KR102437429B1 - 디스플레이 장치의 전자 이동도 측정 모듈 및 방법 - Google Patents

디스플레이 장치의 전자 이동도 측정 모듈 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치의 전자 이동도 측정 모듈 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제2 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 오프 시켜 센싱 오차를 감소시키기 위한 디스플레이 장치의 전자 이동도 측정 모듈 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 이동도 측정 모듈은 전압 공급부 및 측정부를 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치는 패널, 제1 화소 회로 및 제2 화소 회로, 기준 라인, 전압 공급부 및 측정부를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 이동도 측정 모듈에 따르면, 전자 이동도 센싱 오차를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

디스플레이 장치의 전자 이동도 측정 모듈 및 방법{Module and method for measuring mobility of display apparatus}
본 발명은 디스플레이 장치의 전자 이동도 측정 모듈 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제2 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 오프 시켜 센싱 오차를 감소시키기 위한 디스플레이 장치의 전자 이동도 측정 모듈 및 방법에 관한 것이다.
본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라, 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 평판 표시 장치(Flat Display Device)와 관련한 기술이 급속도로 발전하고 있다. 특히, 평판 표시 장치의 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등을 위한 연구가 계속되고 있다.
평판 표시 장치에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device; LCD), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel device; PDP), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display device; FED), 전기 발광 표 시 장치(Electro Luminescence Display device; ELD), 전기 습윤 표시 장치(Electro-Wetting Display device; EWD) 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display device; OLED) 등이 있다.
이 중 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 소자인 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)를 이용하여 화상을 표시하는 장치이다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 서로 다른 색상의 광을 방출하는 둘 이상의 유기 발광 다이오드를 포함함으로써, 별도의 컬러 필터를 구비하지 않고도 컬러화상을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 별도의 광원이 불필요하여 액정 표시 장치보다 소형화, 박형화 및 경량화에 유리하고, 시야각이 넓은 장점이 있다. 또한, 액정 표시 장치보다 1000배 이상 빠른 반응속도를 나타내어 잔상이 적은 장점이 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 영상을 구현하기 위하여 유기 발광 다이오드에 전류를 인가하여야 한다. 따라서, 유기 발광 다이오드에 전류를 인가하기 위한 화소 회로가 필수적이며, 화소 회로는 고유의 발광물질 또는 편광물질을 사이에 둔 한 쌍의 기판이 대면 합착된 구조를 갖는다.
도 1은 종래의 화소 회로를 도시한 도면이다. 도 1을 참조하면, 데이터 라인(11)에 인가된 전압이 제1 트랜지스터(12)를 통해 게이트 노드에 전달된다. 그 후, 캐패시터(13)는 게이트 노드에 전달된 전압을 저장하고, 캐패시터(13)는 저장된 전압을 제2 트랜지스터(14)에 인가한다. 제2 트랜지스터(14)에 전압이 인가되면, 제2 트랜지스터(14)는 턴 온 되고, 제2 트랜지스터(14)의 드레인 단에서 소스 단으로 전류가 흐른다. 제2 트랜지스터(14)의 드레인 단에서 소스 단으로 흐르는 전류는 유기 발광 다이오드(15)를 구동 시킨다.
종래의 화소 회로(10)에 포함된 유기 발광 다이오드(15)는 제2 트랜지스터(14)를 통해 흐르는 전류에 의해 제어되는 소자이다. 따라서, 제2 트랜지스터(14)를 통해 흐르는 전류가 일정하지 않으면 유기 발광 다이오드(15)의 휘도가 변하는 문제점이 발생한다. 제2 트랜지스터(14)를 통해 흐르는 전류는 제2 트랜지스터(14)의 전자 이동도와 관련이 있으므로, 상술한 문제점을 미연에 방지하기 위해 전자 이동도를 측정할 필요가 있다.
다만, 종래의 화소 회로(10)에 따르면 전자 이동도를 측정하기 위해 다수의 트랜지스터를 화소 회로(10)에 추가하여야 하고, 이와 같은 다수의 트랜지스터는 화소의 개구율을 저하시키는 문제점이 있다. 또한, 종래의 화소 회로(10)에 따르면 전자 이동도 측정 시 화소 간의 기준 라인을 공유함에 따라 비센싱 화소에 흐르는 전류의 영향을 받는다는 문제점이 있다. 또한, 종래의 화소 회로(10)에 따르면 비센싱 화소에 흐르는 전류로 인하여 전자 이동도 측정 결과의 신뢰성이 떨어진다는 문제점이 있다.
본 발명은 제2 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 오프 시켜 전자 이동도 센싱 오차를 감소시키기 위한 디스플레이 장치의 전자 이동도 측정 모듈 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 턴 오프 전압보다 큰 기준 전압을 제2 화소 회로에 인가함으로써 제2 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 오프 시키기 위한 디스플레이 장치의 전자 이동도 측정 모듈 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 제 1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터의 전자 이동도를 측정하기 위한 디스플레이 장치의 전자 이동도 측정 모듈 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 캐패시터를 이용함으로써 노이즈를 줄일 수 있는 디스플레이 장치의 전자 이동도 측정 모듈 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 캐패시터를 이용하여 노이즈를 줄임으로써 유기 발광 다이오드의 휘도를 일정하게 유지할 수 있는 디스플레이 장치의 전자 이동도 측정 모듈 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 캐패시터가 드라이빙 트랜지스터에 저장 전압을 인가함으로써 드라이빙 트랜지스터를 턴 온 시킬 수 있는 디스플레이 장치의 전자 이동도 측정 모듈 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
전술한 바와 같이, 종래의 화소 회로에 따르면 전자 이동도를 측정하기 위해 다수의 트랜지스터를 화소 회로에 추가하여야 하고, 이와 같은 다수의 트랜지스터는 화소의 개구율을 저하시키는 문제점이 있다. 또한, 종래의 화소 회로에 따르면 전자 이동도 측정 시 화소 간의 기준 라인을 공유함에 따라 비센싱 화소에 흐르는 전류의 영향을 받는다는 문제점이 있다. 또한, 종래의 화소 회로에 따르면 비센싱 화소에 흐르는 전류로 인하여 전자 이동도 측정 결과의 신뢰성이 떨어진다는 문제점이 있다.
따라서, 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 턴 오프 전압 보다 큰 기준 전압을 제2 화소 회로에 인가하는 전자 이동도 측정 모듈을 제공한다. 또한, 본 발명은 제1 화소 회로 및 제2 화소 회로를 포함하고, 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터의 전자 이동도를 측정할 수 있는 디스플레이 장치를 제공한다.
여기서, 화소 회로는 스캔 트랜지스터, 캐패시터, 드라이빙 트랜지스터 및 센스 트랜지스터를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 화소 회로의 데이터 라인에 턴 오프 전압이 인가되고, 제2 화소 회로의 기준 라인에 기준 전압이 인가되면, 제2 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터가 턴 오프 될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 화소 회로를 턴 오프 시킴으로써 제2 화소 회로에 흐르는 누설 전류를 줄일 수 있다. 또한, 제2 화소 회로에 흐르는 누설 전류를 줄임으로써 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터의 전자 이동도 측정 오차를 줄일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치는 패널, 제1 화소 회로 및 제2 화소 회로, 기준 라인, 전압 공급부 및 측정부를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자 이동도 측정 방법은 제1 화소 회로의 스캔 트랜지스터 및 센스 트랜지스터를 턴 온 시키는 단계, 제2 화소 회로의 스캔 트랜지스터 및 센스 트랜지스터를 턴 온 시키는 단계, 게이트 노드 초기화 전압을 인가하는 단계, 턴 오프 전압을 인가하는 단계, 기준 전압을 인가하는 단계, 제2 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 오프 시키는 단계, 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 온 시키는 단계, 제1 화소 회로의 소스 노드의 전압을 측정하는 단계 및 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터의 전자 이동도를 측정하는 단계를 포함할 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명에 의하면 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터의 전자 이동도를 측정할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 하나의 트랜지스터만을 화소 회로에 추가함으로써 화소의 개구율을 감소시키지 않는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 턴 오프 전압보다 큰 기준 전압을 제2 화소 회로에 인가함으로써 제2 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 오프 시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 제2 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 오프 시킴으로써 제2 화소 회로의 누설 전류를 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 제2 화소 회로의 누설 전류를 줄임으로써 제1 회소 회로의 전자 이동도 센싱 오차를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 캐패시터가 데이터 라인으로부터 인가되는 전압을 평활화함으로써 노이즈를 필터링하는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 노이즈를 필터링함으로써 유기 발광 다이오드의 휘도를 일정하게 유지하는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 캐패시터가 교류 전압을 직류 전압으로 변경함으로써 유기 발광 다이오드의 휘도를 일정하게 유지하는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 캐패시터가 저장 전압을 저장함으로써 드라이빙 트랜지스터에 일정한 전압을 인가할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류 값을 일정하게 유지함으로써 유기 발광 다이오드의 수명을 연장할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 화소 회로를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 이동도 측정 모듈이 데이터 라인 및 기준 라인에 전압을 인가하는 과정을 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 이동도 측정 모듈이 게이트 라인에 전압을 인가하는 과정을 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 화소 회로에 인가되는 전압을 도시한 그래프.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 화소 회로에 인가되는 전압을 도시한 그래프.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자 이동도 측정 방법을 도시한 순서도.
전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 이동도 측정 모듈이 데이터 라인 및 기준 라인에 전압을 인가하는 과정을 도시한 도면이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 이동도 측정 모듈이 게이트 라인에 전압을 인가하는 과정을 도시한 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 이동도 측정 모듈은 전압 공급부(1100) 및 측정부(1200)를 포함하여 구성될 수 있다. 도 2 및 도 3에 도시된 전자 이동도 측정 모듈은 일 실시예에 따른 것이고, 그 구성요소들이 도 2 및 도 3에 도시된 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 일부 구성요소가 부가, 변경 또는 삭제될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 화소 회로(100)에 인가되는 전압을 도시한 그래프이이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 화소 회로(200)에 인가되는 전압을 도시한 그래프이다. 이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 이동도 측정 모듈을 설명하도록 한다.
전압 공급부(1100)는 제1 화소 회로(100)의 데이터 라인(110)에는 게이트 노드 초기화 전압을 인가하고, 제2 화소 회로(200)의 데이터 라인(210)에는 턴 오프 전압을 인가할 수 잇다. 또한, 전압 공급부(1100)는 제1 화소 회로(100)의 기준 라인(120) 및 제2 화소 회로(200)의 기준 라인(220)에는 기준 전압을 인가할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전압 공급부(1100)는 턴 오프 전압보다 큰 기준 전압을 인가함으로써 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)를 턴 오프 시킬 수 있다. 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)가 턴 오프 되면 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)의 누설 전류가 감소하므로, 제1 화소 회로(100)의 드라이빙 트랜지스터(170)의 전자 이동도 측정 오차를 줄일 수 있다.
일 실시예로 전압 공급부(1100)는 데이터 드라이버 또는 게이트 드라이버 일 수 있다. 데이터 드라이버는 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)의 데이터 라인(110, 210) 및 기준 라인(120, 220)과 연결되어 게이트 노드 초기화 전압, 턴 오프 전압 및 기준 전압을 인가할 수 있다. 한편, 게이트 드라이버는 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)의 게이트 라인(190)과 연결되어 온 전압을 인가할 수 있다. 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)에 온 전압이 인가되면 스캔 트랜지스터(130, 230) 또는 센스 트랜지스터(180, 280)가 턴 온 된다.
게이트 노드 초기화 전압은 전자 이동도 측정 전에 제1 화소 회로(100)의 게이트 노드(140)에 인가되는 전압이다. 턴 오프 전압은 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)를 턴 오프 시키기 위해 제2 화소 회로(200)의 게이트 노드(240)에 인가되는 전압이다. 한편, 기준 전압은 제1 화소 회로(100)의 기준 라인(120) 및 제2 화소 회로(200)의 기준 라인(220)에 인가되는 전압이다. 게이트 노드 초기화 전압, 턴 오프 전압 및 기준 전압이 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)로 인가되는 과정은 후술하도록 한다.
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)는 데이터 라인(110, 210), 게이트 라인(190) 및 게이트 노드(140, 240)와 연결되는 스캔 트랜지스터(130, 230)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)는 게이트 노드(140, 240) 및 소스 노드(160, 260)와 연결되는 캐패시터(150, 250), 게이트 노드(140, 240) 및 소스 노드(160, 260)와 연결되어 캐패시터(150, 250)와 병렬로 배치되는 드라이빙 트랜지스터(170, 270)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)는 소스 노드(160, 260), 게이트 라인(190) 및 기준 라인(120, 220)과 연결되는 센스 트랜지스터(180, 280)를 포함할 수 있다. 도 2 및 도 3에 도시된 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)는 일 실시예에 따른 것이고, 그 구성요소들이 도 2 및 도 3에 도시된 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 일부 구성요소가 부가, 변경 또는 삭제될 수 있다.
먼저, 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 이동도 측정 모듈이 제1 화소 회로(100)의 전자 이동도를 측정하는 과정을 설명한다. 제1 화소 회로(100)의 스캔 트랜지스터(130) 및 센스 트랜지스터(180)는 전압 공급부(1100)가 게이트 라인(190)에 온 전압을 인가하면 턴 온 될 수 있다. 스캔 트랜지스터(130) 및 센스 트랜지스터(180)가 턴 온 되면, 스캔 트랜지스터(130) 및 센스 트랜지스터(180)의 드레인 단에 인가된 전압이 스캔 트랜지스터(130) 및 센스 트랜지스터(180)의 소스 단으로 전달될 수 있다. 반대로, 스캔 트랜지스터(130) 및 센스 트랜지스터(180)가 턴 온 상태가 되면, 스캔 트랜지스터(130) 및 센스 트랜지스터(180)의 소스 단에 인가된 전압이 스캔 트랜지스터(130) 및 센스 트랜지스터(180)의 드레인 단으로 전달될 수 있다.
일 실시예로, 제1 화소 회로(100)의 스캔 트랜지스터(130)가 턴 온 되면, 제1 화소 회로(100)의 스캔 트랜지스터(130)는 게이트 노드 초기화 전압을 게이트 노드(140)에 인가할 수 있다. 한편, 제1 화소 회로(100)의 센스 트랜지스터(180)가 턴 온 되면, 제1 화소 회로(100)의 센스 트랜지스터(180)는 기준 전압을 소스 노드(160)에 인가할 수 있다. 게이트 노드 초기화 전압과 기준 전압이 인가되면, 게이트 노드(140)와 소스 노드(160)의 전압 차이는 게이트 노드 초기화 전압과 기준 전압 간의 차이가 된다.
그 다음, 캐패시터(150)는 게이트 노드 초기화 전압과 기준 전압 간의 차에 대응되는 저장 전압을 저장할 수 있고, 드라이빙 트랜지스터(170)는 게이트 노드(140) 및 소스 노드(160)에 저장 전압이 인가되면 턴 온 될 수 있다. 또한, 드라이빙 트랜지스터(170)는 유기 발광 다이오드에 전류를 인가하여 유기 발광 다이오드를 턴 온 시킬 수 있다.
보다 구체적으로, 전압 공급부(1100)가 게이트 라인(190)에 온 전압을 인가하여 스캔 트랜지스터(130)를 턴 온 시킨다. 그 다음, 게이트 노드 초기화 전압을 데이터 라인(110)에 인가하면 스캔 트랜지스터(130)를 통해 게이트 노드 초기화 전압이 전달된다. 도 4를 참조하면 그래프(430)와 그래프(460)가 상술한 과정에 해당하고, 게이트 노드 초기화 전압은 12V일 수 있다.
그 후, 전압 공급부(1100)가 게이트 라인(190)에 온 전압을 인가하여 센스 트랜지스터(180)를 턴 온 시키면, 기준 라인(120)에 인가된 기준 전압이 소스 노드(160)로 인가된다. 도 4에서 그래프(440)와 그래프(470)가 상술한 과정에 해당하고, 기준 전압은 2V일 수 있다. 도 4에서 소스 노드(160)의 전압은 센스 트랜지스터(180)가 턴 온 됨에 따라 기준 라인(120)의 전압과 동일하게 된다.
그 다음, 캐패시터(150)는 게이트 노드 초기화 전압과 기준 전압의 차이인 저장 전압을 저장한다. 캐패시터(150)가 드라이빙 트랜지스터(170)에 저장전압을 인가하면, 드라이빙 트랜지스터(170)는 턴 온 되고, 드라이빙 트랜지스터(170)의 드레인 단에서 소스 단으로 전류가 흐르게 된다. 드라이빙 트랜지스터(170)를 통해 흐르는 전류는 유기 발광 다이오드를 턴 온 시킬 수 있다.
그 다음, 측정부(1200)는 제1 화소 회로(100)에 포함된 드라이빙 트랜지스터(170)의 전자 이동도를 측정한다. 측정부(1200)는 제1 화소 회로(100)에 연결될 수도 있고, 소스 노드에 직접 연결될 수도 있다. 측정부(1200)는 소스 노드(160)의 전압 값 또는 전류 값에 기초하여 드라이빙 트랜지스터(170)의 전자 이동도를 측정할 수 있다. 예를 들어, 측정부(1200)는 하기의 <수학식 1>에 따라 전자 이동도를 측정할 수도 있으며, 측정부(1200)가 전자 이동도를 측정하는 방법은 이에 한정하지 않는다.
<수학식 1>
Figure 112015116162692-pat00001
<수학식 1> 에서 IOLED는 드라이빙 트랜지스터(170)에 흐르는 전류, COX는 드라이빙 트랜지스터(170)의 캐패시턴스, μ는 드라이빙 트랜지스터(170)의 전자 이동도, W는 드라이빙 트랜지스터(170)의 폭, L은 드라이빙 트랜지스터(170)의 길이, VGS는 드라이빙 트랜지스터(170)의 게이트 단과 소스 단 사이의 전압, VTH는 드라이빙 트랜지스터(170)의 문턱 전압을 의미한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 이동도 측정 모듈은 제1 화소 회로(100)의 전자 이동도를 측정하기 전에 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)를 턴 오프 시킬 수 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 이동도 측정 모듈은 제1 화소 회로(100)의 전자 이동도를 측정하는 과정과 동시에 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)를 턴 오프 시킬 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 이동도 측정 모듈은 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)를 턴 오프 시킴으로써, 전자 이동도 측정 오차를 줄일 수 있는데, 이하 도 2 내지 도 4를 참조하여 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)를 턴 오프 시키는 과정을 설명한다.
제2 화소 회로(200)의 스캔 트랜지스터(230) 및 센스 트랜지스터(280)는 전압 공급부(1100)가 게이트 라인(190)에 온 전압을 인가하면 턴 온 될 수 있다. 스캔 트랜지스터(230) 및 센스 트랜지스터(280)가 턴 온 되면, 스캔 트랜지스터(230) 및 센스 트랜지스터(280)의 드레인 단에 인가된 전압이 스캔 트랜지스터(230) 및 센스 트랜지스터(280)의 소스 단으로 전달될 수 있다. 반대로, 스캔 트랜지스터(230) 및 센스 트랜지스터(280)가 턴 온 상태가 되면, 스캔 트랜지스터(230) 및 센스 트랜지스터(280)의 소스 단에 인가된 전압이 스캔 트랜지스터(230) 및 센스 트랜지스터(280)의 드레인 단으로 전달될 수 있다.
일 실시예로, 제2 화소 회로(200)의 스캔 트랜지스터(230)는 제2 화소 회로(200)의 스캔 트랜지스터(230)가 턴 온 되면, 턴 오프 전압을 게이트 노드(240)에 인가할 수 있다. 한편, 제2 화소 회로(200)의 센스 트랜지스터(280)가 턴 온 되면, 제2 화소 회로(200)의 센스 트랜지스터(280)는 기준 전압을 소스 노드(260)에 인가할 수 있다. 턴 오프 전압과 기준 전압이 인가되면, 게이트 노드(240)와 소스 노드(260)의 전압 차이는 턴 오프 전압과 기준 전압 간의 차이가 된다.
제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)는 게이트 노드(240)에 턴 오프 전압이 인가되고, 소스 노드(260)에 기준 전압이 인가되면, 턴 오프 될 수 있다. 보다 구체적으로, 전압 공급부(1100)가 게이트 라인(190)에 온 전압을 인가하여 스캔 트랜지스터(230)를 턴 온 시키고, 턴 오프 전압을 데이터 라인(210)에 인가하면 스캔 트랜지스터(230)를 통해 턴 오프 전압이 전달된다. 도 5를 참조하면 그래프(530)와 그래프(560)가 상술한 과정에 해당하고, 턴 오프 전압은 0.5V일 수 있다.
그 후, 전압 공급부(1100)가 게이트 라인(190)에 온 전압을 인가하여 센스 트랜지스터(280)를 턴 온 시키면, 기준 라인(220)에 인가된 기준 전압이 소스 노드(260)으로 인가된다. 도 5에서 그래프(540)와 그래프(570)가 상술한 과정에 해당하고, 기준 전압은 2V일 수 있다. 도 5에서 소스 노드(260)의 전압은 센스 트랜지스터(280)가 턴 온 됨에 따라 기준 라인(220)의 전압과 동일하게 된다.
결국, 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)의 게이트 단에는 0.5V가 인가되고, 소스 단에는 2V가 인가되므로, 드라이빙 트랜지스터(270)의 게이트 단과 소스 단의 전압 차이는 -1.5V가 된다. 드라이빙 트랜지스터(270)가 턴 온 되기 위해서는 문턱 전압 이상의 전압이 게이트 단과 소스 단에 인가되어야 하는데, 본 발명의 일 실시예에 따르면, -1.5V가 인가되므로 드라이빙 트랜지스터(270)가 턴 오프 된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전압 공급부(1100)는 턴 오프 전압보다 큰 기준 전압을 인가함으로써 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)를 턴 오프 시킬 수 있다. 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)가 턴 오프 되면 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)의 누설 전류가 감소한다. 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)의 누설 전류가 감소하면, 기준 라인(220)의 전압이 증가하지 않는다. 기준 라인(220)의 전압이 증가하지 않으면, 제1 화소 회로(100)의 소스 노드(260)의 전압을 정확하게 측정할 수 있으므로 전자 이동도 측정 오차를 줄일 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(2000)를 도시한 도면이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(2000)는 패널(2100), 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200), 기준 라인(120), 전압 공급부(2200) 및 측정부(2300)를 포함하여 구성될 수 있다. 도 6에 도시된 디스플레이 장치(2000)는 일 실시예에 따른 것이고, 그 구성요소들이 도 6에 도시된 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 일부 구성요소가 부가, 변경 또는 삭제될 수 있다.
일 실시예로 전압 공급부(2200)는 데이터 드라이버 또는 게이트 드라이버 일 수 있다. 데이터 드라이버는 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)의 데이터 라인(110, 210) 및 기준 라인(120, 220)과 연결되어 게이트 노드 초기화 전압, 턴 오프 전압 및 기준 전압을 인가할 수 있다. 한편, 게이트 드라이버는 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)의 게이트 라인(190)과 연결되어 온 전압을 인가할 수 있다. 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)에 온 전압이 인가되면 스캔 트랜지스터(130, 230) 또는 센스 트랜지스터(180, 280)가 턴 온 된다.
도 6을 참조하면, 패널(2100)은 게이트 라인(190), 데이터 라인(110, 210) 및 기준 라인(120)을 포함할 수 있다. 게이트 라인(190)은 패널(2100) 위에 있는 트랜지스터의 게이트 단과 연결되어 트랜지스터를 턴 온 시키기 위한 선이다. 데이터 라인(110, 210)은 트랜지스터의 드레인 단 또는 소스 단과 연결되어 게이트 초기화 전압 또는 턴 오프 전압이 인가되는 선이다. 기준 라인(120)은 소스 노드에 기준 전압을 인가하기 위한 선이다. 제1 화소 회로(100)와 제2 화소 회로(200)는 기준 라인(120)을 통해 연결 될 수 있다. 패널(2100) 위에는 게이트 라인(190)과 데이터 라인(110)이 교차할 수도 있고 평행하게 배치될 수도 있으며, 게이트 라인(190)과 데이터 라인(110)의 모양은 이에 한정하지 않는다.
제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)는 게이트 라인(190) 및 데이터 라인(110, 210)이 교차하는 지점에 위치할 수 있다. 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)는 게이트 라인(190) 및 데이터 라인(110, 210)과 연결되면 되고, 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)의 위치는 게이트 라인(190) 및 데이터 라인(110)의 교차 지점으로 한정하지 않는다. 또한, 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)는 스캔 트랜지스터, 캐패시터, 드라이빙 트랜지스터 및 센스 트랜지스터를 포함하여 구성될 수 있는데, 이는 도 2 및 도 3에 도시된 제1 화소 회로(100) 및 제2 화소 회로(200)와 동일할 수 있다.
먼저, 도 2 내지 도 4, 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(2000)가 제1 화소 회로(100)의 전자 이동도를 측정하는 과정을 설명한다. 제1 화소 회로(100)의 스캔 트랜지스터(130) 및 센스 트랜지스터(180)는 전압 공급부(2200)가 게이트 라인(190)에 온 전압을 인가하면 턴 온 될 수 있다. 스캔 트랜지스터(130) 및 센스 트랜지스터(180)가 턴 온 되면, 스캔 트랜지스터(130) 및 센스 트랜지스터(180)의 드레인 단에 인가된 전압이 스캔 트랜지스터(130) 및 센스 트랜지스터(180)의 소스 단으로 전달될 수 있다. 반대로, 스캔 트랜지스터(130) 및 센스 트랜지스터(180)가 턴 온 상태가 되면, 스캔 트랜지스터(130) 및 센스 트랜지스터(180)의 소스 단에 인가된 전압이 스캔 트랜지스터(130) 및 센스 트랜지스터(180)의 드레인 단으로 전달될 수 있다.
일 실시예로, 제1 화소 회로(100)의 스캔 트랜지스터(130)가 턴 온 되면, 제1 화소 회로(100)의 스캔 트랜지스터(130)는 게이트 노드(140) 초기화 전압을 게이트 노드(140)에 인가할 수 있다. 한편, 제1 화소 회로(100)의 센스 트랜지스터(180)가 턴 온 되면, 제1 화소 회로(100)의 센스 트랜지스터(180)는 기준 전압을 소스 노드(160)에 인가할 수 있다. 게이트 노드 초기화 전압과 기준 전압이 인가되면, 게이트 노드(140)와 소스 노드(160)의 전압 차이는 게이트 노드 초기화 전압과 기준 전압 간의 차이가 된다.
그 다음, 캐패시터(150)는 게이트 노드 초기화 전압과 기준 전압 간의 차에 대응되는 저장 전압을 저장할 수 있고, 드라이빙 트랜지스터(170)는 게이트 노드(140) 및 소스 노드(160)에 저장 전압이 인가되면 턴 온 될 수 있다. 캐패시터(150)가 저장 전압을 인가하여 드라이빙 트랜지스터(170)를 턴 온 시키면, 측정부(2300)는 제1 화소 회로(100)에 포함된 드라이빙 트랜지스터(170)의 전자 이동도를 측정할 수 있다. 측정부(2300)는 제1 화소 회로(100)에 연결될 수도 있고, 소스 노드(160)에 직접 연결될 수도 있다. 또한, 측정부(2300)는 소스 노드(160)의 전압 값 또는 전류 값에 기초하여 드라이빙 트랜지스터(170)의 전자 이동도를 측정할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 캐패시터(150)는 교류 전압을 공급받아 직류 전압으로 바꿀 수 있다. 교류 전압이 디스플레이 장치(2000)에 공급되면 전압의 크기가 일정하지 않기 때문에 디스플레이 장치(2000)가 턴 온 상태와 턴 오프 상태를 반복하게 된다. 디스플레이 장치(2000)가 턴 온 상태와 턴 오프 상태를 반복하게 되면 눈의 피로가 증가하게 되고, 유기 발광 다이오드의 휘도가 일정하게 유지되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에 따른 캐패시터(150)는 교류 전압을 직류 전압으로 바꿀 수 있고, 이에 따라 눈의 피로를 감소시키고 유기 발광 다이오드의 휘도를 일정하게 유지할 수 있다.
또한, 캐패시터(150)는 데이터 라인(110, 210)으로부터 인가되는 전압을 평활화할 수도 있다. 평활화는 데이터에 노이즈나 불연속 구간 등이 있을 때, 노이즈나 불연속 구간을 약하게 하거나 제거하여 매끄럽게 하는 조작 방법이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(2000)는 드라이빙 트랜지스터(170)와 캐패시터(150)를 병렬로 연결시켜 노이즈를 감소시킬 수 있다. 노이즈가 감소되면 노이즈에 따른 유기 발광 다이오드의 휘도 변화 또한 감소할 수 있다.
또한, 캐패시터(150)는 저장 전압을 저장하여 드라이빙 트랜지스터(170)의 전압을 일정하게 유지시킬 수 있다. 드라이빙 트랜지스터(170)의 전압이 일정하게 유지되면 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류 또한 일정하게 유지될 수 있으므로 유기 발광 다이오드의 수율을 증가시킬 수 있다. 또한, 유기 발광 다이오드의 수명을 연장시킬 수도 있고, 유기 발광 다이오드의 휘도를 일정하게 유지할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(2000)는 제1 화소 회로(100)의 전자 이동도를 측정하기 전에 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)를 턴 오프 시킬 수 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(2000)는 제1 화소 회로(100)의 전자 이동도를 측정하는 과정과 동시에 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)를 턴 오프 시킬 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(2000)는 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)를 턴 오프 시킴으로써, 전자 이동도 측정 오차를 줄일 수 있는데, 이하 도 2, 도 3, 도 5 및 도 6을 참조하여 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)를 턴 오프 시키는 과정을 설명한다.
제2 화소 회로(200)의 스캔 트랜지스터(230) 및 센스 트랜지스터(280)는 전압 공급부(2200)가 게이트 라인(190)에 온 전압을 인가하면 턴 온 될 수 있다. 스캔 트랜지스터(230) 및 센스 트랜지스터(280)가 턴 온 되면, 스캔 트랜지스터(230) 및 센스 트랜지스터(280)의 드레인 단에 인가된 전압이 스캔 트랜지스터(230) 및 센스 트랜지스터(280)의 소스 단으로 전달될 수 있다. 반대로, 스캔 트랜지스터(230) 및 센스 트랜지스터(280)가 턴 온 상태가 되면, 스캔 트랜지스터(230) 및 센스 트랜지스터(280)의 소스 단에 인가된 전압이 스캔 트랜지스터(230) 및 센스 트랜지스터(280)의 드레인 단으로 전달될 수 있다.
일 실시예로, 제2 화소 회로(200)의 스캔 트랜지스터(230)는 제2 화소 회로(200)의 스캔 트랜지스터(230)가 턴 온 되면, 턴 오프 전압을 게이트 노드(240)에 인가할 수 있다. 한편, 제2 화소 회로(200)의 센스 트랜지스터(280)는 제2 화소 회로(200)의 센스 트랜지스터(280)가 턴 온 되면, 기준 전압을 소스 노드(260)에 인가할 수 있다. 턴 오프 전압과 기준 전압이 인가되면, 게이트 노드(240)와 소스 노드(260)의 전압 차이는 턴 오프 전압과 기준 전압 간의 차이가 된다.
제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)는 게이트 노드(240)에 턴 오프 전압이 인가되고, 소스 노드(260)에 기준 전압이 인가되면, 턴 오프 될 수 있다. 보다 구체적으로, 전압 공급부(2200)가 게이트 라인(190)에 온 전압을 인가하여 스캔 트랜지스터(230)를 턴 온 시키고, 턴 오프 전압을 데이터 라인(210)에 인가하면 스캔 트랜지스터(230)를 통해 턴 오프 전압이 전달된다. 도 5를 참조하면 그래프(510)와 그래프(560)가 상술한 과정에 해당하고, 턴 오프 전압은 0.5V일 수 있다.
그 후, 전압 공급부(2200)가 게이트 라인(190)에 전압을 인가하여 센스 트랜지스터(280)를 턴 온 시키면, 기준 라인(220)에 인가된 기준 전압이 소스 노드(260)로 인가된다. 도 5에서 그래프(540)와 그래프(570)가 상술한 과정에 해당하고, 기준 전압은 2V일 수 있다. 도 5에서 소스 노드(260)의 전압은 센스 트랜지스터(280)가 턴 온 됨에 따라 기준 라인(220)의 전압과 동일하게 된다.
결국, 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)의 게이트 단에는 0.5V가 인가되고, 소스 단에는 2V가 인가되므로, 드라이빙 트랜지스터(270)의 게이트 단과 소스 단의 전압 차이는 -1.5V가 된다. 드라이빙 트랜지스터(270)가 턴 온 되기 위해서는 문턱 전압 이상의 전압이 게이트 단과 소스 단에 인가되어야 하는데, 본 발명의 일 실시예에 따르면, -1.5V가 인가되므로 드라이빙 트랜지스터(270)가 턴 오프 된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전압 공급부(2200)는 턴 오프 전압보다 큰 기준 전압을 인가함으로써 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)를 턴 오프 시킬 수 있다. 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)가 턴 오프 되면 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)의 누설 전류가 감소한다. 제2 화소 회로(200)의 드라이빙 트랜지스터(270)의 누설 전류가 감소하면, 기준 라인(220)의 전압이 증가하지 않는다. 기준 라인(220)의 전압이 증가하지 않으면, 제1 화소 회로(100)의 소스 노드(260)의 전압을 정확하게 측정할 수 있으므로 전자 이동도 측정 오차를 줄일 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자 이동도 측정 방법을 도시한 순서도이다. 도 7을 참조하면, 먼저 제1 화소 회로의 스캔 트랜지스터 및 센스 트랜지스터를 턴 온 시키고(S710), 제2 화소 회로의 스캔 트랜지스터 및 센스 트랜지스터를 턴 온 시킨다(S720). 그 다음, 제1 화소 회로의 데이터 라인에 게이트 노드 초기화 전압을 인가하고(S730), 제2 화소 회로의 데이터 라인에 턴 오프 전압을 인가한다(S740). 게이트 노드 초기화 전압은 제1 화소 회로의 스캔 트랜지스터를 통해 게이트 노드에 인가되고, 턴 오프 전압은 제2 화소 회로의 스캔 트랜지스터를 통해 게이트 노드에 인가된다.그 다음, 제1 화소 회로의 기준 라인 및 제2 화소 회로의 기준 라인에 기준 전압을 인가한다(S750). 기준 전압은 제1 화소 회로 및 제2 화소 회로의 센스 트랜지스터를 통해 소스 노드에 인가된다. 단계(S710) 내지 단계(S750)는 상술한 순서에 한정되지 않으며, 동시에 실행될 수도 있다. 또한, 단계(S710) 내지 단계(S750)는 상술한 순서와 다르게 변경될 수도 있고, 임의의 단계가 부가될 수도 있다.
턴 오프 전압과 기준 전압이 제2 화소 회로에 인가되면, 제2 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 오프 시킨다(S760). 한편, 게이트 노드 초기화 전압과 기준 전압이 제1 화소 회로에 인가되면, 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 온 시킨다(S770). 드라이빙 트랜지스터를 턴 온 시키는 단계는 저장 전압을 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터에 인가하여 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 온 시키는 단계를 포함할 수 있다.마지막으로, 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터가 턴 온되면, 제1 화소 회로의 소스 노드의 전압을 측정하고(S780), 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터의 전자 이동도를 측정한다(S790). 단계(S760) 내지 단계(S790)는 상술한 순서에 한정되지 않으며, 동시에 실행될 수도 있다. 또한, 단계(S760) 내지 단계(S790)는 상술한 순서와 다르게 변경될 수도 있고, 임의의 단계가 부가될 수도 있다.
전술한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다.

Claims (16)

  1. 제1 화소 회로의 데이터 라인에는 게이트 노드 초기화 전압을 인가하고, 제2 화소 회로의 데이터 라인에는 턴 오프 전압을 인가하고, 상기 제1 화소 회로의 기준 라인 및 상기 제2 화소 회로의 기준 라인에는 기준 전압을 인가하는 전압 공급부;
    상기 게이트 노드 및 소스 노드와 연결되는 캐패시터; 및
    상기 제1 화소 회로와 연결되어 상기 제1 화소 회로에 포함된 드라이빙 트랜지스터의 전자 이동도를 측정하는 측정부를 포함하고,
    상기 기준 전압은 상기 턴 오프 전압보다 크고,
    상기 제1 화소 회로의 상기 캐패시터는 상기 제1 화소 회로의 데이터 라인에 상기 게이트 노드 초기화 전압이 인가되고, 상기 제1 화소 회로의 기준 라인에 상기 기준 전압이 인가되면, 상기 게이트 노드 초기화 전압과 상기 기준 전압의 차에 대응되는 저장 전압을 저장하는
    전자 이동도 측정 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 화소 회로 및 상기 제2 화소 회로는
    상기 데이터 라인, 게이트 라인 및 게이트 노드와 연결되는 스캔 트랜지스터;
    상기 게이트 노드 및 상기 소스 노드와 연결되어 상기 캐패시터와 병렬로 배치되는 드라이빙 트랜지스터; 및
    상기 소스 노드, 상기 게이트 라인 및 상기 기준 라인과 연결되는 센스 트랜지스터를 포함하는
    전자 이동도 측정 모듈.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 화소 회로의 데이터 라인에 턴 오프 전압이 인가되고, 상기 제2 화소 회로의 기준 라인에 상기 기준 전압이 인가되면, 상기 제2 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터가 턴 오프 되는 전자 이동도 측정 모듈.
  4. 삭제
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1 화소 회로의 상기 드라이빙 트랜지스터는
    상기 게이트 노드 및 상기 소스 노드에 저장 전압이 인가되면 턴 온 되는 전자 이동도 측정 모듈.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1 화소 회로의 상기 스캔 트랜지스터 및 상기 센스 트랜지스터는
    상기 전압 공급부가 상기 게이트 라인에 온 전압을 인가하면 턴 온 되고,
    상기 제1 화소 회로의 상기 스캔 트랜지스터는
    상기 제1 화소 회로의 상기 스캔 트랜지스터가 턴 온 되면, 상기 게이트 노드 초기화 전압을 상기 게이트 노드에 인가하고,
    상기 제1 화소 회로의 상기 센스 트랜지스터는
    상기 센스 트랜지스터가 턴 온 되면, 상기 기준 전압을 상기 소스 노드에 인가하는 전자 이동도 측정 모듈.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제2 화소 회로의 상기 스캔 트랜지스터 및 상기 센스 트랜지스터는
    상기 전압 공급부가 상기 게이트 라인에 온 전압을 인가하면 턴 온 되고,
    상기 제2 화소 회로의 상기 스캔 트랜지스터는
    상기 제2 화소 회로의 상기 스캔 트랜지스터가 턴 온 되면, 상기 턴 오프 전압을 상기 게이트 노드에 인가하고,
    상기 제2 화소 회로의 상기 센스 트랜지스터는
    상기 센스 트랜지스터가 턴 온 되면, 상기 기준 전압을 상기 소스 노드에 인가하는 전자 이동도 측정 모듈.
  8. 제1 화소 회로의 데이터 라인에 게이트 노드 초기화 전압을 인가하는 단계;
    제2 화소 회로의 데이터 라인에 턴 오프 전압을 인가하는 단계;
    상기 제1 화소 회로의 기준 라인 및 상기 제2 화소 회로의 기준 라인에 기준 전압을 인가하는 단계;
    상기 제2 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 오프 시키는 단계;
    상기 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 온 시키는 단계;
    상기 제1 화소 회로의 소스 노드의 전압을 측정하는 단계; 및
    상기 제1 화소 회로의 소스 노드의 전압에 기초하여 상기 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터의 전자 이동도를 측정하는 단계;
    상기 게이트 노드 초기화 전압과 상기 기준 전압의 차에 대응되는 저장 전압을 산출하는 단계; 및
    상기 제1 화소 회로의 캐패시터에 상기 저장 전압을 저장하는 단계를
    포함하고,
    상기 저장 전압을 저장하는 단계는 상기 제1 화소 회로의 데이터 라인에 상기 게이트 노드 초기화 전압이 인가되고, 상기 제1 화소 회로의 기준 라인에 상기 기준 전압이 인가되면, 상기 게이트 노드 초기화 전압과 상기 기준 전압의 차에 대응되는 저장 전압을 상기 캐패시터에 저장하는 전자 이동도 측정 방법.
  9. 삭제
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 온 시키는 단계는
    저장 전압을 상기 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터에 인가하여 상기 제1 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터를 턴 온 시키는 단계를
    포함하는 전자 이동도 측정 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    제1 화소 회로의 스캔 트랜지스터 및 센스 트랜지스터를 턴 온 시키는 단계; 및
    제2 화소 회로의 스캔 트랜지스터 및 센스 트랜지스터를 턴 온 시키는 단계를
    더 포함하는 전자 이동도 측정 방법.
  12. 게이트 라인, 데이터 라인 및 기준 라인을 포함하는 패널;
    상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차 지점에 배치되는 제1 화소 회로 및 제2 화소 회로;
    상기 제1 화소 회로 및 상기 제2 화소 회로와 연결되는 기준 라인;
    상기 제1 화소 회로의 데이터 라인에는 게이트 노드 초기화 전압을 인가하고, 상기 제2 화소 회로의 데이터 라인에는 턴 오프 전압을 인가하고, 상기 제1 화소 회로의 기준 라인 및 상기 제2 화소 회로의 기준 라인에는 기준 전압을 인가하는 전압 공급부;
    상기 게이트 노드 및 소스 노드와 연결되는 캐패시터; 및
    상기 제1 화소 회로와 연결되어 상기 제1 화소 회로의 전자 이동도를 측정하는 측정부를 포함하고,
    상기 기준 전압은 상기 턴 오프 전압보다 크고,
    상기 제1 화소 회로의 상기 캐패시터는 상기 제1 화소 회로의 데이터 라인에 상기 게이트 노드 초기화 전압이 인가되고, 상기 제1 화소 회로의 기준 라인에 상기 기준 전압이 인가되면, 상기 게이트 노드 초기화 전압과 상기 기준 전압의 차에 대응되는 저장 전압을 저장하는 디스플레이 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 화소 회로 및 상기 제2 화소 회로는
    상기 데이터 라인, 게이트 라인 및 게이트 노드와 연결되는 스캔 트랜지스터;
    상기 게이트 노드 및 상기 소스 노드와 연결되어 상기 캐패시터와 병렬로 배치되는 드라이빙 트랜지스터; 및
    상기 소스 노드, 상기 게이트 라인 및 상기 기준 라인과 연결되는 센스 트랜지스터를 포함하는
    디스플레이 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 화소 회로의 데이터 라인에 턴 오프 전압이 인가되고, 상기 제2 화소 회로의 기준 라인에 상기 기준 전압이 인가되면, 상기 제2 화소 회로의 드라이빙 트랜지스터가 턴 오프 되는 디스플레이 장치.
  15. 삭제
  16. 제13항에 있어서,
    상기 제1 화소 회로의 상기 드라이빙 트랜지스터는
    상기 게이트 노드 및 상기 소스 노드에 저장 전압이 인가되면 턴 온 되는 디스플레이 장치.
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