KR102362565B1 - high voltage bridge rectifier - Google Patents

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KR102362565B1 KR1020190060451A KR20190060451A KR102362565B1 KR 102362565 B1 KR102362565 B1 KR 102362565B1 KR 1020190060451 A KR1020190060451 A KR 1020190060451A KR 20190060451 A KR20190060451 A KR 20190060451A KR 102362565 B1 KR102362565 B1 KR 102362565B1
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Abstract

본 발명은 고전압 브리지 정류기를 개시한다. 그의 정류기는, 지지대와, 상기 지지대 상의 기판과, 상기 기판 상에 실장되는 복수개의 다이오드 등가 회로들, 배선들 및 단자들을 포함한다. 상기 기판은 절연 층과, 상기 절연 층의 중심 상에 배치된 소자 패드들과, 상기 절연 층의 에지 상에 배치되어 상기 소자 패드들을 둘러싸는 단자 패드들을 포함할 수 있다. The present invention discloses a high voltage bridge rectifier. The rectifier includes a support, a substrate on the support, and a plurality of diode equivalent circuits, wirings and terminals mounted on the substrate. The substrate may include an insulating layer, device pads disposed on a center of the insulating layer, and terminal pads disposed on an edge of the insulating layer to surround the device pads.

Figure R1020190060451
Figure R1020190060451

Description

고전압 브리지 정류기{ high voltage bridge rectifier}high voltage bridge rectifier

본 발명은 전자 장치에 관한 것으로 구체적으로 고전압 브리지 정류기에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to electronic devices and more particularly to high voltage bridge rectifiers.

최근 전기 자동차 및 통신기기의 발전에 따라 전력 변환 소자의 사용량이 급증하고 있다. 전력 변환 소자는 교류 전원으로부터 직류 전원으로 변환시킬 수 있다. 예를 들어, 전력 변환 소자는 브리지 다이오드 정류기를 포함할 수 있다. 브리지 다이오드 정류기는 실리콘 반도체 또는 화합물 반도체 기반의 다이오드 소자들을 포함할 수 있다. 실리콘 반도체 기반의 다이오드 소자들은 주로 저전력 변환에 사용되고, 화합물 반도체 기반의 다이오드 소자들은 고전력 변환에 사용되고 있다.Recently, with the development of electric vehicles and communication devices, the use of power conversion devices is rapidly increasing. The power conversion element may convert AC power to DC power. For example, the power conversion element may include a bridge diode rectifier. The bridge diode rectifier may include silicon semiconductor or compound semiconductor-based diode devices. Silicon semiconductor-based diode devices are mainly used for low-power conversion, and compound semiconductor-based diode devices are used for high-power conversion.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기생 인덕턴스 및 서지 전류를 최소화할 수 있고 소형의 크기를 가지며 고전압 정류변환의 기능을 가지는 고전압 브리지 정류기를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a high voltage bridge rectifier capable of minimizing parasitic inductance and surge current, having a small size, and having a function of high voltage rectification conversion.

본 발명은 고전압 브리지 정류기를 개시한다. 그의 정류기는, 지지대; 상기 지지대 상의 기판; 및 상기 기판 상에 실장되는 복수개의 다이오드 등가 회로들을 포함한다. 여기서, 상기 기판은: 절연 층; 상기 절연 층의 중심 상에 배치되어 상기 복수개의 다이오드 등가 회로들 아래에 배치되는 소자 패드들; 및 상기 절연 층의 에지 상에 배치되어 상기 소자 패드들을 둘러싸는 단자 패드들을 포함할 수 있다.The present invention discloses a high voltage bridge rectifier. Its rectifier is a support; a substrate on the support; and a plurality of diode equivalent circuits mounted on the substrate. Here, the substrate includes: an insulating layer; device pads disposed on the center of the insulating layer and disposed below the plurality of diode equivalent circuits; and terminal pads disposed on an edge of the insulating layer to surround the device pads.

일 예에 따르면, 상기 복수개의 다이오드 등가 회로들의 각각은: 다이오드; 상기 다이오드의 캐소드에 연결된 소스, 상기 다이오드의 애노드에 연결된 게이트 및 상기 소스와 직렬로 연결된 드레인을 포함하는 고전압 노멀리 온형(Normally-on type) 트랜지스터를 포함할 수 있다.According to an example, each of the plurality of diode equivalent circuits includes: a diode; It may include a high voltage normally-on type transistor including a source connected to the cathode of the diode, a gate connected to the anode of the diode, and a drain connected in series with the source.

일 예에 따르면, 상기 복수개의 다이오드 등가 회로들의 각각은 고전압 다이오드 회로로서 기능할 수 있다.According to an example, each of the plurality of diode equivalent circuits may function as a high voltage diode circuit.

일 예에 따르면, 상기 다이오드, 상기 트랜지스터, 상기 소자 패드, 상기 단자 패드들 간을 전기적으로 연결하는 배선들을 포함할 수 있다.In one example, wirings electrically connecting the diode, the transistor, the device pad, and the terminal pads may be included.

일 예에 따르면, 상기 소자 패드들의 각각은: 상기 다이오드가 실장되는 다이오드 패드; 및 상기 고전압 노멀리 온형 트랜지스터가 실장되는 트랜지스터 패드를 포함할 수 있다.According to an example, each of the device pads may include: a diode pad on which the diode is mounted; and a transistor pad on which the high voltage normally-on transistor is mounted.

일 예에 따르면, 상기 단자 패드들은: 상기 절연 층 상에 제 1 방향으로 이격하여 배치되는 직류 단자 패드들; 및 상기 절연 층 상에 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 이격하여 배치되는 교류 단자 패드들을 포함할 수 있다.According to an example, the terminal pads may include: direct current terminal pads disposed on the insulating layer to be spaced apart from each other in a first direction; and AC terminal pads disposed on the insulating layer to be spaced apart from each other in a second direction crossing the first direction.

일 예에 따르면, 상기 직류 단자 패드들은: 상기 제 1 방향의 일측 상에 배치되는 캐소드 단자 패드; 및 상기 제 1 방향의 타측 상에 배치되는 애노드 단자 패드를 포함할 수 있다.According to an example, the DC terminal pads may include: a cathode terminal pad disposed on one side of the first direction; and an anode terminal pad disposed on the other side in the first direction.

일 예에 따르면, 상기 절연 층 내에 배치되고, 상기 캐소드 및 애노드 단자 패드들에 정렬되는 커패시터 전극을 더 포함할 수 있다.According to an example, a capacitor electrode disposed in the insulating layer and aligned with the cathode and anode terminal pads may be further included.

일 예에 따르면, 상기 캐소드 단자 패드 및 애노드 단자 패드는 I자 모양을 갖고, 상기 커패시터 전극은 H자 모양을 가질 수 있다.According to an example, the cathode terminal pad and the anode terminal pad may have an I-shape, and the capacitor electrode may have an H-shape.

일 예에 따르면, 상기 캐소드 단자 패드 및 애노드 단자 패드는 L자 모양을 갖고, 상기 커패시터 전극은 ㄷ자 모양을 가질 수 있다.According to an example, the cathode terminal pad and the anode terminal pad may have an L-shape, and the capacitor electrode may have a U-shape.

일 예에 따르면, 상기 커패시터 전극을 상기 캐소드 단자 패드 및 애노드 단자 패드 중 어느 하나에 선택적으로 연결되는 콘택 전극을 더 포함할 수 있다.According to an example, the capacitor electrode may further include a contact electrode selectively connected to any one of the cathode terminal pad and the anode terminal pad.

일 예에 따르면, 상기 교류 단자 패드들은: 상기 제 2 방향의 일측에 배치되는 제 1 교류 단자 패드; 및 상기 제 2 방향의 타측에 배치되는 제 2 교류 단자 패드를 포함할 수 있다.According to an example, the AC terminal pads may include: a first AC terminal pad disposed on one side of the second direction; and a second AC terminal pad disposed on the other side of the second direction.

일 예에 따르면, 상기 절연 층 내에 배치되고, 상기 제 1 및 제 2 교류 단자 패드들에 정렬되는 커패시터 전극을 더 포함할 수 있다.According to an example, a capacitor electrode disposed in the insulating layer and aligned with the first and second AC terminal pads may be further included.

일 예에 따르면, 상기 제 1 교류 단자 패드 및 상기 제 2 교류 단자 패드는 T자 모양을 갖고, 상기 커패시터 전극은 H자 모양을 가질 수 있다. According to an example, the first AC terminal pad and the second AC terminal pad may have a T-shape, and the capacitor electrode may have an H-shape.

일 예에 따르면, 상기 제 1 교류 단자 패드 및 상기 제 2 교류 단자 패드는 L자 모양을 갖고, 상기 커패시터 전극은 T자 모양을 가질 수 있다.According to an example, the first AC terminal pad and the second AC terminal pad may have an L-shape, and the capacitor electrode may have a T-shape.

일 예에 따르면, 상기 커패시터 전극을 상기 제 1 교류 단자 패드 및 상기 제 2 교류 단자 패드 중 어느 하나에 선택적으로 연결되는 콘택 전극을 더 포함할 수 있다.According to an example, the capacitor electrode may further include a contact electrode selectively connected to any one of the first AC terminal pad and the second AC terminal pad.

일 예에 따르면, 상기 기판 및 상기 복수개의 다이오드 등가 회로들 상의 몰딩 막을 더 포함하고, 상기 몰딩 막은 상기 지지대의 하부 면을 선택적으로 노출시킬 수 있다.According to an example, a molding layer on the substrate and the plurality of diode equivalent circuits may be further included, wherein the molding layer may selectively expose a lower surface of the supporter.

일 예에 따르면, 상기 몰딩 막은 상기 지지대의 하부 면상에 배치될 수 있다.According to an example, the molding film may be disposed on the lower surface of the support.

일 예에 따르면, 상기 몰딩 막을 둘러싸는 몰딩 케이스를 더 포함할 수 있다. According to an example, it may further include a molding case surrounding the molding film.

상술한 바와 같이, 본 발명의 고전압 브리지 정류기의 패키지는 복수 개의 다이오드 등가 회로를 효율적으로 소자 패드상에 배치하여 실장하고 기판 절연 층의 에지 상의 단자 패드들을 이용하여 상기 절연 층의 중심 상의 소자 패드들과, 상기 소자 패드들 상의 그 위의 다이오드들 및 트랜지스터들에 연결되는 배선들의 길이를 감소시키고 그 루프나 형상을 단순화시킴으로써 기생 인덕턴스 및 서지 전류를 최소화시킬 수 있을 뿐만 아니라 패키지의 크기를 소형화 할 수 있다.As described above, the package of the high voltage bridge rectifier of the present invention efficiently arranges and mounts a plurality of diode equivalent circuits on the device pad, and uses the terminal pads on the edge of the substrate insulating layer to make the device pads on the center of the insulating layer. And, by reducing the length of the wirings connected to the diodes and transistors thereon on the device pads and simplifying the loop or shape, it is possible to minimize parasitic inductance and surge current as well as miniaturize the size of the package. there is.

도 1은 본 발명의 개념에 따른 전력 변환 장치를 보여주는 회로도이다.
도 2는 도 1의 고전압 브리지 정류기의 패키지의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I' 선상을 절취하여 보여주는 단면도이다.
도 4a는 도 1의 고전압 브리지 정류기의 패키지의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 4b는 도 1의 고전압 브리지 정류기의 패키지의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 1의 고전압 브리지 정류기의 패키지의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 1의 고전압 브리지 정류기의 패키지의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 2의 몰딩 막의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 2의 I-I'선상을 절취하여 보여주는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 개념에 따른 전력 변환 장치를 보여주는 회로도이다.
도 10은 도 9의 고전압 브리지 정류기의 패키지의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 11은 도 10의 II-II'선상을 절취하여 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 9의 고전압 브리지 정류기의 패키지의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 13은 본 발명의 개념에 따른 전력 변환 장치를 보여주는 회로도이다.
도 14는 도 13의 고전압 브리지 정류기의 패키지의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 15는 도 14의 III-III'선상을 절취하여 보여주는 단면도이다.
도 16은 도 13의 고전압 브리지 정류기의 패키지의 일 예를 보여주는 평면도이다.1 is a circuit diagram showing a power conversion device according to the concept of the present invention.
FIG. 2 is a plan view illustrating an example of a package of the high voltage bridge rectifier of FIG. 1 .
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 2 .
4A is a plan view illustrating an example of a package of the high voltage bridge rectifier of FIG. 1 .
4B is a plan view illustrating an example of a package of the high voltage bridge rectifier of FIG. 1 .
5 is a plan view illustrating an example of a package of the high voltage bridge rectifier of FIG. 1 .
6 is a plan view illustrating an example of a package of the high voltage bridge rectifier of FIG. 1 .
7 is a cross-sectional view illustrating an example of the molding film of FIG. 2 .
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 2 .
9 is a circuit diagram showing a power conversion device according to the concept of the present invention.
10 is a plan view illustrating an example of a package of the high voltage bridge rectifier of FIG. 9 .
11 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 10 .
12 is a plan view illustrating an example of a package of the high voltage bridge rectifier of FIG. 9 .
13 is a circuit diagram showing a power conversion device according to the concept of the present invention.
14 is a plan view illustrating an example of a package of the high voltage bridge rectifier of FIG. 13 .
15 is a cross-sectional view taken along line III-III' of FIG. 14 .
16 is a plan view illustrating an example of a package of the high voltage bridge rectifier of FIG. 13 .

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them, will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein, and may be embodied in different forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that this disclosure may be thorough and complete, and the spirit of the present invention may be sufficiently conveyed to those skilled in the art, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 바람직한 실시예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, 'comprises' and/or 'comprising' means that a referenced component, operation and/or element excludes the presence or addition of one or more other components, operations and/or elements. I never do that. In addition, since it is according to a preferred embodiment, reference signs provided in the order of description are not necessarily limited to the order.

또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. Further, the embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional and/or plan views, which are ideal illustrative views of the present invention. In the drawings, thicknesses of films and regions are exaggerated for effective description of technical content. Accordingly, the shape of the illustrative drawing may be modified due to manufacturing technology and/or tolerance. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown, but also include changes in the form generated according to the manufacturing process.

도 1은 본 발명의 개념에 따른 전력 변환 장치(100)를 보여준다. 1 shows a power conversion device 100 according to the concept of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 전력 변환 장치(100)는 고전압의 브리지 정류 회로일 수 있다. 일 예로, 본 발명의 전력 변환 장치(100)는 고전압 교류 전원(102), 고전압 브리지 정류기(104), 풀-웨이브 정류 회로(106)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , the power conversion device 100 of the present invention may be a high voltage bridge rectifier circuit. For example, the power conversion device 100 of the present invention may include a high voltage AC power supply 102 , a high voltage bridge rectifier 104 , and a full-wave rectifier circuit 106 .

고전압 교류 전원(102)은 고전압 교류 파워를 공급할 수 있다. 예를 들어, 고전압 교류 전원(102)은 약 100V 내지 약 1000V의 고전압 교류 파워를 공급할 수 있다.The high voltage AC power source 102 may supply high voltage AC power. For example, the high voltage AC power source 102 may supply high voltage AC power of about 100V to about 1000V.

고전압 브리지 정류기(104)는 고전압 교류 전원(102)과 풀-웨이브 정류 회로(106) 사이에 연결될 수 있다. 고전압 브리지 정류기(104)는 고전압 교류 파워를 직류 파워로 정류할 수 있다. 예를 들어, 고전압 브리지 정류기(104)는 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 다이오드 등가 회로(ED1)는 제 1 교류 노드(101)와 애노드(107) 사이에 직렬로 연결될 수 있다. 제 2 다이오드 등가 회로(ED2)는 캐소드(105)와 제 2 교류 노드(103) 사이에 직렬로 연결될 수 있다. 제 3 다이오드 등가 회로(ED3)는 제 2 교류 노드(103)와 애노드(107) 사이에 직렬로 연결될 수 있다. 제 4 다이오드 등가 회로(ED4)는 캐소드(105)와 제 1 교류 노드(101) 사이에 직렬로 연결될 수 있다. 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4)의 각각은 다이오드(D)와 트랜지스터(T)를 포함할 수 있다. 다이오드(D)는 저전압 다이오드 칩일 수 있다. 다이오드(D)는 실리콘 반도체 또는 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 트랜지스터(T)는 고전압의 노멀리 온형(Normally-on type) 트랜지스터(T)일 수 있다. 트랜지스터(T)의 소스(s)는 다이오드(D)의 캐소드(c)에 연결되고, 상기 트랜지스터(T)의 게이트(g)는 상기 다이오드(D)의 애노드(a)에 연결되며, 상기 트랜지스터(T)의 드레인(d)은 상기 소스(s)와 직렬로 연결될 수 있다. 예를 들어, 트랜지스터(T)는 FET(Field Effect Transistor), JFET(Junction gate Field Effect Transistor), 또는 HEMT(High Electron Mobility Transistor)일 수 있다. 트랜지스터(T)는 실리콘 반도체 또는 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 트랜지스터(T)는 SiC, GaN, Ga2O3, 또는 AlN 등의 와이드 밴드갭의 반도체 물질을 가질 수 있다.The high voltage bridge rectifier 104 may be coupled between the high voltage AC power supply 102 and the full-wave rectifier circuit 106 . The high voltage bridge rectifier 104 may rectify the high voltage AC power into DC power. For example, the high voltage bridge rectifier 104 may include first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 . For example, the first diode equivalent circuit ED1 may be connected in series between the first AC node 101 and the anode 107 . The second diode equivalent circuit ED2 may be connected in series between the cathode 105 and the second AC node 103 . The third diode equivalent circuit ED3 may be connected in series between the second AC node 103 and the anode 107 . The fourth diode equivalent circuit ED4 may be connected in series between the cathode 105 and the first AC node 101 . Each of the first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 may include a diode D and a transistor T . The diode D may be a low voltage diode chip. The diode D may include a silicon semiconductor or a compound semiconductor. The transistor T may be a normally-on type transistor T of high voltage. The source (s) of the transistor (T) is connected to the cathode (c) of the diode (D), the gate (g) of the transistor (T) is connected to the anode (a) of the diode (D), the transistor The drain (d) of (T) may be connected in series with the source (s). For example, the transistor T may be a Field Effect Transistor (FET), a Junction Gate Field Effect Transistor (JFET), or a High Electron Mobility Transistor (HEMT). The transistor T may include a silicon semiconductor or a compound semiconductor. For example, the transistor T may have a wide bandgap semiconductor material such as SiC, GaN, Ga 2 O 3 , or AlN.

풀-웨이브 정류 회로(106)는 고전압 브리지 정류기(104)의 출력 단들 예컨대, 캐소드(105)와 애노드(107)에 연결될 수 있다. 풀-웨이브 정류 회로(106)는 커패시터(C) 및 부하 저항(RL)을 포함할 수 있다. 커패시터(C) 및 부하 저항(RL)은 캐소드(105)와 애노드(107)에 병렬로 연결될 수 있다. 커패시터(C)는 정류되는 출력 파형을 평탄화시키거나 부하 저항(RL)의 EMI(Electro Magnetic Interference)를 최소화하거나 제거할 수 있다. 부하 저항(RL)은 저항 소자일 수 있다. 이와 달리, 부하 저항(RL)은 전자 소자일 수 있다. The full-wave rectification circuit 106 may be connected to the output terminals of the high voltage bridge rectifier 104 , for example, a cathode 105 and an anode 107 . The full-wave rectification circuit 106 may include a capacitor C and a load resistor R L . The capacitor C and the load resistor R L may be connected in parallel to the cathode 105 and the anode 107 . The capacitor C may flatten the rectified output waveform or minimize or eliminate Electro Magnetic Interference (EMI) of the load resistor R L . The load resistor R L may be a resistive element. Alternatively, the load resistor R L may be an electronic device.

도 2는 도 1의 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)의 일 예를 보여준다. 도 3은 도 2의 I-I' 선상을 절취하여 보여준다. FIG. 2 shows an example of a package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 of FIG. 1 . FIG. 3 is a cutaway view taken along line I-I' of FIG. 2 .

도 2 및 도 3을 참조하면, 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)는 지지대(supporter, 110), 기판(120), 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 배선들(150), 단자들(172, 174) 및 몰딩 막(160)을 포함할 수 있다.2 and 3 , the package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 includes a supporter 110 , a substrate 120 , and first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , ED4 . ), wirings 150 , terminals 172 and 174 , and a molding layer 160 .

지지대(110)는 금속 플레이트를 포함할 수 있다. 지지대(110)는 사각형 모양을 가질 수 있다. 지지대(110)는 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4)의 열을 외부로 방열시킬 수 있다. 이와 달리, 지지대(110)는 세라믹의 무기물 또는 플라스틱의 유기물을 포함할 수도 있다.The support 110 may include a metal plate. The support 110 may have a rectangular shape. The support 110 may radiate heat from the first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 to the outside. Alternatively, the support 110 may include an inorganic material of ceramic or an organic material of plastic.

기판(120)은 지지대(110) 상에 배치될 수 있다. 기판(120)은 접착 층(112)에 의해 지지대(110) 상에 고정될 수 있다. 접착 층(112)은 솔더, 프리폼, 및 에폭시를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(120)은 DBC(Direct Bonded Copper) 기판, DPC(Direct Plated Copper) 기판, TPC(Thin Plated Copper) 기판, AMB(Active Metal Brazing) 기판, LTCC(Low-Temperature Co-fired Ceramic) 기판, HTCC(High-Temperature Co-fired Ceramic) 기판일 수 있다. 일 예로, 기판(120)은 하부 도전 층(122), 절연 층(124) 및 패드들(126)을 포함할 수 있다. The substrate 120 may be disposed on the support 110 . The substrate 120 may be fixed on the support 110 by an adhesive layer 112 . Adhesive layer 112 may include solder, preform, and epoxy. For example, the substrate 120 may be a DBC (Direct Bonded Copper) substrate, a DPC (Direct Plated Copper) substrate, a TPC (Thin Plated Copper) substrate, an AMB (Active Metal Brazing) substrate, or an LTCC (Low-Temperature Co-fired Ceramic) substrate. ) substrate or HTCC (High-Temperature Co-fired Ceramic) substrate. For example, the substrate 120 may include a lower conductive layer 122 , an insulating layer 124 , and pads 126 .

하부 도전 층(122)은 접착 층(112)와 절연 층(124) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 하부 도전 층(122)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 및 은(Ag), 금(Au), 니켈(Ni) 등의 금속재료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The lower conductive layer 122 may be disposed between the adhesive layer 112 and the insulating layer 124 . For example, the lower conductive layer 122 may include at least one of copper (Cu), aluminum (Al), and a metal material such as silver (Ag), gold (Au), or nickel (Ni).

절연 층(124)은 하부 도전 층(122)과 패드들(126) 사이에 배치될 수 있다. 절연 층(124)은 패드들(126)을 하부 도전 층(122)으로부터 절연시킬 수 있다. 절연 층(124)은 AlN, Al2O3, 또는 Si3N4 등의 세라믹을 포함할 수 있다. 이와 달리 절연 층(124)은 세라믹 이외의 무기물 또는 플라스틱 등의 유기물을 포함할 수 있다.The insulating layer 124 may be disposed between the lower conductive layer 122 and the pads 126 . The insulating layer 124 may insulate the pads 126 from the lower conductive layer 122 . The insulating layer 124 may include a ceramic such as AlN, Al 2 O 3 , or Si 3 N 4 . Alternatively, the insulating layer 124 may include an inorganic material other than ceramic or an organic material such as plastic.

패드들(126)은 절연 층(124) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 패드들(126)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 및 은(Ag), 금(Au), 니켈(Ni) 등의 금속재료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The pads 126 may be disposed on the insulating layer 124 . For example, the pads 126 may include at least one of copper (Cu), aluminum (Al), and a metal material such as silver (Ag), gold (Au), or nickel (Ni).

패드들(126)은 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 배선들(150) 및 단자들(172, 174)에 연결될 수 있다. 일 예로, 패드들(126)은 소자 패드들(130)과 단자 패드들(140)을 포함할 수 있다. The pads 126 may be connected to the first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 , the wires 150 , and the terminals 172 and 174 . For example, the pads 126 may include device pads 130 and terminal pads 140 .

소자 패드들(130)은 절연 층(124)의 각 사분 면의 중심 상에 배치될 수 있다. 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4)을 구성하는 각각의 다이오드(D) 및 트랜지스터(T)는 소자 패드들(130) 상에 실장될 수 있다. 다이오드(D)의 애노드(a)와 캐소드(c)는 제 3 방향(Z)으로 배치될 수 있다. 다이오드(T)의 앞면에 애노드(a)가 배치될 수 있다. 트랜지스터(T)는 다이오드(D)에 인접하여 소자 패드들(130) 상에 배치될 수 있다. 트랜지스터(T)의 앞면에 소스(s), 드레인(d) 및 게이트(g)가 배치될 수 있다. 소자 패드들(130)의 각각은 사각형 모양을 가질 수 있다. The device pads 130 may be disposed on the center of each quadrant of the insulating layer 124 . Each diode D and transistor T constituting the first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 may be mounted on the device pads 130 . The anode (a) and the cathode (c) of the diode (D) may be disposed in the third direction (Z). The anode (a) may be disposed on the front side of the diode (T). The transistor T may be disposed on the device pads 130 adjacent to the diode D. A source (s), a drain (d), and a gate (g) may be disposed on the front surface of the transistor (T). Each of the device pads 130 may have a rectangular shape.

단자 패드들(140)은 절연 층(124)의 에지 상에 배치될 수 있다. 단자 패드들(140)은 소자 패드들(130)을 둘러쌀 수 있다. 단자 패드들(140)은 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4) 사이에 연장할 수 있다. 일 예로, 단자 패드들(140)은 직류 단자 패드들(142) 및 교류 단자 패드들(146)을 포함할 수 있다. 직류 단자 패드들(142)의 각각은 I자 모양을 가질 수 있다. 직류 단자 패드들(142)은 직류 단자들(172)에 연결될 수 있다. 직류 단자 패드들(142)은 캐소드 단자 패드(141), 및 애노드 단자 패드(143)를 포함할 수 있다. 캐소드 단자 패드(141)는 제 1 방향(X)의 일측에 배치되고, 애노드 단자 패드(143)는 제 1 방향(X)의 타측에 배치될 수 있다. 교류 단자 패드들(146)의 각각은 T자 모양을 가질 수 있다. The terminal pads 140 may be disposed on the edge of the insulating layer 124 . The terminal pads 140 may surround the device pads 130 . The terminal pads 140 may extend between the first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 . For example, the terminal pads 140 may include DC terminal pads 142 and AC terminal pads 146 . Each of the DC terminal pads 142 may have an I-shape. The DC terminal pads 142 may be connected to the DC terminals 172 . The DC terminal pads 142 may include a cathode terminal pad 141 and an anode terminal pad 143 . The cathode terminal pad 141 may be disposed on one side of the first direction (X), and the anode terminal pad 143 may be disposed on the other side of the first direction (X). Each of the AC terminal pads 146 may have a T-shape.

교류 단자 패드들(146)은 교류 단자들(174)에 연결될 수 있다. 교류 단자 패드들(146)은 제 1 교류 단자 패드(145) 및 제 2 교류 단자 패드(147)를 포함할 수 있다. 제 1 교류 단자 패드(145)는 제 2 방향(Y)의 일측에 배치되고, 제 2 교류 단자 패드(147)은 제 2 방향(Y)의 타측에 배치될 수 있다. 제 1 교류 단자 패드(145)는 제 1 다이오드 등가 회로(ED1)와 제 4 다이오드 등가 회로(ED4) 사이에 배치될 수 있다. 제 2 교류 단자 패드(147)는 제 2 다이오드 등가 회로(ED2)와 제 3 다이오드 등가 회로(ED3) 사이에 배치될 수 있다. The AC terminal pads 146 may be connected to the AC terminals 174 . The AC terminal pads 146 may include a first AC terminal pad 145 and a second AC terminal pad 147 . The first AC terminal pad 145 may be disposed on one side of the second direction (Y), and the second AC terminal pad 147 may be disposed on the other side of the second direction (Y). The first AC terminal pad 145 may be disposed between the first diode equivalent circuit ED1 and the fourth diode equivalent circuit ED4 . The second AC terminal pad 147 may be disposed between the second diode equivalent circuit ED2 and the third diode equivalent circuit ED3 .

배선들(150)은 다이오드(D), 트랜지스터(T), 소자 패드들(130), 및 단자 패드들(140) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 배선들(150)은 본딩 와이어, 금속제의 리본, 파일, 클립 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 솔더(152)는 배선들(150)과 다이오드(D) 사이, 및 배선들(150)과 트랜지스터(T) 사이, 배선들(150)과 소자 패드(130) 사이와 배선들(150)과 단자 패드(140) 사이에 제공될 수 있다. 솔더(152)는 범프, 프리폼, 또는 전도성 에폭시를 포함할 수 있다. 이와 달리, 솔더(152)는 단자 패드들(140)과 단자들(172, 174) 사이에 제공될 수 있다. 이와 달리, 솔더(152)는 다이오드들(D)과 소자 패드들(130) 사이와 트랜지스터들(T)과 소자 패드들(130) 사이에 제공될 수 있다. 배선들(150)은 다이오드(D) 및 트랜지스터(T)를 소자 패드들(130) 및 단자 패드들(140)에 연결할 수 있다. 배선들(150)의 길이가 증가하거나 그 루프나 형상이 복잡해지면, 상기 배선들(150)의 기생 인덕턴스 및 서지 전류가 증가할 수 있다. 소자 패드들(130)에 인접하는 단자 패드들(140)은 배선들(150)의 길이를 감소시키고 그 루프나 형상을 단순화시켜 기생 인덕턴스 및 서지 전류를 감소시키거나 최소화할 수 있다.The wirings 150 may be disposed on the diode D, the transistor T, the device pads 130 , and the terminal pads 140 . For example, the wires 150 may include at least one of a bonding wire, a metal ribbon, a file, and a clip. The solder 152 is formed between the wirings 150 and the diode D, between the wirings 150 and the transistor T, between the wirings 150 and the device pad 130, and between the wirings 150 and the terminal. It may be provided between the pads 140 . Solder 152 may include bumps, preforms, or conductive epoxy. Alternatively, the solder 152 may be provided between the terminal pads 140 and the terminals 172 and 174 . Alternatively, the solder 152 may be provided between the diodes D and the device pads 130 and between the transistors T and the device pads 130 . The wirings 150 may connect the diode D and the transistor T to the device pads 130 and the terminal pads 140 . When the length of the wirings 150 increases or the loop or shape thereof becomes complicated, parasitic inductance and surge current of the wirings 150 may increase. The terminal pads 140 adjacent to the device pads 130 may reduce or minimize the parasitic inductance and surge current by reducing the length of the wirings 150 and simplifying a loop or shape thereof.

몰딩 막(160)은 기판(120), 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 및 배선들(150) 상에 배치될 수 있다. 몰딩 막(160)은 기판(120), 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 및 배선들(150)을 덮을 수 있다. 몰딩 막(160)은 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 및 배선들(150)의 절연 파괴를 방지하고 외부 환경의 영향을 최소화 할 수 있다. 몰딩 막(160)은 폴리머 컴파운드를 포함할 수 있다. 몰딩 막(160)은 지지대(110)의 하부 면을 선택적으로 노출시켜 방열성을 높일 수 있다.The molding layer 160 may be disposed on the substrate 120 , the first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 , and the wirings 150 . The molding layer 160 may cover the substrate 120 , the first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 , and the wirings 150 . The molding layer 160 may prevent insulation breakdown of the first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 , and the wirings 150 , and may minimize the influence of an external environment. The molding layer 160 may include a polymer compound. The molding film 160 may selectively expose the lower surface of the support 110 to increase heat dissipation.

도 4a는 도 1의 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)의 일 예를 보여준다.4A shows an example of a package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 of FIG. 1 .

도 4a를 참조하면, 본 발명의 브리지 정류기(104)의 패키지(108)는 소자 패드들(130)의 다이오드 패드(132) 및 트랜지스터 패드(134)를 포함할 수 있다. 다이오드(D)는 다이오드 패드(132) 상에 실장될 수 있다. 트랜지스터(T)는 트랜지스터 패드(134) 상에 실장될 수 있다. 다이오드 패드(132) 및 트랜지스터 패드(134)는 서로 분리되어 다이오드(D)와 트랜지스터(T)를 전기적으로 분리시켜 각각 실장할 수 있다. 이에 의하면, 다이오드(D)와 트랜지스터(T)의 동작 시에 소자 구조에 따른 상호 전기적인 간섭을 최소화시킬 수 있다.Referring to FIG. 4A , the package 108 of the bridge rectifier 104 of the present invention may include a diode pad 132 and a transistor pad 134 of device pads 130 . The diode D may be mounted on the diode pad 132 . The transistor T may be mounted on the transistor pad 134 . The diode pad 132 and the transistor pad 134 may be separated from each other to electrically isolate the diode D and the transistor T to be mounted, respectively. Accordingly, it is possible to minimize the mutual electrical interference according to the device structure during the operation of the diode (D) and the transistor (T).

지지대(110), 절연 층(124), 단자 패드들(140), 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 배선들(150), 몰딩 막(160), 직류 단자들(172), 및 교류 단자들(174)은 도 2와 동일하게 구성될 수 있다.Support 110 , insulating layer 124 , terminal pads 140 , first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , ED4 , wirings 150 , molding film 160 , direct current The terminals 172 and the AC terminals 174 may be configured in the same manner as in FIG. 2 .

도 4b는 도 1의 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)의 일 예를 보여준다. 4B shows an example of a package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 of FIG. 1 .

도 4b를 참조하면, 본 발명의 브리지 정류기(104)의 패키지(108)는 소자 패드들(130)의 다이오드 패드(132) 및 트랜지스터 패드(134)를 포함할 수 있다. 다이오드(D)는 다이오드 패드(132) 상에 실장될 수 있다. 트랜지스터(T)는 트랜지스터 패드(134) 상에 실장될 수 있다.Referring to FIG. 4B , the package 108 of the bridge rectifier 104 of the present invention may include a diode pad 132 and a transistor pad 134 of device pads 130 . The diode D may be mounted on the diode pad 132 . The transistor T may be mounted on the transistor pad 134 .

트랜지스터(T)의 소스(s), 게이트(g) 및 드레인(d)은 제 3 방향(Z)으로 배치될 수 있다. 트랜지스터(T)의 앞면에 소스(g) 및 게이트(g)가 배치될 수 있다. 트랜지스터(T)의 뒷면에 배치된 드레인(d)은 트랜지스터 패드(134)에 연결된 배선(150)을 통해 직류 단자 패드들(142) 및 교류 단자 패드들(146) 중 어느 하나에 연결될 수 있다.The source (s), the gate (g), and the drain (d) of the transistor T may be disposed in the third direction (Z). A source g and a gate g may be disposed on the front side of the transistor T. The drain d disposed on the rear surface of the transistor T may be connected to any one of the DC terminal pads 142 and the AC terminal pads 146 through the wiring 150 connected to the transistor pad 134 .

지지대(110), 절연 층(124), 단자 패드들(140), 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 몰딩 막(160), 직류 단자들(172), 및 교류 단자들(174)은 도 2와 동일하게 구성될 수 있다.Support 110, insulating layer 124, terminal pads 140, first to fourth diode equivalent circuits ED1, ED2, ED3, ED4, molding film 160, DC terminals 172, and AC terminals 174 may be configured in the same manner as in FIG. 2 .

도 5는 도 1의 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)의 일 예를 보여준다.5 shows an example of a package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 of FIG.

도 5를 참조하면, 본 발명의 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)의 단자 패드들(140)은 L자 모양을 가질 수 있다. 직류 단자 패드들(142)은 제 2 방향(Y)의 일측에 배치되고, 직류 단자들(172)에 연결될 수 있다. 교류 단자 패드들(146)은 제 2 방향(Y)의 타측에 배치되고, 교류 단자들(174)에 연결될 수 있다. 직류 단자 패드들(142)과 교류 단자 패드들(146)은 직류 단자들(172)과 교류 단자들(174)의 연결 편의성과 안정성을 증가시킬 수 있다. 직류 단자들(172)과 교류 단자들(174)은 서로 반대 방향으로 연장할 수 있다. Referring to FIG. 5 , the terminal pads 140 of the package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 of the present invention may have an L-shape. The DC terminal pads 142 may be disposed on one side of the second direction Y and may be connected to the DC terminals 172 . The AC terminal pads 146 may be disposed on the other side of the second direction Y and may be connected to the AC terminals 174 . The DC terminal pads 142 and the AC terminal pads 146 may increase the convenience and stability of the connection between the DC terminals 172 and the AC terminals 174 . The DC terminals 172 and the AC terminals 174 may extend in opposite directions.

지지대(110), 절연 층(124), 소자 패드들(130), 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 배선들(150), 및 몰딩 막(160)은 도 2와 동일하게 구성될 수 있다.The support 110 , the insulating layer 124 , the device pads 130 , the first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 , the wirings 150 , and the molding film 160 are It may be configured in the same manner as in FIG. 2 .

도 6은 도 1의 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)의 일 예를 보여준다.6 shows an example of a package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 of FIG. 1 .

도 6을 참조하면, 본 발명의 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)는 소자 패드들(130)의 다이오드 패드(132) 및 트랜지스터 패드(134)를 포함할 수 있다. 다이오드(D)는 다이오드 패드(132) 상에 실장될 수 있다. 트랜지스터(T)는 트랜지스터 패드(134) 상에 실장될 수 있다. 다이오드 패드(132) 및 트랜지스터 패드(134)는 서로 분리되어 다이오드(D)와 트랜지스터(T) 간의 상호 전기적인 간섭을 최소화시킬 수 있다. Referring to FIG. 6 , the package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 of the present invention may include a diode pad 132 and a transistor pad 134 of device pads 130 . The diode D may be mounted on the diode pad 132 . The transistor T may be mounted on the transistor pad 134 . The diode pad 132 and the transistor pad 134 may be separated from each other to minimize mutual electrical interference between the diode D and the transistor T.

지지대(110), 절연 층(124), 단자 패드들(140), 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 배선들(150), 몰딩 막(160), 직류 단자들(172), 및 교류 단자들(174)은 도 5와 동일하게 구성될 수 있다.Support 110 , insulating layer 124 , terminal pads 140 , first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , ED4 , wirings 150 , molding film 160 , direct current The terminals 172 and the AC terminals 174 may be configured in the same manner as in FIG. 5 .

도 7은 도 2의 몰딩 막(160)의 일 예를 보여준다.FIG. 7 shows an example of the molding film 160 of FIG. 2 .

도 7을 참조하면, 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)의 몰딩 막(160)은 지지대(110), 기판(120), 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 및 배선들(150)을 전면을 덮고, 이들을 보호할 수 있다. 몰딩 막(160)은 지지대(110)의 하부 면 상에 배치되어 기계적 강건성을 가지게 할 수 있다.Referring to FIG. 7 , the molding film 160 of the package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 includes the support 110 , the substrate 120 , the first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , ED4) and the wirings 150 may be covered and protected. The molding film 160 may be disposed on the lower surface of the support 110 to have mechanical robustness.

도 8은 도 2의 I-I'선상을 절취하여 보여준다.FIG. 8 is a cutaway view taken along line II' of FIG. 2 .

도 8을 참조하면, 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)는 몰딩 케이스(162)를 포함할 수 있다. 몰딩 케이스(162)는 몰딩 막(160) 상에 배치될 수 있다. 몰딩 케이스(162)는 몰딩 막(160)을 보호할 수 있다. 몰딩 케이스(162)는 플라스틱을 포함할 수 있다. 몰딩 막(160)는 실리콘 계의 겔 타입 절연 충진물을 포함할 수 있다. 몰딩 막(160)은 외부의 열에 의해 큐어링 될 수 있다. 몰딩 막(160)은 지지대(110), 기판(120), 다이오드들(D), 트랜지스터들(T), 배선들(150), 단자들(172, 174) 간의 열팽창 계수의 불일치(mismatch)에 의한 손상을 최소화할 수 있다.Referring to FIG. 8 , the package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 may include a molding case 162 . The molding case 162 may be disposed on the molding film 160 . The molding case 162 may protect the molding film 160 . The molding case 162 may include plastic. The molding film 160 may include a silicone-based gel-type insulating filler. The molding film 160 may be cured by external heat. The molding film 160 is formed from a mismatch of thermal expansion coefficients between the support 110 , the substrate 120 , the diodes D, the transistors T, the wires 150 , and the terminals 172 and 174 . damage can be minimized.

지지대(110), 기판(120), 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 및 배선들(150)은 도 3과 동일하게 구성될 수 있다.The support 110 , the substrate 120 , the first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 , and the wirings 150 may have the same configuration as in FIG. 3 .

도 9는 본 발명의 개념에 따른 전력 변환 장치(100)를 보여준다. 9 shows a power conversion device 100 according to the concept of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 전력 변환 장치(100)의 고전압 브리지 정류기(104)는 EMI 필터(109)를 포함할 수 있다. EMI 필터(109)는 제 1 교류 노드(101)와 제 2 교류 노드(103) 사이에 연결될 수 있다. EMI 필터(109)는 커패시터를 포함할 수 있다. EMI 필터(109)는 EMI 노이즈를 제거할 수 있다. Referring to FIG. 9 , the high voltage bridge rectifier 104 of the power conversion device 100 of the present invention may include an EMI filter 109 . The EMI filter 109 may be connected between the first AC node 101 and the second AC node 103 . The EMI filter 109 may include a capacitor. The EMI filter 109 may remove EMI noise.

도 10은 도 9의 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)를 보여준다. 도 11은 도 10의 II-II'선상을 절취하여 보여준다.10 shows the package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 of FIG. FIG. 11 is a cutaway view taken along line II-II' of FIG. 10 .

도 10 및 도 11을 참조하면, 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)는 커패시터 전극(180)과 콘택 전극(182)을 포함할 수 있다. 지지대(110), 기판(120), 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 배선들(150), 및 몰딩 막(160)은 도 2 및 도 3과 동일하게 구성될 수 있다.10 and 11 , the package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 may include a capacitor electrode 180 and a contact electrode 182 . The support 110 , the substrate 120 , the first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 , the wirings 150 , and the molding film 160 are the same as in FIGS. 2 and 3 . can be configured.

커패시터 전극(180)은 기판(120)의 절연 층(124) 내에 배치될 수 있다. 커패시터 전극(180)은 교류 단자 패드들(146)에 정렬될 수 있다. 교류 단자 패드들(146)의 각각은 T자 모양을 갖고, 커패시터 전극(180)은 H자 모양을 가질 수 있다. The capacitor electrode 180 may be disposed in the insulating layer 124 of the substrate 120 . The capacitor electrode 180 may be aligned with the AC terminal pads 146 . Each of the AC terminal pads 146 may have a T-shape, and the capacitor electrode 180 may have an H-shape.

콘택 전극(182)은 제 1 교류 단자 패드(145) 및 제 2 교류 단자 패드(147) 중 어느 하나를 커패시터 전극(180)에 선택적으로 연결할 수 있다. 콘택 전극(182)이 제 2 교류 단자 패드(147)를 커패시터 전극(180)에 연결할 경우, 커패시터 전극(180)은 제 1 교류 단자 패드(145)와 전기적으로 분리될 수 있다. 커패시터 전극(180)은 제 1 교류 단자 패드(145)로부터 커패시턴스를 가지면서 EMI 필터(109)로서 작용하거나 기능할 수 있다. 커패시턴스는 제 1 교류 단자 패드(145)와 커패시터 전극(180) 사이의 거리에 반비례하고, 절연 층(124)의 유전 상수에 비례할 수 있다. 또한, 제 1 교류 단자 패드(145)와 커패시터 전극(180)의 면적에 비례할 수 있다. 콘택 전극(182)이 제 1 교류 단자 패드(145)를 커패시터 전극(180)에 연결할 경우, 커패시터 전극(180)은 제 2 교류 단자 패드(147)로부터 커패시턴스를 가지면서 EMI 필터(109)로서 작용하거나 기능할 수 있다.The contact electrode 182 may selectively connect one of the first AC terminal pad 145 and the second AC terminal pad 147 to the capacitor electrode 180 . When the contact electrode 182 connects the second AC terminal pad 147 to the capacitor electrode 180 , the capacitor electrode 180 may be electrically isolated from the first AC terminal pad 145 . The capacitor electrode 180 may act or function as the EMI filter 109 while having a capacitance from the first AC terminal pad 145 . The capacitance may be inversely proportional to a distance between the first AC terminal pad 145 and the capacitor electrode 180 , and may be proportional to a dielectric constant of the insulating layer 124 . Also, it may be proportional to the areas of the first AC terminal pad 145 and the capacitor electrode 180 . When the contact electrode 182 connects the first AC terminal pad 145 to the capacitor electrode 180 , the capacitor electrode 180 acts as the EMI filter 109 while having a capacitance from the second AC terminal pad 147 . or can function.

도 12는 도 9의 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)의 일 예를 보여준다.12 shows an example of the package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 of FIG.

도 12를 참조하면, 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)의 단자 패드들(140)의 각각은 L자 모양을 갖고, 커패시터 전극(180)은 T자 모양을 가질 수 있다. 커패시터 전극(180)은 단자 패드들(140)에 정렬될 수 있다. 콘택 전극(182)은 제 2 교류 단자 패드(147)를 커패시터 전극(180)에 연결할 수 있다. 커패시터 전극(180)은 제 1 교류 단자 패드(145)로부터 커패시턴스를 갖고, EMI 필터(109)로서 작용하거나 기능할 수 있다.12 , each of the terminal pads 140 of the package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 may have an L-shape, and the capacitor electrode 180 may have a T-shape. The capacitor electrode 180 may be aligned with the terminal pads 140 . The contact electrode 182 may connect the second AC terminal pad 147 to the capacitor electrode 180 . The capacitor electrode 180 has a capacitance from the first AC terminal pad 145 , and may act or function as the EMI filter 109 .

지지대(110), 기판(120), 제 1 내지 제 3 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 배선들(150), 및 몰딩 막(160)은 도 2 및 도 10과 동일하게 구성될 수 있다.The support 110 , the substrate 120 , the first to third diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 , the wirings 150 , and the molding film 160 are the same as in FIGS. 2 and 10 . can be configured.

도 13은 본 발명의 개념에 따른 전력 변환 장치(100)를 보여준다.13 shows a power conversion device 100 according to the concept of the present invention.

도 13을 참조하면, 본 발명의 전력 변환 장치(100)의 고전압 브리지 정류기(104)는 풀-웨이브 정류 회로(106)의 커패시터(C)를 포함할 수 있다. 커패시터(C)는 애노드(107)와 캐소드(105) 사이에 연결될 수 있다. 커패시터(C)는 출력되는 정류 파형을 평탄화시키거나 부하 저항(RL)의 EMI(Electro Magnetic Interference)를 최소화하거나 제거할 수 있다.Referring to FIG. 13 , the high voltage bridge rectifier 104 of the power conversion device 100 of the present invention may include a capacitor C of the full-wave rectification circuit 106 . A capacitor C may be connected between the anode 107 and the cathode 105 . The capacitor C may flatten the output rectified waveform or minimize or remove EMI (Electro Magnetic Interference) of the load resistor R L .

도 14는 도 13의 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)를 보여준다. 도 15는 도 14의 III-III'선상을 절취하여 보여준다.14 shows the package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 of FIG. 13 . FIG. 15 is a cutaway view taken along line III-III' of FIG. 14 .

도 14 및 도 15을 참조하면, 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)는 커패시터 전극(180)과 콘택 전극(182)을 포함할 수 있다. 지지대(110), 기판(120), 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 배선들(150), 및 몰딩 막(160)은 도 2 및 도 3과 동일하게 구성될 수 있다.14 and 15 , the package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 may include a capacitor electrode 180 and a contact electrode 182 . The support 110 , the substrate 120 , the first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 , the wirings 150 , and the molding film 160 are the same as in FIGS. 2 and 3 . can be configured.

커패시터 전극(180)은 기판(120)의 절연 층(124) 내에 배치될 수 있다. 커패시터 전극(180)은 직류 단자 패드들(142)에 정렬될 수 있다. 직류 단자 패드들(142)의 각각은 I자 모양을 갖고, 커패시터 전극(180)은 H자 모양을 가질 수 있다. The capacitor electrode 180 may be disposed in the insulating layer 124 of the substrate 120 . The capacitor electrode 180 may be aligned with the DC terminal pads 142 . Each of the DC terminal pads 142 may have an I-shape, and the capacitor electrode 180 may have an H-shape.

콘택 전극(182)은 캐소드 단자 패드(141) 및 애노드 단자 패드(143) 중 어느 하나를 커패시터 전극(180)에 선택적으로 연결할 수 있다. 콘택 전극(182)이 애노드 단자 패드(143)를 커패시터 전극(180)에 연결할 경우, 커패시터 전극(180)은 캐소드 단자 패드(141)와 전기적으로 분리될 수 있다. 커패시터 전극(180)은 캐소드 단자 패드(141)로부터 커패시턴스를 가지면서 커패시터(C)로서 작용하거나 기능할 수 있다. 커패시턴스는 캐소드 단자 패드(141)와 커패시터 전극(180) 사이의 거리에 반비례하고, 절연 층(124)의 유전 상수에 비례할 수 있다. 또한, 캐소드 단자 패드(141)와 커패시터 전극(180)의 면적에 비례할 수 있다. 콘택 전극(182)이 캐소드 단자 패드(141)를 커패시터 전극(180)에 연결할 경우, 커패시터 전극(180)은 애노드 단자 패드(143)로부터 커패시턴스를 가지면서 커패시터(C)로서 작용하거나 기능할 수 있다.The contact electrode 182 may selectively connect any one of the cathode terminal pad 141 and the anode terminal pad 143 to the capacitor electrode 180 . When the contact electrode 182 connects the anode terminal pad 143 to the capacitor electrode 180 , the capacitor electrode 180 may be electrically isolated from the cathode terminal pad 141 . The capacitor electrode 180 may act or function as the capacitor C while having a capacitance from the cathode terminal pad 141 . The capacitance may be inversely proportional to a distance between the cathode terminal pad 141 and the capacitor electrode 180 , and may be proportional to a dielectric constant of the insulating layer 124 . In addition, the area may be proportional to the area of the cathode terminal pad 141 and the capacitor electrode 180 . When the contact electrode 182 connects the cathode terminal pad 141 to the capacitor electrode 180, the capacitor electrode 180 may act or function as the capacitor C while having a capacitance from the anode terminal pad 143. .

도 16은 도 13의 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)의 일 예를 보여준다.16 shows an example of the package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 of FIG. 13 .

도 16을 참조하면, 고전압 브리지 정류기(104)의 패키지(108)의 단자 패드들(140)의 각각은 L자 모양을 갖고, 커패시터 전극(180)은 ㄷ자 모양을 가질 수 있다. 커패시터 전극(180)은 단자 패드들(140)에 정렬될 수 있다. 콘택 전극(182)은 애노드 단자 패드(143)를 커패시터 전극(180)에 연결할 수 있다. 커패시터 전극(180)은 캐소드 단자 패드(141)로부터 커패시턴스를 갖고, 커패시터(C)로서 작용하거나 기능할 수 있다.Referring to FIG. 16 , each of the terminal pads 140 of the package 108 of the high voltage bridge rectifier 104 may have an L-shape, and the capacitor electrode 180 may have a U-shape. The capacitor electrode 180 may be aligned with the terminal pads 140 . The contact electrode 182 may connect the anode terminal pad 143 to the capacitor electrode 180 . The capacitor electrode 180 has a capacitance from the cathode terminal pad 141 , and may function or function as the capacitor C .

지지대(110), 기판(120), 제 1 내지 제 4 다이오드 등가 회로들(ED1, ED2, ED3, ED4), 배선들(150), 및 몰딩 막(160)은 도 2, 도 10 및 도 14와 동일하게 구성될 수 있다.The support 110 , the substrate 120 , the first to fourth diode equivalent circuits ED1 , ED2 , ED3 , and ED4 , the wirings 150 , and the molding film 160 are illustrated in FIGS. 2 , 10 and 14 . may be configured in the same way as

이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.As mentioned above, although embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can practice the present invention in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. You will understand that there is Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

Claims (14)

지지대;
상기 지지대 상의 기판; 및
상기 기판 상에 실장되는 복수개의 다이오드 등가 회로들을 포함하되,
상기 기판은:
절연 층;
상기 절연 층의 중심 상에 배치되어 상기 복수개의 다이오드 등가 회로들 아래에 배치되는 소자 패드들; 및
상기 절연 층의 에지 상에 배치되어 상기 소자 패드들을 둘러싸는 단자 패드들을 포함하는 고전압 브리지 정류기.
support fixture;
a substrate on the support; and
A plurality of diode equivalent circuits mounted on the substrate,
The substrate is:
insulating layer;
device pads disposed on the center of the insulating layer and disposed below the plurality of diode equivalent circuits; and
and terminal pads disposed on an edge of the insulating layer and surrounding the device pads.
 제 1 항에 있어서,
상기 복수개의 다이오드 등가 회로들의 각각은:
다이오드; 및
상기 다이오드의 캐소드에 연결된 소스, 상기 다이오드의 애노드에 연결된 게이트, 및 상기 소스와 직렬로 연결된 드레인을 포함하는 고전압 노멀리 온형(Normally-on type) 트랜지스터를 포함하는 고전압 브리지 정류기.
The method of claim 1,
Each of the plurality of diode equivalent circuits comprises:
diode; and
A high voltage bridge rectifier comprising a high voltage normally-on type transistor comprising a source coupled to the cathode of the diode, a gate coupled to the anode of the diode, and a drain coupled in series with the source.
 제 2 항에 있어서,
상기 소자 패드들의 각각은:
상기 다이오드가 실장되는 다이오드 패드; 및
상기 트랜지스터가 실장되는 트랜지스터 패드를 포함하는 고전압 브리지 정류기.
3. The method of claim 2,
Each of the device pads includes:
a diode pad on which the diode is mounted; and
and a transistor pad on which the transistor is mounted.
 제 1 항에 있어서,
상기 단자 패드들은:
상기 절연 층 상에 제 1 방향으로 이격하여 배치되는 직류 단자 패드들; 및
상기 절연 층 상에 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 이격하여 배치되는 교류 단자 패드들을 포함하는 고전압 브리지 정류기.
The method of claim 1,
The terminal pads are:
DC terminal pads spaced apart from each other in a first direction on the insulating layer; and
and alternating current terminal pads disposed on the insulating layer to be spaced apart from each other in a second direction crossing the first direction.
 제 4 항에 있어서,
상기 직류 단자 패드들은:
상기 제 1 방향의 일측 상에 배치되는 캐소드 단자 패드; 및
상기 제 1 방향의 타측 상에 배치되는 애노드 단자 패드를 포함하는 고전압 브리지 정류기.
5. The method of claim 4,
The DC terminal pads include:
a cathode terminal pad disposed on one side of the first direction; and
and an anode terminal pad disposed on the other side in the first direction.
 제 5 항에 있어서,
상기 캐소드 단자 패드 및 애노드 단자 패드는 I자 모양을 갖는 고전압 브리지 정류기.
6. The method of claim 5,
wherein the cathode terminal pad and the anode terminal pad have an I-shape.
 제 5 항에 있어서,
상기 캐소드 단자 패드 및 애노드 단자 패드는 L자 모양을 갖는 고전압 브리지 정류기.
6. The method of claim 5,
The cathode terminal pad and the anode terminal pad have an L-shape.
 제 4 항에 있어서,
상기 교류 단자 패드들은:
상기 제 2 방향의 일측에 배치되는 제 1 교류 단자 패드; 및
상기 제 2 방향의 타측에 배치되는 제 2 교류 단자 패드를 포함하는 고전압 브리지 정류기.
5. The method of claim 4,
The AC terminal pads include:
a first AC terminal pad disposed on one side of the second direction; and
and a second AC terminal pad disposed on the other side of the second direction.
 제 8 항에 있어서,
상기 절연 층 내에 배치되고, 상기 제 1 및 제 2 교류 단자 패드들에 정렬되는 커패시터 전극을 더 포함하는 고전압 브리지 정류기.
9. The method of claim 8,
and a capacitor electrode disposed within the insulating layer and aligned with the first and second alternating current terminal pads.
 제 9 항에 있어서,
상기 제 1 교류 단자 패드 및 상기 제 2 교류 단자 패드는 T자 모양을 갖고, 상기 커패시터 전극은 H자 모양을 갖는 고전압 브리지 정류기.
10. The method of claim 9,
The first AC terminal pad and the second AC terminal pad have a T-shape, and the capacitor electrode has an H-shape.
 제 9 항에 있어서,
상기 제 1 교류 단자 패드 및 상기 제 2 교류 단자 패드는 L자 모양을 갖고, 상기 커패시터 전극은 T자 모양을 갖는 고전압 브리지 정류기.
10. The method of claim 9,
The first AC terminal pad and the second AC terminal pad have an L-shape, and the capacitor electrode has a T-shape.
 제 9 항에 있어서,
상기 커패시터 전극을 상기 제 1 교류 단자 패드 및 상기 제 2 교류 단자 패드 중 어느 하나에 선택적으로 연결되는 콘택 전극을 더 포함하는 고전압 브리지 정류기.
10. The method of claim 9,
and a contact electrode selectively connecting the capacitor electrode to one of the first AC terminal pad and the second AC terminal pad.
 제 1 항에 있어서,
상기 기판 및 상기 복수개의 다이오드 등가 회로들 상의 몰딩 막을 더 포함하되,
상기 몰딩 막은 상기 지지대의 하부 면을 선택적으로 노출시키는 고전압 브리지 정류기.
The method of claim 1,
Further comprising a molding film on the substrate and the plurality of diode equivalent circuits,
and wherein the molding film selectively exposes a lower surface of the support.
 제 13 항에 있어서,
상기 몰딩 막을 둘러싸는 몰딩 케이스를 더 포함하는 고전압 브리지 정류기.14. The method of claim 13,
The high voltage bridge rectifier further comprising a molding case surrounding the molding film.
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