KR102419372B1 - Phenolic hydroxyl group-containing resin and resist material - Google Patents

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Abstract

내열성이나 알칼리현상성에 더하여, 후막 형성 시의 내크랙성도 우수한 페놀성 수산기 함유 수지, 이것을 함유하는 감광성 조성물, 경화성 조성물, 및 레지스트 재료를 제공하는 것을 목적으로 해서, 하기 구조식(1) 또는 (2)

Figure 112019003291841-pct00016

[식 중 R2, R3은 각각 독립으로 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기, 알콕시기, 할로겐 원자 중 어느 하나이다]
으로 표시되는 구조 부위(α)와, 하기 구조식(3)
Figure 112019003291841-pct00017

(식 중 R4은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼7의 지방족 탄화수소기이다. R5은 수소 원자 또는 탄소 원자수 8∼24의 지방족 탄화수소기이다)
으로 표시되는 구조 부위(β)를 반복 단위로서 갖고, 수지 중에 존재하는 R2, R3, R5 중 적어도 하나가 탄소 원자수 8∼24의 지방족 탄화수소기인 것을 특징으로 하는 페놀성 수산기 함유 수지를 제공한다.In addition to heat resistance and alkali developability, for the purpose of providing a phenolic hydroxyl group-containing resin excellent in crack resistance at the time of forming a thick film, a photosensitive composition containing the same, a curable composition, and a resist material, the following structural formula (1) or (2)
Figure 112019003291841-pct00016

[Wherein, R 2 and R 3 are each independently any one of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic ring-containing hydrocarbon group, an alkoxy group, and a halogen atom]
The structural moiety (α) represented by and the following structural formula (3)
Figure 112019003291841-pct00017

(wherein R 4 is a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms. R 5 is a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 8 to 24 carbon atoms)
A phenolic hydroxyl group - containing resin having a structural moiety (β) represented by to provide.

Figure 112019003291841-pct00018
Figure 112019003291841-pct00018

Description

페놀성 수산기 함유 수지 및 레지스트 재료Phenolic hydroxyl group-containing resin and resist material

본 발명은, 내열성이나 알칼리현상성에 더하여, 후막 형성 시의 내크랙성도 우수한 페놀성 수산기 함유 수지, 이것을 함유하는 감광성 조성물, 경화성 조성물, 및 레지스트 재료에 관한 것이다.The present invention relates to a phenolic hydroxyl group-containing resin excellent in heat resistance and alkali developability as well as crack resistance at the time of forming a thick film, a photosensitive composition containing the same, a curable composition, and a resist material.

포토레지스트의 분야에서는, 용도나 기능에 따라서 세분화된 다종 다양한 레지스트 패턴 형성 방법이 잇달아 개발되고 있고, 그것에 수반하여, 레지스트용 수지 재료에 대한 요구 성능도 고도화 또한 다양화하고 있다. 예를 들면, 패턴 형성용의 수지 재료에는, 고집적화된 반도체에 미세한 패턴을 정확하며 또한 높은 생산 효율로 형성하기 위한 높은 현상성이 요구된다. 하층막, 반사 방지막, BARC막, 하드마스크 등으로 불리는 용도에서는, 드라이에칭내성이나 저반사성 외에, 최첨단 분야에서는 수십 미크론의 후막 형성이 가능하며 깨짐이나 금이 발생하지 않는 것 등이 요구된다. 또한, 레지스트 영구막 등으로 불리는 용도에서는, 고내열성에 더하여, 후막 형성이 가능한 것, 경시 열화(劣化)가 발생하지 않는 것 등이 요구된다. 또한, 품질신뢰성의 관점에서, 세계 각국의 다양한 환경 하에서의 장기보존안정성도 중요한 성능의 하나이다.In the field of photoresists, a variety of resist pattern formation methods subdivided according to uses and functions are being developed one after another, and with it, the performance required for a resin material for resist is also being advanced and diversified. For example, a resin material for pattern formation is required to have high developability for accurately forming fine patterns on highly integrated semiconductors and with high production efficiency. In applications called underlayer films, anti-reflection films, BARC films, hard masks, etc., in addition to dry etching resistance and low reflectivity, in the most advanced fields, thick films of several tens of microns can be formed, and cracks or cracks are required. In addition to high heat resistance, in applications called resist permanent films, etc., it is required that a thick film can be formed, that deterioration with time does not occur, and the like. In addition, from the viewpoint of quality reliability, long-term storage stability under various environments around the world is also an important performance.

포토레지스트 용도에 가장 널리 사용되고 있는 페놀성 수산기 함유 수지는 크레졸노볼락형의 것이지만, 고도화 또한 다양화가 진행되는 최근의 시장요구 성능에 대응할 수 있는 것은 아니고, 내열성이나 현상성이 충분하지 않은 것 외에, 후막 형성하면 깨짐이 발생하기 때문에, 후막 용도에는 사용할 수 없는 것이었다(특허문헌 1 참조).The most widely used phenolic hydroxyl group-containing resin for photoresist applications is a cresol novolak type, but it cannot respond to the performance demanded by the market in recent years with advancement and diversification, and heat resistance and developability are not sufficient. Since cracks occur when a thick film is formed, it cannot be used for thick film applications (refer to Patent Document 1).

일본 특개평2-55359호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-55359

따라서, 본 발명이 해결하려고 하는 과제는, 내열성이나 알칼리현상성에 더하여, 후막 형성 시의 내크랙성도 우수한 페놀성 수산기 함유 수지, 이것을 함유하는 감광성 조성물, 경화성 조성물, 및 레지스트 재료를 제공하는 것에 있다.Accordingly, the problem to be solved by the present invention is to provide a phenolic hydroxyl group-containing resin excellent in heat resistance and alkali developability as well as crack resistance during thick film formation, a photosensitive composition containing the same, a curable composition, and a resist material.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 행한 결과, 트리아릴메탄형 페놀성 수산기 함유 화합물과, 페놀 또는 탄소 원자수 1∼7의 지방족 탄화수소기를 갖는 페놀 화합물을 반응 원료로 하는 노볼락 수지 중간체에, 탄소 원자수 8∼24의 알켄 화합물을 반응시켜서 얻어지는 페놀성 수산기 함유 수지는, 내열성이나 알칼리현상성에 더하여, 후막 형성 시의 내크랙성도 우수한 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키는데 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors made earnest examination in order to solve the said subject, As a result, a triarylmethane type phenolic hydroxyl group containing compound and a novolak resin which uses phenol or a phenol compound which has a C1-C7 aliphatic hydrocarbon group as reaction raw materials. The phenolic hydroxyl group-containing resin obtained by reacting an intermediate with an alkene compound having 8 to 24 carbon atoms was found to be excellent in heat resistance and alkali developability, and also excellent in crack resistance at the time of forming a thick film, leading to the completion of the present invention.

즉, 본 발명은, 하기 구조식(1) 또는 (2) That is, the present invention, the following structural formula (1) or (2)

Figure 112019003291841-pct00001
Figure 112019003291841-pct00001

[식 중 R1은 수소 원자, 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기 중 어느 하나이다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다. R2, R3은 각각 독립으로 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기, 알콕시기, 할로겐 원자 중 어느 하나이고, l은 각각 독립으로 0 또는 1∼4의 정수, m은 0 또는 1∼5의 정수, n은 0 또는 1∼7의 정수이다. *는 도시된 벤젠환 혹은 나프탈렌환과의 결합점이고, 두 *는 동일한 방향환에 결합하고 있어도 되고, 각각 서로 다른 방향환에 결합하고 있어도 된다] [In the formula, R 1 is any one of a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, and an aromatic ring-containing hydrocarbon group. k is any one of 0, 1, or 2. R 2 and R 3 are each independently any one of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic ring-containing hydrocarbon group, an alkoxy group, and a halogen atom, l is each independently 0 or an integer of 1 to 4, m is 0 or 1 to 5 An integer and n are 0 or an integer of 1-7. * is a point of bonding with the illustrated benzene ring or naphthalene ring, and both * may be bonded to the same aromatic ring or may be bonded to different aromatic rings]

으로 표시되는 구조 부위(α)와, 하기 구조식(3) The structural moiety (α) represented by and the following structural formula (3)

Figure 112019003291841-pct00002
Figure 112019003291841-pct00002

(식 중 R1은 수소 원자, 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기 중 어느 하나이다. R4은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼7의 지방족 탄화수소기이다. R5은 수소 원자 또는 탄소 원자수 8∼24의 지방족 탄화수소기이다) (Wherein, R 1 is any one of a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, and an aromatic ring-containing hydrocarbon group. R 4 is a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms. R 5 is a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 8 carbon atoms. -24 is an aliphatic hydrocarbon group)

으로 표시되는 구조 부위(β)를 반복 단위로서 갖고, 수지 중에 존재하는 R2, R3, R5 중 적어도 하나가 탄소 원자수 8∼24의 지방족 탄화수소기인 것을 특징으로 하는 페놀성 수산기 함유 수지에 관한 것이다. A phenolic hydroxyl group - containing resin having a structural moiety (β) represented by it's about

본 발명은 또한, 하기 구조식(4) 또는 (5) The present invention also has the following structural formula (4) or (5)

Figure 112019003291841-pct00003
Figure 112019003291841-pct00003

〔식 중 k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다. R2, R3은 각각 독립으로 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기, 알콕시기, 할로겐 원자 중 어느 하나이고, l은 각각 독립으로 0 또는 1∼4의 정수, m은 0 또는 1∼5의 정수, n은 0 또는 1∼7의 정수이다〕 [In the formula, k is any one of 0, 1, and 2. R 2 and R 3 are each independently any one of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic ring-containing hydrocarbon group, an alkoxy group, and a halogen atom, l is each independently 0 or an integer of 1 to 4, m is 0 or 1 to 5 An integer, n is 0 or an integer of 1-7]

으로 표시되는 분자 구조를 갖는 트리아릴메탄형 화합물(A), 페놀 또는 탄소 원자수 1∼7의 지방족 탄화수소기를 갖는 페놀 화합물(B), 및 알데히드 화합물(C)을 반응 원료로 하는 노볼락 수지 중간체(M)와, 탄소 원자수 8∼24의 알켄 화합물(D)과의 반응물인 페놀성 수산기 함유 수지에 관한 것이다.A novolak resin intermediate using a triarylmethane compound (A) having a molecular structure represented by , a phenol compound (B) having a phenol or aliphatic hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms, and an aldehyde compound (C) as reaction raw materials It relates to a phenolic hydroxyl group-containing resin which is a reaction product of (M) and an alkene compound (D) having 8 to 24 carbon atoms.

본 발명은 또한, 상기 페놀성 수산기 함유 수지와 감광제를 함유하는 감광성 조성물에 관한 것이다.The present invention also relates to a photosensitive composition comprising the phenolic hydroxyl group-containing resin and a photosensitizer.

본 발명은 또한, 상기 감광성 조성물을 사용한 레지스트 재료에 관한 것이다.The present invention also relates to a resist material using the photosensitive composition.

본 발명은 또한, 상기 페놀성 수산기 함유 수지와 경화제를 함유하는 경화성 조성물에 관한 것이다.The present invention also relates to a curable composition containing the phenolic hydroxyl group-containing resin and a curing agent.

본 발명은 또한, 상기 경화성 조성물의 경화물에 관한 것이다.The present invention also relates to a cured product of the curable composition.

본 발명은 또한, 상기 경화성 조성물을 사용한 레지스트 재료에 관한 것이다.The present invention also relates to a resist material using the curable composition.

본 발명에 따르면, 내열성이나 알칼리현상성에 더하여, 후막 형성 시의 내크랙성도 우수한 페놀성 수산기 함유 수지, 이것을 함유하는 감광성 조성물, 경화성 조성물, 및 레지스트 재료를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in addition to heat resistance and alkali developability, the phenolic hydroxyl-containing resin excellent also in the crack resistance at the time of thick film formation, a photosensitive composition containing this, a curable composition, and a resist material can be provided.

도 1은, 제조예 1에서 얻어진 트리아릴메탄형 화합물(A-1)의 GPC 차트도.
도 2는, 제조예 1에서 얻어진 트리아릴메탄형 화합물(A-1)의 13C-NMR 차트도.
도 3은, 실시예 1에서 얻어진 페놀성 수산기 함유 수지(1)의 GPC 차트도.
도 4는, 실시예 2에서 얻어진 페놀성 수산기 함유 수지(2)의 GPC 차트도.
도 5는, 실시예 3에서 얻어진 페놀성 수산기 함유 수지(3)의 GPC 차트도.
도 6은, 실시예 4에서 얻어진 페놀성 수산기 함유 수지(4)의 GPC 차트도.
도 7은, 실시예 5에서 얻어진 페놀성 수산기 함유 수지(5)의 GPC 차트도.
1 is a GPC chart of the triarylmethane type compound (A-1) obtained in Production Example 1. FIG.
Fig. 2 is a 13 C-NMR chart of the triarylmethane-type compound (A-1) obtained in Production Example 1.
3 is a GPC chart diagram of phenolic hydroxyl group-containing resin (1) obtained in Example 1. FIG.
4 is a GPC chart diagram of phenolic hydroxyl group-containing resin (2) obtained in Example 2. FIG.
5 is a GPC chart diagram of phenolic hydroxyl group-containing resin (3) obtained in Example 3. FIG.
6 is a GPC chart diagram of phenolic hydroxyl group-containing resin (4) obtained in Example 4.
Fig. 7 is a GPC chart diagram of phenolic hydroxyl group-containing resin (5) obtained in Example 5;

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지는, 하기 구조식(1) 또는 (2) The phenolic hydroxyl group-containing resin of the present invention has the following structural formula (1) or (2)

Figure 112019003291841-pct00004
Figure 112019003291841-pct00004

[식 중 R1은 수소 원자, 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기 중 어느 하나이다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다. R2, R3은 각각 독립으로 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기, 알콕시기, 할로겐 원자 중 어느 하나이고, l은 각각 독립으로 0 또는 1∼4의 정수, m은 0 또는 1∼5의 정수, n은 0 또는 1∼7의 정수이다. *는 도시된 벤젠환 혹은 나프탈렌환과의 결합점이고, 두 *는 동일한 방향환에 결합하고 있어도 되고, 각각 서로 다른 방향환에 결합하고 있어도 된다] [In the formula, R 1 is any one of a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, and an aromatic ring-containing hydrocarbon group. k is any one of 0, 1, or 2. R 2 and R 3 are each independently any one of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic ring-containing hydrocarbon group, an alkoxy group, and a halogen atom, l is each independently 0 or an integer of 1 to 4, m is 0 or 1 to 5 An integer and n are 0 or an integer of 1-7. * is a point of bonding with the illustrated benzene ring or naphthalene ring, and both * may be bonded to the same aromatic ring or may be bonded to different aromatic rings]

으로 표시되는 구조 부위(α)와, 하기 구조식(3) The structural moiety (α) represented by and the following structural formula (3)

Figure 112019003291841-pct00005
Figure 112019003291841-pct00005

(식 중 R1은 수소 원자, 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기 중 어느 하나이다. R4은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼7의 지방족 탄화수소기이다. R5은 수소 원자 또는 탄소 원자수 8∼24의 지방족 탄화수소기이다) (Wherein, R 1 is any one of a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, and an aromatic ring-containing hydrocarbon group. R 4 is a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms. R 5 is a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 8 carbon atoms. -24 is an aliphatic hydrocarbon group)

으로 표시되는 구조 부위(β)를 반복 단위로서 갖고, 수지 중에 존재하는 R2, R3, R5 중 적어도 하나가 탄소 원자수 8∼24의 지방족 탄화수소기인 것을 특징으로 한다.It has a structural moiety (β) represented by , as a repeating unit, and at least one of R 2 , R 3 , and R 5 present in the resin is an aliphatic hydrocarbon group having 8 to 24 carbon atoms.

본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지는, 대칭성이 높고 강직한 상기 구조 부위(α)를 반복 단위로서 갖고, 페놀성 수산기를 고밀도로 가지므로, 내열성이 높고, 현상성도 우수한 특징을 갖는다. 본 발명은, 상기 구조 부위(α) 외에, 상기 구조 부위(β)를 반복 단위로 하는 수지 설계로 하고, 수지 구조 중에 탄소 원자수 8∼24의 지방족 탄화수소기를 도입함에 의해, 내열성과 현상성을 유지한 채로, 후막 형성 시의 내크랙성을 향상시키는 것에 성공한 것이다. 일반적으로, 수지 구조 중에 장쇄의 지방족 탄화수소기를 도입하는 등 해서 수지의 유연성이나 인성을 높이는 방법은, 내크랙성의 향상에 효과를 갖지만, 관능기 밀도의 저하에 수반하는 현상성의 저하나, 내열성의 저하가 발생하는 것이 통상이지만, 본 발명에서는 이와 같은 효과의 트레이드 오프가 발생하지 않고, 현상성, 내열성, 내크랙성의 어느 것도 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 된다.The phenolic hydroxyl group-containing resin of the present invention has high symmetry and rigid structural moiety (α) as a repeating unit, and has a high density of phenolic hydroxyl groups, and thus has high heat resistance and excellent developability. In the present invention, heat resistance and developability are improved by adopting a resin design in which, in addition to the structural moiety (α), the structural moiety (β) is a repeating unit, and introducing an aliphatic hydrocarbon group having 8 to 24 carbon atoms into the resin structure. It has succeeded in improving the crack resistance at the time of forming a thick film while maintaining it. In general, methods of increasing the flexibility and toughness of the resin by introducing a long-chain aliphatic hydrocarbon group into the resin structure have an effect on improving crack resistance, but a decrease in developability and a decrease in heat resistance accompanying a decrease in the density of functional groups Although it is normal to generate|occur|produce, in this invention, the trade-off of such an effect does not generate|occur|produce, and it becomes a phenolic hydroxyl-containing resin excellent in any of developability, heat resistance, and crack resistance.

상기 구조식(1), (2), (3) 중의 R1은 수소 원자, 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기 중 어느 하나이다. 상기 지방족 탄화수소기는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기의 알킬기 등, 탄소 원자수 1∼9의 알킬기 등을 들 수 있다. 상기 방향환 함유 탄화수소기는, 예를 들면, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기, 안트릴기, 및 이들의 방향핵 상에 알킬기나 알콕시기, 할로겐 원자 등이 치환한 구조 부위 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 현상성, 내열성, 내크랙성의 밸런스가 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로, R1은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼6의 알킬기인 것이 바람직하고, 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.R 1 in the structural formulas (1), (2) and (3) is any one of a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, and an aromatic ring-containing hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group is, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, a heptyl group, an octyl group, an alkyl group of a nonyl group, etc.; A C1-C9 alkyl group etc. are mentioned. Examples of the aromatic ring-containing hydrocarbon group include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a structural moiety in which an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom is substituted on their aromatic nucleus. have. Especially, since it becomes a phenolic hydroxyl-containing resin excellent in the balance of developability, heat resistance, and crack resistance, it is preferable that R< 1 > is a hydrogen atom or a C1-C6 alkyl group, and it is more preferable that it is a hydrogen atom.

상기 구조 부위(α)에 대하여, 상기 구조식(1), (2) 중의 *는 , 상기 구조식(1), (2) 중에 도시된 세 방향환 중 어느 하나와의 결합점이고, 두 *는 동일한 방향환에 결합하고 있어도 되고, 각각 서로 다른 방향환에 결합하고 있어도 된다. 상기 구조식(1)으로 표시되는 구조 부위는, 구체적으로는, 하기 구조식(1-1)∼(1-4) 중 어느 하나로 표시되는 것을 들 수 있다. 또한, 상기 구조식(2)으로 표시되는 구조 부위는, 구체적으로는, 하기 구조식(2-1)∼(2-4) 중 어느 하나로 표시되는 것을 들 수 있다.With respect to the structural moiety (α), * in the structural formulas (1) and (2) is a bonding point with any one of the three aromatic rings shown in the structural formulas (1) and (2), and both * are in the same direction You may couple|bond with the ring, and you may couple|bond with each mutually different aromatic ring. Specific examples of the structural moiety represented by the structural formula (1) include those represented by any one of the following structural formulas (1-1) to (1-4). In addition, the structural moiety represented by the structural formula (2) may specifically include those represented by any one of the following structural formulas (2-1) to (2-4).

Figure 112019003291841-pct00006
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[식 중 R1은 수소 원자, 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기 중 어느 하나이다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다. R2, R3은 각각 독립으로 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기, 알콕시기, 할로겐 원자 중 어느 하나이고, l은 각각 독립으로 0 또는 1∼4의 정수, m은 0 또는 1∼5의 정수이다] [In the formula, R 1 is any one of a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, and an aromatic ring-containing hydrocarbon group. k is any one of 0, 1, or 2. R 2 and R 3 are each independently any one of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic ring-containing hydrocarbon group, an alkoxy group, and a halogen atom, l is each independently 0 or an integer of 1 to 4, m is 0 or 1 to 5 is an integer]

Figure 112019003291841-pct00007
Figure 112019003291841-pct00007

[식 중 R1은 수소 원자, 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기 중 어느 하나이다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다. R2, R3은 각각 독립으로 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기, 알콕시기, 할로겐 원자 중 어느 하나이고, l은 각각 독립으로 0 또는 1∼4의 정수, n은 0 또는 1∼7의 정수이다] [In the formula, R 1 is any one of a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, and an aromatic ring-containing hydrocarbon group. k is any one of 0, 1, or 2. R 2 , R 3 are each independently any one of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic ring-containing hydrocarbon group, an alkoxy group, and a halogen atom, l is each independently 0 or an integer of 1 to 4, n is 0 or 1 to 7 is an integer]

본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지는, 수지 중에 존재하는 구조 부위(α)의 모두가 동일 구조여도 되고, 서로 다른 복수의 구조를 갖고 있어도 된다. 그 중에서도, 현상성, 내열성, 내크랙성의 밸런스가 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로, 상기 구조식(1)으로 표시되는 구조 부위를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 구조식(1), (2) 중의 k의 값은 1인 것이 바람직하다. k가 1일 경우, 상기 구조식(1) 중의 세 페놀성 수산기의 결합 위치는, 세 방향환을 결절(結節)하는 메틴기에 대하여 모두 파라 위치인 것이 바람직하다.In the phenolic hydroxyl group-containing resin of the present invention, all of the structural moieties (α) present in the resin may have the same structure, or may have a plurality of structures different from each other. Especially, since it becomes a phenolic hydroxyl-containing resin excellent in the balance of developability, heat resistance, and crack resistance, it is preferable to have a structural site|part represented by the said structural formula (1). Moreover, it is preferable that the value of k in the said structural formula (1), (2) is 1. When k is 1, it is preferable that all of the bonding positions of the three phenolic hydroxyl groups in the structural formula (1) are para-positions with respect to the methine groups that node the three aromatic rings.

상기 구조식(1), (2) 중의 R2은 각각 독립으로 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기, 알콕시기, 할로겐 원자 중 어느 하나이고, l은 각각 독립으로 0 또는 1∼4의 정수이다. 상기 지방족 탄화수소기는, 직쇄형의 것, 분기 구조를 갖는 것의 어느 쪽이어도 되고, 구조 중에 불포화기를 갖는 것, 갖지 않는 것의 어느 쪽이어도 된다. 그 탄소 원자수는 특히 한정되지 않으며, 탄소 원자수 1∼6의 단쇄의 것, 탄소 원자수 7 이상의 비교적 장쇄의 것 중 어느 것이어도 된다. 상기 방향환 함유 탄화수소기는, 방향환을 함유하는 구조 부위이면 구체 구조는 특히 한정되지 않으며, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기, 안트릴기 등의 아릴기 외에, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 나프틸메틸기 등의 아랄킬기 등을 들 수 있다. 상기 알콕시기는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로필옥시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 시클로헥실옥시기 등을 들 수 있다. 상기 할로겐 원자는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자를 들 수 있다.R 2 in the structural formulas (1) and (2) is each independently any one of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic ring-containing hydrocarbon group, an alkoxy group, and a halogen atom, and l is each independently 0 or an integer of 1-4. The aliphatic hydrocarbon group may be either a straight-chain group or a branched structure, and may have an unsaturated group or not have an unsaturated group in the structure. The number of carbon atoms is not particularly limited, and either a short-chain one having 1 to 6 carbon atoms or a relatively long-chain one having 7 or more carbon atoms may be used. The specific structure of the aromatic ring-containing hydrocarbon group is not particularly limited as long as it is a structural moiety containing an aromatic ring, and in addition to aryl groups such as phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, and anthryl group, benzyl group, phenylethyl group, phenyl group Aralkyl groups, such as a propyl group and a naphthylmethyl group, etc. are mentioned. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propyloxy group, a butoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group, and a cyclohexyloxy group. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom.

그 중에서도, 현상성, 내열성, 내크랙성의 밸런스가 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로, l이 2∼4의 정수이고, 그 중 두 R2이 탄소 원자수 1∼3의 알킬기이고, 그 밖의 R2이 수소 원자 또는 탄소 원자수 8∼24의 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하다. 또한, 탄소 원자수 1∼3의 알킬기인 두 R2은, 페놀성 수산기의 2,5-위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.Among them, since the phenolic hydroxyl group-containing resin is excellent in the balance of developability, heat resistance, and crack resistance, l is an integer of 2 to 4, among which R 2 is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and other R It is preferable that 2 is a hydrogen atom or a C8-C24 aliphatic hydrocarbon group. Moreover, it is preferable that both R< 2 > which is a C1-C3 alkyl group couple|bonded with the 2,5-position of a phenolic hydroxyl group.

상기 구조식(1), (2) 중의 R3은 각각 독립으로 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기, 알콕시기, 할로겐 원자 중 어느 하나이고, m은 0 또는 1∼5의 정수, n은 0 또는 1∼7의 정수이다. 상기 지방족 탄화수소기는, 직쇄형의 것, 분기 구조를 갖는 것의 어느 쪽이어도 되고, 구조 중에 불포화기를 갖는 것, 갖지 않는 것의 어느 쪽이어도 된다. 그 탄소 원자수는 특히 한정되지 않으며, 탄소 원자수 1∼6의 단쇄의 것, 탄소 원자수 7 이상의 비교적 장쇄의 것 중 어느 것이어도 된다. 상기 방향환 함유 탄화수소기는, 방향환을 함유하는 구조 부위이면 구체 구조는 특히 한정되지 않으며, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기, 안트릴기 등의 아릴기 외에, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 나프틸메틸기 등의 아랄킬기 등을 들 수 있다. 상기 알콕시기는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로필옥시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 시클로헥실옥시기 등을 들 수 있다. 상기 할로겐 원자는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자를 들 수 있다. 그 중에서도, 현상성, 내열성, 내크랙성의 밸런스가 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로, R3은 수소 원자 또는 탄소 원자수 9∼24의 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하다.R 3 in the structural formulas (1) and (2) is each independently any one of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic ring-containing hydrocarbon group, an alkoxy group, and a halogen atom, m is 0 or an integer of 1 to 5, n is 0 or It is an integer from 1 to 7. The aliphatic hydrocarbon group may be either a straight-chain group or a branched structure, and may have an unsaturated group or not have an unsaturated group in the structure. The number of carbon atoms is not particularly limited, and either a short-chain one having 1 to 6 carbon atoms or a relatively long-chain one having 7 or more carbon atoms may be used. The specific structure of the aromatic ring-containing hydrocarbon group is not particularly limited as long as it is a structural moiety containing an aromatic ring, and in addition to aryl groups such as phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, and anthryl group, benzyl group, phenylethyl group, phenyl group Aralkyl groups, such as a propyl group and a naphthylmethyl group, etc. are mentioned. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propyloxy group, a butoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group, and a cyclohexyloxy group. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom. Especially, since it becomes a phenolic hydroxyl-containing resin excellent in the balance of developability, heat resistance, and crack resistance, it is preferable that R< 3 > is a hydrogen atom or a C9-C24 aliphatic hydrocarbon group.

상기 구조 부위(β)에 대하여, 상기 구조식(3) 중의 R4은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼7의 지방족 탄화수소기, R5은 수소 원자 또는 탄소 원자수 8∼24의 지방족 탄화수소기이다. 이들 지방족 탄화수소기는, 직쇄형의 것, 분기 구조를 갖는 것의 어느 쪽이어도 되고, 구조 중에 불포화기를 갖는 것, 갖지 않는 것의 어느 쪽이어도 된다. 그 중에서도, 현상성, 내열성, 내크랙성의 밸런스가 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로, R4은 탄소 원자수 1∼4의 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하고, 메틸기인 것이 바람직하다. 또한, 그 치환 위치는 페놀성 수산기에 대하여 메타 위치인 것이 바람직하다.With respect to the structural moiety (β), R 4 in the structural formula (3) is a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms, and R 5 is a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 8 to 24 carbon atoms. These aliphatic hydrocarbon groups may be either linear or branched, and may be either straight-chain or not having an unsaturated group in the structure. Especially, since it becomes a phenolic hydroxyl-containing resin excellent in the balance of developability, heat resistance, and crack resistance, it is preferable that R< 4 > is a C1-C4 aliphatic hydrocarbon group, and it is preferable that it is a methyl group. Moreover, it is preferable that the substitution position is a meta position with respect to a phenolic hydroxyl group.

본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지에 있어서, 상기 구조 부위(α)와 상기 구조 부위(β)와의 존재 비율은, 원하는 수지 성능이나 용도 등에 따라서 적의(適宜) 변경된다. 그 중에서도, 현상성, 내열성, 내크랙성의 밸런스가 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로, 양자의 존재 비율[(α)/(β)]이 90/10∼30/70의 범위인 것이 바람직하고, 80/20∼40/60의 범위인 것이 보다 바람직하다.In the phenolic hydroxyl group-containing resin of the present invention, the abundance ratio of the structural moiety (α) to the structural moiety (β) is suitably changed according to the desired resin performance, use, and the like. Especially, since it becomes a phenolic hydroxyl group-containing resin excellent in the balance of developability, heat resistance, and crack resistance, it is preferable that the abundance ratio of both [(α)/(β)] is in the range of 90/10 to 30/70, It is more preferable that it is the range of 80/20-40/60.

본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지에 있어서, 수지 중에 존재하는 R2, R3, R5 중 적어도 하나는 탄소 원자수 8∼24의 지방족 탄화수소기이다. 상술한 바와 같이, 당해 지방족 탄화수소기는 직쇄형의 것, 분기 구조를 갖는 것의 어느 쪽이어도 되고, 구조 중에 불포화기를 갖는 것, 갖지 않는 것의 어느 쪽이어도 된다. 그 중에서도, 현상성, 내열성, 내크랙성의 밸런스가 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로, 탄소 원자수 8∼20의 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하다. 또한, 그 구조는 직쇄형의 알킬기인 것이 바람직하다.In the phenolic hydroxyl group-containing resin of the present invention, at least one of R 2 , R 3 , and R 5 present in the resin is an aliphatic hydrocarbon group having 8 to 24 carbon atoms. As described above, the aliphatic hydrocarbon group may be either a straight-chain group or a branched structure, or may have an unsaturated group or not have an unsaturated group in the structure. Especially, since it becomes a phenolic hydroxyl-containing resin excellent in the balance of developability, heat resistance, and crack resistance, it is preferable that it is a C8-20 aliphatic hydrocarbon group. Moreover, it is preferable that the structure is a linear alkyl group.

탄소 원자수 8∼24의 지방족 탄화수소기의 존재 비율은, 현상성, 내열성, 내크랙성의 밸런스가 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로, 페놀성 수산기 함유 수지 100질량부 중, 상기 탄소 원자수 8∼24의 지방족 탄화수소기가 0.5∼30질량%로 되는 비율인 것이 바람직하다.The abundance ratio of the aliphatic hydrocarbon group having 8 to 24 carbon atoms makes the phenolic hydroxyl group-containing resin excellent in the balance of developability, heat resistance and crack resistance. It is preferable that it is a ratio used as 0.5-30 mass % of aliphatic hydrocarbon groups of 24.

본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지를 제조하는 방법은 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 하기 구조식(4) 또는 (5) Although the method for producing the phenolic hydroxyl group-containing resin of the present invention is not particularly limited, for example, the following structural formula (4) or (5)

Figure 112019003291841-pct00008
Figure 112019003291841-pct00008

〔식 중 k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다. R2, R3은 각각 독립으로 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기, 알콕시기, 할로겐 원자 중 어느 하나이고, l은 각각 독립으로 0 또는 1∼4의 정수, m은 0 또는 1∼5의 정수, n은 0 또는 1∼7의 정수이다〕 [In the formula, k is any one of 0, 1, and 2. R 2 and R 3 are each independently any one of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic ring-containing hydrocarbon group, an alkoxy group, and a halogen atom, l is each independently 0 or an integer of 1 to 4, m is 0 or 1 to 5 An integer, n is 0 or an integer of 1-7]

으로 표시되는 분자 구조를 갖는 트리아릴메탄형 화합물(A), 페놀 또는 탄소 원자수 1∼7의 지방족 탄화수소기를 갖는 페놀 화합물(B), 및 알데히드 화합물(C)을 반응 원료로 하는 노볼락 수지 중간체(M)와, 탄소 원자수 8∼24의 알켄 화합물(D)을 반응시키는 방법에 의해 제조할 수 있다.A novolak resin intermediate using a triarylmethane compound (A) having a molecular structure represented by , a phenol compound (B) having a phenol or aliphatic hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms, and an aldehyde compound (C) as reaction raw materials It can manufacture by the method of making (M) and a C8-C24 alkene compound (D) react.

상기 트리아릴메탄형 화합물(A)은, 동일 구조의 것을 단독으로 사용해도 되고, 서로 다른 분자 구조를 갖는 복수의 화합물을 병용해도 된다. 그 중에서도, 현상성, 내열성, 내크랙성의 밸런스가 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로, 상기 구조식(4)으로 표시되는 분자 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, k의 값은 1인 것이 바람직하다. k의 값이 1일 경우, 구조식(4)에 있어서, 분자 구조 중의 세 페놀성 수산기의 결합 위치는, 세 방향환을 결절하는 메틴기에 대하여 파라 위치인 것이 바람직하다.The said triarylmethane type compound (A) may use individually the thing of the same structure, and may use together several compounds which have mutually different molecular structures. Especially, since it becomes a phenolic hydroxyl-containing resin excellent in the balance of developability, heat resistance, and crack resistance, it is preferable to have a molecular structure represented by the said structural formula (4). In addition, it is preferable that the value of k is 1. When the value of k is 1, in Structural Formula (4), it is preferable that the bonding position of three phenolic hydroxyl groups in a molecular structure is a para position with respect to the methine group which node the three aromatic rings.

상기 트리아릴메탄형 화합물(A)은, 예를 들면, 페놀 화합물(a1)과 방향족 알데히드 화합물(a2)과의 축합 반응에 의해 얻어지는 것을 들 수 있다. 상기 페놀 화합물(a1)은, 예를 들면, 페놀이나, 페놀의 방향핵 상의 수소 원자의 하나 내지 복수가 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등으로 치환된 화합물을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다. 그 중에서도, 내열성이 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로, 페놀의 2,5-위치에 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기, 알콕시기, 할로겐 원자 중 어느 하나를 갖는 화합물이 바람직하고, 2,5-위치에 탄소 원자수 1∼3의 알킬기를 갖는 화합물이 바람직하고, 2,5-자일레놀이 특히 바람직하다.Examples of the triarylmethane compound (A) include those obtained by a condensation reaction between a phenol compound (a1) and an aromatic aldehyde compound (a2). Examples of the phenol compound (a1) include phenol and compounds in which one or more hydrogen atoms on the aromatic nucleus of the phenol are substituted with an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. These may be used independently, respectively, and may use 2 or more types together. Among them, a compound having any one of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic ring-containing hydrocarbon group, an alkoxy group, and a halogen atom at the 2,5-position of phenol is preferable because it becomes a phenolic hydroxyl group-containing resin excellent in heat resistance, and 2,5 Compounds having an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms in the -position are preferred, and 2,5-xylenol is particularly preferred.

상기 방향족 알데히드 화합물(a2)은, 예를 들면, 벤젠, 나프탈렌, 페놀, 레조르신, 나프톨, 디히드록시나프탈렌 등의 방향핵 상에 포르밀기를 갖는 화합물, 포르밀기 외에 추가로 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등을 갖는 화합물을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다. 그 중에서도, 내열성과 현상성과의 밸런스가 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로 벤젠환 구조를 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 벤즈알데히드, 살리실알데히드, m-히드록시벤즈알데히드, p-히드록시벤즈알데히드가 바람직하고, 살리실알데히드, m-히드록시벤즈알데히드, p-히드록시벤즈알데히드가 보다 바람직하다.The aromatic aldehyde compound (a2) is, for example, a compound having a formyl group on an aromatic nucleus such as benzene, naphthalene, phenol, resorcin, naphthol, dihydroxynaphthalene, an alkyl group, an alkoxy group, The compound which has a halogen atom etc. is mentioned. These may be used independently, respectively, and may use 2 or more types together. Especially, since it becomes phenolic hydroxyl-containing resin excellent in the balance of heat resistance and developability, what has a benzene ring structure is preferable. Specifically, benzaldehyde, salicylaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde and p-hydroxybenzaldehyde are preferable, and salicylaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde and p-hydroxybenzaldehyde are more preferable.

상기 페놀 화합물(a1)과 방향족 알데히드 화합물(a2)과의 반응 몰 비율[(a1)/(a2)]은, 목적의 트리아릴메탄형 화합물(A)을 고수율이며 또한 고순도로 얻어지므로, 1/0.2∼1/0.5의 범위인 것이 바람직하고, 1/0.25∼1/0.45의 범위인 것이 보다 바람직하다.The reaction molar ratio [(a1)/(a2)] of the phenol compound (a1) and the aromatic aldehyde compound (a2) is 1 It is preferable that it is the range of /0.2-1/0.5, and it is more preferable that it is the range of 1/0.25-1/0.45.

페놀 화합물(a1)과 방향족 알데히드 화합물(a2)과의 반응은, 산촉매 조건 하에서 행하는 것이 바람직하다. 여기에서 사용하는 산촉매는, 예를 들면, 아세트산, 옥살산, 황산, 염산, 페놀설폰산, 파라톨루엔설폰산, 아세트산아연, 아세트산망간 등을 들 수 있다. 이들 산촉매는, 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 병용해도 된다. 이들 중에서도, 촉매 활성이 우수한 점으로부터 황산, 파라톨루엔설폰산이 바람직하다.The reaction between the phenol compound (a1) and the aromatic aldehyde compound (a2) is preferably performed under acid catalyst conditions. Examples of the acid catalyst used herein include acetic acid, oxalic acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, phenolsulfonic acid, paratoluenesulfonic acid, zinc acetate, and manganese acetate. These acid catalysts may be used individually, respectively, and may use 2 or more types together. Among these, sulfuric acid and para-toluenesulfonic acid are preferable from the viewpoint of excellent catalytic activity.

페놀 화합물(a1)과 방향족 알데히드 화합물(a2)과의 반응은, 필요에 따라서 유기 용매 중에서 행해도 된다. 여기에서 사용하는 용매는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올 등의 모노알코올; 에틸렌글리콜, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 1,7-헵탄디올, 1,8-옥탄디올, 1,9-노난디올, 트리메틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린 등의 폴리올; 2-에톡시에탄올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노펜틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르 등의 글리콜에테르; 1,3-디옥산, 1,4-디옥산, 테트라히드로퓨란 등의 환상 에테르; 에틸렌글리콜아세테이트 등의 글리콜에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤 등을 들 수 있다. 이들 용매는, 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상의 혼합 용매로서 사용해도 된다.You may perform reaction of a phenol compound (a1) and an aromatic aldehyde compound (a2) in an organic solvent as needed. The solvent used here is, for example, monoalcohol, such as methanol, ethanol, and a propanol; Ethylene glycol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, 1,6-hexanediol, 1,7-heptanediol, 1,8-octanediol polyols such as , 1,9-nonanediol, trimethylene glycol, diethylene glycol, polyethylene glycol, and glycerin; 2-ethoxyethanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monopentyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol ethyl methyl ether, ethylene glycol mono glycol ethers such as phenyl ether; cyclic ethers such as 1,3-dioxane, 1,4-dioxane, and tetrahydrofuran; glycol esters such as ethylene glycol acetate; Ketones, such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone, etc. are mentioned. These solvents may be used independently, respectively, and may be used as 2 or more types of mixed solvent.

상기 페놀 화합물(a1)과 방향족 알데히드 화합물(a2)과의 반응은, 예를 들면, 60∼140℃의 온도 범위에서, 0.5∼20시간 걸쳐서 행한다.The reaction between the phenol compound (a1) and the aromatic aldehyde compound (a2) is, for example, in a temperature range of 60 to 140°C, and is performed over 0.5 to 20 hours.

반응 종료 후는, 예를 들면, 반응 생성물을 트리아릴메탄형 화합물(A)의 빈용매(貧溶媒)(S1)에 투입해서 침전물을 여과 분별하고, 다음으로, 트리아릴메탄형 화합물(A)의 용해성이 높으며, 또한, 상기 빈용매(S1)와 혼화하는 용매(S2)에 얻어진 침전물을 재용해시키는 방법에 의해, 반응 생성물로부터 미반응의 페놀 화합물(a1)이나 방향족 알데히드 화합물(a2), 사용한 산촉매를 제거하여, 정제된 트리아릴메탄형 화합물(A)을 얻을 수 있다.After completion of the reaction, for example, the reaction product is poured into a poor solvent (S1) of the triarylmethane-type compound (A), the precipitate is separated by filtration, and then the triarylmethane-type compound (A) By a method of re-dissolving the precipitate obtained in the solvent (S2) miscible with the poor solvent (S1), the unreacted phenol compound (a1) or aromatic aldehyde compound (a2) from the reaction product, By removing the used acid catalyst, a purified triarylmethane type compound (A) can be obtained.

페놀 화합물(a1)과 방향족 알데히드 화합물(a2)과의 반응을 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소 용매 중에서 행한 경우에는, 반응 생성물을 80℃ 이상까지 가열해서 상기 트리아릴메탄형 화합물(A)을 방향족 탄화수소 용매에 용해하고, 그대로 냉각함에 의해 상기 트리아릴메탄형 화합물(A)의 결정을 석출시킬 수 있다.When the reaction between the phenol compound (a1) and the aromatic aldehyde compound (a2) is carried out in an aromatic hydrocarbon solvent such as toluene or xylene, the reaction product is heated to 80° C. or higher to convert the triarylmethane compound (A) to an aromatic Crystals of the triarylmethane type compound (A) can be precipitated by dissolving in a hydrocarbon solvent and cooling as it is.

상기 트리아릴메탄형 화합물(A)의 정제에 사용하는 상기 빈용매(S1)는, 예를 들면, 물; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 에톡시에탄올 등의 모노알코올; n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, 시클로헥산 등의 지방족 탄화수소; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소를 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다. 그 중에서도, 산촉매의 용해성이 우수하므로 물, 메탄올, 에톡시에탄올이 바람직하다.The poor solvent (S1) used for purification of the triarylmethane compound (A) includes, for example, water; monoalcohols such as methanol, ethanol, propanol, and ethoxyethanol; aliphatic hydrocarbons such as n-hexane, n-heptane, n-octane and cyclohexane; and aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene. These may be used independently, respectively, and may use 2 or more types together. Especially, since it is excellent in the solubility of an acid catalyst, water, methanol, and ethoxyethanol are preferable.

한편, 상기 용매(S2)는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올 등의 모노알코올; 에틸렌글리콜, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 1,7-헵탄디올, 1,8-옥탄디올, 1,9-노난디올, 트리메틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린 등의 폴리올; 2-에톡시에탄올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노펜틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르 등의 글리콜에테르; 1,3-디옥산, 1,4-디옥산 등의 환상 에테르; 에틸렌글리콜아세테이트 등의 글리콜에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다. 그 중에서도, 상기 빈용매(S1)로서 물이나 모노알코올을 사용한 경우에는, 용매(S2)로서 아세톤을 사용하는 것이 바람직하다.On the other hand, the solvent (S2), for example, monoalcohol such as methanol, ethanol, propanol; Ethylene glycol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, 1,6-hexanediol, 1,7-heptanediol, 1,8-octanediol polyols such as , 1,9-nonanediol, trimethylene glycol, diethylene glycol, polyethylene glycol, and glycerin; 2-ethoxyethanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monopentyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol ethyl methyl ether, ethylene glycol mono glycol ethers such as phenyl ether; cyclic ethers such as 1,3-dioxane and 1,4-dioxane; glycol esters such as ethylene glycol acetate; Ketones, such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone, etc. are mentioned. These may be used independently, respectively, and may use 2 or more types together. Especially, when water or monoalcohol is used as said poor solvent (S1), it is preferable to use acetone as solvent (S2).

상기 페놀 또는 탄소 원자수 1∼7의 지방족 탄화수소기를 갖는 페놀 화합물(B)에 대하여, 탄소 원자수 1∼7의 지방족 탄화수소기는, 직쇄형의 것, 분기 구조를 갖는 것의 어느 쪽이어도 되고, 구조 중에 불포화기를 갖는 것, 갖지 않는 것의 어느 쪽이어도 된다. 그 중에서도, 현상성, 내열성, 내크랙성의 밸런스가 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로, 페놀 화합물(B)은 탄소 원자수 1∼4의 지방족 탄화수소기를 갖는 것이 바람직하고, 메틸기를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 그 치환 위치는 페놀성 수산기에 대하여 메타 위치인 것이 바람직하다.With respect to the phenol or phenol compound (B) having an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms, the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms may be either a straight chain type or a branched structure, and in the structure Either having an unsaturated group or not having an unsaturated group may be sufficient. Especially, since it becomes a phenolic hydroxyl-containing resin which is excellent in the balance of developability, heat resistance, and crack resistance, it is preferable that a phenolic compound (B) has a C1-C4 aliphatic hydrocarbon group, and it is preferable that it has a methyl group. Moreover, it is preferable that the substitution position is a meta position with respect to a phenolic hydroxyl group.

상기 트리아릴메탄형 화합물(A)과 상기 페놀 화합물(B)과의 반응 비율은, 원하는 수지 성능이나 용도 등에 따라서 적의 변경된다. 그 중에서도, 현상성, 내열성, 내크랙성의 밸런스가 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로, 양자의 몰비[(A)/(B)]가 90/10∼30/70의 범위인 것이 바람직하고, 80/20∼40/60의 범위인 것이 보다 바람직하다.The reaction ratio between the triarylmethane type compound (A) and the phenol compound (B) is suitably changed according to the desired resin performance, use, and the like. Especially, since it becomes a phenolic hydroxyl-containing resin excellent in the balance of developability, heat resistance, and crack resistance, it is preferable that both molar ratio [(A)/(B)] is the range of 90/10-30/70, 80 It is more preferable that it is the range of /20-40/60.

상기 알데히드 화합물(C)은, 상기 트리아릴메탄형 화합물(A) 및 상기 페놀 화합물(B)과 축합 반응을 발생해서 노볼락형의 페놀성 수산기 함유 수지를 형성할 수 있는 것이면 되며, 예를 들면, 포름알데히드, 파라포름알데히드, 1,3,5-트리옥산, 아세트알데히드, 프로피온알데히드, 테트라옥시메틸렌, 폴리옥시메틸렌, 클로랄, 헥사메틸렌테트라민, 푸르푸랄, 글리옥살, n-부틸알데히드, 카프로알데히드, 알릴알데히드, 크로톤알데히드, 아크롤레인 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다. 그 중에서도, 반응성이 우수하므로 포름알데히드를 사용하는 것이 바람직하다. 포름알데히드는 수용액의 상태인 포르말린으로서 사용해도 되고, 고형의 상태인 파라포름알데히드로서 사용해도 되고, 어느 쪽이어도 된다. 또한, 포름알데히드와 그 밖의 알데히드 화합물을 병용하는 경우에는, 포름알데히드 1몰에 대해서, 그 밖의 알데히드 화합물을 0.05∼1몰의 비율로 사용하는 것이 바람직하다.The aldehyde compound (C) may be one that can undergo a condensation reaction with the triarylmethane compound (A) and the phenol compound (B) to form a novolak-type phenolic hydroxyl group-containing resin, for example, , formaldehyde, paraformaldehyde, 1,3,5-trioxane, acetaldehyde, propionaldehyde, tetraoxymethylene, polyoxymethylene, chloral, hexamethylenetetramine, furfural, glyoxal, n-butylaldehyde, Caproaldehyde, allylaldehyde, crotonaldehyde, acrolein, etc. are mentioned. These may be used independently, respectively, and may use 2 or more types together. Among them, it is preferable to use formaldehyde because of its excellent reactivity. Formaldehyde may be used as formalin in an aqueous solution state, may be used as paraformaldehyde in a solid state, or either may be used. Moreover, when using formaldehyde and another aldehyde compound together, it is preferable to use the other aldehyde compound in the ratio of 0.05-1 mol with respect to 1 mol of formaldehyde.

상기 노볼락 수지 중간체(M)는, 상기 트리아릴메탄형 화합물(A), 상기 페놀 화합물(B) 및 상기 알데히드 화합물(C) 외에, 그 밖의 페놀성 수산기 함유 화합물(E)을 반응 원료로 하는 것이어도 된다. 여기에서 사용하는 그 밖의 페놀성 수산기 함유 화합물(E)은, 예를 들면, 페놀, 디히드록시벤젠, 페닐페놀, 비스페놀, 나프톨, 디히드록시나프탈렌 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다. 그 밖의 페놀성 수산기 함유 화합물(E)을 사용하는 경우에는, 본 발명의 효과가 충분히 발휘되므로, 상기 노볼락 수지 중간체(M)의 페놀성 수산기 함유 화합물 원료의 합계 100질량부 중, 상기 트리아릴메탄형 화합물(A)과 페놀 화합물(B)을 합계로 50질량부 이상 사용하는 것이 바람직하고, 80질량부 이상 사용하는 것이 보다 바람직하다.The novolak resin intermediate (M) is prepared by using, as a reaction raw material, other phenolic hydroxyl group-containing compounds (E) in addition to the triarylmethane compound (A), the phenol compound (B), and the aldehyde compound (C). it may be Examples of the other phenolic hydroxyl group-containing compound (E) used herein include phenol, dihydroxybenzene, phenylphenol, bisphenol, naphthol, and dihydroxynaphthalene. These may be used independently, respectively, and may use 2 or more types together. In the case of using other phenolic hydroxyl group-containing compounds (E), the effects of the present invention are sufficiently exhibited. Therefore, in a total of 100 parts by mass of the phenolic hydroxyl group-containing compound raw materials of the novolak resin intermediate (M), the triaryl It is preferable to use 50 mass parts or more of a methane type compound (A) and a phenolic compound (B) in total, It is more preferable to use 80 mass parts or more.

상기 트리아릴메탄형 화합물(A), 상기 페놀 화합물(B) 및 상기 알데히드 화합물(C)의 반응 몰 비율[〔(A)+(B)〕/(C)]은, 과잉의 고분자량화(겔화)를 억제할 수 있고, 레지스트용 조성물로서 적당한 분자량의 페놀성 수산기 함유 수지가 얻어지므로, 1/0.5∼1/1.2의 범위인 것이 바람직하고, 1/0.6∼1/0.9의 범위인 것이 보다 바람직하다.The reaction molar ratio [[(A)+(B)]/(C)] of the triarylmethane type compound (A), the phenol compound (B) and the aldehyde compound (C) is excessively high ( gelation) can be suppressed and a phenolic hydroxyl group-containing resin having a suitable molecular weight as a resist composition can be obtained. desirable.

상기 그 밖의 페놀성 수산기 함유 화합물(E)을 병용하는 경우에는, 페놀성 수산기 함유 화합물 원료의 합계(P)와 상기 알데히드 화합물(C)과의 반응 몰 비율[(P)/(C)]이, 1/0.5∼1/1.2의 범위인 것이 바람직하고, 1/0.6∼1/0.9의 범위인 것이 보다 바람직하다.In the case of using the other phenolic hydroxyl group-containing compound (E) together, the reaction molar ratio [(P)/(C)] of the total (P) of the phenolic hydroxyl group-containing compound raw materials and the aldehyde compound (C) is , It is preferable that it is the range of 1/0.5 - 1/1.2, and it is more preferable that it is the range of 1/0.6 - 1/0.9.

상기 트리아릴메탄형 화합물(A), 상기 페놀 화합물(B) 및 상기 알데히드 화합물(C)의 반응은, 산촉매 조건 하에서 행하는 것이 바람직하다. 여기에서 사용하는 산촉매는, 예를 들면, 아세트산, 옥살산, 황산, 염산, 페놀설폰산, 파라톨루엔설폰산, 아세트산아연, 아세트산망간 등을 들 수 있다. 이들 산촉매는, 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 병용해도 된다. 이들 중에서도, 촉매 활성이 우수한 점으로부터 황산, 파라톨루엔설폰산이 바람직하다.The reaction of the triarylmethane compound (A), the phenol compound (B), and the aldehyde compound (C) is preferably performed under acid catalytic conditions. Examples of the acid catalyst used herein include acetic acid, oxalic acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, phenolsulfonic acid, paratoluenesulfonic acid, zinc acetate, and manganese acetate. These acid catalysts may be used individually, respectively, and may use 2 or more types together. Among these, sulfuric acid and para-toluenesulfonic acid are preferable from the viewpoint of excellent catalytic activity.

상기 트리아릴메탄형 화합물(A), 상기 페놀 화합물(B) 및 상기 알데히드 화합물(C)의 반응은, 필요에 따라서 유기 용매 중에서 행해도 된다. 여기에서 사용하는 용매는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올 등의 모노알코올; 에틸렌글리콜, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 1,7-헵탄디올, 1,8-옥탄디올, 1,9-노난디올, 트리메틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린 등의 폴리올; 2-에톡시에탄올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노펜틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르 등의 글리콜에테르; 1,3-디옥산, 1,4-디옥산, 테트라히드로퓨란 등의 환상 에테르; 에틸렌글리콜아세테이트 등의 글리콜에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤 등을 들 수 있다. 이들 용매는, 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상의 혼합 용매로서 사용해도 된다.You may perform reaction of the said triarylmethane type compound (A), the said phenol compound (B), and the said aldehyde compound (C) in an organic solvent as needed. The solvent used here is, for example, monoalcohol, such as methanol, ethanol, and a propanol; Ethylene glycol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, 1,6-hexanediol, 1,7-heptanediol, 1,8-octanediol polyols such as , 1,9-nonanediol, trimethylene glycol, diethylene glycol, polyethylene glycol, and glycerin; 2-ethoxyethanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monopentyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol ethyl methyl ether, ethylene glycol mono glycol ethers such as phenyl ether; cyclic ethers such as 1,3-dioxane, 1,4-dioxane, and tetrahydrofuran; glycol esters such as ethylene glycol acetate; Ketones, such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone, etc. are mentioned. These solvents may be used independently, respectively, and may be used as 2 or more types of mixed solvent.

상기 트리아릴메탄형 화합물(A), 상기 페놀 화합물(B) 및 상기 알데히드 화합물(C)의 반응은, 예를 들면, 60∼140℃의 온도 범위에서, 0.5∼20시간 걸쳐서 행한다.Reaction of the said triarylmethane type compound (A), the said phenol compound (B), and the said aldehyde compound (C) is carried out, for example in the temperature range of 60-140 degreeC over 0.5-20 hours.

반응 종료 후는, 반응 생성물에 물을 더해서 재침전 조작을 행하는 등 해서, 노볼락 수지 중간체(M)를 얻을 수 있다. 이와 같이 해서 얻어지는 노볼락 수지 중간체(M)의 중량 평균 분자량(Mw)은, 현상성, 내열성 및 내크랙성의 밸런스가 우수하고, 레지스트 재료에 호적한 페놀성 수산기 함유 수지가 얻어지므로 3,000∼50,000의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기 함유 수지의 다분산도(Mw/Mn)는 3∼10의 범위인 것이 바람직하다.After completion of the reaction, a novolak resin intermediate (M) can be obtained by adding water to the reaction product to perform reprecipitation operation or the like. The weight average molecular weight (Mw) of the novolac resin intermediate (M) obtained in this way is 3,000 to 50,000 because a phenolic hydroxyl group-containing resin that is excellent in the balance of developability, heat resistance and crack resistance and suitable for resist materials is obtained. range is preferred. Moreover, it is preferable that polydispersity (Mw/Mn) of phenolic hydroxyl group containing resin is the range of 3-10.

또, 본 발명에 있어서 중량 평균 분자량(Mw) 및 다분산도(Mw/Mn)는, 하기 조건의 GPC에서 측정되는 값이다.In addition, in this invention, a weight average molecular weight (Mw) and polydispersity (Mw/Mn) are values measured by GPC of the following conditions.

[GPC의 측정 조건] [Measurement conditions for GPC]

측정 장치 : 도소가부시키가이샤제 「HLC-8220 GPC」 Measuring device: "HLC-8220 GPC" manufactured by Tosoh Corporation

칼럼 : 쇼와덴쿠가부시키가이샤제 「Shodex KF802」(8.0㎜Ф×300㎜)+쇼와덴쿠가부시키가이샤제 「Shodex KF802」(8.0㎜Ф×300㎜) Column: Showa Denko Co., Ltd. “Shodex KF802” (8.0 mmФ×300 mm) + Showa Denko Co., Ltd. “Shodex KF802” (8.0 mmФ×300 mm)

+쇼와덴쿠가부시키가이샤제 「Shodex KF803」(8.0㎜Ф×300㎜)+쇼와덴쿠가부시키가이샤제 「Shodex KF804」(8.0㎜Ф×300㎜) + Showa Denko Co., Ltd. “Shodex KF803” (8.0 mmФ×300 mm) + Showa Denko Co., Ltd. “Shodex KF804” (8.0 mmФ × 300 mm)

칼럼 온도 : 40℃ Column temperature: 40℃

검출기 : RI(시차굴절계) Detector: RI (Differential Refractometer)

데이터 처리 : 도소가부시키가이샤제 「GPC-8020모델II 버전4.30」 Data processing: "GPC-8020 model II version 4.30" manufactured by Tosoh Corporation

전개 용매 : 테트라히드로퓨란 Developing solvent: tetrahydrofuran

유속 : 1.0mL/분 Flow rate: 1.0mL/min

시료 : 수지 고형분 환산으로 0.5질량%의 테트라히드로퓨란 용액을 마이크로 필터로 여과한 것(100μl) Sample: A 0.5 mass % tetrahydrofuran solution in terms of resin solid content was filtered with a micro filter (100 μl)

표준 시료 : 하기 단분산 폴리스티렌 Standard sample: the following monodisperse polystyrene

(표준 시료 : 단분산 폴리스티렌) (Standard sample: monodisperse polystyrene)

도소가부시키가이샤제 「A-500」 "A-500" made by Tosoh Corporation

도소가부시키가이샤제 「A-2500」 "A-2500" made by Tosoh Corporation

도소가부시키가이샤제 「A-5000」 "A-5000" made by Tosoh Corporation

도소가부시키가이샤제 「F-1」 "F-1" made by Tosoh Corporation

도소가부시키가이샤제 「F-2」 "F-2" made by Tosoh Corporation

도소가부시키가이샤제 「F-4」 "F-4" made by Tosoh Corporation

도소가부시키가이샤제 「F-10」 "F-10" made by Tosoh Corporation

도소가부시키가이샤제 「F-20」 "F-20" made by Tosoh Corporation

탄소 원자수 8∼24의 알켄 화합물(D)은, 상기 노볼락 수지 중간체(M)와 반응할 수 있는 에틸렌성 이중결합 부위를 갖고 있으면, 그 이외의 분자 구조는 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 하기 구조식(6) The molecular structure of the alkene compound (D) having 8 to 24 carbon atoms is not particularly limited as long as it has an ethylenic double bond site capable of reacting with the novolak resin intermediate (M). , the following structural formula (6)

Figure 112019003291841-pct00009
Figure 112019003291841-pct00009

(식 중 R6은 탄소 원자수 6∼22의 지방족 탄화수소기이다) (wherein R 6 is an aliphatic hydrocarbon group having 6 to 22 carbon atoms)

으로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 탄소 원자수 8∼24의 알켄 화합물(D)은 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.and compounds represented by A C8-C24 alkene compound (D) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

상기 구조식(6) 중의 R6은, 탄소 원자수 6∼22의 지방족 탄화수소기이면, 직쇄형의 것, 분기 구조를 갖는 것의 어느 쪽이어도 되고, 또한, 구조 중에 불포화기를 갖는 것, 갖지 않는 것의 어느 쪽이어도 된다. 그 중에서도, 내크랙성이 특히 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로, R6은 직쇄의 알킬기인 것이 바람직하고, 그 탄소 원자수는 6∼18의 범위인 것이 특히 바람직하다.As long as R 6 in the structural formula (6) is an aliphatic hydrocarbon group having 6 to 22 carbon atoms, either a straight-chain one or a branched structure may be used, and one of those having an unsaturated group or not having an unsaturated group in the structure side may be Especially, since it becomes a phenolic hydroxyl-containing resin which is especially excellent in crack resistance, it is preferable that R< 6 > is a linear alkyl group, and it is especially preferable that the carbon atom number is the range of 6-18.

상기 노볼락 수지 중간체(M)와 탄소 원자수 8∼24의 알켄 화합물(D)과의 반응 비율은, 현상성, 내열성, 내크랙성의 밸런스가 우수한 페놀성 수산기 함유 수지로 되므로, 노볼락 수지 중간체(M)와 탄소 원자수 8∼24의 알켄 화합물(D)과의 합계 질량에 대하여, 탄소 원자수 8∼24의 알켄 화합물(D)이 0.5∼30질량%로 되는 비율인 것이 바람직하다.The reaction ratio between the novolak resin intermediate (M) and the alkene compound (D) having 8 to 24 carbon atoms gives a phenolic hydroxyl group-containing resin excellent in the balance of developability, heat resistance, and crack resistance. It is preferable that the ratio of the alkene compound (D) having 8 to 24 carbon atoms is 0.5 to 30 mass% with respect to the total mass of (M) and the alkene compound (D) having 8 to 24 carbon atoms.

상기 노볼락 수지 중간체(M)와 탄소 원자수 8∼24의 알켄 화합물(D)과의 반응은, 산촉매 조건 하에서 행하는 것이 바람직하다. 여기에서 사용하는 산촉매는, 예를 들면, 아세트산, 옥살산, 황산, 염산, 페놀설폰산, 파라톨루엔설폰산, 아세트산아연, 아세트산망간 등을 들 수 있다. 이들 산촉매는, 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 병용해도 된다. 이들 중에서도, 촉매 활성이 우수한 점으로부터 황산이 바람직하다.The reaction between the novolak resin intermediate (M) and the alkene compound (D) having 8 to 24 carbon atoms is preferably performed under acid catalytic conditions. Examples of the acid catalyst used herein include acetic acid, oxalic acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, phenolsulfonic acid, paratoluenesulfonic acid, zinc acetate, and manganese acetate. These acid catalysts may be used individually, respectively, and may use 2 or more types together. Among these, a sulfuric acid is preferable at the point which is excellent in catalytic activity.

상기 노볼락 수지 중간체(M)와 탄소 원자수 8∼24의 알켄 화합물(D)과의 반응은, 필요에 따라서 유기 용매 중에서 행해도 된다. 여기에서 사용하는 용매는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올 등의 모노알코올; 에틸렌글리콜, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 1,7-헵탄디올, 1,8-옥탄디올, 1,9-노난디올, 트리메틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린 등의 폴리올; 2-에톡시에탄올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노펜틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르 등의 글리콜에테르; 1,3-디옥산, 1,4-디옥산, 테트라히드로퓨란 등의 환상 에테르; 에틸렌글리콜아세테이트 등의 글리콜에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤 등을 들 수 있다. 이들 용매는, 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상의 혼합 용매로서 사용해도 된다.The reaction between the novolak resin intermediate (M) and the alkene compound (D) having 8 to 24 carbon atoms may be carried out in an organic solvent if necessary. The solvent used here is, for example, monoalcohol, such as methanol, ethanol, and a propanol; Ethylene glycol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, 1,6-hexanediol, 1,7-heptanediol, 1,8-octanediol polyols such as , 1,9-nonanediol, trimethylene glycol, diethylene glycol, polyethylene glycol, and glycerin; 2-ethoxyethanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monopentyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol ethyl methyl ether, ethylene glycol mono glycol ethers such as phenyl ether; cyclic ethers such as 1,3-dioxane, 1,4-dioxane, and tetrahydrofuran; glycol esters such as ethylene glycol acetate; Ketones, such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone, etc. are mentioned. These solvents may be used independently, respectively, and may be used as 2 or more types of mixed solvent.

상기 노볼락 수지 중간체(M)와 탄소 원자수 8∼24의 알켄 화합물(D)과의 반응은, 예를 들면, 60∼140℃의 온도 범위에서, 0.5∼20시간 걸쳐서 행한다.The reaction between the novolak resin intermediate (M) and the alkene compound (D) having 8 to 24 carbon atoms is carried out, for example, in a temperature range of 60 to 140°C over 0.5 to 20 hours.

반응 종료 후는, 반응 생성물에 물을 더해서 재침전 조작을 행하고, 적의 유기 용제 등으로 세정하는 등 해서, 목적의 페놀성 수산기 함유 수지를 얻을 수 있다. 이와 같이 해서 얻어지는 페놀성 수산기 함유 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 현상성, 내열성 및 내크랙성의 밸런스가 우수하고, 레지스트 재료에 호적한 것으로 되므로 3,500∼50,000의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기 함유 수지의 다분산도(Mw/Mn)는 3∼10의 범위인 것이 바람직하다.After completion of the reaction, water is added to the reaction product to perform reprecipitation operation, and the target phenolic hydroxyl group-containing resin can be obtained by washing with an appropriate organic solvent or the like. The weight average molecular weight (Mw) of the phenolic hydroxyl group-containing resin obtained in this way is excellent in the balance of developability, heat resistance and crack resistance, and is suitable for a resist material. Therefore, it is preferable that it is in the range of 3,500 to 50,000. Moreover, it is preferable that polydispersity (Mw/Mn) of phenolic hydroxyl group containing resin is the range of 3-10.

이상 상술한 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지는, 현상성, 내열성 및 내크랙성의 밸런스가 우수한 특징을 가지므로, 특히 레지스트 재료로서 유용하지만, 범용 유기 용제에의 용해성이 우수한 등, 취급도 용이하므로, 도료나 접착제, 프린트 배선 기판 등의 각종 전기·전자 부재 용도 등, 다종 다양한 용도에 사용할 수 있다. 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지를 레지스트 재료에 사용할 경우, 그 구체적인 용도는 특히 한정되지 않으며, 후막 용도나 레지스트 하층막, 레지스트 영구막 용도 등에도 호적하게 사용할 수 있다.The above-described phenolic hydroxyl group-containing resin of the present invention has excellent balance of developability, heat resistance and crack resistance, and is therefore particularly useful as a resist material. It can be used for a wide variety of uses, such as various electrical/electronic member uses, such as a paint, an adhesive agent, and a printed wiring board. When the phenolic hydroxyl group-containing resin of the present invention is used for a resist material, its specific use is not particularly limited, and it can be suitably used for thick film applications, resist underlayer films, resist permanent film applications, and the like.

본 발명의 감광성 조성물은, 상기 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지와 감광제를 필수의 성분으로서 함유한다. 상기 감광제는, 예를 들면, 퀴논디아지드기를 갖는 화합물을 들 수 있다. 퀴논디아지드기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 예를 들면, 방향족 (폴리)히드록시 화합물과, 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-설폰산 등의 퀴논디아지드기를 갖는 설폰산 혹은 그 할라이드와의 완전 에스테르 화합물, 부분 에스테르 화합물, 아미드화물 또는 부분 아미드화물 등을 들 수 있다.The photosensitive composition of this invention contains the said phenolic hydroxyl-containing resin of this invention, and a photosensitive agent as essential components. As for the said photosensitizer, the compound which has a quinonediazide group is mentioned, for example. Specific examples of the compound having a quinonediazide group include, for example, an aromatic (poly)hydroxy compound and a sulfonic acid having a quinonediazide group such as 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid, or A complete ester compound with the halide, a partial ester compound, an amidate, or a partially amidated compound etc. are mentioned.

상기 방향족 (폴리)히드록시 화합물은, 예를 들면, 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,4,4'-트리히드록시벤조페논, 2,4,6-트리히드록시벤조페논, 2,3,6-트리히드록시벤조페논, 2,3,4-트리히드록시-2'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3',4,4',6-펜타히드록시벤조페논, 2,2',3,4,4'-펜타히드록시벤조페논, 2,2',3,4,5-펜타히드록시벤조페논, 2,3',4,4',5',6-헥사히드록시벤조페논, 2,3,3',4,4',5'-헥사히드록시벤조페논 등의 폴리히드록시벤조페논 화합물; The aromatic (poly)hydroxy compound is, for example, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,4'-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone , 2,3,6-trihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxy-2'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3',4,4',6-pentahydroxybenzophenone, 2,2',3,4,4'-pentahydroxybenzophenone, 2,2 ',3,4,5-pentahydroxybenzophenone, 2,3',4,4',5',6-hexahydroxybenzophenone, 2,3,3',4,4',5'- polyhydroxybenzophenone compounds such as hexahydroxybenzophenone;

비스(2,4-디히드록시페닐)메탄, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐)메탄, 2-(4-히드록시페닐)-2-(4'-히드록시페닐)프로판, 2-(2,4-디히드록시페닐)-2-(2',4'-디히드록시페닐)프로판, 2-(2,3,4-트리히드록시페닐)-2-(2',3',4'-트리히드록시페닐)프로판, 4,4'-[1-[4-[1-(4-히드록시페닐)-1메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 3,3'-디메틸-{1-[4-〔2-(3-메틸-4-히드록시페닐)-2-프로필〕페닐]에틸리덴}비스페놀 등의 비스[(폴리)히드록시페닐]알칸 화합물; bis(2,4-dihydroxyphenyl)methane, bis(2,3,4-trihydroxyphenyl)methane, 2-(4-hydroxyphenyl)-2-(4'-hydroxyphenyl)propane, 2-(2,4-dihydroxyphenyl)-2-(2',4'-dihydroxyphenyl)propane, 2-(2,3,4-trihydroxyphenyl)-2-(2', 3',4'-trihydroxyphenyl)propane, 4,4'-[1-[4-[1-(4-hydroxyphenyl)-1methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphenol, 3,3' bis[(poly)hydroxyphenyl]alkane compounds such as -dimethyl-{1-[4-[2-(3-methyl-4-hydroxyphenyl)-2-propyl]phenyl]ethylidene}bisphenol;

트리스(4-히드록시페닐)메탄, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)-4-히드록시페닐메탄, 비스(4-히드록시-2,5-디메틸페닐)-4-히드록시페닐메탄, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)-2-히드록시페닐메탄, 비스(4-히드록시-2,5-디메틸페닐)-2-히드록시페닐메탄, 비스(4-히드록시-2,5-디메틸페닐)-3,4-디히드록시페닐메탄, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)-3,4-디히드록시페닐메탄 등의 트리스(히드록시페닐)메탄 화합물 또는 그 메틸 치환체; Tris(4-hydroxyphenyl)methane, bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)-4-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-4-hydroxy hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, bis( Tris such as 4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-3,4-dihydroxyphenylmethane and bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)-3,4-dihydroxyphenylmethane (hydroxyphenyl)methane compound or its methyl substituent;

비스(3-시클로헥실-4-히드록시페닐)-3-히드록시페닐메탄, 비스(3-시클로헥실-4-히드록시페닐)-2-히드록시페닐메탄, 비스(3-시클로헥실-4-히드록시페닐)-4-히드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-4-히드록시-2-메틸페닐)-2-히드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-4-히드록시-2-메틸페닐)-3-히드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-4-히드록시-2-메틸페닐)-4-히드록시페닐메탄, 비스(3-시클로헥실-2-히드록시페닐)-3-히드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-4-히드록시-3-메틸페닐)-4-히드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-4-히드록시-3-메틸페닐)-3-히드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-4-히드록시-3-메틸페닐)-2-히드록시페닐메탄, 비스(3-시클로헥실-2-히드록시페닐)-4-히드록시페닐메탄, 비스(3-시클로헥실-2-히드록시페닐)-2-히드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-2-히드록시-4-메틸페닐)-2-히드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-2-히드록시-4-메틸페닐)-4-히드록시페닐메탄 등의, 비스(시클로헥실히드록시페닐)(히드록시페닐)메탄 화합물 또는 그 메틸 치환체 등을 들 수 있다. 이들 감광제는 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.Bis(3-cyclohexyl-4-hydroxyphenyl)-3-hydroxyphenylmethane, bis(3-cyclohexyl-4-hydroxyphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, bis(3-cyclohexyl-4 -Hydroxyphenyl)-4-hydroxyphenylmethane, bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-2 -Methylphenyl)-3-hydroxyphenylmethane, bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)-4-hydroxyphenylmethane, bis(3-cyclohexyl-2-hydroxyphenyl)-3 -Hydroxyphenylmethane, bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-3-methylphenyl)-4-hydroxyphenylmethane, bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-3-methylphenyl)-3-hydroxy Roxyphenylmethane, bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-3-methylphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, bis(3-cyclohexyl-2-hydroxyphenyl)-4-hydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl-2-hydroxyphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, bis(5-cyclohexyl-2-hydroxy-4-methylphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, bis(5-cyclohexyl) A bis(cyclohexylhydroxyphenyl)(hydroxyphenyl)methane compound, such as -2-hydroxy-4-methylphenyl)-4-hydroxyphenylmethane, or its methyl substitution product, etc. are mentioned. These photosensitizers may be used independently, respectively, and may use 2 or more types together.

본 발명의 감광성 조성물에 있어서의 상기 감광제의 배합량은, 광감도가 우수한 감광성 조성물로 되므로, 감광성 조성물의 수지 고형분의 합계 100질량부에 대하여, 5∼50질량부로 되는 비율인 것이 바람직하다.Since the compounding quantity of the said photosensitive agent in the photosensitive composition of this invention turns into the photosensitive composition excellent in photosensitivity, it is preferable that it is a ratio used as 5-50 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of resin solid content of the photosensitive composition.

본 발명의 감광성 조성물은, 상기 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지 이외에, 그 밖의 수지(X)를 병용해도 된다. 여기에서 사용하는 그 밖의 수지(X)는, 예를 들면, 각종 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔 등의 지환식 디엔 화합물과 페놀 화합물과의 부가 중합 수지, 페놀성 수산기 함유 화합물과 알콕시기 함유 방향족 화합물과의 변성 노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지(자일록 수지), 나프톨아랄킬 수지, 트리메틸올메탄 수지, 테트라페닐올에탄 수지, 비페닐 변성 페놀 수지, 비페닐 변성 나프톨 수지, 아미노트리아진 변성 페놀 수지, 및 각종 비닐 중합체 등을 들 수 있다.The photosensitive composition of this invention may use together other resin (X) other than phenolic hydroxyl-containing resin of the said this invention. Other resins (X) used herein include, for example, various novolac resins, addition polymerization resins of alicyclic diene compounds such as dicyclopentadiene and phenol compounds, and phenolic hydroxyl group-containing compounds and alkoxy group-containing aromatics. Modified with compound Novolak resin, phenol aralkyl resin (xylok resin), naphthol aralkyl resin, trimethylolmethane resin, tetraphenylolethane resin, biphenyl-modified phenol resin, biphenyl-modified naphthol resin, aminotriazine-modified A phenol resin, various vinyl polymers, etc. are mentioned.

상기 각종 노볼락 수지는, 보다 구체적으로는, 페놀, 크레졸이나 자일레놀 등의 알킬페놀, 페닐페놀, 레조르시놀, 비페닐, 비스페놀A나 비스페놀F 등의 비스페놀, 나프톨, 디히드록시나프탈렌 등의 페놀성 수산기 함유 화합물과, 알데히드 화합물을 산촉매 조건 하에서 반응시켜서 얻어지는 중합체를 들 수 있다.More specifically, the various novolac resins include phenol, alkylphenol such as cresol and xylenol, phenylphenol, resorcinol, biphenyl, bisphenol such as bisphenol A and bisphenol F, naphthol, dihydroxynaphthalene, etc. and a polymer obtained by reacting a phenolic hydroxyl group-containing compound with an aldehyde compound under acid catalyst conditions.

상기 각종 비닐 중합체는, 폴리히드록시스티렌, 폴리스티렌, 폴리비닐나프탈렌, 폴리비닐안트라센, 폴리비닐카르바졸, 폴리인덴, 폴리아세나프틸렌, 폴리노르보르넨, 폴리시클로데센, 폴리테트라시클로도데센, 폴리노르트리시클렌, 폴리(메타)아크릴레이트 등의 비닐 화합물의 단독 중합체 혹은 이들의 공중합체를 들 수 있다.The various vinyl polymers include polyhydroxystyrene, polystyrene, polyvinylnaphthalene, polyvinylanthracene, polyvinylcarbazole, polyindene, polyacenaphthylene, polynorbornene, polycyclodecene, polytetracyclododecene, Homopolymers of vinyl compounds, such as polynortricylene and poly(meth)acrylate, or these copolymers are mentioned.

이들 그 밖의 수지를 사용할 경우, 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지와 그 밖의 수지(X)와의 배합 비율은, 용도에 따라서 임의로 설정할 수 있지만, 본 발명이 나타내는 효과가 보다 현저하게 발현하므로, 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지 100질량부에 대하여, 그 밖의 수지(X)가 0.5∼100질량부로 되는 비율인 것이 바람직하다.When these other resins are used, the blending ratio of the phenolic hydroxyl group-containing resin of the present invention and other resins (X) can be arbitrarily set according to the use, but since the effect of the present invention is more pronounced, the present invention It is preferable that it is a ratio used as 0.5-100 mass parts of other resin (X) with respect to 100 mass parts of phenolic hydroxyl group containing resin.

또한, 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지의 광감도가 우수한 특징을 살려서, 이것을 감도향상제로서 사용하는 경우에는, 상기 그 밖의 수지(X) 100질량부에 대하여, 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지가 3∼80질량부의 범위인 것이 바람직하다.In addition, when taking advantage of the excellent photosensitivity of the phenolic hydroxyl group-containing resin of the present invention and using it as a sensitivity improving agent, the phenolic hydroxyl group-containing resin of the present invention contains 3 parts by mass relative to 100 parts by mass of the other resin (X). It is preferable that it is the range of -80 mass parts.

본 발명의 감광성 조성물은, 레지스트 용도에 사용한 경우의 제막성이나 패턴의 밀착성의 향상 등의 목적으로 계면활성제를 함유하고 있어도 된다. 여기에서 사용하는 계면활성제는, 예를 들면, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르 화합물, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬알릴에테르 화합물, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머, 소르비탄모노라우레이트, 소르비탄모노팔미테이트, 소르비탄모노스테아레이트, 소르비탄모노올레에이트, 소르비탄트리올레에이트, 소르비탄트리스테아레이트 등의 소르비탄지방산에스테르 화합물, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄트리올레에이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌소르비탄지방산에스테르 화합물 등의 비이온계 계면활성제; 플루오로 지방족기를 갖는 중합성 단량체와 [폴리(옥시알킬렌)](메타)아크릴레이트와의 공중합체 등 분자 구조 중에 불소 원자를 갖는 불소계 계면활성제; 분자 구조 중에 실리콘 구조 부위를 갖는 실리콘계 계면활성제 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.The photosensitive composition of this invention may contain surfactant for the objective, such as the improvement of the film forming property at the time of using for a resist use, and the adhesiveness of a pattern. Surfactants used herein include, for example, polyoxyethylene alkyl ether compounds such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene Polyoxyethylene alkyl allyl ether compounds such as octyl phenol ether and polyoxyethylene nonyl phenol ether, polyoxyethylene/polyoxypropylene block copolymer, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan Sorbitan fatty acid ester compounds such as bitan monooleate, sorbitan trioleate and sorbitan tristearate, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, and polyoxyethylene sorbitan monostearate Nonionic surfactants, such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester compounds, such as polyoxyethylene sorbitan trioleate and polyoxyethylene sorbitan tristearate; a fluorine-based surfactant having a fluorine atom in its molecular structure, such as a copolymer of a polymerizable monomer having a fluoroaliphatic group and [poly(oxyalkylene)](meth)acrylate; and silicone-based surfactants having a silicone structural moiety in their molecular structure. These may be used independently, respectively, and may use 2 or more types together.

이들 계면활성제의 배합량은, 본 발명의 감광성 조성물 중의 수지 고형분의 합계 100질량부에 대하여 0.001∼2질량부의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다.It is preferable to use the compounding quantity of these surfactant in the range of 0.001-2 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of resin solid content in the photosensitive composition of this invention.

본 발명의 감광성 조성물을 레지스트 용도에 사용하는 경우에는, 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지, 감광제 외에, 추가로 필요에 따라서 그 밖의 수지(X)나 계면활성제, 염료, 충전재, 가교제, 용해촉진제 등 각종 첨가제를 더하고, 유기 용제에 용해함에 의해 감광성의 레지스트 재료로 할 수 있다. 당해 레지스트 재료는, 이것을 그대로 도재로서 사용해도 되고, 레지스트 재료를 지지 필름 상에 도포해서 탈용제시킨 것을 레지스트 필름으로서 사용해도 된다. 레지스트 필름으로서 사용할 때의 지지 필름은, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름을 들 수 있고, 단층 필름이어도 되고 복수의 적층 필름이어도 된다. 또한, 당해 지지 필름의 표면은 코로나 처리된 것이나 박리제가 도포된 것이어도 된다.When the photosensitive composition of the present invention is used for a resist application, in addition to the phenolic hydroxyl group-containing resin and photosensitizer of the present invention, if necessary, other resins (X), surfactants, dyes, fillers, crosslinking agents, dissolution accelerators, etc. By adding various additives and dissolving it in an organic solvent, it can be set as a photosensitive resist material. As for the said resist material, this may be used as a porcelain as it is, and what apply|coated the resist material on the support film and desolved it may be used as a resist film. Synthetic resin films, such as polyethylene, a polypropylene, a polycarbonate, and a polyethylene terephthalate, are mentioned as a support film at the time of using as a resist film, A single|mono layer film may be sufficient, or several laminated|multilayer film may be sufficient as it. Moreover, the thing by which the corona-treated thing or the release agent was apply|coated may be sufficient as the surface of the said support film.

상기 유기 용제의 종류는 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 알킬렌글리콜모노알킬에테르; 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디프로필에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르 등의 디알킬렌글리콜디알킬에테르; 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 알킬렌글리콜알킬에테르아세테이트; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 메틸아밀케톤 등의 케톤 화합물; 디옥산 등의 환식 에테르; 2-히드록시프로피온산메틸, 2-히드록시프로피온산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 옥시아세트산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 포름산에틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸 등의 에스테르 화합물을 들 수 있고, 이들은 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.Although the kind of said organic solvent is not specifically limited, For example, For example, alkylene glycol monoalkyl, such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether propylene glycol monomethyl ether. ether; dialkylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, and diethylene glycol dibutyl ether; alkylene glycol alkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, and propylene glycol monomethyl ether acetate; ketone compounds such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, and methyl amyl ketone; cyclic ethers such as dioxane; Methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl oxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methoxy and ester compounds such as butyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, ethyl formate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl acetoacetate, and ethyl acetoacetate. may be used together.

본 발명의 레지스트 재료는 상기 각 성분을 배합하고, 교반기 등을 사용해서 혼합함에 의해 조정할 수 있다. 또한, 레지스트 재료가 충전재나 안료를 함유하는 경우에는, 디졸버, 호모지나이저, 3개 롤 밀 등의 분산 장치를 사용해서 분산 혹은 혼합해서 조정할 수 있다.The resist material of this invention can be adjusted by mix|blending each said component and mixing using a stirrer etc. In addition, when a resist material contains a filler or a pigment, it can disperse|distribute or mix and adjust using dispersing apparatuses, such as a dissolver, a homogenizer, and a three-roll mill.

상기 감광성의 레지스트 재료를 사용한 포토리소그래피의 방법은, 예를 들면, 실리콘 기판 포토리소그래피를 행할 대상물 상에 레지스트 재료를 도포하고, 60∼150℃의 온도 조건에서 프리베이킹한다. 이때의 도포 방법은, 스핀 코트, 롤 코트, 플로 코트, 딥 코트, 스프레이 코트, 닥터 블레이드 코트 등의 어느 방법이어도 된다. 본 발명의 레지스트 재료를 포지티브형으로서 사용하는 경우에는, 목적으로 하는 레지스트 패턴을 소정의 마스크를 통해서 노광시키고, 노광한 개소를 알칼리 현상액으로 용해함에 의해, 레지스트 패턴을 형성한다. 본 발명의 레지스트 재료는, 노광부의 알칼리용해성과, 비노광부의 내알칼리용해성이 모두 높으므로, 해상도가 우수한 레지스트 패턴의 형성이 가능하게 된다.In the photolithography method using the photosensitive resist material, for example, a resist material is applied onto an object to be subjected to photolithography on a silicon substrate, and prebaked at a temperature of 60 to 150°C. The coating method at this time may be any method, such as spin coating, roll coating, flow coating, dip coating, spray coating, and doctor blade coating. When the resist material of the present invention is used as a positive type, the target resist pattern is exposed through a predetermined mask, and the exposed portion is dissolved with an alkali developer to form a resist pattern. Since the resist material of the present invention has both high alkali solubility in exposed portions and high alkali solubility in non-exposed portions, it is possible to form a resist pattern having excellent resolution.

본 발명의 경화성 조성물은, 상기 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지와, 경화제를 필수의 성분으로서 함유한다. 또한, 상기 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지 이외에, 그 밖의 수지(Y)를 병용해도 된다. 여기에서 사용하는 그 밖의 수지(Y)는, 예를 들면, 각종 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔 등의 지환식 디엔 화합물과 페놀 화합물과의 부가 중합 수지, 페놀성 수산기 함유 화합물과 알콕시기 함유 방향족 화합물과의 변성 노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지(자일록 수지), 나프톨아랄킬 수지, 트리메틸올메탄 수지, 테트라페닐올에탄 수지, 비페닐 변성 페놀 수지, 비페닐 변성 나프톨 수지, 아미노트리아진 변성 페놀 수지, 및 각종 비닐 중합체 등을 들 수 있다.The curable composition of this invention contains the said phenolic hydroxyl-containing resin of this invention, and a hardening|curing agent as essential components. Moreover, you may use together other resin (Y) other than phenolic hydroxyl-containing resin of the said this invention. Other resins (Y) used herein include, for example, various novolak resins, addition polymerization resins of alicyclic diene compounds such as dicyclopentadiene and phenol compounds, and phenolic hydroxyl group-containing compounds and alkoxy group-containing aromatics. Modified with compound Novolak resin, phenol aralkyl resin (xylok resin), naphthol aralkyl resin, trimethylolmethane resin, tetraphenylolethane resin, biphenyl-modified phenol resin, biphenyl-modified naphthol resin, aminotriazine-modified A phenol resin, various vinyl polymers, etc. are mentioned.

상기 각종 노볼락 수지는, 보다 구체적으로는, 페놀, 크레졸이나 자일레놀 등의 알킬페놀, 페닐페놀, 레조르시놀, 비페닐, 비스페놀A나 비스페놀F 등의 비스페놀, 나프톨, 디히드록시나프탈렌 등의 페놀성 수산기 함유 화합물과, 알데히드 화합물을 산촉매 조건 하에서 반응시켜서 얻어지는 중합체를 들 수 있다.More specifically, the various novolac resins include phenol, alkylphenol such as cresol and xylenol, phenylphenol, resorcinol, biphenyl, bisphenol such as bisphenol A and bisphenol F, naphthol, dihydroxynaphthalene, etc. and a polymer obtained by reacting a phenolic hydroxyl group-containing compound with an aldehyde compound under acid catalyst conditions.

상기 각종 비닐 중합체는, 폴리히드록시스티렌, 폴리스티렌, 폴리비닐나프탈렌, 폴리비닐안트라센, 폴리비닐카르바졸, 폴리인덴, 폴리아세나프틸렌, 폴리노르보르넨, 폴리시클로데센, 폴리테트라시클로도데센, 폴리노르트리시클렌, 폴리(메타)아크릴레이트 등의 비닐 화합물의 단독 중합체 혹은 이들의 공중합체를 들 수 있다.The various vinyl polymers include polyhydroxystyrene, polystyrene, polyvinylnaphthalene, polyvinylanthracene, polyvinylcarbazole, polyindene, polyacenaphthylene, polynorbornene, polycyclodecene, polytetracyclododecene, Homopolymers of vinyl compounds, such as polynortricylene and poly(meth)acrylate, or these copolymers are mentioned.

이들 그 밖의 수지를 사용할 경우, 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지와 그 밖의 수지(Y)와의 배합 비율은, 용도에 따라서 임의로 설정할 수 있지만, 본 발명이 나타내는 효과가 보다 현저하게 발현하므로, 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지 100질량부에 대하여, 그 밖의 수지(Y)가 0.5∼100질량부로 되는 비율인 것이 바람직하다.When using these other resins, the blending ratio of the phenolic hydroxyl group-containing resin of the present invention and other resins (Y) can be arbitrarily set according to the use, but since the effect of the present invention is more pronounced, the present invention It is preferable that it is a ratio used as 0.5-100 mass parts of other resin (Y) with respect to 100 mass parts of phenolic hydroxyl-containing resin of this.

본 발명에서 사용하는 경화제는, 상기 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지와 경화 반응을 발생할 수 있는 화합물이면 특히 한정하지 않으며, 다양한 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화성 조성물의 경화 방법은 특히 한정되지 않으며, 경화제의 종류나, 후술하는 경화촉진제의 종류 등에 따라서 열경화나 광경화 등, 적당한 방법으로 경화시킬 수 있다. 열경화에 있어서의 가열 온도나 시간, 광경화에 있어서의 광선의 종류나 노광 시간 등의 경화 조건은, 경화제의 종류나, 후술하는 경화촉진제의 종류 등에 따라서 적의 조절된다.The curing agent used in the present invention is not particularly limited as long as it is a compound capable of generating a curing reaction with the phenolic hydroxyl group-containing resin of the present invention, and various compounds can be used. In addition, the curing method of the curable composition of this invention is not specifically limited, According to the kind of hardening agent, the kind of hardening accelerator mentioned later, etc., it can harden by suitable methods, such as thermosetting and photocuring. Curing conditions, such as heating temperature and time in thermosetting, the kind of light beam in photocuring, exposure time, etc. are suitably adjusted according to the kind of hardening|curing agent, the kind of hardening accelerator mentioned later, etc.

상기 경화제의 구체예로서는, 예를 들면, 멜라민 화합물, 구아나민 화합물, 글리콜우릴 화합물, 우레아 화합물, 레졸 수지, 에폭시 화합물, 이소시아네이트 화합물, 아지드 화합물, 알케닐에테르기 등의 2중 결합을 포함하는 화합물, 산무수물, 옥사졸린 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the curing agent include, for example, a melamine compound, a guanamine compound, a glycoluril compound, a urea compound, a resol resin, an epoxy compound, an isocyanate compound, an azide compound, a compound containing a double bond such as an alkenyl ether group , an acid anhydride, an oxazoline compound, and the like.

상기 멜라민 화합물은, 예를 들면, 헥사메틸올멜라민, 헥사메톡시메틸멜라민, 헥사메틸올멜라민의 1∼6개의 메틸올기가 메톡시메틸화한 화합물, 헥사메톡시에틸멜라민, 헥사아실옥시메틸멜라민, 헥사메틸올멜라민의 메틸올기의 1∼6개가 아실옥시메틸화한 화합물 등을 들 수 있다.The melamine compound is, for example, hexamethylolmelamine, hexamethoxymethylmelamine, a compound in which 1 to 6 methylol groups of hexamethylolmelamine are methoxymethylated, hexamethoxyethylmelamine, hexaacyloxymethylmelamine, The compound etc. which 1-6 of the methylol groups of hexamethylolmelamine carried out acyloxymethylation are mentioned.

상기 구아나민 화합물은, 예를 들면, 테트라메틸올구아나민, 테트라메톡시메틸구아나민, 테트라메톡시메틸벤조구아나민, 테트라메틸올구아나민의 1∼4개의 메틸올기가 메톡시메틸화한 화합물, 테트라메톡시에틸구아나민, 테트라아실옥시구아나민, 테트라메틸올구아나민의 1∼4개의 메틸올기가 아실옥시메틸화한 화합물 등을 들 수 있다.The guanamine compound is, for example, tetramethylol guanamine, tetramethoxymethyl guanamine, tetramethoxymethyl benzo guanamine, tetramethylol guanamine 1-4 methylol groups of methoxymethylated compounds, The compound etc. which tetramethoxyethyl guanamine, tetraacyloxy guanamine, and 1 to 4 methylol groups of tetramethylol guanamine were acyloxymethylated are mentioned.

상기 글리콜우릴 화합물은, 예를 들면, 1,3,4,6-테트라키스(메톡시메틸)글리콜우릴, 1,3,4,6-테트라키스(부톡시메틸)글리콜우릴, 1,3,4,6-테트라키스(히드록시메틸)글리콜우릴 등을 들 수 있다.The glycoluril compound is, for example, 1,3,4,6-tetrakis (methoxymethyl) glycoluril, 1,3,4,6-tetrakis (butoxymethyl) glycoluril, 1,3, 4,6-tetrakis(hydroxymethyl)glycoluril etc. are mentioned.

상기 우레아 화합물은, 예를 들면, 1,3-비스(히드록시메틸)요소, 1,1,3,3-테트라키스(부톡시메틸)요소 및 1,1,3,3-테트라키스(메톡시메틸)요소 등을 들 수 있다.The urea compound is, for example, 1,3-bis(hydroxymethyl)urea, 1,1,3,3-tetrakis(butoxymethyl)urea, and 1,1,3,3-tetrakis(meth oxymethyl) urea and the like.

상기 레졸 수지는, 예를 들면, 페놀, 크레졸이나 자일레놀 등의 알킬페놀, 페닐페놀, 레조르시놀, 비페닐, 비스페놀A나 비스페놀F 등의 비스페놀, 나프톨, 디히드록시나프탈렌 등의 페놀성 수산기 함유 화합물과, 알데히드 화합물을 알칼리성 촉매 조건 하에서 반응시켜서 얻어지는 중합체를 들 수 있다.The resol resin is, for example, phenol, alkylphenol such as cresol or xylenol, phenylphenol, resorcinol, biphenyl, bisphenol such as bisphenol A or bisphenol F, naphthol, and phenolic properties such as dihydroxynaphthalene. The polymer obtained by making a hydroxyl-containing compound and an aldehyde compound react under alkaline catalyst conditions is mentioned.

상기 에폭시 화합물은, 예를 들면, 디글리시딜옥시나프탈렌, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 나프톨-페놀 공축 노볼락형 에폭시 수지, 나프톨-크레졸 공축 노볼락형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 나프톨아랄킬형 에폭시 수지, 1,1-비스(2,7-디글리시딜옥시-1-나프틸)알칸, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리페닐메탄형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔-페놀 부가 반응형 에폭시 수지, 인 원자 함유 에폭시 수지, 페놀성 수산기 함유 화합물과 알콕시기 함유 방향족 화합물과의 공축합물의 폴리글리시딜에테르 등을 들 수 있다.The epoxy compound is, for example, diglycidyloxynaphthalene, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, naphthol-phenol coaxial novolak type epoxy resin, naphthol-cresol Coaxial novolak type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, naphthol aralkyl type epoxy resin, 1,1-bis(2,7-diglycidyloxy-1-naphthyl) alkane, naphthylene ether type epoxy resin, tri phenylmethane type epoxy resin, dicyclopentadiene-phenol addition reaction type epoxy resin, phosphorus atom containing epoxy resin, polyglycidyl ether of cocondensate of phenolic hydroxyl group containing compound and alkoxy group containing aromatic compound, etc. are mentioned. .

상기 이소시아네이트 화합물은, 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 시클로헥산디이소시아네이트 등을 들 수 있다.As for the said isocyanate compound, tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, cyclohexane diisocyanate etc. are mentioned, for example.

상기 아지드 화합물은, 예를 들면, 1,1'-비페닐-4,4'-비스아지드, 4,4'-메틸리덴비스아지드, 4,4'-옥시비스아지드 등을 들 수 있다.Examples of the azide compound include 1,1'-biphenyl-4,4'-bisazide, 4,4'-methylidenebisazide, and 4,4'-oxybisazide. can

상기 알케닐에테르기 등의 2중 결합을 포함하는 화합물은, 예를 들면, 에틸렌글리콜디비닐에테르, 트리에틸렌글리콜디비닐에테르, 1,2-프로판디올디비닐에테르, 1,4-부탄디올디비닐에테르, 테트라메틸렌글리콜디비닐에테르, 네오펜틸글리콜디비닐에테르, 트리메틸올프로판트리비닐에테르, 헥산디올디비닐에테르, 1,4-시클로헥산디올디비닐에테르, 펜타에리트리톨트리비닐에테르, 펜타에리트리톨테트라비닐에테르, 소르비톨테트라비닐에테르, 소르비톨펜타비닐에테르, 트리메틸올프로판트리비닐에테르 등을 들 수 있다.The compound containing a double bond, such as an alkenyl ether group, is, for example, ethylene glycol divinyl ether, triethylene glycol divinyl ether, 1,2-propanediol divinyl ether, and 1,4-butanediol divinyl. Ether, tetramethylene glycol divinyl ether, neopentyl glycol divinyl ether, trimethylol propane trivinyl ether, hexanediol divinyl ether, 1,4-cyclohexanediol divinyl ether, pentaerythritol trivinyl ether, pentaerythritol Tetravinyl ether, sorbitol tetravinyl ether, sorbitol pentavinyl ether, trimethylol propane trivinyl ether, etc. are mentioned.

상기 산무수물은 예를 들면, 무수프탈산, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복시산이무수물, 비페닐테트라카르복시산이무수물, 4,4'-(이소프로필리덴)디프탈산무수물, 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산무수물 등의 방향족 산무수물; 무수테트라히드로프탈산, 무수메틸테트라히드로프탈산, 무수헥사히드로프탈산, 무수메틸헥사히드로프탈산, 무수엔도메틸렌테트라히드로프탈산무수도데세닐숙신산, 무수트리알킬테트라히드로프탈산 등의 지환식 카르복시산무수물 등을 들 수 있다.The acid anhydride is, for example, phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, 4,4'- aromatic acid anhydrides such as (isopropylidene)diphthalic anhydride and 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride; and alicyclic carboxylic acid anhydrides such as tetrahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, endomethylenetetrahydrophthalic anhydride decenylsuccinic anhydride, and trialkyltetrahydrophthalic anhydride. .

이들 중에서도, 경화성이나 경화물에 있어서의 내열성이 우수한 경화성 조성물로 되므로, 글리콜우릴 화합물, 우레아 화합물, 레졸 수지가 바람직하고, 글리콜우릴 화합물이 특히 바람직하다.Among these, since it becomes a curable composition excellent in sclerosis|hardenability and heat resistance in hardened|cured material, a glycoluril compound, a urea compound, and a resol resin are preferable, and a glycoluril compound is especially preferable.

본 발명의 경화성 조성물에 있어서의 상기 경화제의 배합량은, 경화성이 우수한 조성물로 되므로, 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지와 그 밖의 수지(X)와의 합계 100질량부에 대하여, 0.5∼50질량부로 되는 비율인 것이 바람직하다.Since the compounding quantity of the said hardening|curing agent in the curable composition of this invention becomes a composition excellent in sclerosis|hardenability, it is 0.5-50 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of the phenolic hydroxyl-containing resin of this invention and other resin (X) It is preferable that it is a ratio.

본 발명의 경화성 조성물을 레지스트 용도에 사용하는 경우에는, 본 발명의 페놀성 수산기 함유 수지, 경화제 외에, 추가로 필요에 따라서 그 밖의 수지(Y), 계면활성제나 염료, 충전재, 가교제, 용해촉진제 등 각종 첨가제를 더하고, 유기 용제에 용해함에 의해 경화성의 레지스트 재료로 할 수 있다.When the curable composition of the present invention is used for a resist application, in addition to the phenolic hydroxyl group-containing resin and curing agent of the present invention, other resins (Y), surfactants, dyes, fillers, crosslinking agents, dissolution accelerators, etc., if necessary By adding various additives and dissolving in an organic solvent, it can be set as a curable resist material.

상기 유기 용제의 종류는 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 알킬렌글리콜모노알킬에테르; 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디프로필에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르 등의 디알킬렌글리콜디알킬에테르; 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 알킬렌글리콜알킬에테르아세테이트; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 메틸아밀케톤 등의 케톤 화합물; 디옥산 등의 환식 에테르; 2-히드록시프로피온산메틸, 2-히드록시프로피온산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 옥시아세트산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 포름산에틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸 등의 에스테르 화합물을 들 수 있고, 이들은 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.Although the kind of said organic solvent is not specifically limited, For example, For example, alkylene glycol monoalkyl, such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether propylene glycol monomethyl ether. ether; dialkylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, and diethylene glycol dibutyl ether; alkylene glycol alkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, and propylene glycol monomethyl ether acetate; ketone compounds such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, and methyl amyl ketone; cyclic ethers such as dioxane; Methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl oxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methoxy and ester compounds such as butyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, ethyl formate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl acetoacetate, and ethyl acetoacetate. may be used together.

상기 레지스트 재료는 상기 각 성분을 배합하고, 교반기 등을 사용해서 혼합함에 의해 조정할 수 있다. 또한, 레지스트 재료가 충전재나 안료를 함유하는 경우에는, 디졸버, 호모지나이저, 3개 롤 밀 등의 분산 장치를 사용해서 분산 혹은 혼합해서 조정할 수 있다.The said resist material can be adjusted by mix|blending each said component and mixing using a stirrer etc. In addition, when a resist material contains a filler or a pigment, it can disperse|distribute or mix and adjust using dispersing apparatuses, such as a dissolver, a homogenizer, and a three-roll mill.

경화성의 레지스트 재료는, 특히 레지스트 하층막 용도에 호적하게 사용할 수 있다. 상기 레지스트 재료로부터 레지스트 하층막을 제작하기 위해서는, 예를 들면, 실리콘 기판 등 포토리소그래피를 행할 대상물 상에 상기 레지스트 재료를 도포하고, 100∼200℃의 온도 조건 하에서 건조시킨 후, 추가로 250∼400℃의 온도 조건 하에서 가열 경화시키는 등의 방법에 의해 레지스트 하층막을 형성한다. 다음으로, 이 하층막 상에서 통상의 포토리소그래피 조작을 행해서 레지스트 패턴을 형성하고, 할로겐계 플라스마 가스 등으로 드라이에칭 처리함에 의해, 다층 레지스트법에 의한 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.A curable resist material can be used especially suitably for a resist underlayer film use. In order to produce a resist underlayer film from the resist material, for example, the resist material is applied onto an object to be subjected to photolithography such as a silicon substrate, dried under a temperature condition of 100 to 200° C., and then further 250 to 400° C. A resist underlayer film is formed by a method such as heat curing under a temperature condition of Next, a resist pattern is formed by performing a normal photolithography operation on this underlayer film, and dry etching treatment is performed with a halogen-based plasma gas or the like, whereby a resist pattern by the multilayer resist method can be formed.

(실시예)(Example)

이하에 구체적인 예를 들어서, 본 발명을 더 상세하게 설명한다. 또, 합성한 수지의 수 평균 분자량(Mn), 중량 평균 분자량(Mw), 및 다분산도(Mw/Mn)는, 하기의 GPC의 측정 조건에서 측정한 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by giving specific examples. In addition, the number average molecular weight (Mn), weight average molecular weight (Mw), and polydispersity (Mw/Mn) of synthesize|combined resin are measured on the measurement conditions of the following GPC.

[GPC의 측정 조건] [Measurement conditions for GPC]

측정 장치 : 도소가부시키가이샤제 「HLC-8220 GPC」 Measuring device: "HLC-8220 GPC" manufactured by Tosoh Corporation

칼럼 : 쇼와덴쿠가부시키가이샤제 「Shodex KF802」(8.0㎜Ф×300㎜)+쇼와덴쿠가부시키가이샤제 「Shodex KF802」(8.0㎜Ф×300㎜) Column: Showa Denko Co., Ltd. “Shodex KF802” (8.0 mmФ×300 mm) + Showa Denko Co., Ltd. “Shodex KF802” (8.0 mmФ×300 mm)

+쇼와덴쿠가부시키가이샤제 「Shodex KF803」(8.0㎜Ф×300㎜)+쇼와덴쿠가부시키가이샤제 「Shodex KF804」(8.0㎜Ф×300㎜) + Showa Denko Co., Ltd. “Shodex KF803” (8.0 mmФ×300 mm) + Showa Denko Co., Ltd. “Shodex KF804” (8.0 mmФ × 300 mm)

칼럼 온도 : 40℃ Column temperature: 40℃

검출기 : RI(시차굴절계) Detector: RI (Differential Refractometer)

데이터 처리 : 도소가부시키가이샤제 「GPC-8020모델II 버전4.30」 Data processing: "GPC-8020 model II version 4.30" manufactured by Tosoh Corporation

전개 용매 : 테트라히드로퓨란 Developing solvent: tetrahydrofuran

유속 : 1.0mL/분 Flow rate: 1.0mL/min

시료 : 수지 고형분 환산으로 0.5질량%의 테트라히드로퓨란 용액을 마이크로 필터로 여과한 것 Sample: A 0.5 mass % tetrahydrofuran solution in terms of resin solid content was filtered with a micro filter

주입량 : 0.1mL Injection volume: 0.1mL

표준 시료 : 하기 단분산 폴리스티렌 Standard sample: the following monodisperse polystyrene

(표준 시료 : 단분산 폴리스티렌) (Standard sample: monodisperse polystyrene)

도소가부시키가이샤제 「A-500」 "A-500" made by Tosoh Corporation

도소가부시키가이샤제 「A-2500」 "A-2500" made by Tosoh Corporation

도소가부시키가이샤제 「A-5000」 "A-5000" made by Tosoh Corporation

도소가부시키가이샤제 「F-1」 "F-1" made by Tosoh Corporation

도소가부시키가이샤제 「F-2」 "F-2" made by Tosoh Corporation

도소가부시키가이샤제 「F-4」 "F-4" made by Tosoh Corporation

도소가부시키가이샤제 「F-10」 "F-10" made by Tosoh Corporation

도소가부시키가이샤제 「F-20」 "F-20" made by Tosoh Corporation

또한, 13C-NMR스펙트럼의 측정은, 니혼덴시(주)제 「AL-400」을 사용하여, 시료의 DMSO-d6 용액을 분석해서 구조 해석을 행했다. 이하에, 13C-NMR 스펙트럼의 측정 조건을 나타낸다.In addition, the measurement of the 13 C-NMR spectrum analyzed the DMSO-d 6 solution of the sample using "AL-400" manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd., and performed structural analysis. Below, the measurement conditions of 13 C-NMR spectrum are shown.

[13C-NMR 스펙트럼 측정 조건] [ 13 C-NMR spectrum measurement conditions]

측정 모드 : SGNNE(NOE 소거의 1H 완전 디커플링법) Measurement mode: SGNNE (1H complete decoupling method of NOE cancellation)

펄스 각도 : 45℃펄스 Pulse angle: 45℃ pulse

시료 농도 : 30wt% Sample concentration: 30wt%

적산 횟수 : 10000회 Integration count: 10000 times

제조예 1 트리아릴메탄형 화합물(A-1)의 제조 Preparation Example 1 Preparation of triarylmethane compound (A-1)

냉각관을 설치한 3000ml의 4구 플라스크에, 2,5-자일레놀 586.4g, 4-히드록시벤즈알데히드 244g을 투입하고, 2-에톡시에탄올 1000ml에 용해시켰다. 빙욕(氷浴) 중에서 냉각하면서 황산 30ml를 첨가한 후, 맨틀 히터로 100℃까지 가열하고, 2시간 교반하면서 반응시켰다. 반응 종료 후, 얻어진 용액에 물을 더해서 조생성물(粗生成物)을 재침전시켰다. 조생성물을 아세톤에 재용해하고, 추가로 물로 재침전시킨 후, 침전물을 여과 분별하고 진공 건조를 행하여, 백색 결정의 트리아릴메탄형 화합물(A-1) 421g을 얻었다. 13C-NMR에서 하기 구조식으로 표시되는 화합물의 생성을 확인했다. GPC 차트도로부터 산출되는 순도는 GPC 순도 98.2%였다. 트리아릴메탄형 화합물(A-1)의 GPC 차트를 도 1에, 13C-NMR 차트를 도 2에 나타낸다.In a 3000 ml four-necked flask equipped with a cooling tube, 586.4 g of 2,5-xylenol and 244 g of 4-hydroxybenzaldehyde were added and dissolved in 1000 ml of 2-ethoxyethanol. After adding 30 ml of sulfuric acid while cooling in an ice bath, it heated to 100 degreeC with a mantle heater, and made it react, stirring for 2 hours. After completion of the reaction, water was added to the obtained solution to reprecipitate the crude product. The crude product was redissolved in acetone and further reprecipitated with water, and then the precipitate was filtered off and dried in vacuo to obtain 421 g of a white crystal triarylmethane compound (A-1). 13 C-NMR confirmed the formation of a compound represented by the following structural formula. The purity calculated from the GPC chart was 98.2% of the GPC purity. The GPC chart of the triarylmethane type compound (A-1) is shown in FIG. 1, and the 13 C-NMR chart is shown in FIG.

Figure 112019003291841-pct00010
Figure 112019003291841-pct00010

제조예 2 노볼락 수지 중간체(M-1)의 제조 Preparation Example 2 Preparation of novolak resin intermediate (M-1)

냉각관을 설치한 3000ml의 4구 플라스크에 트리아릴메탄형 화합물(A-1) 174g, m-크레졸 54g을 투입한 후, 2-에톡시에탄올 500ml, 아세트산 500ml에 용해시켰다. 빙욕 중에서 냉각하면서 황산 50ml를 첨가한 후, 92% 파라포름알데히드 33g을 투입했다. 오일 배쓰에서 80℃까지 가열하고, 10시간 교반하면서 반응시켰다. 반응 종료 후, 얻어진 용액에 물을 더해서 조생성물을 재침전시켰다. 조생성물을 아세톤에 재용해하고, 추가로 물로 재침전시킨 후, 침전물을 여과 분별하고 진공 건조를 행하여, 적색 분말의 노볼락 수지 중간체(M-1) 213g을 얻었다. 노볼락 수지 중간체(M-1)의 수 평균 분자량(Mn)은 1,937, 중량 평균 분자량(Mw)은 12,822, 다분산도(Mw/Mn)는 6.62였다.174 g of triarylmethane compound (A-1) and 54 g of m-cresol were put into a 3000 ml four-neck flask equipped with a cooling tube, and then dissolved in 500 ml of 2-ethoxyethanol and 500 ml of acetic acid. After 50 ml of sulfuric acid was added while cooling in an ice bath, 33 g of 92% paraformaldehyde was added. It was heated to 80 degreeC in an oil bath, and it was made to react while stirring for 10 hours. After completion of the reaction, water was added to the obtained solution to reprecipitate the crude product. The crude product was redissolved in acetone and further reprecipitated with water, the precipitate was filtered off and dried under vacuum to obtain 213 g of a red powdery novolak resin intermediate (M-1). The number average molecular weight (Mn) of the novolak resin intermediate (M-1) was 1,937, the weight average molecular weight (Mw) was 12,822, and the polydispersity (Mw/Mn) was 6.62.

제조예 3 노볼락 수지 중간체(M-2)의 제조 Preparation Example 3 Preparation of novolak resin intermediate (M-2)

냉각관을 설치한 3000ml의 4구 플라스크에 트리아릴메탄형 화합물(A-1) 249g, m-크레졸 31g을 투입한 후, 2-에톡시에탄올 500ml, 아세트산 500ml에 용해시켰다. 빙욕 중에서 냉각하면서 황산 50ml를 첨가한 후, 92% 파라포름알데히드 33g을 투입했다. 오일 배쓰에서 80℃까지 가열하고, 10시간 교반하면서 반응시켰다. 반응 종료 후, 얻어진 용액에 물을 더해서 조생성물을 재침전시켰다. 조생성물을 아세톤에 재용해하고, 추가로 물로 재침전시킨 후, 침전물을 여과 분별하고 진공 건조를 행하여, 적색 분말의 노볼락 수지 중간체(M-2) 266g을 얻었다. 노볼락 수지 중간체(M-2)의 수 평균 분자량(Mn)은 2,018, 중량 평균 분자량(Mw)은 11,486, 다분산도(Mw/Mn)는 5.69였다.249 g of triarylmethane compound (A-1) and 31 g of m-cresol were added to a 3000 ml four-neck flask equipped with a cooling tube, and then dissolved in 500 ml of 2-ethoxyethanol and 500 ml of acetic acid. After 50 ml of sulfuric acid was added while cooling in an ice bath, 33 g of 92% paraformaldehyde was added. It was heated to 80 degreeC in an oil bath, and it was made to react while stirring for 10 hours. After completion of the reaction, water was added to the obtained solution to reprecipitate the crude product. The crude product was re-dissolved in acetone and further reprecipitated with water, the precipitate was filtered off and dried under vacuum to obtain 266 g of a red powdery novolak resin intermediate (M-2). The number average molecular weight (Mn) of the novolak resin intermediate (M-2) was 2,018, the weight average molecular weight (Mw) was 11,486, and the polydispersity (Mw/Mn) was 5.69.

제조예 4 노볼락 수지 중간체(M-3)의 제조 Preparation Example 4 Preparation of novolak resin intermediate (M-3)

냉각관을 설치한 3000ml의 4구 플라스크에 트리아릴메탄형 화합물(A-1) 174g, m-크레졸 54g을 투입한 후, 2-에톡시에탄올 500ml, 아세트산 500ml에 용해시켰다. 빙욕 중에서 냉각하면서 황산 50ml를 첨가한 후, 92% 파라포름알데히드 30g을 투입했다. 오일 배쓰에서 80℃까지 가열하고, 8시간 교반하면서 반응시켰다. 반응 종료 후, 얻어진 용액에 물을 더해서 조생성물을 재침전시켰다. 조생성물을 아세톤에 재용해하고, 추가로 물로 재침전시킨 후, 침전물을 여과 분별하고 진공 건조를 행하여, 적색 분말의 노볼락 수지 중간체(M-3) 218g을 얻었다. 노볼락 수지 중간체(M-3)의 수 평균 분자량(Mn)은 1,538, 중량 평균 분자량(Mw)은 6,508, 다분산도(Mw/Mn)는 4.23이었다.174 g of triarylmethane compound (A-1) and 54 g of m-cresol were put into a 3000 ml four-neck flask equipped with a cooling tube, and then dissolved in 500 ml of 2-ethoxyethanol and 500 ml of acetic acid. After 50 ml of sulfuric acid was added while cooling in an ice bath, 30 g of 92% paraformaldehyde was added. It was heated to 80° C. in an oil bath, and reacted with stirring for 8 hours. After completion of the reaction, water was added to the obtained solution to reprecipitate the crude product. The crude product was re-dissolved in acetone and further reprecipitated with water, the precipitate was filtered off and dried under vacuum to obtain 218 g of a red powdery novolak resin intermediate (M-3). The number average molecular weight (Mn) of the novolak resin intermediate (M-3) was 1,538, the weight average molecular weight (Mw) was 6,508, and the polydispersity (Mw/Mn) was 4.23.

실시예 1 페놀성 수산기 함유 수지(1)의 제조 Example 1 Preparation of phenolic hydroxyl group-containing resin (1)

냉각관을 설치한 300ml의 4구 플라스크에 노볼락 수지 중간체(M-1) 30g, 1-옥텐 3.0g을 투입한 후, 2-에톡시에탄올 100ml에 용해시켰다. 빙욕 중에서 냉각하면서 황산 10ml를 첨가한 후, 오일 배쓰에서 80℃까지 가열하고, 6시간 교반하면서 반응시켰다. 반응 종료 후, 얻어진 용액에 물을 더해서 조생성물을 재침전시켰다. 다음으로, 조생성물을 메탄올에 용해시킨 후, 헥산을 더해서 재침전시키고, 침전물을 여과 분별하고 진공 건조를 행하여, 적색 분말의 페놀성 수산기 함유 수지(1) 29g을 얻었다. 페놀성 수산기 함유 수지(1)의 수 평균 분자량(Mn)은 1,827, 중량 평균 분자량(Mw)은 12,209, 다분산도(Mw/Mn)는 6.68이었다. 페놀성 수산기 함유 수지(1)의 GPC 차트를 도 3에 나타낸다.30 g of novolak resin intermediate (M-1) and 3.0 g of 1-octene were added to a 300 ml 4-neck flask equipped with a cooling tube, and then dissolved in 100 ml of 2-ethoxyethanol. After adding 10 ml of sulfuric acid while cooling in an ice bath, it was heated to 80° C. in an oil bath, and reacted with stirring for 6 hours. After completion of the reaction, water was added to the obtained solution to reprecipitate the crude product. Next, after dissolving a crude product in methanol, hexane was added and re-precipitation was carried out, the precipitate was filtered off and vacuum-dried, 29 g of red powder phenolic hydroxyl-containing resin (1) was obtained. The number average molecular weight (Mn) of phenolic hydroxyl group containing resin (1) was 1,827, the weight average molecular weight (Mw) was 12,209, and the polydispersity (Mw/Mn) was 6.68. The GPC chart of phenolic hydroxyl group containing resin (1) is shown in FIG.

실시예 2 페놀성 수산기 함유 수지(2)의 제조 Example 2 Preparation of phenolic hydroxyl group-containing resin (2)

1-옥텐 3.0g을 1-옥타데센 1.5g으로 변경한 이외는 실시예 1과 마찬가지의 조작을 행하여, 적색 분말의 페놀성 수산기 함유 수지(2) 27g을 얻었다. 페놀성 수산기 함유 수지(2)의 수 평균 분자량(Mn)은 1,860, 중량 평균 분자량(Mw)은 13,740, 다분산도(Mw/Mn)는 7.39였다. 페놀성 수산기 함유 수지(2)의 GPC 차트를 도 4에 나타낸다.Except having changed 3.0 g of 1-octene into 1.5 g of 1-octadecene, operation similar to Example 1 was performed, and 27 g of red powder phenolic hydroxyl-containing resin (2) was obtained. The number average molecular weight (Mn) of phenolic hydroxyl group containing resin (2) was 1,860, the weight average molecular weight (Mw) was 13,740, and the polydispersity (Mw/Mn) was 7.39. The GPC chart of phenolic hydroxyl group containing resin (2) is shown in FIG.

실시예 3 페놀성 수산기 함유 수지(3)의 제조 Example 3 Preparation of phenolic hydroxyl group-containing resin (3)

노볼락 수지 중간체(M-1) 30g을 노볼락 수지 중간체(M-2) 30g으로 변경하고, 1-옥텐 3.0g을 1-도데센 3.0g으로 변경한 이외는 실시예 1과 마찬가지의 조작을 행하여, 적색 분말의 페놀성 수산기 함유 수지(3) 30g을 얻었다. 페놀성 수산기 함유 수지(3)의 수 평균 분자량(Mn)은 2,010, 중량 평균 분자량(Mw)은 10,756, 다분산도(Mw/Mn)는 5.35였다. 페놀성 수산기 함유 수지(3)의 GPC 차트를 도 5에 나타낸다.The same procedure as in Example 1 was followed except that 30 g of the novolac resin intermediate (M-1) was changed to 30 g of the novolak resin intermediate (M-2), and 3.0 g of 1-octene was changed to 3.0 g of 1-dodecene. It carried out and obtained 30 g of red powder phenolic hydroxyl-containing resin (3). The number average molecular weight (Mn) of phenolic hydroxyl group containing resin (3) was 10,756, the weight average molecular weight (Mw) of 2010, and the polydispersity (Mw/Mn) was 5.35. The GPC chart of phenolic hydroxyl group containing resin (3) is shown in FIG.

실시예 4 페놀성 수산기 함유 수지(4)의 제조 Example 4 Preparation of phenolic hydroxyl group-containing resin (4)

노볼락 수지 중간체(M-1) 30g을 노볼락 수지 중간체(M-3) 30g으로 변경하고, 1-옥텐 3.0g을 1-도데센 1.5g으로 변경한 이외는 실시예 1과 마찬가지의 조작을 행하여, 적색 분말의 페놀성 수산기 함유 수지(4) 28g을 얻었다. 페놀성 수산기 함유 수지(4)의 수 평균 분자량(Mn)은 1,572, 중량 평균 분자량(Mw)은 6,784, 다분산도(Mw/Mn)는 4.32였다. 페놀성 수산기 함유 수지(4)의 GPC 차트를 도 6에 나타낸다.The same procedure as in Example 1 was followed except that 30 g of the novolac resin intermediate (M-1) was changed to 30 g of the novolak resin intermediate (M-3), and 3.0 g of 1-octene was changed to 1.5 g of 1-dodecene. and 28 g of red powder phenolic hydroxyl group-containing resin (4) was obtained. The number average molecular weight (Mn) of phenolic hydroxyl group containing resin (4) was 1,572, the weight average molecular weight (Mw) was 6,784, and the polydispersity (Mw/Mn) was 4.32. The GPC chart of phenolic hydroxyl group containing resin (4) is shown in FIG.

실시예 5 페놀성 수산기 함유 수지(5)의 제조 Example 5 Preparation of phenolic hydroxyl group-containing resin (5)

노볼락 수지 중간체(M-1) 30g을 노볼락 수지 중간체(M-3) 30g으로 변경하고, 1-옥텐 3.0g을 이데미쓰고산가부시키가이샤제 「리니아렌148」[1-테트라데센, 1-헥사데센, 1-옥타데센의 35:37:28(몰비) 혼합물] 1.5g으로 변경한 이외는 실시예 1과 마찬가지의 조작을 행하여, 적색 분말의 페놀성 수산기 함유 수지(5) 29g을 얻었다. 페놀성 수산기 함유 수지(5)의 수 평균 분자량(Mn)은 1,586, 중량 평균 분자량(Mw)은 6,829, 다분산도(Mw/Mn)는 4.31이었다. 페놀성 수산기 함유 수지(4)의 GPC 차트를 도 7에 나타낸다.30 g of the novolac resin intermediate (M-1) was changed to 30 g of the novolak resin intermediate (M-3), and 3.0 g of 1-octene was replaced with "Linearen 148" manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd. [1-tetradecene, 1 -35:37:28 (molar ratio) mixture of hexadecene and 1-octadecene] Except having changed to 1.5 g, operation similar to Example 1 was performed, and 29 g of red powder phenolic hydroxyl-containing resin (5) was obtained. . The number average molecular weight (Mn) of phenolic hydroxyl group containing resin (5) was 1,586, the weight average molecular weight (Mw) was 6,829, and the polydispersity (Mw/Mn) was 4.31. The GPC chart of phenolic hydroxyl group containing resin (4) is shown in FIG.

비교제조예 1 페놀성 수산기 함유 수지(1')의 제조 Comparative Preparation Example 1 Preparation of phenolic hydroxyl group-containing resin (1')

교반기, 온도계를 구비한 2L의 4구 플라스크에, m-크레졸 648g, p-크레졸 432g, 옥살산 2.5g, 42% 포름알데히드 492g을 투입하고, 100℃까지 가열해서 반응시켰다. 상압에서 200℃까지 가열해서 탈수 및 증류하고, 추가로 230℃에서 6시간 감압 증류를 행하여, 담황색 고형의 페놀성 수산기 함유 수지(1') 736g을 얻었다. 페놀성 수산기 함유 수지(1')의 수 평균 분자량(Mn)은 1,450, 중량 평균 분자량(Mw)은 10,316, 다분산도(Mw/Mn)는 7.12였다.In a 2L 4-neck flask equipped with a stirrer and a thermometer, 648 g of m-cresol, 432 g of p-cresol, 2.5 g of oxalic acid, and 492 g of 42% formaldehyde were put, and the mixture was heated to 100° C. and reacted. Dehydration and distillation were carried out by heating from normal pressure to 200°C, and further distillation under reduced pressure at 230°C for 6 hours to obtain 736 g of a pale yellow solid phenolic hydroxyl group-containing resin (1'). The number average molecular weight (Mn) of phenolic hydroxyl group containing resin (1') was 1,450, the weight average molecular weight (Mw) was 10,316, and the polydispersity (Mw/Mn) was 7.12.

비교제조예 2 페놀성 수산기 함유 수지(2')의 제조 Comparative Preparation Example 2 Preparation of phenolic hydroxyl group-containing resin (2')

냉각관을 설치한 300ml의 4구 플라스크에 메타크레졸 13.0g, 파라크레졸 8.6g, 3-펜타데실페놀 6.1g을 투입한 후, 2-에톡시에탄올 15ml, 아세트산 15ml에 용해시켰다. 빙욕 중에서 냉각하면서 황산 10ml를 첨가한 후, 92% 파라포름알데히드 6.5g을 투입했다. 오일 배쓰에서 80℃까지 가열하고, 10시간 교반하면서 반응시켰다. 반응 종료 후, 얻어진 용액에 물을 더해서 조생성물을 재침전시켰다. 조생성물을 아세톤에 재용해하고, 추가로 물로 재침전시킨 후, 침전물을 여과 분별하고 진공 건조를 행하여, 황색 분말의 페놀성 수산기 함유 수지(2') 24.6g을 얻었다. 페놀성 수산기 함유 수지(2')의 수 평균 분자량(Mn)은 1,792, 중량 평균 분자량(Mw)은 11,701, 다분산도(Mw/Mn)는 6.53이었다.13.0 g of methacresol, 8.6 g of paracresol, and 6.1 g of 3-pentadecylphenol were put into a 300 ml 4-neck flask equipped with a cooling tube, and then dissolved in 15 ml of 2-ethoxyethanol and 15 ml of acetic acid. After 10 ml of sulfuric acid was added while cooling in an ice bath, 6.5 g of 92% paraformaldehyde was added. It was heated to 80 degreeC in an oil bath, and it was made to react while stirring for 10 hours. After completion of the reaction, water was added to the obtained solution to reprecipitate the crude product. The crude product was re-dissolved in acetone and further reprecipitated with water, and then the precipitate was filtered off and dried under vacuum to obtain 24.6 g of a yellow powdery phenolic hydroxyl group-containing resin (2'). The number average molecular weight (Mn) of the phenolic hydroxyl group-containing resin (2') was 1,792, the weight average molecular weight (Mw) was 11,701, and the polydispersity (Mw/Mn) was 6.53.

실시예 6∼10 및 비교예 1, 2 Examples 6 to 10 and Comparative Examples 1 and 2

실시예 1∼5, 비교제조예 1, 2에서 얻은 페놀성 수산기 함유 수지에 대하여, 하기의 요령으로 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.The phenolic hydroxyl group-containing resins obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Production Examples 1 and 2 were evaluated in the following manner. A result is shown in Table 1.

감광성 조성물의 조정 Adjustment of the photosensitive composition

상기 페놀성 수산기 함유 수지 28질량부를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 60질량부에 용해시키고, 이 용액에 감광제 12질량부를 더해서 용해시켰다. 이것을 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 감광성 조성물을 얻었다.28 mass parts of said phenolic hydroxyl-containing resin was melt|dissolved in 60 mass parts of propylene glycol monomethyl ether acetate, and 12 mass parts of photosensitizers were added and dissolved in this solution. This was filtered with a 0.2-micrometer membrane filter, and the photosensitive composition was obtained.

감광제는 도요고세이고교가부시키가이샤제 「P-200」(4,4'-[1-[4-[1-(4-히드록시페닐)-1메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1몰과 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-설포닐클로리드 2몰과의 축합물)을 사용했다.Photosensitizer "P-200" manufactured by Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd. (4,4'-[1-[4-[1-(4-hydroxyphenyl)-1 methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphenol 1 mole and 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonyl chloride (condensate of 2 moles) were used.

내열성 시험용 조성물의 조정 Adjustment of composition for heat resistance test

상기 페놀성 수산기 함유 수지 28질량부를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 60질량부에 용해시키고, 이것을 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 내열성 시험용 조성물을 얻었다.28 parts by mass of the phenolic hydroxyl group-containing resin was dissolved in 60 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate, and this was filtered through a 0.2 µm membrane filter to obtain a composition for a heat resistance test.

알칼리현상성[ADR(Å/s)]의 평가 Evaluation of alkali developability [ADR(Å/s)]

앞에서 얻은 감광성 조성물을 5인치 실리콘 웨이퍼 상에 약 1㎛의 두께로 되도록 스핀 코터로 도포하고, 110℃의 핫플레이트 상에서 60초 건조시켰다. 이 웨이퍼를 2매 준비하고, 한쪽을 「노광 없는 샘플」로 했다. 다른 쪽을 「노광 있는 샘플」로 하고 ghi선 램프(우시오덴키가부시키가이샤제 「멀티라이트」)를 사용해서 100mJ/㎠의 ghi선을 조사한 후, 140℃, 60초간의 조건에서 가열 처리를 행했다.The photosensitive composition obtained above was applied on a 5-inch silicon wafer with a spin coater to a thickness of about 1 μm, and dried for 60 seconds on a hot plate at 110°C. Two of these wafers were prepared, and one of them was used as a "sample without exposure". Using the other side as the "exposed sample", irradiating 100 mJ/cm2 of ghi radiation using a ghi-ray lamp ("Multilight" manufactured by Ushio Denki Co., Ltd.), heat treatment at 140°C for 60 seconds. did

「노광 없는 샘플」과 「노광 있는 샘플」의 양쪽을 알칼리 현상액(2.38% 수산화테트라메틸암모늄 수용액)에 60초간 침지한 후, 110℃의 핫플레이트 상에서 60초 건조시켰다. 각 샘플의 현상액 침지 전후의 막두께를 측정하고, 그 차분을 60으로 나눈 값을 알칼리현상성[ADR(Å/s)]으로 했다.Both the "sample without exposure" and the "sample with exposure" were immersed in an alkaline developer (2.38% aqueous tetramethylammonium hydroxide solution) for 60 seconds, and then dried on a hot plate at 110°C for 60 seconds. The film thickness of each sample before and after immersion in a developer was measured, and the value obtained by dividing the difference by 60 was defined as alkali developability [ADR (Å/s)].

광감도의 평가 Evaluation of photosensitivity

앞에서 얻은 감광성 조성물을 5인치 실리콘 웨이퍼 상에 약 1㎛의 두께로 되도록 스핀 코터로 도포하고, 110℃의 핫플레이트 상에서 60초 건조시켰다. 이 웨이퍼 상에 라인 앤드 스페이스가 1:1이고, 라인폭이 1∼10㎛까지 1㎛마다 설정된 레지스트 패턴 대응의 마스크를 밀착시킨 후, ghi선 램프(우시오덴키가부시키가이샤제 「멀티라이트」)를 사용해서 ghi선을 조사하고, 140℃, 60초간의 조건에서 가열 처리를 행했다. 다음으로, 알칼리 현상액(2.38% 수산화테트라메틸암모늄 수용액)에 60초간 침지한 후, 110℃의 핫플레이트 상에서 60초 건조시켰다.The photosensitive composition obtained above was applied on a 5-inch silicon wafer with a spin coater to a thickness of about 1 μm, and dried for 60 seconds on a hot plate at 110°C. On this wafer, a mask corresponding to a resist pattern having a line and space ratio of 1:1 and a line width of 1 to 10 μm set for every 1 μm was adhered, followed by a ghi line lamp (“Multilite” manufactured by Ushio Denki Co., Ltd.) ) was used to irradiate the ghi line, and heat treatment was performed at 140°C for 60 seconds. Next, after being immersed for 60 seconds in an alkali developer (2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide), it was dried for 60 seconds on a hot plate at 110°C.

ghi선 노광량을 30mJ/㎠로부터 10mJ/㎠마다 증가시킨 경우의, 라인폭 3㎛를 충실하게 재현할 수 있는 노광량(Eop 노광량)을 평가했다.The exposure dose (Eop dose) capable of faithfully reproducing a line width of 3 µm when the ghi line exposure dose was increased from 30 mJ/cm 2 to every 10 mJ/cm 2 was evaluated.

해상도의 평가 evaluation of resolution

앞에서 얻은 감광성 조성물을 5인치 실리콘 웨이퍼 상에 약 1㎛의 두께로 되도록 스핀 코터로 도포하고, 110℃의 핫플레이트 상에서 60초 건조시켰다. 얻어진 웨이퍼 상에 포토 마스크를 놓고, 이전의 알칼리현상성 평가의 경우와 마찬가지의 방법으로 ghi선 200mJ/㎠를 조사하여, 알칼리 현상 조작을 행했다. 레이저 마이크로스코프(가부시키가이샤키엔스제 「VK-X200」)를 사용해서 패턴 상태를 확인하고, L/S=5㎛로 해상되어 있는 것을 ○, L/S=5㎛로 해상되어 있지 않은 것을 ×로서 평가했다.The photosensitive composition obtained above was applied on a 5-inch silicon wafer with a spin coater to a thickness of about 1 μm, and dried for 60 seconds on a hot plate at 110°C. A photomask was placed on the obtained wafer, and 200 mJ/cm 2 of a ghi line was irradiated in the same manner as in the case of the previous alkali developability evaluation, and alkali development was performed. The state of the pattern was confirmed using a laser microscope ("VK-X200" manufactured by Co., Ltd.), and what was resolved by L/S = 5 µm was ○, and what was not resolved by L/S = 5 µm was ×. evaluated as

내열성 평가 Heat resistance evaluation

앞에서 얻은 내열성 시험용 조성물을 5인치 실리콘 웨이퍼 상에 약 1㎛의 두께로 되도록 스핀 코터로 도포하고, 110℃의 핫플레이트 상에서 60초 건조시켰다. 얻어진 웨이퍼로부터 수지분을 긁어내고, 그 유리 전이 온도(Tg)를 측정했다. 유리 전이 온도(Tg)의 측정은 시차 주사 열량계(DSC)(가부시키가이샤TA인스트루먼트제 「Q100」)를 사용해서, 질소 분위기 하, 온도 범위 -100∼250℃, 승온 온도 10℃/분의 조건에서 행했다.The above-obtained composition for heat resistance test was applied on a 5-inch silicon wafer with a spin coater to a thickness of about 1 μm, and dried on a hot plate at 110° C. for 60 seconds. The resin component was scraped off from the obtained wafer, and the glass transition temperature (Tg) was measured. The glass transition temperature (Tg) was measured using a differential scanning calorimeter (DSC) (“Q100” manufactured by TA Instruments) under nitrogen atmosphere, in a temperature range of -100 to 250° C., under conditions of a temperature increase of 10° C./min. was done in

내크랙성의 평가 Evaluation of crack resistance

앞에서 얻은 감광성 조성물을 5인치 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코터로 도포하고, 110℃의 핫플레이트 상에서 300초 건조시켰다. 이 도공 조작을 반복하여, 도막의 두께가 50㎛인 웨이퍼와, 도막의 두께가 100㎛인 웨이퍼를 제작했다. 웨이퍼의 표면을 레이저 마이크로스코프(가부시키가이샤키엔스제 「VK-X200」)를 사용해서 관찰하고, 크랙이 없는 경우를 ○, 크랙이 있는 경우를 ×로서 평가했다.The photosensitive composition obtained above was applied on a 5-inch silicon wafer by a spin coater, and dried for 300 seconds on a hot plate at 110°C. This coating operation was repeated, and the wafer whose coating film thickness is 50 micrometers and the wafer whose coating film thickness is 100 micrometers was produced. The surface of the wafer was observed using a laser microscope ("VK-X200" manufactured by Co., Ltd.), and the case where there was no crack was evaluated as (circle), and the case where there was a crack was evaluated as x.

유연성의 평가 evaluation of flexibility

앞에서 얻은 감광성 조성물을 두께 50㎛의 폴리이미드 필름 상에 약 5㎛의 두께로 되도록 스핀 코터로 도포하고, 110℃의 핫플레이트 상에서 300초 건조시켰다. 얻어진 적층 필름을 180도로 절곡하고, 절곡 개소의 상태를 레이저 마이크로스코프(가부시키가이샤키엔스제 「VK-X200」)를 사용해서 관찰하고, 크랙이 없는 경우를 ○, 크랙이 있는 경우를 ×로서 평가했다.The photosensitive composition obtained above was applied on a polyimide film having a thickness of 50 μm with a spin coater to a thickness of about 5 μm, and dried on a hot plate at 110° C. for 300 seconds. The obtained laminated film was bent at 180 degrees, and the state of the bent location was observed using a laser microscope ("VK-X200" manufactured by Co., Ltd.), and the case without cracks was evaluated as ○, and the case with cracks was evaluated as x. did.

[표 1] [Table 1]

Figure 112019003291841-pct00011
Figure 112019003291841-pct00011

실시예 11∼15 및 비교예 3, 4 Examples 11 to 15 and Comparative Examples 3 and 4

실시예 1∼5, 비교제조예 1, 2에서 얻은 페놀성 수산기 함유 수지에 대하여, 하기의 요령으로 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.The phenolic hydroxyl group-containing resins obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Production Examples 1 and 2 were evaluated in the following manner. A result is shown in Table 2.

경화성 조성물의 조정 Adjustment of the curable composition

상기 페놀성 수산기 함유 수지 16질량부, 경화제(도쿄가세이고교가부시키가이샤제 「1,3,4,6-테트라키스(메톡시메틸)글리콜우릴」) 4질량부를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 30질량부에 용해시키고, 이것을 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 경화성 조성물을 얻었다.16 parts by mass of the phenolic hydroxyl group-containing resin, 4 parts by mass of a curing agent (“1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)glycoluril” manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) propylene glycol monomethyl ether acetate It melt|dissolved in 30 mass parts, this was filtered with a 0.2-micrometer membrane filter, and the curable composition was obtained.

알칼리현상성[ADR(Å/s)]의 평가 Evaluation of alkali developability [ADR(Å/s)]

앞에서 얻은 경화성 조성물을 5인치 실리콘 웨이퍼 상에 약 1㎛의 두께로 되도록 스핀 코터로 도포하고, 110℃의 핫플레이트 상에서 60초 건조시켰다. 이 웨이퍼를 2매 준비하고, 한쪽을 「미경화 샘플」로 했다. 다른 쪽을 「경화 샘플」로 하고 160℃, 60초간의 조건에서 가열 처리를 행했다.The curable composition obtained above was applied on a 5-inch silicon wafer with a spin coater so as to have a thickness of about 1 mu m, and dried on a hot plate at 110 DEG C for 60 seconds. Two of these wafers were prepared, and one of them was used as an "uncured sample". The other was made into a "cured sample" and heat-processed on 160 degreeC and conditions for 60 second.

「미경화 샘플」과 「경화 샘플」의 양쪽을 알칼리 현상액(2.38% 수산화테트라메틸암모늄 수용액)에 60초간 침지한 후, 110℃의 핫플레이트 상에서 60초 건조시켰다. 각 샘플의 현상액 침지 전후의 막두께를 측정하고, 그 차분을 60으로 나눈 값을 알칼리현상성[ADR(Å/s)]으로 했다.Both the "uncured sample" and the "cured sample" were immersed in an alkali developer (2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) for 60 seconds, and then dried on a hot plate at 110°C for 60 seconds. The film thickness of each sample before and after immersion in a developer was measured, and the value obtained by dividing the difference by 60 was defined as alkali developability [ADR (Å/s)].

내열성 평가 Heat resistance evaluation

앞에서 얻은 경화성 조성물을 5인치 실리콘 웨이퍼 상에 약 1㎛의 두께로 되도록 스핀 코터로 도포하고, 110℃의 핫플레이트 상에서 60초 건조시킨 후, 160℃, 60초간의 조건에서 가열 처리를 행했다. 얻어진 웨이퍼로부터 수지분을 긁어내고, 그 유리 전이 온도(Tg)를 측정했다. 유리 전이 온도(Tg)의 측정은 시차 주사 열량계(DSC)(가부시키가이샤TA인스트루먼트제 「Q100」)를 사용해서, 질소 분위기 하, 온도 범위 -100∼250℃, 승온 온도 10℃/분의 조건에서 행했다.The curable composition obtained above was applied on a 5-inch silicon wafer with a spin coater to a thickness of about 1 µm, dried on a hot plate at 110°C for 60 seconds, and then heat-treated at 160°C for 60 seconds. The resin component was scraped off from the obtained wafer, and the glass transition temperature (Tg) was measured. The glass transition temperature (Tg) was measured using a differential scanning calorimeter (DSC) (“Q100” manufactured by TA Instruments Co., Ltd.), in a nitrogen atmosphere, in a temperature range of -100 to 250° C., under conditions of a temperature increase of 10° C./min. was done in

내크랙성 crack resistance

앞에서 얻은 경화성 조성물을 5인치 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코터로 도포하고, 110℃의 핫플레이트 상에서 300초 건조시켰다. 이 도공 조작을 반복해서, 도막의 두께가 50㎛인 웨이퍼와, 도막의 두께가 100㎛의 웨이퍼를 제작했다. 웨이퍼의 표면을 레이저 마이크로스코프(가부시키가이샤키엔스제 「VK-X200」)를 사용해서 관찰하고, 크랙이 없는 경우를 ○, 크랙이 있는 경우를 ×로서 평가했다.The curable composition obtained above was applied on a 5-inch silicon wafer with a spin coater, and dried for 300 seconds on a hot plate at 110°C. This coating operation was repeated, and the wafer whose thickness of a coating film is 50 micrometers and the wafer whose thickness of a coating film is 100 micrometers was produced. The surface of the wafer was observed using a laser microscope ("VK-X200" manufactured by Co., Ltd.), and the case where there was no crack was evaluated as (circle), and the case where there was a crack was evaluated as x.

[표 2] [Table 2]

Figure 112019003291841-pct00012
Figure 112019003291841-pct00012

Claims (9)

하기 구조식(1) 또는 (2)
Figure 112022022946517-pct00013

[식 중 R1은 수소 원자, 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기 중 어느 하나이다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다. R2, R3은 각각 독립으로 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기, 알콕시기, 할로겐 원자 중 어느 하나이고, l은 각각 독립으로 0 또는 1∼4의 정수, m은 0 또는 1∼5의 정수, n은 0 또는 1∼7의 정수이다. *는 도시된 벤젠환 혹은 나프탈렌환과의 결합점이고, 두 *는 동일한 방향환에 결합하고 있어도 되고, 각각 서로 다른 방향환에 결합하고 있어도 된다]
으로 표시되는 구조 부위(α)와, 하기 구조식(3)
Figure 112022022946517-pct00014

(식 중 R1은 수소 원자, 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기 중 어느 하나이다. R4은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼7의 지방족 탄화수소기이다. R5은 수소 원자 또는 탄소 원자수 8∼24의 지방족 탄화수소기이다)
으로 표시되는 구조 부위(β)를 반복 단위로서 갖고, 수지 중에 존재하는 R2, R3, R5 중 적어도 하나가 탄소 원자수 8∼24의 지방족 탄화수소기인 것을 특징으로 하는 페놀성 수산기 함유 수지를 포함하는 레지스트 재료.
The following structural formula (1) or (2)
Figure 112022022946517-pct00013

[In the formula, R 1 is any one of a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, and an aromatic ring-containing hydrocarbon group. k is any one of 0, 1, or 2. R 2 and R 3 are each independently any one of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic ring-containing hydrocarbon group, an alkoxy group, and a halogen atom, l is each independently 0 or an integer of 1 to 4, m is 0 or 1 to 5 An integer, n is 0 or an integer of 1-7. * is a point of bonding with the illustrated benzene ring or naphthalene ring, and both * may be bonded to the same aromatic ring or may be bonded to different aromatic rings]
The structural moiety (α) represented by and the following structural formula (3)
Figure 112022022946517-pct00014

(Wherein, R 1 is any one of a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, and an aromatic ring-containing hydrocarbon group. R 4 is a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms. R 5 is a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 8 carbon atoms. -24 is an aliphatic hydrocarbon group)
A phenolic hydroxyl group - containing resin having a structural moiety (β) represented by A resist material comprising.
제1항에 있어서,
상기 페놀성 수산기 함유 수지에 있어서, 상기 구조 부위(α)와, 상기 구조 부위(β)와의 존재 비율[(α)/(β)]이 90/10∼30/70의 범위인 레지스트 재료.
According to claim 1,
The resist material in the phenolic hydroxyl group-containing resin, wherein the abundance ratio [(α)/(β)] of the structural moiety (α) to the structural moiety (β) is in the range of 90/10 to 30/70.
하기 구조식(4) 또는 (5)
Figure 112022022946517-pct00015

〔식 중 k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다. R2, R3은 각각 독립으로 지방족 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기, 알콕시기, 할로겐 원자 중 어느 하나이고, l은 각각 독립으로 0 또는 1∼4의 정수, m은 0 또는 1∼5의 정수, n은 0 또는 1∼7의 정수이다〕
으로 표시되는 분자 구조를 갖는 트리아릴메탄형 화합물(A), 페놀 또는 탄소 원자수 1∼7의 지방족 탄화수소기를 갖는 페놀 화합물(B), 및 알데히드 화합물(C)을 반응 원료로 하는 노볼락 수지 중간체(M)와, 탄소 원자수 8∼24의 알켄 화합물(D)과의 반응물인 페놀성 수산기 함유 수지를 포함하는 레지스트 재료.
The following structural formula (4) or (5)
Figure 112022022946517-pct00015

[In the formula, k is any one of 0, 1, and 2. R 2 and R 3 are each independently any one of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic ring-containing hydrocarbon group, an alkoxy group, and a halogen atom, l is each independently 0 or an integer of 1 to 4, m is 0 or 1 to 5 An integer, n is 0 or an integer of 1-7]
A novolak resin intermediate using a triarylmethane compound (A) having a molecular structure represented by , a phenol compound (B) having a phenol or aliphatic hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms, and an aldehyde compound (C) as reaction raw materials A resist material comprising (M) and a phenolic hydroxyl group-containing resin which is a reaction product of an alkene compound (D) having 8 to 24 carbon atoms.
제3항에 있어서,
상기 노볼락 수지 중간체(M)와 상기 탄소 원자수 8∼24의 알켄 화합물(D)과의 반응 비율이, 양자의 합계 질량에 대하여 상기 탄소 원자수 8∼24의 알켄 화합물(D)이 0.5∼30질량%로 되는 비율인 레지스트 재료.
4. The method of claim 3,
The reaction ratio of the novolak resin intermediate (M) and the alkene compound (D) having 8 to 24 carbon atoms is 0.5 to the alkene compound (D) having 8 to 24 carbon atoms with respect to the total mass of both. A resist material in a proportion of 30% by mass.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
감광제를 더 함유하는 레지스트 재료.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
A resist material further containing a photosensitizer.
삭제delete 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
경화제를 더 함유하는 레지스트 재료.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
A resist material further containing a curing agent.
삭제delete 삭제delete
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