KR102420665B1 - Auto Repair LASER Processing Apparatus and System - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 내 결함의 검출과 리페어를 스스로 진행할 수 있는 AR 레이저 가공 장치 및 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an AR laser processing apparatus and system capable of detecting and repairing defects in a substrate by themselves.
이 부분에 기술된 내용은 단순히 본 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The content described in this section merely provides background information for the present embodiment and does not constitute the prior art.
디스플레이 디바이스 기술의 현저한 발전에 따라 액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이 등의 각종 방식의 화상 표시 장치에 관련된 기술이 크게 진보되어 왔다. 특히 대형이며 고정밀한 표시를 실현하는 화상 표시 장치 등에서는 그 제조원가의 저감과 화상 품위의 향상을 위해 고도의 기술혁신이 진척되고 있다. 이러한 각종 장치에 탑재되어 화상을 표시하기 위해서 사용되는 유리기판에 대해서도 종전 이상의 높은 치수품위와 고정밀도의 표면성상이 요구되고 있다. 디스플레이 디바이스 용도 등의 유리의 제조에서는 각종 제조 장치를 사용함으로써 유리기판이 성형되고 있지만, 모두 무기 유리 원료를 가열 용해해서 용융 유리를 균질화한 후에 소정 형상으로 성형한다는 것이 일반적으로 행해지고 있다. 이때, 유리 원료의 용융 부족이나 제조 도중에서의 의도하지 않은 이물의 혼입, 또는 성형 장치의 노후화나 일시적인 성형 조건의 문제, 그리고 완성 후 원하는 크기로 절단하는 과정에서 발생하는 결함 등, 여러 가지 원인에 의해 유리기판에 표면 품위의 이상 등의 결함이 생기는 경우가 있다.With the remarkable development of display device technology, technologies related to various types of image display apparatuses, such as liquid crystal displays and plasma displays, have been greatly advanced. In particular, in image display devices that realize large-scale and high-definition display, a high degree of technological innovation is progressing in order to reduce the manufacturing cost and improve image quality. High dimensional quality and high-precision surface properties are required for glass substrates mounted on such various devices and used to display images. In the manufacture of glass for display device use, etc., although a glass substrate is shape|molded by using various manufacturing apparatuses, it is generally performed to shape|mold into a predetermined shape after all inorganic glass raw materials are heat-melted and a molten glass is homogenized. At this time, due to various causes such as insufficient melting of glass raw materials, unintentional mixing of foreign substances during manufacturing, deterioration of molding equipment or temporary molding conditions, and defects occurring in the process of cutting to a desired size after completion. As a result, defects such as abnormality in surface quality may occur in the glass substrate.
이러한 유리기판의 결함의 발생을 억제하기 위해서 여러가지 대책이 지금까지 실시되어 왔지만, 결함의 발생을 완전하게 억제하는 것은 곤란하며, 또한 어느 정도까지 결함의 발생을 억제할 수 있어도, 결함을 갖는 유리기판을 명료하게 식별하는 기술이 없으면, 양품이라고 판정된 유리기판 중에 본래는 결함으로 해야 할 결함품이 혼입되어 버리게 된다. 따라서, 유리기판의 결함을 높은 정밀도로 검출하고 검출된 결함을 판별하는 기술은 매우 중요하다. In order to suppress the occurrence of such defects in the glass substrate, various countermeasures have been taken so far, but it is difficult to completely suppress the occurrence of defects, and even if the occurrence of defects can be suppressed to some extent, a glass substrate having defects If there is no technology to clearly identify the defects, defective products that should be originally defective are mixed in the glass substrates judged to be good products. Therefore, a technique for detecting defects in a glass substrate with high precision and discriminating the detected defects is very important.
유리기판의 결함을 검사하고 판별하는 방법으로는 과거부터 검사자의 감각에 의존하는 육안검사법이 널리 실시되고 있으나, 이러한 육안검사법은 유리기판이 대형화됨에 따라 검사의 정확성과 검사에 소요되는 시간에 있어서 그 한계를 드러내고 있다. As a method of inspecting and discriminating defects in glass substrates, the visual inspection method, which relies on the senses of the inspector, has been widely practiced from the past. revealing limits.
이러한 문제를 해소하고자, 오토 리페어 시스템이 등장하고 있다. 오토 리페어 시스템은 기판의 이미지 내에서 자동으로 결함을 검출하여 리페어를 진행한다. In order to solve this problem, an auto repair system has been introduced. The auto repair system automatically detects defects in the image of the board and performs repair.
그러나 종래의 오토 리페어 시스템은 기판 내에서 결함이 발생한 위치, 종류 또는 크기 등과 무관하게 결함을 일관적으로 리페어를 수행하여 왔기 때문에, 결함에 따라 적절한 리페어가 수행되기 어려웠다.However, since the conventional auto repair system has consistently repaired defects regardless of the location, type, or size of the defect in the substrate, it is difficult to properly repair the defect according to the defect.
본 발명의 일 실시예는, 기판 내 검출된 결함의 특성을 분석하여, 검출된 결함마다 그에 적합한 가공방법을 선택함으로써, 자동으로 결함을 적절히 리페어하도록 하는 AR 레이저 가공 장치 및 시스템을 제공하는 데 일 목적이 있다.An embodiment of the present invention is to provide an AR laser processing apparatus and system for automatically repairing defects appropriately by analyzing the characteristics of the defects detected in the substrate and selecting a processing method suitable for each detected defect. There is a purpose.
본 발명의 일 측면에 의하면, 기판 내 발생한 결함의 성질을 분석하여, 그것을 리페어하는데 있어 최적의 가공방법을 선택하는 AR 레이저 가공장치에 있어서, 외부로부터 기판 내 발생한 결함의 검출결과 및 기판의 이미지를 수신하는 통신부와 상기 통신부가 수신한 기판의 이미지 및 결함의 검출결과를 토대로, 기판에 발생한 결함의 정보를 분석하는 결함 분석부 및 상기 결함 분석부의 분석 결과를 토대로, 결함을 리페어할 가공 방법을 선택하는 가공방법 선택부를 포함하는 것을 특징으로 하는 AR 레이저 가공장치를 제공한다.According to one aspect of the present invention, in the AR laser processing apparatus that analyzes the nature of the defects generated in the substrate and selects the optimal processing method in repairing them, the detection result of the defects occurring in the substrate from the outside and the image of the substrate are Based on the receiving communication unit and the communication unit receiving the image of the substrate and the detection result of the defect, the defect analysis unit that analyzes information on the defect occurring on the substrate and the defect analysis unit select a processing method to repair the defect based on the analysis result It provides an AR laser processing apparatus, characterized in that it comprises a processing method selection unit.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 결함 분석부는 결함이 기판 내 어느 위치에 발생하였는지, 픽셀 내 존재해야 하는 레이어와 중첩하여 발생하였는지, 얼마만큼 해당 레이어와 중첩이 발생하였는지 및 얼마만큼의 면적과 두께로 발생하였는지 중 일부 또는 전부를 분석하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the defect analysis unit determines where the defect occurred in the substrate, whether it overlapped with a layer that should exist in the pixel, how much overlapped with the layer, and how much area and thickness the defect occurred. It is characterized by analyzing some or all of whether it has occurred.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 결함 분석부는 기판에 발생한 결함을 픽셀 내 존재해야 하는 레이어 상이 아닌 유리 기판 상에 직접 발생한 제1 경우 또는 픽셀 내 존재해야 하는 레이어 상에 중첩하여 발생한 제2 경우로 구분하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present invention, the defect analysis unit detects the defect occurring on the substrate as a first case directly generated on the glass substrate rather than on a layer that should exist in the pixel or a second case generated by overlapping a layer that should exist in the pixel. It is characterized by distinguishing
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 가공방법 선택부는 기판에 발생한 결함이 상기 제1 경우일 때, 조사될 레이저의 에너지 조정없이 중첩 횟수를 조정하는 가공방법을 선택하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present invention, the processing method selection unit is characterized in that, when the defect occurring on the substrate is the first case, the processing method is selected to adjust the number of overlaps without adjusting the energy of the laser to be irradiated.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 가공방법 선택부는 기판에 발생한 결함의 두께가 상대적으로 두꺼운 부위는 상대적으로 레이저가 더 많이 중첩되도록 조정하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the processing method selection unit is characterized in that the laser is adjusted so that the relatively thick portion of the thickness of the defect generated on the substrate is relatively more overlapped.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 가공방법 선택부는 기판에 발생한 결함이 상기 제2 경우일 때, 레이저의 중첩 횟수의 조정없이 조사될 레이저의 에너지 세기를 조정하는 가공방법을 선택하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the processing method selection unit selects a processing method for adjusting the energy intensity of the laser to be irradiated without adjusting the number of overlapping lasers when the defect occurring on the substrate is the second case. .
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 가공방법 선택부는 레이저가 결함으로 조사되는 방향으로 결함의 하단에 레이어가 존재하는지 여부를 고려하여 레이저의 에너지 세기를 조정하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present invention, the processing method selection unit is characterized in that the laser energy intensity is adjusted in consideration of whether a layer exists at the lower end of the defect in the direction in which the laser is irradiated to the defect.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 가공방법 선택부는 레이저가 결함으로 조사되는 방향으로 결함의 하단에 레이어가 존재하는 경우, 상대적으로 약한 에너지의 레이저가 조사되도록, 레이저가 결함으로 조사되는 방향으로 결함의 하단에 레이어가 존재하지 않는 경우, 상대적으로 강한 에너지의 레이저가 조사되도록 하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present invention, the processing method selection unit is defective in the direction in which the laser is irradiated to the defect so that the laser of relatively weak energy is irradiated when there is a layer at the bottom of the defect in the direction in which the laser is irradiated as the defect. When there is no layer at the bottom of the , it is characterized in that a laser of relatively strong energy is irradiated.
본 발명의 일 측면에 의하면, 을 제공한다.According to one aspect of the present invention, there is provided.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 내 검출된 결함의 특성을 분석하여, 검출된 결함마다 그에 적합한 가공방법을 선택함으로써, 자동으로 결함을 적절히 리페어할 수 있는 장점이 있다.As described above, according to one aspect of the present invention, there is an advantage in that defects can be automatically properly repaired by analyzing the characteristics of defects detected in the substrate and selecting a processing method suitable for each detected defect.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 AR 레이저 가공 시스템의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 결함이 존재하지 않는 픽셀의 이미지를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출장치에 따라, 검사 및 가공을 진행할 기판의 이미지 내 각 픽셀이 구분된 이미지를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출장치가 기판 내 특정 픽셀에서 결함을 검출하는 과정을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 AR 레이저 가공 장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 7 내지 9는 기판 내 발생한 결함의 유형을 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 AR 레이저 가공 장치가 결함의 일 유형을 리페어하기 위해 선택한 일 가공방법을 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 AR 레이저 가공 장치가 결함의 일 유형을 리페어하기 위해 선택한 나머지 가공방법을 도시한 도면이다.
도 12 및 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 리페어 장치에 의해 조사되거나 제어되는 레이저 빔의 프로파일을 도시한 도면이다. 1 is a diagram showing the configuration of an AR laser processing system according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a configuration of a defect detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating an image of a pixel in which no defect exists.
4 is a diagram illustrating an image in which each pixel is divided in an image of a substrate to be inspected and processed according to a defect detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating a process in which a defect detection apparatus according to an embodiment of the present invention detects a defect in a specific pixel in a substrate.
6 is a diagram showing the configuration of an AR laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 to 9 are diagrams illustrating types of defects occurring in a substrate.
10 is a view illustrating a processing method selected for repairing a type of defect by the AR laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
11 is a view illustrating the remaining processing method selected to repair one type of defect by the AR laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
12 and 13 are diagrams illustrating a profile of a laser beam irradiated or controlled by a repair apparatus according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.Since the present invention can have various changes and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail. However, this is not intended to limit the present invention to a specific embodiment, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing each figure, like reference numerals have been used for like elements.
제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Terms such as first, second, A, and B may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, a second component may also be referred to as a first component. and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에서, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but it is understood that other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that no other element is present in the middle.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. It should be understood that terms such as “comprise” or “have” in the present application do not preclude the possibility of addition or existence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification in advance. .
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs.
일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms such as those defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not
또한, 본 발명의 각 실시예에 포함된 각 구성, 과정, 공정 또는 방법 등은 기술적으로 상호간 모순되지 않는 범위 내에서 공유될 수 있다.In addition, each configuration, process, process or method included in each embodiment of the present invention may be shared within a range that does not technically contradict each other.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 AR 레이저 가공 시스템의 구성을 도시한 도면이다.1 is a diagram showing the configuration of an AR laser processing system according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 AR 레이저 가공 시스템(100)은 결함 검출장치(110), AR 레이저 가공장치(120) 및 리페어 장치(130)를 포함한다. Referring to FIG. 1 , an AR
결함 검출장치(110)는 기판 내 발생한 결함을 검출한다.The
결함 검출장치(110)는 기판의 결함을 검출할 수 있도록 기판의 이미지를 생성한다. 결함 검출장치(110)는 기판의 이미지를 분석하여, 기판의 이미지 내에서 기판에 포함된 각 단위 픽셀을 인식한다. 결함 검출장치(110)는 각 단위 픽셀의 좌표를 인식하며, 픽셀의 좌표와 함께 픽셀 내 각 레이어도 함께 인식한다. 결함은 픽셀 전체에 발생할 수 있으나, 픽셀 내 일부 레이어에만 발생할 수도 있다. 픽셀만을 인식한다면, 결함 검출장치(110)가 픽셀 내 결함이 발생한 구체적인 위치를 온전히 검출하지 못할 가능성도 존재한다. 이에 따라, 결함 검출장치(110)는 결함이 어느 단위 픽셀 내 발생하였는지, 픽셀 내 어떤 레이어에 발생하였는지르르 검출한다. The
결함 검출장치(110)는 기판 내 결함의 검출을 위해, 기 저장된 단위 픽셀의 기준 이미지(이하에서, '기준 이미지'로 약칭함)와 각 단위 픽셀의 이미지(이하에서, '픽셀 이미지'로 약칭함)를 비교함으로써, 각 단위 픽셀 내 결함이 존재하는지를 판단한다. 결함 검출장치(110)는 기준 이미지와 픽셀 이미지를 차감하여 차감 이미지를 생성함으로서, 차감 이미지 내에서 결함을 검출한다. The
결함 검출장치(110)는 검출한 결함의 정보를 AR 레이저 가공장치(120)로 전달함으로서, AR 레이저 가공장치(120)가 검출된 결함을 리페어하기 위해 적절한 가공방법을 선택할 수 있도록 한다. 결함 검출장치(110)의 구체적인 구성과 동작은 도 2 내지 5를 참조하여 후술한다. The
AR 레이저 가공장치(120)는 결함 검출장치(110)로부터 결함의 정보를 수신하여 결함을 분석하고, 그에 적합한 가공방법을 선택하여 리페어 장치(130)로 정보를 전달한다.The AR
AR 레이저 가공장치(120)는 결함 검출장치(110)로부터 결함의 정보를 수신하여 결함의 성질을 분석한다. AR 레이저 가공장치(120)는 결함이 어떠한 단위 픽셀에 존재하는지, 존재할 경우 어떠한 레이어까지 존재하는지 등의 정보를 분석한다. 결함이 어디에 어떠한 레이어까지 존재하는지에 따라 리페어를 위해 조사되어야 할 레이저의 세기와 조사를 위한 제어가 달라져야 하기 때문이다. 이를 위해, AR 레이저 가공장치(120)는 기판에 발생한 결함의 성질을 분석한다.The AR
AR 레이저 가공장치(120)는 분석한 결함의 성질에 따라, 그것을 리페어하는데 있어 최적의 가공방법을 선택한다. 결함이 별도의 레이어 상에 발생하지 않아 레이저의 조사로 파손될 구성이 존재하지 않을 경우, 신속하게 결함을 리페어하는데 집중하는 것이 바람직하다. 반면, 결함이 일정한 레이어 상에 발생한 경우, 레이저가 임의로 조사될 경우 픽셀 내 이상이 발생하지 않은 레어어까지 레이저에 악영향을 받을 가능성이 높다. 이러한 경우에는 조사될 레이저의 에너지가 조정되며 조사되는 편이 바람직하다. AR 레이저 가공장치(120)는 이처럼 분석한 결함의 성질에 따라, 어떠한 프로파일을 가지며 레이저가 조사됨에 따라 적절히 결함을 리페어할 것인지 결정한다. AR 레이저 가공장치(120)는 결정한 레이저 프로파일을 분석한 결함의 성질과 함께 리페어 장치(130)로 전송함으로서, 리페어 장치(130)가 발생한 결함을 리페어하기 위해 최적의 레이저를 조사할 수 있도록 한다. AR 레이저 가공장치(120)의 구체적인 구성과 동작은 도 6 내지 9를 참조하여 후술한다.The AR
리페어 장치(130)는 AR 레이저 가공장치(120)로부터 수신한 레이저 프로파일대로 레이저를 출력하여 결함을 리페어한다. 리페어 장치(130)는 레이저를 발진하기 위한 레이저 발진부(미도시) 및 발진한 레이저의 경로, 형태 및 세기를 조정하는 스캐너(미도시)를 포함한다. 리페어 장치(130)는 AR 레이저 가공장치(120)로부터 결함의 성질 및 그를 리페어하기 위한 레이저 프로파일을 수신한다. 리페어 장치(130)는 발진부(미도시)를 이용해 수신한 레이저 프로파일 대로 레이저를 발진시킨다. 리페어 장치(130)는 스캐너(미도시)를 이용해 수신한 결함의 위치로 레이저 프로파일을 조정하여 조사한다. 예를 들어, 스캐너(미도시)의 동작은 도 12 및 13에 예시되어 있다.The
도 12 및 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 리페어 장치에 의해 조사되거나 제어되는 레이저 빔의 프로파일을 도시한 도면이다. 12 and 13 are diagrams illustrating a profile of a laser beam irradiated or controlled by a repair apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 12를 참조하면, 스캐너(미도시)는 레이저 빔이 출력될 위치를 조정할 수 있다. 예를 들어, 결함(510)이 일정 부분(1210)은 상대적으로 얇게, 다른 부분(1220)은 상대적으로 두껍게 형성될 수 있다. 이와 같은 결함의 분석 정보를 수신한 경우, 스캐너(미도시)는 결함이 상대적으로 두껍게 형성된 부분(1220)은 보다 레이저가 많이 스캐닝되도록, 결함이 상대적으로 얇게 형성된 부분(1210)은 보다 레이저가 적게 스캐닝되도록 제어할 수 있다.Referring to FIG. 12 , a scanner (not shown) may adjust a position at which a laser beam is output. For example, a
또는 도 13을 참조하면, 스캐너(미도시)는 발생한 결함의 형태에 따라, 조사될 레이저 빔의 형태를 조정할 수 있다. 예를 들어, 일 레이어(310) 상에 원형의 결함(1310)이 발생한 경우, 스캐너(미도시)는 해당 결함(1310)을 리페어하기 위해 레이저를 원형으로 조정할 수 있다. 반대로, 다른 레이어(320) 상에 사각 형상의 결함(1320)이 발생한 경우, 스캐너(미도시)는 해당 결함(1320)의 형태로 레이저 빔을 조정하여 리페어할 수 있다. Alternatively, referring to FIG. 13 , the scanner (not shown) may adjust the shape of the laser beam to be irradiated according to the shape of the generated defect. For example, when a
다시 도 1을 참조하면, 스캐너(미도시)는 엔코더(Encoder) 타입의 스캐너로 구현될 수 있다. 이에 따라, 리페어를 위한 기판의 각 단위 픽셀들의 좌표를 인식할 수 있으며, 결함 검출장치와 각 단위 픽셀들의 좌표를 연동할 수 있다.Referring back to FIG. 1 , a scanner (not shown) may be implemented as an encoder-type scanner. Accordingly, the coordinates of each unit pixel of the substrate for repair may be recognized, and the coordinates of the defect detection apparatus and each unit pixel may be linked.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출장치의 구성을 도시한 도면이고, 도 3은 결함이 존재하지 않는 픽셀의 이미지를 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출장치에 따라, 검사 및 가공을 진행할 기판의 이미지 내 각 픽셀이 구분된 이미지를 도시한 도면이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출장치가 기판 내 특정 픽셀에서 결함을 검출하는 과정을 도시한 도면이다.FIG. 2 is a diagram showing the configuration of a defect detection apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a diagram showing an image of a pixel in which a defect does not exist, and FIG. 4 is a diagram showing an image of a pixel having no defects. It is a view showing an image in which each pixel in an image of a substrate to be inspected and processed according to a defect detection apparatus is divided, and FIG. 5 is a defect detection apparatus according to an embodiment of the present invention detecting a defect in a specific pixel in the substrate It is a drawing showing the process.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출장치(110)는 이미지 생성부(210), 패턴 주기 인식부(220), 메모리부(230), 결함 검출부(240), 제어부(250) 및 통신부(260)를 포함한다.Referring to FIG. 2 , the
결함을 검출하기 위한 기판은 복수의 픽셀을 포함한다. 통상 기판은 수 많은 픽셀을 포함하여 구성되며, 각 픽셀 역시, 복수의 레이어(Layer)로 구성된다. 기판 내 픽셀은 액티브 레이어(Active Layer), 게이트 레이어(Gate Layer), 소스 및 드레인 레이어 등 복수의 레이어로 구현된다. 기판의 생성 공정 상에서 미세한 파티클(Particle)이 유입되어 기판 상에 결함을 유발할 수 있으며, 특히, 기판 내 픽셀의 임의의 레이어에 유입되어 특정 레이어 상에 결함을 유발할 수 있다. 결함 검출장치(110)는 기판 내 포함된 어느 레이어의 어느 픽셀에 결함이 존재하는지를 검출할 수 있다. A substrate for detecting defects includes a plurality of pixels. In general, a substrate is composed of many pixels, and each pixel is also composed of a plurality of layers. Pixels in the substrate are implemented with a plurality of layers, such as an active layer, a gate layer, and a source and drain layer. In the process of producing a substrate, fine particles may be introduced to cause a defect on the substrate, and in particular, may be introduced into an arbitrary layer of a pixel in the substrate to cause a defect on a specific layer. The
이미지 생성부(210)는 기판의 결함을 검출할 수 있도록 기판의 이미지를 생성한다. 이미지 생성부(210)는 카메라 등과 같이 기판의 이미지를 생성할 수 있는 장치로 구현될 수 있다. The
패턴 주기 인식부(220)는 기판의 이미지 내에서 단위 픽셀의 주기를 인식하여, 기판에 포함된 각 단위 픽셀을 인식한다. 패턴 주기 인식부(220)는 기판의 이미지를 분석하여, 기판 내 포함된 각 단위 픽셀을 인식한다. 단위 픽셀 인식부(230)는 기판의 이미지를 가로, 세로 방향으로 각각 분석하여, 각 단위 픽셀의 시작 x좌표 및 시작 y좌표를 인식한다. 단위 픽셀은 일정한 크기를 가지고 있기 때문에, 각 단위 픽셀들은 일정한 주기를 갖는다. 이에 따라, 특정 단위 픽셀의 시작 좌표가 인식된다면, 인접한 모든 단위 픽셀들 또는 기판 내 모든 단위 픽셀들의 좌표가 인식될 수 있다. 패턴 주기 인식부(220)는 이처럼 기판의 이미지 내에서 단위 픽셀의 주기를 인식하여 각 단위 픽셀들의 좌표를 인식한다. 이는 도 4에 도시되어 있다.The pattern
도 4를 참조하면, 이미지 생성부(210)에 의해 생성된 기판의 이미지(400) 내에는 수많은 단위 픽셀들이 존재한다. 이때, 패턴 주기 인식부(220)는 각 단위 픽셀의 시작 x/y좌표를 인식함으로서 각 단위 픽셀들(300)의 좌표를 인식한다.Referring to FIG. 4 , numerous unit pixels exist in the
다시 도 2를 참조하면, 패턴 주기 인식부(220)는 기판 내 각 픽셀을 인식함에 있어, 픽셀 내 각 레이어도 함께 인식할 수 있다. 결함은 픽셀 전체에 발생할 수 있으나, 픽셀 내 일부 레이어에만 발생할 수도 있다. 이러한 경우, 패턴 주기 인식부(220)가 픽셀만을 인식한다면, 결함 검출장치가 픽셀 내 결함이 발생한 구체적인 위치를 온전히 검출하지 못할 가능성도 존재한다. 이에 따라, 패턴 주기 인식부(220)는 픽셀 내 각 레이어를 인식한다.Referring back to FIG. 2 , when recognizing each pixel in the substrate, the pattern
메모리부(230)는 단위 픽셀의 기준 이미지를 저장한다. 후술할 결함 검출부(240)가 패턴 주기 인식부(220)에 의해 인식된 각 단위 픽셀과 비교하며 각 단위 픽셀 내 결함이 존재하는지를 판단할 수 있도록, 메모리부(230)는 단위 픽셀의 기준 이미지를 저장한다. 단위 픽셀의 기준 이미지는 도 3에 도시되어 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 메모리부(230) 내 저장되는 단위 픽셀의 기준 이미지(300)는 결함이 존재하지 않는 단위 픽셀의 이미지(300)에 해당한다. 메모리부(230)는 아무런 결함이 없는 단위 픽셀의 이미지를 기준 이미지로 저장함으로서, 추후 다른 구성이 기준 이미지와 대조하여 각 단위 픽셀 내에 결함이 존재하는지를 검출할 수 있도록 한다. 단위 픽셀의 기준 이미지(300)는 단위 픽셀 내 각 레이어(310, 320)들까지 구분된 이미지에 해당한다. 이에 따라, 후술할 결함 검출부(240)가 결함이 발생한 단위 픽셀의 이미지 내에서 어떠한 레이어에 결함이 발생하였는지까지 검출할 수 있도록 한다.The
결함 검출부(240)는 메모리부(230) 내 저장된 기준 이미지와 각 픽셀 이미지를 대조하여 각 단위 픽셀 내 발생한 결함을 검출한다. 대조 과정은 도 4에 도시되어 있다. 결함 검출부(240)는 기준 이미지(300, 도 4(a) 참조)와 각 픽셀 이미지(500, 도 4(b) 참조)를 대조한다. 결함 검출부(240)는 양 이미지(300, 500)의 대조를 토대로 결함(510)이 발생한 픽셀 이미지(500)로부터 결함(510)을 검출할 수 있다. The
제어부(250)는 결함 검출장치(110) 내 각 구성의 동작을 제어한다.The
통신부(260)는 생성한 기판의 이미지 및 결함 검출부(240)의 검출 결과를 AR 레이저 가공장치(120)로 전송한다.The
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 AR 레이저 가공 장치의 구성을 도시한 도면이다.6 is a diagram showing the configuration of an AR laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 AR 레이저 가공 장치(120)는 통신부(610), 결함 분석부(620), 가공방법 선택부(630) 및 메모리부(640)를 포함한다.Referring to FIG. 6 , the AR
통신부(610)는 결함 검출장치(110)로부터 생성된 기판의 이미지 및 결함의 검출 결과를 수신한다.The
통신부(610)는 결함 분석부(620)의 분석결과 및 가공방법 선택부(630)가 선택한 가공방법을 리페어 장치(130)로 전송한다.The
결함 분석부(620)는 수신한 이미지 및 결함 검출결과를 토대로, 결함의 정보를 분석한다. 결함 분석부(620)는 결함의 정보, 주로, 결함의 리페어를 위해 분석해야 할 정보를 분석한다. 예를 들어, 결함 분석부(620)는 결함이 어느 위치에 발생하였는지, 픽셀 내 존재해야 하는 레이어와 중첩하여 발생하였는지, 얼마만큼 해당 레이어와 중첩이 발생하였는지 및 얼마만큼의 면적과 두께로 발생하였는지 등을 분석한다. 결함 분석부(620)가 발생한 결함의 두께를 분석함에 있어서는, 별도의 측정기(미도시)를 이용하여 결함의 두께를 분석할 수 있다. 결함 분석부(620)가 분석하는 결함 정보의 예시는 도 7 내지 9에 도시되어 있다.The
도 7 내지 9는 기판 내 발생한 결함의 유형을 도시한 도면이다.7 to 9 are diagrams illustrating types of defects occurring in a substrate.
도 7(a)와 같이 결함 검출장치(110)로부터 결함(510)이 검출된 경우, 결함 분석부(620)는 결함의 정보를 분석한다. 결함은 도 7(b), 도 7(c), 도 8 및 도 9에 도시된 결함으로 분류될 수 있다.When a
도 7(b)와 같이, 결함(510)이 별도의 레이어 상이 아닌 유리 기판(710) 상에 직접 발생하는 경우가 존재한다.As shown in FIG. 7B , there is a case in which the
도 7(c)와 같이, 결함(510)은 유리 기판(710) 상에 형성된 레이어(720) 상에 발생하는 경우가 존재한다.As shown in FIG. 7C , there is a case where the
도 8과 같이, 결함(510)은 레이어 내 홀이 형성되어야 하는 지점에 발생할 수 있다. 결함(510)이 발생하지 않았을 경우 레이어 내 홀이 형성되어야 하는데, 결함(510)이 발생함으로서 해당 홀을 막으며 홀이 형성되지 않는 경우가 존재할 수 있다.As shown in FIG. 8 , a
도 9와 같이, 결함(510)이 기판 내 하나 이상의 단위 픽셀 대부분의 면적에 형성되는 경우가 존재한다. 결함(510)이 이와 같이 발생함에 따라, 결함(510)이 발생한 단위 픽셀은 리페어하더라도 온전히 동작이 곤란한 상황을 갖는다. As shown in FIG. 9 , there is a case in which a
다시 도 6을 참조하면, 결함 분석부(620)는 전술한 바와 같은 결함의 정보를 분석한다.Referring back to FIG. 6 , the
가공방법 선택부(630)는 결함 분석부(620)에 의해 분석된 결함의 정보를 토대로 결함을 리페어할 가공 방법을 선택한다. The machining
도 7(b)에 도시된 결함과 같이, 결함(510)의 하단(레이저가 결함으로 조사되는 방향으로의 후방)에 (유리 기판 상에 반드시 존재해야 하는) 별도의 레이어가 존재하지 않는 경우라면, 결함의 하단에 발생할 데미지를 신경 쓸 필요없이 리페어하는데 소모되는 시간(가공 시간)을 최소화하는 것이 바람직하다. 따라서, 가공방법 선택부(630)는 도 10에 도시된 방법대로 리페어가 진행되도록 가공방법을 선택한다. If there is no separate layer (must be present on the glass substrate) at the lower end of the defect 510 (the rear in the direction in which the laser is irradiated to the defect), as in the defect shown in FIG. 7(b) , , it is desirable to minimize the time (machining time) consumed for repairing without worrying about the damage that may occur at the bottom of the defect. Accordingly, the machining
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 AR 레이저 가공 장치가 결함의 일 유형을 리페어하기 위해 선택한 일 가공방법을 도시한 도면이다.10 is a view illustrating a processing method selected for repairing a type of defect by the AR laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 10에 도시된 가공방법은 결함의 하단에 별도의 레이어(720)가 존재하는 경우의 가공방법이다. 가공방법 선택부(630)는 결함 분석부(620)로부터 픽셀 내 존재해야 하는 레이어와 중첩하여 발생하였는지 및 얼마만큼 해당 레이어와 중첩이 발생하였는지를 판단한다. 이에 따라, 가공방법 선택부(630)는 하단의 레이어(720)와 중첩이 발생한 부위(1010)와 그렇지 않은 부위(1020)를 구분한다. 결함의 리페어를 위해 레이저가 조사될 때, 가공방법 선택부(630)는 각 부위(1010, 1020)로 조사될 레이저의 에너지가 다르게 조사되도록 하는 가공방법을 선택한다. 가공방법 선택부(630)는 결함의 하단에 레이어가 존재하지 않는 부위(1020)에서는 상대적으로 강한 에너지의 레이저가 조사되도록 하여, 가공 시간을 단축한다. 반면, 가공방법 선택부(630)는 결함의 하단에 레이어가 존재하는 부위(1010)에서는 상대적으로 약한 에너지의 레이저가 조사되도록 하여, 레이어(720)의 파손을 최소화한다. 가공방법 선택부(630)는 해당 부위(1010)로 조사되는 레이저의 에너지의 세기를 레이어(720) 상에 발생한 결함(510)의 두께에 따라 조정한다. The processing method shown in FIG. 10 is a processing method when a
반면, 도 7(c)에 도시된 결함과 같이, 결함의 하단에 별도의 레이어(720)가 존재하는 경우라면, 레이어(720)에 가해질 수 있는 데미지를 최소화하는 방향으로 가공방법이 선택되어야 한다. 따라서, 가공방법 선택부(630)는 도 11에 도시된 방법대로 리페어가 진행되도록 가공방법을 선택한다. On the other hand, if there is a
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 AR 레이저 가공 장치가 결함의 일 유형을 리페어하기 위해 선택한 나머지 가공방법을 도시한 도면이다.11 is a view illustrating the remaining processing method selected to repair one type of defect by the AR laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 11에 도시된 가공방법은 결함의 하단에 별도의 레이어(720)가 존재하지 않고 유리 기판(710)만이 존재하는 경우의 가공방법이다. 가공방법 선택부(630)는 발생한 결함의 두께를 판단한다. 상대적으로 두께가 두꺼운 부위(1110)가 존재할 수 있으며, 상대적으로 얇은 부위(1120)가 존재할 수 있다. 가공방법 선택부(630)는 도 8과 함께 설명한 방법과 같이 에너지의 세기를 조정하지는 않으며, 조사되는 레이저의 중첩률을 조정한다. 가공방법 선택부(630)는 상대적으로 두께가 얇은 부위(1120)를 리페어하도록 함에 있어 레이저가 상대적으로 덜 중첩되어 조사되도록 하고, 상대적으로 두께가 두꺼운 부위(1110)를 리페어하도록 함에 있어서는 레이저가 상대적으로 더 중첩되어 조사되도록 한다. 이에 따라, 가공방법 선택부(630)는 해당 결함을 신속하면서도 온전히 리페어할 수 있도록 한다.The processing method shown in FIG. 11 is a processing method when only the
도 8에 도시된 결함과 같이, 홀에 형성되어 홀에 형성된 결함만을 제거하기 위해, 가공방법 선택부(630)는 다음과 같은 가공방법을 선택할 수 있다. 단위 픽셀 내 특정 부위에 형성된 결함에 가공이 진행될 경우, 결함이 리페어되며 버(Burr)가 발생하게 된다. 버는 인접하거나 리페어한 부위에 악영향을 미치기 때문에, 최소화되어야 한다. 따라서, 가공방법 선택부(630)는 결함을 리페어함에 있어 버의 발생을 최소화할 수 있는 기 설정된 크기의 에너지와 기 설정된 정도의 중첩률을 갖는 레이저가 조사되도록 한다. 이때, 형성된 결함의 직경(또는 면적)은 조사될 레이저의 그것보다 상대적으로 크기 때문에, 가공방법 선택부(630)는 일지점(예를 들어, 결함의 중심부)으로 조사된 레이저가 나선형으로 진행하며 결함을 리페어하도록 한다.As with the defects shown in FIG. 8 , in order to remove only the defects formed in the holes and formed in the holes, the machining
또는 도 9에 도시된 결함과 같이, 어차피 결함이 발생한 단위 픽셀이 제 기능을 발휘하지 못하는 상황이기에, 단위 픽셀 내 레이어들의 훼손 등이 고려될 필요는 없는 상황이다. 따라서, 가공방법 선택부(630)는 결함(510)을 최대한 신속하게 리페어할 수 있도록 중첩률, 레이저의 에너지 세기 및 레이너가 조시되는 지점의 이동 속도를 최대로 하여 신속하게 결함(510)을 리페어할 수 있도록 하는 가공방법을 선택할 수 있다.Alternatively, as in the case of the defect illustrated in FIG. 9 , since the unit pixel in which the defect occurs does not function properly anyway, damage to layers in the unit pixel does not need to be considered. Therefore, the processing
다시 도 6을 참조하면, 메모리부(640)는 통신부(610)가 수신한 정보를 저장한다. Referring back to FIG. 6 , the
이상의 설명은 본 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 본 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of this embodiment, and various modifications and variations will be possible without departing from the essential characteristics of the present embodiment by those of ordinary skill in the art to which this embodiment belongs. Accordingly, the present embodiments are intended to explain rather than limit the technical spirit of the present embodiment, and the scope of the technical spirit of the present embodiment is not limited by these embodiments. The protection scope of this embodiment should be interpreted by the claims below, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present embodiment.
100: AR 레이저 가공 시스템
110: 결함 검출장치
120: AR 레이저 가공장치
130: 리페어 장치
210: 이미지 생성부
220: 패턴주기 인식부
230: 메모리부
240: 결함 검출부
250: 제어부
260, 610: 통신부
300: 단위 픽셀
310, 320, 720: 레이어
400: 기판 이미지
500: 기판 이미지
510, 1110, 1120: 결함
620: 결함 분석부
630: 가공방법 선택부
640: 메모리부
710: 유리 기판100: AR laser processing system
110: defect detection device
120: AR laser processing device
130: repair device
210: image generating unit
220: pattern period recognition unit
230: memory unit
240: defect detection unit
250: control unit
260, 610: communication unit
300: unit pixel
310, 320, 720: layer
400: substrate image
500: substrate image
510, 1110, 1120: Defect
620: defect analysis unit
630: processing method selection unit
640: memory unit
710: glass substrate
Claims (9)
외부로부터 기판 내 발생한 결함의 검출결과 및 기판의 이미지를 수신하는 통신부;
상기 통신부가 수신한 기판의 이미지 및 결함의 검출결과를 토대로, 기판에 발생한 결함의 정보를 분석하는 결함 분석부; 및
상기 결함 분석부의 분석 결과를 토대로, 결함을 리페어할 가공 방법을 선택하는 가공방법 선택부를 포함하며,
상기 결함 분석부는,
결함이 기판 내 어느 위치에 발생하였는지, 픽셀 내 존재해야 하는 레이어와 중첩하여 발생하였는지, 얼마만큼 해당 레이어와 중첩이 발생하였는지 및 얼마만큼의 면적과 두께로 발생하였는지 중 일부 또는 전부를 분석하되,
기판에 발생한 결함을 픽셀 내 존재해야 하는 레이어 상이 아닌 유리 기판 상에 직접 발생한 제1 경우 또는 픽셀 내 존재해야 하는 레이어 상에 중첩하여 발생한 제2 경우로 구분하며,
기판에 발생한 결함이 상기 제2 경우일 때, 상기 가공방법 선택부는 레이저의 중첩 횟수의 조정없이 조사될 레이저의 에너지 세기를 조정하는 가공방법을 선택하는 것을 특징으로 하는 AR 레이저 가공장치.In the AR laser processing apparatus that analyzes the nature of the defects generated in the substrate and selects the optimal processing method for repairing them,
a communication unit configured to receive a detection result of a defect occurring in the substrate and an image of the substrate from the outside;
a defect analysis unit for analyzing information on defects occurring in the substrate based on the image of the substrate received by the communication unit and the detection result of the defect; and
and a processing method selection unit for selecting a processing method to repair the defect based on the analysis result of the defect analysis unit,
The defect analysis unit,
Analyze some or all of where the defect occurred in the substrate, overlapped with a layer that should exist in the pixel, how much overlap occurred with the layer, and how much area and thickness the defect occurred,
Defects generated on the substrate are divided into a first case that occurs directly on the glass substrate rather than on a layer that should exist in a pixel, or a second case that occurs by overlapping a layer that should exist in a pixel,
AR laser processing apparatus, characterized in that when the defect occurring on the substrate is the second case, the processing method selection unit selects the processing method for adjusting the energy intensity of the laser to be irradiated without adjusting the number of overlapping lasers.
상기 가공방법 선택부는,
기판에 발생한 결함이 상기 제1 경우일 때, 조사될 레이저의 에너지 조정없이 중첩 횟수를 조정하는 가공방법을 선택하는 것을 특징으로 하는 AR 레이저 가공장치.According to claim 1,
The processing method selection unit,
AR laser processing apparatus, characterized in that selecting a processing method for adjusting the number of overlaps without adjusting the energy of the laser to be irradiated when the defect occurring on the substrate is the first case.
상기 가공방법 선택부는,
기판에 발생한 결함의 두께가 상대적으로 두꺼운 부위는 상대적으로 레이저가 더 많이 중첩되도록 조정하는 것을 특징으로 하는 AR 레이저 가공장치.5. The method of claim 4,
The processing method selection unit,
AR laser processing apparatus, characterized in that the area where the thickness of the defect occurring on the substrate is relatively thick is adjusted so that the laser overlaps more.
상기 가공방법 선택부는,
레이저가 결함으로 조사되는 방향으로 결함의 하단에 레이어가 존재하는지 여부를 고려하여 레이저의 에너지 세기를 조정하는 것을 특징으로 하는 AR 레이저 가공장치.According to claim 1,
The processing method selection unit,
AR laser processing apparatus, characterized in that the laser energy intensity is adjusted in consideration of whether a layer exists at the bottom of the defect in the direction in which the laser is irradiated to the defect.
상기 가공방법 선택부는,
레이저가 결함으로 조사되는 방향으로 결함의 하단에 레이어가 존재하는 경우, 상대적으로 약한 에너지의 레이저가 조사되도록, 레이저가 결함으로 조사되는 방향으로 결함의 하단에 레이어가 존재하지 않는 경우, 상대적으로 강한 에너지의 레이저가 조사되도록 하는 것을 특징으로 하는 AR 레이저 가공장치.8. The method of claim 7,
The processing method selection unit,
When a layer exists at the bottom of the defect in the direction in which the laser is irradiated to the defect, a relatively weak energy laser is irradiated. AR laser processing apparatus, characterized in that the laser of energy is irradiated.
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- 2022-04-04 KR KR1020220041576A patent/KR102420665B1/en active IP Right Grant
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GRNT | Written decision to grant |