KR102449421B1 - Inspection method for EUV mask - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 EUV 마스크 검사 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 EUV 마스크 검사 공정을 보다 신속하고 정확하게 수행할 수 있는 EUV 마스크 검사 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an EUV mask inspection method, and more particularly, to an EUV mask inspection method capable of more rapidly and accurately performing an EUV mask inspection process.
최근 반도체 소자의 고성능화, 고집적화에 따라 반도체 소자에 회로를 전사하기 위한 EUV(Extreme Ultra Violet) 마스크에 형성된 회로 패턴이 점점 더 미세화되고 있다. 이에 따라, EUV 마스크의 표면에서 발생할 수 있는 미세한 결함이 반도체 소자의 불량을 유발하는 문제점이 있다. 따라서, 높은 정밀도 및 효율로 EUV 마스크를 검사하기 위한 다양한 장치 및 방법들이 연구되고 있다.Recently, circuit patterns formed on EUV (Extreme Ultra Violet) masks for transferring circuits to semiconductor devices are becoming more and more miniaturized in accordance with high performance and high integration of semiconductor devices. Accordingly, there is a problem in that fine defects that may occur on the surface of the EUV mask cause defects in the semiconductor device. Therefore, various devices and methods for inspecting the EUV mask with high precision and efficiency are being studied.
예를 들어, 국내 공개특허공보 제10-2009-0120121호(극자외선 마스크의 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 장치)(2009년 11월 24일 공개)에는 펨토초 레이저를 네온 기체에 조사하여 간섭 극자외선을 생성한 후, 간섭 극자외선을 극자외선 마스크에 조사하여 산란된 광을 검출하여 EUV 마스크를 검사하는 기술이 개시되어 있다.For example, in Korean Patent Publication No. 10-2009-0120121 (examination method of extreme ultraviolet mask and apparatus for performing the same) (published on November 24, 2009), a femtosecond laser is irradiated to a neon gas to interfere with extreme ultraviolet rays. After generation, a technique of inspecting the EUV mask by irradiating the interference extreme ultraviolet to the extreme ultraviolet mask to detect the scattered light is disclosed.
그러나, 상기 특허문헌 등에 개시된 종래의 EUV 마스크 검사 장치 및 방법은 EUV 마스크 검사 장치의 구조가 복잡하여 비용이 증가할 뿐 아니라, 검사 공정을 수행하기 위한 제어가 용이하지 않다는 문제점이 있었다. 또한, 종래의 EUV 마스크 검사 장치 및 방법은 EUV 마스크의 표면에서 발생할 수 있는 다양한 불량 상태를 검출하지 못하므로 EUV 마스크에 대한 검사 결과가 정확하지 않다는 문제점이 있었다.However, the conventional EUV mask inspection apparatus and method disclosed in the above patent documents have problems in that the structure of the EUV mask inspection apparatus is complicated, which increases the cost, and the control for performing the inspection process is not easy. In addition, since the conventional EUV mask inspection apparatus and method do not detect various defect states that may occur on the surface of the EUV mask, there is a problem in that the inspection result for the EUV mask is not accurate.
따라서, EUV 마스크 검사 공정을 보다 신속하고 정확하게 수행할 수 있는 EUV 마스크 검사 방법이 요구된다.Accordingly, there is a need for an EUV mask inspection method capable of more rapidly and accurately performing an EUV mask inspection process.
본 발명은 상기한 문제점을 개선하기 위해 발명된 것으로, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, EUV 마스크의 불량 상태를 표현하는 복수의 샘플 패턴이 표시된 마스크 패턴으로부터 획득된 영상 데이터를 인공 지능을 이용한 패턴 분석부에 입력하여 복수의 샘플 패턴을 분류하고 이를 이용하여 EUV 마스크의 불량 여부를 판단함으로써, EUV 마스크 검사 공정을 보다 신속하고 정확하게 수행할 수 있는 EUV 마스크 검사 방법을 제공하는 것이다.The present invention was invented to improve the above problems, and the problem to be solved by the present invention is to use artificial intelligence to pattern image data obtained from a mask pattern in which a plurality of sample patterns representing a defective state of an EUV mask are displayed. An object of the present invention is to provide an EUV mask inspection method that can perform an EUV mask inspection process more quickly and accurately by classifying a plurality of sample patterns by input to an analysis unit and determining whether the EUV mask is defective by using them.
본 발명의 기술적 과제는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem of the present invention is not limited to those mentioned above, and another technical problem not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법은, 반도체 노광 공정에 사용되는 EUV(Extreme Ultra Violet) 마스크의 불량 여부를 검사하는 EUV 마스크 검사 방법에 있어서, 영상 촬영부가 EUV 마스크의 불량 상태를 표현하는 복수의 샘플 패턴이 표시된 마스크 패턴을 촬영하여 제1 영상 데이터를 획득하는 단계; 제어부가 상기 마스크 패턴에 대한 상기 제1 영상 데이터를 딥 러닝(Deep Learning) 기반 모델에 입력하고, 상기 패턴 분석부에 의해 분류된 복수의 샘플 패턴을 메모리부에 저장하는 단계; 상기 영상 촬영부가 EUV 마스크의 표면을 촬영하여 제2 영상 데이터를 획득하는 단계; 및 상기 제어부가 상기 메모리부로부터 추출된 복수의 샘플 패턴과 상기 제2 영상 데이터를 비교하여 상기 EUV 마스크의 불량 상태를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention is an EUV mask inspection method for inspecting whether an EUV (Extreme Ultra Violet) mask used in a semiconductor exposure process is defective. acquiring first image data by photographing a mask pattern in which a plurality of sample patterns representing a defective state of an EUV mask are displayed; inputting, by a controller, the first image data for the mask pattern into a deep learning-based model, and storing a plurality of sample patterns classified by the pattern analyzer in a memory unit; obtaining, by the image capturing unit, second image data by photographing the surface of the EUV mask; and determining, by the controller, a defective state of the EUV mask by comparing a plurality of sample patterns extracted from the memory unit with the second image data.
이 때, 상기 복수의 샘플 패턴은, 상기 EUV 마스크의 불량 상태 중, 상기 EUV 마스크의 표면에 형성된 이물(Particle)을 표현하는 사각 형상의 제1 샘플 패턴; 상기 EUV 마스크의 불량 상태 중, 상기 EUV 마스크의 표면에 형성된 스크래치(Scratch)를 표현하는 선 형상의 제2 샘플 패턴; 및 상기 EUV 마스크의 불량 상태 중, 상기 EUV 마스크의 표면에 형성된 버블(Bubble)을 표현하는 원 또는 타원 형상의 제3 샘플 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.In this case, the plurality of sample patterns may include: a first sample pattern having a rectangular shape representing a foreign material formed on a surface of the EUV mask among the defective states of the EUV mask; a second sample pattern having a linear shape representing a scratch formed on a surface of the EUV mask among the defective states of the EUV mask; and a third sample pattern having a circle or oval shape representing a bubble formed on a surface of the EUV mask among the defective states of the EUV mask.
또한, 상기 제1 샘플 패턴, 상기 제2 샘플 패턴 및 상기 제3 샘플 패턴 각각은, 서로 다른 크기 및 각도를 가지도록 상기 마스크 패턴의 서로 다른 위치에 복수개 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, each of the first sample pattern, the second sample pattern, and the third sample pattern is characterized in that a plurality of them are disposed at different positions of the mask pattern to have different sizes and angles.
또한, 상기 마스크 패턴은, 가장자리를 따라 미리 정해진 간격을 가지도록 서로 다른 형상을 가지는 복수의 에지 패턴이 형성된 것을 특징으로 한다.Also, the mask pattern is characterized in that a plurality of edge patterns having different shapes are formed along the edges to have a predetermined interval.
또한, 상기 제어부가 상기 복수의 샘플 패턴을 메모리부에 저장하는 단계는, 상기 제어부가 상기 제1 영상 데이터를 상기 패턴 분석부에 입력하는 단계; 상기 제어부가 상기 마스크 패턴에 표시된 상기 복수의 샘플 패턴 각각에 대한 태그를 입력 받는 단계; 상기 패턴 분석부가 상기 복수의 샘플 패턴 각각의 형상 및 태그에 기반하여 상기 복수의 샘플 패턴을 분류하는 단계; 및 상기 제어부가 상기 패턴 분석부에 의해 분류된 상기 복수의 샘플 패턴을 상기 메모리부에 저장하는 것을 특징으로 한다.The storing of the plurality of sample patterns in the memory unit by the control unit may include: inputting, by the control unit, the first image data to the pattern analysis unit; receiving, by the controller, a tag for each of the plurality of sample patterns displayed on the mask pattern; classifying, by the pattern analysis unit, the plurality of sample patterns based on a shape and a tag of each of the plurality of sample patterns; and the control unit stores the plurality of sample patterns classified by the pattern analysis unit in the memory unit.
한편, 상기 영상 촬영부가 상기 제1 영상 데이터 또는 제2 영상 데이터를 획득하는 단계는, 상기 제어부가 상기 마스크 패턴 또는 상기 EUV 마스크의 영역과 상기 영상 촬영부의 시야각(Field of View, FOV)의 영역의 크기를 비교하는 단계; 상기 마스크 패턴 또는 상기 EUV 마스크의 영역이 상기 시야각의 영역보다 넓은 경우, 상기 제어부가 상기 마스크 패턴 또는 상기 EUV 마스크의 영역을 상기 마스크 패턴 또는 상기 EUV 마스크의 종횡 방향을 따라 상기 시야각의 영역의 크기에 대응하는 복수의 분할 영역으로 나누는 단계; 상기 영상 촬영부가 상기 복수의 분할 영역을 순차적으로 촬영하여 복수의 분할 영상을 생성하는 단계; 및 상기 제어부가 상기 복수의 분할 영상을 순차적으로 결합하여 상기 제1 영상 데이터 또는 상기 제2 영상 데이터를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the step of the image capturing unit acquiring the first image data or the second image data, the control unit of the area of the mask pattern or the EUV mask and the area of the field of view (FOV) of the image capturing unit comparing sizes; When the area of the mask pattern or the EUV mask is wider than the area of the viewing angle, the control unit sets the area of the mask pattern or the EUV mask to the size of the area of the viewing angle along the longitudinal and lateral directions of the mask pattern or the EUV mask. dividing into a plurality of corresponding divided regions; generating, by the image capturing unit, a plurality of divided images by sequentially photographing the plurality of divided regions; and generating, by the controller, the first image data or the second image data by sequentially combining the plurality of divided images.
이 때, 상기 마스크 패턴에 포함된 상기 복수의 분할 영역은, 상기 EUV 마스크의 양호 상태를 나타내는 적어도 하나의 제1 분할 영역; 및 상기 EUV 마스크의 불량 상태를 나타내며, 상기 복수의 샘플 패턴이 형성된 적어도 하나의 제2 분할 영역을 포함하고, 상기 복수의 샘플 패턴은, 상기 EUV 마스크의 불량 상태 중, 상기 EUV 마스크의 표면에 형성된 이물(Particle)을 표현하는 사각 형상의 제1 샘플 패턴; 상기 EUV 마스크의 불량 상태 중, 상기 EUV 마스크의 표면에 형성된 스크래치(Scratch)를 표현하는 선 형상의 제2 샘플 패턴; 및 상기 EUV 마스크의 불량 상태 중, 상기 EUV 마스크의 표면에 형성된 버블(Bubble)을 표현하는 원 또는 타원 형상의 제3 샘플 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.In this case, the plurality of divided regions included in the mask pattern may include: at least one first divided region indicating a good state of the EUV mask; and at least one second division region indicating a defective state of the EUV mask and in which the plurality of sample patterns are formed, wherein the plurality of sample patterns are formed on a surface of the EUV mask among the defective states of the EUV mask. a first sample pattern having a rectangular shape representing a particle; a second sample pattern having a linear shape representing a scratch formed on a surface of the EUV mask among the defective states of the EUV mask; and a third sample pattern having a circle or oval shape representing a bubble formed on a surface of the EUV mask among the defective states of the EUV mask.
또한, 상기 마스크 패턴에 포함된 상기 적어도 하나의 제2 분할 영역은 각각, 가장자리를 따라 미리 정해진 간격을 가지도록 서로 다른 형상을 가지는 복수의 에지 패턴이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, each of the at least one second division region included in the mask pattern is characterized in that a plurality of edge patterns having different shapes are formed to have a predetermined interval along the edge.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에 따르면, EUV 마스크의 불량 상태를 표현하는 복수의 샘플 패턴이 표시된 마스크 패턴으로부터 획득된 영상 데이터를 인공 지능을 이용한 패턴 분석부에 입력하여 복수의 샘플 패턴을 분류하고 이를 이용하여 EUV 마스크의 불량 여부를 판단함으로써, EUV 마스크 검사 공정을 보다 신속하고 정확하게 수행할 수 있다.According to the EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention, image data obtained from a mask pattern on which a plurality of sample patterns representing a defective state of an EUV mask are displayed is input to a pattern analysis unit using artificial intelligence to input a plurality of samples By classifying the patterns and determining whether the EUV mask is defective using the classification, the EUV mask inspection process can be performed more quickly and accurately.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법을 나타내는 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에서 마스크 패턴에 표시된 샘플 패턴의 예를 나타내는 도면이다.
도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에서 마스크 패턴에 표시된 에지 패턴의 예를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에서 패턴 분석부가 복수의 샘플 패턴을 분류하여 저장하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에서 영상 촬영부가 마스크 패턴을 촬영하여 제1 영상 데이터를 획득하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에서 마스크 패턴의 영역이 영상 촬영부의 시야각의 영역보다 넓을 경우 영상 촬영부가 마스크 패턴을 촬영하는 과정을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에서 마스크 패턴의 영역이 영상 촬영부의 시야각의 영역보다 넓을 경우 마스크 패턴이 복수의 분할 영역으로 분할된 예를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에서 마스크 패턴의 영역이 영상 촬영부의 시야각의 영역보다 넓을 경우 마스크 패턴에 표시된 샘플 패턴의 예를 나타내는 도면이다.1 is a block diagram schematically showing the configuration of an EUV mask inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart illustrating an EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating an example of a sample pattern displayed on a mask pattern in an EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating an example of an edge pattern displayed on a mask pattern in an EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a method of classifying and storing a plurality of sample patterns by a pattern analyzer in an EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a method of acquiring first image data by an image capturing unit capturing a mask pattern in an EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention.
7 is a diagram illustrating a process in which the image capturing unit captures the mask pattern when the area of the mask pattern is wider than the area of the viewing angle of the image capturing unit in the EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention.
8 is a diagram illustrating an example in which the mask pattern is divided into a plurality of divided regions when the region of the mask pattern is wider than the region of the viewing angle of the image capturing unit in the EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention.
9 is a diagram illustrating an example of a sample pattern displayed on a mask pattern when the area of the mask pattern is wider than the area of the viewing angle of the image capturing unit in the EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings to the extent that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily practice the present invention.
실시예를 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술 분야에 익히 알려져 있고 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 발명의 요지를 흐리지 않고 더욱 명확히 전달하기 위함이다.In describing the embodiments, descriptions of technical contents that are well known in the technical field to which the present invention pertains and are not directly related to the present invention will be omitted. This is to more clearly convey the gist of the present invention by omitting unnecessary description.
마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다. 또한, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다. 각 도면에서 동일한 또는 대응하는 구성요소에는 동일한 참조 번호를 부여하였다.For the same reason, some components are exaggerated, omitted, or schematically illustrated in the accompanying drawings. In addition, the size of each component does not fully reflect the actual size. In each figure, the same or corresponding elements are assigned the same reference numerals.
또한, 장치 또는 요소 방향(예를 들어 "전(front)", "후(back)", "위(up)", "아래(down)", "상(top)", "하(bottom)", "좌(left)", "우(right)", "횡(lateral)")등과 같은 용어들에 관하여 본원에 사용된 표현 및 술어는 단지 본 발명의 설명을 단순화하기 위해 사용되고, 관련된 장치 또는 요소가 단순히 특정 방향을 가져야 함을 나타내거나 의미하지 않는다는 것을 알 수 있을 것이다.Also, device or element orientation (eg "front", "back", "up", "down", "top", "bottom") The expressions and predicates used herein with respect to terms such as ", "left", "right", "lateral", etc. are used merely to simplify the description of the invention, and the associated apparatus Or it will be appreciated that it does not simply indicate or imply that an element must have a particular orientation.
이하, 본 발명의 일 실시예에 의하여 EUV 마스크 검사 방법을 설명하기 위한 도면들을 참고하여 본 발명에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings for explaining an EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram schematically showing the configuration of an EUV mask inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 장치(100)는 마스크 지지부(110), 영상 촬영부(120), 패턴 분석부(130), 메모리부(140) 및 제어부(150)를 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 EUV 마스크 검사 장치(100)는 반도체 노광 공정에 사용되는 EUV(Extreme Ultra Violet) 마스크(10)의 불량 상태를 표현하는 복수의 샘플 패턴(210)이 표시된 마스크 패턴(200)을 이용하여 EUV 마스크(10)의 불량 여부를 검사할 수 있다.As shown in FIG. 1 , an EUV
마스크 지지부(110)는 복수의 샘플 패턴(210)이 표시된 마스크 패턴(200) 또는 검사 대상인 EUV 마스크(10)가 안착된 상태에서 마스크 패턴(200) 또는 EUV 마스크(10)를 지지할 수 있다. 비록 자세히 도시되지는 않았으나, 마스크 지지부(110)는 마스크 패턴(200) 또는 EUV 마스크(10)를 수평 방향(X 방향, Y 방향) 또는 상하 방향(Z 방향)으로 이동시키기 위한 마스크 구동부(도시되지 않음)를 구비할 수 있다. 또한, 마스크 지지부(110)는 영상 촬영부(120)가 마스크 패턴(200) 또는 EUV 마스크(10)로부터 제1 영상 데이터 또는 제2 영상 데이터를 획득할 때의 밝기를 조절하기 위한 조명부(도시되지 않음)를 구비할 수 있다.The
영상 촬영부(120)는 EUV 마스크(10)의 표면을 촬영하여 영상 데이터를 획득할 수 있다. 후술하겠지만, 영상 촬영부(120)는 복수의 샘플 패턴(210)이 표시된 마스크 패턴(200)을 촬영하여 제1 영상 데이터를 획득하거나, 검사 대상인 EUV 마스크(10)의 표면을 촬영하여 제2 영상 데이터를 획득할 수 있다. 바람직하게는, 영상 촬영부(120)는 비전 카메라(Vision camera)를 사용할 수 있다.The image capturing unit 120 may acquire image data by photographing the surface of the
패턴 분석부(130)는 영상 촬영부(120)가 마스크 패턴(200)을 촬영하여 획득한 제1 영상 데이터를 입력 받아 복수의 샘플 패턴(210)을 EUV 마스크(10)의 불량 상태에 따라 복수의 샘플 패턴(210)을 분류할 수 있다.The
바람직하게는, 패턴 분석부(130)는 영상 촬영부(120)가 마스크 패턴(200)을 촬영하여 획득한 제1 영상 데이터를 입력 받아 복수의 샘플 패턴(210)을 인공 지능을 기반으로 딥 러닝(Deep Learning) 방식으로 학습하여 EUV 마스크(10)의 불량 상태에 따라 복수의 샘플 패턴(210)을 분류할 수 있다. 특히, 패턴 분석부(130)는 복수의 샘플 패턴(210) 각각의 형상과 복수의 샘플 패턴(210) 각각에 대해 입력된 태그에 기반하여 복수의 샘플 패턴(210)을 분류할 수 있다.Preferably, the
후술하겠지만, 마스크 패턴(200)에 표시된 복수의 샘플 패턴(210)은 EUV 마스크(10)의 표면에 형성된 이물(Particle)을 표현하는 사각 형상의 제1 샘플 패턴(211), EUV 마스크(10)의 표면에 형성된 스크래치(Scratch)를 표현하는 선 형상의 제2 샘플 패턴(212), EUV 마스크(10)의 표면에 형성된 버블(Bubble)을 표현하는 원 또는 타원 형상의 제3 샘플 패턴(213)을 포함할 수 있다.As will be described later, the plurality of
메모리부(140)는 EUV 마스크 검사 장치(100)의 구동에 필요한 각종 프로그램과 제어부(150)에서 처리한 각종 데이터 등을 임시 또는 영구적으로 저장할 수 있다. 즉, 메모리부(140)는 영상 촬영부(120)에 의해 촬영된 제1 영상 데이터 및 제2 영상 데이터, 패턴 분석부(130)에 의해 분류된 복수의 샘플 패턴(210)을 저장할 수 있다. 메모리부(140)는 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 사용할 수 있으며, 하드 디스크(Hard Disk), SD 카드(Secure Digital Card) 등 정보의 입출력 및 저장이 가능한 다양한 저장 매체를 사용할 수도 있다.The memory unit 140 may temporarily or permanently store various programs necessary for driving the EUV
제어부(150)는 차량용 EUV 마스크 검사 장치(100)를 구성하는 각종 구성 요소, 즉, 마스크 지지부(110), 영상 촬영부(120), 패턴 분석부(130) 및 메모리부(140)의 동작을 제어할 수 있다. 즉, 제어부(150)는 영상 촬영부(120)에 의해 촬영된 제1 영상 데이터를 패턴 분석부(130)에 입력하고, 제1 영상 데이터 및 패턴 분석부(130)에 의해 분류된 복수의 샘플 패턴(210)을 메모리부(140)에 저장하며, 메모리부(140)로부터 추출된 복수의 샘플 패턴(210)과 제2 영상 데이터를 비교하여 EUV 마스크(10)의 불량 상태를 판단할 수 있다.The
이상, 본 실시예에서 사용되는 '~부'라는 용어는 소프트웨어 또는 FPGA또는 ASIC과 같은 하드웨어 구성요소를 의미하며, '~부'는 어떤 역할들을 수행한다. 그렇지만 '~부'는 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '~부'는 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다. 따라서, 일 예로서 '~부'는 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들, 및 변수들을 포함한다. 구성요소들과 '~부'들 안에서 제공되는 기능은 더 작은 수의 구성요소들 및 '~부'들로 결합되거나 추가적인 구성요소들과 '~부'들로 더 분리될 수 있다. 뿐만 아니라, 구성요소들 및 '~부'들은 디바이스 또는 보안 멀티미디어카드 내의 하나 또는 그 이상의 CPU들을 재생시키도록 구현될 수도 있다.As mentioned above, the term '~ unit' used in this embodiment means software or hardware components such as FPGA or ASIC, and '~ unit' performs certain roles. However, '-part' is not limited to software or hardware. '~unit' may be configured to reside on an addressable storage medium or may be configured to refresh one or more processors. Thus, as an example, '~' denotes components such as software components, object-oriented software components, class components, and task components, and processes, functions, properties, and procedures. , subroutines, segments of program code, drivers, firmware, microcode, circuitry, data, databases, data structures, tables, arrays, and variables. The functions provided in the components and '~ units' may be combined into a smaller number of components and '~ units' or further separated into additional components and '~ units'. In addition, components and '~ units' may be implemented to play one or more CPUs in a device or secure multimedia card.
이하, 도 2 내지 도 9를 참조하여, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 장치(100)를 이용한 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention using the EUV
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법을 나타내는 순서도이다.2 is a flowchart illustrating an EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 영상 촬영부(120)는 EUV 마스크(10)의 불량 상태를 표현하는 복수의 샘플 패턴(210)이 표시된 마스크 패턴(200)을 촬영하여 제1 영상 데이터를 획득할 수 있다(S110).As shown in FIG. 2 , the image capturing unit 120 acquires first image data by photographing a
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에서 마스크 패턴에 표시된 샘플 패턴의 예를 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating an example of a sample pattern displayed on a mask pattern in an EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 마스크 패턴(200)은 표면에 EUV 마스크(10)의 불량 상태를 표현하는 복수의 샘플 패턴(210)이 표시되며, 복수의 샘플 패턴(210)은 EUV 마스크(10)의 불량 상태를 표현하는 다양한 형상으로 분류하여 형성될 수 있다.As shown in FIG. 3 , a plurality of
바람직하게는, 복수의 샘플 패턴(210)은 EUV 마스크(10)의 불량 상태 중, EUV 마스크(10)의 표면에 형성된 이물(Particle)을 표현하는 사각 형상의 제1 샘플 패턴(211)과, EUV 마스크(10)의 불량 상태 중, EUV 마스크(10)의 표면에 형성된 스크래치(Scratch)를 표현하는 선 형상의 제2 샘플 패턴(212)과, EUV 마스크(10)의 불량 상태 중, EUV 마스크(10)의 표면에 형성된 버블(Bubble)을 표현하는 원 또는 타원 형상의 제3 샘플 패턴(213)으로 구성될 수 있다.Preferably, the plurality of
특히, 제1 샘플 패턴(211), 제2 샘플 패턴(212) 및 제3 샘플 패턴(213) 각각은, 서로 다른 크기를 가지고 마스크 패턴(200)의 서로 다른 위치에 복수개 배치될 수 있다.In particular, each of the
도 3의 예에서는 EUV 마스크(10)의 표면에 형성된 이물을 표현하는 제1 샘플 패턴(211)을 서로 다른 크기를 가지는 16 개(4×4)의 정사각형(5um, 10um, 15um, 20um, 25um, 30um, 35um, 40um, 45um, 50um, 55um, 60um, 5um, 10um, 20um, 30um)으로 마스크 패턴(200)의 중앙 부분에서 서로 다른 위치에 표시하고, EUV 마스크(10)의 표면에 형성된 스크래치를 표현하는 제2 샘플 패턴(212)을 마스크 패턴(200)의 상단 부분에서 서로 다른 크기 및 각도를 가지는 10 개(5×2)의 선형(10umХ300um, 10umХ500um, 20umХ500um(Tilt 20°), 20umХ1000um, 30umХ500mu, 30umХ700um(Tilt 30°), 30umХ1000um, 40umХ300um, 40umХ500um, 40umХ1000um)으로 서로 다른 위치에 표시하며, EUV 마스크(10)의 표면에 형성된 버블을 표현하는 제3 샘플 패턴(213)을 서로 다른 크기(직경)를 가지는 10 개(5×2)의 원형(Ф10um, Ф20um, Ф30um, Ф40um, Ф50um, Ф70um, Ф100um, Ф200um, Ф400um, Ф500um)으로 마스크 패턴(200)의 하단 부분에서 서로 다른 위치에 표시한 예를 도시하고 있다.In the example of FIG. 3 , 16 (4×4) squares (5um, 10um, 15um, 20um, 25um) having different sizes are shown for the
다만, 도 3에서는 16 개의 제1 샘플 패턴(211)이 서로 동일한 크기를 가지고, 10 개의 제2 샘플 패턴(212)이 서로 동일한 길이를 가지며, 10 개의 제3 샘플 패턴(213)이 서로 동일한 직경을 가지도록 도시되어 있으나, 이는 실제 크기를 반영한 것이 아니라 편의상 동일하게 표현된 것이다.However, in FIG. 3 , 16
한편, 마스크 패턴(200)은 표면에 EUV 마스크(10)의 불량 상태를 표현하는 복수의 샘플 패턴(210) 이외에 가장자리를 따라 복수의 에지 패턴(220)이 형성될 수 있다.Meanwhile, in the
도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에서 마스크 패턴에 표시된 에지 패턴의 예를 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating an example of an edge pattern displayed on a mask pattern in an EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention.
도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 에지 패턴(220)은 EUV 마스크(10)의 불량 상태를 표현하는 복수의 샘플 패턴(210)을 둘러싸는 가장자리를 따라 미리 정해진 간격을 가지고 서로 다른 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 이러한 복수의 에지 패턴(220)은 서로 다른 크기 및 각도를 가지도록 형성된 복수의 샘플 패턴(210) 각각의 위치를 정확하게 특정할 수 있도록 할 수 있다.As shown in FIG. 4 , the plurality of edge patterns 220 have different shapes at predetermined intervals along the edges surrounding the plurality of
바람직하게는, 복수의 에지 패턴(220)은 마스크 패턴(200)의 가장자리 중 제1 방향(도 4의 예에서, 가로 방향)을 따라 미리 정해진 간격을 가지고 서로 다른 형상을 가지도록 형성된 복수의 제1 에지 패턴(221), 마스크 패턴(200)의 가장자리 중 제2 방향(도 4의 예에서, 세로 방향)을 따라 미리 정해진 간격을 가지고 서로 다른 형상을 가지도록 형성된 복수의 제2 에지 패턴(222), 마스크 패턴(200)의 가장자리 중 4 개의 모서리 각각의 위치에 형성된 4 개의 제3 에지 패턴(223)으로 구성될 수 있다.Preferably, the plurality of edge patterns 220 have a predetermined interval along a first direction (horizontal direction in the example of FIG. 4 ) among the edges of the
도 4에서는 도 3의 예에서 복수의 샘플 패턴(210)이 16 개(4×4)의 제1 샘플 패턴(211), 10 개(5×2)의 제2 샘플 패턴(212), 10개(5×2)의 제3 패턴을 가지는 경우, 16 개(4×4)의 제1 샘플 패턴(211) 각각의 위치에 대응하는 위치에 4 개의 제1 에지 패턴(221), 4 개의 제2 에지 패턴(222)이 형성된 예를 도시하고 있다.In FIG. 4 , in the example of FIG. 3 , a plurality of
다시 도 2를 참조하면, 영상 촬영부(120)가 제1 영상 데이터를 획득한 후(S110), 제어부(150)는 마스크 패턴(200)에 대한 제1 영상 데이터를 딥 러닝(Deep Learning) 기반 모델에 입력하고, 패턴 분석부(130)에 의해 분류된 복수의 샘플 패턴(210)을 메모리부(140)에 저장할 수 있다(S120).Referring back to FIG. 2 , after the image capturing unit 120 acquires the first image data ( S110 ), the
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에서 패턴 분석부가 복수의 샘플 패턴을 분류하여 저장하는 방법을 나타내는 순서도이다.5 is a flowchart illustrating a method of classifying and storing a plurality of sample patterns by a pattern analyzer in an EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention.
먼저, 도 5에 도시된 바와 같이, 제어부(150)는 영상 촬영부(120)에 의해 획득된 제1 영상 데이터를 패턴 분석부(130)에 입력하고(S121), 마스크 패턴(200)에 표시된 복수의 샘플 패턴(210) 각각에 대한 태그를 입력 받을 수 있다(S122). 이 때, 태그는 복수의 샘플 패턴(210) 각각에 대한 종류(즉, 이물, 스크래치, 버블), 형상(사각 형상, 선 형상, 원 또는 타원 형상), 크기(길이, 폭, 직경 등) 및 각도 등에 대한 정보, 마스크 패턴(200)을 촬영할 때의 조명의 밝기 정보 등을 의미한다.First, as shown in FIG. 5 , the
그리고, 패턴 분석부(130)는 복수의 샘플 패턴(210) 각각의 형상 및 태그에 기반하여 복수의 샘플 패턴(210)을 분류한 후(S123), 제어부(150)는 패턴 분석부(130)에 의해 분류된 복수의 샘플 패턴(210)을 메모리부(140)에 저장할 수 있다.Then, the
이와 같이, 패턴 분석부(130)에 의해 분류되고 메모리부(140)에 저장된 복수의 샘플 패턴(210)은 영상 촬영부(120)에 의해 검사 대상인 EUV 마스크(10)로부터 획득된 제2 영상 데이터와 비교되어 EUV 마스크(10)의 불량 여부를 검사할 때에 사용될 수 있다.As described above, the plurality of
다시 도 2를 참조하면, 제어부(150)가 패턴 분석부(130)에 의해 분류된 복수의 샘플 패턴(210)을 메모리부(140)에 저장한 후(S120), 영상 촬영부(120)는 EUV 마스크(10)의 표면을 촬영하여 제2 영상 데이터를 획득하고(S130), 제어부(150)는 메모리부(140)로부터 추출된 복수의 샘플 패턴(210)과 제2 영상 데이터를 비교하여 EUV 마스크(10)의 불량 상태를 판단할 수 있다(S140).Referring back to FIG. 2 , after the
한편, 도 2의 단계 S110 및 단계 S130에서 영상 촬영부(120)가 마스크 패턴(200) 또는 EUV 마스크(10)로부터 제1 영상 데이터 또는 제2 영상 데이터를 획득할 때에 영상 촬영부(120)가 마스크 패턴(200) 또는 EUV 마스크(10)의 전체 영역을 한번에 촬영할 수도 있으나, 경우에 따라 영상 촬영부(120)는 마스크 패턴(200) 또는 EUV 마스크(10)의 전체 영역을 분할하여 나누어 촬영할 수도 있다.Meanwhile, when the image capturing unit 120 acquires the first image data or the second image data from the
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에서 영상 촬영부가 마스크 패턴을 촬영하여 제1 영상 데이터를 획득하는 방법을 나타내는 순서도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에서 마스크 패턴의 영역이 영상 촬영부의 시야각의 영역보다 넓을 경우 영상 촬영부가 마스크 패턴을 촬영하는 과정을 나타내는 도면이다.6 is a flowchart illustrating a method in which an image capturing unit acquires first image data by photographing a mask pattern in an EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is an EUV mask according to an embodiment of the present invention. In the inspection method, when the area of the mask pattern is wider than the area of the viewing angle of the image capturing unit, it is a diagram illustrating a process in which the image capturing unit captures the mask pattern.
도 6에 도시된 바와 같이, 영상 촬영부(120)가 마스크 패턴(200)으로부터 제1 영상 데이터를 획득하기 전에 제어부(150)는 마스크 패턴(200)의 영역과 영상 촬영부(120)의 시야각(Field of View, FOV)의 영역의 크기를 비교하여 마스크 패턴(200)의 영역이 영상 촬영부(120)의 시야각의 영역보다 넓은지 여부를 판단할 수 있다(S111),6 , before the image capturing unit 120 acquires the first image data from the
단계 S111에서의 판단 결과, 마스크 패턴(200)의 영역이 영상 촬영부(120)의 시야각의 영역보다 넓은 경우(단계 S112의 예), 제어부(150)는 마스크 패턴(200)의 영역을 마스크 패턴(200)의 종횡 방향을 따라 시야각의 영역의 크기에 대응하는 복수의 분할 영역으로 나눌 수 있다(S113). 도 7에서는 제어부(150)가 마스크 패턴(200)의 전체 영역을 영상 촬영부(120)의 시야각의 영역을 고려하여 마스크 패턴(200)의 종횡 방향(가로 세로 방향)을 따라 시야각의 영역의 크기에 대응하는 9 개(3×3)의 분할 영역(M1 내지 M9)으로 분할한 예를 도시하고 있다.As a result of the determination in step S111 , when the area of the
그리고, 영상 촬영부(120)는 복수의 분할 영역을 순차적으로 촬영하여 복수의 분할 영상을 생성하고(S114), 제어부(150)는 영상 촬영부(120)로부터 생성된 복수의 분할 영상을 순차적으로 결합하여 1 개의 제1 영상 데이터를 생성할 수 있다(S115). 도 7에서는 영상 촬영부(120)가 9 개(3×3)의 분할 영역(M1 내지 M9)을 M1, M2, M3, M6, M5, M4, M7, M8, M9 순서로 촬영하는 예를 도시하고 있다. 비록 자세히 도시되지는 않았으나, 영상 촬영부(120)가 복수의 분할 영역을 순차적으로 촬영하기 위해서는 영상 촬영부(120)를 해당 위치로 이동시킬 수도 있고, 마스크 지지부(110)에 구비된 마스크 구동부(도시되지 않음)가 마스크 패턴(200)을 해당 위치로 이동시킬 수도 있다.Then, the image capturing unit 120 generates a plurality of divided images by sequentially photographing a plurality of divided regions ( S114 ), and the
이와 반대로, 단계 S111에서의 판단 결과, 마스크 패턴(200)의 영역이 영상 촬영부(120)의 시야각의 영역보다 좁은 경우(단계 S112의 아니오), 제어부(150)는 영상 촬영부(120)는 마스크 패턴(200)의 전체 영역을 1회 촬영하여 제1 영상 데이터를 획득할 수 있다.Conversely, as a result of the determination in step S111, when the area of the
한편, 도 6에서는 도 2의 단계 S110에서 영상 촬영부(120)가 마스크 패턴(200)으로부터 제1 영상 데이터를 획득하는 과정을 예로 들어 설명하고 있으나, 단계 S130에서 영상 촬영부(120)가 EUV 마스크(10)로부터 제2 영상 데이터를 획득할 때에도 제어부(150)는 EUV 마스크(10)에 대해 도 6과 실질적으로 동일한 과정을 수행할 수 있다.Meanwhile, in FIG. 6 , the process in which the image capturing unit 120 acquires the first image data from the
한편, 도 6 및 도 7의 예에서, 마스크 패턴(200)의 영역이 영상 촬영부(120)의 시야각의 영역보다 넓어 제어부(150)가 마스크 패턴(200)의 전체 영역을 복수의 분할 영역으로 나누는 경우, 영상 촬영부(120)가 촬영하는 각각의 분할 영역은 복수의 샘플 패턴(210)이 형성되는지 여부에 따라 양호 상태 또는 불량 상태를 나타낼 수 있다.Meanwhile, in the examples of FIGS. 6 and 7 , the area of the
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에서 마스크 패턴의 영역이 영상 촬영부의 시야각의 영역보다 넓을 경우 마스크 패턴이 복수의 분할 영역으로 분할된 예를 나타내는 도면이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법에서 마스크 패턴의 영역이 영상 촬영부의 시야각의 영역보다 넓을 경우 마스크 패턴에 표시된 샘플 패턴의 예를 나타내는 도면이다.8 is a view showing an example in which the mask pattern is divided into a plurality of divided regions when the region of the mask pattern is wider than the region of the viewing angle of the image capturing unit in the EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention. A diagram illustrating an example of a sample pattern displayed on the mask pattern when the area of the mask pattern is wider than the area of the viewing angle of the image capturing unit in the EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention.
도 8에서는 도 7과 마찬가지로 마스크 패턴(200)이 9 개(3×3)의 분할 영역(M1 내지 M9)을 가지는 경우를 예로 들어 도시하고 있다.In FIG. 8 , as in FIG. 7 , a case in which the
도 8에 도시된 바와 같이, 마스크 패턴(200)에 포함된 복수의 분할 영역은 EUV 마스크(10)의 양호 상태를 나타내는 적어도 하나의 제1 분할 영역과, EUV 마스크(10)의 불량 상태를 나타내며, 복수의 샘플 패턴(210)이 형성된 적어도 하나의 제2 분할 영역으로 구분될 수 있다. 도 8에서는 9 개(3×3)의 분할 영역(M1 내지 M9) 중, 3 개의 M4, M5, M6이 EUV 마스크(10)의 양호 상태를 나타내는 제1 분할 영역이고, 6 개의 M1, M2, M3, M7, M8, M9가 EUV 마스크(10)의 불량 상태를 나타내는 제2 분할 영역으로 설정된 예를 도시하고 있다.As shown in FIG. 8 , the plurality of divided regions included in the
도 9에 도시된 바와 같이, EUV 마스크(10)의 불량 상태를 나타내는 제2 분할 영역은 복수의 샘플 패턴(210)이 형성되며, 복수의 샘플 패턴(210)은 EUV 마스크(10)의 표면에 형성된 이물을 표현하는 사각 형상의 제1 샘플 패턴(211), EUV 마스크(10)의 표면에 형성된 스크래치를 표현하는 선 형상의 제2 샘플 패턴(212), EUV 마스크(10)의 표면에 형성된 버블을 표현하는 원 또는 타원 형상의 제3 샘플 패턴(213)으로 구성될 수 있다.As shown in FIG. 9 , a plurality of
또한, 도 9에 도시된 바와 같이, EUV 마스크(10)의 불량 상태를 나타내는 제2 분할 영역은 가장자리를 따라 미리 정해진 간격을 가지도록 서로 다른 형상을 가지는 복수의 에지 패턴(220)이 형성되며, 복수의 에지 패턴(220)은 마스크 패턴(200)의 가장자리 중 제1 방향(도 9의 예에서, 가로 방향)을 따라 미리 정해진 간격을 가지고 서로 다른 형상을 가지도록 형성된 복수의 제1 에지 패턴(221), 마스크 패턴(200)의 가장자리 중 제2 방향(도 9의 예에서, 세로 방향)을 따라 미리 정해진 간격을 가지고 서로 다른 형상을 가지도록 형성된 복수의 제2 에지 패턴(222), 마스크 패턴(200)의 가장자리 중 4 개의 모서리 각각의 위치에 형성된 4 개의 제3 에지 패턴(223)으로 구성될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 9 , in the second divided region indicating the defective state of the
설명의 편의상, 도 9의 예에서 제2 분할 영역에 형성된 복수의 샘플 패턴(210) 및 복수의 에지 패턴(220)은 도 3 및 도 4에 도시된 예와 실질적으로 동일하나, 이에 한정되지는 않는다. 또한, 마스크 패턴(200)의 분할 영역 중 제2 분할 영역인 M1, M2, M3, M7, M8, M9는 복수의 샘플 패턴(210) 및 복수의 에지 패턴(220)이 서로 동일하게 형성될 수도 있고, 서로 다르게 형성될 수도 있다.For convenience of explanation, in the example of FIG. 9 , the plurality of
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 마스크 검사 방법은, EUV 마스크(10)의 불량 상태를 표현하는 복수의 샘플 패턴(210)이 표시된 마스크 패턴(200)으로부터 획득된 영상 데이터를 인공 지능을 이용한 패턴 분석부(130)에 입력하여 복수의 샘플 패턴(210)을 분류하고 이를 이용하여 EUV 마스크(10)의 불량 여부를 판단함으로써, EUV 마스크(10) 검사 공정을 보다 신속하고 정확하게 수행할 수 있다.As described above, in the EUV mask inspection method according to an embodiment of the present invention, image data obtained from the
한편, 본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.On the other hand, in the present specification and drawings, preferred embodiments of the present invention have been disclosed, and although specific terms are used, these are only used in a general sense to easily explain the technical content of the present invention and help the understanding of the present invention, It is not intended to limit the scope of the invention. It will be apparent to those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains that other modifications based on the technical spirit of the present invention can be implemented in addition to the embodiments disclosed herein.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: EUV 마스크
100: EUV 마스크 검사 장치
110: 마스크 지지부 120: 영상 촬영부
130: 패턴 분석부 140: 메모리부
150: 제어부
200: 마스크 패턴 210: 샘플 패턴
211: 제1 샘플 패턴 212: 제2 샘플 패턴
213: 제3 샘플 패턴 220: 에지 패턴
221: 제1 에지 패턴 222: 제2 에지 패턴
223: 제3 에지 패턴<Explanation of symbols for main parts of the drawing>
10: EUV mask
100: EUV mask inspection device
110: mask support unit 120: image capturing unit
130: pattern analysis unit 140: memory unit
150: control unit
200: mask pattern 210: sample pattern
211: first sample pattern 212: second sample pattern
213: third sample pattern 220: edge pattern
221: first edge pattern 222: second edge pattern
223: third edge pattern
Claims (8)
영상 촬영부가 EUV 마스크의 불량 상태를 표현하는 복수의 샘플 패턴이 표시된 마스크 패턴을 촬영하여 제1 영상 데이터를 획득하는 단계;
제어부가 상기 마스크 패턴에 대한 상기 제1 영상 데이터를 딥 러닝(Deep Learning) 기반 모델인 패턴 분석부에 입력하고, 상기 EUV 마스크의 불량 상태에 따라 상기 패턴 분석부에 의해 분류된 복수의 샘플 패턴을 메모리부에 저장하는 단계;
상기 영상 촬영부가 EUV 마스크의 표면을 촬영하여 제2 영상 데이터를 획득하는 단계; 및
상기 제어부가 상기 메모리부로부터 추출된 복수의 샘플 패턴과 상기 제2 영상 데이터를 비교하여 상기 EUV 마스크의 불량 상태를 판단하는 단계를 포함하되,
상기 제어부가 상기 복수의 샘플 패턴을 메모리부에 저장하는 단계는,
상기 제어부가 상기 제1 영상 데이터를 상기 패턴 분석부에 입력하는 단계;
상기 제어부가 상기 마스크 패턴에 표시된 상기 복수의 샘플 패턴 각각에 대한 태그를 입력 받는 단계;
상기 패턴 분석부가 상기 복수의 샘플 패턴 각각의 형상 및 태그에 기반하여 상기 복수의 샘플 패턴을 분류하는 단계; 및
상기 제어부가 상기 패턴 분석부에 의해 분류된 상기 복수의 샘플 패턴을 상기 메모리부에 저장하는 단계를 포함하고,
상기 영상 촬영부가 상기 제1 영상 데이터 또는 상기 제2 영상 데이터를 획득하는 단계는,
상기 제어부가 상기 마스크 패턴 또는 상기 EUV 마스크의 영역과 상기 영상 촬영부의 시야각(Field of View, FOV)의 영역의 크기를 비교하는 단계;
상기 마스크 패턴 또는 상기 EUV 마스크의 영역이 상기 시야각의 영역보다 넓은 경우, 상기 제어부가 상기 마스크 패턴 또는 상기 EUV 마스크의 영역을 상기 마스크 패턴 또는 상기 EUV 마스크의 종횡 방향을 따라 상기 시야각의 영역의 크기에 대응하는 복수의 분할 영역으로 나누는 단계;
상기 영상 촬영부가 상기 복수의 분할 영역을 순차적으로 촬영하여 복수의 분할 영상을 생성하는 단계; 및
상기 제어부가 상기 복수의 분할 영상을 순차적으로 결합하여 상기 제1 영상 데이터 또는 상기 제2 영상 데이터를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 방법.In the EUV mask inspection method for inspecting whether an EUV (Extreme Ultra Violet) mask used in a semiconductor exposure process is defective,
acquiring, by an image capturing unit, a mask pattern in which a plurality of sample patterns representing a defective state of the EUV mask are displayed to obtain first image data;
A control unit inputs the first image data for the mask pattern to a pattern analysis unit that is a deep learning-based model, and selects a plurality of sample patterns classified by the pattern analysis unit according to the defective state of the EUV mask. storing in a memory unit;
obtaining, by the image capturing unit, second image data by photographing the surface of the EUV mask; and
Comprising the step of determining, by the control unit, a defective state of the EUV mask by comparing a plurality of sample patterns extracted from the memory unit with the second image data;
The step of the control unit storing the plurality of sample patterns in the memory unit,
inputting, by the control unit, the first image data to the pattern analysis unit;
receiving, by the controller, a tag for each of the plurality of sample patterns displayed on the mask pattern;
classifying, by the pattern analysis unit, the plurality of sample patterns based on a shape and a tag of each of the plurality of sample patterns; and
and storing, by the control unit, the plurality of sample patterns classified by the pattern analysis unit in the memory unit,
The step of the image capturing unit acquiring the first image data or the second image data,
comparing, by the controller, the size of the area of the mask pattern or the EUV mask with the area of a field of view (FOV) of the image capturing unit;
When the area of the mask pattern or the EUV mask is wider than the area of the viewing angle, the control unit sets the area of the mask pattern or the EUV mask to the size of the area of the viewing angle along the longitudinal and lateral directions of the mask pattern or the EUV mask. dividing into a plurality of corresponding divided regions;
generating, by the image capturing unit, a plurality of divided images by sequentially photographing the plurality of divided regions; and
and generating, by the controller, the first image data or the second image data by sequentially combining the plurality of divided images.
상기 복수의 샘플 패턴은,
상기 EUV 마스크의 불량 상태 중, 상기 EUV 마스크의 표면에 형성된 이물(Particle)을 표현하는 사각 형상의 제1 샘플 패턴;
상기 EUV 마스크의 불량 상태 중, 상기 EUV 마스크의 표면에 형성된 스크래치(Scratch)를 표현하는 선 형상의 제2 샘플 패턴; 및
상기 EUV 마스크의 불량 상태 중, 상기 EUV 마스크의 표면에 형성된 버블(Bubble)을 표현하는 원 또는 타원 형상의 제3 샘플 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 방법.The method of claim 1,
The plurality of sample patterns,
a first sample pattern having a rectangular shape representing a particle formed on a surface of the EUV mask among the defective states of the EUV mask;
a second sample pattern having a linear shape representing a scratch formed on a surface of the EUV mask among the defective states of the EUV mask; and
and a third sample pattern having a circle or oval shape representing a bubble formed on a surface of the EUV mask, among the defective states of the EUV mask.
상기 제1 샘플 패턴, 상기 제2 샘플 패턴 및 상기 제3 샘플 패턴 각각은,
서로 다른 크기를 가지고 상기 마스크 패턴의 서로 다른 위치에 복수개 배치되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 방법.3. The method of claim 2,
Each of the first sample pattern, the second sample pattern and the third sample pattern,
EUV mask inspection method, characterized in that a plurality of different sizes are disposed at different positions of the mask pattern.
상기 마스크 패턴은,
가장자리를 따라 미리 정해진 간격을 가지도록 서로 다른 형상을 가지는 복수의 에지 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 방법.The method of claim 1,
The mask pattern is
An EUV mask inspection method, characterized in that a plurality of edge patterns having different shapes are formed along the edges to have predetermined intervals.
상기 마스크 패턴에 포함된 상기 복수의 분할 영역은,
상기 EUV 마스크의 양호 상태를 나타내는 적어도 하나의 제1 분할 영역; 및
상기 EUV 마스크의 불량 상태를 나타내며, 상기 복수의 샘플 패턴이 형성된 적어도 하나의 제2 분할 영역을 포함하고,
상기 복수의 샘플 패턴은,
상기 EUV 마스크의 불량 상태 중, 상기 EUV 마스크의 표면에 형성된 이물(Particle)을 표현하는 사각 형상의 제1 샘플 패턴;
상기 EUV 마스크의 불량 상태 중, 상기 EUV 마스크의 표면에 형성된 스크래치(Scratch)를 표현하는 선 형상의 제2 샘플 패턴; 및
상기 EUV 마스크의 불량 상태 중, 상기 EUV 마스크의 표면에 형성된 버블(Bubble)을 표현하는 원 또는 타원 형상의 제3 샘플 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 방법.The method of claim 1,
The plurality of divided regions included in the mask pattern,
at least one first divided region indicating a good state of the EUV mask; and
indicates a defective state of the EUV mask, and includes at least one second divided region in which the plurality of sample patterns are formed;
The plurality of sample patterns,
a first sample pattern having a rectangular shape representing a particle formed on a surface of the EUV mask among the defective states of the EUV mask;
a second sample pattern having a linear shape representing a scratch formed on a surface of the EUV mask among the defective states of the EUV mask; and
and a third sample pattern having a circle or oval shape representing a bubble formed on a surface of the EUV mask, among the defective states of the EUV mask.
상기 마스크 패턴에 포함된 상기 적어도 하나의 제2 분할 영역은 각각,
가장자리를 따라 미리 정해진 간격을 가지도록 서로 다른 형상을 가지는 복수의 에지 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 방법.8. The method of claim 7,
Each of the at least one second division region included in the mask pattern,
An EUV mask inspection method, characterized in that a plurality of edge patterns having different shapes are formed along the edges to have predetermined intervals.
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KR1020220049829A KR102449421B1 (en) | 2022-04-22 | 2022-04-22 | Inspection method for EUV mask |
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- 2022-04-22 KR KR1020220049829A patent/KR102449421B1/en active IP Right Grant
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