KR102361622B1

KR102361622B1 - Novel compound and organic light emitting device comprising the same

Info

Publication number: KR102361622B1
Application number: KR1020200035790A
Authority: KR
Inventors: 차용범; 김진주; 홍성길; 조우진; 문현진
Original assignee: 주식회사 엘지화학
Priority date: 2019-06-14
Filing date: 2020-03-24
Publication date: 2022-02-11
Also published as: KR20200143227A; CN113498412A

Abstract

본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present invention provides a novel compound and an organic light emitting device comprising the same.

Description

Novel compound and organic light emitting device comprising the same

본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device comprising the same.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다. In general, the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon in which electric energy is converted into light energy using an organic material. The organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, and excellent luminance, driving voltage, and response speed characteristics, and thus many studies are being conducted.

유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물 층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물 층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 전자억제층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. An organic light emitting device generally has a structure including an anode and a cathode and an organic material layer between the anode and the cathode. The organic layer is often formed of a multi-layered structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron suppression layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron It may be formed of an injection layer or the like. In the structure of the organic light emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected into the organic material layer from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer. When the injected holes and electrons meet, excitons are formed, and the excitons It lights up when it falls back to the ground state.

상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.The development of new materials for organic materials used in organic light emitting devices as described above is continuously required.

한국특허 공개번호 제10-2000-0051826호Korean Patent Publication No. 10-2000-0051826

본 발명은 신규한 유기발광 재료 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a novel organic light emitting material and an organic light emitting device comprising the same.

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:The present invention provides a compound represented by the following formula (1):

[화학식 1][Formula 1]

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

Ar₁은 치환 또는 비치환된 C_6-60 아릴, 퓨라닐, 또는 티오페닐이고,Ar ₁ is substituted or unsubstituted C _6-60 aryl, furanyl, or thiophenyl,

Ar₂는 디벤조티오페닐이고,Ar ₂ is dibenzothiophenyl,

L₁ 및 L₂는 각각 독립적으로 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C_6-60 아릴렌이고,L ₁ and L ₂ are each independently a single bond, or a substituted or unsubstituted C _6-60 arylene;

R₁은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노; 니트로; 아미노; 치환 또는 비치환된 C_1-60 알킬; 치환 또는 비치환된 C_3-60 사이클로알킬; 치환 또는 비치환된 C_2-60 알케닐; 치환 또는 비치환된 C_6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 C_2-60 헤테로아릴이거나, 또는 인접한 2개의 R₁이 서로 결합하여 C_6-60 방향족 고리; 또는 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 C_2-60 헤테로방향족 고리를 형성하고,R ₁ are each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen; cyano; nitro; amino; substituted or unsubstituted C _1-60 alkyl; substituted or unsubstituted C _3-60 cycloalkyl; substituted or unsubstituted C _2-60 alkenyl; substituted or unsubstituted C _6-60 aryl; Or substituted or unsubstituted C _2-60 heteroaryl comprising at least one selected from the group consisting of N, O and S, or two adjacent R ₁ are bonded to each other to form a C _6-60 aromatic ring; Or to form a C _2-60 heteroaromatic ring comprising any one or more selected from the group consisting of N, O and S,

a1은 0 내지 4의 정수이다.a1 is an integer from 0 to 4.

또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, the present invention is a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound represented by Formula 1 above. .

상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물 층의 재료로서 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공주입, 정공수송, 정공주입 및 수송, 전자억제, 발광, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다The compound represented by Chemical Formula 1 described above may be used as a material for an organic layer of an organic light emitting device, and may improve efficiency, low driving voltage, and/or lifespan characteristics in the organic light emitting device. In particular, the compound represented by the above formula (1) may be used as a material for hole injection, hole transport, hole injection and transport, electron suppression, light emission, electron transport, or electron injection material.

도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자억제층(7), 발광층(3), 정공저지층(8), 전자 주입 및 수송층(9) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 shows an example of an organic light emitting device including a substrate 1 , an anode 2 , a light emitting layer 3 , and a cathode 4 .
2 is a substrate (1), an anode (2), a hole injection layer (5), a hole transport layer (6), an electron blocking layer (7), a light emitting layer (3), a hole blocking layer (8), an electron injection and transport layer ( 9) and an example of an organic light emitting device including a cathode 4 are shown.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, it will be described in more detail to help the understanding of the present invention.

본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. The present invention provides a compound represented by Formula 1 above.

본 명세서에서,

또는

는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다. In this specification,

or

means a bond connected to another substituent.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.As used herein, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; halogen group; nitrile group; nitro group; hydroxyl group; carbonyl group; ester group; imid; amino group; a phosphine oxide group; alkoxy group; aryloxy group; alkyl thiooxy group; arylthioxy group; an alkyl sulfoxy group; arylsulfoxy group; silyl group; boron group; an alkyl group; cycloalkyl group; alkenyl group; aryl group; aralkyl group; aralkenyl group; an alkylaryl group; an alkylamine group; an aralkylamine group; heteroarylamine group; arylamine group; an arylphosphine group; or N, O, and S atom means that it is substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heteroaryl group containing one or more atoms, or substituted or unsubstituted with two or more substituents connected among the above-exemplified substituents . For example, "a substituent in which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group, and may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.

본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms in the carbonyl group is not particularly limited, but preferably 1 to 40 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, in the ester group, oxygen of the ester group may be substituted with a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but it is preferably from 1 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, and the like. However, the present invention is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group specifically includes, but is not limited to, a trimethylboron group, a triethylboron group, a t-butyldimethylboron group, a triphenylboron group, a phenylboron group, and the like.

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 사이클로펜틸메틸, 사이클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 20. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 10. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n -pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl , n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2 -Dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 20. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 10. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-( Naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸, 2,3-디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 3-메틸사이클로헥실, 4-메틸사이클로헥실, 2,3-디메틸사이클로헥실, 3,4,5-트리메틸사이클로헥실, 4-tert-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3, 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 30. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 20. The aryl group may be a monocyclic aryl group, such as a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,

등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure. When the fluorenyl group is substituted,

etc. can be However, the present invention is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종 원소로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heteroaryl group is a heteroaryl group containing at least one of O, N, Si and S as a heterogeneous element, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but it is preferably from 2 to 60 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the heteroaryl group has 6 to 30 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the heteroaryl group has 6 to 20 carbon atoms. Examples of the heteroaryl group include a thiophene group, a furan group, a pyrrole group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrimidyl group, a triazine group, an acridyl group , pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazoline group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidinyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino pyrazinyl group, isoquinoline group, indole group , carbazole group, benzoxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuranyl group, phenanthroline group, isoxazolyl group, thiadia and a jolyl group, a phenothiazinyl group, and a dibenzofuranyl group, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴은 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the aryl group in the aralkyl group, the aralkenyl group, the alkylaryl group, and the arylamine group is the same as the example of the aryl group described above. In the present specification, the alkyl group among the aralkyl group, the alkylaryl group, and the alkylamine group is the same as the example of the above-described alkyl group. In the present specification, the description of the heteroaryl group described above for heteroaryl among heteroarylamines may be applied. In the present specification, the alkenyl group among the aralkenyl groups is the same as the above-described examples of the alkenyl group. In the present specification, the description of the above-described aryl group may be applied, except that arylene is a divalent group. In the present specification, the description of the above-described heteroaryl group may be applied, except that heteroarylene is a divalent group. In the present specification, the hydrocarbon ring is not a monovalent group, and the description of the above-described aryl group or cycloalkyl group may be applied, except that it is formed by combining two substituents. In the present specification, heteroaryl is not a monovalent group, and the description of the above-described heteroaryl group may be applied, except that it is formed by combining two substituents.

바람직하게는, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4 중 어느 하나로 표시될 수 있다:Preferably, Formula 1 may be represented by any one of Formulas 1-1 to 1-4 below:

[화학식 1-1][Formula 1-1]

[화학식 1-2][Formula 1-2]

[화학식 1-3][Formula 1-3]

[화학식 1-4][Formula 1-4]

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4에서,In Formulas 1-1 to 1-4,

Ar₁, Ar₂, L₁ 및 L₂에 대한 설명은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.Ar ₁ , Ar ₂ , L ₁ , and L ₂ are the same as defined in Formula 1 above.

보다 바람직하게는, 상기 화학식 1은 상기 화학식 1-1로 표시될 수 있다.More preferably, Chemical Formula 1 may be represented by Chemical Formula 1-1.

바람직하게는, Ar₁은 치환 또는 비치환된 C_6-20 아릴, 퓨라닐, 또는 티오페닐일 수 있고, Ar₂는 디벤조티오페닐일 수 있고,Preferably, Ar ₁ may be substituted or unsubstituted C _6-20 aryl, furanyl, or thiophenyl, Ar ₂ may be dibenzothiophenyl,

보다 바람직하게는, Ar₁은 치환 또는 비치환된 C_6-20 아릴일 수 있고, Ar₂는 디벤조티오페닐일 수 있고,More preferably, Ar ₁ may be substituted or unsubstituted C _6-20 aryl, Ar ₂ may be dibenzothiophenyl,

보다 바람직하게는, Ar₁은 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 나프틸, 페난트레닐, 트리페닐레닐, 디메틸플루오레닐, 또는 나프틸 페닐일 수 있고, Ar₂는 디벤조티오페닐일 수 있고,More preferably, Ar ₁ may be phenyl, biphenylyl, terphenylyl, naphthyl, phenanthrenyl, triphenylenyl, dimethylfluorenyl, or naphthyl phenyl, and Ar ₂ is dibenzothiophenylyl can,

가장 바람직하게는, Ar₁은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있고, Ar₂는 디벤조티오페닐일 수 있다:Most preferably, Ar ₁ may be any one selected from the group consisting of, and Ar ₂ may be dibenzothiophenyl:

.

바람직하게는, L₁ 및 L₂는 각각 독립적으로 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C_6-20 아릴렌일 수 있고,Preferably, L ₁ and L ₂ may each independently be a single bond, or a substituted or unsubstituted C _6-20 arylene,

보다 바람직하게는, L₁ 및 L₂는 각각 독립적으로 단일결합, 페닐렌, 또는 비페닐릴렌일 수 있다.More preferably, L ₁ and L ₂ may each independently be a single bond, phenylene, or biphenylrylene.

바람직하게는, R₁은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 C_6-20 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 C_2-20 헤테로아릴일 수 있고,Preferably, each R ₁ is independently hydrogen; substituted or unsubstituted C _6-20 aryl; Or it may be a C _2-20 heteroaryl comprising at least one selected from the group consisting of substituted or unsubstituted N, O and S,

보다 바람직하게는, R₁은 각각 수소일 수 있다.More preferably, each R ₁ may be hydrogen.

바람직하게는, a1은 0 내지 2의 정수일 수 있고,Preferably, a1 may be an integer from 0 to 2,

보다 바람직하게는, a1은 0일 수 있다.More preferably, a1 may be 0.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 대표적인 예는 다음과 같다:Representative examples of the compound represented by Formula 1 are as follows:

.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 일례로 하기 반응식 1과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있으며, 그 외 나머지 화합물도 유사하게 제조할 수 있다.The compound represented by Formula 1 may be prepared by, for example, a preparation method as in Scheme 1 below, and other compounds may be prepared similarly.

[반응식1][Scheme 1]

상기 반응식 1에서, Ar₁, Ar₂, L₁, L₂, R₁ 및 a1은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같으며, X는 할로겐이고, 바람직하게는 X는 클로로 또는 브로모이다.In Scheme 1, Ar ₁ , Ar ₂ , L ₁ , L ₂ , R ₁ and a1 are as defined in Formula 1 above, and X is halogen, preferably X is chloro or bromo.

상기 반응식 1은 아민 치환 반응으로서, 팔라듐 촉매와 염기 존재 하에 수행하는 것이 바람직하며, 아민 치환 반응을 위한 반응기는 당업계에 알려진 바에 따라 변경이 가능하다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.Scheme 1 is an amine substitution reaction, preferably performed in the presence of a palladium catalyst and a base, and the reactor for the amine substitution reaction can be changed as known in the art. The manufacturing method may be more specific in Preparation Examples to be described later.

또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다. In addition, the present invention provides an organic light emitting device comprising the compound represented by Formula 1 above. In one example, the present invention provides a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layer includes the compound represented by Formula 1 above. do.

본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 정공주입층, 정공수송층, 전자억제층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, an electron suppression layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. as an organic material layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic material layers.

또한, 상기 유기물 층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. In addition, the organic layer may include an emission layer, and the emission layer may include a compound represented by Formula 1 above.

또한, 상기 유기물 층은 정공수송층, 정공주입층, 전자억제층, 또는 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층을 포함할 수 있고, 상기 정공수송층, 정공주입층, 전자억제층, 또는 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. In addition, the organic layer may include a hole transport layer, a hole injection layer, an electron suppression layer, or a layer that simultaneously transports and injects holes, and the hole transport layer, the hole injection layer, the electron suppression layer, or the hole transport and hole injection layer. The layer for simultaneous injection may include the compound represented by Formula 1 above.

또한, 상기 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. In addition, the electron transport layer, the electron injection layer, or the layer that simultaneously transports and injects electrons may include the compound represented by Formula 1 above.

또한, 상기 유기물 층은 발광층 및 정공수송층을 포함하고, 상기 발광층또는 정공수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. In addition, the organic layer may include a light emitting layer and a hole transport layer, and the light emitting layer or the hole transport layer may include a compound represented by Formula 1 above.

또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물 층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물 층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다.In addition, the organic light emitting device according to the present invention may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate. In addition, the organic light emitting device according to the present invention may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate. For example, the structure of the organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention is illustrated in FIGS. 1 and 2 .

도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다. 1 shows an example of an organic light emitting device including a substrate 1 , an anode 2 , a light emitting layer 3 , and a cathode 4 . In such a structure, the compound represented by Formula 1 may be included in the light emitting layer.

도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자억제층(7), 발광층(3), 정공저지층(8), 전자 주입 및 수송층(9) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층, 정공수송층, 전자억제층, 발광층, 정공저지층 및 전자 주입 및 수송층 중 1층 이상에 포함될 수 있다. 2 is a substrate (1), an anode (2), a hole injection layer (5), a hole transport layer (6), an electron blocking layer (7), a light emitting layer (3), a hole blocking layer (8), an electron injection and transport layer ( 9) and an example of an organic light emitting device including a cathode 4 are shown. In such a structure, the compound represented by Formula 1 may be included in one or more of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron suppression layer, the light emitting layer, the hole blocking layer, and the electron injection and transport layer.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 유기물 층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. The organic light emitting device according to the present invention may be manufactured using materials and methods known in the art, except that at least one layer of the organic material layer includes the compound represented by Formula 1 above. Also, when the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.

예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting diode according to the present invention may be manufactured by sequentially stacking a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, by using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on a substrate to form an anode And, after forming an organic layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon, it can be prepared by depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물 층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound represented by Formula 1 may be formed into an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spray method, roll coating, and the like, but is not limited thereto.

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material from a cathode material on a substrate (WO 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.

일례로, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이거나, 또는 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.In one example, the first electrode is an anode, the second electrode is a cathode, or the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode.

상기 양극 물질로는 통상 유기물 층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO₂:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the anode material, a material having a large work function is generally preferred so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the anode material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO ₂ :Sb; conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.

상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO₂/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the anode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; and a multi-layered material such as LiF/Al or LiO ₂ /Al, but is not limited thereto.

상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer for injecting holes from the electrode, and as a hole injection material, it has the ability to transport holes, so it has a hole injection effect at the anode, an excellent hole injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, and is produced in the light emitting layer A compound which prevents the movement of excitons to the electron injection layer or the electron injection material and is excellent in the ability to form a thin film is preferable. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based organic material. of organic substances, anthraquinones, and conductive polymers of polyaniline and polythiophene series, but are not limited thereto.

상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로 양극이나 정공주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports them to the light emitting layer. As a hole transport material, a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer and transferring them to the light emitting layer. This is suitable. Specific examples include, but are not limited to, an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together.

상기 전자억제층은 음극에서 주입된 전자가 발광층에서 재결합되지 않고 정공수송층으로 넘어가는 것을 방지하기 위해 정공수송층과 발광층의 사이에 두는 층으로는 층으로, 전자저지층 또는 전자차단층으로 불리기도 한다. 전자차단층에는 전자수송층보다 전자 친화력이 작은 물질이 바람직하다. 바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 전자억제층의 물질로 포함할 수 있다.The electron blocking layer is a layer placed between the hole transport layer and the emission layer in order to prevent electrons injected from the cathode from passing to the hole transport layer without recombination in the emission layer, and is also called an electron blocking layer or an electron blocking layer. . For the electron blocking layer, a material having an electron affinity lower than that of the electron transport layer is preferable. Preferably, the compound represented by Formula 1 may be included as a material for the electron blocking layer.

상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq₃); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible ray region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq ₃ ); carbazole-based compounds; dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compounds; compounds of the benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymers; spiro compounds; polyfluorene, rubrene, and the like, but is not limited thereto.

상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The emission layer may include a host material and a dopant material. The host material includes a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound containing compound. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, and the like, and heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder types. Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the dopant material include an aromatic amine derivative, a strylamine compound, a boron complex, a fluoranthene compound, and a metal complex. Specifically, the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamino group, and includes pyrene, anthracene, chrysene, periflanthene, and the like, having an arylamino group. As the styrylamine compound, a substituted or unsubstituted It is a compound in which at least one arylvinyl group is substituted in the arylamine, and one or two or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamino group are substituted or unsubstituted. Specifically, there are styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like, but is not limited thereto. In addition, examples of the metal complex include, but are not limited to, an iridium complex and a platinum complex.

상기 정공저지층은 양극에서 주입된 정공이 발광층에서 재결합되지 않고 전자수송층으로 넘어가는 것을 방지하기 위해 전자수송층과 발광층의 사이에 두는 층으로, 정공억제층 또는 정공차단층으로 불리기도 한다. 정공억제층에는 이온화에너지가 큰 물질이 바람직하다.The hole blocking layer is a layer placed between the electron transport layer and the light emitting layer to prevent the holes injected from the anode from passing to the electron transport layer without recombination in the light emitting layer, and is also called a hole blocking layer or a hole blocking layer. A material having high ionization energy is preferable for the hole blocking layer.

상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq₃를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports them to the light emitting layer. do. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; complexes containing Alq ₃ ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto. The electron transport layer may be used with any desired cathode material as used in accordance with the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are conventional materials having a low work function and followed by a layer of aluminum or silver. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, followed in each case by an aluminum layer or a silver layer.

상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer is a layer that injects electrons from the electrode, has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from the cathode, an excellent electron injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, and hole injection of excitons generated in the light emitting layer. A compound which prevents movement to a layer and is excellent in the ability to form a thin film is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc., derivatives thereof, metals complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-crezolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium, etc. However, the present invention is not limited thereto.

한편, 본 발명에 있어서 "전자 주입 및 수송층"은 상기 전자주입층과 상기 전자수송층의 역할을 모두 수행하는 층으로 상기 각 층의 역할을 하는 물질을 단독으로, 혹은 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.On the other hand, in the present invention, the "electron injection and transport layer" is a layer that performs both the role of the electron injection layer and the electron transport layer, and the materials serving the respective layers may be used alone or in combination, but limited thereto. doesn't happen

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a back emission type, or a double side emission type depending on the material used.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.In addition, the compound represented by Formula 1 may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to the organic light emitting device.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, it will be described in more detail to help the understanding of the present invention. However, the following examples only illustrate the present invention, and the content of the present invention is not limited by the following examples.

제조예 1Preparation Example 1

질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A (8.41 g, 23.82 mmol) 및 화합물 a1 (11.70 g, 27.39 mmol)을 Xylene (280 mL)에 완전히 녹인 후 NaOtBu (3.43 g, 35.73 mmol)을 첨가하고, Bis(tri-tert-butylphosphine) palladium(0) (0.24 g, 0.48 mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 Xylene을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 (210 mL)로 재결정하여 화합물 1 (9.12 g, 수율: 51 %)을 제조하였다.Compound A (8.41 g, 23.82 mmol) and compound a1 (11.70 g, 27.39 mmol) were completely dissolved in Xylene (280 mL) in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and NaOtBu (3.43 g, 35.73 mmol) was added, Bis(tri- tert -butylphosphine) palladium(0) (0.24 g, 0.48 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred for 3 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, Xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethyl acetate (210 mL) to prepare Compound 1 (9.12 g, Yield: 51 %).

MS: [M+H]⁺= 745MS: [M+H] ⁺ = 745

제조예 2Preparation 2

질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A (6.45 g, 18.27 mmol) 및 화합물 a2 (8.97 g, 21.01 mmol)을 Xylene (240 mL)에 완전히 녹인 후 NaOtBu (2.63 g, 27.40 mmol)을 첨가하고, Bis(tri-tert-butylphosphine) palladium(0) (0.19 g, 0.37 mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 Xylene을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 (230 mL)로 재결정하여 화합물 2 (7.75 g, 수율: 57 %)를 제조하였다.Compound A (6.45 g, 18.27 mmol) and compound a2 (8.97 g, 21.01 mmol) were completely dissolved in Xylene (240 mL) in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and NaOtBu (2.63 g, 27.40 mmol) was added, Bis(tri- tert -butylphosphine) palladium(0) (0.19 g, 0.37 mmol) was added, followed by heating and stirring for 5 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, Xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethyl acetate (230 mL) to prepare Compound 2 (7.75 g, yield: 57 %).

MS: [M+H]⁺= 745MS: [M+H] ⁺ = 745

제조예 3Preparation 3

질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A (7.36 g, 20.84 mmol) 및 화합물 a3 (9.37 g, 23.97 mmol)을 Xylene (230 mL)에 완전히 녹인 후 NaOtBu (3.0 g, 31.27 mmol)을 첨가하고, Bis(tri-tert-butylphosphine) palladium(0) (0.21 g, 0.42 mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 Xylene을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 (240 mL)로 재결정하여 화합물 3 (9.22 g, 수율: 62 %)를 제조하였다.Compound A (7.36 g, 20.84 mmol) and compound a3 (9.37 g, 23.97 mmol) were completely dissolved in Xylene (230 mL) in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and NaOtBu (3.0 g, 31.27 mmol) was added, Bis(tri- tert -butylphosphine) palladium(0) (0.21 g, 0.42 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, Xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethyl acetate (240 mL) to prepare compound 3 (9.22 g, yield: 62 %).

MS: [M+H]⁺= 709MS: [M+H] ⁺ = 709

제조예 4Preparation 4

질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A (6.33 g, 17.93 mmol) 및 화합물 a4 (8.27 g, 20.62 mmol)을 Xylene (230 mL)에 완전히 녹인 후 NaOtBu (2.58 g, 26.89 mmol)을 첨가하고, Bis(tri-tert-butylphosphine) palladium(0) (0.18 g, 0.36 mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 Xylene을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 (250 mL)로 재결정하여 화합물 4 (6.98 g, 수율: 54 %)를 제조하였다.Compound A (6.33 g, 17.93 mmol) and compound a4 (8.27 g, 20.62 mmol) were completely dissolved in Xylene (230 mL) in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and NaOtBu (2.58 g, 26.89 mmol) was added, Bis(tri- tert -butylphosphine) palladium(0) (0.18 g, 0.36 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, Xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethyl acetate (250 mL) to prepare Compound 4 (6.98 g, Yield: 54 %).

MS: [M+H]⁺= 719MS: [M+H] ⁺ = 719

제조예 5Preparation 5

질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A (8.11 g, 22.97 mmol) 및 화합물 a6 (11.28 g, 26.41 mmol)을 Xylene (240 mL)에 완전히 녹인 후 NaOtBu (3.31 g, 34.45 mmol)을 첨가하고, Bis(tri-tert-butylphosphine) palladium(0) (0.23 g, 0.46 mmol)을 넣은 후 3시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 Xylene을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 (260 mL)로 재결정하여 화합물 6 (12.47 g, 수율: 73 %)를 제조하였다.Compound A (8.11 g, 22.97 mmol) and compound a6 (11.28 g, 26.41 mmol) were completely dissolved in Xylene (240 mL) in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and NaOtBu (3.31 g, 34.45 mmol) was added, Bis(tri- tert -butylphosphine) palladium(0) (0.23 g, 0.46 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred for 3 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, Xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethyl acetate (260 mL) to prepare compound 6 (12.47 g, yield: 73%).

MS: [M+H]⁺= 745MS: [M+H] ⁺ = 745

제조예 6Preparation 6

질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 B(6.22 g, 15.43 mmol) 및 화합물 a7(7.12 g, 17.75 mmol)을 Xylene 230 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(2.22 g, 23.15 mmol)을 첨가하고, Bis(tri-tert-butylphosphine) palladium(0)(0.16 g, 0.31 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 Xylene을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 250 mL으로 재결정하여 화합물 7(5.28 g, 수율: 44%)를 제조하였다.After completely dissolving compound B (6.22 g, 15.43 mmol) and compound a7 (7.12 g, 17.75 mmol) in 230 mL of Xylene in a 500 mL round-bottom flask in a nitrogen atmosphere, NaOtBu (2.22 g, 23.15 mmol) was added, and Bis ( tri- tert -butylphosphine) palladium (0) (0.16 g, 0.31 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred for 5 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, Xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from 250 mL of ethyl acetate to prepare compound 7 (5.28 g, yield: 44%).

MS: [M+H]⁺= 769MS: [M+H] ⁺ = 769

제조예 7Preparation 7

질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 C(5.78 g, 14.34 mmol) 및 화합물 a8 (7.44 g, 16.49 mmol)을 Xylene (250 mL)에 완전히 녹인 후 NaOtBu (2.07 g, 21.51 mmol)을 첨가하고, Bis(tri-tert-butylphosphine) palladium(0) (0.15 g, 0.29 mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 Xylene을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 (230 mL)로 재결정하여 화합물 8 (6.79 g, 수율: 58 %)를 제조하였다.Compound C (5.78 g, 14.34 mmol) and compound a8 (7.44 g, 16.49 mmol) were completely dissolved in Xylene (250 mL) in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and NaOtBu (2.07 g, 21.51 mmol) was added, Bis(tri- tert -butylphosphine) palladium(0) (0.15 g, 0.29 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred for 5 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, Xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethyl acetate (230 mL) to prepare compound 8 (6.79 g, yield: 58 %).

MS: [M+H]⁺= 819MS: [M+H] ⁺ = 819

제조예 8Preparation 8

질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 D(6.66 g, 16.53 mmol) 및 화합물 a9(8.08 g, 19.0 mmol)을 Xylene (230 mL)에 완전히 녹인 후 NaOtBu (2.38 g, 24.79 mmol)을 첨가하고, Bis(tri-tert-butylphosphine) palladium(0) (0.17 g, 0.33 mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 Xylene을 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 (250 mL)으로 재결정하여 화합물 9 (7.56 g, 수율: 58 %)를 제조하였다.Compound D (6.66 g, 16.53 mmol) and compound a9 (8.08 g, 19.0 mmol) were completely dissolved in Xylene (230 mL) in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and NaOtBu (2.38 g, 24.79 mmol) was added, Bis(tri- tert -butylphosphine) palladium(0) (0.17 g, 0.33 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, Xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from tetrahydrofuran (250 mL) to prepare compound 9 (7.56 g, yield: 58 %).

MS: [M+H]⁺= 793MS: [M+H] ⁺ = 793

실시예 1Example 1

ITO(indium tin oxide)가 1,000 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30 분간 세척한 후 증류수로 2 회 반복하여 초음파 세척을 10 분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5 분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 1,000 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent, and distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water. After washing ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and after drying, it was transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator.

이렇게 준비된 양극인 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 HI1 및 하기 화합물 HI2의 화합물을 98:2(몰비)의 비가 되도록 100 Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 위에 하기 화학식 HT1으로 표시되는 화합물(1150 Å)을 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공수송층 위에 막 두께 50 Å으로 제조예 1의 화합물 1을 진공 증착하여 전자억제층을 형성하였다. 이어서, 상기 전자억제층 위에 막 두께 200 Å으로 하기 화학식 BH로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 BD로 표시되는 화합물을 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 막 두께 50 Å으로 하기 화학식 HB1으로 표시되는 화합물을 진공 증착하여 정공저지층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공저지층 위에 하기 화학식 ET1으로 표시되는 화합물과 하기 화학식 LiQ로 표시되는 화합물을 1:1의 중량비로 진공증착하여 310 Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12 Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 1,000 Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. A hole injection layer was formed by thermal vacuum deposition of a compound of the following compound HI1 and a compound of the following compound HI2 to a thickness of 100 Å so as to have a ratio of 98:2 (molar ratio) on the prepared anode, ITO transparent electrode. A hole transport layer was formed by vacuum-depositing a compound (1150 Å) represented by the following formula HT1 on the hole injection layer. Then, the compound 1 of Preparation Example 1 was vacuum-deposited to a film thickness of 50 Å on the hole transport layer to form an electron blocking layer. Then, the compound represented by the following formula BH and the compound represented by the following formula BD to a thickness of 200 Å on the electron blocking layer were vacuum-deposited in a weight ratio of 25:1 to form a light emitting layer. A hole blocking layer was formed by vacuum-depositing a compound represented by the following Chemical Formula HB1 to a film thickness of 50 Å on the light emitting layer. Then, on the hole blocking layer, the compound represented by the formula ET1 and the compound represented by the formula LiQ were vacuum-deposited in a weight ratio of 1:1 to form an electron injection and transport layer to a thickness of 310 Å. A cathode was formed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) to a thickness of 12 Å and aluminum to a thickness of 1,000 Å on the electron injection and transport layer.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 x 10^-7 ~ 5 x 10^-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.In the above process, the deposition rate of organic material was maintained at 0.4 ~ 0.7 Å/sec, the deposition rate of lithium fluoride of the negative electrode was maintained at 0.3 Å/sec, and the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å/sec, and the vacuum degree during deposition was 2 x 10 By maintaining ^-7 to 5 x 10 ^-6 torr, an organic light emitting diode was manufactured.

실시예 2 내지 실시예 8Examples 2 to 8

제조예 1의 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compound shown in Table 1 was used instead of Compound 1 of Preparation Example 1.

비교예 1 내지 비교예 5Comparative Examples 1 to 5

제조예 1의 화합물 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 하기 표 1에서 사용한 화합물 EB2, EB3, EB4, EB5 및 EB6는 하기와 같다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compound shown in Table 1 was used instead of the compound of Preparation Example 1. Compounds EB2, EB3, EB4, EB5 and EB6 used in Table 1 below are as follows.

실험예Experimental example

상기 실시예 및 비교예에서 제조한 유기 발광 소자에 10 mA/cm²의 전류를 인가하였을 때, 전압, 효율, 색좌표 및 수명을 측정하고 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. T95은 휘도가 초기 휘도(1600 nit)에서 95 %로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.When a current of 10 mA/cm ² was applied to the organic light-emitting devices prepared in Examples and Comparative Examples, voltage, efficiency, color coordinates and lifetime were measured, and the results are shown in Table 1 below. T95 means the time required for the luminance to decrease from the initial luminance (1600 nit) to 95%.

화합물
(전자억제층)compound
(electron suppression layer) 전압
(V@10mA/cm²)Voltage
(V@10mA/cm ² ) 효율
(cd/A@10mA/cm²)efficiency
(cd/A@10mA/cm ² ) 색좌표
(x,y)color coordinates
(x,y) T95 (hr, @10mA/cm²)T95 (hr, @10mA/cm ² ) 실시예 1Example 1 화합물 1compound 1 4.414.41 6.716.71 (0.147, 0.045)(0.147, 0.045) 275275 실시예 2Example 2 화합물 2compound 2 4.534.53 6.656.65 (0.146, 0.046)(0.146, 0.046) 260260 실시예 3Example 3 화합물 3compound 3 4.554.55 6.646.64 (0.145, 0.045)(0.145, 0.045) 275275 실시예 4Example 4 화합물 4compound 4 4.574.57 6.796.79 (0.145, 0.044)(0.145, 0.044) 270270 실시예 5Example 5 화합물 6compound 6 4.484.48 6.786.78 (0.146, 0.045)(0.146, 0.045) 275275 실시예 6Example 6 화합물 7compound 7 4.644.64 6.566.56 (0.147, 0.044)(0.147, 0.044) 240240 실시예 7Example 7 화합물 8compound 8 4.694.69 6.516.51 (0.145, 0.045)(0.145, 0.045) 245245 실시예 8Example 8 화합물 9compound 9 4.654.65 6.556.55 (0.146, 0.044)(0.146, 0.044) 250250 비교예 1Comparative Example 1 EB2EB2 5.375.37 5.945.94 (0.147, 0.045)(0.147, 0.045) 185185 비교예 2Comparative Example 2 EB3EB3 4.964.96 6.286.28 (0.145, 0.046)(0.145, 0.046) 170170 비교예 3Comparative Example 3 EB4EB4 5.055.05 6.126.12 (0.146, 0.044)(0.146, 0.044) 145145 비교예 4Comparative Example 4 EB5EB5 5.215.21 5.845.84 (0.147, 0.045)(0.147, 0.045) 8585 비교예 5Comparative Example 5 EB6EB6 4.824.82 6.056.05 (0.145, 0.046)(0.145, 0.046) 5555

상기 표 1에 나타난 바와 같이, 본 발명의 화합물을 전자억제층으로 사용한 유기 발광 소자는, 유기 발광 소자의 효율, 구동 전압 및 안정성(수명) 면에서 우수한 특성을 나타내었다.As shown in Table 1, the organic light emitting device using the compound of the present invention as the electron suppressing layer exhibited excellent characteristics in terms of efficiency, driving voltage, and stability (lifetime) of the organic light emitting device.

실시예 1 내지 8에서 비페닐의 ortho 위치에, 디벤조티오페닐 치환기를 갖는 아민이 연결된 물질을 전자억제층으로 사용하였을 때, 저전압, 고효율, 장수명의 특성을 보이는 것을 알 수 있었다.In Examples 1 to 8, when a material in which an amine having a dibenzothiophenyl substituent was connected to the ortho position of biphenyl was used as the electron suppression layer, it was found that low voltage, high efficiency, and long life were exhibited.

한편, 비교예 1 및 4는 비페닐의 meta 및 para 위치에 아민계 치환기가 연결된 EB2 및 EB5의 물질을 사용하여, 전압 상승, 효율 저하, 특히 안정성 면에서 본 발명의 화합물보다 좋지 않은 특성을 보였다.On the other hand, Comparative Examples 1 and 4 using the materials of EB2 and EB5 in which amine-based substituents are linked to the meta and para positions of biphenyl, voltage increase, efficiency decrease, especially in terms of stability, showed worse properties than the compound of the present invention .

비교예 2 및 3은 비페닐의 ortho 위치에 아민이 치환되어 있으나, 아민의 치환기가 디벤조티오페닐이 아닌 디벤조퓨닐로, 본 발명의 화합물보다 수명면에서 열세한 특성을 보였다.In Comparative Examples 2 and 3, an amine was substituted at the ortho position of the biphenyl, but the substituent of the amine was dibenzofunyl, not dibenzothiophenyl, and showed inferior characteristics in terms of lifespan compared to the compound of the present invention.

비교예 5가 포함하는 화합물 EB6는 비페닐의 ortho 위치에 아민이 치환되어 있으나, 아민의 치환기로 디벤조티오페닐기가 2개 연결된 구조로 본 발명의 화합물보다 수명 면에서 매우 열세한 특성을 보였다.Compound EB6 included in Comparative Example 5 had an amine substituted at the ortho position of the biphenyl, but had a structure in which two dibenzothiophenyl groups were linked as a substituent of the amine, and showed very inferior characteristics in terms of lifespan compared to the compound of the present invention.

1: 기판 2: 양극
3: 발광층 4: 음극
5: 정공주입층 6: 정공수송층
7: 전자억제층 8: 정공저지층
9: 전자 주입 및 수송층1: Substrate 2: Anode
3: light emitting layer 4: cathode
5: hole injection layer 6: hole transport layer
7: electron blocking layer 8: hole blocking layer
9: Electron injection and transport layer

Claims

A compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]

In Formula 1,
Ar ₁ is phenyl, biphenylyl, terphenylyl, naphthyl, phenanthrenyl, triphenylenyl, dimethylfluorenyl, or naphthyl phenyl,
Ar ₂ is dibenzothiophenyl,
L ₁ and L ₂ are each independently a single bond, or a substituted or unsubstituted C _6-60 arylene;
R ₁ are each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen; cyano; nitro; amino; substituted or unsubstituted C _1-60 alkyl; substituted or unsubstituted C _3-60 cycloalkyl; substituted or unsubstituted C _2-60 alkenyl; substituted or unsubstituted C _6-60 aryl; or substituted or unsubstituted C _2-60 heteroaryl including at least one selected from the group consisting of N, O and S, or two adjacent R ₁ are bonded to each other to form a C _6-60 aromatic ring; Or to form a C _2-60 heteroaromatic ring comprising any one or more selected from the group consisting of N, O and S,
a1 is an integer from 0 to 4.

According to claim 1,
Formula 1 is represented by any one of the following Formulas 1-1 to 1-4,
compound:
[Formula 1-1]

[Formula 1-2]

[Formula 1-3]

[Formula 1-4]

In Formulas 1-1 to 1-4,
Ar ₁ , Ar ₂ , L ₁ and L ₂ are the same as defined in claim 1.

delete

According to claim 1,
L ₁ and L ₂ are each independently a single bond, phenylene, or biphenylrylene;
compound.

According to claim 1,
R ₁ is hydrogen;
compound.

According to claim 1,
a1 is an integer from 0 to 2,
compound.

According to claim 1,
The compound represented by Formula 1 is any one selected from the group consisting of
compound:

.

a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers is any one of claims 1, 2, and 4 to 7 comprising the compound according to one of the claims,
organic light emitting device.