KR102439988B1 - Electronic device for forming radio frequency wave and operation method for thereof - Google Patents

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KR102439988B1
KR102439988B1 KR1020170130053A KR20170130053A KR102439988B1 KR 102439988 B1 KR102439988 B1 KR 102439988B1 KR 1020170130053 A KR1020170130053 A KR 1020170130053A KR 20170130053 A KR20170130053 A KR 20170130053A KR 102439988 B1 KR102439988 B1 KR 102439988B1
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박성범
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    • HELECTRICITY
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    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q3/00Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
    • H01Q3/26Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture
    • H01Q3/30Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture varying the relative phase between the radiating elements of an array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01Q21/00Antenna arrays or systems
    • H01Q21/24Combinations of antenna units polarised in different directions for transmitting or receiving circularly and elliptically polarised waves or waves linearly polarised in any direction

Abstract

다양한 실시예에 따라서, 전자 장치는, 전력 소스, 상기 전력 소스로부터 수신한 전력을 이용하여 RF 웨이브를 형성하는 안테나, 복수 개의 셀을 포함하는 셀 어레이, 및 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 RF 웨이브의 형성 조건을 판단하고, 상기 RF 웨이브의 형성 조건에 대응하여, 상기 복수 개의 셀 각각의 위상 특성을 조정하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, an electronic device includes a power source, an antenna for forming an RF wave using power received from the power source, a cell array including a plurality of cells, and a processor, wherein the processor includes: It may be set to determine a condition for forming an RF wave, and to adjust a phase characteristic of each of the plurality of cells in response to the condition for forming the RF wave.

Figure R1020170130053
Figure R1020170130053

Description

RF 웨이브를 형성하는 전자 장치 및 그 동작 방법{ELECTRONIC DEVICE FOR FORMING RADIO FREQUENCY WAVE AND OPERATION METHOD FOR THEREOF}ELECTRONIC DEVICE FOR FORMING RADIO FREQUENCY WAVE AND OPERATION METHOD FOR THEREOF

다양한 실시예는 RF 웨이브를 형성하는 전자 장치 및 그 동작 방법에 관한 것이다.Various embodiments relate to an electronic device for forming an RF wave and a method of operating the same.

현대를 살아가는 많은 사람들에게 휴대용 디지털 통신기기들은 하나의 필수 요소가 되었다. 소비자들은 언제 어디서나 자신이 원하는 다양한 고품질의 서비스를 제공받고 싶어한다. 뿐만 아니라 최근 IoT (Internet of Thing) 기술의 발달로 인하여 우리 생활 속에 존재하는 각종 센서, 가전기기, 통신기기 등은 하나로 네트워크화 되고 있다. 이러한 각종 센서들을 원활하게 동작시키기 위해서는 무선 전력 송신 시스템이 필요하다.For many people living in modern times, portable digital communication devices have become an essential element. Consumers want to be provided with a variety of high-quality services that they want anytime, anywhere. In addition, due to the recent development of IoT (Internet of Thing) technology, various sensors, home appliances, and communication devices that exist in our lives are being networked into one. In order to smoothly operate these various sensors, a wireless power transmission system is required.

아울러, THz 대역에서의 RF 웨이브를 이용한 기술들이 발전하고 있다. THz 대역은, 인체에 무해한 것으로 알려져 있으며, 이에 따라 얼굴 인식, 피부 상태 등의 다양한 생체 관련 정보 측정에 이용될 수 있다. 또한, THz 대역의 RF 웨이브를 이용한 고정밀 이미징, 물질의 화학적 특성 분석, 통신 등의 기술이 발전하고 있다.In addition, technologies using RF waves in the THz band are being developed. The THz band is known to be harmless to the human body, and accordingly, it can be used to measure various bio-related information such as face recognition and skin condition. In addition, technologies such as high-precision imaging using RF waves in the THz band, analysis of chemical properties of materials, and communication technologies are being developed.

일반적으로, RF 웨이브를 형성하는 전자 장치는, 어레이 안테나 각각의 위상을 조정함으로써, 형성하는 RF 웨이브의 지향 방향 또는 형태를 조정할 수 있다. 예를 들어, 특정 지점으로의 RF 웨이브의 빔 포밍을 위하여, 전자 장치는 어레이 안테나 각각에 연결되는 위상 쉬프터의 위상 조정 정도를 조정할 수 있다. 또는, 특정 지점으로의 RF 웨이브의 빔 포밍을 위하여, 전자 장치는 어레이 안테나 각각에 연결되는 증폭기(amplifier) 또는 감쇠기(attenuator)의 진폭 또는 감쇠 정도를 조정할 수 있다. 하지만, 어레이 안테나 각각마다 연결되는 위상 쉬프터를 포함하기 위하여서는, 전자 장치의 부피 및 질량과, 제조 단가가 증가하는 문제가 발생한다.In general, an electronic device that forms an RF wave may adjust the direction or shape of the RF wave by adjusting the phase of each of the array antennas. For example, in order to beamform an RF wave to a specific point, the electronic device may adjust a phase adjustment degree of a phase shifter connected to each of the array antennas. Alternatively, in order to beamform an RF wave to a specific point, the electronic device may adjust the amplitude or attenuation degree of an amplifier or an attenuator connected to each of the array antennas. However, in order to include a phase shifter connected to each of the array antennas, a problem arises in that the volume and mass of the electronic device and the manufacturing cost increase.

다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 공진 주파수 또는 위상 상수 중 적어도 하나를 조정함으로써, RF 웨이브의 형성 방향 또는 형태 중 적어도 하나를 조정할 수 있는 전자 장치 및 그 동작 방법을 제공할 수 있다.The electronic device according to various embodiments may provide an electronic device capable of adjusting at least one of a formation direction or a shape of an RF wave by adjusting at least one of a resonance frequency and a phase constant, and an operating method thereof.

다양한 실시예에 따라서, 전자 장치는, 전력 소스, 상기 전력 소스로부터 수신한 전력을 이용하여 RF 웨이브를 형성하는 안테나, 복수 개의 셀을 포함하는 셀 어레이, 및 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 RF 웨이브의 형성 조건을 판단하고, 상기 RF 웨이브의 형성 조건에 대응하여, 상기 복수 개의 셀 각각의 위상 특성을 조정하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, an electronic device includes a power source, an antenna for forming an RF wave using power received from the power source, a cell array including a plurality of cells, and a processor, wherein the processor includes: It may be set to determine a condition for forming an RF wave, and to adjust a phase characteristic of each of the plurality of cells in response to the condition for forming the RF wave.

다양한 실시예에 따라서, 전자 장치는, 전력 소스, 각각이 상기 전력 소스로부터 수신한 전력을 이용하여 서브 RF 웨이브를 형성하는 복수 개의 셀을 포함하는 셀 어레이, 및 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 RF 웨이브의 형성 조건을 판단하고, 상기 RF 웨이브의 형성 조건에 대응하여, 상기 복수 개의 셀 각각의 위상 특성을 조정하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, an electronic device includes a power source, a cell array including a plurality of cells each forming a sub-RF wave using power received from the power source, and a processor, the processor comprising: It may be set to determine a condition for forming the RF wave, and to adjust a phase characteristic of each of the plurality of cells in response to the condition for forming the RF wave.

다양한 실시예에 따라서, 복수 개의 셀을 포함하는 전자 장치의 동작 방법은, RF 웨이브의 형성 조건을 판단하는 동작, 및 상기 RF 웨이브의 형성 조건에 대응하여, 상기 복수 개의 셀 각각의 위상 특성을 조정하는 동작을 포함할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, in a method of operating an electronic device including a plurality of cells, determining an RF wave formation condition and adjusting a phase characteristic of each of the plurality of cells in response to the RF wave formation condition It may include an action to

다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 공진 주파수 또는 위상 상수 중 적어도 하나를 조정함으로써, RF 웨이브의 형성 방향 또는 형태 중 적어도 하나를 조정할 수 있는 전자 장치 및 그 동작 방법을 제공할 수 있다. 이에 따라, 채널 수와 동일한 개수의 위상 쉬프터, 증폭기, 또는 감쇠기를 포함하지 않은 비교적 소형의 전자 장치가 RF 웨이브를 조정하여 형성할 수 있다.The electronic device according to various embodiments may provide an electronic device capable of adjusting at least one of a formation direction or a shape of an RF wave by adjusting at least one of a resonance frequency and a phase constant, and an operating method thereof. Accordingly, a relatively small electronic device that does not include the same number of phase shifters, amplifiers, or attenuators as the number of channels may be formed by adjusting the RF wave.

도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 RF 웨이브 형성의 개념도를 도시한다.
도 2는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.
도 3a 및 3b는 다양한 실시예에 따른 전자 장치 및 다른 전자 장치의 블록도를 설명하기 위한 블록도를 도시한다.
도 4a 및 4b는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 셀 어레이를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 다양한 실시예에 따른 전자 장치 및 다른 전자 장치의 블록도를 설명하기 위한 블록도를 도시한다.
도 6은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 셀 어레이를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 다양한 실시예에 따른 셀의 도면이다.
도 8은 다양한 실시예에 따른 메타 물질 구조의 위상 특성 및 공진 주파수 사이의 관계를 나타내는 그래프를 도시한다.
도 9는 다양한 실시예에 따른 셀 어레이의 도면이다.
도 10은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도를 도시한다.
도 11은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.
도 12a는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.
도 12b는 다양한 실시예에 따른 빔 스프레딩을 설명하는 도면이다.
도 13a는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.
도 13b는 다양한 실시예에 따른 원형 편파를 설명하는 도면이다.
도 14a는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.
도 14b는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 복수 주파수 수신을 설명하는 도면이다.
도 15a 및 15b는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.
도 16은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 도면이다.
1 shows a conceptual diagram of RF wave formation according to various embodiments of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;
3A and 3B are block diagrams illustrating block diagrams of electronic devices and other electronic devices according to various embodiments of the present disclosure;
4A and 4B are diagrams for explaining a cell array of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;
5 is a block diagram illustrating a block diagram of an electronic device and another electronic device according to various embodiments of the present disclosure;
6 is a diagram for describing a cell array of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;
7 is a diagram of a cell according to various embodiments.
8 is a graph illustrating a relationship between a phase characteristic and a resonant frequency of a metamaterial structure according to various embodiments of the present disclosure;
9 is a diagram of a cell array according to various embodiments.
10 is a block diagram of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;
11 is a flowchart illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;
12A is a flowchart illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;
12B is a diagram illustrating beam spreading according to various embodiments of the present disclosure;
13A is a flowchart illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;
13B is a diagram illustrating a circular polarization wave according to various embodiments of the present disclosure;
14A is a flowchart illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;
14B is a diagram for describing multi-frequency reception by an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;
15A and 15B are flowcharts illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;
16 is a diagram of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;

이하, 본 문서의 다양한 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 실시예 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 및/또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B" 또는 "A 및/또는 B 중 적어도 하나" 등의 표현은 함께 나열된 항목들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1," "제 2," "첫째," 또는 "둘째,"등의 표현들은 해당 구성요소들을, 순서 또는 중요도에 상관없이 수식할 수 있고, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 뿐 해당 구성요소들을 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에 "(기능적으로 또는 통신적으로) 연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나, 다른 구성요소(예: 제 3 구성요소)를 통하여 연결될 수 있다.Hereinafter, various embodiments of the present document will be described with reference to the accompanying drawings. The examples and terms used therein are not intended to limit the technology described in this document to specific embodiments, and should be understood to cover various modifications, equivalents, and/or substitutions of the embodiments. In connection with the description of the drawings, like reference numerals may be used for like components. The singular expression may include the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In this document, expressions such as “A or B” or “at least one of A and/or B” may include all possible combinations of items listed together. Expressions such as "first," "second," "first," or "second," can modify the corresponding elements, regardless of order or importance, and to distinguish one element from another element. It is used only and does not limit the corresponding components. When an (eg, first) component is referred to as being “connected (functionally or communicatively)” or “connected” to another (eg, second) component, that component is It may be directly connected to the component or may be connected through another component (eg, a third component).

본 문서에서, "~하도록 구성된(또는 설정된)(configured to)"은 상황에 따라, 예를 들면, 하드웨어적 또는 소프트웨어적으로 "~에 적합한," "~하는 능력을 가지는," "~하도록 변경된," "~하도록 만들어진," "~를 할 수 있는," 또는 "~하도록 설계된"과 상호 호환적으로(interchangeably) 사용될 수 있다. 어떤 상황에서는, "~하도록 구성된 장치"라는 표현은, 그 장치가 다른 장치 또는 부품들과 함께 "~할 수 있는" 것을 의미할 수 있다. 예를 들면, 문구 "A, B, 및 C를 수행하도록 구성된(또는 설정된) 프로세서"는 해당 동작을 수행하기 위한 전용 프로세서(예: 임베디드 프로세서), 또는 메모리 장치에 저장된 하나 이상의 소프트웨어 프로그램들을 실행함으로써, 해당 동작들을 수행할 수 있는 범용 프로세서(예: CPU 또는 application processor)를 의미할 수 있다. In this document, "configured (or configured to)" means "suitable for," "having the ability to," "modified to, ," "made to," "capable of," or "designed to," may be used interchangeably. In some contexts, the expression “a device configured to” may mean that the device is “capable of” with other devices or components. For example, the phrase “a processor configured (or configured to perform) A, B, and C” refers to a dedicated processor (eg, an embedded processor) for performing the operations, or by executing one or more software programs stored in a memory device. , may refer to a general-purpose processor (eg, a CPU or an application processor) capable of performing corresponding operations.

본 문서의 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는, 예를 들면, 스마트폰, 태블릿 PC, 이동 전화기, 영상 전화기, 전자책 리더기, 데스크탑 PC, 랩탑 PC, 넷북 컴퓨터, 워크스테이션, 서버, PDA, PMP(portable multimedia player), MP3 플레이어, 의료기기, 카메라, 또는 웨어러블 장치 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 웨어러블 장치는 액세서리형(예: 시계, 반지, 팔찌, 발찌, 목걸이, 안경, 콘택트 렌즈) 또는 머리 착용형 장치(head-mounted-device(HMD)), 직물 또는 의류 일체형(예: 전자 의복), 신체 부착형(예: 스킨 패드), 또는 생체 이식형 회로 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 어떤 실시예들에서, 전자 장치는, 예를 들면, 텔레비전, DVD(digital video disk) 플레이어, 오디오, 냉장고, 에어컨, 청소기, 오븐, 전자레인지, 세탁기, 공기 청정기, 셋톱 박스, 홈 오토매이션 컨트롤 패널, 보안 컨트롤 패널, 미디어 박스, 게임 콘솔, 전자 사전, 전자 키, 캠코더, 또는 전자 액자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The electronic device according to various embodiments of the present disclosure may include, for example, a smartphone, a tablet PC, a mobile phone, a video phone, an e-book reader, a desktop PC, a laptop PC, a netbook computer, a workstation, a server, a PDA, and a PMP. It may include at least one of a portable multimedia player, an MP3 player, a medical device, a camera, and a wearable device. A wearable device may be an accessory (e.g., watch, ring, bracelet, anklet, necklace, eyewear, contact lens) or head-mounted-device (HMD), integrated in textiles or clothing (e.g., electronic garment); It may include at least one of a body-attached (eg, skin pad) or a bio-implantable circuit. In some embodiments, the electronic device is, for example, a television, digital video disk (DVD) player, audio, refrigerator, air conditioner, vacuum cleaner, oven, microwave oven, washing machine, air purifier, set top box, home automation control. It may include at least one of a panel, a security control panel, a media box, a game console, an electronic dictionary, an electronic key, a camcorder, or an electronic picture frame.

다른 실시예에서, 전자 장치는, 각종 의료기기(예: 각종 휴대용 의료측정기기(혈당 측정기, 심박 측정기, 혈압 측정기, 또는 체온 측정기 등), MRA(magnetic resonance angiography), MRI(magnetic resonance imaging), CT(computed tomography), 촬영기, 또는 초음파기 등), 네비게이션 장치, 위성 항법 시스템(GNSS(global navigation satellite system)), EDR(event data recorder), FDR(flight data recorder), 자동차 인포테인먼트 장치, 선박용 전자 장비(예: 선박용 항법 장치, 자이로 콤파스 등), 항공 전자기기(avionics), 보안 기기, 차량용 헤드 유닛(head unit), 산업용 또는 가정용 로봇, 드론(drone), 금융 기관의 ATM, 상점의 POS(point of sales), 또는 사물 인터넷 장치 (예: 전구, 각종 센서, 스프링클러 장치, 화재 경보기, 온도조절기, 가로등, 토스터, 운동기구, 온수탱크, 히터, 보일러 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 전자 장치는 가구, 건물/구조물 또는 자동차의 일부, 전자 보드(electronic board), 전자 사인 수신 장치(electronic signature receiving device), 프로젝터, 또는 각종 계측 기기(예: 수도, 전기, 가스, 또는 전파 계측 기기 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다양한 실시예에서, 전자 장치는 플렉서블(flexible)하거나, 또는 전술한 다양한 장치들 중 둘 이상의 조합일 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다. 본 문서에서, 사용자라는 용어는 전자 장치를 사용하는 사람 또는 전자 장치를 사용하는 장치(예: 인공지능 전자 장치)를 지칭할 수 있다.In another embodiment, the electronic device may include various medical devices (eg, various portable medical measuring devices (eg, a blood glucose meter, a heart rate monitor, a blood pressure monitor, or a body temperature monitor), magnetic resonance angiography (MRA), magnetic resonance imaging (MRI), Computed tomography (CT), imagers, or ultrasound machines, etc.), navigation devices, global navigation satellite systems (GNSS), event data recorders (EDRs), flight data recorders (FDRs), automotive infotainment devices, marine electronic equipment (e.g. navigation devices for ships, gyro compasses, etc.), avionics, security devices, head units for vehicles, industrial or household robots, drones, ATMs in financial institutions, point of sale (POS) in stores of sales) or IoT devices (eg, light bulbs, various sensors, sprinkler devices, fire alarms, thermostats, street lights, toasters, exercise equipment, hot water tanks, heaters, boilers, etc.). According to some embodiments, the electronic device is a piece of furniture, a building/structure, or a vehicle, an electronic board, an electronic signature receiving device, a projector, or various measuring devices (eg, water, electricity, gas, or a radio wave measuring device). In various embodiments, the electronic device may be flexible, or a combination of two or more of the various devices described above. The electronic device according to the embodiment of the present document is not limited to the above-described devices. In this document, the term user may refer to a person who uses an electronic device or a device (eg, an artificial intelligence electronic device) using the electronic device.

도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 RF 웨이브 형성의 개념도를 도시한다.1 shows a conceptual diagram of RF wave formation according to various embodiments of the present invention.

전자 장치(100)는 적어도 하나의 다른 전자 장치(150,160)에 RF 웨이브를 형성할 수 있다. 본 문서에서, 전자 장치(100) 또는 다른 전자 장치(150)가 특정 동작을 수행하는 것은, 예를 들어 전자 장치(100) 또는 다른 전자 장치(150)에 포함된 프로세서가, 특정 동작을 수행하거나, 특정 동작을 수행하도록 다른 하드웨어를 제어하는 것을 의미할 수 있다. 또는, 전자 장치(100) 또는 다른 전자 장치(150)가 특정 동작을 수행하는 것은, 예를 들어 전자 장치(100) 또는 다른 전자 장치(150)에 포함된 메모리에 저장된 적어도 하나의 명령이 실행됨에 따라서, 프로세서가 특정 동작을 수행하거나, 특정 동작을 수행하도록 다른 하드웨어를 제어하는 것을 의미할 수도 있다. 다양한 실시예에서, 전자 장치(100)는 복수 개의 셀(cell)(111 내지 126)을 포함할 수 있다. 셀(111 내지 126) 각각은 다른 안테나로부터 형성된 RF 웨이브가 입사되는 경우에, RF 웨이브의 위상을 조정할 수 있는 메타 물질(meta material) 구조를 가질 수 있다. 메타 물질 구조는, 특정 주파수에서 음의 투자율과 음의 유전율을 가질 수 있다. 메타 물질 구조는, 공진 주파수의 변경에 따라 상이한 위상 특성을 가질 수 있다. 메타 물질 구조에 대하여서는 도 7에 대하여 더욱 상세하게 설명하도록 한다. 또는, 셀(111 내지 126) 각각은, RF 웨이브를 형성하는 경우에 위상을 조정할 수 있는 메타 물질 구조를 가질 수도 있다. 즉, 셀(111 내지 126) 각각은 입사되는 RF 웨이브의 위상을 조정할 수 있거나, 또는 위상을 조정하여 RF 웨이브를 스스로 형성할 수도 있다. 셀(111 내지 126)에 의한 위상 조정 정도는 전자 장치(100)에 의하여 결정될 수 있다. 전자 장치(100)는, 다양한 동작 모드에 따라 셀(111 내지 126) 각각의 위상 조정 정도를 판단할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 빔 포밍, 빔 스프레딩(beam spreading), 편광파 발생 등의 다양한 RF 웨이브 형성 모드에 따라, 셀(111 내지 126) 각각의 위상 조정 정도를 판단할 수 있다. 또는, 전자 장치(100)는, 수신 모드에 따라, 셀(111 내지 126) 각각의 위상 조정 정도를 판단할 수 있다. 다양한 동작 모드에 대하여서는 더욱 상세하게 후술하도록 한다. 도 1의 실시예에서는, 전자 장치(100)가 빔 포밍을 수행하는 것을 상정하도록 한다. 설명의 편의를 위하여, 셀(111 내지 126) 각각이 발생시키는 RF 웨이브 또는 셀(111 내지 126) 각각을 투과하는 RF 웨이브를 서브 RF 웨이브라 명명하도록 한다.The electronic device 100 may form an RF wave in at least one other electronic device 150 or 160 . In this document, when the electronic device 100 or the other electronic device 150 performs a specific operation, for example, the processor included in the electronic device 100 or the other electronic device 150 performs the specific operation or , may mean controlling other hardware to perform a specific operation. Alternatively, when the electronic device 100 or the other electronic device 150 performs a specific operation, for example, at least one command stored in a memory included in the electronic device 100 or the other electronic device 150 is executed. Accordingly, it may mean that the processor performs a specific operation or controls other hardware to perform a specific operation. In various embodiments, the electronic device 100 may include a plurality of cells 111 to 126 . Each of the cells 111 to 126 may have a meta material structure capable of adjusting a phase of an RF wave when an RF wave formed from another antenna is incident. The metamaterial structure may have negative permeability and negative permittivity at a specific frequency. The metamaterial structure may have different phase characteristics according to a change in the resonant frequency. The meta-material structure will be described in more detail with reference to FIG. 7 . Alternatively, each of the cells 111 to 126 may have a meta-material structure capable of adjusting a phase when forming an RF wave. That is, each of the cells 111 to 126 may adjust the phase of the incident RF wave, or may adjust the phase to form the RF wave itself. The degree of phase adjustment by the cells 111 to 126 may be determined by the electronic device 100 . The electronic device 100 may determine the degree of phase adjustment of each of the cells 111 to 126 according to various operation modes. For example, the electronic device 100 may determine the degree of phase adjustment of each of the cells 111 to 126 according to various RF wave forming modes such as beam forming, beam spreading, and polarization wave generation. have. Alternatively, the electronic device 100 may determine the degree of phase adjustment of each of the cells 111 to 126 according to the reception mode. Various operation modes will be described later in more detail. In the embodiment of FIG. 1 , it is assumed that the electronic device 100 performs beamforming. For convenience of description, an RF wave generated by each of the cells 111 to 126 or an RF wave passing through each of the cells 111 to 126 will be referred to as a sub RF wave.

본 발명의 다양한 실시예에서, 전자 장치(100)는 셀(111 내지 126)에서 발생하거나, 셀(111 내지 126)을 투과하는 서브 RF 웨이브 각각의 위상을 조정할 수 있다. 한편, 서브 RF 웨이브들은 서로 간섭될 수 있다. 예를 들어, 어느 한 지점에서는 서브 RF 웨이브들이 서로 보강 간섭될 수 있으며, 또 다른 지점에서는 서브 RF 웨이브들이 서로 상쇄 간섭될 수 있다. 본 발명의 다양한 실시예에 의한 전자 장치(100)는 제 1 지점(x1,y1,z1)에서 서브 RF 웨이브들이 서로 보강 간섭될 수 있도록, 셀(111 내지 126)이 발생하는 서브 RF 웨이브 각각의 위상을 조정할 수 있다. 또는, 전자 장치(100)는 제 1 지점(x1,y1,z1)에서 서브 RF 웨이브들이 서로 보강 간섭될 수 있도록, 셀(111 내지 126)을 투과하는 서브 RF 웨이브 각각의 위상을 조정할 수 있다.In various embodiments of the present disclosure, the electronic device 100 may adjust the phase of each of the sub RF waves generated in the cells 111 to 126 or transmitted through the cells 111 to 126 . Meanwhile, the sub RF waves may interfere with each other. For example, sub-RF waves may constructively interfere with each other at one point, and at another point, the sub-RF waves may destructively interfere with each other. The electronic device 100 according to various embodiments of the present disclosure provides each of the sub RF waves generated by the cells 111 to 126 so that the sub RF waves can constructively interfere with each other at the first point (x1, y1, z1). You can adjust the phase. Alternatively, the electronic device 100 may adjust the phase of each of the sub RF waves passing through the cells 111 to 126 so that the sub RF waves may constructively interfere with each other at the first point x1 , y1 , and z1 .

예를 들어, 전자 장치(100)는 제 1 지점(x1,y1,z1)에 다른 전자 장치(150)가 배치된 것을 결정할 수 있다. 여기에서, 다른 전자 장치(150)의 위치는, 예를 들어 다른 전자 장치(150)의 전력 수신용 안테나가 위치한 지점일 수 있다. 전자 장치(100)가 다른 전자 장치(150)의 위치를 결정하는 구성에 대하여서는 더욱 상세하게 후술하도록 한다. 다른 전자 장치(150)가 높은 송신 효율로 무선으로 전력을 수신하기 위하여서는, 제 1 지점(x1,y1,z1)에서 서브 RF 웨이브들이 보강 간섭되어야 한다. 이에 따라, 전자 장치(100)는 제 1 지점(x1,y1,z1)에서 서브 RF 웨이브들이 서로 보강 간섭이 되도록 셀(111 내지 126)를 제어할 수 있다. 여기에서, 셀(111 내지 126)를 제어한다는 것은, 셀(111 내지 126)의 공진 주파수 또는 위상 상수 중 적어도 하나를 변경함으로써, 셀(111 내지 126)로부터 발생하는 RF 웨이브의 위상 또는 셀(111 내지 126)을 투과하는 RF 웨이브의 위상을 조정하는 것을 의미할 수 있다. 특정 지점에서 RF 웨이브가 보강 간섭되도록 제어하는 기술인 빔-포밍(beam forming)에 대해서는 당업자가 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 빔-포밍에 의하여 형성된 RF 웨이브의 형태를, 에너지 포켓(pockets of energy)이라 명명할 수도 있다.For example, the electronic device 100 may determine that another electronic device 150 is disposed at the first point (x1, y1, z1). Here, the location of the other electronic device 150 may be, for example, a point where an antenna for receiving power of the other electronic device 150 is located. A configuration in which the electronic device 100 determines the location of the other electronic device 150 will be described later in more detail. In order for the other electronic device 150 to wirelessly receive power with high transmission efficiency, sub-RF waves should constructively interfere at the first point (x1, y1, z1). Accordingly, the electronic device 100 may control the cells 111 to 126 so that the sub-RF waves constructively interfere with each other at the first point (x1, y1, z1). Here, controlling the cells 111 to 126 means to change at least one of the resonant frequencies or phase constants of the cells 111 to 126, and thereby the phases of RF waves generated from the cells 111 to 126 or the cells 111 to 126) may mean adjusting the phase of the RF wave passing through. A person skilled in the art will readily understand beam-forming, which is a technique for controlling an RF wave to constructively interfere at a specific point. The shape of the RF wave formed by beam-forming may be referred to as pockets of energy.

이에 따라, 서브 RF 웨이브들에 의하여 형성된 RF 웨이브(130)는 제 1 지점(x1,y1,z1)에서 진폭이 최대가 될 수 있으며, 이에 따라 다른 전자 장치(150)는 높은 효율로 무선 전력을 수신할 수 있다. 한편, 전자 장치(100)는 제 2 지점(x2,y2,z2)에 다른 전자 장치(160)가 배치된 것을 감지할 수도 있다. 전자 장치(100)는 다른 전자 장치(160)를 충전하기 위하여 서브 RF 웨이브들이 제 2 지점(x2,y2,z2)에서 보강 간섭이 되도록 셀(111 내지 126)을 제어할 수 있다. 이에 따라, 서브 RF 웨이브들에 의하여 형성된 RF 웨이브(131)는 제 2 지점(x2,y2,z2)에서 진폭이 최대가 될 수 있으며, 다른 전자 장치(160)는 높은 송신 효율로 무선 전력을 수신할 수 있다. 또는, 전자 장치(100)는, 다른 전자 장치(150,160)와 통신을 수행할 수도 있으며, 이 경우에도 다른 전자 장치(150,160)를 향하여 RF 웨이브를 빔 포밍할 수 있다.Accordingly, the RF wave 130 formed by the sub RF waves may have a maximum amplitude at the first point (x1, y1, z1), and accordingly, the other electronic device 150 may use wireless power with high efficiency. can receive Meanwhile, the electronic device 100 may detect that another electronic device 160 is disposed at the second point (x2, y2, z2). The electronic device 100 may control the cells 111 to 126 so that the sub-RF waves become constructive interference at the second point (x2, y2, z2) in order to charge the other electronic device 160 . Accordingly, the RF wave 131 formed by the sub RF waves may have a maximum amplitude at the second point (x2, y2, z2), and the other electronic device 160 receives wireless power with high transmission efficiency. can do. Alternatively, the electronic device 100 may perform communication with the other electronic devices 150 and 160 , and in this case also may beamform an RF wave toward the other electronic devices 150 and 160 .

더욱 상세하게, 다른 전자 장치(150)는 상대적으로 우측에 배치될 수 있다. 이 경우, 전자 장치(100)는 상대적으로 우측에 배치된 셀(예를 들어, 114,118,122,126)로부터 형성되는 서브 RF 웨이브들에 상대적으로 더 큰 딜레이를 적용할 수 있다. 즉, 상대적으로 좌측에 배치된 셀(예를 들어, 111,115,119,123)로부터 형성되는 서브 RF 웨이브들이 먼저 형성된 이후에, 소정의 시간이 흐른 후에 상대적으로 우측에 배치된 셀(예를 들어, 114,118,122,126)로부터 서브 RF 웨이브가 발생될 수 있다. 이에 따라, 상대적으로 우측의 지점에서 서브 RF 웨이브들이 동시에 만날 수 있으며, 즉 상대적으로 우측의 지점에서 서브 RF 웨이브들이 보강 간섭될 수 있다. 만약, 상대적으로 중앙의 지점에 빔-포밍을 수행하는 경우에는, 전자 장치(100)는 좌측의 셀(예를 들어, 111,115,119,123)와 우측의 셀(예를 들어, 114,118,122,126)와 실질적으로 동일한 딜레이를 적용할 수 있다. 또한, 상대적으로 좌측의 지점에 빔-포밍을 수행하는 경우에는, 전자 장치(100)는 좌측의 셀(예를 들어, 111,115,119,123)에 우측의 셀(예를 들어, 114,118,122,126)보다 더 큰 딜레이를 적용할 수 있다. 한편, 다른 실시예에서는, 전자 장치(100)는 셀(111 내지 126) 전체에서 서브 RF 웨이브들을 실질적으로 동시에 발진시킬 수 있으며, 상술한 딜레이에 대응되는 위상을 조정함으로써 빔-포밍을 수행할 수도 있다.In more detail, the other electronic device 150 may be disposed on the relatively right side. In this case, the electronic device 100 may apply a relatively larger delay to the sub RF waves formed from the cells (eg, 114 , 118 , 122 , and 126 ) disposed on the relatively right side. That is, after sub RF waves formed from cells (eg, 111, 115, 119, 123) located on the relatively left are first formed, after a predetermined time passes, sub from cells (eg, 114, 118, 122, 126) arranged on the relatively right side RF waves may be generated. Accordingly, the sub RF waves may simultaneously meet at a relatively right point, that is, the sub RF waves may constructively interfere at a relatively right point. If beam-forming is performed at a relatively central point, the electronic device 100 experiences substantially the same delay as that of the left cell (eg, 111,115,119,123) and the right cell (eg, 114,118,122,126). can be applied. In addition, when beam-forming is performed on the relatively left point, the electronic device 100 applies a greater delay to the left cell (eg, 111,115,119,123) than the right cell (eg, 114,118,122,126). can do. Meanwhile, in another embodiment, the electronic device 100 may oscillate the sub RF waves substantially simultaneously in all of the cells 111 to 126 , and may perform beam-forming by adjusting the phase corresponding to the above-described delay. have.

도 2는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.2 is a flowchart illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;

다양한 실시예에 따라서, 201 동작에서, 전자 장치(100)는, 다른 전자 장치의 위치를 판단할 수 있다. 전자 장치(100)는, 다양한 센서로부터 입력되는 데이터에 적어도 기초하여 전자 장치의 위치를 판단할 수 있다. 일 실시예에 따라서, 전자 장치(100)는, 통신 회로에 수신되는 통신 신호에 적어도 기반하여 전자 장치의 위치를 판단할 수 있다. 전자 장치(100)는, 예를 들어 복수 개의 안테나(예: 안테나 어레이)를 가지는 통신 회로를 포함할 수 있다. 전자 장치(100)는, 복수 개의 안테나 각각에서의 통신 신호의 수신 시점, 또는 통신 신호의 위상 중 적어도 하나를 이용하여, 전자 장치의 위치를 판단할 수 있다. 또는, 전자 장치(100)는, 통신 신호의 세기를 이용하여 전자 장치(100) 및 전자 장치 사이의 거리를 판단할 수도 있다. 예를 들어, 통신 신호는, 통신 신호의 송신 세기에 대한 정보를 포함할 수도 있으며, 전자 장치(100)는, 통신 신호의 송신 세기 및 통신 신호의 수신 세기를 비교하여 전자 장치(100) 및 전자 장치 사이의 거리를 판단할 수 있다. 또는, 전자 장치(100)는, 통신 신호의 비행 시간(time of flight: TOF)을 이용하여, 전자 장치(100) 및 전자 장치 사이의 거리를 판단할 수도 있다. 예를 들어, 통신 신호는 송신 시점에 대한 정보를 포함할 수도 있으며, 전자 장치(100)는, 통신 신호의 수신 시점 및 통신 신호의 송신 시점을 비교하여 전자 장치(100) 및 전자 장치 사이의 거리를 판단할 수 있다.According to various embodiments, in operation 201 , the electronic device 100 may determine the location of another electronic device. The electronic device 100 may determine the location of the electronic device based on at least data input from various sensors. According to an embodiment, the electronic device 100 may determine the location of the electronic device based on at least a communication signal received by the communication circuit. The electronic device 100 may include, for example, a communication circuit having a plurality of antennas (eg, an antenna array). The electronic device 100 may determine the location of the electronic device by using at least one of a reception time of a communication signal from each of the plurality of antennas and a phase of the communication signal. Alternatively, the electronic device 100 may determine the distance between the electronic device 100 and the electronic device using the strength of the communication signal. For example, the communication signal may include information on the transmission strength of the communication signal, and the electronic device 100 compares the transmission strength of the communication signal with the reception strength of the communication signal to compare the communication signal with the electronic device 100 and the electronic device 100 . The distance between the devices can be determined. Alternatively, the electronic device 100 may determine the distance between the electronic device 100 and the electronic device using a time of flight (TOF) of a communication signal. For example, the communication signal may include information on a transmission time, and the electronic device 100 compares a reception time of the communication signal with a transmission time of the communication signal, and a distance between the electronic device 100 and the electronic device. can be judged

다앙?h 실시예에 따라서, 전자 장치(100)는, 레이더 타입의 센서를 포함할 수도 있다. 전자 장치(100)는, 센서를 통하여 송신파를 발생시킬 수 있으며, 이에 대응하는 수신파를 수신할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치 또는 인체와 같은 장애물이 전자 장치(100) 주변에 위치할 수 있다. 장애물은, RF 웨이브를 이용하여 전력을 형성할 수 없는 물체를 의미할 수 있으며, 또는 충전 대상으로 지정되지 않은 다른 전자 장치를 의미할 수도 있다. 센서로부터 발생되는 송신파는 전자 장치 또는 장애물에 의하여 반사됨으로써, 반사파가 형성될 수 있다. 반사에 의하여, 송신파의 진폭 또는 위상 중 적어도 하나가 변경될 수 있으며, 이에 따라 수신파의 진폭 또는 위상 중 적어도 하나는, 송신파의 진폭 또는 위상 중 적어도 하나와 상이할 수 있다. 전자 장치(100)는, 센서를 통하여 반사파를 수신할 수 있으며, 반사파의 진폭 또는 위상 중 적어도 하나를 판단할 수 있다. 전자 장치(100)의 센서는, 복수 개의 수신을 위한 안테나를 포함할 수도 있으며, 이 경우 반사파가 복수 개의 수신을 위한 안테나 각각에서 수신될 수 있다. 다양한 실시예에서, 수신을 위한 안테나는 송신파의 송신을 위하여 이용될 수도 있거나, 또는 전자 장치(100)가 송신용 안테나 및 이와는 물리적으로 구별되는 수신용 안테나를 포함할 수도 있다. 복수 개의 수신을 위한 안테나는 물리적으로 상이한 위치를 가지기 때문에, 복수 개의 수신을 위한 안테나 각각에서의, 수신파의 진폭, 수신파의 수신 시점 또는 수신파의 위상 중 적어도 하나가 상이할 수 있다. 전자 장치(100)는, 적어도 하나의 수신을 위한 안테나에서 수신된 수신파의 진폭, 위상 또는 수신 시점 중 적어도 하나에 기반하여, 전자 장치의 위치를 판단할 수 있다. 전자 장치(100)는, 다양한 레이더 기반 위치 측정 방식을 이용하여 전자 장치의 위치를 판단할 수 있다.According to the multi-h embodiment, the electronic device 100 may include a radar type sensor. The electronic device 100 may generate a transmission wave through a sensor, and may receive a reception wave corresponding thereto. For example, an obstacle such as an electronic device or a human body may be located around the electronic device 100 . The obstacle may mean an object that cannot generate power using RF waves, or may mean another electronic device that is not designated as a charging target. The transmitted wave generated from the sensor may be reflected by an electronic device or an obstacle to form a reflected wave. Due to the reflection, at least one of the amplitude or phase of the transmitted wave may be changed, and accordingly, at least one of the amplitude or phase of the received wave may be different from at least one of the amplitude or phase of the transmitted wave. The electronic device 100 may receive a reflected wave through a sensor, and may determine at least one of an amplitude or a phase of the reflected wave. The sensor of the electronic device 100 may include a plurality of reception antennas, and in this case, a reflected wave may be received by each of the plurality of reception antennas. In various embodiments, the antenna for reception may be used for transmission of a transmission wave, or the electronic device 100 may include a transmission antenna and a reception antenna physically distinct from the antenna for reception. Since the plurality of reception antennas have physically different positions, at least one of the amplitude of the reception wave, the reception time of the reception wave, or the phase of the reception wave in each of the plurality of reception antennas may be different. The electronic device 100 may determine the location of the electronic device based on at least one of an amplitude, a phase, and a reception time of a reception wave received from at least one reception antenna. The electronic device 100 may determine the location of the electronic device by using various radar-based location measurement methods.

다양한 실시예에 따라서, 전자 장치(100)는, 이미지를 획득할 수 있는 센서(예: 카메라 모듈)를 포함할 수도 있다. 전자 장치(100)는, 획득한 이미지를 분석할 수 있으며, 분석 결과에 기반하여 전자 장치 또는 장애물 중 적어도 하나의 위치를 판단할 수도 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 주변의 적어도 하나의 방향에 대한 적어도 하나의 이미지를 획득할 수 있다. 전자 장치(100)는, 연속하여 복수 개의 프레임 이미지를 획득할 수 있으며, 프레임 이미지 간의 변화를 검출할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 제 1 프레임 이미지에서는 검출되지 않았던 오브젝트가 제 2 프레임 이미지에 포함된 것으로 판단할 수 있으며, 이에 따라 제 2 프레임 이미지에 대응하는 시점에 오브젝트에 대응하는 피사체가 전자 장치(100) 근처에 위치하는 것을 판단할 수 있다. 전자 장치(100)는, 이미지 내의 오브젝트의 위치 또는 오브젝트의 크기 중 적어도 하나에 적어도 기반하여, 전자 장치(100) 근처의 피사체의 위치를 판단할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 이미지를 촬영한 카메라의 위치 또는 촬영 방향 중 적어도 하나와, 촬영된 이미지 내의 피사체의 위치 또는 크기 중 적어도 하나에 기반하여, 피사체의 위치를 판단할 수 있다.According to various embodiments, the electronic device 100 may include a sensor (eg, a camera module) capable of acquiring an image. The electronic device 100 may analyze the acquired image, and may determine the location of at least one of the electronic device and the obstacle based on the analysis result. For example, the electronic device 100 may acquire at least one image for at least one direction around it. The electronic device 100 may continuously acquire a plurality of frame images and detect a change between the frame images. For example, the electronic device 100 may determine that an object that was not detected in the first frame image is included in the second frame image, and accordingly, a subject corresponding to the object at a viewpoint corresponding to the second frame image. may be determined to be located near the electronic device 100 . The electronic device 100 may determine the position of the subject near the electronic device 100 based on at least one of the position of the object in the image and the size of the object. For example, the electronic device 100 may determine the position of the subject based on at least one of a position or a shooting direction of a camera capturing an image, and at least one of a position or size of the subject in the captured image. .

다양한 실시예에 따라서, 전자 장치(100)는, 다른 전자 장치가 아닌 생체 등의 물체의 위치를 판단할 수도 있다. 전자 장치(100)는, 모드에 따라 다른 전자 장치가 아닌 생체, 또는 음식물과 같은 물체에 대하여서 RF 웨이브를 형성할 수도 있다. 이 경우, 전자 장치(100)는, 레이더 타입의 센서로부터의 데이터, 근접 센서로부터의 데이터, 또는 이미지 분석 결과 등에 기초하여 물체의 위치를 판단할 수도 있다.According to various embodiments, the electronic device 100 may determine the position of an object, such as a living body, rather than another electronic device. The electronic device 100 may form an RF wave with respect to an object such as a living body or food rather than another electronic device according to a mode. In this case, the electronic device 100 may determine the position of the object based on data from a radar type sensor, data from a proximity sensor, or an image analysis result.

203 동작에서, 전자 장치(100)는, 다른 전자 장치의 위치에 대응하여 셀 별 위상 특성을 조정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 다른 전자 장치의 위치로 빔 포밍을 수행할 것을 판단할 수 있다. 전자 장치(100)는, 해당 지점에 대하여 RF 웨이브를 빔 포밍할 수 있도록, 셀 별 위상 특성(예: 위상 상수 또는 공진 주파수 중 적어도 하나)을 조정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 다른 물체(예: 사용자의 얼굴)에 RF 웨이브를 빔 스프레딩할 것을 판단할 수 있다. 전자 장치(100)는, 해당 지점의 해당 면적에 대응하여 RF 웨이브를 빔 스프레딩할 수 있도록, 셀 별 위상 특성을 조정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 다른 물체에 원형 편파 특성을 가지는 RF 웨이브를 형성할 것을 판단할 수도 있다. 전자 장치(100)는, 원형 편파 특성을 가지도록 셀 별 위상 특성을 조정할 수 있다. 205 동작에서, 전자 장치(100)는, RF 웨이브를 형성할 수 있다.In operation 203 , the electronic device 100 may adjust a phase characteristic for each cell in response to a location of another electronic device. For example, the electronic device 100 may determine to perform beamforming to a location of another electronic device. The electronic device 100 may adjust a phase characteristic (eg, at least one of a phase constant or a resonant frequency) for each cell so as to be able to beamform an RF wave with respect to a corresponding point. For example, the electronic device 100 may determine to beam-spread the RF wave to another object (eg, a user's face). The electronic device 100 may adjust a phase characteristic for each cell so as to beam-spread the RF wave corresponding to the corresponding area of the corresponding point. For example, the electronic device 100 may determine to form an RF wave having a circular polarization characteristic on another object. The electronic device 100 may adjust a phase characteristic for each cell to have a circular polarization characteristic. In operation 205 , the electronic device 100 may form an RF wave.

도 3a는 다양한 실시예에 따른 전자 장치 및 다른 전자 장치의 블록도를 설명하기 위한 블록도를 도시한다. 도 3a의 실시예는 도 4a를 참조하여 더욱 상세하게 설명하도록 한다. 도 4a는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 셀 어레이를 설명하기 위한 도면이다.3A is a block diagram illustrating a block diagram of an electronic device and another electronic device according to various embodiments of the present disclosure; The embodiment of FIG. 3A will be described in more detail with reference to FIG. 4A. 4A is a diagram for describing a cell array of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;

다양한 실시예에 따라서, 전자 장치(100)는 전력 소스(source)(301), 안테나(310), 셀 어레이(312), 프로세서(320), 메모리(330), 통신 회로(340) 및 통신용 안테나(341 내지 343)를 포함할 수 있다. 다른 전자 장치(150)는 무선으로 전력을 수신하는 장치이면 제한이 없으며, 전력 수신용 안테나(351), 정류기(352), 컨터버(353), 차저(charger)(354), 프로세서(355), 메모리(356), 통신 회로(357) 및 통신용 안테나(358)를 포함할 수 있다.According to various embodiments, the electronic device 100 includes a power source 301 , an antenna 310 , a cell array 312 , a processor 320 , a memory 330 , a communication circuit 340 , and an antenna for communication. (341 to 343). The other electronic device 150 is not limited as long as it is a device that receives power wirelessly, and an antenna 351 for power reception, a rectifier 352 , a converter 353 , a charger 354 , and a processor 355 . , a memory 356 , a communication circuit 357 , and an antenna 358 for communication.

전력 소스(301)는 송신을 위한 전력을 안테나(310)로 제공할 수 있다. 전력 소스(301)는, 예를 들어 직류 전력을 제공할 수 있으며, 이 경우에는 직류 전력을 교류 전력으로 변환하여 안테나(310)로 전달하는 인버터(inverter)(미도시)가 전자 장치(100)에 더 포함될 수도 있다. 한편, 다른 실시예에서는, 전력 소스(301)는 교류 전력을 안테나(310)로 제공할 수도 있다. 전력 소스(301)는, 예를 들어 THz 대역의 전기적인 신호를 생성할 수 있지만, 주파수에는 제한이 없음을 당업자는 이해할 것이다. 도 4a에서와 같이, 전력 소스(301) 및 안테나(310) 사이에는 증폭기(314)가 연결될 수도 있다. 증폭기(314)는, 전력 소스(301)를 증폭시켜 안테나(310)로 제공할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 센서(미도시)는, 레이더 타입으로서, 송신파를 송신하기 위한 안테나를 포함할 수도 있다. 안테나(310) 및 센서(미도시)는 전력 소스(301)를 공유할 수도 있으며, 이 경우에는 전력 소스(301)는, 복수 개의 주파수를 가지는 전력을 형성할 수 있다. 다른 실시예에서는, 전자 장치(100)는, 센서(미도시)에 전력을 제공하기 위한 다른 전력 소스(미도시)를 포함할 수도 있다.The power source 301 may provide power for transmission to the antenna 310 . The power source 301 may provide, for example, DC power. In this case, an inverter (not shown) that converts DC power into AC power and transmits it to the antenna 310 is the electronic device 100 . may be further included. Meanwhile, in another embodiment, the power source 301 may provide AC power to the antenna 310 . The power source 301 may, for example, generate an electrical signal in the THz band, but it will be understood by those skilled in the art that there is no limit to the frequency. As shown in FIG. 4A , an amplifier 314 may be connected between the power source 301 and the antenna 310 . The amplifier 314 may amplify the power source 301 and provide it to the antenna 310 . Although not shown, the sensor (not shown) may include an antenna for transmitting a transmission wave as a radar type. The antenna 310 and the sensor (not shown) may share the power source 301 , and in this case, the power source 301 may form power having a plurality of frequencies. In another embodiment, the electronic device 100 may include another power source (not shown) for providing power to a sensor (not shown).

안테나(310)는 전력 소스(301)로부터 제공받은 전력을 이용하여, RF 웨이브(311)를 형성할 수 있다. 셀 어레이(312)는, 예를 들어 도 4a와 같이, 복수 개의 셀(411 내지 426)을 포함할 수 있다. 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각은, 입사되는 RF 웨이브(311)의 부분 각각의 위상을 조정할 수 있다. 이에 따라, 셀 어레이(312)를 통과한 RF 웨이브(313)는, 적어도 하나의 서브 RF 웨이브의 위상이 조정될 수 있다. 도 4a에서와 같이, RF 웨이브(313)는, 특정 방향으로 빔 포밍될 수 있으며, 다른 전자 장치(150)가 RF 웨이브(313)를 수신할 수 있다.The antenna 310 may form an RF wave 311 using the power provided from the power source 301 . The cell array 312 may include a plurality of cells 411 to 426 , for example, as illustrated in FIG. 4A . Each of the plurality of cells 411 to 426 may adjust the phase of each portion of the incident RF wave 311 . Accordingly, in the RF wave 313 passing through the cell array 312 , the phase of at least one sub-RF wave may be adjusted. As shown in FIG. 4A , the RF wave 313 may be beam-formed in a specific direction, and another electronic device 150 may receive the RF wave 313 .

프로세서(320)는, 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각의 위상 특성을 조정할 수 있다. 프로세서(320)는, 예를 들어 다른 전자 장치(150)로 RF 웨이브(313)가 빔 포밍되도록 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각의 위상 특성을 조정할 수 있다. 프로세서(320)는, 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각으로 입력되는 전류의 크기 또는 전압의 크기를 조정함으로써, 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각의 위상 특성을 조정할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(310)는, 제 1 셀(411)에는 제 1 크기의 전류를 인가하고, 제 2 셀(412)에는 제 2 크기의 전류를 인가하도록 제어할 수 있다. 이 경우, 제 1 셀(411)은 입력되는 서브 RF 웨이브의 위상을 제 1 위상 정도만큼 딜레이하는 위상 특성을 가질 수 있으며, 제 2 셀(412)은 입력되는 서브 RF 웨이브의 위상을 제 2 위상 정도만큼 딜레이하는 위상 특성을 가질 수 있다. 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각은, 입력되는 전류의 크기가 변경됨에 따라 통과시키는 RF 웨이브의 위상 조정 정도가 변경되는 메타 물질 구조를 가질 수 있다. 메모리(330)는, 셀에 입력되는 전류의 크기 및 통과시키는 RF 웨이브의 위상 조정 정도 사이의 연관 정보를 저장할 수도 있다. 프로세서(320)는, 다른 전자 장치(150)의 위치에 대응하여 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각의 위상 조정 정도를 판단할 수 있다. 프로세서(320)는, 연관 정보를 이용하여 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각으로 입력되는 전류의 크기를 조정할 수 있다. 다른 실시예에서는, 메모리(330)는, RF 웨이브 형성 조건(예: RF 웨이브 형성 방향, RF 웨이브 형성 거리, 또는 동작 모드 등) 및 셀 별로 입력되는 전류의 크기 사이의 연관 정보를 저장할 수도 있다. 프로세서(320)는, 확인된 동작 모드와, RF 웨이브의 형성 방향 또는 거리 중 적어도 하나에 대응하여, 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각으로 입력되는 전류의 크기를 조정할 수 있다.The processor 320 may adjust a phase characteristic of each of the plurality of cells 411 to 426 . The processor 320 may, for example, adjust a phase characteristic of each of the plurality of cells 411 to 426 so that the RF wave 313 is beam-formed to the other electronic device 150 . The processor 320 may adjust the phase characteristics of each of the plurality of cells 411 to 426 by adjusting the magnitude of current or voltage input to each of the plurality of cells 411 to 426 . For example, the processor 310 may control a current of a first magnitude to be applied to the first cell 411 and a current of a second magnitude to be applied to the second cell 412 . In this case, the first cell 411 may have a phase characteristic of delaying the phase of the input sub RF wave by about a first phase, and the second cell 412 may change the phase of the input sub RF wave to the second phase. It may have a phase characteristic of delaying by a degree. Each of the plurality of cells 411 to 426 may have a meta-material structure in which the degree of phase adjustment of the passing RF wave is changed as the magnitude of the input current is changed. The memory 330 may store correlation information between the magnitude of the current input to the cell and the degree of phase adjustment of the RF wave passing therethrough. The processor 320 may determine the degree of phase adjustment of each of the plurality of cells 411 to 426 corresponding to the location of the other electronic device 150 . The processor 320 may adjust the magnitude of the current input to each of the plurality of cells 411 to 426 by using the related information. In another embodiment, the memory 330 may store association information between an RF wave forming condition (eg, an RF wave forming direction, an RF wave forming distance, or an operation mode) and a magnitude of an input current for each cell. The processor 320 may adjust the magnitude of the current input to each of the plurality of cells 411 to 426 in response to at least one of the checked operation mode and the direction or distance of the RF wave.

다양한 실시예에서, 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각은, 입력되는 전압의 크기가 변경됨에 따라 통과시키는 RF 웨이브의 위상 조정 정도가 변경되는 메타 물질 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 프로세서(310)는, 제 1 셀(411)에는 제 1 크기의 전압을 인가하고, 제 2 셀(412)에는 제 2 크기의 전압을 인가할 수 있다. 이 경우, 제 1 셀(411)은 입력되는 서브 RF 웨이브의 위상을 제 1 위상 정도만큼 딜레이하는 위상 특성을 가질 수 있으며, 제 2 셀(412)은 입력되는 서브 RF 웨이브의 위상을 제 2 위상 정도만큼 딜레이하는 위상 특성을 가질 수 있다. 메모리(330)는, 셀에 입력되는 전압의 크기 및 통과시키는 RF 웨이브의 위상 조정 정도 사이의 연관 정보를 저장할 수도 있다. 프로세서(320)는, 다른 전자 장치(150)의 위치에 대응하여 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각의 위상 조정 정도를 판단할 수 있다. 프로세서(320)는, 연관 정보를 이용하여 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각으로 입력되는 전압의 크기를 조정할 수 있다. 다른 실시예에서는, 메모리(330)는, RF 웨이브 형성 조건(예: RF 웨이브 형성 방향, RF 웨이브 형성 거리, 또는 동작 모드 등) 및 셀 별로 입력되는 전압의 크기 사이의 연관 정보를 저장할 수도 있다. 프로세서(320)는, 확인된 동작 모드와, RF 웨이브의 형성 방향 또는 거리 중 적어도 하나에 대응하여, 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각으로 입력되는 전압의 크기를 조정할 수 있다.In various embodiments, each of the plurality of cells 411 to 426 may have a meta-material structure in which the degree of phase adjustment of the passing RF wave is changed as the magnitude of the input voltage is changed. For example, the processor 310 may apply a voltage of a first magnitude to the first cell 411 and apply a voltage of a second magnitude to the second cell 412 . In this case, the first cell 411 may have a phase characteristic of delaying the phase of the input sub RF wave by about a first phase, and the second cell 412 may change the phase of the input sub RF wave to the second phase. It may have a phase characteristic of delaying by a degree. The memory 330 may store correlation information between the magnitude of the voltage input to the cell and the degree of phase adjustment of the RF wave passing therethrough. The processor 320 may determine the degree of phase adjustment of each of the plurality of cells 411 to 426 corresponding to the location of the other electronic device 150 . The processor 320 may adjust the magnitude of the voltage input to each of the plurality of cells 411 to 426 by using the association information. In another embodiment, the memory 330 may store association information between an RF wave forming condition (eg, an RF wave forming direction, an RF wave forming distance, or an operation mode) and a magnitude of a voltage input for each cell. The processor 320 may adjust the magnitude of the voltage input to each of the plurality of cells 411 to 426 in response to at least one of the checked operation mode and the direction or distance of the RF wave.

다양한 실시예에서, 프로세서(320)는, 센서(미도시)가 획득한 데이터에 적어도 기반하여 다른 전자 장치(150)의 위치를 판단할 수 있다. 센서(미도시)는, 예를 들어 레이더 타입일 수 있으며, 적어도 하나의 물체 검출을 위한 안테나를 포함할 수 있다. 프로세서(320)는, 적어도 하나의 안테나 중 적어도 일부가 송신파를 형성하도록 제어할 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나의 안테나는 동일한 시점 또는 상이한 시점에 송신파를 형성할 수 있다. 또는, 적어도 하나의 안테나 중 하나의 안테나만이 송신파를 형성할 수도 있다. 송신파는 다른 전자 장치(150)에 의하여 반사될 수 있다. 이에 따라, 반사파가, 송신파와 상이한 진행 방향으로 진행할 수 있다. 반사파의 진폭 또는 위상 중 적어도 하나는, 송신파의 진폭 또는 위상 중 적어도 하나와 상이할 수 있다. 안테나는, 반사파를 전기적인 신호로 변환하여 센서(미도시)로 출력할 수 있다. 센서(미도시)는, 안테나 각각으로부터 출력되는 전기적인 신호에 따라, 반사파 각각의 위상, 진폭 또는 수신 시점에 대한 정보 중 적어도 하나를 센싱할 수 있다. 프로세서(320)는, 반사파 각각의 위상, 진폭 또는 수신 시점에 대한 정보 중 적어도 하나에 적어도 기반하여 다른 전자 장치(150)의 위치를 판단할 수 있다. 프로세서(320)는, 반사파의 변화 정도를 이용하거나, 또는 패턴 분석을 통하여 다른 전자 장치(150)의 위치를 판단할 수 있다. 프로세서(320)는, 다양한 기존의 레이더의 위치 측정 방식을 이용하여 다른 전자 장치(150)의 위치를 판단할 수 있으며, 위치 측정 방식에는 제한이 없음을 당업자는 이해할 것이다. 다양한 실시예에서, 센서(미도시)가 다른 전자 장치(150)의 위치까지 판단할 수도 있으며, 이 경우에는 프로세서(320)는, 다른 전자 장치(150)의 위치에 대한 정보를 센서(미도시)로부터 수신할 수도 있다.In various embodiments, the processor 320 may determine the location of the other electronic device 150 based at least on data acquired by a sensor (not shown). The sensor (not shown) may be, for example, a radar type, and may include an antenna for detecting at least one object. The processor 320 may control at least a portion of the at least one antenna to form a transmission wave. For example, at least one antenna may form a transmission wave at the same time point or at different time points. Alternatively, only one antenna among the at least one antenna may form a transmission wave. The transmitted wave may be reflected by the other electronic device 150 . Accordingly, the reflected wave may travel in a different traveling direction from the transmitted wave. At least one of an amplitude or a phase of the reflected wave may be different from at least one of an amplitude or a phase of the transmitted wave. The antenna may convert the reflected wave into an electrical signal and output it to a sensor (not shown). A sensor (not shown) may sense at least one of information on a phase, amplitude, or reception time of each reflected wave according to an electrical signal output from each antenna. The processor 320 may determine the location of the other electronic device 150 based on at least one of information about the phase, amplitude, or reception time of each reflected wave. The processor 320 may determine the location of the other electronic device 150 by using the degree of change in the reflected wave or through pattern analysis. A person skilled in the art will understand that the processor 320 may determine the position of the other electronic device 150 using various existing radar position measurement methods, and there is no limitation on the position measurement method. In various embodiments, a sensor (not shown) may also determine the location of the other electronic device 150 , and in this case, the processor 320 transmits information on the location of the other electronic device 150 to the sensor (not shown). ) can also be received from

다양한 실시예에서, 센서(미도시)는 이미지를 형성할 수 있는 카메라일 수도 있으며, 이 경우 프로세서(320)는 이미지 분석에 적어도 기반하여 다른 전자 장치(150)의 위치를 판단할 수도 있다. 센서(미도시)는, 다양한 방식의 위치를 판단할 수 있는 장치로 구현될 수 있으며, 그 종류에는 제한이 없다. 다양한 실시예에서, 센서(미도시)는 복수 개의 장치, 예를 들어 레이더 및 카메라를 포함할 수도 있으며, 이 경우 전자 장치(100)는 복수 개의 위치 측정 방식을 모두 이용하여 다른 전자 장치(150)의 위치를 판단할 수도 있다. 또는, 전자 장치(100)는, 안테나(341,342,343)를 통하여 다른 전자 장치(150)로부터 통신 신호(359)를 수신할 수도 있다. 프로세서(320)는, 통신 신호(359)의 안테나(341,342,343) 각각에서의 수신 시점에 기반하여 다른 전자 장치(150)의 위치를 판단할 수도 있다. 프로세서(320)는, 센서(미도시)로부터의 데이터 및 통신 회로(340)를 통하여 획득한 정보를 함께 이용하여 다른 전자 장치(150)의 위치를 판단할 수도 있다. 예를 들어, 통신용 안테나(341 내지 343)는 적어도 3개가 배치될 수 있으며, 이는 3차원적인 방향, 예를 들어 구면 좌표계에서의 θ, φ값을 판단하기 위한 것일 수 있다. 더욱 상세하게, 다른 전자 장치(150)의 통신용 안테나(358)는 통신 신호(359)를 송신할 수 있다. 다양한 실시예에서, 통신 신호(359)에는 다른 전자 장치(150)의 식별 정보, 무선 충전에 요구되는 정보 또는 다른 전자 장치(150)의 적어도 하나의 센싱 정보 중 적어도 하나가 포함될 수도 있다. 이에 따라, 전자 장치(100)는 무선 충전을 위한 통신 신호를 이용함으로써, 별도의 하드웨어 추가 없이 다른 전자 장치(150)의 방향을 판단할 수 있다. 한편, 통신용 안테나(341 내지 343)에서 통신 신호(359)가 수신되는 시각은 상이할 수 있다. 전자 장치(100)의 프로세서(320)는 통신용 안테나(341,342,343)에서 통신 신호가 수신된 시각(예를 들어, t1, t2, t3)을 이용하여, 전자 장치(100)에 대한 다른 전자 장치(150)의 상대적인 방향을 결정할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(320)는 t1-t2, t2-t3, t3-t1의 시각 차이 정보를 이용하여 전자 장치(100)에 대한 다른 전자 장치(150)의 상대적인 방향을 결정할 수 있다. 또는 프로세서(320)는, 예를 들어 메모리(330)에 저장된 통신용 안테나별 수신 시각의 차이와 전자 장치의 방향 사이의 룩업테이블을 이용하여, 다른 전자 장치(150)의 상대적인 방향을 결정할 수도 있다. 전자 장치(100)(또는, 프로세서(320))는 다양한 방식으로 다른 전자 장치(150)의 상대적인 방향을 결정할 수 있다. 예를 들어 TDOA(time difference of arrival) 또는 FDOA(frequency difference of arrival) 등의 다양한 방식으로 다른 전자 장치(150)의 상대적인 방향을 결정할 수 있으며, 수신 신호의 방향을 결정하는 프로그램 또는 알고리즘의 종류에는 제한이 없다. 또는, 전자 장치(100)는, 다른 전자 장치(150)는 수신되는 통신 신호의 위상에 기반하여 다른 전자 장치(150)의 상대적인 방향을 결정할 수도 있다.In various embodiments, the sensor (not shown) may be a camera capable of forming an image, and in this case, the processor 320 may determine the location of the other electronic device 150 based at least on the image analysis. A sensor (not shown) may be implemented as a device capable of determining a position in various ways, and there is no limitation in the type thereof. In various embodiments, the sensor (not shown) may include a plurality of devices, for example, a radar and a camera, and in this case, the electronic device 100 uses all of the plurality of position measurement methods to obtain the other electronic device 150 . position can also be determined. Alternatively, the electronic device 100 may receive the communication signal 359 from the other electronic device 150 through the antennas 341 , 342 , and 343 . The processor 320 may determine the location of the other electronic device 150 based on the reception timing of the communication signal 359 at each of the antennas 341 , 342 , and 343 . The processor 320 may determine the location of the other electronic device 150 by using data from a sensor (not shown) and information acquired through the communication circuit 340 together. For example, at least three communication antennas 341 to 343 may be disposed, which may be for determining θ and φ values in a three-dimensional direction, for example, a spherical coordinate system. In more detail, the communication antenna 358 of the other electronic device 150 may transmit the communication signal 359 . In various embodiments, the communication signal 359 may include at least one of identification information of the other electronic device 150 , information required for wireless charging, or at least one sensing information of the other electronic device 150 . Accordingly, the electronic device 100 may determine the direction of the other electronic device 150 without additional hardware by using the communication signal for wireless charging. Meanwhile, the time at which the communication signal 359 is received by the communication antennas 341 to 343 may be different. The processor 320 of the electronic device 100 uses the time (eg, t1, t2, t3) when the communication signal is received from the communication antennas 341, 342, and 343, and the other electronic device 150 for the electronic device 100 ) can be determined. For example, the processor 320 may determine the relative direction of the other electronic device 150 with respect to the electronic device 100 using time difference information of t1-t2, t2-t3, and t3-t1. Alternatively, the processor 320 may determine the relative direction of the other electronic device 150 by using, for example, a lookup table between the difference in reception time for each communication antenna stored in the memory 330 and the direction of the electronic device. The electronic device 100 (or the processor 320 ) may determine the relative direction of the other electronic device 150 in various ways. For example, the relative direction of the other electronic device 150 may be determined in various ways such as time difference of arrival (TDOA) or frequency difference of arrival (FDOA), and the type of a program or algorithm for determining the direction of a received signal includes: no limits. Alternatively, the electronic device 100 may determine the relative direction of the other electronic device 150 based on the phase of the received communication signal.

프로세서(320)는 다른 전자 장치(150)의 위치에 기반하여 안테나(310)를 제어함으로써, 다른 전자 장치(150)의 위치를 향하여 RF 웨이브를 형성할 수 있다. 다양한 실시예에서, 프로세서(320)는, 메모리(330)에 저장하고 있던 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각으로 입력되는 전류 또는 전압 중 적어도 하나의 크기와, RF 웨이브 형성 조건 사이의 연관 정보를 이용하여, 셀 어레이(312)의 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각으로 입력되는 전류 또는 전압 중 적어도 하나의 크기를 결정할 수 있다.The processor 320 may control the antenna 310 based on the location of the other electronic device 150 to form an RF wave toward the location of the other electronic device 150 . In various embodiments, the processor 320 may store correlation information between the magnitude of at least one of current or voltage input to each of the plurality of cells 411 to 426 stored in the memory 330 and the RF wave forming condition. Using this, the magnitude of at least one of a current or a voltage input to each of the plurality of cells 411 to 426 of the cell array 312 may be determined.

프로세서(320)는 통신 신호(359) 내의 정보를 이용하여 다른 전자 장치(150)를 식별할 수도 있다. 통신 신호(359)는 다른 전자 장치의 고유 식별자 또는 고유 어드레스를 포함할 수 있다. 통신 회로(340)는 통신 신호(359)를 처리하여 정보를 프로세서(320)로 제공할 수 있다. 통신 회로(340) 및 통신용 안테나(341,342,343)는, WiFi(wireless fidelity), 블루투스(Bluetooth), 지그비(Zig-bee) 및 BLE(Bluetooth Low Energy) 등의 다양한 통신 방식에 기반하여 제작될 수 있으며, 통신 방식의 종류에는 제한이 없다. 한편, 통신 신호(359)는 다른 전자 장치(150)의 정격 전력 정보를 포함할 수도 있으며, 프로세서(320)는 다른 전자 장치(150)의 고유 식별자, 고유 어드레스 및 정격 전력 정보 중 적어도 하나에 기반하여 다른 전자 장치(150)의 충전 여부를 결정할 수도 있다. 프로세서(320)는 중앙처리장치(central processing unit(CPU)), 어플리케이션 프로세서(application processor(AP)), 또는 커뮤니케이션 프로세서(communication processor(CP)) 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있으며, 마이크로 컨트롤러 유닛(micro controller unit), 또는 미니 컴퓨터 등으로 구현될 수도 있다.The processor 320 may identify another electronic device 150 by using information in the communication signal 359 . The communication signal 359 may include a unique identifier or a unique address of another electronic device. The communication circuit 340 may process the communication signal 359 to provide information to the processor 320 . Communication circuit 340 and communication antennas 341, 342, 343, WiFi (wireless fidelity), Bluetooth (Bluetooth), Zig-bee (Zig-bee) and BLE (Bluetooth Low Energy) can be manufactured based on various communication methods, such as, There is no limitation on the type of communication method. Meanwhile, the communication signal 359 may include rated power information of the other electronic device 150 , and the processor 320 is based on at least one of a unique identifier, a unique address, and rated power information of the other electronic device 150 . to determine whether to charge the other electronic device 150 . The processor 320 may include one or more of a central processing unit (CPU), an application processor (AP), or a communication processor (CP), and a microcontroller It may be implemented as a micro controller unit, a mini computer, or the like.

아울러, 통신 신호(359)는 전자 장치(100)가 다른 전자 장치(150)를 식별하는 과정, 다른 전자 장치(150)에 전력 송신을 허락하는 과정, 다른 전자 장치(150)에 수신 전력 관련 정보를 요청하는 과정, 다른 전자 장치(150)로부터 수신 전력 관련 정보를 수신하는 과정 등에서도 이용될 수 있다. 즉, 통신 신호(359)는, 전자 장치(100) 및 다른 전자 장치(150) 사이의 가입, 명령 또는 요청 과정에서 이용될 수 있다. 통신 신호(359)는, 다른 전자 장치(150)가 센싱한 정보(예: 가속도 센싱 정보 또는 회전 센싱 정보 등과 같은 움직임 센싱 정보, 전압 또는 전류 등과 같은 전력의 크기와 연관된 정보 등)를 포함할 수도 있다.In addition, the communication signal 359 includes information related to a process in which the electronic device 100 identifies another electronic device 150 , a process in which power transmission is permitted to the other electronic device 150 , and received power to the other electronic device 150 . It may also be used in a process of requesting , and a process of receiving received power related information from another electronic device 150 . That is, the communication signal 359 may be used in a subscription, command, or request process between the electronic device 100 and the other electronic device 150 . The communication signal 359 may include information sensed by the other electronic device 150 (eg, motion sensing information such as acceleration sensing information or rotation sensing information, information related to the magnitude of power such as voltage or current, etc.). have.

한편, 프로세서(320)는 셀 어레이(312)를 제어하여 판단된 다른 전자 장치(150)의 위치를 향하여 RF 웨이브(311)를 형성하도록 제어할 수 있다. 셀 어레이(312)를 통과한 RF 웨이브(313)는 다른 전자 장치(150)를 향하여 빔 포밍될 수 있다. 도 4a에서는, 전자 장치(100)가 빔 포밍을 수행하는 과정을 설명하고 있지만, 이는 단순히 예시적인 것으로, 전자 장치(100)는, 빔 스프레딩을 수행할 수도 있거나, 또는 원형 편파를 형성할 수도 있다. 메모리(330)는, 다양한 RF 웨이브 형태에 대응한 RF 웨이브 형성 조건 및 셀 별로 입력되는 전류 또는 전압 중 적어도 하나의 크기 사이의 연관 정보를 저장할 수도 있다. 프로세서(320)는, 연관 정보에 기반하여, 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각으로 입력되는 전류 또는 전압 중 적어도 하나의 크기를 조정할 수 있으며, 이에 따라 셀 어레이(312)를 통과한 RF 웨이브(313)가 빔 포밍 형태, 빔 스프레딩 형태, 또는 원형 편파의 형태 등의 다양한 형태를 가질 수 있다.Meanwhile, the processor 320 may control the cell array 312 to form the RF wave 311 toward the determined position of the other electronic device 150 . The RF wave 313 passing through the cell array 312 may be beam-formed toward another electronic device 150 . In FIG. 4A , a process in which the electronic device 100 performs beamforming is described, but this is merely exemplary, and the electronic device 100 may perform beam spreading or may form a circularly polarized wave. have. The memory 330 may store association information between an RF wave forming condition corresponding to various RF wave shapes and a magnitude of at least one of a current or a voltage input for each cell. The processor 320 may adjust the magnitude of at least one of current or voltage input to each of the plurality of cells 411 to 426 based on the associated information, and accordingly, the RF wave ( 313) may have various shapes such as a beam forming shape, a beam spreading shape, or a circular polarization shape.

전력 수신용 안테나(351)는 RF 웨이브를 수신할 수 있는 안테나라면 제한이 없다. 아울러, 전력 수신용 안테나(351) 또한 복수 개의 안테나를 포함하는 어레이 형태로 구현될 수도 있다. 전력 수신용 안테나(351)에서 수신된 교류 전력은 정류기(352)에 의하여 직류 전력으로 정류될 수 있다. 컨버터(353)는 직류 전력을 요구되는 전압으로 컨버팅하여 차저(354)로 제공할 수 있다. 차저(354)는 배터리(미도시)를 충전할 수 있다. 한편, 도시되지는 않았지만, 컨버터(353)는 컨버팅된 전력을 PMIC(power management integrated circuit)(미도시)로 제공할 수도 있으며, PMIC(미도시)는 다른 전자 장치(150)의 각종 하드웨어로 전력을 제공할 수도 있다.The antenna 351 for power reception is not limited as long as it is an antenna capable of receiving an RF wave. In addition, the antenna 351 for power reception may also be implemented in the form of an array including a plurality of antennas. AC power received from the power reception antenna 351 may be rectified into DC power by the rectifier 352 . The converter 353 may convert DC power into a required voltage and provide it to the charger 354 . The charger 354 may charge a battery (not shown). Meanwhile, although not shown, the converter 353 may provide the converted power to a power management integrated circuit (PMIC) (not shown), and the PMIC (not shown) provides power to various hardware of the other electronic device 150 . may also provide

한편, 프로세서(355)는 정류기(352)의 출력단의 전압을 모니터링할 수 있다. 예를 들어, 정류기(352)의 출력단에 연결되는 전압계가 다른 전자 장치(150)에 더 포함될 수도 있으며, 프로세서(355)는 전압계로부터 전압값을 제공받아 정류기(352)의 출력단의 전압을 모니터링할 수 있다. 프로세서(355)는 정류기(352)의 출력단의 전압값을 포함하는 정보를 통신 회로(357)로 제공할 수 있다. 차저, 컨버터 및 PMIC는 서로 상이한 하드웨어로 구현될 수 있으나, 적어도 두 개의 요소가 하나의 하드웨어로 통합하여 구현될 수도 있다. 한편, 전압계는, 전류력계형(electro dynamic instrument) 전압계, 정전기형 전압계, 디지털 전압계 등 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 그 종류에는 제한이 없다. 통신 회로(357)는 통신용 안테나(358)를 이용하여 수신 전력 관련 정보를 포함하는 통신 신호를 송신할 수 있다. 수신 전력 관련 정보는, 예를 들어 정류기(352)의 출력단의 전압과 같은 수신되는 전력의 크기와 연관되는 정보일 수 있으며, 정류기(352)의 출력단의 전류를 포함할 수도 있다. 이 경우, 정류기(352)의 출력단의 전류를 측정할 수 있는 전류계가 다른 전자 장치(150)에 더 포함될 수 있음 또한 당업자는 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 전류계는 직류 전류계, 교류 전류계, 디지털 전류계 등으로 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 그 종류에는 제한이 없다. 아울러, 수신 전력 관련 정보를 측정하는 위치 또한 정류기(352)의 출력단 또는 입력단 뿐만 아니라, 다른 전자 장치(150)의 어떠한 지점이라도 제한이 없다. 또는, 프로세서(355)는 다양한 다른 전자 장치(150)의 센싱 정보를 통신 신호(359)에 포함시켜 송신할 수도 있다. 아울러, 상술한 바와 같이, 프로세서(355)는 다른 전자 장치(150)의 식별 정보를 포함하는 통신 신호(359)를 송신할 수도 있다. 메모리(356)는 다른 전자 장치(150)의 각종 하드웨어를 제어할 수 있는 프로그램 또는 알고리즘을 저장할 수 있다.Meanwhile, the processor 355 may monitor the voltage of the output terminal of the rectifier 352 . For example, a voltmeter connected to the output terminal of the rectifier 352 may be further included in another electronic device 150 , and the processor 355 receives a voltage value from the voltmeter to monitor the voltage of the output terminal of the rectifier 352 . can The processor 355 may provide information including the voltage value of the output terminal of the rectifier 352 to the communication circuit 357 . The charger, converter, and PMIC may be implemented with different hardware, but at least two elements may be integrated into one piece of hardware. Meanwhile, the voltmeter may be implemented in various forms, such as an electro dynamic instrument voltmeter, an electrostatic voltmeter, and a digital voltmeter, and there is no limitation on the type. The communication circuit 357 may transmit a communication signal including received power related information using the communication antenna 358 . The received power related information may be, for example, information related to the magnitude of the received power, such as a voltage at the output terminal of the rectifier 352 , and may include a current of the output terminal of the rectifier 352 . In this case, it will be readily understood by those skilled in the art that an ammeter capable of measuring the current of the output terminal of the rectifier 352 may be further included in the other electronic device 150 . The ammeter may be implemented in various forms such as a DC ammeter, an AC ammeter, and a digital ammeter, and there is no limitation on the type. In addition, the position for measuring the received power related information is not limited to any point of the other electronic device 150 as well as the output terminal or input terminal of the rectifier 352 . Alternatively, the processor 355 may transmit sensing information of various other electronic devices 150 by including it in the communication signal 359 . In addition, as described above, the processor 355 may transmit the communication signal 359 including identification information of the other electronic device 150 . The memory 356 may store a program or algorithm capable of controlling various hardware of the other electronic device 150 .

다른 실시예에서는, 다른 전자 장치(150)가 RF 웨이브(313)를 이용하여 전자 장치(100)와 통신을 수행할 수도 있다. 이 경우에는, 전자 장치(100)는, 베이스밴드 신호를 변조하여, RF 웨이브(313)를 캐리어 웨이브로 이용하여, 통신 신호를 송신할 수도 있다. 전자 장치(100)는, 베이스밴드 신호를 변조할 수 있는 추가적인 통신 회로를 더 포함할 수도 있다. 전자 장치(100)는, 변조된 신호를 안테나(310)로 인가할 수 있으며, 안테나(310)에 의하여 발생된 RF 웨이브(311)는 셀 어레이(312)를 통과할 수 있다. 셀 어레이(312)를 통과하여 빔 포밍된 RF 웨이브(313)가 다른 전자 장치(150)로 전달될 수 있다. 다른 전자 장치(150)는, 해당 주파수의 캐리어 웨이브를 처리하는 적어도 하나의 통신 회로를 포함할 수도 있으며, RF 웨이브(313)를 처리하여 베이스밴드 신호를 획득할 수도 있다.In another embodiment, another electronic device 150 may communicate with the electronic device 100 using the RF wave 313 . In this case, the electronic device 100 may transmit a communication signal by modulating the baseband signal and using the RF wave 313 as a carrier wave. The electronic device 100 may further include an additional communication circuit capable of modulating a baseband signal. The electronic device 100 may apply the modulated signal to the antenna 310 , and the RF wave 311 generated by the antenna 310 may pass through the cell array 312 . The RF wave 313 beam-formed through the cell array 312 may be transmitted to another electronic device 150 . The other electronic device 150 may include at least one communication circuit that processes a carrier wave of a corresponding frequency, and may obtain a baseband signal by processing the RF wave 313 .

다양한 실시예에서, 전자 장치(100)는, 형성한 RF 웨이브(313)의 반사파를 수신할 수도 있다. 전자 장치(100)는, 반사파의 특성(예: 위상, 또는 진폭 중 적어도 하나)을 분석하여, 분석 결과에 따라 동작할 수도 있다.In various embodiments, the electronic device 100 may receive a reflected wave of the formed RF wave 313 . The electronic device 100 may analyze a characteristic (eg, at least one of a phase and an amplitude) of the reflected wave and operate according to the analysis result.

도 3b는 다양한 실시예에 따른 전자 장치 및 다른 전자 장치의 블록도를 설명하기 위한 블록도를 도시한다. 도 3b의 실시예는 도 4b를 참조하여 더욱 상세하게 설명하도록 한다. 도 4b는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 셀 어레이를 설명하기 위한 도면이다.3B is a block diagram illustrating a block diagram of an electronic device and another electronic device according to various embodiments of the present disclosure; The embodiment of Figure 3b will be described in more detail with reference to Figure 4b. 4B is a diagram for describing a cell array of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;

도 3b를 참조하면, 도 3a의 실시예와는 달리, 셀 어레이(312)가 RF 웨이브(316)를 형성할 수 있다. 도 3b에 따른 전자 장치(100)는, 도 3a와는 달리, 셀 어레이(312)로부터 독립적인 RF 웨이브 형성을 위한 안테나(예: 도 3a의 안테나(310))는 포함하지 않을 수 있다. 도 4b에서와 같이, 전력 소스(301)는 복수 개의 경로로 분기되어 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각에 연결될 수 있다. 전력 소스(301) 및 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각의 사이에는, 증폭기(461 내지 463)가 연결될 수도 있다. 증폭기(461 내지 463) 각각은, 전력 소스(301)로부터 출력되는 전기적인 신호를 증폭시켜 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각으로 전달할 수 있다. 다양한 실시예에서는, 전력 소스(301)가 복수 개일 수도 있다. 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각은 입력받은 전기적인 신호를 이용하여 서브 RF 웨이브를 형성할 수 있다. 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각은, 입력받은 전기적인 신호의 전류의 크기에 따른 위상 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 프로세서(320)는, 제 1 셀(411)에는 제 1 크기의 전류를 인가하고, 제 2 셀(412)에는 제 2 크기의 전류를 인가하도록 제어할 수 있다. 이 경우, 제 1 셀(411)은 제 1 위상 정도만큼 딜레이된 서브 RF 웨이브를 형성하는 위상 특성을 가질 수 있으며, 제 2 셀(412)은 제 2 위상 정도만큼 딜레이된 서브 RF 웨이브를 형성하는 위상 특성을 가질 수 있다. 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각은, 입력되는 전류의 크기가 변경됨에 따라 형성하는 RF 웨이브의 위상 조정 정도가 변경되는 메타 물질 구조를 가질 수 있다. 메모리(330)는, 셀에 입력되는 전류의 크기 및 형성하는 RF 웨이브의 위상 조정 정도 사이의 연관 정보를 저장할 수도 있다. 프로세서(320)는, 다른 전자 장치(150)의 위치에 대응하여 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각의 위상 조정 정도를 판단할 수 있다. 프로세서(320)는, 연관 정보를 이용하여 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각으로 입력되는 전류의 크기를 조정할 수 있다. 다른 실시예에서는, 메모리(330)는, RF 웨이브 형성 조건(예: RF 웨이브 형성 방향, RF 웨이브 형성 거리, 또는 동작 모드 등) 및 셀 별로 입력되는 전류의 크기 사이의 연관 정보를 저장할 수도 있다. 프로세서(320)는, 확인된 동작 모드와, RF 웨이브의 형성 방향 또는 거리 중 적어도 하나에 대응하여, 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각으로 입력되는 전류의 크기를 조정할 수 있다.Referring to FIG. 3B , unlike the embodiment of FIG. 3A , the cell array 312 may form an RF wave 316 . Unlike FIG. 3A , the electronic device 100 of FIG. 3B may not include an antenna (eg, the antenna 310 of FIG. 3A ) for independent RF wave formation from the cell array 312 . As shown in FIG. 4B , the power source 301 may be branched into a plurality of paths and connected to each of the plurality of cells 411 to 426 . Amplifiers 461 to 463 may be connected between the power source 301 and each of the plurality of cells 411 to 426 . Each of the amplifiers 461 to 463 may amplify an electrical signal output from the power source 301 and transmit it to each of the plurality of cells 411 to 426 . In various embodiments, there may be a plurality of power sources 301 . Each of the plurality of cells 411 to 426 may form a sub-RF wave using the received electrical signal. Each of the plurality of cells 411 to 426 may have a phase characteristic according to the magnitude of the current of the received electrical signal. For example, the processor 320 may control to apply a current of a first magnitude to the first cell 411 and apply a current of a second magnitude to the second cell 412 . In this case, the first cell 411 may have a phase characteristic that forms a sub-RF wave delayed by a first phase degree, and the second cell 412 forms a sub-RF wave delayed by a second phase degree. It may have a phase characteristic. Each of the plurality of cells 411 to 426 may have a meta-material structure in which the degree of phase adjustment of the RF wave is changed as the magnitude of the input current is changed. The memory 330 may store correlation information between the magnitude of the current input to the cell and the degree of phase adjustment of the RF wave to be formed. The processor 320 may determine the degree of phase adjustment of each of the plurality of cells 411 to 426 corresponding to the location of the other electronic device 150 . The processor 320 may adjust the magnitude of the current input to each of the plurality of cells 411 to 426 by using the related information. In another embodiment, the memory 330 may store association information between an RF wave forming condition (eg, an RF wave forming direction, an RF wave forming distance, or an operation mode) and a magnitude of an input current for each cell. The processor 320 may adjust the magnitude of the current input to each of the plurality of cells 411 to 426 in response to at least one of the checked operation mode and the direction or distance of the RF wave.

다양한 실시예에서, 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각은, 입력되는 전압의 크기가 변경됨에 따라 형성하는 RF 웨이브의 위상 조정 정도가 변경되는 메타 물질 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 프로세서(310)는, 제 1 셀(411)에는 제 1 크기의 전압을 인가하고, 제 2 셀(412)에는 제 2 크기의 전압을 인가할 수 있다. 이 경우, 제 1 셀(411)은 제 1 위상 정도만큼 딜레이된 서브 RF 웨이브를 형성하는 위상 특성을 가질 수 있으며, 제 2 셀(412)은 제 2 위상 정도만큼 딜레이된 서브 RF 웨이브를 형성하는 위상 특성을 가질 수 있다. 메모리(330)는, 셀에 입력되는 전압의 크기 및 통과시키는 RF 웨이브의 위상 조정 정도 사이의 연관 정보를 저장할 수도 있다. 프로세서(320)는, 다른 전자 장치(150)의 위치에 대응하여 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각의 위상 조정 정도를 판단할 수 있다. 프로세서(320)는, 연관 정보를 이용하여 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각으로 입력되는 전압의 크기를 조정할 수 있다. 다른 실시예에서는, 메모리(330)는, RF 웨이브 형성 조건(예: RF 웨이브 형성 방향, RF 웨이브 형성 거리, 또는 동작 모드 등) 및 셀 별로 입력되는 전압의 크기 사이의 연관 정보를 저장할 수도 있다. 프로세서(320)는, 확인된 동작 모드와, RF 웨이브의 형성 방향 또는 거리 중 적어도 하나에 대응하여, 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각으로 입력되는 전압의 크기를 조정할 수 있다.In various embodiments, each of the plurality of cells 411 to 426 may have a meta-material structure in which the degree of phase adjustment of the formed RF wave is changed as the magnitude of the input voltage is changed. For example, the processor 310 may apply a voltage of a first magnitude to the first cell 411 and apply a voltage of a second magnitude to the second cell 412 . In this case, the first cell 411 may have a phase characteristic that forms a sub-RF wave delayed by a first phase degree, and the second cell 412 forms a sub-RF wave delayed by a second phase degree. It may have a phase characteristic. The memory 330 may store correlation information between the magnitude of the voltage input to the cell and the degree of phase adjustment of the RF wave passing therethrough. The processor 320 may determine the degree of phase adjustment of each of the plurality of cells 411 to 426 corresponding to the location of the other electronic device 150 . The processor 320 may adjust the magnitude of the voltage input to each of the plurality of cells 411 to 426 by using the association information. In another embodiment, the memory 330 may store association information between an RF wave forming condition (eg, an RF wave forming direction, an RF wave forming distance, or an operation mode) and a magnitude of a voltage input for each cell. The processor 320 may adjust the magnitude of the voltage input to each of the plurality of cells 411 to 426 in response to at least one of the checked operation mode and the direction or distance of the RF wave.

다양한 실시예에 따른 프로세서(320)는, 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각으로 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를, 증폭기(461 내지 463) 중 적어도 하나의 증폭 이득을 변경함으로써, 조정할 수도 있다.The processor 320 according to various embodiments increases the amplification gain of at least one of the magnitude of the current or the magnitude of the voltage of the electrical signal to each of the plurality of cells 411 to 426, and the amplification gain of at least one of the amplifiers 461 to 463. By changing it, it can also be adjusted.

도 5는 다양한 실시예에 따른 전자 장치 및 다른 전자 장치의 블록도를 설명하기 위한 블록도를 도시한다. 도 5의 실시예는 도 6을 참조하여 더욱 상세하게 설명하도록 한다. 도 6은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 셀 어레이를 설명하기 위한 도면이다.5 is a block diagram illustrating a block diagram of an electronic device and another electronic device according to various embodiments of the present disclosure; The embodiment of FIG. 5 will be described in more detail with reference to FIG. 6 . 6 is a diagram for describing a cell array of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;

도 5를 참조하면, 도 3a의 실시예와는 달리, 복수 개의 안테나(501,502,503)를 포함할 수 있다. 복수 개의 안테나(501,502,503) 각각은 서브 RF 웨이브(511,512,513)를 형성할 수 있다. 도 6에서와 같이, 서브 RF 웨이브(511,512,513) 각각은 제 1 셀(411), 제 2 셀(412) 및 제 3 셀(413) 각각으로 입사될 수 있다. 제 1 셀(411), 제 2 셀(412) 및 제 3 셀(413) 각각은, 입력되는 서브 RF 웨이브의 크기의 변경에 따라 변경되는 위상 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 제 1 셀(411)에 제 1 크기의 서브 RF 웨이브(511)가 입사되는 경우에, 제 1 셀(411)은 서브 RF 웨이브(511)를 제 1 위상 정도만큼 딜레이하는 위상 특성을 가질 수 있다. 제 2 셀(412)에 제 2 크기의 서브 RF 웨이브(512)가 입사되는 경우에, 제 2 셀(412)은 서브 RF 웨이브(512)를 제 2 위상 정도만큼 딜레이하는 위상 특성을 가질 수 있다. 제 3 셀(413)에 제 3 크기의 서브 RF 웨이브(513)가 입사되는 경우에, 제 3 셀(413)은 서브 RF 웨이브(513)를 제 3 위상 정도만큼 딜레이하는 위상 특성을 가질 수 있다. 프로세서(320)는, 안테나(551,502,503) 각각이 형성하는 서브 RF 웨이브(511,512,513)의 크기를 조정할 수 있다.Referring to FIG. 5 , unlike the embodiment of FIG. 3A , a plurality of antennas 501 , 502 , and 503 may be included. Each of the plurality of antennas 501 , 502 , and 503 may form sub-RF waves 511 , 512 , and 513 . As shown in FIG. 6 , each of the sub RF waves 511 , 512 , and 513 may be incident on each of the first cell 411 , the second cell 412 , and the third cell 413 . Each of the first cell 411 , the second cell 412 , and the third cell 413 may have a phase characteristic that is changed according to a change in the magnitude of the input sub-RF wave. For example, when the sub RF wave 511 of the first magnitude is incident on the first cell 411 , the first cell 411 delays the sub RF wave 511 by a first phase characteristic. can have When the sub-RF wave 512 of the second magnitude is incident on the second cell 412, the second cell 412 may have a phase characteristic of delaying the sub-RF wave 512 by a second phase. . When the sub RF wave 513 of the third magnitude is incident on the third cell 413 , the third cell 413 may have a phase characteristic of delaying the sub RF wave 513 by a third phase. . The processor 320 may adjust the size of the sub RF waves 511 , 512 , and 513 formed by each of the antennas 551 , 502 , and 503 .

예를 들어, 프로세서(320)는, 제 1 안테나(501)에는 제 1 크기의 전류를 인가하고, 제 2 안테나(502)에는 제 2 크기의 전류를 인가하고, 제 3 안테나(503)에는 제 3 크기의 전류를 인가하도록 제어할 수 있다. 이 경우, 제 1 안테나(501)는 제 1 크기의 서브 RF 웨이브(511)를 형성하고, 제 2 안테나(502)는 제 2 크기의 서브 RF 웨이브(512)를 형성하고, 제 3 안테나(503)는 제 3 크기의 서브 RF 웨이브(513)를 형성할 수 있다. 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각은, 입사되는 RF 웨이브의 크기가 변경됨에 따라 형성하는 RF 웨이브의 위상 조정 정도가 변경되는 메타 물질 구조를 가질 수 있다. 메모리(330)는, 안테나(501,502,503)에 입력되는 전류의 크기 및 형성하는 RF 웨이브의 위상 조정 정도 사이의 연관 정보를 저장할 수도 있다. 프로세서(320)는, 다른 전자 장치(150)의 위치에 대응하여 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각의 위상 조정 정도를 판단할 수 있다. 프로세서(320)는, 연관 정보를 이용하여 안테나(501,502,503) 각각으로 입력되는 전류의 크기를 조정할 수 있다. 다른 실시예에서는, 메모리(330)는, RF 웨이브 형성 조건(예: RF 웨이브 형성 방향, RF 웨이브 형성 거리, 또는 동작 모드 등) 및 안테나 별로 입력되는 전류의 크기 사이의 연관 정보를 저장할 수도 있다. 프로세서(320)는, 확인된 동작 모드와, RF 웨이브의 형성 방향 또는 거리 중 적어도 하나에 대응하여, 안테나(501,502,503) 각각으로 입력되는 전류의 크기를 조정할 수 있다.For example, the processor 320 applies a current of a first magnitude to the first antenna 501 , applies a current of a second magnitude to the second antenna 502 , and applies a current of a second magnitude to the third antenna 503 . It can be controlled to apply a current of 3 magnitudes. In this case, the first antenna 501 forms a sub RF wave 511 of a first size, the second antenna 502 forms a sub RF wave 512 of a second size, and the third antenna 503 ) may form a sub RF wave 513 of a third size. Each of the plurality of cells 411 to 426 may have a metamaterial structure in which the degree of phase adjustment of the formed RF wave is changed as the magnitude of the incident RF wave is changed. The memory 330 may store correlation information between the magnitude of the current input to the antennas 501 , 502 , and 503 and the degree of phase adjustment of the RF wave to be formed. The processor 320 may determine the degree of phase adjustment of each of the plurality of cells 411 to 426 corresponding to the location of the other electronic device 150 . The processor 320 may adjust the magnitude of the current input to each of the antennas 501 , 502 , and 503 by using the associated information. In another embodiment, the memory 330 may store correlation information between an RF wave forming condition (eg, an RF wave forming direction, an RF wave forming distance, or an operation mode) and a magnitude of an input current for each antenna. The processor 320 may adjust the magnitude of the current input to each of the antennas 501 , 502 , and 503 in response to at least one of the checked operation mode and the direction or distance of the RF wave.

다양한 실시예에서, 프로세서(310)는, 제 1 안테나(501)에는 제 1 크기의 전압을 인가하고, 제 2 안테나(502)에는 제 2 크기의 전압을 인가하고, 제 3 안테나(503)에는 제 3 크기의 전압을 인가할 수 있다. 이 경우, 제 1 안테나(501)는 제 1 크기의 서브 RF 웨이브(511)를 형성하고, 제 2 안테나(502)는 제 2 크기의 서브 RF 웨이브(512)를 형성하고, 제 3 안테나(503)는 제 3 크기의 서브 RF 웨이브(513)를 형성할 수 있다. 메모리(330)는, 안테나에 입력되는 전압의 크기 및 통과시키는 RF 웨이브의 위상 조정 정도 사이의 연관 정보를 저장할 수도 있다. 프로세서(320)는, 다른 전자 장치(150)의 위치에 대응하여 복수 개의 셀(411 내지 426) 각각의 위상 조정 정도를 판단할 수 있다. 프로세서(320)는, 연관 정보를 이용하여 안테나(501,502,503) 각각으로 입력되는 전압의 크기를 조정할 수 있다. 다른 실시예에서는, 메모리(330)는, RF 웨이브 형성 조건(예: RF 웨이브 형성 방향, RF 웨이브 형성 거리, 또는 동작 모드 등) 및 안테나 별로 입력되는 전압의 크기 사이의 연관 정보를 저장할 수도 있다. 프로세서(320)는, 확인된 동작 모드와, RF 웨이브의 형성 방향 또는 거리 중 적어도 하나에 대응하여, 안테나(501,502,503) 각각으로 입력되는 전압의 크기를 조정할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(320)는, 도 6에서와 같은 증폭기(601,602,603) 중 적어도 하나의 증폭 이득을 조정함으로써, 안테나(501,502,503) 각각으로 입력되는 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정할 수 있다.In various embodiments, the processor 310 applies a voltage of a first magnitude to the first antenna 501 , a voltage of a second magnitude to the second antenna 502 , and a voltage of a second magnitude to the third antenna 503 . A voltage of a third magnitude may be applied. In this case, the first antenna 501 forms a sub RF wave 511 of a first size, the second antenna 502 forms a sub RF wave 512 of a second size, and the third antenna 503 ) may form a sub RF wave 513 of a third size. The memory 330 may store correlation information between the magnitude of the voltage input to the antenna and the degree of phase adjustment of the RF wave passing therethrough. The processor 320 may determine the degree of phase adjustment of each of the plurality of cells 411 to 426 corresponding to the location of the other electronic device 150 . The processor 320 may adjust the magnitude of the voltage input to each of the antennas 501 , 502 , and 503 by using the association information. In another embodiment, the memory 330 may store correlation information between an RF wave forming condition (eg, an RF wave forming direction, an RF wave forming distance, or an operation mode) and a magnitude of a voltage input for each antenna. The processor 320 may adjust the magnitude of the voltage input to each of the antennas 501 , 502 , and 503 in response to at least one of the checked operation mode and the direction or distance of the RF wave. For example, the processor 320 may adjust the amplification gain of at least one of the amplifiers 601, 602, and 603 as in FIG. 6, thereby adjusting at least one of the magnitude of the current input to each of the antennas 501, 502, and 503 or the magnitude of the voltage. have.

상술한 바와 같이, 제 1 셀(411), 제 2 셀(412) 및 제 3 셀(413) 각각은, 입사되는 서브 RF 웨이브의 크기에 따라 상이한 위상 조정 정도를 가지므로, 도 6에서와 같이, 빔 포밍된 RF 웨이브(521)가 형성될 수 있다.As described above, since each of the first cell 411 , the second cell 412 , and the third cell 413 has a different degree of phase adjustment according to the magnitude of the incident sub-RF wave, as in FIG. 6 , , a beam-formed RF wave 521 may be formed.

도 7은 다양한 실시예에 따른 셀의 도면이다.7 is a diagram of a cell according to various embodiments.

도 7을 참조하면, 유전체(700) 상에 제 1 도체(711) 및 제 2 도체(712)가 위치할 수 있다. 다양한 실시예에서, 제 1 도체(711) 및 제 2 도체(712)는 곡선의 형태를 가질 수 있다. 제 1 도체(711)에 전류가 인가되면, 제 2 도체(712)에는 제 1 도체(711)에 인가되는 전류와 반대방향으로 인가되는 전류가 흐를 수 있다. 제 1 도체(711) 또는 제 2 도체(712)에 흐르는 전류의 크기에 따라 셀의 위상 상수가 변경될 수 있다. 이에 따라, 도 3a, 3b, 4a 및 4b에서와 같이, 전자 장치(100)는, 셀(411 내지 426)로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정함으로써, 셀 어레이(312)를 통과하는 RF 웨이브(313) 또는 셀 어레이(312)로부터 형성되는 RF 웨이브(316)의 제어를 수행할 수 있다. 셀에는, 예를 들어 z축의 제 1 방향의 H-필드(721) 또는 제 1 방향과 반대 방향인 z축의 제 2 방향의 H-필드(722)가 인가될 수 있다. H-필드의 크기에 따라서 셀의 위상 상수가 변경될 수 있다. 셀에는, 예를 들어 y축의 제 1 방향의 E-필드(731,733) 또는 제 1 방향과 반대 방향인 y축의 제 2 방향의 E-필드(732,734)가 인가될 수 있다. E-필드의 크기에 따라서 셀의 위상 상수가 변경될 수 있다. 이에 따라, 도 5 및 6에서와 같이, 전자 장치(100)는, 복수 개의 안테나(501,502,503)로부터 형성되는 서브 RF 웨이브의 크기를 조정함으로써, 셀 어레이(312)를 통과하는 RF 웨이브(521) 제어를 수행할 수 있다.Referring to FIG. 7 , a first conductor 711 and a second conductor 712 may be positioned on the dielectric 700 . In various embodiments, the first conductor 711 and the second conductor 712 may have a curved shape. When a current is applied to the first conductor 711 , a current applied in the opposite direction to the current applied to the first conductor 711 may flow through the second conductor 712 . The phase constant of the cell may be changed according to the magnitude of the current flowing through the first conductor 711 or the second conductor 712 . Accordingly, as shown in FIGS. 3A, 3B, 4A, and 4B, the electronic device 100 adjusts at least one of the magnitude of the current or the magnitude of the voltage of the electrical signal input to the cells 411 to 426. Control of the RF wave 313 passing through the array 312 or the RF wave 316 formed from the cell array 312 may be performed. For example, an H-field 721 in a first direction of the z-axis or an H-field 722 in a second direction of the z-axis opposite to the first direction may be applied to the cell. The phase constant of the cell may be changed according to the size of the H-field. For example, the E-fields 731 and 733 in the first direction of the y-axis or the E-fields 732 and 734 in the second direction of the y-axis opposite to the first direction may be applied to the cell. The phase constant of the cell may be changed according to the size of the E-field. Accordingly, as shown in FIGS. 5 and 6 , the electronic device 100 controls the RF wave 521 passing through the cell array 312 by adjusting the size of the sub RF wave formed from the plurality of antennas 501 , 502 , and 503 . can be performed.

도 8은 다양한 실시예에 따른 메타 물질 구조의 위상 특성 및 공진 주파수 사이의 관계를 나타내는 그래프를 도시한다.8 is a graph illustrating a relationship between a phase characteristic and a resonant frequency of a metamaterial structure according to various embodiments of the present disclosure;

도 8에 도시된 바와 같이, 메타 물질 구조의 공진 주파수(ω)가 변경됨에 따라서 메타 물질 구조의 위상 상수(β)가 변경될 수 있다. 위상 상수는, 메타 물질 구조를 통과하는 RF 웨이브의 위상이 딜레이되는 정도, 또는 메타 물질 구조로부터 형성되는 RF 웨이브의 위상이 딜레이되는 정도를 나타낼 수 있다. 다양한 실시예에 따른, 전자 장치(100)는 메타 물질 구조를 포함하는 셀들 각각의 공진 주파수를 조정함으로써, 셀 어레이를 통과하는 RF 웨이브 또는 셀 어레이로부터 형성되는 RF 웨이브의, 형성 방향, 형성 거리, 또는 형태 중 적어도 하나를 조정할 수 있다. 한편, 도 8에서와 같이 동일한 위상(예: φ)을 가지는 두 개의 주파수(예: ω1, ω2)가 존재할 수 있어, 셀이 상대적으로 작은 크기를 가지더라도 상대적으로 낮은 주파수 대역의 특성을 획득할 수도 있다. As shown in FIG. 8 , as the resonant frequency ω of the metamaterial structure is changed, the phase constant β of the metamaterial structure may be changed. The phase constant may indicate a degree to which a phase of an RF wave passing through the meta-material structure is delayed, or a degree to which a phase of an RF wave formed from the meta-material structure is delayed. According to various embodiments, the electronic device 100 adjusts the resonant frequency of each of the cells including the meta-material structure, so that the RF wave passing through the cell array or the RF wave formed from the cell array, the formation direction, the formation distance, Or at least one of the shapes may be adjusted. Meanwhile, as in FIG. 8, two frequencies (eg, ω1, ω2) having the same phase (eg, φ) may exist, so that even if the cell has a relatively small size, it is possible to obtain a characteristic of a relatively low frequency band may be

도 9는 다양한 실시예에 따른 셀 어레이의 도면이다.9 is a diagram of a cell array according to various embodiments.

도 9에 도시된 바와 같이, 유전체(900)에는 예를 들어 도 7과 같은 복수 개의 메타 물질 구조(901 내지 916)가 배치될 수 있다. 유전체(900)에는, 전력 소스(941)로부터의 전기적인 신호를, 메타 물질 구조(901 내지 916) 중 적어도 하나로 제공하기 위한 급전부(942,943)가 배치될 수 있다. 유전체(900)에는, 급전부(942,943)로부터의 전기적인 신호를 선택적으로 메타 물질 구조(901 내지 916) 각각으로 제공하기 위한 스위치(921 내지 936)가 배치될 수 있다. 전자 장치(100)는, 스위치(921 내지 936)의 온/오프 상태를 제어함으로써 전기적인 신호를 선택적으로 메타 물질 구조(901 내지 916) 각각으로 제공할 수 있다. 전자 장치(100)는, 형성하고자 하는 RF 웨이브의 형성 방향, 형성 거리 또는 형태 중 적어도 하나에 기초하여, 메타 물질 구조(901 내지 916) 각각으로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 제어할 수 있다.As shown in FIG. 9 , a plurality of meta-material structures 901 to 916 as shown in FIG. 7 may be disposed on the dielectric 900 . In the dielectric 900 , power feeding units 942 and 943 for providing an electrical signal from the power source 941 to at least one of the meta material structures 901 to 916 may be disposed. In the dielectric 900, switches 921 to 936 for selectively providing electrical signals from the power feeding units 942 and 943 to the meta material structures 901 to 916, respectively, may be disposed. The electronic device 100 may selectively provide an electrical signal to each of the meta-material structures 901 to 916 by controlling the on/off states of the switches 921 to 936 . The electronic device 100, based on at least one of a formation direction, a formation distance, or a shape of an RF wave to be formed, a magnitude of a current or a magnitude of a voltage of an electrical signal input to each of the metamaterial structures 901 to 916 at least one of them can be controlled.

도 10은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도를 도시한다.10 is a block diagram of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;

다양한 실시예에 따른 프로세서(320)는, 예를 들어 빔 포밍하고자 하는 위치를 판단할 수 있다. 프로세서(320)는, 해당 위치에 대응하는 각 셀들의 위상 조정 정도를 판단할 수 있다. 프로세서(320)는, 각 셀의 위상 조정 정도에 대응하는, 인가되는 전류의 크기 또는 인가되는 전압의 크기 중 적어도 하나를 판단할 수 있다. 프로세서(320)는, 예를 들어 미리 저장된 연관 정보를 참조하여, 인가되는 전류의 크기 또는 인가되는 전압의 크기 중 적어도 하나를 판단할 수 있다. 프로세서(320)는, 확인된 디지털 값을, 예를 들어 I2C(inter integrated circuit) 또는 SPI(serial peripheral interface)를 통하여, DAC(digital to analog converter)(1010)로 전달할 수 있다. DAC(1010)는, 수신한 디지털 값을 아날로그의 전기적 신호로 변환하여 출력할 수 있다. 셀(1020)은, 수신한 전기적인 신호에 따라 위상 특성이 변경될 수 있다. 도시되지는 않았지만, DAC(1010)는, 복수 개의 안테나 각각으로 전기적인 신호를 제공할 수도 있으며, 복수 개의 안테나 각각으로부터 생성되는 RF 웨이브의 세기에 따라 셀(1020)의 위상 특성이 변경될 수도 있다.The processor 320 according to various embodiments may determine, for example, a position at which beamforming is desired. The processor 320 may determine the degree of phase adjustment of each cell corresponding to the corresponding position. The processor 320 may determine at least one of the magnitude of the applied current or the magnitude of the applied voltage, which corresponds to the degree of phase adjustment of each cell. The processor 320 may determine, for example, at least one of the magnitude of the applied current or the magnitude of the applied voltage, with reference to the related information stored in advance. The processor 320 may transmit the confirmed digital value to the digital to analog converter (DAC) 1010 through, for example, an inter integrated circuit (I2C) or a serial peripheral interface (SPI). The DAC 1010 may convert the received digital value into an analog electrical signal and output it. The cell 1020 may have a phase characteristic changed according to a received electrical signal. Although not shown, the DAC 1010 may provide an electrical signal to each of a plurality of antennas, and a phase characteristic of the cell 1020 may be changed according to the intensity of an RF wave generated from each of the plurality of antennas. .

도 11은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.11 is a flowchart illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;

다양한 실시예에 따라서, 전자 장치(100)는, 1101 동작에서, 무선 충전 요청을 수신할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 다른 전자 장치로부터 무선 충전 요청을 수신할 수 있다. 또는, 전자 장치(100)는, 사용자로부터 다른 전자 장치를 충전하라는 명령을 수신할 수도 있다. 1103 동작에서, 전자 장치(100)는, 상술한 바와 같은 다양한 센서를 통하여 다른 전자 장치의 위치를 판단할 수 있다. 1105 동작에서, 전자 장치(100)는, 다른 전자 장치의 위치에 대응하여 셀 별 위상 특성을 조정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 특정 지점에서 빔 포밍이 될 수 있도록, 셀 어레이의 복수 개의 셀들 각각으로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 특정 지점에서 빔 포밍이 될 수 있도록, 셀 어레이의 복수 개의 셀들 각각으로 입사되는 서브 RF 웨이브들 각각을 형성하는 안테나들로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정할 수 있다. 1107 동작에서, 전자 장치(100)는, 빔 포밍된 RF 웨이브를 형성할 수 있다. 이에 따라, 예를 들어 도 1과 같은 빔 포밍된 RF 웨이브가 형성될 수 있다.According to various embodiments, the electronic device 100 may receive a wireless charging request in operation 1101 . For example, the electronic device 100 may receive a wireless charging request from another electronic device. Alternatively, the electronic device 100 may receive a command to charge another electronic device from the user. In operation 1103 , the electronic device 100 may determine the location of another electronic device through various sensors as described above. In operation 1105 , the electronic device 100 may adjust a phase characteristic for each cell in response to a location of another electronic device. For example, the electronic device 100 may adjust at least one of a magnitude of a current or a magnitude of a voltage of an electrical signal input to each of a plurality of cells of the cell array to enable beamforming at a specific point. For example, the electronic device 100 controls the current of an electrical signal input to the antennas that form each of the sub RF waves incident on each of a plurality of cells of the cell array so that beamforming can be performed at a specific point. At least one of the magnitude or the magnitude of the voltage may be adjusted. In operation 1107 , the electronic device 100 may form a beam-formed RF wave. Accordingly, for example, a beam-formed RF wave as shown in FIG. 1 may be formed.

도 12a는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.12A is a flowchart illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;

다양한 실시예에 따라서, 전자 장치(100)는, 1201 동작에서, 빔 스프레딩 요청을 수신할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 얼굴 인식 요청을 수신할 수 있으며, 이에 대응하여 빔 스프레딩을 수행할 수 있다. 1203 동작에서, 전자 장치(100)는, 빔 스프레딩을 위한 셀 별 위상 특성 조정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 특정 면적에 대하여 빔 스프레딩이 될 수 있도록, 셀 어레이의 복수 개의 셀들 각각으로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 특정 면적에 대하여 빔 스프레딩이 될 수 있도록, 셀 어레이의 복수 개의 셀들 각각으로 입사되는 서브 RF 웨이브들 각각을 형성하는 안테나들로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정할 수 있다. 1207 동작에서, 전자 장치(100)는, 빔 스프레딩된 RF 웨이브를 형성할 수 있다. 예를 들어 도 12b를 참조하면, 전자 장치(100)는, 셀 어레이(1210)를 통하여 빔 스프레딩된 RF 웨이브(1211)를 형성할 수 있다.According to various embodiments, the electronic device 100 may receive a beam spreading request in operation 1201 . For example, the electronic device 100 may receive a face recognition request and may perform beam spreading in response thereto. In operation 1203 , the electronic device 100 may adjust a phase characteristic for each cell for beam spreading. For example, the electronic device 100 may adjust at least one of a magnitude of a current or a magnitude of a voltage of an electrical signal input to each of a plurality of cells of the cell array so that beam spreading can be performed with respect to a specific area. have. For example, the electronic device 100 transmits an electrical signal input to antennas that form sub-RF waves that are incident on each of a plurality of cells of a cell array so that beam spreading can be performed on a specific area. At least one of the magnitude of the current and the magnitude of the voltage may be adjusted. In operation 1207 , the electronic device 100 may form a beam-spreading RF wave. For example, referring to FIG. 12B , the electronic device 100 may form a beam-spreading RF wave 1211 through the cell array 1210 .

도 13a는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.13A is a flowchart illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;

다양한 실시예에 따라서, 전자 장치(100)는, 1301 동작에서, 원형 편파 형성 요청을 수신할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 피부 상태 분석 요청을 수신할 수 있으며, 이에 대응하여 원형 편파 형성을 수행할 수 있다. 1303 동작에서, 전자 장치(100)는, 원형 편파 형성을 위한 셀 별 위상 특성 조정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 원형 편파 형성을 위하여 셀 어레이의 복수 개의 셀들 각각으로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 원형 편파 형성을 위하여 셀 어레이의 복수 개의 셀들 각각으로 입사되는 서브 RF 웨이브들 각각을 형성하는 안테나들로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정할 수 있다. 1305 동작에서, 전자 장치(100)는, RF 웨이브를 형성할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 도 13b에서와 같이, 원형 편파(1311)를 형성할 수 있다. 전자 장치(100)는, 셀 어레이(1310)의 제 1 셀(1331)로부터의 RF 웨이브의 위상을 0도(1331)만큼 딜레이되도록 제어하고, 제 2 셀(1332)로부터의 RF 웨이브의 위상을 90도(1332)만큼 딜레이되도록 제어하고, 제 3 셀(1333)로부터의 RF 웨이브의 위상을 180도(1333)만큼 딜레이되도록 제어하고, 제 4 셀(1334)로부터의 RF 웨이브의 위상을 270도(1334)만큼 딜레이되도록 제어함으로써, 원형 편파(1311)를 형성할 수 있다.According to various embodiments, the electronic device 100 may receive a request for forming a circular polarization wave in operation 1301 . For example, the electronic device 100 may receive a skin condition analysis request, and may perform circular polarization formation in response thereto. In operation 1303 , the electronic device 100 may adjust a phase characteristic for each cell for forming a circularly polarized wave. For example, the electronic device 100 may adjust at least one of a magnitude of a current or a magnitude of a voltage of an electrical signal input to each of a plurality of cells of the cell array to form a circularly polarized wave. For example, in order to form a circularly polarized wave, the electronic device 100 may include a magnitude of a current or a magnitude of a voltage of an electrical signal input to antennas that form each of sub RF waves incident on each of a plurality of cells of the cell array. At least one of them can be adjusted. In operation 1305 , the electronic device 100 may form an RF wave. For example, the electronic device 100 may form a circularly polarized wave 1311 as shown in FIG. 13B . The electronic device 100 controls the phase of the RF wave from the first cell 1331 of the cell array 1310 to be delayed by 0 degrees 1331 , and adjusts the phase of the RF wave from the second cell 1332 . Controlled to be delayed by 90 degrees (1332), the phase of the RF wave from the third cell 1333 is controlled to be delayed by 180 degrees (1333), and the phase of the RF wave from the fourth cell 1334 is controlled to be delayed by 270 degrees By controlling the delay by (1334), it is possible to form a circularly polarized wave (1311).

도 14a는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.14A is a flowchart illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;

다양한 실시예에 따라서, 전자 장치(100)는, 1401 동작에서, 복수 주파수 수신 요청을 수신할 수 있다. 1403 동작에서, 전자 장치(100)는, 복수 개의 셀 각각의 공진 주파수를 상이하게 설정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 복수 개의 셀 각각으로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 상이하게 설정할 수 있다. 이에 따라, 도 14b에서와 같이, 복수 개의 셀(1401,1402,1403)의 공진 주파수(f0,f1,fn-1)가 상이하게 설정될 수 있다. 1405 동작에서, 전자 장치(100)는 수신파를 수신하여 처리할 수 있다. 이에 따라, 수신되는 RF 웨이브의 주파수가 특정되지 않은 경우에도, 전자 장치(100)는 다양한 주파수 대역의 RF 웨이브를 수신할 수 있다.According to various embodiments, the electronic device 100 may receive a multi-frequency reception request in operation 1401 . In operation 1403, the electronic device 100 may set the resonant frequencies of the plurality of cells to be different. For example, the electronic device 100 may differently set at least one of the magnitude of the current or the magnitude of the voltage of the electrical signal input to each of the plurality of cells. Accordingly, as shown in FIG. 14B , the resonance frequencies f0, f1, and fn-1 of the plurality of cells 1401, 1402, and 1403 may be set differently. In operation 1405, the electronic device 100 may receive and process the received wave. Accordingly, even when the frequency of the received RF wave is not specified, the electronic device 100 may receive RF waves of various frequency bands.

도 15a는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.15A is a flowchart illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;

다양한 실시예에 따라서, 전자 장치(100)는, 1501 동작에서, 제 1 기간 동안, 제 1 특성의 RF 웨이브를 형성할 수 있다. 1503 동작에서, 전자 장치(100)는, 제 2 기간 동안, 반사파를 수신할 수 있다. 1505 동작에서, 전자 장치(100)는, 반사파를 분석하여, 분석 결과에 따라 동작할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 빔 스프레딩을 수행하여 사용자의 얼굴에 대하여 RF 웨이브를 형성할 수 있다. 사용자의 얼굴로 입사되는 RF 웨이브는 얼굴에 의하여 반사될 수 있으며, 이에 따라 반사파가 형성될 수 있다. 전자 장치(100)는, 수신된 반사파의 특징을 검출할 수 있으며, 검출된 특징이 기존에 저장된 특징과 대응되는지에 따라 사용자 인증을 수행할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, THz 대역의 RF 웨이브에 대한 반사파를 분석할 수 있으며, 이에 따라 고분해능의 고정밀 이미지를 획득할 수 있다. 전자 장치(100)는 비가시광 영역에 대한 영상을 획득할 수도 있다. 전자 장치(100)는, 이에 따라 저조도 환경에서도 고해상도 영상을 획득할 수 있다. 전자 장치(100)는, 3차원 지문, 홍채, 안면 인식을 위한 고해상도 이미지를 획득하여, 사용자 인증을 수행할 수도 있다. 고정밀 이미지 기술은, 안개가 많은 환경에서도 고화질 이미지를 이용하여 사용자에게 제공하거나, 또는 자동 운전을 수행하는 등의 자동차의 전장 분야에서도 이용될 수 있다. 고정밀 이미지 기술은, 3차원 프린팅 타겟을 보다 정밀하게 판단하는 데에도 이용될 수도 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 사용자의 피부를 향하여 RF 웨이브를 형성하고, 이에 대한 반사파를 이용하여 피부 상태(예: 모공 내 노폐물 각질, 트러블, 건조도, 질병, 피부 손상 등)를 판단할 수 있다. 전자 장치(100)는, 표피, 조직, 모근, 땀샘, 피부 수화도를 분석할 수 있으며, 이에 대응하는 피부 관리법을 제공할 수도 있다. 또는, 전자 장치(100)는, 피부 정보에 따라 피부 질병을 진단할 수도 있다. 전자 장치(100)는, 빅 데이터를 이용하여, 질병 자가 진단을 수행할 수도 있다. 다양한 실시예에서, 전자 장치(100)는, 물체 또는 가스를 투과한 다른 전자 장치로부터 형성된 RF 웨이브를 수신할 수도 있다. 예를 들어, 다른 전자 장치는, 식료품, 의약품, 화장품, 대기를 향하여 RF 웨이브를 형성할 수 있다. RF 웨이브가 THz 대역인 경우에는, RF 웨이브가 해당 물체 또는 가스를 투과하여 전자 장치(100)로 수신될 수도 있다. 전자 장치(100)는, 수신된 RF 웨이브의 특성을 분석하여, 예를 들어 식료품, 의약품, 화장품의 신선도 또는 부패도, 대기의 유해 가스 농도, 또는 미세먼지 농도, 해충류 분포 등을 판단할 수도 있다. 전자 장치(100)가 공기 청정기로 구현된 경우에는, 판단 결과에 따라 청정 동작을 수행할 수도 있다. 전자 장치(100)가, 로봇 청소기로 구현된 경우에는, 판단 결과에 따라 청소 관련 동작을 수행할 수도 있다 . 예를 들어, 전자 장치(100)는, 발효 음식을 저장할 수 있는 냉장고 내에서 RF 웨이브를 형성할 수도 있으며, RF 웨이브는 발효 음식으로부터 생성된 가스를 투과하여 수신 회로에서 검출될 수 있다. 전자 장치(100)는, 수신 결과에 적어도 기반하여 발효 음식의 발효 정도 등을 판단할 수도 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, RF 웨이브를 인체에 투과하도록 형성할 수도 있으며, 투과된 RF 웨이브를 분석하여 정밀 체형, 치수 정보를 판단할 수 있다. 또는, 전자 장치(100)는, RF 웨이브를 물체에 투과시켜, 비가시적인 포장(invisible package)의 내용 분석, 3차원 문자 분석, 심볼 분석 등을 수행할 수도 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 반사파를 분석하여, 인간의 혈류, 비침습 혈당, 심박도, 심전도, 안면 근육 변위 등의 다양한 생체 정보를 획득할 수 있으며, 획득한 생체 정보에 적어도 기반하여 분석된 사용자 심리 상태를 판단할 수도 있다. 전자 장치(100)는, 사용자 심리 상태에 대응하는 컨텐트(예: 음악, 예술, 문학, 소설 등)를 제공하거나, 또는 다른 사용자에게 사용자의 심리 상태를 제공할 수도 있다. According to various embodiments, in operation 1501 , the electronic device 100 may form an RF wave having a first characteristic for a first period. In operation 1503 , the electronic device 100 may receive the reflected wave during the second period. In operation 1505, the electronic device 100 may analyze the reflected wave and operate according to the analysis result. For example, the electronic device 100 may perform beam spreading to form an RF wave with respect to the user's face. The RF wave incident to the user's face may be reflected by the face, and thus a reflected wave may be formed. The electronic device 100 may detect a characteristic of the received reflected wave, and may perform user authentication according to whether the detected characteristic corresponds to a previously stored characteristic. For example, the electronic device 100 may analyze a reflected wave with respect to an RF wave of a THz band, and thus may acquire a high-resolution, high-precision image. The electronic device 100 may acquire an image of the invisible light region. Accordingly, the electronic device 100 may acquire a high-resolution image even in a low-light environment. The electronic device 100 may perform user authentication by acquiring a high-resolution image for 3D fingerprint, iris, and facial recognition. The high-definition image technology may be provided to a user by using a high-definition image even in a foggy environment, or may be used in an electric field of a vehicle, such as performing automatic driving. High-precision imaging technology may also be used to more accurately determine a three-dimensional printing target. For example, the electronic device 100 forms an RF wave toward the user's skin, and uses the reflected wave to detect the skin condition (eg, dead skin cells in pores, trouble, dryness, disease, skin damage, etc.) can judge The electronic device 100 may analyze the epidermis, tissue, hair root, sweat gland, and skin hydration level, and may provide a skin care method corresponding thereto. Alternatively, the electronic device 100 may diagnose a skin disease according to skin information. The electronic device 100 may also perform disease self-diagnosis using big data. In various embodiments, the electronic device 100 may receive an RF wave formed from another electronic device that has passed through an object or gas. For example, another electronic device may form an RF wave toward food, medicine, cosmetics, and the atmosphere. When the RF wave is in the THz band, the RF wave may be received by the electronic device 100 through a corresponding object or gas. The electronic device 100 may analyze the characteristics of the received RF wave to determine, for example, the freshness or spoilage of foodstuffs, medicines, and cosmetics, the concentration of harmful gases in the atmosphere, the concentration of fine dust, the distribution of pests, and the like. have. When the electronic device 100 is implemented as an air purifier, a cleaning operation may be performed according to the determination result. When the electronic device 100 is implemented as a robot cleaner, a cleaning-related operation may be performed according to the determination result. For example, the electronic device 100 may form an RF wave in a refrigerator capable of storing fermented food, and the RF wave may be detected by a receiving circuit through a gas generated from the fermented food. The electronic device 100 may determine the degree of fermentation of the fermented food based at least on the reception result. For example, the electronic device 100 may be configured to transmit an RF wave to the human body, and may determine precise body shape and dimension information by analyzing the transmitted RF wave. Alternatively, the electronic device 100 may transmit an RF wave through an object to perform content analysis, 3D character analysis, symbol analysis, and the like of an invisible package. For example, the electronic device 100 may obtain various biometric information such as human blood flow, non-invasive blood sugar, heart rate, electrocardiogram, facial muscle displacement, etc. by analyzing the reflected wave, and at least based on the acquired biometric information Thus, it is possible to determine the analyzed psychological state of the user. The electronic device 100 may provide content (eg, music, art, literature, novel, etc.) corresponding to the user's psychological state or provide the user's psychological state to another user.

도 15b는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.15B is a flowchart illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;

다양한 실시예에 따라서, 전자 장치(100)는, 1511 동작에서, 통신 데이터를 수신할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는, 다른 전자 장치와 THz 대역에서의 통신을 수행할 수 있다. 1513 동작에서, 전자 장치(100)는, 통신 데이터를 변조하여, 제 1 특성의 RF 웨이브를 형성할 수 있다. 다른 전자 장치는, 제 1 특성의 RF 웨이브를 수신하고, 이를 복조하여 통신 데이터를 획득할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)가 THz 대역에서 통신을 수행하는 경우에, 200Gbps 의 데이터 레이트를 가지는 고속 통신을 수행할 수 있다. 이 경우, 밴드위쓰(bandwidth) 또한 60 GHz 이상일 수도 있으며, 어레이의 크기는 5 X 5 mm2 이하로 소형 제작이 가능할 수 있다. 이에 따라, 무선 TV와 같은 전자 장치(100) 고화질을 위한 대용량 데이터를 수신할 수도 있다. 아울러, 홈 네트워크 환경에서의 다양한 전자 장치들 사이에서 상대적으로 고용량의 정보가 송수신될 수 있다 . 다양한 실시예에 따라서, THz 대역의 RF 웨이브를 형성하는 모바일 단말 장치로, 특정 물체의 신선도, 부패도를 측정하고, 물품 정보(예: 바코드 정보)를 판단하고, 다른 전자 장치와 통신을 수행하고, 결재를 위한 근거리 통신을 수행할 수도 있다. 특히, 하나의 RF 웨이브 형성 및 처리 모듈을 포함한 전자 장치(100)가, 상술한 다양한 동작을 수행함에 따라, 소형 제작이 가능할 수 있다 . 다양한 실시예에 따라서, 전자 장치(100)는 로봇 또는 드론의 형태로 구현될 수도 있다. 전자 장치(100)는, 주변 환경에 대한 고정밀 이미지를 획득하여, 이를 이용하여 지형 분석, 장애물 위치 판단, 경로 분석 등을 수행할 수도 있다. 또는, 전자 장치(100)는, 사용자 생체 정보 또는 행동 패턴을 분석하여, 이에 대응하여 동작할 수도 있다. 생체 정보 또는 행동 패턴에 대한 인식 과정에서는, 머신 러닝에 의한 분류 알고리즘이 이용될 수도 있다. According to various embodiments, the electronic device 100 may receive communication data in operation 1511 . For example, the electronic device 100 may perform communication with another electronic device in a THz band. In operation 1513 , the electronic device 100 modulates communication data to form an RF wave having a first characteristic. Another electronic device may receive the RF wave of the first characteristic and demodulate it to obtain communication data. For example, when the electronic device 100 performs communication in the THz band, high-speed communication having a data rate of 200 Gbps may be performed. In this case, the bandwidth may also be 60 GHz or more, and the size of the array may be 5 X 5 mm 2 or less, and small production may be possible. Accordingly, the electronic device 100 such as a wireless TV may receive large-capacity data for high quality. In addition, relatively high-capacity information may be transmitted/received between various electronic devices in a home network environment. According to various embodiments, a mobile terminal device that forms an RF wave in the THz band, measures the freshness and perishability of a specific object, determines product information (eg, barcode information), performs communication with other electronic devices, and , it is also possible to perform short-distance communication for payment. In particular, as the electronic device 100 including one RF wave forming and processing module performs the various operations described above, it may be possible to manufacture a small size. According to various embodiments, the electronic device 100 may be implemented in the form of a robot or a drone. The electronic device 100 may obtain a high-precision image of the surrounding environment and perform topographic analysis, obstacle position determination, path analysis, and the like using the obtained high-precision image. Alternatively, the electronic device 100 may analyze the user's biometric information or a behavior pattern and operate in response thereto. In the recognition process for biometric information or behavior patterns, a classification algorithm by machine learning may be used.

도 16은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 도면이다.16 is a diagram of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure;

도 16에 도시된 바와 같이, 전자 장치(1600)는, 스마트 폰과 같은 모바일 단말 장치로 구현될 수 있다. 전자 장치(1600)는, 메타 물질 구조를 포함하는 셀 어레이를 포함할 수 있으며, 이에 따라 비교적 소형인 모바일 단말 장치 또한 빔 스프레딩된 RF 웨이브(1601) 또는 빔 포밍된 RF 웨이브(1602)를 형성할 수도 있다.As shown in FIG. 16 , the electronic device 1600 may be implemented as a mobile terminal device such as a smart phone. The electronic device 1600 may include a cell array including a meta-material structure, and thus a relatively small mobile terminal device also forms a beam-spreaded RF wave 1601 or a beam-formed RF wave 1602 . You may.

본 문서에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구성된 유닛을 포함하며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로 등의 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)으로 구성될 수 있다. As used herein, the term “module” includes a unit composed of hardware, software, or firmware, and may be used interchangeably with terms such as, for example, logic, logic block, component, or circuit. A module may be an integrally formed part or a minimum unit or a part of one or more functions. For example, the module may be configured as an application-specific integrated circuit (ASIC).

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 컴퓨터)로 읽을 수 있는 저장 매체(machine-readable storage media)에 저장된 명령어를 포함하는 소프트웨어로 구현될 수 있다. 기기는, 저장 매체로부터 저장된 명령어를 호출하고, 호출된 명령어에 따라 동작이 가능한 장치로서, 개시된 실시예들에 따른 전자 장치를 포함할 수 있다. 상기 명령이 프로세서에 의해 실행될 경우, 프로세서가 직접, 또는 상기 프로세서의 제어하에 다른 구성요소들을 이용하여 상기 명령에 해당하는 기능을 수행할 수 있다. 명령은 컴파일러 또는 인터프리터에 의해 생성 또는 실행되는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장매체는, 비일시적(non-transitory) 저장매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장매체가 신호(signal)를 포함하지 않으며 실재(tangible)한다는 것을 의미할 뿐 데이터가 저장매체에 반영구적 또는 임시적으로 저장됨을 구분하지 않는다.Various embodiments of the present document may be implemented as software including instructions stored in a machine-readable storage medium (eg, a computer). The device is a device capable of calling a command stored from a storage medium and operating according to the called command, and may include the electronic device according to the disclosed embodiments. When the instruction is executed by the processor, the processor may perform a function corresponding to the instruction by using other components directly or under the control of the processor. Instructions may include code generated or executed by a compiler or interpreter. The device-readable storage medium may be provided in the form of a non-transitory storage medium. Here, 'non-transitory' means that the storage medium does not include a signal and is tangible, and does not distinguish that data is semi-permanently or temporarily stored in the storage medium.

일시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory (CD-ROM))의 형태로, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 온라인으로 배포될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the method according to various embodiments disclosed in this document may be included and provided in a computer program product. Computer program products may be traded between sellers and buyers as commodities. The computer program product may be distributed in the form of a machine-readable storage medium (eg, compact disc read only memory (CD-ROM)) or online through an application store (eg, Play Store™). In the case of online distribution, at least a portion of the computer program product may be temporarily stored or temporarily generated in a storage medium such as a memory of a server of a manufacturer, a server of an application store, or a relay server.

다양한 실시예에 따라서, 명령들을 저장하고 있는 저장 매체가 제공될 수 있다. 상기 명령들은 적어도 하나의 회로에 의하여 실행될 때에 상기 적어도 하나의 회로로 하여금 적어도 하나의 동작을 수행하도록 설정된 것으로서, 상기 적어도 하나의 동작은 RF 웨이브의 형성 조건을 판단하는 동작 및 상기 RF 웨이브의 형성 조건에 대응하여, 복수 개의 셀 각각의 위상 특성을 조정하는 동작을 포함할 수 있다.According to various embodiments, a storage medium storing instructions may be provided. The instructions are configured to cause the at least one circuit to perform at least one operation when executed by the at least one circuit, wherein the at least one operation includes determining a condition for forming an RF wave and a condition for forming the RF wave. In response, the operation may include adjusting a phase characteristic of each of the plurality of cells.

다양한 실시예들에 따른 구성 요소(예: 모듈 또는 프로그램) 각각은 단수 또는 복수의 개체로 구성될 수 있으며, 전술한 해당 서브 구성 요소들 중 일부 서브 구성 요소가 생략되거나, 또는 다른 서브 구성 요소가 다양한 실시예에 더 포함될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 일부 구성 요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 개체로 통합되어, 통합되기 이전의 각각의 해당 구성 요소에 의해 수행되는 기능을 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따른, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성 요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적, 병렬적, 반복적 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 적어도 일부 동작이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 다른 동작이 추가될 수 있다.Each of the components (eg, a module or a program) according to various embodiments may be composed of a singular or a plurality of entities, and some sub-components of the aforementioned sub-components may be omitted, or other sub-components may be It may be further included in various embodiments. Alternatively or additionally, some components (eg, a module or a program) may be integrated into a single entity to perform the same or similar functions performed by each corresponding component prior to integration. According to various embodiments, operations performed by a module, program, or other component are executed sequentially, parallel, iteratively, or heuristically, or at least some operations are executed in a different order, are omitted, or other operations are added. can be

Claims (20)

전자 장치에 있어서,
전력 소스;
복수 개의 셀을 포함하는 셀 어레이; 및
상기 전력 소스로부터 수신한 전력을 이용하여 RF 웨이브를 형성하는 복수 개의 안테나들 - 상기 복수 개의 안테나들은 각각 상기 복수 개의 셀 각각에 대응되도록 배치됨 -; 및
프로세서
를 포함하고,
상기 프로세서는,
상기 RF 웨이브의 형성 조건을 판단하고,
상기 RF 웨이브의 형성 조건에 대응하여, 상기 복수 개의 셀 각각의 위상 특성을 조정하도록 설정되고,
상기 복수 개의 셀 각각의 위상 특성을 조정하기 위해 상기 프로세서는,
상기 복수 개의 안테나 각각으로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정함으로써, 상기 복수 개의 셀 각각의 상기 위상 특성을 조정하도록 설정되는 전자 장치.
In an electronic device,
power source;
a cell array including a plurality of cells; and
a plurality of antennas forming an RF wave using the power received from the power source, the plurality of antennas being disposed to correspond to each of the plurality of cells; and
processor
including,
The processor is
Determining the conditions for forming the RF wave,
is set to adjust the phase characteristics of each of the plurality of cells in response to the formation condition of the RF wave,
In order to adjust the phase characteristics of each of the plurality of cells, the processor,
The electronic device is configured to adjust the phase characteristic of each of the plurality of cells by adjusting at least one of a magnitude of a current or a magnitude of a voltage of an electrical signal input to each of the plurality of antennas.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
제 1 지점에 대하여 상기 RF 웨이브를 빔 포밍할 것을 판단하고,
상기 제 1 지점에 대응하는, 상기 복수 개의 셀 각각에서의 상기 위상 특성의 조정 정도를 판단하고,
상기 판단된 복수 개의 셀 각각에서의 상기 조정 정도에 대응하여, 상기 복수 개의 안테나 각각으로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정하도록 설정된 전자 장치.
The method of claim 1,
The processor is
Determining to beam-form the RF wave with respect to a first point,
Determining the degree of adjustment of the phase characteristic in each of the plurality of cells, corresponding to the first point,
The electronic device is configured to adjust at least one of a magnitude of a current or a magnitude of a voltage of an electrical signal input to each of the plurality of antennas in response to the determined degree of adjustment in each of the plurality of cells.
제 1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
제 1 면적에 대하여 상기 RF 웨이브를 빔 스프레딩할 것을 판단하고,
상기 제 1 면적에 대응하는, 상기 복수 개의 셀 각각에서의 상기 위상 특성의 조정 정도를 판단하고,
상기 판단된 복수 개의 셀 각각에서의 상기 조정 정도에 대응하여, 상기 복수 개의 안테나 각각으로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정하도록 설정된 전자 장치.
The method of claim 1,
The processor is
determining to beam-spread the RF wave with respect to a first area;
determining the degree of adjustment of the phase characteristic in each of the plurality of cells corresponding to the first area;
The electronic device is configured to adjust at least one of a magnitude of a current or a magnitude of a voltage of an electrical signal input to each of the plurality of antennas in response to the determined degree of adjustment in each of the plurality of cells.
제 1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
원형 편파를 형성할 것을 판단하고,
상기 원형 편파에 대응하는, 상기 복수 개의 셀 각각에서의 상기 위상 특성의 조정 정도를 판단하고,
상기 판단된 복수 개의 셀 각각에서의 상기 조정 정도에 대응하여, 상기 복수 개의 안테나 각각으로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정하도록 설정된 전자 장치.
The method of claim 1,
The processor is
Judging to form a circular polarization,
Determining the degree of adjustment of the phase characteristic in each of the plurality of cells, corresponding to the circular polarization,
The electronic device is configured to adjust at least one of a magnitude of a current or a magnitude of a voltage of an electrical signal input to each of the plurality of antennas in response to the determined degree of adjustment in each of the plurality of cells.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 복수 개의 셀을 포함하는 전자 장치의 동작 방법에 있어서,
RF 웨이브의 형성 조건을 판단하는 동작; 및
상기 RF 웨이브의 형성 조건에 대응하여, 상기 복수 개의 셀 각각의 위상 특성을 조정하는 동작을 포함하고,
상기 전자 장치는, 각각이 상기 복수 개의 셀 각각에 대응되도록 배치되는 복수 개의 안테나를 포함하며,
상기 복수 개의 셀 각각의 위상 특성을 조정하는 동작은, 상기 복수 개의 안테나 각각으로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정함으로써, 상기 복수 개의 셀 각각의 상기 위상 특성을 조정하는 동작인 전자 장치의 동작 방법.
A method of operating an electronic device including a plurality of cells, the method comprising:
determining a condition for forming an RF wave; and
In response to the formation condition of the RF wave, comprising the operation of adjusting the phase characteristics of each of the plurality of cells,
The electronic device includes a plurality of antennas, each of which is arranged to correspond to each of the plurality of cells,
The adjusting the phase characteristic of each of the plurality of cells may include adjusting at least one of a magnitude of a current or a magnitude of a voltage of an electrical signal input to each of the plurality of antennas, thereby increasing the phase characteristic of each of the plurality of cells. An operation method of an electronic device that is an operation of adjusting.
삭제delete 제 15 항에 있어서,
상기 복수 개의 셀 각각의 위상 특성을 조정하는 동작은,
제 1 지점에 대하여 상기 RF 웨이브를 빔 포밍할 것을 판단하는 동작;
상기 제 1 지점에 대응하는, 상기 복수 개의 셀 각각에서의 상기 위상 특성의 조정 정도를 판단하는 동작; 및
상기 판단된 복수 개의 셀 각각에서의 상기 조정 정도에 대응하여, 상기 복수 개의 안테나 각각으로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정하는 동작
을 포함하는 전자 장치의 동작 방법.
16. The method of claim 15,
The operation of adjusting the phase characteristics of each of the plurality of cells comprises:
determining whether to beamform the RF wave with respect to a first point;
determining an adjustment degree of the phase characteristic in each of the plurality of cells, corresponding to the first point; and
Adjusting at least one of the magnitude of the current or the magnitude of the voltage of the electrical signal input to each of the plurality of antennas in response to the determined degree of adjustment in each of the plurality of cells
A method of operating an electronic device comprising a.
제 15 항에 있어서,
상기 복수 개의 셀 각각의 위상 특성을 조정하는 동작은,
제 1 면적에 대하여 상기 RF 웨이브를 빔 스프레딩할 것을 판단하는 동작;
상기 제 1 면적에 대응하는, 상기 복수 개의 셀 각각에서의 상기 위상 특성의 조정 정도를 판단하는 동작; 및
상기 판단된 복수 개의 셀 각각에서의 상기 조정 정도에 대응하여, 상기 복수 개의 안테나 각각으로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정하는 동작
을 포함하는 전자 장치의 동작 방법.
16. The method of claim 15,
The operation of adjusting the phase characteristics of each of the plurality of cells comprises:
determining whether to beam-spread the RF wave with respect to a first area;
determining an adjustment degree of the phase characteristic in each of the plurality of cells corresponding to the first area; and
Adjusting at least one of the magnitude of the current or the magnitude of the voltage of the electrical signal input to each of the plurality of antennas in response to the determined degree of adjustment in each of the plurality of cells
A method of operating an electronic device comprising a.
제 15 항에 있어서,
상기 복수 개의 셀 각각의 위상 특성을 조정하는 동작은,
원형 편파를 형성할 것을 판단하는 동작;
상기 원형 편파에 대응하는, 상기 복수 개의 셀 각각에서의 상기 위상 특성의 조정 정도를 판단하는 동작; 및
상기 판단된 복수 개의 셀 각각에서의 상기 조정 정도에 대응하여, 상기 복수 개의 안테나 각각으로 입력되는 전기적인 신호의 전류의 크기 또는 전압의 크기 중 적어도 하나를 조정하는 동작
을 포함하는 전자 장치의 동작 방법.
16. The method of claim 15,
The operation of adjusting the phase characteristics of each of the plurality of cells comprises:
determining to form a circularly polarized wave;
determining an adjustment degree of the phase characteristic in each of the plurality of cells corresponding to the circular polarization; and
Adjusting at least one of the magnitude of the current or the magnitude of the voltage of the electrical signal input to each of the plurality of antennas in response to the determined degree of adjustment in each of the plurality of cells
A method of operating an electronic device comprising a.
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