KR102528178B1 - 낮은 유전상수를 가지는 유전막의 형성 방법 및 형성 장치 - Google Patents

낮은 유전상수를 가지는 유전막의 형성 방법 및 형성 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102528178B1
KR102528178B1 KR1020160006381A KR20160006381A KR102528178B1 KR 102528178 B1 KR102528178 B1 KR 102528178B1 KR 1020160006381 A KR1020160006381 A KR 1020160006381A KR 20160006381 A KR20160006381 A KR 20160006381A KR 102528178 B1 KR102528178 B1 KR 102528178B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
containing gas
module
substrate
dispensing module
Prior art date
Application number
KR1020160006381A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170086852A (ko
Inventor
민철홍
이현호
황철주
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020160006381A priority Critical patent/KR102528178B1/ko
Publication of KR20170086852A publication Critical patent/KR20170086852A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102528178B1 publication Critical patent/KR102528178B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
    • H01L21/02323—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of oxygen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
    • H01L21/02329—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01001—Hydrogen [H]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 상에 실리콘 함유 가스를 분사하는 제1 공정; 상기 기판 상에 질소 함유 가스와 산소 함유 가스를 분사하는 제2 공정; 및 상기 기판 상에 탄소 함유 가스와 수소 함유 가스를 분사하는 제3 공정을 포함하는, 낮은 유전상수를 가지는 유전막 형성 방법 및 형성 장치를 제공한다.

Description

낮은 유전상수를 가지는 유전막의 형성 방법 및 형성 장치{Method and Apparatus of forming a Low-K dielectric film}
본 발명은 유전막의 형성 방법 및 형성 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 로우 K(Low-K) 유전막의 형성 방법 및 형성 장치에 관한 것이다.
유전막은 반도체 소자 또는 디스플레이 소자 등에서 도전물과 도전물 사이를 절연시키는 절연층으로 이용되는 막이다. 이와 같은 유전막 중에서 실리콘 산화물보다 낮은 유전율을 가지는 로우 K(Low-K) 유전막은 반도체 소자 또는 디스플레이 소자의 고집적화와 고속화를 실현시키기 위한 층간 절연물로서 널리 이용되고 있는 막이다.
종래에는 상기 로우 K(Low-K) 유전막으로 SiOC막이 이용되었다. 상기 SiOC막은 실리콘(Si) 함유 가스, 탄소(C) 함유 가스, 및 산소(O) 함유 가스를 반응시켜 형성할 수 있는데, 이와 같은 SiOC막에 대해서는 대한민국 등록 특허 제10-0857649호에 개시되어 있다.
그러나, 종래의 이용되던 SiOC막은 K값을 줄이는데 한계가 있다. 따라서, SiOC막을 이용하여 반도체 소자 또는 디스플레이 소자의 전극과 전극 사이의 층간 절연물을 형성하게 될 경우 누설 전류(Leakage Current)가 발생할 가능성이 있어 소자 특성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 K값을 줄임으로써 전극과 전극 사이의 층간 절연물로 이용될 경우 누설 전류 발생을 방지할 수 있는 유전막을 형성하는 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판 상에 실리콘 함유 가스를 분사하는 제1 공정; 상기 기판 상에 질소 함유 가스와 산소 함유 가스를 분사하는 제2 공정; 및 상기 기판 상에 탄소 함유 가스와 수소 함유 가스를 분사하는 제3 공정을 포함하는, 낮은 유전상수를 가지는 유전막 형성 방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 기판 상에 실리콘 함유 가스를 분사하는 제1 공정; 상기 기판 상에 탄소 함유 가스와 수소 함유 가스를 분사하는 제2 공정; 및 상기 기판 상에 질소 함유 가스와 산소 함유 가스를 분사하는 제3 공정을 포함하는, 낮은 유전상수를 가지는 유전막 형성 방법을 제공한다.
상기 질소 함유 가스와 상기 산소 함유 가스의 유량 비율은 1:0.1 내지 1:1.2의 비율을 가질 수 있다.
상기 제1 공정, 상기 제2 공정, 및 상기 제3 공정은 동일한 챔버 내에서 순차적으로 증착할 수 있다.
상기 기판은 회전하는 기판 지지대 상에 로딩된 상태로 회전하고, 상기 제1 공정은 상기 기판 지지대 위에 설치된 제1 가스 분사 모듈에서 수행되고, 상기 제2 공정은 상기 기판 지지대 위에 설치된 제2 가스 분사 모듈에서 수행되고, 상기 제3 공정은 상기 기판 지지대 위에 설치된 제3 가스 분사 모듈에서 수행되고, 상기 제1 공정과 상기 제2 공정 사이에는 상기 제1 가스 분사 모듈과 상기 제2 가스 분사 모듈 사이에 구비된 퍼지 모듈을 통해 퍼지 가스를 분사하고, 상기 제2 공정과 상기 제3 공정 사이에는 상기 제2 가스 분사 모듈과 상기 제3 가스 분사 모듈 사이에 구비된 퍼지 모듈을 통해 퍼지 가스를 분사할 수 있다.
상기 질소 함유 가스, 상기 산소 함유 가스, 및 상기 탄소 함유 가스는 플라즈마 처리하여 분사할 수 있다.
상기 낮은 유전상수를 가지는 유전막은 SiOCN로 이루어질 수 있다.
본 발명은 또한, 기판을 지지하면서 회전가능하게 구비된 기판 지지대; 상기 기판 지지대 위에 설치되어 상기 기판 상에 실리콘 함유 가스를 분사하도록 구비된 제1 가스 분사 모듈; 상기 기판 지지대 위에 설치되어 상기 기판 상에 탄소 함유 가스와 수소 함유 가스를 분사하도록 구비된 제2 가스 분사 모듈; 상기 기판 지지대 위에 설치되어 상기 기판 상에 질소 함유 가스와 산소 함유 가스를 분사하도록 구비된 제3 가스 분사 모듈; 및 상기 제1 가스 분사 모듈과 상기 제2 가스 분사 모듈 사이, 상기 제2 가스 분사 모듈과 상기 제3 가스 분사 모듈 사이, 및 상기 제3 가스 분사 모듈과 상기 제1 가스 분사 모듈 사이에 각각 설치된 퍼지 모듈을 포함하는, 낮은 유전상수를 가지는 유전막 형성 장치를 제공한다.
상기 제3 가스 분사 모듈은 상기 질소 함유 가스와 상기 산소 함유 가스의 유량 비율이 1:0.1 내지 1:1.2의 비율을 가지도록 설정될 수 있다.
이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 가스 분사 모듈에서 분사하는 실리콘(Si) 함유 가스, 제2 가스 분사 모듈에서 분사하는 탄소(C) 함유 가스, 및 제3 가스 분사 모듈에서 분사하는 질소(N) 함유 가스와 산소(O) 함유 가스가 반응하여 SiOCN으로 이루어진 유전막을 얻을 수 있다. 상기 SiOCN막은 종래의 SiOC막에 비하여 K값이 작기 때문에 SiOCN막을 이용하여 반도체 소자 또는 디스플레이 소자의 전극과 전극 사이의 층간 절연물을 형성하게 될 경우 누설 전류 발생을 줄일 수 있다. 또한, 상기 SiOCN막은 에칭 특성이 우수하기 때문에 상기 SiOCN을 층간 절연물로 이용할 경우 전극과 전극 사이의 연결을 위해서 층간 절연물에 콘택홀 등을 형성하는 공정을 보다 용이하게 수행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유전막의 형성 장치를 도시한 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 가스 분사 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 제2 가스 분사 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 제3 가스 분사 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 퍼지 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유전막을 형성하는 방법을 도시한 개략도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유전막의 형성 장치를 도시한 개략적인 사시도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유전막의 형성 장치는 공정 챔버(110), 챔버 리드(Chamber Lid)(115), 기판 지지대(120), 가스 분사 모듈(210, 220, 230), 및 퍼지 모듈(250a, 250b, 250c)을 포함하여 이루어진다.
상기 공정 챔버(110)는 유전막의 형성 공정을 위한 반응 공간을 제공한다. 구체적으로 도시하지는 않았지만 상기 공정 챔버(110)의 바닥면 또는 측면은 상기 반응 공간 내의 가스를 배기시키기 위한 배기관과 연통될 수 있다.
상기 챔버 리드(115)는 상기 공정 챔버(110)의 상부에 설치되어 상기 공정 챔버(110)의 상부를 덮는다. 이와 같은 챔버 리드(115)는 전기적으로 접지되도록 형성된다.
상기 챔버 리드(115)는 상기 가스 분사 모듈(210, 220, 230) 및 상기 퍼지 모듈(250a, 250b, 250c)을 지지한다. 구체적으로, 상기 챔버 리드(115)에는 상기 가스 분사 모듈(210, 220, 230) 및 상기 퍼지 모듈(250a, 250b, 250c)을 설치하기 위해서 복수의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d, 115e, 115f)가 형성되어 있다.
상기 복수의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d, 115e, 115f)는 상기 챔버 리드(115)의 중앙을 중심으로 하여 일정한 각도로 이격되면서 방사상으로 형성될 수 있다. 상기 복수의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d, 115e, 115f)는 상기 챔버 리드(115)를 관통하는 관통홀의 형태로 이루어질 수 있다.
상기 공정 챔버(110) 및 상기 챔버 리드(115)는 도시된 것처럼 6각형과 같은 다각형 구조로 형성될 수도 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고 원형 또는 타원형 구조로 형성될 수도 있다.
상기 기판 지지대(120)는 상기 공정 챔버(110) 내부에 설치되어 반도체 웨이퍼와 같은 기판(W)을 지지한다.
상기 기판 지지대(120)는 상기 공정 챔버(110)의 바닥면을 관통하는 회전축(미도시)에 연결되어 있어 상기 회전축에 의해서 회전하도록 구비될 수 있다. 또한, 상기 기판 지지대(120)는 소정의 승강기구와 연결되어 승강하도록 구비될 수 있다.
상기 가스 분사 모듈(210, 220, 230)은 상기 기판 지지대(120) 위에 배치되어 상기 기판 지지대(120)를 향하여 소스 가스 또는 반응 가스를 분사한다. 특히, 상기 가스 분사 모듈(210, 220, 230)은 상기 모듈 설치부(115a, 115c, 115e)에 설치된 상태로 상기 챔버 리드(115)에 의해 지지될 수 있다.
이와 같은 가스 분사 모듈(210, 220, 230)은 제1 가스 분사 모듈(210), 제2 가스 분사 모듈(220), 및 제3 가스 분사 모듈(230)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1 가스 분사 모듈(210)은 소스 가스로서 실리콘(Si) 함유 가스를 분사하도록 구비될 수 있다.
상기 실리콘(Si) 함유 가스는 실란(Silane; SiH4), 디실란(Disilane; Si2H6), 트리실란(Trisilane; Si3H8), TEOS(Tetraethylorthosilicate), DCS(Dichlorosilane), HCD(Hexachlorosilane), TriDMAS(Tri-dimethylaminosilane) 및 TSA(Trisilylamine), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), 및 HMDSN(Hexamethyldisilazane)로 이루어진 가스 중 적어도 하나의 가스를 이용할 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 가스 분사 모듈(230)은 반응 가스로서 탄소(C) 함유 가스를 분사하도록 구비될 수 있다.
상기 탄소(C) 함유 가스는 탄화 수소 가스, 예로서 CH4를 이용할 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 탄소(C) 함유 가스가 상기 실리콘(Si) 함유 가스와 직접 만나게 되면 얻어지는 유전막에서 다량의 파티클(Particlu)이 형성될 수 있다. 따라서, 상기 탄소(C) 함유 가스는 상기 실리콘(Si) 함유 가스와 직접 만나지 않도록 분사되는 것이 바람직하며, 결국 상기 탄소(C) 함유 가스를 분사하는 제2 가스 분사 모듈(230)과 상기 실리콘(Si) 함유가스를 분사하는 제1 가스 분사 모듈(210)은 개별적으로 구성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 탄소(C) 함유 가스와 상기 실리콘(Si) 함유 가스가 혼합되지 않도록, 상기 탄소(C) 함유 가스를 분사하는 제2 가스 분사 모듈(230)과 상기 실리콘(Si) 함유가스를 분사하는 제1 가스 분사 모듈(210) 사이에는 제1 퍼지 모듈(250a)이 구비되는 것이 바람직하다.
상기 제2 가스 분사 모듈(230)은 탄소(C) 함유 가스와 수소(H2) 가스를 함께 분사하도록 구비될 수 있다. 이와 같이 탄소(C) 함유 가스와 수소(H2) 가스를 함께 분사할 경우 얻어지는 유전막에서 파티클(Particlu) 형성이 억제될 수 있다. 예를 들어, 상기 탄소(C) 함유 가스와 수소(H2) 가스를 함께 분사하게 되면, 상기 제1 가스 분사 모듈(210)에서 분사되는 상기 실리콘(Si) 함유가스 내에 포함될 수 있는 염소(Cl) 가스가 상기 수소(H2) 가스와 반응하여 제거될 수 있고, 그에 따라 염소(Cl) 가스로 인한 파티클(Particlu) 형성이 억제될 수 있다.
상기 제3 가스 분사 모듈(220)은 반응 가스로서 질소(N) 함유 가스와 산소(O) 함유 가스를 함께 분사하도록 구비될 수 있다.
상기 질소(N) 함유 가스는 암모니아(NH3)를 이용할 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 산소(O) 함유 가스는 아산화질소(N2O)를 이용할 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 질소(N) 함유 가스와 상기 산소(O) 함유 가스를 각각 별도의 가스 분사 모듈에서 분사하는 것에 비하여 상기 제3 가스 분사 모듈(220)에서 질소(N) 함유 가스와 산소(O) 함유 가스를 함께 분사할 경우 가스 분사 모듈의 개수를 줄일 수 있는 장점이 있다.
다만, 상기 질소(N) 함유 가스와 상기 산소(O) 함유 가스를 각각 별도의 가스 분사 모듈을 통해 분사하는 것도 가능하며, 이 경우 상기 질소(N) 함유 가스를 분사하는 가스 분사 모듈과 상기 산소(O) 함유 가스를 분사하는 가스 분사 모듈 사이에 별도의 퍼지 모듈이 추가로 구비되는 것도 가능하다.
상기 제3 가스 분사 모듈(220)에서 상기 질소(N) 함유 가스와 상기 산소(O) 함유 가스를 분사할 때, 상기 질소(N) 함유 가스와 상기 산소(O) 함유 가스의 유량 비율은 1:0.1 내지 1:1.2의 비율을 가지는 것이 SiOCN막을 얻는데 바람직하다.
본 발명은 상기 제1 가스 분사 모듈(210)에서 분사하는 실리콘(Si) 함유 가스, 상기 제2 가스 분사 모듈(230)에서 분사하는 탄소(C) 함유 가스, 및 상기 제3 가스 분사 모듈(220)에서 분사하는 질소(N) 함유 가스와 산소(O) 함유 가스가 반응하여 SiOCN으로 이루어진 로우 K(Low-K) 유전막을 제공한다. 상기 SiOCN막은 종래의 SiOC막에 비하여 K값이 작고 따라서 SiOCN막을 이용하여 반도체 소자 또는 디스플레이 소자의 전극과 전극 사이의 층간 절연물을 형성하게 될 경우 누설 전류(Leakage Current)가 발생할 가능성이 줄어들게 된다. 또한, 상기 SiOCN막은 에칭 특성이 우수하기 때문에 상기 SiOCN을 층간 절연물로 이용할 경우 전극과 전극 사이의 연결을 위해서 층간 절연물에 콘택홀 등을 형성하는 공정을 보다 용이하게 수행할 수 있다.
상기 제3 가스 분사 모듈(220)에서 상기 질소(N) 함유 가스와 상기 산소(O) 함유 가스를 분사할 때, 상기 질소(N) 함유 가스의 분사량이 상기 비율 보다 작게 되면, 최종적으로 얻어지는 유전막에서 질소(N)의 결합 사이트(Site)가 줄어들게 되어 SiOCN막이 형성되지 않고 SiOC막이 형성될 가능성이 있다. 또한, 상기 질소(N) 함유 가스의 분사량이 상기 비율보다 크게 되면, 최종적으로 얻어지는 유전막의 K값이 높아지는 현상이 발생한다.
본 발명자는 상기 질소(N) 함유 가스로서 암모니아(NH3)를 이용하고 상기 산소(O) 함유 가스로서 아산화질소(N2O)를 이용하여 SiOCN막을 형성하였다. 이때, 상기 암모니아(NH3)의 유량을 500sccm으로 고정하고 상기 아산화질소(N2O)의 유량을 변경하였는데, 상기 아산화질소(N2O)의 유량이 50sccm 내지 600sccm의 범위일 때 얻어지는 SiOCN의 K값이 4 내지 5의 낮은 값을 나타내었다. 따라서, 종래의 K값이 8 정도인 SiOC에 비하여 낮은 유전율을 가짐을 알 수 있다.
상기 퍼지 모듈(250a, 250b, 250c)은 상기 기판 지지대(120) 위에 배치되어 상기 기판 지지대(120)를 향하여 퍼지 가스를 분사한다. 상기 퍼지 모듈(250a, 250b, 250c)은 상기 모듈 설치부(115b, 115d, 115f)에 설치된 상태로 상기 챔버 리드(115)에 의해 지지될 수 있다.
이와 같은 퍼지 모듈(250a, 250b, 250c)은 제1 퍼지 모듈(250a), 제2 퍼지 모듈(250b), 및 제3 퍼지 모듈(250c)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1 퍼지 모듈(250a)은 상기 제1 가스 분사 모듈(210)과 상기 제2 가스 분사 모듈(220) 사이에 배치되어 상기 제1 가스 분사 모듈(210)에서 분사되는 가스와 상기 제2 가스 분사 모듈(220)에서 분사되는 가스가 혼합되는 것을 방지한다.
상기 제2 퍼지 모듈(250b)은 상기 제2 가스 분사 모듈(220)과 상기 제3 가스 분사 모듈(230) 사이에 배치되어 상기 제2 가스 분사 모듈(220)에서 분사되는 가스와 상기 제3 가스 분사 모듈(230)에서 분사되는 가스가 혼합되는 것을 방지한다.
상기 제3 퍼지 모듈(250c)은 상기 제3 가스 분사 모듈(230)과 상기 제1 가스 분사 모듈(210) 사이에 배치되어 상기 제3 가스 분사 모듈(230)에서 분사되는 가스와 상기 제1 가스 분사 모듈(210)에서 분사되는 가스가 혼합되는 것을 방지한다.
상기 제1 내지 제3 퍼지 모듈(250a, 250b, 250c)에서는 질소(N2), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 및 헬륨(He) 등과 같은 당업계에 공지된 다양한 퍼지 가스가 분사되도록 구비될 수 있다.
이하에서는 상기 가스 분사 모듈(210, 220, 230)과 상기 퍼지 모듈(250a, 250b, 250c)에 대해서 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 가스 분사 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 가스 분사 모듈은 제1 프레임(211)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1 프레임(211)은 가스 분사 공간을 구비하도록 구성되어 있다. 상기 제1 프레임(211)에는 관통홀이 마련되어 있어, 상기 관통홀을 통해서 제1 가스 공급 라인(310)이 상기 제1 프레임(211)에 연통되어 있다.
상기 제1 가스 공급 라인(310)에는 제1 가스 공급부(410)가 연결되어 있다. 상기 제1 가스 공급부(410)는 실리콘(Si) 함유 가스를 수용하고 있다. 따라서, 상기 제1 가스 공급부(410)에 수용된 실리콘(Si) 함유 가스는 상기 제1 가스 공급 라인(310)을 통해 상기 제1 프레임(211) 내의 가스 분사 공간으로 분사된다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 제2 가스 분사 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 3a에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 가스 분사 모듈은 제2 프레임(221)을 포함하여 이루어진다.
상기 제2 프레임(221)은 가스 분사 공간을 구비하도록 구성되어 있다. 상기 제2 프레임(221)은 접지되어 있다. 상기 제2 프레임(221)에는 적어도 2개의 관통홀이 마련되어 있다.
상기 제2 프레임(221)에 마련된 하나의 관통홀을 통해서 제2 가스 공급 라인(321)이 상기 제2 프레임(221)에 연통되어 있고, 상기 제2 프레임(221)에 마련된 다른 하나의 관통홀을 통해서 제3 가스 공급 라인(322)이 상기 제2 프레임(221)에 연통되어 있다.
상기 제2 가스 공급 라인(321)에는 제2 가스 공급부(421)가 연결되어 있고, 상기 제3 가스 공급 라인(322)에는 제3 가스 공급부(422)가 연결되어 있다. 따라서, 상기 제2 가스 공급부(421)에 수용된 탄소(C) 함유 가스는 상기 제2 가스 공급 라인(321)을 통해 상기 제2 프레임(221) 내의 가스 분사 공간으로 분사되고, 상기 제3 가스 공급부(422)에 수용된 수소(H2) 가스는 상기 제3 가스 공급 라인(322)을 통해 상기 제2 프레임(221) 내의 가스 분사 공간으로 분사된다.
또한, 도시하지는 않았지만, 상기 제2 프레임(221)에는 별도의 관통홀이 마련되어 있고, 상기 관통홀을 통해 플라즈마 전극이 삽입될 수 있다. 이 경우, 상기 플라즈마 전극에 전원이 공급되면, 상기 플라즈마 전극과 상기 제2 프레임(221) 사이에서 방전이 일어나 상기 제2 가스 공급 라인(321)으로 공급되는 탄소(C) 함유 가스 및 상기 제3 가스 공급 라인(322)으로 공급되는 수소(H2) 가스를 플라즈마 방전시킬 수 있다.
도 3b에 따른 제2 가스 분사 모듈은 전술한 도 3a에 따른 제2 가스 분사 모듈에서 상기 제2 프레임(221) 내에 구비된 관통홀의 개수가 1개 줄어들고 상기 제3 가스 공급 라인(322)이 생략된 것을 제외하고 전술한 도 3a에 따른 제2 가스 분사 모듈과 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 3b에서 알 수 있듯이, 상기 제2 프레임(221)에는 관통홀이 마련되어 있다.
상기 제2 프레임(221)에 마련된 하나의 관통홀을 통해서 제2 가스 공급 라인(321)이 상기 제2 프레임(221)에 연통되어 있다.
상기 제2 가스 공급 라인(321)은 두 갈래로 분지되어 각각 제2 가스 공급부(421) 및 제3 가스 공급부(422)에 연결되어 있다. 따라서, 상기 제2 가스 공급부(421)에 수용된 탄소(C) 함유 가스 및 상기 제3 가스 공급부(422)에 수용된 수소(H2) 가스는 상기 제2 가스 공급 라인(321)을 통해 혼합된 상태로 상기 제2 프레임(221) 내의 가스 분사 공간으로 분사된다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 제3 가스 분사 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 4a에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 제3 가스 분사 모듈은 제3 프레임(231)을 포함하여 이루어진다.
상기 제3 프레임(231)은 가스 분사 공간을 구비하도록 구성되어 있다. 상기 제3 프레임(231)은 접지되어 있다. 상기 제3 프레임(231)에는 적어도 2개의 관통홀이 마련되어 있다.
상기 제3 프레임(231)에 마련된 하나의 관통홀을 통해서 제4 가스 공급 라인(331)이 상기 제3 프레임(231)에 연통되어 있고, 상기 제3 프레임(231)에 마련된 다른 하나의 관통홀을 통해서 제5 가스 공급 라인(332)이 상기 제3 프레임(231)에 연통되어 있다.
상기 제4 가스 공급 라인(331)에는 제4 가스 공급부(431)가 연결되어 있고, 상기 제5 가스 공급 라인(332)에는 제5 가스 공급부(432)가 연결되어 있다. 따라서, 상기 제4 가스 공급부(421)에 수용된 질소(N) 함유 가스는 상기 제4 가스 공급 라인(331)을 통해 상기 제3 프레임(231) 내의 가스 분사 공간으로 분사되고, 상기 제5 가스 공급부(432)에 수용된 산소(O) 함유 가스는 상기 제5 가스 공급 라인(332)을 통해 상기 제3 프레임(231) 내의 가스 분사 공간으로 분사된다.
또한, 도시하지는 않았지만, 상기 제3 프레임(231)에는 별도의 관통홀이 마련되어 있고, 상기 관통홀을 통해 플라즈마 전극이 삽입될 수 있다. 이 경우, 상기 플라즈마 전극에 전원이 공급되면, 상기 플라즈마 전극과 상기 제3 프레임(231) 사이에서 방전이 일어나 상기 제4 가스 공급 라인(331)으로 공급되는 질소(N) 함유 가스 및 상기 제5 가스 공급 라인(332)으로 공급되는 산소(O) 함유 가스를 플라즈마 방전시킬 수 있다.
도 4b에 따른 제3 가스 분사 모듈은 전술한 도 4a에 따른 제3 가스 분사 모듈에서 상기 제3 프레임(231) 내에 구비된 관통홀의 개수가 1개 줄어들고 상기 제5 가스 공급 라인(352)이 생략된 것을 제외하고 전술한 도 4a에 따른 제3 가스 분사 모듈과 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 4b에서 알 수 있듯이, 상기 제3 프레임(231)에는 관통홀이 마련되어 있다.
상기 제3 프레임(231)에 마련된 하나의 관통홀을 통해서 제4 가스 공급 라인(331)이 상기 제3 프레임(231)에 연통되어 있다.
상기 제3 가스 공급 라인(331)은 두 갈래로 분지되어 각각 제4 가스 공급부(431) 및 제5 가스 공급부(432)에 연결되어 있다. 따라서, 상기 제4 가스 공급부(431)에 수용된 질소(N) 함유 가스 및 상기 제5 가스 공급부(432)에 수용된 산소(O) 함유 가스는 상기 제4 가스 공급 라인(331)을 통해 혼합된 상태로 상기 제3 프레임(231) 내의 가스 분사 공간으로 분사된다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 퍼지 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 5에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 퍼지 모듈은 제4 프레임(251)을 포함하여 이루어진다.
상기 제4 프레임(251)은 가스 분사 공간을 구비하도록 구성되어 있다. 상기 제5 프레임(251)에는 관통홀이 마련되어 있어, 상기 관통홀을 통해서 제6 가스 공급 라인(350)이 상기 제4 프레임(251)에 연통되어 있다.
상기 제6 가스 공급 라인(350)에는 제6 가스 공급부(450)가 연결되어 있다. 상기 제6 가스 공급부(450)는 퍼지 가스를 수용하고 있다. 따라서, 상기 제6 가스 공급부(450)에 수용된 퍼지 가스는 상기 제6 가스 공급 라인(350)을 통해 상기 제4 프레임(251) 내의 가스 분사 공간으로 분사된다.
전술한 제1 내지 제3 퍼지 모듈(250a, 250b, 250c)이 각각 도 5와 같은 구조로 이루어질 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 하나의 제6 가스 공급부(450)가 개별 제6 가스 공급 라인(350)을 통해서 제1 내지 제3 퍼지 모듈(250a, 250b, 250c)에 퍼지 가스를 공급하는 것도 가능하다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유전막을 형성하는 방법을 도시한 개략도이다.
도 6에서 알 수 있듯이, 기판 지지대(120)에 복수의 기판(W)을 로딩한다.
그리고, 상기 기판 지지대(120)를 회전시켜 상기 복수의 기판(W)이 상기 기판 지지대(120) 위에 설치된 제1 가스 분사 모듈(210), 제2 가스 분사 모듈(220), 및 제3 가스 분사 모듈(230)의 하부 위치를 이동하도록 한다. 이때, 상기 기판 지지대(120)를 시계 반대 방향으로 회전시켜 상기 복수의 기판(W)이 상기 기판 지지대(120) 위에 설치된 제1 가스 분사 모듈(210), 제2 가스 분사 모듈(220), 및 제3 가스 분사 모듈(230)의 하부 위치를 차례로 이동하도록 할 수도 있고, 상기 기판 지지대(120)를 시계 방향으로 회전시켜 상기 복수의 기판(W)이 상기 기판 지지대(120) 위에 설치된 제1 가스 분사 모듈(210), 제3 가스 분사 모듈(230), 및 제2 가스 분사 모듈(220)의 하부 위치를 차례로 이동하도록 할 수도 있다.
그리고, 상기 제1 가스 분사 모듈(210)에서 실리콘(Si) 함유 가스를 분사하고, 상기 제2 가스 분사 모듈(220)에서 탄소(C) 함유 가스와 수소 함유 가스를 분사하고, 상기 제3 가스 분사 모듈(230)에서 질소(N) 함유 가스와 산소(O) 함유 가스를 분사한다.
이때, 상기 제2 가스 분사 모듈(220)에서 플라즈마 처리된 탄소(C) 함유 가스와 플라즈마 처리된 수소(H2) 가스를 함께 분사할 수 있다. 또한, 상기 제3 가스 분사 모듈(230)에서 플라즈마 처리된 질소(N) 함유 가스와 플라즈마 처리된 산소(O) 함유 가스를 분사할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 상기 제3 가스 분사 모듈(230)에서 질소(N) 함유 가스와 산소(O) 함유 가스를 분사할 때, 상기 질소(N) 함유 가스와 상기 산소(O) 함유 가스의 유량 비율은 1:0.1 내지 1:1.2의 비율을 가지는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 기판 지지대(120)를 시계 반대 방향으로 회전할 경우에는 상기 제1 가스 분사 모듈(210)에서 상기 기판(W) 상에 실리콘 함유 가스를 분사하는 제1 공정을 수행하고, 그 후, 제2 가스 분사 모듈(220)에서 상기 기판(W) 상에 탄소 함유 가스와 수소 함유 가스를 분사하는 제2 공정을 수행하고, 그 후, 상기 제3 가스 분사 모듈(230)에서 상기 기판(W) 상에 질소 함유 가스와 산소 함유 가스를 분사하는 제3 공정을 수행할 수 있다.
또한, 상기 기판 지지대(120)를 시계 방향으로 회전할 경우에는 상기 제1 가스 분사 모듈(210)에서 상기 기판(W) 상에 실리콘 함유 가스를 분사하는 제1 공정을 수행하고, 그 후, 상기 제3 가스 분사 모듈(230)에서 상기 기판(W) 상에 질소 함유 가스와 산소 함유 가스를 분사하는 제2 공정을 수행하고, 그 후, 제2 가스 분사 모듈(220)에서 상기 기판(W) 상에 탄소 함유 가스와 수소 함유 가스를 분사하는 제3 공정을 수행할 수 있다.
이와 같이, 상기 제1 공정, 상기 제2 공정, 및 상기 제3 공정은 동일한 챔버 내에서 순차적으로 증착할 수 있다.
또한, 상기 제1 내지 제3 가스 분사 모듈(210, 220, 230)에서 소스 가스 및 반응 가스를 분사함과 동시에 제1 내지 제3 퍼지 모듈(250a, 250b, 250c)에서 퍼지 가스를 분사함으로써 상기 제1 내지 제3 가스 분사 모듈(210, 220, 230)에서 분사하는 가스들이 서로 혼합되지 않도록 한다.
그리하면, 상기 제1 가스 분사 모듈(210)에서 분사되는 실리콘(Si) 함유 가스, 상기 제2 가스 분사 모듈(220)에서 분사되는 탄소(C) 함유 가스, 및 상기 제3 가스 분사 모듈(230)에서 분사되는 질소(N) 함유 가스와 산소(O) 함유 가스가 상기 기판(W) 상에서 서로 반응하여 상기 기판(W) 상에 SiOCN 막을 형성할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 공정 챔버 115: 챔버 리드
120: 기판 지지대 210, 220, 230: 가스 분사 모듈
250a, 250b, 250c: 퍼지 모듈

Claims (9)

  1. 기판 상에 실리콘 함유 가스를 분사하는 제1 공정;
    상기 기판 상에 반응 가스로서 질소 함유 가스와 산소 함유 가스를 분사하는 제2 공정; 및
    상기 기판 상에 탄소 함유 가스와 수소 가스를 하나의 가스 분사 모듈을 통해 함께 분사하는 제3 공정을 포함하는, 낮은 유전상수를 가지는 유전막 형성 방법.
  2. 기판 상에 실리콘 함유 가스를 분사하는 제1 공정;
    상기 기판 상에 탄소 함유 가스와 수소 가스를 하나의 가스 분사 모듈을 통해 함께 분사하는 제2 공정; 및
    상기 기판 상에 반응 가스로서 질소 함유 가스와 산소 함유 가스를 분사하는 제3 공정을 포함하는, 낮은 유전상수를 가지는 유전막 형성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 질소 함유 가스와 상기 산소 함유 가스의 유량 비율은 1:0.1 내지 1:1.2의 부피 비율을 가지는, 낮은 유전상수를 가지는 유전막 형성 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 공정, 상기 제2 공정, 및 상기 제3 공정은 동일한 챔버 내에서 순차적으로 증착하는, 낮은 유전상수를 가지는 유전막 형성 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기판은 회전하는 기판 지지대 상에 로딩된 상태로 회전하고,
    상기 제1 공정은 상기 기판 지지대 위에 설치된 제1 가스 분사 모듈에서 수행되고, 상기 제2 공정은 상기 기판 지지대 위에 설치된 제2 가스 분사 모듈에서 수행되고, 상기 제3 공정은 상기 기판 지지대 위에 설치된 제3 가스 분사 모듈에서 수행되고,
    상기 제1 공정과 상기 제2 공정 사이에는 상기 제1 가스 분사 모듈과 상기 제2 가스 분사 모듈 사이에 구비된 퍼지 모듈을 통해 퍼지 가스를 분사하고,
    상기 제2 공정과 상기 제3 공정 사이에는 상기 제2 가스 분사 모듈과 상기 제3 가스 분사 모듈 사이에 구비된 퍼지 모듈을 통해 퍼지 가스를 분사하는, 낮은 유전상수를 가지는 유전막 형성 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 질소 함유 가스, 상기 산소 함유 가스, 상기 탄소 함유 가스, 및 상기 수소 가스는 플라즈마 처리하여 분사하는, 낮은 유전상수를 가지는 유전막 형성 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 낮은 유전상수를 가지는 유전막은 SiOCN로 이루어진, 낮은 유전상수를 가지는 유전막 형성 방법.
  8. 기판을 지지하면서 회전가능하게 구비된 기판 지지대;
    상기 기판 지지대 위에 설치되어 상기 기판 상에 실리콘 함유 가스를 분사하도록 구비된 제1 가스 분사 모듈;
    상기 기판 지지대 위에 설치되어 상기 기판 상에 탄소 함유 가스와 수소 가스를 함께 분사하도록 구비된 제2 가스 분사 모듈;
    상기 기판 지지대 위에 설치되어 상기 기판 상에 반응 가스로서 질소 함유 가스와 산소 함유 가스를 분사하도록 구비된 제3 가스 분사 모듈; 및
    상기 제1 가스 분사 모듈과 상기 제2 가스 분사 모듈 사이, 상기 제2 가스 분사 모듈과 상기 제3 가스 분사 모듈 사이, 및 상기 제3 가스 분사 모듈과 상기 제1 가스 분사 모듈 사이에 각각 설치된 퍼지 모듈을 포함하는, 낮은 유전상수를 가지는 유전막 형성 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3 가스 분사 모듈은 상기 질소 함유 가스와 상기 산소 함유 가스의 유량 비율이 1:0.1 내지 1:1.2의 부피 비율을 가지도록 설정되어 있는, 낮은 유전상수를 가지는 유전막 형성 장치.
KR1020160006381A 2016-01-19 2016-01-19 낮은 유전상수를 가지는 유전막의 형성 방법 및 형성 장치 KR102528178B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160006381A KR102528178B1 (ko) 2016-01-19 2016-01-19 낮은 유전상수를 가지는 유전막의 형성 방법 및 형성 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160006381A KR102528178B1 (ko) 2016-01-19 2016-01-19 낮은 유전상수를 가지는 유전막의 형성 방법 및 형성 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170086852A KR20170086852A (ko) 2017-07-27
KR102528178B1 true KR102528178B1 (ko) 2023-05-03

Family

ID=59427839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160006381A KR102528178B1 (ko) 2016-01-19 2016-01-19 낮은 유전상수를 가지는 유전막의 형성 방법 및 형성 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102528178B1 (ko)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6030378B2 (ja) * 2012-08-14 2016-11-24 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
KR20140032466A (ko) * 2014-02-20 2014-03-14 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170086852A (ko) 2017-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9875891B2 (en) Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US7989365B2 (en) Remote plasma source seasoning
US7094708B2 (en) Method of CVD for forming silicon nitride film on substrate
US8357435B2 (en) Flowable dielectric equipment and processes
US9633896B1 (en) Methods for formation of low-k aluminum-containing etch stop films
KR101503512B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN103243309A (zh) 成膜装置及成膜方法
US10049869B2 (en) Composite dielectric interface layers for interconnect structures
KR102115337B1 (ko) 기판 처리 장치
CN105296962A (zh) 成膜装置
WO2019182872A1 (en) Chamfer-less via integration scheme
KR20170022459A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101835755B1 (ko) 박막 제조방법 및 기판 처리 장치
KR101954758B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20140093528A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102528178B1 (ko) 낮은 유전상수를 가지는 유전막의 형성 방법 및 형성 장치
KR101929481B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101561675B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20140006505A (ko) 기판 처리 장치
KR100885625B1 (ko) 플라즈마를 이용한 ｂｐｓｇ 증착 장치
KR102046391B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102661733B1 (ko) 복수의 플라즈마를 이용한 기판처리장치
KR20130097425A (ko) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR20180003826A (ko) 박막 증착 방법
KR102567720B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant