KR102516289B1 - Nano particle composite, gas sensor comprising the same and producing method of the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 그래핀 양자점; 도파민; 및 금속 산화물 나노 입자를 포함하는 나노 입자 복합체, 이를 포함하는 가스 센서 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention graphene quantum dots; dopamine; and a nanoparticle composite including metal oxide nanoparticles, a gas sensor including the same, and a method for manufacturing the same.
Description
본 발명은 나노 입자 복합체, 이를 포함하는 가스 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 그래핀 양자점, 도파민 및 금속 산화물 나노 입자를 포함하는 나노 입자 복합체, 및 이를 채용하여 가스 감지 특성이 향상된 가스 센서, 및 나노 입자 복합체의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nanoparticle composite, a gas sensor including the same, and a method for manufacturing the same. Specifically, it relates to a nanoparticle composite including graphene quantum dots, dopamine, and metal oxide nanoparticles, a gas sensor having improved gas sensing characteristics using the same, and a method for manufacturing the nanoparticle composite.
가스 감지용 산화물 반도체는 반응가스에 대하여 우수한 반응성, 안정성, 내구성 및 생산성을 나타내기 때문에 벌크(Bulk), 후막, 칩(Chip) 및 박막 형태로 연구 및 개발되고 있다. 이러한 산화물 반도체 가스센서의 반응가스에 대한 가스 감지 특성은 산화물 표면에 반응가스가 흡/탈착시 발생하는 가역적 화학반응에 의하여 반도체 산화물의 전기적 특성이 변화하는 것에 기인한다.Oxide semiconductors for gas sensing are being researched and developed in bulk, thick film, chip, and thin film forms because they exhibit excellent reactivity, stability, durability, and productivity with respect to reaction gases. The gas sensing characteristic of the oxide semiconductor gas sensor for the reactive gas is due to the change in electrical characteristics of the semiconductor oxide due to a reversible chemical reaction that occurs when the reactive gas is adsorbed/desorbed from the surface of the oxide.
그러나, 종래의 산화물 반도체 가스센서의 경우 재료가 제한적이고, 반응가스에 대한 응답 및 회복속도가 빠르지 못한 단점이 있었으며, 이러한 단점을 향상시키기 위해 귀금속 촉매를 이용하는 시도 및 연구가 진행되고 있으나, 귀금속 촉매의 사용은 제조비용을 상승시키는 단점이 있었다.However, in the case of the conventional oxide semiconductor gas sensor, there are disadvantages in that the material is limited and the response and recovery rate for the reaction gas are not fast. The use of has the disadvantage of increasing the manufacturing cost.
또한, 상기 산화물 반도체에 탄소 나노 물질(예를 들어, 탄소 나노 튜브(CNT), 그래핀, 또는 환원된 그래핀)를 도입하여, 기능화(functionalization)를 시도한 복합 구조체가 연구되었으나, 이 또한 복잡한 합성 공정에 따른 고비용, 원하는 탄소 물질의 순도, 작은 밴드 갭으로 인한 낮은 온-오프 전류비, 낮은 가스 농도에서의 선택성 불량과 같은 문제점이 있었다.In addition, a complex structure in which functionalization is attempted by introducing a carbon nanomaterial (eg, carbon nanotube (CNT), graphene, or reduced graphene) into the oxide semiconductor has been studied, but this is also a complicated synthesis. There were problems such as high cost according to the process, purity of the desired carbon material, low on-off current ratio due to a small band gap, and poor selectivity at low gas concentrations.
한 측면은 그래핀 양자점, 도파민 및 금속 산화물 나노 입자를 포함한 신규한 나노 입자 복합체를 제공하는 것이다.One aspect is to provide novel nanoparticle composites comprising graphene quantum dots, dopamine and metal oxide nanoparticles.
다른 한 측면은 상술한 나노 입자 복합체를 가스 감지 물질로 채용하여 가스 감지 특성이 향상된 가스 센서를 제공하는 것이다.Another aspect is to provide a gas sensor having improved gas sensing characteristics by employing the above-described nanoparticle composite as a gas sensing material.
또 다른 한측면은 상술한 나노 입자 복합체의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another aspect is to provide a method for preparing the above-described nanoparticle composite.
일 측면에서, 본 발명은, 그래핀 양자점(quantum dot);In one aspect, the present invention, graphene quantum dots (quantum dot);
도파민(dopamine); 및dopamine; and
금속 산화물 나노 입자를 포함하는 나노 입자 복합체를 제공한다.A nanoparticle composite comprising metal oxide nanoparticles is provided.
일 구현예에 있어서, 상기 도파민은 상기 그래핀 양자점 표면에 결합될 수 있다.In one embodiment, the dopamine may be bound to the surface of the graphene quantum dots.
예를 들어, 상기 도파민은 하기 화학식 1로 표시되고, 하기 화학식 1 중 "-NH2" 모이어티가 상기 그래핀 양자점 표면에 결합될 수 있다:For example, the dopamine is represented by the following Chemical Formula 1, and in the following Chemical Formula 1, a “—NH 2 ” moiety may be bonded to the surface of the graphene quantum dots:
<화학식 1><
일 구현예에 있어서, 상기 그래핀 양자점은 상기 금속 산화물 나노 입자 표면에 부착될 수 있다.In one embodiment, the graphene quantum dots may be attached to the surface of the metal oxide nanoparticles.
일 구현예에 있어서, 상기 그래핀 양자점 중 상기 도파민이 결합되는 부위가 아닌 부위가 상기 금속 산화물 나노 입자 표면에 부착될 수 있다.In one embodiment, a portion of the graphene quantum dots other than a portion to which the dopamine is bound may be attached to the surface of the metal oxide nanoparticle.
일 구현예에 있어서, 상기 그래핀 양자점은 평균 입경(D50) 범위가 1 내지 5 nm일 수 있다.In one embodiment, the graphene quantum dots may have an average particle diameter (D50) in the range of 1 to 5 nm.
일 구현예에 있어서, 상기 그래핀 양자점은 밴드 갭(band gap)이 2.2 내지 3.1 eV일 수 있다.In one embodiment, the graphene quantum dots may have a band gap of 2.2 to 3.1 eV.
일 구현예에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 입자는 Ag, Ni, Si, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Sn, In, Pt, Au, 및 Mg 중 선택된 하나 이상의 산화물일 수 있다.In one embodiment, the metal oxide nanoparticles may be one or more oxides selected from Ag, Ni, Si, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Sn, In, Pt, Au, and Mg.
일 구현예에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 입자는 평균 입경(D50) 범위가 1 내지 5 nm일 수 있다.In one embodiment, the metal oxide nanoparticles may have an average particle diameter (D50) in the range of 1 to 5 nm.
예를 들어, 상기 금속 산화물 나노 입자의 표면에 공핍 영역(depletion region)을 포함할 수 있다.For example, a depletion region may be included on the surface of the metal oxide nanoparticle.
다른 측면에서, 본 발명은 상술한 나노 입자 복합체를 포함하는, 가스 센서를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a gas sensor comprising the above-described nanoparticle composite.
일 구현예에 있어서, 상기 가스 센서는 산화 질소(NOx (0<x≤2)) 기체를 감지할 수 있다.In one embodiment, the gas sensor may detect nitrogen oxide (NO x (0<x≤2)) gas.
또 다른 측면에서, 본 발명은 상술한 나노 입자 복합체를 제조하는 방법으로,In another aspect, the present invention is a method for preparing the above-described nanoparticle composite,
(A) 도파민을 산 처리하여, 도파민이 코팅된 그래핀 양자점을 합성하는 과정; 및(A) acid treatment of dopamine to synthesize dopamine-coated graphene quantum dots; and
(B) 상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점 및 금속 산화물 나노 입자를 혼합하여, 나노 입자 복합체를 제조하는 과정;을 포함하는, 나노 입자 복합체의 제조 방법을 제공한다.(B) mixing the dopamine-coated graphene quantum dots and metal oxide nanoparticles to prepare a nanoparticle composite;
일 구현예에 있어서, 상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점은 수열 합성(hydrothermal synthesis) 방법에 의해 합성될 수 있다.In one embodiment, the graphene quantum dots coated with dopamine may be synthesized by a hydrothermal synthesis method.
일 구현예에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 입자는 가열 합성(heat up synthesis) 방법에 의해 합성될 수 있다.In one embodiment, the metal oxide nanoparticles may be synthesized by a heat up synthesis method.
일 구현예에 있어서, 상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점 및 금속 산화물 나노 입자는 CHCl3 용매 하에서 혼합될 수 있다.In one embodiment, the dopamine-coated graphene quantum dots and metal oxide nanoparticles may be mixed in a CHCl 3 solvent.
일 구현예에 있어서, 상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점 및 금속 산화물 나노 입자를 혼합한 후, 혼합물을 스핀 코팅하는 과정을 더 수행할 수 있다.In one embodiment, after mixing the dopamine-coated graphene quantum dots and metal oxide nanoparticles, a process of spin coating the mixture may be further performed.
예를 들어, 상기 스핀 코팅 이후, 상기 혼합물을 열처리하는 과정을 더 수행할 수 있다.For example, after the spin coating, heat treatment of the mixture may be further performed.
본 발명의 나노 입자 복합체는 그래핀 양자점; 도파민 및 금속 산화물 나노 입자를 함께 포함하는 것으로, 이를 가스 센서에 적용할 경우, 저온에서도 저농도의 가스를 용이하게 감지하는 효과를 발휘할 수 있다.The nanoparticle composite of the present invention is graphene quantum dots; Dopamine and metal oxide nanoparticles are included together, and when applied to a gas sensor, an effect of easily detecting a low-concentration gas can be exhibited even at a low temperature.
도 1은 일 구현예에 따른 나노 입자 복합체의 모식도이다.
도 2는 일 구현예에 따른 나노 입자 복합체의 제조 과정 및 이를 포함한 가스 센서의 가스 감지 원리를 나타낸 모식도이다.
도 3은 합성예 1에서 합성된 나노 입자 복합체의 NMR그래프이다.
도 4는 합성예 1에서 합성된 나노 입자 복합체의 XRD스펙트럼이다.
도 5a 및 도 5b는 합성예 1에서 합성된 나노 입자 복합체의 FT-IR 스펙트럼이다.
도 6a 및 도 6b는 실시예 1의 가스 센서의 온도에 따른 NOx 가스 감지 반응 능력을 측정한 그래프이다.
도 7a 및 도 7b는 비교예 2의 가스 센서의 온도에 따른 NOx 가스 감지 반응 능력을 측정한 그래프이다.
도 8은 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2의 가스 센서의 가스 감지 반응 능력을 비교 측정한 그래프이다.
도 9는 실시예 1의 가스 센서의 반복적인 가스 감지 반응 능력을 측정한 그래프이다.
도 10은 실시예 1의 가스 센서의 가스 농도에 따른 NOx 가스 감지 반응 능력을 측정한 그래프이다.
도 11은 실시예 1의 가스 센서의 검출 한도를 측정한 그래프이다.1 is a schematic diagram of a nanoparticle composite according to an embodiment.
2 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a nanoparticle composite according to an embodiment and a gas sensing principle of a gas sensor including the same.
3 is an NMR graph of the nanoparticle composite synthesized in Synthesis Example 1.
4 is an XRD spectrum of the nanoparticle composite synthesized in Synthesis Example 1.
5a and 5b are FT-IR spectra of the nanoparticle composite synthesized in Synthesis Example 1.
6A and 6B are graphs measuring the NO x gas sensing response capability according to the temperature of the gas sensor of Example 1.
7A and 7B are graphs measuring the NO x gas sensing reaction capability according to the temperature of the gas sensor of Comparative Example 2.
8 is a graph comparing and measuring gas sensing response capabilities of the gas sensors of Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2;
9 is a graph measuring the repetitive gas sensing response capability of the gas sensor of Example 1;
10 is a graph measuring the NO x gas sensing reaction capability according to the gas concentration of the gas sensor of Example 1;
11 is a graph measuring the detection limit of the gas sensor of Example 1.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Since the present invention can apply various transformations and have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, it should be understood that this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and includes all transformations, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. Terms are only used to distinguish one component from another.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 각 도면에서, 구성요소는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.Terms used in this application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, in each drawing, components are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description, and the size of each component does not entirely reflect the actual size.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are assigned the same reference numerals and overlapping descriptions thereof will be omitted. do.
나노 입자 복합체nanoparticle complex
일 측면에서, 본 발명은, 그래핀 양자점(quantum dot); 도파민(dopamine); 및 금속 산화물 나노 입자를 포함하는 나노 입자 복합체를 제공한다.In one aspect, the present invention, graphene quantum dots (quantum dot); dopamine; and a nanoparticle composite comprising metal oxide nanoparticles.
상기 그래핀 양자점은 그래핀과 유사한 전기적 전자적 특성에 의해 다양한 분야에 사용될 수 있으며, 나아가 그래핀 양자점은 더 작은 0차원 크기를 가져, 높은 전자 이동도, 큰 밴드 갭을 갖고, 표면 원자의 반응성이 높다는 특성이 있다. 이러한 특성에 의해, 가스 감지 능력이 매우 뛰어날 수 있다.The graphene quantum dots can be used in various fields due to electrical and electronic properties similar to those of graphene, and furthermore, the graphene quantum dots have a smaller 0-dimensional size, high electron mobility, a large band gap, and the reactivity of surface atoms It has high characteristics. Due to these characteristics, gas detection capability can be very excellent.
도 1은 일 구현예에 따른 나노 입자 복합체의 모식도이다.1 is a schematic diagram of a nanoparticle composite according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 나노 입자 복합체(1)는 그래핀 양자점(10); 도파민(20); 및 금속 산화물 나노 입자(30)를 포함한다.Referring to Figure 1, the nanoparticle composite (1) graphene quantum dots (10); dopamine (20); and
예를 들어, 상기 도파민(20)은 상기 그래핀 양자점(10) 표면에 결합될 수 있다. 구체적으로, 상기 도파민(20)은 상기 그래핀 양자점(10) 표면에 컨쥬게이션될(conjugated) 수 있다.For example, the
상기 도파민(20)은 N-함유 기능기로서 염기성 기이고, 이러한 N-함유 기능기의 존재는 활성 표면상에서 더 많은 NO2 가스 흡착 및 확산을 촉진하는 그래 핀 양자점의 염기도를 증가시킬 수 있다. NO2에 대해 노출될 동안, 상기 도파민(20)이 포함된 나노 입자 복합체(1)는 NO2 가스 분자의 매우 낮은 흡착 에너지 및 저온에서의 가장 짧은 NO2 분자 도핑 원자 거리로 인해 NO2 가스 분자에 대해 훨씬 더 많은 흡착을 나타낼 수 있다.The
상기 도파민(20)은 하기 화학식 1로 표시되고, 하기 화학식 1 중 "-NH2" 모이어티(21)가 상기 그래핀 양자점(10) 표면에 결합될 수 있다:The
<화학식 1><
예를 들어, 상기 그래핀 양자점(10)은 상기 금속 산화물 나노 입자(30) 표면에 부착될 수 있다.For example, the
예를 들어, 상기 그래핀 양자점(10) 중 상기 도파민이 결합되는 부위(10a)가 아닌 부위(10b)가 상기 금속 산화물 나노 입자(30) 표면에 부착될 수 있다.For example, a portion 10b of the
즉, 일 구현예에 따른 나노 입자 복합체(1)는 도파민(20), 그래핀 양자점(10) 및 금속 산화물 나노 입자(30) 순서(또는 그 역순)로 결합된 구조일 수 있다.That is, the
이러한 구조를 가질 경우, 후술되는 가스 감지 물질로 상기 나노 입자 복합체(1)를 적용했을 때, 가스(예를 들어, 질산 가스)가 도파민(20)을 산화시키면서, 도파민(20)에 있는 전자가 그래핀 양자점(10)을 거쳐 금속 산화물(30)로 이동하여, 저항을 향상시키면서, 가스 센서에 의해 용이하게 감지될 수 있다.In the case of having such a structure, when the
예를 들어, 상기 그래핀 양자점(10)은 평균 입경(D50) 범위가 1 내지 5 nm일 수 있다. 즉, 상기 그래핀 양자점(10)은 실질적으로 0차원 입자일 수 있다. 이러한 작은 평균 입경(D50)을 가짐으로써, 상기 그래핀 양자점(10)은 양자 구속 효과에 의해 크기-의존적 방식으로 충분한 밴드 갭 범위를 가질 수 있다.For example, the
예를 들어, 상기 그래핀 양자점(10)은 밴드 갭이 2.2 내지 3.1 eV일 수 있다. 이러한 큰 밴드 갭을 가짐으로써, 상기 그래핀 양자점(10)을 채용한 가스 센서는 우수한 가스 센싱 효과를 발휘할 수 있다.For example, the
예를 들어, 상기 그래핀 양자점(10)은 상기 도파민20) 및 금속 산화물 나노 입자(30) 외에 다른 도핑 물질로 도핑될 수 있다.For example, the
예를 들어, 상기 도핑 물질은 황(S), 붕소(B), 및 질소(N) 중 하나 이상의 원소를 포함할 수 있다.For example, the doping material may include one or more elements of sulfur (S), boron (B), and nitrogen (N).
예를 들어, 상기 금속 산화물 나노 입자(30)는 Ag, Ni, Si, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Sn, In, Pt, Au, 및 Mg 중 선택된 하나 이상의 산화물일 수 있다.For example, the
예를 들어, 상기 금속 산화물 나노 입자(30)는 주석 산화물(SnO2)일 수 있다. 전형적인 n형 반도체인 상기 SnO2는 공기 중에 노출되면, 전도 밴드로부터 전자를 추출하여, 표면에 산소 이온종(O2 -, O-, O2-)을 생성할 수 있다. 상기 SnO2가 산소 종을 흡착하기 때문에, 공핍 영역이 표면에 형성되고, 전자 추출 중에 담체(carrier)의 농도가 감소하였다.For example, the
상기 금속 산화물 나노 입자(30)의 크기가 작으면, 더 높은 표면 반응성을 나타내고, 가스 분자에 대해 더 큰 흡착 면적을 가질 수 있다.When the size of the
예를 들어, 상기 금속 산화물 나노 입자(30)는 평균 입경(D50) 범위가 1 내지 5 nm일 수 있다. 이러한 범위의 평균 입경(D50)을 가짐으로써, 상기 금속 산화물 나노 입자(30)는 높은 표면적을 갖고, 양자 구속 효과를 발휘할 수 있다.For example, the average particle diameter (D50) of the
나노 입자 복합체의 제조 방법Manufacturing method of nanoparticle composite
다른 측면에서, 본 발명은, 상술한 나노 입자 복합체를 제조하는 방법으로, (A) 도파민을 산 처리하여, 도파민이 코팅된 그래핀 양자점을 합성하는 과정; 및 (B) 상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점 및 금속 산화물 나노 입자를 혼합하여, 나노 입자 복합체를 제조하는 과정;을 포함하는, 나노 입자 복합체의 제조 방법을 제공한다.In another aspect, the present invention is a method for preparing the above-described nanoparticle composite, (A) acid-treating dopamine to synthesize dopamine-coated graphene quantum dots; and (B) preparing a nanoparticle composite by mixing the dopamine-coated graphene quantum dots and metal oxide nanoparticles.
상기 산 처리는 예를 들어, 시트르산(citric acid)에 의해 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The acid treatment may be performed with, for example, citric acid, but is not limited thereto.
이때, 상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점은 수열 합성(hydrothermal synthesis) 방법에 의해 합성될 수 있다.In this case, the dopamine-coated graphene quantum dots may be synthesized by a hydrothermal synthesis method.
여기서, 상기 수열 합성은 고온 고압 조건에서 수용액 상태에서 이루어지는 물질의 합성을 의미할 수 있다. 상기 수열 합성은 약 140℃ 내지 250℃의 온도 조건에서 진행될 수 있다. 상기 수열 합성은 약 8 시간 내지 36 시간 동안 수행될 수 있다. 이 때, 고순도 알코올 또는 증류수가 사용될 수 있다. Here, the hydrothermal synthesis may refer to the synthesis of a material in an aqueous solution under high temperature and high pressure conditions. The hydrothermal synthesis may be performed at a temperature condition of about 140 °C to 250 °C. The hydrothermal synthesis may be performed for about 8 hours to 36 hours. At this time, high purity alcohol or distilled water may be used.
이때, 상기 금속 산화물 나노 입자는 가열 합성(heat up synthesis) 방법에 의해 합성될 수 있다.In this case, the metal oxide nanoparticles may be synthesized by a heat up synthesis method.
상기 가열 합성(또는, 승온 합성)은 저온에서부터 바람직한 반응 온도까지 전구체와 안정화제를 모두 포함하는 반응 혼합물을 서서히 가열하는 합성을 의미할 수 있다. The thermal synthesis (or elevated temperature synthesis) may refer to a synthesis in which a reaction mixture including both a precursor and a stabilizer is gradually heated from a low temperature to a desired reaction temperature.
예를 들어, 상기 가열 합성은 1℃/min 내지 10℃/min 의 승온 속도에 의해 가열하는 것일 수 있으나, 이에 한정되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 승온 속도는 약 1℃/min 내지 약 10℃/min, 약 1℃/min 내지 약 8℃/min, 약 1℃/min 내지 약 6℃/min, 약 1℃/min 내지 약 4℃/min, 약 1℃/min 내지 약 2℃/min, 약 1℃/min 내지 약 1.8℃/min, 약 1℃/min 내지 약 1.6℃/min, 약 1℃/min 내지 약 1.4℃/min, 약 1℃/min 내지 약 1.2℃/min, 약 1.2℃/min 내지 약 10℃/min, 약 1.4℃/min 내지 약 10℃/min, 약 1.6℃/min 내지 약 10℃/min, 약 1.8℃/min 내지 약 10℃/min, 약 2℃/min 내지 약 10℃/min, 약 4℃/min 내지 약 10℃/min, 약 6℃/min 내지 약 10℃/min, 또는 약 8℃/min 내지 약 10℃/min일 수 있으나, 이에 한정되지 않을 수 있다.For example, the heat synthesis may be heating at a temperature rising rate of 1 °C/min to 10 °C/min, but may not be limited thereto. For example, the heating rate is about 1 ° C / min to about 10 ° C / min, about 1 ° C / min to about 8 ° C / min, about 1 ° C / min to about 6 ° C / min, about 1 ° C / min to about 1 ° C / min About 4°C/min, about 1°C/min to about 2°C/min, about 1°C/min to about 1.8°C/min, about 1°C/min to about 1.6°C/min, about 1°C/min to about 1.4°C °C/min, about 1 °C/min to about 1.2 °C/min, about 1.2 °C/min to about 10 °C/min, about 1.4 °C/min to about 10 °C/min, about 1.6 °C/min to about 10 °C/min min, about 1.8 °C/min to about 10 °C/min, about 2 °C/min to about 10 °C/min, about 4 °C/min to about 10 °C/min, about 6 °C/min to about 10 °C/min, Or it may be about 8 ℃ / min to about 10 ℃ / min, but may not be limited thereto.
예를 들어, 상기 가열 합성은 약 90℃ 내지 약 190℃의 온도 범위까지 상승시키는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 승온 공정 온도는 약 90℃ 내지 약 190℃, 약 90℃ 내지 약 170℃, 약 90℃ 내지 약 151.5℃, 약 90℃ 내지 약 150℃, 약 90℃ 내지 약 130℃, 약 90℃ 내지 약 110℃, 약 110℃ 내지 약 190℃, 약 130℃ 내지 약 190℃, 약 150℃ 내지 약 190℃, 약 151.5℃ 내지 약 190℃, 또는 약 170℃ 내지 약 190℃일 수 있으나, 이에 한정되지 않을 수 있다.For example, the heat synthesis may be increased to a temperature range of about 90 °C to about 190 °C, but may not be limited thereto. For example, the heating process temperature is about 90 ° C to about 190 ° C, about 90 ° C to about 170 ° C, about 90 ° C to about 151.5 ° C, about 90 ° C to about 150 ° C, about 90 ° C to about 130 ° C, about 90°C to about 110°C, about 110°C to about 190°C, about 130°C to about 190°C, about 150°C to about 190°C, about 151.5°C to about 190°C, or about 170°C to about 190°C; , may not be limited to this.
예를 들어, 상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점 및 금속 산화물 나노 입자는 CHCl3 용매 하에서 혼합될 수 있다. 예를 들어, 상기 CHCl3 외에 CDCl3 등이 더 사용될 수 있다.For example, the dopamine-coated graphene quantum dots and metal oxide nanoparticles may be mixed in a CHCl 3 solvent. For example, CDCl 3 and the like may be further used in addition to the above CHCl 3 .
예를 들어, 상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점 및 금속 산화물 나노 입자를 혼합한 후, 혼합물을 스핀 코팅하는 과정을 더 수행할 수 있다. For example, after mixing the dopamine-coated graphene quantum dots and metal oxide nanoparticles, a process of spin coating the mixture may be further performed.
예를 들어, 상기 스핀 코팅은 약 1초 내지 약 1000초의 시간 동안 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 스핀 코팅은 약 1초 내지 약 900초, 약 10초 내지 약 900초, 약 10초 내지 약 800초, 약 10초 내지 약 700초, 약 10초 내지 약 600초, 약 10초 내지 약 500초, 약 10초 내지 약 400초, 약 10초 내지 약 300초, 약 1초 내지 약 200초, 또는 약 10초 내지 약 100초의 시간 동안 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the spin coating may be performed for a time of about 1 second to about 1000 seconds. For example, the spin coating may be performed for about 1 second to about 900 seconds, about 10 seconds to about 900 seconds, about 10 seconds to about 800 seconds, about 10 seconds to about 700 seconds, about 10 seconds to about 600 seconds, about 10 seconds. seconds to about 500 seconds, about 10 seconds to about 400 seconds, about 10 seconds to about 300 seconds, about 1 second to about 200 seconds, or about 10 seconds to about 100 seconds, but is not limited thereto. .
예를 들어, 상기 스핀 코팅은 1000 RPM 내지 5000 RPM의 속도로 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the spin coating may be performed at a speed of 1000 RPM to 5000 RPM, but is not limited thereto.
예를 들어, 상기 스핀 코팅 이후, 상기 혼합물을 열처리하는 과정을 더 수행할 수 있다.For example, after the spin coating, heat treatment of the mixture may be further performed.
예를 들어, 상기 열처리는 급속열적어닐링(RTA: Rapid Thermal Annealing)으로 수행될 수 있다.For example, the heat treatment may be performed by rapid thermal annealing (RTA).
예를 들어, 상기 RTA는 소크 온도(soak time)를 700℃ 내지 1150℃로 설정하고, 소크 온도에서 10초 내지 60초 유지하게 수행될 수 있다. 또는, 소크 온도(soak time)를 900℃ 내지 1200℃로 유지하는 RTA로 수행될 수 있다. 이때, RTA는 소크 온도로 램프업(lamp up)하기 이전에 소크 온도 보다 낮은 저온에서 안정화를 위한 예열 과정(pre-stable)을 생략하여 수행할 수 있어, 전체 공정 시간의 감축을 구현할 수 있다.For example, the RTA may be performed by setting the soak time to 700°C to 1150°C and maintaining the soak temperature for 10 seconds to 60 seconds. Alternatively, it may be performed with an RTA maintaining a soak time between 900°C and 1200°C. At this time, RTA can be performed by omitting a pre-stable process for stabilization at a low temperature lower than the soak temperature before ramping up to the soak temperature, so that the overall process time can be reduced.
가스 센서gas sensor
또 다른 측면에서, 본 발명은, 상술한 나노 입자 복합체를 포함하는 가스 센서를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a gas sensor including the above-described nanoparticle composite.
예를 들어, 상기 가스 센서는 상술한 나노 입자 복합체를 가스 감지 물질로 사용할 수 있다.For example, the gas sensor may use the above-described nanoparticle composite as a gas sensing material.
예를 들어, 상기 가스 센서는 산화 질소(NOx (0<x≤2)) 기체를 감지할 수 있다.For example, the gas sensor may detect nitrogen oxide (NO x (0<x≤2)) gas.
상기 가스 센서에 대한 상세한 설명은 해당 업계에 널리 알려진 바를 참조하여 이해될 수 있다.A detailed description of the gas sensor may be understood by referring to a bar widely known in the related art.
도 2는 일 구현예에 따른 나노 입자 복합체의 제조 과정 및 이를 포함한 가스 센서의 가스 감지 원리를 나타낸 모식도이다.2 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a nanoparticle composite according to an embodiment and a gas sensing principle of a gas sensor including the same.
도 2를 참조하면, 먼저 그래핀 양자점(10)과 도파민(20)이 반응하여, 전자 이동에 따른 산화 반응을 통해, 도파민(20)이 코팅된 그래핀 양자점(10)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2 , first,
이어서, 상기 도파민(20)이 코팅된 그래핀 양자점(10)에 금속 산화물 나노 입자(30)(예를 들어, SnO2)가 첨가되어, 나노 입자 복합체(1)가 형성된다.Subsequently, metal oxide nanoparticles 30 (eg, SnO 2 ) are added to the
상기 나노 입자 복합체(1)를 가스 감지 물질로서 가스 센서에 적용했을 때, 가스(예를 들어, 질산 가스)가 도파민(20)을 산화시키면서, 도파민(20)에 있는 전자가 그래핀 양자점(10)을 거쳐 금속 산화물(30)로 이동하여, 저항을 향상시키면서, 가스 센서에 의해 용이하게 감지될 수 있다.When the
이하의 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이지 이들만으로 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.The present invention will be described in more detail through the following examples and comparative examples. However, the examples are intended to illustrate the present invention, but do not limit the scope of the present invention only to them.
[실시예][Example]
(나노 입자 복합체의 제조)(Manufacture of nanoparticle composite)
합성예 1Synthesis Example 1
도파민 전구체 0.125 g, 시트르산 전구체 0.5 g을 50 ml 부피의 수열 합성 반응기를 사용하여 180℃ 온도 하에서 6시간 동안 반응시켜, 도파민 코팅된 그래핀 양자점(평균 입경 약 1-5 nm) 500 ㎕를 합성하였다.0.125 g of the dopamine precursor and 0.5 g of the citric acid precursor were reacted for 6 hours at 180° C. in a hydrothermal synthesis reactor with a volume of 50 ml to synthesize 500 μl of dopamine-coated graphene quantum dots (average particle diameter of about 1-5 nm). .
상기 도파민 코팅된 그래핀 양자점 500 ㎕를 SnO2 나노 입자(평균 입경 1-5 nm) 0.5 wt% 에탄올 수용액(10mL)에첨가한 후, 15 분 동안 초음파 처리(ultrasonication)하고, 밤새 교반하였다.500 μl of the dopamine-coated graphene quantum dots were added to SnO 2 nanoparticles (average particle diameter 1-5 nm) in 0.5 wt% ethanol aqueous solution (10 mL), followed by ultrasonication for 15 minutes and stirring overnight.
상기 혼합물을 40초 동안 3000RPM에서 스핀코팅반응기에서 스핀코팅 반응을 수행하였다.A spin coating reaction was performed on the mixture in a spin coating reactor at 3000 RPM for 40 seconds.
이어서, 얻어진 생성물을 300℃의 온도에서 90초동안 RTA를 수행하여, 나노 입자 복합체를 제조하였다.Subsequently, the obtained product was subjected to RTA at 300° C. for 90 seconds to prepare a nanoparticle composite.
상기 얻어진 나노 입자 복합체의 NMR 그래프를 도 3에 도시하였고, XRD 스펙트럼을 도 4에 도시하였으며, FT-IR 스펙트럼을 도 5a 및 도 5b에 도시하였다.The NMR graph of the obtained nanoparticle composite is shown in FIG. 3, the XRD spectrum is shown in FIG. 4, and the FT-IR spectrum is shown in FIGS. 5a and 5b.
비교 합성예 1Comparative Synthesis Example 1
상기 도파민 코팅된 그래핀 양자점 대신, 그래핀 양자점을 사용한 것을 제외하고는, 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 그래핀 양자점-SnO2 복합체를 제조하였다.A graphene quantum dot-SnO 2 composite was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1, except that graphene quantum dots were used instead of the dopamine-coated graphene quantum dots.
실시예 1Example 1
상기 합성예 1에서 얻어진 나노 입자 복합체를 가스 감지 물질로 사용하여 가스 센서를 제조하였다.A gas sensor was manufactured using the nanoparticle composite obtained in Synthesis Example 1 as a gas sensing material.
구체적으로, Ti/Au (20/200 nm)를 전극으로 증착한 후, 상기 가스 감지 물질을 3000 RPM에서 40초 동안 스핀 코팅하였다. 완성된 샘플을 300℃에서 주위 대기 하에서 급속 열어닐링함으로써 90초 동안 어닐링하여, 상기 가스 감지 물질과 전극 사이의 옴 접촉을 개선시켰다.Specifically, after depositing Ti/Au (20/200 nm) as an electrode, the gas sensing material was spin-coated at 3000 RPM for 40 seconds. The finished sample was annealed for 90 seconds by rapid thermal annealing at 300° C. under ambient atmosphere to improve the ohmic contact between the gas sensing material and the electrode.
비교예 1Comparative Example 1
상기 나노 입자 복합체 대신, 상기 비교 합성예 1에서 얻어진 그래핀 양자점-SnO2 복합체를 가스 감지 물질로 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 가스 센서를 제조하였다.A gas sensor was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the graphene quantum dot-SnO 2 composite obtained in Comparative Synthesis Example 1 was used as a gas sensing material instead of the nanoparticle composite.
비교예 2Comparative Example 2
상기 나노 입자 복합체 대신, SnO2를 가스 감지 물질로 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 가스 센서를 제조하였다.A gas sensor was manufactured in the same manner as in Example 1, except that SnO 2 was used as a gas sensing material instead of the nanoparticle composite.
평가예 1: 온도 변화에 따른 가스 감도 측정Evaluation Example 1: Measurement of gas sensitivity according to temperature change
상기 실시예 1 및 비교예 2의 가스 센서를 석영 튜브로 구성된 가스 검출 챔버 내부에 위치시키고, 산화 질소(NOx) 가스를 약 0.1 내지 1 ppm 함량으로 주입하며, 각각 25℃, 50℃, 100℃, 150℃, 200℃, 250℃에서의 가스 센서의 저항 변화를 실시간으로 측정하였다. 이때 상기 가스에 대한 가스 감도는 Rg/Ra (Rg: 가스 중에서의 센서저항, Ra: 공기 중에서의 센서저항)으로 정의하였다.The gas sensors of Example 1 and Comparative Example 2 were placed inside a gas detection chamber composed of a quartz tube, and nitrogen oxide (NO x ) gas was injected in an amount of about 0.1 to 1 ppm, respectively, at 25 ° C, 50 ° C, and 100 ° C. The resistance change of the gas sensor at °C, 150 °C, 200 °C, and 250 °C was measured in real time. At this time, the gas sensitivity for the gas was defined as R g /R a (R g : sensor resistance in gas, R a : sensor resistance in air).
실시예 1의 가스 센서의 온도에 따른 NOx 가스 감지 반응 능력을 측정하여, 도 6a 및 도 6b에 나타내었고, 비교예 2의 가스 센서의 온도에 따른 NOx 가스 감지 반응 능력을 측정하여, 도 7a 및 도 7b에 나타내었다.6a and 6b by measuring the NO x gas sensing reaction ability according to the temperature of the gas sensor of Example 1, and measuring the NO x gas sensing reaction ability according to the temperature of the gas sensor of Comparative Example 2, FIG. 7a and 7b.
도 6a와 도 7a 및 도 6b와 도 7b를 각각 비교하면, 실시예 1의 가스 센서의 가스 감도가 비교예 2의 가스 센서에 비해 현저히 높음을 알 수 있으며, 특히 실시예 1의 가스 센서의 경우, 오히려 저온에서도 매우 높은 가스 감도를 나타냄을 알 수 있다.Comparing FIGS. 6A and 7A and FIGS. 6B and 7B , it can be seen that the gas sensitivity of the gas sensor of Example 1 is significantly higher than that of the gas sensor of Comparative Example 2, especially in the case of the gas sensor of Example 1. , rather, it can be seen that it exhibits very high gas sensitivity even at low temperatures.
평가예 2Evaluation example 2
상기 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2의 가스 센서를 석영 튜브로 구성된 가스 검출 챔버 내부에 위치시키고, 산화 질소(NOx) 가스를 0.1 ppm 함량으로 주입하며, 150℃에서의 가스 센서의 가스 감도 변화를 측정하여 도 8에 나타내었다.The gas sensors of Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 were placed inside a gas detection chamber composed of a quartz tube, nitrogen oxide (NO x ) gas was injected in an amount of 0.1 ppm, and the gas sensor at 150 ° C. The change in gas sensitivity was measured and shown in FIG. 8 .
도 8을 참조하면, 초기 가스 감도 능력이 실시예 1의 가스 센서가 비교예 1 및 비교예 2의 가스 센서에 비해 현저히 높음을 알 수 있다.Referring to FIG. 8 , it can be seen that the initial gas sensitivity capability of the gas sensor of Example 1 is significantly higher than that of the gas sensors of Comparative Examples 1 and 2.
평가예 3Evaluation Example 3
상기 실시예 1의 가스 센서를 석영 튜브로 구성된 가스 검출 챔버 내부에 위치시키고, 산화 질소(NOx) 가스를 0.1 ppm 함량으로 주입하며, 150℃에서의 가스 센서의 저항 변화를 측정하여 도 9에 나타내었다.The gas sensor of Example 1 was placed inside a gas detection chamber composed of a quartz tube, nitrogen oxide (NO x ) gas was injected in an amount of 0.1 ppm, and the change in resistance of the gas sensor at 150 ° C was measured and shown in FIG. showed up
도 9를 참조하면, 가스 센서의 저항 변화는 감지 시간이 아무리 늘어나도 계속 반복적으로 유지되는 바, 가스 감지 능력이 유지됨을 알 수 있다.Referring to FIG. 9 , it can be seen that the resistance change of the gas sensor is repeatedly maintained no matter how much the sensing time is increased, and thus the gas sensing ability is maintained.
평가예 4Evaluation Example 4
상기 실시예 1의 가스 센서를 석영 튜브로 구성된 가스 검출 챔버 내부에 위치시키고, 산화 질소(NOx) 가스를 각각 100 ppb, 200 ppb, 300 ppb, 500 ppb, 및 700 ppb의 농도 조건에서 150℃에서 주입하였다.The gas sensor of Example 1 was placed inside a gas detection chamber composed of a quartz tube, and nitrogen oxide (NO x ) gas was 150° C. under concentration conditions of 100 ppb, 200 ppb, 300 ppb, 500 ppb, and 700 ppb, respectively. injected in.
각각의 농도 조건에서의 가스 센서의 저항 변화를 측정하여 도 10에 나타내었고, 가스 감도(Rg/Ra)를 측정하여 도 11에 측정하였다.The resistance change of the gas sensor under each concentration condition was measured and shown in FIG. 10, and the gas sensitivity (R g /R a ) was measured and measured in FIG. 11.
도 10 및 도 11을 참조하면, 가스 농도가 100 ppb로 매우 낮더라도, 가스 센서의 저항 변화가 발생하여, 가스 감지가 가능함을 알 수 있다.Referring to FIGS. 10 and 11 , it can be seen that even when the gas concentration is very low, such as 100 ppb, gas detection is possible due to a resistance change of the gas sensor.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.As described above, although the present invention has been described by the limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto, and the technical spirit of the present invention and the following by those skilled in the art to which the present invention belongs Of course, various modifications and variations are possible within the scope of equivalents of the claims to be set forth.
Claims (19)
도파민(dopamine); 및
금속 산화물 나노 입자를 포함하는 나노 입자 복합체를 포함하고,
상기 도파민은 상기 그래핀 양자점 표면에 결합되고,
상기 그래핀 양자점은 상기 금속 산화물 나노 입자 표면에 부착되는, 가스 센서.graphene quantum dots;
dopamine; and
A nanoparticle composite comprising metal oxide nanoparticles;
The dopamine is bound to the graphene quantum dot surface,
The graphene quantum dots are attached to the surface of the metal oxide nanoparticles, gas sensor.
상기 도파민은 하기 화학식 1로 표시되고, 하기 화학식 1 중 "-NH2" 모이어티가 상기 그래핀 양자점 표면에 결합되는, 가스 센서:
<화학식 1>
The dopamine is represented by Formula 1 below, and in Formula 1, a “—NH 2 ” moiety is bonded to the surface of the graphene quantum dot, a gas sensor:
<Formula 1>
상기 그래핀 양자점 중 상기 도파민이 결합되는 부위가 아닌 부위가 상기 금속 산화물 나노 입자 표면에 부착되는, 가스 센서.According to claim 1,
Of the graphene quantum dots, a portion other than the dopamine-binding portion is attached to the surface of the metal oxide nanoparticle, the gas sensor.
상기 그래핀 양자점은 평균 입경(D50) 범위가 1 내지 5 nm인, 가스 센서.According to claim 1,
The graphene quantum dots have an average particle diameter (D50) in the range of 1 to 5 nm, the gas sensor.
상기 그래핀 양자점은 밴드 갭(band gap)이 2.2 내지 3.1 eV인, 가스 센서.According to claim 1,
The graphene quantum dots have a band gap of 2.2 to 3.1 eV, a gas sensor.
상기 그래핀 양자점은 상기 도파민 및 금속 산화물 나노 입자 외에 다른 도핑 물질로 도핑된, 가스 센서.According to claim 1,
The graphene quantum dots are doped with a doping material other than the dopamine and metal oxide nanoparticles, gas sensor.
상기 도핑 물질은 황(S), 붕소(B), 및 질소(N) 중 하나 이상의 원소를 포함하는, 가스 센서.According to claim 8,
The doping material includes one or more elements of sulfur (S), boron (B), and nitrogen (N), the gas sensor.
상기 금속 산화물 나노 입자는 Ag, Ni, Si, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Sn, In, Pt, Au, 및 Mg 중 선택된 하나 이상의 산화물인, 가스 센서.According to claim 1,
The metal oxide nanoparticle is an oxide of one or more selected from Ag, Ni, Si, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Sn, In, Pt, Au, and Mg, gas sensor.
상기 금속 산화물 나노 입자는 평균 입경(D50) 범위가 1 내지 5 nm인, 가스 센서.According to claim 1,
The metal oxide nanoparticles have an average particle diameter (D50) range of 1 to 5 nm, gas sensor.
상기 가스 센서는 산화 질소(NOx (0<x≤2)) 기체를 감지하는, 가스 센서.According to claim 1,
The gas sensor detects nitrogen oxide (NO x (0<x≤2)) gas.
(A) 그래핀 양자점과 도파민을 산(acid) 하에서 반응시켜, 도파민이 코팅된 그래핀 양자점을 합성하는 과정; 및
(B) 상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점 및 금속 산화물 나노 입자를 혼합하여, 나노 입자 복합체를 제조하는 과정;을 포함하는, 가스 센서의 제조 방법.A method for manufacturing the gas sensor according to any one of claims 1, 3, and 5 to 11,
(A) reacting graphene quantum dots and dopamine under an acid to synthesize dopamine-coated graphene quantum dots; and
(B) mixing the dopamine-coated graphene quantum dots and metal oxide nanoparticles to prepare a nanoparticle composite;
상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점은 수열 합성(hydrothermal synthesis) 방법에 의해 합성되는, 가스 센서의 제조 방법.According to claim 14,
The dopamine-coated graphene quantum dots are synthesized by a hydrothermal synthesis method, a method for manufacturing a gas sensor.
상기 금속 산화물 나노 입자는 가열 합성(heat up synthesis) 방법에 의해 합성되는, 가스 센서의 제조 방법.According to claim 14,
The metal oxide nanoparticles are synthesized by a heat up synthesis method, a method of manufacturing a gas sensor.
상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점 및 금속 산화물 나노 입자는 CHCl3 용매 하에서 혼합되는, 가스 센서의 제조 방법.According to claim 14,
Wherein the dopamine-coated graphene quantum dots and metal oxide nanoparticles are mixed in a CHCl 3 solvent.
상기 도파민이 코팅된 그래핀 양자점 및 금속 산화물 나노 입자를 혼합한 후, 혼합물을 스핀 코팅하는 과정을 더 수행하는, 가스 센서의 제조 방법.According to claim 14,
After mixing the dopamine-coated graphene quantum dots and metal oxide nanoparticles, further performing a process of spin-coating the mixture, a method for manufacturing a gas sensor.
상기 스핀 코팅 이후, 상기 혼합물을 열처리하는 과정을 더 수행하는, 가스 센서의 제조 방법.According to claim 18,
After the spin coating, a process of heat-treating the mixture is further performed, a method of manufacturing a gas sensor.
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