KR102523277B1 - Touch sensor - Google Patents

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KR102523277B1
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최병진
이상웅
이진구
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동우 화인켐 주식회사
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    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means

Abstract

본 발명은 터치 센서에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 형성된 브리지 패턴부, 상기 브리지 패턴부의 일부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 절연부, 상기 절연부 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 복수의 제1 감지 전극 패턴부, 상기 브리지 패턴부의 노출 영역과 상기 절연부 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며 상기 브리지 패턴부의 노출 영역과의 접촉에 의해 전기적으로 연결되는 복수의 제2 감지 전극 패턴부 및상기 브리지 패턴부의 노출 영역보다 넓은 면적을 가지면서 상기 제2 감지 전극 패턴부 상에 형성되어 있으며, 상기 브리지 패턴부와 상기 제2 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결을 강화하는 복수의 투명 도전 패턴부를 포함한다.
본 발명에 따르면, 브리지 패턴부의 역 테이퍼진 측면 형상으로 인하여 스퍼터링 방식으로 감지 전극 패턴부를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부와 기판과의 사이에 공극이 발생하고, 이 공극으로 인하여 브리지 패턴부와 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결이 불안정해지는 문제를 방지할 수 있다.
The present invention relates to a touch sensor.
A bridge pattern part formed on a substrate, an insulating part formed on the bridge pattern part so that a part of the bridge pattern part is exposed, and a plurality of first sensing parts formed on the insulating part to be electrically connected to each other along a first direction. An electrode pattern part, a plurality of second parts formed on the exposed region of the bridge pattern part and the insulating part along a second direction crossing the first direction and electrically connected by contact with the exposed region of the bridge pattern part. A plurality of sensing electrode pattern parts and formed on the second sensing electrode pattern part while having an area larger than the exposed area of the bridge pattern part, and reinforcing the electrical connection between the bridge pattern part and the second sensing electrode pattern part. It includes a transparent conductive pattern part.
According to the present invention, a gap is generated between the bridge pattern part and the substrate in the process of forming the sensing electrode pattern part by the sputtering method due to the reverse tapered side shape of the bridge pattern part, and due to this gap, the bridge pattern part and the sensing electrode An unstable electrical connection between pattern parts may be prevented.

Description

터치 센서{TOUCH SENSOR}Touch sensor {TOUCH SENSOR}

본 발명은 터치 센서에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 고전압 환경에서 터치 센서를 구성하는 브리지 패턴이 단선되는 문제를 방지하고, 브리지 패턴과 감지 전극 패턴을 안정적으로 연결함으로써 채널 저항 및 이로 인한 신호 지연 시간을 감소시켜 터치 센서의 동작 속도를 향상시키고, 터치 센서의 전기적 특성을 향상시키는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a touch sensor. More specifically, the present invention prevents the problem of disconnection of the bridge pattern constituting the touch sensor in a high voltage environment, and reduces the channel resistance and the resulting signal delay time by stably connecting the bridge pattern and the sensing electrode pattern to the touch sensor. The present invention relates to a technique for improving operating speed and electrical characteristics of a touch sensor.

일반적으로 터치 센서는 사용자가 화면에 디스플레이되는 영상을 손가락이나 터치 펜 등으로 접촉하는 경우 이 접촉에 반응하여 터치 지점을 파악하는 장치로서, 액정 표시 패널(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 EL(Organic light-Emitting Diode, OLED) 등과 같은 디스플레이 장치에 장착되는 구조로 제작된다.In general, a touch sensor is a device that identifies a touch point in response to a user's contact with a finger or a touch pen on an image displayed on a screen. It is manufactured in a structure mounted on a display device such as a light-emitting diode (OLED).

터치 센서는 시각 정보가 표시되는지 여부를 기준으로 표시 영역과 비표시 영역으로 구분될 수 있다.The touch sensor may be divided into a display area and a non-display area based on whether visual information is displayed.

표시 영역은 터치 센서에 결합된 장치가 제공하는 화상이 표시되는 영역인 동시에 사용자로부터 입력되는 터치 신호를 정전용량방식으로 감지하기 위한 영역으로서, 이 표시 영역에는 서로 교차하는 방향으로 형성되는 다수의 감지 전극 패턴들을 포함하는 구성요소들이 형성되어 있다. 표시 영역의 외곽에 위치하는 비표시 영역에는 감지 전극 패턴들과 전기적으로 연결되는 전극 패드들, 이 전극 패드들에 전기적으로 연결되는 감지 라인들, 이 감지 라인들에 전기적으로 연결되는 본딩 패드가 형성되어 있다. 본딩 패드에는 표시 영역에서 감지된 터치 신호를 구동부로 전달하는 FPC(Flexible Printed Circuit)가 연결된다.The display area is an area where an image provided by a device coupled to the touch sensor is displayed and a touch signal input from the user is sensed in a capacitive manner. Components including electrode patterns are formed. In the non-display area located outside the display area, electrode pads electrically connected to the sensing electrode patterns, sensing lines electrically connected to the electrode pads, and bonding pads electrically connected to the sensing lines are formed. has been A flexible printed circuit (FPC) that transmits a touch signal detected in the display area to the driver is connected to the bonding pad.

도 1은 종래의 터치 센서를 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a conventional touch sensor.

도 1을 참조하면, 종래의 터치 센서는 기판(10), 브리지 패턴부(20), 절연부(30), 제1 감지 전극 패턴부(60) 및 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)을 포함한다.Referring to FIG. 1 , a conventional touch sensor includes a substrate 10, a bridge pattern part 20, an insulating part 30, a first sensing electrode pattern part 60, and a second sensing electrode pattern part 40 or 50. includes

브리지 패턴부(20)는 기판(10) 상에 형성된 도전성 물질 패턴으로서, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 전기적으로 연결하는 기능을 수행한다.The bridge pattern part 20 is a conductive material pattern formed on the substrate 10 and serves to electrically connect the adjacent second sensing electrode pattern parts 40 and 50 .

절연부(30)는 브리지 패턴부(20) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제1 감지 전극 패턴부(60)를 전기적으로 절연시키는 기능을 수행한다.The insulating part 30 is formed on the bridge pattern part 20 and serves to electrically insulate the bridge pattern part 20 from the first sensing electrode pattern part 60 .

제1 감지 전극 패턴부(60)은 서로 전기적으로 연결된 상태로 제1 방향을 따라 절연부(30) 상에 형성되어 있고, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)은 브리지 패턴부(20)를 매개로 전기적으로 연결된 상태로 제2 방향을 따라 형성되어 있으며, 제2 방향은 제1 방향과 교차하는 방향일 수 있다. 예를 들어, 제1 방향이 X 방향인 경우, 제2 방향은 Y 방향일 수 있다.The first sensing electrode pattern parts 60 are formed on the insulating part 30 along the first direction while being electrically connected to each other, and the adjacent second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are bridge pattern parts ( 20) is electrically connected and formed along the second direction, and the second direction may be a direction crossing the first direction. For example, when the first direction is the X direction, the second direction may be the Y direction.

이러한 종래의 터치 센서에 따르면, 브리지 패턴부(20)가 식각 속도가 빠른 물질, 예를 들어, Ag, Ag 합금, APC 등으로 형성되는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상(reverse tapered profile)을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에 공극(air gap)이 발생할 수 있다는 문제점이 있다.According to such a conventional touch sensor, when the bridge pattern part 20 is formed of a material having a high etching rate, for example, Ag, Ag alloy, APC, etc., the closer the side of the bridge pattern part 20 is to the substrate, the more over-eating occurs. Since it is angled and has a reverse tapered profile of an inverted trapezoid, in the process of forming the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 by a sputtering method, the reverse taper of the bridge pattern part 20 There is a problem that an air gap may occur between the true side and the substrate 10 .

또한, 종래의 터치 센서에 따르면, 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에 발생하는 공극(air gap)으로 인하여, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결이 불안정해지고, 이에 따라 채널 저항 및 신호 지연 시간을 증가하여 터치 센서의 동작 속도가 떨어지는 문제점이 있다.In addition, according to the conventional touch sensor, due to an air gap generated between the reverse tapered side of the bridge pattern part 20 and the substrate 10, the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern part The electrical connection between (40, 50) becomes unstable, and thus channel resistance and signal delay time are increased, resulting in a decrease in operating speed of the touch sensor.

또한, 종래의 터치 센서에 따르면, 고전압 환경에서 터치 센서의 브리지 패턴부(20)가 단선(disconnection)되어 터치 센서의 성능 특성이 열화되는 문제점이 있다.In addition, according to the conventional touch sensor, there is a problem in that performance characteristics of the touch sensor are deteriorated because the bridge pattern unit 20 of the touch sensor is disconnected in a high voltage environment.

대한민국 공개특허공보 제10-2013-0116583호(공개일자: 2013년 10월 24일, 명칭: 터치 패널 및 그 제조 방법)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2013-0116583 (published date: October 24, 2013, name: touch panel and its manufacturing method)

본 발명은 브리지 패턴부와 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결을 안정화시켜 채널 저항 및 이에 따른 신호 지연 시간을 감소시켜 터치 센서의 동작 속도를 향상시키는 것을 기술적 과제로 한다.A technical problem of the present invention is to improve the operating speed of a touch sensor by stabilizing an electrical connection between a bridge pattern part and a sensing electrode pattern part to reduce channel resistance and thus a signal delay time.

또한, 본 발명은 고전압 환경에서 브리지 패턴부가 단선되는 문제를 효과적으로 방지하는 것을 기술적 과제로 한다.In addition, a technical problem of the present invention is to effectively prevent a problem in which a bridge pattern part is disconnected in a high voltage environment.

또한, 본 발명은 브리지 패턴부의 역 테이퍼진 측면 형상으로 인하여 스퍼터링 방식으로 감지 전극 패턴부를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부와 기판과의 사이에 공극이 발생하고, 이 공극으로 인하여 브리지 패턴부와 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결이 불안정해지는 문제를 방지하는 것을 기술적 과제로 한다.In addition, in the present invention, a gap is generated between the bridge pattern part and the substrate in the process of forming the sensing electrode pattern part by the sputtering method due to the reverse tapered side shape of the bridge pattern part, and due to this gap, the bridge pattern part and the sensing electrode It is a technical task to prevent the problem of unstable electrical connection between pattern parts.

이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서는 기판 상에 형성된 브리지 패턴부, 상기 브리지 패턴부의 일부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 절연부, 상기 절연부 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 복수의 제1 감지 전극 패턴부, 상기 브리지 패턴부의 노출 영역과 상기 절연부 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며 상기 브리지 패턴부의 노출 영역과의 접촉에 의해 전기적으로 연결되는 복수의 제2 감지 전극 패턴부 및상기 브리지 패턴부의 노출 영역보다 넓은 면적을 가지면서 상기 제2 감지 전극 패턴부 상에 형성되어 있으며, 상기 브리지 패턴부와 상기 제2 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결을 강화하는 복수의 투명 도전 패턴부를 포함한다.A touch sensor according to an aspect of the present invention for solving these problems is a bridge pattern part formed on a substrate, an insulating part formed on the bridge pattern part so that a part of the bridge pattern part is exposed, and a first direction on the insulating part. A plurality of first sensing electrode pattern parts formed to be electrically connected to each other along a plurality of first sensing electrode pattern parts, formed along a second direction crossing the first direction on the exposed area of the bridge pattern part and the insulating part, and the exposed area of the bridge pattern part A plurality of second sensing electrode pattern parts electrically connected by contact with and formed on the second sensing electrode pattern part while having an area larger than the exposed area of the bridge pattern part, and the bridge pattern part and the first 2 includes a plurality of transparent conductive pattern parts reinforcing the electrical connection between the sensing electrode pattern parts.

본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 절연부는 상기 브리지 패턴부의 양측 단부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 섬(island) 형상을 갖고, 상기 제2 감지 전극 패턴부는 상기 브리지 패턴부의 노출된 양측 단부를 포함하는 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to one aspect of the present invention, the insulating part has an island shape formed on the bridge pattern part so that both ends of the bridge pattern part are exposed, and the second sensing electrode pattern part has a bridge pattern part. It is characterized in that it is formed in the region including both ends exposed.

본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고, 상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 절연부의 폭 이상인 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to one aspect of the present invention, a vertical width of the transparent conductive pattern part is greater than or equal to a width of the bridge pattern part, and a horizontal width of the transparent conductive pattern part is greater than or equal to a width of the insulating part.

본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 절연부는 상기 브리지 패턴부와 상기 기판의 전면 상에 형성되어 있고, 상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고, 상기 제2 감지 전극 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to one aspect of the present invention, the insulating part is formed on the bridge pattern part and the entire surface of the substrate, and contact holes are formed in the insulating part located on both ends of the bridge pattern part, The second sensing electrode pattern part may be formed in an area including the contact hole.

본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고, 상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to one aspect of the present invention, a vertical width of the transparent conductive pattern part is greater than or equal to a width of the bridge pattern part, and a transverse width of the transparent conductive pattern part is greater than or equal to a width of the contact hole.

본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 절연부는 상기 브리지 패턴부를 덮도록 형성된 섬 형상을 갖고, 상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고, 상기 제2 감지 전극 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to one aspect of the present invention, the insulating part has an island shape formed to cover the bridge pattern part, contact holes are formed in the insulating part located on both ends of the bridge pattern part, and the second The sensing electrode pattern part may be formed in an area including the contact hole.

본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고, 상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to one aspect of the present invention, a vertical width of the transparent conductive pattern part is greater than or equal to a width of the bridge pattern part, and a transverse width of the transparent conductive pattern part is greater than or equal to a width of the contact hole.

본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 브리지 패턴부의 측면과 상기 기판은 예각을 이루는 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to an aspect of the present invention, a side surface of the bridge pattern part and the substrate form an acute angle.

본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 브리지 패턴부는 Ag, Ag 합금, APC로 이루어진 군에서 하나 이상을 포함하는 물질로 구성된 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to one aspect of the present invention, the bridge pattern part is characterized in that it is composed of a material containing at least one from the group consisting of Ag, Ag alloy, and APC.

본 발명의 일 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부는 AgNW 인 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to one aspect of the present invention, the transparent conductive pattern part is characterized in that AgNW.

본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서는 기판 상에 형성된 브리지 패턴부, 상기 브리지 패턴의 일부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 절연부, 상기 브리지 패턴부의 노출 영역과 상기 절연부의 일부를 포함하는 영역 상에 형성된 복수의 투명 도전 패턴부, 상기 절연부 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 복수의 제1 감지 전극 패턴부 및 상기 투명 도전 패턴부를 포함하는 영역 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며 상기 투명 도전 패턴부를 매개로 상기 브리지 패턴부에 접촉됨으로써 전기적으로 연결되는 복수의 제2 감지 전극 패턴부를 포함하고, 상기 투명 도전 패턴부는 상기 브리지 패턴부의 노출 영역보다 넓은 면적을 가지도록 형성되어 상기 브리지 패턴부와 상기 제2 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결을 강화한다.A touch sensor according to another aspect of the present invention includes a bridge pattern portion formed on a substrate, an insulating portion formed on the bridge pattern portion such that a portion of the bridge pattern is exposed, an exposed area of the bridge pattern portion, and a portion of the insulation portion. A plurality of transparent conductive pattern parts formed on the region, a plurality of first sensing electrode pattern parts formed on the insulating part to be electrically connected to each other along a first direction, and a region including the transparent conductive pattern part in the first direction and a plurality of second sensing electrode pattern parts formed along a second direction intersecting and electrically connected by being in contact with the bridge pattern part through the transparent conductive pattern part, wherein the transparent conductive pattern part exposes the bridge pattern part It is formed to have a larger area than the area to strengthen the electrical connection between the bridge pattern part and the second sensing electrode pattern part.

본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 절연부는 상기 브리지 패턴부의 양측 단부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 섬 형상을 갖고, 상기 투명 도전 패턴부는 상기 브리지 패턴부의 노출된 양측 단부를 포함하는 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to another aspect of the present invention, the insulating part has an island shape formed on the bridge pattern part so that both ends of the bridge pattern part are exposed, and the transparent conductive pattern part has both exposed ends of the bridge pattern part. It is characterized in that it is formed in the region containing.

본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고, 상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 절연부의 폭 이상인 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to another aspect of the present invention, a vertical width of the transparent conductive pattern part is greater than or equal to a width of the bridge pattern part, and a transverse width of the transparent conductive pattern part is greater than or equal to a width of the insulating part.

본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 절연부는 상기 브리지 패턴부와 상기 기판의 전면 상에 형성되어 있고, 상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고, 상기 투명 도전 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to another aspect of the present invention, the insulating portion is formed on the bridge pattern portion and the entire surface of the substrate, and contact holes are formed in the insulating portion located on both ends of the bridge pattern portion, The transparent conductive pattern part may be formed in an area including the contact hole.

본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고, 상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to another aspect of the present invention, a vertical width of the transparent conductive pattern part is greater than or equal to a width of the bridge pattern part, and a horizontal width of the transparent conductive pattern part is greater than or equal to a width of the contact hole.

본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 절연부는 상기 브리지 패턴부를 덮도록 형성된 섬 형상을 갖고, 상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고, 상기 투명 도전 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to another aspect of the present invention, the insulating part has an island shape formed to cover the bridge pattern part, contact holes are formed in the insulating part located on both ends of the bridge pattern part, and the transparent conductive part is formed. The pattern portion may be formed in an area including the contact hole.

본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고, 상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to another aspect of the present invention, a vertical width of the transparent conductive pattern part is greater than or equal to a width of the bridge pattern part, and a horizontal width of the transparent conductive pattern part is greater than or equal to a width of the contact hole.

본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 브리지 패턴부의 측면과 상기 기판은 예각을 이루는 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to another aspect of the present invention, a side surface of the bridge pattern part and the substrate form an acute angle.

본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 브리지 패턴부는 Ag, Ag 합금, APC로 이루어진 군에서 하나 이상을 포함하는 물질로 구성된 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to another aspect of the present invention, the bridge pattern part is characterized in that it is composed of a material containing at least one from the group consisting of Ag, Ag alloy, and APC.

본 발명의 다른 측면에 따른 터치 센서에 있어서, 상기 투명 도전 패턴부는 AgNW 인 것을 특징으로 한다.In the touch sensor according to another aspect of the present invention, the transparent conductive pattern part is AgNW.

본 발명에 따르면, 브리지 패턴부와 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결이 안정화되고, 채널 저항 및 이에 따른 신호 지연 시간이 감소되어 터치 센서의 동작 속도가 향상되는 효과가 있다.According to the present invention, the electrical connection between the bridge pattern part and the sensing electrode pattern part is stabilized, and channel resistance and signal delay time accordingly are reduced, thereby improving the operating speed of the touch sensor.

또한, 고전압 환경에서 브리지 패턴부가 단선되는 문제를 효과적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, there is an effect of effectively preventing a problem in which the bridge pattern part is disconnected in a high voltage environment.

또한, 브리지 패턴부의 역 테이퍼진 측면 형상으로 인하여 스퍼터링 방식으로 감지 전극 패턴부를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부와 기판과의 사이에 공극이 발생하고, 이 공극으로 인하여 브리지 패턴부와 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결이 불안정해지는 문제를 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, due to the reverse tapered lateral shape of the bridge pattern part, a gap is generated between the bridge pattern part and the substrate in the process of forming the sensing electrode pattern part by the sputtering method. There is an effect of preventing a problem in which the electrical connection becomes unstable.

도 1은 종래의 터치 센서를 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이고,
도 4는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이고,
도 5는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이고,
도 6은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이고,
도 7은 본 발명의 제6 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이다.
1 is a diagram showing a conventional touch sensor,
2 is a view showing a touch sensor according to a first embodiment of the present invention;
3 is a view showing a touch sensor according to a second embodiment of the present invention;
4 is a view showing a touch sensor according to a third embodiment of the present invention;
5 is a diagram showing a touch sensor according to a fourth embodiment of the present invention;
6 is a view showing a touch sensor according to a fifth embodiment of the present invention;
7 is a diagram illustrating a touch sensor according to a sixth embodiment of the present invention.

본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.Specific structural or functional descriptions of the embodiments according to the concept of the present invention disclosed in this specification are only illustrated for the purpose of explaining the embodiments according to the concept of the present invention, and the embodiments according to the concept of the present invention It can be embodied in various forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.Embodiments according to the concept of the present invention can apply various changes and have various forms, so the embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in this specification. However, this is not intended to limit the embodiments according to the concept of the present invention to specific disclosure forms, and includes all changes, equivalents, or substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention.

제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않은 채, 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고 유사하게 제2구성 요소는 제1구성 요소로도 명명될 수 있다.Terms such as first or second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another, e.g. without departing from the scope of rights according to the concept of the present invention, a first component may be termed a second component and similarly a second component may be termed a second component. A component may also be referred to as a first component.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, but other elements may exist in the middle. It should be. On the other hand, when a component is referred to as “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that no other component exists in the middle. Other expressions describing the relationship between components, such as "between" and "directly between" or "adjacent to" and "directly adjacent to", etc., should be interpreted similarly.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in this specification are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as "comprise" or "having" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in this specification, but one or more other features It should be understood that it does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in this specification, it should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. don't

이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이다.2 is a diagram illustrating a touch sensor according to a first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 센서는 기판(10), 브리지 패턴부(20), 절연부(30), 제1 감지 전극 패턴부(60), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 및 투명 도전 패턴부(70, 80)를 포함한다.Referring to FIG. 2 , the touch sensor according to the first embodiment of the present invention includes a substrate 10, a bridge pattern part 20, an insulating part 30, a first sensing electrode pattern part 60, and a second sensing electrode. It includes pattern parts 40 and 50 and transparent conductive pattern parts 70 and 80 .

기판(10)은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 센서를 구성하는 구성요소들이 형성되는 기지(base)로서, 예를 들어, 플렉서블한 특성을 갖고 광 투과성이 우수한 연질의 기재 또는 유리 등과 같은 광 투과성이 우수한 경질의 기재로 구성될 수 있다.The substrate 10 is a base on which components constituting the touch sensor according to the first embodiment of the present invention are formed, for example, a flexible substrate having excellent light transmittance, such as glass or the like. It may be composed of a hard substrate having excellent light transmittance.

브리지 패턴부(20)는 기판(10)의 일부 영역 즉, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 제1 감지 전극 패턴부(60)가 교차하는 교차 영역의 하부에 위치하는 기판(10) 영역에 형성되어 있으며, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 브리지 패턴부(20)의 노출된 양측 단부에 접촉됨으로써 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 브리지 패턴부(20)에 의해 전기적으로 연결된다.The bridge pattern unit 20 is positioned below a partial area of the substrate 10, that is, an intersection area where the adjacent second sensing electrode pattern units 40 and 50 and the first sensing electrode pattern unit 60 intersect. It is formed in the region (10), and the adjacent second sensing electrode pattern portions 40 and 50 contact exposed ends of both sides of the bridge pattern portion 20, thereby forming adjacent second sensing electrode pattern portions 40 and 50. are electrically connected by the bridge pattern part 20.

예를 들어, 브리지 패턴부(20)는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 은(Ag),구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상이 혼합되어 브리지 패턴부(20)로 사용될 수 있다.For example, the bridge pattern part 20 may include chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), gold (Au), tungsten (W), silver (Ag), copper (Cu) , metals selected from the group consisting of molybdenum (Mo) and APC; nanowires of a metal selected from the group consisting of gold, silver, copper and lead; It may be formed of a material selected from a carbon-based material selected from the group consisting of carbon nanotubes (CNT) and graphene, and these may be used alone or in combination of two or more to be used as the bridge pattern part 20 .

예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 몰리브덴(Mo)과 같이 식각 속도가 느린 물질이 적용되는 경우 패턴 형성에 대략 20~40초 정도의 시간이 소요되기 때문에, 브리지 패턴부(20)의 측면이 정 테이퍼진 형상(forward tapered profile)을 갖도록 조절하는 것이 용이하다.For example, when a material with a slow etching rate such as molybdenum (Mo) is applied as a material constituting the bridge pattern portion 20, since it takes about 20 to 40 seconds to form a pattern, the bridge pattern portion ( 20) is easy to adjust to have a forward tapered profile.

그러나 예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상(reverse tapered profile)을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극(air gap)이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 후술하는 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.However, for example, when a material such as Ag, Ag alloy, APC, etc. is applied as a material constituting the bridge pattern part 20, the pattern is formed within a very short time of about 2 seconds, and if this time is exceeded, the bridge Since the side surface of the pattern portion 20 is overetched as it approaches the substrate 10 to have a reverse tapered profile of an inverted trapezoid, the second sensing electrode pattern portion 40, 50), there is a problem in that an air gap may occur between the reverse tapered side surface of the bridge pattern portion 20 and the substrate 10. That is, the side surface of the bridge pattern part 20 and the substrate 10 form an acute angle with each other, so that the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed in the area covered by the bridge pattern part 20 during the sputtering process. Since the material constituting the is not formed, voids are generated. Since the transparent conductive pattern parts 70 and 80 to be described later are formed to permeate into this void region, electrical connection between the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the bridge pattern part 20 is not possible. , 80).

절연부(30)는 브리지 패턴부(20)의 일부가 노출되도록 브리지 패턴부(20) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제1 감지 전극 패턴부(60)를 전기적으로 절연시킨다. 제1 실시 예에 있어서, 절연부(30)는 브리지 패턴부(20)의 양측 단부가 노출되도록 브리지 패턴부(20) 상에 형성된 섬(island) 형상을 가지며, 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 브리지 패턴부(20)의 노출된 양측 단부를 포함하는 영역에 형성되어 있다. 보다 구체적으로, 절연부(30)는 기판(10)의 전면에 형성되지 않고, 제1 감지 전극 패턴부(60)와 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 교차 영역에 해당하는 브리지 패턴부(20)의 일부 영역에만 형성되어, 일종의 섬 형상을 가지도록 구성된다. 이 경우, 절연부(30)에는 컨택홀들이 구비될 필요가 없으며, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 절연부(30)의 가장자리 영역과 브리지 패턴부(20)의 가장자리 영역, 브리지 패턴부(20) 외곽의 기판(10) 상에 형성됨으로써, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 브리지 패턴부(20)에 의해 전기적으로 연결된다.The insulating part 30 is formed on the bridge pattern part 20 so that a part of the bridge pattern part 20 is exposed, and electrically insulates the bridge pattern part 20 from the first sensing electrode pattern part 60. . In the first embodiment, the insulating part 30 has an island shape formed on the bridge pattern part 20 so that both ends of the bridge pattern part 20 are exposed, and the second sensing electrode pattern part 40 , 50) is formed in a region including both exposed end portions of the bridge pattern portion 20 . More specifically, the insulating portion 30 is not formed on the entire surface of the substrate 10 and corresponds to an intersection area between the first sensing electrode pattern portion 60 and the second sensing electrode pattern portions 40 and 50 adjacent thereto. It is formed only in a partial area of the bridge pattern part 20 and is configured to have a kind of island shape. In this case, contact holes do not need to be provided in the insulation part 30, and the adjacent second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed on the edge area of the insulation part 30 and the edge area of the bridge pattern part 20. , By being formed on the substrate 10 outside the bridge pattern unit 20 , the adjacent second sensing electrode pattern units 40 and 50 are electrically connected by the bridge pattern unit 20 .

예를 들어, 절연부(30)의 소재로는 당 기술분야에 알려진 절연 소재가 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 실리콘 산화물과 같은 금속 산화물이나 아크릴계 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물 혹은 열경화성 수지 조성물이 사용될 수 있다. 또는 절연부(30)는 실리콘산화물(SiOx) 등의 무기물을 사용하여 형성될 수 있으며, 이 경우 증착, 스퍼터링 등의 방법으로 형성될 수 있다.For example, as the material of the insulating unit 30, any insulating material known in the art may be used without limitation, and for example, a photosensitive resin composition or a thermosetting resin composition including a metal oxide such as silicon oxide or an acrylic resin may be used. can be used Alternatively, the insulating unit 30 may be formed using an inorganic material such as silicon oxide (SiOx), and in this case, it may be formed by a method such as deposition or sputtering.

복수의 제1 감지 전극 패턴부(60)는 절연부(30) 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성되어 있다.The plurality of first sensing electrode pattern parts 60 are formed on the insulating part 30 to be electrically connected to each other along the first direction.

복수의 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역과 절연부(30) 상에 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)의 노출 영역과의 접촉에 의해 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 서로 전기적으로 연결된다.The plurality of second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed along the second direction crossing the first direction on the exposed area of the bridge pattern part 20 and the insulating part 30, and the bridge pattern part ( 20), adjacent second sensing electrode pattern portions 40 and 50 are electrically connected to each other by contact with the exposed area.

예를 들어, 제1 방향이 X 방향인 경우, 제2 방향은 Y 방향일 수 있으나, 제1 감지 전극 패턴부(60)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 형성되는 방향은 이에 한정되지는 않으며, 양 패턴이 교차하는 조건을 충족시키는 임의의 방향일 수 있다.For example, when the first direction is the X direction, the second direction may be the Y direction, but the directions in which the first sensing electrode pattern parts 60 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed are accordingly It is not limited, and may be any direction that satisfies the condition that both patterns intersect.

제1 감지 전극 패턴부(60)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 투명 도전성 물질이라면 제한되지 않고 사용될 수 있으며, 예를 들어, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군에서 선택된 금속산화물류; 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 은(Ag),구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류; 및 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 및 폴리아닐린(PANI)으로 이루어진 군에서 선택된 전도성 고분자 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있고, 바람직하게는 인듐틴옥사이드(ITO)가 사용될 수 있다. 결정성 또는 비결정성 인듐틴옥사이드(ITO)가 모두 사용 가능하다.The first sensing electrode pattern unit 60 and the second sensing electrode pattern units 40 and 50 may be used without limitation as long as they are transparent conductive materials, for example, indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). , Indium Zinc Tin Oxide (IZTO), Aluminum Zinc Oxide (AZO), Gallium Zinc Oxide (GZO), Florin Tin Oxide (FTO), Indium Tin Oxide-Silver-Indium Tin Oxide (ITO-Ag-ITO), Indium Zinc Oxide -Silver-indium zinc oxide (IZO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide-silver-indium zinc tin oxide (IZTO-Ag-IZTO) and aluminum zinc oxide-silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO) metal oxides selected from the group consisting of; In the group consisting of chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), gold (Au), tungsten (W), silver (Ag), copper (Cu), molybdenum (Mo) and APC selected metals; nanowires of a metal selected from the group consisting of gold, silver, copper and lead; Carbon-based materials selected from the group consisting of carbon nanotubes (CNT) and graphene; and poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and polyaniline (PANI). Preferably, indium tin oxide (ITO) may be used. Both crystalline and amorphous indium tin oxide (ITO) can be used.

복수의 투명 도전 패턴부(70, 80)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역보다 넓은 면적을 가지면서 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 중첩되도록 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 강화하는 기능을 수행한다.The plurality of transparent conductive pattern parts 70 and 80 have an area larger than the exposed area of the bridge pattern part 20 and overlap the exposed area of the bridge pattern part 20 so that the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 It is formed on the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern part 40, 50 performs a function of strengthening the electrical connection.

앞서 설명한 바 있지만, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.As described above, when a material such as Ag, Ag alloy, APC, etc. is applied as a material constituting the bridge pattern part 20, the pattern is formed within a very short time of about 2 seconds, and if this time is exceeded, the bridge Since the side surface of the pattern portion 20 is overetched as it approaches the substrate 10 and has an inverted trapezoidal tapered shape, in the process of forming the second sensing electrode pattern portions 40 and 50 by the sputtering method, the bridge There is a problem in that a gap may occur between the reverse tapered side surface of the pattern portion 20 and the substrate 10 . That is, the side surface of the bridge pattern part 20 and the substrate 10 form an acute angle with each other, so that the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed in the area covered by the bridge pattern part 20 during the sputtering process. Since the material constituting the is not formed, voids are generated. Since the transparent conductive pattern parts 70 and 80 are formed so as to permeate the gap region, electrical connection between the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the bridge pattern part 20 is not possible. ) is reinforced by

예를 들어, 본 발명의 제1 실시 예를 포함하는 전체 실시 예에 있어서, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 잉크젯 프린팅(ink-jet printing) 방식으로 형성될 수 있다. 투명 도전 패턴부(70, 80)는 잉크젯 프린팅 방식으로 형성하면, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 유동 상태의 투명 도전성 물질이 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이의 공극에 쉽게 스며들어 이 공극을 채울 수 있기 때문에, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 매개로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 강화된다.For example, in all embodiments including the first embodiment of the present invention, the transparent conductive pattern portions 70 and 80 may be formed by ink-jet printing. When the transparent conductive pattern portions 70 and 80 are formed by the inkjet printing method, the transparent conductive material constituting the transparent conductive pattern portions 70 and 80 in a fluid state is formed on the reverse tapered side surface of the bridge pattern portion 20 and the substrate ( 10), the transparent conductive pattern parts 70 and 80 are used as a medium to electrically reduce the electrical energy between the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the bridge pattern part 20. Connections are strengthened.

예를 들어, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 AgNW(Ag Nano Wire)로 구성될 수 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 세로 방향 폭(H)은 브리지 패턴부(20)의 폭(a) 이상이고, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 가로 방향 폭(W)은 절연부(30)의 폭(b) 이상이 되도록 구성될 수 있다. 이와 같이 구성하면, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질이 브리지 패턴부(20), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)에 존재할 수 있는 균열 영역, 공극 영역 등에 스며들어 이 영역들을 채우게 되기 때문에, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 전기적 연결이 강화된다.For example, the transparent conductive pattern parts 70 and 80 may be made of AgNW (Ag Nano Wire), and the longitudinal width H of the transparent conductive pattern parts 70 and 80 is the width of the bridge pattern part 20. It may be greater than the width (a), and the transverse width (W) of the transparent conductive pattern portions 70 and 80 may be greater than or equal to the width (b) of the insulating portion 30 . In this configuration, the transparent conductive material constituting the transparent conductive pattern parts 70 and 80 may be present in the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50, such as crack areas and void areas. Since it permeates and fills these areas, the electrical connection between the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 is strengthened.

도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이다.3 is a diagram illustrating a touch sensor according to a second embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 센서는 기판(10), 브리지 패턴부(20), 절연부(30), 제1 감지 전극 패턴부(60), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 및 투명 도전 패턴부(70, 80)를 포함한다.Referring to FIG. 3 , the touch sensor according to the second embodiment of the present invention includes a substrate 10, a bridge pattern part 20, an insulating part 30, a first sensing electrode pattern part 60, and a second sensing electrode. It includes pattern parts 40 and 50 and transparent conductive pattern parts 70 and 80 .

본 발명의 제1 실시 예와 비교하여, 본 발명의 제2 실시 예는 절연부(30)의 형상, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 위한 구성에 있어서 차이가 있으며, 이하에서는 중복되는 설명을 지양하기 위하여 가급적 상기 차이점에 초점을 맞추어 제2 실시 예를 설명한다. 제1 실시 예에 대한 설명중 상기 차이점을 제외한 부분에 대한 설명은 제2 실시 예에도 적용 가능하다.Compared to the first embodiment of the present invention, the second embodiment of the present invention is for the shape of the insulating part 30, the electrical connection between the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50. There is a difference in configuration, and the second embodiment will be described with a focus on the difference as much as possible in order to avoid overlapping descriptions. In the description of the first embodiment, the description of the parts except for the above difference is also applicable to the second embodiment.

브리지 패턴부(20)는 기판(10)의 일부 영역 즉, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 제1 감지 전극 패턴부(60)가 교차하는 교차 영역의 하부에 위치하는 기판(10) 영역에 형성되어 있으며, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 브리지 패턴부(20)의 노출된 양측 단부에 위치하는 컨택홀에 채워져 브리지 패턴부(20)에 접촉됨으로써 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 브리지 패턴부(20)에 의해 전기적으로 연결된다.The bridge pattern unit 20 is positioned below a partial area of the substrate 10, that is, an intersection area where the adjacent second sensing electrode pattern units 40 and 50 and the first sensing electrode pattern unit 60 intersect. It is formed in the area (10), and the adjacent second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are filled in the contact holes located at the exposed ends of the bridge pattern part 20 and come into contact with the bridge pattern part 20. Adjacent second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are electrically connected by the bridge pattern part 20 .

예를 들어, 브리지 패턴부(20)는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 은(Ag),구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상이 혼합되어 브리지 패턴부(20)로 사용될 수 있다.For example, the bridge pattern part 20 may include chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), gold (Au), tungsten (W), silver (Ag), copper (Cu) , metals selected from the group consisting of molybdenum (Mo) and APC; nanowires of a metal selected from the group consisting of gold, silver, copper and lead; It may be formed of a material selected from a carbon-based material selected from the group consisting of carbon nanotubes (CNT) and graphene, and these may be used alone or in combination of two or more to be used as the bridge pattern part 20 .

예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 몰리브덴(Mo)과 같이 식각 속도가 느린 물질이 적용되는 경우 패턴 형성에 대략 20~40초 정도의 시간이 소요되기 때문에, 브리지 패턴부(20)의 측면이 정 테이퍼진 형상(forward tapered profile)을 갖도록 조절하는 것이 용이하다.For example, when a material with a slow etching rate such as molybdenum (Mo) is applied as a material constituting the bridge pattern portion 20, since it takes about 20 to 40 seconds to form a pattern, the bridge pattern portion ( 20) is easy to adjust to have a forward tapered profile.

그러나 예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상(reverse tapered profile)을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극(air gap)이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 후술하는 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.However, for example, when a material such as Ag, Ag alloy, APC, etc. is applied as a material constituting the bridge pattern part 20, the pattern is formed within a very short time of about 2 seconds, and if this time is exceeded, the bridge Since the side surface of the pattern portion 20 is overetched as it approaches the substrate 10 to have a reverse tapered profile of an inverted trapezoid, the second sensing electrode pattern portion 40, 50), there is a problem in that an air gap may occur between the reverse tapered side surface of the bridge pattern portion 20 and the substrate 10. That is, the side surface of the bridge pattern part 20 and the substrate 10 form an acute angle with each other, so that the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed in the area covered by the bridge pattern part 20 during the sputtering process. Since the material constituting the is not formed, voids are generated. Since the transparent conductive pattern parts 70 and 80 to be described later are formed to permeate into this void region, electrical connection between the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the bridge pattern part 20 is not possible. , 80).

절연부(30)는 브리지 패턴부(20)의 일부가 노출되도록 브리지 패턴부(20) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제1 감지 전극 패턴부(60)를 전기적으로 절연시키는 기능을 수행한다. 제2 실시 예에 있어서, 절연부(30)는 브리지 패턴부(20)와 기판(10)의 전면 상에 형성되어 있고, 브리지 패턴부(20)의 양측 단부 상에 위치하는 절연부(30)에는 컨택홀이 형성되어 있고, 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되어 있다. 즉, 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 투명 도전성의 물질은 컨택홀의 바닥에 위치하는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 접촉되도록 컨택홀에 채워지는 한편, 컨택홀 인근에 위치하는 절연부(30)의 일부 영역 상에 형성된다.The insulating part 30 is formed on the bridge pattern part 20 so that a part of the bridge pattern part 20 is exposed, and electrically insulates the bridge pattern part 20 from the first sensing electrode pattern part 60. perform a function In the second embodiment, the insulating part 30 is formed on the entire surface of the bridge pattern part 20 and the substrate 10, and the insulating part 30 positioned on both ends of the bridge pattern part 20 A contact hole is formed in , and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed in an area including the contact hole. That is, the transparent conductive material constituting the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 is filled in the contact hole so as to come into contact with the exposed area of the bridge pattern part 20 located at the bottom of the contact hole, while It is formed on a partial region of the insulating part 30 located thereon.

복수의 제1 감지 전극 패턴부(60)는 절연부(30) 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성되어 있다.The plurality of first sensing electrode pattern parts 60 are formed on the insulating part 30 to be electrically connected to each other along the first direction.

복수의 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역인 컨택홀에 채워지는 한편, 이 컨택홀 인근에 위치하는 절연부(30)의 일부 영역 상에, 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)의 노출 영역과의 접촉에 의해 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 전기적으로 연결된다. The plurality of second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are filled in the contact hole, which is the exposed area of the bridge pattern part 20, while on a partial area of the insulating part 30 located near the contact hole, It is formed along a second direction crossing the first direction, and the adjacent second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are electrically connected by contact with the exposed area of the bridge pattern part 20 .

복수의 투명 도전 패턴부(70, 80)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역 즉, 컨택홀보다 넓은 면적을 가지면서 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 중첩되도록 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 강화하는 기능을 수행한다.The plurality of transparent conductive pattern parts 70 and 80 have an area larger than the exposed area of the bridge pattern part 20, that is, the contact hole, and overlap the second sensing electrode pattern part ( 40 and 50, and serves to reinforce the electrical connection between the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern part 40 and 50.

브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.When a material such as Ag, Ag alloy, APC, etc. is applied as a material constituting the bridge pattern part 20, a pattern is formed within a very short time of about 2 seconds, and if this time is exceeded, the bridge pattern part 20 Since the side of the side is overetched as it approaches the substrate 10 to have an inverted trapezoidal tapered shape, in the process of forming the second sensing electrode pattern portions 40 and 50 by the sputtering method, the bridge pattern portion 20 There is a problem that a gap may occur between the reverse tapered side of the substrate 10. That is, the side surface of the bridge pattern part 20 and the substrate 10 form an acute angle with each other, so that the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed in the area covered by the bridge pattern part 20 during the sputtering process. Since the material constituting the is not formed, voids are generated. Since the transparent conductive pattern parts 70 and 80 are formed so as to permeate the gap region, electrical connection between the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the bridge pattern part 20 is not possible. ) is reinforced by

예를 들어, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 AgNW(Ag Nano Wire)로 구성될 수 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 세로 방향 폭(H)은 브리지 패턴부(20)의 폭(a) 이상이고, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 가로 방향 폭(W)은 상기 컨택홀의 폭(c) 이상이 되도록 구성될 수 있다. 이와 같이 구성하면, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질이 브리지 패턴부(20), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)에 존재할 수 있는 균열 영역, 공극 영역 등에 스며들어 이 영역들을 채우게 되기 때문에, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 전기적 연결이 강화된다.For example, the transparent conductive pattern parts 70 and 80 may be made of AgNW (Ag Nano Wire), and the longitudinal width H of the transparent conductive pattern parts 70 and 80 is the width of the bridge pattern part 20. It may be greater than the width (a), and the transverse width (W) of the transparent conductive pattern portions 70 and 80 may be greater than or equal to the width (c) of the contact hole. In this configuration, the transparent conductive material constituting the transparent conductive pattern parts 70 and 80 may be present in the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50, such as crack areas and void areas. Since it permeates and fills these areas, the electrical connection between the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 is strengthened.

도 4는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating a touch sensor according to a third embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 터치 센서는 기판(10), 브리지 패턴부(20), 제1 감지 전극 패턴부(60), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 및 투명 도전 패턴부(70, 80)를 포함한다.Referring to FIG. 4 , the touch sensor according to the third embodiment of the present invention includes a substrate 10, a bridge pattern part 20, a first sensing electrode pattern part 60, and a second sensing electrode pattern part 40 and 50. ) and transparent conductive pattern parts 70 and 80.

본 발명의 제1 실시 예 및 제2 실시 예와 비교하여, 본 발명의 제3 실시 예는 절연부(30)의 형상, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 위한 구성에 있어서 차이가 있으며, 이하에서는 중복되는 설명을 지양하기 위하여 가급적 상기 차이점에 초점을 맞추어 제3 실시 예를 설명한다. 제1 실시 예 및 제2 실시 예에 대한 설명중 상기 차이점을 제외한 부분에 대한 설명은 제3 실시 예에도 적용 가능하다.Compared to the first and second embodiments of the present invention, the third embodiment of the present invention has the shape of the insulating part 30, the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 There is a difference in the configuration for electrical connection between the components, and the third embodiment will be described with a focus on the difference as much as possible in order to avoid overlapping explanations. Among the descriptions of the first embodiment and the second embodiment, the description of parts excluding the above differences is also applicable to the third embodiment.

브리지 패턴부(20)는 기판(10)의 일부 영역 즉, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 제1 감지 전극 패턴부(60)가 교차하는 교차 영역의 하부에 위치하는 기판(10) 영역에 형성되어 있으며, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 브리지 패턴부(20)의 양측 단부에 위치하는 컨택홀에 채워져 브리지 패턴부(20)에 접촉됨으로써 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 브리지 패턴부(20)에 의해 전기적으로 연결된다.The bridge pattern unit 20 is positioned below a partial area of the substrate 10, that is, an intersection area where the adjacent second sensing electrode pattern units 40 and 50 and the first sensing electrode pattern unit 60 intersect. It is formed in the region (10), and the adjacent second sensing electrode pattern parts 40 and 50 fill contact holes located at both ends of the bridge pattern part 20 and come into contact with the bridge pattern part 20, thereby making contact with the adjacent bridge pattern part 20. The second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are electrically connected by the bridge pattern part 20 .

예를 들어, 브리지 패턴부(20)는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 은(Ag),구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상이 혼합되어 브리지 패턴부(20)로 사용될 수 있다.For example, the bridge pattern part 20 may include chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), gold (Au), tungsten (W), silver (Ag), copper (Cu) , metals selected from the group consisting of molybdenum (Mo) and APC; nanowires of a metal selected from the group consisting of gold, silver, copper and lead; It may be formed of a material selected from a carbon-based material selected from the group consisting of carbon nanotubes (CNT) and graphene, and these may be used alone or in combination of two or more to be used as the bridge pattern part 20 .

예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 몰리브덴(Mo)과 같이 식각 속도가 느린 물질이 적용되는 경우 패턴 형성에 대략 20~40초 정도의 시간이 소요되기 때문에, 브리지 패턴부(20)의 측면이 정 테이퍼진 형상(forward tapered profile)을 갖도록 조절하는 것이 용이하다.For example, when a material with a slow etching rate such as molybdenum (Mo) is applied as a material constituting the bridge pattern portion 20, since it takes about 20 to 40 seconds to form a pattern, the bridge pattern portion ( 20) is easy to adjust to have a forward tapered profile.

그러나 예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상(reverse tapered profile)을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극(air gap)이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 후술하는 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.However, for example, when a material such as Ag, Ag alloy, APC, etc. is applied as a material constituting the bridge pattern part 20, the pattern is formed within a very short time of about 2 seconds, and if this time is exceeded, the bridge Since the side surface of the pattern portion 20 is overetched as it approaches the substrate 10 to have a reverse tapered profile of an inverted trapezoid, the second sensing electrode pattern portion 40, 50), there is a problem in that an air gap may occur between the reverse tapered side surface of the bridge pattern portion 20 and the substrate 10. That is, the side surface of the bridge pattern part 20 and the substrate 10 form an acute angle with each other, so that the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed in the area covered by the bridge pattern part 20 during the sputtering process. Since the material constituting the is not formed, voids are generated. Since the transparent conductive pattern parts 70 and 80 to be described later are formed to permeate into this void region, electrical connection between the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the bridge pattern part 20 is not possible. , 80).

절연부(30)는 브리지 패턴부(20)의 일부가 노출되도록 브리지 패턴부(20) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제1 감지 전극 패턴부(60)를 전기적으로 절연시키는 기능을 수행한다. 제2 실시 예와 달리 제3 실시 예에 따르면, 절연부(30)는 브리지 패턴부(20)를 포함하는 기판(10)의 전면에 형성되지 않고, 브리지 패턴부(20)를 덮도록 형성된 섬 형상을 갖고, 브리지 패턴부(20)의 양측 단부 상에 위치하는 절연부(30)에는 컨택홀이 형성되어 있고, 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되어 있다. 즉, 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 투명 도전성의 물질은 컨택홀의 바닥에 위치하는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 접촉되도록 컨택홀에 채워지는 한편, 컨택홀 인근에 위치하는 절연부(30)와 기판(10)의 일부 영역 상에 형성된다.The insulating part 30 is formed on the bridge pattern part 20 so that a part of the bridge pattern part 20 is exposed, and electrically insulates the bridge pattern part 20 from the first sensing electrode pattern part 60. perform a function Unlike the second embodiment, according to the third embodiment, the insulating part 30 is not formed on the entire surface of the substrate 10 including the bridge pattern part 20, but is formed to cover the bridge pattern part 20. Contact holes are formed in the insulating portion 30 having a shape and positioned on both ends of the bridge pattern portion 20, and the second sensing electrode pattern portions 40 and 50 are formed in regions including the contact holes. has been That is, the transparent conductive material constituting the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 is filled in the contact hole so as to come into contact with the exposed area of the bridge pattern part 20 located at the bottom of the contact hole, while It is formed on a portion of the insulating portion 30 and the substrate 10 located thereon.

복수의 제1 감지 전극 패턴부(60)는 절연부(30) 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성되어 있다.The plurality of first sensing electrode pattern parts 60 are formed on the insulating part 30 to be electrically connected to each other along the first direction.

복수의 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역인 컨택홀에 채워지는 한편, 이 컨택홀 인근에 위치하는 절연부(30)와 기판(10)의 일부 영역 상에, 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)의 노출 영역과의 접촉에 의해 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 전기적으로 연결된다. The plurality of second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are filled in the contact hole, which is the exposed area of the bridge pattern part 20, while the insulating part 30 and a part of the substrate 10 located near the contact hole. It is formed along the second direction crossing the first direction on the area, and the adjacent second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are electrically connected by contact with the exposed area of the bridge pattern part 20. do.

복수의 투명 도전 패턴부(70, 80)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역 즉, 컨택홀보다 넓은 면적을 가지면서 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 중첩되도록 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 강화하는 기능을 수행한다.The plurality of transparent conductive pattern parts 70 and 80 have an area larger than the exposed area of the bridge pattern part 20, that is, the contact hole, and overlap the second sensing electrode pattern part ( 40 and 50, and serves to reinforce the electrical connection between the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern part 40 and 50.

브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.When a material such as Ag, Ag alloy, APC, etc. is applied as a material constituting the bridge pattern part 20, a pattern is formed within a very short time of about 2 seconds, and if this time is exceeded, the bridge pattern part 20 Since the side of the side is overetched as it approaches the substrate 10 to have an inverted trapezoidal tapered shape, in the process of forming the second sensing electrode pattern portions 40 and 50 by the sputtering method, the bridge pattern portion 20 There is a problem that a gap may occur between the reverse tapered side of the substrate 10. That is, the side surface of the bridge pattern part 20 and the substrate 10 form an acute angle with each other, so that the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed in the area covered by the bridge pattern part 20 during the sputtering process. Since the material constituting the is not formed, voids are generated. Since the transparent conductive pattern parts 70 and 80 are formed so as to permeate the gap region, electrical connection between the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the bridge pattern part 20 is not possible. ) is reinforced by

예를 들어, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 AgNW(Ag Nano Wire)로 구성될 수 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 세로 방향 폭(H)은 브리지 패턴부(20)의 폭(a) 이상이고, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 가로 방향 폭(W)은 상기 컨택홀의 폭(c) 이상이 되도록 구성될 수 있다. 이와 같이 구성하면, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질이 브리지 패턴부(20), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)에 존재할 수 있는 균열 영역, 공극 영역 등에 스며들어 이 영역들을 채우게 되기 때문에, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 전기적 연결이 강화된다.For example, the transparent conductive pattern parts 70 and 80 may be made of AgNW (Ag Nano Wire), and the longitudinal width H of the transparent conductive pattern parts 70 and 80 is the width of the bridge pattern part 20. It may be greater than the width (a), and the transverse width (W) of the transparent conductive pattern portions 70 and 80 may be greater than or equal to the width (c) of the contact hole. In this configuration, the transparent conductive material constituting the transparent conductive pattern parts 70 and 80 may be present in the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50, such as crack areas and void areas. Since it permeates and fills these areas, the electrical connection between the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 is strengthened.

도 5는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating a touch sensor according to a fourth embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제4 실시 예에 따른 터치 센서는 기판(10), 브리지 패턴부(20), 절연부(30), 투명 도전 패턴부(70, 80), 제1 감지 전극 패턴부(60) 및 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 포함한다.Referring to FIG. 5 , the touch sensor according to the fourth embodiment of the present invention includes a substrate 10, a bridge pattern part 20, an insulating part 30, transparent conductive pattern parts 70 and 80, and a first sensing electrode. It includes a pattern part 60 and second sensing electrode pattern parts 40 and 50 .

본 발명의 제1 실시 예와 비교하여, 본 발명의 제4 실시 예는 투명 도전 패턴부(70, 80)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 형성 순서 및 그에 따른 구조적인 구성에 있어서 차이가 있으며, 이하에서는 중복되는 설명을 지양하기 위하여 가급적 상기 차이점에 초점을 맞추어 제4 실시 예를 설명한다. 제1 실시 예에 대한 설명중 상기 차이점을 제외한 부분에 대한 설명은 제4 실시 예에도 적용 가능하다.Compared to the first embodiment of the present invention, the fourth embodiment of the present invention depends on the formation order of the transparent conductive pattern parts 70 and 80 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the resulting structural configuration. In the following, the fourth embodiment will be described focusing on the difference as much as possible in order to avoid overlapping descriptions. In the description of the first embodiment, the description of the parts except for the difference is also applicable to the fourth embodiment.

브리지 패턴부(20)는 기판(10)의 일부 영역 즉, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 제1 감지 전극 패턴부(60)가 교차하는 교차 영역의 하부에 위치하는 기판(10) 영역에 형성되어 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)가 브리지 패턴부(20)의 노출된 양측 단부 상에 형성되고 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 투명 도전 패턴부(70, 80) 상에 형성됨으로써 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 투명 도전 패턴부(70, 80)를 매개로 브리지 패턴부(20)에 의해 전기적으로 연결된다.The bridge pattern unit 20 is positioned below a partial area of the substrate 10, that is, an intersection area where the adjacent second sensing electrode pattern units 40 and 50 and the first sensing electrode pattern unit 60 intersect. (10), the transparent conductive pattern parts 70 and 80 are formed on both exposed ends of the bridge pattern part 20, and the adjacent second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are transparent conductive. By being formed on the pattern parts 70 and 80, adjacent second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are electrically connected by the bridge pattern part 20 via the transparent conductive pattern parts 70 and 80.

예를 들어, 브리지 패턴부(20)는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 은(Ag),구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상이 혼합되어 브리지 패턴부(20)로 사용될 수 있다.For example, the bridge pattern part 20 may include chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), gold (Au), tungsten (W), silver (Ag), copper (Cu) , metals selected from the group consisting of molybdenum (Mo) and APC; nanowires of a metal selected from the group consisting of gold, silver, copper and lead; It may be formed of a material selected from a carbon-based material selected from the group consisting of carbon nanotubes (CNT) and graphene, and these may be used alone or in combination of two or more to be used as the bridge pattern part 20 .

예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 몰리브덴(Mo)과 같이 식각 속도가 느린 물질이 적용되는 경우 패턴 형성에 대략 20~40초 정도의 시간이 소요되기 때문에, 브리지 패턴부(20)의 측면이 정 테이퍼진 형상(forward tapered profile)을 갖도록 조절하는 것이 용이하다.For example, when a material with a slow etching rate such as molybdenum (Mo) is applied as a material constituting the bridge pattern portion 20, since it takes about 20 to 40 seconds to form a pattern, the bridge pattern portion ( 20) is easy to adjust to have a forward tapered profile.

그러나 예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상(reverse tapered profile)을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극(air gap)이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 후술하는 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.However, for example, when a material such as Ag, Ag alloy, APC, etc. is applied as a material constituting the bridge pattern part 20, the pattern is formed within a very short time of about 2 seconds, and if this time is exceeded, the bridge Since the side surface of the pattern portion 20 is overetched as it approaches the substrate 10 to have a reverse tapered profile of an inverted trapezoid, the second sensing electrode pattern portion 40, 50), there is a problem in that an air gap may occur between the reverse tapered side surface of the bridge pattern portion 20 and the substrate 10. That is, the side surface of the bridge pattern part 20 and the substrate 10 form an acute angle with each other, so that the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed in the area covered by the bridge pattern part 20 during the sputtering process. Since the material constituting the is not formed, voids are generated. Since the transparent conductive pattern parts 70 and 80 to be described later are formed to permeate into this void region, electrical connection between the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the bridge pattern part 20 is not possible. , 80).

절연부(30)는 브리지 패턴부(20)의 일부가 노출되도록 브리지 패턴부(20) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제1 감지 전극 패턴부(60)를 전기적으로 절연시킨다. 절연부(30)의 구성에 있어서, 제4 실시 예는 제1 실시 예와 동일하다.The insulating part 30 is formed on the bridge pattern part 20 so that a part of the bridge pattern part 20 is exposed, and electrically insulates the bridge pattern part 20 from the first sensing electrode pattern part 60. . In terms of the configuration of the insulating unit 30, the fourth embodiment is the same as the first embodiment.

복수의 투명 도전 패턴부(70, 80)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역보다 넓은 면적을 가지면서 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 중첩되도록 브리지 패턴부(20)의 노출 영역과 절연부(30)의 양측 단부 및 브리지 패턴부(20)의 측면 인근의 기판(10) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 강화하는 기능을 수행한다.The plurality of transparent conductive pattern parts 70 and 80 have an area larger than the exposed area of the bridge pattern part 20 and are insulated from the exposed area of the bridge pattern part 20 so as to overlap with the exposed area of the bridge pattern part 20. It is formed on the substrate 10 near both ends of the portion 30 and the side surface of the bridge pattern portion 20, and electrical connection between the bridge pattern portion 20 and the second sensing electrode pattern portions 40 and 50 is established. perform a reinforcing function.

예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 투명 도전 패턴부(70, 80)는 예를 들어, 코팅 등의 방식으로 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.For example, when a material such as Ag, Ag alloy, APC, etc. is applied as a material constituting the bridge pattern part 20, a pattern is formed within a very short time of about 2 seconds, and if this time is exceeded, the bridge pattern Since the side surface of the portion 20 is overetched as it approaches the substrate 10 to have an inverted trapezoidal tapered shape, the bridge pattern in the process of forming the second sensing electrode pattern portions 40 and 50 by the sputtering method There is a problem that a gap may occur between the reverse tapered side of the portion 20 and the substrate 10 . That is, the side surface of the bridge pattern part 20 and the substrate 10 form an acute angle with each other, so that the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed in the area covered by the bridge pattern part 20 during the sputtering process. Since the material constituting the is not formed, voids are generated. Since the transparent conductive pattern parts 70 and 80 are formed so as to permeate the gap region by, for example, coating, electrical connection between the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the bridge pattern part 20 It is strengthened by this transparent conductive pattern part (70, 80).

예를 들어, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 AgNW(Ag Nano Wire)로 구성될 수 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 세로 방향 폭(H)은 브리지 패턴부(20)의 폭(a) 이상이고, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 가로 방향 폭(W)은 절연부(30)의 폭(b) 이상이 되도록 구성될 수 있다. 이와 같이 구성하면, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질이 브리지 패턴부(20), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)에 존재할 수 있는 균열 영역, 공극 영역 등에 스며들어 이 영역들을 채우게 되기 때문에, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 전기적 연결이 강화된다.For example, the transparent conductive pattern parts 70 and 80 may be made of AgNW (Ag Nano Wire), and the longitudinal width H of the transparent conductive pattern parts 70 and 80 is the width of the bridge pattern part 20. It may be greater than the width (a), and the transverse width (W) of the transparent conductive pattern portions 70 and 80 may be greater than or equal to the width (b) of the insulating portion 30 . In this configuration, the transparent conductive material constituting the transparent conductive pattern parts 70 and 80 may be present in the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50, such as crack areas and void areas. Since it permeates and fills these areas, the electrical connection between the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 is strengthened.

복수의 제1 감지 전극 패턴부(60)는 절연부(30) 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성되어 있다.The plurality of first sensing electrode pattern parts 60 are formed on the insulating part 30 to be electrically connected to each other along the first direction.

복수의 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 투명 도전 패턴과 기판(10)의 일부 영역 상에 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있다. 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 투명 도전 패턴부(70, 80)를 매개로 브리지 패턴부(20)에 접촉됨으로써 서로 전기적으로 연결된다.The plurality of second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed along a second direction crossing the first direction on a portion of the transparent conductive pattern and the substrate 10 . Adjacent second sensing electrode pattern portions 40 and 50 are electrically connected to each other by being in contact with the bridge pattern portion 20 via the transparent conductive pattern portions 70 and 80 .

도 6은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이다.6 is a diagram illustrating a touch sensor according to a fifth embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제5 실시 예에 따른 터치 센서는 기판(10), 브리지 패턴부(20), 절연부(30), 투명 도전 패턴부(70, 80), 제1 감지 전극 패턴부(60) 및 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 포함한다.Referring to FIG. 6 , the touch sensor according to the fifth embodiment of the present invention includes a substrate 10, a bridge pattern part 20, an insulating part 30, transparent conductive pattern parts 70 and 80, and a first sensing electrode. It includes a pattern part 60 and second sensing electrode pattern parts 40 and 50 .

본 발명의 제2 실시 예와 비교하여, 본 발명의 제5 실시 예는 투명 도전 패턴부(70, 80)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 형성 순서 및 그에 따른 구조적인 구성에 있어서 차이가 있으며, 이하에서는 중복되는 설명을 지양하기 위하여 가급적 상기 차이점에 초점을 맞추어 제5 실시 예를 설명한다. 제1 실시 예에 대한 설명중 상기 차이점을 제외한 부분에 대한 설명은 제5 실시 예에도 적용 가능하다.Compared to the second embodiment of the present invention, the fifth embodiment of the present invention depends on the formation order of the transparent conductive pattern parts 70 and 80 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the resulting structural configuration. There is a difference in the description, and hereinafter, the fifth embodiment will be described with a focus on the difference as much as possible in order to avoid overlapping descriptions. In the description of the first embodiment, the description of the parts except for the difference is also applicable to the fifth embodiment.

브리지 패턴부(20)는 기판(10)의 일부 영역 즉, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 제1 감지 전극 패턴부(60)가 교차하는 교차 영역의 하부에 위치하는 기판(10) 영역에 형성되어 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 물질이 브리지 패턴부(20)의 노출된 양측 단부에 위치하는 컨택홀에 채워지고 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 투명 도전 패턴부(70, 80) 상에 형성됨으로써 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 투명 도전 패턴부(70, 80)를 매개로 브리지 패턴부(20)에 의해 전기적으로 연결된다.The bridge pattern unit 20 is positioned below a partial area of the substrate 10, that is, an intersection area where the adjacent second sensing electrode pattern units 40 and 50 and the first sensing electrode pattern unit 60 intersect. It is formed in the area (10), and the material constituting the transparent conductive pattern parts 70 and 80 fills the contact holes located at the exposed ends of the bridge pattern part 20 and the adjacent second sensing electrode pattern part. As (40, 50) is formed on the transparent conductive pattern parts (70, 80), the adjacent second sensing electrode pattern parts (40, 50) are connected to the bridge pattern part (20) through the transparent conductive pattern parts (70, 80). ) is electrically connected by

예를 들어, 브리지 패턴부(20)는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 은(Ag),구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상이 혼합되어 브리지 패턴부(20)로 사용될 수 있다.For example, the bridge pattern part 20 may include chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), gold (Au), tungsten (W), silver (Ag), copper (Cu) , metals selected from the group consisting of molybdenum (Mo) and APC; nanowires of a metal selected from the group consisting of gold, silver, copper and lead; It may be formed of a material selected from a carbon-based material selected from the group consisting of carbon nanotubes (CNT) and graphene, and these may be used alone or in combination of two or more to be used as the bridge pattern part 20 .

예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 몰리브덴(Mo)과 같이 식각 속도가 느린 물질이 적용되는 경우 패턴 형성에 대략 20~40초 정도의 시간이 소요되기 때문에, 브리지 패턴부(20)의 측면이 정 테이퍼진 형상(forward tapered profile)을 갖도록 조절하는 것이 용이하다.For example, when a material with a slow etching rate such as molybdenum (Mo) is applied as a material constituting the bridge pattern portion 20, since it takes about 20 to 40 seconds to form a pattern, the bridge pattern portion ( 20) is easy to adjust to have a forward tapered profile.

그러나 예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상(reverse tapered profile)을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극(air gap)이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 후술하는 투명 도전 패턴부(70, 80)는 예를 들어, 코팅 등의 방식으로 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.However, for example, when a material such as Ag, Ag alloy, APC, etc. is applied as a material constituting the bridge pattern part 20, the pattern is formed within a very short time of about 2 seconds, and if this time is exceeded, the bridge Since the side surface of the pattern portion 20 is overetched as it approaches the substrate 10 to have a reverse tapered profile of an inverted trapezoid, the second sensing electrode pattern portion 40, 50), there is a problem in that an air gap may occur between the reverse tapered side surface of the bridge pattern portion 20 and the substrate 10. That is, the side surface of the bridge pattern part 20 and the substrate 10 form an acute angle with each other, so that the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed in the area covered by the bridge pattern part 20 during the sputtering process. Since the material constituting the is not formed, voids are generated. Since the transparent conductive pattern parts 70 and 80 to be described later are formed so as to permeate into the void region by, for example, coating, electricity between the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the bridge pattern part 20 The positive connection is reinforced by the transparent conductive pattern parts 70 and 80.

절연부(30)는 브리지 패턴부(20)의 일부가 노출되도록 브리지 패턴부(20) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제1 감지 전극 패턴부(60)를 전기적으로 절연시키는 기능을 수행한다. 제5 실시 예에 있어서, 절연부(30)는 브리지 패턴부(20)와 기판(10)의 전면 상에 형성되어 있고, 브리지 패턴부(20)의 양측 단부 상에 위치하는 절연부(30)에는 컨택홀이 형성되어 있고, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 컨택홀 및 이 컨택홀 인근의 절연부(30) 상에 형성되어 있다. 즉, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질은 컨택홀의 바닥에 위치하는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 접촉되도록 컨택홀에 채워지는 한편, 컨택홀 인근에 위치하는 절연부(30)의 일부 영역 상에 형성되어 있다.The insulating part 30 is formed on the bridge pattern part 20 so that a part of the bridge pattern part 20 is exposed, and electrically insulates the bridge pattern part 20 from the first sensing electrode pattern part 60. perform a function In the fifth embodiment, the insulating part 30 is formed on the entire surface of the bridge pattern part 20 and the substrate 10, and the insulating part 30 positioned on both ends of the bridge pattern part 20 A contact hole is formed therein, and the transparent conductive pattern portions 70 and 80 are formed on the contact hole and the insulating part 30 adjacent to the contact hole. That is, the transparent conductive material constituting the transparent conductive pattern parts 70 and 80 is filled in the contact hole so as to contact the exposed area of the bridge pattern part 20 located at the bottom of the contact hole, while the contact hole located near the contact hole It is formed on a partial area of the insulating part 30 .

복수의 투명 도전 패턴부(70, 80)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역 즉, 컨택홀보다 넓은 면적을 가지면서 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 중첩되도록 브리지 패턴부(20)의 노출 영역과 그 인근의 절연부(30) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 강화하는 기능을 수행한다.The plurality of transparent conductive pattern parts 70 and 80 have an area larger than the exposed area of the bridge pattern part 20, that is, the contact hole, and overlap the exposed area of the bridge pattern part 20. It is formed on the exposed area and the insulation part 30 adjacent thereto, and serves to reinforce the electrical connection between the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50.

예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 본 발명의 제5 실시 예에 따르면, 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 사이에는 투명 도전 패턴부(70, 80)가 존재하며, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 예를 들어, 코팅 등의 방식으로 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.For example, when a material such as Ag, Ag alloy, APC, etc. is applied as a material constituting the bridge pattern part 20, a pattern is formed within a very short time of about 2 seconds, and if this time is exceeded, the bridge pattern Since the side surface of the portion 20 is overetched as it approaches the substrate 10 to have an inverted trapezoidal tapered shape, the bridge pattern in the process of forming the second sensing electrode pattern portions 40 and 50 by the sputtering method There is a problem that a gap may occur between the reverse tapered side of the portion 20 and the substrate 10 . That is, the side surface of the bridge pattern part 20 and the substrate 10 form an acute angle with each other, so that the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed in the area covered by the bridge pattern part 20 during the sputtering process. Since the material constituting the is not formed, voids are generated. According to the fifth embodiment of the present invention, transparent conductive pattern parts 70 and 80 exist between the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the bridge pattern part 20, and the transparent conductive pattern parts 70 and 80, respectively. 80) is formed to permeate into this void region by, for example, a coating method, so that the electrical connection between the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the bridge pattern part 20 is the transparent conductive pattern part 70. , 80).

투명 도전 패턴부(70, 80)는 AgNW(Ag Nano Wire)로 구성될 수 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 세로 방향 폭(H)은 브리지 패턴부(20)의 폭(a) 이상이고, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 가로 방향 폭(W)은 상기 컨택홀의 폭(c) 이상이 되도록 구성될 수 있다. 이와 같이 구성하면, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질이 브리지 패턴부(20), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)에 존재할 수 있는 균열 영역, 공극 영역 등에 스며들어 이 영역들을 채우게 되기 때문에, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 전기적 연결이 강화된다.The transparent conductive pattern parts 70 and 80 may be made of AgNW (Ag Nano Wire), and the longitudinal width (H) of the transparent conductive pattern parts 70 and 80 is the width (a) of the bridge pattern part 20 In this case, the width W of the transparent conductive pattern parts 70 and 80 in the horizontal direction may be greater than or equal to the width c of the contact hole. In this configuration, the transparent conductive material constituting the transparent conductive pattern parts 70 and 80 may be present in the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50, such as crack areas and void areas. Since it permeates and fills these areas, the electrical connection between the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 is strengthened.

도 7은 본 발명의 제6 실시 예에 따른 터치 센서를 나타낸 도면이다.7 is a diagram illustrating a touch sensor according to a sixth embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제6 실시 예에 따른 터치 센서는 기판(10), 브리지 패턴부(20), 절연부(30), 투명 도전 패턴부(70, 80), 제1 감지 전극 패턴부(60) 및 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 포함한다.Referring to FIG. 7 , the touch sensor according to the sixth embodiment of the present invention includes a substrate 10, a bridge pattern part 20, an insulating part 30, transparent conductive pattern parts 70 and 80, and a first sensing electrode. It includes a pattern part 60 and second sensing electrode pattern parts 40 and 50 .

본 발명의 제3 실시 예와 비교하여, 본 발명의 제6 실시 예는 투명 도전 패턴부(70, 80)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 형성 순서 및 그에 따른 구조적인 구성에 있어서 차이가 있으며, 이하에서는 중복되는 설명을 지양하기 위하여 가급적 상기 차이점에 초점을 맞추어 제6 실시 예를 설명한다. 제3 실시 예에 대한 설명중 상기 차이점을 제외한 부분에 대한 설명은 제6 실시 예에도 적용 가능하다.Compared to the third embodiment of the present invention, the sixth embodiment of the present invention depends on the formation order of the transparent conductive pattern parts 70 and 80 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the resulting structural configuration. There is a difference in the description, and hereinafter, the sixth embodiment will be described with a focus on the difference as much as possible in order to avoid overlapping descriptions. In the description of the third embodiment, the description of the parts excluding the above differences is also applicable to the sixth embodiment.

브리지 패턴부(20)는 기판(10)의 일부 영역 즉, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 제1 감지 전극 패턴부(60)가 교차하는 교차 영역의 하부에 위치하는 기판(10) 영역에 형성되어 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질이 브리지 패턴부(20)의 양측 단부에 위치하는 컨택홀에 채워져 브리지 패턴부(20)에 접촉됨으로써, 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)가 투명 도전 패턴부(70, 80)를 매개로 브리지 패턴부(20)에 의해 전기적으로 연결된다.The bridge pattern unit 20 is positioned below a partial area of the substrate 10, that is, an intersection area where the adjacent second sensing electrode pattern units 40 and 50 and the first sensing electrode pattern unit 60 intersect. It is formed in the area (10) and the transparent conductive material constituting the transparent conductive pattern parts 70 and 80 fills the contact holes located at both ends of the bridge pattern part 20 to contact the bridge pattern part 20. As a result, adjacent second sensing electrode pattern portions 40 and 50 are electrically connected by the bridge pattern portion 20 via the transparent conductive pattern portions 70 and 80 .

예를 들어, 브리지 패턴부(20)는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 은(Ag),구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상이 혼합되어 브리지 패턴부(20)로 사용될 수 있다.For example, the bridge pattern part 20 may include chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), gold (Au), tungsten (W), silver (Ag), copper (Cu) , metals selected from the group consisting of molybdenum (Mo) and APC; nanowires of a metal selected from the group consisting of gold, silver, copper and lead; It may be formed of a material selected from a carbon-based material selected from the group consisting of carbon nanotubes (CNT) and graphene, and these may be used alone or in combination of two or more to be used as the bridge pattern part 20 .

예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 몰리브덴(Mo)과 같이 식각 속도가 느린 물질이 적용되는 경우 패턴 형성에 대략 20~40초 정도의 시간이 소요되기 때문에, 브리지 패턴부(20)의 측면이 정 테이퍼진 형상(forward tapered profile)을 갖도록 조절하는 것이 용이하다.For example, when a material with a slow etching rate such as molybdenum (Mo) is applied as a material constituting the bridge pattern portion 20, since it takes about 20 to 40 seconds to form a pattern, the bridge pattern portion ( 20) is easy to adjust to have a forward tapered profile.

그러나 예를 들어, 브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상(reverse tapered profile)을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극(air gap)이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 후술하는 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.However, for example, when a material such as Ag, Ag alloy, APC, etc. is applied as a material constituting the bridge pattern part 20, the pattern is formed within a very short time of about 2 seconds, and if this time is exceeded, the bridge Since the side surface of the pattern portion 20 is overetched as it approaches the substrate 10 to have a reverse tapered profile of an inverted trapezoid, the second sensing electrode pattern portion 40, 50), there is a problem in that an air gap may occur between the reverse tapered side surface of the bridge pattern portion 20 and the substrate 10. That is, the side surface of the bridge pattern part 20 and the substrate 10 form an acute angle with each other, so that the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed in the area covered by the bridge pattern part 20 during the sputtering process. Since the material constituting the is not formed, voids are generated. Since the transparent conductive pattern parts 70 and 80 to be described later are formed to permeate into this void region, electrical connection between the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the bridge pattern part 20 is not possible. , 80).

절연부(30)는 브리지 패턴부(20)의 일부가 노출되도록 브리지 패턴부(20) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제1 감지 전극 패턴부(60)를 전기적으로 절연시키는 기능을 수행한다. 제5 실시 예와 달리 제6 실시 예에 따르면, 절연부(30)는 브리지 패턴부(20)를 포함하는 기판(10)의 전면에 형성되지 않고, 브리지 패턴부(20)를 덮도록 형성된 섬 형상을 갖고, 브리지 패턴부(20)의 양측 단부 상에 위치하는 절연부(30)에는 컨택홀이 형성되어 있고, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되어 있다. 즉, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질은 컨택홀의 바닥에 위치하는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 접촉되도록 컨택홀에 채워지는 한편, 컨택홀 인근에 위치하는 절연부(30)와 기판(10)의 일부 영역 상에 형성된다.The insulating part 30 is formed on the bridge pattern part 20 so that a part of the bridge pattern part 20 is exposed, and electrically insulates the bridge pattern part 20 from the first sensing electrode pattern part 60. perform a function Unlike the fifth embodiment, according to the sixth embodiment, the insulating part 30 is not formed on the entire surface of the substrate 10 including the bridge pattern part 20, but is formed to cover the bridge pattern part 20. Contact holes are formed in the insulating portion 30 having a shape and positioned on both ends of the bridge pattern portion 20, and the transparent conductive pattern portions 70 and 80 are formed in regions including the contact holes. . That is, the transparent conductive material constituting the transparent conductive pattern parts 70 and 80 is filled in the contact hole so as to contact the exposed area of the bridge pattern part 20 located at the bottom of the contact hole, while the contact hole located near the contact hole It is formed on the insulating part 30 and a partial region of the substrate 10 .

복수의 투명 도전 패턴부(70, 80)는 브리지 패턴부(20)의 노출 영역 즉, 컨택홀보다 넓은 면적을 가지면서 브리지 패턴부(20)의 노출 영역에 중첩되도록 브리지 패턴부(20)의 노출 영역과 노출 영역 인근의 절연부(30) 및 브리지 패턴부(20)의 측면 인근의 기판(10) 상에 형성되어 있으며, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50) 간의 전기적 연결을 강화하는 기능을 수행한다.The plurality of transparent conductive pattern parts 70 and 80 have an area larger than the exposed area of the bridge pattern part 20, that is, the contact hole, and overlap the exposed area of the bridge pattern part 20. It is formed on the substrate 10 near the exposed area, the insulating part 30 near the exposed area, and the side surface of the bridge pattern part 20, and the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 ) performs the function of strengthening the electrical connection between

브리지 패턴부(20)를 구성하는 물질로 Ag, Ag 합금, APC 등과 같은 물질이 적용되는 경우 대략 2초 정도의 매우 짧은 시간 내에 패턴이 형성되며, 이 시간을 초과하는 경우 브리지 패턴부(20)의 측면이 기판(10)에 근접할수록 과식각되어 역 사다리꼴의 역 테이퍼진 형상을 갖게 되기 때문에, 스퍼터링 방식으로 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부(20)의 역 테이퍼진 측면과 기판(10) 사이에는 공극이 발생할 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 브리지 패턴부(20)의 측면과 기판(10)이 서로 예각을 이루게 되며, 이로 인해 스퍼터링 과정에서 브리지 패턴부(20)에 의해 가려지는 영역에는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)를 구성하는 물질이 형성되지 않아 공극이 발생하게 된다. 투명 도전 패턴부(70, 80)는 이 공극 영역에 스며들도록 형성되기 때문에 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)와 브리지 패턴부(20) 간의 전기적인 연결이 투명 도전 패턴부(70, 80)에 의해 강화된다.When a material such as Ag, Ag alloy, APC, etc. is applied as a material constituting the bridge pattern part 20, a pattern is formed within a very short time of about 2 seconds, and if this time is exceeded, the bridge pattern part 20 Since the side of the side is overetched as it approaches the substrate 10 to have an inverted trapezoidal tapered shape, in the process of forming the second sensing electrode pattern portions 40 and 50 by the sputtering method, the bridge pattern portion 20 There is a problem that a gap may occur between the reverse tapered side of the substrate 10. That is, the side surface of the bridge pattern part 20 and the substrate 10 form an acute angle with each other, so that the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed in the area covered by the bridge pattern part 20 during the sputtering process. Since the material constituting the is not formed, voids are generated. Since the transparent conductive pattern parts 70 and 80 are formed so as to permeate the gap region, electrical connection between the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 and the bridge pattern part 20 is not possible. ) is reinforced by

예를 들어, 투명 도전 패턴부(70, 80)는 AgNW(Ag Nano Wire)로 구성될 수 있으며, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 세로 방향 폭(H)은 브리지 패턴부(20)의 폭(a) 이상이고, 투명 도전 패턴부(70, 80)의 가로 방향 폭(W)은 상기 컨택홀의 폭(c) 이상이 되도록 구성될 수 있다. 이와 같이 구성하면, 투명 도전 패턴부(70, 80)를 구성하는 투명 도전성의 물질이 브리지 패턴부(20), 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)에 존재할 수 있는 균열 영역, 공극 영역 등에 스며들어 이 영역들을 채우게 되기 때문에, 브리지 패턴부(20)와 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)의 전기적 연결이 강화된다.For example, the transparent conductive pattern parts 70 and 80 may be made of AgNW (Ag Nano Wire), and the longitudinal width H of the transparent conductive pattern parts 70 and 80 is the width of the bridge pattern part 20. It may be greater than the width (a), and the transverse width (W) of the transparent conductive pattern portions 70 and 80 may be greater than or equal to the width (c) of the contact hole. In this configuration, the transparent conductive material constituting the transparent conductive pattern parts 70 and 80 may be present in the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50, such as crack areas and void areas. Since it permeates and fills these areas, the electrical connection between the bridge pattern part 20 and the second sensing electrode pattern parts 40 and 50 is strengthened.

복수의 제1 감지 전극 패턴부(60)는 절연부(30) 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성되어 있다.The plurality of first sensing electrode pattern parts 60 are formed on the insulating part 30 to be electrically connected to each other along the first direction.

복수의 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 투명 도전 패턴과 기판(10)의 일부 영역 상에 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있다. 인접하는 제2 감지 전극 패턴부(40, 50)는 투명 도전 패턴부(70, 80)를 매개로 브리지 패턴부(20)에 접촉됨으로써 서로 전기적으로 연결된다.The plurality of second sensing electrode pattern parts 40 and 50 are formed along a second direction crossing the first direction on a portion of the transparent conductive pattern and the substrate 10 . Adjacent second sensing electrode pattern portions 40 and 50 are electrically connected to each other by being in contact with the bridge pattern portion 20 via the transparent conductive pattern portions 70 and 80 .

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 브리지 패턴부와 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결이 안정화되고, 채널 저항 및 이에 따른 신호 지연 시간이 감소되어 터치 센서의 동작 속도가 향상되는 효과가 있다.As described in detail above, according to the present invention, the electrical connection between the bridge pattern part and the sensing electrode pattern part is stabilized, and the channel resistance and thus the signal delay time are reduced, thereby improving the operation speed of the touch sensor.

또한, 고전압 환경에서 브리지 패턴부가 단선되는 문제를 효과적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, there is an effect of effectively preventing a problem in which the bridge pattern part is disconnected in a high voltage environment.

또한, 브리지 패턴부의 역 테이퍼진 측면 형상으로 인하여 스퍼터링 방식으로 감지 전극 패턴부를 형성하는 과정에서 브리지 패턴부와 기판과의 사이에 공극이 발생하고, 이 공극으로 인하여 브리지 패턴부와 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결이 불안정해지는 문제를 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, due to the reverse tapered lateral shape of the bridge pattern part, a gap is generated between the bridge pattern part and the substrate in the process of forming the sensing electrode pattern part by the sputtering method. There is an effect of preventing a problem in which the electrical connection becomes unstable.

10: 기판
20: 브리지 패턴부
30: 절연부
40, 50: 제2 감지 전극 패턴부
60: 제1 감지 전극 패턴부
70, 80: 투명 도전 패턴부
10: substrate
20: bridge pattern part
30: insulation
40, 50: second sensing electrode pattern part
60: first sensing electrode pattern part
70, 80: transparent conductive pattern part

Claims (20)

기판 상에 형성된 브리지 패턴부;
상기 브리지 패턴부의 일부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 절연부;
상기 절연부 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 복수의 제1 감지 전극 패턴부;
상기 브리지 패턴부의 노출 영역과 상기 절연부 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며 상기 브리지 패턴부의 노출 영역과의 접촉에 의해 전기적으로 연결되는 복수의 제2 감지 전극 패턴부; 및
상기 브리지 패턴부의 노출 영역보다 넓은 면적을 가지면서 상기 제2 감지 전극 패턴부 상에 형성되어 있으며, 상기 브리지 패턴부와 상기 제2 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결을 강화하는 복수의 투명 도전 패턴부를 포함하며,
상기 브리지 패턴부는, Ag, Ag 합금 및 APC로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
a bridge pattern portion formed on the substrate;
an insulating portion formed on the bridge pattern portion to expose a portion of the bridge pattern portion;
a plurality of first sensing electrode pattern portions formed on the insulating portion to be electrically connected to each other along a first direction;
A plurality of second sensing electrode pattern parts formed on the exposed area of the bridge pattern part and the insulating part along a second direction crossing the first direction and electrically connected by contact with the exposed area of the bridge pattern part ; and
A plurality of transparent conductive pattern parts formed on the second sensing electrode pattern part having an area larger than the exposed area of the bridge pattern part and reinforcing the electrical connection between the bridge pattern part and the second sensing electrode pattern part and
The bridge pattern part is characterized in that composed of a material containing at least one selected from the group consisting of Ag, Ag alloy and APC, touch sensor.
제1항에 있어서,
상기 절연부는 상기 브리지 패턴부의 양측 단부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 섬(island) 형상을 갖고,
상기 제2 감지 전극 패턴부는 상기 브리지 패턴부의 노출된 양측 단부를 포함하는 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 1,
The insulating part has an island shape formed on the bridge pattern part so that both ends of the bridge pattern part are exposed,
The second sensing electrode pattern part is characterized in that formed in the region including the exposed both ends of the bridge pattern part, the touch sensor.
제2항에 있어서,
상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고,
상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 절연부의 폭 이상인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 2,
The width of the transparent conductive pattern part in the longitudinal direction is greater than or equal to the width of the bridge pattern part,
The touch sensor, characterized in that the width of the transparent conductive pattern portion in the horizontal direction is greater than or equal to the width of the insulating portion.
제1항에 있어서,
상기 절연부는 상기 브리지 패턴부와 상기 기판의 전면 상에 형성되어 있고,
상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고,
상기 제2 감지 전극 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 1,
The insulating portion is formed on the bridge pattern portion and the entire surface of the substrate,
A contact hole is formed in the insulating portion located on both ends of the bridge pattern portion,
The second sensing electrode pattern part is formed in an area including the contact hole, the touch sensor.
제4항에 있어서,
상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고,
상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 4,
The width of the transparent conductive pattern part in the longitudinal direction is greater than or equal to the width of the bridge pattern part,
The touch sensor, characterized in that the width of the transparent conductive pattern portion in the horizontal direction is greater than or equal to the width of the contact hole.
제1항에 있어서,
상기 절연부는 상기 브리지 패턴부를 덮도록 형성된 섬 형상을 갖고,
상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고,
상기 제2 감지 전극 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 1,
The insulating part has an island shape formed to cover the bridge pattern part,
A contact hole is formed in the insulating portion located on both ends of the bridge pattern portion,
The second sensing electrode pattern part is formed in an area including the contact hole, the touch sensor.
제6항에 있어서,
상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고,
상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 6,
The width of the transparent conductive pattern part in the longitudinal direction is greater than or equal to the width of the bridge pattern part,
The touch sensor, characterized in that the width of the transparent conductive pattern portion in the horizontal direction is greater than or equal to the width of the contact hole.
제1항에 있어서,
상기 브리지 패턴부의 측면과 상기 기판은 예각을 이루는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 1,
The touch sensor, characterized in that the side surface of the bridge pattern portion and the substrate form an acute angle.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 투명 도전 패턴부는 AgNW 인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 1,
The touch sensor, characterized in that the transparent conductive pattern portion is AgNW.
기판 상에 형성된 브리지 패턴부;
상기 브리지 패턴의 일부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 절연부;
상기 브리지 패턴부의 노출 영역과 상기 절연부의 일부를 포함하는 영역 상에 형성된 복수의 투명 도전 패턴부;
상기 절연부 상에 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 복수의 제1 감지 전극 패턴부; 및
상기 투명 도전 패턴부를 포함하는 영역 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 형성되어 있으며 상기 투명 도전 패턴부를 매개로 상기 브리지 패턴부에 접촉됨으로써 전기적으로 연결되는 복수의 제2 감지 전극 패턴부를 포함하고,
상기 투명 도전 패턴부는
상기 브리지 패턴부의 노출 영역보다 넓은 면적을 가지도록 형성되어 상기 브리지 패턴부와 상기 제2 감지 전극 패턴부 간의 전기적 연결을 강화하며,
상기 브리지 패턴부는, Ag, Ag 합금 및 APC로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
a bridge pattern portion formed on the substrate;
an insulating portion formed on the bridge pattern portion to expose a portion of the bridge pattern;
a plurality of transparent conductive pattern parts formed on an area including an exposed area of the bridge pattern part and a part of the insulating part;
a plurality of first sensing electrode pattern portions formed on the insulating portion to be electrically connected to each other along a first direction; and
A plurality of second sensing electrode patterns formed on a region including the transparent conductive pattern part along a second direction crossing the first direction and electrically connected by being in contact with the bridge pattern part through the transparent conductive pattern part including wealth,
The transparent conductive pattern part
It is formed to have a larger area than the exposed area of the bridge pattern part to strengthen the electrical connection between the bridge pattern part and the second sensing electrode pattern part;
The bridge pattern part is characterized in that composed of a material containing at least one selected from the group consisting of Ag, Ag alloy and APC, touch sensor.
제11항에 있어서,
상기 절연부는 상기 브리지 패턴부의 양측 단부가 노출되도록 상기 브리지 패턴부 상에 형성된 섬 형상을 갖고,
상기 투명 도전 패턴부는 상기 브리지 패턴부의 노출된 양측 단부를 포함하는 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 11,
The insulating part has an island shape formed on the bridge pattern part so that both ends of the bridge pattern part are exposed,
The touch sensor, characterized in that the transparent conductive pattern portion is formed in a region including both ends exposed of the bridge pattern portion.
제12항에 있어서,
상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고,
상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 절연부의 폭 이상인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 12,
The width of the transparent conductive pattern part in the longitudinal direction is greater than or equal to the width of the bridge pattern part,
The touch sensor, characterized in that the width of the transparent conductive pattern portion in the horizontal direction is greater than or equal to the width of the insulating portion.
제11항에 있어서,
상기 절연부는 상기 브리지 패턴부와 상기 기판의 전면 상에 형성되어 있고,
상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고,
상기 투명 도전 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 11,
The insulating portion is formed on the bridge pattern portion and the entire surface of the substrate,
A contact hole is formed in the insulating portion located on both ends of the bridge pattern portion,
The touch sensor, characterized in that the transparent conductive pattern portion is formed in a region including the contact hole.
제14항에 있어서,
상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고,
상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 14,
The width of the transparent conductive pattern part in the longitudinal direction is greater than or equal to the width of the bridge pattern part,
The touch sensor, characterized in that the width of the transparent conductive pattern portion in the horizontal direction is greater than or equal to the width of the contact hole.
제11항에 있어서,
상기 절연부는 상기 브리지 패턴부를 덮도록 형성된 섬 형상을 갖고,
상기 브리지 패턴부의 양측 단부 상에 위치하는 절연부에는 컨택홀이 형성되어 있고,
상기 투명 도전 패턴부는 상기 컨택홀을 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 11,
The insulating part has an island shape formed to cover the bridge pattern part,
A contact hole is formed in the insulating portion located on both ends of the bridge pattern portion,
The touch sensor, characterized in that the transparent conductive pattern portion is formed in a region including the contact hole.
제16항에 있어서,
상기 투명 도전 패턴부의 세로 방향 폭은 상기 브리지 패턴부의 폭 이상이고,
상기 투명 도전 패턴부의 가로 방향 폭은 상기 컨택홀의 폭 이상인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 16,
The width of the transparent conductive pattern part in the longitudinal direction is greater than or equal to the width of the bridge pattern part,
The touch sensor, characterized in that the width of the transparent conductive pattern portion in the horizontal direction is greater than or equal to the width of the contact hole.
제11항에 있어서,
상기 브리지 패턴부의 측면과 상기 기판은 예각을 이루는 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 11,
The touch sensor, characterized in that the side surface of the bridge pattern portion and the substrate form an acute angle.
삭제delete 제11항에 있어서,
상기 투명 도전 패턴부는 AgNW 인 것을 특징으로 하는, 터치 센서.
According to claim 11,
The touch sensor, characterized in that the transparent conductive pattern portion is AgNW.
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KR101926529B1 (en) 2012-04-16 2018-12-10 엘지이노텍 주식회사 Touch panel and manufacturing method thereof
KR101395195B1 (en) * 2012-06-11 2014-05-15 양희봉 Touch screen having mesh patterned electrodes
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