KR102467592B1 - Band-pass filter and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명에서는 RF 신호용 대역 통과 필터가 개시되며, RF 신호를 통과시키는 RF신호용 대역통과필터는, 제1 하이 임피던스 전송선로; 상기 제1 하이 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제1 로우 임피던스 전송선로; 상기 제1 로우 임피던스 전송선로에 연결된 제1 차단 유전체 디스크; 상기 제1 차단 유전체 디스크에 연결된 상기 제2 로우 임피던스 전송선로; 상기 제2 로우 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제2 하이 임피던스 전송선로; 상기 제2 하이 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제3 로우 임피던스 전송선로; 상기 제3 로우 임피던스 전송선로에 연결된 제2 차단 유전체 디스크; 상기 제2 차단 유전체 디스크에 연결된 상기 제4 로우 임피던스 전송선로; 상기 제4 로우 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제3 하이 임피던스 전송선로를 포함하며, 상기 제2 하이 임피던스 전송선로 주위에는 상기 제2 하이 임피던스 전송선로를 감싸는 구조로 제1 유전체가 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명의 실시예에서, 중심도체 사이에 유전체를 삽입하여 충격에 강하고, 제품의 크기를 줄일 수 있는 조립성이 우수하며, 품질 특성이 우수한 RF 신호용 대역 통과 필터 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다.In the present invention, a band pass filter for an RF signal is disclosed, and the band pass filter for an RF signal passing an RF signal includes: a first high impedance transmission line; a first low impedance transmission line connected in series with the first high impedance transmission line; a first blocking dielectric disk connected to the first low impedance transmission line; the second low impedance transmission line connected to the first blocking dielectric disk; a second high impedance transmission line connected in series with the second low impedance transmission line; a third low impedance transmission line connected in series with the second high impedance transmission line; a second blocking dielectric disk connected to the third low impedance transmission line; the fourth low impedance transmission line connected to the second blocking dielectric disk; A third high impedance transmission line connected in series with the fourth low impedance transmission line, wherein a first dielectric is formed around the second high impedance transmission line to surround the second high impedance transmission line. . In an embodiment of the present invention, it is possible to provide a band pass filter for RF signals that is resistant to impact by inserting a dielectric between the central conductors, has excellent assembly ability that can reduce the size of the product, and has excellent quality characteristics, and a manufacturing method thereof. .
Description
본 발명은 대역 통과 필터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 중심도체아 외부도체 사이에 유전체를 삽입하여 충격에 강하고, 제품의 크기를 줄일 수 있는 조립성이 우수하며, 품질 특성이 우수한 대역 통과 필터 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a band-pass filter, and more particularly, to a band-pass filter that is resistant to impact by inserting a dielectric material between a central conductor and an external conductor, has excellent assembly ability to reduce the size of a product, and has excellent quality characteristics, and It's about how to make it.
이하에 기술되는 내용은 단순히 본 발명과 관련되는 배경 정보만을 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것이 아니다.The information described below merely provides background information related to the present invention and does not constitute prior art.
일반적으로 무선통신시스템, 이동통신시스템 및 레이더시스템의 기지국 및 중계기 시스템에서는 타 시스템과의 간섭을 줄이기 위해 안테나와 송수신기 사이에 고주파 필터류(Microwave Filter, 여파기)를 설치하여, 자체 송신기의 대역외 출력 신호의 크기를 일정 수준 이하로 줄이거나, 안테나로부터 수신된 신호에 포함된 대역외 신호를 줄여 수신단 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier)의 오동작을 줄이고 있다.In general, base stations and repeater systems of wireless communication systems, mobile communication systems, and radar systems install high-frequency filters (Microwave Filters) between antennas and transceivers to reduce interference with other systems, and transmit out-of-band output signals of their own transmitters. Malfunction of the low noise amplifier of the receiving end is reduced by reducing the size of to below a certain level or by reducing the out-of-band signal included in the signal received from the antenna.
특히, 인접 서비스간 간섭의 제거를 위해 고성능의 필터류가 설치되는 경우가 있는데, 고성능 필터가 제거하기 어려운 2체배 대역과 그 이상의 높은 주파수 대역에서의 간섭을 줄이고자 저역통과필터(LPF)가 사용되고 있다.In particular, there are cases in which high-performance filters are installed to remove interference between adjacent services. A low-pass filter (LPF) is used to reduce interference in a frequency band higher than the double band that is difficult to remove with a high-performance filter. .
도 1은 종래기술에서 사용하는 일반적인 스텝 임피던스 구조를 갖는 일반적인 저역통과필터의 등가회로를 나타낸 도면이고, 도 2는 동축형의 RF 신호용 저역통과필터의 단면을 도시한 것이다.1 is a diagram showing an equivalent circuit of a general low-pass filter having a common step impedance structure used in the prior art, and FIG. 2 shows a cross-section of a coaxial type low-pass filter for an RF signal.
도 1을 참조하면, 현재까지 적용되는 종래기술에 따른 RF 신호용 저역통과필터(LPF)는 스텝 임피던스의 구조로서, 등가적으로 보면 저주파 신호를 통과시키는 제1인덕터(110a)(Inductor, L1)와 제2인덕터(110b)(L2)가 직렬로 구성되고, 고주파 신호를 차단시키는 제1 캐패시터(120)(Capacitor, C1)가 병렬로 연결된다. 이러한 제1, 제2 인덕터(L1, L2)와 제1 캐패시터(C1)는 등가적으로 번갈아 가면서 구성된다.Referring to FIG. 1, a low-pass filter (LPF) for RF signals according to the prior art applied to date has a step impedance structure, and equivalently, a
도 2를 참조하면, 직렬로 연결된 제1, 제2인덕터(L1, L2)는 하이 임피던스(High impedance)를 갖는 동축선으로 구현되고, 병렬로 연결된 제1 캐패시터(C1)는 로우 임피던스(Low impedance)를 갖는 동축선으로 구현된다.Referring to FIG. 2, the first and second inductors L1 and L2 connected in series are implemented as coaxial lines having high impedance, and the first capacitor C1 connected in parallel is low impedance ) is implemented as a coaxial line with
이러한 RF 신호용 저역통과필터에서는 간섭 제거량을 늘리기 위해서 기본적으로 사용된 인덕터(L1, L2)와 캐패시터(C1)를 순차적으로 교환 배열하여 특성을 보완하고 있다.In this low-pass filter for RF signals, in order to increase the amount of interference removal, basically used inductors (L1, L2) and capacitor (C1) are sequentially exchanged and arranged to complement the characteristics.
한편, 최근 들어 무선통신시스템, 이동통신시스템 및 레이더시스템 등은 다중 대역, 광대역, 멀티 송수신 안테나 등 무선 프론트 앤드(Wireless FrontEnd)의 복잡성을 통하여 신호의 전송량과 속도를 늘리려고 하는 상황에 있어서는 관련 부품의 복합화와 경량, 소형화는 필수적인 요구사항이다.On the other hand, in recent years, wireless communication systems, mobile communication systems, and radar systems are trying to increase the transmission amount and speed of signals through the complexity of wireless front ends such as multi-band, broadband, and multi-transmitting antennas. Complexity, light weight and miniaturization are essential requirements.
특히 종래 별도 분리되어 사용중인 RF 신호용 저역통과필터(LPF)는 증폭기와 안테나를 연결하던 어댑터(RF Adapter)의 단순 연결 기능과 RF 신호용 저역통과필터 특성을 결합한 형태로 구현하려는 요구가 있다. In particular, there is a need to implement a low-pass filter (LPF) for RF signals, which is used separately, in a form in which a simple connection function of an adapter (RF Adapter) that connects an amplifier and an antenna and characteristics of a low-pass filter for RF signals are combined.
이는 어댑터라는 단순한 전송선로의 변형이 아니라 여파특성을 가짐으로서 두개의 부품이 하나가 되어, 공간적 이득과 무게에 대한 기구적 이득을 얻고, 추가로 기능을 복합화하여 전송 손실을 줄이고 또한 부품수를 줄여 불량률을 낮추는 효과적인 시스템 설계가 이루어지기 때문이다.This is not a simple transformation of a transmission line called an adapter, but has aftermath characteristics, so that the two parts become one to obtain a mechanical gain for space gain and weight, and additionally combine functions to reduce transmission loss and reduce the number of parts. This is because an effective system design that lowers the defect rate is achieved.
그러나, 도 1 및 도 2에서와 같은 종래 RF 신호용 저역통과필터의 구조에서는 소형, 경량화가 어려워 동축선의 길이를 줄이는데 한계가 있었다.However, in the structure of the conventional low-pass filter for RF signals as shown in FIGS. 1 and 2, it is difficult to reduce the size and weight of the coaxial line.
한편, 대역 통과 필터에 있어서도 마찬가지로 대역통과필터의 구조에서는 소형, 경량화가 어려워 동축선의 길이를 줄이는데 한계가 있었다.On the other hand, in the case of the band-pass filter, the structure of the band-pass filter has limitations in reducing the length of the coaxial line due to difficulty in miniaturization and weight reduction.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 외부도체와 중심도체 사이에 유전체를 삽입하여 충격에 강하고, 제품의 크기를 줄일 수 있는 조립성이 우수하며, 품질 특성이 우수한 RF 신호용 대역 통과 필터 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above-mentioned problems, by inserting a dielectric material between the outer conductor and the central conductor, the impact is strong, the size of the product can be reduced, the assemblability is excellent, and the RF signal band pass filter with excellent quality characteristics, and It is to provide a manufacturing method thereof.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problem to be solved by the present invention is not limited to those mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
이러한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 특징에 따른 대역 통과 필터는,A band pass filter according to the features of the present invention for solving these technical problems is,
대역통과필터에 있어서,In the band pass filter,
제1 하이 임피던스 전송선로;a first high impedance transmission line;
상기 제1 하이 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제1 로우 임피던스 전송선로;a first low impedance transmission line connected in series with the first high impedance transmission line;
상기 제1 로우 임피던스 전송선로에 연결된 제1 차단 유전체 디스크;a first blocking dielectric disk connected to the first low impedance transmission line;
상기 제1 차단 유전체 디스크에 연결된 상기 제2 로우 임피던스 전송선로;the second low impedance transmission line connected to the first blocking dielectric disk;
상기 제2 로우 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제2 하이 임피던스 전송선로;a second high impedance transmission line connected in series with the second low impedance transmission line;
상기 제2 하이 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제3 로우 임피던스 전송선로;a third low impedance transmission line connected in series with the second high impedance transmission line;
상기 제3 로우 임피던스 전송선로에 연결된 제2 차단 유전체 디스크;a second blocking dielectric disk connected to the third low impedance transmission line;
상기 제2 차단 유전체 디스크에 연결된 상기 제4 로우 임피던스 전송선로;the fourth low impedance transmission line connected to the second blocking dielectric disk;
상기 제4 로우 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제3 하이 임피던스 전송선로를 포함하며,A third high impedance transmission line connected in series with the fourth low impedance transmission line,
상기 제2 하이 임피던스 전송선로 주위에는 상기 제2 하이 임피던스 전송선로를 감싸는 구조로 제1 유전체가 형성된 것을 특징으로 한다.A first dielectric may be formed around the second high impedance transmission line in a structure surrounding the second high impedance transmission line.
상기 제1 유전체는 중심에 원통형의 홀이 있는 도넛형으로 형성되고, 중심으로부터 외부방향으로 일측이 절개되어 상기 홀에 상기 제2 하이 임피던스 전송선로에 삽입되는 것을 특징으로 한다.The first dielectric is formed in a donut shape with a cylindrical hole in the center, and one side is cut outward from the center and inserted into the second high impedance transmission line through the hole.
상기 제1 하이 임피던스 전송선로, 제1 로우 임피던스 전송선로, 제1 차단 유전체 디스크, 제2 로우 임피던스 전송선로, 제2 하이 임피던스 전송선로, 제3 로우 임피던스 전송선로, 제2 차단 유전체 디스크, 제4 로우 임피던스 전송선로 및 제3 하이 임피던스 전송선로가 중심도체를 이루고, The first high impedance transmission line, the first low impedance transmission line, the first blocking dielectric disk, the second low impedance transmission line, the second high impedance transmission line, the third low impedance transmission line, the second blocking dielectric disk, the fourth The low impedance transmission line and the third high impedance transmission line form a central conductor,
원통형의 외부 도체에 상기 제1 유전체가 결합된 상기 중심도체를 끼우는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that the central conductor coupled to the first dielectric is inserted into a cylindrical outer conductor.
이러한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 특징에 따른 대역 통과 필터는,A band pass filter according to another feature of the present invention for solving this technical problem is,
대역통과필터에 있어서,In the band pass filter,
제1 하이 임피던스 전송선로;a first high impedance transmission line;
상기 제1 하이 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제1 로우 임피던스 전송선로;a first low impedance transmission line connected in series with the first high impedance transmission line;
상기 제1 로우 임피던스 전송선로에 연결된 제1 차단 유전체 디스크;a first blocking dielectric disk connected to the first low impedance transmission line;
상기 제1 차단 유전체 디스크에 연결된 상기 제2 로우 임피던스 전송선로;the second low impedance transmission line connected to the first blocking dielectric disk;
상기 제2 로우 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제2 하이 임피던스 전송선로;a second high impedance transmission line connected in series with the second low impedance transmission line;
상기 제2 하이 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제3 로우 임피던스 전송선로;a third low impedance transmission line connected in series with the second high impedance transmission line;
상기 제3 로우 임피던스 전송선로에 연결된 제2 차단 유전체 디스크;a second blocking dielectric disk connected to the third low impedance transmission line;
상기 제2 차단 유전체 디스크에 연결된 상기 제4 로우 임피던스 전송선로;the fourth low impedance transmission line connected to the second blocking dielectric disk;
상기 제4 로우 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제3 하이 임피던스 전송선로;a third high impedance transmission line connected in series with the fourth low impedance transmission line;
상기 제3 하이 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제5 로우 임피던스 전송선로;a fifth low impedance transmission line connected in series with the third high impedance transmission line;
상기 제5 로우 임피던스 전송선로에 연결된 제3 차단 유전체 디스크;a third blocking dielectric disk connected to the fifth low impedance transmission line;
상기 제3 차단 유전체 디스크에 연결된 상기 제6 로우 임피던스 전송선로;the sixth low impedance transmission line connected to the third blocking dielectric disk;
상기 제6 로우 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제4 하이 임피던스 전송선로를 포함하며,A fourth high impedance transmission line connected in series with the sixth low impedance transmission line;
상기 제2 하이 임피던스 전송선로 및 제3 하이 임피던스 전송선로 주위에는 상기 제2 하이 임피던스 전송선로 및 제3 하이 임피던스 전송선로를 각각 감싸는 구조로 제1 유전체 및 제2 유전체가 형성된 것을 특징으로 한다.A first dielectric and a second dielectric may be formed around the second high impedance transmission line and the third high impedance transmission line in a structure surrounding the second high impedance transmission line and the third high impedance transmission line, respectively.
상기 제1 유전체 및 제2 유전체는 중심에 원통형의 홀이 있는 도넛형으로 형성되고, 중심으로부터 외부방향으로 일측이 절개되어 상기 홀에 상기 제2 하이 임피던스 전송선로 및 제3 하이 임피던스 전송선로가 삽입되는 것을 특징으로 한다.The first dielectric and the second dielectric are formed in a donut shape with a cylindrical hole in the center, and one side is cut outward from the center, and the second high impedance transmission line and the third high impedance transmission line are inserted into the hole. characterized by being
상기 제1 하이 임피던스 전송선로, 제1 로우 임피던스 전송선로, 제1 차단 유전체 디스크, 제2 로우 임피던스 전송선로, 제2 하이 임피던스 전송선로, 제3 로우 임피던스 전송선로, 제2 차단 유전체 디스크, 제4 로우 임피던스 전송선로 및 제3 하이 임피던스 전송선로, 제5 로우 임피던스 전송선로, 제3 차단 유전체 디스크, 제6 로우 임피던스 전송선로 및 제4 하이 임피던스 전송선로가 중심도체를 이루고, The first high impedance transmission line, the first low impedance transmission line, the first blocking dielectric disk, the second low impedance transmission line, the second high impedance transmission line, the third low impedance transmission line, the second blocking dielectric disk, the fourth The low impedance transmission line and the third high impedance transmission line, the fifth low impedance transmission line, the third blocking dielectric disk, the sixth low impedance transmission line and the fourth high impedance transmission line form a central conductor,
원통형의 외부 도체에 상기 제1 유전체 및 제2 유전체가 결합된 상기 중심도체를 끼우는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that the central conductor in which the first dielectric and the second dielectric are coupled is inserted into a cylindrical external conductor.
이러한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 특징에 따른 대역 통과 필터의 제조 방법은,A method for manufacturing a band pass filter according to another feature of the present invention for solving these technical problems is,
대역통과필터의 제조 방법에 있어서,In the manufacturing method of the band pass filter,
상기 제1 하이 임피던스 전송선로, 제1 로우 임피던스 전송선로, 제1 차단 유전체 디스크, 제2 로우 임피던스 전송선로, 제2 하이 임피던스 전송선로, 제3 로우 임피던스 전송선로, 제2 차단 유전체 디스크, 제4 로우 임피던스 전송선로 및 제3 하이 임피던스 전송선로가 중심도체를 준비하는 단계;The first high impedance transmission line, the first low impedance transmission line, the first blocking dielectric disk, the second low impedance transmission line, the second high impedance transmission line, the third low impedance transmission line, the second blocking dielectric disk, the fourth preparing a central conductor of the low impedance transmission line and the third high impedance transmission line;
상기 제2 하이 임피던스 전송선로에 중심에 홀이 있는 도넛형으로 형성된 제1 유전체의 절개된 부분을 끼워서 결합하는 단계;inserting and coupling the incised portion of the first dielectric formed in a toroidal shape with a hole in the center to the second high-impedance transmission line;
원통형의 외부 도체에 상기 제1 유전체가 결합된 중심도체를 끼우는 단계를 포함한다.and inserting a central conductor coupled with the first dielectric to a cylindrical outer conductor.
본 발명의 실시예에서, 외부도체와 중심도체 사이에 유전체를 삽입하여 충격에 강하고, 제품의 크기를 줄일 수 있는 조립성이 우수하며, 품질 특성이 우수한 RF 신호용 대역 통과 필터 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다.In an embodiment of the present invention, a band-pass filter for an RF signal that is resistant to impact by inserting a dielectric between an outer conductor and a central conductor, has excellent assembly ability that can reduce the size of a product, and has excellent quality characteristics, and a manufacturing method thereof can do.
도 1은 종래의 저역 통과 필터의 등가 회로도이다.
도 2는 종래의 저역 통과 필터의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 대역 통과 필터의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 대역 통과 필터에 적용되는 제1 유전체의 정면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 대역 통과 필터에 적용되는 제1 유전체의 사시도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 대역 통과 필터에 적용되는 중심도체를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 대역 통과 필터에서 중심도체에 제1 유전체와 제1 유전체가 끼워진 상태를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 대역 통과 필터의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 대역 통과 필터의 단면도이다.1 is an equivalent circuit diagram of a conventional low-pass filter.
2 is a cross-sectional view of a conventional low-pass filter.
3 is a cross-sectional view of a band pass filter according to an embodiment of the present invention.
4 is a front view of a first dielectric applied to a band pass filter according to an embodiment of the present invention.
5 is a perspective view of a first dielectric applied to a band pass filter according to an embodiment of the present invention.
6 is a diagram showing a central conductor applied to a band pass filter according to an embodiment of the present invention.
7 is a view showing a state in which a first dielectric and a first dielectric are inserted into a central conductor in a band pass filter according to an embodiment of the present invention.
8 is a diagram illustrating a method of manufacturing a band pass filter according to an embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view of a band pass filter according to another embodiment of the present invention.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the terms used in this specification are terms used to appropriately express preferred embodiments of the present invention, which may vary according to the intention of a user or operator or customs in the field to which the present invention belongs. Therefore, definitions of these terms will have to be made based on the content throughout this specification. Like reference numerals in each figure indicate like elements.
명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case where a member is in contact with another member, but also a case where another member exists between the two members.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a certain component is said to "include", it means that it may further include other components rather than excluding other components.
이하, 본 발명의 RF 신호용 대역 통과 필터에 대하여 실시예 및 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명이 이러한 실시예 및 도면에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, a band pass filter for an RF signal according to the present invention will be described in detail with reference to embodiments and drawings. However, the present invention is not limited to these examples and drawings.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 대역 통과 필터의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a band pass filter according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 대역 통과 필터에 적용되는 제1 유전체의 정면도이다. 4 is a front view of a first dielectric applied to a band pass filter according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 대역 통과 필터에 적용되는 제1 유전체의 사시도이다.5 is a perspective view of a first dielectric applied to a band pass filter according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 대역 통과 필터에 적용되는 중심도체를 나타낸 도면이다.6 is a diagram showing a central conductor applied to a band pass filter according to an embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 대역 통과 필터에서 중심도체에 제1 유전체와 제1 유전체가 끼워진 상태를 나타낸 도면이다.7 is a view showing a state in which a first dielectric and a first dielectric are inserted into a central conductor in a band pass filter according to an embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 대역 통과 필터의 제조 방법을 나타낸 도면이다.8 is a diagram illustrating a method of manufacturing a band pass filter according to an embodiment of the present invention.
도 3 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 대역 통과 필터는,3 to 7, the band pass filter according to an embodiment of the present invention,
RF 신호를 통과시키는 RF신호용 대역통과필터에 있어서,In the band pass filter for the RF signal that passes the RF signal,
제1 하이 임피던스 전송선로(110);a first high
상기 제1 하이 임피던스 전송선로(110)와 직렬로 연결된 제1 로우 임피던스 전송선로(120);a first low
상기 제1 로우 임피던스 전송선로(120)에 연결된 제1 차단 유전체 디스크(130);a first
상기 제1 차단 유전체 디스크(130)에 연결된 상기 제2 로우 임피던스 전송선로(140);the second low
상기 제2 로우 임피던스 전송선로(140)와 직렬로 연결된 제2 하이 임피던스 전송선로(150);a second high
상기 제2 하이 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제3 로우 임피던스 전송선로(160);a third low
상기 제3 로우 임피던스 전송선로(160)에 연결된 제2 차단 유전체 디스크(170);a second
상기 제2 차단 유전체 디스크(170)에 연결된 상기 제4 로우 임피던스 전송선로(180);the fourth low
상기 제4 로우 임피던스 전송선로(180)와 직렬로 연결된 제3 하이 임피던스 전송선로(190)를 포함하며,A third high
상기 제2 하이 임피던스 전송선로 주위에는 상기 제2 하이 임피던스 전송선로를 감싸는 구조로 제1 유전체(210)가 형성된 것을 특징으로 한다.A
상기 제1 유전체(210)는 중심에 원통형의 홀(211)이 있는 도넛형으로 형성되고, 중심으로부터 외부방향으로 일측이 절개(212)되어 상기 홀(211)에 상기 제2 하이 임피던스 전송선로(150)에 삽입되는 것을 특징으로 한다.The
상기 제1 하이 임피던스 전송선로(110), 제1 로우 임피던스 전송선로(120), 제1 차단 유전체 디스크(130), 제2 로우 임피던스 전송선로(140), 제2 하이 임피던스 전송선로(150), 제3 로우 임피던스 전송선로(160), 제2 차단 유전체 디스크(170), 제4 로우 임피던스 전송선로(180) 및 제3 하이 임피던스 전송선로(190)가 중심도체를 이루고, The first high
원통형의 외부 도체(300)에 상기 제1 유전체(210)가 결합된 상기 중심도체를 끼우는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that the central conductor coupled to the
원통형의 외부도체(300)와 제1 유전체(210)는 유격이 없이 접촉된 상태이며, 중심도체와 외부도체(300) 사이에는 유격이 있다. 특히, 로우 임피던스 전송 선로(120, 140, 160, 180, 191, 193, 195, 197)와 외부 도체(300) 사이에 틈이 있어야 커패시터 역할이 가능하다.The cylindrical
필요에 따라 대역 통과 필터는 로우 임피던스 전송선로, 차단 유전체 디스크, 로우 임피던스 선로를 순차적으로 직렬로 추가하거나 제거하는 것이 가능하며, 용도에 따라 자유롭게 길이를 설계할 수 있다.If necessary, the band pass filter can be added or removed sequentially in series with a low impedance transmission line, a blocking dielectric disk, and a low impedance line, and the length can be freely designed according to the purpose.
본 발명의 대역통과필터는, 동축 스텝 임피던스 대역통과필터(Coaxial stepped impedance low pass filter)인 RF 신호용 대역통과필터일 수 있다.The band pass filter of the present invention may be a band pass filter for an RF signal, which is a coaxial stepped impedance low pass filter.
이러한 구성을 가진 대역 통과 필터의 제조 방법은 다음과 같다.A manufacturing method of a band pass filter having such a configuration is as follows.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 대역 통과 필터의 제조 방법을 나타낸 도면이다.8 is a diagram illustrating a method of manufacturing a band pass filter according to an embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 먼저, 상기 제1 하이 임피던스 전송선로(110), 제1 로우 임피던스 전송선로(120), 제1 차단 유전체 디스크(130), 제2 로우 임피던스 전송선로(140), 제2 하이 임피던스 전송선로(150), 제3 로우 임피던스 전송선로(160), 제2 차단 유전체 디스크(170), 제4 로우 임피던스 전송선로(180) 및 제3 하이 임피던스 전송선로(190)가 직렬로 연결되는 중심도체를 준비한다(S810). 이를 도 6에 도시하였다.Referring to FIG. 8, first, the first high
그리고 나서, 상기 제2 하이 임피던스 전송선로(130)에 중심에 홀(211)이 있는 도넛형으로 형성된 제1 유전체(210)의 절개(212)된 부분을 끼워서 결합한다(S820). 이러한 상태를 도 7에 도시하였다.Then, the
다음, 원통형의 외부도체(300)에 상기 제1 유전체(210)가 결합된 중심도체를 끼운다(S830).Next, the central conductor coupled with the
이러한 과정에 의해 간단하게 대역 통과 필터를 제조할 수 있다.By this process, a band pass filter can be simply manufactured.
필요에 따라 이러한 실시예의 대역 통과 필터는 로우 임피던스 전송선로, 차단 유전체 디스크, 로우 임피던스 선로를 순차적으로 직렬로 추가하거나 제거하는 것이 가능하며, 용도에 따라 자유롭게 길이를 설계할 수 있다.If necessary, the band pass filter of this embodiment can add or remove a low-impedance transmission line, a blocking dielectric disk, and a low-impedance line sequentially in series, and the length can be freely designed according to the purpose.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 대역 통과 필터의 단면도이다.9 is a cross-sectional view of a band pass filter according to another embodiment of the present invention.
도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 대역 통과 필터는,Referring to FIG. 9, a band pass filter according to another embodiment of the present invention,
대역통과필터에 있어서,In the band pass filter,
제1 하이 임피던스 전송선로(110);a first high
상기 제1 하이 임피던스 전송선로(110)와 직렬로 연결된 제1 로우 임피던스 전송선로(120);a first low
상기 제1 로우 임피던스 전송선로(120)에 연결된 제1 차단 유전체 디스크(130);a first
상기 제1 차단 유전체 디스크(130)에 연결된 상기 제2 로우 임피던스 전송선로(140);the second low
상기 제2 로우 임피던스 전송선로(140)와 직렬로 연결된 제2 하이 임피던스 전송선로(150);a second high
상기 제2 하이 임피던스 전송선로(150)와 직렬로 연결된 제3 로우 임피던스 전송선로(160);a third low
상기 제3 로우 임피던스 전송선로(160)에 연결된 제2 차단 유전체 디스크(170);a second
상기 제2 차단 유전체 디스크(170)에 연결된 상기 제4 로우 임피던스 전송선로(180);the fourth low
상기 제4 로우 임피던스 전송선로(180)와 직렬로 연결된 제3 하이 임피던스 전송선로(190);a third high
상기 제3 하이 임피던스 전송선로(190)와 직렬로 연결된 제5 로우 임피던스 전송선로(191);a fifth low
상기 제5 로우 임피던스 전송선로(191)에 연결된 제3 차단 유전체 디스크(192);a third
상기 제3 차단 유전체 디스크(192)에 연결된 상기 제6 로우 임피던스 전송선로(193);the sixth low
상기 제6 로우 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제4 하이 임피던스 전송선로(194);a fourth high
상기 제4 하이 임피던스 전송선로(194)와 직렬로 연결된 제7 로우 임피던스 전송선로(195);a seventh low
상기 제7 로우 임피던스 전송선로에 연결된 제4 차단 유전체 디스크(196);a fourth
상기 제4 차단 유전체 디스크에 연결된 상기 제8 로우 임피던스 전송선로(197);the eighth low
상기 제8 로우 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제5 하이 임피던스 전송선로(198)를 포함하며,A fifth high
상기 제2 하이 임피던스 전송선로(150), 제3 하이 임피던스 전송선로(190) 및 제4 하이 임피던스 전송선로(194) 주위에는 상기 제2 하이 임피던스 전송선로(150) 및 제3 하이 임피던스 전송선로(190) 및 제4 하이 임피던스 전송선로(194)를 각각 감싸는 구조로 제1 유전체(210) 및 제2 유전체(220) 및 제3 유전체(230)가 형성된 것을 특징으로 한다.Around the second high
도 3을 참조하면, 중심의 덤밸 형태가 하나면 1차 대역통과필터이고, 도 9와 같이 3개면 3차 대역통과이며, 다양한 차수의 대역 통과 필터를 설계할 수 있다. 즉, 이러한 변형예는 다양하게 차수 변형이 가능하다.Referring to FIG. 3, if the dumbbell shape of the center is one, it is a first-order band-pass filter, and if there are three, as shown in FIG. 9, it is a third-order band-pass filter, and band-pass filters of various orders can be designed. That is, these modifications can be variously modified in order.
본 발명의 실시예에서, 중심도체 사이에 유전체를 삽입하여 외부도체(300)와 유전체가 유격 없이 결합됨에 따라 외부 충격에 강하다.In the embodiment of the present invention, the
그리고 본 발명의 실시예는 중심도체와 외부도체(300)가 일정하게 간격이 유지되어 품질 특성이 우수하며, 이에 따라 제품의 크기를 줄일 수 있다.In addition, the embodiment of the present invention maintains a constant distance between the central conductor and the
그리고 본 발명의 실시예는 유전체를 간단히 중심도체에 끼우기만 하면 되고, 이 결합체를 외부도체(300)에 끼우는 간단한 작업에 의해 대역 통과 필터 제조가 가능하다.In addition, in the embodiment of the present invention, a dielectric material simply needs to be inserted into the central conductor, and a band pass filter can be manufactured by a simple operation of inserting the combination body into the
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다. 그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.As described above, although the embodiments have been described with limited examples and drawings, those skilled in the art can make various modifications and variations from the above description. For example, even if the described techniques are performed in a different order from the described method, and/or the described components are combined or combined in a different form than the described method, or substituted or replaced by other components or equivalents. Appropriate results can be achieved. Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents of the claims are within the scope of the following claims.
Claims (7)
제1 하이 임피던스 전송선로;
상기 제1 하이 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제1 로우 임피던스 전송선로;
상기 제1 로우 임피던스 전송선로에 연결된 제1 차단 유전체 디스크;
상기 제1 차단 유전체 디스크에 연결된 제2 로우 임피던스 전송선로;
상기 제2 로우 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제2 하이 임피던스 전송선로;
상기 제2 하이 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제3 로우 임피던스 전송선로;
상기 제3 로우 임피던스 전송선로에 연결된 제2 차단 유전체 디스크;
상기 제2 차단 유전체 디스크에 연결된 제4 로우 임피던스 전송선로;
상기 제4 로우 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제3 하이 임피던스 전송선로를 포함하며,
상기 제2 하이 임피던스 전송선로 주위에는 상기 제2 하이 임피던스 전송선로를 감싸는 구조로 제1 유전체가 형성된 것을 특징으로 하는 대역 통과 필터.In the band pass filter,
a first high impedance transmission line;
a first low impedance transmission line connected in series with the first high impedance transmission line;
a first blocking dielectric disk connected to the first low impedance transmission line;
a second low impedance transmission line connected to the first blocking dielectric disk;
a second high impedance transmission line connected in series with the second low impedance transmission line;
a third low impedance transmission line connected in series with the second high impedance transmission line;
a second blocking dielectric disk connected to the third low impedance transmission line;
a fourth low impedance transmission line connected to the second blocking dielectric disk;
A third high impedance transmission line connected in series with the fourth low impedance transmission line,
A band pass filter, characterized in that a first dielectric is formed around the second high impedance transmission line in a structure surrounding the second high impedance transmission line.
상기 제1 유전체는 중심에 원통형의 홀이 있는 도넛형으로 형성되고, 중심으로부터 외부방향으로 일측이 절개되어 상기 홀에 상기 제2 하이 임피던스 전송선로에 삽입되는 것을 특징으로 하는 대역 통과 필터.According to claim 1,
The first dielectric is formed in a toroidal shape with a cylindrical hole in the center, one side is cut outward from the center and inserted into the second high impedance transmission line through the hole.
상기 제1 하이 임피던스 전송선로, 제1 로우 임피던스 전송선로, 제1 차단 유전체 디스크, 제2 로우 임피던스 전송선로, 제2 하이 임피던스 전송선로, 제3 로우 임피던스 전송선로, 제2 차단 유전체 디스크, 제4 로우 임피던스 전송선로 및 제3 하이 임피던스 전송선로가 중심도체를 이루고,
원통형의 외부 도체에 상기 제1 유전체가 결합된 상기 중심도체를 끼우는 것을 특징으로 하는 대역 통과 필터.According to claim 2,
The first high impedance transmission line, the first low impedance transmission line, the first blocking dielectric disk, the second low impedance transmission line, the second high impedance transmission line, the third low impedance transmission line, the second blocking dielectric disk, the fourth The low impedance transmission line and the third high impedance transmission line form a central conductor,
A band pass filter characterized in that the central conductor coupled to the first dielectric is inserted into a cylindrical outer conductor.
제1 하이 임피던스 전송선로;
상기 제1 하이 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제1 로우 임피던스 전송선로;
상기 제1 로우 임피던스 전송선로에 연결된 제1 차단 유전체 디스크;
상기 제1 차단 유전체 디스크에 연결된 제2 로우 임피던스 전송선로;
상기 제2 로우 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제2 하이 임피던스 전송선로;
상기 제2 하이 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제3 로우 임피던스 전송선로;
상기 제3 로우 임피던스 전송선로에 연결된 제2 차단 유전체 디스크;
상기 제2 차단 유전체 디스크에 연결된 제4 로우 임피던스 전송선로;
상기 제4 로우 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제3 하이 임피던스 전송선로;
상기 제3 하이 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제5 로우 임피던스 전송선로;
상기 제5 로우 임피던스 전송선로에 연결된 제3 차단 유전체 디스크;
상기 제3 차단 유전체 디스크에 연결된 제6 로우 임피던스 전송선로;
상기 제6 로우 임피던스 전송선로와 직렬로 연결된 제4 하이 임피던스 전송선로를 포함하며,
상기 제2 하이 임피던스 전송선로 및 제3 하이 임피던스 전송선로 주위에는 상기 제2 하이 임피던스 전송선로 및 제3 하이 임피던스 전송선로를 각각 감싸는 구조로 제1 유전체 및 제2 유전체가 형성된 것을 특징으로 하는 대역 통과 필터.In the band pass filter,
a first high impedance transmission line;
a first low impedance transmission line connected in series with the first high impedance transmission line;
a first blocking dielectric disk connected to the first low impedance transmission line;
a second low impedance transmission line connected to the first blocking dielectric disk;
a second high impedance transmission line connected in series with the second low impedance transmission line;
a third low impedance transmission line connected in series with the second high impedance transmission line;
a second blocking dielectric disk connected to the third low impedance transmission line;
a fourth low impedance transmission line connected to the second blocking dielectric disk;
a third high impedance transmission line connected in series with the fourth low impedance transmission line;
a fifth low impedance transmission line connected in series with the third high impedance transmission line;
a third blocking dielectric disk connected to the fifth low impedance transmission line;
a sixth low impedance transmission line connected to the third blocking dielectric disk;
A fourth high impedance transmission line connected in series with the sixth low impedance transmission line;
Band pass, characterized in that a first dielectric and a second dielectric are formed around the second high impedance transmission line and the third high impedance transmission line in a structure surrounding the second high impedance transmission line and the third high impedance transmission line, respectively. filter.
상기 제1 유전체 및 제2 유전체는 중심에 원통형의 홀이 있는 도넛형으로 형성되고, 중심으로부터 외부방향으로 일측이 절개되어 상기 홀에 상기 제2 하이 임피던스 전송선로 및 제3 하이 임피던스 전송선로가 삽입되는 것을 특징으로 하는 대역 통과 필터.According to claim 4,
The first dielectric and the second dielectric are formed in a donut shape with a cylindrical hole in the center, and one side is cut outward from the center, and the second high impedance transmission line and the third high impedance transmission line are inserted into the hole. A band pass filter, characterized in that.
상기 제1 하이 임피던스 전송선로, 제1 로우 임피던스 전송선로, 제1 차단 유전체 디스크, 제2 로우 임피던스 전송선로, 제2 하이 임피던스 전송선로, 제3 로우 임피던스 전송선로, 제2 차단 유전체 디스크, 제4 로우 임피던스 전송선로 및 제3 하이 임피던스 전송선로, 제5 로우 임피던스 전송선로, 제3 차단 유전체 디스크, 제6 로우 임피던스 전송선로 및 제4 하이 임피던스 전송선로가 중심도체를 이루고,
원통형의 외부 도체에 상기 제1 유전체 및 제2 유전체가 결합된 상기 중심도체를 끼우는 것을 특징으로 하는 대역 통과 필터.According to claim 5,
The first high impedance transmission line, the first low impedance transmission line, the first blocking dielectric disk, the second low impedance transmission line, the second high impedance transmission line, the third low impedance transmission line, the second blocking dielectric disk, the fourth The low impedance transmission line and the third high impedance transmission line, the fifth low impedance transmission line, the third blocking dielectric disk, the sixth low impedance transmission line and the fourth high impedance transmission line form a central conductor,
A band pass filter characterized in that the central conductor in which the first dielectric and the second dielectric are coupled is inserted into a cylindrical external conductor.
제1 하이 임피던스 전송선로, 제1 로우 임피던스 전송선로, 제1 차단 유전체 디스크, 제2 로우 임피던스 전송선로, 제2 하이 임피던스 전송선로, 제3 로우 임피던스 전송선로, 제2 차단 유전체 디스크, 제4 로우 임피던스 전송선로 및 제3 하이 임피던스 전송선로가 중심도체를 준비하는 단계;
상기 제2 하이 임피던스 전송선로에 중심에 홀이 있는 도넛형으로 형성된 제1 유전체의 절개된 부분을 끼워서 결합하는 단계;
원통형의 외부 도체에 상기 제1 유전체가 결합된 중심도체를 끼우는 단계를 포함하는 대역 통과 필터의 제조 방법.In the manufacturing method of the band pass filter,
A first high impedance transmission line, a first low impedance transmission line, a first blocking dielectric disk, a second low impedance transmission line, a second high impedance transmission line, a third low impedance transmission line, a second blocking dielectric disk, a fourth low preparing a central conductor of the impedance transmission line and the third high impedance transmission line;
inserting and coupling the incised portion of the first dielectric formed in a toroidal shape with a hole in the center to the second high-impedance transmission line;
A method of manufacturing a band pass filter comprising the step of inserting a central conductor coupled to the first dielectric to a cylindrical outer conductor.
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004282573A (en) | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Nec Corp | Low-pass filter |
| KR101016744B1 (en) | 2010-06-15 | 2011-02-25 | 주식회사 이너트론 | Dual type low pass filter |
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Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004282573A (en) | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Nec Corp | Low-pass filter |
| KR101016744B1 (en) | 2010-06-15 | 2011-02-25 | 주식회사 이너트론 | Dual type low pass filter |
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