KR102412786B1 - Compound, coating composition comprising the same, and organic light emitting device using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화학식 1로 표시되는 화합물, 이를 포함하는 코팅조성물 및 이를 이용한 유기 발광 소자를 제공한다. The present invention provides a compound represented by Formula 1, a coating composition comprising the same, and an organic light emitting device using the same.
Description
본 발명은 화합물, 이를 포함하는 코팅 조성물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a compound, a coating composition comprising the same, and an organic light emitting device comprising the same.
본 출원은 2019년 7월 16일 한국특허청에 제출된 한국특허출원 제10-2019-0085898호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용은 전부 본 명세서에 포함된다. This application claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2019-0085898 filed with the Korean Intellectual Property Office on July 16, 2019, the entire contents of which are incorporated herein by reference.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다. In general, the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon in which electric energy is converted into light energy using an organic material. The organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, and excellent luminance, driving voltage, and response speed characteristics, and thus many studies are being conducted.
유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. An organic light emitting device generally has a structure including an anode and a cathode and an organic material layer between the anode and the cathode. The organic material layer is often made of a multi-layer structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, It may be made of an electron injection layer, etc. In the structure of the organic light emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected into the organic material layer from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer. When the injected holes and electrons meet, excitons are formed, and the excitons When it falls back to the ground state, it lights up.
상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.The development of new materials for organic materials used in organic light emitting devices as described above is continuously required.
한편, 최근에는 공정 비용 절감을 위하여 기존의 증착 공정 대신 용액 공정, 특히 잉크젯 공정을 이용한 유기 발광 소자가 개발되고 있다. 초창기에는 모든 유기 발광 소자 층을 용액 공정으로 코팅하여 유기 발광 소자를 개발하려 하였으나 현재 기술로는 한계가 있어, 정구조 형태에서 HIL, HTL, EML만을 용액 공정으로 진행하고 추후 공정은 기존의 증착 공정을 활용하는 하이브리드(hybrid) 공정이 연구 중이다. Meanwhile, in recent years, organic light emitting devices using a solution process, particularly an inkjet process, have been developed instead of the conventional deposition process in order to reduce process costs. In the early days, all organic light emitting device layers were coated with a solution process to develop an organic light emitting device, but the current technology has limitations. Therefore, only HIL, HTL, and EML are processed in the solution process in the regular structure, and subsequent processes are performed using the conventional deposition process. A hybrid process using
이에 본 발명에서는 유기 발광 소자에 사용될 수 있으면서 동시에 용액 공정에 사용 가능한 신규한 유기 발광 소자의 소재를 제공한다.Accordingly, the present invention provides a material for a novel organic light emitting device that can be used in an organic light emitting device and can be used in a solution process at the same time.
본 발명은 화합물, 이를 포함하는 코팅 조성물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a compound, a coating composition comprising the same, and an organic light emitting device comprising the same.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다: The present invention provides a compound represented by the following formula (1):
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에서, In Formula 1,
X1 및 X2는 각각 독립적으로, N(R3), O, 또는 S이고, X 1 and X 2 are each independently N(R 3 ), O, or S,
Y는 각각 독립적으로, CH, 또는 N이고, each Y is independently CH, or N;
R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬기; 치환 또는 비치환된 C1-60 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C2-60 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-60 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C3-60 사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴기; 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴기; 치환 또는 비치환된 트리(C1-60 알킬)실릴기; 또는 치환 또는 비치환된 트리(C6-60 아릴)실릴기이고, R 1 , R 2 and R 3 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; a substituted or unsubstituted C 1-60 alkyl group; a substituted or unsubstituted C 1-60 alkoxy group; a substituted or unsubstituted C 2-60 alkenyl group; a substituted or unsubstituted C 2-60 alkynyl group; a substituted or unsubstituted C 3-60 cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted amine group; a substituted or unsubstituted C 6-60 aryl group; A C 2-60 heteroaryl group comprising any one or more heteroatoms selected from the group consisting of substituted or unsubstituted N, O and S; a substituted or unsubstituted tri(C 1-60 alkyl)silyl group; Or a substituted or unsubstituted tri (C 6-60 aryl) silyl group,
n1은 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이고, n1 is each independently an integer of 1 to 3,
n2는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이며,n2 is each independently an integer of 1 to 4,
상기 Y가 모두 CH인 경우, X1 및 X2 중 적어도 하나는 N(R3) 또는 S이다. When Y is all CH, at least one of X 1 and X 2 is N(R 3 ) or S.
본 출원은 상기 전술한 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 제공한다. 또한, 본 발명은, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자를 제공한다.The present application provides a coating composition comprising the above-described compound. In addition, the present invention, the first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound represented by Formula 1 above; to provide.
상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있으며, 또한 용액 공정에 사용이 가능하며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. The compound represented by Formula 1 described above can be used as a material for an organic material layer of an organic light emitting device, and can also be used in a solution process, and can improve efficiency, low driving voltage and/or lifespan characteristics in an organic light emitting device. have.
상기 화학식 1의 화합물은 보론을 포함하는 헤테로고리의 구조를 3개 포함하는 트리머(trimer)의 구조로 보론을 포함하는 헤테로고리의 구조를 1개 또는 2개를 포함하는 구조의 화합물보다 화학적 구조 안정성이 있으며, 그로인하여 수명 측면에서 우수한 효과가 있다. The compound of Formula 1 has a structure of a trimer including three structures of a heterocyclic ring containing boron, and is more chemically structurally stable than a compound of a structure containing one or two structures of a heterocyclic structure containing boron. Thereby, there is an excellent effect in terms of lifespan.
도 1 및 2는 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 1 and 2 show examples of organic light emitting devices.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, it will be described in more detail to help the understanding of the present invention.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present specification provides a compound represented by Formula 1 above.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In the present specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member is present between the two members.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. In the present specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.Throughout this specification, the term "combination of these" included in the expression of the Markush form means one or more mixtures or combinations selected from the group consisting of the components described in the expression of the Markush form, and the components It is meant to include one or more selected from the group consisting of.
(용어의 정의)(Definition of Terms)
본 명세서에서, 또는 는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다.In this specification, or means a bond connected to another substituent.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐이기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다.As used herein, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; halogen group; cyano group; nitro group; hydroxyl group; carbonyl group; ester group; imid; amino group; a phosphine oxide group; alkoxy group; aryloxy group; alkyl thiooxy group; arylthioxy group; an alkyl sulfoxy group; arylsulfoxy group; silyl group; boron group; an alkyl group; cycloalkyl group; alkenyl group; aryl group; aralkyl group; aralkenyl group; an alkylaryl group; an alkylamine group; an aralkylamine group; heteroarylamine group; arylamine group; an arylphosphine group; or N, O, and S atoms, which is substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of heteroaryl containing one or more . For example, "a substituent in which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, and the like. However, the present invention is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 사이클로펜틸메틸, 사이클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 20. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 10. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n -pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl , n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2 -Dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 20. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 10. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-( Naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸, 2,3-디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 3-메틸사이클로헥실, 4-메틸사이클로헥실, 2,3-디메틸사이클로헥실, 3,4,5-트리메틸사이클로헥실, 4-tert-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3, 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 모노알킬아민기; 디알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 모노아릴아민기; 디아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기, 모노헤테로아릴아민기 및 디헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, N-페닐바이페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; N-바이페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기; N-페닐페난트레닐아민기; N-바이페닐페난트레닐아민기; N-페닐플루오레닐아민기; N-페닐터페닐아민기; N-페난트레닐플루오레닐아민기; N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the amine group is -NH 2 ; monoalkylamine group; dialkylamine group; N-alkylarylamine group; monoarylamine group; diarylamine group; N-aryl heteroarylamine group; It may be selected from the group consisting of an N-alkylheteroarylamine group, a monoheteroarylamine group, and a diheteroarylamine group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specific examples of the amine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, a diethylamine group, a phenylamine group, a naphthylamine group, a biphenylamine group, an anthracenylamine group, and a 9-methyl-anthracenylamine group. , diphenylamine group, ditolylamine group, N-phenyltolylamine group, triphenylamine group, N-phenylbiphenylamine group; N-phenylnaphthylamine group; N-biphenylnaphthylamine group; N-naphthylfluorenylamine group; N-phenylphenanthrenylamine group; N-biphenylphenanthrenylamine group; N-phenylfluorenylamine group; N-phenylterphenylamine group; N-phenanthrenylfluorenylamine group; N-biphenylfluorenylamine group and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐이기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난쓰레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 30. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 20. The aryl group may be a monocyclic aryl group, such as a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthrenyl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우, 등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure. When the fluorenyl group is substituted, etc. can be However, the present invention is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴은 이종 원소로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로아릴의 예로는 잔텐(xanthene), 티오잔텐(thioxanthen), 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, heteroaryl is a heteroaryl containing at least one of O, N, Si and S as a heterogeneous element, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably from 2 to 60 carbon atoms. Examples of heteroaryl include xanthene, thioxanthen, thiophene, furan, pyrrole, imidazole, thiazole, oxazole, oxadiazole, triazole, pyridyl, bipyridyl, Pyrimidyl group, triazine group, acridyl group, pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazoline group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidinyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino Pyrazinyl group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, benzoxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuranyl group, phenanthroline group ( phenanthroline), an isoxazolyl group, a thiadiazolyl group, a phenothiazinyl group, and a dibenzofuranyl group, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기, 아릴실릴기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. In the present specification, the aryl group in the aralkyl group, aralkenyl group, alkylaryl group, arylamine group, and arylsilyl group is the same as the above-described aryl group. In the present specification, the alkyl group among the aralkyl group, the alkylaryl group, and the alkylamine group is the same as the example of the above-described alkyl group.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, as for heteroaryl among heteroarylamines, the description regarding heteroaryl described above may be applied.
본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. In the present specification, the alkenyl group among the aralkenyl groups is the same as the above-described examples of the alkenyl group.
본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the description of the above-described aryl group may be applied, except that arylene is a divalent group.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the description of the above-described heteroaryl may be applied, except that heteroarylene is a divalent group. In the present specification, the hydrocarbon ring is not a monovalent group, and the description of the above-described aryl group or cycloalkyl group may be applied, except that it is formed by combining two substituents.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the heterocyclic group is not a monovalent group, and the description regarding heteroaryl described above may be applied, except that it is formed by combining two substituents.
(화합물)(compound)
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y가 모두 CH인 경우, X1 및 X2 중 적어도 하나는 N(R3) 또는 S이다. In an exemplary embodiment of the present specification, when Y is all CH, at least one of X 1 and X 2 is N(R 3 ) or S.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y가 모두 CH인 경우, X1 및 X2 중 적어도 하나는 N(R3) 이다. In the exemplary embodiment of the present specification, when Y is all CH, at least one of X 1 and X 2 is N(R 3 ).
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y가 모두 CH인 경우, X1 및 X2 는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N(R3) 또는 S이다. In the exemplary embodiment of the present specification, when Y is all CH, X 1 and X 2 are the same as or different from each other, and each independently N(R 3 ) or S.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y가 모두 CH인 경우, X1 및 X2 는 N(R3) 이다. In the exemplary embodiment of the present specification, when Y is all CH, X 1 and X 2 are N(R 3 ).
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y가 모두 N이다. In an exemplary embodiment of the present specification, Y is all N.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y 중 적어도 하나는 N이고, 나머지는 CH이다. In the exemplary embodiment of the present specification, at least one of Y is N, and the rest is CH.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y 중 하나는 N이고, 나머지는 CH이다. In an exemplary embodiment of the present specification, one of Y is N, and the other is CH.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y 중 적어도 둘은 N이고, 나머지는 CH이다. In the exemplary embodiment of the present specification, at least two of Y are N, and the rest are CH.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y 중 둘은 N이고, 나머지는 CH이다. In an exemplary embodiment of the present specification, two of Y are N, and the remainder is CH.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3), O, 또는 S일 수 있으나, NR"인 경우의 화합물이 바람직하다. In an exemplary embodiment of the present specification, the X 1 and X 2 may be N(R 3 ), O, or S, but the compound in the case of NR″ is preferred.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, the X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted C 6-60 aryl group; Or a C 2-60 heteroaryl group comprising any one or more heteroatoms selected from the group consisting of substituted or unsubstituted N, O and S.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is a substituted or unsubstituted C 6-60 aryl group; Or a C 2-60 heteroaryl group comprising any one or more heteroatoms selected from the group consisting of substituted or unsubstituted N, O and S.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, the X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group; or a
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, the X 1 and X 2 are N(R 3 ), wherein R 3 is a substituted or
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 수소; 중수소; 알킬기, 알콕시기, 실릴기, 아민기, 아릴기, 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴기; 또는 알킬기, 알콕시기, 실릴기, 아민기, 아릴기, 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, the X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is hydrogen; heavy hydrogen; C 6-60 aryl group unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an alkoxy group, a silyl group, an amine group, an aryl group, and a heteroaryl group; or an alkyl group, an alkoxy group, a silyl group, an amine group, an aryl group, and any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of a heteroaryl group is a C 2-60 heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 알킬기, 알콕시기, 실릴기, 아민기, 아릴기, 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴기; 또는 알킬기, 알콕시기, 실릴기, 아민기, 아릴기, 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is selected from the group consisting of an alkyl group, an alkoxy group, a silyl group, an amine group, an aryl group, and a heteroaryl group. C 6-60 aryl group unsubstituted or substituted with a substituent; or an alkyl group, an alkoxy group, a silyl group, an amine group, an aryl group, and any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of a heteroaryl group is a C 2-60 heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 수소; 중수소; 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 실릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환된 아민기, 또는 탄소수 2 내지 20의 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, the X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is hydrogen; heavy hydrogen; or an amine group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a silyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an amine group substituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or N, O and It is an aryl group having 6 to 20 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with a heteroaryl group containing one or more heteroatoms selected from the group consisting of S.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 실릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환된 아민기, 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, the X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. silyl group, an amine group substituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms unsubstituted or substituted with a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 실릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환된 아민기, 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, the X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a silyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and 6 to 20 carbon atoms. an amine group substituted with an aryl group of, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 수소; 중수소; 또는 알킬기, 알콕시기, 알킬기로 치환된 실릴기, 아릴기로 치환된 아민기, 또는 헤테로아릴기로 치환된 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is hydrogen; heavy hydrogen; or an alkyl group, an alkoxy group, a silyl group substituted with an alkyl group, an amine group substituted with an aryl group, or an aryl group substituted with a heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, X 1 and X 2 are N(R 3 ), wherein R 3 is hydrogen; heavy hydrogen; or a substituted or unsubstituted phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 치환 또는 비치환된 페닐기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is a substituted or unsubstituted phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 수소; 중수소; 또는 치환된 페닐기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, the X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is hydrogen; heavy hydrogen; or a substituted phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 치환된 페닐기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is a substituted phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 실릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환된 아민기, 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 실릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환된 아민기, 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 또는 바이페닐기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, X 1 and X 2 are N(R 3 ), wherein R 3 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms a phenyl group unsubstituted or substituted with an amine group substituted with a silyl group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms; Or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a silyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an amine group substituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms or an unsubstituted or biphenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 실릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환된 아민기, 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기로 치환된 페닐기; 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 실릴기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환된 아민기, 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기로 치환된 바이페닐기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, the X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. a silyl group, an amine group substituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or a phenyl group substituted with a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms; Or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a silyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an amine group substituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms is a biphenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 수소; 중수소; 또는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 메톡시기, 트리메틸실릴기, 트리프로필실릴기, 디페닐아민기, 카바졸기, 페닐카바졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 및 페녹사진기로 이루어진 군에서 선택되는 1이상의 치환기로 치환된 페닐기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, the X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is hydrogen; heavy hydrogen; or a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a methoxy group, a trimethylsilyl group, a tripropylsilyl group, a diphenylamine group, a carbazole group, a phenylcarbazole group, a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, and a phenoxazine group It is a phenyl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 수소; 중수소; 또는 메틸기, tert-부틸기, 메톡시기, 트리메틸실릴기, 트리이소프로필실릴기, 디페닐아민기, 카바졸기, 페닐카바졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 및 페녹사진기 로 이루어진 군에서 선택되는 1이상의 치환기로 치환된 페닐기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, the X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is hydrogen; heavy hydrogen; or a methyl group, a tert-butyl group, a methoxy group, a trimethylsilyl group, a triisopropylsilyl group, a diphenylamine group, a carbazole group, a phenylcarbazole group, a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, and a phenoxazine group. It is a phenyl group substituted with one or more substituents selected from.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 메톡시기, 트리메틸실릴기, 트리프로필실릴기, 디페닐아민기, 카바졸기, 페닐카바졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 및 페녹사진기로 이루어진 군에서 선택되는 1이상의 치환기로 치환된 페닐기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a methoxy group, a trimethylsilyl group, a tripropylsilyl group, a di It is a phenyl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a phenylamine group, a carbazole group, a phenylcarbazole group, a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, and a phenoxazine group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2 는 N(R3)이고, 상기 R3은 메틸기, tert-부틸기, 메톡시기, 트리메틸실릴기, 트리이소프로필실릴기, 디페닐아민기, 카바졸기, 페닐카바졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 및 페녹사진기 로 이루어진 군에서 선택되는 1이상의 치환기로 치환된 페닐기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, X 1 and X 2 are N(R 3 ), and R 3 is a methyl group, tert-butyl group, methoxy group, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, diphenylamine It is a phenyl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a group, a carbazole group, a phenylcarbazole group, a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, and a phenoxazine group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하며 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬기; 치환 또는 비치환된 트리(C1-60 알킬)실릴기; 치환 또는 비치환된 트리(C6-60 아릴)실릴기; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, R 1 and R 2 are the same as or different from each other and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted C 1-60 alkyl group; a substituted or unsubstituted tri(C 1-60 alkyl)silyl group; a substituted or unsubstituted tri(C 6-60 aryl)silyl group; a substituted or unsubstituted C 6-60 aryl group; Or a C 2-60 heteroaryl group comprising any one or more heteroatoms selected from the group consisting of substituted or unsubstituted N, O and S.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하며 각각 독립적으로 수소; 중수소; C1-60 알킬기; 알킬기로 치환 또는 비치환된 트리(C1- 60 알킬)실릴기; 알킬기로 치환 또는 비치환된 트리(C6-60 아릴)실릴기; 알킬기, 실릴기, 아민기, 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, R 1 and R 2 are the same as or different from each other and each independently hydrogen; heavy hydrogen; C 1-60 alkyl group; a tri(C 1-60 alkyl )silyl group substituted or unsubstituted with an alkyl group; a tri(C 6-60 aryl)silyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group; C 6-60 aryl group unsubstituted or substituted with an alkyl group, a silyl group, an amine group, or a heterocyclic group; or a C 2-60 heteroaryl group including any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S substituted or unsubstituted with an aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하며 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 트리(C1-60 알킬)실릴기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 트리(C6-60 아릴)실릴기; 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이고, In an exemplary embodiment of the present specification, R 1 and R 2 are the same as or different from each other and each independently hydrogen; heavy hydrogen; an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a tri(C 1-60 alkyl)silyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a tri(C 6-60 aryl)silyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; an amine group substituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms; a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group; Or a
상기 아릴기 및 헤테로아릴기는 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 실릴기; 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환된 아민기; 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 및 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다. The aryl group and the heteroaryl group may include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a silyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; an amine group substituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms; an aryl group having 6 to 20 carbon atoms; And it may be unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하며 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; 에틸기; 프로필기; 부틸기; 트리메틸실릴기; 카바졸기; 페녹사진기; 또는 디페닐아민기로 치환된 페닐기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, R 1 and R 2 are the same as or different from each other and each independently hydrogen; heavy hydrogen; methyl group; ethyl group; Profile group; butyl group; trimethylsilyl group; a carbazole group; phenoxazine; or a phenyl group substituted with a diphenylamine group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하며 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; tert-부틸기; 트리메틸실릴기; 카바졸기; 페녹사진기; 또는 디페닐아민기로 치환된 페닐기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, R 1 and R 2 are the same as or different from each other and each independently hydrogen; heavy hydrogen; methyl group; tert-butyl group; trimethylsilyl group; a carbazole group; phenoxazine; or a phenyl group substituted with a diphenylamine group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬기; 치환 또는 비치환된 트리(C1-60 알킬)실릴기; 또는 치환 또는 비치환된 트리(C6-60 아릴)실릴기; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R 1 and R 2 is a substituted or unsubstituted C 1-60 alkyl group; a substituted or unsubstituted tri(C 1-60 alkyl)silyl group; Or a substituted or unsubstituted tri (C 6-60 aryl) silyl group; a substituted or unsubstituted C 6-60 aryl group; Or a C 2-60 heteroaryl group comprising any one or more heteroatoms selected from the group consisting of substituted or unsubstituted N, O and S.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 트리(C1-60 알킬)실릴기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 트리(C6-60 아릴)실릴기; 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환된 아민기로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a tri(C 1-60 alkyl)silyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a tri(C 6-60 aryl)silyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; an aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with an amine group substituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms; or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms including any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2 중 적어도 하나는 메틸기; tert-부틸기; 트리메틸실릴기; 카바졸기; 페녹사진기; 또는 디페닐아민기로 치환된 페닐기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R 1 and R 2 is a methyl group; tert-butyl group; trimethylsilyl group; a carbazole group; phenoxazine; or a phenyl group substituted with a diphenylamine group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬기; 치환 또는 비치환된 트리(C1-60 알킬)실릴기; 또는 치환 또는 비치환된 트리(C6-60 아릴)실릴기; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴기이고, 나머지는 수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R 1 and R 2 is a substituted or unsubstituted C 1-60 alkyl group; a substituted or unsubstituted tri(C 1-60 alkyl)silyl group; Or a substituted or unsubstituted tri (C 6-60 aryl) silyl group; a substituted or unsubstituted C 6-60 aryl group; Or a C 2-60 heteroaryl group containing any one or more heteroatoms selected from the group consisting of substituted or unsubstituted N, O and S, and the remainder is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 트리(C1-60 알킬)실릴기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 트리(C6-60 아릴)실릴기; 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환된 아민기로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이고, 나머지는 수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a tri(C 1-60 alkyl)silyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a tri(C 6-60 aryl)silyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; an aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with an amine group substituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms; or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms including any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S, and the remainder is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2 중 적어도 하나는 메틸기; tert-부틸기; 트리메틸실릴기; 카바졸기; 페녹사진기; 또는 디페닐아민기로 치환된 페닐기이고, 나머지는 수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R 1 and R 2 is a methyl group; tert-butyl group; trimethylsilyl group; a carbazole group; phenoxazine; or a phenyl group substituted with a diphenylamine group, and the remainder is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 4중 어느 하나로 표시될 수 있다. In an exemplary embodiment of the present specification,
[화학식 2][Formula 2]
[화학식 3][Formula 3]
[화학식 4][Formula 4]
상기 하기 화학식 2 내지 4에 있어서, In the following
Y, X1 X2, R1, R2, n1 및 n2는 화학식 1에서 정의한 바와 같다. Y, X 1 X 2 , R 1 , R 2 , n1 and n2 are as defined in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 상기 화학식 2 또는 4인 경우가 바람직하다. In the exemplary embodiment of the present specification, it is preferable that
바람직하게는, X1은 서로 동일하고, X2는 서로 동일하다. Preferably, X 1 are identical to each other and X 2 are identical to each other.
바람직하게는, Y는 서로 동일하다. Preferably, Y are equal to each other.
바람직하게는, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 또는 C1-10 알킬기이다. Preferably, R 1 and R 2 are each independently hydrogen or a C 1-10 alkyl group.
바람직하게는, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 또는 tert-부틸기이다. Preferably, R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a methyl group, or a tert-butyl group.
바람직하게는, R3은 각각 독립적으로 수소, 또는 페닐기이고, Preferably, each R 3 is independently hydrogen or a phenyl group,
상기 페닐기는 비치환되거나 또는 C1-10 알킬기, C1-10 알콕시기, 트리(C1-10 알킬)실릴기, 9-페닐-카바졸릴기, 또는 카바졸-9-일기로 치환된다. The phenyl group is unsubstituted or substituted with a C 1-10 alkyl group, a C 1-10 alkoxy group, a tri(C 1-10 alkyl)silyl group, a 9-phenyl-carbazolyl group, or a carbazol-9-yl group.
바람직하게는, R3은 각각 독립적으로 수소, 또는 페닐기이고, Preferably, each R 3 is independently hydrogen or a phenyl group,
상기 페닐기는 비치환되거나; 또는 메틸기, tert-부틸기, 메톡시기, 트리메틸실릴기, 트리(이소프로필)실릴기, 9-페닐-카바졸릴기, 또는 카바졸-9-일기로 치환된다. The phenyl group is unsubstituted; or a methyl group, a tert-butyl group, a methoxy group, a trimethylsilyl group, a tri(isopropyl)silyl group, a 9-phenyl-carbazolyl group, or a carbazol-9-yl group.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 대표적인 예는 하기와 같다:Representative examples of the compound represented by
한편, 본 발명은 일례로 하기 반응식 1과 같은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조 방법을 제공한다:On the other hand, the present invention provides a method for preparing a compound represented by
[반응식 1][Scheme 1]
상기 반응식 1에서, X를 제외한 나머지 정의는 앞서 정의한 바와 같으며, X는 할로겐이고, 보다 바람직하게는 클로로, 또는 브로모이다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다. In
(코팅 조성물)(Coating composition)
본 발명에 따른 화합물은 용액 공정으로 유기 발광 소자의 유기물 층, 특히 발광층을 형성할 수 있다. 이를 위하여, 본 발명은 상술한 본 발명에 따른 화합물 및 용매를 포함하는 코팅 조성물을 제공한다. The compound according to the present invention can form an organic layer of an organic light emitting device, particularly, a light emitting layer by a solution process. To this end, the present invention provides a coating composition comprising the above-described compound according to the present invention and a solvent.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 조성물을 제공한다. In one embodiment of the present specification, a composition comprising the compound of
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물을 포함하는 조성물은 유기 발광 소자용인 코팅 조성물이다. In one embodiment of the present specification, the composition including the compound is a coating composition for an organic light emitting device.
명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 액상일 수 있다. 상기 "액상"은 상온 및 상압에서 액체 상태인 것을 의미한다. In one embodiment of the specification, the coating composition may be liquid. The "liquid phase" means a liquid state at room temperature and pressure.
상기 용매는 본 발명에 따른 화합물을 용해 또는 분산시킬 수 있는 용매이면 특별히 제한되지 않으며, 일례로 클로로포름, 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠 등의 염소계 용매; 테트라하이드로퓨란, 디옥산 등의 에테르계 용매; 톨루엔, 크실렌, 트리메틸벤젠, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 시클로헥산, 메틸시클로헥산, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, n-데칸 등의 지방족 탄화수소계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르계 용매; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디메톡시에탄, 프로필렌글리콜, 디에톡시메탄, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 글리세린, 1,2-헥산디올 등의 다가 알코올 및 그의 유도체; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 시클로헥산올 등의 알코올계 용매; 디메틸술폭사이드 등의 술폭사이드계 용매; 및 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 용매; 부틸벤조에이트, 메틸-2-메톡시벤조에이트 등의 벤조에이트계 용매; 테트랄린; 3-phenoxy-toluene 등의 용매를 들 수 있다. 또한, 상술한 용매를 1종 단독으로 사용하거나 2종 이상의 용매를 혼합하여 사용할 수 있다. The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent capable of dissolving or dispersing the compound according to the present invention, and for example, chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene, o - Chlorine solvents, such as dichlorobenzene; ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, trimethylbenzene, and mesitylene; aliphatic hydrocarbon solvents such as cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, and n-decane; Ketone solvents, such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone; ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate; Polyvalents such as ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, and 1,2-hexanediol alcohols and derivatives thereof; alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol and cyclohexanol; sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide; and amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N,N-dimethylformamide; benzoate solvents such as butylbenzoate and methyl-2-methoxybenzoate; tetralin; and solvents such as 3-phenoxy-toluene. In addition, the above-mentioned solvents may be used alone or as a mixture of two or more solvents.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 용매의 비점은 바람직하게 40°C 내지 250°C, 더욱 바람직하게는 60°C 내지 230°C이나, 이에 한정되지 않는다.In another embodiment, the boiling point of the solvent is preferably 40 °C to 250 °C, more preferably 60 °C to 230 °C, but is not limited thereto.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 용매의 비점은 바람직하게 40°C 내지 250°C, 더욱 바람직하게는 60°C 내지 230°C이나, 이에 한정되지 않는다.In another embodiment, the boiling point of the solvent is preferably 40 °C to 250 °C, more preferably 60 °C to 230 °C, but is not limited thereto.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 단독 혹은 혼합 용매의 점도는 바람직하게 1 내지 10 CP, 더욱 바람직하게는 3 내지 8CP이나, 이에 한정되지 않는다.In another exemplary embodiment, the viscosity of the single or mixed solvent is preferably 1 to 10 CP, more preferably 3 to 8 CP, but is not limited thereto.
또한, 상기 코팅 조성물의 점도는 1 cP 내지 10 cP가 바람직하며, 상기의 범위에서 코팅이 용이하다. 또한, 상기 코팅 조성물 내 본 발명에 따른 고분자의 농도는 0.1 wt/v% 내지 20 wt/v%, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5 wt/v% 이나, 이에 한정되지 않는다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 열중합 개시제 및 광중합 개시제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2 종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. In addition, the viscosity of the coating composition is preferably 1 cP to 10 cP, and coating is easy in the above range. In addition, the concentration of the polymer according to the present invention in the coating composition is 0.1 wt/v% to 20 wt/v%, more preferably 0.5 to 5 wt/v%, but is not limited thereto. In one embodiment of the present specification, the coating composition may further include one or more additives selected from the group consisting of a thermal polymerization initiator and a photopolymerization initiator.
상기 열중합 개시제로서는, 메틸 에틸 케톤퍼옥사이드, 메틸 이소부틸 케톤퍼옥사이드, 아세틸아세톤퍼옥사이드, 메틸사이클로헥사논 퍼옥사이드, 시클로헥사논 퍼옥사이드, 이소부티릴 퍼옥사이드, 2,4-디클로로벤조일 퍼옥사이드, 비스-3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 라우릴 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥사이드, p-크롤 벤조일 퍼옥사이드, 디큐밀퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-(t-부틸 옥시)-헥산, 1,3-비스(t-부틸 퍼옥시-이소프로필) 벤젠, t-부틸 쿠밀(cumyl) 퍼옥사이드, 디-t부틸 퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-( 디t-부틸 퍼옥시) 헥산-3, 트리스-(t-부틸 퍼옥시) 트리아진, 1,1-디t-부틸 퍼옥시-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-디t-부틸 퍼옥시 사이클로헥산, 2,2-디( t-부틸 퍼옥시) 부탄, 4,4-디-t-브치르파오키시바레릭크앗시드 n-부틸 에스테르, 2,2-비스(4,4-t-부틸 퍼옥시 사이클로헥실)프로판, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, 디t-부틸 퍼옥시 헥사하이드로 테레프탈레이트, t-부틸 퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사에이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디t-부틸 퍼옥시 트리메틸 아디페이트 등의 과산화물, 혹은 아조비스 이소부틸니트릴, 아조비스디메틸발레로니트릴, 아조비스 시클로헥실 니트릴 등의 아조계가 있으나, 이를 한정하지 않는다.Examples of the thermal polymerization initiator include methyl ethyl ketone peroxide, methyl isobutyl ketone peroxide, acetylacetone peroxide, methylcyclohexanone peroxide, cyclohexanone peroxide, isobutyryl peroxide, and 2,4-dichlorobenzoyl peroxide. Oxide, bis-3,5,5-trimethyl hexanoyl peroxide, lauryl peroxide, benzoyl peroxide, p-chlorobenzoyl peroxide, dicumylperoxide, 2,5-dimethyl-2,5-(t- Butyl oxy)-hexane, 1,3-bis(t-butyl peroxy-isopropyl) benzene, t-butyl cumyl peroxide, di-tbutyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5- (di-t-butyl peroxy) hexane-3, tris-(t-butyl peroxy) triazine, 1,1-dit-butyl peroxy-3,3,5-trimethyl cyclohexane, 1,1-di t-Butyl peroxycyclohexane, 2,2-di(t-butyl peroxy)butane, 4,4-di-t-butylpaoxyvaleric acid n-butyl ester, 2,2-bis(4 ,4-t-Butyl peroxycyclohexyl)propane, t-butylperoxyisobutylate, dit-butyl peroxyhexahydro terephthalate, t-butyl peroxy-3,5,5-trimethylhexaate, t -Peroxides such as butyl peroxybenzoate and dit-butyl peroxy trimethyl adipate, or azo-based compounds such as azobis isobutylnitrile, azobisdimethylvaleronitrile, and azobiscyclohexyl nitrile, but are not limited thereto .
상기 광중합 개시제로서는, 디에톡시 아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐 에탄-1-온,1-하이드록시-사이클로헥실-페닐-케톤,4-(2-히드록시 에톡시) 페닐-(2-하이드록시-2-프로필) 케톤,2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐) 부타논- 1,2-하이드록시-2-메틸-1-페닐 프로판-1-온,2-메틸-2-모르폴리노(4-메틸 티오 페닐) 프로판-1-온,1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐) 옥심, 등의 아세토페논계 또는 케탈계 광중합 개시제, 벤조인, 벤조인메치르에이텔, 벤조인에치르에이텔, 벤조인이소브치르에이텔, 벤조인이소프로피르에이텔, 등의 벤조인에테르계 광중합 개시제, 벤조페논, 4-하이드록시벤조페논, 2-벤조일 나프탈렌,4-벤조일 비페닐,4-벤조일 페닐 에테르, 아크릴화 벤조페논, 1,4-벤조일 벤젠, 등의 벤조페논계 광중합 개시제,2-이소프로필티옥산톤,2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸 티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2,4-디클로로티옥산톤, 등의 티옥산톤계 광중합 개시제, 기타 광중합 개시제로서는, 에틸 안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐 포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일 페닐 에톡시 포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일) 페닐 포스핀옥사이드, 비스(2,4-디메톡시 벤조일)-2,4,4-트리메틸 펜틸포스핀 옥사이드, 메치르페니르그리오키시에스텔, 9,10-페난트렌, 아크리딘계 화합물, 트리아진계 화합물, 이미다졸계 화합물을 들 수 있다. 또, 광중합 촉진 효과를 가지는 것을 단독 또는 상기 광 중합 개시제와 병용해 이용할 수도 있다. 예를 들면, 트리에탄올아민, 메틸 디에탄올 아민, 4-디메틸아미노 안식향산 에틸, 4-디메틸아미노 안식향산 이소아밀, 안식향산(2-디메틸아미노) 에틸, 4,4'-디메틸아미노벤조페논, 등이 있으나, 이를 한정하지 않는다. Examples of the photopolymerization initiator include diethoxy acetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenyl ethan-1-one, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, 4-(2-hydroxyethoxy) ) Phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1,2-hydroxy-2-methyl-1- Phenyl propan-1-one, 2-methyl-2-morpholino (4-methyl thio phenyl) propan-1-one, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) Acetophenone-based or ketal-based photopolymerization initiators such as oxime; Ether type photoinitiator, benzophenone type photoinitiator, such as benzophenone, 4-hydroxybenzophenone, 2-benzoyl naphthalene, 4-benzoyl biphenyl, 4-benzoyl phenyl ether, acrylated benzophenone, 1, 4- benzoylbenzene, etc. ,2-isopropylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethyl thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, thioxanthone-based photopolymerization Examples of the initiator and other photopolymerization initiators include ethyl anthraquinone, 2,4,6-trimethylbenzoyl diphenyl phosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl phenyl ethoxy phosphine oxide, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl) ) phenyl phosphine oxide, bis (2,4-dimethoxy benzoyl) -2,4,4-trimethyl pentyl phosphine oxide, methyl phenyl glyceryl ester, 9, 10-phenanthrene, acridine-based compound; A triazine-type compound and an imidazole-type compound are mentioned. Moreover, what has a photoinitiator effect can also be used individually or in combination with the said photoinitiator. For example, triethanolamine, methyl diethanol amine, 4-dimethylamino ethyl benzoate, 4-dimethylamino benzoate isoamyl, benzoate (2-dimethylamino) ethyl, 4,4'-dimethylaminobenzophenone, etc., but, It does not limit this.
또한, 본 발명은 상술한 코팅 조성물을 사용하여 발광층을 형성하는 방법을 제공한다. 구체적으로, 양극 상에, 또는 양극 상에 형성된 정공수송층 상에, 상술한 본 발명에 따른 코팅 조성물을 용액 공정으로 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 코팅 조성물을 열처리하는 단계를 포함한다. In addition, the present invention provides a method of forming a light emitting layer using the above-described coating composition. Specifically, on the positive electrode, or on the hole transport layer formed on the positive electrode, coating the coating composition according to the present invention as described above in a solution process; and heat-treating the coated coating composition.
상기 용액 공정은 상술한 본 발명에 따른 코팅 조성물을 사용하는 것으로, 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.The solution process uses the coating composition according to the present invention described above, and refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying method, roll coating, and the like, but is not limited thereto.
상기 열처리 단계에서 열처리 온도는 150 내지 230℃가 바람직하다. 또한, 상기 열처리 시간은 1분 내지 3시간이고, 보다 바람직하게는 10분 내지 1시간이다. 또한, 상기 열처리는 아르곤, 질소 등의 불활성 기체 분위기에서 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 코팅 단계와 상기 열처리 단계 사이에 용매를 증발시키는 단계를 추가로 포함할 수 있다.The heat treatment temperature in the heat treatment step is preferably 150 to 230 ℃. In addition, the heat treatment time is 1 minute to 3 hours, more preferably 10 minutes to 1 hour. In addition, the heat treatment is preferably performed in an inert gas atmosphere such as argon or nitrogen. In addition, the step of evaporating the solvent between the coating step and the heat treatment step may be further included.
(유기 발광 소자)(organic light emitting element)
본 명세서는 또한, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자를 제공한다. The present specification also provides an organic light emitting device formed using the coating composition.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 형성된다. In one embodiment of the present specification, the first electrode; a second electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers is formed using a coating composition including the compound of
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함한다. In one embodiment of the present specification, the first electrode; a second electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes a coating composition including the compound of
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물의 경화물은 상기 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리에 의하여 경화된 상태이다. In one embodiment of the present specification, the cured product of the coating composition is in a cured state by heat treatment or light treatment of the coating composition.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. In addition, the present invention provides an organic light emitting device comprising the compound represented by
일례로, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 본 발명에 따른 화합물의 경화물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자를 제공한다. In one example, the present invention provides a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes a cured product of the compound according to the present invention. provides
본 출원의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자의 대표 적인 예로서, 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자 주입 및 수송층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present application may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, as a representative example of the organic light emitting device of the present invention, the organic light emitting device may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron injection and transport layer, etc. as an organic material layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다. For example, the structure of the organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification is illustrated in FIGS. 1 and 2 .
도 1에는 기판(1) 상에 양극(2), 발광층(3), 및 음극(4)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 1 illustrates a structure of an organic light emitting device in which an
도 2에는 기판(1) 상에 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7),전자 주입 및 수송층(8) 및 음극(4)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 2, an
상기 도 2에서 정공주입층(5), 정공수송층(6), 또는 발광층(7)은 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 형성되거나, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 발광층에 포함될 수 있다.In FIG. 2, the
상기 도 1 및 2은 유기 발광 소자를 예시한 것이며 이에 한정되지 않는다. 1 and 2 illustrate an organic light emitting device, but is not limited thereto.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함한다.In an exemplary embodiment of the present application, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the coating composition or a cured product thereof.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 청색 발광층이다.In the exemplary embodiment of the present application, the light emitting layer is a blue light emitting layer.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층의 최대 발광 파장은 430nm 내지 460nm이다. In the exemplary embodiment of the present application, the maximum emission wavelength of the emission layer is 430 nm to 460 nm.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층의 최대 흡수 파장은 430nm 내지 460nm이다. In the exemplary embodiment of the present application, the maximum absorption wavelength of the light emitting layer is 430 nm to 460 nm.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 호스트 물질을 더 포함하고, In an exemplary embodiment of the present application, the coating composition further comprises a host material,
상기 화합물과 호스트 물질을 1:1 내지 1: 200의 중량비로 포함한다.The compound and the host material are included in a weight ratio of 1:1 to 1:200.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 호스트 물질을 더 포함하고, In an exemplary embodiment of the present application, the coating composition further comprises a host material,
상기 호스트 물질은 하기 화학식 A로 표시된다.The host material is represented by the following formula (A).
[화학식 A][Formula A]
상기 화학식 A에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, In Formula A, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
L20은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고, L20 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
R100은 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R100 is hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
r100은 0 내지 8의 정수이며, 상기 r100이 2 이상인 경우, R100은 서로 같거나 상이하다. r100 is an integer from 0 to 8, and when r100 is 2 or more, R100 is the same as or different from each other.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present application, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently an aryl group unsubstituted or substituted with an aryl group; Or a heteroaryl group unsubstituted or substituted with an aryl group.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present application, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group; or a substituted or
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 안트라센기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다. In an exemplary embodiment of the present application, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted phenyl group; a substituted or unsubstituted biphenyl group; a substituted or unsubstituted naphthyl group; a substituted or unsubstituted anthracene group; A substituted or unsubstituted dibenzofuran group; Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 안트라센기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기이다. In an exemplary embodiment of the present application, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with an aryl group; a biphenyl group unsubstituted or substituted with an aryl group; a naphthyl group unsubstituted or substituted with an aryl group; an anthracene group unsubstituted or substituted with an aryl group; Or a dibenzofuran group unsubstituted or substituted with an aryl group.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 나프틸기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 나프틸기로 치환 또는 비치환된 안트라센기; 또는 디벤조퓨란기이다. In an exemplary embodiment of the present application, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with a naphthyl group; a naphthyl group unsubstituted or substituted with a naphthyl group; an anthracene group unsubstituted or substituted with a naphthyl group; or a dibenzofuran group.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 1-나프틸기; 2-나프틸기; 나프틸기로 치환된 안트라센기; 또는 디벤조퓨란기이다. In an exemplary embodiment of the present application, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a 1-naphthyl group; 2-naphthyl group; an anthracene group substituted with a naphthyl group; or a dibenzofuran group.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 1-나프틸기 또는 2-나프틸기이다. In an exemplary embodiment of the present application, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently represents a 1-naphthyl group or a 2-naphthyl group.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 L20은 직접결합; 페닐렌기; 또는 2가의 나프틸기이다.In an exemplary embodiment of the present application, L20 is a direct bond; phenylene group; or a divalent naphthyl group.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 L20은 직접결합이다. In an exemplary embodiment of the present application, L20 is a direct bond.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 R100은 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present application, R100 is hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 R100은 수소; 알킬기; 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present application, R100 is hydrogen; an alkyl group; or an aryl group unsubstituted or substituted with an alkyl group.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 R100은 수소; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present application, R100 is hydrogen; an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which is unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 R100은 수소; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 페닐기이다. In an exemplary embodiment of the present application, R100 is hydrogen; an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; or a phenyl group having 6 to 20 carbon atoms which is unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A의 화합물은 하기 구조식에서 선택될 수 있다. In an exemplary embodiment of the present application, the compound of Formula A may be selected from the following structural formula.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함한다.In an exemplary embodiment of the present application, the organic material layer includes a hole injection layer or a hole transport layer.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층을 포함한다.In the exemplary embodiment of the present application, the organic material layer includes a hole injection layer, a hole transport layer, or a hole injection and transport layer.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함한다. In an exemplary embodiment of the present application, the organic material layer includes a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole injection layer or the hole transport layer includes the coating composition or a cured product thereof.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층 또는 정공 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 정공주입층, 정공수송층 또는 정공 주입 및 수송층은 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함한다. In an exemplary embodiment of the present application, the organic material layer includes a hole injection layer, a hole transport layer or a hole injection and transport layer, and the hole injection layer, the hole transport layer or the hole injection and transport layer includes the coating composition or a cured product thereof .
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함한다.In an exemplary embodiment of the present application, the organic material layer includes an electron transport layer or an electron injection layer.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층, 전자수송층 또는 전자 주입 및 수송층을 포함한다.In an exemplary embodiment of the present application, the organic material layer includes an electron injection layer, an electron transport layer, or an electron injection and transport layer.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함한다. 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층, 전자수송층 또는 전자 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 전자주입층, 전자수송층 또는 전자 주입 및 수송층은 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함한다. In an exemplary embodiment of the present application, the organic material layer includes an electron transport layer or an electron injection layer, and the electron transport layer or the electron injection layer includes the coating composition or a cured product thereof. In an exemplary embodiment of the present application, the organic material layer includes an electron injection layer, an electron transport layer, or an electron injection and transport layer, and the electron injection layer, the electron transport layer or the electron injection and transport layer includes the coating composition or a cured product thereof. .
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 형성되는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. The organic light emitting device of the present specification may be manufactured using materials and methods known in the art, except that at least one layer of the organic material layer is formed using a coating composition including the compound.
본 명세서의 유기 발광 소자는 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 및 전자 주입 및 수송층을 포함한다. The organic light emitting device of the present specification includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron injection and transport layer.
본 명세서의 유기 발광 소자는 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 및 전자 주입 및 수송층을 포함하고, The organic light emitting device of the present specification includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron injection and transport layer,
상기 정공주입층, 정공수송층, 및 발광층은 용액공정을 통하여 형성된다.The hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer are formed through a solution process.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.Also, the organic light emitting device according to the present invention may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate. Also, the organic light emitting device according to the present invention may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 본 발명에 따른 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조할 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be manufactured using materials and methods known in the art, except for using the compound according to the present invention.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 유기물층 및 음극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. For example, the organic light emitting device according to the present invention may be manufactured by sequentially stacking an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate. At this time, by using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on a substrate to form an anode And, after forming an organic layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon, it can be prepared by depositing a material that can be used as a cathode thereon.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material from a cathode material on a substrate (WO 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.
일례로, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이거나, 또는 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.In one example, the first electrode is an anode, the second electrode is a cathode, or the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 화합물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the anode material, a material having a large work function is generally preferred so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the anode material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO 2 :Sb; conductive compounds such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the anode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; and a multi-layered material such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but is not limited thereto.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 화합물 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer for injecting holes from the electrode, and as a hole injection material, it has the ability to transport holes, so it has a hole injection effect at the anode, an excellent hole injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, and is produced in the light emitting layer A compound which prevents the movement of excitons to the electron injection layer or the electron injection material and is excellent in the ability to form a thin film is preferable. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based organic material. of organic substances, anthraquinones, polyaniline and polythiophene-based conductive compounds, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 정공주입층은 이온성 화합물을 포함한다. In an exemplary embodiment of the present specification, the hole injection layer includes an ionic compound.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 정공주입층은 이온성 화합물을 포함하는 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함한다. In an exemplary embodiment of the present specification, the hole injection layer includes a coating composition including an ionic compound or a cured product thereof.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 정공주입층은 이온성 화합물을 포함하는 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하고, 상기 이온성 화합물은 p 도핑 물질로 포함된다. In an exemplary embodiment of the present specification, the hole injection layer includes a coating composition including an ionic compound or a cured product thereof, and the ionic compound is included as a p doping material.
본 명세서에서 상기 p 도핑 물질이란, 호스트 물질을 p 반도체 특성을 갖도록 하는 물질을 의미한다. p 반도체 특성이란 HOMO(highest occupied molecular orbital)에너지 준위로 정공을 주입받거나 수송하는 특성 즉, 정공의 전도도가 큰 물질의 특성을 의미한다.In the present specification, the p-doped material refers to a material that allows the host material to have p-semiconductor properties. The p-semiconductor property refers to the property of receiving or transporting holes at the highest occupied molecular orbital (HOMO) energy level, that is, the property of a material having high hole conductivity.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 정공주입층은 아릴아민 화합물을 포함하는 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the hole injection layer includes a coating composition including an arylamine compound or a cured product thereof.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 정공주입층은 아릴아민 화합물을 포함하는 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하고, 상기 아릴아민 화합물을 정공주입층의 호스트로 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the hole injection layer includes a coating composition including an arylamine compound or a cured product thereof, and includes the arylamine compound as a host of the hole injection layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 정공주입층은 이온성 화합물과 아릴아민 화합물을 1: 1 내지 1: 10의 중량비로 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the hole injection layer includes an ionic compound and an arylamine compound in a weight ratio of 1: 1 to 1: 10.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 아릴아민 화합물은 단분자 또는 고분자이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the arylamine compound is a single molecule or a polymer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 정공주입층의 호스트로서 단분자 또는 고분자인 아릴아민 화합물을 더 포함한다. In an exemplary embodiment of the present specification, the host of the hole injection layer further comprises a monomolecular or polymer arylamine compound.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 아릴아민 화합물은 경화기를 포함한다. In an exemplary embodiment of the present specification, the arylamine compound includes a curing group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 정공 주입 층의 호스트는 HOMO 준위가 4.8eV에서 5.8eV이다. In the exemplary embodiment of the present specification, the host of the hole injection layer has a HOMO level of 4.8 eV to 5.8 eV.
본 명세서의 HOMO 준위는 전기화학적 순환전압전류법(CV)을 이용해서 측정한다. 호스트 물질의 산화가 시작되는 온셋 포텐셜(Eonset)을 측정하고 동일 조건에서 페로센의 전위(E1/2( Fc ))를 측정한다. 페로센의 전위를 진공에너지 준위에 비하여 4.8 eV 라고 정하여 다음의 식으로 계산한다.The HOMO level of the present specification is measured using electrochemical cyclic voltammetry (CV). The onset potential (E onset ) at which the oxidation of the host material starts is measured, and the potential of ferrocene (E 1/2 ( Fc ) ) is measured under the same conditions. Set the potential of ferrocene as 4.8 eV compared to the vacuum energy level and calculate it using the following formula.
HOMO (eV) = 4.8 + (Eonset - E1/2(Fc))HOMO (eV) = 4.8 + (E onset - E 1/2 (Fc) )
상기 아릴아민기의 화합물은 가교를 형성하여 박막화된 구조가 포함된 유기물층을 제공할 수 있다. 이 경우, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층의 표면 위에 증착된 용매에 의하여 용해되거나, 형태학적으로 영향을 받거나 분해되는 것을 방지할 수 있다. The compound of the arylamine group may form a cross-link to provide an organic material layer including a thinned structure. In this case, it is possible to prevent dissolution, morphological influence, or decomposition by the solvent deposited on the surface of the organic material layer formed using the coating composition.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 화합물, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports them to the light emitting layer. The hole transport material is a material that can transport holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer and transfer them to the light emitting layer. material is suitable. Specific examples include, but are not limited to, an arylamine-based organic material, a conductive compound, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together.
상기 정공수송층과 발광층 사이에 전자차단층이 구비될 수 있다. 상기 전자차단층은 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.An electron blocking layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer. For the electron blocking layer, a material known in the art may be used.
상기 발광층은 적색, 녹색 또는 청색을 발광할 수 있으며, 인광 물질 또는 형광 물질로 이루어질 수 있다. 상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting layer may emit red, green, or blue light, and may be made of a phosphorescent material or a fluorescent material. The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible ray region by receiving and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); carbazole-based compounds; dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compounds; compounds of the benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymers; spiro compounds; polyfluorene, rubrene, and the like, but is not limited thereto.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The emission layer may include a host material and a dopant material. The host material includes a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound containing compound. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, and the like, and heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder types. Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the dopant material include an aromatic amine derivative, a strylamine compound, a boron complex, a fluoranthene compound, and a metal complex. Specifically, the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamino group, and includes pyrene, anthracene, chrysene, periflanthene, and the like, having an arylamino group. As the styrylamine compound, a substituted or unsubstituted As a compound in which at least one arylvinyl group is substituted in the arylamine, one or two or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamino group are substituted or unsubstituted. Specifically, there are styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like, but is not limited thereto. In addition, examples of the metal complex include, but are not limited to, an iridium complex and a platinum complex.
상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports them to the light emitting layer. do. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; complexes containing Alq 3 ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto. The electron transport layer may be used with any desired cathode material as used in accordance with the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are conventional materials having a low work function and followed by a layer of aluminum or silver. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, followed in each case by an aluminum layer or a silver layer.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer is a layer that injects electrons from the electrode, has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from the cathode, an excellent electron injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, and hole injection of excitons generated in the light emitting layer. A compound which prevents movement to a layer and is excellent in the ability to form a thin film is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc., derivatives thereof, metals complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-crezolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium, etc. However, the present invention is not limited thereto.
상기 정공차단층은 정공의 음극 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The hole blocking layer is a layer that blocks the holes from reaching the cathode, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complex, and the like, but is not limited thereto.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a back emission type, or a double side emission type depending on the material used.
또한, 본 발명에 따른 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.In addition, the compound according to the present invention may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to the organic light emitting device.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.The compound represented by
[[ 실시예Example ]]
제조예production example
1: 화합물 1의 제조 1: Preparation of
단계 1-1: 중간체 화합물 1-c의 합성Step 1-1: Synthesis of intermediate compound 1-c
화합물 1-a (5.0 g, 1.0 eq.) 및 화합물 1-b (3.3 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 무수 테트라하이드로퓨란(THF)(0.3 M)에 용해시켰다. 물에 용해된 K2CO3(3.3 eq.)를 주입하였다. Bath 온도 80 °C 하에서 Pd(PPh3)4(9 mol%)를 적가하고 밤새 교반하였다. 반응 후, CH2Cl2/H2O로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, Column Chromatography 정제하여 화합물 1-c (8.0 g, 95% 수율)를 제조하였다.Compound 1-a (5.0 g, 1.0 eq.) and compound 1-b (3.3 eq.) were placed in a round bottom flask and dissolved in anhydrous tetrahydrofuran (THF) (0.3 M). K 2 CO 3 (3.3 eq.) dissolved in water was injected. Pd(PPh 3 ) 4 (9 mol%) was added dropwise under a bath temperature of 80 °C and stirred overnight. After the reaction, the organic layer was separated by washing with CH 2 Cl 2 /H 2 O. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to prepare compound 1-c (8.0 g, 95% yield).
m/z [M+H]+ C24H22N3 + 352.2m/z [M+H] + C 24 H 22 N 3 + 352.2
단계 1-2: 중간체 화합물 1-e의 합성Step 1-2: Synthesis of intermediate compound 1-e
화합물 1-c (6.0 g, 1.0 eq.), 화합물 1-d (3.3 eq.) 및 NaOt-Bu(6.0 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 PhMe(0.3 M)에 용해시켰다. Bath 온도 110 °C 하에서 Pd(P(t-Bu)3)2(9 mol%)를 적가하고 밤새 교반하였다. 반응 후, CH2Cl2/H2O로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, Column Chromatography 정제하여 화합물 1-e (9.5 g, 74% 수율)을 제조하였다.Compound 1-c (6.0 g, 1.0 eq.), compound 1-d (3.3 eq.) and NaO t -Bu (6.0 eq.) were placed in a round bottom flask and dissolved in PhMe (0.3 M). Pd(P( t -Bu) 3 ) 2 (9 mol%) was added dropwise under a bath temperature of 110 °C and stirred overnight. After the reaction, the organic layer was separated by washing with CH 2 Cl 2 /H 2 O. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to prepare compound 1-e (9.5 g, 74% yield).
m/z [M+H]+ C54H58N3 + 748.6m/z [M+H] + C 54 H 58 N 3 + 748.6
단계 1-3: 중간체 화합물 1-f의 합성Step 1-3: Synthesis of intermediate compound 1-f
화합물 1-e(3.0 g, 1.0 eq.), 화합물 10-c (3.3 eq.), NaOt-Bu(6.0 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 PhMe(0.3 M)에 용해시켰다. Bath 온도 110 °C 하에서 Pd(P(t-Bu)3)2 (9 mol%)를 적가하고 밤새 교반하였다. 반응 후, CH2Cl2/H2O로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, Column Chromatography 정제하여 화합물 1-f(5.0 g, 64% 수율)를 제조하였다.Compound 1-e (3.0 g, 1.0 eq.), compound 10-c (3.3 eq.), and NaO t -Bu (6.0 eq.) were placed in a round bottom flask and dissolved in PhMe (0.3 M). Pd(P( t -Bu) 3 ) 2 (9 mol%) was added dropwise under a bath temperature of 110 °C and stirred overnight. After the reaction, the organic layer was separated by washing with CH 2 Cl 2 /H 2 O. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to prepare compound 1-f (5.0 g, 64% yield).
m/z [M+H]+ C135H148Cl3N6 + 1958.1m/z [M+H] + C 135 H 148 Cl 3 N 6 + 1958.1
단계 1-4: Steps 1-4:
최종체final body
화합물 1의 합성 Synthesis of
화합물 1-f (1.0 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 1,2-dichlorobenzene(0.02 M)에 용해시켰다. 상온 하에서 교반 중인 반응물에 BI3(2.0 eq.)를 천천히 적가하고, 배쓰(Bath) 온도를 80°C로 상온하여 하룻밤 동안 교반하였다. 반응 후, 반응물을 상온에서 충분히 식히고 CH2Cl2로 묽힌다. 반응물에 sat.Na2S2O3(aq.)와 EtNi-Pr2(15 eq.)를 차례로 적가하여 반응을 종결시키고, CH2Cl2/H2O로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, Column Chromatography 정제하여 화합물 1을 제조하였다.Compound 1-f (1.0 eq.) was placed in a round bottom flask and dissolved in 1,2-dichlorobenzene (0.02 M). BI 3 (2.0 eq.) was slowly added dropwise to the reaction mass stirred at room temperature, and the bath temperature was raised to 80 °C and stirred overnight. After the reaction, the reactant is sufficiently cooled at room temperature and diluted with CH 2 Cl 2 . To the reactant, sat.Na 2 S 2 O 3 (aq.) and EtN i -Pr 2 (15 eq.) were sequentially added dropwise to terminate the reaction, and washed with CH 2 Cl 2 /H 2 O to separate the organic layer. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to prepare
m/z [M+H]+ C135H142B3N6 + 1880.2m/z [M+H] + C 135 H 142 B 3 N 6 + 1880.2
제조예production example
2: 화합물 2의 제조 2: Preparation of
단계 2-1: 중간체 화합물 2-b의 합성Step 2-1: Synthesis of intermediate compound 2-b
화합물 1-b 대신 화합물 2-a를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1-c와 동일하게 화합물 2-b를 제조하였다. Compound 2-b was prepared in the same manner as in Compound 1-c, except that Compound 2-a was used instead of Compound 1-b.
m/z [M+H]+ C24H22N3 + 352.2m/z [M+H] + C 24 H 22 N 3 + 352.2
단계 2-2: 중간체 화합물 2-c의 합성Step 2-2: Synthesis of intermediate compound 2-c
화합물 1-c 대신 화합물 2-b를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1-e와 동일하게 화합물 2-c를 제조하였다. Compound 2-c was prepared in the same manner as in Compound 1-e, except that Compound 2-b was used instead of Compound 1-c.
m/z [M+H]+ C54H58N3 + 748.6m/z [M+H] + C 54 H 58 N 3 + 748.6
단계 2-3: 중간체 화합물 2-d의 합성Step 2-3: Synthesis of intermediate compound 2-d
화합물 1-e 대신 화합물 2-c를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1-f와 동일하게 화합물 2-d를 제조하였다. Compound 2-d was prepared in the same manner as in Compound 1-f, except that Compound 2-c was used instead of Compound 1-e.
m/z [M+H]+ C135H148Cl3N6 + 1958.1m/z [M+H] + C 135 H 148 Cl 3 N 6 + 1958.1
단계 2-4: Step 2-4:
최종체final body
화합물 2의 합성 Synthesis of
화합물 1-f 대신 화합물 2-d를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1와 동일하게 화합물 2를 제조하였다.
m/z [M+H]+ C135H142B3N6 + 1880.2m/z [M+H] + C 135 H 142 B 3 N 6 + 1880.2
제조예production example
3: 화합물 3의 제조 3: Preparation of
단계 3-1: 중간체 화합물 3-b의 합성Step 3-1: Synthesis of intermediate compound 3-b
화합물 1-b 대신 화합물 11-a를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1-c와 동일하게 화합물 3-b를 제조하였다. Compound 3-b was prepared in the same manner as in Compound 1-c, except that Compound 11-a was used instead of Compound 1-b.
m/z [M+H]+ C24H22N3 + 352.2m/z [M+H] + C 24 H 22 N 3 + 352.2
단계 3-2: 중간체 화합물 3-b의 합성Step 3-2: Synthesis of intermediate compound 3-b
화합물 1-c 대신 화합물 3-b를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1-e와 동일하게 화합물 3-c를 제조하였다. Compound 3-c was prepared in the same manner as in Compound 1-e, except that Compound 3-b was used instead of Compound 1-c.
m/z [M+H]+ C54H58N3 + 748.6m/z [M+H] + C 54 H 58 N 3 + 748.6
단계 3-3: 중간체 화합물 3-d의 합성Step 3-3: Synthesis of intermediate compound 3-d
화합물 1-e 대신 화합물 3-c를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1-f와 동일하게 화합물 3-d를 제조하였다. Compound 3-d was prepared in the same manner as in Compound 1-f, except that Compound 3-c was used instead of Compound 1-e.
m/z [M+H]+ C135H148Cl3N6 + 1958.1m/z [M+H] + C 135 H 148 Cl 3 N 6 + 1958.1
단계 3-4: Step 3-4:
최종체final body
화합물 3의 합성 Synthesis of
화합물 1-f 대신 화합물 3-d를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1와 동일하게 화합물 3를 제조하였다.
m/z [M+H]+ C135H142B3N6 + 1880.2m/z [M+H] + C 135 H 142 B 3 N 6 + 1880.2
제조예production example
4: 화합물 4의 제조 4: Preparation of
단계 4-1: 중간체 화합물 4-b의 합성Step 4-1: Synthesis of intermediate compound 4-b
화합물 1-a 대신 화합물 4-a를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1-c와 동일하게 화합물 4-b를 제조하였다. Compound 4-b was prepared in the same manner as in Compound 1-c, except that Compound 4-a was used instead of Compound 1-a.
m/z [M+H]+ C21H19N6 + 355.2m/z [M+H] + C 21 H 19 N 6 + 355.2
단계 4-2: 중간체 화합물 4-c의 합성Step 4-2: Synthesis of intermediate compound 4-c
화합물 1-c 대신 화합물 4-b를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1-e와 동일하게 화합물 4-c를 제조하였다. Compound 4-c was prepared in the same manner as in Compound 1-e, except that Compound 4-b was used instead of Compound 1-c.
m/z [M+H]+ C51H55N6 + 751.5m/z [M+H] + C 51 H 55 N 6 + 751.5
단계 4-3: 중간체 화합물 4-d의 합성Step 4-3: Synthesis of intermediate compound 4-d
화합물 1-e 대신 화합물 4-c를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1-f와 동일하게 화합물 4-d를 제조하였다. Compound 4-d was prepared in the same manner as in Compound 1-f, except that Compound 4-c was used instead of Compound 1-e.
m/z [M+H]+ C132H145Cl3N9 + 1961.1m/z [M+H] + C 132 H 145 Cl 3 N 9 + 1961.1
단계 4-4: Step 4-4:
최종체final body
화합물 4의 합성 Synthesis of
화합물 1-f 대신 화합물 4-d를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1와 동일하게 화합물 4를 제조하였다.
m/z [M+H]+ C132H139B3N9 + 1883.2m/z [M+H] + C 132 H 139 B 3 N 9 + 1883.2
제조예production example
5 : 화합물 5의 제조 5: Preparation of
단계 5-1 : 화합물 5-c의 합성Step 5-1: Synthesis of compound 5-c
화합물 5-a (3.0g, 1.0eq.), 화합물 5-b (1.03eq.) 및 K2CO3 (2.0eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 메틸피롤리돈(NMP) (0.3M)에 용해한다. 질소 분위기 하에서 CuI (5 mol%), 아이언(III)아세틸아세토네이트 (Fe(acac)3) (10 mol%)를 가하고, 150 °C 까지 승온하고 4시간 동안 교반하였다. 반응 후, 반응액을 실온까지 냉각시키고 EtOAc/sat.NH4Cl(aq.)로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, Column Chromatography 정제하여 화합물 5-c (5.1 g)를 얻었다.Compound 5-a (3.0 g, 1.0eq.), compound 5-b (1.03eq.) and K 2 CO 3 (2.0eq.) were placed in a round bottom flask and methylpyrrolidone (NMP) (0.3M) dissolve CuI (5 mol%) and iron (III)acetylacetonate (Fe(acac) 3 ) (10 mol%) were added under a nitrogen atmosphere, and the temperature was raised to 150 °C and stirred for 4 hours. After the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature and washed with EtOAc/sat.NH 4 Cl (aq.) to separate the organic layer. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to obtain compound 5-c (5.1 g).
m/z [M+H]+ C16H19O2 + 243.2m/z [M+H] + C 16 H 19 O 2 + 243.2
단계 5-2: 중간체 화합물 5-d의 합성Step 5-2: Synthesis of intermediate compound 5-d
화합물 1-e (1.0 eq.), 화합물 5-c (3.3 eq.), NaOt-Bu (6.0 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 무수 톨루엔에 용해하였다. 이후, 10 분 동안 질소 가스를 충전해주며 상온에서 교반하고, 오일 용기 온도를 상온에서 110°C로 올려주었다. 이후 내부 온도가 60°C가 되면 Pd((t-Bu)3P)2 (9 mol%)를 적가한 뒤, 하룻밤 동안 교반하였다. 반응 후, CH2Cl2/H2O로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, Column Chromatography 정제하여 화합물 5-d (5.2 g)를 얻었다.Compound 1-e (1.0 eq.), compound 5-c (3.3 eq.), and NaO t -Bu (6.0 eq.) were placed in a round bottom flask and dissolved in anhydrous toluene. Thereafter, nitrogen gas was charged for 10 minutes and stirred at room temperature, and the oil container temperature was raised from room temperature to 110 °C. Then, when the internal temperature reached 60 °C, Pd(( t -Bu) 3 P) 2 (9 mol%) was added dropwise, followed by stirring overnight. After the reaction, the organic layer was separated by washing with CH 2 Cl 2 /H 2 O. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to obtain compound 5-d (5.2 g).
m/z [M+H]+ C102H106N3O3 + 1420.8m/z [M+H] + C 102 H 106 N 3 O 3 + 1420.8
단계 5-3 : 최종 화합물 5의 합성Step 5-3: Synthesis of
화합물 5-d (1.0 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 무수 1,2-dichlorobenzene(0.02 M)에 용해시켰다. 상온 하에서 교반 중인 반응물에 BI3(2.0 eq.)를 천천히 적가하고, Bath 온도를 130°C로 상온하여 하룻밤 동안 교반하였다. 반응 후, 반응물을 상온에서 충분히 식히고 CH2Cl2로 묽힌다. 반응물에 sat.Na2S2O3(aq.)와 EtNi-Pr2(15 eq.)를 차례로 적가하여 반응을 종결시키고, CH2Cl2/H2O로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, Column Chromatography 정제하여 최종체 화합물 5을 제조하였다. Compound 5-d (1.0 eq.) was placed in a round bottom flask and dissolved in
m/z [M+H]+ C102H97B3N3O3 + 1444.8m/z [M+H] + C 102 H 97 B 3 N 3 O 3 + 1444.8
[[ 비교제조예Comparative Preparation Example ]]
비교제조예Comparative Preparation Example 1: 비교 화합물 E의 제조 1: Preparation of comparative compound E
단계 E-1: 중간체 화합물 E-b의 합성Step E-1: Synthesis of intermediate compound E-b
화합물 1-a (3.0 g, 1.0 eq.), 화합물 E-a (1.03 eq.) 및 K2CO3 (2.0 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 NMP (0.3 M)에 용해시켰다. 질소 분위기 하에서 CuI (5 mol%), Fe(acac)3 (10 mol%)를 가하고, 150 °C까지 승온하고 4시간 동안 교반하였다. 반응 후, 반응액을 실온까지 냉각시키고 EtOAc/sat.NH4Cl(aq.)로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, Column Chromatography 정제하여 화합물 E-b (28.0 g, 87% 수율)를 제조하였다.Compound 1-a (3.0 g, 1.0 eq.), Compound Ea (1.03 eq.) and K 2 CO 3 (2.0 eq.) were placed in a round bottom flask and dissolved in NMP (0.3 M). CuI (5 mol%) and Fe(acac) 3 (10 mol%) were added under a nitrogen atmosphere, the temperature was raised to 150 °C, and the mixture was stirred for 4 hours. After the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature and washed with EtOAc/sat.NH 4 Cl (aq.) to separate the organic layer. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to prepare compound Eb (28.0 g, 87% yield).
m/z [M+H]+ C17H19Cl2O+ 309.1m/z [M+H] + C 17 H 19 Cl 2 O + 309.1
단계 E-2: 중간체 화합물 E-d의 합성Step E-2: Synthesis of intermediate compound E-d
화합물 1-b 대신 화합물 E-c를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1-c와 동일하게 화합물 E-d를 제조하였다. Compound E-d was prepared in the same manner as in Compound 1-c, except that Compound E-c was used instead of Compound 1-b.
m/z [M+H]+ C24H19O3 + 355.2m/z [M+H] + C 24 H 19 O 3 + 355.2
단계 E-3: 중간체 화합물 E-e의 합성Step E-3: Synthesis of intermediate compound E-e
화합물 E-d (3.0 g, 1.0 eq.), 화합물 E-b (3.6 eq.) 및 K2CO3 (6.0 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 NMP (0.3 M)에 용해시켰다. 질소 분위기 하에서 CuI (15 mol%), Fe(acac)3 (30 mol%)를 가하고, 150 °C까지 승온하고 밤새 교반하였다. 반응 후, 반응액을 실온까지 냉각시키고 EtOAc/sat.NH4Cl(aq.)로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, Column Chromatography 정제하여 화합물 E-e (9.8 g, 59% 수율)를 제조하였다.Compound Ed (3.0 g, 1.0 eq.), Compound Eb (3.6 eq.) and K 2 CO 3 (6.0 eq.) were placed in a round bottom flask and dissolved in NMP (0.3 M). CuI (15 mol%), Fe(acac) 3 under nitrogen atmosphere (30 mol%) was added, the temperature was raised to 150 °C, and the mixture was stirred overnight. After the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature and washed with EtOAc/sat.NH 4 Cl (aq.) to separate the organic layer. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to prepare compound Ee (9.8 g, 59% yield).
m/z [M+H]+ C75H70Cl3O6 + 1171.4m/z [M+H] + C 75 H 70 Cl 3 O 6 + 1171.4
단계 E-4: Step E-4: 최종체final body 화합물 E의 합성 Synthesis of compound E
화합물 1-f 대신 화합물 E-e를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1와 동일하게 화합물 E를 제조하였다. Compound E was prepared in the same manner as in
m/z [M+H]+ C75H64B3O6 + 1093.7m/z [M+H] + C 75 H 64 B 3 O 6 + 1093.7
실시예Example 1: 유기 발광 소자의 제조 1: Manufacture of organic light emitting device
ITO(indium tin oxide)가 500 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30 분간 세척한 후, 증류수로 2 회 반복하여 초음파 세척을 10 분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필, 아세톤의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, 상기 기판을 5 분 간 세정한 후 글로브박스로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 500 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent, and distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water. After washing ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed with a solvent of isopropyl and acetone and dried. After washing the substrate for 5 minutes, the substrate was transported to a glove box.
상기 ITO 투명 전극 위에, 상기 화합물 O 및 화합물 P(2:8의 중량비)를 20 wt/v%로 사이클로헥사논에 녹인 코팅 조성물을 스핀 코팅(4000 rpm)하고 200 ℃에서 30 분 동안 열처리(경화)하여 400 Å 두께로 정공주입층을 형성하였다. On the ITO transparent electrode, spin coating (4000 rpm) a coating composition in which the compound O and compound P (weight ratio of 2:8) were dissolved in cyclohexanone at 20 wt/v%, and heat treatment (curing) at 200 °C for 30 minutes ) to form a hole injection layer to a thickness of 400 Å.
상기 정공주입층 위에 상기 화합물 Q(Mn: 27,900; Mw: 35,600; Agilent 1200 series를 이용하여 PC 스텐다드(Standard)를 이용한 GPC로 측정)를 6 wt/v%로 톨루엔에 녹인 코팅 조성물을 스핀 코팅(4000 rpm)하고 200 ℃에서 30 분 동안 열처리하여 200 Å 두께의 정공수송층을 형성하였다. A coating composition in which the compound Q (Mn: 27,900; Mw: 35,600; GPC using PC Standard using Agilent 1200 series) was dissolved in toluene at 6 wt/v% on the hole injection layer was spin-coated ( 4000 rpm) and heat treatment at 200 °C for 30 minutes to form a hole transport layer having a thickness of 200 Å.
상기 정공수송층 위에 앞서 제조한 화합물 1과 상기 화합물 R(2:98의 중량비)을 2 wt/v%로 사이클로헥사논에 녹인 코팅 조성물을 스핀 코팅(4000 rpm)하고 180 ℃에서 30 분 동안 열처리하여 400 Å두께로 발광층을 형성하였다On the hole transport layer, a coating composition prepared by dissolving
진공 증착기로 이송한 후, 상기 발광층 위에 상기 화합물 S를 350 Å 두께로 진공 증착하여 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 10 Å 두께로 LiF와 1000 Å 두께로 알루미늄을 증착하여 캐소드를 형성하였다. After transferring to a vacuum evaporator, the compound S was vacuum deposited to a thickness of 350 Å on the light emitting layer to form an electron injection and transport layer. A cathode was formed by sequentially depositing LiF to a thickness of 10 Å and aluminum to a thickness of 1000 Å on the electron injection and transport layer.
상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.4 내지 0.7 Å/sec를 유지하였고, LiF는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec 의 증착 속도를 유지하였으며, 증착 시 진공도는 2 Х 10-7 내지 5 Х 10-8 torr를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.7 Å/sec, the deposition rate of 0.3 Å/sec for LiF and 2 Å/sec for aluminum was maintained, and the vacuum degree during deposition was 2 Х 10 -7 to 5 Х 10 -8 torr was maintained.
실시예Example 2 내지 5 2 to 5
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물 (하기 화합물)을 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compound shown in Table 1 (the following compound) was used instead of
비교예comparative example 1 내지 5 1 to 5
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물(하기 화합물)을 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compound shown in Table 1 (the compound below) was used instead of
실험예Experimental example 1: 유기 발광 소자 특성 평가 1: Evaluation of characteristics of organic light emitting devices
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 10 mA/cm2의 전류 밀도에서의 구동 전압, 외부 양자 효율(external quantum efficiency, EQE) 및 수명을 측정한 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 이때, 외부양자효율(EQE)은 "(방출된 광자 수)/(주입된 전하운반체 수)*100"으로 구하였고, T90는 휘도가 초기 휘도(500 nit)에서 90 %로 감소하는데 소요되는 시간을 의미한다.When a current was applied to the organic light emitting diodes prepared in Examples and Comparative Examples, the driving voltage at a current density of 10 mA/cm 2 , external quantum efficiency (EQE), and lifespan were measured. Table 1 shows. At this time, the external quantum efficiency (EQE) was calculated as “(the number of emitted photons) / (the number of injected charge carriers) * 100”, and T90 is the time it takes for the luminance to decrease from the initial luminance (500 nit) to 90%. means
(발광층 도펀트)compound
(Emissive layer dopant)
(V
@10mA/cm2) drive voltage
(V
@10mA/cm 2 )
(%
@10mA/cm2)EQE
(%
@10mA/cm 2 )
(T90
@500 nit)Lifetime (hr)
(T90
@500 nits)
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 본 발명의 화합물을 발광층의 도펀트로 사용한 유기 발광 소자는, 비교예 화합물을 발광층의 도펀트로 사용한 유기 발광 소자에 비하여, 수명 측면에서 매우 우수한 특성을 나타냄을 알 수 있다.As shown in Table 1, it can be seen that the organic light emitting device using the compound of the present invention as a dopant for the light emitting layer exhibits very excellent characteristics in terms of lifespan compared to the organic light emitting device using the compound of Comparative Example as a dopant for the light emitting layer. .
구체적으로 일반적인 도펀트를 사용한 비교예 1은 본원 실시예 1 내지 5와 비교하여 유기 발광 소자의 수명이 향상되는 것을 확인하였다. Specifically, in Comparative Example 1 using a general dopant, it was confirmed that the lifespan of the organic light emitting diode was improved as compared to Examples 1 to 5 of the present application.
또한, 비교예 2의 화합물은 보론 원자 위치에 질소원자가 치환되었다는 점에서 차이가 있다. 비교예 3의 화합물은 본 발명의 보론 헤테로고리와 구조가 상이하다. 또한, 비교예 4는 본 발명의 보론 헤테로고리를 1개만 포함하는 모노머라는 점에서 차이가 있다. 또한, 비교예 5의 화합물은 Y가 모두 CH이고, X1 및 X2가 모두 O라는 점에서 차이가 있다. 따라서, 이러한 차이에 의하여 본 발명의 화학식 1의 화합물을 유기 발광 소자에 적용하는 경우 장수명의 효과가 있다는 것을 확인했다.In addition, the compound of Comparative Example 2 is different in that a nitrogen atom is substituted at the boron atom position. The compound of Comparative Example 3 has a structure different from that of the boron heterocyclic ring of the present invention. In addition, Comparative Example 4 is different in that it is a monomer including only one boron heterocycle of the present invention. In addition, the compound of Comparative Example 5 is different in that Y is all CH, and X 1 and X 2 are both O. Therefore, it was confirmed that when the compound of
1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 발광층
8: 전자 주입 및 수송층1: Substrate
2: Anode
3: light emitting layer
4: cathode
5: hole injection layer
6: hole transport layer
7: light emitting layer
8: electron injection and transport layer
Claims (16)
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로, N(R3), O, 또는 S이고,
Y는 각각 독립적으로, CH, 또는 N이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬기이고,
R3은 수소; 중수소; 또는 알킬기, 알콕시기, 실릴기, 아민기, 아릴기 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴기이며,
n1은 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이고,
n2는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,
상기 Y가 모두 CH인 경우, X1 및 X2 중 적어도 하나는 N(R3) 또는 S이다. A compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
In Formula 1,
X 1 and X 2 are each independently N(R 3 ), O, or S,
each Y is independently CH, or N;
R 1 and R 2 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Or a C 1-60 alkyl group substituted or unsubstituted with deuterium;
R 3 is hydrogen; heavy hydrogen; Or an alkyl group, an alkoxy group, a silyl group, an amine group, an aryl group and a C 6-60 aryl group unsubstituted or substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a heteroaryl group,
n1 is each independently an integer of 1 to 3,
n2 is each independently an integer of 1 to 4,
When Y is all CH, at least one of X 1 and X 2 is N(R 3 ) or S.
X1은 서로 동일하고, X2는 서로 동일한 화합물. The method according to claim 1,
X 1 is the same as each other and X 2 is the same as each other.
상기 페닐기는 비치환되거나 또는 C1-10 알킬기, C1-10 알콕시기, 트리(C1-10 알킬)실릴기, 9-페닐-카바졸릴기, 또는 카바졸-9-일기로 치환된 화합물. The method according to claim 1, R 3 are each independently hydrogen, or a phenyl group,
The phenyl group is unsubstituted or substituted with a C 1-10 alkyl group, a C 1-10 alkoxy group, a tri(C 1-10 alkyl)silyl group, a 9-phenyl-carbazolyl group, or a carbazol-9-yl group. .
상기 페닐기는 비치환되거나; 또는 메틸기, tert-부틸기, 메톡시기, 트리메틸실릴기, 트리(이소프로필)실릴기, 9-페닐-카바졸릴기, 또는 카바졸-9-일기로 치환된 화합물. The method according to claim 1, R 3 are each independently hydrogen, or a phenyl group,
The phenyl group is unsubstituted; or a compound substituted with a methyl group, a tert-butyl group, a methoxy group, a trimethylsilyl group, a tri(isopropyl)silyl group, a 9-phenyl-carbazolyl group, or a carbazol-9-yl group.
The method according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is any one selected from the following structural formula:
상기 코팅 조성물은 유기 발광 소자용인 코팅 조성물.11. The method of claim 10,
The coating composition is a coating composition for an organic light emitting device.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 10에 따른 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and
An organic light emitting device comprising one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode,
At least one of the organic material layers is an organic light-emitting device comprising the coating composition according to claim 10 or a cured product thereof.
상기 화합물과 호스트 물질을 1:1 내지 1: 200의 중량비로 포함하는 것인 유기 발광 소자.14. The method of claim 13, wherein the coating composition further comprises a host material,
An organic light emitting device comprising the compound and the host material in a weight ratio of 1:1 to 1:200.
상기 호스트 물질은 하기 화학식 A로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
[화학식 A]
상기 화학식 A에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
L20은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,
R100은 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
r100은 0 내지 8의 정수이며, 상기 r100이 2 이상인 경우, R100은 서로 같거나 상이하다.14. The method of claim 13, wherein the coating composition further comprises a host material,
The host material is an organic light emitting device represented by the following formula (A):
[Formula A]
In Formula A, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
L20 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
R100 is hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
r100 is an integer of 0 to 8, and when r100 is 2 or more, R100 is the same as or different from each other.
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