KR102326209B1 - Transparent anti static electricity film and display device having the same - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 투명 정전기 방지막은, 매트릭스(Matrix) 물질, 매트릭스 물질에 균일하게 분산되어 있는 다수의 도전성 나노물질, 다수의 도전성 나노물질 중 일부 도전성 나노물질에 결합되어 있는 계면활성제 및 다수의 도전성 나노물질 중 계면활성제가 결합되어 있지 않은 도전성 나노물질에 결합되어 있는 분산 고분자를 포함할 수 있다.The transparent antistatic film according to the present invention includes a matrix material, a plurality of conductive nanomaterials uniformly dispersed in the matrix material, a surfactant coupled to some conductive nanomaterials among a plurality of conductive nanomaterials, and a plurality of conductive nanomaterials. Among the materials, it may include a dispersed polymer bound to a conductive nanomaterial to which a surfactant is not bound.
Description
본 발명은 투명 정전기 방지막 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent antistatic film and a display device including the same.
산업화의 발달과 더불어 각종 전자 및 전기기기, 정보통신 분야 및 일반 생활용품에 이르기까지 많은 분야에서 정전기 발생으로 인한 피해가 증가함에 따라, 상기 관련분야에서 정전기 방지에 대한 필요성이 날로 높아지고 있다.With the development of industrialization, as damage due to static electricity increases in many fields ranging from various electronic and electrical devices, information and communication fields, and general household goods, the need for preventing static electricity in the related fields is increasing day by day.
산업분야에서 정전기 발생으로 인한 문제점으로는 제품에 정전기가 발생되면서 불순물이나 먼지가 부착되고, 필름의 제조공정이나 필름의 가공공정에서 방전을 일으키기 때문에 이러한 공정에 유기용제를 사용하는 경우 인화의 위험이 높아진다.Problems caused by static electricity in the industrial field are that impurities or dust adhere to the product as static electricity is generated, and discharge occurs in the film manufacturing process or film processing process. rises
뿐만 아니라 전기, 전자부품 등의 재료에 정전기가 발생되면, 제품 파손을 일으키는 주요원인이 되기 때문에 전기, 전자분야에서 정전기 방지 성능을 부여하는 것은 필수 요건이 되고 있다.In addition, when static electricity is generated in materials such as electric and electronic parts, it is a major cause of product damage, so it is essential to provide antistatic performance in the electric and electronic fields.
정전기 방지를 위한 구조로서, 탄소나노튜브를 도전성 나노물질로 사용하고 매트릭스(Matrix) 물질을 접목시킨 정전기 방지막은 열 안정성이 확보되어 고온, 고온 다습한 환경에서도 전자 제품에 적용이 가능한 특징을 갖는다. As a structure for preventing static electricity, the antistatic film, which uses carbon nanotubes as conductive nanomaterials and grafts a matrix material, has thermal stability and can be applied to electronic products even in high temperature, high temperature and high humidity environments.
다만, 탄소나노튜브와 같은 도전성 나노물질은, 분산이 용이하지 않은 문제점이 있고, 분산이 되지 않은 도전성 나노물질을 포함하는 정전기 방지막은, 뭉침 현상으로 인해 면저항 값이 균일하지 않고, 광 투과도가 저하되는 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명의 배경기술은 대한민국 공개특허공보 제10-2011-0018024호(2011.02.23) 및 제10-2013-0035684호(2013.04.09)에 개시되어 있다.However, conductive nanomaterials such as carbon nanotubes have a problem in that they are not easily dispersed, and the antistatic film including non-dispersed conductive nanomaterials has a non-uniform sheet resistance value due to agglomeration, and light transmittance is lowered. problems may arise.
Background art of the present invention is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication Nos. 10-2011-0018024 (2011.02.23) and 10-2013-0035684 (2013.04.09).
본 발명의 목적은, 도전성 나노물질의 뭉침 현상을 방지하여, 전면에 걸쳐 균일한 면저항 값을 구현하고, 광 투과도를 향상시키는 투명 정전기 방지막과 이를 포함하는 표시장치를 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide a transparent antistatic film that prevents aggregation of conductive nanomaterials, realizes a uniform sheet resistance value over the entire surface, and improves light transmittance, and a display device including the same.
전술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 투명 정전기 방지막은, 매트릭스(Matrix) 물질, 매트릭스 물질에 균일하게 분산되어 있는 다수의 도전성 나노물질, 다수의 도전성 나노물질 중 일부 도전성 나노물질에 결합되어 있는 계면활성제 및 다수의 도전성 나노물질 중 계면활성제가 결합되어 있지 않은 도전성 나노물질에 결합되어 있는 분산 고분자를 포함할 수 있다.In order to solve the above problems, the transparent antistatic film according to the present invention is coupled to a matrix material, a plurality of conductive nanomaterials uniformly dispersed in the matrix material, and some conductive nanomaterials among the plurality of conductive nanomaterials. It may include a surfactant and a dispersed polymer bound to a conductive nanomaterial to which a surfactant is not bound among a plurality of conductive nanomaterials.
다른 측면에서, 본 발명에 따른 표시장치는, 하부 기판, 하부 기판에 대향하는 상부 기판 및상부 기판 상에 위치하는 투명 정전기 방지막을 포함할 수 있다. In another aspect, the display device according to the present invention may include a lower substrate, an upper substrate facing the lower substrate, and a transparent antistatic film disposed on the upper substrate.
여기서, 투명 정전기 방지막은, 매트릭스 물질, 매트릭스 물질에 균일하게 분산되어 있는 다수의 도전성 나노물질, 다수의 도전성 나노물질 중 일부 도전성 나노물질에 결합되어 있는 계면활성제 및 다수의 도전성 나노물질 중 상기 계면활성제가 결합되어 있지 않은 도전성 나노물질에 결합되어 있는 분산 고분자를 포함할 수 있다.Here, the transparent antistatic film includes a matrix material, a plurality of conductive nanomaterials uniformly dispersed in the matrix material, a surfactant coupled to some conductive nanomaterials among a plurality of conductive nanomaterials, and the surfactant among a plurality of conductive nanomaterials. may include a dispersed polymer bonded to the conductive nanomaterial to which it is not bonded.
본 발명에 따른 투명 정전기 방지막과 이를 포함하는 표시장치는, 도전성 나노물질의 뭉침 현상을 방지하여, 전면에 걸쳐 균일한 면저항 값을 구현하고, 광 투과도를 향상시키는 효과를 갖는다.The transparent antistatic film and the display device including the same according to the present invention have the effect of preventing aggregation of conductive nanomaterials, realizing a uniform sheet resistance value over the entire surface, and improving light transmittance.
도 1은 일반적인 투명 정전기 방지막의 개략적인 평면을 나타낸다.
도 2는 일실시예에 따른 투명 정전기 방지막의 개략적인 평면을 나타낸다.
도 3a는 도전성 나노물질의 일예를 나타낸다.
도 3b는 매트릭스 물질의 일예를 나타낸다.
도 4는 실시예들에 따른 투명 정전기 방지막에서 도전성 나노물질과 분산 고분자가 결합되는 형태를 나타낸다.
도 5a 내지 도 5e는 실시예들에 따른 투명 정전기 방지막에서 도전성 나노물질과 계면활성제가 결합 형태의 예시들을 나타낸다.
도 6a 및 도 6b는 실시예들에 따른 투명 정전기 방지막을 포함하는 표시장치의 예들의 단면을 개략적으로 나타낸다.
도 7은 일반적인 투명 정전기 방지막과 실시예에 따른 투명 정전기 방지막의 제타 포텐셜 값을 비교한 표이다.
도 8a는 일반적인 투명 정전기 방지막의 영역별 면저항 값을 나타내고, 도 8b는 실시예에 따른 투명 정전기 방지막의 영역별 면저항 값을 나타낸다.
도 9는 일반적인 투명 정전기 방지막과 실시예에 따른 투명 정전기 방지막의 면저항 값의 균일도를 비교한 표이다.1 shows a schematic plan view of a typical transparent antistatic film.
2 is a schematic plan view of a transparent antistatic film according to an embodiment.
3A shows an example of a conductive nanomaterial.
3B shows an example of a matrix material.
4 shows a form in which a conductive nanomaterial and a dispersed polymer are combined in a transparent antistatic film according to embodiments.
5A to 5E show examples of a bonding form of a conductive nanomaterial and a surfactant in a transparent antistatic film according to embodiments.
6A and 6B schematically show cross-sections of examples of display devices including a transparent antistatic film according to embodiments.
7 is a table comparing zeta potential values of a general transparent antistatic film and a transparent antistatic film according to an embodiment.
8A shows the sheet resistance values for each region of a general transparent antistatic film, and FIG. 8B shows the sheet resistance values for each region of the transparent antistatic film according to the embodiment.
9 is a table comparing the uniformity of sheet resistance values of a general transparent antistatic film and a transparent antistatic film according to an embodiment.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components are given the same reference numerals as much as possible even though they are indicated on different drawings. In addition, in describing the embodiments of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
또한, 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 같은 맥락에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상"에 또는 "아래"에 형성된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접 또는 또 다른 구성 요소를 개재하여 간접적으로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the components of the invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the components from other components, and the essence, order, or order of the components are not limited by the terms. When a component is described as being “connected”, “coupled” or “connected” to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but another component is between each component. It should be understood that elements may be “connected,” “coupled,” or “connected.” In the same vein, when it is described that a component is formed "on" or "below" another component, the component is both formed directly on the other component or indirectly through another component. should be understood as including
도 1은 일반적인 투명 정전기 방지막의 개략적인 평면을 나타낸다.1 shows a schematic plan view of a typical transparent antistatic film.
도 1을 참조하면, 일반적인 투명 정전기 방지막(110)은, 매트릭스 물질(112), 매트릭스 물질(112)에 분산되어 있는 도전성 나노물질(116)을 포함한다. 또한 도시되지는 않았지만, 투명 정전기 방지막(110)은 계면활성제(미도시)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , a typical transparent
구체적으로, 투명 정전기 방지막(110)은, 매트릭스 물질(112), 계면활성제(미도시) 및 도전성 나노물질(116)을 포함할 수 있고, 매트릭스 물질(112)은, 투명 정전기 방지막(110)의 골격이 되는 물질로서, 수용성 원자들로 구성되어 있으면서 중점의 역할 또는 상 분리나 내용물의 변질을 막아주는 등 안정화 역할이 가능한 수지일 수 있다.Specifically, the transparent
계면활성제(미도시)는 자체에 친수성과 소수성을 지니는 양친성 물질로서 수용액 내부에서 계면활성제의 소수성 부분은 탄소나노튜브와 친화성을 가지고 친수성 부분은 용매인 물과 친화력을 가져 수용액 내부에서 탄소나노튜브가 안정하게 분산될 수 있게끔 도와주는 역할을 할 수 있다.Surfactant (not shown) is an amphiphilic material having hydrophilicity and hydrophobicity in itself, and the hydrophobic portion of the surfactant has affinity with carbon nanotubes in the aqueous solution, and the hydrophilic portion has affinity with water, which is the solvent, in the aqueous solution. It can serve to help the tube to be dispersed stably.
도전성 나노물질(116)은 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube)일 수 있고, 탄소나노튜브는 자체의 구조적 특성으로 인해 매우 낮은 전기저항값을 가지며 길이가 매우 긴 형태로 되어 있다. 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(single-walled carbon nanotube; SWCNT), 이중벽 탄소나노튜브(double-walled carbon nanotube; DWCNT), 다중벽 탄소나노튜브(multi-walled carbon nanotube; MWCNT), 다발형탄소나노튜브(rope carbon nanotube) 중에서 선택된 하나를 사용할 수 있다.The
이러한 투명 정전기 방지막(110)은, 용액 상태의 조성물을 광 또는 열을 가하여 경화시켜 형성된다. 이 과정에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 도전성 나노물질(116)은, 분산이 충분히 일어나지 않은 경우, 반데르발스의 인력(Van Der Waals Force)에 의해 뭉침이 발생할 수 있다.The transparent
도전성 나노물질(116)의 뭉침이 발생하면, 조성물을 코팅하여 경화시킨 경우, 면저항 값의 산포가 발생하여, 영역별로 면저항 값이 균일하지 않게 되고, 이에 따라 정전기 방지막으로서의 기능이 저하되는 문제점이 발생한다. 또한 도전성 나노물질(116)의 뭉침으로 인해, 광 투과도가 저하될 수 있다.When aggregation of the
또한 코팅 과정에서 조성물을 공급하는 장치 내부에서 도전성 나노물질(116)의 뭉침으로 인한 막힘 현상이 발생할 수 있다.In addition, a clogging phenomenon may occur due to aggregation of the
반면, 실시예들에 따른 투명 정전기 방지막(116)은 전술한 문제점들을 해결하는 구조를 갖는다. On the other hand, the transparent
도 2는 일실시예에 따른 투명 정전기 방지막의 개략적인 평면을 나타내고, 도 3a는 도전성 나노물질의 일예를 나타내며, 도 3b는 매트릭스 물질의 일예를 나타낸다.FIG. 2 shows a schematic plan view of a transparent antistatic film according to an embodiment, FIG. 3A shows an example of a conductive nanomaterial, and FIG. 3B shows an example of a matrix material.
도 2 내지 도 3b를 참조하면, 투명 정전기 방지막(210)은, 매트릭스(Matrix) 물질(212), 매트릭스 물질(212)에 균일하게 분산되어 있는 다수의 도전성 나노물질(216), 다수의 도전성 나노물질(216) 중 일부 도전성 나노물질(216)에 결합되어 있는 계면활성제(222) 및 다수의 도전성 나노물질(216) 중 계면활성제(222)가 결합되어 있지 않은 도전성 나노물질(216)에 결합되어 있는 분산 고분자(232)를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 2 to 3B , the transparent
여기서 도전성 나노물질(216)은, 예를 들어, 탄소나노튜브일 수 있다(도 3b 참조). 탄소나노튜브(216)는 자체의 구조적 특성으로 인해 매우 낮은 전기저항값을 가지며 길이가 매우 긴 형태로 되어 있다. 탄소나노튜브(216)는 단일벽 탄소나노튜브(Single-Walled Carbon NanoTube, SWCNT), 이중벽 탄소나노튜브(Double-Walled Carbon NanoTube, DWCNT), 다중벽 탄소나노튜브(Multi-Walled Carbon NanoTube, MWCNT), 다발형 탄소나노튜브(rope carbon nanotube) 중에서 선택된 하나를 사용할 수 있다. Here, the
이러한 도전성 나노물질(216)은, 매트릭스 물질(212)에 균일하게 분산되어 있고, 이는 도전성 나노물질(216)이 계면활성제(222) 또는 분산 고분자(232)에 결합되어 있기 때문이다. The
매트릭스 물질(212)은, 투명 정전기 방지막(210)의 골격이 되는 물질로서, 수용성 원자들로 구성되어 있으면서 중점의 역할 또는 상 분리나 내용물의 변질을 막아주는 등 안정화 역할이 가능한 수지일 수 있다. 특히, 매트릭스 물질(212)이 수분을 잡아주며 분산된 도전성 나노물질의 상 분리 및 재결합을 방지하는 안정화 기능을 수행한다.The
이러한 매트릭스 물질(212)은, 예를 들어, 테트라에틸오르소실리케이트(TetraEthylOrthoSilicate, TEOS)일 수 있으나(도 3b 참조), 이에 제한되지 않는다. The
한편, 계면활성제(222)는 자체에 친수성과 소수성을 지니는 양친성 물질로서 수용액 내부에서 계면활성제(222)의 소수성 부분(226)은 탄소나노튜브(216)와 친화성을 가지고 친수성 부분(224)은 친수성 용매와 친화력을 가져 용액 내부에서 탄소나노튜브(216)가 안정하게 분산되게 하는 역할을 할 수 있다.On the other hand, the
도 2의 확대도에서 볼 수 있듯이 계면활성제(222)의 소수성 부분(226)은 탄소나노튜브(216)와 소수성 결합을 통해 결합되어 있고, 친수성 부분(224)은 용매 쪽으로 배열될 수 있다. 이를 통해 탄소나노튜브(216) 간의 간극이 형성된다. 즉, 계면활성제(222)는 도전성 나노물질(216)의 일부와 결합하여 분산성을 향상시키는 효과를 발생시키고, 이로 인해 투명 정전기 방지막(210)의 면저항 값이 균일해질 수 있다.As can be seen in the enlarged view of FIG. 2 , the
이러한 계면활성제(222)의 소수성 부분(226)은 긴 알킬사슬로 구성될 수 있으며, 친수성 부분(224)은 나트륨(sodium)의 염 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 소수성 부분(226)은 탄소 10개 이상으로 이루어진 긴 사슬구조로 이루어질 수 있고, 친수성 부분(224)은 이온형태 및 비이온 형태 모두 사용이 가능하다.The
계면활성제(222)는, 예를 들어, 소듐도데실설페이트(SodiumDodecylSulfate, SDS) 또는 소듐도데실벤젠설포네이트(SodiumDodecyl Benzene Sulfonate, SDBS)일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The
한편, 분산 고분자(232)는 일단에 방향성 분자(236)를 포함한다. 이때, 방향성 분자(236)와 도전성 나노물질(216)은 파이-파이 스택킹(π-π stacking)에 의해 결합되어 있다.On the other hand, the dispersed
도 2의 확대도를 참조하면, 분산 고분자(232)의 일단에 위치하는 방향성 분자(236)는 공액 구조를 포함한다. 즉, 방향성 분자(236)는, 다중 결합과 단일 결합이 번갈아 존재하는 컨쥬게이션(Conjugation) 구조를 갖고, 이러한 컨쥬게이션 구조에 존재하는 π전자들의 쌓임(Stacking)에 의해 방향성 분자(236)가 도전성 나노물질(216)에 결합될 수 있도록 한다.Referring to the enlarged view of FIG. 2 , the
따라서, 도전성 나노물질(216) 사이에 간극이 발생하여, 각각의 도전성 나노물질(216)이 서로 분산될 수 있다. Accordingly, a gap may be generated between the
방향성 분자(236)는, 예를 들어, 피리딘(Pyridine), 피렌(Pyrene) 및 포르피린(Porphyrin) 중 하나일 수 있으나 이에 제한되지 않는다.The
정리하면, 도전성 나노물질(216) 중 일부는 계면활성제와 결합되어 균일하게 분산되고, 계면활성제와 결합되어 있는 도전성 나노물질(216)을 제외한 도전성 나노물질(216)의 경우, 분산 고분자(232)와의 결합을 통해 균일하게 분산되어 있다. In summary, some of the
이에 따라 투명 정전기 방지막(210)에서, 도전성 나노물질(216)은 전면에 걸쳐 균일하게 분산되어 있고, 투명 정전기 방지막(210)의 면저항(Sheet Resistanc) 값이 전면에 걸쳐 균일하게 된다. Accordingly, in the transparent
한편, 전술한 투명 정전기 방지막(210)은, 용액 상태의 조성물이 베이스 기판에 코팅된 후, 열 또는 광조사에 의해 경화되어 형성된다. Meanwhile, the above-described transparent
구체적으로, 조성물은 용매, 매트릭스 물질(212), 계면활성제( 및 도전성 나노물질(216)을 포함할 수 있다. Specifically, the composition may include a solvent, a
여기서, 용매는, 친수성(Hydrophilic)일 수 있고, 예를 들어, 증류수, 메탄올(Methanol), 에탄올(Ethanol), 아세톤(Acetone), 메틸에틸케톤(Methylethylketone), 이소프로필알콜(Isopropylalcohol), 부틸알콜(Butylalcohol), 에틸렌글라이콜(Ethyleneglycol), 폴리에틸렌글라이콜(Polyethyleneglycol), 테트라하이드로퓨란(Tetrahydropuran), 디메틸포름아마이드(Dimethylformaldehyde), 디메틸아세트아마이드(Dimethylacetamide), 헥산(Hexane), 사이클로헥사논(Cyclohexanone), 톨루엔(Toluene), 클로로포름(Chloroform), 디클로로벤젠(Dichlorobenzene), 디메틸벤젠(Dimethylbenzene), 피리딘(Pyridine), 아닐린(Aniline) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택하여 사용할 수 있다.Here, the solvent may be hydrophilic, for example, distilled water, methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, isopropyl alcohol (Isopropylalcohol), butyl alcohol (Butylalcohol), ethylene glycol (Ethyleneglycol), polyethylene glycol (Polyethyleneglycol), tetrahydrofuran (Tetrahydropuran), dimethylformamide (Dimethylformaldehyde), dimethylacetamide (Dimethylacetamide), hexane (Hexane), cyclohexanone ( Cyclohexanone), toluene, chloroform, dichlorobenzene, dimethylbenzene, pyridine, aniline, and mixtures thereof may be selected from the group consisting of.
이하에서는, 도전성 나노물질(216)과, 계면활성제 및 분산 고분자와의 결합을 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the bonding between the
도 4는 실시예들에 따른 투명 정전기 방지막에서 도전성 나노물질과 분산 고분자가 결합되는 형태를 나타낸다.4 shows a form in which a conductive nanomaterial and a dispersed polymer are combined in a transparent antistatic film according to embodiments.
도 4에서, 도전성 나노물질(216)은 탄소나노튜브(216)가 도시되었고, 분산 고분자(232)의 일단에 위치하는 방향성 분자(236)는 벤젠고리 4개가 결합된 형태인 피렌이 도시되었다. 다만, 이는 설명의 편의를 위해 예를 들어 도시된 것이고, 실시예들은 이에 제한되지 않음에 유의하여야 한다.In FIG. 4 ,
도 4를 참조하면, 분산 고분자(232)는 고분자 부분(234) 및 일단의 방향성 분자(236)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4 , the dispersed
여기서, 분산 고분자(232)는 일단에 방향성 분자(236)를 둘 이상 포함할 수도 있다. 방향성 분자(236)는, 탄소나노튜브(216)와 파이-파이 스택킹(π-π stacking)에 의해 결합될 수 있다. 다시 말해서, 도 4의 확대도에 도시된 바와 같이, 평면 형태의 방향성 분자인 피렌의 π 전자와 탄소나노튜브(216)의 π 전자 간의 쌓임에 의해, 분산 고분자(232)의 일단이 탄소나노튜브(216)에 흡착될 수 있다. Here, the dispersed
다수의 분산 고분자(232)와 탄소나노튜브(216)가 결합될 수 있고, 하나의 분산 고분자(232) 내에서 다수의 방향성 분자(236)가 탄소나노튜브(216)와 결합될 수도 있다. 도 4에 도시된 결합 형태는 예시적인 것이고, 실시예들에 따른 탄소나노튜브(216)와 분산 고분자(232)는, 이에 제한되지 않고 다양한 형태로 결합될 수 있다.A plurality of dispersed
이외에도 분산 고분자(232)와 탄소나노튜브(216)의 결합에는, 비극성 분자 간의 힘인 반데르 발스의 인력(Van Der Waals Force)이 관여할 수 있다.In addition, Van der Waals force, which is a force between non-polar molecules, may be involved in the bonding between the dispersed
한편, 분산 고분자(232)의 고분자 부분(234)은, 예를 들어, 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(Methyl MethAcrylate), PMMA)일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. Meanwhile, the
이러한 탄소나노튜브(216)와 분산 고분자와의 결합으로 인하여, 인접한 탄소나노튜브(216) 간에 간극(거리)가 발생한다. 다시 말해서, 다수의 탄소나노튜브(216)의 뭉침이 방지되고, 분산되는 효과가 발생할 수 있다. 이에 따라 투명 정전기 방지막(210)의 전면에 걸쳐, 면저항 값이 균일하게 형성되고, 균일한 탄소나노튜브(216)의 분산 형태로 인해, 광투과도가 향상될 수 있다.Due to the bonding between the
도 5a 내지 도 5e는 실시예들에 따른 투명 정전기 방지막에서 도전성 나노물질과 계면활성제가 결합 형태의 예시들을 나타낸다. 5A to 5E show examples of a bonding form of a conductive nanomaterial and a surfactant in a transparent antistatic film according to embodiments.
도 5a 내지 도 5e를 참조하면, 투명 정전기 방지막(210)에서, 도전성 나노물질(216)에 계면활성제(222)가 흡착되어 있는 다양한 결합형태가 도시되어 있다. 5A to 5E , in the transparent
도 5a 및 도 5b는 동일한 결합 구조를, 서로 다른 방향에서 나타낸 도면들이고, 도 5d는 도 5c와 동일한 결합 구조를 화학식 형태로 나타낸 도면이다. 5A and 5B are views showing the same bonding structure in different directions, and FIG. 5D is a view showing the same bonding structure as in FIG. 5C in chemical formula form.
도 5a 및 도 5b에 도시된 투명 정전기 방지막(210)의 경우, 탄소나노튜브(216)의 원주 방향으로 계면활성제(222)가 둘러싸고 있는 형태를 갖는다. 계면활성제(222)의 소수성 부분(226)은 탄소나노튜브(216)와 소수성 결합을 통해 흡착되고, 계면활성제(222)의 친수성 부분(224)은 탄소나노튜브(216)의 외부를 향한다.In the case of the transparent
이러한 결합 구조에 따라, 복수의 탄소나노튜브(216) 중 인접한 탄소나노튜브(216) 사이에는 공간 또는 간극이 발생하고, 탄소나노튜브(216)의 뭉침이 방지되는 효과가 발생한다. According to this bonding structure, a space or a gap is generated between
한편, 도 5c 및 도 5d에 도시된 투명 정전기 방지막(210)의 경우, 탄소나노튜브(216)의 길이 방향으로 계면활성제(222)가 둘러싸고 있는 형태를 갖는다. 즉, 계면활성제(222)는 미셀(micelle) 구조 형태로 탄소나노튜브(216)를 감싸고 있다. Meanwhile, in the case of the transparent
계면활성제(222)는, 예를 들어, 소듐도데실설페이트(SodiumDodecylSulfate, SDS)일 수 있다. 소듐도데실설페이트의 친수성 부분(224)은 음의 전하를 띄고 있기 때문에, 인접한 소듐도데실설페이트의 음의 전하와 반발력을 갖는다. 이에 따라 탄소나노튜브(216)가 보다 균일하게 분산될 수 있는 효과를 발생시킨다.The
한편, 도 5e에 도시된 투명 정전기 방지막(210)의 경우, 계면활성제(222)가 탄소나노튜브(216)의 표면 상에 무작위로 배열될 수 있다. 다만 이러한 경우에도, 계면활성제(222)의 소수성 부분(226)이 탄소나노튜브(216)에 결합되는 것은 동일하다.Meanwhile, in the case of the transparent
정리하면, 실시예들에 따른 투명 정전기 방지막(210)에서, 도전성 나노물질(216)의 일부는 계면활성제(222)와 결합될 수 있고, 다른 일부는 분산 고분자(232)와 결합될 수 있다. In summary, in the transparent
이러한 계면활성제(222) 및 분산 고분자(232)는, 도전성 나노물질(216)의 뭉침을 방지하는 효과를 발생시킨다. 게다가 후술하는 바와 같이, 분산 고분자(232) 및 계면활성제(222)가 동시에 존재하는 경우는, 일반적인 투명 정전기 방지막(210)과 같이 계면활성제(222)만 존재하는 경우보다 현저한 효과를 나타낸다. 즉, 분산 고분자(232) 및 계면활성제(222)가 동시에 존재하는 경우에 광투과도와 면저항의 균일성 특성이 보다 우수해지는 효과가 발생한다.The
도 6a 및 도 6b는 실시예들에 따른 투명 정전기 방지막을 포함하는 표시장치의 예들의 단면을 개략적으로 나타낸다.6A and 6B schematically show cross-sections of examples of display devices including a transparent antistatic film according to embodiments.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 표시장치(200)는, 하부 기판(262), 하부 기판(262)에 대향하는 상부 기판(272) 및 상부 기판(272) 상에 위치하는 투명 정전기 방지막(210)을 포함한다. 6A and 6B , the display device 200 includes a
여기서, 투명 정전기 방지막(210)은, 매트릭스(Matrix) 물질(212), 매트릭스 물질(212)에 균일하게 분산되어 있는 다수의 도전성 나노물질(216), 다수의 도전성 나노물질(216) 중 일부 도전성 나노물질(216)에 결합되어 있는 계면활성제(222) 및 다수의 도전성 나노물질(216) 중 다른 도전성 나노물질(216)에 결합되어 있는 분산 고분자(232)를 포함할 수 있다.Here, the transparent
도 6a의 경우, 하부 기판(262)의 하부(도면에서 아래쪽 방향)에는 하부 편광필름(250a)이 위치하고, 하부 기판(262)과 상부 기판(272) 사이에는 셀(Cell, 266)이 위치하며, 터치 스크린 패널(276) 상에는 상부 편광필름(250b)이 위치한다. 투명 정전기 방지막(210)은 상부 기판(272)과 터치 스크린 패널(Touch Screen Panel, TSP, 276) 사이에 배치된다.In the case of FIG. 6A, a lower
하부 기판(262) 및 상부 기판(272)은 글래스(Glass)로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The
도 6a의 표시장치(200)는, 터치 스크린 패널(276)이 상부 기판(272)과 상부 편광필름(250b) 사이에 내장된 온 셀 타입(On Cell Type)의 표시장치이다. 셀(266)은, 예를 들면, 액정표시장치(LCD)의 액정층이거나 유기발광표시장치(OLED)의 유기층일 수 있다. The display device 200 of FIG. 6A is an on-cell type display device in which a
한편, 도 6b의 경우, 하부 기판(262)의 하부에는 하부 편광필름(250a)이 위치하고, 상부 기판(272) 상에는 상부 편광필름(250b)가 위치하며, 투명 정전기 방지막(210)은 상부 기판(272)과 상부 편광필름(250b) 사이에 배치된다.On the other hand, in the case of FIG. 6B, a lower
도 6b의 표시장치(200)는, 터치 스크린 패널(276)이 하부 기판(262)과 상부 기판(272) 사이, 즉 셀(266)과 함께 형성되어 내장된 경우로서, 인 셀 타입(In Cell Type)의 표시장치(200)이다. 셀(266)은, 예를 들어, 액정층 또는 유기층일 수 있다.In the display device 200 of FIG. 6B , the
온 셀 타입 또는 인 셀 타입의 표시장치(200)는, 상부 편광필름(250b) 상에 터치 스크린 패널이 구비되는 애드온 타입(Add-0n Type)에 비하여, 전체적이 두께가 얇고, 터치 스크린 패널(TSP)을 상부 편광필름(250b) 내부에 내장시킴으로서, 공정 수가 감소하고, 공정 시간이 감축되는 이점을 갖는다.The on-cell type or in-cell type display device 200 has a thinner overall thickness and a touch screen panel ( By embedding the TSP) inside the upper
이때, 표시장치(200)의 상부 기판(272) 또는 터치 스크린 패널(276) 또는 상부 편광필름(250b)에서 정전기가 발생하는 경우, 실시예들에 따른 투명 정전기 방지막(210)은, 이를 제거하는 기능을 수행한다. At this time, when static electricity is generated in the
표시장치(200)에 정전기가 발생되면, 제품 파손을 일으키는 주요원인이 되기 때문에 전기, 전자분야에서 정전기 방지 성능을 부여하는 것은 필수 요건이 되고 있고, 전술한 투명 정전기 방지막(210)은, 정전기를 방지하여 제품의 신뢰성을 높이는 효과를 발생시킨다.When static electricity is generated in the display device 200, it is a major cause of product damage, so it is an essential requirement to provide antistatic performance in the electric and electronic fields, and the above-described transparent
여기서 투명 정전기 방지막(210)에 포함된 도전성 나노물질(216)은 탄소나노튜브(216)를 포함할 수 있다. Here, the
한편, 투명 정전기 방지막(210)에 포함된 분산 고분자(232)는 일단에 방향성 분자(236)를 포함하고, 방향성 분자(236)와 도전성 나노물질(216)은 파이-파이 스택킹에 의해 결합되어 도전성 나노물질(216)의 분산성을 향상시킨다. On the other hand, the dispersed
또한 분산 고분자(232)와 결합되지 않은 도전성 나노물질(216)은, 계면활성제(222)와 결합될 수 있고, 계면활성제(222)의 소수성 부분(226)이 도전성 나노물질(216)에 결합되어 도전성 나노물질(216)의 뭉침 현상을 방지한다.In addition, the
따라서 실시예들에 따른 투명 정전기 방지막(210)을 포함하는 표시장치(200)는 광투과도가 향상되고, 전면에 걸쳐 면저항 값이 균일한 효과를 갖는다.Accordingly, the display device 200 including the transparent
한편, 도면들에 도시되지는 않았지만, 투명 정전기 방지막(210)은 코팅 공정을 통해 형성된다. 투명 정전기 방지막(210)은, 예를 들면, 슬릿 코팅(Slit Coating)과 같은 방식에 의해 코팅될 수 있다.Meanwhile, although not shown in the drawings, the transparent
이러한 코팅 과정에서, 코팅을 위한 코터(Coater)의 배관에 도전성 나노물질(216)들이 뭉쳐서 흡착되는 문제가 발생할 수 있다. 예를 들어, 슬릿 코터(Slit Coater) 내부의 정전기 방지막(210)을 위한 용액에서, 탄소나노튜브(216) 간의 반데르발스의 인력에 의한 뭉침이 발생하면, 장비의 배관 및 필터에 문제가 발생할 수 있다.In this coating process, a problem may occur in which the
다만, 실시예들에 따른 투명 정전기 방지막(210)의 형성 공정에서는, 탄소나노튜브(216) 간의 뭉침 현상이 방지되기 때문에, 이러한 현상들을 방지할 수 있다.However, in the process of forming the transparent
도 7은 일반적인 투명 정전기 방지막과 실시예에 따른 투명 정전기 방지막의 제타 포텐셜 값을 비교한 표이다.7 is a table comparing zeta potential values of a general transparent antistatic film and a transparent antistatic film according to an embodiment.
제타 포텐셜(Zeta Potential)은 입자 사이의 반발력이나 인력의 크기에 대한 단위로, 제타 포텐셜의 측정은 분산 메커니즘을 자세히 이해할 수 있도록 해주며 정전기 분산을 제어하는 데 중요한 요소가 된다. 즉, 제타 포텐셜의 절대값이 크다면 입자들간의 반발력이 큰 것이고, 작으면 응집력이 큰 것을 의미한다. Zeta potential is a unit for the magnitude of the repulsive or attractive force between particles. That is, if the absolute value of the zeta potential is large, the repulsive force between the particles is large, and if the absolute value is small, it means that the cohesive force is large.
도 7을 참조하면, 샘플 1(Sample 1)은 일반적인 투명 정전기 방지막(110)으로서, 매트릭스 물질(112), 탄소나노튜브(116) 및 계면활성제(미도시)를 포함한다. 반면 샘플 2(Sample 2)는 실시예에 따른 투명 정전기 방지막(110)으로서, 매트릭스 물질(212), 탄소나노튜브(216), 계면활성제(222) 및 분산 고분자(232)를 포함한다.Referring to FIG. 7 ,
각 샘플의 제타 포텐셜(ξ, mV) 값은 하기 수학식 1에 의해 계산한 값이다.The zeta potential (ξ, mV) value of each sample is a value calculated by
[수학식 1][Equation 1]
수학식 1에서, η은 용매 또는 전해질의 점성을 나타내고, μ는 입자의 모빌리티(Mobility, ㎠/Vs)를 의미하며, ε은 입자의 유전율(Permittivity, V/cm)을 의미한다. In
표에서, 실시예에 따른 투명 정전기 방지막(210)의 제타 포텐셜의 절대값은 9.09mV이고, 일반적인 투명 정전기 방지막(110)의 제타 포텐셜의 절대값은 1.42mV이므로, 실시예에 따른 샘플 2가 분산성이 현저하게 우수한 것을 알 수 있다. In the table, the absolute value of the zeta potential of the transparent
이러한 분산성은, 계면활성제(222) 뿐만 아니라, 분산 고분자(232)가 탄소나노튜브(216)의 표면에 결합되어, 인접한 탄소나노튜브(216) 간의 거리를 생성하기 때문에 나타난다.Such dispersibility appears because not only the
도 8a는 일반적인 투명 정전기 방지막의 영역별 면저항 값을 나타내고, 도 8b는 실시예에 따른 투명 정전기 방지막의 영역별 면저항 값을 나타내고, 도 9는 일반적인 투명 정전기 방지막과 실시예에 따른 투명 정전기 방지막의 면저항 값의 균일도를 비교한 표이다.Fig. 8a shows the sheet resistance value for each area of the general transparent antistatic film, Fig. 8b shows the sheet resistance value for each area of the transparent antistatic film according to the embodiment, and Fig. 9 is the general transparent antistatic film and the sheet resistance of the transparent antistatic film according to the embodiment This is a table comparing the uniformity of values.
도 8a 및 도 8b는 투명 정전기 방지막(110, 210)의 표면을 5 x 5의 25개의 영역으로 나누어, 각 영역의 면저항 값을 나타낸 것이고, 각 숫자는 면저항 값에 대한 로그(log) 값이다. 도 9에서, 샘플 1(Sample 1)은 도 8a에 대응되는 면저항 값의 범위이고, 샘플 2(Sample 2)는 도 8b에 대응되는 면저항 값의 범위이다.8A and 8B show the sheet resistance values of each area by dividing the surface of the transparent
일반적인 투명 정전기 방지막(110)의 경우, 면저항 값의 로그 값의 범위가 7.9 내지 10.4임을 볼 수 있다. 반면, 실시예에 따른 투명 정전기 방지막(210)의 경우, 면저항 값의 로그 값의 범위가 7.7 내지 8.2 임을 알 수 있다. In the case of the general transparent
따라서, 샘플 2의 로그 값의 범위가 더 작은 범위이고, 실시예에 따른 투명 정전기 방지막(210)의 경우가 보다 균일한 면저항 값을 가진다는 것을 알 수 있다.Accordingly, it can be seen that the logarithmic value of
정리하면, 실시예들에 따른 투명 정전기 방지막(210)과 이를 포함하는 표시장치(200)는, 도전성 나노물질(216)의 뭉침 현상을 방지하여, 투명 정전기 방지막(210) 전면에 걸쳐 균일한 면저항 값을 확보하고, 광 투과도를 향상시키는 효과를 갖는다. 투명 정전기 방지막(210)의 형성 과정 중 코팅 공정에 있어서, 도전성 나노물질(216)의 뭉침으로 인한 배관 막힘 현상을 방지할 수 있는 효과를 갖는다. In summary, the transparent
이상 도면을 참조하여 실시예들을 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다.The embodiments have been described above with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.
이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms such as "include", "compose" or "have" described above mean that the corresponding component may be embedded unless otherwise stated, so it does not exclude other components. It should be construed as being able to further include other components. All terms, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs, unless otherwise defined. Terms commonly used, such as those defined in the dictionary, should be interpreted as being consistent with the meaning in the context of the related art, and are not interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present invention.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical spirit of the present invention, and various modifications and variations will be possible without departing from the essential characteristics of the present invention by those skilled in the art to which the present invention pertains. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.
212: 매트릭스 물질 216: 도전성 나노물질
222: 계면활성제 232: 분산 고분자
262: 하부 기판 272: 상부 기판212: matrix material 216: conductive nanomaterial
222: surfactant 232: dispersed polymer
262: lower substrate 272: upper substrate
Claims (10)
상기 매트릭스 물질에 균일하게 분산되어 있는 다수의 탄소나노튜브;
상기 다수의 탄소나노튜브 중 일부 탄소나노튜브에 결합되어 있는 계면활성제; 및
상기 탄소나노튜브 중 상기 계면활성제가 결합되어 있지 않은 탄소나노튜브에 결합되어 있는 분산 고분자를 포함하고,
상기 분산 고분자와 상기 탄소나노튜브의 결합에는 비극성 분자 간의 힘인 반데르 발스의 인력이 작용되고,
상기 분산 고분자는 방향성 분자를 포함하며, 상기 분산 고분자와 상기 탄소나노튜브가 결합된 부분에서는 상기 방향성 분자와 상기 탄소나노튜브가 파이-파이 스택킹(π-π stacking)에 의해 인접한 다수의 상기 탄소나노튜브들 간에 간극이 발생하여 다수의 상기 탄소나노튜브들이 분산되고,
상기 계면활성제는 소수성 부분 및 상기 소수성 부분에 연결된 친수성 부분을 포함하고, 상기 계면활성제의 상기 소수성 부분은 상기 탄소나노튜브의 표면에 흡착되며 상기 계면활성제의 상기 친수성 부분은 상기 탄소나노튜브의 외측을 향하고,
상기 계면활성제와 상기 탄소나노튜브가 결합된 부분에서는 다수의 상기 탄소나노튜브들 중 인접한 탄소나노튜브 사이에 공간 또는 간극이 발생하여 탄소나노튜브의 뭉침이 방지되며,
상기 계면활성제는 미셀 구조 형태로 상기 탄소나노튜브를 감싸고,
상기 계면활성제가 상기 탄소나노튜브의 길이 방향으로 상기 탄소나노튜브를 둘러싸고,
면저항 값의 로그 값의 범위가 7.7 내지 8.2이며,
상기 매트릭스 물질은 하기 물질을 포함하는 표시장치 용 투명 정전기 방지막.
matrix material;
a plurality of carbon nanotubes uniformly dispersed in the matrix material;
a surfactant coupled to some of the plurality of carbon nanotubes; and
and a dispersed polymer bonded to the carbon nanotube to which the surfactant is not bound among the carbon nanotubes,
Van der Waals' attractive force, which is a force between non-polar molecules, is applied to the bonding between the dispersed polymer and the carbon nanotube,
The dispersed polymer includes a directional molecule, and in a portion where the dispersed polymer and the carbon nanotube are combined, the aromatic molecule and the carbon nanotube are pi-a plurality of the carbons adjacent by pi stacking (π-π stacking). A gap is generated between the nanotubes so that a plurality of the carbon nanotubes are dispersed,
The surfactant includes a hydrophobic portion and a hydrophilic portion connected to the hydrophobic portion, the hydrophobic portion of the surfactant is adsorbed to the surface of the carbon nanotube, and the hydrophilic portion of the surfactant is outside the carbon nanotube heading,
In the portion where the surfactant and the carbon nanotubes are combined, a space or gap is generated between adjacent carbon nanotubes among a plurality of carbon nanotubes to prevent aggregation of the carbon nanotubes,
The surfactant surrounds the carbon nanotube in the form of a micelle structure,
The surfactant surrounds the carbon nanotube in the longitudinal direction of the carbon nanotube,
The range of the log value of the sheet resistance value is 7.7 to 8.2,
The matrix material is a transparent antistatic film for a display device comprising the following material.
상기 방향성 분자는,
피리딘(Pyridine), 피렌(Pyrene) 및 포르피린(Porphyrin) 중 하나인 것을 특징으로 하는 투명 정전기 방지막.The method of claim 1,
The aromatic molecule is
A transparent antistatic film, characterized in that it is one of pyridine, pyrene, and porphyrin.
상기 투명 정전기 방지막의 면저항(Sheet Resistance)은 전면에 걸쳐 균일한 것을 특징으로 하는 투명 정전기 방지막.The method of claim 1,
The transparent antistatic film, characterized in that the sheet resistance (Sheet Resistance) is uniform over the entire surface of the transparent antistatic film.
상기 하부 기판에 대향하는 상부 기판; 및
상기 상부 기판 상에 위치하는 표시장치 용 투명 정전기 방지막을 포함하되,
상기 표시장치 용 투명 정전기 방지막은,
매트릭스(Matrix) 물질, 상기 매트릭스 물질에 균일하게 분산되어 있는 다수의 탄소나노튜브, 상기 다수의 탄소나노튜브 중 일부 탄소나노튜브에 결합되어 있는 계면활성제 및 상기 다수의 탄소나노튜브 중 상기 계면활성제가 결합되어 있지 않은 탄소나노튜브에 결합되어 있는 분산 고분자를 포함하고,
상기 분산 고분자와 상기 탄소나노튜브의 결합에는 비극성 분자 간의 힘인 반데르 발스의 인력이 작용되고,
상기 분산 고분자는 방향성 분자를 포함하며, 상기 분산 고분자와 상기 탄소나노튜브가 결합된 부분에서는 상기 방향성 분자와 상기 탄소나노튜브가 파이-파이 스택킹(π-π stacking)에 의해 인접한 다수의 상기 탄소나노튜브들 간에 간극이 발생하여 다수의 상기 탄소나노튜브들이 분산되며,
상기 계면활성제는 소수성 부분 및 상기 소수성 부분에 연결된 친수성 부분을 포함하고, 상기 계면활성제의 상기 소수성 부분은 상기 탄소나노튜브의 표면에 흡착되고 상기 계면활성제의 상기 친수성 부분은 상기 탄소나노튜브의 외측을 향하고,
상기 계면활성제와 상기 탄소나노튜브가 결합된 부분에서는 다수의 상기 탄소나노튜브들 중 인접한 탄소나노튜브 사이에 공간 또는 간극이 발생하여 탄소나노튜브의 뭉침이 방지되고,
상기 계면활성제는 미셀 구조 형태로 상기 탄소나노튜브를 감싸며,
상기 계면활성제가 상기 탄소나노튜브의 길이 방향으로 상기 탄소나노튜브를 둘러싸며,
면저항 값의 로그 값의 범위가 7.7 내지 8.2이고,
상기 투명 정전기 방지막의 상기 매트릭스 물질은 하기 물질을 포함하는 표시장치.
lower substrate;
an upper substrate facing the lower substrate; and
A transparent antistatic film for a display device positioned on the upper substrate,
The transparent antistatic film for the display device,
A matrix material, a plurality of carbon nanotubes uniformly dispersed in the matrix material, a surfactant coupled to some carbon nanotubes among the plurality of carbon nanotubes, and the surfactant among the plurality of carbon nanotubes It contains a dispersed polymer bonded to the carbon nanotubes that are not bonded,
Van der Waals' attractive force, which is a force between non-polar molecules, is applied to the bonding between the dispersed polymer and the carbon nanotube,
The dispersed polymer includes a directional molecule, and in a portion where the dispersed polymer and the carbon nanotube are combined, the aromatic molecule and the carbon nanotube are pi-a plurality of the carbons adjacent by pi stacking (π-π stacking). A gap is generated between the nanotubes, so that a plurality of the carbon nanotubes are dispersed,
The surfactant includes a hydrophobic portion and a hydrophilic portion connected to the hydrophobic portion, wherein the hydrophobic portion of the surfactant is adsorbed on the surface of the carbon nanotube and the hydrophilic portion of the surfactant is outside the carbon nanotube heading,
In the portion where the surfactant and the carbon nanotubes are combined, a space or gap is generated between adjacent carbon nanotubes among a plurality of the carbon nanotubes to prevent aggregation of the carbon nanotubes,
The surfactant surrounds the carbon nanotube in the form of a micelle structure,
The surfactant surrounds the carbon nanotube in the longitudinal direction of the carbon nanotube,
The range of the log value of the sheet resistance value is 7.7 to 8.2,
The matrix material of the transparent antistatic layer includes the following material.
상기 상부 기판 상에 위치하는 편광필름을 더 포함하고,
상기 표시장치 용 투명 정전기 방지막은 상기 상부 기판과 상기 편광필름 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시장치.7. The method of claim 6,
Further comprising a polarizing film positioned on the upper substrate,
and the transparent antistatic film for the display device is positioned between the upper substrate and the polarizing film.
상기 표시장치 용 투명 정전기 방지막의 면저항(Sheet Resistance)은 전면에 걸쳐 균일한 것을 특징으로 하는 표시장치.7. The method of claim 6,
The display device, characterized in that the sheet resistance of the transparent antistatic film for the display device is uniform over the entire surface.
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KR1020140173516A KR102326209B1 (en) | 2014-12-05 | 2014-12-05 | Transparent anti static electricity film and display device having the same |
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