KR102539378B1 - 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 - Google Patents

태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 태양전지 전극용 도전성 페이스트에 있어서, 금속 분말, 유리 프릿, 유기 비히클 및 첨가제를 포함하며, 상기 도전성 페이스트의 소성 시 재결정되는 은 결정의 종횡비는 평균 0.005 내지 0.50 범위내인 것을 특징으로 하여 태양전지 제조 시 전자, 정공의 재결합으로 인한 누설 전류를 방지하여 효율을 향상시키는 효과를 갖는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공할 수 있다.

Description

태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 {Electrode Paste For Solar Cell's Electrode And Solar Cell using the same}
본 발명은 태양전지의 전극 형성에 사용되는 도전성 페이스트 및 이를 이용하여 제조된 태양전지에 관한 것이다.
태양 전지(solar cell)는 태양에너지를 전기에너지로 변환시켜 주는 반도체 소자로서 일반적으로 p-n 접합 형태를 가지며 그 기본 구조는 다이오드와 동일하다. 태양 전지 소자는 일반적으로 두께가 160~250㎛인 p형 실리콘 반도체 기판을 이용하여 구성된다. 실리콘 반도체 기판의 수광면측에는 두께가 0.3~0.6㎛인 n형 불순물층과, 그 위에 반사 방지막과 전면 전극이 형성되어 있다. 또한, p형 실리콘 반도체 기판의 이면측에는 배면 전극이 형성되어 있다.
전면 전극은 은을 주성분으로 하는 도전성 입자(silver powder), 유리 프릿(glass frit), 유기 바인더, 용매, 및 첨가제 등을 혼합한 도전성 페이스트를 반사 방지막 상에 도포한 후 소성하여 전극을 형성하고 있으며, 배면 전극은 알루미늄 분말, 유리 프릿, 유기 바인더, 용매 및 첨가제로 이루어지는 알루미늄 페이스트 조성물을 스크린 인쇄 등에 의해 도포하고 건조한 후, 660℃(알루미늄의 융점) 이상의 온도에서 소성함으로써 형성되어 있다. 이 소성 시 알루미늄이 p형 실리콘 반도체 기판의 내부로 확산됨으로써, 배면 전극과 p형 실리콘 반도체 기판 사이에 Al-Si 합금층이 형성됨과 동시에, 알루미늄 원자의 확산에 의한 불순물층으로서 p+층이 형성된다. 이러한 p+층의 존재에 의해 전자의 재결합을 방지하고, 생성 캐리어의 수집 효율을 향상시키는 BSF(Back Surface Field) 효과가 얻어진다. 배면 알루미늄 전극 하부에는 배면 실버 전극이 더 위치될 수 있다.
한편, 태양전지의 전면 전극은 소성 시 유기물이 증발되면서 반사방지막을 관통하고, n형 반도체 기판의 내부와 접촉함으로써 정공의 재결합을 방지하며, 생성 캐리어의 수집 효율을 향상시키는 효과가 얻어진다. 종래의 전면 전극과 n형 반도체 기판의 접합 깊이(junction depth)는 350~500nm로 전극의 침투로 인한 SCR(space charge region) 손상에 영향이 적었으나, 고효율 달성에 한계가 있다.
또한, 최근 태양전지의 고효율 달성을 위해 전면 전극과 n형 반도체 기판의 접합 깊이를 200nm 이하로 얕게 형성하는 기술이 개발된 바 있으나, 이 경우 전면 전극의 소성 시 전극의 침투에 의한 SCR 손상이 증가하여 전자, 정공의 재결합으로 인한 누설 전류로 효율 및 충전율(fill factor)이 감소되는 한계가 있다.
본 발명은 태양전지 전면 전극과 n형 반도체 기판 사이의 전자, 정공 재결합으로 인한 누설 전류를 방지하기 위해, 태양전지 전극용 도전성 페이스트의 소성 후 전극과 실리콘 계면에서 재결정되는 은 결정의 종방향 길이를 짧게 하고, 횡방향 길이를 길게 하여 종횡비를 낮출 수 있는 도전성 페이스트 및 고효율 태양전지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
그러나, 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 태양전지 전극용 도전성 페이스트에 있어서, 금속 분말, 유리 프릿, 유기 비히클을 포함하며, 상기 도전성 페이스트의 소성 시 재결정되는 은 결정의 종횡비는 평균 0.005 내지 0.50 범위내인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.
또한, 상기 은 결정의 종횡비 평균은 0.01 내지 0.25 범위내인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.
또한, 상기 은 결정의 종방향 길이는 5nm 내지 100nm범위내인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.
또한, 상기 은 결정의 종방향 길이는 30nm 내지 90nm범위내인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.
또한, 상기 유리 프릿은 PbO를 포함하며, 상기 PbO의 함량은 15~29mol%인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다. 상기 유리 프릿은 TeO2를 더 포함하며, 상기 TeO2의 함량은 15~34 mol%일 수 있다. 또한, 상기 유리 프릿은 더 Bi2O3를 포함하며, 상기 Bi2O3의 함량은 6~15 mol%일 수 있다. 또한, 상기 유리 프릿은 Li2O를 더 포함하며, 상기 Li2O의 함량은 5~15mol%일 수 있다.
본 발명은 또한, 상기 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 인쇄 후 소성하여 제조된 태양전지 전극을 구비한 태양전지를 제공한다.
본 발명에 따른 도전성 페이스트는 유리 프릿의 조성을 제어함으로써 소성 후 웨이퍼 계면에서 유리 프릿에 의해 형성되는 은 재결정의 종방향 길이를 줄일 수 있으므로, 전극의 과도한 침투로 인한 정공, 전자의 재결합 문제를 방지할 수 있는 효과가 있다. 이로 인해 태양전지 제조 시 전자, 정공의 재결합으로 인한 누설 전류를 방지하여 효율을 향상시키는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 태양전지의 단면을 확대 촬영한 이미지를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 비교예 1에 따른 태양전지의 단면을 확대 촬영한 이미지를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 비교예 2에 따른 태양전지의 단면을 확대 촬영한 이미지를 나타낸 것이다.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 태양전지 전극용 도전성 페이스트 조성물은 도전성 금속 분말, 유리 프릿, 유기 비히클 및 첨가제를 포함하여 이루어진다. 또한, 일실시예에 따른 태양전지 전극용 도전성 페이스트 조성물은 추가적으로 실리콘 오일을 포함할 수 있다.
이하 각 성분을 구체적으로 설명한다.
<도전성 금속 분말>
도전성 금속 분말로는 은 분말, 구리분말, 니켈 분말, 알루미늄 분말 등이 사용될 수 있는데, 전면 전극의 경우 은 분말이 주로 사용되며, 배면 전극은 주로 알루미늄 분말이 사용된다. 이하에서는 편의상 은 분말을 예로 들어 도전성 금속재료에 대해 설명한다. 하기의 설명은 다른 금속 분말에도 동일하게 적용될 수 있다.
은 분말은 순은 분말이 바람직하며, 이외에, 적어도 표면이 은층으로 이루어지는 은 피복 복합 분말이나, 은을 주성분으로 하는 합금 등을 사용할 수 있다. 또한, 다른 금속 분말을 혼합하여 사용할 수도 있다. 예를 들면 알루미늄, 금, 팔라듐, 동, 니켈 등을 들 수 있다. 은 분말의 평균입경은 0.1~10㎛ 일 수 있고, 페이스트화의 용이성 및 소성 시 치밀도를 고려할 때 0.5~5㎛가 바람직하며, 그 형상은 구상(球狀), 침상(針狀), 판상(板狀) 및 무정상(無定) 중 적어도 1종 이상일 수 있다. 은 분말은 평균 입자지름이나 입도 분포, 형상 등이 다른 2종 이상의 분말을 혼합하여 이용해도 좋다. 은 분말의 함량은 인쇄 시 형성되는 전극 두께 및 전극의 선 저항을 고려할 때 전극용 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 60 내지 98 중량%가 바람직하다.
상기 도전성 금속 분말은 코팅제를 사용하여 코팅된 것을 사용하는데, 상기 코팅제는 탄소수 8 내지 20의 알킬 사슬에 아민기를 갖는 알킬아민계 화합물 또는 탄소수 8 내지 20의 알킬 사슬에 카르복실기를 갖는 알킬카복시계 화합물을 포함한다. 바람직하게는 탄소수 15 내지 20의 알킬 사슬에 아민기 또는 카르복실기를 갖는 화합물을 포함하는 것이 좋다. 알킬 사슬의 탄소수가 8 미만인 경우 원하는 효과가 발현되지 않는 문제점이 있고, 탄소수가 20을 초과하는 경우 용제에 녹이는데 어려움이 있고, 표면처리가 잘 되지 않는 문제점이 있다. 또한 상기 코팅제는 알킬 사슬이 포화되거나 불포화된 것 모두 사용 가능하다.
상기 알킬 사슬에 아민기를 갖는 화합물은 트리에틸아민(Triethylamine), 헵틸아민(Heptylamine), 옥타데실아민(Octadecylamine), 헥사데실아민(Hexadecylamine), 데실아민(Decylamine), 옥틸아민(Octylamine), 디데실아민(Didecylamine) 및 트리옥틸아민(Trioctylamine) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 알킬 사슬에 카르복실기를 갖는 화합물은 포화 지방산으로는 카프릭산(Capric acid), 라우르산(Lauric acid), 미리스트산(Myristic acid), 팔미트산(Palmitic acid), 스테아르산(Stearic acid), 아라키딘산(Arachidic acid), 불포화 지방산으로는 미리스트올레산(Myristoleic acid), 팔미톨레산(Palmitoleic acid), 올레산(Oleic acid) 및 리놀레산(Linoleic acid) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
가장 바람직하게는 옥타데실아민으로 코팅 처리된 은 분말이 사용되며, 상기 코팅제는 금속 분말의 표면에 0.1nm 내지 50nm의 두께로 코팅되는 것이 바람직하다. 상기 코팅은 코팅제가 녹아있는 유기 용매에 은 분말(Ag powder)과 같은 금속 분말을 넣고 일정시간 교반한 후 여과하는 방법으로 진행될 수 있다.
구체적인 코팅 방법으로는 도전성 금속 분말이 분산된 용액에 알킬아민계 화합물 또는 알킬카복시계 화합물을 포함하는 알코올 용액을 넣고 교반기를 이용하여 2000~5000rpm 10~30분간 교반하여 표면처리할 수 있다. 알킬아민계 화합물 또는 알킬카복시계 화합물을 포함하는 알코올 용액은 용액 전체 중량에 대하여 상기 화합물이 5~20 중량%로 용해된 알코올 용액을 사용할 수 있으며, 알코올은 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 벤질알코올, 테르피네올(Terpineol) 등을 사용할 수 있고, 바람직하게는 에탄올을 사용할 수 있다.
도전성 금속 분말 100 중량부에 대하여 코팅제를 0.1~1.0 중량부 사용할 수 있다. 0.1 중량부 미만으로 혼합되는 경우 도전성 금속 분말 표면에 흡착되는 코팅제 양이 적어 분말 간에 응집이 발생하고, 실리콘 오일의 상용성 개선 효과가 미미할 수 있으며, 1.0 중량부 초과하여 혼합되는 경우, 도전성 금속 분말 표면에 과량의 표면처리제가 흡착되어 제조되는 전극의 전기 전도성을 저하시킬 수 있는 문제점이 있다.
상기 코팅제를 이용하여 코팅된 도전성 금속 분말을 사용함으로써 도전성 페이스트에 포함되는 실리콘 오일을 금속 분말 표면으로 위치시킬 수 있어 비히클(vehicle)에서의 상분리를 완전하게 방지할 수 있다. 즉 상기 코팅제에 의해 코팅됨에 따라 실리콘 오일의 도전성 금속 분말 표면으로의 이동 정도를 제어할 수 있다. 실리콘 오일의 유기 비히클(유기 용제 및 유기 바인더 등)과의 비상용에 의한 상분리를 방지함으로써 제공되는 도전성 페이스트의 저장 안정성을 확보할 수 있으며 우수한 슬립성을 확보하여 초미세 선폭 구현이 가능한 효과를 제공한다.
<유리 프릿>
본 발명의 일실시예에 따른 유리 프릿은 소성 시 주변의 반사방지막을 완전히 에칭하고, n형 반도체 기판을 일부 에칭함으로써 전기적으로 접촉한다. 이때, n형 반도체 기판을 에칭하는 깊이는 유리 프릿의 조성비에 따라 n형 반도체 기판의 종방향 길이보다 작도록 조절될 수 있다.
또한, 상기 유리 프릿은 소성 시 웨이퍼 계면에서 생성되는 은 재결정의 형상 및 크기 등에 영향을 미칠 수 있다. 구체적으로, 본 발명에 따라 소성 시 재결정된 은 결정은 상기 유리 프릿에 의해 종횡비(도 1에서와 같이 은결정 단면에 있어서, 횡에 대한 종의 비율을 의미함)가 평균 0.001 내지 0.80의 값을 갖는 막대상 또는 판상과 같은 단면 구조를 갖는다. 여기서 평균 종횡비란 은결정의 종방향 길이가 가장 큰 순서로 3개의 은 결정을 선택한 후 그들의 종횡비 평균값을 의미한다.
바람직하게, 상기 은 재결정은 종횡비가 평균 0.005 내지 0.50, 또는 0.01 내지 0.25 일 수 있으며, 납작한 판상의 형상일 수 있다. 종횡비가 상기 범위 미만인 경우 은 결정의 컨택이 불안정할 수 있으며, 종횡비가 상기 범위를 초과하는 경우 SCR 손상이 증가하여 전자, 정공의 재결합으로 인한 누설 전류로 효율 및 충전율(fill factor)이 감소할 수 있다.
종래 종횡비가 큰 역피라미드 형상의 은 재결정은 전극을 침투하는 깊이가 깊어 접합으로 인한 손상을 증가시키고, SCR 영역을 파괴하여 누설 전류를 발생시킬 수 있으며, 이로 인해 태양전지의 효율을 저하시킬 수 있다. 그러나, 본 발명의 경우 재결정되는 은 결정의 형상이 상기의 종횡비를 갖는 판상의 형상이므로, 이러한 문제를 방지하여 태양전지의 발전 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 은 재결정의 종방향 길이는 5nm 내지 100nm이며, 구체적으로는 30nm 내지 90nm일 수 있다. 여기서, 상기 은 재결정의 종방향 길이는 재결정된 전체 은 결정의 평균 값을 의미할 수도 있고; 경우에 따라서, 재결정된 은 결정 중 임의의 은 결정에 대한 종방향 길이 값을 의미할 수도 있다. 후자인 경우, 종방향 길이가 5nm 내지 100nm인 범위를 만족하는 은 재결정은 전체 은 재결정 중 80% 이상일 수 있다.
상기 은 재결정의 종방향 길이가 5 nm 미만인 경우에는 반사방지막에 대한 에칭이 불충분하여 전극과 에미터층에 접촉할 수 없으므로 저항이 증가하는 문제가 있고, 종방향 길이가 100 nm를 초과하면 반사방지막과 에미터층이 과에칭되어 전자와 정공이 재결합하여 태양전지의 발전 효율이 저감될 수 있다.
한편, 상기 유리 프릿은 PbO, TeO2, Bi2O3, SiO2, Li2O, Na2O, K2O, ZnO, Al2O3, TiO2 등으로부터 선택된 적어도 하나 이상의 조성물을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 유리 프릿의 성분 및 함량으로서, 산화물 환산 기준으로 PbO는 15~29 mol%인 것이 좋다. PbO의 함량이 너무 높으면 친환경적이지 않고, 용융 시 점도가 너무 낮아져서 소성 시 전극의 선폭이 커지는 문제점이 존재한다.
또한, TeO2는 15~34 mol%, Bi2O3는 6~15 mol%, 및 Li2O는 5~15mol%를 포함할 수 있으며, 바람직하게는 TeO2는 28~34 mol%, Bi2O3는 6~9 mol%, 및 Li2O는 10~15mol%를 포함할 수 있다. 상기 유리프릿 성분들 및 함량이 상기 범위내인 경우 전술한 은결정의 종횡비를 더욱 우수하게 만족할 수 있다.
추가적으로, 상기 유리 프릿은 SiO2 20 mol% 이하, ZnO 10 mol% 이하, Al2O3 5 mol% 이하, 알칼리 금속(Li, Na, K 등) 산화물 10~20 mol% 등을 함유할 수 있다.
하나의 예로서, 상기 유리 프릿은 PbO 23~27mol%, TeO2 30~34mol%, Bi2O3 5~9mol%, SiO2 8~12mol%, Li2O 10~14mol% Na2O 2.5~3.5mol%, ZnO 3~7mol% 및 Al2O3 0.5~1.5mol%를 포함할 수 있다.
본 발명은 유리 프릿에 포함된 각 성분의 유기적 함량 조합에 의해, 소성 시 반사방지막은 완전히 에칭되고 n형 반도체 기판은 일부 에칭되도록 에칭 깊이를 적절히 조절할 수 있을 뿐만 아니라; 전술한 종횡비를 만족하는 판상 형태의 은 재결정을 형성할 수 있다.
한편, 유리 프릿의 평균 입경은 제한되지 않으나 0.5~10㎛ 범위 내의 입경을 가질 수 있으며, 평균입경이 다른 다종이 입자를 혼합하여 사용할 수도 있다. 바람직하기로는 적어도 1종의 유리 프릿은 평균입경(D50)이 2㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 것을 사용하는 것이 좋다. 이를 통해 소성 시 반응성이 우수해지고, 특히 고온에서 n층의 데미지를 최소화할 수 있으며 부착력이 개선되고 개방전압(Voc)을 우수하게 할 수 있다. 또한, 소성 시 전극의 선폭이 증가하는 것을 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 평균입경이 2㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 유리 프릿의 유리전이온도(Tg)는 300℃ 미만인 것이 바람직하다. 비교적 입경이 큰 입자를 사용하므로 유리전이온도를 낮춤으로써 소성 시 불균일하게 용융되는 등의 문제점을 방지할 수 있다.
유리 프릿의 함량은 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 1 내지 15 중량%가 바람직한데, 1 중량% 미만이면 불완전 소성이 이루어져 전기 비저항이 높아질 우려가 있고, 15 중량%을 초과하면 은 분말의 소성체 내에 유리 성분이 너무 많아져 전기 비저항이 역시 높아질 우려가 있다.
<유기 비히클>
본 발명에서 사용되는 유기 비히클은 그 종류가 특별히 제한되지 않으나 유기 바인더와 용제 등이 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는 용제가 배제될 수 있다. 유기 비히클은 제한되지 않으나 전극용 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 1~10 중량%가 바람직하다.
본 발명의 실시예에 따른 전극용 페이스트 조성물에 사용되는 바인더는 제한되지 않으나 셀룰로오스 에스테르계 화합물로 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트 등을 예로 들 수 있으며, 셀룰로오스 에테르계 화합물로는 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 플로필 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 셀룰로오스, 하이드록시 프로필 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 메틸 셀룰로오스 등을 예로 들 수 있으며, 아크릴계 화합물로는 폴리 아크릴아미드, 폴리 메타아크릴레이트, 폴리 메틸메타아크릴레이트, 폴리 에틸메타아크릴레이트 등을 예로 들 수 있으며, 비닐계로는 폴리 비닐부티랄, 폴리 비닐아세테이트 및 폴리 비닐알코올 등을 예로 들 수 있다. 상기 바인더들은 적어도 1종 이상 선택되어 사용될 수 있다.
조성물의 희석을 위해 사용되는 용제로서는 알파-터피네올, 텍사놀, 디옥틸 프탈레이트, 디부틸 프탈레이트, 시클로헥산, 헥산, 톨루엔, 벤질알코올, 디옥산, 디에틸렌글리콜, 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르 (또는 부틸 셀로솔브), 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르 및 디에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르 아세테이트 등으로 이루어진 화합물 중에서 적어도 1종 이상 선택되어 사용되는 것이 좋다.
<실리콘 오일>
실리콘 오일은 도전성 페이스트에 포함되어 슬립성을 극대화할 수 있다. 상기 실리콘 오일의 종류는 제한되지 않으며, 페닐트리메치콘(Phenyl trimethione), 디메치콘(Dimethicone), 사이클로메치콘(cyclomethicone), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane) 및 실리콘검(Silicone Gum)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 변성 실리콘 오일 또한 사용 가능하다. 바람직하게는 폴리디메틸실록산 등의 폴리실록산일 수 있으며, 슬립성을 고려할 때 비변성 폴리실록산 오일을 사용하는 것이 좋다.
상기 실리콘 오일은 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 0.1~2 중량%로 포함된다. 실리콘 오일이 0.1 중량% 미만으로 첨가되는 경우 슬립성 개선 효과가 미미한 문제점이 있고, 2 중량% 초과하여 첨가되는 경우 코팅된 금속 분말 및 첨가제를 사용하더라도 상분리가 발생할 수 있는 문제점이 있다. 바람직하게는 0.5~1.5 중량%로 포함되는 것이 좋다.
<첨가제>
상기 첨가제는 옥틸도데실 네오펜타노에이트(octyldodecyl neopentanoate), 트리데실 네오펜타노에이트(tridecyl neopentanoate), 디메틸아디페이트(dimethyl adipate), 디옥틸아디페이트(dioctyladipate), 이소테아릴 네오펜타노에이트(isotearyl neopentanoate) 및 이오도프로피닐 뷰틸카바메이트(iodopropynyl butylcarbamate)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함한다. 바람직하게는 디메틸아디페이트를 포함하여 실리콘 오일을 코팅처리된 도전성 금속 분말 표면으로 위치시킴으로써 유기물과의 상분리를 매우 효과적으로 방지할 수 있다.
상기 첨가제는 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 0.5~3 중량%로 포함된다. 상기 첨가제가 0.5 중량% 미만으로 첨가되는 경우 상기 실리콘 오일의 상용성이 떨어져 도전성 페이스트 제조 시 상분리 되는 문제점이 있고, 3 중량% 초과하여 첨가되는 경우 조성 설계상 문제점이 있다. 바람직하게는 0.5~1.5 중량%로 포함되는 것이 좋다.
또한, 본 발명에 의한 도전성 페이스트 조성물은 필요에 따라 통상적으로 알려져 있는 일반 첨가제, 예를 들면, 분산제, 가소제, 점도 조정제, 계면활성제, 산화제, 레올로지 조절제, 칙소제, 금속 산화물, 금속 유기 화합물 등을 더 포함할 수 있다.
상술한 태양전지 전극용 도전성 페이스트 조성물은 금속 분말, 유리 프릿, 유기 바인더, 용매 및 첨가제 등을 혼합 및 분산한 다음 여과 및 탈포하여 제조될 수 있다.
본 발명은 또한 상기 도전성 페이스트를 기재 위에 도포하고, 건조 및 소성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 전극 형성 방법 및 상기 방법에 의하여 제조된 태양전지 전극을 제공한다. 본 발명의 태양전지 전극 형성 방법에서 상기와 같이 코팅 처리된 금속 분말을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하는 것을 제외하고, 기재, 인쇄, 건조 및 소성은 통상적으로 태양전지의 제조에 사용되는 방법들이 사용될 수 있음은 물론이다.
또한, 본 발명은 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 인쇄 후 소성하여 제조된 태양전지 전극을 구비한 태양전지를 제공한다.
하나의 예로서, 상기 기재는 실리콘 웨이퍼일 수 있으며, 본 발명의 페이스트로 제조되는 전극은 전면의 핑거 전극, 버스바 전극일 수 있으며, 상기 인쇄는 스크린 인쇄, 옵셋 인쇄일 수 있으며, 상기 건조는 90~350℃ 에서 이루어 질 수 있으며, 상기 소성은 600~950℃ 에서 이루어질 수 있다. 바람직하게, 상기 소성은 800~950℃, 더욱 바람직하게, 850~900℃ 에서 5초 내지 1분간 이루어지는 고온/고속 소성을 하는 것이 좋으며, 상기 인쇄는 20~60㎛의 두께로 인쇄를 하는 것이 좋다. 구체적인 하나의 예로서, 대한민국 공개특허공보 제10-2006-0108550호, 제10-2006-0127813호, 일본 공개특허공보 특개2001-202822호 및 특개2003-133567호에 기재된 태양전지의 구조 및 이의 제조방법을 들 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 도전성 페이스트는 결정질 태양전지(P-type, N-type), PESC(Passivated Emitter Solar cell), PERC(Passivated Emitter and Rear cell), PERL(Passivated Emitter Real Locally Diffused) 등의 구조 및 더블 프린팅(Double printing), 듀얼 프린팅(Dual printing) 등 변경된 인쇄 공정에도 모두 적용이 가능하다.
실시예 및 비교예
은 분말 100g을 순수 400mL에 분산시킨 후, 은 분말이 분산된 용액에 옥타데실아민(Octadecylamine) 에탄올 용액 (옥타데실아민 함량 11.25중량%) 2.7g을 첨가하고 4000rpm으로 20분간 교반하여 은 분말을 표면처리한 뒤 교반을 멈추고 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하였다. 여재를 순수로 세정하고, 70℃에서 12시간 건조하여 1차 표면처리된 은 분말을 얻었다. 이 은 분말을 푸드 믹서기에서 분쇄하고, Jet-mill에서 해쇄하였다.
상기 표면처리된 은 분말 100g을 알코올 400ml과 혼합한 후 실리콘 오일 (Dow coring 의 PMX-200) 2g을 첨가하여 10분간 교반한 후 알코올을 제거하였다. 이후 바인더, 첨가제, 분산제, 레벨링제, 유리 프릿 등을 넣고 삼본밀을 사용하여 분산한 후, 상기 실리콘 오일로 2차 표면처리된 은 분말을 혼합하고 삼본밀을 사용하여 분산하였다. 그 뒤 감압 탈포하여 도전성 페이스트를 제조하였다. 실시예 및 비교예에 사용된 유리 프릿의 성분 및 함량은 표 1과 같고, 제조된 도전성 페이스트의 성분 및 함량은 하기 표 2와 같다.
구성성분(mol%) 실시예 1 비교예 1 비교예 2
PbO 25 20 31
TeO2 32 52.5 35
Bi2O3 7 - 25
SiO2 10 - -
Li2O 12 7 6
Na2O 3 2 3
K2O - - -
ZnO 5 - -
Al2O3 1 - -
TiO2 - 1.5 -
합계 100 100 100
구분 함량(중량부)
은 분말 89.5
유리 프릿 2.5
Ethyl CelluloseEC 0.5
텍사놀 2.5
Butyl cellosolve 2.5
EFKA-4330 0.5
BYK180 0.6
Texanol 2.5
Butyl cellosolve 2.5
Thixatrol ST 0.3
Dimethyl adipate 1.5
실험예
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 도전성 페이스트를 웨이퍼의 전면에 50㎛ 메쉬의 스크린 프린팅 기법으로 패턴 인쇄하고, 벨트형 건조로를 사용하여 200~350℃에서 20~30초 동안 건조시켰다. 이후 웨이퍼의 후면에 Al 페이스트를 인쇄한 후 동일한 방법으로 건조하였다. 상기 과정으로 형성된 셀을 벨트형 소성로를 사용하여 500 ~ 900℃ 사이로 20~30초간 소성을 수행하여 태양전지 셀을 제작하였다.
상기 방법에 의해 제작한 태양전지 셀의 단면에 대하여 30,000배율로 주사전자현미경(SEM) 분석을 수행하였으며, 그 결과를 도 1 내지 3에 나타내었다. 도 1 내지 3에 나타난 바와 같이, 비교예 1 및 2의 도전성 페이스트를 이용한 태양전지 셀은 재결정이 역피라미드 형태의 은 재결정이 형성되어 종횡비가 큰 것을 확인할 수 있다. 반면, 실시예 1의 도전성 페이스트를 이용한 태양전지 셀은 판상 형태의 은 재결정이 포함하며, 이의 종횡비는 비교예와 비교하여 매우 작은 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 1의 은 재결정은 종방향 길이가 각각 53.0nm 및, 75.1nm인데 비하여, 비교예 1 및 2의 은 재결정은 대부분 100nm를 초과하는 종방향 길이를 갖는 것을 알 수 있다.
또한, 실시예 1의 재결정 은의 종횡비는 0.01 내지 0.25의 범위를 만족시키나, 비교예 1 및 2는 재결정 은의 종횡비가 0.25를 크게 초과하여 후술하는 태양전지 특성에 문제를 야기하는 것을 볼 수 있다.
실시예 및 비교예에 의해 따라 제조된 페이스트를 사용하여 제조된 각 태양전지의 단락 전류(Isc), 개방 전압(Voc), 효율(Eff), 충전율 (FF), 직렬 저항(Rs)을 측정하여 표 3에 나타내었으며, 상기 태양전지의 개방 전압(Voc), 표면 재결합 전류밀도(Jo1), 정션 재결합 전류밀도(Jo2) 및 pFF를 측정하여 표 4에 나타내었다.
구분 Isc [A] Voc [V] Eff [%] FF [%] Rs [mΩ]
실시예 1 9.577 0.6632 22.21 81.56 1.1
비교예 1 9.562 0.6617 21.11 81.48 1.1
비교예 2 9.566 0.6632 21.09 81.20 1.0
구분 Voc Jo1 [pA] Jo2 [nA] pFF
실시예 1 0.668 0.18 2.5 0.840
비교예 1 0.665 0.20 5.3 0.835
비교예 2 0.668 0.18 8.5 0.831
표 4에 따르면, 실시예 1은 비교예 1 내지 3에 비해 단락 전류(Isc)가 크고, 충전율(FF)이 높아 효율이 높은 것을 알 수 있다. 또한, 표 5에 따르면 실시예 1은 비교예 1 내지 2에 비해 재결합 특성도 작은 것을 알 수 있다. 구체적으로, 비교예 1은 Jo1의 재결합 전류가 높아 개방 전압(Voc)이 감소하고, Jo2의 재결합 전류밀도가 높아 충전율 (FF)이 감소함에 따라 셀의 효율이 낮게 나타나는 것을 알 수 있고, 비교예 2는 Jo2의 재결합 전류밀도가 비교예 1과 비교하여도 현저히 높아 셀의 효율이 보다 낮은 것을 알 수 있다.
전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (9)

  1. 태양전지 전극용 도전성 페이스트에 있어서,
    은 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하며,
    상기 도전성 페이스트를 웨이퍼 표면에 코팅 후 소성 시 재결정되어 생성된 은 결정이 막대상 또는 판상과 같은 단면 구조를 가지며, 상기 생성된 은 결정의 종횡비(웨이퍼 계면에서 생성되는 은 재결정 단면에 있어서, 웨이퍼 계면을 기준으로 횡(너비)에 대한 종(높이)의 비율을 의미함)는 평균 0.005 내지 0.50 범위내인 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 은 결정의 종횡비 평균은 0.01 내지 0.25 범위내인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 은 결정의 종방향 길이는 5nm 내지 100nm범위내인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 은 결정의 종방향 길이는 30nm 내지 90nm범위내인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 PbO를 포함하며, 상기 PbO의 함량은 15~29mol%인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 TeO2를 포함하며, 상기 TeO2의 함량은 15~34 mol%인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 Bi2O3를 포함하며, 상기 Bi2O3의 함량은 6~15 mol%인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 Li2O를 포함하며, 상기 Li2O의 함량은 5~15mol%인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 인쇄 후 소성하여 제조된 태양전지 전극을 구비한 태양전지.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014007347A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Noritake Co Ltd 太陽電池電極用ペースト組成物
JP2016164864A (ja) * 2015-02-27 2016-09-08 株式会社ノリタケカンパニーリミテド Ａｇペーストおよび当該Ａｇペースト用のＡｇ粉末

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101350960B1 (ko) * 2012-01-13 2014-01-16 한화케미칼 주식회사 글래스 프릿, 이를 포함하는 도전성 페이스트 조성물 및 태양전지
US20130224905A1 (en) * 2012-02-27 2013-08-29 E I Du Pont De Nemours And Company Silver paste and use thereof in the production of solar cells
KR101600874B1 (ko) * 2014-05-16 2016-03-09 덕산하이메탈(주) 은 페이스트 조성물 및 이를 이용하여 제조된 태양전지
KR20160035700A (ko) * 2014-09-23 2016-04-01 삼성에스디아이 주식회사 고면저항 기판상에 형성된 전극을 포함하는 태양전지
KR20170064570A (ko) * 2015-10-31 2017-06-12 엘에스니꼬동제련 주식회사 태양전지용 전극 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
KR20170079848A (ko) * 2015-12-31 2017-07-10 주식회사 동진쎄미켐 유리프릿 및 이를 포함하는 도전성 페이스트 조성물

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014007347A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Noritake Co Ltd 太陽電池電極用ペースト組成物
JP2016164864A (ja) * 2015-02-27 2016-09-08 株式会社ノリタケカンパニーリミテド Ａｇペーストおよび当該Ａｇペースト用のＡｇ粉末

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