KR102422042B1 - Pressure oven cleaning system and Pressure oven cleaning method - Google Patents

Pressure oven cleaning system and Pressure oven cleaning method Download PDF

Info

Publication number
KR102422042B1
KR102422042B1 KR1020200118060A KR20200118060A KR102422042B1 KR 102422042 B1 KR102422042 B1 KR 102422042B1 KR 1020200118060 A KR1020200118060 A KR 1020200118060A KR 20200118060 A KR20200118060 A KR 20200118060A KR 102422042 B1 KR102422042 B1 KR 102422042B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
air
impurities
heating
pressure
Prior art date
Application number
KR1020200118060A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20220036006A (en
Inventor
우시혁
Original Assignee
우시혁
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 우시혁 filed Critical 우시혁
Priority to KR1020200118060A priority Critical patent/KR102422042B1/en
Publication of KR20220036006A publication Critical patent/KR20220036006A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102422042B1 publication Critical patent/KR102422042B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/42—Auxiliary equipment or operation thereof
    • B01D46/44—Auxiliary equipment or operation thereof controlling filtration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection

Abstract

The present invention relates to a system including a circulation module for removing impurities generated in performing a curing process of reducing volume by pressurizing and heating a semiconductor package, and a method thereof. More specifically, the present invention relates to a pressure oven cleaning system and a pressure oven cleaning method. The system can export impurities to the outside of a chamber where a curing process is performed, and can treat the impurities in a separate module to cleanly use the chamber and prevent failure due to the impurities, can shorten the cleaning time of the chamber to reduce process time, and can keep clean the state of the chamber to perform continuous processes and improve the efficiency of the processes.

Description

가압오븐 클리닝 시스템 및 가압오븐 클리닝 방법{Pressure oven cleaning system and Pressure oven cleaning method}A pressure oven cleaning system and a pressure oven cleaning method

본 발명은 가압오븐 클리닝 시스템 및 가압오븐 클리닝 방법에 관한 것으로, 반도체 패키지를 가압 및 가열하여 부피를 감소시키는 경화공정을 수행하며 발생되는 불순물을 효과적으로 제거하고, 이후 불순물의 폐기 또한 용이하도록 구성되어, 장치의 고장을 예방하고 공정시간을 감소시키며 불순물에 대한 청소가 보다 용이한 가압오븐 클리닝 시스템 및 가압오븐 클리닝 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pressurized oven cleaning system and a pressurized oven cleaning method, and is configured to effectively remove impurities generated by performing a curing process to reduce volume by pressurizing and heating a semiconductor package, and to facilitate disposal of impurities thereafter, The present invention relates to a pressurized oven cleaning system and a pressurized oven cleaning method that prevent device failure, reduce process time, and facilitate cleaning of impurities.

일반적으로 반도체 패키지 공정에서, 복수의 반도체를 적층한 반도체 패키지를 제작하기 위해서 복수의 반도체를 적층한 후 고정시키는 몰딩공정이 수행되며, 몰딩공정이 수행된 이후 몰딩된 반도체 패키지의 부피를 경화시켜 소형화하는 경화공정을 수행한다, 이러한 경화공정은 가압오븐을 이용하여 복수의 반도체에 몰딩되어 있는 재료들을 고온 고압으로 가하여 그 부피를 축소시켜 반도체의 밀도가 향상되는 공정인 것을 특징으로 한다. 종래의 경화 공정을 수행 하는데 있어, 반도체에 몰딩되어 있는 재료들이 고온 고압으로 가공됨에 따라, 반도체에 부착되었던 재료들이 공정이 수행되는 동안에 챔버 내에서 불순물(흄, fume)로서 흩어져 머무르게 되고, 이러한 불순물들은 계속해서 챔버 내를 오염시켜 장치의 성능을 저하 시키는 문제를 유발하기 때문에, 공정의 효율이나 장치의 고장 방지를 위하여 불순물들이 챔버 내에서 최대한 빠른 시간 안에 제거되는 것이 필요로 한다.In general, in a semiconductor package process, in order to manufacture a semiconductor package in which a plurality of semiconductors are stacked, a molding process in which a plurality of semiconductors are stacked and then fixed is performed, and after the molding process is performed, the volume of the molded semiconductor package is hardened and miniaturized The curing process is characterized in that the density of the semiconductor is improved by reducing the volume by applying a high temperature and high pressure to the materials molded in a plurality of semiconductors using a pressurized oven. In performing the conventional curing process, as the materials molded in the semiconductor are processed at high temperature and high pressure, the materials attached to the semiconductor remain scattered as impurities (fume) in the chamber while the process is performed, and these impurities Since they continuously contaminate the chamber and cause a problem of lowering the performance of the apparatus, it is necessary to remove the impurities from the chamber as quickly as possible in order to prevent the failure of the apparatus or the efficiency of the process.

이에 먼저, 경과공정에서 발생 되는 불순물들은 고온에서의 공정으로 인해 발생되기 때문에 경화공정에 수행되었던 온도보다 더 높은 온도를 가해 태워 제거하는 방법이 있으나, 장비가 가지는 내열성에 한계가 존재하므로 실질적으로 챔버를 더 높은 온도로 가열하는 것으로 불순물들을 태워 제거하기는 장치의 큰 손상을 유발할 수 있기 때문에 수행하기 어렵다.First of all, since impurities generated in the elapsed process are generated by the process at a high temperature, there is a method to remove them by applying a higher temperature than the temperature performed in the curing process, but there is a limit in the heat resistance of the equipment. Burning out impurities by heating to a higher temperature is difficult to do as this can cause major damage to the device.

또한, 경화공정에 사용되는 가압오븐은 복수번의 재사용을 수행하여야 하며 한번의 공정 이후 재사용을 위해서 챔버 내부를 청소해야 하는데, 경화공정 시 발생되는 불순물들은 고온의 공정에 의해 발생되는 것이기 때문에 온도변화에 따라 그 상태가 변화되기 쉬우며, 공정이 수행되며 변화하는 챔버 내의 온도 변화에 따라 불순물들이 챔버 내에 유착되기 쉽고, 유착된 불순물은 청소하기 어렵다.In addition, the pressurized oven used in the curing process must be reused multiple times and the chamber interior must be cleaned for reuse after one process. Since impurities generated during the curing process are generated by a high-temperature process, Accordingly, the state is easy to change, and the impurities easily coalesce in the chamber according to the temperature change in the chamber that changes during the process, and it is difficult to clean the coalesced impurities.

따라서, 상기한 문제에 의해 종래의 장치로 공정을 연속적으로 수행하기 어렵기 때문에 공정 시간이 증가되어 그 생산량이 제한적이게 되며, 잦은 고장 및 별도의 청소 과정 등으로 인해 공정의 비용이 증가되어, 작업의 효율이 낮다는 문제점이 있다. Therefore, because it is difficult to continuously perform the process with the conventional apparatus due to the above problem, the process time is increased and the production amount thereof is limited, and the cost of the process is increased due to frequent failures and separate cleaning processes, etc. There is a problem that the efficiency is low.

한국등록특허 제10-1999611호"가압오븐(2019.10.01.)"Korean Patent Registration No. 10-1999611 "Pressure Oven (2019.10.01.)"

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서 본 발명의 목적은, 적층된 복수의 반도체를 고온고압에서 가공하여 부피를 감소시키며 밀도를 향상하는 반도체 패키지의 경화공정을 수행하는데 있어서, 경화공정에서 발생할 수 있는 불순물을 포함하고 있는 공기를 챔버의 외부로 배출하여 포함된 불순물을 처리하도록 하여, 공정에서 발생된 불순물이 챔버 내부에 쌓이게 되며 유발되는 장치의 고장을 예방하고, 처리된 불순물을 쉽게 폐기할 수 있도록 구성되어 청소가 용이하도록 구성되어, 경화공정의 효율을 향상시킬 수 있는 가압오븐 클리닝 시스템 및 가압오븐 클리닝 방법을 제공함에 있다.The present invention has been devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to process a plurality of stacked semiconductors at high temperature and high pressure to reduce the volume and improve the density. By discharging the air containing impurities that may occur in the process to the outside of the chamber to process the impurities, the impurities generated in the process accumulate inside the chamber, preventing equipment failures and removing the processed impurities An object of the present invention is to provide a pressurized oven cleaning system and a pressurized oven cleaning method, which are configured to be easily disposed of and can be easily cleaned, thereby improving the efficiency of the curing process.

본 발명의 가압오븐 클리닝 시스템은 접착제가 부착된 반도체 패키지의 경화공정을 수행하는 챔버; 상기 챔버에 구비되며, 공기 또는 질소를 이용하여 상기 챔버 내의 압력을 조절하는 압력조절부; 상기 챔버에 구비되며, 상기 챔버에 유입되는 상기 반도체 패키지를 가열하는 가열부; 및 상기 챔버의 외부에 분리되어 구비되며, 상기 챔버 내의 상기 접착제를 포함하는 불순물이 포함된 공기를 흡입하는 흡입배관 및 상기 챔버 내로 불순물이 제거된 공기를 토출하는 토출배관을 포함하여 구성되는 블로워, 및 상기 챔버와 상기 흡입배관 사이에 위치되어 유동하는 공기를 냉각하는 쿨링부를 포함하는 순환모듈;을 포함하고, 상기 쿨링부는, 내부에 내측부를 포함하는 판형 열교환기로 형성되어, 상기 챔버로부터 불순물이 포함된 공기가 상기 판형 열교환기를 통과하며 냉각되어 불순물이 상기 내측부에 유착되고, 상기 내측부는 상기 판형 열교환기와 분리 가능하게 형성되어, 상기 내측부를 상기 판형 열교환기로부터 분리하여 불순물을 제거하는 것으로 청소하는 것을 특징으로 한다.A pressure oven cleaning system of the present invention includes: a chamber for performing a curing process of a semiconductor package to which an adhesive is attached; a pressure adjusting unit provided in the chamber and controlling the pressure in the chamber by using air or nitrogen; a heating unit provided in the chamber and heating the semiconductor package introduced into the chamber; and a suction pipe for sucking air containing impurities containing the adhesive in the chamber and a discharge pipe for discharging air from which impurities have been removed into the chamber, which is provided separately outside the chamber; and a circulation module positioned between the chamber and the suction pipe and including a cooling unit for cooling the flowing air, wherein the cooling unit is formed as a plate heat exchanger including an inner part therein, and impurities are contained from the chamber The air is cooled as it passes through the plate heat exchanger, so that impurities are coalesced to the inner part, and the inner part is formed to be separable from the plate heat exchanger, and the inner part is separated from the plate heat exchanger to remove impurities. characterized.

삭제delete

삭제delete

삭제delete

더불어, 상기 순환모듈은, 공기를 가열하는 히팅부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the circulation module, characterized in that it includes a heating unit for heating the air.

이때, 상기 히팅부는, 상기 토출배관과 상기 챔버 사이에 위치되는 것을 특징으로 한다.In this case, the heating part is characterized in that it is positioned between the discharge pipe and the chamber.

또한, 상기 접착제는 에폭시를 포함하는 성분인 것을 특징으로 한다.In addition, the adhesive is characterized in that the component containing the epoxy.

또한, 상기 챔버는, 상기 챔버 내부의 공기를 1차적으로 필터링하는 필터를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the chamber, characterized in that it is configured to further include a filter that primarily filters the air inside the chamber.

더불어, 상기 필터는 0.3㎛ 이상 크기의 입자를 분리하는 헤파필터인 것을 특징으로 한다.In addition, the filter is characterized in that it is a HEPA filter that separates particles having a size of 0.3 μm or more.

상기 가압오븐 클리닝 시스템을 이용해 상기 챔버 내의 불순물을 제거하는 가압오븐 클리닝 방법에 있어서, 상기 챔버 내에 상기 반도체 패키지를 위치시키고, 상기 압력조절부를 이용하여 상기 챔버 내의 압력을 상승시키는 압력조절단계; 상기 가열부를 통해, 고압의 상기 챔버 내부에 위치되는 상기 반도체 패키지를 가열하는 반도체가열단계; 상기 블로워를 이용하여, 상기 챔버의 상기 반도체 패키지의 가열에 의해 발생된 불순물이 포함된 공기가 상기 순환모듈로 흡입되는 가스흡입단계; 상기 순환모듈에 구비되어, 상기 블로워를 통해 흡입된 공기가 상기 쿨링부를 통과하며 냉각되어 상기 내측부에 불순물이 유착되고, 불순물이 걸러진 공기는 통과하는 가스냉각단계; 상기 쿨링부의 냉각에 의해 불순물이 걸러진 공기를 가열하는 히팅부를 통해, 공기를 가열하는 공기가열단계; 및 상기 히팅부의 가열에 의해 불순물이 걸러지고 가열된 공기를 상기 블로워를 통해 상기 챔버 내로 토출하는 공기토출단계;를 포함하여 수행하고, 상기 공기토출단계 이후에, 상기 쿨링부의 내측부를 분리하여 청소하는 것을 특징으로 한다.A pressure oven cleaning method for removing impurities in the chamber by using the pressure oven cleaning system, comprising: a pressure adjusting step of positioning the semiconductor package in the chamber and increasing a pressure in the chamber using the pressure adjusting unit; a semiconductor heating step of heating the semiconductor package positioned inside the chamber at high pressure through the heating unit; a gas suction step in which air containing impurities generated by heating the semiconductor package in the chamber is sucked into the circulation module using the blower; a gas cooling step provided in the circulation module, in which the air sucked through the blower passes through the cooling unit and is cooled, so that impurities are coalesced in the inner part, and the air from which the impurities are filtered passes through; an air heating step of heating the air through a heating unit that heats the air filtered by impurities by cooling the cooling unit; and an air discharge step of discharging the impurities filtered by the heating of the heating unit and heated air into the chamber through the blower, and after the air discharging step, separating and cleaning the inner side of the cooling unit characterized in that

상기와 같은 구성에 의한 본 발명의 가압오븐 클리닝 시스템 및 가압오븐 클리닝 방법은 경화공정을 수행하는 챔버의 외부로 불순물을 내보내고, 별도의 모듈에서 불순물들을 처리할 수 있어 챔버를 청결하게 사용할 수 있어 불순물들에 의한 고장을 예방하고, 챔버의 청소 시간을 단축시켜 공정시간을 축소하며, 챔버의 상태가 청결하게 유지 가능하기 때문에 공정의 연속적 공정 수행이 가능하여 공정의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 챔버 외부에 구비되는 별도의 모듈에 쌓인 불순물을, 모듈을 분리하여 청소하는 것으로 쉽게 제거할 수 있어 청소에 용이하며 불순물 제거에 효과적인 장점이 있다.The pressurized oven cleaning system and the pressurized oven cleaning method of the present invention according to the above configuration send out impurities to the outside of the chamber where the curing process is performed, and the impurities can be treated in a separate module, so that the chamber can be used cleanly. It is possible to prevent malfunctions caused by equipment failure, shorten the cleaning time of the chamber to reduce the process time, and to keep the state of the chamber clean, so that the process can be performed continuously, thereby improving the efficiency of the process. In addition, impurities accumulated in a separate module provided outside the chamber can be easily removed by separating and cleaning the module, so it is easy to clean and there is an advantage in that it is effective in removing impurities.

도 1은 본 발명의 가압오븐 클리닝 시스템 사시도
도 2는 본 발명의 챔버 단면도
도 3은 본 발명의 공기 순환 개념도
도 4는 본 발명의 순환모듈 사시도
도 5는 본 발명의 가압오븐 클리닝 장치 측면도
도 6은 본 발명의 시간에 따른 챔버 내부의 온도 및 압력 변화 그래프
도 7의 (a)는 본 발명의 순환모듈을 사용하지 않고 경화공정을 수행한의 반도체 패키지의 품질
도 7의 (b)는 본 발명의 순환모듈을 사용하여 경화공정을 수행한 반도체 패키지의 품질
도 7의 (c)는 본 발명의 순환모듈 및 SDF 구간을 포함한 경화공정을 수행한 반도체 패키지의 품질
도 8은 본 발명의 가압오븐 클리닝 방법 순서도1 is a perspective view of a pressurized oven cleaning system of the present invention;
2 is a cross-sectional view of the chamber of the present invention;
3 is a conceptual diagram of air circulation of the present invention;
4 is a perspective view of the circulation module of the present invention;
5 is a side view of the pressure oven cleaning apparatus of the present invention;
6 is a graph of temperature and pressure change in the chamber according to time of the present invention;
7 (a) shows the quality of the semiconductor package in which the curing process was performed without using the circulation module of the present invention.
7 (b) shows the quality of the semiconductor package in which the curing process was performed using the circulation module of the present invention.
7 (c) shows the quality of the semiconductor package subjected to the curing process including the circulation module and the SDF section of the present invention.
8 is a flow chart of the pressure oven cleaning method of the present invention

이하, 본 발명의 기술적 사상을 첨부된 도면을 사용하여 더욱 구체적으로 설명한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. Hereinafter, the technical idea of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, the terms or words used in the present specification and claims should not be construed as being limited to conventional or dictionary meanings, and the inventor should properly understand the concept of the term in order to best describe his invention. Based on the principle that it can be defined, it should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the configuration shown in the embodiments and drawings described in the present specification is merely the most preferred embodiment of the present invention and does not represent all of the technical spirit of the present invention, so at the time of the present application, various It should be understood that there may be variations.

이하, 본 발명의 기술적 사상을 첨부된 도면을 사용하여 더욱 구체적으로 설명한다. 첨부된 도면은 본 발명의 기술적 사상을 더욱 구체적으로 설명하기 위하여 도시한 일예에 불과하므로 본 발명의 기술적 사상이 첨부된 도면의 형태에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the technical idea of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Since the accompanying drawings are merely examples shown to explain the technical idea of the present invention in more detail, the technical idea of the present invention is not limited to the form of the accompanying drawings.

본 발명은 반도체 패키지의 경화공정을 수행하는 가압오븐에 있어서, 상기 반도체 패키지가 적재되는 챔버(100) 내에서 수행되는 공정에서 발생되는 불순물을 포함하는 작업 가스가 존재하는 상기 챔버(100) 내의 공기를 외부에서 불순물을 제거하고, 다시 상기 챔버(100) 내에 유입하여 경화공정을 수행할 수 있도록 하는 가압오븐 클리닝 시스템(1000)에 관한 것이다.In the present invention, in a pressurized oven for performing a curing process of a semiconductor package, the air in the chamber 100 in which a working gas containing impurities generated in a process performed in the chamber 100 in which the semiconductor package is loaded is present. It relates to a pressurized oven cleaning system 1000 that removes impurities from the outside and re-introduces into the chamber 100 to perform a curing process.

도 1을 참고하여 설명하면, 본 발명은 복수의 상기 반도체 패키지의 경화공정이 수행되는 상기 챔버(100)와, 상기 챔버(100)의 외부에 구비되는 순환모듈(200)을 포함하고 있는 것을 특징으로 하며, 복수의 반도체가 접착제에 의해 몰딩되어 적층되어있는 상기 반도체 패키지를 열 및 압력을 가하는 공정을 통해, 접착제가 경화되며 상기 반도체 패키지를 경화시키는 공정을 수행하는 것을 특징으로 한다.Referring to FIG. 1 , the present invention includes the chamber 100 in which a curing process of the plurality of semiconductor packages is performed, and a circulation module 200 provided outside the chamber 100 . and, through a process of applying heat and pressure to the semiconductor package in which a plurality of semiconductors are molded and stacked by an adhesive, the adhesive is cured and a process of curing the semiconductor package is performed.

도 1 및 2를 참고하여 설명하면, 상기 챔버(100)는 복수의 상기 반도체 패키지가 위치될 수 있는 공간으로 형성되는 작업부(110)를 포함하여 형성되며, 상기 챔버(100) 내의 압력을 조절하는 압력조절부(120) 및 상기 반도체 패키지를 가열하는 가열부(130)를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 작업부(110)는 복수의 상기 반도체 패키지가 적재될 수 있는 일정의 면적을 갖는 것으로, 상기 챔버(100) 내부에 가해지는 압력 및 온도 변화에 의해 적재된 상기 반도체 패키지의 경화공정이 수행되는 것을 특징으로 한다. 상기 압력조절부(120)는, 상기 챔버(100) 내에 구비되어 상기 챔버(100) 내부의 압력을 조절하는 것으로, 상기 압력조절부(120)는 2bar ~ 19bar 에서 유지되는 것이 바람직하며, 상기 반도체 패키지에 따라 설정하고자 하는 상기 챔버(100) 내부의 환경에 대해 공기 또는 질소를 조절하여. 상기 반도체 패키지에 압력을 가하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 가열부(130)는, 상기 작업부(110)에 위치되는 상기 챔버(100) 내부의 온도를 조절하는 것으로, 상기 챔버(100) 내부의 온도를 상승시켜 상기 작업부(110)에 적재된 복수의 상기 반도체 패키지에 가열을 하여 경화공정을 수행하는 것을 특징으로 한다. 상기 가열부(130)는 80도~ 220도 내에서 온도가 조절되며 상기 반도체 패키지를 가열하는 것이 바람직하며, 상기 반도체 패키지의 종류 및 수량에 따라서 온도를 변경하여 작업을 수행하는 것이 바람직하다.Referring to FIGS. 1 and 2 , the chamber 100 is formed to include a work unit 110 formed as a space in which a plurality of the semiconductor packages can be located, and the pressure in the chamber 100 is adjusted. It may be formed to include a pressure control unit 120 and a heating unit 130 for heating the semiconductor package. The work unit 110 has a predetermined area in which a plurality of the semiconductor packages can be loaded, and a curing process of the loaded semiconductor packages is performed by a change in pressure and temperature applied to the inside of the chamber 100 . characterized in that The pressure control unit 120 is provided in the chamber 100 to adjust the pressure inside the chamber 100 , and the pressure control unit 120 is preferably maintained at 2 bar to 19 bar, and the semiconductor By adjusting air or nitrogen for the environment inside the chamber 100 to be set according to the package. It characterized in that the pressure is applied to the semiconductor package. In addition, the heating unit 130, by adjusting the temperature inside the chamber 100 located in the working unit 110, by increasing the temperature inside the chamber 100 to the working unit (110) It characterized in that the curing process is performed by heating the stacked plurality of the semiconductor packages. The temperature of the heating unit 130 is controlled within 80°C to 220°C, and it is preferable to heat the semiconductor package, and it is preferable to perform the operation by changing the temperature according to the type and quantity of the semiconductor package.

더불어, 상기 챔버(100)는 상기 챔버(100)의 냉각 및 단열 효율을 향상시키기 위하여 에어자켓(Air jacket)을 더 포함하여 구비 할 수 있으며, 상기 에어자켓은 상기 챔버(100)의 외벽에 구비될 수 있고, 상기 에어자켓은 상기 챔버(100)의 외부에서 공기층 및 단열층을 형성하며 상기 챔버(100)의 내부 냉각 시 브로워를 이용하여 외벽의 열을 배출시켜주는 동작을 수행함으로써 상기 챔버(100) 내의 쿨링 시간을 감소시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.In addition, the chamber 100 may further include an air jacket to improve cooling and insulation efficiency of the chamber 100 , and the air jacket is provided on the outer wall of the chamber 100 . The air jacket forms an air layer and a heat insulating layer on the outside of the chamber 100, and performs an operation of discharging heat from the outer wall using a blower when the chamber 100 is cooled inside the chamber 100. ) can provide the effect of reducing the cooling time within.

본 발명의 일실시예로 상기 반도체 패키지에 접착된 상기 접착제로 에폭시가 사용되는 것을 특징으로 하며, 복수의 반도체가 에폭시에 의해 적층된 복수의 상기 반도체 패키지를 상기 작업부(110)에 적재하고 상기 압력조절부(120) 및 상기 가열부(130)를 통해 상기 챔버(100) 내의 환경을 변경시켜 상기 반도체 패키지를 경화시키는 것을 특징으로 한다. 이때 상기 가열부(130)는 상기 에폭시가 잘 녹을 수 있는 약 80도 이상 220도 이하의 온도 상기 작업부(110)를 가열하는 것이 바람직하다. 상기 가열부(130)가 복수의 상기 반도체 패키지를 가열함으로써 상기 반도체 패키지는 경화공정을 수행하게 되면, 상기 반도체 패키지는 부피가 작되, 밀도가 높은 시스템 반도체를 생산하게 되는 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the present invention, epoxy is used as the adhesive adhered to the semiconductor package, and a plurality of semiconductor packages in which a plurality of semiconductors are laminated by epoxy are loaded in the work unit 110 and the The semiconductor package is cured by changing the environment in the chamber 100 through the pressure adjusting unit 120 and the heating unit 130 . At this time, it is preferable that the heating unit 130 heats the working unit 110 at a temperature of about 80 degrees or more and 220 degrees or less at which the epoxy can be well melted. When the semiconductor package is cured by the heating unit 130 heating the plurality of semiconductor packages, the semiconductor package has a small volume and a high density system semiconductor is produced.

상기 경화공정을 통해 고온으로 가열된 상기 챔버(100) 내에는, 상기 반도체 패키지에 부착되어 있던 상기 접착제들이 녹거나 탈락하게 되고, 이렇게 탈락된 상기 접착제 및 다른 부품들이 이물질 상태 또는 가스화 되어 상기 챔버(100) 내에 머무르게 된다. 본원발명은 이러한 불순물이 포함된 공기(fume)를 상기 챔버(100) 외부로 배출시켜 상기 순환모듈(200)을 이용하여 공기를 정화시키기 위한 장치로, 상기 순환모듈(200)을 통해 상기 챔버(100) 내 공기의 불순물을 제거하여 다시 상기 챔버(100) 내부로 유입시켜, 상기 반도체 패키지를 제작하는 경화공정이 보다 효율적으로 수행될 수 있는 효과를 제공하기 위한 것을 특징으로 한다. 도 3을 참고하여, 이하부터 상기 챔버(100) 내의 불순물들을 포함하는 공기를 작업에어(A)라고 지칭하고, 상기 순환모듈(200)에 의해 불순물들이 제거된 공기를 정화에어(B)라고 지칭하며 설명하도록 하겠다. In the chamber 100 heated to a high temperature through the curing process, the adhesives attached to the semiconductor package melt or fall off, and the adhesive and other components that have been removed in this way are in a foreign state or gasified to form the chamber ( 100) will stay within. The present invention is an apparatus for purifying air using the circulation module 200 by discharging air (fume) containing these impurities to the outside of the chamber 100, and through the circulation module 200, the chamber ( 100) It is characterized in that the impurities in the air are removed and introduced into the chamber 100 again to provide an effect that the curing process for manufacturing the semiconductor package can be performed more efficiently. Referring to FIG. 3 , hereinafter, the air containing impurities in the chamber 100 is referred to as working air (A), and the air from which impurities are removed by the circulation module 200 is referred to as purified air (B). and I will explain.

도 1을 참고하여 설명하면, 상기 순환모듈(200)은 상기 챔버(100)와 구분되어 구비되는 것을 특징으로 하며, 상기 순환모듈(200)은 상기 챔버(100) 내부의 공기를 상기 순환모듈(200)로 흡입하거나 또는 상기 순환모듈(200) 내에 있는 공기를 상기 챔버(100)로 토출하는 동작을 수행하는 블로워(210)(Blower)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 블로워(210)는 일반적으로 바람을 형성시키는 장치이면 사용 가능하지만, 본 발명의 특징으로, 높은 RPM을 통해 고풍압을 생성할 수 있는 링 블로워(210)(Ring Blower)가 구비되는 것이 바람직하다. 이하부터 상기 블로워(210)는 링 블로워(210)로 구성되는 것을 기준으로 설명하겠다.1, the circulation module 200 is characterized in that it is provided separately from the chamber 100, the circulation module 200 is the air inside the chamber 100 to the circulation module ( 200) or a blower 210 (Blower) for performing an operation of discharging the air in the circulation module 200 to the chamber 100 is characterized in that it includes. The blower 210 is generally usable as long as it is a device for forming wind, but as a feature of the present invention, it is preferable that a ring blower 210 (Ring Blower) capable of generating a high wind pressure through a high RPM is provided. . Hereinafter, the blower 210 will be described based on the configuration of the ring blower 210 .

도 4를 참고하여 설명하면, 상기 블로워(210)는 상기 챔버(100) 내의 공기를 강압적으로 흡입하는 흡입압이 형성된 흡입구(211a) 및, 상기 챔버(100) 내부로 공기를 강압적으로 토출하는 토출압이 형성된 토출구(212a)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 흡입구(211a)는 흡입압이 이동되는 흡입배관(211)과 연결되어 있으며, 상기 토출구(212a)는 토출압이 이동되는 토출배관(212)이 연결되어 있는 것을 특징으로 한다. 따라서 상기 흡입배관(211)과 연결되어 있는 배관을 따라서, 상기 챔버(100) 내부에서 상기 순환모듈(200)로 이동된 작업에어(A)가 이동되고, 상기 순환모듈(200)에 의해 정화된 정화에어(B)가 상기 토출배관(212)과 연결되어 있는 배관을 따라 이동하여 상기 챔버(100) 내부로 토출되는 것을 특징으로 한다.Referring to FIG. 4 , the blower 210 includes a suction port 211a having a suction pressure for forcibly sucking air in the chamber 100 , and a discharge for forcibly discharging air into the chamber 100 . It is characterized in that it comprises a discharge port (212a) is formed pressure. In addition, the suction port 211a is connected to the suction pipe 211 through which the suction pressure moves, and the discharge port 212a is connected to the discharge pipe 212 through which the discharge pressure moves. Therefore, along the pipe connected to the suction pipe 211, the working air (A) moved from the inside of the chamber 100 to the circulation module 200 is moved, and the The purification air (B) moves along a pipe connected to the discharge pipe (212) and is discharged into the chamber (100).

본 발명의 상기 블로워(210)에 의해, 종래의 송풍팬 등의 작동을 위해 구비되던 버퍼 탱크(Buffer tank)가 불필요하기 때문에 공간의 효율을 제공할 수 있으며, 종래의 챔버(100)의 순환시스템을 위해 챔버(100) 내부에 구비되는 쿨링 라지에이터가 불필요하게 되어, 상기 챔버(100) 내부의 공간이 넓어져, 보다 많은 상기 반도체 패키지를 수용할 수 있어 작업 효율이 향상되는 효과가 있다. 또한, 상기 블로워(210)는 고풍압에 의해 동작되므로, 공기의 순환율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. By the blower 210 of the present invention, since a buffer tank provided for the operation of a conventional blower fan is unnecessary, space efficiency can be provided, and the circulation system of the conventional chamber 100 For this purpose, the cooling radiator provided inside the chamber 100 is unnecessary, and the space inside the chamber 100 is widened, so that more semiconductor packages can be accommodated, thereby improving work efficiency. In addition, since the blower 210 is operated by high wind pressure, there is an effect of improving the air circulation rate.

더불어, 도 5를 참고하면, 본 발명의 상기 가압오븐 클리닝 시스템(1000)은 공간을 효율적으로 사용할 수 있으므로, 하나의 프레임에 복수개의 상기 가압오븐 클리닝 시스템(1000)이 구비되는 가압오븐 클리닝 장치(2000)로 형성될 수 있으며, 이때 상기 가압오븐 클리닝 시스템(1000)을 구동하는 에어라인을 각각의 상기 가압오븐 클리닝 시스템(1000)에 독립적으로 구비함으로써 공기 순환 효율이 향상되며 생산성을 크게 향상시키는 상기 가압오븐 클리닝 장치(2000)를 제공할 수 있다.In addition, referring to FIG. 5 , since the pressurized oven cleaning system 1000 of the present invention can use space efficiently, a pressurized oven cleaning apparatus having a plurality of the pressurized oven cleaning systems 1000 in one frame ( 2000), wherein an air line for driving the pressurized oven cleaning system 1000 is independently provided in each of the pressurized oven cleaning systems 1000, so that air circulation efficiency is improved and productivity is greatly improved. A pressure oven cleaning apparatus 2000 may be provided.

본 발명에서 사용되는 접착제는 에폭시가 주성분인 접착제를 사용하는 것을 특징으로 하며, 에폭시를 경화하기 위해서는 상기 챔버(100) 내부의 온도를 상기 가열부(130)를 통해 130~200도 이상으로 가열하며 경화공정을 수행하는 것이 바람직하다. 이러한 에폭시는 경화공정에 의해 불순물을 포함하는 가스의 형태로 상기 챔버(100) 내에 형성되는데, 가스를 가열함으로써 에폭시를 폐기하기 위해서는 350도 이상의 온도로 가열해야 하나, 상기 챔버(100) 및 시스템 반도체의 내구성 문제에 의해 실행할 수 없다는 문제점이 있다. The adhesive used in the present invention is characterized by using an adhesive whose main component is epoxy, and in order to cure the epoxy, the temperature inside the chamber 100 is heated to 130 to 200 degrees or more through the heating unit 130, It is preferable to perform a curing process. The epoxy is formed in the chamber 100 in the form of a gas containing impurities by a curing process. In order to dispose of the epoxy by heating the gas, it must be heated to a temperature of 350 degrees or more, but the chamber 100 and the system semiconductor There is a problem that it cannot be executed due to the durability problem of the.

이에 따라, 본 발명은 상기 순환모듈(200)을 구비함으로써, 상기 챔버(100) 내부에 형성된 에폭시를 포함하고 있는 작업에어(A)를 상기 순환모듈(200)로 배출하고, 에폭시의 성분을 상기 순환모듈(200)에서 분리시켜서, 정화된 정화에어(B)를 상기 챔버(100)에 다시 토출시키는 것을 특징으로 하며, 상기 순환모듈(200)에서 에폭시를 분리하고, 상기 순환모듈(200)을 청소하는 것으로 불순물을 용이하게 제거하여 청소가 쉬운 가압오븐 클리닝 시스템(1000)을 제공하기 위한 것을 특징으로 한다.Accordingly, in the present invention, by providing the circulation module 200, the working air (A) containing the epoxy formed inside the chamber 100 is discharged to the circulation module 200, and the component of the epoxy is removed from the It is characterized in that by separating from the circulation module 200, the purified purified air (B) is discharged back to the chamber 100, the epoxy is separated from the circulation module 200, and the circulation module 200 is It is characterized in that to provide a pressure oven cleaning system 1000 that is easy to clean by easily removing impurities by cleaning.

도 3 및 4에 도시된 바와 같이, 상기 순환모듈(200)은 상기 블로워(210)에 의해 상기 순환모듈(200)에 유입된 불순물이 포함된 작업에어(A)를, 불순물이 제거된 정화에어(B)로 정화하는 장치를 더 포함하는 것이 바람직하며, 이에 본 발명은, 상기 챔버(100)로부터 유입된 불순물을 포함하는 공기를 냉각하는 쿨링부(220) 및, 상기 쿨링부(220)를 통과하며 정화된 정화에어(B)를 가열하는 히팅부(230)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.3 and 4 , the circulation module 200 converts the working air (A) containing impurities introduced into the circulation module 200 by the blower 210 into the purified air from which impurities are removed. It is preferable to further include a device for purifying in (B), and the present invention provides a cooling unit 220 for cooling the air containing impurities introduced from the chamber 100, and the cooling unit 220. It is characterized in that it is configured to include a heating unit 230 for heating the purified air (B) passing through.

도 3 및 4를 참고하면, 상기 쿨링부(220)는 저온 또는 상온의 온도로 유지되고 있는 장치로 형성되는 것이 적절하고, 상기 블로워(210)가 흡입한 작업에어(A)가 상기 쿨링부(220)를 통과하며 지나갈 수 있는 위치에 구비되는 것이 바람직하다. 상기 쿨링부(220)는 상기 작업부(110)가 가열되며 경화공정에 의해 상기 반도체 패키지로부터 탈락한 에폭시를 포함하는 작업에어(A)가 상기 블로워(210)에 의해 상기 쿨링부(220)를 통과하도록, 상기 쿨링부(220)는 상기 챔버(100) 및 상기 블로워(210) 사이에 위치되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 작업에어(A)가 유입되는 상기 쿨링부(220)의 일측은 상기 챔버(100)로부터 이동되는 작업에어(A)가 상기 쿨링부(220)를 통과하도록 유도시키는 제1 배관(221)을 통해 상기 챔버(100)와 연결되도록 형성되며, 상기 작업에어(A)가 냉각된 후 상기 쿨링부(220)를 빠져나가는 타측은 상기 블로워(210)의 흡입구(211a)와 연결된 흡입배관(211)을 통해 상기 블로워(210)와 연결될 수 있다.3 and 4, it is appropriate that the cooling unit 220 is formed as a device maintained at a low or room temperature temperature, and the working air (A) sucked by the blower 210 is the cooling unit ( 220) and is preferably provided in a position that can pass. In the cooling unit 220 , the working unit 110 is heated and the working air (A) containing the epoxy dropped from the semiconductor package by the curing process is the cooling unit 220 by the blower 210 . To pass through, the cooling unit 220 is preferably located between the chamber 100 and the blower 210 . At this time, one side of the cooling unit 220 through which the working air (A) is introduced is a first pipe 221 for inducing the working air (A) moving from the chamber 100 to pass through the cooling unit 220 . ) is formed to be connected to the chamber 100 through, and the other side exiting the cooling unit 220 after the working air A is cooled is a suction pipe connected to the suction port 211a of the blower 210 ( 211 may be connected to the blower 210 .

상기 쿨링부(220)는, 작업에어(A)의 온도보다 낮게 형성되어 작업에어(A)의 온도를 냉각시키는 것으로, 에폭시가 응고될 수 있는 온도로 형성되는 것이 바람직하다. 이에 따라 상기 쿨링부(220)는 내측부를 포함하는 판형 열교환기로 형성될 수 있으며, 작업에어(A)가 상기 내측부에 지나가면서 상기 쿨링부(220)와의 온도 차이에 의해 응고되게 되고, 상기 내측부에 응고된 에폭시가 유착될 수 있도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 쿨링부(220)의 내측부는 복수의 돌기형태, 물결형태, 나사산, 나선형태 및 가시형태 등으로 형성될 수 있으며, 상기 내측부는 상기 쿨링부(220)와 분리 가능하도록 형성되어, 상기 내측부를 분리하여 청소하는 것으로 수집된 에폭시를 폐기 처리할 수 있도록 형성될 수 있다. 따라서, 상기 쿨링부(220)에 의해 상기 챔버(100) 내부의 오염을 최소화할 수 있기 때문에, 구조가 복잡하고 복수의 부품을 구비하고 있는 상기 챔버(100) 내부를 보다 청결하게 유지할 수 있어 챔버(100) 청소에 용이하며, 공정의 효율 또한 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.The cooling unit 220 is formed to be lower than the temperature of the working air (A) to cool the temperature of the working air (A), preferably formed at a temperature at which the epoxy can be solidified. Accordingly, the cooling unit 220 may be formed as a plate heat exchanger including an inner portion, and the working air (A) is solidified by a temperature difference with the cooling portion 220 while passing through the inner portion, and is formed in the inner portion. It may be formed so that the solidified epoxy can be coalesced. At this time, the inner portion of the cooling unit 220 may be formed in a plurality of protrusion shapes, wavy shapes, threads, spiral shapes and thorn shapes, etc., and the inner portion is formed to be separable from the cooling unit 220 , It can be formed so that the collected epoxy can be disposed of by removing and cleaning the inner part. Therefore, since contamination inside the chamber 100 can be minimized by the cooling unit 220, the inside of the chamber 100 having a complicated structure and a plurality of parts can be maintained more cleanly. (100) It is easy to clean, and provides an effect that can also improve the efficiency of the process.

상기 쿨링부(220)는 상기 제1 배관(221)에 의해 상기 챔버(100)와 연결되며, 상기 흡입배관(211)에 의해 상기 블로워(210)랑 연결되는 것을 특징으로 하며, 상기 쿨링부(220)를 통과한 작업에어(A)는 일정 이상의 에폭시가 제거된 정화에어(B)가 상기 흡입배관(211)을 따라 상기 블로워(210)에 유입되게 된다. 이때, 상기 블로워(210)가 생성하는 고압의 바람에 의해 상기 블로워(210)에 유입된 정화에어(B)는 재냉각될 수 있으며, 정화에어(B)의 재냉각에 의해 추가적으로 에폭시가 필터링 될 수 있다. 이에, 상기 블로워(210)의 내측에는 응고된 에폭시를 필터링할 수 있는 필터를 포함하여 형성되어, 상기 블로워(210)가 생성하는 바람에 의해 응고된 에폭시가 유착되게 되고, 상기 필터를 상기 블로워(210)로부터 분리하여 청소함으로써 에폭시를 용이하게 폐기할 수 있도록 구성될 수 있다.The cooling unit 220 is connected to the chamber 100 by the first pipe 221 and is connected to the blower 210 by the suction pipe 211, and the cooling unit ( The working air (A) that has passed through 220 is introduced into the blower 210 along the suction pipe 211 with the purified air (B) from which more than a certain amount of epoxy has been removed. At this time, the purification air (B) introduced into the blower 210 by the high-pressure wind generated by the blower 210 may be re-cooled, and the epoxy will be additionally filtered by the re-cooling of the purification air (B). can Accordingly, the inside of the blower 210 is formed to include a filter capable of filtering the coagulated epoxy, and the coagulated epoxy is coalesced by the wind generated by the blower 210, and the filter is applied to the blower ( 210) may be configured to easily dispose of the epoxy by cleaning it.

도 3 및 4를 참고하면, 상기 히팅부(230)는, 상기 히팅부(230)에 유입되는 공기의 온도를 상기 쿨링부(220)의 온도 이상으로 가열하는 장치로 형성되며, 상기 쿨링부(220)를 통과한 정화에어(B)가 상기 히팅부(230)를 통과하여 상기 챔버(100) 내부로 유입되는 위치에 구비되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 히팅부(230)는 상기 챔버(100)와 상기 블로우 사이에 위치되되, 상기 쿨링부(220) 및 상기 블로워(210)를 통과한 정화에어(B)가 유입되고, 히팅된 정화에어(B)가 상기 챔버(100) 내로 다시 유입되도록 형성되는 것을 특징으로 한다. 따라서, 상기 쿨링부(220) 및 상기 블로워(210)를 통과한 정화에어(B)가 유입되는 상기 히팅부(230)의 일측은, 상기 블로워(210)의 토출구(212a)와 연결되는 상기 토출배관(212)을 통해 상기 블로워(210)와 연결되도록 형성되며, 상기 히팅부(230)의 타측은 히팅된 정화에어(B)가 상기 챔버(100) 내부로 이동되도록 유도시키는 제2 배관(231)을 통해 상기 챔버(100)와 연결될 수 있다.3 and 4, the heating unit 230 is formed as a device that heats the temperature of the air flowing into the heating unit 230 to a temperature higher than that of the cooling unit 220, and the cooling unit ( It is preferable that the purification air (B) passing through 220 is provided at a position where it passes through the heating unit 230 and flows into the chamber 100 . At this time, the heating unit 230 is positioned between the chamber 100 and the blower, the purified air (B) passing through the cooling unit 220 and the blower 210 is introduced, and the heated purified air (B) is characterized in that it is formed to flow back into the chamber (100). Accordingly, one side of the heating unit 230 through which the purified air (B) that has passed through the cooling unit 220 and the blower 210 flows is connected to the discharge port 212a of the blower 210 . The second pipe 231 is formed to be connected to the blower 210 through a pipe 212 , and the other side of the heating part 230 induces the heated purification air B to move into the chamber 100 . ) may be connected to the chamber 100 .

상기 히팅부(230)는, 상기 냉각부 및 블로우에 의해 온도가 낮아지며 에폭시가 필터링 된 정화에어(B)를 상기 챔버(100) 내부의 가열 온도와 유사한 온도로 가열하여 상기 챔버(100) 내부에 유입시키는 것으로, 상기 챔버(100) 내부의 경화공정의 효율성을 향상시키기 위해 구비되는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 정화에어(B)가 상기 히팅부(230)를 통과하며 이동되도록 구비되는 것이 바람직하며, 상기 히팅부(230)는 상기 제2 배관(231)을 감싸며 형성되거나, 상기 제2 배관(231)의 길이방향 중 어느 한 위치에 구비되어. 상기 챔버(100)로 유입되는 정화에어(B)를 히팅 시키도록 형성되는 것을 특징으로 한다.The heating unit 230, the temperature is lowered by the cooling unit and the blow, and heats the epoxy-filtered purification air (B) to a temperature similar to the heating temperature inside the chamber 100 to the inside of the chamber 100 . By introducing it, it is characterized in that it is provided to improve the efficiency of the curing process inside the chamber 100 . Accordingly, it is preferable that the purified air (B) is provided to move through the heating part 230 , and the heating part 230 is formed to surround the second pipe 231 or the second pipe ( 231) provided at any one position in the longitudinal direction. It is characterized in that it is formed to heat the purification air (B) flowing into the chamber (100).

상기 히팅부(230)는, 상기 쿨링부(220)에 의해 정화되기 전인 작업에어(A)의 온도보다 냉각된 정화에어(B)를 상기 히팅부(230)를 통과하며 상기 챔버(100) 내부에 토출시킴으로써, 상기 정화에어(B)가 상기 히팅부(230)에 의해 가열된 온도로 상기 챔버(100) 내부에 유입되기 때문에 상기 챔버(100) 내부 온도 분포도에 영향을 주지 않게 되어, 상기 순환모듈(200)에 의해 발생될 수 있는 상기 가열부(130)가 상기 챔버(100) 내부의 상기 작업부(110) 온도를 가열하기 위한 열량 손해를 최소화하며 상기 작업부(110)가 경과작업을 수행할 수 있는 효과가 있다.The heating unit 230 passes through the heating unit 230 the purified air (B) cooled than the temperature of the working air (A) before being purified by the cooling unit 220 and passes through the chamber 100 inside the chamber 100 . By discharging to the purifying air (B), since the purified air (B) is introduced into the chamber 100 at a temperature heated by the heating unit 230, it does not affect the temperature distribution inside the chamber 100, and the circulation The heating unit 130, which may be generated by the module 200, minimizes the amount of heat loss for heating the temperature of the working unit 110 inside the chamber 100, and the working unit 110 performs the elapsed work. There is an effect that can be done.

더불어, 도 2를 참고하면, 상기 챔버(100)는 경과공정에 의해 발생한 작업에어(A)에 포함된 불순물을 1차적으로 먼저 필터링하고, 1차적으로 필터링된 작업에어(A)가 상기 쿨링부(220)로 이동될 수 있는 필터(140)를 더 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 상기 필터(140)는 0.3㎛ 이상의 크기를 가지는 입자를 분리할 수 있는 헤파필터(HEPA filter)로 형성되는 것이 바람직하며, 헤파필터에 의해 상기 챔버(100) 내에 형성된 작업에어(A)가 포함하고 있는 에폭시의 일부가 필터링되어 상기 쿨링부(220)로 이동되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 히팅부(230)는 상기 가압오븐 클리닝 시스템(1000)의 전체적인 공정 및 에너지 효율을 위하여, 상기 챔버(100) 내부의 온도가 설정 온도까지 상승한 경우 상기 가열부(130)가 자동으로 동작을 정지하는 자동시스템을 더 구비하며 구성될 수 있다.In addition, referring to FIG. 2 , the chamber 100 first filters impurities contained in the working air (A) generated by the elapsed process, and the firstly filtered working air (A) is used in the cooling unit It may be configured to further include a filter 140 that can be moved to 220 . In this case, the filter 140 is preferably formed of a HEPA filter capable of separating particles having a size of 0.3 μm or more, and the working air A formed in the chamber 100 by the HEPA filter A part of the epoxy contained therein may be formed to be filtered and moved to the cooling unit 220 . In addition, for the overall process and energy efficiency of the pressurized oven cleaning system 1000 , the heating unit 230 automatically operates the heating unit 130 when the temperature inside the chamber 100 rises to a set temperature. It may be configured and further provided with an automatic system for stopping the.

또한, 도 6은 경화공정 시 시간에 따른 상기 챔버(100) 내의 온도 및 압력변화에 대한 그래프이며, 상기 챔버(100) 및 상기 순환모듈(200)로 상기 반도체 패키지의 경화공정을 수행할 때의 상기 챔버(100) 내부 환경에 대해 설명하면, 복수의 상기 반도체 패키지가 적재되어 있는 상기 작업부(110)의 초기 압력은 대기 압력이며, 상기 가열부(130)를 통해 기설정된 설정 온도까지 상기 작업부(110)의 온도를 상승시킨 후 일정시간동안 진공상태를 진행하며 경화공정을 수행하는 SDF(Special De-gassing Function) 구간을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 작업부(110)의 온도가 기설정된 설정 온도까지 상승하면 상기 가열부(130)의 전원을 차단하여 상기 작업부(110)의 가열을 중지하고, 잔류열을 사용하여 경화공정을 수행하는 것을 특징으로 한다. 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 순환모듈(200)을 구비하여 수행되는 경화공정에서 생성되는 상기 반도체 패키지의 공극(Void) 제거율이 약 90% 이상으로 수행되는 효과가 있으며, 더불어, 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 상기 SDF 구간을 수행함으로써, 상기 반도체 패키지의 공극 제거율이 98% 이상으로 공극이 제거될 수 있으며, 따라서 경화공정을 수행하는 상기 반도체 패키지의 품질이 크게 향상되는 효과가 발생된다.In addition, FIG. 6 is a graph showing changes in temperature and pressure in the chamber 100 according to time during the curing process, when the curing process of the semiconductor package is performed with the chamber 100 and the circulation module 200 When describing the internal environment of the chamber 100 , the initial pressure of the work unit 110 in which the plurality of semiconductor packages are loaded is atmospheric pressure, and the work is performed up to a preset temperature through the heating unit 130 . It is characterized in that it includes an SDF (Special De-gassing Function) section in which the curing process is performed while the vacuum state is performed for a predetermined time after raising the temperature of the unit 110 . At this time, when the temperature of the working unit 110 rises to a preset temperature, the power of the heating unit 130 is cut off to stop the heating of the working unit 110, and a curing process is performed using residual heat. characterized in that As shown in (b) of FIG. 7 , there is an effect that the void removal rate of the semiconductor package generated in the curing process performed with the circulation module 200 is about 90% or more, and with , as shown in (c) of FIG. 7, by performing the SDF section, the void removal rate of the semiconductor package is 98% or more, and the voids can be removed, and thus the quality of the semiconductor package performing the curing process is improved. A greatly improved effect occurs.

도 8을 참고하여 설명하면, 본 발명의 상기 가압오븐 클리닝 시스템(1000)을 이용하여 상기 챔버(100) 내의 불순물을 제거하는 가압오븐 클리닝 방법에 있어서, 압력조절단계(S1), 반도체가열단계(S2), 가스흡입단계(S3), 가스냉각단계(S4), 공기가열단계(S5) 및 공기토출단계(S6)를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 한다.8, in the pressurized oven cleaning method for removing impurities in the chamber 100 using the pressurized oven cleaning system 1000 of the present invention, the pressure adjusting step (S1), the semiconductor heating step ( S2), gas intake step (S3), gas cooling step (S4), air heating step (S5) and air discharge step (S6) is characterized in that it is performed.

먼저, 상기 압력조절단계(S1)는, 상기 챔버(100) 내에 상기 반도체 패키지를 위치시키고, 상기 압력조절부(120)를 이용하여 상기 챔버(100) 내의 압력을 상승시키는 것으로, 경화공정을 수행하기 위해 상기 작업부(110)에 위치되는 복수의 상기 반도체 패키지에 고압의 압력을 가하며 경화공정을 수행하는 것을 특징으로 한다.First, in the pressure adjusting step ( S1 ), the semiconductor package is placed in the chamber 100 , and the pressure in the chamber 100 is increased using the pressure adjusting unit 120 , and a curing process is performed. In order to do this, it is characterized in that the curing process is performed by applying high pressure to the plurality of semiconductor packages positioned in the working unit 110 .

상기 반도체가열단계(S2)는, 상기 챔버(100) 내부에 위치되는 복수의 상기 반도체 패키지에 고온의 열을 가하는 것으로 경화공정을 수행하는 단계이며, 상기 가열부(130)를 통해 상기 작업부(110)의 내부 온도를 상승시켜 상기 챔버(100) 내부에 위치되는 상기 반도체를 가열하는 상기 반도체가열단계(S2)를 수행하는 것을 특징으로 한다. The semiconductor heating step (S2) is a step of performing a curing process by applying high-temperature heat to the plurality of semiconductor packages positioned inside the chamber 100, and the working unit ( The semiconductor heating step (S2) of heating the semiconductor positioned inside the chamber 100 by increasing the internal temperature of 110) is performed.

상기 가스흡입단계(S3)는 상기 챔버(100) 내에 구비되는 상기 반도체 패키지 가열에 의해 발생된 불순물이 포함된 공기인 작업에어(A)를, 상기 순환모듈(200)에 구비되는 상기 블로워(210)를 이용하여 상기 순환모듈(200)로 흡입하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 한다. 상기 가스흡입단계(S3)는 상기 챔버(100)의 작업에어(A)가 상기 순환모듈(200)로 이동되는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 작업에어(A)는 상기 챔버(100)와 연결된 상기 제1 배관(221)을 통해 상기 순환모듈(200)로 흡입될 수 있다. 더불어, 상기 제1 배관(221)과 연결되기 이전의 상기 챔버(100) 내에서, 별도의 상기 필터(140)인 헤파필터가 구비된 경우, 상기 챔버 내의 작업에어(A)가 상기 필터(140)에 의해 1차적으로 에폭시를 포함하는 불순물이 걸러진 상태의 작업에어(A)가 상기 순환모듈(200)로 이동되는 단계가 수행될 수 있다.In the gas suction step ( S3 ), the working air (A), which is air containing impurities generated by heating the semiconductor package provided in the chamber 100 , is supplied to the blower 210 provided in the circulation module 200 . ) is characterized in that the step of suctioning into the circulation module 200 is performed using the. The gas suction step (S3) is characterized in that the working air (A) of the chamber 100 is moved to the circulation module (200). In this case, the working air A may be sucked into the circulation module 200 through the first pipe 221 connected to the chamber 100 . In addition, when the HEPA filter, which is the separate filter 140 , is provided in the chamber 100 before being connected to the first pipe 221 , the working air A in the chamber is supplied to the filter 140 . ), the step of moving the working air (A) in a state in which impurities containing epoxy are primarily filtered to the circulation module 200 may be performed.

상기 가스냉각단계(S4)는 상기 순환모듈(200)에 구비되는 상기 쿨링부(220)에 의해 상기 가스흡입단계(S3)에 의해 상기 순환모듈(200)에 흡입된 작업에어(A)가 상기 블로워(210)에 의해 상기 쿨링부(220)에 유입되고, 상기 쿨링부(220)가 유입된 작업에어(A)를 냉각시킴으로써, 작업에어(A)에 포함된 에폭시를 상기 쿨링부(220)에 응고시킴으로써 에폭시를 제거하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 제1 배관(221)로 흡입된 작업에어(A)가 상기 쿨링부(220)에 유입되고, 상기 쿨링부(220)에 의해서 에폭시가 응고되어 정화된 정화에어(B)가 상기 흡입배관(211)을 따라 상기 블로워(210)로 이동되는 것을 특징으로 한다. 더불어, 상기 블로워(210)에 별도의 필터가 내장된 경우 상기 흡입배관(211)을 따라 상기 블로워(210)에 유입된 정화에어(B)가 필터에 의해 불순물을 재 필터링된 후, 재 필터링된 정화에어(B)가 상기 토출배관(212)으로 이동되는 단계가 수행될 수 있다.In the gas cooling step (S4), the working air (A) sucked into the circulation module 200 by the gas suction step (S3) by the cooling unit 220 provided in the circulation module 200 is the By cooling the working air (A) introduced into the cooling unit 220 by the blower 210, and the cooling unit 220 is introduced, the epoxy contained in the working air (A) is transferred to the cooling unit 220. It is characterized in that it performs the step of removing the epoxy by coagulation in the. At this time, the working air (A) sucked through the first pipe (221) flows into the cooling unit (220), and the purified air (B), which is purified by coagulation of the epoxy by the cooling unit (220), is sucked in. It is characterized in that it moves to the blower 210 along the pipe 211 . In addition, when a separate filter is built in the blower 210, the purified air (B) introduced into the blower 210 along the suction pipe 211 is re-filtered for impurities by the filter, and then the re-filtered The step of moving the purified air (B) to the discharge pipe (212) may be performed.

상기 공기가열단계(S5)는, 상기 쿨링부(220)의 냉각에 의해 에폭시를 포함하는 불순물이 걸러진 공기가 상기 챔버(100) 내부로 토출하며 공기가 순환되기 이전에, 불순물이 걸러진 정화에어(B)의 온도를 상승시킨 후 상기 챔버(100) 내부로 토출시키는 단계를 수행하는 것을 특징으로 한다. 상기 공기가열단계(S5)는 상기 토출배관(212)을 통해 이동된 정화에어(B)를 상기 히팅부(130)가 가열하는 것을 특징으로 하며, 이때, 상기 히팅부(130)는 상기 챔버(100) 내부의 온도와 유사한 온도로 정화에어(B)를 가열하는 것이 바람직하다.In the air heating step (S5), the impurity-filtered air containing the epoxy is discharged into the chamber 100 by cooling of the cooling unit 220 and before the air is circulated, purified air ( After raising the temperature of B), it is characterized in that the step of discharging into the chamber 100 is performed. The air heating step (S5) is characterized in that the heating unit 130 heats the purified air (B) moved through the discharge pipe 212, in this case, the heating unit 130 is the chamber ( 100) It is preferable to heat the purification air (B) to a temperature similar to the internal temperature.

상기 공기토출단계(S6)는 상기 히팅부(230)에 의해 가열된 정화에어(B)를 상기 챔버(100) 내부로 토출시키는 단계를 수행하는 것을 특징으로 한다. 상기 공기토출단계(S6)는, 가열된 정화에어(B)가 상기 블로워(210)에 의해 제2 배관(231)을 따라서 상기 챔버(100) 내부로 이동되어, 공기의 순환이 완료되는 단계인 것을 특징으로 한다.The air discharging step (S6) is characterized in that performing the step of discharging the purified air (B) heated by the heating unit (230) into the chamber (100). The air discharging step (S6) is a step in which the heated purified air (B) is moved into the chamber 100 along the second pipe 231 by the blower 210 to complete the air circulation. characterized in that

더불어, 본 발명은 경화공정이 수행된 이후, 상기 챔버(100)의 온도를 냉각시키기 위해 상기 순환모듈(200)을 사용할 수 있다. 공정이 완료된 이후의 상기 챔버(100)의 온도를 냉각시키기 위해, 상기 챔버(100)의 가열부(130)와, 상기 순환모듈(200)의 히팅부(230)의 전원을 차단한 후, 상기 블로워(210)를 작동시켜서 상기 챔버(100) 내부의 공기를 상기 순환모듈(200)로 흡수하고, 상기 쿨링부(220)를 통과한 공기를 상기 챔버(100) 내부에 토출함으로써 상기 챔버(100) 내부를 냉각시킬 수 있다. 이를 통해 공정이 끝난 후 재 공정을 수행하기 전에 상기 챔버(100)를 냉각시키는 냉각 단계의 시간을 감소시킬 수 있으며, 상기 챔버(100) 내부를 냉각시킴으로써 상기 챔버(100) 내부에 남아있던 불순물을 냉각하여 쉽게 제거할 수 있어, 작업의 효율성과 재사용 능력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, in the present invention, after the curing process is performed, the circulation module 200 may be used to cool the temperature of the chamber 100 . In order to cool the temperature of the chamber 100 after the process is completed, the heating unit 130 of the chamber 100 and the heating unit 230 of the circulation module 200 are powered off, and then the By operating the blower 210 to absorb the air inside the chamber 100 into the circulation module 200, and discharge the air that has passed through the cooling unit 220 into the chamber 100, the chamber 100 ) can cool the inside. Through this, it is possible to reduce the time of the cooling step for cooling the chamber 100 before performing the re-processing after the process is finished, and by cooling the inside of the chamber 100, impurities remaining in the chamber 100 can be removed. It can be easily removed by cooling, so it has the effect of improving work efficiency and reusability.

본 발명은 상기 순환모듈(200)을 통해 에폭시를 최대한으로 제거한 정화에어(B)가 상기 챔버(100)에 유입되기 때문에 가압오븐의 고장 예방 효과가 있으며, 상기 순환모듈(200)이 상기 챔버(100)의 외부에 분리되어 있고 상기 쿨링부(220)의 내측부 및/또는 상기 블로우의 필터를 청소하는 것으로 에폭시를 폐기처리 할 수 있어 청소에 용이하고, 따라서 공정의 용이성을 향상시키게 되며 공정 시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다. 또한 에폭시를 복수 회 필터링하도록 구성되었기 때문에 종래보다 향상된 불순물 제거 효과를 얻을 수 있으며, 순환된 공기를 재가열하여 상기 챔버(100)로 유입시킴으로써 상기 챔버(100) 내부의 온도 분포 변화를 최소화할 수 있기 때문에, 경화공정을 수행하는 가압오븐 장치의 에너지 효율 또한 향상시킬 수 있다.In the present invention, there is an effect of preventing failure of the pressurized oven because the purification air (B) from which the epoxy has been removed as much as possible through the circulation module 200 flows into the chamber 100, and the circulation module 200 is installed in the chamber ( 100) separated on the outside and cleaning the inner part of the cooling unit 220 and/or the filter of the blower can dispose of the epoxy, making it easy to clean, thus improving the easiness of the process and reducing the process time It has the effect of shortening it. In addition, since it is configured to filter the epoxy a plurality of times, it is possible to obtain an improved effect of removing impurities compared to the prior art, and by reheating the circulated air and introducing it into the chamber 100, the change in the temperature distribution inside the chamber 100 can be minimized. Therefore, it is possible to also improve the energy efficiency of the pressurized oven device for performing the curing process.

이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 소자 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것 일 뿐, 본 발명은 상기의 일 실시예에 한정되는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.As described above, in the present invention, specific matters such as specific components and the like and limited embodiment drawings have been described, but these are only provided to help a more general understanding of the present invention, and the present invention is not limited to the above one embodiment. No, various modifications and variations are possible from these descriptions by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains.

따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허 청구 범위뿐 아니라 이 특허 청구 범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the described embodiments, and not only the claims to be described later, but also all those with equivalent or equivalent modifications to the claims will be said to belong to the scope of the spirit of the present invention. .

1000 : 가압오븐 클리닝 시스템
2000 : 가압오븐 클리닝 장치 2010 : 프레임
100 : 챔버
110 : 작업부
120 : 압력조절부 130 : 가열부
140 : 필터
200 : 순환모듈
210 : 블로워
211 : 흡입배관 212 : 토출배관
211a : 흡입구 212a : 토출구
220 : 쿨링부 221 : 제1 배관
230 : 히팅부 231 : 제2 배관
A : 작업에어 B : 정화에어1000: pressure oven cleaning system
2000: pressure oven cleaning device 2010: frame
100: chamber
110: work part
120: pressure control unit 130: heating unit
140: filter
200: circulation module
210: blower
211: suction pipe 212: discharge pipe
211a: inlet 212a: outlet
220: cooling unit 221: first pipe
230: heating unit 231: second pipe
A : Working air B : Purifying air

Claims (10)

접착제가 부착된 반도체 패키지의 경화공정을 수행하는 챔버;
상기 챔버에 구비되며, 공기 또는 질소를 이용하여 상기 챔버 내의 압력을 조절하는 압력조절부;
상기 챔버에 구비되며, 상기 챔버에 유입되는 상기 반도체 패키지를 가열하는 가열부; 및
상기 챔버의 외부에 분리되어 구비되며, 상기 챔버 내의 상기 접착제를 포함하는 불순물이 포함된 공기를 흡입하는 흡입배관 및 상기 챔버 내로 불순물이 제거된 공기를 토출하는 토출배관을 포함하여 구성되는 블로워, 및 상기 챔버와 상기 흡입배관 사이에 위치되어 유동하는 공기를 냉각하는 쿨링부를 포함하는 순환모듈;을 포함하고,
상기 쿨링부는,
내부에 내측부를 포함하는 판형 열교환기로 형성되어, 상기 챔버로부터 불순물이 포함된 공기가 상기 판형 열교환기를 통과하며 냉각되어 불순물이 상기 내측부에 유착되고,
상기 내측부는 상기 판형 열교환기와 분리 가능하게 형성되어, 상기 내측부를 상기 판형 열교환기로부터 분리하여 불순물을 제거하는 것으로 청소하는 것을 특징으로 하는 가압오븐 클리닝 시스템.
a chamber for performing a curing process of a semiconductor package to which an adhesive is attached;
a pressure adjusting unit provided in the chamber and controlling the pressure in the chamber by using air or nitrogen;
a heating unit provided in the chamber and heating the semiconductor package introduced into the chamber; and
A blower provided separately outside the chamber and comprising a suction pipe for sucking air containing impurities containing the adhesive in the chamber and a discharge pipe for discharging air from which impurities have been removed into the chamber, and A circulation module positioned between the chamber and the suction pipe and including a cooling unit for cooling the flowing air; includes,
The cooling unit,
It is formed as a plate heat exchanger having an inner part therein, and air containing impurities from the chamber passes through the plate heat exchanger and is cooled, so that the impurities are coalesced to the inner part,
The inner portion is formed separably from the plate heat exchanger, characterized in that cleaning by removing the impurities by separating the inner portion from the plate heat exchanger Pressurized oven cleaning system.
 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 순환모듈은,
공기를 가열하는 히팅부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가압오븐 클리닝 시스템.
The method of claim 1,
The circulation module is
A pressurized oven cleaning system comprising a heating unit for heating air.
 제 5항에 있어서,
상기 히팅부는,
상기 토출배관과 상기 챔버 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는 가압오븐 클리닝 시스템.
6. The method of claim 5,
The heating unit,
A pressure oven cleaning system, characterized in that it is located between the discharge pipe and the chamber.
 제 1항에 있어서,
상기 접착제는 에폭시를 포함하는 성분인 것을 특징으로 하는 가압오븐 클리닝 시스템.
The method of claim 1,
The adhesive is a pressure oven cleaning system, characterized in that the component containing the epoxy.
 제 1항에 있어서,
상기 챔버는,
상기 챔버 내부의 공기를 1차적으로 필터링하는 필터를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 가압오븐 클리닝 시스템.
The method of claim 1,
The chamber is
Pressured oven cleaning system, characterized in that it further comprises a filter for primarily filtering the air inside the chamber.
 제 8항에 있어서,
상기 필터는 0.3㎛ 이상 크기의 입자를 분리하는 헤파필터인 것을 특징으로 하는 가압오븐 클리닝 시스템.
9. The method of claim 8,
The filter is a pressure oven cleaning system, characterized in that it is a HEPA filter that separates particles having a size of 0.3㎛ or more.
 제 1항의 상기 가압오븐 클리닝 시스템을 이용해 상기 챔버 내의 불순물을 제거하는 가압오븐 클리닝 방법에 있어서,
상기 챔버 내에 상기 반도체 패키지를 위치시키고, 상기 압력조절부를 이용하여 상기 챔버 내의 압력을 상승시키는 압력조절단계;
상기 가열부를 통해, 고압의 상기 챔버 내부에 위치되는 상기 반도체 패키지를 가열하는 반도체가열단계;
상기 블로워를 이용하여, 상기 챔버의 상기 반도체 패키지의 가열에 의해 발생된 불순물이 포함된 공기가 상기 순환모듈로 흡입되는 가스흡입단계;
상기 순환모듈에 구비되어, 상기 블로워를 통해 흡입된 공기가 상기 쿨링부를 통과하며 냉각되어 상기 내측부에 불순물이 유착되고, 불순물이 걸러진 공기는 통과하는 가스냉각단계;
상기 쿨링부의 냉각에 의해 불순물이 걸러진 공기를 가열하는 히팅부를 통해, 공기를 가열하는 공기가열단계; 및
상기 히팅부의 가열에 의해 불순물이 걸러지고 가열된 공기를 상기 블로워를 통해 상기 챔버 내로 토출하는 공기토출단계;를 포함하여 수행하고,
상기 공기토출단계 이후에, 상기 쿨링부의 내측부를 분리하여 청소하는 것으로 불순물을 폐기 처리 하는 가압오븐 클리닝 방법.In the pressure oven cleaning method of removing impurities in the chamber using the pressure oven cleaning system of claim 1,
a pressure adjusting step of positioning the semiconductor package in the chamber and increasing the pressure in the chamber by using the pressure adjusting unit;
a semiconductor heating step of heating the semiconductor package positioned inside the chamber at high pressure through the heating unit;
a gas suction step in which air containing impurities generated by heating the semiconductor package in the chamber is sucked into the circulation module using the blower;
a gas cooling step provided in the circulation module, in which the air sucked through the blower passes through the cooling unit and is cooled, so that impurities are coalesced in the inner part, and the air from which the impurities are filtered passes;
an air heating step of heating the air through a heating unit that heats the air filtered with impurities by cooling the cooling unit; and
An air discharging step of discharging impurities filtered by the heating of the heating unit and heated air into the chamber through the blower; and performing including,
After the air discharging step, a pressurized oven cleaning method for disposing of impurities by separating and cleaning the inner part of the cooling unit.
KR1020200118060A 2020-09-15 2020-09-15 Pressure oven cleaning system and Pressure oven cleaning method KR102422042B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200118060A KR102422042B1 (en) 2020-09-15 2020-09-15 Pressure oven cleaning system and Pressure oven cleaning method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200118060A KR102422042B1 (en) 2020-09-15 2020-09-15 Pressure oven cleaning system and Pressure oven cleaning method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220036006A KR20220036006A (en) 2022-03-22
KR102422042B1 true KR102422042B1 (en) 2022-07-18

Family

ID=80991953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200118060A KR102422042B1 (en) 2020-09-15 2020-09-15 Pressure oven cleaning system and Pressure oven cleaning method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102422042B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101999611B1 (en) * 2019-03-20 2019-10-01 (주)포스엔텍 Pressure Oven

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101539301B1 (en) * 2013-12-23 2015-07-24 주식회사 케이피씨 Circulation type refining device for process chamber
KR101867914B1 (en) * 2014-12-29 2018-07-17 주식회사 비아트론 Recirculation Cooling Unit and Heat Treatment Apparatus Having the Same
KR102152412B1 (en) * 2018-05-15 2020-09-04 한국기계연구원 Curing apparatus removing volitile organic compounds and particle material

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101999611B1 (en) * 2019-03-20 2019-10-01 (주)포스엔텍 Pressure Oven

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220036006A (en) 2022-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9738992B2 (en) Apparatus for cleaning exhaust passage for semiconductor crystal manufacturing device
CN105728723A (en) Aftertreatment system and aftertreatment method for selective laser sintering processed products
KR102422042B1 (en) Pressure oven cleaning system and Pressure oven cleaning method
CN109848416A (en) A kind of filtrating smoke dust and powder recovering device of metal precinct laser fusion
KR20200069216A (en) Temperature adjustment apparatus for high temperature oven
KR20130064071A (en) Purge ring with split baffles for photonic thermal processing systems
CN112721153A (en) Automatic additive manufacturing powder recovery device and method
KR101646723B1 (en) Filter Dust Collector with Heat-Exchangeable Filter
KR102311570B1 (en) Mist collector
KR100718692B1 (en) Cold trap
KR102590106B1 (en) Method and device for air intake in the area of a heating press
TWI813149B (en) Concentrated dedusting filter dust collector capable of removing nanoparticle-grade fine dust and method thereof
CN215975934U (en) Quenching device with flue gas treatment function for die quenching
JPH0970517A (en) Dust collector for high temperature incineration ash
JP4511494B2 (en) Semiconductor wafer recycling system
CN102371254B (en) Cleaning system and method
JP4724321B2 (en) Volatile scattered matter removing device and tenter oven provided with the same
JP2004224606A (en) Dust removing apparatus and method for single crystal pulling apparatus
CN117156698B (en) Circuit etching device of 5G high-frequency circuit board
CN214792052U (en) Cooling device for glass processing
KR101494092B1 (en) Safety disposition structure of dust collector
KR200368126Y1 (en) RECYCLING DEVICE FOR VOC's REMOVING DEVICE
CN214820897U (en) Automatic recovery unit of vibration material disk powder
JPH115009A (en) Oil mist removing and ventilating device
KR101867692B1 (en) Exhaust gas collect method of latex dry oven

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant