KR102542871B1 - Sensing Device and Organic Light Emitting Display Having The Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 앰프, 리셋 스위치, 커패시터들 및 스위치들을 포함한다. 앰프는 센싱라인에 연결된 제1 노드를 통해서 픽셀 전류를 입력받는 제1 입력단자와, 제2 노드를 통해 초기 적분기 기준전압 또는 제1 적분기 기준전압을 입력받는 제2 입력단자와, 픽셀 전류의 적분 결과인 적분기 출력전압을 제3 노드로 출력하는 출력단자를 포함한다. 리셋 스위치는 제1 노드와 제3 노드에 접속된다. 다수의 커패시터들은 제1 노드와 제3 노드 사이에서 서로 병렬로 연결된다. 다수의 스위치들은 적분 커패시터들과 일대일로 연결되며, 제3 노드 또는 초기 기준전압의 입력단을 선택적으로 연결한다. The present invention includes an amplifier, a reset switch, capacitors and switches. The amplifier has a first input terminal for receiving a pixel current through a first node connected to the sensing line, a second input terminal for receiving an initial integrator reference voltage or a first integrator reference voltage through a second node, and integration of the pixel current. and an output terminal for outputting the resulting integrator output voltage to a third node. A reset switch is connected to the first node and the third node. A plurality of capacitors are connected in parallel with each other between the first node and the third node. A plurality of switches are connected to the integrating capacitors one-to-one, and selectively connect a third node or an input terminal of an initial reference voltage.

Description

센싱장치 및 이를 포함한 유기발광 표시장치{Sensing Device and Organic Light Emitting Display Having The Same}Sensing device and organic light emitting display including the same {Sensing Device and Organic Light Emitting Display Having The Same}

본 발명은 센싱장치 및 이를 포함한 유기발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 유기발광 표시장치와 그의 유기발광 다이오드에 대한 열화 센싱 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a sensing device and an organic light emitting display device including the same, and more particularly, to an organic light emitting display device and a method for sensing deterioration of the organic light emitting diode.

액티브 매트릭스 타입의 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: OLED)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. The active matrix type organic light emitting display device includes an organic light emitting diode (OLED) that emits light by itself, and has advantages of fast response speed, high luminous efficiency, luminance, and viewing angle.

자발광 소자인 유기발광 다이오드는 애노드전극 및 캐소드전극과, 이들 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)으로 이루어진다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다. An organic light emitting diode, which is a self-light emitting device, includes an anode electrode, a cathode electrode, and organic compound layers (HIL, HTL, EML, ETL, EIL) formed between them. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer, EIL). When a driving voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes that have passed through the hole transport layer (HTL) and electrons that have passed through the electron transport layer (ETL) move to the light emitting layer (EML) to form excitons, and as a result, the light emitting layer (EML) visible light is generated.

유기발광 표시장치는 유기발광 다이오드를 각각 포함한 픽셀들을 매트릭스 형태로 배열하고 영상 데이터의 계조에 따라 픽셀들의 휘도를 조절한다. 픽셀들 각각은 자신의 게이트전극과 소스전극 사이에 걸리는 전압(Vgs)에 따라 유기발광 다이오드에 흐르는 픽셀전류를 제어하는 구동 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 포함하며, 픽셀전류에 비례하는 유기발광 다이오드의 발광량으로 표시 계조(휘도)를 조절한다. An organic light emitting display device arranges pixels each including an organic light emitting diode in a matrix form, and adjusts luminance of the pixels according to gray levels of image data. Each of the pixels includes a driving transistor (Thin Film Transistor) that controls the pixel current flowing through the organic light emitting diode according to the voltage (Vgs) applied between its gate electrode and its source electrode. Adjust the display gradation (luminance) with the amount of light emitted.

구동 TFT의 문턱 전압과 전자 이동도, OLED의 동작점 전압 등은 픽셀의 구동 특성을 결정하므로 모든 픽셀들에서 동일해야 한다. 하지만, 공정 특성, 시변 특성 등 다양한 원인에 의해 픽셀들 간에 구동 특성이 달라질 수 있다. 이러한 구동 특성 차이는 휘도 편차를 초래하여 원하는 화상을 구현하는 데 제약이 된다. 픽셀들 간의 휘도 편차를 보상하기 위해, 픽셀들의 구동 특성을 센싱하고 그 센싱 결과를 기초로 입력 영상의 데이터를 보정하는 외부 보상 기술이 알려져 있다.The threshold voltage and electron mobility of the driving TFT, and the operating point voltage of the OLED determine the driving characteristics of the pixel, so they must be the same in all pixels. However, driving characteristics may vary between pixels due to various causes such as process characteristics and time-varying characteristics. This difference in driving characteristics causes a luminance deviation, which is a limitation in realizing a desired image. In order to compensate for a luminance deviation between pixels, an external compensation technique is known in which driving characteristics of pixels are sensed and data of an input image is corrected based on the sensing result.

외부 보상 기술에서, 픽셀들의 구동 특성을 센싱하는 센싱부의 회로부는 다수의 커패시터 및 소자들을 포함하고 있어서 드라이브 IC의 칩 사이즈 및 제조 비용이 증가한다. In the external compensation technology, the circuit of the sensing unit that senses the driving characteristics of the pixels includes a large number of capacitors and elements, which increases the chip size and manufacturing cost of the drive IC.

따라서, 본 발명은 센싱부의 구성을 간소화하여, 드라이브 IC의 사이즈 및 제조 비용을 줄일 수 있는 센싱장치 및 이를 포함한 유기발광 표시장치를 제공하기 위한 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a sensing device capable of reducing the size and manufacturing cost of a drive IC by simplifying the configuration of a sensing unit, and an organic light emitting display device including the same.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 앰프, 리셋 스위치, 커패시터들 및 스위치들을 포함한다. 앰프는 센싱라인에 연결된 제1 노드를 통해서 픽셀 전류를 입력받는 제1 입력단자와, 제2 노드를 통해 초기 적분기 기준전압 또는 제1 적분기 기준전압을 입력받는 제2 입력단자와, 픽셀 전류의 적분 결과인 적분기 출력전압을 제3 노드로 출력하는 출력단자를 포함한다. 리셋 스위치는 제1 노드와 제3 노드에 접속된다. 다수의 커패시터들은 제1 노드와 제3 노드 사이에서 서로 병렬로 연결된다. 다수의 스위치들은 적분 커패시터들과 일대일로 연결되며, 제3 노드 또는 초기 기준전압의 입력단을 선택적으로 연결한다. To achieve the above object, the present invention includes an amplifier, a reset switch, capacitors and switches. The amplifier has a first input terminal for receiving a pixel current through a first node connected to the sensing line, a second input terminal for receiving an initial integrator reference voltage or a first integrator reference voltage through a second node, and integration of the pixel current. and an output terminal for outputting the resulting integrator output voltage to a third node. A reset switch is connected to the first node and the third node. A plurality of capacitors are connected in parallel with each other between the first node and the third node. A plurality of switches are connected to the integrating capacitors one-to-one, and selectively connect a third node or an input terminal of an initial reference voltage.

본 발명에 의한 표시장치는 적어도 하나 이상의 픽셀과 상기 픽셀에 연결된 센싱라인이 구비된 표시패널, 센싱 라인을 통해 픽셀로부터의 픽셀전류를 바탕으로 픽셀의 구동 특성을 센싱하여 센싱데이터를 생성하는 센싱장치, 미리 설정된 기준값과 센싱데이터의 차이를 바탕으로, 픽셀의 구동 특성을 보상하는 보상부를 포함한다. 센싱부는 센싱 라인에 연결된 제1 노드를 통해서 픽셀 전류를 입력받는 제1 입력단자와, 제2 노드를 통해 초기 적분기 기준전압 또는 제1 적분기 기준전압을 입력받는 제2 입력단자와, 픽셀 전류의 적분 결과인 적분기 출력전압을 제3 노드로 출력하는 출력단자를 갖는 앰프, 제1 노드와 상기 제3 노드에 접속된 리셋 스위치, 제1 노드와 제3 노드 사이에서 서로 병렬로 연결된 n(n은 자연수) 개의 커패시터들 및 적분 커패시터들과 일대일로 연결되며 제3 노드 또는 상기 초기 기준전압의 입력단을 선택적으로 연결하는 n개의 스위치들을 포함한다.A display device according to the present invention includes a display panel having at least one pixel and a sensing line connected to the pixel, and a sensing device that senses driving characteristics of a pixel based on a pixel current from the pixel through the sensing line to generate sensing data. , Compensation unit for compensating the driving characteristics of the pixel based on the difference between the preset reference value and the sensing data. The sensing unit has a first input terminal receiving a pixel current through a first node connected to the sensing line, a second input terminal receiving an initial integrator reference voltage or a first integrator reference voltage through a second node, and integrating the pixel current. An amplifier having an output terminal for outputting the resulting integrator output voltage to a third node, a reset switch connected to the first node and the third node, n connected in parallel between the first node and the third node (n is a natural number) ) capacitors and integrating capacitors are connected one-to-one and include n switches selectively connecting a third node or an input terminal of the initial reference voltage.

본 발명은 간단한 적분기 회로 구성을 이용하여, 전류 센싱 뿐만 아니라 전압 센싱 구동을 할 수 있다.In the present invention, voltage sensing driving as well as current sensing can be performed using a simple integrator circuit configuration.

특히, 본 발명은 적분기를 이용하여 샘플링&홀더 및 다운스케일링의 기능을 수행하기 때문에, 종래의 샘플링&홀더 및 다운스케일러가 요구하는 커패시터를 필요로 하지 않는다. 따라서, 센싱부의 회로 면적을 대폭 줄일 수 있다.In particular, since the present invention performs functions of sampling & holder and downscaling using an integrator, it does not require a capacitor required by the conventional sampling & holder and downscaler. Therefore, the circuit area of the sensing unit can be significantly reduced.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 표시패널에 구비된 픽셀 어레이의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 픽셀 어레이에 연결된 데이터 구동부의 일 구성을 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 픽셀의 일 등가 회로도이다.
도 5는 본 발명에 의한 센싱장치를 나타내는 도면이다.
도 6a 내지 도 6f는 전류 센싱 구동을 설명하는 도면들이다.
도 7은 전류 센싱 구동에서 출력전압의 변화를 나타내는 타이밍도이다.
도 8a 내지 도 8f는 전압 센싱 구동을 설명하는 도면들이다.
도 9는 전압 센싱 구동에서 출력노드의 전압 변화를 나타내는 타이밍도이다.
1 is a diagram showing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing an example of a pixel array included in the display panel of FIG. 1 .
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a data driver connected to the pixel array of FIG. 2 .
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the pixel shown in FIG. 3 .
5 is a view showing a sensing device according to the present invention.
6A to 6F are diagrams illustrating current sensing driving.
7 is a timing diagram illustrating a change in output voltage in current sensing driving.
8A to 8F are diagrams illustrating voltage sensing driving.
9 is a timing diagram illustrating a voltage change of an output node in voltage sensing driving.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and methods of achieving them, will become clear with reference to the detailed description of the following embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various forms different from each other, only these embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the person who has the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative, so the present invention is not limited to the details shown. Like reference numbers designate like elements throughout the specification. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification is used, other parts may be added unless 'only' is used. In the case where a component is expressed in the singular, the case including the plural is included unless otherwise explicitly stated.

본 명세서에서 표시패널의 기판 상에 형성되는 픽셀 회로는 n 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 TFT로 구현되거나 또는 p 타입 MOSFET 구조의 TFT로 구현될 수도 있다. TFT는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. TFT 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 TFT에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 타입 TFT (NMOS)의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 TFT에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. 이에 반해, p 타입 TFT(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 TFT에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다.In the present specification, a pixel circuit formed on a substrate of a display panel may be implemented with an n-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure TFT or a p-type MOSFET structure TFT. A TFT is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. Within the TFT, carriers start flowing from the source. The drain is an electrode through which carriers exit from the TFT. That is, the flow of carriers in the MOSFET flows from the source to the drain. In the case of an n-type TFT (NMOS), since electrons are carriers, the source voltage has a lower voltage than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. Since electrons flow from the source to the drain in the n-type TFT, the direction of the current flows from the drain to the source. In contrast, in the case of a p-type TFT (PMOS), since a carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. Since holes flow from the source to the drain side in the p-type TFT, current flows from the source to the drain side. It should be noted that the source and drain of a MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of a MOSFET can be changed depending on the applied voltage.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여주는 도면이다. 그리고, 도 2는 도 1의 표시패널에 구비된 픽셀 어레이의 일 예를 보여주는 도면이다.1 is a diagram showing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention. Also, FIG. 2 is a diagram showing an example of a pixel array included in the display panel of FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 표시패널(100), 드라이버 IC(D-IC)(200), 보상 IC(300), 호스트 시스템(10), 및 저장 메모리(50)를 포함할 수 있다. 본 발명의 패널 구동부는 표시패널(100)에 구비된 게이트 구동부(40)와, 드라이버 IC(D-IC)(200)에 내장된 데이터 구동부(30)를 포함한다.1 and 2 , an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 100, a driver IC (D-IC) 200, a compensation IC 300, and a host system 10. , and a storage memory 50. The panel driver of the present invention includes a gate driver 40 included in the display panel 100 and a data driver 30 embedded in the driver IC (D-IC) 200 .

표시패널(100)에는 다수의 픽셀 라인들(HL1~HL4)이 구비되고, 각 픽셀라인에는 다수의 픽셀(P)들과 복수의 신호라인들이 구비된다. 본 발명에서 설명되는 "픽셀 라인"은 물리적인 신호라인이 아니라, 스캔라인의 연장 방향을 따라 서로 이웃한 픽셀(P)들과 신호 라인들의 집합체를 의미한다. 신호라인들은 픽셀(P)들에 디스플레이용 데이터전압(VDIS)과 센싱용 데이터전압(VSEN)을 공급하기 위한 데이터라인(DL)들, 픽셀(P)들에 기준전압(VREF)을 공급하기 위한 기준전압 라인(RL)들, 픽셀(P)들에 스캔신호를 공급하는 스캔라인(SL)들, 및 픽셀(P)들에 고전위 픽셀 전압을 공급하기 위한 고전위 전원 라인들(PWL)을 포함할 수 있다. The display panel 100 includes a plurality of pixel lines HL1 to HL4, and each pixel line includes a plurality of pixels P and a plurality of signal lines. A "pixel line" described in the present invention is not a physical signal line, but means an aggregate of pixels P and signal lines adjacent to each other along the extension direction of the scan line. The signal lines include data lines DL for supplying the display data voltage VDIS and sensing data voltage VSEN to the pixels P, and the data lines DL for supplying the reference voltage VREF to the pixels P. reference voltage lines (RL), scan lines (SL) for supplying scan signals to pixels (P), and high potential power supply lines (PWL) for supplying high potential pixel voltages to pixels (P). can include

표시패널(100)의 픽셀(P)들은 매트릭스 형태로 배치되어 픽셀 어레이(Pixel array)를 구성한다. 도 2의 픽셀 어레이에 포함된 각 픽셀(P)는 데이터라인(DL)들 중 어느 하나에, 기준전압 라인(RL)들 중 어느 하나에, 고전위 전원 라인들(PWL) 중 어느 하나에, 그리고 스캔라인(SL)들 중 어느 하나에 연결될 수 있다. 도 2의 픽셀 어레이에 포함된 각 픽셀(P)은 복수의 스캔라인(SL)들에 연결될 수도 있다. 그리고, 도 2의 픽셀 어레이 포함된 각 픽셀(P)은 전원 생성부로부터 저전위 픽셀 전압을 더 공급받을 수 있다. 전원생성부는 저전위 전원 라인 또는 패드부를 통해서 저전위 픽셀 전압을 픽셀(P)에 공급할 수 있다.The pixels P of the display panel 100 are arranged in a matrix form to form a pixel array. Each pixel P included in the pixel array of FIG. 2 is connected to one of data lines DL, one of reference voltage lines RL, one of high potential power lines PWL, And it may be connected to any one of the scan lines SL. Each pixel P included in the pixel array of FIG. 2 may be connected to a plurality of scan lines SL. Also, each pixel P included in the pixel array of FIG. 2 may further receive a low-potential pixel voltage from the power generation unit. The power generation unit may supply a low potential pixel voltage to the pixel P through a low potential power line or pad unit.

표시패널(100)에는 게이트 구동부(40)가 내장될 수 있다. A gate driver 40 may be embedded in the display panel 100 .

게이트 구동부(40)는 도 2의 픽셀 어레이의 스캔라인(SL)들에 연결된 복수의 스테이지들을 포함할 수 있다. 스테이지들은 픽셀(P)들의 스위치 소자들을 제어하기 위한 스캔신호를 생성하여 스캔라인(SL)들에 공급할 수 있다.The gate driver 40 may include a plurality of stages connected to the scan lines SL of the pixel array of FIG. 2 . The stages may generate scan signals for controlling the switch elements of the pixels P and supply them to the scan lines SL.

드라이버 IC(D-IC)(200)는 타이밍 제어부(20)와 데이터 구동부(30)를 포함한다. 데이터 구동부(30)는 구동전압 생성부(31)및 센싱부(32)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The driver IC (D-IC) 200 includes a timing controller 20 and a data driver 30 . The data driver 30 may include a driving voltage generator 31 and a sensing unit 32, but is not limited thereto.

타이밍 제어부(20)는 호스트 시스템(10)으로부터 입력되는 타이밍 신호들, 예컨대 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등을 참조로 게이트 구동부(40)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와, 데이터 구동부(30)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 생성할 수 있다.The timing controller 20 refers to timing signals input from the host system 10, for example, a vertical sync signal (Vsync), a horizontal sync signal (Hsync), a dot clock signal (DCLK), and a data enable signal (DE). A gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the raw gate driver 40 and a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the data driver 30 may be generated.

데이터 타이밍 제어신호(DDC)는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock), 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable) 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 소스 스타트 펄스는 구동전압 생성부(31)의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭신호이다. 소스 출력 인에이블신호는 구동전압 생성부(31)의 출력 타이밍을 제어한다. The data timing control signal DDC may include, but is not limited to, a source start pulse, a source sampling clock, and a source output enable signal. The source start pulse controls data sampling start timing of the driving voltage generator 31 . The source sampling clock is a clock signal that controls sampling timing of data based on a rising or falling edge. The source output enable signal controls output timing of the driving voltage generator 31 .

게이트 타이밍 제어신호(GDC)는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 게이트 스타트 펄스는 첫 번째 게이트 출력을 생성하는 스테이지에 인가되어 그 스테이지의 동작을 활성화한다. 게이트 쉬프트 클럭은 스테이지들에 공통으로 입력되는 것으로서 게이트 스타트 펄스를 쉬프트시키기 위한 클럭신호이다. The gate timing control signal GDC may include, but is not limited to, a gate start pulse and a gate shift clock. A gate start pulse is applied to the stage that produces the first gate output to activate the operation of that stage. The gate shift clock is commonly input to the stages and is a clock signal for shifting the gate start pulse.

타이밍 제어부(20)는 패널 구동부의 동작 타이밍을 제어함으로써, 파워 온 기간, 각 프레임의 수직 액티브 기간, 각 프레의 수직 블랭크 기간, 파워 오프 기간 중 적어도 어느 하나에서 픽셀(P)들의 구동 특성을 센싱할 수 있다. 여기서, 파워 온 기간은 시스템 전원이 인가된 후부터 화면이 켜지기 전까지의 기간이고, 파워 오프 기간은 화면이 꺼진 후부터 시스템 전원이 해제되기 전까지의 기간이다. 수직 액티브 기간은 화면 재생을 위해 영상 데이터가 표시패널(100)에 기입되는 기간이고, 수직 블랭크 기간은 이웃한 수직 액티브 기간들 사이에 위치하며 영상 데이터의 기입이 중지되는 기간이다. 픽셀(P)들의 구동 특성은 픽셀(P)들에 포함된 구동 소자들의 문턱전압과 전자 이동도를 포함한다.The timing controller 20 controls the operation timing of the panel driver to sense the driving characteristics of the pixels P in at least one of a power-on period, a vertical active period of each frame, a vertical blank period of each frame, and a power-off period. can do. Here, the power-on period is a period from when system power is applied until the screen is turned on, and the power-off period is a period from when the screen is turned off to before the system power is released. The vertical active period is a period in which image data is written on the display panel 100 for screen reproduction, and the vertical blank period is a period between adjacent vertical active periods and the writing of image data is stopped. The driving characteristics of the pixels P include threshold voltages and electron mobility of driving elements included in the pixels P.

타이밍 제어부(20)는 표시패널(100)의 픽셀 라인들(HL1~HL4)에 대한 센싱 구동 타이밍과 디스플레이 구동 타이밍을 정해진 시퀀스에 따라 제어함으로써, 디스플레이 구동과 센싱 구동을 구현할 수 있다. The timing controller 20 may implement display driving and sensing driving by controlling the sensing driving timing and the display driving timing of the pixel lines HL1 to HL4 of the display panel 100 according to a predetermined sequence.

타이밍 제어부(20)는 디스플레이 구동을 위한 타이밍 제어신호들(GDC,DDC)과 센싱 구동을 위한 타이밍 제어신호들(GDC,DDC)을 서로 다르게 생성할 수 있다. 센싱 구동은 센싱 대상 픽셀 라인에 포함된 픽셀(P)들에 센싱용 데이터전압(VSEN)을 기입하여 해당 픽셀(P)들의 구동 특성을 센싱하고, 센싱 데이터(SD)를 기초로 해당 픽셀(P)들의 구동 특성 변화를 보상하기 위한 보상값을 업데이트하는 것을 의미한다. 그리고, 디스플레이 구동은 업데이트된 보상값을 기반으로 하여, 해당 픽셀(P)들에 입력될 디지털 영상 데이터를 보정하고, 보정된 영상 데이터(CDATA)에 대응되는 디스플레이용 데이터전압(VDIS)을 해당 픽셀(P)들에 인가하여 입력 영상을 표시하는 것을 의미한다. The timing controller 20 may generate different timing control signals GDC and DDC for display driving and timing control signals GDC and DDC for sensing driving. In the sensing drive, the driving characteristics of the corresponding pixels P are sensed by writing the sensing data voltage VSEN to the pixels P included in the sensing target pixel line, and the corresponding pixel P is based on the sensing data SD. ) means updating a compensation value for compensating for a change in driving characteristics. And, the display driving corrects the digital image data to be input to the corresponding pixels P based on the updated compensation value, and converts the display data voltage VDIS corresponding to the corrected image data CDATA to the corresponding pixels. It means displaying an input image by applying to (P).

구동전압 생성부(31)는 디지털 신호를 아날로그 신호로 변환하는 디지털-아날로그 변환기(Digital to Analog converter, 이하 DAC라 함)로 구현될 수 있다. 구동전압 생성부(31)는 센싱 구동에 필요한 센싱용 데이터전압(VSEN)과 디스플레이 구동에 필요한 디스플레이용 데이터전압(VDIS)을 생성하여 데이터라인(DL)들에 공급한다. The driving voltage generator 31 may be implemented as a digital to analog converter (hereinafter referred to as a DAC) that converts a digital signal into an analog signal. The driving voltage generation unit 31 generates the sensing data voltage VSEN required for sensing driving and the display data voltage VDIS required for display driving, and supplies them to the data lines DL.

디스플레이용 데이터전압(VDIS)은 보상 IC(300)에서 보정된 디지털 영상 데이터(CDATA)에 대한 디지털-아날로그 변환 결과로서, 계조값 및 보상값에 따라 픽셀 단위로 그 크기가 달라질 수 있다. 센싱용 데이터전압(VSEN)은 컬러 별로 구동소자의 구동 특성이 다름을 고려하여 R(적색), G(녹색), B(청색), W(백색) 픽셀들 단위로 다르게 설정될 수 있다. The data voltage VDIS for display is a digital-to-analog conversion result for the digital image data CDATA corrected by the compensation IC 300, and its size may vary in pixel units according to the grayscale value and the compensation value. The data voltage VSEN for sensing may be set differently in units of R (red), G (green), B (blue), and W (white) pixels in consideration of the driving characteristics of the driving element for each color.

센싱부(32)는 센싱 구동을 위해, 픽셀(P)들의 구동 특성, 예컨대, 구동 소자의 문턱전압과 전자 이동도, 발광 소자의 동작점 전압을 센싱 라인들을 통해 센싱할 수 있다. 기준전압 라인(RL)는 제1 선택 스위치(SEL1)를 통해서 센싱부(32)와 연결된다.For sensing driving, the sensing unit 32 may sense driving characteristics of the pixels P, eg, threshold voltage and electron mobility of the driving element, and operating point voltage of the light emitting element through the sensing lines. The reference voltage line RL is connected to the sensing unit 32 through the first selection switch SEL1.

센싱부(32)는 복수의 아날로그 센싱값들을 복수개의 ADC(Aanlog-Digital Conveter)들을 이용하여 동시에 병렬 처리할 수도 있고, 복수의 아날로그 센싱값들을 1개의 ADC를 이용하여 순차적으로 직렬 처리할 수도 있다. ADC의 샘플링 속도와 센싱의 정확도는 트레이드 오프(Trade-off) 관계에 있다. 병렬 처리 방식의 ADC는 직렬 처리 방식의 ADC에 비해 샘플링 속도를 늦출 수 있어 센싱의 정확도를 높이는 데 유리하다. ADC는 플래시 타입의 ADC, 트래킹(tracking) 기법을 이용한 ADC, 연속 근사 레지스터 타입(Successive Approximation Register type)의 ADC 등으로 구현될 수 있다. ADC는 미리 정해진 센싱 레인지에 따라 아날로그 센싱값들을 디지털 센싱 데이터(SD)로 변환한 후, 저장 메모리(50)에 공급한다.The sensing unit 32 may simultaneously process a plurality of analog sensing values in parallel using a plurality of analog-digital converters (ADCs), or sequentially process a plurality of analog sensing values in series using one ADC. . The ADC's sampling rate and sensing accuracy are in a trade-off relationship. Compared to serial processing ADCs, parallel processing ADCs can slow down the sampling rate, which is advantageous for increasing sensing accuracy. The ADC may be implemented as a flash type ADC, an ADC using a tracking technique, a successive approximation register type ADC, or the like. The ADC converts the analog sensing values into digital sensing data (SD) according to a predetermined sensing range, and supplies them to the storage memory 50 .

저장 메모리(50)는 센싱 구동시 센싱부(32)로부터 입력되는 디지털 센싱 데이터(SD)를 저장한다. 저장 메모리(50)는 플래시 메모리로 구현될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The storage memory 50 stores digital sensing data SD input from the sensing unit 32 during sensing operation. The storage memory 50 may be implemented as a flash memory, but is not limited thereto.

보상 IC(300)는 보상부(310)와 보상 메모리(320)를 포함할 수 있다. 보상 메모리(320)는 저장 메모리(50)로부터 읽어들인 센싱 데이터(SD)를 보상부(310)에 전달한다. 보상 메모리(320)는 RAM(Random Access Memory), 예컨대 DDR SDRAM(Double Date Rate Synchronous Dynamic RAM)일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 보상부(310)는 저장 메모리(50)로부터 읽어들인 디지털 센싱 데이터(SD)를 기반으로 각 픽셀 별로 보상 오프셋(Offset)과 보상 게인(Gain)을 연산하고, 연산된 보상 오프셋과 보상 게인에 따라 호스트 시스템(10)으로부터 입력 받은 영상 데이터를 보정하고, 보정된 영상 데이터(CDATA)를 드라이버 IC(200)에 공급한다. The compensation IC 300 may include a compensation unit 310 and a compensation memory 320 . The compensation memory 320 transfers the sensing data SD read from the storage memory 50 to the compensation unit 310 . The compensation memory 320 may be a random access memory (RAM), for example, a double date rate synchronous dynamic RAM (DDR SDRAM), but is not limited thereto. The compensation unit 310 calculates a compensation offset and a compensation gain for each pixel based on the digital sensing data SD read from the storage memory 50, and according to the calculated compensation offset and compensation gain. Image data received from the host system 10 is corrected, and the corrected image data (CDATA) is supplied to the driver IC 200 .

도 3은 도 2의 픽셀 어레이에 연결된 데이터 구동부(30)의 일 구성을 보여주는 도면이다. 도 4는 도 3에 도시된 픽셀의 일 등가 회로도이다. 도 3의 데이터 구동부(30)는 픽셀(P)들의 구동 특성을 기준전압라인(RL)들을 통해 센싱하는 실시 예를 도시하고 있다.FIG. 3 is a diagram showing one configuration of the data driver 30 connected to the pixel array of FIG. 2 . FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the pixel shown in FIG. 3 . The data driver 30 of FIG. 3 illustrates an embodiment in which the driving characteristics of the pixels P are sensed through the reference voltage lines RL.

도 3 및 도 4를 참조하면, 데이터 구동부(30)는 데이터라인(DL)을 통해 픽셀(P)의 게이트 노드(Ng)에 접속되고, 기준전압라인(RL)을 통해 픽셀(P)의 소스 노드(Ns)에 접속될 수 있다. 픽셀(P)의 소스 노드(Ns)에는 픽셀 전류(IPIX)가 흐르기 때문에, 제1 선택 스위치(SEL1)를 통해 소스 노드(Ns)에 접속된 기준전압라인(RL)이 센싱 라인으로 활용될 수 있다.3 and 4 , the data driver 30 is connected to the gate node Ng of the pixel P through the data line DL and the source of the pixel P through the reference voltage line RL. It can be connected to the node Ns. Since the pixel current IPIX flows through the source node Ns of the pixel P, the reference voltage line RL connected to the source node Ns through the first select switch SEL1 can be used as a sensing line. there is.

기준전압라인(RL)은 제1 및 제2 선택 스위치(SEL1,SEL2)를 통해 기준전압(VREF)의 입력단 또는 센싱부(32)에 선택적으로 연결된다. 기준전압라인(RL)과 기준전압(VREF)의 입력단 사이에는 제2 선택 스위치(SEL2)가 접속되고, 기준전압라인(RL)과 센싱부(32) 사이에는 제1 선택 스위치(SEL1)가 접속된다. 제1 선택 스위치(SEL1)와 제2 선택 스위치(SEL2)는 선택적으로 턴 온 된다. 기준전압(VREF)이 픽셀(P)에 기입되는 타이밍에 동기하여 제2 선택 스위치(SEL2)만이 턴 온 되고, 픽셀(P)에 흐르는 픽셀 전류(IPIX)를 센싱하는 타이밍에 동기하여 제1 선택 스위치(SEL1)만이 턴 온 된다. 따라서, 기준전압라인(RL)은 제1 및 제2 선택 스위치들(SEL1,SEL2)을 통해 기준전압(VREF)의 입력단 또는 센싱부(32)에 선택적으로 연결된다.The reference voltage line RL is selectively connected to the input terminal of the reference voltage VREF or the sensing unit 32 through the first and second select switches SEL1 and SEL2. A second selection switch SEL2 is connected between the reference voltage line RL and an input terminal of the reference voltage VREF, and a first selection switch SEL1 is connected between the reference voltage line RL and the sensing unit 32. do. The first selection switch SEL1 and the second selection switch SEL2 are selectively turned on. Only the second selection switch SEL2 is turned on in synchronization with the timing at which the reference voltage VREF is written to the pixel P, and the first selection switch SEL2 is turned on in synchronization with the timing at which the pixel current IPIX flowing in the pixel P is sensed. Only switch SEL1 is turned on. Therefore, the reference voltage line RL is selectively connected to the input terminal of the reference voltage VREF or the sensing unit 32 through the first and second select switches SEL1 and SEL2.

도 4를 참조하면, 기준전압 라인(RL)을 센싱 라인으로 활용하는 일 픽셀(P)은 유기발광 다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DT), 스위치 트랜지스터들(ST1,ST2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 구동 트랜지스터(DT)와 스위치 트랜지스터들(ST1,ST2)은 NMOS로 구현될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 4 , one pixel P using the reference voltage line RL as a sensing line includes an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor DT, switch transistors ST1 and ST2, and a storage capacitor ( Cst) included. The driving transistor DT and the switch transistors ST1 and ST2 may be implemented with NMOS, but are not limited thereto.

유기발광 다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)로부터 인입되는 픽셀 전류에 대응되는 세기로 발광하는 발광 소자이다. 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 소스 노드(Ns)에 접속되고, 캐소드 전극은 저전위 구동전압(EVSS)의 입력단에 접속된다.The organic light emitting diode (OLED) is a light emitting device that emits light with an intensity corresponding to a pixel current drawn from the driving transistor DT. The anode electrode of the organic light emitting diode (OLED) is connected to the source node (Ns), and the cathode electrode is connected to the input terminal of the low potential driving voltage (EVSS).

구동 트랜지스터(DT)는 게이트-소스 간 전압에 대응하여 픽셀 전류를 생성하는 구동 소자이다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극은 게이트 노드(Ng)에 접속되고, 제1 전극은 고전위 전원 라인(PWL)을 통해 고전위 구동전압(EVDD)의 입력단에 접속되며, 제2 전극은 소스 노드(Ns)에 접속된다.The driving transistor DT is a driving element that generates a pixel current in response to a gate-source voltage. The gate electrode of the driving transistor DT is connected to the gate node Ng, the first electrode is connected to the input terminal of the high potential driving voltage EVDD through the high potential power supply line PWL, and the second electrode is connected to the source node of the driving transistor DT. (Ns) is connected.

스위치 트랜지스터들(ST1,ST2)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트-소스 간 전압을 설정하고, 구동 트랜지스터(DT)의 제2 전극과 기준전압라인(RL)을 연결하는 스위치 소자들이다. The switch transistors ST1 and ST2 are switch elements that set the gate-source voltage of the driving transistor DT and connect the second electrode of the driving transistor DT to the reference voltage line RL.

제1 스위치 트랜지스터(ST1)는 데이터라인(DL)과 게이트 노드(Ng) 사이에 접속되어 스캔라인(SL)으로부터의 스캔신호(SCAN)에 따라 턴 온 된다. 제1 스위치 트랜지스터(ST1)는 디스플레이 구동 또는 센싱 구동을 위한 프로그래밍 시에 턴 온 된다. 제1 스위치 트랜지스터(ST1)가 턴 온 될 때, 센싱용 데이터전압(VSEN) 또는 디스플레이용 데이터전압(VDIS)이 게이트 노드(Ng)에 인가된다. 제1 스위치 트랜지스터(ST1)의 게이트전극은 스캔라인(SL)에 접속되고, 제1 전극은 데이터 라인(DL)에 접속되며, 제2 전극은 게이트 노드(Ng)에 접속된다. The first switch transistor ST1 is connected between the data line DL and the gate node Ng and turned on according to the scan signal SCAN from the scan line SL. The first switch transistor ST1 is turned on during programming for display driving or sensing driving. When the first switch transistor ST1 is turned on, the sensing data voltage VSEN or the display data voltage VDIS is applied to the gate node Ng. The gate electrode of the first switch transistor ST1 is connected to the scan line SL, the first electrode is connected to the data line DL, and the second electrode is connected to the gate node Ng.

제2 스위치 트랜지스터(ST2)는 기준전압라인(RL)과 소스 노드(Ns) 사이에 접속되어 스캔라인(SL)으로부터의 스캔신호(SCAN)에 따라 턴 온 된다. 제2 스위치 트랜지스터(ST2)는 디스플레이 구동 또는 센싱 구동을 위한 프로그래밍 시에 턴 온 되어, 기준 전압(VREF)을 소스 노드(Ns)에 인가한다. 또한, 제2 스위치 트랜지스터(ST2)는 센싱 구동 중의 센싱 기간에서도 턴 온 되어 구동 트랜지스터(DT)에서 생성된 픽셀 전류를 기준전압 라인(RL)에 인가한다. 제2 스위치 트랜지스터(ST2)의 게이트전극은 스캔라인(SL)에 접속되고, 제1 전극은 기준전압 라인(RL)에 접속되며, 제2 전극은 소스 노드(Ns)에 접속된다. The second switch transistor ST2 is connected between the reference voltage line RL and the source node Ns and is turned on according to the scan signal SCAN from the scan line SL. The second switch transistor ST2 is turned on during programming for display driving or sensing driving, and applies the reference voltage VREF to the source node Ns. Also, the second switch transistor ST2 is turned on during the sensing period during sensing driving to apply the pixel current generated by the driving transistor DT to the reference voltage line RL. The gate electrode of the second switch transistor ST2 is connected to the scan line SL, the first electrode is connected to the reference voltage line RL, and the second electrode is connected to the source node Ns.

스토리지 커패시터(Cst)는 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns) 사이에 접속되어 구동 트랜지스터(DT)의 게이트-소스 간 전압을 일정 기간 동안 유지한다.The storage capacitor Cst is connected between the gate node Ng and the source node Ns to maintain the gate-source voltage of the driving transistor DT for a predetermined period.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 센싱 장치를 보여주는 도면이다. 도 5의 픽셀 센싱 장치는 도 1의 센싱부(32)를 포함한다.5 is a diagram showing a pixel sensing device according to an embodiment of the present invention. The pixel sensing device of FIG. 5 includes the sensing unit 32 of FIG. 1 .

도 5를 참조하면, 센싱부(32)는 적분기(CI) 및 ADC를 포함할 수 있다. 적분기(CI)는 표시패널(10)의 기준전압라인(RL)을 통해 일 픽셀(P)에 연결된다. 본 발명에 의한 적분기는 센싱 전류를 누적하여 샘플링하는 전류 적분기로 구동할 수 있을 뿐만 아니라, 전압 센싱을 위한 적분기로 이용될 수 있다. 이를 위해서, 적분기(CI)는 앰프(AMP), 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3), 리셋 스위치(RST), 제1 내지 제3 스위치들(S1~S2), 초기 적분기 스위치(이하, 제6 스위치)(S6), 제1 적분기 스위치(이하, 제5 스위치)(S5), 제2 적분기 스위치(이하, 제4 스위치)(S4), 노드접속 스위치(이하, 제7 스위치)(S7), 및 스케일제어 스위치(이하, 제8 스위치)(S8)를 포함한다.Referring to FIG. 5 , the sensing unit 32 may include an integrator (CI) and an ADC. The integrator CI is connected to one pixel P through the reference voltage line RL of the display panel 10 . The integrator according to the present invention can be driven as a current integrator that accumulates and samples sensing current, and can also be used as an integrator for voltage sensing. To this end, the integrator CI includes an amplifier AMP, first to third integrating capacitors CF1, CF2, and CF3, a reset switch RST, first to third switches S1 to S2, and an initial integrator. A switch (hereinafter referred to as a 6th switch) S6, a first integrator switch (hereinafter referred to as a 5th switch) S5, a second integrator switch (hereinafter referred to as a 4th switch) S4, a node connection switch (hereinafter referred to as a 7th switch) switch) (S7), and a scale control switch (hereinafter referred to as an eighth switch) (S8).

먼저, 적분기(CI)의 전류 센싱 구동을 위한 구성을 살펴보면 다음과 같다.First, a configuration for current sensing driving of the integrator (CI) is as follows.

적분기(CI)는 픽셀(P)에 흐르는 픽셀 전류(IPIX)를 적분하여 초기 적분기 기준전압(VREF_CI) 또는 제1 적분기 기준전압(VREF1)으로부터 변화되는 적분기 출력전압(CIA_OUT)을 생성한다.The integrator CI integrates the pixel current IPIX flowing in the pixel P to generate an integrator output voltage CIA_OUT that is changed from the initial integrator reference voltage VREF_CI or the first integrator reference voltage VREF1.

적분기 앰프(AMP)는 기준전압라인(RL)으로부터의 픽셀 전류(IPIX)를 제1 노드(N1)를 통해서 입력받는 제1 입력단자(-), 제2 노드(N2)를 통해서 적분기 기준전압들(VREF_CI, VREF1, VREF2) 중에서 어느 하나의 적분기 기준전압을 입력받는 제2 입력단자(+), 및 픽셀 전류(IPIX)의 적분 결과인 적분기 출력전압(CIA_OUT)을 출력하는 제3 노드(N3)를 포함한다. 앰프(AMP)의 제3 노드(N3)는 제3 노드(N3)에 해당한다.The integrator amplifier (AMP) receives the pixel current (IPIX) from the reference voltage line (RL) through the first node (N1) and receives the integrator reference voltages through the first input terminal (-) and the second node (N2). A second input terminal (+) receiving any one integrator reference voltage among (VREF_CI, VREF1, VREF2) and a third node (N3) outputting the integrator output voltage (CIA_OUT), which is the result of integration of the pixel current (IPIX). includes The third node N3 of the amplifier AMP corresponds to the third node N3.

적분기 기준전압들(VREF_CI, VREF1, VREF2) 중에서, 전류 적분기로 동작할 때에는 초기 적분기 기준전압(VREF_CI) 및 제1 적분기 기준전압(VREF1) 만이 관여된다. 초기 적분기 기준전압(VREF_CI)은 전류 적분기의 구동에서, 다운스케일링(downscaling) 이전의 ADC 구동의 기준이 되는 기준전압이고, 제1 적분기 기준전압(VREF1)은 다운스케일링 이후 ADC 구동의 기준이 되는 기준전압이다.Among the integrator reference voltages VREF_CI, VREF1, and VREF2, only the initial integrator reference voltage VREF_CI and the first integrator reference voltage VREF1 are involved when operating as a current integrator. The initial integrator reference voltage VREF_CI is a reference voltage that is the reference voltage for ADC driving before downscaling in driving the current integrator, and the first integrator reference voltage VREF1 is the reference voltage that is the reference for ADC driving after downscaling. is the voltage

제6 스위치(S6)는 초기 적분기 기준전압(VREF_CI)의 입력단과 제2 입력단자(+) 사이에 접속되고, 제5 스위치(S5)는 제1 적분기 기준전압(VREF1)의 입력단과 제2 입력단자(+) 사이에 접속된다.The sixth switch S6 is connected between the input terminal of the initial integrator reference voltage VREF_CI and the second input terminal (+), and the fifth switch S5 is connected between the input terminal of the first integrator reference voltage VREF1 and the second input terminal. It is connected between the terminals (+).

제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3) 각각의 제1 전극은 제1 입력단자(-)에 접속된다. 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3) 각각의 제2 전극은 제1 내지 제3 스위치들(S1~S3)과 일대일로 접속된다. 제1 스위치(S1)는 제1 적분 커패시터(CF1)를 제3 노드(N3) 또는 초기 적분기 기준전압(VREF_CI)의 입력단에 선택적으로 연결시킨다. 제2 스위치(S2)는 제2 적분 커패시터(CF2)를 제3 노드(N3) 또는 초기 적분기 기준전압(VREF_CI)의 입력단에 선택적으로 연결시킨다. 제3 스위치(S3)는 제3 적분 커패시터(CF3)를 제3 노드(N3) 또는 초기 적분기 기준전압(VREF_CI)의 입력단에 선택적으로 연결시킨다.A first electrode of each of the first to third integrating capacitors CF1 , CF2 , and CF3 is connected to the first input terminal (-). The second electrode of each of the first to third integrating capacitors CF1 , CF2 , and CF3 is connected to the first to third switches S1 to S3 one-to-one. The first switch S1 selectively connects the first integrating capacitor CF1 to the third node N3 or the input terminal of the initial integrator reference voltage VREF_CI. The second switch S2 selectively connects the second integrating capacitor CF2 to the third node N3 or the input terminal of the initial integrator reference voltage VREF_CI. The third switch S3 selectively connects the third integrating capacitor CF3 to the third node N3 or the input terminal of the initial integrator reference voltage VREF_CI.

적분기 앰프(AMP)의 제1 입력단자(-)와 제3 노드(N3) 사이에는 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3)과 병렬로 리셋 스위치(RST)가 더 연결된다. A reset switch RST is further connected between the first input terminal (-) of the integrator amplifier AMP and the third node N3 in parallel with the integrating capacitors CF1, CF2, and CF3.

적분기 앰프(AMP)는 네거티브 타입으로 구현될 수도 있고 포지티브 타입으로 구현될 수도 있다. 네거티브 타입 앰프(AMP)는 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 입력단자가 적분기 앰프(AMP)의 제1 입력단자(-)가 되고 제2 입력단자가 적분기 앰프(AMP)의 제2 입력단자(+)가 된다. 이러한 네거티브 타입 앰프(AMP)는 픽셀 전류(IPIX)가 적분 커패시터들(CF1~CF3)에 누적됨에 따라 적분기 출력전압(CIA_OUT)이 적분기 기준전압(VREF_CI)으로부터 점차 낮아진다. 적분기 기준전압(VREF_CI)의 하강 기울기는 픽셀 전류(IPIX)의 크기에 비례한다.The integrator amplifier (AMP) may be implemented as a negative type or a positive type. As shown in FIG. 5, in the negative type amplifier AMP, the first input terminal is the first input terminal (-) of the integrator amplifier (AMP) and the second input terminal is the second input terminal of the integrator amplifier (AMP). It becomes (+). In this negative type amplifier AMP, the integrator output voltage CIA_OUT gradually decreases from the integrator reference voltage VREF_CI as the pixel current IPIX is accumulated in the integrating capacitors CF1 to CF3. The falling slope of the integrator reference voltage VREF_CI is proportional to the magnitude of the pixel current IPIX.

한편, 포지티브 타입 앰프(AMP)는 제1 입력단자가 적분기 앰프의 제2 입력단자(+)가 되고 제2 입력단자가 적분기 앰프의 제1 입력단자(-)가 된다. 이러한 포지티브 타입 앰프(AMP)는 픽셀 전류(IPIX)가 적분 커패시터들(CF1~CF3)에 누적됨에 따라 적분기 출력 전압(CIA_OUT)이 적분기 기준전압(VREF_CI)으로부터 점차 높아진다. 적분기 기준전압(VREF_CI)의 상승 기울기는 픽셀 전류(IPIX)의 크기에 비례한다.Meanwhile, in the positive type amplifier AMP, the first input terminal becomes the second input terminal (+) of the integrator amplifier and the second input terminal becomes the first input terminal (-) of the integrator amplifier. In the positive type amplifier AMP, the integrator output voltage CIA_OUT gradually increases from the integrator reference voltage VREF_CI as the pixel current IPIX is accumulated in the integrating capacitors CF1 to CF3. The rising slope of the integrator reference voltage VREF_CI is proportional to the magnitude of the pixel current IPIX.

본 발명의 기술적 사상은 네거티브 타입 앰프(AMP)에도 적용될 수 있고, 포지티브 형 앰프(AMP)에도 적용될 수 있다. 이하, 본 명세서는 네거티브 타입 앰프(AMP) 중심으로 설명한다.The technical idea of the present invention can be applied to a negative type amplifier (AMP) as well as a positive type amplifier (AMP). Hereinafter, this specification will be described centering on the negative type amplifier (AMP).

적분기(CI)의 전압 센싱을 위한 구성을 살펴보면 다음과 같다. A configuration for voltage sensing of the integrator (CI) is as follows.

전압 센싱 과정에서 앰프(AMP)는 구동전압을 인가받지 않고, 동작 불능(disable) 상태가 유지된다.During the voltage sensing process, the amplifier AMP does not receive a driving voltage and maintains a disabled state.

기준전압라인(RL)으로부터의 센싱 전압은 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3)에 직접 충전된 상태에서 샘플링된다. The sensing voltage from the reference voltage line RL is sampled while the integrating capacitors CF1, CF2, and CF3 are directly charged.

제2 노드(N2)는 기준전압 선택스위치(이하, 제7 스위치)를 통해서 제1 내지 제3 스위치들(S1~S3)과 연결된다. 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3)은 제1 내지 제3 스위치들(S1~S3)를 통해서 제2 노드(N2)와 접속된 상태를 유지한다. The second node N2 is connected to the first to third switches S1 to S3 through a reference voltage selection switch (hereinafter referred to as a seventh switch). The integrating capacitors CF1, CF2, and CF3 maintain a state connected to the second node N2 through the first to third switches S1 to S3.

제4 스위치(S4)는 제2 노드(N2)와 제2 적분기 기준전압(VREF2)의 입력단 사이에 연결되고, 제5 스위치(S5)는 제2 노드(N2)와 제1 적분기 기준전압(VREF1)의 입력단 사이에 연결된다. 제2 적분기 기준전압(VREF2)은 다운스케일링 이전의 ADC 구동에 이용되는 기준전압이고, 제1 적분기 기준전압(VREF1)은 다운스케일링 이후의 ADC 구동에 이용되는 기준전압이다. The fourth switch S4 is connected between the second node N2 and the input terminal of the second integrator reference voltage VREF2, and the fifth switch S5 is connected between the second node N2 and the first integrator reference voltage VREF1. ) is connected between the inputs of The second integrator reference voltage VREF2 is a reference voltage used to drive the ADC before downscaling, and the first integrator reference voltage VREF1 is a reference voltage used to drive the ADC after downscaling.

커패시터 제어스위치(이하, 제8 스위치)(S8)는 다운스케일링 기간 내에서 일정기간 제1 노드(N1)와 제1 커패시터(CF1)를 오픈(often) 시킨다.The capacitor control switch (hereinafter referred to as an eighth switch) S8 opens the first node N1 and the first capacitor CF1 for a predetermined period within the downscaling period.

전류 적분 또는 전압 센싱 과정에서, ADC는 미리 정해진 센싱 레인지에 따라 아날로그 신호(즉, 적분기 출력 전압)를 디지털 신호(즉, 디지털 센싱데이터)로 변환한다.During current integration or voltage sensing, the ADC converts an analog signal (ie, integrator output voltage) into a digital signal (ie, digital sensing data) according to a predetermined sensing range.

이하, 본 발명에 의한 센싱부의 동작을 살펴보면 다음과 같다. Hereinafter, the operation of the sensing unit according to the present invention will be described.

먼저 전류 센싱 구동을 살펴보면 다음과 같다.First, the current sensing drive is described as follows.

도 6a 내지 도 6f은 전류 센싱 구동을 설명하는 도면들이고, 도 7은 전류 센싱 구동에서 출력전압의 변화를 나타내는 타이밍이다. 도 7에서 "N1"은 앰프(AMP)의 제2 입력단자(+)에 해당하는 제1 노드(N1)의 전압 변화를 나타내고, "N3"는 앰프(AMP)의 출력단자에 해당하는 제3 노드(N3)의 전압 변화를 나타낸다. 6A to 6F are views illustrating current sensing driving, and FIG. 7 is a timing diagram illustrating a change in output voltage in current sensing driving. In FIG. 7, "N1" represents the voltage change of the first node N1 corresponding to the second input terminal (+) of the amplifier AMP, and "N3" represents the voltage change of the third node corresponding to the output terminal of the amplifier AMP. It shows the voltage change of node N3.

전류 센싱 구동에서, 제7 스위치(S7)는 항상 턴-오프 상태를 유지하고, 제8 스위치(S8)는 항상 턴-온 상태를 유지한다. In current sensing driving, the seventh switch S7 is always turned off, and the eighth switch S8 is always turned on.

도 6a 및 도 7을 참조하면, 초기화 기간(SF1) 동안 제1 선택 스위치(SEL1) 및 리셋 스위치(RST)는 턴-온되고, 제1 내지 제3 스위치들(S1~S3)은 앰프(AMP)의 제3 노드(N3)와 접속된다. 제6 스위치(S6)는 턴-온된다.Referring to FIGS. 6A and 7 , during the initialization period SF1, the first selection switch SEL1 and the reset switch RST are turned on, and the first to third switches S1 to S3 are turned on by the amplifier AMP. ) is connected to the third node N3. The sixth switch S6 is turned on.

초기화 기간(SF1)에서, 제1 선택 스위치(SEL1)는 턴-온되어 기준전압라인(RL)은 제1 입력단자(-)와 연결된다. 리셋 스위치(RST)는 턴 온되어 인해 적분기(CI)는 이득이 1인 유닛 게인 버퍼로 동작한다. 제6 스위치(S6)를 통해서 앰프(AMP)의 제2 입력단자(+)에는 초기 기준전압(VREF_CI)이 인가된다. 그 결과, 앰프(AMP)의 입력단자들(+,-)과 제3 노드(N3), 기준전압라인(RL)은 초기 기준전압(VREF_CI)으로 초기화된다. In the initialization period SF1, the first selection switch SEL1 is turned on so that the reference voltage line RL is connected to the first input terminal (-). The reset switch RST is turned on so that the integrator CI operates as a unit gain buffer with a gain of 1. The initial reference voltage VREF_CI is applied to the second input terminal (+) of the amplifier AMP through the sixth switch S6. As a result, the input terminals (+, -) of the amplifier AMP, the third node N3, and the reference voltage line RL are initialized to the initial reference voltage VREF_CI.

도 6b 및 도 7을 참조하면, 센싱 기간(SF2)에서, 리셋 스위치(RST)는 턴 오프된다. 제1 선택 스위치(SEL1), 제6 스위치(S6)는 턴-온 상태를 유지한다. 제1 내지 제3 스위치들(S1~S3)은 앰프(AMP)의 제3 노드(N3)와 접속된 상태를 유지한다.Referring to FIGS. 6B and 7 , in the sensing period SF2 , the reset switch RST is turned off. The first select switch SEL1 and the sixth switch S6 maintain a turn-on state. The first to third switches S1 to S3 remain connected to the third node N3 of the amplifier AMP.

센싱 기간(SF2)에서 앰프(AMP)의 제1 입력단자(-)에 유입되는 전하에 의해서 적분 커패시터(Cfb)의 양단 전위차는 커진다. 앰프(AMP)의 특성상 제1 입력단자(-) 및 제2 입력단자(+)는 가상 접지(Virtual Ground)를 통해 쇼트되어 서로 간 전위차가 0이므로, 센싱 기간(SF2)에서 제1 입력단자(-)의 전위는 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3)의 전위차 증가에 상관없이 초기 적분기 기준전압(VREF_CI)으로 유지된다. 그리고 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3)의 양단 전위차에 대응하여 앰프(AMP)의 출력전압(CIA_OUT)이 낮아진다. In the sensing period SF2, the potential difference between both ends of the integrating capacitor Cfb increases due to the charge flowing into the first input terminal (-) of the amplifier AMP. Due to the characteristics of the amplifier (AMP), the first input terminal (-) and the second input terminal (+) are shorted through a virtual ground and the potential difference between them is 0, so in the sensing period (SF2), the first input terminal ( The potential of -) is maintained as the initial integrator reference voltage VREF_CI regardless of the increase in the potential difference between the integrating capacitors CF1, CF2, and CF3. In addition, the output voltage CIA_OUT of the amplifier AMP is lowered in response to the potential difference between the ends of the integrating capacitors CF1, CF2, and CF3.

도 6c 및 도 7을 참조하면, 샘플링 기간(SF3)에서, 제1 선택 스위치(SEL1) 및 리셋 스위치(RST)는 턴-오프 되고, 앰프(AMP)의 출력전압(CIA_OUT)을 샘플링한다. 샘플링 기간(SF3)에서 초기 적분기 기준전압(VREF_CI)에 대비한 앰프(AMP)의 출력전압(CIA_OUT)의 변화량(Vin)은 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1~CF3)의 전위에 비례한다.Referring to FIGS. 6C and 7 , in the sampling period SF3, the first select switch SEL1 and the reset switch RST are turned off and sample the output voltage CIA_OUT of the amplifier AMP. During the sampling period SF3, the variation Vin of the output voltage CIA_OUT of the amplifier AMP compared to the initial integrator reference voltage VREF_CI is proportional to the potentials of the first to third integrating capacitors CF1 to CF3. .

도 6d 및 도 7을 참조하면, 제1 다운스케일링 기간(SF4) 동안, 제1 선택 스위치(SEL1) 및 리셋 스위치(RST)는 턴-오프 상태를 유지한다.Referring to FIGS. 6D and 7 , during the first downscaling period SF4, the first selection switch SEL1 and the reset switch RST maintain a turned-off state.

제1 스위치(S1)는 제3 노드(N3)에 연결된 상태를 유지하고, 제2 및 제3 스위치들(S2,S3)은 제1 입력단자(-)에 연결된다. 그 결과, 제2 및 제3 적분 커패시터들(CF2,CF3)의 전압은 초기화 된다. The first switch S1 remains connected to the third node N3, and the second and third switches S2 and S3 are connected to the first input terminal (-). As a result, the voltages of the second and third integrating capacitors CF2 and CF3 are initialized.

도 6e 및 도 7을 참조하면, 제2 다운스케일링 기간(SF5) 동안, 제1 선택 스위치(SEL1) 및 리셋 스위치(RST)는 턴-오프 상태를 유지한다. 제1 내지 제3 스위치들(S1~S3)은 제3 노드(N3)에 연결된다. 제1 적분 커패시터들(CF1)에 저장된 전하는 제2 및 제3 적분 커패시터들(CF2,CF3)에 분배되고, 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3) 각각은 동일한 전위를 갖는다. Referring to FIGS. 6E and 7 , during the second downscaling period SF5, the first selection switch SEL1 and the reset switch RST maintain a turned-off state. The first to third switches S1 to S3 are connected to the third node N3. Charges stored in the first integrating capacitors CF1 are distributed to the second and third integrating capacitors CF2 and CF3, and each of the first to third integrating capacitors CF1, CF2 and CF3 has the same potential.

제1 적분 커패시터들(CF1)에 저장된 전하는 제2 및 제3 적분 커패시터들(CF2,CF3)에 분배되어, 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3)의 양단의 전위차가 감소한다. 그 결과, 앰프(AMP)의 출력전압(CIA_OUT)은 증가한다. The charge stored in the first integrating capacitors CF1 is distributed to the second and third integrating capacitors CF2 and CF3, so that the potential difference between the first to third integrating capacitors CF1, CF2 and CF3 decreases. . As a result, the output voltage CIA_OUT of the amplifier AMP increases.

제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3) 각각의 용량이 동일할 때, 제2 다운스케일링 기간(SF5)에 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3) 각각의 전위는 샘플링 기간(SF3)에서의 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3) 각각의 전위에 대비하여 1/3 수준이 된다. 제2 다운스케일링 기간(SF5)에서 출력전압(CIA_OUT)의 크기는 제2 다운스케일링 기간(SF5)에 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3)의 전위에 비례한다. 따라서, "제2 다운스케일링 기간(SF5)에서 초기 적분기 기준전압(VREF_CI)에 대비하여 감소한 출력전압의 변화량(Vin_d)"은 "샘플링 기간(SF3)에서 초기 적분기 기준전압(VREF_CI)에 대비하여 감소한 출력전압의 변화량(Vin)"에 대비하여 1/3 수준이 된다. When the respective capacities of the first to third integrating capacitors CF1 , CF2 , and CF3 are the same, the potential of each of the first to third integrating capacitors CF1 , CF2 , and CF3 during the second downscaling period SF5 is 1/3 of the potential of each of the first to third integration capacitors CF1, CF2, and CF3 in the sampling period SF3. The magnitude of the output voltage CIA_OUT in the second downscaling period SF5 is proportional to the potentials of the first to third integrating capacitors CF1 , CF2 , and CF3 in the second downscaling period SF5 . Therefore, "the amount of change (Vin_d) of the output voltage decreased compared to the initial integrator reference voltage VREF_CI in the second downscaling period SF5" is "decreased compared to the initial integrator reference voltage VREF_CI in the sampling period SF3". It is 1/3 level compared to the change amount (Vin) of the output voltage.

도 6f 및 도 7을 참조하면, 제3 다운스케일링 기간(SF6) 동안, 제1 입력단자(-)에는 제1 적분기 기준전압(VREF1)이 인가된다. 제1 적분기 기준전압(VREF1)은 초기 적분기 기준전압(VREF_CI) 보다 낮은 전압레벨로 설정된다.Referring to FIGS. 6F and 7 , the first integrator reference voltage VREF1 is applied to the first input terminal (-) during the third downscaling period SF6. The first integrator reference voltage VREF1 is set to a lower voltage level than the initial integrator reference voltage VREF_CI.

적분기 출력전압(CIA_OUT)은 앰프(AMP)의 제2 입력단자(+)에 인가되는 기준전압에 비례한다. 따라서, 제3 다운스케일링 기간(SF6)에서 기준전압이 초기 적분기 기준전압(VREF_CI)에서 제1 적분기 기준전압(VREF1)으로 낮아지는 변화량('VREF_CI'-'VREF1') 만큼 적분기 출력전압(CIA_OUT)도 하강한다. 이처럼 본 발명은 제1 내지 제3 다운스케일링 구동에 의해서, 적분기 출력전압(CIA_OUT)의 크기를 낮출 수 있다. 따라서, 적분기 출력전압(CIA_OUT)이 ADC의 입력범위를 벗어나지 않도록 제어할 수 있다.The integrator output voltage CIA_OUT is proportional to the reference voltage applied to the second input terminal (+) of the amplifier AMP. Therefore, in the third downscaling period (SF6), the integrator output voltage (CIA_OUT) is reduced by the amount of change ('VREF_CI'-'VREF1') in which the reference voltage is lowered from the initial integrator reference voltage (VREF_CI) to the first integrator reference voltage (VREF1). also descend As such, according to the present invention, the level of the integrator output voltage CIA_OUT can be reduced by the first to third downscaling driving. Therefore, the integrator output voltage (CIA_OUT) can be controlled so as not to deviate from the input range of the ADC.

다운스케일링 구동으로 앰프(AMP)의 제2 입력단자(+)에 인가되는 적분기 기준전압의 크기가 달라지면, 보상부(310)는 보상값을 생성하기 위한 기준값을 달리 설정한다. When the magnitude of the integrator reference voltage applied to the second input terminal (+) of the amplifier AMP changes due to downscaling driving, the compensator 310 sets a different reference value for generating a compensation value.

ADC는 출력전압(CIA_OUT)을 센싱전압으로 제공받고 이를 디지털 데이터로 변환하여 센싱데이터(SD)를 생성한다. 그리고 보상부(310)는 센싱데이터(SD)를 바탕으로 보상값을 생성하고, 생성된 보상값을 이용하여 영상데이터를 보상한다. 이때, 전류 센싱 구동에서 보상부(310)가 보상값을 생성하는 기준값은 앰프(AMP)가 출력전압(CIA_OUT)을 생성할 때 제2 입력단자(+)에 인가되는 적분기 기준전압에 해당한다. The ADC receives the output voltage (CIA_OUT) as a sensing voltage and converts it into digital data to generate sensing data (SD). Further, the compensator 310 generates a compensation value based on the sensing data SD, and compensates the image data using the generated compensation value. In this case, the reference value at which the compensation unit 310 generates the compensation value in the current sensing drive corresponds to the integrator reference voltage applied to the second input terminal (+) when the amplifier AMP generates the output voltage CIA_OUT.

따라서, 다운스케일링 이전에 초기 적분기 기준전압(VREF_CI)을 이용하여 앰프(AMP)의 출력전압(CIA_OUT)을 생성하였다면, 보상부(310)는 초기 적분기 기준전압(VREF_CI)에 매칭되는 제1 기준값과 센싱데이터(SD)를 비교하여 보상값을 생성한다. Therefore, if the output voltage CIA_OUT of the amplifier AMP is generated using the initial integrator reference voltage VREF_CI before downscaling, the compensator 310 generates the first reference value matching the initial integrator reference voltage VREF_CI and A compensation value is generated by comparing the sensing data SD.

그리고, 도 6f의 제3 다운스케일링 과정에서 제1 적분기 기준전압(VREF1)을 이용하여 앰프(AMP)의 출력전압(CIA_OUT)을 생성하였다면, 보상부(310)는 제1 적분기 기준전압(VREF1)에 매칭되는 제2 기준값과 센싱데이터(SD)를 비교하여 보상값을 생성한다.And, if the output voltage CIA_OUT of the amplifier AMP is generated using the first integrator reference voltage VREF1 in the third downscaling process of FIG. 6F, the compensator 310 generates the first integrator reference voltage VREF1 Compensation values are generated by comparing the second reference value matching with the sensing data SD.

본 발명의 센싱부를 이용한 전압 센싱 구동을 살펴보면 다음과 같다.Looking at voltage sensing driving using the sensing unit of the present invention is as follows.

도 8a 내지 도 8f은 전류 센싱 구동을 설명하는 도면들이고, 도 9는 전압 센싱 구동에서 출력전압의 변화를 나타내는 타이밍이다. 특히, 도 9에서 실선은 제1 노드(N1)의 전압 변화를 나타내는 도면이다. 8A to 8F are views illustrating current sensing driving, and FIG. 9 is a timing diagram illustrating a change in output voltage in voltage sensing driving. Particularly, in FIG. 9 , a solid line is a diagram showing a change in voltage of the first node N1.

전압 센싱 구동에서 앰프(AMP)는 동작 불능 상태가 유지된다.In the voltage sensing drive, the amplifier (AMP) is maintained in an inoperable state.

전압 센싱 구동에서 제7 스위치(S7)는 턴-온 상태를 유지하여, 제2 노드(N2)는 제1 내지 제3 스위치들(S1~S3)과 접속된 상태를 유지한다. 즉, 적분 커패시터들(CF1~CF3)은 제1 내지 제3 스위치(S3)를 통해서 제2 노드(N2)와 접속된 상태를 유지한다. In voltage sensing driving, the seventh switch S7 maintains a turned-on state, so that the second node N2 maintains a state connected to the first to third switches S1 to S3. That is, the integrating capacitors CF1 to CF3 remain connected to the second node N2 through the first to third switches S3.

구체적인 동작은 다음과 같다.The specific operation is as follows.

도 8a 및 도 9를 참조하면, 초기화 기간(SF1) 동안 제1 선택 스위치(SEL1), 리셋 스위치(RST) 및 제8 스위치(S8)는 턴-온 된다. 리셋 스위치(RST)가 턴-온되고, 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3) 각각의 양 전극은 쇼트된다. 즉, 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3)은 양 전극은 제2 적분기 기준전압(VREF2)으로 초기화 된다. Referring to FIGS. 8A and 9 , the first selection switch SEL1 , the reset switch RST and the eighth switch S8 are turned on during the initialization period SF1 . The reset switch RST is turned on, and both electrodes of the first to third integration capacitors CF1 , CF2 , and CF3 are shorted. That is, both electrodes of the first to third integrating capacitors CF1 , CF2 , and CF3 are initialized to the second integrator reference voltage VREF2 .

도 8b 및 도 9를 참조하면, 센싱 기간(SF2)에서, 제1 선택 스위치(SEL1)는 턴-온되어 제1 노드(N1)는 기준전압라인(RL)과 접속된다. 리셋 스위치(RST)는 턴 오프되어, 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3) 각각은 커패시턴스를 형성한다.Referring to FIGS. 8B and 9 , in the sensing period SF2 , the first select switch SEL1 is turned on so that the first node N1 is connected to the reference voltage line RL. When the reset switch RST is turned off, each of the first to third integration capacitors CF1 , CF2 , and CF3 forms a capacitance.

기준전압라인(RL)으로부터 인가되는 센싱전압은 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3)의 제1 전극에 충전된다. 따라서, 제1 노드(N1)의 전압은 제2 적분기 기준전압(VREF2)으로부터 점차 상승한다.The sensing voltage applied from the reference voltage line RL is charged to the first electrodes of the first to third integration capacitors CF1, CF2, and CF3. Accordingly, the voltage of the first node N1 gradually rises from the second integrator reference voltage VREF2.

도 8c 및 도 9를 참조하면, 샘플링 기간(SF3)에서, 제1 선택 스위치(SEL1) 및 리셋 스위치(RST)는 턴-오프 되면서, 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3)에 충전된 센싱 전압을 샘플링한다. Referring to FIGS. 8C and 9 , in the sampling period SF3, the first select switch SEL1 and the reset switch RST are turned off, and the first to third integration capacitors CF1, CF2, and CF3 are turned off. Samples the sensing voltage charged in .

도 8d 및 도 9를 참조하면, 제1 다운스케일링 기간(SF4) 동안, 제1 선택 스위치(SEL1)는 턴-오프 전압을 유지한다.Referring to FIGS. 8D and 9 , during the first downscaling period SF4, the first select switch SEL1 maintains a turn-off voltage.

리셋 스위치(RST)는 턴-온되어, 제2 및 제3 적분 커패시터들(CF2,CF3)은 초기화 된다. 즉, 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)는 제2 적분기 기준전압(VREF2)이 된다. The reset switch RST is turned on, and the second and third integration capacitors CF2 and CF3 are initialized. That is, the first node N1 and the second node N2 become the second integrator reference voltage VREF2.

제8 스위치(S8)는 턴-오프되어 제1 적분 커패시터(CF1)의 제1 전극은 제1 노드(N1)와 오픈된 상태가 된다. 따라서, 제1 커패시터(CF1)는 센싱 기간(SF2)에서 충전된 전하를 보유한다.The eighth switch S8 is turned off so that the first electrode of the first integrating capacitor CF1 is in an open state with the first node N1. Accordingly, the first capacitor CF1 holds the charge charged in the sensing period SF2.

도 8e 및 도 9를 참조하면, 제2 다운스케일링 기간(SF5) 동안, 제8 스위치(S8)는 턴-온되고, 리셋 스위치(RST)는 턴-오프 된다. Referring to FIGS. 8E and 9 , during the second downscaling period SF5, the eighth switch S8 is turned on and the reset switch RST is turned off.

제1 적분 커패시터들(CF1)에 저장된 전하는 제2 및 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2)에 분배되고, 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3)은 동일한 전위를 갖는다. 제2 다운스케일링 기간(SF5)에서, 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3)의 양단의 전위차는 점차 증가한다. Charges stored in the first integrating capacitors CF1 are distributed to the second and third integrating capacitors CF1 and CF2, and the first to third integrating capacitors CF1, CF2 and CF3 have the same potential. In the second downscaling period SF5, the potential difference between the ends of the integrating capacitors CF1, CF2, and CF3 gradually increases.

제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3) 각각의 용량이 동일할 때, 제2 다운스케일링 기간(SF5)에 제1 내지 적분 제3 커패시터들(CF1,CF2,CF3) 각각의 전위는 샘플링 기간(SF3)에서의 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3) 각각의 전위에 대비하여 1/3 수준이 된다. 따라서, "제2 다운스케일링 기간(SF5)에서 제2 적분기 기준전압(VREF2)으로부터 증가한 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 간의 전위차"는 "샘플링 기간(SF3)에서 제2 적분기 기준전압(VREF2)으로부터 증가한 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 간의 전위차(Vin)"에 대비하여 1/3 수준이 된다. When the respective capacities of the first to third integrating capacitors CF1 , CF2 , and CF3 are the same, the potential of each of the first to third integrating capacitors CF1 , CF2 , and CF3 in the second downscaling period SF5 . is 1/3 of the potential of each of the first to third integration capacitors CF1, CF2, and CF3 in the sampling period SF3. Therefore, "the potential difference between the first node N1 and the third node N3 increased from the second integrator reference voltage VREF2 in the second downscaling period SF5" is "the second integrator reference voltage in the sampling period SF3" The potential difference Vin" between the first node N1 and the third node N3 increased from the voltage VREF2 is 1/3 level.

도 8f 및 도 9를 참조하면, 제3 다운스케일링 기간(SF6) 동안, 제1 입력단자(-)에는 제1 적분기 기준전압(VREF1)이 인가된다. 제1 적분기 기준전압(VREF1)은 제2 적분기 기준전압(VREF2)보다 낮은 전압레벨로 설정된다. Referring to FIGS. 8F and 9 , the first integrator reference voltage VREF1 is applied to the first input terminal (-) during the third downscaling period SF6. The first integrator reference voltage VREF1 is set to a lower voltage level than the second integrator reference voltage VREF2.

따라서, 제2 노드와 접속된 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3)의 제2 전극의 전압은 낮아지고, 커플링 효과에 의해서 제1 내지 제3 적분 커패시터들(CF1,CF2,CF3)의 제1 전극의 전압은 낮아진다. 따라서, 제3 노드(N3)의 전압 변화량을 바탕으로 검출한 제1 노드(N1)의 전압은 낮아진다. 그 결과, 제1 노드(N1)의 전압은 ADC의 입력범위를 벗어나지 않고 센싱 오류가 발생하지 않는다. Accordingly, the voltages of the second electrodes of the first to third integrating capacitors CF1 , CF2 , and CF3 connected to the second node are lowered, and the coupling effect causes the first to third integrating capacitors CF1 , CF2 to , CF3) the voltage of the first electrode is lowered. Accordingly, the voltage of the first node N1 detected based on the amount of change in the voltage of the third node N3 is lowered. As a result, the voltage of the first node N1 does not deviate from the input range of the ADC and a sensing error does not occur.

다운스케일링 구동으로 앰프(AMP)의 제3 노드(N3)에 인가되는 적분기 기준전압의 크기가 달라지면, 보상부(310)는 보상값을 생성하기 위한 기준값을 달리 설정한다. When the magnitude of the integrator reference voltage applied to the third node N3 of the amplifier AMP changes due to downscaling driving, the compensator 310 sets a different reference value for generating a compensation value.

ADC는 출력전압(CIA_OUT)을 센싱전압으로 제공받고 이를 디지털 데이터로 변환하여 센싱데이터(SD)를 생성한다. 그리고 보상부(310)는 센싱데이터(SD)를 바탕으로 보상값을 생성하고, 생성된 보상값을 이용하여 영상데이터를 보상한다. 이때, 전압 센싱 구동에서 보상부(310)가 보상값을 생성하는 기준값은 제3 노드(N3)에 연결되는 적분기 기준전압에 매칭된다. The ADC receives the output voltage (CIA_OUT) as a sensing voltage and converts it into digital data to generate sensing data (SD). Further, the compensator 310 generates a compensation value based on the sensing data SD, and compensates the image data using the generated compensation value. At this time, the reference value for which the compensator 310 generates the compensation value in the voltage sensing drive matches the integrator reference voltage connected to the third node N3.

따라서, 다운스케일링 이전에 제3 노드(N3)에 제2 적분기 기준전압(VREF2)을 인가하고, 이를 바탕으로 전압 센싱을 구동하였다면 보상부(310)는 제2 적분기 기준전압(VREF2)에 매칭되는 제3 기준값과 센싱데이터(SD)를 비교하여 보상값을 생성한다. Therefore, if the second integrator reference voltage VREF2 is applied to the third node N3 before downscaling and voltage sensing is driven based on this, the compensator 310 matches the second integrator reference voltage VREF2. A compensation value is generated by comparing the third reference value with the sensing data SD.

그리고, 도 8f의 제3 다운스케일링 과정에서 제1 적분기 기준전압(VREF1)을 제3 노드(N3)에 인가하였다면, 보상부(310)는 제1 적분기 기준전압(VREF1)에 매칭되는 제4 기준값과 센싱데이터(SD)를 비교하여 보상값을 생성한다.And, if the first integrator reference voltage VREF1 is applied to the third node N3 in the third downscaling process of FIG. Compensation values are generated by comparing the S and the sensing data SD.

상술한 바와 같이, 본 발명은 간단한 적분기 회로 구성을 이용하여, 전류 센싱 뿐만 아니라 전압 센싱 구동을 할 수 있다.As described above, in the present invention, voltage sensing driving as well as current sensing can be performed using a simple integrator circuit configuration.

특히, 본 발명은 적분기를 이용하여 샘플링&홀더 및 다운스케일링의 기능을 수행한다. 따라서, 종래의 샘플링&홀더 및 다운스케일러가 요구하는 커패시터를 필요로 하지 않는다. 본 발명의 제1 노드 및 제2 노드에서 병렬로 연결된 커패시터는 기존 하나의 피드백 적분 커패시터에 대비하여 개수는 늘어나지만, 병렬 연결된 커패시터의 용량의 합은 기존의 피드백 적분 커패시터의 용량과 동일한 수준이다. 따라서, 제1 노드 및 제2 노드에서 병렬로 연결된 다수의 커패시터들은 기존과 동일한 수준의 사이즈를 갖는다. 결과적으로 본 발명은 종래의 샘플링&홀더 및 다운스케일러에 필요한 커패시터의 사이즈만큼 회로부의 면적을 줄일 수 있다.In particular, the present invention performs functions of sampling & holder and downscaling using an integrator. Therefore, the capacitor required by the conventional sampling & holder and downscaler is not required. The number of capacitors connected in parallel at the first node and the second node of the present invention is increased compared to one existing feedback integration capacitor, but the sum of the capacitances of the capacitors connected in parallel is the same as that of the existing feedback integration capacitor. Accordingly, the plurality of capacitors connected in parallel at the first node and the second node have the same size as the conventional one. As a result, the present invention can reduce the area of the circuit part by the size of the capacitor required for the conventional sampling & holder and downscaler.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Through the above description, those skilled in the art will know that various changes and modifications are possible without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be determined by the claims.

100: 표시패널 40: 게이트 구동부
200: 드라이버 IC 20: 타이밍 제어부
32: 센싱부 CI: 적분기
SEL1: 제1 선택 스위치
100: display panel 40: gate driver
200: driver IC 20: timing controller
32: sensing unit CI: integrator
SEL1: first selection switch

Claims (23)

센싱라인에 연결된 제1 노드를 통해서 픽셀 전류를 입력받는 제1 입력단자와, 제2 노드를 통해 초기 적분기 기준전압 또는 제1 적분기 기준전압을 입력받는 제2 입력단자와, 상기 픽셀 전류의 적분 결과인 적분기 출력전압을 제3 노드로 출력하는 출력단자를 갖는 앰프;
상기 제1 노드와 상기 제3 노드에 접속된 리셋 스위치;
상기 제1 노드와 상기 제3 노드 사이에서 서로 병렬로 연결된 n(n은 자연수) 개의 커패시터들; 및
상기 커패시터들과 일대일로 연결되며, 상기 제3 노드 또는 상기 초기 적분기 기준전압의 입력단을 선택적으로 연결하는 n개의 스위치들을 포함하고,
상기 n개의 스위치들은
제1 기간에서, 상기 n개의 커패시터들 각각을 상기 제2 노드에 연결시킨 상태에서, 상기 n개의 커패시터들에 전류가 적분되도록 제어하고,
제2 기간에서, 상기 n 개의 커패시터들 중에서 어느 하나를 상기 초기 적분기 기준전압에 연결하도록 제어하여, 상기 제1 노드와 제2 노드 간의 전위차를 감소시키는 센싱 장치.
A first input terminal receiving a pixel current through a first node connected to the sensing line, a second input terminal receiving an initial integrator reference voltage or a first integrator reference voltage through a second node, and a result of integrating the pixel current an amplifier having an output terminal for outputting the output voltage of the integrator to a third node;
a reset switch connected to the first node and the third node;
n (n is a natural number) capacitors connected in parallel to each other between the first node and the third node; and
n switches connected to the capacitors one-to-one and selectively connecting the third node or the input terminal of the initial integrator reference voltage;
The n switches are
In a first period, in a state where each of the n capacitors is connected to the second node, the n capacitors are controlled to integrate current;
In a second period, the sensing device reduces a potential difference between the first node and the second node by controlling one of the n capacitors to be connected to the initial integrator reference voltage.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 초기 적분기 기준전압은
상기 제1 노드, 상기 제2 노드 및 상기 제3 노드를 초기화 하는 기준전압인 센싱 장치.
According to claim 1,
The initial integrator reference voltage is
A sensing device that is a reference voltage for initializing the first node, the second node, and the third node.
센싱라인에 연결된 제1 노드를 통해서 픽셀 전류를 입력받는 제1 입력단자와, 제2 노드를 통해 초기 적분기 기준전압 또는 제1 적분기 기준전압을 입력받는 제2 입력단자와, 상기 픽셀 전류의 적분 결과인 적분기 출력전압을 제3 노드로 출력하는 출력단자를 갖는 앰프;
상기 제1 노드와 상기 제3 노드에 접속된 리셋 스위치;
상기 제1 노드와 상기 제3 노드 사이에서 서로 병렬로 연결된 n(n은 자연수) 개의 커패시터들;
상기 커패시터들과 일대일로 연결되며, 상기 제3 노드 또는 상기 초기 적분기 기준전압의 입력단을 선택적으로 연결하는 n개의 스위치들; 및
상기 센싱라인과 상기 제1 노드 사이에 연결된 선택 스위치를 포함하고,
전류 센싱 구동에서, 초기화 기간 동안,
상기 선택 스위치 및 상기 리셋 스위치는 턴-온되고,
상기 n개의 스위치들 각각은 상기 커패시터들은 상기 제3 노드에 접속되고,
상기 제2 노드는 상기 초기 적분기 기준전압을 입력받는 센싱 장치.
A first input terminal receiving a pixel current through a first node connected to the sensing line, a second input terminal receiving an initial integrator reference voltage or a first integrator reference voltage through a second node, and a result of integrating the pixel current an amplifier having an output terminal for outputting the output voltage of the integrator to a third node;
a reset switch connected to the first node and the third node;
n (n is a natural number) capacitors connected in parallel to each other between the first node and the third node;
n switches connected to the capacitors one-to-one and selectively connecting the third node or an input terminal of the initial integrator reference voltage; and
A selection switch connected between the sensing line and the first node;
In the current sensing drive, during the initialization period,
The selection switch and the reset switch are turned on,
In each of the n switches, the capacitors are connected to the third node,
The second node receives the initial integrator reference voltage.
제 4 항에 있어서,
상기 초기화 기간에 이어지는 센싱 기간 동안,
상기 리셋 스위치는 턴-오프 되고, 상기 커패시터들은 상기 센싱라인으로부터의 상기 픽셀 전류를 적분하는 센싱 장치.
According to claim 4,
During the sensing period following the initialization period,
The reset switch is turned off, and the capacitors integrate the pixel current from the sensing line.
제 5 항에 있어서,
상기 센싱 기간에 이어지는 샘플링 기간 동안, 상기 선택 스위치는 턴-오프되는 센싱 장치.
According to claim 5,
During a sampling period following the sensing period, the selection switch is turned off.
제 6 항에 있어서,
상기 샘플링 기간에 이어지는 제1 다운스케일링 기간 동안,
상기 n개의 스위치들 중에서 적어도 어느 하나는 상기 초기 적분기 기준전압의 입력단에 연결되는 센싱 장치.
According to claim 6,
During a first downscaling period following the sampling period,
At least one of the n switches is connected to an input terminal of the initial integrator reference voltage.
제 7 항에 있어서,
상기 제1 다운스케일링 기간에 이어지는 제2 다운스케일링 기간 동안,
상기 n개의 스위치들은 상기 제3 노드에 연결되는 센싱 장치.
According to claim 7,
During the second downscaling period following the first downscaling period,
The n switches are connected to the third node.
제 8 항에 있어서,
상기 제2 다운스케일링 기간에 이어지는 제3 다운스케일링 기간 동안,
상기 제2 노드는 상기 제1 적분기 기준전압을 입력받는 센싱 장치.
According to claim 8,
During the third downscaling period following the second downscaling period,
The second node receives the first integrator reference voltage.
제 9 항에 있어서,
상기 제1 적분기 기준전압은 상기 초기 적분기 기준전압 보다 낮은 센싱 장치.
According to claim 9,
The first integrator reference voltage is lower than the initial integrator reference voltage.
센싱라인에 연결된 제1 노드를 통해서 픽셀 전류를 입력받는 제1 입력단자와, 제2 노드를 통해 초기 적분기 기준전압 또는 제1 적분기 기준전압을 입력받는 제2 입력단자와, 상기 픽셀 전류의 적분 결과인 적분기 출력전압을 제3 노드로 출력하는 출력단자를 갖는 앰프;
상기 제1 노드와 상기 제3 노드에 접속된 리셋 스위치;
상기 제1 노드와 상기 제3 노드 사이에서 서로 병렬로 연결된 n(n은 자연수) 개의 커패시터들;
상기 커패시터들과 일대일로 연결되며, 상기 제3 노드 또는 상기 초기 적분기 기준전압의 입력단을 선택적으로 연결하는 n개의 스위치들;상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결된 노드접속 스위치;
상기 n개의 커패시터들 중에서 제1 커패시터의 제1 전극과 상기 제1 노드 사이에 연결된 스케일제어 스위치; 및
상기 제2 노드와 제2 적분기 기준전압의 입력단 사이에 연결된 제2 적분기 기준전압 스위치를 포함하는 센싱 장치.
A first input terminal receiving a pixel current through a first node connected to the sensing line, a second input terminal receiving an initial integrator reference voltage or a first integrator reference voltage through a second node, and a result of integrating the pixel current an amplifier having an output terminal for outputting the output voltage of the integrator to a third node;
a reset switch connected to the first node and the third node;
n (n is a natural number) capacitors connected in parallel to each other between the first node and the third node;
n switches connected to the capacitors one-to-one and selectively connecting an input terminal of the third node or the initial integrator reference voltage; a node connection switch connected between the second node and the third node;
a scale control switch connected between a first electrode of a first capacitor among the n capacitors and the first node; and
and a second integrator reference voltage switch connected between the second node and an input terminal of the second integrator reference voltage.
제 11 항에 있어서,
전압 센싱 구동에서
상기 노드접속 스위치는 턴-온 전압을 유지하고,
상기 n개의 스위치들은 상기 제3 노드에 연결되고,
상기 초기 적분기 기준전압의 입력단은 상기 제2 노드와 전기적 연결이 차단된 상태를 유지하는 센싱 장치.
According to claim 11,
In voltage sensing drive
The node connection switch maintains a turn-on voltage,
The n switches are connected to the third node,
The sensing device maintains a state in which the input terminal of the initial integrator reference voltage is electrically disconnected from the second node.
제 12 항에 있어서,
상기 센싱라인과 상기 제1 노드 사이에 연결된 선택 스위치를 더 포함하고,
상기 전압 센싱 구동의 초기화 기간에서,
상기 선택 스위치는 턴-오프되고,
상기 제2 적분기 기준전압 스위치 및 상기 리셋 스위치는 턴-온 되는 센싱 장치.
According to claim 12,
Further comprising a selection switch connected between the sensing line and the first node,
In the initialization period of the voltage sensing drive,
The selection switch is turned off,
The second integrator reference voltage switch and the reset switch are turned on.
제 13 항에 있어서,
상기 초기화 기간에 이어지는 센싱 기간 동안,
상기 리셋 스위치는 턴-오프되고,
상기 선택 스위치는 턴-온되어, 상기 n개의 커패시터들에 전압을 충전시키는 센싱 장치.
According to claim 13,
During the sensing period following the initialization period,
The reset switch is turned off,
The selection switch is turned on to charge a voltage to the n capacitors.
제 14 항에 있어서,
상기 센싱 기간에 이어지는 샘플링 기간 동안,
상기 선택 스위치를 턴-오프 시켜서, 상기 n 개의 커패시터들에 충전된 전압을 샘플링 하는 센싱 장치.
15. The method of claim 14,
During the sampling period following the sensing period,
A sensing device for sampling voltages charged in the n capacitors by turning off the selection switch.
제 15 항에 있어서,
상기 샘플링 기간에 이어지는 제1 다운스케일링 기간 동안,
상기 스케일제어 스위치를 턴-오프 시키고, 상기 리셋 스위치를 턴-온 시켜서, 상기 제1 커패시터 이외의 'n-1'개의 커패시터들의 양단을 상기 제2 적분기 기준전압으로 초기화하는 센싱 장치.
According to claim 15,
During a first downscaling period following the sampling period,
A sensing device that initializes both ends of 'n-1' capacitors other than the first capacitor to the second integrator reference voltage by turning off the scale control switch and turning on the reset switch.
제 16 항에 있어서,
상기 제1 다운스케일링 기간에 이어지는 제2 다운스케일링 기간 동안,
상기 스케일제어 스위치를 턴-온 시키고, 상기 리셋 스위치를 턴-오프 시켜서 상기 제1 커패시터에 충전된 전압을 분배시키는 센싱 장치.
17. The method of claim 16,
During the second downscaling period following the first downscaling period,
A sensing device for distributing the voltage charged in the first capacitor by turning on the scale control switch and turning off the reset switch.
제 17 항에 있어서,
상기 제2 다운스케일링 기간에 이어지는 제3 다운스케일링 기간 동안,
상기 제2 적분기 기준전압 스위치를 턴-오프 시키고, 상기 제2 노드에 상기 적분기 기준전압을 공급하는 센싱 장치.
18. The method of claim 17,
During the third downscaling period following the second downscaling period,
The sensing device turns off the second integrator reference voltage switch and supplies the integrator reference voltage to the second node.
적어도 하나 이상의 픽셀과 상기 픽셀에 연결된 센싱라인이 구비된 표시패널;
상기 센싱 라인을 통해 상기 픽셀로부터의 픽셀전류를 바탕으로, 상기 픽셀의 구동 특성을 센싱하여 센싱데이터를 생성하는 센싱장치; 및
미리 설정된 기준값과 상기 센싱데이터의 차이를 바탕으로, 상기 픽셀의 구동 특성을 보상하는 보상부를 포함하고,
상기 센싱장치는
센싱라인에 연결된 제1 노드를 통해서 픽셀 전류를 입력받는 제1 입력단자와, 제2 노드를 통해 초기 적분기 기준전압 또는 제1 적분기 기준전압을 입력받는 제2 입력단자와, 상기 픽셀 전류의 적분 결과인 적분기 출력전압을 제3 노드로 출력하는 출력단자를 갖는 앰프;
상기 제1 노드와 상기 제3 노드에 접속된 리셋 스위치;
상기 제1 노드와 상기 제3 노드 사이에서 서로 병렬로 연결된 n(n은 자연수) 개의 커패시터들; 및
상기 커패시터들과 일대일로 연결되며, 상기 제3 노드 또는 상기 초기 적분기 기준전압의 입력단을 선택적으로 연결하는 n개의 스위치들을 포함하고,
전류 센싱 구동에서 상기 보상부는,
상기 기준값을 상기 초기 적분기 기준전압에 매칭된 제1 기준값으로 설정하고,
상기 센싱 장치가 상기 초기 적분기 기준전압을 이용하여 획득한 제1 센싱데이터와 상기 제1 기준값을 비교하여 보상값을 생성하는 유기발광 표시장치.
a display panel having at least one pixel and a sensing line connected to the pixel;
a sensing device generating sensing data by sensing driving characteristics of the pixel based on the pixel current from the pixel through the sensing line; and
A compensation unit for compensating for driving characteristics of the pixel based on a difference between a preset reference value and the sensing data;
The sensing device
A first input terminal receiving a pixel current through a first node connected to the sensing line, a second input terminal receiving an initial integrator reference voltage or a first integrator reference voltage through a second node, and a result of integrating the pixel current an amplifier having an output terminal for outputting the output voltage of the integrator to a third node;
a reset switch connected to the first node and the third node;
n (n is a natural number) capacitors connected in parallel to each other between the first node and the third node; and
n switches connected to the capacitors one-to-one and selectively connecting the third node or the input terminal of the initial integrator reference voltage;
In the current sensing drive, the compensation unit,
Setting the reference value as a first reference value matched to the initial integrator reference voltage;
wherein the sensing device compares first sensing data acquired using the initial integrator reference voltage with the first reference value to generate a compensation value.
삭제delete 제 19 항에 있어서,
상기 전류 센싱 구동에서 상기 보상부는,
상기 기준값을 상기 제1 적분기 기준전압에 매칭된 제2 기준값으로 설정하고,
상기 센싱 장치가 상기 제1 적분기 기준전압을 이용하여 획득한 제2 센싱데이터와 상기 제2 기준값을 비교하여 보상값을 생성하는 유기발광 표시장치.
According to claim 19,
In the current sensing drive, the compensation unit,
Setting the reference value as a second reference value matched to the first integrator reference voltage;
wherein the sensing device compares second sensing data acquired using the first integrator reference voltage with the second reference value to generate a compensation value.
적어도 하나 이상의 픽셀과 상기 픽셀에 연결된 센싱라인이 구비된 표시패널;
상기 센싱 라인을 통해 상기 픽셀로부터의 픽셀전류를 바탕으로, 상기 픽셀의 구동 특성을 센싱하여 센싱데이터를 생성하는 센싱장치; 및
미리 설정된 기준값과 상기 센싱데이터의 차이를 바탕으로, 상기 픽셀의 구동 특성을 보상하는 보상부를 포함하고,
상기 센싱장치는
센싱라인에 연결된 제1 노드를 통해서 픽셀 전류를 입력받는 제1 입력단자와, 제2 노드를 통해 초기 적분기 기준전압 또는 제1 적분기 기준전압을 입력받는 제2 입력단자와, 상기 픽셀 전류의 적분 결과인 적분기 출력전압을 제3 노드로 출력하는 출력단자를 갖는 앰프;
상기 제1 노드와 상기 제3 노드에 접속된 리셋 스위치;
상기 제1 노드와 상기 제3 노드 사이에서 서로 병렬로 연결된 n(n은 자연수) 개의 커패시터들;
상기 커패시터들과 일대일로 연결되며, 상기 제3 노드 또는 상기 초기 적분기 기준전압의 입력단을 선택적으로 연결하는 n개의 스위치들; 및
상기 제2 노드와 제2 적분기 기준전압의 입력단 사이에 연결된 제2 적분기 기준전압 스위치를 포함하고,
상기 제2 적분기 기준전압은 상기 제1 적분기 기준전압보다 높은 값으로 설정되고,
전압 센싱 구동에서 상기 보상부는,
상기 기준값을 상기 제1 적분기 기준전압에 매칭된 제3 기준값으로 설정하고,
상기 센싱 장치가, 상기 제1 적분기 기준전압을 이용하여 획득한 제3 센싱데이터와 상기 제3 기준값을 비교하여 보상값을 생성하는 유기발광 표시장치.
a display panel having at least one pixel and a sensing line connected to the pixel;
a sensing device generating sensing data by sensing driving characteristics of the pixel based on the pixel current from the pixel through the sensing line; and
A compensation unit for compensating for driving characteristics of the pixel based on a difference between a preset reference value and the sensing data;
The sensing device
A first input terminal receiving a pixel current through a first node connected to the sensing line, a second input terminal receiving an initial integrator reference voltage or a first integrator reference voltage through a second node, and a result of integrating the pixel current an amplifier having an output terminal for outputting the output voltage of the integrator to a third node;
a reset switch connected to the first node and the third node;
n (n is a natural number) capacitors connected in parallel to each other between the first node and the third node;
n switches connected to the capacitors one-to-one and selectively connecting the third node or an input terminal of the initial integrator reference voltage; and
A second integrator reference voltage switch connected between the second node and an input terminal of a second integrator reference voltage;
The second integrator reference voltage is set to a higher value than the first integrator reference voltage,
In the voltage sensing drive, the compensation unit,
Setting the reference value as a third reference value matched to the first integrator reference voltage;
wherein the sensing device compares third sensing data acquired using the first integrator reference voltage with the third reference value to generate a compensation value.
제 22 항에 있어서,
상기 전압 센싱 구동에서 상기 보상부는
상기 기준값을 상기 제2 적분기 기준전압에 매칭된 제4 기준값으로 설정하고,
상기 센싱 장치가, 상기 제2 적분기 기준전압을 이용하여 획득한 제4 센싱데이터와 상기 제4 기준값을 비교하여 보상값을 생성하는 유기발광 표시장치.
23. The method of claim 22,
In the voltage sensing drive, the compensation unit
Setting the reference value as a fourth reference value matched to the second integrator reference voltage;
wherein the sensing device compares fourth sensing data acquired using the second integrator reference voltage with the fourth reference value to generate a compensation value.
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