KR102379743B1 - Organic light emitting device - Google Patents

Organic light emitting device Download PDF

Info

Publication number
KR102379743B1
KR102379743B1 KR1020210048026A KR20210048026A KR102379743B1 KR 102379743 B1 KR102379743 B1 KR 102379743B1 KR 1020210048026 A KR1020210048026 A KR 1020210048026A KR 20210048026 A KR20210048026 A KR 20210048026A KR 102379743 B1 KR102379743 B1 KR 102379743B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
fluorenyl
light emitting
salt
layer
Prior art date
Application number
KR1020210048026A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210046614A (en
Inventor
신동우
나오유키 이토
김슬옹
김윤선
이정섭
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020140053616A external-priority patent/KR102244071B1/en
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020210048026A priority Critical patent/KR102379743B1/en
Publication of KR20210046614A publication Critical patent/KR20210046614A/en
Priority to KR1020220035540A priority patent/KR102578856B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102379743B1 publication Critical patent/KR102379743B1/en
Priority to KR1020230119270A priority patent/KR20230133255A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H01L51/0072
    • H01L27/3244
    • H01L51/0003
    • H01L51/0052
    • H01L51/006
    • H01L51/0062
    • H01L51/0067
    • H01L51/0073
    • H01L51/0074
    • H01L51/0085
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/341Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene

Abstract

애노드; 캐소드; 및 상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에 개재된 유기층을 구비한 유기 발광 소자로서, 상기 유기층은 혼합 유기층을 포함하며,
상기 혼합 유기층은 2 종 이상의 화합물을 포함하며; 상기 2 종 이상의 화합물 중 적어도 1 종의 화합물의 3 중항 에너지가 2.2 eV 이상인 소자가 개시된다.
anode; cathode; and an organic layer interposed between the anode and the cathode, wherein the organic layer includes a mixed organic layer,
the mixed organic layer contains two or more compounds; A device in which the triplet energy of at least one of the two or more compounds is 2.2 eV or more is disclosed.

Description

유기 발광 소자{Organic light emitting device}Organic light emitting device

유기 발광 소자에 관한 것이다. It relates to an organic light emitting device.

유기 발광 소자(organic light emitting device)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.An organic light emitting device is a self-luminous device, and has a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, excellent luminance, driving voltage and response speed characteristics, and multicolorization.

상기 유기 발광 소자는 기판 상부에 제1전극이 배치되어 있고, 상기 제1전극 상부에 정공 수송 영역(hole transport region), 발광층, 전자 수송 영역(electron transport region) 및 제2전극이 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 상기 제1전극으로부터 주입된 정공은 정공 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동하고, 제2전극으로부터 주입된 전자는 전자 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.In the organic light emitting device, a first electrode is disposed on a substrate, and a hole transport region, a light emitting layer, an electron transport region, and a second electrode are sequentially formed on the first electrode. can have a structure with Holes injected from the first electrode move to the emission layer via the hole transport region, and electrons injected from the second electrode move to the emission layer via the electron transport region. Carriers such as holes and electrons recombine in the emission layer region to generate excitons. Light is generated as this exciton changes from an excited state to a ground state.

신규 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.It is to provide a novel organic light emitting device.

일 측면에 따르면, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에 개재된 유기층을 구비한 유기 발광 소자로서, According to one aspect, the anode; cathode; and an organic layer interposed between the anode and the cathode.

상기 유기층이 i) 상기 애노드 상기 발광층 사이에 개재되며, 정공 주입층, 정공 수송층, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공 수송 영역 및 ii) 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 개재되며, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함한 전자 수송 영역을 포함하며;The organic layer is i) interposed between the anode and the light emitting layer, and a hole transport region including at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, a buffer layer and an electron blocking layer, and ii) is interposed between the light emitting layer and the cathode, a hole blocking layer , an electron transport region comprising at least one of an electron transport layer and an electron injection layer;

상기 발광층 및 상기 전자 수송 영역 사이에 혼합 유기층이 개재되며;a mixed organic layer is interposed between the light emitting layer and the electron transport region;

상기 혼합 유기층은 2 종 이상의 화합물을 포함하며;the mixed organic layer contains two or more compounds;

상기 2 종 이상의 화합물 중 적어도 1 종의 화합물의 3 중항 에너지가 2.2 eV 이상인 유기 발광 소자가 제공된다.There is provided an organic light-emitting device in which triplet energy of at least one compound among the two or more compounds is 2.2 eV or more.

본 발명의 일 구현예에 따른 발광 소자는 저구동 전압, 고효율, 고휘도 및 장수명을 가질 수 있다.The light emitting device according to the exemplary embodiment of the present invention may have a low driving voltage, high efficiency, high luminance, and a long lifespan.

도 1은 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a structure of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment.

본 발명의 일 측면에 유기 발광 소자는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에 개재된 유기층을 구비한 유기 발광 소자로서, In one aspect of the present invention, an organic light emitting device includes an anode; cathode; and an organic layer interposed between the anode and the cathode.

상기 유기층이 i) 상기 애노드 상기 발광층 사이에 개재되며, 정공 주입층, 정공 수송층, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공 수송 영역 및 ii) 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 개재되며, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함한 전자 수송 영역을 포함하며;The organic layer is i) interposed between the anode and the light emitting layer, and a hole transport region including at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, a buffer layer and an electron blocking layer, and ii) is interposed between the light emitting layer and the cathode, a hole blocking layer , an electron transport region comprising at least one of an electron transport layer and an electron injection layer;

상기 발광층 및 상기 전자 수송 영역 사이에 혼합 유기층이 개재되며;a mixed organic layer is interposed between the light emitting layer and the electron transport region;

상기 혼합 유기층은 2 종 이상의 화합물을 포함하며;the mixed organic layer contains two or more compounds;

상기 2 종 이상의 화합물 중 적어도 1 종의 화합물의 3 중항 에너지가 2.2 eV 이상이다.At least one of the two or more compounds has a triplet energy of 2.2 eV or more.

종래 기술에 따르면, 발광층과 전자 수송층 사이에 추가층을 도입함으로 인해 정공의 축적으로 인한 구동전압 상승 등의 소자 성능 저하가 발생할 수 있다. 또한, 정공과 전자의 재결합이 전자 캐리어가 쌓이는 발광층의 음극측에서 집중적으로 발생하여, 발광 수명의 저하로 이어질 우려가 있다.According to the prior art, by introducing an additional layer between the light emitting layer and the electron transport layer, device performance such as an increase in driving voltage due to the accumulation of holes may occur. In addition, recombination of holes and electrons may occur intensively on the cathode side of the light emitting layer where electron carriers are accumulated, leading to a decrease in light emission lifetime.

발광층을 기준으로 음극측에는 전자 수송능을 가지는 EWG과 탄화수소계 환으로 이루어지는 화합물이 사용되는 것이 일반적이나, 본 발명의 소자는 2종 이상의 화합물을 포함하는 혼합 유기층을 포함하며, 상기 2 종 이상의 화합물 중 적어도 1 종의 화합물의 3 중항 에너지가 2.2 eV 이상인 화합물을 도입하였다.A compound composed of an EWG having electron transport ability and a hydrocarbon-based ring is generally used for the cathode side based on the light emitting layer, but the device of the present invention includes a mixed organic layer containing two or more kinds of compounds, and among the two or more kinds of compounds A compound in which the triplet energy of at least one compound is 2.2 eV or higher is introduced.

상기 1 종의 화합물의 3 중항 에너지는 2.2 eV 이상이면 되며, 예를 들어 2.2eV ~ 4.0eV일 수 있으며, 예를 들어 2.2eV ~ 3.8eV일 수 있다. 3 중항 에너지가 상기 범위 내일 때, 본 발명의 일 구현예에 따른 발광 소자는 저구동 전압, 고효율, 고휘도 및 장수명을 가진다.The triplet energy of the one kind of compound may be 2.2 eV or more, and may be, for example, 2.2 eV to 4.0 eV, for example, 2.2 eV to 3.8 eV. When the triplet energy is within the above range, the light emitting device according to an embodiment of the present invention has a low driving voltage, high efficiency, high luminance, and a long lifespan.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 발광층은 인광발광층일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the light emitting layer may be a phosphorescent light emitting layer.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 발광층은 형광 발광층일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the light emitting layer may be a fluorescent light emitting layer.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 혼합 유기층은 상기 발광층에 접하며, 상기 혼합 유기층의 적어도 1 종의 화합물의 3 중항 에너지는 상기 발광층의 도펀트의 3 중항 에너지 값보다 클 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the mixed organic layer may be in contact with the light emitting layer, and the triplet energy of at least one compound of the mixed organic layer may be greater than the triplet energy value of the dopant of the light emitting layer.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 적어도 1 종의 화합물이 전자 수송성 물질일 수 있거나, 또는 정공 수송성 물질일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the at least one compound may be an electron transport material or a hole transport material.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 2 종 이상의 화합물은 정공 수송성 화합물 및 전자 수송성 화합물을 포함하고, 상기 정공 수송성 화합물은 상기 전자 수송성 화합물의 중량 1을 기준으로 0.1 내지 10의 중량비로 존재할 수 있다. 중량비 범위가 상기 범위 내일 때, 본 발명의 일 구현예에 따른 발광 소자는 저구동 전압, 고효율, 고휘도 및 장수명을 가진다.According to one embodiment of the present invention, the two or more kinds of compounds include a hole transporting compound and an electron transporting compound, and the hole transporting compound may be present in a weight ratio of 0.1 to 10 based on 1 by weight of the electron transporting compound. . When the weight ratio is within the above range, the light emitting device according to an embodiment of the present invention has a low driving voltage, high efficiency, high luminance, and a long lifespan.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 2 종 이상의 화합물이 정공 수송성 화합물 및 전자 수송성 화합물을 포함하고, 상기 정공 수송성 화합물의 전자 친화도(EA1)와 상기 전자 수송성 화합물의 전자 친화도(EA2)는 다음 관계를 만족할 수 있다:According to one embodiment of the present invention, the two or more kinds of compounds include a hole transporting compound and an electron transporting compound, and the electron affinity (EA1) of the hole transporting compound and the electron affinity (EA2) of the electron transporting compound are The following relationship can be satisfied:

EA1 < EA2EA1 < EA2

정공 수송성 물질의 전자 친화도 EA1과 전자 수송성 물질의 전자 친화도 EA2가 EA1<EA2인 관계를 만족하여 음극으로부터 주입된 전자는 전자 수송층을 거쳐 전자 친화도가 상대적으로 큰 전자 수송성 물질을 main으로 거쳐 이동하며, 추가로 도입된 정공 수송성 재료는 이동하는 일부 전자를 블록킹하는 역할을 한다.The electron affinity EA1 of the hole-transporting material and the electron affinity EA2 of the electron-transporting material satisfy the relationship EA1 < EA2. The electrons injected from the cathode go through the electron transport layer and go through the electron-transporting material with a relatively high electron affinity as main. It migrates, and the additionally introduced hole transporting material serves to block some of the moving electrons.

본 발명의 소자 구조에서는 전자가 main carrier로 기능하고 있기 때문에 electron leakage가 발생하게 되는데 발광층/전자 수송층 사이에 전자를 블록킹하는 정공 수송성 물질을 도입함으로 인해 혼합 유기층 내에 일부 전자가 막히게 되고 전체 소자에서의 전하 밸런스를 맞추는데 기여한다. In the device structure of the present invention, electron leakage occurs because electrons function as main carriers. By introducing a hole transporting material that blocks electrons between the light emitting layer/electron transport layer, some electrons are blocked in the mixed organic layer and Contributes to balancing the charge.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 2 종 이상의 화합물은 서로 다른 전자 수송성 화합물을 포함할 수도 있다.According to one embodiment of the present invention, the two or more kinds of compounds may include different electron transporting compounds.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 발광층은 인광 발광층이며, Ir, Pt, Cu 또는 Os 착체를 도판트로서 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the light emitting layer is a phosphorescent light emitting layer, and may include an Ir, Pt, Cu or Os complex as a dopant.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 혼합 유기층의 두께는 5Å 내지 400Å일 수 있다. 예를 들어, 상기 혼합 유기층의 두께는 10Å 내지 40Å일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the thickness of the mixed organic layer may be 5 Å to 400 Å. For example, the thickness of the mixed organic layer may be 10 Å to 40 Å.

본 발명의 일 구현예에 따른 혼합 유기층의 3 중항 블로킹(blocking) 기능은, 혼합 유기층 재료의 골격 구조에 의해 주로 결정된다. 일반적으로, 발광층에서 생성된 3 중항 여기자가 인접하는 혼합 유기층에 그 에너지를 전달하게 될 경우, 혼합 유기층 구성 재료의 각 골격 부위에서, 가장 낮은 3 중항 에너지를 소유하는 구조에 3 중항 에너지가 전달된다. 따라서, 형성된 여기자를 발광층 내 효과적으로 한정하기 위해서 혼합 유기층 재료의 3 중항 에너지는 높아야 하며, 바람직하게는 2.2eV이상인 것이 좋다. The triplet blocking function of the mixed organic layer according to an embodiment of the present invention is mainly determined by the skeletal structure of the mixed organic layer material. In general, when triplet excitons generated in the light emitting layer transfer their energy to an adjacent mixed organic layer, the triplet energy is transferred to the structure having the lowest triplet energy in each skeletal region of the mixed organic layer constituting material. . Therefore, in order to effectively confine the formed excitons in the light emitting layer, the triplet energy of the mixed organic layer material should be high, preferably 2.2 eV or more.

3 중항 에너지가 2.2eV 이상의 구체적인 골격 구조로서는, Benzene (3.66eV), Phenathrene (2.70eV), Naphthalene (2.63eV), Chrysene (2.48eV), Fluorene (2.94eV), Triphenylene (2.90eV), Fluoranthene (2.30eV), Carbazole (3.18eV), Dibenzofuran (2.97eV), Dibenzothiophen (2.99eV), Phenanthrorine (2.75eV), Benzoimidazole (3.31eV) 등을 들 수 있다. Specific skeletal structures having triplet energy of 2.2 eV or more include Benzene (3.66 eV), Phenathrene (2.70 eV), Naphthalene (2.63 eV), Chrysene (2.48 eV), Fluorene (2.94 eV), Triphenylene (2.90 eV), Fluoranthene ( 2.30 eV), Carbazole (3.18 eV), Dibenzofuran (2.97 eV), Dibenzothiophen (2.99 eV), Phenanthrorine (2.75 eV), Benzoimidazole (3.31 eV), and the like.

따라서, 본 발명에 있어서의 혼합 유기층 재료는, 3 중항 에너지가 높은 골격 혹은, 해당 골격들이 치환된 형태의 화합물로 이루어지는 것이 바람직하다. 구체적인 high T1 골격 구조는 하기 화학식 중 어느 하나일 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.Therefore, it is preferable that the mixed organic layer material in the present invention consists of a skeleton having a high triplet energy or a compound in which the skeletons are substituted. A specific high T1 skeleton structure may be any one of the following formulas, but is not limited thereto.

Figure 112021043097471-pat00001
Figure 112021043097471-pat00001

Figure 112021043097471-pat00002
Figure 112021043097471-pat00002

Figure 112021043097471-pat00003
Figure 112021043097471-pat00003

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 혼합 유기층은 하기 화합물 중 2 이상을 포함할 수 있다:According to an embodiment of the present invention, the mixed organic layer may include two or more of the following compounds:

Figure 112021043097471-pat00004
Figure 112021043097471-pat00004

Figure 112021043097471-pat00005
Figure 112021043097471-pat00005

Figure 112021043097471-pat00006
Figure 112021043097471-pat00006

Figure 112021043097471-pat00007
Figure 112021043097471-pat00007

Figure 112021043097471-pat00008
Figure 112021043097471-pat00008

Figure 112021043097471-pat00009
Figure 112021043097471-pat00009

Figure 112021043097471-pat00010
Figure 112021043097471-pat00010

Figure 112021043097471-pat00011
Figure 112021043097471-pat00011

Figure 112021043097471-pat00012
Figure 112021043097471-pat00012

Figure 112021043097471-pat00013
Figure 112021043097471-pat00013

Figure 112021043097471-pat00014
Figure 112021043097471-pat00014

Figure 112021043097471-pat00015
Figure 112021043097471-pat00015

Figure 112021043097471-pat00016
Figure 112021043097471-pat00016

Figure 112021043097471-pat00017
Figure 112021043097471-pat00017

Figure 112021043097471-pat00018
Figure 112021043097471-pat00018

Figure 112021043097471-pat00019
Figure 112021043097471-pat00019

Figure 112021043097471-pat00020
Figure 112021043097471-pat00020

Figure 112021043097471-pat00021
Figure 112021043097471-pat00021

Figure 112021043097471-pat00022
Figure 112021043097471-pat00022

Figure 112021043097471-pat00023
Figure 112021043097471-pat00023

Figure 112021043097471-pat00024
Figure 112021043097471-pat00024

Figure 112021043097471-pat00025
Figure 112021043097471-pat00025

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 발광층은 도펀트 BD, Ir(ppy)3, 또는 Ir(pq)2acac를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.According to an embodiment of the present invention, the emission layer may include dopants BD, Ir(ppy)3, or Ir(pq)2acac, but is not limited thereto.

Figure 112021043097471-pat00026
Figure 112021043097471-pat00027
Figure 112021043097471-pat00028
Figure 112021043097471-pat00026
Figure 112021043097471-pat00027
Figure 112021043097471-pat00028

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 발광층은 하기 화합물 중 1 이상을 호스트로 포함할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다:According to one embodiment of the present invention, the light emitting layer may include one or more of the following compounds as a host, but is not limited thereto:

Figure 112021043097471-pat00029
Figure 112021043097471-pat00029

이하, 본 명세서에서 사용되는 치환기들 중 대표적인 치환기의 정의를 살펴보면 다음과 같다 (치환기를 한정하는 탄소 수는 비제한적인 것으로서 치환기의 특성을 제한하지는 않으며, 본 명세서에서 정의하지 않은 치환기의 정의는 일반적인 정의에 따른다).Hereinafter, the definition of a representative substituent among the substituents used in the present specification is as follows (the number of carbon atoms limiting the substituent is non-limiting and does not limit the characteristics of the substituent, and the definition of a substituent not defined in this specification is general by definition).

본 명세서 중 C1-C60알킬기는, 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 구체적인 예에는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, ter-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C60알킬렌기는 상기 C1-C60알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. In the present specification, the C 1 -C 60 alkyl group refers to a linear or branched aliphatic hydrocarbon monovalent group having 1 to 60 carbon atoms, and specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isobutyl group, sec-butyl group, ter-butyl group, pentyl group, iso-amyl group, hexyl group, and the like. In the present specification, the C 1 -C 60 alkylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 1 -C 60 alkyl group.

본 명세서 중 C1-C60알콕시기는, -OA101(여기서, A101은 상기 C1-C60알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다. In the present specification, the C 1 -C 60 alkoxy group refers to a monovalent group having the formula of -OA 101 (here, A 101 is the C 1 -C 60 alkyl group), and specific examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group , an isopropyloxy group, and the like.

본 명세서 중 C2-C60알케닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알케닐렌기는 상기 C2-C60알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다. In the present specification, the C 2 -C 60 alkenyl group refers to a hydrocarbon group including one or more carbon double bonds in the middle or at the terminal of the C 2 -C 60 alkyl group, and specific examples thereof include an ethenyl group, a propenyl group, a butenyl group. etc. are included. In the present specification, the C 2 -C 60 alkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 2 -C 60 alkenyl group.

본 명세서 중 C2-C60알키닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 삼중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에티닐기(ethynyl), 프로피닐기(propynyl), 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알키닐렌기는 상기 C2-C60알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다. In the present specification, the C 2 -C 60 alkynyl group refers to a hydrocarbon group including one or more carbon triple bonds in the middle or at the terminal of the C 2 -C 60 alkyl group, and specific examples thereof include an ethynyl group, a propynyl group (propynyl), and the like. In the present specification, the C 2 -C 60 alkynylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 2 -C 60 alkynyl group.

본 명세서 중 C3-C10시클로알킬기는, 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알킬렌기는 상기 C3-C10시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the C 3 -C 10 cycloalkyl group refers to a monovalent saturated hydrocarbon monocyclic group having 3 to 10 carbon atoms, and specific examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclo a heptyl group; and the like. In the present specification, the C 3 -C 10 cycloalkylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 3 -C 10 cycloalkyl group.

본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알킬기는, N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 2 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알킬렌기는 상기 C2-C10헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the C 2 -C 10 heterocycloalkyl group refers to a monovalent monocyclic group having 2 to 10 carbon atoms including at least one hetero atom selected from N, O, P and S as a ring-forming atom, and its Specific examples include a tetrahydrofuranyl group, a tetrahydrothiophenyl group, and the like. In the present specification, the C 2 -C 10 heterocycloalkylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 2 -C 10 heterocycloalkyl group.

본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromacity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐렌기는 상기 C3-C10시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the C 3 -C 10 cycloalkenyl group is a monovalent monocyclic group having 3 to 10 carbon atoms, and refers to a group having at least one double bond in the ring, but not having aromaticity, and a specific Examples include a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group, a cycloheptenyl group, and the like. In the present specification, the C 3 -C 10 cycloalkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 3 -C 10 cycloalkenyl group.

본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알케닐기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 2 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C2-C10헤테로시클로알케닐기의 구체예는, 2,3-히드로퓨라닐기, 2,3-히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C2-C10헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group is a monovalent monocyclic group having 2 to 10 carbon atoms including at least one hetero atom selected from N, O, P and S as a ring-forming atom, and at least in the ring has one double bond. Specific examples of the C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group include a 2,3-hydrofuranyl group, a 2,3-hydrothiophenyl group, and the like. In the present specification, the C 2 -C 10 heterocycloalkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group.

본 명세서 중 C6-C60아릴기는 탄 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C6-C60아릴렌기는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C6-C60아릴기의 구체예는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 포함한다. 상기 C6-C60아릴기 및 C6-C60아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 상기 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. In the present specification, the C 6 -C 60 aryl group refers to a monovalent group having a carbocyclic aromatic system having 6 to 60 carbon atoms, and the C 6 -C 60 arylene group is a carbo group having 6 to 60 carbon atoms. It refers to a divalent group having a cyclic aromatic system. Specific examples of the C 6 -C 60 aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthrenyl group, a pyrenyl group, and a chrysenyl group. When the C 6 -C 60 aryl group and the C 6 -C 60 arylene group include two or more rings, the two or more rings may be fused to each other.

본 명세서 중 C2-C60헤테로아릴기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 2 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C2-C60헤테로아릴렌기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 2 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C2-C60헤테로아릴기의 구체예는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등을 포함한다. 상기 C2-C60헤테로아릴기 및 C2-C60헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. In the present specification, the C 2 -C 60 heteroaryl group refers to a monovalent group including at least one hetero atom selected from N, O, P and S as a ring-forming atom and having a carbocyclic aromatic system having 2 to 60 carbon atoms. and C 2 -C 60 heteroarylene group means a divalent group including at least one hetero atom selected from N, O, P and S as a ring-forming atom and having a carbocyclic aromatic system having 2 to 60 carbon atoms do. Specific examples of the C 2 -C 60 heteroaryl group include a pyridinyl group, a pyrimidinyl group, a pyrazinyl group, a pyridazinyl group, a triazinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group, and the like. When the C 2 -C 60 heteroaryl group and the C 2 -C 60 heteroarylene group include two or more rings, the two or more rings may be fused to each other.

본 명세서 중 C6-C60아릴옥시기는 -OA102(여기서, A102는 상기 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 C6-C60아릴티오기(arylthio)는 -SA103(여기서, A103은 상기 C6-C60아릴기기임)를 가리킨다.In the present specification, the C 6 -C 60 aryloxy group refers to -OA 102 (here, A 102 is the C 6 -C 60 aryl group), and the C 6 -C 60 arylthio group is -SA 103 (here , A 103 is the above C 6 -C 60 aryl group).

본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 8 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예는 플루오레닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, a monovalent non-aromatic condensed polycyclic group has two or more rings condensed with each other, contains only carbon as a ring-forming atom, and the entire molecule is non-aromatic. means a monovalent group having (eg, having 8 to 60 carbon atoms). Specific examples of the monovalent non-aromatic condensed polycyclic group include a fluorenyl group and the like. In the present specification, the divalent non-aromatic condensed polycyclic group refers to a divalent group having the same structure as the monovalent non-aromatic condensed polycyclic group.

본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소 외에 N, O, P 및 S 중에서 선택된 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 2 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은, 카바졸일기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group includes two or more rings condensed with each other, and a hetero atom selected from N, O, P and S in addition to carbon as a ring forming atom, and , refers to a monovalent group (eg, having 2 to 60 carbon atoms) in which the entire molecule has non-aromaticity. The monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group includes a carbazolyl group and the like. In the present specification, the condensed divalent non-aromatic heteropolycyclic group refers to a divalent group having the same structure as the condensed monovalent non-aromatic heteropolycyclic group.

본 명세서 중, 상기 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C2-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나의 치환기는, In the present specification, the substituted C 3 -C 10 cycloalkylene group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkylene group, substituted C 3 -C 10 cycloalkenylene group, substituted C 2 -C 10 heterocycloal Kenylene group, substituted C 6 -C 60 arylene group, substituted C 2 -C 60 heteroarylene group, substituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group, substituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, substituted C 1 -C 60 alkyl group, substituted C 2 -C 60 alkenyl group, substituted C 2 -C 60 alkynyl group, substituted C 1 -C 60 alkoxy group, substituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, substituted C 3 -C 10 cycloalkenyl group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, substituted C 6 -C 60 aryl group, substituted C 6 -C 60 aryloxy group , a substituted C 6 -C 60 arylthio group, a substituted C 2 -C 60 heteroaryl group, a substituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a substituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group at least one substituent Is,

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or salts thereof, a C 1 -C 60 alkyl group, a C 2 -C 60 alkenyl group, a C 2 -C 60 alkynyl group and a C 1 -C 60 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기(aryloxy), C6-C60아릴티오기(arylthio), C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 - C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 2 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, - C 1 -C 60 alkyl group, C 2 substituted with at least one of N(Q 11 )(Q 12 ), —Si(Q 13 )(Q 14 )(Q 15 ), and —B(Q 16 )(Q 17 ) -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group and C 1 -C 60 alkoxy group;

C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryl an oxy group, a C 6 -C 60 arylthio group, a C 2 -C 60 heteroaryl group, a monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and a monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group , C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 2 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, -N(Q 21 )(Q 22 ), -Si(Q 23 )(Q 24 )(Q 25 ) and -B(Q 26 )(Q 27 ), C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalke group, substituted with at least one of -B(Q 26 )(Q 27 ) Nyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 2 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and monovalent non- aromatic heterocondensed polycyclic group; and

-N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 및 -B(Q36)(Q37); 중에서 선택되고;-N(Q 31 )(Q 32 ), -Si(Q 33 )(Q 34 )(Q 35 ) and -B(Q 36 )(Q 37 ); is selected from;

상기 Q1 내지 Q7, Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있다.The Q 1 to Q 7 , Q 11 to Q 17 , Q 21 to Q 27 and Q 31 to Q 37 are each independently hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, a hydroxyl group, cya No group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or a salt thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group , a C 6 -C 60 aryl group, a C 2 -C 60 heteroaryl group, a monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group.

예를 들어, 상기 상기 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C2-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나의 치환기는, For example, the above substituted C 3 -C 10 cycloalkylene group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkylene group, substituted C 3 -C 10 cycloalkenylene group, substituted C 2 -C 10 heterocyclo Alkenylene group, substituted C 6 -C 60 arylene group, substituted C 2 -C 60 heteroarylene group, substituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group, substituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, substituted C 1 -C 60 alkyl group, substituted C 2 -C 60 alkenyl group, substituted C 2 -C 60 alkynyl group, substituted C 1 -C 60 alkoxy group, substituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, substituted C 3 -C 10 cycloalkenyl group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, substituted C 6 -C 60 aryl group, substituted C 6 -C 60 arylox At least one of a group, a substituted C 6 -C 60 arylthio group, a substituted C 2 -C 60 heteroaryl group, a substituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a substituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group The substituent is

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or salts thereof, a C 1 -C 60 alkyl group, a C 2 -C 60 alkenyl group, a C 2 -C 60 alkynyl group and a C 1 -C 60 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, phenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, heptalenyl group, indacenyl group, acenaph Tyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, Chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubycenyl group, coronenyl group, ovalenyl group, pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazole Diary, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindoleyl group, indolyl group, indazolyl group , purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridi Nyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, isobenzoxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadia Zolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group, -N (Q 11 )(Q 12 ), -Si(Q 13 )(Q 14 )(Q 15 ) and -B(Q 16 )(Q 17 ), C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alke a nyl group, a C 2 -C 60 alkynyl group, and a C 1 -C 60 alkoxy group;

시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기;Cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, phenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, heptalenyl group, indacenyl group, acenaphthyl group, flu Orenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group , naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubycenyl group, coronenyl group, ovalenyl group, pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyra Zolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindoleyl group, indolyl group, indazolyl group, purinyl group , quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenane Trollinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, isobenzoxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imidazopyridinyl group and imidazopyrimidinyl group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기; 및Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, Cyclohexenyl group, phenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, heptalenyl group, indacenyl group, acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, di benzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubycenyl group, coronenyl group, ovalenyl group, pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, Isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindolyl group, indolyl group, indazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, pr Thalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, Benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, isobenzoxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarba Zolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group, -N(Q 21 )(Q 22 ), -Si(Q 23 )(Q 24 )(Q 25 ) ) and -B(Q 26 )(Q 27 ) substituted with at least one of a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group, a phenyl group, a pentalenyl group, an indenyl group, a naphthyl group , azulenyl group, heptalenyl group, indacenyl group, acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro -fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubycenyl group, coronenyl group, ovalenyl group, pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazole Diary, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindoleyl group, indolyl group, indazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, Isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, isobenzooxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, di benzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imidazopyridinyl group and imidazopyrimidinyl group; and

-N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 및 -B(Q36)(Q37); 중에서 선택되고;-N(Q 31 )(Q 32 ), -Si(Q 33 )(Q 34 )(Q 35 ) and -B(Q 36 )(Q 37 ); is selected from;

상기 Q1 내지 Q7, Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 중에서 선택될 수 있다. The Q 1 to Q 7 , Q 11 to Q 17 , Q 21 to Q 27 and Q 31 to Q 37 are each independently hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, a hydroxyl group, cya No group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or a salt thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, phenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group, azule Nyl group, heptalenyl group, indacenyl group, acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoran Tenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubycenyl group, coronenyl group, ovalenyl group , pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group group, isoindolyl group, indolyl group, indazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group , carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzooxazolyl group, isobenzoxazole Diary, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imidazopyridinyl group , may be selected from an imidazopyrimidinyl group.

본 명세서 중 "Ph"은 페닐기를 의미하고, "Me"은 메틸기를 의미하고, "Et"은 에틸기를 의미하고, "ter-Bu" 또는 "But"은 tert-부틸기를 의미한다. In the present specification, "Ph" means a phenyl group, "Me" means a methyl group, "Et" means an ethyl group, and "ter-Bu" or "But t " means a tert-butyl group.

본 명세서 중 "(유기층이) 축합환 화합물을 1종 이상 포함한다"란, "(유기층이) 상기 화학식 1의 범주에 속하는 1종의 축합환 화합물 또는 상기 화학식 1의 범주에 속하는 서로 다른 2종 이상의 축합환 화합물을 포함할 수 있다"로 해석될 수 있다.In the present specification, "(organic layer) includes one or more condensed cyclic compounds" means "(organic layer) 1 type of condensed cyclic compound belonging to the scope of Formula 1 or two different types of fused cyclic compound belonging to the scope of Formula 1 above" may include more than one condensed cyclic compound".

본 명세서 중 "유기층"은 상기 유기 발광 소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 단일 및/또는 복수의 모든 층을 가리키는 용어이다. 상기 "유기층"의 층에 포함된 물질이 유기물로 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the term “organic layer” refers to a single and/or a plurality of all layers interposed between the first electrode and the second electrode among the organic light emitting diodes. The material included in the layer of the "organic layer" is not limited to an organic material.

도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자(10)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 상기 유기 발광 소자(10)은 제1전극(110), 유기층(150) 및 제2전극(190)을 포함한다. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting device 10 according to an embodiment of the present invention. The organic light emitting device 10 includes a first electrode 110 , an organic layer 150 , and a second electrode 190 .

이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조 및 제조 방법을 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a structure and a manufacturing method of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 .

도 1의 제1전극(110)의 하부 또는 제2전극(190)의 상부에는 기판이 추가로 배치될 수 있다. 상기 기판은 기계적 강도, 열안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.A substrate may be additionally disposed on a lower portion of the first electrode 110 or an upper portion of the second electrode 190 of FIG. 1 . As the substrate, a glass substrate or a transparent plastic substrate excellent in mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, handling and waterproofness may be used.

상기 제1전극(110)은, 예를 들면, 기판 상부에, 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(110)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록 제1전극용 물질은 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1전극(110)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 제1전극(110)을 형성하기 위하여, 제1전극용 물질로서, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 중 적어도 하나를 선택할 수 있다. The first electrode 110 may be formed, for example, by providing a material for the first electrode on the upper portion of the substrate using a deposition method or a sputtering method. When the first electrode 110 is an anode, the material for the first electrode may be selected from materials having a high work function to facilitate hole injection. The first electrode 110 may be a reflective electrode, a transflective electrode, or a transmissive electrode. As the material for the first electrode, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), etc., which are transparent and have excellent conductivity, may be used. Alternatively, in order to form the first electrode 110 that is a transflective electrode or a reflective electrode, as a material for the first electrode, magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca) ), magnesium-indium (Mg-In), and magnesium-silver (Mg-Ag) may be selected.

상기 제1전극(110)은 단일층 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(110)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first electrode 110 may have a single layer or a multilayer structure having a plurality of layers. For example, the first electrode 110 may have a three-layer structure of ITO/Ag/ITO, but is not limited thereto.

상기 제1전극(110) 상부에는 유기층(150)이 배치되어 있다. 상기 유기층(150)은 발광층을 포함한다. An organic layer 150 is disposed on the first electrode 110 . The organic layer 150 includes a light emitting layer.

상기 유기층(150)은, 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재되는 정공 수송 영역(hole transport region), 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재되는 전자 수송 영역(electron transport region) 및 상기 발광층과 전자 수송 영역(electron transport region) 사이에 개재된 혼합 유기층을 더 포함할 수 있다. The organic layer 150 includes a hole transport region interposed between the first electrode and the light emitting layer, an electron transport region interposed between the light emitting layer and the second electrode, and the light emitting layer; It may further include a mixed organic layer interposed between the electron transport regions.

상기 정공 수송 영역은, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 버퍼층 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 상기 전자 수송 영역은 정공 저지층(HBL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The hole transport region may include at least one of a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a buffer layer, and an electron blocking layer (EBL), and the electron transport region may include a hole blocking layer (HBL), an electron transport layer It may include at least one of (ETL) and an electron injection layer (EIL), but is not limited thereto.

상기 정공 수송 영역은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. The hole transport region may have a single layer made of a single material, a single layer made of a plurality of different materials, or a multilayer structure having a plurality of layers made of a plurality of different materials.

예를 들어, 상기 정공 수송 영역은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1전극(110)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/버퍼층, 정공 주입층/버퍼층, 정공 수송층/버퍼층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the hole transport region may have a single layer structure made of a plurality of different materials, or a hole injection layer/hole transport layer, a hole injection layer/hole transport layer/buffer layer that are sequentially stacked from the first electrode 110 . , a hole injection layer/buffer layer, a hole transport layer/buffer layer, or a hole injection layer/hole transport layer/electron blocking layer, but is not limited thereto.

상기 정공 수송 영역이 정공 주입층을 포함할 경우, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 상기 제1전극(110) 상부에 상기 정공 주입층을 형성할 수 있다. When the hole transport region includes a hole injection layer, vacuum deposition, spin coating, casting, LB (Langmuir-Blodgett), inkjet printing, laser printing, laser induced thermal imaging (LITI) The hole injection layer may be formed on the first electrode 110 by using various methods, such as.

진공 증착법에 의하여 정공 주입층을 형성할 경우, 증착 조건은, 예를 들면, 약 100 내지 약 500℃의 증착 온도, 약 10-8 내지 약 10-3torr의 진공도 및 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 증착 속도 범위 내에서, 증착하고자 하는 정공 주입층용 화합물 및 형성하고자 하는 정공 주입층 구조를 고려하여 선택될 수 있다. When the hole injection layer is formed by vacuum deposition, deposition conditions are, for example, a deposition temperature of about 100 to about 500° C., a vacuum degree of about 10 -8 to about 10 -3 torr, and about 0.01 to about 100 Å/sec. Within the deposition rate range of , the compound may be selected in consideration of a compound for a hole injection layer to be deposited and a structure of a hole injection layer to be formed.

스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층을 형성할 경우, 코팅 조건은 약 2000rpm 내지 약 5000rpm의 코팅 속도 및 약 80℃ 내지 200℃의 열처리 온도 범위 내에서, 증착하고자 하는 정공 주입층용 화합물 및 형성하고자 하는 정공 주입층 구조를 고려하여 선택될 수 있다. When the hole injection layer is formed by the spin coating method, the coating conditions are within the range of a coating speed of about 2000 rpm to about 5000 rpm and a heat treatment temperature of about 80° C. to 200° C., the compound for the hole injection layer to be deposited and the hole to be formed. It may be selected in consideration of the injection layer structure.

상기 정공 수송 영역이 정공 수송층을 포함할 경우, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 제1전극(110) 상부 또는 정공 주입층 상부에 상기 정공 수송층을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의하여 정공 수송층을 형성할 경우, 정공 수송층의 증착 조건 및 코팅 조건은 상기 정공 주입층의 증착 조건 및 코팅 조건을 참조한다. When the hole transport region includes a hole transport layer, a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a LB method (Langmuir-Blodgett), an inkjet printing method, a laser printing method, a laser thermal imaging (LITI) method, etc. The hole transport layer may be formed on the first electrode 110 or on the hole injection layer by using the same various methods. When the hole transport layer is formed by vacuum deposition or spin coating, the deposition conditions and coating conditions of the hole transport layer refer to the deposition conditions and coating conditions of the hole injection layer.

상기 정공 수송 영역은, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, α-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA(4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산), PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트)), 하기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 202로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:The hole transport region is, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, α-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA (4,4',4"- Tris(N-carbazolyl)triphenylamine (4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid: polyaniline/dodecylbenzenesulfonic acid), PEDOT/PSS ( Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:polyaniline/camphor) sulfonic acid), PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):polyaniline)/poly(4-styrenesulfonate)), a compound represented by the following Chemical Formula 201 and a compound represented by the following Chemical Formula 202. can do:

Figure 112021043097471-pat00030
Figure 112021043097471-pat00030

Figure 112021043097471-pat00031
Figure 112021043097471-pat00031

<화학식 201><Formula 201>

Figure 112021043097471-pat00032
Figure 112021043097471-pat00032

<화학식 202><Formula 202>

Figure 112021043097471-pat00033
Figure 112021043097471-pat00033

상기 화학식 201 및 202 중, In Formulas 201 and 202,

L201 내지 L205에 대한 설명은 서로 독립적으로, 본 명세서 중 L1에 대한 설명을 참조하고;For descriptions of L 201 to L 205 , refer to the description of L 1 in the present specification independently of each other;

xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0, 1, 2 및 3 중에서 선택되고; xa1 to xa4 are each independently selected from 0, 1, 2 and 3;

xa5는 1, 2, 3, 4 및 5 중에서 선택되고; xa5 is selected from 1, 2, 3, 4 and 5;

R201 내지 R204은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다. R 201 to R 204 are each independently, a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkenyl group , substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryloxy group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 arylthio group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 60 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group is chosen

예를 들어, 상기 화학식 201 및 202 중, For example, in Formulas 201 and 202,

L201 내지 L205는 서로 독립적으로, L 201 to L 205 are each independently,

페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오렌기, 디벤조플루오렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 카바졸일렌기 및 트리아지닐렌기; 및Phenylene group, naphthylene group, fluorenylene group, spiro-fluorenylene group, benzofluorene group, dibenzofluorene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, pyrenylene group, chrysenylene group, pyridinyl a ren group, a pyrazinylene group, a pyrimidinylene group, a pyridazinylene group, a quinolinylene group, an isoquinolinylene group, a quinoxalinylene group, a quinazolinylene group, a carbazolylene group, and a triazinylene group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 카바졸일렌기 및 트리아지닐렌기; 중에서 선택되고;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Cenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindoleyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carba phenylene group, naphthylene group, fluorenylene group, spiro-fluorenylene group, benzofluorenylene group, dibenzofluorenylene group, phenanthrenylene group, Anthracenylene group, pyrenylene group, chrysenylene group, pyridinylene group, pyrazinylene group, pyrimidinylene group, pyridazinylene group, quinolinylene group, isoquinolinylene group, quinoxalinylene group, quinazolinylene group , a carbazolylene group and a triazinylene group; is selected from;

xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2이고; xa1 to xa4 are each independently 0, 1 or 2;

xa5는 1, 2 또는 3이고;xa5 is 1, 2 or 3;

R201 내지 R204는 서로 독립적으로, R 201 to R 204 are each independently,

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 및Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, azulenyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenane Trenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carba A phenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, a spiro-fluorenyl group, a benzofluorenyl group, a dibenzofluorenyl group, a phenanthrenyl group, an anthracenyl group, a pyrenyl group, substituted with at least one of a zolyl group and a triazinyl group , chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; may be selected from, but is not limited thereto.

상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A로 표시될 수 있다:The compound represented by Chemical Formula 201 may be represented by the following Chemical Formula 201A:

<화학식 201A><Formula 201A>

Figure 112021043097471-pat00034
Figure 112021043097471-pat00034

예를 들어, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A-1로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:For example, the compound represented by Formula 201 may be represented by Formula 201A-1 below, but is not limited thereto:

<화학식 201A-1><Formula 201A-1>

Figure 112021043097471-pat00035
Figure 112021043097471-pat00035

상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화학식 202A로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:The compound represented by Formula 202 may be represented by Formula 202A, but is not limited thereto:

<화학식 202A><Formula 202A>

Figure 112021043097471-pat00036
Figure 112021043097471-pat00036

상기 화학식 201A, 201A-1 및 202A 중 L201 내지 L203, xa1 내지 xa3, xa5 및 R202 내지 R204에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고, R211은 R203에 대한 설명을 참조하고, R213 내지 R216은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴기옥시기, C6-C60아릴기티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있다.In Formulas 201A, 201A-1, and 202A, descriptions of L 201 to L 203 , xa1 to xa3 , xa5 and R 202 to R 204 in Formulas 201A, 201A-1 and 202A refer to those described herein, and R 211 refers to the description of R 203 , and , R 213 to R 216 are each independently hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, an amino group, an amidino group, a hydrazine group, a hydrazone group, a car Acid or salt thereof, sulfonic acid or salt thereof, phosphoric acid or salt thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 - C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, It may be selected from a C 6 -C 60 aryl group thio group, a C 2 -C 60 heteroaryl group, a monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and a monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group.

예를 들어, 상기 화학식 201A, 201A-1 및 202A 중, For example, in Formulas 201A, 201A-1 and 202A,

L201 내지 L203은 서로 독립적으로, L 201 to L 203 are each independently,

페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 카바졸일렌기 및 트리아지닐렌기; 및phenylene group, naphthylene group, fluorenylene group, spiro-fluorenylene group, benzofluorenylene group, dibenzofluorenylene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, pyrenylene group, chrysenylene group, a pyridinylene group, a pyrazinylene group, a pyrimidinylene group, a pyridazinylene group, a quinolinylene group, an isoquinolinylene group, a quinoxalinylene group, a quinazolinylene group, a carbazolylene group, and a triazinylene group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 카바졸일렌기 및 트리아지닐렌기; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Cenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and tria A phenylene group, a naphthylene group, a fluorenylene group, a spiro-fluorenylene group, a benzofluorenylene group, a dibenzofluorenylene group, a phenanthrenylene group, an anthracenylene group, substituted with at least one selected from among the zinyl groups , pyrenylene group, chrysenylene group, pyridinylene group, pyrazinylene group, pyrimidinylene group, pyridazinylene group, quinolinylene group, isoquinolinylene group, quinoxalinylene group, quinazolinylene group, carbazolyl a ren group and a triazinylene group; is selected from;

xa1 내지 xa3은 서로 독립적으로, 0 또는 1이고;xa1 to xa3 are each independently 0 or 1;

R203, R211 및 R212는 서로 독립적으로, R 203 , R 211 and R 212 are independently of each other,

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 및Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof , phosphoric acid or a salt thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthree Nyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazole A phenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, a spiro-fluorenyl group, a benzofluorenyl group, a dibenzofluorenyl group, a phenanthrenyl group, an anthracenyl group, a pyrenyl group, substituted with at least one selected from a diyl group and a triazinyl group , chrysenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group , a quinazolinyl group, a carbazolyl group and a triazinyl group; is selected from;

R213 및 R214는 서로 독립적으로, R 213 and R 214 are independently of each other,

C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; C 1 -C 20 alkyl group and C 1 -C 20 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or salts thereof, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, C 1 -C 20 alkyl group substituted with at least one selected from a pyrazinyl group, a pyrimidinyl group, a pyridazinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group, a quinoxalinyl group, a quinazolinyl group, a carbazolyl group and a triazinyl group and a C 1 -C 20 alkoxy group;

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 및Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Cenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and tria phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; is selected from;

R215 및 R216은 서로 독립적으로, R 215 and R 216 are independently of each other,

수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or a salt thereof, a C 1 -C 20 alkyl group and a C 1 -C 20 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or salts thereof, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, C 1 -C 20 alkyl group substituted with at least one selected from a pyrazinyl group, a pyrimidinyl group, a pyridazinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group, a quinoxalinyl group, a quinazolinyl group, a carbazolyl group and a triazinyl group and a C 1 -C 20 alkoxy group;

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기 및 트리아지닐기; 및Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group and triazinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Cenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and tria phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; is selected from;

xa5는 1 또는 2이다.xa5 is 1 or 2.

상기 화학식 201A 및 201A-1 중 R213 및 R214는 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다. In Formulas 201A and 201A-1, R 213 and R 214 may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated ring.

상기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화합물 HT1 내지 HT20을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The compound represented by Formula 201 and the compound represented by Formula 202 may include the following compounds HT1 to HT20, but are not limited thereto.

Figure 112021043097471-pat00037
Figure 112021043097471-pat00037

Figure 112021043097471-pat00038
Figure 112021043097471-pat00038

Figure 112021043097471-pat00039
Figure 112021043097471-pat00039

Figure 112021043097471-pat00040
Figure 112021043097471-pat00040

상기 정공 수송 영역의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역이 정공 주입층 및 정공 수송층을 모두 포함한다면, 상기 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å이고, 상기 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들면 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역, 정공 주입층 및 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다. The hole transport region may have a thickness of about 100 Å to about 10000 Å, for example, about 100 Å to about 1000 Å. If the hole transport region includes both a hole injection layer and a hole transport layer, the thickness of the hole injection layer is about 100 Å to about 10000 Å, for example, about 100 Å to about 1000 Å, and the thickness of the hole transport layer is about 50 Å to about It may be 2000 Angstroms, for example about 100 Angstroms to about 1500 Angstroms. When the thickness of the hole transport region, the hole injection layer, and the hole transport layer satisfies the above-described ranges, a satisfactory level of hole transport characteristics may be obtained without a substantial increase in driving voltage.

상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하-생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하-생성 물질은 상기 정공 수송 영역 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. The hole transport region may further include a charge-generating material to improve conductivity in addition to the above-described material. The charge-generating material may be uniformly or non-uniformly dispersed in the hole transport region.

상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다. 상기 p-도펀트는 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 p-도펀트의 비제한적인 예로는, 테트라시아노퀴논다이메테인(TCNQ) 및 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라시아노-1,4-벤조퀴논다이메테인(F4-TCNQ) 등과 같은 퀴논 유도체; 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물; 및 하기 화합물 HT-D1 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The charge-generating material may be, for example, a p-dopant. The p-dopant may be one of a quinone derivative, a metal oxide, and a cyano group-containing compound, but is not limited thereto. For example, non-limiting examples of the p-dopant include tetracyanoquinonedimethane (TCNQ) and 2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyano-1,4-benzoquinonedimethane quinone derivatives such as phosphorus (F4-TCNQ) and the like; metal oxides such as tungsten oxide and molybdenum oxide; and the following compound HT-D1, but is not limited thereto.

<화합물 HT-D1> <F4-TCNQ><Compound HT-D1> <F4-TCNQ>

Figure 112021043097471-pat00041
Figure 112021043097471-pat00042
Figure 112021043097471-pat00041
Figure 112021043097471-pat00042

상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 정공 주입층 및 정공 수송층 외에, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 발광층에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시키는 역할을 수 있다. 상기 버퍼층에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역에 포함될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 전자 저지층은 전자 수송 영역으로부터의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다. The hole transport region may further include at least one of a buffer layer and an electron blocking layer in addition to the hole injection layer and the hole transport layer as described above. The buffer layer may serve to increase light emission efficiency by compensating for an optical resonance distance according to a wavelength of light emitted from the light emitting layer. As a material included in the buffer layer, a material capable of being included in the hole transport region may be used. The electron blocking layer is a layer serving to prevent electron injection from the electron transport region.

상기 정공 수송층은 제1정공수송층 및 제2정공수송층으로 구성될 수도 있으며 동일한 재료를 동시에 포함할 수도 있고, 서로 다른 재료로 구성될 수도 있다.The hole transport layer may be composed of a first hole transport layer and a second hole transport layer, may include the same material at the same time, may be composed of different materials.

상기 제1전극(110) 상부 또는 정공 수송 영역 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 발광층을 형성한다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 발광층을 형성할 경우, 발광층의 증착 조건 및 코팅 조건은 상기 정공 주입층의 증착 조건 및 코팅 조건을 참조한다. A vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a LB method (Langmuir-Blodgett), an inkjet printing method, a laser printing method, or a laser induced thermal imaging (LITI) method on the upper portion of the first electrode 110 or on the hole transport region ) to form the light emitting layer using various methods such as When the light emitting layer is formed by vacuum deposition or spin coating, the deposition conditions and coating conditions of the light emitting layer refer to the deposition conditions and coating conditions of the hole injection layer.

상기 유기 발광 소자(10)가 풀 컬러 유기 발광 소자일 경우, 발광층, 개별 부화소별로, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. 또는, 상기 발광층은, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층이 적층된 구조를 갖거나, 적색광 방출 물질, 녹색광 방출 물질 및 청색광 방출 물질이 층구분없이 혼합된 구조를 가져, 백색광을 방출할 수 있다. When the organic light emitting device 10 is a full-color organic light emitting device, it may be patterned into a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer for each light emitting layer and each sub-pixel. Alternatively, the light emitting layer has a structure in which a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer are stacked, or has a structure in which a red light emitting material, a green light emitting material, and a blue light emitting material are mixed without layer distinction, so that white light can be emitted.

상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다.The emission layer may include a host and a dopant.

상기 호스트는 하기 TPBi, TBADN, ADN("DNA"라고도 함), CBP, CDBP 및 TCP 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:The host may include at least one of the following TPBi, TBADN, ADN (also referred to as "DNA"), CBP, CDBP and TCP:

Figure 112021043097471-pat00043
Figure 112021043097471-pat00043

또는, 상기 호스트는 하기 화학식 301로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. Alternatively, the host may include a compound represented by the following Chemical Formula 301.

<화학식 301><Formula 301>

Ar301-[(L301)xb1-R301]xb2 Ar 301 -[(L 301 ) xb1 -R 301 ] xb2

상기 화학식 301 중, In Formula 301,

Ar301Ar 301 is

나프탈렌(naphthalene), 헵탈렌(heptalene), 플루오렌(fluorenene), 스파이로-플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌(phenalene), 페난트렌(phenanthrene), 안트라센(anthracene), 플루오란텐(fluoranthene), 트리페닐렌(triphenylene), 파이렌(pyrene), 크라이센(chrysene), 나프타센(naphthacene), 피센(picene), 페릴렌(perylene), 펜타펜(pentaphene) 및 인데노안트라센(indenoanthracene);Naphthalene, heptalene, fluorenene, spiro-fluorene, benzofluorene, dibenzofluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluorine fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, picene, perylene, pentaphene and indeno anthracene;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴기옥시기, C6-C60아릴기티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 및 -Si(Q301)(Q302)(Q303) (상기 Q301 내지 Q303은 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C6-C60아릴기 및 C2-C60헤테로아릴기 중에서 선택됨) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 나프탈렌, 헵탈렌, 플루오렌, 스파이로-플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 나프타센, 피센, 페릴렌, 펜타펜 및 인데노안트라센; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group , C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryl groupoxy group, C 6 -C 60 aryl group thio group, C 2 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed heterocondensed polycyclic group, and -Si(Q 301 )(Q 302 )(Q 303 ) (wherein Q 301 to Q 303 are independently of each other, hydrogen, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 6 -C 60 aryl group and C 2 -C 60 heteroaryl group) substituted with at least one selected from naphthalene, heptalene, fluorene , spiro-fluorene, benzofluorene, dibenzofluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, picene, perylene, pentaphen and inde noanthracene; is selected from;

L301에 대한 설명은 본 명세서 중 L201에 대한 설명을 참조하고;For the description of L 301 , refer to the description of L 201 in the present specification;

R301R 301 is

C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; C 1 -C 20 alkyl group and C 1 -C 20 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or salts thereof, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, C 1 -C 20 alkyl group substituted with at least one selected from a pyrazinyl group, a pyrimidinyl group, a pyridazinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group, a quinoxalinyl group, a quinazolinyl group, a carbazolyl group and a triazinyl group and a C 1 -C 20 alkoxy group;

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸기 및 트리아지닐기; 및Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazole group and triazinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Cenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and tria phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; is selected from;

xb1은 0, 1, 2 및 3 중에서 선택되고; xb1 is selected from 0, 1, 2 and 3;

xb2는 1, 2, 3 및 4 중에서 선택된다. xb2 is selected from 1, 2, 3 and 4.

예를 들어, 상기 화학식 301 중,For example, in Formula 301,

L301은,L 301 is,

페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기 및 크라이세닐렌기; 및a phenylene group, a naphthylene group, a fluorenylene group, a spiro-fluorenylene group, a benzofluorenylene group, a dibenzofluorenylene group, a phenanthrenylene group, an anthracenylene group, a pyrenylene group, and a chrysenylene group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기 및 크라이세닐렌기; 중에서 선택되고;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra A phenylene group, a naphthylene group, a fluorenylene group, a spiro-fluorenylene group, a benzofluorenylene group, a dibenzofluorenylene group, a phenanthrenylene group, an anthracenylene group, a pyrenylene group and a chrysenylene group; is selected from;

R301R 301 is

C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; C 1 -C 20 alkyl group and C 1 -C 20 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Substituted with at least one selected from a salt thereof, a phenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, a spiro-fluorenyl group, a benzofluorenyl group, a dibenzofluorenyl group, a phenanthrenyl group, an anthracenyl group, a pyrenyl group, and a chrysenyl group selected, C 1 -C 20 alkyl group and C 1 -C 20 alkoxy group;

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기; 및a phenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, a spiro-fluorenyl group, a benzofluorenyl group, a dibenzofluorenyl group, a phenanthrenyl group, an anthracenyl group, a pyrenyl group and a chrysenyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기; 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra A phenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, a spiro-fluorenyl group, a benzofluorenyl group, a dibenzofluorenyl group, a phenanthrenyl group, an anthracenyl group substituted with at least one selected from a cenyl group, a pyrenyl group and a chrysenyl group group, pyrenyl group and chrysenyl group; may be selected from, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 호스트는 하기 화학식 301A로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:For example, the host may include a compound represented by the following Chemical Formula 301A:

<화학식 301A><Formula 301A>

Figure 112021043097471-pat00044
Figure 112021043097471-pat00044

상기 화학식 301A 중 치환기에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. For the description of the substituent in Formula 301A, refer to the description in the present specification.

상기 화학식 301로 표시되는 화합물은 하기 화합물 H1 내지 H42 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:The compound represented by Formula 301 may include at least one of the following compounds H1 to H42, but is not limited thereto:

Figure 112021043097471-pat00045
Figure 112021043097471-pat00045

Figure 112021043097471-pat00046
Figure 112021043097471-pat00046

Figure 112021043097471-pat00047
Figure 112021043097471-pat00047

Figure 112021043097471-pat00048
Figure 112021043097471-pat00048

Figure 112021043097471-pat00049
Figure 112021043097471-pat00049

Figure 112021043097471-pat00050
Figure 112021043097471-pat00050

또는, 상기 호스트는 하기 화합물 H43 내지 H49 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:Alternatively, the host may include at least one of the following compounds H43 to H49, but is not limited thereto:

Figure 112021043097471-pat00051
Figure 112021043097471-pat00051

Figure 112021043097471-pat00052
Figure 112021043097471-pat00052

상기 도펀트는 형광 도펀트 및 인광 도펀트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The dopant may include at least one of a fluorescent dopant and a phosphorescent dopant.

상기 인광 도펀트는 하기 화학식 401로 표시되는 유기금속 착체를 포함할 수 있다:The phosphorescent dopant may include an organometallic complex represented by the following Chemical Formula 401:

<화학식 401><Formula 401>

Figure 112021043097471-pat00053
Figure 112021043097471-pat00053

상기 화학식 401 중, In Formula 401,

M은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb) 및 톨륨(TM) 중에서 선택되고; M is selected from iridium (Ir), platinum (Pt), osmium (Os), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), europium (Eu), terbium (Tb) and thorium (TM);

X401 내지 X404는 서로 독립적으로, 질소 또는 탄소이고;X 401 to X 404 are each independently nitrogen or carbon;

A401 및 A402 고리는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 벤젠, 치환 또는 비치환된 나프탈렌, 치환 또는 비치환된 플루오렌, 치환 또는 비치환된 스파이로-플루오렌, 치환 또는 비치환된 인덴, 치환 또는 비치환된 피롤, 치환 또는 비치환된 티오펜, 치환 또는 비치환된 퓨란(furan), 치환 또는 비치환된 이미다졸, 치환 또는 비치환된 피라졸, 치환 또는 비치환된 티아졸, 치환 또는 비치환된 이소티아졸, 치환 또는 비치환된 옥사졸, 치환 또는 비치환된 이속사졸(isooxazole), 치환 또는 비치환된 피리딘, 치환 또는 비치환된 피라진, 치환 또는 비치환된 피리미딘, 치환 또는 비치환된 피리다진, 치환 또는 비치환된 퀴놀린, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀린, 치환 또는 비치환된 벤조퀴놀린, 치환 또는 비치환된 퀴녹살린, 치환 또는 비치환된 퀴나졸린, 치환 또는 비치환된 카바졸, 치환 또는 비치환된 벤조이미다졸, 치환 또는 비치환된 벤조퓨란(benzofuran), 치환 또는 비치환된 벤조티오펜, 치환 또는 비치환된 이소벤조티오펜, 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸, 치환 또는 비치환된 이소벤조옥사졸, 치환 또는 비치환된 트리아졸, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸, 치환 또는 비치환된 트리아진, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란(dibenzofuran) 및 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜 중에서 선택되고;A 401 and A 402 rings independently of each other, substituted or unsubstituted benzene, substituted or unsubstituted naphthalene, substituted or unsubstituted fluorene, substituted or unsubstituted spiro-fluorene, substituted or unsubstituted indene , substituted or unsubstituted pyrrole, substituted or unsubstituted thiophene, substituted or unsubstituted furan, substituted or unsubstituted imidazole, substituted or unsubstituted pyrazole, substituted or unsubstituted thiazole, substituted or unsubstituted isothiazole, substituted or unsubstituted oxazole, substituted or unsubstituted isoxazole, substituted or unsubstituted pyridine, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted pyridazine, substituted or unsubstituted quinoline, substituted or unsubstituted isoquinoline, substituted or unsubstituted benzoquinoline, substituted or unsubstituted quinoxaline, substituted or unsubstituted quinazoline, substituted or unsubstituted substituted or unsubstituted benzoimidazole, substituted or unsubstituted benzofuran, substituted or unsubstituted benzothiophene, substituted or unsubstituted isobenzothiophene, substituted or unsubstituted benzo oxazole, substituted or unsubstituted isobenzoxazole, substituted or unsubstituted triazole, substituted or unsubstituted oxadiazole, substituted or unsubstituted triazine, substituted or unsubstituted dibenzofuran and selected from substituted or unsubstituted dibenzothiophenes;

상기 치환된 벤젠, 치환된 나프탈렌, 치환된 플루오렌, 치환된 스파이로-플루오렌, 치환된 인덴, 치환된 피롤, 치환된 티오펜, 치환된 퓨란, 치환된 이미다졸, 치환된 피라졸, 치환된 티아졸, 치환된 이소티아졸, 치환된 옥사졸, 치환된 이속사졸, 치환된 피리딘, 치환된 피라진, 치환된 피리미딘, 치환된 피리다진, 치환된 퀴놀린, 치환된 이소퀴놀린, 치환된 벤조퀴놀린, 치환된 퀴녹살린, 치환된 퀴나졸린, 치환된 카바졸, 치환된 벤조이미다졸, 치환된 벤조퓨란, 치환된 벤조티오펜, 치환된 이소벤조티오펜, 치환된 벤조옥사졸, 치환된 이소벤조옥사졸, 치환된 트리아졸, 치환된 옥사디아졸, 치환된 트리아진, 치환된 디벤조퓨란 및 치환된 디벤조티오펜의 적어도 하나의 치환기는, said substituted benzene, substituted naphthalene, substituted fluorene, substituted spiro-fluorene, substituted indene, substituted pyrrole, substituted thiophene, substituted furan, substituted imidazole, substituted pyrazole, substituted substituted thiazole, substituted isothiazole, substituted oxazole, substituted isoxazole, substituted pyridine, substituted pyrazine, substituted pyrimidine, substituted pyridazine, substituted quinoline, substituted isoquinoline, substituted benzo Quinoline, substituted quinoxaline, substituted quinazoline, substituted carbazole, substituted benzoimidazole, substituted benzofuran, substituted benzothiophene, substituted isobenzothiophene, substituted benzoxazole, substituted iso At least one substituent of benzoxazole, substituted triazole, substituted oxadiazole, substituted triazine, substituted dibenzofuran and substituted dibenzothiophene is

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or salts thereof, a C 1 -C 60 alkyl group, a C 2 -C 60 alkenyl group, a C 2 -C 60 alkynyl group and a C 1 -C 60 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기(aryloxy), C6-C60아릴티오기(arylthio), C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group), 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q401)(Q402), -Si(Q403)(Q404)(Q405) 및 -B(Q406)(Q407) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 - C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 2 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent ratio -Aromatic heterocondensed polycyclic group, -N (Q 401 ) (Q 402 ), -Si (Q 403 ) (Q 404 ) (Q 405 ) and -B (Q 406 ) (Q 407 ), C substituted with at least one of 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group and C 1 -C 60 alkoxy group;

C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기 및 비-방향족 축합다환 그룹;C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryl an oxy group, a C 6 -C 60 arylthio group, a C 2 -C 60 heteroaryl group, and a non-aromatic condensed polycyclic group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴기옥시기, C6-C60아릴기티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q411)(Q412), -Si(Q413)(Q414)(Q415) 및 -B(Q416)(Q417) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group , C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryl groupoxy group, C 6 -C 60 aryl group thio group, C 2 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, -N(Q 411 )(Q 412 ), -Si(Q 413 )(Q 414 )(Q 415 ) and -B(Q 416 )(Q 417 ), C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group , C 2 -C 10 heterocycloalke, substituted with at least one of -B(Q 416 )(Q 417 ) Nyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 2 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and monovalent non- aromatic heterocondensed polycyclic group; and

-N(Q421)(Q422), -Si(Q423)(Q424)(Q425) 및 -B(Q426)(Q427); 중에서 선택되고;-N(Q 421 )(Q 422 ), -Si(Q 423 )(Q 424 )(Q 425 ) and -B(Q 426 )(Q 427 ); is selected from;

L401은 유기 리간드이고;L 401 is an organic ligand;

xc1은 1, 2 또는 3이고;xc1 is 1, 2 or 3;

xc2는 0, 1, 2 또는 3이다. xc2 is 0, 1, 2 or 3.

상기 L401은 임의의 1가, 2가 또는 3가의 유기 리간드일 수 있다. 예를 들어, L401은 할로겐 리간드(예를 들면, Cl, F), 디케톤 리간드(예를 들면, 아세틸아세토네이트, 1,3-디페닐-1,3-프로판디오네이트, 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트, 헥사플루오로아세토네이트), 카르복실산 리간드(예를 들면, 피콜리네이트, 디메틸-3-피라졸카르복실레이트, 벤조에이트), 카본 모노옥사이드 리간드, 이소니트릴 리간드, 시아노 리간드 및 포스포러스 리간드(예를 들면, 포스핀(phosphine), 포스파이트(phosphite)) 중 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. L 401 may be any monovalent, divalent, or trivalent organic ligand. For example, L 401 is a halogen ligand (eg Cl, F), a diketone ligand (eg acetylacetonate, 1,3-diphenyl-1,3-propanedionate, 2,2, 6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate, hexafluoroacetonate), carboxylic acid ligands (eg picolinate, dimethyl-3-pyrazolecarboxylate, benzoate), carbon It may be selected from a monoxide ligand, an isonitrile ligand, a cyano ligand, and a phosphorus ligand (eg, phosphine, phosphite), but is not limited thereto.

상기 화학식 401 중 A401가 2 이상의 치환기를 가질 경우, A401의 2 이상의 치환기를 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다. When A 401 in Formula 401 has two or more substituents, two or more substituents of A 401 may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated ring.

상기 화학식 401 중 A402가 2 이상의 치환기를 가질 경우, A402의 2 이상의 치환기를 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다. When A 402 in Formula 401 has two or more substituents, two or more substituents of A 402 may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated ring.

상기 화학식 401 중 xc1이 2 이상일 경우, 화학식 401 중 복수의 리간드

Figure 112021043097471-pat00054
는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 화학식 401 중 xc1이 2 이상일 경우, A401 및 A402는 각각 이웃하는 다른 리간드의 A401 및 A402와 각각 직접(directly) 또는 연결기(예를 들면, C1-C5알킬렌기, -N(R')-(여기서, R'은 C1-C10알킬기 또는 C6-C20아릴기임) 또는 -C(=O)-)를 사이에 두고 연결될 수 있다.When xc1 in Formula 401 is 2 or more, a plurality of ligands in Formula 401
Figure 112021043097471-pat00054
may be the same as or different from each other. In Formula 401 , when xc1 is 2 or more, A 401 and A 402 are each directly or a linking group (eg, C 1 -C 5 alkylene group, -N (R′)- (wherein R′ is a C 1 -C 10 alkyl group or a C 6 -C 20 aryl group) or —C(=O)-) may be interposed therebetween.

상기 인광 도펀트는 하기 화합물 PD1 내지 PD74 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:The phosphorescent dopant may include at least one of the following compounds PD1 to PD74, but is not limited thereto:

Figure 112021043097471-pat00055
Figure 112021043097471-pat00055

Figure 112021043097471-pat00056
Figure 112021043097471-pat00056

Figure 112021043097471-pat00057
Figure 112021043097471-pat00057

Figure 112021043097471-pat00058
Figure 112021043097471-pat00058

Figure 112021043097471-pat00059
Figure 112021043097471-pat00059

Figure 112021043097471-pat00060
Figure 112021043097471-pat00060

Figure 112021043097471-pat00061
Figure 112021043097471-pat00061

Figure 112021043097471-pat00062
Figure 112021043097471-pat00062

Figure 112021043097471-pat00063
Figure 112021043097471-pat00063

Figure 112021043097471-pat00064
Figure 112021043097471-pat00064

Figure 112021043097471-pat00065
Figure 112021043097471-pat00065

Figure 112021043097471-pat00066
Figure 112021043097471-pat00066

Figure 112021043097471-pat00067
Figure 112021043097471-pat00067

또는, 상기 인광 도펀트는 하기 PtOEP를 포함할 수 있다:Alternatively, the phosphorescent dopant may include the following PtOEP:

Figure 112021043097471-pat00068
Figure 112021043097471-pat00068

상기 형광 도펀트는 하기 DPAVBi, BDAVBi, TBPe, DCM, DCJTB, Coumarin 6 및 C545T 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The fluorescent dopant may include at least one of the following DPAVBi, BDAVBi, TBPe, DCM, DCJTB, Coumarin 6 and C545T.

Figure 112021043097471-pat00069
Figure 112021043097471-pat00069

Figure 112021043097471-pat00070
Figure 112021043097471-pat00070

또는, 상기 형광 도펀트는, 하기 화학식 501로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:Alternatively, the fluorescent dopant may include a compound represented by the following Chemical Formula 501:

<화학식 501><Formula 501>

Figure 112021043097471-pat00071
Figure 112021043097471-pat00071

상기 화학식 501 중, In Formula 501,

Ar501Ar 501 silver

*나프탈렌(naphthalene), 헵탈렌(heptalene), 플루오렌(fluorenene), 스파이로-플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌(phenalene), 페난트렌(phenanthrene), 안트라센(anthracene), 플루오란텐(fluoranthene), 트리페닐렌(triphenylene), 파이렌(pyrene), 크라이센(chrysene), 나프타센(naphthacene), 피센(picene), 페릴렌(perylene), 펜타펜(pentaphene) 및 인데노안트라센(indenoanthracene);*naphthalene, heptalene, fluorenene, spiro-fluorene, benzofluorene, dibenzofluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, Fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, picene, perylene, pentaphene and indo noanthracene;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 및 -Si(Q501)(Q502)(Q503) (상기 Q501 내지 Q503은 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C6-C60아릴기 및 C2-C60헤테로아릴기 중에서 선택됨) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 나프탈렌, 헵탈렌, 플루오렌, 스파이로-플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 나프타센, 피센, 페릴렌, 펜타펜 및 인데노안트라센; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group , C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 2 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group and -Si(Q 501 )(Q 502 )(Q 503 ) (wherein Q 501 to Q 503 are independently of each other, hydrogen, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 6 -C 60 aryl group and C 2 -C 60 heteroaryl group) substituted with at least one selected from naphthalene, heptalene, fluorene , spiro-fluorene, benzofluorene, dibenzofluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, picene, perylene, pentaphen and inde noanthracene; is selected from;

L501 내지 L503에 대한 설명은 각각 본 명세서 중 L201에 대한 설명을 참조하고;For the description of L 501 to L 503 , refer to the description of L 201 in the present specification, respectively;

R501 및 R502는 서로 독립적으로,R 501 and R 502 are independently of each other,

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오기페닐기; 및Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazole group, triazinyl group, dibenzofuranyl group and dibenzothio groupphenyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오기페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 트리아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오기페닐기; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Cenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group, tria A phenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, a spiro-fluorenyl group, a benzofluorenyl group, a dibenzofluorenyl group, a phenanthrenyl group, substituted with at least one selected from a zinyl group, a dibenzofuranyl group, and a dibenzothio group phenyl group , anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group , a triazinyl group and a dibenzofuranyl group and a dibenzothio group phenyl group; is selected from;

xd1 내지 xd3는 서로 독립적으로, 0, 1, 2 및 3 중에서 선택되고; xd1 to xd3 are each independently selected from 0, 1, 2 and 3;

xb4는 1, 2, 3 및 4 중에서 선택된다. xb4 is selected from 1, 2, 3 and 4.

상기 형광 호스트는 하기 화합물 FD1 내지 FD8 중 적어도 하나를 포함할 수 있다: The fluorescent host may include at least one of the following compounds FD1 to FD8:

Figure 112021043097471-pat00072
Figure 112021043097471-pat00072

Figure 112021043097471-pat00073
Figure 112021043097471-pat00073

Figure 112021043097471-pat00074
Figure 112021043097471-pat00074

상기 발광층 중 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부에 대하여, 약 0.01 내지 약 15 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The content of the dopant in the light emitting layer may be generally selected from about 0.01 to about 15 parts by weight based on about 100 parts by weight of the host, but is not limited thereto.

상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 200Å 내지 약 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.The light emitting layer may have a thickness of about 100 Å to about 1000 Å, for example, about 200 Å to about 600 Å. When the thickness of the light emitting layer satisfies the above range, excellent light emitting characteristics may be exhibited without a substantial increase in driving voltage.

발광층 상부에 상술한 혼합 유기층이 배치될 수 있다.The above-described mixed organic layer may be disposed on the emission layer.

상기 혼합 유기층은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 상기 발광층 상부에 형성될 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 발광층을 형성할 경우, 혼합 유기층의 증착 조건 및 코팅 조건은 상기 정공 주입층의 증착 조건 및 코팅 조건을 참조한다. The mixed organic layer is formed by various methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, LB (Langmuir-Blodgett), inkjet printing, laser printing, and laser induced thermal imaging (LITI). It may be formed on the light emitting layer. When the light emitting layer is formed by vacuum deposition or spin coating, the deposition conditions and coating conditions of the mixed organic layer refer to the deposition conditions and coating conditions of the hole injection layer.

상기 혼합 유기층을 이루는 화합물에 대해서는 상술한 바와 같다.The compound constituting the mixed organic layer is the same as described above.

상기 혼합 유기층의 두께는 약 5Å 내지 약 400Å, 약 10Å 내지 약 40Å일 수 있다. 상기 혼합 유기층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 소자 특성을 얻을 수 있다.The mixed organic layer may have a thickness of about 5 Å to about 400 Å, or about 10 Å to about 40 Å. When the thickness of the mixed organic layer satisfies the above range, satisfactory device characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.

상기 혼합 유기층의 정공 수송성 화합물은 상기 전자 수송성 화합물의 중량 1을 기준으로 0.1 내지 10의 중량비로 존재할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The hole-transporting compound of the mixed organic layer may be present in a weight ratio of 0.1 to 10 based on 1 by weight of the electron-transporting compound, but is not limited thereto.

다음으로 혼합 유기층 상부에 전자 수송 영역이 배치될 수 있다. Next, an electron transport region may be disposed on the mixed organic layer.

상기 전자 수송 영역은, 정공 저지층, 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The electron transport region may include at least one of a hole blocking layer, an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 전자 수송 영역은, 발광층으로부터 차례로 적층된 전자 수송층/전자 주입층 또는 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the electron transport region may have a structure of an electron transport layer/electron injection layer or a hole blocking layer/electron transport layer/electron injection layer sequentially stacked from the emission layer, but is not limited thereto.

일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자의 유기층(150)은 상기 발광층과 상기 제2전극(190) 사이에 개재된 전자 수송 영역을 포함한다. 상기 전자 수송 영역은 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the organic layer 150 of the organic light emitting device includes an electron transport region interposed between the light emitting layer and the second electrode 190 . The electron transport region may include at least one of an electron transport layer and an electron injection layer.

상기 전자 수송층은 상기 BCP, Bphen 및 하기 Alq3, Balq, TAZ 및 NTAZ 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The electron transport layer may include at least one of BCP, Bphen, and Alq 3 , Balq, TAZ, and NTAZ.

Figure 112021043097471-pat00075
Figure 112021043097471-pat00075

또는, 상기 전자 수송층은, 하기 화학식 601로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 602로 표시되는 화합물 중에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있다:Alternatively, the electron transport layer may include at least one compound selected from a compound represented by the following Chemical Formula 601 and a compound represented by the following Chemical Formula 602:

<화학식 601><Formula 601>

Ar601-[(L601)xe1-E601]xe2 Ar 601 -[(L 601 ) xe1 -E 601 ] xe2

상기 화학식 601 중, In Formula 601,

Ar601Ar 601 is

나프탈렌, 헵탈렌, 플루오렌, 스파이로-플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 나프타센, 피센, 페릴렌, 펜타펜 및 인데노안트라센;Naphthalene, heptalene, fluorene, spiro-fluorene, benzofluorene, dibenzofluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, picene, perylene, pentaphene and indenoanthracene;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 및 -Si(Q301)(Q302)(Q303) (상기 Q301 내지 Q303은 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C6-C60아릴기 및 C2-C60헤테로아릴기 중에서 선택됨) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 나프탈렌, 헵탈렌, 플루오렌, 스파이로-플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 나프타센, 피센, 페릴렌, 펜타펜 및 인데노안트라센; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 3 -C 10 heterocycloalkyl group , C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 3 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 2 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed heterocondensed polycyclic group, and -Si(Q 301 )(Q 302 )(Q 303 ) (wherein Q 301 to Q 303 are independently of each other, hydrogen, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 6 -C 60 aryl group and C 2 -C 60 heteroaryl group) substituted with at least one selected from naphthalene, heptalene, fluorene , spiro-fluorene, benzofluorene, dibenzofluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, picene, perylene, pentaphen and inde noanthracene; is selected from;

L601에 대한 설명은 본 명세서 중 L201에 대한 설명을 참조하고;For the description of L 601 , refer to the description of L 201 in the present specification;

E601은,E 601 silver,

피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기; 및pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group , isoindolyl group, indolyl group, indazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, Carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, isobenzoxazolyl group , triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기 중 적어도 하나로 치환된, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기; 중에서 선택되고;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, phenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group , azulenyl group, heptalenyl group, indacenyl group, acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group , fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubycenyl group, coronenyl group, Ovalenyl group, pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, Pyridazinyl group, isoindolyl group, indolyl group, indazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, Sinolinyl group, carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, iso Benzoxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imida A pyrrolyl group, a thiophenyl group, a furanyl group, an imidazolyl group, a pyrazolyl group, a thiazolyl group, an isothiazolyl group, an oxazolyl group, an isoxazolyl group, pyri Dinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindoleyl group, indolyl group, indazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthi Lidinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, carbazolyl group, phenanthridinyl group , acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, isobenzoxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group , oxadiazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group; is selected from;

xe1은 0, 1, 2 및 3 중에서 선택되고;xe1 is selected from 0, 1, 2 and 3;

xe2는 1, 2, 3 및 4 중에서 선택된다. xe2 is selected from 1, 2, 3 and 4.

<화학식 602><Formula 602>

Figure 112021043097471-pat00076
Figure 112021043097471-pat00076

상기 화학식 602 중,In Formula 602,

X611은 N 또는 C-(L611)xe611-R611이고, X612는 N 또는 C-(L612)xe612-R612이고, X613은 N 또는 C-(L613)xe613-R613이고, X611 내지 X613 중 적어도 하나는 N이고;X 611 is N or C-(L 611 ) xe611 -R 611 , X 612 is N or C-(L 612 ) xe612 -R 612 , X 613 is N or C-(L 613 ) xe613 -R 613 and , at least one of X 611 to X 613 is N;

L611 내지 L616 각각에 대한 설명은 본 명세서 중 L201에 대한 설명을 참조하고;For a description of each of L 611 to L 616 , refer to the description of L 201 in the present specification;

R611 내지 R616은 서로 독립적으로, R 611 to R 616 are each independently,

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 및Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Cenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and tria substituted with at least one of the zinyl groups, a phenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, a spiro-fluorenyl group, a benzofluorenyl group, a dibenzofluorenyl group, a phenanthrenyl group, an anthracenyl group, a pyrenyl group, a chrysenyl group , pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; is selected from;

xe611 내지 xe616은 서로 독립적으로, 0, 1, 2 및 3 중에서 선택된다. xe611 to xe616 are each independently selected from 0, 1, 2 and 3.

상기 화학식 601로 표시되는 화합물 및 602로 표시되는 화합물은 하기 화합물 ET1 내지 ET15 중에서 선택될 수 있다:The compound represented by Formula 601 and the compound represented by 602 may be selected from the following compounds ET1 to ET15:

Figure 112021043097471-pat00077
Figure 112021043097471-pat00077

Figure 112021043097471-pat00078
Figure 112021043097471-pat00078

Figure 112021043097471-pat00079
Figure 112021043097471-pat00079

Figure 112021043097471-pat00080
Figure 112021043097471-pat00080

Figure 112021043097471-pat00081
Figure 112021043097471-pat00081

상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.The electron transport layer may have a thickness of about 100 Å to about 1000 Å, for example, about 150 Å to about 500 Å. When the thickness of the electron transport layer satisfies the above range, a satisfactory electron transport characteristic may be obtained without a substantial increase in driving voltage.

상기 전자 수송층은 상술한 바와 같은 물질 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다. The electron transport layer may further include a metal-containing material in addition to the above-described material.

상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체는, 예를 들면, 하기 화합물 ET-D1(리튬 퀴놀레이트, LiQ) 또는 ET-D2을 포함할 수 있다.The metal-containing material may include a Li complex. The Li complex may include, for example, the following compound ET-D1 (lithium quinolate, LiQ) or ET-D2.

Figure 112021043097471-pat00082
Figure 112021043097471-pat00082

상기 전자 수송 영역은 정공 저지층을 포함할 수 있다. 상기 정공 저지층은, 발광층이 인광 도펀트를 사용할 경우, 삼중항 여기자 또는 정공이 전자 수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 형성할 수 있다. The electron transport region may include a hole blocking layer. The hole blocking layer may be formed in order to prevent the diffusion of triplet excitons or holes into the electron transport layer when the light emitting layer uses a phosphorescent dopant.

상기 전자 수송 영역이 정공 저지층을 포함할 경우, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 상기 발광층 상부에 상기 정공 저지층을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 정공 저지층을 형성할 경우, 정공 저지층의 증착 조건 및 코팅 조건은 상기 정공 주입층의 증착 조건 및 코팅 조건을 참조한다. When the electron transport region includes a hole blocking layer, vacuum deposition, spin coating, casting, LB (Langmuir-Blodgett), inkjet printing, laser printing, laser induced thermal imaging (LITI) The hole blocking layer may be formed on the light emitting layer by using various methods, such as. When the hole blocking layer is formed by vacuum deposition and spin coating, the deposition conditions and coating conditions of the hole blocking layer refer to the deposition conditions and coating conditions of the hole injection layer.

상기 정공 저지층은 예를 들면, 하기 BCP 및 Bphen 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole blocking layer may include, for example, at least one of the following BCP and Bphen, but is not limited thereto.

Figure 112021043097471-pat00083
Figure 112021043097471-pat00083

상기 정공 저지층의 두께는 약 20Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 30Å 내지 약 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다. The hole blocking layer may have a thickness of about 20 Å to about 1000 Å, for example, about 30 Å to about 300 Å. When the thickness of the hole blocking layer satisfies the above-described range, excellent hole blocking characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.

상기 전자 수송층은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 상기 발광층 상부 또는 정공 저지층 상부에 형성될 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 전자 수송층을 형성할 경우, 전자 수송층의 증착 조건 및 코팅 조건은 상기 정공 주입층의 증착 조건 및 코팅 조건을 참조한다. The electron transport layer is, using various methods such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a LB method (Langmuir-Blodgett), an inkjet printing method, a laser printing method, a laser thermal imaging method (Laser Induced Thermal Imaging, LITI), etc., It may be formed on the light emitting layer or on the hole blocking layer. When the electron transport layer is formed by vacuum deposition or spin coating, the deposition conditions and coating conditions of the electron transport layer refer to the deposition conditions and coating conditions of the hole injection layer.

상기 전자 수송 영역은, 제2전극(190)으로부터의 전자 주입을 용이하게 하는 전자 주입층을 포함할 수 있다. The electron transport region may include an electron injection layer that facilitates electron injection from the second electrode 190 .

상기 전자 주입층은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 상기 전자 수송층 상부에 형성될 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 전자 주입층을 형성할 경우, 전자 주입층의 증착 조건 및 코팅 조건은 상기 정공 주입층의 증착 조건 및 코팅 조건을 참조한다. The electron injection layer is formed by using various methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, Langmuir-Blodgett (LB), inkjet printing, laser printing, and laser induced thermal imaging (LITI). , may be formed on the electron transport layer. When the electron injection layer is formed by vacuum deposition or spin coating, the deposition conditions and coating conditions of the electron injection layer refer to the deposition conditions and coating conditions of the hole injection layer.

상기 전자 주입층은, LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 및 LiQ 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. The electron injection layer may include at least one selected from LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, and LiQ.

상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.The electron injection layer may have a thickness of about 1 Å to about 100 Å, or about 3 Å to about 90 Å. When the thickness of the electron injection layer satisfies the above range, a satisfactory level of electron injection characteristics may be obtained without a substantial increase in driving voltage.

상술한 바와 같은 유기층(150) 상부에는 제2전극(190)이 배치되어 있다. 상기 제2전극(190)은 전자 주입 전극인 캐소드(Cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극(190)용 물질로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 제2전극(190)용 물질의 구체적인 예에는, 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등이 포함될 수 있다. 또는, 상기 제2전극(190)용 물질로서 ITO 또는 IZO 등을 사용할 수 있다. 상기 제2전극(190)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. The second electrode 190 is disposed on the organic layer 150 as described above. The second electrode 190 may be a cathode, which is an electron injection electrode. In this case, the material for the second electrode 190 includes a metal, an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof having a low work function. can be used Specific examples of the material for the second electrode 190 include lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In). , magnesium-silver (Mg-Ag), and the like may be included. Alternatively, ITO or IZO may be used as the material for the second electrode 190 . The second electrode 190 may be a reflective electrode, a transflective electrode, or a transmissive electrode.

한편, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 유기층은 본 발명의 일 구현에에 따른 화합물을 사용하여 증착 방법으로 형성될 수 있거나, 또는 용액으로 제조된 본 발명의 일 구현에에 따른 화합물을 코팅하는 습식 방법으로도 형성될 수 있다.On the other hand, the organic layer of the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention may be formed by a deposition method using a compound according to an embodiment of the present invention, or a compound according to an embodiment of the present invention prepared as a solution It can also be formed by a wet method of coating the

본 발명의 일 구현예에 의한 유기 발광 소자는 다양한 형태의 평판 표시 장치, 예를 들면 수동 매트릭스 유기 발광 표시 장치 및 능동 매트릭스 유기 발광 표시 장치에 구비될 수 있다. 특히, 능동 매트릭스 유기 발광 표시 장치에 구비되는 경우, 기판 측에 구비된 제 1 전극은 화소 전극으로서 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자는 양면으로 화면을 표시할 수 있는 평판 표시 장치에 구비될 수 있다.The organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present invention may be provided in various types of flat panel display devices, for example, a passive matrix organic light emitting display device and an active matrix organic light emitting display device. In particular, when provided in an active matrix organic light emitting display device, the first electrode provided on the substrate side may be electrically connected to a source electrode or a drain electrode of the thin film transistor as a pixel electrode. In addition, the organic light emitting device may be provided in a flat panel display capable of displaying a screen on both sides.

이상, 상기 유기 발광 소자를 도 1을 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the above, the organic light emitting device has been described with reference to FIG. 1, but is not limited thereto.

이하에서, 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. (하기 실시예에 사용된 화합물들은 모두 공지의 화합물이며, 당업자는 이를 용이하게 입수할 수 있다)Hereinafter, an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention will be described in more detail by way of example. (The compounds used in the following examples are all known compounds, and those skilled in the art can easily obtain them)

실시예Example

청색 소자 제조blue device manufacturing

ITO/HTM (120)/Host+ BD 5%(30)/Buffer (20)/Alq3 (20)/LiF (1)/Al (200)ITO/HTM (120)/Host+ BD 5%(30)/Buffer (20)/Alq3 (20)/LiF (1)/Al (200)

실시예 1-1Example 1-1

유리 기판 위에 막 두께 120nm인 인듐 주석 산화물(ITO)의 투명 전극을 형성했다. 그 다음에 이것을 초음파 세정 및 전처리(UV-O3처리, 열처리)를 했다. A transparent electrode of indium tin oxide (ITO) having a thickness of 120 nm was formed on a glass substrate. Then, this was subjected to ultrasonic cleaning and pretreatment (UV-O 3 treatment, heat treatment).

전처리된 양극 위에  정공 수송층으로서 화합물 HTM을 120nm의 두께로 증착했다. 그 다음에, 호스트 재료인 MADN에 도핑(doping) 재료인 화합물 BD를 5%로 동시 증착하고, 두께 30nm의 발광층을 형성했다. 이 발광층 위에, buffer층으로서, 화합물 BF1과 화합물 BF9을 1:1의 비율로 20nm의 두께에 증착한 후, 전자 수송층으로서, Alq를 20nm의 두께에 증착했다. 그 다음에, 음극으로서, 불화 리튬을 1nm의 두께에 증착하고, 뒤이어서 알루미늄을 200nm의 두께에 증착하여 유기 발광 소자를 제작했다. On the pretreated anode, the compound HTM was deposited to a thickness of 120 nm as a hole transport layer. Then, compound BD, which is a doping material, was co-deposited at 5% on MADN, which is a host material, to form a light emitting layer having a thickness of 30 nm. On this light emitting layer, as a buffer layer, compound BF1 and compound BF9 were vapor-deposited to a thickness of 20 nm in a ratio of 1:1, and then Alq was vapor-deposited to a thickness of 20 nm as an electron transport layer. Then, as a cathode, lithium fluoride was vapor-deposited to a thickness of 1 nm, followed by deposition of aluminum to a thickness of 200 nm to fabricate an organic light-emitting device.

Figure 112021043097471-pat00084
Figure 112021043097471-pat00084

버퍼층 재료의 물성을 측정하여 비교한 결과를 표 1에 나타내었다. 물성 값의 측정 방법은 다음과 같다.Table 1 shows the comparison results by measuring the physical properties of the buffer layer material. The method of measuring the physical property value is as follows.

(1) 이온화 포텐셜(IP) (1) Ionization potential (IP)

유기 재료에 빛을 조사하고, 그 때에 전하분리에 의해 생성되는 전자량을 측정하였다.The organic material was irradiated with light, and the amount of electrons generated by charge separation at that time was measured.

(2) 에너지 갭(Eg) (2) Energy Gap (Eg)

재료의 UV 흡수 스펙트럼(spectrum)의 edge로부터 산출하였다. It was calculated from the edge of the UV absorption spectrum of the material.

(3) 전자친화도(EA) (3) Electron affinity (EA)

이온화 포텐셜(IP)과 에너지 갭(Eg)의 측정 값을 하기 식에 대입하여 산출하였다.The measured values of the ionization potential (IP) and the energy gap (Eg) were calculated by substituting them into the following equations.

EA(eV) = IP - Eg EA(eV) = IP - Eg

(4) 3 중항 에너지 (ET) (4) triplet energy (ET)

3 중항 에너지 (ET)의 환산식은 아래와 같다. The conversion formula for triplet energy (ET) is as follows.

ET(eV) = 1239.85 / λedge ET(eV) = 1239.85 / λedge

λedg는 인광 스펙트럼(spectrum)의 단파장 측 기울기에 접선을 그어 접선과 가로축의 교점의 파장값을 의미한다.λedg denotes a wavelength value at the intersection of the tangent and the horizontal axis by drawing a tangent to the slope of the short wavelength side of the phosphorescence spectrum.

물질명substance name EA (eV)EA (eV) IP (eV)IP (eV) Eg (eV)Eg (eV) ET (eV)ET (eV) BF1BF1 33 6.16.1 3.13.1 2.672.67 BF2BF2 2.212.21 5.845.84 3.633.63 2.642.64 BF3BF3 2.12.1 5.55.5 3.43.4 2.92.9 BF4BF4 2.352.35 5.675.67 3.323.32 2.872.87 BF5BF5 2.42.4 5.95.9 3.53.5 33 BF6BF6 22 5.55.5 3.53.5 2.92.9 BF7BF7 2.82.8 5.95.9 3.13.1 1.81.8 BF8BF8 2.52.5 5.75.7 3.23.2 2.62.6 BF9BF9 2.772.77 5.495.49 2.722.72 2.672.67 BF10BF10 2.92.9 6.46.4 3.53.5 2.52.5 BF11BF11 2.72.7 6.36.3 3.63.6 2.72.7 BF12BF12 33 6.126.12 3.123.12 2.272.27

실시예 1-2 ~ 1-14, 비교예 1~3Examples 1-2 to 1-14, Comparative Examples 1-3

ITO/HTM (120)/Host+ BD 5%(30)/Buffer (20)/Alq3 (20)/LiF (1)/Al (200)ITO/HTM (120)/Host+ BD 5%(30)/Buffer (20)/Alq3 (20)/LiF (1)/Al (200)

발광층상의 buffer층을 표 2에 나타낸 화합물로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일하게 유기 발광 소자를 제작했다. An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that the buffer layer on the light emitting layer was changed to the compound shown in Table 2.

  EML EML BufferBuffer 효율
(cd/A)
efficiency
(cd/A)
구동전압
(V)
drive voltage
(V)
T90
(hr)
T90
(hr)
실시예1-1Example 1-1 MADN + BDMADN + BD BF1+BF9BF1+BF9 5.55.5 4.54.5 9898 실시예1-2Example 1-2 MADN + BDMADN + BD BF2+BF9BF2+BF9 5.95.9 4.54.5 110110 실시예1-3Example 1-3 MADN + BDMADN + BD BF3+BF9BF3+BF9 5.75.7 4.64.6 8585 실시예1-4Example 1-4 MADN + BDMADN + BD BF4+BF9BF4+BF9 5.85.8 4.54.5 106106 실시예1-5Example 1-5 MADN + BDMADN + BD BF5+BF9BF5+BF9 5.55.5 4.64.6 9494 실시예1-6Example 1-6 MADN + BDMADN + BD BF6+BF9BF6+BF9 5.65.6 4.54.5 8686 실시예1-7Example 1-7 MADN + BDMADN + BD BF4+BF7BF4+BF7 5.65.6 4.34.3 8181 실시예1-8Examples 1-8 MADN + BDMADN + BD BF5+BF8BF5+BF8 5.85.8 4.44.4 103103 실시예1-9Examples 1-9 MADN + BDMADN + BD BF6+BF8BF6+BF8 5.55.5 4.44.4 9898 실시예1-10Examples 1-10 MADN + BDMADN + BD BF4+BF10BF4+BF10 5.75.7 4.44.4 9292 실시예1-11Example 1-11 MADN + BDMADN + BD BF4+BF11BF4+BF11 5.45.4 4.34.3 7878 실시예1-12Example 1-12 MADN + BDMADN + BD BF4+BF12BF4+BF12 5.65.6 4.64.6 9696 실시예1-13Examples 1-13 MADN + BDMADN + BD BF7+BF9BF7+BF9 5.45.4 4.24.2 8282 실시예1-14Example 1-14 MADN + BDMADN + BD BF8+BF9BF8+BF9 5.65.6 4.34.3 9898 비교예1Comparative Example 1 MADN + BDMADN + BD Alq3Alq3 4.54.5 4.84.8 3535 비교예2Comparative Example 2 MADN + BDMADN + BD BF7BF7 4.84.8 4.74.7 4848 비교예3Comparative Example 3 MADN + BDMADN + BD BF4BF4 4.84.8 5.05.0 2929

상기 실시예 및 비교예 소자에 대해서 효율(cd/A), 전압(V) 및 수명(시간)을 각각 평가하여 결과를 상기 표 2에 나타내었다.Efficiency (cd/A), voltage (V), and lifetime (time) were respectively evaluated for the devices of Examples and Comparative Examples, and the results are shown in Table 2 above.

녹색 소자 제조Green device manufacturing

ITO/HTM (120)/Host+ Ir(ppy)3_10% (30)/Buffer (20)/Alq3 (20)/LiF (1)/Al (200)ITO/HTM (120)/Host+ Ir(ppy)3_10% (30)/Buffer (20)/Alq3 (20)/LiF (1)/Al (200)

실시예 2-1 ~ 6, 비교예 4~6Examples 2-1 to 6, Comparative Examples 4 to 6

발광층 호스트, 도판토 및, buffer층을 표 3에 나타낸 화합물로 변경하고, 도판토 재료인 Ir(ppy)3을 10%의 비율로 증착한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일하게 유기 발광 소자를 제작했다 (호스트가 2 종인 경우 중량비는 1:1이다). Organic light emission in the same manner as in Example 1-1, except that the light emitting layer host, dopant, and buffer layers were changed to the compound shown in Table 3, and the dopant material, Ir(ppy)3, was deposited at a ratio of 10%. A device was fabricated (if there are two hosts, the weight ratio is 1:1).

Figure 112021043097471-pat00085
Figure 112021043097471-pat00085

  EML EML BufferBuffer 효율
(cd/A)
efficiency
(cd/A)
구동전압
(V)
drive voltage
(V)
T90
(hr)
T90
(hr)
실시예2-1Example 2-1 CBP + Ir(ppy)3CBP + Ir(ppy)3 BF4+BF7BF4+BF7 5555 4.84.8 165165 실시예2-2Example 2-2 CBP + Ir(ppy)3CBP + Ir(ppy)3 BF5+BF8BF5+BF8 5757 5.05.0 138138 실시예2-3Example 2-3 CBP + Ir(ppy)3CBP + Ir(ppy)3 BF6+BF8BF6+BF8 5555 4.84.8 151151 실시예3-1Example 3-1 PH1 + Ir(ppy)3PH1 + Ir(ppy)3 BF4+BF7BF4+BF7 5757 5.25.2 181181 실시예3-2Example 3-2 PH1 + Ir(ppy)3PH1 + Ir(ppy)3 BF5+BF8BF5+BF8 5858 5.15.1 144144 실시예3-3Example 3-3 PH1 + Ir(ppy)3PH1 + Ir(ppy)3 BF6+BF8BF6+BF8 5555 5.15.1 160160 실시예4-1Example 4-1 PH2 + Ir(ppy)3PH2 + Ir(ppy)3 BF4+BF7BF4+BF7 6161 4.54.5 120120 실시예4-2Example 4-2 PH2 + Ir(ppy)3PH2 + Ir(ppy)3 BF5+BF8BF5+BF8 6363 4.84.8 137137 실시예4-3Example 4-3 PH2 + Ir(ppy)3PH2 + Ir(ppy)3 BF6+BF8BF6+BF8 6060 4.74.7 118118 실시예5-1Example 5-1 CBP + PH1 + Ir(ppy)3CBP + PH1 + Ir(ppy)3 BF4+BF7BF4+BF7 6868 4.54.5 177177 실시예5-2Example 5-2 CBP + PH1 + Ir(ppy)3CBP + PH1 + Ir(ppy)3 BF5+BF8BF5+BF8 6666 4.54.5 201201 실시예5-3Example 5-3 CBP + PH1 + Ir(ppy)3CBP + PH1 + Ir(ppy)3 BF6+BF8BF6+BF8 6565 4.64.6 165165 실시예6Example 6 BF5 +BF8 + Ir(ppy)3BF5 +BF8 + Ir(ppy)3 BF5+BF8BF5+BF8 6363 4.34.3 173173 비교예4Comparative Example 4 CBP + Ir(ppy)3CBP + Ir(ppy)3 Alq3Alq3 4444 5.75.7 4949 비교예5Comparative Example 5 CBP + Ir(ppy)3CBP + Ir(ppy)3 BF7BF7 4848 5.35.3 6666 비교예6Comparative Example 6 CBP + Ir(ppy)3CBP + Ir(ppy)3 BF4BF4 5252 6.16.1 8787

상기 실시예 및 비교예 소자에 대해서 효율(cd/A), 전압(V) 및 수명(시간)을 각각 평가하여 결과를 상기 표 3에 나타내었다.Efficiency (cd/A), voltage (V), and lifetime (time) were respectively evaluated for the devices of Examples and Comparative Examples, and the results are shown in Table 3 above.

적색 소자 제조red device manufacturing

ITO/HTM (120)/Host+ Ir(pq)2acac_5% (30)/Buffer (20)/Alq3 (20)/LiF (1)/Al (200)ITO/HTM (120)/Host+ Ir(pq)2acac_5% (30)/Buffer (20)/Alq3 (20)/LiF (1)/Al (200)

실시예 7-1 ~ 9-3, 비교예 7~9Examples 7-1 to 9-3, Comparative Examples 7 to 9

발광층 호스트, 도판토 및, buffer층을 표 4에 나타낸 화합물로 변경하고, 도판토 재료인 Ir(pq)2acac을 5%의 비율로 증착한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일하게 유기 발광 소자를 제작했다Organic light emission in the same manner as in Example 1-1, except that the light emitting layer host, dopant and buffer layers were changed to the compound shown in Table 4, and the dopant material, Ir(pq)2acac, was deposited at a ratio of 5%. made a small

Figure 112021043097471-pat00086
Figure 112021043097471-pat00086

  EML EML BufferBuffer 효율
(cd/A)
efficiency
(cd/A)
구동전압
(V)
drive voltage
(V)
T90
(hr)
T90
(hr)
실시예7-1Example 7-1 CBP + Ir(pq)2acacCBP + Ir(pq)2acac BF4+BF7BF4+BF7 23.123.1 5.35.3 151151 실시예7-2Example 7-2 CBP + Ir(pq)2acacCBP + Ir(pq)2acac BF5+BF8BF5+BF8 22.522.5 5.45.4 163163 실시예7-3Example 7-3 CBP + Ir(pq)2acacCBP + Ir(pq)2acac BF6+BF8BF6+BF8 24.324.3 5.35.3 170170 실시예8-1Example 8-1 PH1 + Ir(pq)2acacPH1 + Ir(pq)2acac BF4+BF7BF4+BF7 23.323.3 5.45.4 225225 실시예8-2Example 8-2 PH1 + Ir(pq)2acacPH1 + Ir(pq)2acac BF5+BF8BF5+BF8 21.821.8 5.55.5 166166 실시예8-3Example 8-3 PH1 + Ir(pq)2acacPH1 + Ir(pq)2acac BF6+BF8BF6+BF8 24.024.0 5.55.5 191191 실시예9-1Example 9-1 PH2 + Ir(pq)2acacPH2 + Ir(pq)2acac BF4+BF7BF4+BF7 25.125.1 5.15.1 243243 실시예9-2Example 9-2 PH2 + Ir(pq)2acacPH2 + Ir(pq)2acac BF5+BF8BF5+BF8 24.824.8 5.05.0 288288 실시예9-3Example 9-3 PH2 + Ir(pq)2acacPH2 + Ir(pq)2acac BF6+BF8BF6+BF8 23.523.5 4.94.9 260260 비교예7Comparative Example 7 CBP + Ir(pq)2acacCBP + Ir(pq)2acac Alq3Alq3 15.315.3 5.95.9 118118 비교예8Comparative Example 8 CBP + Ir(pq)2acacCBP + Ir(pq)2acac BF7BF7 19.819.8 5.35.3 9595 비교예9Comparative Example 9 CBP + Ir(pq)2acacCBP + Ir(pq)2acac BF4BF4 18.018.0 6.56.5 7676

상기 실시예 및 비교예 소자에 대해서 효율(cd/A), 전압(V) 및 수명(시간)을 각각 평가하여 결과를 상기 표 3에 나타내었다.Efficiency (cd/A), voltage (V), and lifetime (time) were respectively evaluated for the devices of Examples and Comparative Examples, and the results are shown in Table 3 above.

표 2 ~ 4의 결과를 보면 본 발명의 일 구현예에 의한 소자가 비교예 소자보다 효율 및 수명이 뛰어남을 알 수 있다.Looking at the results of Tables 2 to 4, it can be seen that the device according to one embodiment of the present invention has superior efficiency and lifespan than the device of the comparative example.

본 발명에 대해 상기 합성예 및 실시예를 참고하여 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명에 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the above synthesis examples and examples, these are merely exemplary, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can make various modifications and equivalent other examples therefrom. will understand Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

10: 유기 발광 소자
110: 제1전극
150: 유기층
190: 제2전극
10: organic light emitting device
110: first electrode
150: organic layer
190: second electrode

Claims (19)

애노드;
캐소드; 및
상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에 개재된, 발광층을 포함하는 유기층을 구비한 유기 발광 소자로서,
상기 유기층이
i) 상기 애노드 상기 발광층 사이에 개재되며, 정공 주입층, 정공 수송층, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공 수송 영역 및
ii) 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 개재되며, 전자 수송층; 및 정공 저지층 및 전자 주입층 중 적어도 하나;를 포함한 전자 수송 영역을 포함하며;
하기 화합물 1-1 내지 1-123 중의 어느 하나; 및 하기 화합물 2-1 내지 2-84중의 어느 하나;를 포함하는 혼합 유기층이 상기 발광층 및 상기 전자 수송 영역 사이에 개재되며,
상기 혼합 유기층은 상기 발광층 및 상기 전자 수송 영역과 접하는 유기 발광 소자:
Figure 112021141974542-pat00126

Figure 112021141974542-pat00127

Figure 112021141974542-pat00128

Figure 112021141974542-pat00129

Figure 112021141974542-pat00130

Figure 112021141974542-pat00131

Figure 112021141974542-pat00132

Figure 112021141974542-pat00133

Figure 112021141974542-pat00134

Figure 112021141974542-pat00135

Figure 112021141974542-pat00136

Figure 112021141974542-pat00137
anode;
cathode; and
An organic light emitting device having an organic layer including a light emitting layer interposed between the anode and the cathode,
the organic layer
i) a hole transport region interposed between the anode and the light emitting layer and including at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, a buffer layer, and an electron blocking layer;
ii) an electron transport layer interposed between the light emitting layer and the cathode; and at least one of a hole blocking layer and an electron injection layer;
any one of the following compounds 1-1 to 1-123; And a mixed organic layer comprising any one of compounds 2-1 to 2-84 is interposed between the light emitting layer and the electron transport region,
The mixed organic layer is an organic light emitting device in contact with the light emitting layer and the electron transport region;
Figure 112021141974542-pat00126

Figure 112021141974542-pat00127

Figure 112021141974542-pat00128

Figure 112021141974542-pat00129

Figure 112021141974542-pat00130

Figure 112021141974542-pat00131

Figure 112021141974542-pat00132

Figure 112021141974542-pat00133

Figure 112021141974542-pat00134

Figure 112021141974542-pat00135

Figure 112021141974542-pat00136

Figure 112021141974542-pat00137
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 발광층이 인광 발광층이며, Ir, Pt, Cu 또는 Os 착체를 도판트로서 포함하는 유기 발광 소자.
The method of claim 1,
The light emitting layer is a phosphorescent light emitting layer, and an organic light emitting device comprising an Ir, Pt, Cu or Os complex as a dopant.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 발광층이 도펀트 BD를 포함하는 유기 발광 소자:
Figure 112021043097471-pat00110
The method of claim 1,
An organic light emitting device in which the light emitting layer includes a dopant BD:
Figure 112021043097471-pat00110
제 1 항에 있어서,
상기 발광층이 도펀트 Ir(ppy)3 를 포함하는 유기 발광 소자:
Figure 112021043097471-pat00111
The method of claim 1,
An organic light-emitting device in which the light-emitting layer includes a dopant Ir(ppy)3:
Figure 112021043097471-pat00111
제 1 항에 있어서,
상기 발광층이 도펀트 Ir(pq)2acac를 포함하는 유기 발광 소자:
Figure 112021043097471-pat00112
The method of claim 1,
An organic light-emitting device in which the light-emitting layer includes a dopant Ir(pq)2acac:
Figure 112021043097471-pat00112
제 1 항에 있어서,
상기 발광층이 하기 화합물 중 1 이상을 호스트로 포함하는 유기 발광 소자:
Figure 112021043097471-pat00113
The method of claim 1,
An organic light emitting device in which the light emitting layer includes at least one of the following compounds as a host:
Figure 112021043097471-pat00113
제1항에 있어서,
상기 정공 수송 영역이 하기 화학식 201A로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 202A로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함한, 유기 발광 소자:
<화학식 201A>
Figure 112021043097471-pat00114

<화학식 202A>
Figure 112021043097471-pat00115

상기 화학식 201A 및 202A 중,
L201 내지 L203은 서로 독립적으로,
페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 카바졸일렌기 및 트리아지닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 카바졸일렌기 및 트리아지닐렌기; 중에서 선택되고;
xa1 내지 xa3은 서로 독립적으로, 0 또는 1이고;
R202 내지 R204, R211 및 R212는 서로 독립적으로,
페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고;
R213 및 R214는 서로 독립적으로,
C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고;
R215 및 R216은 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기 및 트리아지닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고;
xa5는 1 또는 2이다.
According to claim 1,
An organic light emitting device, wherein the hole transport region includes at least one of a compound represented by the following Chemical Formula 201A and a compound represented by the following Chemical Formula 202A:
<Formula 201A>
Figure 112021043097471-pat00114

<Formula 202A>
Figure 112021043097471-pat00115

In Formulas 201A and 202A,
L 201 to L 203 are each independently,
phenylene group, naphthylene group, fluorenylene group, spiro-fluorenylene group, benzofluorenylene group, dibenzofluorenylene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, pyrenylene group, chrysenylene group, a pyridinylene group, a pyrazinylene group, a pyrimidinylene group, a pyridazinylene group, a quinolinylene group, an isoquinolinylene group, a quinoxalinylene group, a quinazolinylene group, a carbazolylene group, and a triazinylene group; and
Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Cenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and tria A phenylene group, a naphthylene group, a fluorenylene group, a spiro-fluorenylene group, a benzofluorenylene group, a dibenzofluorenylene group, a phenanthrenylene group, an anthracenylene group, substituted with at least one selected from among the zinyl groups , pyrenylene group, chrysenylene group, pyridinylene group, pyrazinylene group, pyrimidinylene group, pyridazinylene group, quinolinylene group, isoquinolinylene group, quinoxalinylene group, quinazolinylene group, carbazolyl a ren group and a triazinylene group; is selected from;
xa1 to xa3 are each independently 0 or 1;
R 202 to R 204 , R 211 and R 212 are each independently,
Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; and
Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Cenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and tria phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolyl a nyl group, a carbazolyl group and a triazinyl group; is selected from;
R 213 and R 214 are independently of each other,
C 1 -C 20 alkyl group and C 1 -C 20 alkoxy group;
Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or salts thereof, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, C 1 -C 20 alkyl group substituted with at least one selected from a pyrazinyl group, a pyrimidinyl group, a pyridazinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group, a quinoxalinyl group, a quinazolinyl group, a carbazolyl group and a triazinyl group and a C 1 -C 20 alkoxy group;
Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; and
Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Cenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and tria phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; is selected from;
R 215 and R 216 are independently of each other,
hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or a salt thereof, a C 1 -C 20 alkyl group and a C 1 -C 20 alkoxy group;
Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or salts thereof, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, C 1 -C 20 alkyl group substituted with at least one selected from a pyrazinyl group, a pyrimidinyl group, a pyridazinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group, a quinoxalinyl group, a quinazolinyl group, a carbazolyl group and a triazinyl group and a C 1 -C 20 alkoxy group;
Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group and triazinyl group; and
Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or a salt thereof, sulfonic acid or a salt thereof, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Cenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and tria phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; is selected from;
xa5 is 1 or 2.
제 14 항에 있어서,
상기 화학식 201A로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 202A로 표시되는 화합물이 하기 화합물 중 어느 하나인 유기 발광 소자:
Figure 112021043097471-pat00116

Figure 112021043097471-pat00117

Figure 112021043097471-pat00118

Figure 112021043097471-pat00119
15. The method of claim 14,
An organic light emitting device wherein the compound represented by Formula 201A and the compound represented by Formula 202A are any one of the following compounds:
Figure 112021043097471-pat00116

Figure 112021043097471-pat00117

Figure 112021043097471-pat00118

Figure 112021043097471-pat00119
제 1 항에 있어서,
상기 정공 수송 영역이 p-도펀트를 포함하는 유기 발광 소자.
The method of claim 1,
The organic light emitting device in which the hole transport region includes a p-dopant.
제 1 항에 있어서,
상기 정공 수송 영역이 p-도펀트를 포함하며, 상기 p-도펀트는 퀴논 유도체, 금속 산화물, 또는 시아노기-함유 화합물인 유기 발광 소자.
The method of claim 1,
The hole transport region includes a p-dopant, and the p-dopant is a quinone derivative, a metal oxide, or a cyano group-containing compound.
제 1 항에 있어서,
상기 유기층이 습식 공정을 거쳐 형성되는 유기 발광 소자.
The method of claim 1,
An organic light-emitting device in which the organic layer is formed through a wet process.
제 1 항의 유기 발광 소자를 구비하고, 상기 유기 발광 소자의 제 1 전극이 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결된 평판 표시 장치.A flat panel display comprising the organic light emitting device of claim 1, wherein a first electrode of the organic light emitting device is electrically connected to a source electrode or a drain electrode of a thin film transistor.
KR1020210048026A 2014-05-02 2021-04-13 Organic light emitting device KR102379743B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210048026A KR102379743B1 (en) 2014-05-02 2021-04-13 Organic light emitting device
KR1020220035540A KR102578856B1 (en) 2021-04-13 2022-03-22 Organic light emitting device
KR1020230119270A KR20230133255A (en) 2021-04-13 2023-09-07 Organic light emitting device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140053616A KR102244071B1 (en) 2014-05-02 2014-05-02 Organic light emitting device
KR1020210048026A KR102379743B1 (en) 2014-05-02 2021-04-13 Organic light emitting device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140053616A Division KR102244071B1 (en) 2014-05-02 2014-05-02 Organic light emitting device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220035540A Division KR102578856B1 (en) 2021-04-13 2022-03-22 Organic light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210046614A KR20210046614A (en) 2021-04-28
KR102379743B1 true KR102379743B1 (en) 2022-03-29

Family

ID=80996198

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210048026A KR102379743B1 (en) 2014-05-02 2021-04-13 Organic light emitting device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102379743B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102255197B1 (en) * 2014-05-02 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101846436B1 (en) * 2014-01-29 2018-04-06 제일모직 주식회사 Composition for electron transport buffer layer and organic optoelectric device including the electron transport buffer layer and display device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102255197B1 (en) * 2014-05-02 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210046614A (en) 2021-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102451724B1 (en) Organic light emitting device
KR102244071B1 (en) Organic light emitting device
KR102369677B1 (en) Organic light emitting device
KR102630643B1 (en) Organic light-emitting device
KR102593531B1 (en) Organic light-emitting device
KR102273047B1 (en) Organic light-emitting device
KR102322761B1 (en) Organic light-emitting device
KR20230174745A (en) Organic light-emitting devices
KR102600474B1 (en) Organic light emitting device
KR102124045B1 (en) Organic light emitting device
KR102611206B1 (en) Organic light emitting device
KR102313358B1 (en) Organic light emitting device
KR20150126755A (en) Organic light emitting device
KR102230191B1 (en) Organic light-emitting device
KR20150126526A (en) Organic light emitting device
KR102430814B1 (en) Organic light-emitting devices
KR102288347B1 (en) Organic light-emitting devices
KR20230024933A (en) Organic light emitting device
KR102364220B1 (en) Organic light-emitting device
KR102442614B1 (en) Dibenzoborole-based compound and organic light emitting device comprising the same
KR102606283B1 (en) Organic light-emitting device
KR102544984B1 (en) Compound and Organic light emitting device comprising same
KR102537438B1 (en) Compound and Organic light emitting device comprising same
KR20160057549A (en) Organic light emitting device
KR102614597B1 (en) Organic light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant