KR102345980B1 - Photosensitive resin composition and method of forming pattern using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 라디칼 광개시제 0.1 내지 20 중량부, 이온 광개시제 0.1 내지 10 중량부, 다관능 아크릴레이트 올리고머 1 내지 50 중량부, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 모노머 1 내지 50 중량부, 및 용매를 포함한다.The photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention contains 0.1 to 20 parts by weight of a radical photoinitiator, 0.1 to 10 parts by weight of an ionic photoinitiator, 1 to 50 parts by weight of a polyfunctional acrylate oligomer, and 1 to 50 parts by weight of an ethylenically unsaturated based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer. 1 to 50 parts by weight of a polyfunctional monomer having a bond, and a solvent.

Description

감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE SAME}Photosensitive resin composition and pattern formation method using the same

본 발명은 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition and a pattern forming method using the same.

일반적으로 표시 장치는 현재 널리 사용되고 있는 표시 장치로서, 액정 표시 장치(Liquid crystal display; LCD)와 유기 발광 표시 장치(Organic light emitting display; OLED) 등 여러 종류가 있다. 또한, 최근 표시 장치를 구부려서 곡면형으로 형성하는 표시 장치가 주목받고 있으며, 이는 사용자의 몰입감을 향상시킨다. 2. Description of the Related Art In general, a display device is a widely used display device, and there are several types such as a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting display (OLED). Also, recently, a display device in which the display device is bent to form a curved surface has been attracting attention, which improves the user's sense of immersion.

이러한 표시 장치를 형성하는 과정에서 막을 패터닝 하기 위해 포토 공정을 이용할 수 있고, 이 때 포토레지스트 물질이 사용된다. 또는 포토레지스트 물질을 노광, 현상을 하여 직접 막을 형성할 수도 있다.In the process of forming such a display device, a photo process may be used to pattern a film, and in this case, a photoresist material is used. Alternatively, a layer may be formed directly by exposing and developing a photoresist material.

이러한 포토레지스트를 사용하여 절연막, 컬럼 스페이서, 오버코트층, 컬러 필터층을 형성할 수 있는데, 포토레지스트를 형성하기 위한 감광성 수지 조성물의 성분 구성에 따라 해상도, 접착력, 잔막률 등에 영향을 미친다. An insulating film, a column spacer, an overcoat layer, and a color filter layer can be formed using such a photoresist, and the resolution, adhesive force, remaining film rate, etc. are affected according to the composition of the photosensitive resin composition for forming the photoresist.

실시예들은 저온에서 경화가 가능하고 감도, 잔막률이 우수하고, 잔사 특성이 우수한 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법을 제공하기 위한 것이다. Embodiments are to provide a photosensitive resin composition capable of curing at a low temperature, having excellent sensitivity and film remaining rate, and excellent residue properties, and a pattern forming method using the same.

본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 라디칼 광개시제 0.1 내지 20 중량부, 이온 광개시제 0.1 내지 10 중량부, 다관능 아크릴레이트 올리고머 1 내지 50 중량부, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 모노머 1 내지 50 중량부, 및 용매를 포함한다. The photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention contains 0.1 to 20 parts by weight of a radical photoinitiator, 0.1 to 10 parts by weight of an ionic photoinitiator, 1 to 50 parts by weight of a polyfunctional acrylate oligomer, and 1 to 50 parts by weight of an ethylenically unsaturated based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer. 1 to 50 parts by weight of a polyfunctional monomer having a bond, and a solvent.

상기 감광성 수지 조성물은 90°C 이하의 온도에서 경화될 수 있다. The photosensitive resin composition may be cured at a temperature of 90 °C or less.

상기 라디칼 광개시제는 2-(O-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온 또는 2-(O-아세틸옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온일 수 있다. The radical photoinitiator is 2-(O-benzoyloxime)-1-[4-(phenylthio)phenyl]-1,2-octanedione or 2-(O-acetyloxime)-1-[4-(phenylthio) phenyl]-1,2-octanedione.

상기 이온 광개시제는 페닐(4-메톡시페닐)요오드늄육불화인, N,N-디메틸-N-벤질트리플루오로메탄술폰산, 4-메틸페닐(4-(2-메틸프로필페닐))요오드늄육불화인, 및 페닐(4-메톡시페닐)요오드늄육불화비소로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. The ionic photoinitiator is phenyl (4-methoxyphenyl) iodonium hexafluoride, N,N-dimethyl-N-benzyltrifluoromethanesulfonic acid, 4-methylphenyl (4- (2-methylpropylphenyl)) iodonium hexafluoride , and phenyl (4-methoxyphenyl) may be at least one selected from the group consisting of iodonium arsenic hexafluoride.

상기 라디칼 광개시제와 상기 이온 광개시제의 함량비는 2:1 내지 1:2일 수 있다. The content ratio of the radical photoinitiator and the ionic photoinitiator may be 2:1 to 1:2.

상기 감광성 수지 조성물의 고형분 함량이 10중량% 내지 50중량%일 수 있다.The photosensitive resin composition may have a solid content of 10 wt% to 50 wt%.

상기 감광성 수지 조성물은 멜라민 가교제를 더 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition may further include a melamine crosslinking agent.

상기 감광성 수지 조성물은 실란 커플링제를 더 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition may further include a silane coupling agent.

상기 아크릴 공중합체는 불포화 카르복시 화합물 및 불포화 올레핀 화합물을 공중합시켜 형성될 수 있다. The acrylic copolymer may be formed by copolymerizing an unsaturated carboxy compound and an unsaturated olefin compound.

상기 용매는 끓는점이 150도씨 미만일 수 있다.The solvent may have a boiling point of less than 150°C.

본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법은 기판 위에 감광성 수지 조성물을 코팅하는 단계, 상기 코팅된 감광성 수지 조성물을 75°C 내지 85°C의 온도로 1차 가열하는 단계, 상기 코팅된 감광성 수지 조성물을 노광 및 현상하는 단계, 및 상기 현상된 감광성 수지 조성물을 80°C 내지 90°C의 온도로 2차 가열하는 단계를 포함하며, 상기 감광성 수지 조성물은 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 라디칼 광개시제 0.1 내지 20 중량부, 이온 광개시제 0.1 내지 10 중량부, 다관능 아크릴레이트 올리고머 1 내지 50 중량부, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 모노머 1 내지 50 중량부, 및 용매를 포함한다. The pattern forming method according to an embodiment of the present invention comprises the steps of coating a photosensitive resin composition on a substrate, first heating the coated photosensitive resin composition to a temperature of 75 °C to 85 °C, the coated photosensitive resin Exposing and developing the composition, and a step of secondary heating the developed photosensitive resin composition to a temperature of 80 °C to 90 °C, wherein the photosensitive resin composition is a radical photoinitiator based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer 0.1 to 20 parts by weight, 0.1 to 10 parts by weight of an ionic photoinitiator, 1 to 50 parts by weight of a polyfunctional acrylate oligomer, 1 to 50 parts by weight of a polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond, and a solvent.

상기 1차 가열을 통해 감광성 수지 조성물 내의 가스가 제거되고, 상기 2차 가열을 통해 감광성 수지 조성물이 경화될 수 있다. The gas in the photosensitive resin composition may be removed through the primary heating, and the photosensitive resin composition may be cured through the secondary heating.

상기 1차 가열은 1분 내지 5분 동안 수행될 수 있다. The first heating may be performed for 1 to 5 minutes.

상기 2차 가열은 30분 내지 240분 동안 수행될 수 있다. The secondary heating may be performed for 30 minutes to 240 minutes.

상기 라디칼 광개시제는 2-(O-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온 또는 2-(O-아세틸옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온일 수 있다. The radical photoinitiator is 2-(O-benzoyloxime)-1-[4-(phenylthio)phenyl]-1,2-octanedione or 2-(O-acetyloxime)-1-[4-(phenylthio) phenyl]-1,2-octanedione.

상기 이온 광개시제는 페닐(4-메톡시페닐)요오드늄육불화인, N,N-디메틸-N-벤질트리플루오로메탄술폰산, 4-메틸페닐(4-(2-메틸프로필페닐))요오드늄육불화인 및 페닐(4-메톡시페닐)요오드늄육불화비소로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다.The ionic photoinitiator is phenyl (4-methoxyphenyl) iodonium hexafluoride, N,N-dimethyl-N-benzyltrifluoromethanesulfonic acid, 4-methylphenyl (4- (2-methylpropylphenyl)) iodonium hexafluoride And it may be at least one selected from the group consisting of phenyl (4-methoxyphenyl) iodonium arsenic hexafluoride.

상기 라디칼 광개시제와 상기 이온 광개시제의 함량비는 2:1 내지 1:2일 수 있다. The content ratio of the radical photoinitiator and the ionic photoinitiator may be 2:1 to 1:2.

상기 감광성 수지 조성물의 고형분 함량이 10중량% 내지 50중량%일 수 있다. The photosensitive resin composition may have a solid content of 10 wt% to 50 wt%.

상기 감광성 수지 조성물은 멜라민 가교제를 더 포함할 수 있다 The photosensitive resin composition may further include a melamine crosslinking agent.

상기 감광성 수지 조성물은 실란 커플링제를 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may further include a silane coupling agent.

실시예들에 따르면, 본 실시예에 따른 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법은 감도, 잔막률이 우수하고 잔사 특성이 개선되며. 저온공정에서 접착력 및 내화학성이 우수하다. According to the embodiments, the photosensitive resin composition and the pattern forming method using the same according to the present embodiment have excellent sensitivity and film remaining rate and improved residue properties. It has excellent adhesion and chemical resistance in low-temperature processes.

도 1 내지 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 도시한 공정 흐름도이다.1 to 4 are process flow diagrams illustrating a pattern forming method according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, various embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. The present invention may be embodied in several different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly explain the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar components throughout the specification.

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.In addition, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar. In order to clearly express various layers and regions in the drawings, the thicknesses are enlarged. And in the drawings, for convenience of description, the thickness of some layers and regions are exaggerated.

또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.Further, when a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be “on” or “on” another part, it includes not only cases where it is “directly on” another part, but also cases where another part is in between. . Conversely, when we say that a part is "just above" another part, we mean that there is no other part in the middle. In addition, to be "on" or "on" the reference part is located above or below the reference part, and does not necessarily mean to be located "on" or "on" the opposite direction of gravity. .

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In addition, throughout the specification, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

그러면 먼저 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물에 대하여 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 라디칼 광개시제 0.1 내지 20 중량부, 이온 광개시제 0.1 내지 10 중량부, 다관능 아크릴레이트 올리고머 1 내지 50 중량부, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 모노머 1 내지 50 중량부, 및 용매를 포함한다.Then, first, a photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention will be described. The photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention contains 0.1 to 20 parts by weight of a radical photoinitiator, 0.1 to 10 parts by weight of an ionic photoinitiator, 1 to 50 parts by weight of a polyfunctional acrylate oligomer, and 1 to 50 parts by weight of an ethylenically unsaturated based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer. 1 to 50 parts by weight of a polyfunctional monomer having a bond, and a solvent.

즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 라디칼 광개시제와 이온 광개시제를 동시에 포함한다. 따라서, 90°C 이하의 저온에서도 경화가 가능하며, 90°C 이하의 온도로 경화한 경우에도 우수한 접착력 및 내화학성을 나타낸다. 본 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 노광된 부분이 경화되어 남고, 노광되지 않은 부분이 제거되는 네거티브 감광성 수지 조성물이다That is, the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention includes a radical photoinitiator and an ionic photoinitiator at the same time. Therefore, it can be cured even at a low temperature of 90°C or less, and exhibits excellent adhesion and chemical resistance even when cured at a temperature of 90°C or less. The photosensitive resin composition according to the present embodiment is a negative photosensitive resin composition in which the exposed portion is cured and the unexposed portion is removed.

통상적으로, 감광성 수지 조성물의 경화에는 200°C 이상의 온도가 요구된다. 그러나 감광성 수지 조성물을 표시 장치와 일체화된 터치 패널의 절연막 등으로 적용하는 경우, 감광성 수지 조성물의 경화를 위해 필요한 200°C 이상의 고온에서, 표시 장치에 포함된 발광층의 특성이 변할 수 있다. 따라서, 200°C 이상의 고온에서 경화되는 감광성 수지 조성물은, 발광층과 연속적인 공정으로 형성되는 절연막에는 적용될 수 없고, 별도의 공정으로 절연막을 제조한 후 이를 적층하는 공정이 요구된다. Usually, a temperature of 200°C or higher is required for curing of the photosensitive resin composition. However, when the photosensitive resin composition is applied as an insulating film of a touch panel integrated with a display device, the characteristics of the light emitting layer included in the display device may change at a high temperature of 200 °C or higher required for curing of the photosensitive resin composition. Therefore, the photosensitive resin composition cured at a high temperature of 200 °C or higher cannot be applied to an insulating film formed by a continuous process with the light emitting layer, and a process of laminating the insulating film after manufacturing it by a separate process is required.

그러나 본 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 라디칼 광개시제와 이온 광개시제를 동시에 포함함으로써, 90°C 이하의 저온에서도 경화되고, 따라서 발광층과 연속적인 공정으로 제조되는 절연막으로 사용 가능하다. 따라서, 제조 공정에서 마스크 수를 줄일 수 있다.However, since the photosensitive resin composition according to the present embodiment contains a radical photoinitiator and an ionic photoinitiator at the same time, it is cured even at a low temperature of 90 °C or less, and thus can be used as an insulating film manufactured in a continuous process with the light emitting layer. Accordingly, it is possible to reduce the number of masks in the manufacturing process.

또한, 본 실시예의 감광성 조성물로 제조되는 절연막 등은 유기막이므로, 기존 무기물질을 포함하는 절연막 등에 비하여 플렉서블 표시 장치에 적용하기에 적합하다. 또한 기존 무기물질을 포함하는 절연막의 제조 공정에서 요구되는 화학기상증착(CVD), 건식 식각, 스트립 공정 등을 생략할 수 있다.In addition, since the insulating film made of the photosensitive composition of the present embodiment is an organic film, it is more suitable for application to a flexible display device than an insulating film including an existing inorganic material. In addition, chemical vapor deposition (CVD), dry etching, strip process, etc. required in the manufacturing process of an insulating film including an existing inorganic material can be omitted.

본 발명의 감광성 수지 조성물이 90°C 이하의 온도에서 경화가 가능한 이유는 라디칼 광개시제와 이온 광개시제를 동시에 포함하기 때문이다. 즉, 경화 반응이 일어나기 위해서는 고리의 결합이 깨지면서 고리 구조가 오픈되어야 하는데, 라디칼 광개시제와 이온 광개시제 모두 고리를 깨는 역할을 하는바, 반응 사이트를 늘리고 더 낮은 온도에서도 반응이 활발하게 이루어지도록 하기 때문이다.The reason that the photosensitive resin composition of the present invention can be cured at a temperature of 90 °C or less is because it contains a radical photoinitiator and an ionic photoinitiator at the same time. That is, in order for the curing reaction to occur, the bond of the ring must be broken and the ring structure must be opened. Both the radical photoinitiator and the ionic photoinitiator serve to break the ring, increasing the reaction site and allowing the reaction to occur actively even at a lower temperature. .

이때, 라디칼 광개시제와 이온 광개시제의 함량비는 대략 2:1 내지 1:2 일 수 있다. 이는, 저온 경화시 경화된 감광성 수지 조성물의 접착력 및 내화학성을 최대화 할 수 있는 수치 범위이다. In this case, the content ratio of the radical photoinitiator and the ionic photoinitiator may be approximately 2:1 to 1:2. This is a numerical range capable of maximizing the adhesive strength and chemical resistance of the cured photosensitive resin composition during low-temperature curing.

본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물에서, 상기 아크릴계 공중합체는 현상할 때에 잔사가 발생하지 않도록 하여, 패턴이 용이하게 형성될 수 있도록 한다. In the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention, the acrylic copolymer prevents residues from being generated during development, so that a pattern can be easily formed.

상기 아크릴 공중합체는 불포화 카르복시 화합물 및 불포화 올레핀 화합물을 공중합시켜 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 아크릴계 공중합체는 ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물, ⅱ) 올레핀계 불포화 화합물을 단량체로 하여 용매 및 중합개시제의 존재 하에서 라디칼 반응하여 합성 후, 침전 및 여과, 진공 건조(Vacuum Drying) 공정을 통하여 미반응 단량체를 제거하여 얻을 수 있다.The acrylic copolymer may be formed by copolymerizing an unsaturated carboxy compound and an unsaturated olefin compound. Specifically, the acrylic copolymer is synthesized by radical reaction in the presence of a solvent and a polymerization initiator using i) unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic acid anhydride, or a mixture thereof, ii) using an olefinically unsaturated compound as a monomer, followed by precipitation and filtration , it can be obtained by removing unreacted monomers through a vacuum drying process.

본 발명에 사용되는 상기 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물 또는 이들의 혼합물은 아크릴산, 메타크릴산 등의 불포화 모노카르본산; 말레인산, 푸마르산, 시트라콘산, 메타콘산, 이타콘산 등의 불포화 디카르본산; 또는 이들의 불포화 디카르본산의 무수물 등을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 특히, 아크릴산, 메타크릴산, 또는 말레인산은 공중합 반응성과 현상액인 알칼리 수용액에 대한 용해성이 우수하기 때문에 바람직하다. The unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic acid anhydride or mixtures thereof used in the present invention include unsaturated monocarboxylic acids such as acrylic acid and methacrylic acid; unsaturated dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, metaconic acid, and itaconic acid; Or the anhydride of these unsaturated dicarboxylic acids, etc. can be used individually or in mixture of 2 or more types. In particular, acrylic acid, methacrylic acid, or maleic acid is preferable because it is excellent in copolymerization reactivity and solubility in an aqueous alkali solution as a developer.

상기 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물 또는 이들의 혼합물은 전체 총 단량체 100 중량부에 대하여 5 내지 40 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 함량이 5 중량부 미만일 경우에는 알칼리 수용액에 용해하기 어렵다는 문제점이 있으며, 40 중량부를 초과할 경우에는 알칼리 수용액에 대한 용해성이 지나치게 커지게 된다는 문제점이 있다.The unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic acid anhydride, or a mixture thereof is preferably included in an amount of 5 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the total total monomers. When the content is less than 5 parts by weight, there is a problem that it is difficult to dissolve in an aqueous alkali solution, and when it exceeds 40 parts by weight, there is a problem that solubility in an aqueous alkali solution becomes too large.

본 발명에 사용되는 상기 올레핀계 불포화 화합물은 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸 메타크릴레이트, sec-부틸 메타크릴레이트, tert-부틸 메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트, 2-메틸시클로 헥실메타크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 1-아다만틸 아크릴레이트, 1-아다만틸 메타크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸메타크릴레이트, 이소보로닐메타크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸아크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 스티렌, σ-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시 스티렌, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 또는 2,3-디메틸 1,3-부타디엔, 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-β-메틸글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 아크릴산-β-에틸글리시딜, 메타크릴산-β-에틸글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, 및 p-비닐벤질글리시딜에테르, 메타크릴산 3,4-에폭시 사이클로헥실로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 사용할 수 있으며, 상기 화합물을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The olefinically unsaturated compound used in the present invention is methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, tert-butyl methacrylate, methyl acrylate, isopropyl acrylate , cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl methacrylate, dicyclopentanyl methacrylate, 1-adamantyl acrylic Late, 1-adamantyl methacrylate, dicyclopentanyloxyethyl methacrylate, isoboronyl methacrylate, cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, dicyclopentanyloxyethyl acrylate, iso Boronyl acrylate, phenyl methacrylate, phenyl acrylate, benzyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, styrene, σ-methyl styrene, m-methyl styrene, p-methyl styrene, vinyltoluene, p- Methoxy styrene, 1,3-butadiene, isoprene, or 2,3-dimethyl 1,3-butadiene, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, α-ethyl acrylate glycidyl, α-n-propyl acrylic acid Glycidyl, α-n-butylacrylic acid glycidyl, acrylic acid-β-methylglycidyl, methacrylic acid-β-methylglycidyl, acrylic acid-β-ethylglycidyl, methacrylic acid-β-ethyl Glycidyl, acrylic acid-3,4-epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, α-ethylacrylic acid-6 ,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, and p-vinylbenzyl glycidyl ether, selected from the group consisting of 3,4-epoxy cyclohexyl methacrylic acid One or more may be used, and the above compounds may be used alone or in combination of two or more.

상기 올레핀계 불포화 화합물은 전체 총 단량체 100 중량부에 대하여 60 내지 95 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 함량이 60 중량부 미만일 경우에는 해상도, 내열성이 저하된다는 문제점이 있으며, 95 중량부를 초과할 경우에는 아크릴계 공중합체가 현상액인 알칼리 수용액에 용해되기 어렵다는 문제점이 있다.The olefinically unsaturated compound is preferably included in an amount of 60 to 95 parts by weight based on 100 parts by weight of the total total monomers. When the content is less than 60 parts by weight, there is a problem in that resolution and heat resistance are lowered, and when it exceeds 95 parts by weight, there is a problem in that the acrylic copolymer is difficult to dissolve in an aqueous alkali solution as a developer.

상기 올레핀계 불포화 화합물로 에폭시 그룹을 포함하는 단량체를 사용할 수 있다. 이들 단량체는 저온경화 공정에서 이온 광개시제에 의해 가교반응을 진행하여 치밀한 구조를 형성함으로써 내열성과 내화학성 및 물리적 특성을 더욱 높일 수 있다.A monomer including an epoxy group may be used as the olefinically unsaturated compound. These monomers can further increase heat resistance, chemical resistance, and physical properties by forming a dense structure by undergoing a crosslinking reaction by an ionic photoinitiator in the low temperature curing process.

상기와 같은 단량체를 용액 중합하기 위해 사용되는 용매는 메탄올, 테트라히드록시퓨란, 톨루엔, 다이옥산 등을 사용할 수 있다.The solvent used for solution polymerization of the above monomers may be methanol, tetrahydroxyfuran, toluene, dioxane, or the like.

상기와 같은 단량체를 용액 중합하기 위해 사용되는 중합 개시제는 라디칼 중합 개시제를 사용할 수 있으며, 구체적으로 2,2-아조비스이소부티로니트릴, 2,2-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2-아조비스(4-메톡시 2,4-디메틸발레로니트릴), 1,1-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 또는 디메틸 2,2'-아조비스이소부틸레이트 등을 사용할 수 있다. The polymerization initiator used for solution polymerization of the above monomers may be a radical polymerization initiator, specifically 2,2-azobisisobutyronitrile, 2,2-azobis(2,4-dimethylvaleronitrile). ), 2,2-azobis(4-methoxy 2,4-dimethylvaleronitrile), 1,1-azobis(cyclohexane-1-carbonitrile), or dimethyl 2,2'-azobisisobutyl rate and the like can be used.

상기와 같은 단량체를 용매와 중합 개시제 존재하에서 라디칼 반응시키고, 침전 및 여과, 진공 건조 공정을 통하여 미반응 단량체를 제거하여 아크릴계 공중합체가 제조된다. 이러한 아크릴계 공중합체는 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 3,000 내지 30,000일 수 있다. 상기 폴리스티렌 환산중량평균분자량이 3,000 미만인 경우 현상성, 잔막률 등이 저하되거나, 패턴 현상, 내열성이 저하될 수 있고, 30,000을 초과하는 경우에는 패턴 현상이 뒤떨어질 수 있다. An acrylic copolymer is prepared by radically reacting the above monomers in the presence of a solvent and a polymerization initiator, and removing unreacted monomers through precipitation, filtration, and vacuum drying processes. The acrylic copolymer may have a polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of 3,000 to 30,000. If the polystyrene conversion weight average molecular weight is less than 3,000, developability and residual film rate may decrease, or pattern development and heat resistance may decrease, and if it exceeds 30,000, pattern development may deteriorate.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 광개시제는 라디칼 광개시제와 이온 광개시제를 각각 1종 이상씩 포함한다. The photoinitiator used in the photosensitive resin composition of the present invention includes at least one radical photoinitiator and at least one ionic photoinitiator, respectively.

상기 라디칼 광개시제로는 4-페녹시디클로로아세토페논, 4-t-부틸-디클로로아세토페논, 디에톡시아세토페논, p-디메틸아니노아세토페논, 1-(4-이소프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논 등의 아세토페논계 화합물, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디메틸케탈 등의 벤조인계 화합물, 벤조페논, 벤조일안식향산, 벤조일안식향산메틸, 4-페닐벤조페논, 하이드록시벤조페논, 아크릴화 벤조페논, 4-벤조일-4’-메틸디페닐설파이드, 3,3’,4,4’-테트라(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논 등의 벤조페논계 화합물, 티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 이소프로필티옥산톤, 2,4-디이소프로필티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤 등의 티옥산톤계 화합물, 2,4,6-트리클로로-s-트리아진, 2-페닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-톨릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-피페노닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-스티릴-s-트리아진, 2-(나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시-나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2,4-트리클로로메틸-(피페로닐)-6-트리아진, 2,4-트리클로로메틸(4’-메톡시스티릴)-6-트리아진 등의 트리아진계 화합물, 2-(O-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온, 1-(O-아케틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카바졸-3-일]-에탄온, O-에톡시카르보닐-α-옥시아미노-1-페닐프로판-1-온, 1,2-옥탄디온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1-온옥심-O-아세테이트, 2-(O-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)p-메틸페닐]-1,2-옥탄디온, 2-(O-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-페닐디온, 2-(O-아세틸옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온, 2-(O-아세틸옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-페닐디온, 2-(O-아세틸옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-메틸디온, O-(아세틸)-N-(1-페닐-2-옥소-2-(4’-메톡시-나프틸)에틸리덴)하이드록실아민 등의 옥심에스테르계 화합물, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드 등의 포스핀계 화합물, 2,2’-비스(o-클로로페닐)-4,5,4’,5’-테트라페닐-1,2’-비이미다졸, 2,2’-비스(o-메톡시페닐)-4,4’,5,5’-테트라페닐비이미다졸, 2,2’-비스(o-메톡시페닐)-4,4’,5,5’-테트라(p-메틸페닐)비이미다졸 등의 이미다졸계 화합물, 9,10-페난트렌퀴논, 캠퍼퀴논, 에틸안트라퀴논 등의 퀴논계 화합물, 보레이트계 화합물, 카바졸계 화합물, 티타노센계 화합물 등을 사용 할 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The radical photoinitiator includes 4-phenoxydichloroacetophenone, 4-t-butyl-dichloroacetophenone, diethoxyacetophenone, p-dimethylaninoacetophenone, 1-(4-isopropylphenyl)-2-hydroxy -2-methylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl- 2-Dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butan-1-one, 2-(dimethylamino)-2-[(4-methylphenyl)methyl]-1-[4-(4-morphol) acetophenone compounds such as nyl)phenyl]-1-butanone, benzoin compounds such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and benzyl dimethyl ketal; benzophenone, benzoylbenzoic acid; Methyl benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, hydroxybenzophenone, acrylated benzophenone, 4-benzoyl-4'-methyldiphenylsulfide, 3,3',4,4'-tetra(t-butylperoxycarbonyl) ) Benzophenone-based compounds such as benzophenone, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, 2,4-di Thioxanthone-based compounds such as ethyl thioxanthone, 2,4,6-trichloro-s-triazine, 2-phenyl-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(p- Methoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(p-tolyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-pipenonyl- 4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-styryl-s-triazine, 2-(naphtho-1-yl)-4, 6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(4-methoxy-naphtho-1-yl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2,4- Triazine-based compounds such as trichloromethyl-(piperonyl)-6-triazine and 2,4-trichloromethyl(4'-methoxystyryl)-6-triazine, 2-(O-benzoyloxime) -1-[4-(phenylthio)phenyl]-1,2-octanedione, 1-(O-acetyloxime)-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazole -3-yl]-ethanone, O-ethoxycarbonyl-α-oxyamino-1-phenylpropan-1-one, 1,2-octanedione, 2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl) -1-(4-morpholin-4-yl-phenyl)-butan-1-one, 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-butane-1,2-dione-2-oxime-O-benzoate; 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-octane-1,2-dione-2-oxime-O-benzoate, 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-octane-1-oneoxime-O-acetate; 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-butan-1-oneoxime-O-acetate, 2-(O-benzoyloxime)-1-[4-(phenylthio)p-methylphenyl]-1,2-octane Dione, 2-(O-benzoyloxime)-1-[4-(phenylthio)phenyl]-1,2-phenyldione, 2-(O-acetyloxime)-1-[4-(phenylthio)phenyl] -1,2-octanedione, 2-(O-acetyloxime)-1-[4-(phenylthio)phenyl]-1,2-phenyldione, 2-(O-acetyloxime)-1-[4- (phenylthio)phenyl]-1,2-methyldione, O-(acetyl)-N-(1-phenyl-2-oxo-2-(4'-methoxy-naphthyl)ethylidene)hydroxylamine, etc. of oxime ester compounds, phosphine compounds such as bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide, o-chlorophenyl)-4,5,4',5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis(o-methoxyphenyl)-4,4',5,5 imidazole compounds such as '-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis(o-methoxyphenyl)-4,4',5,5'-tetra(p-methylphenyl)biimidazole, 9, Quinone compounds such as 10-phenanthrenequinone, camphorquinone, and ethylanthraquinone, borate compounds, carbazole compounds, titanocene compounds, etc. may be used, and these may be used alone or in combination of two or more.

상기 라디칼 광개시제의 함량은 상기 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 라디칼 광개시제 0.1 내지 20 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 라디칼 광개시제 함량이 0.1 중량부 미만일 경우에는 낮은 감도로 인해 잔막률이 나빠지고, 20 중량부를 초과할 경우에는 현상성이 떨어지고 해상도가 저하되는 문제점이 있다. The content of the radical photoinitiator is preferably contained in an amount of 0.1 to 20 parts by weight of the radical photoinitiator based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer. When the content of the radical photoinitiator is less than 0.1 parts by weight, the residual film rate is deteriorated due to low sensitivity, and when it exceeds 20 parts by weight, developability and resolution are deteriorated.

상기 이온 광개시제는 양이온 광개시제와 음이온 광개시제를 포함할 수 있다. 양이온 광개시제로는 오늄염계로 술포늄염계, 요오드늄염계, 포스포늄염계, 디아조늄염계, 피리디늄염계, 벤조티아졸륨염계, 설폭소늄염계, 페로센계 화합물이 있으며 그 외 니트로벤질술포네이트류, 알킬 또는 알릴-N-술포닐옥시이미드류, 할로겐화 알킬술폰산에스테르류, 옥심술포네이트류 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The ionic photoinitiator may include a cationic photoinitiator and an anionic photoinitiator. Cationic photoinitiators include sulfonium salts, iodonium salts, phosphonium salts, diazonium salts, pyridinium salts, benzothiazolium salts, sulfoxonium salts, and ferrocene compounds as onium salts, and other nitrobenzylsulfonates, alkyl or allyl-N-sulfonyloxyimides, halogenated alkylsulfonic acid esters, oxime sulfonates, and the like, but are not limited thereto.

일례로, 양이온 광개시제는 테트라부틸암모늄테트라플루오로보레이트, 테트라부틸암모늄헥사플루오로포스페이트, 테트라부틸암모늄하이드로겐설페이트, 테트라에틸암모늄테트라플루오로보레이트, 테트라에틸암모늄, p-톨루엔술포네이트, N,N-디메틸-N-벤질아닐리늄육불화안티몬, N,N-디메틸-N-벤질아닐리늄사불화붕소, N,N-디메틸-N-벤질피리디늄육불화안티몬, N,N-디메틸-N-벤질트리플루오로메탄술폰산, N,N-디메틸-N-(4-메톡시벤질)피리디늄육불화안티몬, N,N-디메틸-N-(4-메톡시벤질)톨루이디늄육불화안티몬, 에틸트리페닐포스포늄육불화안티몬, 테트라부틸포스포늄육불화안티몬, 트리페닐술포늄사불화붕소, 트리페닐술포늄육불화안티몬, 트리페닐술포늄육불화비소, 트리(4-메톡시페닐)술포늄육불화비소, 디페닐(4-페닐티오페닐)술포늄육불화비소, 디페닐요오드늄육불화비소, 디-4-클로로페닐요오드늄육불화비소, 디-4-브롬페닐요오드늄육불화비소, 페닐(4-메톡시페닐)요오드늄육불화비소, 디페닐요오드늄육불화인, 디-4-클로로페닐요오드늄육불화인, 디-4-브롬페닐요오드늄육불화인, 페닐(4-메톡시페닐)요오드늄육불화인, 4-메틸페닐(4-(2-메틸프로필페닐))요오드늄육불화인, 디-4-테트라페닐요오드늄육불화인, 디페닐요오드늄육불화인, 디-4-테트라페닐요오드늄육불화안티몬, 디페닐요오드늄육불화안티몬, 4-메틸페닐(4-(2-메틸프로필페닐))요오드늄사불화비소로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In one example, cationic photoinitiators include tetrabutylammoniumtetrafluoroborate, tetrabutylammoniumhexafluorophosphate, tetrabutylammoniumhydrogensulfate, tetraethylammoniumtetrafluoroborate, tetraethylammonium, p-toluenesulfonate, N,N -Dimethyl-N-benzylanilinium antimony hexafluoride, N,N-dimethyl-N-benzylanilinium boron tetrafluoride, N,N-dimethyl-N-benzylpyridinium antimony hexafluoride, N,N-dimethyl-N- Benzyltrifluoromethanesulfonic acid, N,N-dimethyl-N-(4-methoxybenzyl)pyridinium antimony hexafluoride, N,N-dimethyl-N-(4-methoxybenzyl)toluidinium hexafluoride antimony; Ethyltriphenylphosphonium antimony hexafluoride, tetrabutylphosphonium antimony hexafluoride, triphenylsulfonium boron tetrafluoride, triphenylsulfonium antimony hexafluoride, triphenylsulfonium arsenic hexafluoride, tri(4-methoxyphenyl)sulfonium arsenic hexafluoride , Diphenyl (4-phenylthiophenyl) sulfonium arsenic hexafluoride, diphenyl iodonium arsenic hexafluoride, di-4-chlorophenyl iodonium arsenic hexafluoride, di-4-bromphenyl iodonium arsenic hexafluoride, phenyl (4-methoxy Phenyl) iodonium arsenic hexafluoride, diphenyl iodonium hexafluoride, di-4-chlorophenyl iodonium hexafluoride, di-4-bromphenyl iodonium hexafluoride, phenyl (4-methoxyphenyl) iodonium hexafluoride, 4 -Methylphenyl (4-(2-methylpropylphenyl)) iodonium hexafluoride, di-4-tetraphenyl iodonium hexafluoride, diphenyl iodonium hexafluoride, di-4-tetraphenyl iodonium hexafluoride antimony hexafluoride, diphenyl iodine It may be one or more selected from the group consisting of antimony nium hexafluoride, 4-methylphenyl(4-(2-methylpropylphenyl))iodonium arsenic tetrafluoride, but is not limited thereto.

음이온 광개시제는 벤조인카바메이트, 디메틸벤질옥시카바모일아민, o-아실옥심, o-니트로벤조인카바메이트, 포름아닐리드 유도체, 및 α-암모늄아세토페논으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The anionic photoinitiator may be at least one selected from the group consisting of benzoincarbamate, dimethylbenzyloxycarbamoylamine, o-acyloxime, o-nitrobenzoincarbamate, formanilide derivatives, and α-ammoniumacetophenone, but is limited thereto. it is not going to be

상기 이온 광개시제의 함량은 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부일 수 있다. 이온 광개시제 함량이 0.1 중량부 미만일 경우에는 낮은 경화도로 인해 내화학성이 나빠지며, 10 중량부를 초과할 경우에는 과한 경화도로 인해 잔사가 발생하고, 해상도가 저하될 수 있다. The content of the ionic photoinitiator may be 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer. When the ionic photoinitiator content is less than 0.1 parts by weight, chemical resistance is deteriorated due to a low degree of curing, and when it exceeds 10 parts by weight, a residue is generated due to an excessive degree of curing, and resolution may be reduced.

본 실시예에 따른 감광성 수지 조성물에 포함되는 다관능 아크릴레이트 올리고머는 2 내지 20개의 관능기를 가진다. 일례로, 알리파틱 우레탄 아크릴레이트 올리고머, 아로마틱 우레탄 아크릴레이트 올리고머, 에폭시 아크릴레이트 올리고머, 에폭시 메타크릴레이트 올리고머, 폴리에스터 아크릴레이트 올리고머, 실리콘 아크릴레이트 올리고머, 멜라민 아크릴레이트 올리고머, 덴드리틱 아크릴레이트 올리고머 등을 사용 할 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The polyfunctional acrylate oligomer included in the photosensitive resin composition according to this embodiment has 2 to 20 functional groups. For example, aliphatic urethane acrylate oligomer, aromatic urethane acrylate oligomer, epoxy acrylate oligomer, epoxy methacrylate oligomer, polyester acrylate oligomer, silicone acrylate oligomer, melamine acrylate oligomer, dendritic acrylate oligomer, etc. may be used, and these may be used alone or in combination of two or more.

상기 다관능 아크릴레이트 올리고머의 함량은 상기 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 1 내지 50 중량부로 포함하는 것이 좋다. 다관능 아크릴레이트 올리고머의 함량이 1 중량부 미만일 경우에는 낮은 감도로 인해 잔막율이 나빠지는 문제점이 있으며, 50 중량부를 초과할 경우에는, 현상성이 떨어지고, 해상도가 저하될 수 있다.The content of the polyfunctional acrylate oligomer is preferably 1 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer. When the content of the polyfunctional acrylate oligomer is less than 1 part by weight, there is a problem in that the residual film ratio is deteriorated due to low sensitivity, and when it exceeds 50 parts by weight, developability may be deteriorated and resolution may be deteriorated.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물에 포함되는 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 모노머는 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨트리디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨디아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트 유도체, 디펜타에리스리톨폴리아크릴레이트, 및 이들의 메타크릴레이트 등을 사용 할 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.In addition, the polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond included in the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention is 1,4-butanediol diacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacryl Late, trimethylol propane diacrylate, trimethylol propane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, dipentaerythritol hexadiacrylate, di Pentaerythritol tridiacrylate, dipentaerythritol diacrylate, sorbitol triacrylate, bisphenol A diacrylate derivative, dipentaerythritol polyacrylate, and their methacrylate may be used alone or in combination It can be used by mixing more than one species.

상기 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 모노머의 함량은 상기 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 1 내지 50 중량부일 수 있다. 그 함량이 1 중량부 미만일 경우에는 낮은 감도로 인해 잔막률이 나빠지며, 50 중량부를 초과할 경우에는, 현상성이 떨어지고, 해상도가 저하될 수 있다. The content of the polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond may be 1 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer. When the content is less than 1 part by weight, the residual film rate is deteriorated due to low sensitivity, and when it exceeds 50 parts by weight, developability may be deteriorated and resolution may be deteriorated.

본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물에 사용되는 용매는 제한되지 않으나, 일례로 끓는점이 150°C 미만일 수 있다. 이렇게 끓는점이 150°C 미만인 용매를 사용하는 경우, 저온 공정에서의 잔류 용매를 최소화할 수 있으며, 내화학성을 확보할 수 있다. The solvent used in the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention is not limited, but for example, the boiling point may be less than 150 °C. When a solvent having a boiling point of less than 150 °C is used in this way, the residual solvent in the low-temperature process can be minimized and chemical resistance can be secured.

일례로 용매는, 메틸-2-히드록시이소부티레이트, 에틸렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 2-메톡시-1-메틸에틸 에스테르, 프로필렌 아세테이트, 에틸 프로피오네이트, 에틸 피루베이트와 같은 에스테르류, 1-메톡시-2-프로판올, 디부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라하이드로퓨란과 같은 에테르류, 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올과 같은 알코올류로 이루어진 군으로부터 용해성, 각 성분과의 반응성, 도포막 형성 용이성을 고려하여 1종 이상 선택하여 사용하는 것이 바람직하다For example, the solvent is esters such as methyl-2-hydroxyisobutyrate, ethylene glycol methyl ether acetate, 2-methoxy-1-methylethyl ester, propylene acetate, ethyl propionate, ethyl pyruvate, 1-methyl Soluble from the group consisting of ethers such as oxy-2-propanol, dibutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, and alcohols such as methanol, ethanol and isopropyl alcohol. , it is preferable to select and use one or more in consideration of the reactivity with each component and the ease of forming a coating film

상기 용매는 전체 감광성 수지 조성물에서, 고형분 함량이 10 내지 50 중량%가 되도록 포함되는 것이 바람직하다. 상기 범위의 고형분을 가지는 조성물은 0.1 ~ 0.2 ㎛의 밀리포아필터 등으로 여과한 뒤 사용할 수 있다. 또한, 일례로, 감광성 수지 조성물에서 용매의 함량은 고형분 함량이 15 내지 40 중량%가 되도록 하는 범위일 수 있다.The solvent is preferably included so that the solid content is 10 to 50% by weight in the total photosensitive resin composition. The composition having a solid content in the above range can be used after filtration through a Millipore filter of 0.1 to 0.2 μm or the like. In addition, as an example, the content of the solvent in the photosensitive resin composition may be in a range such that the solid content is 15 to 40 wt%.

상기 감광성 수지 조성물의 고형분 함량이 10 중량% 미만일 경우에는 코팅두께가 얇게 되고, 코팅 평판성이 저하된다는 문제점이 있으며, 50 중량%를 초과할 경우에는 코팅두께가 두꺼워지고, 코팅시 코팅장비에 무리를 줄 수 있으며, 잔류 용매가 증가할 수 있다.When the solid content of the photosensitive resin composition is less than 10% by weight, the coating thickness becomes thin and there is a problem that the coating flatness is deteriorated. , and residual solvent may increase.

또한, 본 실시예에 따른 감광성 조성물은 멜라민 가교제를 더 포함할 수 있다. 멜라민 가교제는 감광성 조성물의 내열성, 내화학성 및 접착력을 향상시킨다.In addition, the photosensitive composition according to the present embodiment may further include a melamine crosslinking agent. The melamine crosslinking agent improves the heat resistance, chemical resistance and adhesion of the photosensitive composition.

상기 멜라민 가교제로는 요소와 포름알데히드의 축합 생성물, 멜라민과 포름알데히드의 축합 생성물, 또는 알코올로부터 얻어진 메틸올요소알킬에테르류나 메틸올멜라민알킬에테르류 등을 사용할 수 있다.As the melamine crosslinking agent, a condensation product of urea and formaldehyde, a condensation product of melamine and formaldehyde, or methylol urea alkyl ethers or methylol melamine alkyl ethers obtained from alcohol may be used.

구체적으로, 상기 요소와 포름알데히드의 축합 생성물로는 모노메틸올요소, 디메틸올요소 등을 사용할 수 있다. 상기 멜라민과 포름알데히드의 축합 생성물로는 헥사메틸올멜라민을 사용할 수 있으며, 그밖에 멜라민과 포름알데히드의 부분적인 축합 생성물도 사용할 수 있다.Specifically, as the condensation product of urea and formaldehyde, monomethylol urea, dimethylol urea, and the like may be used. As the condensation product of melamine and formaldehyde, hexamethylolmelamine may be used, and in addition, a partial condensation product of melamine and formaldehyde may be used.

또한 상기 메틸올요소알킬에테르류로는 요소와 포름알데히드의 축합생성물에 메틸올기의 부분 또는 전부에 알코올류를 반응시켜 얻어지는 것으로, 그 구체적 예로는 모노메틸요소메틸에테르, 디메틸요소메틸에테르 등을 사용할 수 있다. 상기 메틸올멜라민알킬에테르류로는 멜라민과 포름알데히드의 축합생성물에 메틸올기의 부분 또는 전부에 알코올류를 반응시켜 얻어지는 것으로, 그 구체적 예로서는 헥사메틸올멜라민헥사메틸에테르, 헥사메틸올멜라민헥사부틸에테르 등을 사용할 수 있다. 또한, 멜라민의 아미노기의 수소원자가 히드록시 메틸기 및 메톡시 메틸기로 치환된 구조의 화합물, 멜라민의 아미노기의 수소원자가 부톡시 메틸기 및 메톡시 메틸기로 치환된 구조의 화합물 등도 사용할 수 있으며, 특히 메틸올멜라민알킬에테르류를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, the methylol urea alkyl ethers are obtained by reacting a part or all of the methylol groups with alcohols in the condensation product of urea and formaldehyde, and specific examples thereof include monomethyl urea methyl ether and dimethyl urea methyl ether. can The methylol melamine alkyl ethers are those obtained by reacting a part or all of methylol groups with alcohols in a condensation product of melamine and formaldehyde, and specific examples thereof include hexamethylol melamine hexamethyl ether, hexamethylol melamine hexabutyl ether. etc. can be used. In addition, compounds having a structure in which the hydrogen atom of the amino group of melamine is substituted with a hydroxymethyl group and a methoxymethyl group, a compound having a structure in which the hydrogen atom of the amino group of melamine is substituted with a butoxymethyl group and a methoxymethyl group, etc. can also be used, especially methylolmelamine It is preferable to use alkyl ethers.

상기 멜라민 가교제의 함량은 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 20 중량부일 수 있다. The content of the melamine crosslinking agent may be 0.1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer.

또한 본 실시예에 따른 감광성 조성물은 실란 커플링제를 더 포함할 수 있다. 실란 커플링제는 감광성 조성물의 하부 기판과의 접착력을 향상시킨다. 상기 실란 커플링제는 (3-글리시드옥시프로필)트리메톡시실레인, (3-글리시드옥시프로필)트리에톡시실레인, (3-글리시드옥시프로필)메틸디메톡시실레인, (3-글리시드옥시프로필)메틸디에톡시실레인, (3-글리시드옥시프로필)디메틸에톡시실레인, 3,4-에폭시부틸트리메톡시실레인, 3,4-에폭시부틸트리에톡시실레인, 2-(3,4-에폭시시크로헥실)에틸트리메톡시실레인, 2-(3,4-에폭시시크로헥실)에틸트리에톡시실레인, 아미노프로필트리메톡시실레인, 아미노프로필트리에톡시실레인, 3-트리에톡시실리-N-(1,3 디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실레인, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실레인, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필메틸디메톡시실레인, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실레인 또는 (3-이소시아네이트프로필)트리에톡시실레인 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.In addition, the photosensitive composition according to the present embodiment may further include a silane coupling agent. The silane coupling agent improves adhesion of the photosensitive composition to the underlying substrate. The silane coupling agent is (3-glycidoxypropyl) trimethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) triethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) methyldimethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) Glycideoxypropyl)methyldiethoxysilane, (3-glycidoxypropyl)dimethylethoxysilane, 3,4-epoxybutyltrimethoxysilane, 3,4-epoxybutyltriethoxysilane, 2 -(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane, aminopropyltriethoxy Silane, 3-triethoxysilly-N-(1,3 dimethyl-butylidene)propylamine, N-2(aminoethyl)3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2(aminoethyl)3 -Aminopropyltriethoxysilane, N-2(aminoethyl)3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane or (3-isocyanatepropyl)triethoxysilane Phosphorus and the like may be used alone or in combination of two or more.

상기 실란 커플링제는 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 20 중량부 포함될 수 있다.The silane coupling agent may be included in an amount of 0.1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 계면 활성제를 더 포함할 수 있다. 이러한 계면 활성제는 감광성 수지 조성물의 도포성 및 현상성을 향상시킬 수 있다. 이러한 계면 활성제로는 실리콘계와 불소계 등이 있다. 상기 계면 활성제는 감광성 수지 조성물 내의 고형분 100 중량부에 대하여 0.0001 내지 2 중량부 포함될 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention may further include a surfactant. Such a surfactant can improve the applicability and developability of the photosensitive resin composition. Such surfactants include silicone-based and fluorine-based surfactants. The surfactant may be included in an amount of 0.0001 to 2 parts by weight based on 100 parts by weight of the solid content in the photosensitive resin composition.

그러면 이하에서, 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용한 패턴 형성 방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 기판 위에 감광성 수지 조성물을 코팅하는 단계, 상기 감광성 수지 조성물을 75°C 내지 85°C의 온도로 1차 가열하는 단계, 상기 감광성 수지 조성물을 노광 및 현상하는 단계, 상기 현상된 감광성 수지 조성물을 80°C 내지 90°C의 온도로 2차 가열하는 단계를 포함한다. 이때 사용되는 감광성 수지 조성물은 앞서 설명한 감광성 수지 조성물과 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략한다. Then, a pattern forming method using the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention will be described below. The photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention comprises the steps of coating the photosensitive resin composition on a substrate, first heating the photosensitive resin composition to a temperature of 75 °C to 85 °C, exposing the photosensitive resin composition and Developing, comprising the step of heating the developed photosensitive resin composition to a temperature of 80 °C to 90 °C secondary. The photosensitive resin composition used at this time is the same as the photosensitive resin composition described above. Duplicate descriptions of the same components will be omitted.

도 1 내지 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 도시한 공정 흐름도이다.1 to 4 are process flow diagrams illustrating a pattern forming method according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참고로 하면, 먼저 기판(110) 위에 감광성 수지 조성물(400)을 코팅하여 감광성 수지 조성물 코팅층(400)을 형성한다. 이때 코팅은 스프레이법, 롤코터법, 회전도포법 등으로 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 1 , first, a photosensitive resin composition 400 is coated on a substrate 110 to form a photosensitive resin composition coating layer 400 . In this case, the coating may be performed by a spray method, a roll coater method, a rotation coating method, or the like.

이때 감광성 수지 조성물은 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 라디칼 광개시제 0.1 내지 20 중량부, 이온 광개시제 0.1 내지 10 중량부, 다관능 아크릴레이트 올리고머 1 내지 50 중량부, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 모노머 1 내지 50 중량부, 및 용매를 포함한다. 이러한 감광성 수지 조성물은 라디칼 광개시제와 이온 광개시제를 동시에 포함하기 때문에, 90°C 이하의 저온에서도 경화가 가능하며, 90°C 이하의 저온으로 경화한 경우에도 우수한 접착력 및 내화학성을 나타낸다. 이러한 감광성 수지 조성물은 노광된 부분이 경화되어 잔존하는 네거티브 감광성 수지 조성물이다. In this case, the photosensitive resin composition contains 0.1 to 20 parts by weight of a radical photoinitiator, 0.1 to 10 parts by weight of an ionic photoinitiator, 1 to 50 parts by weight of a polyfunctional acrylate oligomer, and 1 to 50 parts by weight of a polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond with respect to 100 parts by weight of the acrylic copolymer. to 50 parts by weight, and a solvent. Since this photosensitive resin composition contains a radical photoinitiator and an ionic photoinitiator at the same time, it can be cured at a low temperature of 90 °C or less, and exhibits excellent adhesion and chemical resistance even when cured at a low temperature of 90 °C or less. The photosensitive resin composition is a negative photosensitive resin composition in which the exposed portion is cured and remains.

다음, 도 2를 참고로 하면 코팅된 감광성 수지 조성물(400)을 75°C 내지 85°C의 온도로 1차 가열한다. 이는 프리-베이크 공정으로, 이러한 공정을 통해 코팅된 감광성 수지 조성물(400) 내부에 포함된 가스를 제거한다. 상기 1차 가열은 약 1분 내지 5분 동안 수행될 수 있다. 이때 본 발명의 감광성 수지 조성물은 비점이 150 °C 미만으로 낮은 용매를 사용하기 때문에, 용매 내에 포함된 가스 등이 보다 잘 제거될 수 있다.Next, referring to FIG. 2 , the coated photosensitive resin composition 400 is first heated to a temperature of 75°C to 85°C. This is a pre-bake process, and the gas contained in the photosensitive resin composition 400 coated through this process is removed. The first heating may be performed for about 1 to 5 minutes. In this case, since the photosensitive resin composition of the present invention uses a solvent having a low boiling point of less than 150 °C, gas and the like contained in the solvent can be better removed.

다음, 도 3을 참고로 하면, 코팅된 감광성 수지 조성물을 노광 및 현상하여 감광성 수지 조성물층(410)을 형성한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 네거티브 감광성 수지 조성물로서, 마스크(700)의 개구부와 대응하는 부분, 즉, 노광된 부분이 경화되어 남아있고 노광되지 않은 부분이 제거된다. 이때 노광은 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, 엑스선 등을 이용할 수 있다. 현상은 현상액을 사용하며, 노광되지 않은 부분을 제거한다. Next, referring to FIG. 3 , the photosensitive resin composition layer 410 is formed by exposing and developing the coated photosensitive resin composition. The photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention is a negative photosensitive resin composition, and a portion corresponding to the opening of the mask 700 , that is, an exposed portion remains cured and an unexposed portion is removed. In this case, the exposure may be performed using visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray, or the like. The development uses a developer, and the unexposed part is removed.

현상액은 알칼리 수용액을 사용하는 것이 좋으며, 구체적으로 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨 등의 무기 알칼리류; n-프로필아민 등의 1급 아민류; 디에틸아민, n-프로필아민 등의 2급 아민류; 트리메틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에틸아민, 트리에틸아민 등의 3급 아민류; 디메틸에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알콜아민류; 또는 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드 등의 4급 암모늄염의 수용액 등을 사용할 수 있다. 이때, 현상액은 알칼리성 화합물을 0.1 ~ 10 중량%의 농도로 용해시켜 사용되며, 메탄올, 에탄올 등과 같은 수용성 유기용매 및 계면 활성제를 적정량 첨가할 수도 있다. It is preferable to use an aqueous alkali solution as the developer, and specifically, inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, and sodium carbonate; primary amines such as n-propylamine; secondary amines such as diethylamine and n-propylamine; tertiary amines such as trimethylamine, methyldiethylamine, dimethylethylamine, and triethylamine; alcohol amines such as dimethylethanolamine, methyldiethanolamine, and triethanolamine; Alternatively, an aqueous solution of a quaternary ammonium salt such as tetramethylammonium hydroxide or tetraethylammonium hydroxide can be used. In this case, the developer is used by dissolving the alkaline compound at a concentration of 0.1 to 10 wt%, and an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol and a surfactant may be added.

다음, 도 4를 참고로 하면 감광성 수지 조성물층(410)을 약 80°C 내지 90°C의 온도로 2차 가열한다. 상기 2차 가열은 감광성 수지 조성물층(410)을 경화시키는 공정이다. 이러한 2차 가열은 약 30분 내지 240분 동안 수행될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 90°C 이하의 온도에서도 경화되기 때문에, 감광성 수지 조성물 하부에 발광층 등이 위치하는 경우에도 발광층의 손상 없이 절연막 등을 제조할 수 있다.Next, referring to FIG. 4 , the photosensitive resin composition layer 410 is secondarily heated to a temperature of about 80°C to 90°C. The secondary heating is a process of curing the photosensitive resin composition layer 410 . This secondary heating may be performed for about 30 minutes to 240 minutes. Since the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention is cured even at a temperature of 90 °C or less, an insulating film, etc. can be manufactured without damage to the light emitting layer even when the light emitting layer is located under the photosensitive resin composition.

즉, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법은 TFT-LCD, TSP(Touch Screen Panel), 또는 OLED 등의 디스플레이 소자 내부에 포함되는 패시베이션 절연막, 게이트 절연막, 평탄화막, 컬럼스페이서, 오버코트 또는 컬러레지스트로 사용될 수 있다. 이때, 감광성 수지 조성물이 저온 공정으로 경화되기 때문에, 발광층 등을 포함하는 구조 상부에 단일 공정으로 제조할 수 있어 공정을 간소화 할 수 있다. That is, the photosensitive resin composition of the present invention and a pattern forming method using the same are passivation insulating film, gate insulating film, planarization film, column spacer, overcoat or It can be used as a color resist. At this time, since the photosensitive resin composition is cured by a low-temperature process, it can be manufactured in a single process on the upper part of the structure including the light emitting layer, and the process can be simplified.

또한, 제조되는 표시 장치의 구조를 단순화할 수 있다. 일례로, 본 실시예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용한 패턴 형성 방법을 통하여, 유기 발광 소자 위에 터치 패널이 내장된 구조의 표시 장치를 제조할 수 있다. 즉, 유기 발광 소자 위의 박막 봉지층 위에 바로 터치 감지 전극을 형성하고, 터치 감지 전극 사이에 위치하는 절연막으로 본 실시예에 따른 감광성 수지 조성물을 사용할 수 있다. 이러한 구조의 경우, 절연막을 제조하는 과정에서 온도가 100°C를 넘으면 유기 발광 소자의 발광층이 손상되는바 바람직하지 않다. 그러나 본 실시예에 따른 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법은, 감광성 수지 조성물이 90°C 이하의 온도에서 경화되는바, 하부 발광층의 손상 없이 절연막 등을 제조할 수 있다.In addition, the structure of a manufactured display device may be simplified. For example, through the pattern forming method using the photosensitive resin composition according to the present embodiment, a display device having a structure in which a touch panel is embedded on an organic light emitting element may be manufactured. That is, the touch sensing electrode may be formed directly on the thin film encapsulation layer on the organic light emitting device, and the photosensitive resin composition according to the present embodiment may be used as an insulating film positioned between the touch sensing electrodes. In the case of such a structure, when the temperature exceeds 100 °C in the process of manufacturing the insulating film, the light emitting layer of the organic light emitting device is damaged, which is not preferable. However, in the photosensitive resin composition and the pattern forming method using the same according to the present embodiment, since the photosensitive resin composition is cured at a temperature of 90°C or less, an insulating film or the like can be manufactured without damaging the lower emission layer.

그러면 이하에서 구체적인 실험예를 통하여 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법의 효과에 대하여 설명한다.Then, the effect of the photosensitive resin composition and the pattern forming method using the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention will be described below through specific experimental examples.

합성예Synthesis example 1: (아크릴계 공중합체 제조) 1: (Production of acrylic copolymer)

냉각기와 교반기가 구비된 플라스크에 테트라하이드로퓨란 400 중량부, 메타크릴산 30 중량부와 스티렌 30 중량부, 및 글리시딜메타크릴레이트 40 중량부의 혼합 용액을 투입하였다. 상기 액상 조성물을 혼합 용기에서 600 rpm으로 충분히 혼합한 뒤, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 15 중량부를 첨가하였다. 상기 중합혼합용액을 55 까지 천천히 상승시켜, 이 온도로 24시간 동안 유지 후 상온으로 냉각하고 중합금지제로 하이드로벤조페논을 500 ppm 첨가하여 고형분 농도가 30 중량%인 중합체 용액을 얻었다. A mixed solution of 400 parts by weight of tetrahydrofuran, 30 parts by weight of methacrylic acid and 30 parts by weight of styrene, and 40 parts by weight of glycidyl methacrylate was added to a flask equipped with a cooler and a stirrer. After sufficiently mixing the liquid composition at 600 rpm in a mixing vessel, 15 parts by weight of 2,2'-azobis(2,4-dimethylvaleronitrile) was added. The polymerization mixture solution was slowly raised to 55, maintained at this temperature for 24 hours, cooled to room temperature, and 500 ppm of hydrobenzophenone was added as a polymerization inhibitor to obtain a polymer solution having a solid content of 30 wt%.

중합체 용액의 미반응 단량체를 제거하기 위하여 n-헥산 1000중량부에 대하여 상기 중합체 용액 100중량부를 침전시켰다. 침전 후, 메쉬를 이용한 필터링 공정을 통하여 미반응물이 용해된 용매(Poor solvent)를 제거하였다. 그 후, 필터링 공정 이후에도 남아있는 미반응 단량체가 함유된 용매들을 제거하기 위하여 30도 이하에서 진공 건조를 통해 미반응 단량체가 함유된 용매를 완전히 제거하여 아크릴계 공중합체를 제조하였다.In order to remove unreacted monomers from the polymer solution, 100 parts by weight of the polymer solution was precipitated with respect to 1000 parts by weight of n-hexane. After precipitation, a solvent in which unreacted substances were dissolved was removed through a filtering process using a mesh. After that, in order to remove the solvent containing the unreacted monomer remaining after the filtering process, the solvent containing the unreacted monomer was completely removed through vacuum drying at 30 degrees or less to prepare an acrylic copolymer.

상기 아크릴계 공중합체의 중량평균분자량은 6,000이었다. 이때, 중량평균분자량은 GPC를 사용하여 측정한 폴리스티렌 환산평균분자량이다.The weight average molecular weight of the acrylic copolymer was 6,000. In this case, the weight average molecular weight is the polystyrene reduced average molecular weight measured using GPC.

실시예Example 1: One: 네가티브negative 감광성 수지 조성물의 제조 Preparation of photosensitive resin composition

상기 합성예 1에서 제조한 아크릴계 공중합체 용액 100 중량부, 라디칼 광개시제로 2-(O-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온 10 중량부, 이온 광개시제로 페닐(4-메톡시페닐)요오드늄육불화인 10 중량부, 10관능 우레탄 아크릴레이트 올리고머 10 중량부, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 모노머로 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트 20 중량부, 멜라민 가교제로 헥사메틸올멜라민헥사메틸에테르 3 중량부 및 실란 커플링제로 (3-글리시드옥시프로필)메틸디에톡시실레인 2 중량부를 혼합하였다. 상기 혼합물에 고형분 농도가 20 중량%가 되도록 프로필렌글리콜모노에틸아세테이트를 가하여 용해시킨 후, 0.2 ㎛의 밀리포아필터로 여과하여 네가티브 감광성 수지 조성물 코팅 용액을 제조하였다.100 parts by weight of the acrylic copolymer solution prepared in Synthesis Example 1, 2-(O-benzoyloxime)-1-[4-(phenylthio)phenyl]-1,2-octanedione as a radical photoinitiator, 10 parts by weight, ions 10 parts by weight of phenyl (4-methoxyphenyl) iodonium hexafluoride as a photoinitiator, 10 parts by weight of a 10-functional urethane acrylate oligomer, 20 parts by weight of dipentaerythritol hexaacrylate as a polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond, and a melamine crosslinking agent 3 parts by weight of raw hexamethylolmelamine hexamethyl ether and 2 parts by weight of (3-glycidoxypropyl)methyldiethoxysilane as a silane coupling agent were mixed. Propylene glycol monoethyl acetate was added and dissolved to the mixture so that the solid content concentration was 20 wt%, and then filtered through a 0.2 μm Millipore filter to prepare a coating solution for a negative photosensitive resin composition.

실시예Example 2: 2: 네가티브negative 감광성 수지 조성물의 제조 Preparation of photosensitive resin composition

상기 실시예 1에서 용매로 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물 코팅 용액을 제조하였다.A photosensitive resin composition coating solution was prepared in the same manner as in Example 1, except that ethylene glycol methyl ether acetate was used as a solvent in Example 1.

실시예3Example 3 : : 네가티브negative 감광성 수지 조성물의 제조 Preparation of photosensitive resin composition

상기 실시예 1에서 이온 광개시제로 N,N-디메틸-N-벤질트리플루오로메탄술폰산을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물 코팅 용액을 제조하였다. A photosensitive resin composition coating solution was prepared in the same manner as in Example 1, except that N,N-dimethyl-N-benzyltrifluoromethanesulfonic acid was used as the ion photoinitiator in Example 1.

실시예Example 4: 4: 네가티브negative 감광성 수지 조성물의 제조 Preparation of photosensitive resin composition

상기 실시예 1에서 이온 광개시제로 4-메틸페닐(4-(2-메틸프로필페닐))요오드늄육불화인을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물 코팅 용액을 제조하였다. A photosensitive resin composition coating solution was prepared in the same manner as in Example 1, except that 4-methylphenyl(4-(2-methylpropylphenyl))iodonium hexafluoride was used as the ionic photoinitiator in Example 1.

실시예Example 5: 5: 네가티브negative 감광성 수지 조성물의 제조 Preparation of photosensitive resin composition

상기 실시예 1에서 이온 광개시제로 페닐(4-메톡시페닐)요오드늄육불화비소를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물 코팅 용액을 제조하였다.A photosensitive resin composition coating solution was prepared in the same manner as in Example 1, except that phenyl (4-methoxyphenyl) iodonium arsenic hexafluoride was used as the ion photoinitiator in Example 1.

비교예comparative example 1: One: 네가티브negative 감광성 수지 조성물의 제조 Preparation of photosensitive resin composition

상기 실시예 1에서 이온 광개시제를 0.05 중량부 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물 코팅 용액을 제조하였다. A photosensitive resin composition coating solution was prepared in the same manner as in Example 1, except that 0.05 parts by weight of the ionic photoinitiator was used in Example 1.

비교예comparative example 2: 2: 네가티브negative 감광성 수지 조성물의 제조 Preparation of photosensitive resin composition

상기 실시예 1에서 이온 광개시제를 25 중량부 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물 코팅 용액을 제조하였다A photosensitive resin composition coating solution was prepared in the same manner as in Example 1, except that 25 parts by weight of the ionic photoinitiator was used in Example 1.

비교예comparative example 3: 3: 네가티브negative 감광성 수지 조성물의 제조 Preparation of photosensitive resin composition

상기 실시예 1에서 이온 광개시제를 완전히 제거한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물 코팅 용액을 제조하였다.A photosensitive resin composition coating solution was prepared in the same manner as in Example 1, except that the ionic photoinitiator was completely removed in Example 1.

비교예comparative example 4: 4: 네가티브negative 감광성 수지 조성물의 제조 Preparation of photosensitive resin composition

상기 비교예 3에서 라디칼 광개시제로 2-(O-아세틸옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온 사용한 것을 제외하고는, 상기 비교예 3과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물 코팅 용액을 제조하였다.Photosensitivity was performed in the same manner as in Comparative Example 3, except that 2-(O-acetyloxime)-1-[4-(phenylthio)phenyl]-1,2-octanedione was used as a radical photoinitiator in Comparative Example 3 A resin composition coating solution was prepared.

비교예comparative example 5: 5: 네가티브negative 감광성 수지 조성물의 제조 Preparation of photosensitive resin composition

상기 실시예 1에서 용매로 에틸 락테이트를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물 코팅 용액을 제조하였다.A photosensitive resin composition coating solution was prepared in the same manner as in Example 1, except that ethyl lactate was used as a solvent in Example 1.

비교예comparative example 6: 6: 네가티브negative 감광성 수지 조성물의 제조 Preparation of photosensitive resin composition

상기 실시예 1에서 용매로 프로필렌글리콜모노메틸프로피오네이트를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물 코팅 용액을 제조하였다.A photosensitive resin composition coating solution was prepared in the same manner as in Example 1, except that propylene glycol monomethyl propionate was used as a solvent in Example 1.

상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 6에서 제조된 네가티브 감광성 수지 조성물 코팅용액을 이용하여 하기 실험예 1 내지 5와 같은 방법으로 물성을 평가한 후, 그 결과를 하기 [표 1]에 나타내었다. After evaluating the physical properties in the same manner as in Experimental Examples 1 to 5 below using the coating solutions of the negative photosensitive resin composition prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 6, the results are shown in Table 1 below. it was

실험예Experimental example 1: 감도, 1: Sensitivity, 잔막률remaining film rate 측정 measurement

SiNx가 증착된 글래스(glass) 기판 상에 스핀코터를 사용하여 상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 6에서 제조된 네가티브 감광성 조성물 용액을 도포한 뒤, 80℃로 2 분간 핫 플레이트 상에서 프리베이크하여 2.0 ㎛막을 형성하였다. 상기에서 얻어진 막에 소정 패턴 마스크(pattern mask)를 사용하여 365㎚에서의 강도가 10 ㎽/㎠인 자외선을 브로드밴드(broadband) 노광기를 이용하여 0.2초 간격으로 1 내지 5초간 조사하였다. 이후, 테트라메틸 암모늄히드록시드 2.38 중량%의 수용액으로 23 ℃에서 60초간 현상한 후, 초순수로 60초간 세정하였다. After applying the negative photosensitive composition solutions prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 6 using a spin coater on a glass substrate on which SiN x was deposited, the solution was pre-freed on a hot plate at 80° C. for 2 minutes. It was baked to form a 2.0 mu m film. Using a predetermined pattern mask, the film obtained above was irradiated with ultraviolet rays having an intensity of 10 mW/cm 2 at 365 nm using a broadband exposure machine at 0.2 second intervals for 1 to 5 seconds. Thereafter, development was performed at 23° C. for 60 seconds with an aqueous solution of 2.38 wt% of tetramethyl ammonium hydroxide, followed by washing with ultrapure water for 60 seconds.

최종 경화를 위하여 오븐속에서 85 ℃로 60 분간 가열하여 패턴 막을 얻었다. SEM을 이용하여 20 ㎛ 라인(Line) & 스페이스(Space) CD기준으로 잔막율이 포화(saturation)되는 노광량을 기준으로 감도를 측정하였다. For final curing, a patterned film was obtained by heating in an oven at 85° C. for 60 minutes. Sensitivity was measured based on the exposure amount at which the residual film rate was saturated based on 20 μm Line & Space CD using SEM.

실험예Experimental example 2: 2: 잔막률remaining film rate

상기 실험예 1의 감도 측정시 잔막율이 포화(Saturation)되는 감도의 잔막율을 확인하였다. 이때의 잔막률이 80% 이상이면 ○, 80% 내지 75% 이면 △, 75% 이하이면 X 로 표시하였다.When measuring the sensitivity of Experimental Example 1, it was confirmed that the remaining film ratio was sensitive to saturation (Saturation). At this time, if the residual film rate was 80% or more, it was indicated by ○, if it was 80% to 75%, △, and if it was 75% or less, it was indicated by X.

실험예Experimental example 3: 3: 잔사residue

상기 실험예 1의 감도 측정시 형성된 패턴(Pattern)막의 컨택홀(Contact Hole)을 기준으로 잔사(Scum)를 검사하였다. 이때 잔사가 없는 경우를 ○, 잔사가 관찰되는 경우를 X 로 표시하였다.Scum was inspected based on the contact hole of the pattern film formed during the sensitivity measurement of Experimental Example 1. At this time, the case where there was no residue was denoted by ○, and the case where the residue was observed was denoted by X.

실험예Experimental example 4: 접착력 4: Adhesion

상기 실험예 1 의 감도 측정시 형성된 패턴 막의 벗겨짐(peel-off)이 발생하지 않은 경우를 ○, 벗겨짐(peel-off )이 발생한 경우를 X 로 표시하였다.A case in which peel-off of the formed pattern film did not occur during the sensitivity measurement of Experimental Example 1 was denoted by ○, and a case in which peel-off occurred was denoted by X.

실험예Experimental example 5: 내화학성 5: Chemical resistance

상기 실험예 1의 감도 측정시 형성된 패턴(Pattern)막을 스트립퍼에 넣어 방치한 후 두께변화를 측정하였다. 이때의 두께변화가 0.5㎛ 이하인 경우를 ○, 0.5㎛ 내지 1.0㎛ 인 경우를 △, 1.0㎛ 이상인 경우를 X 로 표시하였다. The pattern film formed during the sensitivity measurement of Experimental Example 1 was put in a stripper and left to stand, and then the thickness change was measured. At this time, the case where the thickness change was 0.5 μm or less was denoted by ○, the case where the thickness was 0.5 μm to 1.0 μm was denoted by △, and the case where the thickness change was 1.0 μm or more was denoted by X.

감도
(mJ/㎠)
Sensitivity
(mJ/cm2)
잔막률remaining film rate 잔사residue 접착력adhesion 내화학성chemical resistance
실시예 1Example 1 4040 실시예 2Example 2 4040 실시예 3Example 3 4545 실시예 4Example 4 4040 실시예 5Example 5 3535 비교예 1Comparative Example 1 5050 XX 비교예 2Comparative Example 2 3737 XX 비교예 3Comparative Example 3 5050 XX XX XX 비교예 4Comparative Example 4 4545 XX XX 비교예 5Comparative Example 5 5050 XX XX 비교예 6Comparative Example 6 5252 XX XX XX

상기 표 1을 통해 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따라 이온 광개시제 및 저비점 용매를 포함하는 실시예 1 내지 5는 비교예 3 내지 6 대비 감도, 잔막률, 잔사, 접착력, 내화학성이 우수함을 확인할 수 있었다. As can be seen from Table 1, Examples 1 to 5 containing an ionic photoinitiator and a low boiling point solvent according to an embodiment of the present invention have sensitivity, residual film rate, residue, adhesion, chemical resistance compared to Comparative Examples 3 to 6 This excellence was confirmed.

또한, 이온 광개시제의 함량 범위가 0.1 내지 10 중량부 사이에 포함되지 않는 비교예 1 및 2를, 실시예 1과 비교하여 보면, 이온 광시제의 함량 범위가 0,1 내지 10 중량부 내에 포함되어야 잔막률, 잔사 및 접착력에서 고른 성능을 나타냄을 확인할 수 있었다. 즉, 이온 광개시제의 함량이 0.05 중량부인 비교예 1은 잔막률 및 접착력이 불량하였고, 이온 광개시제의 함량이 25중량부인 비교예 2는 잔사가 불량하였다. In addition, when comparing Comparative Examples 1 and 2, in which the content range of the ionic photoinitiator is not included between 0.1 to 10 parts by weight, and Example 1, the content range of the ionic photoinitiator should be included in 0,1 to 10 parts by weight. It was confirmed that uniform performance was exhibited in the remaining film ratio, residue, and adhesive force. That is, Comparative Example 1, in which the content of the ionic photoinitiator was 0.05 parts by weight, had poor film retention and adhesion, and Comparative Example 2, in which the content of the ionic photoinitiator was 25 parts by weight, had poor residue.

즉, 이와 같이 라디칼 광개시제와 이온 광개시제를 동시에 포함하는 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 감도, 잔막률, 잔사 등이 우수하며, 특히 90°C 이하의 저온공정에서 접착력 및 내화학성이 우수하여 플렉서블 디스플레이에 사용하기에 적합함을 확인할 수 있었다. That is, as described above, the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention including the radical photoinitiator and the ionic photoinitiator at the same time has excellent sensitivity, film remaining rate, residue, etc. It was confirmed that it was excellent and suitable for use in a flexible display.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements by those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims are also provided. is within the scope of the right.

110: 기판
400: 코팅된 감광성 수지 조성물
410: 감광성 수지 조성물층
700: 마스크
110: substrate
400: coated photosensitive resin composition
410: photosensitive resin composition layer
700: mask

Claims (22)

아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여
라디칼 광개시제 0.1 내지 20 중량부,
이온 광개시제 0.1 내지 10 중량부,
다관능 아크릴레이트 올리고머 1 내지 50 중량부,
에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 모노머 1 내지 50 중량부, 및
용매를 포함하고,
상기 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 모노머는 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨트리디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨디아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트 유도체, 디펜타에리스리톨폴리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트 및 이들의 메타크릴레이트 중 선택되는 하나 이상인 감광성 수지 조성물로,
상기 감광성 수지 조성물은 90°C 이하의 온도에서 경화되는 감광성 수지 조성물.
Based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer
0.1 to 20 parts by weight of a radical photoinitiator;
0.1 to 10 parts by weight of an ionic photoinitiator;
1 to 50 parts by weight of polyfunctional acrylate oligomer;
1 to 50 parts by weight of a polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond, and
containing a solvent;
The polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond is 1,4-butanediol diacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, trimethylol propane diacrylate, trimethylol propane triacrylate , pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, dipentaerythritol hexadiacrylate, dipentaerythritol tridiacrylate, dipentaerythritol diacrylate, sorbitol A photosensitive resin composition comprising at least one selected from triacrylate, bisphenol A diacrylate derivative, dipentaerythritol polyacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and methacrylates thereof,
The photosensitive resin composition is a photosensitive resin composition that is cured at a temperature of 90 °C or less.
삭제delete 제1항에서,
상기 라디칼 광개시제는 2-(O-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온 또는 2-(O-아세틸옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온인 감광성 수지 조성물.
In claim 1,
The radical photoinitiator is 2-(O-benzoyloxime)-1-[4-(phenylthio)phenyl]-1,2-octanedione or 2-(O-acetyloxime)-1-[4-(phenylthio) A photosensitive resin composition which is phenyl]-1,2-octanedione.
제1항에서,
상기 이온 광개시제는 페닐(4-메톡시페닐)요오드늄육불화인, N,N-디메틸-N-벤질트리플루오로메탄술폰산, 4-메틸페닐(4-(2-메틸프로필페닐))요오드늄육불화인, 및 페닐(4-메톡시페닐)요오드늄육불화비소로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 감광성 수지 조성물.
In claim 1,
The ionic photoinitiator is phenyl (4-methoxyphenyl) iodonium hexafluoride, N,N-dimethyl-N-benzyltrifluoromethanesulfonic acid, 4-methylphenyl (4- (2-methylpropylphenyl)) iodonium hexafluoride , And phenyl (4-methoxyphenyl) iodonium arsenic hexafluoride at least one photosensitive resin composition selected from the group consisting of.
제1항에서,
상기 라디칼 광개시제와 상기 이온 광개시제의 함량비는 2:1 내지 1:2인 감광성 수지 조성물.
In claim 1,
The content ratio of the radical photoinitiator and the ionic photoinitiator is 2:1 to 1:2 of the photosensitive resin composition.
제1항에서,
상기 감광성 수지 조성물의 고형분 함량이 10중량% 내지 50중량%인 감광성 수지 조성물.
In claim 1,
The photosensitive resin composition having a solid content of 10% to 50% by weight of the photosensitive resin composition.
제1항에서,
멜라민 가교제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
In claim 1,
The photosensitive resin composition further comprising a melamine crosslinking agent.
제1항에서,
실란 커플링제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
In claim 1,
The photosensitive resin composition further comprising a silane coupling agent.
제1항에서,
상기 아크릴 공중합체는 불포화 카르복시 화합물 및 불포화 올레핀 화합물을 공중합시켜 형성되는 감광성 수지 조성물.
In claim 1,
The acrylic copolymer is a photosensitive resin composition formed by copolymerizing an unsaturated carboxy compound and an unsaturated olefin compound.
제1항에서,
상기 용매는 끓는점이 150도씨 미만인 감광성 수지 조성물.
In claim 1,
The solvent is a photosensitive resin composition having a boiling point of less than 150 °C.
기판 위에 감광성 수지 조성물을 코팅하는 단계,
상기 코팅된 감광성 수지 조성물을 75°C 내지 85°C의 온도로 1차 가열하는 단계,
상기 코팅된 감광성 수지 조성물을 노광 및 현상하는 단계, 및
상기 현상된 감광성 수지 조성물을 80°C 내지 90°C의 온도로 2차 가열하는 단계를 포함하며,
상기 감광성 수지 조성물은
아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여
라디칼 광개시제 0.1 내지 20 중량부,
이온 광개시제 0.1 내지 10 중량부,
다관능 아크릴레이트 올리고머 1 내지 50 중량부,
에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 모노머 1 내지 50 중량부, 및
용매를 포함하고,
상기 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 모노머는 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨트리디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨디아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트 유도체, 디펜타에리스리톨폴리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트 및 이들의 메타크릴레이트 중 선택되는 하나 이상인 패턴 형성 방법.
coating the photosensitive resin composition on the substrate;
First heating the coated photosensitive resin composition to a temperature of 75 ° C to 85 ° C;
exposing and developing the coated photosensitive resin composition; and
Comprising the step of heating the developed photosensitive resin composition to a temperature of 80 ° C to 90 ° C,
The photosensitive resin composition is
Based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer
0.1 to 20 parts by weight of a radical photoinitiator;
0.1 to 10 parts by weight of an ionic photoinitiator;
1 to 50 parts by weight of polyfunctional acrylate oligomer;
1 to 50 parts by weight of a polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond, and
containing a solvent;
The polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond is 1,4-butanediol diacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, trimethylol propane diacrylate, trimethylol propane triacrylate , pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, dipentaerythritol hexadiacrylate, dipentaerythritol tridiacrylate, dipentaerythritol diacrylate, sorbitol A method of forming a pattern at least one selected from triacrylate, bisphenol A diacrylate derivative, dipentaerythritol polyacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and methacrylates thereof.
제11항에서,
상기 1차 가열을 통해 감광성 수지 조성물 내의 가스가 제거되고,
상기 2차 가열을 통해 감광성 수지 조성물이 경화되는 패턴 형성 방법.
In claim 11,
Gas in the photosensitive resin composition is removed through the primary heating,
A pattern forming method in which the photosensitive resin composition is cured through the secondary heating.
제11항에서,
상기 1차 가열은 1분 내지 5분 동안 수행되는 패턴 형성 방법,
In claim 11,
The first heating is a pattern forming method that is performed for 1 to 5 minutes,
제11항에서,
상기 2차 가열은 30분 내지 240분 동안 수행되는 패턴 형성 방법.
In claim 11,
The second heating is a pattern forming method that is performed for 30 minutes to 240 minutes.
제11항에서,
상기 라디칼 광개시제는 2-(O-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온 또는 2-(O-아세틸옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온인 패턴 형성 방법.
In claim 11,
The radical photoinitiator is 2-(O-benzoyloxime)-1-[4-(phenylthio)phenyl]-1,2-octanedione or 2-(O-acetyloxime)-1-[4-(phenylthio) phenyl]-1,2-octanedione.
제11항에서,
상기 이온 광개시제는 페닐(4-메톡시페닐)요오드늄육불화인, N,N-디메틸-N-벤질트리플루오로메탄술폰산, 4-메틸페닐(4-(2-메틸프로필페닐))요오드늄육불화인 및 페닐(4-메톡시페닐)요오드늄육불화비소로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 패턴 형성 방법.
In claim 11,
The ionic photoinitiator is phenyl (4-methoxyphenyl) iodonium hexafluoride, N,N-dimethyl-N-benzyltrifluoromethanesulfonic acid, 4-methylphenyl (4- (2-methylpropylphenyl)) iodonium hexafluoride and phenyl (4-methoxyphenyl) iodonium arsenic hexafluoride. At least one pattern forming method selected from the group consisting of.
제11항에서,
상기 라디칼 광개시제와 상기 이온 광개시제의 함량비는 2:1 내지 1:2 인 패턴 형성 방법.
In claim 11,
The content ratio of the radical photoinitiator to the ionic photoinitiator is 2:1 to 1:2.
제11항에서,
상기 감광성 수지 조성물의 고형분 함량이 10중량% 내지 50중량%인 패턴 형성 방법.
In claim 11,
A pattern forming method wherein the photosensitive resin composition has a solid content of 10% to 50% by weight.
제11항에서,
상기 감광성 수지 조성물은 멜라민 가교제를 더 포함하는 패턴 형성 방법.
In claim 11,
The photosensitive resin composition is a pattern forming method further comprising a melamine crosslinking agent.
제11항에서,
상기 감광성 수지 조성물은 실란 커플링제를 더 포함하는 패턴 형성 방법.
In claim 11,
The photosensitive resin composition is a pattern forming method further comprising a silane coupling agent.
제1항에서,
상기 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 모노머의 함량은 20 내지 50 중량부인 감광성 수지 조성물.
In claim 1,
The content of the polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond is 20 to 50 parts by weight of the photosensitive resin composition.
제11항에서,
상기 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 모노머의 함량은 20 내지 50 중량부인 패턴 형성 방법.
In claim 11,
The content of the polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond is 20 to 50 parts by weight of the pattern forming method.
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