KR102265564B1 - Scattered light type gas sensing system - Google Patents

Scattered light type gas sensing system Download PDF

Info

Publication number
KR102265564B1
KR102265564B1 KR1020190105024A KR20190105024A KR102265564B1 KR 102265564 B1 KR102265564 B1 KR 102265564B1 KR 1020190105024 A KR1020190105024 A KR 1020190105024A KR 20190105024 A KR20190105024 A KR 20190105024A KR 102265564 B1 KR102265564 B1 KR 102265564B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
gas
scattered
light source
scattered light
Prior art date
Application number
KR1020190105024A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210029855A (en
Inventor
이병수
Original Assignee
주식회사 템퍼스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 템퍼스 filed Critical 주식회사 템퍼스
Priority to KR1020190105024A priority Critical patent/KR102265564B1/en
Priority to PCT/KR2020/009882 priority patent/WO2021040247A1/en
Publication of KR20210029855A publication Critical patent/KR20210029855A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102265564B1 publication Critical patent/KR102265564B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
    • G01N21/03—Cuvette constructions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
    • G01N21/03—Cuvette constructions
    • G01N21/0303—Optical path conditioning in cuvettes, e.g. windows; adapted optical elements or systems; path modifying or adjustment
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/063—Illuminating optical parts
    • G01N2201/0636—Reflectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/063—Illuminating optical parts
    • G01N2201/0636—Reflectors
    • G01N2201/0637—Elliptic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/063—Illuminating optical parts
    • G01N2201/0638—Refractive parts
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/12—Circuits of general importance; Signal processing
    • G01N2201/126—Microprocessor processing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

본 발명은 가스에 의해 산란되는 산란광을 측정하여 가스의 종류나 농도 등을 측정할 수 있는 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템에 관한 것으로서, 내부로 가스가 유입될 수 있도록 일측에 가스 유입구가 형성되고, 내부에 광경로가 형성될 수 있는 몸체; 상기 몸체에 형성되고, 상기 광경로를 따라 직사광이 조사될 수 있도록 상기 직사광을 발생시키는 광원; 및 상기 몸체에 형성되고, 상기 직사광에 의한 상기 가스의 산란광을 검출할 수 있도록 상기 광원을 마주보지 않게 상기 직사광으로부터 비켜나서 상기 광경로의 측방에 설치되는 수광부;를 포함할 수 있다.The present invention relates to a gas sensing system of a scattered light measurement method capable of measuring the type or concentration of a gas by measuring scattered light scattered by a gas, wherein a gas inlet is formed on one side so that gas can be introduced into the interior, a body in which an optical path can be formed; a light source formed on the body and generating the direct light so that the direct light can be irradiated along the optical path; and a light receiving unit formed on the body and installed on the side of the optical path while moving away from the direct light so as not to face the light source so as to detect the scattered light of the gas caused by the direct light.

Description

산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템{Scattered light type gas sensing system}Scattered light type gas sensing system

본 발명은 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 가스에 의해 산란되는 산란광을 측정하여 가스의 종류나 농도 등을 측정할 수 있는 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a gas sensing system of a scattered light measurement method, and more particularly, to a gas sensing system of a scattered light measurement method capable of measuring a type or concentration of a gas by measuring scattered light scattered by a gas.

가스 센서는 특정 가스의 종류나 농도 등을 측정하는 센서이다. 특정 가스의 농도를 측정하는 방식은 전기 화학적 반응에 의한 박막의 전기 전도도의 변화를 측정하는 전기 화학 방식과 특성 흡수선을 조사하고, 흡수된 광량을 측정하여 가스 농도를 측정하는 광학 방식(NDIR, Non-dispersive Infra-Red)이 있다.The gas sensor is a sensor that measures the type or concentration of a specific gas. The method of measuring the concentration of a specific gas is an electrochemical method that measures the change in the electrical conductivity of a thin film due to an electrochemical reaction, and an optical method (NDIR, non -dispersive Infra-Red).

도 1은 기존의 가스 센서를 나타내는 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating a conventional gas sensor.

도 1에 도시된 바와 같이, 이러한 기존의 광학 방식의 가스 센서는, 일반적으로 가스 유입구(1a)가 형성된 몸체(1)의 내부에 가스(G)가 유입되면 광원(2)에서 발생된 직사광(L1)을 수광부(3), 즉, 레퍼런스 수광 소자(5) 및 가스용 수광 소자(6)로 수광하면서 발생되는 전기적 신호를 상호 비교 분석함으로써 상기 측정 대상 가스의 광학적인 특징을 감지하는 구성이었다.As shown in Figure 1, such a conventional optical type gas sensor, when the gas (G) flows into the interior of the body (1) in which the gas inlet (1a) is generally formed, direct sunlight generated from the light source (2) ( L1) was configured to detect the optical characteristics of the gas to be measured by comparing and analyzing electrical signals generated while receiving light by the light receiving unit 3, that is, the reference light receiving element 5 and the gas light receiving element 6, respectively.

이러한 기존의 가스 센서는, 수광부(3)가 광원(2)과 마주보는 형태로서, 수광부(3)는 가스(G)에 의해 특정 파장대가 흡수된 상태의 직사광을 수광하는 일종의 직사광 감지 방식이였다.In this conventional gas sensor, the light receiving unit 3 faces the light source 2, and the light receiving unit 3 receives direct sunlight in a state in which a specific wavelength band is absorbed by the gas G. It was a kind of direct light sensing method.

그러나, 이러한 종래의 직사광 감지 방식의 센서인 경우, 가스의 종류에 따라 긴 광로가 필요한 경우, 이를 위해서 몸체의 길이를 길게 늘려야 하는 등 전체적으로 장치의 크기가 크게 증대되는 등 공간 활용도가 떨어지는 문제점이 있었다.However, in the case of such a conventional direct light sensing type sensor, when a long light path is required depending on the type of gas, the length of the body must be increased for this purpose, and the overall size of the device is greatly increased. .

또한, 종래의 직사광 감지 방식의 센서는 가스마다 길이를 달리하여 제작해야 하고, 길게 형성된 구조로 인하여 좁은 공간 안에 광원과 마주볼 수 있도록 복수개의 수광부를 설치하기가 어려워서 하나의 센서로 다종의 가스를 감지할 수 없었던 문제점이 있었다.In addition, the conventional direct light sensing type sensor has to be manufactured with different lengths for each gas, and due to the long structure, it is difficult to install a plurality of light receiving units to face the light source in a narrow space. There was a problem that could not be detected.

본 발명은 이러한 종래의 문제점들을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 수광부가 광원을 마주보지 않도록 광경로의 측방에 배치하여 가스로 인한 산란광을 측정함으로써 흡수 파장이 제거된 직사광 대신 흡수되어 산란된 산란광 또는 흡수광 자체를 측정하여 측정의 정밀도를 향상시킬 수 있고, 반사체나 호루라기 형태의 광 증폭부를 이용하여 무한 반사를 통해 광로를 길게 늘려서 산란광을 증폭하여 측정의 신뢰도 및 정확도를 높이는 것은 물론이고, 작은 공간에서도 충분한 광로를 실현할 수 있고, 이로 인하여 하나의 장치로도 다종의 가스를 측정할 수 있으며, 공간 활용도를 극대화하여 장치를 집적화할 수 있게 하는 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템을 제공하고자 한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention has been proposed to solve these conventional problems, and the light receiving unit is disposed on the side of the optical path so that the light source does not face the light source, and by measuring the scattered light due to the gas, the absorption wavelength is removed instead of the direct sunlight absorbed and scattered scattered light or absorption The measurement precision can be improved by measuring the light itself, and by using a reflector or whistle-shaped optical amplifier, the optical path is lengthened through infinite reflection to amplify the scattered light to increase the reliability and accuracy of measurement, as well as in a small space. It is an object of the present invention to provide a gas sensing system of a scattered light measurement method that can realize a sufficient optical path, thereby measuring various gases with one device, and maximizing space utilization to enable integration of devices. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereto.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템은, 내부로 가스가 유입될 수 있도록 일측에 가스 유입구가 형성되고, 내부에 광경로가 형성될 수 있는 몸체; 상기 몸체에 형성되고, 상기 광경로를 따라 직사광이 조사될 수 있도록 상기 직사광을 발생시키는 광원; 및 상기 몸체에 형성되고, 상기 직사광에 의한 상기 가스의 산란광을 검출할 수 있도록 상기 광원을 마주보지 않게 상기 직사광으로부터 비켜나서 상기 광경로의 측방에 설치되는 수광부;를 포함할 수 있다.A gas sensing system of a scattered light measuring method according to the spirit of the present invention for solving the above problems, a gas inlet is formed on one side so that the gas can be introduced into the body, the body in which a light path can be formed; a light source formed on the body and generating the direct light so that the direct light can be irradiated along the optical path; and a light receiving unit formed on the body and installed on the side of the optical path by moving away from the direct light so as not to face the light source so as to detect the scattered light of the gas by the direct light.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 광원의 주발광선과 상기 수광부의 주수광선은 90도 각도일 수 있다.Also, according to the present invention, the main light emitting line of the light source and the main light receiving line of the light receiving unit may be at an angle of 90 degrees.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 수광부는, 상기 광원으로부터 광로상으로 비교적 가까운 제 1 위치 또는 상기 광원을 마주보는 위치에 설치되는 레퍼런스 수광 소자; 및 상기 광원으로부터 광로상으로 비교적 먼 제 2 위치에 설치되고, 제 1 가스 측정 용도로 사용되는 제 1 가스용 수광 소자;를 포함할 수 있다.In addition, according to the present invention, the light receiving unit may include: a reference light receiving element installed at a first position relatively close to the light source on an optical path or at a position facing the light source; and a light receiving element for a first gas installed at a second position relatively far from the light source on an optical path and used for a first gas measurement purpose.

또한, 본 발명에 따른 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템은, 상기 광원으로부터 광로상으로 비교적 먼 제 3 위치에 설치되고, 제 2 가스 측정 용도로 사용되는 제 2 가스용 수광 소자;를 더 포함할 수 있다.In addition, the gas sensing system of the scattered light measurement method according to the present invention may further include a light receiving element for a second gas installed at a relatively distant third position on the optical path from the light source and used for a second gas measurement purpose. have.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 몸체는 전체적으로 길이 방향으로 길게 형성되는 통체이고, 상기 광원은, 상기 몸체의 일단부 내측에 설치되며, 상기 가스 유입구는, 상기 광원의 인근 상방에 설치되고, 상기 레퍼런스 수광 소자는, 상기 광원의 인근 하방에 설치되고, 상기 제 1 가스용 수광 소자는, 상기 몸체의 타단부 인근 하방에 설치될 수 있다.In addition, according to the present invention, the body is a cylindrical body that is formed long in the longitudinal direction as a whole, the light source is installed inside one end of the body, and the gas inlet is installed in the vicinity of the light source and above, the reference The light-receiving element may be installed near and below the light source, and the light-receiving element for the first gas may be installed below and near the other end of the body.

또한, 본 발명에 따른 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템은, 상기 몸체의 양단부 내측면 또는 상하 내측면에 형성되고, 상기 직사광 또는 상기 산란광을 무한 반사시켜서 증폭시킬 수 있도록 서로 마주보거나 서로 다른 각도로 형성되는 반사체;를 더 포함할 수 있다.In addition, the gas sensing system of the scattered light measurement method according to the present invention is formed on the inner surface or upper and lower inner surfaces of both ends of the body, and faces each other or at different angles to infinitely reflect and amplify the direct light or the scattered light. It may further include a reflector;

또한, 본 발명에 따르면, 상기 몸체는, 상기 광원으로부터 발생된 상기 직사광이 직선으로 유도될 수 있도록 형성되는 광 유도부; 및 상기 광 유도부와 연결되고, 광 유입구로부터 유입된 상기 직사광의 광경로를 길게 하여 상기 산란광을 증폭시킬 수 있도록 상기 직사광 또는 상기 산란광을 내부에서 무한 반사시키는 전체적으로 원통 형상이며, 그 중심에 상기 수광부의 적어도 일부가 형성되는 광 증폭부;를 포함할 수 있다.In addition, according to the present invention, the body, the light guiding portion formed so that the direct light generated from the light source can be guided in a straight line; And it is connected to the light guide part, and lengthens the optical path of the direct light introduced from the light inlet to amplify the scattered light. It has a cylindrical shape as a whole that infinitely reflects the direct or scattered light from the inside, and the light receiving part at the center It may include a; at least a part of the optical amplification unit is formed.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 광 증폭부는, 광경로를 증대시킬 수 있도록 적어도 일부 둥근 내면이 형성된 돔부가 형성될 수 있다.Also, according to the present invention, the light amplifying unit may be formed with a dome having at least a partially rounded inner surface to increase the optical path.

또한, 본 발명에 따른 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템은, 상기 산란광을 상기 수광부 방향으로 집중시킬 수 있도록 상기 몸체에 형성되는 렌즈부;를 더 포함할 수 있다.In addition, the gas sensing system for measuring scattered light according to the present invention may further include a lens unit formed on the body to focus the scattered light toward the light receiving unit.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 수광부가 광원을 마주보지 않도록 광경로의 측방에 배치하여 가스로 인한 산란광을 측정함으로써 흡수 파장이 제거된 직사광 대신 흡수되어 산란된 산란광 또는 흡수광 자체를 측정하여 측정의 정밀도를 향상시킬 수 있고, 반사체나 호루라기 형태의 광 증폭부를 이용하여 무한 반사를 통해 광로를 길게 늘려서 산란광을 증폭하여 측정의 신뢰도 및 정확도를 높이는 것은 물론이고, 작은 공간에서도 충분한 광로를 실현할 수 있고, 이로 인하여 하나의 장치로도 다종의 가스를 측정할 수 있으며, 공간 활용도를 극대화하여 장치를 집적화할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention made as described above, the light receiving unit is disposed on the side of the optical path so as not to face the light source, and the scattered light or absorbed light absorbed and scattered instead of the direct light from which the absorption wavelength has been removed by measuring the scattered light due to the gas It is possible to improve the precision of measurement by measuring itself, and by using a reflector or whistle-shaped optical amplifier to lengthen the optical path through infinite reflection to amplify scattered light to increase the reliability and accuracy of measurement, as well as to increase the reliability and accuracy of measurement in a small space. It is possible to realize an optical path, whereby various gases can be measured with one device, and the space utilization can be maximized to have the effect of integrating the devices. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 기존의 가스 센서를 나타내는 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템을 나타내는 개념도이다.
도 3은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템을 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템을 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 3의 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템을 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템을 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 6의 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템을 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 3의 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템의 광 증폭부의 반지름과 광로의 길이 사이의 상관 관계를 나타내는 그래프이다.1 is a conceptual diagram illustrating a conventional gas sensor.
2 is a conceptual diagram illustrating a gas sensing system of a scattered light measurement method according to some embodiments of the present invention.
3 is a plan view illustrating a gas sensing system of a scattered light measurement method according to some other embodiments of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating the gas sensing system of FIG. 3 for measuring scattered light.
5 is a perspective view illustrating the gas sensing system of FIG. 3 for measuring scattered light.
6 is a cross-sectional view illustrating a gas sensing system of a scattered light measurement method according to some other embodiments of the present invention.
FIG. 7 is a perspective view illustrating the gas sensing system of FIG. 6 for measuring scattered light.
FIG. 8 is a graph illustrating a correlation between a radius of an optical amplification unit and a length of an optical path of the gas sensing system of FIG. 3 for measuring scattered light.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and the following examples allow the disclosure of the present invention to be complete, and the scope of the invention to those of ordinary skill in the art It is provided to fully inform In addition, in the drawings for convenience of description, the size of the components may be exaggerated or reduced.

도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템(100)을 나타내는 개념도이다.2 is a conceptual diagram illustrating a gas sensing system 100 of a scattered light measurement method according to some embodiments of the present invention.

먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템(100)은, 크게 몸체(10)와, 광원(20)과, 수광부(30) 및 제어부(40)를 포함할 수 있다.First, as shown in FIG. 2 , the gas sensing system 100 of the scattered light measurement method according to some embodiments of the present invention is largely a body 10 , a light source 20 , a light receiving unit 30 and a control unit. (40) may be included.

예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 몸체(10)는, 내부로 가스(G)가 유입될 수 있도록 일측에 가스 유입구(10a)가 형성되고, 내부에 광경로가 형성될 수 있도록 중공부가 형성되는 원통, 사각통, 다각통 등의 통체 형상의 구조체일 수 있다.For example, as shown in Figure 2, the body 10, the gas inlet (10a) is formed on one side so that the gas (G) can be introduced into the interior, the hollow part so that the optical path is formed therein It may be a structure having a cylindrical shape such as a cylinder, a square cylinder, and a polygonal cylinder to be formed.

또한, 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 광원(20)은, 상기 몸체(10)에 형성되고, 상기 광경로를 따라 직사광(L1)이 조사될 수 있도록 상기 직사광(L1)을 발생시키는 발광부일 수 있다.In addition, for example, as shown in FIG. 2 , the light source 20 is formed on the body 10 and generates the direct light L1 so that the direct light L1 can be irradiated along the optical path. It may be a light emitting part.

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 광원(20)은, 광을 조사할 수 있는 광학식 가스 센서의 광원(Light source)을 포함하는 것으로서, 예를 들면, 적외광 등의 특정 대역의 파장의 빛을 발광할 수 있는 LED나 전구 등의 구조체일 수 있다. 예컨대, 전구 등의 필라멘트는 다이아프램 및 상기 다이아프램 상에 형성된 금속 저항 패턴으로 구성될 수도 있다. 이외에도, 상기 광원(20)는 MEMS 구조체일 수 있다.More specifically, for example, the light source 20 includes a light source of an optical gas sensor capable of irradiating light, and for example, emits light of a specific band wavelength, such as infrared light. It may be a structure such as an LED or a light bulb. For example, a filament such as a light bulb may include a diaphragm and a metal resistance pattern formed on the diaphragm. In addition, the light source 20 may be a MEMS structure.

또한, 예컨대, 상기 수광부(30)는, 상기 몸체(10)에 형성되고, 상기 직사광(L1)에 의한 상기 가스(G)의 산란광(L2)을 검출할 수 있도록 상기 광원(20)을 마주보지 않게 상기 직사광(L1)으로부터 비켜나서 상기 광경로의 측방에 설치되는 가스 센서 소자일 수 있다.Also, for example, the light receiving unit 30 is formed on the body 10 and faces the light source 20 so as to detect the scattered light L2 of the gas G by the direct sunlight L1. It may be a gas sensor element installed on the side of the optical path while moving away from the direct light L1.

이러한, 상기 수광부(30)는, 상기 산란광(L2)의 파장을 감지할 수 있는 센서일 수 있다. 이외에도, 열 감지형 광 검출기나 광 에너지에 의해 발생하는 온도 차이를 측정하는 열전 소자인 써모파일센서를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 가스 센서들은 매우 다양한 방식의 단수 또는 복수개의 모든 가스 측정용 센서들이 모두 적용될 수 있다.The light receiving unit 30 may be a sensor capable of detecting the wavelength of the scattered light L2. In addition, it may include a thermal photodetector or a thermopile sensor, which is a thermoelectric element for measuring a temperature difference generated by light energy. For example, the gas sensors may be applied to all sensors for measuring a single or a plurality of gases of a wide variety of methods.

더욱 구체적으로 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 수광부(30)는, 상기 광원(20)으로부터 광로상으로 비교적 가까운 제 1 위치 또는 상기 광원(20)을 마주보는 위치에 설치되는 레퍼런스 수광 소자(50) 및 상기 광원(20)으로부터 광로상으로 비교적 먼 제 2 위치에 설치되고, 제 1 가스 측정 용도로 사용되는 제 1 가스용 수광 소자(60)를 포함할 수 있다.More specifically, for example, as shown in FIG. 2 , the light receiving unit 30 is a reference installed at a position facing the light source 20 or a first position relatively close to the light path from the light source 20 . The light receiving element 50 and the first gas light receiving element 60 installed at a relatively distant second position on the optical path from the light source 20 and used for the first gas measurement may be included.

여기서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 광원(20)의 주발광선(E)과 상기 수광부(30)의 주수광선(S)은 90도 각도일 수 있다.Here, as shown in FIG. 2 , the main light emitting line E of the light source 20 and the main light receiving line S of the light receiving unit 30 may have an angle of 90 degrees.

더욱 구체적으로 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 몸체(10)는 전체적으로 길이 방향으로 길게 형성되는 통체라면, 상기 수광부(30)가 상기 광원(20)을 마주보지 않게 상기 직사광(L1)으로부터 비켜나서 상기 광경로의 측방에 설치될 수 있도록 상기 광원(20)은, 상기 몸체(10)의 우측 단부 내측에 설치되며, 상기 가스 유입구(10a)는, 상기 광원(20)의 인근 상방에 설치되고, 상기 레퍼런스 수광 소자(50)는, 상기 광원(20)의 인근 하방에 설치되며, 상기 제 1 가스용 수광 소자(60)는, 상기 몸체(10)의 좌측 단부 인근 하방에 설치될 수 있다.More specifically, for example, as shown in FIG. 2 , if the body 10 is a cylindrical body formed to be long in the longitudinal direction as a whole, the light receiving part 30 does not face the light source 20 so that the direct light L1 ), the light source 20 is installed inside the right end of the body 10 so that it can be installed on the side of the optical path, and the gas inlet 10a is near the upper side of the light source 20 is installed, and the reference light receiving element 50 is installed in the vicinity of the lower side of the light source 20 , and the first gas light receiving element 60 is installed below the left end of the body 10 . can

또한, 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 몸체(10)의 양단부 내측면 또는 상하 내측면에 반사체(M)가 설치될 수 있는 것으로서, 상기 반사체(M)는 상기 직사광(L1) 또는 상기 산란광(L2)을 무한 반사시켜서 증폭시킬 수 있도록 서로 마주보거나 서로 다른 각도로 형성될 수 있다.In addition, for example, as shown in FIG. 2 , a reflector M may be installed on the inner surface or upper and lower inner surfaces of both ends of the body 10 , and the reflector M is the direct light L1 or the The scattered light L2 may be formed to face each other or to be formed at different angles to be amplified by infinite reflection.

따라서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 가스(G)가 상기 몸체(10)의 상기 가스 유입구(10a)를 통해 상기 몸체(10)의 내부로 인입되면, 상기 광원(20)에 의해서 발생된 상기 직사광(L1)과 만날 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 2 , when the gas G is introduced into the interior of the body 10 through the gas inlet 10a of the body 10 , the It may meet the direct light L1.

이 때, 상기 직사광(L1)은 상기 가스(G)의 입자 또는 분자를 만나서 상기 직사광(L1)의 주발광선(E)와는 다른 불특정한 방향으로 상기 산란광(L2)이 발생될 수 있다. 이러한 상기 산란광(L2)은 가스의 특징에 따라 특정한 파장의 패턴이 발생되고, 이러한 파장의 패턴을 산란광 측정 방식의 상기 수광부(30)를 이용하여 전기적 신호로 변환할 수 있으며, 상기 제어부(40)는 이러한 전기적 신호의 특성을 판별하여 가스의 종류 및 농도를 측정할 수 있다.In this case, the direct light L1 may meet the particles or molecules of the gas G, and the scattered light L2 may be generated in an unspecified direction different from the main light ray E of the direct light L1. The scattered light L2 generates a pattern of a specific wavelength according to the characteristics of the gas, and the pattern of this wavelength can be converted into an electrical signal using the light receiving unit 30 of the scattered light measurement method, and the control unit 40 can measure the type and concentration of gas by determining the characteristics of these electrical signals.

여기서, 상기 레퍼런스 수광 소자(50)는 상기 광원(20)가 인근에 형성되어 기준이 되는 광원의 기준 신호를 발생시킬 수 있고, 이와 비교하여 상기 제 1 가스용 수광 소자(60)는 상기 반사체(M)에 의해 무한 반사되어 증폭된 상기 산란광(L2)의 특성 신호를 발생시킬 수 있고, 상기 제어부(40)는 상기 기준 신호와 상기 특성 신호를 미리 입력된 가스별 데이터들과 비교하여 특정 가스를 분별하거나 그 농도를 산출할 수 있다.Here, the reference light receiving element 50 may generate a reference signal of the light source as a reference because the light source 20 is formed nearby, and in comparison with this, the first gas light receiving element 60 is the reflector ( It is possible to generate a characteristic signal of the scattered light L2 that is infinitely reflected and amplified by M), and the control unit 40 compares the reference signal and the characteristic signal with previously input data for each gas to select a specific gas. fractionation or the concentration can be calculated.

그러므로, 상기 수광부(30)가 상기 광원(20)을 마주보지 않도록 광경로의 측방에 배치하여 가스로 인한 상기 산란광(L2)을 측정함으로써 흡수 파장이 제거된 직사광 대신 흡수되어 산란된 산란광 또는 흡수광 자체를 측정하여 측정의 정밀도를 향상시킬 수 있고, 상기 반사체(M)를 이용하여 무한 반사를 통해 광로를 길게 늘려서 상기 산란광(M)을 증폭하여 측정의 신뢰도 및 정확도를 높이는 것은 물론이고, 작은 공간에서도 충분한 광로를 실현할 수 있고, 이로 인하여 하나의 장치로도 다종의 가스를 측정할 수 있으며, 공간 활용도를 극대화하여 장치를 집적화할 수 있다.Therefore, the light receiving unit 30 is disposed on the side of the optical path so as not to face the light source 20, and by measuring the scattered light L2 due to the gas, the absorbed light is absorbed and scattered instead of the direct light from which the absorption wavelength has been removed. It is possible to improve the precision of measurement by measuring itself, and by using the reflector M to lengthen the optical path through infinite reflection to amplify the scattered light M to increase the reliability and accuracy of measurement, as well as to increase the reliability and accuracy of the measurement in a small space It is possible to realize a sufficient optical path even in the present invention, so that various gases can be measured with one device, and the device can be integrated by maximizing the space utilization.

도 3은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템(200)을 나타내는 평면도이고, 도 4는 도 3의 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템(200)을 나타내는 단면도이고, 도 5는 도 3의 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템(200)을 나타내는 사시도이다. 3 is a plan view illustrating a gas sensing system 200 of a scattered light measurement method according to some other embodiments of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the gas sensing system 200 of the scattered light measurement method of FIG. 3 , FIG. 5 is a perspective view illustrating the gas sensing system 200 of FIG. 3 for measuring scattered light.

도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템(200)의 몸체(10)는, 상기 광원(20)으로부터 발생된 상기 직사광(L1)이 직선으로 유도될 수 있도록 형성되는 광 유도부(11) 및 상기 광 유도부(11)와 연결되고, 광 유입구(12a)로부터 유입된 상기 직사광(L1)의 광경로를 길게 하여 상기 산란광(L2)을 증폭시킬 수 있도록 상기 직사광(L1) 또는 상기 산란광(L2)을 내부에서 무한 반사시키는 전체적으로 원통 형상으로 형성되며, 그 중심에 상기 수광부(30)의 적어도 일부가 형성되는 광 증폭부(12)를 포함할 수 있다.3 to 5 , the body 10 of the gas sensing system 200 of the scattered light measuring method according to some other embodiments of the present invention is the direct light L1 generated from the light source 20 . ) is connected to the light guide unit 11 and the light guide unit 11 formed to be guided in a straight line, and lengthens the optical path of the direct light L1 introduced from the light inlet 12a to obtain the scattered light L2. A light amplifying unit 12 that is formed in a cylindrical shape as a whole that infinitely reflects the direct light L1 or the scattered light L2 from the inside to amplify the light, and at least a part of the light receiving unit 30 is formed at the center thereof. may include

여기서, 상기 수광부(30)는 상기 몸체(10)의 상기 가스 유입구(10a) 인근에 형성되는 상기 레퍼런스 수광 소자(50)와, 상기 광 증폭부(12)의 중심에 형성되는 상기 광 증폭부(12)의 중심에 형성되는 제 2 가스 측정 용도로 사용되는 제 2 가스용 수광 소자(70) 및 상기 광원(20)으로부터 광로상으로 비교적 먼 제 4 위치에 설치되고, 제 3 가스 측정 용도로 사용되는 제 3 가스용 수광 소자(80)를 포함할 수 있다.Here, the light receiving unit 30 includes the reference light receiving element 50 formed near the gas inlet 10a of the body 10 and the light amplifying unit formed at the center of the light amplifying unit 12 ( The second gas light receiving element 70 used for the second gas measurement purpose formed at the center of 12) and the light source 20 are installed at a relatively distant fourth position on the optical path and used for the third gas measurement purpose It may include a light receiving element 80 for a third gas to be used.

또한, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템(200)은, 상기 산란광(L2)을 상기 수광부(30) 방향으로 집중시킬 수 있도록 상기 몸체(10)에 형성되는 렌즈부(L)를 더 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 3 to 5 , the gas sensing system 200 of the scattered light measuring method according to some other embodiments of the present invention concentrates the scattered light L2 in the direction of the light receiving unit 30 . It may further include a lens portion (L) formed on the body (10) to allow the.

따라서, 상기 렌즈부(L)를 이용하여 상기 산란광(L2)을 상기 수광부(30) 방향으로 집중시켜서 센서의 정확도와 민감도를 향상시킬 수 있다.Accordingly, by using the lens unit L to focus the scattered light L2 in the direction of the light receiving unit 30 , it is possible to improve the accuracy and sensitivity of the sensor.

도 6은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템(300)을 나타내는 단면도이고, 도 7은 도 6의 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템(300)을 나타내는 사시도이다.6 is a cross-sectional view illustrating the gas sensing system 300 of the scattered light measurement method according to some other embodiments of the present invention, and FIG. 7 is a perspective view illustrating the gas sensing system 300 of the scattered light measurement method of FIG. 6 .

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템(300)은, 상기 광 증폭부(12)는, 광경로를 증대시킬 수 있도록 적어도 일부 둥근 내면이 형성된 돔부(13)가 형성될 수 있다.6 and 7, in the gas sensing system 300 of the scattered light measurement method according to some other embodiments of the present invention, the light amplifying unit 12 is at least A dome portion 13 having a partially rounded inner surface may be formed.

따라서, 이러한 상기 돔부(13)를 이용하여 상기 산란광(L2)을 더욱 증폭시킬 수 있고, 상기 렌즈부(L)를 이용하여 상기 산란광(L2)을 상기 수광부(30) 방향으로 집중시켜서 센서의 정확도와 민감도를 향상시킬 수 있다.Therefore, the dome part 13 can be used to further amplify the scattered light L2, and the lens part L can be used to focus the scattered light L2 in the direction of the light receiving part 30, so that the accuracy of the sensor is and sensitivity can be improved.

도 8은 도 3의 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템(300)의 광 증폭부(12)의 반지름과 광로의 길이 사이의 상관 관계를 나타내는 그래프이다.FIG. 8 is a graph illustrating a correlation between a radius of the light amplifying unit 12 of the gas sensing system 300 of FIG. 3 and the length of an optical path.

도 8에 도시된 바와 같이, 무한 루프된 광경로를 L_eff, 상기 광 증폭부(12)의 cavity 반경을 , 2*파이(Pi)*R을 L_0, 1회전시의 광 반사율을 r이라고 할 때, L_0(1+r+r^2+.....)=L_0/(1-r)이므로,As shown in FIG. 8, when L_eff is an infinitely looped optical path, the cavity radius of the optical amplifier 12 is , 2*Pi*R is L_0, and the light reflectance at one rotation is r. , since L_0(1+r+r^2+.....)=L_0/(1-r),

L_eff=sum_i L_i* Intensity_i / sum_i Intensity_i = L_0/(1-r)이다.L_eff=sum_i L_i* Intensity_i / sum_i Intensity_i = L_0/(1-r).

따라서, 도 8에 도시된 바와 같이, R vs L_eff/L_0에 대한 그래프에서 알 수 있듯이 R값이 조금만 커져도 무한 루프된 광경로는 기하급수적으로 증대되는 것을 알 수 있다.Accordingly, as shown in the graph of R vs L_eff/L_0, as shown in FIG. 8 , it can be seen that the infinitely looped optical path increases exponentially even when the R value is slightly increased.

그러므로, 작은 공간에서도 충분한 광로를 실현할 수 있고, 이로 인하여 하나의 장치로도 다종의 가스를 측정할 수 있으며, 공간 활용도를 극대화하여 장치를 집적화할 수 있다.Therefore, it is possible to realize a sufficient optical path even in a small space, whereby various types of gases can be measured with one device, and the device can be integrated by maximizing the space utilization.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, which is merely exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

G: 가스
10: 몸체
10a: 가스 유입구
11: 광 유도부
12: 광 증폭부
13: 돔부
20: 광원
L1: 직사광
L2: 산란광
30: 수광부
40: 제어부
E: 주발광선
S: 주수광선
50: 레퍼런스 수광 소자
60: 제 1 가스용 수광 소자
70: 제 2 가스용 수광 소자
80: 제 3 가스용 수광 소자
M: 반사체
L: 렌즈부
100, 200, 300: 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템G: gas
10: body
10a: gas inlet
11: light guide
12: optical amplification unit
13: dome
20: light source
L1: direct sunlight
L2: scattered light
30: light receiving unit
40: control unit
E: main ray
S: main ray
50: reference light receiving element
60: light receiving element for first gas
70: light receiving element for second gas
80: light receiving element for third gas
M: reflector
L: lens unit
100, 200, 300: gas sensing system of scattered light measurement method

Claims (9)

내부로 가스가 유입될 수 있도록 일측에 가스 유입구가 형성되고, 내부에 광경로가 형성될 수 있는 몸체;
상기 몸체에 형성되고, 상기 광경로를 따라 직사광이 조사될 수 있도록 상기 직사광을 발생시키는 광원; 및
상기 몸체에 형성되고, 상기 직사광에 의한 상기 가스의 산란광을 검출할 수 있도록 상기 광원을 마주보지 않게 상기 직사광으로부터 비켜나서 상기 광경로의 측방에 설치되는 수광부;를 포함하고,
상기 몸체에 형성된 상기 수광부가 상기 직사광에 의한 상기 가스의 상기 산란광 자체를 검출할 수 있도록, 상기 광원의 주발광선과 상기 수광부의 주수광선은 90도 각도로 형성되고,
상기 수광부는,
상기 광원으로부터 광로상으로 비교적 가까운 제 1 위치에 설치되는 레퍼런스 수광 소자; 및
상기 광원으로부터 광로상으로 비교적 먼 제 2 위치에 설치되고, 제 1 가스 측정 용도로 사용되는 제 1 가스용 수광 소자;를 포함하고,
상기 광원은,
상기 몸체의 일단부의 내측에 설치되고,
상기 레퍼런스 수광 소자는,
상기 몸체의 일단부의 상기 광원의 인근에서 상기 몸체의 하방에 설치되어, 상기 주발광선을 기준으로 수직하게 형성되고,
상기 제 1 가스용 수광 소자는,
상기 몸체의 타단부에서 상기 몸체의 하방에 설치되어, 상기 주발광선을 기준으로 수직하게 형성되고,
상기 레퍼런스 수광 소자와 상기 제 1 가스용 수광 소자는, 상기 몸체의 하방에서 서로 평행하게 형성되는, 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템.a body in which a gas inlet is formed on one side so that gas can be introduced into the interior, and a light path can be formed therein;
a light source formed on the body and generating the direct light so that the direct light can be irradiated along the optical path; and
a light receiving unit formed on the body and installed on the side of the optical path by moving away from the direct light so as not to face the light source so as to detect the scattered light of the gas by the direct light;
The main light emitting line of the light source and the main light receiving line of the light receiving unit are formed at a 90 degree angle so that the light receiving unit formed in the body can detect the scattered light itself of the gas by the direct light,
The light receiving unit,
a reference light receiving element provided at a relatively close first position on an optical path from the light source; and
and a light receiving element for a first gas installed at a relatively distant second position on the optical path from the light source and used for a first gas measurement purpose;
The light source is
Installed on the inside of one end of the body,
The reference light receiving element,
Installed below the body in the vicinity of the light source at one end of the body, vertically formed with respect to the main light emitting line,
The first gas light receiving element,
It is installed below the body at the other end of the body and is formed vertically with respect to the main light emitting line,
The reference light-receiving element and the first gas-use light-receiving element are formed parallel to each other under the body, a scattered light measuring system gas sensing system. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 광원으로부터 광로상으로 비교적 먼 제 3 위치에 설치되고, 제 2 가스 측정 용도로 사용되는 제 2 가스용 수광 소자;
를 더 포함하는, 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템.The method of claim 1,
a light receiving element for a second gas installed at a third position relatively far from the light source on an optical path and used for a second gas measurement;
Further comprising, a gas sensing system of the scattered light measurement method. 제 1 항에 있어서,
상기 몸체는 전체적으로 길이 방향으로 길게 형성되는 통체이고,
상기 광원은, 상기 몸체의 일단부 내측에 설치되며,
상기 가스 유입구는, 상기 광원의 인근 상방에 설치되고,
상기 레퍼런스 수광 소자는, 상기 광원의 인근 하방에 설치되고,
상기 제 1 가스용 수광 소자는, 상기 몸체의 타단부 인근 하방에 설치되는, 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템. The method of claim 1,
The body is a tubular body formed long in the longitudinal direction as a whole,
The light source is installed inside one end of the body,
The gas inlet is installed near and above the light source,
The reference light receiving element is installed in the vicinity of the lower side of the light source,
The first gas light-receiving element is a gas sensing system of a scattered light measurement method, which is installed below and near the other end of the body. 제 1 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 몸체의 양단부 내측면 또는 상하 내측면에 형성되고, 상기 직사광 또는 상기 산란광을 무한 반사시켜서 증폭시킬 수 있도록 서로 마주보거나 서로 다른 각도로 형성되는 반사체;
를 더 포함하는, 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템.6. The method of any one of claims 1, 4 and 5,
a reflector formed on the inner surface or upper and lower inner surfaces of both ends of the body and facing each other or formed at different angles to infinitely reflect and amplify the direct light or the scattered light;
Further comprising, a gas sensing system of the scattered light measurement method. 제 1 항에 있어서,
상기 몸체는,
상기 광원으로부터 발생된 상기 직사광이 직선으로 유도될 수 있도록 형성되는 광 유도부; 및
상기 광 유도부와 연결되고, 광 유입구로부터 유입된 상기 직사광의 광경로를 길게 하여 상기 산란광을 증폭시킬 수 있도록 상기 직사광 또는 상기 산란광을 내부에서 무한 반사시키는 전체적으로 원통 형상이며, 그 중심에 상기 수광부의 적어도 일부가 형성되는 광 증폭부;
를 포함하는, 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템.The method of claim 1,
The body is
a light guide unit formed so that the direct light generated from the light source can be guided in a straight line; and
It is connected to the light guide part and has a cylindrical shape as a whole that infinitely reflects the direct sunlight or the scattered light from the inside so as to amplify the scattered light by lengthening the optical path of the direct light introduced from the light inlet, and at least the light receiving part at the center an optical amplification part formed in part;
Including, a gas sensing system of the scattered light measurement method. 제 7 항에 있어서,
상기 광 증폭부는, 광경로를 증대시킬 수 있도록 적어도 일부 둥근 내면이 형성된 돔부가 형성되는, 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템.8. The method of claim 7,
The light amplifying unit is a gas sensing system of a scattered light measuring method, in which a dome having at least a partially rounded inner surface is formed to increase an optical path. 제 7 항에 있어서,
상기 산란광을 상기 수광부 방향으로 집중시킬 수 있도록 상기 몸체에 형성되는 렌즈부;
를 더 포함하는, 산란광 측정 방식의 가스 센싱 시스템.8. The method of claim 7,
a lens unit formed on the body to focus the scattered light toward the light receiving unit;
Further comprising, a gas sensing system of the scattered light measurement method.
KR1020190105024A 2019-08-27 2019-08-27 Scattered light type gas sensing system KR102265564B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190105024A KR102265564B1 (en) 2019-08-27 2019-08-27 Scattered light type gas sensing system
PCT/KR2020/009882 WO2021040247A1 (en) 2019-08-27 2020-07-29 Gas sensing system using scattered light measurement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190105024A KR102265564B1 (en) 2019-08-27 2019-08-27 Scattered light type gas sensing system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210029855A KR20210029855A (en) 2021-03-17
KR102265564B1 true KR102265564B1 (en) 2021-06-17

Family

ID=74683325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190105024A KR102265564B1 (en) 2019-08-27 2019-08-27 Scattered light type gas sensing system

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102265564B1 (en)
WO (1) WO2021040247A1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006300738A (en) * 2005-04-21 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd Gas sensor
JP2009014465A (en) 2007-07-04 2009-01-22 Yokogawa Electric Corp Infrared gas analyzer

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160032863A (en) * 2014-09-17 2016-03-25 한국과학기술연구원 Infrared Gas Analyzer
KR101881135B1 (en) * 2016-10-28 2018-08-24 주식회사 씨앤유글로벌 Dust sensor based on the light scattering
DE102017204037A1 (en) * 2017-03-10 2018-09-13 Robert Bosch Gmbh Optical sensor with pad sensor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006300738A (en) * 2005-04-21 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd Gas sensor
JP2009014465A (en) 2007-07-04 2009-01-22 Yokogawa Electric Corp Infrared gas analyzer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210029855A (en) 2021-03-17
WO2021040247A1 (en) 2021-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5841542B2 (en) Gas sensor with radiation guide
KR101088360B1 (en) Optical wave guide having multiple independent optical path and ndir gas sensor using that
JP6294312B2 (en) Laser power sensor
KR100732709B1 (en) Non-dispersive infrared gas sensor with light concentration means
JP2009025298A (en) Optical cavity system having orthogonal input
JP2004513363A (en) Especially for plasma resonance sensors for biosensor technology
GB2391309A (en) Optical gas sensor
US20170003221A1 (en) Particle measuring device
US7564032B2 (en) Gas sensor
KR20180021956A (en) Optical wave guide using parabolic reflectors and an Infrared gas sensor containing the same
US9395251B2 (en) Temperature sensitive body, optical temperature sensor, temperature measurement device, and heat flux measurement
KR102265564B1 (en) Scattered light type gas sensing system
JP2018084523A5 (en)
KR102223821B1 (en) Multi gas sensing apparatus
JP2012512408A (en) Absorption type optical probe with radiation source monitoring function
US20220236174A1 (en) Optical Measuring Assembly and Gas Sensor Comprising Same
JP5336982B2 (en) Gas detection device and fire detection device
KR20160032863A (en) Infrared Gas Analyzer
US7024060B2 (en) Method and apparatus for continuous measurement of the refractive index of fluid
US9640682B2 (en) Device for emitting electromagnetic radiation
JPS58113839A (en) Detector for dew point
KR102103767B1 (en) Optical cavity for gas sensor and gas sensor using the same
US11740179B2 (en) Gas sensing system having quadric reflective surface
JP4565233B2 (en) Flow rate measuring method and measuring apparatus used therefor
KR102267044B1 (en) Carbon dioxide gas sensor using non-dispersive infrared

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)