KR102461403B1 - 연색성 및 광효율을 향상시키는 퀀텀닷 led 조명 - Google Patents

연색성 및 광효율을 향상시키는 퀀텀닷 led 조명 Download PDF

Info

Publication number
KR102461403B1
KR102461403B1 KR1020210117567A KR20210117567A KR102461403B1 KR 102461403 B1 KR102461403 B1 KR 102461403B1 KR 1020210117567 A KR1020210117567 A KR 1020210117567A KR 20210117567 A KR20210117567 A KR 20210117567A KR 102461403 B1 KR102461403 B1 KR 102461403B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led
secondary excitation
led package
light
quantum
Prior art date
Application number
KR1020210117567A
Other languages
English (en)
Inventor
박상기
김규남
Original Assignee
주식회사 소룩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 소룩스 filed Critical 주식회사 소룩스
Priority to KR1020210117567A priority Critical patent/KR102461403B1/ko
Priority to KR1020220023276A priority patent/KR20230034859A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102461403B1 publication Critical patent/KR102461403B1/ko

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/68—Details of reflectors forming part of the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 제품의 외관을 백색으로 유지하면서도 연색성을 현저하게 개선하고 이와 함께발광 효율을 더욱 극대화시키는 퀀텀닷 LED 조명을 제공한다. 이에 본 발명의 일 측면에 따른 퀀텀닷 LED 조명은 기판, 상기 기판 상 실장되고 블루 계열의 광을 출사하는 LED 베어칩을 포함하는 LED 패키지, 상기 LED 패키지의 상면에 형성되는 2차여기부, 및 상기 기판 상에서 상기 LED 패키지의 측면에 형성되는 반사층을 포함한다.

Description

연색성 및 광효율을 향상시키는 퀀텀닷 LED 조명{Quantum Dot LED Lighting Improving Color Rendering and Light Efficiency}
본 발명은 LED 조명에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 퀀텀닷을 이용하여 LED 패키지에서 여기된 백색 광원을 추가적으로 여기시켜 연색성을 향상시키고 이와 함께 광효율을 함께 향상시키는 LED 조명에 대한 것으로서, 가로등, 보안등, 터널등, 투광등, 다운라이트, 평판등 및 벌브 등 LED 조명의 전반에 적용될 수 있는 퀀텀닷 LED 조명에 대한 것이다.
각종 조명장치의 광원으로 LED(발광 다이오드) 소자가 각광을 받고 있으며, 이러한 LED 소자는 백열등, 형광등과 같은 기존의 조명장치의 광원에 비하여 발열량과 소비전력이 적고, 내구성이 우수하며, 수명이 길다는 장점이 있다.
또한, LED 조명등은 형광등과 같은 수은이나 방전용 가스를 사용하지 않으므로 환경오염 문제를 유발시키지 않는 장점들도 있는데, 이 같은 LED 소자는 적절한 전원공급과 방열수단을 제공할 경우에는 약 10만 시간 이상을 사용할 수 있다.
이와 같이, LED는 다른 광원에 비하여 상대적으로 긴 수명을 갖기 때문에 형광등을 대체하여 각종 조명등의 광원으로 널리 사용되고 있다. 그런데, 조명용 LED 소자는 주로 베어칩이 블루 계열의 광을 발광하고 이를 그린 계열과 레드 계열의 형광체를 이용하여 여기시켜 빛의 3원색을 만들어 전체적으로 백색을 발광하는 형태가 주로 사용되고 있다.
그런데, 이와 같은 방식에서는 광 스펙트럼 상에서 블루 계열의 상대 강도가 매우 커서 레드 계열의 상대 강도는 작은 문제가 발생된다. 이에 백색 조명이지만 연색성이 저하되는 문제가 유발된다. 따라서, 별도로 고가의 레드 계열 형광체를 추가하여 연색성을 개선시키고 있는 실정이다.
이러한 문제를 해결하기 위해서 선행기술문헌에서는 확산판에 퀀텀닷을 삽입하여 2차 여기를 통해 레드 계열 광의 부족을 저감시켜 연색성을 확산하는 방법을 개시하고 있다.
그러나, 레드 계열의 퀀텀닷의 경우에는 적색으로 보이기 때문에 조명 장치의 외관에 확산판이 노출되는 경우에는 제품 자체가 적색으로 보이는 문제가 발생된다.
대한민국 특허출원 등록번호 제10-2187789호, 퀀텀닷 일체형 확산판을 채택한 조명{lighting apparatus using Quantum Dot integrated type diffusion plate}, 공고일자: 2020년 12월 7일
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 제품의 외관을 백색으로 유지하면서도 연색성을 현저하게 개선한 퀀텀닷 LED 조명을 제공함에 있다.
나아가 본 발명의 목적은 연색성을 현저하게 개선하면서도 이와 함께발광 효율을 더욱 극대화시키는 퀀텀닷 LED 조명을 제공함에 있다.
나아가, 본 발명의 목적은 이러한 퀀텀닷 LED 조명을 가로등, 보안등, 터널등, 투광등, 다운라이트, 평판등, 엣지등, 및 벌브 등 LED 조명 모두에 사용함에 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 퀀텀닷 LED 조명은 기판, 상기 기판 상 실장되고 블루 계열의 광을 출사하는 LED 베어칩을 포함하는 LED 패키지, 상기 LED 패키지의 상면에 형성되는 2차여기부, 및 상기 기판 상에서 상기 LED 패키지의 측면에 형성되는 반사층을 포함한다.
이때, 상기 2차여기부는 LED 패키지가 출사하는 광에 포함된 레드 영역의 파장 피크를 상승시킬 수 있다.
또한, 상기 2차여기부는 LED 패키지가 출사하는 광에 포함된 그린 또는 옐로우 영역의 파장 피크를 상승시킬 수 있다.
또한, 상기 2차여기부는 기지와 기지에 분포된 퀀텀닷을 포함하도록 이루어질 수 있다.
또한, 상기 LED 패키지는 LED 베어칩과 상기 LED 베어칩 상에 형성된 형광체층을 포함하여 이루어지고, 상기 수지층과 상기 형광체층의 굴절율은 오차범위 이내에서 동일하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 반사층은 상기 LED 패키지의 측면에 인접하여 형성될 수 있다.
또한, 상기 반사층은 상기 LED 패키지의 측면에 맞닿도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 2차여기부는 상기 LED 패키지의 상면과 측면을 덮도록 형성되고, 상기 반사층은 상기 2차여기부와 접촉하도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 반사층은 상기 2차여기부와 상기 LED 패키지의 측면과 접촉하도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 2차여기부의 상면은 위로 볼록한 형상으로 형성되고, 상기 반사층은 상기 2차여기부와 접촉하도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 LED 패키지는 LED 베어칩 사이에 형성된 리플렉터에 의해 정의된 공간에 상기 형광체층이 채워져 형성되고, 상기 2차여기부는 제1_2차여기부와 제2_2차여기부로 구획되고, 상기 제1_2차여기부는 상기 형광체층을 덮도록 형성되고, 상기 제2_2차여기부는 상기 리플렉터를 덮도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 2차여기부의 상면은 위로 볼록한 형상으로 형성되어 상기 LED 패키지를 덮도록 형성되고, 상기 2차여기부를 봉지하는 봉지층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 2차여기부와 상기 봉지층은 반사층의 상면과 접촉하도록 형성되고 상기 반사층은 상기 LED 패키지의 측면과 접촉하도록 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 퀀텀닷 LED 조명은 통상적으로 사용되고 연색성이 상대적으로 떨어지는 LED 패키지의 경우에도 연색성을 획기적으로 개선시킨다.
또한, 본 발명에 따른 퀀텀닷 LED 조명은 2차 여기층과 반사층의 최적 형성에 따라 연색성의 획기적 개선 뿐 만 아니라 광효율을 함께 극대화시킨다.
도 1 내지 도 6은 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명이 포함되는 가로등, 보안등, 터널등, 투광등, 평판등 및 다운라이트를 예시하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명의 분해 사시도이다.
도 8는 본 발명의 제1 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명에서 프레임과 LED 모듈간의 체결 관계를 도시하는 도면이다.
도 9 및 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명에서 프레임, LED 모듈, 베이스 플레이트, 반사판, 도광판, 및 확산판의 결합 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명에서 LED 모듈의 상부면을 더욱 자세하게 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 제1 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다.
도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다.
도 15는 본 발명의 제4 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다.
도 16은 본 발명의 제5 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다.
도 17은 본 발명의 제6 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다.
도 18은 본 발명의 제7 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다.
도 19는 본 발명의 제8 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 당업자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하여 상세하게 설명한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명에 대하여 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. 또한, 후술 되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
우선 도 1 내지 도 6을 참조하면 본 발명의 일 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명은 도 1과 같은 가로등, 도 2와 같은 보안등, 도 3과 같은 터널등, 도 4와 같은 투광등, 도 5와 같은 평판등, 도 6과 같은 다운라이트에 적용이 가능하다. 나아가, 본 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명은 LED 모듈이 사용되는 모든 조명에 사용될 수 있다는 것은 당업자에게 자명하다. 그러나 중복되는 설명을 배제하기 위해서 이하의 실시예에서는 LED 평판등 중 엣지 형태의 LED 조명을 예시하여 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명의 분해 사시도이고, 도 8는 본 발명의 제1 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명에서 프레임과 LED 모듈간의 체결 관계를 도시하는 도면이며, 도 9 및 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명에서 프레임, LED 모듈, 베이스 플레이트, 반사판, 도광판, 및 확산판의 결합 관계를 설명하기 위한 도면이고, 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명에서 LED 모듈의 상부면을 더욱 자세하게 도시한 도면이다.
도면을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명(1000)은 크게 베이스 플레이트(100), 반사판(200), 도광판(300), 확산판(400), 측부 프레임(500), 및 LED 모듈(600)을 포함하여 이루어진다.
베이스 플레이트(100)는 박막 형태로, 반사판(200)의 후면에 형성되어 반사판(200)의 평탄도를 보정하는 기능을 수행할 수 있으며, 측부 프레임(500)을 구성하는 제2 측부 프레임(520)에 얹혀지는 구조로 형성될 수 있다.
반사판(200)은 베이스 플레이트(100)의 전면과 도광판(300)의 후면 사이에 적층되어 형성됨으로써, 도광판(300)의 측부로 입사되는 LED 모듈(600)의 광원이 도광판(300) 내부에서 광원의 굴절에 의해 도광판(300) 후면으로 향하는 광원을 반사시켜 도광판(300) 전면으로 향하도록 하여 후면으로 향하여 소실되는 광원을 최소화하는 기능을 수행할 수 있다.
도광판(300)은 반사판(200)의 전면과 확산판(400)의 후면 사이에 형성되며, LED 모듈(600)의 LED 패키지(620)와 높이 방향에서 대칭되는 두께로 형성됨으로써, 내부에 형성된 인쇄패턴 또는 레이저 패턴(Laser Pattern: LP)에 의해 LED 패키지(620)로부터 조사된 광원을 굴절시키고 전달시켜, 최종적으로 전면에 형성된 확산판(400)이 위치한 방향으로 광이 출사되도록 한다.
확산판(400)은 LED 모듈(600)의 LED 패키지(620)로부터 조사된 광원이 도광판(300)에 의해 직접 산란되어 나오거나, 반사판(200)에 의해 반사된 광원을 전면으로 균일하게 확산시키는 기능을 수행하기 위해 퀀텀닷 LED 조명(1000)의 가장 전면에 형성될 수 있다.
측부 프레임(500)은 제1 측부 프레임(510) 및 제2 측부 프레임(520)으로 구분될 수 있으며, 제1 측부 프레임(510) 및 제2 측부 프레임(520)은 반사판(200), 도광판(300), 확산판(400)을 측면에서 수용하도록 한다.
이러한 구조의 측부 프레임(500)은 LED 모듈(600)을 측부에 수용하고, 베이스 플레이트(100), 반사판(200), 도광판(300), 및 확산판(400)이 순차적으로 적층되어 내부에 수용된 상태에서 도광판(300)의 높이에 LED 모듈(600)의 각 LED 패키지(620)의 높이가 일치하도록 고정하는 기능을 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예로, 측부 프레임(500)을 구성하는 제1 측부 프레임(510)은 2개로 형성될 수 있으며, 도 1과 같이 각각 LED 모듈(600)이 삽입된 형태로 형성되거나, 하나의 제1 측부 프레임(510)에만 LED 모듈(600)을 삽입하는 형태로도 형성될 수 있다.
이하, 본 발명의 제1 실시예에 따른 LED 모듈(600)에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명에서 LED 모듈의 상부면을 더욱 자세하게 도시한 도면이고, 도 12는 본 발명의 제1 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 LED 모듈(600)은 기판(610), LED 패키지(620), 2차여기부(630), 및 반사층(640)을 포함하여 이루어지고, LED 패키지(620)는 LED 베어칩(621), 리플렉터(622) 및 형광체층(623)을 포함하여 이루어진다.
기판(610)은 LED 패키지(620)을 고밀도로 실장할 수 있는 기판이면 어느 것이나 가능하다. 제한적이지는 않으나, 예를 들어, 이러한 기판(610)으로는 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride), LTCC(lowtemperature co-fired ceramic) 등을 들 수 있다.
기판(610)은 도시된 바와 같이 직선형 이외에도 원형 또는 다각형상의 판으로 이루어질 수 있다. 또한, 본 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명(1000)은 도시된 바와 달리 솔더링부(미도시)를 통해서 발광소자(베어칩)와 기판(110)이 전기적으로 연결되며 별도의 본딩 와이어를 갖지 않을 수 있다. 솔더링부는 표면실장 방식(SMT; Surface Mount Technology)으로 형성될 수 있다.
LED 베어칩(621)은 기판(610)에 실장되는 청색 발광 LED 칩으로서, 430nm 내지 480nm의 파장을 발광하는 반도체 성분으로 이루어질 수 있다. 다만, LED 베어칩(621)은 다른 컬러광을 출사하는 LED 베어칩이 사용될 수 있으며, 본 발명의 범위가 특정 LED 베어칩으로 제한되는 것은 아니다.
리플렉터(622)는 저면은 전극패턴(미도시)에 절연성 접착제에 의해 접착되고, 리플렉터(622)의 내벽은 LED칩(24)에서 방출된 광을 외부로 반사시키기 위한 일정한 반사면을 갖는다. 그리고 상기 내벽에는 금속으로 코팅된 반사층이 형성되고, 이 반사층은 도금 또는 알루미늄 증착에 의해 형성된다.
리플렉터(622)의 내부에는 형광체층(623)이 채워져 기판(610)에 실장된 LED 베어칩(621) 상부를 밀폐한다. 이때, 형광체층(623) 은 기지(Matrix)가 투명소재로 구성될 수 있다. 구체적으로 상기 투명소재는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 우레탄-아크릴계 공중합체, 에스테르계 수지, 에테르계 수지, 아미드계 수지, 에폭시계 수지, 멜라민 수지, 실리콘 수지, 열경화 물질, 광경화 물질, 접착력 향상 물질 중 선택된 적어도 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 형광체층(623)의 기지는 TiO2, ZnO, BaSO4, SiO2, glass bead 및 buuble glass 중 선택된 적어도 하나 이상일 수 있다. 이때, TiO2, ZnO, BaSO4, SiO2, glass bead 및 buuble glass는 광효율 개선 및 광촉매 활성화 등을 위한 기능성 물질로 구성될 수 있다. 또한, 형광체층(623)은 광이 투과할 수 있는 기능성 재질로 형성될 수 있다.
형광체층(623)은 LED 베어칩(621)으로부터 출사된 광을 1차적으로 여기한다. 이때, 형광체층(129)은 주로 여기되어 방출되는 파장이 옐로우(Y) 계열인 형광체 또는 그린(G) 계열과 레드(R) 계열의 형광체를 주성분으로 제조된다.
여기서, 본 실시예는 LED 베어칩(121)이 청색광을 출력하는 경우, 백색광을 만들기 위한 형광체층(129)를 구성하는 경우에 해당하지만, LED 베어칩(121)이 녹색광 또는 적색광을 출력하는 경우 형광체는 백색광을 만들기 위해 다른 형광체가 사용될 수 있음은 물론이다.
한편, 본 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명(1000)은 LED 패키지의 상면에 2차여기부(630)를 형성하고 이와 함께 반사층(640)을 더 구비하는 것이 특징이다.
2차여기부(630)는 형광체층과 마찬가지로 기지(Matrix)가 투명소재로 구성될 수 있다. 따라서, 2차여기부(630)는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 우레탄-아크릴계 공중합체, 에스테르계 수지, 에테르계 수지, 아미드계 수지, 에폭시계 수지, 멜라민 수지, 실리콘 수지, 열경화 물질, 광경화 물질, 접착력 향상 물질 중 선택된 적어도 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 2차여기부(630)은 TiO2, ZnO, BaSO4, SiO2, glass bead 및 buble glass 중 선택된 적어도 하나 이상일 수 있다. 이때, TiO2, ZnO, BaSO4, SiO2, glass bead 및 buble glass는 광효율 개선 및 광촉매 활성화 등을 위한 기능성 물질로 구성될 수 있다. 또한, 2차여기부(630)는 광이 투과할 수 있는 기능성 재질로 형성될 수 있다.
한편, 2차여기부(630)는 기지가 바람직하게 형광체층(623)의 기지와 동일한 물질로 형성될 수 있다. 혹은 2차여기부(630)의 기지는 형광체층(623)의 기지와 굴절률이 서로 오차범위에서 동일하도록 형성되는 것이 바람직하다. 이 경우에 형광체층(623)과 2차여기부(630)의 계면 사이에서 반사가 일어나지 않게 되어 광효율이 향상될 수 있다.
나아가, 2차여기부(630)는 광변환물질로 기지에 분포된 퀀텀닷을 포함할 수 있다. 이때 본 실시예에 따른 퀀텀닷은 LED 패키지가 출사한 광에 포함된 레드 영역의 파장 피크를 상승시키는 역할을 수행한다. 이에 블루 계열의 광을 베어칩으로 사용하여 백색광을 출사시키는 경우의 연색성을 현저하게 개선할 수 있다.
또한, LED 패키지의 편차에 따라서 레드 영역 중에서 미비한 파장 피크를 가지는 레드 영역만 특정하여 대응하는 퀀텀닷을 이용하여 모든 파장 대역에서 태양광과 유사한 전 파장 대역의 상대 강도가 도출되는 광을 출사할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 퀀텀닷은 LED 패키지가 출사한 광에 포함된 그린 또는 옐로우 레드 영역의 파장 피크를 상승시키는 역할도 수행할 수 있다. 이때, 연색성의 보완을 위해 바람직하게 레드 계열 퀀텀닷, 녹색계열 퀀텀닷, 및 옐로우 계열 퀀텀닷의 중량% 비율은 10:1:0.5가 되는 것이 바람직하다.
한편, 퀀텀닷은 코어와 쉘을 포함할 수 있다. 셀은 코어 상에 도포될 수 있는데 코어 및 쉘 각각은 단일층 또는 2 이상의 층으로 이루어질 수 있다. 예를들어, 퀀텀닷은 코어-쉘-쉘 구조를 가질 수 있으며, 예를 들어 CdSe/CdS/ZnS로 구성될 수 있다.
또한, 퀀텀닷은 나노 크기의 반도체 물질로서 양자 제한 효과(Quantum confinement effect)를 갖는 물질이다. 이러한 양자 제한 효과에 기초하여 퀀텀닷은 빛을 방출할 수 있다. 상기 퀀텀닷은 여기원(Excitation source)으로부터 빛을 흡수하여 에너지 여기 상태에 이르면, 자체적으로 퀀텀닷의 에너지 밴드 갭(Energy band gap)에 해당하는 에너지를 방출하게 된다. 상기 퀀텀닷은 소정의 빛을 인가받아 활성전자(Excitation electron)를 갖게 되고, 상기 활성전자가 안정화됨으로써 에너지를 방출하게 된다.
퀀텀닷은 상기 퀀텀닷의 크기, 또는 물질 조성에 따라 다양한 에너지 밴드 갭을 가질 수 있다. 이때 상기 퀀텀닷은 에너지 밴드 갭에 대응하는 특정 파장 대역의 빛을 방출할 수 있다. 따라서 본 실시예에서는 퀀텀닷이 연색성이 떨어지는 영역에 대응하는 레드 계열 특정 파장 대역의 빛을 방출할 수 있도록, 퀀텀닷의 크기 또는 물질 조성이 변경되는 것이 바람직하다.
한편, 퀀텀닷은 소정의 화합물로 구현될 수 있다. 상기 소정의 화합물은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, 또는 IV-VI족 화합물 중 적어도 하나의 화합물일 수 있다.
상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe 등의 이원소 화합물 또는 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe 등의 삼원소 화합물 또는 HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
또한, 상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 등의 이원소 화합물 또는 GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 등의 삼원소 화합물 또는 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
또한, 상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 등의 이원소 화합물 또는 SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 등의 삼원소 화합물 또는 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
또한, 상기 IV족 화합물은 Si, Ge 등의 단일 원소 화합물 또는 SiC, SiGe 등의 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
한편, 상기 퀀텀닷은 코어-쉘(Core-Shell) 구조를 가질 수 있는데, 코어-쉘 구조의 퀀텀닷은 양자코어(Quantum-core, 미도시), 양자쉘 (Quantum-shell, 미도시), 및 리간드(미도시)를 포함할 수 있다.
양자코어는 양자 제한 효과에 기초하여 빛을 방출할 수 있고, 양자쉘은 양자코어를 덮어 양자코어를 보호할 수 있다. 또한 양자쉘은 양자코어의 에너지 밴드가 변경되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 리간드는 퀀텀닷의 표면에 무기 리간드가 형성될 수 있다. 또한, 양자코어, 및 상기 양자쉘(361)은 전술한 화합물들로 구현될 수 있다.
이때 무기 리간드는 에테르계 화합물, 불포화 탄화수소류 및 유기산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기 리간드로 사용되는 용매는 에테르계 화합물, 불포화 탄화수소류, 또는 유기산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이 경우에 테르계 화합물은 트리옥틸 포스핀 옥사이드(tri-n-Octylphosphine oxide, TOPO), 알킬포스핀(Alkylphosphine), 옥틸 에티르(Octyl ether), 또는 벤질 에테르(Benzyl ether) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 불포화 탄화수소류는 옥테인(Octane) 또는 옥타데케인(Octadecane) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기산은 올레산(Oleic acid), 스테아르산(Stearic acid), 미리스트산(Myristic acid), 또는 헥사데카노익산(Hexadecanoic acid) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
퀀텀닷에 포함된 이러한 리간드에 의해 열안정성이 향상될 수 있다. 또한, 상기 리간드는 복수의 퀀텀닷들이 서로 응집되는 것을 방지하여, 광효율의 저하도 방지하게 된다.
리간드는 소정의 길이를 가지는데 길이는 리간드에 포함된 탄소(C)의 수에 비례한다. 리간드에 포함된 탄소(C)의 수가 많을수록, 리간드의 길이는 길어진다.
또한, 퀀텀닷의 양자쉘 상에는 소정의 코팅층(미도시)이 형성될 수 있다. 이때 코팅층은 퀀텀닷의 내구성이 향상되도록 구현된 층일 수 있다.
그런데, 도 12를 참조하면, 퀀텀닷을 포함하는 2차여기부(630)은 LED 패키지(620) 상에 형성되어 있으므로 2차여기부(630) 만으로 연색성의 향상은 도모하지만 자체적인 광효율의 상승은 도모하기 어려울 수 있다.
따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 퀀텀닷 LED 조명은 LED 패키지(620)의 측면에 반사층(640)을 2차여기부(630)와 함께 형성하는 것이 특징이다. 2차여기부(630)는 전술한 바와 같이 기지의 재질이 형광체층(623)과 동일한 굴절율을 가지도록 형성된다. 그러나 2차여기부(630)의 형성에 기인한 칩 두께의 증가에 따라 측배광이 증가하게 되어 이는 광효율의 저감을 가져올 수 있다. 따라서, 도 12에서와 같이 반사층(640)은 LED 패키지(620)의 측면에 인접하여 형성되므로 LED 패키지(620)에서 2차여기부(630)로 진입한 광이 측배광되는 경우에도 상부 반사를 증대시켜 광효율을 높일 수 있다.
이때 반사층(640)이 시트형태로 형성되는 경우 기판(610)을 보호할 수 있다. 또한, 반사층(640)은 반사율 증대를 위해 무기계 충전제로서 황산바륨(BaSO4), 황산칼륨(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 탄산바륨(BaCO3), 탄산칼슘(CaCO3), 탄산칼륨(K2CO3), 염화마그네슘(MgCl2), 수산화알루미늄(Al(OH)3), 수산화마그네슘(Mg(OH)2), 수산화칼슘(Ca(OH)2), 이산화티탄(TiO2), 알루미나(Al2O3), 실리카(SiO2), 탈크(H2Mg3(SiO3)4 또는 Mg3Si4O10(OH)2), 제올라이트(Zeolite) 중 선택된 적어도 하나를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 반사층(640)은 금속층을 포함하지 않을 수도 있으며, 또한, 자외선 흡수 층(열화 방지층)이 추가로 수지층 일면에 포함되거나 수지층 내부에 포함될 수도 있다. 이때, 반사층(640)의 두께는 0.015mm 내지 15mm일 수 있다. 반사층(640)의 반사도는 60% 내지 99.8%가 될 수 있다. 또한, 다른 실시 예에 따르면, 반사층(640)은 확산 패턴 또는 충전제를 포함하지 않으며, 반사도가 매우 높은 시트가 될 수 있다. 이 경우 반사층의 반사도가 높아서 손실되는 광이 적어 결과적으로 출사되는 광의 조사량이 커질 수 있는 효과가 있다. 한편, 반사층(640)의 광을 반사하는 표면에는 먼지 흡착을 방지하기 위한 광촉매제가 도포될 수 있다.
이하, 본 발명의 제2 실시예에 따른 LED 모듈(601)을 설명한다. 본 실시예에서는 이전 구성과 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조부호를 부여하였으며 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다. 제2 실시예에 따른 LED 모듈(601)은 2차여기부(631)의 형태가 다르게 형성된다.
제1 실시예와 달리 2차여기부(631)가 LED 패키지(620)의 상면과 측면을 덮도록 형성되고, 나아가 반사층(641)이 2차여기부(631)와 접촉하도록 형성된다. 제1 실시예에서는 2차여기부(630)에 LED 패키지(620)의 열이 전달되어 박리 가능성이 커지게 되고 반사층(640)이 LED 패키지(620)에 이격되어 있어 빛의 균일도 확보가 어려운 문제가 유발될 수 있으므로 제2 실시예에서는 2차여기부(631)가 LED 패키지(620)의 상면과 측면을 덮도록 형성되고, 나아가 반사층(641)이 2차여기부(631)와 접촉하도록 형성하여 열안정성을 확보하고 고른 광균일도를 확보할 수 있다.
나아가, 제2 실시예에서는 반사층(641)을 먼저 기판(610)에 부착하고, LED 패키지(620) 상에 2차여기부(631)를 디스펜싱할 수 있으므로 공정시간을 현저하게 단축시킬 수 있게 된다.
이하, 본 발명의 제3 실시예에 따른 LED 모듈(602)을 설명한다. 본 실시예에서는 이전 구성과 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조부호를 부여하였으며 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다. 제3 실시예에 따른 LED 모듈(602)은 제2 실시예에서 나아가 반사층(641)이 LED 패키지(620)의 측면에 맞닿도록 형성된다.
이때, 2차여기부(631')의 하단은 반사층의 상면과 접촉되게 되므로 측면 배광에 따라 하부로 이동되는 광이 모두 반사층에 의해 상부로 재반사되게 된다. 따라서, 광효율이 더욱 상승하게 된다.
이하, 본 발명의 제4 실시예에 따른 LED 모듈(603)을 설명한다. 본 실시예에서는 이전 구성과 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조부호를 부여하였으며 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 15는 본 발명의 제4 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다. 제4 실시예에 따른 LED 모듈(603)은 2차여기부(632)가 상면이 위로 볼록한 형상으로 형성된다. 반사층(642)은 제1 실시예에서와 같이 2차여기부(632)와 측면 접촉하여 형성된다.
나아가. 2차여기부(632)는 LED 패키지(620)의 상면 및 측면을 모두 덮도록 형성된다. 따라서, 출사되는 광을 보다 고르게 상면 및 측면으로 전달하게 되고 측면으로 출사되는 광은 반사층에 의해 상부로 반사되므로 광효율을 더욱 향상시키게 된다.
이하, 본 발명의 제5 실시예에 따른 LED 모듈(604)을 설명한다. 본 실시예에서는 이전 구성과 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조부호를 부여하였으며 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 16은 본 발명의 제5 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다.
제5 실시예에 따른 LED 모듈(604)은 마찬가지로 2차여기부가 상면이 위로 볼록한 형상으로 형성되는데, 2차여기부는 제1_2차여기부(632a)와 제2_2차여기부(632b)로 구획되어 각각 퀀텀닷이 분포되어 있고, 제1_2차여기부(632a)는 형광체층(623)을 덮도록 형성되고, 제2_2차여기부(632b)는 리플렉터(622)를 덮도록 형성된다.
여기서 제2_2차여기부(632b)는 공기와 제1_2차여기부(632a) 사이의 굴절율을 가진 재질로 구성되는 것이 바람직하다. 이에 따라 최종적으로 출사되는 광의 발광 효율이 더욱 상승될 수 있다.
나아가, 제1_2차여기부(632a)는 광이 실제로 LED 패키지(620)에서 출사되는 영역에만 도포되므로 광손실을 막아 광효율을 높이게 되고, 제2_2차여기부(632b)는 반사층(642)과 측면이 접촉하면서 형성되므로 열 안정성과 반사 효율을 더욱 높이게 된다.
이하, 본 발명의 제6 실시예에 따른 LED 모듈(605)을 설명한다. 본 실시예에서는 이전 구성과 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조부호를 부여하였으며 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 17은 본 발명의 제6 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다.
제6 실시예에 따른 LED 모듈(605)은 마찬가지로 2차여기부가 상면이 위로 볼록한 형상으로 형성되는데, 2차여기부는 제1_2차여기부(632a)와 제2_2차여기부(632b')로 구획되고, 제1_2차여기부(632a)는 형광체층(623)을 덮도록 형성되고, 제2_2차여기부(632b')는 리플렉터(622)를 덮도록 형성된다.
여기서 제2_2차여기부(632b')는 공기와 제1_2차여기부(632a) 사이의 굴절율을 가진 재질로 구성되는 것이 바람직하다. 이에 따라 최종적으로 출사되는 광의 발광 효율이 더욱 상승될 수 있다.
나아가, 제1_2차여기부(632a)는 광이 실제로 LED 패키지(620)에서 출사되는 영역에만 도포되므로 광손실을 막아 광효율을 높이게 되고, 반사층(642')은 제2_2차여기부(632b)의 하면과 LED 패키지(620)의 측면과 접촉하면서 형성되므로 열 안정성을 더욱 높이게 된다.
이하, 본 발명의 제7 실시예에 따른 LED 모듈(606)을 설명한다. 본 실시예에서는 이전 구성과 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조부호를 부여하였으며 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 18은 본 발명의 제7 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다. 제7 실시예에 따른 LED 모듈(606)은 2차여기부(632)의 상면은 위로 볼록한 형상으로 형성되어 LED 패키지(620)를 덮도록 형성되는데 2차여기부(632)를 봉지하는 봉지층(632c)을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
퀀텀닷은 수분에 취약하므로 1차적으로 2차여기층의 기지에 의해 봉지되나 기지층의 수분전도도를 현저하게 높이는 경우에는 성형성과 양산성이 저해될 우려가 있다. 따라서, 본 실시예에서는 별도로 봉지층(632c)을 형성하여 연색성의 신뢰성을 더욱 높일 수 있다.
이때, 봉지층(632c)의 수분전도도는 10-3/day 이상으로 설정되는 것이 바람직하다. 다만, LED 패키지 상에 다양한 퀀텀닷이 배치되는 경우에는 일부 내부로의 수분 침입 시 광효율 및 연색성에 미치는 영향이 미미할 수 있으므로 수분침투율의 다양한 적용이 가능할 수 있다.
나아가, 2차여기부(632)는 LED 패키지(620)의 상면 및 측면을 모두 덮도록 형성된다. 따라서, 출사되는 광을 보다 고르게 상면 및 측면으로 전달하게 되고 측면으로 출사되는 광은 반사층(643)에 의해 상부로 반사되므로 광효율을 더욱 향상시키게 된다.
이하, 본 발명의 제8 실시예에 따른 LED 모듈(607)을 설명한다. 본 실시예에서는 이전 구성과 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조부호를 부여하였으며 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 19는 본 발명의 제8 실시예에 따라 도 2의 A-A'선을 따른 LED 모듈의 단면을 도시한 도면이다. 제8 실시예에 따른 LED 모듈(608)은 봉지층(632c')이 공기와 2차여기부(632') 사이의 굴절율을 가진 재질로 구성되는 것이 바람직하다. 이에 따라 최종적으로 출사되는 광의 발광 효율이 더욱 상승될 수 있다.
나아가, 반사층(643')의 상면은 봉지층(632c')과 2차여기부(632')의 하단과 접촉하면서 LED 패키지(620)의 측면과 접촉하면서 형성되므로 열 안정성을 더욱 높이게 되고 발광 효율을 더욱 높이게 된다.
이상과 같이, 본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
1000: 퀀텀닷 LED 조명
100: 베이스 플레이트
200: 반사판
300: 도광판
400: 확산판
500: 측부 프레임
510: 제1 측부 프레임
520: 제2 측부 프레임
600, 601, 602, 603, 604, 605, 606: LED 모듈
610: 기판
620: LED 패키지
621: LED 베어칩
622: 리플렉터
623: 형광체층
630, 631, 631', 632: 2차여기부
632a: 제1_2차여기부
632b: 제2_2차여기부
632c: 봉지층
640, 641, 641', 642, 642': 반사층

Claims (13)

  1. 기판;
    상기 기판 상 실장되고 블루 계열의 광을 출사하는 LED 베어칩을 포함하는 LED 패키지;
    상기 LED 패키지의 상면에 형성되며, 기지와 기지에 분포된 퀀텀닷을 포함하도록 이루어진 2차여기부; 및
    상기 기판 상에서 상기 LED 패키지의 측면에 형성되는 반사층;
    을 포함하고,
    상기 퀀텀닷은 양자코어, 상기 양자코어를 감싸는 양자쉘, 및 상기 양자쉘의 표면에 형성된 리간드를 포함하여 이루어지고,
    상기 2차여기부는 LED 패키지의 상면 및 측면을 덮도록 형성되어 LED 패키지가 출사하는 광에 포함된 레드 영역의 파장 피크를 상승시키고,
    상기 반사층은 상기 LED 패키지의 측면과 맞닿도록 형성되되, 상기 반사층의 상면은 2차여기부의 하단과 접촉 배치되도록 형성되고,
    상기 반사층은 자외선 흡수층 또는 광촉매제를 포함하여 이루어지고,
    상기 LED 패키지는 LED 베어칩과 상기 LED 베어칩 상에 형성된 형광체층을 포함하여 이루어지고, 2차여기부의 기지와 형광체층의 기지는 오차범위 이내에서 굴절율이 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 LED 조명.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서,
    상기 2차여기부의 상면은 위로 볼록한 형상으로 형성되고, 상기 반사층은 상기 2차여기부와 접촉하도록 형성된 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 LED 조명.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 LED 패키지는 LED 베어칩 사이에 형성된 리플렉터에 의해 정의된 공간에 형광체층이 채워져 형성되고,
    2차여기부는 제1_2차여기부와 제2_2차여기부로 구획되고, 상기 제1_2차여기부는 상기 형광체층을 덮도록 형성되고, 상기 제2_2차여기부는 상기 리플렉터를 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 LED 조명.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 2차여기부의 상면은 위로 볼록한 형상으로 형성되어 상기 LED 패키지를 덮도록 형성되고,
    상기 2차여기부를 봉지하는 봉지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 LED 조명.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 2차여기부와 상기 봉지층은 반사층의 상면과 접촉하도록 형성되고 상기 반사층은 상기 LED 패키지의 측면과 접촉하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 LED 조명.
KR1020210117567A 2021-09-03 2021-09-03 연색성 및 광효율을 향상시키는 퀀텀닷 led 조명 KR102461403B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210117567A KR102461403B1 (ko) 2021-09-03 2021-09-03 연색성 및 광효율을 향상시키는 퀀텀닷 led 조명
KR1020220023276A KR20230034859A (ko) 2021-09-03 2022-02-22 연색성 및 광효율을 향상시키는 퀀텀닷 led 조명

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210117567A KR102461403B1 (ko) 2021-09-03 2021-09-03 연색성 및 광효율을 향상시키는 퀀텀닷 led 조명

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220023276A Division KR20230034859A (ko) 2021-09-03 2022-02-22 연색성 및 광효율을 향상시키는 퀀텀닷 led 조명

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102461403B1 true KR102461403B1 (ko) 2022-10-31

Family

ID=83803298

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210117567A KR102461403B1 (ko) 2021-09-03 2021-09-03 연색성 및 광효율을 향상시키는 퀀텀닷 led 조명
KR1020220023276A KR20230034859A (ko) 2021-09-03 2022-02-22 연색성 및 광효율을 향상시키는 퀀텀닷 led 조명

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220023276A KR20230034859A (ko) 2021-09-03 2022-02-22 연색성 및 광효율을 향상시키는 퀀텀닷 led 조명

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR102461403B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101455022B1 (ko) * 2005-08-04 2014-11-04 크리 인코포레이티드 투입된 봉지물질을 이용한 반도체 발광 소자용 패키지와 그를 패키징하는 방법
KR20180119537A (ko) * 2018-10-15 2018-11-02 주식회사 소룩스 색변환 기반의 연색성 개선을 위한 엣지 조명
KR20190088925A (ko) * 2019-06-14 2019-07-29 김용일 Led 조명장치
JP2020126847A (ja) * 2016-07-20 2020-08-20 日亜化学工業株式会社 発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101455022B1 (ko) * 2005-08-04 2014-11-04 크리 인코포레이티드 투입된 봉지물질을 이용한 반도체 발광 소자용 패키지와 그를 패키징하는 방법
JP2020126847A (ja) * 2016-07-20 2020-08-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20180119537A (ko) * 2018-10-15 2018-11-02 주식회사 소룩스 색변환 기반의 연색성 개선을 위한 엣지 조명
KR20190088925A (ko) * 2019-06-14 2019-07-29 김용일 Led 조명장치

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
대한민국 특허출원 등록번호 제10-2187789호, 퀀텀닷 일체형 확산판을 채택한 조명{lighting apparatus using Quantum Dot integrated type diffusion plate}, 공고일자: 2020년 12월 7일

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230034859A (ko) 2023-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10866463B2 (en) Strip, and backlight unit and liquid crystal display including the same
KR101710212B1 (ko) 광소자 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지, 백라이트 장치
JP5889646B2 (ja) 蛍光体板、蛍光体板を用いた発光装置及び蛍光体板の製造方法
KR101785695B1 (ko) 발광소자 패키지, 광원 모듈, 백라이트 유닛, 디스플레이 장치, 텔레비전 세트 및 조명 장치
WO2013022215A2 (ko) 발광장치, 백라이트 유닛과 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20100029519A (ko) 양자점 파장변환시트, 및 양자점 파장변환시트를 포함하는 발광장치
KR20160024344A (ko) 디스플레이 장치
JP2012099788A (ja) 半導体発光素子
WO2013024684A1 (ja) 発光装置、蛍光体シート、バックライトシステム及び蛍光体シートの製造方法
US9447932B2 (en) Light-emitting diode package and method of manufacturing the same
KR102187789B1 (ko) 퀀텀닷 일체형 확산판을 채택한 조명
KR20180082041A (ko) 발광 소자 패키지, 그 제조 방법, 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛, 및 표시 장치
KR20190088925A (ko) Led 조명장치
TWI565107B (zh) 光學片材、其製作方法及具其之發光二極體模組與顯示器
JP2022530624A (ja) 量子ドットを有するバックライトユニット
KR102461403B1 (ko) 연색성 및 광효율을 향상시키는 퀀텀닷 led 조명
KR102263850B1 (ko) 방충용 백색 led 패키지
KR102338707B1 (ko) 광원 및 조명장치
KR102218345B1 (ko) 조명 장치
KR20190088927A (ko) 조명장치
KR20220167748A (ko) 광원 및 조명장치
KR20160015147A (ko) 디스플레이 장치
KR102531370B1 (ko) 조명 장치
CN115963660A (zh) 发光装置
KR20190088640A (ko) 조명장치

Legal Events

Date Code Title Description
GRNT Written decision to grant