KR102267439B1 - 광대역 톤필츠형 트랜스듀서 - Google Patents

광대역 톤필츠형 트랜스듀서 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 광대역 톤필츠형 트랜스듀서는 길이 방향을 따라 링(ring) 형태의 압전소자와 전극판이 교대로 적층되어 형성되는 압전체; 개구부를 포함하고, 상기 개구부가 상기 압전체를 향하도록 상기 압전체의 일측에 배치되는 전면추; 길이 방향을 관통하는 홀을 포함하며, 상기 압전체의 타측에 배치되는 후면추; 및 상기 후면추, 상기 압전체 및 상기 전면추를 차례로 관통하여 체결하는 장력볼트를 포함하고, 상기 전면추는, 상기 장력볼트가 체결된 상태에서 중공부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

광대역 톤필츠형 트랜스듀서{WIDE BAND TONPILZ TYPE TRANSDUCER}
본 발명은 음향신호 송·수신에 사용되는 톤필츠형 트랜스듀서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 서로 다른 2개의 주파수 대역에서 음향신호 송·수신이 가능한 광대역 톤필츠형 트랜스듀서에 관한 것이다.
잠수함 공격을 목적으로 하는 경어뢰의 선두부에는 트랜스듀서 배열로 구성된 음향전환장치가 구비된다.
음향전환장치는 음향신호의 송신 여부에 따라 능동형과 수동형으로 구분될 수 있다. 능동형 음향전환장치는 전기신호를 음향신호로 변환하여 수중으로 방사하고, 표적으로부터 반사되는 음향신호를 수신하는 역할을 하며, 수동형 음향전환장치는 표적으로부터 방사되는 음향신호를 전기신호로 변환하는 역할을 한다.
주로 능동형 음향전환장치에는 톤필츠형(Tonpilz type) 트랜스듀서가 적용된다.
도 1은 일반적인 톤필츠형 트랜스듀서의 개념도이다.
도 1을 참조하면, 톤필츠형 트랜스듀서(10)는 전면추(2)와 후면추(3) 사이에 응력볼트(4)에 의해 압전체(1)가 조립된 형태를 갖는다. 압전체(1)는 복수의 압전 소자들이 길이 방향으로 적층되어 형성된다.
톤필츠형 트랜스듀서는 압전소자들이 적층된 길이 방향으로 진동하며, 이에 따라 액체 매질 내에서 압력이 변화하여 음파가 발생될 수 있다. 또한, 톤필츠형 트랜스듀서를 공진 주파수 영역에서 이용하는 경우 고출력 음파의 송신이 가능하고, 표적으로부터 반사되는 음파의 수신 능력도 향상될 수 있다.
그러나 톤필츠형 트랜스듀서는 압전소자들이 공진하는 주파수 대역에서만 음향신호의 송·수신이 가능한 한계가 있다(협대역 표적탐지). 또한, 톤필츠형 트랜스듀서의 길이는 공진 주파수에 반비례하므로, 장거리 표적 탐지를 위해 공진 주파수를 저주파 대역으로 설계하기 위해서는 톤필츠형 트랜스듀서의 길이가 길어지는 문제가 있으며, 따라서 중량 및 공간이 제한적인 경어뢰에 적용하는데 한계가 있다.
본 발명은 압전소자 및 중공부의 공진을 통해 서로 다른 2개의 주파수 대역에서 음향신호를 송·수신할 수 있는 광대역 톤필츠형 트랜스듀서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 광대역 톤필츠형 트랜스듀서는 길이 방향을 따라 링(ring) 형태의 압전소자와 전극판이 교대로 적층되어 형성되는 압전체; 개구부를 포함하고, 상기 개구부가 상기 압전체를 향하도록 상기 압전체의 일측에 배치되는 전면추; 길이 방향을 관통하는 홀을 포함하며, 상기 압전체의 타측에 배치되는 후면추; 및 상기 후면추, 상기 압전체 및 상기 전면추를 차례로 관통하여 체결하는 장력볼트를 포함하고, 상기 전면추는, 상기 장력볼트가 체결된 상태에서 중공부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 실시예에 있어서, 상기 압전체, 상기 전면추 및 상기 후면추는 동축 상에 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 실시예에 있어서, 상기 압전소자는, 2상 또는 3상의 압전단결정 소재인 것을 특징으로 한다.
본 실시예에 있어서, 상기 압전체의 표면 상에 배치되어, 상기 압전소자를 상기 전면추, 상기 후면추 및 상기 장력볼트로부터 절연시키는 절연판을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 실시예에 있어서, 상기 전면추와 상기 압전체 사이에 배치되는 고정부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 실시예에 있어서, 상기 압전소자는 제1 주파수 대역에서 공진하고, 상기 중공부는 제2 주파수 대역에서 공진하는 것을 특징으로 한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 주파수 대역의 평균값 또는 최소 주파수 값은 상기 제2 주파수 대역보다 낮은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 광대역 톤필츠 트랜스듀서는 압전소자 및 중공부가 서로 다른 주파수에서 길이 방향으로 진동하므로, 2개의 주파수 대역에서 음향신호를 송·수신할 수 있으며, 따라서 경어뢰에 장착된 상태에서 2발을 동시에 운용하더라도 음향신호 상호 간 간섭을 피할 수 있는 효과가 있다.
또한, 압전단결정 소재는 동일 크기의 압전세라믹 소재 대비 큰 탄성 컴플라이언스를 가지므로 저주파 대역에서 공진할 수 있으며, 이에 장거리 표적 탐지에 유리한 효과가 있다.
또한, 압전단결정 소재는 동일 주파수 대역에서 공진하도록 설계된 압전세라믹 소재 대비 강성이 낮아 더 작은 두께로 구현이 가능하며, 소형화에 유리한 효과가 있다.
또한, 압전단결정 소재는 압전세라믹 소재 대비 높은 압전 상수를 가지므로, 고출력 음향신호의 송수신이 가능한 효과가 있다.
도 1은 일반적인 톤필츠형 트랜스듀서의 개념도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광대역 톤필츠형 트랜스듀서의 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 본 발명의 실시예에 따른 트랜스듀서의 임피던스 크기 및 위상을 나타낸 그래프이다.
도 4a 및 도 4b는 각각 본 발명의 실시예에 따른 트랜스듀서의 송신감도 및 수신감도를 나타낸 그래프이다.
도 5 내지 도 8은 각각 본 발명의 실시예에 따른 압전단결정 소재를 사용한 트랜스듀서와 압전세라믹 소재를 사용한 트랜스듀서의 임피던스 크기 및 위상, 송신감도, 수신감도를 비교하여 나타낸 그래프이다.
본 발명은 2개의 주파수 대역(저주파 및 고주파)에서 음향신호를 송·수신할 수 있는 광대역 톤필츠형 트랜스듀서(이하, 트랜스듀서)에 관한 것이다.
이하에서는, 본 발명의 실시예에 따른 트랜스듀서(100)에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광대역 톤필츠형 트랜스듀서의 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 트랜스듀서(100)는 압전체(110), 전면추 (120), 후면추(130) 및 장력볼트(140)를 포함할 수 있다.
트랜스듀서(100)는 전면추(120), 압전체(110) 및 후면추(130)가 길이 방향으로 적층되어 형성될 수 있으며, 이들은 장력볼트(140)에 의해 체결될 수 있다.
압전체(110)는 길이 방향을 따라 링(ring) 형태의 압전소자(111)와 전극판(112)이 교대로 적층되어 형성될 수 있다.
압전소자(111)는 전기적 신호를 기계적 신호로 변환시키거나 기계적 신호를 전기적 신호로 변환시킬 수 있다. 전극판(112)은 전극과 연결될 수 있다.
예를 들어, 압전소자(111)는 제1 주파수 대역에서 길이 방향으로 진동할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 압전체(110)를 구성하는 압전소자(111)는 압전단결정 소재가 사용될 수 있다. 예를 들어, 압전소자(111)는 2상(PMN-PT) 또는 3상(PIN-PMN-PT)의 압전단결정 소재가 사용될 수 있으며, 이에 한정하는 것은 아니다.
압전단결정 소재는 동일 크기의 압전세라믹 소재 대비 큰 탄성 컴플라이언스를 가지므로 저주파 대역에서 공진할 수 있으며, 이에 장거리 표적 탐지에 유리한 효과가 있다.
또한, 동일 주파수 대역에서 공진하도록 설계된 압전세라믹 소재 대비 강성이 낮아 더 작은 두께로 구현이 가능하며, 소형화에 유리한 효과가 있다.
또한, 압전세라믹 소재 대비 높은 압전 상수를 가지므로, 고출력 음향신호의 송수신이 가능하며, 나아가 전기-기계 결합계수 또한 우수하여 전기-기계 변환 효율이 우수한 효과가 있다.
전면추(120)는 개구부를 포함하며, 개구부가 압전체(110)를 향하도록 압전체(110)의 일측에 배치될 수 있다.
전면추(120)는 압전체(110)의 진동을 음향신호로서 수중에 방사할 수 있다. 전면추(120)는 전면추(120)로부터 방사되는 음향신호의 에너지 크기를 극대화하기 위해 방사면(122)의 면적을 넓게 형성할 수 있다.
예를 들어, 전면추(120)는 알루미늄 재질로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.
후면추(130)는 길이 방향을 관통하는 홀을 포함하며, 압전체(110)의 타측에 배치될 수 있다. 후면추(130)는 밀도가 높고, 질량이 큰 소재로 형성되어 전면추(120)로부터 방사되는 음향신호의 에너지를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 후면추(130)는 황동 재질로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.
장력볼트(140)는 후면추(130) 측에서 후면추(130), 압전체(110) 및 전면추(120)를 차례로 관통하여 체결할 수 있다. 이를 위해 압전체(110), 전면추(120) 및 후면추(130)는 동축 상에 배치될 수 있다.
장력볼트(140)는 압전소자(111) 진동 시 압전소자(111)의 진동방향으로 탄성 변형할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 트랜스듀서(100)는 절연판(150) 및 고정부 (160)를 더 포함할 수 있다.
절연판(150)은 압전체(110)의 표면 상에 배치되어, 압전소자(111)를 전면추(120), 후면추(130) 및 장력볼트(140)로부터 절연시킬 수 있다.
예를 들어, 절연판(150)은 압전체(110)와 전면추(120) 사이 및 압전체(110)와 후면추(130) 사이에 배치될 수 있으며, 나아가 압전체(110)와 장력볼트(140) 사이에도 배치될 수 있다.
고정부(160)는 전면추(120)와 압전체(110) 사이에 배치될 수 있으며,
한편, 본 발명의 실시예에 따르면, 전면추(120)는 장력볼트(140)가 체결된 상태에서 중공부(121)를 포함할 수 있다.
중공부(121)는 트랜스듀서(100)의 길이 방향으로 연장된 형태이며, 제2 주파수 대역에서 길이 방향으로 진동할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따르면, 트랜스듀서(100)는 제1 주파수 대역에서 압전소자(111)가 진동하고, 제2 주파수 대역에서 중공부(121)가 진동하여 이중공진이 발생할 수 있으며, 이에 서로 다른 주파수 대역에서 음향신호를 송·수신할 수 있다.
이 때, 제1 주파수 대역의 평균값 또는 최소 주파수 값은 상기 제2 주파수 대역보다 낮을 수 있다. 즉, 압전소자(111)는 저주파 대역에서 공진하고, 중공부(121)는 고주파 대역에서 공진할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 실시예에 따른 트랜스듀서(100)의 압전소자 (111) 및 중공부(121)의 공진에 대해 설명한다.
본 실시예에서, 압전소자(111)에 의한 공진은 스프링 역할을 하는 압전소자(111)와 질량 역할을 하는 전면추(120) 및 후면추(130)에 의한 것으로 저주파 대역에서 발생한다. 또한, 중공부(121)에 의한 공진은 스프링 역할을 하는 중공부(121)와 질량 역할을 하는 전면추(120)의 일측, 압전체(110) 및 후면추(130)에 의한 것으로 고주파 대역에서 발생한다.
톤필츠형 트랜스듀서의 길이 방향 진동의 공진 주파수는 아래 수학식 1과 같이 정의된다.
Figure 112019122526877-pat00001
(
Figure 112019122526877-pat00002
: 공진 주파수,
Figure 112019122526877-pat00003
: 강성,
Figure 112019122526877-pat00004
: 유효질량)
수학식 1에 따르면, 압전소자(111)에 의한 공진 주파수(제1 주파수 대역)는 압전소자(111)에 대한 강성과 압전소자(111) 진동 시 질량 역할을 하는 전면추(120) 및 후면추(130)의 유효질량을 통해 도출될 수 있다.
압전소자(111)의 강성은 아래 수학식 2와 같이 정의된다.
Figure 112019122526877-pat00005
(
Figure 112019122526877-pat00006
: 컴플라이언스,
Figure 112019122526877-pat00007
: 단면적,
Figure 112019122526877-pat00008
: 개수,
Figure 112019122526877-pat00009
: 두께,
Figure 112019122526877-pat00010
: 탄성 컴플라이언스)
또한, 전면추(120) 및 후면추(130)에 의한 유효질량은 아래 수학식 3과 같이 정의된다.
Figure 112019122526877-pat00011
(
Figure 112019122526877-pat00012
: 전면추 전체 질량,
Figure 112019122526877-pat00013
: 후면추 전체 질량)
또한, 수학식 1에 따르면, 중공부(121)에 의한 공진 주파수(제2 주파수 대역)는 중공부 (121)의 스프링 강성과 중공부(121) 진동 시 질량 역할을 하는 전면추(120)의 일측, 압전체(110) 및 후면추(130)의 유효질량을 통해 도출될 수 있다.
이 때, 중공부(121)의 강성은 아래 수학식 4와 같이 정의된다.
Figure 112019122526877-pat00014
(
Figure 112019122526877-pat00015
: 전면추 소재의 탄성계수,
Figure 112019122526877-pat00016
: 중공부 단면적,
Figure 112019122526877-pat00017
: 중공부 길이)
도 3a 및 도 3b는 각각 본 발명의 실시예에 따른 트랜스듀서의 임피던스 크기 및 위상을 나타낸 그래프이고, 도 4a 및 도 4b는 각각 본 발명의 실시예에 따른 트랜스듀서의 송신감도 및 수신감도를 나타낸 그래프이다.
도 3 및 도 4의 결과에 따르면, 본 발명의 실시예에 따른 트랜스 듀서(100)의 이중공진 특성을 확인할 수 있다. 즉, 압전소자(111) 및 중공부 (121)는 서로 중복되지 않는 주파수 대역(제1 주파수 대역 및 제2 주파수 대역)에서 공진하며, 이에 본 발명의 실시예에 따른 트랜스듀서(100)는 제1 주파수 대역 및 제2 주파수 대역에서 음향신호의 송수신이 가능하며, 동시에 운용되더라도 상호 간에 영향을 미치지 않을 수 있다.
도 5 내지 도 8은 각각 본 발명의 실시예에 따른 압전단결정 소재를 사용한 트랜스듀서와 압전세라믹 소재를 사용한 트랜스듀서의 임피던스 크기 및 위상, 송신감도, 수신감도를 비교하여 나타낸 그래프이다.
그래프에 따르면, 압전단결정 소재를 사용한 트랜스듀서와 압전세라믹 소재를 사용한 트랜스듀서가 동일한 공진 주파수를 가질 때, 압전단결정 소재를 사용한 트랜스듀서의 길이는 압전세라믹 소재를 사용한 트랜스듀서 대비 약 33% 감소되게 되며, 이에 압전단결정 소재를 사용한 트랜스듀서는 소형화 측면에서 유리한 효과가 있다.
이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 설명하였으나, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변형시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 트랜스듀서
110: 압전체
111: 압전소자
112: 전극판
120: 전면추
121: 중공부
122: 방사면
130: 후면추
140: 장력볼트
150: 절연판
160: 고정부

Claims (7)

  1. 길이 방향을 따라 링(ring) 형태의 압전소자와 전극판이 교대로 적층되어 형성되는 압전체;
    개구부를 포함하고, 상기 개구부가 상기 압전체를 향하도록 상기 압전체의 일측에 배치되는 전면추;
    길이 방향을 관통하는 홀을 포함하며, 상기 압전체의 타측에 배치되는 후면추; 및
    상기 후면추, 상기 압전체 및 상기 전면추를 차례로 관통하여 체결하는 장력볼트를 포함하고,
    상기 전면추는, 상기 장력볼트가 체결된 상태에서 중공부를 포함하고,
    상기 압전소자는, 2상 또는 3상의 압전단결정 소재인 것을 특징으로 하는, 광대역 톤필츠형 트랜스듀서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 압전체, 상기 전면추 및 상기 후면추는 동축 상에 배치되는 것을 특징으로 하는, 광대역 톤필츠형 트랜스듀서.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 압전체의 표면 상에 배치되어, 상기 압전소자를 상기 전면추, 상기 후면추 및 상기 장력볼트로부터 절연시키는 절연판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 광대역 톤필츠형 트랜스듀서.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전면추와 상기 압전체 사이에 배치되는 고정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 광대역 톤필츠형 트랜스듀서.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 압전소자는 제1 주파수 대역에서 공진하고, 상기 중공부는 제2 주파수 대역에서 공진하는 것을 특징으로 하는, 광대역 톤필츠형 트랜스듀서.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 주파수 대역의 평균값 또는 최소 주파수 값은 상기 제2 주파수 대역보다 낮은 것을 특징으로 하는, 광대역 톤필츠형 트랜스듀서.
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