KR102452833B1 - Image display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화상 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 게이트 라인과 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하여 화소 전극을 정의하는 데이터 라인, 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에서 상기 게이트 라인으로부터 분기되어 구비된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 액티브 층 및 상기 액티브 층 상에서 상기 액티브 층과 중첩되어 구비된 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판 아래의 일부에 구비된 컬러 필터 어레이 기판을 포함하고, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판은 컬러 필터 어레이 기판이 포함된 부분을 제외한 영역에 개구부를 포함하며, 상기 개구부는 탭(TAB) 및 상기 탭과 이격된 더미부를 포함함으로써 COF(Chip On Film)의 배선 감지에 따른 시감 저하 문제를 개선하는 화상 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an image display device, and more particularly, to a data line defining a pixel electrode by crossing a gate line and a gate insulating film on a substrate, and from the gate line in an intersection region of the gate line and the data line. A thin film transistor array substrate including a branched gate electrode, an active layer on the gate electrode, and source/drain electrodes overlapping the active layer on the active layer, and a part provided under the thin film transistor array substrate a color filter array substrate, wherein the thin film transistor array substrate includes an opening in a region excluding a portion including the color filter array substrate, wherein the opening includes a tab TAB and a dummy portion spaced apart from the tab to form a COF ( Chip On Film) relates to an image display device that improves the problem of deterioration of visual perception due to wiring detection.

Description

화상 표시 장치{IMAGE DISPLAY DEVICE}Image display device {IMAGE DISPLAY DEVICE}

본 발명은 화상 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 4면 보더리스 모델에 있어 COF(Chip On Film)의 배선 감지에 따른 시감 저하 문제를 개선하는 화상 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an image display device, and more particularly, to an image display device that improves the visual perception degradation caused by the detection of wiring in a chip on film (COF) in a four-sided borderless model.

통상, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)는 매트릭스 형태로 배열된 액정셀들이 비디오신호에 따라 광투과율을 조절함으로써 액정패널에 비디오신호에 해당하는 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여, 액정 표시 장치는 액정셀들이 액티브 매트릭스(Active Matrix) 형태로 배열된 액정패널과, 액정셀들을 구동하기 위한 구동 집적회로(Integrated Circuit; 이하 'IC'라 함)들을 구비한다. 구동 IC들은 통상 칩(Chip) 형태로 제작되며 탭(Tape Autoamted Bonding; 이하 'TAB'라 함) 방식인 경우 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package; 이하 'TCP'라 함)에 실장되거나 칩 온 글래스(Chips On Glass; COG) 방식인 경우 액정패널의 표면에 실장되게 된다. TAB 방식인 경우 구동 IC들은 TCP에 의해 액정패널에 마련된 패드와 전기적으로 접속되어 있다.In general, a liquid crystal display device (LCD) displays an image corresponding to a video signal on a liquid crystal panel by controlling light transmittance according to a video signal by liquid crystal cells arranged in a matrix form. To this end, the liquid crystal display includes a liquid crystal panel in which liquid crystal cells are arranged in an active matrix form, and a driving integrated circuit (hereinafter referred to as 'IC') for driving the liquid crystal cells. Driving ICs are usually manufactured in the form of a chip, and in the case of a tap (Tape Autoamted Bonding; hereinafter referred to as 'TAB') method, they are mounted on a tape carrier package (hereinafter referred to as 'TCP') or chip-on-glass (hereinafter referred to as 'TCP'). In the case of Chips On Glass (COG) method, it is mounted on the surface of the liquid crystal panel. In the case of the TAB method, the driving ICs are electrically connected to the pads provided on the liquid crystal panel by TCP.

도 1은 종래 일반적인 화상 표시 장치의 일 구조를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 화상 표시 장치에 있어 COF의 금속 패턴에 반사된 빛이 차폐되는 모습을 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 3은 종래 4면 보더리스형 화상 표시 장치의 일 구조를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3의 화상 표시 장치에 있어 COF의 금속 패턴에 반사된 빛이 수요자에게 감지되는 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a conventional general image display device, and FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a state in which light reflected by a metal pattern of a COF is shielded in the image display device of FIG. 1 , FIG. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a conventional four-sided borderless type image display device, and FIG. 4 is a schematic view of a state in which the light reflected by the metal pattern of the COF is sensed by the consumer in the image display device of FIG. 3 . the drawing shown.

이하에서 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명하면, 액정 표시 장치는 영상을 표시하는 표시 영역(Active Area, A/A)과 표시 영역의 외곽에 형성되는 비표시 영역을 구비하는데, 비표시 영역에는 표시 영역에 구동 신호를 공급하기 위한 다수의 외곽 신호라인들이 형성되는 것이 일반적이다. 또한, 일반적인 구조의 표시 장치는 전극 패턴(게이트/소스/드레인/화소 전극, 7)이 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판(3c) 상부에 컬러 필터 어레이 기판(3b)을 부착시킨 구조였으므로(도 1 참조) 컬러 필터 어레이 기판(6)의 정면으로 화상이 구현되었다. Hereinafter, referring to FIGS. 1 to 4 , the liquid crystal display includes an active area (A/A) for displaying an image and a non-display area formed outside the display area. A plurality of outer signal lines for supplying a driving signal to the display area are generally formed. In addition, since a display device having a general structure has a structure in which a color filter array substrate 3b is attached to an upper portion of a thin film transistor array substrate 3c on which electrode patterns (gate/source/drain/pixel electrodes, 7) are formed (refer to FIG. 1) An image was realized with the front side of the color filter array substrate 6 .

따라서, 수요자가 영상을 감지하는 방향은 컬러 필터 어레이 기판(3b) 상부이므로, COF로 입사된 빛이 COF의 배선에 의해 반사되어 박막 트랜지스터 어레이 기판(3c)의 개구부(3a)를 통과하더라도 케이스 탑(1) 등의 지지체에 의해 상기 반사광이 차폐되어 수요자가 반사광을 감지할 수 없었다(도 2 참조).Therefore, since the direction in which the consumer senses the image is the upper part of the color filter array substrate 3b, even though the light incident on the COF is reflected by the COF wiring and passes through the opening 3a of the thin film transistor array substrate 3c, the case top (1) The reflected light was shielded by the back support, so that the consumer could not sense the reflected light (see FIG. 2).

그러나, 표시 장치의 품질을 향상시키기 위하여 표시 영역을 넓게 형성하기 위한 방법으로 비표시 영역의 베젤 영역을 작게 하기 위한 연구가 활발히 진행되었다. 그 결과, 비표시 영역의 4면이 커버 등에 의해 둘러 쌓이지 않고 박막 트랜지스터 어레이 기판(3c) 표면에 커버 등에 의한 단차가 없는 4면 보더리스(Boardless) 구조의 표시 장치가 등장하였다(도 3 참조).However, in order to improve the quality of the display device, research has been actively conducted to reduce the bezel area of the non-display area as a method for forming a wide display area. As a result, a display device having a four-sided borderless structure has appeared in which four surfaces of the non-display area are not surrounded by a cover or the like and there is no step difference due to the cover or the like on the surface of the thin film transistor array substrate 3c (see FIG. 3 ). .

박막 트랜지스터 어레이 기판(3c) 면으로 화상을 구현하는 4면 보더리스 모델의 경우, 컬러 필터 어레이 기판(3b)이 박막 트랜지스터 어레이 기판(3c)의 하부에 배치된다. 따라서, COF로 입사된 빛이 COF 배선에 반사되어 박막 트랜지스터 어레이 기판(3c)의 개구부(3a)를 통과하더라도 4면 보더리스 구조의 특성상 상기 반사광을 차폐할 대체 구성이 없는바 COF 배선이 육안으로 감지되는 문제가 발생한다(도 4 및 도 5 참조). 이에 따라 시감이 저하되어 표시장치의 성능을 저해하므로 이에 대한 해결책이 필요한 실정이다.In the case of a four-sided borderless model in which an image is implemented on the thin film transistor array substrate 3c surface, the color filter array substrate 3b is disposed below the thin film transistor array substrate 3c. Therefore, even if the light incident on the COF is reflected by the COF wiring and passes through the opening 3a of the thin film transistor array substrate 3c, there is no alternative configuration to block the reflected light due to the nature of the four-sided borderless structure. A detected problem occurs (see FIGS. 4 and 5). Accordingly, the visual sense is deteriorated, which impairs the performance of the display device, and thus a solution is required.

본 발명은 4면 보더리스 모델에 있어 COF(Chip On Film)의 배선 감지에 따른 시감 저하 문제를 개선하는 화상 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an image display device that improves the problem of deterioration in visual perception due to the detection of wiring of a chip on film (COF) in a four-sided borderless model.

본 발명의 화상 표시 장치는 기판 상에 게이트 라인과 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하여 화소 전극을 정의하는 데이터 라인, 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에서 상기 게이트 라인으로부터 분기되어 구비된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 액티브 층 및 상기 액티브 층 상에서 상기 액티브 층과 중첩되어 구비된 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판 아래의 일부에 구비된 컬러 필터 어레이 기판을 포함하고, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판은 컬러 필터 어레이 기판이 포함된 부분을 제외한 영역에 개구부를 포함하며, 상기 개구부는 탭(TAB) 및 상기 탭과 이격된 더미부를 포함한다.The image display device of the present invention includes a data line defining a pixel electrode by crossing a gate line and a gate insulating film therebetween on a substrate, a gate electrode branched from the gate line in an intersection region of the gate line and the data line; A thin film transistor array substrate including an active layer on the gate electrode and source/drain electrodes provided on the active layer to overlap the active layer, and a color filter array substrate provided under a part of the thin film transistor array substrate, , the thin film transistor array substrate includes an opening in a region excluding a portion including the color filter array substrate, and the opening includes a tab TAB and a dummy portion spaced apart from the tab.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 더미부는 금속 원장 또는 금속 패턴을 포함할 수 있고, 이 때 상기 금속 패턴은 슬릿형, 사선형 및 X형으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the dummy part may include a metal ledger or a metal pattern, wherein the metal pattern may be at least one selected from the group consisting of a slit shape, an oblique shape, and an X shape.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 탭과 더미부는 100 내지 500 μm 이격될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the tab and the dummy portion may be spaced apart from each other by 100 μm to 500 μm.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 더미부는 상기 개구부의 네 모서리를 둘러싸는 형태일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the dummy portion may have a shape surrounding the four corners of the opening.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 더미부는 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 인듐티타늄옥사이드(ITO), 인듐옥사이드(IO), 티타늄옥사이드(TO), 인듐징크옥사이드(IZO) 및 징크옥사이드(ZnO)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 재질로 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the dummy portion is molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), aluminum (Al), indium titanium oxide At least one selected from the group consisting of (ITO), indium oxide (IO), titanium oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), and zinc oxide (ZnO) may be included as a material.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 더미부는 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 화소 전극으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나와 동일한 재질을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the dummy part may include the same material as any one selected from the group consisting of a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and a pixel electrode.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 더미부는 투명 전도층을 포함하는 3중층 또는 4중층의 적층체일 수 있다. 상기 더미부가 3중층 구조인 경우, 제1 금속층, 투명 전도층 및 제2 금속층의 적층체일 수 있고, 상기 더미부가 4중층 구조인 경우, 제1 투명 전도층, 제1 금속층, 제2 투명 전도층 및 제2 금속층의 적층체일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the dummy part may be a triple or quadruple laminate including a transparent conductive layer. When the dummy part has a triple layer structure, it may be a laminate of a first metal layer, a transparent conductive layer, and a second metal layer, and when the dummy part has a quadruple layer structure, a first transparent conductive layer, a first metal layer, and a second transparent conductive layer And it may be a laminate of the second metal layer.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 더미부는 상기 게이트 전극, 소스/드레인 전극 및 화소 전극과 플로팅된 구조일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the dummy part may have a structure in which the gate electrode, the source/drain electrode, and the pixel electrode are floating.

본 발명의 화상 표시 장치는 4면 보더리스 모델에 있어 더미부를 포함함으로써 COF의 배선에 의한 반사광의 감지 문제를 개선할 수 있다. 이에 따라 시감이 현저히 향상된다.The image display device of the present invention can improve the detection problem of reflected light by wiring of the COF by including the dummy part in the four-sided borderless model. Accordingly, the sense of sight is significantly improved.

또한, 적층체 구조의 더미부를 포함함으로써 반사 시감 저하 정도를 보다 더 개선할 수 있다.In addition, by including the dummy part of the laminate structure, it is possible to further improve the degree of reduction in the luminous reflection.

도 1은 종래 일반적인 화상 표시 장치의 일 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 화상 표시 장치에 있어 COF의 금속 패턴에 반사된 빛이 차폐되는 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 종래 4면 보더리스형 화상 표시 장치의 일 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3의 화상 표시 장치에 있어 COF의 금속 패턴에 반사된 빛이 수요자에게 감지되는 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 도 3의 화상 표시 장치에 있어 패드부를 위에서 관찰한 모습에 관한 CAD 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 화상 표시 장치에 포함된 박막 트랜지스터 어레이 기판을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 화상 표시 장치에 있어 COF의 금속 패턴에 반사된 빛이 수요자에게 감지되지 않는 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시에 따른 더미부의 적층구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예 1 내지 8 및 비교예 1의 패드부를 위에서 관찰한 모습에 관한 CAD 도면이다.
도 10은 실시예 9 내지 12 및 비교예 2의 패드부를 위에서 관찰한 모습에 관한 CAD 도면이다.
도 11은 실시예 9 내지 12 및 비교예 2의 패드부를 위에서 현미경으로 관찰한 모습에 관한 사진이다.
도 12는 실시예 9 내지 12 및 비교예 2의 패드부를 위에서 육안으로 관찰한 모습에 관한 사진이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a conventional general image display apparatus.
FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a state in which light reflected by a metal pattern of a COF is shielded in the image display device of FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a conventional four-sided borderless type image display device.
FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a state in which light reflected by a metal pattern of a COF is sensed by a consumer in the image display device of FIG. 3 .
FIG. 5 is a CAD diagram of a state in which the pad part is observed from above in the image display device of FIG. 3 .
6 is a plan view schematically illustrating a thin film transistor array substrate included in an image display device according to an embodiment of the present invention.
7 is a diagram schematically illustrating a state in which light reflected by a metal pattern of a COF is not detected by a consumer in the image display device according to an embodiment of the present invention.
8 is a view schematically showing a stacked structure of a dummy part according to an embodiment of the present invention.
9 is a CAD diagram of a state observed from above the pad portion of Examples 1 to 8 and Comparative Example 1 of the present invention.
FIG. 10 is a CAD diagram of the pad parts of Examples 9 to 12 and Comparative Example 2 when viewed from above.
11 is a photograph relating to the state observed under a microscope from the top of the pad of Examples 9 to 12 and Comparative Example 2.
12 is a photograph of a state observed with the naked eye from the top of the pad portion of Examples 9 to 12 and Comparative Example 2.

실시예의 설명에 있어서, 각 층, 막, 전극, 판 또는 기판 등이 각 층, 막, 전극, 판 또는 기판 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. In the description of embodiments, each layer, film, electrode, plate or substrate, etc. is described as being formed “on” or “under” each layer, film, electrode, plate or substrate, etc. In some instances, “on” and “under” include both “directly” or “indirectly” formed through another element.

또한 각 구성요소의 상, 옆 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In addition, the criteria for the upper, side, or lower of each component will be described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for explanation, and does not mean the size actually applied.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 화상 표시 장치에 포함된 박막 트랜지스터 어레이 기판을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 화상 표시 장치에 있어 COF의 금속 패턴에 반사된 빛이 수요자에게 감지되지 않는 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다. 이하에서는 도 6 및 7을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하도록 한다.6 is a plan view schematically illustrating a thin film transistor array substrate included in an image display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a metal pattern of a COF in an image display device according to an embodiment of the present invention. It is a diagram schematically showing how the reflected light is not detected by the consumer. Hereinafter, an embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7 .

도 6을 살펴보면, 본 발명은 표시영역과 비표시영역으로 구분되는 기판(19) 상에 일방향으로 형성되는 게이트 라인(21)과 데이터 라인(22)이 수직 교차되어 형성되며 상기 기판(19)의 표시영역에서 화소영역을 정의한다. 상기 게이트 라인(21)과 데이터 라인(22)의 교차영역에 박막 트랜지스터가 형성된다. 또한, 상기 박막 트랜지스터와 콘택홀을 통해 연결되는 화소 전극(26)이 형성된다. 이때, 상기 박막 트랜지스터는 산화물 반도체 박막 트랜지스터일 수 있다.Referring to FIG. 6 , according to the present invention, a gate line 21 and a data line 22 formed in one direction on a substrate 19 divided into a display area and a non-display area are vertically intersected to form the substrate 19 . A pixel area is defined in the display area. A thin film transistor is formed at the intersection of the gate line 21 and the data line 22 . In addition, a pixel electrode 26 connected to the thin film transistor through a contact hole is formed. In this case, the thin film transistor may be an oxide semiconductor thin film transistor.

상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트 라인(21)에서 연장된 게이트 전극(27), 게이트 절연막(미도시), 액티브층(23), 상기 데이터 라인(22)으로부터 분기된 소스 전극(24) 및 상기 소스 전극(24)과 동일층에서 상기 소스 전극(24)과 이격되어 형성된 드레인 전극(25)을 포함하여 구성된다. The thin film transistor includes a gate electrode 27 extending from the gate line 21 , a gate insulating layer (not shown), an active layer 23 , a source electrode 24 branched from the data line 22 , and the source electrode. It is configured to include a drain electrode 25 formed to be spaced apart from the source electrode 24 on the same layer as (24).

상기 기판(19)은 실리콘(Si), 유리(glass), 플라스틱 또는 폴리이미드(PI) 등이 사용될 수 있다. The substrate 19 may be made of silicon (Si), glass, plastic, polyimide (PI), or the like.

상기 게이트 전극(27)은 불투명한 금속 재질, 예를 들면, 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰디브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.The gate electrode 27 is made of an opaque metal material, for example, aluminum (Al), tungsten (W), copper (Cu), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum (Ta), and titanium (Ti). ) may be formed including at least one selected from the group consisting of.

상기 게이트 절연막은 SiOx, SiNx, SiON, HfO2, Al2O3, Y2O3, Ta2O5 등과 같은 유전체 또는 고유전율 유전체 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 상기 게이트 절연막은 단일층 또는 2이상의 층으로 형성된 다중층으로 형성될 수 있다.The gate insulating layer may be formed of a dielectric such as SiOx, SiNx, SiON, HfO 2 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , Ta 2 O 5 , or a high-k dielectric, or a combination thereof. The gate insulating layer may be formed as a single layer or as a multilayer formed of two or more layers.

상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 전극(27)과 적어도 일부 중첩되도록 액티브층(23)을 형성한다. 상기 게이트 절연막 상에 반도체 물질을 도포하고, 상기 반도체 물질 상에 포토 레지스트를 형성하고, 투과부와 차단부로 이루어진 마스크를 이용하여 노광 및 현상 공정으로 포토 레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토 레지스트 패턴은 상기 게이트 전극(27)과 중첩되는 영역에서 형성되고, 상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 반도체 물질을 식각하여 박막 트랜지스터의 액티브층(23)을 형성한다. 또한, 상기 액티브층(23)은 열처리 공정이 추가될 수도 있다.An active layer 23 is formed on the gate insulating layer to at least partially overlap the gate electrode 27 . A semiconductor material is coated on the gate insulating layer, a photoresist is formed on the semiconductor material, and a photoresist pattern is formed through exposure and development processes using a mask including a transmissive part and a blocking part. The photoresist pattern is formed in a region overlapping the gate electrode 27 , and the semiconductor material is etched using the photoresist pattern as a mask to form the active layer 23 of the thin film transistor. In addition, a heat treatment process may be added to the active layer 23 .

상기 액티브층(23)은 실리콘반도체보다 높은 이동도 및 안정적인 정전류특성을 갖는 것으로 알려진 AxByCzO(x, y, z ≥0)의 산화물반도체로 선택될 수 있다. 이때, A, B 및 C 각각은 Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf 및 Zr 중에서 선택된다. 바람직하게는, 상기 액티브층(23)은 ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, InZnHfO, SnInO 및 SnO 중에서 선택될 수 있으나, 본 발명은 이에 국한되지 않는다.The active layer 23 may be selected from an oxide semiconductor of AxByCzO (x, y, z ≥ 0), which is known to have higher mobility and stable constant current characteristics than silicon semiconductors. At this time, each of A, B and C is selected from Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf and Zr. Preferably, the active layer 23 may be selected from ZnO, InGaZnO 4 , ZnInO, ZnSnO, InZnHfO, SnInO and SnO, but the present invention is not limited thereto.

상기 액티브층(23) 상에 액티브 보호층을 형성한다. 상기 액티브 보호층 상에 상기 게이트 전극(27)과 중첩되는 영역에 포토 레지스트 패턴을 형성한다. 상기 액티브 보호층은 SiO2 로 형성될 수 있으나, 이에 국한되지 않는다.An active protective layer is formed on the active layer 23 . A photoresist pattern is formed on the active protective layer in a region overlapping with the gate electrode 27 . The active protective layer may be formed of SiO 2 , but is not limited thereto.

소스 전극(24) 및 드레인 전극(25)은 이격되어 배치될 수 있다. 본 명세서에 있어 각 도면에는 컨택홀과 직접 접하는 전극을 드레인 전극(25)으로 도시하였으나, 반드시 이에 국한되는 것은 아니며 경우에 따라서는 소스 전극(24)일 수 있다.The source electrode 24 and the drain electrode 25 may be spaced apart from each other. In the present specification, although an electrode in direct contact with the contact hole is illustrated as the drain electrode 25 in each drawing, the present disclosure is not limited thereto and may be the source electrode 24 in some cases.

상기 컨택홀이 형성된 기판(11) 상에 데이터 라인(22), 상기 데이터 라인(22)으로부터 분기된 소스 전극(24) 및 상기 소스 전극(24)과 이격하여 드레인 전극(25)을 형성할 수 있다. A data line 22 , a source electrode 24 branched from the data line 22 , and a drain electrode 25 spaced apart from the source electrode 24 may be formed on the substrate 11 on which the contact hole is formed. have.

상기 소스 전극(24) 또는 드레인 전극(25)은 각각 독립적으로 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 중 어느 하나를 이용할 수 있다. 또한, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명성 도전물질을 사용할 수 있다.The source electrode 24 or the drain electrode 25 is each independently molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), aluminum (Al). , any one of alloys formed from a combination thereof may be used. In addition, a transparent conductive material such as Indium Tin Oxide (ITO) may be used.

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 소스 전극(24) 및 드레인 전극(25)이 형성된 기판(11) 전면에 보호층 또는 평탄화막 등의 절연막이 형성될 수 있다. 또한, 상기 절연막은 상기 드레인 전극(25)을 노출하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 상기 노출된 드레인 전극(25)은 화소 전극(26)과 연결될 수 있다.Although not shown in the drawings, an insulating layer such as a protective layer or a planarization layer may be formed on the entire surface of the substrate 11 on which the source electrode 24 and the drain electrode 25 are formed. Also, the insulating layer may include a contact hole exposing the drain electrode 25 . The exposed drain electrode 25 may be connected to the pixel electrode 26 .

상기 화소 전극(26)은 게이트 라인(21)과 데이터 라인(22)이 교차하여 정의하는 화소영역의 전면에서 상기 게이트 라인(21) 및 데이터 라인(22)과 이격하여 형성한다. The pixel electrode 26 is formed to be spaced apart from the gate line 21 and the data line 22 on the entire surface of the pixel region defined by the intersection of the gate line 21 and the data line 22 .

상기 화소 전극(26)은 인듐티타늄옥사이드(ITO), 인듐옥사이드(IO), 티타늄옥사이드(TO), 인듐징크옥사이드(IZO) 및 징크옥사이드(ZnO)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.The pixel electrode 26 may be formed to include at least one selected from the group consisting of indium titanium oxide (ITO), indium oxide (IO), titanium oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), and zinc oxide (ZnO). can

전술한 바와 같이, 기존 구조의 화상 표시 장치와 달리 박막 트랜지스터 어레이 기판 면으로 화상을 구현하는 4면 보더리스 모델의 표시 장치는 COF로 입사된 빛이 COF 배선에 반사되어 박막 트랜지스터 어레이 기판의 개구부를 그대로 통과하는바 상기 배선이 육안으로 감지되어 시감을 저해하는 문제가 있다.As described above, unlike an image display device having a conventional structure, in a display device of a four-sided borderless model that implements an image on the thin film transistor array substrate surface, the light incident on the COF is reflected on the COF wiring to close the opening of the thin film transistor array substrate. As it passes through, the wiring is visually detected and there is a problem in that the sense of sight is impaired.

이에, 본 발명의 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(20)은 컬러 필터 어레이 기판이 포함된 부분을 제외한 영역에 개구부를 포함하며, 상기 개구부(28)는 탭(TAB) 및 상기 탭과 이격된 더미부(29)를 포함한다. 이에 따라 COF로 입사된 빛이 COF 배선에 의해 반사되더라도 본 발명에 따른 더미부(29)가 상기 반사광을 차폐하는바, 개구부(28)로 반사광이 투과할 수 없어 COF 배선이 감지되지 않는바 시감 저하 문제를 개선할 수 있다(도 7 참조).Accordingly, the thin film transistor array substrate 20 of the present invention includes an opening in a region excluding a portion including the color filter array substrate, and the opening 28 includes a tab TAB and a dummy portion spaced apart from the tab. 29). Accordingly, even if the light incident on the COF is reflected by the COF wiring, the dummy portion 29 according to the present invention blocks the reflected light, and the reflected light cannot pass through the opening 28, so the COF wiring is not detected. It is possible to improve the degradation problem (see FIG. 7 ).

상기 개구부(28)는 박막 트랜지스터 어레이 기판(20)은 컬러 필터 어레이 기판이 포함된 부분을 제외한 영역, 즉 패드부에 구비되고 탭 및 상기 탭과 이격된 더미부(29)를 포함한다.The opening 28 is provided in an area of the thin film transistor array substrate 20 excluding a portion including the color filter array substrate, that is, a pad portion, and includes a tab and a dummy portion 29 spaced apart from the tab.

상기 더미부(29)는 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(20) 상에서 상기 탭과 이격되어 구비된다. 다만, 화상 표시 장치의 구동을 위하여 구동 IC를 연결하기 위한 최소한의 면적이 필요하므로, 상기 더미부(29)는 개구부(28) 전면을 덮지 않도록 구비된다.The dummy part 29 is provided on the thin film transistor array substrate 20 to be spaced apart from the tab. However, since a minimum area for connecting the driving IC is required for driving the image display device, the dummy part 29 is provided so as not to cover the entire surface of the opening 28 .

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 탭과 더미부(29)는 100 내지 500 μm 이격될 수 있다. 탭과 더미부(29)의 간격이 100 μm 미만인 경우에는 표시 패널과 구동 IC를 연결하기 위한 면적 확보가 곤란하고, 탭과 더미부(29)의 간격이 500 μm를 초과하는 경우에는 COF 배선에 의한 반사광 감지 효과가 저하될 수 있어 전술한 범위 내에서 시감 개선 효과가 현저해진다.According to an embodiment of the present invention, the tab and the dummy portion 29 may be spaced apart from each other by 100 to 500 μm. When the distance between the tab and the dummy portion 29 is less than 100 μm, it is difficult to secure an area for connecting the display panel and the driving IC. The effect of detecting reflected light may be reduced, so that the effect of improving the visual perception becomes remarkable within the above-described range.

본 발명에 있어, 상기 더미부(29)는 COF 배선의 비침을 방지 또는 저감시킬 수 있는 것이라면 그 재질에 있어 본 발명의 목적을 벗어나지 않는 범위 내에서 특별한 제한은 없지만, 구체적으로는 금속으로 형성될 수 있다. In the present invention, the dummy portion 29 is not particularly limited within the scope not departing from the purpose of the present invention in terms of its material as long as it is capable of preventing or reducing the see-through of the COF wiring. Specifically, it may be formed of metal. can

다만, 상기 더미부(29)는 박막 트랜지스터 어레이 기판(20) 중 기판(19) 상에 전극 패턴(게이트/소스/드레인/화소 전극)이 구비된 층과 동일한 층 상에 상기 전극 패턴을 연장하여 형성되는 것이 공정 측면에서 유리한바, 바람직하게는 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 인듐티타늄옥사이드(ITO), 인듐옥사이드(IO), 티타늄옥사이드(TO), 인듐징크옥사이드(IZO) 및 징크옥사이드(ZnO)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 재질로 포함할 수 있다. However, the dummy part 29 is formed by extending the electrode pattern on the same layer as the layer provided with the electrode pattern (gate/source/drain/pixel electrode) on the substrate 19 of the thin film transistor array substrate 20 . Formation is advantageous in terms of process, preferably molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), aluminum (Al), indium titanium oxide At least one selected from the group consisting of (ITO), indium oxide (IO), titanium oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), and zinc oxide (ZnO) may be included as a material.

보다 바람직하게는 박막 트랜지스터 어레이 기판(20)에 포함된 게이트 전극(27), 소스 전극(24), 드레인 전극(25), 또는 화소 전극(26)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.More preferably, the gate electrode 27 , the source electrode 24 , the drain electrode 25 , or the pixel electrode 26 included in the thin film transistor array substrate 20 may be formed of the same material.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 더미부(29)는 금속 원장 또는 금속 패턴을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the dummy part 29 may include a metal ledger or a metal pattern.

상기 더미부(29)를 금속 원장으로 구현하는 경우, 상기 개구부(28)의 차폐율을 높일 수 있다. 다만, 더미부(29) 형성 시 러빙(rubbing) 공정을 거치는데, 더미부(29)를 구성하는 금속 원장의 면적이 증가할수록 러빙 스크래치에 의한 결함이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 더미부(29)는 금속 패턴으로 형성될 수도 있다.When the dummy part 29 is implemented as a metal ledger, the shielding rate of the opening 28 may be increased. However, when the dummy part 29 is formed, a rubbing process is performed. As the area of the metal ledger constituting the dummy part 29 increases, defects due to rubbing scratches may occur. Accordingly, the dummy portion 29 may be formed of a metal pattern.

상기 금속 패턴의 형상은 구체적인 예를 들면 슬릿형, 사선형 및 X형으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있으나, 본 발명의 목적을 벗어나지 않는 범위 내라면 특별히 제한되지 않는다.The shape of the metal pattern may be, for example, at least one selected from the group consisting of a slit type, an oblique line type, and an X type, but is not particularly limited as long as it does not depart from the object of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 더미부(29)는 상기 개구부(28)의 네 모서리를 둘러싸는 형태일 수 있고, 이 경우 개구부(28)의 차폐 정도가 증가하여 COF 배선 인지에 의한 시감 저하 문제를 현저히 개선할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the dummy part 29 may have a shape surrounding the four corners of the opening 28. In this case, the degree of shielding of the opening 28 is increased, so that the visual perception by COF wiring recognition. The degradation problem can be significantly improved.

도 8은 본 발명의 일 실시에 따른 더미부(29)의 적층구조를 개략적으로 나타낸 도면이므로, 이를 참조하면 본 발명의 일 실시예에 있어 상기 더미부(29)는 투명 전도층을 포함하는 3중층 또는 4중층의 적층체일 수 있다. 이 경우, 적층 구조로 인해 COF 배선에 의해 반사된 빛 간의 간섭이 보다 용이해지므로, 반사광의 차폐 효과가 극대화되어 시감 개선 효과가 현저해진다. 8 is a view schematically showing the stacked structure of the dummy part 29 according to an embodiment of the present invention. Referring to this, in an embodiment of the present invention, the dummy part 29 includes a transparent conductive layer. It may be a multilayer or quadruple layer laminate. In this case, since the interference between the light reflected by the COF wiring becomes easier due to the stacked structure, the shielding effect of the reflected light is maximized, and the effect of improving the visibility becomes remarkable.

상기 적층체가 3중층 구조인 경우 제1 금속층, 투명 전도층 및 제2 금속층의 적층체일 수 있고, 4중층 구조인 경우 제1 투명 전도층, 제1 금속층, 제2 투명 전도층 및 제2 금속층의 적층체 일 수 있다. 이 경우 제1 및 제2 금속층은 각각 독립적으로 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr) 및 알루미늄(Al)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, (제1 및 제2)투명 전도층은 인듐티타늄옥사이드(ITO), 인듐옥사이드(IO), 티타늄옥사이드(TO), 인듐징크옥사이드(IZO) 및 징크옥사이드(ZnO)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.When the laminate has a triple-layer structure, it may be a laminate of a first metal layer, a transparent conductive layer, and a second metal layer. It may be a laminate. In this case, the first and second metal layers are each independently selected from the group consisting of molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), and aluminum (Al). It may be formed to include at least one selected, (first and second) transparent conductive layers are indium titanium oxide (ITO), indium oxide (IO), titanium oxide (TO), indium zinc oxide (IZO) and zinc oxide It may be formed including at least one selected from the group consisting of (ZnO).

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 더미부(29)가 금속을 포함하여 형성되는 경우 상기 전극 패턴들과의 전기적 연결을 방지하기 위해 상기 더미부(29)는 상기 게이트 전극(27), 소스 전극(24) 드레인 전극(25) 및 화소 전극(26)과 플로팅(floating) 될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, when the dummy part 29 is formed of metal, the dummy part 29 includes the gate electrode 27 and the source to prevent electrical connection with the electrode patterns. The electrode 24 may float with the drain electrode 25 and the pixel electrode 26 .

본 발명에 따른 컬러 필터 어레이 기판(30)은 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(20) 아래의 일부에 구비된다.The color filter array substrate 30 according to the present invention is provided under a portion of the thin film transistor array substrate 20 .

상기 컬러 필터 어레이 기판(30)은 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터 및 청색 컬러 필터를 포함하며, 백라이트 유닛으로부터 조사된 빛을 필터링하여 원하는 광만을 통과시킨다. 보다 구체적으로 적색 서브픽셀(RSP), 녹색 서브픽셀(GSP), 청색 서브픽셀(BSP)은 그 상측의 개구영역에 각각 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터 및 청색 컬러 필터를 구비하므로 백색광이 각 컬러 필터에 의해 적색(R), 녹색(G), 청색(B)으로 변환된다. The color filter array substrate 30 includes a red color filter, a green color filter, and a blue color filter, and filters light irradiated from the backlight unit to pass only desired light. More specifically, since the red sub-pixel RSP, the green sub-pixel GSP, and the blue sub-pixel BSP each have a red color filter, a green color filter, and a blue color filter in their upper opening regions, white light is transmitted through each color filter. is converted into red (R), green (G), and blue (B).

실시예Example 1 내지 8 및 1 to 8 and 비교예comparative example 1 One

하기 표 1과 같이 더미부를 구성하여 본 발명의 화상 표시 장치(실시예 1 내지 8)를 제조하였고, 더미부를 불포함한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 구성하여 비교예 1의 화상 표시 장치를 제조하였다.An image display device (Examples 1 to 8) of the present invention was manufactured by configuring a dummy part as shown in Table 1, and the image display device of Comparative Example 1 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the dummy part was not included. did.

구분division 더미부의 구성construction of the dummy 실시예 1Example 1 TAB 주변을 금속 슬릿 패턴으로 둘러쌈Wrapped around the TAB with a metal slit pattern 실시예 2Example 2 TAB 주변을 금속 원장으로 둘러쌈Wrap around the TAB with a metal ledger 실시예 3Example 3 TAB 주변의 상,하를 금속 원장으로 차폐하고 좌,우를 금속 슬릿 패턴으로 차폐Shield the top and bottom around the TAB with a metal ledger, and shield the left and right with a metal slit pattern 실시예 4Example 4 TAB 주변의 상,하를 금속 슬릿 패턴으로 차폐하고 좌,우를 금속 원장으로 차폐Shield the top and bottom around the TAB with a metal slit pattern and shield the left and right with a metal ledger 실시예 5Example 5 TAB 주변의 상,하,좌측을 금속 X형 패턴으로 차폐Shielding the upper, lower, and left sides of the TAB with a metal X-shaped pattern 실시예 6Example 6 TAB 주변의 상,하,좌측을 금속 사선형 패턴으로 차폐Shielding the upper, lower, and left sides around the TAB with a metal diagonal pattern 실시예 7Example 7 TAB 주변의 상,하를 금속 X형 패턴으로 차폐하고, 좌측을 금속 사선형 패턴으로 차폐The upper and lower parts around the TAB are shielded with a metal X-shaped pattern, and the left side is shielded with a metal diagonal pattern. 실시예 8Example 8 TAB 주변의 상,하를 금속 사선형 패턴으로 차폐하고, 좌측을 금속 X형 패턴으로 차폐The upper and lower parts around the TAB are shielded with a metal diagonal pattern, and the left side is shielded with a metal X-shaped pattern. 비교예 1Comparative Example 1 더미부 불포함Dummy part not included

도 9는 본 발명의 실시예 1 내지 8 및 비교예 1에 있어 패드부를 위에서 관찰한 모습에 관한 CAD 도면이다. 도 9를 참조하면, 더미부를 포함하는 본 발명의 실시예 1 내지 8은 개구부의 차폐가 가능함을 확인할 수 있으며, 더미부를 불포함하는 비교예 1은 개구부가 매우 넓음을 알 수 있다.9 is a CAD diagram of a state observed from above the pad in Examples 1 to 8 and Comparative Example 1 of the present invention. Referring to FIG. 9 , it can be seen that Examples 1 to 8 of the present invention including the dummy part can shield the opening, and Comparative Example 1 without the dummy part has a very wide opening.

실시예Example 9 내지 12 및 9 to 12 and 비교예comparative example 2 2

하기 표 2와 같이 더미부를 구성하여 본 발명의 화상 표시 장치(실시예 9 내지 12)를 제조하였고, 더미부를 불포함한 것을 제외하고 실시예 9와 동일하게 구성하여 비교예 2의 화상 표시 장치를 제조하였다.An image display device (Examples 9 to 12) of the present invention was manufactured by configuring a dummy part as shown in Table 2 below, and the image display device of Comparative Example 2 was manufactured in the same manner as in Example 9 except that the dummy part was not included. did.

구분division 더미부의 구성construction of the dummy 실시예 9Example 9 TAB 주변을 금속 슬릿 패턴으로 둘러쌈Wrapped around the TAB with a metal slit pattern 실시예 10Example 10 TAB 주변을 금속 슬릿 패턴으로 둘러쌈Wrapped around the TAB with a metal slit pattern 실시예 11Example 11 TAB 주변의 상,하를 금속 원장으로 차폐하고 좌,우를 금속 슬릿 패턴으로 차폐Shield the top and bottom around the TAB with a metal ledger, and shield the left and right with a metal slit pattern 실시예 12Example 12 금속 원장 대신 금속 슬릿 패턴으로 차폐한 것을 제외하고 실시예 11과 동일하게 구성Same configuration as in Example 11 except that it was shielded with a metal slit pattern instead of a metal ledger 비교예 2Comparative Example 2 더미부 불포함Dummy part not included

도 10은 실시예 9 내지 12 및 비교예 2의 패드부를 위에서 관찰한 모습에 관한 CAD 도면이고, 도 11은 실시예 9 내지 12 및 비교예 2의 패드부를 위에서 현미경으로 관찰한 모습에 관한 사진이며, 도 12는 실시예 9 내지 12 및 비교예 2의 패드부를 위에서 육안으로 관찰한 모습에 관한 사진이다. 10 is a CAD drawing of the pad part of Examples 9 to 12 and Comparative Example 2 observed from above, and FIG. 11 is a photograph of the pad part of Examples 9 to 12 and Comparative Example 2 observed under a microscope from above. , Figure 12 is a photograph relating to the state observed with the naked eye from the top of the pad portion of Examples 9 to 12 and Comparative Example 2.

도 10에는 탭과 더미부가 이격된 간격을 수치로 기재하였는바, 그 이격된 간격을 고려할 때 탭과 더미부의 간격이 더 넓은 실시예 9가 실시예 10에 비해 시감이 저하됨을 확인할 수 있었다. In FIG. 10 , the distance between the tab and the dummy part is numerically described. Considering the spaced distance, it was confirmed that Example 9, in which the distance between the tab and the dummy part was wider, was lowered compared to Example 10.

또한, 슬릿 패턴 대신 금속 원장을 포함한 실시예 11이 실시예 12에 비해 시감이 다소 우수하고, 더미부를 불포함한 비교예 2는 그 시감이 현저히 저하됨을 확인할 수 있었다(도 11 및 도 12 참조).In addition, it was confirmed that Example 11 including a metal ledger instead of a slit pattern had slightly better visibility than Example 12, and Comparative Example 2 without a dummy part had significantly lowered visibility (see FIGS. 11 and 12).

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are not exemplified above in the range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And the differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

1: 케이스 탑 2: 가이드 프레임
3: 표시 패널 3a: 개구부
3b: 컬러 필터 어레이 기판 3c: TFT 어레이 기판
4: 접착 부재
5: 백라이트 유닛 6: 바텀 커버
7: 전극 패턴
19: 기판 20: 박막 트랜지스터 어레이 기판
21: 게이트 라인 22: 데이터 라인
23: 액티브 층 24: 소스 전극
25: 드레인 전극 26: 화소 전극
27: 게이트 전극 28: 개구부
29: 더미부 30: 컬러 필터 어레이 기판1: Case top 2: Guide frame
3: display panel 3a: opening
3b: color filter array substrate 3c: TFT array substrate
4: adhesive member
5: Backlight unit 6: Bottom cover
7: electrode pattern
19: substrate 20: thin film transistor array substrate
21: gate line 22: data line
23: active layer 24: source electrode
25: drain electrode 26: pixel electrode
27: gate electrode 28: opening
29: dummy part 30: color filter array substrate

Claims (11)

기판 상에 게이트 라인과 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하여 화소 전극을 정의하는 데이터 라인, 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에서 상기 게이트 라인으로부터 분기되어 구비된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 액티브 층 및 상기 액티브 층 상에서 상기 액티브 층과 중첩되어 구비된 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판; 및
상기 박막 트랜지스터 어레이 기판 아래의 일부에 구비된 컬러 필터 어레이 기판;을 포함하고,
상기 박막 트랜지스터 어레이 기판은 컬러 필터 어레이 기판이 포함된 부분을 제외한 영역인 패드부;
상기 패드부 상에 배치된 탭(TAB); 및
상기 탭(TAB)의 적어도 일 측면으로부터 소정 간격만큼 이격하여 배치된 더미부를 포함하되,
상기 더미부는 투명 전도층을 포함하는 3중층 또는 4중층의 적층체인, 화상 표시 장치.
A data line intersecting a gate line and a gate insulating layer on a substrate to define a pixel electrode, a gate electrode branched from the gate line at an intersection region of the gate line and the data line, and an active layer on the gate electrode and a thin film transistor array substrate including source/drain electrodes provided on the active layer to overlap the active layer; and
Including; a color filter array substrate provided in a portion below the thin film transistor array substrate;
The thin film transistor array substrate may include a pad portion that is an area excluding a portion including the color filter array substrate;
a tab (TAB) disposed on the pad part; and
Including a dummy portion spaced apart from at least one side of the tab (TAB) by a predetermined distance,
The dummy part is a laminate of triple or quadruple layers including a transparent conductive layer, the image display device.
 청구항 1에 있어서, 상기 더미부는 금속 원장 또는 금속 패턴을 포함하는, 화상 표시 장치.
The image display device of claim 1 , wherein the dummy part comprises a metal ledger or a metal pattern.
 청구항 2에 있어서, 상기 금속 패턴은 슬릿형, 사선형 및 X형으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인, 화상 표시 장치.
The image display device of claim 2 , wherein the metal pattern is at least one selected from the group consisting of a slit shape, an oblique shape, and an X shape.
 청구항 1에 있어서, 상기 탭과 더미부는 100 내지 500 μm 이격된, 화상 표시 장치.
The image display device of claim 1 , wherein the tab and the dummy part are spaced apart from each other by 100 μm to 500 μm.
 청구항 1에 있어서, 상기 더미부는 상기 탭(TAB)의 네 측면으로부터 소정 간격만큼 이격하여 둘러싸는, 화상 표시 장치.
The image display device of claim 1 , wherein the dummy part is spaced apart from the four side surfaces of the tab (TAB) by a predetermined distance and surrounds the dummy part.
 청구항 1에 있어서, 상기 더미부는 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 인듐티타늄옥사이드(ITO), 인듐옥사이드(IO), 티타늄옥사이드(TO), 인듐징크옥사이드(IZO) 및 징크옥사이드(ZnO)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 재질로 포함하는, 화상 표시 장치.
The method according to claim 1, wherein the dummy portion molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), aluminum (Al), indium titanium oxide (ITO), An image display device comprising at least one selected from the group consisting of indium oxide (IO), titanium oxide (TO), indium zinc oxide (IZO) and zinc oxide (ZnO) as a material.
 청구항 1에 있어서, 상기 더미부는 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 화소 전극으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나와 동일한 재질을 포함하는, 화상 표시 장치.
The image display device of claim 1 , wherein the dummy part includes the same material as any one selected from the group consisting of a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and a pixel electrode.
 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 더미부가 3중층 구조인 경우 제1 금속층, 투명 전도층 및 제2 금속층의 적층체인, 화상 표시 장치.
The image display device of claim 1 , wherein when the dummy part has a triple-layer structure, it is a laminate of a first metal layer, a transparent conductive layer, and a second metal layer.
 청구항 1에 있어서, 상기 더미부가 4중층 구조인 경우 제1 투명 전도층, 제1 금속층, 제2 투명 전도층 및 제2 금속층의 적층체인, 화상 표시 장치.
The image display device of claim 1 , wherein when the dummy part has a quadruple-layer structure, it is a laminate of a first transparent conductive layer, a first metal layer, a second transparent conductive layer, and a second metal layer.
 청구항 1에 있어서, 상기 더미부는 상기 게이트 전극, 소스/드레인 전극 및 화소 전극과 플로팅된, 화상 표시 장치.
The image display device of claim 1 , wherein the dummy part is floated with the gate electrode, the source/drain electrode, and the pixel electrode.
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