KR102434704B1 - 전방향 음향 센서 - Google Patents

전방향 음향 센서 Download PDF

Info

Publication number
KR102434704B1
KR102434704B1 KR1020170099083A KR20170099083A KR102434704B1 KR 102434704 B1 KR102434704 B1 KR 102434704B1 KR 1020170099083 A KR1020170099083 A KR 1020170099083A KR 20170099083 A KR20170099083 A KR 20170099083A KR 102434704 B1 KR102434704 B1 KR 102434704B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support member
resonator
vibrating
resonators
acoustic sensor
Prior art date
Application number
KR1020170099083A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190014933A (ko
Inventor
이충호
강성찬
김재흥
박상하
윤용섭
홍혁기
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020170099083A priority Critical patent/KR102434704B1/ko
Priority to US15/834,287 priority patent/US10178472B1/en
Publication of KR20190014933A publication Critical patent/KR20190014933A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102434704B1 publication Critical patent/KR102434704B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
    • G01H13/00—Measuring resonant frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/20—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics
    • H04R1/32—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired directional characteristic only
    • H04R1/326—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired directional characteristic only for microphones
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
    • G01H11/00—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
    • G01H11/06—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means
    • G01H11/08—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means using piezoelectric devices
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/20—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics
    • H04R1/22—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired frequency characteristic only 
    • H04R1/28—Transducer mountings or enclosures modified by provision of mechanical or acoustic impedances, e.g. resonator, damping means
    • H04R1/2807—Enclosures comprising vibrating or resonating arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
    • H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
    • H04R7/04—Plane diaphragms
    • H04R7/06—Plane diaphragms comprising a plurality of sections or layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H10N30/302—Sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
    • H04R17/02—Microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/40—Details of arrangements for obtaining desired directional characteristic by combining a number of identical transducers covered by H04R1/40 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/401—2D or 3D arrays of transducers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Otolaryngology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

전방향 음향센서가 개시된다. 개시된 전방향 음향센서는 띠 형상 기둥의 지지부재의 내측면에 연결된 복수의 제1 공진기와, 상기 지지부재의 외측면에 연결된 복수의 제2 공진기를 포함한다. 상기 제1 공진기는 상기 지지부재의 높이 방향으로 진동하며, 상기 제2 공진기는 상기 지지부재의 측면 방향으로 진동한다.

Description

전방향 음향 센서{Omnidirectional acoustic sensor}
전방향 음향 센서에 관한 것이다.
공진기 어레이를 포함하는 음향 센서는 공진 주파수가 다른 복수의 공진기를 포함한다. 음파 등의 진동파에 대해서 각 공진기 마다 특정 공진 주파수로 선택적으로 응답해 공진되며, 각 공진기 마다의 공진 레벨을 전기적 신호로 변환해 출력하고, 상기 진동파의 주파수 대역 마다의 강도를 검출한다.
공진기는 그 길이에 따라 공진 주파수가 변화될 수 있다. 예컨대, 공진기의 공진 주파수는 공진기의 길이의 2승에 반비례할 수 있다.
이러한 공진기 어레이는 일 방향으로 입력되는 음파에 대해서 응답하므로 지향성을 가진다. 여러 방향의 음파에 응답하는 음향센서를 구성하기 위해서는 복수의 공진기 어레이를 3차원적으로 배치해야 한다.
하나의 칩에 3차원 방향의 진동파를 검출하는 전방향 음향 센서를 제공한다.
실시예에 따른 전방향 음향 센서는:
띠 형상 기둥의 지지부재;
상기 지지부재의 내측면에 연결된 복수의 제1 공진기; 및
상기 지지부재의 외측면에 연결된 복수의 제2 공진기;를 포함하며,
상기 제1 공진기는 상기 지지부재의 높이 방향으로 진동하며, 상기 제2 공진기는 상기 지지부재의 측면 방향으로 진동한다.
상기 복수의 제1 공진기는:
상기 지지부재에 일단이 고정된 플레이트 형상의 진동부;
상기 진동부 상면 상의 압전 센서부; 및
상기 압전 센서부 상에서 상기 진동부의 자유단 상방에 배치된 질량체;를 포함할 수 있다.
상기 지지부재의 상면과 상기 진동부의 상기 상면은 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다.
상기 지지부재는 사각 띠 형상의 기둥이며, 상기 진동부는 상기 지지부재의 서로 마주보는 제1면 및 제2면에서 서로 마주보는 방향으로 연장되며, 상기 진동부의 길이는 상기 제1면에서 제1방향으로 순차적으로 증가하며, 상기 제2면에서 상기 제1방향으로 순차적으로 감소할 수 있다.
상기 진동부는 그 폭이 그 높이 보다 큰 플레이트일 수 있다..
상기 지지부재의 내면은 원형이며 상기 진동부들의 길이는 상기 내면을 따라서 순차적으로 증가할 수 있다.
상기 제2 공진기는: 상기 지지부재에 일단이 고정된 플레이트 형상의 진동부;
상기 진동부 상면 상의 압전 센서부; 및
상기 진동부의 측면 상에 배치된 질량체;를 포함할 수 있다.
일측면에 따르면, 상기 지지부재는 사각 띠 형상의 기둥이며, 상기 복수의 제2 공진기는 상기 지지부재의 마주보는 면에서 바깥쪽으로 형성된 복수의 제3 공진기와, 상기 지지부재의 마주보는 다른 면에서 바깥쪽으로 형성된 복수의 제4 공진기를 포함할 수 있다.
상기 제3 공진기의 진동부와 상기 제4 공진기의 진동부는 각각 해당 진동부의 수직축에 대해서 일측으로 치우치게 형성될 수 있다.
상기 복수의 제3 공진기의 진동부의 길이는 상기 마주보는 면에서 서로 다른 방향으로 순차적으로 증가하며,
상기 복수의 제4 공진기의 진동부의 길이는 상기 마주보는 다른 면에서 서로 다른 방향으로 순차적으로 증가할 수 있다.
상기 제3 공진기 및 상기 제4 공진기에서, 상기 지지부재의 외측 일면에 형성된 질량체들은 상기 지지부재의 외측 일면과 평행한 일방향에서 볼 때 모두 노출되게 형성될 수 있다.
상기 제1 공진기의 압전 센서부는 해당 진동부의 변위에 따라 전기적 신호를 발생하는 제1 압전층을 포함하며,
상기 제2 공진기의 압전 센서부는 해당 진동부의 변위에 따라 전기적 신호를 발생하는 제2 압전층을 포함하며,
상기 제1 압전층 및 상기 제2 압전층은 AlN, ZnO를 포함할 수 있다.
상기 제1 압전층은 c-축 방향 압전 물질이며,
상기 제2 압전층은 tilted c-축 방향 압전 물질일 수 있다.
상기 제1 공진기의 질량체는 실리콘으로 이루어지며,
상기 제2 공진기의 질량체는 금속 물질로 이루어질 수 있다.
실시예에 따른 전방향 음향 센서는 상기 지지부재의 주위를 감싸는 보호 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 보호 부재는 상기 제2 공진기로 향하는 음향의 입구와 상기 제2 공진기를 통과한 후의 음향을 외부로 배출하는 출구를 포함할 수 있다.
상기 보호 부재와 상기 지지부재의 하부 사이에 배치되어 이들을 연결하는 연결부재를 더 포함할 수 있다.
전방향 음향센서는 하나의 칩에 형성된 공진기들로 3차원으로 입력되는 음향을 검출한다. 이러한 전방향 음향 센서는 휴대폰(cellphones), 컴퓨터, 가전 기기, 자동차 등에 탑재되어 진동정보를 분석하는데 활용될 수 있다.
실시예에 따른 전방향 음향 센서는 하나의 칩에서 3축 방향의 음향을 센싱할 수 있다. 3축 방향 각각에 대해서 음향 센서를 설치하는 것과 비교하여 음향 센서의 설치 면적 및 센서 수를 감소할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 전방향 음향 센서의 구조를 개략적으로 보여주는 평면도다.
도 2는 도 1의 A-A' 선단면도다.
도 3은 도 1의 B-B' 선단면도다.
도 4는 도 1의 C-C' 선단면도다.
도 5는 다른 실시예에 따른 전방향 음향 센서의 구조를 개략적으로 보여주는 평면도다.
도 6은 도 5의 E-E' 선단면도다.
도 7은 도 5의 F-F' 선단면도다.
도 8은 다른 실시예에 따른 전방향 음향 센서의 구조를 개략적으로 보여주는 평면도다.
도 9는 도 8의 G-G' 선단면도다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다. 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다.
이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 전방향 음향 센서(100)의 구조를 개략적으로 보여주는 평면도다. 도 2는 도 1의 A-A' 선단면도다. 도 3은 도 1의 B-B' 선단면도다. 도 4는 도 1의 C-C' 선단면도다.
도 1을 참조하면, 전방향 음향 센서(100)는 4각 띠 기둥의 지지부재(110)에 형성된 공진기 어레이를 포함한다. 공진기 어레이는 수직 방향(z 방향)으로 진동되는 복수의 제1 공진기(120)와, x방향으로 진동되는 복수의 제2 공진기(130)와 y방향으로 진동되는 복수의 제3 공진기(140)를 포함한다. 제2 공진기들(130)과 제3 공진기들(140)의 구조는 거의 유사할 수 있다. 제1 공진기(120), 제2 공진기(130) 및 제3 공진기(140)는 지지부재(110)에 측면에 고정된 캔티레버 타입일 수 있다. 전방향 음향 센서(100)는 일 방향으로 들어오는 음향 신호에 대해서 원하는 주파수를 가진 음향 신호를 선택적으로 제공할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 공진기(120)는 지지부재(110)의 마주보는 내측면으로부터 서로 대향되게 연장된 진동부(122)를 포함한다. 지지부재(110)와 진동부(122)는 하나의 몸체일 수 있다. 진동부(122)의 상면은 지지부재(110)의 상면과 동일 평면을 형성할 수 있다.
진동부(122)는 플레이트 타입일 수 있다. 예컨대, 그 폭이 그 높이 보다 크다. 진동부(122)는 대략 1 ㎛ 두께(높이) 이하로 이루어질 수 있다. 진동부(122)의 폭은 대략 수 ㎛ 내지 수백 ㎛ 일 수 있다. 진동부들(122)은 동일한 폭 및 두께를 가질 수 있으며, 그 길이는 다를 수 있다. 진동부(122)의 길이는 대략 수백 ㎛ 이하의 길이를 가질 수 있다. 진동부들(122)은 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 공정에 의해 제작될 수 있다.
진동부(122) 및 지지부재(110)는 반도체 공정에서 주로 사용되는 실리콘으로 일체형으로 이루어질 수 있다. 실시예는 이에 한정되지 않는다. 진동부(122)는 글래스, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 등으로도 형성될 수 있으며, 지지부재(110)와 다른 물질로 형성될 수 있다. 진동부(122)의 크기와, 후술되는 질량체(mass)(127)는 제1 공진기(120)의 공진 특성을 정하는 요소가 된다.
진동부(122)의 상면 상에는 압전 센서부(125)가 설치된다. 압전 센서부(125) 상에서 진동부(122)의 자유단 상에는 질량체(127)가 배치될 수 있다.
실시예에서는 압전 센서부(125) 상에 질량체(127)가 배치되어 있으나, 실시예는 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 압전 센서부(125)는 진동부(122)의 상면 상에서 진동부(122)의 고정단 측에 배치되고, 질량체(127)는 진동부(122)의 상면 상에서 진동부(122)의 자유단 상에서 압전 센서부(125)와 이격되게 배치될 수도 있다.
압전 센서부(125)는 진동부(122) 상으로 순차적으로 배치된 하부전극(125a), 압전층(125b), 및 상부전극(125c)을 포함할 수 있다. 하부전극(125a) 및 상부전극(125c), 압전층(125b)은 각각 대략 0.1 ㎛ ~ 0.3 ㎛ 두께로 형성될 수 있다.
압전층(125b)은 ZnO, PZT, ZnSnO3, Polyvinylidene fluoride(PVDF), poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE)), AlN 또는 PMN-PT 등으로 이루어질 수 있다. 압전층(125b)은 c-축 방향(c-axis oriented) AlN, ZnO 일 수 있으며, 이 결정을 가진 압전층(125b)은 z축 방향의 진동에 대한 감도가 우수하다.
하부전극(125a)과 상부전극(125c)은 금속 물질이나 전도성 재질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 하부전극(125a)과 상부전극(125c)은 몰리브덴, 백금, 알루미늄, 구리, 티타늄 등으로 이루어질 수 있다.
질량체(127)는 캔티레버 구조의 동적 거동에서 소리, 진동 등의 외력이 작용할 때 질량체(127)의 관성력을 증가시킨다. 질량체(127)는 스틸 또는 텅스텐과 같은 금속 물질로 형성될 수 있다.
제1 공진기들(120)의 구조는 서로 유사하나, 그 크기에 있어서는 다를 수 있다. 예컨대, 진동부(122)의 길이가 다를 수 있다. 진동부(122)의 길이가 다르면, 제1 공진기들(120)은 서로 다른 공진 주파수를 가질 수 있다. 공진 주파수는 각각의 제1 공진기(120)가 최대의 변위를 나타내는 주파수를 의미한다. 제1 공진기(120)의 진동부(122)의 길이가 증가함에 따라 공진 주파수는 공진기의 길이의 2승에 반비례한다. 또한, 질량체(127)의 크기를 다르게 하여 공진 주파수를 조절할 수도 있다.
제1 공진기들(120)은 평면도에서 볼 때 서로 겹치지 않게 배열될 수 있다. 즉, 제1 공진기들(120)은 도 1에 수직으로 입력되는 음향에 대해서 전체적으로 동시에 노출되게 배열될 수 있다. 인접한 공진기들 사이의 간격은 수 ㎛가 될 수 있다. 제1 공진기들(120)은 도 1에는 10개로 구성되어 있지만 이는 예시적인 것이다. 예컨대, 제1 공진기들(120)은 30~100개로 구성될 수 있다. 제1 공진기들(120)은 대략 200Hz ~ 20 kHz의 공진 주파수를 가질수 있다. 하나의 공간에 많은 제1 공진기들(120)을 배치하기 위해 제1 공진기들(120)을 순차적으로 크기가 증가하는 순서로 배열한 후, 지지부재(110)의 마주보는 면에서 일면에는 -y 방향으로 홀수번째 제1 공진기들(120)을 증가하는 순서로 배치하고, 다른 면에는 짝수번째 제1 공진기들(120)을 - 방향으로 감소하는 순서로 배치할 수 있다.
제1 공진기(120)는 외부 신호에 반응하여 z 방향을 따라 진동하며, 변위 z값은 다음 운동 방정식을 따라 정해질 수 있다.
Figure 112017075486620-pat00001
여기서, m은 질량체(127)의 질량, c는 댐핑 계수(damping coefficient), k는 탄성 계수, F0cosωt는 외력(driving force)이다. k값은 진동부(122)의 물성과 형상에 의해 정해진다.
상기 운동 방정식에 의해 제1 공진기(120)는 공진 주파수 f0를 가지는 주파수 응답 특성을 나타낸다.
공진 주파수 f0는 다음과 같다.
Figure 112017075486620-pat00002
이와 같이, 제1 공진기들(120)은 설계된, 서로 다른 공진 주파수를 가지며, 공진 주파수를 중심으로 하는 소정 대역의 주파수를 감지할 수 있다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 제2 공진기(130)는 지지부재(110)의 외측면에서 바깥쪽으로 연장된 진동부(132)를 포함한다. 진동부(132)의 상면은 지지부재(110)의 상면과 동일한 레벨의 평면을 형성할 수 있다.
진동부(132)는 플레이트 타입일 수 있다. 예컨대, 그 폭 보다 그 높이가 더 크다. 진동부(132)의 폭은 대략 1 ㎛ 이하일 수 있다. 또한, 그 높이는 대략 수 ㎛ 내지 수 십 ㎛ 일 수 있다. 진동부(132) 및 지지부재(110)는 반도체 공정에서 주로 사용되는 실리콘으로 이루어질 수 있다. 진동부(132) 및 지지부재(110)는 일체형으로 형성될 수 있다. 진동부(132)의 크기와, 후술되는 질량체(137)는 제2 공진기(130)의 공진 특성을 정하는 요소가 된다. 실시예는 이에 한정되지 않는다. 진동부(132)는 글래스, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 등으로도 형성될 수 있다.
진동부(132)의 상면 상에는 압전 센서부(135)가 설치된다. 진동부(132)의 자유단의 측면에는 질량체(137)가 배치될 수 있다. 진동부(132)의 상면과 질량체(137)의 상면은 동일 평면을 형성할 수 있다. 질량체(137)의 높이는 진동부(132)의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다. 질량체(137)는 진동부(132)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 질량체(137)는 실리콘으로 형성될 수 있다. 질량체(137)의 폭은 진동부(132)의 폭 보다 넓다. 질량체(137)는 캔티레버 구조의 동적 거동에서 소리, 진동 등의 외력이 작용할 때 질량체(137)의 관성력을 증가시킨다.
도 3에서는 압전 센서부(135)가 진동부(132)의 상면의 전면을 덮게 형성되었으나, 실시예는 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 압전 센서부(135)는 진동부(132)의 고정단 측에만 형성될 수도 있다.
압전 센서부(135)는 진동부(132) 상으로 순차적으로 배치된 하부전극(135a), 압전층(135b), 및 상부전극(135c)을 포함할 수 있다. 하부전극(135a) 및 상부전극(135c), 압전층(135b)은 각각 대략 0.1 ㎛ ~ 0.3 ㎛ 두께로 형성될 수 있다.
압전층(135b)은 ZnO, PZT, ZnSnO3, Polyvinylidene fluoride(PVDF), poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE)), AlN 또는 PMN-PT 등으로 이루어질 수 있다. 압전층(135b)은 tilted c-축 AlN, ZnO 일 수 있으며, 이 결정을 가진 압전층(135b)은 x축 또는 y축 방향의 진동에 대한 감도가 우수하다. 압전층(135b)의 tilted 각은 대략 20-40도일 수 있다.
질량체(137)는 도 1에서 보듯이 진동부(132)의 수직축에 대해서 일측으로 치우치게 형성될 수 있다. 이러한 질량체(137)의 형상은 좁은 영역에 더 많은 제2 진동부(132)들의 질량체(137)가 겹치지 않게 형성될 수 있게 한다.
제2 공진기들(130)의 구조는 서로 유사하나, 그 크기에 있어서는 다를 수 있다. 예컨대, 진동부(132)의 길이가 다를 수 있다. 제2 공진기들(130)은 서로 다른 공진 주파수를 가질 수 있다. 공진 주파수는 각각의 공진기가 최대의 x 변위를 나타내는 주파수를 의미한다. 제2 공진기(130)의 진동부(132)의 길이가 증가함에 따라 공진 주파수는 감소할 수 있다.
제2 공진기들(130)은 x방향으로 입력되는 물리력에 대해서 질량체들(137)이 전체적으로 동시에 노출되게 배열될 수 있다. 예컨대, 지지부재(110)의 제1부분(110a)에 부착된 제2 공진기(130)의 질량체들(137)은 +x 방향으로 들어오는 공기에 대해서 모두 노출될 수 있다. 지지부재(110)의 제2부분(110b)에 배치된 제2 공진기(130)의 질량체들(137)은 -x 방향으로 들어오는 공기에 대해서 모두 노출될 수 있다. 즉, 제1부분(110a)과 제2부분(110b)에 형성된 제2 공진기들(130)은 순차적으로 그 길이가 변하며, 지지부재의 제1부분(110a)과 제2부분(110b)에서 제2 공진기들(130)의 길이의 증가 방향이 서로 반대다.
제2 공진기(130)는 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 공정에 의해 제작될 수 있다.
제2 공진기(130)는 외부 신호에 반응하여 x 방향을 따라 진동하며, 그 변위는 제1 공진기(120)의 변위 원리와 유사하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 제3 공진기(140)는 지지부재(110)의 외측면에서 바깥쪽으로 연장된 진동부(142)를 포함한다. 진동부(142)의 상면은 지지부재(110)의 상면과 동일한 레벨의 평면을 형성할 수 있다.
진동부(142)는 플레이트 타입일 수 있다. 예컨대, 그 폭 보다 그 높이가 더 크다. 진동부(142)의 폭은 대략 1 ㎛ 이하일 수 있다. 또한, 그 높이는 대략 수 ㎛ 내지 수 십 ㎛ 일 수 있다. 진동부(142) 및 지지부재(110)는 반도체 공정에서 주로 사용되는 실리콘으로 이루어질 수 있다. 진동부(142) 및 지지부재(110)는 일체형으로 형성될 수 있다. 진동부(142)의 크기와, 후술되는 질량체(147)는 제3 공진기(140)의 공진 특성을 정하는 요소가 된다. 실시예는 이에 한정되지 않는다. 진동부(142)는 글래스, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 등으로도 형성될 수 있다.
진동부(142)의 상면 상에는 압전 센서부(145)가 설치된다. 진동부(142)의 자유단의 측면에는 질량체(147)가 배치될 수 있다. 진동부(142)의 상면과 질량체(147)의 상면은 동일 평면을 형성할 수 있다. 질량체(147)의 높이는 진동부(142)의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다. 질량체(147)는 진동부(142)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 질량체(147)는 실리콘으로 형성될 수 있다. 질량체(147)의 폭은 진동부(142)의 폭 보다 넓다. 예컨대, 질량체(147)의 폭은 대략 수 ㎛ 내지 수 십 ㎛ 일 수 있다. 질량체(147)는 캔티레버 구조의 동적 거동에서 소리, 진동 등의 외력이 작용할 때 질량체(147)의 관성력을 증가시킨다.
도 4에서는 압전 센서부(145)가 진동부(142)의 상면의 전면을 덮게 형성되었으나, 실시예는 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 압전 센서부(145)는 진동부(142)의 고정단 측에만 형성될 수도 있다.
압전 센서부(145)는 진동부(142) 상으로 순차적으로 배치된 하부전극(145a), 압전층(145b), 및 상부전극(145c)을 포함할 수 있다. 하부전극(145a) 및 상부전극(145c), 압전층(145b)은 각각 대략 0.1 ㎛ ~ 0.3 ㎛ 두께로 형성될 수 있다.
압전층(145b)은 ZnO, PZT, ZnSnO3, Polyvinylidene fluoride(PVDF), poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE)), AlN 또는 PMN-PT 등으로 이루어질 수 있다. 압전층(145b)은 tilted c-축 AlN, ZnO 일 수 있다. 압전층(145b)의 틸트 각은 대략 20~40도일 수 있다.
질량체(147)는 도 1에서 보듯이 진동부(142)의 수직축에 대해서 일측으로 치우치게 형성될 수 있다. 이러한 질량체(147)의 형상은 좁은 영역에 더 많은 제2 진동부(142)들의 질량체(147)가 겹치지 않게 형성될 수 있게 한다.
제3 공진기들(140)의 구조는 서로 유사하나, 그 크기에 있어서는 다를 수 있다. 예컨대, 진동부(142)의 길이가 다를 수 있다. 제3 공진기들(140)은 서로 다른 공진 주파수를 가질 수 있다. 공진 주파수는 각각의 공진기가 최대의 y 변위를 나타내는 주파수를 의미한다. 제1 공진기(120)의 진동부(142)의 길이가 증가함에 따라 공진 주파수는 감소할 수 있다.
제3 공진기들(140)은 y방향으로 입력되는 물리력에 대해서 질량체(147)들이 전체적으로 동시에 노출되게 배열될 수 있다. 예컨대, 지지부재(110)의 제3부분(110c)에 부착된 제3 공진기(140)의 질량체들(147)은 +y 방향으로 들어오는 공기에 대해서 모두 노출될 수 있다. 지지부재(110)의 제4부분(110d)에 배치된 제3 공진기(140)의 질량체(147)들은 -y 방향으로 들어오는 공기에 대해서 모두 노출될 수 있다. 즉, 제3부분(110c)과 제4부분(110d)에 형성된 제3 공진기들(140)은 순차적으로 그 길이가 변하며, 지지부재의 제3부분(110c)과 제4부분(110d)에서 제3 공진기들(140)의 길이의 증가 방향이 서로 반대다. 제3 공진기(140)는 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 공정에 의해 제작될 수 있다.
제3 공진기(140)는 외부 신호에 반응하여 y 방향을 따라 진동하며, 그 변위는 제1 공진기(120)의 변위 원리와 유사하므로 상세한 설명은 생략한다.
실시예에 따른 전방향 음향센서(100)는 하나의 칩에서 3축 방향의 음향을 센싱할 수 있다. 3축 방향 각각에 대해서 음향 센서를 설치하는 것과 비교하여 음향 센서의 설치 면적 및 센서 수를 감소할 수 있다.
도 5는 다른 실시예에 따른 전방향 음향 센서(200)의 구조를 개략적으로 보여주는 평면도다. 도 5에서는 편의상 공진기들의 일부 구성을 생략하였다. 도 6은 도 5의 E-E' 선단면도다. 도 7은 도 5의 F-F' 선단면도다. 상술한 실시예의 구성과 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 전방향 음향 센서(200)는 도 1의 전방향 음향 센서(100)의 외곽을 감싸는 보호 부재(210)를 더 포함한다. 보호 부재(210)는 사각 띠 형상의 상면을 포함한다. 보호 부재(210)는 지지부재(110)와 동일한 물질로 형성될 수 있다. 보호 부재(210)는 지지부재(110)와 일체형으로 형성될 수 있다.
도 6은 지지부재(110)와 보호 부재(210)의 연결 구조를 보여준다. 지지부재(110)의 하부와 보호 부재(210)의 하부는 연결 부재(250)에 의해 연결될 수 있다. 연결 부재(250)는 보호 부재(210)와 일체형으로 형성될 수 있다. 연결 부재(250)과 진동부(132) 및 질량체(137)는 소정 간격으로 이격되며, 이에 따라 진동부(132) 및 질량체(137)는 연결부재(250)의 상방에서 진동될 수 있다.
도 5 및 도 7을 참조하면, 보호 부재(210)의 측면에는 대응되는 질량체들(137, 147)을 노출시키는 개구부들(212)이 형성되어 있다. 개구부들(212)은 대응되는 질량체(137, 147)를 위한 소리 등의 물리력의 입구 또는 출구로 작용한다.
한편, 지지부재의 상면으로 들어오는 음향은 지지부재 내의 질량체(147)에 진동을 주고 외부로 배출된다. 이를 위해서, 4개의 측면의 하부측에 다른 개구부들(212)이 더 형성될 수 있다.
실시예에 따른 전방향 음향센서(200)는 보호 부재(210)를 포함하므로, 전방향 음향 센서(200)를 다양한 위치에 설치할 수 있으며, 음향센서(200)의 손상을 방지할 수 있다.
도 8은 다른 실시예에 따른 전방향 음향 센서(300)의 구조를 개략적으로 보여주는 평면도다. 도 9는 도 8의 G-G' 선단면도다. 상술한 실시예의 구성과 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 8의 전방향 음향 센서(300)는 도 1의 전방향 음향 센서(100)와 비교하여 지지부재(310)의 형상이 다르며, 제1 공진기들(320)의 배치가 다르다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 제1 공진기(320)의 진동부들(312)은 지지부재(310)의 내측면으로부터 중앙을 향하고 있다. 진동부(312)의 상면과 지지부재(310)의 상면은 평면을 형성한다.
진동부(322)의 상면 상에는 압전 센서부(325)가 설치된다. 압전 센서부(325) 상에서 진동부(322)의 자유단 상에는 질량체(327)가 배치될 수 있다.
실시예에서는 압전 센서부(325) 상에 질량체(327)가 배치되어 있으나, 실시예는 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 압전 센서부(325)는 진동부(322)의 상면 상에서 진동부(322)의 고정단 측에 배치되고, 질량체(327)는 진동부(322)의 상면 상에서 진동부(322)의 자유단 상에서 압전 센서부(325)와 이격되게 배치될 수도 있다.
압전 센서부(325)는 진동부(322) 상으로 순차적으로 배치된 하부전극(325a), 압전층(325b), 및 상부전극(325c)을 포함할 수 있다. 하부전극(325a) 및 상부전극(325c), 압전층(325b)은 각각 대략 0.1 ㎛ ~ 0.3 ㎛ 두께로 형성될 수 있다.
압전층(325b)은 ZnO, PZT, ZnSnO3, Polyvinylidene fluoride(PVDF), poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE)), AlN 또는 PMN-PT 등으로 이루어질 수 있다. 압전층(325b)은 c-축 방향(c-axis oriented) AlN, ZnO 일 수 있다.
하부전극(325a)과 상부전극(325c)은 금속 물질이나 전도성 재질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 하부전극(325a)과 상부전극(325c)은 몰리브덴, 백금, 알루미늄, 구리, 티타늄 등으로 이루어질 수 있다.
질량체(327)는 캔티레버 구조의 동적 거동에서 소리, 진동 등의 외력이 작용할 때 질량체(327)의 관성력을 증가시킨다. 질량체(327)는 스틸 또는 텅스텐으로 형성될 수 있다.
제1 공진기들(320)의 구조는 서로 유사하나, 그 크기에 있어서는 다를 수 있다. 예컨대, 진동부(322)의 길이가 다를 수 있다. 진동부(322)의 길이가 다르면, 제1 공진기들(320)은 서로 다른 공진 주파수를 가질 수 있다. 공진 주파수는 각각의 제1 공진기(320)가 최대의 변위를 나타내는 주파수를 의미한다. 제1 공진기(320)의 진동부(322)의 길이가 증가함에 따라 공진 주파수는 공진기의 길이의 2승에 반비례한다.
제2 공진기(130) 및 제3 공진기(140)의 구조는 상술한 실시예로부터 잘 알 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다.
또한, 전방향 음향 센서(300)의 주위에 도 6의 보호 부재(210)가 더 배치될 수 있으며, 상세한 구조는 생략한다.
실시예에 따른 전방향 음향센서(300)는 z축 센서인 제1 공진기들을 원주 상에 순차적으로 배치하므로, 제1 공진기들 사이의 공진 주파수의 조절이 용이할 수 있다.
이상에서 첨부된 도면을 참조하여 설명된 실시예들은 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 사상의 진정한 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
100: 전방향 음향 센서 110: 지지부재
120: 제1 공진기 130: 제2 공진기
140: 제3 공진기 127, 137, 147: 질량체

Claims (20)

  1. 띠 형상 기둥의 지지부재;
    상기 지지부재의 내측면에 연결된 복수의 제1 공진기; 및
    상기 지지부재의 외측면에 연결된 복수의 제2 공진기;를 포함하며,
    상기 제1 공진기는 상기 지지부재의 높이 방향으로 진동하고, 상기 제2 공진기는 상기 지지부재의 측면 방향으로 진동하며,
    상기 제2 공진기는, 상기 지지부재에 일단이 고정된 플레이트 형상의 진동부, 상기 진동부 상면 상의 압전 센서부 및 상기 진동부의 측면 상에 배치된 질량체를 포함하고,
    상기 지지부재는 사각 띠 형상의 기둥이며, 상기 복수의 제2 공진기는 상기 지지부재의 마주보는 면에서 바깥쪽으로 형성된 복수의 제3 공진기와, 상기 지지부재의 마주보는 다른 면에서 바깥쪽으로 형성된 복수의 제4 공진기를 포함하는, 전방향 음향 센서.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 제1 공진기는:
    상기 지지부재에 일단이 고정된 플레이트 형상의 진동부;
    상기 진동부 상면 상의 압전 센서부; 및
    상기 압전 센서부 상에서 상기 진동부의 자유단 상방에 배치된 질량체;를 포함하는 전방향 음향 센서.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 지지부재의 상면과 상기 진동부의 상기 상면은 실질적으로 동일한 평면을 형성하는 전방향 음향 센서.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 지지부재는 사각 띠 형상의 기둥이며, 상기 진동부는 상기 지지부재의 서로 마주보는 제1면 및 제2면에서 서로 마주보는 방향으로 연장되며, 상기 진동부의 길이는 상기 제1면에서 제1방향으로 순차적으로 증가하며, 상기 제2면에서 상기 제1방향으로 순차적으로 감소하는 전방향 음향 센서.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 진동부는 그 폭이 그 높이 보다 큰 플레이트인 전방향 음향 센서.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 지지부재의 내면은 원형이며 상기 진동부들의 길이는 상기 내면을 따라서 순차적으로 증가하는 전방향 음향 센서.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지부재의 상면과 상기 진동부의 상기 상면은 실질적으로 동일한 평면을 형성하는 전방향 음향 센서.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 질량체는 상기 지지부재 및 상기 진동부와 일체형으로 형성된 전방향 음향 센서.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 제3 공진기의 진동부의 길이는 상기 마주보는 면에서 서로 다른 방향으로 순차적으로 증가하며,
    상기 복수의 제4 공진기의 진동부의 길이는 상기 마주보는 다른 면에서 서로 다른 방향으로 순차적으로 증가하는 전방향 음향 센서.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지부재의 외측 일면에 형성된 질량체들은 상기 지지부재의 외측 일면과 평행한 일방향에서 볼 때 모두 노출되게 형성된 전방향 음향 센서.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 진동부는 그 높이가 그 폭 보다 큰 플레이트인 전방향 음향 센서.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 공진기의 압전 센서부는 해당 진동부의 변위에 따라 전기적 신호를 발생하는 제1 압전층을 포함하며,
    상기 제2 공진기의 압전 센서부는 해당 진동부의 변위에 따라 전기적 신호를 발생하는 제2 압전층을 포함하며,
    상기 제1 압전층 및 상기 제2 압전층은 AlN, ZnO 를 포함하는 전방향 음향 센서.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제1 압전층은 c-축 방향 압전 물질이며,
    상기 제2 압전층은 tilted c-축 방향 압전 물질인 전방향 음향 센서.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 공진기의 질량체는 실리콘으로 이루어지며,
    상기 제2 공진기의 질량체는 금속 물질로 이루어진 전방향 음향 센서.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지부재의 주위를 감싸는 보호 부재를 더 포함하는 전방향 음향 센서.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 보호 부재는 상기 제2 공진기로 향하는 음향의 입구와 상기 제2 공진기를 통과한 후의 음향을 외부로 배출하는 출구를 포함하는 전방향 음향 센서.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 보호 부재와 상기 지지부재 각각의 하부 사이에 배치되어 이들을 연결하는 연결부재를 더 포함하는 전방향 음향 센서.
KR1020170099083A 2017-08-04 2017-08-04 전방향 음향 센서 KR102434704B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170099083A KR102434704B1 (ko) 2017-08-04 2017-08-04 전방향 음향 센서
US15/834,287 US10178472B1 (en) 2017-08-04 2017-12-07 Omnidirectional acoustic sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170099083A KR102434704B1 (ko) 2017-08-04 2017-08-04 전방향 음향 센서

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190014933A KR20190014933A (ko) 2019-02-13
KR102434704B1 true KR102434704B1 (ko) 2022-08-22

Family

ID=64815781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170099083A KR102434704B1 (ko) 2017-08-04 2017-08-04 전방향 음향 센서

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10178472B1 (ko)
KR (1) KR102434704B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102626924B1 (ko) 2019-06-20 2024-01-19 삼성전자주식회사 지향성 음향 센서와, 이를 이용한 지향 특성의 조절 방법 및 특정 방향의 음향 신호 감쇄 방법
EP4040007A1 (en) * 2021-02-04 2022-08-10 Silencions sp. z o. o. Construction element with integrated vibration damping devices

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009002778A (ja) 2007-06-21 2009-01-08 Teijin Pharma Ltd 超音波出力測定装置
JP2015023995A (ja) 2013-07-26 2015-02-05 セイコーエプソン株式会社 超音波測定装置、超音波ヘッドユニット、超音波プローブ及び超音波画像装置
KR101509342B1 (ko) * 2013-10-01 2015-04-07 재단법인대구경북과학기술원 인공와우용 음향 센서 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997013127A1 (en) * 1995-09-29 1997-04-10 International Business Machines Corporation Mechanical signal processor based on micromechanical oscillators and intelligent acoustic detectors and systems based thereon
JPH09264879A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Osaka Gas Co Ltd 薄膜式微小ａｅセンサ及びその製造方法
US6651504B1 (en) * 1999-09-16 2003-11-25 Ut-Battelle, Llc Acoustic sensors using microstructures tunable with energy other than acoustic energy
CH700716B1 (fr) 2006-10-09 2010-10-15 Suisse Electronique Microtech Résonateur en silicium de type diapason.
US8987976B2 (en) 2011-09-23 2015-03-24 Qualcomm Incorporated Piezoelectric resonator having combined thickness and width vibrational modes
US10541663B2 (en) 2015-10-14 2020-01-21 Qorvo Us, Inc. Multi-stage deposition system for growth of inclined c-axis piezoelectric material structures
KR20180015482A (ko) * 2016-08-03 2018-02-13 삼성전자주식회사 음향 스펙트럼 분석기 및 이에 구비된 공진기들의 배열방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009002778A (ja) 2007-06-21 2009-01-08 Teijin Pharma Ltd 超音波出力測定装置
JP2015023995A (ja) 2013-07-26 2015-02-05 セイコーエプソン株式会社 超音波測定装置、超音波ヘッドユニット、超音波プローブ及び超音波画像装置
KR101509342B1 (ko) * 2013-10-01 2015-04-07 재단법인대구경북과학기술원 인공와우용 음향 센서 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US10178472B1 (en) 2019-01-08
KR20190014933A (ko) 2019-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11051113B2 (en) Piezoelectric acoustic MEMS transducer and fabrication method thereof
US10433068B2 (en) MEMS acoustic transducer with combfingered electrodes and corresponding manufacturing process
US20150041930A1 (en) Acoustic transducer
US9816881B2 (en) Single diaphragm transducer structure
KR101360104B1 (ko) 표면 미세가공된 차동 마이크로폰
US10541670B2 (en) Micromechanical resonator and resonator system including the same
KR20150047046A (ko) 음향 변환기 및 패키지 모듈
CN111182428B (zh) Mems扬声器及其制造方法
US20130186200A1 (en) Micromechanical structure and method for manufacturing a micromechanical structure
CN110169085B (zh) 与mems传声器组合的非声学传感器的系统
KR102364853B1 (ko) 음향 센싱 소자의 신호 처리 방법과 음향 센싱 시스템
WO2006105528A1 (en) Silicon micromachined ultra-sensitive vibration spectrum sensor array (vssa)
US11159893B1 (en) MEMS sound transducer
US10001372B2 (en) Angular velocity detection device
CN110024284B (zh) 角耦接谐振器阵列
KR102434704B1 (ko) 전방향 음향 센서
US9344807B2 (en) Capacitance-type transducer, acoustic sensor, and microphone
WO2014045042A1 (en) Mems device and process
KR101514543B1 (ko) 마이크로폰
CN111065889B (zh) 振动陀螺仪
KR101514567B1 (ko) 음향 소자 및 이를 구비하는 마이크로폰 패키지
US10598491B2 (en) Stacked balanced resonators
TWI697999B (zh) Ｍｅｍｓ裝置及製程
WO2022266090A1 (en) Mems microphone
CN117769843A (zh) Mems换能器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant