KR102282582B1 - Energy saving type scrubber system for treating waste gas and method for the same - Google Patents

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Abstract

에너지 저감을 위한 폐가스 처리용 스크러버 시스템은 반도체 메인 공정 장비에 연결되는 제1 프로세스 스크러버; 반도체 메인 공정 장비에 연결되는 제2 프로세스 스크러버; 및 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버와 연결되는 백업 스크러버를 포함하고, 상기 백업 스크러버는 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버로부터 작동 상태에 따라 각각 런(RUN) 또는 스톱(STOP) 상태에 대한 신호를 전달받고, 상기 신호에 따라 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건이 달라진다.A scrubber system for waste gas treatment for energy reduction includes: a first process scrubber connected to a semiconductor main process equipment; a second process scrubber connected to the semiconductor main process equipment; and a backup scrubber connected to the first process scrubber and the second process scrubber, wherein the backup scrubber runs from the first process scrubber and the second process scrubber according to the operating state, respectively, in a RUN or STOP state. , and the operating conditions of the power and/or water of the backup scrubber are changed according to the signal.

Description

에너지 저감형 폐가스 처리용 스크러버 시스템 및 그 방법{ENERGY SAVING TYPE SCRUBBER SYSTEM FOR TREATING WASTE GAS AND METHOD FOR THE SAME}Energy-saving waste gas treatment scrubber system and method

본 발명은 스크러버 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 프로세스 스크러버의 작동 상태에 따라 백업 스크러버의 운전 조건이 달라지는 에너지 저감형 폐가스 처리용 스크러버 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a scrubber system. More particularly, it relates to a scrubber system for energy-saving waste gas treatment in which the operating conditions of the backup scrubber vary according to the operating state of the process scrubber.

반도체는 회로 설계, 마스크 제작, 노광, 식각, 확산, 박막, 세정, 연마 등 다양한 제조 공정을 거쳐 제조되는데, 이러한 반도체 제조 공정에서 유독성, 가연성 및 부식성이 강한 가스가 사용된다. 따라서, 반도체 공정 중 배출 가스에는 유해 성분이 다량 함유될 수 있다.Semiconductors are manufactured through various manufacturing processes such as circuit design, mask manufacturing, exposure, etching, diffusion, thin film, cleaning, and polishing. In these semiconductor manufacturing processes, toxic, flammable and corrosive gases are used. Therefore, the exhaust gas during the semiconductor process may contain a large amount of harmful components.

이와 같은 반도체 제조 설비로부터 배출되는 폐가스는 인체에 유해할 뿐만 아니라 그대로 대기 중에 방출되면 심각한 환경오염을 야기할 수 있으므로, 유해가스의 유해성분을 기준치 이하로 낮추기 위해서 정화처리 과정을 반드시 거치도록 법적으로 의무화되어 있다.Waste gas emitted from such semiconductor manufacturing facilities is not only harmful to the human body, but also can cause serious environmental pollution when released into the atmosphere. it is compulsory

유해가스를 처리하기 위하여 스크러버(Scrubber)가 사용될 수 있는데, 반도체 산업에서 사용되는 스크러버는 반도체 제조공정 중에 발생하는 각종 독성가스 및 산성가스, 가연성가스(SiH4, SiH6, As3, PH3 등), 환경유해가스(PFC계: SF6, NF3, CF4, C2F6, C3F8 등)를 정제해 배출하는 장비로 처리 방식에 따라 습식(wet-type), 건식(dry-type), 연소식(burn-type), 흡착식, 플라즈마식 등으로 분류된다.A scrubber may be used to treat harmful gases, and the scrubber used in the semiconductor industry includes various toxic gases, acid gases, and combustible gases (SiH 4 , SiH 6 , As 3 , PH 3 , etc.) generated during the semiconductor manufacturing process. ) and environmentally harmful gases (PFC type: SF 6 , NF 3 , CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 etc.) -type), burn-type, adsorption type, plasma type, etc.

특히, 플라즈마 스크러버는 고온 및 높은 화학적 활성을 이용하여 온난화 지수가 높고, 열적, 화학적으로 매우 안정한 난분해성 물질 등을 처리하는데 매우 효과적이다. 또한, 낮은 운전 비용 및 사용의 편리성 등의 장점을 가진다. 이러한 장점들로 인해 플라즈마 스크러버는 경쟁력 있는 기술로 인정받고 있다.In particular, the plasma scrubber has a high warming potential by using a high temperature and high chemical activity, and is very effective in treating difficult-to-decomposable materials that are thermally and chemically very stable. In addition, it has advantages such as low operating cost and convenience of use. Due to these advantages, plasma scrubber is recognized as a competitive technology.

일반적으로, 반도체 후처리 공정에서는 스크러버 시스템(Scrubber System)이 적용되는데, 이러한 스크러버 시스템은 반도체 메인 공정 장비와 연결되어 폐가스를 처리하는 프로세스 스크러버가 정기적으로 예방 점검을 받거나, 또는 파우더로 인한 막힘, 용수 누출, 냉각 불량 등에 의해 알람(Alarm)이 발생하여 가동이 중단되는 등 정상 작동 되지 않는 여러가지 경우를 대비하여 백업 스크러버를 구비한다. 그러나, 현장에서의 스크러버 시스템은 프로세스 스크러버의 작동 상태와 상관 없이 상시 높은 전력 및/또는 많은 양의 용수로 백업 스크러버를 가동하므로, 불필요한 에너지 소비가 발생하는 문제가 있다. 따라서, 폐가스 처리용 스크러버 시스템의 에너지를 저감시킬 수 있는 방안이 요구된다.In general, a scrubber system is applied in the semiconductor post-processing process. This scrubber system is connected to the semiconductor main process equipment and the process scrubber that treats waste gas receives regular preventive inspection, or clogging due to powder, water A back-up scrubber is provided in case the operation is stopped due to an alarm caused by leakage or cooling failure. However, since the scrubber system in the field always operates the backup scrubber with high power and/or a large amount of water regardless of the operating state of the process scrubber, there is a problem in that unnecessary energy consumption occurs. Therefore, a method capable of reducing the energy of the scrubber system for waste gas treatment is required.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 프로세스 스크러버의 작동 상태에 따라 백업 스크러버의 운전 조건이 달라지는 폐가스 처리용 스크러버 시스템을 제공하는 것이다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a scrubber system for waste gas treatment in which operating conditions of a backup scrubber vary depending on the operating state of the process scrubber. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereto.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 폐가스 처리용 스크러버 시스템은 반도체 메인 공정 장비에 연결되는 제1 프로세스 스크러버; 반도체 메인 공정 장비에 연결되는 제2 프로세스 스크러버; 및 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버와 연결되는 백업 스크러버를 포함하고, 상기 백업 스크러버는 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버로부터 작동 상태에 따라 각각 런(RUN) 또는 스톱(STOP) 상태에 대한 신호를 전달받고, 상기 신호에 따라 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건이 달라질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a scrubber system for treating waste gas includes a first process scrubber connected to a semiconductor main process equipment; a second process scrubber connected to the semiconductor main process equipment; and a backup scrubber connected to the first process scrubber and the second process scrubber, wherein the backup scrubber runs from the first process scrubber and the second process scrubber according to the operating state, respectively, in a RUN or STOP state. , and the operating conditions of power and/or water of the backup scrubber may be changed according to the signal.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 폐가스 처리용 스크러버 시스템에서, 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버의 신호가 런(RUN) 상태인 경우, 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버의 폐가스는 상기 백업 스크러버로 유입되지 않으며, 상기 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건은 오프(OFF) 상태가 되고; 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버 중 적어도 어느 하나의 신호가 스톱 상태인 경우, 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버의 폐가스는 상기 백업 스크러버로 유입되며, 상기 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건은 온(ON) 상태가 될 수 있다.In addition, in the scrubber system for waste gas treatment according to an embodiment of the present invention, when the signals of the first process scrubber and the second process scrubber are in a RUN state, the waste gas of the first process scrubber and the second process scrubber does not flow into the backup scrubber, and the operating condition of power and/or water of the backup scrubber is OFF; When at least one signal of the first process scrubber and the second process scrubber is in a stopped state, the waste gas of the first process scrubber and the second process scrubber flows into the backup scrubber, and the power and/or the power of the backup scrubber The operating condition of water may be in an ON state.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 폐가스 처리용 스크러버 시스템에서, 상기 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건은, 상기 백업 스크러버의 플라즈마를 유지할 수 있도록 하는 최소한의 전력 및/또는 용수에 의해 가동되는 아이들 모드(Idle Mode)와, 폐가스 처리효율이 90% 이상이 되도록 하는 전력 및/또는 용수에 의해 가동되는 액티브 모드(Active Mode)로 구분되고; 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버의 신호가 런(RUN) 상태인 경우, 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버의 폐가스는 상기 백업 스크러버로 유입되지 않으며, 상기 백업 스크러버는 아이들 모드(Idle Mode)로 가동되고; 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버 중 적어도 어느 하나의 신호가 스톱 상태인 경우, 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버의 폐가스는 상기 백업 스크러버로 유입되며, 상기 백업 스크러버는 액티브 모드(Active Mode)로 가동될 수 있다.In addition, in the scrubber system for waste gas treatment according to an embodiment of the present invention, the operating conditions of the power and/or water of the backup scrubber are minimum power and/or water to maintain the plasma of the backup scrubber. It is divided into an idle mode that is operated and an active mode that is operated by power and/or water so that the waste gas treatment efficiency is 90% or more; When the signals of the first process scrubber and the second process scrubber are in the RUN state, the waste gas of the first process scrubber and the second process scrubber does not flow into the backup scrubber, and the backup scrubber is in an idle mode. Mode); When at least one signal of the first process scrubber and the second process scrubber is in a stopped state, the waste gas of the first process scrubber and the second process scrubber flows into the backup scrubber, and the backup scrubber operates in an active mode. mode) can be operated.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 폐가스 처리용 스크러버 시스템에서, 상기 아이들 모드(Idle Mode)는 상기 백업 스크러버의 전력이 8kW이며 용수가 3LPM인 운전 조건이고; 상기 액티브 모드(Active Mode)는 상기 백업 스크러버의 전력이 12kW이며 용수가 5LPM인 운전 조건일 수 있다.In addition, in the scrubber system for waste gas treatment according to an embodiment of the present invention, the idle mode is an operating condition in which the power of the backup scrubber is 8kW and the water is 3LPM; The active mode may be an operating condition in which the power of the backup scrubber is 12 kW and the water is 5 LPM.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 폐가스 처리용 스크러버 시스템에서, 상기 백업 스크러버가 아이들 모드(Idle Mode)인 경우, 플라즈마 발생가스(N2)는 제1 스위치를 통해 공급되고; 상기 백업 스크러버가 액티브 모드(Active Mode)인 경우, 플라즈마 발생가스(N2)는 제1 스위치 및 N2 솔레노이드 밸브가 연결된 제2 스위치를 통해 공급될 수 있다.In addition, in the scrubber system for waste gas treatment according to an embodiment of the present invention, when the backup scrubber is in an idle mode (Idle Mode), the plasma generating gas (N2) is supplied through the first switch; When the backup scrubber is in the active mode, the plasma generating gas N2 may be supplied through the first switch and the second switch to which the N2 solenoid valve is connected.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 폐가스 처리용 스크러버 시스템에서, 상기 백업 스크러버가 아이들 모드(Idle Mode)인 경우, 용수는 용수 챔버를 통해 공급되고; 상기 백업 스크러버가 액티브 모드(Active Mode)인 경우, 용수는 용수 챔버 및 용수 솔레노이드 밸브가 연결된 용수 유입 포트를 통해 공급될 수 있다.In addition, in the scrubber system for waste gas treatment according to an embodiment of the present invention, when the backup scrubber is in an idle mode, water is supplied through a water chamber; When the backup scrubber is in an active mode, water may be supplied through a water inlet port to which a water chamber and a water solenoid valve are connected.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 폐가스 처리용 스크러버 시스템은 적어도 하나의 반도체 메인 공정 장비에 연결되는 적어도 하나의 프로세스 스크러버; 및 상기 프로세스 스크러버에 연결되는 백업 스크러버를 포함하고, 상기 백업 스크러버는 상기 프로세스 스크러버로부터 작동 상태에 따라 런(RUN) 또는 스톱(STOP) 상태에 대한 신호를 전달받고, 상기 신호에 따라 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건이 달라질 수 있다.In addition, according to another embodiment of the present invention, a scrubber system for treating waste gas includes at least one process scrubber connected to at least one semiconductor main process equipment; and a backup scrubber connected to the process scrubber, wherein the backup scrubber receives a signal for a RUN or STOP state according to an operating state from the process scrubber, and the power of the backup scrubber according to the signal and/or the operating conditions of the water may be different.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 폐가스 처리용 스크러버 시스템에서, 상기 프로세스 스크러버의 신호가 런(RUN) 상태인 경우, 상기 프로세스 스크러버의 폐가스는 상기 백업 스크러버로 유입되지 않으며, 상기 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건은 오프(OFF) 상태가 되고; 상기 프로세스 스크러버의 신호가 스톱(STOP) 상태인 경우, 상기 프로세스 스크러버의 폐가스는 상기 백업 스크러버로 유입되며, 상기 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건은 온(ON) 상태가 될 수 있다.In addition, in the scrubber system for waste gas treatment according to another embodiment of the present invention, when the signal of the process scrubber is in a RUN state, the waste gas of the process scrubber does not flow into the backup scrubber, and the power of the backup scrubber and/or the operating condition of the water is turned OFF; When the signal of the process scrubber is in a STOP state, the waste gas of the process scrubber flows into the backup scrubber, and the operating condition of power and/or water of the backup scrubber may be in an ON state.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 폐가스 처리용 스크러버 시스템에서, 상기 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건은, 상기 백업 스크러버의 플라즈마를 유지할 수 있도록 하는 최소한의 전력 및/또는 용수에 의해 가동되는 아이들 모드(Idle Mode)와, 폐가스 처리효율이 90% 이상이 되도록 하는 전력 및/또는 용수에 의해 가동되는 액티브 모드(Active Mode)로 구분되고, 상기 프로세스 스크러버의 신호가 런(RUN) 상태인 경우, 상기 프로세스 스크러버의 폐가스는 상기 백업 스크러버로 유입되지 않으며, 상기 백업 스크러버는 아이들 모드(Idle Mode)로 가동되고; 상기 프로세스 스크러버의 신호가 스톱(STOP) 상태인 경우, 상기 프로세스 스크러버의 폐가스는 상기 백업 스크러버에 유입되며, 상기 백업 스크러버는 액티브 모드(Active Mode)로 가동될 수 있다. In addition, in the scrubber system for waste gas treatment according to another embodiment of the present invention, the operating conditions of the power and/or water of the backup scrubber are minimum power and/or water to maintain the plasma of the backup scrubber. It is divided into an idle mode that is operated and an active mode that is operated by power and/or water so that the waste gas treatment efficiency is more than 90%, and the signal of the process scrubber is in the RUN state , the waste gas of the process scrubber does not flow into the backup scrubber, and the backup scrubber operates in an idle mode; When the signal of the process scrubber is in a STOP state, the waste gas of the process scrubber flows into the backup scrubber, and the backup scrubber may be operated in an active mode.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 반도체 메인 공정 장비에 연결되는 제1 프로세스 스크러버; 반도체 메인 공정 장비에 연결되는 제2 프로세스 스크러버; 및 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버와 연결되는 백업 스크러버를 포함하는 폐가스 처리용 스크러버 시스템의 작동 방법은, 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버로부터 작동 상태에 따라 각각 런(RUN) 또는 스톱(STOP) 상태에 대한 신호를 전달받는 단계; 및 상기 신호에 따라 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건이 달라지는 단계를 포함할 수 있다.In addition, according to another embodiment of the present invention, a first process scrubber connected to the semiconductor main process equipment; a second process scrubber connected to the semiconductor main process equipment; And the operating method of the scrubber system for waste gas treatment comprising a backup scrubber connected to the first process scrubber and the second process scrubber, the first process scrubber and the second process scrubber according to the operating state from each run (RUN) or Receiving a signal for the stop (STOP) state; and changing operating conditions of power and/or water of the backup scrubber according to the signal.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 폐가스 처리용 스크러버 시스템의 작동 방법에서, 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버의 신호가 런(RUN) 상태인 경우, 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버의 폐가스는 상기 백업 스크러버로 유입되지 않으며, 상기 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건은 오프(OFF) 상태가 되고; 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버 중 적어도 어느 하나의 신호가 스톱(STOP) 상태인 경우, 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버의 폐가스는 상기 백업 스크러버로 유입되며, 상기 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건은 온(ON) 상태가 될 수 있다.In addition, in the operating method of the scrubber system for waste gas treatment according to another embodiment of the present invention, when the signals of the first process scrubber and the second process scrubber are in a RUN state, the first process scrubber and the second process scrubber waste gas of the process scrubber does not flow into the backup scrubber, and the operating condition of power and/or water of the backup scrubber is OFF; When at least one signal of the first process scrubber and the second process scrubber is in a STOP state, the waste gas of the first process scrubber and the second process scrubber flows into the backup scrubber, and the power of the backup scrubber and/or the operating condition of the water may be in an ON state.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 폐가스 처리용 스크러버 시스템의 작동 방법에서, 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버의 신호가 런(RUN) 상태인 경우, 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버의 폐가스는 상기 백업 스크러버로 유입되지 않으며, 상기 백업 스크러버는 아이들 모드(Idle Mode)로 가동되고; 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버 중 적어도 어느 하나의 신호가 스톱(STOP) 상태인 경우, 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버의 폐가스는 상기 백업 스크러버로 유입되며, 상기 백업 스크러버는 액티브 모드(Active Mode)로 가동될 수 있다.In addition, in the operating method of the scrubber system for waste gas treatment according to another embodiment of the present invention, when the signals of the first process scrubber and the second process scrubber are in a RUN state, the first process scrubber and the second process scrubber waste gas of the process scrubber does not flow into the backup scrubber, and the backup scrubber operates in an idle mode; When at least one signal of the first process scrubber and the second process scrubber is in a STOP state, the waste gas of the first process scrubber and the second process scrubber flows into the backup scrubber, and the backup scrubber is active It can be operated in Active Mode.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 폐가스 처리용 스크러버 시스템은 소비되는 전력 및 용수의 양을 저감시켜, 에너지 효율을 높일 수 있다. 또한, 프로세스 스크러버가 정상적으로 작동하지 않을 경우 알람(Alarm)이 발생하여 장비가 중단되는 문제를 해결할 수 있으며, 예방 정비(PM) 주기가 연장될 수 있다. 또한, 소모성 부품의 수명 연장의 효과도 기대할 수 있다. 물론, 이러한 효과들에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention made as described above, the scrubber system for waste gas treatment reduces the amount of power and water consumed, thereby increasing energy efficiency. In addition, when the process scrubber does not operate normally, an alarm is generated and the equipment is stopped, and the preventive maintenance (PM) cycle can be extended. In addition, the effect of extending the life of consumable parts can also be expected. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템에 사용되는 스크러버의 사시도이다.
도 4는 스크러버 시스템의 온/오프 상태의 운전 조건을 나타내는 표이다,
도 5는 스크러버 시스템의 아이들/액티브 모드의 운전 조건을 나타내는 표이다.
도 6은 삼방밸브의 작동을 도시한 도면이다.
도 7은 백업 스크러버를 도시한 도면이다.
도 8은 N2 유량 조절 부품을 도시한 도면이다.
도 9는 도 8의 N2 흐름을 도시한 모식도이다.
도 10은 용수 조절 부품을 도시한 도면이다.
도 11은 도 10의 용수 흐름을 도시한 모식도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템의 작동 방법을 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템의 작동 방법을 나타내는 도면이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템의 작동 방법을 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스크러버 시스템의 모식도이다.1 is a perspective view of a scrubber system according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic diagram of a scrubber system according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view of a scrubber used in a scrubber system according to an embodiment of the present invention.
4 is a table showing operating conditions in the on/off state of the scrubber system;
5 is a table showing operating conditions in an idle/active mode of the scrubber system.
6 is a view showing the operation of the three-way valve.
7 is a view showing a backup scrubber.
8 is a view showing an N2 flow control component.
9 is a schematic diagram illustrating the flow of N2 in FIG. 8 .
10 is a view showing a water control part.
11 is a schematic diagram showing the flow of water in FIG. 10 .
12 is a view showing a method of operating a scrubber system according to an embodiment of the present invention.
13 is a diagram illustrating a method of operating a scrubber system according to an embodiment of the present invention.
14 is a diagram illustrating a method of operating a scrubber system according to an embodiment of the present invention.
15 is a schematic diagram of a scrubber system according to another embodiment of the present invention.

상술한 본 발명의 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 실시예를 통하여 보다 분명해질 것이다. The objects, features and advantages of the present invention described above will become more apparent through the following examples in conjunction with the accompanying drawings.

이하의 특정한 구조 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서 또는 출원에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.The following specific structural or functional descriptions are only exemplified for the purpose of describing embodiments according to the concept of the present invention, and the embodiments according to the concept of the present invention may be implemented in various forms and described in the present specification or application. It should not be construed as being limited to the examples.

본 발명의 개념에 따른 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 특정 실시예들은 도면에 예시하고 본 명세서 또는 출원에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 특정한 개시 형태에 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the embodiment according to the concept of the present invention may have various changes and may have various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the present specification or application. However, this is not intended to limit the embodiments according to the concept of the present invention to a specific disclosed form, and should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

제1 및/또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소는 제1 구성 요소로도 명명될 수 있다. Terms such as first and/or second may be used to describe various elements, but the elements are not limited to the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one element from other elements, for example, without departing from the scope of the present invention, a first element may be called a second element, and similar For example, the second component may also be referred to as the first component.

어떠한 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어 있다"거나 "접속되어 있다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떠한 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어 있다"거나 또는 "직접 접속되어 있다"고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하기 위한 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 인접하는"과 "∼에 직접 인접하는" 등의 표현도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is referred to as “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but other components may exist in between. will have to be understood On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that no other element is present in the middle. Other expressions for describing the relationship between elements, that is, expressions such as "between" and "immediately between" or "adjacent to" and "directly adjacent to", should be interpreted similarly.

본 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설명된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used herein are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. As used herein, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that the described feature, number, step, action, component, part, or combination thereof is present, and includes one or more other features or numbers, It should be understood that the possibility of the presence or addition of steps, operations, components, parts or combinations thereof is not precluded in advance.

다르게 정의되지 않는 한, 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present specification. does not

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명하도록 한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by describing embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in each figure indicate like elements.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템의 사시도이며; 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템의 모식도이며; 도 3(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템에 사용되는 스크러버의 외관을 나타내는 도면이며; 도 3(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템에 사용되는 스크러버의 내부 구성을 나타내는 도면이다.1 is a perspective view of a scrubber system according to an embodiment of the present invention; 2 is a schematic diagram of a scrubber system according to an embodiment of the present invention; Figure 3 (a) is a view showing the appearance of the scrubber used in the scrubber system according to an embodiment of the present invention; 3(b) is a diagram illustrating an internal configuration of a scrubber used in a scrubber system according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 폐가스 처리용 스크러버 시스템(100)은 제1 프로세스 스크러버(110), 제2 프로세스 스크러버(120) 및 백업 스크러버(130)를 포함할 수 있다. 상기 프로세스 스크러버는 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120) 2개의 구성으로 한정되는 것은 아니며, 다양한 개수로 구비될 수 있다. 상기 백업 스크러버(130)도 복수 개로 구비될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 폐가스 처리용 스크러버 시스템을 구성하는 스크러버(110, 120, 130)는 전기히터 방식, 연료를 사용하는 버너 방식, 플라즈마 방식 등 다양한 방식의 스크러버일 수 있으며, 특정한 방식으로 한정하지 않는다. 다만, 설명의 편의를 위해, 이하 플라즈마 방식의 스크러버로 설명하기로 한다. 1 and 2 , the scrubber system 100 for waste gas treatment of the present invention may include a first process scrubber 110 , a second process scrubber 120 and a backup scrubber 130 . The process scrubber is not limited to the two configuration of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120, and may be provided in various numbers. A plurality of backup scrubbers 130 may also be provided. The scrubbers 110, 120, and 130 constituting the scrubber system for waste gas treatment according to an embodiment of the present invention may be scrubbers of various types, such as an electric heater method, a burner method using fuel, a plasma method, and the like. do not limit However, for convenience of description, a plasma-type scrubber will be described below.

제1 프로세스 스크러버(110)는 반도체 메인 공정 후 배출되는 폐가스(유해가스)를 처리하기 위하여 반도체 메인 공정 장비와 연결될 수 있다. 상기 반도체 메인 공정 장비는 에칭(Etching), 확산(Diffusion) 등 반도체를 만드는 장비일 수 있다. 폐가스의 유입을 위해, 제1 펌프(140)는 상기 반도체 메인 공정 장비와 제1 프로세스 스크러버(110) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 반도체 메인 공정 장비로부터 배출되어 제1 펌프(140)를 지난 폐가스는 제1 프로세스 배관(160)을 통해 제1 프로세스 스크러버(110)로 유입될 수 있다.The first process scrubber 110 may be connected to the semiconductor main process equipment in order to treat the waste gas (noxious gas) discharged after the semiconductor main process. The semiconductor main process equipment may be equipment for making semiconductors such as etching and diffusion. In order to introduce the waste gas, the first pump 140 may be disposed between the semiconductor main process equipment and the first process scrubber 110 . In addition, the waste gas discharged from the semiconductor main process equipment and passed through the first pump 140 may be introduced into the first process scrubber 110 through the first process pipe 160 .

제2 프로세스 스크러버(120)는 반도체 메인 공정 후 배출되는 폐가스(유해가스)를 처리하기 위하여 반도체 메인 공정 장비와 연결될 수 있다. 폐가스의 유입을 위해, 제2 펌프(150)는 상기 반도체 메인 공정 장비와 제2 프로세스 스크러버(120) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 반도체 메인 공정 장비로부터 배출되어 제2 펌프(150)를 지난 폐가스는 제2 프로세스 배관(180)을 통해 제2 프로세스 스크러버(120)로 유입될 수 있다.The second process scrubber 120 may be connected to the semiconductor main process equipment in order to treat the waste gas (toxic gas) discharged after the semiconductor main process. In order to introduce the waste gas, the second pump 150 may be disposed between the semiconductor main process equipment and the second process scrubber 120 . In addition, the waste gas discharged from the semiconductor main process equipment and passed through the second pump 150 may be introduced into the second process scrubber 120 through the second process pipe 180 .

한편, 상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)(이하, '프로세스 스크러버'라 함)의 작동 상태에 따라, 상기 프로세스 스크러버(110, 120)가 정상적으로 가동되는 경우를 런(RUN) 상태, 상기 프로세스 스크러버(110, 120)가 정상적으로 가동되지 않는 경우를 스톱(STOP) 상태로 나눌 수 있다. 또한, 상기 프로세스 스크러버(110, 120)는 각각 런(RUN) 또는 스톱(STOP) 상태의 신호를 백업 스크러버(130)로 전달 할 수 있다. 상기 프로세스 스크러버에서 전송하는 신호는, 예를 들어, DC 24V일 수 있으며, 프로세스 스크러버에서 발생하는 DC 24V의 신호를 백업 스크러버의 PLC(Programmable Logic Controller)로 전송할 수 있다.On the other hand, according to the operating state of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 (hereinafter, referred to as 'process scrubber'), the case where the process scrubbers 110 and 120 are normally operated is run ( RUN) state, a case in which the process scrubbers 110 and 120 are not normally operated may be divided into a STOP state. In addition, the process scrubbers 110 and 120 may transmit a signal of a RUN or STOP state to the backup scrubber 130, respectively. The signal transmitted from the process scrubber may be, for example, DC 24V, and a DC 24V signal generated from the process scrubber may be transmitted to a programmable logic controller (PLC) of the backup scrubber.

백업 스크러버(130)는 상기 프로세스 스크러버(110, 120)와 연결될 수 있다. 예를 들면, 케이블로 연결되어 신호를 주고받을 수 있다. 상기 백업 스크러버(130)는, 상기 프로세스 스크러버(110, 120)가 정상 상태로 작동하지 않는 경우, 예를 들면, 프로세스 스크러버가 파우더로 인한 막힘, 용수 누출, 냉각 불량, 점검 등의 이유로 정상적으로 작동하지 않을 경우를 대비하여 사용될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)와 마찬가지로, 상기 백업 스크러버(130)도 반도체 메인 공정과 연결되어 폐가스를 독자적으로 처리할 수 있다. 이러한 백업 스크러버(130)의 작동은 작업자에 의해 자유로이 변경될 수 있다.The backup scrubber 130 may be connected to the process scrubbers 110 and 120 . For example, it may be connected by a cable to transmit and receive signals. When the process scrubbers 110 and 120 do not operate normally, the backup scrubber 130 does not operate normally due to, for example, clogging of the process scrubber with powder, water leakage, poor cooling, inspection, etc. It can be used in case it is not. However, the present invention is not limited thereto, and like the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 , the backup scrubber 130 may be connected to the main semiconductor process to independently process the waste gas. The operation of the backup scrubber 130 may be freely changed by the operator.

또한, 본 발명에 따른 스크러버 시스템의 백업 스크러버(130)는, 상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)로부터 작동 상태에 따라 각각 런(RUN) 또는 스톱(STOP) 상태에 대한 신호를 전달받고, 상기 신호에 따라 전력 및/또는 용수의 운전 조건이 달라질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 스크러버 시스템은, 종래의 스크러버 시스템에 비하여 상시 높은 전력 및/또는 많은 양의 용수로 백업 스크러버를 가동하지 않아도 되므로, 에너지를 크게 절약할 수 있다. 또한, 전력 및 용수 저감 외에도 소모성 부품의 수명 연장, 점검 주기 감소 등의 효과를 기대할 수 있다.In addition, the backup scrubber 130 of the scrubber system according to the present invention, respectively, according to the operating state from the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 RUN or STOP state for A signal is received, and operating conditions of power and/or water may be changed according to the signal. Accordingly, the scrubber system according to the present invention does not need to always operate the backup scrubber with high power and/or a large amount of water compared to the conventional scrubber system, so energy can be greatly saved. In addition to reducing power and water, effects such as extending the lifespan of consumable parts and reducing the inspection cycle can be expected.

도 3에 도시된 바와 같이, 폐가스 처리용 스크러버 시스템을 구성하는 스크러버(110, 120, 130)는 폐가스 유입관(115, 125, 135), 플라즈마 발생장치(111, 121, 131)(스크러버 방식에 따라 달라질 수 있음), 히팅챔버(heating chamber)(112, 122, 132), 워터탱크(water tank)(113, 123, 133) 및 아웃렛타워(outlet tower)(114, 124, 134)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 반도체 공정 후 배출되는 폐가스는 상기 폐가스 유입관을 통해 스크러버 내로 유입될 수 있다. 상기 플라즈마 발생장치는 폐가스를 열분해시키기 위한 플라즈마(화염)를 생성하는데, 상기 플라즈마는 플라즈마 형성 가스인 질소(N2), 캐소드 전극체 및 애노드 전극체의 상호작용에 의해서 생성될 수 있다. 상기 플라즈마의 온도는 약 2000 ℃ 내지 3000 ℃일 수 있다. 상기 히팅챔버는 상기 플라즈마 발생장치의 일측 단부에 연결되어, 상기 플라즈마 발생장치를 통과한 가스를 연소시켜 정화 처리할 수 있다. 상기 워터탱크는 상기 히팅챔버 하부에 위치하며, 상기 히팅챔버를 통과한 가스 및 파우더(부산물)을 제거할 수 있다. 또한, 상기 아웃렛타워는 상기 워터탱크 상부에 설치되어, 상기 워터탱크로부터 상승하는 가스에 포함되어 있는 이물질을 제거할 수 있다. 상기 과정에 따라, 스크러버는 폐가스를 처리하여 무해한 가스를 외부에 배출할 수 있다. 3, the scrubbers 110, 120, 130 constituting the scrubber system for waste gas treatment are waste gas inlet pipes 115, 125, 135, plasma generators 111, 121, 131 (in the scrubber method). may include), a heating chamber (112, 122, 132), a water tank (113, 123, 133) and an outlet tower (114, 124, 134) can Specifically, the waste gas discharged after the semiconductor process may be introduced into the scrubber through the waste gas inlet pipe. The plasma generator generates a plasma (flame) for thermally decomposing the waste gas, and the plasma may be generated by the interaction of nitrogen (N 2 ), a plasma forming gas, a cathode electrode body, and an anode electrode body. The temperature of the plasma may be about 2000 °C to 3000 °C. The heating chamber may be connected to one end of the plasma generating device, and may be purified by burning the gas that has passed through the plasma generating device. The water tank is located below the heating chamber, and can remove gas and powder (by-product) that have passed through the heating chamber. In addition, the outlet tower may be installed above the water tank to remove foreign substances contained in the gas rising from the water tank. According to the above process, the scrubber may process the waste gas and discharge harmless gas to the outside.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 폐가스 처리용 스크러버 시스템(100)에서, 백업 스크러버(130)의 전력 및/또는 용수의 운전 조건은, 프로세스 스크러버(110, 120)의 작동 상태에 따라 온(ON)/오프(OFF) 상태가 될 수 있다. As shown in FIG. 4 , in the scrubber system 100 for waste gas treatment of the present invention, the operating conditions of power and/or water of the backup scrubber 130 are turned on according to the operating conditions of the process scrubbers 110 and 120 . It can be in (ON)/off (OFF) state.

상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)의 신호가 둘 다 런(RUN) 상태, 즉 상기 두 대의 스크러버 모두가 정상적으로 작동하는 경우, 제1 프로세스 배관(160)을 따라 상기 제1 프로세스 스크러버(110)로 유입되는 폐가스 및 제2 프로세스 배관(180)을 따라 상기 제2 프로세스 스크러버(120)로 유입되는 폐가스는, 각각 폐가스 유입관(115, 125), 히팅챔버(112, 122), 워터탱크(113, 123) 및 아웃렛타워(114, 124)를 거쳐 무해한 가스로 정화 처리된다. 도 6(a)에 도시된 바와 같이, 폐가스 유입관(115, 125) 측에 인접하여 설치된 삼방밸브(116, 126)는 프로세스(process) 작동을 하여, 폐가스가 프로세스 스크러버(110, 120)의 히팅챔버(112, 122) 측으로 흐르도록 한다. 즉, 프로세스 스크러버(110, 120)로 유입되는 폐가스는 백업 스크러버(130)로 전달되지 않고, 프로세스 스크러버(110, 120) 내에서 처리된다. 이때, 백업 스크러버(130)는 폐가스를 처리하지 않아도 되므로, 오프(OFF) 상태, 즉 전력값이 0 kW, 용수의 양이 0 LPM인 상태가 된다. When the signals of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 are both in a RUN state, that is, when both scrubbers are operating normally, the first process scrubber 110 follows the first process pipe 160. The waste gas flowing into the first process scrubber 110 and the waste gas flowing into the second process scrubber 120 along the second process pipe 180 are the waste gas inlet pipes 115 and 125 and the heating chambers 112 and 122, respectively. ), water tanks (113, 123), and outlet towers (114, 124) are purified into harmless gas. As shown in Fig. 6 (a), the three-way valves 116 and 126 installed adjacent to the waste gas inlet pipe 115 and 125 side operate a process, so that the waste gas is removed from the process scrubbers 110 and 120. It flows toward the heating chamber (112, 122). That is, the waste gas flowing into the process scrubbers 110 and 120 is not transferred to the backup scrubber 130 , but is processed in the process scrubbers 110 and 120 . At this time, since the backup scrubber 130 does not need to process the waste gas, it is in an OFF state, that is, the power value is 0 kW and the amount of water is 0 LPM.

또한, 상기 스크러버 시스템(100)에서, 상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120) 중 적어도 어느 하나의 신호가 스톱(STOP) 상태, 즉 상기 두 대의 스크러버 중 어느 하나라도 정상적으로 작동하지 않는 경우, 제1 프로세스 배관(160)을 따라 상기 제1 프로세스 스크러버(110)로 유입되는 폐가스 및 제2 프로세스 배관(180)을 따라 상기 제2 프로세스 스크러버(120)로 유입되는 폐가스는, 백업 스크러버(130)로 유입된다. 도 6(b)에 도시된 바와 같이, 상기 삼방밸브(116, 126)는 바이패스(bypass) 작동을 하여, 프로세스 스크러버(110, 120)의 폐가스가 상기 백업 스크러버(130)로 흘러간다. 구체적으로, 제1 프로세스 배관(160)을 따라 제1 프로세스 스크러버(110)의 폐가스 유입관(115)으로 유입되는 폐가스는, 삼방밸브(116)의 바이패스로 인해, 제1 바이패스 배관(170)을 통해 백업 스크러버(130)로 유입된다. 마찬가지로, 제2 프로세스 배관(180)을 따라 제2 프로세스 스크러버(120)의 폐가스 유입관(125)으로 유입되는 폐가스는, 삼방밸브(126)의 바이패스로 인해, 제2 바이패스 배관(190)을 통해 백업 스크러버(130)로 유입된다. 상기 유입된 폐가스는, 백업 스크러버(130) 내에서 정화 처리된다. 즉, 폐가스는 폐가스 유입관(135), 히팅챔버(132), 워터탱크(133) 및 아웃렛타워(134)를 거쳐 무해한 가스로 정화 처리된다. 이때, 백업 스크러버(130)는 프로세스 스크러버(110, 120)로부터 유입된 폐가스를 처리해야 하므로, 온(ON) 상태가 된다. 상기 온(ON) 상태는, 예를 들어 전력값이 약 12 kW, 용수의 양이 약 8 LPM일 수 있다. In addition, in the scrubber system 100 , the signal of at least one of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 is in a STOP state, that is, any one of the two scrubbers operates normally. If not, the waste gas flowing into the first process scrubber 110 along the first process pipe 160 and the waste gas flowing into the second process scrubber 120 along the second process pipe 180 are back-up It flows into the scrubber 130 . As shown in FIG. 6B , the three-way valves 116 and 126 perform a bypass operation, so that the waste gas of the process scrubbers 110 and 120 flows to the backup scrubber 130 . Specifically, the waste gas flowing into the waste gas inlet pipe 115 of the first process scrubber 110 along the first process pipe 160 is, due to the bypass of the three-way valve 116 , the first bypass pipe 170 . ) is introduced into the backup scrubber 130 through the. Similarly, the waste gas flowing into the waste gas inlet pipe 125 of the second process scrubber 120 along the second process pipe 180 is, due to the bypass of the three-way valve 126 , the second bypass pipe 190 . is introduced into the backup scrubber 130 through the The introduced waste gas is purified in the backup scrubber 130 . That is, the waste gas is purified into harmless gas through the waste gas inlet pipe 135 , the heating chamber 132 , the water tank 133 , and the outlet tower 134 . At this time, since the backup scrubber 130 has to process the waste gas introduced from the process scrubbers 110 and 120, it is in an ON state. The ON state may be, for example, a power value of about 12 kW and an amount of water of about 8 LPM.

예를 들어, 온(ON) 상태에서 백업 스크러버(130)의 전력 값이 약 12 kW, 용수의 양이 약 8 LPM이고, 오프(OFF) 상태에서의 백업 스크러버(130)의 전력 값이 0 kW, 용수의 양이 0 LPM인 경우, 본 발명의 스크러버 시스템에 따르면, 전력 값 및 용수의 양을 각각 약 12 kW 및 8 LPM씩 절약할 수 있다. 만일, 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버가 모두 정상 작동하여, 백업 스크러버가 오프(OFF) 상태로 약 362시간 유지된 경우, 전력은 약 4344 kWh 절약할 수 있고, 용수는 약 173톤 절약할 수 있다.For example, the power value of the backup scrubber 130 in the ON state is about 12 kW, the amount of water is about 8 LPM, and the power value of the backup scrubber 130 in the OFF state is 0 kW , when the amount of water is 0 LPM, according to the scrubber system of the present invention, the power value and the amount of water can be saved by about 12 kW and 8 LPM, respectively. If both the first process scrubber and the second process scrubber operate normally and the backup scrubber is kept in the OFF state for about 362 hours, about 4344 kWh of electricity can be saved and about 173 tons of water can be saved. can

한편, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 폐가스 처리용 스크러버 시스템(100)에서, 백업 스크러버(130)의 전력 및/또는 용수의 운전 조건은, 프로세스 스크러버(110, 120)의 작동 상태에 따라 아이들 모드(Idle Mode)/액티브 모드(Active Mode)로 구분될 수 있다. 상기 아이들 모드(Idle Mode)는 백업 스크러버(130)의 플라즈마를 유지할 수 있도록 하는 최소한의 전력 및/또는 용수에 의해 가동되는 운전 모드이다. 즉, 플라즈마 발생장치에서 플라즈마를 생성하고 이를 유지하기 위해서는 어느 정도 전력 및/또는 용수가 필요한데, 이때 최소한의 전력 및/또는 용수에 의해 가동되는 모드가 아이들 모드이다. 또한, 상기 액티브 모드(Active Mode)는 백업 스크러버의 폐가스 처리효율이 약 90% 이상이 되도록 하는 전력 및/또는 용수에 의해 가동되는 운전 모드이다. 이러한 아이들 모드/액티브 모드의 운전 조건에 따르면 백업 스크러버는 상시 가동되는 것이므로, 앞서 설명한 온/오프 상태의 운전 조건에 비하여 에너지 저감 효과가 더 낮을 수 있다. 그러나, 백업 스크러버가 오프(OFF) 상태에서 온(ON) 상태로 운전 조건을 전환할 때 플라즈마 점화가 실패할 위험이 있으므로, 아이들 모드/액티브 모드의 운전 조건에 의하면 상기와 같은 위험을 사전에 방지할 수 있다. On the other hand, as shown in FIG. 5, in the scrubber system 100 for waste gas treatment of the present invention, the operating conditions of power and/or water of the backup scrubber 130 are in the operating state of the process scrubbers 110 and 120. Accordingly, it may be divided into an idle mode/active mode. The idle mode is an operation mode operated by the minimum power and/or water to maintain the plasma of the backup scrubber 130 . That is, in order to generate and maintain plasma in the plasma generating device, a certain amount of power and/or water is required. In this case, the mode operated by the minimum power and/or water is the idle mode. In addition, the active mode is an operation mode operated by electric power and/or water so that the waste gas treatment efficiency of the backup scrubber is about 90% or more. Since the backup scrubber is always operated according to the operating conditions of the idle mode/active mode, the energy reduction effect may be lower than the above-described operating conditions of the on/off state. However, since there is a risk of plasma ignition failure when the backup scrubber switches the operating condition from the OFF state to the ON state, the above risk is prevented in advance according to the operating conditions of the idle mode/active mode can do.

상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)의 신호가 둘 다 런(RUN) 상태, 즉 상기 두 대의 스크러버 모두가 정상적으로 작동하는 경우, 제1 프로세스 배관(160)을 따라 상기 제1 프로세스 스크러버(110)로 유입되는 폐가스 및 제2 프로세스 배관(180)을 따라 상기 제2 프로세스 스크러버(120)로 유입되는 폐가스는, 각각 폐가스 유입관(115, 125), 히팅챔버(112, 122), 워터탱크(113, 123) 및 아웃렛타워(114, 124)를 거쳐 무해한 가스로 정화되어 외부로 배출된다. 도 6(a)에 도시된 바와 같이, 삼방밸브(116, 126)는 프로세스(process) 작동을 하여, 폐가스가 프로세스 스크러버(110, 120)의 히팅챔버 측으로 흐르도록 한다. 즉, 폐가스는 백업 스크러버(130)로 전달되지 않고 프로세스 스크러버(110, 120) 내에서 처리되며, 백업 스크러버(130)는 아이들 모드로 가동된다. 백업 스크러버(130)가 아이들(Idle) 모드로 가동되는 경우, 예를 들어 전력값은 약 8 kW, 용수의 양은 약 3 LPM일 수 있다. When the signals of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 are both in a RUN state, that is, when both scrubbers are operating normally, the first process scrubber 110 follows the first process pipe 160. The waste gas flowing into the first process scrubber 110 and the waste gas flowing into the second process scrubber 120 along the second process pipe 180 are the waste gas inlet pipes 115 and 125 and the heating chambers 112 and 122, respectively. ), water tanks (113, 123) and outlet towers (114, 124) are purified into harmless gas and discharged to the outside. As shown in FIG. 6( a ), the three-way valves 116 and 126 perform a process operation so that the waste gas flows to the heating chamber side of the process scrubbers 110 and 120 . That is, the waste gas is not delivered to the backup scrubber 130 but is processed in the process scrubbers 110 and 120 , and the backup scrubber 130 is operated in an idle mode. When the backup scrubber 130 is operated in the idle mode, for example, the power value may be about 8 kW, and the amount of water may be about 3 LPM.

또한, 상기 스크러버 시스템(100)에서, 상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120) 중 적어도 어느 하나의 신호가 스톱(STOP) 상태, 즉 상기 두 대의 스크러버 중 어느 하나라도 정상적으로 작동하지 않는 경우, 제1 프로세스 배관(160)을 따라 상기 제1 프로세스 스크러버(110)로 유입되는 폐가스 및 제2 프로세스 배관(180)을 따라 상기 제2 프로세스 스크러버(120)로 유입되는 폐가스는, 백업 스크러버(130)로 유입된다. 도 6(b)에 도시된 바와 같이, 상기 삼방밸브(116, 126)는 바이패스(bypass) 작동을 하여, 프로세스 스크러버(110, 120)의 폐가스가 상기 백업 스크러버(130)로 흘러간다. 구체적으로, 제1 프로세스 배관(160)을 따라 제1 프로세스 스크러버(110)의 폐가스 유입관(115)으로 유입되는 폐가스는, 삼방밸브(116)의 바이패스로 인해, 제1 바이패스 배관(170)을 통해 백업 스크러버(130)로 유입된다. 마찬가지로, 제2 프로세스 배관(180)을 따라 제2 프로세스 스크러버(120)의 폐가스 유입관(125)으로 유입되는 폐가스는, 삼방밸브(126)의 바이패스로 인해, 제2 바이패스 배관(190)을 통해 백업 스크러버(130)로 유입된다. 이때, 백업 스크러버(130)는 액티브 모드로 가동되며, 유입된 폐가스는 상기 백업 스크러버에서 정화 처리된다. 상기 액티브 모드는, 예를 들어 전력값이 약 12 kW, 용수의 양이 약 5 LPM일 수 있다.In addition, in the scrubber system 100 , the signal of at least one of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 is in a STOP state, that is, any one of the two scrubbers operates normally. If not, the waste gas flowing into the first process scrubber 110 along the first process pipe 160 and the waste gas flowing into the second process scrubber 120 along the second process pipe 180 are back-up It flows into the scrubber 130 . As shown in FIG. 6B , the three-way valves 116 and 126 perform a bypass operation, so that the waste gas of the process scrubbers 110 and 120 flows to the backup scrubber 130 . Specifically, the waste gas flowing into the waste gas inlet pipe 115 of the first process scrubber 110 along the first process pipe 160 is, due to the bypass of the three-way valve 116 , the first bypass pipe 170 . ) is introduced into the backup scrubber 130 through the. Similarly, the waste gas flowing into the waste gas inlet pipe 125 of the second process scrubber 120 along the second process pipe 180 is, due to the bypass of the three-way valve 126 , the second bypass pipe 190 . is introduced into the backup scrubber 130 through the At this time, the backup scrubber 130 is operated in an active mode, and the introduced waste gas is purified by the backup scrubber. In the active mode, for example, the power value may be about 12 kW and the amount of water may be about 5 LPM.

예를 들어, 아이들 모드에서의 백업 스크러버의 전력 값이 약 8 kW, 용수의 양이 약 3 LPM이고, 액티브 모드에서의 백업 스크러버의 전력 값이 약 12 kW, 용수의 양이 약 5 LPM인 경우, 본 발명의 스크러버 시스템에 따르면, 전력 값 및 용수의 양을 각각 약 4 kW 및 2 LPM씩 절약할 수 있다. 만일, 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버가 모두 정상 작동하여, 백업 스크러버가 아이들 모드로 가동된 시간이 약 484시간이면, 전력은 약 1936 kWh 절약할 수 있고, 용수는 약 58톤 절약할 수 있다. For example, when the power value of the backup scrubber in the idle mode is about 8 kW and the amount of water is about 3 LPM, the power value of the backup scrubber in the active mode is about 12 kW and the amount of water is about 5 LPM , according to the scrubber system of the present invention, the power value and the amount of water can be saved by about 4 kW and 2 LPM, respectively. If the first process scrubber and the second process scrubber both operate normally and the backup scrubber is operated in idle mode for about 484 hours, about 1936 kWh of electricity can be saved and about 58 tons of water can be saved. there is.

도 7은 백업 스크러버(130)를 나타내는 도면이며; 도 8은 백업 스크러버(130)의 후면도이며; 도 9(a)는 종래의 스크러버 시스템의 N2 흐름을 나타내는 도면이며; 도 9(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템의 아이들 모드에서의 N2 흐름을 나타내는 도면이며; 도 9(c)는 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템의 액티브 모드에서의 N2 흐름을 나타내는 도면이며; 도 10은 백업 스크러버(130)의 부분 확대도이며; 도 11(a)는 스크러버 시스템의 아이들 모드에서의 용수의 흐름을 나타내는 도면이며; 도 11(b)는 스크러버 시스템의 액티브 모드에서의 용수의 흐름을 나타내는 도면이다. 7 is a diagram illustrating a backup scrubber 130; 8 is a rear view of the backup scrubber 130; Figure 9 (a) is a diagram showing the N2 flow of the conventional scrubber system; Figure 9 (b) is a diagram showing the N2 flow in the idle mode of the scrubber system according to an embodiment of the present invention; 9( c ) is a diagram illustrating an N2 flow in an active mode of a scrubber system according to an embodiment of the present invention; 10 is a partially enlarged view of the backup scrubber 130; Fig. 11 (a) is a diagram showing the flow of water in the idle mode of the scrubber system; Fig. 11(b) is a diagram showing the flow of water in the active mode of the scrubber system.

상기 백업 스크러버(130)의 전력은 전류와 플라즈마 발생장치에 공급되는 N2 유량에 의해 조절될 수 있다. 상기 백업 스크러버의 전류 값은, 예를 들어 파워 서플라이(Power Supply)와 PLC(Programmable Logic Controller)가 RS-232 통신을 하여 가동 상태에 맞는 전류의 값을 설정함으로써 조절될 수 있다. The power of the backup scrubber 130 may be adjusted by the current and the N2 flow rate supplied to the plasma generator. The current value of the backup scrubber may be adjusted by, for example, a power supply and a programmable logic controller (PLC) performing RS-232 communication to set a current value suitable for an operation state.

도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 백업 스크러버(130)의 플라즈마 발생장치(131)에 공급되는 플라즈마 발생가스 N2의 유량은 제1 스위치(210), 제 2 스위치(220) 및 N2 솔레노이드 밸브(230)에 의해 조절될 수 있다. 다만, 상기 플라즈마 발생가스는 N2에 한정되는 것은 아니고, 다양한 가스가 이용될 수 있다. 도 9(a)에 도시된 바와 같이, 종래에는 플라즈마 발생가스인 N2가 N2공급부(20)로부터 스위치(21)를 통해 플라즈마 발생장치(131)로 유입되는 한가지 경로만을 이용하였으므로, N2 유량을 조절하기 어려웠다. 이에 비하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템(100)에서는, 백업 스크러버(130)의 아이들 모드/액티브 모드에 따라 N2 유량을 용이하게 조절할 수 있다. 아이들 모드의 경우, 도 9(b)에 도시된 바와 같이, 제1 스위치(210)만 개방되며 N2는 상기 제1 스위치(210)를 통해 플라즈마 발생장치(131)로 공급될 수 있다. 액티브 모드의 경우, 도 9(c)에 도시된 바와 같이, 제1 스위치(210) 및 N2 솔레노이드 밸브(230)가 연결된 제2 스위치(220) 모두 개방되며, N2공급부(200)로부터 분기점(240)에서 분기되는 N2는, 제1 스위치(210)와 N2 솔레노이드 밸브(230)가 연결된 제2 스위치(220)를 통해 합쳐지는 지점(250)에서 만나 플라즈마 발생장치(131)로 공급될 수 있다. 8 and 9, the flow rate of the plasma generating gas N2 supplied to the plasma generating device 131 of the backup scrubber 130 is the first switch 210, the second switch 220 and the N2 solenoid valve. (230) can be adjusted. However, the plasma generating gas is not limited to N2, and various gases may be used. As shown in FIG. 9( a ), in the related art, since only one path through which N2, which is a plasma generating gas, flows from the N2 supply unit 20 to the plasma generating device 131 through the switch 21 was used, the N2 flow rate was adjusted. It was difficult to do. In contrast, in the scrubber system 100 according to an embodiment of the present invention, the N2 flow rate can be easily adjusted according to the idle mode/active mode of the backup scrubber 130 . In the idle mode, as shown in FIG. 9B , only the first switch 210 is opened and N2 may be supplied to the plasma generator 131 through the first switch 210 . In the case of the active mode, as shown in FIG. 9(c) , both the second switch 220 to which the first switch 210 and the N2 solenoid valve 230 are connected are opened, and the branch point 240 from the N2 supply unit 200 is ) may meet at a point 250 where the first switch 210 and the N2 solenoid valve 230 are merged through the second switch 220 to which the N2 solenoid valve 230 is connected, and may be supplied to the plasma generator 131 .

도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 스크러버 시스템(100)에 공급되는 용수는 용수 챔버(310), 용수 유입 포트(320) 및 용수 솔레노이드 밸브(330)에 의해 조절될 수 있다. 용수는 일반적으로 플라즈마의 발열로 인한 부품의 파손을 방지하기 위한 냉각을 목적으로 하는 물(water)인 PCW(Process Cooling Water)와, 수용성 가스의 습식 처리 및 부품 냉각을 목적으로 하는 물(water)인 NPW(Natural Process Water)로 구분할 수 있는데, 본 발명에서 조절되는 용수는 NPW인 것이 바람직하다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템(100)에서는, 백업 스크러버(130)의 아이들 모드/액티브 모드에 따라 용수(NPW)의 양을 용이하게 조절할 수 있다. 아이들 모드의 경우, 도 11(a)에 도시된 바와 같이, 용수(NPW) 챔버(310)만을 통해 용수가 공급될 수 있다. 액티브 모드의 경우, 도 11(b)에 도시된 바와 같이, 용수는 용수(NPW) 챔버(310) 및 용수(NPW) 솔레노이드 밸브(330)가 연결된 용수(NPW) 유입 포트(330)를 통해 공급될 수 있다. 상기와 같은 구조에 의하여, 본 발명의 스크러버 시스템은 기존의 것보다 용이하게 용수를 조절할 수 있다. 또한, 스크러버 시스템의 에너지를 크게 절감할 수 있다. 한편, 상기 용수 챔버(310)로부터 나오는 용수는 예를 들어 히팅 챔버(132) 하측을 통해 워터탱크(133)로 공급될 수 있으며, 상기 용수 유입 포트(320)로부터 나오는 용수는 예를 들어 아웃렛타워(134)로 공급될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.10 and 11 , the water supplied to the scrubber system 100 may be controlled by the water chamber 310 , the water inlet port 320 , and the water solenoid valve 330 . In general, water is PCW (Process Cooling Water), which is water for the purpose of cooling to prevent damage to parts due to the heat of plasma, and water (water) for the purpose of wet treatment of water-soluble gas and cooling of parts. It can be divided into NPW (Natural Process Water), and it is preferable that the water to be regulated in the present invention is NPW. However, the present invention is not limited thereto. In the scrubber system 100 according to an embodiment of the present invention, the amount of water NPW can be easily adjusted according to the idle mode/active mode of the backup scrubber 130 . In the idle mode, water may be supplied only through the water (NPW) chamber 310 as shown in FIG. 11( a ). In the active mode, as shown in FIG. 11(b), water is supplied through a water (NPW) inlet port 330 to which a water (NPW) chamber 310 and a water (NPW) solenoid valve 330 are connected. can be By the structure as described above, the scrubber system of the present invention can control water more easily than conventional ones. In addition, the energy of the scrubber system can be greatly saved. Meanwhile, the water coming out of the water chamber 310 may be supplied to the water tank 133 through the lower side of the heating chamber 132, for example, and the water coming out of the water inlet port 320 may be, for example, an outlet tower. (134) can be supplied. However, the present invention is not limited thereto.

이어서, 본 발명의 일 실시예에 따른 폐가스 처리용 스크러버 시스템(100)의 작동 방법에 대하여 설명한다.Next, an operating method of the scrubber system 100 for waste gas treatment according to an embodiment of the present invention will be described.

도 12에 도시된 바와 같이, 반도체 메인 공정 장비와 연결되는 제1 프로세스 스크러버(110); 반도체 메인 공정 장비와 연결되는 제2 프로세스 스크러버(120) 및; 상기 제1 프로세스 스크러버(110)와 제2 프로세스 스크러버(120)와 연결되는 백업 스크러버(130)를 포함하는 폐가스 처리용 스크러버 시스템(100)의 작동 방법에 있어서, 상기 작동 방법은 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버로부터 작동 상태에 따라 각각 런(RUN) 또는 스톱(STOP) 상태에 대한 신호를 전달받는 단계(S10); 상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)의 정상 작동 상태를 판단하는 단계(S20); 및 상기 프로세스 스크러버(110, 120)의 신호에 따라 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건이 달라지는 단계(S30)를 포함할 수 있다. 12, a first process scrubber 110 connected to the semiconductor main process equipment; a second process scrubber 120 connected to the semiconductor main process equipment; In the operating method of the scrubber system 100 for waste gas treatment including the backup scrubber 130 connected to the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120, the operating method is the first process scrubber And receiving a signal for each run (RUN) or stop (STOP) state according to the operating state from the second process scrubber (S10); determining normal operating states of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 (S20); And it may include a step (S30) of changing the operating conditions of the power and/or water of the backup scrubber according to the signal of the process scrubber (110, 120).

도 13에 도시된 바와 같이, 상기 백업 스크러버의 운전 조건이 달라지는 단계(S30)는, 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버가 모두 정상적으로 작동하는 경우 백업 스크러버는 오프(OFF) 상태가 되는 단계(S31); 또는 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버 중 적어도 어느 하나가 정상적으로 작동하지 않는 경우 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버의 폐가스가 백업 스크러버로 유입되는 단계(S32) 및 백업 스크러버는 온(ON) 상태가 되는 단계(S33)를 포함할 수 있다. 상기 폐가스가 유입되는 단계(S32)는, 프로세스 스크러버에 설치된 삼방밸브의 바이패스 작동에 의해 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 13 , the step (S30) of changing the operating conditions of the backup scrubber is a step in which the backup scrubber is in an OFF state when both the first process scrubber and the second process scrubber operate normally ( S31); Alternatively, when at least one of the first process scrubber and the second process scrubber does not operate normally, the waste gas of the first process scrubber and the second process scrubber is introduced into the backup scrubber (S32) and the backup scrubber is turned on. It may include a step (S33) of becoming a state. The step of introducing the waste gas (S32) may be performed by a bypass operation of a three-way valve installed in the process scrubber.

또한, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 백업 스크러버의 운전 조건이 달라지는 단계(S30)는, 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버가 모두 정상적으로 작동하는 경우 백업 스크러버는 아이들 모드로 가동되는 단계(S41); 또는 상기 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버 중 적어도 어느 하나가 정상적으로 작동하지 않은 경우 제1 프로세스 스크러버 및 제2 프로세스 스크러버의 폐가스가 백업 스크러버로 유입되는 단계(S42) 및 백업 스크러버는 액티브 모드(S43)로 가동되는 단계를 포함할 수 있다. 상기 폐가스가 유입되는 단계(S42)는, 프로세스 스크러버에 설치된 삼방밸브의 바이패스 작동에 의해 이루어질 수 있다.In addition, as shown in FIG. 14 , the step (S30) of changing the operating conditions of the backup scrubber is a step in which the backup scrubber is operated in an idle mode when both the first process scrubber and the second process scrubber operate normally ( S41); Alternatively, when at least one of the first process scrubber and the second process scrubber does not operate normally, the waste gas of the first process scrubber and the second process scrubber is introduced into the backup scrubber (S42) and the backup scrubber is in an active mode (S43). ) may include a step operated by. The step of introducing the waste gas (S42) may be performed by a bypass operation of a three-way valve installed in the process scrubber.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 스크러버 시스템은, 도 15에 도시된 바와 같이, 반도체 메인 공정 장비에 연결되는 적어도 하나의 프로세스 스크러버(1000) 및 상기 프로세스 스크러버(1000)에 연결되는 백업 스크러버(2000)를 포함할 수 있다. 본 실시예의 설명에 있어서, 앞서 설명한 실시예와 중복되는 내용에 대하여는 그 설명을 생략한다. On the other hand, a scrubber system according to another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 15 , at least one process scrubber 1000 connected to the semiconductor main process equipment and a backup scrubber connected to the process scrubber 1000 ( 2000) may be included. In the description of the present embodiment, the description of the content overlapping with the above-described embodiment will be omitted.

본 발명의 다른 실시예에 따른 스크러버 시스템에서, 상기 프로세스 스크러버(1000)는, 도 15(a)에 도시된 바와 같이 최소 1개로 구비될 수 있으며, 도 15(b)에 도시된 바와 같이 최대 4개(1000a, 1000b, 1000c, 1000d)로 구비될 수도 있다. 다만, 프로세스 스크러버의 개수가 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 백업 스크러버(2000)도 복수 개로 구비될 수 있다. 상기 백업 스크러버(2000)는 프로세스 스크러버(1000)로부터 작동 상태에 따라 런(RUN) 또는 스톱(STOP) 상태에 대한 신호를 전달받고, 상기 신호에 따라 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건이 달라질 수 있다.In the scrubber system according to another embodiment of the present invention, the process scrubber 1000 may be provided with at least one as shown in FIG. 15(a), and up to 4 as shown in FIG. 15(b). Dogs 1000a, 1000b, 1000c, and 1000d may be provided. However, the number of process scrubbers is not limited thereto. In addition, a plurality of backup scrubbers 2000 may be provided. The backup scrubber 2000 receives a signal for a RUN or STOP state depending on the operating state from the process scrubber 1000, and the operating condition of the power and/or water of the backup scrubber according to the signal is determined. may vary.

상기 스크러버 시스템에서, 프로세스 스크러버(1000)의 신호가 런(RUN) 상태인 경우, 상기 프로세스 스크러버(1000)의 폐가스는 삼방밸브의 프로세스 작동에 의해 상기 백업 스크러버로 유입되지 않으며, 상기 백업 스크러버(2000)의 전력 및/또는 용수의 운전 조건은 오프(OFF) 상태가 될 수 있다. 또한, 상기 프로세스 스크러버(1000)의 신호가 스톱(STOP) 상태인 경우, 상기 프로세스 스크러버(1000)의 폐가스는 삼방밸브의 바이패스 작동에 의해 상기 백업 스크러버(2000)로 유입되며, 상기 백업 스크러버(2000)의 전력 및/또는 용수의 운전 조건은 온(ON) 상태가 될 수 있다.In the scrubber system, when the signal of the process scrubber 1000 is in the RUN state, the waste gas of the process scrubber 1000 is not introduced into the backup scrubber by the process operation of the three-way valve, and the backup scrubber 2000 ) of power and/or water may be in an OFF state. In addition, when the signal of the process scrubber 1000 is in a STOP state, the waste gas of the process scrubber 1000 is introduced into the backup scrubber 2000 by the bypass operation of the three-way valve, and the backup scrubber ( 2000), the operating condition of power and/or water may be in an ON state.

한편, 상기 스크러버 시스템에서, 상기 프로세스 스크러버(1000)의 신호가 런(RUN) 상태인 경우, 상기 프로세스 스크러버(1000)의 폐가스는 삼방밸브의 프로세스 작동에 의해 상기 백업 스크러버로 유입되지 않으며, 상기 백업 스크러버(2000)는 아이들 모드로 가동될 수 있다. 또한, 상기 프로세스 스크러버(1000)의 신호가 스톱(STOP) 상태인 경우, 상기 프로세스 스크러버(1000)의 폐가스는 삼방발배의 바이패스 작동에 의해 상기 백업 스크러버(2000)로 유입되며, 상기 백업 스크러버는 액티브 모드로 가동될 수 있다. Meanwhile, in the scrubber system, when the signal of the process scrubber 1000 is in the RUN state, the waste gas of the process scrubber 1000 is not introduced into the backup scrubber by the process operation of the three-way valve, and the backup The scrubber 2000 may be operated in an idle mode. In addition, when the signal of the process scrubber 1000 is in a STOP state, the waste gas of the process scrubber 1000 is introduced into the backup scrubber 2000 by a three-way bypass operation, and the backup scrubber is It can be operated in active mode.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiment shown in the drawings, which is only exemplary, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. will be. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

100: 스크러버 시스템
110: 제1 프로세스 스크러버
120: 제2 프로세스 스크러버
130: 백업 스크러버
140: 제1 펌프
150: 제2 펌프
160: 제1 프로세스 배관
170: 제1 바이패스 배관
180: 제2 프로세스 배관
190: 제2 바이패스 배관100: scrubber system
110: first process scrubber
120: second process scrubber
130: backup scrubber
140: first pump
150: second pump
160: first process pipe
170: first bypass pipe
180: second process piping
190: second bypass pipe

Claims (12)

반도체 메인 공정 장비에 연결되는 제1 프로세스 스크러버(110);
반도체 메인 공정 장비에 연결되는 제2 프로세스 스크러버(120); 및
상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)와 연결되는 백업 스크러버(130)를 포함하고,
상기 백업 스크러버(130)는 상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)로부터 작동 상태에 따라 각각 런(RUN) 또는 스톱(STOP) 상태에 대한 신호를 전달받고, 상기 신호에 따라 백업 스크러버(130)의 전력 및/또는 용수의 운전 조건이 달라지며,
상기 백업 스크러버(130)의 전력 및/또는 용수의 운전 조건은, 상기 백업 스크러버(130)의 플라즈마를 유지할 수 있도록 하는 최소한의 전력 및/또는 용수에 의해 가동되는 아이들 모드(Idle Mode)와, 폐가스 처리효율이 90% 이상이 되도록 하는 전력 및/또는 용수에 의해 가동되는 액티브 모드(Active Mode)로 구분되고;
상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)의 신호가 런(RUN) 상태인 경우, 상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)의 폐가스는 상기 백업 스크러버(130)로 유입되지 않으며, 상기 백업 스크러버(130)는 아이들 모드(Idle Mode)로 가동되고;
상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120) 중 적어도 어느 하나의 신호가 스톱(STOP) 상태인 경우, 상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)의 폐가스는 상기 백업 스크러버(130)로 유입되며, 상기 백업 스크러버(130)는 액티브 모드(Active Mode)로 가동되는,
폐가스 처리용 스크러버 시스템.
a first process scrubber 110 connected to the semiconductor main process equipment;
a second process scrubber 120 connected to the semiconductor main process equipment; and
and a backup scrubber 130 connected to the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120,
The backup scrubber 130 receives a signal for a RUN or STOP state, respectively, from the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 according to the operating state, and according to the signal The operating conditions of the power and / or water of the backup scrubber 130 are different,
The operating conditions of the power and/or water of the backup scrubber 130 include an idle mode operated by the minimum power and/or water to maintain the plasma of the backup scrubber 130 (Idle Mode), and waste gas It is divided into an Active Mode operated by power and/or water to achieve a treatment efficiency of more than 90%;
When the signals of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 are in a RUN state, the waste gas of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 is transferred to the backup scrubber ( 130), the backup scrubber 130 operates in an idle mode;
When at least one signal of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 is in a STOP state, the waste gas of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 is Inflow into the backup scrubber 130, the backup scrubber 130 is operated in an active mode (Active Mode),
Scrubber system for waste gas treatment.
 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 아이들 모드(Idle Mode)는 상기 백업 스크러버(130)의 전력이 8kW이며 용수가 3LPM인 운전 조건이고;
상기 액티브 모드(Active Mode)는 상기 백업 스크러버(130)의 전력이 12kW이며 용수가 5LPM인 운전 조건인,
폐가스 처리용 스크러버 시스템.
According to claim 1,
The idle mode is an operating condition in which the power of the backup scrubber 130 is 8kW and the water is 3LPM;
The active mode is an operating condition in which the power of the backup scrubber 130 is 12kW and the water is 5LPM,
Scrubber system for waste gas treatment.
 제1항에 있어서,
상기 백업 스크러버(130)가 아이들 모드(Idle Mode)인 경우, 플라즈마 발생가스(N2)는 제1 스위치(210)를 통해 공급되고;
상기 백업 스크러버(130)가 액티브 모드(Active Mode)인 경우, 플라즈마 발생가스(N2)는 제1 스위치(210) 및 N2 솔레노이드 밸브(230)가 연결된 제2 스위치(220)를 통해 공급되는
폐가스 처리용 스크러버 시스템.
According to claim 1,
When the backup scrubber 130 is in the idle mode (Idle Mode), the plasma generating gas (N2) is supplied through the first switch (210);
When the backup scrubber 130 is in an active mode, the plasma generating gas N2 is supplied through the second switch 220 to which the first switch 210 and the N2 solenoid valve 230 are connected.
Scrubber system for waste gas treatment.
 제1항에 있어서,
상기 백업 스크러버(130)가 아이들 모드(Idle Mode)인 경우, 용수는 용수 챔버(310)를 통해 공급되고;
상기 백업 스크러버(130)가 액티브 모드(Active Mode)인 경우, 용수는 용수 챔버(310) 및 용수 솔레노이드 밸브(330)가 연결된 용수 유입 포트(320)를 통해 공급되는,
폐가스 처리용 스크러버 시스템.
According to claim 1,
When the backup scrubber 130 is in the idle mode, water is supplied through the water chamber 310;
When the backup scrubber 130 is in the active mode, water is supplied through the water inlet port 320 to which the water chamber 310 and the water solenoid valve 330 are connected,
Scrubber system for waste gas treatment.
 적어도 하나의 반도체 메인 공정 장비에 연결되는 적어도 하나의 프로세스 스크러버(1000); 및
상기 프로세스 스크러버(1000)에 연결되는 백업 스크러버(2000)를 포함하고,
상기 백업 스크러버(2000)는 상기 프로세스 스크러버(1000)로부터 작동 상태에 따라 런(RUN) 또는 스톱(STOP) 상태에 대한 신호를 전달받고, 상기 신호에 따라 백업 스크러버(2000)의 전력 및/또는 용수의 운전 조건이 달라지며,
상기 백업 스크러버의 전력 및/또는 용수의 운전 조건은, 상기 백업 스크러버(2000)의 플라즈마를 유지할 수 있도록 하는 최소한의 전력 및/또는 용수에 의해 가동되는 아이들 모드(Idle Mode)와, 폐가스 처리효율이 90% 이상이 되도록 하는 전력 및/또는 용수에 의해 가동되는 액티브 모드(Active Mode)로 구분되고,
상기 프로세스 스크러버(1000)의 신호가 런(RUN) 상태인 경우, 상기 프로세스 스크러버(1000)의 폐가스는 상기 백업 스크러버(2000)로 유입되지 않으며, 상기 백업 스크러버(2000)는 아이들 모드(Idle Mode)로 가동되고;
상기 프로세스 스크러버(1000)의 신호가 스톱(STOP) 상태인 경우, 상기 프로세스 스크러버(1000)의 폐가스는 상기 백업 스크러버(2000)에 유입되며, 상기 백업 스크러버(2000)는 액티브 모드(Active Mode)로 가동되는,
폐가스 처리용 스크러버 시스템.
at least one process scrubber 1000 connected to at least one semiconductor main process equipment; and
and a backup scrubber 2000 connected to the process scrubber 1000,
The backup scrubber 2000 receives a signal for a RUN or STOP state according to an operating state from the process scrubber 1000, and power and/or water of the backup scrubber 2000 according to the signal different driving conditions,
The operating conditions of the power and/or water of the backup scrubber are an idle mode operated by the minimum power and/or water to maintain the plasma of the backup scrubber 2000, and the waste gas treatment efficiency. It is divided into Active Mode operated by power and/or water to be more than 90%,
When the signal of the process scrubber 1000 is in the RUN state, the waste gas of the process scrubber 1000 does not flow into the backup scrubber 2000, and the backup scrubber 2000 is in an idle mode. operated with;
When the signal of the process scrubber 1000 is in a STOP state, the waste gas of the process scrubber 1000 flows into the backup scrubber 2000, and the backup scrubber 2000 enters an active mode. operated,
Scrubber system for waste gas treatment.
 삭제delete 삭제delete 반도체 메인 공정 장비에 연결되는 제1 프로세스 스크러버(110); 반도체 메인 공정 장비에 연결되는 제2 프로세스 스크러버(120); 및 상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)와 연결되는 백업 스크러버(130)를 포함하는 폐가스 처리용 스크러버 시스템(100)의 작동 방법에 있어서,
상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)로부터 작동 상태에 따라 각각 런(RUN) 또는 스톱(STOP) 상태에 대한 신호를 전달받는 단계; 및
상기 신호에 따라 백업 스크러버(130)의 전력 및/또는 용수의 운전 조건이 달라지는 단계를 포함하며,
상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)의 신호가 런(RUN) 상태인 경우, 상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)의 폐가스는 상기 백업 스크러버(130)로 유입되지 않으며, 상기 백업 스크러버(130)는 아이들 모드(Idle Mode)로 가동되고;
상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120) 중 적어도 어느 하나의 신호가 스톱(STOP) 상태인 경우, 상기 제1 프로세스 스크러버(110) 및 제2 프로세스 스크러버(120)의 폐가스는 상기 백업 스크러버(130)로 유입되며, 상기 백업 스크러버(130)는 액티브 모드(Active Mode)로 가동되는,
폐가스 처리용 스크러버 시스템의 작동 방법. a first process scrubber 110 connected to the semiconductor main process equipment; a second process scrubber 120 connected to the semiconductor main process equipment; and a backup scrubber 130 connected to the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 in the operating method of the scrubber system 100 for waste gas treatment,
Receiving a signal for each of the run (RUN) or stop (STOP) state according to the operating state from the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120; and
Including the step of changing the operating conditions of the power and / or water of the backup scrubber 130 according to the signal,
When the signals of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 are in a RUN state, the waste gas of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 is transferred to the backup scrubber ( 130), the backup scrubber 130 operates in an idle mode;
When at least one signal of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 is in a STOP state, the waste gas of the first process scrubber 110 and the second process scrubber 120 is Inflow into the backup scrubber 130, the backup scrubber 130 is operated in an active mode (Active Mode),
How a scrubber system for waste gas treatment works. 삭제delete 삭제delete
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