection type
이상적이라면 이러한 제1 반사형 광학계(23)를 통과한 편광은 제1 반사형 광학계(23)로 입사한 편광과 동일한 편광이 될 수 있다. 예를 들어, 직선 편광으로 제1 반사형 광학계(23)로 입사하였다면, 제1 반사형 광학계(23)를 통과한 광은 동일한 직선 편광이 된다.Ideally, the polarized light passing through the first reflective
편광자(21)를 통과한 광과 제1 반사형 광학계(23)를 통과한 광의 p 파 편광면은 제1 평면(P1)과 제1 편광면(PP,1)으로 서로 다르지만, 타원 계수는 동일한 편광이 된다. 예를 들어, 편광자(21)를 통과한 광이 직선 편광이라면, 제1 반사형 광학계(23)를 통과한 광도 p 편광 면만 다른 직선 편광이 된다.The p-wave polarization planes of the light passing through the
시료(S)는 기판과 기판 위에 순차적으로 형성된 복수의 박막 층들을 구비한 시료(S)일 수 있다. 기판은 유리 기판이나 반도체 기판일 수 있다. 박막 층들은 반도체 소자나, 디스플레이 장치, 태양 전지 등의 전자 소자를 구성하는 층일 수 있다. 박막 층들은 반도체, 유전체 또는 금속 층일 수 있다. 시료(S)에 편광된 광이 입사되면 시료(S)의 광학적 특성에 따라서 반사광의 편광 상태가 변화한다. 즉, 시료(S)는 시료(S)를 구성하는 박막 층들과 기판의 굴절률, 두께 등의 광학적, 구조적 특성에 따라서 변화된 편광을 반사시킨다.The sample S may be a sample S having a substrate and a plurality of thin film layers sequentially formed on the substrate. The substrate may be a glass substrate or a semiconductor substrate. The thin film layers may be layers constituting electronic devices such as semiconductor devices, display devices, and solar cells. The thin film layers may be semiconductor, dielectric or metal layers. When polarized light is incident on the sample (S), the polarization state of the reflected light is changed according to the optical characteristics of the sample (S). That is, the sample S reflects polarized light that is changed according to optical and structural characteristics such as refractive index and thickness of the thin film layers constituting the sample S and the substrate.
제2 반사형 광학계(25)는 시료(S) 표면과 검광자(27) 사이에 배치된다. 제2 반사형 광학계(25)는 시료(S) 표면의 측정 스팟에서 반사된 광이 검광자(27)를 향하도록 광의 진행경로를 변경시키도록 구성된다. The second reflective
제2 반사형 광학계(25)는 적어도 하나의 제2 반사면(24a, 24b)을 포함한다. 도 2에 도시된 실시예에서는 한 쌍의 제2 반사면들(24a, 24b)을 구비하는 것으로 도시되어 있으나, 하나의 제2 반사면을 구비하거나, 세 개 이상의 제2 반사면들을 구비할 수도 있다.The second reflective
여기서 제2 반사면들(24a, 24b)은 제2 반사면들(24a, 24b)에서의 반사에 의한 편광 변조를 상쇄할 수 있도록 배치된다.Here, the second
제2 반사면들(24a, 24b)의 p 파와 s 파에 대한 반사계수가 서로 다르기 때문에 편광 변조가 생긴다.Polarization modulation occurs because the reflection coefficients of the second reflection surfaces 24a and 24b for the p-wave and the s-wave are different from each other.
편광 변조가 상쇄되지 않은 편광이 검광자(27)에 입사하면, 시료(S)에 의한 편광 변조와 제2 반사면들(24a, 24b)에 의한 편광 변조가 혼합되어 정확한 측정이 어렵다.When polarized light whose polarization modulation is not canceled is incident on the
본 발명에서는 제2 반사형 광학계(25)를 통과한 광의 p 파 편광면인 제2 편광면(PP,2)이 제2 평면(P2)을 제2 기준축(A2)을 기준으로 제2 방향으로 회전시킨 면과 나란하게 형성되도록 제2 반사면들(24a, 24b)을 배치하여 제2 반사면들(24a, 24b)에 의한 편광 변조를 상쇄한다. 제2 평면(P2)은 검광자(17)를 통과하는 광 및 시료(S) 표면의 법선(N)을 포함하는 평면이다. 제2 평면(P2)은 제1 평면(P1)과 나란하지 않지만, 최대한 나란한 것이 바람직하다.In the present invention, the second polarization plane (P P, 2 ), which is the p-wave polarization plane of the light passing through the second reflection type
도 6에 도시된 바와 같이, 제2 기준축(A2)은, 예를 들어, 검광자(27)를 통과하는 반사광의 광축일 수 있다. 제2 방향은 반시계방향일 수 있다. 회전 각도(β)는 제2 반사면(24a, 24b)의 재질 및 제2 반사형 광학계(25)에 입사하는 광의 입사각에 기초하여 정해진다. 회전 각도(β)는 예를 들어, 30 내지 40도일 수 있다. 제1 반사면들(22a, 22b)과 제2 반사면들(24a, 24b)이 같은 재질이라면, 제1 회전방향으로의 회전 각도(α)와 제2 회전방향으로의 회전 각도(β)의 크기가 동일할 수 있다.As shown in FIG. 6 , the second reference axis A 2 may be, for example, an optical axis of reflected light passing through the
또한, 제2 기준축(A2)은 시료(S) 표면에서 반사되어 제2 반사형 광학계(25)에 입사하는 광의 광축일 수도 있다.Also, the second reference axis A 2 may be an optical axis of light reflected from the surface of the sample S and incident on the second reflection type
제2 편광면(PP,2) 기준으로 제2 반사형 광학계(25)를 통과한 광의 일부는 p 파로 진행하고, 일부는 s 파로 진행한다.Some of the light passing through the second reflection type
이상적이라면 이러한 제2 반사형 광학계(25)를 통과한 편광은 제2 반사형 광학계(25)로 입사한 편광이 시료(S)에 의해서만 변조된 편광이 될 수 있다.Ideally, the polarized light passing through the second reflection type
도 5에 도시된 바와 같이, 타원 분광계(100)는 광원(30)과 분광계(40)를 더 포함한다.As shown in FIG. 5 , the
광원(30)은 시료(S)에 조사되는 광을 발생시키는 장치로서, 원적외선에서부터 근적외선에 걸친 파장 대역의 광을 발생시킬 수 있다.The
분광계(40)는 외부 트리거 신호에 따라 정해진 노출 시간에 맞춰 동작하여 반사형 광학계(20)를 통과한 광의 광량을 측정한다. 분광계(40)는 전하 결합 소자를 포함할 수 있다.The
또한, 타원 분광계(100)는 광원(30)에서 나온 광을 편광자(21)에 전달하는 한 쌍의 미러(31)와 검광자(27)를 통과한 광을 분광계(40)에 전달하는 한 쌍의 미러(41)를 더 포함한다.In addition, the
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and is common in the art to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, various modifications and implementations are possible by those with knowledge of, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or perspective of the present invention.
100: 타원 분광계
PP,1: 제1 편광면
PP,2: 제2 편광면
PI: 입사면
P1: 제1 평면
P2: 제2 평면
A1: 제1 기준축
A2: 제2 기준축
20: 반사형 광학계
21: 편광자
23: 제1 반사형 광학계
25: 제2 반사형 광학계
27: 검광자
30: 광원
40: 분광계100: elliptical spectrometer
P P,1 : 1st polarization plane
P P,2 : Second polarization plane
P I : entrance plane
P 1 : first plane
P 2 : second plane
A 1 : first reference axis
A 2 : 2nd reference axis
20: reflective optical system
21: polarizer
23: first reflective optical system
25: second reflective optical system
27: analyzer
30: light source
40: spectrometer
Claims (7)
상기 편광자와 상기 시료 표면 사이에 배치되며, 상기 편광자를 통과한 광이 상기 시료 표면의 측정 스팟을 향하도록 광의 진행경로를 변경시키도록 구성된 적어도 한 쌍의 제1 반사면들을 포함하는 제1 반사형 광학계와,
상기 시료 표면과 상기 검광자 사이에 배치되며, 상기 시료 표면의 측정 스팟에서 반사된 광이 상기 검광자를 향하도록 광의 진행경로를 변경시키도록 구성된 적어도 한 쌍의 제2 반사면들을 포함하는 제2 반사형 광학계를 포함하며,
상기 제1 반사형 광학계에서의 반사에 의한 편광 변조(polarization modulation)를 감소시키기 위해서, 상기 제1 반사형 광학계를 통과한 광의 p 파 편광면인 제1 편광면이 상기 제1 평면을 제1 기준축을 기준으로 제1 방향으로 회전시킨 면과 나란하게 형성되도록 상기 제1 반사면들이 배치되며,
상기 제1 편광면 기준으로 상기 제1 반사형 광학계를 통과한 광의 일부는 p파로 진행하고, 일부는 s 파로 진행하며,
상기 제2 반사형 광학계에서의 반사에 의한 편광 변조를 감소시키기 위해서, 상기 제2 반사형 광학계를 통과한 광의 p 파 편광면인 제2 편광면이 상기 제2 평면을 상기 제1 기준축과 다른 제2 기준축을 기준으로 제2 방향으로 회전시킨 면과 나란하게 형성되도록 상기 제2 반사면들이 배치되며,
상기 제2 편광면 기준으로 상기 제2 반사형 광학계를 통과한 광의 일부는 p 파로 진행하고, 일부는 s 파로 진행하는 것을 특징으로 하는 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계.It is located between the light source and the sample surface, and includes a polarizer for polarizing the light generated from the light source and an analyzer for detecting the polarization state of the light reflected from the sample surface, which passes through the polarizer. A reflective optical system defining a first plane including light passing through and a normal line of the sample surface, and a second plane including light passing through the analyzer and a normal line of the sample surface,
A first reflective type including at least one pair of first reflective surfaces disposed between the polarizer and the surface of the sample and configured to change a propagation path of light so that the light passing through the polarizer is directed to a measurement spot on the surface of the sample. optics,
A second reflector disposed between the sample surface and the analyzer and including at least one pair of second reflection surfaces configured to change a propagation path of light so that light reflected from a measurement spot on the sample surface faces the analyzer. Including a type optical system,
In order to reduce polarization modulation due to reflection in the first reflection type optical system, a first polarization plane, which is a p-wave polarization plane of light passing through the first reflection type optical system, uses the first plane as a first reference. The first reflection surfaces are arranged so as to be parallel to a surface rotated in a first direction with respect to an axis,
Some of the light passing through the first reflection type optical system based on the first polarization plane travels as p-waves, and some travels as s-waves;
In order to reduce polarization modulation due to reflection in the second reflection type optical system, a second polarization plane, which is a p-wave polarization plane of light passing through the second reflection type optical system, has the second plane different from the first reference axis. The second reflective surfaces are disposed parallel to a surface rotated in a second direction with respect to a second reference axis,
A reflection type optical system with minimized polarization modulation, characterized in that a part of the light passing through the second reflection type optical system with respect to the second polarization plane proceeds as a p wave and a part proceeds as an s wave.
상기 제1 기준축은 상기 편광자를 통과하는 광의 광축이며, 상기 제2 기준축은 상기 검광자를 통과하는 광의 광축인 것을 특징으로 하는 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계.According to claim 1,
The first reference axis is an optical axis of light passing through the polarizer, and the second reference axis is an optical axis of light passing through the analyzer.
상기 제1 기준축은 상기 제1 반사형 광학계를 통과하여 상기 시료 표면에 입사하는 광의 광축이며, 상기 제2 기준축은 상기 시료 표면에서 반사되어 상기 제2 반사형 광학계에 입사하는 광의 광축인 것을 특징으로 하는 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계. According to claim 1,
The first reference axis is an optical axis of light passing through the first reflection type optical system and incident on the sample surface, and the second reference axis is an optical axis of light reflected from the sample surface and incident on the second reflection type optical system. A reflective optical system in which polarization modulation is minimized.
상기 제1 방향과 제2 방향으로의 회전 각도는 상기 제1 반사면들과 상기 제2 반사면들의 재질 및 상기 제1 반사형 광학계에 입사하는 광의 입사각과 상기 제2 반사형 광학계에 입사하는 광의 입사각에 기초하여 정해지는 것을 특징으로 하는 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계.According to claim 1,
The angle of rotation in the first direction and the second direction is a ratio between the material of the first and second reflection surfaces and the angle of incidence of light incident to the first reflection type optical system and the light incident to the second reflection type optical system. A reflective optical system in which polarization modulation is minimized, characterized in that it is determined based on the angle of incidence.
상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 서로 반대방향인 것을 특징으로 하는 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계.According to claim 1,
The reflective optical system with minimized polarization modulation, characterized in that the first direction and the second direction are opposite to each other.
상기 제1 방향으로의 회전 각도와 제2 방향으로의 회전 각도의 크기가 동일한 것을 특징으로 하는 편광 변조가 최소화된 반사형 광학계.According to claim 5,
A reflective optical system with minimized polarization modulation, characterized in that the rotation angle in the first direction and the rotation angle in the second direction are the same.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220000199A KR102545519B1 (en) | 2022-01-03 | 2022-01-03 | Reflective Optical System with Minimized Polarization Modulation and Spectroscopic Ellipsometer Provided Therewith |
PCT/KR2022/013443 WO2023128133A1 (en) | 2022-01-03 | 2022-09-07 | Reflective optical system having minimized polarization modulation and spectroscopic ellipsometer including same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220000199A KR102545519B1 (en) | 2022-01-03 | 2022-01-03 | Reflective Optical System with Minimized Polarization Modulation and Spectroscopic Ellipsometer Provided Therewith |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR102545519B1 true KR102545519B1 (en) | 2023-06-21 |
Family
ID=86989484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220000199A KR102545519B1 (en) | 2022-01-03 | 2022-01-03 | Reflective Optical System with Minimized Polarization Modulation and Spectroscopic Ellipsometer Provided Therewith |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102545519B1 (en) |
WO (1) | WO2023128133A1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180087691A (en) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | (주)엘립소테크놀러지 | Microspot spectroscopic ellipsometer with 4-reflectors |
KR20200047558A (en) * | 2017-09-22 | 2020-05-07 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | Acousto-optical system with phase-shifting reflector |
KR102137053B1 (en) | 2018-12-17 | 2020-07-23 | 한양대학교 에리카산학협력단 | Ellipsometer and The Module for Reflecting Polarized Light |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100480630B1 (en) * | 2002-11-13 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | Optical pickup capable of reducing noise and polarization changer |
EP2463715B1 (en) * | 2005-07-08 | 2015-06-10 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
JP5622068B2 (en) * | 2005-11-15 | 2014-11-12 | 株式会社ニコン | Surface position detection apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR100981988B1 (en) * | 2008-06-03 | 2010-09-13 | 나노-뷰(주) | Apparatus and method for ellipsometry |
-
2022
- 2022-01-03 KR KR1020220000199A patent/KR102545519B1/en active IP Right Grant
- 2022-09-07 WO PCT/KR2022/013443 patent/WO2023128133A1/en unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180087691A (en) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | (주)엘립소테크놀러지 | Microspot spectroscopic ellipsometer with 4-reflectors |
KR20200047558A (en) * | 2017-09-22 | 2020-05-07 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | Acousto-optical system with phase-shifting reflector |
KR102137053B1 (en) | 2018-12-17 | 2020-07-23 | 한양대학교 에리카산학협력단 | Ellipsometer and The Module for Reflecting Polarized Light |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023128133A1 (en) | 2023-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5963327A (en) | Total internal reflection electromagnetic radiation beam entry to, and exit from, ellipsometer, polarimeter, reflectometer and the like systems | |
CN102269623B (en) | Perpendicular incident broadband polarity spectrometer and optical measurement system | |
US5900939A (en) | Thin film optical measurement system and method with calibrating ellipsometer | |
US6922244B2 (en) | Thin film optical measurement system and method with calibrating ellipsometer | |
US20190049302A1 (en) | Integrated one-piece polarizing interferometer and snapshot spectro-polarimeter applying same | |
US9857292B2 (en) | Broadband and wide field angle compensator | |
US11255658B2 (en) | Ellipsometer and method for estimating thickness of film | |
US7864318B2 (en) | Spectroscopic ellipsometer and ellipsometry | |
US7184145B2 (en) | Achromatic spectroscopic ellipsometer with high spatial resolution | |
KR102391066B1 (en) | Vibration insensitive interferometry for multilayer thin-film thickness profile measurement | |
JPS63275912A (en) | Detecting device of surface displacement | |
JP4358982B2 (en) | Spectroscopic ellipsometer | |
JP2005308612A (en) | Ellipsometer and spectroscopic ellipsometer | |
WO2024178783A1 (en) | Ellipsometry device and method for acquiring surface information of object to be tested | |
KR102545519B1 (en) | Reflective Optical System with Minimized Polarization Modulation and Spectroscopic Ellipsometer Provided Therewith | |
US4932780A (en) | Interferometer | |
CN109883553B (en) | Polarization measuring device and polarization measuring method | |
JP3520379B2 (en) | Optical constant measuring method and device | |
KR102229335B1 (en) | Distortion Correction and Application Method For Micro Spot Spectroscopic Ellipsometer Including High Magnification Optical System | |
JP3340824B2 (en) | Optical system including total reflection prism | |
JPH04294226A (en) | Ellipsometer | |
JPH0495703A (en) | Method and apparatus for measuring optical film thickness | |
KR20050024343A (en) | Achromatic spectroscopic ellipsometer with high spatial resolution | |
JPH0216458B2 (en) | ||
JPH04290935A (en) | Infrared spectroscopic device of fourier transform type |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AMND | Amendment | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
X091 | Application refused [patent] | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |