KR102440440B1 - Semiconductor device inspection equipment - Google Patents

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KR102440440B1
KR102440440B1 KR1020200176016A KR20200176016A KR102440440B1 KR 102440440 B1 KR102440440 B1 KR 102440440B1 KR 1020200176016 A KR1020200176016 A KR 1020200176016A KR 20200176016 A KR20200176016 A KR 20200176016A KR 102440440 B1 KR102440440 B1 KR 102440440B1
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Abstract

반도체 소자 검사 장치가 제공된다. 상기 반도체 소자 검사 장치는 제1 및 제2 패턴 데이터를 차례로 발생시키는 알고리즘 패턴 발생기(Algorithmic Pattern Generator; ALPG) 및 알고리즘 패턴 발생기로부터 제1 및 제2 패턴 데이터를 순서대로 입력받고, 제1 및 제2 패턴 데이터를 기초로 피시험 반도체 소자(DUT)에 제1 및 제2 출력 데이터를 인가하는 핀 일렉트로닉스(Pin Electronics; PE)를 포함하되, 핀 일렉트로닉스는, 제1 및 제2 패턴 데이터에 후속하는 제3 패턴 데이터를 제공받는 동안 제2 출력 데이터를 출력하는 신호 발생기(Timing Generator; TG)를 포함하고, 핀 일렉트로닉스는 피시험 반도체 소자로부터 제1 출력 데이터에 대응하는 매치 검출 신호를 제공받는다. A semiconductor element inspection apparatus is provided. The semiconductor device inspection apparatus receives first and second pattern data sequentially from an algorithm pattern generator (ALPG) and an algorithm pattern generator that sequentially generates first and second pattern data, and first and second a pin electronics (PE) configured to apply first and second output data to the semiconductor device under test (DUT) based on the pattern data, wherein the pin electronics include a second pattern data subsequent to the first and second pattern data. and a timing generator (TG) that outputs second output data while receiving 3 pattern data, and the pin electronics receives a match detection signal corresponding to the first output data from the semiconductor device under test.

Description

반도체 소자 검사 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION EQUIPMENT}Semiconductor device inspection device {SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION EQUIPMENT}

본 발명은 반도체 소자 검사 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor element inspection apparatus.

반도체 소자는 웨이퍼 상태로 생산되고, 반도체 패키지로서의 조립이 완료된 후, 사용자에게 전달되기 전에 최종적으로 전기적 검사를 받게 된다. 이러한 전기적 검사는 웨이퍼 생산 공정이나, 조립 공정에서 발생된 결함을 발견하여 불량품을 제거하고 양품만을 골라내기 위한 작업이다.A semiconductor device is produced in a wafer state, and after assembly as a semiconductor package is completed, it is finally subjected to an electrical inspection before being delivered to a user. This electrical inspection is a task to find defects generated in the wafer production process or assembly process, remove defective products, and select only good products.

특히 대용량화, 고속화, 다핀화가 급격히 진행되고 있는 디램(DRAM) 또는 플래시(Flash) 등과 같은 반도체 소자에서는, 이에 대응하여 전기적 검사공정에서 검사 효율을 높이는 것이 중요한 문제로 대두되고 있다.In particular, in semiconductor devices such as DRAM or Flash, which are rapidly increasing in capacity, high speed, and multi-pin, increasing inspection efficiency in an electrical inspection process is emerging as an important problem in response thereto.

최근에는 반도체 소자의 검사 공정은 검사효율을 높이기 위해 반도체 소자 검사 장치(Automatic Test Equipment; ATE)의 하드웨어적인 고속검사 성능을 개선하는 방향으로 연구되고 있다.Recently, a semiconductor device inspection process has been studied in the direction of improving hardware high-speed inspection performance of an automatic test equipment (ATE) in order to increase inspection efficiency.

검사효율을 높이기 위해 복수의 반도체 소자를 동시에 검사하는데, 복수의 반도체 소자에 대해 프로그램을 수행하기 위해서는 복수의 반도체 소자들이 모두 레디 상태가 되는 매치 결과를 검출해야 하며, 상기 매치 결과에 대한 검사 동작의 효율성을 높여 하드웨어적인 고속검사 성능을 개선할 수 있다.A plurality of semiconductor elements are simultaneously inspected to increase inspection efficiency. In order to perform a program on the plurality of semiconductor elements, it is necessary to detect a match result in which all of the plurality of semiconductor elements are in a ready state. It is possible to improve the hardware high-speed inspection performance by increasing the efficiency.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 매치 검출 이후 후속하는 검사 시간을 단축시키는 반도체 소자 검사 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The technical problem to be solved by the present invention is to provide a semiconductor device inspection apparatus that shortens a subsequent inspection time after match detection.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 매치 검출하는데 테스트 시간을 줄여 검사 시간을 단축시키는 반도체 소자 검사 장치를 제공하는 것이다.Another technical problem to be solved by the present invention is to provide an apparatus for inspecting semiconductor devices that shortens the inspection time by reducing the test time for match detection.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 해당 기술 분야의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치는 제1 및 제2 패턴 데이터를 차례로 발생시키는 알고리즘 패턴 발생기(Algorithmic Pattern Generator; ALPG) 및 알고리즘 패턴 발생기로부터 제1 및 제2 패턴 데이터를 순서대로 입력받고, 제1 및 제2 패턴 데이터를 기초로 피시험 반도체 소자(DUT)에 제1 및 제2 출력 데이터를 인가하는 핀 일렉트로닉스(Pin Electronics; PE);를 포함하되, 핀 일렉트로닉스는, 제1 및 제2 패턴 데이터에 후속하는 제3 패턴 데이터를 제공받는 동안 제2 출력 데이터를 출력하는 신호 발생기(Timing Generator; TG)를 포함하고, 핀 일렉트로닉스는 피시험 반도체 소자로부터 제1 출력 데이터에 대응하는 매치 검출 신호를 제공받는다.An apparatus for inspecting a semiconductor device according to some exemplary embodiments for achieving the above technical problem includes an algorithm pattern generator (ALPG) that sequentially generates first and second pattern data, and first and second pattern data from an algorithm pattern generator A pin electronics (PE) that sequentially receives the input and applies the first and second output data to the semiconductor device under test (DUT) based on the first and second pattern data; , a timing generator (TG) outputting second output data while receiving third pattern data subsequent to the first and second pattern data, wherein the pin electronics includes the first output data from the semiconductor device under test. is provided with a match detection signal corresponding to .

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치에서, 제1 패턴 데이터는 매치 커맨드에 대응하고, 핀 일렉트로닉스는 피시험 반도체 소자에 매치 커맨드를 제공한다.In an apparatus for inspecting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, the first pattern data corresponds to a match command, and pin electronics provides the match command to the semiconductor device under test.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치에서, 신호 발생기는, 매치 검출 신호에 대응하여 제2 출력 데이터를 출력한다. In an apparatus for inspecting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, the signal generator outputs second output data in response to the match detection signal.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치에서, 핀 일렉트로닉스는, 제2 및 제3 패턴 데이터를 저장하는 메모리를 더 포함한다. In an apparatus for inspecting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, the pin electronics further includes a memory configured to store second and third pattern data.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치에서, 신호 발생기는 메모리에 저장된 패턴 데이터를 기초로 피시험 반도체 소자에 매치 커맨드를 제공한다.In an apparatus for inspecting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, the signal generator provides a match command to the semiconductor device under test based on pattern data stored in a memory.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치에서, 핀 일렉트로닉스는, 메모리에 패턴 데이터가 저장될 수 없다고 판단되면, 알고리즘 패턴 발생기에 패턴 정지 요청 신호를 제공한다.In the semiconductor device inspection apparatus according to some embodiments for achieving the above technical problem, when it is determined that the pattern data cannot be stored in the memory, the pin electronics provides a pattern stop request signal to the algorithm pattern generator.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치에서, 신호 발생기는, 매치 검출 신호에 대응하는 매치 결과 신호를 제공받고, 매치 결과 신호에 대응하여 플래그 비트 신호를 출력하는 판단부를 포함한다. In an apparatus for inspecting a semiconductor device according to some embodiments of the present invention, the signal generator includes a determination unit that receives a match result signal corresponding to a match detection signal and outputs a flag bit signal in response to the match result signal do.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치에서, 신호 발생기는, 플래그 비트 신호 및 클록 신호를 기초로 생성된 ZOH 클록 신호에 동기하여 제2 패턴 데이터를 제1 플립플롭 데이터로 출력하는 제1 플립플롭 및 클록 신호에 동기하여 제1 플립플롭 데이터를 제2 출력 데이터로 출력하는 제2 플립플롭을 더 포함한다.In an apparatus for inspecting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, the signal generator converts the second pattern data into the first flip-flop data in synchronization with the ZOH clock signal generated based on the flag bit signal and the clock signal and a second flip-flop outputting the first flip-flop data as the second output data in synchronization with the output first flip-flop and the clock signal.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치에서, 판단부는 클록 신호를 수신하고, 판단부는 클록 신호를 기초로 제1 플래그 비트 신호를 출력하고, 제1 플래그 비트 신호를 기초로, ZOH 클록 신호의 토글 동작이 수행된다.In an apparatus for inspecting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, the determination unit receives a clock signal, the determination unit outputs a first flag bit signal based on the clock signal, and based on the first flag bit signal , a toggle operation of the ZOH clock signal is performed.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치에서, 판단부는 매치 커맨드 신호를 수신하고, 매치 커맨드에 대응하여 제2 플래그 비트 신호를 출력하되, 매치 커맨드 신호는 제1 패턴 데이터에 대응하고, 제2 플래그 비트 신호를 기초로, ZOH 클록 신호의 토글 동작이 비수행된다.In an apparatus for inspecting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, the determination unit receives a match command signal and outputs a second flag bit signal in response to the match command, wherein the match command signal is applied to the first pattern data. Correspondingly, based on the second flag bit signal, the toggle operation of the ZOH clock signal is not performed.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치는 제1 및 제2 패턴 데이터를 차례로 발생시키는 알고리즘 패턴 발생기(Algorithmic Pattern Generator; ALPG), 제1 및 제2 패턴 데이터를 순서대로 입력받고, 제1 및 제2 패턴 데이터를 기초로 제1 피시험 반도체 소자(DUT)에 제1 및 제2 출력 데이터를 인가하고, 제1 피시험 반도체 소자로부터 제1 출력 데이터에 대응하는 제1 매치 검출 신호를 제공받는 제1 핀 일렉트로닉스(Pin Electronics; PE) 및 알고리즘 패턴 발생기로부터 제1 및 제2 패턴 데이터를 순서대로 입력받고, 제1 및 제2 패턴 데이터를 기초로 제2 피시험 반도체 소자에 제3 및 제4 출력 데이터를 인가하고, 제2 피시험 반도체 소자로부터 제3 출력 데이터에 대응하는 제2 매치 검출 신호를 제공받는 제2 핀 일렉트로닉스 및 제1 핀 일렉트로닉스로부터 제1 매치 검출 신호에 대응하는 제1 디지털 신호를 제공받고, 제2 핀 일렉트로닉스로부터 제2 매치 검출 신호에 대응하는 제2 디지털 신호를 제공받고, 제1 및 제2 디지털 신호를 기초로 제1 및 제2 핀 일렉트로닉스에 매치 결과 신호를 제공하는 AND 연산기를 포함하되, 제1 핀 일렉트로닉스는 매치 결과 신호 및 제2 패턴 데이터를 기초로 제2 출력 데이터를 생성하고, 제2 핀 일렉트로닉스는 매치 결과 신호 및 제4 패턴 데이터를 기초로 제4 출력 데이터를 생성한다.An apparatus for inspecting a semiconductor device according to some embodiments of the present disclosure for achieving the above technical problem includes an algorithmic pattern generator (ALPG) that sequentially generates first and second pattern data, and sequentially inputs the first and second pattern data. receiving, and applying the first and second output data to the first semiconductor device under test (DUT) based on the first and second pattern data, and a first match corresponding to the first output data from the first semiconductor device under test The first and second pattern data are sequentially received from the first Pin Electronics (PE) receiving the detection signal and the algorithm pattern generator, and based on the first and second pattern data, it is transmitted to the second semiconductor device under test. Corresponding to the first match detection signal from the second pin electronics and the first pin electronics that apply the third and fourth output data and receive the second match detection signal corresponding to the third output data from the second semiconductor device under test a first digital signal is provided, a second digital signal corresponding to a second match detection signal is provided from the second pin electronics, and a match result is matched to the first and second pin electronics based on the first and second digital signals an AND operator providing a signal, wherein the first pin electronics generates second output data based on the match result signal and the second pattern data, and the second pin electronics generates second output data based on the match result signal and the fourth pattern data. Generate fourth output data.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치는, 제1 핀 일렉트로닉스는, 매치 결과 신호를 제공받고, 매치 결과 신호에 대응하여 제1 플래그 비트 신호를 출력하는 제1 판단부를 포함하고, 제2 핀 일렉트로닉스는, 매치 결과 신호를 제공받고, 매치 결과 신호에 대응하여 제2 플래그 비트 신호를 출력하는 제2 판단부를 포함한다.According to some embodiments of the present invention, a semiconductor device inspection apparatus includes a first determiner configured to receive a match result signal and output a first flag bit signal in response to the match result signal. and the second pin electronics includes a second determination unit that receives a match result signal and outputs a second flag bit signal in response to the match result signal.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치에서, 제1 핀 일렉트로닉스는, 제1 플래그 비트 신호 및 클록 신호를 기초로 생성된 제1 ZOH 클록 신호에 동기하여 제2 패턴 데이터에 대해 제1 플립플롭 데이터를 출력하는 제1 플립플롭 및 클록 신호에 동기하여 제1 플립플롭 데이터를 제2 출력 데이터로 출력하는 제2 플립플롭을 더 포함하고, 제2 핀 일렉트로닉스는, 제2 플래그 비트 신호 및 클록 신호를 기초로 생성된 제2 ZOH 클록 신호에 동기하여 제4 패턴 데이터에 대해 제2 플립플롭 데이터를 출력하는 제3 플립플롭 및 클록 신호에 동기하여 제2 플립플롭 데이터를 제4 출력 데이터로 출력하는 제4 플립플롭을 더 포함한다.In the semiconductor device inspection apparatus according to some embodiments of the present invention for achieving the above technical problem, the first pin electronics is synchronized with the first ZOH clock signal generated based on the first flag bit signal and the clock signal to the second pattern data. The display device further includes a first flip-flop for outputting first flip-flop data and a second flip-flop for outputting the first flip-flop data as second output data in synchronization with a clock signal, wherein the second pin electronics includes a second flag A third flip-flop outputting second flip-flop data with respect to the fourth pattern data in synchronization with the second ZOH clock signal generated based on the bit signal and the clock signal, and the fourth flip-flop data in synchronization with the clock signal It further includes a fourth flip-flop for outputting the output data.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치에서, 제1 플래그 비트 신호에 의해 제1 ZOH 클록 신호의 토글 동작이 수행되고, 제2 플래그 비트 신호에 의해 제2 ZOH 클록 신호의 토글 동작이 수행된다.In an apparatus for inspecting a semiconductor device according to some embodiments to achieve the above technical object, the toggle operation of the first ZOH clock signal is performed by the first flag bit signal, and the second ZOH clock signal is changed by the second flag bit signal. A toggle operation is performed.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치에서, 제1 판단부 및 제2 판단부는 클록 신호를 수신하고, 제1 판단부는 클록 신호를 기초로 제1 플래그 비트 신호를 출력하고, 제2 판단부는 클록 신호를 기초로 제2 플래그 비트 신호를 출력하고, 제1 플래그 비트 신호를 기초로 제1 ZOH 클록 신호의 토글 동작이 수행되고, 제2 플래그 비트 신호를 기초로 제2 ZOH 클록 신호의 토글 동작이 수행된다.In an apparatus for inspecting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, the first determination unit and the second determination unit receive a clock signal, and the first determination unit outputs a first flag bit signal based on the clock signal, , the second determination unit outputs a second flag bit signal based on the clock signal, a toggle operation of the first ZOH clock signal is performed based on the first flag bit signal, and a second ZOH based on the second flag bit signal A toggle operation of the clock signal is performed.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 소자 검사 장치에서 제1 핀 일렉트로닉스는, 제1 및 제2 패턴 데이터에 후속하는 제3 패턴 데이터를 제공받는 동안 제2 출력 데이터를 출력하고, 제2 핀 일렉트로닉스는, 제3 패턴 데이터를 제공받는 동안, 제4 출력 데이터를 출력한다. In the semiconductor device inspection apparatus according to some embodiments for achieving the above technical problem, the first pin electronics outputs second output data while receiving third pattern data subsequent to the first and second pattern data, and The 2-pin electronics outputs fourth output data while receiving the third pattern data.

도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 소자 검사 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 핀 일렉트로닉스를 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 신호 발생기를 설명하기 위한 블록도이다.
도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 매치 AND 연산기를 설명하기 위한 블록도이다.
도 5는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 소자 검사 장치의 동작을 설명하기 위한 레더 다이어그램이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 소자 검사 장치의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 9은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 소자 검사 장치의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
1 is a block diagram illustrating an apparatus for inspecting a semiconductor device according to some embodiments of the present invention.
2 is a block diagram illustrating pin electronics according to some embodiments of the present invention.
3 is a block diagram illustrating a signal generator according to some embodiments of the present invention.
4 is a block diagram illustrating a match AND operator according to some embodiments of the present invention.
5 is a ladder diagram for explaining an operation of a semiconductor device inspection apparatus according to some embodiments of the present invention.
6 to 8 are views for explaining the operation of the semiconductor device inspection apparatus according to some embodiments of the present invention.
9 is a view for explaining the effect of the semiconductor device inspection apparatus according to some embodiments of the present invention.

본 발명의 실시예들은 첨부된 도면을 참조하여 상세히 기재된다. 동일한 구성요소는 다른 도면에 표시되어 있지만 동일 또는 유사 참조 숫자로 지정된다. 이하의 설명에서, 상세한 구성 및 구성 요소와 같은 구체적인 세부사항은 단지 본 발명의 실시예들의 전반적인 이해를 돕기 위해 제공된다. 따라서, 본원에 기재된 실시예들의 다양한 변경 및 변형이 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 또한 명확성과 간결을 위해 잘 알려진 기능 및 구조에 대한 설명이 생략될 수 있다. 아래에 설명된 용어는 본 발명의 기능을 고려하여 정의된 용어이며, 사용자, 이용자의 의도 또는 관습에 따라 다를 수 있다. 따라서 용어의 정의는 본 명세서 전반에 걸쳐 내용에 따라 결정되어야 한다.Embodiments of the present invention are described in detail with reference to the accompanying drawings. Identical components are indicated in different drawings but are designated by the same or like reference numerals. In the following description, specific details, such as detailed configurations and components, are provided merely to aid a general understanding of the embodiments of the present invention. Accordingly, it will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications of the embodiments described herein can be made without departing from the scope of the present invention. Also, descriptions of well-known functions and structures may be omitted for clarity and brevity. The terms described below are terms defined in consideration of the functions of the present invention, and may vary according to the user, intention or custom of the user. Accordingly, definitions of terms should be determined according to the context throughout this specification.

본 발명은 다양한 변형 및 다양한 실시예를 가질 수 있으며, 그 중 실시예는 수반되는 도면을 참조하여 아래에 상세히 기술된다. 그러나, 본 발명은 본 실시예에 한정되지 않으나, 본 발명의 범위 내에서 모든 수정, 등가물 및 대안을 포함한다는 것을 이해되어야 한다.The present invention is capable of various modifications and various embodiments, of which embodiments are described in detail below with reference to the accompanying drawings. However, it is to be understood that the present invention is not limited to these examples, but includes all modifications, equivalents and alternatives within the scope of the present invention.

제1, 제2 등의 서수 번호를 포함하는 용어는 다양한 요소를 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 구조적 요소는 서수 번호를 포함하는 상기 용어에 의해 제한되지 않는다. 상기 용어는 한 요소를 다른 요소와 구별하는 데만 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고, 제1 구조 구성요소는 제2 구조 구성요소로 지칭될 수 있다. 유사하게, 제2 구조 구성요소는 제1 구조 구성요소라고도 할 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "및/또는"은 하나 이상의 연관된 항목의 임의의 및 모든 조합을 포함한다.Terms including first, second, etc. ordinal numbers may be used to describe various elements, but structural elements are not limited by the terms including ordinal numbers. The term may only be used to distinguish one element from another. For example, a first structural component may be referred to as a second structural component without departing from the scope of the present invention. Similarly, the second structural component may also be referred to as a first structural component. As used herein, the term “and/or” includes any and all combinations of one or more related items.

본원에서 사용되는 모든 용어는 단지 본 발명의 다양한 실시예를 설명하기 위해 사용되지만, 본 발명을 제한하기 위한 것은 아니다. 단수 형태는 문맥이 달리 명확하게 나타내지 않는 한 복수형을 포함하도록 의도된다. 본 발명에 있어서, 용어 "포함" 또는 "가지고 있다"는 것은 특징, 숫자, 단계, 동작, 구조 구성요소, 부분, 또는 이들의 조합의 존재를 나타내고, 이들의 존재 또는 하나 이상의 다른 특징, 숫자, 단계, 작업, 구조 구성요소, 부품 또는 이들의 조합의 존재 나 추가 확률을 배제하지 않는다는 것을 이해하여야 한다. All terms used herein are used only to describe various embodiments of the present invention, but are not intended to limit the present invention. The singular form is intended to include the plural unless the context clearly indicates otherwise. In the present invention, the term "comprising" or "having" refers to the presence of a feature, number, step, action, structural element, part, or combination thereof, and the presence thereof or one or more other features, number, It is to be understood that this does not exclude the presence or additional probabilities of steps, operations, structural components, parts, or combinations thereof.

본원에서 사용되는 모든 용어는 달리 정의되지 않는 한, 본 발명이 속한 기술 분야의 당업자가 이해하는 것과 동일한 의미를 갖는다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술 분야의 문맥적 의미와 동일한 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에 명확하게 정의되지 않는 한 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미를 가지는 것으로 해석되어서는 안된다. All terms used herein have the same meaning as understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs, unless defined otherwise. Terms such as commonly used dictionary definitions should be interpreted as having the same meaning as the contextual meaning of the related technical field, and unless clearly defined in the present invention, it should be interpreted as having an ideal or excessively formal meaning. should not

몇몇 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 유형의 전자 장치 중 하나일 수 있다. 상기 전자 장치는 예를 들어, 휴대용 통신 장치(예를 들어, 스마트폰), 컴퓨터, 휴대용 멀티미디어 디바이스, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 디바이스, 또는 가전제품을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전자 장치는 상술한 것들에 한정되지 않는다.The electronic device according to some embodiments may be one of various types of electronic devices. The electronic device may include, for example, a portable communication device (eg, a smartphone), a computer, a portable multimedia device, a portable medical device, a camera, a wearable device, or a home appliance. According to an embodiment of the present invention, the electronic device is not limited to those described above.

본원에서 사용된 용어는 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니라, 해당 실시예에 대한 다양한 변경, 등가물 또는 교체를 포함하기 위한 것이다. 첨부된 도면의 설명과 관련하여, 유사한 참조 숫자는 유사하거나 관련된 요소를 참조하는데 사용될 수 있다. 항목에 해당하는 명사의 단수 형식에는 관련 문맥이 달리 명확하게 나타내지 않는 한, 복수형이 포함될 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", "A, B 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 각각의 구는 해당 구들 중 하나에 함께 열거된 항목의 가능한 모든 조합을 포함할 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, "1차", "2차", "제1" 및 "제2"와 같은 용어는 대응하는 구성요소와 다른 구성요소를 구별하기 위해 사용될 수 있지만, 다른 측면(예를 들어, 중요도 또는 차수)에서 구성요소를 제한하기 위한 것은 아니다. 구성요소(예: 제1 구성요소)가 "동작으로" 또는 "통신하여"이라는 용어의 유무에 관계없이, 다른 요소(예: 제2 구성요소)"에 연결된", "와 결합된", "에 결합된", "와 연결된" 또는 "에 연결"됐다고 지칭되는 경우, 상기 구성요소는 다른 구성요소에 직접(예를 들어, 유선), 무선 또는 제3 구성요소를 통해 직접 결합될 수 있다.The terminology used herein is not intended to limit the present invention, but is to cover various modifications, equivalents, or substitutions to the embodiments in question. In connection with the description of the appended drawings, like reference numerals may be used to refer to similar or related elements. The singular form of the noun corresponding to the item may include the plural, unless the relevant context clearly indicates otherwise. As used herein, "A or B", "at least one of A and B", "at least one of A or B", "A, B or C", "at least one of A, B and C", Each phrase such as "at least one of A, B or C" may include all possible combinations of the items listed together in one of the phrases. As used herein, terms such as "primary," "secondary," "first," and "second" may be used to distinguish a corresponding element from another element, but in other aspects (e.g., For example, it is not intended to limit the components in importance or order). A component (eg, a first component) is "connected to", "coupled with", "with" another element (eg, a second component), with or without the terms "in operation" or "in communication with" When referred to as “coupled to,” “connected to,” or “connected to,” the component may be directly coupled to another component (eg, wired), wirelessly, or directly through a third component.

본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어에 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 다른 용어들, 예를 들어, "로직", "로직 블록", "부분" 및 "회로"와 같은 다른 용어와 상호 교환적으로 사용될 수 있다. 모듈은 하나 이상의 기능을 수행하도록 조정된 하나의 복합적 구성 요소, 또는 최소 단위 또는 이의 일부일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에 따르면, 모듈은 애플리케이션 특이적 집적 회로(ASIC)의 형태로 구현될 수 있다.As used herein, the term “module” may include a unit embodied in hardware, software, or firmware, and other terms such as “logic”, “logic block”, “part” and “circuitry” may be used interchangeably with other terms such as ". A module may be one complex component, or a minimum unit or part thereof, adapted to perform one or more functions. For example, according to one embodiment, the module may be implemented in the form of an application specific integrated circuit (ASIC).

도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 소자 검사 장치를 설명하기 위한 블록도이다. 도 2는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 핀 일렉트로닉스를 설명하기 위한 블록도이다. 도 3은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 신호 발생기를 설명하기 위한 블록도이다. 도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 매치 AND 연산기를 설명하기 위한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating an apparatus for inspecting a semiconductor device according to some embodiments of the present invention. 2 is a block diagram illustrating pin electronics according to some embodiments of the present invention. 3 is a block diagram illustrating a signal generator according to some embodiments of the present invention. 4 is a block diagram illustrating a match AND operator according to some embodiments of the present invention.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 반도체 소자 검사 장치(100)는 프로세서(110), 알고리즘 패턴 발생기(Algorithmic Pattern Generator; ALPG)(120), 제1 내지 제n 핀 일렉트로닉스(Pin Electronics; PE)(130_1-130_n), 제1 내지 제n 채널(140_1-140_n) 및 매치 AND 연산기(150)를 포함할 수 있다.1 to 4, the semiconductor device inspection apparatus 100 is a processor 110, an algorithm pattern generator (Algorithmic Pattern Generator; ALPG) 120, first to n-th pin electronics (Pin Electronics; PE) ( 130_1-130_n), first to n-th channels 140_1-140_n, and a match AND operator 150 .

프로세서(110)는 피시험 반도체 소자(Device Under Test; DUT)(200_1-200_n)에 인가할 파형에 대한 테스트 프로그램이 실행된다. 그리고, 나머지 구성요소들에 대한 전반적인 제어 역할을 수행한다.The processor 110 executes a test program for a waveform to be applied to the device under test (DUT) 200_1-200_n. And, it performs an overall control role for the remaining components.

테스트 프로그램은, 직류검사, 교류검사 및 기능 검사등을 수행할 수 있고, 이때 기능검사는 반도체 메모리 소자, 예컨대 디램(DRAM) 또는 플래시(Flash) 등의 실제 동작 프로그램에 맞추어 그 기능을 확인할 수 있다.The test program may perform a direct current test, an alternating current test, and a function test, and in this case, the function test may check the function according to an actual operation program of a semiconductor memory device, for example, DRAM or Flash. .

즉, 테스트 프로그램은 반도체 소자 검사 장치(100)에서 만들어진 신호를 피시험 반도체 소자(200_1-200_n)에 쓰고 그것을 피시험 반도체 소자(200_1-200_n)에서 읽어 들인 후 예상 패턴(expected pattern)과 비교하여 확인함으로써 피시험 반도체 소자(200_1-200_n)에 대한 전기적인 검사를 수행한다.That is, the test program writes the signal generated by the semiconductor device inspection apparatus 100 to the semiconductor device under test 200_1-200_n, reads it from the semiconductor device under test 200_1-200_n, and compares it with an expected pattern. By confirming, an electrical test is performed on the semiconductor devices under test 200_1-200_n.

피시험 반도체 소자(DUT)에 인가될 파형의 내용은 패턴의 형태(테스트 벡터라고도 함)로 만들어져 알고리즘 패턴 발생기(120) 내의 패턴 메모리에 입력 저장되는데, 알고리즘 패턴 발생기(120)는 패턴 메모리에 저장된 패턴 데이터를 이용하여 핀 일렉트로닉스(130_1-130_n)를 통해 순차적으로 로직 데이터를 출력하게 한다. 상기 출력된 로직 데이터는 피시험 반도체 소자(DUT)에 인가될 어드레스, 데이터 및 매치 커맨드/라이트 커맨드/이레이즈 커맨드 등을 포함하는 커맨드 등을 포함한다.The content of the waveform to be applied to the semiconductor device under test (DUT) is made in the form of a pattern (also referred to as a test vector) and input and stored in the pattern memory in the algorithm pattern generator 120, which is stored in the pattern memory. The pattern data is used to sequentially output logic data through the pin electronics 130_1-130_n. The output logic data includes an address to be applied to the semiconductor device under test (DUT), data, and a command including a match command/write command/erase command and the like.

본원 발명의 몇몇 실시예들에 따른 알고리즘 패턴 발생기(120)는 복수의 패턴 데이터(PD)를 차례대로 복수의 제1 내지 제n 핀 일렉트로닉스(130_1-130_n)에 각각 전달할 수 있고, 제1 내지 제n 핀 일렉트로닉스(130_1-130_n)로부터 패턴 정지 요청 신호를 수신할 수 있다. 알고리즘 패턴 발생기(120)는 제1 내지 제n 핀 일렉트로닉스(130_1-130_n)로부터 패턴 정지 요청 신호를 수신하기 전에, 복수의 패턴 데이터(PD)를 일정한 주기로 연속적으로 제공할 수 있다.The algorithm pattern generator 120 according to some embodiments of the present invention may sequentially transmit the plurality of pattern data PDs to the plurality of first to nth pin electronics 130_1-130_n, respectively, and the first to nth pin electronics 130_1-130_n. A pattern stop request signal may be received from the n-pin electronics 130_1-130_n. Before receiving the pattern stop request signal from the first to nth pin electronics 130_1-130_n, the algorithm pattern generator 120 may continuously provide a plurality of pattern data PD at a predetermined period.

각각의 제1 내지 제n 핀 일렉트로닉스(130_1-130_n)는 각각의 제1 내지 제n 채널(140_1-140_n)을 통해 제1 내지 제n 피시험 반도체 소자(200_1-200_n)에 연결되어 제1 내지 제n 피시험 반도체 소자(200_1-200_n)에 로직 데이터를 제공할 수 있고, 각각의 제1 내지 제n 핀 일렉트로닉스(130_1-130_n)는 제1 내지 제n 채널(140_1-140_n)을 통해 피시험 반도체 소자(200_1-200_n)의 상태 신호를 제공받을 수 있다.Each of the first to n-th fin electronics 130_1-130_n is connected to the first to n-th semiconductor devices under test 200_1-200_n through respective first to n-th channels 140_1-140_n, and the first to Logic data may be provided to the n-th semiconductor device under test 200_1-200_n, and each of the first to n-th pin electronics 130_1-130_n may pass through the first to n-th channels 140_1-140_n. A state signal of the semiconductor device 200_1-200_n may be provided.

도 2를 참조하면, 핀 일렉트로닉스(130)는 신호 발생기(131), 메모리(132) 및 디지털 컨버터(133)를 포함할 수 있다. 핀 일렉트로닉스(130)는 도 1의 제1 내지 제n 핀 일렉트로닉스(130_1-130_n)로 대응될 수 있고, 후술할 각각의 신호 발생기(131), 메모리(132) 및 디지털 컨버터(133)의 설명은 도 1의 제1 내지 제n 핀 일렉트로닉스(130_1-130_n) 내에 포함되는 신호 발생기, 메모리 및 디지털 컨버터의 설명에 적용되는 것은 자명하다.Referring to FIG. 2 , the pin electronics 130 may include a signal generator 131 , a memory 132 , and a digital converter 133 . The pin electronics 130 may correspond to the first to nth pin electronics 130_1-130_n of FIG. 1 , and the description of each of the signal generator 131 , the memory 132 and the digital converter 133 to be described later is described below. It is obvious that it is applied to the description of the signal generator, the memory, and the digital converter included in the first to nth pin electronics 130_1-130_n of FIG. 1 .

도 3을 참조하면, 신호 발생기(131)는 알고리즘 패턴 발생기(120)로부터 복수의 패턴 데이터(PD) 및 클록 신호(CLK)를 제공받을 수 있고, 알고리즘 패턴 발생기(120)에 패턴 정지 요청 신호를 제공하고, 피시험 반도체 소자(200)에 복수의 패턴 데이터(PD) 및 클록 신호(CLK)에 대응하는 복수의 출력 데이터(PD_out)를 제공할 수 있다. 출력 데이터(PD_out)는 전술한 로직 데이터에 해당할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the signal generator 131 may receive a plurality of pattern data PD and a clock signal CLK from the algorithm pattern generator 120 , and sends a pattern stop request signal to the algorithm pattern generator 120 . and may provide a plurality of pattern data PD and a plurality of output data PD_out corresponding to the clock signal CLK to the semiconductor device under test 200 . The output data PD_out may correspond to the aforementioned logic data.

신호 발생기(131)는 제1 플립플롭(1311), 제2 플립플롭(1312), 판단부(1313), 클록 AND 연산기(1314) 및 비교기(1316)를 포함할 수 있다. The signal generator 131 may include a first flip-flop 1311 , a second flip-flop 1312 , a determination unit 1313 , a clock AND operator 1314 , and a comparator 1316 .

제1 플립플롭(1311)은 알고리즘 패턴 발생기(120)에 제공되는 복수의 패턴 데이터(PD) 또는 메모리(132)에서 제공되는 저장된 패턴 데이터(PD')를 제공받을 수 있고, 클록 AND 연산기(1314)로부터 제공되는 ZOH 클록 신호(ZOH_Rate)에 동기하여 플립플롭 데이터(FD)를 출력하여 제2 플립플롭(1312)에 제공할 수 있다. The first flip-flop 1311 may receive a plurality of pattern data PD provided to the algorithm pattern generator 120 or stored pattern data PD′ provided from the memory 132 , and a clock AND operator 1314 . ) may output the flip-flop data FD in synchronization with the ZOH clock signal ZOH_Rate and provide it to the second flip-flop 1312 .

제2 플립플롭(1312)은 제1 플립플롭(1311)에서 제공되는 플립플롭 데이터(FD)를 제공받을 수 있고, 클록 신호(CLK)에 동기하여 출력 데이터(PD_out)를 출력하여 채널(CH)을 통해 피시험 반도체 소자(200)에 제공할 수 있다. 도면상에 도시되지 않았지만 드라이버를 경유하여 출력 크기가 조정될 수 있다.The second flip-flop 1312 may receive the flip-flop data FD provided from the first flip-flop 1311 , and output the output data PD_out in synchronization with the clock signal CLK to obtain a channel CH may be provided to the semiconductor device under test 200 through Although not shown in the drawing, the output size may be adjusted via a driver.

판단부(1313)는 클록 신호(CLK), 매치 커맨드 신호(M_CMD) 및 매치 AND 연산기(150)로부터 제공되는 매치 결과 신호(MatchO)를 입력받고, 입력되는 클록 신호(CLK), 매치 커맨드 신호(M_CMD) 및 매치 결과 신호(MatchO)에 따라 플래그 비트(F/B)를 출력한다. 매치 커맨드 신호(M_CMD)는, 제1 플립플롭(1311)에 패턴 데이터(PD) 또는 저장된 패턴 데이터(PD') 중 매치 커맨드에 대응되는 패턴 데이터가 제공될 때 입력되는 데이터거나, 패턴 데이터(PD) 또는 저장된 패턴 데이터(PD')일 수 있다.The determination unit 1313 receives the clock signal CLK, the match command signal M_CMD, and the match result signal MatchO provided from the match AND operator 150 , and receives the clock signal CLK and the match command signal M_CMD) and the match result signal (MatchO) to output a flag bit (F/B). The match command signal M_CMD is data input when the pattern data corresponding to the match command among the pattern data PD or the pattern data PD′ stored in the first flip-flop 1311 is provided, or the pattern data PD ) or the stored pattern data PD'.

판단부(1313)는, 매치 커맨드 신호(M_CMD)가 입력되는 경우 하이 레벨의 제2 플래그 비트 신호(2nd F/B, 도 5 참조) 출력한다. 제2 플래그 비트 신호(2nd F/B) 이후, 미리 정해진 수의 사이클 클록 신호(CLK)가 입력되거나 하이 레벨의 매치 결과 신호(MatchO)가 입력되면, 로우 레벨의 제1 플래그 비트 신호(1st F/B, 도 5 참조)를 출력한다. 판단부(1313)가 출력하는 플래그 비트(F/B)의 레벨은 위와 같은 하이/로우 레벨 예시에 제한되지 않으며, 인버터 배치 등의 설계 변경에 따라 하이/로우 레벨은 변동될 수 있다.When the match command signal M_CMD is input, the determination unit 1313 outputs a high-level second flag bit signal 2 nd F/B (refer to FIG. 5 ). After the second flag bit signal 2 nd F/B, when a predetermined number of cycle clock signals CLK are input or a high-level match result signal MatchO is input, the low-level first flag bit signal 1 st F/B, see FIG. 5). The level of the flag bit F/B output by the determination unit 1313 is not limited to the above high/low level example, and the high/low level may be changed according to a design change such as arrangement of an inverter.

클록 AND 연산기(1314)는 판단부(1313)로부터 인버트된 플래그 비트(F/B)를 제공받고 제1 플립플롭(1311)에 ZOH 클록 신호(ZOH_Rate)를 출력할 수 있다. The clock AND operator 1314 may receive the inverted flag bit F/B from the determiner 1313 and may output the ZOH clock signal ZOH_Rate to the first flip-flop 1311 .

클록 AND 연산기(1314)는 제2 플래그 비트 신호(2nd F/B)를 제공받아 ZOH 클록 신호(ZOH_Rate)의 토글 동작이 비수행되도록 한다. ZOH 클록 신호(ZOH_Rate)의 토글 동작이 비수행되기 때문에, 제1 플립플롭(1311)은 패턴 데이터(PD)에 대응되는 플립플롭 데이터(FD)를 출력하지 못한다.The clock AND operator 1314 receives the second flag bit signal 2 nd F/B so that the toggle operation of the ZOH clock signal ZOH_Rate is not performed. Since the toggle operation of the ZOH clock signal ZOH_Rate is not performed, the first flip-flop 1311 does not output the flip-flop data FD corresponding to the pattern data PD.

클록 AND 연산기(1314)는 제1 플래그 비트 신호(1st F/B)를 제공받아 ZOH 클록 신호(ZOH_Rate)의 토글 동작이 수행되도록 한다. ZOH 클록 신호(ZOH_Rate)의 토글 동작이 수행되기 때문에, 제1 플립플롭(1311)은 패턴 데이터(PD)에 대응되는 플립플롭 데이터(FD)를 출력한다.The clock AND operator 1314 receives the first flag bit signal 1 st F/B to perform a toggle operation of the ZOH clock signal ZOH_Rate. Since the toggle operation of the ZOH clock signal ZOH_Rate is performed, the first flip-flop 1311 outputs the flip-flop data FD corresponding to the pattern data PD.

비교기(1316)는 디지털 컨버터(133)로부터 제공되고 피시험 반도체 소자(200)의 상태 신호에 대응하는 하이/로우 데이터(H/L)를 입력받고, 하이/로우 데이터(H/L)를 미리 저장된 기대치와 비교하여 피시험 반도체 소자(200)의 매치 패스/페일을 판정하고, 판정 결과에 따라 디지털 신호(DD)를 매치 AND 연산기(150)에 제공한다.The comparator 1316 is provided from the digital converter 133 and receives high/low data H/L corresponding to the state signal of the semiconductor device under test 200, and pre-processes the high/low data H/L. The match pass/fail of the semiconductor device under test 200 is determined by comparing with the stored expected value, and a digital signal DD is provided to the match AND operator 150 according to the determination result.

도 2를 참조하면, 메모리(132)는 핀 일렉트로닉스(130)에 연속적으로 제공되는 패턴 데이터(PD)를 저장할 수 있다. 패턴 데이터(PD) 중 제1 플립플롭(1311, 도 3 참조)로 바로 입력되지 않는 패턴 데이터(PD)를 저장하고, 저장된 패턴 데이터(PD)를 제1 플립플롭(1311)로 제공할 수 있다. Referring to FIG. 2 , the memory 132 may store pattern data PD continuously provided to the pin electronics 130 . Of the pattern data PD, pattern data PD that is not directly input to the first flip-flop 1311 (refer to FIG. 3 ) may be stored, and the stored pattern data PD may be provided to the first flip-flop 1311 . .

메모리(132)의 저장 용량보다 많은 데이터의 패턴 데이터(PD)를 제공받는 경우, 신호 발생기(131)는 알고리즘 패턴 발생기(120)로 패턴 정지 요청 신호를 제공한다. 이후, 실시예에 따라 신호 발생기(131)의 패턴 요청 신호에 따라 알고리즘 패턴 발생기(120)는 다시 패턴 데이터(PD)를 제공할 수 있다.When the pattern data PD of more data than the storage capacity of the memory 132 is provided, the signal generator 131 provides a pattern stop request signal to the algorithm pattern generator 120 . Thereafter, according to an embodiment, the algorithm pattern generator 120 may provide the pattern data PD again according to the pattern request signal of the signal generator 131 .

디지털 컨버터(133)는 피시험 반도체 소자(200)로부터 피시험 반도체 소자(200)의 매치 검출 상태 신호를 제공받고, 상기 상태 신호를 하이/로우 데이터(H/L)로 변환하여 신호 발생기(131)에 제공할 수 있다. The digital converter 133 receives a match detection state signal of the semiconductor element under test 200 from the semiconductor element under test 200 , and converts the state signal into high/low data H/L to generate a signal generator 131 . ) can be provided.

도 1 및 도 4를 참조하면, 매치 AND 연산기(150)는 각각의 제1 내지 제n 핀 일렉트로닉스(130_1-130_n)의 신호 발생기(131)들로부터 제1 내지 제n 디지털 신호(DD1-DDn)를 제공받을 수 있고, 제1 내지 제n 디지털 신호(DD1-DDn)에 따라 매치 결과 신호(MatchO)를 출력하여 각각의 제1 내지 제n 핀 일렉트로닉스(130_1-130_n)의 신호 발생기(131)로 제공할 수 있다.1 and 4 , the match AND operator 150 receives the first to n-th digital signals DD1-DDn from the signal generators 131 of each of the first to n-th pin electronics 130_1-130_n. may be provided, and output the match result signal MatchO according to the first to nth digital signals DD1-DDn to the signal generator 131 of each of the first to nth pin electronics 130_1-130_n. can provide

제1 내지 제n 핀 일렉트로닉스(130_1-130_n)들의 모든 신호 발생기(131)가 매치 패스에 대응하는 제1 내지 제n 디지털 신호(DD1-DDn)를 제공하는 경우, 매치 AND 연산기(150)는 하이 레벨의 매치 결과 신호(MatchO)를 출력하여 모든 제1 내지 제n 핀 일렉트로닉스(130_1-130_n)의 신호 발생기(131)에 제공할 수 있다. 하이 레벨의 매치 결과 신호(MatchO)는 모든 피시험 반도체 소자(200_1-200_n)가 매치 패스됨을 의미한다.When all signal generators 131 of the first to n-th pin electronics 130_1-130_n provide the first to n-th digital signals DD1-DDn corresponding to a match path, the match AND operator 150 sets a high The level match result signal MatchO may be output and provided to the signal generator 131 of all the first to n-th pin electronics 130_1-130_n. A high-level match result signal MatchO means that all the semiconductor devices under test 200_1-200_n are match-passed.

도 5는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 소자 검사 장치의 동작을 설명하기 위한 레더 다이어그램이다. 도 6 내지 도 8은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 소자 검사 장치의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.5 is a ladder diagram for explaining an operation of a semiconductor device inspection apparatus according to some embodiments of the present invention. 6 to 8 are views for explaining the operation of the semiconductor device inspection apparatus according to some embodiments of the present invention.

도 5 및 도 6을 참조하면, 알고리즘 패턴 발생기(120)는 순차적으로 제1 패턴 데이터 내지 제4 패턴 데이터(P1-P4)를 모든 핀 일렉트로닉스(130)에 제공한다(S111-S114). 5 and 6 , the algorithm pattern generator 120 sequentially provides the first pattern data to the fourth pattern data P1 - P4 to all the pin electronics 130 ( S111 - S114 ).

제1 패턴 데이터(P1) 및 제4 패턴 데이터(P4)는 매치 커맨드에 대응하고, 제2 패턴 데이터(P3) 및 제3 패턴 데이터(P4)는 라이트 커맨드/리드 커맨드/이레이즈 커맨드 등을 포함하는 프로그램 커맨드에 대응할 수 있다. 패턴 데이터 전송의 순서는 예시적인 것으로, 본원 발명의 기술적 사상은 상기 패턴 데이터의 전송 순서에 제한되지 않는다.The first pattern data P1 and the fourth pattern data P4 correspond to a match command, and the second pattern data P3 and the third pattern data P4 include a write command/read command/erase command and the like. It can correspond to the program command to be executed. The order of pattern data transmission is exemplary, and the technical idea of the present invention is not limited to the transmission order of the pattern data.

알고리즘 패턴 발생기(120)는 일정한 주기(T)마다 제1 패턴 데이터 내지 제4 패턴 데이터(P1-P4)를 연속하게 모든 핀 일렉트로닉스(130)에 제공한다. 핀 일렉트로닉스(130)는 제1 시간(t1)에 제1 패턴 데이터(P1)를 제공받는다. 후속하는 제2 내지 제4 패턴 데이터(P2-P4)는 핀 일렉트로닉스(130)의 메모리(132)에 저장될 수 있다.The algorithm pattern generator 120 continuously provides the first pattern data to the fourth pattern data P1 - P4 to all the pin electronics 130 at regular intervals (T). The pin electronics 130 receives the first pattern data P1 at a first time t1 . Subsequent second to fourth pattern data P2-P4 may be stored in the memory 132 of the pin electronics 130 .

핀 일렉트로닉스(130)는 제1 패턴 데이터(P1)가 매치 커맨드에 대응하는 것을 결정한다(S120). 따라서, 판단부(1313)에 매치 커맨드 신호(M_CMD)가 입력되고, 그에 따라 판단부(1313)는 하이 레벨의 제2 플래그 비트(2nd F/B)를 출력하고, ZOH 클록 신호(ZOH_Rate)의 토글 동작이 비수행되도록 한다. The pin electronics 130 determines that the first pattern data P1 corresponds to the match command ( S120 ). Accordingly, the match command signal M_CMD is input to the determination unit 1313 , and accordingly, the determination unit 1313 outputs a high level second flag bit 2 nd F/B, and a ZOH clock signal ZOH_Rate Makes the toggle operation of is not performed.

제1 패턴 데이터(P1)가 매치 커맨드에 대응된다고 판단되면, 신호 발생기(131)는 제1 출력 데이터(P1_out)를 출력하여, 피시험 반도체 소자(200)에 제공한다(S130). When it is determined that the first pattern data P1 corresponds to the match command, the signal generator 131 outputs the first output data P1_out and provides it to the semiconductor device under test 200 ( S130 ).

피시험 반도체 소자(200)는 제1 출력 데이터(P1_out)에 따라 매치 동작을 수행한다(S140). 핀 일렉트로닉스(130)는 피시험 반도체 소자(200)의 매치 동작 완료 후, 피시험 반도체 소자(200)로부터 매치 검출 신호를 제공받는다(S150).The semiconductor device under test 200 performs a matching operation according to the first output data P1_out ( S140 ). After the match operation of the semiconductor device under test 200 is completed, the pin electronics 130 receives a match detection signal from the semiconductor device under test 200 ( S150 ).

도 7을 추가적으로 참조하면, 핀 일렉트로닉스(130)의 비교기(1316)는 매치 동작 완료됐다는 매치 검출 신호에 대응하여 하이 레벨의 디지털 신호(DD)를 매치 AND 연산기(150)에 제공한다(S161). Referring additionally to FIG. 7 , the comparator 1316 of the pin electronics 130 provides a high-level digital signal DD to the match AND operator 150 in response to the match detection signal indicating that the match operation is complete ( S161 ).

매치 AND 연산기(150)가 모든 핀 일렉트로닉스(130)로부터 하이 레벨의 디지털 신호(DD) 제공받으면, 하이 레벨의 매치 결과 신호(MatchO)를 생성하여 모든 핀 일렉트로닉스(130)에 제공한다(S162, S163).When the match AND operator 150 receives a high level digital signal DD from all pin electronics 130 , it generates a high level match result signal MatchO and provides it to all pin electronics 130 ( S162 , S163 ). ).

판단부(1313)는 하이 레벨의 매치 결과 신호(MatchO)에 따라 제2 시간(t2)에 로우 레벨의 제1 플래그 비트(1st F/B)를 출력하고, ZOH 클록 신호(ZOH_Rate)의 토글 동작이 수행되도록 하고, 신호 발생기(131)는 제2 시간(t2) 이후로 패턴 데이터에 대응되는 출력 데이터를 출력한다.The determination unit 1313 outputs a low-level first flag bit 1 st F/B at a second time t2 according to the high-level match result signal MatchO, and toggles the ZOH clock signal ZOH_Rate. operation is performed, and the signal generator 131 outputs output data corresponding to the pattern data after the second time t2.

신호 발생기(131)는, 제1 및 제2 패턴 데이터(P1, P2) 이후로 일정 주기로 후속하는 제3 패턴이 제공되는 동안, 제2 패턴 데이터(P2) 기초로 하는 제2 출력 데이터(P2_out)를 출력한다(S171). The signal generator 131 provides second output data P2_out based on the second pattern data P2 while a third pattern following the first and second pattern data P1 and P2 is provided at a predetermined period. is output (S171).

신호 발생기(131)는 제2 출력 데이터(P2_out)의 출력 이후로 제3 패턴 데이터(P2) 기초로 하는 제3 출력 데이터(P3_out)를 출력한다(S172). The signal generator 131 outputs the third output data P3_out based on the third pattern data P2 after the output of the second output data P2_out ( S172 ).

신호 발생기(131)는 제3 시간(t3)에 제4 패턴 데이터(P1)를 제공받는다(S114). 제4 패턴 데이터(P1)는 핀 일렉트로닉스(130)의 메모리(132)에 저장된 후, 제3 시간(t3)에 메모리(132)에서 신호 발생기(131)로 제공될 수 있다.The signal generator 131 receives the fourth pattern data P1 at the third time t3 ( S114 ). After being stored in the memory 132 of the pin electronics 130 , the fourth pattern data P1 may be provided from the memory 132 to the signal generator 131 at a third time t3 .

핀 일렉트로닉스(130)는 제4 패턴 데이터(P4)가 매치 커맨드에 대응하는 것을 결정한다(S180). 따라서, 판단부(1313)에 매치 커맨드 신호(M_CMD)가 입력되고, 그에 따라 판단부(1313)는 하이 레벨의 제2 플래그 비트(2nd F/B)를 출력하고, ZOH 클록 신호(ZOH_Rate)의 토글 동작은 다시 비수행되도록 한다. The pin electronics 130 determines that the fourth pattern data P4 corresponds to the match command (S180). Accordingly, the match command signal M_CMD is input to the determination unit 1313 , and accordingly, the determination unit 1313 outputs a high level second flag bit 2 nd F/B, and a ZOH clock signal ZOH_Rate The toggle operation of is made to be non-executed again.

제4 패턴 데이터(P4)가 매치 커맨드에 대응된다고 판단되면, 신호 발생기(131)는 제4 출력 데이터(P4_out)를 출력하여, 피시험 반도체 소자(200)에 제공한다(S190). 피시험 반도체 소자(200)는 제4 출력 데이터(P4_out)에 따라 매치 동작을 수행한다(S200).When it is determined that the fourth pattern data P4 corresponds to the match command, the signal generator 131 outputs the fourth output data P4_out and provides it to the semiconductor device under test 200 ( S190 ). The semiconductor device under test 200 performs a matching operation according to the fourth output data P4_out ( S200 ).

도 8은 본원 발명의 핀 일렉트로닉스의 또 다른 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다. 도 6 및 도 8을 참조하면, 판단부(1313)는 제1 시간(t1) 후에 미리 정해진 수인 N 개의 사이클(N clk)의 클록 신호가 제공되면, 하이 레벨의 매치 결과 신호(MatchO)가 제공되지 않아도 제2 시간(t2')에 로우 레벨의 제1 플래그 비트(1st F/B)를 출력한다.8 is a timing diagram for explaining another operation of the pin electronics of the present invention. 6 and 8 , when a clock signal of N cycles (N clk), which is a predetermined number, is provided after a first time t1 , the determination unit 1313 provides a high-level match result signal MatchO The first flag bit 1 st F/B of a low level is output at the second time t2' even if it is not.

판단부(1313)는 제2 시간(t2')이후로 ZOH 클록 신호(ZOH_Rate)의 토글 동작이 수행되도록 하고, 신호 발생기(131)는 제2 시간(t2') 이후로 패턴 데이터에 대응되는 출력 데이터를 출력한다.The determination unit 1313 causes the toggle operation of the ZOH clock signal ZOH_Rate to be performed after the second time t2', and the signal generator 131 outputs the pattern data after the second time t2'. output data.

제1 시간(t1)과의 간격을 비교하면, 도 7의 제2 시간(t2)과 제1 시간(t1)의 간격에 비해 제2 시간(t2')과 제1 시간(t1)의 간격이 더 넓을 수 있다.Comparing the interval with the first time t1, the interval between the second time t2' and the first time t1 is greater than the interval between the second time t2 and the first time t1 in FIG. could be wider.

도 9은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 소자 검사 장치의 효과를 설명하기 위한 도면이다.9 is a view for explaining the effect of the semiconductor device inspection apparatus according to some embodiments of the present invention.

도 9를 참조하면, 본원의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 소자 검사 장치(100)가 연속적으로 매치 커맨드를 제공하고, 알고리즘 패턴 발생기(120)가 매치 커맨드에 대응하는 패턴 데이터를 생성하는 데 한 클록 사이클 기준으로 200 스테이지의 동작을 수행하고, 핀 일렉트로닉스(130)가 매치 커맨드에 출력 데이터를 생성하는 데 한 클록 사이클 기준으로 100 스테이지의 동작을 수행하고 다고 전제한다.Referring to FIG. 9 , the semiconductor device inspection apparatus 100 according to some embodiments of the present disclosure continuously provides a match command, and the algorithm pattern generator 120 generates pattern data corresponding to the match command by one clock. It is assumed that 200 stages of operation are performed on a cycle basis, and 100 stages of operation are performed on a clock cycle basis for the pin electronics 130 to generate output data for a match command.

알고리즘 패턴 발생기(120)는 제1 매치 커맨드에 대응하는 제1 패턴 데이터를 생성하여 핀 일렉트로닉스(130)에 제공한 후, 곧바로 제2 매치 커맨드에 대응하는 제2 패턴 데이터 및 제3 매치 커맨드에 대응하는 제3 패턴 데이터를 순차적으로 생성할 수 있다. 즉, 본원의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 소자 검사 장치(100)의 알고리즘 패턴 발생기(120)는 파이프라인 동작을 수행할 수 있다.The algorithm pattern generator 120 generates first pattern data corresponding to the first match command and provides it to the pin electronics 130 , and immediately responds to the second pattern data corresponding to the second match command and the third match command. The third pattern data may be sequentially generated. That is, the algorithm pattern generator 120 of the semiconductor device inspection apparatus 100 according to some embodiments of the present disclosure may perform a pipeline operation.

본원의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 소자 검사 장치(100)가 연속적으로 제1 내지 제3 매치 커맨드에 대한 출력 데이터를 피시험 반도체 소자(200)에 제공하는 데 소요하는 시간을 1 쓰루풋(Throughput)이라 할 때, 알고리즘 패턴 발생기(120)의 파이프 라인 동작을 통해 반도체 소자 검사 장치(100)는 약 700 스테이지의 동작을 수행하여 약 700 클록 사이클의 시간이 소요될 수 있다. A time required for the semiconductor device testing apparatus 100 according to some embodiments of the present disclosure to continuously provide output data for the first to third match commands to the semiconductor device under test 200 is 1 throughput In this case, through the pipeline operation of the algorithm pattern generator 120 , the semiconductor device inspection apparatus 100 may perform an operation of about 700 stages, so that it may take about 700 clock cycles.

다만, 본원과 달리 알고리즘 패턴 발생기(120)가 파이프 라인 동작을 수행하지 않는 경우, 최소 약 900 클록 사이클의 시간이 소요될 수 있어 본원 발명에 비해 비효율적인 동작을 수행할 수 있다.However, unlike the present invention, when the algorithm pattern generator 120 does not perform the pipeline operation, it may take at least about 900 clock cycles, thereby performing an inefficient operation compared to the present invention.

알고리즘 패턴 발생기(120)의 파이프 라인 동작을 통해, 핀 일렉트로닉스(130)는 매치 검출 이후 메모리(132)에 저장된 후속 패턴 데이터에 대한 동작을 곧바로 수행할 수 있기 때문에, 반도체 소자 검사 장치(100)의 검사 시간을 단축시켜 검사 효율을 높일 수 있다.Through the pipeline operation of the algorithm pattern generator 120 , the pin electronics 130 can immediately perform an operation on the subsequent pattern data stored in the memory 132 after match detection, so that the Inspection efficiency can be increased by shortening inspection time.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments, but may be manufactured in various different forms, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

110: 프로세서 120: 알고리즘 패턴 발생기
130: 핀 일렉트로닉스 150: 매치 AND 연산기
131: 신호 발생기 1311: 제1 플립플롭
1312: 제2 플립플롭 1313: 판단부
1314: 클록 AND 연산기 1316: 비교기
110: processor 120: algorithm pattern generator
130: pin electronics 150: match AND operator
131: signal generator 1311: first flip-flop
1312: second flip-flop 1313: judgment unit
1314: clock AND operator 1316: comparator

Claims (4)

제1 및 제2 패턴 데이터를 차례로 발생시키는 알고리즘 패턴 발생기(Algorithmic Pattern Generator; ALPG); 및
상기 알고리즘 패턴 발생기로부터 상기 제1 및 제2 패턴 데이터를 순서대로 입력받고, 상기 제1 및 제2 패턴 데이터를 기초로 피시험 반도체 소자(DUT)에 제1 및 제2 출력 데이터를 인가하는 핀 일렉트로닉스(Pin Electronics; PE)를 포함하되,
상기 핀 일렉트로닉스는, 상기 제1 및 제2 패턴 데이터에 후속하는 제3 패턴 데이터를 제공받는 동안 상기 제2 출력 데이터를 출력하는 신호 발생기(Timing Generator; TG)를 포함하고,
상기 핀 일렉트로닉스는 상기 피시험 반도체 소자로부터 상기 제1 출력 데이터에 대응하는 매치 검출 신호를 제공받고,
상기 신호 발생기는,
상기 매치 검출 신호에 대응하는 매치 결과 신호를 제공받고, 상기 매치 결과 신호에 대응하여 제1 플래그 비트 신호를 출력하는 판단부와,
상기 제1 플래그 비트 신호 및 클록 신호를 기초로 생성된 ZOH 클록 신호에 동기하여 상기 제2 패턴 데이터를 제1 플립플롭 데이터로 출력하는 제1 플립플롭과,
상기 클록 신호에 동기하여 상기 제1 플립플롭 데이터를 상기 제2 출력 데이터로 출력하는 제2 플립플롭을 포함하는 반도체 소자 검사 장치.
an algorithmic pattern generator (ALPG) for sequentially generating first and second pattern data; and
Pin electronics that sequentially receives the first and second pattern data from the algorithm pattern generator and applies first and second output data to a semiconductor device under test (DUT) based on the first and second pattern data (Pin Electronics; PE), including,
The pin electronics includes a timing generator (TG) that outputs the second output data while receiving third pattern data subsequent to the first and second pattern data;
the pin electronics receives a match detection signal corresponding to the first output data from the semiconductor device under test;
The signal generator is
a determination unit receiving a match result signal corresponding to the match detection signal and outputting a first flag bit signal in response to the match result signal;
a first flip-flop for outputting the second pattern data as first flip-flop data in synchronization with a ZOH clock signal generated based on the first flag bit signal and a clock signal;
and a second flip-flop configured to output the first flip-flop data as the second output data in synchronization with the clock signal.
제1항에 있어서,
상기 판단부는 매치 커맨드 신호를 수신하고, 상기 매치 커맨드에 대응하여 제2 플래그 비트 신호를 출력하되, 상기 매치 커맨드 신호는 상기 제1 패턴 데이터에 대응하고,
상기 제2 플래그 비트 신호를 기초로, 상기 ZOH 클록 신호의 토글 동작이 비수행되는 반도체 소자 검사 장치.
According to claim 1,
The determination unit receives a match command signal and outputs a second flag bit signal in response to the match command, wherein the match command signal corresponds to the first pattern data;
and wherein the toggle operation of the ZOH clock signal is not performed based on the second flag bit signal.
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