KR102387281B1 - Wafer type sensor unit and substrate treating apparatus including the same, and method of mabufacturing the wafer type sensor unit - Google Patents

Wafer type sensor unit and substrate treating apparatus including the same, and method of mabufacturing the wafer type sensor unit Download PDF

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Abstract

웨이퍼형 센서 유닛이 개시된다. 상기 웨이퍼형 센서는, 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향되도록 위치되는 제2 기판; 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이 공간에 배치되는 센서;를 포함하고, 상기 사이 공간에서 상기 센서가 배치된 부분 외의 공간은 충진재로 충진될 수 있다. 상기 충진재는 강도가 200kg/cm2 이상인 접합 수지일 수 있다. 또는 상기 충진재는 열전달이 가능한 물질일 수 있다. A wafer type sensor unit is disclosed. The wafer-type sensor includes: a first substrate; a second substrate positioned to face the first substrate; and a sensor disposed in a space between the first substrate and the second substrate, wherein a space other than a portion in which the sensor is disposed in the interspace may be filled with a filler. The filler may be a bonding resin having a strength of 200 kg/cm 2 or more. Alternatively, the filler may be a material capable of heat transfer.

Description

웨이퍼형 센서 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 웨이퍼형 센서 유닛의 제조 방법{WAFER TYPE SENSOR UNIT AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MABUFACTURING THE WAFER TYPE SENSOR UNIT}A wafer-type sensor unit, a substrate processing apparatus including the same, and a manufacturing method of the wafer-type sensor unit

본 발명은 웨이퍼형 센서 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 웨이퍼형 센서 유닛의 제조 방법에 관한 발명이다.The present invention relates to a wafer-type sensor unit, a substrate processing apparatus including the same, and a method for manufacturing the wafer-type sensor unit.

반도체 제조 시에는 일반적으로 광학, 증착과 성장, 식각 공정 등 다수의 공정을 거친다. 반도체 제조 공정에는 각 공정에서 공정 조건과 장비의 작동 상태를 주의 깊게 모니터링해야 한다. 예를 들면, 챔버나 웨이퍼의 온도, 가스 주입 상태, 압력 상태 또는 플라스마 밀도나 노출 거리 등을 제어하면서 최적의 반도체 수율을 위해 정밀한 모니터링이 필수적이다.In general, semiconductor manufacturing goes through a number of processes such as optics, deposition and growth, and etching processes. The semiconductor manufacturing process requires careful monitoring of process conditions and operating conditions of equipment in each process. For example, precise monitoring is essential for optimal semiconductor yield while controlling the chamber or wafer temperature, gas injection state, pressure state, plasma density, or exposure distance.

이를 모니터링하기 위해 웨이퍼 형태를 가지는 센서(웨이퍼형 센서)가 개발되었다. 웨이퍼형 센서란 웨이퍼의 형상을 가진 센서를 의미한다. 웨이퍼형 센서는 웨이퍼의 형상을 가지는 회로 기판 상에 다양한 센서를 장착하고, 각각의 센서를 이용하여 반도체 제조 공정에서의 공정조건(온도나 압력이나 기체나 플라즈마 등)을 챔버 내에서 직접 센싱할 수 있다.To monitor this, a sensor having a wafer shape (wafer type sensor) has been developed. The wafer-type sensor refers to a sensor having the shape of a wafer. The wafer-type sensor mounts various sensors on a circuit board having the shape of a wafer, and by using each sensor, the process conditions (temperature, pressure, gas, plasma, etc.) in the semiconductor manufacturing process can be directly sensed in the chamber. there is.

웨이퍼 형태의 센서는, 일반적으로 2장의 기판 사이에 센서 및 신호처리 회로를 포함한다. 웨이퍼 형태의 센서의 일반적인 구조는 상부 기판 측으로 빈 공간을 만들어 센서 및 IC 소자와 같은 돌출부가 상부 기판의 빈 공간 측으로 포함되거나, 하부 기판에 빈 공간을 만들어 회로 기판 전체가 하부 웨이퍼의 빈 공간 안으로 포함될 수 있다. 또는 웨이퍼형 센서는 상부 기판 및 하부 기판 전체에 빈 공간을 형성하여 제작될 수도 있다. A wafer type sensor generally includes a sensor and a signal processing circuit between two substrates. The general structure of the wafer-type sensor is to create an empty space toward the upper substrate so that protrusions such as sensors and IC devices are included in the empty space of the upper substrate, or to create an empty space in the lower substrate to include the entire circuit board into the empty space of the lower wafer. can Alternatively, the wafer-type sensor may be manufactured by forming empty spaces in the entire upper substrate and the lower substrate.

그러나 이러한 웨이퍼형 센서에서는 센서가 배치된 후에도 빈 공간이 남아있는 문제가 있어, 고압이 인가되는 챔버에서는 빈 공간에서의 압력으로 인한 파괴의 위험성이 잔존하는 문제점이 있었다. However, in such a wafer-type sensor, there is a problem in that an empty space remains even after the sensor is disposed, and there is a problem in that the risk of destruction due to the pressure in the empty space remains in the chamber to which a high pressure is applied.

본 발명에서는 고압에서 파괴되지 아니하고 견딜 수 있는 웨이퍼형 센서 유닛을 제공하고자 한다. An object of the present invention is to provide a wafer-type sensor unit that can withstand high pressure without being destroyed.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and the accompanying drawings. .

웨이퍼형 센서 유닛이 개시된다. 상기 웨이퍼형 센서 유닛은, 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향되도록 위치되는 제2 기판; 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이 공간에 배치되는 센서;를 포함하고, 상기 사이 공간에서 상기 센서가 배치된 부분 외의 공간은 충진재로 충진될 수 있다. A wafer type sensor unit is disclosed. The wafer type sensor unit may include: a first substrate; a second substrate positioned to face the first substrate; and a sensor disposed in a space between the first substrate and the second substrate, wherein a space other than a portion in which the sensor is disposed in the interspace may be filled with a filler.

상기 충진재는 강도가 200kg/cm2 이상인 접합 수지일 수 있다. The filler may be a bonding resin having a strength of 200 kg/cm 2 or more.

상기 충진재는 열전달이 가능한 물질일 수 있다. The filler may be a material capable of heat transfer.

상기 충진재는 강도가 200kg/cm2 이상인 접합 수지와 열전달이 가능한 물질을 혼합한 물질일 수 있다. The filler may be a mixture of a bonding resin having a strength of 200 kg/cm 2 or more and a material capable of transferring heat.

상기 사이 공간에서 상기 센서가 배치된 부분 외의 공간은, 상기 센서의 높이에 대응하는 높이를 가지는 보강재가 배치되고, 상기 보강재가 배치된 부분을 제외한 빈 공간에 상기 충진재가 충진될 수 있다.A reinforcing material having a height corresponding to the height of the sensor may be disposed in a space other than the portion in which the sensor is disposed in the interspace, and the filling material may be filled in an empty space excluding the portion in which the reinforcing material is disposed.

상기 보강재는 PEEK, PTFE, Al2O3, SiC 중 어느 하나일 수 있다. The reinforcing material may be any one of PEEK, PTFE, Al2O3, and SiC.

상기 사이 공간에는 상기 센서가 장착되는 회로 기판이 더 제공될 수 있다.A circuit board on which the sensor is mounted may be further provided in the interspace.

본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 기판 처리 장치가 개시된다. According to another embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus is disclosed.

상기 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와; 상기 처리 공간 내에 위치하여 웨이퍼형 센서 유닛을 지지하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간으로 초임계 유체를 공급하는 유체 공급 유닛;을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 상기 웨이퍼형 센서 유닛이 놓이는 지지체를 포함하고, 상기 웨이퍼형 센서 유닛은 상기 처리 공간 내에서의 상부 및 하부에서의 온도를 센싱할 수 있다. The substrate processing apparatus may include: a chamber having a processing space therein; a support unit positioned in the processing space to support a wafer-type sensor unit; a fluid supply unit supplying a supercritical fluid to the processing space; wherein the support unit includes a support on which the wafer-type sensor unit is placed, and the wafer-type sensor unit includes upper and lower portions in the processing space. temperature can be sensed.

본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 웨이퍼형 센서 유닛을 제조하는 방법이 개시된다. According to another embodiment of the present invention, a method of manufacturing a wafer type sensor unit is disclosed.

본 발명에 따른 웨이퍼형 센서 유닛을 제조하는 방법은, 제1 기판을 배치하는 단계; 상기 제1 기판 상에 회로 기판을 접합하는 단계; 상기 회로 기판 상에 센서들을 배치하는 단계; 상기 센서들이 배치되고, 상기 배치된 센서들 중 높이가 가장 높은 센서에 대응하는 높이만큼 충진재를 충진하는 단계;를 포함할 수 있다. A method of manufacturing a wafer-type sensor unit according to the present invention comprises the steps of: disposing a first substrate; bonding a circuit board to the first board; placing sensors on the circuit board; The sensors are disposed, and the step of filling the filling material to a height corresponding to the sensor having the highest height among the disposed sensors; may include.

상기 웨이퍼형 센서 유닛 제조 방법은, 제2 기판을 배치하는 단계;를 포함할 수 있다. The method of manufacturing the wafer type sensor unit may include disposing a second substrate.

상기 센서들이 배치되고, 상기 센서들 중 높이가 가장 높은 센서에 대응하는 높이만큼 충진재를 충진하는 단계;는, 상기 센서들 중 높이가 가장 높은 센서에 대응하는 높이만큼 보강재를 배치하고, 나머지 빈 공간 상에 충진재를 충진할 수 있다. The sensors are arranged, and filling the filler material to a height corresponding to the sensor having the highest height among the sensors; arranging the reinforcement material to a height corresponding to the sensor having the highest height among the sensors, and the remaining empty space A filler may be filled on the top.

본 발명에 따르면 고압에서 파괴되지 아니하고 견딜 수 있는 웨이퍼형 센서 유닛을 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a wafer type sensor unit that can withstand high pressure without being destroyed.

본 발명에 따른 웨이퍼형 센서 유닛을 이용하면 챔버 내부의 다양한 방향에서의 열을 효과적으로 센싱할 수 있다. When the wafer type sensor unit according to the present invention is used, heat in various directions inside the chamber can be effectively sensed.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 기존의 웨이퍼형 센서의 일 예시를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명에서의 일 실시예에 따른 고압 챔버의 일 예시를 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼형 센서의 일 예시를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼형 센서의 다른 일 예시를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼형 센서에서의 추가적인 일 예시를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 고압 챔버에서 처리 챔버 내의 온도를 측정하는 것을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼형 센서의 제조 방법을 나타내는 순서도이다. 1 is a diagram illustrating an example of a conventional wafer-type sensor.
2 is a view showing an example of a high-pressure chamber according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating an example of a wafer-type sensor according to the present invention.
4 is a view showing another example of a wafer-type sensor according to the present invention.
5 is a view showing an additional example in the wafer-type sensor according to the present invention.
6 is a diagram illustrating measuring a temperature in a processing chamber in a high-pressure chamber according to an embodiment of the present invention.
7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a wafer-type sensor according to the present invention.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only this embodiment serves to complete the disclosure of the present invention, and to obtain common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.Even if not defined, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by common technology in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by general dictionaries may be construed as having the same meaning as in the related description and/or in the text of the present application, and shall not be interpreted conceptually or excessively formally, even if not expressly defined herein. won't

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, 'comprise' and/or the various conjugations of this verb, eg, 'comprising', 'comprising', 'comprising', 'comprising', etc., refer to the stated composition, ingredient, component, A step, operation and/or element does not exclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, operations and/or elements. As used herein, the term 'and/or' refers to each of the listed components or various combinations thereof.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, a second component may also be referred to as a first component.

도 1은 기존의 웨이퍼형 센서 유닛(10)의 일 예시를 나타내는 도면이다. 1 is a diagram illustrating an example of a conventional wafer-type sensor unit 10 .

도 1에 따르면, 웨이퍼형 센서 유닛(10)은 상부 기판과 하부 기판, 그리고 그 사이에 배치되는 센서(300)를 포함할 수 있다. 도 1에 따른 웨이퍼형 센서 유닛(10)은 특정한 반도체 공정환경(약액, 가스)에서 사용하기 적합한 구조로 되어 있으나, 내부 공간(wafer cavity)의 존재로 고압에서 사용시 힘이 집중되어 캐비티 영역의 파괴가 발생하고 더 이상 센서로 사용할 수 없게 되는 문제점이 있다. Referring to FIG. 1 , a wafer-type sensor unit 10 may include an upper substrate, a lower substrate, and a sensor 300 disposed therebetween. The wafer-type sensor unit 10 according to FIG. 1 has a structure suitable for use in a specific semiconductor process environment (chemical solution, gas), but due to the presence of an internal space (wafer cavity), the force is concentrated when used at high pressure, thereby destroying the cavity region. , and there is a problem that it can no longer be used as a sensor.

일 예시에 따르면, 도 1에 따른 웨이퍼형 센서 유닛(10)에는 초고압이 인가되는 경우 상부 기판과 하부 기판 사이의 공간에 센서가 배치되어, 사이 공간에서 센서가 배치되지 아니한 나머지 공간으로 인해, 고압이 인가될 때 웨이퍼형 센서 유닛(10)이 파손될 염려가 있다.According to one example, when ultra-high pressure is applied to the wafer-type sensor unit 10 according to FIG. 1 , the sensor is disposed in the space between the upper substrate and the lower substrate, and due to the remaining space in which the sensor is not disposed in the space, the high pressure When this is applied, there is a fear that the wafer type sensor unit 10 is damaged.

도 2는 본 발명에서의 일 실시예에 따른 고압 챔버의 일 예시를 보여주는 도면이다.2 is a view showing an example of a high-pressure chamber according to an embodiment of the present invention.

보다 상세하게는, 도 2에 도시된 장치는 초임계 장치일 수 있다. 도 2의 일 실시예에 의하면, 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 일 실시예에 따르면, 기판(W) 상의 액은 이소프로필 알코올(IPA)이다. 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 기판 상에 공급하여 기판(W) 상의 IPA를 초임계 유체에 용해시켜 기판(W)으로부터 IPA를 제거한다. More specifically, the device shown in FIG. 2 may be a supercritical device. According to the embodiment of FIG. 2 , the supercritical device 500 removes a liquid on the substrate W using a supercritical fluid. According to one embodiment, the liquid on the substrate W is isopropyl alcohol (IPA). The supercritical device 500 supplies the supercritical fluid on the substrate to dissolve the IPA on the substrate W in the supercritical fluid to remove the IPA from the substrate W.

초임계 장치(500)는 공정챔버(520), 유체 공급유닛(560), 지지 유닛(580) 그리고 배기 라인(550)을 포함한다.The supercritical device 500 includes a process chamber 520 , a fluid supply unit 560 , a support unit 580 , and an exhaust line 550 .

공정챔버(520)는 세정 공정이 수행되는 처리공간(502)을 제공한다. 공정챔버(520)는 상부 하우징(522)과 하부 하우징(524)을 가지며, 상부 하우징(522)과 하부 하우징(524)는 서로 조합되어 상술한 처리공간(502)을 제공한다. 상부 하우징(522)은 하부 하우징(524)의 상부에 제공된다. The process chamber 520 provides a processing space 502 in which a cleaning process is performed. The process chamber 520 has an upper housing 522 and a lower housing 524 , and the upper housing 522 and the lower housing 524 are combined with each other to provide the processing space 502 described above. The upper housing 522 is provided on top of the lower housing 524 .

상부 하우징(522)은 그 위치가 고정되고, 하부 하우징(524)은 실린더와 같은 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다. 하부 하우징(524)이 상부 하우징(522)으로부터 이격되면 처리공간(502)이 개방되고, 이 때 기판(W)이 반입 또는 반출된다. The position of the upper housing 522 is fixed, and the lower housing 524 may be raised and lowered by a driving member 590 such as a cylinder. When the lower housing 524 is spaced apart from the upper housing 522 , the processing space 502 is opened, and the substrate W is loaded or unloaded at this time.

공정 진행시에는 하부 하우징(524)이 상부 하우징(522)에 밀착되어 처리공간(502)이 외부로부터 밀폐된다. 처리공간(502)의 내부는 초임계 유체에 의한 분위기가 형성된다.During the process, the lower housing 524 is in close contact with the upper housing 522 so that the processing space 502 is sealed from the outside. An atmosphere of the supercritical fluid is formed inside the processing space 502 .

지지 유닛(580)은 공정챔버(520)의 처리공간(502) 내에서 기판(W)을 지지한다. 공정챔버(520)의 처리공간(502)으로 반입된 기판(W)은 지지 유닛(580)에 놓인다. 일 예에 의하면, 기판(W)은 패턴면이 상부를 향하도록 지지 유닛(580)에 의해 지지된다. The support unit 580 supports the substrate W in the processing space 502 of the process chamber 520 . The substrate W loaded into the processing space 502 of the process chamber 520 is placed on the support unit 580 . According to an example, the substrate W is supported by the support unit 580 so that the pattern surface faces upward.

유체 공급유닛(560)은 공정챔버(520)의 처리공간(502)으로 기판 처리를 위한 세정 유체를 공급한다. 하부 하우징(524)에는 배기 라인이 결합된다. 공정챔버(520)의 처리공간(502) 내의 초임계 유체는 배기 라인을 통해서 공정챔버(520)의 외부로 배기된다.The fluid supply unit 560 supplies a cleaning fluid for substrate processing to the processing space 502 of the process chamber 520 . An exhaust line is coupled to the lower housing 524 . The supercritical fluid in the processing space 502 of the process chamber 520 is exhausted to the outside of the process chamber 520 through an exhaust line.

처리 챔버(400)는 적층되어 제공된다. 처리 챔버(400)는 액처리 장치(400) 또는 초임계 장치(500)를 감싸는 하우징 일 수 있다. 또는, 기판이 반송 장치(350)를 통해 출입 또는 반송되는 모든 챔버를 감싸도록 제공되는 하우징일 수 있다.The processing chambers 400 are provided stacked. The processing chamber 400 may be a housing enclosing the liquid processing apparatus 400 or the supercritical apparatus 500 . Alternatively, it may be a housing provided to surround all chambers in which the substrate is moved in or out through the transfer device 350 .

초임계 또는 초고압 챔버에서의 압력은 150 내지 200 bar의 압력이 인가될 수 있다. A pressure of 150 to 200 bar may be applied as a pressure in the supercritical or ultrahigh pressure chamber.

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼형 센서 유닛(10)의 일 예시를 나타내는 도면이다. 3 is a view showing an example of the wafer type sensor unit 10 according to the present invention.

도 3에 따르면, 본 발명에 따른 웨이퍼형 센서 유닛(10)은 제1 기판(100)과 제2 기판(200)을 포함할 수 있다. 제1 기판(100)은 상부 기판일 수 있고, 제2 기판(200)은 하부 기판일 수 있다. 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에는 센서(300)가 배치될 수 있다. 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 배치되는 센서(300)는 회로 기판(430) 상에 배치될 수 있다. 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 배치되는 센서(300)는 온도 센서, 압력 센서 등일 수 있다. Referring to FIG. 3 , the wafer type sensor unit 10 according to the present invention may include a first substrate 100 and a second substrate 200 . The first substrate 100 may be an upper substrate, and the second substrate 200 may be a lower substrate. The sensor 300 may be disposed between the first substrate 100 and the second substrate 200 . The sensor 300 disposed between the first substrate 100 and the second substrate 200 may be disposed on the circuit board 430 . The sensor 300 disposed between the first substrate 100 and the second substrate 200 may be a temperature sensor, a pressure sensor, or the like.

회로 기판(430) 상에 배치되는 센서(300)의 크기는 제각각이기 때문에, 회로 기판(430) 상에 센서(300)가 배치되는 경우 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에는 빈 공간이 개시될 수 있다. 회로 기판(430) 상에 배치되는 센서(300)의 크기는 제각각이므로, 제2 기판(200)이 배치되는 높이는 회로 기판(430) 상에 배치되는 센서(300) 중 가장 높은 높이를 가지는 센서의 높이에 대응하는 위치에 배치된다. Since the size of the sensor 300 disposed on the circuit board 430 is different, when the sensor 300 is disposed on the circuit board 430 , there is a gap between the first board 100 and the second board 200 . An empty space may be disclosed. Since the sizes of the sensors 300 disposed on the circuit board 430 are different, the height at which the second board 200 is disposed is that of the sensor having the highest height among the sensors 300 disposed on the circuit board 430 . It is placed at a position corresponding to the height.

본 발명에서는 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에서 발생하는 빈 공간에 충진재(400)를 충진함으로써, 고압에서도 웨이퍼형 센서 유닛(10)이 파괴되지 아니하고 버틸 수 있도록 웨이퍼형 센서 유닛(10)을 설계할 수 있다.In the present invention, by filling the empty space generated between the first substrate 100 and the second substrate 200 with the filler 400 , the wafer-type sensor unit 10 can withstand high pressure without being destroyed. The unit 10 can be designed.

충진재(400)는 일정 강도 이상을 가지는 접합 수지일 수 있다. 충진재(400)는 200kg/cm2 이상의 강도를 가지는 접합 수지일 수 있다. 200kg/cm2 이상의 강도를 가지는 접합 수지는 200bar까지의 압력에서도 버틸 수 있는 강도를 가진다. The filler 400 may be a bonding resin having a certain strength or more. The filler 400 may be a bonding resin having a strength of 200 kg/cm 2 or more. A bonding resin having a strength of 200 kg/cm2 or more has a strength that can withstand a pressure of up to 200 bar.

일 예시에 따르면, 접합 수지는 에폭시일 수 있다. 에폭시의 압축 강도는 200kgf/cm2이기 때문에, 에폭시 만으로 충진재(400)를 구성하더라도 고압 챔버에서 견딜 수 있다. 충진재(400)의 다른 일 예시에 따르면, 폴리이미드를 사용할 수 있다. 충진재(400)의 다른 일 예시에 따르면, 아크릴을 사용할 수도 있다. 상기와 같은 충진재(400)의 일 예시들은, 경화될 경우 압축 강도가 400kgf/cm2 이상으로 매우 높아 내압설계에 적합하다. According to one example, the bonding resin may be an epoxy. Since the compressive strength of epoxy is 200 kgf/cm 2 , even if the filler 400 is composed of only epoxy, it can withstand a high pressure chamber. According to another example of the filler 400, polyimide may be used. According to another example of the filler 400, acrylic may be used. Examples of the filler 400 as described above, when cured, the compressive strength of 400 kgf / cm2 or more is very high, suitable for pressure resistance design.

본 발명의 다른 일 예시에 따르면, 충진재(400)는 열전도성을 가지는 물질일 수 있다. 또는 충진재(400)는 열전달이 좋은 소재 중 어느 하나일 수 있다. According to another example of the present invention, the filler 400 may be a material having thermal conductivity. Alternatively, the filler 400 may be any one of materials having good heat transfer.

일 예시에 따르면, 충진재(400)는 열-전도성 세라믹 접착제일 수 있다. 또는 충진재(400)는 고장력 알루미나 접착제일 수 있다. 또는 충진재(400)는 세라믹 에폭시, 알루미늄 에폭시, 고열전도성 에폭시 중 어느 하나일 수 있다. According to one example, the filler 400 may be a heat-conductive ceramic adhesive. Alternatively, the filler 400 may be a high-tensile alumina adhesive. Alternatively, the filler 400 may be any one of ceramic epoxy, aluminum epoxy, and high thermal conductivity epoxy.

충진재(400)로는 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 간을 연결하는 금속성 서포터일 수 있다. The filler 400 may be a metallic supporter connecting the first substrate 100 and the second substrate 200 .

또는 충진재(400)는 열전도성을 가지는 물질과, 접합 수지를 혼합한 물질일 수도 있다. 일 예시에 따르면, 충진재(400)는 알루미늄과 접합 수지를 혼합한 물질일 수 있다. 충진재(400)는 혼합 세라믹 파우더와 접합 수지를 혼합한 물질일 수 있다. 충진재(400)는 카본 물질과 접합 수지를 혼합한 물질일 수 있다. 혹은 충진재(400)는 탄소나노튜브를 접합수지에 혼합한 물질일 수 있다. Alternatively, the filler 400 may be a material in which a material having thermal conductivity and a bonding resin are mixed. According to one example, the filler 400 may be a material mixed with aluminum and a bonding resin. The filler 400 may be a material obtained by mixing mixed ceramic powder and bonding resin. The filler 400 may be a mixture of a carbon material and a bonding resin. Alternatively, the filler 400 may be a material in which carbon nanotubes are mixed with a bonding resin.

이와 같이 열전도성을 가지는 물질과 접합 수지를 혼합하여 충진재(400)를 구성함으로써, 열전도성을 가지는 물질의 장점과 접합 수지의 장점을 모두 사용할 수 있는 효과가 있다. As described above, by mixing the thermally conductive material and the bonding resin to form the filler 400, there is an effect that both the advantages of the thermally conductive material and the advantages of the bonding resin can be used.

일 예시와 같이, 충진재(400)를 열전도성을 가지는 물질과 일정 강도 이상을 가지는 접합 수지를 혼합한 물질을 이용함으로써, 열전도도가 높은 물질로 상/하부 웨이퍼를 접합할 수 있다. 이를 통해 한쪽 면에서의 온도에서만 민감하게 반응하는 종래의 센서와 비교하여, 반대측면에서 발생하는 열의 변화에 대해서도 더욱 빠르게 전달하여 보다 공정 조건에 가까운 결과를 계측을 할 수 있는 효과가 있다.As an example, by using a material in which a material having thermal conductivity and a bonding resin having a certain strength or more are mixed for the filler 400 , the upper/lower wafers can be bonded with a material having high thermal conductivity. Through this, compared to the conventional sensor that sensitively responds only to the temperature on one side, the change of heat generated from the opposite side is transmitted more quickly, so that the result closer to the process condition can be measured.

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼형 센서 유닛(10)의 다른 일 예시를 나타내는 도면이다. 4 is a view showing another example of the wafer type sensor unit 10 according to the present invention.

도 4에 따르면, 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 공간은 센서의 높이에 대응하는 높이를 가지는 보강재(410)를 배치하고, 나머지 부분에 대해서는 충진재(400)로 충진할 수 있다.According to FIG. 4 , the space between the first substrate 100 and the second substrate 200 is provided with a reinforcing material 410 having a height corresponding to the height of the sensor, and the remaining portion is filled with the filler 400 . can

일 예시에 따른 웨이퍼형 센서 유닛(10)에서는, 센서의 배치 구조에 따라 넓은 캐비티(cavity), 즉 빈 공간이 생길 가능성도 있다. 이러한 일 예시에서는, 모든 빈 공간을 충진재(400)로 충진하는 것 보다는, 강도가 높은 보강재(410)를 이용하여 지지대 설계를 수행하고, 나머지 부분은 충진재(400)로 충진함으로써 더 높은 내압 설계가 가능한 효과가 있다. 보강재(410)의 일 예시로는, PEEK, PTFE와 같은 수지류 소재를 사용할 수 있다. 보강재(410)의 다른 일 예시로는, 알루미나, SiC, Si 등과 같은 세라믹 계열의 소재를 사용할 수 있다. 보강재(410)의 다른 일 예시로는, 고강도 금속을 사용할 수도 있다. In the wafer type sensor unit 10 according to an example, there is a possibility that a wide cavity, that is, an empty space, may be formed depending on the arrangement structure of the sensor. In this example, rather than filling all empty spaces with the filler 400, the support design is performed using the stiffener 410 with high strength, and the remaining portion is filled with the filler 400, so that a higher pressure design is possible. There is a possible effect. As an example of the reinforcing material 410 , a resin material such as PEEK or PTFE may be used. As another example of the reinforcing material 410 , a ceramic-based material such as alumina, SiC, or Si may be used. As another example of the reinforcing material 410 , a high-strength metal may be used.

즉 도 4에서의 일 실시 예에서는, 추가적으로 더 높은 압력이 인가될 수 있는 환경을 대비하여, 보강재(410)를 부가하여 안정성을 강화할 수 있다. That is, in the embodiment shown in FIG. 4 , in preparation for an environment in which a higher pressure may be additionally applied, a reinforcing material 410 may be added to enhance stability.

보강재(410)로 활용될 수 있는 물질은 PEEK, PTFE, Al2O3, SiC 중 어느 하나일 수 있다.A material that can be used as the reinforcing material 410 may be any one of PEEK, PTFE, Al2O3, and SiC.

도 4의 일 실시 예에 따르면, 보강재(410)는 웨이퍼형 센서 유닛(10)의 양단에 배치될 수 있다. According to the embodiment of FIG. 4 , the reinforcing material 410 may be disposed at both ends of the wafer type sensor unit 10 .

도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼형 센서 유닛(10)에서의 추가적인 일 예시를 나타내는 도면이다.5 is a view showing an additional example in the wafer type sensor unit 10 according to the present invention.

도 5에 따르면, 제1 기판(100)에 회로 기판(430)이 배치되고, 회로 기판(430) 상에 센서들이 배치될 수 있다. 도 5의 일 실시예에 따르면 제2 기판(200)은 제공되지 아니하고, 센서가 배치된 사이 공간들을 충진재(400)로 충진할 수 있다. Referring to FIG. 5 , a circuit board 430 may be disposed on the first substrate 100 , and sensors may be disposed on the circuit board 430 . According to the exemplary embodiment of FIG. 5 , the second substrate 200 may not be provided, and spaces between the sensors may be filled with the filler 400 .

이러한 일 실시예에서는, 제2 기판(200)이 제공되어 있지 아니한 구조로써, 제1 기판(100)과 제2 기판(200)이 대응함으로써 발생하는 빈 공간이 형성되어 있지 아니하여 고압에서의 파괴 염려가 없으나, 외부 환경으로부터 센서를 보호하여 고압에서도 사용할 수 있도록 표면에 에폭시 또는 PI 수지 등으로 웨이퍼형 센서 유닛(10)을 코팅 후 경화시켜 사용할 수 있다.In this embodiment, as a structure in which the second substrate 200 is not provided, an empty space generated by the correspondence between the first substrate 100 and the second substrate 200 is not formed, so that destruction at high pressure is not formed. There is no concern, but the wafer-type sensor unit 10 may be coated and cured with epoxy or PI resin on the surface to protect the sensor from the external environment so that it can be used even at high pressure.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 고압 챔버에서 처리 챔버 내의 온도를 측정하는 것을 나타내는 도면이다. 6 is a diagram illustrating measuring a temperature in a processing chamber in a high-pressure chamber according to an embodiment of the present invention.

도 6에서의 일 예시와 같이, 고압 챔버에서 척 상에 웨이퍼형 센서 유닛(10)을 인가할 수 있다. As an example in FIG. 6 , the wafer-type sensor unit 10 may be applied on a chuck in a high-pressure chamber.

본 발명에서의 일 실시 예에 따른 웨이퍼형 센서 유닛(10)에서, 충진재(400)가 열 전달이 가능한 물질이거나, 열 전달이 가능한 물질을 포함하는 경우에는, 웨이퍼형 센서 유닛(10)의 상부 및 하부에서 인가되는 열을 골고루 센싱할 수 있어 기존에 비해 정확하게 열을 센싱할 수 있는 효과가 존재한다. 이러한 효과는 챔버 전체에 열이 가해지게 되어 온도를 측정하는 공정 처리 과정에서 사용할 수 있다. In the wafer-type sensor unit 10 according to an embodiment of the present invention, when the filler 400 is a material capable of heat transfer or includes a material capable of transferring heat, the upper portion of the wafer-type sensor unit 10 is And since heat applied from the lower portion can be evenly sensed, there is an effect of accurately sensing heat compared to the prior art. This effect can be used in the process of measuring the temperature as heat is applied to the entire chamber.

즉 챔버 내부에 전체적으로 열이 가해지는 경우 본 발명에 따른 웨이퍼형 센서 유닛(10)을 사용할 수 있다. 기존의 웨이퍼형 센서 유닛(10)에서는 하부에서 인가되는 열을 센싱하는 역할만 수행하였다면, 본 발명에서는 챔버 전체에서의 열을 상부 및 하부에서 골고루 센싱할 수 있는 바, 더욱 더 정확한 열을 센싱할 수 있는 효과가 있다. 이는 도 6의 일 예시에서 나타날 수 있다. 화살표는 열의 흐름을 나타낸다. That is, when heat is applied to the entire interior of the chamber, the wafer-type sensor unit 10 according to the present invention can be used. If the conventional wafer-type sensor unit 10 performed only a role of sensing the heat applied from the lower part, in the present invention, the heat in the entire chamber can be sensed evenly from the upper and lower parts, so that more accurate heat can be sensed. can have an effect. This may be shown in an example of FIG. 6 . Arrows indicate the flow of heat.

도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼형 센서 유닛(10)의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.7 is a flowchart illustrating a manufacturing method of the wafer type sensor unit 10 according to the present invention.

본 발명에 따른 웨이퍼형 센서 유닛(10)의 제조 방법은 먼저 제1 기판(100)을 배치할 수 있다. 제1 기판(100)이 배치되면, 상기 제1 기판(100) 상에 회로 기판(430)을 접합할 수 있다. 회로 기판(430) 상에는 센서들(300)이 배치될 수 있다. 센서들(300)이 배치되면, 회로 기판(430) 상에 배치된 센서들 중 높이가 가장 높은 센서에 대응하는 높이만큼 충진재(400)를 충진할 수 있다. 충진재(400)가 사이 공간에 충진되면, 충진된 면의 상부에 제2 기판(200)을 배치함으로써 웨이퍼형 센서 유닛(10)을 완성할 수 있다. In the method of manufacturing the wafer type sensor unit 10 according to the present invention, the first substrate 100 may be disposed first. When the first substrate 100 is disposed, the circuit board 430 may be bonded to the first substrate 100 . The sensors 300 may be disposed on the circuit board 430 . When the sensors 300 are disposed, the filler 400 may be filled to a height corresponding to the sensor having the highest height among the sensors disposed on the circuit board 430 . When the filler 400 is filled in the space between them, the wafer-type sensor unit 10 may be completed by disposing the second substrate 200 on the filled surface.

센서들이 배치되고, 상기 센서들 중 높이가 가장 높은 센서에 대응하는 높이만큼 충진재(400)를 충진할 때는, 센서들 중 높이가 가장 높은 센서에 대응하는 높이만큼 보강재(410)를 배치하고, 나머지 빈 공간 상에 충진재(400)를 충진할 수 있다. When the sensors are disposed and the filler 400 is filled to a height corresponding to the sensor having the highest height among the sensors, the reinforcement member 410 is disposed as much as the height corresponding to the sensor having the highest height among the sensors, and the rest The filler 400 may be filled on the empty space.

본 발명은 전술한 바와 같이 초임계 챔버에서 사용할 수 있다. 전술한 일 예시에 따른 본 발명의 도면에서는 고압 챔버에 대해서만 일 예시로 들었으나, 또는 포토 공정에서 온도를 계측하는 공정에서 사용할 수도 있다. 즉 본 발명에서는 고온 및 고압 챔버에서의 사용이 가능한 효과가 존재한다. The present invention can be used in a supercritical chamber as described above. In the drawings of the present invention according to the above-described example, only the high-pressure chamber is mentioned as an example, or it may be used in a process of measuring a temperature in a photo process. That is, in the present invention, there is an effect that can be used in a high-temperature and high-pressure chamber.

본 발명에서는 반도체 공정에서 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 센서가 배치되고 남은 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 내부 공간을 제거하여 고압에서도 파괴되지 않도록 하는 데 일 특징이 있다. 상기 내부 공간을 제거함에 있어 일정 강도 이상을 가지는 접합 수지나 보강재(410)를 사용할 수 있으며 이 두 가지를 혼합하여 동시에 사용하는 형태가 될 수도 있다. In the present invention, as well as being usable in a semiconductor process, there is a feature in that the internal space between the first substrate 100 and the second substrate 200 remaining after the sensor is disposed is removed so that it is not destroyed even at high pressure. In removing the inner space, a bonding resin or reinforcing material 410 having a certain strength or more may be used, and the two may be mixed and used at the same time.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명에서 제공되는 도면은 본 발명의 최적의 실시예를 도시한 것에 불과하다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.The above embodiments are presented to help the understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention, and it should be understood that various modified embodiments therefrom also fall within the scope of the present invention. The drawings provided in the present invention merely show an optimal embodiment of the present invention. The technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the claims, and the technical protection scope of the present invention is not limited to the literal description of the claims itself, but is substantially equivalent to the technical value. It should be understood that it extends to the invention of

10 : 웨이퍼형 센서 유닛
100 : 제1 기판
200 : 제2 기판
300 : 센서
400 : 충진재
410 : 보강재
430 : 회로 기판
500 : 초임계 장치 10: wafer type sensor unit
100: first substrate
200: second substrate
300: sensor
400: filler
410: reinforcement
430: circuit board
500: supercritical device

Claims (20)

웨이퍼형 센서 유닛에 있어서,
제1 기판;
상기 제1 기판과 대향되도록 위치되는 제2 기판; 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이 공간에 배치되는 센서;를 포함하고,
상기 사이 공간에서 상기 센서가 배치된 부분 외의 공간은 충진재로 충진되는 웨이퍼형 센서 유닛.
In the wafer type sensor unit,
a first substrate;
a second substrate positioned to face the first substrate; and
a sensor disposed in a space between the first substrate and the second substrate; and
A wafer-type sensor unit in which a space other than the portion in which the sensor is disposed in the interspace is filled with a filler.
 제1항에 있어서,
상기 충진재는 압축강도가 200kg/cm2 이상인 접합 수지인 웨이퍼형 센서 유닛.
According to claim 1,
The filler is a wafer-type sensor unit that is a bonding resin having a compressive strength of 200 kg/cm2 or more.
 제1항에 있어서,
상기 충진재는 열전달이 가능한 물질인 웨이퍼형 센서 유닛.
According to claim 1,
The filler is a wafer-type sensor unit that is a material capable of heat transfer.
 제1항에 있어서,
상기 충진재는 압축강도가 200kg/cm2 이상인 접합 수지와 열전달이 가능한 물질을 혼합한 웨이퍼형 센서 유닛.
According to claim 1,
The filler is a wafer-type sensor unit in which a bonding resin having a compressive strength of 200 kg/cm2 or more and a material capable of heat transfer are mixed.
 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 사이 공간에서 상기 센서가 배치된 부분 외의 공간은,
상기 센서의 높이에 대응하는 높이를 가지는 보강재가 배치되고,
상기 보강재가 배치된 부분을 제외한 빈 공간에 상기 충진재가 충진되는 웨이퍼형 센서 유닛.
5. The method according to any one of claims 2 to 4,
In the interspace, the space other than the portion where the sensor is disposed,
A reinforcing material having a height corresponding to the height of the sensor is disposed,
A wafer-type sensor unit in which the filler is filled in an empty space except for a portion where the reinforcement is disposed.
 제5항에 있어서,
상기 보강재는 PEEK, PTFE, Al2O3, SiC 중 어느 하나인 웨이퍼형 센서 유닛.
6. The method of claim 5,
The reinforcing material is any one of PEEK, PTFE, Al2O3, and SiC.
 제5항에 있어서,
상기 사이 공간에는 상기 센서가 장착되는 회로 기판이 더 제공되는 웨이퍼형 센서 유닛.
6. The method of claim 5,
A wafer-type sensor unit in which a circuit board on which the sensor is mounted is further provided in the interspace.
 웨이퍼형 센서 유닛에 있어서,
제1 기판;
상기 제1 기판 위에 배치되는 센서;를 포함하고,
상기 배치된 센서들 중 높이가 가장 높은 센서에 대응하는 높이만큼 충진된 압축강도가 200kg/cm2 이상인 충진재를 포함하는 웨이퍼형 센서 유닛.
In the wafer type sensor unit,
a first substrate;
a sensor disposed on the first substrate; and
A wafer-type sensor unit including a filler having a compressive strength of 200 kg/cm 2 or more, filled to a height corresponding to the sensor having the highest height among the sensors.
 기판을 처리하는 장치에 있어서, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간 내에 위치하여 웨이퍼형 센서 유닛을 지지하는 지지 유닛과;
상기 처리 공간으로 초임계 유체를 공급하는 유체 공급 유닛;을 포함하고,
상기 지지 유닛은,
상기 웨이퍼형 센서 유닛이 놓이는 지지체를 포함하고,
상기 웨이퍼형 센서 유닛은 상기 처리 공간 내에서의 상부 및 하부에서의 온도를 센싱하고,
상기 웨이퍼형 센서 유닛은,
제1 기판;
상기 제1 기판과 대향되도록 위치되는 제2 기판; 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이 공간에 배치되는 센서;를 포함하고,
상기 사이 공간에서 상기 센서가 배치된 부분 외의 공간은 충진재로 충진되는 기판 처리 장치.
An apparatus for processing a substrate, comprising: a chamber having a processing space therein;
a support unit positioned in the processing space to support a wafer-type sensor unit;
Including; a fluid supply unit for supplying the supercritical fluid to the processing space;
The support unit is
and a support on which the wafer-type sensor unit is placed,
The wafer-type sensor unit senses a temperature at an upper portion and a lower portion in the processing space,
The wafer type sensor unit,
a first substrate;
a second substrate positioned to face the first substrate; and
a sensor disposed in a space between the first substrate and the second substrate; and
A space other than the portion in which the sensor is disposed in the interspace is filled with a filler.
 제9항에 있어서,
상기 충진재는 압축강도가 200kg/cm2 이상인 접합 수지인 기판 처리 장치.
10. The method of claim 9,
The filler is a substrate processing apparatus of a bonding resin having a compressive strength of 200 kg/cm2 or more.
 제9항에 있어서,
상기 충진재는 열전달이 가능한 물질인 기판 처리 장치.
10. The method of claim 9,
The filler is a material capable of heat transfer substrate processing apparatus.
 제9항에 있어서,
상기 충진재는 압축강도가 200kg/cm2 이상인 접합 수지와 열전달이 가능한 물질을 혼합한 기판 처리 장치.
10. The method of claim 9,
The filler is a substrate processing apparatus in which a bonding resin having a compressive strength of 200 kg/cm 2 or more and a material capable of heat transfer are mixed.
 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 사이 공간에서 상기 센서가 배치된 부분 외의 공간은
상기 센서의 높이에 대응하는 높이를 가지는 보강재가 배치되고,
상기 보강재가 배치된 부분을 제외한 빈 공간에 상기 충진재가 충진되는 기판 처리 장치.
13. The method according to any one of claims 10 to 12,
In the interspace, the space other than the portion where the sensor is disposed is
A reinforcing material having a height corresponding to the height of the sensor is disposed,
A substrate processing apparatus in which the filler is filled in an empty space except for a portion where the reinforcing material is disposed.
 제13항에 있어서,
상기 보강재는 PEEK, PTFE, Al2O3, SiC 중 어느 하나인 기판 처리 장치.
14. The method of claim 13,
The reinforcing material is any one of PEEK, PTFE, Al2O3, and SiC.
 제13항에 있어서,
상기 사이 공간에는 상기 센서가 장착되는 회로 기판이 더 제공되는 기판 처리 장치.
14. The method of claim 13,
A circuit board on which the sensor is mounted is further provided in the space between the substrate processing apparatus.
 웨이퍼형 센서 유닛을 제조하는 방법에 있어서,
제1 기판을 배치하는 단계;
상기 제1 기판 상에 회로 기판을 접합하는 단계;
상기 회로 기판 상에 센서들을 배치하는 단계;
상기 센서들이 배치되고, 상기 배치된 센서들 중 높이가 가장 높은 센서에 대응하는 높이만큼, 압축강도가 200kg/cm2 이상인 충진재를 충진하는 단계;를 포함하는 웨이퍼형 센서 유닛의 제조 방법.
A method for manufacturing a wafer type sensor unit, comprising:
disposing a first substrate;
bonding a circuit board to the first board;
placing sensors on the circuit board;
A method of manufacturing a wafer-type sensor unit comprising a; the sensors are arranged, and filling a filling material having a compressive strength of 200 kg/cm 2 or more as much as a height corresponding to the sensor having the highest height among the sensors.
 웨이퍼형 센서 유닛을 제조하는 방법에 있어서,
제1 기판을 배치하는 단계;
상기 제1 기판 상에 회로 기판을 접합하는 단계;
상기 회로 기판 상에 센서들을 배치하는 단계;
상기 센서들이 배치되고, 상기 배치된 센서들 중 높이가 가장 높은 센서에 대응하는 높이만큼 충진재를 충진하는 단계; 및
제2 기판을 배치하는 단계;를 포함하는 웨이퍼형 센서 유닛의 제조 방법.
A method for manufacturing a wafer type sensor unit, comprising:
disposing a first substrate;
bonding a circuit board to the first board;
placing sensors on the circuit board;
The sensors are arranged, and filling the filling material to a height corresponding to the sensor having the highest height among the arranged sensors; and
A method of manufacturing a wafer-type sensor unit comprising a; disposing a second substrate.
 제17항에 있어서,
상기 충진재는 압축강도가 200kg/cm2 이상인 접합 수지인 웨이퍼형 센서 유닛의 제조 방법.
18. The method of claim 17,
The method of manufacturing a wafer-type sensor unit wherein the filler is a bonding resin having a compressive strength of 200 kg/cm2 or more.
 제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 충진재는 열전달이 가능한 물질인 웨이퍼형 센서 유닛의 제조 방법.
18. The method of claim 16 or 17,
The method of manufacturing a wafer-type sensor unit, wherein the filler is a material capable of heat transfer.
 제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 센서들이 배치되고, 상기 센서들 중 높이가 가장 높은 센서에 대응하는 높이만큼 충진재를 충진하는 단계;는,
상기 센서들 중 높이가 가장 높은 센서에 대응하는 높이만큼 보강재를 배치하고, 나머지 빈 공간 상에 충진재를 충진하는 웨이퍼형 센서 유닛의 제조 방법.

18. The method of claim 16 or 17,
The sensors are arranged, and filling the filling material to a height corresponding to the sensor having the highest height among the sensors;
A method of manufacturing a wafer-type sensor unit by arranging a reinforcing material as much as a height corresponding to a sensor having the highest height among the sensors, and filling the remaining empty space with the reinforcing material.
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