KR102507554B1 - Compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a compound represented by Formula 1 and an organic light emitting device including the same.
Description
본 명세서는 2019년 11월 22일 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2019-0151322호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This specification claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2019-0151322 filed with the Korean Intellectual Property Office on November 22, 2019, the entire content of which is incorporated herein.
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a compound and an organic light emitting device including the same.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 제1 전극과 제2 전극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 제1 전극에서는 정공이, 제2 전극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. In general, the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon in which electrical energy is converted into light energy using an organic material. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon usually has a structure including a first electrode and a second electrode and an organic material layer therebetween. Here, the organic material layer is often composed of a multi-layer structure composed of different materials to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, and may include, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. In the structure of such an organic light emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected from the first electrode and electrons from the second electrode are injected into the organic material layer, and when the injected holes and electrons meet, excitons are formed. , when this exciton falls back to the ground state, it emits light.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.Development of new materials for the organic light emitting device as described above has been continuously demanded.
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.The present specification is to provide a compound and an organic light emitting device including the same.
본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present specification provides a compound represented by Formula 1 below.
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에서,In Formula 1,
X 및 Y는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 O, S 또는 CZ1Z2이며,X and Y are the same as or different from each other, and are each independently O, S or CZZ2;
환 A는 벤젠고리 또는 나프탈렌고리이고,Ring A is a benzene ring or a naphthalene ring,
A1 내지 A4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,A1 to A4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; nitro group; hydroxy group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
R1 내지 R6, Z1 및 Z2은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,R1 to R6, Z1 and Z2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
n1 내지 n3, m 및 l은 각각 0 또는 1이며,n1 to n3, m and l are each 0 or 1,
n1 내지 n3의 합은 2 이상이고,The sum of n1 to n3 is 2 or more,
a1 및 a2는 각각 1 내지 4인 정수이며,a1 and a2 are integers from 1 to 4, respectively;
a3은 1 내지 3인 정수이고,a3 is an integer from 1 to 3;
a4는 1 내지 6인 정수이며,a4 is an integer from 1 to 6;
a1 내지 a4가 각각 2 이상인 경우, 괄호 내 구조는 서로 동일하거나 상이하고, When a1 to a4 are each 2 or more, the structures in parentheses are the same as or different from each other,
단, 환 A가 나프탈렌인 경우, m은 0이며, However, when ring A is naphthalene, m is 0;
l이 1인 경우, 환 A는 벤젠고리이다.When l is 1, ring A is a benzene ring.
또한, 본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상술한 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, the present specification is a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layers contains the aforementioned compound.
본 출원의 일 실시상태에 따른 화합물을 사용하는 유기 발광 소자는 낮은 구동전압, 높은 발광효율 또는 장수명이 가능하다.An organic light emitting device using a compound according to an exemplary embodiment of the present application may have a low driving voltage, high luminous efficiency, or long lifespan.
도 1은 일 실시상태에 따른 유기발광소자의 구조를 도시한 것이다.
도 2는 또 다른 실시상태에 따른 유기발광소자의 구조를 도시한 것이다.1 illustrates a structure of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment.
2 illustrates a structure of an organic light emitting device according to another exemplary embodiment.
이하에서 본 명세서에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, this specification will be described in detail.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. The present specification provides a compound represented by Formula 1 above.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a certain component is said to "include", it means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In this specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only the case where a member is in contact with another member, but also the case where another member exists between the two members.
본 명세서의 일 실시상태에 따라, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 인돌로카바졸 구조에 직접적으로 벤조티오펜, 벤조퓨란기 또는 디하이드로인덴을 축합한 구조로 분자자체의 강직도를 향상시켜 화합물의 안정성을 높일 수 있다. 이는 유기 발광 소자 구동시, 소자의 수명을 향상시키는 이점이 있다. 또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 특정 위치에 2 이상의 아민기가 치환되어 있으며, 이는 아민기가 없거나 1개인 경우보다 oscillator strength 값이 증가하여 소자에서의 발광효율을 향상시키는 효과가 있다. According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of substituents in the present specification are described below, but are not limited thereto.
상기 “치환” 이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term “substitution” means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the hydrogen atom is substituted, that is, a position where the substituent can be substituted, and in the case of two or more substitutions , Two or more substituents may be the same as or different from each other.
본 명세서에서 “치환 또는 비치환된” 이라는 용어는 중수소(-D); 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 아민기; 실릴기; 붕소기; 알콕시기; 알킬기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, “2 이상의 치환기가 연결된 치환기”는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다.In this specification, the term "substituted or unsubstituted" means deuterium (-D); halogen group; nitrile group; nitro group; hydroxy group; amine group; silyl group; boron group; alkoxy group; an alkyl group; cycloalkyl group; aryl group; And it means that it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group, or is substituted with a substituent in which two or more substituents from among the above exemplified substituents are connected, or does not have any substituents. For example, "a substituent in which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituents are described below, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소(-F), 염소(-Cl), 브롬(-Br) 또는 요오드(-I)가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine (-F), chlorine (-Cl), bromine (-Br), or iodine (-I).
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiYaYbYc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ya, Yb 및 Yc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, tert-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group may be represented by a chemical formula of -SiY a Y b Y c , wherein Y a , Y b and Y c are each hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. The silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a tert-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, and the like, but is not limited thereto. don't
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BYdYe의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Yd 및 Ye는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, tert-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group may be represented by the chemical formula -BY d Y e , wherein Y d and Y e are each hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. The boron group specifically includes a trimethyl boron group, a triethyl boron group, a tert-butyldimethyl boron group, a triphenyl boron group, a phenyl boron group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 헵틸기, n-헵틸기, 옥틸기, n-옥틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be straight or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 60. According to one embodiment, the number of carbon atoms of the alkyl group is 1 to 30. According to another embodiment, the number of carbon atoms of the alkyl group is 1 to 20. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the alkyl group is 1 to 10. Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, n-propyl group, isopropyl group, butyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, n-pentyl group, hexyl group, n -Hexyl group, heptyl group, n-heptyl group, octyl group, n-octyl group, etc., but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be straight chain, branched chain or cyclic chain. The number of carbon atoms in the alkoxy group is not particularly limited, but is preferably 1 to 20 carbon atoms. Specifically, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, isopentyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, etc., but is not limited thereto. .
본 명세서에 기재된 알킬기, 알콕시기 및 그 외 알킬기 부분을 포함하는 치환체는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함한다.Alkyl groups, alkoxy groups, and substituents containing other alkyl moieties described herein include both straight-chain and branched forms.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the cycloalkyl group is 3 to 6. Specifically, there are a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 39이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 트리페닐레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to one embodiment, the number of carbon atoms of the aryl group is 6 to 39. According to one embodiment, the number of carbon atoms of the aryl group is 6 to 30. The aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a quaterphenyl group, etc. as a monocyclic aryl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, pyrenyl group, perylenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, triphenylenyl group, etc., but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 플루오렌기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorene group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.
상기 플루오렌기가 치환되는 경우, , 등의 스피로플루오렌기, (9,9-디메틸플루오렌기), 및 (9,9-디페닐플루오렌기) 등의 치환된 플루오렌기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorene group is substituted, , spirofluorene groups such as; (9,9-dimethylfluorene group), and It may be a substituted fluorene group such as (9,9-diphenylfluorene group). However, it is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 2 내지 36이다. 헤테로 고리기의 예로는 예로는 피리딘기, 피롤기, 피리미딘기, 퀴놀린기, 피리다진기, 퓨란기, 티오펜기, 이미다졸기, 피라졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 카바졸기, 벤조카바졸기, 벤조나프토퓨란기, 벤조나프토티오펜기, 인데노카바졸기, 인돌로카바졸기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group is a ring group containing one or more of N, O, P, S, Si and Se as heteroatoms, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but preferably has 2 to 60 carbon atoms. According to one embodiment, the carbon number of the heterocyclic group is 2 to 36. Examples of the heterocyclic group include a pyridine group, a pyrrole group, a pyrimidine group, a quinoline group, a pyridazine group, a furan group, a thiophene group, an imidazole group, a pyrazole group, a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, A carbazole group, a benzocarbazole group, a benzonaphthofuran group, a benzonaphthothiophene group, an indenocarbazole group, and an indolocarbazole group, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the heterocyclic group described above may be applied except that the heteroaryl group is aromatic.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, N-페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, N-페닐바이페닐아민기, N-페닐나프틸아민기, N-바이페닐나프틸아민기, N-나프틸플루오레닐아민기, N-페닐페난트레닐아민기, N-바이페닐페난트레닐아민기, N-페닐플루오레닐아민기, N-페닐터페닐아민기, N-페난트레닐플루오레닐아민기, N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the amine group is -NH 2 ; Alkylamine group; N-alkyl arylamine group; Arylamine group; N-arylheteroarylamine group; It may be selected from the group consisting of an N-alkylheteroarylamine group and a heteroarylamine group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specific examples of the amine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, a diethylamine group, a phenylamine group, a naphthylamine group, a biphenylamine group, an anthracenylamine group, and a 9-methyl-anthracenylamine group. , Diphenylamine group, N-phenylnaphthylamine group, ditolylamine group, N-phenyltolylamine group, triphenylamine group, N-phenylbiphenylamine group, N-phenylnaphthylamine group, N-bi Phenylnaphthylamine group, N-naphthylfluorenylamine group, N-phenylphenanthrenylamine group, N-biphenylphenanthrenylamine group, N-phenylfluorenylamine group, N-phenylterphenylamine group, N-phenanthrenylfluorenylamine group, N-biphenylfluorenylamine group, etc., but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, N-알킬아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the N-alkylarylamine group means an amine group in which N of the amine group is substituted with an alkyl group and an aryl group.
본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 아릴기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the N-arylheteroarylamine group refers to an amine group in which N of the amine group is substituted with an aryl group and a heteroaryl group.
본 명세서에 있어서, N-알킬헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the N-alkylheteroarylamine group means an amine group in which N of the amine group is substituted with an alkyl group and a heteroaryl group.
본 명세서에 있어서, 알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기 및 헤테로아릴아민기 중의 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기는 각각 전술한 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기의 예시와 같다.In the present specification, an alkylamine group; N-alkyl arylamine group; Arylamine group; N-arylheteroarylamine group; The alkyl, aryl and heteroaryl groups in the N-alkylheteroarylamine group and the heteroarylamine group are the same as the above-mentioned alkyl groups, aryl groups and heteroaryl groups, respectively.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 2-8 중 어느 하나로 표시된다.In one embodiment of the present specification, the compound represented by
[화학식 2-1][Formula 2-1]
[화학식 2-2][Formula 2-2]
[화학식 2-3][Formula 2-3]
[화학식 2-4][Formula 2-4]
[화학식 2-5][Formula 2-5]
[화학식 2-6][Formula 2-6]
[화학식 2-7][Formula 2-7]
[화학식 2-8][Formula 2-8]
상기 화학식 2-1 내지 2-8에서, X, Y, A1 내지 A4, a1 내지 a4, R1 내지 R6, n1 내지 n3 및 m은 화학식 1의 정의와 같고, A5는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, a5는 1 내지 4인 정수이고, a5가 2 이상인 경우, 괄호 내 구조는 서로 동일하거나 상이하다.In Formulas 2-1 to 2-8, X, Y, A1 to A4, a1 to a4, R1 to R6, n1 to n3, and m are as defined in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X 및 Y는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 O, S 또는 CZ1Z2이며, Z1 및 Z2은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.In one embodiment of the present specification, X and Y are the same as or different from each other, and are each independently O, S or CZ1Z2, Z1 and Z2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3-1 내지 3-12 중 어느 하나로 표시된다. In one embodiment of the present specification, the compound represented by
[화학식 3-1][Formula 3-1]
[화학식 3-2][Formula 3-2]
[화학식 3-3][Formula 3-3]
[화학식 3-4][Formula 3-4]
[화학식 3-5][Formula 3-5]
[화학식 3-6][Formula 3-6]
[화학식 3-7][Formula 3-7]
[화학식 3-8][Formula 3-8]
[화학식 3-9][Formula 3-9]
[화학식 3-10][Formula 3-10]
[화학식 3-11][Formula 3-11]
[화학식 3-12][Formula 3-12]
상기 화학식 3-1 내지 3-12에서, A1 내지 A4, a1 내지 a4, R1 내지 R6, n1 내지 n3, m, Z1 및 Z2는 화학식 1의 정의와 같고, Z3 및 Z4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며, A5는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, a5는 1 내지 4인 정수이며, a5가 2 이상인 경우, 괄호 내 구조는 서로 동일하거나 상이하다.In Formulas 3-1 to 3-12, A1 to A4, a1 to a4, R1 to R6, n1 to n3, m, Z1 and Z2 are as defined in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 4-1 내지 4-4 중 어느 하나로 표시된다.In one embodiment of the present specification, the compound represented by
[화학식 4-1][Formula 4-1]
[화학식 4-2][Formula 4-2]
[화학식 4-3][Formula 4-3]
[화학식 4-4][Formula 4-4]
상기 화학식 4-1 내지 4-4에서, X, Y, A1 내지 A4 및 R1 내지 R6는 화학식 1의 정의와 같다.In Chemical Formulas 4-1 to 4-4, X, Y, A1 to A4 and R1 to R6 are as defined in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1 내지 n3의 합은 2 이상이다.In one embodiment of the present specification, the sum of n1 to n3 is 2 or more.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1 내지 n3의 합은 2이다.In one embodiment of the present specification, the sum of n1 to n3 is 2.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1 내지 n3의 합은 3이다.In one embodiment of the present specification, the sum of n1 to n3 is 3.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A1 내지 A4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.In one embodiment of the present specification, A1 to A4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; nitro group; hydroxy group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A1 내지 A4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, A1 to A4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A1 내지 A4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, A1 to A4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A1 내지 A4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10인 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 10의 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, A1 to A4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted straight-chain or branched-chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 10 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A1 내지 A4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; tert-부틸기; 또는 페닐기이다.In one embodiment of the present specification, A1 to A4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; methyl group; tert-butyl group; or a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A1 내지 A4는 각각 수소; 또는 중수소이다.In one embodiment of the present specification, A1 to A4 are each hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.In one embodiment of the present specification, R1 to R6 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.In one embodiment of the present specification, R1 to R6 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 중수소, 알킬기, 할로할킬기, 중수소로 치환된 알킬기, 할로겐기, 시아노기, 시클로알킬기, 알킬기로 치환된 실릴기 및 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 중수소, 알킬기, 할로할킬기, 중수소로 치환된 알킬기, 할로겐기, 중수소로 치환 또는 비치환된 아릴기 및 시클로알킬기로 이루어진 군으로부터 선택된 기로 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1 to R6 are the same as or different from each other, and are each independently deuterium, an alkyl group, a halohalkyl group, an alkyl group substituted with a deuterium, a halogen group, a cyano group, a cycloalkyl group, or a silyl group substituted with an alkyl group. an aryl group unsubstituted or substituted with a group selected from the group consisting of a group and an alkoxy group; or a heterocyclic group unsubstituted or substituted with a group selected from the group consisting of a deuterium, an alkyl group, a halohalkyl group, an alkyl group substituted with deuterium, a halogen group, an aryl group unsubstituted or substituted with deuterium, and a cycloalkyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 중수소, 메틸기, tert-부틸기, iso-프로필기, -CF3, -CD3, F, 시아노기, 시클로헥실기, 트리메틸실릴기 및 메톡시기로 이루어진 군으로부터 선택된 기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 중수소, 메틸기, tert-부틸기, iso-프로필기, -CF3, -CD3, F, 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기 및 시클로헥실기로 이루어진 군으로부터 선택된 기로 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1 to R6 are the same as or different from each other, and each independently deuterium, methyl group, tert-butyl group, iso-propyl group, -CF 3 , -CD 3 , F, cyano group, cyclo an aryl group unsubstituted or substituted with a group selected from the group consisting of a hexyl group, a trimethylsilyl group, and a methoxy group; Or a heterocyclic ring unsubstituted or substituted with a group selected from the group consisting of heavy hydrogen, methyl group, tert-butyl group, iso-propyl group, -CF 3 , -CD 3 , F, a phenyl group unsubstituted or substituted with heavy hydrogen, and a cyclohexyl group. It is Ki.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 중수소, 메틸기, tert-부틸기, iso-프로필기, -CF3, -CD3, F, 시아노기, 시클로헥실기, 트리메틸실릴기 및 메톡시기로 이루어진 군으로부터 선택된 기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 비페닐기; 메틸기로 치환된 플루오레닐기; 나프틸기; 페난트레닐기; 메틸기, iso-프로필기, tert-부틸기, -CD3, 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기 및 시클로헥실기로 이루어진 군으로부터 선택된 기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기; 메틸기, iso-프로필기, tert-부틸기, -CD3, 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기 및 시클로헥실기로 이루어진 군으로부터 선택된 기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 티오페닐기; 퀴놀리닐기; 벤조나프토퓨라닐기; 벤조나프토티오페닐기; 또는 메틸기로 치환된 벤조플루오레닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1 to R6 are the same as or different from each other, and each independently deuterium, methyl group, tert-butyl group, iso-propyl group, -CF 3 , -CD 3 , F, cyano group, cyclo A phenyl group unsubstituted or substituted with a group selected from the group consisting of a hexyl group, a trimethylsilyl group and a methoxy group; Biphenyl group unsubstituted or substituted with deuterium or tert-butyl group; A fluorenyl group substituted with a methyl group; naphthyl group; phenanthrenyl group; a dibenzofuranyl group unsubstituted or substituted with a group selected from the group consisting of a methyl group, an iso-propyl group, a tert-butyl group, -CD 3 , a phenyl group unsubstituted or substituted with heavy hydrogen, and a cyclohexyl group; a dibenzothiophenyl group unsubstituted or substituted with a group selected from the group consisting of a methyl group, an iso-propyl group, a tert-butyl group, -CD 3 , a phenyl group unsubstituted or substituted with heavy hydrogen, and a cyclohexyl group; a thiophenyl group unsubstituted or substituted with a phenyl group; quinolinyl group; Benzonaphthofuranyl group; benzonaphthothiophenyl group; or a benzofluorenyl group substituted with a methyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조 중 어느 하나로 표시된다.In one embodiment of the present specification, the compound represented by
여기서, tBu은 tert-부틸기이며, Me는 메틸기이다. Here, tBu is a tert-butyl group and Me is a methyl group.
또한, 본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. In addition, the present specification provides an organic light emitting device including the aforementioned compound.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다. In one embodiment of the present specification, the first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layers includes the compound.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, or may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer as organic material layers. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include fewer organic layers.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole injection layer or hole transport layer includes the compound.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함한다. 구체적으로, 상기 발광층은 호스트 및 상기 화합물을 포함하는 도펀트를 포함할 수 있다. In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound. Specifically, the light emitting layer may include a host and a dopant including the compound.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes an electron transport layer or an electron injection layer, and the electron transport layer or electron injection layer includes the compound.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 정공주입층, 정공수송층. 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다. In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer. It further includes one layer or two or more layers selected from the group consisting of an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, and a hole blocking layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 애노드; 상기 애노드와 대향하여 구비된 캐소드; 및 상기 애노드과 상기 캐소드 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층은 발광층; 상기 발광층과 상기 애노드 사이에 구비된 정공수송영역; 및 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 구비된 전자수송영역을 포함하며, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present specification, the organic light emitting device includes an anode; a cathode provided to face the anode; and one or more organic material layers provided between the anode and the cathode, wherein the organic material layer includes a light emitting layer; a hole transport region provided between the light emitting layer and the anode; and an electron transport region provided between the light emitting layer and the cathode, wherein the light emitting layer includes the compound.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 정공수송영역의 유기물층은 정공수송층, 정공주입층, 정공 수송과 정공주입을 동시에 하는 층 및 전자저지층으로 이루어진 군에서 1 이상이 선택될 수 있다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer of the hole transport region may be at least one selected from the group consisting of a hole transport layer, a hole injection layer, a hole transport and hole injection layer, and an electron blocking layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자수송영역의 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 전자 수송과 전자주입을 동시에 하는 층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 1 이상이 선택될 수 있다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer of the electron transport region may be at least one selected from the group consisting of an electron transport layer, an electron injection layer, an electron transport and electron injection layer, and a hole blocking layer.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 1층 이상의 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which a first electrode, one or more organic material layers, and a second electrode are sequentially stacked on a substrate.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 제2 전극, 1층 이상의 유기물층 및 제1 전극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In another embodiment, the organic light emitting diode may be an inverted type organic light emitting diode in which a second electrode, one or more organic material layers, and a first electrode are sequentially stacked on a substrate.
상기 유기 발광 소자는 예컨대 하기와 같은 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The organic light emitting device may have, for example, a stacked structure as described below, but is not limited thereto.
(1) 양극/정공수송층/발광층/음극(1) anode/hole transport layer/light emitting layer/cathode
(2) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/음극(2) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode
(3) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/음극(3) anode/hole injection layer/hole buffer layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode
(4) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(4) anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode
(5) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(5) anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(6) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(6) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode
(7) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(7) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode
(8) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(8) anode / hole injection layer / hole buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode
(9) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층 /음극(9) anode/hole injection layer/hole buffer layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(10) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극(10) anode / hole transport layer / electron suppression layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode
(11) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(11) anode / hole transport layer / electron suppression layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode
(12) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극(12) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron suppression layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode
(13) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입 층/음극(13) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron suppression layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode
(14) 양극/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/음극(14) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode
(15) 양극/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입층/음극(15) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode
(16) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/음극(16) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode
(17) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입 층/음극(17) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode
(18) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자 주입 및 수송을 동시에 하는 층/음극(18) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / layer that simultaneously injects and transports electrons / cathode
(19) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입 층/음극(19) anode/hole injection layer/hole transport layer/electron suppression layer/emission layer/hole blocking layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(20) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/정공저지층/전자수송층/음극(20) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron suppression layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode
(21) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/정공저지층/전자 주입 및 수송을 동시에 하는 층/음극(21) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron suppression layer / light emitting layer / hole blocking layer / layer that simultaneously injects and transports electrons / cathode
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다. For example, the structure of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification is illustrated in FIGS. 1 and 2 .
도 1은 기판(1), 제1 전극(2), 발광층(3), 제2 전극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 1 illustrates a structure of an organic light emitting device in which a
도 2는 기판 (1), 제1 전극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(3), 전자수송층(7) 및 제2 전극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서 상기 화합물은 상기 발광층(3)에 포함될 수 있다. 2 is a sequential stacking of a
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 화합물, 즉 상기 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present specification may be manufactured with materials and methods known in the art, except that at least one layer of organic material layers includes the compound of the present specification, that is, the compound.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. The organic light emitting device of the present specification may be manufactured with materials and methods known in the art, except that at least one layer of organic material layers includes the compound, that is, the compound represented by
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 제1 전극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 제2 전극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 제2 전극 물질부터 유기물층, 제1 전극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially stacking a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, by using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or a metal oxide having conductivity or an alloy thereof is deposited on the substrate to form the first electrode After forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer thereon, depositing a material that can be used as a second electrode thereon. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a second electrode material, an organic material layer, and a first electrode material on a substrate.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound of
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다. In one embodiment of the present specification, the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다. In another embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.
상기 양극은 정공을 주입하는 전극으로, 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The anode is an electrode for injecting holes, and a material having a high work function is preferable so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the anode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); combinations of metals and oxides such as ZnO: Al or SnO 2 : Sb; Conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.
상기 음극은 전자를 주입하는 전극으로, 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The cathode is an electrode for injecting electrons, and it is preferable that the cathode material is a material having a small work function so as to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead, or alloys thereof; There are multi-layered materials such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but are not limited thereto.
상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 제1 전극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 제1 전극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer for injecting holes from the electrode, and the hole injection material has the ability to transport holes and has a hole injection effect in the first electrode and an excellent hole injection effect for the light emitting layer or the light emitting material, and in the light emitting layer A compound that prevents migration of generated excitons to an electron injecting layer or electron injecting material and has excellent thin film forming ability is preferred. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the first electrode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrins, oligothiophenes, arylamine-based organic materials, hexanitrilehexaazatriphenylene-based organic materials, quinacridone-based organic materials, and perylene-based organic materials. of organic matter, anthraquinone, and polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 제1 전극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports the holes to the light emitting layer, and the hole transport material is a material capable of receiving holes from the first electrode or the hole injection layer and transferring them to the light emitting layer. This large material is suitable. Specific examples include, but are not limited to, arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having both conjugated and non-conjugated parts.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. The light emitting layer may include a host material and a dopant material.
발광층의 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란, 디벤조퓨란 유도체, 디벤조티오펜, 디벤조티오펜 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.A host material for the light emitting layer includes a condensed aromatic ring derivative or a compound containing a hetero ring. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and heterocyclic compounds include carbazole derivatives, dibenzofurans, and dibenzofurans. derivatives, dibenzothiophene, dibenzothiophene derivatives, ladder-type furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트는 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 포함한다.In one embodiment of the present specification, the host includes a compound represented by
[화학식 5][Formula 5]
상기 화학식 5에서, In
L21 내지 L23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고, L21 to L23 are the same as or different from each other, and each independently binds directly; or a substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
R21 내지 R27은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,R21 to R27 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
Ar21 내지 Ar23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, Ar21 to Ar23 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
a은 0 또는 1이다.a is 0 or 1;
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트는 하기 구조 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함한다.In one embodiment of the present specification, the host includes a compound represented by any one of the following structures.
발광층의 도펀트 재료로 상기 화합물을 사용하고, 추가의 도펀트를 더 포함할 수 있다. The compound may be used as a dopant material of the light emitting layer, and an additional dopant may be further included.
추가의 도펀트는 발광층이 적색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), PtOEP(octaethylporphyrin platinum)와 같은 인광 물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 녹색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 인광물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 청색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 인광 물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자, PPV계 고분자와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다.Additional dopants are PIQIr (acac) (bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonateiridium), PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (tris (1 A phosphorescent material such as -phenylquinoline)iridium) or octaethylporphyrin platinum (PtOEP) or a fluorescent material such as Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used, but is not limited thereto. When the light emitting layer emits green light, a phosphorescent material such as Ir(ppy) 3 (fac tris(2-phenylpyridine)iridium) or a fluorescent material such as Alq3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used as the light emitting dopant. However, it is not limited thereto. When the light emitting layer emits blue light, as the light emitting dopant, a phosphorescent material such as (4,6-F2ppy) 2 Irpic, spiro-DPVBi, spiro-6P, distylbenzene (DSB), distryarylene (DSA), Fluorescent materials such as PFO-based polymers and PPV-based polymers may be used, but are not limited thereto.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물은 도펀트이며, 구체적으로 형광 도펀트이며, 더 구체적으로 청색 형광 도펀트이다. In one embodiment of the present specification, the compound is a dopant, specifically a fluorescent dopant, and more specifically a blue fluorescent dopant.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 최대 발광 피크는 420nm 내지 480nm이다.In one embodiment of the present specification, the maximum emission peak of the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 99:1 내지 1:99의 질량비로 포함한다.In one embodiment of the present specification, the light emitting layer includes a host and a dopant in a mass ratio of 99:1 to 1:99.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 99:1 내지 10:90의 질량비로 포함한다.In one embodiment of the present specification, the light emitting layer includes a host and a dopant in a mass ratio of 99:1 to 10:90.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 99:1 내지 50:50의 질량비로 포함한다.In one embodiment of the present specification, the light emitting layer includes a host and a dopant in a mass ratio of 99:1 to 50:50.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 발광층의 도펀트가 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, 발광층의 호스트가 상기 화학식 5로 표시되는 화합물을 포함하는 경우, 상기 화학식 5로 표시되는 화합물의 중량을 100 중량부로 할 때, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 함량은 0.01 중량부 내지 30중량부일 수 있고, 구체적으로 0.1 중량부 내지 20 중량부일 수 있으며, 더 구체적으로 0.5 중량부 내지 10 중량부일 수 있다. In one embodiment of the present specification, when the dopant of the light emitting layer includes the compound represented by
상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 제2 전극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer. The electron transport material is a material that can receive electrons from the second electrode and transfer them to the light emitting layer, and has high electron mobility. this is suitable Specific examples include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; complexes including Alq3; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto. The electron transport layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are conventional materials having a low work function followed by a layer of aluminum or silver. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, followed in each case by a layer of aluminum or silver.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 제2 전극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 플루오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer is a layer for injecting electrons from an electrode, has the ability to transport electrons, has an excellent electron injection effect from the second electrode, a light emitting layer or a light emitting material, and has an excellent electron injection effect for excitons generated in the light emitting layer. A compound that prevents migration to the hole injection layer and has excellent thin film forming ability is preferred. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidene methane, anthrone, etc. and their derivatives, metals complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato) gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)( There are o-cresolato) gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, and bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium. Not limited to this.
상기 정공저지층은 정공의 음극에 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The hole blocking layer is a layer that blocks holes from reaching the cathode, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complexes, and the like, but are not limited thereto.
상기 정공수송층과 발광층 사이에 전자저지층이 구비될 수 있다. 상기 전자저지층은 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.An electron blocking layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer. Materials known in the art may be used for the electron blocking layer.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.An organic light emitting device according to the present specification may be a top emission type, a bottom emission type, or a double side emission type depending on materials used.
본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반응식들과 같이 코어구조가 제조될 수 있다. 치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 및 개수는 당 기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.The compound represented by
<반응식 1> 화학식 4-1의 합성<
상기 반응식 1에서, X, A1 및 R3 내지 R6은 상기 화학식 1에서의 정의와 같고,In
-OSO2R는 설폰화반응의 결과로 생성된 설폰기를 포함하는 치환기이며, 부크왈드 아민화 반응에 의해 탈리되는 리빙기(Leaving group)이고,-OSO 2 R is a substituent containing a sulfone group generated as a result of the sulfonation reaction, and is a leaving group that is eliminated by the Buchwald amination reaction,
Me는 메틸기이다.Me is a methyl group.
중간체 IM-1과 중간체 IM-2의 부크왈드 아민화 반응(Buchwald amination)으로 중간체 IM-3을 합성하고, 헥 반응 (Heck reaction)을 통해 중간체 IM-4를 얻을 수 있다. 중간체 IM-4에서 탈메틸화 반응 (demethylation reaction) 및 설폰화 반응(sulfonylation)으로 설폰기를 포함하는 중간체 IM-5를 얻을 수 있다. 중간체 IM-5에서 부크왈드 아민화 반응(Buchwald amination)으로 화학식 4-1을 얻을 수 있다.Intermediate IM-3 may be synthesized by Buchwald amination of intermediate IM-1 and IM-2, and intermediate IM-4 may be obtained through Heck reaction. Intermediate IM-5 containing a sulfone group can be obtained by demethylation reaction and sulfonylation of intermediate IM-4. From intermediate IM-5, Chemical Formula 4-1 can be obtained by Buchwald amination.
<반응식 2> 화학식 4-2의 합성<
상기 반응식 2에서, X, A4, R1, R2, R5 및 R6는 상기 화학식 1에서의 정의와 같고,In
-OSO2R는 설폰화반응의 결과로 생성된 설폰기를 포함하는 치환기이며, 부크왈드 아민화 반응에 의해 탈리되는 리빙기(Leaving group)이고,-OSO 2 R is a substituent containing a sulfone group generated as a result of the sulfonation reaction, and is a leaving group that is eliminated by the Buchwald amination reaction,
Me는 메틸기이며, Hal1 및 Hal2는 서로 상이하고 각각 독립적으로 할로겐기이다.Me is a methyl group, and Hal 1 and Hal 2 are different from each other and are each independently a halogen group.
각기 다른 할로겐으로 치환된 중간체 IM-6과 중간체 IM-7의 스즈키 커플링(Suzuki coupling) 반응 및 부크왈드 아민화 반응 (Buchwald amination) 으로 중간체 IM-8을 합성하고, 중간체 IM-8에서 탈메틸화 반응 (demethylation reaction) 및 설폰화 반응(sulfonylation)으로 설폰기를 포함하는 중간체 IM-9를 얻을 수 있다. 중간체 IM-9에서 부크왈드 아민화 반응(Buchwald amination)으로 화학식 4-2를 얻을 수 있다. Intermediate IM-8 was synthesized by Suzuki coupling reaction and Buchwald amination of Intermediate IM-6 and Intermediate IM-7 substituted with different halogens, and demethylation of Intermediate IM-8 Intermediate IM-9 containing a sulfone group can be obtained by a demethylation reaction and a sulfonation reaction. From intermediate IM-9, Chemical Formula 4-2 can be obtained by Buchwald amination.
<반응식 3> 화학식 4-3의 합성<
상기 반응식 3에서, X, A3, Y 및 R1 내지 R4는 상기 화학식 1에서의 정의와 같고,In
-OSO2R는 설폰화반응의 결과로 생성된 설폰기를 포함하는 치환기이며, 부크왈드 아민화 반응에 의해 탈리되는 리빙기(Leaving group)이고,-OSO 2 R is a substituent containing a sulfone group generated as a result of the sulfonation reaction, and is a leaving group that is eliminated by the Buchwald amination reaction,
Me는 메틸기이며, Me is a methyl group,
Hal1 및 Hal2는 서로 상이하고 각각 독립적으로 할로겐기이며, Hal 1 and Hal 2 are different from each other and each independently represent a halogen group,
Hal3 및 Hal4는 서로 상이하고 각각 독립적으로 할로겐기이다.Hal 3 and Hal 4 are different from each other and are each independently a halogen group.
중간체 IM-10의 붕소화 반응(Borylation)을 통해 중간체 IM-11을 합성하고, 중간체 IM-6과의 스즈키 커플링(Suzuki coupling) 반응 및 부크왈드 아민화 반응 (Buchwald amination) 으로 중간체 IM-12를 얻을 수 있다. 중간체 IM-12에서 다시 붕소화 반응(Borylation)을 통해 중간체 IM-13을 합성하고, 중간체 IM-14와의 스즈키 커플링(Suzuki coupling) 반응 및 부크왈드 아민화 반응 (Buchwald amination) 으로 중간체 IM-15을 얻을 수 있다. 중간체 IM-15에서부터 탈메틸화 반응 (demethylation reaction) 및 설폰화 반응(sulfonylation)으로 설폰기를 포함하는 중간체 IM-16를 얻을 수 있다. 마지막으로, 중간체 IM-16에서 부크왈드 아민화 반응(Buchwald amination)으로 화학식 4-3을 얻을 수 있다.Intermediate IM-11 was synthesized through borylation of intermediate IM-10, and intermediate IM-12 was obtained by Suzuki coupling reaction with intermediate IM-6 and Buchwald amination. can be obtained. Intermediate IM-13 was synthesized again from intermediate IM-12 through borylation, and intermediate IM-15 was obtained by Suzuki coupling reaction with intermediate IM-14 and Buchwald amination. can be obtained. Intermediate IM-16 containing a sulfone group can be obtained from intermediate IM-15 through demethylation reaction and sulfonylation reaction. Finally, Chemical Formula 4-3 can be obtained from intermediate IM-16 by Buchwald amination.
<반응식 4> 화학식 4-4의 합성<
상기 반응식 4에서, X, Y, A2, A3 및 R1 내지 R4는 상기 화학식 1에서의 정의와 같고,In
-OSO2R는 설폰화반응의 결과로 생성된 설폰기를 포함하는 치환기이며, 부크왈드 아민화 반응에 의해 탈리되는 리빙기(Leaving group)이고,-OSO 2 R is a substituent containing a sulfone group generated as a result of the sulfonation reaction, and is a leaving group that is eliminated by the Buchwald amination reaction,
Me는 메틸기이며,Me is a methyl group,
Hal1 및 Hal2는 서로 상이하고 각각 독립적으로 할로겐기이며, Hal 1 and Hal 2 are different from each other and each independently represent a halogen group,
Hal3 및 Hal4는 서로 상이하고 각각 독립적으로 할로겐기이다.Hal 3 and Hal 4 are different from each other and are each independently a halogen group.
중간체 IM-17의 붕소화 반응(Borylation)을 통해 중간체 IM-18을 합성하고, 중간체 6(IM-6)과의 스즈키 커플링(Suzuki coupling) 반응 및 부크왈드 아민화 반응 (Buchwald amination) 으로 중간체 IM-19를 얻을 수 있다. 중간체 IM-19에서 다시 붕소화 반응(Borylation)을 통해 중간체 IM-20을 합성하고, 중간체 IM-14와의 스즈키 커플링(Suzuki coupling) 반응 및 부크왈드 아민화 반응 (Buchwald amination) 으로 중간체 IM-21을 얻을 수 있다. 중간체 IM-21에서부터 탈메틸화 반응 (demethylation reaction) 및 설폰화 반응(sulfonylation)으로 설폰기를 포함하는 중간체 IM-22를 얻을 수 있다. 마지막으로, 중간체 IM-22에서 부크왈드 아민화 반응(Buchwald amination)으로 화학식 4-4를 얻을 수 있다.Intermediate IM-18 was synthesized through borylation of intermediate IM-17, and intermediate was obtained by Suzuki coupling reaction with Intermediate 6 (IM-6) and Buchwald amination reaction. You can get IM-19. Intermediate IM-20 was again synthesized from intermediate IM-19 through borylation, and intermediate IM-21 was obtained by Suzuki coupling reaction with intermediate IM-14 and Buchwald amination. can be obtained. Intermediate IM-22 containing a sulfone group can be obtained from intermediate IM-21 through demethylation reaction and sulfonylation reaction. Finally, chemical formula 4-4 can be obtained from the intermediate IM-22 by Buchwald amination.
본 명세서의 반응식 1 내지 4 중 어느 하나와 상기 중간체들을 통상의 기술상식을 바탕으로 적절히 조합하면, 본 명세서에 기재되어 있는 상기 화학식 1의 화합물들을 모두 제조할 수 있다.Any one of
이하에서, 실시예를 통하여 본 명세서를 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것일 뿐, 본 명세서를 한정하기 위한 것은 아니다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail through examples. However, the following examples are only for exemplifying the present specification, and are not intended to limit the present specification.
합성예 1. 화합물 1의 합성Synthesis Example 1. Synthesis of
가. 중간체 1의 합성go. Synthesis of
질소 분위기하에서 출발 물질 A-1 20g, 보로닉에스터 B-1 12g, 탄산칼륨(potassium carbonate) 11g 테트라하이드로퓨란(THF) 400mL와 물 40mL를 넣은 후 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) [tetrakis(triphenylhosphine)palladium(0), (TTP), Pd(PPh3)4] 1.2g을 첨가한 후, 120℃에서 가열하고 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물과 에틸 아세테이트를 가하여 분액한 후 MgSO4(anhydrous) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하에서 증류제거하고 재결정(ethylacetate/hexane)으로 정제하여 중간체 1(18g)을 수득하였다. (수율 76%, Mass [M+]=443) In a nitrogen atmosphere, 20 g of starting material A-1, 12 g of boronic ester B-1, 11 g of potassium carbonate, 400 mL of tetrahydrofuran (THF) and 40 mL of water were added, and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) After adding 1.2 g of [tetrakis(triphenylhosphine)palladium(0), (TTP), Pd(PPh 3 ) 4 ], the mixture was heated at 120° C. and stirred for 4 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, separated by adding water and ethyl acetate, treated with MgSO 4 (anhydrous), and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (ethylacetate/hexane) to obtain Intermediate 1 (18 g). (Yield 76%, Mass [M+]=443)
나. 중간체 2의 합성me. Synthesis of
질소 분위기하에서 18g의 중간체 1, 소듐 터트부톡사이드(sodium t-butoxide, NaOtBu) 7.8g 및 비스(트리-터트부틸포스핀)팔라듐(0) [Bis(tri(tert-butyl)phosphine)palladium(0), Pd(PtBu3)2] 0.4g을 톨루엔 200 mL에 넣은 후, 140℃에서 가열하고 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물 및 aq.NH4Cl을 가하여 분액한 후 MgSO4(anhydrous) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하에서 증류제거하고 재결정으로 정제하여 중간체 2(8.5 g)를 수득하였다. (수율 58%, Mass [M+]=362)Under a nitrogen atmosphere, 18 g of intermediate 1, 7.8 g of sodium t-butoxide (NaOtBu) and bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0) [Bis (tri (tert-butyl) phosphine) palladium (0 ), Pd(PtBu 3 ) 2 ] 0.4 g was put into 200 mL of toluene, heated at 140° C. and stirred for 6 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, separated by adding water and aq.NH 4 Cl, treated with MgSO 4 (anhydrous), and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization to obtain Intermediate 2 (8.5 g). (Yield 58%, Mass [M+]=362)
다. 중간체 3 및 4의 합성all. Synthesis of
질소 분위기하에서 8.5g의 중간체 2와 염화 알루미늄 [aluminum chloride] 4.7g을 클로로벤젠(chlorobenzene, MCB) 200 mL에 넣은 후, 130℃에서 가열하고 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물과 에틸아세테이트를 가하여 분액한 후 MgSO4(anhydrous) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하에서 증류제거하고 재결정(ethylacetate/hexane)으로 정제하여 중간체 3(6.7g)을 수득하였다. (수율 82%, Mass [M+]=348)After putting 8.5 g of
6.7g의 중간체 3과 포타슘 카보네이트 [potassium carbonate] 5.3g에 디메틸포름아마이드(DMF) 150 mL를 넣은 후, 실온에서 노나플루오로부탄술포닐 플루오라이드 (Nonafluorobutanesulfonyl fluoride) 3.8 mL을 적가하였다. 5시간 동안 교반하여 반응 종료 후 반응액을 여과하였다. 여과한 용액을 물과 에틸아세테이트를 가하여 분액한 후 MgSO4(anhydrous) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하에서 증류제거하고 재결정(toluene/hexane)으로 정제하여 중간체 4(9.4g)를 수득하였다. (수율 77%, Mass [M+]=630)After adding 150 mL of dimethylformamide (DMF) to 6.7 g of intermediate 3 and 5.3 g of potassium carbonate, 3.8 mL of nonafluorobutanesulfonyl fluoride was added dropwise at room temperature. After the reaction was completed by stirring for 5 hours, the reaction solution was filtered. The filtered solution was separated by adding water and ethyl acetate, and then treated with MgSO 4 (anhydrous) and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (toluene/hexane) to obtain Intermediate 4 (9.4 g). (Yield 77%, Mass [M+]=630)
라. 화합물 1의 합성la. Synthesis of
질소 분위기하에서 3.0g의 중간체 4, 아민 AM-1 2.9g, 포타슘 포스페이트 [potassium phosphate] 2.5g 및 비스(트리-터트부틸포스핀)팔라듐(0) [Bis(tri(tert-butyl)phosphine)palladium(0), Pd(PtBu3)2] 0.05g을 디옥산 40 mL에 넣은 후, 100℃에서 가열하고 28시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물 및 aq. NaCl을 가하여 분액한 후 MgSO4(anhydrous) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하에서 증류제거하고 재결정(toluene/hexane)으로 정제하여 화합물1(3.1 g)을 수득하였다. (수율 73%, Mass [M+]=897)3.0 g of intermediate 4, 2.9 g of amine AM-1, 2.5 g of potassium phosphate and bis(tri-tertbutylphosphine)palladium(0) [Bis(tri(tert-butyl)phosphine)palladium under a nitrogen atmosphere (0), Pd(PtBu 3 ) 2 ] 0.05 g was put into 40 mL of dioxane, heated at 100° C. and stirred for 28 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and water and aq. NaCl was added to separate the mixture, followed by MgSO 4 (anhydrous) treatment and filtration. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (toluene/hexane) to obtain Compound 1 (3.1 g). (Yield 73%, Mass [M+]=897)
합성예 2. 화합물 2의 합성Synthesis Example 2. Synthesis of
가. 중간체 5의 합성go. Synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 1의 합성에서 출발물질 A-1 대신 A-2(10g), 보로닉 에스터 B-1 대신 B-2(10.8g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 1의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 5(10g)를 수득하였다. (수율 72%, Mass [M+]=519)In the synthesis of
나. 중간체 6의 합성me. Synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 2의 합성에서 중간체 1 대신 중간체 5 (10g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 2의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 6(5.3g)을 수득하였다. (수율 63%, Mass [M+]=438)Intermediate 6 (5.3 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
다. 중간체 7 및 8의 합성all. Synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 6(5.3g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 7(3.8g)을 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=424)Intermediate 7 (3.8 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 7(3.8g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 8(4.5g)을 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=706)Intermediate 8 (4.5 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
라. 화합물 2의 합성la. Synthesis of
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 8(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-2(4.0g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 2(3.5g)을 수득하였다. (수율 62%, Mass [M+]=1321)In the synthesis of
합성예 3. 화합물 3의 합성Synthesis Example 3. Synthesis of
가. 중간체 9의 합성go. Synthesis of
질소 분위기하에서 출발물질 A-3 (10g), 벤조퓨로인돌 B-3(11.6g), 소듐 터트부톡사이드 [sodium t-butoxide] 6.0g 및 비스(트리-터트부틸포스핀)팔라듐(0) [Bis(tri(tert-butyl)phosphine)palladium(0), Pd(PtBu3)2] 0.4g을 톨루엔 350 mL에 넣은 후, 140℃에서 가열하고 5시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물 및 aq.NH4Cl을 가하여 분액한 후 MgSO4(anhydrous) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하에서 증류제거하고 재결정으로 정제하여 중간체 9(13.6 g)를 수득하였다. (수율 75%, Mass [M+]=428)Starting material A-3 (10 g), benzofuroindole B-3 (11.6 g), sodium t-butoxide 6.0 g and bis(tri-tertbutylphosphine)palladium(0) under nitrogen atmosphere After putting 0.4 g of [Bis(tri(tert-butyl)phosphine)palladium(0), Pd(PtBu 3 ) 2 ] in 350 mL of toluene, the mixture was heated at 140°C and stirred for 5 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, separated by adding water and aq.NH 4 Cl, treated with MgSO 4 (anhydrous), and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization to obtain Intermediate 9 (13.6 g). (Yield 75%, Mass [M+]=428)
나. 중간체 10의 합성me. Synthesis of Intermediate 10
질소 분위기하에서 중간체 9(13.6g), 소듐 터트부톡사이드 [sodium tert-butoxide] 6.1g 및 비스(트리-터트부틸포스핀)팔라듐(0) [Bis(tri(tert-butyl)phosphine)palladium(0), Pd(PtBu3)2] 0.3g을 디메틸아세트아미드 160 mL에 넣은 후, 120℃에서 가열하고 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물 및 aq.NH4Cl을 가하여 분액한 후 MgSO4(anhydrous) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하에서 증류제거하고 재결정(toluene/hexane)으로 정제하여 중간체 10(7.9g)을 수득하였다. (수율 63%, Mass [M+]=392)Under a nitrogen atmosphere, intermediate 9 (13.6 g), sodium tert-butoxide 6.1 g and bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0) [Bis (tri (tert-butyl) phosphine) palladium (0 ), Pd(PtBu 3 ) 2 ] 0.3 g was put into 160 mL of dimethylacetamide, heated at 120° C. and stirred for 10 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, separated by adding water and aq.NH 4 Cl, treated with MgSO 4 (anhydrous), and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (toluene/hexane) to obtain Intermediate 10 (7.9 g). (Yield 63%, Mass [M+]=392)
다. 중간체 11 및 12의 합성all. Synthesis of intermediates 11 and 12
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 10(7.9g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 11(5.0g)을 수득하였다. (수율 68 %, Mass [M+]=364)Intermediate 11 (5.0 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 11(5.0g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 12(8.1g)을 수득하였다. (수율 63%, Mass [M+]=928)Intermediate 12 (8.1 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
라. 화합물 3의 합성la. Synthesis of
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 12(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-3(2.2g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 3(2.5g)을 수득하였다. (수율 77%, Mass [M+]=1011)In the synthesis of
합성예 4. 화합물 4의 합성Synthesis Example 4. Synthesis of
가. 중간체 13의 합성go. Synthesis of Intermediate 13
상기 합성예 3의 중간체 9의 합성에서 출발물질 A-3 대신 A-4(5.0g), 벤조퓨로인돌 B-3 대신 B-4(5.8g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 9의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 13(6.8g)을 수득하였다. (수율 75 %, Mass [M+]=428)In the synthesis of
나. 중간체 14의 합성me. Synthesis of Intermediate 14
상기 합성예 3의 중간체 10의 합성에서 중간체 9 대신 중간체 13(6.8g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 10의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체14(3.8g)을 수득하였다. (수율 61%, Mass [M+]=392)Intermediate 14 (3.8 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 10, except that Intermediate 13 (6.8 g) was used instead of
다. 중간체 15 및 16의 합성all. Synthesis of intermediates 15 and 16
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 14(3.8g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 15(2.7g)을 수득하였다. (수율 77%, Mass [M+]=364)Intermediate 15 (2.7 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 15(2.7g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 16(4.3g)을 수득하였다. (수율 62%, Mass [M+]=928)Intermediate 16 (4.3g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
라. 화합물 4의 합성la. Synthesis of
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 16(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-4(1.8g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 4(2.1g)를 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=881)In the synthesis of
합성예 5. 화합물 5의 합성Synthesis Example 5. Synthesis of
가. 중간체 17의 합성go. Synthesis of Intermediate 17
상기 합성예 3의 중간체 9의 합성에서 출발물질 A-3 대신 A-5(5.0g), 벤조퓨로인돌 B-3 대신 B-5(7.0g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 9의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 17(6.8g)을 수득하였다. (수율 73%, Mass [M+]=439)In the synthesis of
나. 중간체 18의 합성me. Synthesis of Intermediate 18
상기 합성예 3의 중간체 10의 합성에서 중간체 9 대신 중간체 17(6.8g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 10의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 18(4.6g)을 수득하였다. (수율 66%, Mass [M+]=448)Intermediate 18 (4.6 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of Intermediate 10, except that Intermediate 17 (6.8 g) was used instead of
다. 중간체 19 및 20의 합성all. Synthesis of intermediates 19 and 20
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 18(4.6g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 19(3.4g)을 수득하였다. (수율 79%, Mass [M+]=420)Intermediate 19 (3.4g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 19(3.4g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 20(6.1g)을 수득하였다. (수율 77 %, Mass [M+]=984)Intermediate 20 (6.1 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
라. 화합물 5의 합성la. Synthesis of
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 20(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-5(2.2g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 5(2.5g)를 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=1103)In the synthesis of
합성예 6. 화합물 6의 합성Synthesis Example 6. Synthesis of
가. 중간체 21의 합성go. Synthesis of Intermediate 21
상기 합성예 3의 중간체 9의 합성에서 출발물질 A-3 대신 A-4(5.0g), 벤조퓨로인돌 B-3 대신 B-6(7.4g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 9의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 21(7.5g)을 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=504)In the synthesis of
나. 중간체 22의 합성me. Synthesis of Intermediate 22
상기 합성예 3의 중간체 10의 합성에서 중간체 9 대신 중간체 21(7.5g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 10의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 22(4.6g)을 수득하였다. (수율 66%, Mass [M+]=468)Intermediate 22 (4.6 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 10, except that Intermediate 21 (7.5 g) was used instead of
다. 중간체 23 및 24의 합성all. Synthesis of intermediates 23 and 24
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 22(4.6g)를 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 23(3.2g)을 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=440)Intermediate 23 (3.2g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 23(3.2g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 24(5.3g)을 수득하였다. (수율 73%, Mass [M+]=1004)Intermediate 24 (5.3 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
라. 화합물 6의 합성la. Synthesis of
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 24(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-6(2.0g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 6(2.3g)을 수득하였다. (수율 72%, Mass [M+]=1067)In the synthesis of
합성예 7. 화합물 7의 합성Synthesis Example 7. Synthesis of
가. 중간체 25의 합성go. Synthesis of Intermediate 25
상기 합성예 3의 중간체 9의 합성에서 출발물질 A-3 대신 A-6(5.0g), 벤조퓨로인돌 B-3 대신 B-7(8.2g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 9의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 25(7.6g)을 수득하였다. (수율 66%, Mass [M+]=484)In the synthesis of
나. 중간체 26의 합성me. Synthesis of Intermediate 26
상기 합성예 3의 중간체 10의 합성에서 중간체 9 대신 중간체 25(7.6g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 10의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 26(4.3g)을 수득하였다. (수율 61%, Mass [M+]=448)Intermediate 26 (4.3 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 10, except that Intermediate 25 (7.6 g) was used instead of
다. 중간체 27 및 28의 합성all. Synthesis of intermediates 27 and 28
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 26(4.3g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 27(3.0g)을 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=420)Intermediate 27 (3.0 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 27(3.0g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 28(4.8g)을 수득하였다. (수율 68 %, Mass [M+]=984)Intermediate 28 (4.8 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
라. 화합물 7의 합성la. Synthesis of
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 28(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-7(1.8g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 7(1.9g)을 수득하였다. (수율 65%, Mass [M+]=959)In the synthesis of
합성예 8. 화합물 8의 합성Synthesis Example 8. Synthesis of
가. 중간체 29의 합성go. Synthesis of Intermediate 29
상기 합성예 3의 중간체 9의 합성에서 출발물질 A-3 대신 A-4(5.0g), 벤조퓨로인돌 B-3 대신 벤조티오인돌 B-8(10.8g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 9의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 29(6.9g)을 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=444)In the synthesis of
나. 중간체 30의 합성me. Synthesis of Intermediate 30
상기 합성예 3의 중간체 10의 합성에서 중간체 9 대신 중간체 29(6.9g)를 사용한 것을 제외하고 중간체 10의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 30(4.1g)을 수득하였다. (수율 65 %, Mass [M+]=408)Intermediate 30 (4.1 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of Intermediate 10, except that Intermediate 29 (6.9 g) was used instead of
다. 중간체 31 및 32의 합성all. Synthesis of Intermediates 31 and 32
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 30(4.1g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 31(3.0g)을 수득하였다. (수율 79%, Mass [M+]=380)Intermediate 31 (3.0 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 31(3.0g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 32(5.3g)을 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=944)Intermediate 32 (5.3 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
라. 화합물 8의 합성la. Synthesis of
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 32(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-8(1.8g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 8(2.0g)을 수득하였다. (수율 69%, Mass [M+]=907)In the synthesis of
합성예 9. 화합물 9의 합성Synthesis Example 9. Synthesis of
가. 중간체 33의 합성go. Synthesis of Intermediate 33
상기 합성예 3의 중간체 9의 합성에서 출발물질 A-3 대신 A-4(5.0g), 벤조퓨로인돌 B-3 대신 벤조티오인돌 B-9(7.3g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 9의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 33(7.1g)을 수득하였다. (수율 67 %, Mass [M+]=501)In the synthesis of
나. 중간체 34의 합성me. Synthesis of Intermediate 34
상기 합성예 3의 중간체 10의 합성에서 중간체 9 대신 중간체 33(7.1g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 10의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 34(3.9g)를 수득하였다. (수율 59%, Mass [M+]=464)Intermediate 34 (3.9 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of Intermediate 10, except that Intermediate 33 (7.1 g) was used instead of
다. 중간체 35 및 36의 합성all. Synthesis of Intermediates 35 and 36
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 34(3.9g)를 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 35(2.7g)를 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=436)Intermediate 35 (2.7g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 35(2.7g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 36(4.6g)을 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=1000)Intermediate 36 (4.6 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
라. 화합물 9의 합성la. Synthesis of
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 36(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-8(1.7g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 9(2.1g)를 수득하였다. (수율 73%, Mass [M+]=963)In the synthesis of
합성예 10. 화합물 10의 합성Synthesis Example 10. Synthesis of Compound 10
가. 중간체 37의 합성go. Synthesis of Intermediate 37
상기 합성예 3의 중간체 9의 합성에서 출발물질 A-3 대신 A-4(5.0g), 벤조퓨로인돌 B-3 대신 벤조티오인돌 B-10(8.3g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 9의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 37(7.0g)을 수득하였다. (수율 61%, Mass [M+]=549)In the synthesis of
나. 중간체 38의 합성me. Synthesis of Intermediate 38
상기 합성예 3의 중간체 10의 합성에서 중간체 9 대신 중간체 37(7.0g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 10의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 38(4.3g)을 수득하였다. (수율 66%, Mass [M+]=512)Intermediate 38 (4.3 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of Intermediate 10, except that Intermediate 37 (7.0 g) was used instead of
다. 중간체 39 및 40의 합성all. Synthesis of intermediates 39 and 40
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 38(4.3g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 39(3.3g)을 수득하였다. (수율 81%, Mass [M+]=484)Intermediate 39 (3.3g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 39(3.3g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 40(5.5g)을 수득하였다. (수율 77 %, Mass [M+]=1048)Intermediate 40 (5.5 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
라. 화합물 10의 합성la. Synthesis of compound 10
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 40(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-9(1.3g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 10(108g)을 수득하였다. (수율 70%, Mass [M+]=899)In the synthesis of
합성예 11. 화합물 11의 합성Synthesis Example 11. Synthesis of Compound 11
가. 중간체 41의 합성go. Synthesis of Intermediate 41
상기 합성예 3의 중간체 9의 합성에서 출발물질 A-3 대신 A-4(5.0g), 벤조퓨로인돌 B-3 대신 벤조티오인돌 B-11(7.0g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 9의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 41(7.4g)을 수득하였다. (수율 72%, Mass [M+]=487)In the synthesis of
나. 중간체 42의 합성me. Synthesis of Intermediate 42
상기 합성예 3의 중간체 10의 합성에서 중간체 9 대신 중간체 41(7.4g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 10의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 42(3.8g)을 수득하였다. (수율 56%, Mass [M+]=450)Intermediate 42 (3.8 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 10, except that Intermediate 41 (7.4 g) was used instead of
다. 중간체 43 및 44의 합성all. Synthesis of Intermediates 43 and 44
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 42(3.8g)를 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 43(2.6g)을 수득하였다. (수율 73%, Mass [M+]=422)Intermediate 43 (2.6 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 43(2.6g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 44(4.1g)을 수득하였다. (수율 67%, Mass [M+]=986)Intermediate 44 (4.1g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
라. 화합물 11의 합성la. Synthesis of compound 11
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 44(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-10(2.3g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 11(2.4g)을 수득하였다. (수율 70%, Mass [M+]=1129)In the synthesis of
합성예 12. 화합물 12의 합성Synthesis Example 12. Synthesis of Compound 12
가. 중간체 45의 합성go. Synthesis of Intermediate 45
상기 합성예 3의 중간체 9의 합성에서 출발물질 A-3 대신 A-4(5.0g), 벤조퓨로인돌 B-3 대신 벤조티오인돌 B-12(7.3g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 9의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 45(6.5g)을 수득하였다. (수율 62%, Mass [M+]=501)In the synthesis of
나. 중간체 46의 합성me. Synthesis of Intermediate 46
상기 합성예 3의 중간체 10의 합성에서 중간체 9 대신 중간체 45(6.5g)를 사용한 것을 제외하고 중간체 10의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 46(3.7g)을 수득하였다. (수율 61%, Mass [M+]=464)Intermediate 46 (3.7 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 10, except that Intermediate 45 (6.5 g) was used instead of
다. 중간체 47 및 48의 합성all. Synthesis of intermediates 47 and 48
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 46(3.7g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 47(2.6g)을 수득하였다. (수율 75%, Mass [M+]=436)Intermediate 47 (2.6 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 47(2.6g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 48(4.2g)을 수득하였다. (수율 70 %, Mass [M+]=1000)Intermediate 48 (4.2g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
라. 화합물 12의 합성la. Synthesis of compound 12
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 48(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-11(1.0g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 12(1.6g)을 수득하였다. (수율 72%, Mass [M+]=738)In the synthesis of
합성예 13. 화합물 13의 합성Synthesis Example 13. Synthesis of Compound 13
가. 중간체 49의 합성go. Synthesis of Intermediate 49
상기 합성예 3의 중간체 9의 합성에서 출발물질 A-3 대신 A-4(5.0g), 벤조퓨로인돌 B-3 대신 벤조티오인돌 B-13(10.8g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 9의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 49(6.5g)을 수득하였다. (수율 69%, Mass [M+]=444)In the synthesis of
나. 중간체 50의 합성me. Synthesis of Intermediate 50
상기 합성예 3의 중간체 10의 합성에서 중간체 9 대신 중간체 49(6.5g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 10의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 50(3.6g)을 수득하였다. (수율 60 %, Mass [M+]=408)Intermediate 50 (3.6 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 10, except that Intermediate 49 (6.5 g) was used instead of
다. 중간체 51 및 52의 합성all. Synthesis of intermediates 51 and 52
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 50(3.6g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 51(2.5g)을 수득하였다. (수율 75%, Mass [M+]=380)Intermediate 51 (2.5 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 51(2.5g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 52(4.3g)를 수득하였다. (수율 70%, Mass [M+]=944)Intermediate 52 (4.3 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
라. 화합물 13의 합성la. Synthesis of compound 13
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 52(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-12(1.8g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 13(2.1g)을 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=899)In the synthesis of
합성예 14. 화합물 14의 합성Synthesis Example 14. Synthesis of Compound 14
가. 중간체 53의 합성go. Synthesis of Intermediate 53
상기 합성예 3의 중간체 9의 합성에서 출발물질 A-3 대신 A-6(5.0g), 벤조퓨로인돌 B-3 대신 벤조티오인돌 B-14(8.2g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 9의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 53(7.3g)을 수득하였다. (수율 65%, Mass [M+]=501)In the synthesis of
나. 중간체 53의 합성me. Synthesis of Intermediate 53
상기 합성예 3의 중간체 10의 합성에서 중간체 9 대신 중간체 53(7.3g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 10의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 54(4.2g)을 수득하였다. (수율 62%, Mass [M+]=464)Intermediate 54 (4.2 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 10, except that Intermediate 53 (7.3 g) was used instead of
다. 중간체 55 및 56의 합성all. Synthesis of intermediates 55 and 56
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 54(4.2g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 55(2.8g)을 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=436)Intermediate 55 (2.8 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 55(2.8g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 56(4.2g)을 수득하였다. (수율 65%, Mass [M+]=1000)Intermediate 56 (4.2 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
라. 화합물 14의 합성la. Synthesis of compound 14
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 56(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-13(1.3g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 14(1.8g)을 수득하였다. (수율 72%, Mass [M+]=839)In the synthesis of
합성예 15. 화합물 15의 합성Synthesis Example 15. Synthesis of Compound 15
가. 중간체 57의 합성go. Synthesis of Intermediate 57
상기 합성예 3의 중간체 9의 합성에서 출발물질 A-3 대신 A-4(5.0g), 벤조퓨로인돌 B-3 대신 B-15(6.3g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 9의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 57(7.1g)을 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=454)In the synthesis of
나. 중간체 58의 합성me. Synthesis of Intermediate 58
상기 합성예 3의 중간체 10의 합성에서 중간체 9 대신 중간체 57(7.1g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 10의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 58(3.9g)을 수득하였다. (수율 60%, Mass [M+]=418)Intermediate 58 (3.9 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of Intermediate 10, except that Intermediate 57 (7.1 g) was used instead of
다. 중간체 59 및 60의 합성all. Synthesis of intermediates 59 and 60
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 58(3.9g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 59(2.6g)을 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=390)Intermediate 59 (2.6 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 59(2.6g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 60(3.9g)을 수득하였다. (수율 61%, Mass [M+]=954)Intermediate 60 (3.9g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
라. 화합물 15의 합성la. Synthesis of compound 15
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 60(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-14(1.5g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 15(2.1g)을 수득하였다. (수율 80%, Mass [M+]=839)In the synthesis of
합성예 16. 화합물 16의 합성Synthesis Example 16. Synthesis of Compound 16
가. 중간체 61의 합성go. Synthesis of Intermediate 61
상기 합성예 3의 중간체 9의 합성에서 출발물질 A-3 대신 A-4(5.0g), 벤조퓨로인돌 B-3 대신 B-16(7.5g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 9의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 61(7.6g)을 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=511)In the synthesis of
나. 중간체 62의 합성me. Synthesis of Intermediate 62
상기 합성예 3의 중간체 10의 합성에서 중간체 9 대신 중간체 61(7.6g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 10의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 62(4.4g)를 수득하였다. (수율 62%, Mass [M+]=474)Intermediate 62 (4.4 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of Intermediate 10, except that Intermediate 61 (7.6 g) was used instead of
다. 중간체 63 및 64의 합성all. Synthesis of intermediates 63 and 64
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 62(4.4g)를 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 63(3.0g)을 수득하였다. (수율 72%, Mass [M+]=446)Intermediate 63 (3.0 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 63(3.0g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 64(5.1g)를 수득하였다. (수율 75%, Mass [M+]=1010)Intermediate 64 (5.1 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
라. 화합물 16의 합성la. Synthesis of compound 16
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 64(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-15(2.6g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 16(2.9g)을 수득하였다. (수율 75%, Mass [M+]=1299)In the synthesis of
합성예 17. 화합물 17의 합성Synthesis Example 17. Synthesis of Compound 17
가. 중간체 65 및 66의 합성go. Synthesis of Intermediates 65 and 66
질소 분위기하에서 출발 물질 A-7(5.0g), 보로닉에스터 B-17 5.2g, 탄산칼륨(potassium carbonate) 3.5g 테트라하이드로퓨란 130mL와 물 13mL를 넣은 후 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) [tetrakis(triphenylhosphine)palladium(0)] Pd(PPh3)4 0.4g을 첨가한 후, 120℃에서 가열하고 2시간 동안 교반하였다. 출발 물질이 사라지고 중간체 65를 확인한 후, 이어서 보로닉에스터 B-18 (5.5g)과 탄산 칼륨(potassium carbonate) 2.3g을 첨가한 후 4시간 동안 추가 교반해주었다. 반응이 종료한 후, 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물과 에틸 아세테이트를 가하여 분액한 후 MgSO4(anhydrous) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하에서 증류제거하고 재결정(ethylacetate/hexane)으로 정제하여 중간체 66(6.2g)을 수득하였다. (수율 79%, Mass [M+]=471) Under a nitrogen atmosphere, after adding starting material A-7 (5.0 g), boronic ester B-17 5.2 g, potassium carbonate 3.5 g, tetrahydrofuran 130 mL and water 13 mL, tetrakis (triphenylphosphine) palladium ( 0) After adding 0.4 g of [tetrakis(triphenylhosphine)palladium(0)] Pd(PPh 3 ) 4 , the mixture was heated at 120° C. and stirred for 2 hours. After the starting material disappeared and Intermediate 65 was confirmed, boronic ester B-18 (5.5 g) and potassium carbonate 2.3 g were added, followed by further stirring for 4 hours. After the reaction was completed, the reaction solution was cooled to room temperature, separated by adding water and ethyl acetate, treated with MgSO 4 (anhydrous), and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (ethylacetate/hexane) to obtain Intermediate 66 (6.2g). (Yield 79%, Mass [M+]=471)
나. 중간체 67의 합성me. Synthesis of Intermediate 67
질소 분위기하에서 중간체 66(6.2g), 소듐 터트부톡사이드(sodium t-butoxide) 3.8g, 비스(트리-터트부틸포스핀)팔라듐(0) [Bis(tri(tert-butyl)phosphine)palladium(0), Pd(PtBu3)2] 0.13g을 톨루엔 65 mL에 넣은 후, 140℃에서 가열하고 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물 및 aq.NH4Cl을 가하여 분액한 후 MgSO4(anhydrous) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하에서 증류제거하고 재결정으로 정제하여 중간체 67(4.1g)을 수득하였다. (수율 78%, Mass [M+]=398)Under a nitrogen atmosphere, intermediate 66 (6.2 g), sodium t-butoxide 3.8 g, bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0) [Bis (tri (tert-butyl) phosphine) palladium (0 ), Pd(PtBu 3 ) 2 ] was put into 65 mL of toluene, heated at 140° C., and stirred for 6 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, separated by adding water and aq.NH 4 Cl, treated with MgSO 4 (anhydrous), and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization to obtain Intermediate 67 (4.1 g). (Yield 78%, Mass [M+]=398)
다. 중간체 68 및 69의 합성all. Synthesis of intermediates 68 and 69
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 67(4.1g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 68(2.8g)을 수득하였다. (수율 73%, Mass [M+]=370)Intermediate 68 (2.8 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 68(2.8g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 69(5.1g)을 수득하였다. (수율 72%, Mass [M+]=934)Intermediate 69 (5.1 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
라. 화합물 17의 합성la. Synthesis of compound 17
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 69(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-16(1.6g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 17(2.0g)을 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=837)In the synthesis of
합성예 18. 화합물 18의 합성Synthesis Example 18. Synthesis of Compound 18
가. 중간체 70 및 71의 합성go. Synthesis of intermediates 70 and 71
상기 합성예 17 의 중간체 65의 합성에서 보로닉에스터 B-17 대신 B-19(5.5g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 65의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 70을 확인한 후, 이어서 중간체 66의 합성에서 중간체 65 대신 중간체 70(5.5g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 66의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 71(6.5g)을 수득하였다. (수율 80%, Mass [M+]=487)In the synthesis of Intermediate 65 of Synthesis Example 17, except that B-19 (5.5 g) was used instead of boronic ester B-17, Intermediate 70 was prepared in the same manner as in the synthesis method of Intermediate 65, and then in the synthesis of Intermediate 66 Intermediate 71 (6.5 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of Intermediate 66, except that Intermediate 70 (5.5 g) was used instead of Intermediate 65. (Yield 80%, Mass [M+]=487)
나. 중간체 72의 합성me. Synthesis of Intermediate 72
상기 합성예 17의 중간체 67의 합성에서 중간체 66 대신 중간체 71(6.5g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 67의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 72(4.1g)를 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=414)Intermediate 72 (4.1 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 67, except that Intermediate 71 (6.5 g) was used instead of Intermediate 66 in the synthesis of Intermediate 67 of Synthesis Example 17. (Yield 74%, Mass [M+]=414)
다. 중간체 73 및 74의 합성all. Synthesis of intermediates 73 and 74
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 72(4.1g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 73(3.0g)을 수득하였다. (수율 78%, Mass [M+]=386)Intermediate 73 (3.0 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 73(3.0g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 74(5.1g)을 수득하였다. (수율 69%, Mass [M+]=950)Intermediate 74 (5.1 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
라. 화합물 18의 합성la. Synthesis of compound 18
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 74(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-17(1.7g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 18(2.1g)을 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=903)In the synthesis of
합성예 19. 화합물 19의 합성Synthesis Example 19. Synthesis of Compound 19
가. 중간체 75 및 76의 합성go. Synthesis of Intermediates 75 and 76
상기 합성예 17 의 중간체 65의 합성에서 출발물질 A-7(5.0g), 보로닉에스터 B-17(5.2g)을 사용하여 중간체 65의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 75를 확인한 후, 이어서 중간체 66의 합성에서 중간체 65 대신 중간체 75(5.5g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 66의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 76(6.1g)을 수득하였다. (수율 77%, Mass [M+]=471)In the synthesis of Intermediate 65 of Synthesis Example 17, starting material A-7 (5.0 g) and boronic ester B-17 (5.2 g) were prepared in the same manner as in the synthesis method of Intermediate 65, and then Intermediate 75 was confirmed. Intermediate 76 (6.1 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 66, except that Intermediate 75 (5.5 g) was used instead of Intermediate 65 in the synthesis of Intermediate 66. (Yield 77%, Mass [M+]=471)
나. 중간체 77의 합성me. Synthesis of Intermediate 77
상기 합성예 17의 중간체 67의 합성에서 중간체 66 대신 중간체 76(6.1g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 67의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 77(3.9g)을 수득하였다. (수율 76%, Mass [M+]=398)Intermediate 77 (3.9 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 67, except that Intermediate 76 (6.1 g) was used instead of Intermediate 66 in the synthesis of Intermediate 67 of Synthesis Example 17. (Yield 76%, Mass [M+]=398)
다. 중간체 78 및 79의 합성all. Synthesis of Intermediates 78 and 79
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 77(3.9g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 78(2.6g)을 수득하였다. (수율 72%, Mass [M+]=370)Intermediate 78 (2.6 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 78(2.6g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 79(4.6g)를 수득하였다. (수율 70%, Mass [M+]=934)Intermediate 79 (4.6 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
라. 화합물 19의 합성la. Synthesis of compound 19
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 79(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-18(2.7g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 19(2.7g)을 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=1177)In the synthesis of
합성예 20. 화합물 20의 합성Synthesis Example 20. Synthesis of Compound 20
가. 중간체 80의 합성go. Synthesis of Intermediate 80
상기 합성예 1의 중간체 1의 합성에서 출발물질 A-1 대신 A-8(5.0g), 보로닉 에스터 B-1 대신 B-17(4.6g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 1의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 80(4.6g)을 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=444)In the synthesis of
나. 중간체 81의 합성me. Synthesis of Intermediate 81
* *
상기 합성예 1의 중간체 2의 합성에서 중간체 1 대신 중간체 80(4.6g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 2의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 81(3.0g)을 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=408)Intermediate 81 (3.0 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
다. 중간체 82 및 83의 합성all. Synthesis of intermediates 82 and 83
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 81(3.0g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 82(2.1g)을 수득하였다. (수율 75%, Mass [M+]=380)Intermediate 82 (2.1 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 82(2.1g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 83(4.2g)을 수득하였다. (수율 80%, Mass [M+]=944)Intermediate 83 (4.2 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
라. 화합물 20의 합성la. Synthesis of compound 20
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 83(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-19(2.1g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 20(2.4g)을 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=1015)In the synthesis of
합성예 21. 화합물 21의 합성Synthesis Example 21. Synthesis of Compound 21
가. 중간체 84의 합성go. Synthesis of Intermediate 84
질소 분위기하에서 출발 물질 A-8(5.0g), 보로닉에스터 B-18 11 g, 탄산칼륨(potassium carbonate) 6.8g 테트라하이드로퓨란 120mL와 물 12mL를 넣은 후 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) [tetrakis(triphenylhosphine)palladium(0), Pd(PPh3)4] 0.4g을 첨가한 후, 120℃에서 가열하고 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물과 에틸 아세테이트를 가하여 분액한 후 MgSO4(anhydrous) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하에서 증류제거하고 재결정(ethylacetate/hexane)으로 정제하여 중간체 84(7.0g)를 수득하였다. (수율 79%, Mass [M+]=543) Under a nitrogen atmosphere, after adding starting material A-8 (5.0 g), boronic ester B-18 11 g, potassium carbonate 6.8 g, tetrahydrofuran 120 mL and water 12 mL, tetrakis (triphenylphosphine) palladium ( 0) After adding 0.4 g of [tetrakis(triphenylhosphine)palladium(0), Pd(PPh 3 ) 4 ], the mixture was heated at 120° C. and stirred for 4 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, separated by adding water and ethyl acetate, treated with MgSO 4 (anhydrous), and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (ethylacetate/hexane) to obtain Intermediate 84 (7.0 g). (Yield 79%, Mass [M+]=543)
나. 중간체 85의 합성me. Synthesis of Intermediate 85
상기 합성예 17의 중간체 67의 합성에서 중간체 66 대신 중간체 84(7.0g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 67의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 85(4.5g)을 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=470)Intermediate 85 (4.5 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 67, except that Intermediate 84 (7.0 g) was used instead of Intermediate 66 in the synthesis of Intermediate 67 of Synthesis Example 17. (Yield 74%, Mass [M+]=470)
다. 중간체 86 및 87의 합성all. Synthesis of Intermediates 86 and 87
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 85(4.5g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 86(3.2g)을 수득하였다. (수율 76%, Mass [M+]=442)Intermediate 86 (3.2 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 86(3.2g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 87(5.5g)을 수득하였다. (수율 75%, Mass [M+]=1006)Intermediate 87 (5.5 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
라. 화합물 21의 합성la. Synthesis of compound 21
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 87(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-20(1.0g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 21(1.6g)을 수득하였다. (수율 71 %, Mass [M+]=755)In the synthesis of
합성예 22. 화합물 22의 합성Synthesis Example 22. Synthesis of Compound 22
가. 중간체 88 및 89의 합성go. Synthesis of intermediates 88 and 89
상기 합성예 17의 중간체 65의 합성에서 출발물질 A-7 대신 A-9(5.0g), 보로닉에스터 B-17 대신 B-20(4.4g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 65의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 88을 확인한 후, 이어서 중간체 66의 합성에서 중간체 65 대신 중간체 88(4.4g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 66의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 89(6.0g)를 수득하였다. (수율 81%, Mass [M+]=527)In the synthesis of Intermediate 65 of Synthesis Example 17, the synthesis method of Intermediate 65 was the same except that A-9 (5.0 g) instead of starting material A-7 and B-20 (4.4 g) instead of boronic ester B-17 were used. After preparing and confirming intermediate 88, Intermediate 89 (6.0 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 66, except that Intermediate 88 (4.4 g) was used instead of Intermediate 65 in the synthesis of Intermediate 66. (Yield 81%, Mass [M+]=527)
나. 중간체 90의 합성me. Synthesis of Intermediate 90
상기 합성예 17의 중간체 67의 합성에서 중간체 66 대신 중간체 89(6.0g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 67의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 90(3.9g)을 수득하였다. (수율 75%, Mass [M+]=454)Intermediate 90 (3.9 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 67, except that Intermediate 89 (6.0 g) was used instead of Intermediate 66 in the synthesis of Intermediate 67 of Synthesis Example 17. (Yield 75%, Mass [M+]=454)
다. 중간체 91 및 92의 합성all. Synthesis of Intermediates 91 and 92
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 90(3.9g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 91(2.6g)을 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=426)Intermediate 91 (2.6 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 91(2.6g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 92(4.3g)을 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=990)Intermediate 92 (4.3 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
라. 화합물 22의 합성la. Synthesis of compound 22
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 92(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-21(1.6g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 22(2.2g)을 수득하였다. (수율 78%, Mass [M+]=929)Compound 22 ( 2.2 g) was obtained. (Yield 78%, Mass [M+]=929)
합성예 23. 화합물 23의 합성Synthesis Example 23. Synthesis of Compound 23
가. 중간체 93의 합성go. Synthesis of Intermediate 93
상기 합성예 21의 중간체 84의 합성에서 출발물질 A-8 대신 A-10(5.0g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 84의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 93(7.1g)을 수득하였다. (수율 83%, Mass [M+]=563)Intermediate 93 (7.1 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 84, except that A-10 (5.0 g) was used instead of starting material A-8 in the synthesis of Intermediate 84 in Synthesis Example 21. (Yield 83%, Mass [M+]=563)
나. 중간체 94의 합성me. Synthesis of Intermediate 94
상기 합성예 17의 중간체 67의 합성에서 중간체 66 대신 중간체 93(7.1g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 67의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 94(4.2g)을 수득하였다. (수율 68%, Mass [M+]=490)Intermediate 94 (4.2 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 67, except that Intermediate 93 (7.1 g) was used instead of Intermediate 66 in the synthesis of Intermediate 67 of Synthesis Example 17. (Yield 68%, Mass [M+]=490)
다. 중간체 95 및 96의 합성all. Synthesis of Intermediates 95 and 96
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 94(4.2g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 95(3.1g)을 수득하였다. (수율 78%, Mass [M+]=462)Intermediate 95 (3.1 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 95(3.1g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 96(5.6g)을 수득하였다. (수율 81%, Mass [M+]=1026)Intermediate 96 (5.6 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
라. 화합물 23의 합성la. Synthesis of compound 23
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 96(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-22(1.0g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 23(1.6g)을 수득하였다. (수율 70%, Mass [M+]=777)Compound 23 ( 1.6 g) was obtained. (Yield 70%, Mass [M+]=777)
합성예 24. 화합물 24의 합성Synthesis Example 24. Synthesis of Compound 24
가. 중간체 97의 합성go. Synthesis of Intermediate 97
상기 합성예 21의 중간체 84의 합성에서 출발물질 A-8 대신 A-10(5.0g), 보로닉 에스터 B-18 대신 B-17(9.9g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 84의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 97(6.5g)을 수득하였다. (수율 80%, Mass [M+]=531)In the synthesis of Intermediate 84 of Synthesis Example 21, the synthesis method of Intermediate 84 was the same except that A-10 (5.0 g) instead of starting material A-8 and B-17 (9.9 g) instead of boronic ester B-18 were used. was prepared to obtain intermediate 97 (6.5 g). (Yield 80%, Mass [M+]=531)
나. 중간체 98의 합성me. Synthesis of Intermediate 98
상기 합성예 17의 중간체 67의 합성에서 중간체 66 대신 중간체 97(6.5g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 67의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 98(4.3g)을 수득하였다. (수율 77%, Mass [M+]=458)Intermediate 98 (4.3g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 67, except that Intermediate 97 (6.5g) was used instead of Intermediate 66 in the synthesis of Intermediate 67 of Synthesis Example 17. (Yield 77%, Mass [M+]=458)
다. 중간체 99 및 100의 합성all. Synthesis of intermediates 99 and 100
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 98(4.3g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 99(3.1g)을 수득하였다. (수율 76%, Mass [M+]=430)Intermediate 99 (3.1 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 99(3.1g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 100(5.7g)을 수득하였다. (수율 79 %, Mass [M+]=994)Intermediate 100 (5.7 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
라. 화합물 24의 합성la. Synthesis of Compound 24
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 100(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-23(1.5g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 24(2.1g)을 수득하였다. (수율 79%, Mass [M+]=883)In the synthesis of
합성예 25. 화합물 25의 합성Synthesis Example 25. Synthesis of Compound 25
가. 중간체 101의 합성go. Synthesis of Intermediate 101
상기 합성예 21의 중간체 84의 합성에서 출발물질 A-8 대신 A-11(5.0g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 84의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 101(7.4)을 수득하였다. (수율 76%, Mass [M+]=487)Intermediate 101 (7.4) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 84, except that A-11 (5.0 g) was used instead of starting material A-8 in the synthesis of Intermediate 84 of Synthesis Example 21. (Yield 76%, Mass [M+]=487)
나. 중간체 102의 합성me. Synthesis of Intermediate 102
상기 합성예 17의 중간체 67의 합성에서 중간체66 대신 중간체101(7.4g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 67의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체102(4.7g)을 수득하였다. (수율 75%, Mass [M+]=414)Intermediate 102 (4.7g) was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate 67, except that Intermediate 101 (7.4g) was used instead of Intermediate 66 in the synthesis of Intermediate 67 of Synthesis Example 17. (Yield 75%, Mass [M+]=414)
다. 중간체 103 및 104의 합성all. Synthesis of intermediates 103 and 104
상기 합성예 1의 중간체 3의 합성에서 중간체 2 대신 중간체 102(4.7g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 3의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 103(3.6g)을 수득하였다. (수율 82%, Mass [M+]=386)Intermediate 103 (3.6 g) was obtained in the same manner as in the synthesis of
상기 합성예 1 의 중간체 4의 합성에서 중간체 3 대신 중간체 103(3.6g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 4의 합성법과 동일하게 제조하여 중간체 104(7.1g)을 수득하였다. (수율 80%, Mass [M+]=950)Intermediate 104 (7.1 g) was obtained in the same manner as in the synthesis method of
라. 화합물 25의 합성la. Synthesis of compound 25
상기 합성예 1의 화합물 1의 합성에서 중간체 4 대신 중간체 104(3.0g), 아민으로서 AM-1 대신 AM-9(1.4g)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1의 합성법과 동일하게 제조하여 화합물 25(1.8g)를 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=801)In the synthesis of
실시예 1Example 1
ITO(indium tin oxide)가 1,500Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 1,500 Å was put in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, a product of Fischer Co. was used as a detergent, and distilled water filtered through a second filter of a product of Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, ultrasonic cleaning was performed twice with distilled water for 10 minutes. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed with solvents such as isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and after drying, transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transferred to a vacuum deposition machine.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 HAT을 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 하기 화합물 HT-A을 진공 증착하여 1100Å 두께의 제1 정공수송층을 형성하고, 연이어 상기 화합물 HT-B을 진공 증착하여 100 Å 두께의 제2 정공수송층을 형성하였다. 상기 제2 정공수송층 위에 발광호스트로서 화합물 BH-A와 도펀트로서 화합물 1을 97:3의 중량비로 진공 증착하여 200Å의 두께의 발광층을 형성하였다. A hole injection layer was formed by thermally vacuum depositing the compound HAT to a thickness of 50 Å on the ITO transparent electrode prepared as described above. The following compound HT-A was vacuum deposited on the hole injection layer to form a first hole transport layer having a thickness of 1100 Å, and then the compound HT-B was vacuum deposited to form a second hole transport layer having a thickness of 100 Å. On the second hole transport layer, Compound BH-A as a light emitting host and
상기 발광층 위에 하기 화합물 ET-A 와 화합물 LiQ를 1:1 중량비로 진공증착하여 200Å의 두께로 제1 전자 수송층을 형성하였다. 상기 제 1전자수송층 위에 [LiF]을 진공증착하여 100 Å의 두께로 제2 전자 수송층을 형성하였다. 상기 제 2 전자수송층 위에 1000 Å두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.On the light emitting layer, the following compound ET-A and compound LiQ were vacuum deposited in a weight ratio of 1:1 to form a first electron transport layer with a thickness of 200 Å. [LiF] was vacuum deposited on the first electron transport layer to form a second electron transport layer with a thickness of 100 Å. A cathode was formed by depositing aluminum to a thickness of 1000 Å on the second electron transport layer.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1.0 Å를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å 알루미늄은 2.0 내지 5.0Å의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 5 × 10-8 내지 1 × 10-7 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 1.0 Å, the deposition rate of lithium fluoride on the negative electrode was 0.3 Å, and the deposition rate of aluminum was 2.0 to 5.0 Å, and the vacuum level during deposition was 5 × 10 -8 to 1 × 10 - Maintaining 7 torr, an organic light emitting device was fabricated.
실시예 2 내지 25 및 비교예 1 내지 9Examples 2 to 25 and Comparative Examples 1 to 9
상기 실시예 1에서, 발광층의 화합물 1 대신 하기 표 1의 도판트를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 각각의 유기 발광 소자를 제작하였다.In Example 1, each organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the dopant in Table 1 was used instead of
실험예Experimental example
실시예 1 내지 25 및 비교예 1 내지 9에서 각각 제작된 유기 발광 소자에 10mA/cm2의 전류 밀도를 인가하였을 때, 전압, 효율 및 20mA/cm2의 전류 밀도를 인가할 때의 수명(T97)을 측정하고 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 이 때, T97은 전류 밀도 20mA/cm2에서의 초기 휘도를 100%로 하였을 때 휘도가 97%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.When a current density of 10 mA/cm 2 was applied to the organic light emitting devices prepared in Examples 1 to 25 and Comparative Examples 1 to 9, respectively, voltage, efficiency, and lifetime when a current density of 20 mA/cm 2 was applied (T 97 ) was measured and the results are shown in Table 1 below. At this time, T97 means the time required for the luminance to decrease to 97% when the initial luminance at a current density of 20 mA/cm 2 is 100%.
(Cd/A)luminous efficiency
(Cd/A)
상기 표 1를 통해, 본 명세서의 화학식 1로 표현되는 인돌로카바졸 구조에 직접적으로 벤조티오펜, 벤조퓨란기 또는 디하이드로인덴을 축합한 구조를 갖고 코어에 2개 이상의 아민기로 치환된 화합물을 유기 발광 소자의 발광층의 도펀트에 적용한 실시예 1 내지 25는 인돌로카바졸 구조에 직접적으로 축합되지 않거나 아민기가 코어에 치환되지 않은 화합물을 유기발광 소자의 발광층의 도펀트에 적용한 비교예 1 내지 9의 화합물 보다 발광효율 및 수명이 우수한 결과를 확인할 수 있다.Through Table 1, a compound having a structure in which a benzothiophene, benzofuran group or dihydroindene is condensed directly to the indolocarbazole structure represented by
1: 기판
2: 제1 전극
3: 발광층
4: 제2 전극
5: 정공주입층
6: 제1 정공수송층
7: 제2 정공수송층
8: 제1 전자수송층
9: 제2 전자수송층1: substrate
2: first electrode
3: light emitting layer
4: second electrode
5: hole injection layer
6: first hole transport layer
7: second hole transport layer
8: first electron transport layer
9: second electron transport layer
Claims (14)
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X 및 Y는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 O, S 또는 CZ1Z2이며,
환 A는 벤젠고리 또는 나프탈렌고리이고,
A1 내지 A4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이고,
Z1 및 Z2은 메틸기이며,
R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이고,
n1 내지 n3, m 및 l은 각각 0 또는 1이며,
n1 내지 n3의 합은 2 이상이고,
a1 및 a2는 각각 1 내지 4인 정수이며,
a3은 1 내지 3인 정수이고,
a4는 1 내지 6인 정수이며,
a1 내지 a4가 각각 2 이상인 경우, 괄호 내 구조는 서로 동일하거나 상이하고,
단, 환 A가 나프탈렌인 경우, m은 0이며,
l이 1인 경우, 환 A는 벤젠고리이다.A compound represented by Formula 1 below:
[Formula 1]
In Formula 1,
X and Y are the same as or different from each other, and are each independently O, S or CZZ2;
Ring A is a benzene ring or a naphthalene ring,
A1 to A4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms;
Z1 and Z2 are methyl groups,
R1 to R6 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 60 carbon atoms,
n1 to n3, m and l are each 0 or 1,
The sum of n1 to n3 is 2 or more,
a1 and a2 are integers from 1 to 4, respectively;
a3 is an integer from 1 to 3;
a4 is an integer from 1 to 6;
When a1 to a4 are each 2 or more, the structures in parentheses are the same as or different from each other,
However, when ring A is naphthalene, m is 0;
When l is 1, ring A is a benzene ring.
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
[화학식 2-3]
[화학식 2-4]
[화학식 2-5]
[화학식 2-6]
[화학식 2-7]
[화학식 2-8]
상기 화학식 2-1 내지 2-8에서,
X, Y, A1 내지 A4, a1 내지 a4, R1 내지 R6, n1 내지 n3 및 m은 화학식 1의 정의와 같고,
A5는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
a5는 1 내지 4인 정수이고,
a5가 2 이상인 경우, 괄호 내 구조는 서로 동일하거나 상이하다.The compound according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is represented by any one of Formulas 2-1 to 2-8:
[Formula 2-1]
[Formula 2-2]
[Formula 2-3]
[Formula 2-4]
[Formula 2-5]
[Formula 2-6]
[Formula 2-7]
[Formula 2-8]
In Formulas 2-1 to 2-8,
X, Y, A1 to A4, a1 to a4, R1 to R6, n1 to n3 and m are as defined in Formula 1,
A5 is hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; nitro group; hydroxy group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
a5 is an integer from 1 to 4;
When a5 is 2 or more, structures in parentheses are the same as or different from each other.
[화학식 3-1]
[화학식 3-2]
[화학식 3-3]
[화학식 3-4]
[화학식 3-5]
[화학식 3-6]
[화학식 3-7]
[화학식 3-8]
[화학식 3-9]
[화학식 3-10]
[화학식 3-11]
[화학식 3-12]
상기 화학식 3-1 내지 3-12에서,
A1 내지 A4, a1 내지 a4, R1 내지 R6, n1 내지 n3, m, Z1 및 Z2는 화학식 1의 정의와 같고,
Z3 및 Z4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
A5는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
a5는 1 내지 4인 정수이며,
a5가 2 이상인 경우, 괄호 내 구조는 서로 동일하거나 상이하다.The compound according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is represented by any one of Formulas 3-1 to 3-12:
[Formula 3-1]
[Formula 3-2]
[Formula 3-3]
[Formula 3-4]
[Formula 3-5]
[Formula 3-6]
[Formula 3-7]
[Formula 3-8]
[Formula 3-9]
[Formula 3-10]
[Formula 3-11]
[Formula 3-12]
In Chemical Formulas 3-1 to 3-12,
A1 to A4, a1 to a4, R1 to R6, n1 to n3, m, Z1 and Z2 are as defined in Formula 1,
Z3 and Z4 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
A5 is hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; nitro group; hydroxy group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
a5 is an integer from 1 to 4;
When a5 is 2 or more, structures in parentheses are the same as or different from each other.
The compound according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is represented by any one of the following structures:
상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 4, 7 및 8 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode,
An organic light emitting device characterized in that at least one layer of the organic material layer contains the compound according to any one of claims 1 to 4, 7 and 8.
상기 유기물층은 상기 화합물을 포함하는 발광층을 포함하는 것인 유기 발광 소자.The method of claim 9,
The organic material layer is an organic light emitting device comprising a light emitting layer containing the compound.
상기 발광층은 호스트 및 상기 화합물을 포함하는 도펀트를 포함하는 것인 유기 발광 소자.The method of claim 10,
The light emitting layer is an organic light emitting device comprising a host and a dopant containing the compound.
[화학식 5]
상기 화학식 5에서,
L21 내지 L23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
R21 내지 R27은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
Ar21 내지 Ar23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
a은 0 또는 1이다.The organic light emitting device of claim 11, wherein the host includes a compound represented by Formula 5 below:
[Formula 5]
In Formula 5,
L21 to L23 are the same as or different from each other, and each independently binds directly; or a substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
R21 to R27 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
Ar21 to Ar23 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
a is 0 or 1;
.The organic light emitting device of claim 11, wherein the host includes a compound represented by any one of the following structures:
.
상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자.The method of claim 10,
The organic material layer further comprises one or two or more layers selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, and a hole blocking layer.
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