KR102451394B1 - Methods of fabricating actuator coil structure - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 액추에이터 코일 구조체의 제조방법은 광을 투과시킬 수 있는 기판 상에 기저층을 배치하는 단계; 상기 기저층 상에 도전성의 마이크로패턴 코일을 형성하는 단계; 마이크로패턴 코일 사이의 공간을 충전하고 마이크로패턴 코일을 덮는 절연층을 형성하는 단계; 및 기판에 광을 조사하여 기저층과 기판 간의 접착력을 낮춤으로써, 기저층 및 기저층 상의 마이크로패턴 코일과 절연층을 구비하는 엑추에이터 코일 구조체를 기판과 분리하는 단계; 를 포함하되, 상기 절연층은 서로 상이한 제 1 절연층 및 제 2 절연층이 순차적으로 적층되는 하이브리드 절연층이며, 제 1 절연층과 마이크로패턴 코일 간의 열팽창계수 차이는 제 2 절연층과 마이크로패턴 코일 간의 열팽창계수 차이 보다 더 작다. A method of manufacturing an actuator coil structure according to an embodiment of the present invention comprises: disposing a base layer on a substrate capable of transmitting light; forming a conductive micropatterned coil on the base layer; forming an insulating layer that fills the space between the micropatterned coils and covers the micropatterned coils; and lowering the adhesive force between the base layer and the substrate by irradiating light to the substrate, thereby separating the actuator coil structure including the base layer and the micropattern coil on the base layer and the insulating layer from the substrate; Including, wherein the insulating layer is a hybrid insulating layer in which different first insulating layers and second insulating layers are sequentially stacked, and the difference in the coefficient of thermal expansion between the first insulating layer and the micropatterned coil is the second insulating layer and the micropatterned coil. smaller than the difference in the coefficient of thermal expansion between them.

Description

액추에이터 코일 구조체의 제조방법{Methods of fabricating actuator coil structure}Methods of fabricating actuator coil structure

본 발명은 액추에이터 코일 구조체의 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일 구조체의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing an actuator coil structure, and more particularly, to a method of manufacturing an actuator coil structure for camera auto-focus and anti-shake functions.

전자기술의 발달에 따라 스마트폰, 태블릿 컴퓨터 등과 같은 모바일 기기가 대중화하고 있다. 그런데, 이와 같은 모바일 기기는 카메라 기능을 수행하는 카메라 모듈이 기본으로 장착되어 있다. 모바일 기기에 사용되는 카메라 모듈은 촬영의 편의성을 높이기 위해 전용 카메라와 같이 자동초점기능을 갖는 자동초점 카메라 모듈이 개발되어 널리 사용되고 있다. 또한, 모바일 기기에 사용되는 카메라 모듈은 촬영된 이미지의 품질을 높이기 위해 전용 카메라와 같이 손떨림방지 기능을 구비하는 경우가 많다.
최근에는, 촬영된 이미지의 품질을 개선하면서 동시에 제조원가를 절감할 수있는 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일 구조체의 제조방법에 대한 요구가 있다.
발명의 배경이 되는 기술을 개시한 선행기술문헌으로는 공개특허공보 제10-2019-0013388호(20190211), 공개특허공보 제10-2017-0014792호(20170208), 공개특허공보 제10-2017-0097438호(20170828) 등이 있다.
With the development of electronic technology, mobile devices such as smart phones and tablet computers are becoming popular. However, such a mobile device is basically equipped with a camera module that performs a camera function. As for the camera module used in a mobile device, an auto-focus camera module having an auto-focus function like a dedicated camera has been developed and widely used in order to increase the convenience of shooting. In addition, camera modules used in mobile devices are often provided with an anti-shake function like a dedicated camera in order to improve the quality of a photographed image.
Recently, there is a demand for a method for manufacturing an actuator coil structure for camera autofocus and hand-shake prevention functions that can reduce manufacturing cost while improving the quality of a photographed image.
As prior art documents disclosing the background technology of the invention, Patent Publication No. 10-2019-0013388 (20190211), Patent Publication No. 10-2017-0014792 (20170208), and Patent Publication No. 10-2017- 0097438 (20170828) and the like.

본 발명은 촬영된 이미지의 품질을 개선하면서 동시에 제조원가를 절감할 수있는 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일 구조체의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an actuator coil structure for camera autofocus and anti-shake function, which can reduce manufacturing cost while improving the quality of a photographed image. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereto.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 관점에 의한 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일 구조체의 제조방법을 제공한다. To solve the above problems, there is provided a method of manufacturing an actuator coil structure for camera auto-focus and anti-shake function according to an aspect of the present invention.

상기 액추에이터 코일 구조체의 제조방법은 광을 투과시킬 수 있는 기판 상에 기저층을 배치하는 단계; 상기 기저층 상에 도전성의 마이크로패턴 코일을 형성하는 단계; 마이크로패턴 코일 사이의 공간을 충전하고 마이크로패턴 코일을 덮는 절연층을 형성하는 단계; 및 기판에 광을 조사하여 기저층과 기판 간의 접착력을 낮춤으로써, 기저층 및 기저층 상의 마이크로패턴 코일과 절연층을 구비하는 엑추에이터 코일 구조체를 기판과 분리하는 단계; 를 포함하되, 상기 절연층은 서로 상이한 제 1 절연층 및 제 2 절연층이 순차적으로 적층되는 하이브리드 절연층이며, 제 1 절연층과 마이크로패턴 코일 간의 열팽창계수 차이는 제 2 절연층과 마이크로패턴 코일 간의 열팽창계수 차이 보다 더 작다. The method of manufacturing the actuator coil structure includes disposing a base layer on a substrate capable of transmitting light; forming a conductive micropatterned coil on the base layer; forming an insulating layer that fills the space between the micropatterned coils and covers the micropatterned coils; and lowering the adhesive force between the base layer and the substrate by irradiating light to the substrate, thereby separating the actuator coil structure including the base layer and the micropattern coil on the base layer and the insulating layer from the substrate; Including, wherein the insulating layer is a hybrid insulating layer in which different first insulating layers and second insulating layers are sequentially stacked, and the difference in the coefficient of thermal expansion between the first insulating layer and the micropatterned coil is the second insulating layer and the micropatterned coil. smaller than the difference in the coefficient of thermal expansion between them.

상기 액추에이터 코일 구조체의 제조방법에서, 제 1 절연층은 포토레지스트이며, 제 2 절연층은 폴리이미드일 수 있다. In the method of manufacturing the actuator coil structure, the first insulating layer may be a photoresist, and the second insulating layer may be polyimide.

상기 액추에이터 코일 구조체의 제조방법에서, 제 2 절연층을 구성하는 폴리이미드는 광감성 폴리이미드를 포함할 수 있다. In the method of manufacturing the actuator coil structure, the polyimide constituting the second insulating layer may include a photosensitive polyimide.

상기 액추에이터 코일 구조체의 제조방법에서,제 1 절연층은 제 1 포토레지스트이며, 제 2 절연층은 제 2 포토레지스트일 수 있다. In the method of manufacturing the actuator coil structure, the first insulating layer may be a first photoresist, and the second insulating layer may be a second photoresist.

상기 액추에이터 코일 구조체의 제조방법은, 마이크로패턴 코일의 적어도 일부 상에 비아 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method of manufacturing the actuator coil structure may further include forming a via pattern on at least a portion of the micropatterned coil.

상기 액추에이터 코일 구조체의 제조방법에서, 비아 패턴은 마이크로패턴 코일의 적어도 일부 상에 형성된 제 1 절연층 및 제 2 절연층을 관통하는 패턴일 수 있다. In the method of manufacturing the actuator coil structure, the via pattern may be a pattern penetrating the first insulating layer and the second insulating layer formed on at least a portion of the micropatterned coil.

상기 액추에이터 코일 구조체의 제조방법에서, 비아 패턴은 마이크로패턴 코일의 적어도 일부 상에 형성된 제 2 절연층을 관통하는 패턴일 수 있다. In the method of manufacturing the actuator coil structure, the via pattern may be a pattern penetrating the second insulating layer formed on at least a portion of the micropatterned coil.

상기 액추에이터 코일 구조체의 제조방법에서, 제 2 절연층은 폴리이미드를 포함하고, 제 2 절연층을 형성하는 단계는 PAA와 솔벤트의 혼합물을 코팅한 후에 제 1 온도까지 열을 인가하여 가경화하는 제 1 단계 및 제 1 온도보다 높은 제 2 온도에서 가열하여 완전경화하는 제 2 단계를 포함하되, 비아 패턴을 형성하기 위하여 제 2 절연층을 관통하는 공정은 상기 제 1 단계 후 상기 제 2 단계 전에 수행할 수 있다. In the method of manufacturing the actuator coil structure, the second insulating layer includes polyimide, and the forming of the second insulating layer includes coating a mixture of PAA and a solvent and then applying heat to a first temperature to perform pre-curing. Including the first step and a second step of fully curing by heating at a second temperature higher than the first temperature, wherein the process of penetrating the second insulating layer to form a via pattern is performed after the first step and before the second step can do.

상기 액추에이터 코일 구조체의 제조방법에서, 하이브리드 절연층을 구성하는 제 1 절연층의 높이는 마이크로패턴 코일의 높이보다 더 높을 수 있다. In the method of manufacturing the actuator coil structure, the height of the first insulating layer constituting the hybrid insulating layer may be higher than the height of the micropattern coil.

상기 액추에이터 코일 구조체의 제조방법에서, 하이브리드 절연층을 구성하는 제 1 절연층의 높이는 마이크로패턴 코일의 높이와 동일할 수 있다. In the method of manufacturing the actuator coil structure, the height of the first insulating layer constituting the hybrid insulating layer may be the same as the height of the micropatterned coil.

상기 액추에이터 코일 구조체의 제조방법에서, 하이브리드 절연층을 구성하는 제 1 절연층의 높이는 마이크로패턴 코일의 높이보다 더 낮을 수 있다. In the method of manufacturing the actuator coil structure, the height of the first insulating layer constituting the hybrid insulating layer may be lower than the height of the micropattern coil.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 촬영된 이미지의 품질을 개선하면서 동시에 제조원가를 절감할 수있는 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일 구조체의 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention made as described above, it is possible to implement a method of manufacturing an actuator coil structure for camera auto-focus and anti-shake function that can reduce manufacturing cost while improving the quality of a photographed image. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일을 포함하는 카메라 모듈을 도해하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일 구조체를 도해한 도면이다.
도 3a 내지 도 3o는 본 발명의 일 실시예에 따른 액추에이터 코일 구조체의 제조방법을 순차적으로 도해하는 도면들이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액추에이터 코일 구조체에서 각 층의 마이크로패턴 코일과 이를 상하로 연결하는 비아 패턴의 연결 구조를 도해하는 도면이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 서로 상하로 이격된 복수층의 마이크로패턴 코일이 오버랩된 형태를 도해하는 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액추에이터 코일 구조체에서 각 층의 마이크로패턴 코일과 이를 상하로 연결하는 비아 패턴의 연결 구조를 도해하는 도면이다.
도 5b는 도 5a에 도시된 서로 상하로 이격된 복수층의 마이크로패턴 코일이 오버랩된 형태를 도해하는 평면도이다.
도 6a는 사각 기판 사용시 개개의 코일이 복수로 형성된 구조체를 도해하는 도면이고, 도 6b는 사각 기판 상에 복수로 어레이 배열된 코일 구조체를 분리하여 개별화하기 위한 사각 기판 상의 분리영역(45)을 도해하는 도면이고, 도 6c는 도 6a에 개시된 구조체에서 박리(delamination) 후 수득한 코일 시트(coil sheet)를 도해하는 도면이다.
도 7a는 웨이퍼 기판 사용시 개개의 코일이 형성된 구조체를 도해하는 도면이고, 도 7b는 웨이퍼 기판 상에 복수로 어레이 배열된 코일 구조체를 분리하여 개별화하기 위한 웨이퍼 기판 상의 분리영역(45)을 도해하는 도면이고, 도 7c는 도 7a에 개시된 구조체에서 박리(delamination) 후 수득한 코일 시트(coil sheet)를 도해하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 비교예에 따른 개별화 공정을 나타내는 순서도이고, 도 9a 내지 도 9e는 본 발명의 비교예에 따른 개별화 공정을 순차적으로 도해하는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 개별화 공정을 나타내는 순서도이고, 도 11a 내지 도 11e는 본 발명의 실시예에 따른 개별화 공정을 순차적으로 도해하는 단면도이다.
도 12는 하우징의 일측면의 형상과 코일 구조체의 여러 형상을 비교하여 나타낸 도면이다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 실시예에 따른 제조방법을 실제로 적용한 일부 단계에서의 구조를 촬영한 사진들이다.
도 15는 도금층 패턴과 폴리이미드 절연층 간의 열팽창계수의 차이 등에 의하여 유발되는 크랙을 촬영한 사진들이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 기술적 사상에 따른 액추에이터 코일 구조체의 제조방법 중 일부를 도해하는 순서도이다.
도 17a 내지 도 17d는 본 발명의 또 다른 기술적 사상에 따른 액추에이터 코일 구조체의 제조방법의 일 예를 순차적으로 도해하는 도면들이다.
도 18은 도 17a 내지 도 17d에 개시된 제조방법을 적용한 구조를 촬영한 사진들이다.
도 19a 내지 도 19b는 본 발명의 또 다른 기술적 사상에 따른 액추에이터 코일 구조체의 제조방법의 다른 예를 순차적으로 도해하는 도면들이다.
도 20a 내지 도 20c는 본 발명의 또 다른 기술적 사상에 따른 액추에이터 코일 구조체의 제조방법의 또 다른 예를 순차적으로 도해하는 도면들이다.
1 is a diagram illustrating a camera module including an actuator coil for camera auto-focus and anti-shake function.
2 is a diagram illustrating an actuator coil structure for a camera auto-focus and anti-shake function according to an embodiment of the present invention.
3A to 3O are views sequentially illustrating a method of manufacturing an actuator coil structure according to an embodiment of the present invention.
4A is a diagram illustrating a connection structure of a micro-pattern coil of each layer and a via pattern connecting it vertically in the actuator coil structure according to an embodiment of the present invention.
4B is a plan view illustrating an overlapping form of a plurality of layers of micropatterned coils spaced up and down from each other shown in FIG. 4A .
5A is a diagram illustrating a connection structure of a micro-pattern coil of each layer and a via pattern connecting it up and down in the actuator coil structure according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5B is a plan view illustrating an overlapping form of a plurality of layers of micropatterned coils spaced up and down from each other shown in FIG. 5A .
6A is a diagram illustrating a structure in which a plurality of individual coils are formed when a rectangular substrate is used, and FIG. 6B is an isolation region 45 on a rectangular substrate for separating and individualizing a plurality of coil structures arranged in an array on the rectangular substrate. 6c is a diagram illustrating a coil sheet obtained after delamination in the structure disclosed in FIG. 6a.
7A is a diagram illustrating a structure in which individual coils are formed when using a wafer substrate, and FIG. 7B is a diagram illustrating an isolation region 45 on a wafer substrate for separating and individualizing a plurality of arrayed coil structures on a wafer substrate and FIG. 7C is a diagram illustrating a coil sheet obtained after delamination in the structure disclosed in FIG. 7A.
8 is a flowchart illustrating the individualization process according to the comparative example of the present invention, and FIGS. 9A to 9E are cross-sectional views sequentially illustrating the individualization process according to the comparative example of the present invention.
10 is a flowchart illustrating the individualization process according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 11A to 11E are cross-sectional views sequentially illustrating the individualization process according to an embodiment of the present invention.
12 is a view showing a comparison between the shape of one side of the housing and various shapes of the coil structure.
13 and 14 are photographs of structures in some stages in which the manufacturing method according to an embodiment of the present invention is actually applied.
15 is a photograph of cracks caused by a difference in thermal expansion coefficient between a plating layer pattern and a polyimide insulating layer.
16 is a flowchart illustrating a part of a method of manufacturing an actuator coil structure according to another technical idea of the present invention.
17A to 17D are views sequentially illustrating an example of a method of manufacturing an actuator coil structure according to another technical idea of the present invention.
18 is a photograph of a structure to which the manufacturing method disclosed in FIGS. 17A to 17D is applied.
19A to 19B are views sequentially illustrating another example of a method of manufacturing an actuator coil structure according to another technical idea of the present invention.
20A to 20C are views sequentially illustrating another example of a method of manufacturing an actuator coil structure according to another technical idea of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, several preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.Examples of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art, and the following examples may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is as follows It is not limited to an Example. Rather, these embodiments are provided so as to more fully and complete the present disclosure, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. In addition, in the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated for convenience and clarity of description.

명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접합하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.Throughout the specification, when referring to one component, such as a film, region, or substrate, being located “on,” “connected,” “stacked,” or “coupled to,” another component, the one component It may be construed that an element may be directly “on”, “connected”, “stacked” or “coupled” to another component, or there may be other components interposed therebetween. On the other hand, when it is stated that one element is located "directly on", "directly connected to," or "directly coupled to" another element, it is construed that there are no other elements interposed therebetween. do. Like numbers refer to like elements. As used herein, the term “and/or” includes any one and any combination of one or more of those listed items.

본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various members, parts, regions, layers and/or parts, these members, parts, regions, layers, and/or parts are limited by these terms so that they It is self-evident that These terms are used only to distinguish one member, component, region, layer or portion from another region, layer or portion. Thus, a first member, component, region, layer or portion discussed below may refer to a second member, component, region, layer or portion without departing from the teachings of the present invention.

또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면(turned over), 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.Also, relative terms such as "above" or "above" and "below" or "below" may be used herein to describe the relationship of certain elements to other elements as illustrated in the drawings. It may be understood that relative terms are intended to include other orientations of the element in addition to the orientation depicted in the drawings. For example, if an element is turned over in the figures, elements depicted as being on the face above the other elements will have orientation on the face below the other elements. Thus, the term “top” by way of example may include both “bottom” and “top” directions depending on the particular orientation of the drawing. If the element is oriented in a different orientation (rotated 90 degrees relative to the other orientation), the relative descriptions used herein may be interpreted accordingly.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is used to describe specific embodiments, not to limit the present invention. As used herein, the singular form may include the plural form unless the context clearly dictates otherwise. Also, as used herein, “comprise” and/or “comprising” refers to the presence of the recited shapes, numbers, steps, actions, members, elements, and/or groups of those specified. and does not exclude the presence or addition of one or more other shapes, numbers, movements, members, elements and/or groups.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically illustrating ideal embodiments of the present invention. In the drawings, variations of the illustrated shape can be envisaged, for example depending on manufacturing technology and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the inventive concept should not be construed as limited to the specific shape of the region shown in the present specification, but should include, for example, changes in shape caused by manufacturing.

도 1은 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일을 포함하는 카메라 모듈을 도해하는 도면이다.1 is a diagram illustrating a camera module including an actuator coil for camera auto-focus and anti-shake function.

도 1을 참조하면, 카메라 모듈(1000)은 이미지 소자칩 등이 실장된 메인보드(300); 메인보드(300) 상에 배치된 렌즈 경통(200); 및 렌즈 경통(200)을 둘러싼 하우징(400);을 포함한다. 렌즈 경통(200)의 주변에는 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일 구조체(100)가 배치되어 있다. 이하에서는, 본 발명의 실시예에 의한 액추에이터 코일 구조체 및 그 제조방법을 설명한다. Referring to FIG. 1 , the camera module 1000 includes a main board 300 on which an image device chip is mounted; a lens barrel 200 disposed on the main board 300; and a housing 400 surrounding the lens barrel 200 . An actuator coil structure 100 for camera auto-focus and anti-shake function is disposed around the lens barrel 200 . Hereinafter, an actuator coil structure and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일 구조체를 도해한 도면이다. 도 2의 (a)는 액추에이터 코일 구조체(100)를 구성하는 서로 상하로 이격된 복수층의 마이크로패턴 코일(22)이 오버랩된 형태를 도해하는 평면도이고, 도 2의 (b)는 (a)의 A - B - B'- A'라인을 따라 절취한 액추에이터 코일 구조체(100)의 단면을 도해한 단면도이고, 도 2의 (c)는 (b)에 도시된 R1 영역을 확대하여 도해한 확대도이다. 2 is a diagram illustrating an actuator coil structure for a camera auto-focus and anti-shake function according to an embodiment of the present invention. (a) of Figure 2 is a plan view illustrating the overlapping form of a plurality of layers of micropatterned coils 22 spaced up and down from each other constituting the actuator coil structure 100, (b) is (a) A cross-sectional view illustrating a cross-section of the actuator coil structure 100 taken along the line A-B-B'-A' of it is do

도 2를 참조하면, 서로 상하로 이격된, 예를 들어, 4개 층의 서브 마이크로패턴 코일이 배치된다. 물론, 4개 층은 예시적인 경우이며, 임의의 복수층으로 배치될 수 있다. 마이크로패턴 코일(22)을 구성하는 각각의 서브 마이크로패턴 코일은 시계방향 및 반시계방향 중 선택된 어느 하나의 방향인 제 1 방향으로 연결되어 신장하되 1 회 이상의 턴(turn) 수를 구현한다. 도 2에서는, 예를 들어, 6 회의 턴 수를 구현한다. 한편, 각 층의 서브 마이크로패턴 코일은 제 1 방향으로 신장하면서 복수회의 턴 수를 구현하는 과정에서 인접한 패턴 간에 접촉하지 않고 좌우로 이격되어 배치된다. 한편, 도시하지는 않았으나, 인접한 각 층의 서브 마이크로패턴 코일을 상하로 연결하는 비아 패턴이 도입된다. 마이크로패턴 코일(22)의 이격 공간은 절연층(42)으로 충전(filling)될 수 있다. Referring to FIG. 2 , sub-micropattern coils of, for example, four layers are disposed spaced apart from each other up and down. Of course, the four layers are exemplary cases, and may be arranged in any plurality of layers. Each sub-micropattern coil constituting the micropattern coil 22 is connected in a first direction, which is a direction selected from a clockwise direction and a counterclockwise direction, and extends, but implements the number of turns of one or more times. In Figure 2, for example, six turns are implemented. Meanwhile, the sub-micropattern coils of each layer are spaced apart from each other left and right without contact between adjacent patterns in the process of implementing a plurality of turns while extending in the first direction. Meanwhile, although not shown, a via pattern for vertically connecting sub-micropattern coils of adjacent layers is introduced. A space between the micropatterned coils 22 may be filled with an insulating layer 42 .

구체적으로, 본 발명자는 전기 도금 공정을 이용하여 각 층의 서브 마이크로패턴 코일의 높이(L1)와 폭(L2)를 각각 약 50㎛ 및 25㎛로 구현하였으며, 각 층의 서브 마이크로패턴 코일에서 코일 간 좌우로 이격된 거리(L3)는 약 5㎛로 구현하였으며, 복수층의 서브 마이크로패턴 코일에서 코일 간 상하로 이격된 거리(L4)는 약 10㎛로 구현하였다. 이러한 수치값을 측정함에 있어서, 서브 마이크로패턴 코일은 후술할 시드층을 포함하여 측정한 것이다. Specifically, the present inventors implemented the height (L1) and width (L2) of the sub micropattern coil of each layer to be about 50 μm and 25 μm, respectively, using an electroplating process, and the coil in the sub micro pattern coil of each layer The distance L3 spaced apart from side to side was realized to be about 5 μm, and the distance L4 spaced up and down between the coils in the multi-layered sub micropattern coil was realized to be about 10 μm. In measuring these numerical values, the sub micropattern coil is measured including a seed layer to be described later.

이러한 구성에 따르면, 복수층의 마이크로패턴 코일(22) 중에서 최상층(또는 최하층)에 배치된 서브 마이크로패턴 코일에 전류가 흘러들어가 최하층(또는 최상층)에 배치된 서브 마이크로패턴 코일을 통하여 전류가 흘러나가는 과정에서 유도자기장이 생성될 수 있다. 생성된 유도자기장은 액추에이터 코일 구조체(100) 주변에 배치된 카메라 렌즈 구조체의 위치를 제어할 수 있으며, 카메라 렌즈 구조체의 위치를 제어함으로써 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 수행할 수 있다. According to this configuration, a current flows into the sub micropattern coil disposed in the uppermost layer (or the lowest layer) among the micropattern coils 22 of the plurality of layers, and the current flows through the sub micropattern coil disposed in the lowest layer (or the uppermost layer) In the process, an induced magnetic field may be generated. The generated induced magnetic field may control the position of the camera lens structure disposed around the actuator coil structure 100, and by controlling the position of the camera lens structure, it is possible to perform a camera autofocus and anti-shake function.

도 3a 내지 도 3o는 본 발명의 일 실시예에 따른 액추에이터 코일 구조체의 제조방법을 순차적으로 도해하는 도면들이다. 3A to 3O are views sequentially illustrating a method of manufacturing an actuator coil structure according to an embodiment of the present invention.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 기판(10)은 글래스, 사파이어 등 광(예를 들어, 자외선)에 대해 투명한 기판을 포함할 수 있다. 기판(10) 상에 폴리이미드(Polyimide)를 포함하는 기저층(41)을 배치한다. 변형된 실시예로서, 기저층(41)은 폴리이미드 전구체와 감광성 물질을 혼합하여 형성된 감광성 폴리이미드를 포함할 수 있거나 포토레지스트를 포함할 수도 있다. 기저층(41)의 두께는, 예를 들어, 5㎛ 내지 200㎛일 수 있다. 3A and 3B , the substrate 10 may include a substrate transparent to light (eg, ultraviolet rays) such as glass and sapphire. A base layer 41 including polyimide is disposed on the substrate 10 . In a modified embodiment, the base layer 41 may include a photosensitive polyimide formed by mixing a polyimide precursor and a photosensitive material, or may include a photoresist. The thickness of the base layer 41 may be, for example, 5 μm to 200 μm.

한편, 기저층(41)의 적어도 일면 상에 자외선경화형 광반응성 고분자 물질층(15)을 배치할 수도 있다. 자외선경화형 광반응성 고분자 물질층(15)은 기저층(41)의 적어도 일면 상에 도포 공정으로 형성될 수 있다. 자외선경화형 광반응성 고분자 물질층(15)에 자외선을 조사하는 경우, 기판(10)과 자외선경화형 광반응성 고분자 물질층(15) 간의 접착력이 낮아져, 기판(10)과 기저층(41)이 분리될 수 있다. Meanwhile, the UV-curable photoreactive polymer material layer 15 may be disposed on at least one surface of the base layer 41 . The UV-curable photoreactive polymer material layer 15 may be formed on at least one surface of the base layer 41 by a coating process. When the UV-curable photoreactive polymer material layer 15 is irradiated with UV light, the adhesion between the substrate 10 and the UV-curable photoreactive polymer material layer 15 is lowered, so that the substrate 10 and the base layer 41 may be separated. have.

예를 들어, 기판과 접착되는 면에 자외선경화형 광반응성 고분자 물질층이 도포되어 있는 폴리이미드 UV 테이프를 라미네이팅할 수 있다. 또는, 양면에 자외선경화형 광반응성 고분자 물질층이 도포되어 있는 UV 테이프를 라미네이팅한 후, 폴리이미드 필름을 연속으로 라미네이팅할 수 있다. For example, a polyimide UV tape having a UV-curable photoreactive polymer material layer applied to the surface to be adhered to the substrate may be laminated. Alternatively, after laminating the UV tape on which the UV-curable photoreactive polymer material layer is applied on both sides, the polyimide film may be continuously laminated.

계속하여, 폴리이미드층 기저층(41) 상에 구리(Cu) 전기 도금을 위한 시드층(21, Seed layer)을 형성할 수 있다. 시드층(21)은 스퍼터링(Sputtering) 공정, 진공증착 공정 또는 무전해도금 공정으로 형성할 수 있다. 스퍼터링(Sputtering) 공정이나 진공증착 공정을 적용하는 경우 구리(Cu) 전기 도금을 위한 시드층(21)은 Ti/Cu의 연속막 또는 NiCr/Cu의 연속막을 포함할 수 있다. Subsequently, a seed layer 21 for copper (Cu) electroplating may be formed on the polyimide base layer 41 . The seed layer 21 may be formed by a sputtering process, a vacuum deposition process, or an electroless plating process. When a sputtering process or a vacuum deposition process is applied, the seed layer 21 for copper (Cu) electroplating may include a continuous layer of Ti/Cu or a continuous layer of NiCr/Cu.

도 3c를 참조하면, 시드층(21) 상에 포토레지스트 패턴(32a)을 형성한다. 예를 들어, 포토레지스트 패턴(32a)은 두께가 1㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 구체적으로, 포토레지스트 패턴(32a)은 두께가 50㎛일 수 있다. 포토레지스트 패턴(32a)의 이격 거리(space)는 1㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 포토레지스트 패턴(32a)의 폭은 1㎛ 내지 20㎛일 수 있다. Referring to FIG. 3C , a photoresist pattern 32a is formed on the seed layer 21 . For example, the photoresist pattern 32a may have a thickness of 1 μm to 100 μm. Specifically, the photoresist pattern 32a may have a thickness of 50 μm. A space between the photoresist patterns 32a may be 1 μm to 50 μm. The width of the photoresist pattern 32a may be 1 μm to 20 μm.

도 3d를 참조하면, 시드층(21) 상에 구리 전기 도금 공정을 수행하여, 도전성의 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)을 형성한다. 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)은 포토레지스트 패턴(32a)의 빈 공간에 형성되므로, 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)의 폭, 두께, 이격거리는 포토레지스트 패턴(32a)의 이격거리, 두께, 폭에 연동된다. 예를 들어, 도금층인 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)의 두께는 1㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 구체적으로, 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)의 두께는 50㎛일 수 있다. 한편, 단면 상에서는 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)은 좌우로 서로 이격되어 도시되어 있으나, 실제로는 복수회(예를 들어, 도 3d에서 15회)의 턴 수를 구현하면서 일체로 서로 연결되어 있음은 앞에서 설명하였다. 한편, 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)의 일단부에는 제 1 전극 연결부(23a)가 구리 전기 도금 공정으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 3D , a copper electroplating process is performed on the seed layer 21 to form a conductive first sub-micropattern coil 22a. Since the first sub micropattern coil 22a is formed in the empty space of the photoresist pattern 32a, the width, thickness, and separation distance of the first sub micropattern coil 22a are the separation distance and thickness of the photoresist pattern 32a. , is linked to the width. For example, the thickness of the first sub-micropattern coil 22a serving as the plating layer may be 1 μm to 100 μm. Specifically, the thickness of the first sub micropattern coil 22a may be 50 μm. On the other hand, in the cross-section, the first sub-micropattern coils 22a are shown to be spaced apart from each other on the left and right, but in reality they are integrally connected to each other while implementing a plurality of turns (eg, 15 times in FIG. 3D ). has been described previously. Meanwhile, the first electrode connection part 23a may be formed at one end of the first sub micropattern coil 22a by a copper electroplating process.

도 3e를 참조하면, 도금층인 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a) 및 제 1 전극 연결부(23a)를 형성한 후에 포토레지스트 패턴(32a)을 제거한다.Referring to FIG. 3E , the photoresist pattern 32a is removed after the first sub micropattern coil 22a and the first electrode connection part 23a, which are plating layers, are formed.

도 3f를 참조하면, 시드층(21) 중에서 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a) 사이에 노출된 시드층의 일부를 제거함으로써 제 1 시드층 패턴(21a)을 형성한다. 예를 들어, 구리 식각액으로 구리 시드층(21)의 일부를 제거할 수 있다. 시드층(21)의 일부를 제거한 후에 구리 도금층의 폭이 기준값보다 작은 경우 부족한 폭 만큼 추가 전기 도금 공정을 수행하여 도전성의 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a) 상에 추가 도금층을 형성할 수도 있다. Referring to FIG. 3F , a first seed layer pattern 21a is formed by removing a portion of the seed layer exposed between the first sub-micropattern coils 22a in the seed layer 21 . For example, a portion of the copper seed layer 21 may be removed with a copper etchant. If the width of the copper plating layer is smaller than the reference value after removing a portion of the seed layer 21, an additional plating layer may be formed on the conductive first sub-micropattern coil 22a by performing an additional electroplating process as much as the insufficient width.

도 3g를 참조하면, 제 1 시드층 패턴(21a) 및 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)의 좌우 이격된 이격공간을 충전하는 제 1 절연층(42a)을 형성한다. 절연층 소재는 포토레지스트 또는 폴리이미드를 포함할 수 있다. 절연층을 도포한 후 노광공정을 이용하여 제 1 전극 연결부(23a)를 오픈할 수 있다. 절연층을 형성한 후에, 자외선(UV), 전자빔(Electron Beam)을 이용한 저온(< 180℃) 경화를 수행할 수 있다. Referring to FIG. 3G , a first insulating layer 42a filling the left and right spaced apart spaces of the first seed layer pattern 21a and the first sub micropattern coil 22a is formed. The insulating layer material may include photoresist or polyimide. After the insulating layer is applied, the first electrode connection part 23a may be opened using an exposure process. After forming the insulating layer, low-temperature (<180° C.) curing may be performed using ultraviolet (UV) or electron beam.

도 3h를 참조하면, 제 1 절연층(42a) 및 제 1 전극 연결부(23a) 상에 구리 도금을 위한 제 2 시드층(21)을 형성한다. Referring to FIG. 3H , a second seed layer 21 for copper plating is formed on the first insulating layer 42a and the first electrode connection part 23a.

도 3i를 참조하면, 제 2 시드층(21) 상에 제 2 포토레지스트 패턴(32b)을 형성한다. 예를 들어, 제 2 포토레지스트 패턴(32b)은 두께가 1㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 구체적으로, 제 2 포토레지스트 패턴(32b)은 두께가 50㎛일 수 있다. 제 2 포토레지스트 패턴(32b)의 이격 거리(space)는 1㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 제 2 포토레지스트 패턴(32b)의 폭은 1㎛ 내지 20㎛일 수 있다. Referring to FIG. 3I , a second photoresist pattern 32b is formed on the second seed layer 21 . For example, the second photoresist pattern 32b may have a thickness of 1 μm to 100 μm. Specifically, the second photoresist pattern 32b may have a thickness of 50 μm. A space between the second photoresist patterns 32b may be 1 μm to 50 μm. The width of the second photoresist pattern 32b may be 1 μm to 20 μm.

도 3j를 참조하면, 제 2 시드층(21) 상에 구리 전기 도금 공정을 수행하여, 도전성의 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b)을 형성한다. 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b)은 제 2 포토레지스트 패턴(32b)의 빈 공간에 형성되므로, 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b)의 폭, 두께, 이격거리는 제 2 포토레지스트 패턴(32b)의 이격거리, 두께, 폭에 연동된다. 예를 들어, 도금층인 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b)의 두께는 1㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 구체적으로, 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b)의 두께는 50㎛일 수 있다. 한편, 단면 상에서는 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b)은 좌우로 서로 이격되어 도시되어 있으나, 실제로는 복수회(예를 들어, 도 3j에서 15회)의 턴 수를 구현하면서 일체로 서로 연결되어 있음은 앞에서 설명하였다. 한편, 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b)의 일단부에는 제 2 전극 연결부(23b)가 구리 전기 도금 공정으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 3J , a copper electroplating process is performed on the second seed layer 21 to form a conductive second sub micropattern coil 22b. Since the second sub micropattern coil 22b is formed in the empty space of the second photoresist pattern 32b, the width, thickness, and spacing of the second sub micropattern coil 22b are the same as those of the second photoresist pattern 32b. It is linked to the separation distance, thickness, and width. For example, the thickness of the second sub micropattern coil 22b serving as the plating layer may be 1 μm to 100 μm. Specifically, the thickness of the second sub micropattern coil 22b may be 50 μm. On the other hand, in the cross-section, the second sub-micropattern coils 22b are shown to be spaced apart from each other on the left and right, but in reality they are integrally connected to each other while implementing a plurality of turns (for example, 15 times in FIG. 3J). has been described previously. Meanwhile, the second electrode connection part 23b may be formed at one end of the second sub micropattern coil 22b by a copper electroplating process.

도 3k를 참조하면, 도금층인 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b) 및 제 2 전극 연결부(23b)를 형성한 후에 제 2 포토레지스트 패턴(32b)을 제거한다.Referring to FIG. 3K , the second photoresist pattern 32b is removed after the second sub micropattern coil 22b and the second electrode connection part 23b, which are plating layers, are formed.

도 3l를 참조하면, 제 2 시드층(21) 중에서 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b) 사이에 노출된 시드층의 일부를 제거함으로써 제 2 시드층 패턴(21b)을 형성한다. 예를 들어, 구리 식각액으로 구리 시드층(21)의 일부를 제거할 수 있다. 시드층(21)의 일부를 제거한 후에 구리 도금층의 폭이 기준값보다 작은 경우 부족한 폭 만큼 추가 전기 도금 공정을 수행하여 도전성의 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b) 상에 추가 도금층을 형성할 수도 있다. Referring to FIG. 3L , the second seed layer pattern 21b is formed by removing a portion of the seed layer exposed between the second sub-micropattern coils 22b in the second seed layer 21 . For example, a portion of the copper seed layer 21 may be removed with a copper etchant. If the width of the copper plating layer is smaller than the reference value after removing a part of the seed layer 21 , an additional plating layer may be formed on the conductive second sub micropattern coil 22b by performing an additional electroplating process as much as the insufficient width.

도 3m을 참조하면, 제 2 시드층 패턴(21b) 및 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b)의 좌우 이격된 이격공간을 충전하는 제 2 절연층(42b)을 형성한다. 절연층 소재는 포토레지스트 또는 폴리이미드를 포함할 수 있다. 절연층을 도포한 후 노광공정을 이용하여 제 2 전극 연결부(23b)를 오픈할 수 있다. 절연층을 형성한 후에, 자외선(UV), 전자빔(Electron Beam)을 이용한 저온(< 180℃) 경화를 수행할 수 있다. Referring to FIG. 3M , a second insulating layer 42b filling the left and right spaced apart spaces of the second seed layer pattern 21b and the second sub micropattern coil 22b is formed. The insulating layer material may include photoresist or polyimide. After the insulating layer is applied, the second electrode connection part 23b may be opened using an exposure process. After forming the insulating layer, low-temperature (<180° C.) curing may be performed using ultraviolet (UV) or electron beam.

도 3n을 참조하면, 상술한 과정을 반복하여, 시드층과 마이크로패턴 코일을 형성하여 도전 코일(20)을 구현할 수 있다. 구체적으로, 상기 시드층은 제 1 시드층(21a), 제 2 시드층(21b), 제 3 시드층(21c) 및 제 4 시드층(21d)이 순차적으로 배열되어 구성되며, 상기 마이크로패턴 코일은 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a), 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b), 제 3 서브 마이크로패턴 코일(22c) 및 제 4 서브 마이크로패턴 코일(22d)이 순차적으로 배열되어 구성된다. 한편, 전극 연결부(23)는 제 1 전극 연결부(23a), 제 2 전극 연결부(23b), 제 3 전극 연결부(23c), 제 4 전극 연결부(23d)가 순차적으로 배열되어 구성된다. Referring to FIG. 3N , the conductive coil 20 may be implemented by repeating the above-described process to form a seed layer and a micropatterned coil. Specifically, the seed layer is configured by sequentially arranging a first seed layer 21a, a second seed layer 21b, a third seed layer 21c, and a fourth seed layer 21d, and the micropattern coil The silver first sub micropattern coil 22a, the second sub micropattern coil 22b, the third sub micropattern coil 22c, and the fourth sub micropattern coil 22d are sequentially arranged. Meanwhile, the electrode connection part 23 is configured by sequentially arranging the first electrode connection part 23a, the second electrode connection part 23b, the third electrode connection part 23c, and the fourth electrode connection part 23d.

도전 코일(20)을 구성하는 각 층은 절연층에 의하여 전기적으로 절연된다. 예를 들어, 제 1 층의 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)과 제 2 층의 제 2 시드층(21b)은 절연층으로 전기적으로 절연되며, 제 2 층의 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b)과 제 3 층의 제 3 시드층(21c)은 절연층으로 전기적으로 절연된다. 구체적으로, 상기 절연층(40)은 기저층(41), 제 1 절연층(42a), 제 2 절연층(42b), 제 3 절연층(42c) 및 제 4 절연층(42d)이 순차적으로 배열되어 구성된다. Each layer constituting the conductive coil 20 is electrically insulated by an insulating layer. For example, the first sub-micropatterned coil 22a of the first layer and the second seed layer 21b of the second layer are electrically insulated by an insulating layer, and the second sub-micropatterned coil 22b of the second layer is electrically insulated. ) and the third seed layer 21c of the third layer are electrically insulated with an insulating layer. Specifically, in the insulating layer 40, a base layer 41, a first insulating layer 42a, a second insulating layer 42b, a third insulating layer 42c, and a fourth insulating layer 42d are sequentially arranged. is made up of

한편, 전극 연결부(23)를 구성하는 각 층은 접촉되어 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제 1 층의 제 1 전극 연결부(23a)와 제 2 층의 제 2 시드층(21b)은 접촉되어 전기적으로 연결되며, 제 2 층의 제 2 전극 연결부(23b)와 제 3 층의 제 3 시드층(21c)은 접촉되어 전기적으로 연결된다. On the other hand, each layer constituting the electrode connection portion 23 is electrically connected by contact. For example, the first electrode connection portion 23a of the first layer and the second seed layer 21b of the second layer are electrically connected to each other, and the second electrode connection portion 23b of the second layer and the third layer are electrically connected. of the third seed layer 21c is electrically connected to each other.

도 3o를 참조하면, 기판(10)을 기저층(41)과 분리하여 제거한다. 만약, 기판(10)이 광(예를 들어, 자외선)을 투과시킬 수 있는 기판이며, 기저층(41)의 적어도 일면 상에 자외선경화형 광반응성 고분자 물질층(15)을 배치하는 경우, 기판(10)에 광(예를 들어, 자외선)을 조사하여 자외선경화형 광반응성 고분자 물질층(15)과 기판(10)과의 접착력이 낮아지는 현상을 이용하여 기판(10)과 기저층(41)을 분리할 수 있다. Referring to FIG. 3O , the substrate 10 is removed by separating it from the base layer 41 . If the substrate 10 is a substrate capable of transmitting light (eg, ultraviolet rays), and the ultraviolet curing type photoreactive polymer material layer 15 is disposed on at least one surface of the base layer 41 , the substrate 10 ) to separate the substrate 10 and the base layer 41 by irradiating light (for example, ultraviolet rays) to the UV-curable photoreactive polymer material layer 15 and the phenomenon in which the adhesion between the substrate 10 is lowered. can

그러나, 본 발명의 기술적 사상에 의한 기판(10)과 기저층(41) 사이의 분리 공정은 이에 한정되는 것은 아니며, 그 외의 다른 실시예도 가능하다. 예를 들어, 자외선경화형 광반응성 고분자 물질층(15)을 도입하지 않고 기판(10)과 기저층(41) 사이의 계면에 레이저를 조사하여 기판(10)과 기저층(41)을 분리할 수도 있다. However, the separation process between the substrate 10 and the base layer 41 according to the technical spirit of the present invention is not limited thereto, and other embodiments are possible. For example, the substrate 10 and the base layer 41 may be separated by irradiating a laser to the interface between the substrate 10 and the base layer 41 without introducing the UV-curable photoreactive polymer material layer 15 .

도 3o에 도시된 구조는 도 2의 (b)에 도시된 카메라 자동초점 또는 손떨림방지를 위한 액추에이터 코일 구조체(100)의 좌측 또는 우측 구성에 대응될 수 있다. 양단에는 전극 연결부(23)가 배치될 수 있다. 서브 마이크로패턴 코일의 적층수나 복수회의 턴 수는 적절히 변형이 가능하다. The structure shown in FIG. 3O may correspond to the left or right configuration of the actuator coil structure 100 for camera autofocus or camera shake prevention shown in FIG. 2B . The electrode connection parts 23 may be disposed at both ends. The number of stacked sub micropattern coils and the number of turns of the plurality of turns can be appropriately modified.

도 4a 및 도 5a는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 액추에이터 코일 구조체에서 각 층의 마이크로패턴 코일과 이를 상하로 연결하는 비아 패턴의 연결 구조를 도해하는 도면이고, 도 4b 및 도 5b는 도 4a 및 도 5a에 도시된 서로 상하로 이격된 복수층의 마이크로패턴 코일이 오버랩된 형태를 도해하는 평면도이다. 4A and 5A are diagrams illustrating a connection structure of a micropattern coil of each layer and a via pattern connecting it up and down in an actuator coil structure according to various embodiments of the present invention, FIGS. 4B and 5B are FIG. 4A And it is a plan view illustrating an overlapping form of a plurality of layers of micropatterned coils spaced up and down from each other as shown in FIG. 5A .

도 4a 및 도 5a를 참조하면, 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a), 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b), 제 3 서브 마이크로패턴 코일(22c) 및 제 4 서브 마이크로패턴 코일(22d)이 상하로 서로 이격되어 배치되되, 각각, 제 1 비아 패턴(22a_v), 제 2 비아 패턴(22b_v), 제 3 비아 패턴(22c_v)에 의하여 상하로 연결된다. 4A and 5A , the first sub-micropattern coil 22a, the second sub-micropattern coil 22b, the third sub-micropattern coil 22c, and the fourth sub-micropattern coil 22d move up and down. are spaced apart from each other, and are vertically connected by a first via pattern 22a_v, a second via pattern 22b_v, and a third via pattern 22c_v, respectively.

구체적으로, 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)의 외측 일단에 입력단자(IN)가 배치되고, 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)의 상기 외측 일단에서 시계방향으로 신장하여 연결된 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)의 내측 타단과 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b)의 내측 일단이 제 1 비아 패턴(22a_v)에 의하여 연결된다. 계속하여, 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b)의 상기 내측 일단에서 시계방향으로 신장하여 연결된 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b)의 외측 타단과 제 3 서브 마이크로패턴 코일(22c)의 외측 일단이 제 2 비아 패턴(22b_v)에 의하여 연결된다. 계속하여, 제 3 서브 마이크로패턴 코일(22c)의 상기 외측 일단에서 시계방향으로 신장하여 연결된 제 3 서브 마이크로패턴 코일(22c)의 내측 타단과 제 4 서브 마이크로패턴 코일(22d)의 내측 일단이 제 3 비아 패턴(22c_v)에 의하여 연결된다. 계속하여, 제 4 서브 마이크로패턴 코일(22d)의 상기 내측 일단에서 시계방향으로 신장하여 연결된 제 4 서브 마이크로패턴 코일(22d)의 외측 타단에 출력단자(OUT)가 배치된다. Specifically, the input terminal IN is disposed at the outer end of the first sub micropattern coil 22a, and the first sub micropattern connected by extending in a clockwise direction from the outer end of the first sub micropattern coil 22a. The other inner end of the coil 22a and the inner end of the second sub micropattern coil 22b are connected by the first via pattern 22a_v. Subsequently, the other end of the second sub-micropattern coil 22b and the outer end of the third sub-micropattern coil 22c are connected by extending clockwise from the inner end of the second sub-micropattern coil 22b. 2 are connected by the via pattern 22b_v. Subsequently, the other inner end of the third sub micropattern coil 22c connected by extending clockwise from the outer end of the third sub micropattern coil 22c and the inner end of the fourth sub micropattern coil 22d become the first 3 are connected by the via pattern 22c_v. Subsequently, the output terminal OUT is disposed at the other end of the fourth sub-micropattern coil 22d extending clockwise from the inner end of the fourth sub-micropattern coil 22d and connected thereto.

이러한 구성에 따르면, 상하 인접한 서브 마이크로패턴 코일 간을 연결하는 비아 패턴의 연결 배치는 처음에는 하부의 서브 마이크로패턴 코일의 내측에서 상부의 서브 마이크로패턴 코일의 내측으로 연결되는 배치를 가지고, 다음에는 하부의 서브 마이크로패턴 코일의 외측에서 상부의 서브 마이크로패턴 코일의 외측으로 연결되는 배치를 가지고, 그 다음에는 하부의 서브 마이크로패턴 코일의 내측에서 상부의 서브 마이크로패턴 코일의 내측으로 연결되는 배치를 가진다. 이러한 교번적인 비아 패턴의 연결 배치를 도입함으로써, 서로 상하로 이격된 복수층의 마이크로패턴 코일이 오버랩된 단면적이 최소화될 수 있다는 유리한 장점을 가질 수 있다. According to this configuration, the connection arrangement of the via pattern connecting the upper and lower adjacent sub micropattern coils has an arrangement connected from the inner side of the lower sub micro pattern coil to the inner side of the upper sub micro pattern coil, and then the lower It has an arrangement connected from the outside of the sub micropattern coil to the outside of the sub micropattern coil of the upper part, and then has an arrangement connected to the inside of the sub micropattern coil of the upper part from the inside of the sub micropattern coil of the lower part. By introducing the connection arrangement of such an alternating via pattern, it can have an advantageous advantage that the overlapping cross-sectional area of the micropatterned coils of a plurality of layers spaced apart from each other vertically can be minimized.

또한, 이러한 구성에 따르면, 복수층의 마이크로패턴 코일(22) 중에서 최하층에 배치된 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)의 입력단자(IN)에 전류가 흘러들어가 최상층에 배치된 제 4 서브 마이크로패턴 코일(22d)의 출력단자(OUT)을 통하여 전류가 흘러나가는 과정에서 유도자기장이 생성될 수 있다. 각각의 서브 마이크로패턴 코일에 전류가 흐르는 방향은 모두 시계방향으로 동일하므로 생성되는 유도자기장의 크기는 증폭된다. 크기가 증폭되어 생성된 유도자기장은 액추에이터 코일 구조체 주변에 배치된 카메라 렌즈 구조체의 위치를 효율적으로 제어할 수 있으며, 카메라 렌즈 구조체의 위치를 제어함으로써 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 수행할 수 있다. In addition, according to this configuration, a current flows into the input terminal IN of the first sub micropattern coil 22a disposed in the lowermost layer among the micropattern coils 22 of the plurality of layers, and the fourth sub micropattern disposed in the uppermost layer An induced magnetic field may be generated while a current flows through the output terminal OUT of the coil 22d. Since the direction in which current flows in each sub-micropattern coil is the same in the clockwise direction, the magnitude of the generated induced magnetic field is amplified. The induced magnetic field generated by amplifying the size can efficiently control the position of the camera lens structure disposed around the actuator coil structure, and by controlling the position of the camera lens structure, it is possible to perform camera autofocus and anti-shake function.

도 4b를 참조하면, 각각의 서브 마이크로패턴 코일은 모서리 영역(R2)이 모따기되면서 절곡되어 반복된 다각형 형상을 가진다. 이에 반하여, 도 5b를 참조하면, 각각의 서브 마이크로패턴 코일은 모서리 영역(R3)이 수직으로 절곡되어 반복된 사각형 형상을 가진다. Referring to FIG. 4B , each sub micropattern coil has a repeated polygonal shape by bending the corner region R2 while being chamfered. In contrast, referring to FIG. 5B , each sub micropattern coil has a rectangular shape in which the corner region R3 is vertically bent and repeated.

먼저, 도 4b에 도시된 구성에 의하면, 서브 마이크로패턴 코일의 단면적이 상대적으로 작아서 입력단자나 출력단자 등의 배치가 용이하다는 장점을 가지며, 서브 마이크로패턴 코일의 길이가 상대적으로 짧아서 전기 저항이 작다는 장점을 가진다. 한편, 도 5b에 도시된 구성에 의하면, 서브 마이크로패턴 코일에서 길이 방향(y축과 나란한 방향)의 길이가 상대적으로 더 길어서 생성되는 유도자기장의 크기가 더 세다는 장점을 가진다. First, according to the configuration shown in FIG. 4B, the cross-sectional area of the sub-micropattern coil is relatively small, so it has the advantage of easy arrangement of input terminals or output terminals, and the length of the sub-micropattern coil is relatively short, so that the electrical resistance is small. have an advantage On the other hand, according to the configuration shown in FIG. 5B, the length of the sub-micropattern coil in the longitudinal direction (parallel to the y-axis) is relatively longer, and thus the generated induced magnetic field is larger.

도 6a는 사각 기판 사용시 개개의 코일이 복수로 형성된 구조체를 도해하는 도면이고, 도 6b는 사각 기판 상에 복수로 어레이 배열된 코일 구조체를 분리하여 개별화하기 위한 사각 기판 상의 분리영역(45)을 도해하는 도면이고, 도 6c는 도 6a에 개시된 구조체에서 박리(delamination) 후 수득한 코일 시트(coil sheet)를 도해하는 도면이다. 본 실시예는, 도 3a 내지 도 3o를 참조하여 설명한 액추에이터 코일 구조체의 제조방법에서 기판(10)이 사각 기판인 경우에 해당한다. 상기 코일 시트는 상술한 액추에이터 코일 구조체(100)가 복수개로 어레이 배열되어 이루어지며, 이들을 개별화하여 획득한 각각의 액추에이터 코일 구조체(100)를 제품에 적용할 수 있다. 상기 개별화 공정은 코일 구조체(100)의 각각의 테두리에 배치된 분리영역(45; 도면에서 적색으로 도시)을 따라 복수의 코일 구조체(100)들 및 기저층을 기판(10) 상에서 수평적으로 서로 분리한 후에, 기판(10)의 후면을 통하여 자외선이나 레이저 등을 조사하여 기판(10)과 기저층을 분리하여 수행될 수 있다. 6A is a diagram illustrating a structure in which a plurality of individual coils are formed when a rectangular substrate is used, and FIG. 6B is an isolation region 45 on a rectangular substrate for separating and individualizing a plurality of coil structures arranged in an array on the rectangular substrate. 6c is a diagram illustrating a coil sheet obtained after delamination in the structure disclosed in FIG. 6a. This embodiment corresponds to the case where the substrate 10 is a square substrate in the method of manufacturing the actuator coil structure described with reference to FIGS. 3A to 3O . The coil sheet is made by arranging a plurality of actuator coil structures 100 as described above, and each actuator coil structure 100 obtained by individualizing them can be applied to a product. In the individualization process, the plurality of coil structures 100 and the base layer are horizontally separated from each other on the substrate 10 along the separation region 45 (shown in red in the drawing) disposed at each edge of the coil structure 100 . After this, the substrate 10 and the base layer may be separated by irradiating an ultraviolet or laser light through the rear surface of the substrate 10 .

도 7a는 웨이퍼 기판 사용시 개개의 코일이 형성된 구조체를 도해하는 도면이고, 도 7b는 웨이퍼 기판 상에 복수로 어레이 배열된 코일 구조체를 분리하여 개별화하기 위한 웨이퍼 기판 상의 분리영역(45)을 도해하는 도면이고, 도 7c는 도 7a에 개시된 구조체에서 박리(delamination) 후 수득한 코일 시트(coil sheet)를 도해하는 도면이다. 본 실시예는, 도 3a 내지 도 3o를 참조하여 설명한 액추에이터 코일 구조체의 제조방법에서 기판(10)이 웨이퍼 기판인 경우에 해당한다. 상기 코일 시트는 상술한 액추에이터 코일 구조체(100)가 복수개로 어레이 배열되어 이루어지며, 이들을 개별화하여 획득한 각각의 액추에이터 코일 구조체(100)를 제품에 적용할 수 있다. 상기 개별화 공정은 코일 구조체(100)의 각각의 테두리에 배치된 분리영역(45; 도면에서 적색으로 도시)을 따라 복수의 코일 구조체(100)들 및 기저층을 기판(10) 상에서 수평적으로 서로 분리한 후에, 기판(10)의 후면을 통하여 자외선이나 레이저 등을 조사하여 기판(10)과 기저층을 분리하여 수행될 수 있다. 7A is a diagram illustrating a structure in which individual coils are formed when using a wafer substrate, and FIG. 7B is a diagram illustrating an isolation region 45 on a wafer substrate for separating and individualizing a plurality of arrayed coil structures on a wafer substrate and FIG. 7C is a diagram illustrating a coil sheet obtained after delamination in the structure disclosed in FIG. 7A. This embodiment corresponds to a case in which the substrate 10 is a wafer substrate in the method of manufacturing the actuator coil structure described with reference to FIGS. 3A to 3O . The coil sheet is made by arranging a plurality of actuator coil structures 100 as described above, and each actuator coil structure 100 obtained by individualizing them can be applied to a product. In the individualization process, the plurality of coil structures 100 and the base layer are horizontally separated from each other on the substrate 10 along the separation region 45 (shown in red in the drawing) disposed at each edge of the coil structure 100 . After this, the substrate 10 and the base layer may be separated by irradiating an ultraviolet or laser light through the rear surface of the substrate 10 .

이하에서는, 상술한 개별화 공정에 대하여 비교예와 실시예를 비교하여 설명한다. Hereinafter, a comparative example and an Example are compared and demonstrated about the above-mentioned individualization process.

도 8은 본 발명의 비교예에 따른 개별화 공정을 나타내는 순서도이고, 도 9a 내지 도 9e는 본 발명의 비교예에 따른 개별화 공정을 순차적으로 도해하는 단면도이다. 8 is a flowchart illustrating the individualization process according to the comparative example of the present invention, and FIGS. 9A to 9E are cross-sectional views sequentially illustrating the individualization process according to the comparative example of the present invention.

도 8과 도 9a를 참조하면, 본 발명의 비교예에 따른 개별화 공정은 먼저 기판(10) 상에 기저층(41)을 형성한다(S10). 기판(10)과 기저층(41)에 대한 상세한 설명은 다른 도면들을 참조하여 이미 설명한 것으로 대체한다. 기저층(41)은 폴리이미드(PI; Polyimide), 광감성 폴리이미드(PSPI; Photo Sensitive Polyimide) 또는 포토레지스트일 수 있다. 도면에 도시하지 않았지만, 자외선경화형 광반응성 고분자 물질층이 기판(10)과 기저층(41) 사이에 선택적으로 개재될 수도 있다. Referring to FIGS. 8 and 9A , in the individualization process according to the comparative example of the present invention, the base layer 41 is first formed on the substrate 10 ( S10 ). Detailed descriptions of the substrate 10 and the base layer 41 are replaced with those already described with reference to other drawings. The base layer 41 may be made of polyimide (PI), photosensitive polyimide (PSPI), or photoresist. Although not shown in the drawings, the UV-curable photoreactive polymer material layer may be selectively interposed between the substrate 10 and the base layer 41 .

도 8과 도 9b를 참조하면, 기저층(41) 상에 복수개로 어레이 배열된 코일 구조체(100)를 형성한다(S20). 각각의 코일 구조체(100)는 도 2의 (b)에 도시된 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일 구조체일 수 있다. 코일 구조체(100)에 대한 상세한 설명은 다른 도면들(도 2 내지 도 7c)을 참조하여 이미 설명한 것으로 대체한다. 이 때, 기저층(41)은 기판(10) 상에 일체로 하나의 박막으로 제공된다. 한편, 어레이 배열된 코일 구조체(100)를 형성하는 과정에 적용되는 도금 공정으로 인하여, 서로 이웃하는 코일 구조체(100) 사이의 빈 공간에 원하지 않는 잉여 도금층(105)이 형성될 수 있다. Referring to FIGS. 8 and 9B , a plurality of coil structures 100 arranged in an array are formed on the base layer 41 ( S20 ). Each coil structure 100 may be an actuator coil structure for the camera auto-focus and anti-shake function shown in (b) of FIG. 2 . The detailed description of the coil structure 100 is replaced with that already described with reference to other drawings ( FIGS. 2 to 7C ). At this time, the base layer 41 is provided as a single thin film integrally on the substrate 10 . On the other hand, due to the plating process applied to the process of forming the array-arranged coil structures 100 , unwanted excess plating layers 105 may be formed in empty spaces between adjacent coil structures 100 .

도 8과 도 9c를 참조하면, 서로 이웃하는 코일 구조체(100) 사이의 빈 공간에 형성된 잉여 도금층(105)을 제거한다(S30). 어레이 배열된 코일 구조체(100) 사이의 잉여 도금층(105)을 제거하는 공정은 습식 식각(wet etching) 공정을 포함할 수 있다. 습식 식각 공정으로 잉여 도금층(105)을 제거할 수는 있지만, 기저층(41)은 제거되지 않는다. Referring to FIGS. 8 and 9C , the excess plating layer 105 formed in the empty space between the adjacent coil structures 100 is removed ( S30 ). The process of removing the excess plating layer 105 between the arrayed coil structures 100 may include a wet etching process. Although the excess plating layer 105 may be removed by the wet etching process, the base layer 41 is not removed.

도 8과 도 9d를 참조하면, 어레이 배열된 코일 구조체(100) 사이의 기저층(41)을 제거한다. 기저층(41)을 제거하는 공정은 레이저 커팅(LASER CUTTING) 공정으로 구현된다. 레이저 커팅 공정은 고가의 장비를 이용해야 하므로 제조비용이 증가하는 문제점을 가진다. 또한, 레이저 커팅 공정은 정밀도가 5㎛ 이상인 공정으로서 경박단소의 코일 구조체(100)를 구현함에 있어서 적절하지 않을 수 있다. 또한, 레이저 커팅 공정을 이용하여 폴리이미드 등을 제거하는 공정은 폴리이미드 등을 태워서 제거하는 공정이므로, 카본 잔류물이 남게 되며 이물이 발생하고 버(burr)가 발생할 가능성이 매우 높다. 한편, 코일 구조체(100)의 평면 형상이 사각형이 아니라 모서리가 테이퍼 형상을 가지는 팔각형인 경우 레이저 커팅 공정에 따른 상기 문제점들은 더욱 현저하게 나타날 수 있다. Referring to FIGS. 8 and 9D , the base layer 41 between the arrayed coil structures 100 is removed. The process of removing the base layer 41 is implemented as a laser cutting process. The laser cutting process has a problem in that the manufacturing cost increases because expensive equipment must be used. In addition, the laser cutting process may not be suitable for realizing the light, thin, short and small coil structure 100 as a process with a precision of 5 μm or more. In addition, since the process of removing polyimide, etc. using the laser cutting process is a process of burning polyimide, etc., carbon residues remain, and there is a very high possibility of generating foreign substances and burrs. On the other hand, when the planar shape of the coil structure 100 is not a rectangle but an octagon with a tapered corner, the above problems according to the laser cutting process may appear more conspicuously.

도 8과 도 9e를 참조하면, 기판(10)의 후면을 통하여 레이저를 조사하여 기판(10)과 기저층(41) 사이의 접착력을 감소시켜 기판(10)으로부터 기저층(41)을 분리시키는 레이저 리프트 오프(LLO; Laser Lift-Off) 공정을 수행할 수 있다. 한편, 자외선을 조사하여 기판(10)과 기저층(41) 사이의 접착력을 감소시켜 기판(10)으로부터 기저층(41)을 분리시킬 수 있다. 이에 따라 복수의 코일 구조체(100)가 서로 개별화되면서 기판(10)으로부터 분리될 수 있다. Referring to FIGS. 8 and 9E , laser lift for separating the base layer 41 from the substrate 10 by reducing the adhesive force between the substrate 10 and the base layer 41 by irradiating a laser through the rear surface of the substrate 10 . A laser lift-off (LLO) process may be performed. Meanwhile, the base layer 41 may be separated from the substrate 10 by reducing the adhesive force between the substrate 10 and the base layer 41 by irradiating ultraviolet rays. Accordingly, the plurality of coil structures 100 may be separated from the substrate 10 while being individualized from each other.

도 10은 본 발명의 실시예에 따른 개별화 공정을 나타내는 순서도이고, 도 11a 내지 도 11e는 본 발명의 실시예에 따른 개별화 공정을 순차적으로 도해하는 단면도이다. 10 is a flowchart illustrating the individualization process according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 11A to 11E are cross-sectional views sequentially illustrating the individualization process according to an embodiment of the present invention.

도 10과 도 11a를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 개별화 공정은 먼저 기판(10) 상에 기저층(41)을 형성한다(S100). 기판(10)과 기저층(41)에 대한 상세한 설명은 다른 도면들을 참조하여 이미 설명한 것으로 대체한다. 기저층(41)은 폴리이미드(PI; Polyimide) 또는 광감성 폴리이미드(PSPI; Photo Sensitive Polyimide)일 수 있다. 도면에 도시하지 않았지만, 자외선경화형 광반응성 고분자 물질층이 기판(10)과 기저층(41) 사이에 선택적으로 개재될 수도 있다. Referring to FIGS. 10 and 11A , in the individualization process according to an embodiment of the present invention, the base layer 41 is first formed on the substrate 10 ( S100 ). Detailed descriptions of the substrate 10 and the base layer 41 are replaced with those already described with reference to other drawings. The base layer 41 may be made of polyimide (PI) or photosensitive polyimide (PSPI). Although not shown in the drawings, the UV-curable photoreactive polymer material layer may be selectively interposed between the substrate 10 and the base layer 41 .

도 10과 도 11b를 참조하면, 기저층(41)을 패터닝하여 하나의 단일층이 아니라 서로 이격된 복수의 어레이층으로 구현할 수 있다(S200). 이에 따라 기저층(41)은 분리영역(45)에 의하여 서로 이격된 복수의 어레이 배열을 가질 수 있다. 분리된 각각의 기저층(41)은 기저층 패턴으로 이해될 수 있다. 분리영역(45)은 도 6b 또는 도 7b에도 도시된 바와 같이 후속 공정에서 구현되는 각각의 코일 구조체(100)의 테두리를 따라 위치할 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 폴리이미드를 포함하는 기저층(41)의 패터닝은 레이저 커팅(LASER CUTTING) 공정이 아니라 포토 리소그래피(PHOTO LITHOGRAPHY) 공정으로 구현된다. 포토 리소그래피 공정은 정밀도가 1㎛ 이내인 공정으로서 레이저 커팅 공정 보다 정밀도가 높으며, 카본 잔류물이 발생하지 않고 버(burr)가 발생할 가능성이 상대적으로 낮다. 또한, 기저층(41)의 패터닝 공정의 제조 단가는 포토 리소그래피 공정이 레이저 커팅 공정 보다 현저하게 낮은 장점을 가진다. Referring to FIGS. 10 and 11B , the base layer 41 may be patterned to implement a plurality of array layers spaced apart from each other instead of a single single layer ( S200 ). Accordingly, the base layer 41 may have a plurality of arrays spaced apart from each other by the isolation region 45 . Each of the separated base layers 41 may be understood as a base layer pattern. The separation region 45 may be located along the edge of each coil structure 100 implemented in a subsequent process as shown in FIG. 6B or FIG. 7B . In the embodiment of the present invention, the patterning of the base layer 41 including polyimide is implemented by a photo lithography (PHOTO LITHOGRAPHY) process rather than a laser cutting process. The photolithography process is a process with a precision of less than 1 μm, and has higher precision than the laser cutting process, and the possibility of generating a burr without generating carbon residue is relatively low. In addition, the manufacturing cost of the patterning process of the base layer 41 has the advantage that the photolithography process is significantly lower than the laser cutting process.

기저층(41)이 폴리이미드로 구성되는 경우, 폴리이미드를 포함하는 기저층(41)은 PAA와 솔벤트의 혼합물을 코팅한 후에 제 1 온도까지 열을 인가하여 가경화하는 제 1 단계 및 제 1 온도보다 높은 제 2 온도에서 가열하여 완전경화하는 제 2 단계를 수행하여 구현될 수 있다. 폴리이미드는 PAA(Poly(amic acid))와 솔벤트의 혼합물을 코팅한 후에 열을 인가함으로써 구현될 수 있다. 열을 인가하는 공정은 약 150℃까지 가경화하는 단계 및 250 ~ 350℃까지 가열하여 완전경화하는 단계를 포함할 수 있다. When the base layer 41 is made of polyimide, the base layer 41 comprising polyimide is coated with a mixture of PAA and a solvent and then subjected to a first step of pre-curing by applying heat to a first temperature, and higher than the first temperature. It can be implemented by performing a second step of heating to a high second temperature to fully cure. Polyimide can be implemented by coating a mixture of PAA (Poly (amic acid)) and a solvent and then applying heat. The process of applying heat may include a step of pre-curing to about 150° C. and a step of fully curing by heating to 250 to 350° C.

이 경우, 포토리소그래피 공정을 적용하여 기저층(41)을 서로 이격된 복수의 기저층 패턴으로 형성하는 단계는 상기 제 1 단계 후 상기 제 2 단계 전에 수행할 수 있다. 완전경화된 폴리이미드에 대하여 포토리소그래피 공정을 수행하는 경우 패터닝 형상이 양호하지 못하는 문제점이 발생할 수 있으나, 가경화된 상태에서 포토리소그래피 공정을 수행하는 경우 패터닝 형상이 상대적으로 양호하다. In this case, the step of forming the base layer 41 into a plurality of base layer patterns spaced apart from each other by applying a photolithography process may be performed after the first step and before the second step. When the photolithography process is performed on the fully-cured polyimide, a problem in that the patterning shape is not good may occur, but when the photolithography process is performed in a pre-cured state, the patterning shape is relatively good.

도 10과 도 11c를 참조하면, 서로 이격되어 어레이 배열된 기저층(41) 상에 각각 코일 구조체(100)를 형성한다(S300). 각각의 코일 구조체(100)는 도 2의 (b)에 도시된 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일 구조체일 수 있다. 코일 구조체(100) 및 이의 형성방법에 대한 상세한 설명은 다른 도면들(도 2 내지 도 7c)을 참조하여 이미 설명한 것으로 대체한다. 기저층(41)은, 예를 들어, 높이가 약 15㎛ 정도이며, 코일 구조체(100)는 높이가 약 50㎛ 정도인 각 층이 복수로 적층된 구조체를 가질 수 있다. 어레이 배열된 코일 구조체(100)를 형성하는 과정에 적용되는 도금 공정으로 인하여, 서로 이웃하는 코일 구조체(100) 사이의 빈 공간에 원하지 않는 잉여 도금층(105)이 형성될 수 있다. 잉여 도금층(105)은 서로 이격된 코일 구조체(100) 사이의 공간과 서로 이격된 기저층(41) 사이의 공간을 충전(fill)하면서 형성될 수 있다. Referring to FIGS. 10 and 11C , the coil structures 100 are respectively formed on the base layers 41 spaced apart from each other and arranged in an array ( S300 ). Each coil structure 100 may be an actuator coil structure for the camera auto-focus and anti-shake function shown in (b) of FIG. 2 . A detailed description of the coil structure 100 and a method of forming the same is replaced with that already described with reference to other drawings ( FIGS. 2 to 7C ). The base layer 41 may have a height of, for example, about 15 μm, and the coil structure 100 may have a structure in which a plurality of layers each having a height of about 50 μm are stacked. Due to the plating process applied to the process of forming the array-arranged coil structures 100 , unwanted excess plating layers 105 may be formed in empty spaces between adjacent coil structures 100 . The excess plating layer 105 may be formed while filling the space between the spaced apart coil structures 100 and the space between the base layers 41 spaced apart from each other.

도 10과 도 11d를 참조하면, 서로 이웃하는 코일 구조체(100) 사이 및 서로 이웃하는 기저층(41) 사이의 빈 공간에 형성된 잉여 도금층(105)을 제거한다(S400). 즉, 분리영역(45) 상에 형성된 잉여 도금층(105)을 제거한다. 잉여 도금층(105)을 제거하는 공정은 습식 식각(wet etching) 공정을 포함할 수 있다. 습식 식각 공정으로 기판(10) 상의 잉여 도금층(105)을 모두 제거할 수 있다. Referring to FIGS. 10 and 11D , the excess plating layer 105 formed in the empty space between the adjacent coil structures 100 and between the adjacent base layers 41 is removed ( S400 ). That is, the excess plating layer 105 formed on the isolation region 45 is removed. The process of removing the excess plating layer 105 may include a wet etching process. All of the excess plating layer 105 on the substrate 10 may be removed by a wet etching process.

도 10과 도 11e를 참조하면, 기판(10)의 후면을 통하여 레이저를 조사하여 기판(10)과 기저층(41) 사이의 접착력을 감소시켜 기판(10)으로부터 기저층(41)을 분리시키는 레이저 리프트 오프(LLO; Laser Lift-Off) 공정을 수행할 수 있다. 한편, 광(예를 들어, 자외선)을 조사하여 기판(10)과 기저층(41) 사이의 접착력을 감소시켜 기판(10)으로부터 기저층(41)을 분리시킬 수도 있다. 이에 따라 복수의 코일 구조체(100)가 서로 개별화되면서 기판(10)으로부터 분리될 수 있다.Referring to FIGS. 10 and 11E , a laser lift that separates the base layer 41 from the substrate 10 by reducing the adhesive force between the substrate 10 and the base layer 41 by irradiating a laser through the rear surface of the substrate 10 . A laser lift-off (LLO) process may be performed. Meanwhile, the base layer 41 may be separated from the substrate 10 by reducing the adhesive force between the substrate 10 and the base layer 41 by irradiating light (eg, ultraviolet light). Accordingly, the plurality of coil structures 100 may be separated from the substrate 10 while being individualized from each other.

도 12는 하우징의 일측면의 형상과 코일 구조체의 여러 형상을 비교하여 나타낸 도면이다. 12 is a view showing a comparison between the shape of one side of the housing and various shapes of the coil structure.

도 12를 참조하면, 하우징(400)의 일측면은 개구부(405)를 구비한다. 도 12에 도시된 하우징(400)은 도 1에 도시된 하우징(400)에 해당한다. 하우징(400)의 재질은 경량화를 위하여 합성수지를 적용할 수 있으나 강도가 낮은 문제점을 가진다. 이러한 문제점을 극복하기 위하여 하우징(400)의 모서리 영역의 면적을 증대시키며 이로 인하여 개구부(405)의 형상이 완벽한 사각형이 아니라 모서리가 모따기된 형상으로 제공될 수 있다. 한편, 코일 구조체(100)는 하우징(400)의 측면에 형성된 개구부(405) 내에 배치되는 바, 코일 구조체의 형상을 사각형으로 제공하는 경우(100a, 100b)보다 대략 팔각형으로 제공하는 경우(100c) 면적이 더 커질 수 있다. 코일 구조체의 면적이 넓을수록 엑추에이터의 성능이 개선될 수 있으므로, 코일 구조체의 평면 상 단면 형상은 모서리가 모따기된 형상을 가지는 구조를 가지는 것이 바람직하다. 이 경우, 코일 구조체(100)를 개별화하기 위하여 앞에서 설명한 분리영역(45)의 형상이 복잡해지는 바, 도 8과 같이 레이저 커팅 공정을 적용하는 경우 상술한 문제점이 현저하게 나타날 수 있다. 그러나, 도 10과 같이 포토 리소그래피 공정을 적용하는 경우 이러한 문제점을 해결할 수 있게 된다. Referring to FIG. 12 , one side of the housing 400 has an opening 405 . The housing 400 illustrated in FIG. 12 corresponds to the housing 400 illustrated in FIG. 1 . The material of the housing 400 may apply synthetic resin for weight reduction, but has a problem of low strength. In order to overcome this problem, the area of the corner region of the housing 400 is increased, so that the shape of the opening 405 may be provided in a chamfered shape rather than a perfect rectangle. On the other hand, the coil structure 100 is disposed in the opening 405 formed on the side of the housing 400, when the shape of the coil structure is provided in an approximately octagonal shape (100c) than when the shape of the coil structure is provided in a square shape (100a, 100b) The area may be larger. Since the performance of the actuator can be improved as the area of the coil structure increases, it is preferable that the cross-sectional shape of the coil structure has a structure in which corners are chamfered. In this case, since the shape of the separation region 45 described above is complicated in order to individualize the coil structure 100 , when the laser cutting process is applied as shown in FIG. 8 , the above-described problems may appear significantly. However, when a photolithography process is applied as shown in FIG. 10 , this problem can be solved.

도 13 및 도 14는 본 발명의 실시예에 따른 제조방법을 실제로 적용한 일부 단계에서의 구조를 촬영한 사진들이다. 13 and 14 are photographs of structures in some stages in which the manufacturing method according to an embodiment of the present invention is actually applied.

도 13의 (a)는 도 11b에 도시된 폴리이미드 분리 형상 구조를 실제로 구현한 상태를 50배 확대하여 촬영한 사진이고, 도 13의 (b)는 도 11b에 도시된 폴리이미드 분리 형상 구조를 실제로 구현한 상태를 100배 확대하여 촬영한 사진이고, 도 13의 (c)는 도 11c에 도시된 분리된 폴리이미드 위에 형성된 도금층을 실제로 구현한 상태를 촬영한 사진이다. 13 (a) is a photograph taken at 50 times magnification of a state in which the polyimide separation shape structure shown in FIG. 11b is actually implemented, and FIG. 13 (b) is a polyimide separation shape structure shown in FIG. 11b. It is a photograph taken at 100 times magnification of the actually implemented state, and FIG. 13(c) is a photograph of a state in which the plating layer formed on the separated polyimide shown in FIG. 11c is actually implemented.

도 14의 (a)는 웨이퍼 기판 상에 코일 구조체가 복수개로 어레이 배열된 상태 및 일부가 개별화되어 분리된 상태를 촬영한 사진이고, 도 14의 (b)는 개별화되어 분리된 코일 구조체를 각각 유연회로기판 상에 실장한 상태를 촬영한 사진이고, 도 14의 (c)는 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일을 포함하는 카메라 모듈에서 하우징을 촬영한 사진이고, 도 14의 (d) 및 (e)는 유연회로기판 상에 실장된 코일 구조체를 하우징의 측면을 따라 접합되는 상태를 촬영한 사진이다. 이에 따르면, 코일 구조체는 하우징의 측면에 형성된 개구부 내에 배치됨을 확인할 수 있다. 14 (a) is a photograph of a state in which a plurality of coil structures are arranged in an array on a wafer substrate and a state in which some are individualized and separated, and (b) of FIG. 14 is an individualized and separated coil structure, respectively. It is a photograph taken while mounted on a circuit board, and (c) of FIG. 14 is a photograph taken of a housing in a camera module including an actuator coil for camera auto-focus and anti-shake function, FIG. 14 (d) And (e) is a photograph of a state in which the coil structure mounted on the flexible circuit board is bonded along the side of the housing. Accordingly, it can be confirmed that the coil structure is disposed in the opening formed on the side surface of the housing.

상술한 본 발명의 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일 및 그 제조방법에서는 도금 시드층의 최적화, 감광제 충전 및 경화, 충전층 평탄화, 높은 종횡비 구조체의 노광 및 도금, UV 필름과 폴리이미드층 연속 라미네이팅 코일 박리 기술 등을 통하여 촬영된 이미지의 품질을 개선하면서 동시에 제조원가를 절감할 수 있다. In the above-described actuator coil for camera auto-focus and anti-shake function of the present invention and a method for manufacturing the same, optimization of the plating seed layer, filling and curing of a photosensitive agent, flattening of the filling layer, exposure and plating of a high aspect ratio structure, UV film and polyimide layer Through continuous laminating coil peeling technology, etc., it is possible to improve the quality of the photographed image and reduce the manufacturing cost at the same time.

표 1은 본 발명의 실시예(마이크로패턴 코일)과 비교예(FP-Coil)에 따른 기술 및 품질경쟁력을 비교한 표이다. FP-Coil(Fine Pattern-Coil) 공법은 PCB 공법의 일종이다. 본 발명의 실시예에 따른 카메라 자동초점 및 손떨림방지 기능을 위한 액추에이터 코일 구조체 및 그 제조방법에서는 비교예 대비 반도체 및 PCB 융합공정을 통한 수율을 향상시킬 수 있으며, 권선형 코일 대비 SMT 공정 이용을 통한 조립수율을 향상시킬 수 있다. 나아가, 본 발명의 기술적 사상은 무선 충전기용 고효율 충전용 코일, 권선형 인덕터, 안테나 등에도 활용할 수 있다. Table 1 is a table comparing the technology and quality competitiveness according to the embodiment (micro-pattern coil) and the comparative example (FP-Coil) of the present invention. The FP-Coil (Fine Pattern-Coil) method is a kind of PCB method. In the actuator coil structure for camera auto-focus and anti-shake function according to an embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same, it is possible to improve the yield through the semiconductor and PCB fusion process compared to the comparative example, and through the use of the SMT process compared to the winding type coil The assembly yield can be improved. Furthermore, the technical idea of the present invention can be utilized for a high-efficiency charging coil for a wireless charger, a wound-type inductor, an antenna, and the like.

비교항목Compare 실시예
(마이크로패턴 코일)
Example
(micropattern coil)
비교예
(FP-Coil)
comparative example
(FP-Coil)
평가evaluation
Line WidthLine Width 25㎛25㎛ 27~70㎛27~70㎛ -- Line SpaceLine Space <10㎛<10 μm 15~60㎛15~60㎛ 좁을수록 유리The narrower the better Line HeightLine Height 50㎛50 41㎛41㎛ -- Layer수Number of Layers 2~82-8 2, 62, 6 -- Layer간격Layer spacing <7㎛<7 μm >60㎛>60㎛ 좁을수록 유리The narrower the better Outline MarginOutline Margin <50㎛<50 μm >120㎛>120㎛ 좁을수록 유리The narrower the better Magnet-coil gapMagnet-coil gap <200㎛<200㎛ <150㎛<150 μm 클수록 유리the bigger the better 이물alien substance 우수Great 우수Great --

이하에서는 본 발명의 또 다른 기술적 사상에 따른 액추에이터 코일 구조체 및 그 제조방법을 설명한다. Hereinafter, an actuator coil structure and a manufacturing method thereof according to another technical idea of the present invention will be described.

상술한 바와 같이, 도 2를 참조하면 마이크로패턴 코일(22)의 이격 공간은 절연층(42)으로 충전(filling)되며, 도 3g를 참조하면 제 1 시드층 패턴(21a) 및 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)의 좌우 이격된 이격공간은 제 1 절연층(42a)으로 충전되며, 도 3m을 참조하면 제 2 시드층 패턴(21b) 및 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b)의 좌우 이격된 이격공간은 제 2 절연층(42b)으로 충전되며, 도 3n을 참조하면 도전 코일(20)을 구성하는 각 층은 절연층에 의하여 전기적으로 절연되는 바, 예를 들어, 제 1 층의 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a)과 제 2 층의 제 2 시드층(21b)은 절연층으로 전기적으로 절연되며, 제 2 층의 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b)과 제 3 층의 제 3 시드층(21c)은 절연층으로 전기적으로 절연된다. 구체적으로, 상기 절연층(40)은 제 1 절연층(42a), 제 2 절연층(42b), 제 3 절연층(42c) 및 제 4 절연층(42d)이 순차적으로 배열되어 구성된다. As described above, referring to FIG. 2 , the space between the micropattern coils 22 is filled with the insulating layer 42 , and referring to FIG. 3G , the first seed layer pattern 21a and the first sub-micro The left and right spaced apart spaces of the pattern coil 22a are filled with the first insulating layer 42a, and referring to FIG. 3M , the left and right spaced apart spaces of the second seed layer pattern 21b and the second sub micropattern coil 22b are filled with the first insulating layer 42a. The spaced space is filled with the second insulating layer 42b, and referring to FIG. 3N , each layer constituting the conductive coil 20 is electrically insulated by the insulating layer, for example, the first layer of the first layer. The sub micropatterned coil 22a and the second seed layer 21b of the second layer are electrically insulated with an insulating layer, and the second sub micropatterned coil 22b of the second layer and the third seed layer of the third layer are electrically insulated. 21c is electrically insulated with an insulating layer. Specifically, the insulating layer 40 is configured by sequentially arranging a first insulating layer 42a, a second insulating layer 42b, a third insulating layer 42c, and a fourth insulating layer 42d.

상술한 절연층은 폴리이미드(polyimide)로 이루어질 수 있다. 폴리이미드는 PAA(Poly(amic acid))와 솔벤트의 혼합물을 코팅한 후에 열을 인가함으로써 구현될 수 있다. 열을 인가하는 공정은 약 150℃까지 가경화하는 단계 및 250 ~ 350℃까지 가열하여 완전경화하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 가경화하는 단계에서 혼합물은 일부가 이미드화되며 상기 완전경화하는 단계에서는 완전한 이미드화가 진행되어 안정한 폴리이미드로 형성된다. The above-described insulating layer may be made of polyimide. Polyimide can be implemented by coating a mixture of PAA (Poly (amic acid)) and a solvent and then applying heat. The process of applying heat may include a step of pre-curing to about 150° C. and a step of fully curing by heating to 250 to 350° C. In the temporary curing step, a part of the mixture is imidized, and in the complete curing step, complete imidization proceeds to form a stable polyimide.

상술한 폴리이미드를 포함하는 절연층을 도금층 패턴 사이에 충전하기 위해서는 상기 도금층 패턴 사이에 PAA(Poly(amic acid))와 솔벤트의 혼합물을 코팅한 후에 열을 인가하는 공정을 수행할 수 있다. 이 경우, 도금층 패턴과 폴리이미드(또는 PAA) 사이의 열팽창계수의 차이로 인하여 크랙이 발생할 수 있다. 나아가, 상기 혼합물을 구성하는 솔벤트가 증발 내지 휘발되면서 폴리이미드가 형성되는 과정에서 혼합물의 수축(예를 들어, 30%의 부피감소)이 일어나면서 크랙이 발생할 수 있다. In order to fill the above-described insulating layer including polyimide between the plating layer patterns, a process of applying heat after coating a mixture of poly (amic acid) (PAA) and a solvent between the plating layer patterns may be performed. In this case, cracks may occur due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the plating layer pattern and the polyimide (or PAA). Furthermore, as the solvent constituting the mixture is evaporated or volatilized, the mixture may shrink (eg, decrease in volume by 30%) while forming the polyimide, resulting in cracks.

도 15는 도금층 패턴과 폴리이미드 절연층 간의 열팽창계수의 차이 등에 의하여 유발되는 크랙을 촬영한 사진들이다. 도 15의 (a)는 폴리이미드를 포함하는 절연층으로 도금층 패턴 사이를 충전하는 경우, 폴리이미드 경화 후 발생하는 크랙을 촬영한 사진이며, 도 15의 (b)는 폴리이미드를 포함하는 절연층으로 도금층 패턴 사이를 충전하는 경우, 크랙에 의해 후속공정의 포토레지스트에서 버블(bubble)이 발생한 것을 촬영한 사진이다. 15 is a photograph of cracks caused by a difference in thermal expansion coefficient between a plating layer pattern and a polyimide insulating layer. Fig. 15 (a) is a photograph of cracks occurring after curing of polyimide when an insulating layer containing polyimide is filled between the plating layer patterns, and Fig. 15 (b) is an insulating layer containing polyimide. This is a photograph taken when bubbles are generated in the photoresist of the subsequent process due to cracks when filling between the plating layer patterns.

본 발명자는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 도금층 패턴 사이에 충전하는 절연층을 제 1 절연층과 제 2 절연층으로 구성되는 하이브리드 복합 절연층으로 제공하고자 한다. In order to solve this problem, the present inventor intends to provide an insulating layer filled between the plating layer patterns as a hybrid composite insulating layer composed of a first insulating layer and a second insulating layer.

본 발명에 다르면, 액추에이터 코일 구조체의 제조방법은 광(예를 들어, 자외선)을 투과시킬 수 있는 기판 상에 기저층을 배치하는 단계; 상기 기저층 상에 도전성의 마이크로패턴 코일을 형성하는 단계; 마이크로패턴 코일 사이의 공간을 충전하고 마이크로패턴 코일을 덮는 절연층을 형성하는 단계; 및 기판에 광(예를 들어, 자외선)을 조사하여 기저층과 기판 간의 접착력을 낮춤으로써, 기저층 및 기저층 상의 마이크로패턴 코일과 절연층을 구비하는 카메라 자동초점 또는 손떨림방지를 위한 엑추에이터 코일 구조체를 기판과 분리하는 단계; 를 포함하되, 상기 절연층은 서로 상이한 제 1 절연층 및 제 2 절연층이 순차적으로 적층되는 하이브리드 절연층이며, 제 1 절연층과 마이크로패턴 코일 간의 열팽창계수 차이는 제 2 절연층과 마이크로패턴 코일 간의 열팽창계수 차이 보다 더 작은 것을 특징으로 한다.According to the present invention, a method of manufacturing an actuator coil structure includes disposing a base layer on a substrate capable of transmitting light (eg, ultraviolet light); forming a conductive micropatterned coil on the base layer; forming an insulating layer covering the micropatterned coil and filling the space between the micropatterned coils; And by irradiating light (for example, ultraviolet rays) to the substrate to lower the adhesive force between the base layer and the substrate, the base layer and the actuator coil structure for camera autofocus or camera shake prevention having a micro-pattern coil on the base layer and an insulating layer on the substrate separating; Including, wherein the insulating layer is a hybrid insulating layer in which different first insulating layers and second insulating layers are sequentially stacked, and the difference in the coefficient of thermal expansion between the first insulating layer and the micropatterned coil is the second insulating layer and the micropatterned coil. It is characterized in that it is smaller than the difference in the coefficient of thermal expansion between them.

도 16은 본 발명의 또 다른 기술적 사상에 따른 액추에이터 코일 구조체의 제조방법 중 일부를 도해하는 순서도이다. 16 is a flowchart illustrating a part of a method of manufacturing an actuator coil structure according to another technical idea of the present invention.

도 16을 참조하면, 본 발명의 또 다른 기술적 사상에 따른 액추에이터 코일 구조체의 제조방법은 도금층 패턴을 형성하는 단계(S1000), 상기 도금층 패턴 사이를 충전하는 제 1 절연층을 형성하는 단계(S2000) 및 상기 제 1 절연층 상에 제 2 절연층을 형성하는 단계(S3000)를 포함한다. Referring to FIG. 16 , a method of manufacturing an actuator coil structure according to another technical idea of the present invention includes forming a plating layer pattern (S1000), forming a first insulating layer filling between the plating layer patterns (S2000) and forming a second insulating layer on the first insulating layer (S3000).

상기 제 2 절연층은 폴리이미드를 포함하는 절연층이며, 상기 제 1 절연층과 도금층 간의 열팽창계수 차이는 폴리이미드인 제 2 절연층과 도금층 간의 열팽창계수 차이 보다 더 작은 것이 바람직하다. 이러한 구성을 도입함으로써 폴리이미드가 경화하는 과정에서 폴리이미드를 포함하는 절연층과 도금층 패턴 사이의 열팽창계수의 현저한 차이로 인하여 발생하는 크랙 생성을 방지하는 효과를 기대할 수 있다. 본 발명자는 상기 제 1 절연층을, 예를 들어, 포토레지스트로 구현할 수 있음을 확인하였다. Preferably, the second insulating layer is an insulating layer including polyimide, and the difference in the coefficient of thermal expansion between the first insulating layer and the plating layer is smaller than the difference in the coefficient of thermal expansion between the second insulating layer, which is polyimide, and the plating layer. By introducing such a configuration, an effect of preventing cracks generated due to a significant difference in the coefficient of thermal expansion between the insulating layer and the plating layer pattern including the polyimide during curing of the polyimide can be expected. The present inventors have confirmed that the first insulating layer can be implemented with, for example, a photoresist.

도 17a 내지 도 17d는 본 발명의 또 다른 기술적 사상에 따른 액추에이터 코일 구조체의 제조방법의 일 예를 순차적으로 도해하는 도면들이다. 17A to 17D are views sequentially illustrating an example of a method of manufacturing an actuator coil structure according to another technical idea of the present invention.

도 17a를 참조하면, 먼저 기판(10) 상에 기저층(41)을 형성한다(S10). 기판(10)과 기저층(41)에 대한 상세한 설명은 다른 도면들을 참조하여 앞에서 이미 설명한 것으로 대체한다. 기저층(41)은 폴리이미드(PI; Polyimide) 또는 광감성 폴리이미드(PSPI; Photo Sensitive Polyimide)일 수 있다. 상기 광감성 폴리이미드는 PI 전구체와 감광성 물질을 혼합하여 형성할 수 있다. 한편, 변형 실시예로서, 기저층(41)은 포토레지스트일 수도 있다. 도면에 도시하지 않았지만, 자외선경화형 광반응성 고분자 물질층이 기판(10)과 기저층(41) 사이에 선택적으로 개재될 수도 있다. 기저층(41) 상에 서로 이격된 복수의 도금층 패턴(1022)을 형성한다. 도금층 패턴(1022)은, 예를 들어, 도 3n에 도시된 도전 코일(20)을 구성하는 제 1 시드층 패턴(21a)과 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a); 제 2 시드층 패턴(21b)과 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b); 제 3 시드층 패턴(21c)과 제 3 서브 마이크로패턴 코일(22c); 및 제 4 시드층 패턴(21d)과 제 4 서브 마이크로패턴 코일(22d); 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 17A , first, a base layer 41 is formed on the substrate 10 ( S10 ). The detailed description of the substrate 10 and the base layer 41 is replaced with that previously described with reference to other drawings. The base layer 41 may be made of polyimide (PI) or photosensitive polyimide (PSPI). The photosensitive polyimide may be formed by mixing a PI precursor and a photosensitive material. Meanwhile, as a modified embodiment, the base layer 41 may be a photoresist. Although not shown in the drawings, the UV-curable photoreactive polymer material layer may be selectively interposed between the substrate 10 and the base layer 41 . A plurality of plating layer patterns 1022 spaced apart from each other are formed on the base layer 41 . The plating layer pattern 1022 may include, for example, a first seed layer pattern 21a and a first sub-micropattern coil 22a constituting the conductive coil 20 shown in FIG. 3N ; a second seed layer pattern 21b and a second sub micropattern coil 22b; a third seed layer pattern 21c and a third sub-micropattern coil 22c; and a fourth seed layer pattern 21d and a fourth sub-micropattern coil 22d; It may include at least one selected from among.

도 17b를 참조하면, 서로 이격된 복수의 도금층 패턴(1022) 사이에 제 1 절연층(1042a)을 형성할 수 있다. 제 1 절연층(1042a)은 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)일 수 있다. 네거티브 포토레지스트는 코팅 단계 및 소프트 베이크 단계를 수행하여 형성될 수 있다. Referring to FIG. 17B , a first insulating layer 1042a may be formed between a plurality of plating layer patterns 1022 spaced apart from each other. The first insulating layer 1042a may be a negative photoresist. The negative photoresist may be formed by performing a coating step and a soft bake step.

도 17c를 참조하면, 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)로 이루어진 제 1 절연층(1042a) 상에 광(L)을 조사한다. 광을 조사한 후에 네거티브 포토레지스트에 대하여 PEB(Post Exposure Bake) 단계를 수행할 수 있다. 네거티브 포토레지스트는 광이 조사된 영역에서 cross-linking이 발생하여 경화가 발생하며, 광이 조사되지 않은 영역은 경화가 발생하지 않고 후속의 현상(develop) 공정에서 제거될 수 있다. 한편, 네거티브 포토레지스트는 PEB 공정에서 열을 받아 추가적으로 cross-linking이 발생하여 경화된다. 네거티브 포토레지스트가 노광되고 PEB 공정이 수행되는 과정에서 약 100 ~ 120℃ 정도의 열을 받을 수 있다. Referring to FIG. 17C , light L is irradiated onto the first insulating layer 1042a made of negative photoresist. After irradiating light, a PEB (Post Exposure Bake) step may be performed on the negative photoresist. In the negative photoresist, cross-linking occurs in the area to which light is irradiated, so that curing occurs, and in the area to which light is not irradiated, curing does not occur and may be removed in a subsequent develop process. On the other hand, the negative photoresist is cured by additional cross-linking by heat in the PEB process. The negative photoresist may be exposed to light and may receive heat of about 100 to 120° C. during the PEB process.

한편, 네거티브 포토레지스트에서 광이 조사되지 않아 후속의 현상 공정으로 제거되는 영역은 비아패턴이 형성될 수 있는 비아홀(1045)의 일부일 수 있다. 상기 비아패턴은 도 5a에서 도시된 제 1 비아 패턴(22a_v), 제 2 비아 패턴(22b_v) 및 제 3 비아 패턴(22c_v) 중의 어느 하나일 수있다. Meanwhile, a region removed by a subsequent development process because light is not irradiated from the negative photoresist may be a part of the via hole 1045 in which a via pattern may be formed. The via pattern may be any one of the first via pattern 22a_v, the second via pattern 22b_v, and the third via pattern 22c_v illustrated in FIG. 5A .

도 17d를 참조하면, 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)인 제 1 절연층(1042a) 상에 폴리이미드인 제 2 절연층(1042c)을 형성할 수 있다. 폴리이미드인 제 2 절연층(1042c)은 PAA(Poly(amic acid))와 솔벤트의 혼합물을 코팅한 후에 열을 인가함으로써 구현될 수 있다. 열을 인가하는 공정은 약 150℃까지 가경화하는 단계 및 250 ~ 350℃까지 가열하여 완전경화하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 가경화하는 단계에서 혼합물은 일부가 이미드화되며 이 상태에서 비아홀(1045)을 형성하는 패터닝 공정을 수행할 수 있다. 상기 완전경화하는 단계는 비아홀(1045)을 형성하는 패터닝 공정을 수행한 후에 진행된다. 상기 완전경화하는 단계에서는 완전한 이미드화가 진행되어 안정한 폴리이미드로 형성된다. Referring to FIG. 17D , a second insulating layer 1042c made of polyimide may be formed on the first insulating layer 1042a made of negative photoresist. The second insulating layer 1042c made of polyimide may be implemented by coating a mixture of poly(amic acid) (PAA) and a solvent and then applying heat. The process of applying heat may include a step of pre-curing to about 150° C. and a step of fully curing by heating to 250 to 350° C. In the provisional curing step, a part of the mixture is imidized, and in this state, a patterning process for forming the via hole 1045 may be performed. The complete curing is performed after a patterning process for forming the via hole 1045 is performed. In the complete curing step, complete imidization proceeds to form a stable polyimide.

상술한 바와 같이, 도금층 패턴(1022) 사이의 이격 공간을 모두 충전하는 절연층(1042)은 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)인 제 1 절연층(1042a) 및 폴리이미드인 제 2 절연층(1042c)으로 이루어진 하이브리드 복합 절연층으로 구현된다. As described above, the insulating layer 1042 filling all of the space between the plating layer patterns 1022 includes a first insulating layer 1042a that is a negative photoresist and a second insulating layer 1042c that is a polyimide. It is implemented as a hybrid composite insulating layer made of

이 경우, 제 1 절연층(1042a)과 도금층 패턴(1022) 간의 열팽창계수 차이는 제 2 절연층(1042c)과 도금층 패턴(1022) 간의 열팽창계수 차이보다 더 작다. 이러한 구성을 도입함으로써 폴리이미드인 제 2 절연층(1042c)만으로 도금층 패턴(1022) 사이를 충전할 때 폴리이미드가 경화하는 과정에서 폴리이미드를 포함하는 절연층과 도금층 패턴 사이의 열팽창계수의 현저한 차이로 인하여 발생하는 크랙 생성을 방지하는 효과를 기대할 수 있다. 또한, PAA(Poly(amic acid))와 솔벤트의 혼합물이 도금층 패턴(1022) 사이에 충전되어 경화되는 과정에서 솔벤트의 증발 또는 휘발로 부피가 수축되면서 빈 공간이 발생하는 현상을 근본적으로 방지할 수 있다. In this case, the difference in the thermal expansion coefficient between the first insulating layer 1042a and the plating layer pattern 1022 is smaller than the difference in the thermal expansion coefficient between the second insulating layer 1042c and the plating layer pattern 1022 . By introducing such a configuration, when filling between the plating layer patterns 1022 only with the second insulating layer 1042c that is polyimide, a significant difference in the coefficient of thermal expansion between the insulating layer containing polyimide and the plating layer pattern in the process of curing the polyimide The effect of preventing the generation of cracks caused by this can be expected. In addition, in the process where a mixture of PAA (Poly (amic acid)) and a solvent is filled between the plating layer patterns 1022 and cured, the volume is contracted due to evaporation or volatilization of the solvent, which can fundamentally prevent the occurrence of empty spaces. have.

도 18은 도 17a 내지 도 17d에 개시된 제조방법을 적용한 구조를 촬영한 사진들이다. 도 18의 (a)는 도 17c와 같이 네거티브 포토레지스트 상에 광을 조사한 후에 현상 공정을 수행한 구조를 촬영한 사진이며, 도 18의 (b)는 도 17d와 같이 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)인 제 1 절연층(1042a) 상에 폴리이미드인 제 2 절연층(1042c)을 형성한 구조를 촬영한 사진이다. 18 is a photograph of a structure to which the manufacturing method disclosed in FIGS. 17A to 17D is applied. 18A is a photograph of a structure in which a developing process is performed after irradiating light on a negative photoresist as shown in FIG. 17C, and FIG. 18B is a negative photoresist as shown in FIG. 17D. This is a photograph of a structure in which the second insulating layer 1042c made of polyimide is formed on the first insulating layer 1042a.

도 18을 참조하면, 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)인 제 1 절연층(1042a) 상에 폴리이미드인 제 2 절연층(1042c)으로 이루어진 하이브리드 복합 절연층을 적용한 경우 크랙 발생이 방지됨을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 18 , it can be confirmed that cracking is prevented when a hybrid composite insulating layer made of a second insulating layer 1042c made of polyimide is applied on the first insulating layer 1042a which is a negative photoresist. .

도 19a 내지 도 19b는 본 발명의 또 다른 기술적 사상에 따른 액추에이터 코일 구조체의 제조방법의 다른 예를 순차적으로 도해하는 도면들이다. 19A to 19B are views sequentially illustrating another example of a method of manufacturing an actuator coil structure according to another technical idea of the present invention.

도 19a를 참조하면, 도금층 패턴(1022) 사이의 이격 공간을 모두 충전하는 절연층(1042)은 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)인 제 1 절연층(1042a) 및 폴리이미드인 제 2 절연층(1042c)으로 이루어진 하이브리드 복합 절연층으로 구현된다. 이 경우, 제 1 절연층(1042a)과 도금층 패턴(1022) 간의 열팽창계수 차이는 제 2 절연층(1042c)과 도금층 패턴(1022) 간의 열팽창계수 차이 보다 더 작다. 다만, 도 17c 내지 도 17d와 달리, 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)인 제 1 절연층(1042a)은 도금층 패턴(1022) 사이에만 잔류한다. 이 경우, 네거티브 포토레지스트에 광(L)을 조사하는 영역은 도금층 패턴(1022) 사이의 영역에만 한정될 수 있다. 바람직하게는 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)인 제 1 절연층(1042a)의 레벨(level)은 도금층 패턴(1022)의 레벨과 동일하도록 구성될 수 있다. 이러한 구성은 예를 들어 제 1 절연층(1042a)을 웨이퍼 기판 상에 형성한 후에 전면 식각함으로써 구현할 수 있다. Referring to FIG. 19A , the insulating layer 1042 filling all of the space between the plating layer patterns 1022 includes a first insulating layer 1042a made of negative photoresist and a second insulating layer 1042c made of polyimide. ) is implemented as a hybrid composite insulating layer made of In this case, the difference in the coefficient of thermal expansion between the first insulating layer 1042a and the plating layer pattern 1022 is smaller than the difference in the thermal expansion coefficient between the second insulating layer 1042c and the plating layer pattern 1022 . However, unlike FIGS. 17C to 17D , the first insulating layer 1042a , which is a negative photoresist, remains only between the plating layer patterns 1022 . In this case, the region irradiating the light L to the negative photoresist may be limited only to the region between the plating layer patterns 1022 . Preferably, the level of the first insulating layer 1042a, which is a negative photoresist, may be configured to be the same as the level of the plating layer pattern 1022 . Such a configuration may be implemented by, for example, forming the first insulating layer 1042a on the wafer substrate and then etching the entire surface.

도 19b를 참조하면, 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)인 제 1 절연층(1042a) 상에 폴리이미드인 제 2 절연층(1042c)을 형성할 수 있다. 폴리이미드인 제 2 절연층(1042c)은 PAA(Poly(amic acid))와 솔벤트의 혼합물을 코팅한 후에 열을 인가함으로써 구현될 수 있다. 열을 인가하는 공정은 약 150℃까지 가경화하는 단계 및 250 ~ 350℃까지 가열하여 완전경화하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 가경화하는 단계에서 혼합물은 일부가 이미드화되며 이 상태에서 비아홀(1045)을 형성하는 패터닝 공정을 수행할 수 있다. 상기 완전경화하는 단계에서는 완전한 이미드화가 진행되어 안정한 폴리이미드로 형성된다. 비아홀(1045)은 후속의 공정에서 도전성 물질로 채워져 비아패턴으로 구현될 수 있다. 상기 비아패턴은 도 5a에서 도시된 제 1 비아 패턴(22a_v), 제 2 비아 패턴(22b_v) 및 제 3 비아 패턴(22c_v) 중의 어느 하나일 수있다. Referring to FIG. 19B , a second insulating layer 1042c made of polyimide may be formed on the first insulating layer 1042a made of negative photoresist. The second insulating layer 1042c made of polyimide may be implemented by coating a mixture of poly(amic acid) (PAA) and a solvent and then applying heat. The process of applying heat may include a step of pre-curing to about 150° C. and a step of fully curing by heating to 250 to 350° C. In the provisional curing step, a part of the mixture is imidized, and in this state, a patterning process for forming the via hole 1045 may be performed. In the complete curing step, complete imidization proceeds to form a stable polyimide. The via hole 1045 may be filled with a conductive material in a subsequent process to be implemented as a via pattern. The via pattern may be any one of the first via pattern 22a_v, the second via pattern 22b_v, and the third via pattern 22c_v illustrated in FIG. 5A .

도 19a 내지 도 19b의 구성에 따르면, 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)인 제 1 절연층(1042a) 및 폴리이미드인 제 2 절연층(1042c)으로 이루어진 혼합 절연층의 높이가 낮아져 코일 구조체를 소형화할 수 있으며, 상하로 인접하는 서브 마이크로패턴 코일 간의 이격거리가 작아져 유도 자기장의 크기를 증대시킬 수 있는 유리한 효과를 기대할 수 있다. According to the configuration of FIGS. 19A to 19B, the height of the mixed insulating layer comprising the first insulating layer 1042a which is a negative photoresist and the second insulating layer 1042c which is a polyimide is lowered, so that the coil structure can be miniaturized. It is possible to expect an advantageous effect of increasing the size of the induced magnetic field by reducing the separation distance between the sub-micropattern coils adjacent up and down.

도 20a 내지 도 20c는 본 발명의 또 다른 기술적 사상에 따른 액추에이터 코일 구조체의 제조방법의 또 다른 예를 순차적으로 도해하는 도면들이다. 20A to 20C are views sequentially illustrating another example of a method of manufacturing an actuator coil structure according to another technical idea of the present invention.

도 20a를 참조하면, 먼저 기판(10) 상에 기저층(41)을 형성한다(S10). 기판(10)과 기저층(41)에 대한 상세한 설명은 다른 도면들을 참조하여 앞에서 이미 설명한 것으로 대체한다. 기저층(41)은 폴리이미드(PI; Polyimide) 또는 광감성 폴리이미드(PSPI; Photo Sensitive Polyimide)일 수 있다. 한편, 변형된 예로서 기저층(41)은 포토레지스트일 수도 있다. 도면에 도시하지 않았지만, 자외선경화형 광반응성 고분자 물질층이 기판(10)과 기저층(41) 사이에 선택적으로 개재될 수도 있다. 기저층(41) 상에 서로 이격된 복수의 도금층 패턴(1022)을 형성한다. 도금층 패턴(1022)은, 예를 들어, 도 3n에 도시된 도전 코일(20)을 구성하는 제 1 시드층 패턴(21a)과 제 1 서브 마이크로패턴 코일(22a); 제 2 시드층 패턴(21b)과 제 2 서브 마이크로패턴 코일(22b); 제 3 시드층 패턴(21c)과 제 3 서브 마이크로패턴 코일(22c); 및 제 4 시드층 패턴(21d)과 제 4 서브 마이크로패턴 코일(22d); 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 20A , first, a base layer 41 is formed on the substrate 10 ( S10 ). The detailed description of the substrate 10 and the base layer 41 is replaced with that previously described with reference to other drawings. The base layer 41 may be made of polyimide (PI) or photosensitive polyimide (PSPI). Meanwhile, as a modified example, the base layer 41 may be a photoresist. Although not shown in the drawings, the UV-curable photoreactive polymer material layer may be selectively interposed between the substrate 10 and the base layer 41 . A plurality of plating layer patterns 1022 spaced apart from each other are formed on the base layer 41 . The plating layer pattern 1022 may include, for example, a first seed layer pattern 21a and a first sub-micropattern coil 22a constituting the conductive coil 20 shown in FIG. 3N ; a second seed layer pattern 21b and a second sub micropattern coil 22b; a third seed layer pattern 21c and a third sub micropattern coil 22c; and a fourth seed layer pattern 21d and a fourth sub-micropattern coil 22d; It may include at least one selected from among.

서로 이격된 복수의 도금층 패턴(1022) 사이에 제 1 절연층(1042b)을 형성할 수 있다. 제 1 절연층(1042b)은 포지티브 포토레지스트(positive photoresist)일 수 있다. 포지티브 포토레지스트는 코팅 단계 및 소프트 베이크 단계를 수행하여 형성될 수 있다. A first insulating layer 1042b may be formed between the plurality of plating layer patterns 1022 spaced apart from each other. The first insulating layer 1042b may be a positive photoresist. A positive photoresist may be formed by performing a coating step and a soft bake step.

도 20b를 참조하면, 포지티브 포토레지스트(positive photoresist)로 이루어진 제 1 절연층(1042b) 상에 광(L)을 조사한다. 광을 조사한 후에 포지티브 포토레지스트는 PEB(Post Exposure Bake) 단계를 수행할 수 있다. 포지티브 포토레지스트는 광이 조사된 영역에서 구성물질이 산으로 변화되어 후속의 현상(develop) 공정에서 제거되며, 광이 조사되지 않은 영역은 잔존하게 된다. 한편, 포지티브 포토레지스트는 PEB 공정에서 열을 받아 cross-linking이 발생하여 경화된다. 포지티브 포토레지스트가 노광되고 PEB 공정이 수행되는 과정에서 약 100 ~ 120℃ 정도의 열을 받을 수 있다. Referring to FIG. 20B , light L is irradiated onto the first insulating layer 1042b made of positive photoresist. After irradiating light, the positive photoresist may perform a Post Exposure Bake (PEB) step. In the positive photoresist, the constituent material is changed to acid in the region irradiated with light and removed in a subsequent develop process, and the region to which light is not irradiated remains. On the other hand, the positive photoresist is cured by cross-linking by heat in the PEB process. The positive photoresist may be exposed to light and receive heat of about 100 to 120° C. during the PEB process.

한편, 포지티브 포토레지스트에서 광이 조사되어 후속의 현상 공정으로 제거되는 영역은 비아패턴이 형성될 수 있는 비아홀(1045)의 일부일 수 있다. 상기 비아패턴은 도 5a에서 도시된 제 1 비아 패턴(22a_v), 제 2 비아 패턴(22b_v) 및 제 3 비아 패턴(22c_v) 중의 어느 하나일 수있다. Meanwhile, a region that is irradiated with light from the positive photoresist and removed by a subsequent development process may be a part of the via hole 1045 in which a via pattern may be formed. The via pattern may be any one of the first via pattern 22a_v, the second via pattern 22b_v, and the third via pattern 22c_v illustrated in FIG. 5A .

도 20c를 참조하면, 포지티브 포토레지스트(positive photoresist)인 제 1 절연층(1042b) 상에 폴리이미드인 제 2 절연층(1042c)을 형성할 수 있다. 폴리이미드인 제 2 절연층(1042c)은 PAA(Poly(amic acid))와 솔벤트의 혼합물을 코팅한 후에 열을 인가함으로써 구현될 수 있다. 열을 인가하는 공정은 약 150℃까지 가경화하는 단계 및 250 ~ 350℃까지 가열하여 완전경화하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 가경화하는 단계에서 혼합물은 일부가 이미드화되며 이 상태에서 비아홀(1045)을 형성하는 패터닝 공정을 수행할 수 있다. 상기 완전경화하는 단계에서는 완전한 이미드화가 진행되어 안정한 폴리이미드로 형성된다. Referring to FIG. 20C , a second insulating layer 1042c made of polyimide may be formed on the first insulating layer 1042b made of positive photoresist. The second insulating layer 1042c made of polyimide may be implemented by coating a mixture of poly(amic acid) (PAA) and a solvent and then applying heat. The process of applying heat may include a step of pre-curing to about 150° C. and a step of fully curing by heating to 250 to 350° C. In the provisional curing step, a part of the mixture is imidized, and in this state, a patterning process for forming the via hole 1045 may be performed. In the complete curing step, complete imidization proceeds to form a stable polyimide.

상술한 바와 같이, 도금층 패턴(1022) 사이의 이격 공간을 모두 충전하는 절연층(1042)은 포지티브 포토레지스트(positive photoresist)인 제 1 절연층(1042b) 및 폴리이미드인 제 2 절연층(1042c)으로 이루어진 혼합 절연층으로 구현된다. 이 경우, 제 1 절연층(1042b)과 도금층 패턴(1022) 간의 열팽창계수 차이는 제 2 절연층(1042c)과 도금층 패턴(1022) 간의 열팽창계수 차이 보다 더 작다. As described above, the insulating layer 1042 filling all of the space between the plating layer patterns 1022 includes a first insulating layer 1042b that is a positive photoresist and a second insulating layer 1042c that is a polyimide. It is implemented as a mixed insulating layer made of In this case, the difference in the coefficient of thermal expansion between the first insulating layer 1042b and the plating layer pattern 1022 is smaller than the difference in the thermal expansion coefficient between the second insulating layer 1042c and the plating layer pattern 1022 .

이러한 구성을 도입함으로써 폴리이미드인 제 2 절연층(1042c)만으로 도금층 패턴(1022) 사이를 충전할 때 폴리이미드가 경화하는 과정에서 폴리이미드를 포함하는 절연층과 도금층 패턴 사이의 열팽창계수의 현저한 차이로 인하여 발생하는 크랙 생성을 방지하는 효과를 기대할 수 있다. 또한, PAA(Poly(amic acid))와 솔벤트의 혼합물이 도금층 패턴(1022) 사이에 충전되어 경화되는 과정에서 솔벤트의 증발 또는 휘발로 부피가 수축되면서 빈 공간이 발생하는 현상을 근본적으로 방지할 수 있다. By introducing such a configuration, when filling between the plating layer patterns 1022 only with the second insulating layer 1042c that is polyimide, a significant difference in the coefficient of thermal expansion between the insulating layer containing polyimide and the plating layer pattern in the process of curing the polyimide The effect of preventing the generation of cracks caused by this can be expected. In addition, in the process where a mixture of PAA (Poly (amic acid)) and a solvent is filled between the plating layer patterns 1022 and cured, the volume is contracted due to evaporation or volatilization of the solvent, which can fundamentally prevent the occurrence of empty spaces. have.

그 밖에도 절연층과 도금층 패턴 사이의 열팽창계수의 현저한 차이로 인하여 발생하는 크랙 생성을 방지할 수 있는 다양한 형태의 실시예들이 가능하다. In addition, various types of embodiments capable of preventing cracks from being generated due to a significant difference in the coefficient of thermal expansion between the insulating layer and the plating layer pattern are possible.

일 예로, 하이브리드 복합 절연층을 구성하는 제 1 절연층(1042a, 1042b)은 제 1 포토레지스트이며, 제 2 절연층(1042c)은 제 2 포토레지스트일 수 있다. 이에 의하면, 폴리이미드인 절연층만으로 도금층 패턴 사이를 충전할 때 폴리이미드가 경화하는 과정에서 폴리이미드를 포함하는 절연층과 도금층 패턴 사이의 열팽창계수의 현저한 차이로 인하여 발생하는 크랙 생성을 방지할 수 있다. For example, the first insulating layers 1042a and 1042b constituting the hybrid composite insulating layer may be a first photoresist, and the second insulating layer 1042c may be a second photoresist. According to this, when filling between the plating layer patterns only with the insulating layer that is polyimide, cracks generated due to the significant difference in the coefficient of thermal expansion between the insulating layer containing polyimide and the plating layer pattern during curing of the polyimide can be prevented. have.

다른 예로, 하이브리드 복합 절연층을 구성하는 제 1 절연층(1042a, 1042b)의 높이는 도금층인 마이크로패턴 코일의 높이보다 상술한 바와 같이 더 높거나 동일할수 있으나, 이와 달리, 더 낮을 수도 있다. 제 1 절연층(1042a, 1042b)의 높이가 마이크로패턴 코일의 높이보다 더 낮은 경우, 제 2 절연층(1042c)은 도금층인 마이크로패턴 코일 사이에 일부 충전되면서 마이크로패턴 코일을 덮을 수 있으며, 비아홀(1045)은 제 2 절연층(1042c)을 관통하는 홀일 수 있다. 제 1 절연층(1042a, 1042b)은 포토레지스트이며, 제 2 절연층(1042c)은 폴리이미드 또는 포토레지스일 수 있다. As another example, the height of the first insulating layers 1042a and 1042b constituting the hybrid composite insulating layer may be higher or the same as the height of the micropattern coil, which is the plating layer, as described above, but alternatively, it may be lower. When the height of the first insulating layers 1042a and 1042b is lower than the height of the micropatterned coil, the second insulating layer 1042c may cover the micropatterned coil while being partially filled between the micropatterned coil, which is a plating layer, and a via hole ( 1045 may be a hole passing through the second insulating layer 1042c. The first insulating layers 1042a and 1042b may be photoresist, and the second insulating layer 1042c may be polyimide or photoresist.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiment shown in the drawings, which is only exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (11)

광을 투과시킬 수 있는 기판 상에 기저층을 배치하는 단계;
상기 기저층 상에 도전성의 마이크로패턴 코일을 형성하는 단계;
마이크로패턴 코일 사이의 공간을 충전하고 마이크로패턴 코일을 덮는 절연층을 형성하는 단계; 및
기판에 광을 조사하여 기저층과 기판 간의 접착력을 낮춤으로써, 기저층 및 기저층 상의 마이크로패턴 코일과 절연층을 구비하는 엑추에이터 코일 구조체를 기판과 분리하는 단계; 를 포함하되,
상기 절연층은 서로 상이한 제 1 절연층 및 제 2 절연층이 순차적으로 적층되는 하이브리드 절연층이며,
제 1 절연층과 마이크로패턴 코일 간의 열팽창계수 차이는 제 2 절연층과 마이크로패턴 코일 간의 열팽창계수 차이 보다 더 작은 것을 특징으로 하며,
제 1 절연층은 포토레지스트이며, 제 2 절연층은 폴리이미드인 것을 특징으로 하는,
액추에이터 코일 구조체의 제조방법.
disposing a base layer on a substrate capable of transmitting light;
forming a conductive micropatterned coil on the base layer;
forming an insulating layer that fills the space between the micropatterned coils and covers the micropatterned coils; and
separating the actuator coil structure including the base layer and the micropattern coil and the insulating layer on the base layer and the base layer from the substrate by irradiating light to the substrate to lower the adhesive force between the base layer and the substrate; including,
The insulating layer is a hybrid insulating layer in which different first insulating layers and second insulating layers are sequentially stacked,
It is characterized in that the difference in the coefficient of thermal expansion between the first insulating layer and the micropatterned coil is smaller than the difference in the coefficient of thermal expansion between the second insulating layer and the micropatterned coil,
characterized in that the first insulating layer is a photoresist and the second insulating layer is polyimide,
A method of manufacturing an actuator coil structure.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
제 2 절연층을 구성하는 폴리이미드는 광감성 폴리이미드를 포함하는,
액추에이터 코일 구조체의 제조방법.
The method of claim 1,
The polyimide constituting the second insulating layer includes a photosensitive polyimide,
A method of manufacturing an actuator coil structure.
광을 투과시킬 수 있는 기판 상에 기저층을 배치하는 단계;
상기 기저층 상에 도전성의 마이크로패턴 코일을 형성하는 단계;
마이크로패턴 코일 사이의 공간을 충전하고 마이크로패턴 코일을 덮는 절연층을 형성하는 단계; 및
기판에 광을 조사하여 기저층과 기판 간의 접착력을 낮춤으로써, 기저층 및 기저층 상의 마이크로패턴 코일과 절연층을 구비하는 엑추에이터 코일 구조체를 기판과 분리하는 단계; 를 포함하되,
상기 절연층은 서로 상이한 제 1 절연층 및 제 2 절연층이 순차적으로 적층되는 하이브리드 절연층이며,
제 1 절연층과 마이크로패턴 코일 간의 열팽창계수 차이는 제 2 절연층과 마이크로패턴 코일 간의 열팽창계수 차이 보다 더 작은 것을 특징으로 하며,
제 1 절연층은 제 1 포토레지스트이며, 제 2 절연층은 제 2 포토레지스트인 것을 특징으로 하는,
액추에이터 코일 구조체의 제조방법.
disposing a base layer on a substrate capable of transmitting light;
forming a conductive micropatterned coil on the base layer;
forming an insulating layer that fills the space between the micropatterned coils and covers the micropatterned coils; and
separating the actuator coil structure including the base layer and the micropattern coil and the insulating layer on the base layer and the base layer from the substrate by irradiating light to the substrate to lower the adhesive force between the base layer and the substrate; including,
The insulating layer is a hybrid insulating layer in which different first insulating layers and second insulating layers are sequentially stacked,
It is characterized in that the difference in the coefficient of thermal expansion between the first insulating layer and the micropatterned coil is smaller than the difference in the coefficient of thermal expansion between the second insulating layer and the micropatterned coil,
wherein the first insulating layer is a first photoresist and the second insulating layer is a second photoresist,
A method of manufacturing an actuator coil structure.
제 1 항에 있어서,
마이크로패턴 코일의 적어도 일부 상에 비아 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는,
액추에이터 코일 구조체의 제조방법.
The method of claim 1,
Further comprising the step of forming a via pattern on at least a portion of the micropatterned coil,
A method of manufacturing an actuator coil structure.
제 5 항에 있어서,
비아 패턴은 마이크로패턴 코일의 적어도 일부 상에 형성된 제 1 절연층 및 제 2 절연층을 관통하는 패턴인 것을 특징으로 하는,
액추에이터 코일 구조체의 제조방법.
6. The method of claim 5,
The via pattern is a pattern passing through the first insulating layer and the second insulating layer formed on at least a part of the micropatterned coil,
A method of manufacturing an actuator coil structure.
제 5 항에 있어서,
비아 패턴은 마이크로패턴 코일의 적어도 일부 상에 형성된 제 2 절연층을 관통하는 패턴인 것을 특징으로 하는,
액추에이터 코일 구조체의 제조방법.
6. The method of claim 5,
The via pattern is characterized in that it is a pattern penetrating the second insulating layer formed on at least a part of the micropatterned coil,
A method of manufacturing an actuator coil structure.
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
제 2 절연층을 형성하는 단계는 PAA와 솔벤트의 혼합물을 코팅한 후에 제 1 온도까지 열을 인가하여 가경화하는 제 1 단계 및 제 1 온도보다 높은 제 2 온도에서 가열하여 완전경화하는 제 2 단계를 포함하되,
비아 패턴을 형성하기 위하여 제 2 절연층을 관통하는 공정은 상기 제 1 단계 후 상기 제 2 단계 전에 수행하는 것을 특징으로 하는,
액추에이터 코일 구조체의 제조방법.
8. The method of claim 6 or 7,
The step of forming the second insulating layer is a first step of pre-curing by applying heat to a first temperature after coating a mixture of PAA and a solvent, and a second step of completely curing by heating at a second temperature higher than the first temperature. including,
The process of penetrating the second insulating layer to form a via pattern is characterized in that after the first step and before the second step,
A method of manufacturing an actuator coil structure.
제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
하이브리드 절연층을 구성하는 제 1 절연층의 높이는 마이크로패턴 코일의 높이보다 더 높은 것을 특징으로 하는,
액추에이터 코일 구조체의 제조방법.
5. The method of claim 1 or 4,
The height of the first insulating layer constituting the hybrid insulating layer is higher than the height of the micropatterned coil,
A method of manufacturing an actuator coil structure.
제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
하이브리드 절연층을 구성하는 제 1 절연층의 높이는 마이크로패턴 코일의 높이와 동일한 것을 특징으로 하는,
액추에이터 코일 구조체의 제조방법.
5. The method of claim 1 or 4,
The height of the first insulating layer constituting the hybrid insulating layer is the same as the height of the micropatterned coil,
A method of manufacturing an actuator coil structure.
제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
하이브리드 절연층을 구성하는 제 1 절연층의 높이는 마이크로패턴 코일의 높이보다 더 낮은 것을 특징으로 하는,
액추에이터 코일 구조체의 제조방법.
5. The method of claim 1 or 4,
Characterized in that the height of the first insulating layer constituting the hybrid insulating layer is lower than the height of the micropatterned coil,
A method of manufacturing an actuator coil structure.
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