KR102530523B1 - 라이브러리 생성 장치, 패턴 분석 장치, 이를 이용하는 반도체 패턴 계측 시스템 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 기술의 일 실시예에 의한 라이브러리 생성 장치는 반도체 집적 장치인 모델링 대상물로부터 획득한 간섭 이미지에 대하여, 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 픽셀들을 기초로, 모델링 대상물에 대한 형상 정보를 도출하여 라이브러리화하도록 구성될 수 있다.

Description

라이브러리 생성 장치, 패턴 분석 장치, 이를 이용하는 반도체 패턴 계측 시스템 및 방법{Apparatus for Generating of Library, Apparatus for Analysis of Pattern, System and Method for Metrology of Semiconductor Pattern Using the Same}
본 발명은 광학 계측 기술에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 라이브러리 생성 장치, 패턴 분석 장치, 이를 이용하는 반도체 패턴 계측 시스템 및 방법에 관한 것이다.
반도체 집적 회로를 구성하는 구조물들은 그 크기가 날로 감소하고 있고 복잡도는 더욱 증가하고 있다.
반도체 집적 회로의 공정 과정 중에, 또는 공정이 완료된 후에는 구조물들의 3차원 형상을 정밀하게 계측하고, 계측 결과를 공정에 적용하여 생산 수율을 향상을 기하고 있다.
3차원 구조물에 대한 계측을 위한 다양한 방법이 존재한다. 광학임계치수(Optical Critical Dimension; OCD) 기술은 샘플 상의 반복적인 구조의 물리적인 파라미터들을 분광신호로부터 추출하는 것을 가능하게 한다. 하지만 OCD 방법은 비주기적 구조체, 여러 개의 분리된 구조물로 이루어진 구조체에 대한 분석을 수행하기에는 적합하지 않다.
TSOM(Through focus Scanning Optical Microscopy) 방법은 현미경을 이용하여 광축을 따라 대상물을 스캐닝하고, 이에 따라 생성되는 조사 대상의 콘트라스트 이미지를 해석하여 3차원 구조물의 형상을 계측할 수 있는 방법이다. TSOM을 이용하면 파장보다 작은 구경(Critical Dimension; CD)을 갖는 구조물의 형상을 계측할 수 있고, 순환적, 비순환적 구초체 및 여러 개의 분리된 구조물로 이루어진 구조체를 분석할 수 있다.
패턴 계측을 위해 어떤 방식을 사용하든지, 반도체 집적 회로를 구성하는 복잡 다양한 구조체의 분석을 위해서는 정확성 및 계측 속도의 향상이 요구된다.
본 기술의 실시예는 구조체에 대한 정보를 적은 연산량 및 고속으로 획득할 수 있는 라이브러리 생성 장치, 패턴 분석 장치, 이를 이용하는 반도체 패턴 계측 시스템 및 방법을 제공할 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 라이브러리 생성 장치는 반도체 집적 장치인 모델링 대상물로부터 획득한 간섭 이미지에 대하여, 상기 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 픽셀들을 기초로, 상기 모델링 대상물에 대한 형상 정보를 도출하여 라이브러리화하며, 상기 간섭 이미지가 대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 0도 및 90도 중 적어도 하나로 설정되고, 상기 간섭 이미지가 비대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 22.5도 및 45도 중 적어도 하나로 설정될 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 패턴 분석 장치는 반도체 집적 장치인 분석 대상물로부터 획득한 간섭 이미지에 대하여, 상기 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 픽셀들을 기초로, 상기 분석 대상물에 대한 형상을 분석하도록 구성되며, 상기 간섭 이미지가 대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 0도 및 90도 중 적어도 하나로 설정되고, 상기 간섭 이미지가 비대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 22.5도 및 45도 중 적어도 하나로 설정될 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 시스템은 반도체 집적 장치인 모델링 대상물 또는 반도체 집적 장치인 분석 대상물에 대한 제 1 간섭 이미지를 획득하는 패턴 계측 장치; 및 상기 모델링 대상물로부터 획득한 제 1 간섭 이미지에 대하여, 상기 제 1 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 제 1 픽셀들을 기초로, 상기 모델링 대상물에 대한 형상 정보를 도출하여 라이브러리를 생성하도록 구성되는 라이브러리 생성 장치;를 포함하고, 상기 제 1 간섭 이미지가 대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 0도 및 90도 중 적어도 하나로 설정되고, 상기 제 1 간섭 이미지가 비대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 22.5도 및 45도 중 적어도 하나로 설정될 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 방법은 패턴 계측 장치 및 컴퓨팅 장치를 포함하는 반도체 패턴 계측 장치에서의 반도체 패턴 계측 방법으로서, 상기 컴퓨팅 장치가 반도체 집적 장치인 모델링 대상물로부터 획득한 제 1 간섭 이미지에 대하여, 상기 제 1 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 제 1 픽셀들을 추출하는 단계; 및 상기 컴퓨팅 장치가 상기 제 1 픽셀들을 기초로, 상기 모델링 대상물에 대한 형상 정보를 도출하여 라이브러리를 생성하는 단계;를 포함하고, 상기 제 1 간섭 이미지가 대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 0도 및 90도 중 적어도 하나로 설정되고, 상기 제 1 간섭 이미지가 비대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 22.5도 및 45도 중 적어도 하나로 설정될 수 있다.
본 기술에 의하면 구조체로부터 획득한 광학 이미지로부터 의미 있는 정보를 중복됨이 없이 추출하고 이를 모델링하여 라이브러리를 생성할 수 있다. 구조체로부터 획득한 광학 이미지 전체를 분석하는 것이 아닌, 중복되지 않는 의미 있는 정보만을 추출함에 따라 라이브러리 구축에 소요되는 시간을 대폭 단축시킬 수 있다.
또한, 제조된 반도체 집적 회로에 대한 패턴 분석시에도, 의미 있는 정보를 중복됨이 없이 추출하고, 라이브러리에 기초하여 구조물에 대한 형상을 예측할 수 있다. 따라서 제조된 반도체 집적 회로의 형상을 적은 연산량 및 고속으로 계측할 수 있다.
뿐만 아니라, 새로운 반도체 집적 회로의 양산시 이에 즉각적으로 대응할 수 있어, 효율적이고 원활한 공정 적용이 가능하게 된다.
도 1은 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 시스템의 구성도이다.
도 2는 일 실시예에 의한 라이브러리 생성 장치의 구성도이다.
도 3은 일 실시예에 의한 패턴 분석 장치의 구성도이다.
도 4는 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5는 일 실시예에 의한 모델링 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 기술의 실시예를 보다 구체적으로 설명한다.
도 1은 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 시스템의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 시스템(1)은 패턴 계측 장치(10), 컴퓨팅 장치(20) 및 스테이지(30)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 패턴 계측 장치(10)는 주사 간섭계일 수 있다. 패턴 계측 장치(10)는 가간섭성(Coherent)을 갖는 광원 또는 비가간섭성(Incoherent)을 갖는 광원을 이용할 수 있다. 일 실시예에서, 패턴 계측 장치(10)는 TE(Transverse Electronic wave) 모드 및 TM(Transverse Magnetic wave) 모드를 구분하여 대상물(S)에 대한 간섭 이미지를 획득할 수 있다.
패턴 계측 장치(10)는 집광장치의 초점 위치 또는 대상물(S)의 위치를 일정한 간격으로 광축(Z축) 방향으로 이동시키면서, 각각의 위치(층)에서 X-Y 방향으로 대상물(S)을 스캐닝시킴으로써, 각층에 대한 국부적인 위상과 진폭 변화를 영상화시키도록 구성될 수 있다.
컴퓨팅 장치(20)는 명령어, 제어 신호, 동작 파라미터 등과 같은 데이터에 기초하여 패턴 계측 장치(10) 및 스테이지(30)의 동작을 제어하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 컴퓨팅 장치(20)는 라이브러리 생성 장치(210) 및 패턴 분석 장치(220)를 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 라이브러리 생성 장치(210)가 동작할 때의 대상물(S)은 모델링 대상물(S)이라 지칭하고, 패턴 분석 장치(220)가 동작할 때의 대상물(S)은 분석 대상물(S)이라 지칭하기로 한다.
라이브러리 생성 장치(210)는 모델링 대상물(S)에서 획득한 간섭 이미지로부터 의미 있는 정보를 중복됨이 없이 추출하고 이를 모델링하여 라이브러리를 생성하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 라이브러리 생성 장치(210)는 패턴 계측 장치(10)로부터 획득한 간섭 이미지에 대하여, 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 픽셀로부터 모델링 대상물(S)에 대한 스펙트럼을 획득하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 간섭 이미지를 획득하기 위하여, OCD(Optical Critical Dimension) 계측 장치의 패널(카메라)에 모델링 대상물(S)의 간섭 이미지를 맺히게 하는 방법을 사용할 수 있다. 일 실시예에서, 대물렌즈의 후초점면(Back Focal Plane)에 모델링 대상물(S)의 간섭 이미지를 맺히게 하는 방법을 사용할 수 있다.
간섭계를 통해 계측하는 구조체의 피치가 광원의 파장보다 작은 경우 간섭 이미지는 동심원 형태를 가질 수 있다. 따라서, 일 실시예에 의하면 간섭 이미지가 예를 들어 대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우 의미 있는 정보를 중복됨이 없이 추출할 수 있는 기 설정된 각도는 0도 및/또는 90도 즉, 0도 및 90도 중 적어도 하나일 수 있다. 간섭 이미지가 예를 들어 비대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우 기 설정된 각도는 22.5도 및/또는 45도 즉, 22.5도 및 45도 중 적어도 하나일 수 있다.
따라서 라이브러리 생성 장치(210)는 간섭 이미지의 형상에 따라, 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 각 픽셀에 대하여, 중심으로부터의 거리와 세기의 곱에 의해 간섭 세기 신호를 산출하고, 해당 축 상의 모든 픽셀에 대한 간섭 세기 신호를 합산할 수 있다. 아울러, 간섭 세기 신호의 합산 결과는 모델링 스펙트럼이 될 수 있다.
본 실시예에 의한 라이브러리 생성 장치(210)는, 간섭 이미지의 모든 픽셀들을 분석하여 모델링 대상물(S)에 대한 스펙트럼을 획득하는 것이 아니라, 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 픽셀들만을 분석하므로, 스펙트럼을 획득하기 위한 연산량 및 연산 시간을 대폭 감소시킬 수 있다.
한편, 라이브러리 생성 장치(210)는 모델링 대상물(S)로부터 획득한 스펙트럼(모델링 스펙트럼)을 기준 스펙트럼과 비교함에 의해 모델링 대상물(S)의 형상을 유추할 수 있다. 일 실시예에서, 라이브러리 생성 장치(210)는 계측 파라미터를 변화시키면서 모델링 스펙트럼과 기준 스펙트럼을 비교하여 두 스펙트럼이 일치할 때의 계측 파라미터를 통해 모델링 대상물(S)의 형상을 유추할 수 있다. 계측 파라미터는 예를 들어 모델링 대상물(S)의 임계치수, 피치, 측벽 각도, 높이 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이를 위해 라이브러리 생성 장치(210)는 엄격한 결합파 분석(Rigorous Coupled-Wave Analysis; RCWA) 방법 또는 유한 차분 시간 영역(Finite Difference Time Domain; FDTD) 방법을 이용할 수 있다.
일 실시예에서, 패턴 계측 장치(10)는 집광장치의 초점 위치 또는 모델링 대상물(S)을 Z축 방향으로 이동시키면서 스캐닝을 수행할 수 있으며, 따라서 라이브러리 생성 장치(210)가 모델링 대상물(S)로부터 획득하는 스펙트럼은 'Z축 공간 스펙트럼'이라 지칭할 수 있을 것이다.
라이브러리 생성 장치(210)는 또한, 모델링 대상물(S)의 계측 파라미터를 직접 산출하고, 스펙트럼 비교에 의해 획득한 계측 파라미터와 직접 산출된 계측 파라미터가 일치하는지 검증할 수 있다. 검증 결과, 획득한 계측 파라미터와 직접 산출된 계측 파라미터가 일치하지 않을 경우에는, 계측 파라미터를 변화시키면서 모델링 스펙트럼과 기준 스펙트럼을 비교하는 과정을 다시 수행할 수 있다. 검증 결과, 획득한 계측 파라미터와 직접 산출된 계측 파라미터가 일치하는 경우에는 해당 계측 파라미터가 최종 계측 파라미터로 결정되고, 최종 계측 파라미터는 모델링 스펙트럼과 함께 라이브러리화될 수 있다.
모델링 대상물(S)의 계측 파라미터를 직접 산출하기 위하여 TEM(Transmission Electron Microscope), SEM(Scanning Electron Microscope), OCD(Optical Critical Dimension), AFM(Atomic Force Microscope) 등과 같은 장비가 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
새로운 반도체 집적 회로의 양산시, 본 실시예에 의한 라이브러리 생성 장치(210)를 통해 해당 반도체 집적 회로 내의 패턴에 대한 형상 정보를 모델링하여 라이브러리화 할 수 있다. 이 때 모델링 대상물로부터의 간섭 이미지에 포함된 모든 픽셀들을 분석하지 않고, 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 픽셀들만을 분석함에 의해 형상 정보를 라이브러리화하는 데 필요한 연산량, 연산 시간, 시스템 부하 등을 획기적으로 감소시킬 수 있다.
형상 정보에 대한 라이브러리가 구축되면, 반도체 집적 회로를 제조하는 공정 과정 중에, 또는 공정이 완료된 후에는 패턴 분석 장치(220)에 의해 제조 대상 반도체 집적 회로 즉, 분석 대상물(S)에 대한 패턴 형상을 분석할 수 있다.
패턴 분석 장치(220)는 분석 대상물(S)로부터 획득한 간섭 이미지와 라이브러리에 기초하여 분석 대상물(S)에 형성된 패턴의 형상을 분석하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 패턴 분석 장치(220)는 분석 대상물(S)로부터 획득한 간섭 이미지에 대하여, 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 픽셀로부터 분석 대상물(S)에 대한 스펙트럼(분석 대상 스펙트럼)을 획득하도록 구성될 수 있다. 그리고, 패턴 분석 장치(220)는 라이브러리 생성 장치(210)에서 생성한 라이브러리로부터 분석 대상 스펙트럼과 일치하는 스펙트럼 및 이에 대응하여 저장된 계측 파라미터를 추출하여, 분석 대상물(S)의 형상을 도출할 수 있다.
라이브러리 생성 장치(210)와 유사하게, 패턴 분석 장치(220) 또한 분석 대상물(S)의 간섭 이미지에 포함된 모든 정보가 아닌 의미 있는 정보를 중복됨이 없이 추출할 수 있다. 즉, 분석 대상물(S)의 간섭 이미지에 포함된 모든 픽셀들이 아닌, 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 픽셀들만으로부터 스펙트럼을 획득하므로, 분석 대상물(S)의 형상을 도출하는 데 필요한 연산량, 연산 시간 및 시스템 부하 등을 대폭 감소시킬 수 있다.
패턴 계측 장치(10)가 집광장치의 초점 위치 또는 분석 대상물(S)을 Z축 방향으로 이동시키면서 스캐닝을 수행할 수 있으므로, 패턴 분석 장치(220)가 분석 대상물(S)로부터 획득하는 스펙트럼 또한 'Z축 공간 스펙트럼'이라 지칭할 수 있을 것이다.
한편, 스테이지(30)는 지지부(310), 이송부(320) 및 구동부(330)를 포함할 수 있다.
지지부(310) 상에는 대상물(S)이 안착될 수 있다.
구동부(330)는 컴퓨팅 장치(20)의 제어에 따라 이송부(320)를 구동할 수 있다. 일 실시예에서, 구동부(330)는 이송부(320)를 수평 방향(X-Y 방향) 및 수직 방향(Z 방향)으로 구동할 수 있다.
도 2는 일 실시예에 의한 라이브러리 생성 장치의 구성도이다.
도 2를 참조하면, 라이브러리 생성 장치(210)는 컨트롤러(211), 운용자 인터페이스(UI, 213), 메모리(215), 스펙트럼 생성부(217) 및 모델링부(219)를 포함할 수 있다.
컨트롤러(211)는 라이브러리 생성 장치(210)의 전체적인 동작을 제어하도록 구성될 수 있다.
운용자 인터페이스(213)는 입력장치 및 출력장치를 포함할 수 있다. 입력장치를 통해 운용자의 명령어, 데이터 등과 같은 동작 파라미터를 제공받을 수 있다. 또한, 출력장치를 통해 라이브러리 생성 장치(210)의 동작 상황, 처리 결과 등을 출력할 수 있다.
일 실시예에서, 라이브러리 생성 장치(210)는 운용자 인터페이스(213)를 통해 기준 스펙트럼, 모델링 대상물(S)에 대하여 직접 산출한 계측 파라미터 등을 제공받을 수 있다. 다른 실시예에서, 기준 스펙트럼, 모델링 대상물(S)에 대하여 직접 산출한 계측 파라미터 등은 도시하지 않은 통신망 인터페이스를 통해, 외부 장치로부터 제공받는 것도 가능하다.
일 실시예에서, 모델링 대상물(S)의 계측 파라미터를 직접 산출하는 외부장치로는 TEM(Transmission Electron Microscope), SEM(Scanning Electron Microscope), OCD(Optical Critical Dimension), AFM(Atomic Force Microscope) 등과 같은 장비가 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
메모리(215)는 주기억장치 및 보조기억장치를 포함할 수 있으며, 라이브러리 생성 장치(210)가 동작하는 데 필요한 프로그램, 제어 데이터, 응용 프로그램, 동작 파라미터, 처리 결과 등이 저장될 수 있다.
스펙트럼 생성부(217)는 패턴 계측 장치(10)로부터 모델링 대상물(S)에 대한 간섭 이미지를 제공받을 수 있다. 그리고, 모델링 대상물(S)에 대한 간섭 이미지에 대하여, 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 픽셀로부터 모델링 대상물(S)에 대한 모델링 스펙트럼(모델링 Z축 공간 스펙트럼)을 획득하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 간섭 이미지가 대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우 기 설정된 각도는 0도 및/또는 90도일 수 있다. 간섭 이미지가 비대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우 기 설정된 각도는 22.5도 및/또는 45도일 수 있다.
스펙트럼 생성부(217)는 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 각 픽셀에 대해, 중심으로부터의 거리와 세기의 곱에 의해 간섭 세기 신호를 산출하고, 해당 축 상의 모든 픽셀에 대한 간섭 세기 신호를 합산하여 모델링 스펙트럼을 생성할 수 있다. 모델링 스펙트럼은 Z축 공간 스펙트럼일 수 있다.
모델링부(219)는 스펙트럼 생성부(217)에서 생성한 모델링 스펙트럼과 기준 스펙트럼을 비교하여 모델링 대상물(S)의 형상을 유추하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 모델링부(219)는 계측 파라미터를 변화시키면서 모델링 스펙트럼과 기준 스펙트럼을 비교하여, 두 스펙트럼이 일치할 때의 계측 파라미터를 통해 모델링 대상물(S)의 형상을 유추할 수 있다. 계측 파라미터는 예를 들어 모델링 대상물(S)의 임계치수, 피치, 측벽 각도, 높이 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 모델링부(219)는 예를 들어 RCWA 방법 또는 FDTD 방법에 의해 모델링 대상물(S)의 형상을 유추할 수 있다.
모델링부(219)는 또한, 모델링 대상물(S)에 대해 직접 산출된 계측 파라미터와 스펙트럼 비교에 의해 획득한 계측 파라미터의 일치 여부를 검증할 수 있다. 획득한 계측 파라미터와 직접 산출된 계측 파라미터가 일치하지 않을 경우에는 스펙트럼 생성부(217)를 통해 계측 파라미터를 변화시키면서 모델링 스펙트럼과 기준 스펙트럼을 비교하는 과정이 다시 수행될 수 있다. 획득한 계측 파라미터와 직접 산출된 계측 파라미터가 일치할 경우에는 해당 계측 파라미터가 최종 계측 파라미터로 결정되고, 최종 계측 파라미터는 모델링 스펙트럼과 함께 라이브러리화 되어 메모리(215)에 저장될 수 있다.
메모리(215)에 저장된 라이브러리는 다양한 방법에 의해 패턴 분석 장치(220)로 제공될 수 있다.
도 3은 일 실시예에 의한 패턴 분석 장치의 구성도이다.
도 3을 참조하면, 일 실시예에 의한 패턴 분석 장치(220)는 컨트롤러(221), 운용자 인터페이스(UI, 223), 메모리(225), 장치 제어부(227) 및 분석부(229)를 포함하도록 구성될 수 있다.
컨트롤러(221)는 패턴 분석 장치(220)의 전체적인 동작을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 반도체 패턴 계측 시스템(1)의 전반적인 동작 또한 컨트롤러(221)에 의해 제어될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
운용자 인터페이스(223)는 입력장치 및 출력장치를 포함할 수 있다. 입력장치를 통해 운용자의 명령어, 데이터 등과 같은 동작 파라미터를 제공받을 수 있다. 또한, 출력장치를 통해 패턴 분석 장치(220)의 동작 상황, 처리 결과 등을 출력할 수 있다.
메모리(225)는 주기억장치 및 보조기억장치를 포함할 수 있으며, 패턴 분석 장치(220)가 동작하는 데 필요한 프로그램, 제어 데이터, 응용 프로그램, 동작 파라미터, 처리 결과 등이 저장될 수 있다. 일 실시예에서, 메모리(225)에는 라이브러리 생성 장치(210)에서 생성한 라이브러리가 저장될 수 있다. 하지만, 라이브러리가 반드시 메모리(225)에 저장될 필요는 없다. 라이브러리는 별도의 저장매체를 통해 패턴 분석 장치(220)에 제공될 수 있다. 다른 실시예에서, 라이브러리 생성 장치(210)와 패턴 분석 장치(220)는 상호 통신하도록 구성될 수 있고, 라이브러리 생성 장치(210)에 저장되어 있는 라이브러리에 패턴 분석 장치(220)가 접근 가능하도록 구성할 수 있다.
장치 제어부(227)는 패턴 계측 장치(10) 및/또는 스테이지(30)의 동작을 제어하도록 구성될 수 있다. 장치 제어부(227)는 패턴 계측 장치(10)를 구성하는 광원 및 광학계에 대한 동작을 제어할 수 있다. 장치 제어부(227)는 또한 동작 파라미터에 따라 구동부(330)를 제어하여 이송부(320)가 기 설정된 방향 및 속도로 이동하도록 구성될 수 있다.
분석부(229)는 패턴 계측 장치(10)로부터 획득된 영상 정보에 기초하여 분석 대상물(S)에 형성된 형상을 분석하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 분석부(229)는 패턴 계측 장치(10)로부터 제공되는 분석 대상물(S)에 대한 간섭 이미지에 대하여, 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 픽셀로부터 분석 대상물(S)에 대한 스펙트럼(분석 대상 스펙트럼)을 획득할 수 있다. 그리고, 분석부(229)는 분석 대상 스펙트럼과 일치하는 스펙트럼 및 이에 대응하여 저장된 계측 파라미터를 추출하여, 분석 대상물(S)의 형상을 도출할 수 있다.
도 4는 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
라이브러리 생성을 위하여, 먼저 라이브러리 생성 장치(210)는 패턴 계측 장치(10)에서 모델링 대상물(S)을 촬영한 영상, 즉 간섭 이미지를 제공받을 수 있다(S101).
그리고, 라이브러리 생성 장치(210)는 획득한 간섭 이미지로부터 간섭 세기 신호를 획득하고 이를 합산할 수 있다(S103). 구체적으로, 라이브러리 생성 장치(210)는 간섭 이미지로부터 의미 있는 정보를 중복됨이 없이 추출할 수 있다. 의미 있는 정보를 중복됨이 없이 추출한다는 것은, 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 각 픽셀에 대한 정보를 추출함을 의미할 수 있다. 그리고, 해당 축 상의 각 픽셀에 대하여, 중심에 대하여의 거리와 픽셀의 세기를 곱함에 의해 간섭 세기 신호를 획득할 수 있고, 해당 축 상의 모든 간섭 세기 신호를 합산할 수 있다.
상술하였듯이, 기 설정된 각도는 간섭 이미지가 예를 들어 대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우 기 설정된 각도는 0도 및/또는 90도일 수 있고, 간섭 이미지가 예를 들어 비대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우 기 설정된 각도는 22.5도 및/또는 45도일 수 있다.
간섭 신호의 합이 획득되면, 라이브러리 생성 장치(210)는 이로부터 모델링 스펙트럼을 생성할 수 있다(S105). 이 모델링 스펙트럼은 Z축 공간 스펙트럼일 수 있다.
모델링 스펙트럼이 생성되면, 라이브러리 생성 장치(210)는 모델링 스펙트럼, 기준 스펙트럼 및 모델링 대상물(S)에 대해 직접 산출한 계측 파라미터를 기초로 하여 모델링 대상물(S)의 형상을 예측하는 모델링 과정을 수행할 수 있다(S107).
모델링이 완료되면, 라이브러리 생성 장치(210)는 모델링 스펙트럼 및 계측 파라미터를 라이브러리로서 저장할 수 있다(S109).
간섭 이미지의 모든 픽셀들을 고려하여 모델링을 수행하는 경우에는 방대한 연산량이 필요하다. 하지만, 본 실시예에서는 같이 기 설정된 각도를 갖는 축 상에 존재하는 픽셀들만을 분석하여 모델링을 수행하므로 연산량, 연산 시간, 시스템 부하 등을 획기적으로 감소시킬 수 있다.
이와 같이 하여 생성된 라이브러리를 참조하여, 반도체 집적 회로를 제조하는 공정 과정 중에, 또는 공정이 완료된 후 제조 대상 반도체 집적 회로인 분석 대상물(S)에 대한 패턴 형상을 계측할 수 있다.
분석 대상물(S)에 대한 패턴 형상 계측 방법의 플로우는 도 4의 단계 S101 내지 S105와 실질적으로 동일하다.
즉, 분석 대상물(S)에 대해 패턴 계측 장치(10)가 촬영한 간섭 이미지를 획득하고(S101), 이로부터 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상에 존재하는 픽셀들에 대한 간섭 세기 신호의 합을 산출할 수 있다(S103). 그리고, 간섭 세기 신호의 합을 분석 대상 스펙트럼(Z축 공간 스펙트럼)으로 생성할 수 있다(S105).
다만, 분석 대상물(S)에 대하여 분석 대상 스펙트럼을 획득한 후에는 기 생성된 라이브러리를 참조하여, 분석 대상 스펙트럼과 일치하는 스펙트럼 및 이에 대응하여 저장된 계측 파라미터를 추출함으로써, 분석 대상물(S)의 형상을 도출할 수 있다.
분석 대상물(S)에 대한 간섭 이미지에 대해서도, 모든 픽셀을 고려하지 않고 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 픽셀들만을 고려하므로 연산량, 연산시간, 시스템 부하 등을 대폭 낮출 수 있다.
도 5는 일 실시예에 의한 모델링 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
모델링 대상물(S)의 모델링 스펙트럼으로부터 모델링 대상물(S)의 형상을 유추하기 위하여, 라이브러리 생성 장치(210)는 모델링 스펙트럼과 기준 스펙트럼을 비교할 수 있다(S201).
일 실시예에서, 라이브러리 생성 장치(210)는 RCWA 방법, 또는 FDTD 방법을 이용하여 모델링 스펙트럼과 기준 스펙트럼을 비교할 수 있다. 구체적으로, 모델링 스펙트럼과 기준 스펙트럼이 일치하는지 확인하고(S203), 일치하지 않을 경우(S203-N) 계측 파라미터를 변화시킬 수 있다(S205). 이러한 과정은 두 스펙트럼이 일치할 때까지 반복 수행될 수 있다. 계측 파라미터는 예를 들어 모델링 대상물(S)의 임계치수, 피치, 측벽 각도, 높이 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
두 스펙트럼이 일치하고(S203-Y), 이 때의 계측 파라미터가 획득되면, 모델링 대상물(S)로부터 직접 산출된 계측 파라미터와 스펙트럼 비교에 의해 획득한 계측 파라미터를 비교할 수 있다(S207). 단계 S207의 비교 결과, 두 파라미터가 일치하지 않을 경우에는(S209-N) 파라미터 변경 단계(S205)로 복귀하고, 계측 파라미터를 변경시키면서 모델링 스펙트럼과 기준 스펙트럼을 비교하는 과정을 다시 수행할 수 있다. 두 파라미터가 일치할 경우에는(S209-Y) 해당 계측 파라미터가 최종 계측 파라미터로 결정되고, 이는 모델링 스펙트럼과 함께 라이브러리화될 수 있다(S211).
모델링 대상물 또는 분석 대상물의 간섭 이미지 전체를 고려하지 않고, 간섭 이미지가 갖는 대칭성 또는 비대칭성을 고려하여 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상에 존재하는 픽셀들만을 분석 대상으로 하여 패턴 형상을 유추함에 따라, 라이브러리 생성은 물론 대상물 분석에 필요한 연산량, 시간, 시스템 부하 등을 현저히 감소시킬 수 있는 결과를 얻을 수 있다.
라이브러리를 생성하기 위한 프로세스 및 패턴 분석을 위한 프로세스는 프로그램 형태로 구현될 수 있다. 아울러, 이러한 프로그램은 컴퓨터로 읽을 수 있는 저장매체에 저장되어 실행될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
1 : 반도체 패턴 계측 시스템
10 : 패턴 계측 장치
20 : 컴퓨팅 장치
30 : 스테이지
210 : 라이브러리 생성 장치
220 : 패턴 분석 장치

Claims (33)

  1. 반도체 집적 장치인 모델링 대상물로부터 획득한 간섭 이미지에 대하여, 상기 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 픽셀들을 기초로, 상기 모델링 대상물에 대한 형상 정보를 도출하여 라이브러리화하며,
    상기 간섭 이미지가 대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 0도 및 90도 중 적어도 하나로 설정되고,
    상기 간섭 이미지가 비대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 22.5도 및 45도 중 적어도 하나로 설정되는 라이브러리 생성 장치.
  2. ◈청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 1 항에 있어서.
    상기 라이브러리 생성 장치는. 상기 픽셀들에 대한 간섭 세기 신호의 합으로부터 모델링 스펙트럼을 생성하는 스펙트럼 생성부; 및
    기 제공된 기준 스펙트럼, 상기 모델링 대상물에 대해 직접 산출한 제 1 계측 파라미터, 상기 모델링 스펙트럼에 기초하여 상기 모델링 대상물의 형상 정보를 도출하는 모델링부;
    를 포함하도록 구성되는 라이브러리 생성 장치.
  3. ◈청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 2 항에 있어서,
    상기 모델링부는, 제 2 계측 파라미터를 변화시키면서 상기 모델링 스펙트럼과 상기 기준 스펙트럼을 비교하여, 상기 모델링 스펙트럼과 상기 기준 스펙트럼이 일치할 때의 상기 제 2 계측 파라미터를 획득하고,
    상기 제 2 계측 파라미터와 상기 제 1 계측 파라미터를 비교하여, 상기 제 2 계측 파라미터와 상기 제 1 계측 파라미터가 일치하는 경우, 상기 제 2 계측 파라미터 및 모델링 스펙트럼을 라이브러리화하도록 구성되는 라이브러리 생성 장치.
  4. ◈청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 3 항에 있어서,
    상기 모델링부는, 상기 제 2 계측 파라미터와 상기 제 1 계측 파라미터가 일치하지 않는 경우, 상기 제 2 계측 파라미터를 다시 획득하도록 구성되는 라이브러리 생성 장치.
  5. ◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 계측 파라미터는 각각 상기 모델링 대상물의 임계치수, 피치, 측벽각도, 높이를 포함하도록 구성되는 라이브러리 생성 장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 반도체 집적 장치인 분석 대상물로부터 획득한 간섭 이미지에 대하여, 상기 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 픽셀들을 기초로, 상기 분석 대상물에 대한 형상을 분석하도록 구성되며,
    상기 간섭 이미지가 대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 0도 및 90도 중 적어도 하나로 설정되고,
    상기 간섭 이미지가 비대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 22.5도 및 45도 중 적어도 하나로 설정되는 패턴 분석 장치.
  9. ◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 8 항에 있어서.
    상기 패턴 분석 장치는 상기 픽셀들에 대한 간섭 세기 신호의 합으로부터 분석 대상 스펙트럼을 생성하고, 기 제공된 라이브러리 및 상기 분석 대상 스펙트럼에 기초하여 상기 분석 대상물의 형상을 도출하도록 구성되는 패턴 분석 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 반도체 집적 장치인 모델링 대상물 또는 반도체 집적 장치인 분석 대상물에 대한 제 1 간섭 이미지를 획득하는 패턴 계측 장치; 및
    상기 모델링 대상물로부터 획득한 제 1 간섭 이미지에 대하여, 상기 제 1 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 제 1 픽셀들을 기초로, 상기 모델링 대상물에 대한 형상 정보를 도출하여 라이브러리를 생성하도록 구성되는 라이브러리 생성 장치;
    를 포함하고,
    상기 제 1 간섭 이미지가 대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 0도 및 90도 중 적어도 하나로 설정되고,
    상기 제 1 간섭 이미지가 비대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 22.5도 및 45도 중 적어도 하나로 설정되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  13. ◈청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 12 항에 있어서,
    상기 패턴 계측 장치는 상기 모델링 대상물 또는 상기 분석 대상물의 위치, 또는 광원의 초점 위치를 광축 방향으로 이동시키면서, 상기 모델링 대상물 또는 상기 분석 대상물을 스캐닝하여 상기 제 1 간섭 이미지를 획득하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  14. ◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 12 항에 있어서,
    상기 패턴 계측 장치는 가간섭성 광원을 이용하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  15. ◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 12 항에 있어서,
    상기 패턴 계측 장치는 TE(Transverse Electronic wave) 모드 및 TM(Transverse Magnetic wave) 모드를 구분하여 상기 모델링 대상물 또는 상기 분석 대상물에 대한 제 1 간섭 이미지를 획득하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  16. ◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 12 항에 있어서,
    상기 라이브러리 생성 장치는. 상기 제 1 픽셀들에 대한 간섭 세기 신호의 합으로부터 모델링 스펙트럼을 생성하는 스펙트럼 생성부; 및
    기 제공된 기준 스펙트럼, 상기 모델링 대상물에 대해 직접 산출한 계측 파라미터, 상기 모델링 스펙트럼에 기초하여 상기 모델링 대상물의 형상 정보를 도출하는 모델링부;
    를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. ◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 12 항에 있어서,
    상기 분석 대상물로부터 획득한 제 2 간섭 이미지에 대하여, 상기 제 2 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 제 2 픽셀들을 기초로, 상기 분석 대상물에 대한 형상을 분석하도록 구성되는 패턴 분석 장치를 더 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  20. ◈청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 19 항에 있어서.
    상기 패턴 분석 장치는 상기 제 2 픽셀들에 대한 간섭 세기 신호의 합으로부터 분석 대상 스펙트럼을 생성하고, 상기 라이브러리 및 상기 분석 대상 스펙트럼에 기초하여 상기 분석 대상물의 형상을 도출하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  21. ◈청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 19 항에 있어서,
    상기 제 2 간섭 이미지는 대칭성을 갖는 동심원 형태이며, 상기 기 설정된 각도는 0도 및 90도 중 적어도 하나로 설정되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  22. ◈청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 19 항에 있어서,
    상기 제 2 간섭 이미지는 비대칭성을 갖는 동심원 형태이며, 상기 기 설정된 각도는 22.5도 및 45도 중 적어도 하나로 설정되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  23. 패턴 계측 장치 및 컴퓨팅 장치를 포함하는 반도체 패턴 계측 장치에서의 반도체 패턴 계측 방법으로서,
    상기 컴퓨팅 장치가 반도체 집적 장치인 모델링 대상물로부터 획득한 제 1 간섭 이미지에 대하여, 상기 제 1 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 제 1 픽셀들을 추출하는 단계; 및
    상기 컴퓨팅 장치가 상기 제 1 픽셀들을 기초로, 상기 모델링 대상물에 대한 형상 정보를 도출하여 라이브러리를 생성하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 제 1 간섭 이미지가 대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 0도 및 90도 중 적어도 하나로 설정되고,
    상기 제 1 간섭 이미지가 비대칭성을 갖는 동심원 형태인 경우, 상기 기 설정된 각도는 22.5도 및 45도 중 적어도 하나로 설정되는 반도체 패턴 계측 방법.
  24. ◈청구항 24은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 23 항에 있어서.
    상기 라이브러리를 생성하는 단계는, 상기 제 1 픽셀들에 대한 간섭 세기 신호의 합으로부터 모델링 스펙트럼을 생성하는 단계; 및
    기 제공된 기준 스펙트럼, 상기 모델링 대상물에 대해 직접 산출한 제 1 계측 파라미터, 상기 모델링 스펙트럼에 기초하여 상기 모델링 대상물의 상기 형상 정보를 도출하는 단계;
    를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 방법.
  25. ◈청구항 25은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 24 항에 있어서,
    상기 형상 정보를 도출하는 단계는, 제 2 계측 파라미터를 변화시키면서 상기 모델링 스펙트럼과 상기 기준 스펙트럼을 비교하여, 상기 모델링 스펙트럼과 상기 기준 스펙트럼이 일치할 때의 상기 제 2 계측 파라미터를 획득하는 단계; 및
    상기 제 2 계측 파라미터와 상기 제 1 계측 파라미터를 비교하여, 상기 제 2 계측 파라미터와 상기 제 1 계측 파라미터가 일치하는 경우, 상기 제 2 계측 파라미터 및 모델링 스펙트럼을 라이브러리화하는 단계;
    를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 방법.
  26. ◈청구항 26은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 25 항에 있어서,
    상기 제 2 계측 파라미터와 상기 제 1 계측 파라미터가 일치하지 않는 경우, 상기 제 2 계측 파라미터를 다시 획득하는 단계를 더 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 방법.
  27. ◈청구항 27은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 25 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 계측 파라미터는 각각 상기 모델링 대상물의 임계치수, 피치, 측벽각도, 높이를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 방법.
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. ◈청구항 30은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 23 항에 있어서,
    반도체 집적 장치인 분석 대상물로부터 획득한 제 2 간섭 이미지에 대하여, 상기 제 2 간섭 이미지의 중심에 대하여 기 설정된 각도를 갖는 축 상의 제 2 픽셀들을 기초로, 상기 분석 대상물에 대한 형상을 분석하는 단계를 더 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 방법.
  31. ◈청구항 31은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 30 항에 있어서.
    상기 분석 대상물에 대한 형상을 분석하는 단계는, 상기 제 2 픽셀들에 대한 간섭 세기 신호의 합으로부터 분석 대상 스펙트럼을 생성하고, 상기 라이브러리 및 상기 분석 대상 스펙트럼에 기초하여 상기 분석 대상물의 형상을 도출하는 단계인 반도체 패턴 계측 방법.
  32. ◈청구항 32은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 30 항에 있어서,
    상기 제 2 간섭 이미지는 대칭성을 갖는 동심원 형태이며, 상기 기 설정된 각도는 0도 및 90도 중 적어도 하나로 설정되는 반도체 패턴 계측 방법.
  33. ◈청구항 33은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 30 항에 있어서,
    상기 제 2 간섭 이미지는 비대칭성을 갖는 동심원 형태이며, 상기 기 설정된 각도는 22.5도 및 45도 중 적어도 하나로 설정되는 반도체 패턴 계측 방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110304856A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-15 Fujifilm Corporation Lightwave interference measurement apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009079334A2 (en) * 2007-12-14 2009-06-25 Zygo Corporation Analyzing surface structure using scanning interferometry
US20130158957A1 (en) * 2011-12-16 2013-06-20 Lie-Quan Lee Library generation with derivatives in optical metrology
KR101919901B1 (ko) * 2012-05-10 2018-11-19 삼성전자 주식회사 웨이퍼 검사 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110304856A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-15 Fujifilm Corporation Lightwave interference measurement apparatus

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