KR102451545B1 - 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 일실시예에 따르면, 함수량을 측정하고자 하는 토양에 설치되어 탐지파가 이동하는 프로브, 상기 프로브와 일정 간격 이격되고 평행하게 설치되며 상기 탐지파를 인도하는 가이드, 및 상기 프로브를 통해 탐지파를 발신하고, 상기 토양의 함수량의 변화에 따라 달라지는 탐지파의 파형을 측정하여 상기 프로브의 특정 위치에서 토양의 함수량을 산출하는 제어모듈을 포함하는, 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치 및 방법을 제공하여, 토양에 설치된 프로브의 특정 지점의 함수율을 측정할 수 있고, 프로브의 길이가 닿는 모든 지점의 함수율을 측정할 수 있다.

Description

가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치 및 방법{Apparatus and method for measuring moisture content of soil per depth using guide radar}

본 발명은 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치 및 방법에 관한 것이다.

토양 수분은 토양 속에 증기 형태로 적은 양이 확산되어 있는 물 또는 입자 표면/사이에 응축된 물을 일컬으며, 토양이 수분(물)을 보유하는 것을 의미한다. 이러한 토양수분은 정량적으로도 나타낼 수 있으며, 또한 토양에서의 수분은 토양입자 사이에 물의 비포화 및 포화된 특성에 따라 불포화대 토양층/대수층(unsaturaged soil bed/aquiferr)과 포화대 토양층/대수층(saturated soil-bed/aquifer)으로 구분된다. 이와 같이 토양은 식물에게 있어 물 저장고(storage places)로서 매우 중요한 기능과 역할뿐만 아니라, 토양의 수분측정을 필요로 하는 농업 분야에서부터 수자원 관리 분야, 물순환(대기질-지표수-지하수), 산사태 및 싱크홀 재해예방 시스템 등에 이르기까지 농업 및 산업, 그리고 과학기술 분야에 관련되어 있다. 게다가 수분 인자의 활용은 정확한 관측을 통해 여러 분야에 있어서 중요성이 더욱 증대될 것이다. 이와 관련한 토양 수분함량 측정방법은 직접법과 간접법이 있다. 토양시료 건조 전후의 중량차로부터 수분함량을 구하는 중량법은 직접법이며, 물질의 포텐셜, 전기비저항, 증기압, 고주파, 방사능 탐지기를 이용한 간접적인 방법으로는 텐시오메타(Tensiometer), 전기저항법, 싸이크로메트리(Psychrometry), 시간영역반사(TDR), 중성자법(Neutron Scattering) 등이 있다. 일반적으로 토양의 수분 측정 방법은 토양 시료를 채취하여 수분을 측정하거나, 토양에 탐침을 설치하고, 탐침에 설치된 센서가 위치하는 단지점의 깊이에서 토양의 수분을 측정한다. 따라서 종래의 수분측정기는 센서가 위치하는 깊이에서만 토양 수분함량을 측정할 수 있고, 한 지점의 연속적 깊이의 토양 수분함량을 측정하려면 복수의 센서가 필요하거나, 탐침의 깊이를 변경하여 다시 측정해야 하는 번거로움이 있다.

KR 10-1011952 B1

본 발명의 일실시예에 따른 목적은 토양에 설치된 프로브의 특정 지점에서 토양의 함수율을 측정할 수 있는 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.

또한, 본 발명의 일실시예에 따른 목적은 지연회로, 샘플-홀드 회로, 필터회로, 증폭 회로를 이용하여 탐지파의 파형을 획득하고 분석하여 토양에 설치된 프로브의 특정 지점의 함수율을 측정할 수 있는 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치는, 함수량을 측정하고자 하는 토양에 설치되어 탐지파가 이동하는 프로브, 상기 프로브와 일정 간격 이격되고 평행하게 설치되며 상기 탐지파를 인도하는 가이드, 및 상기 프로브를 통해 탐지파를 발신하고, 상기 토양의 함수량의 변화에 따라 달라지는 탐지파의 파형을 측정하여 상기 프로브의 특정 위치에서 토양의 함수량을 산출하는 제어모듈을 포함할 수 있다.

또한, 상기 제어모듈은 상기 탐지파가 상기 프로브와 가이드를 따라 이동하면서 토양의 함수량이 달라지는 지점에서 달라지는 파형을 인식하기 위하여, 수신된 탐지파의 시간을 지연시키고, 정해진 시점마다 전압을 샘플링하고, 상기 탐지파의 이동속도와 지연시간과 샘플링 시점을 이용하여 상기 프로브의 특정 지점에서 함수율을 산출할 수 있다.

또한, 상기 제어모듈은 상기 탐지파를 생성하여 상기 프로브로 송신하고, 상기 프로브에서 돌아오는 탐지파를 수신하는 송수신부, 상기 송수신부가 수신한 탐지파의 시간을 지연시키는 지연부, 정해진 시점에서 상기 지연부에서 지연된 탐지파의 전압을 샘플링하는 샘플링부, 상기 샘플링부가 획득한 전압값을 증폭하는 증폭부, 및 상기 증폭부로부터 수신하는 전압값을 상기 샘플링 시점에 대응하여 저장하며, 상기 샘플링부가 탐지파의 전압을 샘플링하는 시점을 이동시키면서 상기 송수신부, 지연부, 샘플링부, 증폭부를 이용한 탐지 과정을 반복 수행하여 상기 프로브의 전체 지점에 대한 상기 탐지파의 파형을 생성하는 컨트롤러를 포함할 수 있다.

또한, 상기 컨트롤러는 상기 탐지파의 속도와 상기 지연부에서 지연된 시간과 상기 샘플링부에서 샘플링한 시점을 이용하여 상기 탐지파의 파형의 특정 시점이 상기 프로브의 전체 길이에서 어느 지점에 해당하는지 산출하고 해당 지점의 탐지파의 전압을 이용하여 함수율을 산출할 수 있다.

또한, 상기 프로브는 토양의 온도를 측정하는 온도센서, 및 상기 프로브와 가이드 사이의 전기전도도를 측정하기 위한 제1 전극을 더 포함하며, 상기 가이드는 상기 프로브와 가이드 사이의 전기전도도를 측정하기 위한 제2 전극을 포함하고, 상기 제어모듈은 상기 온도센서로부터 토양의 온도를 수신하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극을 이용하여 상기 프로브와 가이드 사이의 전기전도도를 측정할 수 있다.

본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 방법은, 제어모듈이 프로브를 통해 탐지파를 송신하고 토양을 통과하여 파형이 변화한 탐지파를 수신하고 시간 지연과 샘플링을 통하여 상기 탐지파의 파형을 기록하는 측정수행단계, 및 상기 제어모듈이 상기 프로브의 전체 길이와 상기 시간 지연과 탐지파의 속도를 이용하여 목표 지점의 함수율을 산출하는 분석수행단계를 포함할 수 있다.

또한, 상기 측정수행단계는 상기 탐지파의 전압을 샘플링하는 시점을 이동시키면서 상기 측정수행단계를 반복 수행하여 상기 프로브의 전체 지점에 대한 상기 탐지파의 파형을 생성하는 것일 수 있다.

또한, 상기 측정수행단계는 상기 제어모듈의 컨트롤러가 송수신부를 제어하여, 상기 송수신부가 탐지파를 생성하여 상기 프로브에 송신하는 탐지파 송신단계, 상기 송수신부가 상기 프로브에서 돌아오는 탐지파를 수신하는 탐지파 수신단계, 지연부에서 상기 송수신부가 수신한 탐지파의 시간을 지연시키는 시간 지연단계, 샘플링부에서 상기 지연부에서 지연된 탐지파의 특정 시점에서 전압을 샘플링하는 샘플링단계, 증폭부에서 샘플링된 전압을 증폭하는 증폭단계, 및 컨트롤러에서 상기 증폭부로부터 수신하는 전압값을 상기 샘플링 시점에 대응하여 저장하여 탐지파의 파형을 생성하는 측정값 기록 단계를 포함할 수 있다.

또한, 분석수행단계는 함수량을 산출하고자 하는 목표지점을 결정하는 목표지점 결정단계, 상기 프로브의 길이, 시간지연, 샘플링 시점을 이용하여 목표지점에 해당하는 탐지파의 시점의 전압을 추출하는 파형분석단계, 및 함수량을 알고 있는 기준 파형의 동일한 시점의 전압과 목표지점에 해당하는 시점의 전압을 비교하여 함수량을 계산하는 함수량 산출단계를 포함할 수 있다.

또한, 상기 프로브에 설치된 온도센서를 이용하여 토양의 온도를 측정하는 온도측정단계, 및 상기 프로브에 설치된 제1 전극과 가이드에 설치된 제2 전극을 이용하여 토양의 전기전도도를 측정하는 전기전도도 측정단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.

본 발명의 일실시예에 따르면, 토양에 설치된 프로브의 특정 지점의 함수율을 측정할 수 있으므로, 프로브의 길이가 닿는 모든 지점의 함수율을 측정할 수 있다.

또한, 본 발명의 일실시예에 따르면, 토양에 설치된 프로브를 이용하여 함수율, 전기전도도, 온도를 함께 측정할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 방법의 단계를 나타낸 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 방법에서 측정 수행 단계를 상세히 나타낸 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 방법에서 분석 수행 단계를 상세히 나타낸 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치에서 탐지파를 이용하여 측정을 수행하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치에서 프로브의 길이와 탐지파의 관계를 나타낸 도면이다.

본 발명의 일실시예의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, "일면", "타면", "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다. 이하, 본 발명의 일실시예를 설명함에 있어서, 본 발명의 일실시예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지 기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 일실시예를 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치(10)를 나타낸 도면이다.

토양(20)은 깊이나 토질에 따라 함수량이 다를 수 있다. 예를 들어 도 1에서와 같이 깊이에 따라 함수량이 다른 구간이 존재할 수 있다. 구간 A 내지 E의 함수량이 다른 경우에 기존의 함수량 측정 방법으로는 각 구간의 함수량을 개별적으로 구하기 어려웠다. 예를 들어, 함수량 측정 센서가 위치한 지점의 함수량만을 측정할 수 있는 장치의 경우는 토양(20)의 각 구간마다 복수의 장치를 매설해야 한다. 또는, 종래의 TDR 방식의 함수량 측정 장치는 프로브(110)가 매설된 전체 구간의 평균적인 함수량을 구할 수 있지만, 특정 지점이나 구간의 함수량을 구할 수 없는 한계가 있다.

본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치(10)는, 함수량을 측정하고자 하는 토양(20)에 설치되어 탐지파가 이동하는 프로브(110), 프로브(110)와 일정 간격 이격되고 평행하게 설치되며 탐지파를 인도하는 가이드(120), 프로브(110)를 통해 탐지파를 발신하고, 토양(20)의 함수량의 변화에 따라 달라지는 탐지파의 파형을 측정하여 프로브(110)의 특정 위치에서 토양(20)의 함수량을 산출하는 제어모듈(130)을 포함할 수 있다.

프로브(110)(Prove)는 탐지파가 흐르는 경로이다. 탐지파는 프로브(110)를 따라 흐르는 과정에서 토양(20)에 포함된 수분(water)의 함량에 따라 파형이 달라진다. 프로브(110)는 직선형으로 형성되며 토양(20)에 묻히도록 설치된다. 프로브(110)는 토양(20)의 함수량을 측정하려는 위치에 설치된다. 예를 들어, 프로브(110)는 지면에 수직한 방향으로 토양(20)에 묻힐 수 있다. 필요한 경우 프로브(110)는 지면에 수평한 방향이나, 지면과 일정 각도를 이루도록 비스듬히 토양(20)에 묻힐 수도 있다.

가이드(120)(Guide)는 프로브(110)를 통해 흐르는 탐지파를 인도하는 기능을 수행한다. 가이드(120)는 프로브(110)와 일정 간격 이격된 위치에서 평행하도록 토양(20)에 설치된다. 가이드(120)가 없는 경우 탐지파가 빨리 소실되는 문제가 존재하나, 가이드(120)가 프로브(110)와 나란히 설치되면 탐지파가 가이드(120)와 프로브(110) 사이에 집중되어 탐지파의 감쇠가 적어진다. 가이드(120)는 전기적으로 그라운드(GND)로 기능할 수 있다.

프로브(110)와 가이드(120)는 제어모듈(130)에 연결된다. 프로브(110)와 가이드(120)는 제어모듈(130)과 케이블을 통해 연결될 수 있다. 케이블은 동축 케이블이 이용될 수 있다. 프로브(110)와 가이드(120)는 제어모듈(130)에 직접 연결될 수도 있다.

제어모듈(130)은 프로브(110)에 탐지파를 송신한다. 탐지파는 프로브(110)를 따라 이동하다가 프로브(110)의 끝단에서 반사되어 되돌아오며, 제어모듈(130)은 되돌아오는 탐지파를 수신한다. 제어모듈(130)은 수신한 탐지파를 분석하여 토양(20)의 함수량을 산출할 수 있다. 제어모듈(130)은 탐지파가 토양(20)의 함수량에 따라 파형이 달라지는 것을 측정하고, 탐지파의 특정 시점과 프로브(110)의 특정 지점을 연관시키고 탐지파의 특정 시점의 전압값을 분석하여 프로브(110)의 특정 지점의 함수량을 산출할 수 있다.

프로브(110)는 토양(20)의 온도를 측정하는 온도센서(112), 및 프로브(110)와 가이드(120) 사이의 전기전도도를 측정하기 위한 제1 전극(111)을 더 포함할 수 있다. 가이드(120)는 프로브(110)와 가이드(120) 사이의 전기전도도를 측정하기 위한 제2 전극(121)을 포함할 수 있다.

제어모듈(130)은 탐지파가 상기 프로브(110)와 가이드(120)를 따라 이동하면서 토양(20)의 함수량이 달라지는 지점에서 달라지는 파형을 인식하기 위하여, 수신된 탐지파의 시간을 지연시키고, 정해진 시점마다 전압을 샘플링하고, 상기 탐지파의 이동속도와 지연시간과 샘플링 시점을 이용하여 상기 프로브(110)의 특정 지점에서 함수율을 산출할 수 있다.

제어모듈(130)은 온도센서(112)로부터 토양(20)의 온도를 수신하고, 프로브(110)의 제1 전극(111) 및 가이드(120)의 제2 전극(121)을 이용하여 프로브(110)와 가이드(120) 사이의 전기전도도를 측정할 수 있다. 온도센서(112)는 하나 이상 구비될 수 있으며, 온도센서(112)가 위치한 지점의 토양(20)의 온도를 측정할 수 있다. 제1 전극(111)과 제2 전극(121) 사이에 정해진 전압을 걸어주면 토양(20)을 통해 흐르는 전류를 측정할 수 있고, 전압과 전류를 이용하여 토양(20)의 전기전도도를 산출할 수 있다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치(10)의 구성을 나타낸 도면이다.

도 1 및 도 2를 함께 참조한다. 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치(10)의 제어모듈(130)은, 탐지파를 생성하여 프로브(110)로 송신하고, 프로브(110)에서 돌아오는 탐지파를 수신하는 송수신부(131), 송수신부(131)가 수신한 탐지파의 시간을 지연시키는 지연부(132), 정해진 시점에서 지연부(132)에서 지연된 탐지파의 전압을 샘플링하는 샘플링부(133), 샘플링부(133)가 획득한 전압값을 증폭하는 증폭부(134), 및 증폭부(134)로부터 수신하는 전압값을 샘플링 시점에 대응하여 저장하며, 샘플링부(133)가 탐지파의 전압을 샘플링하는 시점을 이동시키면서 송수신부(131), 지연부(132), 샘플링부(133), 증폭부(134)를 이용한 탐지 과정을 반복 수행하여 프로브(110)의 전체 지점에 대한 탐지파의 파형을 생성하는 컨트롤러(135)를 포함할 수 있다.

송수신부(131)는 탐지파를 생성하여 출력하고, 프로브(110)에서 탐지파를 수신할 수 있다. 송수신부(131)는 탐지파를 생성하는 기능을 수행하는 발진회로, 프로브(110)에서 되돌아오는 탐지파를 분리하는 필터회로를 포함할 수 있다. 발진회로는 컨트롤러(135)의 제어에 기초하여 다양한 파형, 주파수, 크기의 탐지파를 생성할 수 있다. 필터회로는 생성된 탐지파가 반사되어 되돌아오는 탐지파를 분리할 수 있다. 필터회로가 분리한 탐지파는 지연부(132)로 제공된다.

지연부(132)는 송수신부(131)에서 수신하여 분리한 탐지파를 제공받는다. 지연부(132)는 탐지파의 시간을 지연시킨다. 탐지파는 전자기파이며 탐지파의 속도는 진공에서 1초에 30만km이다. 프로브(110)와 가이드(120)를 따라 이동하는 탐자파의 속도는 진공에서보다 느리지만 여전히 매우 빨라서 반도체 칩이 직접 수신하기 어렵다. 지연부(132)는 탐지파를 정해진 비율로 시간 지연시킬 수 있다. 예를 들어 지연부(132)는 1ns를 1㎲ 또는 10㎲로 지연시킬 수 있다. 탐지파가 시간지연되어 마이크로초(㎲)의 영역에 들어서면 회로가 파형을 센싱할 수 있는 범위가 된다.

샘플링부(133)는 지연부(132)에서 시간 지연시킨 탐지파를 수신한다. 샘플링부(133)는 탐지파에서 특정 시점의 전압값을 획득하는 샘플링을 수행한다. 샘플링부(133)는 컨트롤러(135)의 제어에 의하여 특정 시점의 전압값을 획득한다. 샘플링부(133)는 정해진 시점에 스위치가 동작하는 샘플-홀드 회로를 이용하여 구현될 수 있다.

증폭부(134)는 샘플링부(133)가 획득한 전압값을 증폭하여 컨트롤러(135)로 전달한다. 증폭부(134)는 샘플링부(133)가 전압을 샘플링하여 출력하는 출력단에 연결되어 전압값을 정해진 비율에 따라 증폭할 수 있다.

지연부(132)가 제공하는 탐지파는 아날로그 형태이지만, 샘플링부(133)가 샘플링을 수행하고 증폭부(134)가 샘플링된 전압을 증폭하여 컨트롤러(135)에 제공함으로써, 아날로그 형태의 탐지파가 디지털 형태로 전환될 수 있다.

컨트롤러(135)는 증폭부(134)가 제공한 전압값을 수신하여 그 크기를 인식할 수 있다. 컨트롤러(135)는 샘플링부(133)가 어떤 시점에서 탐지파의 전압을 샘플링하는지 제어하므로, 해당 시점에서 증폭부(134)로부터 수신한 전압값을 매칭하여 저장부(136)에 저장할 수 있다. 컨트롤러(135)는 동일한 탐지파를 다수회 반복하여 송신하고 수신하도록 송수신부(131)를 제어할 수 있다. 그리고, 컨트롤러(135)는 샘플링부(133)가 첫번째 탐지파를 샘플링하는 시점보다 두번째 탐지파를 샘플링하는 시점이 늦도록 정해진 시간간격만큼 이동시킨다. 이와 같이 샘플링 시간을 이동시키면서 다수회의 탐지파 송수신을 반복하면 탐지파의 처음부터 끝까지의 파형의 변화를 상세하게 수집할 수 있다.

저장부(136)는 컨트롤러(135)가 증폭부(134)로부터 수신한 탐지파의 전압값, 샘플링 시점을 매칭하여 생성한 탐지파의 파형을 저장할 수 있다. 저장부(136)는 컨트롤러(135)가 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치(10) 및 방법에 따라 동작하기 위한 컴퓨터 프로그램 코드 및 기타 필요한 데이터를 저장할 수 있다.

입출력부(137)는 사용자가 제어모듈(130)에 데이터를 입력하거나 명령을 입력하기 위한 입력부, 제어모듈(130)이 탐지파의 파형이나 프로브(110)의 전체 길이 중에서 특정 지점의 함수율을 사용자에게 제공하기 위한 출력부, 및 데이터를 유선 또는 무선으로 송수신할 수 있는 통신부를 포함할 수 있다. 입력부는 터치패널, 키보드, 마우스, 메모리 카드 리더(reader) 등의 장치를 포함할 수 있다. 출력부는 터치스크린, 프린터, 메모리 카드 포트(port), 등을 포함할 수 있다.

전원부(138)는 제어모듈(130)의 각 구성에 전력을 공급한다. 전원부(138)는 상용 전원에 연결되어 전력을 공급받거나, 배터리를 포함할 수 있다. 배터리는 충전 가능한 이차전지를 포함하여, 전원부(138)는 배터리를 충전하여 이용될 수 있다.

컨트롤러(135)는 탐지파의 속도와 지연부(132)에서 지연된 시간과 샘플링부(133)에서 샘플링한 시점을 이용하여 탐지파의 파형의 특정 시점이 프로브(110)의 전체 길이에서 어느 지점에 해당하는지 산출하고 해당 지점의 탐지파의 전압을 이용하여 함수율을 산출할 수 있다.

탐지파의 파형, 속도, 크기, 지연시간, 프로브(110)의 길이는 입출력부(137)를 통해 사용자가 입력할 수 있는 값이다. 컨트롤러(135)는 송수신부(131)에서 송출되는 탐지파의 파형, 속도, 크기를 알고 있다. 컨트롤러(135)는 지연부(132)가 탐지파를 지연시키는 지연시간을 알고 있다. 컨트롤러(135)는 프로브(110)의 길이를 알고 있다. 컨트롤러(135)는 탐지파의 특정 시점을 프로브(110)의 전체 길이 중에서 특정 지점과 매칭시킬 수 있다. 컨트롤러(135)는 프로브(110)의 전체 길이 중에서 특정 지점의 함수율을 산출하기 위하여, 탐지파의 특정 시점의 전압값을 읽어오고, 해당 전압값에 따른 함수율을 산출할 수 있다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 방법의 단계를 나타낸 흐름도이다. 도 1, 도 2 및 도 3을 함께 참조한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 방법은, 제어모듈(130)이 프로브(110)를 통해 탐지파를 송신하고 토양(20)을 통과하여 파형이 변화한 탐지파를 수신하고 시간 지연과 샘플링을 통하여 탐지파의 파형을 기록하는 측정수행단계(S10), 및 제어모듈(130)이 프로브(110)의 전체 길이와 상기 시간 지연과 탐지파의 속도를 이용하여 목표 지점의 함수율을 산출하는 분석수행단계(S20)를 포함할 수 있다.

측정수행단계(S10)는 탐지파가 프로브(110)를 통해 전달되면서 토양(20)의 함수율에 관한 정보를 수집하는 과정이다. 측정수행단계(S10)는 탐지파의 전압을 샘플링하는 시점을 이동시키면서 측정수행단계(S10)를 반복 수행하여 프로브(110)의 전체 지점에 대한 탐지파의 파형을 생성할 수 있다. 측정수행단계(S10)를 1회 수행하면 프로브(110)의 특정 지점의 토양(20) 함수율에 관한 정보를 획득할 수 있고, 탐지파의 전압을 샘플링하는 시점을 이동하면 프로브(110)의 다른 지점의 토양(20) 함수율에 관한 정보를 획득하는 것이다.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 방법에서 측정 수행 단계를 상세히 나타낸 흐름도이다. 도 1, 도 2, 도 3, 및 도 4를 함께 참조한다.

도 4에 도시된 바와 같이, 측정수행단계(S10)는 제어모듈(130)의 컨트롤러(135)가 송수신부(131)를 제어하여, 송수신부(131)가 탐지파를 생성하여 프로브(110)에 송신하는 탐지파 송신단계(S11), 송수신부(131)가 프로브(110)에서 돌아오는 탐지파를 수신하는 탐지파 수신단계(S12), 지연부(132)에서 송수신부(131)가 수신한 탐지파의 시간을 지연시키는 시간 지연단계(S13), 샘플링부(133)에서 지연부(132)에서 지연된 탐지파의 특정 시점에서 전압을 샘플링하는 샘플링단계(S14), 증폭부(134)에서 샘플링된 전압을 증폭하는 증폭단계(S15), 및 컨트롤러(135)에서 증폭부(134)로부터 수신하는 전압값을 샘플링 시점에 대응하여 저장하여 탐지파의 파형을 생성하는 측정값 기록 단계(S16)를 포함할 수 있다.

탐지파 송신단계(S11)는 제어모듈(130)의 송수신부(131)가 탐지파를 생성하는 과정, 탐지파를 프로브(110)로 송신하는 과정을 포함한다. 탐지파 송신단계(S11)는 컨트롤러(135)의 제어에 의해 시작될 수 있다.

탐지파 수신단계(S12)는 송수신부(131)가 프로브(110)의 끝단에서 반사되어 돌아오는 탐지파를 수신하는 과정이다. 탐지파 수신단계(S12)에서 송수신부(131)는 필터를 이용하여 프로브(110)에서 수신되는 탐지파를 분리하고 지연부(132)로 전달한다.

시간 지연단계(S13)는 지연부(132)가 송수신부(131)로부터 전달받은 탐지파를 시간 지연하는 과정이다. 시간 지연된 탐지파는 샘플링부(133)로 전달된다.

샘플링부(133)는 샘플링부(133)가 지연된 탐지파에서 특정 시점의 전압을 획득하는 과정이다. 샘플링부(133)는 정해진 시점의 전압을 획득한다. 샘플링부(133)가 샘플링을 수행하는 시점은 프로브(110)의 전체 길이 중에서 특정 지점과 관련된다. 샘플링부(133)가 획득한 전압은 증폭부(134)에서 증폭하여 컨트롤러(135)로 제공된다.

증폭단계(S15)는 증폭부(134)가 샘플링부(133)가 획득한 전압을 증폭하여 컨트롤러(135)로 제공하는 과정이다.

측정값 기록 단계(S16)는 컨트롤러(135)가 증폭부(134)로부터 수신한 전압을 샘플링 시점과 매칭하여 저장하는 과정이다. 특정 샘플링 시점에서 특정 전압이 계속하여 저장되면 탐지파의 전체 파형을 알 수 있다.

탐지파가 1회 송신되면 탐지파 송신단계(S11)부터 측정값 기록 단계(S16)까지 순차적으로 진행된다. 탐지파는 다수회 송신될 수 있고, 측정수행단계(S10)는 다수회 반복될 수 있다.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 방법에서 분석 수행 단계를 상세히 나타낸 흐름도이다. 도 1, 도 2, 도 3, 도 5를 함께 참조한다.

도 5에 도시된 바와 같이, 분석수행단계(S20)는 함수량을 산출하고자 하는 목표지점을 결정하는 목표지점 결정단계(S21), 프로브(110)의 길이, 시간지연, 샘플링 시점을 이용하여 목표지점에 해당하는 탐지파의 시점의 전압을 추출하는 파형분석단계(S22), 및 함수량을 알고 있는 기준 파형의 동일한 시점의 전압과 목표지점에 해당하는 시점의 전압을 비교하여 함수량을 계산하는 함수량 산출단계(S23)를 포함할 수 있다.

목표지점 결정단계(S21)는 컨트롤러(135)가 함수량을 산출하고자 하는 목표지점을 결정하는 과정이다. 목표지점은 입출력부(137)를 통하여 사용자가 입력할 수 있다. 목표지점은 프로브(110)의 전체 길이에 해당하는 각 지점으로 미리 결정되어 있을 수 있다.

파형분석단계(S22)는 컨트롤러(135)가 탐지파의 파형에서 목표지점에 해당하는 시점의 전압을 획득하는 과정이다. 파형분석단계(S22)에서 컨트롤러(135)는 프로브(110)의 길이, 시간지연, 심플링 시점을 이용하여 목표지점에 해당하는 탐지파의 특정 시점의 전압을 추출할 수 있다.

함수량 산출단계(S23)는 컨트롤러(135)가 목표지점의 함수량을 최종적으로 산출하는 과정이다. 함수량 산출단계(S23)에서 컨트롤러(135)는 함수량을 알고 있어서 기준이 되는 전압값과 목표지점에 해당하는 전압값을 비교하여 함수량을 산출할 수 있다. 이때 기준이 되는 전압값은 모든 목표지점에 동일하게 하나의 전압값을 이용할 수도 있고, 다른 전압값을 이용할 수도 있다. 함수량 산출단계(S23)에서 컨트롤러(135)는 기준이 되는 전압값과 비교하는 것이 아니라, 미리 저장되어 있는 함수량 산출 공식에 따라 함수량을 산출할 수도 있다.

본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 방법은, 프로브(110)에 설치된 온도센서(112)를 이용하여 토양(20)의 온도를 측정하는 온도측정단계, 및 프로브(110)에 설치된 제1 전극(111)과 가이드(120)에 설치된 제2 전극(121)을 이용하여 토양(20)의 전기전도도를 측정하는 전기전도도 측정단계를 더 포함할 수 있다.

온도측정단계는 컨트롤러(135)가 온도센서(112)로부터 수신되는 데이터에 기초하여 온도를 측정하는 과정이다. 온도측정단계는 정해진 주기마다 수행될 수 있다. 온도측정단계는 측정수행단계(S10)가 시작되기 전에 먼저 시작될 수 있다.

전기전도도 측정단계는 컨트롤러(135)가 제1 전극(111)과 제2 전극(121)에 전압을 가하여 토양(20)을 통해 흐르는 전류를 측정하고 전압과 전류를 이용하여 토양(20)의 저항을 측정함으로써 전기전도도를 측정하는 과정이다. 제1 전극(111)과 제2 전극(121)이 위치한 지점의 토양(20)의 전기전도도를 측정할 수 있다. 전기전도도 측정단계는 온도측정단계나 측정수행단계(S10)와 독립적으로 수행될 수 있다. 전기전도도 측정단계는 측정수행단계(S10)가 수행되기 전에 수행될 수 있다.

온도측정단계에서 획득한 토양(20)의 온도와, 전기전도도 측정단계에서 획득한 토양(20)의 전기전도도는 토양(20)의 함수량을 산출하는 과정에서 함수량을 정확히 측정하기 위한 보정 요소로 이용될 수 있다.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치(10)에서 탐지파를 이용하여 측정을 수행하는 과정을 나타낸 도면이다.

도 6을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 탐지파의 처리과정을 상세히 설명한다. 먼저, 탐지파 송신단계(S11)에서 탐지파(ⓐ)는 송수신부(131)에서 생성되어 프로브(110)로 제공된다. 탐지파(ⓑ)는 프로브(110)와 가이드(120)를 따라 이동한다. 탐지파(ⓒ)는 프로브(110)의 끝단에 반사되어 되돌아온다. 탐지파는 프로브(110)를 따라 이동하고 반사되는 과정에서 토양(20)의 함수량에 따라 파형이 변화된다. 탐지파 수신단계(S12)에서 변형된 탐지파(ⓓ)는 송수신부(131)에 의해 수신되어 지연부(132)로 이동한다. 시간 지연단계(S13)에서 지연부(132)는 탐지파의 시간을 지연시켜 시간 지연된 탐지파(ⓔ)를 생성한다. 탐지파의 속도를 30만km/s 라고 가정할 때, 1ns마다 탐지파는 약 33cm의 거리를 이동한다. 일반적인 회로는 1ns의 변화를 인식할 수 없다. 따라서 변형된 탐지파의 파형을 획득하기 위하여 시간 지연이 필요하다. 지연부(132)는 변형된 탐지파를 시간 지연시켜 탐지파의 길이를 연장시키고 샘플링부(133)로 전달한다. 샘플링단계(S14)에서 샘플링부(133)는 정해진 시점에서 시간지연된 탐지파(ⓕ)의 전압을 획득한다. 증폭단계(S15)에서 증폭부(134)는 샘플링부(133)가 획득한 전압을 증폭하여 컨트롤러(135)로 전달한다. 측정값 기록단계에서 컨트롤러(135)는 샘플링 시점과 전압을 연관하여 저장할 수 있다.

샘플링부(133)가 전압을 획득하는 시점은 측정수행단계(S10)마다 다를 수 있다. 예를 들어, 측정수행단계(S10)를 처음 10회 수행할 때에는 탐지파의 제1 시점(①)에서 전압을 획득하고, 측정수행단계(S10)를 다음 10회 수행할 때에는 탐지파의 제2 시점(②)에서 전압을 획득할 수 있다. 컨트롤러(135)는 탐지파의 제1 시점에서 획득된 10개의 전압을 평균하여 제1 시점의 전압으로 저장할 수 있다. 컨트롤러(135)는 탐지파의 제2 시점에서 획득된 10개의 전압을 평균하여 제2 시점의 전압으로 저장할 수 있다. 이와 같이 하나의 시점에서 복수회의 탐지파의 전압을 평균하면 함수량을 더 정확히 측정할 수 있다.

컨트롤러(135)는 샘플링부(133)가 전압을 획득하는 시점을 이동시킬 수 있다. 예를 들어 측정수행단계(S10)를 처음 10회 수행할 때와 다음 10회 수행할 때의 탐지파의 샘플링 시점을 제1 시점(①)에서 제2 시점(②)으로 변경할 수 있다. 제1 시점은 탐지파의 시작부터 1ns에 해당하는 시점이고, 제2 시점은 탐지파의 시작부터 1ns에 해당하는 시점일 수 있다. 탐지파는 1ns를 10㎲로 시간 지연될 수 있다. 컨트롤러(135)는 탐지파의 1ns에 해당하는 10㎲ 일 때 샘플링을 수행하도록 샘플링부(133)를 제어하여, 제1 시점인 탐지파의 시작부터 1ns일 때의 전압을 샘플링할 수 있다. 컨트롤러(135)는 제1 시점에서 탐지파의 전압을 획득한 다음, 제2 시점인 2ns 에서 탐지파의 전압을 획득하도록 샘플링부(133)가 20㎲일 때 샘플링을 수행하도록 샘플링부(133)를 제어할 수 있다. 이와 같이 컨트롤러(135)는 샘플링부(133)가 샘플링하는 시점을 이동시키면서 탐지파의 전체 시점의 전압을 획득하고, 탐지파의 전체 파형을 획득할 수 있다.

도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치(10)에서 프로브(110)의 길이와 탐지파의 관계를 나타낸 도면이다. 탐지파는 세로축이 전압(V)이고 가로축이 시간(t)인 그래프로 도시될 수 있다. 도 7의 (a)는 프로브(110)의 전체 길이(L) 중에서 구간(Lp)을 설정한 것을 도시하며, 도 7의 (b)는 탐지파의 전체 파형 중에서 프로브(110)의 특정 구간에 해당하는 시간 구간(Tp)을 나타낸다.

도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 프로브(110)의 전체 길이를 구간으로 나눌 수 있다. 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 탐지파의 특정 시간 구간(Tp)은 프로브(110)의 특정 구간(Lp)에 매칭될 수 있다. 예를 들어, 프로브(110)의 제3 구간(Lp3)은 탐지파의 제3 시간 구간(Tp3)에 매칭될 수 있고, 프로브(110)의 제5 구간(Lp5)은 탐지파의 제5 시간 구간(Tp5)에 매칭될 수 있다. 프로브(110)의 시작점(La)을 탐지파의 시작점(Ta)과 매칭하고, 프로브(110)의 끝점(Lb)을 탐지파의 끝점(Tb)과 매칭하는 방식을 이용할 수 있다. 사용자가 프로브(110)의 전체 길이 중에서 특정 시점의 함수량을 알기 위하여 목표지점을 특정하면, 컨트롤러(135)는 목표지점에 매칭되는 탐지파의 특정 시점의 전압값을 획득하고 함수량을 산출한다.

본 발명의 일실시예는 프로브(110)의 길이에 무관하게 동일한 방법으로 수행될 수 있다. 프로브(110)의 길이가 1 미터인 경우와 10 미터인 경우에 달라지는 과정은 없다. 길이가 길어지더라도 탐지파를 송신하고 수신하며 시간지연하고 샘플링 후에 증폭하여 샘플링 시점과 전압값을 매칭하여 탐지파의 파형을 획득하는 것은 동일하다.

본 발명의 일실시예에서 사용자는 샘플링 시점을 달리 설정하여 프로브(110)의 전체 길이 중에서 측정가능한 구간의 밀도를 변경할 수 있다. 프로브(110)의 길이가 긴 경우, 사용자가 함수량을 측정하는 시점을 듬성듬성 배치하여 측정수행단계(S10)를 반복 수행하는 횟수를 감소시켜 측정시간을 줄일 수 있다. 또는, 프로브(110)의 길이가 길더라도 경우 사용자는 함수량을 측정하는 시점을 촘촘히 배치하여 프로브(110)의 전체 길이에서 측정가능한 구간의 밀도를 높일 수 있다.

컨트롤러(135)가 함수량을 산출하는 과정에서, 기준이 되는 전압값은 도 7의 점선과 같이 표현될 수 있다. 기준이 되는 전압값은 실제 함수량을 알고 있는 토양(20) 샘플을 이용하여 획득할 수 있다. 컨트롤러(135)는 기준이 되는 전압(Vr)과 측정된 탐지파의 전압(Vs)을 비교하여 전압의 차이(예를 들어 도 7의 Vd3, Vd5)를 얻을 수 있고, 해당 시점에서 함수율을 산출할 수 있다. 컨트롤러(135)는 프로브(110)의 길이 전체의 함수량을 일괄적으로 산출하고 그래프로 제공할 수 있다.

컨트롤러(135)는 구간별로 평균적인 함수율을 산출할 수 있다. 프로브(110)의 전체 길이를 구간으로 나누고, 각 구간에 해당하는 탐지파의 시간구간의 전압 평균값을 이용하여 해당 구간의 함수율 평균을 구할 수 있다. 사용자는 샘플링 시점을 조밀하게 설정하고, 함수율을 구간 단위로 산출하도록 입출력부(137)를 통해 설정을 입력할 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따르면, 토양(20)에 설치된 프로브(110)의 특정 깊이의 함수율을 측정할 수 있으므로, 프로브(110)의 길이가 닿는 모든 지점의 함수율을 측정할 수 있고, 토양(20)에 설치된 프로브(110)를 이용하여 함수율, 전기전도도, 온도를 함께 측정할 수 있으며, 프로브(110)의 길이가 더 길어지더라도 동일한 방법을 이용할 수 있으므로 다양한 깊이에 적용할 수 있다.

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.

10: 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치
20: 토양
110: 프로브
111: 제1 전극
112: 온도센서
120: 가이드
121: 제2 전극
130: 제어모듈
131: 송수신부
132: 지연부
133: 샘플링부
134: 증폭부
135: 컨트롤러
136: 저장부
137: 입출력부
138: 전원부

Claims (10)

1. 함수량을 측정하고자 하는 토양에 설치되어 탐지파가 이동하는 프로브;
   상기 프로브와 일정 간격 이격되고 평행하게 설치되며 상기 탐지파를 인도하는 가이드; 및
   상기 프로브를 통해 탐지파를 발신하고, 상기 토양의 함수량의 변화에 따라 달라지는 탐지파의 파형을 측정하여 상기 프로브의 특정 위치에서 토양의 함수량을 산출하는 제어모듈을 포함하고,
   상기 제어모듈은
   상기 탐지파가 상기 프로브와 가이드를 따라 이동하면서 토양의 함수량이 달라지는 지점에서 달라지는 파형을 인식하기 위하여, 수신된 탐지파의 시간을 지연시키고, 정해진 시점마다 전압을 샘플링하고, 상기 탐지파의 이동속도와 지연시간과 샘플링 시점을 이용하여 상기 프로브의 특정 지점에서 함수율을 산출하는, 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치.
2. 삭제
3. 청구항 1에 있어서,
   상기 제어모듈은
   상기 탐지파를 생성하여 상기 프로브로 송신하고, 상기 프로브에서 돌아오는 탐지파를 수신하는 송수신부;
   상기 송수신부가 수신한 탐지파의 시간을 지연시키는 지연부;
   정해진 시점에서 상기 지연부에서 지연된 탐지파의 전압을 샘플링하는 샘플링부;
   상기 샘플링부가 획득한 전압값을 증폭하는 증폭부; 및
   상기 증폭부로부터 수신하는 전압값을 상기 샘플링 시점에 대응하여 저장하며, 상기 샘플링부가 탐지파의 전압을 샘플링하는 시점을 이동시키면서 상기 송수신부, 지연부, 샘플링부, 증폭부를 이용한 탐지 과정을 반복 수행하여 상기 프로브의 전체 지점에 대한 상기 탐지파의 파형을 생성하는 컨트롤러를 포함하는, 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치.
4. 청구항 3에 있어서,
   상기 컨트롤러는
   상기 탐지파의 속도와 상기 지연부에서 지연된 시간과 상기 샘플링부에서 샘플링한 시점을 이용하여 상기 탐지파의 파형의 특정 시점이 상기 프로브의 전체 길이에서 어느 지점에 해당하는지 산출하고 해당 지점의 탐지파의 전압을 이용하여 함수율을 산출하는, 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치.
5. 청구항 1에 있어서,
   상기 프로브는
   토양의 온도를 측정하는 온도센서; 및
   상기 프로브와 가이드 사이의 전기전도도를 측정하기 위한 제1 전극을 더 포함하며,
   상기 가이드는
   상기 프로브와 가이드 사이의 전기전도도를 측정하기 위한 제2 전극을 포함하고,
   상기 제어모듈은
   상기 온도센서로부터 토양의 온도를 수신하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극을 이용하여 상기 프로브와 가이드 사이의 전기전도도를 측정하는, 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 장치.
6. 제어모듈이 프로브를 통해 탐지파를 송신하고 토양을 통과하여 파형이 변화한 탐지파를 수신하고 시간 지연과 샘플링을 통하여 상기 탐지파의 파형을 기록하는 측정수행단계;
   상기 제어모듈이 상기 프로브의 전체 길이와 상기 시간 지연과 탐지파의 속도를 이용하여 목표 지점의 함수율을 산출하는 분석수행단계를 포함하고,
   상기 측정수행단계는
   상기 탐지파의 전압을 샘플링하는 시점을 이동시키면서 상기 측정수행단계를 반복 수행하여 상기 프로브의 전체 지점에 대한 상기 탐지파의 파형을 생성하는 것인, 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 방법.
7. 삭제
8. 청구항 6에 있어서,
   상기 측정수행단계는
   상기 제어모듈의 컨트롤러가 송수신부를 제어하여, 상기 송수신부가 탐지파를 생성하여 상기 프로브에 송신하는 탐지파 송신단계;
   상기 송수신부가 상기 프로브에서 돌아오는 탐지파를 수신하는 탐지파 수신단계;
   지연부에서 상기 송수신부가 수신한 탐지파의 시간을 지연시키는 시간 지연단계;
   샘플링부에서 상기 지연부에서 지연된 탐지파의 특정 시점에서 전압을 샘플링하는 샘플링단계;
   증폭부에서 샘플링된 전압을 증폭하는 증폭단계; 및
   컨트롤러에서 상기 증폭부로부터 수신하는 전압값을 상기 샘플링 시점에 대응하여 저장하여 탐지파의 파형을 생성하는 측정값 기록 단계를 포함하는, 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 방법.
9. 청구항 6에 있어서,
   분석수행단계는
   함수량을 산출하고자 하는 목표지점을 결정하는 목표지점 결정단계;
   상기 프로브의 길이, 시간지연, 샘플링 시점을 이용하여 목표지점에 해당하는 탐지파의 시점의 전압을 추출하는 파형분석단계; 및
   함수량을 알고 있는 기준 파형의 동일한 시점의 전압과 목표지점에 해당하는 시점의 전압을 비교하여 함수량을 계산하는 함수량 산출단계를 포함하는, 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 방법.
10. 청구항 6에 있어서,
    상기 프로브에 설치된 온도센서를 이용하여 토양의 온도를 측정하는 온도측정단계; 및
    상기 프로브에 설치된 제1 전극과 가이드에 설치된 제2 전극을 이용하여 토양의 전기전도도를 측정하는 전기전도도 측정단계를 더 포함하는, 가이드 레이더를 이용한 토양 심도별 함수량 측정 방법.

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