KR102513417B1 - method for manufacturing semiconductor device and manufacturing apparatus of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조장치를 개시한다. 그의 장치는, 챔버와, 상기 챔버 내의 하부에 배치되어 기판을 수납하는 정전 척과, 상기 정전 척에 고주파 파워를 공급하는 파워 소스와, 상기 파워 소스와 상기 정전 척 사이에 연결되는 임피던스 매쳐와, 상기 정전 척을 상기 임피던스 매쳐에 연결하는 파워 전송 부를 포함한다. 상기 파워 전송 부는 상기 정전 척에 연결되고, 제 1 외경을 갖는 파워 로드와, 상기 파워 로드를 상기 임피던스 매쳐로 연결하고 상기 제 1 외경보다 작은 제 2 외경을 갖는 내부 도선, 상기 챔버와 연결되어 상기 내부 도선을 둘러싸고 상기 제 1 외경보다 작고 상기 제 2 외경보다 큰 제 1 내경을 갖는 외부 도선, 및 상기 외부 도선과 상기 내부 도선 사이의 배치된 유전체를 포함하는 동축 케이블을 포함할 수 있다. 상기 1 내경에 대한 제 2 외경의 비는 상기 유전체의 유전상수 보다 크고, 상기 유전상수의 3배보다 작을 수 있다.The present invention discloses an apparatus for manufacturing a semiconductor device. The device includes a chamber, an electrostatic chuck disposed in the lower portion of the chamber to accommodate a substrate, a power source for supplying high-frequency power to the electrostatic chuck, an impedance matcher connected between the power source and the electrostatic chuck, the and a power transmission unit connecting an electrostatic chuck to the impedance matcher. The power transmitter is connected to the electrostatic chuck and is connected to a power rod having a first outer diameter, an inner conductor connecting the power rod to the impedance matcher and having a second outer diameter smaller than the first outer diameter, and the chamber, A coaxial cable including an outer conductor wire surrounding an inner conductor wire and having a first inner diameter smaller than the first outer diameter and larger than the second outer diameter, and a dielectric disposed between the outer conductor wire and the inner conductor wire. The ratio of the second outer diameter to the first inner diameter may be greater than the dielectric constant of the dielectric and less than three times the dielectric constant.

Description

반도체 소자의 제조장치{method for manufacturing semiconductor device and manufacturing apparatus of the same}Manufacturing apparatus of semiconductor devices {method for manufacturing semiconductor device and manufacturing apparatus of the same}

본 발명은 반도체 소자의 제조장치에 관한 것으로, 상세하게는 기판을 식각하는 반도체 소자의 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor device manufacturing apparatus for etching a substrate.

일반적으로 반도체 소자는 다수의 단위 공정들에 의해 제조될 수 있다. 단위 공정들은 박막 증착 공정, 리소그래피 공정, 및 식각 공정을 포함할 수 있다. 박막 증착 공정과 식각 공정은 주로 플라즈마에 의해 수행될 수 있다. 플라즈마는 기판을 고온으로 처리(treat)할 수 있다. 상기 플라즈마는 주로 고주파 파워에 의해 생성될 수 있었다. In general, a semiconductor device may be manufactured by a plurality of unit processes. Unit processes may include a thin film deposition process, a lithography process, and an etching process. The thin film deposition process and the etching process may be mainly performed by plasma. The plasma can treat the substrate to a high temperature. The plasma could be mainly generated by high-frequency power.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판의 식각 균일도를 증가시킬 수 있는 반도체 소자의 제조장치를 제공하는 데 있다. An object to be solved by the present invention is to provide an apparatus for manufacturing a semiconductor device capable of increasing etching uniformity of a substrate.

본 발명은 반도체 소자의 제조장치를 개시한다. 그의 장치는 챔버; 상기 챔버 내의 하부에 배치되어 기판을 수납하는 정전 척; 상기 정전 척에 고주파 파워를 공급하는 파워 소스; 상기 파워 소스와 상기 정전 척 사이에 연결되는 임피던스 매쳐; 및 상기 정전 척을 상기 임피던스 매쳐에 연결하는 파워 전송 부를 포함한다. 여기서, 상기 파워 전송 부는 상기 정전 척에 연결되고, 제 1 외경을 갖는 파워 로드; 및 상기 파워 로드를 상기 임피던스 매쳐로 연결하고 상기 제 1 외경보다 작은 제 2 외경을 갖는 내부 도선, 상기 챔버와 연결되어 상기 내부 도선을 둘러싸고 상기 제 1 외경보다 작고 상기 제 2 외경보다 큰 제 1 내경을 갖는 외부 도선, 및 상기 외부 도선과 상기 내부 도선 사이의 배치된 유전체를 포함하는 동축 케이블을 포함할 수 있다.상기 1 내경에 대한 제 2 외경의 비(제 1 내경/제 2 외경)는 상기 유전체의 유전상수 보다 크고, 상기 유전상수의 3배보다 작을 수 있다.The present invention discloses an apparatus for manufacturing a semiconductor device. His device includes a chamber; an electrostatic chuck disposed at a lower portion of the chamber to accommodate a substrate; a power source supplying high-frequency power to the electrostatic chuck; an impedance matcher coupled between the power source and the electrostatic chuck; and a power transmitter connecting the electrostatic chuck to the impedance matcher. Here, the power transmission unit is connected to the electrostatic chuck, the power rod having a first outer diameter; and an inner conductor connecting the power rod to the impedance matcher and having a second outer diameter smaller than the first outer diameter, and a first inner diameter connected to the chamber and surrounding the inner conductor, which is smaller than the first outer diameter and larger than the second outer diameter. and a coaxial cable including an outer conductor having an outer conductor and a dielectric disposed between the outer conductor and the inner conductor. The ratio of the second outer diameter to the first inner diameter (first inner diameter/second outer diameter) is It is greater than the dielectric constant of the dielectric and may be less than three times the dielectric constant.

본 발명의 개념에 따른 반도체 소자의 제조장치는 파워 전송 부의 특성 임피던스를 증가시켜 기판의 식각 균일도를 증가시킬 수 있다.In the apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the concept of the present invention, etching uniformity of a substrate may be increased by increasing a characteristic impedance of a power transmission unit.

도 1은 본 발명의 개념에 따른 반도체 소자의 제조장치 및 그의 등가 회로를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 고주파 파워 및 2 차 내지 4차 고조파들의 챔버 임피던스의 허수값들을 보여주는 스미스 챠트이다.
도 3은 도 2의 3차 고조파의 챔버 임피던스의 허수값의 절대값이 10보다 작은 비정상 식각 프로파일과, 그의 절대값이 10보다 큰 정상 식각 프로파일을 보여주는 그래프이다.
도 4는 도 1의 특성 임피던스의 변화없이 파워 로드의 제 1 외경의 변경 후의 고주파 파워의 2 차 내지 4차 고조파들의 챔버 임피던스의 허수값들을 보여주는 스미스 챠트이다.
도 5는 도 1의 동축 케이블의 특성 임피던스가 35.9Ω에서 50Ω으로 증가된 후의 고주파 파워 및 2 차 내지 4차 고조파들의 챔버 임피던스의 허수값들을 보여주는 스미스 챠트이다.
도 6은 도 1의 동축 케이블의 특성 임피던스가 35.9Ω에서 75Ω으로 증가된 후의 고주파 파워 및 2 차 내지 4차 고조파들의 챔버 임피던스의 허수값들을 보여주는 스미스 챠트이다.
도 7은 도 1의 특성 임피던스가 50Ω이고, 제 1 외경이 100mm로 증가된 파워 로드에서의 고주파 파워 및 2 차 내지 4차 고조파들의 챔버 임피던스의 허수값들을 보여주는 스미스 챠트이다.
도 8은 도 1의 동축 케이블(70)의 특성 임피던스가 75Ω이고, 제 1 외경이 100mm인 파워 로드에서의 고주파 파워 및 2 차 내지 4차 고조파들의 챔버 임피던스의 허수값들를 보여주는 스미스 챠트이다.
도 9는 도 1의 파워 로드의 제 1 외경이 62.7mm일 때, 특성 임피던스에 따른 구동 주파수의 고주파 파워와 3차 고조파의 챔버 임피던스의 허수값들을 보여주는 그래프들이다.
도 10는 도 1의 파워 로드의 제 1 외경이 90mm일 때, 특성 임피던스에 따른 고주파 파워와 3차 고조파의 챔버 임피던스의 허수값들을 보여주는 그래프들이다.
도 11은 도 1의 파워 로드의 제 1 외경이 120mm일 때, 특성 임피던스에 따른 고주파 파워와 3차 고조파의 챔버 임피던스의 허수값들을 보여주는 그래프들이다.
도 12는 특성 임피던스 및 상기 유전체의 유전상수에 따른 제 2 외경에 대한 제 1 내경의 비율을 보여주는 챠트이다.1 is a diagram showing an apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the concept of the present invention and an equivalent circuit thereof.
FIG. 2 is a Smith chart showing imaginary values of the high frequency power of FIG. 1 and the chamber impedance of second to fourth harmonics.
FIG. 3 is a graph showing an abnormal etch profile in which the absolute value of an imaginary value of the third harmonic chamber impedance of FIG. 2 is less than 10 and a normal etch profile in which the absolute value thereof is greater than 10.
FIG. 4 is a Smith chart showing imaginary values of chamber impedances of second to fourth harmonics of high frequency power after changing the first outer diameter of the power rod without changing the characteristic impedance of FIG. 1 .
FIG. 5 is a Smith chart showing imaginary values of high-frequency power and chamber impedance of second to fourth harmonics after the characteristic impedance of the coaxial cable of FIG. 1 is increased from 35.9Ω to 50Ω.
FIG. 6 is a Smith chart showing imaginary values of high-frequency power and chamber impedance of second to fourth harmonics after the characteristic impedance of the coaxial cable of FIG. 1 is increased from 35.9Ω to 75Ω.
FIG. 7 is a Smith chart showing imaginary values of high-frequency power and chamber impedances of second to fourth harmonics in a power rod in which the characteristic impedance of FIG. 1 is 50 Ω and the first outer diameter is increased to 100 mm.
FIG. 8 is a Smith chart showing imaginary values of high-frequency power and chamber impedances of second to fourth harmonics in a power rod having a characteristic impedance of 75Ω and a first outer diameter of the coaxial cable 70 of FIG. 1 of 100 mm.
FIG. 9 is graphs showing imaginary values of high-frequency power of a driving frequency and chamber impedance of a third harmonic according to characteristic impedance when the first outer diameter of the power rod of FIG. 1 is 62.7 mm.
FIG. 10 is graphs showing imaginary values of high frequency power and third harmonic chamber impedance according to characteristic impedance when the first outer diameter of the power rod of FIG. 1 is 90 mm.
FIG. 11 is graphs showing imaginary values of high frequency power and third harmonic chamber impedance according to characteristic impedance when the first outer diameter of the power rod of FIG. 1 is 120 mm.
12 is a chart showing the ratio of the first inner diameter to the second outer diameter according to the characteristic impedance and the dielectric constant of the dielectric.

도 1은 본 발명의 개념에 따른 반도체 소자의 제조장치(100) 및 그의 등가 회로를 보여준다.1 shows an apparatus 100 for manufacturing a semiconductor device according to the concept of the present invention and an equivalent circuit thereof.

도 1을 참조하면, 본 발명의 반도체 소자의 제조장치(100)는 축전결합플라즈마(Capacitively Coupled Plasma: CCP) 식각 설비를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 반도체 소자의 제조장치(100)는 챔버(10), 정전 척(20), 정전압 소스(30), 고주파 파워 소스(40), 임피던스 매쳐(42), 파워 전송 부(50)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the apparatus 100 for manufacturing a semiconductor device according to the present invention may include a Capacitively Coupled Plasma (CCP) etching facility. According to an example, the semiconductor device manufacturing apparatus 100 includes a chamber 10, an electrostatic chuck 20, a constant voltage source 30, a high frequency power source 40, an impedance matcher 42, and a power transmission unit 50 ) may be included.

상기 챔버(10)는 상기 기판(W)에 대해 외부로부터 독립된 공간을 제공할 수 있다. 상기 챔버(10)는 알루미늄 합금 또는 강철 합금을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 챔버(10)는 하부 하우징(12) 및 상부 하우징(14)을 포함할 수 있다. 상기 상부 하우징(14)은 상기 하부 하우징(12) 상에 배치될 수 있다. The chamber 10 may provide a space independent from the outside for the substrate (W). The chamber 10 may include an aluminum alloy or a steel alloy. According to one example, the chamber 10 may include a lower housing 12 and an upper housing 14 . The upper housing 14 may be disposed on the lower housing 12 .

상기 정전 척(20)은 상기 하부 하우징(12) 내에 배치될 수 있다. 상기 상부 하우징(14)과 상기 하부 하우징(12)이 분리되면, 상기 정전 척(20)은 상기 기판(W)을 수납할 수 있다. 링 부재(18)는 상기 하부 하우징(12)의 내벽과 상기 정전 척(20) 사이에 배치될 수 있다. 상기 링 부재(18)는 상기 정전 척(20)을 상기 상기 하부 하우징(12)의 내벽으로부터 절연시킬 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 정전 척(20)은 베이스(22), 절연 층(24) 및 척킹 전극(26)을 포함할 수 있다. 상기 베이스(22)는 금속 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 절연 층(24)은 상기 베이스(22) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연 층(24)은 금속 산화물의 세라믹을 포함할 수 있다. 상기 척킹 전극(26)은 상기 절연 층(24) 내에 배치될 수 있다.The electrostatic chuck 20 may be disposed within the lower housing 12 . When the upper housing 14 and the lower housing 12 are separated, the electrostatic chuck 20 may receive the substrate W. A ring member 18 may be disposed between the inner wall of the lower housing 12 and the electrostatic chuck 20 . The ring member 18 may insulate the electrostatic chuck 20 from the inner wall of the lower housing 12 . According to one example, the electrostatic chuck 20 may include a base 22 , an insulating layer 24 and a chucking electrode 26 . The base 22 may include a metal plate. The insulating layer 24 may be disposed on the base 22 . For example, the insulating layer 24 may include a metal oxide ceramic. The chucking electrode 26 may be disposed within the insulating layer 24 .

상기 정전압 소스(30)는 상기 정전 척(20)의 상기 척킹 전극(26)에 상기 정전압을 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 정전압은 약 수백 V의 직류 전압일 수 있다. 상기 척킹 전극(26)은 상기 정전압의 존슨 라벡 효과를 이용하여 상기 기판(W)을 상기 절연 층(24) 상에 고정시킬 수 있다. 제 1 케이블(32)은 상기 베이스(22) 및 상기 하부 하우징(12)을 관통하여 상기 척킹 전극(26)을 상기 정전압 소스(30)에 연결시킬 수 있다. The constant voltage source 30 may provide the constant voltage to the chucking electrode 26 of the electrostatic chuck 20 . For example, the constant voltage may be a DC voltage of about several hundreds of volts. The chucking electrode 26 may fix the substrate W on the insulating layer 24 by using the Johnson-Rabek effect of the positive voltage. A first cable 32 may pass through the base 22 and the lower housing 12 to connect the chucking electrode 26 to the constant voltage source 30 .

상기 고주파 파워 소스(40)는 고주파 파워(44)를 상기 베이스(22)에 공급할 수 있다. 상기 베이스(22)는 상기 챔버(10) 내의 플라즈마(16)의 소스 및/또는 바이어스 전극으로 사용될 수 있다. 상기 고주파 파워(44)가 상기 베이스(22)에 제공되면, 상기 베이스(22)는 상기 고주파 파워(44)를 이용하여 상기 기판(W) 상에 상기 플라즈마(16)를 생성시킬 수 있다. 상기 플라즈마(16)가 생성되면, 상기 기판(W)과 상기 베이스(22)는 상기 정전 척(20)의 축전 용량(CESC)을 가질 수 있다. 상기 정전 척(20)의 축전 용량(CESC)은 상기 베이스(22)의 면적, 상기 절연 층(24)의 유전상수에 비례하고, 상기 절연 층(24)의 두께와 반비례할 수 있다. 상기 정전 척(20)의 축전 용량(CESC)은 상기 정전 척(20)의 척 임피던스(ZESC)로 계산될 수 있다. The high frequency power source 40 may supply high frequency power 44 to the base 22 . The base 22 may be used as a source and/or bias electrode of the plasma 16 in the chamber 10 . When the high frequency power 44 is provided to the base 22 , the base 22 can generate the plasma 16 on the substrate W using the high frequency power 44 . When the plasma 16 is generated, the substrate W and the base 22 may have the capacitance C ESC of the electrostatic chuck 20 . The capacitance CESC of the electrostatic chuck 20 may be proportional to the area of the base 22 and the dielectric constant of the insulating layer 24 and may be inversely proportional to the thickness of the insulating layer 24 . The capacitance (C ESC ) of the electrostatic chuck 20 may be calculated as the chuck impedance (Z ESC ) of the electrostatic chuck 20 .

상기 고주파 파워(44)는 약 1KW 내지 약 100KW의 파워를 갖고, 약 60MHz 정도의 주파수를 가질 수 있다. 상기 고주파 파워(44)는 사인파 또는 코사인파의 파형을 가질 수 있다. The high frequency power 44 may have a power of about 1 KW to about 100 KW and a frequency of about 60 MHz. The high frequency power 44 may have a sine wave or a cosine wave.

상기 임피던스 매쳐(42)는 상기 고주파 파워 소스(40)와 상기 베이스(22) 사이에 연결될 수 있다. 제 2 케이블(41)은 상기 임피던스 매쳐(42)를 상기 고주파 파워 소스(40)에 연결시킬 수 있다. 상기 고주파 파워 소스(40)는 상기 제 2 케이블(41)을 통해 상기 고주파 파워(44)를 상기 임피던스 매쳐(42)에 제공할 수 있다. 상기 임피던스 매쳐(42)는 상기 고주파 파워(44)를 상기 파워 전송 부(50) 및 상기 정전 척(20)에 제공할 수 있다. 상기 임피던스 매쳐(42)는 상기 고주파 파워(44)의 상기 고주파 파워 소스(40) 내의 소스 임피던스와 상기 챔버(10) 내의 챔버 임피던스(Zch)를 매칭시킬 수 있다. 나아가, 상기 임피던스 매쳐(42)는 상기 챔버(10)로부터 상기 고주파 파워 소스(40)로 반사되는 반사 파워를 제거하여 상기 고주파 파워 소스(40)를 보호할 수 있다. 상기 고주파 파워(44)의 에너지 효율은 최대로 증가할 수 있다. 예를 들어, 상기 고주파 파워 소스(40)가 약 50Ω의 소스 임피던스를 가지면, 상기 임피던스 매쳐(42)는 상기 챔버 임피던스(Zch)를 약 50Ω로 조절할 수 있다. 상기 챔버 임피던스(Zch= R + iX)는 실수값(R)과 허수값(X)의 합으로 표시될 수 있다.The impedance matcher 42 may be connected between the high frequency power source 40 and the base 22 . A second cable 41 may connect the impedance matcher 42 to the high frequency power source 40 . The high frequency power source 40 may provide the high frequency power 44 to the impedance matcher 42 through the second cable 41 . The impedance matcher 42 may provide the high frequency power 44 to the power transmitter 50 and the electrostatic chuck 20 . The impedance matcher 42 may match a source impedance of the high frequency power 44 in the high frequency power source 40 and a chamber impedance Zch in the chamber 10 . Furthermore, the impedance matcher 42 may protect the high frequency power source 40 by removing reflected power reflected from the chamber 10 to the high frequency power source 40 . Energy efficiency of the high frequency power 44 can be increased to the maximum. For example, if the high frequency power source 40 has a source impedance of about 50Ω, the impedance matcher 42 may adjust the chamber impedance Z ch to about 50Ω. The chamber impedance (Z ch = R + iX) may be expressed as a sum of a real value (R) and an imaginary value (X).

상기 파워 전송 부(50)는 상기 베이스(22)를 상기 임피던스 매쳐(42)에 연결할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 파워 전송 부(50)는 파워 로드(60) 및 동축 케이블(70)을 포함할 수 있다. The power transmitter 50 may connect the base 22 to the impedance matcher 42 . According to one example, the power transmission unit 50 may include a power rod 60 and a coaxial cable 70.

상기 파워 로드(60)는 상기 정전 척(20)의 하부로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 파워 로드(60)는 상기 베이스(22)의 하부 면에 연결될 수 있다. 상기 파워 로드(60)는 동 관(copper tube) 또는 알루미늄 관을 포함할 수 있다. 상기 고주파 파워(44)는 상기 파워 로드(60)의 외부 표면을 따라 전달될 수 있다. 상기 파워 로드(60)는 약 62mm 내지 약 120mm의 제 1 외경(D)을 가질 수 있다. 베이스(22)의 하부면적 제한(ex, 기판 승강부(lift)의 단면적, 제 1 케이블(32)의 단면적, 냉매 라인의 단면적) 때문에 상기 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)은 약 120mm이하 일 수 있다. 상기 파워 로드(60)는 상기 고주파 파워(44)에 대한 로드 리엑턴스(Lrod)를 가질 수 있다. 상기 로드 리액턴스(Lrod)는 제 1 외경(D)의 함수(Lrod =f(D))일 수 있다. 상기 로드 리액턴스(Lrod)는 로드 임피던스(ZL)로 계산될 수 있다. 상기 챔버(10)의 임피던스(Zch)는 상기 로드 임피던스(ZL)에 비례하여 증가할 수 있다.The power rod 60 may be connected to a lower portion of the electrostatic chuck 20 . For example, the power rod 60 may be connected to the lower surface of the base 22 . The power rod 60 may include a copper tube or an aluminum tube. The high frequency power 44 may be transmitted along the outer surface of the power rod 60 . The power rod 60 may have a first outer diameter D of about 62 mm to about 120 mm. The first outer diameter (D) of the power rod 60 is about It may be less than 120 mm. The power rod 60 may have a load reactance L rod for the high frequency power 44 . The load reactance (L rod ) may be a function of the first outer diameter (D) (L rod =f(D)). The load reactance (L rod ) may be calculated as a load impedance (Z L ). The impedance Z ch of the chamber 10 may increase in proportion to the load impedance Z L .

상기 동축 케이블(70)은 상기 파워 로드(60)를 상기 임피던스 매쳐(42)에 연결할 수 있다. 상기 동축 케이블(70)은 내부 도선(72), 외부 도선(74) 및 유전체(76)를 포함할 수 있다. 상기 내부 도선(72)은 상기 파워 로드(60)를 상기 임피던스 매쳐(42)로 연결시킬 수 있다. 상기 내부 도선(72)은 약 15mm 이상의 제 2 외경(a)을 가질 수 있다. 상기 내부 도선(72)의 제 2 외경(a)이 약 15mm보다 작을 경우, 상기 내부 도선(72)은 상기 고주파 파워(44)에 의해 쉽게 고온으로 가열될 수 있다. 상기 외부 도선(74)은 상기 하부 하우징(12)과 상기 임피던스 매쳐(42) 사이의 상기 내부 도선(72)을 둘러쌀 수 있다. 상기 외부 도선(74)은 접지될 수 있다. 상기 유전체(76)는 상기 외부 도선(74)과 상기 내부 도선(72) 사이에 배치될 수 있다. The coaxial cable 70 may connect the power load 60 to the impedance matcher 42 . The coaxial cable 70 may include an inner conductor 72 , an outer conductor 74 and a dielectric 76 . The inner conductor 72 may connect the power load 60 to the impedance matcher 42 . The inner conductor 72 may have a second outer diameter (a) of about 15 mm or more. When the second outer diameter (a) of the inner conducting wire 72 is smaller than about 15 mm, the inner conducting wire 72 can be easily heated to a high temperature by the high frequency power 44 . The outer conductor 74 may surround the inner conductor 72 between the lower housing 12 and the impedance matcher 42 . The external conductor 74 may be grounded. The dielectric 76 may be disposed between the outer conductive wire 74 and the inner conductive wire 72 .

상기 고주파 파워(44)가 상기 내부 도선(72) 내에 제공되면, 상기 내부 도선(72)은 동축 리액턴스(Lcoax)와 동축 축전 용량(Ccoax)을 가질 수 있다. 상기 동축 리액턴스(Lcoax)와 상기 동축 축전 용량(Ccoax)은 상기 내부 도선(72)의 제 2 외경(a), 상기 외부 도선(74)의 제 1 내경(b) 및 상기 유전체(76)의 유전상수(ε)에 따라 계산될 수 있다. 예를 들어, 상기 동축 리액턴스(Lcoax)는 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b per a, b/a)의 로그 함수(ex, μ(ln(b/a))/2π, μ(상대투자율)=1, π=3.14)를 포함할 수 있다. 상기 동축 축전 용량(Ccoax)은 상기 제 1 내경(b) 나누기 상기 제 2 외경(a) 의 로그 함수(ex, ln(b/a))에 대한 상기 유전체(76)의 유전상수의 함수(ex, 2πε/(ln(b/a)), π=3.14, ε는 상기 유전체(76)의 유전상수)를 포함할 수 있다. 동축 리액턴스(Lcoax)와 동축 축전 용량(Ccoax)가 계산되면, 상기 동축 케이블(70)의 특성 임피던스(Z0)는 상기 동축 축전 용량(Ccoax) 나누기 상기 동축 리액턴스(Lcoax)의 루트 함수(ex,

Figure 112018032009221-pat00001
)로 계산될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 동축 리액턴스(Lcoax)와 동축 축전 용량(Ccoax)의 각각은 5개의 부분으로 분리되어 상기 특성 임피던스(Z0)로 계산될 수 있다. 상기 챔버(10)의 임피던스(Zch)는 상기 특성 임피던스(Z0)에 비례하여 증가할 수 있다. 상기 챔버 임피던스(Zch)는 상기 특성 임피던스(Z0), 상기 로드 임피던스(ZL) 플라즈마 임피던스(Zp, ex, 플라즈마 로드(plasma load))의 조합에 의해 결정될 수 있다. When the high frequency power 44 is provided in the inner conductor 72 , the inner conductor 72 may have a coaxial reactance (L coax ) and a coaxial capacitance (C coax ). The coaxial reactance (L coax ) and the coaxial capacitance (C coax ) are the second outer diameter (a) of the inner conducting wire 72, the first inner diameter (b) of the outer conducting wire 74 and the dielectric 76 It can be calculated according to the dielectric constant (ε) of For example, the coaxial reactance (L coax ) is a logarithmic function (ex, μ(ln(b) of a ratio (b per a, b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a). /a))/2π, μ (relative magnetic permeability) = 1, π = 3.14). The coaxial capacitance (C coax ) is a function of the dielectric constant of the dielectric 76 with respect to the first inner diameter (b) divided by the second outer diameter (a) logarithmic function (ex, ln (b / a)) ( ex, 2πε/(ln(b/a)), π=3.14, where ε is the dielectric constant of the dielectric 76). When the coaxial reactance (L coax ) and the coaxial capacitance (C coax ) are calculated, the characteristic impedance (Z 0 ) of the coaxial cable 70 is the coaxial capacitance (C coax ) divided by the root of the coaxial reactance (L coax ). function (ex.
Figure 112018032009221-pat00001
) can be calculated. Although not shown, each of the coaxial reactance (L coax ) and the coaxial capacitance (C coax ) may be divided into five parts and calculated as the characteristic impedance (Z 0 ). The impedance (Z ch ) of the chamber 10 may increase in proportion to the characteristic impedance (Z 0 ). The chamber impedance (Z ch ) may be determined by a combination of the characteristic impedance (Z 0 ), the load impedance (Z L ), and a plasma impedance (Zp, ex, plasma load).

한편, 상기 고주파 파워(44)는 상기 챔버(10) 내에서 복수개의 고조파들(harmonics)을 생성할 수 있다. 상기 고주파 파워(44)의 구동 주파수는, 상기 동축 케이블(70)의 특성(characteristic)에 따른 복수 개의 고조파들의 주파수들에 변조(modulated)될 수 있다. 상기 고조파들은 2 내지 n 차 고조파들을 포함할 수 있다. 상기 2 내지 n 차 고조파들은 상기 고주파 파워(44)의 구동 주파수의 배수의 주파수들을 가질 수 있다.Meanwhile, the high frequency power 44 may generate a plurality of harmonics within the chamber 10 . The driving frequency of the high frequency power 44 may be modulated to frequencies of a plurality of harmonics according to the characteristics of the coaxial cable 70 . The harmonics may include second to nth order harmonics. The 2nd to nth order harmonics may have frequencies that are multiples of the driving frequency of the high frequency power 44 .

상기 고주파 파워(44)의 구동 주파수가 60MHz일 때, 상기 2 차 내지 4 차 고조파들은 120MHz, 180MHz, 240MHz의 주파수들을 각각 가질 수 있다. 상기 챔버 임피던스(Zch)는 상기 구동 주파수의 상기 고주파 파워(44)와, 상기 2차 내지 4차 고조파들에 대해 계산될 수 있다. When the driving frequency of the high frequency power 44 is 60 MHz, the second to fourth harmonics may have frequencies of 120 MHz, 180 MHz, and 240 MHz, respectively. The chamber impedance Z ch may be calculated for the high frequency power 44 of the driving frequency and the second to fourth harmonics.

도 2는 도 1의 고주파 파워(44) 및 2 차 내지 4차 고조파들의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값들(101-104)을 보여주는 스미스 챠트(Smith chart)이다. FIG. 2 is a Smith chart showing imaginary values 101-104 of the high frequency power 44 of FIG. 1 and the chamber impedance Z ch of the second to fourth harmonics.

도 2를 참조하면, 상기 구동 주파수 의 상기 고주파 파워(44)의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(101)은 약 +50Ω이고, 상기 2차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(102)은 약 -37.5Ω이고, 상기 3차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)은 약 -3Ω이고, 상기 4차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(104)은 약 -400Ω일 수 있다. 상기 2차 내지 4차 고조파들상기 챔버 임피던스(Zch)의 실수값은 거의 0일 수 있다.Referring to FIG. 2, the imaginary value 101 of the chamber impedance Z ch of the high frequency power 44 at the driving frequency is about +50Ω, and the imaginary value 101 of the chamber impedance Z ch of the second harmonic wave (102) is about -37.5Ω, the imaginary value 103 of the chamber impedance (Z ch ) of the third harmonic is about -3Ω, and the imaginary value of the chamber impedance (Z ch ) of the fourth harmonic ( 104) may be about -400Ω. A real value of the chamber impedance (Z ch ) of the second to fourth harmonics may be substantially zero.

상기 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값이 10보다 작을 경우, 상기 챔버 임피던스(Zch)는 직렬 공명 조건(series resonance condition)에 근접하여 상기 기판(W)의 식각 균일도를 감소시킬 수 있다. When the absolute value of the imaginary value 103 of the third harmonic chamber impedance (Z ch ) is less than 10, the chamber impedance (Z ch ) is close to the series resonance condition, and the substrate (W) The etching uniformity of may be reduced.

이하, 상기 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값과, 상기 기판(W)의 식각 균일도의 관계에 대해 설명한다.Hereinafter, the relationship between the absolute value of the imaginary value 103 of the third harmonic chamber impedance (Z ch ) and the etching uniformity of the substrate W will be described.

도 3은 도 2의 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값의 절대값이 10보다 작은 비정상 식각 프로파일(84)과, 그의 절대값이 10보다 큰 정상 식각 프로파일(82)을 보여준다.FIG. 3 shows an abnormal etch profile 84 in which the absolute value of the imaginary value of the third harmonic chamber impedance Zch of FIG. 2 is less than 10 and a normal etch profile 82 whose absolute value is greater than 10.

도 3을 참조하면, 정상 식각 프로파일(82)은 상기 기판(W)의 전면에서 균일하지만, 비정상 식각 프로파일(84)은 상기 기판(W)의 중심 식각율이 비정상적으로 증가할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the normal etch profile 82 is uniform on the entire surface of the substrate W, but the etch rate of the center of the substrate W may abnormally increase in the abnormal etch profile 84 .

상기 비정상 식각 프로파일(84)은 상기 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값이 10보다 작을 때 나타나고 있었다. 상기 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값이 10보다 작을 경우, 상기 챔버 임피던스(Zch)는 감소할 수 있다. 상기 챔버 임피던스(Zch)가 감소하면, 상기 고주파 파워(44)는 상기 챔버(10) 내에서 증가하여 상기 기판(W)의 중심 영역에서의 스텐딩 웨이브 효과(standing wave effect)를 증가시킬 수 있다. 상기 비정상 식각 프로파일(84)은 상기 스텐딩 웨이브 효과에 의해 상기 기판(W)의 중심 영역에서 상기 정상 식각 프로파일(82)보다 높은 식각율 차이(86)를 가질 수 있다. 따라서, 상기 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값의 절대값이 10보다 작을 경우, 상기 기판(W)의 식각 균일도는 감소할 수 있다.The abnormal etching profile 84 appeared when the absolute value of the imaginary value 103 of the third harmonic chamber impedance Z ch was less than 10. When the absolute value of the imaginary value 103 of the third harmonic chamber impedance Z ch is less than 10, the chamber impedance Z ch may decrease. When the chamber impedance Z ch decreases, the high frequency power 44 may increase in the chamber 10 to increase a standing wave effect in the central region of the substrate W. . The abnormal etch profile 84 may have a higher etch rate difference 86 than the normal etch profile 82 in the central region of the substrate W due to the standing wave effect. Accordingly, when the absolute value of the imaginary value of the third harmonic chamber impedance Z ch is less than 10, the etching uniformity of the substrate W may decrease.

정상 식각 프로파일(82)은 상기 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값이 10보다 클 때 나타날 수 있다. ““10””은 경험치로서, 상기 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값의 하한선이 될 수 있다. 상기 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값의 절대값이 10보다 클 경우, 상기 챔버 임피던스(Zch)는 증가하고 상기 챔버(10) 내의 상기 고주파 파워(44)의 증가는 억제될 수 있다. 상기 정상 식각 프로파일(82)은 상기 스텐딩 웨이브 효과 없이 상기 기판(W)의 중심 영역과 에지 영역에서 일정하게 평탄할 수 있다. 따라서, 상기 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값의 절대값이 10보다 클 경우, 상기 기판(W)의 식각 균일도는 증가할 수 있다.A normal etching profile 82 may appear when the absolute value of the imaginary value 103 of the third harmonic chamber impedance Zch is greater than 10. ““10”” is an empirical value and may be the lower limit of the absolute value of the imaginary value 103 of the third harmonic chamber impedance (Z ch ). When the absolute value of the imaginary value of the third harmonic chamber impedance (Z ch ) is greater than 10, the chamber impedance (Z ch ) increases and the increase in the high-frequency power 44 in the chamber 10 is suppressed. can The normal etching profile 82 may be uniformly flat in the central region and the edge region of the substrate W without the standing wave effect. Therefore, when the absolute value of the imaginary value of the third harmonic chamber impedance (Z ch ) is greater than 10, the etching uniformity of the substrate W may be increased.

도 4는 도 1의 특성 임피던스(Z0)의 변화없이 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)의 변경 후의 고주파 파워(44) 및 2 차 내지 4차 고조파들의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값들(101-104)를 보여준다.Figure 4 is the imaginary number of the high frequency power 44 after changing the first outer diameter (D) of the power rod 60 without changing the characteristic impedance (Z 0 ) of FIG. 1 and the chamber impedance (Zch) of the second to fourth harmonics Show values (101-104).

도 4를 참조하면, 상기 동축 케이블(70)의 특성 임피던스(Z0)의 변화 없이 상기 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)이 62.7mm에서 100mm로 증가되었을 때, 상기 3차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값은 약 7일 수 있다. 상기 3차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값이 10보다 작기 때문에 상기 파워 로드(60)는 상기 비정상 식각 프로파일(84)에 따라 상기 기판(W)을 식각시킬 수 있다. 상기 기판(W)의 식각 균일도는 감소할 수 있다. 상기 고주파 파워(44)의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(101)은 약 +40Ω이고, 상기 2차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(102)은 약 -40Ω이고, 상기 4차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(104)은 약 +240Ω일 수 있다.Referring to Figure 4, when the first outer diameter (D) of the power rod 60 is increased from 62.7mm to 100mm without a change in the characteristic impedance (Z 0 ) of the coaxial cable 70, the third harmonic An absolute value of the imaginary value 103 of the chamber impedance Z ch may be about 7. Since the absolute value of the imaginary value 103 of the chamber impedance Zch of the third harmonic is smaller than 10, the power load 60 may etch the substrate W according to the abnormal etching profile 84. there is. Etching uniformity of the substrate W may decrease. The imaginary value 101 of the chamber impedance (Z ch ) of the high frequency power 44 is about +40Ω, the imaginary value 102 of the chamber impedance (Z ch ) of the second harmonic is about -40Ω, An imaginary value 104 of the chamber impedance Z ch of the fourth harmonic may be about +240Ω.

도 5는 도 1의 동축 케이블(70)의 특성 임피던스(Z0)가 35.9Ω에서 50Ω으로 증가된 후의 고주파 파워(44) 및 2 차 내지 4차 고조파들의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값들(101-104)을 보여준다.FIG. 5 shows imaginary values of the high frequency power 44 after the characteristic impedance (Z 0 ) of the coaxial cable 70 of FIG. 1 is increased from 35.9Ω to 50Ω and the chamber impedance (Z ch ) of second to fourth harmonics. Show (101-104).

도 5를 참조하면, 동축 케이블(70)의 특성 임피던스(Z0)가 35.9Ω에서 50Ω으로 증가될 때, 상기 3차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값은 약 7에서 약 14로 증가할 수 있다. 상기 3차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값이 10보다 크기 때문에 증가된 특성 임피던스(Z0)의 상기 동축 케이블(70)은 식각율 차이(86) 없이 상기 기판(W)의 식각 균일도를 증가시킬 수 있다. Referring to FIG. 5, when the characteristic impedance (Z 0 ) of the coaxial cable 70 is increased from 35.9Ω to 50Ω, the absolute value of the imaginary value 103 of the chamber impedance (Z ch ) of the third harmonic is It can increase from about 7 to about 14. Since the absolute value of the imaginary value 103 of the chamber impedance Zch of the third harmonic is greater than 10, the coaxial cable 70 of the increased characteristic impedance Z 0 has no etch rate difference 86 on the substrate. The etching uniformity of (W) can be increased.

상기 고주파 파워(44)의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(101)은 약 +70Ω이고, 상기 2차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(102)은 약 -70Ω이고, 상기 4차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(104)은 약 +80Ω일 수 있다.The imaginary value 101 of the chamber impedance (Z ch ) of the high frequency power 44 is about +70Ω, the imaginary value 102 of the chamber impedance (Z ch ) of the second harmonic is about -70Ω, An imaginary value 104 of the chamber impedance (Z ch ) of the fourth harmonic may be about +80Ω.

도 6은 도 1의 동축 케이블(70)의 특성 임피던스(Z0)가 35.9Ω에서 75Ω으로 증가된 후의 고주파 파워(44) 및 2 차 내지 4차 고조파들의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값들(101-104)을 보여준다.6 is imaginary values of the high frequency power 44 after the characteristic impedance (Z 0 ) of the coaxial cable 70 of FIG. 1 is increased from 35.9Ω to 75Ω and the chamber impedance (Z ch ) of second to fourth harmonics. Show (101-104).

도 6을 참조하면, 상기 동축 케이블(70)의 특성 임피던스(Z0)가 35.9Ω에서 75Ω으로 증가될 때, 상기 3차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값은 약 7에서 약 29로 증가할 수 있다. 상기 3차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값이 10보다 크기 때문에 증가된 특성 임피던스(Z0)의 상기 동축 케이블(70)은 상기 기판(W)의 식각 균일도를 증가시킬 수 있다. Referring to FIG. 6, when the characteristic impedance (Z 0 ) of the coaxial cable 70 is increased from 35.9Ω to 75Ω, the absolute value of the imaginary value 103 of the chamber impedance (Z ch ) of the third harmonic can increase from about 7 to about 29. Since the absolute value of the imaginary value 103 of the chamber impedance Zch of the third harmonic is greater than 10, the increased characteristic impedance Z 0 of the coaxial cable 70 improves the etching uniformity of the substrate W. can increase

상기 고주파 파워(44)의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(101)의 절대값은 약 100일 수 있다. 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(101)의 절대값이 100이상일 경우, 상기 챔버(10) 내의 상기 플라즈마(16)의 고전압 유도에 따른 상기 플라즈마(16)의 아킹 불량이 발생되었다. 여기서, ““100””은 경험치로서, 구동 주파수의 상기 고주파 파워(44)의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(101)의 절대값의 상한선이 될 수 있다. The absolute value of the imaginary value 101 of the chamber impedance Z ch of the high frequency power 44 may be about 100. When the absolute value of the imaginary value 101 of the chamber impedance Z ch is greater than or equal to 100, arcing failure of the plasma 16 due to the induction of a high voltage of the plasma 16 in the chamber 10 occurred. Here, “100” is an empirical value and may be an upper limit of the absolute value of the imaginary value 101 of the chamber impedance Z ch of the high frequency power 44 at the driving frequency.

상기 2차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(102)은 약 -30Ω이고, 상기 4차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(104)은 약 -120Ω일 수 있다.An imaginary value 102 of the chamber impedance (Z ch ) of the second harmonic wave may be about -30Ω, and an imaginary value 104 of the chamber impedance (Z ch ) of the fourth harmonic wave may be about -120Ω.

도 7은 도 1의 특성 임피던스(Z0)가 50Ω이고, 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)이 62.7mm에서 100mm로 증가된 후의 고주파 파워(44) 및 2 차 내지 4차 고조파들의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값들(101-104)을 보여준다.7 shows the high frequency power 44 and second to fourth harmonics after the characteristic impedance (Z 0 ) of FIG. 1 is 50Ω and the first outer diameter (D) of the power rod 60 is increased from 62.7 mm to 100 mm. Imaginary values 101-104 of the chamber impedance Z ch are shown.

도 7을 참조하면, 상기 특성 임피던스(Z0)가 50Ω이고, 상기 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)이 62.7mm에서 100mm로 증가될 때, 상기 고주파 파워(44)의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(101)의 절대값은 상한선보다 작은 약 50일 수 있다. 상기 파워 로드(60)는 상기 챔버(10) 내의 아킹 불량 없이 상기 고주파 파워(44)를 상기 정전 척(20)에 전송할 수 있다. 상기 3차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값은 하한선보다 큰 약 20일 수 있다. 상기 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)이 증가하면, 상기 고주파 파워(44)의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(101)의 절대값과 상기 3차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값은 증가할 수 있다. Referring to FIG. 7, when the characteristic impedance (Z 0 ) is 50Ω and the first outer diameter (D) of the power rod 60 is increased from 62.7 mm to 100 mm, the chamber impedance of the high frequency power 44 ( The absolute value of the imaginary value 101 of Z ch ) may be about 50, which is smaller than the upper limit. The power rod 60 may transmit the high frequency power 44 to the electrostatic chuck 20 without arcing defects in the chamber 10 . An absolute value of the imaginary value 103 of the chamber impedance Z ch of the third harmonic may be about 20 greater than the lower limit. When the first outer diameter D of the power rod 60 increases, the absolute value of the imaginary value 101 of the chamber impedance Z ch of the high frequency power 44 and the chamber impedance Z of the third harmonic The absolute value of the imaginary value 103 of ch ) may increase.

상기 2차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(102)은 약 -80Ω이고, 상기 4차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(104)은 약 +40Ω일 수 있다.An imaginary value 102 of the chamber impedance (Z ch ) of the second harmonic wave may be about -80Ω, and an imaginary value 104 of the chamber impedance (Z ch ) of the fourth harmonic wave may be about +40Ω.

도 8은 도 1의 동축 케이블(70)의 특성 임피던스(Z0)가 35.9Ω에서 75Ω으로 증가되고, 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)이 62.7mm에서 100mm로 증가된 후의 고주파 파워(44) 및 2 차 내지 4차 고조파들의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값들(101-104)을 보여준다.8 is a high-frequency power after the characteristic impedance (Z 0 ) of the coaxial cable 70 of FIG. 1 is increased from 35.9Ω to 75Ω, and the first outer diameter (D) of the power rod 60 is increased from 62.7mm to 100mm. (44) and the imaginary values 101-104 of the chamber impedance Z ch of the second to fourth harmonics.

도 8을 참조하면, 상기 특성 임피던스(Z0)가 50Ω에서 75Ω로 증가되고, 상기 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)이 62.7mm에서 100mm로 증가될 때, 상기 고주파 파워(44)의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(101)의 절대값은 상한선보다 작은 약 90일 수 있다. 상기 파워 로드(60)는 상기 챔버(10) 내의 아킹 불량 없이 상기 고주파 파워(44)를 상기 정전 척(20)에 전송할 수 있다. 상기 3차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값은 하한선보다 큰 약 30일 수 있다. Referring to FIG. 8, when the characteristic impedance Z 0 is increased from 50Ω to 75Ω and the first outer diameter D of the power rod 60 is increased from 62.7mm to 100mm, the high frequency power 44 The absolute value of the imaginary value 101 of the chamber impedance Z ch of may be about 90, which is smaller than the upper limit. The power rod 60 may transmit the high frequency power 44 to the electrostatic chuck 20 without arcing defects in the chamber 10 . An absolute value of the imaginary value 103 of the chamber impedance Z ch of the third harmonic may be about 30 greater than the lower limit.

상기 특성 임피던스(Z0)가 증가하면, 상기 고주파 파워(44)의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(101)의 절대값과 상기 3차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(103)의 절대값은 증가할 수 있다.When the characteristic impedance (Z 0 ) increases, the absolute value of the imaginary value 101 of the chamber impedance (Z ch ) of the high frequency power 44 and the imaginary value of the chamber impedance (Z ch ) of the third harmonic wave ( 103) may increase.

상기 2차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(102)은 약 -150Ω이고, 상기 4차 고조파의 상기 챔버 임피던스(Zch)의 허수값(104)은 약 +30Ω일 수 있다.An imaginary value 102 of the chamber impedance (Z ch ) of the second harmonic wave may be about -150Ω, and an imaginary value 104 of the chamber impedance (Z ch ) of the fourth harmonic wave may be about +30Ω.

도 9는 도 1의 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)이 62.7mm일 때, 특성 임피던스(Z0)에 따른 구동 주파수의 고주파 파워(44)와 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값들(101, 103)을 보여준다. 9 shows the high-frequency power 44 of the driving frequency according to the characteristic impedance (Z 0 ) and the chamber impedance (Z ch ) of the third harmonic when the first outer diameter (D) of the power rod 60 of FIG. 1 is 62.7 mm Shows the imaginary values 101 and 103 of ).

도 9를 참조하면, 상기 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)이 62.7mm일 때, 구동 주파수의 고주파 파워(44)와 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값들(101, 103)의 상한선과 하한선 내의 특성 임피던스(Z0)는 약 45Ω 내지 65Ω일 수 있다. 상기 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)가 62.7mm이고, 상기 동축 케이블(70)의 특성 임피던스(Z0)가 약 45Ω 내지 65Ω일 때, 상기 파워 로드(60)와 상기 동축 케이블(70)은 아킹 불량 없이 상기 기판(W)의 식각 균일도를 증가시킬 수 있다.Referring to FIG. 9, when the first outer diameter D of the power rod 60 is 62.7 mm, the high frequency power 44 of the driving frequency and the imaginary values 101 of the third harmonic chamber impedance Z ch , 103), the characteristic impedance (Z 0 ) within the upper and lower limits may be about 45 Ω to 65 Ω. When the first outer diameter (D) of the power rod 60 is 62.7 mm and the characteristic impedance (Z 0 ) of the coaxial cable 70 is about 45 Ω to 65 Ω, the power rod 60 and the coaxial cable ( 70) may increase etching uniformity of the substrate W without arcing defects.

도 10는 도 1의 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)이 90mm일 때, 특성 임피던스(Z0)에 따른 고주파 파워(44)와 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값들(101, 103)을 보여준다. 10 is when the first outer diameter (D) of the power rod 60 of FIG. 1 is 90 mm, the high frequency power 44 according to the characteristic impedance (Z 0 ) and the imaginary value of the third harmonic chamber impedance (Z ch ) Shows (101, 103).

도 10을 참조하면, 상기 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)이 90mm일 때, 고주파 파워(44)와 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값들(101, 103)의 상한선과 하한선 내의 특성 임피던스(Z0)는 약 40Ω 내지 70Ω일 수 있다. 상기 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)가 90mm이고, 상기 동축 케이블(70)의 특성 임피던스(Z0)가 약 40Ω 내지 70Ω일 때, 상기 파워 로드(60)와 상기 동축 케이블(70)은 아킹 불량 없이 상기 기판(W)의 식각 균일도를 증가시킬 수 있다.Referring to FIG. 10, when the first outer diameter D of the power rod 60 is 90 mm, the high frequency power 44 and the imaginary values 101 and 103 of the third harmonic chamber impedance Z ch A characteristic impedance (Z 0 ) within the upper and lower limits may be about 40 Ω to 70 Ω. When the first outer diameter (D) of the power rod 60 is 90 mm and the characteristic impedance (Z 0 ) of the coaxial cable 70 is about 40 Ω to 70 Ω, the power rod 60 and the coaxial cable 70 ) can increase the etching uniformity of the substrate (W) without arcing defects.

도 11은 도 1의 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)이 120mm일 때, 특성 임피던스(Z0)에 따른 고주파 파워(44)와 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값들(101, 103)을 보여준다. 11 is when the first outer diameter (D) of the power rod 60 of FIG. 1 is 120 mm, the high frequency power 44 according to the characteristic impedance (Z 0 ) and the imaginary value of the third harmonic chamber impedance (Z ch ) Shows (101, 103).

도 11을 참조하면, 상기 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)이 120mm일 때, 고주파 파워(44)와 3차 고조파의 챔버 임피던스(Zch)의 허수값들(101, 103)의 상한선과 하한선 내의 특성 임피던스(Z0)는 약 40Ω 내지 75Ω일 수 있다. 상기 파워 로드(60)의 제 1 외경(D)가 120mm이고, 상기 동축 케이블(70)의 특성 임피던스(Z0)가 약 40Ω 내지 75Ω일 때, 상기 파워 로드(60)와 상기 동축 케이블(70)은 아킹 불량 없이 상기 기판(W)의 식각 균일도를 증가시킬 수 있다.Referring to FIG. 11, when the first outer diameter D of the power rod 60 is 120 mm, the high frequency power 44 and the imaginary values 101 and 103 of the third harmonic chamber impedance Z ch A characteristic impedance (Z 0 ) within the upper and lower limits may be about 40 Ω to 75 Ω. When the first outer diameter (D) of the power rod 60 is 120 mm and the characteristic impedance (Z 0 ) of the coaxial cable 70 is about 40 Ω to 75 Ω, the power rod 60 and the coaxial cable 70 ) can increase the etching uniformity of the substrate (W) without arcing defects.

상기 동축 케이블(70)의 특성 임피던스(Z0)가 설정되면, 제 2 외경(a)에 대한 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 상기 유전체(76)의 유전상수(ε)에 따라 계산될 수 있다.When the characteristic impedance (Z 0 ) of the coaxial cable 70 is set, the ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) is the dielectric constant (ε) of the dielectric 76 can be calculated according to

도 12는 특성 임피던스(Z0) 및 상기 유전체의 유전상수(ε)에 따른 제 2 외경(a)에 대한 제 1 내경(b)의 비율(b/a)을 보여준다.12 shows the ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) according to the characteristic impedance (Z 0 ) and the dielectric constant (ε) of the dielectric.

도 12를 참조하면, 동축 케이블(70)의 특성 임피던스(Z0)가 약 45Ω 내지 65Ω일 때, 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 상기 유전체(76)의 유전상수보다 크고, 상기 유전체(76)의 유전상수의 약 3배보다 작을 수 있다. 상기 동축 케이블(70)은 식각 균일성을 증가시킬 수 있다. 상 상기 플라즈마(16)는 아킹없이 상기 챔버(10) 내에 유도될 수 있다.Referring to FIG. 12, when the characteristic impedance (Z 0 ) of the coaxial cable 70 is about 45Ω to 65Ω, the ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) is It may be greater than the dielectric constant of the dielectric 76 and less than about three times the dielectric constant of the dielectric 76 . The coaxial cable 70 may increase etching uniformity. The plasma 16 may be induced into the chamber 10 without arcing.

상기 유전체(76)는 공기(air), 테프론(Teflon), 울템(Ultem), 피크(PEEK), 퀄츠(Quartz), 및 알루미나(Alimina)를 포함할 수 있다. 공기의 유전상수는 약 1이고, 테프론의 유전상수는 약 2.1이고, 울템의 유전상수는 약 3.0이고, 피크의 유전상수는 3.2이고, 퀄츠의 유전상수는 3.9이고, 알루미나의 유전상수는 9.0이다.The dielectric 76 may include air, Teflon, Ultem, PEEK, quartz, and alumina. Air has a dielectric constant of about 1, Teflon has a dielectric constant of about 2.1, Ultem has a dielectric constant of about 3.0, Peak has a dielectric constant of about 3.2, Quartz has a dielectric constant of 3.9, Alumina has a dielectric constant of 9.0 .

상기 유전체(76)가 공기(ε=1)일 경우, 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 2.12 내지 2.95일 수 있다. 상기 유전체(76)가 테프론(ε=2.1)일 경우, 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 2.96 내지 4.80일 수 있다. 상기 유전체(76)가 울템(ε=3.0)일 경우, 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 3.66 내지 6.52일 수 있다. 상기 유전체(76)가 피크(ε=3.2)일 경우, 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 3.82 내지 6.93일 수 있다. 상기 유전체(76)가 퀄츠(ε=3.9)일 경우, 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 4.39 내지 8.48일 수 있다. 상기 유전체(76)가 알루미나(ε=9.0)일 경우, 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 9.47 내지 25.72일 수 있다.When the dielectric 76 is air (ε=1), the ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) may be in the range of 2.12 to 2.95. When the dielectric 76 is made of Teflon (ε=2.1), a ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) may range from 2.96 to 4.80. When the dielectric 76 is Ultem (ε=3.0), a ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) may be in the range of 3.66 to 6.52. When the dielectric 76 has a peak (ε=3.2), a ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) may be in the range of 3.82 to 6.93. When the dielectric 76 is made of quartz (ε=3.9), a ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) may range from 4.39 to 8.48. When the dielectric 76 is alumina (ε=9.0), a ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) may be in the range of 9.47 to 25.72.

동축 케이블(70)의 특성 임피던스(Z0)가 약 50Ω 내지 60Ω일 때, 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 상기 유전체(76)의 유전상수의 약 2배일 수 있다. 상기 동축 케이블(70)은 식각 균일성을 보다 더 증가시킬 수 있다. 상기 플라즈마(16)는 아킹없이 유도될 수 있다.When the characteristic impedance (Z 0 ) of the coaxial cable 70 is about 50Ω to 60Ω, the ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) is It may be about twice the dielectric constant. The coaxial cable 70 can further increase etching uniformity. The plasma 16 can be induced without arcing.

상기 유전체(76)가 공기(ε=1)일 경우, 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 2.30 내지 2.72일 수 있다. 상기 유전체(76)가 테프론(ε=2.1)일 경우, 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 3.34 내지 4.25일 수 있다. 상기 유전체(76)가 울템(ε=3.0)일 경우, 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 4.23 내지 5.64일 수 있다. 상기 유전체(76)가 피크(ε=3.2)일 경우, 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 4.43 내지 5.97일 수 있다. 상기 유전체(76)가 퀄츠(ε=3.9)일 경우, 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 5.18 내지 7.19일 수 있다. 상기 유전체(76)가 알루미나(ε=9.0)일 경우, 상기 제 2 외경(a)에 대한 상기 제 1 내경(b)의 비율(b/a)은 12.16 내지 20.03일 수 있다.When the dielectric 76 is air (ε=1), the ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) may be 2.30 to 2.72. When the dielectric 76 is made of Teflon (ε=2.1), a ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) may be 3.34 to 4.25. When the dielectric 76 is Ultem (ε = 3.0), a ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) may be in the range of 4.23 to 5.64. When the dielectric 76 has a peak (ε=3.2), a ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) may be in the range of 4.43 to 5.97. When the dielectric 76 is made of quartz (ε=3.9), a ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) may range from 5.18 to 7.19. When the dielectric 76 is alumina (ε=9.0), a ratio (b/a) of the first inner diameter (b) to the second outer diameter (a) may be in the range of 12.16 to 20.03.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, embodiments have been disclosed in the drawings and specifications. Although specific terms have been used herein, they are only used for the purpose of describing the present invention and are not used to limit the scope of the present invention described in the claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (10)

챔버;
상기 챔버 내의 하부에 배치되어 기판을 수납하는 정전 척;
상기 정전 척에 제 1 주파수를 갖는 고주파 파워를 공급하는 파워 소스;
상기 파워 소스와 상기 정전 척 사이에 연결되는 임피던스 매쳐; 및
상기 정전 척을 상기 임피던스 매쳐에 연결하는 파워 전송 부를 포함하되,
상기 파워 전송 부는:
상기 정전 척에 연결되고, 제 1 외경을 갖는 파워 로드; 및
상기 파워 로드를 상기 임피던스 매쳐로 연결하고 상기 제 1 외경보다 작은 제 2 외경을 갖는 내부 도선, 상기 챔버와 연결되어 상기 내부 도선을 둘러싸고 상기 제 1 외경보다 작고 상기 제 2 외경보다 큰 제 1 내경을 갖는 외부 도선, 및 상기 외부 도선과 상기 내부 도선 사이의 배치된 유전체를 포함하는 동축 케이블을 포함하되,
상기 제 1 내경에 대한 제 2 외경의 비(제 1 내경/제 2 외경)는 상기 유전체의 유전상수 보다 크고, 상기 유전상수의 3배보다 작고,
상기 임피던스 매쳐는 상기 챔버 내에 상기 고주파 파워의 챔버 임피던스를 제어하고,
상기 챔버는 상기 고주파 파워를 사용하여 상기 제 1 주파수의 정수 배에 대응하는 제 2 내지 제 4 주파수들을 갖는 2차 내지 4차 조화파들을 생성하고,
상기 챔버 임피던스는 상기 2차 내지 4차 조화파들의 실수 값들과 허수 값들을 갖고,
상기 3차 조화파의 허수 값의 절대 값은 10보다 크고,
상기 챔버 임피던스는 상기 고주파 파워의 실수 값과 허수 값을 더 포함하고,
상기 고주파 파워의 허수 값의 절대 값은 100보다 작은 반도체 소자의 제조장치.
chamber;
an electrostatic chuck disposed at a lower portion of the chamber to accommodate a substrate;
a power source supplying high frequency power having a first frequency to the electrostatic chuck;
an impedance matcher coupled between the power source and the electrostatic chuck; and
A power transmission unit connecting the electrostatic chuck to the impedance matcher,
The power transmission unit:
a power rod connected to the electrostatic chuck and having a first outer diameter; and
An inner conductor connecting the power rod to the impedance matcher and having a second outer diameter smaller than the first outer diameter, a first inner diameter that is smaller than the first outer diameter and larger than the second outer diameter that is connected to the chamber and surrounds the inner conductor wire A coaxial cable including an outer conductor having an outer conductor and a dielectric disposed between the outer conductor and the inner conductor,
The ratio of the second outer diameter to the first inner diameter (first inner diameter / second outer diameter) is greater than the dielectric constant of the dielectric and less than three times the dielectric constant,
The impedance matcher controls the chamber impedance of the high frequency power in the chamber,
The chamber generates second to fourth harmonic waves having second to fourth frequencies corresponding to integer multiples of the first frequency using the high frequency power;
The chamber impedance has real values and imaginary values of the second to fourth harmonic waves,
The absolute value of the imaginary value of the third harmonic wave is greater than 10,
The chamber impedance further includes a real value and an imaginary value of the high frequency power,
The absolute value of the imaginary value of the high frequency power is less than 100.
 제 1 항에 있어서,
상기 파워 로드의 상기 제 1 외경은 62mm 내지 120mm인 반도체 소자의 제조장치.
According to claim 1,
The first outer diameter of the power rod is a semiconductor device manufacturing apparatus of 62mm to 120mm.
 제 2 항에 있어서,
상기 동축 케이블은 상기 고주파 파워에 대한 특성 임피던스를 갖되,
상기 특성 임피던스는 40Ω 이상인 반도체 소자의 제조장치.
According to claim 2,
The coaxial cable has a characteristic impedance for the high frequency power,
The characteristic impedance is a semiconductor device manufacturing apparatus of 40Ω or more.
 제 3 항에 있어서,
상기 특성 임피던스가 50Ω 내지 60Ω일 때, 상기 제 1 내경에 대한 제 2 외경의 비(제 1 내경/제 2 외경)는 상기 유전체의 유전상수의 2배인 반도체 소자의 제조장치.
According to claim 3,
When the characteristic impedance is 50 Ω to 60 Ω, the ratio of the second outer diameter to the first inner diameter (first inner diameter / second outer diameter) is twice the dielectric constant of the dielectric.
 제 3 항에 있어서,
상기 챔버 임피던스는 상기 특성 임피던스에 비례하는 반도체 소자의 제조장치.
According to claim 3,
The chamber impedance is proportional to the characteristic impedance.
 삭제delete 삭제delete 제 3 항에 있어서,
상기 파워 로드의 상기 제 1 외경이 62mm일 때, 상기 동축 케이블의 상기 특성 임피던스는 45Ω 내지 65Ω인 반도체 소자의 제조장치.
According to claim 3,
When the first outer diameter of the power rod is 62 mm, the characteristic impedance of the coaxial cable is 45 Ω to 65 Ω.
 제 3 항에 있어서,
상기 파워 로드의 상기 제 1 외경이 90mm일 때, 상기 동축 케이블의 상기 특성 임피던스는 40Ω 내지 70Ω인 반도체 소자의 제조장치.
According to claim 3,
When the first outer diameter of the power rod is 90mm, the characteristic impedance of the coaxial cable is 40Ω to 70Ω.
 제 3 항에 있어서,
상기 파워 로드의 상기 제 1 외경이 120mm일 때, 상기 동축 케이블의 상기 특성 임피던스는 40Ω 내지 75Ω인 반도체 소자의 제조장치.

According to claim 3,
When the first outer diameter of the power rod is 120 mm, the characteristic impedance of the coaxial cable is 40 Ω to 75 Ω.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20060066331A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Yokowo Co., Ltd. Inspection unit
US20160307743A1 (en) * 2015-04-17 2016-10-20 Lam Research Corporation Chamber with vertical support stem for symmetric conductance and rf delivery

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060066331A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Yokowo Co., Ltd. Inspection unit
US20160307743A1 (en) * 2015-04-17 2016-10-20 Lam Research Corporation Chamber with vertical support stem for symmetric conductance and rf delivery

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