KR102325427B1 - Filter for filtering harmonics and intermodulation components by adding multiple resonators and a three-dimensional structure thereof - Google Patents
Filter for filtering harmonics and intermodulation components by adding multiple resonators and a three-dimensional structure thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR102325427B1 KR102325427B1 KR1020200159361A KR20200159361A KR102325427B1 KR 102325427 B1 KR102325427 B1 KR 102325427B1 KR 1020200159361 A KR1020200159361 A KR 1020200159361A KR 20200159361 A KR20200159361 A KR 20200159361A KR 102325427 B1 KR102325427 B1 KR 102325427B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pattern
- inductor
- capacitor
- resonator
- short stub
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 무선 기기 분야에서 사용되는 제품으로 제거하고자 하는 주파수 대역을 동시에 제어하는 특정을 가지는 필터에 관한 기술이다.The present invention is a product used in the field of wireless devices, and relates to a filter having a characteristic for simultaneously controlling a frequency band to be removed.
무선 통신의 경우 유선 통신에 비해 감쇠나 잡음의 영향이 크므로 무선 통신 기기의 경우 송신단에서 보낸 신호를 수신단에서 해석하기 위해서는 비선형 소자를 활용하여 만든 앰프나 믹서 등이 필수적이다.In the case of wireless communication, the effect of attenuation or noise is greater than that of wired communication, so in the case of wireless communication devices, an amplifier or mixer made using non-linear elements is essential in order to interpret the signal sent from the transmitting end at the receiving end.
그러나 비선형 소자를 활용한 앰프나 믹서 등을 이용해 시스템을 구성할 경우 입출력 특성이 비선형이기 때문에 기본 주파수의 배수가 되는 주파수 성분에 하모닉(Harmonic)이 생성된다. 이러한 하모닉 성분은 신호를 정현파에 정보를 실어서 보내는 통신에 잡음 및 유도 장해를 일으키는 요인으로 작용한다.However, when a system is configured using an amplifier or mixer using non-linear elements, harmonics are generated in frequency components that are multiples of the fundamental frequency because the input/output characteristics are non-linear. Such a harmonic component acts as a factor causing noise and induced interference in communication that transmits a signal with information loaded on a sine wave.
종래에도 이러한 하모닉 성분을 제거하기 위해 스터브를 활용한 공진기를 이용하였지만, 이러한 접근 방식은 한 가지 대역폭의 신호를 처리하는 무선 통신 기기의 하모닉 성분을 제거하기 위한 용도로만 이용하는 것이므로 한 개의 공진기를 활용하여 하모닉 성분을 제거했으며, 이는 여러 가지 대역폭의 신호를 처리하는 무선 통신 기기에서는 하모닉 이외에 여러 주파수로 인한 인터모듈레이션(Intermodulation, 혼변조) 성분까지 제거하기에는 추가적인 필터가 필요하여 필터의 소형화가 어렵다. In the prior art, a resonator using a stub was used to remove such a harmonic component, but this approach is used only for removing the harmonic component of a wireless communication device that processes a signal of one bandwidth. The harmonic component is removed, and it is difficult to reduce the size of the filter because an additional filter is required to remove the intermodulation component due to multiple frequencies in addition to the harmonic in a wireless communication device that processes signals of various bandwidths.
참고로, 인터모듈레이션 성분은 비선형 소자를 통한 RF 신호 처리 과정에서, 두 개의 다른 입력 주파수 신호의 하모닉 주파수들끼리의 합과 차로 조합된 출력 주파수 성분으로서 원래 신호에 방해되는 왜곡 요소이다.For reference, the intermodulation component is an output frequency component that is combined with the sum and difference of harmonic frequencies of two different input frequency signals in the process of processing an RF signal through a nonlinear element, and is a distortion component that interferes with the original signal.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 다중 주파수 대역을 가진 시스템에서 사용되는 필터 중에서 앰프 다음에 사용되는 필터로서 LPF와 BPF의 특성을 동시 만족시키는 하모닉 성분뿐만 아니라 인터모듈레이션 성분까지 동시에 제거하는 특성을 갖는 세라믹 필터을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is not only a harmonic component that simultaneously satisfies the characteristics of LPF and BPF, but also a filter used after an amplifier among filters used in a system with multiple frequency bands. An object of the present invention is to provide a ceramic filter having a property of simultaneously removing intermodulation components.
본 발명의 전술한 목적들 및 그 이외의 목적과 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부된 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해진다. The above and other objects, advantages and features of the present invention, and a method for achieving them will become clear when referring to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings.
본 발명의 일면에 따른 다중 공진기를 추가하여 하모닉 및 인터모듈레이션 성분을 제거하기 위한 필터는, 제1 인덕터(L1), 상기 제1 인덕터(L1)의 양측 단자에 연결되는 제4 및 제5 인덕터(L4 및 L5), 상기 제4 인덕터와 연결되는 입력 포트(10)와 상기 제5 인덕터와 연결되는 출력 포트(20), 상기 제1 인덕터와 상기 제4 인덕터에 공통으로 연결되는 제2 인덕터(L2)와 상기 제2 인덕터와 접지 사이를 연결하는 제1 커패시터(C1) 및 상기 제1 인덕터와 상기 제5 인덕터에 공통으로 연결되는 제3 인덕터(L3)와 상기 제3 인덕터와 접지 사이를 연결하는 제2 커패시터(C2)를 포함하고, 하모닉 성분 및 인터모듈레이션 성분을 제거하기 위해, 상기 입력 포트와 상기 제4 인덕터 사이와 접지 사이에서 병렬로 연결되는 제1 공진기(30)와 제3 공진기(50); 및 상기 출력 포트와 상기 제5 인덕터 사이와 접지 사이에서 병렬로 연결된 제2 공진기(40)와 제4 공진기(60)를 더 포함한다.A filter for removing harmonic and intermodulation components by adding a multi-resonator according to an aspect of the present invention includes a first inductor (L1), fourth and fifth inductors (L1) connected to both terminals of the first inductor (L1) ( L4 and L5), an
본 발명의 다른 일면에 따른 필터의 3차원 구조체는, 입력 포트 패턴(10P)에 병렬로 연결되는 제1 및 제3 공진기와 출력 포트 패턴(20P)에 병렬로 연결된 제2 및 제4 공진기를 포함하는 필터로서, 상기 제1 공진기는 직렬로 연결된 제1 단락 스터브 패턴(ST1P)과 제3 커패시터 패턴(C3P)을 포함하고, 상기 제3 공진기는 직렬로 연결된 제3 단락 스터브 패턴(ST3P)과 제5 커패시터 패턴(C5P)을 포함하고, 상기 제2 공진기는 직렬로 연결된 제2 단락 스터브 패턴(ST2P)과 제4 커패시터 패턴(C4P)을 포함하고, 상기 제4 공진기는 직렬로 연결된 제4 단락 스터브 패턴(ST4P)과 제6 커패시터 패턴(C6P)을 포함하도록 구성하여, 상기 입력 포트를 통해 입력되는 신호에 포함된 하모닉 성분 및 인터모듈레이션 성분을 동시에 제거하여 상기 출력 포트 통해 출력하는 필터의 3차원 구조체로서, 상기 입력 포트 패턴과 상기 출력 포트 패턴이 패터닝되는 제1층; 비아(V1)를 통해 상기 입력 포트 패턴과 연결되는 상기 제1 단락 스터브 패턴(ST1P), 비아(V2)를 통해 상기 출력 포트 패턴과 연결되는 상기 제2 단락 스터브 패턴(ST2P), 상기 제3 단락 스터브 패턴(ST3P) 및 상기 제4 단락 스터브 패턴(ST4P)가 패터닝된 제2층; 제2층 내지 제6층에 걸쳐 형성된 비아(V12)를 통해 상기 제1 단락 스터브 패턴(ST1P)과 연결되는 상기 제3 커패시터 패턴(C3P)과 제2층 내지 제6층을 걸쳐 형성된 비아(V13)를 통해 제2 단락 스터브 패턴(ST2P)과 연결되는 상기 제4 커패시터 패턴(C4P)이 패터닝된 제6층; 제2층 내지 제7층에 걸쳐 형성된 비아(V16)를 통해 상기 제3 단락 스터브 패턴(ST3P)과 연결되는 제5 커패시터 패턴(C5P)과 제2층 내지 제7층에 걸쳐 형성된 비아(V17)를 통해 상기 제4 단락 스터브 패턴(ST4P)과 연결되는 상기 제6 커패시터 패턴(C6P)이 패터닝된 제7층; 및 상기 제3 내지 제6 커패시터 패턴에 대향하는 공통 전극으로 역할하는 접지판이 패터닝된 제8층을 포함한다.The three-dimensional structure of the filter according to another aspect of the present invention includes first and third resonators connected in parallel to the
본 발명에 따르면, 기존의 LPF(Low Pass Filter) 및 BPF(Band Pass Filter)에서 발생하는 3차 하모닉 성분은 물론 믹서기(Mixer) 등과 같은 부품을 추가할 시 발생할 수 있는 인터모듈레이션 성분까지 공진기를 병결로 추가 연결하여 필터의 특성을 개선함으로써 기존의 LPF 및 BPF에서 쉽게 적용을 할 수 있다.According to the present invention, the resonator is combined with the third harmonic component generated from the existing LPF (Low Pass Filter) and BPF (Band Pass Filter) as well as the intermodulation component that can occur when adding components such as a mixer. It can be easily applied to the existing LPF and BPF by further connecting to the filter to improve the characteristics of the filter.
또한, 직렬로 연결된 스터브(Stub)와 커패시터(Capacitor) 구조를 병렬로 연결함으로써 필터 사이즈의 증가 없이 하모닉 및 인터모듈레이션 성분을 모두 제어할 수 있다.In addition, by connecting a stub and a capacitor connected in series in parallel, both harmonic and intermodulation components can be controlled without increasing the filter size.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 하모닉 및 인터모듈레이션 성분을 모두 제거하도록 구현된 필터의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 필터의 3차원 구조를 나타내는 도면이다.
도 3 내지 10은 도 2에 도시한 3차원 구조에서 각 층의 예시적인 레이아웃을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a circuit diagram of a filter implemented to remove both harmonic and intermodulation components according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a three-dimensional structure of a filter according to an embodiment of the present invention.
3 to 10 are views for explaining an exemplary layout of each layer in the 3D structure shown in FIG. 2 .
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can have various changes and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 하모닉 및 인터모듈레이션 성분을 모두 제거하도록 제안된 필터의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a filter proposed to remove both harmonic and intermodulation components according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 필터는, 예를 들면, BFP 필터일 수 있으나, 이를 한정하는 것은 아니다.Referring to FIG. 1 , a filter according to an embodiment of the present invention may be, for example, a BFP filter, but is not limited thereto.
본 발명의 실시예에 따른 필터는 다중 주파수 대역을 갖는 통신 시스템에서 사용될 수 있으며, 예를 들면, 그 통신 시스템 내에서 설계된 앰프의 출력단에 사용될 수 있다. The filter according to the embodiment of the present invention may be used in a communication system having multiple frequency bands, for example, may be used in an output stage of an amplifier designed in the communication system.
이러한 필터는 입력 포트(10), 출력 포트(20), 제1 내지 제5 인덕터(L1~L5), 제1 및 제2 커패시터(C1, C2), 제1 내지 제 4 공진기(30, 30, 50 및 60)을 포함한다.These filters include an
먼저, 입력 포트(10)는 제4 인덕터(L4)의 일단자(L4a)와 연결되고, 제4 인덕터(L4)의 타단자(L4b)는 제1 인덕터(L1)의 일단자(L1a)와 연결된다. First, the
제1 인덕터(L1)의 타단자(L1b)는 제5 인덕터(L5)의 일단자(L5a)와 연결되고, 제5 인덕터(L5)의 타단자(L5b)는 출력 포트(20)에 연결된다.The other terminal L1b of the first inductor L1 is connected to one terminal L5a of the fifth inductor L5 , and the other terminal L5b of the fifth inductor L5 is connected to the
제2 인덕터(L2)의 일단자(L2a)는 제1 인덕터(L1)의 일단자(L1a)와 제4 인덕터(L4)의 타단자(L4b)에 공통으로 연결된다. 제2 인덕턱(L2)의 타단자(L2b)는 제1 커패시터(C1)의 일단자(C1a)에 연결된다. 그리고 제1 커패시터(C1)의 타단자(C1b)는 접지(GND)에 연결된다.One terminal L2a of the second inductor L2 is commonly connected to one terminal L1a of the first inductor L1 and the other terminal L4b of the fourth inductor L4. The other terminal L2b of the second inductor L2 is connected to one terminal C1a of the first capacitor C1. And the other terminal C1b of the first capacitor C1 is connected to the ground GND.
제3 인덕터(L3)의 일단자(L3a)는 제1 인덕터(L1)의 타단자(L1b)와 제5 인덕터(L5)의 일단자(L5a)에 공통으로 연결된다. 제3 인덕터(L3)의 타단자(L3b)는 제2 커패시터(C2)의 일단자(C2a)와 연결되고, 제2 커패시터(C2)의 타단자(C2b)는 접지(GND)에 연결된다.One terminal L3a of the third inductor L3 is commonly connected to the other terminal L1b of the first inductor L1 and one terminal L5a of the fifth inductor L5. The other terminal L3b of the third inductor L3 is connected to one terminal C2a of the second capacitor C2, and the other terminal C2b of the second capacitor C2 is connected to the ground GND.
제1 공진기(30)는 제1 단락 스터브(ST1)와 제1 단락 스터브(ST1)와 직렬로 연결된 제3 커패시터(C3)를 포함한다. 제1 단락 스터브(ST1)의 일단자(ST1a)는 입력 포트(10)와 제4 인덕터(L4)의 일단자(L4a)에 공통으로 연결되고, 제1 단락 스터브(ST1)의 타단자(ST1b)는 제3 커패시터(C3)의 일단자(C3a)와 연결되고, 제3 커패시터(C3)의 타단자(C3b)는 접지(GND)에 연결된다. The
제1 공진기(30)에 병렬로 연결된 제3 공진기(50)는 제3 단락 스터브(ST3)와 제3 단락 스터브(ST3)에 직렬로 연결된 제5 커패시터(C5)를 포함한다. 제3 단락 스터브(ST3)의 일단자(ST3a)는 입력 포트(10), 제1 단락 스터브(ST1)의 일단자(ST1a) 및 제4 인덕터(L4)의 일단자(L4a)에 공통으로 연결되고, 제3 단락 스터브(ST3)의 타단자(ST3b)는 제5 커패시터(C5)의 일단자(C5a)에 연결된다. 제5 커패시터(C5)의 타단자(C5b)는 접지(GND)에 연결된다. The
제2 공진기(40)는 제2 단락 스터브(ST2)와 제2 단락 스터브(ST2)에 직렬로 연결된 제4 커패시터(C4)를 포함한다. 제2 단락 스터브(ST2)의 일단자(ST2a)는 제5 인덕터(L5)의 타단자(L5b) 및 출력 포트(20)에 공통으로 연결된다. 제2 단락 스터브(ST2)의 타단자(ST2b)는 제4 커패시터(C4)의 일단자(C4a)와 연결되고, 제4 커패시터(C4)의 타단자(C4b)는 접지(GND)에 연결된다.The
제2 공진기(40)에 병렬로 연결된 제4 공진기(60)는 제4 단락 스터브(ST4)와 제4 단락 스터브(ST4)에 직렬로 연결된 제6 커패시터(C6)를 포함한다. 제4 단락 스터브(ST4)의 일단자(ST4a)는 출력 포트(20)와 제2 단락 스터브(ST2)의 일단자(ST2a) 및 제5 인덕터(L5)의 타단자(L5b)에 공통으로 연결되고, 제4 단락 스터브(ST4)의 타단자(ST4b)는 제6 커패시터(C6)의 일단자(C6a)와 연결되고, 제6 커패시터(C6)의 타단자(C6b)는 접지(GND)에 연결된다.The
제1 내지 제4 공진기(30, 40, 50, 60)내의 각 단락 스터브(ST1, ST2, ST3 및 ST4) 각각의 길이는, 예를 들면, λ/4의 길이로 설계될 수 있다. 이때, λ는 필터에서 사용하는 주파수에 해당하는 길이가 아니라 그 필터를 포함하는 통신 시스템에서 발생할 수 있는 최대 인터모듈레이션 주파수 성분에 해당하는 길이고, 그 최대 Intermodulation 주파수 성분은 상기 통신 시스템에서 발생가능한 최대 주파수이다. Each of the short stubs ST1 , ST2 , ST3 and ST4 in the first to
예를 들면, 필터 통과 대역이 1.2GHz이고, 15GHz의 주파수를 가진 대역폭까지 동시에 처리하는 통신 시스템일 경우, λ는 15 GHz에 해당한다. 만약, 다른 대역폭을 사용하는 통신 시스템의 경우 제거해야 할 주파수에 해당하는 공진기 길이를 적용시킨다.For example, in the case of a communication system in which a filter passband is 1.2 GHz and a bandwidth having a frequency of 15 GHz is simultaneously processed, λ corresponds to 15 GHz. If, in the case of a communication system using a different bandwidth, a resonator length corresponding to the frequency to be removed is applied.
이처럼 인터모듈레이션에 대응하는 길이 λ를 갖는 단락 스터브들(11, 13, 22 및 24)을 이용하여 공진기들을 설계함으로써, 하모닉 주파수 성분은 물론 인터모듈레이션 주파수 성분까지 동시에 제거할 수 있는 필터로 기능할 수 있게 된다.As such, by designing resonators using short stubs 11, 13, 22 and 24 having a length λ corresponding to intermodulation, it can function as a filter capable of simultaneously removing not only harmonic frequency components but also intermodulation frequency components. there will be
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 필터의 3차원 구조를 나타내는 도면이고, 도 3 내지 10은 도 2에 도시한 3차원 구조에서 각 층의 예시적인 레이아웃(layout)을 설명하기 위한 도면들이다.2 is a diagram illustrating a three-dimensional structure of a filter according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3 to 10 are views for explaining an exemplary layout of each layer in the three-dimensional structure illustrated in FIG. 2 .
본 발명의 실시 예에 따라 구현된 필터의 3차원 구조는 전체 8개의 층들로 이루어질 수 있으며, 설명의 이해를 돕기 위해, 도 1을 함께 참조하기로 한다.The three-dimensional structure of the filter implemented according to an embodiment of the present invention may consist of a total of eight layers, and in order to help the understanding of the description, reference will be made to FIG. 1 together.
먼저 도 3을 참조하면, 필터의 3차원 구조에서 제1층(탑(Top)층)에는 입력 포트(도 1의 10)에 대응하는 입력 포트 패턴(10P)과 출력 포트(도 1의 20)에 대응하는 출력 포트 패턴(20P)이 패터닝(디자인 또는 설계)된다.First, referring to FIG. 3 , in the first layer (Top layer) in the three-dimensional structure of the filter, an
도 4를 참조하면, 제2층에는 제1 단락 스터브(도 1의 ST1)를 형성하는 제1 단락 스터브 패턴(ST1P), 제3 단락 스터브(도 1의 ST3)에 대응하는 제3 단락 스터브 패턴(ST3P), 제4 인덕터(도 1의 L4)의 일부를 형성하는 제4-1 인덕터 패턴(L4P_1), 제2 단락 스터브(도 1의 ST2)를 형성하는 제2 단락 스터브 패턴(ST2P), 제4 단락 스터브(도 1의 ST4)를 형성하는 제4 단락 스터브 패턴(ST4P), 제5 인덕터(L5)의 일부를 형성하는 제5-1 인덕터 패턴(L5P_1) 및 제5-2 인덕터 패턴(L5P_2)이 패터닝(디자인 또는 설계)된다. 제1 단락 스터브 패턴(ST1P)은 직선 라인 형태를 가지며, 그 일단부가 비아(V1)를 통해 그 상부(제1층)에 패터닝된 입력 포트 패턴(도 3의 10P)과 전기적으로 연결된다. 제3 단락 스터브 패턴(ST3P)은 직선 라인 형태를 가지며, 제1 단락 스터브 패턴(ST1P)의 타단부로부터 연장된다. 즉, 제1 단락 스터브 패턴과 제3 단락 스터브 패턴은 일체형으로 이루어진 것일 수 있다. 제4-1 인덕터 패턴(L4P_1)는 제1 단락 스터브 패턴(ST1P)의 일단부로부터 연장되어 사각 라인 형태를 패터닝된다. 제2 단락 스터브 패턴(SP2P)은 제1 단락 스터브 패턴(ST1P)과 동일하게 직선 라인 형태를 가지며, 그 일단부가 비아(V2)를 통해 그 상부(제1층)에 패터닝된 출력 포트 패턴(도 3의 20P)과 전기적으로 연결된다. 제4 단락 스터브 패턴(ST4P)은 제3 단락 스터브 패턴(도 1의 ST3P)과 동일하게 직선 라인 형태를 가지며, 제2 단락 스터브 패턴(ST2P)의 타단부로부터 연장된다. 즉, 제2 단락 스터브 패턴(ST2P)와 제4 단락 스터브 패턴(ST4P)은 일체형으로 이루어진 것일 수 있다. 제5-1 인덕터 패턴(L5P_1)는 제2 단락 스터브 패턴(SP2P)의 일단부로부터 연장되어 제4-1 인덕터 패턴(L4P_1)와 대칭되는 사각 라인 형태를 패터닝된다. 제5-1 인덕터 패턴(L5P_1)과 함께 제5 인덕터(L5)의 일부를 형성하는 제5-2 인덕터 패턴(L5P_2)는 제5-1 인덕터 패턴(L5P_1), 제2 및 제4 단락 스터브 패턴들(ST2P 및ST4P)과 물리적으로 분리되고, 제2층이 레이아웃 상에서 제5-1 인덕터 패턴(L5P_1)의 위쪽에 사각 라인 형태를 패터닝된다.Referring to FIG. 4 , in the second layer, a first shorted stub pattern ST1P forming a first shorted stub (ST1 in FIG. 1 ), and a third shorted stub pattern corresponding to the third shorted stub (ST3 in FIG. 1 ) (ST3P), a 4-1 inductor pattern (L4P_1) forming a part of the fourth inductor (L4 in FIG. 1), a second shorting stub pattern (ST2P) forming a second shorting stub (ST2 in FIG. 1), The fourth shorting stub pattern ST4P forming the fourth shorting stub (ST4 in FIG. 1 ), the 5-1 inductor pattern L5P_1 and the 5-2 inductor pattern forming a part of the fifth inductor L5 ( ST4 in FIG. 1 ) L5P_2) is patterned (designed or designed). The first short stub pattern ST1P has a straight line shape, and one end thereof is electrically connected to the input port pattern (10P in FIG. 3 ) patterned on the upper portion (the first layer) through the via V1 . The third short stub pattern ST3P has a straight line shape and extends from the other end of the first short stub pattern ST1P. That is, the first short stub pattern and the third short stub pattern may be integrally formed. The 4-1 th inductor pattern L4P_1 extends from one end of the first short stub pattern ST1P and is patterned in a rectangular line shape. The second short stub pattern SP2P has the same straight line shape as the first short stub pattern ST1P, and one end of the output port pattern (FIG. 3) and electrically connected to 20P). The fourth short stub pattern ST4P has the same straight line shape as the third short stub pattern ST3P of FIG. 1 , and extends from the other end of the second short stub pattern ST2P. That is, the second short stub pattern ST2P and the fourth short stub pattern ST4P may be integrally formed. The 5-1 th inductor pattern L5P_1 extends from one end of the second short stub pattern SP2P and is patterned in a rectangular line shape symmetrical with the 4-1 th inductor pattern L4P_1 . The 5-2 inductor pattern L5P_2 that forms a part of the fifth inductor L5 together with the 5-1 inductor pattern L5P_1 includes the 5-1 inductor pattern L5P_1 and the second and fourth short stub patterns. It is physically separated from the ST2P and ST4P, and the second layer is patterned in the form of a square line above the 5-1 inductor pattern L5P_1 on the layout.
도 5를 참조하면, 제3층에는 제2층에 패터닝된 제4-1 인덕터 패턴(L4P_1)와 함께 제4 인덕터(도 1의 L4)를 형성하는 제4-2 인덕터 패턴(L4P_2), 제2층에 패터닝된 제5-1 인덕터 패턴(L5P_1)과 함께 제5 인덕터(도 1의 L5)를 형성하는 제5-2 인덕터 패턴(L5P_2) 및 도 1에 도시한 제1 인덕터(L1)의 일부를 형성하는 제1-1 인덕터 패턴(L1P_1)이 패터닝된다. 제4-2 인덕터 패턴(L4P_2)은 5개의 부위에서 90도로 절곡된 구조로 지그재그 형상의 라인으로 패터닝되며, 그 일단부가 비아(V3)를 통해 제2층에 패터닝된 제4-1 인덕터 패턴(L4P_1)의 끝단부와 전기적으로 연결된다. 인덕터 패턴(L5P_2)은 제4-2 인덕터 패턴(L4P_2) 및 제1-1 인덕터 패턴(L1P_1)과 물리적으로 분리된 형태로 설계되며, 3개의 부위에서 90도로 절곡된 구조로 'ㄷ'자 형상으로 패터닝되며, 그 일단부가 비아(V5)를 통해 제2 층에 패터닝된 제5-1 인덕터 패턴(L5P_1)의 한쪽 단부와 전기적으로 연결된다. 제1-1 인덕터 패턴(L1P_1)은 제3층의 레이아웃 상에서 제5-2 인덕터 패턴(L5P_2)의 위쪽에 배치되며, 대체로 'L'자 형상을 갖도록 패터닝된다. 제1-1 인덕터 패턴(L1P_1)은 비아(V6)를 통해 제2층에 패터닝된 제5-2 인덕터 패턴(L5P-2)의 일단부와 전기적으로 연결된다.Referring to FIG. 5 , in the third layer, a 4-2 inductor pattern L4P_2 and a fourth inductor pattern L4P_2 forming a fourth inductor (L4 in FIG. 1 ) together with the 4-1 inductor pattern L4P_1 patterned in the second layer The 5-2 inductor pattern L5P_2 forming the fifth inductor (L5 in FIG. 1) together with the 5-1 inductor pattern L5P_1 patterned on the second layer and the first inductor L1 shown in FIG. 1 The 1-1 inductor pattern L1P_1 forming a part is patterned. The 4-2 inductor pattern L4P_2 is patterned in a zigzag-shaped line with a structure bent at 90 degrees at five sites, and one end of the 4-1 inductor pattern (L4P_2) is patterned on the second layer through the via V3. It is electrically connected to the end of L4P_1). The inductor pattern L5P_2 is designed to be physically separated from the 4-2 inductor pattern L4P_2 and the 1-1 inductor pattern L1P_1. , and one end thereof is electrically connected to one end of the 5-1 th inductor pattern L5P_1 patterned on the second layer through the via V5. The 1-1 inductor pattern L1P_1 is disposed above the 5-2 inductor pattern L5P_2 on the layout of the third layer, and is generally patterned to have an 'L' shape. The 1-1 inductor pattern L1P_1 is electrically connected to one end of the 5-2 th inductor pattern L5P-2 patterned on the second layer through the via V6.
도 6을 참조하면, 제4층에는 제1-1 인덕터 패턴(L1P_1)과 함께 도 1에 도시한 제1 인덕터(L1)의 일부를 형성하는 제1-2 인덕터 패턴(L1P_2)과 도 1에 도시한 제2 인덕터(L2)의 일부를 형성하는 제2-1 인덕터패 패턴(L2P_1)이 패터닝된다. 제1-2 인덕터 패턴(L1P_2)는 '┍'와 같이 한 부위가 90도로 절곡된 구조로 패터닝된다. 제2-1 인덕터패 패턴(L2P_1)은 제1-2 인덕터 패턴(L1P_2)의 한쪽 끝단부로부터 직선형태로 연장되도록 패터닝된다. 제1-2 인덕터 패턴(L1P_2)과 제2-1 인덕터패 패턴(L2P_1)은 비아(V7)를 통해 제3층에 패터닝된 제4-2 인덕터 패턴(L4P_2)의 한쪽 단부와 전기적으로 연결된다. Referring to FIG. 6 , in the fourth layer, the 1-2 inductor pattern L1P_2 forming a part of the first inductor L1 shown in FIG. 1 together with the 1-1 inductor pattern L1P_1 and the A 2-1 inductor pattern L2P_1 forming a part of the illustrated second inductor L2 is patterned. The 1-2 inductor pattern L1P_2 is patterned to have a structure in which one portion is bent at 90 degrees as shown in '┍'. The 2-1 inductor pattern L2P_1 is patterned to extend in a straight line from one end of the 1-2 inductor pattern L1P_2. The 1-2 th inductor pattern L1P_2 and the 2-1 th inductor pattern L2P_1 are electrically connected to one end of the 4-2 th inductor pattern L4P_2 patterned on the third layer through the via V7 .
도 7을 참조하면, 제5층에는 제2-1 인덕터 패턴(L2P_1)과 함께 도 1에 도시한 제2 인덕터(L2)의 일부를 형성하는 제2-2 인덕터 패턴(L2P_2)과 도 1에 도시한 제3 인덕터(L3)의 일부를 형성하는 제3-1 인덕터 패턴(L3P_1)이 패터닝된다. 제2-2 인덕터 패턴(L2P_2)은 사각 라인 형상으로 패터닝되며, 비아(V8)을 통해 제4층에 패터닝된 제2-1 인덕터 패턴(L2P_1)의 한쪽 끝단부와 전기적으로 연결된다. 제3-1 인덕터 패턴(L3P_1)은 제2-2 인덕터 패턴(L2P_2)과 거의 동일한 형상으로 패터닝되며, 비아(V9)를 통해 제3층에 패터닝된 제5-2 인덕터 패턴(LSP_2)의 한쪽 단부와 전기적으로 연결된다.Referring to FIG. 7 , in the fifth layer, the 2-2 inductor pattern L2P_2 forming a part of the second inductor L2 shown in FIG. 1 together with the 2-1 inductor pattern L2P_1 and the A 3-1 inductor pattern L3P_1 forming a part of the illustrated third inductor L3 is patterned. The 2-2nd inductor pattern L2P_2 is patterned in a rectangular line shape, and is electrically connected to one end of the 2-1th inductor pattern L2P_1 patterned on the fourth layer through the via V8. The 3-1 th inductor pattern L3P_1 is patterned to have substantially the same shape as the 2-2 th inductor pattern L2P_2 , and one side of the 5-2 th inductor pattern LSP_2 patterned on the third layer through the via V9 electrically connected to the end.
도 8을 참조하면, 제6층에는 제4층 및 제5층에 각각 형성된 제2-1 인덕터 패턴(L2P_1) 및 제2-2 인덕터 패턴(L2P_2)과 함께 제2 인덕터(L2)의 일부를 형성하는 제2-3 인덕터 패턴(L2P_3)과 제5층에 패터닝된 제3-1 인덕터 패턴(L3P_2)과 함께 제3 인덕터(L3)를 형성하는 제3-2 인덕터 패턴(L3P_2)이 패터닝된다. 제2-3 인덕터 패턴(L2P_3)과 제3-2 인덕터 패턴(L3P_2)은 동일한 레이아웃상에서 물리적으로 분리되고, 서로 동일한 'U'자 형상으로 패터닝된다. 제2-3 인덕터 패턴(L2P_3)은 비아(V10)를 통해 제5층에 패터닝된 제2-2 인덕터 패턴의 일단과 전기적으로 연결되고, 제3-2 인덕터 패턴(L3P_2)은 비아(V11)를 통해 제5층에 패터닝된 제3-1 인덕터 패턴(L3P_1)과 전기적으로 연결된다.Referring to FIG. 8 , in the sixth layer, a portion of the second inductor L2 is formed along with the 2-1 inductor pattern L2P_1 and the 2-2 inductor pattern L2P_2 formed in the fourth and fifth layers, respectively. A 3-2 inductor pattern L3P_2 forming the third inductor L3 is patterned together with the 2-3 inductor pattern L2P_3 and the 3-1 inductor pattern L3P_2 patterned on the fifth layer. . The 2-3rd inductor pattern L2P_3 and the 3-2nd inductor pattern L3P_2 are physically separated on the same layout and patterned in the same 'U' shape. The 2-3rd inductor pattern L2P_3 is electrically connected to one end of the 2-2nd inductor pattern patterned on the fifth layer through the via V10, and the 3-2nd inductor pattern L3P_2 is the via V11. is electrically connected to the 3-1 th inductor pattern L3P_1 patterned on the fifth layer through
또한, 제6층에는 도 1에 도시한 제3 커패시터(C3)의 상부 전극을 형성하는 제3 커패시터 패턴(C3P)과 도 1에 도시한 제4 커패시터(C4)의 상부 전극을 형성하는 제4 커패시터 패턴(C4P)이 더 패터닝된다. 도 10에 도시한 제8층에 형성된 접지판은 상부 전극으로 역할하는 제3 커패시터 패턴(C3P)에 대향하는 하부 전극으로 역할하여 제3 커패시터(C3)를 형성하게 된다. 동일하게 제8층에 형성된 접지판은 상부 전극으로 역할하는 제4 커패시터 패턴(C4P)에 대향하는 하부 전극으로 역할하여 제4 커패시터(C4)를 형성하게 된다. 제3 커패시터 패턴(C3P)과 제4 커패시터 패턴(C4P)은 제2-3 인덕터 패턴(L2P_3)과 제3-2 인덕터 패턴(L3P_2)을 사이에 두고, 양쪽에 배치된다. 제3 커패시터 패턴(C3P)은 제6층, 제5층, 제4층, 제3층 및 제2층에 걸쳐 형성된 비아(V12)를 통해 제2층에 패터닝된 제1 단락 스터브 패턴(ST1P)과 전기적으로 연결된다. 이때, 비아(V12)는 하나의 비아이거나 제6층, 제5층, 제4층, 제3층 및 제2층 별로 구분되는 다수의 비아들을 포함하는 것으로 볼 수 있다. 유사하게, 제4 커패시터 패턴(C4P)은 제6층, 제5층, 제4층, 제3층 및 제2층에 걸쳐 형성된 비아(V13)를 통해 제2층에 패터닝된 제2 단락 스터브(ST2P)와 전기적으로 연결된다. 마찬가지로, 이때, 비아(V13)는 하나의 비아이거나 제6층, 제5층, 제4층, 제3층 및 제2층 별로 구분되는 다수의 비아들을 포함하는 것으로 볼 수 있다.In addition, in the sixth layer, the third capacitor pattern C3P forming the upper electrode of the third capacitor C3 shown in FIG. 1 and the fourth capacitor C3P forming the upper electrode of the fourth capacitor C4 shown in FIG. 1 are formed on the sixth layer. The capacitor pattern C4P is further patterned. The ground plate formed on the eighth layer shown in FIG. 10 serves as a lower electrode opposite to the third capacitor pattern C3P serving as an upper electrode to form a third capacitor C3. Similarly, the ground plate formed in the eighth layer serves as a lower electrode opposite to the fourth capacitor pattern C4P serving as an upper electrode to form a fourth capacitor C4. The third capacitor pattern C3P and the fourth capacitor pattern C4P are disposed on both sides of the 2-3 inductor pattern L2P_3 and the 3-2 inductor pattern L3P_2 therebetween. The third capacitor pattern C3P is a first short stub pattern ST1P patterned on the second layer through the via V12 formed across the sixth layer, the fifth layer, the fourth layer, the third layer, and the second layer. is electrically connected to In this case, the via V12 may be viewed as a single via or including a plurality of vias divided by the sixth layer, the fifth layer, the fourth layer, the third layer, and the second layer. Similarly, the fourth capacitor pattern C4P has a second short stub patterned in the second layer through the via V13 formed across the sixth layer, the fifth layer, the fourth layer, the third layer, and the second layer. ST2P) and electrically connected. Similarly, in this case, the via V13 may be considered as one via or a plurality of vias divided by the sixth layer, the fifth layer, the fourth layer, the third layer, and the second layer.
도 9를 참조하면, 제7층에는 제1 커패시터(도 1의 C1)의 상부 전극으로 역할을 하는 제1 커패시터 패턴(C1P), 제2 커패시터(도 1의 C2)의 상부 전극으로 역할을 하는 제2 커패시터 패턴(C2P), 제5 커패시터(도 1의 C5)의 상부 전극으로 역할을 하는 제5 커패시터 패턴(C5P) 및 제6 커패시터(도 1의 C6)의 상부 전극으로 역할을 하는 제6 커패시터 패턴(C6P)이 패터닝된다.Referring to FIG. 9 , the seventh layer has a first capacitor pattern C1P serving as an upper electrode of the first capacitor (C1 in FIG. 1 ), and an upper electrode of the second capacitor (C2 in FIG. 1 ). The second capacitor pattern C2P, the fifth capacitor pattern C5P serving as the upper electrode of the fifth capacitor (C5 in FIG. 1), and the sixth capacitor serving as the upper electrode of the sixth capacitor (C6 in FIG. 1) The capacitor pattern C6P is patterned.
도 10에 도시한 제8층에 패터닝된 접지판은 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 커패시터 패턴(C1P, C2P, C5P 및 C6P)의 공통 하부 전극으로 역할을 하여, 제1, 제2, 제5 및 제6 커패시터(C1, C2, C5, C6)를 각각 형성한다.The ground plate patterned on the eighth layer shown in FIG. 10 serves as a common lower electrode of the first, second, fifth and sixth capacitor patterns C1P, C2P, C5P and C6P, The second, fifth and sixth capacitors C1, C2, C5, and C6 are respectively formed.
한편, 제1 커패시터 패턴(C1P)은 비아(V14)를 통해 제6층에 패터닝된 제2-3 인덕터 패턴(L2P_3)과 전기적으로 연결되고, 제2 커패시터 패턴(C2P)은 비아(V15)를 통해 제6층에 패터닝된 제3-2 인덕터 패턴(L3P_2)과 전기적으로 연결된다.Meanwhile, the first capacitor pattern C1P is electrically connected to the 2-3th inductor pattern L2P_3 patterned on the sixth layer through the via V14, and the second capacitor pattern C2P connects the via V15. is electrically connected to the 3-2 inductor pattern L3P_2 patterned on the sixth layer through the
그리고 제5 커패시터 패턴(C5P)은 제7층, 제6층, 제5층, 제4층, 제3층 및 제2층에 걸쳐 형성된 비아(V16)을 통해 제2층에 패터닝된 제3 단락 스터브 패턴(ST3P)와 전기적으로 연결되고, 유하게, 제6 커패시터 패턴(C6P)은 제7층, 제6층, 제5층, 제4층, 제3층 및 제2층에 걸쳐 형성된 비아(V17)을 통해 제2 층에 패터닝된 제4 단락 스터브 패턴(ST4P)와 전기적으로 연결된다. In addition, the fifth capacitor pattern C5P has a third short circuit patterned in the second layer through the via V16 formed across the seventh layer, the sixth layer, the fifth layer, the fourth layer, the third layer, and the second layer. Electrically connected to the stub pattern ST3P, and similarly, the sixth capacitor pattern C6P is a via ( V17) and is electrically connected to the fourth short stub pattern ST4P patterned on the second layer.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with reference to the limited embodiments and drawings, various modifications and variations are possible by those skilled in the art from the above description. For example, the described techniques are performed in a different order than the described method, and/or the described components of the system, structure, apparatus, circuit, etc. are combined or combined in a different form than the described method, or other components Or substituted or substituted by equivalents may achieve an appropriate result.
Claims (8)
하모닉 성분 및 인터모듈레이션 성분을 제거하기 위해,
상기 입력 포트와 상기 제4 인덕터 사이와 접지 사이에서 병렬로 연결되는 제1 공진기(30)와 제3 공진기(50); 및
상기 출력 포트와 상기 제5 인덕터 사이와 접지 사이에서 병렬로 연결된 제2 공진기(40)와 제4 공진기(60)
를 더 포함하는 다중 공진기를 추가하여 하모닉 및 인터모듈레이션 성분을 제거하기 위한 필터.a first inductor L1, fourth and fifth inductors L4 and L5 connected to both terminals of the first inductor L1, an input port 10 connected to the fourth inductor, and the fifth inductor; an output port 20 connected to, a second inductor L2 commonly connected to the first inductor and the fourth inductor, a first capacitor C1 connected between the second inductor and ground, and the first inductor and a third inductor (L3) commonly connected to the fifth inductor and a second capacitor (C2) connected between the third inductor and ground,
To remove harmonic components and intermodulation components,
a first resonator 30 and a third resonator 50 connected in parallel between the input port and the fourth inductor and between the ground; and
A second resonator (40) and a fourth resonator (60) connected in parallel between the output port and the fifth inductor and between the ground
Filter for removing harmonic and intermodulation components by adding a multi-resonator further comprising a.
상기 제1 공진기는 직렬로 연결된 제1 단락 스터브와 제3 커패시터를 포함하고,
상기 제3 공진기는 직렬로 연결된 제3 단락 스터브와 제5 커패시터를 포함하고,
상기 제2 공진기는 직렬로 연결된 제2 단락 스터브와 제4 커패시터를 포함하고,
상기 제4 공진기는 직렬로 연결된 제4 단락 스터브와 제6 커패시터를 포함하는 것인 다중 공진기를 추가하여 하모닉 및 인터모듈레이션 성분을 제거하기 위한 필터.In claim 1,
The first resonator includes a first shorting stub and a third capacitor connected in series,
The third resonator includes a third shorting stub and a fifth capacitor connected in series,
The second resonator includes a second short stub and a fourth capacitor connected in series,
The fourth resonator is a filter for removing harmonic and intermodulation components by adding a multi-resonator including a fourth short stub and a sixth capacitor connected in series.
상기 제1 내지 제4 단락 스터브 각각은 λ/4의 길이로 설계되고,
상기 λ는,
상기 필터에서 사용하는 주파수에 해당하는 길이가 아니라 그 필터를 포함하는 통신 시스템에서 발생할 수 있는 최대 인터모듈레이션 주파수 성분에 해당하는 길이인 것인 다중 공진기를 추가하여 하모닉 및 인터모듈레이션 성분을 제거하기 위한 필터.In claim 2,
Each of the first to fourth short stubs is designed with a length of λ/4,
The λ is,
Filter for removing harmonics and intermodulation components by adding a multi-resonator whose length corresponds to the maximum intermodulation frequency component that can occur in a communication system including the filter, not the length corresponding to the frequency used in the filter .
상기 최대 인터모듈레이션 주파수 성분은, 상기 통신 시스템에서 발생가능한 최대 주파수인 것인 다중 공진기를 추가하여 하모닉 및 인터모듈레이션 성분을 제거하기 위한 필터. In claim 3,
The maximum intermodulation frequency component is a filter for removing harmonics and intermodulation components by adding a multi-resonator that is a maximum frequency that can be generated in the communication system.
상기 입력 포트 패턴과 상기 출력 포트 패턴이 패터닝되는 제1층;
비아(V1)를 통해 상기 입력 포트 패턴과 연결되는 상기 제1 단락 스터브 패턴(ST1P), 비아(V2)를 통해 상기 출력 포트 패턴과 연결되는 상기 제2 단락 스터브 패턴(ST2P), 상기 제3 단락 스터브 패턴(ST3P) 및 상기 제4 단락 스터브 패턴(ST4P)가 패터닝된 제2층;
제2층 내지 제6층에 걸쳐 형성된 비아(V12)를 통해 상기 제1 단락 스터브 패턴(ST1P)과 연결되는 상기 제3 커패시터 패턴(C3P)과 제2층 내지 제6층을 걸쳐 형성된 비아(V13)를 통해 제2 단락 스터브 패턴(ST2P)과 연결되는 상기 제4 커패시터 패턴(C4P)이 패터닝된 제6층;
제2층 내지 제7층에 걸쳐 형성된 비아(V16)를 통해 상기 제3 단락 스터브 패턴(ST3P)과 연결되는 제5 커패시터 패턴(C5P)과 제2층 내지 제7층에 걸쳐 형성된 비아(V17)를 통해 상기 제4 단락 스터브 패턴(ST4P)과 연결되는 상기 제6 커패시터 패턴(C6P)이 패터닝된 제7층; 및
상기 제3 내지 제6 커패시터 패턴에 대향하는 공통 전극으로 역할하는 접지판이 패터닝된 제8층
을 포함하는 필터의 3차원 구조체.A filter including first and third resonators connected in parallel to the input port pattern 10P and second and fourth resonators connected in parallel to the output port pattern 20P, wherein the first resonator is a first resonator connected in series a short stub pattern ST1P and a third capacitor pattern C3P, wherein the third resonator includes a third short stub pattern ST3P and a fifth capacitor pattern C5P connected in series, the second resonator includes a second short stub pattern ST2P and a fourth capacitor pattern C4P connected in series, and the fourth resonator includes a fourth short stub pattern ST4P and a sixth capacitor pattern C6P connected in series In a three-dimensional structure of a filter that simultaneously removes a harmonic component and an intermodulation component included in a signal input through the input port and outputs it through the output port,
a first layer on which the input port pattern and the output port pattern are patterned;
The first short stub pattern ST1P connected to the input port pattern through a via V1, the second short stub pattern ST2P connected to the output port pattern through a via V2, and the third short circuit a second layer on which the stub pattern ST3P and the fourth short stub pattern ST4P are patterned;
The third capacitor pattern C3P connected to the first short stub pattern ST1P through the via V12 formed across the second to sixth layers and the via V13 formed across the second to sixth layers a sixth layer patterned with the fourth capacitor pattern C4P connected to the second short stub pattern ST2P through );
A fifth capacitor pattern C5P connected to the third short stub pattern ST3P through a via V16 formed across the second to seventh layers and a via V17 formed across the second to seventh layers a seventh layer patterned with the sixth capacitor pattern C6P connected to the fourth short stub pattern ST4P through and
An eighth layer patterned with a ground plate serving as a common electrode facing the third to sixth capacitor patterns
A three-dimensional structure of a filter containing
상기 제3 단락 스터브 패턴(ST3P)은 상기 제1 단락 스터브 패턴(ST1P)의 한쪽 단부로부터 연장되는 것인 필터의 3차원 구조체.In claim 5,
The third short stub pattern ST3P extends from one end of the first short stub pattern ST1P.
상기 제4 단락 스터브 패턴(ST4P)은 상기 제2 단락 스터브 패턴(ST2P)의 한쪽 단부로부터 연장되는 것인 필터의 3차원 구조체.In claim 5,
The fourth short stub pattern ST4P extends from one end of the second short stub pattern ST2P.
제1 내지 제4 단락 스터브 패턴은 직선의 라인 형태로 이루어진 것인 필터의 3차원 구조체.In claim 5,
The first to fourth short stub patterns are a three-dimensional structure of a filter that is formed in the form of a straight line.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200159361A KR102325427B1 (en) | 2020-11-24 | 2020-11-24 | Filter for filtering harmonics and intermodulation components by adding multiple resonators and a three-dimensional structure thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200159361A KR102325427B1 (en) | 2020-11-24 | 2020-11-24 | Filter for filtering harmonics and intermodulation components by adding multiple resonators and a three-dimensional structure thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR102325427B1 true KR102325427B1 (en) | 2021-11-12 |
Family
ID=78497489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200159361A KR102325427B1 (en) | 2020-11-24 | 2020-11-24 | Filter for filtering harmonics and intermodulation components by adding multiple resonators and a three-dimensional structure thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102325427B1 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080079246A (en) * | 2005-11-28 | 2008-08-29 | 티디케이가부시기가이샤 | Bandpass filter with multiple attenuation poles |
KR20090030856A (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-25 | 인천대학교 산학협력단 | Microstrip bandpass filter |
KR20130123731A (en) * | 2012-05-03 | 2013-11-13 | 한국전자통신연구원 | Band pass filter of rf communication system |
KR20160077927A (en) * | 2014-12-24 | 2016-07-04 | 전자부품연구원 | Filter for harmonic rejection |
KR20170116436A (en) * | 2016-04-11 | 2017-10-19 | 전자부품연구원 | Amplifier module |
-
2020
- 2020-11-24 KR KR1020200159361A patent/KR102325427B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080079246A (en) * | 2005-11-28 | 2008-08-29 | 티디케이가부시기가이샤 | Bandpass filter with multiple attenuation poles |
KR20090030856A (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-25 | 인천대학교 산학협력단 | Microstrip bandpass filter |
KR20130123731A (en) * | 2012-05-03 | 2013-11-13 | 한국전자통신연구원 | Band pass filter of rf communication system |
KR20160077927A (en) * | 2014-12-24 | 2016-07-04 | 전자부품연구원 | Filter for harmonic rejection |
KR20170116436A (en) * | 2016-04-11 | 2017-10-19 | 전자부품연구원 | Amplifier module |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10554195B2 (en) | Band-pass filter and branching filter | |
JP6822764B2 (en) | Demultiplexer | |
WO2012172909A1 (en) | Demultiplexer | |
JPWO2016158954A1 (en) | High frequency filter, front end circuit, and communication device | |
JP4627791B2 (en) | Balance-unbalance conversion circuit | |
JP2008271187A (en) | Branch circuit | |
KR102325427B1 (en) | Filter for filtering harmonics and intermodulation components by adding multiple resonators and a three-dimensional structure thereof | |
JP6411288B2 (en) | Ladder filters, duplexers and modules | |
RU2601200C2 (en) | Harmonic filter for short-wave transmitter | |
JP6307008B2 (en) | Band pass filter and multiplexer / demultiplexer | |
CN111342789A (en) | Filter unit with coupling inductor, filter and electronic equipment | |
JP2020028013A (en) | Filter and multiplexer | |
KR102203271B1 (en) | Filter for harmonic rejection | |
CN107681236B (en) | Filter device with wide stop band suppression | |
JPWO2012127952A1 (en) | Electronic components | |
WO2024082296A1 (en) | Filter, integrated passive device, electronic device, and display apparatus | |
CN114725637B (en) | Laminated electronic component | |
JP3207455U (en) | Micro diplexer with improved separation and loss | |
CN118266170A (en) | Filter, integrated passive device, electronic device and display device | |
TWI675388B (en) | Electronic parts | |
Rao et al. | Elliptical function based differential band pass filter for IF signal processing and EMI applications | |
JP2021170805A (en) | Filter and electronic device | |
KR101591878B1 (en) | Resonacne device and filter including the same | |
CN114866053A (en) | Miniaturized high-suppression LTCC high-pass filter | |
RU2513762C2 (en) | Band-pass lc filter with constant input resistance in stop-bands |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |