KR102355037B1 - Gas dilution apparatus and fine particle measuring apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 배기가스를 공급하도록 구성되고, 상기 배기가스가 흐르는 배기가스 유로를 구비하는 배기가스 공급부; 내부에 상기 배기가스 공급부로부터 유입되는 상기 배기가스의 희석공간을 구비하며, 서로 다른 온도를 가지는 제1 희석공기와 제2 희석공기를 상기 희석공간으로 유입시키기 위하여, 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 유입구와 제2 유입구를 구비하는 희석 챔버; 상기 희석 챔버로 상기 제1 및 제2 희석공기를 생성 및 공급하도록 구성되는 희석공기 생성부; 및 상기 배기가스 유로상에 마련되어, 상기 배기가스의 유량을 조절하도록 구성되는 유량 조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치를 개시한다.The present invention provides an exhaust gas supply unit configured to supply exhaust gas and having an exhaust gas flow path through which the exhaust gas flows; a first dilution space for the exhaust gas flowing in from the exhaust gas supply unit therein; a dilution chamber having a first inlet and a second inlet; a dilution air generator configured to generate and supply the first and second dilution air to the dilution chamber; and a flow rate adjusting unit provided on the exhaust gas flow path and configured to adjust a flow rate of the exhaust gas.

Figure R1020200042316
Figure R1020200042316

Description

가스 희석장치 및 이를 구비하는 미세입자 측정장치{GAS DILUTION APPARATUS AND FINE PARTICLE MEASURING APPARATUS HAVING THE SAME}Gas dilution device and fine particle measuring device having the same

본 발명은 고온의 가스에 포함된 물질의 특성을 측정하기 위한 가스 희석장치 및 이를 구비하는 미세입자 측정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas dilution device for measuring the properties of a substance contained in a high-temperature gas, and a fine particle measuring device having the same.

일반적으로 산업시설이나 자동차 등에서 발생하는 배기가스는 고온, 고농도인 특성을 갖고 있다. 이에 따라, 이러한 고온 가스 내에 포함된 특정 입자상 물질의 농도를 측정하기 위해서는 미세입자 측정장치의 농도범위에 맞게 희석공기와의 혼합을 통하여 샘플가스 성분의 농도를 일정 비율로 감소시키는 희석 샘플링 장치가 주로 사용되고 있다.In general, exhaust gas generated from industrial facilities or automobiles has characteristics of high temperature and high concentration. Accordingly, in order to measure the concentration of a specific particulate matter contained in such a high-temperature gas, a dilution sampling device that reduces the concentration of a sample gas component at a certain rate through mixing with dilution air according to the concentration range of the fine particle measuring device is mainly used. is being used

그런데, 종래의 희석 샘플링 장치는 응축성 입자의 발생을 억제하기 위하여 고온희석 단계와 상온희석 단계를 차례로 실시하여 2단계 희석과정을 거치도록 구성된다. 하지만, 이러한 희석 샘플링 장치의 구성에서는, 각각의 온도별 희석단계에 필요한 고온공기와 상온공기를 공급하는 장치의 구성들이 각각 별도로 구비되어, 전체적인 장치를 구성하는 요소들의 수가 많아지고 그에 따라 희석 샘플링 장치와 이를 포함하는 미세입자 측정장치의 운영 및 관리가 복잡해지는 현상이 발생한다. 이에 따라, 미세입자 측정장치의 전체적인 구성을 보다 간소화시킬 수 있는 기술들의 개발이 이루어지고 있다.However, the conventional dilution sampling device is configured to undergo a two-step dilution process by sequentially performing a high temperature dilution step and a room temperature dilution step in order to suppress the generation of condensable particles. However, in the configuration of the dilution sampling device, the devices for supplying high-temperature air and room-temperature air necessary for each temperature-specific dilution step are separately provided, so that the number of elements constituting the overall device increases, and accordingly, the dilution sampling device And the operation and management of the fine particle measuring device including it becomes complicated. Accordingly, the development of technologies capable of further simplifying the overall configuration of the fine particle measuring apparatus is being developed.

한편, 배기가스와 같이 미세입자 측정장치의 측정 대상 샘플가스는, 온도, 습도 및 유속 조건이 각각 다르게 나타난다. 하지만, 배기가스 내에 포함된 특정 입자상 물질의 농도를 측정하는 미세입자 측정장치는, 측정이 안정적으로 이루어지기 위하여 샘플링되는 배기가스의 일정한 샘플링 유량을 요구한다. 따라서, 샘플링되는 배기가스의 샘플링 유량을 안정적으로 유지시킬 수 있는 기술의 개발이 필요한 실정이다.On the other hand, the sample gas to be measured by the fine particle measuring device, such as exhaust gas, has different temperature, humidity, and flow rate conditions. However, the fine particle measuring apparatus for measuring the concentration of a specific particulate matter contained in exhaust gas requires a constant sampling flow rate of the exhaust gas to be sampled in order to perform the measurement stably. Therefore, there is a need to develop a technology capable of stably maintaining the sampling flow rate of the exhaust gas to be sampled.

또한, 미세입자 측정장치의 배기가스가 흐르는 유로상에는 배기가스에 장시간 노출되어, 배기가스 중에 포함된 불순물에 의해 미세입자 측정장치의 배기가스 유로상에 오염물질이 축적될 수 있다. 이와 같이, 미세입자 측정장치의 배기가스 유로상에 발생하는 오염물질의 축적 현상은, 샘플링되는 배기가스에 대한 측정 정확도를 저하시키는 문제점을 발생시킨다.In addition, the exhaust gas of the fine particle measuring device may be exposed to exhaust gas for a long time on the flow path, and pollutants may be accumulated on the exhaust gas flow path of the fine particle measuring device due to impurities contained in the exhaust gas. As described above, the accumulation of pollutants generated on the exhaust gas flow path of the fine particle measuring device causes a problem in that the measurement accuracy of the sampled exhaust gas is lowered.

본 발명이 해결하고자 하는 일 과제는, 샘플링되는 배기가스의 공급 유량을 안정적으로 유지시킬 수 있도록 구성되는 가스 희석장치 및 이를 구비하는 미세입자 측정장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a gas dilution device configured to stably maintain a supply flow rate of sampled exhaust gas, and a fine particle measuring device having the same.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 일 과제는, 미세입자 측정장치로 공급되는 배기가스의 유로상에 발생하는 오염물질의 축적을 방지하거나 축적된 오염물질을 제거 가능하도록 이루어지는 가스 희석장치 및 이를 구비하는 미세입자 측정장치를 제공하는 것이다.Another object to be solved by the present invention is a gas dilution device configured to prevent the accumulation of pollutants generated on a flow path of exhaust gas supplied to a fine particle measuring device or to remove the accumulated pollutants, and a fine particle having the same To provide a particle measuring device.

본 발명의 해결 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 희석장치는, 배기가스를 공급하도록 구성되고, 상기 배기가스가 흐르는 배기가스 유로를 구비하는 배기가스 공급부; 내부에 상기 배기가스 공급부로부터 유입되는 상기 배기가스의 희석공간을 구비하며, 서로 다른 온도를 가지는 제1 희석공기와 제2 희석공기를 상기 희석공간으로 유입시키기 위하여, 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 유입구와 제2 유입구를 구비하는 희석 챔버; 상기 희석 챔버로 상기 제1 및 제2 희석공기를 생성 및 공급하도록 구성되는 희석공기 생성부; 및 상기 배기가스 유로상에 마련되어, 상기 배기가스의 유량을 조절하도록 구성되는 유량 조절부를 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, a gas dilution apparatus according to an embodiment of the present invention includes: an exhaust gas supply unit configured to supply exhaust gas and having an exhaust gas flow path through which the exhaust gas flows; a first dilution space for the exhaust gas flowing in from the exhaust gas supply unit therein; a dilution chamber having a first inlet and a second inlet; a dilution air generator configured to generate and supply the first and second dilution air to the dilution chamber; and a flow rate adjusting unit provided on the exhaust gas flow path and configured to adjust a flow rate of the exhaust gas.

상기 유량 조절부는, 조리개(aperture) 구조를 갖도록 형성되어, 상기 배기가스 유로의 단면적을 조절 가능하도록 이루어질 수 있다.The flow rate control unit may be formed to have an aperture structure, and may be configured to adjust a cross-sectional area of the exhaust gas flow path.

상기 배기가스 유로상에 마련되며, 상기 배기가스의 유속을 측정하도록 이루어지는 유속측정센싱부를 더 포함하고, 상기 유량 조절부는, 상기 유속측정센싱부에서 측정되는 상기 배기가스의 유속에 따라, 상기 배기가스 유로의 단면적으로 조절하도록 이루어질 수 있다.It is provided on the exhaust gas flow path, further comprising a flow rate measuring sensing unit configured to measure the flow rate of the exhaust gas, the flow rate adjusting unit, according to the flow rate of the exhaust gas measured by the flow rate measuring sensing unit, the exhaust gas It may be made to adjust the cross-sectional area of the flow path.

상기 유속측정센싱부는, 상기 배기가스 유로상에서 상기 유량 조절부의 전단에 배치되는 제1 유속센서; 및 상기 배기가스 유로상에서 상기 유량 조절부의 후단에 배치되는 제2 유속센서를 구비할 수 있다.The flow rate measurement sensing unit may include: a first flow rate sensor disposed at a front end of the flow rate control unit on the exhaust gas flow path; and a second flow rate sensor disposed at a rear end of the flow rate control unit on the exhaust gas flow path.

상기 유량 조절부는, 상기 제1 및 제2 유속센서로부터 각각 획득되는 상기 배기가스에 대한 제1 유속 정보와 제2 유속 정보 중 적어도 어느 하나를 근거로 상기 배기가스 유로의 단면적을 조절하도록 이루어질 수 있다.The flow rate control unit may be configured to adjust the cross-sectional area of the exhaust gas flow path based on at least one of first flow rate information and second flow rate information for the exhaust gas obtained from the first and second flow rate sensors, respectively .

상기 유량 조절부는, 복수로 구비되며, 상기 배기가스 유로상에서 서로 다른 위치에 배치되는 제1 조절부와 제2 조절부로 이루어지고, 상기 제1 조절부와 상기 제2 조절부는, 서로 독립적으로 상기 배기가스 유로의 단면적으로 조절하도록 이루어질 수 있다.The flow rate adjusting unit is provided in plurality, and includes a first adjusting unit and a second adjusting unit disposed at different positions on the exhaust gas flow path, and the first adjusting unit and the second adjusting unit are configured to be independent of each other. The cross-sectional area of the gas flow path may be adjusted.

상기 유량 조절부는, 상기 유속측정센싱부에서 측정되는 상기 배기가스의 유속이 증가하는 경우, 상기 배기가스 유로의 단면적을 감소시키고, 상기 배기가스이 유속이 감소하는 경우, 상기 배기가스 유로의 단면적을 증가시키도록 이루어질 수 있다.The flow rate control unit decreases the cross-sectional area of the exhaust gas flow path when the flow rate of the exhaust gas measured by the flow rate measurement sensing unit increases, and increases the cross-sectional area of the exhaust gas flow path when the exhaust gas flow rate decreases It can be done to make

본 발명의 해결 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 가스 희석장치는, 배기가스를 공급하도록 구성되고, 상기 배기가스가 흐르는 배기가스 유로를 구비하는 배기가스 공급부; 내부에 상기 배기가스 공급부로부터 유입되는 상기 배기가스의 희석공간을 구비하며, 서로 다른 온도를 가지는 제1 희석공기와 제2 희석공기를 상기 희석공간으로 유입시키기 위하여, 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 유입구와 제2 유입구를 구비하는 희석 챔버; 상기 희석 챔버로 상기 제1 및 제2 희석공기를 생성 및 공급하도록 구성되는 희석공기 생성부; 및 상기 배기가스 공급부로부터 공급되는 상기 배기가스의 이동 경로상에 마련되고, 상기 배기가스의 이동 경로상으로 세척을 위한 공기를 공급하도록 이루어지는 세척공기 공급부를 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, a gas dilution apparatus according to another embodiment of the present invention includes: an exhaust gas supply unit configured to supply exhaust gas and having an exhaust gas flow path through which the exhaust gas flows; a first dilution space for the exhaust gas flowing in from the exhaust gas supply unit therein; a dilution chamber having a first inlet and a second inlet; a dilution air generator configured to generate and supply the first and second dilution air to the dilution chamber; and a cleaning air supply unit provided on a movement path of the exhaust gas supplied from the exhaust gas supply unit and configured to supply air for washing onto the movement path of the exhaust gas.

상기 세척공기 공급부는, 상기 배기가스 공급부의 상기 배기가스 유로상으로 상기 세척을 위한 공기를 공급하도록 이루어질 수 있다.The cleaning air supply unit may be configured to supply the cleaning air to the exhaust gas flow path of the exhaust gas supply unit.

상기 세척공기 공급부는, 상기 세척을 위한 공기에 포함된 이물질 및/또는 수분을 제거하도록 구성되는 필터부를 포함하고, 상기 세척을 위한 공기는, 상기 필터부를 통과하면서 건조된 상태로 상기 배기가스의 이동 경로상으로 공급되도록 이루어질 수 있다.The washing air supply unit includes a filter unit configured to remove foreign substances and/or moisture contained in the air for washing, and the air for washing moves through the filter unit in a dry state while passing through the exhaust gas. It may be made to be supplied on a path.

본 발명의 해결 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 가스 희석장치는, 배기가스를 공급하도록 구성되고, 상기 배기가스가 흐르는 배기가스 유로를 구비하는 배기가스 공급부; 내부에 상기 배기가스 공급부로부터 유입되는 상기 배기가스의 희석공간을 구비하며, 서로 다른 온도를 가지는 제1 희석공기와 제2 희석공기를 상기 희석공간으로 유입시키기 위하여, 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 유입구와 제2 유입구를 구비하는 희석 챔버; 상기 희석 챔버로 상기 제1 및 제2 희석공기를 생성 및 공급하도록 구성되는 희석공기 생성부; 상기 배기가스 유로상에 마련되어, 상기 배기가스의 유량을 조절하도록 구성되는 유량 조절부; 및 상기 배기가스 공급부로부터 공급되는 상기 배기가스의 이동 경로상에 마련되고, 상기 이동 경로상으로 세척을 위한 공기를 공급하도록 이루어지는 세척공기 공급부를 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, a gas dilution device according to another embodiment of the present invention includes: an exhaust gas supply unit configured to supply exhaust gas and having an exhaust gas flow path through which the exhaust gas flows; a first dilution space for the exhaust gas flowing in from the exhaust gas supply unit therein; a dilution chamber having a first inlet and a second inlet; a dilution air generator configured to generate and supply the first and second dilution air to the dilution chamber; a flow rate control unit provided on the exhaust gas flow path and configured to adjust a flow rate of the exhaust gas; and a cleaning air supply unit provided on a movement path of the exhaust gas supplied from the exhaust gas supply unit and configured to supply air for washing onto the movement path.

본 발명의 해결 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 미세입자 측정장치는, 상기 가스 희석장치; 및 상기 희석 챔버와 연결되어, 상기 제1 및 제2 희석공기에 의해 희석된 상기 배기가스에 포함된 물질의 특성을 측정하도록 구성되는 측정장치부를 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, a fine particle measuring device according to another embodiment of the present invention, the gas dilution device; and a measuring device connected to the dilution chamber and configured to measure a characteristic of a material included in the exhaust gas diluted by the first and second dilution air.

상기 희석공기 생성부는, 중공부를 구비하며, 일 방향으로 연장 형성되는 튜브; 상기 중공부와 연통되게 형성되어 압축공기의 유입로를 제공하는 공기유입로; 및 상기 제1 및 제2 유입구와 연통되도록 상기 튜브의 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 공급유로와 제2 공급유로를 구비하고, 상기 중공부로 유입되는 상기 압축공기는, 상기 튜브의 내면을 따라 회전 이동하면서 제1 와류를 형성하여 상기 제1 공급유로로 공급되며, 상기 제1 와류 중 일부는 상기 튜브의 일측에 배치되는 조절밸브에 의해 상기 튜브의 중심부를 따라 회송되면서 제2 와류를 형성하여 상기 제2 공급유로로 공급되고, 상기 제1 및 제2 와류의 운동에너지 차이에 의해 상기 제1 와류의 온도는 상승하여 상기 제1 희석공기를 형성하며 상기 제2 와류의 온도는 하강하여 상기 제2 희석공기를 형성하도록 이루어질 수 있다.The dilution air generator may include: a tube having a hollow part and extending in one direction; an air inlet passage formed in communication with the hollow portion to provide an inlet passage for compressed air; and a first supply passage and a second supply passage respectively formed on one side and the other side of the tube so as to communicate with the first and second inlets, wherein the compressed air flowing into the hollow part is disposed along the inner surface of the tube. A first vortex is formed while rotating and supplied to the first supply passage, and some of the first vortex is returned along the center of the tube by a control valve disposed on one side of the tube to form a second vortex It is supplied to the second supply passage, and the temperature of the first vortex is increased by a difference in kinetic energy between the first and second vortex to form the first dilution air, and the temperature of the second vortex is decreased to decrease the temperature of the first vortex to form the first dilution air. 2 can be made to form dilution air.

상술한 해결수단을 통해 얻게 되는 본 발명의 효과는 다음과 같다.The effects of the present invention obtained through the above-described solution are as follows.

본 발명의 가스 희석장치는, 배기가스가 흐르는 배기가스 유로상에 마련되어, 배기가스 유로를 지나는 배기가스의 유량을 조절 가능하도록 구성되는 유량 조절부를 포함한다. 이에 따라, 가스 희석장치로 공급되는 배기가스의 유량 제어가 안정적으로 이루어질 수 있다. 결과적으로, 측정의 대상이 되는 배기가스에 따라 각각 공급 조건이 달라지는 경우에도, 배기가스의 유량을 안정적으로 제어하여 배기가스에 대한 측정이 안정적으로 이루어질 수 있다.The gas dilution apparatus of the present invention includes a flow rate adjusting unit provided on an exhaust gas flow path through which exhaust gas flows and configured to adjust the flow rate of exhaust gas passing through the exhaust gas flow path. Accordingly, it is possible to stably control the flow rate of the exhaust gas supplied to the gas dilution device. As a result, even when the supply conditions vary depending on the exhaust gas to be measured, the flow rate of the exhaust gas can be stably controlled so that the exhaust gas can be measured stably.

아울러, 본 발명의 가스 희석장치는, 배기가스 공급부로부터 공급되는 배기가스의 이동 경로상으로 세척을 위한 공기를 공급하도록 이루어지는 세척공기 공급부를 포함한다. 이에 따라, 가스 희석장치의 배기가스의 이동 경로상에 배기가스로 인하여 축적된 오염물질을 효과적으로 제거 또는 오염물질의 축적을 방지할 수 있다. 결과적으로, 배기가스에 대한 측정 정확성을 보다 안정적으로 제공할 수 있다.In addition, the gas dilution device of the present invention includes a cleaning air supply unit configured to supply air for washing onto a movement path of the exhaust gas supplied from the exhaust gas supply unit. Accordingly, it is possible to effectively remove or prevent the accumulation of pollutants accumulated due to the exhaust gas on the movement path of the exhaust gas of the gas dilution device. As a result, it is possible to more stably provide measurement accuracy for exhaust gas.

도 1은 본 발명에 따른 가스 희석장치 및 이를 구비하는 미세입자 측정장치의 일 예를 개념적으로 보인 개념도이다.
도 2는 도 1에 도시된 유량 조절부의 일 예를 개념적으로 보인 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 가스 희석장치에 의해 이루어지는 상온희석과 고온희석 과정을 설명하기 위한 도면이다.1 is a conceptual diagram conceptually illustrating an example of a gas dilution device and a fine particle measuring device having the same according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram conceptually illustrating an example of a flow rate controller illustrated in FIG. 1 .
FIG. 3 is a view for explaining the room temperature dilution and high temperature dilution process performed by the gas dilution device shown in FIG. 1 .

이하, 본 발명에 관련된 가스 희석장치(100) 및 이를 구비하는 미세입자 측정장치(10)에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the gas dilution device 100 and the fine particle measuring device 10 having the same according to the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명에 따른 가스 희석장치(100) 및 이를 구비하는 미세입자 측정장치(10)의 일 예를 개념적으로 보인 개념도이고, 도 2는 도 1에 도시된 유량 조절부(150)의 일 예를 개념적으로 보인 도면이며, 도 3은 도 1에 도시된 가스 희석장치(100)에 의해 이루어지는 상온희석과 고온희석 과정을 설명하기 위한 도면이다.1 is a conceptual diagram conceptually showing an example of a gas dilution device 100 and a fine particle measuring device 10 having the same according to the present invention, and FIG. 2 is a flow control unit 150 shown in FIG. It is a view conceptually showing an example, and FIG. 3 is a view for explaining the room temperature dilution and high temperature dilution process performed by the gas dilution device 100 shown in FIG. 1 .

도 1 내지 도 3을 참조하면, 미세입자 측정장치(10)는, 배기가스 공급부(11), 희석 챔버(110), 희석공기 생성부(120), 유량 조절부(150), 세척공기 공급부(170) 및 측정장치부(13)를 포함한다.1 to 3 , the fine particle measuring device 10 includes an exhaust gas supply unit 11 , a dilution chamber 110 , a dilution air generating unit 120 , a flow rate adjusting unit 150 , and a cleaning air supply unit ( 170) and a measuring device unit 13 .

배기가스 공급부(11)는, 산업시설 또는 자동차와 같이 배기가스(EG)를 발생시키는 설비 또는 장치에 구비되는 배기가스(EG)의 배기유로(12)와 연결되어, 배기가스(EG)을 후술할 희석 챔버(110)로 공급하도록 구성된다. 또한, 배기가스 공급부(11)는 상기 배기가스(EG)가 흐르는 배기가스 유로(11a)를 구비한다.The exhaust gas supply unit 11 is connected to the exhaust passage 12 of the exhaust gas (EG) provided in a facility or device for generating the exhaust gas (EG), such as an industrial facility or automobile, and the exhaust gas (EG) will be described later. It is configured to feed into the dilution chamber 110 . In addition, the exhaust gas supply unit 11 includes an exhaust gas flow path 11a through which the exhaust gas EG flows.

한편, 산업시설이나 자동차 등에서 발생하는 배기가스(EG)에 포함된 입자상 물질을 측정하기 위해서는 배기가스(EG)의 응축을 방지하면서 상온으로의 냉각이 필요하고 많은 경우 희석 방법을 적용한다. 또한, 여과성먼지(FPM: Filterable Particulate Matter)만을 측정하는 경우 응축을 억제하기 위하여, 도 3과 같이 상온희석 과정(a→b)이 아닌 고온희석과 상온희석 과정(a→c→d)을 차례로 거쳐야 한다. 이하, 이와 같이 2단계로 이루어지는 배기가스(EG)의 희석과정을 위한 가스 희석장치(100)의 구성에 대하여 설명한다.Meanwhile, in order to measure particulate matter contained in exhaust gas (EG) generated from industrial facilities or automobiles, cooling to room temperature is required while preventing condensation of exhaust gas (EG), and in many cases, a dilution method is applied. In addition, in order to suppress condensation when only filterable particulate matter (FPM) is measured, high temperature dilution and room temperature dilution process (a→c→d) are sequentially performed instead of the room temperature dilution process (a→b) as shown in FIG. 3 . have to go through Hereinafter, the configuration of the gas dilution device 100 for the dilution process of the exhaust gas EG in two steps will be described.

희석 챔버(110)는, 우선 내부에 상기 배기가스 공급부(11)로부터 유입되는 측정 대상 배기가스(EG)가 희석되는 희석공간(110a)을 구비한다. 그리고, 후술할 희석공기 생성부(120)에 의해 생성되며 서로 다른 크기의 온도를 가지는 제1 희석공기(111a)와 제2 희석공기(112a)를 상기 희석공간(110a)으로 유입시키도록, 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 유입구(111)와 제2 유입구(112)를 구비한다. 또한, 희석 챔버(110)는 원통형의 외관을 이루도록 형성될 수 있으며, 상기 희석공간(110a) 또한, 원통형으로 형성될 수 있다. The dilution chamber 110 includes a dilution space 110a in which the measurement target exhaust gas EG flowing in from the exhaust gas supply unit 11 is diluted therein. Then, the first dilution air 111a and the second dilution air 112a, which are generated by the dilution air generator 120 to be described later and have different sizes, are introduced into the dilution space 110a, one side and a first inlet 111 and a second inlet 112 respectively formed on the other side. In addition, the dilution chamber 110 may be formed to have a cylindrical appearance, and the dilution space 110a may also be formed to have a cylindrical shape.

한편, 희석 챔버(110)는, 희석 챔버(110)의 타측 즉, 배기가스 공급부(10)로부터 배기가스(EG)가 유입되는 희석 챔버(110)의 일측의 반대편에 형성되어, 제1 및 제2 희석공기(111a,112a)에 의해 희석된 상기 배기가스(EG)의 배출로를 제공하는 희석가스 배출로(115)를 구비할 수 있다. 또한, 희석가스 배출로(115)는 복수로 구성될 수 있다. 예를 들어, 희석가스 배출로(115)는, 도 1에 도시된 바와 같이 희석 챔버(110)의 희석공간(110a)으로부터 배출되는 배기가스(EG)가 각각의 배출로를 형성할 수 있도록 희석 챔버(110)의 타측으로부터 서로 다른 갈래로 분기되는 제1 배출로(115a), 제2 배출로(115b), 제3 배출로(115c)를 구비할 수 있다.Meanwhile, the dilution chamber 110 is formed on the other side of the dilution chamber 110 , that is, on the other side of the one side of the dilution chamber 110 through which exhaust gas EG is introduced from the exhaust gas supply unit 10 , 2 A dilution gas discharge path 115 providing a discharge path for the exhaust gas EG diluted by the dilution air 111a and 112a may be provided. In addition, the dilution gas discharge path 115 may be configured in plurality. For example, the dilution gas discharge path 115 is diluted so that the exhaust gas EG discharged from the dilution space 110a of the dilution chamber 110 forms respective discharge paths as shown in FIG. 1 . A first discharge path 115a, a second discharge path 115b, and a third discharge path 115c branching from the other side of the chamber 110 into different branches may be provided.

희석공기 생성부(120)는, 상기 희석 챔버(110)로 서로 다른 온도의 제1 및 제2 희석공기(111a,112a)를 생성 및 공급하도록 구성된다. 희석공기 생성부(120)에 대한 보다 상세한 설명은 후술하기로 한다.The dilution air generator 120 is configured to generate and supply first and second dilution air 111a and 112a having different temperatures to the dilution chamber 110 . A more detailed description of the dilution air generator 120 will be described later.

유량 조절부(150)는, 배기가스 공급부(11)에 형성되는 배기가스 유로(11a)상에 마련되어, 배기가스(EG)의 유량을 조절 가능하도록 구성된다.The flow rate control unit 150 is provided on the exhaust gas flow path 11a formed in the exhaust gas supply unit 11, and is configured to adjust the flow rate of the exhaust gas EG.

상기 유량 조절부(150)는, 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이 조리개(aperture) 구조를 갖도록 형성될 수 있다. 상기 조리개는 사진기 또는 현미경 등에서 개구되는 구멍의 크기를 조절하여 개구를 통해 통과되는 빛의 양을 조절하도록 이루어지는 장치를 의미한다. 도 2에서 상기 조리개 구조를 갖는 상기 유량 조절부(150)는 원형으로 도시되었으나, 상기 유량 조절부(150)의 형상이 반드시 이에 한정된 것은 아니고, 상기 배기가스 유로(11a)의 형상에 따라 원형이 아닌 다른 형상을 갖도록 이루어질수도 있다.The flow control unit 150 may be formed to have an aperture structure as shown in FIG. 2 , for example. The aperture refers to a device configured to control the amount of light passing through the aperture by adjusting the size of the aperture, such as a camera or a microscope. Although the flow rate control unit 150 having the diaphragm structure is shown in a circular shape in FIG. 2 , the shape of the flow rate control unit 150 is not necessarily limited thereto, and the shape of the exhaust gas flow path 11a may vary depending on the shape of the exhaust gas flow path 11a. It may be made to have a shape other than that.

상기 조리개 구조를 갖도록 이루어지는 유량 조절부(150)는, 도 2에 도시된 바와 같이 개구되는 영역의 크기를 조절하여 배기가스 유로(11a)의 단면적을 조절 가능하도록 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 2 , the flow rate control unit 150 having the diaphragm structure may be configured to control the cross-sectional area of the exhaust gas flow path 11a by adjusting the size of the opened area.

한편, 가스 희석장치(100)는 유속측정센싱부(160)를 더 포함할 수 있다.On the other hand, the gas dilution device 100 may further include a flow rate measurement sensing unit 160 .

유속측정센싱부(160)는, 배기가스 공급부(11)의 상기 배기가스 유로(11a)상에 마련되고, 배기가스 유로(11a)를 흐르는 상기 배기가스(EG)의 유속을 측정하도록 이루어질 수 있다. 여기에서, 상기 유량 조절부(150)는, 유속측정센싱부(160)에서 측정되는 배기가스(EG)의 유속에 따라, 상기 배기가스 유로(11a)의 단면적으로 조절하도록 이루어질 수 있다.The flow velocity measurement sensing unit 160 is provided on the exhaust gas flow path 11a of the exhaust gas supply unit 11 and may be configured to measure the flow velocity of the exhaust gas EG flowing through the exhaust gas flow path 11a. . Here, the flow rate control unit 150 may be configured to adjust the cross-sectional area of the exhaust gas flow path 11a according to the flow rate of the exhaust gas EG measured by the flow rate measurement sensing unit 160 .

예를 들어, 상기 유량 조절부(150)는, 유속측정센싱부(160)에서 측정되는 배기가스(EG)의 유속이 증가하는 경우, 이와 같은 배기가스 상기 배기가스 유로(11a)의 단면적을 감소시켜, 증가한 배기가스(EG)의 유속을 다시 감소시키도록 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상황에 따라 배기가스(EG)의 유속이 달라지는 경우에도, 배기가스(EG)의 유량을 안정적으로 제어하여 배기가스(EG)에 대한 측정이 안정적으로 이루어질 수 있다.For example, when the flow rate of the exhaust gas EG measured by the flow rate measurement sensing unit 160 increases, the flow rate control unit 150 reduces the cross-sectional area of the exhaust gas flow path 11a. to reduce the flow rate of the increased exhaust gas EG again. Accordingly, even when the flow rate of the exhaust gas EG is changed according to circumstances, the flow rate of the exhaust gas EG may be stably controlled to stably measure the exhaust gas EG.

반대로, 상기 배기가스(EG)이 유속이 감소하는 경우, 상기 배기가스 유로(11a)의 단면적을 증가시켜, 감소된 배기가스(EG)의 유속을 소정 크기 다시 상승시킬 수 있다.Conversely, when the flow velocity of the exhaust gas EG decreases, the cross-sectional area of the exhaust gas flow path 11a is increased to increase the reduced flow velocity of the exhaust gas EG by a predetermined size.

한편, 유속측정센싱부(160)는, 제1 유속센서(161)와 제2 유속센서(162)를 구비할 수 있다.Meanwhile, the flow velocity measurement sensing unit 160 may include a first flow velocity sensor 161 and a second flow velocity sensor 162 .

제1 유속센서(161)는, 배기가스 공급부(11)의 상기 배기가스 유로(11a)상에서 유량 조절부(150)의 전단 즉, 유량 조절부(150)의 앞에 배치되어, 배기가스 유로(11a)를 흐르는 배기가스(EG)의 유속을 측정하도록 이루어질 수 있다. 즉, 제1 유속센서(161)는 유량 조절부(150)를 통과하기 전 상태의 배기가스(EG)의 유속을 측정하도록 이루어질 수 있다.The first flow rate sensor 161 is disposed on the exhaust gas flow path 11a of the exhaust gas supply unit 11 at the front end of the flow rate control unit 150 , that is, in front of the flow rate control unit 150 , the exhaust gas flow path 11a ) can be made to measure the flow rate of the exhaust gas (EG) flowing through. That is, the first flow rate sensor 161 may be configured to measure the flow rate of the exhaust gas EG in a state before passing through the flow rate control unit 150 .

제2 유속센서(162)는, 배기가스 공급부(11)의 배기가스 유로(11a)상에서 유량 조절부(150)의 후단 즉, 유량 조절부(150)의 뒤에 배치되어, 유량 조절부(150)를 통과한 배기가스(EG)의 유속을 측정하도록 이루어질 수 있다.The second flow rate sensor 162 is disposed on the exhaust gas flow path 11a of the exhaust gas supply unit 11 at the rear end of the flow rate control unit 150 , that is, behind the flow rate control unit 150 , the flow rate control unit 150 . It may be made to measure the flow rate of the exhaust gas (EG) passed through.

이와 같은, 제1 및 제2 유속센서(162)의 구성에 의하면, 배기가스 유로(11a)를 흐르는 배기가스(EG)의 유속에 대한 정보를 보다 다양하게 획득하여, 배기가스(EG)의 유속의 변화를 보다 정밀하게 측정할 수 있다. 예를 들어, 유량 조절부(150)는, 제1 유속센서(161)와 제2 유속센서(162)로부터 각각 획득되는 상기 배기가스(EG)에 대한 제1 유속 정보와 제2 유속 정보 중 적어도 어느 하나를 근거로 상기 배기가스 유로(11a)의 단면적을 조절하도록 이루어질 수 있다.According to the configuration of the first and second flow velocity sensors 162 as described above, information on the flow velocity of the exhaust gas EG flowing through the exhaust gas flow path 11a is obtained more diversely, and the flow velocity of the exhaust gas EG is obtained. change can be measured more precisely. For example, the flow rate controller 150 may include at least one of the first flow rate information and the second flow rate information for the exhaust gas EG obtained from the first flow rate sensor 161 and the second flow rate sensor 162 , respectively. It may be made to adjust the cross-sectional area of the exhaust gas flow path 11a based on any one.

즉, 유량 조절부(150)는, 상기 제1 유속 정보를 근거로 배기가스 유로(11a)의 단면적의 크기를 제어하거나, 상기 제2 유속 정보를 근거로 배기가스 유로(11a)의 단면적의 크기를 제어할 수 있으며, 상기 제1 및 제2 유속 정보를 조합하여 배기가스 유로(11a)의 단면적의 크기를 제어하도록 이루어질 수 있다. 이에 따라, 가스 희석장치(100) 및/또는 미세입자 측정장치(10)에서 요구되는 배기가스(EG)의 유속을 안정적으로 제공하거나 유지시킬 수 있다.That is, the flow rate control unit 150 controls the size of the cross-sectional area of the exhaust gas flow path 11a based on the first flow rate information, or the size of the cross-sectional area of the exhaust gas flow path 11a based on the second flow rate information. may be controlled, and the size of the cross-sectional area of the exhaust gas flow path 11a may be controlled by combining the first and second flow velocity information. Accordingly, it is possible to stably provide or maintain the flow rate of the exhaust gas EG required by the gas dilution device 100 and/or the fine particle measuring device 10 .

한편, 유량 조절부(150)는, 복수로 구비되고, 배기가스 유로(11a)상에서 서로 다른 위치에 배치되는 제1 조절부(151)와 제2 조절부(152)로 이루어질 수 있다. 여기에서, 제1 조절부(151)와 제2 조절부(152)는, 서로 독립적으로 배기가스 공급부(11)의 상기 배기가스 유로(11a)의 단면적으로 조절하도록 이루어질 수 있다.Meanwhile, the flow rate control unit 150 may include a plurality of first control units 151 and second control units 152 disposed at different positions on the exhaust gas flow path 11a. Here, the first adjusting unit 151 and the second adjusting unit 152 may be configured to independently adjust the cross-sectional area of the exhaust gas flow path 11a of the exhaust gas supply unit 11 .

상기 제1 및 제2 조절부(151,152)의 구성에 의하면, 제1 및 제2 조절부(151,152) 중 어느 하나에 고장 발생 시 다른 하나로 임시적으로 배기가스 유로(11a)의 단면적을 조절할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 조절부(151,152)를 독립적으로 제어하여, 각각의 배기가스 유로(11a)의 단면적을 다르게 형성시켜 보다 세밀한 배기가스(EG)의 유량 조절을 구현할 수 있다. 제1 및 제2 조절부(151,152)는, 제1 유속센서(161)와 제2 유속센서(162)로부터 각각 획득되는 상기 배기가스(EG)에 대한 제1 유속 정보와 제2 유속 정보 중 적어도 어느 하나를 근거로 각각, 배기가스 유로(11a)의 단면적을 조절하도록 이루어질 수 있다.According to the configuration of the first and second adjusting units 151 and 152 , when a failure occurs in any one of the first and second adjusting units 151 and 152 , the cross-sectional area of the exhaust gas flow path 11a can be adjusted temporarily with the other. In addition, by independently controlling the first and second adjusting units 151 and 152 , the cross-sectional area of each exhaust gas flow path 11a is formed differently, so that finer control of the flow rate of the exhaust gas EG can be realized. The first and second adjusting units 151 and 152 may include at least one of the first flow rate information and the second flow rate information for the exhaust gas EG obtained from the first flow rate sensor 161 and the second flow rate sensor 162 , respectively. It may be made to adjust the cross-sectional area of the exhaust gas flow path 11a, respectively, based on any one.

세척공기 공급부(170)는, 배기가스 공급부(11)로부터 공급되는 측정 대상 배기가스(EG)의 이동 경로상에 마련되고, 상기 배기가스(EG)의 이동 경로상으로 세척을 위한 공기(170a)를 공급하도록 이루어진다. 세척을 위한 공기(170a)가 주입되는 위치는, 상기 배기가스(EG)의 이동 경로상으로 주입되는 상기 공기(170a)가 후술하는 측정장치부(13)에 직접적으로 영향을 미치지 않는 위치로 설정하는 것이 바람직하다. 상기 세척공기 공급부(170)는, 상기 세척을 위한 공기(170a)을 일정 시간 간격을 두고 주기적으로 공급하도록 이루어질 수 있다.The cleaning air supply unit 170 is provided on a movement path of the measurement target exhaust gas EG supplied from the exhaust gas supply unit 11, and air 170a for cleaning is provided on the movement path of the exhaust gas EG. made to supply The position where the air 170a for cleaning is injected is set to a position where the air 170a injected into the movement path of the exhaust gas EG does not directly affect the measuring device 13 to be described later. It is preferable to do The cleaning air supply unit 170 may be configured to periodically supply the cleaning air 170a at regular time intervals.

한편, 세척공기 공급부(170)는, 배기가스 공급부(11)의 상기 배기가스 유로(11a)상으로 상기 세척을 위한 공기(170a)를 공급하도록 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 희석공기(111a,112a)가 배기가스(EG)와 함께 흐르는 배기가스 공급부(11)의 후단 구성, 예를 들어, 희석 챔버(110)에 비하여, 배기가스(EG)만 흐르는 배기가스 공급부(11)에 상대적으로 많이 존재할 수 있는 축적된 오염물질의 제거 또는 오염물질의 축적 방지가 보다 효과적으로 이루어질 수 있다. 즉, 최적화된 세척을 위한 공기(170a)의 주입 위치를 제공할 수 있다.Meanwhile, the cleaning air supply unit 170 may be configured to supply the cleaning air 170a onto the exhaust gas flow path 11a of the exhaust gas supply unit 11 . Accordingly, compared to the rear end configuration of the exhaust gas supply unit 11 in which the first and second dilution airs 111a and 112a flow together with the exhaust gas EG, for example, the dilution chamber 110, the exhaust gas ( Removal of accumulated contaminants that may exist in a relatively large amount in the exhaust gas supply unit 11 through which only EG) flows or prevention of accumulation of contaminants may be performed more effectively. That is, it is possible to provide an injection position of the air 170a for optimized cleaning.

또한, 세척공기 공급부(170)는 필터부(171)를 포함할 수 있다.Also, the cleaning air supply unit 170 may include a filter unit 171 .

필터부(171)는, 상기 세척을 위한 공기(170a)에 포함된 이물질/또는 수분을 제거하도록 이루어질 수 있다. 필터부(171)는, 상기 세척을 위한 공기(170a)의 이동 경로상에 마련될 수 있다. 여기에서, 상기 세척을 위한 공기(170a)는, 필터부(171)를 통과하면서 건조된 상태로 상기 배기가스(EG)의 이동 경로상으로 공급되도록 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 세척을 위한 공기(170a)가, 샘플링되는 배기가스(EG)에 대한 검사 결과에 불필요한 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 결과적으로, 배기가스(EG)에 대한 측정 정확성을 보다 안정적으로 제공할 수 있다.The filter unit 171 may be configured to remove foreign substances/or moisture contained in the air 170a for washing. The filter unit 171 may be provided on a movement path of the air 170a for the washing. Here, the cleaning air 170a may be supplied to the movement path of the exhaust gas EG in a dried state while passing through the filter unit 171 . Accordingly, it is possible to prevent the air 170a for cleaning from having an unnecessary influence on the test result of the sampled exhaust gas EG. As a result, it is possible to more stably provide measurement accuracy for the exhaust gas EG.

측정장치부(13)는, 상기 희석 챔버(110)와 연결되어, 상기 제1 및 제2 희석공기(111a,112a)에 의해 희석된 배기가스(EG)에 포함된 물질을 전달 받아 희석된 상기 배기가스(EG)에 포함된 물질의 특성을 측정하도록 구성된다. 측정장치부(13)는 예를 들어, 상기 배기가스(EG) 중에 포함되어 있는 먼지 또는 미세먼지 등과 같은 입자상 물질의 특성을 측정하도록 이루어질 수 있다.The measuring device unit 13 is connected to the dilution chamber 110 to receive the diluted substances contained in the exhaust gas EG diluted by the first and second dilution airs 111a and 112a. configured to measure properties of substances contained in the exhaust gas EG. The measuring device 13 may be configured to measure, for example, characteristics of particulate matter such as dust or fine dust included in the exhaust gas EG.

이하, 도 1을 참조하여 희석공기 생성부(120)에 대해 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the dilution air generating unit 120 will be described in more detail with reference to FIG. 1 .

희석공기 생성부(120)는, 튜브(121), 공기유입로(122), 제1 공급유로(123), 제2 공급유로(124)를 구비한다.The dilution air generator 120 includes a tube 121 , an air inlet 122 , a first supply passage 123 , and a second supply passage 124 .

튜브(121)는, 중공부(121a)를 구비하고, 일 방향으로 연장 형성된다. 상기 튜브(121)는 원통형의 외관을 이루도록 형성될 수 있으며, 중공부(121a) 또한, 원통형으로 형성될 수 있다. The tube 121 has a hollow portion 121a and is formed to extend in one direction. The tube 121 may be formed to have a cylindrical appearance, and the hollow part 121a may also be formed to have a cylindrical shape.

공기유입로(122)는 상기 중공부(121a)와 연통되게 형성되어 외부로부터 유입되는 압축공기(122a)의 유입로를 제공한다.The air inlet 122 is formed in communication with the hollow portion 121a to provide an inlet of the compressed air 122a introduced from the outside.

제1 공급유로(123)와 제2 공급유로(124)는, 상기 제1 유입구(111)와 제2 유입구(112)와 연통되도록 상기 튜브(121)의 일측과 타측에 각각 형성될 수 있다. 한편, 상기 공기유입로(122)는 상기 제2 공급유로(124)와 인접한 위치에 배치되어, 후술할 제1 와류(120a)가 형성될 수 있는 경로가 마련될 수 있다.The first supply passage 123 and the second supply passage 124 may be respectively formed on one side and the other side of the tube 121 to communicate with the first inlet 111 and the second inlet 112 . Meanwhile, the air inlet 122 may be disposed adjacent to the second supply channel 124 to provide a path through which a first vortex 120a, which will be described later, is formed.

여기에서, 상기 튜브(121)의 중공부(121a)로 유입되는 압축공기(122a)는, 튜브(121)의 내면을 따라 시계방향 또는 반시계방향으로 초고속으로 회전 이동하면서 제1 와류(120a)를 형성하여 상기 제1 공급유로(123)로 공급되며, 상기 제1 와류(120a) 중 일부는 튜브(121)의 일측에 배치되는 조절밸브(125)에 의해 상기 튜브(121)의 중심부를 따라 회송되면서 제2 와류(120b)를 형성하여 상기 제2 공급유로(124)로 공급된다. 이때, 제1 및 제2 와류(120a,120b)는 상호 마찰이 일어나고 상기 제1 및 제2 와류(120a,120b)의 운동에너지 차이에 의해 제1 와류(120a)의 온도는 상승하여 고온의 상기 제1 희석공기(111a)를 형성하며, 상기 제2 와류(120b)의 온도는 하강하여 제2 희석공기(112a)를 형성하도록 이루어진다.Here, the compressed air 122a flowing into the hollow part 121a of the tube 121 is rotated at high speed in a clockwise or counterclockwise direction along the inner surface of the tube 121 while a first vortex 120a). is formed and supplied to the first supply passage 123 , and a portion of the first vortex 120a is disposed along the center of the tube 121 by the control valve 125 disposed on one side of the tube 121 . While being returned, a second vortex 120b is formed and supplied to the second supply passage 124 . At this time, the first and second vortexes 120a and 120b cause mutual friction, and the temperature of the first vortex 120a rises due to the difference in kinetic energy between the first and second vortexes 120a and 120b. The first dilution air 111a is formed, and the temperature of the second vortex 120b is decreased to form the second dilution air 112a.

한편, 상기 조절밸브(125)는, 상기 제1 와류(120a)의 흐름의 적어도 일부를 가로막도록 배치되고, 상기 튜브(121)의 중심부를 향하여 단면적이 점차 감소하도록 형성될 수 있다. 또한, 제1 희석공기(111a)는 120 내지 200℃의 온도와 0 내지 40 lpm의 유량을 갖도록 생성될 수 있으며, 제2 희석공기(112a)는 10 내지 30℃의 온도와 0 내지 150 lpm의 유량을 갖도록 생성될 수 있다.Meanwhile, the control valve 125 may be disposed to block at least a portion of the flow of the first vortex 120a, and may be formed to have a sectional area gradually decreasing toward the center of the tube 121 . In addition, the first dilution air 111a may be generated to have a temperature of 120 to 200°C and a flow rate of 0 to 40 lpm, and the second dilution air 112a may have a temperature of 10 to 30°C and 0 to 150 lpm. It can be created to have a flow rate.

한편, 상기 희석 챔버(120)에 구비되는 제1 유입구(111)는 상기 배기가스(EG)가 유입되는 희석 챔버(110)의 일측에 형성되고, 제2 유입구(112)는 상기 희석 챔버(120)의 타측에 형성될 수 잇다. 이와 같은 구성에 의하면, 배기가스(EG)가 흐르는 방향을 기준으로 희석 챔버(120)의 전단부에서는 상대적으로 고온의 제1 희석공기(111a)와 상기 배기가스(EG)의 희석과정이 1차적으로 이루어지고, 희석 챔버(120)의 후단부에서는 상대적으로 저온의 제2 희석공기(112a)오 상기 배기가스(EG)의 희석과정이 2차적으로 이루어질 수 있다.Meanwhile, the first inlet 111 provided in the dilution chamber 120 is formed at one side of the dilution chamber 110 through which the exhaust gas EG flows, and the second inlet 112 is provided in the dilution chamber 120 . ) may be formed on the other side. According to this configuration, the dilution process of the relatively high temperature first dilution air 111a and the exhaust gas EG is primarily performed at the front end of the dilution chamber 120 based on the direction in which the exhaust gas EG flows. In the rear end of the dilution chamber 120 , the dilution process of the exhaust gas EG through the relatively low-temperature second dilution air 112a may be secondary.

또한, 상기 가스 희석장치(100)는 제1 제어밸브(130)와 제2 제어밸브(140)를 더 포함할 수 있다.In addition, the gas dilution device 100 may further include a first control valve 130 and a second control valve 140 .

제1 제어밸브(130)는, 희석 챔버(110)에 구비되는 제1 유입구(111a) 또는 제1 공급유로(123) 중 적어도 하나의 유로 상에 배치되어, 가스 희석장치(100)에 구비되는 제어부(미도시)의 제어신호에 따라 제1 유입구(111a) 또는 제1 공급유로(123)를 선택적으로 개폐하도록 이루어진다.The first control valve 130 is disposed on at least one of the first inlet 111a and the first supply passage 123 provided in the dilution chamber 110 , and is provided in the gas dilution device 100 . The first inlet 111a or the first supply passage 123 is selectively opened and closed according to a control signal from a controller (not shown).

제2 제어밸브(140)는, 희석 챔버(110)에 구비되는 제2 유입구(112a) 또는 제2 공급유로(124) 중 적어도 하나의 유로 상에 배치되어, 상기 제어부의 제어신호에 따라 제2 유입구(112a) 또는 제2 공급유로(124)를 선택적으로 개폐하도록 이루어진다.The second control valve 140 is disposed on at least one of the second inlet 112a and the second supply passage 124 provided in the dilution chamber 110, and according to a control signal from the controller, the second control valve 140 is provided. The inlet 112a or the second supply passage 124 is selectively opened and closed.

이상에서 설명한 본 발명의 가스 희석장치(100) 및 이를 구비하는 미세입자 측정장치(10)의 구성에 의하면, 고온공기를 필요로 하는 고온희석 단계와 상온공기를 필요로 하는 상온희석 단계를 하나의 희석공기 생성부(120)를 통하여 실시할 수 있으므로, 고온공기의 가열을 위한 전기 소모량을 줄일 수 있으며, 배기가스(EG)의 희석에 이용되는 공기의 필터링 장치를 보다 간소화시킬 수 있다. 결과적으로, 미세입자 측정장치(10)의 운영 및 관리를 보다 효율적으로 수행할 수 있다.According to the configuration of the gas dilution device 100 of the present invention described above and the fine particle measuring device 10 having the same, the high temperature dilution step requiring high temperature air and the room temperature dilution step requiring room temperature air are performed in one Since it can be carried out through the dilution air generating unit 120 , it is possible to reduce electricity consumption for heating the hot air, and it is possible to further simplify the air filtering device used for dilution of the exhaust gas (EG). As a result, the operation and management of the fine particle measuring apparatus 10 can be performed more efficiently.

또한, 상기 가스 희석장치(100)는, 제1 제어밸브(130)및 제2 제어밸브(140)를 구비하여, 고온공기 또는 상온공기를 선택적으로 상기 희석 챔버(110)에 공급함으로써, 사용자에게 배기가스(EG)에 대한 보다 다양한 배기가스(EG) 측정 조건을 제공할 수 있다.In addition, the gas dilution device 100 includes a first control valve 130 and a second control valve 140 to selectively supply high-temperature air or room-temperature air to the dilution chamber 110 to provide a user with It is possible to provide more various exhaust gas (EG) measurement conditions for the exhaust gas (EG).

100 : 가스 희석장치 110 : 희석 챔버
110a : 희석공간 111 : 제1 유입구
112 : 제2 유입구 115 : 희석가스 배출로
120 : 희석공기 생성부 121 : 튜브
121a : 중공부 122a : 공기유입로
123 : 제1 공급유로 124 : 제2 공급유로
125 : 조절밸브 130 : 제1 제어밸브
140 : 제2 제어밸브 150 : 유량 조절부
151 : 제1 조절부 152 : 제2 조절부
160 : 유속측정센싱부 161 : 제1 유속 센서
162 : 제2 유속 센서 170 : 세척공기 공급부
170a : 공기 171 : 필터부100: gas dilution device 110: dilution chamber
110a: dilution space 111: first inlet
112: second inlet 115: dilution gas discharge path
120: dilution air generator 121: tube
121a: hollow part 122a: air inlet
123: first supply passage 124: second supply passage
125: control valve 130: first control valve
140: second control valve 150: flow control unit
151: first control unit 152: second control unit
160: flow rate measurement sensing unit 161: first flow rate sensor
162: second flow rate sensor 170: cleaning air supply unit
170a: air 171: filter unit

Claims (13)

배기가스를 공급하도록 구성되고, 상기 배기가스가 흐르는 배기가스 유로를 구비하는 배기가스 공급부;
내부에 상기 배기가스 공급부로부터 유입되는 상기 배기가스의 희석공간을 구비하며, 서로 다른 온도를 가지는 제1 희석공기와 제2 희석공기를 상기 희석공간으로 유입시키기 위하여, 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 유입구와 제2 유입구를 구비하는 희석 챔버;
상기 희석 챔버로 상기 제1 및 제2 희석공기를 생성 및 공급하도록 구성되는 희석공기 생성부; 및
상기 배기가스 유로상에 마련되어, 상기 배기가스의 유량을 조절하도록 구성되는 유량 조절부
를 포함하고,
상기 유량 조절부는 상기 배기가스 유로상에서 서로 다른 위치에 배치되는 제1 조절부와 제2 조절부를 포함하고,
상기 제1 조절부 및 상기 제2 조절부 중 어느 한 조절부에 고장이 발생하는 경우, 다른 조절부로 상기 배기가스 유로의 단면적을 조절하는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.an exhaust gas supply unit configured to supply exhaust gas and having an exhaust gas flow path through which the exhaust gas flows;
and a dilution space for the exhaust gas introduced from the exhaust gas supply unit therein, and formed on one side and the other side, respectively, to introduce first and second dilution air having different temperatures into the dilution space. a dilution chamber having a first inlet and a second inlet;
a dilution air generator configured to generate and supply the first and second dilution air to the dilution chamber; and
A flow rate control unit provided on the exhaust gas flow path and configured to adjust a flow rate of the exhaust gas
including,
The flow rate control unit includes a first control unit and a second control unit disposed at different positions on the exhaust gas flow path,
When a failure occurs in any one of the first adjusting unit and the second adjusting unit, the other adjusting unit controls the cross-sectional area of the exhaust gas flow path. 제1항에 있어서,
상기 유량 조절부는, 조리개(aperture) 구조를 갖도록 형성되어, 상기 배기가스 유로의 단면적을 조절 가능하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.According to claim 1,
The flow rate control unit is formed to have an aperture structure, and the gas dilution device according to claim 1, wherein the cross-sectional area of the exhaust gas flow path is adjustable. 제2항에 있어서,
상기 배기가스 유로상에 마련되며, 상기 배기가스의 유속을 측정하도록 이루어지는 유속측정센싱부를 더 포함하고,
상기 유량 조절부는, 상기 유속측정센싱부에서 측정되는 상기 배기가스의 유속에 따라, 상기 배기가스 유로의 단면적으로 조절하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.3. The method of claim 2,
It is provided on the exhaust gas flow path, further comprising a flow rate measuring sensing unit configured to measure the flow rate of the exhaust gas,
The flow rate control unit is configured to adjust the cross-sectional area of the exhaust gas flow path according to the flow rate of the exhaust gas measured by the flow rate measurement sensing unit. 제3항에 있어서,
상기 유속측정센싱부는,
상기 배기가스 유로상에서 상기 유량 조절부의 전단에 배치되는 제1 유속센서; 및
상기 배기가스 유로상에서 상기 유량 조절부의 후단에 배치되는 제2 유속센서를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.4. The method of claim 3,
The flow rate measurement sensing unit,
a first flow rate sensor disposed at a front end of the flow rate control unit on the exhaust gas flow path; and
and a second flow rate sensor disposed at a rear end of the flow rate control unit on the exhaust gas flow path. 제4항에 있어서,
상기 유량 조절부는, 상기 제1 및 제2 유속센서로부터 각각 획득되는 상기 배기가스에 대한 제1 유속 정보와 제2 유속 정보 중 적어도 어느 하나를 근거로 상기 배기가스 유로의 단면적을 조절하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.5. The method of claim 4,
The flow rate control unit is configured to adjust the cross-sectional area of the exhaust gas flow path based on at least one of first flow rate information and second flow rate information for the exhaust gas obtained from the first and second flow rate sensors, respectively gas dilution device. 제3항에 있어서,
상기 제1 조절부와 상기 제2 조절부는, 서로 독립적으로 상기 배기가스 유로의 단면적으로 조절하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.4. The method of claim 3,
The first adjusting unit and the second adjusting unit are configured to independently adjust the cross-sectional area of the exhaust gas flow path. 제3항에 있어서,
상기 유량 조절부는, 상기 유속측정센싱부에서 측정되는 상기 배기가스의 유속이 증가하는 경우, 상기 배기가스 유로의 단면적을 감소시키고, 상기 배기가스이 유속이 감소하는 경우, 상기 배기가스 유로의 단면적을 증가시키도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.4. The method of claim 3,
The flow rate control unit decreases the cross-sectional area of the exhaust gas flow path when the flow rate of the exhaust gas measured by the flow rate measurement sensing unit increases, and increases the cross-sectional area of the exhaust gas flow path when the exhaust gas flow rate decreases A gas dilution device, characterized in that it is made to do so. 배기가스를 공급하도록 구성되고, 상기 배기가스가 흐르는 배기가스 유로를 구비하는 배기가스 공급부;
내부에 상기 배기가스 공급부로부터 유입되는 상기 배기가스의 희석공간을 구비하며, 서로 다른 온도를 가지는 제1 희석공기와 제2 희석공기를 상기 희석공간으로 유입시키기 위하여, 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 유입구와 제2 유입구를 구비하는 희석 챔버;
상기 희석 챔버로 상기 제1 및 제2 희석공기를 생성 및 공급하도록 구성되는 희석공기 생성부;
상기 배기가스 공급부로부터 공급되는 상기 배기가스의 이동 경로상에 마련되고, 상기 배기가스의 이동 경로상으로 세척을 위한 공기를 공급하도록 이루어지는 세척공기 공급부; 및
상기 배기가스 유로상에 마련되어, 상기 배기가스의 유량을 조절하도록 구성되는 유량 조절부
를 포함하고,
상기 유량 조절부는 상기 배기가스 유로상에서 서로 다른 위치에 배치되는 제1 조절부와 제2 조절부를 포함하고,
상기 제1 조절부 및 상기 제2 조절부 중 어느 한 조절부에 고장이 발생하는 경우, 다른 조절부로 상기 배기가스 유로의 단면적을 조절하는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.an exhaust gas supply unit configured to supply exhaust gas and having an exhaust gas flow path through which the exhaust gas flows;
and a dilution space for the exhaust gas introduced from the exhaust gas supply unit therein, and formed on one side and the other side, respectively, to introduce first and second dilution air having different temperatures into the dilution space. a dilution chamber having a first inlet and a second inlet;
a dilution air generator configured to generate and supply the first and second dilution air to the dilution chamber;
a cleaning air supply unit provided on a movement path of the exhaust gas supplied from the exhaust gas supply unit and configured to supply air for cleaning on the movement path of the exhaust gas; and
A flow rate control unit provided on the exhaust gas flow path and configured to adjust a flow rate of the exhaust gas
including,
The flow rate control unit includes a first control unit and a second control unit disposed at different positions on the exhaust gas flow path,
When a failure occurs in any one of the first adjusting unit and the second adjusting unit, the other adjusting unit controls the cross-sectional area of the exhaust gas flow path. 제8항에 있어서,
상기 세척공기 공급부는, 상기 배기가스 공급부의 상기 배기가스 유로상으로 상기 세척을 위한 공기를 공급하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.9. The method of claim 8,
The cleaning air supply unit is configured to supply the cleaning air to the exhaust gas flow path of the exhaust gas supply unit. 제8항에 있어서,
상기 세척공기 공급부는, 상기 세척을 위한 공기에 포함된 이물질 및/또는 수분을 제거하도록 구성되는 필터부를 포함하고,
상기 세척을 위한 공기는, 상기 필터부를 통과하면서 건조된 상태로 상기 배기가스의 이동 경로상으로 공급되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.9. The method of claim 8,
The washing air supply unit includes a filter unit configured to remove foreign substances and/or moisture contained in the air for washing,
The gas dilution device according to claim 1, wherein the cleaning air is supplied on a movement path of the exhaust gas in a dried state while passing through the filter unit. 배기가스를 공급하도록 구성되고, 상기 배기가스가 흐르는 배기가스 유로를 구비하는 배기가스 공급부;
내부에 상기 배기가스 공급부로부터 유입되는 상기 배기가스의 희석공간을 구비하며, 서로 다른 온도를 가지는 제1 희석공기와 제2 희석공기를 상기 희석공간으로 유입시키기 위하여, 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 유입구와 제2 유입구를 구비하는 희석 챔버;
상기 희석 챔버로 상기 제1 및 제2 희석공기를 생성 및 공급하도록 구성되는 희석공기 생성부;
상기 배기가스 유로상에 마련되어, 상기 배기가스의 유량을 조절하도록 구성되는 유량 조절부;
상기 배기가스 공급부로부터 공급되는 상기 배기가스의 이동 경로상에 마련되고, 상기 이동 경로상으로 세척을 위한 공기를 공급하도록 이루어지는 세척공기 공급부; 및
상기 배기가스 유로상에 마련되며, 상기 배기가스의 유속을 측정하도록 이루어지는 유속측정센싱부
를 포함하고,
상기 유량 조절부는, 상기 유속측정센싱부에서 측정되는 상기 배기가스의 유속에 따라, 상기 배기가스 유로의 단면적으로 조절하고,
상기 유량 조절부는 상기 배기가스 유로상에서 서로 다른 위치에 배치되는 제1 조절부와 제2 조절부를 포함하고,
상기 제1 조절부 및 상기 제2 조절부 중 어느 한 조절부에 고장이 발생하는 경우, 다른 조절부로 상기 배기가스 유로의 단면적을 조절하며,
상기 제1 조절부와 상기 제2 조절부는, 서로 독립적으로 상기 배기가스 유로의 단면적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.an exhaust gas supply unit configured to supply exhaust gas and having an exhaust gas flow path through which the exhaust gas flows;
and a dilution space for the exhaust gas introduced from the exhaust gas supply unit therein, and formed on one side and the other side, respectively, to introduce first and second dilution air having different temperatures into the dilution space. a dilution chamber having a first inlet and a second inlet;
a dilution air generator configured to generate and supply the first and second dilution air to the dilution chamber;
a flow rate control unit provided on the exhaust gas flow path and configured to adjust a flow rate of the exhaust gas;
a cleaning air supply unit provided on a movement path of the exhaust gas supplied from the exhaust gas supply unit and configured to supply air for cleaning on the movement path; and
A flow velocity measurement sensing unit provided on the exhaust gas flow path and configured to measure the flow velocity of the exhaust gas
including,
The flow rate control unit adjusts the cross-sectional area of the exhaust gas flow path according to the flow rate of the exhaust gas measured by the flow rate measurement sensing unit,
The flow rate control unit includes a first control unit and a second control unit disposed at different positions on the exhaust gas flow path,
When a failure occurs in any one of the first adjusting unit and the second adjusting unit, the other adjusting unit adjusts the cross-sectional area of the exhaust gas flow path,
The first adjusting unit and the second adjusting unit, gas dilution device, characterized in that each independently adjust the cross-sectional area of the exhaust gas flow path. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 가스 희석장치; 및
상기 희석 챔버와 연결되어, 상기 제1 및 제2 희석공기에 의해 희석된 상기 배기가스에 포함된 물질의 특성을 측정하도록 구성되는 측정장치부를 포함하는 미세입자 측정장치.A gas dilution device according to any one of claims 1 to 11; and
and a measuring device connected to the dilution chamber and configured to measure a characteristic of a material included in the exhaust gas diluted by the first and second dilution air. 제12항에 있어서,
상기 희석공기 생성부는,
중공부를 구비하며, 일 방향으로 연장 형성되는 튜브;
상기 중공부와 연통되게 형성되어 압축공기의 유입로를 제공하는 공기유입로; 및
상기 제1 및 제2 유입구와 연통되도록 상기 튜브의 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 공급유로와 제2 공급유로를 구비하고,
상기 중공부로 유입되는 상기 압축공기는, 상기 튜브의 내면을 따라 회전 이동하면서 제1 와류를 형성하여 상기 제1 공급유로로 공급되며, 상기 제1 와류 중 일부는 상기 튜브의 일측에 배치되는 조절밸브에 의해 상기 튜브의 중심부를 따라 회송되면서 제2 와류를 형성하여 상기 제2 공급유로로 공급되고, 상기 제1 및 제2 와류의 운동에너지 차이에 의해 상기 제1 와류의 온도는 상승하여 상기 제1 희석공기를 형성하며 상기 제2 와류의 온도는 하강하여 상기 제2 희석공기를 형성하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세입자 측정장치.13. The method of claim 12,
The dilution air generator,
a tube having a hollow portion and extending in one direction;
an air inlet passage formed in communication with the hollow portion to provide an inlet passage for compressed air; and
and a first supply passage and a second supply passage respectively formed on one side and the other side of the tube so as to communicate with the first and second inlets,
The compressed air flowing into the hollow part forms a first vortex while rotating along the inner surface of the tube and is supplied to the first supply passage, some of the first vortex is a control valve disposed on one side of the tube is returned along the center of the tube by forming a second vortex and supplied to the second supply passage, and the temperature of the first vortex is increased by the difference in kinetic energy between the first and second vortex to increase the temperature of the first The device for measuring fine particles, characterized in that the dilution air is formed and the temperature of the second vortex is lowered to form the second dilution air.
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