KR102376991B1 - Arcing forecasting and monitoring system through ground vlotage monitoring of plasma process equipment - Google Patents

Arcing forecasting and monitoring system through ground vlotage monitoring of plasma process equipment Download PDF

Info

Publication number
KR102376991B1
KR102376991B1 KR1020200065137A KR20200065137A KR102376991B1 KR 102376991 B1 KR102376991 B1 KR 102376991B1 KR 1020200065137 A KR1020200065137 A KR 1020200065137A KR 20200065137 A KR20200065137 A KR 20200065137A KR 102376991 B1 KR102376991 B1 KR 102376991B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
arcing
monitoring
voltage
signal
forecast
Prior art date
Application number
KR1020200065137A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210148545A (en
Inventor
유신재
김시준
조철희
이영석
이장재
Original Assignee
충남대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 충남대학교산학협력단 filed Critical 충남대학교산학협력단
Priority to KR1020200065137A priority Critical patent/KR102376991B1/en
Publication of KR20210148545A publication Critical patent/KR20210148545A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102376991B1 publication Critical patent/KR102376991B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32944Arc detection
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/0006Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature
    • H05H1/0081Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature by electric means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템에 관한 것이다.
더욱 상세하게는, 플라즈마 발생부에서 발생되는 아킹을 예보 및 모니터링하는 아킹 예보 및 모니터링 시스템에 있어서, 플라즈마 발생부에서 발생되는 아킹을 예보 및 모니터링하는 아킹 예보 및 모니터링 시스템에 있어서, 상기 플라즈마 발생부에서 연장되는 접지부에 연결되어 접지부(2)의 전압을 측정하고, 측정된 전압을 전압신호로 전송하는 프로브 헤드; 및 상기 프로브 헤드에서 전송된 전압신호를 이용하여 아킹 발생의 예보에 필요한 예보신호 및 모니터링에 필요한 모니터링신호를 출력하도록 구성되는 고속검출부가 포함되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹을 예보 및 모니터링할 수 있도록 구성됨으로써, 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹에 대해 빠르게 대처할 수 있도록 구성되는 효과가 있다.
The present invention relates to an arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring.
More specifically, in the arcing forecasting and monitoring system for predicting and monitoring arcing occurring in the plasma generating unit, in the arcing forecasting and monitoring system for predicting and monitoring arcing occurring in the plasma generating unit, the plasma generating unit A probe head connected to the extended ground portion to measure the voltage of the ground portion (2) and transmitting the measured voltage as a voltage signal; and a high-speed detection unit configured to output a forecast signal necessary for predicting the occurrence of arcing and a monitoring signal necessary for monitoring using the voltage signal transmitted from the probe head. According to the present invention, by being configured to predict and monitor arcing occurring in the plasma process, there is an effect of being configured to quickly respond to arcing occurring in the plasma process.

Description

플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템{ARCING FORECASTING AND MONITORING SYSTEM THROUGH GROUND VLOTAGE MONITORING OF PLASMA PROCESS EQUIPMENT}Arcing forecasting and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring {ARCING FORECASTING AND MONITORING SYSTEM THROUGH GROUND VLOTAGE MONITORING OF PLASMA PROCESS EQUIPMENT}

본 발명은 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring.

더욱 상세하게는, 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹을 예보 및 모니터링할 수 있도록 구성됨으로써, 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹을 예방할 수 있도록 구성되는 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템에 관한 것이다.More specifically, it relates to an arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring that is configured to predict and monitor arcing occurring in the plasma process, thereby preventing arcing occurring in the plasma process.

플라즈마란 초고온에서 음전하를 가진 전자와 양전하를 띤 이온으로 분리된 기체 상태를 말한다. 이때 전하 분리도가 상당히 높으면서도 전체적으로 음과 양의 전하 수가 같아서 중성을 띠게 된다. 플라즈마는 물질의 제4의 상태라 불리는 것이며, 예를 들면 반도체 공정 등에 쓰이는 각종 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition), 코팅, 스퍼터링, 금속의 질화처리, 탄화 결정성장, 다이아몬드 합성 등에 이용된다.Plasma refers to a gaseous state separated into negatively charged electrons and positively charged ions at extremely high temperatures. At this time, the charge separation is quite high, but the overall number of negative and positive charges is the same, making it neutral. Plasma is called the fourth state of matter, and is used in various fields such as CVD (Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition), coating, sputtering, nitriding of metals, carbonization crystal growth, diamond synthesis, etc. used in semiconductor processes, etc. It is used.

이러한 플라즈마를 이용한 반도체소자 제조공정을 진행하기 위해서는 플라즈마를 발생시키기 위하여 고주파 전력의 인가가 필요한데, 이때, 공정챔버를 플로팅(Floating) 상태 그대로 두는 것은 이러한 고주파 전력의 인가에 의하여 공정챔버에 전하(Charge)가 쌓이게 되므로 작업자 및 장비의 안정상 바람직하지 않은 문제가 있다.In order to proceed with the semiconductor device manufacturing process using plasma, the application of high-frequency power is required to generate plasma. At this time, leaving the process chamber in a floating state means that the application of this high-frequency power causes a charge to be applied to the process chamber. ) accumulates, causing undesirable problems with the safety of workers and equipment.

따라서, 임피던스가 작은 접지선을 이용하여 공정챔버를 접지(Grounding)시킴으로써, 공정 챔버에 축적된 전하를 외부로 배출시키도록 구성된다.Therefore, by grounding the process chamber using a ground wire with low impedance, the charge accumulated in the process chamber is discharged to the outside.

하지만 공정 챔버에 축적된 전하가 외부로 제대로 빠져나가지 못하면 축적된 전하와 플라즈마의 사이, 접지 상태가 안 좋은 부분과 축적된 전하의 사이에서 전자 열전계 방출(Thermofield emission)을 통해 미세 아킹(Micro-Arcing)이 발생하게 되는데, 이렇게 되면 플라즈마가 안정되지 못하므로 공정의 신뢰성이 저하되며, 장비의 수명도 뿐만 아니라, 장비를 구동하는 작업자(Operator)의 안정성 또한 위협받게 되는 문제가 있다.However, if the charges accumulated in the process chamber are not properly discharged to the outside, micro-arcing occurs through electronic thermofield emission between the accumulated charges and the plasma, and between the parts with poor grounding conditions and the accumulated charges. Arcing occurs, and when this happens, the reliability of the process decreases because the plasma becomes unstable, and not only the lifespan of the equipment but also the stability of the operator operating the equipment is threatened.

따라서 플라즈마 챔버 내부에서 발생되는 아킹에 대한 정확한 감지와 신속한 대처 시스템이 필요한 실정이다.Therefore, there is a need for an accurate detection and rapid response system for arcing occurring inside the plasma chamber.

등록특허공보 제 10-1303040 호(2013.08.28.)Registered Patent Publication No. 10-1303040 (2013.08.28.) 등록특허공보 제 10-0476460 호(2005.03.04.)Registered Patent Publication No. 10-0476460 (2005.03.04.)

본 발명은 위와 같은 과제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹을 예보 및 모니터링할 수 있도록 구성됨으로써, 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹을 예방할 수 있도록 구성되는 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템을 제공하는 데 있다.The present invention was created to solve the above problems. The problem to be solved by the present invention is to predict and monitor arcing occurring in the plasma process, thereby preventing arcing occurring in the plasma process. The purpose is to provide an arcing forecast and monitoring system through monitoring the ground voltage of plasma process equipment.

위와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템은, 플라즈마 발생부에서 발생되는 아킹을 예보 및 모니터링하는 아킹 예보 및 모니터링 시스템에 있어서, 상기 플라즈마 발생부의 하우징 혹은 플라즈마 발생부에서 연장되는 접지부 혹은 플라즈마 발생부와 접지부 사이에 연결되어 전압을 측정하고, 측정된 전압을 전압신호로 전송하는 프로브 헤드; 및 상기 프로브 헤드에서 전송된 전압신호를 이용하여 아킹 발생의 예보에 필요한 예보신호 및 모니터링에 필요한 모니터링신호를 출력하도록 구성되는 고속검출부가 포함되는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, the arcing forecasting and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention is an arcing forecasting and monitoring system that predicts and monitors arcing occurring in the plasma generating unit. A probe head connected to a ground portion extending from the housing or the plasma generator or between the plasma generator and the ground portion to measure voltage and transmit the measured voltage as a voltage signal; and a high-speed detection unit configured to output a forecast signal necessary for predicting the occurrence of arcing and a monitoring signal necessary for monitoring using the voltage signal transmitted from the probe head.

또한 상기 고속검출부에는, 상기 프로브 헤드로부터 전송된 전압신호를 분기한 어느 하나의 데이터를 수집하여 트리거링하는 제1트리거를 포함하며, 예보신호를 출력하는 예보모듈; 및 상기 프로브 헤드로부터 전송된 전압신호를 분기한 다른 하나의 데이터를 수집하여 트리거링하는 제2트리거 및 상기 제2트리거로부터 트리거링된 신호를 아킹 파형 신호처리하여 모니터링신호를 출력하는 신호처리부가 포함되는 모니터링모듈이 포함되는 것을 특징으로 한다.In addition, the high-speed detection unit includes a first trigger that collects and triggers data obtained by branching the voltage signal transmitted from the probe head, and a forecast module that outputs a forecast signal; And a second trigger that collects and triggers another data branched from the voltage signal transmitted from the probe head, and a signal processing unit that processes the signal triggered from the second trigger into an arcing waveform signal and outputs a monitoring signal. It is characterized by including a module.

또한, 상기 제1트리거는 적어도 상기 제1트리거 보다 고속으로 데이터를 수집하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.Additionally, the first trigger is configured to collect data at least at a faster rate than the first trigger.

또한, 상기 예보모듈에는 상기 프로브 헤드로부터 전송된 전압신호를 제1디지털 신호로 변환시켜 전달하는 제1ADC(Analogue digital converter); 및 상기 제1ADC에서 전달되는 제1디지털 신호를 저장하도록 구성되는 제1메모리가 포함되고, 상기 제1트리거는 상기 제1ADC로 입력되는 신호를 트리거링하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the forecast module includes a first analog digital converter (ADC) that converts the voltage signal transmitted from the probe head into a first digital signal and transmits it; and a first memory configured to store a first digital signal transmitted from the first ADC, and the first trigger is configured to trigger a signal input to the first ADC.

또한, 상기 제1메모리는 상기 제1ADC에서 출력되는 제1디지털 신호에서 미리 설정된 특정시간 동안 특정전압변화가 발생된 것으로 판단되는 경우 아킹 발생을 예보신호를 출력하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the first memory is configured to output a signal predicting the occurrence of arcing when it is determined that a specific voltage change has occurred during a preset specific time in the first digital signal output from the first ADC.

또한, 상기 모니터링모듈에는 상기 프로브 헤드로부터 전송된 전압신호를 제2디지털 신호로 변환시켜 전달하는 제2ADC; 및 상기 제2ADC에서 전달되는 제2디지털 신호를 저장하도록 구성되는 제2메모리가 포함되고, 상기 제2트리거는 상기 제2ADC로 입력되는 신호를 트리거링하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the monitoring module includes a second ADC that converts the voltage signal transmitted from the probe head into a second digital signal and transmits it; and a second memory configured to store a second digital signal transmitted from the second ADC, and the second trigger is configured to trigger a signal input to the second ADC.

또한, 상기 고속검출부에는 상기 프로브 헤드에서 전송되는 전압신호를 증폭시켜 상기 예보모듈 및 모니터링모듈로 전달하도록 구성되는 증폭모듈이 포함되는 것을 특징으로 한다.In addition, the high-speed detection unit includes an amplification module configured to amplify the voltage signal transmitted from the probe head and transmit it to the forecast module and monitoring module.

본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템에 의하면, 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹을 예보 및 모니터링할 수 있도록 구성됨으로써, 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹에 대해 빠르게 대처할 수 있도록 구성되는 효과가 있다.According to the arcing forecasting and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention, it is configured to predict and monitor arcing occurring in the plasma process, and is configured to quickly respond to arcing occurring in the plasma process. It works.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템이 적용된 상태를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템을 나타내는 도면.
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템의 프로브 헤드를 나타내는 참고도.
도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템의 고속검출부를 나타내는 참고도.
도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템의 아킹 검출방법을 검증하기 위한 시스템 모식도.
도 6a는 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템의 플라즈마 발생 중 아킹 발생했을 때의 전압-시간 그래프.
도 6b는 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템의 아킹 검출방법 검증 데이터를 나타내는 그래프.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템의 접지, 아킹 발생 전극 및 플라즈마 부유 전위를 도 5의 Test 2, 도 5의 Test 3에서 측정한 그래프.
도 8은 플라즈마 공정에서 발생하는 아킹 신호에 따른 전압 파형과 전류 파형을 나타내는 그래프.
도 8은 플라즈마 공정에서 발생하는 아킹 신호의 전류를 측정하는 기존 기술을 나타내는 도면.
도 9는 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹 신호의 전압을 측정하는 시스템과 전류를 측정하는 시스템을 비교한 참고도.
도 10은 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹 신호에 따른 전압 파형과 전류 파형을 나타내는 그래프.
1 is a diagram showing the application of the arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention.
Figure 2 is a diagram showing an arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention.
Figure 3 is a reference diagram showing the probe head of the arcing forecasting and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention.
Figure 4 is a reference diagram showing a high-speed detection unit of the arcing forecasting and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention.
Figure 5 is a system schematic diagram for verifying the arcing detection method of the arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention.
Figure 6a is a voltage-time graph when arcing occurs during plasma generation in the arcing forecast and monitoring system through ground voltage monitoring of plasma process equipment according to the present invention.
Figure 6b is a graph showing verification data of the arcing detection method of the arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention.
Figures 7a and 7b are graphs measuring the ground, arcing generation electrode, and plasma floating potential of the arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention in Test 2 of Figure 5 and Test 3 of Figure 5.
Figure 8 is a graph showing the voltage waveform and current waveform according to the arcing signal generated in the plasma process.
Figure 8 is a diagram showing an existing technology for measuring the current of an arcing signal generated in a plasma process.
Figure 9 is a reference diagram comparing a system for measuring the voltage of an arcing signal generated in a plasma process and a system for measuring current.
Figure 10 is a graph showing the voltage waveform and current waveform according to the arcing signal generated in the plasma process.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can be modified in various ways and can have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.When a component is said to be "connected" or "connected" to another component, it is understood that it may be directly connected to or connected to the other component, but that other components may exist in between. It should be.

반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.On the other hand, when it is mentioned that a component is “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that there are no other components in between.

본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 공정, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 공정, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in this specification are merely used to describe specific embodiments and are not intended to limit the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, processes, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features. It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of elements, numbers, processes, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as generally understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless clearly defined in the present application, should not be interpreted as having an ideal or excessively formal meaning. No.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정하여 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 또한, 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다. 다음에 소개되는 도면들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 제시되는 도면들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 또한, 명세서 전반에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. 도면들 중 동일한 구성요소들은 가능한 한 어느 곳에서든지 동일한 부호들로 나타내고 있음에 유의해야 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the attached drawings. Prior to this, the terms or words used in this specification and claims should not be construed as limited to their usual or dictionary meanings, and the inventor should appropriately define the concept of terms in order to explain his or her invention in the best way. Based on the principle of definability, it must be interpreted with meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention. In addition, if there is no other definition in the technical and scientific terms used, they have meanings commonly understood by those skilled in the art to which this invention pertains, and the gist of the present invention is summarized in the following description and accompanying drawings. Descriptions of known functions and configurations that may be unnecessarily obscure are omitted. The drawings introduced below are provided as examples so that the idea of the present invention can be sufficiently conveyed to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the drawings presented below and may be embodied in other forms. Additionally, like reference numerals refer to like elements throughout the specification. It should be noted that like elements in the drawings are represented by like symbols wherever possible.

본 발명은 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹을 예보 및 모니터링할 수 있도록 구성됨으로써, 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹에 대해 빠르게 대처할 수 있도록 구성되는 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring, which is configured to predict and monitor arcing occurring in a plasma process, thereby enabling rapid response to arcing occurring in a plasma process.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the arcing forecasting and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템이 적용된 상태를 나타내는 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템을 나타내는 도면이며, 도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템의 프로브 헤드를 나타내는 참고도이고, 도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템의 고속검출부를 나타내는 참고도이다.Figure 1 is a diagram showing the state in which the arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention is applied, and Figure 2 shows the arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention. It is a drawing, and Figure 3 is a reference diagram showing the probe head of the arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention, and Figure 4 is an arcing forecast and arcing forecast through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention. This is a reference diagram showing the high-speed detection part of the monitoring system.

첨부된 도 1 내지 도 4에 따르면, 본 발명의 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템에는 플라즈마 발생부(1)의 하우징 혹은 플라즈마 발생부(1)에서 연장되는 접지부(2) 혹은 플라즈마 발생부(1)와 접지부(2) 사이에 연결되어 전압을 측정하고 측정된 전압을 전압신호로 전송하도록 구성되는 프로브 헤드(100) 및 상기 프로브 헤드(100)에서 전송되는 전압신호를 이용하여 아킹 발생의 예보에 필요한 예보신호 및 모니터링에 필요한 모니터링신호를 출력하도록 구성되는 고속검출부(200)가 포함된다.According to the attached FIGS. 1 to 4, the arcing forecasting and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring of the present invention includes a housing of the plasma generator (1) or a ground portion (2) extending from the plasma generator (1). Alternatively, the probe head 100 is connected between the plasma generator 1 and the ground portion 2 to measure voltage and transmit the measured voltage as a voltage signal, and the voltage signal transmitted from the probe head 100. It includes a high-speed detection unit 200 configured to output a forecast signal necessary for forecasting the occurrence of arcing and a monitoring signal necessary for monitoring.

이러한 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템은 플라즈마 발생부(1)에서 아킹이 발생되는 경우 상기 접지부(2)에서 측정되는 전압이 강하되거나 상승되는 것을 모니터링하여 상기 플라즈마 발생부(1)에서 발생되는 아킹을 예보 및 모니터링하도록 구성되는 것이다.This arcing forecast and monitoring system through monitoring the ground voltage of plasma process equipment monitors the drop or rise of the voltage measured at the ground portion (2) when arcing occurs in the plasma generator (1) and monitors the voltage measured at the ground portion (2). It is configured to forecast and monitor arcing occurring in 1).

이때, 본 발명의 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템은, 상기 접지부(2)의 전압을 측정하며 모니터링하고 있는 상태에서, 일정한 전압이 측정되다가 어느 하나의 시점에서 전압의 강하 또는 상승이 이루어진 후 강하되던 전압이 상승되거나 상승되던 전압이 강하되면 상기 플라즈마 발생부(1)에서 아킹이 발생된 것으로 판단하도록 구성되어, 일정한 전압이 측정되다가 어느 하나의 시점에서 전압의 강하 또는 상승이 이루어지면 상기 플라즈마 발생부(1)에서 아킹이 발생될 수 있는 것으로 예보하도록 구성될 수 있다.At this time, the arcing forecasting and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring of the present invention measures and monitors the voltage of the ground unit 2, and a constant voltage is measured, and then the voltage drops at a certain point in time. Or, if the voltage that was falling after the rise is achieved or the voltage that was rising is lowered, it is configured to determine that arcing has occurred in the plasma generator (1), and a constant voltage is measured, and then the voltage drops or rises at a certain point. When this is achieved, it can be configured to predict that arcing may occur in the plasma generator 1.

도 3에 나타난 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에서 상기 프로브 헤드(100)는 플라즈마 발생부(1)에서 연장되는 접지부(2)에 설치되며 일 측으로 케이블 연결부(120)가 형성되는 동판(Copper sheet)(110) 및 상기 동판(110)의 외부에 구비되어 상기 동판을 보호하도록 구성되는 플라스틱 홀더(Plastic holder)(130)가 포함될 수 있다.As shown in FIG. 3, in one embodiment of the present invention, the probe head 100 is installed on the ground portion 2 extending from the plasma generator 1 and is a copper plate on which a cable connection portion 120 is formed on one side. Copper sheet 110 and a plastic holder 130 provided on the outside of the copper plate 110 and configured to protect the copper plate may be included.

상기 동판(110)은 상기 접지부(2)을 통해 전달되는 전압이 상기 연결부(120)를 통해 후술되는 동축케이블(300)로 전달되어 상기 고속검출부(200)로 전송되도록 한다.The copper plate 110 allows the voltage transmitted through the ground portion 2 to be transmitted to the coaxial cable 300, which will be described later, through the connection portion 120 and to the high-speed detection unit 200.

즉, 상기 프로브 헤드(100)는 상기 접지부(2)을 통해 흐르는 전압을 상기 고속검출부(200)로 전달하도록 구성되는 것이다.That is, the probe head 100 is configured to transmit the voltage flowing through the ground unit 2 to the high-speed detection unit 200.

상기 고속검출부(200)는 상기 프로브 헤드(100)에서 전송되는 전압신호를 수집 및 트리거링(Triggering)하여 피드백 신호를 출력하도록 구성되는 것으로서, 오실로스코프(Oscilloscope) 등이 대표적으로 사용된다.The high-speed detection unit 200 is configured to output a feedback signal by collecting and triggering the voltage signal transmitted from the probe head 100, and an oscilloscope, etc. is typically used.

또한 상기 트리거링이란, 상기 오실로스코프가 언제 파형을 포착하고 화면에 디스플레이할지를 설정하는 것으로서, 트리거는 파형이 화면에 안정되게 표시될 수 있도록 포착한 파형과 선택된 소스(Source)를 동기화하는 것이다. 트리거 소스는 입력 채널, 외부 트리거 입력(External trigger Input), 라인 전원(Line power)이 있으며, 일부 오실로스코프에서는 빠른 에지(Fast edge), 속도에 맞춰 일어나는 간헐적 이벤트를 트리거하는 기본 모드(Built in mode)가 제공되기도 한다.Additionally, the triggering refers to setting when the oscilloscope captures the waveform and displays it on the screen. The trigger synchronizes the captured waveform and the selected source so that the waveform can be displayed stably on the screen. Trigger sources include input channels, external trigger input, and line power, and in some oscilloscopes, a built-in mode that triggers fast edges and intermittent events that occur at speed. is also provided.

한편, 도 4에 나타난 바와 같이, 상기 고속검출부(200)에는, 상기 프로브 헤드(100)로부터 전송된 전압신호를 분기한 어느 하나의 데이터를 수집하여 트리거링하는 제1트리거(211)를 포함하며, 예보신호를 출력하는 예보모듈(210) 및 상기 프로브 헤드(100)로부터 전송된 전압신호를 분기한 다른 하나의 데이터를 수집하여 트리거링하는 제2트리거(221) 및 상기 제2트리거(221)로부터 트리거링된 신호를 아킹 파형 신호처리하여 모니터링신호를 출력하는 신호처리부(222)가 포함되는 모니터링모듈(220)이 포함될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 4, the high-speed detection unit 200 includes a first trigger 211 that collects and triggers one piece of data obtained by branching the voltage signal transmitted from the probe head 100, A forecast module 210 that outputs a forecast signal, a second trigger 221 that collects and triggers another data branched from the voltage signal transmitted from the probe head 100, and triggering from the second trigger 221. A monitoring module 220 that includes a signal processing unit 222 that processes the signal into an arcing waveform and outputs a monitoring signal may be included.

이때, 상기 제1트리거(211)는 필요에 따라 상기 제2트리거(221) 보다 고속으로 데이터를 수집하도록 구성될 수도 있다.At this time, the first trigger 211 may be configured to collect data at a faster rate than the second trigger 221, if necessary.

상기 예보모듈(210)에는, 상기 프로브 헤드(100)로부터 전송된 전압신호를 제1디지털 신호로 변환시켜 전달하는 제1ADC(Analogue digital converter)(212) 및 상기 제1ADC(212)에서 전달되는 제1디지털 신호를 저장하도록 구성되는 제1메모리(213)가 포함될 수 있으며, 상기 제1트리거(211)는 상기 제1ADC(212)로 입력되는 신호를 트리거링하도록 구성될 수 있다.The forecast module 210 includes a first analog digital converter (ADC) 212 that converts the voltage signal transmitted from the probe head 100 into a first digital signal and transmits it, and a first analog digital converter (212) transmitted from the first ADC (212). A first memory 213 configured to store one digital signal may be included, and the first trigger 211 may be configured to trigger a signal input to the first ADC 212.

이때, 상기 제1메모리(213)는 상기 제1ADC(212)에서 출력되는 제1디지털 신호에서 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 만큼의 전압강하 또는 전압상승이 발생된 것으로 판단되는 경우 아킹 발생을 예보하기 위한 신호를 출력하도록 구성될 수 있다.At this time, the first memory 213 is used to predict the occurrence of arcing when it is determined that a voltage drop or voltage increase of a preset amount has occurred during a preset time in the first digital signal output from the first ADC 212. It may be configured to output a signal.

더욱 바람직하게, 상기 제1메모리(213)는 상기 제1ADC(212)에서 출력되는 제1디지털 신호에서 특정시간(Δt) 동안 특정전압변화(ΔV)가 발생되는 경우 아킹 발생을 예보하는 신호를 출력하도록 구성될 수 있다.More preferably, the first memory 213 outputs a signal predicting the occurrence of arcing when a specific voltage change (ΔV) occurs during a specific time (Δt) in the first digital signal output from the first ADC (212). It can be configured to do so.

후술할 본 발명의 일 실시예에서는 도 6b에서 나타난 바와 같이 특정시간(Δt) 0.05 ~ 0.15㎲ 동안 특정전압변화(ΔV) 20V 이상의 전압강하 또는 전압상승이 발생되는 경우 아킹 발생을 예보하는 신호를 출력하도록 구성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, which will be described later, as shown in FIG. 6b, when a voltage drop or voltage rise of more than 20V or a specific voltage change (ΔV) occurs during a specific time (Δt) of 0.05 to 0.15 ㎲, a signal predicting the occurrence of arcing is output. It can be configured to do so.

이때, 상기 제1메모리(213)가 아킹 발생을 예보하기 위한 신호를 출력하는 기준인 특정시간(Δt)과 특정전압변화(ΔV)는 실시 환경에 따라 얼마든지 변경될 수 있다.At this time, the specific time (Δt) and specific voltage change (ΔV), which are the standards for outputting a signal for predicting the occurrence of arcing by the first memory 213, can be changed as much as desired depending on the implementation environment.

상기 제1메모리(213)는, 상기 제1ADC(212)에서 전달되는 제1디지털 신호를 저장하여 상기 플라즈마 발생부(1)에서 발생되는 아킹의 발생 빈도를 분석하여 처리하도록 구성될 수 있으며, 이러한 상기 제1메모리(213)에 저장되는 제1디지털 신호는 별도의 처리과정을 거쳐 작업자(Operator)에 의해 관리되도록 구성될 수 있다.The first memory 213 may be configured to store the first digital signal transmitted from the first ADC 212 and analyze and process the frequency of arcing generated in the plasma generator 1. The first digital signal stored in the first memory 213 may be configured to be managed by an operator through a separate processing process.

상기 모니터링모듈(220)에는, 상기 프로브 헤드(100)로부터 전송된 전압신호를 제2디지털 신호로 변환시켜 전달하는 제2ADC(223) 및 상기 제2ADC(223)에서 전달되는 제2디지털 신호를 저장하도록 구성되는 제2메모리(224)가 포함될 수 있으며, 상기 제2트리거(221)는 상기 제2ADC(223)로 입력되는 신호를 트리거링하도록 구성될 수 있다.The monitoring module 220 stores a second ADC 223 that converts the voltage signal transmitted from the probe head 100 into a second digital signal and transmits it, and a second digital signal transmitted from the second ADC 223. A second memory 224 configured to do so may be included, and the second trigger 221 may be configured to trigger a signal input to the second ADC 223.

상기 제2메모리(224)는, 상기 제2ADC(223)에서 전달되는 제2디지털 신호를 저장하여 상기 플라즈마 발생부(1)에서 발생되는 아킹의 발생 빈도를 분석하여 처리하도록 구성될 수 있으며, 이러한 상기 제2메모리(224)에 저장되는 제2디지털 신호는 별도의 처리과정을 거쳐 작업자(Operator)에 의해 관리되도록 구성될 수 있다.The second memory 224 may be configured to store the second digital signal transmitted from the second ADC 223 and analyze and process the frequency of arcing generated in the plasma generator 1. The second digital signal stored in the second memory 224 may be configured to be managed by an operator through a separate processing process.

또한, 상기 고속검출부(200)에는 상기 프로브 헤드(100)에서 전송되는 전압신호를 증폭시켜 상기 예보모듈(210) 및 모니터링모듈(220)로 전달하도록 구성되는 증폭모듈(230)이 포함될 수 있다.In addition, the high-speed detection unit 200 may include an amplification module 230 configured to amplify the voltage signal transmitted from the probe head 100 and transmit it to the forecast module 210 and the monitoring module 220.

상기 증폭모듈(230)은 입력신호의 진폭을 크게 하여 출력하는 것으로서, 상기 프로브 헤드(100)와 상기 예보모듈(210)의 사이 및 상기 프로브 헤드(100)와 상기 모니터링모듈(220)의 사이에 구비되어 상기 전압신호를 증폭 전달하도록 구성되는 것이다.The amplification module 230 increases the amplitude of the input signal and outputs it, between the probe head 100 and the forecast module 210 and between the probe head 100 and the monitoring module 220. It is provided and configured to amplify and transmit the voltage signal.

이러한 상기 증폭모듈(230)에는 트랜지스터나 전기장 효과 트랜지스터(FET)와 같이 신호를 증폭할 수 있는 회로 소자를 사용하며, 상기 트랜지스터나 FET는 증폭기의 전원에서 입력신호에 관계없이 공급되는 전기에너지를 입력신호로 제어해 입력신호의 진폭을 크게 한 신호를 출력하는 작용을 하도록 구성된다.The amplification module 230 uses a circuit element that can amplify a signal, such as a transistor or an electric field effect transistor (FET), and the transistor or FET inputs electrical energy supplied from the amplifier's power source regardless of the input signal. It is configured to output a signal that increases the amplitude of the input signal by controlling it with a signal.

상기 증폭모듈(230)의 대표적인 예로 가정에 있는 오디오의 앰프를 들 수 있으며, 앰프는 테이프 레코드의 자기 헤드, 레코드, CD의 픽업에서 얻어진 아주 약한 전기신호를 트랜지스터나 FET의 작용으로 스피커를 울릴 수 있을 만한 큰 진폭의 신호로 증폭하도록 구성되는 것이다.A representative example of the amplification module 230 is an audio amplifier at home, and the amplifier can use a very weak electrical signal obtained from the magnetic head of a tape record, a record, or a CD pickup to sound through a speaker through the action of a transistor or FET. It is configured to amplify a signal of potentially large amplitude.

본 발명의 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템에는 일 측은 상기 프로브 헤드(100)에 연결되고 타 측은 상기 고속검출부(200)에 연결되도록 구성되어 신호를 전송하도록 구성되는 동축케이블(300)이 더 포함될 수 있다.The arcing forecasting and monitoring system through plasma processing equipment ground voltage monitoring of the present invention includes a coaxial cable configured to transmit a signal, with one side connected to the probe head 100 and the other side connected to the high-speed detection unit 200. 300) may be further included.

이러한 동축케이블(300)은 중앙부와 그 주위에 도체를 배치한 단면이 동심원상(同心圓狀)의 케이블상기 프로브 헤드(100)에서 출력되는 신호를 상기 고속검출부(200)로 전달하도록 구성되는 것이다.This coaxial cable 300 is a cable with a concentric cross section with conductors arranged in the center and around it and is configured to transmit the signal output from the probe head 100 to the high-speed detection unit 200. .

이러한 상기 동축케이블(300)은 중앙의 구리선에 흐르는 전기신호가 그것을 싸고 있는 외부 구리 망 때문에 외부의 전기적 간섭을 적게 받아 전력 손실도 적어 고주파 신호의 전송에 이용될 수 있다.The coaxial cable 300 can be used to transmit high-frequency signals because the electrical signal flowing through the central copper wire receives less external electrical interference due to the external copper network surrounding it, resulting in less power loss.

도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템의 아킹 검출방법을 검증하기 위한 모식도이고, 도 6a는 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템의 플라즈마 발생 중 아킹 발생했을 때의 전압-시간 그래프이며, 도 6b는 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템의 아킹 검출방법 검증 데이터를 나타내는 그래프이다.Figure 5 is a schematic diagram for verifying the arcing detection method of the arcing forecast and monitoring system through plasma processing equipment ground voltage monitoring according to the present invention, and Figure 6a is an arcing forecast and monitoring through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention. It is a voltage-time graph when arcing occurs during plasma generation in the system, and Figure 6b is a graph showing verification data of the arcing detection method of the arcing forecast and monitoring system through monitoring the ground voltage of the plasma process equipment according to the present invention.

첨부된 도 5 내지 도 6b에 따르면, 플라즈마 발생 전극에 직류 전류가 흐를 수 있는 환경을 구축하여 플라즈마 전위가 높은 환경으로 만들었으며, 여기에 추가로 아킹이 용이하게 발생되도록 하기 위한 아킹점화(Arcing Ignition Probe, AIP) 프로브를 장착하였다. AIP 프로브에 직류전원장치(DC power supply)를 연결하여 음전압을 인가하고 전압을 제어하도록 함으로써 아킹 발생 빈도 및 세기를 제어할 수 있도록 하였다.According to the attached FIGS. 5 to 6B, an environment in which direct current can flow to the plasma generating electrode was created to create an environment with a high plasma potential, and in addition, arcing ignition was used to facilitate arcing. Probe (AIP) probe was installed. A DC power supply was connected to the AIP probe to apply negative voltage and control the voltage, thereby controlling the frequency and intensity of arcing occurrence.

AIP 프로브에 수직한 방향으로 부유전위 프로브를 삽입하여 플라즈마 부유 전위를 측정하였다. 아킹 발생을 측정하기 위해 오실로스코프 (TDS3054B, Tektronix)와 100:1 프로브를 이용해서 AIP 프로브의 전압과 부유전위를 모니터링하였다. 그리고 도 5에서와 같이, AIP와 가까운 위치의 접지에서부터 Test 1, Test 2, Test 3 전위를 10:1 프로브를 이용해서 측정하였으며, 이 경우 프로브의 접지는 Main 접지를 사용하였다. 아킹 발생을 트리거하기 위해 트리거신호발생기(DG645)를 이용하여 AIP 프로브의 전압 변화를 트리거링 하였으며, 트리거신호발생기(DG645)의 신호 출력을 오실로스코프에 연결하여 데이터를 수집하였다.The floating potential probe was inserted in a direction perpendicular to the AIP probe to measure the plasma floating potential. To measure arcing occurrence, the voltage and floating potential of the AIP probe were monitored using an oscilloscope (TDS3054B, Tektronix) and a 100:1 probe. And as shown in Figure 5, the potentials of Test 1, Test 2, and Test 3 were measured from the ground close to the AIP using a 10:1 probe, and in this case, the main ground was used as the ground of the probe. To trigger arcing, the voltage change of the AIP probe was triggered using a trigger signal generator (DG645), and data was collected by connecting the signal output of the trigger signal generator (DG645) to an oscilloscope.

한편, 플라즈마 발생 챔버 내에는 아르곤 가스를 5.0 sccm 주입하여 챔버 압력을 28.1 mTorr로 유지하고 RF 전극에 50 W를 인가하여 플라즈마를 발생시켰으며, 임피던스 정합장치를 통해 반사파 전력을 0 W로 유지하고, AIP 프로브에 -50 V를 인가하여 간헐적 아킹 발생을 유도했다.Meanwhile, 5.0 sccm of argon gas was injected into the plasma generation chamber to maintain the chamber pressure at 28.1 mTorr, 50 W was applied to the RF electrode to generate plasma, and the reflected wave power was maintained at 0 W through an impedance matching device. -50 V was applied to the AIP probe to induce intermittent arcing.

먼저, AIP 전압 신호와 부유 전위 신호 변화가 아킹에 의한 신호인지를 검증하기 위하여, RF 전극에 인가되는 전압과 AIP 프로브 및 부유전위를 동시에 측정한 결과를 도 6a에 나타내었다.First, in order to verify whether the changes in the AIP voltage signal and the floating potential signal are signals due to arcing, the results of simultaneously measuring the voltage applied to the RF electrode, the AIP probe, and the floating potential are shown in Figure 6a.

아킹이 발생한 시점에서 RF 전극에 인가되는 전압은 수 μs 내에 0 V로 감소하였으며 20 μ이후에 회복하는 특성을 보였다. 부유전위 또한 290 V 정도에 유지되고 있다가 전극 전압과 동일한 양상을 띄는 것을 확인할 수 있었다.At the point when arcing occurred, the voltage applied to the RF electrode decreased to 0 V within a few μs and showed recovery characteristics after 20 μs. It was confirmed that the floating potential was also maintained at about 290 V and showed the same pattern as the electrode voltage.

이러한 아킹 발생 이후 플라즈마 부유 전위가 감소하는 결과는 많이 알려진 사실이다. 동시에 측정된 AIP 프로브의 전압을 살펴보면, 초기 설정한 -50 V로 유지되다가 아킹 발생 이후 양전압으로 오버슈트(Overshoot)한 이후 긴 시간 변동(Fluctuation)하는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 도 6a에서와 같은 AIP 프로브의 전압 신호 양상은 아킹에 의한 신호로 확인할 수 있다.It is a well-known fact that the plasma floating potential decreases after such arcing occurs. Looking at the voltage of the AIP probe measured at the same time, it can be seen that it is maintained at the initial setting of -50 V, but after arcing occurs, it overshoots to a positive voltage and fluctuates for a long time. Therefore, the voltage signal pattern of the AIP probe as shown in Figure 6a can be confirmed as a signal due to arcing.

도 6b는 AIP 전압에 전압을 인가하지 않은 상황에서, 아킹 발생했을 때의 Test 1 위치에서의 접지 전압과 AIP 프로브 그리고 부유전위를 측정한 그래프이다.Figure 6b is a graph measuring the ground voltage, AIP probe, and floating potential at the Test 1 location when arcing occurred in a situation where no voltage was applied to the AIP voltage.

아킹이 발생하기 이전에는 RF 노이즈에 의해 AIP 프로브의 전압이 진동하다가 아킹이 발생하기 100 ns 이전에 AIP 전압이 상승하고, 최대값에 도달한 후 다시 감소하는 것을 확인할 수 있다. 플라즈마 부유전위의 경우 AIP 프로브의 전압이 최대값에 도달한 후 감소하기 시작하는 시점부터 부유전위 값이 감소하는 것을 확인할 수 있다.Before arcing occurs, the voltage of the AIP probe oscillates due to RF noise. It can be seen that the AIP voltage rises 100 ns before arcing occurs, and then decreases again after reaching the maximum value. In the case of plasma floating potential, it can be seen that the floating potential value decreases from the point where the voltage of the AIP probe begins to decrease after reaching the maximum value.

Test 1 지점에서의 접지 신호의 경우, AIP 신호와 비슷한 양상을 띄는데, 초기 전위값이 진동하다가 AIP 신호가 증가하는 시점과 동일하게 접지부 신호가 음의 값으로 상승하는 것을 확인할 수 있다.The ground signal at Test 1 shows a similar pattern to the AIP signal. It can be seen that the initial potential value oscillates and then the ground signal rises to a negative value at the same time as the AIP signal increases.

이 때 신호대잡음비(signal-to-noise ratio)는 4.5 정도이다. 따라서, 아킹 발생 신호는 접지 전압을 측정함으로써 동시간대에 측정이 가능한 것을 확인할 수 있다.At this time, the signal-to-noise ratio is about 4.5. Therefore, it can be confirmed that the arcing occurrence signal can be measured at the same time by measuring the ground voltage.

여기서 주목할 점은, 아킹이 발생하여 플라즈마가 영향을 받는, 즉 플라즈마 부유 전위가 감소하는 시간 이전에 접지 전압 신호가 AIP와 동일하게 변한다는 것이다. 즉, 접지 신호를 고속 측정하게 되면 아킹 발생 예보 신호로서 사용 가능하다는 것을 확인할 수 있다.What is noteworthy here is that the ground voltage signal changes to be equal to AIP before arcing occurs and the plasma is affected, that is, before the plasma floating potential decreases. In other words, if the ground signal is measured at high speed, it can be confirmed that it can be used as an arcing occurrence prediction signal.

도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템의 접지, 아킹 발생 전극 및 플라즈마 부유 전위를 도 5의 Test 2, 도 5의 Test 3에서 측정한 그래프이다.FIGS. 7A and 7B are graphs showing the grounding, arcing generation electrode, and plasma floating potential of the arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention measured in Test 2 of FIG. 5 and Test 3 of FIG. 5 .

첨부된 도 7a 및 도 7b에 따르면, 각신호의 시간에 따른 변화를 잘 나타내기위해 [0, 1] 표준화(normalization) 데이터 처리를 했다. 도 7a 및 도 7b에서와 같이 AIP 전극에서 먼 Test 2와 Test 3 위치에서도 접지 신호가 아킹 신호와 동일하게 잘 측정됨을 확인할 수 있다. 따라서, AIP에서 가까운 위치뿐만 아니라, 임피던스 정합장치 혹은 플라즈마 발생 용기 벽면의 접지 신호도 아킹 검출 신호로 사용 가능함을 알 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템이 플라즈마 발생 접지 설비에만 종속되지 않고 다양한 시스템의 접지 설비에도 장착되어 사용될 수 있음을 확인할 수 있다.According to the attached FIGS. 7A and 7B, [0, 1] normalization data was processed to better represent changes in each signal over time. As shown in Figures 7a and 7b, it can be seen that the ground signal is measured equally well as the arcing signal even at Test 2 and Test 3 positions far from the AIP electrode. Therefore, it can be seen that not only the location close to the AIP but also the ground signal from the impedance matching device or the wall of the plasma generating vessel can be used as an arcing detection signal. Accordingly, it can be confirmed that the arcing forecasting and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention is not dependent only on plasma generation grounding equipment and can be installed and used in grounding equipment of various systems.

결론적으로, 상기 실험을 통해 본 발명에 따른 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템이 잘 동작할 수 있음을 검증하였다.In conclusion, the above experiment verified that the arcing forecasting and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring according to the present invention can operate well.

도 8은 플라즈마 공정에서 발생하는 아킹 신호의 전류를 측정하는 기존 기술을 나타내는 도면이고, 도 9는 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹 신호의 전압을 측정하는 시스템과 전류를 측정하는 시스템을 비교한 참고도이며, 도 10은 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹 신호에 따른 전압 파형과 전류 파형을 나타내는 그래프이다.Figure 8 is a diagram showing existing technology for measuring the current of an arcing signal generated in a plasma process, and Figure 9 is a reference diagram comparing a system for measuring the voltage of an arcing signal generated in a plasma process and a system for measuring current. , Figure 10 is a graph showing the voltage waveform and current waveform according to the arcing signal generated in the plasma process.

첨부된 도 8에 따르면, 종래 기술은 플라즈마 공정챔버(10p)를 접지시키고, 공정 진행 중에 상기 접지를 통해 흐르는 전지선 주위에 코일(30p)을 설치하여 상기 코일에 유도되는 유도전류를 측정함으로써 측정된 유도전류가 기준 값 이상일 때에 비정상 상태로 판단하여 아킹이 발생된 것으로 판단하도록 구성되는 것이다.According to the attached Figure 8, the prior art is to ground the plasma process chamber (10p), install a coil (30p) around the electric wire flowing through the ground during the process, and measure the induced current induced in the coil. It is configured to determine that it is in an abnormal state and that arcing has occurred when the induced current is above the reference value.

첨부된 도 9에 따르면, 상기 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹 신호의 전류를 측정하여 아킹 발생을 감지하는 종래기술(우측)과 본 발명의 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹 신호의 전압을 측정하여 아킹 발생을 감지하는 기술(좌측)을 키르히호프의 법칙(Kirchhoff's law)에 따라 비교하면 다음 [수학식 1] 및 [수학식 2]와 같은 결과를 얻을 수 있다.According to the attached FIG. 9, the conventional technology (right) detects arcing by measuring the current of the arcing signal generated in the plasma process and the present invention detects arcing by measuring the voltage of the arcing signal generated in the plasma process. If the technology (left) is compared according to Kirchhoff's law, the following results can be obtained as [Equation 1] and [Equation 2].

Figure 112020054950111-pat00001
Figure 112020054950111-pat00001

여기서,

Figure 112020054950111-pat00002
, k는 결합 계수(coupling coefficient)이고, ω는 펄스신호의 주파수를 나타냄here,
Figure 112020054950111-pat00002
, k is the coupling coefficient, and ω represents the frequency of the pulse signal.

상기 수학식1에서 전류측정방식(종래기술)과 전압측정방식의 전압을 비교하여 보면, 다음과 같은 식을 얻을 수 있다.By comparing the voltage of the current measurement method (prior art) and the voltage measurement method in Equation 1 above, the following equation can be obtained.

Figure 112020054950111-pat00003
Figure 112020054950111-pat00003

일반적으로 0 ≤ k ≤ 1의 범위 내에 있으므로 수학식 2의 결과는 항상 1 보다 큰 결과를 얻게 된다.Generally, since it is within the range of 0 ≤ k ≤ 1, the result of Equation 2 is always greater than 1.

즉, 전류를 측정하는 방식 보다 전압을 측정하는 방식의 전압이 1보다 더 크기 때문에, 전압측정방식의 민감도가 전류측정방식보다 더 뛰어남을 알 수 있다.In other words, since the voltage of the voltage measurement method is greater than 1 than the current measurement method, it can be seen that the sensitivity of the voltage measurement method is superior to the current measurement method.

뿐만 아니라, 첨부된 도 10에 따르면, 검정색 파형은 플라즈마 공정에서 발생하는 아킹 신호에 따른 파형을 나타내는 것이고, 파란색 파형은 상기 아킹 신호에서 측정되는 전압 파형을 나타내는 것이며, 빨간색 파형은 상기 아킹 신호에서 측정되는 전류 파형을 나타내는 것이다.In addition, according to the attached FIG. 10, the black waveform represents the waveform according to the arcing signal generated in the plasma process, the blue waveform represents the voltage waveform measured from the arcing signal, and the red waveform represents the voltage waveform measured from the arcing signal. It represents the current waveform.

상기 도 10에 나타난 바와 같이 상기 아킹신호 파형(검은색)이 발생할 때 전압파형(파란색)은 아킹신호 파형에 즉각 대응(0.5ns 이내)하여 아킹신호 파형과 유사한 초기 거동을 보이는 반면 전류 파형(붉은색)은 전압파형에 비하여 훨씬 늦은 응답을 보이는 것을 확인할 수 있다. 또한, 전압파형은 아킹이 발생한 이후 시점(2ns 이후)에 빠르게 측정값이 0으로 수렴하는 것을 확인할 수 있으나, 전류파형은 0으로 수렴하지 못하고 측정신호가 발산하는 것을 확인할 수 있다.As shown in FIG. 10, when the arcing signal waveform (black) occurs, the voltage waveform (blue) immediately responds to the arcing signal waveform (within 0.5 ns) and shows initial behavior similar to the arcing signal waveform, while the current waveform (red It can be seen that (color) shows a much slower response compared to the voltage waveform. In addition, it can be seen that the measured value of the voltage waveform quickly converges to 0 after arcing occurs (after 2 ns), but the current waveform does not converge to 0 and the measurement signal diverges.

즉, 아킹 신호에 대응하는 응답성과 아킹 신호의 추종성 모두 전압측정방식이 기존의 전류측정방식에 비하여 월등히 뛰어난 것을 상기 도 10의 시뮬레이션결과로부터 쉽게 파악할 수 있다.In other words, it can be easily seen from the simulation results of FIG. 10 that the voltage measurement method is significantly superior to the existing current measurement method in both the responsiveness to the arcing signal and the followability of the arcing signal.

이상 본 발명에 의하면, 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹을 예보 및 모니터링할 수 있도록 구성됨으로써, 플라즈마 공정에서 발생되는 아킹을 예방할 수 있도록 구성되는 효과가 있다.According to the present invention, by being configured to predict and monitor arcing occurring in the plasma process, there is an effect of being configured to prevent arcing occurring in the plasma process.

이상의 설명에서는 본 발명의 다양한 실시 예들을 제시하여 설명하였으나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함을 알 수 있다.In the above description, various embodiments of the present invention have been presented and explained, but the present invention is not necessarily limited thereto, and those skilled in the art will understand various embodiments without departing from the technical spirit of the present invention. It can be seen that branch substitution, transformation, and change are possible.

1 : 플라즈마 발생부 2 : 접지부
100 : 프로브 헤드
110 : 동판 120 : 연결부
130 : 플라스틱 홀더
200 : 고속검출부
210 : 예보모듈 211 : 제1트리거
212 : 제1ADC 213 : 제1메모리
220 : 모니터링모듈
221 : 제2트리거 222 : 신호처리부
223 : 제2ADC 224 : 제2메모리
230 : 증폭모듈
300 : 동축케이블
1: Plasma generator 2: Ground portion
100: Probe head
110: copper plate 120: connection part
130: plastic holder
200: High-speed detection unit
210: Forecast module 211: First trigger
212: 1st ADC 213: 1st memory
220: Monitoring module
221: second trigger 222: signal processing unit
223: 2nd ADC 224: 2nd memory
230: Amplification module
300: Coaxial cable

Claims (7)

삭제delete 플라즈마 발생부에서 발생되는 아킹을 예보 및 모니터링하는 아킹 예보 및 모니터링 시스템에 있어서,
상기 플라즈마 발생부(1)의 하우징 혹은 플라즈마 발생부(1)에서 연장되는 접지부(2) 혹은 플라즈마 발생부(1)와 접지부(2) 사이에 연결되어 전압을 측정하고, 측정된 전압을 전압신호로 전송하는 프로브 헤드(100); 및
상기 프로브 헤드(100)에서 전송된 전압신호를 이용하여 아킹 발생의 예보에 필요한 예보신호 및 모니터링에 필요한 모니터링신호를 출력하도록 구성되는 고속검출부(200);
가 포함되며,
상기 고속검출부(200)에는,
상기 프로브 헤드(100)로부터 전송된 전압신호를 분기한 어느 하나의 데이터를 수집하여 트리거링하는 제1트리거(211)를 포함하며, 예보신호를 출력하는 예보모듈(210); 및
상기 프로브 헤드(100)로부터 전송된 전압신호를 분기한 다른 하나의 데이터를 수집하여 트리거링하는 제2트리거(221) 및 상기 제2트리거(221)로부터 트리거링된 신호를 아킹 파형 신호처리하여 모니터링신호를 출력하는 신호처리부(222)가 포함되는 모니터링모듈(220);
이 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템.
In the arcing forecasting and monitoring system that predicts and monitors arcing occurring in the plasma generator,
The voltage is measured by connecting the housing of the plasma generator 1 or the ground portion 2 extending from the plasma generator 1 or between the plasma generator 1 and the ground portion 2, and the measured voltage is A probe head 100 that transmits a voltage signal; and
A high-speed detection unit 200 configured to output a forecast signal necessary for predicting the occurrence of arcing and a monitoring signal necessary for monitoring using the voltage signal transmitted from the probe head 100;
includes,
In the high-speed detection unit 200,
A forecast module 210 that includes a first trigger 211 that collects and triggers data obtained by branching the voltage signal transmitted from the probe head 100, and outputs a forecast signal; and
A second trigger 221 collects and triggers another data branched from the voltage signal transmitted from the probe head 100, and processes the signal triggered from the second trigger 221 into an arcing waveform signal to generate a monitoring signal. A monitoring module 220 including an output signal processing unit 222;
An arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring, which includes:
제2항에 있어서,
상기 제1트리거(211)는,
적어도 상기 제2트리거(221) 보다 고속으로 데이터를 수집하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템.
According to paragraph 2,
The first trigger 211 is,
An arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring, characterized in that it is configured to collect data at least at a faster rate than the second trigger 221.
제2항에 있어서,
상기 예보모듈(210)에는,
상기 프로브 헤드(100)로부터 전송된 전압신호를 제1디지털 신호로 변환시켜 전달하는 제1ADC(Analogue digital converter)(212); 및
상기 제1ADC(212)에서 전달되는 제1디지털 신호를 저장하도록 구성되는 제1메모리(213);
가 포함되고,
상기 제1트리거(211)는,
상기 제1ADC(212)로 입력되는 신호를 트리거링하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템.
According to paragraph 2,
In the forecast module 210,
A first analog digital converter (ADC) 212 that converts the voltage signal transmitted from the probe head 100 into a first digital signal and transmits it; and
A first memory 213 configured to store the first digital signal transmitted from the first ADC 212;
includes,
The first trigger 211 is,
An arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring, characterized in that it is configured to trigger a signal input to the first ADC (212).
제4항에 있어서,
상기 제1메모리(213)는,
상기 제1ADC(212)에서 출력되는 제1디지털 신호에서 미리 설정된 특정시간(Δt) 동안 특정전압변화(ΔV)가 발생된 것으로 판단되는 경우 아킹 발생을 예보신호를 출력하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템.
According to clause 4,
The first memory 213 is,
Plasma, characterized in that it is configured to output a signal predicting the occurrence of arcing when it is determined that a specific voltage change (ΔV) has occurred during a preset specific time (Δt) in the first digital signal output from the first ADC (212). Arcing forecasting and monitoring system through process equipment ground voltage monitoring.
제2항에 있어서,
상기 모니터링모듈(220)에는,
상기 프로브 헤드(100)로부터 전송된 전압신호를 제2디지털 신호로 변환시켜 전달하는 제2ADC(223); 및
상기 제2ADC(223)에서 전달되는 제2디지털 신호를 저장하도록 구성되는 제2메모리(224);
가 포함되고,
상기 제2트리거(221)는,
상기 제2ADC(223)로 입력되는 신호를 트리거링하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템.
According to paragraph 2,
In the monitoring module 220,
a second ADC (223) that converts the voltage signal transmitted from the probe head 100 into a second digital signal and transmits it; and
a second memory 224 configured to store a second digital signal transmitted from the second ADC 223;
includes,
The second trigger 221 is,
An arcing forecast and monitoring system through plasma process equipment ground voltage monitoring, characterized in that it is configured to trigger a signal input to the second ADC (223).
제2항에 있어서,
상기 고속검출부(200)에는,
상기 프로브 헤드(100)에서 전송되는 전압신호를 증폭시켜 상기 예보모듈(210) 및 모니터링모듈(220)로 전달하도록 구성되는 증폭모듈(230)이 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템.
According to paragraph 2,
In the high-speed detection unit 200,
Plasma process equipment ground voltage monitoring, characterized in that it includes an amplification module 230 configured to amplify the voltage signal transmitted from the probe head 100 and transmit it to the forecast module 210 and the monitoring module 220. Arcing forecasting and monitoring system.
KR1020200065137A 2020-05-29 2020-05-29 Arcing forecasting and monitoring system through ground vlotage monitoring of plasma process equipment KR102376991B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200065137A KR102376991B1 (en) 2020-05-29 2020-05-29 Arcing forecasting and monitoring system through ground vlotage monitoring of plasma process equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200065137A KR102376991B1 (en) 2020-05-29 2020-05-29 Arcing forecasting and monitoring system through ground vlotage monitoring of plasma process equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210148545A KR20210148545A (en) 2021-12-08
KR102376991B1 true KR102376991B1 (en) 2022-03-22

Family

ID=78867673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200065137A KR102376991B1 (en) 2020-05-29 2020-05-29 Arcing forecasting and monitoring system through ground vlotage monitoring of plasma process equipment

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102376991B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101020076B1 (en) * 2010-04-09 2011-03-09 (주)화백엔지니어링 System and method for detecting plasma
JP2017162713A (en) 2016-03-10 2017-09-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 Plasma processing device and plasma processing method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100476460B1 (en) 2001-11-05 2005-03-17 주성엔지니어링(주) Plasma prcess chamber monitoring method and system used therefor
JP3689732B2 (en) * 2001-12-05 2005-08-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ Monitoring device for plasma processing equipment
US20090308734A1 (en) * 2008-06-17 2009-12-17 Schneider Automation Inc. Apparatus and Method for Wafer Level Arc Detection
JP5012701B2 (en) * 2008-07-02 2012-08-29 パナソニック株式会社 Plasma processing apparatus and discharge state monitoring method in plasma processing apparatus
KR101303040B1 (en) 2012-02-28 2013-09-03 주식회사 뉴파워 프라즈마 Method and apparatus for detecting arc in plasma chamber
US9685297B2 (en) * 2012-08-28 2017-06-20 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system
WO2014094738A2 (en) * 2012-12-18 2014-06-26 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Arc extinguishing method and power supply system having a power converter

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101020076B1 (en) * 2010-04-09 2011-03-09 (주)화백엔지니어링 System and method for detecting plasma
JP2017162713A (en) 2016-03-10 2017-09-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 Plasma processing device and plasma processing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210148545A (en) 2021-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3254295B1 (en) Arc treatment device and method therefor
CN102630337B (en) Method and apparatus for the detection of arc events during the plasma processing of a wafer, surface of substrate
US8502689B2 (en) System and method for voltage-based plasma excursion detection
TWI496513B (en) Application of wideband sampling for arc detection with a probabilistic model for quantitatively measuring arc events
CN101926233B (en) Systems for detecting unconfined-plasma events
KR101355728B1 (en) Controlling plasma processing using parameters derived through the use of a planar ion flux probing arrangement
US20090308734A1 (en) Apparatus and Method for Wafer Level Arc Detection
Kim Electromagnetic radiation behavior of low-voltage arcing fault
KR20010082664A (en) Method and device for monitoring process in plasma treatment apparatus, and method for treating substrate using the same
US20100148769A1 (en) Non-contact plasma-monitoring apparatus and method and plasma processing apparatus
US8242789B2 (en) Plasma system and measurement method
US8368378B2 (en) Plasma measurement device, plasma system, and method for measuring plasma characteristics
KR102376991B1 (en) Arcing forecasting and monitoring system through ground vlotage monitoring of plasma process equipment
Edelberg et al. Compact floating ion energy analyzer for measuring energy distributions of ions bombarding radio-frequency biased electrode surfaces
TW201511089A (en) System, method and apparatus for RF power compensation in plasma etch chamber
CN117296124A (en) Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
KR102190925B1 (en) Chamber to chamber monitoring system for multiple chamber synchronization
Yasaka et al. Micro arc monitoring by detecting charge build-up on glass surface of viewing port due to plasma dispersion in plasma processing equipment
Petrovic et al. Negative differential resistance, oscillations and constrictions of low pressure, low current discharges
Truong et al. Characterization of streamers in liquid nitrogen under AC voltages using UHF techniques
CN102426617B (en) Simulation method for electronic equipment conduction coupled electromagnetic susceptibility
JP2011113917A (en) Probe for plasma monitoring, plasma monitoring device, and plasma treatment device
CN116973702B (en) Signal identification method and system applied to GIS partial discharge test
Litvak et al. High-frequency probing diagnostic for Hall current plasma thrusters
JP3698991B2 (en) Plasma potential difference and current measuring device and sample processing method using the same

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant