KR102322018B1

KR102322018B1 - Organic light-emitting display apparatus and manufacturing the same

Info

Publication number: KR102322018B1
Application number: KR1020210025035A
Authority: KR
Inventors: 김훈; 권효정; 장문원; 최원규
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2014-05-28
Filing date: 2021-02-24
Publication date: 2021-11-05
Also published as: KR20210030909A

Abstract

본 발명은 이물에 의한 픽셀 구동 불량을 방지하기 위한 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 위하여, 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 게이트전극, 제1전극 및 제2전극을 포함하는 박막트랜지스터, 상기 제1전극을 덮도록 상기 제1전극 상에 배치되며, 일 단부의 적어도 일부가 상기 제2전극에 접하는, 제1보호막 및 상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 포함하는 유기발광소자를 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치가 제공된다.The present invention provides an organic light emitting display device and a method for manufacturing the same for preventing pixel driving defects caused by foreign substances, the substrate, a thin film transistor disposed on the substrate, the thin film transistor including a gate electrode, a first electrode and a second electrode, the An organic light emitting diode including a first passivation layer disposed on the first electrode to cover the first electrode, at least a portion of one end contacting the second electrode, and a pixel electrode electrically connected to the second electrode; An organic light emitting display device is provided.

Description

Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof

본 발명은 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 이물에 의한 픽셀 구동 불량을 방지하기 위한 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an organic light emitting display device and a manufacturing method thereof for preventing pixel driving defects caused by foreign substances.

디스플레이 장치들 중, 유기발광 디스플레이 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다.Among the display devices, the organic light emitting display device has a wide viewing angle, excellent contrast, and has an advantage of fast response speed, and thus attracts attention as a next-generation display device.

일반적으로 유기발광 디스플레이 장치는 기판에 유기발광소자들을 형성하고, 유기발광소자들이 내부에 위치하도록 기판과 상부기판을 접합하여 제조한다. 이러한 유기발광 디스플레이 장치는 휴대폰 등과 같은 소형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 하고, 텔레비전 등과 같은 대형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 한다.In general, an organic light emitting display device is manufactured by forming organic light emitting devices on a substrate, and bonding the substrate and an upper substrate so that the organic light emitting devices are positioned therein. Such an organic light emitting display device is sometimes used as a display unit of a small product such as a mobile phone, or is used as a display unit of a large product such as a television.

유기발광 디스플레이 장치는 화소전극과 대향전극 사이에 발광층을 포함하는 중간층이 개재된 유기발광소자를 각 (부)화소로 갖는다. 이러한 유기발광 디스플레이 장치는 일반적으로 각 화소의 발광여부나 발광정도를 화소전극에 전기적으로 연결된 박막트랜지스터를 통해 제어하고, 화소전극과 대향전극 사이의 전기적 신호의 흐름에 의해 발광층을 포함하는 중간층이 발광한다.The organic light emitting display device includes, as each (sub)pixel, an organic light emitting element having an intermediate layer including a light emitting layer interposed between a pixel electrode and a counter electrode. Such an organic light emitting display device generally controls whether each pixel emits light or the degree of light emission through a thin film transistor electrically connected to the pixel electrode, and the intermediate layer including the light emitting layer emits light by the flow of an electrical signal between the pixel electrode and the counter electrode. do.

그러나 이러한 종래의 유기발광 디스플레이 장치에는 유기발광 디스플레이 장치의 내부로 침투한 이물에 의해 화소전극이 박막트랜지스터의 일부 전극과 직접적으로 접촉하게 되면 암점 또는 명점 발생에 의해 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 없다는 문제점이 있었다.However, in such a conventional organic light emitting display device, when the pixel electrode is in direct contact with some electrodes of the thin film transistor due to foreign substances penetrating into the organic light emitting display device, a high-quality image cannot be displayed due to dark spots or bright spots. there was

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 이물에 의한 픽셀 구동 불량을 방지하기 위한 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.An object of the present invention is to solve various problems including the above problems, and an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same for preventing pixel driving defects caused by foreign substances. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereto.

본 발명의 일 관점에 따르면, 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 게이트전극, 제1전극 및 제2전극을 포함하는 박막트랜지스터, 상기 제1전극을 덮도록 상기 제1전극 상에 배치되며, 일 단부의 적어도 일부가 상기 제2전극에 접하는, 제1보호막 및 상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 포함하는 유기발광소자를 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치가 제공된다.According to one aspect of the present invention, a substrate, a thin film transistor disposed on the substrate and including a gate electrode, a first electrode and a second electrode, is disposed on the first electrode to cover the first electrode, An organic light emitting display device is provided, comprising an organic light emitting device including a first passivation layer, at least a portion of an end portion in contact with the second electrode, and a pixel electrode electrically connected to the second electrode.

상기 게이트전극과 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재되는 제1절연막을 더 포함하고, 상기 제1보호막의 타 단부의 적어도 일부는 상기 제1절연막에 접할 수 있다.The display device may further include a first insulating layer interposed between the gate electrode and the first electrode and the second electrode, wherein at least a portion of the other end of the first passivation layer may be in contact with the first insulating layer.

상기 제1보호막은 상기 박막트랜지스터가 배치되지 않는 영역 상에는 배치되지 않을 수 있다.The first passivation layer may not be disposed on a region where the thin film transistor is not disposed.

상기 제1보호막은 무기물을 포함할 수 있다.The first passivation layer may include an inorganic material.

본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 게이트전극, 제1전극 및 제2전극을 포함하는 박막트랜지스터, 상기 게이트전극과 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재되는 제1절연막, 상기 게이트전극 상부에 배치된 제1절연막 상에 배치되며, 일 단부의 적어도 일부는 상기 제1전극에 접하고, 타 단부의 적어도 일부는 상기 제2전극에 접하는, 제1보호막, 상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 포함하는 유기발광소자, 상기 박막트랜지스터를 덮으며 상기 박막트랜지스터와 상기 화소전극 사이에 개재되는 제2절연막 및 상기 제2절연막과 상기 화소전극 사이에 개재되는 제2보호막을 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치가 제공된다.According to another aspect of the present invention, a substrate, a thin film transistor disposed on the substrate, the thin film transistor including a gate electrode, a first electrode and a second electrode, is interposed between the gate electrode and the first electrode and the second electrode a first insulating film formed on the first insulating film disposed on the first insulating film disposed on the gate electrode, at least a portion of one end contacting the first electrode, and at least a portion of the other end contacting the second electrode; An organic light emitting device including a pixel electrode electrically connected to the second electrode, a second insulating film covering the thin film transistor and interposed between the thin film transistor and the pixel electrode, and interposed between the second insulating film and the pixel electrode An organic light emitting display device including a second passivation layer is provided.

상기 제2보호막은 적어도 상기 제1전극 상부에 배치될 수 있다.The second passivation layer may be disposed on at least the first electrode.

상기 제1보호막 및 상기 제2보호막은 무기물을 포함할 수 있다.The first passivation layer and the second passivation layer may include an inorganic material.

본 발명의 또 다른 일 관점에 따르면, 기판 상에 게이트전극, 제1전극 및 제2전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계, 박막트랜지스터의 제1전극을 덮도록 제1전극 상에 형성되며, 일 단부의 적어도 일부가 제2전극에 접하도록 제1보호막을 형성하는 단계 및 제2전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 포함하는 유기발광소자를 형성하는 단계를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, forming a thin film transistor including a gate electrode, a first electrode and a second electrode on a substrate, formed on the first electrode to cover the first electrode of the thin film transistor, Manufacturing an organic light emitting display device, comprising: forming a first passivation layer so that at least a portion of one end is in contact with the second electrode; and forming an organic light emitting device including a pixel electrode electrically connected to the second electrode A method is provided.

게이트전극과 제1전극 및 제2전극 사이에 제1절연막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1보호막을 형성하는 단계는, 제1보호막의 타 단부의 적어도 이부가 제1절연막에 접하도록 제1보호막을 형성하는 단계일 수 있다.The method may further include forming a first insulating film between the gate electrode and the first and second electrodes, wherein the forming of the first protective film includes at least two portions of the other end of the first protective film in contact with the first insulating film. It may be a step of forming a first passivation layer.

상기 제1보호막을 형성하는 단계는, 박막트랜지스터가 배치되지 않는 영역 상에는 제1보호막을 형성하지 않는 단계일 수 있다.The forming of the first passivation layer may be a step of not forming the first passivation layer on a region where the thin film transistor is not disposed.

상기 제1보호막을 형성하는 단계는, 제1보호막을 무기물을 포함하여 형성하는 단계일 수 있다.The forming of the first passivation layer may be a step of forming the first passivation layer including an inorganic material.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다. Other aspects, features and advantages other than those described above will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.These general and specific aspects may be practiced using systems, methods, computer programs, or any combination of systems, methods, and computer programs.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 이물에 의한 픽셀 구동 불량을 방지하기 위한 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention made as described above, it is possible to implement an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same for preventing pixel driving failure due to foreign matter. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2은 보호막이 없는 경우 유기발광 디스플레이 장치에 이물이 침투한 것을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 1의 유기발광 디스플레이 장치에 이물이 침투한 것을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a foreign material penetrating into an organic light emitting display device in the absence of a protective layer.
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating a foreign material penetrating into the organic light emitting display device of FIG. 1 .
4 is a cross-sectional view schematically illustrating an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method of achieving them, will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when described with reference to the drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals, and the overlapping description thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following embodiments, terms such as first, second, etc. are used for the purpose of distinguishing one component from another, not in a limiting sense. Also, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

한편, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 "바로 위에" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. On the other hand, terms such as include or have means that the features or components described in the specification are present, and the possibility of adding one or more other features or components is not excluded in advance. In addition, when a part of a film, region, component, etc. is said to be "on" or "on" another part, not only when it is "on" or "immediately on" another part, but also another film in the middle; The case where a region, a component, etc. are interposed is also included.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the size of the components may be exaggerated or reduced for convenience of description. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.

x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.The x-axis, y-axis, and z-axis are not limited to three axes on a Cartesian coordinate system, and may be interpreted in a broad sense including them. For example, the x-axis, y-axis, and z-axis may be orthogonal to each other, but may refer to different directions that are not orthogonal to each other.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.Where certain embodiments are otherwise feasible, a specific process sequence may be performed different from the described sequence. For example, two processes described in succession may be performed substantially simultaneously, or may be performed in an order opposite to the order described.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되는 박막트랜지스터(TFT), 제1보호막(170) 및 유기발광소자(200)를 구비한다.Referring to FIG. 1 , an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate 100 , a thin film transistor (TFT) disposed on the substrate 100 , a first passivation layer 170 , and an organic light emitting device 200 . ) is provided.

기판(100)은 글라스재, 금속재, 또는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재 등, 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다. 이러한 기판(100)은 복수개의 화소들이 배치되는 디스플레이영역과, 이 디스플레이영역을 감싸는 주변영역을 가질 수 있다.The substrate 100 may be formed of various materials, such as a glass material, a metal material, or a plastic material such as polyethylen terephthalate (PET), polyethylen naphthalate (PEN), polyimide, or the like. The substrate 100 may have a display area in which a plurality of pixels are disposed and a peripheral area surrounding the display area.

기판(100) 상에는 박막트랜지스터(TFT)가 배치되는데, 박막트랜지스터(TFT) 외에 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결되는 유기발광소자(200)가 배치될 수 있다. 유기발광소자(200)가 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결된다는 것은, 화소전극(210)이 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결되는 것으로 이해될 수 있다.A thin film transistor (TFT) is disposed on the substrate 100 , and an organic light emitting device 200 electrically connected to the thin film transistor (TFT) may be disposed in addition to the thin film transistor (TFT). When the organic light emitting device 200 is electrically connected to the thin film transistor TFT, it may be understood that the pixel electrode 210 is electrically connected to the thin film transistor TFT.

이러한 박막트랜지스터(TFT)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(120), 게이트전극(140), 제1전극(162) 및 제2전극(160)을 포함한다. 박막트랜지스터(TFT)의 제1전극(162)은 소스전극에 대응하고, 제2전극(160)은 드레인전극에 대응하는 것으로 이해될 수 있다.The thin film transistor (TFT) includes a semiconductor layer 120 , a gate electrode 140 , a first electrode 162 , and a second electrode 160 including amorphous silicon, polycrystalline silicon, or an organic semiconductor material. It may be understood that the first electrode 162 of the thin film transistor (TFT) corresponds to the source electrode, and the second electrode 160 corresponds to the drain electrode.

기판(100) 상에는 기판(100)의 면을 평탄화하기 위해 또는 반도체층(120)으로 불순물 등이 침투하는 것을 방지하기 위해, 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드 등으로 형성된 버퍼층(110)이 배치되고, 이 버퍼층(110) 상에 반도체층(120)이 위치하도록 할 수 있다.A buffer layer 110 formed of silicon oxide or silicon nitride, etc. is disposed on the substrate 100 to planarize the surface of the substrate 100 or to prevent impurities from penetrating into the semiconductor layer 120 , The semiconductor layer 120 may be positioned on the buffer layer 110 .

반도체층(120)의 상부에는 게이트전극(140)이 배치되는데, 이 게이트전극(140)에 인가되는 신호에 따라 제1전극(162) 및 제2전극(160)이 전기적으로 소통된다. 게이트전극(140)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이때 반도체층(120)과 게이트전극(140)과의 절연성을 확보하기 위하여, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘나이트라이드 등으로 형성되는 게이트절연막(130)이 반도체층(120)과 게이트전극(140) 사이에 개재될 수 있다.A gate electrode 140 is disposed on the semiconductor layer 120 , and the first electrode 162 and the second electrode 160 electrically communicate with each other according to a signal applied to the gate electrode 140 . The gate electrode 140 is formed of, for example, aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), and magnesium (Mg) in consideration of adhesion to adjacent layers, surface flatness of the laminated layer, workability, and the like. , gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W) , copper (Cu) may be formed as a single layer or a multi-layered material. At this time, in order to secure insulation between the semiconductor layer 120 and the gate electrode 140 , a gate insulating film 130 formed of silicon oxide and/or silicon nitride is disposed between the semiconductor layer 120 and the gate electrode 140 . may be interposed in

게이트전극(140)의 상부에는 제1절연층(150)이 배치될 수 있는데, 이러한 제1절연층(150)은 게이트전극(140)과 제1전극(162) 및 제2전극(160) 사이에 개재되는 층간절연막으로 이해될 수 있다. 제1절연층(150)은 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드 등의 물질로 단층으로 형성되거나 또는 다층으로 형성될 수 있다.A first insulating layer 150 may be disposed on the gate electrode 140 , and the first insulating layer 150 is disposed between the gate electrode 140 and the first electrode 162 and the second electrode 160 . It can be understood as an interlayer insulating film interposed in The first insulating layer 150 may be formed in a single layer or in multiple layers made of a material such as silicon oxide or silicon nitride.

제1절연층(150)의 상부에는 제1전극(162) 및 제2전극(160)이 배치된다. 제1전극(162) 및 제2전극(160)은 제1절연층(150)과 게이트절연막(130)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(120)에 각각 전기적으로 연결된다. 제1전극(162) 및 제2전극(160)은 도전성 등을 고려하여 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.A first electrode 162 and a second electrode 160 are disposed on the first insulating layer 150 . The first electrode 162 and the second electrode 160 are respectively electrically connected to the semiconductor layer 120 through contact holes formed in the first insulating layer 150 and the gate insulating layer 130 . The first electrode 162 and the second electrode 160 may include, for example, aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), and the like in consideration of conductivity. Among nickel (Ni), neodymium (Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), copper (Cu) It may be formed as a single layer or multiple layers of one or more materials.

한편, 도 1에 도시된 것과 같이 이러한 구조의 박막트랜지스터(TFT) 상에는 필요에 따라 박막트랜지스터(TFT)의 제1전극(162)을 덮는 제1보호막(170)이 배치될 수도 있다. 이때 제1보호막(170)의 일 단부의 적어도 일부가 제2전극(160)에 접할 수 있다. 다시 말해 제1보호막(170)은 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극 및/또는 데이터 라인에 대응하는 제1전극(162)을 덮도록 배치될 수 있고, 이는 제1보호막(170)이 박막트랜지스터(TFT)의 드레인전극에 대응하며 화소전극(210)과 전기적으로 연결되는 제2전극(160) 및 박막트랜지스터(TFT)가 배치되지 않는 제1절연층(150) 상에는 배치되지 않는 것으로 이해될 수 있다. 또한 제1보호막(170)의 타 단부의 적어도 일부는 제2전극(160)에 접할 수 있다. 제1보호막(170)은 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 1 , a first passivation layer 170 covering the first electrode 162 of the thin film transistor TFT may be disposed on the thin film transistor TFT having such a structure, if necessary. In this case, at least a portion of one end of the first passivation layer 170 may be in contact with the second electrode 160 . In other words, the first passivation layer 170 may be disposed to cover the source electrode and/or the first electrode 162 corresponding to the data line of the thin film transistor (TFT), which means that the first passivation layer 170 is the thin film transistor ( It can be understood that the second electrode 160 corresponding to the drain electrode of the TFT and electrically connected to the pixel electrode 210 and the thin film transistor TFT are not disposed on the first insulating layer 150 . . Also, at least a portion of the other end of the first passivation layer 170 may be in contact with the second electrode 160 . The first passivation layer 170 may be formed of, for example, an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride.

도 1과 같은 단면도를 참조하면, 이러한 제1보호막(170)이 박막트랜지스터(TFT)의 데이터 라인에 대응하는 제1전극(162)과 화소전극(210)과 전기적으로 연결되는 제2전극(160)이 이격된 사이에 배치됨에 따라, 박막트랜지스터(TFT)의 제1전극(162)과 제2전극(160)의 쇼트를 방지 할 수 있다. Referring to the cross-sectional view of FIG. 1 , the first protective layer 170 is electrically connected to the first electrode 162 corresponding to the data line of the thin film transistor (TFT) and the pixel electrode 210 and the second electrode 160 . ) are spaced apart, so that a short circuit between the first electrode 162 and the second electrode 160 of the thin film transistor TFT can be prevented.

뿐만 아니라, 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치에서는 제1보호막(170)이 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극에 대응하는 제1전극(162)의 상부를 덮고 있기 때문에, 외부에서 침투한 이물(D, 도 2 및 도 3 참조)에 의해 화소전극(210)이 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극에 대응하는 제1전극(162)과 접촉하여 쇼트가 일어나는 것을 획기적으로 방지할 수 있다. 또한, 제1보호막(170)은 상술한 것과 같이 무기물로 형성되는데 실제 공정상 무기물을 이용한 공정은 높은 비용이 들기 때문에 이러한 무기물로 형성되는 제1보호막(170)을 최소한의 범위에 배치함으로써 제조 단가적인 측면에서도 획기적인 절감을 기대할 수 있다.In addition, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, since the first passivation layer 170 covers the upper portion of the first electrode 162 corresponding to the source electrode of the thin film transistor (TFT), it penetrates from the outside. It is possible to remarkably prevent a short circuit by contacting the pixel electrode 210 with the first electrode 162 corresponding to the source electrode of the thin film transistor (TFT) by a foreign material (D, see FIGS. 2 and 3). . In addition, the first passivation layer 170 is formed of an inorganic material as described above, and since the actual process using an inorganic material has a high cost, the manufacturing cost is achieved by disposing the first passivation layer 170 formed of the inorganic material in a minimum range. Significant savings can also be expected from an economic point of view.

제1보호막(170) 상에는 제2절연층(180)이 배치될 수 있다. 이 경우 제2절연층(180)은 평탄화막일 수도 있고 보호막일 수도 있다. 예컨대 도 1에 도시된 것과 같이 박막트랜지스터(TFT) 상부에 유기발광소자(200)가 배치될 경우 박막트랜지스터(TFT)의 상면을 대체로 평탄화하기 위한 평탄화막으로서 제2절연층(180)이 배치될 수 있다. 이러한 제2절연층(180)은 예컨대 아크릴계 유기물 또는 BCB(Benzocyclobutene) 등으로 형성될 수 있다. 도 1에서는 제2절연층(180) 이 단층으로 도시되어 있으나, 다층일 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.A second insulating layer 180 may be disposed on the first passivation layer 170 . In this case, the second insulating layer 180 may be a planarization layer or a protective layer. For example, as shown in FIG. 1 , when the organic light emitting device 200 is disposed on the thin film transistor TFT, the second insulating layer 180 is disposed as a planarization film for generally planarizing the upper surface of the thin film transistor TFT. can The second insulating layer 180 may be formed of, for example, an acrylic organic material or benzocyclobutene (BCB). Although the second insulating layer 180 is illustrated as a single layer in FIG. 1 , various modifications such as a multi-layered structure are possible.

제2절연층(180) 상에는, 화소전극(210), 화소전극(210)에 대향하는 대향전극(230) 및 그 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층(220)을 갖는 유기발광소자(200)가 배치된다.On the second insulating layer 180, an organic light emitting device 200 having a pixel electrode 210, a counter electrode 230 facing the pixel electrode 210, and an intermediate layer 220 interposed therebetween and including a light emitting layer. is placed

제2절연층(180)에는 박막트랜지스터(TFT)의 제1전극(162) 및 제2전극(160) 중 적어도 어느 하나를 노출시키는 개구부가 존재하며, 이 개구부를 통해 제1전극(162) 및 제2전극(160) 중 어느 하나와 컨택하여 박막트랜지스터(TFT)과 전기적으로 연결되는 화소전극(210)이 제2절연층(180) 상에 배치된다. 화소전극(210)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. (반)투명 전극으로 형성될 때에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In₂O₃, IGO 또는 AZO로 형성될 수 있다. 반사형 전극으로 형성될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In₂O₃, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.The second insulating layer 180 has an opening exposing at least one of the first electrode 162 and the second electrode 160 of the thin film transistor (TFT), and through this opening, the first electrode 162 and A pixel electrode 210 electrically connected to the thin film transistor TFT by contacting any one of the second electrodes 160 is disposed on the second insulating layer 180 . The pixel electrode 210 may be formed of a (semi)transparent electrode or a reflective electrode. When the (semi) transparent electrode is formed, for example, it may be formed of ITO, IZO, ZnO, In ₂ O ₃ , IGO or AZO. When formed as a reflective electrode, a reflective film formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, and a compound thereof, and ITO, IZO, ZnO, In ₂ O ₃ , IGO or AZO It may have a layer formed of Of course, the present invention is not limited thereto, and may be formed of various materials, and the structure may also be a single layer or multiple layers, and various modifications are possible.

제2절연층(180) 상부에는 제3절연층(190)이 배치될 수 있다. 이 제3절연층(190)은 화소정의막으로서, 각 부화소들에 대응하는 개구들, 즉 화소전극(210)의 가장자리를 덮으며 각각의 적어도 중앙부가 노출되도록 하는 개구들을 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 한다. 또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 제3절연층(190)은 화소전극(210)의 단부와 화소전극(210) 상부에 배치된 대향전극(230)과의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(210)의 단부에서 아크가 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 제3절연층(190)은 예컨대 폴리이미드 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다.A third insulating layer 190 may be disposed on the second insulating layer 180 . The third insulating layer 190 is a pixel defining layer, and has openings corresponding to the respective sub-pixels, that is, openings covering the edge of the pixel electrode 210 and exposing at least the central portion of each of the sub-pixels to define the pixel. plays a role Also, as shown in FIG. 1 , the third insulating layer 190 increases the distance between the end of the pixel electrode 210 and the counter electrode 230 disposed on the pixel electrode 210 , thereby increasing the pixel electrode. It serves to prevent the arc from occurring at the end of the 210 . The third insulating layer 190 may be formed of, for example, an organic material such as polyimide.

유기발광소자(200)의 중간층(220)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 저분자 물질을 포함할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 물질이 사용될 수 있다. 이러한 층들은 진공증착 등의 방법으로 형성될 수 있다.The intermediate layer 220 of the organic light emitting device 200 may include a low-molecular or high-molecular material. In the case of containing a low molecular weight material, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL) are included. : Electron Injection Layer), etc. can be laminated in a single or complex structure, and available organic materials are copper phthalocyanine (CuPc: copper phthalocyanine), N,N-di(naphthalen-1-yl)-N,N '-diphenyl-benzidine (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , tris-8-hydroxyquinoline aluminum ( Alq3), etc., and various materials may be used. These layers may be formed by a method such as vacuum deposition.

중간층(220)이 고분자 물질을 포함할 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법, 레이저열전사방법(LITI; Laser induced thermal imaging) 등으로 형성할 수 있다. 물론 중간층(220)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다.When the intermediate layer 220 includes a polymer material, it may generally have a structure including a hole transport layer (HTL) and an emission layer (EML). In this case, PEDOT is used as the hole transport layer, and polymer materials such as PPV (Poly-Phenylenevinylene)-based and Polyfluorene-based are used as the light-emitting layer, and this is used for screen printing, inkjet printing, laser thermal transfer method (LITI; laser induced thermal imaging). Of course, the intermediate layer 220 is not necessarily limited thereto, and may have various structures.

대향전극(230)은 발광층을 포함하는 중간층(220)을 사이에 두고 화소전극(210)에 대향하도록 배치될 수 있다. 도 1에는 도시되어 있지 않으나, 대향전극(230)은 기판(100)의 전면(全面)에 걸쳐 배치될 수 있다. 즉, 대향전극(230)은 유기발광소자(200)에 있어서 일체(一體)로 형성되어 화소전극(210)에 대응할 수 있다.The counter electrode 230 may be disposed to face the pixel electrode 210 with the intermediate layer 220 including the emission layer interposed therebetween. Although not shown in FIG. 1 , the counter electrode 230 may be disposed over the entire surface of the substrate 100 . That is, the counter electrode 230 may be integrally formed in the organic light emitting device 200 to correspond to the pixel electrode 210 .

대향전극(230)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. 대향전극(230)이 (반)투명 전극으로 형성될 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃ 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 대향전극(230)이 반사형 전극으로 형성될 때에는Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 대향전극(230)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.The counter electrode 230 may be formed of a (semi)transparent electrode or a reflective electrode. When the counter electrode 230 is formed as a (semi)transparent electrode, a layer formed of a metal having a small work function, that is, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, and a compound thereof, and ITO, IZO , ZnO or In ₂ O _{3 may} have a (semi)transparent conductive layer. When the counter electrode 230 is formed as a reflective electrode, it may have a layer formed of Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, or a compound thereof. Of course, the configuration and material of the counter electrode 230 are not limited thereto, and various modifications are possible.

도 1을 참조하여 전술한 것과 같이 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치에서는, 이러한 제1보호막(170)에 의해 박막트랜지스터(TFT)의 제1전극(162)과 제2전극(160)의 쇼트를 방지 할 수 있을 뿐만 아니라, 외부에서 침투한 이물(D, 도 2 및 도 3 참조)에 의해 화소전극(210)이 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극에 대응하는 제1전극(162)에 접촉하여 쇼트가 일어나는 것을 획기적으로 방지할 수 있다. 또한, 제1보호막(170)은 상술한 것과 같이 무기물로 형성되는데 무기물을 이용한 공정은 높은 비용이 들기 때문에 이러한 무기물로 형성되는 제1보호막(170)을 최소한의 범위에 배치함으로써 제조 단가적인 측면에서도 획기적인 절감을 기대할 수 있다.As described above with reference to FIG. 1 , in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the first electrode 162 and the second electrode 160 of the thin film transistor TFT by the first passivation layer 170 . ) can be prevented, and the pixel electrode 210 is the first electrode 162 corresponding to the source electrode of the thin film transistor (TFT) due to the foreign material (D, see FIGS. 2 and 3) penetrating from the outside. ) and short circuit can be dramatically prevented. In addition, the first protective film 170 is formed of an inorganic material as described above, and since the process using the inorganic material has a high cost, by disposing the first protective film 170 formed of the inorganic material in a minimum range, it is also possible in terms of manufacturing cost. Significant savings can be expected.

도 2는 보호막이 없는 경우 유기발광 디스플레이 장치에 이물(D)이 침투한 것을 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도 3은 도 1의 유기발광 디스플레이 장치에 이물(D)이 침투한 것을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 이하에서는 이물(D)이 디스플레이부 내부로 침투했을 경우에 제1보호막(170)의 존재 유무에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 도 2와 도 3을 비교하여 설명한다.2 is a cross-sectional view schematically showing that a foreign material D penetrates into the organic light emitting display device when there is no protective layer, and FIG. 3 schematically shows that the foreign material D penetrates into the organic light emitting display device of FIG. 1 It is a cross section. Hereinafter, an organic light emitting display device according to the presence or absence of the first passivation layer 170 when the foreign material D penetrates into the display unit will be described by comparing FIGS. 2 and 3 .

도 2를 참조하면, 제1보호막(170)이 없는 경우 유기발광 디스플레이 장치는, 박막트랜지스터(TFT) 상에 제2절연층(180)이 바로 배치된다. 이러한 제2절연층(180)은 상술한 것과 같이 예컨대 유기물로 형성되기 때문에 외부 이물이 침투한 경우 하부 소자 보호에 취약할 수 있다. 디스플레이부 내에 이물(D)이 침투한 경우에, 이물(D)에 의해 화소전극(210)과 대향전극(230)이 접촉하게 되면 픽셀에 암점에 의한 불량이 발생된다. 그러나 도 2에 도시된 것과 같이 이물(D)이 디스플레이부 내부로 깊숙하게 침투한 경우에는 화소전극(210)과 박막트랜지스터(TFT)의 데이터 라인에 대응하는 제1전극(162)의 접촉부분(10)이 발생하게 되고 이러한 경우 픽셀 내에 명점에 의한 불량이 발생된다. 이러한 암점에 의한 불량은 시인성 여부에 따라 일부 양품 처리가 가능하나, 명점에 의한 불량은 하나의 픽셀이라도 명점이 발생하면 불량으로 처리되어 전체 수율에 치명적인 결과를 초래한다. 또한, 초반에는 암점이었다가 점차적으로 이물(D)이 디스플레이부 내부로 침투하여 명점으로 발현되는 경우가 발생하기도 하며, 이러한 경우 제품 출하 후 발생되는 진행성 불량이 되기도 한다. Referring to FIG. 2 , in the case where the first passivation layer 170 is not present, in the organic light emitting display device, the second insulating layer 180 is directly disposed on the thin film transistor (TFT). As described above, since the second insulating layer 180 is formed of, for example, an organic material, it may be vulnerable to protection of the lower device when an external foreign material penetrates. When the foreign material D penetrates into the display unit, when the pixel electrode 210 and the counter electrode 230 come into contact with the foreign material D, a defect due to dark spots occurs in the pixel. However, as shown in FIG. 2 , when the foreign material D penetrates deeply into the display unit, the contact portion between the pixel electrode 210 and the first electrode 162 corresponding to the data line of the thin film transistor TFT ( 10) occurs, and in this case, defects due to bright spots in the pixel occur. Defects caused by dark spots can be partially processed depending on visibility, but defects due to bright spots are treated as defective when bright spots occur even in one pixel, resulting in fatal results to the overall yield. In addition, there are cases in which it was a dark spot at the beginning, but gradually the foreign material D penetrates into the inside of the display unit and is expressed as a bright spot.

따라서 이러한 픽셀 내에 명점에 의한 불량을 방지하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치에서는 도 3에 도시된 것과 같이 박막트랜지스터(TFT)의 데이터 라인에 대응하는 제1전극(162) 상에 제1보호막(170)이 배치될 수 있다. 제1보호막(170)이 배치됨에 따라, 이물(D)이 디스플레이부 내부로 깊숙하게 침투하는 경우 화소전극(210)과 박막트랜지스터(TFT)의 접촉부분(20)에서 제1보호막(170)에 의해 화소전극(210)이 박막트랜지스터(TFT)의 제1전극(162)과 직접적으로 접촉하는 것을 막을 수 있어 쇼트를 방지하여 픽셀 내부 명점에 의한 불량을 획기적으로 감소시킬 수 있다.도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.Therefore, in order to prevent defects due to bright spots in the pixel, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3 , the first electrode 162 corresponding to the data line of the thin film transistor (TFT). A first passivation layer 170 may be disposed thereon. As the first protective film 170 is disposed, when the foreign material D penetrates deeply into the display unit, at the contact portion 20 between the pixel electrode 210 and the thin film transistor (TFT) to the first protective film 170 . Accordingly, it is possible to prevent the pixel electrode 210 from directly contacting the first electrode 162 of the thin film transistor (TFT), thereby preventing a short circuit and remarkably reducing defects caused by bright spots inside the pixel. It is a cross-sectional view schematically illustrating an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되는 박막트랜지스터(TFT), 제1보호막(172), 제2보호막(182) 및 유기발광소자(200)를 구비한다. 이하 도 4를 참조하여 설명하는 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치 중 전술한 내용과 공통되는 부분은 상기 도 1 내지 도 3의 설명을 원용한다.Referring to FIG. 4 , an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention includes a substrate 100 , a thin film transistor (TFT) disposed on the substrate 100 , a first passivation layer 172 , and a second passivation layer ( 182) and an organic light emitting device 200 . In the organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, which will be described below with reference to FIG. 4 , the parts common to the above description refer to the descriptions of FIGS. 1 to 3 .

박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(140) 상부에 배치된 층간절연막인 제1절연층(150) 상에 제1보호막(172)이 배치될 수 있다, 제1보호막(172)의 일 단부의 적어도 일부는 제1전극(162)에 접하고, 제1보호막(172)의 타 단부의 적어도 일부는 제2전극(160)에 접할 수 있다. 즉, 도 4와 같은 단면도를 참조하면 박막트랜지스터(TFT)의 제1전극(162)과 제2전극(160)은 일정 간격으로 이격되어 배치될 수 있으며, 박막트랜지스터(TFT)의 제1전극(162)과 제2전극(160)이 이격된 부분에 제1보호막(172)이 배치될 수 있다. 이러한 제1보호막(172)을 통해 박막트랜지스터(TFT)의 제1전극(162)과 제2전극(160)의 직접적인 접촉에 의한 쇼트를 방지할 수 있다.A first passivation layer 172 may be disposed on the first insulating layer 150 which is an interlayer insulating layer disposed on the gate electrode 140 of the thin film transistor (TFT). At least one end of the first passivation layer 172 . A portion may be in contact with the first electrode 162 , and at least a portion of the other end of the first passivation layer 172 may be in contact with the second electrode 160 . That is, referring to the cross-sectional view shown in FIG. 4 , the first electrode 162 and the second electrode 160 of the thin film transistor (TFT) may be spaced apart from each other at a predetermined interval, and the first electrode ( A first passivation layer 172 may be disposed at a portion where the second electrode 160 is spaced apart from the 162 . A short circuit due to direct contact between the first electrode 162 and the second electrode 160 of the thin film transistor TFT may be prevented through the first passivation layer 172 .

한편 도 4에 도시된 것과 같이, 제2절연막(180)과 화소전극(210) 사이에 개재되는 제2보호막(182)을 더 포함할 수 있다. 이때 제2보호막(182)은 적어도 박막트랜지스터(TFT)의 제1전극(162) 상부에 배치될 수 있다. 이는 제2보호막(182)이 박막트랜지스터(TFT)의 제1전극(162) 상부에 배치됨에 따라, 이물(D)이 디스플레이부 내부로 깊숙하게 침투하는 경우 화소전극(210)하부에 배치되는 제2보호막(182)에 의해 화소전극(210)과 박막트랜지스터(TFT)의 제1전극(162)의 직접적인 접촉을 방지하여, 화소전극(210)과 박막트랜지스터(TFT)의 제1전극(162)의 직접적인 접촉으로 인한 쇼트 및 픽셀 내부의 명점 불량을 획기적으로 방지할 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 4 , a second passivation layer 182 interposed between the second insulating layer 180 and the pixel electrode 210 may be further included. In this case, the second passivation layer 182 may be disposed on at least the first electrode 162 of the thin film transistor TFT. This is because the second passivation layer 182 is disposed on the first electrode 162 of the thin film transistor (TFT), so when the foreign material D penetrates deeply into the display unit, the second protective layer 182 is disposed under the pixel electrode 210 . The second passivation layer 182 prevents direct contact between the pixel electrode 210 and the first electrode 162 of the thin film transistor TFT, so that the pixel electrode 210 and the first electrode 162 of the thin film transistor TFT. It can dramatically prevent shorts caused by direct contact with pixels and defective bright spots inside the pixel.

이러한 제1보호막(172) 및 제2보호막(182)은 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다. 이와 같은 무기물을 이용한 공정은 공정상 많은 비용이 들기 때문에, 이러한 무기물로 형성되는 제1보호막(172) 및 제2보호막(182)을 전술한 것과 같은 최소한의 범위에 배치함으로써 제조 단가적인 측면에서도 획기적인 절감을 기대할 수 있다.The first passivation layer 172 and the second passivation layer 182 may be formed of, for example, an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride. Since the process using such an inorganic material costs a lot in the process, it is innovative in terms of manufacturing cost by arranging the first protective film 172 and the second protective film 182 formed of such an inorganic material in the minimum range as described above. savings can be expected.

지금까지는 유기발광 디스플레이 장치에 대해서만 주로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이러한 유기발광 디스플레이 장치를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.So far, only the organic light emitting display device has been mainly described, but the present invention is not limited thereto. For example, a method of manufacturing an organic light emitting display device using such an organic light emitting display device will also fall within the scope of the present invention.

도 1의 참조하여 본 발명의 일 실시에 관한 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법에 대하여 설명한다.A method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 .

도 1을 참조하면, 기판(100)을 준비하는 단계를 거쳐, 기판(100) 상에 박막트랜지스터(TFT)를 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)를 형성하는 단계는 게이트전극(140), 소스전극에 대응하는 제1전극(162) 및 게이트전극에 대응하는 제2전극(160)을 포함하여 형성하는 단계일 수 있다.Referring to FIG. 1 , after the step of preparing the substrate 100 , the step of forming a thin film transistor (TFT) on the substrate 100 may be performed. The forming of the thin film transistor TFT may include forming the gate electrode 140 , the first electrode 162 corresponding to the source electrode, and the second electrode 160 corresponding to the gate electrode.

이때 박막트랜지스터(TFT)를 형성하는 단계는, 먼저 기판(100) 상에 버퍼층(110)을 형성한 후 버퍼층(110) 상에 반도체층(120)을 패터닝하는 단계를 거칠 수 있다. 반도체층(120)을 패터닝 한 후 반도체층(120) 상에 게이트절연막(130)을 적층하고 게이트절연막(130) 상에 게이트전극(140)을 패터닝하는 단계를 거칠 수 있다. 게이트절연막(130) 상에 반도체층(120)과 전기적으로 연결되는 제1전극(162) 및 제2전극(160)을 패터닝 할 수 있다.In this case, the forming of the thin film transistor (TFT) may include first forming the buffer layer 110 on the substrate 100 and then patterning the semiconductor layer 120 on the buffer layer 110 . After patterning the semiconductor layer 120 , a gate insulating layer 130 is stacked on the semiconductor layer 120 , and a step of patterning the gate electrode 140 on the gate insulating layer 130 may be performed. The first electrode 162 and the second electrode 160 electrically connected to the semiconductor layer 120 may be patterned on the gate insulating layer 130 .

그 후, 박막트랜지스터(TFT)들 상에 제1보호막(170) 및 제2절연층(180)을 적층하는 단계를 거칠 수 있다. 제1보호막(170)은 박막트랜지스터(TFT)를 보호하는 보호막으로 이해될 수 있으며, 제2절연층(180)은 박막트랜지스터(TFT)을 보호하는 보호막 또는 제2절연층(180)의 상면을 대체로 평탄화하기 위한 평탄화막으로서 이해될 수 있다.Thereafter, a step of stacking the first passivation layer 170 and the second insulating layer 180 on the thin film transistors (TFTs) may be performed. The first passivation layer 170 may be understood as a passivation film protecting the thin film transistor (TFT), and the second insulating layer 180 is a passivation film protecting the thin film transistor (TFT) or an upper surface of the second insulating layer 180 . It can be generally understood as a planarization film for planarization.

제2절연층(180)과 제1절연층(150)에 컨택홀을 형성한 후 컨택홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)의 제1전극(162) 및 제2전극(160) 중 어느 하나와 전기적으로 연결되도록 화소전극(210)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치에서는 화소전극(210)은 드레인전극에 대응하는 제2전극(160)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우 화소전극(210)은 박막트랜지스터(TFT) 상에 형성될 수 있다.After a contact hole is formed in the second insulating layer 180 and the first insulating layer 150, one of the first electrode 162 and the second electrode 160 of the thin film transistor (TFT) is electrically connected through the contact hole. A step of forming the pixel electrode 210 to be connected to In the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the pixel electrode 210 may be electrically connected to the second electrode 160 corresponding to the drain electrode. In this case, the pixel electrode 210 may be formed on the thin film transistor (TFT).

그 후, 제2절연층(180) 상에 화소전극(210)을 형성하고 난 후, 화소전극(210) 상에 제3절연층(190)을 형성할 수 있다. 화소전극(210) 상에 형성된 제3절연층(190)은 화소부를 정의하는 화소정의막의 역할을 한다. 이러한 제3절연층(190)은 화소전극(210)의 각각의 중앙부가 노출되도록 화소전극(210)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다.Thereafter, after the pixel electrode 210 is formed on the second insulating layer 180 , the third insulating layer 190 may be formed on the pixel electrode 210 . The third insulating layer 190 formed on the pixel electrode 210 serves as a pixel defining layer defining the pixel portion. The third insulating layer 190 may be formed to cover the edge of the pixel electrode 210 so that the central portion of each of the pixel electrodes 210 is exposed.

이와 같이 제2절연층(180) 상에 제3절연층(190)을 형성하는 단계를 거친 후, 제3절연층(190)에 의해 노출된 화소전극(210)의 중앙부 상에 발광층을 포함한 중간층(220)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 그 후, 화소전극(210)과 대응되도록 대향전극(230)을 형성하는 단계를 더 거칠 수 있다. 예컨대 도 5에 도시된 것과 같이 대향전극(230)은 제3절연층(190) 전면(全面)에 걸쳐서 형성될 수 있다.After the step of forming the third insulating layer 190 on the second insulating layer 180 as described above, an intermediate layer including an emission layer is formed on the central portion of the pixel electrode 210 exposed by the third insulating layer 190 . Forming 220 may be performed. Thereafter, a step of forming the counter electrode 230 to correspond to the pixel electrode 210 may be further performed. For example, as shown in FIG. 5 , the counter electrode 230 may be formed over the entire surface of the third insulating layer 190 .

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다. Although the present invention has been described with reference to the embodiment shown in the drawings, which is merely exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

D: 이물
100: 기판
140: 게이트전극
150: 제1절연층
160: 제2전극
162: 제1전극
170: 제1보호막
172: 제1보호막
180: 제2절연층
182: 제2보호막
190: 제3절연층
200: 유기발광소자
210: 화소전극
220: 중간층
230: 대향전극D: foreign body
100: substrate
140: gate electrode
150: first insulating layer
160: second electrode
162: first electrode
170: first protective film
172: first protective film
180: second insulating layer
182: second shield
190: third insulating layer
200: organic light emitting device
210: pixel electrode
220: middle layer
230: counter electrode

Claims

Board;
a thin film transistor disposed on the substrate and including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode;
a storage capacitor disposed adjacent to the thin film transistor;
a first passivation layer disposed only on the source electrode to cover the source electrode and having one end in contact with a side surface of the drain electrode positioned toward the source electrode;
an organic light emitting device electrically connected to the drain electrode and including a pixel electrode overlapping the source electrode;
a pixel defining layer having an opening exposing a central portion of the pixel electrode to define a light emitting region of the organic light emitting device; and
an insulating layer interposed between the first passivation layer and the pixel electrode;
the source electrode overlaps the light emitting region, and the first passivation layer is interposed between the pixel electrode and the source electrode overlap;
An upper surface of the drain electrode is exposed without being covered with the first passivation layer and is in direct contact with the insulating layer.

According to claim 1,
Further comprising a first insulating film interposed between the gate electrode and the source electrode and the drain electrode,
At least a portion of the other end of the first passivation layer is in contact with the first insulating layer, the organic light emitting display device.

3. The method of claim 2,
and the first passivation layer is not disposed on a region where the thin film transistor is not disposed.

According to claim 1,
The first passivation layer includes an inorganic material, an organic light emitting display device.

Board;
a thin film transistor disposed on the substrate and including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode;
a storage capacitor disposed adjacent to the thin film transistor;
a first insulating layer interposed between the gate electrode and the source electrode and the drain electrode;
It is disposed on the first insulating layer disposed on the gate electrode to correspond only to a region between the source electrode and the drain electrode, and has one end in contact with a side surface of the source electrode positioned toward the drain electrode, and the other end of the source electrode. a first passivation layer in contact with a side surface of the drain electrode positioned toward
an organic light emitting device electrically connected to the drain electrode and including a pixel electrode overlapping the source electrode;
a pixel defining layer having an opening exposing a central portion of the pixel electrode to define a light emitting region of the organic light emitting device;
a second insulating layer covering the thin film transistor and interposed between the thin film transistor and the pixel electrode; and
a second passivation film interposed between the second insulating film and the pixel electrode;
the light emitting region overlaps the source electrode, and the second passivation layer is interposed between the pixel electrode and the source electrode overlap;
An upper surface of the source electrode and an upper surface of the drain electrode are exposed without being covered with the first passivation layer and are in direct contact with the second insulating layer.

6. The method of claim 5,
and the second passivation layer is disposed on at least the source electrode.

6. The method of claim 5,
The first passivation layer and the second passivation layer include an inorganic material.

forming a thin film transistor including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode on a substrate;
forming a storage capacitor adjacent to the thin film transistor;
forming a first passivation layer formed only on the source electrode to cover the source electrode of the thin film transistor and having one end contacting the side of the drain electrode positioned toward the source electrode;
forming an organic light emitting device electrically connected to a drain electrode and including a pixel electrode overlapping the source electrode;
forming a pixel defining layer having an opening defining a light emitting region of the organic light emitting device by exposing a central portion of the pixel electrode; and
an insulating layer interposed between the first passivation layer and the pixel electrode;
the emission region overlaps the source electrode, and the first passivation layer is interposed between the pixel electrode and the source electrode overlap;
An upper surface of the drain electrode is exposed without being covered with the first passivation layer and is in direct contact with the insulating layer.

9. The method of claim 8,
Further comprising the step of forming a first insulating film between the gate electrode and the source electrode and the drain electrode,
The forming of the first passivation layer may include forming a first passivation layer such that at least a portion of the other end of the first passivation layer is in contact with the first insulating layer.

10. The method of claim 9,
The forming of the first passivation layer is a step of not forming the first passivation layer on a region where the thin film transistor is not disposed.

9. The method of claim 8,
The forming of the first passivation layer is a step of forming the first passivation layer including an inorganic material.