KR102455085B1 - 식물 생장용 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치 - Google Patents

식물 생장용 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102455085B1
KR102455085B1 KR1020170076650A KR20170076650A KR102455085B1 KR 102455085 B1 KR102455085 B1 KR 102455085B1 KR 1020170076650 A KR1020170076650 A KR 1020170076650A KR 20170076650 A KR20170076650 A KR 20170076650A KR 102455085 B1 KR102455085 B1 KR 102455085B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
phosphor
emitting device
plant growth
light
Prior art date
Application number
KR1020170076650A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180137237A (ko
Inventor
이승재
김진성
박희정
송우석
문지욱
Original Assignee
쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 filed Critical 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
Priority to KR1020170076650A priority Critical patent/KR102455085B1/ko
Publication of KR20180137237A publication Critical patent/KR20180137237A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102455085B1 publication Critical patent/KR102455085B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/77748—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01G—HORTICULTURE; CULTIVATION OF VEGETABLES, FLOWERS, RICE, FRUIT, VINES, HOPS OR SEAWEED; FORESTRY; WATERING
    • A01G7/00—Botany in general
    • A01G7/04—Electric or magnetic or acoustic treatment of plants for promoting growth
    • A01G7/045—Electric or magnetic or acoustic treatment of plants for promoting growth with electric lighting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
    • C09K11/621—Chalcogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
    • C09K11/7721—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7729—Chalcogenides
    • C09K11/7731—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P60/00—Technologies relating to agriculture, livestock or agroalimentary industries
    • Y02P60/14—Measures for saving energy, e.g. in green houses

Abstract

실시예는 식물 생장용 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 특정 화학식으로 표시되는 화합물을 포함함으로써 식물의 생장에 유리한 스펙트럼의 구현이 가능한 식물 생장용 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.

Description

식물 생장용 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치{PHOSPHOR FOR PLANT GROWTH, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING APPARATUS COMPRISING THE SAME}
실시예는 식물 생장용 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것으로서, 특히 식물의 생장에 유리한 스펙트럼의 구현이 가능한 식물 생장용 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.
발광 소자는 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함하며, 상기 발광 다이오드는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 소자로서, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상 구현이 가능하다.
발광 소자를 광원으로 하는 조명 장치의 응용 범위가 점차 넓어지면서 농업 분야에도 발광 소자의 적용과 관련하여 개발이 진행되고 있다.
특히, 조명 장치가 녹색 식물의 생장 촉진 분야에 적용되기 위해서는 광합성 시 녹색 식물이 흡수하는 스펙트럼에 대한 분석이 필요하다.
도 1은 엽록소 a와 엽록소 b의 흡수 스펙트럼에 관한 도면이고, 도 2는 광합성 속도 스펙트럼에 관한 도면이다. 이하 도 1 및 도 2를 참고하여 설명하면, 광합성 속도 스펙트럼에서 확인할 수 있듯이 광합성은 가시광 파장 대역 중 적색광과 청색광 영역의 빛에 의해 주로 이루어지며, 엽록소 a와 엽록소 b의 흡수 스펙트럼을 통해서도 적색광 및 청색광이 가장 많이 흡수됨을 확인할 수 있다.
보다 구체적으로 설명하면 엽록소 a는 410 nm 내지 435 nm 범위의 청색광과 640 nm 내외의 적색광을 주로 흡수하며 엽록소 b는 450 nm 내외의 청색광과 660nm 내외의 적색광을 주로 흡수한다.
종래에는 식물 재배용 조명 기구로써 백열등, 형광등 등이 주로 사용되어 왔으나, 백열등은 연색성이 우수하고 적색 파장은 강하지만 청색 파장이 미약한 문제가 있고, 형광등은 연색성이 좋지 않고 청색 파장은 강하지만 적색 파장이 미약한 문제가 있다.
이에 청색 칩(chip) 및 적색 칩(chip)을 조합한 발광 다이오드가 개발되었으나 적색 칩은 고온 조건에 약하여 신뢰성이 현저히 저하되는 문제가 있다.
따라서, 식물의 광합성 시에 흡수되는 스펙트럼이 구현될 수 있는 형광체의 개발이 시급하며, 이에 대한 대응책이 필요한 실정이다.
실시예는 식물의 생장에 유리한 스펙트럼의 구현이 가능한 식물 생장용 형광체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 실시예는 반치폭이 넓어 식물 생장 속도를 향상시킬 수 있는 식물 생장용 형광체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시예는 전술한 형광체를 포함하는 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시예의 식물 생장용 형광체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Ca1 - xAlSiN3:Eu2 + x
(식 중, x는 0.01 ≤ x ≤ 0.5)
일 실시예에 따르면, 상기 형광체의 발광 중심 파장은 650 nm 이상 670 nm 이하일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 형광체의 방출 스펙트럼 반치폭(Full Width at Half Maximum)은 130 nm 이상 170 nm 이하일 수 있다.
실시예의 식물 생장용 발광 소자 패키지는 몸체부, 상기 몸체부 상에 형성된 캐비티, 상기 캐비티 내에 배치된 발광 소자, 상기 발광 소자를 둘러싸고 상기 캐비티 내에 배치된 몰딩부 및 상기 몰딩부 상에 배치되는 제1 형광체;를 포함하며, 상기 제1 형광체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함 할 수 있다.
[화학식 1]
Ca1 - xAlSiN3:Eu2 + x
(식 중, x는 0.01 ≤ x ≤ 0.5)
일 실시예에 따르면, 상기 제1 형광체의 발광 중심 파장은 650 nm 이상 670 nm 이하일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 몰딩부는 상기 발광 소자에서 방출된 광에 의하여 여기 되어 녹색 파장 영역의 광을 방출하는 제2 형광체를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 형광체는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Lu3-y(Al,Ga)5O12:Ce3+ y
(식 중, y는 0.01 ≤ y ≤ 0.5)
일 실시예에 따르면, 상기 제2 형광체의 발광 중심 파장은 500 nm 이상 545 nm 이하일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 형광체 및 상기 제2 형광체 총 100 중량%에 대하여 상기 제1 형광체는 5 중량% 이상 15 중량% 이하로 포함되고 상기 제2 형광체는 85 중량% 이상 95 중량% 이하로 포함될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 형광체 및 상기 제2 형광체의 총 함량은 상기 몰딩부 100 중량%에 대하여 50 중량% 이상 70 중량% 이하로 포함될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 발광 소자는 청색 또는 자외선 파장 영역의 광을 방출할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 발광 소자는 청색 광을 방출하는 LED 칩(Chip)일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 발광 소자는 430 nm 이상 460 nm 이하의 광을 방출할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 백색 광을 방출할 수 있다.
실시예의 식물 생장용 조명 장치는 발광 소자 패키지를 광원으로 포함하고, 상기 발광 소자 패키지는, 몸체부, 상기 몸체부 상에 형성된 캐비티, 상기 캐비티 내에 배치된 발광 소자, 상기 발광 소자를 둘러싸고 상기 캐비티 내에 배치된 몰딩부 및 상기 몰딩부 상에 배치되는 제1 형광체를 포함하며, 상기 제1 형광체는, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Ca1 - xAlSiN3:Eu2 + x
(식 중, x는 0.01 ≤ x ≤ 0.5)
일 실시예에 따르면, 상기 몰딩부 상에 배치되는 제2 형광체를 더 포함하며, 상기 제2 형광체는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Lu3-y(Al,Ga)5O12:Ce3+ y
(식 중, y는 0.01 ≤ y ≤ 0.5)
실시예의 식물 생장용 형광체는 특정 화합물을 포함함으로써 식물의 광합성에 유리한 스펙트럼의 구현이 가능할 수 있다. 이에 따라, 상기 식물 생장용 형광체를 사용하는 경우 식물 생장에 효과적이다.
또한, 실시예의 식물 생장용 형광체는 반치폭이 넓어 광합성 속도 스펙트럼과의 중첩 영역이 넓다. 이에 따라, 상기 식물 생장용 형광체를 사용하는 경우 식물 식물의 생장 속도가 향상될 수 있다.
뿐만 아니라, 실시예의 식물 생장용 형광체는 고온 조건에서도 결함이 발생하지 않는바, 발광 소자 패키지 등에 적용되어 고온에서 사용되는 경우에도 신뢰성 저하 문제를 방지할 수 있다.
실시예의 식물 생장용 발광 소자 패키지 및 실시예의 식물 생장용 명 장치는 전술한 실시예의 식물 생장용 형광체를 포함함으로써 식물 광합성에 유리한 스펙트럼을 구현할 수 있다.
도 1은 엽록소 a와 엽록소 b의 흡수 스펙트럼에 관한 도면이다.
도 2는 광합성 속도 스펙트럼에 관한 도면이다.
도 3은 실시예의 발광 소자 패키지의 방출 스펙트럼에 관한 도면이다.
도 4는 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 방출 스펙트럼 및 참고예의 스펙트럼(광합성 속도 스펙트럼)에 관한 도면이다.
도 5는 비교예에 따른 발광 소자 패키지의 방출 스펙트럼 및 참고예의 스펙트럼(광합성 속도 스펙트럼)에 관한 도면이다.
도 6은 비교예의 발광 소자 패키지에 포함되는 적색 LED 칩(chip)의 방출 스펙트럼 및 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 방출 스펙트럼에 관한 도면이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층, 막, 전극, 판 또는 기판 등이 각 층, 막, 전극, 판 또는 기판 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다.
또한 각 구성요소의 상, 옆 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하도록 한다.
형광체
실시예의 식물 생장용 형광체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Ca1 - xAlSiN3:Eu2 + x
식 중, x는 0.01 ≤ x ≤ 0.5 이다.
전술한 바와 같이, 엽록소 a와 엽록소 b의 흡수 스펙트럼(도1 참조) 및/또는 광합성 속도 스펙트럼(도2 참조)을 고려하여 식물 광합성에 유리한 스펙트럼을 구현하기 위해서는 방출 스펙트럼에 있어 적색 파장 영역을 강하게 하면서도 동시에 적색 파장 영역 내에서도 적색 이동(red shift)이 필요한 문제가 있어왔다.
이에, 실시예의 식물 생장용 형광체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
도 3은 실시예의 발광 소자 패키지의 방출 스펙트럼에 관한 도면인바, 도 3을 참조하면 실시예의 식물 생장용 형광체의 발광 중심 파장은 650 nm 이상 670 nm 이하일 수 있다. 이에 따라, 상기 형광체가 후술하는 바와 같이 발광 소자 패키지에 포함되어 적색 파장 영역의 광을 방출할 수 있고, 적색 파장 영역 내에서도 장 파장대의 발광이 가능하다. 따라서, 엽록소 a 및 엽록소 b의 흡수 스펙트럼(도 1 참조) 또는 광합성 속도 스펙트럼(도 2 또는 도 3의 참고예) 중 적색 파장 영역에 유사한 스펙트럼의 구현이 가능하다.
일 실시예에 따르면, 상기 형광체의 방출 스펙트럼 반치폭(Full Width at Half Maximum)은 130 nm 이상 170 nm 이하일 수 있다. 즉, 상기 식물 생장용 형광체는 전술한 범위의 반치폭을 가짐으로써 광합성 속도 스펙트럼과 중첩되는 면적이 현저히 증가될 수 있다. 이에 따라, 상기 식물 생장용 형광체를 사용하는 경우 식물 식물의 생장 속도가 향상될 수 있다.
실시예의 식물 생장용 형광체는 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 상기 형광체의 발광 중심 파장은 650 nm 이상 670 nm 이하일 수 있고, 방출 스펙트럼 반치폭은 130 nm 이상 170 nm 이하 일 수 있다.
이에 따라, 식물의 광합성에 요구되는 스펙트럼과 유사한 적색 스펙트럼의 구현이 가능하여 식물 생장에 적합하므로, 식물 생장용 발광 소자 패키지 및/또는 조명 장치에 적용될 수 있다.
발광 소자 패키지
도 1은 식물 생장용 발광 소자 패키지(200)의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
실시예의 식물 생장용 발광 소자 패키지(200)는 몸체부(130), 몸체부(130) 상에 형성된 캐비티(150) 및 캐비티 내에 배치되는 발광 소자(110)를 포함하고, 몸체부(130)에는 발광 소자(110)와의 전기적 연결을 위한 리드 프레임(142, 144)을 포함할 수 있다.
상기 발광 소자(110)는 캐비티(150) 내에서 캐비티의 바닥면에 배치될 수 있고, 캐비티 내에는 발광 소자를 둘러싸고 몰딩부가 배치될 수 있다.
상기 몰딩부에는 전술한 실시예의 제1 형광체(100)가 포함될 수 있다.
즉, 상기 몰딩부 상에는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 표시되는 화합물을 포함하는 식물 생장용 형광체가 배치될 수 있다.
[화학식 1]
Ca1 - xAlSiN3:Eu2 + x
식 중, x는 0.01 ≤ x ≤ 0.5 이다.
상기 몸체부(130)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상부가 개방되고 측면과 바닥면으로 이루어진 캐비티(150)를 가질 수 있다.
상기 캐비티(150)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 캐비티(150)의 측면은 바닥면에 대하여 수직이거나 경사지게 형성될 수 있으며, 그 크기 및 형태가 다양할 수 있다.
상기 캐비티(150)를 위에서 바라본 형상은 원형, 다각형, 타원형 등일 수 있으며, 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나, 실시예의 목적을 벗어나지 않는 범위 내라면 반드시 이에 제한되지 않는다.
상기 몸체부(130)에는 제1 리드 프레임(142) 및 제2 리드 프레임(144)이 포함되어 상기 발광 소자(110)와 전기적으로 연결될 수 있다. 몸체부(130)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지는 경우, 도시되지는 않았으나 몸체부(130)의 표면에 절연층이 코팅되어 제1, 2 리드 프레임(142, 144) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.
상기 제1 리드 프레임(142) 및 제2 리드 프레임(144)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광 소자(110)에 전류를 공급 할 수 있다. 또한, 상기 제1 리드 프레임(142) 및 제2 리드 프레임(144)은 발광 소자(110)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광 소자(110)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.
상기 발광 소자(110)는 캐비티(150) 내에 배치될 수 있으며, 몸체부(130) 상에 배치되거나 제1 리드 프레임(142) 또는 제2 리드 프레임(144) 상에 배치될 수 있다. 배치되는 발광 소자(110)는 수직형 발광 소자 외에 수평형 발광 소자 등일 수도 있다.
다른 실시예에서는 발광 소자(110)가 제1 리드 프레임(142) 상에 배치되며, 제2 리드 프레임(144)과는 와이어(146)를 통하여 연결될 수 있으나, 발광 소자(110)는 와이어 본딩 방식 외에 플립칩 본딩 또는 다이 본딩 방식에 의하여서도 리드 프레임과 연결될 수 있다.
도 1의 식물 생장용 발광 소자 패키지(200) 실시예에서 몰딩부는 발광 소자(110)를 감싸고 캐비티(150) 내부를 채우며 형성될 수 있다.
또한, 상기 몰딩부는 전술한 제1 형광체(100) 외에도 제2 형광체(160)와 수지를 포함하여 형성될 수 있다.
상기 몰딩부는 상기 발광 소자(110)에서 방출된 광에 의하여 여기 되어 녹색 파장 영역의 광을 방출하는 제2 형광체(160)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 형광체(160)는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Lu3-y(Al,Ga)5O12:Ce3+ y
식 중, y는 0.01 ≤ y ≤ 0.5 이다.
상기 제2 형광체(160)의 발광 중심 파장은 500 nm 이상 545 nm 이하일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 형광체(100) 및 제2 형광체(160) 총 100 중량%에 대하여 상기 제1 형광체(100)는 5 중량% 이상 15 중량% 이하로 포함되고 상기 제2 형광체(160)는 85 중량% 이상 95 중량% 이하로 포함될 수 있다.
상기 몰딩부는 수지와 형광체(100, 160)를 포함할 수 있으며, 발광 소자(110)를 포위하도록 배치되어 발광 소자(110)를 보호할 수 있다.
상기 몰딩부에서 형광체와 같이 혼합되어 사용될 수 있는 수지는 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지 중 어느 하나 또는 그 혼합물의 형태일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 형광체(100) 및 제2 형광체(160)의 총 함량은 상기 몰딩부 100 중량%에 대하여 50 중량% 이상 70 중량% 이하로 포함될 수 있다.
또한, 형광체(100, 160)는 발광 소자(110)에서 방출된 광에 의하여 여기 되어 파장 변환된 광을 발광할 수 있다.
예를 들어, 발광 소자(110)에서 방출된 광은 청색 또는 자외선 파장 영역의 광일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 발광 소자(110)는 청색 광을 방출하는 LED 칩(Chip)일 수 있다.
또한, 일 실시예에 따르면, 상기 발광 소자(110)는 430 nm 이상 460 nm 이하의 광을 방출할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 발광 소자(110)에서 방출된 광은 청색 또는 자외선 파장 영역의 광일 수 있고, 발광 소자 패키지의 몰딩부에는 상기 발광 소자(110)에서 방출된 광에 의하여 여기 되어 적색 광을 방출하는 실시예의 제1 형광체(100), 청색 광에 의하여 여기 되어 녹색 광을 방출하는 제2 형광체(160)를 포함할 수 있는바, 상기 식물 생장용 발광 소자 패키지는 백색광을 방출할 수 있다.
또한, 도면에 도시되지는 않았으나 몰딩부는 캐비티(150)를 채우고 캐비티(150)의 측면부 높이보다 높게 돔(dome) 형상으로 배치될 수 있으며, 식물 생장용 발광 소자 패키지(200)의 광 출사각을 조절하기 위하여 변형된 돔 형상으로 배치될 수도 있다. 몰딩부는 발광 소자(110)를 포위하여 보호하고, 발광 소자(110)로부터 방출되는 빛의 경로를 변경하는 렌즈로 작용할 수도 있다.
실시예의 식물 생장용 발광 소자 패키지는 전술한 실시예의 식물 생장용 형광체를 포함하는바, 식물의 광합성에 유리한 스펙트럼의 구현이 가능할 수 있다. 이에 따라, 상기 식물 생장용 발광 소자 패키지를 사용하는 경우 식물 생장에 유리할 수 있다.
또한, 실시예의 식물 생장용 발광 소자 패키지의 방출 스펙트럼은 반치폭이 넓으므로 광합성 속도 스펙트럼과의 중첩 영역이 넓다. 이에 따라, 상기 식물 생장용 발광 소자 패키지를 식물 생장용 조명장치에 사용하는 경우 식물 식물의 생장 속도가 향상될 수 있다.
뿐만 아니라, 실시예의 식물 생장용 발광 소자 패키지는 고온 조건에서도 성능이 저하되지 않는바 신뢰성 확보가 가능할 수 있다.
발광 소자
도 2는 발광 소자(110)의 일 실시예를 나타낸 도면으로, 발광 소자(110)는 지지기판(70), 발광 구조물(20), 오믹층(40), 제1 전극(80)을 포함할 수 있다.
발광 구조물(20)은 제1 도전형 반도체층(22)과 활성층(24) 및 제2 도전형 반도체층(26)을 포함하여 이루어진다.
제1 도전형 반도체층(22)은 -Ⅴ족, -Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(22)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(22)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(22)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
활성층(24)은 제1 도전형 반도체층(22)과 제2 도전형 반도체층(26) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
활성층(24)은 -Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(26)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(26)은 -Ⅴ족, -Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(26)은 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs,GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 제2 도전형 반도체층(26)이 AlxGa(1-x)N으로 이루어질 수 있다.
제2 도전형 반도체층(26)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(26)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제1 도전형 반도체층(22)의 표면이 패턴을 이루어 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(22)의 표면에는 제1 전극(80)이 배치될 수 있으며, 도시되지는 않았으나 제1 전극(80)이 배치되는 제1 도전형 반도체층(22)의 표면은 패턴을 이루지 않을 수 있다. 제1 전극(80)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
발광 구조물(20)의 둘레에는 패시베이션층(90)이 형성될 수 있다. 패시베이션층(90)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(90)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.
발광 구조물(20)의 하부에는 제2 전극이 배치될 수 있으며, 오믹층(40)과 반사층(50)이 제2 전극으로 작용할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(26)의 하부에는 GaN이 배치되어 제2 도전형 반도체층(26)으로 전류 내지 정공 공급을 원활히 할 수 있다.
오믹층(40)은 약 200 옹스트롱(Å)의 두께일 수 있다. 오믹층(40)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정하지 않는다.
반사층(50)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 반사층(50)은 활성층(24)에서 발생된 빛을 효과 적으로 반사하여 반도체 소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.
지지기판(support substrate, 70)은 금속 또는 반도체 물질 등 도전성 물질로 형성될 수 있다. 전기 전도도 내지 열전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 반도체 소자 작동 시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열 전도도가 높은 물질(ex. 금속 등)로 형성될 수 있다.
예를 들어, 지지기판(70)은 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예를 들어, GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 중 어느 하나일 수 있다) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.
지지기판(70)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가지기 위하여 50㎛ 내지 200㎛의 두께로 이루어질 수 있다.
접합층(60)은 반사층(50)과 지지기판(70)을 결합하는데, 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있다.
도 2에 도시된 발광 소자(110)의 실시예는 수직형 발광 소자의 실시예이나, 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(200)의 실시예에는 도 2에 도시된 수직형 발광 소자 이외에 수평형 발광 소자, 플립칩 타입의 발광 소자가 배치될 수 있으며, 이때 발광 소자(110)는 청색 또는 자외선 파장 영역의 광을 발광할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 발광 소자(110)는 청색 광을 방출하는 LED 칩(Chip)일 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 발광 소자(110)는 430 nm 이상 460 nm 이하의 광을 방출할 수 있다.
도 2에 도시된 일 실시예의 발광 소자를 포함하는 도 1의 발광 소자 패키지의 실시예는 백색광을 방출할 수 있다.
조명 장치
이하에서는 전술한 식물 생장용 발광 소자 패키지(200)가 배치된 조명 시스템의 일 실시예로서 식물 생장용 조명 장치를 설명한다.
실시예의 식물 생장용 발광 소자 패키지(200)는 복수 개가 기판 상에 어레이 될 수 있고, 식물 생장용 발광 소자 패키지(200)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 식물 생장용 발광 소자 패키지(200), 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.
또한, 실시예의 식물 생장용 발광 소자 패키지(200)를 포함하는 조명 장치로 구현될 수 있다.
여기서, 조명 장치는 기판과 실시예에 따른 식물 생장용 발광 소자 패키지(200)를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 헤드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.
헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지들(200)을 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
실시예의 식물 생장용 조명 장치의 경우 전술한 실시예의 제1 형광체(100)를 포함한 식물 생장용 발광 소자 패키지(200)를 적용함으로써, 식물의 광합성에 유리한 스펙트럼의 구현이 가능한바, 식물 생장 속도를 향상시키는 등 식물 생장에 매우 적합하게 사용될 수 있다.
이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 통해서, 본 발명에 따른 작용과 효과를 더욱 상세히 설명하기로 한다.
실시예
Ca1 - xAlSiN3:Eu2 + x(0.01 ≤ x ≤ 0.5)로 표시되고 발광 중심 파장이 660 nm인 적색 형광체, Lu3 - y(Al,Ga)5O12:Ce3 + y(0.01 ≤ y ≤ 0.5)로 표시되고 발광 중심 파장이 530 nm인 녹색 형광체 및 445 nm 부근에서 청색 광을 방출하는 LED 칩을 포함하는 식물 생장용 발광 소자 패키지를 제조하였다.
비교예
적색 형광체 대신 적색 광을 방출하는 LED 칩을 사용한 것을 제외하고는, 실시예와 동일한 방법으로 발광 소자 패키지를 제조하였다.
실험예 : 스펙트럼 분석
실시예, 비교예의 방출 스펙트럼을 분석하였고 광합성 속도 스펙트럼을 스펙트럼 분석의 참고예로 하였으며, 그 결과는 도 4 및 도 5와 같다.
도 4는 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 방출 스펙트럼 및 참고예의 스펙트럼(광합성 속도 스펙트럼)에 관한 도면이고, 도 5는 비교예에 따른 발광 소자 패키지의 방출 스펙트럼 및 참고예의 스펙트럼(광합성 속도 스펙트럼)에 관한 도면이다.
도 4 및 도 5를 참조하면 실시예의 방출 스펙트럼이 비교예의 방출 스펙트럼에 비하여 참고예의 스펙트럼과 유사한 것을 확인할 수 있었다. 또한, 참고예의 스펙트럼과의 중첩 면적이 실시예의 경우에 더 큰 것을 알 수 있었다. 이에 의하면, 실시예의 발광 소자 패키지가 비교예에 비하여 식물 생장에 필요한 스펙트럼을 구현하는데 보다 효과적임을 예측할 수 있었다.
또한, 도 5에서 비교예의 방출 스펙트럼은 청색광 영역에서 반치폭이 약 15 nm 이고, 적색광 영역에서 반치폭이 약 16 nm 로 좁은 것에 비하여, 실시예의 방출 스펙트럼은 반치폭이 매우 넓게 나타남을 확인 할 수 있었다. 이에 따라, 실시예의 발광 소자 패키지가 비교예에 비하여 식물 생장 속도 향상에 적합함을 예측할 수 있었다.
한편, 식물 생장이 가시광 파장 대역 중 적색광과 청색광 영역의 빛에 의해 주로 이루어지므로 적색 영역대의 빛이 광합성에 매우 중요한바, 적색광 방출에 적합한 발광 소자 패키지를 확인하기 위하여 600 nm 내지 700 nm 영역에 해당하는 스펙트럼의 면적을 분석하였다.
도 6은 비교예의 발광 소자 패키지에 포함되는 적색 LED 칩(chip)의 방출 스펙트럼 및 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 방출 스펙트럼에 관한 도면이다.
도 6을 참조하면, 실시예에 따른 방출 스펙트럼에 있어 600 nm 내지 700 nm 파장대의 스펙트럼 면적을 100 %라고 가정할 경우, 상기 파장 범위에서 비교예에 따른 적색 LED 칩(chip) 스펙트럼의 면적은 약 40 %인 것으로 확인되었다. 이를 통해, 실시예의 발광 소자 패키지가 비교예의 발광 소자 패키지에 비하여 적색 영역대의 빛 방출에 적합하므로 식물 생장용으로 적용 가능함을 예측할 수 있었다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 제1 형광체
110: 발광 소자
130: 몸체부
150: 캐비티
160: 제2 형광체
200: 발광 소자 패키지

Claims (16)

  1. 몸체부;
    상기 몸체부 상에 형성된 캐비티;
    상기 캐비티 내에 배치된 발광 소자;
    상기 발광 소자를 둘러싸고 상기 캐비티 내에 배치된 몰딩부; 및
    상기 몰딩부 상에 배치되는 제1 형광체;를 포함하며,
    상기 제1 형광체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고,
    상기 제1 형광체의 방출 스펙트럼 반치폭(Full Width at Half Maximum)은 130 nm 내지 170 nm이며,
    상기 몰딩부는 상기 발광 소자에서 방출된 광에 의하여 여기 되어 녹색 파장 영역의 광을 방출하는 제2 형광체를 포함하고,
    상기 제2 형광체는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하며,
    상기 제1 형광체 및 상기 제2 형광체의 총 함량은 상기 몰딩부 100 중량%에 대하여 50 중량% 이상 70 중량% 이하로 포함되는 식물 생장용 발광 소자 패키지.
    [화학식 1]
    Ca1-xAlSiN3:Eu2+x
    (식 중, x는 0.01 ≤ x ≤ 0.5),
    [화학식 2]
    Lu3-y(Al,Ga)5O12:Ce3+y
    (식 중, y는 0.01 ≤ y ≤ 0.5)
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 형광체의 발광 중심 파장은 650 nm 이상 670 nm 이하인 식물 생장용 발광 소자 패키지.
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 형광체의 발광 중심 파장은 500 nm 이상 545 nm 이하인 식물 생장용 발광 소자 패키지.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 형광체 및 상기 제2 형광체 총 100 중량%에 대하여
    상기 제1 형광체는 5 중량% 이상 15 중량% 이하로 포함되고
    상기 제2 형광체는 85 중량% 이상 95 중량% 이하로 포함되는 식물 생장용 발광 소자 패키지.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
KR1020170076650A 2017-06-16 2017-06-16 식물 생장용 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치 KR102455085B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170076650A KR102455085B1 (ko) 2017-06-16 2017-06-16 식물 생장용 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170076650A KR102455085B1 (ko) 2017-06-16 2017-06-16 식물 생장용 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180137237A KR20180137237A (ko) 2018-12-27
KR102455085B1 true KR102455085B1 (ko) 2022-10-14

Family

ID=64953092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170076650A KR102455085B1 (ko) 2017-06-16 2017-06-16 식물 생장용 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102455085B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013147584A (ja) * 2012-01-20 2013-08-01 Solidlite Corp 植物育成用発光ダイオード

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110131564A (ko) * 2010-05-31 2011-12-07 일진반도체 주식회사 발광 다이오드 광원을 이용한 식물 재배방법
KR20160069724A (ko) * 2014-12-09 2016-06-17 엘지이노텍 주식회사 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013147584A (ja) * 2012-01-20 2013-08-01 Solidlite Corp 植物育成用発光ダイオード

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180137237A (ko) 2018-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3057131B1 (en) Light-emitting device package and lighting apparatus including the same
US10892390B2 (en) Light-emitting element and light-emitting element package including the same
EP2365528A2 (en) Two light emitting diodes stacked in an n-p-n arrangement and LED package comprising the same
US20170335186A1 (en) Fluorescent composition, a light emitting element package comprising same, and an illuminating device
CN107949920B (zh) 发光器件和包含该发光器件的发光器件封装
KR102163956B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR102008276B1 (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
US10199540B2 (en) Light emitting diode, light emitting diode package including same, and lighting system including same
KR102401828B1 (ko) 발광소자 패키지
US10982141B2 (en) Phosphor composition, light-emitting device package comprising same, and lighting apparatus
KR102455085B1 (ko) 식물 생장용 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR102309671B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR102409189B1 (ko) 형광체 구조물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR20170133702A (ko) 발광소자 패키지
KR20170020074A (ko) 발광소자 패키지
KR102200076B1 (ko) 구형 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR101701115B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102502335B1 (ko) 반도체 소자
KR20170085307A (ko) 발광소자 패키지
KR102261954B1 (ko) 형광체 필름, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR102432218B1 (ko) 형광체, 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102320865B1 (ko) 발광 소자
KR102425318B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102322696B1 (ko) 자외선 발광소자 및 발광소자 패키지
US10236427B2 (en) Light emitting device package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant