KR102452359B1 - Arc path former and direct current relay include the same - Google Patents
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Abstract
아크 경로 형성부 및 직류 릴레이가 개시된다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 아크 경로 형성부는 좌우 방향 중 어느 하나 이상에 구비되는 할바흐 배열을 포함한다. 할바흐 배열은 그 자체, 또는 다른 자성체와 함께 아크 챔버 내부에 자기장을 형성한다. 형성된 자기장과 직류 릴레이에 통전되는 전류에 의해, 발생된 아크를 유도하기 위한 전자기력이 형성될 수 있다. 전자기력은 각 고정 접촉자에서 멀어지는 방향으로 형성된다. 이에 따라, 발생된 아크가 효과적으로 소호 및 배출될 수 있다. An arc path forming unit and a DC relay are disclosed. The arc path forming unit according to various embodiments of the present disclosure includes a Halbach arrangement provided in at least one of the left and right directions. The Halbach arrangement, on its own or with other magnetic materials, forms a magnetic field inside the arc chamber. An electromagnetic force for inducing the generated arc may be formed by the formed magnetic field and the current passed through the DC relay. An electromagnetic force is formed in a direction away from each fixed contact. Accordingly, the generated arc can be effectively extinguished and discharged.
Description
본 발명은 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 발생된 아크를 외부를 향해 효과적으로 유도할 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이에 관한 것이다.The present invention relates to an arc path forming unit and a DC relay including the same, and more particularly, to an arc path forming unit having a structure capable of effectively inducing a generated arc to the outside, and a DC relay including the same.
직류 릴레이(Direct current relay)는 전자석의 원리를 이용하여 기계적인 구동 또는 전류 신호를 전달해 주는 장치이다. 직류 릴레이는 전자 개폐기(Magnetic switch)라고도 하며, 전기적인 회로 개폐 장치로 분류됨이 일반적이다. A direct current relay is a device that transmits a mechanical drive or current signal using the principle of an electromagnet. A DC relay is also called a magnetic switch and is generally classified as an electrical circuit switch.
직류 릴레이는 고정 접점 및 가동 접점을 포함한다. 고정 접점은 외부의 전원 및 부하와 통전 가능하게 연결된다. 고정 접점과 가동 접점은 서로 접촉되거나, 이격될 수 있다. A DC relay includes a fixed contact and a movable contact. The fixed contact is electrically connected to an external power source and load. The fixed contact and the movable contact may be in contact with each other or may be spaced apart from each other.
고정 접점과 가동 접점의 접촉 및 이격에 의해, 직류 릴레이를 통한 통전이 허용되거나 차단된다. 상기 이동은, 가동 접점에 구동력을 인가하는 구동부에 의해 달성된다. By the contact and separation of the fixed contact and the movable contact, the conduction through the DC relay is allowed or blocked. The movement is achieved by a drive unit that applies a drive force to the movable contact.
고정 접점과 가동 접점이 이격되면, 고정 접점과 가동 접점 사이에는 아크(arc)가 발생된다. 아크는 고압, 고온의 전류의 흐름이다. 따라서, 발생된 아크는 기 설정된 경로를 통해 직류 릴레이에서 신속하게 배출되어야 한다. When the fixed contact and the movable contact are spaced apart, an arc is generated between the fixed contact and the movable contact. An arc is a flow of high-pressure, high-temperature current. Accordingly, the generated arc must be rapidly discharged from the DC relay through a preset path.
아크의 배출 경로는 직류 릴레이에 구비되는 자석에 의해 형성된다. 상기 자석은 고정 접점과 가동 접점이 접촉되는 공간의 내부에 자기장을 형성한다. 형성된 자기장 및 전류의 흐름에 의해 발생된 전자기력에 의해 아크의 배출 경로가 형성될 수 있다. The arc discharge path is formed by a magnet provided in the DC relay. The magnet forms a magnetic field in the space where the fixed contact and the movable contact are in contact. A discharge path of the arc may be formed by the formed magnetic field and the electromagnetic force generated by the flow of current.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 직류 릴레이(1000)에 구비되는 고정 접점(1100) 및 가동 접점(1200)이 접촉되는 공간이 도시된다. 상술한 바와 같이, 상기 공간에는 영구 자석(1300)이 구비된다. Referring to FIG. 1 , a space in which a
영구 자석(1300)은 상측에 위치되는 제1 영구 자석(1310) 및 하측에 위치되는 제2 영구 자석(1320)을 포함한다. The
제1 영구 자석(1310)은 복수 개 구비되어, 제2 영구 자석(1320)을 향하는 각 면의 극성이 다른 극성으로 자화(magnetize)된다. 도 1의 좌측에 위치되는 제1 영구 자석(1310)은 하측이 N극으로, 도 1의 우측에 위치되는 제2 영구 자석(1310)은 하측이 S극으로 자화된다. A plurality of first
또한, 제2 영구 자석(1320) 역시 복수 개 구비되어, 제1 영구 자석(1310)을 향하는 각 면의 극성이 다른 극성으로 자화된다. 도 1의 좌측에 위치되는 제2 영구 자석(1320)은 상측이 S극으로, 도 1의 우측에 위치되는 제2 영구 자석(1320)은 상측이 N극으로 자화된다.In addition, a plurality of second
도 1의 (a)는 전류가 좌측의 고정 접점(1100)을 통해 유입되어, 우측의 고정 접점(1100)을 통해 유출되는 상태를 도시한다. 플레밍의 왼손 법칙에 의해, 전자기력은 빗금친 화살표와 같이 형성된다. FIG. 1A illustrates a state in which current flows in through the
구체적으로, 좌측에 위치되는 고정 접점(1100)의 경우, 전자기력이 외측을 향해 형성된다. 따라서, 해당 위치에서 발생된 아크는 외측으로 배출될 수 있다.Specifically, in the case of the
그런데, 우측에 위치되는 고정 접점(1100)의 경우, 전자기력이 내측, 즉 가동 접점(1200)의 중앙 부분을 향해 형성된다. 따라서, 해당 위치에서 발생된 아크는 즉시 외측으로 배출되지 못하게 된다.However, in the case of the fixed
또한, 도 1의 (b)는 전류가 우측의 고정 접점(1100)을 통해 유입되어, 좌측의 고정 접점(1100)을 통해 유출되는 상태를 도시한다. 플레밍의 왼손 법칙에 의해, 전자기력은 빗금친 화살표와 형성된다. Also, FIG. 1B shows a state in which current flows in through the
구체적으로, 우측에 위치되는 고정 접점(1100)의 경우, 전자기력이 외측을 향해 형성된다. 따라서, 해당 위치에서 발생된 아크는 외측으로 배출될 수 있다.Specifically, in the case of the
그런데, 좌측에 위치되는 고정 접점(1100)의 경우, 전자기력이 내측, 즉 가동 접점(1200)의 중앙 부분을 향해 형성된다. 따라서, 해당 위치에서 발생된 아크는 즉시 외측으로 배출되지 못하게 된다. However, in the case of the fixed
직류 릴레이(1000)의 중앙 부분, 즉, 각 고정 접점(1100) 사이의 공간에는 가동 접점(1200)을 상하 방향으로 구동시키기 위한 여러 부재들이 구비된다. 일 예로, 샤프트, 샤프트에 관통 삽입되는 스프링 부재 등이 상기 위치에 구비된다. In the central portion of the
따라서, 도 1과 같이 발생된 아크가 중앙 부분을 향해 이동될 경우, 또한 중앙 부분으로 이동된 아크가 즉시 외부로 이동되지 못할 경우 상기 위치에 구비되는 여러 부재들이 아크의 에너지에 의해 손상될 우려가 있다. Therefore, when the arc generated as shown in FIG. 1 is moved toward the central portion, and if the arc moved to the central portion cannot be moved to the outside immediately, there is a risk that various members provided in the position may be damaged by the energy of the arc. have.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 직류 릴레이(1000) 내부에서 형성되는 전자기력의 방향은 고정 접점(1200)에 통전되는 전류의 방향에 의존한다. 즉, 각 고정 접점(1100)에서 발생되는 전자기력 중 내측을 향하는 방향으로 형성되는 전자기력의 위치가 전류의 방향에 따라 상이하다.In addition, as shown in FIG. 1 , the direction of the electromagnetic force formed inside the
즉, 사용자는 직류 릴레이를 사용할 때마다 전류의 방향을 고려해야 한다. 이는 직류 릴레이의 사용에 불편함을 초래할 수 있다. 또한, 사용자의 의도와 무관하게, 조작 미숙 등으로 직류 릴레이에 인가되는 전류의 방향이 바뀌는 상황도 배제할 수 없다. In other words, the user must consider the direction of the current whenever using a DC relay. This may cause inconvenience to the use of the DC relay. In addition, regardless of the intention of the user, a situation in which the direction of the current applied to the DC relay is changed due to inexperienced operation or the like cannot be excluded.
이 경우, 발생된 아크에 의해 직류 릴레이의 중앙 부분에 구비된 부재들이 손상될 수 있다. 이에 따라, 직류 릴레이의 내구 연한이 감소됨은 물론, 안전 사고가 발생될 우려가 있다. In this case, the members provided in the central portion of the DC relay may be damaged by the generated arc. Accordingly, the durability life of the DC relay is reduced, and there is a risk that a safety accident may occur.
한국등록특허문헌 제10-1696952호는 직류 릴레이를 개시한다. 구체적으로, 복수 개의 영구 자석을 이용하여, 가동 접점의 이동을 방지할 수 있는 구조의 직류 릴레이를 개시한다. Korean Patent Document No. 10-1696952 discloses a DC relay. Specifically, a DC relay having a structure capable of preventing movement of a movable contact using a plurality of permanent magnets is disclosed.
그런데, 상술한 구조의 직류 릴레이는 복수 개의 영구 자석을 이용하여 가동 접점의 이동을 방지할 수는 있으나, 아크의 배출 경로의 방향을 제어하기 위한 방안에 대한 고찰이 없다는 한계가 있다. However, the DC relay having the above-described structure can prevent movement of the movable contact by using a plurality of permanent magnets, but there is a limitation in that there is no consideration of a method for controlling the direction of the arc discharge path.
한국등록특허문헌 제10-1216824호는 직류 릴레이를 개시한다. 구체적으로, 감쇠 자석을 이용하여 가동 접점과 고정 접점 간의 임의 이격을 방지할 수 있는 구조의 직류 릴레이를 개시한다. Korean Patent Document No. 10-1216824 discloses a DC relay. Specifically, a DC relay having a structure capable of preventing arbitrary separation between a movable contact and a fixed contact using a damping magnet is disclosed.
그러나 상술한 구조의 직류 릴레이는 가동 접점과 고정 접점의 접촉 상태를 유지하기 위한 방안만을 제시한다. 즉, 가동 접점과 고정 접점이 이격될 경우 발생되는 아크의 배출 경로를 형성하기 위한 방안을 제시하지 못한다는 한계가 있다. However, the DC relay having the above-described structure suggests only a method for maintaining the contact state between the movable contact and the fixed contact. That is, there is a limitation in that a method for forming an arc discharge path generated when the movable contact and the fixed contact are spaced apart cannot be proposed.
본 발명은 상술한 문제점을 해결할 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이를 제공함을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an arc path forming unit having a structure capable of solving the above-described problems and a DC relay including the same.
본 발명은 상술한 문제점을 해결할 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이를 제공함을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an arc path forming unit having a structure capable of solving the above-described problems and a DC relay including the same.
먼저, 통전되던 전류가 차단됨에 따라 발생되는 아크를 신속하게 소호 및 배출할 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이를 제공함을 일 목적으로 한다.First, an object of the present invention is to provide an arc path forming unit having a structure capable of rapidly extinguishing and discharging an arc generated as current is cut off and a DC relay including the same.
또한, 발생된 아크를 유도하기 위한 힘의 크기를 강화할 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이를 제공함을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an arc path forming unit having a structure capable of strengthening the magnitude of the force for inducing the generated arc, and a DC relay including the same.
또한, 발생된 아크에 의해 통전을 위한 구성 요소의 손상이 방지될 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이를 제공함을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an arc path forming unit having a structure that can prevent damage to components for energization by the generated arc and a DC relay including the same.
또한, 복수 개의 위치에서 발생된 아크가 서로 만나지 않게 진행될 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이를 제공함을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an arc path forming unit having a structure in which arcs generated at a plurality of positions can proceed without meeting each other, and a DC relay including the same.
또한, 과다한 설계 변경 없이도 상술한 목적을 달성할 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이를 제공함을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an arc path forming unit having a structure capable of achieving the above object without excessive design changes and a DC relay including the same.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임; 상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열(Halbach array)을 포함하며, 상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고, 상기 자석 프레임은, 상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및 상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고, 상기 할바흐 배열은, 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 제1 할바흐 배열; 및 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 제2 할바흐 배열을 포함하며, 상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나 이상과 각각 겹쳐지게 배치되는 아크 경로 형성부를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, a magnetic frame formed with a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein; It is located in the space portion of the magnet frame, and includes a Halbach array for forming a magnetic field in the space portion, wherein the space portion is formed to have a length in one direction longer than a length in the other direction, and the magnet The frame may include first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and enclosing the remaining part of the space, the Halbach arrangement silver, a first Halbach arrangement arranged side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface; and a second Halbach arrangement disposed side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface, wherein The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement provide an arc path forming unit which is disposed to respectively overlap any one or more of the plurality of fixed contacts along the other direction.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열과 상기 제2 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, each surface of the first and second Halbach arrays of the arc path forming part facing each other may be magnetized to have the same polarity.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하고, 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함할 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement of the arc path forming unit may include a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and a first block positioned between the second block and the third block, wherein the second Halbach arrangement is a second that is biased toward the one of the third surface and the fourth surface. block; a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces; and a first block positioned between the second block and the third block.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, the first block of the first Halbach arrangement and the first block of the second Halbach arrangement of the arc path forming unit may be magnetized to have the same polarity as each surface facing each other.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록; 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 사이에 위치되는 제4 블록; 및 상기 제1 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제5 블록을 포함하고, 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록; 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 사이에 위치되는 제4 블록; 및 상기 제1 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제5 블록을 포함할 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement of the arc path forming unit may include a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; a first block positioned between the second block and the third block; a fourth block positioned between the first block and the second block; and a fifth block positioned between the first block and the third block, wherein the second Halbach arrangement is a second that is biased toward the one of the third surface and the fourth surface. block; a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces; a first block positioned between the second block and the third block; a fourth block positioned between the first block and the second block; and a fifth block positioned between the first block and the third block.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되고, 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제2 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제2 블록이 서로 마주하는 각 면은, 상기 극성과 다른 극성으로 자화되며, 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제3 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제3 블록이 서로 마주하는 각 면은, 상기 다른 극성으로 자화될 수 있다.In addition, each surface of the first block of the first Halbach arrangement of the arc path forming unit and the first block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity, and the first Halbach arrangement Each side of the second block of the arrangement and the second block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with a polarity different from the polarity, the third block of the first Halbach arrangement and the second block Each side of the third block of the Halbach arrangement facing each other may be magnetized with the different polarity.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하고, 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록; 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 사이에 위치되는 제4 블록; 및 상기 제1 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제5 블록을 포함하며, 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치될 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement of the arc path forming unit may include a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and a first block positioned between the second block and the third block, wherein the second Halbach arrangement is a second that is biased toward the one of the third surface and the fourth surface. block; a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces; a first block positioned between the second block and the third block; a fourth block positioned between the first block and the second block; and a fifth block positioned between the first block and the third block, wherein the first Halbach arrangement may be positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되고, 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제2 블록이 상기 제1 할바흐 배열을 마주하는 면 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제3 블록이 상기 제1 할바흐 배열을 마주하는 각 면은, 상기 극성과 다른 극성으로 자화될 수 있다.In addition, each surface of the first block of the first Halbach arrangement of the arc path forming unit and the first block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity, and the second Halbach The side of the second block of arrangement facing the first Halbach arrangement and the side of the third block of the second Halbach arrangement facing the first Halbach arrangement are each magnetized with a polarity different from the polarity can be
또한, 본 발명은, 내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임; 상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며, 상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고, 상기 자석 프레임은, 상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및 상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고, 상기 할바흐 배열은, 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 및 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열을 포함하는 아크 경로 형성부를 제공한다.In addition, the present invention, the magnet frame is formed with a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein; It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement for forming a magnetic field in the space portion, the space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction, the magnet frame, the first and second surfaces extending in one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and enclosing the remaining part of the space, the Halbach arrangement Silver is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to any one of the first surface and the second surface, and the third surface and the fourth surface a first Halbach arrangement positioned to be biased toward any one of the faces; and a plurality of blocks disposed side by side in the one direction and formed of a magnetic material, disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and the third surface and the fourth surface It provides an arc path forming unit including a second Halbach arrangement that is located biased to the other surface of the.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, each surface of the first and second Halbach arrangement of the arc path forming unit facing each other may be magnetized to have the same polarity.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라, 상기 제2 할바흐 배열과 겹쳐지게 배치되는 제1 블록; 및 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록을 포함하고, 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라, 상기 제1 할바흐 배열과 겹쳐지게 배치되는 제1 블록; 및 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록을 포함할 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement of the arc path forming unit, along the other direction, a first block arranged to overlap the second Halbach arrangement; and a second block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface, wherein the second Halbach arrangement overlaps the first Halbach arrangement along the other direction. a first block disposed; and a second block positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, the first block of the first Halbach arrangement and the first block of the second Halbach arrangement of the arc path forming unit may be magnetized to have the same polarity as each surface facing each other.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하고, 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하며, 상기 제1 할바흐 배열은, 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나와 상기 타 방향을 따라 겹쳐지게 배치되고, 상기 제2 할바흐 배열은, 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 다른 하나와 상기 타 방향을 따라 겹쳐지게 배치될 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement of the arc path forming unit may include: a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces; and a first block positioned between the second block and the third block, wherein the second Halbach arrangement is a second one that is biased toward the other one of the third surface and the fourth surface. block; a third block positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface; and a first block positioned between the second block and the third block, wherein the first Halbach arrangement is disposed to overlap with any one of the plurality of fixed contacts along the other direction, The 2 Halbach arrangement may be arranged to overlap with another one of the plurality of fixed contacts in the other direction.
또한, 상기 아크 경로 형성부는, 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, the arc path forming unit may include a surface facing the space among the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement and each surface facing the space among the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement, They can be magnetized with the same polarity.
또한, 본 발명은, 내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임; 상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며, 상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고, 상기 자석 프레임은, 상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및 상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고, 상기 할바흐 배열은, 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하며, 상기 할바흐 배열은 복수 개 구비되어, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 어느 하나 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되고, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 다른 둘 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 아크 경로 형성부를 제공한다.In addition, the present invention, the magnet frame is formed with a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein; It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement for forming a magnetic field in the space portion, the space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction, the magnet frame, the first and second surfaces extending in one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and enclosing the remaining part of the space, the Halbach arrangement is arranged side by side in the one direction and includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, and the Halbach arrangement is provided in plurality, so that at least one of the plurality of Halbach arrangements is the first surface and the second surface. Provided is an arc path forming part disposed adjacent to any one of the two surfaces, and the other two or more of the plurality of Halbach arrays being disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 상기 어느 하나 이상의 상기 할바흐 배열과, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 상기 둘 이상의 상기 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, the at least one Halbach arrangement disposed adjacent to any one of the first surface and the second surface of the arc path forming part, and the other one of the first surface and the second surface Each side of the two or more Halbach arrays disposed adjacent to each other facing each other may be magnetized with the same polarity.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 복수 개의 상기 할바흐 배열은, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열; 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 할바흐 배열; 및 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제4 할바흐 배열을 포함할 수 있다. In addition, the plurality of Halbach arrangement of the arc path forming part is located adjacent to any one of the first surface and the second surface, and any one surface of the third surface and the fourth surface a first Halbach arrangement located biased to ; a second Halbach arrangement positioned adjacent to one of the first and second surfaces, and biased toward the other of the third and fourth surfaces; a third Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface; and a fourth Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first and second surfaces, and positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces. have.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열, 상기 제2 할바흐 배열, 상기 제3 할바흐 배열 및 상기 제4 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 각각 포함할 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement, the second Halbach arrangement, the third Halbach arrangement, and the fourth Halbach arrangement of the arc path forming unit is any one surface of the third surface and the fourth surface a second block positioned to be biased toward; a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and a first block positioned between the second block and the third block, respectively.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제3 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 같은 극성으로 자화되고, 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제4 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 상기 극성과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, among the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement of the arc path forming part, a surface facing the space portion and a surface facing the space portion among the surfaces of the first block of the third Halbach arrangement have the same polarity, respectively. and a surface facing the space of the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement and a surface facing the space of the surfaces of the first block of the fourth Halbach arrangement have the same polarity as the polarity, respectively. can be magnetized to
또한, 상기 아크 경로 형성부의 복수 개의 상기 할바흐 배열은, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열; 및 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 할바흐 배열을 포함하며, 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the plurality of Halbach arrangement of the arc path forming part is located adjacent to any one of the first surface and the second surface, and any one surface of the third surface and the fourth surface a first Halbach arrangement located biased to ; a second Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; and a third Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface, wherein The first Halbach arrangement may be arranged to overlap any one of the second Halbach arrangement and the third Halbach arrangement along the other direction.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열, 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 각각 포함할 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement, the second Halbach arrangement, and the third Halbach arrangement of the arc path forming part is a second block located biased to any one of the third surface and the fourth surface ; a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and a first block positioned between the second block and the third block, respectively.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면, 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제3 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, among the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement of the arc path forming part, a surface facing the space portion, a surface facing the space portion among the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement, and the third Among the surfaces of the first block of the Halbach arrangement, the surfaces facing the space may be magnetized with the same polarity.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 복수 개의 상기 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열; 및 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 할바흐 배열을 포함하며, 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열과 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다.In addition, the plurality of the Halbach arrangement of the arc path forming unit, the first Halbach arrangement that is located biased to any one of the third surface and the fourth surface; a second Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; and a third Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface, wherein The first Halbach arrangement may be arranged to overlap the second Halbach arrangement and the third Halbach arrangement along the other direction, respectively.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열, 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 각각 포함할 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement, the second Halbach arrangement, and the third Halbach arrangement of the arc path forming part is a second block located biased to any one of the third surface and the fourth surface ; a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and a first block positioned between the second block and the third block, respectively.
또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면, 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제3 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, among the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement of the arc path forming part, a surface facing the space portion, a surface facing the space portion among the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement, and the third Among the surfaces of the first block of the Halbach arrangement, the surfaces facing the space may be magnetized with the same polarity.
또한, 본 발명은, 복수 개 구비되어, 일 방향으로 서로 이격되어 위치되는 고정 접촉자; 상기 고정 접촉자에 접촉되거나 이격되는 가동 접촉자; 내부에 상기 고정 접촉자 및 상기 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임; 상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며, 상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고, 상기 자석 프레임은, 상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및 상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고, 상기 할바흐 배열은, 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 제1 할바흐 배열; 및 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 제2 할바흐 배열을 포함하며, 상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나 이상과 각각 겹쳐지게 배치되고, 상기 제1 할바흐 배열과 상기 제2 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되는 직류 릴레이를 제공한다.In addition, the present invention is provided with a plurality of fixed contacts that are spaced apart from each other in one direction; a movable contact contacting or spaced apart from the fixed contact; a magnet frame having a space in which the fixed contact and the movable contact are accommodated; It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement for forming a magnetic field in the space portion, the space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction, the magnet frame, the first and second surfaces extending in one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and enclosing the remaining part of the space, the Halbach arrangement silver, a first Halbach arrangement arranged side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface; and a second Halbach arrangement disposed side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface, wherein The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are arranged to overlap any one or more of the plurality of fixed contacts along the other direction, respectively, and the first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are mutually Each side facing each other provides a DC relay that is magnetized to the same polarity.
또한, 본 발명은, 복수 개 구비되어, 일 방향으로 서로 이격되어 위치되는 고정 접촉자; 상기 고정 접촉자에 접촉되거나 이격되는 가동 접촉자; 내부에 상기 고정 접촉자 및 상기 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임; 상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며, 상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고, 상기 자석 프레임은, 상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및 상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고, 상기 할바흐 배열은, 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 및 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열을 포함하며, 상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되는 직류 릴레이를 제공한다.In addition, the present invention is provided with a plurality of fixed contacts that are spaced apart from each other in one direction; a movable contact contacting or spaced apart from the fixed contact; a magnet frame having a space in which the fixed contact and the movable contact are accommodated; It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement for forming a magnetic field in the space portion, the space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction, the magnet frame, the first and second surfaces extending in one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and enclosing the remaining part of the space, the Halbach arrangement Silver is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to any one of the first surface and the second surface, and the third surface and the fourth surface a first Halbach arrangement positioned to be biased toward any one of the faces; and a plurality of blocks disposed side by side in the one direction and formed of a magnetic material, disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and the third surface and the fourth surface It includes a second Halbach arrangement that is biased to the other one of the faces, and each face of the first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement facing each other provides a DC relay magnetized with the same polarity. .
또한, 본 발명은, 복수 개 구비되어, 일 방향으로 서로 이격되어 위치되는 고정 접촉자; 상기 고정 접촉자에 접촉되거나 이격되는 가동 접촉자; 내부에 상기 고정 접촉자 및 상기 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임; 상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며, 상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고, 상기 자석 프레임은, 상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및 상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고, 상기 할바흐 배열은, 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하며, 상기 할바흐 배열은 복수 개 구비되어, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 어느 하나 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되고, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 다른 둘 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 상기 어느 하나 이상의 상기 할바흐 배열과, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 상기 둘 이상의 상기 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. In addition, the present invention is provided with a plurality of fixed contacts that are spaced apart from each other in one direction; a movable contact contacting or spaced apart from the fixed contact; a magnet frame having a space in which the fixed contact and the movable contact are accommodated; It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement for forming a magnetic field in the space portion, the space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction, the magnet frame, the first and second surfaces extending in one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and enclosing the remaining part of the space, the Halbach arrangement is arranged side by side in the one direction and includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, and the Halbach arrangement is provided in plurality, so that at least one of the plurality of Halbach arrangements is the first surface and the second surface. disposed adjacent to any one of two surfaces, and at least two other of the plurality of Halbach arrays are disposed adjacent to the other one of the first and second surfaces, the first surface and the second surface The at least one Halbach arrangement disposed adjacent to the any one of the second faces, and the at least two Halbach arrays disposed adjacent to the other one of the first face and the second face Each side of the array facing each other may be magnetized with the same polarity.
본 발명의 실시 예에 따르면, 다음과 같은 효과가 달성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the following effects can be achieved.
먼저, 아크 경로 형성부는 할바흐 배열을 포함한다. 할바흐 배열은 각각 아크 경로 형성부의 내부에 자기장을 형성한다. 형성된 자기장은 아크 경로 형성부에 수용되는 고정 접촉자 및 가동 접촉자에 통전되던 전류와 함께 전자기력을 형성한다. First, the arc path forming unit includes a Halbach arrangement. Each of the Halbach arrays forms a magnetic field inside the arc path forming part. The formed magnetic field forms an electromagnetic force together with the current passed through the fixed contactor and the movable contactor accommodated in the arc path forming unit.
이때, 발생된 아크는 각 고정 접촉자에서 멀어지는 방향으로 형성된다. 고정 접촉자와 가동 접촉자가 이격되어 발생된 아크는, 상기 전자기력에 의해 유도될 수 있다. At this time, the generated arc is formed in a direction away from each fixed contact. The arc generated by the fixed contact and the movable contact being spaced apart may be induced by the electromagnetic force.
이에 따라, 발생된 아크가 아크 경로 형성부 및 직류 릴레이의 외부로 신속하게 소호 및 배출될 수 있다. Accordingly, the generated arc can be quickly extinguished and discharged to the outside of the arc path forming unit and the DC relay.
또한, 아크 경로 형성부는 할바흐 배열을 포함한다. 할바흐 배열은, 일 방향으로 나란하게 배치되는 복수 개의 자성체를 포함한다. 복수 개의 자성체는 상기 일 방향과 다른 타 방향의 양측 중 어느 한 측의 자기장의 세기를 더욱 강화할 수 있다. Also, the arc path forming section includes a Halbach arrangement. The Halbach array includes a plurality of magnetic materials that are arranged side by side in one direction. The plurality of magnetic materials may further strengthen the strength of the magnetic field on either side of both sides of the one direction and the other direction.
이때, 할바흐 배열은 상기 한 측, 즉 자기장의 세기가 강화되는 방향이 아크 경로 형성부의 공간부를 향하게 배치된다. 즉, 할바흐 배열에 의해, 공간부 내부에 형성되는 자기장의 세기가 강화될 수 있다.At this time, in the Halbach arrangement, the one side, that is, the direction in which the strength of the magnetic field is strengthened, is disposed toward the space portion of the arc path forming unit. That is, by the Halbach arrangement, the strength of the magnetic field formed inside the space may be strengthened.
이에 따라, 자기장의 세기에 의존하는 전자기력의 세기 또한 강화될 수 있다. 결과적으로, 발생된 아크를 유도하는 전자기력의 세기가 강화되어, 발생된 아크가 효과적으로 소호 및 배출될 수 있다.Accordingly, the strength of the electromagnetic force that depends on the strength of the magnetic field may also be strengthened. As a result, the intensity of the electromagnetic force that induces the generated arc is strengthened, so that the generated arc can be effectively extinguished and discharged.
또한, 할바흐 배열이 형성하는 자기장 및 고정 접촉자와 가동 접촉자에 통전되던 전류가 형성하는 전자기력의 방향은, 중심부에서 멀어지는 방향으로 형성된다. In addition, the direction of the electromagnetic force formed by the magnetic field formed by the Halbach arrangement and the current passed through the fixed contact and the movable contact is formed in a direction away from the center.
더 나아가, 상술한 바와 같이 할바흐 배열에 의해 자기장 및 전자기력의 세기가 강화되므로, 발생된 아크가 중심부에서 멀어지는 방향으로 신속하게 소호 및 이동될 수 있다. Furthermore, as described above, since the strength of the magnetic field and electromagnetic force is strengthened by the Halbach arrangement, the arc generated can be extinguished and moved quickly in a direction away from the center.
따라서, 직류 릴레이의 작동을 위해 중심부 부근에 구비되는 각종 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다.Accordingly, damage to various components provided near the center for the operation of the DC relay can be prevented.
또한, 다양한 실시 예에서, 고정 접촉자는 복수 개 구비될 수 있다. 아크 경로 형성부에 구비되는 할바흐 배열은 각 고정 접촉자 부근에 서로 다른 방향의 자기장을 형성한다. 따라서, 각 고정 접촉자 부근에서 발생된 아크의 경로는 서로 다른 방향을 향해 진행된다.Also, in various embodiments, a plurality of fixed contacts may be provided. The Halbach arrangement provided in the arc path forming unit forms magnetic fields in different directions in the vicinity of each fixed contactor. Accordingly, the paths of arcs generated in the vicinity of each stationary contact proceed in different directions.
따라서, 각 고정 접촉자 부근에서 발생된 아크가 서로 만나지 않게 된다. 이에 따라, 서로 다른 위치에서 발생된 아크의 충돌에 의해 발생될 수 있는 오동작 또는 안전 사고 등이 예방될 수 있다.Accordingly, arcs generated in the vicinity of each fixed contact do not meet each other. Accordingly, a malfunction or a safety accident that may be caused by the collision of arcs generated at different positions may be prevented.
또한, 상술한 목적 및 효과를 달성하기 위해, 아크 경로 형성부는 공간부에 구비되는 할바흐 배열을 포함한다. 할바흐 배열은 공간부를 둘러싸는 자석 프레임의 각 면에 내측에 위치된다. 즉, 할바흐 배열을 공간부의 외부에 배치하기 위한 별도의 설계 변경이 요구되지 않는다. In addition, in order to achieve the above object and effect, the arc path forming unit includes a Halbach arrangement provided in the space portion. The Halbach arrangement is located inwardly on each side of the magnet frame surrounding the space. That is, a separate design change for disposing the Halbach arrangement outside the space is not required.
따라서, 과다한 설계 변경 없이도, 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 아크 경로 형성부가 직류 릴레이에 구비될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 적용하기 위한 시간 및 비용 등이 절감될 수 있다.Accordingly, the arc path forming unit according to various embodiments of the present disclosure may be provided in the DC relay without excessive design change. Accordingly, time and cost for applying the arc path forming unit according to various embodiments of the present invention may be reduced.
도 1은 종래 기술에 따른 직류 릴레이를 도시하는 개념도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 직류 릴레이를 도시하는 사시도이다.
도 3은 도 2의 직류 릴레이의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 2의 직류 릴레이에 구비되는 아크 경로 형성부를 도시하는 개방 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 6은 도 5의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 9는 도 7 및 도 8의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
도 10은 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 11은 도 10의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
도 12 내지 도 15는 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 16은 도 12 내지 도 15의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
도 17 및 도 18은 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 19는 도 17 및 도 18의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
도 20 및 도 21은 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 22는 도 20 및 도 21의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
도 23은 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 24는 도 23의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
도 25 내지 도 28은 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 29는 도 25 내지 도 28의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating a DC relay according to the prior art.
2 is a perspective view illustrating a DC relay according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of the DC relay of Fig. 2;
4 is an open perspective view illustrating an arc path forming unit provided in the DC relay of FIG. 2 .
5 is a conceptual diagram illustrating an arc path forming unit according to an embodiment of the present invention.
6 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiment of FIG. 5 .
7 and 8 are conceptual views illustrating an arc path forming unit according to another embodiment of the present invention.
9 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiments of FIGS. 7 and 8 .
10 is a conceptual diagram illustrating an arc path forming unit according to another embodiment of the present invention.
11 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiment of FIG. 10 .
12 to 15 are conceptual views illustrating an arc path forming unit according to another embodiment of the present invention.
16 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiment of FIGS. 12 to 15 .
17 and 18 are conceptual views illustrating an arc path forming unit according to another embodiment of the present invention.
19 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiments of FIGS. 17 and 18 .
20 and 21 are conceptual views illustrating an arc path forming unit according to another embodiment of the present invention.
22 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiment of FIGS. 20 and 21 .
23 is a conceptual diagram illustrating an arc path forming unit according to another embodiment of the present invention.
24 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiment of FIG. 23 .
25 to 28 are conceptual views illustrating an arc path forming unit according to another embodiment of the present invention.
29 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiment of FIGS. 25 to 28 .
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800) 및 이를 포함하는 직류 릴레이(1)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc
이하의 설명에서는 본 발명의 특징을 명확하게 하기 위해, 일부 구성 요소들에 대한 설명이 생략될 수 있다.In the following description, in order to clarify the characteristics of the present invention, descriptions of some components may be omitted.
1. 용어의 정의1. Definition of terms
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but it is understood that other components may exist in between. it should be
반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle.
본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. As used herein, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.
이하의 설명에서 사용되는 "자화(magnetize)"라는 용어는 자기장 안에서 어떤 물체가 자성을 띠게 되는 현상을 의미한다. The term “magnetize” used in the following description refers to a phenomenon in which an object becomes magnetic in a magnetic field.
이하의 설명에서 사용되는 "극성(polarity)"이라는 용어는 전극의 양극과 음극 등이 가지고 있는 서로 다른 성질을 의미한다. 일 실시 예에서, 극성은 N극 또는 S극으로 구분될 수 있다. The term “polarity” used in the following description refers to different properties of an anode and a cathode of an electrode. In an embodiment, the polarity may be divided into an N pole or an S pole.
이하의 설명에서 사용되는 "통전(electric current)"이라는 용어는, 두 개 이상의 부재가 전기적으로 연결되는 상태를 의미한다. The term “electric current” used in the following description refers to a state in which two or more members are electrically connected.
이하의 설명에서 사용되는 "아크의 경로(arc path, A.P)"라는 용어는, 발생된 아크가 이동, 또는 소호되며 이동되는 경로를 의미한다. The term "arc path (AP)" used in the following description means a path through which the generated arc is moved or extinguished.
이하의 도면에 도시된 "⊙"은 전류가 가동 접촉자(43)에서 고정 접촉자(22)를 향해 흐르는 방향(즉, 상측 방향), 즉 지면에서 나오는 방향으로 흐름을 의미한다."⊙" shown in the following drawings means a direction in which the current flows from the
이하의 도면에 도시된 "ⓧ"은 전류가 고정 접촉자(22)에서 가동 접촉자(43)를 향해 흐르는 방향(즉, 하측 방향), 즉 지면을 뚫고 들어가는 방향을 의미한다."ⓧ" shown in the following drawings means a direction in which current flows from the fixed
이하의 설명에서 사용되는 "할바흐 배열(Halbach Array)"이라는 용어는 복수 개의 자성체가 나란하게 배치되어 행(column) 또는 열(row)로 구성된 집합체를 의미한다. The term “Halbach Array” used in the following description refers to an aggregate composed of a plurality of magnetic materials arranged side by side and configured in a column or a row.
할바흐 배열을 구성하는 복수 개의 자성체는 소정의 규칙에 따라 배치될 수 있다. 복수 개의 자성체는 자체적으로, 또는 서로 간에 자기장을 형성할 수 있다.A plurality of magnetic materials constituting the Halbach arrangement may be arranged according to a predetermined rule. The plurality of magnetic materials may form a magnetic field on their own or with each other.
할바흐 배열은 상대적으로 긴 두 개의 면과, 상대적으로 짧은 나머지 두 개의 면을 포함한다. 할바흐 배열을 구성하는 자성체에 의해 형성되는 자기장은, 상기 긴 두 개의 면 중 어느 하나의 면의 외측에 더 강한 세기로 형성될 수 있다. The Halbach arrangement contains two relatively long faces and the other two relatively short faces. The magnetic field formed by the magnetic material constituting the Halbach arrangement may be formed with a stronger intensity on the outside of any one of the two long surfaces.
이하의 설명에서는, 할바흐 배열에 의해 형성되는 자기장 중 공간부(115, 215, 315, 415, 515, 615, 715, 815)를 향하는 방향의 자기장의 세기가 더 강하게 형성됨을 전제하여 설명한다. In the following description, it is assumed that the strength of the magnetic field in the direction toward the
본 발명의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)에 의해 형성되는 자기장은 각 도면에서 1점 쇄선으로 도시된다.The magnetic field formed by the arc
이하의 설명에서 사용되는 "좌측", "우측", "상측", "하측", "전방 측" 및 "후방 측"이라는 용어는 도 2에 도시된 좌표계를 참조하여 이해될 것이다. The terms “left”, “right”, “top”, “bottom”, “front side” and “rear side” used in the following description will be understood with reference to the coordinate system shown in FIG. 2 .
2. 본 발명의 실시 예에 따른 직류 릴레이(1)의 구성의 설명2. Description of the configuration of the
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 직류 릴레이(1)는 프레임부(10), 개폐부(20), 코어부(30) 및 가동 접촉자부(40)를 포함한다. 2 to 4 , the
또한, 도 5 내지 도 29를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 직류 릴레이(1)는 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)를 포함한다. 5 to 29 , the
아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 발생된 아크의 배출 경로를 형성할 수 있다. The arc
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 직류 릴레이(1)의 각 구성을 설명하되, 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 별항으로 설명한다. Hereinafter, each configuration of the
이하에서 설명되는 다양한 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 직류 릴레이(Direct current relay)(1)에 구비됨을 전제로 설명된다. The arc
다만, 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 전자 접촉기(Magnetic Contactor), 전자 개폐기(Magnetic Switch) 등 고정 접점 및 가동 접점의 접촉 및 이격에 의해 외부와 통전 및 통전 해제될 수 있는 형태의 장치에 적용될 수 있음이 이해될 것이다.However, the arc
(1) 프레임부(10)의 설명(1) Description of the
프레임부(10)는 직류 릴레이(1)의 외측을 형성한다. 프레임부(10)의 내부에는 소정의 공간이 형성된다. 상기 공간에는 직류 릴레이(1)가 외부에서 전달되는 전류를 인가하거나 차단하기 위한 기능을 수행하는 다양한 장치들이 수용될 수 있다. The
즉, 프레임부(10)는 일종의 하우징으로 기능된다. That is, the
프레임부(10)는 합성 수지 등의 절연성 소재로 형성될 수 있다. 프레임부(10)의 내부와 외부가 임의로 통전되는 것을 방지하기 위함이다. The
프레임부(10)는 상부 프레임(11), 하부 프레임(12), 절연 플레이트(13) 및 지지 플레이트(14)를 포함한다. The
상부 프레임(11)은 프레임부(10)의 상측을 형성한다. 상부 프레임(11)의 내부에는 소정의 공간이 형성된다. The
상부 프레임(11)의 내부 공간에는 개폐부(20) 및 가동 접촉자부(40)가 수용될 수 있다. 또한, 상부 프레임(11)의 내부 공간에는 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)가 수용될 수 있다. The opening/closing
상부 프레임(11)은 하부 프레임(12)과 결합될 수 있다. 상부 프레임(11)과 하부 프레임(12) 사이의 공간에는 절연 플레이트(13) 및 지지 플레이트(14)가 구비될 수 있다. The
상부 프레임(11)의 일측, 도시된 실시 예에서 상측에는 개폐부(20)의 고정 접촉자(22)가 위치된다. 고정 접촉자(22)는 상부 프레임(11)의 상측에 일부가 노출되어, 외부의 전원 또는 부하와 통전 가능하게 연결될 수 있다. The fixed
이를 위해, 상부 프레임(11)의 상측에는 고정 접촉자(22)가 관통 결합되는 관통공이 형성될 수 있다. To this end, a through hole through which the fixed
하부 프레임(12)은 프레임부(10)의 하측을 형성한다. 하부 프레임(12)의 내부에는 소정의 공간이 형성된다. 하부 프레임(12)의 내부 공간에는 코어부(30)가 수용될 수 있다. The
하부 프레임(12)은 상부 프레임(11)과 결합될 수 있다. 하부 프레임(12)과 상부 프레임(11) 사이의 공간에는 절연 플레이트(13) 및 지지 플레이트(14)가 구비될 수 있다. The
절연 플레이트(13) 및 지지 플레이트(14)는 상부 프레임(11)의 내부 공간과 하부 프레임(12)의 내부 공간을 전기적 및 물리적으로 분리한다. The insulating
절연 플레이트(13)는 상부 프레임(11)과 하부 프레임(12) 사이에 위치된다. 절연 플레이트(13)는 상부 프레임(11)과 하부 프레임(12)을 전기적으로 이격시킨다. 이를 위해, 절연 플레이트(13)는 합성 수지 등 절연성 소재로 형성될 수 있다. The insulating
절연 플레이트(13)에 의해, 상부 프레임(11) 내부에 수용된 개폐부(20), 가동 접촉자부(40) 및 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)와 하부 프레임(12) 내부에 수용된 코어부(30) 간의 임의 통전이 방지될 수 있다. The opening/closing
절연 플레이트(13)의 중심부에는 관통공(미도시)이 형성된다. 상기 관통공(미도시)에는 가동 접촉자부(40)의 샤프트(44)가 상하 방향으로 이동 가능하게 관통 결합된다. A through hole (not shown) is formed in the center of the insulating
절연 플레이트(13)의 하측에는 지지 플레이트(14)가 위치된다. 절연 플레이트(13)는 지지 플레이트(14)에 의해 지지될 수 있다. A
지지 플레이트(14)는 상부 프레임(11)과 하부 프레임(12) 사이에 위치된다. The
지지 플레이트(14)는 상부 프레임(11)과 하부 프레임(12)을 물리적으로 이격시킨다. 또한, 지지 플레이트(14)는 절연 플레이트(13)를 지지한다. The
지지 플레이트(14)는 자성체로 형성될 수 있다. 따라서, 지지 플레이트(14)는 코어부(30)의 요크(33)와 함께 자로(magnetic circuit)를 형성할 수 있다. 상기 자로에 의해, 코어부(30)의 가동 코어(32)가 고정 코어(31)를 향해 이동되기 위한 구동력이 형성될 수 있다. The
지지 플레이트(14)의 중심부에는 관통공(미도시)이 형성된다. 상기 관통공(미도시)에는 샤프트(44)가 상하 방향으로 이동 가능하게 관통 결합된다. A through hole (not shown) is formed in the center of the
따라서, 가동 코어(32)가 고정 코어(31)를 향하는 방향 또는 고정 코어(31)에서 이격되는 방향으로 이동될 경우, 샤프트(44) 및 샤프트(44)에 연결된 가동 접촉자(43) 또한 같은 방향으로 함께 이동될 수 있다. Accordingly, when the
(2) 개폐부(20)의 설명(2) Description of the opening/closing
개폐부(20)는 코어부(30)의 동작에 따라 전류의 통전을 허용하거나 차단한다. 구체적으로, 개폐부(20)는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 접촉되거나 이격되어 전류의 통전을 허용하거나 차단할 수 있다. The opening/
개폐부(20)는 상부 프레임(11)의 내부 공간에 수용된다. 개폐부(20)는 절연 플레이트(13) 및 지지 플레이트(14)에 의해 코어부(30)와 전기적 및 물리적으로 이격될 수 있다. The opening and closing
개폐부(20)는 아크 챔버(21), 고정 접촉자(22) 및 씰링(sealing) 부재(23)를 포함한다. The opening/closing
또한, 아크 챔버(21)의 외측에는 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)가 구비될 수 있다. 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 아크 챔버(21) 내부에서 발생된 아크의 경로(A.P)를 형성하기 위한 자기장을 형성할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다. In addition, arc
아크 챔버(21)는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 이격되어 발생되는 아크(arc)를 내부 공간에서 소호(extinguish)한다. 이에, 아크 챔버(21)는 "아크 소호부"로 지칭될 수도 있을 것이다. The
아크 챔버(21)는 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)를 밀폐 수용한다. 즉, 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)는 아크 챔버(21) 내부에 수용된다. 따라서, 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)가 이격되어 발생되는 아크는 외부로 임의 유출되지 않게 된다. The
아크 챔버(21) 내부에는 소호용 가스가 충전될 수 있다. 소호용 가스는 발생된 아크가 소호되며 기 설정된 경로를 통해 직류 릴레이(1)의 외부로 배출될 수 있게 한다. 이를 위해, 아크 챔버(21)의 내부 공간을 둘러싸는 벽체에는 연통공(미도시)이 관통 형성될 수 있다. The
아크 챔버(21)는 절연성 소재로 형성될 수 있다. 또한, 아크 챔버(21)는 높은 내압성 및 높은 내열성을 갖는 소재로 형성될 수 있다. 이는, 발생되는 아크가 고온 고압의 전자의 흐름임에 기인한다. 일 실시 예에서, 아크 챔버(21)는 세라믹(ceramic) 소재로 형성될 수 있다. The
아크 챔버(21)의 상측에는 복수 개의 관통공이 형성될 수 있다. 상기 관통공 각각에는 고정 접촉자(22)가 관통 결합된다. A plurality of through-holes may be formed in the upper side of the
도시된 실시 예에서, 고정 접촉자(22)는 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b)를 포함하여 두 개로 구비된다. 이에 따라, 아크 챔버(21)의 상측에 형성되는 관통공 또한 두 개로 형성될 수 있다. In the illustrated embodiment, the fixed
상기 관통공에 고정 접촉자(22)가 관통 결합되면, 상기 관통공은 밀폐된다. 즉, 고정 접촉자(22)는 상기 관통공에 밀폐 결합된다. 이에 따라, 발생된 아크는 상기 관통공을 통해 외부로 배출되지 않는다. When the fixed
아크 챔버(21)의 하측은 개방될 수 있다. 아크 챔버(21)의 하측에는 절연 플레이트(13) 및 씰링 부재(23)가 접촉된다. 즉, 아크 챔버(21)의 하측은 절연 플레이트(13) 및 씰링 부재(23)에 의해 밀폐된다. The lower side of the
이에 따라, 아크 챔버(21)는 상부 프레임(11)의 외측 공간과 전기적, 물리적으로 이격될 수 있다. Accordingly, the
아크 챔버(21)에서 소호된 아크는 기 설정된 경로를 통해 직류 릴레이(1)의 외부로 배출된다. 일 실시 예에서, 소호된 아크는 상기 연통공(미도시)을 통해 아크 챔버(21)의 외부로 배출될 수 있다. The arc extinguished in the
고정 접촉자(22)는 가동 접촉자(43)와 접촉되거나 이격되어, 직류 릴레이(1)의 내부와 외부의 통전을 인가하거나 차단한다. The fixed
구체적으로, 고정 접촉자(22)가 가동 접촉자(43)와 접촉되면, 직류 릴레이(1)의 내부와 외부가 통전될 수 있다. 반면, 고정 접촉자(22)가 가동 접촉자(43)와 이격되면, 직류 릴레이(1)의 내부와 외부의 통전이 차단된다. Specifically, when the fixed
명칭에서 알 수 있듯이, 고정 접촉자(22)는 이동되지 않는다. 즉, 고정 접촉자(22)는 상부 프레임(11) 및 아크 챔버(21)에 고정 결합된다. 따라서, 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)의 접촉 및 이격은 가동 접촉자(43)의 이동에 의해 달성된다. As the name implies, the fixed
고정 접촉자(22)의 일측 단부, 도시된 실시 예에서 상측 단부는 상부 프레임(11)의 외측으로 노출된다. 상기 일측 단부에는 전원 또는 부하가 각각 통전 가능하게 연결된다. One end of the fixed
고정 접촉자(22)는 복수 개로 구비될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 고정 접촉자(22)는 좌측의 제1 고정 접촉자(22a) 및 우측의 제2 고정 접촉자(22b)를 포함하여, 총 두 개로 구비된다. A plurality of fixed
제1 고정 접촉자(22a)는 가동 접촉자(43)의 길이 방향의 중심으로부터 일측, 도시된 실시 예에서 좌측으로 치우치게 위치된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b)는 가동 접촉자(43)의 길이 방향의 중심으로부터 타측, 도시된 실시 예에서 우측으로 치우치게 위치된다. The first
제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나에는 전원이 통전 가능하게 연결될 수 있다. 또한, 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 다른 하나에는 부하가 통전 가능하게 연결될 수 있다. A power source may be energably connected to any one of the first
본 발명의 실시 예에 따른 직류 릴레이(1)는, 고정 접촉자(22)에 연결되는 전원 또는 부하의 방향과 무관하게 아크의 경로(A.P)를 형성할 수 있다. 이는 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)에 의해 달성되는데, 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다. The
고정 접촉자(22)의 타측 단부, 도시된 실시 예에서 하측 단부는 가동 접촉자(43)를 향해 연장된다. The other end of the
가동 접촉자(43)가 고정 접촉자(22)를 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 상측으로 이동되면, 상기 하측 단부는 가동 접촉자(43)와 접촉된다. 이에 따라, 직류 릴레이(1)의 외부와 내부가 통전될 수 있다. When the
고정 접촉자(22)의 상기 하측 단부는 아크 챔버(21) 내부에 위치된다. The lower end of the fixed
제어 전원이 차단될 경우, 가동 접촉자(43)는 복귀 스프링(36)의 탄성력에 의해 고정 접촉자(22)에서 이격된다. When the control power is cut off, the
이때, 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)가 이격됨에 따라, 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43) 사이에는 아크가 발생된다. 발생된 아크는 아크 챔버(21) 내부의 소호용 가스에 소호되고, 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)에 의해 형성된 경로를 따라 외부로 배출될 수 있다. At this time, as the fixed
씰링 부재(23)는 아크 챔버(21)와 상부 프레임(11) 내부의 공간의 임의 연통을 차단한다. 씰링 부재(23)는 절연 플레이트(13) 및 지지 플레이트(14)와 함께 아크 챔버(21)의 하측을 밀폐한다. The sealing
구체적으로, 씰링 부재(23)의 상측은 아크 챔버(21)의 하측과 결합된다. 또한, 씰링 부재(23)의 방사상 내측은 절연 플레이트(13)의 외주와 결합되며, 씰링 부재(23)의 하측은 지지 플레이트(14)에 결합된다. Specifically, the upper side of the sealing
이에 따라, 아크 챔버(21)에서 발생된 아크 및 소호용 가스에 의해 소호된 아크는 상부 프레임(11)의 내부 공간으로 입의 유출되지 않게 된다. Accordingly, the arc generated in the
또한, 씰링 부재(23)는 실린더(37)의 내부 공간과 프레임부(10)의 내부 공간의 임의 연통을 차단하도록 구성될 수 있다. In addition, the sealing
(3) 코어부(30)의 설명(3) Description of the
코어부(30)는 제어 전원의 인가에 따라 가동 접촉자부(40)를 상측으로 이동시킨다. 또한, 제어 전원의 인가가 해제될 경우, 코어부(30)는 가동 접촉자부(40)를 다시 하측으로 이동시킨다. The
코어부(30)는 외부의 제어 전원(미도시)과 통전 가능하게 연결되어, 제어 전원을 인가받을 수 있다. The
코어부(30)는 개폐부(20)의 하측에 위치된다. 또한, 코어부(30)는 하부 프레임(12)의 내부에 수용된다. 코어부(30)와 개폐부(20)는 절연 플레이트(13) 및 지지 플레이트(14)에 의해 전기적, 물리적으로 이격될 수 있다. The
코어부(30)와 개폐부(20) 사이에는 가동 접촉자부(40)가 위치된다. 코어부(30)가 인가하는 구동력에 의해 가동 접촉자부(40)가 이동될 수 있다. 이에 따라, 가동 접촉자(43)와 고정 접촉자(22)가 접촉되어 직류 릴레이(1)가 통전될 수 있다. A
코어부(30)는 고정 코어(31), 가동 코어(32), 요크(33), 보빈(34), 코일(35), 복귀 스프링(36) 및 실린더(37)를 포함한다. The
고정 코어(31)는 코일(35)에서 발생되는 자기장에 의해 자화(magnetize)되어 전자기적 인력을 발생시킨다. 상기 전자기적 인력에 의해, 가동 코어(32)가 고정 코어(31)를 향해 이동된다(도 3에서 상측 방향). The fixed
고정 코어(31)는 이동되지 않는다. 즉, 고정 코어(31)는 지지 플레이트(14) 및 실린더(37)에 고정 결합된다. The fixed
고정 코어(31)는 자기장에 의해 자화되어 전자기력을 발생시킬 수 있는 임의의 형태로 구비될 수 있다. 일 실시 예에서, 고정 코어(31)는 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다. The fixed
고정 코어(31)는 실린더(37) 내부의 상측 공간에 부분적으로 수용된다. 또한, 고정 코어(31)의 외주는 실린더(37)의 내주에 접촉된다. The fixed
고정 코어(31)는 지지 플레이트(14)와 가동 코어(32) 사이에 위치된다. The fixed
고정 코어(31)의 중심부에는 관통공(미도시)이 형성된다. 상기 관통공(미도시)에는 샤프트(44)가 상하 이동 가능하게 관통 결합된다. A through hole (not shown) is formed in the central portion of the fixed
고정 코어(31)는 가동 코어(32)와 소정 거리만큼 이격되도록 위치된다. 따라서, 가동 코어(32)가 고정 코어(31)를 향해 이동될 수 있는 거리는 상기 소정 거리로 제한될 수 있다. 이에, 상기 소정 거리는 "가동 코어(32)의 이동 거리"로 정의될 수 있을 것이다. The fixed
고정 코어(31)의 하측에는 복귀 스프링(36)의 일측 단부, 도시된 실시 예에서 상측 단부가 접촉된다. 고정 코어(31)가 자화되어 가동 코어(32)가 상측으로 이동되면, 복귀 스프링(36)이 압축되며 복원력이 저장된다. One end of the
이에 따라, 제어 전원의 인가가 해제되어 고정 코어(31)의 자화가 종료되면, 가동 코어(32)가 상기 복원력에 의해 다시 하측으로 복귀될 수 있다. Accordingly, when the application of the control power is released and the magnetization of the fixed
가동 코어(32)는 제어 전원이 인가되면 고정 코어(31)가 생성하는 전자기적 인력에 의해 고정 코어(31)를 향해 이동된다. The
가동 코어(32)의 이동에 따라, 가동 코어(32)에 결합된 샤프트(44)가 고정 코어(31)를 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 상측으로 이동된다. 또한, 샤프트(44)가 이동됨에 따라, 샤프트(44)에 결합된 가동 접촉자부(40)가 상측으로 이동된다. As the
이에 따라, 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)가 접촉되어 직류 릴레이(1)가 외부의 전원 또는 부하와 통전될 수 있다. Accordingly, the fixed
가동 코어(32)는 전자기력에 의한 인력을 받을 수 있는 임의의 형태로 구비될 수 있다. 일 실시 예에서, 가동 코어(32)는 자성체 소재로 형성되거나, 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다. The
가동 코어(32)는 실린더(37)의 내부에 수용된다. 또한, 가동 코어(32)는 실린더(37) 내부에서 실린더(37)의 길이 방향, 도시된 실시 예에서 상하 방향으로 이동될 수 있다. The
구체적으로, 가동 코어(32)는 고정 코어(31)를 향하는 방향 및 고정 코어(31)에서 멀어지는 방향으로 이동될 수 있다. Specifically, the
가동 코어(32)는 샤프트(44)와 결합된다. 가동 코어(32)는 샤프트(44)와 일체로 이동될 수 있다. 가동 코어(32)가 상측 또는 하측으로 이동되면, 샤프트(44) 또한 상측 또는 하측으로 이동된다. 이에 따라, 가동 접촉자(43) 또한 상측 또는 하측으로 이동된다. The
가동 코어(32)는 고정 코어(31)의 하측에 위치된다. 가동 코어(32)는 고정 코어(31)와 소정 거리만큼 이격된다. 상기 소정 거리는 가동 코어(32)가 상하 방향으로 이동될 수 있는 거리임은 상술한 바와 같다. The
가동 코어(32)는 길이 방향으로 연장 형성된다. 가동 코어(32)의 내부에는 길이 방향으로 연장되는 중공부가 소정 거리만큼 함몰 형성된다. 상기 중공부에는 복귀 스프링(36) 및 복귀 스프링(36)에 관통 결합된 샤프트(44)의 하측이 부분적으로 수용된다. The
상기 중공부의 하측에는 관통공이 길이 방향으로 관통 형성된다. 상기 중공부와 상기 관통공은 연통된다. 상기 중공부에 삽입된 샤프트(44)의 하측 단부는 상기 관통공을 향해 진행될 수 있다. A through hole is formed through the lower side of the hollow part in the longitudinal direction. The hollow portion and the through hole communicate with each other. The lower end of the
가동 코어(32)의 하측 단부에는 공간부가 소정 거리만큼 함몰 형성된다. 상기 공간부는 상기 관통공과 연통된다. 상기 공간부에는 샤프트(44)의 하측 헤드부가 위치된다. A space portion is recessed by a predetermined distance at the lower end of the
요크(33)는 제어 전원이 인가됨에 따라 자로(magnetic circuit)를 형성한다. 요크(33)가 형성하는 자로는 코일(35)이 형성하는 자기장의 방향을 조절하도록 구성될 수 있다. The
이에 따라, 제어 전원이 인가되면 코일(35)은 가동 코어(32)가 고정 코어(31)를 향해 이동되는 방향으로 자기장을 생성할 수 있다. 요크(33)는 통전 가능한 전도성 소재로 형성될 수 있다. Accordingly, when the control power is applied, the
요크(33)는 하부 프레임(12)의 내부에 수용된다. 요크(33)는 코일(35)을 둘러싼다. 코일(35)은 요크(33)의 내주면과 소정 거리만큼 이격되도록 요크(33)의 내부에 수용될 수 있다. The
요크(33)의 내부에는 보빈(34)이 수용된다. 즉, 하부 프레임(12)의 외주로부터 방사상 내측을 향하는 방향으로 요크(33), 코일(35) 및 코일(35)이 권취되는 보빈(34)이 순서대로 배치된다. The
요크(33)의 상측은 지지 플레이트(14)에 접촉된다. 또한, 요크(33)의 외주는 하부 프레임(12)의 내주에 접촉되거나, 하부 프레임(12)의 내주로부터 소정 거리만큼 이격되도록 위치될 수 있다. The upper side of the
보빈(34)에는 코일(35)이 권취된다. 보빈(34)은 요크(33) 내부에 수용된다. A
보빈(34)은 평판형의 상부 및 하부와, 길이 방향으로 연장 형성되어 상기 상부와 하부를 연결하는 원통형의 기둥부를 포함할 수 있다. 즉, 보빈(34)은 실패(bobbin) 형상이다. The
보빈(34)의 상부는 지지 플레이트(14)의 하측과 접촉된다. 보빈(34)의 기둥부에는 코일(35)이 권취된다. 코일(35)이 권취되는 두께는 보빈(34)의 상부 및 하부의 직경과 같거나 더 작게 구성될 수 있다. The upper portion of the
보빈(34)의 기둥부에는 길이 방향으로 연장되는 중공부가 관통 형성된다. 상기 중공부에는 실린더(37)가 수용될 수 있다. 보빈(34)의 기둥부는 고정 코어(31), 가동 코어(32) 및 샤프트(44)와 같은 중심축을 갖도록 배치될 수 있다. A hollow portion extending in the longitudinal direction is formed through the column portion of the
코일(35)은 인가된 제어 전원에 의해 자기장을 발생시킨다. 코일(35)이 발생시키는 자기장에 의해 고정 코어(31)가 자화되어, 가동 코어(32)에 전자기적 인력이 인가될 수 있다. The
코일(35)은 보빈(34)에 권취된다. 구체적으로, 코일(35)은 보빈(34)의 기둥부에 권취되어, 상기 기둥부의 방사상 외측으로 적층된다. 코일(35)은 요크(33)의 내부에 수용된다. The
제어 전원이 인가되면, 코일(35)은 자기장을 생성한다. 이때, 요크(33)에 의해 코일(35)이 생성하는 자기장의 세기 또는 방향 등이 제어될 수 있다. 코일(35)이 생성한 자기장에 의해 고정 코어(31)가 자화된다. When the control power is applied, the
고정 코어(31)가 자화되면, 가동 코어(32)는 고정 코어(31)를 향하는 방향으로의 전자기력, 즉, 인력을 받게 된다. 이에 따라, 가동 코어(32)는 고정 코어(31)를 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 상측으로 이동된다. When the fixed
복귀 스프링(36)은 가동 코어(32)가 고정 코어(31)를 향해 이동된 후 제어 전원의 인가가 해제되면, 가동 코어(32)가 원래 위치로 복귀되기 위한 복원력을 제공한다. The
복귀 스프링(36)은 가동 코어(32)가 고정 코어(31)를 향해 이동됨에 따라 압축되며 복원력을 저장한다. 이때, 저장되는 복원력은 고정 코어(31)가 자화되어 가동 코어(32)에 미치는 전자기적 인력보다 작은 것이 바람직하다. 제어 전원이 인가되는 동안에는 가동 코어(32)가 복귀 스프링(36)에 의해 임의로 원위치에 복귀되는 것을 방지하기 위함이다. The
제어 전원의 인가가 해제되면, 가동 코어(32)는 복귀 스프링(36)에 의한 복원력을 받게 된다. 물론, 가동 코어(32)의 자중(empty weight)에 의한 중력 또한 가동 코어(32)에 작용될 수 있다. 이에 따라, 가동 코어(32)는 고정 코어(31)로부터 멀어지는 방향으로 이동되어 원 위치로 복귀될 수 있다. When the application of the control power is released, the
복귀 스프링(36)은 형상이 변형되어 복원력을 저장하고, 원래 형상으로 복귀되며 복원력을 외부에 전달할 수 있는 임의의 형태로 구비될 수 있다. 일 실시 예에서, 복귀 스프링(36)은 코일 스프링(coil spring)으로 구비될 수 있다. The
복귀 스프링(36)에는 샤프트(44)가 관통 결합된다. 샤프트(44)는 복귀 스프링(36)이 결합된 상태에서 복귀 스프링(36)의 형상 변형과 무관하게 상하 방향으로 이동될 수 있다. A
복귀 스프링(36)은 가동 코어(32)의 상측에 함몰 형성된 중공부에 수용된다. 또한, 고정 코어(31)를 향하는 복귀 스프링(36)의 일측 단부, 도시된 실시 예에서 상측 단부는 고정 코어(31)의 하측에 함몰 형성된 중공부에 수용된다. The
실린더(37)는 고정 코어(31), 가동 코어(32), 복귀 스프링(36) 및 샤프트(44)를 수용한다. 가동 코어(32) 및 샤프트(44)는 실린더(37) 내부에서 상측 및 하측 방향으로 이동될 수 있다. The
실린더(37)는 보빈(34)의 기둥부에 형성된 중공부에 위치된다. 실린더(37)의 상측 단부는 지지 플레이트(14)의 하측 면에 접촉된다. The
실린더(37)의 측면은 보빈(34)의 기둥부의 내주면에 접촉된다. 실린더(37)의 상측 개구부는 고정 코어(31)에 의해 밀폐될 수 있다. 실린더(37)의 하측 면은 하부 프레임(12)의 내면에 접촉될 수 있다. The side surface of the
(4) 가동 접촉자부(40)의 설명(4) Description of the
가동 접촉자부(40)는 가동 접촉자(43) 및 가동 접촉자(43)를 이동시키기 위한 구성을 포함한다. 가동 접촉자부(40)에 의해, 직류 릴레이(1)는 외부의 전원 또는 부하와 통전될 수 있다. The
가동 접촉자부(40)는 상부 프레임(11)의 내부 공간에 수용된다. 또한, 가동 접촉자부(40)는 아크 챔버(21)의 내부에 상하 이동 가능하게 수용된다. The
가동 접촉자부(40)의 상측에는 고정 접촉자(22)가 위치된다. 가동 접촉자부(40)는 고정 접촉자(22)를 향하는 방향 및 고정 접촉자(22)에서 멀어지는 방향으로 이동 가능하게 아크 챔버(21)의 내부에 수용된다. A fixed
가동 접촉자부(40)의 하측에는 코어부(30)가 위치된다. 가동 접촉자부(40)의 상기 이동은 가동 코어(32)의 이동에 의해 달성될 수 있다. The
가동 접촉자부(40)는 하우징(41), 커버(42), 가동 접촉자(43), 샤프트(44) 및 탄성부(45)를 포함한다. The
하우징(41)은 가동 접촉자(43) 및 가동 접촉자(43)를 탄성 지지하는 탄성부(45)를 수용한다. The
도시된 실시 예에서, 하우징(41)은 일측 및 그에 대향하는 타측이 개방된다. 상기 개방된 부분에는 가동 접촉자(43)가 관통 삽입될 수 있다. In the illustrated embodiment, the
하우징(41)의 개방되지 않은 측면은, 수용된 가동 접촉자(43)를 감싸도록 구성될 수 있다. The unopened side of the
하우징(41)의 상측에는 커버(42)가 구비된다. 커버(42)는 하우징(41)에 수용된 가동 접촉자(43)의 상측 면을 덮는다. A
하우징(41) 및 커버(42)는 의도치 않은 통전이 방지되도록 절연성 소재로 형성되는 것이 바람직하다. 일 실시 예에서, 하우징(41) 및 커버(42)는 합성 수지 등으로 형성될 수 있다. The
하우징(41)의 하측은 샤프트(44)와 연결된다. 샤프트(44)와 연결된 가동 코어(32)가 상측 또는 하측으로 이동되면, 하우징(41) 및 이에 수용된 가동 접촉자(43) 또한 상측 또는 하측으로 이동될 수 있다. The lower side of the
하우징(41)과 커버(42)는 임의의 부재에 의해 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 하우징(41)과 커버(42)는 볼트, 너트 등의 체결 부재(미도시)에 의해 결합될 수 있다. The
가동 접촉자(43)는 제어 전원의 인가에 따라 고정 접촉자(22)와 접촉되어, 직류 릴레이(1)가 외부의 전원 및 부하와 통전되도록 한다. 또한, 가동 접촉자(43)는 제어 전원의 인가가 해제될 경우 고정 접촉자(22)와 이격되어, 직류 릴레이(1)가 외부의 전원 및 부하와 통전되지 않도록 한다. The
가동 접촉자(43)는 고정 접촉자(22)에 인접하게 위치된다. The
가동 접촉자(43)의 상측은 커버(42)에 의해 부분적으로 덮여진다. 일 실시 예에서, 가동 접촉자(43)의 상측 면의 일부는 커버(42)의 하측 면과 접촉될 수 있다. The upper side of the
가동 접촉자(43)의 하측은 탄성부(45)에 의해 탄성 지지된다. 가동 접촉자(43)가 하측으로 임의 이동되지 않도록, 탄성부(45)는 소정 거리만큼 압축된 상태에서 가동 접촉자(43)를 탄성 지지할 수 있다. The lower side of the
가동 접촉자(43)는 길이 방향, 도시된 실시 예에서 좌우 방향으로 연장 형성된다. 즉, 가동 접촉자(43)의 길이는 폭보다 길게 형성된다. 따라서, 하우징(41)에 수용된 가동 접촉자(43)의 길이 방향의 양측 단부는 하우징(41)의 외측으로 노출된다. The
상기 양측 단부에는 상측으로 소정 거리만큼 돌출 형성된 접촉 돌출부가 형성될 수 있다. 상기 접촉 돌출부에는 고정 접촉자(22)가 접촉된다. A contact protrusion formed to protrude upward by a predetermined distance may be formed at both ends. A fixed
상기 접촉 돌출부는 각 고정 접촉자(22a, 22b)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 이에 따라, 가동 접촉자(43)의 이동 거리가 감소되고, 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)의 접촉 신뢰성이 향상될 수 있다. The contact protrusion may be formed at a position corresponding to each of the fixed
가동 접촉자(43)의 폭은 하우징(41)의 각 측면이 서로 이격되는 거리와 동일할 수 있다. 즉, 가동 접촉자(43)가 하우징(41)에 수용되면, 가동 접촉자(43)의 폭 방향 양 측면은 하우징(41)의 각 측면의 내면에 접촉될 수 있다. The width of the
이에 따라, 가동 접촉자(43)가 하우징(41)에 수용된 상태가 안정적으로 유지될 수 있다. Accordingly, a state in which the
샤프트(44)는 코어부(30)가 작동됨에 따라 발생되는 구동력을 가동 접촉자부(40)에 전달한다. 구체적으로, 샤프트(44)는 가동 코어(32) 및 가동 접촉자(43)와 연결된다. 가동 코어(32)가 상측 또는 하측으로 이동될 경우 샤프트(44)에 의해 가동 접촉자(43) 또한 상측 또는 하측으로 이동될 수 있다. The
샤프트(44)는 길이 방향, 도시된 실시 예에서 상하 방향으로 연장 형성된다. The
샤프트(44)의 하측 단부는 가동 코어(32)에 삽입 결합된다. 가동 코어(32)가 상하 방향으로 이동되면, 샤프트(44)는 가동 코어(32)와 함께 상하 방향으로 이동될 수 있다. The lower end of the
샤프트(44)의 몸체부는 고정 코어(31)에 상하 이동 가능하게 관통 결합된다. 샤프트(44)의 몸체부에는 복귀 스프링(36)이 관통 결합된다. The body portion of the
샤프트(44)의 상측 단부는 하우징(41)에 결합된다. 가동 코어(32)가 이동되면, 샤프트(44) 및 하우징(41)이 함께 이동될 수 있다. The upper end of the
샤프트(44)의 상측 단부 및 하측 단부는 샤프트의 몸체부에 비해 큰 직경을 갖도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 샤프트(44)가 하우징(41) 및 가동 코어(32)와 안정적으로 결합 상태를 유지할 수 있다. The upper and lower ends of the
탄성부(45)는 가동 접촉자(43)를 탄성 지지한다. 가동 접촉자(43)가 고정 접촉자(22)와 접촉될 경우, 전자기적 반발력에 의해 가동 접촉자(43)는 고정 접촉자(22)에서 이격되려는 경향을 갖게 된다. The
이때, 탄성부(45)는 가동 접촉자(43)를 탄성 지지하여, 가동 접촉자(43)가 고정 접촉자(22)에서 임의 이격되는 것을 방지한다. At this time, the
탄성부(45)는 형상의 변형에 의해 복원력을 저장하고, 저장된 복원력을 다른 부재에 제공할 수 있는 임의의 형태로 구비될 수 있다. 일 실시 예에서, 탄성부(45)는 코일 스프링으로 구비될 수 있다. The
가동 접촉자(43)를 향하는 탄성부(45)의 일측 단부는 가동 접촉자(43)의 하측에 접촉된다. 또한, 상기 일측 단부에 대향하는 타측 단부는 하우징(41)의 상측에 접촉된다. One end of the
탄성부(45)는 소정 거리만큼 압축되어 복원력을 저장한 상태로 가동 접촉자(43)를 탄성 지지할 수 있다. 이에 따라, 가동 접촉자(43)와 고정 접촉자(22) 사이에서 전자기적 반발력이 발생되더라도, 가동 접촉자(43)가 임의로 이동되지 않게 된다. The
탄성부(45)의 안정적인 결합을 위해, 가동 접촉자(43)의 하측에는 탄성부(45)에 삽입되는 돌출부(미도시)가 돌출 형성될 수 있다. 마찬가지로, 하우징(41)의 상측에도 탄성부(45)에 삽입되는 돌출부(미도시)가 돌출 형성될 수 있다. For stable coupling of the
3. 본 발명의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)의 설명3. Description of the arc
도 5 내지 도 29를 참조하면, 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)가 도시된다. 각 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 아크 챔버(21) 내부에 자기장을 형성한다. 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류와 형성된 자기장에 의해, 아크 챔버(21) 내부에는 전자기력이 형성된다. 5 to 29 , arc
고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)가 이격됨에 따라 발생된 아크는, 형성된 전자기력에 의해 아크 챔버(21)의 외부로 이동된다. 구체적으로, 발생된 아크는 형성된 전자기력의 방향을 따라 이동된다. 이에, 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 발생된 아크가 유동되는 경로인 아크의 경로(A.P)를 형성한다고 할 수 있을 것이다.The arc generated as the fixed
아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 상부 프레임(11)의 내부에 형성된 공간에 위치된다. 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 아크 챔버(21)를 둘러싸게 배치된다. 달리 표현하면, 아크 챔버(21)는 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)의 내부에 위치된다.The arc
아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)의 내부에는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다. 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)가 이격되어 발생된 아크는, 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)에 의해 형성된 전자기력에 의해 유도될 수 있다.The fixed
본 발명의 다양한 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 할바흐 배열을 포함한다. 할바흐 배열은 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 수용되는 아크 경로 형성부(100) 내부에 자기장을 형성한다. 이때, 할바흐 배열은 자체적으로, 또한 서로 간에 자기장을 형성할 수 있다. The arc
할바흐 배열이 형성하는 자기장은, 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)에 통전되는 전류와 함께 전자기력을 형성한다. 형성된 전자기력은 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)가 이격될 경우 발생되는 아크를 유도한다. The magnetic field formed by the Halbach arrangement forms an electromagnetic force together with the current passed through the fixed
이때, 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 공간부(115)의 중심부(C)에서 멀어지는 방향의 전자기력을 형성한다. 이에 따라, 아크의 경로(A.P) 또한 공간부의 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성된다.In this case, the arc
결과적으로, 직류 릴레이(1)에 구비되는 각 구성 요소가 발생된 아크에 의해 손상되지 않게 된다. 더 나아가, 발생된 아크가 아크 챔버(21)의 외부로 신속하게 배출될 수 있다.As a result, each component provided in the
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 각 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)의 구성 및 각 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the configuration of each arc path forming unit (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800) and each arc path forming unit (100, 200, 300, 400, 500, 600) , 700, 800 will be described in detail the path (A.P) of the arc formed by.
이하에서 설명되는 다양한 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 전방 측 및 후방 측에 각각 위치되는 할바흐 배열을 구비할 수 있다. The arc
후술될 바와 같이, 후방 측은 제1 면(111, 211, 311, 411, 511, 611, 711, 811), 전방 측은 제2 면(112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812)에 인접한 방향으로 정의될 수 있다.As will be described later, the rear side is a first side (111, 211, 311, 411, 511, 611, 711, 811) and the front side is a second side (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) It can be defined in a direction adjacent to .
또한, 좌측은 제3 면(113, 213, 313, 413, 513, 613, 713, 813), 우측은 제4 면(114, 214, 314, 414, 514, 614, 714, 814)에 인접한 방향으로 정의될 수 있다.In addition, the left side is the third surface (113, 213, 313, 413, 513, 613, 713, 813), the right side is the direction adjacent to the fourth surface (114, 214, 314, 414, 514, 614, 714, 814) can be defined as
(1) 본 발명의 일 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100)의 설명(1) Description of the arc
이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100)를 상세하게 설명한다. Hereinafter, the arc
도 5를 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100)는 자석 프레임(110), 제1 할바흐 배열(Halbach array)(120) 및 제2 할바흐 배열(130)을 포함한다.Referring to FIG. 5 , the arc
자석 프레임(110)은 아크 경로 형성부(100)의 골격을 형성한다. 자석 프레임(110)에는 할바흐 배열(120)이 배치된다. 일 실시 예에서, 할바흐 배열(120)은 자석 프레임(110)에 결합될 수 있다. The
자석 프레임(110)은 길이 방향, 도시된 실시 예에서 좌우 방향으로 연장 형성된 직사각형의 단면을 갖는다. 자석 프레임(110)의 형상은 상부 프레임(11) 및 아크 챔버(21)의 형상에 따라 변경될 수 있다. The
자석 프레임(110)은 제1 면(111), 제2 면(112), 제3 면(113), 제4 면(114) 및 공간부(115)를 포함한다. The
제1 면(111), 제2 면(112), 제3 면(113) 및 제4 면(114)은 자석 프레임(110)의 외주면을 형성한다. 즉, 제1 면(111), 제2 면(112), 제3 면(113) 및 제4 면(114)은 자석 프레임(110)의 벽으로 기능된다. The
제1 면(111), 제2 면(112), 제3 면(113) 및 제4 면(114)의 외측은 상부 프레임(11)의 내면에 접촉 또는 고정 결합될 수 있다. 또한, 제1 면(111), 제2 면(112), 제3 면(113) 및 제4 면(114)의 내측에는 할바흐 배열(120)이 위치될 수 있다. Outside of the
도시된 실시 예에서, 제1 면(111)은 후방 측 면을 형성한다. 제2 면(112)은 전방 측 면을 형성하며, 제1 면(111)에 대향한다. 또한, 제3 면(113)은 좌측 면을 형성한다. 제4 면(114)은 우측 면을 형성하며, 제3 면(113)에 대향한다. In the illustrated embodiment, the
즉, 제1 면(111) 및 제2 면(112)은 공간부(115)를 사이에 두고 서로 마주한다. 또한, 제3 면(113) 및 제4 면(114)은 공간부(115)를 사이에 두고 서로 마주한다.That is, the
제1 면(111)은 제3 면(113) 및 제4 면(114)과 연속된다. 제1 면(111)은 제3 면(113) 및 제4 면(114)과 소정의 각도를 이루며 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 소정의 각도는 직각일 수 있다. The
제2 면(112)은 제3 면(113) 및 제4 면(114)과 연속된다. 제2 면(112)은 제3 면(113) 및 제4 면(114)과 소정의 각도를 이루며 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 소정의 각도는 직각일 수 있다. The
제1 면(111) 내지 제4 면(114)이 서로 연결되는 각 모서리는 모따기(taper)될 수 있다. Each edge at which the
각 면(111, 112, 113, 114)과 할바흐 배열(120)의 결합을 위해, 체결 부재(미도시)가 구비될 수 있다. A fastening member (not shown) may be provided for coupling the
도시되지는 않았으나, 제1 면(111), 제2 면(112), 제3 면(113) 및 제4 면(114) 중 어느 하나 이상에는 아크 배출공(미도시)이 관통 형성될 수 있다. 아크 배출공(미도시)은 공간부(115)에서 발생된 아크가 배출되는 통로로 기능될 수 있다. Although not shown, an arc discharge hole (not shown) may be formed through at least one of the
제1 면(111) 내지 제4 면(114)에 의해 둘러싸이는 공간은 공간부(115)로 정의될 수 있다. A space surrounded by the
공간부(115)에는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 수용된다. 또한, 공간부(115)에는 아크 챔버(21)가 수용된다. The fixed
공간부(115)에서, 가동 접촉자(43)는 고정 접촉자(22)를 향하는 방향(즉, 하측 방향) 또는 고정 접촉자(22)에서 멀어지는 방향(즉, 상측 방향)으로 이동될 수 있다. In the
또한, 공간부(115)에는 아크 챔버(21)에서 발생된 아크의 경로(A.P)가 형성된다. 이는, 할바흐 배열(120)이 형성하는 자기장에 의해 달성된다. In addition, a path A.P of the arc generated in the
공간부(115)의 중앙 부분은 중심부(C)로 정의될 수 있다. 제1 면 내지 제4 면(111, 112, 113, 114)이 서로 연결되는 각 모서리에서 중심부(C)까지의 직선 거리는 동일하게 형성될 수 있다. A central portion of the
중심부(C)는 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 사이에 위치된다. 또한, 중심부(C)의 수직 하방에는 가동 접촉자부(40)의 중심 부분이 위치된다. 즉, 중심부(C)의 수직 하방에는 하우징(41), 커버(42), 가동 접촉자(43), 샤프트(44) 및 탄성부(45) 등의 중심 부분이 위치된다. The central portion C is positioned between the first
따라서, 발생된 아크가 중심부(C)를 향해 이동될 경우, 상기 구성들의 손상이 발생될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100)는 제1 할바흐 배열(120) 및 제2 할바흐 배열(130)을 포함한다. Accordingly, when the generated arc is moved toward the central portion (C), damage to the above components may occur. To prevent this, the arc
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(120)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(120)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제1 할바흐 배열(120)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(120)은 제2 할바흐 배열(130)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제1 할바흐 배열(120)은 제1 및 제2 면(111, 112) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(120)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(115)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(120)은 제1 면(111)의 내측에, 제1 면(111)에 인접하게 배치되어, 제2 면(112)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(130)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the
제1 할바흐 배열(120)과 제2 할바흐 배열(130) 사이에는 공간부(115) 및 공간부(115)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제1 할바흐 배열(120)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 할바흐 배열(130)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(120)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(120)은 제1 블록(121), 제2 블록(122) 및 제3 블록(123)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(120)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(121, 122, 123)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)은 제1 면(111)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)은 상기 방향을 따라 나란하게 배치된다. 구체적으로, 제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)은 제2 블록(122)이 가장 좌측에 배치되고, 제3 블록(123)이 가장 우측에 배치된다. 또한, 제1 블록(121)은 제2 블록(122)과 제3 블록(123) 사이에 위치된다.The first to
일 실시 예에서, 서로 인접하게 배치되는 각 블록(121, 122, 123)은 서로 접촉될 수 있다.In an embodiment, each of the
제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)은 제2 할바흐 배열(130)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(130)의 제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)과 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first to
이때, 제2 블록(122)은 제2 면(112)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a)와 겹쳐지게 배치될 수 있다.In this case, the
또한, 제3 블록(123)은 제2 면(112)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 고정 접촉자(22b)와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the
각 블록(121, 122, 123)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(121)은 공간부(115) 또는 제2 할바흐 배열(130)을 향하는 제1 내면(121a) 및 공간부(115) 또는 제2 할바흐 배열(130)에 반대되는 제1 외면(121b)을 포함한다.Specifically, the
제2 블록(122)은 제1 블록(121)을 향하는 제2 내면(122a) 및 제1 블록(121)에 반대되는 제2 외면(122b)을 포함한다.The
제3 블록(123)은 제1 블록(121)을 향하는 제3 내면(123a) 및 제1 블록(121)을 향하는 제3 외면(123b)을 포함한다.The
각 블록(121, 122, 123)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(121a, 122a, 123a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(121b, 122b, 123b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(121a, 122a, 123a)은 제2 할바흐 배열(130)의 제1 내지 제3 내면(131a, 132a, 133a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(121b, 122b, 123b)은 제2 할바흐 배열(130)의 제1 내지 제3 외면(131b, 132b, 133b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(130)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(130)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제2 할바흐 배열(130)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(130)은 제1 할바흐 배열(120)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제2 할바흐 배열(130)은 제1 및 제2 면(111, 112) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(130)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(115)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다. The
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(130)은 제2 면(112)의 내측에, 제2 면(112)에 인접하게 배치되어, 제1 면(111)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(120)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the
제2 할바흐 배열(130)과 제1 할바흐 배열(120) 사이에는 공간부(115) 및 공간부(115)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제2 할바흐 배열(130)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 할바흐 배열(120)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(130)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(130)은 제1 블록(131), 제2 블록(132) 및 제3 블록(133)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(130)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(131, 132, 133)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)은 제2 면(112)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)은 상기 방향을 따라 나란하게 배치된다. 구체적으로, 제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)은 제2 블록(132)이 가장 좌측에 배치되고, 제3 블록(133)이 가장 우측에 배치된다. 또한, 제1 블록(131)은 제2 블록(132) 및 제3 블록(133) 사이에 위치된다. The first to
일 실시 예에서, 서로 인접하게 배치되는 각 블록(131, 132, 133)은 서로 접촉될 수 있다.In an embodiment, each of the
제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)은 제1 할바흐 배열(120)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 할바흐 배열(120)의 제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)과 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first to
이때, 제2 블록(132)은 제1 면(111)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a)와 겹쳐지게 배치될 수 있다.In this case, the
또한, 제3 블록(133)은 제1 면(111)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 고정 접촉자(22b)와 겹쳐지게 배치될 수 있다.In addition, the
각 블록(131, 132, 133)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(131)은 공간부(115) 또는 제1 할바흐 배열(120)을 향하는 제1 내면(131a) 및 공간부(115) 또는 제1 할바흐 배열(120)에 반대되는 제1 외면(131b)을 포함한다.Specifically, the
제2 블록(132)은 제1 블록(131)을 향하는 제2 내면(132a) 및 제1 블록(131)에 반대되는 제2 외면(132b)을 포함한다.The
제3 블록(133)은 제1 블록(131)을 향하는 제3 내면(133a) 및 제1 블록(131)에 반대되는 제3 외면(133b)을 포함한다.The
각 블록(131, 132, 133)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(131a, 132a, 133a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(131b, 132b, 133b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(131a, 132a, 133a)은 제1 할바흐 배열(120)의 제1 내지 제3 내면(121a, 122a, 123a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(131b, 132b, 133b)은 제1 할바흐 배열(120)의 제1 내지 제3 외면(121b, 122b, 123b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third
제1 및 제2 할바흐 배열(120, 130)의 상대적인 극성 관계는 기하학적으로 전후 방향으로 대칭이라고 표현할 수 있다. The relative polarity relationship of the first and
즉, 제1 및 제2 할바흐 배열(120, 130)은 각 고정 접촉자(22a, 22b)를 지나는 가상의 직선에 대해 선대칭되도록 자화된다. That is, the first and
이하, 도 6을 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc
도 6을 참조하면, 제1 할바흐 배열(120)의 제1 내지 제3 내면(121a, 122a, 123a)은 N극으로 자화된다. 또한, 제2 할바흐 배열(130)의 제1 내지 제3 내면(131a, 132a, 133a) 역시 N극으로 자화된다.Referring to FIG. 6 , the first to third
또한, 상기 소정의 규칙에 의해, 제1 내지 제2 할바흐 배열(120, 130)의 각 제1 내지 제3 외면(121b, 131b, 122b, 132b, 123b, 133b)은 S극으로 자화된다.In addition, according to the predetermined rule, each of the first to third
이에 따라, 제1 및 제2 할바흐 배열(120, 130) 사이에는 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다. Accordingly, a magnetic field is formed between the first and
도 6의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (a) of FIG. 6 , the direction of the current is the direction from the second
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙(Fleming's rule)을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도 6의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (b) of FIG. 6 , the direction of the current is a direction from the first
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도시되지는 않았으나, 제1 및 제2 할바흐 배열(120, 130)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(120, 130)에 형성되는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each surface of the first and
즉, 도 6의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized situation as shown in (a) of FIG. 6 , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
유사하게, 도 6의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 6B , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100)는, 제1 및 제2 할바흐 배열(120, 130)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc
따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the
(2) 본 발명의 다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(200)의 설명(2) Description of the arc
이하, 도 7 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(200)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc
도 7 및 도 8을 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(200)는 자석 프레임(210), 제1 할바흐 배열(220) 및 제2 할바흐 배열(230)을 포함한다. 7 and 8 , the arc
본 실시 예에 따른 자석 프레임(210)은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)과 그 구조 및 기능이 동일하다. 다만, 본 실시 예에 따른 자석 프레임(210)에 배치되는 제1 할바흐 배열(220) 및 제2 할바흐 배열(230)의 배치 방식에 차이가 있다.The
이에, 자석 프레임(210)에 대한 설명은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.Accordingly, the description of the
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(220)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(220)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제1 할바흐 배열(220)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(220)은 제2 할바흐 배열(230)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제1 할바흐 배열(220)은 제1 및 제2 면(211, 212) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(220)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(215)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(220)은 제1 면(211)의 내측에, 제1 면(211)에 인접하게 배치되어, 제2 면(212)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(230)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the
제1 할바흐 배열(220)과 제2 할바흐 배열(230) 사이에는 공간부(215) 및 공간부(215)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제1 할바흐 배열(220)은 제3 면(213) 및 제4 면(214) 중 어느 하나에 치우쳐 위치된다. 도 7에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(220)은 제4 면(214)에 치우쳐 위치된다. 도 8에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 제3 면(213)에 치우쳐 위치된다.The
제1 할바흐 배열(220)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 할바흐 배열(230)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(220)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(220)은 제1 블록(221) 및 제2 블록(222)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(220)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(221, 222)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 및 제2 블록(221, 222)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 및 제2 블록(221, 222)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first and
제1 및 제2 블록(221, 222)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 및 제2 블록(221, 222)은 제1 면(211)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first and
도 7에 도시된 실시 예에서, 제1 블록(221)은 중앙 부분에, 제2 블록(222)은 제1 블록(221)의 우측에 위치된다. 도 8에 도시된 실시 예에서, 제1 블록(221)은 중앙 부분에, 제2 블록(222)은 제1 블록(221)의 좌측에 위치된다. In the embodiment shown in FIG. 7 , the
일 실시 예에서, 제1 블록(221)과 제2 블록(222)은 서로 접촉될 수 있다. In an embodiment, the
제1 블록(221)은 제2 할바흐 배열(230)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(230)의 제1 블록(231)과 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. The
이때, 제2 블록(222)은 제2 면(212)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다.At this time, the
도 7에 도시된 실시 예에서, 제2 블록(222)은 제2 고정 접촉자(22b)와 전후 방향으로 겹쳐진다. 도 8에 도시된 실시 예에서, 제2 블록(222)은 제1 고정 접촉자(22a)와 전후 방향으로 겹쳐진다.In the embodiment shown in FIG. 7 , the
각 블록(221, 222)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(221)은 공간부(215) 또는 제2 할바흐 배열(230)을 향하는 제1 내면(221a) 및 공간부(215) 또는 제2 할바흐 배열(230)에 반대되는 제1 외면(221b)을 포함한다.Specifically, the
제2 블록(222)은 제1 블록(221)을 향하는 제2 내면(222a) 및 제1 블록(221)에 반대되는 제2 외면(222b)을 포함한다.The
각 블록(221, 222)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 및 제2 내면(221a, 222a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 및 제2 외면(221b, 222b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first and second
이때, 제1 및 제2 내면(221a, 222a)은 제2 할바흐 배열(230)의 제1 및 제2 내면(231a, 232a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 및 제2 외면(221b, 222b)은 제2 할바흐 배열(230)의 제1 및 제2 외면(231b, 232b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first and second
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제2 할바흐 배열(230)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 제1 할바흐 배열(220)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제2 할바흐 배열(230)은 제1 및 제2 면(211, 212) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(215)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다. The
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 제2 면(212)의 내측에, 제2 면(212)에 인접하게 배치되어, 제1 면(211)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(220)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the
제2 할바흐 배열(230)은 제3 면(213) 및 제4 면(214) 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치된다. 도 7에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 제3 면(213)에 치우쳐 위치된다. 도 8에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 제4 면(214)에 치우쳐 위치된다.The
제2 할바흐 배열(230)과 제1 할바흐 배열(220) 사이에는 공간부(215) 및 공간부(215)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제2 할바흐 배열(230)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 할바흐 배열(220)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(230)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 제1 블록(231) 및 제2 블록(232)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(230)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(231, 232)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 및 제2 블록(231, 232)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 및 제2 블록(231, 232)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first and
제1 및 제2 블록(231, 232)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 및 제2 블록(231, 232)은 제2 면(212)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first and
도 7에 도시된 실시 예에서, 제1 블록(231)은 중앙 부분에, 제2 블록(232)은 제1 블록(231)의 좌측에 위치된다. 도 8에 도시된 실시 예에서, 제1 블록(231)은 중앙 부분에, 제2 블록(232)은 제1 블록(231)의 우측에 위치된다. In the embodiment shown in FIG. 7 , the
일 실시 예에서, 서로 인접하게 배치되는 각 블록(231, 232)은 서로 접촉될 수 있다.In an embodiment, each of the
제1 블록(231)은 제1 할바흐 배열(220)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 할바흐 배열(220)의 제1 블록(221)과 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. The
이때, 제2 블록(222)은 제2 면(212)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다.At this time, the
도 7에 도시된 실시 예에서, 제2 블록(222)은 제1 고정 접촉자(22a)와 전후 방향으로 겹쳐진다. 도 8에 도시된 실시 예에서, 제2 블록(222)은 제2 고정 접촉자(22b)와 전후 방향으로 겹쳐진다.In the embodiment shown in FIG. 7 , the
각 블록(231, 232)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(231)은 공간부(215) 또는 제1 할바흐 배열(220)을 향하는 제1 내면(231a) 및 공간부(215) 또는 제1 할바흐 배열(220)에 반대되는 제1 외면(231b)을 포함한다.Specifically, the
제2 블록(232)은 제1 블록(231)을 향하는 제2 내면(232a) 및 제1 블록(231)에 반대되는 제2 외면(232b)을 포함한다.The
각 블록(231, 232)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 및 제2 내면(231a, 232a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 및 제2 외면(231b, 232b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first and second
이때, 제1 및 제2 내면(231a, 232a)은 제1 할바흐 배열(220)의 제1 및 제2 내면(221a, 222a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 및 제2 외면(231b, 232b)은 제1 할바흐 배열(220)의 제1 및 제2 외면(221b, 222b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first and second
제1 및 제2 할바흐 배열(220, 230)의 상대적인 극성 관계는 기하학적으로 전후 방향으로 대칭이라고 표현할 수 있다. The relative polarity relationship of the first and
즉, 제1 및 제2 할바흐 배열(220, 230)은 각 고정 접촉자(22a, 22b)를 지나는 가상의 직선에 대해 선대칭되도록 자화된다. That is, the first and
이하, 도 9를 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(200)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc
도 9를 참조하면, 제1 할바흐 배열(220)의 제1 및 제2 내면(221a, 222a)은 N극으로 자화된다. 또한, 제2 할바흐 배열(230)의 제1 및 제2 내면(231a, 232a) 역시 N극으로 자화된다.Referring to FIG. 9 , the first and second
또한, 상기 소정의 규칙에 의해, 제1 및 제2 할바흐 배열(220, 230)의 각 제1 및 제3 외면(221b, 231b, 222b, 232b)은 S극으로 자화된다.In addition, according to the predetermined rule, the first and third
이에 따라, 제1 및 제2 할바흐 배열(220, 230) 사이에는 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다. Accordingly, a magnetic field is formed between the first and
이때, 제1 및 제2 할바흐 배열(220, 230)의 제2 블록(222, 232)은 상기 자기장을 강화하게 형성된다.In this case, the
도 9의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in FIG. 9( a ), the direction of the current is a direction from the second
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도 9의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in FIG. 9( b ), the direction of the current is a direction from the first
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도시되지는 않았으나, 제1 및 제2 할바흐 배열(220, 230)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(220, 230)이 형성하는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each surface of the first and
즉, 도 9의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized state as shown in (a) of FIG. 9 , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
유사하게, 도 9의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 9B , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(200)는, 제1 및 제2 할바흐 배열(220, 230)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc
따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the
(3) 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(300)의 설명(3) Description of the arc
이하, 도 10 및 도 10을 참조하여 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(300)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc
도 10을 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(300)는 자석 프레임(310), 제1 할바흐 배열(320), 제2 할바흐 배열(330), 제3 할바흐 배열(340) 및 제4 할바흐 배열(350)을 포함한다.Referring to FIG. 10 , the arc
본 실시 예에 따른 자석 프레임(310)은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)과 그 구조 및 기능이 동일하다. 다만, 본 실시 예에 따른 자석 프레임(310)에 배치되는 제1 할바흐 배열(320), 제2 할바흐 배열(330), 제3 할바흐 배열(340) 및 제4 할바흐 배열(350)의 배치 방식에 차이가 있다.The
이에, 자석 프레임(310)에 대한 설명은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.Accordingly, the description of the
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제1 할바흐 배열(320)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)은 제3 할바흐 배열(340)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제1 할바흐 배열(320)은 제1 및 제2 면(311, 312) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(315)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)은 제1 면(311)의 내측에, 제1 면(311)에 인접하게 배치되어, 제2 면(312)의 내측에 위치되는 제3 할바흐 배열(340) 또는 제4 할바흐 배열(350)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the
제1 할바흐 배열(320)은 제2 할바흐 배열(330)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제1 할바흐 배열(320)은 제2 할바흐 배열(330)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)과 제2 할바흐 배열(330)은 서로 접촉될 수 있다. The
제1 할바흐 배열(320)과 제3 할바흐 배열(340) 또는 제4 할바흐 배열(350) 사이에는 공간부(315) 및 공간부(315)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제1 할바흐 배열(320)은 제3 면(313) 및 제4 면(314) 중 어느 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)은 제3 면(313)에 치우쳐 위치된다. The
제1 할바흐 배열(320)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 내지 제4 할바흐 배열(330, 340, 350)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(320)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)은 제1 블록(321), 제2 블록(322) 및 제3 블록(323)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(320)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(321, 322, 323)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(321, 322, 323)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(321, 322, 323)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(321, 322, 323)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(321, 322, 323)은 제1 면(311)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(321)은 제1 할바흐 배열(320)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(322)은 제1 블록(321)의 좌측에, 제3 블록(323)은 제1 블록(321)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(321, 322, 323)은 서로 접촉될 수 있다. The
제1 블록(321)은 제3 할바흐 배열(340)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제3 할바흐 배열(340)의 제1 블록(341)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The
또한, 제1 블록(321)은 제3 할바흐 배열(340)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the
각 블록(321, 322, 323)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(321)은 공간부(315) 또는 제3 할바흐 배열(340)을 향하는 제1 내면(321a) 및 공간부(315) 또는 제3 할바흐 배열(340)에 반대되는 제1 외면(321b)을 포함한다.Specifically, the
제2 블록(322)은 제1 블록(321)을 향하는 제2 내면(322a) 및 제1 블록(321)에 반대되는 제2 외면(322b)을 포함한다.The
제3 블록(323)은 제1 블록(321)을 향하는 제3 내면(323a) 및 제1 블록(321)에 반대되는 제3 외면(323b)을 포함한다.The
각 블록(321, 322, 323)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(321a, 322a, 323a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(321b, 322b, 323b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(321a, 322a, 323a)은 제2 할바흐 배열(330)의 제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(321b, 322b, 323b)은 제2 할바흐 배열(330)의 제1 내지 제3 외면(331b, 332b, 333b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third
제1 내지 제3 내면(321a, 322a, 323a)은 제3 할바흐 배열(340)의 제1 내지 제3 내면(341a, 342a, 343a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(321b, 322b, 323b)은 제3 할바흐 배열(340)의 제1 내지 제3 외면(341b, 342b, 343b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third
제1 내지 제3 내면(321a, 322a, 323a)은 제4 할바흐 배열(350)의 제1 내지 제3 내면(351a, 352a, 353a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(321b, 322b, 323b)은 제4 할바흐 배열(350)의 제1 내지 제3 외면(351b, 352b, 353b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제2 할바흐 배열(330)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)은 제4 할바흐 배열(350)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제2 할바흐 배열(330)은 제1 및 제2 면(311, 312) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(315)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)은 제1 면(311)의 내측에, 제1 면(311)에 인접하게 배치되어, 제2 면(312)의 내측에 위치되는 제3 할바흐 배열(340) 또는 제4 할바흐 배열(350)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the
제2 할바흐 배열(330)은 제1 할바흐 배열(320)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제2 할바흐 배열(330)은 제1 할바흐 배열(320)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)과 제1 할바흐 배열(320)은 서로 접촉될 수 있다. The
제2 할바흐 배열(330)과 제3 할바흐 배열(340) 또는 제4 할바흐 배열(350) 사이에는 공간부(315) 및 공간부(315)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제2 할바흐 배열(330)은 제3 면(313) 및 제4 면(314) 중 다른 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)은 제4 면(314)에 치우쳐 위치된다.The
제2 할바흐 배열(330)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1, 제3 및 제4 할바흐 배열(320, 340, 350)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(330)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)은 제1 블록(331), 제2 블록(332) 및 제3 블록(333)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(330)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(331, 332, 333)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(331, 332, 333)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(331, 332, 333)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(331, 332, 333)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(331, 332, 333)은 제1 면(311)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(331)은 제2 할바흐 배열(330)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(332)은 제1 블록(331)의 좌측에, 제3 블록(333)은 제1 블록(331)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(331, 332, 333)은 서로 접촉될 수 있다. The
제1 블록(331)은 제4 할바흐 배열(350)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제4 할바흐 배열(350)의 제1 블록(351)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The
또한, 제1 블록(331)은 제4 할바흐 배열(350)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the
각 블록(331, 332, 333)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(331)은 공간부(315) 또는 제4 할바흐 배열(350)을 향하는 제1 내면(331a) 및 공간부(315) 또는 제4 할바흐 배열(350)에 반대되는 제1 외면(331b)을 포함한다. Specifically, the
제2 블록(332)은 제1 블록(331)을 향하는 제2 내면(332a) 및 제1 블록(331)에 반대되는 제2 외면(332b)을 포함한다.The
제3 블록(333)은 제1 블록(331)을 향하는 제3 내면(333a) 및 제1 블록(331)에 반대되는 제3 외면(333b)을 포함한다.The
각 블록(331, 332, 333)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(331b, 332b, 333b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)은 제1 할바흐 배열(320)의 제1 내지 제3 내면(321a, 323a, 323a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(331b, 332b, 333b)은 제1 할바흐 배열(320)의 제1 내지 제3 외면(321b, 322b, 323b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third
제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)은 제3 할바흐 배열(340)의 제1 내지 제3 내면(341a, 342a, 343a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(331b, 332b, 333b)은 제3 할바흐 배열(340)의 제1 내지 제3 외면(341b, 342b, 343b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third
제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)은 제4 할바흐 배열(350)의 제1 내지 제3 내면(351a, 352a, 353a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(331b, 332b, 333b)은 제4 할바흐 배열(350)의 제1 내지 제3 외면(351b, 352b, 353b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third
도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제3 할바흐 배열(340)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)은 제1 할바흐 배열(320)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제3 할바흐 배열(340)은 제1 및 제2 면(311, 312) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)은 상기 다른 하나의 면의 내측(즉, 공간부(315)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)은 제2 면(312)의 내측에, 제2 면(312)에 인접하게 배치되어, 제1 면(311)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(320) 또는 제2 할바흐 배열(330)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the
제3 할바흐 배열(340)은 제4 할바흐 배열(350)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제3 할바흐 배열(340)은 제4 할바흐 배열(350)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)과 제4 할바흐 배열(350)은 서로 접촉될 수 있다. The
제3 할바흐 배열(340)과 제1 할바흐 배열(320) 또는 제2 할바흐 배열(330) 사이에는 공간부(315) 및 공간부(315)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제3 할바흐 배열(340)은 제3 면(313) 및 제4 면(314) 중 어느 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)은 제3 면(313)에 치우쳐 위치된다.The
제3 할바흐 배열(340)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1, 제2 및 제4 할바흐 배열(320, 330, 350)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제3 할바흐 배열(340)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)은 제1 블록(341), 제2 블록(342) 및 제3 블록(343)을 포함한다. 제3 할바흐 배열(340)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(341, 342, 343)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(341, 342, 343)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(341, 342, 343)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(341, 342, 343)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(341, 342, 343)은 제2 면(312)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(341)은 제3 할바흐 배열(340)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(342)은 제1 블록(341)의 좌측에, 제3 블록(343)은 제1 블록(341)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(341, 342, 343)은 서로 접촉될 수 있다. The
제1 블록(341)은 제1 할바흐 배열(320)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 할바흐 배열(320)의 제1 블록(321)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The
또한, 제1 블록(341)은 제1 할바흐 배열(320)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the
각 블록(341, 342, 343)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(341)은 공간부(315) 또는 제1 할바흐 배열(320)을 향하는 제1 내면(341a) 및 공간부(315) 또는 제1 할바흐 배열(320)에 반대되는 제1 외면(341b)을 포함한다. Specifically, the
제2 블록(342)은 제1 블록(341)을 향하는 제2 내면(342a) 및 제1 블록(341)에 반대되는 제2 외면(342b)을 포함한다.The
제3 블록(343)은 제1 블록(341)을 향하는 제3 내면(343a) 및 제1 블록(341)에 반대되는 제3 외면(343b)을 포함한다.The
각 블록(341, 342, 343)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(341a, 342a, 343a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(341b, 342b, 343b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(341a, 342a, 343a)은 제1 할바흐 배열(320)의 제1 내지 제3 내면(321a, 323a, 323a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(341b, 342b, 343b)은 제1 할바흐 배열(320)의 제1 내지 제3 외면(321b, 323b, 323b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third
제1 내지 제3 내면(341a, 342a, 343a)은 제2 할바흐 배열(330)의 제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(341b, 342b, 343b)은 제2 할바흐 배열(330)의 제1 내지 제3 외면(331b, 332b, 333b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third
제1 내지 제3 내면(341a, 342a, 343a)은 제4 할바흐 배열(350)의 제1 내지 제3 내면(351a, 352a, 353a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(341b, 342b, 343b)은 제4 할바흐 배열(350)의 제1 내지 제3 외면(351b, 352b, 353b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third
도시된 실시 예에서, 제4 할바흐 배열(350)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제4 할바흐 배열(350)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제4 할바흐 배열(350)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제4 할바흐 배열(350)은 제2 할바흐 배열(330)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제4 할바흐 배열(350)은 제1 및 제2 면(311, 312) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제4 할바흐 배열(350)은 상기 다른 하나의 면의 내측(즉, 공간부(315)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도시된 실시 예에서, 제4 할바흐 배열(350)은 제2 면(312)의 내측에, 제2 면(312)에 인접하게 배치되어, 제1 면(311)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(320) 또는 제2 할바흐 배열(330)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the
제4 할바흐 배열(350)은 제3 할바흐 배열(340)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제4 할바흐 배열(350)은 제3 할바흐 배열(340)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)과 제4 할바흐 배열(350)은 서로 접촉될 수 있다. The
제4 할바흐 배열(350)과 제1 할바흐 배열(320) 또는 제2 할바흐 배열(330) 사이에는 공간부(315) 및 공간부(315)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제4 할바흐 배열(350)은 제3 면(313) 및 제4 면(314) 중 다른 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제4 할바흐 배열(350)은 제4 면(314)에 치우쳐 위치된다.The
제4 할바흐 배열(350)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 내지 제3 할바흐 배열(320, 330, 340)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제4 할바흐 배열(350)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제4 할바흐 배열(350)은 제1 블록(351), 제2 블록(352) 및 제3 블록(353)을 포함한다. 제4 할바흐 배열(350)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(351, 352, 353)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(351, 352, 353)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(351, 352, 353)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(351, 352, 353)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(351, 352, 353)은 제2 면(312)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(351)은 제4 할바흐 배열(350)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(352)은 제1 블록(351)의 좌측에, 제3 블록(353)은 제1 블록(351)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(351, 352, 353)은 서로 접촉될 수 있다. The
제1 블록(351)은 제2 할바흐 배열(330)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(330)의 제1 블록(321)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The
또한, 제1 블록(351)은 제2 할바흐 배열(330)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the
각 블록(351, 352, 353)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(351)은 공간부(315) 또는 제2 할바흐 배열(330)을 향하는 제1 내면(351a) 및 공간부(315) 또는 제2 할바흐 배열(330)에 반대되는 제1 외면(351b)을 포함한다. Specifically, the
제2 블록(352)은 제1 블록(351)을 향하는 제2 내면(352a) 및 제1 블록(351)에 반대되는 제2 외면(352b)을 포함한다.The
제3 블록(353)은 제1 블록(351)을 향하는 제3 내면(353a) 및 제1 블록(351)에 반대되는 제3 외면(353b)을 포함한다.The
각 블록(351, 352, 353)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(351a, 352a, 353a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(351b, 352b, 353b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(351a, 352a, 353a)은 제1 할바흐 배열(320)의 제1 내지 제3 내면(321a, 323a, 323a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(351b, 352b, 353b)은 제1 할바흐 배열(320)의 제1 내지 제3 외면(321b, 323b, 323b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third
제1 내지 제3 내면(351a, 352a, 353a)은 제2 할바흐 배열(330)의 제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(351b, 352b, 353b)은 제2 할바흐 배열(330)의 제1 내지 제3 외면(331b, 332b, 333b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third
제1 내지 제3 내면(351a, 352a, 353a)은 제3 할바흐 배열(340)의 제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(351b, 352b, 353b)은 제3 할바흐 배열(340)의 제1 내지 제3 외면(341b, 342b, 343b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third
이하, 도 11을 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(300)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc
도 11을 참조하면, 제1 할바흐 배열(320)의 각 내면(321a, 322a, 323a), 제2 할바흐 배열(330)의 각 내면(331a, 332a, 333a), 제3 할바흐 배열(340)의 각 내면(341a, 342a, 343a) 및 제4 할바흐 배열(350)의 각 내면(351a, 352a, 353a)은 N극으로 자화된다.11, each
이에 따라, 제1 할바흐 배열(320) 및 제3 할바흐 배열(340) 사이에는 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다. 또한, 제2 할바흐 배열(330) 및 제4 할바흐 배열(350) 사이에도 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다.Accordingly, a magnetic field in a direction to repel each other is formed between the
도 11의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in FIG. 11( a ), the direction of the current is the direction from the second
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도 11의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (b) of FIG. 11 , the direction of the current is a direction from the first
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도시되지는 않았으나, 제1 및 제2 할바흐 배열(320, 330)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(320, 330)이 형성하는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each surface of the first and
즉, 도 11의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized state as shown in (a) of FIG. 11 , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
유사하게, 도 11의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 11B , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(300)는, 제1 및 제2 할바흐 배열(320, 330)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc
따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the
(4) 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(400)의 설명(4) Description of the arc
이하, 도 12 내지 도 16을 참조하여 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(400)를 상세하게 설명한다. Hereinafter, an arc
도 12 내지 도 15를 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(400)는 자석 프레임(410), 제1 할바흐 배열(420), 제2 할바흐 배열(430) 및 제3 할바흐 배열(440)을 포함한다.12 to 15 , the arc
본 실시 예에 따른 자석 프레임(410)은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)과 그 구조 및 기능이 동일하다. 다만, 본 실시 예에 따른 자석 프레임(410)에 배치되는 제1 할바흐 배열(420), 제2 할바흐 배열(430) 및 제3 할바흐 배열(440)의 배치 방식에 차이가 있다.The
이에, 자석 프레임(410)에 대한 설명은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.Accordingly, the description of the
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제1 할바흐 배열(420)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 제2 할바흐 배열(430) 또는 제3 할바흐 배열(440)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제1 할바흐 배열(420)은 제1 및 제2 면(411, 212) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(415)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도 12 및 도 13에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 제1 면(411)의 내측에, 제1 면(411)에 인접하게 배치되어, 제2 면(412)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(430) 또는 제3 할바흐 배열(440)을 마주한다.12 and 13 , the
도 14 및 도 15에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 제2 면(412)의 내측에, 제2 면(412)에 인접하게 배치되어, 제1 면(411)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(430) 또는 제3 할바흐 배열(440)을 마주한다.14 and 15 , the
제1 할바흐 배열(420)과 제2 할바흐 배열(430) 또는 제3 할바흐 배열(440) 사이에는 공간부(415) 및 공간부(415)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제1 할바흐 배열(420)은 제3 면(413) 및 제4 면(414) 중 어느 하나에 치우쳐 위치된다. The
도 12 및 도 14에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 제3 면(413)에 치우쳐 위치된다. 도 13 및 도 15에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 제4 면(414)에 치우쳐 위치된다.In the embodiment shown in FIGS. 12 and 14 , the
제1 할바흐 배열(420)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 및 제3 할바흐 배열(430, 440)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(420)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 제1 블록(421), 제2 블록(422) 및 제3 블록(423)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(420)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(421, 422, 423)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(421, 422, 423)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(421, 422, 423)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(421, 422, 423)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(421, 422, 423)은 제1 면(411)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(421)은 제1 할바흐 배열(420)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(422)은 제1 블록(421)의 좌측에, 제3 블록(423)은 제1 블록(421)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(421, 422, 423)은 서로 접촉될 수 있다. The
제1 블록(421)은 제2 할바흐 배열(430) 또는 제3 할바흐 배열(440)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(430)의 제1 블록(431) 또는 제3 할바흐 배열(440)의 제1 블록(441)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The
또한, 제1 블록(421)은 제2 할바흐 배열(430) 또는 제3 할바흐 배열(440)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the
각 블록(421, 422, 423)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(421)은 공간부(415), 제2 할바흐 배열(430) 또는 제3 할바흐 배열(440)을 향하는 제1 내면(421a) 및 공간부(415) 또는 제2 할바흐 배열(430)에 반대되는 제1 외면(421b)을 포함한다.Specifically, the
제2 블록(422)은 제1 블록(421)을 향하는 제2 내면(422a) 및 제1 블록(421)에 반대되는 제2 외면(422b)을 포함한다.The
제3 블록(423)은 제1 블록(421)을 향하는 제3 내면(423a) 및 제1 블록(421)에 반대되는 제3 외면(423b)을 포함한다.The
각 블록(421, 422, 423)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(421a, 422a, 423a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(421b, 422b, 423b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(421a, 422a, 423a)은 제2 할바흐 배열(430)의 제1 내지 제3 내면(431a, 432a, 433a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(421b, 422b, 423b)은 제2 할바흐 배열(430)의 제1 내지 제3 외면(431b, 432b, 433b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third
제1 내지 제3 내면(421a, 422a, 423a)은 제3 할바흐 배열(440)의 제1 내지 제3 내면(441a, 442a, 443a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(421b, 422b, 423b)은 제3 할바흐 배열(440)의 제1 내지 제3 외면(441b, 442b, 443b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제2 할바흐 배열(430)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)은 제1 할바흐 배열(420)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제2 할바흐 배열(430)은 제1 및 제2 면(411, 412) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)은 상기 다른 하나의 면의 내측(즉, 공간부(415)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)은 제2 면(412)의 내측에, 제2 면(412)에 인접하게 배치되어, 제1 면(411)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(420)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the
제2 할바흐 배열(430)은 제3 할바흐 배열(440)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제2 할바흐 배열(430)은 제3 할바흐 배열(440)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)과 제3 할바흐 배열(440)은 서로 접촉될 수 있다. The
제2 할바흐 배열(430)과 제1 할바흐 배열(420) 사이에는 공간부(415) 및 공간부(415)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제2 할바흐 배열(430)은 제3 면(413) 및 제4 면(414) 중 어느 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)은 제3 면(413)에 치우쳐 위치된다.The
제2 할바흐 배열(430)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 및 제3 할바흐 배열(420, 440)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(430)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)은 제1 블록(431), 제2 블록(432) 및 제3 블록(433)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(430)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(431, 432, 433)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(431, 432, 433)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(431, 432, 433)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(431, 432, 433)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(431, 432, 433)은 제2 면(412)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(431)은 제2 할바흐 배열(430)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(432)은 제1 블록(431)의 좌측에, 제3 블록(433)은 제1 블록(431)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(431, 432, 433)은 서로 접촉될 수 있다. The
제1 블록(431)은 제1 할바흐 배열(420)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 할바흐 배열(420)의 제1 블록(421)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The
또한, 제1 블록(431)은 제1 할바흐 배열(420)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the
각 블록(431, 432, 433)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(431)은 공간부(415) 또는 제1 할바흐 배열(420)을 향하는 제1 내면(431a) 및 공간부(415) 또는 제1 할바흐 배열(420)에 반대되는 제1 외면(431b)을 포함한다. Specifically, the
제2 블록(432)은 제1 블록(431)을 향하는 제2 내면(432a) 및 제1 블록(431)에 반대되는 제2 외면(432b)을 포함한다.The
제3 블록(433)은 제1 블록(431)을 향하는 제3 내면(433a) 및 제1 블록(431)에 반대되는 제3 외면(433b)을 포함한다.The
각 블록(431, 432, 433)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(431a, 432a, 433a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(431b, 432b, 433b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(431a, 432a, 433a)은 제1 할바흐 배열(420)의 제1 내지 제3 내면(421a, 422a, 423a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(431b, 432b, 433b)은 제1 할바흐 배열(420)의 제1 내지 제3 외면(421b, 422b, 423b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third
제1 내지 제3 내면(431a, 432a, 433a)은 제3 할바흐 배열(440)의 제1 내지 제3 내면(441a, 442a, 443a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(431b, 432b, 433b)은 제3 할바흐 배열(440)의 제1 내지 제3 외면(441b, 442b, 443b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third
도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제3 할바흐 배열(440)은 그 자체로 자기장을 형성할 수 있다. 즉, 제3 할바흐 배열(440)에 포함되는 복수 개의 자성체는 서로 간에 자기장을 형성할 수 있다.The
또한, 제3 할바흐 배열(440)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)은 제1 할바흐 배열(420)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.In addition, the
제3 할바흐 배열(440)은 제1 및 제2 면(411, 312) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)은 상기 다른 하나의 면의 내측(즉, 공간부(415)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)은 제2 면(412)의 내측에, 제2 면(412)에 인접하게 배치되어, 제1 면(411)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(420)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the
제3 할바흐 배열(440)은 제2 할바흐 배열(430)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제3 할바흐 배열(440)은 제2 할바흐 배열(430)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)과 제3 할바흐 배열(440)은 서로 접촉될 수 있다. The
제3 할바흐 배열(440)과 제1 할바흐 배열(420) 사이에는 공간부(415) 및 공간부(415)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제3 할바흐 배열(440)은 제3 면(413) 및 제4 면(414) 중 다른 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)은 제4 면(414)에 치우쳐 위치된다.The
제3 할바흐 배열(440)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 및 제2 할바흐 배열(420, 430)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제3 할바흐 배열(440)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)은 제1 블록(441), 제2 블록(442) 및 제3 블록(443)을 포함한다. 제3 할바흐 배열(440)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(441, 442, 443)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(441, 442, 443)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(441, 442, 443)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(441, 442, 443)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(441, 442, 443)은 제2 면(412)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(441)은 제3 할바흐 배열(440)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(442)은 제1 블록(441)의 좌측에, 제3 블록(443)은 제1 블록(441)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(441, 442, 443)은 서로 접촉될 수 있다. The
제1 블록(441)은 제1 할바흐 배열(420)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 할바흐 배열(420)의 제1 블록(421)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The
또한, 제1 블록(441)은 제1 할바흐 배열(420)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 다른 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the
각 블록(441, 442, 443)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(441)은 공간부(415) 또는 제1 할바흐 배열(420)을 향하는 제1 내면(441a) 및 공간부(415) 또는 제1 할바흐 배열(420)에 반대되는 제1 외면(441b)을 포함한다. Specifically, the
제2 블록(442)은 제1 블록(441)을 향하는 제2 내면(442a) 및 제1 블록(441)에 반대되는 제2 외면(442b)을 포함한다.The
제3 블록(443)은 제1 블록(441)을 향하는 제3 내면(443a) 및 제1 블록(441)에 반대되는 제3 외면(443b)을 포함한다.The
각 블록(441, 442, 443)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(441a, 442a, 443a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(441b, 442b, 443b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(441a, 442a, 443a)은 제1 할바흐 배열(420)의 제1 내지 제3 내면(421a, 422a, 423a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(441b, 442b, 443b)은 제1 할바흐 배열(420)의 제1 내지 제3 외면(421b, 423b, 423b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third
제1 내지 제3 내면(441a, 442a, 443a)은 제2 할바흐 배열(430)의 제1 내지 제3 내면(431a, 432a, 433a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(441b, 442b, 443b)은 제2 할바흐 배열(430)의 제1 내지 제3 외면(431b, 432b, 433b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third
이하, 도 16을 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(400)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc
도 16을 참조하면, 제1 할바흐 배열(420)의 각 내면(421a, 422a, 423a), 제2 할바흐 배열(430)의 각 내면(431a, 432a, 433a) 및 제3 할바흐 배열(440)의 각 내면(441a, 442a, 443a)은 N극으로 자화된다.16, each
이에 따라, 제1 할바흐 배열(420) 및 제3 할바흐 배열(440) 사이에는 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다. Accordingly, a magnetic field in a direction to repel each other is formed between the
도시되지는 않았으나, 제1 할바흐 배열(420)이 제4 면(414)에 치우쳐 위치되어 제3 할바흐 배열(440)을 마주하는 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)과 제3 할바흐 배열(440) 사이에 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성됨이 이해될 것이다.Although not shown, in an embodiment in which the
도 16의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (a) of FIG. 16 , the direction of the current is a direction from the second
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도 16의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (b) of FIG. 16 , the direction of the current is a direction from the first
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도시되지는 않았으나, 제1 내지 제3 할바흐 배열(420, 430, 440)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(420, 430)이 형성하는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each side of the first to
즉, 도 16의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized state as shown in (a) of FIG. 16 , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
유사하게, 도 16의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 16B, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(400)는, 제1 내지 제3 할바흐 배열(420, 430, 440)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc
따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the
(5) 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(500)의 설명(5) Description of the arc
이하, 도 17 내지 도 19를 참조하여 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(500)를 상세하게 설명한다. Hereinafter, an arc
도 17 및 도 18을 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(500)는 자석 프레임(510), 제1 할바흐 배열(520) 및 제2 할바흐 배열(530)을 포함한다.17 and 18 , the arc
본 실시 예에 따른 자석 프레임(510)은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)과 그 구조 및 기능이 동일하다. 다만, 본 실시 예에 따른 자석 프레임(510)에 배치되는 제1 할바흐 배열(520) 및 제2 할바흐 배열(530)의 배치 방식에 차이가 있다.The
이에, 자석 프레임(510)에 대한 설명은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.Accordingly, the description of the
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제1 할바흐 배열(520)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 제2 할바흐 배열(530)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제1 할바흐 배열(520)은 제1 및 제2 면(511, 512) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(515)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 제1 면(511)의 내측에, 제1 면(511)에 인접하게 배치되어, 제2 면(512)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(530)을 대각선 방향으로 마주한다.In the illustrated embodiment, the
제1 할바흐 배열(520)과 제2 할바흐 배열(530) 사이에는 공간부(515) 및 공간부(515)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)과 제2 할바흐 배열(530)을 연결하는 가상의 직선 상에는 중심부(C)가 위치될 수 있다.Between the
제1 할바흐 배열(520)은 제3 면(513) 및 제4 면(514) 중 어느 하나에 치우쳐 위치된다. 도 17에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 제3 면(513)에 치우쳐 위치된다. 도 18에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 제4 면(514)에 치우쳐 위치된다. The
제1 할바흐 배열(520)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 할바흐 배열(530)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(520)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 제1 블록(521), 제2 블록(522) 및 제3 블록(523)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(520)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(521, 522, 523)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(521, 522, 523)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(521, 522, 523)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(521, 522, 523)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(521, 522, 523)은 제1 면(511)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(521)은 제1 할바흐 배열(520)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(522)은 제1 블록(521)의 좌측에, 제3 블록(523)은 제1 블록(521)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(521, 522, 523)은 서로 접촉될 수 있다. The
또한, 제1 블록(521)은 제2 할바흐 배열(530) 또는 제2 면(512)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the
도 17에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 제1 고정 접촉자(22a)와 겹쳐진다. 도 18에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 제2 고정 접촉자(22b)와 겹쳐진다.In the embodiment shown in FIG. 17 , the
각 블록(521, 522, 523)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(521)은 공간부(515), 제2 할바흐 배열(530) 또는 제2 면(512)을 향하는 제1 내면(521a) 및 공간부(515) 또는 제2 할바흐 배열(530)에 반대되는 제1 외면(521b)을 포함한다.Specifically, the
제2 블록(522)은 제1 블록(521)을 향하는 제2 내면(522a) 및 제1 블록(521)에 반대되는 제2 외면(522b)을 포함한다.The
제3 블록(523)은 제1 블록(521)을 향하는 제3 내면(523a) 및 제1 블록(521)에 반대되는 제3 외면(523b)을 포함한다.The
각 블록(521, 522, 523)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(521a, 522a, 523a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(521b, 522b, 523b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(521a, 522a, 523a)은 제2 할바흐 배열(530)의 제1 내지 제3 내면(531a, 532a, 533a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(521b, 522b, 523b)은 제2 할바흐 배열(530)의 제1 내지 제3 외면(531b, 532b, 533b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제2 할바흐 배열(530)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 제1 할바흐 배열(520)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제2 할바흐 배열(530)은 제1 및 제2 면(511, 512) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(515)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 제2 면(512)의 내측에, 제2 면(512)에 인접하게 배치되어, 제1 면(511)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(520)을 대각선 방향으로 마주한다.In the illustrated embodiment, the
제2 할바흐 배열(530)과 제1 할바흐 배열(520) 사이에는 공간부(515) 및 공간부(515)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제2 할바흐 배열(530)은 제3 면(513) 및 제4 면(514) 중 다른 하나에 치우쳐 위치된다. 도 17에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 제4 면(514)에 치우쳐 위치된다. 도 18에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 제3 면(513)에 치우쳐 위치된다.The
제2 할바흐 배열(530)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 할바흐 배열(520)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(530)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 제1 블록(531), 제2 블록(532) 및 제3 블록(533)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(530)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(531, 532, 533)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(531, 532, 533)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(531, 532, 533)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(531, 532, 533)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(531, 532, 533)은 제2 면(512)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(531)은 제2 할바흐 배열(530)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(532)은 제1 블록(531)의 좌측에, 제3 블록(533)은 제1 블록(531)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(531, 532, 533)은 서로 접촉될 수 있다. The
제1 블록(531)은 제1 할바흐 배열(520)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 다른 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. The
도 17에 도시된 실시 예에서, 제1 블록(531)은 제2 고정 접촉자(22b)와 전후 방향으로 겹쳐지게 배치된다. 도 18에 도시된 실시 예에서, 제2 블록(532)은 제1 고정 접촉자(22a)와 전후 방향으로 겹쳐지게 배치된다.In the embodiment shown in FIG. 17 , the
각 블록(531, 532, 533)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(531)은 공간부(515) 또는 제1 할바흐 배열(520)을 향하는 제1 내면(531a) 및 공간부(515) 또는 제1 할바흐 배열(520)에 반대되는 제1 외면(531b)을 포함한다. Specifically, the
제2 블록(532)은 제1 블록(531)을 향하는 제2 내면(532a) 및 제1 블록(531)에 반대되는 제2 외면(532b)을 포함한다.The
제3 블록(533)은 제1 블록(531)을 향하는 제3 내면(533a) 및 제1 블록(531)에 반대되는 제3 외면(533b)을 포함한다.The
각 블록(531, 532, 533)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(531a, 532a, 533a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(531b, 532b, 533b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(531a, 532a, 533a)은 제1 할바흐 배열(520)의 제1 내지 제3 내면(521a, 522a, 523a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(531b, 532b, 533b)은 제1 할바흐 배열(520)의 제1 내지 제3 외면(521b, 522b, 523b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third
이하, 도 19를 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(500)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc
도 19를 참조하면, 제1 할바흐 배열(520)의 각 내면(521a, 522a, 523a) 및 제2 할바흐 배열(530)의 각 내면(531a, 532a, 533a)은 N극으로 자화된다.Referring to FIG. 19 , each
이에 따라, 제1 할바흐 배열(520) 및 제2 할바흐 배열(530) 사이에는 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다. Accordingly, a magnetic field in a direction to repel each other is formed between the
도 19의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in FIG. 19( a ), the direction of the current is the direction from the second
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도 19의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in FIG. 19( b ), the direction of the current is a direction from the first
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도시되지는 않았으나, 제1 및 제2 할바흐 배열(520, 530)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(520, 530)이 형성하는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each side of the first and
즉, 도 19의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized state as shown in FIG. 19A , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
유사하게, 도 19의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 19B , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(500)는, 제1 및 제2 할바흐 배열(520, 530)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc
따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the
(6) 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(600)의 설명(6) Description of the arc
이하, 도 20 내지 도 22를 참조하여 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(600)를 상세하게 설명한다. 가 도시된다. 아크 경로 형성부(600)는 아크 챔버(21) 내부에 자기장을 형성한다. 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류와 형성된 자기장에 의해, 아크 챔버(21) 내부에는 전자기력이 형성된다. Hereinafter, an arc
도 20 내지 도 22를 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(600)는 자석 프레임(610), 제1 할바흐 배열(620), 제2 할바흐 배열(630) 및 제3 할바흐 배열(640)을 포함한다.20 to 22 , the arc
본 실시 예에 따른 자석 프레임(610)은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)과 그 구조 및 기능이 동일하다. 다만, 본 실시 예에 따른 자석 프레임(610)에 배치되는 제1 할바흐 배열(620), 제2 할바흐 배열(630) 및 제3 할바흐 배열(640)의 배치 방식에 차이가 있다.The
이에, 자석 프레임(610)에 대한 설명은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.Accordingly, the description of the
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(620)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(620)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제1 할바흐 배열(620)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(620)은 제2 할바흐 배열(630) 또는 제3 할바흐 배열(640)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제1 할바흐 배열(620)은 제1 및 제2 면(611, 212) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(620)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(615)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도 20에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(620)은 제1 면(611)의 내측에, 제1 면(611)에 인접하게 배치되어, 제2 면(612)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(630) 또는 제3 할바흐 배열(640)을 마주한다.In the embodiment shown in FIG. 20 , the
도 21에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(620)은 제2 면(612)의 내측에, 제2 면(612)에 인접하게 배치되어, 제1 면(611)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(630) 또는 제3 할바흐 배열(640)을 마주한다.In the embodiment shown in FIG. 21 , the
제1 할바흐 배열(620)과 제2 할바흐 배열(630) 또는 제3 할바흐 배열(640) 사이에는 공간부(615) 및 공간부(615)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제1 할바흐 배열(620)은 제1 면(611) 또는 제2 면(612)이 연장되는 방향의 중앙 부분에 위치될 수 있다. 즉, 제1 할바흐 배열(620)은 제3 면(613)과의 최단 거리 및 제4 면(614)과의 최단 거리가 같게 위치될 수 있다. The
제1 할바흐 배열(620)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 및 제3 할바흐 배열(630, 640)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(620)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(620)은 제1 블록(621), 제2 블록(622) 및 제3 블록(623)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(620)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(621, 622, 623)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(621, 622, 623)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(621, 622, 623)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(621, 622, 623)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(621, 622, 623)은 제1 면(611)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(621)은 제1 할바흐 배열(620)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(622)은 제1 블록(621)의 좌측에, 제3 블록(623)은 제1 블록(621)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(621, 622, 623)은 서로 접촉될 수 있다. The
제1 블록(621)은 제2 할바흐 배열(630) 또는 제3 할바흐 배열(640)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 가동 접촉자(43)의 중앙 부분과 겹쳐지게 배치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 블록(621)은 전후 방향으로 중심부(C)와 겹쳐지게 배치될 수 있다. The
또한, 제2 블록(622) 및 제3 블록(623)은 제2 할바흐 배열(630) 또는 제3 할바흐 배열(640)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the
각 블록(621, 622, 623)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(621)은 공간부(615), 제2 할바흐 배열(630) 또는 제3 할바흐 배열(640)을 향하는 제1 내면(621a) 및 공간부(615) 또는 제2 할바흐 배열(630)에 반대되는 제1 외면(621b)을 포함한다.Specifically, the
제2 블록(622)은 제1 블록(621)을 향하는 제2 내면(622a) 및 제1 블록(621)에 반대되는 제2 외면(622b)을 포함한다.The
제3 블록(623)은 제1 블록(621)을 향하는 제3 내면(623a) 및 제1 블록(621)에 반대되는 제3 외면(623b)을 포함한다.The
각 블록(621, 622, 623)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(621a, 622a, 623a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(621b, 622b, 623b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(621a, 622a, 623a)은 제2 할바흐 배열(630)의 제1 내지 제3 내면(631a, 632a, 633a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(621b, 622b, 623b)은 제2 할바흐 배열(630)의 제1 내지 제3 외면(631b, 632b, 633b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third
제1 내지 제3 내면(621a, 622a, 623a)은 제3 할바흐 배열(640)의 제1 내지 제3 내면(641a, 642a, 643a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(621b, 622b, 623b)은 제3 할바흐 배열(640)의 제1 내지 제3 외면(641b, 642b, 643b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제2 할바흐 배열(630)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 제1 할바흐 배열(620)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제2 할바흐 배열(630)은 제1 및 제2 면(611, 612) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 상기 다른 하나의 면의 내측(즉, 공간부(615)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도 20에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 제2 면(612)의 내측에, 제2 면(612)에 인접하게 배치되어, 제1 면(611)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(620)을 마주한다.In the embodiment shown in FIG. 20 , the
도 21에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 제1 면(611)의 내측에, 제1 면(611)에 인접하게 배치되어, 제2 면(612)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(620)을 마주한다.In the embodiment shown in FIG. 21 , the
제2 할바흐 배열(630)은 제3 할바흐 배열(640)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제2 할바흐 배열(630)은 제3 할바흐 배열(640)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)과 제3 할바흐 배열(640)은 서로 접촉될 수 있다. The
제2 할바흐 배열(630)과 제1 할바흐 배열(620) 사이에는 공간부(615) 및 공간부(615)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제2 할바흐 배열(630)은 제3 면(613) 및 제4 면(614) 중 어느 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 제3 면(613)에 치우쳐 위치된다.The
제2 할바흐 배열(630)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 및 제3 할바흐 배열(620, 640)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(630)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 제1 블록(631), 제2 블록(632) 및 제3 블록(633)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(630)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(631, 632, 633)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(631, 632, 633)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(631, 632, 633)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(631, 632, 633)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(631, 632, 633)은 제2 면(612)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(631)은 제2 할바흐 배열(630)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(632)은 제1 블록(631)의 좌측에, 제3 블록(633)은 제1 블록(631)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(631, 632, 633)은 서로 접촉될 수 있다. The
제1 블록(631)은 제1 할바흐 배열(620)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 할바흐 배열(620)의 제2 블록(622)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The
또한, 제1 블록(631)은 제1 할바흐 배열(620)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 와 겹쳐지게 배치될 수 있다. Also, the
각 블록(631, 632, 633)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(631)은 공간부(615) 또는 제1 할바흐 배열(620)을 향하는 제1 내면(631a) 및 공간부(615) 또는 제1 할바흐 배열(620)에 반대되는 제1 외면(631b)을 포함한다. Specifically, the
제2 블록(632)은 제1 블록(631)을 향하는 제2 내면(632a) 및 제1 블록(631)에 반대되는 제2 외면(632b)을 포함한다.The
제3 블록(633)은 제1 블록(631)을 향하는 제3 내면(633a) 및 제1 블록(631)에 반대되는 제3 외면(633b)을 포함한다.The
각 블록(631, 632, 633)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(631a, 632a, 633a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(631b, 632b, 633b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(631a, 632a, 633a)은 제1 할바흐 배열(620)의 제1 내지 제3 내면(621a, 622a, 623a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(631b, 632b, 633b)은 제1 할바흐 배열(620)의 제1 내지 제3 외면(621b, 622b, 623b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third
제1 내지 제3 내면(631a, 632a, 633a)은 제3 할바흐 배열(640)의 제1 내지 제3 내면(641a, 642a, 643a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(631b, 632b, 633b)은 제3 할바흐 배열(640)의 제1 내지 제3 외면(641b, 642b, 643b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third
도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제3 할바흐 배열(640)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)은 제1 할바흐 배열(620)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제3 할바흐 배열(640)은 제1 및 제2 면(611, 312) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)은 상기 다른 하나의 면의 내측(즉, 공간부(615)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도 20에 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)은 제2 면(612)의 내측에, 제2 면(612)에 인접하게 배치되어, 제1 면(611)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(620)을 마주한다.In the embodiment shown in FIG. 20 , the
도 21에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 제1 면(611)의 내측에, 제1 면(611)에 인접하게 배치되어, 제2 면(612)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(620)을 마주한다.In the embodiment shown in FIG. 21 , the
제3 할바흐 배열(640)은 제2 할바흐 배열(630)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제3 할바흐 배열(640)은 제2 할바흐 배열(630)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)과 제2 할바흐 배열(630)은 서로 접촉될 수 있다. The
제3 할바흐 배열(640)과 제1 할바흐 배열(620) 사이에는 공간부(615) 및 공간부(615)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제3 할바흐 배열(640)은 제3 면(613) 및 제4 면(614) 중 다른 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)은 제4 면(614)에 치우쳐 위치된다.The
제3 할바흐 배열(640)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 및 제2 할바흐 배열(620, 630)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제3 할바흐 배열(640)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)은 제1 블록(641), 제2 블록(642) 및 제3 블록(643)을 포함한다. 제3 할바흐 배열(640)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(641, 642, 643)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(641, 642, 643)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(641, 642, 643)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(641, 642, 643)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(641, 642, 643)은 제2 면(612)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(641)은 제3 할바흐 배열(640)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(642)은 제1 블록(641)의 좌측에, 제3 블록(643)은 제1 블록(641)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(641, 642, 643)은 서로 접촉될 수 있다. The
제1 블록(641)은 제1 할바흐 배열(620)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 할바흐 배열(620)의 제3 블록(623)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The
또한, 제1 블록(641)은 제1 할바흐 배열(620)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the
각 블록(641, 642, 643)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(641)은 공간부(615) 또는 제1 할바흐 배열(620)을 향하는 제1 내면(641a) 및 공간부(615) 또는 제1 할바흐 배열(620)에 반대되는 제1 외면(641b)을 포함한다. Specifically, the
제2 블록(642)은 제1 블록(641)을 향하는 제2 내면(642a) 및 제1 블록(641)에 반대되는 제2 외면(642b)을 포함한다.The
제3 블록(643)은 제1 블록(641)을 향하는 제3 내면(643a) 및 제1 블록(641)에 반대되는 제3 외면(643b)을 포함한다.The
각 블록(641, 642, 643)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(641a, 642a, 643a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(641b, 642b, 643b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(641a, 642a, 643a)은 제1 할바흐 배열(620)의 제1 내지 제3 내면(621a, 622a, 623a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(641b, 642b, 643b)은 제1 할바흐 배열(620)의 제1 내지 제3 외면(621b, 622b, 623b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third
제1 내지 제3 내면(641a, 642a, 643a)은 제2 할바흐 배열(630)의 제1 내지 제3 내면(631a, 632a, 633a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(641b, 642b, 643b)은 제2 할바흐 배열(630)의 제1 내지 제3 외면(631b, 632b, 633b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third
이하, 도 22를 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(600)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc
도 22를 참조하면, 제1 할바흐 배열(620)의 각 내면(621a, 622a, 623a), 제2 할바흐 배열(630)의 각 내면(631a, 632a, 633a) 및 제3 할바흐 배열(640)의 각 내면(641a, 642a, 643a)은 N극으로 자화된다.22, each
이에 따라, 제1 할바흐 배열(620)과 제2 및 제3 할바흐 배열(630, 640) 사이에는 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다. Accordingly, a magnetic field in a direction to repel each other is formed between the
도 22의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (a) of FIG. 22 , the direction of the current is the direction from the second
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.When Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도 22의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (b) of FIG. 22 , the direction of the current is a direction from the first
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도시되지는 않았으나, 제1 내지 제3 할바흐 배열(620, 630, 640)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(620, 630, 640)이 형성하는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each side of the first to
즉, 도 22의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized state as shown in (a) of FIG. 22 , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
유사하게, 도 22의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 22(b), the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(600)는, 제1 내지 제3 할바흐 배열(620, 630, 640)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc
따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the
(7) 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(700)의 설명(7) Description of the arc
이하, 도 23 및 도 24를 참조하여 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(700)를 상세하게 설명한다. Hereinafter, an arc
도 23을 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(700)는 자석 프레임(710), 제1 할바흐 배열(720) 및 제2 할바흐 배열(730)을 포함한다.Referring to FIG. 23 , the arc
본 실시 예에 따른 자석 프레임(710)은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)과 그 구조 및 기능이 동일하다. 다만, 본 실시 예에 따른 자석 프레임(710)에 배치되는 제1 할바흐 배열(720) 및 제2 할바흐 배열(730)의 배치 방식에 차이가 있다.The
이에, 자석 프레임(710)에 대한 설명은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.Accordingly, the description of the
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(720)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(720)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제1 할바흐 배열(720)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(720)은 제2 할바흐 배열(730) 과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제1 할바흐 배열(720)은 제1 및 제2 면(711, 712) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(720)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(715)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(720)은 제1 면(711)의 내측에, 제1 면(711)에 인접하게 배치되어, 제2 면(712)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(730)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the
제1 할바흐 배열(720)과 제2 할바흐 배열(730) 사이에는 공간부(715) 및 공간부(715)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(720)과 제2 할바흐 배열(730)을 연결하는 가상의 직선 상에는 중심부(C)가 위치될 수 있다.Between the
제1 할바흐 배열(720)은 제1 면(711)의 중앙 부분에 위치될 수 있다. 달리 표현하면, 제1 할바흐 배열(720)과 제3 면(713) 사이의 최단 거리 및 제1 할바흐 배열(720)과 제4 면(714) 사이의 최단 거리는 같을 수 있다. The
제1 할바흐 배열(720)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 할바흐 배열(730)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(720)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(720)은 제1 블록(721), 제2 블록(722) 제3 블록(723), 제4 블록(724) 및 제5 블록(725)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(720)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(721, 722, 723, 724, 725)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제5 블록(721, 722, 723, 724, 725)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제5 블록(721, 722, 723, 724, 725)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제5 블록(721, 722, 723, 724, 725)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제5 블록(721, 722, 723, 724, 725)은 제1 면(711)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(721)은 제1 할바흐 배열(720)의 중앙 부분에 위치된다.The
제2 블록(722)은 제1 할바흐 배열(720)의 가장 좌측에 위치된다. 즉, 제2 블록(722)은 제3 면(713)에 인접하게 위치된다. 제3 블록(723)은 제1 할바흐 배열(720)의 가장 우측에 위치된다. 즉, 제3 블록(723)은 제4 면(714)에 인접하게 위치된다. The
제4 블록(724)은 제1 블록(721)과 제2 블록(722) 사이에 위치된다. 또한, 제5 블록(725)은 제1 블록(721)과 제3 블록(723) 사이에 위치된다.The
일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(721, 722, 723, 724, 725)은 서로 접촉될 수 있다. In an embodiment, the
또한, 제1 블록(721)은 제2 할바흐 배열(730) 또는 제2 면(712)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(730)의 제1 블록(731) 및 중심부(C)와 겹쳐지게 배치될 수 있다.In addition, the
또한, 제2 블록(722) 및 제3 블록(723)은 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 블록(722)은 제1 고정 접촉자(22a)와, 제3 블록(723)은 제2 고정 접촉자(22b)와 각각 겹쳐지게 배치된다.Also, the
각 블록(721, 722, 723, 724, 725)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(721)은 공간부(715) 또는 제2 할바흐 배열(730)을 향하는 제1 내면(721a) 및 공간부(715) 또는 제2 할바흐 배열(730)에 반대되는 제1 외면(721b)을 포함한다.Specifically, the
제2 블록(722)은 공간부(715) 또는 제2 할바흐 배열(730)을 향하는 제2 내면(722a) 및 공간부(715) 또는 제2 할바흐 배열(730)에 반대되는 제2 외면(722b)을 포함한다.The
제3 블록(723)은 공간부(715) 또는 제2 할바흐 배열(730)을 향하는 제3 내면(723a) 및 공간부(715) 또는 제2 할바흐 배열(730)에 반대되는 제3 외면(723b)을 포함한다.The
제4 블록(724)은 제2 블록(722)을 향하는 제4 내면(724a) 및 제1 블록(721)을 향하는 제4 외면(724b)을 포함한다. 제4 내면(724a)과 제4 외면(724b)이 서로 반대되게 위치됨이 이해될 것이다.The
제5 블록(725)은 제1 블록(721)을 향하는 제5 내면(725a) 및 제3 블록(723)을 향하는 제5 외면(725b)을 포함한다. 제5 내면(725a)과 제5 외면(725b)이 서로 반대되게 위치됨이 이해될 것이다.The
각 블록(721, 722, 723, 724, 725)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 및 제5 내면(721a 725a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제2 내지 제4 내면(722a, 723a, 724a)은 상기 극성과 다른 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first and fifth
이때, 제1 및 제5 내면(721a, 725a)은 제2 할바흐 배열(730)의 제1 및 제5 내면(731a, 735a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제2 내지 제4 내면(722a, 723a, 724a)은 제2 할바흐 배열(730)의 제2 내지 제4 내면(732a, 733a, 734a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first and fifth
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(730)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(730)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제2 할바흐 배열(730)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(730)은 제1 할바흐 배열(720)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제2 할바흐 배열(730)은 제1 및 제2 면(711, 712) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(730)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(715)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(730)은 제2 면(712)의 내측에, 제2 면(712)에 인접하게 배치되어, 제1 면(711)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(720)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the
제2 할바흐 배열(730)과 제1 할바흐 배열(720) 사이에는 공간부(715) 및 공간부(715)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제2 할바흐 배열(730)은 제1 면(711)의 중앙 부분에 위치될 수 있다. 달리 표현하면, 제2 할바흐 배열(730)과 제3 면(713) 사이의 최단 거리 및 제2 할바흐 배열(730)과 제4 면(714) 사이의 최단 거리는 같을 수 있다. The
제2 할바흐 배열(730)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 할바흐 배열(720)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(730)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(730)은 제1 블록(731), 제2 블록(732), 제3 블록(733), 제4 블록(734) 및 제5 블록(735)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(730)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(731, 732, 733, 734, 735)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제5 블록(731, 732, 733, 734, 735)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제5 블록(731, 732, 733, 734, 735)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제5 블록(731, 732, 733, 734, 735)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제5 블록(731, 732, 733, 734, 735)은 제2 면(712)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(731)은 제2 할바흐 배열(730)의 중앙 부분에 위치된다.The
제2 블록(732)은 제2 할바흐 배열(730)의 가장 좌측에 위치된다. 즉, 제2 블록(732)은 제3 면(713)에 인접하게 위치된다. 제3 블록(733)은 제2 할바흐 배열(730)의 가장 우측에 위치된다. 즉, 제3 블록(733)은 제4 면(714)에 인접하게 위치된다. The
제4 블록(734)은 제1 블록(731)과 제2 블록(732) 사이에 위치된다. 또한, 제5 블록(735)은 제1 블록(731)과 제3 블록(733) 사이에 위치된다.The
일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(731, 732, 733, 734, 735)은 서로 접촉될 수 있다. In an embodiment, the
또한, 제1 블록(731)은 제2 할바흐 배열(730) 또는 제2 면(712)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(730)의 제1 블록(731) 및 중심부(C)와 겹쳐지게 배치될 수 있다.In addition, the
또한, 제2 블록(732) 및 제3 블록(733)은 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 블록(732)은 제1 고정 접촉자(22a)와, 제3 블록(733)은 제2 고정 접촉자(22b)와 각각 겹쳐지게 배치된다.Also, the
각 블록(731, 732, 733, 734, 735)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(731)은 공간부(715) 또는 제1 할바흐 배열(720)을 향하는 제1 내면(731a) 및 공간부(715) 또는 제1 할바흐 배열(720)에 반대되는 제1 외면(731b)을 포함한다.Specifically, the
제2 블록(732)은 공간부(715) 또는 제1 할바흐 배열(720)을 향하는 제2 내면(732a) 및 공간부(715) 또는 제1 할바흐 배열(720)에 반대되는 제2 외면(732b)을 포함한다.The
제3 블록(733)은 공간부(715) 또는 제1 할바흐 배열(720)을 향하는 제3 내면(733a) 및 공간부(715) 또는 제1 할바흐 배열(720)에 반대되는 제3 외면(733b)을 포함한다.The
제4 블록(734)은 제2 블록(732)을 향하는 제4 내면(734a) 및 제1 블록(731)을 향하는 제4 외면(734b)을 포함한다. 제4 내면(734a)과 제4 외면(734b)이 서로 반대되게 위치됨이 이해될 것이다.The
제5 블록(735)은 제1 블록(731)을 향하는 제5 내면(735a) 및 제3 블록(733)을 향하는 제5 외면(735b)을 포함한다. 제5 내면(735a)과 제5 외면(735b)이 서로 반대되게 위치됨이 이해될 것이다.The
각 블록(731, 732, 733, 734, 735)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of faces of each
구체적으로, 제1 및 제5 내면(731a 735a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제2 내지 제4 내면(732a, 733a, 734a)은 상기 극성과 다른 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first and fifth
이때, 제1 및 제5 내면(731a, 735a)은 제1 할바흐 배열(720)의 제1 및 제5 내면(721a, 725a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제2 내지 제4 내면(732a, 733a, 734a)은 제1 할바흐 배열(720)의 제2 내지 제4 내면(722a, 723a, 724a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. In this case, the first and fifth
이하, 도 24를 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(700)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc
도 24를 참조하면, 제1 할바흐 배열(720)의 제1 내면(721a)은 N극으로 자화된다. 이때, 제1 할바흐 배열(720)의 제2 및 제3 내면(722a, 723a)은 S극으로 자화된다.Referring to FIG. 24 , the first
이에 따라, 제1 할바흐 배열(720)에서는 제1 내면(721a)에서 제2 및 제3 내면(722a, 723a)을 향하는 방향의 자기장이 형성된다.Accordingly, in the
또한, 제2 할바흐 배열(730)의 제1 내면(731a) 또한 N극으로 자화된다. 이때, 제2 할바흐 배열9730)의 제2 및 제3 내면(732a, 733a)은 S극으로 자화된다.In addition, the first
이에 따라, 제2 할바흐 배열(730)에서는 제1 내면(731a)에서 제2 및 제3 내면(732a, 733a)을 향하는 방향의 자기장이 형성된다.Accordingly, in the
결과적으로, 각 고정 접촉자(22a, 22b) 근처에는 제1 할바흐 배열(720) 및 제2 할바흐 배열(730) 사이에서 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다.As a result, a magnetic field in a direction repulsing each other between the
도 24의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (a) of FIG. 24 , the direction of the current is a direction from the second
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도 24의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (b) of FIG. 24 , the direction of the current is a direction from the first
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도시되지는 않았으나, 제1 및 제2 할바흐 배열(720, 730)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(720, 730)이 형성하는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each side of the first and
즉, 도 24의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized state as shown in (a) of FIG. 24 , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
유사하게, 도 24의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 24B , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(700)는, 제1 및 제2 할바흐 배열(720, 730)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc
따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the
(8) 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(800)의 설명(8) Description of the arc
이하, 도 25 내지 도 29를 참조하여 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(800)를 상세하게 설명한다. Hereinafter, an arc
도 25 내지 도 28을 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(800)는 자석 프레임(810), 제1 할바흐 배열(820) 및 제2 할바흐 배열(830)을 포함한다.25 to 28 , the arc
본 실시 예에 따른 자석 프레임(810)은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)과 그 구조 및 기능이 동일하다. 다만, 본 실시 예에 따른 자석 프레임(810)에 배치되는 제1 할바흐 배열(820) 및 제2 할바흐 배열(830)의 배치 방식에 차이가 있다.The
이에, 자석 프레임(810)에 대한 설명은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.Accordingly, the description of the
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제1 할바흐 배열(820)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제2 할바흐 배열(830) 과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제1 할바흐 배열(820)은 제1 및 제2 면(811, 812) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(815)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도 25 및 도 26에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제1 면(811)의 내측에, 제1 면(811)에 인접하게 배치되어, 제2 면(812)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(830)을 마주한다.25 and 26 , the
도 27 및 도 28에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제2 면(812)의 내측에, 제2 면(812)에 인접하게 배치되어, 제1 면(811)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(830)을 마주한다.27 and 28 , the
제1 할바흐 배열(820)과 제2 할바흐 배열(830) 사이에는 공간부(815) 및 공간부(815)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다. Between the
제1 할바흐 배열(820)은 제3 면(813) 및 제4 면(814) 중 어느 하나에 치우쳐 위치될 수 있다. 도 25 및 도 27에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제3 면(813)에 치우쳐 위치된다. 도 26 및 도 28에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제4 면(814)에 치우쳐 위치된다.The
제1 할바흐 배열(820)은 공간부(815) 또는 제2 할바흐 배열(830)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(830)과 겹쳐지게 배치될 수 있다.The
제1 할바흐 배열(820)은 공간부(815) 또는 제2 할바흐 배열(830)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다.The
도 25 및 도 27에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제1 고정 접촉자(22a)와 전후 방향으로 겹쳐진다. 또한, 도 26 및 도 28에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제2 고정 접촉자(22b)와 전후 방향으로 겹쳐진다.25 and 27 , the
제1 할바흐 배열(820)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 할바흐 배열(830)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(820)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제1 블록(821), 제2 블록(822) 및 제3 블록(823)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(820)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(821, 822, 823)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제3 블록(821, 822, 823)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(821, 822, 823)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제3 블록(821, 822, 823)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(821, 822, 823)은 제1 면(811)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(821)은 제1 할바흐 배열(820)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(822)은 제1 블록(821)의 좌측에 위치된다. 또한, 제3 블록(823)은 제1 블록(821)의 우측에 위치된다. The
일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(821, 822, 823)은 서로 접촉될 수 있다. In an embodiment, the
각 블록(821, 822, 823)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(821)은 공간부(815) 또는 제2 할바흐 배열(830)을 향하는 제1 내면(821a) 및 공간부(815) 또는 제2 할바흐 배열(830)에 반대되는 제1 외면(821b)을 포함한다.Specifically, the
제2 블록(822)은 제1 블록(821)을 향하는 제2 내면(822a) 및 제1 블록(821)에 반대되는 제2 외면(822b)을 포함한다. The
제3 블록(823)은 제1 블록(821)을 향하는 제3 내면(823a) 및 제1 블록(821)에 반대되는 제3 외면(823b)을 포함한다.The
각 블록(821, 822, 823)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each
구체적으로, 제1 내지 제3 내면(821a, 822a, 823a)은 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 외면(821b, 822b, 823b)은 상기 극성과 다른 극성으로 자화될 수 있다. Specifically, the first to third
이때, 제1 내지 제3 내면(821a, 822a, 823a)은 제2 할바흐 배열(830)의 제1 내면(831a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 내면(821a, 822a, 823a)은 제2 할바흐 배열(830)의 제2 및 제3 내면(832a, 833a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. In this case, the first to third
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(830)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(830)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the
제2 할바흐 배열(830)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(830)은 제1 할바흐 배열(820)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The
제2 할바흐 배열(830)은 제1 및 제2 면(811, 812) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(830)은 상기 다른 하나의 면의 내측(즉, 공간부(815)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The
도 25 및 도 26에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(830)은 제2 면(812)의 내측에, 제2 면(812)에 인접하게 배치되어, 제1 면(811)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(820)을 마주한다.In the embodiment shown in FIGS. 25 and 26 , the
도 27 및 도 28에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(830)은 제1 면(811)의 내측에, 제1 면(811)에 인접하게 배치되어, 제2 면(812)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(820)을 마주한다.In the embodiment shown in FIGS. 27 and 28 , the
제2 할바흐 배열(830)과 제1 할바흐 배열(820) 사이에는 공간부(815) 및 공간부(815)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the
제2 할바흐 배열(830)은 제1 면(811)의 중앙 부분에 위치될 수 있다. 달리 표현하면, 제2 할바흐 배열(830)과 제3 면(813) 사이의 최단 거리 및 제2 할바흐 배열(830)과 제4 면(814) 사이의 최단 거리는 같을 수 있다. The
제2 할바흐 배열(830)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 할바흐 배열(820)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(830)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(830)은 제1 블록(831), 제2 블록(832), 제3 블록(833), 제4 블록(834) 및 제5 블록(835)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(830)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(831, 832, 833, 834, 835)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the
제1 내지 제5 블록(831, 832, 833, 834, 835)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제5 블록(831, 832, 833, 834, 835)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to
제1 내지 제5 블록(831, 832, 833, 834, 835)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제5 블록(831, 832, 833, 834, 835)은 제2 면(812)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to
제1 블록(831)은 제2 할바흐 배열(830)의 중앙 부분에 위치된다.The
제2 블록(832)은 제2 할바흐 배열(830)의 가장 좌측에 위치된다. 즉, 제2 블록(832)은 제3 면(813)에 인접하게 위치된다. 제3 블록(833)은 제2 할바흐 배열(830)의 가장 우측에 위치된다. 즉, 제3 블록(833)은 제4 면(814)에 인접하게 위치된다. The
제4 블록(834)은 제1 블록(831)과 제2 블록(832) 사이에 위치된다. 또한, 제5 블록(835)은 제1 블록(831)과 제3 블록(833) 사이에 위치된다.The
일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(831, 832, 833, 834, 835)은 서로 접촉될 수 있다. In an embodiment, the
또한, 제1 블록(831)은 제2 할바흐 배열(830) 또는 공간부(815)를 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(830)의 제1 블록(831) 및 중심부(C)와 겹쳐지게 배치될 수 있다.In addition, the
또한, 제2 블록(832) 및 제3 블록(833)은 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 블록(832)은 제1 고정 접촉자(22a)와, 제3 블록(833)은 제2 고정 접촉자(22b)와 각각 겹쳐지게 배치된다.In addition, the
각 블록(831, 832, 833, 834, 835)은 복수 개의 면을 포함한다. Each
구체적으로, 제1 블록(831)은 공간부(815) 또는 제1 할바흐 배열(820)을 향하는 제1 내면(831a) 및 공간부(815) 또는 제1 할바흐 배열(820)에 반대되는 제1 외면(831b)을 포함한다.Specifically, the
제2 블록(832)은 공간부(815) 또는 제1 할바흐 배열(820)을 향하는 제2 내면(832a) 및 공간부(815) 또는 제1 할바흐 배열(820)에 반대되는 제2 외면(832b)을 포함한다.The
제3 블록(833)은 공간부(815) 또는 제1 할바흐 배열(820)을 향하는 제3 내면(833a) 및 공간부(815) 또는 제1 할바흐 배열(820)에 반대되는 제3 외면(833b)을 포함한다.The
제4 블록(834)은 제2 블록(832)을 향하는 제4 내면(834a) 및 제1 블록(831)을 향하는 제4 외면(834b)을 포함한다. 제4 내면(834a)과 제4 외면(834b)이 서로 반대되게 위치됨이 이해될 것이다.The
제5 블록(835)은 제1 블록(831)을 향하는 제5 내면(835a) 및 제3 블록(833)을 향하는 제5 외면(835b)을 포함한다. 제5 내면(835a)과 제5 외면(835b)이 서로 반대되게 위치됨이 이해될 것이다.The
각 블록(831, 832, 833, 834, 835)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of faces of each
구체적으로, 제1 및 제5 내면(831a, 835a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제2 내지 제4 내면(832a, 833a, 834a)은 상기 극성과 다른 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first and fifth
이때, 제1 및 제5 내면(831a, 835a)은 제1 할바흐 배열(820)의 제1 내지 제3 내면(821a, 822a, 823a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제2 내지 제4 내면(832a, 833a, 834a)은 제1 할바흐 배열(820)의 제1 내지 제3 외면(821b, 822b, 823b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. In this case, the first and fifth
이하, 도 29를 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(800)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc
도 29를 참조하면, 제1 할바흐 배열(820)의 제1 내지 제3 내면(821a, 822a, 823a)은 N극으로 자화된다. 이때, 제1 할바흐 배열(820)의 제1 내지 제3 외면(821b, 822b, 823b)은 S극으로 자화된다.Referring to FIG. 29 , the first to third
이에 따라, 제1 할바흐 배열(820)에서는 제1 내면(821a)에서 제2 및 제3 내면(822a, 823a)을 향하는 방향의 자기장이 형성된다.Accordingly, in the
또한, 제2 할바흐 배열(830)의 제1 내면(831a) 또한 N극으로 자화된다. 이때, 제2 할바흐 배열(730)의 제2 및 제3 내면(832a, 833a)은 S극으로 자화된다.In addition, the first
이에 따라, 제2 할바흐 배열(830)에서는 제1 내면(831a)에서 제2 및 제3 내면(832a, 833a)을 향하는 방향의 자기장이 형성된다.Accordingly, in the
또한, 제1 할바흐 배열(820)과 제2 할바흐 배열(830) 사이에서는 제1 내면(821a)에서 제2 내면(832a) 및 제3 내면(833a)을 향하는 방향의 자기장이 형성된다.In addition, a magnetic field in a direction from the first
결과적으로, 각 고정 접촉자(22a, 22b) 근처에는 제1 할바흐 배열(820) 및 제2 할바흐 배열(830) 사이에서 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다.As a result, a magnetic field in a direction to repel each other is formed between the
도 29의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in FIG. 29( a ), the direction of the current is the direction from the second
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.When Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도 29의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (b) of FIG. 29 , the direction of the current is the direction from the first
제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first
이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first
마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second
이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second
도시되지는 않았으나, 제1 및 제2 할바흐 배열(820, 830)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(820, 830)이 형성하는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each surface of the first and
즉, 도 29의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized situation as shown in (a) of FIG. 29 , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
유사하게, 도 29의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 29B, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first
따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(800)는, 제1 및 제2 할바흐 배열(820, 830)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc
따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the
이상 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those of ordinary skill in the art can variously modify and change the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. You will understand that you can.
1: 직류 릴레이
10: 프레임부
11: 상부 프레임
12: 하부 프레임
13: 절연 플레이트
14: 지지 플레이트
20: 개폐부
21: 아크 챔버
22: 고정 접촉자
22a: 제1 고정 접촉자
22b: 제2 고정 접촉자
23: 씰링 부재
30: 코어부
31: 고정 코어
32: 가동 코어
33: 요크
34: 보빈
35: 코일
36: 복귀 스프링
37: 실린더
40: 가동 접촉자부
41: 하우징
42: 커버
43: 가동 접촉자
44: 샤프트
44: 탄성부
100: 본 발명의 일 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
110: 자석 프레임
111: 제1 면
112: 제2 면
113: 제3 면
114: 제4 면
115: 공간부
120: 제1 할바흐 배열
121: 제1 블록
121a: 제1 내면
121b: 제1 외면
122: 제2 블록
122a: 제2 내면
122b: 제2 외면
123: 제3 블록
123a: 제3 내면
123b: 제3 외면
130: 제2 할바흐 배열
131: 제1 블록
131a: 제1 내면
131b: 제1 외면
132: 제2 블록
132a: 제2 내면
132b: 제2 외면
133: 제3 블록
133a: 제3 내면
133b: 제3 외면
200: 본 발명의 다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
210: 자석 프레임
111: 제1 면
212: 제2 면
213: 제3 면
214: 제4 면
115: 공간부
220: 제1 할바흐 배열
221: 제1 블록
221a: 제1 내면
221b: 제1 외면
222: 제2 블록
222a: 제2 내면
222b: 제2 외면
230: 제2 할바흐 배열
231: 제1 블록
231a: 제1 내면
231b: 제1 외면
232: 제2 블록
232a: 제2 내면
232b: 제2 외면
300: 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
310: 자석 프레임
311: 제1 면
312: 제2 면
313: 제3 면
314: 제4 면
315: 공간부
320: 제1 할바흐 배열
321: 제1 블록
321a: 제1 내면
321b: 제1 외면
322: 제2 블록
322a: 제2 내면
322b: 제2 외면
323: 제3 블록
323a: 제3 내면
323b: 제3 외면
324: 제4 블록
324a: 제4 내면
324b: 제4 외면
325: 제5 블록
325a: 제5 내면
325b: 제5 외면
330: 제2 할바흐 배열
331: 제1 블록
331a: 제1 내면
331b: 제1 외면
332: 제2 블록
332a: 제2 내면
332b: 제2 외면
333: 제3 블록
333a: 제3 내면
333b: 제3 외면
340: 제3 할바흐 배열
341: 제1 블록
341a: 제1 내면
341b: 제1 외면
342: 제2 블록
342a: 제2 내면
342b: 제2 외면
343: 제3 블록
343a: 제3 내면
343b: 제3 외면
400: 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
410: 자석 프레임
411: 제1 면
412: 제2 면
413: 제3 면
414: 제4 면
415: 공간부
420: 제1 할바흐 배열
421: 제1 블록
421a: 제1 내면
421b: 제1 외면
422: 제2 블록
422a: 제2 내면
422b: 제2 외면
423: 제3 블록
423a: 제3 내면
423b: 제3 외면
424: 제4 블록
424a: 제4 내면
424b: 제4 외면
425: 제5 블록
425a: 제5 내면
425b: 제5 외면
430: 제2 할바흐 배열
431: 제1 블록
431a: 제1 내면
431b: 제1 외면
432: 제2 블록
432a: 제2 내면
432b: 제2 외면
433: 제3 블록
433a: 제3 내면
433b: 제3 외면
440: 제3 할바흐 배열
441: 제1 블록
441a: 제1 내면
441b: 제1 외면
442: 제2 블록
442a: 제2 내면
442b: 제2 외면
443: 제3 블록
443a: 제3 내면
443b: 제3 외면
500: 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
510: 자석 프레임
511: 제1 면
512: 제2 면
513: 제3 면
514: 제4 면
515: 공간부
520: 제1 할바흐 배열
521: 제1 블록
521a: 제1 내면
521b: 제1 외면
522: 제2 블록
522a: 제2 내면
522b: 제2 외면
523: 제3 블록
523a: 제3 내면
523b: 제3 외면
524: 제4 블록
524a: 제4 내면
524b: 제4 외면
525: 제5 블록
525a: 제5 내면
525b: 제5 외면
530: 제2 할바흐 배열
531: 제1 블록
531a: 제1 내면
531b: 제1 외면
532: 제2 블록
532a: 제2 내면
532b: 제2 외면
533: 제3 블록
533a: 제3 내면
533b: 제3 외면
600: 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
610: 자석 프레임
611: 제1 면
612: 제2 면
613: 제3 면
614: 제4 면
615: 공간부
620: 제1 할바흐 배열
621: 제1 블록
621a: 제1 내면
621b: 제1 외면
622: 제2 블록
622a: 제2 내면
622b: 제2 외면
623: 제3 블록
623a: 제3 내면
630: 제2 할바흐 배열
631: 제1 블록
631a: 제1 내면
631b: 제1 외면
632: 제2 블록
632a: 제2 내면
632b: 제2 외면
633: 제3 블록
633a: 제3 내면
633b: 제3 외면
640: 제3 할바흐 배열
641: 제1 블록
641a: 제1 내면
641b: 제1 외면
642: 제2 블록
642a: 제2 내면
642b: 제2 외면
643: 제3 블록
643a: 제3 내면
643b: 제3 외면
700: 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
710: 자석 프레임
711: 제1 면
712: 제2 면
713: 제3 면
714: 제4 면
715: 공간부
720: 제1 할바흐 배열
721: 제1 블록
721a: 제1 내면
721b: 제1 외면
722: 제2 블록
722a: 제2 내면
722b: 제2 외면
723: 제3 블록
723a: 제3 내면
723b: 제3 외면
724: 제4 블록
724a: 제4 내면
724b: 제4 외면
725: 제5 블록
725a: 제5 내면
725b: 제5 외면
730: 제2 할바흐 배열
731: 제1 블록
731a: 제1 내면
731b: 제1 외면
732: 제2 블록
732a: 제2 내면
732b: 제2 외면
733: 제3 블록
733a: 제3 내면
733b: 제3 외면
734: 제4 블록
734a: 제4 내면
734b: 제4 외면
735: 제5 블록
735a: 제5 내면
735b: 제5 외면
800: 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
810: 자석 프레임
811: 제1 면
812: 제2 면
813: 제3 면
814: 제4 면
815: 공간부
820: 제1 할바흐 배열
821: 제1 블록
821a: 제1 내면
821b: 제1 외면
822: 제2 블록
822a: 제2 내면
822b: 제2 외면
823: 제3 블록
823a: 제3 내면
823b: 제3 외면
830: 제2 할바흐 배열
831: 제1 블록
831a: 제1 내면
831b: 제1 외면
832: 제2 블록
832a: 제2 내면
832b: 제2 외면
833: 제3 블록
833a: 제3 내면
833b: 제3 외면
834: 제4 블록
834a: 제4 내면
834b: 제4 외면
835: 제5 블록
835a: 제5 내면
835b: 제5 외면
1000: 종래 기술에 따른 직류 릴레이
1100: 종래 기술에 따른 고정 접점
1200: 종래 기술에 따른 가동 접점
1300: 종래 기술에 따른 영구 자석
1310: 종래 기술에 따른 제1 영구 자석
1320: 종래 기술에 따른 제2 영구 자석
C: 공간부(115, 215, 315, 415, 515, 615, 715, 815)의 중심부
A.P: 아크의 경로1: DC relay
10: frame part
11: upper frame
12: lower frame
13: Insulation plate
14: support plate
20: opening and closing part
21: arc chamber
22: fixed contact
22a: first fixed contact
22b: second fixed contact
23: sealing member
30: core part
31: fixed core
32: movable core
33: York
34: bobbin
35: coil
36: return spring
37: cylinder
40: movable contact part
41: housing
42: cover
43: operation contactor
44: shaft
44: elastic part
100: arc path forming unit according to an embodiment of the present invention
110: magnet frame
111: first side
112: second side
113: the third side
114: fourth side
115: space part
120: first halbach arrangement
121: first block
121a: first inner surface
121b: first outer surface
122: second block
122a: second inner surface
122b: second outer surface
123: third block
123a: the third inner
123b: third outer surface
130: second halbach arrangement
131: first block
131a: first inner surface
131b: first outer surface
132: second block
132a: second inner surface
132b: second outer surface
133: third block
133a: third inner surface
133b: third outer surface
200: arc path forming unit according to another embodiment of the present invention
210: magnet frame
111: first side
212: second side
213: the third side
214: fourth side
115: space part
220: first halbach arrangement
221: first block
221a: first inner surface
221b: first outer surface
222: second block
222a: second inner surface
222b: second outer surface
230: second halbach arrangement
231: first block
231a: first inner surface
231b: first outer surface
232: second block
232a: second inner surface
232b: second outer surface
300: arc path forming unit according to another embodiment of the present invention
310: magnet frame
311: first side
312: second side
313: the third side
314: fourth side
315: space part
320: first halbach arrangement
321: first block
321a: first inner surface
321b: first outer surface
322: second block
322a: second inner surface
322b: second outer surface
323: third block
323a: third inner
323b: third outer surface
324: fourth block
324a: fourth inner surface
324b: fourth outer surface
325: fifth block
325a: fifth inner surface
325b: fifth outer surface
330: second halbach arrangement
331: first block
331a: first inner surface
331b: first outer surface
332: second block
332a: second inner surface
332b: second outer surface
333: third block
333a: third inner
333b: third outer surface
340: 3rd Halbach arrangement
341: first block
341a: first inner surface
341b: first outer surface
342: second block
342a: second inner surface
342b: second outer surface
343: third block
343a: third inner
343b: third outer surface
400: arc path forming unit according to another embodiment of the present invention
410: magnet frame
411: first side
412: second side
413: 3rd side
414: fourth side
415: space part
420: first halbach arrangement
421: first block
421a: first inner surface
421b: first outer surface
422: second block
422a: second inner surface
422b: second outer surface
423: third block
423a: third inner
423b: third outer surface
424: fourth block
424a: fourth inner surface
424b: fourth outer surface
425: fifth block
425a: fifth inner surface
425b: fifth outer surface
430: second halbach arrangement
431: first block
431a: first inner surface
431b: first outer surface
432: second block
432a: second inner surface
432b: second outer surface
433: third block
433a: third inner
433b: third outer surface
440: 3rd Halbach arrangement
441: first block
441a: first inner surface
441b: first outer surface
442: second block
442a: second inner surface
442b: second outer surface
443: third block
443a: third inner
443b: third exterior
500: arc path forming unit according to another embodiment of the present invention
510: magnet frame
511: first side
512: second side
513: the third side
514: fourth side
515: space part
520: first halbach arrangement
521: first block
521a: first inner surface
521b: first outer surface
522: second block
522a: second inner surface
522b: second outer surface
523: third block
523a: third inner
523b: third outer surface
524: fourth block
524a: fourth inner surface
524b: fourth outer surface
525: fifth block
525a: fifth inner surface
525b: fifth outer surface
530: second Halbach arrangement
531: first block
531a: first inner surface
531b: first outer surface
532: second block
532a: second inner surface
532b: second outer surface
533: third block
533a: third inner
533b: third outer surface
600: arc path forming unit according to another embodiment of the present invention
610: magnet frame
611: first side
612: second side
613: the third side
614: fourth side
615: space part
620: first halbach arrangement
621: first block
621a: first inner surface
621b: first outer surface
622: second block
622a: second inner surface
622b: second outer surface
623: third block
623a: third inner
630: second halbach arrangement
631: first block
631a: first inner surface
631b: first outer surface
632: second block
632a: second inner surface
632b: second outer surface
633: third block
633a: third inner
633b: third outer surface
640: 3rd Halbach arrangement
641: first block
641a: first inner surface
641b: first outer surface
642: second block
642a: second inner surface
642b: second outer surface
643: third block
643a: third inner
643b: third outer surface
700: arc path forming unit according to another embodiment of the present invention
710: magnet frame
711: first side
712: second side
713: the third side
714: fourth side
715: space part
720: first halbach arrangement
721: first block
721a: first inner surface
721b: first outer surface
722: second block
722a: second inner surface
722b: second outer surface
723: third block
723a: third inner
723b: third outer surface
724: fourth block
724a: fourth inner surface
724b: fourth outer surface
725: fifth block
725a: fifth inner surface
725b: fifth outer surface
730: second halbach arrangement
731: first block
731a: first inner surface
731b: first outer surface
732: second block
732a: second inner surface
732b: second outer surface
733: third block
733a: third inner
733b: third outer surface
734: fourth block
734a: fourth inner surface
734b: fourth outer surface
735: fifth block
735a: fifth inner surface
735b: fifth outer surface
800: arc path forming unit according to another embodiment of the present invention
810: magnet frame
811: first side
812: second side
813: the third side
814: fourth side
815: space part
820: first halbach arrangement
821: first block
821a: first inner surface
821b: first outer surface
822: second block
822a: second inner surface
822b: second outer surface
823: third block
823a: third inner
823b: third outer surface
830: 2nd Halbach arrangement
831: first block
831a: first inner surface
831b: first outer surface
832: second block
832a: second inner surface
832b: second outer surface
833: third block
833a: third inner
833b: third outer surface
834: fourth block
834a: fourth inner surface
834b: fourth outer surface
835: fifth block
835a: fifth inner surface
835b: fifth outer surface
1000: DC relay according to the prior art
1100: fixed contact according to the prior art
1200: movable contact according to the prior art
1300: Permanent magnet according to the prior art
1310: first permanent magnet according to the prior art
1320: second permanent magnet according to the prior art
C: the center of the space portion (115, 215, 315, 415, 515, 615, 715, 815)
AP: path of arc
Claims (28)
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열(Halbach array)을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 제1 할바흐 배열; 및
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 제2 할바흐 배열을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나 이상과 각각 겹쳐지게 배치되고,
상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 공간부를 사이에 두고 서로 마주하게 배치되는,
아크 경로 형성부.a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach array to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
a first Halbach arrangement arranged side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface; and
and a second Halbach arrangement disposed side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are arranged to overlap with any one or more of the plurality of fixed contacts along the other direction, respectively,
The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are arranged to face each other with the space portion therebetween,
arc path forming part.
상기 제1 할바흐 배열과 상기 제2 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.According to claim 1,
Each side of the first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity,
arc path forming part.
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열(Halbach array)을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 제1 할바흐 배열; 및
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 제2 할바흐 배열을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나 이상과 각각 겹쳐지게 배치되고,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하고,
상기 제2 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하는,
아크 경로 형성부.a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach array to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
a first Halbach arrangement arranged side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface; and
and a second Halbach arrangement disposed side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are arranged to overlap with any one or more of the plurality of fixed contacts along the other direction, respectively,
The first Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and
a first block positioned between the second block and the third block;
The second Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces; and
comprising a first block positioned between the second block and the third block,
arc path forming part.
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.4. The method of claim 3,
Each side of the first block of the first Halbach arrangement and the first block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity as each other,
arc path forming part.
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열(Halbach array)을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 제1 할바흐 배열; 및
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 제2 할바흐 배열을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나 이상과 각각 겹쳐지게 배치되고,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록;
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록;
상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 사이에 위치되는 제4 블록; 및
상기 제1 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제5 블록을 포함하고,
상기 제2 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록;
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록;
상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 사이에 위치되는 제4 블록; 및
상기 제1 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제5 블록을 포함하는,
아크 경로 형성부.a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach array to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
a first Halbach arrangement arranged side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface; and
and a second Halbach arrangement disposed side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are arranged to overlap with any one or more of the plurality of fixed contacts along the other direction, respectively,
The first Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface;
a first block positioned between the second block and the third block;
a fourth block positioned between the first block and the second block; and
a fifth block positioned between the first block and the third block;
The second Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces;
a first block positioned between the second block and the third block;
a fourth block positioned between the first block and the second block; and
comprising a fifth block located between the first block and the third block,
arc path forming part.
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되고,
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제2 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제2 블록이 서로 마주하는 각 면은, 상기 극성과 다른 극성으로 자화되며,
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제3 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제3 블록이 서로 마주하는 각 면은, 상기 다른 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.6. The method of claim 5,
Each surface of the first block of the first Halbach arrangement and the first block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity,
Each side of the second block of the first Halbach arrangement and the second block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with a polarity different from the polarity,
Each face of the third block of the first Halbach arrangement and the third block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized to the different polarity,
arc path forming part.
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열(Halbach array)을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 제1 할바흐 배열; 및
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 제2 할바흐 배열을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나 이상과 각각 겹쳐지게 배치되고,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하고,
상기 제2 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록;
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록;
상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 사이에 위치되는 제4 블록; 및
상기 제1 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제5 블록을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는,
아크 경로 형성부.a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach array to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
a first Halbach arrangement arranged side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface; and
and a second Halbach arrangement disposed side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are arranged to overlap with any one or more of the plurality of fixed contacts along the other direction, respectively,
The first Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and
a first block positioned between the second block and the third block;
The second Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces;
a first block positioned between the second block and the third block;
a fourth block positioned between the first block and the second block; and
a fifth block positioned between the first block and the third block;
The first Halbach arrangement is,
Located biased to any one of the third surface and the fourth surface,
arc path forming part.
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되고,
상기 제2 할바흐 배열의 상기 제2 블록이 상기 제1 할바흐 배열을 마주하는 면 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제3 블록이 상기 제1 할바흐 배열을 마주하는 각 면은, 상기 극성과 다른 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.8. The method of claim 7,
Each surface of the first block of the first Halbach arrangement and the first block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity,
A side of the second block of the second Halbach arrangement facing the first Halbach arrangement and a side of the third block of the second Halbach arrangement facing the first Halbach arrangement, each side having the polarity magnetized with a polarity different from that of
arc path forming part.
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 및
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열을 포함하고,
상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 공간부를 사이에 두고 서로 마주하게 배치되는,
아크 경로 형성부.a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
It is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface, and among the third surface and the fourth surface a first Halbach arrangement positioned to be biased toward any one surface; and
It is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and among the third surface and the fourth surface Including a second Halbach arrangement that is located biased to the other side,
The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are arranged to face each other with the space portion therebetween,
arc path forming part.
상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.10. The method of claim 9,
Each side of the first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity,
arc path forming part.
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 및
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열을 포함하고,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 타 방향을 따라, 상기 제2 할바흐 배열과 겹쳐지게 배치되는 제1 블록; 및
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록을 포함하고,
상기 제2 할바흐 배열은,
상기 타 방향을 따라, 상기 제1 할바흐 배열과 겹쳐지게 배치되는 제1 블록; 및
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록을 포함하는,
아크 경로 형성부.a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
It is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface, and among the third surface and the fourth surface a first Halbach arrangement positioned to be biased toward any one surface; and
It is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and among the third surface and the fourth surface Including a second Halbach arrangement that is located biased to the other side,
The first Halbach arrangement is,
a first block disposed to overlap the second Halbach arrangement along the other direction; and
and a second block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface,
The second Halbach arrangement is,
a first block disposed to overlap the first Halbach arrangement along the other direction; and
Containing a second block located biased to the one of the third surface and the fourth surface,
arc path forming part.
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.12. The method of claim 11,
Each side of the first block of the first Halbach arrangement and the first block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity as each other,
arc path forming part.
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 및
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열을 포함하고,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하고,
상기 제2 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열은, 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나와 상기 타 방향을 따라 겹쳐지게 배치되고,
상기 제2 할바흐 배열은, 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 다른 하나와 상기 타 방향을 따라 겹쳐지게 배치되는,
아크 경로 형성부.a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
It is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface, and among the third surface and the fourth surface a first Halbach arrangement positioned to be biased toward any one surface; and
It is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and among the third surface and the fourth surface Including a second Halbach arrangement that is located biased to the other side,
The first Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces; and
a first block positioned between the second block and the third block;
The second Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces;
a third block positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface; and
a first block positioned between the second block and the third block;
The first Halbach arrangement is arranged to overlap with any one of the plurality of fixed contacts along the other direction,
The second Halbach arrangement is arranged to overlap the other one of the plurality of fixed contacts along the other direction,
arc path forming part.
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.14. The method of claim 13,
Among the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement, the surfaces facing the space and the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement facing the space are magnetized with the same polarity,
arc path forming part.
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하며,
상기 할바흐 배열은 복수 개 구비되어, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 어느 하나 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열 중 다른 둘 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되고,
상기 제1 면에 인접하게 배치되는 어느 하나의 할바흐 배열과, 상기 제2 면에 인접하게 배치되는 어느 하나의 할바흐 배열은, 상기 공간부를 사이에 두고 서로 마주하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열 중 어느 하나는, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는,
아크 경로 형성부.a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
It is arranged side by side in the one direction and includes a plurality of blocks formed of a magnetic material,
A plurality of the Halbach arrangement is provided, and at least one of the plurality of Halbach arrangements is disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface,
At least two other of the plurality of Halbach arrangements are disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
Any one Halbach arrangement disposed adjacent to the first surface and any one Halbach arrangement disposed adjacent to the second surface are disposed to face each other with the space portion interposed therebetween,
Any one of the plurality of Halbach arrays is positioned adjacent to the other one of the first and second surfaces, and is positioned to be biased toward the one of the third and fourth surfaces felled,
arc path forming part.
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 상기 어느 하나 이상의 상기 할바흐 배열과,
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 상기 둘 이상의 상기 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은,
서로 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.16. The method of claim 15,
the at least one Halbach arrangement disposed adjacent to the one of the first surface and the second surface;
Each surface of the two or more Halbach arrays disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface facing each other,
magnetized with the same polarity,
arc path forming part.
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하며,
상기 할바흐 배열은 복수 개 구비되어, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 어느 하나 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열 중 다른 둘 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열은,
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열;
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열;
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 할바흐 배열; 및
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제4 할바흐 배열을 포함하는,
아크 경로 형성부.a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
It is arranged side by side in the one direction and includes a plurality of blocks formed of a magnetic material,
A plurality of the Halbach arrangement is provided, and at least one of the plurality of Halbach arrangements is disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface,
At least two other of the plurality of Halbach arrangements are disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
A plurality of the Halbach arrangement is,
a first Halbach arrangement positioned adjacent to any one of the first and second surfaces and biased toward any one of the third and fourth surfaces;
a second Halbach arrangement positioned adjacent to one of the first and second surfaces, and biased toward the other of the third and fourth surfaces;
a third Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface; and
and a fourth Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface,
arc path forming part.
상기 제1 할바흐 배열, 상기 제2 할바흐 배열, 상기 제3 할바흐 배열 및 상기 제4 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 각각 포함하는,
아크 경로 형성부. 18. The method of claim 17,
The first Halbach arrangement, the second Halbach arrangement, the third Halbach arrangement, and the fourth Halbach arrangement,
a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and
Each comprising a first block positioned between the second block and the third block,
arc path forming part.
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제3 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 같은 극성으로 자화되고,
상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제4 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 상기 극성과 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.19. The method of claim 18,
Among the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement, a surface facing the space portion and a surface facing the space portion among the surfaces of the first block of the third Halbach arrangement are each magnetized with the same polarity,
Among the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement, a surface facing the space portion and a surface facing the space portion among the surfaces of the first block of the fourth Halbach arrangement are each magnetized with the same polarity as the polarity,
arc path forming part.
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하며,
상기 할바흐 배열은 복수 개 구비되어, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 어느 하나 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열 중 다른 둘 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열은,
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열;
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열; 및
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 할바흐 배열을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 타 방향을 따라 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치되는,
아크 경로 형성부.a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
It is arranged side by side in the one direction and includes a plurality of blocks formed of a magnetic material,
A plurality of the Halbach arrangement is provided, and at least one of the plurality of Halbach arrangements is disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface,
At least two other of the plurality of Halbach arrangements are disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
A plurality of the Halbach arrangement is,
a first Halbach arrangement positioned adjacent to any one of the first and second surfaces and biased toward any one of the third and fourth surfaces;
a second Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; and
and a third Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface,
The first Halbach arrangement is,
arranged to overlap any one of the second Halbach arrangement and the third Halbach arrangement along the other direction,
arc path forming part.
상기 제1 할바흐 배열, 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 각각 포함하는,
아크 경로 형성부. 21. The method of claim 20,
The first Halbach arrangement, the second Halbach arrangement and the third Halbach arrangement are,
a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and
Each comprising a first block positioned between the second block and the third block,
arc path forming part.
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면, 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제3 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.22. The method of claim 21,
one of the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement facing the space, one of the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement facing the space and the first of the third Halbach arrangement Among the faces of the block, the faces facing the space are each magnetized with the same polarity,
arc path forming part.
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하며,
상기 할바흐 배열은 복수 개 구비되어, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 어느 하나 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열 중 다른 둘 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열;
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열; 및
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 할바흐 배열을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 타 방향을 따라 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열과 각각 겹쳐지게 배치되는,
아크 경로 형성부.a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
It is arranged side by side in the one direction and includes a plurality of blocks formed of a magnetic material,
A plurality of the Halbach arrangement is provided, and at least one of the plurality of Halbach arrangements is disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface,
At least two other of the plurality of Halbach arrangements are disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
A plurality of the Halbach arrangement is,
a first Halbach arrangement that is biased toward any one of the third surface and the fourth surface;
a second Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; and
and a third Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface,
The first Halbach arrangement is,
The second Halbach arrangement and the third Halbach arrangement are arranged to overlap each other along the other direction,
arc path forming part.
상기 제1 할바흐 배열, 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 각각 포함하는,
아크 경로 형성부.24. The method of claim 23,
The first Halbach arrangement, the second Halbach arrangement and the third Halbach arrangement are,
a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and
Each comprising a first block positioned between the second block and the third block,
arc path forming part.
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면, 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제3 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.25. The method of claim 24,
one of the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement facing the space, one of the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement facing the space and the first of the third Halbach arrangement Among the faces of the block, the faces facing the space are each magnetized with the same polarity,
arc path forming part.
상기 고정 접촉자에 접촉되거나 이격되는 가동 접촉자; 및
상기 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부에 아크의 경로를 형성하는 아크 경로 형성부;를 포함하고,
상기 아크 경로 형성부는 상기 제 1 항 내지 제 25 항 중 어느 하나에 따른 아크 경로 형성부로 이루어지는, 직류 릴레이.a plurality of fixed contacts provided to be spaced apart from each other in one direction;
a movable contact contacting or spaced apart from the fixed contact; and
Including; arc path forming part for forming a path of the arc in the space in which the fixed contact and the movable contact are accommodated;
The arc path forming unit is made of the arc path forming unit according to any one of claims 1 to 25, DC relay.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |