KR102490900B1 - Display device with integrated touch screen - Google Patents

Display device with integrated touch screen Download PDF

Info

Publication number
KR102490900B1
KR102490900B1 KR1020170166077A KR20170166077A KR102490900B1 KR 102490900 B1 KR102490900 B1 KR 102490900B1 KR 1020170166077 A KR1020170166077 A KR 1020170166077A KR 20170166077 A KR20170166077 A KR 20170166077A KR 102490900 B1 KR102490900 B1 KR 102490900B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
touch
layer
electrodes
touch electrodes
display device
Prior art date
Application number
KR1020170166077A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190066394A (en
Inventor
추교열
임광수
신의진
이상흔
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170166077A priority Critical patent/KR102490900B1/en
Publication of KR20190066394A publication Critical patent/KR20190066394A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102490900B1 publication Critical patent/KR102490900B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412Digitisers structurally integrated in a display
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • H01L27/323
    • H01L27/3258
    • H01L51/5203
    • H01L51/5237
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40OLEDs integrated with touch screens

Abstract

본 발명은 두께를 줄일 수 있는 터치 스크린 일체형 표시장치를 제공하고자 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 표시장치는 기판 상에 형성된 유기발광소자, 유기발광소자 상에 형성된 제1 무기막, 제1 무기막 상에 형성된 제1 터치 전극들 및 제2 터치 전극들, 및 제1 터치 전극들 및 제2 터치 전극들 상에 형성된 봉지막을 포함한다.An object of the present invention is to provide a display device integrated with a touch screen capable of reducing the thickness. A touch screen integrated display device according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting device formed on a substrate, a first inorganic layer formed on the organic light emitting device, first touch electrodes and second touch electrodes formed on the first inorganic layer. and an encapsulation film formed on the first touch electrodes and the second touch electrodes.

Figure R1020170166077
Figure R1020170166077

Description

터치 스크린 일체형 표시장치{DISPLAY DEVICE WITH INTEGRATED TOUCH SCREEN}Touch screen integrated display {DISPLAY DEVICE WITH INTEGRATED TOUCH SCREEN}

본 발명은 터치 스크린 일체형 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device integrated with a touch screen.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display) 및 퀀텀닷발광표시장치(QLED: Quantum dot Light Emitting Display)와 같은 여러가지 표시장치가 활용되고 있다. 이들 중에서 유기발광 표시장치는 저전압 구동이 가능하고, 박형이며, 시야각이 우수하고, 응답속도가 빠른 특성이 있다.As the information society develops, demands for display devices for displaying images are increasing in various forms. Accordingly, in recent years, liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), organic light emitting displays (OLEDs), and quantum dot light emitting displays (QLEDs) have been developed. Various display devices such as a light emitting display) are being utilized. Among them, the organic light emitting display device can be driven at a low voltage, is thin, has an excellent viewing angle, and has a fast response speed.

유기발광 표시장치는 데이터 라인들, 스캔 라인들, 데이터 라인들과 스캔 라인들의 교차부에 형성된 다수의 화소들을 구비하는 표시패널, 스캔 라인들에 스캔신호들을 공급하는 스캔 구동부, 및 데이터 라인들에 데이터 전압들을 공급하는 데이터 구동부를 포함한다. 화소들 각각은 유기발광소자, 게이트 전극의 전압에 따라 유기발광소자에 공급되는 전류의 양을 조절하는 구동 트랜지스터(transistor), 스캔 라인의 스캔신호에 응답하여 데이터 라인의 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하는 스캔 트랜지스터를 포함한다.An organic light emitting display device includes data lines, scan lines, a display panel having a plurality of pixels formed at intersections of the data lines and scan lines, a scan driver supplying scan signals to the scan lines, and data lines. and a data driver supplying data voltages. Each of the pixels includes an organic light emitting element, a driving transistor that controls the amount of current supplied to the organic light emitting element according to the voltage of the gate electrode, and a gate of the driving transistor that controls the data voltage of the data line in response to the scan signal of the scan line. It includes a scan transistor that supplies the electrodes.

최근에 유기발광 표시장치는 사용자의 터치를 인식할 수 있는 터치 스크린 패널을 포함하는 터치 스크린 일체형 표시장치로 형성된다. 이 경우, 유기발광 표시장치는 터치 스크린 장치로도 기능한다. 최근에 터치 스크린 장치는 네비게이션(navigation), 산업용 단말기, 노트북 컴퓨터, 금융 자동화기기, 게임기 등과 같은 모니터, 스마트폰, 태블릿, 휴대전화기, MP3, PDA, PMP, PSP, 휴대용 게임기, DMB 수신기, 태블릿 PC 등과 같은 휴대용 단말기, 및 냉장고, 전자 레인지, 세탁기 등과 같은 가전제품 등에 적용되고 있다. 또한, 터치 스크린 장치는 누구나 쉽게 조작할 수 있는 장점으로 인해 적용이 점차 확대되고 있다.Recently, an organic light emitting display device is formed as a display device integrated with a touch screen including a touch screen panel capable of recognizing a user's touch. In this case, the organic light emitting display device also functions as a touch screen device. Recently, touch screen devices have been used in navigation, industrial terminals, notebook computers, financial automation devices, monitors such as game machines, smartphones, tablets, mobile phones, MP3 players, PDAs, PMPs, PSPs, handheld game machines, DMB receivers, and tablet PCs. It is applied to portable terminals such as the like, and home appliances such as refrigerators, microwave ovens, washing machines, and the like. In addition, applications of touch screen devices are gradually expanding due to the advantage that anyone can easily manipulate them.

터치 스크린 일체형 표시장치는 표시패널 내에 제1 터치 전극들, 제2 터치 전극들, 및 제1 터치 전극들 또는 제2 터치 전극들을 서로 연결하기 위한 연결 전극(bridge electrode)들을 형성한다. 터치 스크린 일체형 표시장치는 유기발광소자를 봉지하기 위한 봉지막 상에 제1 터치 전극들, 제2 터치 전극들, 및 제1 터치 전극들 또는 제2 터치 전극들을 서로 연결하기 위한 연결 전극들을 형성한다. 제1 터치 전극들은 Tx 전극들이고, 제2 터치 전극들은 Rx 전극들일 수 있다.A display device integrated with a touch screen forms first touch electrodes, second touch electrodes, and bridge electrodes for connecting the first touch electrodes or the second touch electrodes to each other in a display panel. The touch screen integrated display device forms first touch electrodes, second touch electrodes, and connection electrodes for connecting the first touch electrodes or the second touch electrodes to each other on an encapsulation film for encapsulating the organic light emitting element. . The first touch electrodes may be Tx electrodes, and the second touch electrodes may be Rx electrodes.

제1 터치 전극들과 제2 터치 전극들은 동일한 층에 형성되고, 연결 전극들은 제1 터치 전극들 및 제2 터치 전극들과 다른 층에 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2 터치 전극들과 연결 전극들을 절연하기 위해, 제1 및 제2 터치 전극들과 연결 전극들 사이에는 유기막이 형성될 수 있다. 또한, 제1 터치 전극들, 제2 터치 전극들, 및 연결 전극들로 인한 단차를 평탄화하기 위하여 상부에 오버코트층이 형성될 수 있다. 이러한 터치 스크린 일체형 표시장치는 두께가 증가하는 문제가 있다.The first touch electrodes and the second touch electrodes may be formed on the same layer, and the connection electrodes may be formed on a different layer from the first touch electrodes and the second touch electrodes. In this case, an organic layer may be formed between the first and second touch electrodes and the connection electrodes to insulate the first and second touch electrodes from the connection electrodes. In addition, an overcoat layer may be formed on the upper portion to flatten a step caused by the first touch electrodes, the second touch electrodes, and the connection electrodes. Such a touch screen-integrated display device has a problem in that its thickness increases.

본 발명은 두께를 줄일 수 있는 터치 스크린 일체형 표시장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a display device integrated with a touch screen capable of reducing the thickness.

본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 표시장치는 기판 상에 형성된 유기발광소자, 유기발광소자 상에 형성된 제1 무기막, 제1 무기막 상에 형성된 제1 터치 전극들 및 제2 터치 전극들, 및 제1 터치 전극들 및 제2 터치 전극들 상에 형성된 봉지막을 포함한다.A touch screen integrated display device according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting device formed on a substrate, a first inorganic layer formed on the organic light emitting device, first touch electrodes and second touch electrodes formed on the first inorganic layer. and an encapsulation film formed on the first touch electrodes and the second touch electrodes.

본 발명의 실시예는 터치 센싱층을 발광 소자층과 봉지층 사이에 형성한다. 이에 따라, 본 발명의 실시예는 봉지층의 유기막을 이용하여 터치 센싱층의 제1 터치 전극들, 제2 터치 전극들 및 연결 전극들로 인한 단차를 평탄화시킬 수 있다.An embodiment of the present invention forms a touch sensing layer between the light emitting element layer and the encapsulation layer. Accordingly, in an embodiment of the present invention, a step caused by the first touch electrodes, the second touch electrodes, and the connection electrodes of the touch sensing layer may be flattened by using the organic film of the encapsulation layer.

또한, 본 발명의 실시예는 터치 센싱층의 제1 무기막 및 터치 절연막을 이용하여 발광 소자층에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the embodiment of the present invention can prevent oxygen or moisture from permeating into the light emitting element layer by using the first inorganic layer and the touch insulating layer of the touch sensing layer.

또한, 본 발명의 실시예는 터치 센싱층과 봉지층의 두께를 줄일 수 있다. 결과적으로, 본 발명의 실시예는 터치 스크린 일체형 표시장치의 두께를 줄일 수 있다.In addition, the embodiment of the present invention can reduce the thickness of the touch sensing layer and the encapsulation layer. As a result, embodiments of the present invention can reduce the thickness of the touch screen integrated display device.

또한, 본 발명의 실시예는 발광 소자층과 제1 터치 전극들, 제2 터치 전극들 및 연결 전극들 사이에 제1 저유전율 무기막을 포함하는 제1 무기막을 배치한다. 이에 따라, 본 발명의 실시예는 터치 센싱층에 포함된 제1 터치 전극들, 제2 터치 전극들, 연결 전극들과 발광 소자층에 포함된 제1 전극 및 제2 전극 간에 기생 용량이 증가하는 것을 방지할 수 있다.In addition, in an embodiment of the present invention, a first inorganic film including a first low dielectric constant inorganic film is disposed between the light emitting element layer, the first touch electrodes, the second touch electrodes, and the connection electrodes. Accordingly, an embodiment of the present invention increases the parasitic capacitance between the first touch electrodes, the second touch electrodes, and the connection electrodes included in the touch sensing layer and the first electrode and the second electrode included in the light emitting element layer. that can be prevented

본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects obtainable in the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below. .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 표시장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 표시장치를 보여주는 블록도이다.
도 3은 도 1의 표시패널의 일 측 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 표시장치의 제1 및 제2 터치 전극들, 연결 전극들, 및 제1 및 제2 터치 라인들을 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 4의 A 영역의 일 예를 상세히 보여주는 확대도이다.
도 6은 도 4의 Ⅰ-Ⅰ'의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 4의 Ⅰ-Ⅰ'의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 8a는 실시예 1 및 실시예 2에 대한 시뮬레이터 데이터를 보여주는 표이다.
도 8b는 실시예 1 및 실시예 2에 대한 시뮬레이터 결과를 보여주는 그래프이다.
1 is a perspective view showing a display device integrated with a touch screen according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram showing a display device integrated with a touch screen according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of one side of the display panel of FIG. 1 .
4 is a plan view illustrating first and second touch electrodes, connection electrodes, and first and second touch lines of a touch screen integrated display device according to an exemplary embodiment.
FIG. 5 is an enlarged view showing an example of area A of FIG. 4 in detail.
6 is a cross-sectional view showing an example of line I-I' of FIG. 4 .
FIG. 7 is a cross-sectional view showing another example of line I-I' in FIG. 4 .
8A is a table showing simulator data for Examples 1 and 2.
8B is a graph showing simulator results for Examples 1 and 2.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and methods of achieving them, will become clear with reference to the detailed description of the following embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, only these embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the holder of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative, so the present invention is not limited to the details shown. Like reference numbers designate like elements throughout the specification. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted.

본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. When 'includes', 'has', 'consists', etc. mentioned in this specification is used, other parts may be added unless 'only' is used. In the case where a component is expressed in the singular, the case including the plural is included unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, even if there is no separate explicit description, it is interpreted as including the error range.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of a positional relationship, for example, 'on top of', 'on top of', 'at the bottom of', 'next to', etc. Or, unless 'directly' is used, one or more other parts may be located between the two parts.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal precedence relationship is described in terms of 'after', 'following', 'next to', 'before', etc. It can also include non-continuous cases unless is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다. "X-axis direction", "Y-axis direction", and "Z-axis direction" should not be interpreted only as a geometric relationship in which the relationship between each other is made upright, and may be broader within the range in which the configuration of the present invention can function functionally. It can mean having a direction.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. The term “at least one” should be understood to include all possible combinations from one or more related items. For example, "at least one of the first item, the second item, and the third item" means not only the first item, the second item, or the third item, respectively, but also two of the first item, the second item, and the third item. It may mean a combination of all items that can be presented from one or more.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be partially or entirely combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each embodiment can be implemented independently of each other or can be implemented together in a related relationship. may be

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 표시장치를 보여주는 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 표시장치를 보여주는 블록도이다.1 is a perspective view showing a display device integrated with a touch screen according to an embodiment of the present invention. 2 is a block diagram showing a display device integrated with a touch screen according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 표시장치는 표시패널(110), 스캔 구동부(120), 데이터 구동부(130), 타이밍 콘트롤러(160), 호스트 시스템(170), 터치 구동부(180), 및 터치 좌표 산출부(190)를 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 2 , a touch screen integrated display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel 110, a scan driver 120, a data driver 130, a timing controller 160, a host system ( 170), a touch driver 180, and a touch coordinate calculator 190.

본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린 일체형 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel, PDP), 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display, OLED), 전기영동 표시장치(Electrophoresis, EPD) 등의 평판 표시장치로 구현될 수 있다. 이하의 실시 예에서, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린 일체형 표시장치가 유기발광 표시장치로 구현된 것을 중심으로 설명하지만, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다.A display device integrated with a touch screen according to an embodiment of the present invention includes a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting display. It may be implemented as a flat panel display device such as an organic light emitting display (OLED) or an electrophoresis display (EPD). In the following embodiments, a touch screen integrated display device according to an embodiment of the present invention will be mainly described as being implemented as an organic light emitting display device, but it should be noted that the present invention is not limited thereto.

표시패널(110)은 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 포함한다. 제2 기판(112)은 봉지 기판일 수 있다. 제1 기판(111)은 플라스틱 필름(plastic film) 또는 유리 기판(glass substrate)일 수 있다. 제2 기판(112)은 플라스틱 필름, 유리 기판, 또는 봉지 필름(보호 필름)일 수 있다.The display panel 110 includes a first substrate 111 and a second substrate 112 . The second substrate 112 may be an encapsulation substrate. The first substrate 111 may be a plastic film or a glass substrate. The second substrate 112 may be a plastic film, a glass substrate, or an encapsulation film (protective film).

표시패널(110)은 서브 화소(SP)들이 마련되어 화상을 표시하는 영역인 표시영역을 포함한다. 표시패널(110)에는 데이터 라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수)과 스캔 라인들(S1~Sn, n은 2 이상의 양의 정수)이 형성된다. 데이터 라인들(D1~Dm)은 스캔 라인들(S1~Sn)과 교차되도록 형성될 수 있다. 서브 화소(SP)들은 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차 구조에 의해 정의되는 영역에 형성될 수 있다.The display panel 110 includes a display area in which sub-pixels SP are provided to display an image. Data lines (D1 to Dm, where m is a positive integer greater than or equal to 2) and scan lines (S1 to Sn, where n is a positive integer greater than or equal to 2) are formed on the display panel 110 . The data lines D1 to Dm may be formed to cross the scan lines S1 to Sn. The sub-pixels SP may be formed in an area defined by an intersection structure of gate lines and data lines.

표시패널(110)의 서브 화소(SP)들 각각은 데이터 라인들(D1~Dm) 중 어느 하나와 스캔 라인들(S1~Sn) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 표시패널(110)의 서브 화소(SP)들 각각은 게이트 전극에 인가된 데이터 전압에 따라 드레인-소스간 전류를 조정하는 구동 트랜지스터(transistor), 스캔 라인의 스캔신호에 의해 턴-온되어 데이터 라인의 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하는 스캔 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 드레인-소스간 전류에 따라 발광하는 유기발광다이오드(organic light emitting diode), 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극의 전압을 저장하기 위한 커패시터(capacitor)를 포함할 수 있다. 이로 인해, 서브 화소(SP)들 각각은 유기발광다이오드에 공급되는 전류에 따라 발광할 수 있다.Each of the sub-pixels SP of the display panel 110 may be connected to one of the data lines D1 to Dm and one of the scan lines S1 to Sn. Each of the sub-pixels SP of the display panel 110 is turned on by a driving transistor that adjusts the drain-to-source current according to the data voltage applied to the gate electrode and the scan signal of the scan line to turn on the data line. A scan transistor for supplying the data voltage of the driving transistor to the gate electrode of the driving transistor, an organic light emitting diode that emits light according to the drain-to-source current of the driving transistor, and a voltage of the gate electrode of the driving transistor. A capacitor may be included. Due to this, each of the sub-pixels SP may emit light according to the current supplied to the organic light emitting diode.

스캔 구동부(120)는 타이밍 콘트롤러(160)로부터 스캔 제어신호(GCS)를 입력받는다. 스캔 구동부(120)는 스캔 제어신호(GCS)에 따라 스캔 신호들을 스캔 라인들(S1~Sn)에 공급한다.The scan driver 120 receives the scan control signal GCS from the timing controller 160 . The scan driver 120 supplies scan signals to the scan lines S1 to Sn according to the scan control signal GCS.

스캔 구동부(120)는 표시패널(110)의 표시영역의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시영역에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성될 수 있다. 또는, 스캔 구동부(120)는 구동 칩으로 제작되어 연성필름에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 표시패널(110)의 표시영역의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시영역에 부착될 수도 있다.The scan driver 120 may be formed in a non-display area outside one or both sides of the display area of the display panel 110 in a gate driver in panel (GIP) method. Alternatively, the scan driver 120 may be manufactured as a driving chip, mounted on a flexible film, and attached to a non-display area outside one or both sides of the display area of the display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method.

데이터 구동부(130)는 타이밍 콘트롤러(160)로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)와 데이터 제어신호(DCS)를 입력받는다. 데이터 구동부(130)는 데이터 제어신호(DCS)에 따라 디지털 비디오 데이터(DATA)를 아날로그 정극성/부극성 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 즉, 스캔 구동부(120)의 스캔 신호들에 의해 데이터 전압들이 공급될 화소들이 선택되며, 선택된 화소들에 데이터 전압들이 공급된다.The data driver 130 receives digital video data DATA and a data control signal DCS from the timing controller 160 . The data driver 130 converts the digital video data DATA into analog positive/negative polarity data voltages according to the data control signal DCS and supplies them to the data lines. That is, pixels to which data voltages are to be supplied are selected by the scan signals of the scan driver 120, and the data voltages are supplied to the selected pixels.

데이터 구동부(130)는 도 1과 같이 복수의 소스 드라이브 IC(131)들을 포함할 수 있다. 복수의 소스 드라이브 IC(131)들 각각은 COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성필름(140)에 실장될 수 있다. 연성필름(140)은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 표시패널(110)의 비표시영역에 마련된 패드들 상에 부착되며, 이로 인해 복수의 소스 드라이브 IC(131)들은 패드들에 연결될 수 있다.The data driver 130 may include a plurality of source drive ICs 131 as shown in FIG. 1 . Each of the plurality of source drive ICs 131 may be mounted on the flexible film 140 in a chip on film (COF) or chip on plastic (COP) method. The flexible film 140 is attached to the pads provided in the non-display area of the display panel 110 using an anisotropic conducting film, whereby a plurality of source drive ICs 131 are connected to the pads. can

회로보드(150)는 연성필름(140)들에 부착될 수 있다. 회로보드(150)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로보드(150)에는 타이밍 콘트롤러(160)가 실장될 수 있다. 회로보드(150)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.The circuit board 150 may be attached to the flexible films 140 . A plurality of circuits implemented as driving chips may be mounted on the circuit board 150 . For example, the timing controller 160 may be mounted on the circuit board 150 . The circuit board 150 may be a printed circuit board or a flexible printed circuit board.

타이밍 콘트롤러(160)는 호스트 시스템(170)으로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)와 타이밍 신호들을 입력받는다. 타이밍 신호들은 수직동기신호(vertical synchronization signal), 수평동기신호(horizontal synchronization signal), 데이터 인에이블 신호(data enable signal), 도트 클럭(dot clock) 등을 포함할 수 있다. 수직동기신호는 1 프레임 기간을 정의하는 신호이다. 수평동기신호는 표시패널(DIS)의 1 수평 라인의 화소들에 데이터 전압들을 공급하는데 필요한 1 수평기간을 정의하는 신호이다. 데이터 인에이블 신호는 유효한 데이터가 입력되는 기간을 정의하는 신호이다. 도트 클럭은 소정의 짧은 주기로 반복되는 신호이다.The timing controller 160 receives digital video data DATA and timing signals from the host system 170 . The timing signals may include a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, a data enable signal, a dot clock, and the like. The vertical synchronization signal is a signal defining one frame period. The horizontal synchronizing signal is a signal defining one horizontal period required to supply data voltages to pixels of one horizontal line of the display panel DIS. The data enable signal is a signal defining a period in which valid data is input. The dot clock is a signal that is repeated at a predetermined short period.

타이밍 콘트롤러(160)는 스캔 구동부(120)와 데이터 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위해, 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS)와 스캔 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 제어신호(GCS)를 발생한다. 타이밍 콘트롤러(160)는 스캔 구동부(120)에 스캔 제어신호(GCS)를 출력하고, 데이터 구동부(130)에 디지털 비디오 데이터(DATA)와 데이터 제어신호(DCS)를 출력한다.The timing controller 160 includes a data control signal DCS for controlling the operation timing of the data driver 130 based on the timing signals to control the operation timing of the scan driver 120 and the data driver 130 . A scan control signal GCS for controlling the operation timing of the scan driver 120 is generated. The timing controller 160 outputs the scan control signal GCS to the scan driver 120 and outputs digital video data DATA and data control signal DCS to the data driver 130 .

호스트 시스템(170)은 네비게이션 시스템, 셋톱박스, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 방송 수신기, 폰 시스템(Phone system) 등으로 구현될 수 있다. 호스트 시스템(170)은 스케일러(scaler)를 내장한 SoC(System on chip)을 포함하여 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(DATA)를 표시패널(110)에 표시하기에 적합한 포맷으로 변환한다. 호스트 시스템(170)는 디지털 비디오 데이터(DATA)와 타이밍 신호들을 타이밍 콘트롤러(160)로 전송한다.The host system 170 may be implemented as a navigation system, a set-top box, a DVD player, a Blu-ray player, a personal computer (PC), a home theater system, a broadcast receiver, a phone system, and the like. The host system 170 includes a system on chip (SoC) with a built-in scaler to convert digital video data (DATA) of an input image into a format suitable for display on the display panel 110 . The host system 170 transmits digital video data DATA and timing signals to the timing controller 160 .

표시패널(110)에는 데이터 라인들(D1~Dm)과 스캔 라인들(S1~Sn) 이외에 제1 및 제2 터치 전극들이 형성될 수 있다. 제1 터치 전극들은 제2 터치 전극들과 교차되도록 형성될 수 있다. 제1 터치 전극들은 제1 터치 라인들(T1~Tj, j는 2 이상의 양의 정수)을 통해 제1 터치 구동부(181)에 연결될 수 있다. 제2 터치 전극들은 제2 터치 라인들(R1~Ri, i는 2 이상의 양의 정수)을 통해 제2 터치 구동부(182)에 연결될 수 있다. 제1 터치 전극들과 제2 터치 전극들의 교차부들 각각에는 터치 센서가 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서 터치 센서가 상호 용량(mutual capacitance)으로 구현된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 제1 및 제2 터치 전극들의 배치에 대한 자세한 설명은 도 4 및 도 5를 결부하여 후술한다.In addition to the data lines D1 to Dm and the scan lines S1 to Sn, first and second touch electrodes may be formed on the display panel 110 . The first touch electrodes may be formed to cross the second touch electrodes. The first touch electrodes may be connected to the first touch driver 181 through the first touch lines T1 to Tj, where j is a positive integer greater than or equal to 2. The second touch electrodes may be connected to the second touch driver 182 through the second touch lines R1 to Ri, where i is a positive integer greater than or equal to 2. A touch sensor may be formed at each intersection of the first touch electrodes and the second touch electrodes. In the embodiment of the present invention, it is exemplified that the touch sensor is implemented with mutual capacitance, but it should be noted that it is not limited thereto. A detailed description of the arrangement of the first and second touch electrodes will be described later with reference to FIGS. 4 and 5 .

터치 구동부(180)는 제1 터치 라인들(T1~Tj)을 통해 제1 터치 전극들에 구동펄스를 공급하고 제2 터치 라인들(R1~Ri)을 통해 터치 센서들 각각의 차지 변화량을 센싱한다. 즉, 도 3에서는 제1 터치 라인들(T1~Tj)이 구동 펄스를 공급하는 Tx 라인들이고, 제2 터치 라인들(R1~Ri)이 터치 센서들 각각의 차지 변화량을 센싱하는 Rx 라인들인 것을 중심으로 설명하였다.The touch driver 180 supplies a driving pulse to the first touch electrodes through the first touch lines T1 to Tj and senses a charge variation of each of the touch sensors through the second touch lines R1 to Ri. do. That is, in FIG. 3 , the first touch lines T1 to Tj are Tx lines that supply driving pulses, and the second touch lines R1 to Ri are Rx lines that sense charge variations of each of the touch sensors. centrally explained.

터치 구동부(180)는 제1 터치 구동부(181), 제2 터치 구동부(182), 및 터치 콘트롤러(183)를 포함한다. 제1 터치 구동부(181), 제2 터치 구동부(182), 및 터치 콘트롤러(183)는 하나의 ROIC(Read-out IC) 내에 집적될 수 있다.The touch driver 180 includes a first touch driver 181 , a second touch driver 182 , and a touch controller 183 . The first touch driver 181 , the second touch driver 182 , and the touch controller 183 may be integrated into one read-out IC (ROIC).

제1 터치 구동부(181)는 터치 콘트롤러(183)의 제어 하에 구동펄스를 출력할 제1 터치 라인을 선택하고, 선택된 제1 터치 라인에 구동펄스를 공급한다. 예를 들어, 제1 터치 구동부(181)는 제1 터치 라인들(T1~Tj)에 순차적으로 구동펄스들을 공급할 수 있다.The first touch driver 181 selects a first touch line to output a driving pulse under the control of the touch controller 183 and supplies the driving pulse to the selected first touch line. For example, the first touch driver 181 may sequentially supply driving pulses to the first touch lines T1 to Tj.

제2 터치 구동부(182)는 터치 콘트롤러(183)의 제어 하에 터치 센서들의 차지 변화량들을 수신할 제2 터치 라인들을 선택하고, 선택된 제2 터치 라인들을 통해 터치 센서들의 차지 변화량들을 수신한다. 제2 터치 구동부(182)는 제2 터치 라인들(R1~Ri)을 통해 수신된 터치 센서들의 차지 변화량들을 샘플링하여 디지털 데이터인 터치 로우 데이터(touch raw data, TRD)로 변환한다.The second touch driver 182 selects second touch lines to receive charge variations of the touch sensors under the control of the touch controller 183 and receives the charge variations of the touch sensors through the selected second touch lines. The second touch driver 182 samples charge variations of the touch sensors received through the second touch lines R1 to Ri and converts them into digital touch raw data (TRD).

터치 콘트롤러(183)는 제1 터치 구동부(181)에서 구동펄스가 출력될 제1 터치 라인을 설정하기 위한 Tx 셋업 신호와, 제2 터치 구동부(182)에서 터치 센서 전압을 수신할 제2 터치 라인을 설정하기 위한 Rx 셋업 신호를 발생할 수 있다. 또한, 터치 콘트롤러(183)는 제1 터치 구동부(181)와 제2 터치 구동부(182)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다.The touch controller 183 includes a Tx setup signal for setting the first touch line to which the driving pulse is output from the first touch driver 181 and the second touch line for receiving the touch sensor voltage from the second touch driver 182 Rx setup signal for setting can be generated. Also, the touch controller 183 generates timing control signals for controlling operation timings of the first touch driver 181 and the second touch driver 182 .

터치 좌표 산출부(190)는 터치 구동부(180)로부터 터치 로우 데이터(TRD)를 입력받는다. 터치 좌표 산출부(190)는 터치 좌표 산출방법에 따라 터치 좌표(들)를 산출하고, 터치 좌표(들)의 정보를 포함하는 터치 좌표 데이터(HIDxy)를 호스트 시스템(170)으로 출력한다.The touch coordinate calculator 190 receives touch row data TRD from the touch driver 180 . The touch coordinate calculation unit 190 calculates touch coordinate(s) according to the touch coordinate calculation method and outputs touch coordinate data (HIDxy) including information of the touch coordinate(s) to the host system 170 .

터치 좌표 산출부(190)는 MCU(Micro Controller Unit, MCU)로 구현될 수 있다. 호스트 시스템(170)은 터치 좌표 산출부(190)로부터 입력되는 터치 좌표 데이터(HIDxy)를 분석하여 사용자에 의해 터치가 발생한 좌표와 연계된 응용 프로그램(application program)을 실행한다. 호스트 시스템(170)은 실행된 응용 프로그램에 따라 디지털 비디오 데이터(DATA)와 타이밍 신호들을 타이밍 콘트롤러(160)로 전송한다.The touch coordinate calculator 190 may be implemented as a Micro Controller Unit (MCU). The host system 170 analyzes the touch coordinate data (HIDxy) input from the touch coordinate calculation unit 190 and executes an application associated with the coordinates where the user touches. The host system 170 transmits digital video data DATA and timing signals to the timing controller 160 according to the executed application program.

터치 구동부(180)는 소스 드라이브 IC(131)들에 포함되거나 또는 별도의 구동 칩으로 제작되어 회로 보드(150) 상에 실장될 수 있다. 또한, 터치 좌표 산출부(190)는 구동 칩으로 제작되어 회로 보드(150) 상에 실장될 수 있다.The touch driver 180 may be included in the source drive ICs 131 or manufactured as a separate driving chip and mounted on the circuit board 150 . In addition, the touch coordinate calculator 190 may be manufactured as a driving chip and mounted on the circuit board 150 .

도 3은 도 1의 표시패널의 일 측 단면도이다.3 is a cross-sectional view of one side of the display panel of FIG. 1 .

도 3을 참조하면, 표시패널(110)은 제1 기판(111), 제2 기판(112), 제1 및 제2 기판들(111, 112) 사이에 배치된 박막 트랜지스터층(10), 발광 소자층(20), 터치 센싱층(30) 및 봉지층(40)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the display panel 110 includes a first substrate 111, a second substrate 112, a thin film transistor layer 10 disposed between the first and second substrates 111 and 112, light emitting It may include an element layer 20 , a touch sensing layer 30 and an encapsulation layer 40 .

제1 기판(111)은 플라스틱 필름 또는 유리 기판일 수 있다.The first substrate 111 may be a plastic film or a glass substrate.

제1 기판(111) 상에는 박막 트랜지스터층(10)이 형성된다. 박막 트랜지스터층(10)은 스캔 라인들, 데이터 라인들, 및 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터들 각각은 게이트 전극, 반도체층, 소스 및 드레인 전극들을 포함한다. 스캔 구동부가 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성되는 경우, 스캔 구동부는 박막 트랜지스터층(10)와 함께 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터층(10)에 대한 자세한 설명은 도 6을 결부하여 후술한다.A thin film transistor layer 10 is formed on the first substrate 111 . The thin film transistor layer 10 may include scan lines, data lines, and thin film transistors. Each of the thin film transistors includes a gate electrode, a semiconductor layer, and source and drain electrodes. When the scan driver is formed in a gate driver in panel (GIP) method, the scan driver may be formed together with the thin film transistor layer 10 . A detailed description of the thin film transistor layer 10 will be described later in conjunction with FIG. 6 .

박막 트랜지스터층(10) 상에는 발광 소자층(20)이 형성된다. 발광 소자층(20)은 제1 전극들, 발광층, 제2 전극, 및 뱅크들을 포함한다. 발광층은 유기 물질을 포함하는 유기 발광층일 수 있다. 이 경우, 발광층은 정공 수송층(hole transporting layer), 유기 발광층(organic light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 제1 전극과 제2 전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기 발광층으로 이동되며, 유기 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 발광 소자층(20)은 화소들이 형성되는 화소 어레이층일 수 있으며, 이로 인해 발광 소자층(20)이 형성된 영역은 표시영역으로 정의될 수 있다. 표시영역의 주변 영역은 비표시영역으로 정의될 수 있다. 발광 소자층(20)에 대한 자세한 설명은 도 6을 결부하여 후술한다.A light emitting element layer 20 is formed on the thin film transistor layer 10 . The light emitting element layer 20 includes first electrodes, a light emitting layer, a second electrode, and banks. The light emitting layer may be an organic light emitting layer containing an organic material. In this case, the light emitting layer may include a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer. When a voltage is applied to the first electrode and the second electrode, holes and electrons move to the organic light emitting layer through the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and combine with each other in the organic light emitting layer to emit light. The light emitting element layer 20 may be a pixel array layer in which pixels are formed, and thus a region in which the light emitting element layer 20 is formed may be defined as a display area. An area around the display area may be defined as a non-display area. A detailed description of the light emitting element layer 20 will be described later in connection with FIG. 6 .

발광 소자층(20) 상에는 터치 센싱층(30)이 형성된다. 터치 센싱층(30)은 사용자의 터치를 센싱하기 위한 제1 및 제2 터치 전극층들을 포함할 수 있다. 제1 터치 전극층은 제1 터치 라인들(T1~Tj)에 연결된 제1 터치 전극들과 제2 터치 라인들(R1~Ri)에 연결된 제2 터치 전극들을 포함할 수 있다. 제2 터치 전극층은 제1 터치 전극들 또는 제2 터치 전극들을 서로 연결하는 연결 전극들을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예는 사용자의 터치를 센싱하기 위한 터치 센싱층(30)을 발광 소자층(20)과 봉지층(40) 사이에 형성함으로써, 터치 스크린 장치를 표시장치 위에 따로 부착할 필요가 없다. 터치 센싱층(30)의 평면 구조는 도 4 및 도 5를 결부하여 후술한다. 또한, 터치 센싱층(30)의 단면 구조는 도 6 및 도 7을 결부하여 후술한다.A touch sensing layer 30 is formed on the light emitting element layer 20 . The touch sensing layer 30 may include first and second touch electrode layers for sensing a user's touch. The first touch electrode layer may include first touch electrodes connected to the first touch lines T1 to Tj and second touch electrodes connected to the second touch lines R1 to Ri. The second touch electrode layer may include connection electrodes connecting the first touch electrodes or the second touch electrodes to each other. In the embodiment of the present invention, the touch sensing layer 30 for sensing a user's touch is formed between the light emitting element layer 20 and the encapsulation layer 40, so there is no need to separately attach the touch screen device on the display device. . A planar structure of the touch sensing layer 30 will be described later in conjunction with FIGS. 4 and 5 . In addition, the cross-sectional structure of the touch sensing layer 30 will be described later in connection with FIGS. 6 and 7 .

터치 센싱층(30) 상에는 봉지층(40)이 형성된다. 봉지층(40)은 발광 소자층(20) 및 터치 센싱층(30)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 봉지층(40)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 봉지층(40)의 단면 구조에 대한 자세한 설명은 도 6을 결부하여 후술한다.An encapsulation layer 40 is formed on the touch sensing layer 30 . The encapsulation layer 40 serves to prevent penetration of oxygen or moisture into the light emitting element layer 20 and the touch sensing layer 30 . The encapsulation layer 40 may include at least one inorganic layer and at least one organic layer. A detailed description of the cross-sectional structure of the encapsulation layer 40 will be described later with reference to FIG. 6 .

봉지층(40) 상에는 접착층(미도시)이 형성될 수 있다. 접착층은 박막 트랜지스터층(10), 발광 소자층(20), 터치 센싱층(30) 및 봉지층(30)이 마련된 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 접착한다. 접착층은 투명한 접착 레진층(optically clear resin layer, OCR) 또는 투명한 접착 레진 필름(optically clear adhesive film, OCA)일 수 있다.An adhesive layer (not shown) may be formed on the encapsulation layer 40 . The adhesive layer bonds the first substrate 111 and the second substrate 112 on which the thin film transistor layer 10, the light emitting device layer 20, the touch sensing layer 30, and the encapsulation layer 30 are provided. The adhesive layer may be an optically clear resin layer (OCR) or an optically clear adhesive film (OCA).

제2 기판(112)은 제1 기판(110)을 덮는 커버(cover) 기판 또는 커버 윈도우(window)와 같은 역할을 한다. 제2 기판(112)은 플라스틱 필름, 유리 기판, 또는 봉지 필름(보호 필름)일 수 있다.The second substrate 112 serves as a cover substrate or a cover window covering the first substrate 110 . The second substrate 112 may be a plastic film, a glass substrate, or an encapsulation film (protective film).

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 표시장치의 제1 및 제2 터치 전극들, 연결 전극들, 및 제1 및 제2 터치 라인들을 보여주는 평면도이다.4 is a plan view illustrating first and second touch electrodes, connection electrodes, and first and second touch lines of a touch screen integrated display device according to an exemplary embodiment.

도 4를 참조하면, 제1 터치 전극(TE)들은 제1 방향(x축 방향)으로 배열되며, 제2 터치 전극(RE)들은 제1 방향(x축 방향)과 교차되는 제2 방향(y축 방향)으로 배열될 수 있다. 제1 방향(x축 방향)은 스캔 라인들(S1~Sn)과 나란한 방향이고, 제2 방향(y축 방향)은 데이터 라인들(D1~Dm)과 나란한 방향일 수 있다. 또는, 제1 방향(x축 방향)은 데이터 라인들(D1~Dm)과 나란한 방향이고, 제2 방향(y축 방향)은 스캔 라인들(S1~Sn)과 나란한 방향일 수 있다. 도 4에서는 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들이 다이아몬드 형태의 평면 구조를 갖는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다.Referring to FIG. 4 , the first touch electrodes TE are arranged in a first direction (x-axis direction), and the second touch electrodes RE are arranged in a second direction (y) crossing the first direction (x-axis direction). axial direction). A first direction (x-axis direction) may be a direction parallel to the scan lines S1 to Sn, and a second direction (y-axis direction) may be a direction parallel to the data lines D1 to Dm. Alternatively, the first direction (x-axis direction) may be a direction parallel to the data lines D1 to Dm, and the second direction (y-axis direction) may be a direction parallel to the scan lines S1 to Sn. Although FIG. 4 illustrates that the first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE have a diamond-shaped planar structure, it should be noted that the present invention is not limited thereto.

제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들이 그들의 교차 영역들에서 서로 단락되는 것을 방지하기 위해, 제1 방향(x축 방향)으로 서로 인접한 제1 터치 전극(TE)들은 연결 전극(BE)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 터치 전극(TE)과 제2 터치 전극(RE)의 교차 영역에는 터치 센서에 해당하는 상호 용량(mutual capacitance)이 형성될 수 있다.In order to prevent the first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE from being short-circuited to each other at their crossing areas, the first touch electrodes TE adjacent to each other in the first direction (x-axis direction) are connected to each other. It may be electrically connected through the electrode BE. Mutual capacitance corresponding to the touch sensor may be formed in an intersection area between the first touch electrode TE and the second touch electrode RE.

또한, 제1 방향(x축 방향)으로 연결된 제1 터치 전극(TE)들 각각은 제2 방향(y축 방향)으로 이웃하는 제1 터치 전극(TE)들과 이격되어 있으므로, 전기적으로 절연된다. 제2 방향(y축 방향)으로 연결된 제2 터치 전극(RE)들 각각은 제1 방향(x축 방향)으로 이웃하는 제2 터치 전극(RE)들과 이격되어 있으므로, 전기적으로 절연된다.In addition, since each of the first touch electrodes TE connected in the first direction (x-axis direction) is spaced apart from the neighboring first touch electrodes TE in the second direction (y-axis direction), they are electrically insulated. . Since each of the second touch electrodes RE connected in the second direction (y-axis direction) is spaced apart from neighboring second touch electrodes RE in the first direction (x-axis direction), they are electrically insulated.

제1 방향(x축 방향)으로 서로 연결된 제1 터치 전극들(TE) 중 일 측 끝에 배치된 제1 터치 전극(TE)은 제1 터치 라인(TL)과 연결될 수 있다. 제1 터치 라인(TL)은 제1 터치 패드(TP)를 통해 제1 터치 구동부(181)에 연결될 수 있다. 따라서, 제1 방향(x축 방향)으로 서로 연결된 제1 터치 전극(TE)들은 제1 터치 라인(TL)을 통해 제1 터치 구동부(181)로부터 터치 구동 신호를 입력받을 수 있다.Among the first touch electrodes TE connected to each other in the first direction (x-axis direction), the first touch electrode TE disposed at one end may be connected to the first touch line TL. The first touch line TL may be connected to the first touch driver 181 through the first touch pad TP. Accordingly, the first touch electrodes TE connected to each other in the first direction (x-axis direction) may receive a touch driving signal from the first touch driver 181 through the first touch line TL.

제2 방향(y축 방향)으로 서로 연결된 제2 터치 전극(RE)들 중 일 측 끝에 배치된 제2 터치 전극(RE)은 제2 터치 라인(RL)과 연결될 수 있다. 제2 터치 라인(RL)은 제2 터치 패드(RP)를 통해 제2 터치 구동부(182)에 연결될 수 있다. 따라서, 제2 터치 구동부(182)는 제2 방향(y축 방향)으로 서로 연결된 제2 터치 전극(TE2)들의 터치 센서들의 차지 변화량들을 입력받을 수 있다.Among the second touch electrodes RE connected to each other in the second direction (y-axis direction), the second touch electrode RE disposed at one end may be connected to the second touch line RL. The second touch line RL may be connected to the second touch driver 182 through the second touch pad RP. Accordingly, the second touch driver 182 may receive charge variations of the touch sensors of the second touch electrodes TE2 connected to each other in the second direction (y-axis direction).

도 5는 도 4의 A 영역의 일 예를 상세히 보여주는 확대도이다.FIG. 5 is an enlarged view showing an example of area A of FIG. 4 in detail.

도 5를 참조하면, 화소(P)들은 펜타일(pentile) 구조로 형성될 수 있다. 화소(P)들 각각은 복수의 서브 화소(SP)들을 포함하며, 예를 들어, 도 5와 같이 하나의 적색 화소(R), 두 개의 녹색 화소(G)들, 및 하나의 청색 화소(B)를 포함할 수 있다. 적색 화소(R), 녹색 화소(G), 및 청색 화소(B)는 팔각형의 평면 형태로 형성될 수 있다. 또한, 적색 화소(R), 녹색 화소(G), 및 청색 화소(B) 중에서 청색 화소(B)의 크기가 가장 크며, 녹색 화소(G)의 크기가 가장 작을 수 있다. 도 5에서는 화소(P)들이 펜타일 구조로 형성된 것을 예시하였으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 5 , the pixels P may be formed in a pentile structure. Each of the pixels P includes a plurality of sub-pixels SP, for example, one red pixel R, two green pixels G, and one blue pixel B as shown in FIG. 5 . ) may be included. The red pixel R, the green pixel G, and the blue pixel B may be formed in an octagonal flat shape. Also, among the red pixels R, the green pixels G, and the blue pixels B, the size of the blue pixel B may be the largest and the size of the green pixel G may be the smallest. Although FIG. 5 illustrates that the pixels P are formed in a pentile structure, the exemplary embodiment of the present invention is not limited thereto.

제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들은 화소(P)들 각각의 적색 화소(R), 녹색 화소(G)들, 및 청색 화소(B)와 중첩되는 것을 방지하기 위해 메쉬 구조로 형성될 수 있다. 즉, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들은 적색 화소(R), 녹색 화소(G)들, 및 청색 화소(B) 사이에 마련된 뱅크 상에 형성될 수 있다.To prevent the first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE from overlapping with the red pixel R, the green pixel G, and the blue pixel B of the pixels P, respectively. It may be formed in a mesh structure. That is, the first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE may be formed on a bank provided between the red pixel R, the green pixel G, and the blue pixel B.

제1 방향(x축 방향)으로 서로 인접한 제1 터치 전극(TE)들은 복수의 연결 전극(BE)들을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 연결 전극(BE)들 각각은 제1 터치 전극(TE1)들을 노출시키는 제1 콘택홀(CNT1)들을 통해 서로 인접한 제1 터치 전극(TE)들에 접속될 수 있다. 연결 전극(BE)은 제1 터치 전극(TE) 및 제2 터치 전극(RE)과 중첩될 수 있다. 연결 전극(BE)은 적색 화소(R), 녹색 화소(G)들, 및 청색 화소(B) 사이에 마련된 뱅크 상에 형성될 수 있다.First touch electrodes TE adjacent to each other in the first direction (x-axis direction) may be electrically connected through a plurality of connection electrodes BE. Each of the connection electrodes BE may be connected to adjacent first touch electrodes TE through first contact holes CNT1 exposing the first touch electrodes TE1 . The connection electrode BE may overlap the first touch electrode TE and the second touch electrode RE. The connection electrode BE may be formed on a bank provided between the red pixel R, the green pixel G, and the blue pixel B.

제1 터치 전극(TE)들은 제2 터치 전극(RE)들과 동일한 층에 형성될 수 있으며, 연결 전극(BE)은 제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극(RE)들과 서로 다른 층에 형성될 수 있다.The first touch electrodes TE may be formed on the same layer as the second touch electrodes RE, and the connection electrode BE is connected to the first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE. may be formed on other layers.

도 6은 도 5의 Ⅰ-Ⅰ'의 일 예를 보여주는 단면도이고, 도 7은 도 5의 Ⅰ-Ⅰ'의 다른 예를 보여주는 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view showing one example of line I-I' of FIG. 5, and FIG. 7 is a cross-sectional view showing another example of line I-I' of FIG.

도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 기판(111) 상에는 박막 트랜지스터층(10)이 형성된다. 박막 트랜지스터층(10)은 박막 트랜지스터(210)들, 게이트 절연막(220), 층간 절연막(230), 보호막(240), 및 평탄화막(250)을 포함한다.Referring to FIGS. 6 and 7 , the thin film transistor layer 10 is formed on the first substrate 111 . The thin film transistor layer 10 includes thin film transistors 210 , a gate insulating film 220 , an interlayer insulating film 230 , a protective film 240 , and a planarization film 250 .

제1 기판(111)의 일면 상에는 제1 버퍼막이 형성될 수 있다. 제1 버퍼막은 투습에 취약한 제1 기판(111)을 통해 침투하는 수분으로부터 박막 트랜지스터(210)들과 유기발광소자(260)들을 보호하기 위해 제1 기판(111)의 일면 상에 형성된다. 제1 기판(111)의 일면은 제2 기판(112)과 마주보는 면일 수 있다. 제1 버퍼막은 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 버퍼막은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), SiON 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 제1 버퍼막은 생략될 수 있다.A first buffer layer may be formed on one surface of the first substrate 111 . The first buffer film is formed on one surface of the first substrate 111 to protect the thin film transistors 210 and the organic light emitting diodes 260 from moisture penetrating through the first substrate 111, which is vulnerable to moisture permeation. One surface of the first substrate 111 may be a surface facing the second substrate 112 . The first buffer layer may include a plurality of inorganic layers alternately stacked. For example, the first buffer layer may be formed of a multilayer in which one or more inorganic layers of a silicon oxide layer (SiO x ), a silicon nitride layer (SiN x ), and SiON are alternately stacked. The first buffer layer may be omitted.

제1 버퍼막 상에는 박막 트랜지스터(210)가 형성된다. 박막 트랜지스터(210)는 액티브층(211), 게이트전극(212), 소스전극(214) 및 드레인전극(215)을 포함한다. 도 6 및 도 7에서는 박막 트랜지스터(210)가 게이트전극(212)이 액티브층(211)의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 방식으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 박막 트랜지스터(210)들은 게이트전극(212)이 액티브층(211)의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 방식 또는 게이트전극(212)이 액티브층(211)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 방식으로 형성될 수 있다.A thin film transistor 210 is formed on the first buffer layer. The thin film transistor 210 includes an active layer 211 , a gate electrode 212 , a source electrode 214 and a drain electrode 215 . 6 and 7 illustrate that the thin film transistor 210 is formed in a top gate (top gate) method in which the gate electrode 212 is positioned on top of the active layer 211, but note that the present invention is not limited thereto. shall. That is, the thin film transistor 210 is a bottom gate (bottom gate) method in which the gate electrode 212 is positioned below the active layer 211 or the gate electrode 212 is located above and below the active layer 211. It may be formed in a double gate method located in both.

제1 버퍼막 상에는 액티브층(211)이 형성된다. 액티브층(211)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다. 제1 버퍼막과 액티브층(211) 사이에는 액티브층(211)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 형성될 수 있다.An active layer 211 is formed on the first buffer layer. The active layer 211 may be formed of a silicon-based semiconductor material or an oxide-based semiconductor material. A light blocking layer may be formed between the first buffer layer and the active layer 211 to block external light incident on the active layer 211 .

액티브층(211) 상에는 게이트 절연막(220)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(220)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.A gate insulating layer 220 may be formed on the active layer 211 . The gate insulating layer 220 may be formed of an inorganic layer, for example, a silicon oxide layer (SiO x ), a silicon nitride layer (SiN x ), or a multilayer thereof.

게이트 절연막(220) 상에는 게이트전극(212)과 게이트 라인이 형성될 수 있다. 게이트전극(212)과 게이트 라인은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.A gate electrode 212 and a gate line may be formed on the gate insulating layer 220 . The gate electrode 212 and the gate line are made of any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be formed as a single layer or multiple layers made of one or an alloy thereof.

게이트전극(212)과 게이트 라인 상에는 층간 절연막(230)이 형성될 수 있다. 층간 절연막(230)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.An interlayer insulating layer 230 may be formed on the gate electrode 212 and the gate line. The interlayer insulating layer 230 may be formed of an inorganic layer, for example, a silicon oxide layer (SiO x ), a silicon nitride layer (SiN x ), or a multilayer thereof.

층간 절연막(230) 상에는 소스전극(214), 드레인전극(215), 데이터 라인, 제1 및 제2 터치 패드들(TP, RP)이 형성될 수 있다. 소스전극(214)과 드레인 전극(214) 각각은 게이트 절연막(220)과 층간 절연막(230)을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층(211)에 접속될 수 있다. 소스전극(214), 드레인전극(215), 데이터 라인, 제1 및 제2 터치 패드들(TP, RP)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.A source electrode 214 , a drain electrode 215 , a data line, and first and second touch pads TP and RP may be formed on the interlayer insulating layer 230 . Each of the source electrode 214 and the drain electrode 214 may be connected to the active layer 211 through a contact hole passing through the gate insulating layer 220 and the interlayer insulating layer 230 . The source electrode 214, the drain electrode 215, the data line, and the first and second touch pads TP and RP are molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu) can be formed of a single layer or multiple layers made of any one or alloys thereof.

소스전극(214), 드레인전극(215), 데이터 라인, 제1 및 제2 터치 패드들(TP, RP) 상에는 박막 트랜지스터(220)를 절연하기 위한 보호막(240)이 형성될 수 있다. 보호막(240)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.A protective layer 240 to insulate the thin film transistor 220 may be formed on the source electrode 214 , the drain electrode 215 , the data line, and the first and second touch pads TP and RP. The protective layer 240 may be formed of an inorganic layer, for example, a silicon oxide layer (SiO x ), a silicon nitride layer (SiN x ), or a multilayer thereof.

보호막(240) 상에는 박막 트랜지스터(210)로 인한 단차를 평탄하게 하기 위한 평탄화막(250)이 형성될 수 있다. 평탄화막(250)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.A planarization layer 250 may be formed on the passivation layer 240 to flatten a level difference caused by the thin film transistor 210 . The planarization layer 250 may be formed of an organic layer such as acryl resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamide resin, or polyimide resin. there is.

박막 트랜지스터층(10) 상에는 발광 소자층(20)이 형성된다. 발광 소자층(20)은 발광 소자(260)들과 뱅크(270)를 포함한다.A light emitting element layer 20 is formed on the thin film transistor layer 10 . The light emitting device layer 20 includes light emitting devices 260 and a bank 270 .

발광 소자(260)들과 뱅크(270)는 평탄화막(250) 상에 형성된다. 발광 소자(260)들 각각은 제1 전극(261), 유기발광층(262), 및 제2 전극(263)을 포함한다. 제1 전극(261)은 애노드 전극이고, 제2 전극(263)은 캐소드 전극일 수 있다.The light emitting elements 260 and the bank 270 are formed on the planarization film 250 . Each of the light emitting elements 260 includes a first electrode 261 , an organic light emitting layer 262 , and a second electrode 263 . The first electrode 261 may be an anode electrode, and the second electrode 263 may be a cathode electrode.

제1 전극(261)은 평탄화막(250) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극(261)은 보호막(240)과 평탄화막(250)을 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(210)의 소스전극(214)에 접속된다. 제1 전극(261)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.The first electrode 261 may be formed on the planarization layer 250 . The first electrode 261 is connected to the source electrode 214 of the thin film transistor 210 through a contact hole passing through the passivation layer 240 and the planarization layer 250 . The first electrode 261 may include a stacked structure of aluminum and titanium (Ti/Al/Ti), a stacked structure of aluminum and ITO (ITO/Al/ITO), an APC alloy, and a stacked structure of APC alloy and ITO (ITO/APC /ITO) may be formed of a metal material with high reflectivity. An APC alloy is an alloy of silver (Ag), palladium (Pd), and copper (Cu).

뱅크(270)는 서브 화소(SP)들을 정의하는 화소 정의막으로 역할을 하기 위해 평탄화막(250) 상에서 제1 전극(261)을 구획하도록 형성될 수 있다. 뱅크(270)는 제1 전극(261)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다.The bank 270 may be formed to partition the first electrode 261 on the planarization layer 250 to serve as a pixel defining layer defining the sub-pixels SP. The bank 270 may be formed to cover an edge of the first electrode 261 .

서브 화소(P)들 각각은 애노드 전극에 해당하는 제1 전극(261), 발광층(262), 및 캐소드 전극에 해당하는 제2 전극(263)이 순차적으로 적층되어 제1 전극(261)으로부터의 정공과 제2 전극(263)으로부터의 전자가 발광층(262)에서 서로 결합되어 발광하는 영역을 나타낸다.In each of the sub-pixels P, a first electrode 261 corresponding to an anode electrode, a light emitting layer 262, and a second electrode 263 corresponding to a cathode electrode are sequentially stacked so as to obtain light from the first electrode 261. Holes and electrons from the second electrode 263 are coupled to each other in the light emitting layer 262 to indicate a region in which light is emitted.

제1 전극(261)과 뱅크(270) 상에는 발광층(262)이 형성된다. 발광층(262)은 유기 물질을 포함하여 소정의 색을 발광하는 유기발광층일 수 있다. 발광층(262)은 백색 광을 발광하는 백색 발광층인 경우 화소(P)들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 이 경우, 발광층(262)은 2 스택(stack) 이상의 탠덤 구조로 형성될 수 있다. 스택들 각각은 정공 수송층(hole transporting layer), 적어도 하나의 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다.An emission layer 262 is formed on the first electrode 261 and the bank 270 . The light emitting layer 262 may be an organic light emitting layer including an organic material and emitting light of a predetermined color. When the light emitting layer 262 is a white light emitting layer emitting white light, it may be a common layer formed in common with the pixels P. In this case, the light emitting layer 262 may be formed in a tandem structure of two or more stacks. Each of the stacks may include a hole transporting layer, at least one light emitting layer, and an electron transporting layer.

또한, 스택들 사이에는 전하 생성층이 형성될 수 있다. 전하 생성층은 하부 스택과 인접하게 위치하는 n형 전하 생성층과 n형 전하 생성층 상에 형성되어 상부 스택과 인접하게 위치하는 p형 전하 생성층을 포함할 수 있다. n형 전하 생성층은 하부 스택으로 전자(electron)를 주입해주고, p형 전하 생성층은 상부 스택으로 정공(hole)을 주입해준다. n형 전하 생성층은 전자수송능력이 있는 유기 호스트 물질에 Li, Na, K, 또는 Cs와 같은 알칼리 금속, 또는 Mg, Sr, Ba, 또는 Ra와 같은 알칼리 토금속이 도핑된 유기층일 수 있다. p형 전하 생성층은 정공수송능력이 있는 유기 호스트 물질에 도펀트가 도핑된 유기층일 수 있다.In addition, a charge generating layer may be formed between the stacks. The charge generation layer may include an n-type charge generation layer positioned adjacent to the lower stack and a p-type charge generation layer formed on the n-type charge generation layer and positioned adjacent to the upper stack. The n-type charge generation layer injects electrons into the lower stack, and the p-type charge generation layer injects holes into the upper stack. The n-type charge generation layer may be an organic layer in which an organic host material capable of transporting electrons is doped with an alkali metal such as Li, Na, K, or Cs, or an alkaline earth metal such as Mg, Sr, Ba, or Ra. The p-type charge generating layer may be an organic layer doped with a dopant in an organic host material having hole transport capability.

제2 전극(263)은 발광층(262) 상에 형성된다. 제2 전극(263)은 발광층(262)을 덮도록 형성될 수 있다. 제2 전극(263)은 화소(P)들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다.The second electrode 263 is formed on the light emitting layer 262 . The second electrode 263 may be formed to cover the light emitting layer 262 . The second electrode 263 may be a common layer formed in common with the pixels P.

제2 전극(263)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제2 전극(263)이 반투과 금속물질로 형성되는 경우, 마이크로 캐비티(micro cavity)에 의해 출광 효율이 높아질 수 있다. 제2 전극(263) 상에는 캡핑층(capping layer)이 형성될 수 있다.The second electrode 263 is a transparent conductive material (TCO) such as ITO or IZO capable of transmitting light, or magnesium (Mg), silver (Ag), or magnesium (Mg) and silver (Ag). It may be formed of a semi-transmissive conductive material such as an alloy of. When the second electrode 263 is formed of a semi-transmissive metal material, light emission efficiency may be increased by a micro cavity. A capping layer may be formed on the second electrode 263 .

발광 소자층(260) 상에는 터치 센싱층(30)이 형성된다. 터치 센싱층(30)은 제1 무기막(280), 제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들, 연결 전극(BE)들 및 터치 절연막(290)을 포함한다.A touch sensing layer 30 is formed on the light emitting element layer 260 . The touch sensing layer 30 includes a first inorganic layer 280 , first touch electrodes TE, second touch electrodes RE, connection electrodes BE, and a touch insulating layer 290 .

발광 소자층(20) 상에는 제1 무기막(280)이 형성된다. 제1 무기막(280)은 발광층(262)과 제2 전극(263)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하기 위하여 발광 소자(260)들을 덮도록 형성될 수 있다. 이러한 제1 무기막(280)은 제1 저유전율 무기막(281) 및 제2 저유전율 무기막(282)을 포함할 수 있다.A first inorganic film 280 is formed on the light emitting element layer 20 . The first inorganic film 280 may be formed to cover the light emitting elements 260 in order to prevent oxygen or moisture from penetrating the light emitting layer 262 and the second electrode 263 . The first inorganic film 280 may include a first low-k inorganic film 281 and a second low-k inorganic film 282 .

제1 저유전율 무기막(281)은 유전율이 제1 값보다 작은 무기막일 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 표시장치는 발광 소자층(20) 상에 터치 센싱층(30)이 직접 형성되는 것이 특징이다. 종래의 터치 스크린 일체형 표시장치는 본 발명과 달리 발광 소자층 상에 봉지층이 형성되고, 봉지층 상에 터치 센싱층이 형성된다. 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 표시장치는 발광 소자층(20) 상에 터치 센싱층(30)이 직접 형성되기 때문에 종래보다 터치 센싱층(30)에 포함된 제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들, 연결 전극(BE)들과 발광 소자층(20)에 포함된 제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 간에 거리가 줄어든다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 표시장치는 터치 센싱층(30)에 포함된 제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들, 연결 전극(BE)들과 발광 소자층(20)에 포함된 제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 간에 기생 용량(parasitic capacitance)이 증가하는 문제가 있다.The first low dielectric constant inorganic layer 281 may be an inorganic layer having a dielectric constant lower than the first value. A touch screen integrated display device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the touch sensing layer 30 is directly formed on the light emitting element layer 20 . Unlike the present invention, in a conventional touch screen integrated display device, an encapsulation layer is formed on the light emitting element layer, and a touch sensing layer is formed on the encapsulation layer. In the touch screen integrated display device according to the embodiment of the present invention, since the touch sensing layer 30 is directly formed on the light emitting element layer 20, the first touch electrode TE included in the touch sensing layer 30 is larger than in the prior art. A distance between the first electrode 261 and the second electrode 263 included in the light emitting device layer 20 and the second touch electrodes RE and the connection electrodes BE is reduced. Accordingly, the touch screen integrated display device according to the embodiment of the present invention includes the first touch electrodes TE, the second touch electrodes RE, and the connection electrodes BE included in the touch sensing layer 30. There is a problem in that parasitic capacitance increases between the first electrode 261 and the second electrode 263 included in the light emitting element layer 20 .

이를 해결하기 위하여, 본 발명의 실시예에 터치 스크린 일체형 표시장치는 유전율이 제1 값과 같거나 제1 값보다 작은 제1 저유전율 무기막(281)을 형성할 수 있다. 이때, 제1 값은 2.5F/m일 수 있다. 제1 저유전율 무기막(281)은 SiOC으로 형성될 수 있다.In order to solve this problem, in the touch screen integrated display device according to an embodiment of the present invention, a first low dielectric constant inorganic layer 281 having a dielectric constant equal to or smaller than the first value may be formed. In this case, the first value may be 2.5 F/m. The first low-k inorganic layer 281 may be formed of SiOC.

제2 저유전율 무기막(282)은 유전율이 제1 값보다 크고 제2 값보다 작은 무기막일 수 있다. 이때, 제1 값은 2.5F/m이며, 제2 값은 6.0F/m일 수 있다. 제2 저유전율 무기막(282)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.The second low dielectric constant inorganic layer 282 may be an inorganic layer having a dielectric constant greater than the first value and less than the second value. In this case, the first value may be 2.5 F/m, and the second value may be 6.0 F/m. The second low-k inorganic layer 282 may be formed of a silicon oxide layer (SiO x ), a silicon nitride layer (SiN x ), or a multilayer thereof.

제2 저유전율 무기막(282)은 제1 저유전율 무기막(281)과 제2 전극(263) 사이에 배치될 수 있다. 제2 저유전율 무기막(282)은 제1 저유전율 무기막(281) 보다 배리어 성능이 좋으므로, 제2 전극(263) 상에 직접 형성하는 것이 좋다.The second low dielectric constant inorganic layer 282 may be disposed between the first low dielectric constant inorganic layer 281 and the second electrode 263 . Since the second low dielectric constant inorganic layer 282 has better barrier performance than the first low dielectric constant inorganic layer 281 , it is preferable to directly form it on the second electrode 263 .

한편, 도 6에서는 제1 무기막(280)이 제1 저유전율 무기막(281) 및 제2 저유전율 무기막(282)을 포함하는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 다른 일 실시예에 있어서, 제1 무기막(280)은 도 7과 같이 제1 저유전율 무기막(281)을 포함할 수 있다. 이와 같은 경우, 제1 저유전율 무기막(281)은 도 6에 도시된 제1 저유전율 무기막(281)보다 두께를 두껍게 형성할 수 있다. 즉, 제1 저유전율 무기막(281)은 도 6에 도시된 제1 저유전율 무기막(281) 및 제2 저유전율 무기막(282)를 포함하는 제1 무기막(280)의 두께와 동일한 두께를 가질 수 있다. 이를 통해, 제2 저유전율 무기막(282)을 생략하더라도, 터치 센싱층(30)에 포함된 제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들, 연결 전극(BE)들과 발광 소자층(20)에 포함된 제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 간에 거리가 줄어들어, 기생 용량이 증가하는 것을 방지할 수 있다.Meanwhile, in FIG. 6 , the first inorganic film 280 includes a first low-k inorganic film 281 and a second low-k inorganic film 282, but is not limited thereto. In another embodiment, the first inorganic layer 280 may include a first low dielectric constant inorganic layer 281 as shown in FIG. 7 . In this case, the first low-k inorganic layer 281 may be thicker than the first low-k inorganic layer 281 shown in FIG. 6 . That is, the first low-k inorganic film 281 has the same thickness as the first inorganic film 280 including the first low-k inorganic film 281 and the second low-k inorganic film 282 shown in FIG. 6 . can have thickness. Through this, even if the second low-k inorganic film 282 is omitted, the first touch electrodes TE, the second touch electrodes RE, and the connection electrodes BE included in the touch sensing layer 30 Since the distance between the first electrode 261 and the second electrode 263 included in the light emitting element layer 20 is reduced, an increase in parasitic capacitance can be prevented.

제1 무기막(280) 상에는 제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들, 연결 전극(BE)들 및 터치 절연막(290)이 형성된다.First touch electrodes TE, second touch electrodes RE, connection electrodes BE, and a touch insulating layer 290 are formed on the first inorganic layer 280 .

구체적으로, 제1 저유전율 무기막(281) 상에는 연결 전극(BE)들이 형성될 수 있다. 연결 전극(BE)들은 뱅크(270)와 중첩될 수 있다. 연결 전극(BE)들은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.Specifically, connection electrodes BE may be formed on the first low-k inorganic layer 281 . The connection electrodes BE may overlap the bank 270 . The connection electrodes BE may be any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu), or these It may be formed of a single layer or multiple layers made of an alloy of.

연결 전극(BE)들 상에는 터치 절연막(290)이 형성될 수 있다. 터치 절연막(290)은 터치 무기막(291) 및 터치 유기막(292)을 포함할 수 있다. 터치 무기막(291)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.A touch insulating layer 290 may be formed on the connection electrodes BE. The touch insulating layer 290 may include a touch inorganic layer 291 and a touch organic layer 292 . The touch inorganic layer 291 may be formed of an inorganic layer, for example, a silicon oxide layer (SiO x ), a silicon nitride layer (SiN x ), or a multilayer thereof.

터치 무기막(291) 상에는 터치 유기막(292)이 형성될 수 있다. 터치 유기막(292)에는 콘택홀들이 형성되므로 감광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 유기막(292)은 감광 물질을 포함하는 포토 아크릴(photo acrylate)로 형성될 수 있다.A touch organic layer 292 may be formed on the touch inorganic layer 291 . Since contact holes are formed in the touch organic layer 292 , a photosensitive material may be included. For example, the touch organic layer 292 may be formed of photo acrylate containing a photosensitive material.

터치 유기막(292)은 봉지층(40)의 유기막(310)과 함께 이물들(particles)이 발광 소자층(20)에 투입되는 것을 방지하기 위한 이물 커버층(paticle cover layer)으로서의 역할을 한다.The touch organic film 292 together with the organic film 310 of the encapsulation layer 40 serves as a particle cover layer for preventing particles from entering the light emitting element layer 20. do.

터치 무기막(291)은 연결 전극(BE)들과 터치 유기막(292) 사이에서 터치 유기막(292)이 들뜨는 유기막 들뜸을 방지할 수 있다. 연결 전극(BE)들과 터치 무기막(291) 사이의 계면 접착력은 연결 전극(BE)들과 터치 유기막(292) 사이의 계면 접착력에 비해 높기 때문에, 연결 전극(BE)들과 터치 유기막(292) 사이에 터치 무기막(291)을 형성하는 경우, 연결 전극(BE)들과 터치 유기막(292) 사이에서 터치 유기막(292)이 들뜨는 유기막 들뜸을 방지할 수 있다. 또한, 터치 무기막(291)은 제1 무기막(280) 및 봉지층(40)의 제2 무기막(320)과 함께 발광층(262)과 제2 전극(263)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할도 한다. The touch inorganic layer 291 may prevent the organic layer from being lifted between the connection electrodes BE and the touch organic layer 292 . Since the interface adhesive force between the connection electrodes BE and the touch inorganic layer 291 is higher than the interface adhesive force between the connection electrodes BE and the touch organic layer 292, the connection electrodes BE and the touch organic layer 292 When the touch inorganic layer 291 is formed between the electrodes 292 , lifting of the touch organic layer 292 between the connection electrodes BE and the touch organic layer 292 may be prevented. In addition, the touch inorganic film 291 is a layer through which oxygen or moisture permeates the light emitting layer 262 and the second electrode 263 together with the first inorganic film 280 and the second inorganic film 320 of the encapsulation layer 40. It also serves to prevent

도 6 및 도 7에서는 터치 절연막(290)이 터치 무기막(291) 및 터치 유기막(292)을 모두 포함하는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 다른 일 실시예에 있어서, 터치 절연막(290)은 터치 무기막(291) 및 터치 유기막(292) 중 어느 하나를 포함할 수도 있다.6 and 7 show that the touch insulating film 290 includes both the touch inorganic film 291 and the touch organic film 292, but is not limited thereto. In another embodiment, the touch insulating layer 290 may include any one of a touch inorganic layer 291 and a touch organic layer 292 .

터치 절연막(290) 상에는 제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극(RE)들이 형성될 수 있다. 제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극(RE)들은 동일한 층에 배치될 수 있다. 제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극(RE)들은 서로 이격되어 있으며, 서로 전기적으로 절연된다.First touch electrodes TE and second touch electrodes RE may be formed on the touch insulating layer 290 . The first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE may be disposed on the same layer. The first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE are spaced apart from each other and electrically insulated from each other.

제1 터치 전극(TE)들은 도 6 및 도 7과 같이 터치 절연막(290)을 관통하여 연결 전극(BE)을 노출시키는 제1 콘택홀(CT1)들을 통해 연결 전극(BE)과 접속될 수 있다. 이로 인해, 제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극(RE)들의 교차 영역들에서 연결 전극(BE)들을 이용하여 제1 터치 전극(TE)들을 연결하므로, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들은 서로 단락되지 않는다. 또한, 제1 및 제2 터치 전극들(TE, RE)은 서브 화소(SP)의 개구 영역이 줄어드는 것을 방지하기 위해 뱅크(270)와 중첩되게 배치될 수 있다.As shown in FIGS. 6 and 7 , the first touch electrodes TE may be connected to the connection electrode BE through first contact holes CT1 exposing the connection electrode BE through the touch insulating layer 290 . . As a result, since the first touch electrodes TE are connected using the connection electrodes BE at intersections of the first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE, the first touch electrode TE and the second touch electrodes RE are not shorted to each other. Also, the first and second touch electrodes TE and RE may be disposed to overlap the bank 270 in order to prevent the opening area of the sub-pixel SP from being reduced.

제1 터치 라인(TL)은 제1 터치 전극(TE)으로부터 연장되고, 제2 터치 라인(RL)은 제2 터치 전극(RE)으로부터 연장될 수 있다. 제1 터치 라인(TL)은 보호막(240)과 버퍼막(31)을 관통하여 제1 터치 패드(TP)를 노출시키는 제2 콘택홀(CT2)을 통해 제1 터치 패드(TP)에 접속될 수 있다. 제2 터치 라인(RL)은 보호막(240)과 버퍼막(31)을 관통하여 제2 터치 패드(RP)를 노출시키는 제3 콘택홀(CT3)을 통해 제2 터치 패드(RP)에 접속될 수 있다.The first touch line TL may extend from the first touch electrode TE, and the second touch line RL may extend from the second touch electrode RE. The first touch line TL is connected to the first touch pad TP through the second contact hole CT2 exposing the first touch pad TP through the passivation layer 240 and the buffer layer 31. can The second touch line RL is connected to the second touch pad RP through the third contact hole CT3 exposing the second touch pad RP through the passivation layer 240 and the buffer layer 31. can

제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들, 제1 터치 라인(TL)들, 및 제2 터치 라인(RL)들은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.The first touch electrodes TE, the second touch electrodes RE, the first touch lines TL, and the second touch lines RL are made of molybdenum (Mo), aluminum (Al), or chromium (Cr). , Gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu) can be formed of a single layer or multiple layers made of any one or alloys thereof.

한편, 도 6 및 도 7에서는 제1 무기막(280) 상에 연결 전극(BE)들이 형성되고, 연결 전극(BE)들 상에 터치 절연막(290)이 형성되며, 터치 절연막(290) 상에 제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극(RE)들이 형성되는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 다른 일 실시예에서는 제1 무기막(280) 상에 제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극(RE)들이 형성되고, 제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극(RE)들 상에 터치 절연막(290)이 형성되며, 터치 절연막(290) 상에 연결 전극(BE)들이 형성될 수 있다.Meanwhile, in FIGS. 6 and 7 , connection electrodes BE are formed on the first inorganic film 280 , a touch insulating film 290 is formed on the connection electrodes BE, and on the touch insulating film 290 Formation of the first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE is exemplified, but is not limited thereto. In another embodiment, the first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE are formed on the first inorganic layer 280, and the first touch electrodes TE and the second touch electrode RE A touch insulating layer 290 may be formed on the touch insulating layer 290 , and connection electrodes BE may be formed on the touch insulating layer 290 .

제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극(RE)들 상에는 봉지층(40)이 형성된다. 봉지층(40)은 봉지막을 포함하고, 봉지막은 제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들, 발광층(262)과 제2 전극(263)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하기 위해 유기막(310) 및 제2 무기막(320)을 포함한다.An encapsulation layer 40 is formed on the first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE. The encapsulation layer 40 includes an encapsulation film, and the encapsulation film prevents oxygen or moisture from permeating into the first touch electrodes TE, the second touch electrodes RE, the light emitting layer 262 and the second electrode 263. To prevent this, an organic layer 310 and a second inorganic layer 320 are included.

구체적으로, 제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극(RE)들 상에는 유기막(310)이 형성된다. 유기막(310)은 이물들(particles)이 봉지층(40)을 뚫고 제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들, 발광층(262)과 제2 전극(263)에 투입되는 것을 방지하기 위해 충분한 두께, 예를 들어 대략 7~8㎛로 형성될 수 있다. 이러한 유기막(310)은 제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극(RE)들 상에 형성되어 제1 터치 전극(TE)들 및 제2 터치 전극(RE)들로 인한 단차를 평탄화하는 역할도 한다.Specifically, the organic layer 310 is formed on the first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE. In the organic film 310, particles penetrate the encapsulation layer 40 and are applied to the first touch electrodes TE, the second touch electrodes RE, the light emitting layer 262, and the second electrode 263. It may be formed to a sufficient thickness, for example, about 7 to 8 μm to prevent this. The organic layer 310 is formed on the first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE to flatten the step caused by the first touch electrodes TE and the second touch electrodes RE. also plays a role.

유기막(310) 상에는 제2 무기막(320)이 형성된다. 제2 무기막(320) 각각은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다.A second inorganic layer 320 is formed on the organic layer 310 . Each of the second inorganic layers 320 may be formed of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, or titanium oxide.

봉지층(40) 상에는 컬러필터층(미도시)이 형성될 수 있다. 컬러필터층은 서브 화소(SP)들과 중첩되게 배치되는 컬러필터들과 뱅크(270)와 중첩되게 배치되는 블랙 매트릭스를 포함할 수 있다. 발광층(262)이 적색, 녹색, 및 청색 광을 발광하는 유기발광층들을 포함하는 경우, 컬러필터층은 생략될 수 있다.A color filter layer (not shown) may be formed on the encapsulation layer 40 . The color filter layer may include color filters disposed to overlap the sub-pixels SP and a black matrix disposed to overlap the bank 270 . When the light emitting layer 262 includes organic light emitting layers emitting red, green, and blue light, the color filter layer may be omitted.

봉지층(40) 상에는 접착층(미도시)이 형성될 수 있다. 접착층은 박막 트랜지스터층(10), 유기발광소자층(20), 터치 센싱층(30) 및 봉지층(40)이 마련된 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 접착한다. 접착층은 투명한 접착 레진층(optically clear resin layer, OCR) 또는 투명한 접착 레진 필름(optically clear adhesive film, OCA)일 수 있다.An adhesive layer (not shown) may be formed on the encapsulation layer 40 . The adhesive layer bonds the first substrate 111 and the second substrate 112 on which the thin film transistor layer 10, the organic light emitting device layer 20, the touch sensing layer 30, and the encapsulation layer 40 are provided. The adhesive layer may be an optically clear resin layer (OCR) or an optically clear adhesive film (OCA).

제2 기판(112)은 제1 기판(110)을 덮는 커버(cover) 기판 또는 커버 윈도우(window)와 같은 역할을 한다. 제2 기판(112)은 플라스틱 필름, 유리 기판, 또는 봉지 필름(보호 필름)일 수 있다.The second substrate 112 serves as a cover substrate or a cover window covering the first substrate 110 . The second substrate 112 may be a plastic film, a glass substrate, or an encapsulation film (protective film).

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 터치 센싱층(30)이 발광 소자층(20)과 봉지층(40) 사이에 형성되는 것을 특징으로 한다.As described above, the embodiment of the present invention is characterized in that the touch sensing layer 30 is formed between the light emitting element layer 20 and the encapsulation layer 40 .

본 발명의 실시예는 봉지층(40)의 유기막(310)을 이용하여 터치 센싱층(30)의 제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들 및 연결 전극(BE)들로 인한 단차를 평탄화시킬 수 있다. 이에 따라, 터치 센싱층(30)은 제2 기판(112)과 사이에 배치되는 유기막을 생략할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first touch electrodes TE, the second touch electrodes RE, and the connection electrode BE of the touch sensing layer 30 are formed by using the organic film 310 of the encapsulation layer 40. It is possible to flatten the step difference due to the Accordingly, the organic layer disposed between the touch sensing layer 30 and the second substrate 112 may be omitted.

또한, 본 발명의 실시예는 터치 센싱층(30)의 제1 무기막(280) 및 터치 절연막(290)을 이용하여 발광 소자층(20)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 봉지층(40)은 발광 소자층(20) 상에 배치되는 무기막을 생략할 수 있다.Also, in the embodiment of the present invention, penetration of oxygen or moisture into the light emitting element layer 20 can be prevented by using the first inorganic layer 280 and the touch insulating layer 290 of the touch sensing layer 30 . Accordingly, the encapsulation layer 40 may omit the inorganic film disposed on the light emitting element layer 20 .

또한, 본 발명의 실시예는 종래와 비교하여 터치 센싱층(30)과 봉지층(40)의 두께를 줄일 수 있다. 결과적으로, 본 발명의 실시예는 터치 스크린 일체형 표시장치의 두께를 줄일 수 있다.In addition, the embodiment of the present invention can reduce the thickness of the touch sensing layer 30 and the encapsulation layer 40 compared to the prior art. As a result, embodiments of the present invention can reduce the thickness of the touch screen integrated display device.

또한, 본 발명의 실시예는 발광 소자층(20)과 제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들 및 연결 전극(BE)들 사이에 제1 저유전율 무기막(281)을 포함하는 제1 무기막(280)을 배치함으로써, 터치 센싱층(30)에 포함된 제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들, 연결 전극(BE)들과 발광 소자층(20)에 포함된 제1 전극(261) 및 제2 전극(263) 간에 기생 용량(parasitic capacitance)이 증가하는 것을 방지할 수 있다.In addition, in an embodiment of the present invention, a first low dielectric constant inorganic film 281 is formed between the light emitting element layer 20 and the first touch electrodes TE, the second touch electrodes RE, and the connection electrodes BE. By disposing the first inorganic film 280 including a, the first touch electrodes TE, the second touch electrodes RE, the connection electrodes BE and the light emitting element included in the touch sensing layer 30 An increase in parasitic capacitance between the first electrode 261 and the second electrode 263 included in the layer 20 may be prevented.

도 8a는 실시예 1 및 실시예 2에 대한 시뮬레이터 데이터를 보여주는 표이고, 도 8b는 실시예 1 및 실시예 2에 대한 시뮬레이터 결과를 보여주는 그래프이다.8A is a table showing simulator data for Examples 1 and 2, and FIG. 8B is a graph showing simulator results for Examples 1 and 2.

도 8a를 참조하면, 기존 구조는 종래의 터치 스크린 일체형 표시장치를 나타낸다. 즉, 기존 구조는 발광 소자층 상에 봉지층이 형성되고, 봉지층 상에 터치 센싱층이 형성된다. 기존 구조는 연결 전극과 제2 전극 간의 거리가 10㎛이다. 즉, 제1 무기막, 유기막 및 제2 무기막을 포함하는 봉지층의 두께가 10㎛이며, 제1 무기막, 유기막 및 제2 무기막을 포함하는 봉지층의 유전율이 4.0F/m에 해당한다.Referring to FIG. 8A , the existing structure represents a conventional touch screen integrated display device. That is, in the existing structure, an encapsulation layer is formed on the light emitting element layer, and a touch sensing layer is formed on the encapsulation layer. In the existing structure, the distance between the connection electrode and the second electrode is 10 μm. That is, the thickness of the encapsulation layer including the first inorganic layer, the organic layer, and the second inorganic layer is 10 μm, and the dielectric constant of the encapsulation layer including the first inorganic layer, the organic layer, and the second inorganic layer corresponds to 4.0 F/m. do.

실시예 1은 도 6에 도시된 터치 스크린 일체형 표시장치를 나타낸다. 실시예 1은 연결 전극(BE)과 제2 전극(263) 간의 거리가 2㎛이다. 즉, 제1 저유전율 무기막(281) 및 제2 저유전율 무기막(282)을 포함하는 제1 무기막(280)의 두께가 2㎛이며, 제1 저유전율 무기막(281) 및 제2 저유전율 무기막(282)을 포함하는 제1 무기막(280)의 유전율이 3.53F/m에 해당한다.Embodiment 1 represents a display device integrated with a touch screen shown in FIG. 6 . In Example 1, the distance between the connection electrode BE and the second electrode 263 is 2 μm. That is, the thickness of the first inorganic layer 280 including the first low-k inorganic layer 281 and the second low-k inorganic layer 282 is 2 μm, and the first low-k inorganic layer 281 and the second low-k inorganic layer 281 have a thickness of 2 μm. The dielectric constant of the first inorganic layer 280 including the low dielectric constant inorganic layer 282 corresponds to 3.53 F/m.

실시예2는 도 7에 도시된 터치 스크린 일체형 표시장치를 나타낸다. 실시예 2는 연결 전극(BE)과 제2 전극(263) 간의 거리가 2㎛이다. 즉, 제1 저유전율 무기막(281)만 포함하는 제1 무기막(280)의 두께가 2㎛이며, 제1 저유전율 무기막(281)만 포함하는 제1 무기막(280)의 유전율이 2.5F/m에 해당한다.Embodiment 2 represents the display device integrated with a touch screen shown in FIG. 7 . In Example 2, the distance between the connection electrode BE and the second electrode 263 is 2 μm. That is, the thickness of the first inorganic layer 280 including only the first low-k inorganic layer 281 is 2 μm, and the dielectric constant of the first inorganic layer 280 including only the first low-k inorganic layer 281 is Corresponds to 2.5 F/m.

도 8a와 같이, 실시예 1 및 실시예 2는 기존 구조보다 연결 전극(BE)과 제2 전극(263) 간의 거리가 작다. 또한, 실시예 1 및 실시예 2는 기존 구조보다 연결 전극(BE)과 제2 전극(263) 사이에 부도체의 유전율도 작다.As shown in FIG. 8A , the distance between the connection electrode BE and the second electrode 263 is smaller than that of the existing structures in the first and second embodiments. In addition, in Examples 1 and 2, the permittivity of the insulator between the connection electrode BE and the second electrode 263 is smaller than that of the conventional structures.

도 8b를 참조하면, 터치 센싱층(30)이 정상적으로 동작하기 위한 연결 전극(BE)과 제2 전극(263) 간의 기생 용량(Cp)은 1000pF로 설정할 수 있다.Referring to FIG. 8B , the parasitic capacitance Cp between the connection electrode BE and the second electrode 263 for normal operation of the touch sensing layer 30 may be set to 1000 pF.

이와 같은 경우, 실시예 1 및 실시예 2는 1.56인치와 6.0인치 표시장치에서 연결 전극(BE)과 제2 전극(263) 간의 기생 용량(Cp)이 1000pF보다 작다. 이에 따라, 실시예 1 및 실시예 2는 1.56인치와 6.0인치 표시장치에서 두께를 슬림하게 구현하면서 터치 센싱층(30)을 정상적으로 동작시킬 수 있다. In this case, the parasitic capacitance Cp between the connection electrode BE and the second electrode 263 is less than 1000 pF in the first and second embodiments in the 1.56-inch and 6.0-inch display devices. Accordingly, Embodiments 1 and 2 can operate the touch sensing layer 30 normally while implementing a slim thickness in 1.56-inch and 6.0-inch display devices.

한편, 실시예 1은 7.4인치 표시장치에서 연결 전극(BE)과 제2 전극(263) 간의 기생 용량(Cp)이 1000pF보다 커진다. 이에 따라, 실시예 1은 터치 센싱층(30)이 정상적으로 동작할 수 없을 수 있다.Meanwhile, in Example 1, the parasitic capacitance Cp between the connection electrode BE and the second electrode 263 is greater than 1000 pF in a 7.4-inch display device. Accordingly, in the first embodiment, the touch sensing layer 30 may not normally operate.

반면, 실시예 2는 7.4인치 표시장치에서도 연결 전극(BE)과 제2 전극(263) 간의 기생 용량(Cp)이 1000pF보다 작다. 이에 따라, 실시예 2는 7.4인치 표시장치에서도 두께를 슬림하게 구현하면서 터치 센싱층(30)을 정상적으로 동작시킬 수 있다.On the other hand, in Example 2, the parasitic capacitance Cp between the connection electrode BE and the second electrode 263 is smaller than 1000 pF even in a 7.4-inch display device. Accordingly, the second embodiment can operate the touch sensing layer 30 normally while implementing a slim thickness even in a 7.4-inch display device.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and may be variously modified and implemented without departing from the technical spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting. The protection scope of the present invention should be construed according to the scope of the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 터치 스크린 일체형 표시장치 110: 표시패널
111: 하부 기판 112: 상부 기판
120: 게이트 구동부 130: 데이터 구동부
131: 소스 드라이브 IC 140: 연성필름
150: 회로보드 160: 타이밍 콘트롤러
170: 호스트 시스템 180: 터치 구동부
181: 제1 터치 구동부 182: 제2 터치 구동부
183: 터치 콘트롤러 190: 터치 좌표 산출부
10: 박막 트랜지스터층 20: 유기발광소자층
30: 터치 센싱층 40: 봉지층
210: 박막 트랜지스터 220: 게이트 절연막
230: 층간 절연막 240: 보호막
250: 평탄화막 260: 유기발광소자
261: 제1 전극 262: 유기발광층
263: 제2 전극 270: 뱅크
280: 제1 무기막 281: 제1 저유전율 무기막
282: 제2 저유전율 무기막 290: 터치 절연막
310: 유기막 320: 제2 무기막
TE: 제1 터치 전극 RE: 제2 터치 전극
BE: 연결 전극 TL: 제1 터치 라인
RL: 제2 터치 라인
100: touch screen integrated display device 110: display panel
111: lower substrate 112: upper substrate
120: gate driver 130: data driver
131: source drive IC 140: flexible film
150: circuit board 160: timing controller
170: host system 180: touch driver
181: first touch driver 182: second touch driver
183: touch controller 190: touch coordinate calculator
10: thin film transistor layer 20: organic light emitting element layer
30: touch sensing layer 40: encapsulation layer
210: thin film transistor 220: gate insulating film
230: interlayer insulating film 240: protective film
250: planarization film 260: organic light emitting device
261: first electrode 262: organic light emitting layer
263: second electrode 270: bank
280: first inorganic film 281: first low dielectric constant inorganic film
282: second low dielectric constant inorganic film 290: touch insulating film
310: organic layer 320: second inorganic layer
TE: first touch electrode RE: second touch electrode
BE: connection electrode TL: first touch line
RL: second touch line

Claims (15)

서로 마주보도록 배치된 제1 기판 및 제2 기판;
상기 제1 기판 상에 형성된 유기발광소자;
상기 유기발광소자 상에 직접 형성된 제1 무기막;
상기 제1 무기막 상에 직접 형성된 제1 터치 전극들 및 제2 터치 전극들; 및
상기 제2 기판과 상기 제1 터치 전극들 및 상기 제2 터치 전극들 사이에 형성된 봉지막을 포함하고,
상기 제1 무기막은 2.5F/m 보다 작은 유전율을 가진 제1 저유전율 무기막을 포함하고,
상기 봉지막은,
상기 제1 터치 전극들 및 상기 제2 터치 전극들 상에 형성되어, 상기 제1 터치 전극들 및 상기 제2 터치 전극들로 인한 단차를 평탄화시키는 유기막; 및
상기 유기막 상에 형성된 제2 무기막을 포함하는 터치 스크린 일체형 표시장치.
a first substrate and a second substrate disposed to face each other;
an organic light emitting device formed on the first substrate;
a first inorganic layer formed directly on the organic light emitting device;
first touch electrodes and second touch electrodes directly formed on the first inorganic layer; and
An encapsulation film formed between the second substrate and the first touch electrodes and the second touch electrodes,
The first inorganic film includes a first low dielectric constant inorganic film having a dielectric constant of less than 2.5 F / m,
The encapsulation film,
an organic layer formed on the first touch electrodes and the second touch electrodes to flatten a level difference caused by the first touch electrodes and the second touch electrodes; and
A touch screen integrated display device comprising a second inorganic layer formed on the organic layer.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 저유전율 무기막은 SiOC로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 스크린 일체형 표시장치.
According to claim 1,
The first low dielectric constant inorganic film is a touch screen integrated display device, characterized in that made of SiOC.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 무기막은 유전율이 상기 2.5F/m보다 크고 6.0F/m보다 작은 제2 저유전율 무기막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 일체형 표시장치.
According to claim 1,
The first inorganic film further comprises a second low dielectric constant inorganic film having a dielectric constant greater than 2.5 F / m and less than 6.0 F / m, the touch screen integrated display device.
제5항에 있어서,
상기 제2 저유전율 무기막은 상기 제1 저유전율 무기막 및 상기 유기발광소자 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 일체형 표시장치.
According to claim 5,
The second low dielectric constant inorganic film is a touch screen integrated display device, characterized in that disposed between the first low dielectric constant inorganic film and the organic light emitting element.
제5항에 있어서,
상기 제2 저유전율 무기막은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), SiON 또는 이들의 다중막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 스크린 일체형 표시장치.
According to claim 5,
The second low dielectric constant inorganic film is a touch screen integrated display device, characterized in that consisting of a silicon oxide film (SiO x ), a silicon nitride film (SiN x ), SiON or a multilayer thereof.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 터치 전극들 및 상기 제2 터치 전극들은 동일층에 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 일체형 표시장치.
According to claim 1,
The touch screen integrated display device, characterized in that the first touch electrodes and the second touch electrodes are formed on the same layer.
제9항에 있어서,
상기 제1 무기막 상에 형성되고, 상기 제1 터치 전극들을 전기적으로 연결하는 연결 전극; 및
상기 연결 전극 상에 형성된 터치 절연막을 더 포함하고,
상기 제1 터치 전극들 및 상기 제2 터치 전극들은 상기 터치 절연막 상에 형성되고, 상기 터치 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 상기 연결 전극에 접속하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 일체형 표시장치.
According to claim 9,
a connection electrode formed on the first inorganic layer and electrically connecting the first touch electrodes; and
Further comprising a touch insulating film formed on the connection electrode,
The first touch electrodes and the second touch electrodes are formed on the touch insulating layer and are connected to the connection electrode through a contact hole penetrating the touch insulating layer.
제10항에 있어서,
상기 연결 전극은 상기 제1 무기막 상에 직접 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 일체형 표시장치.
According to claim 10,
The connection electrode is a touch screen integrated display device, characterized in that formed directly on the first inorganic film.
제10항에 있어서,
상기 터치 절연막은 상기 연결 전극 상에 형성된 터치 무기막을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 일체형 표시장치.
According to claim 10,
The touch screen integrated display device, characterized in that the touch insulating film comprises a touch inorganic film formed on the connection electrode.
제12항에 있어서,
상기 터치 절연막은 상기 터치 무기막 상에 형성된 터치 유기막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 일체형 표시장치.
According to claim 12,
The touch screen integrated display device, characterized in that the touch insulating film further comprises a touch organic film formed on the touch inorganic film.
제9항에 있어서,
상기 제1 터치 전극들 및 상기 제2 터치 전극들 상에 형성된 터치 절연막; 및
상기 터치 절연막 상에 형성되고, 상기 터치 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 상기 제1 터치 전극들과 접속되는 연결 전극을 더 포함하는 터치 스크린 일체형 표시장치.
According to claim 9,
a touch insulating layer formed on the first touch electrodes and the second touch electrodes; and
The touch screen integrated display device further includes a connection electrode formed on the touch insulating layer and connected to the first touch electrodes through a contact hole penetrating the touch insulating layer.
제14항에 있어서,
상기 제1 터치 전극들 및 상기 제2 터치 전극들은 상기 제1 무기막 상에 직접 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 일체형 표시장치.
According to claim 14,
The touch screen integrated display device, characterized in that the first touch electrodes and the second touch electrodes are formed directly on the first inorganic film.
KR1020170166077A 2017-12-05 2017-12-05 Display device with integrated touch screen KR102490900B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170166077A KR102490900B1 (en) 2017-12-05 2017-12-05 Display device with integrated touch screen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170166077A KR102490900B1 (en) 2017-12-05 2017-12-05 Display device with integrated touch screen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190066394A KR20190066394A (en) 2019-06-13
KR102490900B1 true KR102490900B1 (en) 2023-01-19

Family

ID=66847502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170166077A KR102490900B1 (en) 2017-12-05 2017-12-05 Display device with integrated touch screen

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102490900B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101341030B1 (en) * 2012-08-29 2013-12-13 엘지디스플레이 주식회사 Organic emitting display device and method for manufacturing the same
JP2016157933A (en) * 2015-02-20 2016-09-01 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device and manufacturing method for the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102245511B1 (en) * 2012-12-27 2021-04-28 엘지디스플레이 주식회사 Flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same
KR20170083284A (en) * 2016-01-08 2017-07-18 동우 화인켐 주식회사 Film Touch Sensor and Method for Fabricating the Same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101341030B1 (en) * 2012-08-29 2013-12-13 엘지디스플레이 주식회사 Organic emitting display device and method for manufacturing the same
JP2016157933A (en) * 2015-02-20 2016-09-01 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device and manufacturing method for the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190066394A (en) 2019-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102602071B1 (en) Display device with integrated touch screen
KR102349699B1 (en) Display device with integrated touch screen and method for fabricating the same
US10310650B2 (en) Display device with integrated touch screen
KR102426269B1 (en) Display device with integrated touch screen
KR20180078669A (en) Display device with integrated touch screen and method for fabricating the same
KR102387631B1 (en) Display device with integrated touch screen and method for fabricating the same
KR102367826B1 (en) Display device with integrated touch screen and method for fabricating the same
US20200210006A1 (en) Display Device with Embedded Touch Screen
KR102413395B1 (en) Display device with integrated touch screen
KR102376822B1 (en) Display device with integrated touch screen and method for fabricating the same
KR102490900B1 (en) Display device with integrated touch screen
US20240069670A1 (en) Touch detection module and display device including the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant