KR102322564B1 - Method for producing metal oxide nanostructures using microwave plasma device, metal oxide nanostructures manufactured using the same, and photocatalysts including the metal oxide nanostructures - Google Patents
Method for producing metal oxide nanostructures using microwave plasma device, metal oxide nanostructures manufactured using the same, and photocatalysts including the metal oxide nanostructures Download PDFInfo
- Publication number
- KR102322564B1 KR102322564B1 KR1020190131866A KR20190131866A KR102322564B1 KR 102322564 B1 KR102322564 B1 KR 102322564B1 KR 1020190131866 A KR1020190131866 A KR 1020190131866A KR 20190131866 A KR20190131866 A KR 20190131866A KR 102322564 B1 KR102322564 B1 KR 102322564B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal oxide
- gas
- plasma
- oxide nanostructure
- synthesized
- Prior art date
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 71
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 96
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 abstract description 5
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 78
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 67
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 11
- 241001455273 Tetrapoda Species 0.000 description 10
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- CXKWCBBOMKCUKX-UHFFFAOYSA-M methylene blue Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC2=[S+]C3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 CXKWCBBOMKCUKX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229960000907 methylthioninium chloride Drugs 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IWHXNINOLLNFGP-ZAGWXBKKSA-N Cl.CCOc1ccc(cc1)\N=N\c1ccc(N)cc1N Chemical compound Cl.CCOc1ccc(cc1)\N=N\c1ccc(N)cc1N IWHXNINOLLNFGP-ZAGWXBKKSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- QTWZICCBKBYHDM-UHFFFAOYSA-N leucomethylene blue Chemical compound C1=C(N(C)C)C=C2SC3=CC(N(C)C)=CC=C3NC2=C1 QTWZICCBKBYHDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000013032 photocatalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/14—Methods for preparing oxides or hydroxides in general
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/122—Incoherent waves
- B01J19/126—Microwaves
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/06—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of zinc, cadmium or mercury
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/002—Catalysts characterised by their physical properties
- B01J35/004—Photocatalysts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/02—Solids
- B01J35/023—Catalysts characterised by dimensions, e.g. grain size
-
- B01J35/39—
-
- B01J35/40—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/34—Irradiation by, or application of, electric, magnetic or wave energy, e.g. ultrasonic waves ; Ionic sputtering; Flame or plasma spraying; Particle radiation
- B01J37/341—Irradiation by, or application of, electric, magnetic or wave energy, e.g. ultrasonic waves ; Ionic sputtering; Flame or plasma spraying; Particle radiation making use of electric or magnetic fields, wave energy or particle radiation
- B01J37/344—Irradiation by, or application of, electric, magnetic or wave energy, e.g. ultrasonic waves ; Ionic sputtering; Flame or plasma spraying; Particle radiation making use of electric or magnetic fields, wave energy or particle radiation of electromagnetic wave energy
- B01J37/346—Irradiation by, or application of, electric, magnetic or wave energy, e.g. ultrasonic waves ; Ionic sputtering; Flame or plasma spraying; Particle radiation making use of electric or magnetic fields, wave energy or particle radiation of electromagnetic wave energy of microwave energy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G9/00—Compounds of zinc
- C01G9/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
- C01P2004/16—Nanowires or nanorods, i.e. solid nanofibres with two nearly equal dimensions between 1-100 nanometer
Abstract
본 발명은 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 이용한 금속산화물 나노구조체의 제조방법, 이에 따라 제조된 금속산화물 나노구조체 및 금속산화물 나노구조체 포함하는 광촉매에 관한 것으로, 주입되는 플라즈마 가스에서 산화성 가스의 종류에 따라, 금속산화물 나노구조체 형태의 제어가 가능할 수 있으며, 마이크로웨이브 플라즈마를 사용함으로써 빠르고 연속적인 단일 공정으로 금속산화물 나노구조체를 제조할 수 있다.The present invention relates to a method for manufacturing a metal oxide nanostructure using a microwave plasma apparatus, and to a photocatalyst comprising a metal oxide nanostructure and a metal oxide nanostructure prepared thereby, depending on the type of oxidizing gas in the injected plasma gas, metal It may be possible to control the shape of the oxide nanostructures, and by using microwave plasma, it is possible to manufacture the metal oxide nanostructures in a single, fast and continuous process.
Description
본 발명은 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 이용한 금속산화물 나노구조체의 제조방법, 이에 따라 제조된 금속산화물 나노구조체 및 금속산화물 나노구조체 포함하는 광촉매에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a metal oxide nanostructure using a microwave plasma apparatus, and to a photocatalyst including the metal oxide nanostructure and the metal oxide nanostructure prepared accordingly.
나노 기술은 21세기 과학기술의 핵심기술로서 전통제조산업과 접목되어 기술혁신을 유도할 뿐만 아니라, IT, BT, CT 등의 첨단기술과 융합한 미래핵심전략사업을 한층 고도화시킬 수 있는 기반기술로서 차세대 성장동력으로 인식되고 있다.As a core technology of 21st century science and technology, nanotechnology is not only inducing technological innovation by being grafted with traditional manufacturing industry, but also as a base technology that can further advance future core strategic businesses that are converged with cutting-edge technologies such as IT, BT, and CT. It is recognized as a next-generation growth engine.
이와 같은 첨단기술 등에 적용되는 나노소재를 제조하는 방법은 고상합성법, 액상합성법 및 기상합성법 등이 있다.Methods for manufacturing nanomaterials applied to such advanced technologies include a solid-phase synthesis method, a liquid-phase synthesis method, and a vapor phase synthesis method.
고상합성법은 일반적으로 많이 사용되는 합성방법으로 각각의 단일상 금속, 금속산화물 또는 금속탄산염을 초기 원료로 사용하여 조성비를 맞추고 혼합한 후, 고온에서 열처리(하소)하여 화학반응, 즉 혼합분말 간에 고용 반응(solid solution reaction) 을 일으킴으로써 새로운 상을 갖는 화합물을 합성하는 방법이다. 이 방법에 의한 금속산화물 분말의 합성은 혼합분말의 고용 반응이 일어나는 접촉면적뿐만 아니라 혼합의 정도에 따라서 많은 영향을 받는다. 이러한 고상합성법은 분쇄공정 중에 불순물의 혼입이나, 나노분말의 불균일한 응집현상으로 인하여 고품질의 나노분말을 제조하는데 적합하지 않다.The solid-phase synthesis method is a commonly used synthesis method. Each single-phase metal, metal oxide or metal carbonate is used as an initial raw material, the composition ratio is adjusted and mixed, and then heat-treated (calcined) at high temperature to chemical reaction, that is, solid solution between mixed powders. It is a method of synthesizing a compound having a new phase by causing a solid solution reaction. The synthesis of metal oxide powder by this method is greatly affected by the degree of mixing as well as the contact area where the solid solution reaction of the mixed powder occurs. This solid-phase synthesis method is not suitable for producing high-quality nanopowders due to the incorporation of impurities during the pulverization process or non-uniform aggregation of the nanopowders.
아울러, 액상합성법은 반응물질의 효율적인 혼합 방법으로 구성 성분의 분자들 사이에서 반응이 일어날 수 있다. 액상합성법에는 침전법, 공침법, 졸-겔 반응 등이 포함된다. 각각의 금속을 함유하는 금속유기화합물 또는 금속 유기염 물질을 액상에 용해시킨 후, 화학반응을 조절하여 두 물질이 반응시키면서 난용성인 침전물이나, 고분자 물질이 되는 침전반응 또는 졸-겔 반응을 통하여 복합 금속 화합물질을 형성한다. 이렇게 얻은 복합 금속화합물을 공기 중에서 열처리하여 유기물질들은 휘발시키고, 각각의 금속들이 산소와 결합되면서 복합 금속산화 분말을 제조한다. 이러한 액상합성법은 고상합성법에 비하여 낮은 온도에서 단일상의 금속 화합물질을 합성할 수 있다는 이점이 있으며, 고순도, 미립자, 균일혼합 등의 관점에서 액상합성법이 널리 사용되고 있으나, 그 공정이 복잡하고, 출발 원료도 고가라는 단점이 있다.In addition, the liquid phase synthesis method is an efficient mixing method of reactants, and a reaction may occur between molecules of the constituent components. The liquid phase synthesis method includes a precipitation method, a co-precipitation method, and a sol-gel reaction. After dissolving a metal-organic compound or metal-organic salt material containing each metal in a liquid phase, the chemical reaction is controlled and the two materials react to form a poorly soluble precipitate, a polymer material, or complex through a precipitation reaction or a sol-gel reaction. Forms metal compounds. By heat-treating the obtained composite metal compound in air, organic materials are volatilized, and each metal is combined with oxygen to produce a composite metal oxide powder. This liquid phase synthesis method has the advantage of synthesizing a single-phase metal compound at a lower temperature than the solid phase synthesis method, and the liquid phase synthesis method is widely used in terms of high purity, fine particles, uniform mixing, etc., but the process is complicated and the starting material It also has the disadvantage of being expensive.
한편, 기상합성법은 반응 속도가 높고 고순도의 입자를 얻을 수 있기 때문에 가장 선호되고 있지만, 고온의 온도를 유지하는 것에 많은 에너지가 필요하고, 연속공정에 어려움이 있는 문제가 있다.On the other hand, the gas phase synthesis method is the most preferred because it has a high reaction rate and can obtain high-purity particles, but it requires a lot of energy to maintain a high temperature, and there is a problem in that a continuous process is difficult.
이러한 단점을 극복하기 위하여, 플라즈마를 이용한 합성방법이 제안되었다. 플라즈마를 이용한 합성방법은 마이크로웨이브(microwave), 라디오 주파수(radio-frequency; RF) 등의 고주파 파워소스를 이용하여 단시간에 나노입자를 합성하는 방법이다. 그러나, 이러한 경우, 저압에서 이루어지는 공정 상 진공 시스템의 요구와 연속공정이 어려운 문제가 있었다.In order to overcome these shortcomings, a synthesis method using plasma has been proposed. The synthesis method using plasma is a method of synthesizing nanoparticles in a short time using a high-frequency power source such as microwave or radio-frequency (RF). However, in this case, there is a problem in that it is difficult to require a vacuum system and a continuous process in a process performed at a low pressure.
이러한 문제를 해결하고자, 대기압 마이크로웨이브 플라즈마 토치 시스템을 이용하여 산화아연(ZnO)을 합성하는 방법이 제안되었고, 수십에서 수백 나노미터 크기를 갖는 nanorod, tripod, tetrapod, cluster 등 다양한 입자들이 혼재되어 있는 합성결과가 보고되어왔다. 그러나, 고순도의 산소(O2), 질소(N2) 가스를 사용하고, 가스 유량 비의 변경을 통해 입자의 형태를 제어하고자 하였으나, 합성되는 입자의 형태 제어가 어려운 문제가 있었다.To solve this problem, a method of synthesizing zinc oxide (ZnO) using an atmospheric pressure microwave plasma torch system has been proposed, and various particles such as nanorods, tripods, tetrapods, and clusters having a size of tens to hundreds of nanometers are mixed. Synthetic results have been reported. However, using high-purity oxygen (O 2 ) and nitrogen (N 2 ) gas, and trying to control the shape of the particles by changing the gas flow ratio, there was a problem in that it is difficult to control the shape of the particles to be synthesized.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 주입되는 플라즈마 가스에서 산화성 가스의 종류를 변경하여, 금속산화물 나노구조체 형태의 제어가 가능한 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 이용한 금속산화물 나노구조체의 제조방법, 이에 따라 제조된 금속산화물 나노구조체 및 금속산화물 나노구조체 포함하는 광촉매를 제공하고자 한다.The present invention is to solve the above problems, by changing the type of oxidizing gas in the injected plasma gas, a method of manufacturing a metal oxide nanostructure using a microwave plasma apparatus capable of controlling the form of a metal oxide nanostructure, according to An object of the present invention is to provide a photocatalyst including the prepared metal oxide nanostructure and the metal oxide nanostructure.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면,In order to achieve the above object, according to an embodiment of the present invention,
마이크로웨이브 플라즈마 장치에 산화성 가스를 포함하는 플라즈마 가스를 주입하고, 금속원료를 투입하는 단계; 및injecting a plasma gas containing an oxidizing gas into the microwave plasma apparatus, and injecting a metal raw material; and
마이크로웨이브 플라즈마 장치에 주입된 금속원료는 플라즈마 가스와 반응하여 금속산화물 나노구조체를 합성하는 단계; 를 포함하며,The metal raw material injected into the microwave plasma apparatus reacts with the plasma gas to synthesize a metal oxide nanostructure; includes,
상기 산화성 가스의 종류에 따라 합성되는 금속산화물 나노구조체 형태를 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법을 제공한다.It provides a method of manufacturing a metal oxide nanostructure, characterized in that it is possible to control the shape of the synthesized metal oxide nanostructure according to the type of the oxidizing gas.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면,In addition, according to an embodiment of the present invention,
금속산화물 나노구조체의 제조방법에 의해서 제조되는 금속산화물 나노구조체를 제공한다.Provided is a metal oxide nanostructure manufactured by a method for manufacturing a metal oxide nanostructure.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면,In addition, according to an embodiment of the present invention,
흡수 파장이 500 내지 700 nm 범위인 금속산화물 나노구조체를 포함하는 광촉매를 제공한다.It provides a photocatalyst comprising a metal oxide nanostructure having an absorption wavelength in the range of 500 to 700 nm.
본 발명의 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 이용한 금속산화물 나노구조체의 제조방법에 의하면, 주입되는 플라즈마 가스에서 산화성 가스의 종류에 따라, 금속산화물 나노구조체 형태의 제어가 가능한 이점이 있다.According to the method of manufacturing a metal oxide nanostructure using the microwave plasma apparatus of the present invention, there is an advantage that the shape of the metal oxide nanostructure can be controlled according to the type of the oxidizing gas in the injected plasma gas.
아울러, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속산화물 나노구조체의 제조방법은 마이크로웨이브 플라즈마를 사용함으로써 빠르고 연속적인 단일 공정으로 금속산화물 나노구조체를 제조할 수 있다.In addition, the method for manufacturing a metal oxide nanostructure according to an embodiment of the present invention can manufacture a metal oxide nanostructure in a single, fast and continuous process by using microwave plasma.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속산화물 나노구조체의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 2는 실시예 1에서 ZnO 합성시 사용한 마이크로파 플라즈마 장치의 모식도이다.
도 3은 비교예 1의 Zn 입자와 실시예 1~3에서 합성된 ZnO 나노재료의 XRD 분석 결과를 나타내는 그래프이다.
도 4는 실시예 1~3에서 합성된 ZnO 나노재료의 SEM 분석 이미지를 나타내는 도면이다((a) 실시예 1, (b) 실시예 2, (c) 실시예 3).
도 5는 실시예 1~3에서 합성된 ZnO 나노재료의 형상 및 입자크기를 보여주는 그래프이다.
도 6은 실시예 1~3에서 합성된 ZnO 나노재료의 photo luminescence(PL) 스펙트럼을 보여주는 그래프이다.
도 7은 메틸렌블루(methylene blue; MB)를 이용하여 실시예 1을 통해 합성된 ZnO 나노재료의 광촉매 특성 평과 결과를 보여주는 사진이다((a) 0분, (b) 15분, (c) 30분).1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a metal oxide nanostructure according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic diagram of a microwave plasma apparatus used for synthesizing ZnO in Example 1. FIG.
3 is a graph showing the results of XRD analysis of the Zn particles of Comparative Example 1 and the ZnO nanomaterials synthesized in Examples 1 to 3;
4 is a view showing SEM analysis images of ZnO nanomaterials synthesized in Examples 1 to 3 ((a) Example 1, (b) Example 2, (c) Example 3).
5 is a graph showing the shape and particle size of the ZnO nanomaterial synthesized in Examples 1 to 3;
6 is a graph showing photoluminescence (PL) spectra of ZnO nanomaterials synthesized in Examples 1 to 3;
7 is a photograph showing the evaluation results of the photocatalytic properties of the ZnO nanomaterial synthesized in Example 1 using methylene blue (MB) ((a) 0 min, (b) 15 min, (c) 30 minute).
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다.Since the present invention can have various changes and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.
본 발명에서, “포함한다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In the present invention, terms such as “comprising” or “having” are intended to designate that the features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification exist, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the possibility of addition or existence of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
본 발명은 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 이용한 금속산화물 나노구조체의 제조방법, 이에 따라 제조된 금속산화물 나노구조체 및 금속산화물 나노구조체 포함하는 광촉매에 관한 것으로, 보다 상세하게는 원료 분말인 금속입자를 대기압 마이크로웨이브 플라즈마 속으로 통과시켜 융해, 기화시키고 플라즈마 화학반응을 통해 금속산화물 나노재료를 합성할 수 있는 금속산화물 나노구조체의 제조방법, 이에 따라 제조된 금속산화물 나노구조체 및 금속산화물 나노구조체를 포함하는 광촉매에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a metal oxide nanostructure using a microwave plasma apparatus, and to a photocatalyst comprising a metal oxide nanostructure and a metal oxide nanostructure prepared accordingly, and more particularly, to a metal particle as a raw material powder by atmospheric pressure microwave A method for producing a metal oxide nanostructure capable of fusion and vaporization by passing into plasma and synthesizing a metal oxide nanomaterial through a plasma chemical reaction, and a photocatalyst comprising the metal oxide nanostructure and the metal oxide nanostructure prepared accordingly will be.
종래의 나노소재를 제조하는 방법은 고상합성법, 액상합성법 및 기상합성법 등이 있다. 이 중, 고상합성법은 분쇄공정 중에 불순물의 혼입이나 나노분말의 불균일한 응집현상으로 인하여 고품질의 나노분말을 제조하는데 적합하지 않았다. 그리고, 액상합성법은 공침법, 졸-겔법, 수열합성법등과 같은 액상 중의 반응으로 입자의 응집현상이 크고, 공정이 복잡하고 장시간이 요구되며 환경에 해로운 부산물로 인하여 상용화에 제약이 많은 문제점이 있었다. 한편 기상합성법은 반응 속도가 높고 고순도의 입자를 얻을 수 있기 때문에 가장 선호되고 있지만, 고온의 온도를 유지하는 것에 많은 에너지가 필요하고 연속공정에 어려움이 있다.Conventional methods for producing nanomaterials include a solid-phase synthesis method, a liquid-phase synthesis method, and a vapor phase synthesis method. Among them, the solid-phase synthesis method was not suitable for producing high-quality nanopowders due to the mixing of impurities or non-uniform aggregation of the nanopowders during the pulverization process. In addition, the liquid phase synthesis method has many problems in commercialization due to the large aggregation phenomenon of particles due to the reaction in the liquid phase such as coprecipitation method, sol-gel method, hydrothermal synthesis method, the process is complicated and long time is required, and there are many problems in commercialization due to harmful by-products to the environment. . On the other hand, the vapor phase synthesis method is the most preferred because it has a high reaction rate and can obtain high-purity particles, but it requires a lot of energy to maintain a high temperature and there is a difficulty in the continuous process.
이에, 본 발명은 상술한 문제점을 해결할 수 있으며, 특히, 주입되는 플라즈마 가스에서 산화성 가스의 종류를 변경하여, 금속산화물 나노구조체 형태의 제어가 가능한 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 이용한 금속산화물 나노구조체의 제조방법, 이에 따라 제조된 금속산화물 나노구조체 및 금속산화물 나노구조체 포함하는 광촉매를 제공한다.Accordingly, the present invention can solve the above problems, and in particular, by changing the type of oxidizing gas in the injected plasma gas, a method of manufacturing a metal oxide nanostructure using a microwave plasma apparatus capable of controlling the shape of the metal oxide nanostructure , thereby providing a photocatalyst comprising a metal oxide nanostructure and a metal oxide nanostructure prepared accordingly.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속산화물 나노구조체의 제조방법을 나타내는 순서도이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a metal oxide nanostructure according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속산화물 나노구조체의 제조방법은 마이크로웨이브 플라즈마 장치에 산화성 가스를 포함하는 플라즈마 가스를 주입하고, 금속원료를 투입하는 단계(S100); 및Referring to FIG. 1 , a method for manufacturing a metal oxide nanostructure according to an embodiment of the present invention includes injecting a plasma gas containing an oxidizing gas into a microwave plasma apparatus, and injecting a metal raw material (S100); and
마이크로웨이브 플라즈마 장치에 주입된 금속원료는 플라즈마 가스와 반응하여 금속산화물 나노구조체를 합성하는 단계; (S200); 를 포함한다.The metal raw material injected into the microwave plasma apparatus reacts with the plasma gas to synthesize a metal oxide nanostructure; (S200); includes
특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속산화물 나노구조체의 제조방법은 플라즈마 장치에 주입되는 플라즈마 가스에서 상기 산화성 가스의 종류에 따라 합성되는 금속산화물 나노구조체 형태의 제어가 가능한 것을 특징으로 한다.In particular, the method for manufacturing a metal oxide nanostructure according to an embodiment of the present invention is characterized in that it is possible to control the shape of the metal oxide nanostructure synthesized according to the type of the oxidizing gas in the plasma gas injected into the plasma apparatus.
본 발명의 실시예에서 산화성 가스의 종류에 따라 합성되는 금속산화물 나노구조체의 형태가 다르게 합성됨을 발견하였는데, 이는 실험예에서 후술하도록 한다.It was found that the form of the metal oxide nanostructure synthesized according to the type of the oxidizing gas is synthesized differently in the embodiment of the present invention, which will be described later in the experimental example.
참고로, 플라즈마는 일종의 전기 전도성을 가진 이온화된 기체로서 이온, 전자, 자유라디칼 및 기저상태와 여기 상태의 여러 화학종으로 이루어져 있어 매우 큰 반응성을 가진다. 이러한 플라즈마는 열 플라즈마와 저온 플라즈마로 나눌 수 있다.For reference, plasma is an ionized gas with a kind of electrical conductivity, and it has very high reactivity because it consists of ions, electrons, free radicals, and various chemical species in ground state and excited state. Such plasma can be divided into thermal plasma and low-temperature plasma.
본 발명에서의 플라즈마는 저온 플라즈마 중에서도 마이크로웨이브 방전(microwave discharge)으로 구현된 상압 플라즈마, 즉, 마이크로웨이브 플라즈마(microwave plasma)를 의미할 수 있다.Plasma in the present invention may refer to atmospheric plasma implemented by microwave discharge among low-temperature plasmas, that is, microwave plasma.
본 발명의 일 실시예에 따른 금속산화물 나노구조체의 제조방법은 이러한 마이크로웨이브 플라즈마를 이용하여, 추가적인 환원제의 사용 또는 후열처리 공정 없이, 간단하고 빠르게 금속산화물 나노구조체를 제조할 수 있다.The method for manufacturing a metal oxide nanostructure according to an embodiment of the present invention may use such a microwave plasma to simply and quickly manufacture a metal oxide nanostructure without the use of an additional reducing agent or a post-heat treatment process.
먼저, 마이크로웨이브 플라즈마 장치에 산화성 가스를 포함하는 플라즈마 가스를 주입하고, 금속원료를 투입하는 단계(S100)를 설명한다.First, the step (S100) of injecting a plasma gas containing an oxidizing gas into the microwave plasma apparatus and introducing a metal raw material will be described.
마이크로웨이브 플라즈마 장치는 2.45 GHz 마이크로파 발생기, 도파관 및 석영관를 포함하는 마이크로웨이브 플라즈마 장치 일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 마이크로웨이브 플라즈마 장치의 마이크로파 발생기와 도파관 사이에는 3-stub tuner가 있어 반사를 방지함으로써 상기 발생기를 보호할 수 있다. 아울러, 석영튜브는 테이퍼형의 도파관을 통과하여 설치되고, 대기압 플라즈마는 고밀도 및 온도로 석영관 내에서 방전될 수 있다.The microwave plasma device may be a microwave plasma device comprising a 2.45 GHz microwave generator, a waveguide and a quartz tube. More specifically, there is a 3-stub tuner between the microwave generator and the waveguide of the microwave plasma device to prevent reflection, thereby protecting the generator. In addition, the quartz tube is installed through the tapered waveguide, and atmospheric pressure plasma can be discharged in the quartz tube at a high density and temperature.
상기 마이크로웨이브 플라즈마 장치는 상압에서 과도한 가열 없이 높은 이온화도의 플라즈마를 얻을 수 있어 진공 유지와 관련된 장비 구축비용을 줄일 수 있으며, 내부의 전극 없이도 방전이 발생하기 때문에 시스템 구조가 간단하고 작동이 쉬운 장점을 가진다. 또한 전기적인 간섭에 의한 방해가 적다는 장점이 있다.The microwave plasma device can obtain plasma of high ionization degree without excessive heating at normal pressure, thereby reducing the equipment construction cost related to vacuum maintenance, and since discharge occurs without an internal electrode, the system structure is simple and easy to operate. have In addition, there is an advantage in that there is less interference due to electrical interference.
먼저, 상기 단계(S100)는 석영관의 한쪽 끝에 위치한 가스 유입구를 통하여 플라즈마 가스를 주입할 수 있다. 이때, 상기 플라즈마 가스는 산화성 가스를 포함할 수 있으며, 구체적으로, 상기 플라즈마 가스는 압축공기(Compressed air), O2 가스 및 N2 가스로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 가스를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 플라즈마 가스는 압축공기(Compressed air), O2 가스 또는 O2/N2 혼합가스를 포함할 수 있다. 특정 양태로서, 상기 산화성 가스가 O2/N2 혼합가스인 경우, O2 가스와 N2 가스가 10~90:90:10 의 부피비로 혼합될 수 있다. 구체적으로, O2 가스와 N2 가스는 30~88:70~12, 60~85:40~15, 70~83:30~17 일 수 있으며, 바람직하게는, O2 가스와 N2 가스는 80:20의 부피비로 혼합될 수 있다.First, in step S100, plasma gas may be injected through a gas inlet located at one end of the quartz tube. In this case, the plasma gas may include an oxidizing gas, and specifically, the plasma gas may include at least one gas selected from the group consisting of compressed air, O 2 gas, and N 2 gas. . More specifically, the plasma gas may include compressed air, O 2 gas, or O 2 /N 2 mixed gas. As a specific embodiment, when the oxidizing gas is O 2 /N 2 mixed gas, O 2 gas and N 2 gas may be mixed in a volume ratio of 10 to 90:90:10. Specifically, the O 2 gas and the N 2 gas may be 30-88:70-12, 60-85:40-15, 70-83:30-17, preferably, the O 2 gas and the N 2 gas are It may be mixed in a volume ratio of 80:20.
이때, 상기 플라즈마 가스의 유량은 5 내지 30 LPM 범위일 수 있으며, 7 내지 20 LPM 범위, 9 내지 15 LPM 범위일 수 있으며, 또는 평균 10 LPM 범위일 수 있다. 만일, 플라즈마 가스의 유량이 상기 범위 미만 또는 초과하는 경우, 대기압에서 플라즈마가 방전되지 않을 수 있다. 따라서, 상술한 범위가 바람직할 수 있다.In this case, the flow rate of the plasma gas may be in the range of 5 to 30 LPM, may be in the range of 7 to 20 LPM, may be in the range of 9 to 15 LPM, or may be in the range of 10 LPM on average. If the flow rate of the plasma gas is less than or exceeding the above range, the plasma may not be discharged at atmospheric pressure. Accordingly, the ranges described above may be preferred.
그리고, 석영관 내부로 금속원료를 투입할 수 있다. 구체적으로, 상기 금속원료는 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 세레늄(Se), 주석(Sn), 철(Fe), 규소(Si), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 텔루륨(Te), 바나듐(V), 텅스텐(W) 및 게르마늄(Ge)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있으며, 예를 들면, 아연(Zn)일 수 있다.In addition, a metal raw material may be introduced into the quartz tube. Specifically, the metal raw material is zinc (Zn), magnesium (Mg), serenium (Se), tin (Sn), iron (Fe), silicon (Si), titanium (Ti), zirconium (Zr), aluminum (Al) ), tellurium (Te), vanadium (V), tungsten (W), and may be at least one selected from the group consisting of germanium (Ge), for example, may be zinc (Zn).
한편, Zn, Mg, Se, Sn 등과 같이 융점이 낮은 금속은 금속 입자의 형태로 반응기에 주입하여 금속산화물 나노구조체의 합성이 가능할 수 있으며, Ti과 Si 등 융점이 높은 금속은 TiCl4, SiCl4 와 같이 금속을 포함하는 액상 전구체를 반응기에 주입하여 금속산화물 나노구조체의 합성이 가능하다.On the other hand, metals with low melting points, such as Zn, Mg, Se, Sn, etc., can be injected into the reactor in the form of metal particles to synthesize metal oxide nanostructures, and metals with high melting points such as Ti and Si are TiCl 4 , SiCl 4 It is possible to synthesize a metal oxide nanostructure by injecting a liquid precursor containing a metal into the reactor as shown.
특히, 금속원료가 입자 또는 분말 형태인 경우, 상기 금속원료는 진동자를 통해서 석영관의 플라즈마 기둥에 연속적으로 투입할 수 있다. 예를 들면, 평균 직경 10 ㎛의 구형 Zn 분말(Sigma-aldrich)을 석영관의 내부로 삽입할 수 있다.In particular, when the metal raw material is in the form of particles or powder, the metal raw material may be continuously introduced into the plasma column of the quartz tube through the vibrator. For example, spherical Zn powder (Sigma-aldrich) having an average diameter of 10 μm may be inserted into the quartz tube.
다음으로, 마이크로웨이브 플라즈마 장치에 주입된 금속원료는 플라즈마 가스와 반응하여 금속산화물 나노구조체를 합성하는 단계(S200)를 포함한다.Next, the metal raw material injected into the microwave plasma apparatus reacts with the plasma gas to synthesize the metal oxide nanostructure (S200).
구체적으로, 상기 금속산화물 나노구조체를 합성하는 단계(S200)는, 500 W 이상의 플라즈마 전력(plasma power)을 5초 내지 30분 동안 공급하여 플라즈마 처리할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 플라즈마 전력은 500 내지 1500 W 범위 일 수 있으며, 바람직하게는 700 내지 1000 W 범위일 수 있다. 특히, 플라즈마 전력이 500 W 미만인 경우에는 플라즈마 처리에 의한 금속산화물 나노구조체의 합성 효과가 미미할 수 있으며, 700~1000 W 에서 최대 효과가 나타나고 그 이상의 전력은 비효율적일 수 있다.Specifically, in the step of synthesizing the metal oxide nanostructure ( S200 ), plasma power of 500 W or more may be supplied for 5 seconds to 30 minutes to perform plasma treatment. More specifically, the plasma power may be in the range of 500 to 1500 W, preferably in the range of 700 to 1000 W. In particular, when the plasma power is less than 500 W, the effect of synthesizing the metal oxide nanostructures by the plasma treatment may be insignificant, and the maximum effect may appear at 700 ~ 1000 W, and power above that may be inefficient.
아울러, 플라즈마 처리 시간은 5초 내지 30 분 일 수 있으며, 또는 평균 10 분 일 수 있다. 만일, 플라즈마 처리 시간이 5 초 미만일 경우에는 플라즈마 처리에 금속산화물 나노구조체의 합성 효과가 미미할 수 있으며, 30 분 이하에서 최대 효과가 나타나므로 그 이상의 플라즈마 처리시간은 비효율적일 수 있다.In addition, the plasma treatment time may be 5 seconds to 30 minutes, or may be an average of 10 minutes. If the plasma treatment time is less than 5 seconds, the effect of synthesizing the metal oxide nanostructures in the plasma treatment may be insignificant, and since the maximum effect appears in 30 minutes or less, the plasma treatment time longer than that may be inefficient.
한편, 플라즈마 가스에 포함되는 산화성 가스의 종류에 따라 합성되는 금속산화물 나노구조체 형태의 제어가 가능한 것을 특징으로 한다. 구체적으로, 산화성 가스는, 압축공기(Compressed air), O2 가스 및 N2 가스로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 가스를 포함할 수 있으며, 나노구조체 형상은, 나노와이어(Nanowire), 나노로드(Nanorod) 및 테트라포드(Tetrapod)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.On the other hand, it is characterized in that it is possible to control the shape of the metal oxide nanostructure synthesized according to the type of the oxidizing gas contained in the plasma gas. Specifically, the oxidizing gas may include at least one gas selected from the group consisting of compressed air, O 2 gas, and N 2 gas, and the nanostructure shape is a nanowire, a nanorod (Nanorod) and tetrapod (Tetrapod) may be at least one selected from the group consisting of.
구체적으로, 상기 플라즈마 가스는 압축공기(Compressed air), O2 가스 및 N2 가스로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 가스를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 플라즈마 가스는 압축공기(Compressed air), O2 가스 또는 O2/N2 혼합가스를 포함할 수 있다. 특정 양태로서, 상기 산화성 가스가 O2/N2 혼합가스인 경우, O2 가스와 N2 가스가 10~90:90:10 의 부피비로 혼합될 수 있다. 구체적으로, O2 가스와 N2 가스는 30~88:70~12, 60~85:40~15, 70~83:30~17 일 수 있으며, 바람직하게는, O2 가스와 N2 가스는 80:20의 부피비로 혼합될 수 있다.Specifically, the plasma gas may include at least one gas selected from the group consisting of compressed air, O 2 gas, and N 2 gas. More specifically, the plasma gas may include compressed air, O 2 gas, or O 2 /N 2 mixed gas. As a specific embodiment, when the oxidizing gas is O 2 /N 2 mixed gas, O 2 gas and N 2 gas may be mixed in a volume ratio of 10 to 90:90:10. Specifically, the O 2 gas and the N 2 gas may be 30-88:70-12, 60-85:40-15, 70-83:30-17, preferably, the O 2 gas and the N 2 gas are It may be mixed in a volume ratio of 80:20.
하나의 양태로서, 산화성 가스는, 압축공기일 수 있으며, 합성되는 나노구조체 형상은 나노와이어(Nanowire)일 수 있다. 다른 양태로서, 산화성 가스는, O2 가스일 수 있으며, 합성되는 나노구조체 형상은 나노로드 (Nanorod) 일 수 있다. 상기 O2 가스는 99.999%의 고순도 O2 가스일 수 있다. 또 다른 양태로서, 산화성 가스는, O2/N2 혼합가스일 수 있으며, 합성되는 나노구조체 형상은 테트라포드(Tetrapod) 일 수 있다.In one embodiment, the oxidizing gas may be compressed air, and the synthesized nanostructure shape may be a nanowire. As another aspect, the oxidizing gas may be an O 2 gas, and the synthesized nanostructure shape may be a nanorod. The O 2 gas may be 99.999% high purity O 2 gas. In another aspect, the oxidizing gas may be a mixed gas of O 2 /N 2 , and the synthesized nanostructure may be a tetrapod.
즉, 본 발명은 주입되는 플라즈마 가스에서 산화성 가스의 종류를 변경하여, 금속산화물 나노구조체 형태의 제어가 가능할 수 있다.That is, in the present invention, by changing the type of oxidizing gas in the injected plasma gas, it may be possible to control the shape of the metal oxide nanostructure.
이에 따라, 금속산화물 나노구조체를 합성할 수 있다. 이렇게 합성된 합성된 금속산화물 나노구조체를 석영관의 내벽에 침착시키고, 스크레이퍼를 사용하여 수집할 수 있다.Accordingly, a metal oxide nanostructure can be synthesized. The synthesized metal oxide nanostructures thus synthesized may be deposited on the inner wall of a quartz tube and collected using a scraper.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면,In addition, according to an embodiment of the present invention,
금속산화물 나노구조체의 제조방법에 의해서 제조되는 금속산화물 나노구조체를 제공한다.Provided is a metal oxide nanostructure manufactured by a method for manufacturing a metal oxide nanostructure.
상기 금속산화물 나노구조체는, 나노와이어(Nanowire), 나노로드(Nanorod) 또는 테트라포드(Tetrapod)일 수 있다. 구체적으로, 상기 금속산화물 나노구조체는 나노와이어, 나노로드 또는 테트라포드 형상의 ZnO 나노구조체일 수 있다.The metal oxide nanostructure may be a nanowire, a nanorod, or a tetrapod. Specifically, the metal oxide nanostructure may be a nanowire, nanorod, or tetrapod-shaped ZnO nanostructure.
나아가, 상기 금속산화물 나노구조체는 나노와이어(Nanowire) 형태일 수 있으며, ZnO의 나노와이어일 수 있다. 상기 ZnO 나노와이어는 흡수 파장이 500 내지 700 nm 일 수 있으며, 평균 650 nm 범위에서 강한 UV-Vis 흡수선을 보여줄 수 있다. Furthermore, the metal oxide nanostructure may be in the form of a nanowire, or may be a nanowire of ZnO. The ZnO nanowire may have an absorption wavelength of 500 to 700 nm, and may show a strong UV-Vis absorption line in an average range of 650 nm.
즉, 본 발명에 일 실시예에 따른 금속산화물 나노구조체는 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서 합성되는 것으로, 형광특성 및 형광효율이 향상될 수 있다.That is, the metal oxide nanostructure according to an embodiment of the present invention is synthesized in a microwave plasma apparatus, and fluorescence characteristics and fluorescence efficiency can be improved.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면,In addition, according to an embodiment of the present invention,
흡수 파장이 500 내지 700 nm 범위인 나노구조체를 포함하는 광촉매를 제공한다.Provided is a photocatalyst comprising nanostructures having an absorption wavelength in the range of 500 to 700 nm.
상기 광촉매는 광 에너지를 받았을 때, 광에 의해 화학반응을 촉진할 수 있거나 촉매작용을 갖게되는 물질로, 물분자분해 촉매반응, 유기물질분해 촉매반응, 친수성표면 촉매반응, self cleaning 반응을 가질 수 있다.The photocatalyst is a material that can promote a chemical reaction by light or has a catalytic action when light energy is received, and may have a water molecule decomposition catalytic reaction, an organic material decomposition catalytic reaction, a hydrophilic surface catalysis reaction, and a self-cleaning reaction. have.
이하, 본 발명을 실시예 및 실험예를 통해 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through Examples and Experimental Examples.
단, 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예 및 실험예에 한정되는 것은 아니다.However, the following Examples and Experimental Examples are merely illustrative of the present invention, and the content of the present invention is not limited to the following Examples and Experimental Examples.
<< 실시예Example > >
실시예Example 1. 마이크로웨이브 1. Microwave 플라즈마plasma 시스템을 이용한 using the system 나노와이어의of nanowires 합성 synthesis
도 2에 도시된 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 이용하여 ZnO 나노와이어를 합성하였다. 도 2를 참조하면, ZnO 의 합성을 위한 마이크로파 플라즈마 장치는 2.45 GHz 마이크로웨이브 발생기(LG, 2M246), 테이퍼형 도파관 및 내경이 28 mm 인 석영관으로 구성된다. ZnO nanowires were synthesized using the microwave plasma apparatus shown in FIG. 2 . Referring to FIG. 2 , the microwave plasma apparatus for the synthesis of ZnO is composed of a 2.45 GHz microwave generator (LG, 2M246), a tapered waveguide, and a quartz tube having an inner diameter of 28 mm.
먼저, 석영관의 한쪽 끝에 위치한 가스 유입구를 통하여 압축공기를 포함하는 플라즈마 가스를 주입하였다. 이때, 가스의 유량은 10 lpm 으로 설정되었다. 그리고, 평균 직경 10 ㎛의 구형 Zn 분말(Sigma-aldrich)을 석영관의 내부로 삽입하였다. 구체적으로, 상기 분말은 진동자를 통해서 석영관의 플라즈마 기둥에 연속적으로 삽입하였다.First, plasma gas containing compressed air was injected through a gas inlet located at one end of the quartz tube. At this time, the flow rate of the gas was set to 10 lpm. Then, spherical Zn powder (Sigma-aldrich) having an average diameter of 10 μm was inserted into the quartz tube. Specifically, the powder was continuously inserted into the plasma column of the quartz tube through the vibrator.
Zn 분말은 플라즈마와 반응하여 ZnO 나노와이어를 합성하였다. 합성된 ZnO 를 석영 튜브의 내벽에 침착시키고, 스크레이퍼를 사용하여 수집하였다.Zn powder reacted with plasma to synthesize ZnO nanowires. The synthesized ZnO was deposited on the inner wall of the quartz tube and collected using a scraper.
실시예Example 2. 마이크로웨이브 2. Microwave 플라즈마plasma 시스템을 이용한 using the system 나노로드의of nanorods 합성 synthesis
고순도 산소(O2)를 포함하는 플라즈마 가스를 석영관 내부로 주입한 것을 제외하곤, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 나노로드(nanorod)를 합성하였다.Nanorods were synthesized using the same method as in Example 1, except that plasma gas containing high purity oxygen (O 2 ) was injected into the quartz tube.
실시예Example 3. 마이크로웨이브 3. Microwave 플라즈마plasma 시스템을 이용한 using the system 테트라포드의tetrapod 합성 synthesis
고순도 산소(O2)와 질소 혼합가스를 포함하는 플라즈마 가스를 석영관 내부로 주입한 것을 제외하곤, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 테트라포드(tetrapod)를 합성하였다. 한편, 플라즈마 가스 주입시 고순도 산소와 질소의 유량은 1:4의 비율로 설정하였다.A tetrapod was synthesized in the same manner as in Example 1, except that a plasma gas containing a high-purity oxygen (O 2 ) and nitrogen mixed gas was injected into the quartz tube. Meanwhile, the flow rates of high-purity oxygen and nitrogen during plasma gas injection were set at a ratio of 1:4.
실시예 1~3 의 구체적인 플라즈마 가스, 유량 및 금속산화물의 형상은 아래의 표 1에 정리하였다. Specific plasma gas, flow rate, and shape of metal oxide of Examples 1 to 3 are summarized in Table 1 below.
N2 = 8O 2 = 2
N 2 = 8
<< 비교예comparative example >>
비교예comparative example 1. Zn 분말 1. Zn powder
평균 직경 10 ㎛의 구형 Zn 분말(Sigma-aldrich)을 준비하였다.A spherical Zn powder (Sigma-aldrich) having an average diameter of 10 μm was prepared.
<< 실험예Experimental example >>
실험예Experimental example 1. One. XRDXRD 분석 analysis
실시예 1~3에서 합성한 ZnO 물질과 비교예 1의 Zn 분말은 CuKα 방사선(λ=0.154)을 사용하여 X-선 회절(XRD)을 분석하였다.The ZnO material synthesized in Examples 1 to 3 and the Zn powder of Comparative Example 1 were analyzed by X-ray diffraction (XRD) using CuKα radiation (λ=0.154).
그리고, 그 결과를 도 4에 나타내었다. 도 4는 비교예 1의 Zn 입자와 실시예 1~3에서 합성된 ZnO 나노재료의 XRD 분석 결과를 나타내는 그래프이다.And, the result is shown in FIG. 4 is a graph showing the results of XRD analysis of the Zn particles of Comparative Example 1 and the ZnO nanomaterials synthesized in Examples 1 to 3;
도 4를 참조하면, XRD 분석 결과로부터 Zn 분말이 마이크로웨이브 플라즈마에서 반응하여 ZnO 를 합성한다는 것을 확인하였다.Referring to FIG. 4 , it was confirmed from the XRD analysis result that Zn powder reacted in microwave plasma to synthesize ZnO.
실시예 1~3과 비교예 1의 X-선을 비교하여보면, 실시예 1~3는 비교예 1의 Zn 피크는 사라진 것을 확인할 수 있다. 이는, 플라즈마 반응 후 ZnO 나노 물질이 합성되었음을 의미한다.When comparing the X-rays of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1, it can be confirmed that the Zn peak of Comparative Example 1 disappeared in Examples 1-3. This means that ZnO nanomaterials were synthesized after the plasma reaction.
실험예Experimental example 2. 2. ZnOZnO 표면 분석 및 surface analysis and ZnOZnO 나노재료의 형상, 입자크기 분석 Analysis of shape and particle size of nanomaterials
주사전자 현미경(SEM, Zeiss, Supra 55VP Oberkochen, Germany)을 이용하여, 실시예 1~3에서 합성한 ZnO 물질 표면을 관찰하였다.Using a scanning electron microscope (SEM, Zeiss, Supra 55VP Oberkochen, Germany), the surface of the ZnO material synthesized in Examples 1 to 3 was observed.
그리고, 그 결과를 도 5에 나타내었다. 도 5는 실시예 1~3에서 합성된 ZnO 나노재료의 SEM 분석 이미지를 나타내는 도면이다((a) 실시예 1, (b) 실시예 2, (c) 실시예 3).And, the result is shown in FIG. 5 is a view showing SEM analysis images of ZnO nanomaterials synthesized in Examples 1 to 3 ((a) Example 1, (b) Example 2, (c) Example 3).
도 5를 참조하면, 압축공기를 사용한 경우 나노와이어(nanowire) 형태의 ZnO가 합성되었으며(a), 고순도 산소를 사용한 경우, 육각기둥 형태의 나노로드(nanorod)가 합성되었고, 고순도 산소/질소 혼합가스를 사용한 경우에는 테트라포드(tetrapod) 형태의 ZnO가 합성한 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 5 , when compressed air was used, ZnO in the form of a nanowire was synthesized (a), and when high-purity oxygen was used, nanorods in the form of hexagonal pillars were synthesized, and a mixture of high-purity oxygen/nitrogen When gas is used, it can be confirmed that ZnO in the form of a tetrapod is synthesized.
즉, 주입되는 산화성 가스의 종류에 따라 나노구조체의 형상의 선택적 제조가 가능한 것을 알 수 있다.That is, it can be seen that it is possible to selectively manufacture the shape of the nanostructure according to the type of the injected oxidizing gas.
도 5는 실시예 1~3에서 합성된 ZnO 나노재료의 형상 및 입자크기를 보여주는 그래프이다. 도 5를 참조하면, 실시예에서 합성한 나노재료의 직경에 대한 길이를 확인할 수 있다.5 is a graph showing the shape and particle size of the ZnO nanomaterial synthesized in Examples 1 to 3; Referring to Figure 5, it can be confirmed the length with respect to the diameter of the nanomaterial synthesized in the example.
플라즈마 가스의 종류에 따라 합성된 ZnO 나노 물질의 형태, 비율 및 크기를 아래의 표 2에 정리하였다.Table 2 below summarizes the shapes, ratios, and sizes of the synthesized ZnO nanomaterials according to the type of plasma gas.
(%)ratio
(%)
(mn)size
(mn)
N2 = 8O 2 = 2
N 2 = 8
길이 256.5 ± 128.0Diameter: 29.8 ± 7.7
Length 256.5 ± 128.0
실험예Experimental example 3. 3. ZnOZnO 나노재료의 of nanomaterials 광루미네선스light luminescence ( ( PLPL ) 스펙트럼 분석) spectrum analysis
실시예 1~3 에서 합성된 ZnO 나노재료의 PL(photo luminescence)을 측정하였다. PL (photo luminescence) of the ZnO nanomaterial synthesized in Examples 1 to 3 was measured.
그리고, 그 결과를 도 6에 나타내었다. 도 6은 실시예 1~3에서 합성된 ZnO 나노재료의 photo luminescence(PL) 스펙트럼을 보여주는 그래프이다.And, the result is shown in FIG. 6 is a graph showing photoluminescence (PL) spectra of ZnO nanomaterials synthesized in Examples 1 to 3;
도 6을 참조하면, 실시예 1에서 합성한 ZnO 나노와이어는 가시광 영역에서 광학특성이 향상된 것을 알 수 있다. 이는, 플라즈마 가스 중 압축공기에 포함된 수분이나 불순물의 영향으로 인한 것으로 판단된다.Referring to FIG. 6 , it can be seen that the ZnO nanowire synthesized in Example 1 has improved optical properties in the visible region. This is determined to be due to the influence of moisture or impurities contained in the compressed air in the plasma gas.
실험예Experimental example 4. 4. ZnOZnO 나노와이어의of nanowires 광촉매photocatalyst 특성 분석 Characterization
실시예 1에서 합성한 ZnO 나노와이어의 광촉매 특성을 분석하였다.The photocatalytic properties of the ZnO nanowires synthesized in Example 1 were analyzed.
그리고, 그 결과를 도 7에 나타내었다. 도 7은 메틸렌블루(methylene blue, MB)를 이용하여 실시예 1에서 합성한 ZnO 나노와이어의 광촉매 특성 평과 결과를 보여주는 사진이다((a) 0분, (b) 15분, (c) 30분).And, the result is shown in FIG. 7 is a photograph showing the photocatalytic property evaluation result of the ZnO nanowire synthesized in Example 1 using methylene blue (MB) ((a) 0 min, (b) 15 min, (c) 30 min. ).
도 7을 참조하면, ZnO 나노와이어를 첨가한 메텔렌블루 용액은 시간이 지날수록 색이 옅어지다가, 무색을 띄게 되는 것을 볼 수 있다. Referring to FIG. 7 , it can be seen that the color of the metylene blue solution to which ZnO nanowires are added becomes pale and colorless as time passes.
참고로, 메틸렌블루 용액은 약 650 nm 에서 강한 UV-Vis 흡수선을 보여주며, 광촉매 반응에 의해 환원될 경우, Leuco-메틸렌블루가 되면서 무색을 띄게 되는데, 실시예 1에서 합성한 ZnO는 광촉매 특성에 효과적인 것을 의미한다.For reference, the methylene blue solution shows a strong UV-Vis absorption line at about 650 nm, and when it is reduced by a photocatalytic reaction, it becomes Leuco-methylene blue and becomes colorless. means effective.
Claims (15)
마이크로웨이브 플라즈마 장치에 주입된 금속원료는 플라즈마 가스와 반응하여 광촉매용 금속산화물 나노구조체를 합성하는 단계; 를 포함하며,
상기 산화성 가스의 종류에 따라 합성되는 광촉매용 금속산화물 나노구조체 형태를 제어할 수 있으며,
상기 산화성 가스는 수분 및 질소를 포함하는 압축공기(Compressed air)이며, 상기 합성되는 광촉매용 나노구조체 형상은 나노와이어(Nanowire)이고 흡수 파장이 500 내지 700 nm 인 것을 특징으로 하는 광촉매용 금속산화물 나노구조체의 제조방법.
injecting a plasma gas containing an oxidizing gas into the microwave plasma apparatus, and injecting a metal raw material; and
The metal raw material injected into the microwave plasma apparatus reacts with the plasma gas to synthesize a metal oxide nanostructure for a photocatalyst; includes,
It is possible to control the form of the metal oxide nanostructure for photocatalyst synthesized according to the type of the oxidizing gas,
The oxidizing gas is compressed air containing moisture and nitrogen, the shape of the nanostructure for the photocatalyst to be synthesized is a nanowire, and the absorption wavelength is 500 to 700 nm. A method for manufacturing a structure.
광촉매용 금속산화물 나노구조체를 합성하는 단계는, 500 내지 1500 W 범위의 플라즈마 전력(plasma power)을 5초 내지 30분 동안 공급하여 수행되는 것을 특징으로 하는 광촉매용 금속산화물 나노구조체의 제조방법.
According to claim 1,
The step of synthesizing the metal oxide nanostructure for a photocatalyst is performed by supplying plasma power in the range of 500 to 1500 W for 5 seconds to 30 minutes.
광촉매용 금속산화물 나노구조체를 합성하는 단계에서, 플라즈마 가스의 유량은 5 내지 30 LPM 범위인 것을 특징으로 하는 광촉매용 금속산화물 나노구조체의 제조방법.
According to claim 1,
In the step of synthesizing the metal oxide nanostructure for the photocatalyst, the flow rate of the plasma gas is in the range of 5 to 30 LPM.
금속원료는, 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 세레늄(Se), 주석(Sn), 철(Fe), 규소(Si), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 텔루륨(Te), 바나듐(V), 텅스텐(W) 및 게르마늄(Ge)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 광촉매용 금속산화물 나노구조체의 제조방법.
According to claim 1,
Metal raw materials are zinc (Zn), magnesium (Mg), selenium (Se), tin (Sn), iron (Fe), silicon (Si), titanium (Ti), zirconium (Zr), aluminum (Al), tel. A method of manufacturing a metal oxide nanostructure for a photocatalyst, characterized in that at least one selected from the group consisting of rurium (Te), vanadium (V), tungsten (W) and germanium (Ge).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190131866A KR102322564B1 (en) | 2019-10-23 | 2019-10-23 | Method for producing metal oxide nanostructures using microwave plasma device, metal oxide nanostructures manufactured using the same, and photocatalysts including the metal oxide nanostructures |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190131866A KR102322564B1 (en) | 2019-10-23 | 2019-10-23 | Method for producing metal oxide nanostructures using microwave plasma device, metal oxide nanostructures manufactured using the same, and photocatalysts including the metal oxide nanostructures |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210048054A KR20210048054A (en) | 2021-05-03 |
| KR102322564B1 true KR102322564B1 (en) | 2021-11-05 |
Family
ID=75910640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190131866A KR102322564B1 (en) | 2019-10-23 | 2019-10-23 | Method for producing metal oxide nanostructures using microwave plasma device, metal oxide nanostructures manufactured using the same, and photocatalysts including the metal oxide nanostructures |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102322564B1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100613122B1 (en) | 2005-06-03 | 2006-08-17 | 엄환섭 | Synthesis of n-doped tio2 nano powder by microwave plasma torch |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2680654B2 (en) | 1989-01-18 | 1997-11-19 | 松下電器産業株式会社 | Method for producing zinc oxide whiskers |
| KR101144247B1 (en) * | 2010-02-17 | 2012-05-10 | 인하대학교 산학협력단 | Preparation method of nano-sized ZnO powder during the decomposition of CO2 by thermal plasma |
-
2019
- 2019-10-23 KR KR1020190131866A patent/KR102322564B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100613122B1 (en) | 2005-06-03 | 2006-08-17 | 엄환섭 | Synthesis of n-doped tio2 nano powder by microwave plasma torch |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Yong Cheol Hong et al., Physics of Plasmas, 2016, 13, pages 063506* |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210048054A (en) | 2021-05-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kanade et al. | Effect of solvents on the synthesis of nano-size zinc oxide and its properties | |
| Alves et al. | Effect of particle shape and size on the morphology and optical properties of zinc oxide synthesized by the polyol method | |
| JP5371789B2 (en) | Nanoscale phosphor particles having high quantum efficiency and synthesis method thereof | |
| Fang et al. | Morphology and characterization of TiO2 nanoparticles synthesized by arc discharge | |
| Li et al. | Synthesis of rhombic hierarchical YF 3 nanocrystals and their use as upconversion photocatalysts after TiO 2 coating | |
| Varghese et al. | Solvothermal synthesis of nanorods of ZnO, N-doped ZnO and CdO | |
| TWI245742B (en) | Method for manufacturing highly-crystallized oxide powder | |
| Malekzadeh et al. | Vapor-phase production of nanomaterials | |
| Vidya et al. | Optical and dielectric properties of SrMoO4 powders prepared by the combustion synthesis method | |
| US20120083409A1 (en) | Tio2 nanoparticles | |
| Zhuang et al. | Structural and optical properties of ZnO nanowires doped with magnesium | |
| Kabir et al. | Polyethylene glycol assisted facile sol-gel synthesis of lanthanum oxide nanoparticles: Structural characterizations and photoluminescence studies | |
| Sarmah et al. | Plasma expansion synthesis of tungsten nanopowder | |
| Yuvakkumar et al. | Structural, compositional and textural properties of monoclinic α-Bi2O3 nanocrystals | |
| JP2019142762A (en) | Production method of composite tungsten oxide particle and composite tungsten oxide particle | |
| JP2008038163A5 (en) | ||
| Kumaresan et al. | Thermal plasma arc discharge method for high-yield production of hexagonal AlN nanoparticles: synthesis and characterization | |
| WO2017056741A1 (en) | Nickel powder and nickel paste | |
| KR102322564B1 (en) | Method for producing metal oxide nanostructures using microwave plasma device, metal oxide nanostructures manufactured using the same, and photocatalysts including the metal oxide nanostructures | |
| JP3949143B2 (en) | Titanium dioxide nanophotocatalyst powder, production method and apparatus thereof | |
| Wang et al. | Fabrication of ZnO nanorods in ionic liquids and their photoluminescent properties | |
| Ye et al. | Rationally fabricating hollow particles of complex oxides by a templateless hydrothermal route: the case of single-crystalline SrHfO 3 hollow cuboidal nanoshells | |
| TWI471266B (en) | Method for manufacturing carbide fine particles | |
| Bensebaa | Dry production methods | |
| KR102326833B1 (en) | Method for producing metal oxide nanostructures doped with a heterogeneous element using microwave plasma device, the metal oxide nanostructures doped with the heterogeneous element manufactured using the same, and photocatalysts including the metal oxide nanostructures doped with a heterogeneous element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| X091 | Application refused [patent] | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |