KR102482700B1 - Method for testing semiconductor package - Google Patents
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Abstract
피치가 좁고, 많은 수의 신호 버스를 포함하는 반도체 패키지의 동작 성능 등을 효과적으로 검사함과 동시에, 반도체 패키지의 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체 패키지 테스트 방법을 제공하는 것이다. 상기 반도체 패키지 테스트 방법은 제1 반도체 칩을 포함하는 제1 반도체 패키지를 제공하되, 상기 제1 반도체 칩은 제1 피치로 배열된 제1 외부 단자 그룹과, 상기 제1 피치보다 큰 제2 피치로 배열된 제2 외부 단자 그룹이 일면에 배치되고, 상기 제1 외부 단자 그룹과 제1 컨택터를 접촉하여, 상기 제1 반도체 패키지에 대한 제1 테스트를 수행하고, 상기 제2 외부 단자 그룹과 제2 컨택터를 접촉하여, 상기 제1 반도체 패키지에 대한 제2 테스트를 수행하는 것을 포함한다.An object of the present invention is to provide a semiconductor package test method capable of effectively inspecting operational performance of a semiconductor package having a narrow pitch and having a large number of signal buses, and at the same time improving productivity of the semiconductor package. The semiconductor package test method provides a first semiconductor package including a first semiconductor chip, wherein the first semiconductor chip has a first external terminal group arranged at a first pitch and a second pitch greater than the first pitch. An arranged second external terminal group is disposed on one surface, and a first test is performed on the first semiconductor package by contacting the first external terminal group and a first contactor, and the second external terminal group and the first contactor are contacted. and contacting two contactors to perform a second test on the first semiconductor package.
Description
본 발명은 반도체 패키지 테스트 방법에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로, 복수의 반도체 칩이 적층되어 단일화된(singulated) 반도체 패키지 테스트 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for testing a semiconductor package, and more particularly, to a method for testing a semiconductor package in which a plurality of semiconductor chips are stacked and singulated.
최근 전자산업의 추세는 경량화, 소형화, 고속화, 다기능화, 및 고성능화된 제품을 저렴한 가격으로 제조하는 것이다. 또한, 집적 회로의 성능을 향상시키기 위해, 집적 회로는 멀티 칩 적층 패키지(multi-chip stacked package)와 같은 3차원 구조로 개발되고 있다. A recent trend in the electronics industry is to manufacture lightweight, miniaturized, high-speed, multifunctional, and high-performance products at low prices. In addition, in order to improve the performance of integrated circuits, integrated circuits are being developed in three-dimensional structures such as multi-chip stacked packages.
예를 들어, 다수의 메모리 칩이 적층된 3차원 구조의 집적 회로는 신호를 주고 받는 신호 버스(Bus)를 많이 포함하고 있다. For example, an integrated circuit having a three-dimensional structure in which a plurality of memory chips are stacked includes many signal buses for transmitting and receiving signals.
본 발명이 해결하려는 과제는, 피치가 좁고, 많은 수의 신호 버스를 포함하는 반도체 패키지의 동작 성능 등을 효과적으로 검사함과 동시에, 반도체 패키지 테스트의 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체 패키지 테스트 방법을 제공하는 것이다. The problem to be solved by the present invention is to provide a semiconductor package test method capable of effectively inspecting the operating performance of a semiconductor package having a narrow pitch and a large number of signal buses, and at the same time improving the productivity of the semiconductor package test. will be.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 반도체 패키지 테스트 방법의 일 태양(aspect)은 제1 반도체 칩을 포함하는 제1 반도체 패키지를 제공하되, 상기 제1 반도체 칩은 제1 피치로 배열된 제1 외부 단자 그룹과, 상기 제1 피치보다 큰 제2 피치로 배열된 제2 외부 단자 그룹이 일면에 배치되고, 상기 제1 외부 단자 그룹과 제1 컨택터를 접촉하여, 상기 제1 반도체 패키지에 대한 제1 테스트를 수행하고, 상기 제2 외부 단자 그룹과 제2 컨택터를 접촉하여, 상기 제1 반도체 패키지에 대한 제2 테스트를 수행하는 것을 포함한다.One aspect of a method for testing a semiconductor package of the present invention for solving the above problems is to provide a first semiconductor package including a first semiconductor chip, wherein the first semiconductor chip is arranged in a first pitch. A terminal group and a second external terminal group arranged at a second pitch greater than the first pitch are disposed on one surface, and contact the first external terminal group and a first contactor to form a first contact point for the first semiconductor package. A first test is performed, and a second test is performed on the first semiconductor package by contacting the second external terminal group and the second contactor.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 반도체 패키지 테스트 방법의 다른 태양은 서로 간에 분리되고, 캐리어에 부착된 복수의 반도체 패키지를 제공하되, 각각의 상기 반도체 패키지는 마이크로 범프 그룹과, 패드 그룹이 일면에 배치된 제1 반도체 칩을 포함하고, 제1 컨택터와 각각의 상기 반도체 패키지에 포함된 마이크로 범프 그룹을 접촉하여, 각각의 반도체 패키지에 대한 제1 테스트를 수행하고, 상기 제1 테스트를 수행한 후, 상기 복수의 반도체 패키지 중 적어도 일부를 제1 검사 스테이지 상에 재배열하여, 제1 반도체 패키지 그룹을 제공하고, 상기 제1 반도체 패키지 그룹에 포함된 각각의 상기 반도체 패키지의 상기 패드 그룹과, 제2 컨택터를 접촉하여, 상기 제1 반도체 패키지 그룹에 포함된 각각의 반도체 패키지에 대한 제2 테스트를 동시에 수행하는 것을 포함한다.Another aspect of the semiconductor package test method of the present invention for solving the above problems is to provide a plurality of semiconductor packages separated from each other and attached to a carrier, wherein each of the semiconductor packages has a micro bump group and a pad group on one surface. including the disposed first semiconductor chip, performing a first test on each semiconductor package by contacting a first contactor and a micro bump group included in each semiconductor package, and performing the first test; Then, rearranging at least some of the plurality of semiconductor packages on a first inspection stage to provide a first semiconductor package group, the pad group of each of the semiconductor packages included in the first semiconductor package group, and simultaneously performing a second test on each semiconductor package included in the first semiconductor package group by contacting the second contactor.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 반도체 패키지 테스트 방법의 또 다른 태양은 제1 반도체 칩을 포함하는 제1 반도체 패키지를 제공하되, 상기 제1 반도체 칩은 제1 피치로 배열된 제1 마이크로 범프 그룹과, 상기 제1 피치보다 큰 제2 피치로 배열된 제1 패드 그룹이 일면에 배치되고, 제2 반도체 칩을 포함하는 제2 반도체 패키지를 제공하되, 상기 제2 반도체 칩은 상기 제1 피치로 배열된 제2 마이크로 범프 그룹과, 상기 제2 피치로 배열된 제2 패드 그룹이 일면에 배치되고, 상기 제1 반도체 패키지 및 상기 제2 반도체 패키지를 검사 스테이지 상에 재배열하고, 상기 제1 패드 그룹과 상기 제2 패드 그룹을 제1 컨택터에 접촉시켜, 상기 제1 반도체 패키지와 상기 제2 반도체 패키지에 대한 제1 테스트를 동시에 수행하는 것을 포함한다.Another aspect of the semiconductor package test method of the present invention for solving the above problems is to provide a first semiconductor package including a first semiconductor chip, wherein the first semiconductor chip is a first micro bump group arranged in a first pitch. And, a first pad group arranged at a second pitch greater than the first pitch is disposed on one surface, and a second semiconductor package including a second semiconductor chip, wherein the second semiconductor chip has the first pitch An arrayed second micro bump group and a second pad group arrayed at the second pitch are disposed on one surface, the first semiconductor package and the second semiconductor package are rearranged on an inspection stage, and the first pad and simultaneously performing a first test on the first semiconductor package and the second semiconductor package by bringing the group and the second pad group into contact with the first contactor.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법에 사용되는 반도체 패키지들을 설명하기 위한 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 반도체 패키지의 외부 단자 그룹을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법에 사용되는 반도체 패키지 테스트 장비를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 도 5의 반도체 패키지 테스트 장비에 포함된 컨택터 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법에 사용되는 반도체 패키지 테스트 장비를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 8은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법에 사용되는 반도체 패키지 테스트 장비를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 9a 및 도 9b는 도 8의 반도체 패키지 테스트 장비에 포함된 하이브리드 컨택터 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법 중 제1 테스트에 사용되는 반도체 패키지 테스트 장비를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 11은 도 10의 개략적인 레이아웃도이다.
도 12는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법 중 제2 테스트에 사용되는 반도체 패키지 테스트 장비를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 13은 도 12의 개략적인 레이아웃도이다.
도 14는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법 중 제2 테스트에 사용되는 반도체 패키지 테스트 장비의 개략적인 레이아웃도이다.
도 15는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법 중 제2 테스트에 사용되는 반도체 패키지 테스트 장비의 개략적인 레이아웃도이다.
도 16은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법 중 제2 테스트에 사용될 수 있는 소켓을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.1 is a diagram for explaining semiconductor packages used in a method for testing a semiconductor package according to some embodiments of the present invention.
2A and 2B are cross-sectional views illustrating the semiconductor package of FIG. 1 .
3A and 3B are views for explaining an external terminal group of the semiconductor package of FIG. 1 .
4 is a flowchart illustrating a method for testing a semiconductor package according to some embodiments of the present disclosure.
5 is a schematic diagram for explaining semiconductor package test equipment used in a semiconductor package test method according to some embodiments of the present invention.
6A and 6B are diagrams for explaining a contactor module included in the semiconductor package test equipment of FIG. 5 .
7 is a schematic diagram for explaining semiconductor package test equipment used in a semiconductor package test method according to some embodiments of the present invention.
8 is a schematic diagram for explaining semiconductor package test equipment used in a semiconductor package test method according to some embodiments of the present invention.
9A and 9B are diagrams for explaining a hybrid contactor module included in the semiconductor package test equipment of FIG. 8 .
10 is a schematic diagram for explaining semiconductor package test equipment used in a first test among semiconductor package test methods according to some embodiments of the present disclosure.
FIG. 11 is a schematic layout diagram of FIG. 10 .
12 is a schematic diagram for explaining semiconductor package test equipment used in a second test among semiconductor package test methods according to some embodiments of the present disclosure.
FIG. 13 is a schematic layout diagram of FIG. 12 .
14 is a schematic layout diagram of semiconductor package test equipment used for a second test among semiconductor package test methods according to some embodiments of the present invention.
15 is a schematic layout diagram of semiconductor package test equipment used for a second test among semiconductor package test methods according to some embodiments of the present invention.
16 is a schematic diagram for describing a socket that may be used for a second test among semiconductor package test methods according to some embodiments of the present disclosure.
도 1 내지 도 6b를 이용하여, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법에 대해 설명한다.A semiconductor package test method according to some embodiments of the present invention will be described using FIGS. 1 to 6B .
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법에 사용되는 반도체 패키지들을 설명하기 위한 도면이다. 도 2a 및 도 2b는 도 1의 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도이다. 도 3a 및 도 3b는 도 1의 반도체 패키지의 외부 단자 그룹을 설명하기 위한 도면이다. 도 4는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 5는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법에 사용되는 반도체 패키지 테스트 장비를 설명하기 위한 개략적인 도면이다. 도 6a 및 도 6b는 도 5의 반도체 패키지 테스트 장비에 포함된 컨택터 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 1 is a diagram for explaining semiconductor packages used in a method for testing a semiconductor package according to some embodiments of the present invention. 2A and 2B are cross-sectional views illustrating the semiconductor package of FIG. 1 . 3A and 3B are views for explaining an external terminal group of the semiconductor package of FIG. 1 . 4 is a flowchart illustrating a method for testing a semiconductor package according to some embodiments of the present disclosure. 5 is a schematic diagram for explaining semiconductor package test equipment used in a semiconductor package test method according to some embodiments of the present invention. 6A and 6B are diagrams for explaining a contactor module included in the semiconductor package test equipment of FIG. 5 .
도 1 내지 도 3b를 참고하면, 캐리어(50)에 부착된 제1 반도체 패키지 그룹(100)이 제공될 수 있다. Referring to FIGS. 1 to 3B , a first
제1 반도체 패키지 그룹(100)은 서로 간에 분리된 복수의 반도체 패키지(110)를 포함할 수 있다. 즉, 서로 간에 분리된 복수의 반도체 패키지(110)는 캐리어(50)에 부착되어 제공될 수 있다. The first
캐리어(50)는 웨이퍼 링(51)과 접착막(52)을 포함할 수 있다. 접착막(52)은 서로 간에 분리된 복수의 반도체 패키지(110)를 웨이퍼 링(51)에 고정시킬 수 있다. The
접착막(52)은 예를 들어, 빛의 조사에 의해 접착력을 잃는 물질을 포함할 수 있다. The
예를 들어, 복수의 반도체 패키지(110)는 서로 분리되어 있는 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)를 포함할 수 있다. 즉, 캐리어(50)에 부착된 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)가 제공될 수 있다.For example, the plurality of
각각의 복수의 반도체 패키지(110)는 하부 반도체 칩(111_1, 111_2)과, 상부 반도체 칩(112_1, 112_2)을 포함할 수 있다. 각각의 복수의 반도체 패키지(110)는 서로 분리되어 있으므로, 복수의 반도체 패키지(110)에 포함된 각각의 하부 반도체 칩(111_1, 111_2)은 서로 분리되어 있다.Each of the plurality of
하부 반도체 칩(111_1, 111_2) 및 상부 반도체 칩(112_1, 112_2)은 예를 들어, 실리콘 기판을 포함할 수 있다. 또는, 하부 반도체 칩(111_1, 111_2) 및 상부 반도체 칩(112_1, 112_2)은 다른 물질, 예를 들어, 실리콘게르마늄, 안티몬화 인듐, 납 텔루르 화합물, 인듐 비소, 인듐 인화물, 갈륨 비소 또는 안티몬화 갈륨을 포함할 수 있다.The lower semiconductor chips 111_1 and 111_2 and the upper semiconductor chips 112_1 and 112_2 may include, for example, a silicon substrate. Alternatively, the lower semiconductor chips 111_1 and 111_2 and the upper semiconductor chips 112_1 and 112_2 may be made of another material, for example, silicon germanium, indium antimonide, lead tellurium compound, indium arsenide, indium phosphide, gallium arsenide, or gallium antimonide. can include
하부 반도체 칩(111_1, 111_2)은 예를 들어, 로직 칩일 수 있다. 하부 반도체 칩(111_1, 111_2)은 수행하는 연산 등을 고려하여, 다양하게 설계될 수 있다.The lower semiconductor chips 111_1 and 111_2 may be, for example, logic chips. The lower semiconductor chips 111_1 and 111_2 may be designed in various ways in consideration of operations to be performed.
상부 반도체 칩(112_1, 112_2)은 예를 들어, 메모리 칩일 수 있다. 상부 반도체 칩(112_1, 112_2)은 예를 들어, 비휘발성 메모리 칩(non-volatile memory chip) 또는 휘발성 메모리 칩(volatile memory chip)일 수 있다. The upper semiconductor chips 112_1 and 112_2 may be, for example, memory chips. The upper semiconductor chips 112_1 and 112_2 may be, for example, non-volatile memory chips or volatile memory chips.
구체적으로, 메모리 칩이 휘발성 메모리 칩일 경우, 메모리 칩은 DRAM(Dynamic Random-Access Memory)를 포함할 수 있다. 메모리 칩이 비휘발성 메모리 칩일 경우, 메모리 칩은 플래시 메모리 칩(flash memory chip)일 수 있다. 더욱 구체적으로, 메모리 칩은 낸드(NAND) 플래시 메모리 칩 또는 노어(NOR) 플래시 메모리 칩 중 어느 하나일 수 있다. Specifically, when the memory chip is a volatile memory chip, the memory chip may include Dynamic Random-Access Memory (DRAM). When the memory chip is a non-volatile memory chip, the memory chip may be a flash memory chip. More specifically, the memory chip may be either a NAND flash memory chip or a NOR flash memory chip.
한편, 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 장치의 형태가 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 몇몇 실시예에서, 플래쉬 메모리 칩은 PRAM(Phase-change Random-Access Memory), MRAM(Magneto-resistive Random-Access Memory), RRAM(Resistive Random-Access Memory) 중 어느 하나를 포함할 수도 있다.Meanwhile, the shape of the memory device according to the technical idea of the present invention is not limited thereto. In some embodiments of the present invention, a flash memory chip may include any one of phase-change random-access memory (PRAM), magneto-resistive random-access memory (MRAM), and resistive random-access memory (RRAM). .
제1 반도체 패키지(110_1)는 제1 하부 반도체 칩(111_1)과, 제1 하부 반도체 칩(111_1)에 상에 적층된 하나 이상의 제1 상부 반도체 칩(112_1)을 포함할 수 있다. 제1 하부 반도체 칩(111_1)은 서로 마주보는 제1 면(111_1a) 및 제2 면(111_1b)을 포함할 수 있다.The first semiconductor package 110_1 may include a first lower semiconductor chip 111_1 and one or more first upper semiconductor chips 112_1 stacked on the first lower semiconductor chip 111_1 . The first lower semiconductor chip 111_1 may include a first surface 111_1a and a second surface 111_1b facing each other.
제1 하부 반도체 칩(111_1)은 제1 하부 반도체 칩의 제1 면(111_1a) 상에 배열된 제1 내측 외부 단자 그룹(113_1) 및 제1 외측 외부 단자 그룹(114_1)을 포함할 수 있다. 제1 외측 외부 단자 그룹(114_1) 및 제1 내측 외부 단자 그룹(113_1)에 대한 설명은 이후에 상술한다. The first lower semiconductor chip 111_1 may include a first inner external terminal group 113_1 and a first outer external terminal group 114_1 arranged on the first surface 111_1a of the first lower semiconductor chip. Descriptions of the first outer external terminal group 114_1 and the first inner external terminal group 113_1 will be described later.
하나 이상의 제1 상부 반도체 칩(112_1)은 제1 하부 반도체 칩의 제2 면(111_1b) 상에 적층되어 있을 수 있다. 제1 상부 반도체 칩(112_1)의 적어도 일부는 제1 관통 전극(116_1)을 포함할 수 있다.One or more first upper semiconductor chips 112_1 may be stacked on the second surface 111_1b of the first lower semiconductor chip. At least a portion of the first upper semiconductor chip 112_1 may include the first through electrode 116_1.
제1 관통 전극(116_1)은 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 텅스텐(W)을 포함할 수 있다. 제1 관통 전극(116_1)과 제1 상부 반도체 칩(112_1)의 기판인 반도체 물질 사이에는 라이너와 배리어막을 더 포함할 수 있다. 배리어막은 예를 들어, Ta, TaN, Ti, TiN, Ru, Co, Ni, NiB, WN 등을 포함할 수 있다. 라이너는 예를 들어, 저유전율을 갖는 실리콘 산화물 또는 탄소 도핑된 실리콘 산화물 등을 포함할 수 있다.The first through electrode 116_1 may include, for example, copper (Cu), aluminum (Al), or tungsten (W). A liner and a barrier layer may be further included between the first through electrode 116_1 and the semiconductor material that is the substrate of the first upper semiconductor chip 112_1 . The barrier layer may include, for example, Ta, TaN, Ti, TiN, Ru, Co, Ni, NiB, or WN. The liner may include, for example, silicon oxide having a low dielectric constant or silicon oxide doped with carbon.
제1 하부 반도체 칩(111_1) 및 제1 상부 반도체 칩(112_1) 사이와, 인접하는 제1 상부 반도체 칩(112_1) 사이에, 제1 연결 단자(116_1)가 형성될 수 있다. 제1 연결 단자(116_1)는 볼 형태의 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 연결 단자(116_1)는 필라(pillar)와 솔더 볼이 결합된 필라 범프 타입일 수 있음은 물론이다.A first connection terminal 116_1 may be formed between the first lower semiconductor chip 111_1 and the first upper semiconductor chip 112_1 and between the adjacent first upper semiconductor chip 112_1 . Although the first connection terminal 116_1 is shown in a ball shape, it is not limited thereto. Of course, the first connection terminal 116_1 may be a pillar bump type in which a pillar and a solder ball are combined.
제1 몰딩재(118_1)는 제1 하부 반도체 칩의 제2 면(111_1b) 상에 형성될 수 있다. 제1 몰딩재(118_1)는 제1 상부 반도체 칩(112_1)을 감쌀 수 있다. 제1 몰딩재(118_1)는 예를 들어, 에폭시 수지 또는 이종 이상의 실리콘 하이브리드 물질을 포함할 수 있다.The first molding material 118_1 may be formed on the second surface 111_1b of the first lower semiconductor chip. The first molding material 118_1 may cover the first upper semiconductor chip 112_1. The first molding material 118_1 may include, for example, an epoxy resin or a silicon hybrid material of two or more types.
제2 반도체 패키지(110_2)는 제2 하부 반도체 칩(111_2)과, 제2 하부 반도체 칩(111_2)에 상에 적층된 하나 이상의 제2 상부 반도체 칩(112_2)을 포함할 수 있다. 제2 하부 반도체 칩(111_2)은 서로 마주보는 제1 면(111_2a) 및 제2 면(111_2b)을 포함할 수 있다.The second semiconductor package 110_2 may include a second lower semiconductor chip 111_2 and one or more second upper semiconductor chips 112_2 stacked on the second lower semiconductor chip 111_2 . The second lower semiconductor chip 111_2 may include a first surface 111_2a and a second surface 111_2b facing each other.
제2 하부 반도체 칩(111_2)은 제2 하부 반도체 칩의 제1 면(111_2a) 상에 배열된 제2 내측 외부 단자 그룹(113_2) 및 제2 외측 외부 단자 그룹(114_2)을 포함할 수 있다. 제2 외측 외부 단자 그룹(114_2) 및 제2 내측 외부 단자 그룹(113_2)에 대한 설명은 이후에 상술한다.The second lower semiconductor chip 111_2 may include a second inner external terminal group 113_2 and a second outer external terminal group 114_2 arranged on the first surface 111_2a of the second lower semiconductor chip. Descriptions of the second outer external terminal group 114_2 and the second inner external terminal group 113_2 will be described later.
하나 이상의 제2 상부 반도체 칩(112_2)은 제2 하부 반도체 칩의 제2 면(111_2b) 상에 적층되어 있을 수 있다. 제2 상부 반도체 칩(112_2)의 적어도 일부는 제2 관통 전극(116_2)을 포함할 수 있다.One or more second upper semiconductor chips 112_2 may be stacked on the second surface 111_2b of the second lower semiconductor chip. At least a portion of the second upper semiconductor chip 112_2 may include the second through electrode 116_2.
제2 하부 반도체 칩(111_2) 및 제2 상부 반도체 칩(112_2) 사이와, 인접하는 제2 상부 반도체 칩(112_2) 사이에, 제2 연결 단자(116_2)가 형성될 수 있다. A second connection terminal 116_2 may be formed between the second lower semiconductor chip 111_2 and the second upper semiconductor chip 112_2 and between the adjacent second upper semiconductor chip 112_2 .
제2 몰딩재(118_2)는 제2 하부 반도체 칩의 제2 면(111_2b) 상에 형성될 수 있다. 제2 몰딩재(118_2)는 제2 상부 반도체 칩(112_2)을 감쌀 수 있다. The second molding material 118_2 may be formed on the second surface 111_2b of the second lower semiconductor chip. The second molding material 118_2 may cover the second upper semiconductor chip 112_2.
도 2a 및 도 2b에서, 제1 상부 반도체 칩(112_1) 및 제2 상부 반도체 칩(112_2)은 4개인 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. In FIGS. 2A and 2B , the number of the first upper semiconductor chip 112_1 and the second upper semiconductor chip 112_2 is illustrated as four, but is not limited thereto.
또한, 도 2a 및 도 2b에서, 각각의 제1 상부 반도체 칩(112_1) 및 각각의 제2 상부 반도체 칩(112_2)은 관통 전극(115_1, 115_2)을 포함하는 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 최상부에 위치하는 제1 상부 반도체 칩(112_1) 및 제2 상부 반도체 칩(112_2)은 관통 전극(115_1, 115_2)을 포함하지 않을 수도 있다. In addition, in FIGS. 2A and 2B , each of the first upper semiconductor chip 112_1 and each of the second upper semiconductor chip 112_2 is illustrated as including through electrodes 115_1 and 115_2 , but is not limited thereto. . The first upper semiconductor chip 112_1 and the second upper semiconductor chip 112_2 positioned at the top may not include the through electrodes 115_1 and 115_2 .
덧붙여, 제1 몰딩재(118_1) 및 제2 몰딩재(118_2)는 각각 최상부에 위치하는 제1 상부 반도체 칩(112_1)의 상면 및 제2 상부 반도체 칩(112_2)의 상면을 덮지 않는 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. In addition, although the first molding material 118_1 and the second molding material 118_2 do not cover the upper surface of the first upper semiconductor chip 112_1 and the upper surface of the second upper semiconductor chip 112_2 located at the top, respectively, , but is not limited thereto.
게다가, 제1 상부 반도체 칩(112_1) 및 제2 상부 반도체 칩(112_2)에 포함된 관통 전극(115_1, 115_2)는 5개인 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, although the through electrodes 115_1 and 115_2 included in the first upper semiconductor chip 112_1 and the second upper semiconductor chip 112_2 are illustrated as five, the number is not limited thereto.
참고적으로, 도 2a 및 도 2b는 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)의 적층 구조에 대해서만 도시하였다. 하지만, 각각의 반도체 패키지(110)가 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)와 같거나 유사한 구조를 가지고 있을 수 있다는 것은 본 발명이 속한 기술 분야의 통상의 기술자에게 자명하다. For reference, FIGS. 2A and 2B illustrate only the stacked structures of the first semiconductor package 110_1 and the second semiconductor package 110_2 . However, it is apparent to those skilled in the art that each
도 3a 및 도 3b를 이용하여, 제1 반도체 패키지(110_1)에 포함되는 제1 내측 외부 단자 그룹(113_1) 및 제1 외측 외부 단자 그룹(114_1)과, 제2 반도체 패키지(110_2)에 포함되는 제2 내측 외부 단자 그룹(113_2) 및 제2 외측 외부 단자 그룹(114_2)에 대해 설명한다. 3A and 3B , the first inner external terminal group 113_1 and the first outer external terminal group 114_1 included in the first semiconductor package 110_1 and the second semiconductor package 110_2 included in The second inner outer terminal group 113_2 and the second outer outer terminal group 114_2 will be described.
제1 내측 외부 단자 그룹(113_1)은 제1 하부 반도체 칩의 제1 면(111_1a) 상에 배열될 수 있다. 제1 내측 외부 단자 그룹(113_1)은 제1 하부 반도체 칩의 제1 면(111_1a)의 가운데 부분에 위치할 수 있다.The first inner external terminal group 113_1 may be arranged on the first surface 111_1a of the first lower semiconductor chip. The first inner external terminal group 113_1 may be positioned in the center of the first surface 111_1a of the first lower semiconductor chip.
제1 내측 외부 단자 그룹(113_1)은 제1 피치(P1)를 가지고 배열되어 있을 수 있다. 제1 피치(P1)는 예를 들어, 100㎛보다 작을 수 있다. The first inner and outer terminal groups 113_1 may be arranged with a first pitch P1. The first pitch P1 may be smaller than 100 μm, for example.
제1 외측 외부 단자 그룹(114_1)은 제1 하부 반도체 칩의 제1 면(111_1a) 상에 배열될 수 있다. 제1 외측 외부 단자 그룹(114_1)은 제1 하부 반도체 칩의 제1 면(111_1a)의 가장자리에 위치할 수 있다.The first outer external terminal group 114_1 may be arranged on the first surface 111_1a of the first lower semiconductor chip. The first outer external terminal group 114_1 may be positioned at an edge of the first surface 111_1a of the first lower semiconductor chip.
제1 외측 외부 단자 그룹(114_1)은 제2 피치(P2)를 가지고 배열되어 있을 수 있다. 제1 외측 외부 단자 그룹(114_1)은 DFT(Design for test) 기반의 외부 단자 그룹일 수 있다. The first outer external terminal group 114_1 may be arranged with a second pitch P2. The first outer external terminal group 114_1 may be a design for test (DFT) based external terminal group.
제2 내측 외부 단자 그룹(113_2)은 제2 하부 반도체 칩의 제1 면(111_2a) 상에 배열될 수 있다. 제2 내측 외부 단자 그룹(113_2)은 제2 하부 반도체 칩의 제1 면(111_2a)의 가운데 부분에 위치할 수 있다.The second inner external terminal group 113_2 may be arranged on the first surface 111_2a of the second lower semiconductor chip. The second inner external terminal group 113_2 may be positioned in the center of the first surface 111_2a of the second lower semiconductor chip.
제2 내측 외부 단자 그룹(113_2)은 제1 피치(P1)를 가지고 배열되어 있을 수 있다. The second inner and outer terminal groups 113_2 may be arranged with a first pitch P1.
제2 외측 외부 단자 그룹(114_2)은 제2 하부 반도체 칩의 제1 면(111_2a) 상에 배열될 수 있다. 제2 외측 외부 단자 그룹(114_2)은 제2 하부 반도체 칩의 제1 면(111_2a)의 가장자리에 위치할 수 있다. The second outer external terminal group 114_2 may be arranged on the first surface 111_2a of the second lower semiconductor chip. The second outer external terminal group 114_2 may be positioned at an edge of the first surface 111_2a of the second lower semiconductor chip.
제2 외측 외부 단자 그룹(114_2)은 제2 피치(P2)를 가지고 배열되어 있을 수 있다. 제2 외측 외부 단자 그룹(114_2)은 DFT 기반의 외부 단자 그룹일 수 있다.The second outer external terminal group 114_2 may be arranged with a second pitch P2. The second outer external terminal group 114_2 may be a DFT-based external terminal group.
제1 내측 외부 단자 그룹(113_1) 및 제2 내측 외부 단자 그룹(113_2)은 각각 예를 들어, 마이크로 범프 어레이를 포함할 수 있다. 각각의 마이크로 범프는 예를 들어, 필라와 솔더 볼이 결합된 필라 범프 타입일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. Each of the first inner external terminal group 113_1 and the second inner external terminal group 113_2 may include, for example, a micro bump array. Each of the micro bumps may be, for example, a pillar bump type in which a pillar and a solder ball are combined, but are not limited thereto.
도 3a 및 도 3b에서, 제1 외측 외부 단자 그룹(114_1) 및 제2 외측 외부 단자 그룹(114_2)은 각각 패드 어레이인 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 제1 외측 외부 단자 그룹(114_1) 및 제2 외측 외부 단자 그룹(114_2)은 각각 예를 들어, 마이크로 범프 형태일 수도 있고, 솔더 볼 형태일 수도 있음은 물론이다.In FIGS. 3A and 3B , the first outer external terminal group 114_1 and the second outer external terminal group 114_2 are shown as pad arrays, but are not limited thereto. That is, of course, each of the first outer external terminal group 114_1 and the second outer external terminal group 114_2 may have a micro bump shape or a solder ball shape, for example.
본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법에서, 인접하는 내측 외부 단자 그룹(113_1, 113_2) 사이의 제1 피치(P1)는 인접하는 외측 외부 단자 그룹(114_1, 114_2) 사이의 제2 피치(P2)보다 작다.In the semiconductor package test method according to some embodiments of the present invention, the first pitch P1 between the adjacent inner and outer terminal groups 113_1 and 113_2 is the second pitch P1 between the adjacent outer outer terminal groups 114_1 and 114_2. It is smaller than the pitch (P2).
본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법에서, 제1 및 제2 내측 외부 단자 그룹(113_1, 113_2)을 이용한 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)의 패키지 테스트는 소켓(socket)을 이용하여 수행할 수 없다. In the semiconductor package test method according to some embodiments of the present invention, the package test of the first semiconductor package 110_1 and the second semiconductor package 110_2 using the first and second inner external terminal groups 113_1 and 113_2 is performed. This cannot be done using sockets.
다르게 설명하면, 소켓에 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)를 수용한 후, 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2) 각각의 내측 외부 단자 그룹(113_1, 113_2)을 이용하여 패키지 테스트를 수행하기 위해서, 제1 피치(P1)가 충분히 커야 한다. In other words, after accommodating the first semiconductor package 110_1 and the second semiconductor package 110_2 in the socket, the inner and outer terminal groups 113_1 of the first semiconductor package 110_1 and the second semiconductor package 110_2, respectively, 113_2), the first pitch P1 must be sufficiently large to perform the package test.
하지만, 제1 반도체 패키지(110_1)에 포함된 제1 내측 외부 단자 그룹(113_1)의 제1 피치(P1)와, 제2 반도체 패키지(110_2)에 포함된 제2 내측 외부 단자 그룹(113_2)의 제1 피치(P1)는 매우 작다. 따라서, 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)를 소켓에 담아, 제1 및 제2 내측 외부 단자 그룹(113_1, 113_2)를 이용한 패키지 테스트가 수행될 수 없다. However, the first pitch P1 of the first inner external terminal group 113_1 included in the first semiconductor package 110_1 and the second inner outer terminal group 113_2 included in the second semiconductor package 110_2 The first pitch P1 is very small. Accordingly, a package test using the first and second inner external terminal groups 113_1 and 113_2 cannot be performed by placing the first semiconductor package 110_1 and the second semiconductor package 110_2 in the socket.
한편, 제1 외측 외부 단자 그룹(114_1)을 이용한 제1 반도체 패키지(110_1)의 패키지 테스트와, 제2 외측 외부 단자 그룹(114_2)을 이용한 제2 반도체 패키지(110_2)의 패키지 테스트는 외측 외부 단자 그룹(114_1, 114_2)의 피치에 따라서 소켓을 이용하여 수행할 수도 있고, 수행할 수 없을 수도 있다. Meanwhile, a package test of the first semiconductor package 110_1 using the first outer external terminal group 114_1 and a package test of the second semiconductor package 110_2 using the second outer external terminal group 114_2 are performed on the outer external terminal. Depending on the pitch of the groups 114_1 and 114_2, it may or may not be performed using a socket.
반도체 패키지를 제조하는 제조자 또는 반도체 패키지의 사용자의 요구에 따라 제1 외측 외부 단자 그룹(114_1) 및 제1 외측 외부 단자 그룹(114_1)의 제2 피치(P2)는 변할 수 있기 때문이다. This is because the first outer external terminal group 114_1 and the second pitch P2 of the first outer external terminal group 114_1 may be changed according to a demand of a manufacturer of the semiconductor package or a user of the semiconductor package.
본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법에서, 각각의 반도체 패키지(110)는 상술한 것과 같은 내측 외부 단자 그룹(113_1, 113_2) 및 외측 외부 단자 그룹(114_1, 114_2)이 일면에 형성된 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board)을 포함하지 않는다. 즉, 각각의 반도체 패키지(110)는 복수의 반도체 칩이 내측 외부 단자 그룹(113_1, 113_2) 및 외측 외부 단자 그룹(114_1, 114_2)을 포함하는 인쇄 회로 기판 상에 실장된 형태가 아닐 수 있다.In the semiconductor package test method according to some embodiments of the present invention, each
한편, 각각의 반도체 패키지(110)는 하부 반도체 칩(111_1) 및 하나 이상의 상부 반도체 칩(112_1, 112_2) 사이에 배치된 인쇄 회로 기판을 포함할 수도 있다. Meanwhile, each
도 1 내지 도 6b를 이용하여 설명하는 반도체 패키지 테스트 방법에서, 제1 외측 외부 단자 그룹(114_1)을 이용한 제1 반도체 패키지(110_1)의 패키지 테스트와, 제2 외측 외부 단자 그룹(114_2)을 이용한 제2 반도체 패키지(110_2)의 패키지 테스트는 소켓(socket)을 이용하여 수행할 수 없는 것으로 설명한다.In the semiconductor package test method described with reference to FIGS. 1 to 6B , a package test of a first semiconductor package 110_1 using a first outer external terminal group 114_1 and a package test using a second outer external terminal group 114_2 It will be described that the package test of the second semiconductor package 110_2 cannot be performed using a socket.
참고적으로, 도 3a 및 도 3b는 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)의 제1 및 제2 내측 외부 단자 그룹(113_1, 113_2)와, 제1 및 제2 외측 외부 단자 그룹(114_1, 114_2)의 구조에 대해서만 도시하였다. For reference, FIGS. 3A and 3B show the first and second inner external terminal groups 113_1 and 113_2 of the first semiconductor package 110_1 and the second semiconductor package 110_2 and the first and second outer external terminals. Only the structures of the groups 114_1 and 114_2 are shown.
하지만, 각각의 반도체 패키지(110)가 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)와 같거나 유사한 내측 외부 단자 그룹 및 외측 외부 단자 그룹을 포함한다는 것은 본 발명이 속한 기술 분야의 통상의 기술자에게 자명하다.However, it is common in the art that each
도 1의 제1 반도체 패키지 그룹(100)이 형성되는 과정에 대해서 간략히 설명한다. A process of forming the first
서로 간에 분리되지 않은 복수의 하부 반도체 칩(111_1, 111_2)을 포함하는 반도체 기판을 제공한다. 각각의 하부 반도체 칩 상에, 적어도 하나 이상의 상부 반도체 칩(112_1, 112_2)을 적층한다. A semiconductor substrate including a plurality of lower semiconductor chips 111_1 and 111_2 that are not separated from each other is provided. At least one or more upper semiconductor chips 112_1 and 112_2 are stacked on each lower semiconductor chip.
이어서, 상부 반도체 칩(112_1, 112_2)이 적층된 적층체를 감싸는 몰딩재를 반도체 기판 상에 형성한다. 이어서, 반도체 기판에 포함된 하부 반도체 칩(111_1, 111_2)이 분리되도록, 반도체 기판을 다이싱한다. 상부 반도체 칩(112_1, 112_2)이 하부 반도체 칩(111_1, 111_2) 상에 잘 실장되었는지 여부를 검사하기 위해, 다이싱 이전에 하부 반도체 칩(111_1, 111_2) 및 상부 반도체 칩(112_1, 112_2)에 대한 테스트가 웨이퍼 수준에서 수행될 수 있다. Next, a molding material surrounding the laminate in which the upper semiconductor chips 112_1 and 112_2 are stacked is formed on the semiconductor substrate. Subsequently, the semiconductor substrate is diced to separate the lower semiconductor chips 111_1 and 111_2 included in the semiconductor substrate. In order to check whether the upper semiconductor chips 112_1 and 112_2 are well mounted on the lower semiconductor chips 111_1 and 111_2, the lower semiconductor chips 111_1 and 111_2 and the upper semiconductor chips 112_1 and 112_2 are subjected to dicing before dicing. Testing can be performed at the wafer level.
도 1에서, 다이싱 공정을 통해 서로 분리되는 제1 반도체 패키지 그룹(100)이 형성되므로, 서로 인접하는 반도체 패키지 사이의 이격 폭은 다양할 수 있다. 즉, 복수의 반도체 패키지(110)는 동일한 간격으로 배열되어 있지 않을 수 있다. In FIG. 1 , since the first
각각의 반도체 패키지(110)는 예를 들어, 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory, HBM)일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. Each
먼저, 도 5를 이용하여, 도 4에서 설명하는 반도체 패키지 테스트에 사용될 수 있는 제1 반도체 패키지 테스트 장비(300)에 대해 설명한다.First, a first semiconductor
도 5 및 도 6을 참고하면, 제1 반도체 패키지 테스트 장비(300)는 제1 테스터(310)와, 제2 테스터(320)와, 제1 컨택터 모듈(315)과, 제2 컨택터 모듈(325)과, 제1 검사 스테이지(340)와, 제2 검사 스테이지(350)를 포함할 수 있다.5 and 6 , the first semiconductor
제1 반도체 패키지 테스트 장비(300)는 제1 테스트 영역과 제2 테스트 영역을 포함할 수 있다. 제1 테스트 영역은 제1 테스터(310) 및 제1 컨택터 모듈(315)이 배치된 영역이고, 제2 테스트 영역은 제2 테스터(320) 및 제2 컨택터 모듈(325)이 배치된 영역일 수 있다.The first semiconductor
제1 테스터(310)는 반도체 패키지(도 1의 110)에 대한 제1 테스트를 수행한다. 또한, 제2 테스터(320)는 반도체 패키지(도 1의 110)에 대한 제1 테스트를 수행한다. The
예를 들어, 하나의 장비인 제1 반도체 패키지 테스트 장비(300)를 이용하여, 반도체 패키지(도 1의 110)에 대한 제1 테스트 및 제2 테스트가 수행될 수 있다. For example, a first test and a second test may be performed on the semiconductor package ( 110 in FIG. 1 ) using the first semiconductor
반도체 패키지에 대한 제1 테스트는 예를 들어, 개방/단락 테스트(open/short test), 누설 전류 테스트(leakage current test), 동작 전류 테스트(operation current test), 칩 크랙 검출 테스트(chip crack detection test), 그로스 기능 테스트(gross function test) 등을 포함할 수 있다.The first test for the semiconductor package is, for example, an open/short test, a leakage current test, an operation current test, and a chip crack detection test. ), gross function tests, and the like.
반도체 패키지에 대한 제2 테스트는 예를 들어, 반도체 패키지의 기능 테스트(function test)일 수 있다. 기능 테스트를 통해, 메모리 cell의 동작 테스트를 위해 특정 메모리 패턴을 반도체 패키지에 인가하여, 메모리 cell 전 영역의 동작 및 불량 여부가 판단될 수 있다. The second test of the semiconductor package may be, for example, a function test of the semiconductor package. Through the function test, a specific memory pattern may be applied to a semiconductor package to test the operation of the memory cell, and operation and failure of the entire region of the memory cell may be determined.
제2 테스트는 예를 들어, 셀/코어 동작 테스트(cell & core operation test), 속도 테스트(speed test) 및 온도 테스트(temperature test) 등을 포함할 수 있다. 속도 테스트는 저주파수 테스트, 중주파수 테스트 및 고주파수 테스트를 포함하고, 온도 테스트는 저온 테스트 및 고온 테스트를 포함할 수 있다.The second test may include, for example, a cell & core operation test, a speed test, and a temperature test. The speed test may include a low-frequency test, a mid-frequency test, and a high-frequency test, and the temperature test may include a low-temperature test and a high-temperature test.
예를 들어, 제1 테스트는 예를 들어, 수초에서 수십 초가 소요되는 테스트일 수 있고, 제2 테스트는 수백 초에서 수천 초가 소요되는 테스트일 수 있다. 따라서, 제1 테스트가 수행되는 시간은 제2 테스트가 수행되는 시간보다 짧다.For example, the first test may be a test that takes several seconds to tens of seconds, and the second test may be a test that takes hundreds of seconds to thousands of seconds. Accordingly, the time during which the first test is performed is shorter than the time during which the second test is performed.
제1 컨택터 모듈(315)은 제1 테스트에 사용되는 제1 컨택터(315p)를 포함할 수 있다. 제1 컨택터 모듈(315)은 제1 테스터(310)와 연결될 수 있다. The
도 6a에서, 제1 컨택터 모듈(315)은 하나의 제1 컨택터(315p)를 포함하는 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. In FIG. 6A , the
제1 컨택터 모듈(315)에는 제1 컨택터(315p)에 대응되어 하나의 패키지 테스트 영역(110ta)이 정의될 수 있다. One package test area 110ta may be defined in the
제1 컨택터(315p)는 패키지 테스트 영역(110ta) 내에 위치할 수 있다. 제1 컨택터(315p)는 반도체 패키지(110)의 내측 외부 단자 그룹(113_1, 113_2)에 대응되도록 위치할 수 있다. The
제1 컨택터(315p)는 예를 들어, 마이크로 팁(tip) 또는 탐침(needle)의 형태를 가질 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. The
도 6b에서, 제2 컨택터 모듈(325)은 제2 테스트에 사용되는 제2 컨택터(325p)를 포함할 수 있다. 제2 컨택터 모듈(325)은 제2 테스터(320)와 연결될 수 있다. In FIG. 6B , the
제2 컨택터 모듈(325)은 복수의 제2 컨택터(325p)를 포함할 수 있다. 제2 컨택터 모듈(325)에는 제2 컨택터(325p)에 대응되어 복수의 패키지 테스트 영역(110ta)이 정의될 수 있다. The
각각의 제2 컨택터(325p)는 각각의 패키지 테스트 영역(110ta) 내에 위치할 수 있다. 각각의 제2 컨택터(325p)는 반도체 패키지의 외측 외부 단자 그룹(114_1, 114_2)에 대응되도록 위치할 수 있다.Each
제2 컨택터(325p)는 예를 들어, 탐침(needle)의 형태를 가질 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. The
제2 컨택터 모듈(325)을 사용하는 제2 테스트는 복수의 반도체 패키지에 대해 동시에 수행될 수 있다. The second test using the
제1 컨택터(315p)는 제1 반도체 패키지 테스트 장비(300)의 제1 테스트 영역에 배치되고, 제2 컨택터(325p)는 제1 반도체 패키지 테스트 장비(300)의 제2 테스트 영역에 배치될 수 있다. The
제1 검사 스테이지(340) 상에, 제1 테스트를 수행하기 위한 반도체 패키지가 위치할 수 있다. 제2 검사 스테이지(350) 상에 제2 테스트를 수행하기 위한 반도체 패키지가 위치할 수 있다. A semiconductor package for performing a first test may be positioned on the
도 1, 도 4 및 도 5을 참고하면, 캐리어(50)에 부착된 제1 반도체 패키지 그룹(100)이 제1 반도체 패키지 테스트 장비(300)에 로딩될 수 있다. Referring to FIGS. 1 , 4 and 5 , the first
제1 반도체 패키지 그룹(100)에 포함된 각각의 패키지에 대한 테스트를 위해, 복수의 반도체 패키지(110)가 제공될 수 있다.To test each package included in the first
캐리어(50)에 부착된 복수의 반도체 패키지(110)는 제1 검사 스테이지(340) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)는 제1 검사 스테이지(340) 상에 배치될 수 있다. The plurality of
도 1, 도 3a 내지 도 6을 참고하면, 제1 반도체 패키지(110_1)의 제1 내측 외부 단자 그룹(113_1)과 제1 컨택터(315p)를 접촉하여, 제1 반도체 패키지(110_1)에 대한 제1 테스트가 수행될 수 있다(S200). Referring to FIGS. 1 and 3A to 6 , the first inner external terminal group 113_1 of the first semiconductor package 110_1 and the
제1 내측 외부 단자 그룹(113_1)과 제1 컨택터(315p)를 접촉하는 동안, 제1 테스터(310)는 제1 테스트를 수행할 수 있다. While contacting the first inner/outer terminal group 113_1 and the
제1 내측 외부 단자 그룹(113_1)은 마이크로 범프 어레이를 포함할 수 있으므로, 마이크로 범프 어레이(또는, 마이크로 범프 그룹)와 제1 컨택터(315p)의 접촉을 통해, 제1 반도체 패키지(110_1)에 대한 제1 테스트가 수행될 수 있다. Since the first inner/outer terminal group 113_1 may include a micro bump array, the first semiconductor package 110_1 is connected through contact between the micro bump array (or micro bump group) and the
제1 검사 스테이지(340)가 회전 운동, 좌우 운동 또는 상하 운동을 하여, 제1 내측 외부 단자 그룹(113_1)과 제1 컨택터(315p)가 정렬되고, 접촉될 수 있다. As the
제1 테스트가 종료된 제1 반도체 패키지(110_1)는 제1 이송 수단(330)에 의해, 제2 검사 스테이지(350)로 옮겨질 수 있다. The first semiconductor package 110_1 after the first test may be moved to the
이어서, 제2 반도체 패키지(110_2)의 제2 내측 외부 단자 그룹(113_2)과 제1 컨택터(315p)를 접촉하여, 제2 반도체 패키지(110_2)에 대한 제1 테스트가 수행될 수 있다(S200). Subsequently, a first test may be performed on the second semiconductor package 110_2 by contacting the second inner external terminal group 113_2 of the second semiconductor package 110_2 and the
제2 내측 외부 단자 그룹(113_2)과 제2 컨택터(325p)를 접촉하는 동안, 제1 테스터(310)는 제1 테스트를 수행할 수 있다. While contacting the second inner and outer terminal group 113_2 and the
제1 검사 스테이지(340)가 회전 운동, 좌우 운동 또는 상하 운동을 하여, 제2 내측 외부 단자 그룹(113_2)과 제1 컨택터(315p)가 정렬되고, 접촉될 수 있다.As the
제1 반도체 패키지(110_1)에 대한 제1 테스트는 제2 반도체 패키지(110_2)에 대한 제1 테스트와 별개의 단계로 수행될 수 있다. 다르게 설명하면, 제2 반도체 패키지(110_2)에 대한 제1 테스트는 제1 반도체 패키지(110_1)에 대한 제1 테스트와 시간적 차이를 두고 진행될 수 있다.The first test of the first semiconductor package 110_1 may be performed in a separate step from the first test of the second semiconductor package 110_2 . In other words, the first test of the second semiconductor package 110_2 may be performed with a time difference from the first test of the first semiconductor package 110_1.
제1 테스트는 제1 및 제2 내측 외부 단자 그룹(113_1, 113_2)을 이용하여 수행되므로, 제1 테스트는 각각의 제1 및 제2 반도체 패키지(110_1, 110_2)를 수용하는 소켓 없이 수행될 수 있다. 즉, 제1 테스트는 소켓을 사용하지 않는 패키지 테스트이다. Since the first test is performed using the first and second inner external terminal groups 113_1 and 113_2, the first test may be performed without a socket accommodating the respective first and second semiconductor packages 110_1 and 110_2. there is. That is, the first test is a package test that does not use sockets.
각각의 반도체 패키지(110)에 포함된 내측 외부 단자 그룹을 제1 컨택터(315p)와 접촉하여, 각각의 반도체 패키지에 대한 제1 테스트가 수행될 수 있다. 내측 외부 단자 그룹으로 마이크로 범프 그룹을 포함할 경우, 각각의 반도체 패키지(도 1의 110)에 포함된 마이크로 범프 그룹을 제1 컨택터(315p)와 접촉하여, 각각의 반도체 패키지에 대한 제1 테스트가 수행될 수 있다.A first test may be performed on each semiconductor package by contacting the inner and outer terminal groups included in each
예를 들어, 제1 테스트는 하나의 반도체 패키지(110)를 가지고 수행될 수 있다.For example, the first test may be performed with one
제1 테스트가 종료된 각각의 반도체 패키지(110)는 제1 이송 수단(330)에 의해, 제2 검사 스테이지(350)로 옮겨질 수 있다. Each
도 5를 이용하여 설명하는 반도체 패키지 테스트 방법에서, 제1 테스트는 제1 반도체 패키지 그룹(100)이 캐리어(50)에 부착된 상태로 수행될 수 있다. In the semiconductor package test method described with reference to FIG. 5 , the first test may be performed while the first
도 5 및 도 6을 참고하면, 제1 테스트가 수행된 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)는 제2 검사 스테이지(350) 상에 재배열될 수 있다. Referring to FIGS. 5 and 6 , the first semiconductor package 110_1 and the second semiconductor package 110_2 on which the first test was performed may be rearranged on the
즉, 제1 테스트가 수행된 제1 반도체 패키지 그룹(100)의 적어도 일부는 제2 검사 스테이지(350) 상에 재배열될 수 있다. That is, at least a portion of the first
다르게 설명하면, 캐리어(50)로 제공된 복수의 반도체 패키지(도 1의 110) 중 적어도 일부는 제2 검사 스테이지(350) 상에 재배열될 수 있다. 제2 검사 스테이지(350) 상에 재배열된 복수의 반도체 패키지(도 1의 110) 중 적어도 일부는 제1 테스트가 수행된 패키지일 수 있다.In other words, at least some of the plurality of semiconductor packages ( 110 in FIG. 1 ) provided as the
복수의 반도체 패키지(110) 중 적어도 일부를 제2 검사 스테이지(350) 상에 각각 재배열하여, 제2 검사 스테이지(350) 상에 제2 반도체 패키지 그룹(101)이 제공될 수 있다. The second
제2 검사 스테이지(350) 상의 제2 반도체 패키지 그룹(101)은 제2 컨택터 모듈(325)에 포함된 제2 컨택터(325p)와 대응되어 위치될 수 있다. The second
즉, 제1 테스트가 수행된 복수의 반도체 패키지 중 적어도 일부를 제2 검사 스테이지(350) 상에 재배열하는 것은 제1 테스트를 수행한 각각의 반도체 패키지(도 1의 110)를 제2 컨택터(325p)에 대응되도록 위치시키는 것이다. That is, rearranging at least some of the plurality of semiconductor packages on which the first test is performed is performed on the
제2 검사 스테이지(350) 상에 제공된 제2 반도체 패키지 그룹(101)은 서로 별개의 단계에서 제1 테스트가 수행된 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)를 포함한다. 즉, 제2 반도체 패키지 그룹(101)은 적어도 2개 이상의 반도체 패키지(110)을 포함할 수 있다.The second
제2 검사 스테이지(350) 상에 제공된 제2 반도체 패키지 그룹(101)은 제2 테스터(320)와 연결된 제2 컨택터 모듈(325) 아래로 이동할 수 있다. 제2 검사 스테이지(350)는 제2 이동 수단(360)에 의해, 제2 컨택터 모듈(325) 아래로 이동할 수 있다.The second
도 1, 도 3a 내지 도 6을 참고하면, 제1 반도체 패키지(110_1)의 제1 내측 외부 단자 그룹(113_1)과 제2 컨택터(325p)를 접촉하고, 제2 반도체 패키지(110_2)의 제2 내측 외부 단자 그룹(113_2)과 제2 컨택터(325p)를 접촉하여, 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지에 대한 제2 테스트가 동시에 수행될 수 있다(S210). Referring to FIGS. 1 and 3A to 6 , the first inner external terminal group 113_1 of the first semiconductor package 110_1 and the
제1 외측 외부 단자 그룹(114_1)과 제2 컨택터(325p)를 접촉하고, 제2 외측 외부 단자 그룹(114_2)과 제2 컨택터(325p)를 접촉하는 동안, 제2 테스터(320)는 제2 테스트를 수행할 수 있다.While contacting the first outer external terminal group 114_1 and the
제1 외측 외부 단자 그룹(114_1) 및 제2 외측 외부 단자 그룹(114_2)은 각각 패드 어레이를 포함할 수 있으므로, 패드 어레이(또는, 패드 그룹)와 제2 컨택터(325p)의 접촉을 통해, 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)에 대한 제2 테스트가 동시에 수행될 수 있다.Since the first outer external terminal group 114_1 and the second outer external terminal group 114_2 may each include a pad array, through contact between the pad array (or pad group) and the
도 5를 이용하여 설명하는 반도체 패키지 테스트 방법에서, 제2 테스트는 각각의 제1 및 제2 반도체 패키지(110_1, 110_2)를 수용하는 소켓 없이 수행될 수 있다. 즉, 제2 테스트는 소켓을 사용하지 않는 패키지 테스트일 수 있다.In the semiconductor package test method described with reference to FIG. 5 , the second test may be performed without a socket accommodating each of the first and second semiconductor packages 110_1 and 110_2 . That is, the second test may be a package test that does not use a socket.
제2 반도체 패키지 그룹(101)에 포함된 각각의 반도체 패키지(110)의 외측 외부 단자 그룹을 제2 컨택터(325p)와 접촉하여, 제2 반도체 패키지 그룹(101)에 포함된 반도체 패키지(110)에 대한 제2 테스트가 수행될 수 있다. The semiconductor packages 110 included in the second
제2 테스트는 제2 반도체 패키지 그룹(101)에 포함된 반도체 패키지(110)에 대해 동시에 수행될 수 있다. The second test may be simultaneously performed on the semiconductor packages 110 included in the second
도 5에 도시되지 않았지만, 제2 테스트가 수행된 제2 반도체 패키지 그룹(101)에 포함된 반도체 패키지(110)에 대해 분류가 될 수 있다. 예를 들어, 제1 테스트 및 제2 테스트를 통과한 반도체 패키지와, 그렇지 않은 반도체 패키지를 구분하여 트레이 등에 담을 수 있다. Although not shown in FIG. 5 , the semiconductor packages 110 included in the second
본 발명의 반도체 패키지 테스트 방법을 통해 얻을 수 있는 효과에 대해서 설명한다.Effects obtained through the semiconductor package test method of the present invention will be described.
예를 들어, 제1 테스트를 수행하는 시간은 10초이고, 제2 테스트를 수행하는 시간이 1000초하고 가정한다.For example, it is assumed that the time for performing the first test is 10 seconds and the time for performing the second test is 1000 seconds.
만약, 하나의 반도체 패키지에 대해 제1 테스트와 제2 테스트를 순차적으로 진행할 경우, 하나의 반도체 패키지를 테스트 하는데 필요한 시간은 1010초일 수 있다. 100개의 반도체 패키지를 테스트 하기 위해서는 약 10만 초의 시간이 필요하다.If the first test and the second test are sequentially performed on one semiconductor package, the time required to test one semiconductor package may be 10 to 10 seconds. It takes about 100,000 seconds to test 100 semiconductor packages.
하지만, 하나가 아닌 100개의 반도체 패키지에 대해서 제2 테스트를 수행할 경우, 100개의 반도체 패키지를 테스트 하기 위해서는 약 2000초만이 필요하다. However, when the second test is performed on 100 semiconductor packages instead of one, only about 2000 seconds are required to test 100 semiconductor packages.
즉, 수행하는데 많은 시간이 필요한 제2 테스트가 다수의 반도체 패키지에 대해 동시에 수행됨으로써, 패키지 테스트의 생산성이 향상될 수 있다.That is, since the second test, which requires a lot of time, is simultaneously performed on a plurality of semiconductor packages, the package test productivity can be improved.
도 5에서, 제2 검사 스테이지(350)는 하나인 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. In FIG. 5 , the
만약, 제2 검사 스테이지가 두 개일 경우, 하나의 검사 스테이지 상에 재배열된 제2 반도체 패키지 그룹(101)에 대한 제2 테스트가 진행되는 동안, 다른 하나의 검사 스테이지 상에 제1 테스트가 수행된 반도체 패키지를 재배열할 수 있다. 이를 통해, 반도체 패키지의 테스트 효율을 향상시킬 수도 있다. If there are two second inspection stages, the first test is performed on the other inspection stage while the second test on the second
도 7은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법에 사용되는 반도체 패키지 테스트 장비를 설명하기 위한 개략적인 도면이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 6b를 이용하여 설명한 것과 다른 점을 중심으로 설명한다.7 is a schematic diagram for explaining semiconductor package test equipment used in a semiconductor package test method according to some embodiments of the present invention. For convenience of description, the description will focus on points different from those described with reference to FIGS. 1 to 6B.
도 7을 참고하면, 제1 반도체 패키지 그룹(100)이 부착된 캐리어(50)가 제1 지지 테이블(370) 상에 로딩될 수 있다.Referring to FIG. 7 , the
제1 지지 테이블(370) 상에 놓인 제1 반도체 패키지 그룹(100) 중 하나의 반도체 패키지(110)가 캐리어(50)로부터 분리될 수 있다. One
분리된 반도체 패키지(110)는 제1 이송 수단(330)에 의해 제1 검사 스테이지(340) 상으로 이동될 수 있다.The separated
도 7을 이용하여 설명하는 반도체 패키지 테스트 방법에서, 제1 테스트는 제1 반도체 패키지 그룹(100)이 캐리어(50)에 분리된 상태로 수행될 수 있다. In the semiconductor package test method described with reference to FIG. 7 , the first test may be performed while the first
제1 반도체 패키지 그룹(100)이 캐리어(50)에 분리된 후 제1 테스트가 진행되므로, 반도체 패키지(110)를 분리하는 과정에서 발생될 수 있는 결함이 제1 테스트를 통해 검출될 수 있다. 또한, 저온 또는 고온의 온도 테스트가 수행될 수 있다.Since the first test is performed after the first
도 7에서, 제1 테스트는 하나의 반도체 패키지(110)에 대해서 수행되는 것으로 도시되었지만, 이에 제한되는 것은 아니다. In FIG. 7 , the first test is illustrated as being performed on one
복수의 반도체 패키지(110)가 제1 이송 수단(330)에 의해 제1 검사 스테이지(340) 상으로 이동된 후, 재배열된 복수의 반도체 패키지(110)에 대해 제1 테스트가 수행될 수 있다. 이와 같은 경우, 도 6a에서 설명한 제1 컨택터 모듈(315)은 복수의 제1 컨택터(315p)를 포함할 수 있다.After the plurality of
다만, 제1 테스트는 피치가 작고 많은 개수의 내측 외부 단자를 포함하는 내측 외부 단자 그룹(도 3a 및 도 3b의 113_1, 113_2)을 이용하므로, 제1 컨택터(315p)와 내측 외부 단자 그룹(113_1, 113_2) 사이의 얼라인(align)이 어려울 수 있다. 따라서, 제1 테스트를 복수의 반도체 패키지(110)에 대해 수행할 경우, 2 내지 4개 정도의 반도체 패키지(110)에 대해 제1 테스트가 동시에 수행될 수 있다. However, since the first test uses an inner outer terminal group (113_1 and 113_2 in FIGS. 3A and 3B) having a small pitch and a large number of inner and outer terminals, the
도 8은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법에 사용되는 반도체 패키지 테스트 장비를 설명하기 위한 개략적인 도면이다. 도 9a 및 도 9b는 도 8의 반도체 패키지 테스트 장비에 포함된 하이브리드 컨택터 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상, 도 7을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 중심으로 설명한다.8 is a schematic diagram for explaining semiconductor package test equipment used in a semiconductor package test method according to some embodiments of the present invention. 9A and 9B are diagrams for explaining a hybrid contactor module included in the semiconductor package test equipment of FIG. 8 . For convenience of description, the description will focus on points different from those described with reference to FIG. 7 .
도 8 내지 도 9b를 참고하면, 제1 반도체 패키지 테스트 장비(300)는 하이브리드 컨택터 모듈(316) 및 하이브리드 테스터(311)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 8 to 9B , the first semiconductor
하이브리드 컨택터 모듈(316)은 하이브리드 테스터(311)와 연결될 수 있다.The
하이브리드 컨택터 모듈(316)은 제1 테스트에 사용되는 제1 컨택터(315p)와, 제2 테스트에 사용되는 제2 컨택터(325p)를 포함할 수 있다.The
하이브리드 컨택터 모듈(316)에서, 제1 컨택터(315p) 및 제2 컨택터(325p)는 패키지 테스트 영역(110ta) 내에 위치할 수 있다.In the
제1 테스트에는 하이브리드 컨택터 모듈(316)의 제1 컨택터(315p)가 사용될 수 있다. The
제2 테스트에는 하이브리드 컨택터 모듈(316)의 제2 컨택터(325p)가 사용될 수 있다. The
하이브리드 테스터(311)는 반도체 패키지(110)에 대한 제1 테스트 및 제2 테스트를 동시에 수행할 수 있다. 하이브리드 테스터(311)는 제1 테스트를 수행하는 제1 테스터와 제2 테스트를 수행하는 제2 테스터를 포함할 수 있다.The
한편, 필요에 따라, 하이브리드 테스터(311)는 반도체 패키지(110)에 대한 제1 테스트만을 수행할 수도 있고, 반도체 패키지에 대한 제2 테스트만을 수행할 수도 있다. Meanwhile, the
제1 지지 테이블(370) 상에 놓인 제1 반도체 패키지 그룹(100) 중 하나의 반도체 패키지(110)가 캐리어(50)로부터 분리될 수 있다. 분리된 반도체 패키지(110)는 제1 이송 수단(330)에 의해 제1 검사 스테이지(341) 상으로 이동될 수 있다. One
제1 검사 스테이지(341) 상의 반도체 패키지(110)에 포함된 내측 외부 단자 그룹 및 외측 외부 단자 그룹을 제1 컨택터(315p) 및 제2 컨택터(325p)와 접촉하여, 제1 테스트 및 제2 테스트를 동시에 수행할 수 있다.The inner and outer terminal groups included in the
도 9a는 제1 컨택터(315p) 및 제2 컨택터(325p)를 각각 하나씩 포함하는 하이브리드 컨택터 모듈(316)을 도시하였고, 도 9b는 복수의 제1 컨택터(315p) 및 제2 컨택터(325p)를 포함하는 하이브리드 컨택터 모듈(316)을 도시하였다. FIG. 9A shows a
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법 중 제1 테스트에 사용되는 반도체 패키지 테스트 장비를 설명하기 위한 개략적인 도면이다. 도 11은 도 10의 개략적인 레이아웃도이다. 도 12는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법 중 제2 테스트에 사용되는 반도체 패키지 테스트 장비를 설명하기 위한 개략적인 도면이다. 도 13은 도 12의 개략적인 레이아웃도이다.10 is a schematic diagram for explaining semiconductor package test equipment used in a first test among semiconductor package test methods according to some embodiments of the present disclosure. FIG. 11 is a schematic layout diagram of FIG. 10 . 12 is a schematic diagram for explaining semiconductor package test equipment used in a second test among semiconductor package test methods according to some embodiments of the present disclosure. FIG. 13 is a schematic layout diagram of FIG. 12 .
도 10 및 도 11을 참고하면, 제2 반도체 패키지 테스트 장비(400)는 제1 테스터(310)와, 제1 컨택터 모듈(315)과, 제3 검사 스테이지(440)와, 제1 배출 트레이(460)를 포함할 수 있다.10 and 11 , the second semiconductor
제3 검사 스테이지(440)는 제1 테스트가 수행될 반도체 패키지(110)가 위치하는 곳일 수 있다. The
제1 배출 트레이(460)는 제1 테스트가 수행된 제1 반도체 패키지 그룹(100)을 분류하여 담는 영역일 수 있다. The
도 12 및 도 13을 참고하면, 제3 반도체 패키지 테스트 장비(500)는 제2 테스터(320)와, 제4 검사 스테이지(540)와, 제5 검사 스테이지(545)와, 제1 로딩 트레이(550)와, 제2 로딩 트레이(555)와, 제2 배출 트레이(560)와, 제3 배출 트레이(565)를 포함할 수 있다.12 and 13 , the third semiconductor
제3 반도체 패키지 테스트 장비(500)는 제1 로딩 영역(501)과, 제2 로딩 영역(502)과, 테스트 영역을 포함할 수 있다. 제1 로딩 영역(501)은 제4 검사 스테이지(540)와, 제1 로딩 트레이(550)와, 제2 배출 트레이(560)를 포함할 수 있다. 제2 로딩 영역(502)은 제5 검사 스테이지(545)와, 제1 로딩 트레이(550)와, 제2 배출 트레이(560)를 포함할 수 있다. 테스트 영역은 제2 테스터(320)를 포함할 수 있다.The third semiconductor
제1 로딩 트레이(550)와, 제2 로딩 트레이(555)는 각각 제2 반도체 패키지 테스트 장비(400)에서 빠져 나온 제1 배출 트레이(460)이거나, 또는 제1 배출 트레이(460)에 담긴 반도체 패키지를 수용하는 영역일 수 있다.The
도 10 및 도 11에서, 제2 지지 테이블(450) 상에 놓인 제1 반도체 패키지 그룹(100) 중 하나의 반도체 패키지(110)가 캐리어(50)로부터 분리될 수 있다. 분리된 반도체 패키지(110)는 제3 이송 수단(430)에 의해 제3 검사 스테이지(440) 상으로 이동될 수 있다. 10 and 11 , one
제3 검사 스테이지(440) 상에 놓인 반도체 패키지(110)에 대한 제1 테스트가 수행될 수 있다. 제1 테스트 결과에 따라, 제3 검사 스테이지(440) 상에 놓인 반도체 패키지(110)는 제1 배출 트레이(460)로 이동하여 분류될 수 있다.A first test may be performed on the
제1 반도체 패키지 그룹(100)에 포함된 복수의 반도체 패키지(110) 중 제1 테스트에서 양품 판정을 받은 반도체 패키지는 제1 배출 트레이(460) 중 일부에 담길 수 있다. Among the plurality of
즉, 제2 반도체 패키지 테스트 장비(400)에 투입된 복수의 반도체 패키지(110) 중 적어도 일부는 양품으로 판정될 수 있고, 양품 판정된 반도체 패키지(110)는 제1 배출 트레이(460)를 통해 제2 반도체 패키지 테스트 장비(400)에서 배출(tray-out)될 수 있다. That is, at least some of the plurality of
설명의 편의상, 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)는 제1 테스트에서 양품 판정을 받은 것으로 설명한다.For convenience of description, the first semiconductor package 110_1 and the second semiconductor package 110_2 will be described as being judged to be good products in the first test.
도 12 및 도 13을 참고하면, 양품 판정되어 제1 배출 트레이(460)를 통해 제2 반도체 패키지 테스트 장비(400)에서 배출된 반도체 패키지(110)는 제1 로딩 트레이(550)에 담겨있을 수 있다.Referring to FIGS. 12 and 13 , the
제1 로딩 트레이(550)에는 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)가 담겨있을 수 있다.The
제4 이동 수단(530)을 이용하여, 제1 로딩 트레이(550)에 담겨있는 복수의 반도체 패키지(110)가 제4 검사 스테이지(540) 상에 재배열될 수 있다. 이를 통해, 제4 검사 스테이지(540) 상에 제2 반도체 패키지 그룹(101)이 제공될 수 있다.The plurality of
제5 이동 수단(570)에 의해, 제2 검사 스테이지(350) 상에 제공된 제2 반도체 패키지 그룹(101)은 테스트 영역 내의 제2 컨택터 모듈(325) 아래로 이동할 수 있다. 이어서, 제2 반도체 패키지 그룹(101)에 포함된 반도체 패키지(110)에 대해 제2 테스트가 진행될 수 있다. The second
제2 반도체 패키지 그룹(101)에 대한 제2 테스트가 수행되는 동안, 제2 로딩 영역(502) 내에서, 제5 검사 스테이지(545) 상에 제3 반도체 패키지 그룹(102)이 제공될 수 있다. While the second test of the second
좀 더 구체적으로, 양품 판정되어 제1 배출 트레이(460)를 통해 제2 반도체 패키지 테스트 장비(400)에서 배출된 반도체 패키지(110)는 제2 로딩 트레이(555)에 담겨있을 수 있다.More specifically, the
제4 이동 수단(530)을 이용하여, 제2 로딩 트레이(555)에 담겨있는 복수의 반도체 패키지(110)가 제5 검사 스테이지(545) 상에 재배열될 수 있다. 이를 통해, 제5 검사 스테이지(545) 상에 제3 반도체 패키지 그룹(102)이 제공될 수 있다.The plurality of
제2 테스트가 수행된 제2 반도체 패키지 그룹(101)을 제2 배출 트레이(560)에 분류하여 담을 수 있다. The second
마찬가지로, 제2 테스트가 수행된 제3 반도체 패키지 그룹(102)을 제3 배출 트레이(565)에 분류하여 담을 수 있다.Similarly, the third
도 10 내지 도 13을 이용하여 설명하는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법에서, 제1 테스트는 제2 반도체 패키지 테스트 장비(400) 내에서 수행되고, 제2 테스트는 제2 반도체 패키지 테스트 장비(400)에서 배출된 반도체 패키지(110)을 이용하여 제3 반도체 패키지 테스트 장비(500) 내에서 수행될 수 있다. In the semiconductor package test method according to some embodiments of the present invention described with reference to FIGS. 10 to 13 , the first test is performed in the second semiconductor
도 14는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법 중 제2 테스트에 사용되는 반도체 패키지 테스트 장비의 개략적인 레이아웃도이다. 설명의 편의상, 도 10 내지 도 13을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다. 14 is a schematic layout diagram of semiconductor package test equipment used for a second test among semiconductor package test methods according to some embodiments of the present invention. For convenience of description, the description will focus on differences from those described with reference to FIGS. 10 to 13 .
도 14를 참고하면, 제3 반도체 패키지 테스트 장비(500)는 제2 테스터(320)와, 제4 검사 스테이지(540)와, 제1 로딩 트레이(550)와, 제2 배출 트레이(560)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 14 , the third semiconductor
즉, 제3 반도체 패키지 테스트 장비(500)는 하나의 로딩 영역(501)과, 제2 테스터(320)를 포함하는 테스트 영역을 포함할 수 있다.That is, the third semiconductor
도 15는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법 중 제2 테스트에 사용되는 반도체 패키지 테스트 장비의 개략적인 레이아웃도이다. 설명의 편의상, 도 12 내지 도 13을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.15 is a schematic layout diagram of semiconductor package test equipment used for a second test among semiconductor package test methods according to some embodiments of the present invention. For convenience of description, the description will focus on differences from those described with reference to FIGS. 12 and 13 .
도 15를 참고하면, 제1 반도체 패키지 그룹(100)이 부착된 캐리어(50)가 제3 지지 테이블(580) 상에 로딩될 수 있다. Referring to FIG. 15 , the
제3 지지 테이블(580) 상에 놓인 각각의 복수의 반도체 패키지(110)을 캐리어(50)에서 분리시켜, 제4 검사 스테이지(540) 상에 순차적으로 이동시킬 수 있다. Each of the plurality of
제4 검사 스테이지(540) 상으로 이동된 반도체 패키지(110)는 제4 검사 스테이지(540) 상에 재배열될 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체 패키지(110_1) 및 제2 반도체 패키지(110_2)는 제4 검사 스테이지(540) 상에 재배열될 수 있다.The
이를 통해, 제4 검사 스테이지(540) 상에 제2 반도체 패키지 그룹(102)이 제공될 수 있다. Through this, the second
제4 검사 스테이지(540) 상에 제공된 제2 반도체 패키지 그룹(102)에 대해 제2 테스트가 진행될 수 있다.A second test may be performed on the second
도 15를 이용하여 설명하는 반도체 패키지 테스트 방법은 제1 테스트를 수행하지 않고, 제2 테스트만을 수행하는 경우일 수 있다.The semiconductor package test method described with reference to FIG. 15 may be a case in which only the second test is performed without performing the first test.
제1 반도체 패키지 그룹(100)이 캐리어(50)에 분리된 후, 제2 테스트가 진행되므로, 반도체 패키지(110)를 분리하는 과정에서 발생될 수 있는 결함이 제2 테스트를 통해 검출될 수 있다.Since the second test is performed after the first
도 16은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 패키지 테스트 방법 중 제2 테스트에 사용될 수 있는 소켓을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.16 is a schematic diagram for describing a socket that may be used for a second test among semiconductor package test methods according to some embodiments of the present disclosure.
도 16을 참고하면, 복수의 반도체 패키지(110)는 소켓(60)의 패키지 안착부(60s)가 각각 수용될 수 있다. Referring to FIG. 16 , each of the plurality of
복수의 반도체 패키지(110)를 포함하는 소켓을 이용하여, 제2 테스트를 수행할 수 있다. A second test may be performed using a socket including a plurality of semiconductor packages 110 .
도 16을 이용하여 설명하는 반도체 패키지에서, 외측 외부 단자 그룹(도 3a 및 도 3b의 114_1, 114_2)는 소켓을 이용하여 제2 테스트를 진행할 수 있을 만큼 충분히 큰 제2 피치(P2)로 배열되어 있을 수 있다. In the semiconductor package described with reference to FIG. 16, the outer external terminal groups (114_1 and 114_2 in FIGS. 3A and 3B) are arranged at a second pitch P2 large enough to allow the second test to be performed using a socket. There may be.
또한, 소켓을 이용하여 수행하는 제2 테스트는 도 1 내지 도 15를 이용하여 설명한 반도체 패키지 테스트 장비와 다른 구성을 포함할 수도 있다.Also, the second test performed using the socket may include a configuration different from the semiconductor package test equipment described with reference to FIGS. 1 to 15 .
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art can realize that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. you will be able to understand Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting.
100, 101, 102: 반도체 패키지 그룹 110: 반도체 패키지
113_1, 113_2: 마이크로 범프 그룹 114_1, 114_2: 패드 그룹
310, 320: 테스터 315, 325: 컨택터 모듈
315p, 325p: 컨택터 300, 400, 500: 테스트 장비100, 101, 102: semiconductor package group 110: semiconductor package
113_1, 113_2: micro bump group 114_1, 114_2: pad group
310, 320:
315p, 325p:
Claims (20)
상기 제1 외부 단자 그룹과 제1 컨택터를 접촉하여, 상기 제1 반도체 패키지에 대한 제1 테스트를 수행하고,
상기 제2 외부 단자 그룹과 제2 컨택터를 접촉하여, 상기 제1 반도체 패키지에 대한 제2 테스트를 수행하는 것을 포함하고,
상기 제1 테스트는, 상기 제1 피치로 배열된 상기 제1 외부 단자 그룹에 대응되는 탐침을 포함하는 상기 제1 컨택터를 이용하여 수행되고,
상기 제2 테스트는, 상기 제2 피치로 배열된 상기 제2 외부 단자 그룹에 대응되는 탐침을 포함하는 상기 제2 컨택터를 이용하여 상기 제1 테스트보다 긴 시간동안 수행되고,
상기 제1 반도체 패키지에 대해 상기 제2 테스트가 수행되는 동안, 상기 제1 테스트가 수행된 다른 반도체 패키지가 제공되는 반도체 패키지 검사 방법.A first semiconductor package including a first semiconductor chip is provided, wherein the first semiconductor chip includes first external terminal groups arranged at a first pitch and second external terminals arranged at a second pitch greater than the first pitch. The group is placed on one side,
A first test is performed on the first semiconductor package by contacting the first external terminal group and a first contactor;
and performing a second test on the first semiconductor package by contacting the second external terminal group and a second contactor,
The first test is performed using the first contactor including probes corresponding to the first external terminal group arranged at the first pitch,
The second test is performed for a longer time than the first test using the second contactor including probes corresponding to the second external terminal group arranged at the second pitch,
Another semiconductor package in which the first test is performed is provided while the second test is performed on the first semiconductor package.
상기 제1 피치로 배열된 제3 외부 단자 그룹과, 상기 제2 피치로 배열된 제4 외부 단자 그룹이 일면에 배치되는 제2 반도체 칩을 포함하는 제2 반도체 패키지를 제공하고,
상기 제3 외부 단자 그룹과 제1 컨택터를 접촉하여, 상기 제2 반도체 패키지에 대한 상기 제1 테스트를 수행하고,
상기 제4 외부 단자 그룹과 제2 컨택터를 접촉하여, 상기 제2 반도체 패키지에 대한 상기 제2 테스트를 수행하는 것을 더 포함하고,
상기 제2 반도체 패키지에 대한 상기 제2 테스트는 상기 제1 반도체 패키지에 대한 상기 제2 테스트와 동시에 수행되는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 1,
A second semiconductor package including a second semiconductor chip having a third external terminal group arranged with the first pitch and a fourth external terminal group arranged with the second pitch disposed on one surface,
performing the first test on the second semiconductor package by contacting the third external terminal group and a first contactor;
further comprising performing the second test on the second semiconductor package by contacting the fourth external terminal group and a second contactor;
The second test of the second semiconductor package is performed simultaneously with the second test of the first semiconductor package.
상기 제2 반도체 패키지에 대한 상기 제1 테스트와 상기 제1 반도체 패키지에 대한 상기 제1 테스트는 동시에 수행되지 않는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 2,
The first test of the second semiconductor package and the first test of the first semiconductor package are not performed simultaneously.
상기 제1 반도체 칩 및 상기 제2 반도체 칩은 서로 분리되어 있는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 2,
The semiconductor package inspection method of claim 1 , wherein the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are separated from each other.
상기 제2 테스트를 수행하기 전에, 상기 제1 반도체 패키지 및 상기 제2 반도체 패키지를 검사 스테이지 상에 재배열하는 것을 포함하는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 2,
and rearranging the first semiconductor package and the second semiconductor package on an inspection stage before performing the second test.
상기 제1 테스트 및 상기 제2 테스트는 하나의 반도체 패키지 검사 장비를 이용하여 수행되고,
상기 반도체 패키지 검사 장비는 상기 제1 컨택터가 배치된 제1 테스트 영역 및 상기 제2 컨택터가 배치된 제2 테스트 영역을 포함하는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 1,
The first test and the second test are performed using one semiconductor package inspection equipment,
The semiconductor package inspection apparatus includes a first test area where the first contactor is disposed and a second test area where the second contactor is disposed.
상기 제1 테스트는 제1 반도체 패키지 검사 장비 내에서 수행되고,
상기 제2 테스트는 제2 반도체 패키지 검사 장비 내에서, 상기 제1 반도체 패키지 검사 장비에서 배출된 상기 제1 반도체 패키지를 이용하여 수행되는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 1,
The first test is performed in a first semiconductor package inspection equipment,
The second test is performed in a second semiconductor package inspection equipment using the first semiconductor package discharged from the first semiconductor package inspection equipment.
상기 제1 외부 단자 그룹은 마이크로 범프 어레이를 포함하고,
상기 제1 테스트는 상기 제1 컨택터와 상기 마이크로 범프 어레이 사이의 접촉을 통해 수행되는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 1,
The first external terminal group includes a micro bump array,
The first test is performed through contact between the first contactor and the micro bump array.
상기 제2 외부 단자 그룹은 패드 어레이를 포함하고,
상기 제1 반도체 패키지에 대한 상기 제2 테스트는 상기 제2 컨택터와 상기 패드 어레이 사이의 접촉을 통해 수행되는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 1,
The second external terminal group includes a pad array,
The second test of the first semiconductor package is performed through contact between the second contactor and the pad array.
상기 제1 테스트는 상기 제1 반도체 패키지를 수용하는 소켓(socket)없이 수행되는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 1,
The first test is performed without a socket accommodating the first semiconductor package.
제1 컨택터와 각각의 상기 반도체 패키지에 포함된 마이크로 범프 그룹을 접촉하여, 각각의 반도체 패키지에 대한 제1 테스트를 수행하고,
상기 제1 테스트를 수행한 후, 상기 복수의 반도체 패키지 중 적어도 일부를 제1 검사 스테이지 상에 재배열하여, 제1 반도체 패키지 그룹을 제공하고,
상기 제1 반도체 패키지 그룹에 포함된 각각의 상기 반도체 패키지의 상기 패드 그룹과, 제2 컨택터를 접촉하여, 상기 제1 반도체 패키지 그룹에 포함된 각각의 반도체 패키지에 대한 제2 테스트를 동시에 수행하는 것을 포함하고,
상기 제1 테스트는, 제1 피치로 배열된 상기 마이크로 범프 그룹에 대응되는 탐침을 포함하는 상기 제1 컨택터를 이용하여 수행되고,
상기 제2 테스트는, 상기 제1 피치보다 큰 제2 피치로 배열된 상기 패드 그룹에 대응되는 탐침을 포함하는 상기 제2 컨택터를 이용하여 상기 제1 테스트보다 긴 시간동안 수행되고,
상기 제1 반도체 패키지 그룹에 대해 상기 제2 테스트가 수행되는 동안, 상기 제1 테스트가 수행된 다른 반도체 패키지 그룹이 제공되는 반도체 패키지 검사 방법.Provide a plurality of semiconductor packages separated from each other and attached to a carrier, each semiconductor package including a micro bump group and a first semiconductor chip having a pad group disposed on one surface,
A first test is performed on each semiconductor package by contacting a first contactor with a micro bump group included in each semiconductor package;
After performing the first test, at least some of the plurality of semiconductor packages are rearranged on a first inspection stage to provide a first semiconductor package group;
Simultaneously performing a second test on each semiconductor package included in the first semiconductor package group by contacting the pad group and the second contactor of each semiconductor package included in the first semiconductor package group including,
The first test is performed using the first contactor including probes corresponding to the micro bump groups arranged in a first pitch,
The second test is performed for a longer time than the first test using the second contactor including probes corresponding to the pad groups arranged at a second pitch greater than the first pitch,
The semiconductor package inspection method of claim 1 , wherein another semiconductor package group in which the first test is performed is provided while the second test is performed on the first semiconductor package group.
상기 제1 테스트 및 상기 제2 테스트는 하나의 반도체 패키지 검사 장치를 이용하여 수행되고,
상기 반도체 패키지 검사 장치는 상기 제1 컨택터가 배치된 제1 테스트 영역 및 상기 제2 컨택터가 배치된 제2 테스트 영역을 포함하는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 11,
The first test and the second test are performed using one semiconductor package inspection device,
The semiconductor package inspection apparatus includes a first test area where the first contactor is disposed and a second test area where the second contactor is disposed.
상기 제1 테스트는 각각의 상기 반도체 패키지가 상기 캐리어에 부착된 상태로 수행되는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 11,
The first test is performed in a state in which each of the semiconductor packages is attached to the carrier.
상기 제1 테스트는 제1 반도체 패키지 검사 장비를 이용하여 수행되고, 상기 제2 테스트는 상기 제1 검사 스테이지를 포함하는 제2 반도체 패키지 검사 장비를 이용하여 수행되는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 11,
The first test is performed using a first semiconductor package test equipment, and the second test is performed using a second semiconductor package test equipment including the first test stage.
상기 제1 반도체 패키지 그룹을 제공하는 것은
상기 제1 반도체 패키지 검사 장비에서 상기 복수의 반도체 패키지 중 적어도 일부를 트레이(tray)를 통해 배출하고,
상기 트레이를 통해 배출된 상기 반도체 패키지를 상기 제1 검사 스테이지 상에 재배열하는 것을 포함하는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 15,
Providing the first semiconductor package group
Discharging at least some of the plurality of semiconductor packages from the first semiconductor package inspection equipment through a tray;
and rearranging the semiconductor packages discharged through the tray on the first inspection stage.
상기 제2 반도체 패키지 검사 장비는 테스트 영역과, 로딩 영역을 포함하고,
상기 트레이를 통해 배출된 상기 반도체 패키지가 상기 로딩 영역에서 상기 제1 검사 스테이지 상에 재배열되고,
상기 테스트 영역에서, 상기 제2 테스트가 수행되는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 16,
The second semiconductor package inspection equipment includes a test area and a loading area,
The semiconductor packages discharged through the tray are rearranged on the first inspection stage in the loading area;
In the test region, the second test is performed.
상기 제1 테스트 및 상기 제2 테스트는 각각의 상기 반도체 패키지를 수용하는 소켓 없이 수행되는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 11,
The first test and the second test are performed without a socket accommodating each of the semiconductor packages.
상기 제1 테스트는 상기 반도체 패키지를 수용하는 소켓 없이 수행되고, 상기 제2 테스트는 상기 반도체 패키지를 수용하는 소켓을 이용하여 수행되는 반도체 패키지 검사 방법.According to claim 11,
Wherein the first test is performed without a socket accommodating the semiconductor package, and the second test is performed using a socket accommodating the semiconductor package.
제2 반도체 칩을 포함하는 제2 반도체 패키지를 제공하되, 상기 제2 반도체 칩은 상기 제1 피치로 배열된 제2 마이크로 범프 그룹과, 상기 제2 피치로 배열된 제2 패드 그룹이 일면에 배치되고,
상기 제1 반도체 패키지 및 상기 제2 반도체 패키지를 검사 스테이지 상에 재배열하고,
상기 제1 패드 그룹과 상기 제2 패드 그룹을 제1 컨택터에 접촉시켜, 상기 제1 반도체 패키지와 상기 제2 반도체 패키지에 대한 제1 테스트를 동시에 수행하는 것을 포함하고,
상기 제1 테스트는, 상기 제2 패드 그룹에 대응되는 탐침을 포함하는 상기 제1 컨택터를 이용하여 수행되고,
제2 테스트는, 상기 제1 마이크로 범프 그룹에 대응되는 탐침을 포함하는 제2 컨택터를 이용하여 상기 제1 테스트보다 짧은 시간동안 수행되고,
상기 제1 반도체 패키지에 대해 상기 제1 테스트가 수행되는 동안, 상기 제2 테스트가 수행된 제3 반도체 패키지가 제공되는 반도체 패키지 테스트 방법.A first semiconductor package including a first semiconductor chip is provided, wherein the first semiconductor chip includes a first micro bump group arranged at a first pitch and a first pad group arranged at a second pitch greater than the first pitch. Arranged on this one side,
A second semiconductor package including a second semiconductor chip is provided, wherein a second micro bump group arranged in the first pitch and a second pad group arranged in the second pitch are disposed on one surface of the second semiconductor chip. become,
rearranging the first semiconductor package and the second semiconductor package on an inspection stage;
simultaneously performing a first test on the first semiconductor package and the second semiconductor package by bringing the first pad group and the second pad group into contact with a first contactor;
The first test is performed using the first contactor including a probe corresponding to the second pad group,
The second test is performed for a shorter time than the first test using a second contactor including a probe corresponding to the first micro bump group,
A semiconductor package test method comprising: providing a third semiconductor package in which the second test is performed while the first test is performed on the first semiconductor package.
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