KR102452359B1 - Arc path former and direct current relay include the same - Google Patents

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Abstract

아크 경로 형성부 및 직류 릴레이가 개시된다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 아크 경로 형성부는 좌우 방향 중 어느 하나 이상에 구비되는 할바흐 배열을 포함한다. 할바흐 배열은 그 자체, 또는 다른 자성체와 함께 아크 챔버 내부에 자기장을 형성한다. 형성된 자기장과 직류 릴레이에 통전되는 전류에 의해, 발생된 아크를 유도하기 위한 전자기력이 형성될 수 있다. 전자기력은 각 고정 접촉자에서 멀어지는 방향으로 형성된다. 이에 따라, 발생된 아크가 효과적으로 소호 및 배출될 수 있다. An arc path forming unit and a DC relay are disclosed. The arc path forming unit according to various embodiments of the present disclosure includes a Halbach arrangement provided in at least one of the left and right directions. The Halbach arrangement, on its own or with other magnetic materials, forms a magnetic field inside the arc chamber. An electromagnetic force for inducing the generated arc may be formed by the formed magnetic field and the current passed through the DC relay. An electromagnetic force is formed in a direction away from each fixed contact. Accordingly, the generated arc can be effectively extinguished and discharged.

Description

아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이{Arc path former and direct current relay include the same}Arc path former and direct current relay include the same}

본 발명은 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 발생된 아크를 외부를 향해 효과적으로 유도할 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이에 관한 것이다.The present invention relates to an arc path forming unit and a DC relay including the same, and more particularly, to an arc path forming unit having a structure capable of effectively inducing a generated arc to the outside, and a DC relay including the same.

직류 릴레이(Direct current relay)는 전자석의 원리를 이용하여 기계적인 구동 또는 전류 신호를 전달해 주는 장치이다. 직류 릴레이는 전자 개폐기(Magnetic switch)라고도 하며, 전기적인 회로 개폐 장치로 분류됨이 일반적이다. A direct current relay is a device that transmits a mechanical drive or current signal using the principle of an electromagnet. A DC relay is also called a magnetic switch and is generally classified as an electrical circuit switch.

직류 릴레이는 고정 접점 및 가동 접점을 포함한다. 고정 접점은 외부의 전원 및 부하와 통전 가능하게 연결된다. 고정 접점과 가동 접점은 서로 접촉되거나, 이격될 수 있다. A DC relay includes a fixed contact and a movable contact. The fixed contact is electrically connected to an external power source and load. The fixed contact and the movable contact may be in contact with each other or may be spaced apart from each other.

고정 접점과 가동 접점의 접촉 및 이격에 의해, 직류 릴레이를 통한 통전이 허용되거나 차단된다. 상기 이동은, 가동 접점에 구동력을 인가하는 구동부에 의해 달성된다. By the contact and separation of the fixed contact and the movable contact, the conduction through the DC relay is allowed or blocked. The movement is achieved by a drive unit that applies a drive force to the movable contact.

고정 접점과 가동 접점이 이격되면, 고정 접점과 가동 접점 사이에는 아크(arc)가 발생된다. 아크는 고압, 고온의 전류의 흐름이다. 따라서, 발생된 아크는 기 설정된 경로를 통해 직류 릴레이에서 신속하게 배출되어야 한다. When the fixed contact and the movable contact are spaced apart, an arc is generated between the fixed contact and the movable contact. An arc is a flow of high-pressure, high-temperature current. Accordingly, the generated arc must be rapidly discharged from the DC relay through a preset path.

아크의 배출 경로는 직류 릴레이에 구비되는 자석에 의해 형성된다. 상기 자석은 고정 접점과 가동 접점이 접촉되는 공간의 내부에 자기장을 형성한다. 형성된 자기장 및 전류의 흐름에 의해 발생된 전자기력에 의해 아크의 배출 경로가 형성될 수 있다. The arc discharge path is formed by a magnet provided in the DC relay. The magnet forms a magnetic field in the space where the fixed contact and the movable contact are in contact. A discharge path of the arc may be formed by the formed magnetic field and the electromagnetic force generated by the flow of current.

도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 직류 릴레이(1000)에 구비되는 고정 접점(1100) 및 가동 접점(1200)이 접촉되는 공간이 도시된다. 상술한 바와 같이, 상기 공간에는 영구 자석(1300)이 구비된다. Referring to FIG. 1 , a space in which a fixed contact 1100 and a movable contact 1200 provided in a DC relay 1000 according to the prior art are in contact with each other is shown. As described above, the permanent magnet 1300 is provided in the space.

영구 자석(1300)은 상측에 위치되는 제1 영구 자석(1310) 및 하측에 위치되는 제2 영구 자석(1320)을 포함한다. The permanent magnet 1300 includes a first permanent magnet 1310 positioned on the upper side and a second permanent magnet 1320 positioned on the lower side.

제1 영구 자석(1310)은 복수 개 구비되어, 제2 영구 자석(1320)을 향하는 각 면의 극성이 다른 극성으로 자화(magnetize)된다. 도 1의 좌측에 위치되는 제1 영구 자석(1310)은 하측이 N극으로, 도 1의 우측에 위치되는 제2 영구 자석(1310)은 하측이 S극으로 자화된다. A plurality of first permanent magnets 1310 are provided, and the polarities of the surfaces facing the second permanent magnets 1320 are magnetized to have different polarities. The lower side of the first permanent magnet 1310 located on the left side of FIG. 1 is an N pole, and the second permanent magnet 1310 located on the right side of FIG. 1 is magnetized with an S pole side.

또한, 제2 영구 자석(1320) 역시 복수 개 구비되어, 제1 영구 자석(1310)을 향하는 각 면의 극성이 다른 극성으로 자화된다. 도 1의 좌측에 위치되는 제2 영구 자석(1320)은 상측이 S극으로, 도 1의 우측에 위치되는 제2 영구 자석(1320)은 상측이 N극으로 자화된다.In addition, a plurality of second permanent magnets 1320 are also provided, so that the polarity of each side facing the first permanent magnet 1310 is magnetized to a different polarity. The upper side of the second permanent magnet 1320 positioned on the left side of FIG. 1 is an S pole, and the second permanent magnet 1320 positioned on the right side of FIG. 1 is magnetized with an upper side with an N pole.

도 1의 (a)는 전류가 좌측의 고정 접점(1100)을 통해 유입되어, 우측의 고정 접점(1100)을 통해 유출되는 상태를 도시한다. 플레밍의 왼손 법칙에 의해, 전자기력은 빗금친 화살표와 같이 형성된다. FIG. 1A illustrates a state in which current flows in through the fixed contact 1100 on the left and flows out through the fixed contact 1100 on the right. According to Fleming's left hand rule, the electromagnetic force is formed like a hatched arrow.

구체적으로, 좌측에 위치되는 고정 접점(1100)의 경우, 전자기력이 외측을 향해 형성된다. 따라서, 해당 위치에서 발생된 아크는 외측으로 배출될 수 있다.Specifically, in the case of the fixed contact 1100 located on the left side, the electromagnetic force is formed toward the outside. Accordingly, the arc generated at the location can be discharged to the outside.

그런데, 우측에 위치되는 고정 접점(1100)의 경우, 전자기력이 내측, 즉 가동 접점(1200)의 중앙 부분을 향해 형성된다. 따라서, 해당 위치에서 발생된 아크는 즉시 외측으로 배출되지 못하게 된다.However, in the case of the fixed contact 1100 located on the right side, the electromagnetic force is formed toward the inner side, that is, the central portion of the movable contact 1200 . Accordingly, the arc generated at the location is not immediately discharged to the outside.

또한, 도 1의 (b)는 전류가 우측의 고정 접점(1100)을 통해 유입되어, 좌측의 고정 접점(1100)을 통해 유출되는 상태를 도시한다. 플레밍의 왼손 법칙에 의해, 전자기력은 빗금친 화살표와 형성된다. Also, FIG. 1B shows a state in which current flows in through the fixed contact 1100 on the right and flows out through the fixed contact 1100 on the left. According to Fleming's left hand rule, an electromagnetic force is formed with a hatched arrow.

구체적으로, 우측에 위치되는 고정 접점(1100)의 경우, 전자기력이 외측을 향해 형성된다. 따라서, 해당 위치에서 발생된 아크는 외측으로 배출될 수 있다.Specifically, in the case of the fixed contact 1100 located on the right side, the electromagnetic force is formed toward the outside. Accordingly, the arc generated at the location can be discharged to the outside.

그런데, 좌측에 위치되는 고정 접점(1100)의 경우, 전자기력이 내측, 즉 가동 접점(1200)의 중앙 부분을 향해 형성된다. 따라서, 해당 위치에서 발생된 아크는 즉시 외측으로 배출되지 못하게 된다. However, in the case of the fixed contact 1100 located on the left side, the electromagnetic force is formed toward the inside, that is, the central portion of the movable contact 1200 . Accordingly, the arc generated at the location is not immediately discharged to the outside.

직류 릴레이(1000)의 중앙 부분, 즉, 각 고정 접점(1100) 사이의 공간에는 가동 접점(1200)을 상하 방향으로 구동시키기 위한 여러 부재들이 구비된다. 일 예로, 샤프트, 샤프트에 관통 삽입되는 스프링 부재 등이 상기 위치에 구비된다. In the central portion of the DC relay 1000 , that is, in the space between each fixed contact 1100 , various members for driving the movable contact 1200 in the vertical direction are provided. For example, a shaft, a spring member inserted through the shaft, etc. is provided at the above position.

따라서, 도 1과 같이 발생된 아크가 중앙 부분을 향해 이동될 경우, 또한 중앙 부분으로 이동된 아크가 즉시 외부로 이동되지 못할 경우 상기 위치에 구비되는 여러 부재들이 아크의 에너지에 의해 손상될 우려가 있다. Therefore, when the arc generated as shown in FIG. 1 is moved toward the central portion, and if the arc moved to the central portion cannot be moved to the outside immediately, there is a risk that various members provided in the position may be damaged by the energy of the arc. have.

또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 직류 릴레이(1000) 내부에서 형성되는 전자기력의 방향은 고정 접점(1200)에 통전되는 전류의 방향에 의존한다. 즉, 각 고정 접점(1100)에서 발생되는 전자기력 중 내측을 향하는 방향으로 형성되는 전자기력의 위치가 전류의 방향에 따라 상이하다.In addition, as shown in FIG. 1 , the direction of the electromagnetic force formed inside the DC relay 1000 according to the prior art depends on the direction of the current flowing through the fixed contact 1200 . That is, the position of the electromagnetic force formed in the inward direction among the electromagnetic forces generated at each fixed contact point 1100 is different depending on the direction of the current.

즉, 사용자는 직류 릴레이를 사용할 때마다 전류의 방향을 고려해야 한다. 이는 직류 릴레이의 사용에 불편함을 초래할 수 있다. 또한, 사용자의 의도와 무관하게, 조작 미숙 등으로 직류 릴레이에 인가되는 전류의 방향이 바뀌는 상황도 배제할 수 없다. In other words, the user must consider the direction of the current whenever using a DC relay. This may cause inconvenience to the use of the DC relay. In addition, regardless of the intention of the user, a situation in which the direction of the current applied to the DC relay is changed due to inexperienced operation or the like cannot be excluded.

이 경우, 발생된 아크에 의해 직류 릴레이의 중앙 부분에 구비된 부재들이 손상될 수 있다. 이에 따라, 직류 릴레이의 내구 연한이 감소됨은 물론, 안전 사고가 발생될 우려가 있다. In this case, the members provided in the central portion of the DC relay may be damaged by the generated arc. Accordingly, the durability life of the DC relay is reduced, and there is a risk that a safety accident may occur.

한국등록특허문헌 제10-1696952호는 직류 릴레이를 개시한다. 구체적으로, 복수 개의 영구 자석을 이용하여, 가동 접점의 이동을 방지할 수 있는 구조의 직류 릴레이를 개시한다. Korean Patent Document No. 10-1696952 discloses a DC relay. Specifically, a DC relay having a structure capable of preventing movement of a movable contact using a plurality of permanent magnets is disclosed.

그런데, 상술한 구조의 직류 릴레이는 복수 개의 영구 자석을 이용하여 가동 접점의 이동을 방지할 수는 있으나, 아크의 배출 경로의 방향을 제어하기 위한 방안에 대한 고찰이 없다는 한계가 있다. However, the DC relay having the above-described structure can prevent movement of the movable contact by using a plurality of permanent magnets, but there is a limitation in that there is no consideration of a method for controlling the direction of the arc discharge path.

한국등록특허문헌 제10-1216824호는 직류 릴레이를 개시한다. 구체적으로, 감쇠 자석을 이용하여 가동 접점과 고정 접점 간의 임의 이격을 방지할 수 있는 구조의 직류 릴레이를 개시한다. Korean Patent Document No. 10-1216824 discloses a DC relay. Specifically, a DC relay having a structure capable of preventing arbitrary separation between a movable contact and a fixed contact using a damping magnet is disclosed.

그러나 상술한 구조의 직류 릴레이는 가동 접점과 고정 접점의 접촉 상태를 유지하기 위한 방안만을 제시한다. 즉, 가동 접점과 고정 접점이 이격될 경우 발생되는 아크의 배출 경로를 형성하기 위한 방안을 제시하지 못한다는 한계가 있다. However, the DC relay having the above-described structure suggests only a method for maintaining the contact state between the movable contact and the fixed contact. That is, there is a limitation in that a method for forming an arc discharge path generated when the movable contact and the fixed contact are spaced apart cannot be proposed.

한국등록특허문헌 제10-1696952호 (2017.01.16.)Korean Patent Document No. 10-1696952 (2017.01.16.) 한국등록특허문헌 제10-1216824호 (2012.12.28.)Korean Patent Document No. 10-1216824 (2012.12.28.)

본 발명은 상술한 문제점을 해결할 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이를 제공함을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an arc path forming unit having a structure capable of solving the above-described problems and a DC relay including the same.

본 발명은 상술한 문제점을 해결할 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이를 제공함을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an arc path forming unit having a structure capable of solving the above-described problems and a DC relay including the same.

먼저, 통전되던 전류가 차단됨에 따라 발생되는 아크를 신속하게 소호 및 배출할 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이를 제공함을 일 목적으로 한다.First, an object of the present invention is to provide an arc path forming unit having a structure capable of rapidly extinguishing and discharging an arc generated as current is cut off and a DC relay including the same.

또한, 발생된 아크를 유도하기 위한 힘의 크기를 강화할 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이를 제공함을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an arc path forming unit having a structure capable of strengthening the magnitude of the force for inducing the generated arc, and a DC relay including the same.

또한, 발생된 아크에 의해 통전을 위한 구성 요소의 손상이 방지될 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이를 제공함을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an arc path forming unit having a structure that can prevent damage to components for energization by the generated arc and a DC relay including the same.

또한, 복수 개의 위치에서 발생된 아크가 서로 만나지 않게 진행될 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이를 제공함을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an arc path forming unit having a structure in which arcs generated at a plurality of positions can proceed without meeting each other, and a DC relay including the same.

또한, 과다한 설계 변경 없이도 상술한 목적을 달성할 수 있는 구조의 아크 경로 형성부 및 이를 포함하는 직류 릴레이를 제공함을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an arc path forming unit having a structure capable of achieving the above object without excessive design changes and a DC relay including the same.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임; 상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열(Halbach array)을 포함하며, 상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고, 상기 자석 프레임은, 상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및 상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고, 상기 할바흐 배열은, 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 제1 할바흐 배열; 및 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 제2 할바흐 배열을 포함하며, 상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나 이상과 각각 겹쳐지게 배치되는 아크 경로 형성부를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, a magnetic frame formed with a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein; It is located in the space portion of the magnet frame, and includes a Halbach array for forming a magnetic field in the space portion, wherein the space portion is formed to have a length in one direction longer than a length in the other direction, and the magnet The frame may include first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and enclosing the remaining part of the space, the Halbach arrangement silver, a first Halbach arrangement arranged side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface; and a second Halbach arrangement disposed side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface, wherein The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement provide an arc path forming unit which is disposed to respectively overlap any one or more of the plurality of fixed contacts along the other direction.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열과 상기 제2 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, each surface of the first and second Halbach arrays of the arc path forming part facing each other may be magnetized to have the same polarity.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하고, 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함할 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement of the arc path forming unit may include a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and a first block positioned between the second block and the third block, wherein the second Halbach arrangement is a second that is biased toward the one of the third surface and the fourth surface. block; a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces; and a first block positioned between the second block and the third block.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, the first block of the first Halbach arrangement and the first block of the second Halbach arrangement of the arc path forming unit may be magnetized to have the same polarity as each surface facing each other.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록; 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 사이에 위치되는 제4 블록; 및 상기 제1 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제5 블록을 포함하고, 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록; 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 사이에 위치되는 제4 블록; 및 상기 제1 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제5 블록을 포함할 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement of the arc path forming unit may include a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; a first block positioned between the second block and the third block; a fourth block positioned between the first block and the second block; and a fifth block positioned between the first block and the third block, wherein the second Halbach arrangement is a second that is biased toward the one of the third surface and the fourth surface. block; a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces; a first block positioned between the second block and the third block; a fourth block positioned between the first block and the second block; and a fifth block positioned between the first block and the third block.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되고, 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제2 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제2 블록이 서로 마주하는 각 면은, 상기 극성과 다른 극성으로 자화되며, 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제3 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제3 블록이 서로 마주하는 각 면은, 상기 다른 극성으로 자화될 수 있다.In addition, each surface of the first block of the first Halbach arrangement of the arc path forming unit and the first block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity, and the first Halbach arrangement Each side of the second block of the arrangement and the second block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with a polarity different from the polarity, the third block of the first Halbach arrangement and the second block Each side of the third block of the Halbach arrangement facing each other may be magnetized with the different polarity.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하고, 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록; 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 사이에 위치되는 제4 블록; 및 상기 제1 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제5 블록을 포함하며, 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치될 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement of the arc path forming unit may include a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and a first block positioned between the second block and the third block, wherein the second Halbach arrangement is a second that is biased toward the one of the third surface and the fourth surface. block; a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces; a first block positioned between the second block and the third block; a fourth block positioned between the first block and the second block; and a fifth block positioned between the first block and the third block, wherein the first Halbach arrangement may be positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되고, 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제2 블록이 상기 제1 할바흐 배열을 마주하는 면 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제3 블록이 상기 제1 할바흐 배열을 마주하는 각 면은, 상기 극성과 다른 극성으로 자화될 수 있다.In addition, each surface of the first block of the first Halbach arrangement of the arc path forming unit and the first block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity, and the second Halbach The side of the second block of arrangement facing the first Halbach arrangement and the side of the third block of the second Halbach arrangement facing the first Halbach arrangement are each magnetized with a polarity different from the polarity can be

또한, 본 발명은, 내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임; 상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며, 상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고, 상기 자석 프레임은, 상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및 상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고, 상기 할바흐 배열은, 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 및 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열을 포함하는 아크 경로 형성부를 제공한다.In addition, the present invention, the magnet frame is formed with a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein; It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement for forming a magnetic field in the space portion, the space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction, the magnet frame, the first and second surfaces extending in one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and enclosing the remaining part of the space, the Halbach arrangement Silver is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to any one of the first surface and the second surface, and the third surface and the fourth surface a first Halbach arrangement positioned to be biased toward any one of the faces; and a plurality of blocks disposed side by side in the one direction and formed of a magnetic material, disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and the third surface and the fourth surface It provides an arc path forming unit including a second Halbach arrangement that is located biased to the other surface of the.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, each surface of the first and second Halbach arrangement of the arc path forming unit facing each other may be magnetized to have the same polarity.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라, 상기 제2 할바흐 배열과 겹쳐지게 배치되는 제1 블록; 및 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록을 포함하고, 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라, 상기 제1 할바흐 배열과 겹쳐지게 배치되는 제1 블록; 및 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록을 포함할 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement of the arc path forming unit, along the other direction, a first block arranged to overlap the second Halbach arrangement; and a second block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface, wherein the second Halbach arrangement overlaps the first Halbach arrangement along the other direction. a first block disposed; and a second block positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, the first block of the first Halbach arrangement and the first block of the second Halbach arrangement of the arc path forming unit may be magnetized to have the same polarity as each surface facing each other.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하고, 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하며, 상기 제1 할바흐 배열은, 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나와 상기 타 방향을 따라 겹쳐지게 배치되고, 상기 제2 할바흐 배열은, 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 다른 하나와 상기 타 방향을 따라 겹쳐지게 배치될 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement of the arc path forming unit may include: a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces; and a first block positioned between the second block and the third block, wherein the second Halbach arrangement is a second one that is biased toward the other one of the third surface and the fourth surface. block; a third block positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface; and a first block positioned between the second block and the third block, wherein the first Halbach arrangement is disposed to overlap with any one of the plurality of fixed contacts along the other direction, The 2 Halbach arrangement may be arranged to overlap with another one of the plurality of fixed contacts in the other direction.

또한, 상기 아크 경로 형성부는, 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, the arc path forming unit may include a surface facing the space among the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement and each surface facing the space among the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement, They can be magnetized with the same polarity.

또한, 본 발명은, 내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임; 상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며, 상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고, 상기 자석 프레임은, 상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및 상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고, 상기 할바흐 배열은, 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하며, 상기 할바흐 배열은 복수 개 구비되어, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 어느 하나 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되고, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 다른 둘 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 아크 경로 형성부를 제공한다.In addition, the present invention, the magnet frame is formed with a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein; It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement for forming a magnetic field in the space portion, the space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction, the magnet frame, the first and second surfaces extending in one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and enclosing the remaining part of the space, the Halbach arrangement is arranged side by side in the one direction and includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, and the Halbach arrangement is provided in plurality, so that at least one of the plurality of Halbach arrangements is the first surface and the second surface. Provided is an arc path forming part disposed adjacent to any one of the two surfaces, and the other two or more of the plurality of Halbach arrays being disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 상기 어느 하나 이상의 상기 할바흐 배열과, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 상기 둘 이상의 상기 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, the at least one Halbach arrangement disposed adjacent to any one of the first surface and the second surface of the arc path forming part, and the other one of the first surface and the second surface Each side of the two or more Halbach arrays disposed adjacent to each other facing each other may be magnetized with the same polarity.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 복수 개의 상기 할바흐 배열은, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열; 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 할바흐 배열; 및 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제4 할바흐 배열을 포함할 수 있다. In addition, the plurality of Halbach arrangement of the arc path forming part is located adjacent to any one of the first surface and the second surface, and any one surface of the third surface and the fourth surface a first Halbach arrangement located biased to ; a second Halbach arrangement positioned adjacent to one of the first and second surfaces, and biased toward the other of the third and fourth surfaces; a third Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface; and a fourth Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first and second surfaces, and positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces. have.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열, 상기 제2 할바흐 배열, 상기 제3 할바흐 배열 및 상기 제4 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 각각 포함할 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement, the second Halbach arrangement, the third Halbach arrangement, and the fourth Halbach arrangement of the arc path forming unit is any one surface of the third surface and the fourth surface a second block positioned to be biased toward; a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and a first block positioned between the second block and the third block, respectively.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제3 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 같은 극성으로 자화되고, 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제4 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 상기 극성과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, among the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement of the arc path forming part, a surface facing the space portion and a surface facing the space portion among the surfaces of the first block of the third Halbach arrangement have the same polarity, respectively. and a surface facing the space of the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement and a surface facing the space of the surfaces of the first block of the fourth Halbach arrangement have the same polarity as the polarity, respectively. can be magnetized to

또한, 상기 아크 경로 형성부의 복수 개의 상기 할바흐 배열은, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열; 및 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 할바흐 배열을 포함하며, 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the plurality of Halbach arrangement of the arc path forming part is located adjacent to any one of the first surface and the second surface, and any one surface of the third surface and the fourth surface a first Halbach arrangement located biased to ; a second Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; and a third Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface, wherein The first Halbach arrangement may be arranged to overlap any one of the second Halbach arrangement and the third Halbach arrangement along the other direction.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열, 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 각각 포함할 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement, the second Halbach arrangement, and the third Halbach arrangement of the arc path forming part is a second block located biased to any one of the third surface and the fourth surface ; a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and a first block positioned between the second block and the third block, respectively.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면, 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제3 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, among the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement of the arc path forming part, a surface facing the space portion, a surface facing the space portion among the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement, and the third Among the surfaces of the first block of the Halbach arrangement, the surfaces facing the space may be magnetized with the same polarity.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 복수 개의 상기 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열; 및 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 할바흐 배열을 포함하며, 상기 제1 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열과 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다.In addition, the plurality of the Halbach arrangement of the arc path forming unit, the first Halbach arrangement that is located biased to any one of the third surface and the fourth surface; a second Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; and a third Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface, wherein The first Halbach arrangement may be arranged to overlap the second Halbach arrangement and the third Halbach arrangement along the other direction, respectively.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열, 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열은, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록; 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및 상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 각각 포함할 수 있다.In addition, the first Halbach arrangement, the second Halbach arrangement, and the third Halbach arrangement of the arc path forming part is a second block located biased to any one of the third surface and the fourth surface ; a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and a first block positioned between the second block and the third block, respectively.

또한, 상기 아크 경로 형성부의 상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면, 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제3 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 같은 극성으로 자화될 수 있다.In addition, among the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement of the arc path forming part, a surface facing the space portion, a surface facing the space portion among the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement, and the third Among the surfaces of the first block of the Halbach arrangement, the surfaces facing the space may be magnetized with the same polarity.

또한, 본 발명은, 복수 개 구비되어, 일 방향으로 서로 이격되어 위치되는 고정 접촉자; 상기 고정 접촉자에 접촉되거나 이격되는 가동 접촉자; 내부에 상기 고정 접촉자 및 상기 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임; 상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며, 상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고, 상기 자석 프레임은, 상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및 상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고, 상기 할바흐 배열은, 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 제1 할바흐 배열; 및 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 제2 할바흐 배열을 포함하며, 상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나 이상과 각각 겹쳐지게 배치되고, 상기 제1 할바흐 배열과 상기 제2 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되는 직류 릴레이를 제공한다.In addition, the present invention is provided with a plurality of fixed contacts that are spaced apart from each other in one direction; a movable contact contacting or spaced apart from the fixed contact; a magnet frame having a space in which the fixed contact and the movable contact are accommodated; It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement for forming a magnetic field in the space portion, the space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction, the magnet frame, the first and second surfaces extending in one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and enclosing the remaining part of the space, the Halbach arrangement silver, a first Halbach arrangement arranged side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface; and a second Halbach arrangement disposed side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface, wherein The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are arranged to overlap any one or more of the plurality of fixed contacts along the other direction, respectively, and the first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are mutually Each side facing each other provides a DC relay that is magnetized to the same polarity.

또한, 본 발명은, 복수 개 구비되어, 일 방향으로 서로 이격되어 위치되는 고정 접촉자; 상기 고정 접촉자에 접촉되거나 이격되는 가동 접촉자; 내부에 상기 고정 접촉자 및 상기 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임; 상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며, 상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고, 상기 자석 프레임은, 상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및 상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고, 상기 할바흐 배열은, 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 및 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열을 포함하며, 상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되는 직류 릴레이를 제공한다.In addition, the present invention is provided with a plurality of fixed contacts that are spaced apart from each other in one direction; a movable contact contacting or spaced apart from the fixed contact; a magnet frame having a space in which the fixed contact and the movable contact are accommodated; It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement for forming a magnetic field in the space portion, the space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction, the magnet frame, the first and second surfaces extending in one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and enclosing the remaining part of the space, the Halbach arrangement Silver is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to any one of the first surface and the second surface, and the third surface and the fourth surface a first Halbach arrangement positioned to be biased toward any one of the faces; and a plurality of blocks disposed side by side in the one direction and formed of a magnetic material, disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and the third surface and the fourth surface It includes a second Halbach arrangement that is biased to the other one of the faces, and each face of the first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement facing each other provides a DC relay magnetized with the same polarity. .

또한, 본 발명은, 복수 개 구비되어, 일 방향으로 서로 이격되어 위치되는 고정 접촉자; 상기 고정 접촉자에 접촉되거나 이격되는 가동 접촉자; 내부에 상기 고정 접촉자 및 상기 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임; 상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며, 상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고, 상기 자석 프레임은, 상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및 상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고, 상기 할바흐 배열은, 상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하며, 상기 할바흐 배열은 복수 개 구비되어, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 어느 하나 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되고, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 다른 둘 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 상기 어느 하나 이상의 상기 할바흐 배열과, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 상기 둘 이상의 상기 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. In addition, the present invention is provided with a plurality of fixed contacts that are spaced apart from each other in one direction; a movable contact contacting or spaced apart from the fixed contact; a magnet frame having a space in which the fixed contact and the movable contact are accommodated; It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement for forming a magnetic field in the space portion, the space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction, the magnet frame, the first and second surfaces extending in one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and enclosing the remaining part of the space, the Halbach arrangement is arranged side by side in the one direction and includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, and the Halbach arrangement is provided in plurality, so that at least one of the plurality of Halbach arrangements is the first surface and the second surface. disposed adjacent to any one of two surfaces, and at least two other of the plurality of Halbach arrays are disposed adjacent to the other one of the first and second surfaces, the first surface and the second surface The at least one Halbach arrangement disposed adjacent to the any one of the second faces, and the at least two Halbach arrays disposed adjacent to the other one of the first face and the second face Each side of the array facing each other may be magnetized with the same polarity.

본 발명의 실시 예에 따르면, 다음과 같은 효과가 달성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the following effects can be achieved.

먼저, 아크 경로 형성부는 할바흐 배열을 포함한다. 할바흐 배열은 각각 아크 경로 형성부의 내부에 자기장을 형성한다. 형성된 자기장은 아크 경로 형성부에 수용되는 고정 접촉자 및 가동 접촉자에 통전되던 전류와 함께 전자기력을 형성한다. First, the arc path forming unit includes a Halbach arrangement. Each of the Halbach arrays forms a magnetic field inside the arc path forming part. The formed magnetic field forms an electromagnetic force together with the current passed through the fixed contactor and the movable contactor accommodated in the arc path forming unit.

이때, 발생된 아크는 각 고정 접촉자에서 멀어지는 방향으로 형성된다. 고정 접촉자와 가동 접촉자가 이격되어 발생된 아크는, 상기 전자기력에 의해 유도될 수 있다. At this time, the generated arc is formed in a direction away from each fixed contact. The arc generated by the fixed contact and the movable contact being spaced apart may be induced by the electromagnetic force.

이에 따라, 발생된 아크가 아크 경로 형성부 및 직류 릴레이의 외부로 신속하게 소호 및 배출될 수 있다. Accordingly, the generated arc can be quickly extinguished and discharged to the outside of the arc path forming unit and the DC relay.

또한, 아크 경로 형성부는 할바흐 배열을 포함한다. 할바흐 배열은, 일 방향으로 나란하게 배치되는 복수 개의 자성체를 포함한다. 복수 개의 자성체는 상기 일 방향과 다른 타 방향의 양측 중 어느 한 측의 자기장의 세기를 더욱 강화할 수 있다. Also, the arc path forming section includes a Halbach arrangement. The Halbach array includes a plurality of magnetic materials that are arranged side by side in one direction. The plurality of magnetic materials may further strengthen the strength of the magnetic field on either side of both sides of the one direction and the other direction.

이때, 할바흐 배열은 상기 한 측, 즉 자기장의 세기가 강화되는 방향이 아크 경로 형성부의 공간부를 향하게 배치된다. 즉, 할바흐 배열에 의해, 공간부 내부에 형성되는 자기장의 세기가 강화될 수 있다.At this time, in the Halbach arrangement, the one side, that is, the direction in which the strength of the magnetic field is strengthened, is disposed toward the space portion of the arc path forming unit. That is, by the Halbach arrangement, the strength of the magnetic field formed inside the space may be strengthened.

이에 따라, 자기장의 세기에 의존하는 전자기력의 세기 또한 강화될 수 있다. 결과적으로, 발생된 아크를 유도하는 전자기력의 세기가 강화되어, 발생된 아크가 효과적으로 소호 및 배출될 수 있다.Accordingly, the strength of the electromagnetic force that depends on the strength of the magnetic field may also be strengthened. As a result, the intensity of the electromagnetic force that induces the generated arc is strengthened, so that the generated arc can be effectively extinguished and discharged.

또한, 할바흐 배열이 형성하는 자기장 및 고정 접촉자와 가동 접촉자에 통전되던 전류가 형성하는 전자기력의 방향은, 중심부에서 멀어지는 방향으로 형성된다. In addition, the direction of the electromagnetic force formed by the magnetic field formed by the Halbach arrangement and the current passed through the fixed contact and the movable contact is formed in a direction away from the center.

더 나아가, 상술한 바와 같이 할바흐 배열에 의해 자기장 및 전자기력의 세기가 강화되므로, 발생된 아크가 중심부에서 멀어지는 방향으로 신속하게 소호 및 이동될 수 있다. Furthermore, as described above, since the strength of the magnetic field and electromagnetic force is strengthened by the Halbach arrangement, the arc generated can be extinguished and moved quickly in a direction away from the center.

따라서, 직류 릴레이의 작동을 위해 중심부 부근에 구비되는 각종 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다.Accordingly, damage to various components provided near the center for the operation of the DC relay can be prevented.

또한, 다양한 실시 예에서, 고정 접촉자는 복수 개 구비될 수 있다. 아크 경로 형성부에 구비되는 할바흐 배열은 각 고정 접촉자 부근에 서로 다른 방향의 자기장을 형성한다. 따라서, 각 고정 접촉자 부근에서 발생된 아크의 경로는 서로 다른 방향을 향해 진행된다.Also, in various embodiments, a plurality of fixed contacts may be provided. The Halbach arrangement provided in the arc path forming unit forms magnetic fields in different directions in the vicinity of each fixed contactor. Accordingly, the paths of arcs generated in the vicinity of each stationary contact proceed in different directions.

따라서, 각 고정 접촉자 부근에서 발생된 아크가 서로 만나지 않게 된다. 이에 따라, 서로 다른 위치에서 발생된 아크의 충돌에 의해 발생될 수 있는 오동작 또는 안전 사고 등이 예방될 수 있다.Accordingly, arcs generated in the vicinity of each fixed contact do not meet each other. Accordingly, a malfunction or a safety accident that may be caused by the collision of arcs generated at different positions may be prevented.

또한, 상술한 목적 및 효과를 달성하기 위해, 아크 경로 형성부는 공간부에 구비되는 할바흐 배열을 포함한다. 할바흐 배열은 공간부를 둘러싸는 자석 프레임의 각 면에 내측에 위치된다. 즉, 할바흐 배열을 공간부의 외부에 배치하기 위한 별도의 설계 변경이 요구되지 않는다. In addition, in order to achieve the above object and effect, the arc path forming unit includes a Halbach arrangement provided in the space portion. The Halbach arrangement is located inwardly on each side of the magnet frame surrounding the space. That is, a separate design change for disposing the Halbach arrangement outside the space is not required.

따라서, 과다한 설계 변경 없이도, 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 아크 경로 형성부가 직류 릴레이에 구비될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 적용하기 위한 시간 및 비용 등이 절감될 수 있다.Accordingly, the arc path forming unit according to various embodiments of the present disclosure may be provided in the DC relay without excessive design change. Accordingly, time and cost for applying the arc path forming unit according to various embodiments of the present invention may be reduced.

도 1은 종래 기술에 따른 직류 릴레이를 도시하는 개념도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 직류 릴레이를 도시하는 사시도이다.
도 3은 도 2의 직류 릴레이의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 2의 직류 릴레이에 구비되는 아크 경로 형성부를 도시하는 개방 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 6은 도 5의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 9는 도 7 및 도 8의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
도 10은 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 11은 도 10의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
도 12 내지 도 15는 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 16은 도 12 내지 도 15의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
도 17 및 도 18은 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 19는 도 17 및 도 18의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
도 20 및 도 21은 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 22는 도 20 및 도 21의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
도 23은 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 24는 도 23의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
도 25 내지 도 28은 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부를 도시하는 개념도이다.
도 29는 도 25 내지 도 28의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부에 의해 형성되는 자기장 및 아크의 경로를 도시하는 개념도이다.
1 is a conceptual diagram illustrating a DC relay according to the prior art.
2 is a perspective view illustrating a DC relay according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of the DC relay of Fig. 2;
4 is an open perspective view illustrating an arc path forming unit provided in the DC relay of FIG. 2 .
5 is a conceptual diagram illustrating an arc path forming unit according to an embodiment of the present invention.
6 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiment of FIG. 5 .
7 and 8 are conceptual views illustrating an arc path forming unit according to another embodiment of the present invention.
9 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiments of FIGS. 7 and 8 .
10 is a conceptual diagram illustrating an arc path forming unit according to another embodiment of the present invention.
11 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiment of FIG. 10 .
12 to 15 are conceptual views illustrating an arc path forming unit according to another embodiment of the present invention.
16 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiment of FIGS. 12 to 15 .
17 and 18 are conceptual views illustrating an arc path forming unit according to another embodiment of the present invention.
19 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiments of FIGS. 17 and 18 .
20 and 21 are conceptual views illustrating an arc path forming unit according to another embodiment of the present invention.
22 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiment of FIGS. 20 and 21 .
23 is a conceptual diagram illustrating an arc path forming unit according to another embodiment of the present invention.
24 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiment of FIG. 23 .
25 to 28 are conceptual views illustrating an arc path forming unit according to another embodiment of the present invention.
29 is a conceptual diagram illustrating a path of a magnetic field and an arc formed by the arc path forming unit according to the embodiment of FIGS. 25 to 28 .

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800) 및 이를 포함하는 직류 릴레이(1)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path forming unit 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800 and the DC relay 1 including the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. .

이하의 설명에서는 본 발명의 특징을 명확하게 하기 위해, 일부 구성 요소들에 대한 설명이 생략될 수 있다.In the following description, in order to clarify the characteristics of the present invention, descriptions of some components may be omitted.

1. 용어의 정의1. Definition of terms

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but it is understood that other components may exist in between. it should be

반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle.

본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. As used herein, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 설명에서 사용되는 "자화(magnetize)"라는 용어는 자기장 안에서 어떤 물체가 자성을 띠게 되는 현상을 의미한다. The term “magnetize” used in the following description refers to a phenomenon in which an object becomes magnetic in a magnetic field.

이하의 설명에서 사용되는 "극성(polarity)"이라는 용어는 전극의 양극과 음극 등이 가지고 있는 서로 다른 성질을 의미한다. 일 실시 예에서, 극성은 N극 또는 S극으로 구분될 수 있다. The term “polarity” used in the following description refers to different properties of an anode and a cathode of an electrode. In an embodiment, the polarity may be divided into an N pole or an S pole.

이하의 설명에서 사용되는 "통전(electric current)"이라는 용어는, 두 개 이상의 부재가 전기적으로 연결되는 상태를 의미한다. The term “electric current” used in the following description refers to a state in which two or more members are electrically connected.

이하의 설명에서 사용되는 "아크의 경로(arc path, A.P)"라는 용어는, 발생된 아크가 이동, 또는 소호되며 이동되는 경로를 의미한다. The term "arc path (AP)" used in the following description means a path through which the generated arc is moved or extinguished.

이하의 도면에 도시된 "⊙"은 전류가 가동 접촉자(43)에서 고정 접촉자(22)를 향해 흐르는 방향(즉, 상측 방향), 즉 지면에서 나오는 방향으로 흐름을 의미한다."⊙" shown in the following drawings means a direction in which the current flows from the movable contact 43 toward the fixed contact 22 (ie, upward direction), that is, in a direction coming out of the ground.

이하의 도면에 도시된 "ⓧ"은 전류가 고정 접촉자(22)에서 가동 접촉자(43)를 향해 흐르는 방향(즉, 하측 방향), 즉 지면을 뚫고 들어가는 방향을 의미한다."ⓧ" shown in the following drawings means a direction in which current flows from the fixed contactor 22 toward the movable contactor 43 (ie, downward direction), that is, a direction that penetrates the ground.

이하의 설명에서 사용되는 "할바흐 배열(Halbach Array)"이라는 용어는 복수 개의 자성체가 나란하게 배치되어 행(column) 또는 열(row)로 구성된 집합체를 의미한다. The term “Halbach Array” used in the following description refers to an aggregate composed of a plurality of magnetic materials arranged side by side and configured in a column or a row.

할바흐 배열을 구성하는 복수 개의 자성체는 소정의 규칙에 따라 배치될 수 있다. 복수 개의 자성체는 자체적으로, 또는 서로 간에 자기장을 형성할 수 있다.A plurality of magnetic materials constituting the Halbach arrangement may be arranged according to a predetermined rule. The plurality of magnetic materials may form a magnetic field on their own or with each other.

할바흐 배열은 상대적으로 긴 두 개의 면과, 상대적으로 짧은 나머지 두 개의 면을 포함한다. 할바흐 배열을 구성하는 자성체에 의해 형성되는 자기장은, 상기 긴 두 개의 면 중 어느 하나의 면의 외측에 더 강한 세기로 형성될 수 있다. The Halbach arrangement contains two relatively long faces and the other two relatively short faces. The magnetic field formed by the magnetic material constituting the Halbach arrangement may be formed with a stronger intensity on the outside of any one of the two long surfaces.

이하의 설명에서는, 할바흐 배열에 의해 형성되는 자기장 중 공간부(115, 215, 315, 415, 515, 615, 715, 815)를 향하는 방향의 자기장의 세기가 더 강하게 형성됨을 전제하여 설명한다. In the following description, it is assumed that the strength of the magnetic field in the direction toward the space portions 115 , 215 , 315 , 415 , 515 , 615 , 715 , and 815 is stronger among the magnetic fields formed by the Halbach arrangement.

본 발명의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)에 의해 형성되는 자기장은 각 도면에서 1점 쇄선으로 도시된다.The magnetic field formed by the arc path forming unit 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 , 800 according to an embodiment of the present invention is shown by a dashed dotted line in each figure.

이하의 설명에서 사용되는 "좌측", "우측", "상측", "하측", "전방 측" 및 "후방 측"이라는 용어는 도 2에 도시된 좌표계를 참조하여 이해될 것이다. The terms “left”, “right”, “top”, “bottom”, “front side” and “rear side” used in the following description will be understood with reference to the coordinate system shown in FIG. 2 .

2. 본 발명의 실시 예에 따른 직류 릴레이(1)의 구성의 설명2. Description of the configuration of the DC relay 1 according to the embodiment of the present invention

도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 직류 릴레이(1)는 프레임부(10), 개폐부(20), 코어부(30) 및 가동 접촉자부(40)를 포함한다. 2 to 4 , the DC relay 1 according to an embodiment of the present invention includes a frame part 10 , an opening/closing part 20 , a core part 30 , and a movable contact part 40 .

또한, 도 5 내지 도 29를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 직류 릴레이(1)는 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)를 포함한다. 5 to 29 , the DC relay 1 according to the embodiment of the present invention includes arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 , and 800 .

아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 발생된 아크의 배출 경로를 형성할 수 있다. The arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 , and 800 may form a discharge path of the generated arc.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 직류 릴레이(1)의 각 구성을 설명하되, 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 별항으로 설명한다. Hereinafter, each configuration of the DC relay 1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings, but the arc path forming unit 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800 is a separate clause. explained as

이하에서 설명되는 다양한 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 직류 릴레이(Direct current relay)(1)에 구비됨을 전제로 설명된다. The arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 , and 800 according to various embodiments to be described below are described on the assumption that the direct current relay 1 is provided.

다만, 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 전자 접촉기(Magnetic Contactor), 전자 개폐기(Magnetic Switch) 등 고정 접점 및 가동 접점의 접촉 및 이격에 의해 외부와 통전 및 통전 해제될 수 있는 형태의 장치에 적용될 수 있음이 이해될 것이다.However, the arc path forming unit 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800 is external by contact and separation of fixed and movable contacts such as magnetic contactors and magnetic switches. It will be understood that the present invention is applicable to devices of a type capable of being energized and de-energized.

(1) 프레임부(10)의 설명(1) Description of the frame part 10

프레임부(10)는 직류 릴레이(1)의 외측을 형성한다. 프레임부(10)의 내부에는 소정의 공간이 형성된다. 상기 공간에는 직류 릴레이(1)가 외부에서 전달되는 전류를 인가하거나 차단하기 위한 기능을 수행하는 다양한 장치들이 수용될 수 있다. The frame part 10 forms the outside of the DC relay 1 . A predetermined space is formed inside the frame part 10 . Various devices that perform a function for the DC relay 1 to apply or block an externally transmitted current may be accommodated in the space.

즉, 프레임부(10)는 일종의 하우징으로 기능된다. That is, the frame part 10 functions as a kind of housing.

프레임부(10)는 합성 수지 등의 절연성 소재로 형성될 수 있다. 프레임부(10)의 내부와 외부가 임의로 통전되는 것을 방지하기 위함이다. The frame part 10 may be formed of an insulating material such as synthetic resin. This is to prevent arbitrarily energizing the inside and outside of the frame part 10 .

프레임부(10)는 상부 프레임(11), 하부 프레임(12), 절연 플레이트(13) 및 지지 플레이트(14)를 포함한다. The frame part 10 includes an upper frame 11 , a lower frame 12 , an insulating plate 13 , and a support plate 14 .

상부 프레임(11)은 프레임부(10)의 상측을 형성한다. 상부 프레임(11)의 내부에는 소정의 공간이 형성된다. The upper frame 11 forms the upper side of the frame part 10 . A predetermined space is formed inside the upper frame 11 .

상부 프레임(11)의 내부 공간에는 개폐부(20) 및 가동 접촉자부(40)가 수용될 수 있다. 또한, 상부 프레임(11)의 내부 공간에는 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)가 수용될 수 있다. The opening/closing part 20 and the movable contact part 40 may be accommodated in the inner space of the upper frame 11 . Also, the arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 and 800 may be accommodated in the inner space of the upper frame 11 .

상부 프레임(11)은 하부 프레임(12)과 결합될 수 있다. 상부 프레임(11)과 하부 프레임(12) 사이의 공간에는 절연 플레이트(13) 및 지지 플레이트(14)가 구비될 수 있다. The upper frame 11 may be coupled to the lower frame 12 . An insulating plate 13 and a support plate 14 may be provided in a space between the upper frame 11 and the lower frame 12 .

상부 프레임(11)의 일측, 도시된 실시 예에서 상측에는 개폐부(20)의 고정 접촉자(22)가 위치된다. 고정 접촉자(22)는 상부 프레임(11)의 상측에 일부가 노출되어, 외부의 전원 또는 부하와 통전 가능하게 연결될 수 있다. The fixed contact 22 of the opening and closing part 20 is located on one side of the upper frame 11, and on the upper side in the illustrated embodiment. The fixed contact 22 is partially exposed on the upper side of the upper frame 11 , and may be electrically connected to an external power source or load.

이를 위해, 상부 프레임(11)의 상측에는 고정 접촉자(22)가 관통 결합되는 관통공이 형성될 수 있다. To this end, a through hole through which the fixed contact 22 is coupled may be formed in the upper side of the upper frame 11 .

하부 프레임(12)은 프레임부(10)의 하측을 형성한다. 하부 프레임(12)의 내부에는 소정의 공간이 형성된다. 하부 프레임(12)의 내부 공간에는 코어부(30)가 수용될 수 있다. The lower frame 12 forms the lower side of the frame portion 10 . A predetermined space is formed inside the lower frame 12 . The core part 30 may be accommodated in the inner space of the lower frame 12 .

하부 프레임(12)은 상부 프레임(11)과 결합될 수 있다. 하부 프레임(12)과 상부 프레임(11) 사이의 공간에는 절연 플레이트(13) 및 지지 플레이트(14)가 구비될 수 있다. The lower frame 12 may be coupled to the upper frame 11 . An insulating plate 13 and a support plate 14 may be provided in a space between the lower frame 12 and the upper frame 11 .

절연 플레이트(13) 및 지지 플레이트(14)는 상부 프레임(11)의 내부 공간과 하부 프레임(12)의 내부 공간을 전기적 및 물리적으로 분리한다. The insulating plate 13 and the supporting plate 14 electrically and physically separate the inner space of the upper frame 11 and the inner space of the lower frame 12 .

절연 플레이트(13)는 상부 프레임(11)과 하부 프레임(12) 사이에 위치된다. 절연 플레이트(13)는 상부 프레임(11)과 하부 프레임(12)을 전기적으로 이격시킨다. 이를 위해, 절연 플레이트(13)는 합성 수지 등 절연성 소재로 형성될 수 있다. The insulating plate 13 is positioned between the upper frame 11 and the lower frame 12 . The insulating plate 13 electrically separates the upper frame 11 and the lower frame 12 from each other. To this end, the insulating plate 13 may be formed of an insulating material such as synthetic resin.

절연 플레이트(13)에 의해, 상부 프레임(11) 내부에 수용된 개폐부(20), 가동 접촉자부(40) 및 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)와 하부 프레임(12) 내부에 수용된 코어부(30) 간의 임의 통전이 방지될 수 있다. The opening/closing part 20, the movable contact part 40 and the arc path forming part 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800 accommodated in the upper frame 11 by the insulating plate 13 and Any current between the core part 30 accommodated in the lower frame 12 can be prevented.

절연 플레이트(13)의 중심부에는 관통공(미도시)이 형성된다. 상기 관통공(미도시)에는 가동 접촉자부(40)의 샤프트(44)가 상하 방향으로 이동 가능하게 관통 결합된다. A through hole (not shown) is formed in the center of the insulating plate 13 . The shaft 44 of the movable contact part 40 is coupled through the through hole (not shown) to be movable in the vertical direction.

절연 플레이트(13)의 하측에는 지지 플레이트(14)가 위치된다. 절연 플레이트(13)는 지지 플레이트(14)에 의해 지지될 수 있다. A support plate 14 is positioned below the insulating plate 13 . The insulating plate 13 may be supported by the support plate 14 .

지지 플레이트(14)는 상부 프레임(11)과 하부 프레임(12) 사이에 위치된다. The support plate 14 is positioned between the upper frame 11 and the lower frame 12 .

지지 플레이트(14)는 상부 프레임(11)과 하부 프레임(12)을 물리적으로 이격시킨다. 또한, 지지 플레이트(14)는 절연 플레이트(13)를 지지한다. The support plate 14 physically separates the upper frame 11 and the lower frame 12 . In addition, the support plate 14 supports the insulating plate 13 .

지지 플레이트(14)는 자성체로 형성될 수 있다. 따라서, 지지 플레이트(14)는 코어부(30)의 요크(33)와 함께 자로(magnetic circuit)를 형성할 수 있다. 상기 자로에 의해, 코어부(30)의 가동 코어(32)가 고정 코어(31)를 향해 이동되기 위한 구동력이 형성될 수 있다. The support plate 14 may be formed of a magnetic material. Accordingly, the support plate 14 may form a magnetic circuit together with the yoke 33 of the core part 30 . The magnetic path may generate a driving force for moving the movable core 32 of the core part 30 toward the fixed core 31 .

지지 플레이트(14)의 중심부에는 관통공(미도시)이 형성된다. 상기 관통공(미도시)에는 샤프트(44)가 상하 방향으로 이동 가능하게 관통 결합된다. A through hole (not shown) is formed in the center of the support plate 14 . The shaft 44 is coupled through the through hole (not shown) to be movable in the vertical direction.

따라서, 가동 코어(32)가 고정 코어(31)를 향하는 방향 또는 고정 코어(31)에서 이격되는 방향으로 이동될 경우, 샤프트(44) 및 샤프트(44)에 연결된 가동 접촉자(43) 또한 같은 방향으로 함께 이동될 수 있다. Accordingly, when the movable core 32 is moved in a direction toward the fixed core 31 or in a direction spaced apart from the fixed core 31 , the shaft 44 and the movable contact 43 connected to the shaft 44 are also moved in the same direction. can be moved together.

(2) 개폐부(20)의 설명(2) Description of the opening/closing part 20

개폐부(20)는 코어부(30)의 동작에 따라 전류의 통전을 허용하거나 차단한다. 구체적으로, 개폐부(20)는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 접촉되거나 이격되어 전류의 통전을 허용하거나 차단할 수 있다. The opening/closing unit 20 permits or blocks current flow according to the operation of the core unit 30 . Specifically, the opening/closing unit 20 may allow or block the flow of current by contacting or separating the fixed contactor 22 and the movable contactor 43 from each other.

개폐부(20)는 상부 프레임(11)의 내부 공간에 수용된다. 개폐부(20)는 절연 플레이트(13) 및 지지 플레이트(14)에 의해 코어부(30)와 전기적 및 물리적으로 이격될 수 있다. The opening and closing part 20 is accommodated in the inner space of the upper frame 11 . The opening/closing part 20 may be electrically and physically spaced apart from the core part 30 by the insulating plate 13 and the supporting plate 14 .

개폐부(20)는 아크 챔버(21), 고정 접촉자(22) 및 씰링(sealing) 부재(23)를 포함한다. The opening/closing part 20 includes an arc chamber 21 , a fixed contact 22 , and a sealing member 23 .

또한, 아크 챔버(21)의 외측에는 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)가 구비될 수 있다. 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 아크 챔버(21) 내부에서 발생된 아크의 경로(A.P)를 형성하기 위한 자기장을 형성할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다. In addition, arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 , and 800 may be provided outside the arc chamber 21 . The arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 , and 800 may form a magnetic field for forming a path A.P of an arc generated inside the arc chamber 21 . A detailed description thereof will be provided later.

아크 챔버(21)는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 이격되어 발생되는 아크(arc)를 내부 공간에서 소호(extinguish)한다. 이에, 아크 챔버(21)는 "아크 소호부"로 지칭될 수도 있을 것이다. The arc chamber 21 extinguishes the arc generated by the fixed contact 22 and the movable contact 43 being spaced apart from each other in the inner space. Accordingly, the arc chamber 21 may be referred to as an “arc extinguishing unit”.

아크 챔버(21)는 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)를 밀폐 수용한다. 즉, 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)는 아크 챔버(21) 내부에 수용된다. 따라서, 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)가 이격되어 발생되는 아크는 외부로 임의 유출되지 않게 된다. The arc chamber 21 hermetically accommodates the fixed contact 22 and the movable contact 43 . That is, the fixed contact 22 and the movable contact 43 are accommodated in the arc chamber 21 . Accordingly, the arc generated by the fixed contact 22 and the movable contact 43 being spaced apart is not arbitrarily leaked to the outside.

아크 챔버(21) 내부에는 소호용 가스가 충전될 수 있다. 소호용 가스는 발생된 아크가 소호되며 기 설정된 경로를 통해 직류 릴레이(1)의 외부로 배출될 수 있게 한다. 이를 위해, 아크 챔버(21)의 내부 공간을 둘러싸는 벽체에는 연통공(미도시)이 관통 형성될 수 있다. The arc chamber 21 may be filled with an extinguishing gas. The extinguishing gas allows the generated arc to be extinguished and discharged to the outside of the DC relay 1 through a preset path. To this end, a communication hole (not shown) may be formed through the wall surrounding the inner space of the arc chamber 21 .

아크 챔버(21)는 절연성 소재로 형성될 수 있다. 또한, 아크 챔버(21)는 높은 내압성 및 높은 내열성을 갖는 소재로 형성될 수 있다. 이는, 발생되는 아크가 고온 고압의 전자의 흐름임에 기인한다. 일 실시 예에서, 아크 챔버(21)는 세라믹(ceramic) 소재로 형성될 수 있다. The arc chamber 21 may be formed of an insulating material. In addition, the arc chamber 21 may be formed of a material having high pressure resistance and high heat resistance. This is because the generated arc is a flow of high-temperature and high-pressure electrons. In an embodiment, the arc chamber 21 may be formed of a ceramic material.

아크 챔버(21)의 상측에는 복수 개의 관통공이 형성될 수 있다. 상기 관통공 각각에는 고정 접촉자(22)가 관통 결합된다. A plurality of through-holes may be formed in the upper side of the arc chamber 21 . A fixed contact 22 is through-coupled to each of the through holes.

도시된 실시 예에서, 고정 접촉자(22)는 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b)를 포함하여 두 개로 구비된다. 이에 따라, 아크 챔버(21)의 상측에 형성되는 관통공 또한 두 개로 형성될 수 있다. In the illustrated embodiment, the fixed contactor 22 is provided in two, including the first fixed contactor 22a and the second fixed contactor 22b. Accordingly, two through-holes formed on the upper side of the arc chamber 21 may also be formed.

상기 관통공에 고정 접촉자(22)가 관통 결합되면, 상기 관통공은 밀폐된다. 즉, 고정 접촉자(22)는 상기 관통공에 밀폐 결합된다. 이에 따라, 발생된 아크는 상기 관통공을 통해 외부로 배출되지 않는다. When the fixed contact 22 is through-coupled to the through-hole, the through-hole is sealed. That is, the fixed contact 22 is hermetically coupled to the through hole. Accordingly, the generated arc is not discharged to the outside through the through hole.

아크 챔버(21)의 하측은 개방될 수 있다. 아크 챔버(21)의 하측에는 절연 플레이트(13) 및 씰링 부재(23)가 접촉된다. 즉, 아크 챔버(21)의 하측은 절연 플레이트(13) 및 씰링 부재(23)에 의해 밀폐된다. The lower side of the arc chamber 21 may be opened. The insulating plate 13 and the sealing member 23 are in contact with the lower side of the arc chamber 21 . That is, the lower side of the arc chamber 21 is sealed by the insulating plate 13 and the sealing member 23 .

이에 따라, 아크 챔버(21)는 상부 프레임(11)의 외측 공간과 전기적, 물리적으로 이격될 수 있다. Accordingly, the arc chamber 21 may be electrically and physically spaced apart from the outer space of the upper frame 11 .

아크 챔버(21)에서 소호된 아크는 기 설정된 경로를 통해 직류 릴레이(1)의 외부로 배출된다. 일 실시 예에서, 소호된 아크는 상기 연통공(미도시)을 통해 아크 챔버(21)의 외부로 배출될 수 있다. The arc extinguished in the arc chamber 21 is discharged to the outside of the DC relay 1 through a preset path. In an embodiment, the extinguished arc may be discharged to the outside of the arc chamber 21 through the communication hole (not shown).

고정 접촉자(22)는 가동 접촉자(43)와 접촉되거나 이격되어, 직류 릴레이(1)의 내부와 외부의 통전을 인가하거나 차단한다. The fixed contactor 22 is in contact with or spaced apart from the movable contactor 43 to apply or cut off the electric current inside and outside the DC relay 1 .

구체적으로, 고정 접촉자(22)가 가동 접촉자(43)와 접촉되면, 직류 릴레이(1)의 내부와 외부가 통전될 수 있다. 반면, 고정 접촉자(22)가 가동 접촉자(43)와 이격되면, 직류 릴레이(1)의 내부와 외부의 통전이 차단된다. Specifically, when the fixed contact 22 is in contact with the movable contact 43 , the inside and the outside of the DC relay 1 may be energized. On the other hand, when the fixed contact 22 is spaced apart from the movable contact 43 , the DC relay 1 is cut off from energization inside and outside.

명칭에서 알 수 있듯이, 고정 접촉자(22)는 이동되지 않는다. 즉, 고정 접촉자(22)는 상부 프레임(11) 및 아크 챔버(21)에 고정 결합된다. 따라서, 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)의 접촉 및 이격은 가동 접촉자(43)의 이동에 의해 달성된다. As the name implies, the fixed contact 22 is not moved. That is, the fixed contact 22 is fixedly coupled to the upper frame 11 and the arc chamber 21 . Accordingly, the contact and separation of the fixed contact 22 and the movable contact 43 is achieved by the movement of the movable contact 43 .

고정 접촉자(22)의 일측 단부, 도시된 실시 예에서 상측 단부는 상부 프레임(11)의 외측으로 노출된다. 상기 일측 단부에는 전원 또는 부하가 각각 통전 가능하게 연결된다. One end of the fixed contact 22 , an upper end in the illustrated embodiment, is exposed to the outside of the upper frame 11 . A power source or a load is connected to the one end to be energized, respectively.

고정 접촉자(22)는 복수 개로 구비될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 고정 접촉자(22)는 좌측의 제1 고정 접촉자(22a) 및 우측의 제2 고정 접촉자(22b)를 포함하여, 총 두 개로 구비된다. A plurality of fixed contacts 22 may be provided. In the illustrated embodiment, the fixed contactor 22 includes a first fixed contactor 22a on the left side and a second fixed contactor 22b on the right side, and includes a total of two fixed contacts 22b.

제1 고정 접촉자(22a)는 가동 접촉자(43)의 길이 방향의 중심으로부터 일측, 도시된 실시 예에서 좌측으로 치우치게 위치된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b)는 가동 접촉자(43)의 길이 방향의 중심으로부터 타측, 도시된 실시 예에서 우측으로 치우치게 위치된다. The first fixed contact 22a is located at one side from the center in the longitudinal direction of the movable contact 43, and to the left in the illustrated embodiment. In addition, the second fixed contact (22b) is located at the other side from the center of the longitudinal direction of the movable contact (43), in the illustrated embodiment, is biased to the right.

제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나에는 전원이 통전 가능하게 연결될 수 있다. 또한, 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 다른 하나에는 부하가 통전 가능하게 연결될 수 있다. A power source may be energably connected to any one of the first fixed contactor 22a and the second fixed contactor 22b. In addition, a load may be electrically connected to the other one of the first fixed contactor 22a and the second fixed contactor 22b.

본 발명의 실시 예에 따른 직류 릴레이(1)는, 고정 접촉자(22)에 연결되는 전원 또는 부하의 방향과 무관하게 아크의 경로(A.P)를 형성할 수 있다. 이는 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)에 의해 달성되는데, 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다. The DC relay 1 according to the embodiment of the present invention may form the arc path A.P regardless of the direction of the power or load connected to the fixed contactor 22 . This is accomplished by the arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 and 800 , which will be described later in detail.

고정 접촉자(22)의 타측 단부, 도시된 실시 예에서 하측 단부는 가동 접촉자(43)를 향해 연장된다. The other end of the stationary contact 22 , in the illustrated embodiment the lower end, extends towards the movable contact 43 .

가동 접촉자(43)가 고정 접촉자(22)를 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 상측으로 이동되면, 상기 하측 단부는 가동 접촉자(43)와 접촉된다. 이에 따라, 직류 릴레이(1)의 외부와 내부가 통전될 수 있다. When the movable contact 43 is moved upward in the illustrated embodiment in a direction toward the fixed contact 22 , the lower end is in contact with the movable contact 43 . Accordingly, the outside and the inside of the DC relay 1 can be energized.

고정 접촉자(22)의 상기 하측 단부는 아크 챔버(21) 내부에 위치된다. The lower end of the fixed contact 22 is located inside the arc chamber 21 .

제어 전원이 차단될 경우, 가동 접촉자(43)는 복귀 스프링(36)의 탄성력에 의해 고정 접촉자(22)에서 이격된다. When the control power is cut off, the movable contact 43 is spaced apart from the fixed contact 22 by the elastic force of the return spring 36 .

이때, 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)가 이격됨에 따라, 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43) 사이에는 아크가 발생된다. 발생된 아크는 아크 챔버(21) 내부의 소호용 가스에 소호되고, 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)에 의해 형성된 경로를 따라 외부로 배출될 수 있다. At this time, as the fixed contact 22 and the movable contact 43 are spaced apart, an arc is generated between the fixed contact 22 and the movable contact 43 . The generated arc is extinguished by the extinguishing gas inside the arc chamber 21, and can be discharged to the outside along the path formed by the arc path forming unit (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800). have.

씰링 부재(23)는 아크 챔버(21)와 상부 프레임(11) 내부의 공간의 임의 연통을 차단한다. 씰링 부재(23)는 절연 플레이트(13) 및 지지 플레이트(14)와 함께 아크 챔버(21)의 하측을 밀폐한다. The sealing member 23 blocks any communication between the arc chamber 21 and the space inside the upper frame 11 . The sealing member 23 seals the lower side of the arc chamber 21 together with the insulating plate 13 and the support plate 14 .

구체적으로, 씰링 부재(23)의 상측은 아크 챔버(21)의 하측과 결합된다. 또한, 씰링 부재(23)의 방사상 내측은 절연 플레이트(13)의 외주와 결합되며, 씰링 부재(23)의 하측은 지지 플레이트(14)에 결합된다. Specifically, the upper side of the sealing member 23 is coupled to the lower side of the arc chamber (21). Further, the radially inner side of the sealing member 23 is coupled to the outer periphery of the insulating plate 13 , and the lower side of the sealing member 23 is coupled to the support plate 14 .

이에 따라, 아크 챔버(21)에서 발생된 아크 및 소호용 가스에 의해 소호된 아크는 상부 프레임(11)의 내부 공간으로 입의 유출되지 않게 된다. Accordingly, the arc generated in the arc chamber 21 and the arc extinguished by the extinguishing gas do not flow into the inner space of the upper frame 11 .

또한, 씰링 부재(23)는 실린더(37)의 내부 공간과 프레임부(10)의 내부 공간의 임의 연통을 차단하도록 구성될 수 있다. In addition, the sealing member 23 may be configured to block any communication between the inner space of the cylinder 37 and the inner space of the frame portion 10 .

(3) 코어부(30)의 설명(3) Description of the core part 30

코어부(30)는 제어 전원의 인가에 따라 가동 접촉자부(40)를 상측으로 이동시킨다. 또한, 제어 전원의 인가가 해제될 경우, 코어부(30)는 가동 접촉자부(40)를 다시 하측으로 이동시킨다. The core part 30 moves the movable contact part 40 upward according to the application of the control power. In addition, when the application of the control power is released, the core part 30 moves the movable contact part 40 downward again.

코어부(30)는 외부의 제어 전원(미도시)과 통전 가능하게 연결되어, 제어 전원을 인가받을 수 있다. The core unit 30 may be connected to an external control power supply (not shown) so as to be energized, and may receive the control power supply.

코어부(30)는 개폐부(20)의 하측에 위치된다. 또한, 코어부(30)는 하부 프레임(12)의 내부에 수용된다. 코어부(30)와 개폐부(20)는 절연 플레이트(13) 및 지지 플레이트(14)에 의해 전기적, 물리적으로 이격될 수 있다. The core part 30 is located below the opening/closing part 20 . In addition, the core part 30 is accommodated in the lower frame 12 . The core part 30 and the opening/closing part 20 may be electrically and physically spaced apart from each other by the insulating plate 13 and the support plate 14 .

코어부(30)와 개폐부(20) 사이에는 가동 접촉자부(40)가 위치된다. 코어부(30)가 인가하는 구동력에 의해 가동 접촉자부(40)가 이동될 수 있다. 이에 따라, 가동 접촉자(43)와 고정 접촉자(22)가 접촉되어 직류 릴레이(1)가 통전될 수 있다. A movable contact part 40 is positioned between the core part 30 and the opening/closing part 20 . The movable contact part 40 may be moved by the driving force applied by the core part 30 . Accordingly, the movable contactor 43 and the fixed contactor 22 may be in contact so that the DC relay 1 may be energized.

코어부(30)는 고정 코어(31), 가동 코어(32), 요크(33), 보빈(34), 코일(35), 복귀 스프링(36) 및 실린더(37)를 포함한다. The core part 30 includes a fixed core 31 , a movable core 32 , a yoke 33 , a bobbin 34 , a coil 35 , a return spring 36 , and a cylinder 37 .

고정 코어(31)는 코일(35)에서 발생되는 자기장에 의해 자화(magnetize)되어 전자기적 인력을 발생시킨다. 상기 전자기적 인력에 의해, 가동 코어(32)가 고정 코어(31)를 향해 이동된다(도 3에서 상측 방향). The fixed core 31 is magnetized by the magnetic field generated by the coil 35 to generate electromagnetic attraction. By the electromagnetic attraction, the movable core 32 is moved toward the fixed core 31 (upward direction in FIG. 3 ).

고정 코어(31)는 이동되지 않는다. 즉, 고정 코어(31)는 지지 플레이트(14) 및 실린더(37)에 고정 결합된다. The fixed core 31 does not move. That is, the fixed core 31 is fixedly coupled to the support plate 14 and the cylinder 37 .

고정 코어(31)는 자기장에 의해 자화되어 전자기력을 발생시킬 수 있는 임의의 형태로 구비될 수 있다. 일 실시 예에서, 고정 코어(31)는 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다. The fixed core 31 may be provided in any shape capable of generating electromagnetic force by being magnetized by a magnetic field. In one embodiment, the fixed core 31 may be provided with a permanent magnet or an electromagnet.

고정 코어(31)는 실린더(37) 내부의 상측 공간에 부분적으로 수용된다. 또한, 고정 코어(31)의 외주는 실린더(37)의 내주에 접촉된다. The fixed core 31 is partially accommodated in the upper space inside the cylinder 37 . Further, the outer periphery of the fixed core 31 is in contact with the inner periphery of the cylinder 37 .

고정 코어(31)는 지지 플레이트(14)와 가동 코어(32) 사이에 위치된다. The fixed core 31 is positioned between the support plate 14 and the movable core 32 .

고정 코어(31)의 중심부에는 관통공(미도시)이 형성된다. 상기 관통공(미도시)에는 샤프트(44)가 상하 이동 가능하게 관통 결합된다. A through hole (not shown) is formed in the central portion of the fixed core 31 . A shaft 44 is through-coupled to the through hole (not shown) so as to be movable up and down.

고정 코어(31)는 가동 코어(32)와 소정 거리만큼 이격되도록 위치된다. 따라서, 가동 코어(32)가 고정 코어(31)를 향해 이동될 수 있는 거리는 상기 소정 거리로 제한될 수 있다. 이에, 상기 소정 거리는 "가동 코어(32)의 이동 거리"로 정의될 수 있을 것이다. The fixed core 31 is positioned to be spaced apart from the movable core 32 by a predetermined distance. Accordingly, the distance at which the movable core 32 can be moved toward the fixed core 31 may be limited to the predetermined distance. Accordingly, the predetermined distance may be defined as a “moving distance of the movable core 32”.

고정 코어(31)의 하측에는 복귀 스프링(36)의 일측 단부, 도시된 실시 예에서 상측 단부가 접촉된다. 고정 코어(31)가 자화되어 가동 코어(32)가 상측으로 이동되면, 복귀 스프링(36)이 압축되며 복원력이 저장된다. One end of the return spring 36 is in contact with the lower side of the fixed core 31 , and the upper end in the illustrated embodiment is in contact. When the fixed core 31 is magnetized and the movable core 32 is moved upward, the return spring 36 is compressed and the restoring force is stored.

이에 따라, 제어 전원의 인가가 해제되어 고정 코어(31)의 자화가 종료되면, 가동 코어(32)가 상기 복원력에 의해 다시 하측으로 복귀될 수 있다. Accordingly, when the application of the control power is released and the magnetization of the fixed core 31 is terminated, the movable core 32 may be returned to the lower side by the restoring force.

가동 코어(32)는 제어 전원이 인가되면 고정 코어(31)가 생성하는 전자기적 인력에 의해 고정 코어(31)를 향해 이동된다. The movable core 32 is moved toward the fixed core 31 by electromagnetic attraction generated by the fixed core 31 when control power is applied.

가동 코어(32)의 이동에 따라, 가동 코어(32)에 결합된 샤프트(44)가 고정 코어(31)를 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 상측으로 이동된다. 또한, 샤프트(44)가 이동됨에 따라, 샤프트(44)에 결합된 가동 접촉자부(40)가 상측으로 이동된다. As the movable core 32 moves, the shaft 44 coupled to the movable core 32 moves upward in the direction toward the fixed core 31 , in the illustrated embodiment. In addition, as the shaft 44 moves, the movable contact part 40 coupled to the shaft 44 moves upward.

이에 따라, 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)가 접촉되어 직류 릴레이(1)가 외부의 전원 또는 부하와 통전될 수 있다. Accordingly, the fixed contactor 22 and the movable contactor 43 are in contact so that the DC relay 1 can be energized with an external power source or load.

가동 코어(32)는 전자기력에 의한 인력을 받을 수 있는 임의의 형태로 구비될 수 있다. 일 실시 예에서, 가동 코어(32)는 자성체 소재로 형성되거나, 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다. The movable core 32 may be provided in any shape capable of receiving attractive force by electromagnetic force. In one embodiment, the movable core 32 may be formed of a magnetic material, or may be provided with a permanent magnet or an electromagnet.

가동 코어(32)는 실린더(37)의 내부에 수용된다. 또한, 가동 코어(32)는 실린더(37) 내부에서 실린더(37)의 길이 방향, 도시된 실시 예에서 상하 방향으로 이동될 수 있다. The movable core 32 is accommodated inside the cylinder 37 . In addition, the movable core 32 may be moved in the longitudinal direction of the cylinder 37 inside the cylinder 37 , in the illustrated embodiment, in the vertical direction.

구체적으로, 가동 코어(32)는 고정 코어(31)를 향하는 방향 및 고정 코어(31)에서 멀어지는 방향으로 이동될 수 있다. Specifically, the movable core 32 may be moved in a direction toward the fixed core 31 and in a direction away from the fixed core 31 .

가동 코어(32)는 샤프트(44)와 결합된다. 가동 코어(32)는 샤프트(44)와 일체로 이동될 수 있다. 가동 코어(32)가 상측 또는 하측으로 이동되면, 샤프트(44) 또한 상측 또는 하측으로 이동된다. 이에 따라, 가동 접촉자(43) 또한 상측 또는 하측으로 이동된다. The movable core 32 is coupled to the shaft 44 . The movable core 32 may move integrally with the shaft 44 . When the movable core 32 moves upward or downward, the shaft 44 also moves upward or downward. Accordingly, the movable contact 43 is also moved upward or downward.

가동 코어(32)는 고정 코어(31)의 하측에 위치된다. 가동 코어(32)는 고정 코어(31)와 소정 거리만큼 이격된다. 상기 소정 거리는 가동 코어(32)가 상하 방향으로 이동될 수 있는 거리임은 상술한 바와 같다. The movable core 32 is located below the fixed core 31 . The movable core 32 is spaced apart from the fixed core 31 by a predetermined distance. As described above, the predetermined distance is a distance at which the movable core 32 can be moved in the vertical direction.

가동 코어(32)는 길이 방향으로 연장 형성된다. 가동 코어(32)의 내부에는 길이 방향으로 연장되는 중공부가 소정 거리만큼 함몰 형성된다. 상기 중공부에는 복귀 스프링(36) 및 복귀 스프링(36)에 관통 결합된 샤프트(44)의 하측이 부분적으로 수용된다. The movable core 32 is formed to extend in the longitudinal direction. A hollow part extending in the longitudinal direction is recessed by a predetermined distance inside the movable core 32 . A return spring 36 and a lower side of the shaft 44 through-coupled to the return spring 36 are partially accommodated in the hollow portion.

상기 중공부의 하측에는 관통공이 길이 방향으로 관통 형성된다. 상기 중공부와 상기 관통공은 연통된다. 상기 중공부에 삽입된 샤프트(44)의 하측 단부는 상기 관통공을 향해 진행될 수 있다. A through hole is formed through the lower side of the hollow part in the longitudinal direction. The hollow portion and the through hole communicate with each other. The lower end of the shaft 44 inserted into the hollow portion may proceed toward the through hole.

가동 코어(32)의 하측 단부에는 공간부가 소정 거리만큼 함몰 형성된다. 상기 공간부는 상기 관통공과 연통된다. 상기 공간부에는 샤프트(44)의 하측 헤드부가 위치된다. A space portion is recessed by a predetermined distance at the lower end of the movable core 32 . The space portion communicates with the through hole. The lower head of the shaft 44 is positioned in the space.

요크(33)는 제어 전원이 인가됨에 따라 자로(magnetic circuit)를 형성한다. 요크(33)가 형성하는 자로는 코일(35)이 형성하는 자기장의 방향을 조절하도록 구성될 수 있다. The yoke 33 forms a magnetic circuit as control power is applied. The magnetic path formed by the yoke 33 may be configured to adjust the direction of the magnetic field formed by the coil 35 .

이에 따라, 제어 전원이 인가되면 코일(35)은 가동 코어(32)가 고정 코어(31)를 향해 이동되는 방향으로 자기장을 생성할 수 있다. 요크(33)는 통전 가능한 전도성 소재로 형성될 수 있다. Accordingly, when the control power is applied, the coil 35 may generate a magnetic field in a direction in which the movable core 32 moves toward the fixed core 31 . The yoke 33 may be formed of a conductive material capable of conducting electricity.

요크(33)는 하부 프레임(12)의 내부에 수용된다. 요크(33)는 코일(35)을 둘러싼다. 코일(35)은 요크(33)의 내주면과 소정 거리만큼 이격되도록 요크(33)의 내부에 수용될 수 있다. The yoke 33 is accommodated in the lower frame 12 . The yoke 33 surrounds the coil 35 . The coil 35 may be accommodated in the yoke 33 so as to be spaced apart from the inner circumferential surface of the yoke 33 by a predetermined distance.

요크(33)의 내부에는 보빈(34)이 수용된다. 즉, 하부 프레임(12)의 외주로부터 방사상 내측을 향하는 방향으로 요크(33), 코일(35) 및 코일(35)이 권취되는 보빈(34)이 순서대로 배치된다. The bobbin 34 is accommodated in the yoke 33 . That is, from the outer periphery of the lower frame 12 to the radially inward direction, the yoke 33 , the coil 35 , and the bobbin 34 on which the coil 35 is wound are sequentially arranged.

요크(33)의 상측은 지지 플레이트(14)에 접촉된다. 또한, 요크(33)의 외주는 하부 프레임(12)의 내주에 접촉되거나, 하부 프레임(12)의 내주로부터 소정 거리만큼 이격되도록 위치될 수 있다. The upper side of the yoke 33 is in contact with the support plate 14 . In addition, the outer periphery of the yoke 33 may be in contact with the inner periphery of the lower frame 12 or may be positioned to be spaced apart from the inner periphery of the lower frame 12 by a predetermined distance.

보빈(34)에는 코일(35)이 권취된다. 보빈(34)은 요크(33) 내부에 수용된다. A coil 35 is wound around the bobbin 34 . The bobbin 34 is accommodated inside the yoke 33 .

보빈(34)은 평판형의 상부 및 하부와, 길이 방향으로 연장 형성되어 상기 상부와 하부를 연결하는 원통형의 기둥부를 포함할 수 있다. 즉, 보빈(34)은 실패(bobbin) 형상이다. The bobbin 34 may include flat upper and lower portions, and a cylindrical column portion extending in the longitudinal direction to connect the upper and lower portions. That is, the bobbin 34 has a bobbin shape.

보빈(34)의 상부는 지지 플레이트(14)의 하측과 접촉된다. 보빈(34)의 기둥부에는 코일(35)이 권취된다. 코일(35)이 권취되는 두께는 보빈(34)의 상부 및 하부의 직경과 같거나 더 작게 구성될 수 있다. The upper portion of the bobbin 34 is in contact with the lower side of the support plate 14 . A coil 35 is wound around the column portion of the bobbin 34 . The thickness around which the coil 35 is wound may be equal to or smaller than the diameters of the upper and lower portions of the bobbin 34 .

보빈(34)의 기둥부에는 길이 방향으로 연장되는 중공부가 관통 형성된다. 상기 중공부에는 실린더(37)가 수용될 수 있다. 보빈(34)의 기둥부는 고정 코어(31), 가동 코어(32) 및 샤프트(44)와 같은 중심축을 갖도록 배치될 수 있다. A hollow portion extending in the longitudinal direction is formed through the column portion of the bobbin 34 . A cylinder 37 may be accommodated in the hollow portion. The pillar portion of the bobbin 34 may be disposed to have the same central axis as the fixed core 31 , the movable core 32 and the shaft 44 .

코일(35)은 인가된 제어 전원에 의해 자기장을 발생시킨다. 코일(35)이 발생시키는 자기장에 의해 고정 코어(31)가 자화되어, 가동 코어(32)에 전자기적 인력이 인가될 수 있다. The coil 35 generates a magnetic field by the applied control power. The fixed core 31 is magnetized by the magnetic field generated by the coil 35 , so that electromagnetic attraction may be applied to the movable core 32 .

코일(35)은 보빈(34)에 권취된다. 구체적으로, 코일(35)은 보빈(34)의 기둥부에 권취되어, 상기 기둥부의 방사상 외측으로 적층된다. 코일(35)은 요크(33)의 내부에 수용된다. The coil 35 is wound around a bobbin 34 . Specifically, the coil 35 is wound on the column part of the bobbin 34 and is stacked radially outward of the column part. The coil 35 is accommodated inside the yoke 33 .

제어 전원이 인가되면, 코일(35)은 자기장을 생성한다. 이때, 요크(33)에 의해 코일(35)이 생성하는 자기장의 세기 또는 방향 등이 제어될 수 있다. 코일(35)이 생성한 자기장에 의해 고정 코어(31)가 자화된다. When the control power is applied, the coil 35 generates a magnetic field. In this case, the strength or direction of the magnetic field generated by the coil 35 may be controlled by the yoke 33 . The fixed core 31 is magnetized by the magnetic field generated by the coil 35 .

고정 코어(31)가 자화되면, 가동 코어(32)는 고정 코어(31)를 향하는 방향으로의 전자기력, 즉, 인력을 받게 된다. 이에 따라, 가동 코어(32)는 고정 코어(31)를 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 상측으로 이동된다. When the fixed core 31 is magnetized, the movable core 32 receives an electromagnetic force in a direction toward the fixed core 31 , that is, an attractive force. Accordingly, the movable core 32 is moved upward in the direction toward the fixed core 31 , in the illustrated embodiment.

복귀 스프링(36)은 가동 코어(32)가 고정 코어(31)를 향해 이동된 후 제어 전원의 인가가 해제되면, 가동 코어(32)가 원래 위치로 복귀되기 위한 복원력을 제공한다. The return spring 36 provides a restoring force for the movable core 32 to return to its original position when the control power is released after the movable core 32 is moved toward the fixed core 31 .

복귀 스프링(36)은 가동 코어(32)가 고정 코어(31)를 향해 이동됨에 따라 압축되며 복원력을 저장한다. 이때, 저장되는 복원력은 고정 코어(31)가 자화되어 가동 코어(32)에 미치는 전자기적 인력보다 작은 것이 바람직하다. 제어 전원이 인가되는 동안에는 가동 코어(32)가 복귀 스프링(36)에 의해 임의로 원위치에 복귀되는 것을 방지하기 위함이다. The return spring 36 is compressed as the movable core 32 moves toward the stationary core 31 and stores a restoring force. At this time, it is preferable that the stored restoring force is smaller than the electromagnetic attraction force exerted on the movable core 32 by magnetizing the fixed core 31 . This is to prevent the movable core 32 from being arbitrarily returned to its original position by the return spring 36 while the control power is applied.

제어 전원의 인가가 해제되면, 가동 코어(32)는 복귀 스프링(36)에 의한 복원력을 받게 된다. 물론, 가동 코어(32)의 자중(empty weight)에 의한 중력 또한 가동 코어(32)에 작용될 수 있다. 이에 따라, 가동 코어(32)는 고정 코어(31)로부터 멀어지는 방향으로 이동되어 원 위치로 복귀될 수 있다. When the application of the control power is released, the movable core 32 receives a restoring force by the return spring 36 . Of course, gravity due to the empty weight of the movable core 32 may also act on the movable core 32 . Accordingly, the movable core 32 may be moved in a direction away from the fixed core 31 to return to the original position.

복귀 스프링(36)은 형상이 변형되어 복원력을 저장하고, 원래 형상으로 복귀되며 복원력을 외부에 전달할 수 있는 임의의 형태로 구비될 수 있다. 일 실시 예에서, 복귀 스프링(36)은 코일 스프링(coil spring)으로 구비될 수 있다. The return spring 36 may be provided in any shape that is deformed in shape to store the restoring force, returns to its original shape, and transmits the restoring force to the outside. In one embodiment, the return spring 36 may be provided as a coil spring.

복귀 스프링(36)에는 샤프트(44)가 관통 결합된다. 샤프트(44)는 복귀 스프링(36)이 결합된 상태에서 복귀 스프링(36)의 형상 변형과 무관하게 상하 방향으로 이동될 수 있다. A shaft 44 is through-coupled to the return spring 36 . The shaft 44 may move in the vertical direction regardless of the shape deformation of the return spring 36 in a state in which the return spring 36 is coupled.

복귀 스프링(36)은 가동 코어(32)의 상측에 함몰 형성된 중공부에 수용된다. 또한, 고정 코어(31)를 향하는 복귀 스프링(36)의 일측 단부, 도시된 실시 예에서 상측 단부는 고정 코어(31)의 하측에 함몰 형성된 중공부에 수용된다. The return spring 36 is accommodated in a hollow formed in the upper side of the movable core 32 . In addition, one end of the return spring 36 facing the fixed core 31, the upper end in the illustrated embodiment is accommodated in the hollow formed in the lower side of the fixed core (31).

실린더(37)는 고정 코어(31), 가동 코어(32), 복귀 스프링(36) 및 샤프트(44)를 수용한다. 가동 코어(32) 및 샤프트(44)는 실린더(37) 내부에서 상측 및 하측 방향으로 이동될 수 있다. The cylinder 37 houses the stationary core 31 , the movable core 32 , the return spring 36 and the shaft 44 . The movable core 32 and the shaft 44 may move upward and downward in the cylinder 37 .

실린더(37)는 보빈(34)의 기둥부에 형성된 중공부에 위치된다. 실린더(37)의 상측 단부는 지지 플레이트(14)의 하측 면에 접촉된다. The cylinder 37 is located in a hollow formed in the column portion of the bobbin 34 . The upper end of the cylinder 37 is in contact with the lower surface of the support plate 14 .

실린더(37)의 측면은 보빈(34)의 기둥부의 내주면에 접촉된다. 실린더(37)의 상측 개구부는 고정 코어(31)에 의해 밀폐될 수 있다. 실린더(37)의 하측 면은 하부 프레임(12)의 내면에 접촉될 수 있다. The side surface of the cylinder 37 is in contact with the inner peripheral surface of the column part of the bobbin 34 . The upper opening of the cylinder 37 may be sealed by the fixed core 31 . The lower surface of the cylinder 37 may be in contact with the inner surface of the lower frame 12 .

(4) 가동 접촉자부(40)의 설명(4) Description of the movable contact part 40

가동 접촉자부(40)는 가동 접촉자(43) 및 가동 접촉자(43)를 이동시키기 위한 구성을 포함한다. 가동 접촉자부(40)에 의해, 직류 릴레이(1)는 외부의 전원 또는 부하와 통전될 수 있다. The movable contact part 40 includes a movable contact 43 and a structure for moving the movable contact 43 . By the movable contact part 40 , the DC relay 1 can be energized with an external power source or load.

가동 접촉자부(40)는 상부 프레임(11)의 내부 공간에 수용된다. 또한, 가동 접촉자부(40)는 아크 챔버(21)의 내부에 상하 이동 가능하게 수용된다. The movable contact part 40 is accommodated in the inner space of the upper frame 11 . In addition, the movable contact part 40 is accommodated in the arc chamber 21 to be movable up and down.

가동 접촉자부(40)의 상측에는 고정 접촉자(22)가 위치된다. 가동 접촉자부(40)는 고정 접촉자(22)를 향하는 방향 및 고정 접촉자(22)에서 멀어지는 방향으로 이동 가능하게 아크 챔버(21)의 내부에 수용된다. A fixed contact 22 is positioned above the movable contact part 40 . The movable contact part 40 is accommodated in the arc chamber 21 so as to be movable in a direction toward the fixed contact 22 and a direction away from the fixed contact 22 .

가동 접촉자부(40)의 하측에는 코어부(30)가 위치된다. 가동 접촉자부(40)의 상기 이동은 가동 코어(32)의 이동에 의해 달성될 수 있다. The core part 30 is positioned below the movable contact part 40 . The above movement of the movable contact part 40 may be achieved by the movement of the movable core 32 .

가동 접촉자부(40)는 하우징(41), 커버(42), 가동 접촉자(43), 샤프트(44) 및 탄성부(45)를 포함한다. The movable contact part 40 includes a housing 41 , a cover 42 , a movable contact 43 , a shaft 44 , and an elastic part 45 .

하우징(41)은 가동 접촉자(43) 및 가동 접촉자(43)를 탄성 지지하는 탄성부(45)를 수용한다. The housing 41 accommodates the movable contact 43 and the elastic part 45 for elastically supporting the movable contact 43 .

도시된 실시 예에서, 하우징(41)은 일측 및 그에 대향하는 타측이 개방된다. 상기 개방된 부분에는 가동 접촉자(43)가 관통 삽입될 수 있다. In the illustrated embodiment, the housing 41 has one side and the other side opposite thereto open. The movable contact 43 may be inserted through the open portion.

하우징(41)의 개방되지 않은 측면은, 수용된 가동 접촉자(43)를 감싸도록 구성될 수 있다. The unopened side of the housing 41 may be configured to surround the accommodated movable contact 43 .

하우징(41)의 상측에는 커버(42)가 구비된다. 커버(42)는 하우징(41)에 수용된 가동 접촉자(43)의 상측 면을 덮는다. A cover 42 is provided on the upper side of the housing 41 . The cover 42 covers the upper surface of the movable contact 43 accommodated in the housing 41 .

하우징(41) 및 커버(42)는 의도치 않은 통전이 방지되도록 절연성 소재로 형성되는 것이 바람직하다. 일 실시 예에서, 하우징(41) 및 커버(42)는 합성 수지 등으로 형성될 수 있다. The housing 41 and the cover 42 are preferably formed of an insulating material to prevent unintentional energization. In one embodiment, the housing 41 and the cover 42 may be formed of a synthetic resin or the like.

하우징(41)의 하측은 샤프트(44)와 연결된다. 샤프트(44)와 연결된 가동 코어(32)가 상측 또는 하측으로 이동되면, 하우징(41) 및 이에 수용된 가동 접촉자(43) 또한 상측 또는 하측으로 이동될 수 있다. The lower side of the housing 41 is connected to the shaft 44 . When the movable core 32 connected to the shaft 44 is moved upward or downward, the housing 41 and the movable contact 43 accommodated therein may also be moved upward or downward.

하우징(41)과 커버(42)는 임의의 부재에 의해 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 하우징(41)과 커버(42)는 볼트, 너트 등의 체결 부재(미도시)에 의해 결합될 수 있다. The housing 41 and the cover 42 may be coupled by any member. In an embodiment, the housing 41 and the cover 42 may be coupled by a fastening member (not shown) such as a bolt or a nut.

가동 접촉자(43)는 제어 전원의 인가에 따라 고정 접촉자(22)와 접촉되어, 직류 릴레이(1)가 외부의 전원 및 부하와 통전되도록 한다. 또한, 가동 접촉자(43)는 제어 전원의 인가가 해제될 경우 고정 접촉자(22)와 이격되어, 직류 릴레이(1)가 외부의 전원 및 부하와 통전되지 않도록 한다. The movable contactor 43 is in contact with the fixed contactor 22 according to the application of the control power, so that the DC relay 1 is energized with an external power source and a load. In addition, the movable contactor 43 is spaced apart from the fixed contactor 22 when the application of the control power is released, so that the DC relay 1 does not conduct electricity with an external power source and a load.

가동 접촉자(43)는 고정 접촉자(22)에 인접하게 위치된다. The movable contact 43 is positioned adjacent to the stationary contact 22 .

가동 접촉자(43)의 상측은 커버(42)에 의해 부분적으로 덮여진다. 일 실시 예에서, 가동 접촉자(43)의 상측 면의 일부는 커버(42)의 하측 면과 접촉될 수 있다. The upper side of the movable contact 43 is partially covered by the cover 42 . In one embodiment, a portion of the upper surface of the movable contactor 43 may be in contact with the lower surface of the cover 42 .

가동 접촉자(43)의 하측은 탄성부(45)에 의해 탄성 지지된다. 가동 접촉자(43)가 하측으로 임의 이동되지 않도록, 탄성부(45)는 소정 거리만큼 압축된 상태에서 가동 접촉자(43)를 탄성 지지할 수 있다. The lower side of the movable contact 43 is elastically supported by the elastic part 45 . To prevent the movable contact 43 from being arbitrarily moved downward, the elastic part 45 may elastically support the movable contact 43 in a compressed state by a predetermined distance.

가동 접촉자(43)는 길이 방향, 도시된 실시 예에서 좌우 방향으로 연장 형성된다. 즉, 가동 접촉자(43)의 길이는 폭보다 길게 형성된다. 따라서, 하우징(41)에 수용된 가동 접촉자(43)의 길이 방향의 양측 단부는 하우징(41)의 외측으로 노출된다. The movable contact 43 is formed to extend in the longitudinal direction, in the illustrated embodiment, in the left-right direction. That is, the length of the movable contact 43 is formed longer than the width. Accordingly, both ends in the longitudinal direction of the movable contact 43 accommodated in the housing 41 are exposed to the outside of the housing 41 .

상기 양측 단부에는 상측으로 소정 거리만큼 돌출 형성된 접촉 돌출부가 형성될 수 있다. 상기 접촉 돌출부에는 고정 접촉자(22)가 접촉된다. A contact protrusion formed to protrude upward by a predetermined distance may be formed at both ends. A fixed contact 22 is in contact with the contact protrusion.

상기 접촉 돌출부는 각 고정 접촉자(22a, 22b)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 이에 따라, 가동 접촉자(43)의 이동 거리가 감소되고, 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)의 접촉 신뢰성이 향상될 수 있다. The contact protrusion may be formed at a position corresponding to each of the fixed contacts 22a and 22b. Accordingly, the moving distance of the movable contactor 43 may be reduced, and contact reliability between the fixed contactor 22 and the movable contactor 43 may be improved.

가동 접촉자(43)의 폭은 하우징(41)의 각 측면이 서로 이격되는 거리와 동일할 수 있다. 즉, 가동 접촉자(43)가 하우징(41)에 수용되면, 가동 접촉자(43)의 폭 방향 양 측면은 하우징(41)의 각 측면의 내면에 접촉될 수 있다. The width of the movable contact 43 may be the same as a distance at which each side of the housing 41 is spaced apart from each other. That is, when the movable contact 43 is accommodated in the housing 41 , both sides of the movable contact 43 in the width direction may contact the inner surface of each side of the housing 41 .

이에 따라, 가동 접촉자(43)가 하우징(41)에 수용된 상태가 안정적으로 유지될 수 있다. Accordingly, a state in which the movable contact 43 is accommodated in the housing 41 may be stably maintained.

샤프트(44)는 코어부(30)가 작동됨에 따라 발생되는 구동력을 가동 접촉자부(40)에 전달한다. 구체적으로, 샤프트(44)는 가동 코어(32) 및 가동 접촉자(43)와 연결된다. 가동 코어(32)가 상측 또는 하측으로 이동될 경우 샤프트(44)에 의해 가동 접촉자(43) 또한 상측 또는 하측으로 이동될 수 있다. The shaft 44 transmits a driving force generated as the core part 30 is operated to the movable contact part 40 . Specifically, the shaft 44 is connected to the movable core 32 and the movable contact 43 . When the movable core 32 is moved upward or downward, the movable contact 43 may also be moved upward or downward by the shaft 44 .

샤프트(44)는 길이 방향, 도시된 실시 예에서 상하 방향으로 연장 형성된다. The shaft 44 is formed to extend in the longitudinal direction, in the illustrated embodiment, in the vertical direction.

샤프트(44)의 하측 단부는 가동 코어(32)에 삽입 결합된다. 가동 코어(32)가 상하 방향으로 이동되면, 샤프트(44)는 가동 코어(32)와 함께 상하 방향으로 이동될 수 있다. The lower end of the shaft 44 is insertedly coupled to the movable core 32 . When the movable core 32 is moved in the vertical direction, the shaft 44 may be moved in the vertical direction together with the movable core 32 .

샤프트(44)의 몸체부는 고정 코어(31)에 상하 이동 가능하게 관통 결합된다. 샤프트(44)의 몸체부에는 복귀 스프링(36)이 관통 결합된다. The body portion of the shaft 44 is vertically movably coupled to the fixed core 31 . A return spring 36 is coupled through the body portion of the shaft 44 .

샤프트(44)의 상측 단부는 하우징(41)에 결합된다. 가동 코어(32)가 이동되면, 샤프트(44) 및 하우징(41)이 함께 이동될 수 있다. The upper end of the shaft 44 is coupled to the housing 41 . When the movable core 32 is moved, the shaft 44 and the housing 41 may be moved together.

샤프트(44)의 상측 단부 및 하측 단부는 샤프트의 몸체부에 비해 큰 직경을 갖도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 샤프트(44)가 하우징(41) 및 가동 코어(32)와 안정적으로 결합 상태를 유지할 수 있다. The upper and lower ends of the shaft 44 may be formed to have a larger diameter than the body portion of the shaft. Accordingly, the shaft 44 may be stably maintained in a coupled state with the housing 41 and the movable core 32 .

탄성부(45)는 가동 접촉자(43)를 탄성 지지한다. 가동 접촉자(43)가 고정 접촉자(22)와 접촉될 경우, 전자기적 반발력에 의해 가동 접촉자(43)는 고정 접촉자(22)에서 이격되려는 경향을 갖게 된다. The elastic part 45 elastically supports the movable contact 43 . When the movable contact 43 is in contact with the fixed contact 22 , the movable contact 43 tends to be separated from the fixed contact 22 by electromagnetic repulsive force.

이때, 탄성부(45)는 가동 접촉자(43)를 탄성 지지하여, 가동 접촉자(43)가 고정 접촉자(22)에서 임의 이격되는 것을 방지한다. At this time, the elastic part 45 elastically supports the movable contact 43 to prevent the movable contact 43 from being arbitrarily separated from the fixed contact 22 .

탄성부(45)는 형상의 변형에 의해 복원력을 저장하고, 저장된 복원력을 다른 부재에 제공할 수 있는 임의의 형태로 구비될 수 있다. 일 실시 예에서, 탄성부(45)는 코일 스프링으로 구비될 수 있다. The elastic part 45 may be provided in any shape capable of storing the restoring force by deformation of the shape and providing the stored restoring force to other members. In one embodiment, the elastic part 45 may be provided as a coil spring.

가동 접촉자(43)를 향하는 탄성부(45)의 일측 단부는 가동 접촉자(43)의 하측에 접촉된다. 또한, 상기 일측 단부에 대향하는 타측 단부는 하우징(41)의 상측에 접촉된다. One end of the elastic part 45 facing the movable contact 43 is in contact with the lower side of the movable contact 43 . In addition, the other end opposite to the one end is in contact with the upper side of the housing 41 .

탄성부(45)는 소정 거리만큼 압축되어 복원력을 저장한 상태로 가동 접촉자(43)를 탄성 지지할 수 있다. 이에 따라, 가동 접촉자(43)와 고정 접촉자(22) 사이에서 전자기적 반발력이 발생되더라도, 가동 접촉자(43)가 임의로 이동되지 않게 된다. The elastic part 45 may be compressed by a predetermined distance to elastically support the movable contact 43 in a state in which restoring force is stored. Accordingly, even if an electromagnetic repulsive force is generated between the movable contact 43 and the fixed contact 22 , the movable contact 43 is not arbitrarily moved.

탄성부(45)의 안정적인 결합을 위해, 가동 접촉자(43)의 하측에는 탄성부(45)에 삽입되는 돌출부(미도시)가 돌출 형성될 수 있다. 마찬가지로, 하우징(41)의 상측에도 탄성부(45)에 삽입되는 돌출부(미도시)가 돌출 형성될 수 있다. For stable coupling of the elastic part 45 , a protrusion (not shown) inserted into the elastic part 45 may be protruded under the movable contact 43 . Similarly, a protrusion (not shown) inserted into the elastic part 45 may protrude from the upper side of the housing 41 .

3. 본 발명의 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)의 설명3. Description of the arc path forming unit 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800 according to an embodiment of the present invention

도 5 내지 도 29를 참조하면, 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)가 도시된다. 각 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 아크 챔버(21) 내부에 자기장을 형성한다. 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류와 형성된 자기장에 의해, 아크 챔버(21) 내부에는 전자기력이 형성된다. 5 to 29 , arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 and 800 according to various embodiments of the present disclosure are illustrated. Each of the arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 and 800 forms a magnetic field inside the arc chamber 21 . An electromagnetic force is formed in the arc chamber 21 by the current flowing through the DC relay 1 and the formed magnetic field.

고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)가 이격됨에 따라 발생된 아크는, 형성된 전자기력에 의해 아크 챔버(21)의 외부로 이동된다. 구체적으로, 발생된 아크는 형성된 전자기력의 방향을 따라 이동된다. 이에, 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 발생된 아크가 유동되는 경로인 아크의 경로(A.P)를 형성한다고 할 수 있을 것이다.The arc generated as the fixed contact 22 and the movable contact 43 are spaced apart is moved to the outside of the arc chamber 21 by the formed electromagnetic force. Specifically, the generated arc is moved along the direction of the formed electromagnetic force. Accordingly, it can be said that the arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 , and 800 form the arc path A.P, which is a path through which the generated arc flows.

아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 상부 프레임(11)의 내부에 형성된 공간에 위치된다. 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 아크 챔버(21)를 둘러싸게 배치된다. 달리 표현하면, 아크 챔버(21)는 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)의 내부에 위치된다.The arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 and 800 are located in a space formed inside the upper frame 11 . The arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 and 800 are disposed to surround the arc chamber 21 . In other words, the arc chamber 21 is located inside the arc path forming part 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 , 800 .

아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)의 내부에는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다. 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)가 이격되어 발생된 아크는, 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)에 의해 형성된 전자기력에 의해 유도될 수 있다.The fixed contact 22 and the movable contact 43 are positioned inside the arc path forming unit 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 , and 800 . The arc generated by the fixed contact 22 and the movable contact 43 being spaced apart may be induced by an electromagnetic force formed by the arc path forming unit 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 , 800 . .

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 할바흐 배열을 포함한다. 할바흐 배열은 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 수용되는 아크 경로 형성부(100) 내부에 자기장을 형성한다. 이때, 할바흐 배열은 자체적으로, 또한 서로 간에 자기장을 형성할 수 있다. The arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 , and 800 according to various embodiments of the present disclosure include a Halbach arrangement. The Halbach arrangement forms a magnetic field inside the arc path forming part 100 in which the fixed contact 22 and the movable contact 43 are accommodated. At this time, the Halbach arrangement can form a magnetic field by itself and also between each other.

할바흐 배열이 형성하는 자기장은, 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)에 통전되는 전류와 함께 전자기력을 형성한다. 형성된 전자기력은 고정 접촉자(22)와 가동 접촉자(43)가 이격될 경우 발생되는 아크를 유도한다. The magnetic field formed by the Halbach arrangement forms an electromagnetic force together with the current passed through the fixed contact 22 and the movable contact 43 . The formed electromagnetic force induces an arc generated when the fixed contact 22 and the movable contact 43 are spaced apart.

이때, 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 공간부(115)의 중심부(C)에서 멀어지는 방향의 전자기력을 형성한다. 이에 따라, 아크의 경로(A.P) 또한 공간부의 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성된다.In this case, the arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 and 800 form an electromagnetic force in a direction away from the center C of the space 115 . Accordingly, the arc path A.P is also formed in a direction away from the center portion C of the space.

결과적으로, 직류 릴레이(1)에 구비되는 각 구성 요소가 발생된 아크에 의해 손상되지 않게 된다. 더 나아가, 발생된 아크가 아크 챔버(21)의 외부로 신속하게 배출될 수 있다.As a result, each component provided in the DC relay 1 is not damaged by the generated arc. Furthermore, the generated arc can be rapidly discharged to the outside of the arc chamber 21 .

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 각 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)의 구성 및 각 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the configuration of each arc path forming unit (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800) and each arc path forming unit (100, 200, 300, 400, 500, 600) , 700, 800 will be described in detail the path (A.P) of the arc formed by.

이하에서 설명되는 다양한 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800)는 전방 측 및 후방 측에 각각 위치되는 할바흐 배열을 구비할 수 있다. The arc path forming units 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 , and 800 according to various embodiments to be described below may include a Halbach arrangement positioned on the front side and the rear side, respectively.

후술될 바와 같이, 후방 측은 제1 면(111, 211, 311, 411, 511, 611, 711, 811), 전방 측은 제2 면(112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812)에 인접한 방향으로 정의될 수 있다.As will be described later, the rear side is a first side (111, 211, 311, 411, 511, 611, 711, 811) and the front side is a second side (112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) It can be defined in a direction adjacent to .

또한, 좌측은 제3 면(113, 213, 313, 413, 513, 613, 713, 813), 우측은 제4 면(114, 214, 314, 414, 514, 614, 714, 814)에 인접한 방향으로 정의될 수 있다.In addition, the left side is the third surface (113, 213, 313, 413, 513, 613, 713, 813), the right side is the direction adjacent to the fourth surface (114, 214, 314, 414, 514, 614, 714, 814) can be defined as

(1) 본 발명의 일 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100)의 설명(1) Description of the arc path forming unit 100 according to an embodiment of the present invention

이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100)를 상세하게 설명한다. Hereinafter, the arc path forming unit 100 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6 .

도 5를 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100)는 자석 프레임(110), 제1 할바흐 배열(Halbach array)(120) 및 제2 할바흐 배열(130)을 포함한다.Referring to FIG. 5 , the arc path forming unit 100 according to the illustrated embodiment includes a magnet frame 110 , a first Halbach array 120 , and a second Halbach array 130 . .

자석 프레임(110)은 아크 경로 형성부(100)의 골격을 형성한다. 자석 프레임(110)에는 할바흐 배열(120)이 배치된다. 일 실시 예에서, 할바흐 배열(120)은 자석 프레임(110)에 결합될 수 있다. The magnet frame 110 forms a skeleton of the arc path forming unit 100 . A Halbach arrangement 120 is disposed on the magnet frame 110 . In an embodiment, the Halbach arrangement 120 may be coupled to the magnet frame 110 .

자석 프레임(110)은 길이 방향, 도시된 실시 예에서 좌우 방향으로 연장 형성된 직사각형의 단면을 갖는다. 자석 프레임(110)의 형상은 상부 프레임(11) 및 아크 챔버(21)의 형상에 따라 변경될 수 있다. The magnet frame 110 has a rectangular cross-section extending in the longitudinal direction, in the illustrated embodiment, in the left and right directions. The shape of the magnet frame 110 may be changed according to the shape of the upper frame 11 and the arc chamber 21 .

자석 프레임(110)은 제1 면(111), 제2 면(112), 제3 면(113), 제4 면(114) 및 공간부(115)를 포함한다. The magnet frame 110 includes a first surface 111 , a second surface 112 , a third surface 113 , a fourth surface 114 , and a space portion 115 .

제1 면(111), 제2 면(112), 제3 면(113) 및 제4 면(114)은 자석 프레임(110)의 외주면을 형성한다. 즉, 제1 면(111), 제2 면(112), 제3 면(113) 및 제4 면(114)은 자석 프레임(110)의 벽으로 기능된다. The first surface 111 , the second surface 112 , the third surface 113 , and the fourth surface 114 form an outer peripheral surface of the magnet frame 110 . That is, the first surface 111 , the second surface 112 , the third surface 113 , and the fourth surface 114 function as a wall of the magnet frame 110 .

제1 면(111), 제2 면(112), 제3 면(113) 및 제4 면(114)의 외측은 상부 프레임(11)의 내면에 접촉 또는 고정 결합될 수 있다. 또한, 제1 면(111), 제2 면(112), 제3 면(113) 및 제4 면(114)의 내측에는 할바흐 배열(120)이 위치될 수 있다. Outside of the first surface 111 , the second surface 112 , the third surface 113 , and the fourth surface 114 may be in contact with or fixedly coupled to the inner surface of the upper frame 11 . In addition, the Halbach arrangement 120 may be positioned inside the first surface 111 , the second surface 112 , the third surface 113 , and the fourth surface 114 .

도시된 실시 예에서, 제1 면(111)은 후방 측 면을 형성한다. 제2 면(112)은 전방 측 면을 형성하며, 제1 면(111)에 대향한다. 또한, 제3 면(113)은 좌측 면을 형성한다. 제4 면(114)은 우측 면을 형성하며, 제3 면(113)에 대향한다. In the illustrated embodiment, the first side 111 forms the rear side. The second surface 112 forms a front side surface and faces the first surface 111 . Further, the third face 113 forms the left face. The fourth side 114 forms the right side and faces the third side 113 .

즉, 제1 면(111) 및 제2 면(112)은 공간부(115)를 사이에 두고 서로 마주한다. 또한, 제3 면(113) 및 제4 면(114)은 공간부(115)를 사이에 두고 서로 마주한다.That is, the first surface 111 and the second surface 112 face each other with the space portion 115 interposed therebetween. In addition, the third surface 113 and the fourth surface 114 face each other with the space portion 115 interposed therebetween.

제1 면(111)은 제3 면(113) 및 제4 면(114)과 연속된다. 제1 면(111)은 제3 면(113) 및 제4 면(114)과 소정의 각도를 이루며 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 소정의 각도는 직각일 수 있다. The first surface 111 is continuous with the third surface 113 and the fourth surface 114 . The first surface 111 may be coupled to the third surface 113 and the fourth surface 114 at a predetermined angle. In an embodiment, the predetermined angle may be a right angle.

제2 면(112)은 제3 면(113) 및 제4 면(114)과 연속된다. 제2 면(112)은 제3 면(113) 및 제4 면(114)과 소정의 각도를 이루며 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 소정의 각도는 직각일 수 있다. The second surface 112 is continuous with the third surface 113 and the fourth surface 114 . The second surface 112 may be coupled to the third surface 113 and the fourth surface 114 at a predetermined angle. In an embodiment, the predetermined angle may be a right angle.

제1 면(111) 내지 제4 면(114)이 서로 연결되는 각 모서리는 모따기(taper)될 수 있다. Each edge at which the first surface 111 to the fourth surface 114 are connected to each other may be chamfered.

각 면(111, 112, 113, 114)과 할바흐 배열(120)의 결합을 위해, 체결 부재(미도시)가 구비될 수 있다. A fastening member (not shown) may be provided for coupling the respective surfaces 111 , 112 , 113 , and 114 to the Halbach arrangement 120 .

도시되지는 않았으나, 제1 면(111), 제2 면(112), 제3 면(113) 및 제4 면(114) 중 어느 하나 이상에는 아크 배출공(미도시)이 관통 형성될 수 있다. 아크 배출공(미도시)은 공간부(115)에서 발생된 아크가 배출되는 통로로 기능될 수 있다. Although not shown, an arc discharge hole (not shown) may be formed through at least one of the first surface 111 , the second surface 112 , the third surface 113 , and the fourth surface 114 . . The arc discharge hole (not shown) may function as a passage through which the arc generated in the space 115 is discharged.

제1 면(111) 내지 제4 면(114)에 의해 둘러싸이는 공간은 공간부(115)로 정의될 수 있다. A space surrounded by the first surface 111 to the fourth surface 114 may be defined as the space portion 115 .

공간부(115)에는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 수용된다. 또한, 공간부(115)에는 아크 챔버(21)가 수용된다. The fixed contact 22 and the movable contact 43 are accommodated in the space 115 . In addition, the arc chamber 21 is accommodated in the space 115 .

공간부(115)에서, 가동 접촉자(43)는 고정 접촉자(22)를 향하는 방향(즉, 하측 방향) 또는 고정 접촉자(22)에서 멀어지는 방향(즉, 상측 방향)으로 이동될 수 있다. In the space portion 115 , the movable contact 43 may be moved in a direction toward the fixed contact 22 (ie, a downward direction) or a direction away from the fixed contact 22 (ie, an upward direction).

또한, 공간부(115)에는 아크 챔버(21)에서 발생된 아크의 경로(A.P)가 형성된다. 이는, 할바흐 배열(120)이 형성하는 자기장에 의해 달성된다. In addition, a path A.P of the arc generated in the arc chamber 21 is formed in the space portion 115 . This is achieved by the magnetic field formed by the Halbach arrangement 120 .

공간부(115)의 중앙 부분은 중심부(C)로 정의될 수 있다. 제1 면 내지 제4 면(111, 112, 113, 114)이 서로 연결되는 각 모서리에서 중심부(C)까지의 직선 거리는 동일하게 형성될 수 있다. A central portion of the space portion 115 may be defined as a central portion (C). A straight line distance from each corner where the first to fourth surfaces 111 , 112 , 113 , and 114 are connected to each other to the center C may be formed to be the same.

중심부(C)는 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 사이에 위치된다. 또한, 중심부(C)의 수직 하방에는 가동 접촉자부(40)의 중심 부분이 위치된다. 즉, 중심부(C)의 수직 하방에는 하우징(41), 커버(42), 가동 접촉자(43), 샤프트(44) 및 탄성부(45) 등의 중심 부분이 위치된다. The central portion C is positioned between the first fixed contact 22a and the second fixed contact 22b. In addition, the central portion of the movable contact portion 40 is positioned vertically below the central portion (C). That is, the central portion of the housing 41 , the cover 42 , the movable contact 43 , the shaft 44 , and the elastic part 45 is positioned vertically below the central portion (C).

따라서, 발생된 아크가 중심부(C)를 향해 이동될 경우, 상기 구성들의 손상이 발생될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100)는 제1 할바흐 배열(120) 및 제2 할바흐 배열(130)을 포함한다. Accordingly, when the generated arc is moved toward the central portion (C), damage to the above components may occur. To prevent this, the arc path forming unit 100 according to the present embodiment includes a first Halbach arrangement 120 and a second Halbach arrangement 130 .

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(120)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(120)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 120 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 120 is formed to extend in the left and right direction.

제1 할바흐 배열(120)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(120)은 제2 할바흐 배열(130)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The first Halbach array 120 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 120 may form a magnetic field together with the second Halbach arrangement 130 .

제1 할바흐 배열(120)은 제1 및 제2 면(111, 112) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(120)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(115)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The first Halbach arrangement 120 may be positioned adjacent to any one of the first and second surfaces 111 and 112 . In an embodiment, the first Halbach arrangement 120 may be coupled to the inner side of the one surface (ie, the direction toward the space 115 ).

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(120)은 제1 면(111)의 내측에, 제1 면(111)에 인접하게 배치되어, 제2 면(112)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(130)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 120 is disposed on the inside of the first surface 111 , adjacent to the first surface 111 , and a second Facing the Halbach arrangement 130 .

제1 할바흐 배열(120)과 제2 할바흐 배열(130) 사이에는 공간부(115) 및 공간부(115)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the first Halbach arrangement 120 and the second Halbach arrangement 130 , the space portion 115 and the fixed contactor 22 and the movable contactor 43 accommodated in the space portion 115 are positioned.

제1 할바흐 배열(120)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 할바흐 배열(130)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(120)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The first Halbach arrangement 120 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the second Halbach arrangement 130 . Since the direction of the magnetic field formed by the first Halbach array 120 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(120)은 제1 블록(121), 제2 블록(122) 및 제3 블록(123)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(120)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(121, 122, 123)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 120 includes a first block 121 , a second block 122 , and a third block 123 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 120 are named blocks 121 , 122 , and 123 , respectively.

제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 121 , 122 , and 123 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to third blocks 121 , 122 , and 123 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)은 제1 면(111)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 121 , 122 , and 123 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 121 , 122 , and 123 are arranged in parallel in the extending direction of the first surface 111 , that is, in the left and right direction.

제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)은 상기 방향을 따라 나란하게 배치된다. 구체적으로, 제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)은 제2 블록(122)이 가장 좌측에 배치되고, 제3 블록(123)이 가장 우측에 배치된다. 또한, 제1 블록(121)은 제2 블록(122)과 제3 블록(123) 사이에 위치된다.The first to third blocks 121 , 122 , and 123 are arranged in parallel along the direction. Specifically, in the first to third blocks 121 , 122 , and 123 , the second block 122 is disposed at the leftmost side, and the third block 123 is disposed at the rightmost side. Also, the first block 121 is positioned between the second block 122 and the third block 123 .

일 실시 예에서, 서로 인접하게 배치되는 각 블록(121, 122, 123)은 서로 접촉될 수 있다.In an embodiment, each of the blocks 121 , 122 , and 123 disposed adjacent to each other may contact each other.

제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)은 제2 할바흐 배열(130)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(130)의 제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)과 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first to third blocks 121, 122, 123 are the first to third blocks ( 131, 132, and 133) and may be disposed to overlap each other.

이때, 제2 블록(122)은 제2 면(112)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a)와 겹쳐지게 배치될 수 있다.In this case, the second block 122 may be disposed to overlap the first fixed contactor 22a in the direction toward the second surface 112 , and in the front-rear direction in the illustrated embodiment.

또한, 제3 블록(123)은 제2 면(112)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 고정 접촉자(22b)와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the third block 123 may be disposed to overlap the second fixed contactor 22b in the direction toward the second surface 112 , in the front-rear direction in the illustrated embodiment.

각 블록(121, 122, 123)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 121 , 122 , 123 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(121)은 공간부(115) 또는 제2 할바흐 배열(130)을 향하는 제1 내면(121a) 및 공간부(115) 또는 제2 할바흐 배열(130)에 반대되는 제1 외면(121b)을 포함한다.Specifically, the first block 121 is the space portion 115 or the first inner surface 121a facing the second Halbach arrangement 130 and the space portion 115 or the second Halbach arrangement 130 opposite to the opposite. and a first outer surface 121b.

제2 블록(122)은 제1 블록(121)을 향하는 제2 내면(122a) 및 제1 블록(121)에 반대되는 제2 외면(122b)을 포함한다.The second block 122 includes a second inner surface 122a facing the first block 121 and a second outer surface 122b opposite to the first block 121 .

제3 블록(123)은 제1 블록(121)을 향하는 제3 내면(123a) 및 제1 블록(121)을 향하는 제3 외면(123b)을 포함한다.The third block 123 includes a third inner surface 123a facing the first block 121 and a third outer surface 123b facing the first block 121 .

각 블록(121, 122, 123)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 121 , 122 , 123 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(121a, 122a, 123a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(121b, 122b, 123b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third inner surfaces 121a, 122a, and 123a may be magnetized to have the same polarity. Similarly, the first to third outer surfaces 121b, 122b, and 123b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(121a, 122a, 123a)은 제2 할바흐 배열(130)의 제1 내지 제3 내면(131a, 132a, 133a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(121b, 122b, 123b)은 제2 할바흐 배열(130)의 제1 내지 제3 외면(131b, 132b, 133b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third inner surfaces 121a , 122a , and 123a may be magnetized to have the same polarity as the first to third inner surfaces 131a , 132a , 133a of the second Halbach arrangement 130 . Likewise, the first to third outer surfaces 121b, 122b, and 123b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 131b, 132b, and 133b of the second Halbach arrangement 130 .

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(130)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(130)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 130 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 130 is formed extending in the left and right direction.

제2 할바흐 배열(130)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(130)은 제1 할바흐 배열(120)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The second Halbach arrangement 130 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 130 may form a magnetic field together with the first Halbach arrangement 120 .

제2 할바흐 배열(130)은 제1 및 제2 면(111, 112) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(130)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(115)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다. The second Halbach arrangement 130 may be positioned adjacent to the other one of the first and second surfaces 111 and 112 . In one embodiment, the second Halbach arrangement 130 may be coupled to the inner side of the one surface (ie, the direction toward the space portion 115).

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(130)은 제2 면(112)의 내측에, 제2 면(112)에 인접하게 배치되어, 제1 면(111)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(120)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 130 is disposed on the inner side of the second surface 112 , adjacent to the second surface 112 , and the first Facing the Halbach arrangement 120 .

제2 할바흐 배열(130)과 제1 할바흐 배열(120) 사이에는 공간부(115) 및 공간부(115)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the second Halbach arrangement 130 and the first Halbach arrangement 120 , the space portion 115 and the fixed contactor 22 and the movable contactor 43 accommodated in the space portion 115 are positioned.

제2 할바흐 배열(130)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 할바흐 배열(120)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(130)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The second Halbach arrangement 130 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the first Halbach arrangement 120 . Since the direction of the magnetic field formed by the second Halbach arrangement 130 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(130)은 제1 블록(131), 제2 블록(132) 및 제3 블록(133)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(130)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(131, 132, 133)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 130 includes a first block 131 , a second block 132 , and a third block 133 . It will be understood that the plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 130 are named blocks 131 , 132 , and 133 , respectively.

제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 131 , 132 , and 133 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to third blocks 131 , 132 , 133 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)은 제2 면(112)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 131 , 132 , and 133 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 131 , 132 , and 133 are arranged in parallel in the direction in which the second surface 112 extends, that is, in the left and right direction.

제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)은 상기 방향을 따라 나란하게 배치된다. 구체적으로, 제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)은 제2 블록(132)이 가장 좌측에 배치되고, 제3 블록(133)이 가장 우측에 배치된다. 또한, 제1 블록(131)은 제2 블록(132) 및 제3 블록(133) 사이에 위치된다. The first to third blocks 131 , 132 , and 133 are arranged in parallel along the direction. Specifically, in the first to third blocks 131 , 132 , and 133 , the second block 132 is disposed at the leftmost side, and the third block 133 is disposed at the rightmost side. Also, the first block 131 is positioned between the second block 132 and the third block 133 .

일 실시 예에서, 서로 인접하게 배치되는 각 블록(131, 132, 133)은 서로 접촉될 수 있다.In an embodiment, each of the blocks 131 , 132 , and 133 disposed adjacent to each other may contact each other.

제1 내지 제3 블록(131, 132, 133)은 제1 할바흐 배열(120)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 할바흐 배열(120)의 제1 내지 제3 블록(121, 122, 123)과 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first to third blocks 131, 132, 133 are the first to third blocks ( 121, 122, and 123) and may be disposed to overlap each other.

이때, 제2 블록(132)은 제1 면(111)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a)와 겹쳐지게 배치될 수 있다.In this case, the second block 132 may be disposed to overlap the first fixed contactor 22a in the direction toward the first surface 111 , in the front-rear direction in the illustrated embodiment.

또한, 제3 블록(133)은 제1 면(111)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 고정 접촉자(22b)와 겹쳐지게 배치될 수 있다.In addition, the third block 133 may be disposed to overlap the second fixed contactor 22b in the direction toward the first surface 111 , in the front-rear direction in the illustrated embodiment.

각 블록(131, 132, 133)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 131 , 132 , 133 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(131)은 공간부(115) 또는 제1 할바흐 배열(120)을 향하는 제1 내면(131a) 및 공간부(115) 또는 제1 할바흐 배열(120)에 반대되는 제1 외면(131b)을 포함한다.Specifically, the first block 131 is the space portion 115 or the first inner surface 131a facing the first Halbach arrangement 120 and the space portion 115 or the first Halbach arrangement 120 opposite to the and a first outer surface 131b.

제2 블록(132)은 제1 블록(131)을 향하는 제2 내면(132a) 및 제1 블록(131)에 반대되는 제2 외면(132b)을 포함한다.The second block 132 includes a second inner surface 132a facing the first block 131 and a second outer surface 132b opposite to the first block 131 .

제3 블록(133)은 제1 블록(131)을 향하는 제3 내면(133a) 및 제1 블록(131)에 반대되는 제3 외면(133b)을 포함한다.The third block 133 includes a third inner surface 133a facing the first block 131 and a third outer surface 133b opposite to the first block 131 .

각 블록(131, 132, 133)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 131 , 132 , 133 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(131a, 132a, 133a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(131b, 132b, 133b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third inner surfaces 131a, 132a, and 133a may be magnetized to have the same polarity. Likewise, the first to third outer surfaces 131b, 132b, and 133b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(131a, 132a, 133a)은 제1 할바흐 배열(120)의 제1 내지 제3 내면(121a, 122a, 123a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(131b, 132b, 133b)은 제1 할바흐 배열(120)의 제1 내지 제3 외면(121b, 122b, 123b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third inner surfaces 131a , 132a , and 133a may be magnetized to have the same polarity as the first to third inner surfaces 121a , 122a and 123a of the first Halbach array 120 . Similarly, the first to third outer surfaces 131b , 132b , and 133b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 121b , 122b and 123b of the first Halbach arrangement 120 .

제1 및 제2 할바흐 배열(120, 130)의 상대적인 극성 관계는 기하학적으로 전후 방향으로 대칭이라고 표현할 수 있다. The relative polarity relationship of the first and second Halbach arrays 120 and 130 can be expressed as geometrically symmetrical in the front-rear direction.

즉, 제1 및 제2 할바흐 배열(120, 130)은 각 고정 접촉자(22a, 22b)를 지나는 가상의 직선에 대해 선대칭되도록 자화된다. That is, the first and second Halbach arrays 120 and 130 are magnetized to be line-symmetric with respect to an imaginary straight line passing through each of the fixed contacts 22a and 22b.

이하, 도 6을 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc path forming unit 100 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. 6 .

도 6을 참조하면, 제1 할바흐 배열(120)의 제1 내지 제3 내면(121a, 122a, 123a)은 N극으로 자화된다. 또한, 제2 할바흐 배열(130)의 제1 내지 제3 내면(131a, 132a, 133a) 역시 N극으로 자화된다.Referring to FIG. 6 , the first to third inner surfaces 121a , 122a , and 123a of the first Halbach array 120 are magnetized to the N pole. In addition, the first to third inner surfaces 131a , 132a , and 133a of the second Halbach arrangement 130 are also magnetized to the N pole.

또한, 상기 소정의 규칙에 의해, 제1 내지 제2 할바흐 배열(120, 130)의 각 제1 내지 제3 외면(121b, 131b, 122b, 132b, 123b, 133b)은 S극으로 자화된다.In addition, according to the predetermined rule, each of the first to third outer surfaces 121b, 131b, 122b, 132b, 123b, 133b of the first to second Halbach arrays 120 and 130 is magnetized to the S pole.

이에 따라, 제1 및 제2 할바흐 배열(120, 130) 사이에는 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다. Accordingly, a magnetic field is formed between the first and second Halbach arrays 120 and 130 in a direction to repel each other.

도 6의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (a) of FIG. 6 , the direction of the current is the direction from the second fixed contactor 22b to the first fixed contactor 22a through the movable contactor 43 .

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙(Fleming's rule)을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the front left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the front left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the front right.

도 6의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (b) of FIG. 6 , the direction of the current is a direction from the first fixed contactor 22a to the movable contactor 43 and out to the second fixed contactor 22b.

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the rear left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the rear left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the rear right side.

도시되지는 않았으나, 제1 및 제2 할바흐 배열(120, 130)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(120, 130)에 형성되는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each surface of the first and second Halbach arrays 120 and 130 is changed, the direction of the magnetic field formed in each of the Halbach arrays 120 and 130 is reversed. Accordingly, the path A.P of the generated electromagnetic force and arc is also formed in the reverse direction.

즉, 도 6의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized situation as shown in (a) of FIG. 6 , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the rear left. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

유사하게, 도 6의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 6B , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contact 22a is formed toward the left in the front. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(100)는, 제1 및 제2 할바흐 배열(120, 130)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc path forming unit 100 according to the present embodiment, regardless of the polarity of the first and second Halbach arrays 120 and 130 or the direction of the current flowing through the DC relay 1, electromagnetic force and arc A path (A.P) of can be formed in a direction away from the center (C).

따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the DC relay 1 disposed adjacent to the central portion C can be prevented. Furthermore, the generated arc can be quickly discharged to the outside, so that the operation reliability of the DC relay 1 can be improved.

(2) 본 발명의 다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(200)의 설명(2) Description of the arc path forming unit 200 according to another embodiment of the present invention

이하, 도 7 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(200)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path forming unit 200 according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 7 to 9 .

도 7 및 도 8을 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(200)는 자석 프레임(210), 제1 할바흐 배열(220) 및 제2 할바흐 배열(230)을 포함한다. 7 and 8 , the arc path forming unit 200 according to the illustrated embodiment includes a magnet frame 210 , a first Halbach arrangement 220 , and a second Halbach arrangement 230 .

본 실시 예에 따른 자석 프레임(210)은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)과 그 구조 및 기능이 동일하다. 다만, 본 실시 예에 따른 자석 프레임(210)에 배치되는 제1 할바흐 배열(220) 및 제2 할바흐 배열(230)의 배치 방식에 차이가 있다.The magnet frame 210 according to the present embodiment has the same structure and function as the magnet frame 110 according to the above-described embodiment. However, there is a difference in the arrangement method of the first Halbach arrangement 220 and the second Halbach arrangement 230 disposed on the magnet frame 210 according to the present embodiment.

이에, 자석 프레임(210)에 대한 설명은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.Accordingly, the description of the magnet frame 210 will be replaced with the description of the magnet frame 110 according to the above-described embodiment.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(220)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(220)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 220 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 220 is formed to extend in the left and right direction.

제1 할바흐 배열(220)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(220)은 제2 할바흐 배열(230)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The first Halbach array 220 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 220 may form a magnetic field together with the second Halbach arrangement 230 .

제1 할바흐 배열(220)은 제1 및 제2 면(211, 212) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(220)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(215)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The first Halbach arrangement 220 may be positioned adjacent to any one of the first and second surfaces 211 and 212 . In one embodiment, the first Halbach arrangement 220 may be coupled to the inner side of the one surface (ie, the direction toward the space portion 215 ).

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(220)은 제1 면(211)의 내측에, 제1 면(211)에 인접하게 배치되어, 제2 면(212)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(230)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 220 is disposed on the inside of the first surface 211 , adjacent to the first surface 211 , and is disposed on the inside of the second surface 212 . Facing the Halbach arrangement 230 .

제1 할바흐 배열(220)과 제2 할바흐 배열(230) 사이에는 공간부(215) 및 공간부(215)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the first Halbach arrangement 220 and the second Halbach arrangement 230 , the space 215 and the fixed contact 22 and the movable contact 43 accommodated in the space 215 are positioned.

제1 할바흐 배열(220)은 제3 면(213) 및 제4 면(214) 중 어느 하나에 치우쳐 위치된다. 도 7에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(220)은 제4 면(214)에 치우쳐 위치된다. 도 8에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 제3 면(213)에 치우쳐 위치된다.The first Halbach arrangement 220 is located biased to any one of the third face 213 and the fourth face 214 . In the embodiment shown in FIG. 7 , the first Halbach arrangement 220 is located biased to the fourth face 214 . In the embodiment shown in FIG. 8 , the second Halbach arrangement 230 is positioned to be biased toward the third surface 213 .

제1 할바흐 배열(220)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 할바흐 배열(230)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(220)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The first Halbach arrangement 220 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the second Halbach arrangement 230 . Since the direction of the magnetic field formed by the first Halbach array 220 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(220)은 제1 블록(221) 및 제2 블록(222)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(220)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(221, 222)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 220 includes a first block 221 and a second block 222 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 220 are respectively named blocks 221 and 222 .

제1 및 제2 블록(221, 222)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 및 제2 블록(221, 222)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first and second blocks 221 and 222 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first and second blocks 221 and 222 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 및 제2 블록(221, 222)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 및 제2 블록(221, 222)은 제1 면(211)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first and second blocks 221 and 222 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first and second blocks 221 and 222 are arranged in parallel in a direction in which the first surface 211 extends, that is, in a left-right direction.

도 7에 도시된 실시 예에서, 제1 블록(221)은 중앙 부분에, 제2 블록(222)은 제1 블록(221)의 우측에 위치된다. 도 8에 도시된 실시 예에서, 제1 블록(221)은 중앙 부분에, 제2 블록(222)은 제1 블록(221)의 좌측에 위치된다. In the embodiment shown in FIG. 7 , the first block 221 is located in the central portion, and the second block 222 is located on the right side of the first block 221 . In the embodiment shown in FIG. 8 , the first block 221 is located in the central portion, and the second block 222 is located on the left side of the first block 221 .

일 실시 예에서, 제1 블록(221)과 제2 블록(222)은 서로 접촉될 수 있다. In an embodiment, the first block 221 and the second block 222 may contact each other.

제1 블록(221)은 제2 할바흐 배열(230)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(230)의 제1 블록(231)과 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first block 221 may be disposed to overlap the first block 231 of the second Halbach arrangement 230 in the direction toward the second Halbach arrangement 230 , and in the front-rear direction in the illustrated embodiment, respectively. .

이때, 제2 블록(222)은 제2 면(212)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다.At this time, the second block 222 is to be disposed to overlap with any one of the first fixed contactor 22a and the second fixed contactor 22b in the direction toward the second surface 212, and in the front-rear direction in the illustrated embodiment. can

도 7에 도시된 실시 예에서, 제2 블록(222)은 제2 고정 접촉자(22b)와 전후 방향으로 겹쳐진다. 도 8에 도시된 실시 예에서, 제2 블록(222)은 제1 고정 접촉자(22a)와 전후 방향으로 겹쳐진다.In the embodiment shown in FIG. 7 , the second block 222 overlaps the second fixed contact 22b in the front-rear direction. In the embodiment shown in FIG. 8 , the second block 222 overlaps the first fixed contact 22a in the front-rear direction.

각 블록(221, 222)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 221 , 222 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(221)은 공간부(215) 또는 제2 할바흐 배열(230)을 향하는 제1 내면(221a) 및 공간부(215) 또는 제2 할바흐 배열(230)에 반대되는 제1 외면(221b)을 포함한다.Specifically, the first block 221 is the space portion 215 or the first inner surface 221a facing the second Halbach arrangement 230 and the space portion 215 or the second Halbach arrangement 230 opposite to the opposite. and a first outer surface 221b.

제2 블록(222)은 제1 블록(221)을 향하는 제2 내면(222a) 및 제1 블록(221)에 반대되는 제2 외면(222b)을 포함한다.The second block 222 includes a second inner surface 222a facing the first block 221 and a second outer surface 222b facing the first block 221 .

각 블록(221, 222)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 221 , 222 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 및 제2 내면(221a, 222a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 및 제2 외면(221b, 222b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first and second inner surfaces 221a and 222a may be magnetized to have the same polarity. Similarly, the first and second outer surfaces 221b and 222b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 및 제2 내면(221a, 222a)은 제2 할바흐 배열(230)의 제1 및 제2 내면(231a, 232a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 및 제2 외면(221b, 222b)은 제2 할바흐 배열(230)의 제1 및 제2 외면(231b, 232b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first and second inner surfaces 221a and 222a may be magnetized to have the same polarity as the first and second inner surfaces 231a and 232a of the second Halbach arrangement 230 . Likewise, the first and second outer surfaces 221b and 222b may be magnetized with the same polarity as the first and second outer surfaces 231b and 232b of the second Halbach arrangement 230 .

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 230 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 230 is formed to extend in the left and right direction.

제2 할바흐 배열(230)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 제1 할바흐 배열(220)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The second Halbach arrangement 230 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 230 may form a magnetic field together with the first Halbach arrangement 220 .

제2 할바흐 배열(230)은 제1 및 제2 면(211, 212) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(215)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다. The second Halbach arrangement 230 may be positioned adjacent to the other one of the first and second surfaces 211 and 212 . In one embodiment, the second Halbach arrangement 230 may be coupled to the inner side of the one surface (ie, the direction toward the space 215 ).

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 제2 면(212)의 내측에, 제2 면(212)에 인접하게 배치되어, 제1 면(211)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(220)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 230 is disposed on the inside of the second surface 212 , adjacent to the second surface 212 , and the first Facing the Halbach arrangement 220 .

제2 할바흐 배열(230)은 제3 면(213) 및 제4 면(214) 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치된다. 도 7에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 제3 면(213)에 치우쳐 위치된다. 도 8에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 제4 면(214)에 치우쳐 위치된다.The second Halbach arrangement 230 is positioned to be biased toward the other of the third face 213 and the fourth face 214 . In the embodiment shown in FIG. 7 , the second Halbach arrangement 230 is located biased to the third surface 213 . In the embodiment shown in FIG. 8 , the second Halbach arrangement 230 is located biased to the fourth face 214 .

제2 할바흐 배열(230)과 제1 할바흐 배열(220) 사이에는 공간부(215) 및 공간부(215)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the second Halbach arrangement 230 and the first Halbach arrangement 220 , the space 215 and the fixed contact 22 and the movable contact 43 accommodated in the space 215 are positioned.

제2 할바흐 배열(230)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 할바흐 배열(220)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(230)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The second Halbach arrangement 230 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the first Halbach arrangement 220 . Since the direction of the magnetic field formed by the second Halbach arrangement 230 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(230)은 제1 블록(231) 및 제2 블록(232)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(230)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(231, 232)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 230 includes a first block 231 and a second block 232 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 230 are named blocks 231 and 232 , respectively.

제1 및 제2 블록(231, 232)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 및 제2 블록(231, 232)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first and second blocks 231 and 232 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first and second blocks 231 and 232 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 및 제2 블록(231, 232)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 및 제2 블록(231, 232)은 제2 면(212)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first and second blocks 231 and 232 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first and second blocks 231 and 232 are arranged in parallel in the direction in which the second surface 212 extends, that is, in the left and right direction.

도 7에 도시된 실시 예에서, 제1 블록(231)은 중앙 부분에, 제2 블록(232)은 제1 블록(231)의 좌측에 위치된다. 도 8에 도시된 실시 예에서, 제1 블록(231)은 중앙 부분에, 제2 블록(232)은 제1 블록(231)의 우측에 위치된다. In the embodiment shown in FIG. 7 , the first block 231 is located in the central portion, and the second block 232 is located on the left side of the first block 231 . In the embodiment shown in FIG. 8 , the first block 231 is located in the central portion, and the second block 232 is located on the right side of the first block 231 .

일 실시 예에서, 서로 인접하게 배치되는 각 블록(231, 232)은 서로 접촉될 수 있다.In an embodiment, each of the blocks 231 and 232 disposed adjacent to each other may contact each other.

제1 블록(231)은 제1 할바흐 배열(220)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 할바흐 배열(220)의 제1 블록(221)과 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first block 231 may be disposed to overlap with the first block 221 of the first Halbach arrangement 220 in the direction toward the first Halbach arrangement 220, and in the front-rear direction in the illustrated embodiment, respectively. .

이때, 제2 블록(222)은 제2 면(212)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다.At this time, the second block 222 is to be disposed to overlap with any one of the first fixed contactor 22a and the second fixed contactor 22b in the direction toward the second surface 212, and in the front-rear direction in the illustrated embodiment. can

도 7에 도시된 실시 예에서, 제2 블록(222)은 제1 고정 접촉자(22a)와 전후 방향으로 겹쳐진다. 도 8에 도시된 실시 예에서, 제2 블록(222)은 제2 고정 접촉자(22b)와 전후 방향으로 겹쳐진다.In the embodiment shown in FIG. 7 , the second block 222 overlaps the first fixed contact 22a in the front-rear direction. In the embodiment shown in FIG. 8 , the second block 222 overlaps the second fixed contact 22b in the front-rear direction.

각 블록(231, 232)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 231 , 232 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(231)은 공간부(215) 또는 제1 할바흐 배열(220)을 향하는 제1 내면(231a) 및 공간부(215) 또는 제1 할바흐 배열(220)에 반대되는 제1 외면(231b)을 포함한다.Specifically, the first block 231 is the space portion 215 or the first Halbach arrangement 220 facing the first inner surface 231a and the space portion 215 or the first Halbach arrangement 220 opposite to the and a first outer surface 231b.

제2 블록(232)은 제1 블록(231)을 향하는 제2 내면(232a) 및 제1 블록(231)에 반대되는 제2 외면(232b)을 포함한다.The second block 232 includes a second inner surface 232a facing the first block 231 and a second outer surface 232b facing the first block 231 .

각 블록(231, 232)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 231 and 232 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 및 제2 내면(231a, 232a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 및 제2 외면(231b, 232b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first and second inner surfaces 231a and 232a may be magnetized to have the same polarity. Similarly, the first and second outer surfaces 231b and 232b may be magnetized with the same polarity.

이때, 제1 및 제2 내면(231a, 232a)은 제1 할바흐 배열(220)의 제1 및 제2 내면(221a, 222a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 및 제2 외면(231b, 232b)은 제1 할바흐 배열(220)의 제1 및 제2 외면(221b, 222b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first and second inner surfaces 231a and 232a may be magnetized to have the same polarity as the first and second inner surfaces 221a and 222a of the first Halbach array 220 . Likewise, the first and second outer surfaces 231b and 232b may be magnetized with the same polarity as the first and second outer surfaces 221b and 222b of the first Halbach arrangement 220 .

제1 및 제2 할바흐 배열(220, 230)의 상대적인 극성 관계는 기하학적으로 전후 방향으로 대칭이라고 표현할 수 있다. The relative polarity relationship of the first and second Halbach arrays 220 and 230 may be expressed as geometrically symmetrical in the front-rear direction.

즉, 제1 및 제2 할바흐 배열(220, 230)은 각 고정 접촉자(22a, 22b)를 지나는 가상의 직선에 대해 선대칭되도록 자화된다. That is, the first and second Halbach arrays 220 and 230 are magnetized to be line-symmetrical with respect to an imaginary straight line passing through each of the fixed contacts 22a and 22b.

이하, 도 9를 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(200)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc path forming unit 200 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. 9 .

도 9를 참조하면, 제1 할바흐 배열(220)의 제1 및 제2 내면(221a, 222a)은 N극으로 자화된다. 또한, 제2 할바흐 배열(230)의 제1 및 제2 내면(231a, 232a) 역시 N극으로 자화된다.Referring to FIG. 9 , the first and second inner surfaces 221a and 222a of the first Halbach array 220 are magnetized to the N pole. In addition, the first and second inner surfaces 231a and 232a of the second Halbach arrangement 230 are also magnetized to the N pole.

또한, 상기 소정의 규칙에 의해, 제1 및 제2 할바흐 배열(220, 230)의 각 제1 및 제3 외면(221b, 231b, 222b, 232b)은 S극으로 자화된다.In addition, according to the predetermined rule, the first and third outer surfaces 221b, 231b, 222b, 232b of the first and second Halbach arrays 220 and 230 are magnetized to the S pole.

이에 따라, 제1 및 제2 할바흐 배열(220, 230) 사이에는 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다. Accordingly, a magnetic field is formed between the first and second Halbach arrays 220 and 230 in a direction to repel each other.

이때, 제1 및 제2 할바흐 배열(220, 230)의 제2 블록(222, 232)은 상기 자기장을 강화하게 형성된다.In this case, the second blocks 222 and 232 of the first and second Halbach arrays 220 and 230 are formed to strengthen the magnetic field.

도 9의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in FIG. 9( a ), the direction of the current is a direction from the second fixed contactor 22b to the first fixed contactor 22a through the movable contactor 43 .

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the front left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the front left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the front right.

도 9의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in FIG. 9( b ), the direction of the current is a direction from the first fixed contactor 22a through the movable contactor 43 to the second fixed contactor 22b.

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the rear left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the rear left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the rear right side.

도시되지는 않았으나, 제1 및 제2 할바흐 배열(220, 230)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(220, 230)이 형성하는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each surface of the first and second Halbach arrays 220 and 230 is changed, the direction of the magnetic field formed by each of the Halbach arrays 220 and 230 is reversed. Accordingly, the path A.P of the generated electromagnetic force and arc is also formed in the reverse direction.

즉, 도 9의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized state as shown in (a) of FIG. 9 , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the rear left. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

유사하게, 도 9의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 9B , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contact 22a is formed toward the left in the front. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(200)는, 제1 및 제2 할바흐 배열(220, 230)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc path forming unit 200 according to the present embodiment, regardless of the polarity of the first and second Halbach arrays 220 and 230 or the direction of the current flowing through the DC relay 1, electromagnetic force and arc A path (A.P) of can be formed in a direction away from the center (C).

따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the DC relay 1 disposed adjacent to the central portion C can be prevented. Furthermore, the generated arc can be quickly discharged to the outside, so that the operation reliability of the DC relay 1 can be improved.

(3) 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(300)의 설명(3) Description of the arc path forming unit 300 according to another embodiment of the present invention

이하, 도 10 및 도 10을 참조하여 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(300)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path forming unit 300 according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 10 and 10 .

도 10을 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(300)는 자석 프레임(310), 제1 할바흐 배열(320), 제2 할바흐 배열(330), 제3 할바흐 배열(340) 및 제4 할바흐 배열(350)을 포함한다.Referring to FIG. 10 , the arc path forming unit 300 according to the illustrated embodiment includes a magnet frame 310 , a first Halbach arrangement 320 , a second Halbach arrangement 330 , and a third Halbach arrangement ( 340) and a fourth Halbach arrangement 350.

본 실시 예에 따른 자석 프레임(310)은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)과 그 구조 및 기능이 동일하다. 다만, 본 실시 예에 따른 자석 프레임(310)에 배치되는 제1 할바흐 배열(320), 제2 할바흐 배열(330), 제3 할바흐 배열(340) 및 제4 할바흐 배열(350)의 배치 방식에 차이가 있다.The magnet frame 310 according to the present embodiment has the same structure and function as the magnet frame 110 according to the above-described embodiment. However, the first Halbach arrangement 320 , the second Halbach arrangement 330 , the third Halbach arrangement 340 , and the fourth Halbach arrangement 350 are disposed on the magnet frame 310 according to the present embodiment. There is a difference in the way they are placed.

이에, 자석 프레임(310)에 대한 설명은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.Accordingly, the description of the magnet frame 310 will be replaced with the description of the magnet frame 110 according to the above-described embodiment.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 320 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 320 is formed to extend in the left and right direction.

제1 할바흐 배열(320)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)은 제3 할바흐 배열(340)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The first Halbach array 320 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 320 may form a magnetic field together with the third Halbach arrangement 340 .

제1 할바흐 배열(320)은 제1 및 제2 면(311, 312) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(315)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The first Halbach arrangement 320 may be positioned adjacent to any one of the first and second surfaces 311 and 312 . In one embodiment, the first Halbach arrangement 320 may be coupled to the inner side of the one surface (ie, the direction toward the space portion 315).

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)은 제1 면(311)의 내측에, 제1 면(311)에 인접하게 배치되어, 제2 면(312)의 내측에 위치되는 제3 할바흐 배열(340) 또는 제4 할바흐 배열(350)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 320 is disposed on the inside of the first surface 311 , adjacent to the first surface 311 , and a third disposed on the inside of the second surface 312 . Facing the Halbach arrangement 340 or the fourth Halbach arrangement 350 .

제1 할바흐 배열(320)은 제2 할바흐 배열(330)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제1 할바흐 배열(320)은 제2 할바흐 배열(330)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)과 제2 할바흐 배열(330)은 서로 접촉될 수 있다. The first Halbach arrangement 320 is arranged in parallel with the second Halbach arrangement 330 in the extending direction thereof. The first Halbach arrangement 320 is disposed adjacent to the second Halbach arrangement 330 . In an embodiment, the first Halbach arrangement 320 and the second Halbach arrangement 330 may be in contact with each other.

제1 할바흐 배열(320)과 제3 할바흐 배열(340) 또는 제4 할바흐 배열(350) 사이에는 공간부(315) 및 공간부(315)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the first Halbach arrangement 320 and the third Halbach arrangement 340 or the fourth Halbach arrangement 350 , the space portion 315 and the fixed contactor 22 and the movable contactor accommodated in the space portion 315 . (43) is located.

제1 할바흐 배열(320)은 제3 면(313) 및 제4 면(314) 중 어느 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)은 제3 면(313)에 치우쳐 위치된다. The first Halbach arrangement 320 is positioned to be biased toward any one of the third face 313 and the fourth face 314 . In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 320 is located biased to the third surface 313 .

제1 할바흐 배열(320)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 내지 제4 할바흐 배열(330, 340, 350)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(320)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The first Halbach array 320 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the second to fourth Halbach arrays 330 , 340 , 350 . Since the direction of the magnetic field formed by the first Halbach array 320 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(320)은 제1 블록(321), 제2 블록(322) 및 제3 블록(323)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(320)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(321, 322, 323)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 320 includes a first block 321 , a second block 322 , and a third block 323 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 320 are named blocks 321 , 322 , and 323 , respectively.

제1 내지 제3 블록(321, 322, 323)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(321, 322, 323)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 321 , 322 , and 323 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to third blocks 321 , 322 , and 323 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제3 블록(321, 322, 323)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(321, 322, 323)은 제1 면(311)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 321 , 322 , and 323 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 321 , 322 , and 323 are arranged in parallel in the extending direction of the first surface 311 , that is, in the left and right direction.

제1 블록(321)은 제1 할바흐 배열(320)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(322)은 제1 블록(321)의 좌측에, 제3 블록(323)은 제1 블록(321)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(321, 322, 323)은 서로 접촉될 수 있다. The first block 321 is located in the central portion of the first Halbach arrangement 320 . The second block 322 is located on the left side of the first block 321 , and the third block 323 is located on the right side of the first block 321 , respectively. In an embodiment, the blocks 321 , 322 , and 323 adjacent to each other may contact each other.

제1 블록(321)은 제3 할바흐 배열(340)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제3 할바흐 배열(340)의 제1 블록(341)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first block 321 may be disposed to overlap the first block 341 of the third Halbach arrangement 340 in the direction toward the third Halbach arrangement 340 , in the illustrated embodiment, in the front-rear direction.

또한, 제1 블록(321)은 제3 할바흐 배열(340)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the first block 321 is overlapped with any one of the first fixed contactor 22a and the second fixed contactor 22b in the direction toward the third Halbach arrangement 340 , in the illustrated embodiment, in the front-rear direction. can be placed.

각 블록(321, 322, 323)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 321 , 322 , 323 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(321)은 공간부(315) 또는 제3 할바흐 배열(340)을 향하는 제1 내면(321a) 및 공간부(315) 또는 제3 할바흐 배열(340)에 반대되는 제1 외면(321b)을 포함한다.Specifically, the first block 321 is the space portion 315 or the first inner surface 321a facing the third Halbach arrangement 340 and the space portion 315 or the third Halbach arrangement 340 opposite to the and a first outer surface 321b.

제2 블록(322)은 제1 블록(321)을 향하는 제2 내면(322a) 및 제1 블록(321)에 반대되는 제2 외면(322b)을 포함한다.The second block 322 includes a second inner surface 322a facing the first block 321 and a second outer surface 322b opposite the first block 321 .

제3 블록(323)은 제1 블록(321)을 향하는 제3 내면(323a) 및 제1 블록(321)에 반대되는 제3 외면(323b)을 포함한다.The third block 323 includes a third inner surface 323a facing the first block 321 and a third outer surface 323b opposite the first block 321 .

각 블록(321, 322, 323)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 321 , 322 , 323 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(321a, 322a, 323a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(321b, 322b, 323b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third inner surfaces 321a, 322a, and 323a may be magnetized to have the same polarity. Likewise, the first to third outer surfaces 321b, 322b, and 323b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(321a, 322a, 323a)은 제2 할바흐 배열(330)의 제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(321b, 322b, 323b)은 제2 할바흐 배열(330)의 제1 내지 제3 외면(331b, 332b, 333b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third inner surfaces 321a , 322a , and 323a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 331a , 332a , 333a of the second Halbach arrangement 330 . Likewise, the first to third outer surfaces 321b , 322b , and 323b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 331b , 332b , 333b of the second Halbach arrangement 330 .

제1 내지 제3 내면(321a, 322a, 323a)은 제3 할바흐 배열(340)의 제1 내지 제3 내면(341a, 342a, 343a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(321b, 322b, 323b)은 제3 할바흐 배열(340)의 제1 내지 제3 외면(341b, 342b, 343b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third inner surfaces 321a, 322a, and 323a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 341a, 342a, and 343a of the third Halbach arrangement 340 . Similarly, the first to third outer surfaces 321b , 322b , and 323b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 341b , 342b , 343b of the third Halbach arrangement 340 .

제1 내지 제3 내면(321a, 322a, 323a)은 제4 할바흐 배열(350)의 제1 내지 제3 내면(351a, 352a, 353a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(321b, 322b, 323b)은 제4 할바흐 배열(350)의 제1 내지 제3 외면(351b, 352b, 353b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third inner surfaces 321a , 322a , and 323a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 351a , 352a , 353a of the fourth Halbach arrangement 350 . Similarly, the first to third outer surfaces 321b , 322b , and 323b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 351b , 352b , 353b of the fourth Halbach arrangement 350 .

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 330 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 330 is formed to extend in the left and right direction.

제2 할바흐 배열(330)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)은 제4 할바흐 배열(350)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The second Halbach array 330 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 330 may form a magnetic field together with the fourth Halbach arrangement 350 .

제2 할바흐 배열(330)은 제1 및 제2 면(311, 312) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(315)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The second Halbach arrangement 330 may be positioned adjacent to any one of the first and second surfaces 311 and 312 . In one embodiment, the second Halbach arrangement 330 may be coupled to the inner side of the one surface (ie, the direction toward the space portion 315).

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)은 제1 면(311)의 내측에, 제1 면(311)에 인접하게 배치되어, 제2 면(312)의 내측에 위치되는 제3 할바흐 배열(340) 또는 제4 할바흐 배열(350)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 330 is disposed on the inner side of the first surface 311 , adjacent to the first surface 311 , and is disposed on the inner side of the second surface 312 . Facing the Halbach arrangement 340 or the fourth Halbach arrangement 350 .

제2 할바흐 배열(330)은 제1 할바흐 배열(320)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제2 할바흐 배열(330)은 제1 할바흐 배열(320)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)과 제1 할바흐 배열(320)은 서로 접촉될 수 있다. The second Halbach arrangement 330 is arranged in parallel with the first Halbach arrangement 320 in the extending direction thereof. The second Halbach arrangement 330 is disposed adjacent to the first Halbach arrangement 320 . In an embodiment, the second Halbach arrangement 330 and the first Halbach arrangement 320 may be in contact with each other.

제2 할바흐 배열(330)과 제3 할바흐 배열(340) 또는 제4 할바흐 배열(350) 사이에는 공간부(315) 및 공간부(315)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the second Halbach arrangement 330 and the third Halbach arrangement 340 or the fourth Halbach arrangement 350 , the space portion 315 and the fixed contactor 22 and the movable contactor accommodated in the space portion 315 . (43) is located.

제2 할바흐 배열(330)은 제3 면(313) 및 제4 면(314) 중 다른 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)은 제4 면(314)에 치우쳐 위치된다.The second Halbach arrangement 330 is located biased to the other of the third face 313 and the fourth face 314 . In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 330 is located biased to the fourth face 314 .

제2 할바흐 배열(330)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1, 제3 및 제4 할바흐 배열(320, 340, 350)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(330)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The second Halbach arrangement 330 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the first, third, and fourth Halbach arrangements 320 , 340 , 350 . Since the direction of the magnetic field formed by the second Halbach arrangement 330 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(330)은 제1 블록(331), 제2 블록(332) 및 제3 블록(333)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(330)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(331, 332, 333)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 330 includes a first block 331 , a second block 332 , and a third block 333 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 330 are named blocks 331 , 332 , and 333 , respectively.

제1 내지 제3 블록(331, 332, 333)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(331, 332, 333)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 331 , 332 , and 333 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to third blocks 331 , 332 , 333 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제3 블록(331, 332, 333)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(331, 332, 333)은 제1 면(311)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 331 , 332 , and 333 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 331 , 332 , and 333 are arranged in parallel in the extending direction of the first surface 311 , that is, in the left-right direction.

제1 블록(331)은 제2 할바흐 배열(330)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(332)은 제1 블록(331)의 좌측에, 제3 블록(333)은 제1 블록(331)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(331, 332, 333)은 서로 접촉될 수 있다. The first block 331 is located in the central portion of the second Halbach arrangement 330 . The second block 332 is located on the left side of the first block 331 , and the third block 333 is located on the right side of the first block 331 , respectively. In an embodiment, the blocks 331 , 332 , and 333 adjacent to each other may contact each other.

제1 블록(331)은 제4 할바흐 배열(350)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제4 할바흐 배열(350)의 제1 블록(351)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first block 331 may be disposed to overlap the first block 351 of the fourth Halbach arrangement 350 in a direction toward the fourth Halbach arrangement 350 , in the front-rear direction in the illustrated embodiment.

또한, 제1 블록(331)은 제4 할바흐 배열(350)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the first block 331 is overlapped with any one of the first fixed contactor 22a and the second fixed contactor 22b in the direction toward the fourth Halbach arrangement 350, and in the front-rear direction in the illustrated embodiment. can be placed.

각 블록(331, 332, 333)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 331 , 332 , 333 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(331)은 공간부(315) 또는 제4 할바흐 배열(350)을 향하는 제1 내면(331a) 및 공간부(315) 또는 제4 할바흐 배열(350)에 반대되는 제1 외면(331b)을 포함한다. Specifically, the first block 331 is the space portion 315 or the first inner surface 331a facing the fourth Halbach arrangement 350 and the space portion 315 or the fourth Halbach arrangement 350 opposite to the and a first outer surface 331b.

제2 블록(332)은 제1 블록(331)을 향하는 제2 내면(332a) 및 제1 블록(331)에 반대되는 제2 외면(332b)을 포함한다.The second block 332 includes a second inner surface 332a facing the first block 331 and a second outer surface 332b opposite the first block 331 .

제3 블록(333)은 제1 블록(331)을 향하는 제3 내면(333a) 및 제1 블록(331)에 반대되는 제3 외면(333b)을 포함한다.The third block 333 includes a third inner surface 333a facing the first block 331 and a third outer surface 333b facing the first block 331 .

각 블록(331, 332, 333)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 331 , 332 , 333 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(331b, 332b, 333b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third inner surfaces 331a , 332a , and 333a may be magnetized to have the same polarity. Similarly, the first to third outer surfaces 331b, 332b, and 333b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)은 제1 할바흐 배열(320)의 제1 내지 제3 내면(321a, 323a, 323a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(331b, 332b, 333b)은 제1 할바흐 배열(320)의 제1 내지 제3 외면(321b, 322b, 323b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third inner surfaces 331a , 332a , and 333a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 321a , 323a , and 323a of the first Halbach array 320 . Similarly, the first to third outer surfaces 331b , 332b , and 333b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 321b , 322b , 323b of the first Halbach arrangement 320 .

제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)은 제3 할바흐 배열(340)의 제1 내지 제3 내면(341a, 342a, 343a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(331b, 332b, 333b)은 제3 할바흐 배열(340)의 제1 내지 제3 외면(341b, 342b, 343b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third inner surfaces 331a , 332a , and 333a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 341a , 342a , and 343a of the third Halbach arrangement 340 . Similarly, the first to third outer surfaces 331b , 332b , and 333b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 341b , 342b , 343b of the third Halbach arrangement 340 .

제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)은 제4 할바흐 배열(350)의 제1 내지 제3 내면(351a, 352a, 353a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(331b, 332b, 333b)은 제4 할바흐 배열(350)의 제1 내지 제3 외면(351b, 352b, 353b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third inner surfaces 331a , 332a , and 333a may be magnetized to have the same polarity as the first to third inner surfaces 351a , 352a , 353a of the fourth Halbach arrangement 350 . Similarly, the first to third outer surfaces 331b , 332b , and 333b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 351b , 352b , 353b of the fourth Halbach arrangement 350 .

도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the third Halbach array 340 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the third Halbach arrangement 340 is formed extending in the left and right direction.

제3 할바흐 배열(340)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)은 제1 할바흐 배열(320)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The third Halbach arrangement 340 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the third Halbach arrangement 340 may form a magnetic field together with the first Halbach arrangement 320 .

제3 할바흐 배열(340)은 제1 및 제2 면(311, 312) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)은 상기 다른 하나의 면의 내측(즉, 공간부(315)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The third Halbach arrangement 340 may be positioned adjacent to the other of the first and second surfaces 311 and 312 . In one embodiment, the third Halbach arrangement 340 may be coupled to the inner side of the other surface (ie, the direction toward the space portion 315 ).

도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)은 제2 면(312)의 내측에, 제2 면(312)에 인접하게 배치되어, 제1 면(311)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(320) 또는 제2 할바흐 배열(330)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the third Halbach arrangement 340 is disposed on the inner side of the second surface 312 , adjacent to the second surface 312 , and the first Facing the Halbach arrangement 320 or the second Halbach arrangement 330 .

제3 할바흐 배열(340)은 제4 할바흐 배열(350)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제3 할바흐 배열(340)은 제4 할바흐 배열(350)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)과 제4 할바흐 배열(350)은 서로 접촉될 수 있다. The third Halbach arrangement 340 is arranged in parallel with the fourth Halbach arrangement 350 in the extending direction thereof. The third Halbach arrangement 340 is disposed adjacent to the fourth Halbach arrangement 350 . In an embodiment, the third Halbach arrangement 340 and the fourth Halbach arrangement 350 may be in contact with each other.

제3 할바흐 배열(340)과 제1 할바흐 배열(320) 또는 제2 할바흐 배열(330) 사이에는 공간부(315) 및 공간부(315)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the third Halbach arrangement 340 and the first Halbach arrangement 320 or the second Halbach arrangement 330 , the space portion 315 and the fixed contactor 22 and the movable contactor accommodated in the space portion 315 . (43) is located.

제3 할바흐 배열(340)은 제3 면(313) 및 제4 면(314) 중 어느 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)은 제3 면(313)에 치우쳐 위치된다.The third Halbach arrangement 340 is positioned to be biased toward any one of the third face 313 and the fourth face 314 . In the illustrated embodiment, the third Halbach arrangement 340 is located biased to the third face 313 .

제3 할바흐 배열(340)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1, 제2 및 제4 할바흐 배열(320, 330, 350)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제3 할바흐 배열(340)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The third Halbach arrangement 340 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the first, second, and fourth Halbach arrangements 320 , 330 , 350 . The direction of the magnetic field formed by the third Halbach arrangement 340 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, so a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)은 제1 블록(341), 제2 블록(342) 및 제3 블록(343)을 포함한다. 제3 할바흐 배열(340)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(341, 342, 343)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the third Halbach arrangement 340 includes a first block 341 , a second block 342 , and a third block 343 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the third Halbach array 340 are named blocks 341 , 342 , and 343 , respectively.

제1 내지 제3 블록(341, 342, 343)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(341, 342, 343)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 341 , 342 , and 343 may be formed of a magnetic material. In one embodiment, the first to third blocks 341, 342, 343 may be provided with a permanent magnet or an electromagnet.

제1 내지 제3 블록(341, 342, 343)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(341, 342, 343)은 제2 면(312)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 341 , 342 , and 343 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 341 , 342 , and 343 are arranged in parallel in the direction in which the second surface 312 extends, that is, in the left-right direction.

제1 블록(341)은 제3 할바흐 배열(340)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(342)은 제1 블록(341)의 좌측에, 제3 블록(343)은 제1 블록(341)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(341, 342, 343)은 서로 접촉될 수 있다. The first block 341 is located in the central portion of the third Halbach arrangement 340 . The second block 342 is located on the left side of the first block 341 , and the third block 343 is located on the right side of the first block 341 , respectively. In an embodiment, the blocks 341 , 342 , and 343 adjacent to each other may contact each other.

제1 블록(341)은 제1 할바흐 배열(320)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 할바흐 배열(320)의 제1 블록(321)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first block 341 may be disposed to overlap the first block 321 of the first Halbach arrangement 320 in the direction toward the first Halbach arrangement 320 , in the illustrated embodiment, in the front-rear direction.

또한, 제1 블록(341)은 제1 할바흐 배열(320)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the first block 341 is overlapped with any one of the first fixed contactor 22a and the second fixed contactor 22b in the direction toward the first Halbach arrangement 320, and in the front-rear direction in the illustrated embodiment. can be placed.

각 블록(341, 342, 343)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 341 , 342 , 343 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(341)은 공간부(315) 또는 제1 할바흐 배열(320)을 향하는 제1 내면(341a) 및 공간부(315) 또는 제1 할바흐 배열(320)에 반대되는 제1 외면(341b)을 포함한다. Specifically, the first block 341 is the space portion 315 or the first inner surface 341a facing the first Halbach arrangement 320 and the space portion 315 or the first Halbach arrangement 320 opposite to the and a first outer surface 341b.

제2 블록(342)은 제1 블록(341)을 향하는 제2 내면(342a) 및 제1 블록(341)에 반대되는 제2 외면(342b)을 포함한다.The second block 342 includes a second inner surface 342a facing the first block 341 and a second outer surface 342b opposite the first block 341 .

제3 블록(343)은 제1 블록(341)을 향하는 제3 내면(343a) 및 제1 블록(341)에 반대되는 제3 외면(343b)을 포함한다.The third block 343 includes a third inner surface 343a facing the first block 341 and a third outer surface 343b opposite the first block 341 .

각 블록(341, 342, 343)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 341 , 342 , 343 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(341a, 342a, 343a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(341b, 342b, 343b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third inner surfaces 341a, 342a, and 343a may be magnetized to have the same polarity. Likewise, the first to third outer surfaces 341b, 342b, and 343b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(341a, 342a, 343a)은 제1 할바흐 배열(320)의 제1 내지 제3 내면(321a, 323a, 323a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(341b, 342b, 343b)은 제1 할바흐 배열(320)의 제1 내지 제3 외면(321b, 323b, 323b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third inner surfaces 341a , 342a , and 343a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 321a , 323a , and 323a of the first Halbach arrangement 320 . Similarly, the first to third outer surfaces 341b, 342b, and 343b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 321b, 323b, and 323b of the first Halbach arrangement 320 .

제1 내지 제3 내면(341a, 342a, 343a)은 제2 할바흐 배열(330)의 제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(341b, 342b, 343b)은 제2 할바흐 배열(330)의 제1 내지 제3 외면(331b, 332b, 333b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third inner surfaces 341a, 342a, and 343a may be magnetized to have the same polarity as the first to third inner surfaces 331a, 332a, and 333a of the second Halbach arrangement 330 . Similarly, the first to third outer surfaces 341b , 342b , and 343b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 331b , 332b , 333b of the second Halbach arrangement 330 .

제1 내지 제3 내면(341a, 342a, 343a)은 제4 할바흐 배열(350)의 제1 내지 제3 내면(351a, 352a, 353a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(341b, 342b, 343b)은 제4 할바흐 배열(350)의 제1 내지 제3 외면(351b, 352b, 353b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third inner surfaces 341a , 342a , and 343a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 351a , 352a , 353a of the fourth Halbach arrangement 350 . Likewise, the first to third outer surfaces 341b , 342b , and 343b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 351b , 352b , 353b of the fourth Halbach arrangement 350 .

도시된 실시 예에서, 제4 할바흐 배열(350)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제4 할바흐 배열(350)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the fourth Halbach array 350 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the fourth Halbach arrangement 350 is formed to extend in the left and right direction.

제4 할바흐 배열(350)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제4 할바흐 배열(350)은 제2 할바흐 배열(330)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The fourth Halbach array 350 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the fourth Halbach arrangement 350 may form a magnetic field together with the second Halbach arrangement 330 .

제4 할바흐 배열(350)은 제1 및 제2 면(311, 312) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제4 할바흐 배열(350)은 상기 다른 하나의 면의 내측(즉, 공간부(315)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The fourth Halbach arrangement 350 may be positioned adjacent to the other of the first and second surfaces 311 and 312 . In one embodiment, the fourth Halbach arrangement 350 may be coupled to the inner side of the other surface (ie, the direction toward the space portion 315).

도시된 실시 예에서, 제4 할바흐 배열(350)은 제2 면(312)의 내측에, 제2 면(312)에 인접하게 배치되어, 제1 면(311)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(320) 또는 제2 할바흐 배열(330)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the fourth Halbach arrangement 350 is disposed on the inner side of the second surface 312 , adjacent to the second surface 312 , and is disposed on the inside of the first surface 311 . Facing the Halbach arrangement 320 or the second Halbach arrangement 330 .

제4 할바흐 배열(350)은 제3 할바흐 배열(340)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제4 할바흐 배열(350)은 제3 할바흐 배열(340)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(340)과 제4 할바흐 배열(350)은 서로 접촉될 수 있다. The fourth Halbach arrangement 350 is arranged in parallel with the third Halbach arrangement 340 in the extending direction thereof. The fourth Halbach arrangement 350 is disposed adjacent to the third Halbach arrangement 340 . In an embodiment, the third Halbach arrangement 340 and the fourth Halbach arrangement 350 may be in contact with each other.

제4 할바흐 배열(350)과 제1 할바흐 배열(320) 또는 제2 할바흐 배열(330) 사이에는 공간부(315) 및 공간부(315)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the fourth Halbach arrangement 350 and the first Halbach arrangement 320 or the second Halbach arrangement 330 , the space portion 315 and the fixed contactor 22 and the movable contactor accommodated in the space portion 315 . (43) is located.

제4 할바흐 배열(350)은 제3 면(313) 및 제4 면(314) 중 다른 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제4 할바흐 배열(350)은 제4 면(314)에 치우쳐 위치된다.The fourth Halbach arrangement 350 is positioned to be biased toward the other of the third face 313 and the fourth face 314 . In the illustrated embodiment, the fourth Halbach arrangement 350 is located biased to the fourth face 314 .

제4 할바흐 배열(350)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 내지 제3 할바흐 배열(320, 330, 340)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제4 할바흐 배열(350)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The fourth Halbach arrangement 350 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the first to third Halbach arrangements 320 , 330 , 340 . Since the direction of the magnetic field formed by the fourth Halbach array 350 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제4 할바흐 배열(350)은 제1 블록(351), 제2 블록(352) 및 제3 블록(353)을 포함한다. 제4 할바흐 배열(350)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(351, 352, 353)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the fourth Halbach arrangement 350 includes a first block 351 , a second block 352 , and a third block 353 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the fourth Halbach array 350 are named blocks 351 , 352 , and 353 , respectively.

제1 내지 제3 블록(351, 352, 353)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(351, 352, 353)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 351 , 352 , and 353 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to third blocks 351 , 352 , 353 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제3 블록(351, 352, 353)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(351, 352, 353)은 제2 면(312)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 351 , 352 , and 353 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 351 , 352 , and 353 are arranged in parallel in the direction in which the second surface 312 extends, that is, in the left-right direction.

제1 블록(351)은 제4 할바흐 배열(350)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(352)은 제1 블록(351)의 좌측에, 제3 블록(353)은 제1 블록(351)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(351, 352, 353)은 서로 접촉될 수 있다. The first block 351 is located in the central portion of the fourth Halbach arrangement 350 . The second block 352 is located on the left side of the first block 351 , and the third block 353 is located on the right side of the first block 351 , respectively. In an embodiment, the blocks 351 , 352 , and 353 adjacent to each other may contact each other.

제1 블록(351)은 제2 할바흐 배열(330)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(330)의 제1 블록(321)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first block 351 may be disposed to overlap the first block 321 of the second Halbach arrangement 330 in a direction toward the second Halbach arrangement 330 , and in the front-rear direction in the illustrated embodiment.

또한, 제1 블록(351)은 제2 할바흐 배열(330)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the first block 351 is overlapped with any one of the first fixed contactor 22a and the second fixed contactor 22b in the direction toward the second Halbach arrangement 330, in the illustrated embodiment, in the front-rear direction. can be placed.

각 블록(351, 352, 353)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 351 , 352 , 353 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(351)은 공간부(315) 또는 제2 할바흐 배열(330)을 향하는 제1 내면(351a) 및 공간부(315) 또는 제2 할바흐 배열(330)에 반대되는 제1 외면(351b)을 포함한다. Specifically, the first block 351 is the space portion 315 or the first inner surface 351a facing the second Halbach arrangement 330 and the space portion 315 or the second Halbach arrangement 330 opposite to the other side. and a first outer surface 351b.

제2 블록(352)은 제1 블록(351)을 향하는 제2 내면(352a) 및 제1 블록(351)에 반대되는 제2 외면(352b)을 포함한다.The second block 352 includes a second inner surface 352a facing the first block 351 and a second outer surface 352b opposite the first block 351 .

제3 블록(353)은 제1 블록(351)을 향하는 제3 내면(353a) 및 제1 블록(351)에 반대되는 제3 외면(353b)을 포함한다.The third block 353 includes a third inner surface 353a facing the first block 351 and a third outer surface 353b opposite the first block 351 .

각 블록(351, 352, 353)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 351 , 352 , 353 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(351a, 352a, 353a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(351b, 352b, 353b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third inner surfaces 351a , 352a , and 353a may be magnetized to have the same polarity. Similarly, the first to third outer surfaces 351b, 352b, and 353b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(351a, 352a, 353a)은 제1 할바흐 배열(320)의 제1 내지 제3 내면(321a, 323a, 323a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(351b, 352b, 353b)은 제1 할바흐 배열(320)의 제1 내지 제3 외면(321b, 323b, 323b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third inner surfaces 351a , 352a , and 353a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 321a , 323a , and 323a of the first Halbach arrangement 320 . Similarly, the first to third outer surfaces 351b, 352b, and 353b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 321b, 323b, and 323b of the first Halbach arrangement 320 .

제1 내지 제3 내면(351a, 352a, 353a)은 제2 할바흐 배열(330)의 제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(351b, 352b, 353b)은 제2 할바흐 배열(330)의 제1 내지 제3 외면(331b, 332b, 333b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third inner surfaces 351a , 352a , and 353a may be magnetized to have the same polarity as the first to third inner surfaces 331a , 332a , and 333a of the second Halbach arrangement 330 . Likewise, the first to third outer surfaces 351b, 352b, and 353b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 331b, 332b, and 333b of the second Halbach arrangement 330 .

제1 내지 제3 내면(351a, 352a, 353a)은 제3 할바흐 배열(340)의 제1 내지 제3 내면(331a, 332a, 333a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(351b, 352b, 353b)은 제3 할바흐 배열(340)의 제1 내지 제3 외면(341b, 342b, 343b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third inner surfaces 351a , 352a , and 353a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 331a , 332a , and 333a of the third Halbach arrangement 340 . Similarly, the first to third outer surfaces 351b , 352b , 353b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 341b , 342b , 343b of the third Halbach arrangement 340 .

이하, 도 11을 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(300)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc path forming unit 300 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. 11 .

도 11을 참조하면, 제1 할바흐 배열(320)의 각 내면(321a, 322a, 323a), 제2 할바흐 배열(330)의 각 내면(331a, 332a, 333a), 제3 할바흐 배열(340)의 각 내면(341a, 342a, 343a) 및 제4 할바흐 배열(350)의 각 내면(351a, 352a, 353a)은 N극으로 자화된다.11, each inner surface 321a, 322a, 323a of the first Halbach arrangement 320, each inner surface 331a, 332a, 333a of the second Halbach arrangement 330, the third Halbach arrangement ( Each inner surface 341a, 342a, 343a of 340 and each inner surface 351a, 352a, 353a of the fourth Halbach arrangement 350 are magnetized to the N pole.

이에 따라, 제1 할바흐 배열(320) 및 제3 할바흐 배열(340) 사이에는 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다. 또한, 제2 할바흐 배열(330) 및 제4 할바흐 배열(350) 사이에도 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다.Accordingly, a magnetic field in a direction to repel each other is formed between the first Halbach arrangement 320 and the third Halbach arrangement 340 . In addition, a magnetic field in a direction to repel each other is also formed between the second Halbach arrangement 330 and the fourth Halbach arrangement 350 .

도 11의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in FIG. 11( a ), the direction of the current is the direction from the second fixed contactor 22b to the first fixed contactor 22a through the movable contactor 43 .

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the front left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the front left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the front right.

도 11의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (b) of FIG. 11 , the direction of the current is a direction from the first fixed contactor 22a to the movable contactor 43 and out to the second fixed contactor 22b.

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the rear left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the rear left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the rear right side.

도시되지는 않았으나, 제1 및 제2 할바흐 배열(320, 330)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(320, 330)이 형성하는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each surface of the first and second Halbach arrays 320 and 330 is changed, the direction of the magnetic field formed by each of the Halbach arrays 320 and 330 is reversed. Accordingly, the path A.P of the generated electromagnetic force and arc is also formed in the reverse direction.

즉, 도 11의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized state as shown in (a) of FIG. 11 , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contact 22a is formed toward the rear left. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

유사하게, 도 11의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 11B , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contact 22a is formed toward the left in the front. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(300)는, 제1 및 제2 할바흐 배열(320, 330)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc path forming unit 300 according to the present embodiment, regardless of the polarity of the first and second Halbach arrays 320 and 330 or the direction of the current flowing through the DC relay 1, electromagnetic force and arc A path (A.P) of can be formed in a direction away from the center (C).

따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the DC relay 1 disposed adjacent to the central portion C can be prevented. Furthermore, the generated arc can be quickly discharged to the outside, so that the operation reliability of the DC relay 1 can be improved.

(4) 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(400)의 설명(4) Description of the arc path forming unit 400 according to another embodiment of the present invention

이하, 도 12 내지 도 16을 참조하여 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(400)를 상세하게 설명한다. Hereinafter, an arc path forming unit 400 according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 12 to 16 .

도 12 내지 도 15를 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(400)는 자석 프레임(410), 제1 할바흐 배열(420), 제2 할바흐 배열(430) 및 제3 할바흐 배열(440)을 포함한다.12 to 15 , the arc path forming unit 400 according to the illustrated embodiment is a magnet frame 410 , a first Halbach arrangement 420 , a second Halbach arrangement 430 , and a third Halbach arrangement. includes a Bach arrangement 440 .

본 실시 예에 따른 자석 프레임(410)은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)과 그 구조 및 기능이 동일하다. 다만, 본 실시 예에 따른 자석 프레임(410)에 배치되는 제1 할바흐 배열(420), 제2 할바흐 배열(430) 및 제3 할바흐 배열(440)의 배치 방식에 차이가 있다.The magnet frame 410 according to the present embodiment has the same structure and function as the magnet frame 110 according to the above-described embodiment. However, there is a difference in the arrangement method of the first Halbach arrangement 420 , the second Halbach arrangement 430 , and the third Halbach arrangement 440 arranged on the magnet frame 410 according to the present embodiment.

이에, 자석 프레임(410)에 대한 설명은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.Accordingly, the description of the magnet frame 410 will be replaced with the description of the magnet frame 110 according to the above-described embodiment.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 420 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 420 is formed to extend in the left and right direction.

제1 할바흐 배열(420)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 제2 할바흐 배열(430) 또는 제3 할바흐 배열(440)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The first Halbach array 420 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 420 may form a magnetic field together with the second Halbach arrangement 430 or the third Halbach arrangement 440 .

제1 할바흐 배열(420)은 제1 및 제2 면(411, 212) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(415)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The first Halbach arrangement 420 may be positioned adjacent to any one of the first and second surfaces 411 and 212 . In one embodiment, the first Halbach arrangement 420 may be coupled to the inner side (ie, the direction toward the space portion 415) of any one of the surfaces.

도 12 및 도 13에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 제1 면(411)의 내측에, 제1 면(411)에 인접하게 배치되어, 제2 면(412)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(430) 또는 제3 할바흐 배열(440)을 마주한다.12 and 13 , the first Halbach arrangement 420 is disposed on the inside of the first surface 411 and adjacent to the first surface 411 , It faces the second Halbach arrangement 430 or the third Halbach arrangement 440 positioned inside.

도 14 및 도 15에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 제2 면(412)의 내측에, 제2 면(412)에 인접하게 배치되어, 제1 면(411)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(430) 또는 제3 할바흐 배열(440)을 마주한다.14 and 15 , the first Halbach arrangement 420 is disposed on the inside of the second surface 412 and adjacent to the second surface 412 , It faces the second Halbach arrangement 430 or the third Halbach arrangement 440 positioned inside.

제1 할바흐 배열(420)과 제2 할바흐 배열(430) 또는 제3 할바흐 배열(440) 사이에는 공간부(415) 및 공간부(415)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the first Halbach arrangement 420 and the second Halbach arrangement 430 or the third Halbach arrangement 440 , the fixed contact 22 and the movable contactor are accommodated in the space 415 and the space 415 . (43) is located.

제1 할바흐 배열(420)은 제3 면(413) 및 제4 면(414) 중 어느 하나에 치우쳐 위치된다. The first Halbach arrangement 420 is positioned to be biased toward any one of the third face 413 and the fourth face 414 .

도 12 및 도 14에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 제3 면(413)에 치우쳐 위치된다. 도 13 및 도 15에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 제4 면(414)에 치우쳐 위치된다.In the embodiment shown in FIGS. 12 and 14 , the first Halbach arrangement 420 is located biased to the third face 413 . 13 and 15 , the first Halbach arrangement 420 is located biased to the fourth face 414 .

제1 할바흐 배열(420)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 및 제3 할바흐 배열(430, 440)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(420)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The first Halbach arrangement 420 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the second and third Halbach arrangements 430 and 440 . Since the direction of the magnetic field formed by the first Halbach array 420 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)은 제1 블록(421), 제2 블록(422) 및 제3 블록(423)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(420)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(421, 422, 423)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 420 includes a first block 421 , a second block 422 , and a third block 423 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 420 are named blocks 421 , 422 , and 423 , respectively.

제1 내지 제3 블록(421, 422, 423)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(421, 422, 423)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 421 , 422 , and 423 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to third blocks 421 , 422 , and 423 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제3 블록(421, 422, 423)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(421, 422, 423)은 제1 면(411)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 421 , 422 , and 423 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 421 , 422 , and 423 are arranged in parallel in the extending direction of the first surface 411 , that is, in the left and right direction.

제1 블록(421)은 제1 할바흐 배열(420)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(422)은 제1 블록(421)의 좌측에, 제3 블록(423)은 제1 블록(421)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(421, 422, 423)은 서로 접촉될 수 있다. The first block 421 is located in the central portion of the first Halbach arrangement 420 . The second block 422 is located on the left side of the first block 421 , and the third block 423 is located on the right side of the first block 421 , respectively. In an embodiment, the blocks 421 , 422 , and 423 adjacent to each other may contact each other.

제1 블록(421)은 제2 할바흐 배열(430) 또는 제3 할바흐 배열(440)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(430)의 제1 블록(431) 또는 제3 할바흐 배열(440)의 제1 블록(441)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first block 421 is a first block 431 of the second Halbach arrangement 430 in the direction toward the second Halbach arrangement 430 or the third Halbach arrangement 440, in the illustrated embodiment, in the front-rear direction. ) or the first block 441 of the third Halbach arrangement 440 may be disposed to overlap.

또한, 제1 블록(421)은 제2 할바흐 배열(430) 또는 제3 할바흐 배열(440)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the first block 421 is the first fixed contact 22a and the second fixed contactor in the direction toward the second Halbach arrangement 430 or the third Halbach arrangement 440 , in the front-rear direction in the illustrated embodiment. It may be arranged to overlap with any one of (22b).

각 블록(421, 422, 423)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 421 , 422 , 423 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(421)은 공간부(415), 제2 할바흐 배열(430) 또는 제3 할바흐 배열(440)을 향하는 제1 내면(421a) 및 공간부(415) 또는 제2 할바흐 배열(430)에 반대되는 제1 외면(421b)을 포함한다.Specifically, the first block 421 is a space portion 415 , a first inner surface 421a and a space portion 415 or a second space portion 415 facing the second Halbach arrangement 430 or the third Halbach arrangement 440 . and a first outer surface 421b opposite the Halbach arrangement 430 .

제2 블록(422)은 제1 블록(421)을 향하는 제2 내면(422a) 및 제1 블록(421)에 반대되는 제2 외면(422b)을 포함한다.The second block 422 includes a second inner surface 422a facing the first block 421 and a second outer surface 422b facing the first block 421 .

제3 블록(423)은 제1 블록(421)을 향하는 제3 내면(423a) 및 제1 블록(421)에 반대되는 제3 외면(423b)을 포함한다.The third block 423 includes a third inner surface 423a facing the first block 421 and a third outer surface 423b facing the first block 421 .

각 블록(421, 422, 423)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 421 , 422 , 423 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(421a, 422a, 423a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(421b, 422b, 423b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third inner surfaces 421a, 422a, and 423a may be magnetized to have the same polarity. Similarly, the first to third outer surfaces 421b, 422b, and 423b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(421a, 422a, 423a)은 제2 할바흐 배열(430)의 제1 내지 제3 내면(431a, 432a, 433a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(421b, 422b, 423b)은 제2 할바흐 배열(430)의 제1 내지 제3 외면(431b, 432b, 433b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third inner surfaces 421a , 422a , and 423a may be magnetized to have the same polarity as the first to third inner surfaces 431a , 432a , and 433a of the second Halbach arrangement 430 . Likewise, the first to third outer surfaces 421b, 422b, and 423b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 431b, 432b, and 433b of the second Halbach arrangement 430 .

제1 내지 제3 내면(421a, 422a, 423a)은 제3 할바흐 배열(440)의 제1 내지 제3 내면(441a, 442a, 443a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(421b, 422b, 423b)은 제3 할바흐 배열(440)의 제1 내지 제3 외면(441b, 442b, 443b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third inner surfaces 421a , 422a , and 423a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 441a , 442a , and 443a of the third Halbach arrangement 440 . Similarly, the first to third outer surfaces 421b , 422b , and 423b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 441b , 442b , 443b of the third Halbach arrangement 440 .

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 430 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 430 is formed to extend in the left and right direction.

제2 할바흐 배열(430)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)은 제1 할바흐 배열(420)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The second Halbach arrangement 430 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 430 may form a magnetic field together with the first Halbach arrangement 420 .

제2 할바흐 배열(430)은 제1 및 제2 면(411, 412) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)은 상기 다른 하나의 면의 내측(즉, 공간부(415)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The second Halbach arrangement 430 may be positioned adjacent to the other of the first and second surfaces 411 and 412 . In an embodiment, the second Halbach arrangement 430 may be coupled to the inside of the other surface (ie, the direction toward the space 415 ).

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)은 제2 면(412)의 내측에, 제2 면(412)에 인접하게 배치되어, 제1 면(411)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(420)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 430 is disposed on the inside of the second surface 412 and adjacent to the second surface 412 , and the first Facing the Halbach arrangement 420 .

제2 할바흐 배열(430)은 제3 할바흐 배열(440)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제2 할바흐 배열(430)은 제3 할바흐 배열(440)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)과 제3 할바흐 배열(440)은 서로 접촉될 수 있다. The second Halbach arrangement 430 is arranged in parallel with the third Halbach arrangement 440 in the extending direction thereof. The second Halbach arrangement 430 is disposed adjacent to the third Halbach arrangement 440 . In an embodiment, the second Halbach arrangement 430 and the third Halbach arrangement 440 may be in contact with each other.

제2 할바흐 배열(430)과 제1 할바흐 배열(420) 사이에는 공간부(415) 및 공간부(415)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the second Halbach arrangement 430 and the first Halbach arrangement 420 , the space 415 and the fixed contact 22 and the movable contact 43 accommodated in the space 415 are positioned.

제2 할바흐 배열(430)은 제3 면(413) 및 제4 면(414) 중 어느 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)은 제3 면(413)에 치우쳐 위치된다.The second Halbach arrangement 430 is positioned to be biased toward any one of the third face 413 and the fourth face 414 . In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 430 is located biased to the third face 413 .

제2 할바흐 배열(430)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 및 제3 할바흐 배열(420, 440)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(430)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The second Halbach arrangement 430 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the first and third Halbach arrangements 420 and 440 . Since the direction of the magnetic field formed by the second Halbach arrangement 430 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(430)은 제1 블록(431), 제2 블록(432) 및 제3 블록(433)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(430)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(431, 432, 433)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 430 includes a first block 431 , a second block 432 , and a third block 433 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 430 are named blocks 431 , 432 , and 433 , respectively.

제1 내지 제3 블록(431, 432, 433)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(431, 432, 433)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 431 , 432 , and 433 may be formed of a magnetic material. In one embodiment, the first to third blocks 431, 432, 433 may be provided with a permanent magnet or an electromagnet.

제1 내지 제3 블록(431, 432, 433)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(431, 432, 433)은 제2 면(412)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 431 , 432 , and 433 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 431 , 432 , and 433 are arranged in parallel in the direction in which the second surface 412 extends, that is, in the left-right direction.

제1 블록(431)은 제2 할바흐 배열(430)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(432)은 제1 블록(431)의 좌측에, 제3 블록(433)은 제1 블록(431)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(431, 432, 433)은 서로 접촉될 수 있다. The first block 431 is located in the central portion of the second Halbach arrangement 430 . The second block 432 is located on the left side of the first block 431 , and the third block 433 is located on the right side of the first block 431 , respectively. In an embodiment, the blocks 431 , 432 , and 433 adjacent to each other may contact each other.

제1 블록(431)은 제1 할바흐 배열(420)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 할바흐 배열(420)의 제1 블록(421)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first block 431 may be disposed to overlap the first block 421 of the first Halbach arrangement 420 in a direction toward the first Halbach arrangement 420 , in the front-rear direction in the illustrated embodiment.

또한, 제1 블록(431)은 제1 할바흐 배열(420)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the first block 431 may be disposed to overlap the first fixed contactor 22a in the direction toward the first Halbach arrangement 420 , and in the front-rear direction in the illustrated embodiment.

각 블록(431, 432, 433)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 431 , 432 , 433 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(431)은 공간부(415) 또는 제1 할바흐 배열(420)을 향하는 제1 내면(431a) 및 공간부(415) 또는 제1 할바흐 배열(420)에 반대되는 제1 외면(431b)을 포함한다. Specifically, the first block 431 is the space 415 or the first Halbach arrangement 420 facing the first inner surface 431a and the space 415 or the first Halbach arrangement 420 opposite to the and a first outer surface 431b.

제2 블록(432)은 제1 블록(431)을 향하는 제2 내면(432a) 및 제1 블록(431)에 반대되는 제2 외면(432b)을 포함한다.The second block 432 includes a second inner surface 432a facing the first block 431 and a second outer surface 432b facing the first block 431 .

제3 블록(433)은 제1 블록(431)을 향하는 제3 내면(433a) 및 제1 블록(431)에 반대되는 제3 외면(433b)을 포함한다.The third block 433 includes a third inner surface 433a facing the first block 431 and a third outer surface 433b facing the first block 431 .

각 블록(431, 432, 433)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 431 , 432 , 433 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(431a, 432a, 433a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(431b, 432b, 433b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third inner surfaces 431a, 432a, and 433a may be magnetized to have the same polarity. Similarly, the first to third outer surfaces 431b, 432b, and 433b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(431a, 432a, 433a)은 제1 할바흐 배열(420)의 제1 내지 제3 내면(421a, 422a, 423a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(431b, 432b, 433b)은 제1 할바흐 배열(420)의 제1 내지 제3 외면(421b, 422b, 423b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third inner surfaces 431a , 432a , and 433a may be magnetized to have the same polarity as the first to third inner surfaces 421a , 422a , and 423a of the first Halbach arrangement 420 . Similarly, the first to third outer surfaces 431b , 432b , and 433b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 421b , 422b , 423b of the first Halbach arrangement 420 .

제1 내지 제3 내면(431a, 432a, 433a)은 제3 할바흐 배열(440)의 제1 내지 제3 내면(441a, 442a, 443a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(431b, 432b, 433b)은 제3 할바흐 배열(440)의 제1 내지 제3 외면(441b, 442b, 443b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third inner surfaces 431a , 432a , and 433a may be magnetized to have the same polarity as the first to third inner surfaces 441a , 442a , and 443a of the third Halbach arrangement 440 . Similarly, the first to third outer surfaces 431b , 432b , and 433b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 441b , 442b , 443b of the third Halbach arrangement 440 .

도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the third Halbach array 440 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the third Halbach arrangement 440 is formed to extend in the left and right direction.

제3 할바흐 배열(440)은 그 자체로 자기장을 형성할 수 있다. 즉, 제3 할바흐 배열(440)에 포함되는 복수 개의 자성체는 서로 간에 자기장을 형성할 수 있다.The third Halbach arrangement 440 may itself form a magnetic field. That is, the plurality of magnetic materials included in the third Halbach array 440 may form a magnetic field between each other.

또한, 제3 할바흐 배열(440)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)은 제1 할바흐 배열(420)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.In addition, the third Halbach arrangement 440 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the third Halbach arrangement 440 may form a magnetic field together with the first Halbach arrangement 420 .

제3 할바흐 배열(440)은 제1 및 제2 면(411, 312) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)은 상기 다른 하나의 면의 내측(즉, 공간부(415)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The third Halbach arrangement 440 may be positioned adjacent to the other of the first and second surfaces 411 and 312 . In an embodiment, the third Halbach arrangement 440 may be coupled to the inside of the other surface (ie, the direction toward the space 415 ).

도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)은 제2 면(412)의 내측에, 제2 면(412)에 인접하게 배치되어, 제1 면(411)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(420)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the third Halbach arrangement 440 is disposed on the inside of the second surface 412 , adjacent to the second surface 412 , and the first Facing the Halbach arrangement 420 .

제3 할바흐 배열(440)은 제2 할바흐 배열(430)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제3 할바흐 배열(440)은 제2 할바흐 배열(430)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)과 제3 할바흐 배열(440)은 서로 접촉될 수 있다. The third Halbach arrangement 440 is arranged in parallel with the second Halbach arrangement 430 in the extending direction thereof. The third Halbach arrangement 440 is disposed adjacent to the second Halbach arrangement 430 . In an embodiment, the third Halbach arrangement 440 and the third Halbach arrangement 440 may be in contact with each other.

제3 할바흐 배열(440)과 제1 할바흐 배열(420) 사이에는 공간부(415) 및 공간부(415)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the third Halbach arrangement 440 and the first Halbach arrangement 420 , the space 415 and the fixed contact 22 and the movable contact 43 accommodated in the space 415 are positioned.

제3 할바흐 배열(440)은 제3 면(413) 및 제4 면(414) 중 다른 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)은 제4 면(414)에 치우쳐 위치된다.The third Halbach arrangement 440 is located biased to the other of the third face 413 and the fourth face 414 . In the illustrated embodiment, the third Halbach arrangement 440 is located biased to the fourth face 414 .

제3 할바흐 배열(440)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 및 제2 할바흐 배열(420, 430)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제3 할바흐 배열(440)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The third Halbach arrangement 440 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the first and second Halbach arrangements 420 and 430 . Since the direction of the magnetic field formed by the third Halbach array 440 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(440)은 제1 블록(441), 제2 블록(442) 및 제3 블록(443)을 포함한다. 제3 할바흐 배열(440)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(441, 442, 443)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the third Halbach arrangement 440 includes a first block 441 , a second block 442 , and a third block 443 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the third Halbach array 440 are named blocks 441 , 442 , and 443 , respectively.

제1 내지 제3 블록(441, 442, 443)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(441, 442, 443)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 441 , 442 , and 443 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to third blocks 441 , 442 , 443 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제3 블록(441, 442, 443)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(441, 442, 443)은 제2 면(412)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 441 , 442 , and 443 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 441 , 442 , and 443 are arranged in parallel in the extending direction of the second surface 412 , that is, in the left-right direction.

제1 블록(441)은 제3 할바흐 배열(440)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(442)은 제1 블록(441)의 좌측에, 제3 블록(443)은 제1 블록(441)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(441, 442, 443)은 서로 접촉될 수 있다. The first block 441 is located in the central portion of the third Halbach arrangement 440 . The second block 442 is located on the left side of the first block 441 , and the third block 443 is located on the right side of the first block 441 , respectively. In an embodiment, the blocks 441 , 442 , and 443 adjacent to each other may contact each other.

제1 블록(441)은 제1 할바흐 배열(420)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 할바흐 배열(420)의 제1 블록(421)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first block 441 may be disposed to overlap the first block 421 of the first Halbach arrangement 420 in a direction toward the first Halbach arrangement 420 , and in the front-rear direction in the illustrated embodiment.

또한, 제1 블록(441)은 제1 할바흐 배열(420)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 다른 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the first block 441 overlaps the other one of the first fixed contactor 22a and the second fixed contactor 22b in the direction toward the first Halbach arrangement 420, and in the front-rear direction in the illustrated embodiment. can be placed.

각 블록(441, 442, 443)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 441 , 442 , 443 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(441)은 공간부(415) 또는 제1 할바흐 배열(420)을 향하는 제1 내면(441a) 및 공간부(415) 또는 제1 할바흐 배열(420)에 반대되는 제1 외면(441b)을 포함한다. Specifically, the first block 441 is the space 415 or the first Halbach arrangement 420 facing the first inner surface 441a and the space 415 or the first Halbach arrangement 420 opposite to the and a first outer surface 441b.

제2 블록(442)은 제1 블록(441)을 향하는 제2 내면(442a) 및 제1 블록(441)에 반대되는 제2 외면(442b)을 포함한다.The second block 442 includes a second inner surface 442a facing the first block 441 and a second outer surface 442b opposite the first block 441 .

제3 블록(443)은 제1 블록(441)을 향하는 제3 내면(443a) 및 제1 블록(441)에 반대되는 제3 외면(443b)을 포함한다.The third block 443 includes a third inner surface 443a facing the first block 441 and a third outer surface 443b facing the first block 441 .

각 블록(441, 442, 443)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 441 , 442 , 443 may be magnetized according to a predetermined rule to constitute a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(441a, 442a, 443a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(441b, 442b, 443b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third inner surfaces 441a, 442a, and 443a may be magnetized to have the same polarity. Similarly, the first to third outer surfaces 441b, 442b, and 443b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(441a, 442a, 443a)은 제1 할바흐 배열(420)의 제1 내지 제3 내면(421a, 422a, 423a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(441b, 442b, 443b)은 제1 할바흐 배열(420)의 제1 내지 제3 외면(421b, 423b, 423b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third inner surfaces 441a , 442a , and 443a may be magnetized to have the same polarity as the first to third inner surfaces 421a , 422a , and 423a of the first Halbach arrangement 420 . Likewise, the first to third outer surfaces 441b , 442b , and 443b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 421b , 423b , 423b of the first Halbach arrangement 420 .

제1 내지 제3 내면(441a, 442a, 443a)은 제2 할바흐 배열(430)의 제1 내지 제3 내면(431a, 432a, 433a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(441b, 442b, 443b)은 제2 할바흐 배열(430)의 제1 내지 제3 외면(431b, 432b, 433b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third inner surfaces 441a, 442a, and 443a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 431a, 432a, and 433a of the second Halbach arrangement 430 . Similarly, the first to third outer surfaces 441b, 442b, and 443b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 431b, 432b, and 433b of the second Halbach arrangement 430 .

이하, 도 16을 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(400)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc path forming unit 400 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. 16 .

도 16을 참조하면, 제1 할바흐 배열(420)의 각 내면(421a, 422a, 423a), 제2 할바흐 배열(430)의 각 내면(431a, 432a, 433a) 및 제3 할바흐 배열(440)의 각 내면(441a, 442a, 443a)은 N극으로 자화된다.16, each inner surface 421a, 422a, 423a of the first Halbach arrangement 420, each inner surface 431a, 432a, 433a of the second Halbach arrangement 430, and the third Halbach arrangement ( Each inner surface 441a, 442a, 443a of 440 is magnetized to the N pole.

이에 따라, 제1 할바흐 배열(420) 및 제3 할바흐 배열(440) 사이에는 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다. Accordingly, a magnetic field in a direction to repel each other is formed between the first Halbach arrangement 420 and the third Halbach arrangement 440 .

도시되지는 않았으나, 제1 할바흐 배열(420)이 제4 면(414)에 치우쳐 위치되어 제3 할바흐 배열(440)을 마주하는 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(420)과 제3 할바흐 배열(440) 사이에 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성됨이 이해될 것이다.Although not shown, in an embodiment in which the first Halbach arrangement 420 is located biased to the fourth surface 414 to face the third Halbach arrangement 440 , the first Halbach arrangement 420 and the third It will be appreciated that a magnetic field is formed between the Halbach arrays 440 in a repulsive direction.

도 16의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (a) of FIG. 16 , the direction of the current is a direction from the second fixed contactor 22b to the first fixed contactor 22a through the movable contactor 43 .

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the front left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the front left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the front right.

도 16의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (b) of FIG. 16 , the direction of the current is a direction from the first fixed contactor 22a to the movable contactor 43 and out to the second fixed contactor 22b.

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the rear left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the rear left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the rear right side.

도시되지는 않았으나, 제1 내지 제3 할바흐 배열(420, 430, 440)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(420, 430)이 형성하는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each side of the first to third Halbach arrays 420 , 430 , and 440 is changed, the direction of the magnetic field formed by each of the Halbach arrays 420 and 430 is reversed. Accordingly, the path A.P of the generated electromagnetic force and arc is also formed in the reverse direction.

즉, 도 16의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized state as shown in (a) of FIG. 16 , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the rear left. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

유사하게, 도 16의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 16B, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contact 22a is formed toward the left in the front. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(400)는, 제1 내지 제3 할바흐 배열(420, 430, 440)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc path forming unit 400 according to the present embodiment, regardless of the polarity of the first to third Halbach arrays 420 , 430 , 440 or the direction of the current flowing through the DC relay 1 , the electromagnetic force And the arc path (A.P) may be formed in a direction away from the center (C).

따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the DC relay 1 disposed adjacent to the central portion C can be prevented. Furthermore, the generated arc can be quickly discharged to the outside, so that the operation reliability of the DC relay 1 can be improved.

(5) 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(500)의 설명(5) Description of the arc path forming unit 500 according to another embodiment of the present invention

이하, 도 17 내지 도 19를 참조하여 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(500)를 상세하게 설명한다. Hereinafter, an arc path forming unit 500 according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 17 to 19 .

도 17 및 도 18을 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(500)는 자석 프레임(510), 제1 할바흐 배열(520) 및 제2 할바흐 배열(530)을 포함한다.17 and 18 , the arc path forming unit 500 according to the illustrated embodiment includes a magnet frame 510 , a first Halbach arrangement 520 , and a second Halbach arrangement 530 .

본 실시 예에 따른 자석 프레임(510)은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)과 그 구조 및 기능이 동일하다. 다만, 본 실시 예에 따른 자석 프레임(510)에 배치되는 제1 할바흐 배열(520) 및 제2 할바흐 배열(530)의 배치 방식에 차이가 있다.The magnet frame 510 according to this embodiment has the same structure and function as the magnet frame 110 according to the above-described embodiment. However, there is a difference in the arrangement method of the first Halbach arrangement 520 and the second Halbach arrangement 530 disposed on the magnet frame 510 according to the present embodiment.

이에, 자석 프레임(510)에 대한 설명은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.Accordingly, the description of the magnet frame 510 will be replaced with the description of the magnet frame 110 according to the above-described embodiment.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 520 are sequentially arranged in parallel from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 520 is formed to extend in the left and right direction.

제1 할바흐 배열(520)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 제2 할바흐 배열(530)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The first Halbach array 520 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 520 may form a magnetic field together with the second Halbach arrangement 530 .

제1 할바흐 배열(520)은 제1 및 제2 면(511, 512) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(515)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The first Halbach arrangement 520 may be positioned adjacent to any one of the first and second surfaces 511 and 512 . In an embodiment, the first Halbach arrangement 520 may be coupled to the inner side of the one surface (ie, the direction toward the space portion 515 ).

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 제1 면(511)의 내측에, 제1 면(511)에 인접하게 배치되어, 제2 면(512)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(530)을 대각선 방향으로 마주한다.In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 520 is disposed on the inside of the first side 511, adjacent to the first side 511, the second side positioned on the inside of the second side 512 The Halbach arrangement 530 faces diagonally.

제1 할바흐 배열(520)과 제2 할바흐 배열(530) 사이에는 공간부(515) 및 공간부(515)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)과 제2 할바흐 배열(530)을 연결하는 가상의 직선 상에는 중심부(C)가 위치될 수 있다.Between the first Halbach arrangement 520 and the second Halbach arrangement 530 , the space portion 515 and the fixed contactor 22 and the movable contactor 43 accommodated in the space portion 515 are positioned. In an embodiment, the center C may be located on a virtual straight line connecting the first Halbach arrangement 520 and the second Halbach arrangement 530 .

제1 할바흐 배열(520)은 제3 면(513) 및 제4 면(514) 중 어느 하나에 치우쳐 위치된다. 도 17에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 제3 면(513)에 치우쳐 위치된다. 도 18에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 제4 면(514)에 치우쳐 위치된다. The first Halbach arrangement 520 is located biased toward any one of the third surface 513 and the fourth surface 514 . In the embodiment shown in FIG. 17 , the first Halbach arrangement 520 is located biased to the third surface 513 . In the embodiment shown in FIG. 18 , the first Halbach arrangement 520 is located biased to the fourth face 514 .

제1 할바흐 배열(520)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 할바흐 배열(530)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(520)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The first Halbach arrangement 520 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the second Halbach arrangement 530 . Since the direction of the magnetic field formed by the first Halbach array 520 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 제1 블록(521), 제2 블록(522) 및 제3 블록(523)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(520)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(521, 522, 523)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 520 includes a first block 521 , a second block 522 , and a third block 523 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 520 are named blocks 521 , 522 , and 523 , respectively.

제1 내지 제3 블록(521, 522, 523)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(521, 522, 523)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 521 , 522 , and 523 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to third blocks 521 , 522 , and 523 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제3 블록(521, 522, 523)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(521, 522, 523)은 제1 면(511)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 521 , 522 , and 523 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 521 , 522 , and 523 are arranged in parallel in the direction in which the first surface 511 extends, that is, in the left-right direction.

제1 블록(521)은 제1 할바흐 배열(520)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(522)은 제1 블록(521)의 좌측에, 제3 블록(523)은 제1 블록(521)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(521, 522, 523)은 서로 접촉될 수 있다. The first block 521 is located in the central portion of the first Halbach arrangement 520 . The second block 522 is located on the left side of the first block 521 , and the third block 523 is located on the right side of the first block 521 , respectively. In an embodiment, the blocks 521 , 522 , and 523 adjacent to each other may contact each other.

또한, 제1 블록(521)은 제2 할바흐 배열(530) 또는 제2 면(512)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the first block 521 is a first fixed contact 22a and a second fixed contact 22b in the direction toward the second Halbach arrangement 530 or the second surface 512, and in the front-rear direction in the illustrated embodiment. ) may be disposed to overlap with any one of.

도 17에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(520)은 제1 고정 접촉자(22a)와 겹쳐진다. 도 18에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 제2 고정 접촉자(22b)와 겹쳐진다.In the embodiment shown in FIG. 17 , the first Halbach arrangement 520 overlaps the first fixed contact 22a. In the embodiment shown in FIG. 18 , the second Halbach arrangement 530 overlaps the second fixed contact 22b.

각 블록(521, 522, 523)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 521 , 522 , 523 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(521)은 공간부(515), 제2 할바흐 배열(530) 또는 제2 면(512)을 향하는 제1 내면(521a) 및 공간부(515) 또는 제2 할바흐 배열(530)에 반대되는 제1 외면(521b)을 포함한다.Specifically, the first block 521 is a space portion 515, a second Halbach arrangement 530 or a first inner surface 521a facing the second surface 512 and a space portion 515 or a second Halbach and a first outer surface 521b opposite the arrangement 530 .

제2 블록(522)은 제1 블록(521)을 향하는 제2 내면(522a) 및 제1 블록(521)에 반대되는 제2 외면(522b)을 포함한다.The second block 522 includes a second inner surface 522a facing the first block 521 and a second outer surface 522b opposite the first block 521 .

제3 블록(523)은 제1 블록(521)을 향하는 제3 내면(523a) 및 제1 블록(521)에 반대되는 제3 외면(523b)을 포함한다.The third block 523 includes a third inner surface 523a facing the first block 521 and a third outer surface 523b opposite the first block 521 .

각 블록(521, 522, 523)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 521 , 522 , 523 may be magnetized according to a predetermined rule to constitute a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(521a, 522a, 523a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(521b, 522b, 523b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third inner surfaces 521a, 522a, and 523a may be magnetized to have the same polarity. Similarly, the first to third outer surfaces 521b, 522b, and 523b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(521a, 522a, 523a)은 제2 할바흐 배열(530)의 제1 내지 제3 내면(531a, 532a, 533a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(521b, 522b, 523b)은 제2 할바흐 배열(530)의 제1 내지 제3 외면(531b, 532b, 533b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third inner surfaces 521a , 522a , and 523a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 531a , 532a , and 533a of the second Halbach arrangement 530 . Likewise, the first to third outer surfaces 521b , 522b , and 523b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 531b , 532b , 533b of the second Halbach arrangement 530 .

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 530 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 530 is formed to extend in the left and right direction.

제2 할바흐 배열(530)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 제1 할바흐 배열(520)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The second Halbach array 530 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 530 may form a magnetic field together with the first Halbach arrangement 520 .

제2 할바흐 배열(530)은 제1 및 제2 면(511, 512) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(515)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The second Halbach arrangement 530 may be positioned adjacent to the other of the first and second surfaces 511 and 512 . In an embodiment, the second Halbach arrangement 530 may be coupled to the inner side of the one surface (ie, the direction toward the space portion 515 ).

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 제2 면(512)의 내측에, 제2 면(512)에 인접하게 배치되어, 제1 면(511)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(520)을 대각선 방향으로 마주한다.In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 530 is disposed on the inner side of the second surface 512 , adjacent to the second surface 512 , and is disposed on the inside of the first surface 511 . The Halbach arrangement 520 faces diagonally.

제2 할바흐 배열(530)과 제1 할바흐 배열(520) 사이에는 공간부(515) 및 공간부(515)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the second Halbach arrangement 530 and the first Halbach arrangement 520 , the space 515 and the fixed contact 22 and the movable contact 43 accommodated in the space 515 are positioned.

제2 할바흐 배열(530)은 제3 면(513) 및 제4 면(514) 중 다른 하나에 치우쳐 위치된다. 도 17에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 제4 면(514)에 치우쳐 위치된다. 도 18에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 제3 면(513)에 치우쳐 위치된다.The second Halbach arrangement 530 is located biased to the other of the third face 513 and the fourth face 514 . In the embodiment shown in FIG. 17 , the second Halbach arrangement 530 is located biased to the fourth face 514 . In the embodiment shown in FIG. 18 , the second Halbach arrangement 530 is located biased to the third surface 513 .

제2 할바흐 배열(530)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 할바흐 배열(520)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(530)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The second Halbach arrangement 530 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the first Halbach arrangement 520 . Since the direction of the magnetic field formed by the second Halbach arrangement 530 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(530)은 제1 블록(531), 제2 블록(532) 및 제3 블록(533)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(530)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(531, 532, 533)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 530 includes a first block 531 , a second block 532 , and a third block 533 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 530 are named blocks 531 , 532 , and 533 , respectively.

제1 내지 제3 블록(531, 532, 533)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(531, 532, 533)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 531 , 532 , and 533 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to third blocks 531 , 532 , and 533 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제3 블록(531, 532, 533)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(531, 532, 533)은 제2 면(512)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 531 , 532 , and 533 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 531 , 532 , and 533 are arranged in parallel in the direction in which the second surface 512 extends, that is, in the left-right direction.

제1 블록(531)은 제2 할바흐 배열(530)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(532)은 제1 블록(531)의 좌측에, 제3 블록(533)은 제1 블록(531)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(531, 532, 533)은 서로 접촉될 수 있다. The first block 531 is located in the central portion of the second Halbach arrangement 530 . The second block 532 is located on the left side of the first block 531 , and the third block 533 is located on the right side of the first block 531 , respectively. In an embodiment, the blocks 531 , 532 , and 533 adjacent to each other may contact each other.

제1 블록(531)은 제1 할바흐 배열(520)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 다른 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first block 531 is to be disposed to overlap the other one of the first fixed contactor 22a and the second fixed contactor 22b in the direction toward the first Halbach arrangement 520, and in the front-rear direction in the illustrated embodiment. can

도 17에 도시된 실시 예에서, 제1 블록(531)은 제2 고정 접촉자(22b)와 전후 방향으로 겹쳐지게 배치된다. 도 18에 도시된 실시 예에서, 제2 블록(532)은 제1 고정 접촉자(22a)와 전후 방향으로 겹쳐지게 배치된다.In the embodiment shown in FIG. 17 , the first block 531 is disposed to overlap the second fixed contact 22b in the front-rear direction. In the embodiment shown in FIG. 18 , the second block 532 is disposed to overlap the first fixed contact 22a in the front-rear direction.

각 블록(531, 532, 533)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 531 , 532 , 533 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(531)은 공간부(515) 또는 제1 할바흐 배열(520)을 향하는 제1 내면(531a) 및 공간부(515) 또는 제1 할바흐 배열(520)에 반대되는 제1 외면(531b)을 포함한다. Specifically, the first block 531 has a space 515 or a first inner surface 531a facing the first Halbach arrangement 520 and a space 515 or a first Halbach arrangement 520 opposite to the space portion 515 or the first Halbach arrangement 520 . and a first outer surface 531b.

제2 블록(532)은 제1 블록(531)을 향하는 제2 내면(532a) 및 제1 블록(531)에 반대되는 제2 외면(532b)을 포함한다.The second block 532 includes a second inner surface 532a facing the first block 531 and a second outer surface 532b facing the first block 531 .

제3 블록(533)은 제1 블록(531)을 향하는 제3 내면(533a) 및 제1 블록(531)에 반대되는 제3 외면(533b)을 포함한다.The third block 533 includes a third inner surface 533a facing the first block 531 and a third outer surface 533b facing the first block 531 .

각 블록(531, 532, 533)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 531 , 532 , 533 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(531a, 532a, 533a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(531b, 532b, 533b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third inner surfaces 531a, 532a, and 533a may be magnetized to have the same polarity. Similarly, the first to third outer surfaces 531b, 532b, and 533b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(531a, 532a, 533a)은 제1 할바흐 배열(520)의 제1 내지 제3 내면(521a, 522a, 523a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(531b, 532b, 533b)은 제1 할바흐 배열(520)의 제1 내지 제3 외면(521b, 522b, 523b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third inner surfaces 531a, 532a, and 533a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 521a, 522a, and 523a of the first Halbach arrangement 520 . Similarly, the first to third outer surfaces 531b , 532b , 533b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 521b , 522b , 523b of the first Halbach arrangement 520 .

이하, 도 19를 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(500)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc path forming unit 500 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. 19 .

도 19를 참조하면, 제1 할바흐 배열(520)의 각 내면(521a, 522a, 523a) 및 제2 할바흐 배열(530)의 각 내면(531a, 532a, 533a)은 N극으로 자화된다.Referring to FIG. 19 , each inner surface 521a , 522a , 523a of the first Halbach arrangement 520 and each inner surface 531a , 532a , 533a of the second Halbach arrangement 530 are magnetized to the N pole.

이에 따라, 제1 할바흐 배열(520) 및 제2 할바흐 배열(530) 사이에는 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다. Accordingly, a magnetic field in a direction to repel each other is formed between the first Halbach arrangement 520 and the second Halbach arrangement 530 .

도 19의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in FIG. 19( a ), the direction of the current is the direction from the second fixed contactor 22b to the first fixed contactor 22a through the movable contactor 43 .

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the front left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the front left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the front right.

도 19의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in FIG. 19( b ), the direction of the current is a direction from the first fixed contactor 22a to the movable contactor 43 and out to the second fixed contactor 22b .

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the rear left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the rear left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the rear right side.

도시되지는 않았으나, 제1 및 제2 할바흐 배열(520, 530)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(520, 530)이 형성하는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each side of the first and second Halbach arrays 520 and 530 is changed, the directions of the magnetic fields formed by each of the Halbach arrays 520 and 530 are reversed. Accordingly, the path A.P of the generated electromagnetic force and arc is also formed in the reverse direction.

즉, 도 19의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized state as shown in FIG. 19A , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contact 22a is formed toward the left of the rear side. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

유사하게, 도 19의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 19B , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contact 22a is formed toward the left in the front. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(500)는, 제1 및 제2 할바흐 배열(520, 530)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc path forming unit 500 according to the present embodiment, regardless of the polarity of the first and second Halbach arrays 520 and 530 or the direction of the current flowing through the DC relay 1, electromagnetic force and arc A path (A.P) of can be formed in a direction away from the center (C).

따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the DC relay 1 disposed adjacent to the central portion C can be prevented. Furthermore, the generated arc can be quickly discharged to the outside, so that the operation reliability of the DC relay 1 can be improved.

(6) 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(600)의 설명(6) Description of the arc path forming unit 600 according to another embodiment of the present invention

이하, 도 20 내지 도 22를 참조하여 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(600)를 상세하게 설명한다. 가 도시된다. 아크 경로 형성부(600)는 아크 챔버(21) 내부에 자기장을 형성한다. 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류와 형성된 자기장에 의해, 아크 챔버(21) 내부에는 전자기력이 형성된다. Hereinafter, an arc path forming unit 600 according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 20 to 22 . is shown The arc path forming unit 600 forms a magnetic field in the arc chamber 21 . An electromagnetic force is formed in the arc chamber 21 by the current flowing through the DC relay 1 and the formed magnetic field.

도 20 내지 도 22를 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(600)는 자석 프레임(610), 제1 할바흐 배열(620), 제2 할바흐 배열(630) 및 제3 할바흐 배열(640)을 포함한다.20 to 22 , the arc path forming unit 600 according to the illustrated embodiment is a magnet frame 610 , a first Halbach arrangement 620 , a second Halbach arrangement 630 and a third Halbach arrangement. includes a Bach arrangement 640 .

본 실시 예에 따른 자석 프레임(610)은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)과 그 구조 및 기능이 동일하다. 다만, 본 실시 예에 따른 자석 프레임(610)에 배치되는 제1 할바흐 배열(620), 제2 할바흐 배열(630) 및 제3 할바흐 배열(640)의 배치 방식에 차이가 있다.The magnet frame 610 according to the present embodiment has the same structure and function as the magnet frame 110 according to the above-described embodiment. However, there is a difference in the arrangement method of the first Halbach arrangement 620 , the second Halbach arrangement 630 , and the third Halbach arrangement 640 arranged on the magnet frame 610 according to the present embodiment.

이에, 자석 프레임(610)에 대한 설명은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.Accordingly, the description of the magnet frame 610 will be replaced with the description of the magnet frame 110 according to the above-described embodiment.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(620)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(620)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 620 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 620 is formed to extend in the left and right direction.

제1 할바흐 배열(620)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(620)은 제2 할바흐 배열(630) 또는 제3 할바흐 배열(640)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The first Halbach array 620 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 620 may form a magnetic field together with the second Halbach arrangement 630 or the third Halbach arrangement 640 .

제1 할바흐 배열(620)은 제1 및 제2 면(611, 212) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(620)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(615)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The first Halbach arrangement 620 may be positioned adjacent to any one of the first and second surfaces 611 and 212 . In an embodiment, the first Halbach arrangement 620 may be coupled to the inner side of the one surface (ie, the direction toward the space 615 ).

도 20에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(620)은 제1 면(611)의 내측에, 제1 면(611)에 인접하게 배치되어, 제2 면(612)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(630) 또는 제3 할바흐 배열(640)을 마주한다.In the embodiment shown in FIG. 20 , the first Halbach arrangement 620 is disposed on the inner side of the first face 611 , adjacent to the first face 611 , and located inside the second face 612 . It faces the second Halbach arrangement 630 or the third Halbach arrangement 640 .

도 21에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(620)은 제2 면(612)의 내측에, 제2 면(612)에 인접하게 배치되어, 제1 면(611)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(630) 또는 제3 할바흐 배열(640)을 마주한다.In the embodiment shown in FIG. 21 , the first Halbach arrangement 620 is disposed on the inner side of the second face 612 , adjacent to the second face 612 , and located inside the first face 611 . It faces the second Halbach arrangement 630 or the third Halbach arrangement 640 .

제1 할바흐 배열(620)과 제2 할바흐 배열(630) 또는 제3 할바흐 배열(640) 사이에는 공간부(615) 및 공간부(615)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the first Halbach arrangement 620 and the second Halbach arrangement 630 or the third Halbach arrangement 640 , the space portion 615 and the fixed contactor 22 and the movable contactor accommodated in the space portion 615 . (43) is located.

제1 할바흐 배열(620)은 제1 면(611) 또는 제2 면(612)이 연장되는 방향의 중앙 부분에 위치될 수 있다. 즉, 제1 할바흐 배열(620)은 제3 면(613)과의 최단 거리 및 제4 면(614)과의 최단 거리가 같게 위치될 수 있다. The first Halbach arrangement 620 may be located at a central portion in the extending direction of the first surface 611 or the second surface 612 . That is, the first Halbach arrangement 620 may be positioned so that the shortest distance to the third surface 613 and the shortest distance to the fourth surface 614 are the same.

제1 할바흐 배열(620)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 및 제3 할바흐 배열(630, 640)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(620)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The first Halbach arrangement 620 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the second and third Halbach arrangements 630 and 640 . Since the direction of the magnetic field formed by the first Halbach array 620 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(620)은 제1 블록(621), 제2 블록(622) 및 제3 블록(623)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(620)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(621, 622, 623)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 620 includes a first block 621 , a second block 622 , and a third block 623 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 620 are named blocks 621 , 622 , and 623 , respectively.

제1 내지 제3 블록(621, 622, 623)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(621, 622, 623)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 621 , 622 , and 623 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to third blocks 621 , 622 , and 623 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제3 블록(621, 622, 623)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(621, 622, 623)은 제1 면(611)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 621 , 622 , and 623 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 621 , 622 , and 623 are arranged in parallel in the extending direction of the first surface 611 , that is, in the left and right direction.

제1 블록(621)은 제1 할바흐 배열(620)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(622)은 제1 블록(621)의 좌측에, 제3 블록(623)은 제1 블록(621)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(621, 622, 623)은 서로 접촉될 수 있다. The first block 621 is located in the central portion of the first Halbach arrangement 620 . The second block 622 is located on the left side of the first block 621 , and the third block 623 is located on the right side of the first block 621 , respectively. In an embodiment, the blocks 621 , 622 , and 623 adjacent to each other may contact each other.

제1 블록(621)은 제2 할바흐 배열(630) 또는 제3 할바흐 배열(640)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 가동 접촉자(43)의 중앙 부분과 겹쳐지게 배치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 블록(621)은 전후 방향으로 중심부(C)와 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first block 621 may be disposed to overlap the central portion of the movable contactor 43 in the direction toward the second Halbach arrangement 630 or the third Halbach arrangement 640, and in the front-rear direction in the illustrated embodiment. have. In one embodiment, the first block 621 may be disposed to overlap the central portion (C) in the front-rear direction.

또한, 제2 블록(622) 및 제3 블록(623)은 제2 할바흐 배열(630) 또는 제3 할바흐 배열(640)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the second block 622 and the third block 623 are the first fixed contacts ( 22a) and the second fixed contactor 22b may be disposed to overlap each other.

각 블록(621, 622, 623)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 621 , 622 , 623 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(621)은 공간부(615), 제2 할바흐 배열(630) 또는 제3 할바흐 배열(640)을 향하는 제1 내면(621a) 및 공간부(615) 또는 제2 할바흐 배열(630)에 반대되는 제1 외면(621b)을 포함한다.Specifically, the first block 621 is a space portion 615 , a second Halbach arrangement 630 or a third Halbach arrangement 640 , a first inner surface 621a and a space portion 615 or a second and a first outer surface 621b opposite the Halbach arrangement 630 .

제2 블록(622)은 제1 블록(621)을 향하는 제2 내면(622a) 및 제1 블록(621)에 반대되는 제2 외면(622b)을 포함한다.The second block 622 includes a second inner surface 622a facing the first block 621 and a second outer surface 622b opposite the first block 621 .

제3 블록(623)은 제1 블록(621)을 향하는 제3 내면(623a) 및 제1 블록(621)에 반대되는 제3 외면(623b)을 포함한다.The third block 623 includes a third inner surface 623a facing the first block 621 and a third outer surface 623b opposite the first block 621 .

각 블록(621, 622, 623)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 621 , 622 , 623 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(621a, 622a, 623a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(621b, 622b, 623b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third inner surfaces 621a, 622a, and 623a may be magnetized to have the same polarity. Similarly, the first to third outer surfaces 621b, 622b, and 623b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(621a, 622a, 623a)은 제2 할바흐 배열(630)의 제1 내지 제3 내면(631a, 632a, 633a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(621b, 622b, 623b)은 제2 할바흐 배열(630)의 제1 내지 제3 외면(631b, 632b, 633b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third inner surfaces 621a , 622a , and 623a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 631a , 632a , and 633a of the second Halbach arrangement 630 . Similarly, the first to third outer surfaces 621b , 622b , and 623b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 631b , 632b , 633b of the second Halbach arrangement 630 .

제1 내지 제3 내면(621a, 622a, 623a)은 제3 할바흐 배열(640)의 제1 내지 제3 내면(641a, 642a, 643a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(621b, 622b, 623b)은 제3 할바흐 배열(640)의 제1 내지 제3 외면(641b, 642b, 643b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third inner surfaces 621a , 622a , and 623a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 641a , 642a , and 643a of the third Halbach arrangement 640 . Likewise, the first to third outer surfaces 621b , 622b , and 623b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 641b , 642b , 643b of the third Halbach arrangement 640 .

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 630 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 630 is formed extending in the left and right direction.

제2 할바흐 배열(630)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 제1 할바흐 배열(620)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The second Halbach arrangement 630 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 630 may form a magnetic field together with the first Halbach arrangement 620 .

제2 할바흐 배열(630)은 제1 및 제2 면(611, 612) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 상기 다른 하나의 면의 내측(즉, 공간부(615)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The second Halbach arrangement 630 may be positioned adjacent to the other of the first and second surfaces 611 and 612 . In an embodiment, the second Halbach arrangement 630 may be coupled to the inside of the other surface (ie, the direction toward the space 615 ).

도 20에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 제2 면(612)의 내측에, 제2 면(612)에 인접하게 배치되어, 제1 면(611)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(620)을 마주한다.In the embodiment shown in FIG. 20 , the second Halbach arrangement 630 is disposed on the inner side of the second face 612 , adjacent to the second face 612 , and located inside the first face 611 . It faces the first Halbach arrangement 620 which becomes

도 21에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 제1 면(611)의 내측에, 제1 면(611)에 인접하게 배치되어, 제2 면(612)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(620)을 마주한다.In the embodiment shown in FIG. 21 , the second Halbach arrangement 630 is disposed on the inner side of the first face 611 , adjacent to the first face 611 , and located inside the second face 612 . It faces the first Halbach arrangement 620 which becomes

제2 할바흐 배열(630)은 제3 할바흐 배열(640)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제2 할바흐 배열(630)은 제3 할바흐 배열(640)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)과 제3 할바흐 배열(640)은 서로 접촉될 수 있다. The second Halbach arrangement 630 is arranged in parallel with the third Halbach arrangement 640 in the extending direction thereof. The second Halbach arrangement 630 is disposed adjacent to the third Halbach arrangement 640 . In an embodiment, the second Halbach arrangement 630 and the third Halbach arrangement 640 may be in contact with each other.

제2 할바흐 배열(630)과 제1 할바흐 배열(620) 사이에는 공간부(615) 및 공간부(615)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the second Halbach arrangement 630 and the first Halbach arrangement 620 , the space 615 and the fixed contact 22 and the movable contact 43 accommodated in the space 615 are positioned.

제2 할바흐 배열(630)은 제3 면(613) 및 제4 면(614) 중 어느 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 제3 면(613)에 치우쳐 위치된다.The second Halbach arrangement 630 is located biased to any one of the third face 613 and the fourth face 614 . In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 630 is located biased to the third face 613 .

제2 할바흐 배열(630)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 및 제3 할바흐 배열(620, 640)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(630)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The second Halbach arrangement 630 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the first and third Halbach arrangements 620 and 640 . Since the direction of the magnetic field formed by the second Halbach arrangement 630 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 제1 블록(631), 제2 블록(632) 및 제3 블록(633)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(630)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(631, 632, 633)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 630 includes a first block 631 , a second block 632 , and a third block 633 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 630 are named blocks 631 , 632 , and 633 , respectively.

제1 내지 제3 블록(631, 632, 633)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(631, 632, 633)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 631 , 632 , and 633 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to third blocks 631 , 632 , and 633 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제3 블록(631, 632, 633)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(631, 632, 633)은 제2 면(612)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 631 , 632 , and 633 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 631 , 632 , and 633 are arranged in parallel in the direction in which the second surface 612 extends, that is, in the left-right direction.

제1 블록(631)은 제2 할바흐 배열(630)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(632)은 제1 블록(631)의 좌측에, 제3 블록(633)은 제1 블록(631)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(631, 632, 633)은 서로 접촉될 수 있다. The first block 631 is located in the central portion of the second Halbach arrangement 630 . The second block 632 is located on the left side of the first block 631 , and the third block 633 is located on the right side of the first block 631 , respectively. In an embodiment, the blocks 631 , 632 , and 633 adjacent to each other may contact each other.

제1 블록(631)은 제1 할바흐 배열(620)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 할바흐 배열(620)의 제2 블록(622)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first block 631 may be disposed to overlap the second block 622 of the first Halbach arrangement 620 in a direction toward the first Halbach arrangement 620 , and in the front-rear direction in the illustrated embodiment.

또한, 제1 블록(631)은 제1 할바흐 배열(620)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 와 겹쳐지게 배치될 수 있다. Also, the first block 631 may be disposed to overlap the first fixed contactor 22a in the direction toward the first Halbach arrangement 620 , and in the front-rear direction in the illustrated embodiment.

각 블록(631, 632, 633)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 631 , 632 , 633 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(631)은 공간부(615) 또는 제1 할바흐 배열(620)을 향하는 제1 내면(631a) 및 공간부(615) 또는 제1 할바흐 배열(620)에 반대되는 제1 외면(631b)을 포함한다. Specifically, the first block 631 is the space portion 615 or the first Halbach arrangement 620 facing the first inner surface 631a and the space portion 615 or the first Halbach arrangement 620 opposite to the and a first outer surface 631b.

제2 블록(632)은 제1 블록(631)을 향하는 제2 내면(632a) 및 제1 블록(631)에 반대되는 제2 외면(632b)을 포함한다.The second block 632 includes a second inner surface 632a facing the first block 631 and a second outer surface 632b opposite the first block 631 .

제3 블록(633)은 제1 블록(631)을 향하는 제3 내면(633a) 및 제1 블록(631)에 반대되는 제3 외면(633b)을 포함한다.The third block 633 includes a third inner surface 633a facing the first block 631 and a third outer surface 633b facing the first block 631 .

각 블록(631, 632, 633)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 631 , 632 , 633 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(631a, 632a, 633a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(631b, 632b, 633b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third inner surfaces 631a, 632a, and 633a may be magnetized to have the same polarity. Similarly, the first to third outer surfaces 631b, 632b, and 633b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(631a, 632a, 633a)은 제1 할바흐 배열(620)의 제1 내지 제3 내면(621a, 622a, 623a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(631b, 632b, 633b)은 제1 할바흐 배열(620)의 제1 내지 제3 외면(621b, 622b, 623b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third inner surfaces 631a , 632a , and 633a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 621a , 622a , and 623a of the first Halbach arrangement 620 . Similarly, the first to third outer surfaces 631b, 632b, and 633b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 621b, 622b, and 623b of the first Halbach arrangement 620 .

제1 내지 제3 내면(631a, 632a, 633a)은 제3 할바흐 배열(640)의 제1 내지 제3 내면(641a, 642a, 643a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(631b, 632b, 633b)은 제3 할바흐 배열(640)의 제1 내지 제3 외면(641b, 642b, 643b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third inner surfaces 631a , 632a , and 633a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 641a , 642a , and 643a of the third Halbach arrangement 640 . Similarly, the first to third outer surfaces 631b , 632b , and 633b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 641b , 642b , 643b of the third Halbach arrangement 640 .

도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the third Halbach array 640 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the third Halbach arrangement 640 is formed to extend in the left and right direction.

제3 할바흐 배열(640)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)은 제1 할바흐 배열(620)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The third Halbach arrangement 640 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the third Halbach arrangement 640 may form a magnetic field together with the first Halbach arrangement 620 .

제3 할바흐 배열(640)은 제1 및 제2 면(611, 312) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)은 상기 다른 하나의 면의 내측(즉, 공간부(615)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The third Halbach arrangement 640 may be positioned adjacent to the other of the first and second faces 611 and 312 . In an embodiment, the third Halbach arrangement 640 may be coupled to the inside of the other surface (ie, the direction toward the space 615 ).

도 20에 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)은 제2 면(612)의 내측에, 제2 면(612)에 인접하게 배치되어, 제1 면(611)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(620)을 마주한다.In the embodiment shown in FIG. 20 , the third Halbach arrangement 640 is disposed on the inner side of the second face 612 , adjacent to the second face 612 , and located inside the first face 611 . It faces the first Halbach arrangement 620 which becomes

도 21에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(630)은 제1 면(611)의 내측에, 제1 면(611)에 인접하게 배치되어, 제2 면(612)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(620)을 마주한다.In the embodiment shown in FIG. 21 , the second Halbach arrangement 630 is disposed on the inner side of the first face 611 , adjacent to the first face 611 , and located inside the second face 612 . It faces the first Halbach arrangement 620 which becomes

제3 할바흐 배열(640)은 제2 할바흐 배열(630)과 그 연장 방향으로 나란하게 배치된다. 제3 할바흐 배열(640)은 제2 할바흐 배열(630)과 인접하게 배치된다. 일 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)과 제2 할바흐 배열(630)은 서로 접촉될 수 있다. The third Halbach arrangement 640 is arranged in parallel with the second Halbach arrangement 630 in the extending direction thereof. The third Halbach arrangement 640 is disposed adjacent to the second Halbach arrangement 630 . In an embodiment, the third Halbach arrangement 640 and the second Halbach arrangement 630 may be in contact with each other.

제3 할바흐 배열(640)과 제1 할바흐 배열(620) 사이에는 공간부(615) 및 공간부(615)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the third Halbach arrangement 640 and the first Halbach arrangement 620 , the space 615 and the fixed contact 22 and the movable contact 43 accommodated in the space 615 are positioned.

제3 할바흐 배열(640)은 제3 면(613) 및 제4 면(614) 중 다른 하나에 치우쳐 위치된다. 도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)은 제4 면(614)에 치우쳐 위치된다.The third Halbach arrangement 640 is located biased to the other of the third face 613 and the fourth face 614 . In the illustrated embodiment, the third Halbach arrangement 640 is located biased to the fourth face 614 .

제3 할바흐 배열(640)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 및 제2 할바흐 배열(620, 630)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제3 할바흐 배열(640)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The third Halbach arrangement 640 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the first and second Halbach arrangements 620 and 630 . Since the direction of the magnetic field formed by the third Halbach array 640 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제3 할바흐 배열(640)은 제1 블록(641), 제2 블록(642) 및 제3 블록(643)을 포함한다. 제3 할바흐 배열(640)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(641, 642, 643)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the third Halbach arrangement 640 includes a first block 641 , a second block 642 , and a third block 643 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the third Halbach array 640 are named blocks 641 , 642 , and 643 , respectively.

제1 내지 제3 블록(641, 642, 643)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(641, 642, 643)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 641 , 642 , and 643 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to third blocks 641 , 642 , and 643 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제3 블록(641, 642, 643)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(641, 642, 643)은 제2 면(612)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 641 , 642 , and 643 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 641 , 642 , and 643 are arranged in parallel in the direction in which the second surface 612 extends, that is, in the left-right direction.

제1 블록(641)은 제3 할바흐 배열(640)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(642)은 제1 블록(641)의 좌측에, 제3 블록(643)은 제1 블록(641)의 우측에 각각 위치된다. 일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(641, 642, 643)은 서로 접촉될 수 있다. The first block 641 is located in the central portion of the third Halbach arrangement 640 . The second block 642 is located on the left side of the first block 641 , and the third block 643 is located on the right side of the first block 641 , respectively. In an embodiment, the blocks 641 , 642 , and 643 adjacent to each other may contact each other.

제1 블록(641)은 제1 할바흐 배열(620)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 할바흐 배열(620)의 제3 블록(623)과 겹쳐지게 배치될 수 있다. The first block 641 may be disposed to overlap the third block 623 of the first Halbach arrangement 620 in a direction toward the first Halbach arrangement 620 , and in the front-rear direction in the illustrated embodiment.

또한, 제1 블록(641)은 제1 할바흐 배열(620)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다. In addition, the first block 641 may be disposed to overlap with any one of the second fixed contacts 22b in the direction toward the first Halbach arrangement 620 , and in the front-rear direction in the illustrated embodiment.

각 블록(641, 642, 643)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 641 , 642 , 643 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(641)은 공간부(615) 또는 제1 할바흐 배열(620)을 향하는 제1 내면(641a) 및 공간부(615) 또는 제1 할바흐 배열(620)에 반대되는 제1 외면(641b)을 포함한다. Specifically, the first block 641 has a space 615 or a first inner surface 641a facing the first Halbach arrangement 620 and a space 615 or a first Halbach arrangement 620 opposite to the space portion 615 or the first Halbach arrangement 620 . and a first outer surface 641b.

제2 블록(642)은 제1 블록(641)을 향하는 제2 내면(642a) 및 제1 블록(641)에 반대되는 제2 외면(642b)을 포함한다.The second block 642 includes a second inner surface 642a facing the first block 641 and a second outer surface 642b opposite the first block 641 .

제3 블록(643)은 제1 블록(641)을 향하는 제3 내면(643a) 및 제1 블록(641)에 반대되는 제3 외면(643b)을 포함한다.The third block 643 includes a third inner surface 643a facing the first block 641 and a third outer surface 643b opposite the first block 641 .

각 블록(641, 642, 643)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 641 , 642 , and 643 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(641a, 642a, 643a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(641b, 642b, 643b)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first to third inner surfaces 641a, 642a, and 643a may be magnetized to have the same polarity. Similarly, the first to third outer surfaces 641b, 642b, and 643b may be magnetized to have the same polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(641a, 642a, 643a)은 제1 할바흐 배열(620)의 제1 내지 제3 내면(621a, 622a, 623a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(641b, 642b, 643b)은 제1 할바흐 배열(620)의 제1 내지 제3 외면(621b, 622b, 623b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first to third inner surfaces 641a , 642a , and 643a may be magnetized with the same polarity as the first to third inner surfaces 621a , 622a , and 623a of the first Halbach arrangement 620 . Similarly, the first to third outer surfaces 641b , 642b , and 643b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 621b , 622b , 623b of the first Halbach arrangement 620 .

제1 내지 제3 내면(641a, 642a, 643a)은 제2 할바흐 배열(630)의 제1 내지 제3 내면(631a, 632a, 633a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 마찬가지로, 제1 내지 제3 외면(641b, 642b, 643b)은 제2 할바흐 배열(630)의 제1 내지 제3 외면(631b, 632b, 633b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.The first to third inner surfaces 641a , 642a , and 643a may be magnetized to have the same polarity as the first to third inner surfaces 631a , 632a , and 633a of the second Halbach arrangement 630 . Likewise, the first to third outer surfaces 641b , 642b , and 643b may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 631b , 632b , 633b of the second Halbach arrangement 630 .

이하, 도 22를 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(600)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc path forming unit 600 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. 22 .

도 22를 참조하면, 제1 할바흐 배열(620)의 각 내면(621a, 622a, 623a), 제2 할바흐 배열(630)의 각 내면(631a, 632a, 633a) 및 제3 할바흐 배열(640)의 각 내면(641a, 642a, 643a)은 N극으로 자화된다.22, each inner surface 621a, 622a, 623a of the first Halbach arrangement 620, each inner surface 631a, 632a, 633a of the second Halbach arrangement 630, and the third Halbach arrangement ( Each inner surface 641a, 642a, 643a of 640 is magnetized to the N pole.

이에 따라, 제1 할바흐 배열(620)과 제2 및 제3 할바흐 배열(630, 640) 사이에는 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다. Accordingly, a magnetic field in a direction to repel each other is formed between the first Halbach array 620 and the second and third Halbach arrays 630 and 640 .

도 22의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (a) of FIG. 22 , the direction of the current is the direction from the second fixed contactor 22b to the first fixed contactor 22a through the movable contactor 43 .

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.When Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the front left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the front left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the front right.

도 22의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (b) of FIG. 22 , the direction of the current is a direction from the first fixed contactor 22a to the movable contactor 43 and out to the second fixed contactor 22b.

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the rear left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the rear left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the rear right side.

도시되지는 않았으나, 제1 내지 제3 할바흐 배열(620, 630, 640)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(620, 630, 640)이 형성하는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each side of the first to third Halbach arrays 620, 630, and 640 is changed, the direction of the magnetic field formed by each Halbach array 620, 630, 640 is opposite. do. Accordingly, the path A.P of the generated electromagnetic force and arc is also formed in the reverse direction.

즉, 도 22의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized state as shown in (a) of FIG. 22 , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the rear left. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

유사하게, 도 22의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 22(b), the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contact 22a is formed toward the left in the front. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(600)는, 제1 내지 제3 할바흐 배열(620, 630, 640)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc path forming unit 600 according to the present embodiment, regardless of the polarity of the first to third Halbach arrays 620 , 630 , 640 or the direction of the current flowing through the DC relay 1 , the electromagnetic force And the arc path (A.P) may be formed in a direction away from the center (C).

따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the DC relay 1 disposed adjacent to the central portion C can be prevented. Furthermore, the generated arc can be quickly discharged to the outside, so that the operation reliability of the DC relay 1 can be improved.

(7) 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(700)의 설명(7) Description of the arc path forming unit 700 according to another embodiment of the present invention

이하, 도 23 및 도 24를 참조하여 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(700)를 상세하게 설명한다. Hereinafter, an arc path forming unit 700 according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 23 and 24 .

도 23을 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(700)는 자석 프레임(710), 제1 할바흐 배열(720) 및 제2 할바흐 배열(730)을 포함한다.Referring to FIG. 23 , the arc path forming unit 700 according to the illustrated embodiment includes a magnet frame 710 , a first Halbach arrangement 720 , and a second Halbach arrangement 730 .

본 실시 예에 따른 자석 프레임(710)은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)과 그 구조 및 기능이 동일하다. 다만, 본 실시 예에 따른 자석 프레임(710)에 배치되는 제1 할바흐 배열(720) 및 제2 할바흐 배열(730)의 배치 방식에 차이가 있다.The magnet frame 710 according to the present embodiment has the same structure and function as the magnet frame 110 according to the above-described embodiment. However, there is a difference in the arrangement method of the first Halbach arrangement 720 and the second Halbach arrangement 730 arranged on the magnet frame 710 according to the present embodiment.

이에, 자석 프레임(710)에 대한 설명은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.Accordingly, the description of the magnet frame 710 will be replaced with the description of the magnet frame 110 according to the above-described embodiment.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(720)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(720)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 720 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 720 is formed to extend in the left and right direction.

제1 할바흐 배열(720)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(720)은 제2 할바흐 배열(730) 과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The first Halbach array 720 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 720 may form a magnetic field together with the second Halbach arrangement 730 .

제1 할바흐 배열(720)은 제1 및 제2 면(711, 712) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(720)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(715)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The first Halbach arrangement 720 may be positioned adjacent to any one of the first and second surfaces 711 and 712 . In an embodiment, the first Halbach arrangement 720 may be coupled to the inner side (ie, the direction toward the space portion 715 ) of any one of the surfaces.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(720)은 제1 면(711)의 내측에, 제1 면(711)에 인접하게 배치되어, 제2 면(712)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(730)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 720 is disposed on the inside of the first side 711 , adjacent to the first side 711 , and the second side positioned inside the second side 712 . Facing the Halbach arrangement 730 .

제1 할바흐 배열(720)과 제2 할바흐 배열(730) 사이에는 공간부(715) 및 공간부(715)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(720)과 제2 할바흐 배열(730)을 연결하는 가상의 직선 상에는 중심부(C)가 위치될 수 있다.Between the first Halbach arrangement 720 and the second Halbach arrangement 730 , the space 715 and the fixed contact 22 and the movable contact 43 accommodated in the space 715 are positioned. In an embodiment, the center C may be positioned on an imaginary straight line connecting the first Halbach arrangement 720 and the second Halbach arrangement 730 .

제1 할바흐 배열(720)은 제1 면(711)의 중앙 부분에 위치될 수 있다. 달리 표현하면, 제1 할바흐 배열(720)과 제3 면(713) 사이의 최단 거리 및 제1 할바흐 배열(720)과 제4 면(714) 사이의 최단 거리는 같을 수 있다. The first Halbach arrangement 720 may be located at a central portion of the first surface 711 . In other words, the shortest distance between the first Halbach arrangement 720 and the third surface 713 and the shortest distance between the first Halbach arrangement 720 and the fourth surface 714 may be the same.

제1 할바흐 배열(720)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 할바흐 배열(730)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(720)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The first Halbach arrangement 720 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the second Halbach arrangement 730 . Since the direction of the magnetic field formed by the first Halbach array 720 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(720)은 제1 블록(721), 제2 블록(722) 제3 블록(723), 제4 블록(724) 및 제5 블록(725)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(720)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(721, 722, 723, 724, 725)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 720 includes a first block 721 , a second block 722 , a third block 723 , a fourth block 724 , and a fifth block 725 . do. It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 720 are designated as blocks 721 , 722 , 723 , 724 , and 725 , respectively.

제1 내지 제5 블록(721, 722, 723, 724, 725)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제5 블록(721, 722, 723, 724, 725)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to fifth blocks 721 , 722 , 723 , 724 , and 725 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to fifth blocks 721 , 722 , 723 , 724 , and 725 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제5 블록(721, 722, 723, 724, 725)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제5 블록(721, 722, 723, 724, 725)은 제1 면(711)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to fifth blocks 721 , 722 , 723 , 724 , and 725 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to fifth blocks 721 , 722 , 723 , 724 , and 725 are arranged in parallel in the extending direction of the first surface 711 , that is, in the left-right direction.

제1 블록(721)은 제1 할바흐 배열(720)의 중앙 부분에 위치된다.The first block 721 is located in the central portion of the first Halbach arrangement 720 .

제2 블록(722)은 제1 할바흐 배열(720)의 가장 좌측에 위치된다. 즉, 제2 블록(722)은 제3 면(713)에 인접하게 위치된다. 제3 블록(723)은 제1 할바흐 배열(720)의 가장 우측에 위치된다. 즉, 제3 블록(723)은 제4 면(714)에 인접하게 위치된다. The second block 722 is located at the leftmost side of the first Halbach arrangement 720 . That is, the second block 722 is positioned adjacent to the third surface 713 . The third block 723 is located on the rightmost side of the first Halbach arrangement 720 . That is, the third block 723 is positioned adjacent to the fourth surface 714 .

제4 블록(724)은 제1 블록(721)과 제2 블록(722) 사이에 위치된다. 또한, 제5 블록(725)은 제1 블록(721)과 제3 블록(723) 사이에 위치된다.The fourth block 724 is positioned between the first block 721 and the second block 722 . Also, the fifth block 725 is positioned between the first block 721 and the third block 723 .

일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(721, 722, 723, 724, 725)은 서로 접촉될 수 있다. In an embodiment, the blocks 721 , 722 , 723 , 724 , and 725 adjacent to each other may contact each other.

또한, 제1 블록(721)은 제2 할바흐 배열(730) 또는 제2 면(712)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(730)의 제1 블록(731) 및 중심부(C)와 겹쳐지게 배치될 수 있다.In addition, the first block 721 is the first block 731 of the second Halbach arrangement 730 in the direction toward the second Halbach arrangement 730 or the second surface 712, and in the front-rear direction in the illustrated embodiment. ) and the central portion (C) may be disposed to overlap.

또한, 제2 블록(722) 및 제3 블록(723)은 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 블록(722)은 제1 고정 접촉자(22a)와, 제3 블록(723)은 제2 고정 접촉자(22b)와 각각 겹쳐지게 배치된다.Also, the second block 722 and the third block 723 may be disposed to overlap any one of the first fixed contactor 22a and the second fixed contactor 22b, respectively. In the illustrated embodiment, the second block 722 is disposed to overlap the first fixed contact 22a, and the third block 723 overlaps the second fixed contact 22b, respectively.

각 블록(721, 722, 723, 724, 725)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 721 , 722 , 723 , 724 , 725 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(721)은 공간부(715) 또는 제2 할바흐 배열(730)을 향하는 제1 내면(721a) 및 공간부(715) 또는 제2 할바흐 배열(730)에 반대되는 제1 외면(721b)을 포함한다.Specifically, the first block 721 has a first inner surface 721a facing the space 715 or the second Halbach arrangement 730 and the space 715 or the second Halbach arrangement 730 opposite to the space portion 715 or the second Halbach arrangement 730 . and a first outer surface 721b.

제2 블록(722)은 공간부(715) 또는 제2 할바흐 배열(730)을 향하는 제2 내면(722a) 및 공간부(715) 또는 제2 할바흐 배열(730)에 반대되는 제2 외면(722b)을 포함한다.The second block 722 has a second inner surface 722a facing the space 715 or second Halbach arrangement 730 and a second outer surface opposite to the space 715 or second Halbach arrangement 730 . (722b).

제3 블록(723)은 공간부(715) 또는 제2 할바흐 배열(730)을 향하는 제3 내면(723a) 및 공간부(715) 또는 제2 할바흐 배열(730)에 반대되는 제3 외면(723b)을 포함한다.The third block 723 has a third inner surface 723a facing the space 715 or the second Halbach arrangement 730 and a third outer surface opposite the space 715 or the second Halbach arrangement 730 . (723b).

제4 블록(724)은 제2 블록(722)을 향하는 제4 내면(724a) 및 제1 블록(721)을 향하는 제4 외면(724b)을 포함한다. 제4 내면(724a)과 제4 외면(724b)이 서로 반대되게 위치됨이 이해될 것이다.The fourth block 724 includes a fourth inner surface 724a facing the second block 722 and a fourth outer surface 724b facing the first block 721 . It will be understood that the fourth inner surface 724a and the fourth outer surface 724b are positioned opposite to each other.

제5 블록(725)은 제1 블록(721)을 향하는 제5 내면(725a) 및 제3 블록(723)을 향하는 제5 외면(725b)을 포함한다. 제5 내면(725a)과 제5 외면(725b)이 서로 반대되게 위치됨이 이해될 것이다.The fifth block 725 includes a fifth inner surface 725a facing the first block 721 and a fifth outer surface 725b facing the third block 723 . It will be understood that the fifth inner surface 725a and the fifth outer surface 725b are positioned opposite to each other.

각 블록(721, 722, 723, 724, 725)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 721 , 722 , 723 , 724 , and 725 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 및 제5 내면(721a 725a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제2 내지 제4 내면(722a, 723a, 724a)은 상기 극성과 다른 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first and fifth inner surfaces 721a 725a may be magnetized to have the same polarity. In addition, the second to fourth inner surfaces 722a, 723a, and 724a may be magnetized to have a polarity different from the polarity.

이때, 제1 및 제5 내면(721a, 725a)은 제2 할바흐 배열(730)의 제1 및 제5 내면(731a, 735a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제2 내지 제4 내면(722a, 723a, 724a)은 제2 할바흐 배열(730)의 제2 내지 제4 내면(732a, 733a, 734a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다.In this case, the first and fifth inner surfaces 721a and 725a may be magnetized to have the same polarity as the first and fifth inner surfaces 731a and 735a of the second Halbach arrangement 730 . In addition, the second to fourth inner surfaces 722a , 723a , and 724a may be magnetized with the same polarity as the second to fourth inner surfaces 732a , 733a , and 734a of the second Halbach arrangement 730 .

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(730)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(730)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 730 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 730 is formed to extend in the left and right direction.

제2 할바흐 배열(730)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(730)은 제1 할바흐 배열(720)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The second Halbach arrangement 730 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 730 may form a magnetic field together with the first Halbach arrangement 720 .

제2 할바흐 배열(730)은 제1 및 제2 면(711, 712) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(730)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(715)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The second Halbach arrangement 730 may be positioned adjacent to the other of the first and second surfaces 711 and 712 . In one embodiment, the second Halbach arrangement 730 may be coupled to the inner side of the one surface (ie, the direction toward the space portion 715 ).

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(730)은 제2 면(712)의 내측에, 제2 면(712)에 인접하게 배치되어, 제1 면(711)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(720)을 마주한다.In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 730 is disposed on the inside of the second surface 712 and adjacent to the second surface 712 , and the first Facing the Halbach arrangement 720 .

제2 할바흐 배열(730)과 제1 할바흐 배열(720) 사이에는 공간부(715) 및 공간부(715)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the second Halbach arrangement 730 and the first Halbach arrangement 720 , the space 715 and the fixed contact 22 and the movable contact 43 accommodated in the space 715 are positioned.

제2 할바흐 배열(730)은 제1 면(711)의 중앙 부분에 위치될 수 있다. 달리 표현하면, 제2 할바흐 배열(730)과 제3 면(713) 사이의 최단 거리 및 제2 할바흐 배열(730)과 제4 면(714) 사이의 최단 거리는 같을 수 있다. The second Halbach arrangement 730 may be located at a central portion of the first surface 711 . In other words, the shortest distance between the second Halbach arrangement 730 and the third surface 713 and the shortest distance between the second Halbach arrangement 730 and the fourth surface 714 may be the same.

제2 할바흐 배열(730)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 할바흐 배열(720)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(730)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The second Halbach arrangement 730 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the first Halbach arrangement 720 . Since the direction of the magnetic field formed by the second Halbach arrangement 730 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(730)은 제1 블록(731), 제2 블록(732), 제3 블록(733), 제4 블록(734) 및 제5 블록(735)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(730)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(731, 732, 733, 734, 735)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 730 includes a first block 731 , a second block 732 , a third block 733 , a fourth block 734 , and a fifth block 735 . include It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 730 are respectively named blocks 731 , 732 , 733 , 734 , and 735 .

제1 내지 제5 블록(731, 732, 733, 734, 735)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제5 블록(731, 732, 733, 734, 735)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to fifth blocks 731 , 732 , 733 , 734 , and 735 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to fifth blocks 731 , 732 , 733 , 734 , and 735 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제5 블록(731, 732, 733, 734, 735)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제5 블록(731, 732, 733, 734, 735)은 제2 면(712)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to fifth blocks 731 , 732 , 733 , 734 , and 735 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to fifth blocks 731 , 732 , 733 , 734 , and 735 are arranged in parallel in the direction in which the second surface 712 extends, that is, in the left-right direction.

제1 블록(731)은 제2 할바흐 배열(730)의 중앙 부분에 위치된다.The first block 731 is located in the central portion of the second Halbach arrangement 730 .

제2 블록(732)은 제2 할바흐 배열(730)의 가장 좌측에 위치된다. 즉, 제2 블록(732)은 제3 면(713)에 인접하게 위치된다. 제3 블록(733)은 제2 할바흐 배열(730)의 가장 우측에 위치된다. 즉, 제3 블록(733)은 제4 면(714)에 인접하게 위치된다. The second block 732 is located at the leftmost side of the second Halbach arrangement 730 . That is, the second block 732 is positioned adjacent to the third surface 713 . The third block 733 is located on the rightmost side of the second Halbach arrangement 730 . That is, the third block 733 is positioned adjacent to the fourth surface 714 .

제4 블록(734)은 제1 블록(731)과 제2 블록(732) 사이에 위치된다. 또한, 제5 블록(735)은 제1 블록(731)과 제3 블록(733) 사이에 위치된다.The fourth block 734 is positioned between the first block 731 and the second block 732 . Also, the fifth block 735 is positioned between the first block 731 and the third block 733 .

일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(731, 732, 733, 734, 735)은 서로 접촉될 수 있다. In an embodiment, the blocks 731 , 732 , 733 , 734 , and 735 adjacent to each other may contact each other.

또한, 제1 블록(731)은 제2 할바흐 배열(730) 또는 제2 면(712)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(730)의 제1 블록(731) 및 중심부(C)와 겹쳐지게 배치될 수 있다.In addition, the first block 731 is the first block 731 of the second Halbach arrangement 730 in the direction toward the second Halbach arrangement 730 or the second surface 712, in the illustrated embodiment, in the front-rear direction. ) and the central portion (C) may be disposed to overlap.

또한, 제2 블록(732) 및 제3 블록(733)은 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 블록(732)은 제1 고정 접촉자(22a)와, 제3 블록(733)은 제2 고정 접촉자(22b)와 각각 겹쳐지게 배치된다.Also, the second block 732 and the third block 733 may be disposed to overlap any one of the first fixed contactor 22a and the second fixed contactor 22b, respectively. In the illustrated embodiment, the second block 732 is disposed to overlap the first fixed contact 22a and the third block 733 overlaps the second fixed contact 22b, respectively.

각 블록(731, 732, 733, 734, 735)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 731 , 732 , 733 , 734 , 735 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(731)은 공간부(715) 또는 제1 할바흐 배열(720)을 향하는 제1 내면(731a) 및 공간부(715) 또는 제1 할바흐 배열(720)에 반대되는 제1 외면(731b)을 포함한다.Specifically, the first block 731 has a first inner surface 731a facing the space 715 or the first Halbach arrangement 720 and the space 715 or the first Halbach arrangement 720 opposite to the space portion 715 or the first Halbach arrangement 720 . and a first outer surface 731b.

제2 블록(732)은 공간부(715) 또는 제1 할바흐 배열(720)을 향하는 제2 내면(732a) 및 공간부(715) 또는 제1 할바흐 배열(720)에 반대되는 제2 외면(732b)을 포함한다.The second block 732 has a second inner surface 732a facing the space 715 or the first Halbach arrangement 720 and a second outer surface opposite the space 715 or the first Halbach arrangement 720 . (732b).

제3 블록(733)은 공간부(715) 또는 제1 할바흐 배열(720)을 향하는 제3 내면(733a) 및 공간부(715) 또는 제1 할바흐 배열(720)에 반대되는 제3 외면(733b)을 포함한다.The third block 733 has a third inner surface 733a facing the space 715 or the first Halbach arrangement 720 and a third outer surface opposite to the space 715 or the first Halbach arrangement 720 . (733b).

제4 블록(734)은 제2 블록(732)을 향하는 제4 내면(734a) 및 제1 블록(731)을 향하는 제4 외면(734b)을 포함한다. 제4 내면(734a)과 제4 외면(734b)이 서로 반대되게 위치됨이 이해될 것이다.The fourth block 734 includes a fourth inner surface 734a facing the second block 732 and a fourth outer surface 734b facing the first block 731 . It will be understood that the fourth inner surface 734a and the fourth outer surface 734b are positioned opposite to each other.

제5 블록(735)은 제1 블록(731)을 향하는 제5 내면(735a) 및 제3 블록(733)을 향하는 제5 외면(735b)을 포함한다. 제5 내면(735a)과 제5 외면(735b)이 서로 반대되게 위치됨이 이해될 것이다.The fifth block 735 includes a fifth inner surface 735a facing the first block 731 and a fifth outer surface 735b facing the third block 733 . It will be understood that the fifth inner surface 735a and the fifth outer surface 735b are positioned opposite to each other.

각 블록(731, 732, 733, 734, 735)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of faces of each block 731 , 732 , 733 , 734 , and 735 may be magnetized according to a predetermined rule to constitute a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 및 제5 내면(731a 735a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제2 내지 제4 내면(732a, 733a, 734a)은 상기 극성과 다른 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first and fifth inner surfaces 731a 735a may be magnetized to have the same polarity. In addition, the second to fourth inner surfaces 732a, 733a, and 734a may be magnetized to have a polarity different from the polarity.

이때, 제1 및 제5 내면(731a, 735a)은 제1 할바흐 배열(720)의 제1 및 제5 내면(721a, 725a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제2 내지 제4 내면(732a, 733a, 734a)은 제1 할바흐 배열(720)의 제2 내지 제4 내면(722a, 723a, 724a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. In this case, the first and fifth inner surfaces 731a and 735a may be magnetized with the same polarity as the first and fifth inner surfaces 721a and 725a of the first Halbach array 720 . In addition, the second to fourth inner surfaces 732a , 733a , and 734a may be magnetized with the same polarity as the second to fourth inner surfaces 722a , 723a , and 724a of the first Halbach arrangement 720 .

이하, 도 24를 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(700)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc path forming unit 700 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. 24 .

도 24를 참조하면, 제1 할바흐 배열(720)의 제1 내면(721a)은 N극으로 자화된다. 이때, 제1 할바흐 배열(720)의 제2 및 제3 내면(722a, 723a)은 S극으로 자화된다.Referring to FIG. 24 , the first inner surface 721a of the first Halbach array 720 is magnetized to the N pole. At this time, the second and third inner surfaces 722a and 723a of the first Halbach array 720 are magnetized to the S pole.

이에 따라, 제1 할바흐 배열(720)에서는 제1 내면(721a)에서 제2 및 제3 내면(722a, 723a)을 향하는 방향의 자기장이 형성된다.Accordingly, in the first Halbach array 720 , a magnetic field in a direction from the first inner surface 721a to the second and third inner surfaces 722a and 723a is formed.

또한, 제2 할바흐 배열(730)의 제1 내면(731a) 또한 N극으로 자화된다. 이때, 제2 할바흐 배열9730)의 제2 및 제3 내면(732a, 733a)은 S극으로 자화된다.In addition, the first inner surface 731a of the second Halbach arrangement 730 is also magnetized to the N pole. At this time, the second and third inner surfaces 732a and 733a of the second Halbach arrangement 9730 are magnetized to the S pole.

이에 따라, 제2 할바흐 배열(730)에서는 제1 내면(731a)에서 제2 및 제3 내면(732a, 733a)을 향하는 방향의 자기장이 형성된다.Accordingly, in the second Halbach arrangement 730 , a magnetic field in a direction from the first inner surface 731a toward the second and third inner surfaces 732a and 733a is formed.

결과적으로, 각 고정 접촉자(22a, 22b) 근처에는 제1 할바흐 배열(720) 및 제2 할바흐 배열(730) 사이에서 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다.As a result, a magnetic field in a direction repulsing each other between the first Halbach array 720 and the second Halbach array 730 is formed near each of the fixed contacts 22a and 22b.

도 24의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (a) of FIG. 24 , the direction of the current is a direction from the second fixed contactor 22b through the movable contactor 43 to the first fixed contactor 22a.

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the front left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the front left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the front right.

도 24의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (b) of FIG. 24 , the direction of the current is a direction from the first fixed contact 22a through the movable contact 43 to the second fixed contact 22b.

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the rear left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the rear left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the rear right side.

도시되지는 않았으나, 제1 및 제2 할바흐 배열(720, 730)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(720, 730)이 형성하는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each side of the first and second Halbach arrays 720 and 730 is changed, the directions of the magnetic fields formed by each of the Halbach arrays 720 and 730 are reversed. Accordingly, the path A.P of the generated electromagnetic force and arc is also formed in the reverse direction.

즉, 도 24의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized state as shown in (a) of FIG. 24 , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the rear left. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

유사하게, 도 24의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 24B , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contact 22a is formed toward the left in the front. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(700)는, 제1 및 제2 할바흐 배열(720, 730)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc path forming unit 700 according to the present embodiment, regardless of the polarity of the first and second Halbach arrays 720 and 730 or the direction of the current flowing through the DC relay 1, electromagnetic force and arc A path (A.P) of can be formed in a direction away from the center (C).

따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the DC relay 1 disposed adjacent to the central portion C can be prevented. Furthermore, the generated arc can be quickly discharged to the outside, so that the operation reliability of the DC relay 1 can be improved.

(8) 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(800)의 설명(8) Description of the arc path forming unit 800 according to another embodiment of the present invention

이하, 도 25 내지 도 29를 참조하여 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(800)를 상세하게 설명한다. Hereinafter, an arc path forming unit 800 according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 25 to 29 .

도 25 내지 도 28을 참조하면, 도시된 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(800)는 자석 프레임(810), 제1 할바흐 배열(820) 및 제2 할바흐 배열(830)을 포함한다.25 to 28 , the arc path forming unit 800 according to the illustrated embodiment includes a magnet frame 810 , a first Halbach arrangement 820 , and a second Halbach arrangement 830 .

본 실시 예에 따른 자석 프레임(810)은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)과 그 구조 및 기능이 동일하다. 다만, 본 실시 예에 따른 자석 프레임(810)에 배치되는 제1 할바흐 배열(820) 및 제2 할바흐 배열(830)의 배치 방식에 차이가 있다.The magnet frame 810 according to this embodiment has the same structure and function as the magnet frame 110 according to the above-described embodiment. However, there is a difference in the arrangement method of the first Halbach arrangement 820 and the second Halbach arrangement 830 arranged on the magnet frame 810 according to the present embodiment.

이에, 자석 프레임(810)에 대한 설명은 상술한 실시 예에 따른 자석 프레임(110)에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.Accordingly, the description of the magnet frame 810 will be replaced with the description of the magnet frame 110 according to the above-described embodiment.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 820 are sequentially arranged side by side from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 820 is formed to extend in the left and right direction.

제1 할바흐 배열(820)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제2 할바흐 배열(830) 과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The first Halbach array 820 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 820 may form a magnetic field together with the second Halbach arrangement 830 .

제1 할바흐 배열(820)은 제1 및 제2 면(811, 812) 중 어느 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 상기 어느 하나의 면의 내측(즉, 공간부(815)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The first Halbach arrangement 820 may be positioned adjacent to any one of the first and second surfaces 811 and 812 . In one embodiment, the first Halbach arrangement 820 may be coupled to the inner side of the one surface (ie, the direction toward the space portion 815 ).

도 25 및 도 26에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제1 면(811)의 내측에, 제1 면(811)에 인접하게 배치되어, 제2 면(812)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(830)을 마주한다.25 and 26 , the first Halbach arrangement 820 is disposed on the inside of the first surface 811 and adjacent to the first surface 811 , It faces the second Halbach arrangement 830 located inside.

도 27 및 도 28에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제2 면(812)의 내측에, 제2 면(812)에 인접하게 배치되어, 제1 면(811)의 내측에 위치되는 제2 할바흐 배열(830)을 마주한다.27 and 28 , the first Halbach arrangement 820 is disposed on the inside of the second surface 812 and adjacent to the second surface 812 , It faces the second Halbach arrangement 830 located inside.

제1 할바흐 배열(820)과 제2 할바흐 배열(830) 사이에는 공간부(815) 및 공간부(815)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다. Between the first Halbach arrangement 820 and the second Halbach arrangement 830 , the space 815 and the fixed contact 22 and the movable contact 43 accommodated in the space 815 are positioned.

제1 할바흐 배열(820)은 제3 면(813) 및 제4 면(814) 중 어느 하나에 치우쳐 위치될 수 있다. 도 25 및 도 27에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제3 면(813)에 치우쳐 위치된다. 도 26 및 도 28에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제4 면(814)에 치우쳐 위치된다.The first Halbach arrangement 820 may be positioned to be biased toward any one of the third surface 813 and the fourth surface 814 . In the embodiment shown in FIGS. 25 and 27 , the first Halbach arrangement 820 is located biased to the third face 813 . 26 and 28 , the first Halbach arrangement 820 is located off the fourth face 814 .

제1 할바흐 배열(820)은 공간부(815) 또는 제2 할바흐 배열(830)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(830)과 겹쳐지게 배치될 수 있다.The first Halbach arrangement 820 may be disposed to overlap the second Halbach arrangement 830 in the direction toward the space portion 815 or the second Halbach arrangement 830, in the illustrated embodiment, in the front-rear direction. .

제1 할바흐 배열(820)은 공간부(815) 또는 제2 할바흐 배열(830)을 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치될 수 있다.The first Halbach arrangement 820 is a direction toward the space portion 815 or the second Halbach arrangement 830, in the illustrated embodiment, the first fixed contact 22a and the second fixed contact 22b in the front-rear direction. It may be arranged to overlap with any one of them.

도 25 및 도 27에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제1 고정 접촉자(22a)와 전후 방향으로 겹쳐진다. 또한, 도 26 및 도 28에 도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제2 고정 접촉자(22b)와 전후 방향으로 겹쳐진다.25 and 27 , the first Halbach arrangement 820 overlaps the first fixed contact 22a in the front-rear direction. Also, in the embodiment shown in FIGS. 26 and 28 , the first Halbach arrangement 820 overlaps the second fixed contactor 22b in the front-rear direction.

제1 할바흐 배열(820)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제2 할바흐 배열(830)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제1 할바흐 배열(820)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The first Halbach arrangement 820 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the second Halbach arrangement 830 . Since the direction of the magnetic field formed by the first Halbach array 820 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제1 할바흐 배열(820)은 제1 블록(821), 제2 블록(822) 및 제3 블록(823)을 포함한다. 제1 할바흐 배열(820)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(821, 822, 823)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the first Halbach arrangement 820 includes a first block 821 , a second block 822 , and a third block 823 . It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the first Halbach array 820 are named blocks 821 , 822 , and 823 , respectively.

제1 내지 제3 블록(821, 822, 823)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(821, 822, 823)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to third blocks 821 , 822 , and 823 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to third blocks 821 , 822 , and 823 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제3 블록(821, 822, 823)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제3 블록(821, 822, 823)은 제1 면(811)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to third blocks 821 , 822 , and 823 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to third blocks 821 , 822 , and 823 are arranged in parallel in the direction in which the first surface 811 extends, that is, in the left-right direction.

제1 블록(821)은 제1 할바흐 배열(820)의 중앙 부분에 위치된다. 제2 블록(822)은 제1 블록(821)의 좌측에 위치된다. 또한, 제3 블록(823)은 제1 블록(821)의 우측에 위치된다. The first block 821 is located in the central portion of the first Halbach arrangement 820 . The second block 822 is located on the left side of the first block 821 . Also, the third block 823 is located on the right side of the first block 821 .

일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(821, 822, 823)은 서로 접촉될 수 있다. In an embodiment, the blocks 821 , 822 , and 823 adjacent to each other may contact each other.

각 블록(821, 822, 823)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 821 , 822 , 823 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(821)은 공간부(815) 또는 제2 할바흐 배열(830)을 향하는 제1 내면(821a) 및 공간부(815) 또는 제2 할바흐 배열(830)에 반대되는 제1 외면(821b)을 포함한다.Specifically, the first block 821 includes a first inner surface 821a facing the space 815 or the second Halbach arrangement 830 and the space 815 or the second Halbach arrangement 830 opposite to the space 815 or the second Halbach arrangement 830 . and a first outer surface 821b.

제2 블록(822)은 제1 블록(821)을 향하는 제2 내면(822a) 및 제1 블록(821)에 반대되는 제2 외면(822b)을 포함한다. The second block 822 includes a second inner surface 822a facing the first block 821 and a second outer surface 822b opposite the first block 821 .

제3 블록(823)은 제1 블록(821)을 향하는 제3 내면(823a) 및 제1 블록(821)에 반대되는 제3 외면(823b)을 포함한다.The third block 823 includes a third inner surface 823a facing the first block 821 and a third outer surface 823b opposite the first block 821 .

각 블록(821, 822, 823)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of surfaces of each block 821 , 822 , 823 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 내지 제3 내면(821a, 822a, 823a)은 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 외면(821b, 822b, 823b)은 상기 극성과 다른 극성으로 자화될 수 있다. Specifically, the first to third inner surfaces 821a, 822a, and 823a may be magnetized to have the same polarity. Also, the first to third outer surfaces 821b, 822b, and 823b may be magnetized to have a polarity different from the polarity.

이때, 제1 내지 제3 내면(821a, 822a, 823a)은 제2 할바흐 배열(830)의 제1 내면(831a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 내면(821a, 822a, 823a)은 제2 할바흐 배열(830)의 제2 및 제3 내면(832a, 833a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. In this case, the first to third inner surfaces 821a , 822a , and 823a may be magnetized with the same polarity as the first inner surface 831a of the second Halbach arrangement 830 . In addition, the first to third inner surfaces 821a , 822a , and 823a may be magnetized with the same polarity as the second and third inner surfaces 832a and 833a of the second Halbach arrangement 830 .

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(830)을 구성하는 복수 개의 자성체는 좌측에서 우측으로 나란하게 연속되어 배치된다. 즉, 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(830)은 좌우 방향으로 연장 형성된다.In the illustrated embodiment, a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach array 830 are sequentially arranged in parallel from left to right. That is, in the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 830 is formed extending in the left and right direction.

제2 할바흐 배열(830)은 다른 자성체와 함께 자기장을 형성할 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(830)은 제1 할바흐 배열(820)과 함께 자기장을 형성할 수 있다.The second Halbach arrangement 830 may form a magnetic field together with other magnetic materials. In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 830 may form a magnetic field together with the first Halbach arrangement 820 .

제2 할바흐 배열(830)은 제1 및 제2 면(811, 812) 중 다른 하나의 면에 인접하게 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(830)은 상기 다른 하나의 면의 내측(즉, 공간부(815)를 향하는 방향)에 결합될 수 있다.The second Halbach arrangement 830 may be positioned adjacent to the other of the first and second faces 811 and 812 . In one embodiment, the second Halbach arrangement 830 may be coupled to the inside of the other surface (ie, the direction toward the space 815 ).

도 25 및 도 26에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(830)은 제2 면(812)의 내측에, 제2 면(812)에 인접하게 배치되어, 제1 면(811)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(820)을 마주한다.In the embodiment shown in FIGS. 25 and 26 , the second Halbach arrangement 830 is disposed on the inside of the second surface 812 , adjacent to the second surface 812 , It faces the first Halbach arrangement 820 positioned inside.

도 27 및 도 28에 도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(830)은 제1 면(811)의 내측에, 제1 면(811)에 인접하게 배치되어, 제2 면(812)의 내측에 위치되는 제1 할바흐 배열(820)을 마주한다.In the embodiment shown in FIGS. 27 and 28 , the second Halbach arrangement 830 is disposed on the inside of the first surface 811 and adjacent to the first surface 811 , It faces the first Halbach arrangement 820 positioned inside.

제2 할바흐 배열(830)과 제1 할바흐 배열(820) 사이에는 공간부(815) 및 공간부(815)에 수용되는 고정 접촉자(22) 및 가동 접촉자(43)가 위치된다.Between the second Halbach arrangement 830 and the first Halbach arrangement 820 , the space 815 and the fixed contact 22 and the movable contact 43 accommodated in the space 815 are positioned.

제2 할바흐 배열(830)은 제1 면(811)의 중앙 부분에 위치될 수 있다. 달리 표현하면, 제2 할바흐 배열(830)과 제3 면(813) 사이의 최단 거리 및 제2 할바흐 배열(830)과 제4 면(814) 사이의 최단 거리는 같을 수 있다. The second Halbach arrangement 830 may be located at a central portion of the first surface 811 . In other words, the shortest distance between the second Halbach arrangement 830 and the third surface 813 and the shortest distance between the second Halbach arrangement 830 and the fourth surface 814 may be the same.

제2 할바흐 배열(830)은 그 자체가 형성하는 자기장 및 제1 할바흐 배열(820)과 형성하는 자기장의 세기를 강화할 수 있다. 제2 할바흐 배열(830)에 의해 형성되는 자기장의 방향 및 자기장이 강화되는 과정은 잘 알려진 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The second Halbach arrangement 830 may enhance the strength of the magnetic field formed by itself and the magnetic field formed with the first Halbach arrangement 820 . Since the direction of the magnetic field formed by the second Halbach arrangement 830 and the process of strengthening the magnetic field are well-known techniques, a detailed description thereof will be omitted.

도시된 실시 예에서, 제2 할바흐 배열(830)은 제1 블록(831), 제2 블록(832), 제3 블록(833), 제4 블록(834) 및 제5 블록(835)을 포함한다. 제2 할바흐 배열(830)을 구성하는 복수 개의 자성체가 각각 블록(831, 832, 833, 834, 835)으로 명명되었음이 이해될 것이다.In the illustrated embodiment, the second Halbach arrangement 830 includes a first block 831 , a second block 832 , a third block 833 , a fourth block 834 , and a fifth block 835 . include It will be understood that a plurality of magnetic materials constituting the second Halbach arrangement 830 are respectively named blocks 831 , 832 , 833 , 834 , and 835 .

제1 내지 제5 블록(831, 832, 833, 834, 835)은 자성체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 내지 제5 블록(831, 832, 833, 834, 835)은 영구 자석 또는 전자석 등으로 구비될 수 있다.The first to fifth blocks 831 , 832 , 833 , 834 , and 835 may be formed of a magnetic material. In an embodiment, the first to fifth blocks 831 , 832 , 833 , 834 , and 835 may be provided with permanent magnets or electromagnets.

제1 내지 제5 블록(831, 832, 833, 834, 835)은 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제1 내지 제5 블록(831, 832, 833, 834, 835)은 제2 면(812)이 연장되는 방향, 즉 좌우 방향으로 나란하게 배치된다.The first to fifth blocks 831 , 832 , 833 , 834 , and 835 may be arranged side by side in one direction. In the illustrated embodiment, the first to fifth blocks 831 , 832 , 833 , 834 , and 835 are arranged in parallel in the direction in which the second surface 812 extends, that is, in the left-right direction.

제1 블록(831)은 제2 할바흐 배열(830)의 중앙 부분에 위치된다.The first block 831 is located in the central portion of the second Halbach arrangement 830 .

제2 블록(832)은 제2 할바흐 배열(830)의 가장 좌측에 위치된다. 즉, 제2 블록(832)은 제3 면(813)에 인접하게 위치된다. 제3 블록(833)은 제2 할바흐 배열(830)의 가장 우측에 위치된다. 즉, 제3 블록(833)은 제4 면(814)에 인접하게 위치된다. The second block 832 is located at the leftmost side of the second Halbach arrangement 830 . That is, the second block 832 is positioned adjacent to the third surface 813 . The third block 833 is located at the rightmost side of the second Halbach arrangement 830 . That is, the third block 833 is positioned adjacent to the fourth surface 814 .

제4 블록(834)은 제1 블록(831)과 제2 블록(832) 사이에 위치된다. 또한, 제5 블록(835)은 제1 블록(831)과 제3 블록(833) 사이에 위치된다.The fourth block 834 is located between the first block 831 and the second block 832 . Also, the fifth block 835 is positioned between the first block 831 and the third block 833 .

일 실시 예에서, 서로 인접한 각 블록(831, 832, 833, 834, 835)은 서로 접촉될 수 있다. In an embodiment, the blocks 831 , 832 , 833 , 834 , and 835 adjacent to each other may contact each other.

또한, 제1 블록(831)은 제2 할바흐 배열(830) 또는 공간부(815)를 향하는 방향, 도시된 실시 예에서 전후 방향으로 제2 할바흐 배열(830)의 제1 블록(831) 및 중심부(C)와 겹쳐지게 배치될 수 있다.In addition, the first block 831 is the first block 831 of the second Halbach arrangement 830 in the direction toward the second Halbach arrangement 830 or the space portion 815, in the illustrated embodiment, in the front-rear direction. And it may be disposed to overlap with the central portion (C).

또한, 제2 블록(832) 및 제3 블록(833)은 제1 고정 접촉자(22a) 및 제2 고정 접촉자(22b) 중 어느 하나와 각각 겹쳐지게 배치될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 제2 블록(832)은 제1 고정 접촉자(22a)와, 제3 블록(833)은 제2 고정 접촉자(22b)와 각각 겹쳐지게 배치된다.In addition, the second block 832 and the third block 833 may be disposed to overlap with any one of the first fixed contactor 22a and the second fixed contactor 22b, respectively. In the illustrated embodiment, the second block 832 is disposed to overlap the first fixed contact 22a and the third block 833 overlaps the second fixed contact 22b, respectively.

각 블록(831, 832, 833, 834, 835)은 복수 개의 면을 포함한다. Each block 831 , 832 , 833 , 834 , 835 includes a plurality of faces.

구체적으로, 제1 블록(831)은 공간부(815) 또는 제1 할바흐 배열(820)을 향하는 제1 내면(831a) 및 공간부(815) 또는 제1 할바흐 배열(820)에 반대되는 제1 외면(831b)을 포함한다.Specifically, the first block 831 is the space 815 or the first Halbach arrangement 820 facing the first inner surface 831a and the space 815 or the first Halbach arrangement 820 opposite to the and a first outer surface 831b.

제2 블록(832)은 공간부(815) 또는 제1 할바흐 배열(820)을 향하는 제2 내면(832a) 및 공간부(815) 또는 제1 할바흐 배열(820)에 반대되는 제2 외면(832b)을 포함한다.The second block 832 has a second inner surface 832a facing the space 815 or first Halbach arrangement 820 and a second outer surface opposite to the space 815 or first Halbach arrangement 820 . (832b).

제3 블록(833)은 공간부(815) 또는 제1 할바흐 배열(820)을 향하는 제3 내면(833a) 및 공간부(815) 또는 제1 할바흐 배열(820)에 반대되는 제3 외면(833b)을 포함한다.The third block 833 has a third inner surface 833a facing the space 815 or the first Halbach arrangement 820 and a third outer surface opposite to the space 815 or the first Halbach arrangement 820 . (833b).

제4 블록(834)은 제2 블록(832)을 향하는 제4 내면(834a) 및 제1 블록(831)을 향하는 제4 외면(834b)을 포함한다. 제4 내면(834a)과 제4 외면(834b)이 서로 반대되게 위치됨이 이해될 것이다.The fourth block 834 includes a fourth inner surface 834a facing the second block 832 and a fourth outer surface 834b facing the first block 831 . It will be understood that the fourth inner surface 834a and the fourth outer surface 834b are positioned opposite to each other.

제5 블록(835)은 제1 블록(831)을 향하는 제5 내면(835a) 및 제3 블록(833)을 향하는 제5 외면(835b)을 포함한다. 제5 내면(835a)과 제5 외면(835b)이 서로 반대되게 위치됨이 이해될 것이다.The fifth block 835 includes a fifth inner surface 835a facing the first block 831 and a fifth outer surface 835b facing the third block 833 . It will be understood that the fifth inner surface 835a and the fifth outer surface 835b are positioned opposite to each other.

각 블록(831, 832, 833, 834, 835)의 상기 복수 개의 면은 할바흐 배열을 구성하도록 소정의 규칙을 따라 자화될 수 있다.The plurality of faces of each block 831 , 832 , 833 , 834 , and 835 may be magnetized according to a predetermined rule to form a Halbach arrangement.

구체적으로, 제1 및 제5 내면(831a, 835a)은 서로 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제2 내지 제4 내면(832a, 833a, 834a)은 상기 극성과 다른 극성으로 자화될 수 있다.Specifically, the first and fifth inner surfaces 831a and 835a may be magnetized to have the same polarity. In addition, the second to fourth inner surfaces 832a, 833a, and 834a may be magnetized to have a polarity different from the polarity.

이때, 제1 및 제5 내면(831a, 835a)은 제1 할바흐 배열(820)의 제1 내지 제3 내면(821a, 822a, 823a)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. 또한, 제2 내지 제4 내면(832a, 833a, 834a)은 제1 할바흐 배열(820)의 제1 내지 제3 외면(821b, 822b, 823b)과 같은 극성으로 자화될 수 있다. In this case, the first and fifth inner surfaces 831a and 835a may be magnetized to have the same polarity as the first to third inner surfaces 821a , 822a , and 823a of the first Halbach array 820 . In addition, the second to fourth inner surfaces 832a , 833a , and 834a may be magnetized with the same polarity as the first to third outer surfaces 821b , 822b , and 823b of the first Halbach arrangement 820 .

이하, 도 29를 참조하여 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(800)에 의해 형성되는 아크의 경로(A.P)를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the arc path A.P formed by the arc path forming unit 800 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. 29 .

도 29를 참조하면, 제1 할바흐 배열(820)의 제1 내지 제3 내면(821a, 822a, 823a)은 N극으로 자화된다. 이때, 제1 할바흐 배열(820)의 제1 내지 제3 외면(821b, 822b, 823b)은 S극으로 자화된다.Referring to FIG. 29 , the first to third inner surfaces 821a , 822a , and 823a of the first Halbach arrangement 820 are magnetized to the N pole. At this time, the first to third outer surfaces 821b, 822b, and 823b of the first Halbach arrangement 820 are magnetized to the S pole.

이에 따라, 제1 할바흐 배열(820)에서는 제1 내면(821a)에서 제2 및 제3 내면(822a, 823a)을 향하는 방향의 자기장이 형성된다.Accordingly, in the first Halbach arrangement 820 , a magnetic field in a direction from the first inner surface 821a toward the second and third inner surfaces 822a and 823a is formed.

또한, 제2 할바흐 배열(830)의 제1 내면(831a) 또한 N극으로 자화된다. 이때, 제2 할바흐 배열(730)의 제2 및 제3 내면(832a, 833a)은 S극으로 자화된다.In addition, the first inner surface 831a of the second Halbach arrangement 830 is also magnetized to the N pole. At this time, the second and third inner surfaces 832a and 833a of the second Halbach arrangement 730 are magnetized to the S pole.

이에 따라, 제2 할바흐 배열(830)에서는 제1 내면(831a)에서 제2 및 제3 내면(832a, 833a)을 향하는 방향의 자기장이 형성된다.Accordingly, in the second Halbach arrangement 830 , a magnetic field in a direction from the first inner surface 831a toward the second and third inner surfaces 832a and 833a is formed.

또한, 제1 할바흐 배열(820)과 제2 할바흐 배열(830) 사이에서는 제1 내면(821a)에서 제2 내면(832a) 및 제3 내면(833a)을 향하는 방향의 자기장이 형성된다.In addition, a magnetic field in a direction from the first inner surface 821a to the second inner surface 832a and the third inner surface 833a is formed between the first Halbach arrangement 820 and the second Halbach arrangement 830 .

결과적으로, 각 고정 접촉자(22a, 22b) 근처에는 제1 할바흐 배열(820) 및 제2 할바흐 배열(830) 사이에서 서로 밀어내는 방향의 자기장이 형성된다.As a result, a magnetic field in a direction to repel each other is formed between the first Halbach arrangement 820 and the second Halbach arrangement 830 near each of the fixed contacts 22a and 22b.

도 29의 (a)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제2 고정 접촉자(22b)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제1 고정 접촉자(22a)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in FIG. 29( a ), the direction of the current is the direction from the second fixed contactor 22b to the first fixed contactor 22a through the movable contactor 43 .

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 좌측을 향하게 형성된다.When Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the front left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the front left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 전방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the front right.

도 29의 (b)에 도시된 실시 예에서, 전류의 방향은 제1 고정 접촉자(22a)에서 가동 접촉자(43)를 거쳐 제2 고정 접촉자(22b)로 나오는 방향이다.In the embodiment shown in (b) of FIG. 29 , the direction of the current is the direction from the first fixed contactor 22a to the movable contactor 43 and out to the second fixed contactor 22b.

제1 고정 접촉자(22a)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 좌측을 향하게 형성된다.If Fleming's left hand rule is applied to the first fixed contactor 22a, the electromagnetic force generated in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the rear left.

이에 따라, 제1 고정 접촉자(22a) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 좌측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the first fixed contact 22a is also formed toward the rear left.

마찬가지로, 제2 고정 접촉자(22b)에서 플레밍의 왼손 법칙을 적용하면, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서 발생되는 전자기력은 후방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, if Fleming's left hand rule is applied to the second fixed contactor 22b, the electromagnetic force generated in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

이에 따라, 제2 고정 접촉자(22b) 부근에서의 아크의 경로(A.P) 또한 후방의 우측을 향하게 형성된다.Accordingly, the arc path A.P in the vicinity of the second fixed contactor 22b is also formed toward the rear right side.

도시되지는 않았으나, 제1 및 제2 할바흐 배열(820, 830)의 각 면의 극성이 변경될 경우, 각 할바흐 배열(820, 830)이 형성하는 자기장의 방향이 반대가 된다. 이에 따라, 발생되는 전자기력 및 아크의 경로(A.P) 또한 전후 방향이 반대로 형성된다.Although not shown, when the polarity of each surface of the first and second Halbach arrays 820 and 830 is changed, the direction of the magnetic field formed by each of the Halbach arrays 820 and 830 is reversed. Accordingly, the path A.P of the generated electromagnetic force and arc is also formed in the reverse direction.

즉, 도 29의 (a)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 후방의 우측을 향하게 형성된다.That is, in the energized situation as shown in (a) of FIG. 29 , the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contactor 22a is formed toward the rear left. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the rear right side.

유사하게, 도 29의 (b)와 같은 통전 상황에서, 제1 고정 접촉자(22a) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 좌측을 향하게 형성된다. 또한, 제2 고정 접촉자(22b) 부근의 전자기력 및 아크의 경로(A.P)는 전방의 우측을 향하게 형성된다.Similarly, in the energized situation as shown in FIG. 29B, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the first fixed contact 22a is formed toward the left in the front. In addition, the path A.P of the electromagnetic force and arc in the vicinity of the second fixed contactor 22b is formed toward the front right.

따라서, 본 실시 예에 따른 아크 경로 형성부(800)는, 제1 및 제2 할바흐 배열(820, 830)의 극성 또는 직류 릴레이(1)에 통전되는 전류의 방향과 무관하게, 전자기력 및 아크의 경로(A.P)를 중심부(C)에서 멀어지는 방향으로 형성할 수 있다.Therefore, the arc path forming unit 800 according to the present embodiment, regardless of the polarity of the first and second Halbach arrays 820 and 830 or the direction of the current flowing through the DC relay 1, electromagnetic force and arc A path (A.P) of can be formed in a direction away from the center (C).

따라서, 중심부(C)에 인접하게 배치되는 직류 릴레이(1)의 각 구성 요소의 손상이 방지될 수 있다. 더 나아가, 발생된 아크가 신속하게 외부로 배출될 수 있어, 직류 릴레이(1)의 작동 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, damage to each component of the DC relay 1 disposed adjacent to the central portion C can be prevented. Furthermore, the generated arc can be quickly discharged to the outside, so that the operation reliability of the DC relay 1 can be improved.

이상 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those of ordinary skill in the art can variously modify and change the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. You will understand that you can.

1: 직류 릴레이
10: 프레임부
11: 상부 프레임
12: 하부 프레임
13: 절연 플레이트
14: 지지 플레이트
20: 개폐부
21: 아크 챔버
22: 고정 접촉자
22a: 제1 고정 접촉자
22b: 제2 고정 접촉자
23: 씰링 부재
30: 코어부
31: 고정 코어
32: 가동 코어
33: 요크
34: 보빈
35: 코일
36: 복귀 스프링
37: 실린더
40: 가동 접촉자부
41: 하우징
42: 커버
43: 가동 접촉자
44: 샤프트
44: 탄성부
100: 본 발명의 일 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
110: 자석 프레임
111: 제1 면
112: 제2 면
113: 제3 면
114: 제4 면
115: 공간부
120: 제1 할바흐 배열
121: 제1 블록
121a: 제1 내면
121b: 제1 외면
122: 제2 블록
122a: 제2 내면
122b: 제2 외면
123: 제3 블록
123a: 제3 내면
123b: 제3 외면
130: 제2 할바흐 배열
131: 제1 블록
131a: 제1 내면
131b: 제1 외면
132: 제2 블록
132a: 제2 내면
132b: 제2 외면
133: 제3 블록
133a: 제3 내면
133b: 제3 외면
200: 본 발명의 다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
210: 자석 프레임
111: 제1 면
212: 제2 면
213: 제3 면
214: 제4 면
115: 공간부
220: 제1 할바흐 배열
221: 제1 블록
221a: 제1 내면
221b: 제1 외면
222: 제2 블록
222a: 제2 내면
222b: 제2 외면
230: 제2 할바흐 배열
231: 제1 블록
231a: 제1 내면
231b: 제1 외면
232: 제2 블록
232a: 제2 내면
232b: 제2 외면
300: 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
310: 자석 프레임
311: 제1 면
312: 제2 면
313: 제3 면
314: 제4 면
315: 공간부
320: 제1 할바흐 배열
321: 제1 블록
321a: 제1 내면
321b: 제1 외면
322: 제2 블록
322a: 제2 내면
322b: 제2 외면
323: 제3 블록
323a: 제3 내면
323b: 제3 외면
324: 제4 블록
324a: 제4 내면
324b: 제4 외면
325: 제5 블록
325a: 제5 내면
325b: 제5 외면
330: 제2 할바흐 배열
331: 제1 블록
331a: 제1 내면
331b: 제1 외면
332: 제2 블록
332a: 제2 내면
332b: 제2 외면
333: 제3 블록
333a: 제3 내면
333b: 제3 외면
340: 제3 할바흐 배열
341: 제1 블록
341a: 제1 내면
341b: 제1 외면
342: 제2 블록
342a: 제2 내면
342b: 제2 외면
343: 제3 블록
343a: 제3 내면
343b: 제3 외면
400: 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
410: 자석 프레임
411: 제1 면
412: 제2 면
413: 제3 면
414: 제4 면
415: 공간부
420: 제1 할바흐 배열
421: 제1 블록
421a: 제1 내면
421b: 제1 외면
422: 제2 블록
422a: 제2 내면
422b: 제2 외면
423: 제3 블록
423a: 제3 내면
423b: 제3 외면
424: 제4 블록
424a: 제4 내면
424b: 제4 외면
425: 제5 블록
425a: 제5 내면
425b: 제5 외면
430: 제2 할바흐 배열
431: 제1 블록
431a: 제1 내면
431b: 제1 외면
432: 제2 블록
432a: 제2 내면
432b: 제2 외면
433: 제3 블록
433a: 제3 내면
433b: 제3 외면
440: 제3 할바흐 배열
441: 제1 블록
441a: 제1 내면
441b: 제1 외면
442: 제2 블록
442a: 제2 내면
442b: 제2 외면
443: 제3 블록
443a: 제3 내면
443b: 제3 외면
500: 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
510: 자석 프레임
511: 제1 면
512: 제2 면
513: 제3 면
514: 제4 면
515: 공간부
520: 제1 할바흐 배열
521: 제1 블록
521a: 제1 내면
521b: 제1 외면
522: 제2 블록
522a: 제2 내면
522b: 제2 외면
523: 제3 블록
523a: 제3 내면
523b: 제3 외면
524: 제4 블록
524a: 제4 내면
524b: 제4 외면
525: 제5 블록
525a: 제5 내면
525b: 제5 외면
530: 제2 할바흐 배열
531: 제1 블록
531a: 제1 내면
531b: 제1 외면
532: 제2 블록
532a: 제2 내면
532b: 제2 외면
533: 제3 블록
533a: 제3 내면
533b: 제3 외면
600: 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
610: 자석 프레임
611: 제1 면
612: 제2 면
613: 제3 면
614: 제4 면
615: 공간부
620: 제1 할바흐 배열
621: 제1 블록
621a: 제1 내면
621b: 제1 외면
622: 제2 블록
622a: 제2 내면
622b: 제2 외면
623: 제3 블록
623a: 제3 내면
630: 제2 할바흐 배열
631: 제1 블록
631a: 제1 내면
631b: 제1 외면
632: 제2 블록
632a: 제2 내면
632b: 제2 외면
633: 제3 블록
633a: 제3 내면
633b: 제3 외면
640: 제3 할바흐 배열
641: 제1 블록
641a: 제1 내면
641b: 제1 외면
642: 제2 블록
642a: 제2 내면
642b: 제2 외면
643: 제3 블록
643a: 제3 내면
643b: 제3 외면
700: 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
710: 자석 프레임
711: 제1 면
712: 제2 면
713: 제3 면
714: 제4 면
715: 공간부
720: 제1 할바흐 배열
721: 제1 블록
721a: 제1 내면
721b: 제1 외면
722: 제2 블록
722a: 제2 내면
722b: 제2 외면
723: 제3 블록
723a: 제3 내면
723b: 제3 외면
724: 제4 블록
724a: 제4 내면
724b: 제4 외면
725: 제5 블록
725a: 제5 내면
725b: 제5 외면
730: 제2 할바흐 배열
731: 제1 블록
731a: 제1 내면
731b: 제1 외면
732: 제2 블록
732a: 제2 내면
732b: 제2 외면
733: 제3 블록
733a: 제3 내면
733b: 제3 외면
734: 제4 블록
734a: 제4 내면
734b: 제4 외면
735: 제5 블록
735a: 제5 내면
735b: 제5 외면
800: 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 아크 경로 형성부
810: 자석 프레임
811: 제1 면
812: 제2 면
813: 제3 면
814: 제4 면
815: 공간부
820: 제1 할바흐 배열
821: 제1 블록
821a: 제1 내면
821b: 제1 외면
822: 제2 블록
822a: 제2 내면
822b: 제2 외면
823: 제3 블록
823a: 제3 내면
823b: 제3 외면
830: 제2 할바흐 배열
831: 제1 블록
831a: 제1 내면
831b: 제1 외면
832: 제2 블록
832a: 제2 내면
832b: 제2 외면
833: 제3 블록
833a: 제3 내면
833b: 제3 외면
834: 제4 블록
834a: 제4 내면
834b: 제4 외면
835: 제5 블록
835a: 제5 내면
835b: 제5 외면
1000: 종래 기술에 따른 직류 릴레이
1100: 종래 기술에 따른 고정 접점
1200: 종래 기술에 따른 가동 접점
1300: 종래 기술에 따른 영구 자석
1310: 종래 기술에 따른 제1 영구 자석
1320: 종래 기술에 따른 제2 영구 자석
C: 공간부(115, 215, 315, 415, 515, 615, 715, 815)의 중심부
A.P: 아크의 경로
1: DC relay
10: frame part
11: upper frame
12: lower frame
13: Insulation plate
14: support plate
20: opening and closing part
21: arc chamber
22: fixed contact
22a: first fixed contact
22b: second fixed contact
23: sealing member
30: core part
31: fixed core
32: movable core
33: York
34: bobbin
35: coil
36: return spring
37: cylinder
40: movable contact part
41: housing
42: cover
43: operation contactor
44: shaft
44: elastic part
100: arc path forming unit according to an embodiment of the present invention
110: magnet frame
111: first side
112: second side
113: the third side
114: fourth side
115: space part
120: first halbach arrangement
121: first block
121a: first inner surface
121b: first outer surface
122: second block
122a: second inner surface
122b: second outer surface
123: third block
123a: the third inner
123b: third outer surface
130: second halbach arrangement
131: first block
131a: first inner surface
131b: first outer surface
132: second block
132a: second inner surface
132b: second outer surface
133: third block
133a: third inner surface
133b: third outer surface
200: arc path forming unit according to another embodiment of the present invention
210: magnet frame
111: first side
212: second side
213: the third side
214: fourth side
115: space part
220: first halbach arrangement
221: first block
221a: first inner surface
221b: first outer surface
222: second block
222a: second inner surface
222b: second outer surface
230: second halbach arrangement
231: first block
231a: first inner surface
231b: first outer surface
232: second block
232a: second inner surface
232b: second outer surface
300: arc path forming unit according to another embodiment of the present invention
310: magnet frame
311: first side
312: second side
313: the third side
314: fourth side
315: space part
320: first halbach arrangement
321: first block
321a: first inner surface
321b: first outer surface
322: second block
322a: second inner surface
322b: second outer surface
323: third block
323a: third inner
323b: third outer surface
324: fourth block
324a: fourth inner surface
324b: fourth outer surface
325: fifth block
325a: fifth inner surface
325b: fifth outer surface
330: second halbach arrangement
331: first block
331a: first inner surface
331b: first outer surface
332: second block
332a: second inner surface
332b: second outer surface
333: third block
333a: third inner
333b: third outer surface
340: 3rd Halbach arrangement
341: first block
341a: first inner surface
341b: first outer surface
342: second block
342a: second inner surface
342b: second outer surface
343: third block
343a: third inner
343b: third outer surface
400: arc path forming unit according to another embodiment of the present invention
410: magnet frame
411: first side
412: second side
413: 3rd side
414: fourth side
415: space part
420: first halbach arrangement
421: first block
421a: first inner surface
421b: first outer surface
422: second block
422a: second inner surface
422b: second outer surface
423: third block
423a: third inner
423b: third outer surface
424: fourth block
424a: fourth inner surface
424b: fourth outer surface
425: fifth block
425a: fifth inner surface
425b: fifth outer surface
430: second halbach arrangement
431: first block
431a: first inner surface
431b: first outer surface
432: second block
432a: second inner surface
432b: second outer surface
433: third block
433a: third inner
433b: third outer surface
440: 3rd Halbach arrangement
441: first block
441a: first inner surface
441b: first outer surface
442: second block
442a: second inner surface
442b: second outer surface
443: third block
443a: third inner
443b: third exterior
500: arc path forming unit according to another embodiment of the present invention
510: magnet frame
511: first side
512: second side
513: the third side
514: fourth side
515: space part
520: first halbach arrangement
521: first block
521a: first inner surface
521b: first outer surface
522: second block
522a: second inner surface
522b: second outer surface
523: third block
523a: third inner
523b: third outer surface
524: fourth block
524a: fourth inner surface
524b: fourth outer surface
525: fifth block
525a: fifth inner surface
525b: fifth outer surface
530: second Halbach arrangement
531: first block
531a: first inner surface
531b: first outer surface
532: second block
532a: second inner surface
532b: second outer surface
533: third block
533a: third inner
533b: third outer surface
600: arc path forming unit according to another embodiment of the present invention
610: magnet frame
611: first side
612: second side
613: the third side
614: fourth side
615: space part
620: first halbach arrangement
621: first block
621a: first inner surface
621b: first outer surface
622: second block
622a: second inner surface
622b: second outer surface
623: third block
623a: third inner
630: second halbach arrangement
631: first block
631a: first inner surface
631b: first outer surface
632: second block
632a: second inner surface
632b: second outer surface
633: third block
633a: third inner
633b: third outer surface
640: 3rd Halbach arrangement
641: first block
641a: first inner surface
641b: first outer surface
642: second block
642a: second inner surface
642b: second outer surface
643: third block
643a: third inner
643b: third outer surface
700: arc path forming unit according to another embodiment of the present invention
710: magnet frame
711: first side
712: second side
713: the third side
714: fourth side
715: space part
720: first halbach arrangement
721: first block
721a: first inner surface
721b: first outer surface
722: second block
722a: second inner surface
722b: second outer surface
723: third block
723a: third inner
723b: third outer surface
724: fourth block
724a: fourth inner surface
724b: fourth outer surface
725: fifth block
725a: fifth inner surface
725b: fifth outer surface
730: second halbach arrangement
731: first block
731a: first inner surface
731b: first outer surface
732: second block
732a: second inner surface
732b: second outer surface
733: third block
733a: third inner
733b: third outer surface
734: fourth block
734a: fourth inner surface
734b: fourth outer surface
735: fifth block
735a: fifth inner surface
735b: fifth outer surface
800: arc path forming unit according to another embodiment of the present invention
810: magnet frame
811: first side
812: second side
813: the third side
814: fourth side
815: space part
820: first halbach arrangement
821: first block
821a: first inner surface
821b: first outer surface
822: second block
822a: second inner surface
822b: second outer surface
823: third block
823a: third inner
823b: third outer surface
830: 2nd Halbach arrangement
831: first block
831a: first inner surface
831b: first outer surface
832: second block
832a: second inner surface
832b: second outer surface
833: third block
833a: third inner
833b: third outer surface
834: fourth block
834a: fourth inner surface
834b: fourth outer surface
835: fifth block
835a: fifth inner surface
835b: fifth outer surface
1000: DC relay according to the prior art
1100: fixed contact according to the prior art
1200: movable contact according to the prior art
1300: Permanent magnet according to the prior art
1310: first permanent magnet according to the prior art
1320: second permanent magnet according to the prior art
C: the center of the space portion (115, 215, 315, 415, 515, 615, 715, 815)
AP: path of arc

Claims (28)

내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임;
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열(Halbach array)을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 제1 할바흐 배열; 및
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 제2 할바흐 배열을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나 이상과 각각 겹쳐지게 배치되고,
상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 공간부를 사이에 두고 서로 마주하게 배치되는,
아크 경로 형성부.
a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach array to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
a first Halbach arrangement arranged side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface; and
and a second Halbach arrangement disposed side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are arranged to overlap with any one or more of the plurality of fixed contacts along the other direction, respectively,
The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are arranged to face each other with the space portion therebetween,
arc path forming part.
제1항에 있어서,
상기 제1 할바흐 배열과 상기 제2 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.
According to claim 1,
Each side of the first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity,
arc path forming part.
내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임;
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열(Halbach array)을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 제1 할바흐 배열; 및
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 제2 할바흐 배열을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나 이상과 각각 겹쳐지게 배치되고,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하고,
상기 제2 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하는,
아크 경로 형성부.
a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach array to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
a first Halbach arrangement arranged side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface; and
and a second Halbach arrangement disposed side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are arranged to overlap with any one or more of the plurality of fixed contacts along the other direction, respectively,
The first Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and
a first block positioned between the second block and the third block;
The second Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces; and
comprising a first block positioned between the second block and the third block,
arc path forming part.
제3항에 있어서,
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.
4. The method of claim 3,
Each side of the first block of the first Halbach arrangement and the first block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity as each other,
arc path forming part.
내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임;
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열(Halbach array)을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 제1 할바흐 배열; 및
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 제2 할바흐 배열을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나 이상과 각각 겹쳐지게 배치되고,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록;
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록;
상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 사이에 위치되는 제4 블록; 및
상기 제1 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제5 블록을 포함하고,
상기 제2 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록;
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록;
상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 사이에 위치되는 제4 블록; 및
상기 제1 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제5 블록을 포함하는,
아크 경로 형성부.
a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach array to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
a first Halbach arrangement arranged side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface; and
and a second Halbach arrangement disposed side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are arranged to overlap with any one or more of the plurality of fixed contacts along the other direction, respectively,
The first Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface;
a first block positioned between the second block and the third block;
a fourth block positioned between the first block and the second block; and
a fifth block positioned between the first block and the third block;
The second Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces;
a first block positioned between the second block and the third block;
a fourth block positioned between the first block and the second block; and
comprising a fifth block located between the first block and the third block,
arc path forming part.
제5항에 있어서,
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되고,
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제2 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제2 블록이 서로 마주하는 각 면은, 상기 극성과 다른 극성으로 자화되며,
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제3 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제3 블록이 서로 마주하는 각 면은, 상기 다른 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.
6. The method of claim 5,
Each surface of the first block of the first Halbach arrangement and the first block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity,
Each side of the second block of the first Halbach arrangement and the second block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with a polarity different from the polarity,
Each face of the third block of the first Halbach arrangement and the third block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized to the different polarity,
arc path forming part.
내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임;
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열(Halbach array)을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 제1 할바흐 배열; 및
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 제2 할바흐 배열을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 타 방향을 따라 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나 이상과 각각 겹쳐지게 배치되고,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하고,
상기 제2 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록;
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록;
상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 사이에 위치되는 제4 블록; 및
상기 제1 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제5 블록을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는,
아크 경로 형성부.
a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach array to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
a first Halbach arrangement arranged side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface; and
and a second Halbach arrangement disposed side by side in the one direction, including a plurality of blocks formed of a magnetic material, and disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are arranged to overlap with any one or more of the plurality of fixed contacts along the other direction, respectively,
The first Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and
a first block positioned between the second block and the third block;
The second Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces;
a first block positioned between the second block and the third block;
a fourth block positioned between the first block and the second block; and
a fifth block positioned between the first block and the third block;
The first Halbach arrangement is,
Located biased to any one of the third surface and the fourth surface,
arc path forming part.
제7항에 있어서,
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되고,
상기 제2 할바흐 배열의 상기 제2 블록이 상기 제1 할바흐 배열을 마주하는 면 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제3 블록이 상기 제1 할바흐 배열을 마주하는 각 면은, 상기 극성과 다른 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.
8. The method of claim 7,
Each surface of the first block of the first Halbach arrangement and the first block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity,
A side of the second block of the second Halbach arrangement facing the first Halbach arrangement and a side of the third block of the second Halbach arrangement facing the first Halbach arrangement, each side having the polarity magnetized with a polarity different from that of
arc path forming part.
내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임;
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 및
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열을 포함하고,
상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열은, 상기 공간부를 사이에 두고 서로 마주하게 배치되는,
아크 경로 형성부.
a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
It is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface, and among the third surface and the fourth surface a first Halbach arrangement positioned to be biased toward any one surface; and
It is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and among the third surface and the fourth surface Including a second Halbach arrangement that is located biased to the other side,
The first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement are arranged to face each other with the space portion therebetween,
arc path forming part.
제9항에 있어서,
상기 제1 할바흐 배열 및 상기 제2 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.
10. The method of claim 9,
Each side of the first Halbach arrangement and the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity,
arc path forming part.
내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임;
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 및
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열을 포함하고,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 타 방향을 따라, 상기 제2 할바흐 배열과 겹쳐지게 배치되는 제1 블록; 및
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록을 포함하고,
상기 제2 할바흐 배열은,
상기 타 방향을 따라, 상기 제1 할바흐 배열과 겹쳐지게 배치되는 제1 블록; 및
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록을 포함하는,
아크 경로 형성부.
a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
It is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface, and among the third surface and the fourth surface a first Halbach arrangement positioned to be biased toward any one surface; and
It is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and among the third surface and the fourth surface Including a second Halbach arrangement that is located biased to the other side,
The first Halbach arrangement is,
a first block disposed to overlap the second Halbach arrangement along the other direction; and
and a second block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface,
The second Halbach arrangement is,
a first block disposed to overlap the first Halbach arrangement along the other direction; and
Containing a second block located biased to the one of the third surface and the fourth surface,
arc path forming part.
제11항에 있어서,
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록이 서로 마주하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.
12. The method of claim 11,
Each side of the first block of the first Halbach arrangement and the first block of the second Halbach arrangement facing each other is magnetized with the same polarity as each other,
arc path forming part.
내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임;
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열; 및
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열을 포함하고,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하고,
상기 제2 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열은, 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 어느 하나와 상기 타 방향을 따라 겹쳐지게 배치되고,
상기 제2 할바흐 배열은, 복수 개의 상기 고정 접촉자 중 다른 하나와 상기 타 방향을 따라 겹쳐지게 배치되는,
아크 경로 형성부.
a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
It is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface, and among the third surface and the fourth surface a first Halbach arrangement positioned to be biased toward any one surface; and
It is arranged side by side in the one direction, includes a plurality of blocks formed of a magnetic material, is disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and among the third surface and the fourth surface Including a second Halbach arrangement that is located biased to the other side,
The first Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces; and
a first block positioned between the second block and the third block;
The second Halbach arrangement is,
a second block positioned to be biased toward the other one of the third and fourth surfaces;
a third block positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface; and
a first block positioned between the second block and the third block;
The first Halbach arrangement is arranged to overlap with any one of the plurality of fixed contacts along the other direction,
The second Halbach arrangement is arranged to overlap the other one of the plurality of fixed contacts along the other direction,
arc path forming part.
제13항에 있어서,
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 각 면은, 서로 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.
14. The method of claim 13,
Among the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement, the surfaces facing the space and the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement facing the space are magnetized with the same polarity,
arc path forming part.
내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임;
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하며,
상기 할바흐 배열은 복수 개 구비되어, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 어느 하나 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열 중 다른 둘 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되고,
상기 제1 면에 인접하게 배치되는 어느 하나의 할바흐 배열과, 상기 제2 면에 인접하게 배치되는 어느 하나의 할바흐 배열은, 상기 공간부를 사이에 두고 서로 마주하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열 중 어느 하나는, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는,
아크 경로 형성부.
a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
It is arranged side by side in the one direction and includes a plurality of blocks formed of a magnetic material,
A plurality of the Halbach arrangement is provided, and at least one of the plurality of Halbach arrangements is disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface,
At least two other of the plurality of Halbach arrangements are disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
Any one Halbach arrangement disposed adjacent to the first surface and any one Halbach arrangement disposed adjacent to the second surface are disposed to face each other with the space portion interposed therebetween,
Any one of the plurality of Halbach arrays is positioned adjacent to the other one of the first and second surfaces, and is positioned to be biased toward the one of the third and fourth surfaces felled,
arc path forming part.
제15항에 있어서,
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 배치되는 상기 어느 하나 이상의 상기 할바흐 배열과,
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 배치되는 상기 둘 이상의 상기 할바흐 배열이 서로 마주하는 각 면은,
서로 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.
16. The method of claim 15,
the at least one Halbach arrangement disposed adjacent to the one of the first surface and the second surface;
Each surface of the two or more Halbach arrays disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface facing each other,
magnetized with the same polarity,
arc path forming part.
내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임;
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하며,
상기 할바흐 배열은 복수 개 구비되어, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 어느 하나 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열 중 다른 둘 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열은,
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열;
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열;
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 할바흐 배열; 및
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 상기 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제4 할바흐 배열을 포함하는,
아크 경로 형성부.
a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
It is arranged side by side in the one direction and includes a plurality of blocks formed of a magnetic material,
A plurality of the Halbach arrangement is provided, and at least one of the plurality of Halbach arrangements is disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface,
At least two other of the plurality of Halbach arrangements are disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
A plurality of the Halbach arrangement is,
a first Halbach arrangement positioned adjacent to any one of the first and second surfaces and biased toward any one of the third and fourth surfaces;
a second Halbach arrangement positioned adjacent to one of the first and second surfaces, and biased toward the other of the third and fourth surfaces;
a third Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward the one of the third surface and the fourth surface; and
and a fourth Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface,
arc path forming part.
제17항에 있어서,
상기 제1 할바흐 배열, 상기 제2 할바흐 배열, 상기 제3 할바흐 배열 및 상기 제4 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 각각 포함하는,
아크 경로 형성부.
18. The method of claim 17,
The first Halbach arrangement, the second Halbach arrangement, the third Halbach arrangement, and the fourth Halbach arrangement,
a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and
Each comprising a first block positioned between the second block and the third block,
arc path forming part.
제18항에 있어서,
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제3 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 같은 극성으로 자화되고,
상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제4 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 상기 극성과 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.
19. The method of claim 18,
Among the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement, a surface facing the space portion and a surface facing the space portion among the surfaces of the first block of the third Halbach arrangement are each magnetized with the same polarity,
Among the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement, a surface facing the space portion and a surface facing the space portion among the surfaces of the first block of the fourth Halbach arrangement are each magnetized with the same polarity as the polarity,
arc path forming part.
내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임;
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하며,
상기 할바흐 배열은 복수 개 구비되어, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 어느 하나 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열 중 다른 둘 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열은,
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 어느 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열;
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열; 및
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 할바흐 배열을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 타 방향을 따라 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열 중 어느 하나와 겹쳐지게 배치되는,
아크 경로 형성부.
a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
It is arranged side by side in the one direction and includes a plurality of blocks formed of a magnetic material,
A plurality of the Halbach arrangement is provided, and at least one of the plurality of Halbach arrangements is disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface,
At least two other of the plurality of Halbach arrangements are disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
A plurality of the Halbach arrangement is,
a first Halbach arrangement positioned adjacent to any one of the first and second surfaces and biased toward any one of the third and fourth surfaces;
a second Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; and
and a third Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface,
The first Halbach arrangement is,
arranged to overlap any one of the second Halbach arrangement and the third Halbach arrangement along the other direction,
arc path forming part.
제20항에 있어서,
상기 제1 할바흐 배열, 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 각각 포함하는,
아크 경로 형성부.
21. The method of claim 20,
The first Halbach arrangement, the second Halbach arrangement and the third Halbach arrangement are,
a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and
Each comprising a first block positioned between the second block and the third block,
arc path forming part.
제21항에 있어서,
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면, 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제3 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.
22. The method of claim 21,
one of the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement facing the space, one of the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement facing the space and the first of the third Halbach arrangement Among the faces of the block, the faces facing the space are each magnetized with the same polarity,
arc path forming part.
내부에 복수 개의 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부가 형성된 자석 프레임;
상기 자석 프레임의 상기 공간부에 위치되어, 상기 공간부에 자기장을 형성하는 할바흐 배열을 포함하며,
상기 공간부는, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 길게 형성되고,
상기 자석 프레임은,
상기 일 방향으로 연장되며, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 일부를 둘러싸는 제1 면 및 제2 면; 및
상기 타 방향으로 연장되며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 각각 연속되고, 서로 마주하게 배치되어 상기 공간부의 나머지 일부를 둘러싸는 제3 면 및 제4 면을 포함하고,
상기 할바흐 배열은,
상기 일 방향으로 나란하게 배치되며, 자성체로 형성되는 복수 개의 블록을 포함하며,
상기 할바흐 배열은 복수 개 구비되어, 복수 개의 상기 할바흐 배열 중 어느 하나 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 하나의 면에 인접하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열 중 다른 둘 이상은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 다른 하나의 면에 인접하게 배치되고,
복수 개의 상기 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제1 할바흐 배열;
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 할바흐 배열; 및
상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 상기 다른 하나의 면에 인접하게 위치되며, 상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 할바흐 배열을 포함하며,
상기 제1 할바흐 배열은,
상기 타 방향을 따라 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열과 각각 겹쳐지게 배치되는,
아크 경로 형성부.
a magnet frame having a space in which a plurality of fixed contacts and movable contacts are accommodated therein;
It is located in the space portion of the magnet frame, including a Halbach arrangement to form a magnetic field in the space portion,
The space portion, the length in one direction is formed to be longer than the length in the other direction,
The magnet frame,
first and second surfaces extending in the one direction and facing each other to surround a portion of the space portion; and
and a third surface and a fourth surface extending in the other direction, continuous with the first surface and the second surface, respectively, disposed to face each other and surrounding the remaining part of the space,
The Halbach arrangement is
It is arranged side by side in the one direction and includes a plurality of blocks formed of a magnetic material,
A plurality of the Halbach arrangement is provided, and at least one of the plurality of Halbach arrangements is disposed adjacent to any one surface of the first surface and the second surface,
At least two other of the plurality of Halbach arrangements are disposed adjacent to the other one of the first surface and the second surface,
A plurality of the Halbach arrangement is,
a first Halbach arrangement that is biased toward any one of the third surface and the fourth surface;
a second Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface; and
and a third Halbach arrangement positioned adjacent to the other one of the first surface and the second surface, and positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface,
The first Halbach arrangement is,
The second Halbach arrangement and the third Halbach arrangement are arranged to overlap each other along the other direction,
arc path forming part.
제23항에 있어서,
상기 제1 할바흐 배열, 상기 제2 할바흐 배열 및 상기 제3 할바흐 배열은,
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 어느 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제2 블록;
상기 제3 면 및 상기 제4 면 중 다른 하나의 면에 치우쳐 위치되는 제3 블록; 및
상기 제2 블록 및 상기 제3 블록 사이에 위치되는 제1 블록을 각각 포함하는,
아크 경로 형성부.
24. The method of claim 23,
The first Halbach arrangement, the second Halbach arrangement and the third Halbach arrangement are,
a second block positioned to be biased toward any one of the third surface and the fourth surface;
a third block positioned to be biased toward the other one of the third surface and the fourth surface; and
Each comprising a first block positioned between the second block and the third block,
arc path forming part.
제24항에 있어서,
상기 제1 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면, 상기 제2 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면 및 상기 제3 할바흐 배열의 상기 제1 블록의 면 중 상기 공간부를 향하는 면은 각각 같은 극성으로 자화되는,
아크 경로 형성부.
25. The method of claim 24,
one of the surfaces of the first block of the first Halbach arrangement facing the space, one of the surfaces of the first block of the second Halbach arrangement facing the space and the first of the third Halbach arrangement Among the faces of the block, the faces facing the space are each magnetized with the same polarity,
arc path forming part.
복수 개 구비되어, 일 방향으로 서로 이격되어 위치되는 고정 접촉자;
상기 고정 접촉자에 접촉되거나 이격되는 가동 접촉자; 및
상기 고정 접촉자 및 가동 접촉자가 수용되는 공간부에 아크의 경로를 형성하는 아크 경로 형성부;를 포함하고,
상기 아크 경로 형성부는 상기 제 1 항 내지 제 25 항 중 어느 하나에 따른 아크 경로 형성부로 이루어지는, 직류 릴레이.
a plurality of fixed contacts provided to be spaced apart from each other in one direction;
a movable contact contacting or spaced apart from the fixed contact; and
Including; arc path forming part for forming a path of the arc in the space in which the fixed contact and the movable contact are accommodated;
The arc path forming unit is made of the arc path forming unit according to any one of claims 1 to 25, DC relay.
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