KR102544643B1 - Polishing slurry composition and polishing method using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 착화제, 연마제, 산화제 및 부식 방지제를 포함하는 연마 슬러리 조성물에 있어서, 상기 착화제는 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물을 포함하는 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법에 관한 것이다.
상기 연마 슬러리 조성물은 착화제로서 하이드록시기 및 메르캅토기를 갖는 화합물을 사용함으로써 산화된 금속을 효과적으로 제거할 뿐 아니라 배리어층에 대한 선택적 연마율을 향상시켜 디싱, 에로젼, 스크래치 현상을 최소화함으로써 피연마면에 표면 결함을 방지할 수 있다.The present invention relates to a polishing slurry composition and a polishing method using the same, and more particularly, to a polishing slurry composition comprising a complexing agent, an abrasive, an oxidizing agent and a corrosion inhibitor, wherein the complexing agent contains one hydroxyl group and two mercaps It relates to a polishing slurry composition containing a compound having earthenware and a polishing method using the same.
The polishing slurry composition effectively removes oxidized metal by using a compound having a hydroxy group and a mercapto group as a complexing agent, and also improves the selective polishing rate for the barrier layer to minimize dishing, erosion, and scratch phenomena. Surface defects can be prevented on the surface to be polished.
Description
본 발명은 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 특정 작용기를 갖는 화합물을 착화제로 포함하는 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법에 관한 것이다.The present invention relates to a polishing slurry composition and a polishing method using the same, and more particularly, to a polishing slurry composition containing a compound having a specific functional group as a complexing agent and a polishing method using the same.
최근 반도체 소자의 고집적화, 고성능화 경향에 따라 다층 배선 구조에 있어서 배선층의 증가와 배선 패턴의 미세화에 대한 요구가 갈수록 높아지고 있다. 미세 패턴 형성을 위해 보다 짧은 파장의 포토리소그래피(Photolithography)가 채용됨에 따라 피사계심도(Depth of Field, DOF) 문제가 대두되는데 이러한 기술문제를 효율적으로 해결하기 위해 광역 평탄화 기술이 요구된다. Recently, demands for an increase in wiring layers and miniaturization of wiring patterns in a multi-layer wiring structure are increasing according to the trend of high integration and high performance of semiconductor devices. As photolithography with a shorter wavelength is employed to form fine patterns, a depth of field (DOF) problem arises. In order to efficiently solve this technical problem, wide-area planarization technology is required.
평탄화 방법으로는 박막을 형성한 후 리플로우(reflow)시키는 방법, 박막을 형성한 후 에치백(etch back)하는 방법, 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing(CMP)) 방법 등 여러 가지가 있다. 이들 가운데 CMP 방법은 리플로우 공정이나 에치-백 공정으로 달성할 수 없는 넓은 공간에 대한 평탄화 공정을 달성할 수 있어 매우 유용하다. 이에 더해서 CMP 방법은 희생막의 전면 식각 공정과는 달리 특정한 부분의 제거 속도를 조절할 수 있기 때문에 다층 배선 형성 공정의 층간 절연막의 평탄화, 금속 플러그 형성, 매입 배선 형성에 있어 매우 효과적인 평탄화 기술로 평가되어 사용되고 있다.There are various planarization methods, such as a reflow method after forming a thin film, an etch back method after forming a thin film, and a chemical mechanical polishing (CMP) method. Among them, the CMP method is very useful because it can achieve a planarization process for a wide space that cannot be achieved by a reflow process or an etch-back process. In addition, the CMP method is evaluated and used as a very effective planarization technology in planarization of interlayer insulating films, metal plug formation, and buried wiring formation in the multi-layer wiring formation process because it can control the removal rate of specific parts unlike the entire surface etching process of the sacrificial film. there is.
CMP 공정은 반도체 웨이퍼 표면을 연마 패드에 접촉하여 회전 운동을 실시하면서 연마제를 포함하는 연마 슬러리를 제공하여 평탄하게 연마하는 공정을 말한다. 즉, 기판이나 그 상부의 층의 표면이 연마 슬러리 및 연마 패드에 의해 화학적 및 기계적으로 연마되어 평탄화되는 것을 말한다. 일반적으로 연마 공정은 연마 패드와 연마 슬러리 조성물의 연마제에 의한 기계적 연마 작용과 연마 슬러리 조성물의 산화제에 의한 화학적 연마 작용이 동시에 진행된다.The CMP process refers to a process of polishing a surface of a semiconductor wafer flat by providing a polishing slurry containing an abrasive while performing a rotational motion in contact with a polishing pad. That is, it means that the surface of the substrate or the layer thereon is chemically and mechanically polished and flattened by the polishing slurry and the polishing pad. In general, in the polishing process, a mechanical polishing action using a polishing pad and an abrasive in the polishing slurry composition and a chemical polishing action using an oxidizing agent in the polishing slurry composition simultaneously proceed.
CMP 공정에 사용되는 연마 슬러리 조성물은 기계적 연마 작용을 하는 연마제와 이들 연마제가 현탁되는 물, 연마대상인 금속막 표면을 산화시켜 부동화층(passivation layer)을 형성하는 산화제, 산화제의 화학적 반응을 제어하여 과도한 부식을 방지하는 부식 방지제 및 산화제에 의해 산화된 금속 산화물과 배위 결합하는 착화제를 포함하는 조성물로 구성될 수 있다. The polishing slurry composition used in the CMP process includes an abrasive that has a mechanical polishing action, water in which the abrasive is suspended, an oxidizer that oxidizes the surface of a metal film to be polished to form a passivation layer, and a chemical reaction of the oxidizer to control the excessive It may be composed of a composition comprising a corrosion inhibitor that prevents corrosion and a complexing agent that coordinates with a metal oxide oxidized by an oxidizing agent.
이 중, 착화제는 산화제에 의해 형성된 금속 산화물을 제거하는 역할과 금속 산화물과 착물을 형성하여 과도한 산화를 막는 역할을 동시에 수행하며, 따라서 연마 공정에서 특히 중요한 성분이다. 기존 연마 조성물에는 착화제로서 시트르산(citric acid), 옥살산(oxalic acid), 숙신산(succinic acid), 말레산(maleic acid), 말론산(malonic acid), 주석산(tartaric acid), 프탈산(phthalic acid) 글루타르산(glutaric acid), 포름산(formic acid), 아세트산(acetic acid), 프로피온산(propionic acid), 부티르산(butyric acid), 발레산(valeric acid), 아크릴산(acrylic acid), 글라이신(glycine), 젖산(lactic acid), 니코틴산(nicotinic acid) 등의 산(acid)계 화합물이 주로 사용되었다. 이러한 산계 화합물의 화학적 반응속도가 너무 빨라 금속 배선 표면의 과도한 부식을 일으켜 단차를 줄이는데 어려움이 있었으며, 이로 인해 연마 공정 후 패턴 안쪽이 과연마되어 오목하게 패이는 디싱(dishing) 현상을 발생시킨다. 특히, 반도체 소자의 집적화 및 성능 고속화를 위해 주목받고 있는 구리 배선의 경우에는 기존 배선에 비해서도 훨씬 경도가 낮아 경도가 큰 연마제나 잔류물로 인한 치명적인 스크래치(scratch)가 발생된다.Among them, the complexing agent simultaneously serves to remove the metal oxide formed by the oxidizing agent and prevents excessive oxidation by forming a complex with the metal oxide, and therefore is a particularly important component in the polishing process. Existing polishing compositions include citric acid, oxalic acid, succinic acid, maleic acid, malonic acid, tartaric acid, and phthalic acid as complexing agents. Glutaric acid, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, acrylic acid, glycine, Acid compounds such as lactic acid and nicotinic acid were mainly used. The chemical reaction rate of these acid-based compounds is too fast, causing excessive corrosion on the surface of the metal wiring, making it difficult to reduce the level difference, which causes a dishing phenomenon in which the inside of the pattern is worn out after the polishing process, resulting in a concave depression. In particular, in the case of copper wiring, which is attracting attention for integration and high-speed performance of semiconductor devices, its hardness is much lower than that of conventional wiring, resulting in fatal scratches due to abrasives or residues with high hardness.
또한, 트렌치(trench) 등 패턴이 형성된 기판의 연마를 진행할 경우에는 디싱 뿐만 아니라 금속 배선 패턴 영역과 금속 배선 패턴이 형성되지 않은 절연막 영역 사이의 단차가 발생하는 에로젼(erosion) 현상이 자주 발생하는 문제가 있다. 피연마면에 디싱, 에로젼, 스크래치 등의 결함이 발생할 경우, 최종 제조되는 반도체 소자의 동작 특성에 악영향을 미치게 된다. In addition, when polishing a substrate on which a pattern such as a trench is formed, not only dishing but also an erosion phenomenon in which a step occurs between a metal wiring pattern area and an insulating film area on which no metal wiring pattern is formed often occurs. there is a problem. When defects such as dishing, erosion, and scratches occur on the surface to be polished, the operating characteristics of a semiconductor device to be finally manufactured are adversely affected.
이에 대한민국 공개특허 제2007-0029331호 및 제2007-0056205호에는 각각 산계 화합물 대신 2개의 카복실산기와 -N기 및 -S기 중 하나 이상의 기를 갖는 화합물 및 옥심기를 갖는 화합물을 착화제로 사용하는 연마 조성물을 제시하고 있다.Accordingly, Korean Patent Publication Nos. 2007-0029331 and 2007-0056205 disclose a polishing composition using a compound having two carboxylic acids and at least one of -N and -S groups and a compound having an oxime group as a complexing agent instead of an acid compound, respectively. are presenting
또한, 대한민국 등록특허 제10-0948814호에는 디싱 및 에로젼을 감소시키기 위하여 두 단계로 연마를 수행하는 방법을 제시하고 있다.In addition, Korean Patent Registration No. 10-0948814 suggests a method of performing polishing in two steps to reduce dishing and erosion.
이들 특허들은 연마 공정 이후 피연마면에 발생하는 결함 개선을 목적하나 신규한 착화제를 사용하는 경우 얻어지는 효과가 충분치 않고 연마 속도가 급감하거나 잔류물로 인한 오염 문제가 있다. 또한, 연마 공정을 두 단계로 진행하는 경우 복수의 슬러리를 준비하고, 복수의 공정을 진행해야 하므로 공정이 복잡해지고, 생산성이 저하되는 문제가 야기된다.These patents are aimed at improving defects generated on the surface to be polished after the polishing process, but when the new complexing agent is used, the obtained effect is not sufficient, and the polishing rate is rapidly reduced or contamination due to residues. In addition, when the polishing process is performed in two steps, since a plurality of slurries must be prepared and a plurality of processes must be performed, the process becomes complicated and productivity decreases.
본 발명의 목적은 종래에 비해 피연마면의 표면 결함 발생을 최소화한 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a polishing slurry composition that minimizes the occurrence of surface defects on a surface to be polished compared to the prior art and a polishing method using the same.
본 발명자들은 연마 공정 이후 피연마면에 발생하는 결함을 감소시키기 위해 다각적으로 연구한 결과, 본 출원인은 착화제로 특정 작용기를 갖는 화합물을 포함할 경우, 효과적으로 산화된 금속을 제거하여 잔류물에 의한 오염이나 손상이 발생되지 않으며 배리어층에 대한 상대적으로 높은 선택도를 나타내어 디싱, 에로젼 등의 표면 결함 발생을 방지할 수 있음을 확인하여 본 발명을 완성하였다.As a result of various studies to reduce defects occurring on the surface to be polished after the polishing process, the present inventors have found that when a compound having a specific functional group is included as a complexing agent, oxidized metal is effectively removed and contamination caused by residues. However, the present invention was completed by confirming that surface defects such as dishing and erosion can be prevented by showing relatively high selectivity for the barrier layer without causing damage.
본 발명은 착화제, 연마제, 산화제 및 부식 방지제를 포함하는 연마 슬러리 조성물에 있어서, 상기 착화제는 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물을 포함하는 연마 슬러리 조성물을 제공한다.The present invention provides a polishing slurry composition comprising a complexing agent, an abrasive, an oxidizing agent and a corrosion inhibitor, wherein the complexing agent includes a compound having one hydroxyl group and two mercapto groups.
상기 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물은 2,3-디메르캅토-1-프로판올(2,3-dimercapto-1-propanol), 1,3-디메르캅토-2-프로판올(1,3-dimercapto-2-propanol), 1,2-디메르캅토-1-프로판올(1,2-dimercapto-1-propanol), 3,4-디메르캅토-2-부탄올(3,4-dimercapto-2-butanol), 1,3-디메르캅토-2-부탄올(1,3-dimercapto-2-butanol) 및 3,4-디메르캅토-1-부탄올(3,4-dimercapto-1-butanol)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.The compound having one hydroxyl group and two mercapto groups is 2,3-dimercapto-1-propanol, 1,3-dimercapto-2-propanol ( 1,3-dimercapto-2-propanol), 1,2-dimercapto-1-propanol (1,2-dimercapto-1-propanol), 3,4-dimercapto-2-butanol (3,4- dimercapto-2-butanol), 1,3-dimercapto-2-butanol (1,3-dimercapto-2-butanol) and 3,4-dimercapto-1-butanol (3,4-dimercapto-1- butanol) and at least one selected from the group consisting of
상기 연마제는 알루미나, 세리아, 게르마니아, 실리카, 티타니아, 지르코니아, 제올라이트, 마그네시아 및 산화 텅스텐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.The abrasive includes at least one selected from the group consisting of alumina, ceria, germania, silica, titania, zirconia, zeolite, magnesia, and tungsten oxide.
상기 산화제는 과산화수소, 과요오드산, 요오드산칼륨, 과황산암모늄, 페리시안화칼륨, 브롬산칼륨, 삼산화바나듐, 차아염소산, 차아염소산나트륨 및 질산철로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.The oxidizing agent includes at least one selected from the group consisting of hydrogen peroxide, periodic acid, potassium iodate, ammonium persulfate, potassium ferricyanide, potassium bromate, vanadium trioxide, hypochlorous acid, sodium hypochlorite and iron nitrate.
상기 부식 방지제는 1,2,3,4-테트라졸, 5-아미노-1,2,3,4-테트라졸, 5-메틸-1,2,3,4-테트라졸, 1,2,3-트리아졸, 4-아미노-1,2,3-트리아졸, 4,5-디아미노-1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 3,5-디아미노-1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 5-메틸-1-벤조트리아졸, 5,6-디메틸-1,2,3-벤조트리아졸, 1-(1,2-디카르복시에틸)벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(히드록시에틸)아미노메틸]벤조트리아졸, 1-(히드록시메틸)벤조트리아졸, 트리아졸-3-카르복시산, 벤조트리아졸-5-카르복시산, 1-알킬-5-아미노테트라졸, 5-히드록시-테트라졸, 1-알킬-5-히드록시-테트라졸, 테트라졸-5-치올, 이미다졸, 디에틸에틸렌디아민, 테트라메틸에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 펜타메틸디에틸렌트리아민, 2-하이드록시에틸에틸렌디아민트리아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 디에틸렌트리아민펜타아세트산, 음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제 및 양쪽성 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.The corrosion inhibitor is 1,2,3,4-tetrazole, 5-amino-1,2,3,4-tetrazole, 5-methyl-1,2,3,4-tetrazole, 1,2,3 -triazole, 4-amino-1,2,3-triazole, 4,5-diamino-1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, 3-amino-1,2, 4-triazole, 3,5-diamino-1,2,4-triazole, benzotriazole, 5-methyl-1-benzotriazole, 5,6-dimethyl-1,2,3-benzotriazole , 1-(1,2-dicarboxyethyl)benzotriazole, 1-[N,N-bis(hydroxyethyl)aminomethyl]benzotriazole, 1-(hydroxymethyl)benzotriazole, triazole- 3-carboxylic acid, benzotriazole-5-carboxylic acid, 1-alkyl-5-aminotetrazole, 5-hydroxy-tetrazole, 1-alkyl-5-hydroxy-tetrazole, tetrazole-5-thiol, imimi Dazole, diethylethylenediamine, tetramethylethylenediamine, diethylenetriamine, pentamethyldiethylenetriamine, 2-hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, anionic surfactant , at least one selected from the group consisting of nonionic surfactants and amphoteric surfactants.
상기 연마 슬러리 조성물은 조성물 총 중량에 대해 착화제 0.1 내지 5 중량%, 연마제 0.1 내지 25 중량%, 산화제 0.01 내지 20 중량%, 부식 방지제 0.0001 내지 2 중량% 및 물 잔부를 포함한다.The polishing slurry composition includes 0.1 to 5% by weight of a complexing agent, 0.1 to 25% by weight of an abrasive, 0.01 to 20% by weight of an oxidizing agent, 0.0001 to 2% by weight of a corrosion inhibitor and the balance of water, based on the total weight of the composition.
또한, 본 발명은 착화제, 연마제, 산화제 및 부식 방지제를 포함하는 연마 슬러리 조성물을 금속막이 형성된 기판에 도포하는 단계; 상기 기판과 연마 패드를 접촉시키고 연마 패드를 기판에 대해 이동시키는 단계; 및 상기 기판으로부터 금속막의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 기판의 연마방법에 있어서, 상기 착화제는 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물을 포함하는 기판의 연마방법을 제공한다.In addition, the present invention comprises the steps of applying a polishing slurry composition containing a complexing agent, an abrasive, an oxidizing agent and a corrosion inhibitor to a substrate on which a metal film is formed; bringing the substrate into contact with the polishing pad and moving the polishing pad relative to the substrate; and removing a portion of the metal film from the substrate, wherein the complexing agent includes a compound having one hydroxyl group and two mercapto groups.
상기 금속막은 도전성 배선층, 절연층 및 배리어층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.The metal film includes at least one selected from the group consisting of a conductive wiring layer, an insulating layer, and a barrier layer.
상기 도전성 배선층은 구리, 알루미늄, 은, 금 및 텅스텐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.The conductive wiring layer includes at least one selected from the group consisting of copper, aluminum, silver, gold, and tungsten.
상기 절연층은 실리콘계 피막, 유·무기 하이브리드막 및 유기 폴리머막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.The insulating layer includes at least one selected from the group consisting of a silicon-based film, an organic/inorganic hybrid film, and an organic polymer film.
상기 배리어층은 탄탈륨, 탄탈륨 니트라이드, 티타늄, 티타늄 니트라이드, 코발트, 니켈, 망간, 루테늄, 루테늄 니트라이드, 루테늄 카르바이드 및 루테늄 텅스텐 니트라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.The barrier layer includes at least one selected from the group consisting of tantalum, tantalum nitride, titanium, titanium nitride, cobalt, nickel, manganese, ruthenium, ruthenium nitride, ruthenium carbide, and ruthenium tungsten nitride.
이때 상기 연마 슬러리 조성물은 1.5:1 이상의 배리어층:도전성 배선층 연마 속도비를 제공한다.At this time, the polishing slurry composition provides a barrier layer:conductive wiring layer polishing rate ratio of 1.5:1 or more.
본 발명에 따른 연마 슬러리 조성물은 특정 작용기를 가진 화합물을 착화제로 사용함으로써 산화된 금속을 제거하는 착화 작용과 더불어 배리어막에 대한 개선된 선택도를 나타내어 연마 공정 후 발생하는 표면 결함을 효과적으로 억제할 수 있어 우수한 표면 특성을 나타내며 반도체 소자의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있다.The polishing slurry composition according to the present invention uses a compound having a specific functional group as a complexing agent, thereby exhibiting a complexing action for removing oxidized metal and improved selectivity for a barrier film, thereby effectively suppressing surface defects occurring after the polishing process. It shows excellent surface properties and can improve the reliability and productivity of semiconductor devices.
이하, 본 발명에 대한 이해를 돕기 위해 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail to aid understanding of the present invention.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.The terms or words used in this specification and claims should not be construed as being limited to ordinary or dictionary meanings, and the inventors may appropriately define the concept of terms in order to explain their invention in the best way. It should be interpreted as a meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention based on the principle that there is.
본 발명은 착화제, 연마제, 산화제 및 부식 방지제를 포함하는 연마 슬러리 조성물에 있어서, 상기 착화제는 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물을 포함하는 연마 슬러리 조성물을 제공할 수 있다.The present invention may provide a polishing slurry composition comprising a complexing agent, an abrasive, an oxidizing agent and a corrosion inhibitor, wherein the complexing agent includes a compound having one hydroxyl group and two mercapto groups.
본 발명의 연마 슬러리 조성물은 착화제로서 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물을 사용함으로써, 종래 산계 착화제가 발생시켰던 금속 배선의 과도한 부식으로 인한 디싱 문제가 해소될 뿐만 아니라 배리어막에 대한 향상된 선택비를 확보할 수 있어 절연막의 에로젼 발생을 감소시킬 수 있다.The polishing slurry composition of the present invention uses a compound having one hydroxyl group and two mercapto groups as a complexing agent, thereby solving the problem of dishing due to excessive corrosion of metal wiring caused by conventional acid-based complexing agents, as well as improving the barrier film. It is possible to secure an improved selectivity for the insulating film can reduce the occurrence of erosion.
따라서, 본 발명의 연마 슬러리 조성물에서 착화제로 사용되는 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물은 산화제에 의해 형성된 금속 산화물을 제거하여 일정한 연마 속도를 유지하고, 산화된 금속과의 배위 결합(coordination)을 통해 산화물이 금속막에 재흡착되는 것을 방지하여 잔류물에 의한 오염 또는 손상을 방지하는 역할을 한다. 이에 더해서 상기 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물은 배위화합물을 통해 금속 배선이나 절연층의 불필요한 연마를 억제하기 때문에 디싱 또는 에로젼 문제가 발생하지 않아 연마 공정 후에도 우수한 표면 특성을 확보할 수 있다.Therefore, the compound having one hydroxyl group and two mercapto groups used as a complexing agent in the polishing slurry composition of the present invention maintains a constant polishing rate by removing the metal oxide formed by the oxidizing agent, and forms a coordinate bond with the oxidized metal. It plays a role in preventing contamination or damage by residues by preventing re-adsorption of oxides to the metal film through coordination. In addition, since the compound having one hydroxyl group and two mercapto groups suppresses unnecessary polishing of the metal wiring or insulating layer through the coordination compound, dishing or erosion problems do not occur, ensuring excellent surface properties even after the polishing process can do.
상기 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물은 2,3-디메르캅토-1-프로판올(2,3-dimercapto-1-propanol), 1,3-디메르캅토-2-프로판올(1,3-dimercapto-2-propanol), 1,2-디메르캅토-1-프로판올(1,2-dimercapto-1-propanol), 3,4-디메르캅토-2-부탄올(3,4-dimercapto-2-butanol), 1,3-디메르캅토-2-부탄올(1,3-dimercapto-2-butanol) 및 3,4-디메르캅토-1-부탄올(3,4-dimercapto-1-butanol)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다. 바람직하게는 2,3-디메르캅토-1-프로판올(2,3-dimercapto-1-propanol), 1,3-디메르캅토-2-프로판올(1,3-dimercapto-2-propanol) 및 1,2-디메르캅토-1-프로판올(1,2-dimercapto-1-propanol)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.The compound having one hydroxyl group and two mercapto groups is 2,3-dimercapto-1-propanol, 1,3-dimercapto-2-propanol ( 1,3-dimercapto-2-propanol), 1,2-dimercapto-1-propanol (1,2-dimercapto-1-propanol), 3,4-dimercapto-2-butanol (3,4- dimercapto-2-butanol), 1,3-dimercapto-2-butanol (1,3-dimercapto-2-butanol) and 3,4-dimercapto-1-butanol (3,4-dimercapto-1- butanol) may be used. Preferably 2,3-dimercapto-1-propanol (2,3-dimercapto-1-propanol), 1,3-dimercapto-2-propanol (1,3-dimercapto-2-propanol) and 1 , It may be one or more selected from the group consisting of 2-dimercapto-1-propanol (1,2-dimercapto-1-propanol).
본 발명에 따른 연마 슬러리 조성물은 상기 착화제를 연마 슬러리 조성물 총 중량에 대해 0.1 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 1 중량%로 포함할 수 있다. 상기 착화제의 함량이 0.1 중량% 미만인 경우 산화된 금속에 대한 배위 결합이 제대로 일어나지 않을 수 있고, 반대로 5 중량%를 초과하는 경우 슬러리에 이온 강도(ionic strength)를 증가되어 겔(gel)화 현상이 발생하며 이로 인해 안정성이 저하될 수 있다.The polishing slurry composition according to the present invention may include the complexing agent in an amount of 0.1 to 5% by weight, preferably 0.1 to 1% by weight, based on the total weight of the polishing slurry composition. If the content of the complexing agent is less than 0.1% by weight, coordinate bonding to the oxidized metal may not occur properly, and conversely, if it exceeds 5% by weight, the ionic strength of the slurry is increased and gelation occurs This may occur and the stability may be deteriorated.
본 발명의 연마 슬러리 조성물은 금속막의 기계적 연마를 수행하는 연마제를 포함할 수 있다.The polishing slurry composition of the present invention may include an abrasive that performs mechanical polishing of a metal film.
상기 연마제는 알루미나, 세리아, 게르마니아, 실리카, 티타니아, 지르코니아, 제올라이트, 마그네시아 및 산화 텅스텐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 바람직하게는 알루미나, 세리아 및 실리카로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다. The abrasive may include at least one selected from the group consisting of alumina, ceria, germania, silica, titania, zirconia, zeolite, magnesia, and tungsten oxide. Preferably, it may be at least one selected from the group consisting of alumina, ceria, and silica.
상기 연마제는 입자 형태일 수 있고, 평균 입경은 5 내지 100 nm, 바람직하게는 10 내지 60 nm일 수 있다. 상기 연마제의 평균 입경이 5 nm 미만인 경우 연마 속도가 떨어져 생산성 측면에서 비효율적이며, 반대로 100 nm를 초과하는 경우 분산이 어렵고 피연마면에 스크래치를 다량 발생시킬 수 있다.The abrasive may be in particle form, and may have an average particle diameter of 5 to 100 nm, preferably 10 to 60 nm. When the average particle diameter of the abrasive is less than 5 nm, the polishing rate is low, which is inefficient in terms of productivity. Conversely, when it exceeds 100 nm, dispersion is difficult and a large amount of scratches may be generated on the surface to be polished.
본 발명에 따른 연마 슬러리 조성물은 상기 연마제를 연마 슬러리 조성물 총 중량에 대해 0.1 내지 25 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 10 중량%로 포함할 수 있다. 상기 연마제의 함량이 0.1 중량% 미만인 경우 스크래치에 유리하나 충분한 연마 성능을 얻을 수 없으며, 반대로 25 중량%를 초과하는 경우 슬러리의 안정성이 떨어지며 스크래치가 발생될 수 있다.The polishing slurry composition according to the present invention may include the abrasive in an amount of 0.1 to 25% by weight, preferably 0.1 to 10% by weight, based on the total weight of the polishing slurry composition. When the content of the abrasive is less than 0.1% by weight, it is advantageous for scratches, but sufficient polishing performance cannot be obtained. On the contrary, when it exceeds 25% by weight, the stability of the slurry is reduced and scratches may occur.
본 발명의 연마 슬러리 조성물은 연마대상인 금속막의 표면을 산화시켜 화학적 연마가 수행하는 산화제를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 산화제는 금속막과 반응하여 그에 상응하는 산화물, 수산화물 또는 이온으로 산화시키는데 역할을 한다. 상기 산화제에 의하여 화학적으로 산화된 금속막은 기계적으로 연마하여 제거하기에도 유용하다. The polishing slurry composition of the present invention may include an oxidizing agent for chemical polishing by oxidizing the surface of a metal film to be polished. Specifically, the oxidizer reacts with the metal film to oxidize it into a corresponding oxide, hydroxide or ion. It is also useful to remove the metal film chemically oxidized by the oxidizing agent by mechanical polishing.
상기 산화제는 과산화수소, 과요오드산, 요오드산칼륨, 과황산암모늄, 페리시안화칼륨, 브롬산칼륨, 삼산화바나듐, 차아염소산, 차아염소산나트륨 및 질산철로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있으며 산화력과 슬러리의 안정성 측면에서 과산화수소가 바람직하다.As the oxidizing agent, at least one selected from the group consisting of hydrogen peroxide, periodic acid, potassium iodate, ammonium persulfate, potassium ferricyanide, potassium bromate, vanadium trioxide, hypochlorous acid, sodium hypochlorite and iron nitrate may be used. Hydrogen peroxide is preferred in view of the stability of the fruit slurry.
본 발명에 따른 연마 슬러리 조성물은 상기 산화제를 연마 슬러리 조성물 총 중량에 대해 0.01 내지 20 중량%, 바람직하게는 0.01 내지 10 중량%로 포함할 수 있다. 상기 산화제의 함량이 0.01 중량% 미만인 경우 산화력이 감소하여 연마속도 증가 효과가 미미하고, 반대로 20 중량%를 초과하는 경우 과량의 산화제에 의해 슬러리 조성물의 안정성이 저하될 수 있으며 부식을 증가시킬 수 있다.The polishing slurry composition according to the present invention may include the oxidizing agent in an amount of 0.01 to 20% by weight, preferably 0.01 to 10% by weight, based on the total weight of the polishing slurry composition. When the content of the oxidizing agent is less than 0.01% by weight, the oxidizing power is reduced and the effect of increasing the polishing rate is insignificant. Conversely, when the content exceeds 20% by weight, the stability of the slurry composition may be lowered due to the excessive amount of oxidizing agent and corrosion may be increased. .
본 발명의 연마 슬러리 조성물은 전술한 산화제의 화학적 반응을 지연시켜 기계적 연마가 진행되지 않은 낮은 단차 영역에서는 부식을 억제하는 동시에 연마가 진행되는 높은 단차 영역에서는 연마제의 기계적 연마가 가능하게 하는 연마 조절제의 역할을 하는 부식 방지제를 포함할 수 있다. 또한, 기판 표면상에 부동화층의 형성을 촉진시켜 금속 배선의 평탄화 향상에 도움을 줄 수 있다.The polishing slurry composition of the present invention retards the chemical reaction of the above-described oxidizing agent to inhibit corrosion in a low step area where mechanical polishing does not proceed, while at the same time enabling mechanical polishing of an abrasive in a high step area where polishing proceeds. It may contain a corrosion inhibitor that plays a role. In addition, the formation of a passivation layer on the substrate surface can be promoted to help improve the planarization of metal wiring.
상기 부식 방지제는 1,2,3,4-테트라졸, 5-아미노-1,2,3,4-테트라졸, 5-메틸-1,2,3,4-테트라졸, 1,2,3-트리아졸, 4-아미노-1,2,3-트리아졸, 4,5-디아미노-1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 3,5-디아미노-1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 5-메틸-1-벤조트리아졸, 5,6-디메틸-1,2,3-벤조트리아졸, 1-(1,2-디카르복시에틸)벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(히드록시에틸)아미노메틸]벤조트리아졸, 1-(히드록시메틸)벤조트리아졸, 트리아졸-3-카르복시산, 벤조트리아졸-5-카르복시산, 1-알킬-5-아미노테트라졸, 5-히드록시-테트라졸, 1-알킬-5-히드록시-테트라졸, 테트라졸-5-치올, 이미다졸, 디에틸에틸렌디아민, 테트라메틸에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 펜타메틸디에틸렌트리아민, 2-하이드록시에틸에틸렌디아민트리아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 디에틸렌트리아민펜타아세트산, 음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제 및 양쪽성 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 바람직하게는 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸 및 벤조트리아졸로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.The corrosion inhibitor is 1,2,3,4-tetrazole, 5-amino-1,2,3,4-tetrazole, 5-methyl-1,2,3,4-tetrazole, 1,2,3 -triazole, 4-amino-1,2,3-triazole, 4,5-diamino-1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, 3-amino-1,2, 4-triazole, 3,5-diamino-1,2,4-triazole, benzotriazole, 5-methyl-1-benzotriazole, 5,6-dimethyl-1,2,3-benzotriazole , 1-(1,2-dicarboxyethyl)benzotriazole, 1-[N,N-bis(hydroxyethyl)aminomethyl]benzotriazole, 1-(hydroxymethyl)benzotriazole, triazole- 3-carboxylic acid, benzotriazole-5-carboxylic acid, 1-alkyl-5-aminotetrazole, 5-hydroxy-tetrazole, 1-alkyl-5-hydroxy-tetrazole, tetrazole-5-thiol, imimi Dazole, diethylethylenediamine, tetramethylethylenediamine, diethylenetriamine, pentamethyldiethylenetriamine, 2-hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, anionic surfactant , It may include one or more selected from the group consisting of nonionic surfactants and amphoteric surfactants. Preferably, it may be at least one selected from the group consisting of 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole and benzotriazole.
본 발명에 따른 연마 슬러리 조성물은 부식 억제 효과, 연마 속도, 슬러리 조성물의 분산 안정성, 연마대상의 표면 특성을 고려하여 상기 부식 방지제를 연마 슬러리 조성물 총 중량에 대해 0.0001 내지 2 중량%, 바람직하게는 0.001 내지 0.5 중량%로 포함할 수 있다. 상기 부식 방지제의 함량은 착화제의 함량에 의존하여 변화될 수 있기에 상기 범위에 한정되지 않는다. 상기 부식 방지제의 함량이 2 중량%를 초과할 경우 연마속도의 감소를 가져올 수 있으며, 0.0001 중량% 미만일 경우 첨가제의 영향을 기대하기 힘들다.In the polishing slurry composition according to the present invention, the corrosion inhibitor is added in an amount of 0.0001 to 2% by weight, preferably 0.001% by weight, based on the total weight of the polishing slurry composition, in consideration of corrosion inhibitory effect, polishing rate, dispersion stability of the slurry composition, and surface characteristics of the polishing target. to 0.5% by weight. The content of the corrosion inhibitor may change depending on the content of the complexing agent, so it is not limited to the above range. When the content of the corrosion inhibitor exceeds 2% by weight, the polishing rate may be reduced, and when the content of the corrosion inhibitor is less than 0.0001% by weight, it is difficult to expect the effect of the additive.
본 발명의 연마 슬러리 조성물은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 슬러리 조성물은 상기 성분 외에 나머지 성분으로서 물, 바람직하게는 초순수, 탈이온수 또는 증류수를 포함할 수 있다. The polishing slurry composition according to an embodiment of the present invention may include water, preferably ultrapure water, deionized water, or distilled water as other components in addition to the above components.
상기 물의 함량은 특별히 한정되지 않고 본 발명의 연마 슬러리 조성물의 각 조성의 합이 100 중량%가 되도록 하는 잔부로 사용될 수 있다. 상기 함량은 조성물의 가공성, 안정성 등을 고려하여 적절히 조정될 수 있다. The content of the water is not particularly limited and may be used as the remainder so that the sum of each component of the polishing slurry composition of the present invention is 100% by weight. The content may be appropriately adjusted in consideration of processability and stability of the composition.
또한, 본 발명의 연마 슬러리 조성물은 필요에 따라 통상적으로 사용되는 분산 안정제, 소포제, pH 조절제, 환원제, 과수 분해방지제 등을 추가로 포함할 수 있다. In addition, the polishing slurry composition of the present invention may additionally include a dispersion stabilizer, an antifoaming agent, a pH adjusting agent, a reducing agent, an anti-hydrolysis agent, and the like, which are commonly used, if necessary.
또한, 본 발명의 연마 슬러리 조성물은 연마 공정의 조절을 용이하게 하기 위하여 조성물의 pH는 2.0 내지 10, 바람직하게는 3.0 내지 7.0의 범위이다. 사용가능한 pH 조절제로는 질산, 수산화칼륨(KOH) 등을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 pH 범위가 2보다 낮을 경우에는 장비 등의 부식을 야기할 수 있다.In addition, the pH of the polishing slurry composition of the present invention is in the range of 2.0 to 10, preferably 3.0 to 7.0, in order to facilitate control of the polishing process. Usable pH adjusting agents include, but are not limited to, nitric acid, potassium hydroxide (KOH), and the like. If the pH range is lower than 2, it may cause corrosion of equipment.
본 발명에 의한 연마 슬러리 조성물은 통상의 제조방법을 이용하여 제조될 수 있으며, 연마 슬러리 조성물 내에 함유되는 화학 조성물의 혼합 순서와는 무관하다. 본 발명의 연마 슬러리 조성물 내의 연마제의 분산은 특정한 분산방법의 필요 없이 프리믹싱에 의해 탈이온수에 균일하게 분산된다. The polishing slurry composition according to the present invention can be prepared using a conventional manufacturing method, regardless of the mixing order of the chemical composition contained in the polishing slurry composition. The dispersion of the abrasive in the polishing slurry composition of the present invention is uniformly dispersed in deionized water by premixing without the need for a specific dispersion method.
상기와 같은 방법으로 제조된 본 발명의 연마 슬러리 조성물은 하나의 조성물의 형태, 예컨대 안정한 매질인 물에 연마제, 산화제, 착화제, 부식 방지제 및 기타 첨가물이 함유된 하나의 조성물의 형태로 공급될 수 있으며, 또한 2종 이상의 별도의 용액으로 공급되어 연마 공정시 일정비율로 혼합함으로써 본 발명의 연마 슬러리 조성물을 생성할 수 있다. 이때, 상기 하나의 조성물의 형태로 공급될 경우 성분이 변질될 우려가 있으므로, 이를 막기 위하여는 적어도 2개 이상의 별도의 용액으로 공급되는 것이 바람직하며, 사용하기 직전에 일정 비율로 혼합하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 제 1 용액은 연마제, 착화제, 부식 방지제 및 기타 첨가제를 함유하는 pH 3.0 내지 7.0 의 범위를 갖는 연마 슬러리 전구체를 포함할 수 있으며, 제 2 용액은 과산화수소를 함유한다. 이는 본 발명의 연마 슬러리 조성물에서 조기에 과산화수소가 포함되어 있는 연마 슬러리는 염기성 범위에서 빠르게 분해가 되는 성질로 인해 슬러리의 안정성이 불안하다. 따라서, 과산화수소는 연마를 시작하기 직전에 슬러리와 혼합시켜 주는 것이 바람직하다.The abrasive slurry composition of the present invention prepared by the above method can be supplied in the form of a composition containing an abrasive, an oxidizing agent, a complexing agent, a corrosion inhibitor and other additives in water as a stable medium. In addition, the polishing slurry composition of the present invention can be produced by supplying two or more separate solutions and mixing them in a certain ratio during the polishing process. At this time, when supplied in the form of one composition, there is a risk of deterioration of the components, so in order to prevent this, it is preferable to supply at least two or more separate solutions, and it can be used by mixing at a certain ratio immediately before use. . For example, the first solution may include an abrasive slurry precursor having a pH ranging from 3.0 to 7.0 containing abrasives, complexing agents, corrosion inhibitors and other additives, and the second solution contains hydrogen peroxide. This is because the polishing slurry containing hydrogen peroxide at an early stage in the polishing slurry composition of the present invention is rapidly decomposed in the basic range, so the stability of the slurry is unstable. Therefore, it is preferable to mix hydrogen peroxide with the slurry immediately before starting polishing.
또한, 본 발명은 상기 연마 슬러리 조성물을 반도체 기판이나 전자 기기 제조를 위한 연마 공정에 적용할 수 있다. 구체적으로 반도체 기판에서의 배선의 형성에 사용될 수 있다. In addition, the present invention can apply the polishing slurry composition to a polishing process for manufacturing semiconductor substrates or electronic devices. Specifically, it can be used for forming wiring in a semiconductor substrate.
구체적으로, 상술한 착화제, 연마제, 산화제 및 부식 방지제를 포함하는 본 발명의 연마 슬러리 조성물을 금속막이 형성된 기판에 도포하는 단계; 상기 기판과 연마 패드를 접촉시키고 연마 패드를 기판에 대해 이동시키는 단계; 및 상기 기판으로부터 금속막의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 기판의 연마방법에 있어서, 상기 착화제는 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물을 포함하는 기판의 연마방법을 제공할 수 있다.Specifically, applying the polishing slurry composition of the present invention containing the above complexing agent, abrasive, oxidizing agent and corrosion inhibitor to a substrate on which a metal film is formed; bringing the substrate into contact with the polishing pad and moving the polishing pad relative to the substrate; and removing a portion of the metal film from the substrate, wherein the complexing agent includes a compound having one hydroxyl group and two mercapto groups. .
상기 기판은 규소 기판, TFTLCD 유리 기판, GaAs 기판 및 집적 회로와 관련 있는 기타 기판, 박막, 다층 반도체 및 웨이퍼를 포함하는 군으로부터 선택된 기판이며, 상기 기판 상에는 하나 이상의 금속막이 형성될 수 있다.The substrate is a substrate selected from the group including a silicon substrate, a TFTLCD glass substrate, a GaAs substrate, and other substrates related to integrated circuits, thin films, multilayer semiconductors, and wafers, and one or more metal films may be formed on the substrate.
상기 금속막은 도전성 배선층, 절연층 및 배리어층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.The metal film may include at least one selected from the group consisting of a conductive wiring layer, an insulating layer, and a barrier layer.
상기 도전성 배선층은 구리, 알루미늄, 은, 금 및 텅스텐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 바람직하게는 구리일 수 있다. 상기 도전성 배선층은 공지된 스퍼터링법, 도금법 등에 의해 성막할 수 있다.The conductive wiring layer may include at least one selected from the group consisting of copper, aluminum, silver, gold, and tungsten. Preferably it may be copper. The conductive wiring layer can be formed by a known sputtering method, plating method or the like.
상기 절연층은 실리콘계 피막, 유·무기 하이브리드막 및 유기 폴리머막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다. 예를 들면, 상기 실리콘계 피막으로는 이산화규소, 플루오로실리케이트 글래스, 트리메틸실란이나 디메톡시디메틸실란을 출발 원료로 하여 얻어지는 오르가노실리케이트 글래스, 실리콘옥시니트라이드, 수소화실세스퀴옥산 등의 실리카계 피막, 실리콘 카바이드, 실리콘 니트라이드 등을 들 수 있다. 상기 유·무기 하이브리드막으로는 탄소함유 SiO2(SiOC), 메틸기 함유 SiO2 등을 들 수 있다. 상기 유기 폴리막으로는 불소 수지계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리알릴 에테르계 폴리머나 파레린계 폴리머 등을 들 수 있다. 상기 절연층은 CVD법, 스핀 코팅법, 딥 코팅법 또는 스프레이법에 의해 성막될 수 있다. 또한, 표면은 오목부 및 볼록부를 갖도록 가공하여 형성된다.The insulating layer includes at least one selected from the group consisting of a silicon-based film, an organic/inorganic hybrid film, and an organic polymer film. For example, as the silicon-based film, silicon dioxide, fluorosilicate glass, organosilicate glass obtained by using trimethylsilane or dimethoxydimethylsilane as a starting material, silicon oxynitride, silica-based film such as hydrogenated silsesquioxane , silicon carbide, silicon nitride and the like. Examples of the organic/inorganic hybrid film include carbon-containing SiO 2 (SiOC) and methyl group-containing SiO 2 . Examples of the organic poly film include fluororesin-based polymers, polyimide-based polymers, polyallyl ether-based polymers, parerin-based polymers, and the like. The insulating layer may be formed by a CVD method, a spin coating method, a dip coating method, or a spray method. Further, the surface is formed by processing to have concave and convex portions.
상기 배리어층은 절연층과 도전성 배선층 간의 밀착성 향상 및 확산 방지를 위해 형성된다. 상기 배리어층은 탄탈륨, 탄탈륨 니트라이드, 티타늄, 티타늄 니트라이드, 코발트, 니켈, 망간, 루테늄, 루테늄 니트라이드, 루테늄 카르바이드 및 루테늄 텅스텐 니트라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다. 또한, 상기 배리어층은 2종 이상으로 적층될 수도 있다. The barrier layer is formed to improve adhesion between the insulating layer and the conductive wiring layer and to prevent diffusion. The barrier layer includes at least one selected from the group consisting of tantalum, tantalum nitride, titanium, titanium nitride, cobalt, nickel, manganese, ruthenium, ruthenium nitride, ruthenium carbide, and ruthenium tungsten nitride. In addition, the barrier layer may be stacked in two or more types.
연마 장치로서는, 예를 들면 연마 패드에 의해 연마하는 경우, 연마되는 기판을 유지할 수 있는 홀더와, 회전수를 변경 가능한 모터 등과 접속하여 연마 패드를 접합한 정반을 갖는 일반적인 연마 장치를 사용할 수 있다. 연마 패드로서는, 일반적인 부직포, 발포 폴리우레탄, 다공질 불소 수지 등을 사용할 수 있고, 특별히 제한은 없다.As the polishing device, for example, in the case of polishing with a polishing pad, a general polishing device having a holder capable of holding the substrate to be polished and a surface plate to which the polishing pad is bonded by being connected to a motor capable of changing the number of revolutions can be used. As the polishing pad, general nonwoven fabric, polyurethane foam, porous fluororesin, etc. can be used, and there is no particular limitation.
연마 조건에는 제한은 없지만, 회전 속도는 반도체 기판이 튀어나가지 않도록 테이블 회전수(Table RPM)는 25 내지 110 rpm, 헤드 회전수(Head RPM)는 25 내지 110 rpm일 수 있다. 연마 압력은 동일 기판 내에서 CMP 속도의 변동이 적은 것(CMP 속도의 면내 균일성) 및 연마 전에 존재했던 요철이 해소되어 평탄해지는 것(패턴의 평탄성)을 만족시키기 위해서 35 내지 300 g/㎠, 구체적으로 35 내지 200 g/㎠ 일 수 있다.The polishing conditions are not limited, but the rotational speed may be 25 to 110 rpm for table rotation speed (Table RPM) and 25 to 110 rpm for head rotation speed (Head RPM) so that the semiconductor substrate does not protrude. The polishing pressure is 35 to 300 g/cm2 in order to satisfy the small fluctuation of the CMP speed within the same substrate (in-plane uniformity of the CMP speed) and the elimination of unevenness that existed before polishing to make it flat (flatness of the pattern), Specifically, it may be 35 to 200 g/cm 2 .
연마하고 있는 동안, 연마 패드에는 연마 슬러리가 펌프 등을 통해 연속적으로 공급된다. 이 공급량에 제한은 없지만, 연마 패드의 표면이 항상 연마 슬러리로 덮여 있는 것이 바람직하다. 연마 종료 후의 기판은 흐르는 물을 이용하여 충분히 세정한 후, 스핀 드라이 등을 이용하여 기판 상에 부착된 물방울을 털어버린 후에 건조시키는 것이 바람직하다. 상기 연마 공정을 실시하고, 추가로 기판 세정 공정을 가하는 것이 바람직하다.During polishing, polishing slurry is continuously supplied to the polishing pad through a pump or the like. Although there is no limitation on the supply amount, it is preferable that the surface of the polishing pad is always covered with the polishing slurry. After completion of the polishing, the substrate is preferably thoroughly washed with running water, and then dried after removing water droplets adhering to the substrate using a spin dryer or the like. It is preferable to perform the above polishing step and further apply a substrate cleaning step.
본 발명에 의한 기판의 연마방법에 있어서, 상기 연마 슬러리 조성물은 다른 막질 대비 높은 배리어층의 제거 속도를 제공할 수 있다. 특히, 본 발명의 연마 슬러리 조성물은 1.5:1 이상의 배리어층:도전성 배선층 연마 속도비를 제공할 수 있다. 이와 같이 도전성 배선층에 대하여 상대적으로 높은 배리어막의 연마율을 통해 도전성 금속층의 화학반응을 억제시켜 금속 배선의 침식에 의해 발생하는 디싱 문제를 억제할 수 있다. 또한, 절연층과 비교시에도 기존의 연마 슬러리 대비 개선된 배리어층의 선택비를 나타내기 때문에 절연막에 대한 불필요한 연마가 감소되어 에로젼 문제를 해소할 수 있다. 이에 더해서 금속 배선 상의 스크래치나 피팅(pitting)등의 결함을 억제시키므로 반도체 디바이스의 생산수율을 높일 수 있다.In the substrate polishing method according to the present invention, the polishing slurry composition can provide a higher barrier layer removal rate than other film materials. In particular, the polishing slurry composition of the present invention can provide a barrier layer:conductive wiring layer polishing rate ratio of 1.5:1 or greater. In this way, the chemical reaction of the conductive metal layer is suppressed through the relatively high polishing rate of the barrier film with respect to the conductive wiring layer, thereby suppressing the dishing problem caused by erosion of the metal wiring. In addition, when compared with the insulating layer, since the selectivity of the barrier layer is improved compared to the conventional polishing slurry, unnecessary polishing of the insulating film is reduced, thereby solving the erosion problem. In addition, since defects such as scratches or pitting on metal wiring are suppressed, the yield of semiconductor devices can be increased.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be described in detail to explain the present invention in detail. However, the embodiments according to the present invention can be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.
실시예 및 비교예Examples and Comparative Examples
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 5: 연마 슬러리 조성물의 제조Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5: Preparation of Polishing Slurry Compositions
[실시예 1][Example 1]
하기 표 1에 기재된 바와 같이, 연마 슬러리 조성물 전체에 대해 연마제로 평균입경 50 ㎚인 실리카(SiO2) 3.0 중량%, 산화제로서 과산화수소(H2O2) 0.2 중량%, 부식 방지제로 벤조트리아졸 0.05 중량% 및 착화제로 2,3-디메르캅토-1-프로판올 0.1 중량% 및 나머지 물을 혼합하였다. 이어서, 수산화칼륨을 사용하여 전체 연마 슬러리 조성물의 pH를 4.5로 조절하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.As shown in Table 1 below, 3.0% by weight of silica (SiO 2 ) having an average particle diameter of 50 nm as an abrasive, 0.2% by weight of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) as an oxidizing agent, and 0.05% by weight of benzotriazole as a corrosion inhibitor, based on the total polishing slurry composition. 0.1% by weight of 2,3-dimercapto-1-propanol and the balance of water as a complexing agent were mixed. Then, a polishing slurry composition was prepared by adjusting the pH of the entire polishing slurry composition to 4.5 using potassium hydroxide.
[실시예 2][Example 2]
하기 표 1에 기재된 바와 같이, 착화제인 2,3-디메르캅토-1-프로판올을 0.5 중량%로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조성 및 방법으로 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.As shown in Table 1 below, a polishing slurry composition was prepared in the same composition and method as in Example 1, except that 0.5% by weight of 2,3-dimercapto-1-propanol as a complexing agent was used.
[실시예 3][Example 3]
하기 표 1에 기재된 바와 같이, 착화제인 2,3-디메르캅토-1-프로판올을 1 중량%로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조성 및 방법으로 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.As shown in Table 1 below, a polishing slurry composition was prepared with the same composition and method as in Example 1, except that 1% by weight of 2,3-dimercapto-1-propanol as a complexing agent was used.
[실시예 4][Example 4]
하기 표 1에 기재된 바와 같이, 착화제로 1,3-디메르캅토-2-프로판올을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조성 및 방법으로 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.As shown in Table 1 below, a polishing slurry composition was prepared with the same composition and method as in Example 1, except that 1,3-dimercapto-2-propanol was used as a complexing agent.
[비교예 1][Comparative Example 1]
하기 표 1에 기재된 바와 같이, 착화제로 시트르산을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조성 및 방법으로 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.As shown in Table 1 below, a polishing slurry composition was prepared in the same composition and method as in Example 1, except that citric acid was used as a complexing agent.
[비교예 2][Comparative Example 2]
하기 표 1에 기재된 바와 같이, 착화제로 글라이신을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조성 및 방법으로 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.As shown in Table 1 below, a polishing slurry composition was prepared with the same composition and method as in Example 1, except that glycine was used as a complexing agent.
[비교예 3][Comparative Example 3]
별도의 착화제를 사용하지 않고 하기 표 1에 기재된 함량으로 상기 실시예 1과 동일한 조성 및 방법으로 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.A polishing slurry composition was prepared in the same composition and method as in Example 1 with the contents shown in Table 1 below without using a separate complexing agent.
[비교예 4][Comparative Example 4]
착화제인 2,3-디메르캅토-1-프로판올을 0.01 중량%로 하고 나머지 성분은 하기 표 1의 함량으로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조성 및 방법으로 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.A polishing slurry composition was prepared in the same composition and method as in Example 1, except that 2,3-dimercapto-1-propanol, a complexing agent, was used as 0.01% by weight and the remaining components were used in the amounts shown in Table 1 below.
[비교예 5][Comparative Example 5]
착화제인 2,3-디메르캅토-1-프로판올을 7 중량%로 하고 나머지 성분은 하기 표 1의 함량으로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조성 및 방법으로 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.A polishing slurry composition was prepared in the same composition and method as in Example 1, except that 2,3-dimercapto-1-propanol as a complexing agent was used in an amount of 7% by weight and the remaining components were used in the amounts shown in Table 1 below.
실험예Experimental example
본 발명의 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 5에서 제조된 연마 슬러리 조성물을 이용하여 구리(Cu)층, 탄탈륨(Ta)층 및 PETEOS층이 형성된 웨이퍼를 연마하였다.Wafers having a copper (Cu) layer, a tantalum (Ta) layer, and a PETEOS layer were polished using the polishing slurry compositions prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5 of the present invention.
구체적으로, 연마장비는 G&P Technology사의 Poli400을 사용하였다. 연마패드는 롬앤하스사의 IC1000 패드를 이용하여 연마 테스트를 실시하였고, 연마조건은 Table/Head 속도를 93/87 rpm, 연마압력을 140 g/㎠, 리테이너 링(retainer ring) 압력을 140 g/㎠, 슬러리 공급유량 100 ml/min, 연마시간은 60 초로 하였다. Specifically, G&P Technology's Poli400 was used as the polishing equipment. As for the polishing pad, the polishing test was conducted using Rohm & Haas' IC1000 pad, and the polishing conditions were Table/Head speed of 93/87 rpm, polishing pressure of 140 g/cm2, and retainer ring pressure of 140 g/cm2. , the slurry supply flow rate was 100 ml/min, and the polishing time was 60 seconds.
연마 속도는 연마 전후의 박막의 두꼐 변화량을 연마 시간으로 나눔으로써 산출하였다. 이때 Cu층과 Ta층 두께는 AIT사의 4탐침 표면저항측정기(Four Point Probe)를 이용하여 면저항 측정 후 두께로 환산하여 계산하였다. PETEOS 박막두께는 K-MAC사의 Spectra Thick 4000으로 측정하였다. 이때 얻어진 결과는 하기 표2에 나타내었다.The polishing rate was calculated by dividing the change in thickness of the thin film before and after polishing by the polishing time. At this time, the thickness of the Cu layer and the Ta layer was calculated by converting the thickness into a thickness after measuring the sheet resistance using AIT's Four Point Probe. PETEOS thin film thickness was measured with K-MAC's Spectra Thick 4000. The results obtained at this time are shown in Table 2 below.
표면 스크래치는 표면 상태를 광학현미경(배율:1000배)으로 확인하였으며, 표면 상태를 우수(○), 보통(△), 불량(X)으로 구분하여 평가하였고 그 결과를 표 2에 나타내었다.The surface state of scratches was confirmed with an optical microscope (magnification: 1000 times), and the surface state was evaluated by classifying it as excellent (○), normal (Δ), and poor (X), and the results are shown in Table 2.
에칭 속도는 상기 제조된 연마 슬러리 조성물 50 ml를 60 ℃로 가열한 후, Cu층이 형성된 웨이퍼를 5분간 침지했다. 4탐침 표면저항측정기(Four Point Probe)로 침지 전과 침지 후의 Cu층의 두께를 측정해, 침지 시간으로부터 에칭 속도를 계산하였다. 또한, 에칭 후 표면의 부식정도를 광학현미경 (배율:1000배)으로 확인하였으며, 표면 상태를 우수(), 보통(), 불량(X)으로 구분하여 평가하였고 그 결과를 표 2에 나타내었다.As for the etching rate, after heating 50 ml of the polishing slurry composition prepared above at 60° C., the Cu layer-formed wafer was immersed for 5 minutes. The thickness of the Cu layer before and after immersion was measured with a four-point probe, and the etching rate was calculated from the immersion time. In addition, the degree of corrosion of the surface after etching was confirmed with an optical microscope (magnification: 1000 times), and the surface condition was evaluated by dividing into excellent (), normal (), and poor (X), and the results are shown in Table 2.
(Å/min)polishing speed
(Å/min)
스크래치surface after polishing
scratch
(Å/min)Cu etch rate
(Å/min)
부식정도of the surface after etching
degree of corrosion
상기 표 2에 기재한 바와 같이, 실시예 1 내지 4의 연마 슬러리 조성물을 이용한 결과 구리:탄탈륨의 연마 속도비가 1.5:1 이상을 나타내었으며, 연마 후에도 비교예에 비해 우수한 표면 특성을 나타내었다. 상기 결과로부터 착화제로 산계 화합물이 아닌 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물을 사용함을 통해 Ta층에 대한 높은 연마 선택비가 확보될 수 있고, 이를 통해 Cu층과 PETEOS층의 불필요한 연마를 줄임으로써 연마 후 디싱, 에로젼, 스크래치와 같은 표면 결함의 발생도 방지할 수 있음을 확인할 수 있었다.As shown in Table 2, as a result of using the polishing slurry compositions of Examples 1 to 4, the copper: tantalum polishing rate ratio was 1.5: 1 or more, and even after polishing, the surface properties were superior to those of the comparative examples. From the above results, it is possible to secure a high polishing selectivity for the Ta layer by using a compound having one hydroxyl group and two mercapto groups rather than an acid compound as a complexing agent, thereby avoiding unnecessary polishing of the Cu layer and the PETEOS layer. It was confirmed that by reducing the surface defects such as dishing, erosion, and scratches after polishing can be prevented.
또한, 에칭 속도 면에서 본 발명의 연마 슬러리 조성물이 기존의 착화제를 사용한 비교예 1 및 착화제를 포함하지 않은 비교예 2에 훨씬 낮음을 확인할 수 있었다. 일반적으로 에칭 속도가 빠른 경우 디싱 발생이 용이해짐을 감안하면 본 발명에서 사용된 착화제를 통해 효과적으로 구리에 대한 연마를 억제함을 확인할 수 있었다.In addition, in terms of etching rate, it was confirmed that the polishing slurry composition of the present invention was much lower than Comparative Example 1 using a conventional complexing agent and Comparative Example 2 not including a complexing agent. In general, considering that dishing becomes easier when the etching rate is high, it was confirmed that the copper polishing was effectively suppressed through the complexing agent used in the present invention.
Claims (13)
상기 착화제는 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물을 포함하는 연마 슬러리 조성물로서,
상기 연마 슬러리 조성물은 조성물 총 중량에 대해 착화제 0.1 내지 5 중량%를 포함하며,
상기 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물은 2,3-디메르캅토-1-프로판올(2,3-dimercapto-1-propanol), 1,3-디메르캅토-2-프로판올(1,3-dimercapto-2-propanol), 1,2-디메르캅토-1-프로판올(1,2-dimercapto-1-propanol), 3,4-디메르캅토-2-부탄올(3,4-dimercapto-2-butanol), 1,3-디메르캅토-2-부탄올(1,3-dimercapto-2-butanol) 및 3,4-디메르캅토-1-부탄올(3,4-dimercapto-1-butanol)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 연마 슬러리 조성물. In the polishing slurry composition comprising a complexing agent, an abrasive, an oxidizing agent and a corrosion inhibitor,
The complexing agent is a polishing slurry composition containing a compound having one hydroxyl group and two mercapto groups,
The polishing slurry composition includes 0.1 to 5% by weight of a complexing agent based on the total weight of the composition,
The compound having one hydroxyl group and two mercapto groups is 2,3-dimercapto-1-propanol, 1,3-dimercapto-2-propanol ( 1,3-dimercapto-2-propanol), 1,2-dimercapto-1-propanol (1,2-dimercapto-1-propanol), 3,4-dimercapto-2-butanol (3,4- dimercapto-2-butanol), 1,3-dimercapto-2-butanol (1,3-dimercapto-2-butanol) and 3,4-dimercapto-1-butanol (3,4-dimercapto-1- A polishing slurry composition comprising at least one member selected from the group consisting of butanol).
상기 연마제는 알루미나, 세리아, 게르마니아, 실리카, 티타니아, 지르코니아, 제올라이트, 마그네시아 및 산화 텅스텐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 연마 슬러리 조성물.The method of claim 1,
The polishing slurry composition comprising at least one selected from the group consisting of alumina, ceria, germania, silica, titania, zirconia, zeolite, magnesia, and tungsten oxide.
상기 산화제는 과산화수소, 과요오드산, 요오드산칼륨, 과황산암모늄, 페리시안화칼륨, 브롬산칼륨, 삼산화바나듐, 차아염소산, 차아염소산나트륨 및 질산철로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 연마 슬러리 조성물.The method of claim 1,
The oxidizing agent is a polishing slurry containing at least one selected from the group consisting of hydrogen peroxide, periodic acid, potassium iodate, ammonium persulfate, potassium ferricyanide, potassium bromate, vanadium trioxide, hypochlorous acid, sodium hypochlorite and iron nitrate composition.
상기 부식 방지제는 1,2,3,4-테트라졸, 5-아미노-1,2,3,4-테트라졸, 5-메틸-1,2,3,4-테트라졸, 1,2,3-트리아졸, 4-아미노-1,2,3-트리아졸, 4,5-디아미노-1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 3,5-디아미노-1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 5-메틸-1-벤조트리아졸, 5,6-디메틸-1,2,3-벤조트리아졸, 1-(1,2-디카르복시에틸)벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(히드록시에틸)아미노메틸]벤조트리아졸, 1-(히드록시메틸)벤조트리아졸, 트리아졸-3-카르복시산, 벤조트리아졸-5-카르복시산, 1-알킬-5-아미노테트라졸, 5-히드록시-테트라졸, 1-알킬-5-히드록시-테트라졸, 테트라졸-5-치올, 이미다졸, 디에틸에틸렌디아민, 테트라메틸에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 펜타메틸디에틸렌트리아민, 2-하이드록시에틸에틸렌디아민트리아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 디에틸렌트리아민펜타아세트산, 음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제 및 양쪽성 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 연마 슬러리 조성물.The method of claim 1,
The corrosion inhibitor is 1,2,3,4-tetrazole, 5-amino-1,2,3,4-tetrazole, 5-methyl-1,2,3,4-tetrazole, 1,2,3 -triazole, 4-amino-1,2,3-triazole, 4,5-diamino-1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, 3-amino-1,2, 4-triazole, 3,5-diamino-1,2,4-triazole, benzotriazole, 5-methyl-1-benzotriazole, 5,6-dimethyl-1,2,3-benzotriazole , 1-(1,2-dicarboxyethyl)benzotriazole, 1-[N,N-bis(hydroxyethyl)aminomethyl]benzotriazole, 1-(hydroxymethyl)benzotriazole, triazole- 3-carboxylic acid, benzotriazole-5-carboxylic acid, 1-alkyl-5-aminotetrazole, 5-hydroxy-tetrazole, 1-alkyl-5-hydroxy-tetrazole, tetrazole-5-thiol, imimi Dazole, diethylethylenediamine, tetramethylethylenediamine, diethylenetriamine, pentamethyldiethylenetriamine, 2-hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, anionic surfactant , A polishing slurry composition comprising at least one selected from the group consisting of nonionic surfactants and amphoteric surfactants.
상기 연마 슬러리 조성물은 조성물 총 중량에 대해 연마제 0.1 내지 25 중량%, 산화제 0.01 내지 20 중량%, 부식 방지제 0.0001 내지 2 중량% 및 물 잔부를 포함하는 연마 슬러리 조성물.The method of claim 1,
The polishing slurry composition comprises 0.1 to 25% by weight of an abrasive, 0.01 to 20% by weight of an oxidizing agent, 0.0001 to 2% by weight of a corrosion inhibitor and the balance of water, based on the total weight of the composition.
상기 기판과 연마 패드를 접촉시키고 연마 패드를 기판에 대해 이동시키는 단계; 및
상기 기판으로부터 금속막의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 기판의 연마방법에 있어서,
상기 착화제는 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물을 포함하며,
상기 연마 슬러리 조성물은 조성물 총 중량에 대해 착화제 0.1 내지 5 중량%를 포함하며,
상기 1개의 하이드록시기와 2개의 메르캅토기를 갖는 화합물은 2,3-디메르캅토-1-프로판올(2,3-dimercapto-1-propanol), 1,3-디메르캅토-2-프로판올(1,3-dimercapto-2-propanol), 1,2-디메르캅토-1-프로판올(1,2-dimercapto-1-propanol), 3,4-디메르캅토-2-부탄올(3,4-dimercapto-2-butanol), 1,3-디메르캅토-2-부탄올(1,3-dimercapto-2-butanol) 및 3,4-디메르캅토-1-부탄올(3,4-dimercapto-1-butanol)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 기판의 연마방법.Applying a polishing slurry composition containing a complexing agent, an abrasive, an oxidizing agent and a corrosion inhibitor to a substrate on which a metal film is formed;
bringing the substrate into contact with the polishing pad and moving the polishing pad relative to the substrate; and
In the substrate polishing method comprising the step of removing a portion of the metal film from the substrate,
The complexing agent includes a compound having one hydroxyl group and two mercapto groups,
The polishing slurry composition includes 0.1 to 5% by weight of a complexing agent based on the total weight of the composition,
The compound having one hydroxyl group and two mercapto groups is 2,3-dimercapto-1-propanol, 1,3-dimercapto-2-propanol ( 1,3-dimercapto-2-propanol), 1,2-dimercapto-1-propanol (1,2-dimercapto-1-propanol), 3,4-dimercapto-2-butanol (3,4- dimercapto-2-butanol), 1,3-dimercapto-2-butanol (1,3-dimercapto-2-butanol) and 3,4-dimercapto-1-butanol (3,4-dimercapto-1- A method for polishing a substrate comprising at least one selected from the group consisting of butanol).
상기 금속막은 도전성 배선층, 절연층 및 배리어층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 기판의 연마방법.The method of claim 7,
The method of polishing a substrate, wherein the metal film includes at least one selected from the group consisting of a conductive wiring layer, an insulating layer, and a barrier layer.
상기 도전성 배선층은 구리, 알루미늄, 은, 금 및 텅스텐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 기판의 연마방법.The method of claim 9,
The method of polishing a substrate, wherein the conductive wiring layer includes at least one selected from the group consisting of copper, aluminum, silver, gold, and tungsten.
상기 절연층은 실리콘계 피막, 유·무기 하이브리드막 및 유기 폴리머막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 기판의 연마방법.The method of claim 9,
The method of polishing a substrate, wherein the insulating layer includes at least one selected from the group consisting of a silicon-based film, an organic/inorganic hybrid film, and an organic polymer film.
상기 배리어층은 탄탈륨, 탄탈륨 니트라이드, 티타늄, 티타늄 니트라이드, 코발트, 니켈, 망간, 루테늄, 루테늄 니트라이드, 루테늄 카르바이드 및 루테늄 텅스텐 니트라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 기판의 연마방법. The method of claim 9,
The barrier layer is a substrate containing at least one selected from the group consisting of tantalum, tantalum nitride, titanium, titanium nitride, cobalt, nickel, manganese, ruthenium, ruthenium nitride, ruthenium carbide, and ruthenium tungsten nitride. polishing method.
상기 연마 슬러리 조성물은 1.5:1 이상의 배리어층:도전성 배선층 연마 속도비를 제공하는 기판의 연마방법.The method of claim 9,
The polishing slurry composition provides a barrier layer:conductive wiring layer polishing rate ratio of 1.5:1 or more.
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1273639A1 (en) | 2000-05-18 | 2003-01-08 | Itoh Optical Industrial Co., Ltd. | Optical element |
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|---|---|---|---|---|
| US6136714A (en) * | 1998-12-17 | 2000-10-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Methods for enhancing the metal removal rate during the chemical-mechanical polishing process of a semiconductor |
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| EP1273639A1 (en) | 2000-05-18 | 2003-01-08 | Itoh Optical Industrial Co., Ltd. | Optical element |
| KR101465604B1 (en) | 2012-12-18 | 2014-11-27 | 주식회사 케이씨텍 | Cmp slurry composition for polishing copper barrier layer and polishing method using the same |
| US20140326675A1 (en) | 2013-05-01 | 2014-11-06 | Ecolab USA, Inc. | Rheology modifying agents for slurries |
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