KR102541819B1 - Organic electroluminescent materials and devices - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기 전계발광재료 및 소자를 개시하였다. 상기 유기 전계발광재료는 데하이드로벤조디옥사졸, 데하이드로벤조디티아졸 또는 데하이드로벤조디셀레나졸 및 이와 유사한 구조를 가지는 화합물이며, 전계 발광소자에서의 전하 수송재료, 전하 주입재료 및 전하 생성재료로서 사용될 수 있다. 이러한 신규 화합물은 유기 전계발광소자의 전압 및 수명 등 성능을 대폭 개선할 수 있다. 본 발명은 전계 발광소자 및 화합물 제제를 더 개시하였다.The present invention discloses organic electroluminescent materials and devices. The organic electroluminescent material is dehydrobenzodioxazole, dehydrobenzodithiazole, dehydrobenzodiselenazole, or a compound having a similar structure, and is a charge transport material, charge injection material, and charge generating material in an electroluminescent device. can be used as These new compounds can significantly improve the performance of organic electroluminescent devices, such as voltage and lifetime. The present invention further discloses an electroluminescent device and compound formulation.
Description
본 발명은 유기 발광소자와 같은 유기 전자소자에 사용되는 화합물에 관한 것이다. 특히 데하이드로벤조디옥사졸(dehydrobenzodioxazole), 데하이드로벤조디티아졸(dehydrobenzodithiazole) 또는 데하이드로벤조디셀레나졸 (dehydrobenzodiselenazole) 및 이와 유사한 구조를 가지는 신규 화합물 및 해당 화합물을 함유하는 유기 전계발광소자와 화합물 제제에 관한 것이다.The present invention relates to compounds used in organic electronic devices such as organic light emitting devices. In particular, dehydrobenzodioxazole, dehydrobenzodithiazole, or dehydrobenzodiselenazole and new compounds having similar structures, and organic electroluminescent devices and compound preparations containing the compounds It is about.
유기 전자소자는, 유기 발광다이오드(OLEDs), 유기 전계효과트랜지스터(O-FETs), 유기 발광트랜지스터(OLETs), 유기 광전소자(OPVs), 염료감응형 태양전지(DSSCs), 유기 광학검출기, 유기 광수용체, 유기 전계효과소자(OFQDs), 발광 전기화학전지(LECs), 유기 레이저 다이오드 및 유기 플라즈마(plasma) 발광소자를 포함하되 이에 한정되지 않는다.Organic electronic devices include organic light emitting diodes (OLEDs), organic field effect transistors (O-FETs), organic light emitting transistors (OLETs), organic photoelectric devices (OPVs), dye-sensitized solar cells (DSSCs), organic optical detectors, organic photoreceptors, organic field effect devices (OFQDs), light emitting electrochemical cells (LECs), organic laser diodes and organic plasma light emitting devices, but are not limited thereto.
1987년, Eastman Kodak의 Tang 및 Van Slyke는, 전자 수송층 및 발광층으로서 아릴아민 정공 수송층 및 트리-8-히드록시퀴놀린-알루미늄층(tris-8-hydroxyquinoline aluminum layer)을 포함하는 2 층 유기 전계 발광소자를 보도하였다(Applied Physics Letters, 1987,51(12): 913-915). 소자에 바이어스를 가하게 되면, 소자에서 녹색 빛이 방출된다. 상기 발명은 현대 유기 발광다이오드(OLEDs)의 발전에 토대를 마련하였다. 가장 선진적인 OLEDs는 전하 주입 및 수송층, 전하 및 엑시톤 차단층(exciton blocking layer), 및 캐소드(cathode)와 애노드(anode) 사이의 하나 또는 복수의 발광층과 같은 복수 층을 포함할 수 있다. OLEDs는 자가발광 고체소자이기 때문에, 디스플레이 및 조명 응용에 엄청난 잠재력을 제공해준다. 또한, 유기 자재의 고유특성(예를 들어 이들의 가요성)은 이들이 특수한 응용(예를 들어 가요성 기판상에서의 제조)에 적합하도록 한다.Tang and Van Slyke of Eastman Kodak in 1987, a two-layer organic electroluminescent device comprising an arylamine hole transport layer and a tris-8-hydroxyquinoline aluminum layer as an electron transport layer and a light emitting layer reported (Applied Physics Letters, 1987,51(12): 913-915). When a bias is applied to the device, green light is emitted from the device. This invention laid the foundation for the development of modern organic light emitting diodes (OLEDs). The most advanced OLEDs may include multiple layers, such as charge injection and transport layers, charge and exciton blocking layers, and one or multiple light emitting layers between the cathode and anode. Because OLEDs are self-luminous solid-state devices, they offer tremendous potential for display and lighting applications. In addition, the inherent properties of organic materials (eg their flexibility) make them suitable for special applications (eg manufacturing on flexible substrates).
OLED는 이의 발광 매거니즘에 따라 세 가지의 다른 유형으로 분류될 수 있다. Tang과 van Slyke가 발명한 OLED는 형광 OLED이다. 이는 일중항 상태(singlet state) 발광만 사용한다. 소자에서 생성된 삼중항 상태(triplet state)는 비방사성 감쇠채널을 통해 낭비된다. 따라서, 형광 OLED의 내부 양자 효율(IQE)은 25%에 불과하다. 이러한 한정은 OLED의 상업화를 방해한다. 1997년, Forrest와 Thompson은, 착물을 함유하는 중금속으로부터의 삼중항 상태 발광을 발광체로 사용하는 인광 OLED를 리포트하였다. 따라서, 일중항 상태와 삼중항 상태를 획득할 수 있어 100%의 IQE를 달성할 수 있다. 이의 효율이 높기 때문에, 인광 OLED의 발견 및 발전은 액티브 매트릭스 OLED(AMOLED)의 상업화에 직접적인 공헌을 하였다. 최근에, Adachi는 유기 화합물의 열활성화지연형광(TADF)을 통해 고효율을 달성하였다. 이러한 발광체는 엑시톤(exciton)이 삼중항 상태에서 일중항 상태로 돌아갈 수 있도록 작은 일중항-삼중항 상태의 간격(gap)을 구비한다. TADF 소자에서, 삼중항 상태 엑시톤(triplet exciton)은 역항간교차(inverse intersystem crossing)를 통해 일중항 상태 엑시톤을 생성할 수 있어 높은 IQE를 달성할 수 있다.OLEDs can be classified into three different types according to their light emitting mechanism. The OLED invented by Tang and van Slyke is a fluorescent OLED. It uses only singlet state light emission. The triplet state created in the device is wasted through the non-radiative decay channel. Therefore, the internal quantum efficiency (IQE) of the fluorescent OLED is only 25%. These limitations hinder the commercialization of OLEDs. In 1997, Forrest and Thompson reported a phosphorescent OLED using triplet state emission from a heavy metal containing complex as a light emitting body. Therefore, the singlet state and the triplet state can be obtained, and an IQE of 100% can be achieved. Because of their high efficiency, the discovery and development of phosphorescent OLEDs has directly contributed to the commercialization of active matrix OLEDs (AMOLEDs). Recently, Adachi has achieved high efficiency through thermally activated delayed fluorescence (TADF) of organic compounds. Such a light emitting body has a small singlet-triplet state gap so that exciton can return from a triplet state to a singlet state. In a TADF device, triplet excitons can generate singlet state excitons through inverse intersystem crossing, so that a high IQE can be achieved.
OLEDs는 또한 사용되는 재료의 형태에 따라 저분자 및 고분자 OLED로 나눌 수 있다. 저분자는 고분자가 아닌 임의의 유기 또는 유기 금속재료를 지칭한다. 정확한 구조를 구비한다면 저분자의 분자량은 매우 클 수 있다. 명확한 구조를 구비하는 덴드리틱 고분자(dendritic polymer)는 소분자로 간주된다. 고분자 OLED는 공액 고분자(conjugated polymer) 및 펜던트 발광기(pendant emitting groups)를 구비하는 비공액 고분자를 포함한다. 제조과정에 포스트중합(post polymerization)이 발생하면, 저분자 OLED는 고분자 OLED로 변할 수 있다.OLEDs can also be divided into low-molecular and high-molecular OLEDs depending on the type of material used. Small molecule refers to any organic or organometallic material that is not a polymer. The molecular weight of a small molecule can be very large if it has the correct structure. Dendritic polymers with well-defined structures are considered small molecules. Polymeric OLEDs include conjugated polymers and non-conjugated polymers with pendant emitting groups. When post-polymerization occurs during the manufacturing process, low-molecular OLEDs can be transformed into high-molecular OLEDs.
이미 다양한 OLED 제조방법이 존재한다. 저분자 OLED는 통상적으로 진공 열증착(vacuum thermal evaporation)을 통해 제조된다. 고분자 OLED는 용액공정, 예를 들어 스핀 코팅, 잉크젯 프린팅 및 노즐 프린팅에 의해 제조된다. 재료가 용매에 용해되거나 분산될 수 있으면 저분자 OLED도 용액공정에 의해 제조될 수 있다.There are already various OLED manufacturing methods. Small molecule OLEDs are typically manufactured through vacuum thermal evaporation. Polymer OLEDs are prepared by solution processes such as spin coating, inkjet printing and nozzle printing. If the material can be dissolved or dispersed in a solvent, even low-molecular OLEDs can be prepared by a solution process.
유기 발광디스플레이장치는 정공 주입층 및 전자 주입층을 사용함으로써 전하 주입을 촉진한다. 여기서, 정공 주입층은 단일 재료 또는 2 종 이상의 재료로 형성된 기능층이다. 단일 재료 방법은 일반적으로 깊은 LUMO 재료를 사용하는 것이고, 2 종 이상의 재료 방법은 P형 재료, 깊은 LUMO 재료를 정공 수송재료에 도핑함으로써 형성되는 것이다. 양자의 공통점은 깊은 LUMO 재료를 사용해야 하는 것이다.An organic light emitting display device promotes charge injection by using a hole injection layer and an electron injection layer. Here, the hole injection layer is a functional layer formed of a single material or two or more materials. The single material method is generally to use a deep LUMO material, and the two or more material method is to form a hole transport material by doping a P-type material or a deep LUMO material. What both have in common is the need to use deep LUMO materials.
US20050121667은 유기반도체 기질재료의 전기적 특성을 변화시키기 위해 상기 유기반도체 기질재료에 도핑되는 유기 도판트로서의 유기 메소머 화합물(organic mesomeric compound)의 용도를 개시하였고, 해당 메소머 화합물은 퀴논 또는 퀴논 유도체이며, 이는 동일한 증발조건 하에서 F4TCNQ 보다 더 낮은 휘발성을 갖는다. 이가 개시한 일반 화학식 구조는 아래와 같은 화학식을 함유한다:US20050121667 discloses the use of an organic mesomeric compound as an organic dopant to be doped into an organic semiconductor substrate material to change the electrical properties of the organic semiconductor substrate material, the mesomeric compound being a quinone or a quinone derivative. , which has lower volatility than F4TCNQ under the same evaporation conditions. The general chemical structure disclosed by them contains the following formula:
해당 출원은 주로 퀴논 또는 퀴논 유도체가 도판트로서 구비하는 특수한 성능에 주목하였으나, 본 출원과 유사한 모핵구조를 갖는 임의의 화합물의 특성 및 응용을 개시하거나 암시하지 않았다.This application mainly focuses on the special performance of quinones or quinone derivatives as dopants, but does not disclose or suggest the properties and applications of any compound having a parent nucleus structure similar to that of this application.
그러나, 깊은 LUMO 재료는 강한 전자 흡인성 치환기를 구비함으로 인해 합성이 쉽지 않고, 깊은 LUMO, 높은 안정성 및 높은 필름형성성 등 특성을 동시에 가지기가 어렵다. 예를 들어, F4-TCNQ(P형 정공 주입재료)는 비록 매우 깊은 LUMO를 갖지만 증착 온도가 너무 낮아, 증착의 제어 및 생산 성능의 재현성과 소자의 열안정성에 영향을 주게 되며; 또 예를 들면, HATCN은 결정성이 강하여 소자에 필름형성성 문제가 존재하며, LUMO는 충분히 깊지 않아 P형 도핑으로 사용될 수 없다. 정공 주입층은 OLED 소자의 전압, 효율 및 수명에 모두 큰 영향을 미치므로, 깊은 LUMO, 높은 안정성 및 높은 필름형성성 재료에 대한 연구 및 개발은 업계에서 매우 중요하고 시급하다.However, deep LUMO materials are not easy to synthesize due to having strong electron withdrawing substituents, and it is difficult to simultaneously have properties such as deep LUMO, high stability, and high film formation. For example, F4-TCNQ (P-type hole injection material) has a very deep LUMO, but the deposition temperature is too low, which affects the control of deposition and the reproducibility of production performance and the thermal stability of the device; Also, for example, HATCN has a strong crystallinity, so there is a problem of film formation in the device, and LUMO is not deep enough to be used as a P-type doping. Since the hole injection layer greatly affects the voltage, efficiency, and lifespan of an OLED device, research and development of deep LUMO, high stability, and high film-forming materials are very important and urgent in the industry.
본 발명은, 데하이드로벤조디옥사졸, 데하이드로벤조디티아졸 또는 데하이드로벤조디셀레나졸 및 이와 유사한 구조를 가지는 신규 화합물을 제공하여 적어도 상술한 과제의 일부분을 해결하는 것을 목적으로 한다. 상기 화합물은 유기 전계발광소자에서의 전하 수송재료 및 전하 주입재료로서 사용될 수 있다. 이러한 신규 화합물은 유기 전계발광소자의 전압 및 수명 등 성능을 대폭 개선할 수 있다.It is an object of the present invention to solve at least part of the above problems by providing dehydrobenzodioxazole, dehydrobenzodithiazole or dehydrobenzodiselenazole and novel compounds having structures similar thereto. The compound can be used as a charge transport material and a charge injection material in an organic electroluminescent device. These new compounds can significantly improve the performance of organic electroluminescent devices, such as voltage and lifetime.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 (1)의 구조를 구비하는 화합물을 개시한다:According to one embodiment of the present invention, a compound having the structure of formula (1) is disclosed:
여기서, X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR"R"', NR', O, S 또는 Se에서 선택되고;wherein X and Y are identically or differently selected from CR"R"', NR', O, S or Se each time they occur;
여기서, Z1 및 Z2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S 또는 Se에서 선택되며;wherein Z 1 and Z 2 are identically or differently selected from O, S or Se each time they occur;
R, R', R" 및 R"'은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;Each time R, R', R" and R"' appear identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , Boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 3 to 20 ring carbon atoms atoms), substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and 1 to 20 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkoxy group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms Or an unsubstituted akinyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 3 to 20 carbon atoms It is selected from the group consisting of an alkylsilyl group, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and combinations thereof;
여기서, 각 R은 동일하거나 상이할 수 있으며, R, R', R" 및 R"' 중 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기(electron withdrawing group)를 구비하는 그룹이며;Here, each R may be the same or different, and at least one of R, R', R" and R"' is a group having at least one electron withdrawing group;
인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.Adjacent substituents may be optionally linked to form a ring.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 양극, 음극 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 배치된 유기층을 포함하는 전계 발광소자를 더 개시하였으며, 상기 유기층은 식 (1)을 구비하는 화합물을 함유한다:According to another embodiment of the present invention, an electroluminescent device comprising an anode, a cathode and an organic layer disposed between the anode and the cathode is further disclosed, wherein the organic layer contains a compound having formula (1):
여기서, X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR"R"', NR', O, S 또는 Se에서 선택되고;wherein X and Y are identically or differently selected from CR"R"', NR', O, S or Se each time they occur;
여기서, Z1 및 Z2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S 또는 Se에서 선택되며;wherein Z 1 and Z 2 are identically or differently selected from O, S or Se each time they occur;
R, R', R" 및 R"'은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;Each time R, R', R" and R"' appear identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , Boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 3 to 20 ring carbon atoms atoms), substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and 1 to 20 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkoxy group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms Or an unsubstituted akinyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 3 to 20 carbon atoms It is selected from the group consisting of an alkylsilyl group, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and combinations thereof;
인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;Adjacent substituents may be optionally linked to form a ring;
여기서, 각 R은 동일하거나 상이할 수 있으며, R, R', R" 및 R"' 중 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이다.Here, each R may be the same or different, and at least one of R, R', R" and R"' is a group having at least one electron withdrawing group.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 식 (1) 구조를 구비하는 상기 화합물을 함유하는 화합물 제제를 더 개시하였다.According to another embodiment of the present invention, a compound preparation containing the compound having the structure of Formula (1) is further disclosed.
본 발명에 개시된 데하이드로벤조디옥사졸, 데하이드로벤조디티아졸 또는 데하이드로벤조디셀레나졸 및 이와 유사한 구조를 가지는 신규 화합물은, 전계 발광소자에서의 전하 수송재료 및 전하 주입재료로서 사용될 수 있다. 해당 신규 화합물은 유기 전계발광소자의 전압 및 수명 등 성능을 대폭 개선할 수 있다.The dehydrobenzodioxazole, dehydrobenzodithiazole, dehydrobenzodiselenazole, and novel compounds having structures similar thereto disclosed in the present invention can be used as charge transport materials and charge injection materials in electroluminescent devices. The new compound can significantly improve the performance of organic electroluminescent devices, such as voltage and lifetime.
도 1은 본문에서 개시한 화합물 및 화합물 제제를 함유할 수 있는 유기 발광장치의 개략도이다.
도 2는 본문에서 개시한 화합물 및 화합물 제제를 함유할 수 있는 직렬 연결된 유기 발광장치의 개략도이다.
도 3은 본문에서 개시한 화합물 및 화합물 제제를 함유할 수 있는 다른 직렬 연결된 유기 발광장치의 개략도이다.
도 4는 본문에서 개시한 바와 같은 화합물의 구조식 (1)을 나타낸 것이다.1 is a schematic diagram of an organic light emitting device that may contain the compounds and compound preparations disclosed herein.
2 is a schematic diagram of a series connected organic light emitting device that may contain compounds and formulations of compounds disclosed herein.
3 is a schematic diagram of another serially connected organic light emitting device that may contain compounds and formulations of compounds disclosed herein.
Figure 4 shows the structural formula (1) of the compound as disclosed in the text.
OLED는 여러 종류의 기판(예를 들어, 유리, 플라스틱 및 금속)상에서 제조될 수 있다. 도 1은 유기 발광장치(100)를 개략적으로 비 한정적으로 나타낸다. 도면은 반드시 비율에 따라 그려진 것이 아니며, 도면에서의 일부 층구조는 필요에 따라 생략될 수도 있다. 장치(100)는 기판(101), 양극(110), 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 전자 차단층(140), 발광층(150), 정공 차단층(160), 전자 수송층(170), 전자 주입층(180) 및 음극(190)을 포함할 수있다. 장치(100)는 설명된 층들을 순차적으로 증착하여 제조될 수 있다. 각 층의 성질과 기능 및 예시적인 재료는 미국 특허 US7279704B2 제6-10 칼럼에서 더 구체적으로 설명하였으며, 상기 특허의 전부 내용은 본 출원에 인용되어 결합된다. OLEDs can be fabricated on several types of substrates (eg glass, plastic and metal). 1 schematically and non-limitingly shows an organic
이러한 층에서의 각 층은 더 많은 예시를 구비한다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제5844363호에 개시된 유연하고 투명한 기판-애노드 조합을 예로 들 수 있다. p-도핑된 정공 수송층의 예시로는, 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이 50:1의 몰비로 F4 -TCNQ가 도핑된 m-MTDATA이다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제6303238호(Thompson 등에게 수여됨)에서는 호스트 재료(host material)의 예시를 개시하였다. n-도핑된 전자 수송층의 예시로는, 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이 1:1의 몰비로 Li가 도핑된 BPhen이다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제5703436호 및 제5707745호에서는 음극의 예시를 개시하였으며, 이는 Mg:Ag와 같은 금속 박층, 오버라잉(overlying)된 투명하고 전도성을 가지며 스퍼터 증착(sputter-deposited)된 ITO층을 가지는 복합 음극을 포함한다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제6097147호 및 미국특허출원공개 제2003/0230980호에서는 차단층의 원리 및 사용에 대해 더 구체적으로 설명하였다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2004/0174116호에서는 주입층의 예시를 제공하였다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2004/0174116호에서 보호층에 대한 설명을 찾을 수 있다.Each layer in this layer has more examples. An example is the flexible and transparent substrate-anode combination disclosed in US Pat. An example of a p-doped hole transport layer is m-MTDATA doped with F4-TCNQ in a molar ratio of 50:1 as disclosed in US Patent Application Publication No. 2003/0230980, which is incorporated by reference in its entirety. US Pat. No. 6,303,238 (to Thompson et al.), incorporated by reference in its entirety, discloses an example of a host material. An example of an n-doped electron transport layer is BPhen doped with Li in a molar ratio of 1:1 as disclosed in US Patent Application Publication No. 2003/0230980 combined in an inclusive manner. U.S. Patent Nos. 5703436 and 5707745, incorporated by reference in their entirety, disclose examples of cathodes, which are transparent, conductive, and sputter-deposited over a thin metal layer such as Mg:Ag. It includes a composite anode having an ITO layer deposited thereon. U.S. Patent No. 6097147 and U.S. Patent Application Publication No. 2003/0230980, which are incorporated by reference in their entirety, describe the principle and use of the barrier layer in more detail. US Patent Application Publication No. 2004/0174116, incorporated by reference in its entirety, provides an example of an injection layer. A description of the protective layer can be found in US Patent Application Publication No. 2004/0174116, incorporated herein by reference in its entirety.
비 한정적인 실시예를 통해 상기 계층구조를 제공한다. OLED의 기능은 상술한 여러 종류의 층을 조합함으로써 구현할 수 있고, 또는 일부 층을 완전히 생략할 수 있다. 이는 명확하게 설명되지 않은 다른 층을 더 포함할 수 있다. 각 층 내에는 단일 재료 또는 여러 종류의 재료의 혼합물을 사용함으로써 최적의 성능을 구현할 수 있다. 임의의 기능층은 여러 개의 서브 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층은 원하는 발광 스펙트럼을 구현할 수 있도록 2 층의 서로 다른 발광재료를 구비할 수 있다.The hierarchical structure is provided through a non-limiting embodiment. The function of the OLED can be realized by combining several types of layers described above, or some layers can be completely omitted. It may further include other layers not explicitly described. Optimum performance can be achieved by using a single material or a mixture of different materials within each layer. Any functional layer may include several sub-layers. For example, the light emitting layer may include two layers of different light emitting materials to realize a desired light emitting spectrum.
일 실시예에서, OLED는 음극과 양극 사이에 배치된 "유기층"을 구비하는 것으로 설명될 수 있다. 해당 유기층은 하나 또는 복수의 층을 포함할 수 있다.In one embodiment, an OLED can be described as having an “organic layer” disposed between a cathode and an anode. The organic layer may include one or a plurality of layers.
일 실시예에서, 2 개 및 2 개 이상의 OLED 유닛을 직렬 연결시켜 직렬 연결된 OLED를 형성할 수 있으며, 도 2에서는 직렬 연결된 유기 발광장치(500)를 개략적, 비한정적으로 도시하였다. 장치(500)는 기판(101), 양극(110), 제1 유닛(100), 전하 생성층(300), 제2 유닛(200) 및 음극(290)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 유닛(100)은 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 전자 차단층(140), 발광층(150), 정공 차단층(160), 전자 수송층(170)을 포함하고, 제2 유닛(200)은 정공 주입층(220), 정공 수송층(230), 전자 차단층(240), 발광층(250), 정공 차단층(260), 전자 수송층(270) 및 전자 주입층(280)을 포함하며, 전하 생성층(300)은 N형 전하 생성층(310) 및 P형 전하 생성층(320)을 포함한다. 장치(500)는 설명된 층을 순차적으로 적층(deposit)함으로써 제조될 수 있다.In one embodiment, a series-connected OLED may be formed by connecting two or more OLED units in series, and FIG. 2 schematically, but not exclusively, illustrates a series-connected organic
OLED도 캡슐화층을 배치할 수 있으며, 도 3에서는 유기 발광장치(600)를 개략적, 비한정적으로 도시하였다. 이와 도 2의 차이점은, 음극(290) 위에는 환경으로부터 유해물질(예를 들어, 수분 및 산소)을 방지하도록 캡슐화층(Encapsulation layer)(102)을 더 포함하는 것이다. 캡슐화 기능을 제공할 수 있는 임의의 재료는 모두 캡슐화층(예를 들어, 유리 또는 유기-무기 혼합층)으로 사용될 수 있다. 캡슐화층은 OLED소자의 외부에 직접적 또는 간접적으로 배치되어야 한다. 다중박막 캡슐화는 미국특허 US7968146B2에서 기술되었으며, 그 전부내용은 본 출원에 인용되어 결합된다.An OLED may also have an encapsulation layer, and FIG. 3 schematically and non-limitingly illustrates an organic
본 발명의 실시예에 따라 제조된 소자는 해당 소자의 하나 또는 복수의 전자부재모듈(또는 유닛)을 구비하는 여러 종류의 소비재에 통합될 수 있다. 이러한 소비재의 일부 예시는 평판 디스플레이, 모니터, 의료 모니터, 텔레비전, 광고판, 실내 또는 실외용 조명등 및/또는 신호등, 헤드업 디스플레이(head-up display), 전체적으로 투명하거나 부분적으로 투명한 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 스마트폰, 태블릿, 태블릿 폰, 웨어러블 장치(wearable device), 스마트 시계, 랩톱 컴퓨터(laptop computer), 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더(viewfinder), 마이크로 디스플레이, 3D 디스플레이, 차량 디스플레이 및 후미등을 포함한다.A device fabricated according to an embodiment of the present invention may be integrated into various types of consumer goods having one or a plurality of electronic member modules (or units) of the device. Some examples of such consumer products are flat panel displays, monitors, medical monitors, televisions, billboards, indoor or outdoor lighting and/or traffic lights, head-up displays, fully transparent or partially transparent displays, flexible displays, and smartphones. , tablets, tablet phones, wearable devices, smart watches, laptop computers, digital cameras, camcorders, viewfinders, micro displays, 3D displays, vehicle displays and taillights.
본문에 기재된 재료 및 구조는 상기에 열거된 다른 유기 전자소자에 사용될 수도 있다.The materials and structures described herein may be used in other organic electronic devices listed above.
본문에 사용된 “상단”은 기판과 가장 멀리 위치함을 의미하고, “하단”은 기판과 가장 가깝게 위치함을 의미한다. 제1 층이 제2 층 “상”에 “배치”된다고 설명되는 경우, 제1 층은 기판과 비교적 멀리 위치하도록 배치된다. 제1 층 “및” 제2 층이 “접촉”한다고 규정되지 않는 한, 제1 층과 제2 층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 음극과 양극 사이에 여러 종류의 유기층이 존재하더라도 여전히 음극이 양극 “상”에 “배치”된다고 설명할 수 있다.The “top” used in the text means the farthest from the board, and the “bottom” means the closest to the board. When a first layer is described as being “disposed” “on” a second layer, the first layer is disposed relatively far from the substrate. Other layers may be present between the first layer and the second layer, unless it is specified that the first layer "and" the second layer "contact." For example, even though there are some kind of organic layers between the cathode and anode, it can still be described as being “placed” on top of the anode.
본문에 사용된 “용액 처리 가능”은, 용액 또는 현탁액의 형태로 액체 매질에서 용해, 분산 또는 수송될 수 있음 및/또는 액체 매질로부터 침전될 수 있음을 의미한다.As used herein, “solution processable” means capable of being dissolved, dispersed, or transported in a liquid medium in the form of a solution or suspension and/or capable of being precipitated from a liquid medium.
리간드가 발광재료의 감광성능에 직접적으로 작용한다고 사료되는 경우, 리간드는 “감광성 리간드”라 할 수 있다. 리간드가 발광재료의 감광성능에 작용하지 않는다고 사료되는 경우, 리간드는 “보조 리간드”라 할 수 있는데, 보조 리간드는 감광성 리간드의 성질을 변경할 수 있다.When it is considered that the ligand directly affects the photosensitivity of the light emitting material, the ligand may be referred to as a "photosensitive ligand". If it is considered that the ligand does not affect the light-sensitive performance of the light emitting material, the ligand may be referred to as an "auxiliary ligand", and the auxiliary ligand may change the properties of the photosensitive ligand.
형광 OLED의 내부 양자 효율(IQE)은 지연 형광을 통해 25%의 스핀 통계(spin statistics) 한계를 초과할 수 있는 것으로 여겨진다. 지연 형광은 일반적으로 두 가지 유형, 즉 P형 지연 형광 및 E형 지연 형광으로 나뉠 수 있다. P형 지연 형광은 삼중항-삼중항 소멸(TTA)에 의해 생성된다.It is believed that the internal quantum efficiency (IQE) of fluorescent OLEDs can exceed the spin statistics limit of 25% through delayed fluorescence. Delayed fluorescence can generally be divided into two types: P-type delayed fluorescence and E-type delayed fluorescence. P-type delayed fluorescence is generated by triplet-triplet extinction (TTA).
다른 측면으로, E형 지연 형광은 2 개의 삼중항 상태의 충돌에 의존하지 않고 삼중항 상태와 일중항 여기상태(singlet-excited state) 사이의 전이에 의존한다. E형 지연 형광을 생성할 수 있는 화합물은 에너지 상태 간의 전환을 진행할 수 있도록 매우 작은 일중항-삼중항 갭(gap)을 구비해야 한다. 열에너지는 삼중항 상태에서 일중항 상태로의 전이(transition)를 활성화할 수 있다. 이러한 유형의 지연 형광은 또한 열활성 지연 형광(TADF)이라 한다. TADF의 현저한 특징으로는 지연요소는 온도가 높아짐에 따라 증가하는 것이다. 역계간교차(reverse intersystem crossing)(RISC)의 속도가 충분히 빨라 삼중항 상태에 의한 비방사성감쇠를 최소화한다면, 백필링(back-filling)된 일중항 여기상태의 비율은 75%에 도달할 수 있다. 일중항 상태의 총 비율은 100%일 수 있으며 이는 전계가 생성한 엑시톤의 스핀 통계의 25%를 훨씬 초과한다.In another aspect, E-type delayed fluorescence does not depend on collisions between two triplet states, but rather on a transition between a triplet state and a singlet-excited state. A compound capable of generating E-type delayed fluorescence must have a very small singlet-triplet gap to be able to transition between energy states. Thermal energy can activate a transition from the triplet state to the singlet state. This type of delayed fluorescence is also referred to as thermally activated delayed fluorescence (TADF). A remarkable feature of TADF is that the delay factor increases with increasing temperature. If the rate of reverse intersystem crossing (RISC) is fast enough to minimize the non-radiative attenuation by triplet states, the proportion of back-filled singlet excited states can reach 75%. . The total fraction of singlet states can be 100%, which far exceeds 25% of the field-generated excitons' spin statistics.
E형 지연 형광의 특징은 들뜬 복합체(exciplex system) 시스템 또는 단일 화합물에서 발견될 수 있다. 이론에 구속되지 안고, E형 지연 형광은 발광재료가 일중항-삼중항의 작은 에너지 갭(energy gap)(ΔES-T)을 구비해야 한다고 여겨진다. 비금속을 함유하는 유기 공예체-수용체 발광재료는 이러한 특징을 실현할 가능성이 있다. 이러한 물질의 방출은 일반적으로 공예체-수용체 전하이동(CT)형 방출로 표징된다. 이러한 공예체-수용체형 화합물에서 HOMO와 LUMO의 공간적 분리는 일반적으로 작은 ΔES-T을 생성한다. 이러한 상태는 CT 상태를 포함할 수 있다. 일반적으로, 공예체-수용체 발광재료는 전자 공예체부분(예를 들어, 아미노기 또는 카바졸 유도체)과 전자 수용체부분(예를 들어, N을 함유하는 6원 방향족고리)을 연결함으로써 구성된다.Characteristics of type E delayed fluorescence can be found in exciplex systems or single compounds. Without being bound by theory, it is believed that E-type delayed fluorescence requires the light emitting material to have a small singlet-triplet energy gap (ΔES-T). Organic shell-acceptor luminescent materials containing non-metals have the potential to realize these characteristics. The release of these substances is generally characterized by anticorrelator-receptor charge transfer (CT) type release. Spatial separation of HOMO and LUMO in these antireceptor-receptor compounds usually results in small ΔES-T. Such conditions may include CT conditions. In general, a craft-acceptor luminescent material is constituted by connecting an electron crafting body moiety (eg, an amino group or a carbazole derivative) and an electron acceptor moiety (eg, a 6-membered aromatic ring containing N).
치환기 용어의 정의에 관하여,Regarding the definition of substituent terms,
할로겐 또는 할로젠화물-은 본문에 사용된 바와 같이 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 포함한다.Halogen or halide-as used herein includes fluorine, chlorine, bromine and iodine.
알킬기는 직쇄형 알킬기 및 분지형 알킬기를 포함한다. 알킬기의 예시는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2차부틸기(Sec-butyl), 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-부틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기를 포함한다. 또한, 알킬기는 임의로 치환될 수 있다. 알킬기 사슬에서의 탄소는 기타 헤테로원자에 의해 치환될 수 있다. 상기에서, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2차부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기 및 네오펜틸기가 바람직하다.Alkyl groups include straight-chain alkyl groups and branched alkyl groups. Examples of the alkyl group are methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, secondary butyl group (Sec-butyl), isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n -Heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group Decyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, neopentyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-pentylhexyl group, 1-butylpentyl group, 1-heptyloctyl group, 3 -Contains a methylpentyl group. Also, the alkyl group may be optionally substituted. Carbons in the chain of alkyl groups may be substituted by other heteroatoms. In the above, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, secondary butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group and neopentyl group are preferred.
시클로알킬기는 본문에 사용된 바와 같이 고리형 알킬기를 포함한다. 바람직한 시클로알킬기는 4~10 개의 고리탄소원자를 함유하는 시클로알킬기이며, 이는 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4,4-디메틸시클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노르보르닐기(1-norbornyl), 2- 노르보르닐기 등을 포함한다. 또한, 시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다. 고리에서의 탄소는 기타 헤테로원자에 의해 치환될 수 있다.Cycloalkyl groups as used herein include cyclic alkyl groups. Preferred cycloalkyl groups are cycloalkyl groups containing 4 to 10 ring carbon atoms, which include cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 4,4-dimethylcyclohexyl, 1-adamane tyl group, 2-adamantyl group, 1-norbornyl group, 2-norbornyl group, and the like. Also, the cycloalkyl group may be optionally substituted. Carbons in the ring may be substituted by other heteroatoms.
알케닐기는 본문에 사용된 바와 같이 직쇄형 올레핀기 및 분지형 올레핀기를 포함한다. 바람직한 알케닐기는 2~15 개의 탄소원자를 함유하는 알케닐기이다. 알케닐기의 예시는 비닐기, 알릴기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1,3-부타디에닐기(1,3-butadienyl), 1-메틸비닐기, 스티릴기, 2,2-디페닐비닐기, 1,2-디페닐비닐기, 1-메틸알릴기, 1,1-디메틸알릴기, 2-메틸알릴기, 1-페닐알릴기, 2-페닐알릴기, 3-페닐알릴기, 3,3-디페닐알릴기, 1,2-디메틸알릴기, 1-페닐-1-부테닐기 및 3-페닐-1-부테닐기를 포함한다. 또한, 알케닐기는 임의로 치환될 수 있다.Alkenyl groups as used herein include straight chain olefin groups and branched olefin groups. Preferred alkenyl groups are alkenyl groups containing 2 to 15 carbon atoms. Examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, a 1-butenyl group, a 2-butenyl group, a 3-butenyl group, a 1,3-butadienyl group, a 1-methylvinyl group, a styryl group, 2,2-diphenylvinyl group, 1,2-diphenylvinyl group, 1-methylallyl group, 1,1-dimethylallyl group, 2-methylallyl group, 1-phenylallyl group, 2-phenylallyl group, 3-phenylallyl group, 3,3-diphenylallyl group, 1,2-dimethylallyl group, 1-phenyl-1-butenyl group and 3-phenyl-1-butenyl group. Also, the alkenyl group may be optionally substituted.
알키닐기는 본문에 사용된 바와 같이 직쇄형 알키닐기 및 분지형 알키닐기를 포함한다. 바람직한 알키닐기는 2~15 개의 탄소원자를 함유하는 알키닐기이다. 또한, 알키닐기는 임의로 치환될 수 있다.Alkynyl groups as used herein include straight-chain alkynyl groups and branched alkynyl groups. A preferred alkynyl group is an alkynyl group containing 2 to 15 carbon atoms. Also, an alkynyl group may be optionally substituted.
아릴기 또는 방향족기는 본문에 사용된 바와 같이 융합 시스템(condensed systems)과 비융합 시스템을 고려한다. 바람직한 아릴기는 6~60 개의 탄소원자를 함유하는 아릴기이고, 더 바람직하게는 6~20 개의 탄소원자를 함유하는 아릴기이며, 보다 더 바람직하게는 6~12 개의 탄소원자를 함유하는 아릴기이다. 아릴기의 예시는 페닐기, 비페닐, 터페닐, 트리페닐렌(triphenylene), 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌(phenalene), 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센(chrysene), 페릴렌(perylene) 및 아줄렌(azulene)을 포함하고, 바람직하게는 페닐기, 비페닐, 터페닐, 트리페닐렌, 플루오렌 및 나트탈렌을 포함한다. 또한, 아릴기는 임의로 치환될 수 있다. 비융합 아릴기의 예시는 페닐기, 비페닐-2-일기(biphenyl-2-yl group), 비페닐-3-일기, 비페닐-4-일기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 4'-메틸비페닐릴기, 4''-터트부틸기-p-터페닐-4-일기, o-쿠메닐기(o-cumenyl), m-쿠메닐기, p-쿠메닐기, 2,3-크실릴기, 3,4-크실릴기, 2,5-크실릴기, 메시틸기(mesityl group) 및 m-쿼테르페닐기(m-quaterphenyl)를 포함한다.Aryl groups or aromatic groups, as used herein, consider condensed and unfused systems. Preferred aryl groups are aryl groups containing 6 to 60 carbon atoms, more preferably aryl groups containing 6 to 20 carbon atoms, and still more preferably aryl groups containing 6 to 12 carbon atoms. Examples of aryl groups include phenyl group, biphenyl, terphenyl, triphenylene, tetraphenylene, naphthalene, anthracene, phenalene, phenanthrene, fluorene, pyrene, chrysene, and perylene. (perylene) and azulene, and preferably includes a phenyl group, biphenyl, terphenyl, triphenylene, fluorene and naphthalene. Also, an aryl group may be optionally substituted. Examples of non-fused aryl groups are phenyl group, biphenyl-2-yl group, biphenyl-3-yl group, biphenyl-4-yl group, p-terphenyl-4-yl group, p-ter Phenyl-3-yl group, p-terphenyl-2-yl group, m-terphenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, m-tol Ryl group, p-tolyl group, p-(2-phenylpropyl)phenyl group, 4'-methylbiphenylyl group, 4''-tertbutyl group-p-terphenyl-4-yl group, o-cumenyl group (o-cumenyl ), m-cumenyl group, p-cumenyl group, 2,3-xylyl group, 3,4-xylyl group, 2,5-xylyl group, mesityl group and m-quaterphenyl group (m -quaterphenyl).
헤테로시클릭기 또는 헤테로시클릴은 본문에 사용된 바와 같이 방향족 고리형 그룹 및 비방향족 고리형 그룹을 고려한다. 헤테로방향족기는 또한 헤테로아릴기를 의미한다. 바람직한 비방향족헤테로시클릭기는 3~7 개의 고리원자를 함유하는 것으로, 질소, 산소 및 황과 같은 적어도 하나의 헤테로원자를 포함한다. 헤테로시클릭기는 질소원자, 산소원자, 황원자 및 셀레늄원자에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 구비하는 방향족헤테로시클릭기일 수 있다.Heterocyclic group or heterocyclyl as used herein contemplates aromatic cyclic groups and non-aromatic cyclic groups. Heteroaromatic group also refers to a heteroaryl group. Preferred non-aromatic heterocyclic groups are those containing 3 to 7 ring atoms and include at least one heteroatom such as nitrogen, oxygen and sulfur. The heterocyclic group may be an aromatic heterocyclic group having at least one heteroatom selected from a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and a selenium atom.
헤테로아릴기는 본문에 사용된 바와 같이, 1~5 개의 헤테로원자를 함유할 수 있는 비융합 및 융합된 헤테로방향족 그룹을 포함하는 것을 고려하였다. 바람직한 헤테로아릴기는 3~30 개의 탄소원자를 함유하는 헤테로아릴기이고, 더 바람직하게는 3~20 개의 탄소원자를 함유하는 헤테로아릴기이며, 보다 더 바람직하게는 3~12 개의 탄소원자를 함유하는 헤테로아릴기이다. 적합한 헤테로아릴기는 디벤조티오펜(dibenzothiophene), 디벤조푸란(dibenzofuran), 디벤조셀레노펜(dibenzoselenophene), 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜(benzoselenophene), 카바졸(carbazole), 인돌로카르바졸(indolocarbazole), 피리딘인돌로(pyridine indole), 피롤로피리딘(Pyrrolopyridine), 피라졸, 이미다졸, 트리아졸(Triazole), 옥사졸(oxazole), 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진(pyridazine), 피리미딘, 피라진(pyrazine), 트리아진(triazine), 옥사진(oxazine), 옥사티아진(oxathiazine), 옥사디아진(oxadiazine), 인돌(Indole), 벤즈이미다졸(benzimidazole), 인다졸, 인독사진(indoxazine), 벤조옥사졸, 벤지스옥사졸(benzisoxazole), 벤조티아졸, 퀴놀린(quinoline), 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진(phthalazine), 프테리딘(pteridine), 크산텐(xanthene), 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 벤조푸라노피리딘(Benzofuranopyridine), 푸라노디피리딘(Furanodipyridine), 벤조티에노피리딘 (Benzothienopyridine), 티에노디피리딘(Thienodipyridine), 벤조셀레노페노피리딘 (benzoselenophenopyridine), 셀레노페노디피리딘 (selenophenodipyridine)을 포함하고, 바람직하게는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 카바졸, 인돌로카르바졸, 이미다졸, 피리딘, 트리아진, 벤즈이미다졸, 1,2-아자보란(1,2-azaborane), 1,3-아자보란, 1,4- 아자보란, 보라진(borazine) 및 이들의 아자 유사체를 포함한다. 또한, 헤테로아릴기는 임의로 치환될 수 있다.Heteroaryl groups, as used herein, are contemplated to include unfused and fused heteroaromatic groups that may contain from 1 to 5 heteroatoms. Preferred heteroaryl groups are heteroaryl groups containing 3 to 30 carbon atoms, more preferably heteroaryl groups containing 3 to 20 carbon atoms, and even more preferably heteroaryl groups containing 3 to 12 carbon atoms. am. Suitable heteroaryl groups include dibenzothiophene, dibenzofuran, dibenzoselenophene, furan, thiophene, benzofuran, benzothiophene, benzoselenophene, carbazole ), indolocarbazole, pyridine indole, pyrrolopyridine, pyrazole, imidazole, triazole, oxazole, thiazole, oxadiazole, Oxatriazole, dioxazole, thiadiazole, pyridine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, triazine, oxazine, oxathiazine, oxadiazine (oxadiazine), indole, benzimidazole, indazole, indoxazine, benzoxazole, benzisoxazole, benzothiazole, quinoline, isoquinoline, cin Noline, quinazoline, quinoxaline, naphthyridine, phthalazine, pteridine, xanthene, acridine, phenazine, phenothiazine, benzofuranopyridine, It includes furanodipyridine, benzothienopyridine, thienodipyridine, benzoselenophenopyridine, selenophenodipyridine, preferably dibenzothiophene, Dibenzofuran, dibenzoselenophene, carbazole, indolocarbazole, imidazole, pyridine, triazine, benzimidazole, 1,2-azaborane, 1,3-azaborane, 1,4-azaborane, borazine and their aza analogues. Also, a heteroaryl group may be optionally substituted.
알콕시기-는 -O-알킬기로 표시된다. 알킬기의 예시와 바람직한 예시는 상술한 바와 같다. 1~20 개의 탄소원자를 구비하고 바람직하게는 1~6 개의 탄소원자를 구비하는 알콕시기의 예시는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기 및 헥실옥시기를 포함한다. 3 개 이상의 탄소원자를 구비하는 알콕시기는 직쇄형, 고리형 또는 분지형일 수 있다.An alkoxy group - is represented by an -O-alkyl group. Examples and preferred examples of the alkyl group are as described above. Examples of the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms and preferably having 1 to 6 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a pentyloxy group and a hexyloxy group. An alkoxy group having 3 or more carbon atoms may be straight-chain, cyclic or branched.
아릴옥시기-는 -O-아릴기 또는 -O-헤테로아릴기로 표시된다. 아릴기 및 헤테로아릴기의 예시와 바람직한 예시는 상술한 바와 같다. 6~40 개의 탄소원자를 구비하는 아릴옥시기의 예시는 페녹시기 및 비페닐옥시기를 포함한다.Aryloxy group - is represented by -O-aryl group or -O-heteroaryl group. Examples and preferred examples of the aryl group and the heteroaryl group are as described above. Examples of aryloxy groups having 6 to 40 carbon atoms include phenoxy groups and biphenyloxy groups.
아랄킬기(Arylalkyl group)는 본문에 사용된 바와 같이 아릴치환기를 구비하는 알킬기이다. 또한, 아랄킬기는 임의로 치환될 수 있다. 아랄킬기의 예시는 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐이소프로필기, 2-페닐이소프로필기, 페닐t-부틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸-에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸이소프로필기, 2-α-나프틸이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸-에틸기, 2-β-나프틸-에틸기, 1-β-나프틸이소프로필기, 2-β-나프틸이소프로필기, p-메틸벤질기, m-메틸벤질기, o-메틸벤질기, p-클로로벤질기(p-chlorobenzyl), m-클로로벤질기, o-클로로벤질기, p-브로모벤질기(p-bromobenzyl), m-브로모벤질기, o-브로모벤질기, p-요오드벤질기 (p-iodobenzyl), m-요오드벤질기, o-요오드벤질기, p-하이드록시벤질기(p-hydroxybenzyl), m-하이드록시벤질기, o-하이드록시벤질기, p-아미노벤질기, m-아미노벤질기, o-아미노벤질기, p-니트로벤질기, m-니트로벤질기, o-니트로벤질기, p-시아노벤질기, m-시아노벤질기, o-시아노벤질기, 1-하이드록시-2-페닐이소프로필기 및 1-클로로-2-페닐이소프로필기를 포함한다. 상기에서, 벤질기, p-시아노벤질기, m-시아노벤질기, o-시아노벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐이소프로필기 및 2-페닐이소프로필기가 바람직하다.An aralkyl group, as used herein, is an alkyl group having an aryl substituent. Also, an aralkyl group may be optionally substituted. Examples of the aralkyl group are benzyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenylisopropyl group, 2-phenylisopropyl group, phenyl t-butyl group, α-naphthylmethyl group, 1-α-naphthyl group -Ethyl group, 2-α-naphthylethyl group, 1-α-naphthylisopropyl group, 2-α-naphthylisopropyl group, β-naphthylmethyl group, 1-β-naphthyl-ethyl group, 2-β- Naphthyl-ethyl group, 1-β-naphthylisopropyl group, 2-β-naphthylisopropyl group, p-methylbenzyl group, m-methylbenzyl group, o-methylbenzyl group, p-chlorobenzyl group (p -chlorobenzyl), m-chlorobenzyl group, o-chlorobenzyl group, p-bromobenzyl group (p-bromobenzyl), m-bromobenzyl group, o-bromobenzyl group, p-iodobenzyl group (p- iodobenzyl), m-iodobenzyl group, o-iodobenzyl group, p-hydroxybenzyl group (p-hydroxybenzyl), m-hydroxybenzyl group, o-hydroxybenzyl group, p-aminobenzyl group, m-amino Benzyl group, o-aminobenzyl group, p-nitrobenzyl group, m-nitrobenzyl group, o-nitrobenzyl group, p-cyanobenzyl group, m-cyanobenzyl group, o-cyanobenzyl group, 1- It includes a hydroxy-2-phenylisopropyl group and a 1-chloro-2-phenylisopropyl group. In the above, the benzyl group, p-cyanobenzyl group, m-cyanobenzyl group, o-cyanobenzyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenylisopropyl group and 2-phenylisopropyl group desirable.
아자디벤조푸란(azadibenzofuran), 아자-디벤조티오펜 등에서의 용어 "아자"는 상응하는 방향족 단편에서의 하나 또는 복수의 C-H 그룹이 질소원자로 대체됨을 의미한다. 예를 들어, 아자트리페닐렌(azatriphenylene)은 디벤조[f, h]퀴녹살린, 디벤조[f, h]퀴놀린 및 고리계에 2 개 또는 그 이상의 질소를 갖는 기타 유사체를 포함한다. 본 분야 당업자는 상술한 아자 유도체의 기타 질소 유사체를 쉽게 생각해낼 수 있으며, 이러한 모든 유사체는 본문에 기재된 용어에 포함되는 것으로 확정된다. The term "aza" in azadibenzofuran, aza-dibenzothiophene, etc., means that one or more C-H groups in the corresponding aromatic fragment are replaced by nitrogen atoms. For example, azatriphenylene includes dibenzo[f,h]quinoxaline, dibenzo[f,h]quinoline, and other analogs having two or more nitrogens in the ring system. Other nitrogenous analogs of the aza derivatives described above can readily be envisioned by those skilled in the art, and all such analogs are intended to be included within the term set forth herein.
이해해야 할 것은, 분자 단편이 치환기로 설명되거나 기타 형태로 기타 부분에 연결되는 경우, 그것이 단편(예를 들어, 페닐기, 페닐렌기, 나프틸기, 디벤조푸란기)인지 또는 그것이 전체 분자(예를 들어, 벤젠, 나프탈렌(naphthalene), 디벤조푸란)인지에 따라 명명된다. 본문에 사용된 바와 같이, 치환기 또는 단편연결을 지정하는 이러한 상이한 방식은 동일한 것으로 간주한다. It should be understood that when a fragment of a molecule is described by a substituent or linked to other moieties in some other way, whether it is a fragment (e.g., a phenyl group, a phenylene group, a naphthyl group, a dibenzofuran group) or it is an entire molecule (e.g. , benzene, naphthalene, dibenzofuran). As used herein, these different ways of designating substituents or fragment linkages are considered equivalent.
본 출원에 언급된 화합물에서, 수소원자는 부분적 또는 전체적으로 듀테륨으로 대체될 수 있다. 탄소 및 질소와 같은 다른 원소도 이들의 기타 안정적인 동위원소로 대체될 수 있다. 이는 소자의 효율 및 안정성을 향상시키므로, 화합물에서 기타 안정적인 동위원소를 대체하는 것은 바람직할 수 있다.In the compounds mentioned in this application, hydrogen atoms may be partially or entirely replaced by deuterium. Other elements such as carbon and nitrogen may also be replaced by other stable isotopes of these. As this improves the efficiency and stability of the device, it may be desirable to substitute other stable isotopes in the compound.
본 출원에 언급된 화합물에서, 다중치환은 이중치환을 포함한 최대 사용가능한 치환까지의 범위를 나타낸다. 본 출원에서 언급된 화합물에서, 어느 치환기가 다중치환(이치환, 삼치환, 사치환 등을 포함)을 나타낼 경우, 해당 치환기가 그 연결 구조에서의 복수의 사용가능한 치환 위치에 존재할 수 있음을 나타내고, 복수의 사용가능한 치환 위치에 존재하는 치환기는 동일한 구조일 수 있고 부동한 구조일 수도 있다.In the compounds mentioned in this application, polysubstitution refers to a range up to the maximum usable substitution, including disubstitutions. In the compounds mentioned in this application, when any substituent represents polysubstitution (including di-, tri-, tetra-substitution, etc.), it indicates that the substituent may be present at a plurality of available substitution positions in the linkage structure, Substituents present at a plurality of available substitution positions may have the same structure or may have different structures.
본 발명에서, 달리 정의되지 않는 한, 치환된 알킬기, 치환된 시클로알킬기, 치환된 헤테로알킬기, 치환된 아랄킬기, 치환된 알콕시기, 치환된 아릴옥시기, 치환된 알케닐기, 치환된 아키닐기, 치환된 아릴기, 치환된 헤테로아릴기, 치환된 알킬실릴기, 치환된 아릴실릴기, 치환된 아미노기, 치환된 아실기, 치환된 카르보닐기, 치환된 카르복실산기, 치환된 에스테르기, 치환된 술피닐기, 치환된 술포닐기, 치환된 포스포로소기로 이루어진 군 중의 임의의 하나의 용어가 사용되는 경우, 이는 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로알킬기, 아랄킬기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알케닐기, 아키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 술피닐기, 술포닐기 및 포스포로소기 중의 임의의 하나의 그룹이, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group), 0~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 티올기(thiol group), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기 및 이들 조합에서 선택된 하나 또는 복수 개에 의해 치환될 수 있음을 의미한다.In the present invention, unless otherwise defined, a substituted alkyl group, a substituted cycloalkyl group, a substituted heteroalkyl group, a substituted aralkyl group, a substituted alkoxy group, a substituted aryloxy group, a substituted alkenyl group, a substituted akinyl group, Substituted aryl group, substituted heteroaryl group, substituted alkylsilyl group, substituted arylsilyl group, substituted amino group, substituted acyl group, substituted carbonyl group, substituted carboxylic acid group, substituted ester group, substituted sulfy When any one term from the group consisting of an yl group, a substituted sulfonyl group, and a substituted phosphoroso group is used, it is an alkyl group, a cycloalkyl group, a heteroalkyl group, an aralkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkenyl group, an akinyl group , An aryl group, a heteroaryl group, an alkylsilyl group, an arylsilyl group, an amino group, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, and a group of any one of a phosphoroso group, deuterium, halogen , an unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, an unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, Unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, unsubstituted having 2 to 20 carbon atoms Alkenyl group, unsubstituted akinyl group having 2 to 20 carbon atoms, unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, having 3 to 20 carbon atoms An unsubstituted alkylsilyl group, an unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, an unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, It means that it may be substituted by one or a plurality of groups selected from an ester group, a cyano group, an isocyano group, a thiol group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphoroso group, and combinations thereof.
본 발명에 언급된 화합물에서, 예를 들어 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다고 명확하게 한정하지 않는 한, 상기 화합물에서 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 없다. 본 발명에 언급된 화합물에서, 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 인접한 치환기가 연결되어 고리를 형성할 수 있는 경우를 포함하고, 또한 인접한 치환기가 연결되지 않아 고리를 형성하지 않는 경우도 포함한다. 인접한 치환기가 임의로 연결되어 고리를 연결할 수 있는 경우, 형성된 고리는 단환식 고리, 다환식 고리, 지환식(alicyclic) 고리, 헤테로지환식(heteroalicyclic) 고리, 방향족 고리 또는 헤테로방향족 고리일 수 있다. 이러한 표현에서, 인접한 치환기는 동일한 원자에 결합된 치환기, 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 치환기, 또는 더 멀리 떨어진 탄소원자에 결합된 치환기를 지칭할 수 있다. 바람직하게는, 인접한 치환기는 동일한 탄소원자에 결합된 치환기 및 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 치환기를 지칭한다.In the compounds mentioned in the present invention, for example, adjacent substituents in the compound cannot be optionally linked to form a ring, unless it is specifically defined that the adjacent substituents can be optionally linked to form a ring. In the compounds mentioned in the present invention, adjacent substituents may be optionally linked to form a ring, including cases where adjacent substituents may be linked to form a ring, and also when adjacent substituents are not linked to form a ring. Including case When adjacent substituents can be optionally linked to link rings, the ring formed may be a monocyclic ring, a polycyclic ring, an alicyclic ring, a heteroalicyclic ring, an aromatic ring, or a heteroaromatic ring. In this expression, adjacent substituents may refer to substituents bonded to the same atom, substituents bonded to carbon atoms directly bonded to each other, or substituents bonded to carbon atoms further apart. Preferably, adjacent substituents refer to substituents bonded to the same carbon atom and substituents bonded to carbon atoms bonded directly to each other.
인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 동일한 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기가 화학결합에 의해 서로 연결되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이며, 이는 하기 식을 통해 예시된다:The intention of the expression that adjacent substituents may be optionally linked to form a ring is also to consider that two substituents bonded to the same carbon atom are linked to each other by chemical bonds to form a ring, which is exemplified through the following formula :
인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기가 화학결합에 의해 서로 연결되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이며, 이는 하기 식을 통해 예시된다:The intention of the expression that adjacent substituents may be optionally linked to form a ring is also to consider that two substituents bonded to carbon atoms directly bonded to each other are linked to each other by chemical bonds to form a ring, which represents the following formula exemplified via:
이외, 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기 중 하나가 수소를 나타낼 경우, 두 번째 치환기는 수소원자가 결합된 위치 측에 결합되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이다. 이는 하기 식을 통해 예시된다:In addition, the intention of the expression that adjacent substituents may be arbitrarily linked to form a ring is also that when one of the two substituents bonded to the carbon atom directly bonded to each other represents hydrogen, the second substituent is on the side where the hydrogen atom is bonded. It is intended to be considered to have been combined to form a ring. This is illustrated through the formula:
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 (1)의 구조를 구비하는 화합물을 개시한다:According to one embodiment of the present invention, a compound having the structure of formula (1) is disclosed:
여기서, X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR"R"', NR', O, S 또는 Se에서 선택되고;wherein X and Y are identically or differently selected from CR"R"', NR', O, S or Se each time they occur;
여기서, Z1 및 Z2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S 또는 Se에서 선택되며;wherein Z 1 and Z 2 are identically or differently selected from O, S or Se each time they occur;
R, R', R" 및 R"'은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;Each time R, R', R" and R"' appear identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , Boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 3 to 20 ring carbon atoms atoms), substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and 1 to 20 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkoxy group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms Or an unsubstituted akinyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 3 to 20 carbon atoms It is selected from the group consisting of an alkylsilyl group, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and combinations thereof;
여기서, 각 R은 동일하거나 상이할 수 있으며, R, R', R" 및 R"' 중 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기(electron withdrawing group)를 구비하는 그룹이며;Here, each R may be the same or different, and at least one of R, R', R" and R"' is a group having at least one electron withdrawing group;
인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.Adjacent substituents may be optionally linked to form a ring.
본 실시예에서, R, R', R" 및 R"'은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 상기 치환기 군에서 선택되는 것은 해당 분야 당업자에게 있어서, 자명하게 확정할 수 있으며, 식 (1)에서 동시에 나타난 동일한 번호를 갖는 2 개의 임의의 치환기(예를 들어 R, R', R" 또는 R"')는 동일한 치환기 또는 상이한 치환기에서 선택될 수 있다.In this embodiment, each time R, R', R" and R"' are selected identically or differently from the substituent group, it can be clearly determined by those skilled in the art, and at the same time in Formula (1) Any two substituents with the same number shown (eg R, R', R" or R"') may be selected from the same substituent or different substituents.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR'R" 또는 NR"'에서 선택되고, R', R" 및 R"'은 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이다.According to one embodiment of the present invention, wherein X and Y are identically or differently selected from CR'R" or NR"' each time they occur, and R', R" and R"' have at least one electron withdrawing group. It is a group.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR'R" 또는 NR"'에서 선택되고, R, R', R" 및 R"'은 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이다.According to one embodiment of the present invention, wherein X and Y are identically or differently selected from CR'R" or NR"' each time they occur, and R, R', R" and R"' are at least one electron withdrawing group is a group with
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S 또는 Se에서 선택되고, R 중 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이다.According to an embodiment of the present invention, each occurrence of X and Y is identically or differently selected from O, S or Se, and at least one of R is a group having at least one electron withdrawing group.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S 또는 Se에서 선택되고, R은 모두 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이다.According to one embodiment of the present invention, where X and Y are identically or differently selected from O, S or Se each time they occur, and R are all groups having at least one electron withdrawing group.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 전자 흡인기의 Hammett 상수는 0.05 이상이거나, 상기 전자 흡인기의 Hammett 상수는 0.3 이상이거나, 또는 상기 전자 흡인기의 Hammett 상수는 0.5 이상이다.According to an embodiment of the present invention, the Hammett constant of the electron withdrawing group is 0.05 or more, the Hammett constant of the electron withdrawing group is 0.3 or more, or the Hammett constant of the electron withdrawing group is 0.5 or more.
본 발명의 상기 전자 흡인기의 Hammett 치환기 상수값은 0.05 이상이고 바람직하게는 0.3 이상하며 더 바람직하게는 0.5 이상이며, 전자흡인능력이 비교적 강하며, 화합물의 LUMO 에너지준위를 현저히 감소시켜 전하 이동도를 향상시키는 효과를 달성할 수 있다.The Hammett substituent constant value of the electron withdrawing group of the present invention is 0.05 or more, preferably 0.3 or more, and more preferably 0.5 or more, the electron withdrawing ability is relatively strong, and the LUMO energy level of the compound is significantly reduced to increase the charge mobility. improvement effect can be achieved.
설명해야 할 것은, 상기 Hammett 치환기 상수값은 Hammett 치환기 파라(para) 상수 및/또는 메타(meta) 상수를 포함하고, 파라 상수와 메타 상수 중 하나가 0.05 이상인 조건을 충족하기만 하면, 본 발명에서 선택된 그룹으로서 사용될 수 있다.It should be explained that, as long as the Hammett substituent constant value includes the Hammett substituent para constant and/or meta constant, and one of the para constant and the meta constant satisfies the condition of 0.05 or more, in the present invention Can be used as a selected group.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 전자 흡인기는 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 아자방향족고리로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 아자방향족고리 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 하기 임의의 하나의 그룹: 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, wherein the electron withdrawing group is a halogen, a nitroso group, a nitro group, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a cyano group, an isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , and a boranyl group. (Boranyl), a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphoroso group, or selected from the group consisting of an aza aromatic ring, or a halogen, a nitroso group, a nitro group, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, and a cyano group. Any one of the following groups substituted with one or a plurality of no groups, isocyano groups, SCN, OCN, SF5, boranyl groups, sulfinyl groups, sulfonyl groups, phosphoroso groups, and aza aromatic rings: 1 to An alkyl group having 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, a heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and a cycloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Alkoxy group having 20 carbon atoms, aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, akinyl group having 2 to 20 carbon atoms, aryl group having 6 to 30 carbon atoms, 3 It is selected from the group consisting of a heteroaryl group having ~30 carbon atoms, an alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, an arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and combinations thereof.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 전자 흡인기는 F, CF3, OCF3, SF5, SO2CF3, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, the electron withdrawing group is F, CF 3 , OCF 3 , SF 5 , SO 2 CF 3 , cyano group, isocyano group, SCN, OCN, pyrimidyl group, triazinyl group, and selected from the group consisting of combinations.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택된다:According to one embodiment of the present invention, where X and Y are identically or differently selected from the group consisting of the following structures each time they occur:
여기서, R1은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;Here, each time R 1 appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF5, violet Boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted having 3 to 20 ring carbon atoms cycloalkyl group, substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted 1 to 20 carbon atoms Alkoxy group, substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted akinyl group having 2 to 20 carbon atoms, 6 A substituted or unsubstituted aryl group having ~30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms and combinations thereof;
여기서, V 및 W는 나타낼 때마다 동일하거나 상이하게 CRvRw, NRv, O, S, Se에서 선택되며;where V and W are selected identically or differently from CR v R w , NR v , O, S, and Se each time they are indicated;
여기서, Ar은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기에서 선택되고;Here, Ar is selected identically or differently each time it appears from a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms;
여기서, A, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rv 및 Rw는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;wherein A, R a , R b , R c , R d , R e , R f , R g , R h , R v and R w are identical or different each time they appear, hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, 1~ A substituted or unsubstituted alkyl group having 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms Heteroalkyl group, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, 2 A substituted or unsubstituted alkenyl group having ~20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted akinyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted aryl group having 3 to 30 carbon atoms. a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and It is selected from the group consisting of combinations thereof;
여기서, A는 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이며, 상기 임의의 구조에 있어서, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rv 및 Rw 중의 하나 또는 복수 개가 나타날 경우, 그 중의 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이다.Here, A is a group having at least one electron withdrawing group, and in any structure above, R a , R b , R c , R d , R e , R f , R g , R h , R v and R w When one or a plurality of them appear, at least one of them is a group having at least one electron withdrawing group.
본 실시예에서, "*"는 상기 X 및 Y 그룹이 식 (1)에서의 데하이드로벤조디옥사졸 고리, 데하이드로벤조디티아졸 고리 또는 데하이드로벤조디티아졸 고리와 연결된 위치를 나타낸다.In this embodiment, "*" represents the position where the X and Y groups are connected to the dehydrobenzodioxazole ring, dehydrobenzodithiazole ring or dehydrobenzodithiazole ring in formula (1).
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 R1은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 F, CF3, OCF3, SF5, SO2CF3, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 펜타플루오로페닐기, 4-시아노테트라플루오로페닐기, 테트라플루오로피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, each time R 1 appears, identically or differently, F, CF 3 , OCF 3 , SF 5 , SO 2 CF 3 , cyano group, isocyano group, SCN, OCN, pentafluoro It is selected from the group consisting of a phenyl group, a 4-cyanotetrafluorophenyl group, a tetrafluoropyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, and combinations thereof.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹은 F, CF3, OCF3, SF5, SO2CF3, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 펜타플루오로페닐기, 4-시아노테트라플루오로페닐기, 테트라플루오로피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택된다. According to one embodiment of the present invention, the group having at least one electron withdrawing group is F, CF 3 , OCF 3 , SF 5 , SO 2 CF 3 , a cyano group, an isocyano group, SCN, OCN, a pentafluorophenyl group, It is selected from the group consisting of a 4-cyanotetrafluorophenyl group, a tetrafluoropyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, and combinations thereof.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택된다:According to one embodiment of the present invention, where X and Y are identically or differently selected from the group consisting of the following structures each time they occur:
본 실시예에서, "*"는 상기 X 및 Y 그룹이 식 (1)에서의 데하이드로벤조디옥사졸 고리, 데하이드로벤조디티아졸 고리 또는 데하이드로벤조디티아졸 고리와 연결된 위치를 나타낸다.In this embodiment, "*" represents the position where the X and Y groups are connected to the dehydrobenzodioxazole ring, dehydrobenzodithiazole ring or dehydrobenzodithiazole ring in formula (1).
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소; 듀테륨; 할로겐; 니트로소기; 니트로기; 아실기; 카르보닐기; 카르복실산기; 에스테르기; 시아노기; 이소시아노기; SCN; OCN; SF5; 보라닐기(Boranyl); 술피닐기; 술포닐기; 포스포로소기(phosphoroso); 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬기; 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group); 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알콕시기; 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알케닐기; 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴기; 3~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로아릴기; 및 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기 및 포스포로소기(phosphoroso) 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 하기 임의의 하나의 그룹: 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기 및 그 조합; 으로 이루어진 군에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, wherein each time R appears, identically or differently, hydrogen; deuterium; halogen; nitroso group; nitro group; acyl group; carbonyl group; carboxylic acid group; ester group; cyano group; isocyano group; SCN; OCN; SF 5 ; Boranyl group; sulfinyl group; sulfonyl group; a phosphoroso group; an unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; an unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms; an unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms; An unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms; an unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; An unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms; And halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group and phosphoroso group (phosphoroso) any one of the following groups substituted with one or a plurality of groups: an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, and 1 to 20 an alkoxy group having 2 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, and combinations thereof; is selected from the group consisting of
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 메틸기, 이소프로필기, NO2, SO2CH3, SCF3, C2F5, OC2F5, OCH3, 디페닐메틸실릴기, 페닐기, 메톡시페닐기, p-메틸페닐기, 2,6-디이소프로필페닐기, 비페닐기, 폴리플루오로페닐기, 디플루오로피리딜기, 니트로페닐기, 디메틸티아졸기, CN 및 CF3 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 비닐기, CN 또는 CF3 중의 하나로 치환된 에티닐기, 디메틸포스포로소기, 디페닐포스포로소기, F, CF3, OCF3, SF5, SO2CF3, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 트리플루오로메틸페닐기, 트리플루오로메톡시페닐기, 비스(트리플루오로메틸)페닐기, 비스(트리플루오로메 톡시)페닐기, 4-시아노테트라플루오로페닐기, F, CN 및 CF3 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 페닐기 또는 비페닐기, 테트라플루오로피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 디페닐보라닐기, 옥사보라안트릴기(Oxaboraanthryl) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to an embodiment of the present invention, whenever R appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, methyl group, isopropyl group, NO 2 , SO 2 CH 3 , SCF 3 , C 2 F 5 , OC 2 F 5 , OCH 3 , diphenylmethylsilyl group, phenyl group, methoxyphenyl group, p-methylphenyl group, 2,6-diisopropylphenyl group, biphenyl group, polyfluorophenyl group, difluoropyridyl group, nitrophenyl group, dimethylthiazole group, A vinyl group substituted with one or more of CN and CF 3 , an ethynyl group substituted with one of CN or CF 3 , a dimethylphosphoroso group, a diphenylphosphoroso group, F, CF 3 , OCF 3 , SF 5 , SO 2 CF 3 , cyano group, isocyano group, SCN, OCN, trifluoromethylphenyl group, trifluoromethoxyphenyl group, bis(trifluoromethyl)phenyl group, bis(trifluoromethoxy)phenyl group, 4-cyanotetrafluoro A phenyl group, a phenyl group substituted with one or a plurality of F, CN, and CF 3 or a biphenyl group, a tetrafluoropyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, a diphenylboranyl group, an oxaboraanthryl group, and combinations thereof is selected from the group consisting of
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 X 및 Y는 이다.According to one embodiment of the present invention, wherein X and Y are am.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택된다:According to one embodiment of the present invention, where R is identically or differently selected from the group consisting of the following structures each time it appears:
본 실시예에서, ""는 상기 R 그룹이 식 (1)에서의 데하이드로벤조디옥사졸 고리, 데하이드로벤조디티아졸 고리 또는 데하이드로벤조디티아졸 고리와 연결된 위치를 나타낸다.In this embodiment, " " represents the position where the R group is connected to the dehydrobenzodioxazole ring, dehydrobenzodithiazole ring or dehydrobenzodithiazole ring in formula (1).
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 B1~B88로 이루어진 군에서 선택된다. B1~B88의 구체적인 구조는 전술한 실시예를 참조한다.According to one embodiment of the present invention, whenever R appears, it is identically or differently selected from the group consisting of B1 to B88. For specific structures of B1 to B88, refer to the foregoing embodiments.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 식 (1)로 표시된 하나의 화합물 중 2 개의 R은 동일하다.According to one embodiment of the present invention, two R's in one compound represented by formula (1) are the same.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 화합물은 화합물1 내지 화합물1428로 이루어진 군에서 선택되고, 화합물1 내지 화합물1428의 구체적인 구조는 식 2로 나타낸 구조를 구비하며,According to one embodiment of the present invention, wherein the compound is selected from the group consisting of Compound 1 to Compound 1428, and the specific structure of Compound 1 to Compound 1428 has a structure represented by Formula 2,
여기서, 식 (2) 중의 2 개의 Z 구조는 동일하고, 2 개의 R 구조는 동일하거나 상이하며, 상기 Z, X, Y 및 R은 각각 하기 표에 나타난 원자 또는 그룹에서 대응되게 선택된다.Here, the two Z structures in formula (2) are the same, the two R structures are the same or different, and the Z, X, Y and R are each correspondingly selected from atoms or groups shown in the table below.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 전계 발광소자를 더 개시하며, 상기 전계 발광소자는,According to one embodiment of the present invention, an electroluminescent device is further disclosed, wherein the electroluminescent device,
양극,anode,
음극, 및cathode, and
상기 양극 및 상기 음극 사이에 배치된 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 식 (1)을 구비하는 화합물을 함유한다:an organic layer disposed between the anode and the cathode, wherein the organic layer contains a compound having formula (1):
여기서, X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR''R"', NR', O, S 또는 Se에서 선택되고;wherein X and Y are identically or differently selected from CR''R'', NR', O, S or Se each time they occur;
여기서, Z1 및 Z2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S 또는 Se에서 선택되며;wherein Z 1 and Z 2 are identically or differently selected from O, S or Se each time they occur;
R, R', R" 및 R"'은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;Each time R, R', R" and R"' appear identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , Boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 3 to 20 ring carbon atoms atoms), substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and 1 to 20 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkoxy group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms Or an unsubstituted akinyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 3 to 20 carbon atoms It is selected from the group consisting of an alkylsilyl group, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and combinations thereof;
여기서, 각 R은 동일하거나 상이할 수 있으며, R, R', R" 및 R"' 중 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이며;Here, each R may be the same or different, and at least one of R, R', R" and R"' is a group having at least one electron withdrawing group;
인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.Adjacent substituents may be optionally linked to form a ring.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 소자에서, 여기서 상기 유기층은 정공 주입층이고, 상기 정공 주입층은 상기 화합물로 단독으로 형성된다.According to an embodiment of the present invention, in the above device, wherein the organic layer is a hole injection layer, and the hole injection layer is formed solely of the compound.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 소자에서, 여기서 상기 유기층은 정공 주입층이고, 상기 정공 주입층은 도판트를 함유한 상기 화합물로 형성되고 상기 도판트는 적어도 하나의 정공 수송재료를 함유하며; 상기 정공 수송재료는 트리아릴아민 단위를 함유하는 화합물, 스피로비플루오렌(spirobifluorene) 화합물, 펜타센(pentacene) 화합물, 올리고티오펜(oligothiophene) 화합물, 올리고페닐 화합물, 올리고페닐렌비닐 화합물, 올리고플루오렌(oligofluorene) 화합물, 포르피린(porphyrin) 착물 또는 금속 프탈로시아닌 착물을 함유하며, 여기서 상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10000:1 내지 1:10000 이다.According to an embodiment of the present invention, in the above device, wherein the organic layer is a hole injection layer, the hole injection layer is formed of the compound containing a dopant and the dopant contains at least one hole transport material; The hole transport material is a compound containing a triarylamine unit, a spirobifluorene compound, a pentacene compound, an oligothiophene compound, an oligophenyl compound, an oligophenylenevinyl compound, and an oligofluorene compound. It contains an oligofluorene compound, a porphyrin complex or a metal phthalocyanine complex, wherein the morph doping ratio between the compound and the hole transport material is 10000:1 to 1:10000.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 정공 주입층에서, 상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10:1 내지 1:100 이다.According to one embodiment of the present invention, in the hole injection layer, a morph doping ratio between the compound and the hole transport material is 10:1 to 1:100.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 전계 발광소자는 양극과 음극 사이의 복수 개의 스택층을 포함하고, 상기 스택층은 제1 발광층 및 제2 발광층을 포함하며, 여기서 제1 스택층은 제1 발광층을 포함하고 제2 스택층은 제2 발광층을 포함하며, 전하 생성층은 제1 스택층과 제2 스택층 사이에 배치되며, 여기서 전하 생성층은 p형 전하 생성층 및 n형 전하 생성층을 포함하며; 여기서, 식 (1)을 구비하는 화합물을 함유하는 상기 유기층은 p형 전하 생성층이다.According to one embodiment of the present invention, the electroluminescent device includes a plurality of stack layers between an anode and a cathode, and the stack layer includes a first light emitting layer and a second light emitting layer, wherein the first stack layer includes a first light emitting layer. The second stack layer includes a light emitting layer and the second stack layer includes a second light emitting layer, and a charge generation layer is disposed between the first stack layer and the second stack layer, wherein the charge generation layer is a p-type charge generation layer and an n-type charge generation layer. includes; Here, the organic layer containing the compound having formula (1) is a p-type charge generating layer.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 p형 전하 생성층은 적어도 하나의 정공 수송재료를 추가로 함유하고, 상기 p형 전하 생성층은 상기 화합물이 상기 적어도 하나의 정공 수송재료에 도핑되어 형성되며, 상기 정공 수송재료는 트리아릴아민 단위를 함유하는 화합물, 스피로비플루오렌(spirobifluorene) 화합물, 펜타센(pentacene) 화합물, 올리고티오펜(oligothiophene) 화합물, 올리고페닐 화합물, 올리고페닐렌비닐 화합물, 올리고플루오렌(oligofluorene) 화합물, 포르피린(porphyrin) 착물 또는 금속 프탈로시아닌 착물을 함유하며, 여기서 상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10000:1 내지 1:10000 이다.According to one embodiment of the present invention, the p-type charge generation layer further contains at least one hole transport material, and the p-type charge generation layer is formed by doping the compound into the at least one hole transport material, , The hole transport material is a compound containing a triarylamine unit, a spirobifluorene compound, a pentacene compound, an oligothiophene compound, an oligophenyl compound, an oligophenylene vinyl compound, an oligo It contains an oligofluorene compound, a porphyrin complex, or a metal phthalocyanine complex, wherein a morph doping ratio between the compound and the hole transport material is 10000:1 to 1:10000.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 p형 전하 생성층에서, 상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10:1 내지 1:100 이다.According to an embodiment of the present invention, in the p-type charge generating layer, a morph doping ratio between the compound and the hole transport material is 10:1 to 1:100.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 전하 생성층은 p형 전하 생성층과 n형 전하 생성층 사이에 배치된 완충층을 추가로 더 포함하고 상기 완충층은 상기 화합물을 함유한다.According to one embodiment of the present invention, wherein the charge generating layer further includes a buffer layer disposed between the p-type charge generating layer and the n-type charge generating layer, and the buffer layer contains the compound.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 식 (1)로 표시된 화합물을 함유하는 화합물 제제를 더 개시하였다. 상기 화합물의 구체적인 구조는 전술한 실시예 중 임의의 하나에 표시된 것이다.According to another embodiment of the present invention, a compound preparation containing the compound represented by formula (1) is further disclosed. The specific structure of the compound is shown in any one of the foregoing examples.
기타 재료와의 조합Combination with other materials
본 발명에 기재된 유기 발광소자에서의 특정층에 사용되는 재료는, 소자에 존재하는 다양한 기타 재료와 조합되어 사용될 수 있다. 이러한 재료의 조합은 미국특허출원 US2016/0359122A1의 제0132~0161 단락에 상세하게 기술되었으며, 그 전부 내용은 본문에 인용되어 결합된다. 여기서, 기술되거나 언급된 재료는, 본문에 개시된 화합물과 조합되어 사용될 수 있는 재료의 비한정적인 예시이고, 본 분야 당업자는 조합 및 사용가능한 기타 재료를 식별할 수 있도록 문헌을 용이하게 참고할 수 있다.Materials used for a specific layer in the organic light emitting device described in the present invention may be used in combination with various other materials present in the device. The combination of these materials is described in detail in paragraphs 0132 to 0161 of US patent application US2016/0359122A1, the entire contents of which are incorporated herein by reference. The materials described or referenced herein are non-limiting examples of materials that can be used in combination with the compounds disclosed herein, and those skilled in the art can readily refer to the literature to identify combinations and other materials that can be used.
본문에서는, 유기 발광소자에서의 구체적인 층에 사용가능한 재료는 상기 소자에 존재하는 여러 종류의 기타 재료와 조합되어 사용될 수 있는 것으로 설명된다. 예를 들어, 본문에 개시된 화합물은 여러 종류의 호스트, 수송층, 차단층, 주입층, 전극 및 존재할 수 있는 기타 층과 결합되어 사용될 수 있다. 이러한 재료의 조합은 특허출원 US2015/0349273A1의 제0080-0101 단락에 상세하게 기술되었으며, 그 전부 내용은 본문에 인용되어 결합된다. 여기서, 기술되거나 언급된 재료는, 본문에 개시된 화합물과 조합되어 사용될 수 있는 재료의 비한정적인 예시이고, 본 분야 당업자는 조합 및 사용가능한 기타 재료를 식별할 수 있도록 문헌을 용이하게 참고할 수 있다.In this text, it is explained that materials usable for a specific layer in an organic light emitting device can be used in combination with various types of other materials present in the device. For example, the compounds disclosed herein may be used in combination with various types of hosts, transport layers, barrier layers, injection layers, electrodes, and other layers that may be present. The combination of these materials is described in detail in paragraphs 0080-0101 of patent application US2015/0349273A1, the entire contents of which are incorporated herein by reference. The materials described or referenced herein are non-limiting examples of materials that can be used in combination with the compounds disclosed herein, and those skilled in the art can readily refer to the literature to identify combinations and other materials that can be used.
재료합성의 실시예에서, 별도로 언급되지 않는 한 모든 반응은 질소 보호하에서 진행된다. 모든 반응용매는 무수(anhydrous)이고 상업적 공급원으로부터 받은 그대로 사용된다. 합성된 생성물은 본 분야 상규적인 하나 또는 여러 종류의 설비(BRUKER의 핵자기공명분광기, SHIMADZU의 액체 크로마토그래피(liquid chromatography), 크로마토그래프 질량 분석계(liquid chromatograph-mass spectrometry), 가스 크로마토그래프 질량 분석계(gas chromatograph-mass spectrometry), 시차주사 열량계(differential scanning calorimeter), 상해 LENGGUANG TECH.의 형광분광광도계, 우한 CORRTEST의 전기화학 워크스테이션 및 안후이 BEQ의 승화장치(sublimation apparatus) 등을 포함하나 이에 한정되지 않음)를 사용하여, 본 분야 당업자에게 잘 알려진 방법에 의해 구조가 확인되고 특성이 테스트된다. 소자의 실시예에서, 소자의 특성도 본 분야 상규적인 설비(ANGSTROM ENGINEERING에서 생산한 증착기, 소주 FATAR에서 생산한 광학 테스트시스템 및 수명테스트 시스템, 북경 ELLITOP에서 생산한 타원계측기(ellipsometer) 등을 포함하나 이에 한정되지 않음)를 사용하여, 본 분야 당업자에게 잘 알려진 방법에 의해 테스트된다. 본 분야 당업자는 상기 설비의 사용, 테스트 방법 등 관련내용을 잘 알고 있어 시료의 고유 데이터를 확실하면서도 영향을 받지 않고 얻을 수 있으므로, 본원에서 상기 관련내용을 더이상 설명하지 않는다.In the examples of material synthesis, all reactions are conducted under nitrogen protection unless otherwise noted. All reaction solvents were anhydrous and used as received from commercial sources. The synthesized product is synthesized using one or several types of equipment routine in this field (BRUKER's nuclear magnetic resonance spectrometer, SHIMADZU's liquid chromatography, liquid chromatograph-mass spectrometry, gas chromatograph mass spectrometer ( gas chromatograph-mass spectrometry), differential scanning calorimeter, fluorescence spectrophotometer of Shanghai LENGGUANG TECH., electrochemical workstation of Wuhan CORRTEST, and sublimation apparatus of Anhui BEQ, etc. ), the structure is confirmed and the properties are tested by methods well known to those skilled in the art. In the embodiment of the device, the characteristics of the device also include regular equipment in the field (evaporator produced by ANGSTROM ENGINEERING, optical test system and life test system produced by Suzhou FATAR, ellipsometer produced by Beijing ELLITOP, etc. (but not limited thereto) is tested by methods well known to those skilled in the art. A person skilled in the art is well aware of the use of the equipment, the test method, and the like, so that the unique data of the sample can be obtained reliably and unaffected, so the above related details are not further described herein.
재료합성 실시예:Material Synthesis Example:
본 발명은 화합물의 제조방법을 한정하지 않으며, 전형적인 예로는 아래의 화합물이 있으나 이에 한정되지 않으며, 그 합성경로 및 제조방법은 아래와 같다:The present invention does not limit the preparation method of the compound, typical examples include the following compounds, but are not limited thereto, and the synthesis route and preparation method are as follows:
합성 실시예 1: 화합물56의 합성Synthesis Example 1: Synthesis of Compound 56
단계(1): [중간물1-a]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 1-a ]
500mL의 3 구 플라스크에 DMSO(150mL)를 첨가하고, 반시간 동안 질소를 버블링하며, 순차적으로 HC(OEt)3(22.2g, 150mmol) 및 Y(OTf)3(2.15g, 4mmol)을 첨가하고 계속하여 5min 동안 버블링하며, 2,5-디아미노-3,6-디브로모벤젠-1,4-디페놀(8.94g, 30mmol)을 첨가하고 60℃까지 승온시키며, 20min 후, 용액이 갈색 또는 카키색으로 변하고 밤새 교반한다. 반응이 완료되면, 용액에 DCM/PE(1:1, 500mL)를 첨가하고, 여과하여 고체를 수집하며, 아세톤으로 세척하고 여과하여 오프화이트(off-white) 고체1-a(7.2g, 75%의 수율)를 얻는다. 1HNMR (400MHz, d6-DMSO) δ = 9.03(s, 2H).DMSO (150 mL) was added to a 500 mL three-neck flask, nitrogen was bubbled for half an hour, and HC(OEt) 3 (22.2 g, 150 mmol) and Y(OTf) 3 (2.15 g, 4 mmol) were sequentially added. and continued bubbling for 5 min, 2,5-diamino-3,6-dibromobenzene-1,4-diphenol (8.94 g, 30 mmol) was added and the temperature was raised to 60 ° C. After 20 min, the solution It turns a brown or khaki color and is stirred overnight. Upon completion of the reaction, DCM/PE (1:1, 500 mL) was added to the solution, the solid was collected by filtration, washed with acetone and filtered to obtain an off-white solid 1-a (7.2 g, 75 % yield) is obtained. 1 HNMR (400 MHz, d 6 -DMSO) δ = 9.03 (s, 2H).
단계(2): [중간물1-b]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 1-b ]
250mL의 2 구 플라스크에 디옥산(50mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)2(225mg, 10mol%, 1.0mmol) 및 XPhos(1.0g, 2.1mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(3.18g, 10mmol), p-트리플루오로메톡시페닐보론산(8.24g, 40mmol) 및 탄산칼륨(8.34g, 60mmol)을 첨가한다. 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체1-b(4.36g, 91%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-DMSO)δ = 9.00(s, 2H), 8.33(d, J = 8.8Hz, 4H), 7.63(d, J = 8.8Hz, 4H).Dioxane (50 mL) was added to a 250 mL two-necked flask, nitrogen was bubbled for 15 min, and Pd(OAc) 2 (225 mg, 10 mol%, 1.0 mmol) and XPhos (1.0 g, 2.1 mmol) were added while stirring. , continued stirring for 10 min, and then sequentially added 1-a (3.18 g, 10 mmol), p-trifluoromethoxyphenylboronic acid (8.24 g, 40 mmol) and potassium carbonate (8.34 g, 60 mmol). The temperature was raised to 110° C. to reflux and stirred overnight under the protection of nitrogen. When the reaction is complete, the temperature is decreased, filtered through diatomaceous earth, sufficiently washed with dichloromethane, and separated by silica gel column chromatography to obtain white solid 1-b (4.36 g, 91% yield). 1 HNMR (400 MHz, d 6 -DMSO) δ = 9.00 (s, 2H), 8.33 (d, J = 8.8 Hz, 4H), 7.63 (d, J = 8.8 Hz, 4H).
단계(3): [중간물1-c]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 1-c ]
질소 분위기에서, 중간물1-b(4.36g, 9.1mmol)를 THF(114mL, 0.08M)에 첨가하고, -94℃까지 강온시키고(아세톤/액화질소 냉각조) 천천히 n-부틸리튬(13.8mL, 20.93mmol, 1.6M n-헥산 용액)을 드립하며, 해당 온도를 1h 동안 유지시킨 다음, 천천히 -78℃까지 승온시키고(아세톤/드라이아이스 냉각조) 8h 동안 반응시킨다. 요오드 순물질(Elemental iodine) (6.93g, 27.3mmol)의 THF 용액(15mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(PE:DCM=3:1~1:1)로 정제하여 백색 고체 생성물1-c(4.0g, 60%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-DMSO) δ = 8.16(d, J = 8.8Hz, 4H), 7.62(d, J = 8.8Hz, 4H).Under a nitrogen atmosphere, intermediate 1-b (4.36 g, 9.1 mmol) was added to THF (114 mL, 0.08 M), cooled to -94 °C (acetone/liquid nitrogen cooling bath) and n-butyllithium (13.8 mL) slowly. , 20.93 mmol, 1.6M n-hexane solution) was dripped, the temperature was maintained for 1 h, and then the temperature was slowly raised to -78 ° C (acetone / dry ice cooling bath) and reacted for 8 h. A THF solution (15 mL) of elemental iodine (6.93 g, 27.3 mmol) was added, and when the addition was completed, the temperature was slowly raised to room temperature, left overnight, and quenched by adding a small amount of saturated ammonium chloride aqueous solution. , directly added diatomaceous earth, stirred the sample, and purified by silica gel column chromatography (PE:DCM=3:1-1:1) to obtain a white solid product 1-c (4.0 g, 60% yield). 1 HNMR (400 MHz, d 6 -DMSO) δ = 8.16 (d, J = 8.8 Hz, 4H), 7.62 (d, J = 8.8 Hz, 4H).
단계(4): [중간물1-d]의 합성Step (4): Synthesis of [Intermediate 1-d ]
질소 분위기에서, 말로노나이트릴(2.78g, 42mmol)을 무수 DMF(70mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(1.67g, 42mmol, 60%의 함량)를 여러 번으로 나누어 첨가하고, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반한 다음, 1-c(5.08g, 7mmol) 및 Pd(PPh4)3(1.62g, 1.4mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24~36h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 황색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 세척하여 황색 고체 4.38g을 얻는다. 다음, 디클로로메탄으로 연속 두 번 세척하고 여과하여 황색 고체1-d(4.2g, 98%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-DMSO)δ = 8.08(d, J = 8.8Hz, 4H), 7.56(d, J = 8.8Hz, 4H).Under a nitrogen atmosphere, malononitrile (2.78 g, 42 mmol) was added to anhydrous DMF (70 mL), NaH (1.67 g, 42 mmol, content of 60%) was added in several portions at 0 ° C, and at 0 ° C After stirring for 10 min and stirring at room temperature for 20 min, 1-c (5.08 g, 7 mmol) and Pd(PPh 4 ) 3 (1.62 g, 1.4 mmol) were added, and the temperature was raised to 90 °C and reacted for 24-36 h. . After complete conversion, it was poured into ice water, adjusted to pH<1 using 4N dilute hydrochloric acid, sufficiently stirred, and when a large amount of yellow solid precipitated, the solid was collected by filtration. Washing with dichloromethane gave 4.38 g of a yellow solid. Then washed twice successively with dichloromethane and filtered to obtain yellow solid 1-d (4.2 g, 98% yield). 1 HNMR (400 MHz, d 6 -DMSO) δ = 8.08 (d, J = 8.8 Hz, 4H), 7.56 (d, J = 8.8 Hz, 4H).
단계(5): 화합물56의 합성Step (5): Synthesis of Compound 56
질소 분위기에서, 1-d(3.04g, 5mmol)를 DCM(150mL)에 첨가하고, 0℃까지 강온시키며, PIFA(6.45g, 15mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 3일 동안 교반하며, 용액은 자흑색이 된다. 반응액에 n-헥산(450mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하여 흑녹색 고체를 얻는다. 각각 (DCM/PE=2:1~1:1)를 사용하여 두 번 세척하여, 최종적으로 흑녹색 고체 화합물56(2.5g, 83%의 수율)을 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-acetone)δ = 8.30(d, J = 8.4Hz, 4H), 7.73(d, J = 8.4Hz, 4H).In a nitrogen atmosphere, 1-d (3.04 g, 5 mmol) was added to DCM (150 mL), cooled to 0 ° C, PIFA (6.45 g, 15 mmol) was added in portions and stirred at room temperature for 3 days, The solution becomes purple-black. After adding n-hexane (450 mL) to the reaction solution, stirring for 10 min and filtering, a black-green solid was obtained. Washed twice using each (DCM/PE=2:1-1:1) to finally obtain Compound 56 (2.5 g, 83% yield) as a black-green solid. 1 HNMR (400 MHz, d 6 -acetone) δ = 8.30 (d, J = 8.4 Hz, 4H), 7.73 (d, J = 8.4 Hz, 4H).
합성 실시예 2: 화합물68의 합성Synthesis Example 2: Synthesis of Compound 68
단계(1): [중간물2-a]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 2-a ]
250mL의 2 구 플라스크에 디옥산(80mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)2(360mg, 1.6mmol) 및 XPhos(1.53g, 3.2mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(4.1g, 13mmol), 3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐보론산(14.0g, 54mmol) 및 플루오르화세슘(cesium fluoride)(9.12g, 60mmol)을 첨가한다. 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체2-a(6.7g, 88%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, CDCl3)δ = 8.87(s, 4H), 8.41(s, 2H), 8.00(s, 2H) 이다.Dioxane (80 mL) was added to a 250 mL two-neck flask, nitrogen was bubbled for 15 min, Pd(OAc) 2 (360 mg, 1.6 mmol) and XPhos (1.53 g, 3.2 mmol) were added while stirring, and so on. After stirring for 10 min, 1-a (4.1 g, 13 mmol), 3,5-bis(trifluoromethyl)phenylboronic acid (14.0 g, 54 mmol) and cesium fluoride (9.12 g, 60 mmol) is added. The temperature was raised to 110° C. to reflux and stirred overnight under the protection of nitrogen. When the reaction is complete, the temperature is decreased, filtered through diatomaceous earth, sufficiently washed with dichloromethane, and separated by silica gel column chromatography to obtain a white solid 2-a (6.7 g, 88% yield). 1 HNMR (400 MHz, CDCl 3 ) δ = 8.87 (s, 4H), 8.41 (s, 2H), 8.00 (s, 2H).
단계(2): [중간물2-b]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 2-b ]
질소 분위기에서, 2-a(6.2g, 10.6mmol)를 THF(212mL, 0.05M)에 첨가하고, -94→까지 강온시키고(아세톤/액화질소 냉각조) 천천히 n-부틸리튬(15.2mL, 24.4mmol, 1.6M n-헥산 용액)을 드립하며, 해당 온도를 1h 동안 유지시킨 다음, 천천히 -78℃까지 승온시키고(아세톤/드라이아이스 냉각조) 8h 동안 반응시킨다. 요오드 순물질 (8.07g, 31.8mmol)의 THF 용액(20mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(PE:DCM=6:1~2:1)로 정제하여 백색 고체 생성물2-b(4.7g, 53%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, CDCl3)δ = 8.69(s, 4H), 8.01(s, 2H).In a nitrogen atmosphere, 2-a (6.2 g, 10.6 mmol) was added to THF (212 mL, 0.05 M), cooled to -94→ (acetone/liquid nitrogen cooling bath) and slowly n-butyllithium (15.2 mL, 24.4 mL). mmol, 1.6M n-hexane solution), maintain the temperature for 1h, then slowly raise the temperature to -78°C (acetone/dry ice cooling bath) and react for 8h. A THF solution (20 mL) of pure iodine (8.07 g, 31.8 mmol) was added, and when the addition was complete, the temperature was slowly raised to room temperature, left overnight, a small amount of saturated ammonium chloride aqueous solution was added to quench, and then diatomaceous earth was directly After addition, the sample is stirred, and purified by silica gel column chromatography (PE:DCM=6:1-2:1) to give a white solid product 2-b (4.7g, 53% yield). 1 HNMR (400 MHz, CDCl 3 ) δ = 8.69 (s, 4H), 8.01 (s, 2H).
단계(3): [중간물2-c]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 2-c ]
질소 분위기에서, 말로노나이트릴(1.56g, 23.7mmol)을 무수 DMF(55mL, 0.1M)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(948mg, 23.7mmol, 60%의 함량)를 여러 번으로 나누어 첨가하고, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반한 다음, 2-b(3.3g, 3.95mmol) 및 Pd(PPh4)3(456mg, 0.39mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24~36h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 황색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 세척하여 황색 고체 2.98g을 얻는다. 다음, 용매(DCM/PE=2:1, 200mL)로 연속 두 번 세척하고 여과하여 황색 고체2-c(2.81g, 99%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-acetone)δ = 8.57(s, 4H), 8.33(s, 2H).Under a nitrogen atmosphere, malononitrile (1.56 g, 23.7 mmol) was added to anhydrous DMF (55 mL, 0.1 M), and NaH (948 mg, 23.7 mmol, content of 60%) was added in several portions at 0 ° C. , stirred at 0 °C for 10 min and stirred at room temperature for 20 min, then added 2-b (3.3 g, 3.95 mmol) and Pd(PPh 4 ) 3 (456 mg, 0.39 mmol), warmed to 90 °C, and React for 36 h. After complete conversion, it was poured into ice water, adjusted to pH<1 using 4N dilute hydrochloric acid, sufficiently stirred, and when a large amount of yellow solid precipitated, the solid was collected by filtration. Washing with dichloromethane gave 2.98 g of a yellow solid. Then, it was washed twice successively with solvent (DCM/PE=2:1, 200 mL) and filtered to obtain yellow solid 2-c (2.81 g, 99% yield). 1 HNMR (400 MHz, d 6 -acetone) δ = 8.57 (s, 4H), 8.33 (s, 2H).
단계(4): 화합물68의 합성Step (4): Synthesis of Compound 68
질소 분위기에서, 2-c(2.85g, 4.0mmol)를 3 부분(0.95g/부분)으로 나누어 3 개의 2 구 플라스크에 넣고, 각각에 DCM(200mL)을 첨가하고 0℃까지 강온시키며, 각각에 PIFA(1.73g, 4.0mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 3일 동안 교반하며, 용액은 자흑색이 된다. 다음, 3 병의 용액을 1L의 1 구 플라스크에 넣고 용액이 50mL 좌우가 될 때까지 회전건조시키며, 이에 n-헥산(450mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하여 흑녹색 고체를 얻는다. 각각 (DCM/PE=2:1, 200mL)를 사용하여 두 번 세척하여, 최종적으로 흑녹색 고체 화합물68(2.4g, 85%의 수율)을 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-acetone)δ = 8.86(s, 4H), 8.37(s, 2H).In a nitrogen atmosphere, 2-c (2.85 g, 4.0 mmol) was divided into 3 parts (0.95 g/part) into three two-necked flasks, DCM (200 mL) was added to each, and the temperature was cooled to 0 ° C. PIFA (1.73 g, 4.0 mmol) was added in portions and stirred at room temperature for 3 days, the solution becoming purple-black. Next, the solution in 3 bottles is put into a 1L one-necked flask, and the solution is spun dried until the solution is 50mL left and right, n-hexane (450mL) is added thereto, stirred for 10min, and filtered to obtain a black-green solid. Washed twice with each (DCM/PE=2:1, 200 mL) to finally obtain compound 68 (2.4 g, 85% yield) as a black-green solid. 1 HNMR (400 MHz, d 6 -acetone) δ = 8.86 (s, 4H), 8.37 (s, 2H).
합성 실시예 3: 화합물70의 합성Synthesis Example 3: Synthesis of Compound 70
단계(1): [중간물4-a]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 4-a ]
250mL의 2 구 플라스크에 디옥산(80mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)2(360mg, 1.6mmol) 및 XPhos(1.53g, 3.2mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(4.1g, 13mmol), 2,4-비스(트리플루오로메틸)페닐보론산(14.0g, 54mmol) 및 플루오르화세슘(cesium fluoride)(9.12g, 60mmol)을 첨가하고, 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체4-a(6.83g, 90%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, CDCl3)δ = 8.19(s, 2H), 8.12(s, 2H), 8.02(d, J = 8.0Hz, 2H), 7.77(d, J = 8.0Hz, 2H).Dioxane (80 mL) was added to a 250 mL two-neck flask, nitrogen was bubbled for 15 min, Pd(OAc) 2 (360 mg, 1.6 mmol) and XPhos (1.53 g, 3.2 mmol) were added while stirring, and so on. After stirring for 10 min, 1-a (4.1 g, 13 mmol), 2,4-bis(trifluoromethyl)phenylboronic acid (14.0 g, 54 mmol) and cesium fluoride (9.12 g, 60 mmol) was added, the temperature was raised to 110° C. to reflux, and stirred overnight under the protection of nitrogen. When the reaction is complete, the temperature is lowered, filtered through diatomaceous earth, thoroughly washed with dichloromethane, and separated by silica gel column chromatography to obtain a white solid 4-a (6.83 g, 90% yield). 1 HNMR (400 MHz, CDCl 3 ) δ = 8.19 (s, 2H), 8.12 (s, 2H), 8.02 (d, J = 8.0 Hz, 2H), 7.77 (d, J = 8.0 Hz, 2H).
단계(2): [중간물4-b]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 4-b ]
질소 분위기에서, 4-a(6.4g, 11mmol)를 THF(150mL)에 첨가하고, -94℃까지 강온시키고(아세톤/액화질소 냉각조) 천천히 n-부틸리튬(15.8mL, 25.3mmol, 1.6M n-헥산 용액)을 드립하며, 해당 온도를 1h 동안 유지시킨 다음, 천천히 -78℃까지 승온시키고(아세톤/드라이아이스 냉각조) 8h 동안 반응시킨다. 요오드 순물질 (8.4g, 33mmol)의 THF 용액(20mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(PE:DCM=10:1~2:1)로 정제하여 백색 고체 생성물4-b(6.89g, 75%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, CDCl3)δ = 8.16(s, 2H), 8.01(d, J = 7.6Hz, 2H), 7.73(d, J = 7.6Hz, 2H).Under a nitrogen atmosphere, 4-a (6.4 g, 11 mmol) was added to THF (150 mL), cooled to -94 °C (acetone/liquid nitrogen cooling bath) and slowly n-butyllithium (15.8 mL, 25.3 mmol, 1.6 M n-hexane solution) is dripped, the temperature is maintained for 1 h, then the temperature is slowly raised to -78 ° C (acetone/dry ice cooling bath) and reacted for 8 h. A THF solution (20 mL) of pure iodine (8.4 g, 33 mmol) was added, and when the addition was complete, the temperature was slowly raised to room temperature, left overnight, a small amount of saturated ammonium chloride aqueous solution was added to quench, and then diatomaceous earth was added directly. The sample was stirred and purified by silica gel column chromatography (PE:DCM=10:1-2:1) to obtain a white solid product 4-b (6.89g, 75% yield). 1 HNMR (400 MHz, CDCl 3 ) δ = 8.16 (s, 2H), 8.01 (d, J = 7.6 Hz, 2H), 7.73 (d, J = 7.6 Hz, 2H).
단계(3): [중간물4-c]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 4-c ]
질소 분위기에서, 말로노나이트릴(2.14g, 32mmol)을 무수 DMF(60mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(1.40g, 35mmol, 60%의 함량)를 여러 번으로 나누어 첨가하고, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반한 다음, 4-b(4.51g, 5.4mmol) 및 Pd(PPh4)3(1.15g, 1.0mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24~36h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 황색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 세척하여 황색 고체 2.98g을 얻는다. 다음, 디클로로메탄으로 연속 두 번 세척하고 여과하여 황색 고체4-c(2.92g, 76%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-acetone)δ = 8.35(m, 4H), 8.16(d, J = 7.6Hz, 2H).Under a nitrogen atmosphere, malononitrile (2.14 g, 32 mmol) was added to anhydrous DMF (60 mL), NaH (1.40 g, 35 mmol, content of 60%) was added in portions at 0 ° C, and at 0 ° C After stirring for 10 min and stirring at room temperature for 20 min, 4-b (4.51 g, 5.4 mmol) and Pd(PPh 4 ) 3 (1.15 g, 1.0 mmol) were added, the temperature was raised to 90 °C, and the reaction was continued for 24-36 h. let it After complete conversion, it was poured into ice water, adjusted to pH<1 using 4N dilute hydrochloric acid, sufficiently stirred, and when a large amount of yellow solid precipitated, the solid was collected by filtration. Washing with dichloromethane gave 2.98 g of a yellow solid. Then washed twice successively with dichloromethane and filtered to obtain yellow solid 4-c (2.92 g, 76% yield). 1 HNMR (400 MHz, d 6 -acetone) δ = 8.35 (m, 4H), 8.16 (d, J = 7.6 Hz, 2H).
단계(4): 화합물70의 합성Step (4): Synthesis of Compound 70
질소 분위기에서, 4-c(2.92g, 4.1mmol)를 3 부분(1g/부분)으로 나누어 3 개의 2 구 플라스크에 넣고, 각각에 DCM(100mL)을 첨가하고 0℃까지 강온시키며, 각각에 PIFA(1.8g, 4.2mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 3일 동안 교반하며, 용액은 자흑색이 된다. 다음, 3 병의 용액을 1L의 1 구 플라스크에 넣고 용액이 50mL 좌우가 될 때까지 농축시키며, 이에 n-헥산(450mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하여 자색 고체를 얻는다. 각각 (DCM/PE=2:1, 200mL)를 사용하여 두 번 세척하여, 최종적으로 자색 고체 화합물70(2.0g, 70%의 수율)을 얻는다. 1HNMR(400MHz, CD2Cl2)δ = 8.22(s, 2H), 8.11(d, J = 8.4Hz, 2H), 7.75(d, J = 8.0Hz, 2H).Under a nitrogen atmosphere, divide 4-c (2.92g, 4.1mmol) into 3 parts (1g/part) into 3 two-necked flasks, add DCM (100mL) to each, cool to 0°C, and PIFA to each. (1.8g, 4.2mmol) was added in several portions and stirred at room temperature for 3 days, and the solution became purple-black. Next, the solution in 3 bottles was put into a 1 L one-necked flask and concentrated until the solution was 50 mL left and right, n-hexane (450 mL) was added thereto, stirred for 10 min, and filtered to obtain a purple solid. After washing twice with each (DCM/PE=2:1, 200 mL), a purple solid Compound 70 (2.0 g, 70% yield) was finally obtained. 1 HNMR (400 MHz, CD 2 Cl 2 ) δ = 8.22 (s, 2H), 8.11 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.75 (d, J = 8.0 Hz, 2H).
합성 실시예 4: 화합물101의 합성Synthesis Example 4: Synthesis of
단계(1): [중간물5-a]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 5-a ]
500mL의 2 구 플라스크에 증류수(50mL), 1,4-페닐렌디아민 (1,4-phenylenediamine)(17.0g, 157mmol) 및 염산(30.7mL, 125mmol)을 첨가하고 50℃까지 승온시키며, NH4SCN(48.4g, 636mmol)을 첨가하고 계속하여 90℃까지 승온시키며 24h 동안 교반한다. 반응이 완료된 후 강온시키고 여과하며, 에탄올로 세척한 후 여과하여 회색 고체 화합물5-a(31.5g, 90%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-DMSO)δ = 9.69(s, 2H), 7.32(s, 4H).Distilled water (50mL), 1,4-phenylenediamine (17.0g, 157mmol) and hydrochloric acid (30.7mL, 125mmol) were added to a 500mL two-necked flask, and the temperature was raised to 50°C, and NH 4 Add SCN (48.4g, 636mmol) and continue to warm to 90° C. and stir for 24h. After the reaction was completed, the mixture was cooled, filtered, washed with ethanol, and filtered to obtain a gray solid compound 5-a (31.5 g, 90% yield). 1 HNMR (400 MHz, d 6 -DMSO) δ = 9.69 (s, 2H), 7.32 (s, 4H).
단계(2): [중간물5-b]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 5-b ]
500mL의 3 구 플라스크에 순차적으로 화합물5-a(15g, 66.5mmol) 및 클로로포름(100mL)을 첨가하고 50℃까지 승온시키며, 매우 천천히 브로민(8mL, 309mmol)의 클로로포름(100mL) 용액을 드립하고 드립이 완료된 후, 24~36h 동안 환류시킨다. 반응이 완료된 후 0℃까지 강온시키고 여과하며, 필터 케이크를 클로로포름으로 3 번 세척한다. 고체를 수집하고 포화티오황산나트륨 용액으로 세척하며 여과하여 고체를 수집한 다음, 메탄올 및 디클로로메탄으로 각각 세척하고 여과하여 갈색 고체5-b(12.5g, 83%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-DMSO)δ = 8.56(bs, 4H), 7.83(s, 2H).Compound 5-a (15g, 66.5mmol) and chloroform (100mL) were sequentially added to a 500mL three-necked flask, the temperature was raised to 50 ° C, and a chloroform (100mL) solution of bromine (8mL, 309mmol) was dripped very slowly. After the drip is completed, it is refluxed for 24-36 h. After the reaction is complete, the temperature is lowered to 0° C., filtered, and the filter cake is washed with chloroform three times. The solid was collected, washed with saturated sodium thiosulfate solution and filtered to collect the solid, followed by washing with methanol and dichloromethane respectively and filtering to obtain a brown solid 5-b (12.5 g, 83% yield). 1 HNMR (400 MHz, d 6 -DMSO) δ = 8.56 (bs, 4H), 7.83 (s, 2H).
단계(3): [중간물5-c]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 5-c ]
1L의 3 구 플라스크에 아세토니트릴(500mL)을 첨가하고 20min 동안 질소를 버블링한 다음, 순차적으로 화합물5-b(11g, 50mmol), 요오드(76g, 300mmol) 및 tBuONO(20.6g, 200mmol)를 첨가하고, 70℃에서 24h 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후 강온시키고, 감압 및 증류하여 아세토나이트릴을 제거하며, 200mL의 디클로로메탄을 첨가하고 여과하며, 석유에테르로 세척하여 브릭 레드(brick red) 고체5-c(11g, 50%의 수율)를 얻는다. 1HNMR (400 MHz, d6-DMSO) δ = 8.74 (s, 2H).Acetonitrile (500mL) was added to a 1L three-necked flask and nitrogen was bubbled for 20min, followed by compound 5-b (11g, 50mmol), iodine (76g, 300mmol) and tBuONO (20.6g, 200mmol) sequentially. was added and reacted at 70° C. for 24 h. After the reaction was completed, the temperature was decreased, and acetonitrile was removed by distillation under reduced pressure, and 200 mL of dichloromethane was added, filtered, and washed with petroleum ether to obtain brick red solid 5-c (11 g, 50% yield) ) to get 1 HNMR (400 MHz, d 6 -DMSO) δ = 8.74 (s, 2H).
단계(4): [중간물5-d]의 합성Step (4): Synthesis of [Intermediate 5-d ]
질소 분위기에서, 말로노나이트릴(5.35g, 81mmol)을 무수 DMF(135mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(3.24g, 81mmol, 60%의 함량)를 여러 번으로 나누어 첨가하고, 0→에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반한 다음, 화합물5-c(6.08g, 13.5mmol) 및 Pd(PPh4)3(3.12g, 2.7mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24~36h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 갈색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 세척하여 갈색 고체 4.2g을 얻는다. 다음, 디클로로메탄으로 연속 두 번 세척하고 여과하여 갈색 고체5-d(4.02g, 93%의 수율)를 얻는다. LCMS(ESI): m/z 319 [M-H]-.In a nitrogen atmosphere, malononitrile (5.35 g, 81 mmol) was added to anhydrous DMF (135 mL), NaH (3.24 g, 81 mmol, content of 60%) was added in several portions at 0 ° C, and at 0 → After stirring for 10 min and stirring at room temperature for 20 min, compound 5-c (6.08 g, 13.5 mmol) and Pd(PPh 4 ) 3 (3.12 g, 2.7 mmol) were added, and the temperature was raised to 90 °C for 24-36 h. react After complete conversion, it was poured into ice water, adjusted to pH<1 using 4N dilute hydrochloric acid, sufficiently stirred, and when a large amount of brown solid precipitated, the solid was collected by filtration. Washing with dichloromethane gave 4.2 g of a brown solid. Then, it was washed twice successively with dichloromethane and filtered to obtain 5-d (4.02 g, 93% yield) as a brown solid. LCMS (ESI): m/z 319 [MH] - .
단계(5): 화합물101의 합성Step (5): Synthesis of
질소 분위기에서, 화합물5-d(3.20g, 10mmol)를 DCM(1L)에 첨가하고, 0℃까지 강온시키며, PIFA(12.9g, 30mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 3일 동안 교반하며, 용액은 자흑색이 된다. 반응이 완료된 후, 용액이 100mL 좌우가 될 때까지 회전건조시키고, 다음, 반응액에 n-헥산(450mL)을 첨가하고, 10min 동안 교반하고 여과하여 자흑색 고체를 얻는다. 디클로로메탄으로 두 번 세척하여 자흑색 고체 화합물101(3.0g, 94%의 수율)을 얻는다. LCMS(ESI): m/z 317 [M-H]-.Under a nitrogen atmosphere, compound 5-d (3.20 g, 10 mmol) was added to DCM (1 L), cooled to 0 ° C, and PIFA (12.9 g, 30 mmol) was added in several portions and stirred at room temperature for 3 days. , the solution becomes purple-black. After the reaction is complete, the solution is spun dry until the volume is 100 mL, then n-hexane (450 mL) is added to the reaction solution, stirred for 10 min and filtered to obtain a purple-black solid. Washing twice with dichloromethane gave compound 101 (3.0 g, 94% yield) as a purple-black solid. LCMS (ESI): m/z 317 [MH] - .
합성 실시예 5: 화합물69의 합성Synthesis Example 5: Synthesis of Compound 69
단계(1): [중간물6-a]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 6-a ]
250mL의 2 구 플라스크에 질소 분위기에서 2,5-비스(트리플루오로메틸)브로모벤젠(18.5g, 63mmol) 및 초건조 테트라하이드로푸란(100mL)을 첨가하고 -78℃까지 강온시키고 천천히 이소프로필마그네슘클로라이드리튬클로라이드용액(54mL, 69mmol, 1.3M 테트라하이드로푸란용액)을 드립하며, 드립이 완료된 후 -78℃에서 1h 동안 반응시킨 다음, 실온으로 옮기고 4h 동안 반응시킨다. 실온에서 천천히 ZnCl2(35mL, 69.3mmol, 2.0M 2-메틸테트라하이드로푸란용액) 용액을 드립하고, 드립이 완료된 후, 실온에서 1h 동안 교반한다. 질소 보호하에서 Pd(OAc)2(337mg, 1.5mmol), XPhos(1.43g, 3.0mmol) 및 1-a(5.0g, 15.7mmol)를 한 번에 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 승온시켜 24h 동안 환류시킨다. 반응이 완료는 후 강온시키고 소량의 포화염화암모늄 용액을 첨가하여 ??칭하며, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 오프화이트(off-white) 고체6-a(4.23g, 46%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, CDCl3)δ = 8.13(s, 2H), 8.07(d, J = 8.4Hz, 2H), 7.95(d, J = 8.4Hz, 2H), 7.87(s, 2H).2,5-bis(trifluoromethyl)bromobenzene (18.5g, 63mmol) and ultra-dry tetrahydrofuran (100mL) were added in a nitrogen atmosphere to a 250mL two-necked flask, and the temperature was cooled to -78°C and slowly isopropyl. Drip magnesium chloride and lithium chloride solution (54 mL, 69 mmol, 1.3 M tetrahydrofuran solution), and after completion of the drip, react at -78 ° C for 1 h, then transfer to room temperature and react for 4 h. A solution of ZnCl 2 (35mL, 69.3mmol, 2.0M 2-methyltetrahydrofuran solution) was slowly dripped at room temperature, and after dripping was completed, the mixture was stirred at room temperature for 1h. Under nitrogen protection, Pd(OAc) 2 (337mg, 1.5mmol), XPhos (1.43g, 3.0mmol) and 1-a (5.0g, 15.7mmol) were added at once, stirred continuously for 10min, and then the temperature was raised. and refluxed for 24 h. After completion of the reaction, the temperature is cooled and quenched by adding a small amount of saturated ammonium chloride solution, filtered through diatomaceous earth, sufficiently washed with dichloromethane, and separated by silica gel column chromatography to obtain an off-white solid 6-a ( 4.23 g, 46% yield). 1 HNMR (400 MHz, CDCl 3 ) δ = 8.13 (s, 2H), 8.07 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.95 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.87 (s, 2H).
단계(2): [중간물6-b]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 6-b ]
질소 분위기에서, 6-a(4.23g, 7.2mmol)를 THF(200mL)에 첨가하고, -94℃까지 강온시키고 천천히 n-부틸리튬(10.4mL, 16.6mmol, 1.6M n-헥산 용액)을 드립하며, 해당 온도를 1h 동안 유지시킨 다음, 천천히 -78℃까지 승온시키고 8h 동안 반응시킨다. -78℃에서 요오드 순물질 (5.49g, 21.6mmol)의 THF 용액(30mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 반응시키며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(PE:DCM=10:1~1:1)로 정제하여 담황색 고체 생성물6-b(2.7g, 45%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, CDCl3)δ = 8.05(d, J = 8.4Hz, 2H), 7.94(d, J = 8.4Hz, 2H), 7.83(s, 2H).Under a nitrogen atmosphere, 6-a (4.23g, 7.2mmol) was added to THF (200mL), cooled to -94°C and slowly dripped with n-butyllithium (10.4mL, 16.6mmol, 1.6M n-hexane solution). The temperature is maintained for 1 h, then the temperature is slowly raised to -78 ° C and reacted for 8 h. At -78 ° C, a THF solution (30 mL) of pure iodine (5.49 g, 21.6 mmol) was added, and when the addition was completed, the temperature was slowly raised to room temperature, reacted overnight, and quenched by adding a small amount of saturated ammonium chloride aqueous solution. , directly added diatomaceous earth, stirred the sample, and purified by silica gel column chromatography (PE:DCM=10:1-1:1) to obtain a pale yellow solid product 6-b (2.7 g, 45% yield). 1 HNMR (400 MHz, CDCl 3 ) δ = 8.05 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.94 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.83 (s, 2H).
단계(3): [중간물6-c]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 6-c ]
질소 분위기에서, 말로노나이트릴(792mg, 12mmol)을 무수 DMF(20mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(480mg, 12mmol, 60%의 함량)를 여러 번으로 나누어 첨가하고, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반한 다음, 6-b(1.70g, 2mmol) 및 Pd(PPh4)3(277mg, 0.24mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24~36h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 황색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 세척하여 황색 고체 1.50g을 얻는다. 다음, 디클로로메탄으로 연속 두 번 세척하고 여과하여 황색 고체6-c(1.40g, 98%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-acetone)δ = 8.37-8.26(m, 5H), 8.13(s, 1H).Under a nitrogen atmosphere, malononitrile (792mg, 12mmol) was added to anhydrous DMF (20mL), and NaH (480mg, 12mmol, a content of 60%) was added in portions at 0°C for 10min at 0°C. After stirring and stirring at room temperature for 20 min, 6-b (1.70 g, 2 mmol) and Pd(PPh 4 ) 3 (277 mg, 0.24 mmol) were added, the temperature was raised to 90° C., and reacted for 24-36 h. After complete conversion, it was poured into ice water, adjusted to pH<1 using 4N dilute hydrochloric acid, sufficiently stirred, and when a large amount of yellow solid precipitated, the solid was collected by filtration. Washing with dichloromethane gave 1.50 g of a yellow solid. Then, it was washed twice successively with dichloromethane and filtered to obtain yellow solid 6-c (1.40 g, 98% yield). 1 HNMR (400 MHz, d 6 -acetone) δ = 8.37-8.26 (m, 5H), 8.13 (s, 1H).
단계(4): 화합물69의 합성Step (4): Synthesis of Compound 69
질소 분위기에서, 500mL의 2 구 플라스크에 6-c(1.40g, 2mmol) 및 DCM(200mL)을 첨가하고 0℃까지 강온시킨 후, PIFA(1.72g, 4.0mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하며, 실온에서 7일 동안 교반하고 용액이 자흑색이 된다. 반응이 완료된 후, 용액이 20mL 좌우가 될 때까지 농축시키고 이에 n-헥산(450mL)을 첨가하며 10min 동안 교반한 후 여과하여 회흑색 고체를 얻는다. (DCM/PE=2:1, 100mL)를 사용하여 두 번 세척하여, 회흑색 고체 화합물69(1.2g, 85%의 수율)을 얻는다. 1HNMR (400 MHz, d6-acetone) δ = 8.38-8.27 (m, 5H), 8.13(s, 1H).In a nitrogen atmosphere, 6-c (1.40g, 2mmol) and DCM (200mL) were added to a 500mL two-necked flask, and after the temperature was lowered to 0 ° C, PIFA (1.72g, 4.0mmol) was added in several portions, After stirring at room temperature for 7 days, the solution becomes purple-black. After the reaction is complete, the solution is concentrated until it becomes 20 mL left and right, n-hexane (450 mL) is added thereto, stirred for 10 min, and filtered to obtain a grayish-black solid. (DCM/PE=2:1, 100 mL) to give compound 69 (1.2 g, 85% yield) as an off-black solid. 1 HNMR (400 MHz, d 6 -acetone) δ = 8.38-8.27 (m, 5H), 8.13 (s, 1H).
합성 실시예 6: 화합물42의 합성Synthesis Example 6: Synthesis of Compound 42
단계(1): [중간물3-b]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 3-b ]
250mL의 2 구 플라스크에 디옥산(210mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)2(293mg, 1.3mmol) 및 SPhos(1.12g, 2.73mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 3-a(15.8g, 65mmol), B2pin2(23g, 91mmol) 및 KOAc(12.7g, 130mmol)를 첨가하고, 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체3-b(16g, 85%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, CDCl3)δ = 7.64(d, J=8.4Hz, 1H), 7.59(m, 2H), 1.35(s, 12H).Dioxane (210 mL) was added to a 250 mL two-neck flask, nitrogen was bubbled for 15 min, Pd(OAc) 2 (293 mg, 1.3 mmol) and SPhos (1.12 g, 2.73 mmol) were added while stirring, and so on. After stirring for 10 min, 3-a (15.8g, 65mmol), B 2 pin 2 (23g, 91mmol) and KOAc (12.7g, 130mmol) were sequentially added, and the temperature was raised to 110° C. to reflux, under the protection of nitrogen. Stir overnight. When the reaction is complete, the temperature is lowered, filtered through diatomaceous earth, sufficiently washed with dichloromethane, and separated by silica gel column chromatography to obtain white solid 3-b (16 g, 85% yield). 1 HNMR (400 MHz, CDCl 3 ) δ = 7.64 (d, J =8.4 Hz, 1H), 7.59 (m, 2H), 1.35 (s, 12H).
단계(2): [중간물3-c]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 3-c ]
250mL의 2 구 플라스크에 디옥산(150mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)2(293mg, 1.3mmol) 및 XPhos(1.34g, 2.8mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(4.1g, 13mmol), 3-b(15.0g, 52mmol) 및 플루오르화세슘(cesium fluoride)(9.5g, 62.4mmol)을 첨가하고, 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체3-c(4.4g, 70%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, CDCl3)δ = 8.35(s, 2H), 8.23(d, J=8.8Hz, 4H), 7.83(t, J=8.8Hz, 2H).Dioxane (150 mL) was added to a 250 mL two-neck flask, nitrogen was bubbled for 15 min, Pd(OAc) 2 (293 mg, 1.3 mmol) and XPhos (1.34 g, 2.8 mmol) were added while stirring, and so on. After stirring for 10 min, 1-a (4.1 g, 13 mmol), 3-b (15.0 g, 52 mmol) and cesium fluoride (9.5 g, 62.4 mmol) were sequentially added, and the temperature was raised to 110°C. was brought to reflux and stirred overnight under nitrogen protection. When the reaction is complete, the temperature is lowered, filtered through diatomaceous earth, sufficiently washed with dichloromethane, and separated by silica gel column chromatography to obtain 3-c (4.4 g, 70% yield) as a white solid. 1 HNMR (400 MHz, CDCl 3 ) δ = 8.35 (s, 2H), 8.23 (d, J =8.8 Hz, 4H), 7.83 (t, J =8.8 Hz, 2H).
단계(3): [중간물3-d]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 3-d ]
질소 분위기에서, 3-c(8.1g, 16.7mmol)를 THF(250mL)에 첨가하고, -94℃까지 강온시키고(아세톤/액화질소 냉각조) 천천히 n-부틸리튬(24mL, 38.4mmol, 1.6M n-헥산 용액)을 드립하며, 해당 온도를 1h 동안 유지시킨 다음, 천천히 -78℃까지 승온시키고(아세톤/드라이아이스 냉각조) 8h 동안 반응시킨다. 요오드 순물질 (12.73g, 50.1mmol)의 THF 용액(20mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 백색 고체 생성물3-d(6.5g, 53%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-acetone)δ = 8.31-8.27(m, 4H), 8.02(t, J=8.0Hz, 2H).Under a nitrogen atmosphere, 3-c (8.1 g, 16.7 mmol) was added to THF (250 mL), cooled to -94 °C (acetone/liquid nitrogen cooling bath) and slowly n-butyllithium (24 mL, 38.4 mmol, 1.6 M n-hexane solution) is dripped, the temperature is maintained for 1 h, then the temperature is slowly raised to -78 ° C (acetone/dry ice cooling bath) and reacted for 8 h. A THF solution (20 mL) of pure iodine (12.73 g, 50.1 mmol) was added, and when the addition was complete, the temperature was slowly raised to room temperature, left overnight, a small amount of saturated ammonium chloride aqueous solution was added to quench, and then diatomaceous earth was directly After addition, the sample is stirred and purified by silica gel column chromatography to give a white solid product 3-d (6.5 g, 53% yield). 1 HNMR (400 MHz, d 6 -acetone) δ = 8.31-8.27 (m, 4H), 8.02 (t, J =8.0 Hz, 2H).
단계(4): [중간물3-e]의 합성Step (4): Synthesis of [Intermediate 3-e ]
질소 분위기에서, 말로노나이트릴(1.58g, 24mmol)을 무수 DMF(40mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(960mg, 24mmol, 60%의 함량)를 여러 번으로 나누어 첨가하고, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반한 다음, 3-d(3.0g, 4mmol) 및 Pd(PPh4)3(462mg, 0.4mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24~36h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 황색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 세척하여 황색 고체 2.8g을 얻는다. 다음, 용매(DCM, 200mL)으로 연속 두 번 세척하고 여과하여 황색 고체3-e(2.4g, 99%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-acetone)δ = 8.08(t, J=8.0Hz, 2H), 8.03-7.96(m, 4H).In a nitrogen atmosphere, malononitrile (1.58 g, 24 mmol) was added to anhydrous DMF (40 mL), NaH (960 mg, 24 mmol, content of 60%) was added in several portions at 0 ° C, and stirred at 0 ° C for 10 min. After stirring for 20 min at room temperature, 3-d (3.0 g, 4 mmol) and Pd(PPh 4 ) 3 (462 mg, 0.4 mmol) were added, the temperature was raised to 90 °C, and reacted for 24-36 h. After complete conversion, it was poured into ice water, adjusted to pH<1 using 4N dilute hydrochloric acid, sufficiently stirred, and when a large amount of yellow solid precipitated, the solid was collected by filtration. Washing with dichloromethane gave 2.8 g of a yellow solid. Then, it was washed twice successively with solvent (DCM, 200 mL) and filtered to obtain yellow solid 3-e (2.4 g, 99% yield). 1 HNMR (400 MHz, d 6 -acetone) δ = 8.08 (t, J =8.0 Hz, 2H), 8.03-7.96 (m, 4H).
단계(5): 화합물42의 합성Step (5): Synthesis of Compound 42
질소 분위기에서, 3-e(2.4g, 4mmol)를 500mL의 1 구 플라스크에 넣고, DCM(200mL)을 첨가하고 0℃까지 강온시키며, PIFA(3.44g, 8mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 3일 동안 교반하며, 용액은 자흑색이 된다. 다음, 얻어진 용액을 1L의 1 구 플라스크에 넣고 용액이 50mL 좌우가 될 때까지 회전증발시키며, 이에 n-헥산(450mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하여 흑색 고체를 얻는다. 각각 (DCM/PE=2:1, 200mL)를 사용하여 두 번 세척하여, 흑색 고체 화합물42(2.0g, 82%의 수율)을 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-acetone)δ =8.23-8.16(m, 6H).Under a nitrogen atmosphere, 3-e (2.4g, 4mmol) was placed in a 500mL one-necked flask, DCM (200mL) was added and cooled to 0 °C, PIFA (3.44g, 8mmol) was added in several portions and room temperature After stirring for 3 days, the solution becomes purple-black. Next, the obtained solution was put into a 1 L one-necked flask, and rotary evaporation was performed until the solution became 50 mL left and right, n-hexane (450 mL) was added thereto, stirred for 10 min, and filtered to obtain a black solid. Washing twice with each (DCM/PE=2:1, 200 mL) gave compound 42 as a black solid (2.0 g, 82% yield). 1 HNMR (400 MHz, d 6 -acetone) δ =8.23-8.16 (m, 6H).
합성 실시예 7: 화합물72의 합성Synthesis Example 7: Synthesis of Compound 72
단계(1): [중간물7-b]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 7-b ]
500mL의 2 구 플라스크에 테트라하이드로푸란(130mL) 및 탈이온수(130mL)를 첨가하고, 15min 동안 질소를 버블링한 후, 순차적으로 Pd(PPh3)4(1.73g, 1.5mmol), 7-a(13.0g, 50mmol), 3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐보론산(14.2g, 55mmol) 및 플루오르화세슘(11.1g, 72mmol)을 첨가하며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료된 후, 디클로로메탄으로 ??칭하고 건조시켜며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체7-b(7.8g, 40%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, CDCl3)δ = 7.99(s, 2H), 7.96(s, 1H), 7.77(s, 1H), 7.72(s, 2H).Tetrahydrofuran (130 mL) and deionized water (130 mL) were added to a 500 mL two-necked flask, nitrogen was bubbled for 15 min, and then Pd(PPh 3 ) 4 (1.73 g, 1.5 mmol), 7-a were sequentially added. (13.0 g, 50 mmol), 3,5-bis(trifluoromethyl)phenylboronic acid (14.2 g, 55 mmol) and cesium fluoride (11.1 g, 72 mmol) are added and stirred under nitrogen protection overnight. After the reaction was completed, it was quenched with dichloromethane, dried, and separated by silica gel column chromatography to obtain 7-b as a white solid (7.8 g, 40% yield). 1 HNMR (400 MHz, CDCl 3 ) δ = 7.99(s, 2H), 7.96(s, 1H), 7.77(s, 1H), 7.72(s, 2H).
단계(2): [중간물7-c]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 7-c ]
250mL의 2 구 플라스크에 디옥산(70mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)2(113mg, 0.5mmol) 및 SPhos(431mg, 1.05mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 7-b(7.8g, 20mmol), B2pin2(7.1g, 28mmol) 및 KOAc(3.92g, 40mmol)를 첨가한다. 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체7-c(8.2g, 85%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, CDCl3)δ = 8.16(d, J = 8Hz, 2H), 8.04(s, 2H), 7.90(d, J = 6.8Hz, 2H).Dioxane (70 mL) was added to a 250 mL two-necked flask and nitrogen was bubbled for 15 min, while stirring, Pd(OAc) 2 (113 mg, 0.5 mmol) and SPhos (431 mg, 1.05 mmol) were added, followed by 10 min. After stirring for a while, 7-b (7.8 g, 20 mmol), B 2 pin 2 (7.1 g, 28 mmol) and KOAc (3.92 g, 40 mmol) were sequentially added. The temperature was raised to 110° C. to reflux and stirred overnight under the protection of nitrogen. When the reaction is complete, the temperature is lowered, filtered through diatomaceous earth, sufficiently washed with dichloromethane, and separated by silica gel column chromatography to obtain white solid 7-c (8.2 g, 85% yield). 1 HNMR (400 MHz, CDCl 3 ) δ = 8.16 (d, J = 8 Hz, 2H), 8.04 (s, 2H), 7.90 (d, J = 6.8 Hz, 2H).
단계(3): [중간물7-d]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 7-d ]
2L의 2 구 플라스크에 테트라하이드로푸란(1L)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)2(141mg, 0.625mmol) 및 XPhos(646mg, 1.38mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(4.0g, 12.5mmol), 7-c(22.2g, 46mmol) 및 플루오르화세슘(10.5g, 68.8mmol)을 첨가한다. 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 테트라하이드로푸란으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 백색 고체7-d(11.6g, 83%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-acetone)δ = 9.02(s, 2H), 8.89(s, 2H), 8.74(s, 2H), 8.57(s, 4H), 8.35(s, 2H), 8.18(s, 2H).Tetrahydrofuran (1 L) was added to a 2 L two-necked flask, nitrogen was bubbled for 15 min, Pd(OAc) 2 (141 mg, 0.625 mmol) and XPhos (646 mg, 1.38 mmol) were added while stirring, and so on. After stirring for 10 min, 1-a (4.0 g, 12.5 mmol), 7-c (22.2 g, 46 mmol) and cesium fluoride (10.5 g, 68.8 mmol) are sequentially added. The temperature was raised to 110° C. to reflux and stirred overnight under the protection of nitrogen. When the reaction is complete, the temperature is lowered, filtered through diatomaceous earth, thoroughly washed with tetrahydrofuran, and separated by silica gel column chromatography to obtain 7-d (11.6 g, 83% yield) as a white solid. 1 HNMR (400 MHz, d 6 -acetone) δ = 9.02 (s, 2H), 8.89 (s, 2H), 8.74 (s, 2H), 8.57 (s, 4H), 8.35 (s, 2H), 8.18 (s , 2H).
단계(4): [중간물7-e]의 합성Step (4): Synthesis of [Intermediate 7-e ]
질소 분위기에서, 7-d(6.02g, 6.9mmol)를 THF(250mL)에 첨가하고, -72℃까지 강온시키고 천천히 2,2,6,6-테트라메틸피페리디닐마그네슘클로라이드리튬클로라이드 복합물(16.6mL, 16.6mmol, 1.0M 용액)을 드립하며, 해당 온도를 1h 동안 유지시킨 다음, 천천히 -20℃까지 승온시키고 해당 온도에서 2h 동안 반응시킨다. 다음, -78℃까지 강온시키고, 요오드 순물질 (7.11g, 28mmol)의 THF 용액(20mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 백색 고체 생성물7-e(6.3g, 82%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-acetone)δ = 9.00(s, 2H), 8.70(s, 2H), 8.57(s, 4H), 8.42(s, 2H), 8.21(s, 2H).In a nitrogen atmosphere, 7-d (6.02 g, 6.9 mmol) was added to THF (250 mL), cooled to -72 °C and slowly mixed with 2,2,6,6-tetramethylpiperidinylmagnesium chloride lithium chloride complex (16.6 mL, 16.6 mmol, 1.0 M solution), maintain the temperature for 1 h, then slowly raise the temperature to -20 ° C and react at the temperature for 2 h. Next, the temperature was lowered to -78 ° C, a THF solution (20 mL) of pure iodine (7.11 g, 28 mmol) was added, and when the addition was completed, the temperature was slowly raised to room temperature, left overnight, and a small amount of saturated ammonium chloride aqueous solution was added. After quenching, diatomaceous earth is directly added, the sample is stirred, and purified by silica gel column chromatography to give a white solid product 7-e (6.3 g, 82% yield). 1 HNMR (400 MHz, d 6 -acetone) δ = 9.00 (s, 2H), 8.70 (s, 2H), 8.57 (s, 4H), 8.42 (s, 2H), 8.21 (s, 2H).
단계(5): [중간물7-f]의 합성Step (5): Synthesis of [Intermediate 7-f ]
질소 분위기에서, 말로노나이트릴(1.35g, 20.4mmol)을 무수 DMF(40mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(820mg, 20.4mmol, 60%의 함량)를 여러 번으로 나누어 첨가하고, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반한 다음, 7-e(3.82g, 3.4mmol) 및 Pd(PPh4)3(393mg, 0.34mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24~36h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 세척하고 여과하여 오프화이트 고체 3.3g을 얻는다. 다음, 용매(DCM, 200mL)로 연속 두 번 세척하고 여과하여 오프화이트 고체7-f(3.2g, 95%의 수율)를 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-acetone)δ = 8.92(s, 4H), 8.41(s, 4H), 8.37(s, 4H).Under a nitrogen atmosphere, malononitrile (1.35 g, 20.4 mmol) was added to anhydrous DMF (40 mL), NaH (820 mg, 20.4 mmol, content of 60%) was added in several portions at 0 ° C, and then 0 ° C After stirring for 10 min and stirring at room temperature for 20 min, 7-e (3.82 g, 3.4 mmol) and Pd(PPh 4 ) 3 (393 mg, 0.34 mmol) were added, and the temperature was raised to 90 °C and reacted for 24-36 h. let it After complete conversion, it is poured into ice water, adjusted to pH<1 using 4N dilute hydrochloric acid, stirred sufficiently, and when a large amount of solid precipitates, it is filtered to collect the solid. Washing with dichloromethane and filtering gave 3.3 g of an off-white solid. Then, it was washed twice successively with a solvent (DCM, 200 mL) and filtered to obtain an off-white solid 7-f (3.2 g, 95% yield). 1 HNMR (400 MHz, d 6 -acetone) δ = 8.92 (s, 4H), 8.41 (s, 4H), 8.37 (s, 4H).
단계(6): 화합물72의 합성Step (6): Synthesis of Compound 72
질소 분위기에서, 7-f(3.2g, 3.2mmol)를 500mL의 1 구 플라스크에 넣고, DCM(200mL)을 첨가하고, 0℃까지 강온시키며, PIFA(2.92g, 6.8mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 5일 동안 교반하며, 용액은 자흑색이 된다. 다음, 얻어진 용액을 1L의 1 구 플라스크에 넣고, 용액이 50mL 좌우 남을 때까지 회전증발시키며, 이에 n-헥산(450mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하여 흑색 고체를 얻는다. 각각 (DCM/PE=1:1, 200mL)를 사용하여 두 번 세척하여, 최종적으로 흑색 고체 화합물72(2.8g, 88%의 수율)을 얻는다. 1HNMR(400MHz, d6-acetone)δ = 8.56(s, 8H), 8.24(s, 4H).Under nitrogen atmosphere, put 7-f (3.2g, 3.2mmol) into a 500mL one-necked flask, add DCM (200mL), cool to 0°C, and divide PIFA (2.92g, 6.8mmol) several times. After addition and stirring at room temperature for 5 days, the solution becomes purple-black. Next, the obtained solution was put into a 1 L one-necked flask, and rotary evaporation was performed until 50 mL of the solution remained, n-hexane (450 mL) was added thereto, stirred for 10 min, and filtered to obtain a black solid. Washed twice with each (DCM/PE=1:1, 200 mL) to finally obtain compound 72 (2.8 g, 88% yield) as a black solid. 1 HNMR (400 MHz, d 6 -acetone) δ = 8.56 (s, 8H), 8.24 (s, 4H).
합성 실시예 8: 화합물54의 합성Synthesis Example 8: Synthesis of Compound 54
단계(1): [중간물8-b]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 8-b ]
500mL의 2 구 플라스크에 디옥산(300mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)2(423mg, 1.6mmol) 및 XPhos(1.53g, 3.2mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(4.1g, 12.9mmol), 보론산8-a(22.8g, 51.9mmol) 및 플루오르화세슘(11.0g, 80.0mmol)을 첨가한다. 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 백색 고체8-b(6.7g, 45%의 수율)를 얻는다.Dioxane (300 mL) was added to a 500 mL two-necked flask and nitrogen was bubbled for 15 min, Pd(OAc) 2 (423 mg, 1.6 mmol) and XPhos (1.53 g, 3.2 mmol) were added while stirring, and so on. After stirring for 10 min, 1-a (4.1 g, 12.9 mmol), boronic acid 8-a (22.8 g, 51.9 mmol) and cesium fluoride (11.0 g, 80.0 mmol) are added sequentially. The temperature was raised to 110° C. to reflux and stirred overnight under the protection of nitrogen. When the reaction is complete, the temperature is lowered, filtered through diatomaceous earth, sufficiently washed with dichloromethane, and silica gel column chromatography is used to obtain 8-b as a white solid (6.7g, 45% yield).
단계(2): [중간물8-c]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 8-c ]
질소 분위기에서, 8-b(6.5g, 6.85mmol)를 THF(325mL)에 첨가하고, -78℃까지 강온시키고 천천히 LDA(9.7mL, 15.7mmol)를 드립하며, 해당 온도를 10 min 동안 유지시킨 다음, 천천히 -15℃까지 승온시키며 용액의 색은 홍흑색(reddish black)이다. 2h 이후, 요오드 순물질 (5.22g, 20.56mmol)의 THF 용액(20mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(PE:DCM=10:1~2:1)를 이용하여 백색 고체 생성물8-c(5.1g, 62%의 수율)를 얻는다.Under a nitrogen atmosphere, 8-b (6.5 g, 6.85 mmol) was added to THF (325 mL), cooled to -78 °C, slowly dripped with LDA (9.7 mL, 15.7 mmol), and the temperature was maintained for 10 min. Next, the temperature was slowly raised to -15 ° C, and the color of the solution was reddish black. After 2h, a THF solution (20mL) of pure iodine (5.22g, 20.56mmol) was added, and when the addition was complete, the temperature was slowly raised to room temperature, left overnight, and quenched by adding a small amount of saturated ammonium chloride aqueous solution, After directly adding diatomaceous earth and stirring the sample, a white solid product 8-c (5.1 g, 62% yield) was obtained by silica gel column chromatography (PE:DCM=10:1-2:1).
단계(3): [중간물8-d]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 8-d ]
질소 분위기에서, 말로노나이트릴(2.06g, 31.2mmol)을 무수 DMF(100mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(1.22g, 30.3mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하며, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반하며 용액이 담황색이 된 다음, 8-c(5.0g, 4.16mmol) 및 Pd(PPh4)3(0.89g, 0.77mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 황색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 리슬러리(reslurry)하여 황색 고체를 얻은 후, 톨루엔을 사용하여 90℃에서 1.5h 동안 끓이고, 여과하여 황색 고체8-d(4.3g, 95%의 수율)를 얻는다.Under a nitrogen atmosphere, malononitrile (2.06 g, 31.2 mmol) was added to anhydrous DMF (100 mL), and NaH (1.22 g, 30.3 mmol) was added in portions at 0 °C, stirring at 0 °C for 10 min. and stirred at room temperature for 20 min, the solution turned pale yellow, and then 8-c (5.0 g, 4.16 mmol) and Pd(PPh 4 ) 3 (0.89 g, 0.77 mmol) were added, and the temperature was raised to 90 °C and reacted for 24 h. let it After complete conversion, it was poured into ice water, adjusted to pH<1 using 4N dilute hydrochloric acid, sufficiently stirred, and when a large amount of yellow solid precipitated, the solid was collected by filtration. After reslurry with dichloromethane to obtain a yellow solid, it was boiled with toluene at 90° C. for 1.5 h and filtered to give a yellow solid 8-d (4.3 g, 95% yield).
단계(4): 화합물54의 합성Step (4): Synthesis of Compound 54
질소 분위기에서, 8-d(4.3g, 3.97mmol)를 2 구 플라스크에 넣고, DCM(430mL, 0.01M)을 첨가하고, 0℃까지 강온시키며, PIFA(1.79g, 4.17mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 1일 동안 교반하며, 용액은 자흑색이 된다. 다음, 용액을 1L의 1 구 플라스크에 넣고, 용액이 50mL 좌우가 될 때까지 회전건조시키며, 이에 n-헥산(250mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하며, 이어서, 각각 (DCM/PE=1:1, 200mL)를 사용하여 두 번 세척하여, 자흑색 고체 화합물54(3.0g, 70%의 수율)을 얻는다. 생성물은 분자량이 1074인 목표 생성물인 것으로 확인된다.Under a nitrogen atmosphere, 8-d (4.3g, 3.97mmol) was placed in a two-necked flask, DCM (430mL, 0.01M) was added, cooled to 0 °C, and PIFA (1.79g, 4.17mmol) was added several times. Added in portions and stirred at room temperature for 1 day, the solution turned purple-black. Next, the solution was put into a 1 L one-necked flask, spun dried until the solution was 50 mL left and right, n-hexane (250 mL) was added thereto, stirred for 10 min, filtered, and then each (DCM/PE= 1:1, 200 mL) to obtain compound 54 (3.0 g, 70% yield) as a purple-black solid. The product is identified as the target product with a molecular weight of 1074.
합성 실시예 9: 화합물1367의 합성Synthesis Example 9: Synthesis of Compound 1367
단계(1): [중간물9-a]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 9-a ]
1L의 2 구 플라스크에 디옥산(450mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)2(1.27g, 5.66mmol) 및 XPhos(5.62g, 11.8mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(15.0g, 47.18mmol), 비페닐-2-보론산(2-phenylphenylboronic acid)(39.2g, 198.1mmol) 및 플루오르화세슘(33.25g, 240.6mmol)을 첨가한다. 110℃까지 승온시켜 환류시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 백색 고체9-a(5.0g, 23%의 수율)를 얻는다.Dioxane (450 mL) was added to a 1 L two-necked flask and nitrogen was bubbled for 15 min, Pd(OAc) 2 (1.27 g, 5.66 mmol) and XPhos (5.62 g, 11.8 mmol) were added while stirring, and so on. and stirred for 10 min, then 1-a (15.0 g, 47.18 mmol), biphenyl-2-boronic acid (39.2 g, 198.1 mmol) and cesium fluoride (33.25 g, 240.6 mmol) were sequentially added. ) is added. The temperature was raised to 110° C. to reflux and stirred overnight under the protection of nitrogen. When the reaction is complete, the temperature is lowered, filtered through diatomaceous earth, sufficiently washed with dichloromethane, and subjected to silica gel column chromatography to obtain 9-a as a white solid (5.0 g, 23% yield).
단계(2): [중간물9-b]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 9-b ]
질소 분위기에서, 9-a(4.92g, 10.59mmol)를 THF(120mL)에 첨가하고, -78℃까지 강온시키고 천천히 LDA(15.0mL, 24.36mmol, 1.6M 용액)를 드립하며, 해당 온도를 10min 동안 유지시킨 다음, 천천히 -15℃까지 승온시키고 반응시킨다. 2h 이후, 요오드 순물질 (8.07g, 31.77mmol)의 THF 용액(20mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(PE:DCM=10:1~2:1)를 이용하여 백색 고체 생성물9-b(6.2g, 81%의 수율)를 얻는다.In a nitrogen atmosphere, 9-a (4.92 g, 10.59 mmol) was added to THF (120 mL), the temperature was lowered to -78 ° C, and LDA (15.0 mL, 24.36 mmol, 1.6 M solution) was slowly dripped, and the temperature was increased for 10 min. After maintaining for a while, the temperature was slowly raised to -15 ° C and reacted. After 2h, a THF solution (20mL) of pure iodine (8.07g, 31.77mmol) was added, and when the addition was complete, the temperature was slowly raised to room temperature, left overnight, and quenched by adding a small amount of saturated ammonium chloride aqueous solution, After directly adding diatomaceous earth and stirring the sample, a white solid product 9-b (6.2 g, 81% yield) was obtained by silica gel column chromatography (PE:DCM=10:1-2:1).
단계(3): [중간물9-c]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 9-c ]
질소 분위기에서, 말로노나이트릴(4.28g, 64.9mmol)을 무수 DMF(86mL)에 첨가하고, 0℃에서 NaH(2.52g, 63.1mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하며, 0℃에서 10min 동안 교반하고 실온에서 20min 동안 교반하며 용액이 담황색(불그스름 (reddish))이 된 다음, 9-b(6.2g, 8.65mmol) 및 Pd(PPh4)3(1.84g, 1.6mmol)을 첨가하고, 90℃까지 승온시키고 24h 동안 반응시킨다. 완전히 전환된 후 빙수에 붓고, 4N 묽은 염산을 사용하여 pH<1으로 조정하며, 충분히 교반한 후, 다량의 황색 고체가 석출되면 여과하여 고체를 수집한다. 디클로로메탄으로 리슬러리(reslurry)하여 황색 고체를 얻은 후, 톨루엔을 사용하여 90℃에서 1.5h 동안 세척히고, 여과하여 황색 고체9-c(4.81g, 93%의 수율)를 얻는다.Under a nitrogen atmosphere, malononitrile (4.28 g, 64.9 mmol) was added to anhydrous DMF (86 mL), and NaH (2.52 g, 63.1 mmol) was added in portions at 0 °C, stirring at 0 °C for 10 min. and stirred at room temperature for 20 min, and the solution turned pale yellow (reddish), then 9-b (6.2 g, 8.65 mmol) and Pd(PPh 4 ) 3 (1.84 g, 1.6 mmol) were added, and the temperature was 90 °C. The temperature was raised to and reacted for 24 h. After complete conversion, it was poured into ice water, adjusted to pH<1 using 4N dilute hydrochloric acid, stirred sufficiently, and when a large amount of yellow solid precipitated, the solid was collected by filtration. A yellow solid was obtained by reslurry with dichloromethane, washed with toluene at 90° C. for 1.5 h, and filtered to obtain yellow solid 9-c (4.81 g, 93% yield).
단계(4): 화합물1367의 합성Step (4): Synthesis of Compound 1367
질소 분위기에서, 9-c(4.81g, 8.12mmol)를 2 구 플라스크에 넣고, 각각 DCM(480mL)을 첨가하고, 0℃까지 강온시키며, PIFA(3.67g, 8.53mmol)를 여러 번으로 나누어 첨가하고 실온에서 1일 동안 교반한다. 다음, 용액을 1L의 1 구 플라스크에 넣고, 용액이 50mL 좌우 남을 때까지 회전증발시키며, 이에 n-헥산(400mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하여 자흑색 고체를 얻으며, 이어서, 각각 (DCM/PE=1:1, 200mL)를 사용하여 두 번 세척하여, 자흑색 고체 화합물1367(4.1g, 85%의 수율)을 얻는다. 생성물은 분자량이 590인 목표 생성물인 것으로 확인된다.Under nitrogen atmosphere, put 9-c (4.81 g, 8.12 mmol) in a two-necked flask, add DCM (480 mL) each, cool down to 0°C, and add PIFA (3.67 g, 8.53 mmol) in several portions. and stirred at room temperature for 1 day. Next, the solution was put into a 1 L one-necked flask, and rotary evaporation was performed until the solution remained 50 mL left and right, n-hexane (400 mL) was added thereto, stirred for 10 min, and filtered to obtain a purple-black solid, followed by each (DCM /PE=1:1, 200 mL) to give compound 1367 (4.1 g, 85% yield) as a purple-black solid. The product is identified as the target product with a molecular weight of 590.
합성 실시예 10: 화합물43의 합성Synthesis Example 10: Synthesis of Compound 4 3
단계(1): [중간물10-b]의 합성Step (1): Synthesis of [Intermediate 10-b ]
250mL의 2 구 플라스크에 디옥산(160mL)을 첨가하고 15min 동안 질소를 버블링하며, 교반하면서 Pd(OAc)2(0.282g, 1.26mmol) 및 XPhos(1.2g, 2.52mmol)를 첨가하고, 계속하여 10min 동안 교반한 다음, 순차적으로 1-a(8.0g, 25.16mmol), 10-a(24.46g, 75.48mmol) 및 수산화나트륨(3.52g, 88.04mmol)을 첨가한다. 80℃까지 승온시켜 반응시키며, 질소 보호하에서 밤새 교반한다. 반응이 완료되면 강온시키고, 규조토로 여과하고 디클로로메탄으로 충분히 세척하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 백색 고체10-b(13g, 93.6%의 수율)를 얻는다.Add dioxane (160 mL) to a 250 mL two-necked flask, bubble nitrogen for 15 min, add Pd(OAc) 2 (0.282 g, 1.26 mmol) and XPhos (1.2 g, 2.52 mmol) while stirring, and so on. and stirred for 10 min, then 1-a (8.0 g, 25.16 mmol), 10-a (24.46 g, 75.48 mmol) and sodium hydroxide (3.52 g, 88.04 mmol) were sequentially added. React by raising the temperature to 80° C. and stir overnight under the protection of nitrogen. When the reaction is complete, the temperature is lowered, filtered through diatomaceous earth, sufficiently washed with dichloromethane, and silica gel column chromatography is used to obtain a white solid 10-b (13g, 93.6% yield).
단계(2): [중간물10-c]의 합성Step (2): Synthesis of [Intermediate 10-c ]
건조된 500mL의 Schlenk 플라스크에, 질소 분위기에서 10-b(12g, 21.7mmol) 및 THF(240mL)를 첨가하고 -30℃까지 강온시키며, 천천히 TMPMgClLiCl(54mL, 54mmol, 1.0M 용액)를 첨가하고 -30℃에서 2h 동안 반응시키고 샘플링하며, HPLC로 모니터링하여 완전히 리튬화한 다음, -30℃에서 요오드 순물질 (16.55g, 65.1mmol)의 THF 용액(50mL)을 첨가하고, 첨가가 완료되면, 천천히 실온까지 승온시키고 밤새 방치하며, 소량의 포화염화암모늄 수용액을 첨가하여 ??칭한 다음, 직접 규조토를 첨가하고 시료를 교반하며, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(PE:DCM=10:1~2:1~1:1)로 정제하며 PE:DCM=10:1을 이용하여 리슬러리(reslurry)하여 백색 고체10-c(12g, 69%의 수율)를 얻는다.To a dried 500 mL Schlenk flask, add 10-b (12 g, 21.7 mmol) and THF (240 mL) in a nitrogen atmosphere, cool to -30 ° C, slowly add TMPMgClLiCl (54 mL, 54 mmol, 1.0 M solution) - Reaction and sampling at 30 ° C for 2 h, complete lithiation monitored by HPLC, and then a THF solution (50 mL) of pure iodine (16.55 g, 65.1 mmol) was added at -30 ° C, and when the addition was completed, it was slowly room temperature The temperature was raised to , left overnight, quenched by adding a small amount of saturated ammonium chloride aqueous solution, directly added with diatomaceous earth, stirred the sample, and subjected to silica gel column chromatography (PE:DCM=10:1 to 2:1 to 1: 1) and reslurry using PE:DCM=10:1 to obtain 10-c (12g, 69% yield) as a white solid.
단계(3): [중간물10-d]의 합성Step (3): Synthesis of [Intermediate 10-d ]
건조된 1L의 3 구 플라스크에, 질소 분위기에서 NaH(2.98g, 74.4mmol) 및 초건조 DMF(80mL)를 첨가하고, 0℃에서 말로노나이트릴(4.95g, 75mmol)을 첨가한다. 실온에서 0.5h 동안 반응시키고 10-c(10g, 12.4mmol) 및 Pd(PPh3)4(0.718g, 0.62mmol)를 첨가하며, 80℃까지 가열하고 18h 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 0℃에서 100mL의 2N HCL를 드립하고 여과하여 조생성물을 얻는다. 아세톤으로 공비하여 물을 제거하고 아세톤으로 맑게 용해시키며, 불용물을 여과하고 여과액을 회전건조시키고 결정화시켜 백색(약간 황색을 띰(slightly yellowish)) 고체10-d(8.5g, 91%의 수율)를 얻는다.To a dried 1 L three-necked flask, add NaH (2.98 g, 74.4 mmol) and ultra-dry DMF (80 mL) under a nitrogen atmosphere, followed by malononitrile (4.95 g, 75 mmol) at 0°C. After reacting at room temperature for 0.5h , 10-c (10g, 12.4mmol) and Pd(PPh 3 ) 4 (0.718g, 0.62mmol) were added, heated to 80°C and reacted for 18h. After the reaction is complete, 100 mL of 2N HCL is dripped at 0°C and filtered to obtain a crude product. Water was removed by azeotrope with acetone, dissolved clearly with acetone, insolubles were filtered, and the filtrate was spin-dried and crystallized to give a white (slightly yellowish) solid 10-d (8.5 g, 91% yield) ) to get
단계(4): 화합물43의 합성Step (4): Synthesis of Compound 43
2L의 3 구 플라스크에, 질소 분위기에서 10-d(8.5g, 12.5mmol) 및 DCM(750ml)을 첨가한 다음, 0℃에서 PIFA(5.91g, 13.75mmol) 용액을 드립하고 20h 동안 반응시킨다. 다음, 용액을 2L의 1 구 플라스크에 넣고 용액이 100mL 좌우 남을 때까지 회전증발시키며, 이에 n-헥산(500mL)을 첨가하고 10min 동안 교반한 후 여과하여 자흑색 고체를 얻는다. 각각 (DCM/PE=2:1, 200mL)를 사용하여 두 번 세척하며, 최종적으로 자흑색 고체 화합물43(7.5g, 88%의 수율)을 얻는다. 생성물은 분자량이 678인 목표 생성물인 것으로 확인된다.In a 2 L three-necked flask, 10-d (8.5 g, 12.5 mmol) and DCM (750 ml) were added in a nitrogen atmosphere, then a PIFA (5.91 g, 13.75 mmol) solution was dripped at 0 ° C and reacted for 20 h. Next, the solution was put into a 2 L one-necked flask, and rotary evaporation was performed until 100 mL of the solution remained, n-hexane (500 mL) was added thereto, stirred for 10 min, and filtered to obtain a purple-black solid. Washed twice using each (DCM/PE=2:1, 200 mL), finally obtaining a purple-black solid compound 43 (7.5 g, 88% yield). The product is identified as the target product with a molecular weight of 678.
해당 분야 당업자는 상기 제조 방법은 단지 하나의 예시적인 예일 뿐이고, 해당 분야 당업자는 이를 개진함으로써 본 발명의 다른 화합물 구조를 얻을 수 있음을 알아야 한다.A person skilled in the art should know that the above preparation method is only an illustrative example, and a person skilled in the art can obtain other compound structures of the present invention by improving it.
소자 실시예 1Device Example 1
소자 실시예 1.1:Device Example 1.1:
80nm 두께의 인듐주석산화물(ITO) 투명전극을 구비하는 유리기판을 산소 플라즈마 및 UV 오존으로 처리한다. 증착하기 전에, 세척된 유리기판을 글로브 박스에서의 핫 플레이트(hotplate)에서 드라이한다. 하기 재료를 약 10-8토르(torr)의 진공도에서 0.2~2Å/s의 속도로 유리 표면에 순차적으로 증착시킨다. 먼저, 본 발명의 화합물56을 유리기판의 표면에 증착시켜, 10nm 두께의 필름을 형성하여 정공 주입층(HIL)으로 한다. 이어서, 얻어진 상기 필름 상에 화합물 HT1을 증착시켜, 120nm 두께의 필름을 형성하여 정공 수송층(HTL)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물EB1을 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 전자 차단층(EBL)으로 한다. 그리고, 얻어진 상기 필름 상에 화합물BH와 화합물BD(중량비 96:4)를 공동 증착시켜, 25nm 두께의 필름을 형성하여 발광층(EML)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물HB1을 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 정공 차단층(HBL)으로 한다. 이어서, 얻어진 상기 필름 상에 8-히드록시퀴놀린-리튬(Liq) 및 화합물ET1(중량비 60:40)을 공동 증착시켜, 30nm 두께의 필름을 형성하여 전자 수송층(ETL)으로 한다. 마지막으로, Liq를 증착시켜 1nm 두께의 필름을 형성하여 전자 주입층(EIL)으로 하고, 120nm 두께의 알루미늄을 증착시켜 음극으로 한다. 다음, 해당 소자를 글러브 박스로 다시 옮기고 유리 뚜껑(glass lid) 및 흡습제를 사용하여 봉입(encapsulate)함으로써 해당 소자를 완성시킨다.A glass substrate having an indium tin oxide (ITO) transparent electrode having a thickness of 80 nm is treated with oxygen plasma and UV ozone. Prior to deposition, the cleaned glass substrate is dried on a hotplate in a glove box. The following materials are sequentially deposited on the glass surface at a vacuum of about 10 −8 Torr at a rate of 0.2 to 2 Å/s. First, the compound 56 of the present invention is deposited on the surface of a glass substrate to form a film with a thickness of 10 nm to form a hole injection layer (HIL). Then, compound HT1 is deposited on the obtained film to form a 120 nm thick film as a hole transport layer (HTL). Next, compound EB1 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to serve as an electron blocking layer (EBL). Then, on the obtained film, compound BH and compound BD (weight ratio 96:4) were co-evaporated to form a film having a thickness of 25 nm, which was used as a light emitting layer (EML). Next, compound HB1 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to serve as a hole blocking layer (HBL). Subsequently, 8-hydroxyquinoline-lithium (Liq) and compound ET1 (weight ratio: 60:40) were co-evaporated on the obtained film to form a film with a thickness of 30 nm to serve as an electron transport layer (ETL). Finally, Liq is deposited to form a film with a thickness of 1 nm to form an electron injection layer (EIL), and aluminum to a thickness of 120 nm is deposited to form a cathode. Next, the device is transferred back to the glove box and encapsulated using a glass lid and a moisture absorbent to complete the device.
소자 실시예 1.2:Device Example 1.2:
소자 실시예 1.2는, HIL로서 화합물56 대신 화합물68을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 1.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 1.2 was prepared in the same manner as Device Example 1.1, except that compound 68 was used instead of compound 56 as the HIL.
소자 실시예 1.3:Device Example 1.3:
소자 실시예 1.3은, HIL로서 화합물56 대신 화합물70을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 1.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 1.3 was prepared in the same manner as Device Example 1.1, except that compound 70 was used instead of compound 56 as the HIL.
소자 실시예 1.4:Device Example 1.4:
소자 실시예 1.4는, 화합물70을 사용하여 5nm 두께의 필름을 형성하여 HIL로 하는 것 외에는, 소자 실시예 1.3과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 1.4 was prepared in the same manner as Device Example 1.3, except that a 5 nm thick film was formed using compound 70 to form an HIL.
소자 실시예 1.5:Device Example 1.5:
소자 실시예 1.5는, 화합물70을 사용하여 2nm 두께의 필름을 형성하여 HIL로 하는 것 외에는, 소자 실시예 1.3과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 1.5 was prepared in the same manner as Device Example 1.3, except that a 2 nm thick film was formed using compound 70 to form an HIL.
소자 실시예 1.6:Device Example 1.6:
소자 실시예 1.6은, HTL로서 화합물HT1 대신 화합물HT2를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 1.3과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 1.6 was prepared in the same manner as Device Example 1.3, except that compound HT2 was used instead of compound HT1 as HTL.
소자 실시예 1.7:Device Example 1.7:
소자 실시예 1.7은, 화합물70을 사용하여 2nm 두께의 필름을 형성하여 HIL로 하는 것 외에는, 소자 실시예 1.6과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 1.7 was prepared in the same manner as Device Example 1.6, except that compound 70 was used to form a 2 nm thick film to form an HIL.
소자 실시예 1.8:Device Example 1.8:
소자 실시예 1.8은, 화합물70을 사용하여 1nm 두께의 필름을 형성하여 HIL로 하는 것 외에는, 소자 실시예 1.6과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 1.8 was prepared in the same manner as Device Example 1.6, except that compound 70 was used to form a 1 nm thick film to form an HIL.
소자 비교예 1.1:Device Comparative Example 1.1:
소자 비교예 1.1은, HIL로서 화합물56 대신 비교 화합물HI1을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 1.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Comparative Example 1.1 was prepared in the same manner as Device Example 1.1, except that Comparative Compound HI1 was used instead of Compound 56 as HIL.
소자 비교예 1.2:Device Comparative Example 1.2:
소자 비교예 1.2는, 화합물70을 사용하지 않으며 정공 주입층이 없는 것 외에는, 소자 실시예 1.6과 동일한 방식으로 제조된다.Device Comparative Example 1.2 was prepared in the same manner as Device Example 1.6, except that Compound 70 was not used and there was no hole injection layer.
상세한 소자 층구조와 두께는 하기 표에 나타난 바와 같다. 여기서, 사용되는 재료가 두 가지 이상인 층은, 상이한 화합물을 이에 언급된 중량비로 도핑함으로써 얻어진다. 표 1은 소자 실시예 및 비교예의 소자 구조를 나타낸다.The detailed device layer structure and thickness are shown in the table below. Here, a layer in which two or more materials are used is obtained by doping different compounds in the weight ratios mentioned therein. Table 1 shows device structures of device examples and comparative examples.
(120nm)compound HT1
(120nm)
EB1 (5nm)compound
EB1 (5 nm)
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25 nm)
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm)
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30 nm)
(120nm)compound HT1
(120 nm)
EB1 (5nm)compound
EB1 (5 nm)
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm)
HB1(5nm)compound
HB1 (5nm)
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30 nm)
(120nm)compound HT1
(120nm)
EB1 (5nm)compound
EB1 (5 nm)
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25 nm)
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm)
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30 nm)
(120nm)compound HT1
(120 nm)
EB1 (5nm)compound
EB1 (5 nm)
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25 nm)
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm)
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30 nm)
(120nm)compound HT1
(120 nm)
EB1 (5nm)compound
EB1 (5 nm)
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm)
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm)
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30 nm)
(120nm)compound HT2
(120nm)
EB1 (5nm)compound
EB1 (5 nm)
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25 nm)
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm)
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30 nm)
(120nm)compound HT2
(120 nm)
EB1 (5nm)compound
EB1 (5 nm)
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25 nm)
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm)
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30 nm)
(120nm)compound HT2
(120 nm)
EB1 (5nm)compound
EB1 (5 nm)
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25 nm)
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm)
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30 nm)
HT1
(120nm)compound
HT1
(120 nm)
EB1 (5nm)compound
EB1 (5 nm)
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm)
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm)
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30 nm)
(120nm)compound HT2
(120nm)
EB1 (5nm)compound
EB1 (5 nm)
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm)
HB1 (5nm)compound
HB1 (5nm)
ET1:Liq (40:60, 30nm)compound
ET1:Liq (40:60, 30 nm)
소자에 사용되는 재료 구조는 아래와 같다:The material structure used for the device is as follows:
상기 소자는 10mA/cm2에서 IVL 특성이 측정되었으며, 그 전압(V), 전력 효율(PE) 및 수명(LT95)은 각각 표 2에 기록 및 표시된다. 표 2는 소자 데이터를 나타낸다.IVL characteristics of the device were measured at 10 mA/cm 2 , and the voltage (V), power efficiency (PE), and lifetime (LT95) are recorded and displayed in Table 2, respectively. Table 2 shows device data.
(V)(V)
(lm/W)(lm/W)
토론 1:Discussion 1:
상기 표로부터 알 수 있는바, 본 발명의 8 개의 바람직한 실시예 및 비교예에서 정공 주입층으로서 단독적인 재료를 사용하는 경우, 전압, 전력 효율 및 수명 측면에서, 바람직한 실시예는 모두 비교예보다 우수하다. 전압 측면에서는 약 0.5V 좌우 낮출 수 있고 전력 효율은 모두 향상되었으며 수명 측면에서는 배로 향상되었다. 즉, 정공 주입층의 두께가 5nm 및 2nm로 감소, 심지어 1nm로 감소되어도, 전압, 효율 및 수명은 모두 매우 우수하다. 특히, 정공 주입층이 없는 경우, 소자의 전압은 8.34V에 도달하고 전력 효율 및 수명은 모두 정공 주입층이 구비된 소자보다 못하다. 이로부터 알 수 있는바, 정공 주입층으로서 단독으로 사용되는 경우, 본 발명의 화합물은 비교 화화합물에 비해 더 바람직한 선택이며, 이에 의한 개선은 완전히 예상치 못한 것이다.As can be seen from the above table, when a single material is used as the hole injection layer in the eight preferred embodiments and comparative examples of the present invention, the preferred embodiments are all superior to the comparative examples in terms of voltage, power efficiency, and lifetime. do. In terms of voltage, it can be lowered by about 0.5V, power efficiency is improved, and life expectancy is doubled. That is, even if the thickness of the hole injection layer is reduced to 5 nm and 2 nm, or even to 1 nm, the voltage, efficiency and lifetime are all very good. In particular, when the hole injection layer is not present, the voltage of the device reaches 8.34V, and both power efficiency and lifetime are inferior to those of the device having the hole injection layer. As can be seen from this, when used alone as a hole injection layer, the compounds of the present invention are a more desirable choice than comparative compounds, and the improvement thereby is completely unexpected.
소자 실시예 2Device Example 2
소자 실시예 2.1:Device Example 2.1:
80nm 두께의 인듐주석산화물(ITO) 투명전극을 구비하는 유리기판을 산소 플라즈마 및 UV 오존으로 처리한다. 증착하기 전에, 세척된 유리기판을 글로브 박스에서의 핫 플레이트(hotplate)에서 드라이한다. 하기 재료를 약 10-8토르(torr)의 진공도에서 0.2~2Å/s의 속도로 유리 표면에 순차적으로 증착시킨다. 먼저, 본 발명의 화합물56(도판트) 및 화합물HT1(중량비 3:97)을 유리기판의 표면 상에 공동 증착시켜, 10nm 두께의 필름을 형성하여 정공 주입층(HIL)으로 한다. 이어서, 얻어진 상기 필름 상에 화합물 HT1을 증착시켜, 120nm 두께의 필름을 형성하여 정공 수송층(HTL)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물EB1을 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 전자 차단층(EBL)으로 한다. 그리고, 얻어진 상기 필름 상에 화합물BH와 화합물BD(중량비 96:4)를 공동 증착시켜, 25nm 두께의 필름을 형성하여 발광층(EML)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물HB1을 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 정공 차단층(HBL)으로 한다. 이어서, 얻어진 상기 필름 상에 8-히드록시퀴놀린-리튬(Liq) 및 화합물ET1(중량비 60:40)을 공동 증착시켜, 30nm 두께의 필름을 형성하여 전자 수송층(ETL)으로 한다. 마지막으로, Liq를 증착시켜 1nm 두께의 필름을 형성하여 전자 주입층(EIL)으로 하고, 120nm 두께의 알루미늄을 증착시켜 음극으로 한다. 다음, 해당 소자를 글러브 박스로 다시 옮기고 유리 뚜껑(glass lid) 및 흡습제를 사용하여 봉입(encapsulate)함으로써 해당 소자를 완성시킨다.A glass substrate having an indium tin oxide (ITO) transparent electrode having a thickness of 80 nm is treated with oxygen plasma and UV ozone. Prior to deposition, the cleaned glass substrate is dried on a hotplate in a glove box. The following materials are sequentially deposited on the glass surface at a vacuum of about 10 −8 Torr at a rate of 0.2 to 2 Å/s. First, compound 56 (dopant) and compound HT1 (weight ratio: 3:97) of the present invention are co-deposited on the surface of a glass substrate to form a 10 nm thick film as a hole injection layer (HIL). Then, compound HT1 is deposited on the obtained film to form a 120 nm thick film as a hole transport layer (HTL). Next, compound EB1 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to serve as an electron blocking layer (EBL). Then, on the obtained film, compound BH and compound BD (weight ratio 96:4) were co-evaporated to form a film having a thickness of 25 nm, which was used as a light emitting layer (EML). Next, compound HB1 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to serve as a hole blocking layer (HBL). Subsequently, 8-hydroxyquinoline-lithium (Liq) and compound ET1 (weight ratio: 60:40) were co-evaporated on the obtained film to form a film with a thickness of 30 nm to serve as an electron transport layer (ETL). Finally, Liq is deposited to form a film with a thickness of 1 nm to form an electron injection layer (EIL), and aluminum to a thickness of 120 nm is deposited to form a cathode. Next, the device is transferred back to the glove box and encapsulated using a glass lid and a moisture absorbent to complete the device.
소자 실시예 2.2:Device Example 2.2:
소자 실시예 2.2는, HIL에서, 도판트로서 화합물56 대신 화합물68을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.2 was prepared in the same manner as Device Example 2.1, except that compound 68 was used instead of compound 56 as the dopant in the HIL.
소자 실시예 2.3:Device Example 2.3:
소자 실시예 2.3은, HIL에서, 도판트로서 화합물56 대신 화합물70을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.3 was prepared in the same manner as Device Example 2.1, except that compound 70 was used instead of compound 56 as the dopant in the HIL.
소자 실시예 2.4:Device Example 2.4:
소자 실시예 2.4는, HIL로서, 화합물HT1 대신 화합물HT2를 사용하여 화합물56과 공동 증착시킨 것(중량비 97:3); 및 HTL로서 화합물HT1 대신 화합물HT2를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.4 was co-deposited with compound 56 using compound HT2 instead of compound HT1 as HIL (weight ratio 97:3); and, except for using compound HT2 instead of compound HT1 as HTL, device was prepared in the same manner as in Example 2.1.
소자 실시예 2.5:Device Example 2.5:
소자 실시예 2.5는, HIL에서, 도판트로서 화합물56 대신 화합물68을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2.4와 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.5 was prepared in the same manner as Device Example 2.4, except that compound 68 was used instead of compound 56 as the dopant in the HIL.
소자 실시예 2.6:Device Example 2.6:
소자 실시예 2.6은, HIL에서, 도판트로서 화합물56 대신 화합물69를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2.4와 동일한 방식으로 제조된다..Device example 2.6 was prepared in the same manner as device example 2.4, except that compound 69 was used instead of compound 56 as the dopant in the HIL.
소자 실시예 2.7:Device Example 2.7:
소자 실시예 2.7은, HIL로서, 화합물HT2와 화합물42를 공동 증착시킨 것(중량비 98:2)을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2.4와 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.7 was fabricated in the same manner as Device Example 2.4, except that as HIL, compound HT2 and compound 42 were co-deposited (weight ratio: 98:2).
소자 실시예 2.8:Device Example 2.8:
소자 실시예 2.8은, 도판트로서 화합물42 대신 화합물72를 사용하것 외에는, 소자 실시예 2.7과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.8 was prepared in the same manner as Device Example 2.7, except that Compound 72 was used instead of Compound 42 as the dopant.
소자 실시예 2.9:Device Example 2.9:
소자 실시예 2.9는, 도판트로서 화합물42 대신 화합물54를 사용하것 외에는, 소자 실시예 2.7과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.9 was prepared in the same manner as Device Example 2.7, except that Compound 54 was used instead of Compound 42 as the dopant.
소자 실시예 2.10:Device Example 2.10:
소자 실시예 2.10은, 도판트로서 화합물42 대신 화합물1367을 사용하것 외에는, 소자 실시예 2.7과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.10 was prepared in the same manner as Device Example 2.7, except that Compound 1367 was used instead of Compound 42 as the dopant.
소자 실시예 2.11:Device Example 2.11:
소자 실시예 2.11은, 도판트로서 화합물42 대신 화합물43을 사용하것 외에는, 소자 실시예 2.7과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 2.11 was prepared in the same manner as Device Example 2.7, except that Compound 43 was used instead of Compound 42 as the dopant.
소자 비교예 2:Device Comparative Example 2:
소자 비교예 2는, HIL에서, 도판트로서 화합물56 대신 화합물HI1을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Comparative Example 2 was prepared in the same manner as Device Example 2.1, except that compound HI1 was used instead of compound 56 as a dopant in the HIL.
소자에 사용되는 화합물의 구체적인 구조는 소자 실시예 1에 나타난 바와 같다.The specific structure of the compound used in the device is as shown in Device Example 1.
상세한 소자 층구조와 두께는 하기 표에 나타난 바와 같다. 여기서, 사용되는 재료가 두 가지 이상인 층은, 상이한 화합물을 이에 언급된 중량비로 도핑함으로써 얻어진다. 표 3은 소자 실시예 및 비교예의 소자 구조를 나타낸다.The detailed device layer structure and thickness are shown in the table below. Here, a layer in which two or more materials are used is obtained by doping different compounds in the weight ratios mentioned therein. Table 3 shows the device structures of device examples and comparative examples.
HT1
(120nm)compound
HT1
(120nm)
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm)
(96:4, 25nm)Compound BH: Compound BD
(96:4, 25nm)
HB1
(5nm)compound
HB1
(5 nm)
(40:60, 30nm)Compound ET1:Liq
(40:60, 30 nm)
(120nm)compound HT1
(120nm)
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm)
HB1
(5nm)compound
HB1
(5 nm)
(120nm)compound HT1
(120 nm)
EB1
(5nm)compound
EB1
(5 nm)
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm)
(120nm)compound HT2
(120nm)
EB1
(5nm)compound
EB1
(5 nm)
HB1
(5nm)compound
HB1
(5 nm)
(120nm)compound HT2
(120 nm)
EB1
(5nm)compound
EB1
(5 nm)
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm)
(120nm)compound HT2
(120nm)
EB1
(5nm)compound
EB1
(5 nm)
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm)
(120nm)compound HT2
(120 nm)
EB1
(5nm)compound
EB1
(5 nm)
HB1
(5nm)compound
HB1
(5 nm)
(120nm)compound HT2
(120 nm)
EB1
(5nm)compound
EB1
(5 nm)
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm)
(120nm)compound HT2
(120 nm)
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm)
HB1
(5nm)compound
HB1
(5 nm)
(120nm)compound HT2
(120nm)
EB1
(5nm)compound
EB1
(5 nm)
HB1
(5nm)compound
HB1
(5nm)
(120nm)compound HT2
(120 nm)
EB1
(5nm)compound
EB1
(5 nm)
HB1
(5nm)compound
HB1
(5 nm)
(120nm)compound HT1
(120nm)
EB1
(5nm)compound
EB1
(5nm)
HB1
(5nm)compound
HB1
(5 nm)
소자에 사용된 새로운 화합물의 구체적인 구조는 아래와 같다:The specific structure of the new compound used in the device is as follows:
상기 소자는 10mA/cm2에서 IVL 특성이 측정되었으며, 그 전압(V), 전력 효율(PE) 및 수명(LT95)은 각각 표 4에 기록 및 표시된다. 표 4는 소자 데이터를 나타낸다.IVL characteristics of the device were measured at 10 mA/cm 2 , and the voltage (V), power efficiency (PE), and lifetime (LT95) are recorded and displayed in Table 4, respectively. Table 4 shows device data.
(V)(V)
(lm/W)(lm/W)
토론 2:Discussion 2:
상기 표로부터 알 수 있는바, 본 발명의 11 개의 바람직한 실시예 및 비교예는, HT1 또는 HT2에서의 도판트가 정공 주입층으로 사용되는 경우, 두 가지 재료의 소자에서의 성능 차이는 매우 크다. 먼저, 전압 측면에서, 비교예의 전압은 8.57V에 달하지만, 바람직한 실시예의 전압은 단지 4.18V 좌우로서 절반 감소하였다. 실시예의 전력 효율도 비교예의 2 배 또는 그 이상이다. 특히, 수명 측면에서, 바람직한 실시예는 비교예의 수십 배로서, 전혀 같은 자릿수(order of magnitude)가 아니다. 따라서, 도판트로서 사용하는 경우, 본 발명에 개시된 화합물은 비교 화합물보다 훨씬 우수한 일종의 정공 주입재료이며, 본 발명의 화합물은 소자 성능에 대해, 특히 전압의 감소 및 수명의 향상 측면에 가져다준 개선은 완전히 예상치 못한 것이며, 압도적인 우세를 가진다.As can be seen from the above table, in the 11 preferred embodiments and comparative examples of the present invention, when the dopant in HT1 or HT2 is used as the hole injection layer, the performance difference between the two materials is very large. First, in terms of voltage, the voltage of the comparative example reached 8.57V, but the voltage of the preferred embodiment was reduced by half to only 4.18V left and right. The power efficiency of the examples is also twice or more than that of the comparative examples. In particular, in terms of lifetime, the preferred embodiment is several tens of times that of the comparative example, not the same order of magnitude. Therefore, when used as a dopant, the compound disclosed in the present invention is a kind of hole injection material that is far superior to the comparative compound, and the improvement brought by the compound of the present invention to device performance, especially in terms of voltage reduction and lifetime improvement, is It is completely unexpected and has an overwhelming advantage.
소자 실시예 3Device Example 3
소자 실시예 3.1:Device Example 3.1:
80nm 두께의 인듐주석산화물(ITO) 투명전극을 구비하는 유리기판을 산소 플라즈마 및 UV 오존으로 처리한다. 증착하기 전에, 세척된 유리기판을 글로브 박스에서의 핫 플레이트(hotplate)에서 드라이한다. 하기 재료를 약 10-8토르(torr)의 진공도에서 0.2~2Å/s의 속도로 유리 표면에 순차적으로 증착시킨다. 먼저, 화합물56을 유리기판의 표면에 증착시켜, 10nm 두께의 필름을 형성하여 정공 주입층(HIL)으로 한다. 이어서, 얻어진 상기 필름 상에 화합물 HT1을 증착시켜, 35nm 두께의 필름을 형성하여 정공 수송층(HTL)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물EB2를 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 전자 차단층(EBL)으로 한다. 그리고, 얻어진 상기 필름 상에 화합물EB2, 화합물HB2와 화합물GD(중량비 46:46:8)를 공동 증착시켜, 40nm 두께의 필름을 형성하여 발광층(EML)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물HB2를 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 정공 차단층(HBL)으로 한다. 얻어진 상기 필름 상에 8-히드록시퀴놀린-리튬(Liq) 및 화합물ET2(중량비 60:40)를 공동 증착시켜, 35nm 두께의 필름을 형성하여 전자 수송층(ETL)으로 한다. 마지막으로, Liq를 증착시켜 1nm 두께의 필름을 형성하여 전자 주입층(EIL)으로 하고, 120nm 두께의 알루미늄을 증착시켜 음극으로 한다. 다음, 해당 소자를 글러브 박스로 다시 옮기고 유리 뚜껑(glass lid) 및 흡습제를 사용하여 봉입(encapsulate)함으로써 해당 소자를 완성시킨다.A glass substrate having an indium tin oxide (ITO) transparent electrode having a thickness of 80 nm is treated with oxygen plasma and UV ozone. Prior to deposition, the cleaned glass substrate is dried on a hotplate in a glove box. The following materials are sequentially deposited on the glass surface at a vacuum of about 10 −8 Torr at a rate of 0.2 to 2 Å/s. First, compound 56 is deposited on the surface of a glass substrate to form a film with a thickness of 10 nm to form a hole injection layer (HIL). Then, compound HT1 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 35 nm to be a hole transport layer (HTL). Next, compound EB2 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to serve as an electron blocking layer (EBL). Then, on the obtained film, compound EB2 , compound HB2 and compound GD (weight ratio 46:46:8) were co-evaporated to form a film with a thickness of 40 nm to form a light emitting layer (EML). Next, compound HB2 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to serve as a hole blocking layer (HBL). On the obtained film, 8-hydroxyquinoline-lithium (Liq) and compound ET2 (weight ratio: 60:40) were co-evaporated to form a film with a thickness of 35 nm to serve as an electron transport layer (ETL). Finally, Liq is deposited to form a film with a thickness of 1 nm to form an electron injection layer (EIL), and aluminum to a thickness of 120 nm is deposited to form a cathode. Next, the device is transferred back to the glove box and encapsulated using a glass lid and a moisture absorbent to complete the device.
소자 실시예 3.2:Device Example 3.2:
소자 실시예 3.2는, 정공 주입층(HIL)으로서 화합물56 대신 화합물56(도판트)과 화합물HT1(중량비 3:97)을 공동 증착시킨 것을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 3.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 3.2 was prepared in the same manner as Device Example 3.1, except that compound 56 (dopant) and compound HT1 (weight ratio: 3:97) were co-deposited instead of compound 56 as the hole injection layer (HIL). do.
소자 실시예 3.3:Device Example 3.3:
소자 실시예 3.3은, 정공 주입층(HIL)으로서 화합물56 대신 화합물70을 사용하는 것; 및 HTL로서 화합물HT1 대신 화합물HT2를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 3.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 3.3 uses compound 70 instead of compound 56 as the hole injection layer (HIL); and, except for using compound HT2 instead of compound HT1 as HTL, a device was prepared in the same manner as Example 3.1.
소자 실시예 3.4:Device Example 3.4:
소자 실시예 3.4는, 정공 주입층(HIL)으로서 화합물70 대신 화합물70(도판트)과 화합물HT2(중량비 3:97)를 공동 증착시킨 것을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 3.3과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 3.4 was prepared in the same manner as Device Example 3.3, except for using a hole injection layer (HIL) in which compound 70 (dopant) and compound HT2 (weight ratio: 3:97) were co-deposited instead of compound 70. do.
소자에 사용되는 새로운 화합물의 구체적인 구조는 아래에 나타난 바와 같다:The specific structure of the new compound used in the device is shown below:
상세한 소자 층구조와 두께는 하기 표에 나타난 바와 같다. 여기서, 사용되는 재료가 두 가지 이상인 층은, 상이한 화합물을 이에 언급된 중량비로 도핑함으로써 얻어진다. 표 5는 소자 실시예의 소자 구조를 나타낸다.The detailed device layer structure and thickness are shown in the table below. Here, a layer in which two or more materials are used is obtained by doping different compounds in the weight ratios mentioned therein. Table 5 shows the device structure of the device example.
HT1
(35nm)compound
HT1
(35 nm)
EB2
(5nm)compound
EB2
(5 nm)
(46:46:8, 40nm)Compound EB2: Compound HB2: Compound GD
(46:46:8, 40 nm)
HB2
(5nm)compound
HB2
(5nm)
, 35nm)Compound Liq:ET2 (60:40
, 35 nm)
(35nm)compound HT1
(35 nm)
EB2
(5nm)compound
EB2
(5 nm)
(46:46:8, 40nm)Compound EB2: Compound HB2: Compound GD
(46:46:8, 40nm)
HB2
(5nm)compound
HB2
(5 nm)
, 35nm)Compound Liq:ET2 (60:40
, 35 nm)
HT2
(35nm)compound
HT2
(35 nm)
EB2
(5nm)compound
EB2
(5nm)
(46:46:8, 40nm)Compound EB2: Compound HB2: Compound GD
(46:46:8, 40 nm)
HB2
(5nm)compound
HB2
(5nm)
, 35nm)Compound Liq:ET2 (60:40
, 35 nm)
(35nm)compound HT2
(35 nm)
EB2
(5nm)compound
EB2
(5nm)
(46:46:8, 40nm)Compound EB2: Compound HB2: Compound GD
(46:46:8, 40nm)
HB2
(5nm)compound
HB2
(5nm)
, 35nm)Compound Liq:ET2 (60:40
, 35 nm)
상기 소자는 10mA/cm2에서 IVL 특성이 측정되었으며, 그 전압(V), 전력 효율(PE) 및 수명(LT95)은 각각 표 6에 기록 및 표시된다. 표 6은 소자 데이터를 나타낸다.The IVL characteristics of the device were measured at 10 mA/cm 2 , and the voltage (V), power efficiency (PE), and lifetime (LT95) are recorded and displayed in Table 6, respectively. Table 6 shows device data.
(V)(V)
(lm/W)(lm/W)
토론 3:Discussion 3:
녹색 광 소자로부터 알 수 있는바, 정공 주입층으로서 화합물56 및 화합물70을 단독으로 사용하는 경우, 전압, 전력 효율 및 수명이 매우 우수하다. 도판트로서 화합물56 및 화합물70을 사용하여 정공 주입층으로 하는 경우, 실시예 3.1 및 실시예 3.3에 비해, 전압이 비슷하고 효율이 조금 높으나, 수명 측면에서는 화합물56 및 화합물70을 정공 주입층으로서 단독으로 사용할 때 비교적 길다.As can be seen from the green light device, when compound 56 and compound 70 are used alone as the hole injection layer, the voltage, power efficiency and lifetime are excellent. In the case of forming a hole injection layer using Compound 56 and Compound 70 as dopants, the voltage is similar and the efficiency is slightly higher than those of Examples 3.1 and 3.3, but in terms of life, Compound 56 and Compound 70 are used as hole injection layers. Relatively long when used alone.
소자 실시예 4Device Example 4
소자 실시예 4.1:Device Example 4.1:
80nm 두께의 인듐주석산화물(ITO) 투명전극을 구비하는 유리기판을 산소 플라즈마 및 UV 오존으로 처리한다. 증착하기 전에, 세척된 유리기판을 글로브 박스에서의 핫 플레이트(hotplate)에서 드라이한다. 하기 재료를 약 10-8토르(torr)의 진공도에서 0.2~2Å/s의 속도로 유리 표면에 순차적으로 증착시킨다. 먼저, 화합물56을 유리기판의 표면에 증착시켜, 10nm 두께의 필름을 형성하여 정공 주입층(HIL)으로 한다. 이어서, 얻어진 상기 필름 상에 화합물 HT1을 증착시켜, 40nm 두께의 필름을 형성하여 정공 수송층(HTL)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물EB2를 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 전자 차단층(EBL)으로 한다. 그리고, 얻어진 상기 필름 상에 화합물RH와 화합물RD(중량비 98:2)를 공동 증착시켜, 40nm 두께의 필름을 형성하여 발광층(EML)으로 한다. 다음, 얻어진 상기 필름 상에 화합물HB2를 증착시켜, 5nm 두께의 필름을 형성하여 정공 차단층(HBL)으로 한다. 얻어진 상기 필름 상에 8-히드록시퀴놀린-리튬(Liq) 및 화합물ET2(중량비 60:40)를 공동 증착시켜, 35nm 두께의 필름을 형성하여 전자 수송층(ETL)으로 한다. 마지막으로, Liq를 증착시켜 1nm 두께의 필름을 형성하여 전자 주입층(EIL)으로 하고, 120nm 두께의 알루미늄을 증착시켜 음극으로 한다. 다음, 해당 소자를 글러브 박스로 다시 옮기고 유리 뚜껑(glass lid) 및 흡습제를 사용하여 봉입(encapsulate)함으로써 해당 소자를 완성시킨다.A glass substrate having an indium tin oxide (ITO) transparent electrode having a thickness of 80 nm is treated with oxygen plasma and UV ozone. Prior to deposition, the cleaned glass substrate is dried on a hotplate in a glove box. The following materials are sequentially deposited on the glass surface at a vacuum of about 10 −8 Torr at a rate of 0.2 to 2 Å/s. First, compound 56 is deposited on the surface of a glass substrate to form a film with a thickness of 10 nm to form a hole injection layer (HIL). Then, compound HT1 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 40 nm to serve as a hole transport layer (HTL). Next, compound EB2 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to serve as an electron blocking layer (EBL). Then, compound RH and compound RD (weight ratio: 98:2) were co-evaporated on the obtained film to form a film having a thickness of 40 nm to form a light emitting layer (EML). Next, compound HB2 is deposited on the obtained film to form a film having a thickness of 5 nm to serve as a hole blocking layer (HBL). On the obtained film, 8-hydroxyquinoline-lithium (Liq) and compound ET2 (weight ratio: 60:40) were co-evaporated to form a film with a thickness of 35 nm to serve as an electron transport layer (ETL). Finally, Liq is deposited to form a film with a thickness of 1 nm to form an electron injection layer (EIL), and aluminum to a thickness of 120 nm is deposited to form a cathode. Next, the device is transferred back to the glove box and encapsulated using a glass lid and a moisture absorbent to complete the device.
소자 실시예 4.2:Device Example 4.2:
소자 실시예 4.2는, 정공 주입층(HIL)으로서 유리기판의 표면 상에 화합물56(도판트)과 화합물HT1(중량비 3:97)을 공동 증착시켜 10nm 두께의 막을 형성하는 것 외에는, 소자 실시예 4.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 4.2 is a device embodiment, except that a film having a thickness of 10 nm is formed by co-depositing compound 56 (dopant) and compound HT1 (weight ratio: 3:97) on the surface of a glass substrate as a hole injection layer (HIL). prepared in the same way as in 4.1.
소자 실시예 4.3:Device Example 4.3:
소자 실시예 4.3은, 정공 주입층(HIL)으로서 화합물56 대신 화합물70을 사용하는 것; 및 HTL로서 화합물HT1 대신 화합물HT2를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 4.1과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 4.3 uses compound 70 instead of compound 56 as the hole injection layer (HIL); and, except for using compound HT2 instead of compound HT1 as HTL, device was prepared in the same manner as Example 4.1.
소자 실시예 4.4:Device Example 4.4:
소자 실시예 4.4는, 정공 주입층(HIL)으로서 화합물70 대신 화합물70(도판트)과 화합물HT2(중량비 3:97)를 공동 증착시킨 것을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 4.3과 동일한 방식으로 제조된다.Device Example 4.4 was fabricated in the same manner as Device Example 4.3, except that compound 70 (dopant) and compound HT2 (weight ratio: 3:97) were co-deposited instead of compound 70 as the hole injection layer (HIL). do.
소자에 사용된 새로운 화합물의 구체적인 구조는 아래에 나타난 바와 같다:The specific structure of the new compound used in the device is shown below:
상세한 소자 층구조와 두께는 하기 표에 나타난 바와 같다. 여기서, 사용되는 재료가 두 가지 이상인 층은, 상이한 화합물을 이에 언급된 중량비로 도핑함으로써 얻어진다. 표 7은 소자 실시예의 소자 구조를 나타낸다.The detailed device layer structure and thickness are shown in the table below. Here, a layer in which two or more materials are used is obtained by doping different compounds in the weight ratios mentioned therein. Table 7 shows the device structure of the device example.
상기 소자는 10mA/cm2에서 IVL 특성이 측정되었으며, 그 전압(V), 전력 효율(PE) 및 수명(LT95)은 각각 표 8에 기록 및 표시된다. 표 8은 소자 데이터를 나타낸다.The IVL characteristics of the device were measured at 10 mA/cm 2 , and the voltage (V), power efficiency (PE), and lifetime (LT95) are recorded and displayed in Table 8, respectively. Table 8 shows device data.
(V)(V)
(lm/W)(lm/W)
토론 4:Discussion 4:
마찬가지로, 적생 광 소자에서도 알 수 있는바, 정공 주입층으로서 화합물56 및 화합물70을 단독으로 사용하는 경우, 전압, 효율을 물론하고 수명 측면의 효과도 모두 매우 우수하다. 도판트로서 화합물56 및 화합물70을 사용하여 정공 주입층으로 하는 경우, 실시예 4.1 및 실시예 4.3과 비해, 전압이 비슷하고 효율이 조금 높으나, 수명 측면에서는 화합물56을 정공 주입층으로서 단독으로 사용할 때 비교적 길다.Similarly, as can be seen in the red light device, when compound 56 and compound 70 are used alone as the hole injection layer, the effects in terms of voltage and efficiency as well as lifetime are all very excellent. In the case of forming a hole injection layer using compound 56 and compound 70 as dopants, the voltage is similar and the efficiency is slightly higher than that of Examples 4.1 and 4.3, but in terms of lifespan, compound 56 can be used alone as a hole injection layer. relatively long when
상기 결과를 종합하면 알 수 있는바, 데하이드로벤조디옥사졸 유도체는 정공 주입층으로서 단독으로 사용되거나, 도판트로 사용되든, 적색, 녹색, 청색 소자에서의 효과는 모두 매우 우수하며, 이는 일 종의 매우 드문 정공 주입재료이다.As can be seen from the above results, the dehydrobenzodioxazole derivatives, whether used alone as a hole injection layer or as a dopant, have excellent effects in red, green, and blue devices, which is one kind. It is a very rare hole injection material.
본 발명에 개시된 화합물은 데하이드로벤조디옥사졸, 데하이드로벤조디티아졸 또는 데하이드로벤조디셀레나졸계 유도체이고, 그 분자 모핵이 함유한 헤테로원자가 상이함으로 인해, 그 최저준위 비점유 분자궤도(lowest unoccupied molecular orbital, LUMO)는 차이가 존재한다. DFT를 통해 데하이드로벤조디옥사졸(NO계 화합물), 데하이드로벤조디티아졸(NS계 화합물) 및 데하이드로벤조디셀레나졸(NSe계 화합물) 계 유도체, 이 3 가지 화합물의 LUMO를 계산(GAUSS-09, 조건은 B3LYP/6-311G(d))하며, 하기 표에 나타난 바와 같다. 표 9는 DFT 계산결과를 나타낸다:The compounds disclosed in the present invention are dehydrobenzodioxazole, dehydrobenzodithiazole or dehydrobenzodiselenazole-based derivatives, and due to the heteroatom contained in the molecular parent nucleus being different, the lowest unoccupied molecular orbital (lowest unoccupied molecular orbital) There is a difference in molecular orbital (LUMO). Dehydrobenzodioxazole ( NO-based compound ), dehydrobenzodithiazole ( NS-based compound ), and dehydrobenzodiselenazole ( NSe-based compound )-based derivatives, calculate the LUMO of these three compounds through DFT (GAUSS -09, conditions are B3LYP/6-311G (d)), as shown in the table below. Table 9 shows the DFT calculation results:
화합물compound
(ev)LUMO
(ev)
화합물compound
(ev)LUMO
(ev)
화합물compound
(ev)LUMO
(ev)
상기 소자의 결과로부터, 데하이드로벤조디옥사졸계 유도체의 소자 결과는 각 측면에서 모두 매우 우수하며, 이는 일 종의 고효율적인 정공 주입재료임을 알 수 있다. 상기 DFT 계산 결과를 통해 알 수 있는바, 동일한 시리즈의 분자를 비교하면, 데하이드로벤조디옥사졸계 유도체와, 데하이드로벤조디티아졸계 유도체 및 데하이드로벤조디셀레나졸계 유도체의 LUMO는 거의 차이가 없고, 0.2ev 좌우이며, 3 가지 화합물은 모두 비교적 깊은 LUMO를 가질 수 있고 모두 전자가 극히 결핍한 특성을 갖는 것으로 나타났다. 따라서, 데하이드로벤조디티아졸계 유도체 및 데하이드로벤조디셀레나졸계 유도체도 모두 우수한 정공 주입재료로 될 가능성이 있고, 모두 더 긴 소자 수명, 더 높은 효율 및 더 낮은 전압 등과 같은 OLED 성능을 대폭 향상시킬 수 있어, 매우 광범위한 산업응용전망을 갖는다.From the device results, it can be seen that the device results of the dehydrobenzodioxazole-based derivative are excellent in all respects, and it is a kind of highly efficient hole injection material. As can be seen from the DFT calculation results, when comparing molecules of the same series, the LUMOs of dehydrobenzodioxazole-based derivatives, dehydrobenzodithiazole-based derivatives and dehydrobenzodiselenazole-based derivatives are almost no difference. , 0.2ev, and all three compounds can have a relatively deep LUMO, and all of them are extremely deficient in electrons. Therefore, both dehydrobenzodithiazole-based derivatives and dehydrobenzodiselenazole-based derivatives have the potential to be excellent hole injection materials, and both can significantly improve OLED performance such as longer device lifetime, higher efficiency, and lower voltage. Therefore, it has a very broad industrial application prospect.
상기 소자 결과 및 DFT 계산으로부터 알 수 있는바, 본 발명의 데하이드로벤조디옥사졸, 데하이드로벤조디티아졸 또는 데하이드로벤조디셀레나졸 및 이와 유사한 구조의 신규 화합물은 매우 중요한 전하 이동재료이며, 특히 정공 수송에서 비교할 수 없는 장점을 가지고, 상이한 유형의 유기 반도체 소자에 적용되며, 형광 OLED, 인광 OLED, 백색 광 OLED, 적층된 OLED, OTFT, OPV 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.As can be seen from the above device results and DFT calculations, dehydrobenzodioxazole, dehydrobenzodithiazole or dehydrobenzodiselenazole and novel compounds with similar structures of the present invention are very important charge transfer materials, especially It has incomparable advantages in hole transport, and is applied to different types of organic semiconductor devices, including but not limited to fluorescent OLEDs, phosphorescent OLEDs, white light OLEDs, stacked OLEDs, OTFTs, OPVs, and the like.
본문에 기재된 다양한 실시예는 단지 예시일뿐이며 본 발명의 범위를 한정하려는 의도가 아님을 이해해야 한다. 따라서, 본 분야 당업자에게 자명하듯이, 청구하려는 본 발명은 본문에 기재된 구체적인 실시예 및 바람직한 실시예의 변경을 포함할 수 있다. 본문에 기재된 재료 및 구조에서의 다수는 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 한, 기타 재료 및 구조로 대체하여 사용할 수 있다. 본 발명이 작용되는 이유에 대한 다양한 이론은 한정하려는 의도가 아님을 이해해야 한다.It should be understood that the various embodiments described herein are merely illustrative and are not intended to limit the scope of the present invention. Accordingly, as will be apparent to those skilled in the art, the invention to be claimed may include modifications of the specific and preferred embodiments described herein. Many of the materials and structures described herein may be substituted for other materials and structures without departing from the spirit of the present invention. It should be understood that various theories as to why this invention works are not intended to be limiting.
Claims (25)
여기서, X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR"R"'에서 선택되고;
여기서, Z1 및 Z2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O 또는 S에서 선택되며;
R 및 R"'은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
R"은 시아노기에서 선택되며;
여기서, 각 R은 동일하거나 상이할 수 있으며, R, R" 및 R"' 중 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기(electron withdrawing group)를 구비하는 그룹이고;
인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성가능한 것을 특징으로 하는 화합물.In the compound having formula (1),
where X and Y are identically or differently selected from CR"R"' each time they occur;
wherein Z 1 and Z 2 are identically or differently selected from O or S each time they occur;
Each time R and R"' appear identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , Boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms Unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted 1 to 20 carbon atoms Cyclic alkoxy group, substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted akinyl group having 2 to 20 carbon atoms , a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms ), a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and combinations thereof;
R″ is selected from cyano groups;
Here, each R may be the same or different, and at least one of R, R" and R"' is a group having at least one electron withdrawing group;
A compound characterized in that adjacent substituents can be optionally linked to form a ring.
X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR"R"'에서 선택되고, R" 및 R"'은 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹인 것을 특징으로 하는 화합물.According to claim 1,
X and Y are identically or differently selected from CR"R"' each time they occur, and R" and R"' are groups having at least one electron withdrawing group.
R, R" 및 R"'은 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹인 것을 특징으로 하는 화합물.According to claim 2,
A compound characterized in that R, R" and R"' are groups having at least one electron withdrawing group.
상기 전자 흡인기의 Hammett 상수는 0.05 이상인 것을 특징으로 하는 화합물.According to claim 1,
The compound, characterized in that the Hammett constant of the electron withdrawing group is 0.05 or more.
상기 전자 흡인기의 Hammett 상수는 0.3 이상인 것을 특징으로 하는 화합물.According to claim 1,
The compound, characterized in that the Hammett constant of the electron withdrawing group is 0.3 or more.
상기 전자 흡인기의 Hammett 상수는 0.5 이상인 것을 특징으로 하는 화합물.According to claim 1,
The compound, characterized in that the Hammett constant of the electron withdrawing group is 0.5 or more.
상기 전자 흡인기는,
할로겐; 니트로소기; 니트로기; 아실기; 카르보닐기; 카르복실산기; 에스테르기; 시아노기; 이소시아노기; SCN; OCN; SF5; 보라닐기(Boranyl); 술피닐기; 술포닐기; 포스포로소기(phosphoroso); 아자방향족고리; 및 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 아자방향족고리 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 하기 임의의 하나의 그룹: 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합; 으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.According to claim 1,
The electron attractor,
halogen; nitroso group; nitro group; acyl group; carbonyl group; carboxylic acid group; ester group; cyano group; isocyano group; SCN; OCN; SF 5 ; Boranyl group; sulfinyl group; sulfonyl group; a phosphoroso group; aza aromatic ring; And halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group (phosphoroso), any one of the following groups substituted with one or a plurality of azaaromatic rings: an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms , heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, alkene having 2 to 20 carbon atoms Nyl group, akinyl group having 2 to 20 carbon atoms, aryl group having 6 to 30 carbon atoms, heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, 6~ an arylsilyl group having 20 carbon atoms and combinations thereof; A compound characterized in that selected from the group consisting of.
상기 전자 흡인기는 F, CF3, OCF3, SF5, SO2CF3, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.According to claim 1,
The electron withdrawing group is selected from the group consisting of F, CF 3 , OCF 3 , SF 5 , SO 2 CF 3 , cyano group, isocyano group, SCN, OCN, pyrimidyl group, triazinyl group, and combinations thereof. compound that does.
X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택되고:
R1은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
여기서, V는 나타낼 때마다 동일하거나 상이하게 CRvRw, NRv, O, S, Se에서 선택되고;
여기서, Ar은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기에서 선택되며;
여기서, Rb는시아노기에서 선택되고;
Ra, Rv 및 Rw는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.According to claim 1,
Each occurrence of X and Y is identically or differently selected from the group consisting of the following structures:
Whenever R 1 appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , boranyl group (Boranyl), sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms Cycloalkyl group, substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy having 1 to 20 carbon atoms group, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted akinyl group having 2 to 20 carbon atoms, A substituted or unsubstituted aryl group having 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, 6 It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted arylsilyl group having ~20 carbon atoms and combinations thereof;
where V is selected identically or differently from CR v R w , NR v , O, S, and Se each time it is indicated;
Here, Ar is selected identically or differently each time it appears from a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms;
wherein R b is selected from cyano groups;
Each time R a , R v and R w are identically or differently hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN , SF 5 , a boranyl group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphoroso group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and 3 to 20 ring carbon atoms substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 7 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 20 carbon atoms, A substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 2 to 20 carbon atoms akinyl group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl group having 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, and substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms. A compound characterized in that it is selected from the group consisting of an alkylsilyl group, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and combinations thereof.
X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조:
으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.According to claim 1,
Each time X and Y appear the same or different, the structure below:
A compound characterized in that selected from the group consisting of.
R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소; 듀테륨; 할로겐; 니트로소기; 니트로기; 아실기; 카르보닐기; 카르복실산기; 에스테르기; 시아노기; 이소시아노기; SCN; OCN; SF5; 보라닐기(Boranyl); 술피닐기; 술포닐기; 포스포로소기(phosphoroso); 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬기; 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group); 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알콕시기; 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알케닐기; 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴기; 3~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로아릴기; 및 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기 및 포스포로소기(phosphoroso) 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 하기 임의의 하나의 그룹: 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기 및 그 조합; 으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.According to claim 1,
Each occurrence of R is, identically or differently, hydrogen; deuterium; halogen; nitroso group; nitro group; acyl group; carbonyl group; carboxylic acid group; ester group; cyano group; isocyano group; SCN; OCN; SF 5 ; Boranyl group; sulfinyl group; sulfonyl group; a phosphoroso group; an unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; an unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms; an unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms; An unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms; an unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; An unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms; And halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group and phosphoroso group (phosphoroso) any one of the following groups substituted with one or a plurality of groups: an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, and 1 to 20 an alkoxy group having 2 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, and combinations thereof; A compound characterized in that selected from the group consisting of.
R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 메틸기, 이소프로필기, NO2, SO2CH3, SCF3, C2F5, OC2F5, OCH3, 디페닐메틸실릴기, 페닐기, 메톡시페닐기, p-메틸페닐기, 2,6-디이소프로필페닐기, 비페닐기, 폴리플루오로페닐기, 디플루오로피리딜기, 니트로페닐기, 디메틸티아졸기, CN 또는 CF3 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 비닐기, CN 또는 CF3 중의 하나로 치환된 에티닐기, 디메틸포스포로소기, 디페닐포스포로소기, F, CF3, OCF3, SF5, SO2CF3, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 트리플루오로메틸페닐기, 트리플루오로메톡시페닐기, 비스(트리플루오로메틸)페닐기, 비스(트리플루오로메 톡시)페닐기, 4-시아노테트라플루오로페닐기, F, CN 또는 CF3 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 페닐기 또는 비페닐기, 테트라플루오로피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 디페닐보라닐기, 옥사보라안트릴기 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.According to claim 1,
Whenever R appears identically or differently, hydrogen, deuterium, methyl group, isopropyl group, NO 2 , SO 2 CH 3 , SCF 3 , C 2 F 5 , OC 2 F 5 , OCH 3 , diphenylmethylsilyl group, phenyl group , methoxyphenyl group, p-methylphenyl group, 2,6-diisopropylphenyl group, biphenyl group, polyfluorophenyl group, difluoropyridyl group, nitrophenyl group, dimethylthiazole group, CN or CF 3 Substituted with one or more vinyl group, ethynyl group substituted with one of CN or CF 3 , dimethylphosphoroso group, diphenylphosphoroso group, F, CF 3 , OCF 3 , SF 5 , SO 2 CF 3 , cyano group, isocyano group, SCN , OCN, trifluoromethylphenyl group, trifluoromethoxyphenyl group, bis(trifluoromethyl)phenyl group, bis(trifluoromethoxy)phenyl group, 4-cyanotetrafluorophenyl group, F, CN or CF 3 Or a compound characterized in that it is selected from the group consisting of a plurality of substituted phenyl or biphenyl groups, tetrafluoropyridyl groups, pyrimidyl groups, triazinyl groups, diphenylboranyl groups, oxaboraanthryl groups, and combinations thereof.
X 및 Y는 인 것을 특징으로 하는 화합물.According to claim 1,
X and Y are A compound characterized in that.
R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
According to claim 10,
A compound characterized in that each occurrence of R is identically or differently selected from the group consisting of the following structures:
식 (1)로 표시된 하나의 화합물 중 2 개의 R은 동일한 것을 특징으로 하는 화합물.15. The method of claim 14,
A compound characterized in that two R's in one compound represented by formula (1) are the same.
상기 화합물은 식 (2)로 표시된 구조를 구비하고,
여기서, 식 (2) 중의 2 개의 Z 구조는 동일하고, 2 개의 R 구조는 동일하거나 상이하며, 상기 Z, X, Y 및 R은 각각 하기 표에 나타난 원자 또는 그룹에서 대응되게 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
.15. The method of claim 14,
The compound has a structure represented by formula (2),
Here, the two Z structures in formula (2) are the same, the two R structures are the same or different, and the Z, X, Y and R are each selected correspondingly from atoms or groups shown in the table below. Compounds that:
.
음극, 및
상기 양극과 상기 음극 사이에 배치된 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.anode,
cathode, and
An electroluminescent device comprising an organic layer disposed between the anode and the cathode, wherein the organic layer contains the compound according to any one of claims 1 to 16.
상기 유기층은 정공 주입층이고, 상기 정공 주입층은 상기 화합물로 단독으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.18. The method of claim 17,
The organic layer is a hole injection layer, and the hole injection layer is formed solely of the compound.
상기 유기층은 정공 주입층이고, 상기 정공 주입층은 도핑을 함유한 상기 화합물로 형성되고 상기 도핑은 적어도 하나의 정공 수송재료를 함유하며; 상기 정공 수송재료는 트리아릴아민 단위를 함유하는 화합물, 스피로비플루오렌(spirobifluorene) 화합물, 펜타센(pentacene) 화합물, 올리고티오펜(oligothiophene) 화합물, 올리고페닐 화합물, 올리고페닐렌비닐 화합물, 올리고플루오렌(oligofluorene) 화합물, 포르피린(porphyrin) 착물 또는 금속 프탈로시아닌 착물을 함유하며, 여기서 상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10000:1 내지 1:10000인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.18. The method of claim 17,
the organic layer is a hole injection layer, the hole injection layer is formed of the compound containing a doping, and the doping contains at least one hole transporting material; The hole transport material is a compound containing a triarylamine unit, a spirobifluorene compound, a pentacene compound, an oligothiophene compound, an oligophenyl compound, an oligophenylenevinyl compound, and an oligofluorene compound. An electroluminescent device comprising an oligofluorene compound, a porphyrin complex, or a metal phthalocyanine complex, wherein a morph doping ratio between the compound and the hole transport material is 10000:1 to 1:10000.
상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10:1 내지 1:100 인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.According to claim 19,
The electroluminescent device, characterized in that the mol doping ratio of the compound and the hole transport material is 10: 1 to 1: 100.
상기 전계 발광소자는 양극과 음극 사이의 복수 개의 스택층을 포함하고, 상기 스택층은 제1 발광층 및 제2 발광층을 포함하며, 여기서 제1 스택층은 제1 발광층을 포함하고 제2 스택층은 제2 발광층을 포함하며, 전하 생성층은 제1 스택층과 제2 스택층 사이에 배치되며, 여기서 전하 생성층은 p형 전하 생성층 및 n형 전하 생성층을 포함하며;
여기서, 식 (1)을 구비하는 화합물을 함유하는 상기 유기층은 p형 전하 생성층인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.18. The method of claim 17,
The electroluminescent device includes a plurality of stack layers between an anode and a cathode, and the stack layer includes a first light emitting layer and a second light emitting layer, wherein the first stack layer includes the first light emitting layer and the second stack layer includes a second light emitting layer, wherein the charge generation layer is disposed between the first stack layer and the second stack layer, wherein the charge generation layer includes a p-type charge generation layer and an n-type charge generation layer;
Here, the organic layer containing the compound having formula (1) is a p-type charge generating layer, characterized in that the electroluminescent device.
상기 p형 전하 생성층은 적어도 하나의 정공 수송재료를 추가로 더 함유가능하고, 상기 p형 전하 생성층은 상기 화합물이 상기 적어도 하나의 정공 수송재료에 도핑되어 형성되며, 상기 정공 수송재료는 트리아릴아민 단위를 함유하는 화합물, 스피로비플루오렌(spirobifluorene) 화합물, 펜타센(pentacene) 화합물, 올리고티오펜(oligothiophene) 화합물, 올리고페닐 화합물, 올리고페닐렌비닐 화합물, 올리고플루오렌(oligofluorene) 화합물, 포르피린(porphyrin) 착물 또는 금속 프탈로시아닌 착물을 함유하며, 여기서 상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10000:1 내지 1:10000 인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.According to claim 21,
The p-type charge generating layer may further contain at least one hole transport material, and the p-type charge generating layer is formed by doping the at least one hole transport material with the compound, and the hole transport material is a tree Compounds containing arylamine units, spirobifluorene compounds, pentacene compounds, oligothiophene compounds, oligophenyl compounds, oligophenylene vinyl compounds, oligofluorene compounds, An electroluminescent device comprising a porphyrin complex or a metal phthalocyanine complex, wherein a morph doping ratio between the compound and the hole transport material is 10000:1 to 1:10000.
상기 화합물과 상기 정공 수송재료의 몰도핑비례는 10:1 내지 1:100 인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.According to claim 21,
The electroluminescent device, characterized in that the mol doping ratio of the compound and the hole transport material is 10: 1 to 1: 100.
상기 전하 생성층은 p형 전하 생성층과 n형 전하 생성층 사이에 배치된 완충층을 추가로 더 포함하고, 상기 완충층은 상기 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.According to claim 21,
The charge generating layer further comprises a buffer layer disposed between the p-type charge generating layer and the n-type charge generating layer, and the buffer layer contains the compound.
A compound preparation containing a compound according to any one of claims 1 to 16.
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Citations (1)
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DE112011102301T5 (en) * | 2010-07-09 | 2013-05-16 | Merck Patent Gmbh | Semiconducting polymers |
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