KR102258045B1 - Compound and hardmask composition and method of forming patterns - Google Patents

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Abstract

하기 화학식 1로 표현되는 화합물, 상기 화합물을 포함하는 하드마스크 조성물, 상기 하드마스크 조성물의 경화물을 포함하는 하드마스크 층 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

Figure 112018069393609-pat00023

상기 화학식 1에서, Z, L, A 및 R1 내지 R12의 정의는 명세서에 기재된 바와 같다.It relates to a compound represented by the following Formula 1, a hardmask composition comprising the compound, a hardmask layer including a cured product of the hardmask composition, and a pattern forming method using the hardmask composition.
[Formula 1]
Figure 112018069393609-pat00023

In Formula 1, the definitions of Z, L, A, and R 1 to R 12 are as described in the specification.

Description

화합물, 하드마스크 조성물 및 패턴 형성 방법{COMPOUND AND HARDMASK COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS}Compound, hardmask composition, and pattern formation method TECHNICAL FIELD [COMPOUND AND HARDMASK COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS}

화합물, 상기 화합물을 포함하는 하드마스크 조성물, 그리고 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴 형성 방법에 관한 것이다.It relates to a compound, a hardmask composition comprising the compound, and a pattern forming method using the hardmask composition.

최근 반도체 산업은 수백 나노미터 크기의 패턴에서 수 내지 수십 나노미터 크기의 패턴을 가지는 초미세 기술로 발전하고 있다. 이러한 초미세 기술을 실현하기 위해서는 효과적인 리쏘그래픽 기법이 필수적이다.Recently, the semiconductor industry is developing from a pattern of several hundred nanometers to an ultra-fine technology having a pattern of several to tens of nanometers. Effective lithographic techniques are essential to realize such ultra-fine technology.

전형적인 리쏘그래픽 기법은 반도체 기판 위에 재료 층을 형성하고 그 위에 포토레지스트 층을 코팅하고 노광 및 현상을 하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 재료 층을 식각하는 과정을 포함한다.A typical lithographic technique involves forming a material layer on a semiconductor substrate, coating a photoresist layer thereon, exposing and developing to form a photoresist pattern, and then etching the material layer using the photoresist pattern as a mask. do.

근래, 형성하고자 하는 패턴의 크기가 감소함에 따라 상술한 전형적인 리쏘그래픽 기법만으로는 양호한 프로파일을 가진 미세 패턴을 형성하기 어렵다. 이에 따라 식각하고자 하는 재료층과 포토레지스트 층 사이에 일명 하드마스크 층(hardmask layer)이라고 불리는 보조층을 형성하여 미세 패턴을 형성할 수 있다.In recent years, as the size of the pattern to be formed decreases, it is difficult to form a fine pattern having a good profile using only the above-described typical lithographic technique. Accordingly, a fine pattern may be formed by forming an auxiliary layer called a hardmask layer between the material layer to be etched and the photoresist layer.

일 구현예는 하드마스크 층의 내식각성을 개선할 수 있고 하드마스크 층에 효과적으로 적용할 수 있는 화합물을 제공한다.One embodiment provides a compound that can improve the etch resistance of the hardmask layer and can be effectively applied to the hardmask layer.

다른 구현예는 상기 화합물을 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다.Another embodiment provides a hardmask composition comprising the compound.

또 다른 구현예는 상기 하드마스크 조성물을 사용한 패턴 형성 방법을 제공한다.Another embodiment provides a pattern forming method using the hardmask composition.

일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 제공한다.According to one embodiment, a compound represented by the following formula (1) is provided.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112018069393609-pat00001
Figure 112018069393609-pat00001

상기 화학식 1에서, In Formula 1,

Z는 O 또는 S이고,Z is O or S,

L은 단일결합 또는 이중결합이고,L is a single bond or a double bond,

A는 적어도 하나의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 6각 고리이고,A is a substituted or unsubstituted hexagonal ring containing at least one nitrogen,

R1 내지 R12는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고, R1 내지 R12는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성한다.R 1 to R 12 are each independently hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkenyl group, substituted Or an unsubstituted C1 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 To C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 heteroarylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof, R 1 to R 12 Are each independently present or two adjacent ones are connected to each other to form a ring.

A는 적어도 하나의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 비방향족 6각 고리이고, 상기 치환은 적어도 하나의 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합으로 치환된 것일 수 있다.A is a substituted or unsubstituted non-aromatic hexagonal ring containing at least one nitrogen, and the substitution is at least one substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or It may be substituted with an unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group or a combination thereof.

A는 적어도 하나의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 비방향족 6각 고리이고, 상기 치환은 적어도 하나의 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 코로네닐기 또는 이들의 조합으로 치환된 것일 수 있다.A is a substituted or unsubstituted non-aromatic hexagonal ring containing at least one nitrogen, and the substitution is at least one substituted or unsubstituted methyl group, a substituted or unsubstituted ethyl group, a substituted or unsubstituted propyl group, a substituted Or unsubstituted butyl group, substituted or unsubstituted pentyl group, substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted fluorenyl group, substituted or unsubstituted A substituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted fluoranthenyl group, a substituted or unsubstituted acenaphthylenyl group, a substituted or unsubstituted acenaphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, a substituted or unsubstituted Benzophenanthrenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted triphenylenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted tetrasenyl group, substituted or unsubstituted benzofluoran Tenyl group, substituted or unsubstituted perylenyl group, substituted or unsubstituted benzopyrenyl group, substituted or unsubstituted naphthoanthracenyl group, substituted or unsubstituted pentacenyl group, substituted or unsubstituted benzoperyle It may be substituted with a nil group, a substituted or unsubstituted dibenzopyrenyl group, a substituted or unsubstituted coronenyl group, or a combination thereof.

R1 내지 R4 중 적어도 하나는 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.At least one of R 1 to R 4 is a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, or a combination thereof, and R 1 to R 4 are each independently present or two adjacent to each other may be connected to form a ring. .

상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 하기 화학식 2 및 화학식 3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.The compound represented by Formula 1 may be represented by any one of Formulas 2 and 3 below.

[화학식 2] [화학식 3][Formula 2] [Formula 3]

Figure 112018069393609-pat00002
Figure 112018069393609-pat00003
Figure 112018069393609-pat00002
Figure 112018069393609-pat00003

상기 화학식 2 및 3에서, In Formulas 2 and 3,

Z는 O 또는 S이고, Z is O or S,

X1 내지 X3는 각각 독립적으로 CRa, CRbRc, N 또는 NRd이고, X 1 to X 3 are each independently CR a , CR b R c , N or NR d ,

X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N 또는 NRd이고,At least one of X 1 to X 3 is N or NR d ,

R1 내지 R12 및 Ra 내지 Rd는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고, R1 내지 R12 및 Ra 내지 Rd는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성한다.R 1 to R 12 and R a to R d are each independently hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C1 To C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkynyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heterocycloalkyl group, A substituted or unsubstituted C1 to C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 heteroarylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof , R 1 to R 12 and R a to R d are each independently present or two adjacent to each other are connected to form a ring.

Ra 내지 Rd 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 코로네닐기 또는 이들의 조합일 수 있다.At least one of R a to R d is a substituted or unsubstituted methyl group, a substituted or unsubstituted ethyl group, a substituted or unsubstituted propyl group, a substituted or unsubstituted butyl group, a substituted or unsubstituted pentyl group, a substituted or unsubstituted A substituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted fluoranthenyl group, a substituted or Unsubstituted acenaphthylenyl group, substituted or unsubstituted acenaphthenyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted benzophenanthrenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted Triphenylenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted tetrasenyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenyl group, substituted or unsubstituted perylenyl group, substituted or unsubstituted benzo Pyrenyl group, substituted or unsubstituted naphthoanthracenyl group, substituted or unsubstituted pentacenyl group, substituted or unsubstituted benzoperylenyl group, substituted or unsubstituted dibenzopyrenyl group, substituted or unsubstituted It may be a coronenyl group or a combination thereof.

X1 내지 X3 중 적어도 하나는 NRd이고,At least one of X 1 to X 3 is NR d ,

Rd는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C30 헤테로아릴알킬기 또는 이들의 조합일 수 있다.R d may be a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C4 to C30 heteroarylalkyl group, or a combination thereof.

X1 내지 X3 중 적어도 하나는 NRd이고,At least one of X 1 to X 3 is NR d ,

Rd는 치환 또는 비치환된 페닐알킬기, 치환 또는 비치환된 나프틸알킬기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 크리세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 코로네닐알킬기 또는 이들의 조합일 수 있다.R d is a substituted or unsubstituted phenylalkyl group, a substituted or unsubstituted naphthylalkyl group, a substituted or unsubstituted fluorenylalkyl group, a substituted or unsubstituted anthracenylalkyl group, a substituted or unsubstituted fluoranthenylalkyl group, a substituted Or an unsubstituted acenaphthylalkyl group, a substituted or unsubstituted acenaphthenylalkyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrenylalkyl group, a substituted or unsubstituted benzophenanthrenylalkyl group, a substituted or unsubstituted pyrenylalkyl group, Substituted or unsubstituted triphenylenylalkyl group, substituted or unsubstituted chrysenylalkyl group, substituted or unsubstituted tetrasenylalkyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenylalkyl group, substituted or unsubstituted perylenylalkyl group, substituted Or an unsubstituted benzopyrenylalkyl group, a substituted or unsubstituted naphthoanthracenylalkyl group, a substituted or unsubstituted pentacenylalkyl group, a substituted or unsubstituted benzoperylenylalkyl group, a substituted or unsubstituted dibenzopyrenylalkyl group , A substituted or unsubstituted coronenylalkyl group, or a combination thereof.

R1 내지 R4 중 적어도 하나는 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.At least one of R 1 to R 4 is a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, or a combination thereof, and R 1 to R 4 are each independently present or two adjacent to each other may be connected to form a ring. .

상기 화학식 2로 표현되는 화합물은 하기 화학식 2-1로 표현될 수 있고,The compound represented by Formula 2 may be represented by the following Formula 2-1,

상기 화학식 3으로 표현되는 화합물은 하기 화학식 3-1로 표현될 수 있다.The compound represented by Formula 3 may be represented by the following Formula 3-1.

[화학식 2-1] [화학식 3-1][Chemical Formula 2-1] [Chemical Formula 3-1]

Figure 112018069393609-pat00004
Figure 112018069393609-pat00005
Figure 112018069393609-pat00004
Figure 112018069393609-pat00005

상기 화학식 2-1 및 3-1에서, In Formulas 2-1 and 3-1,

Z는 O 또는 S이고,Z is O or S,

R1 내지 R15는 수소, 중수소, 할로겐, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,R 1 to R 15 are hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 aryl An alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 heteroarylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof,

R1 내지 R15는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성한다.R 1 to R 15 are each independently present or two adjacent to each other are connected to each other to form a ring.

R13 내지 R15 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 코로네닐기 또는 이들의 조합일 수 있다.At least one of R 13 to R 15 is a substituted or unsubstituted methyl group, a substituted or unsubstituted ethyl group, a substituted or unsubstituted propyl group, a substituted or unsubstituted butyl group, a substituted or unsubstituted pentyl group, a substituted or unsubstituted A substituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted fluoranthenyl group, a substituted or Unsubstituted acenaphthylenyl group, substituted or unsubstituted acenaphthenyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted benzophenanthrenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted Triphenylenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted tetrasenyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenyl group, substituted or unsubstituted perylenyl group, substituted or unsubstituted benzo Pyrenyl group, substituted or unsubstituted naphthoanthracenyl group, substituted or unsubstituted pentacenyl group, substituted or unsubstituted benzoperylenyl group, substituted or unsubstituted dibenzopyrenyl group, substituted or unsubstituted It may be a coronenyl group or a combination thereof.

R15은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 코로네닐기 또는 이들의 조합일 수 있다.R 15 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted fluoro. Lantenyl group, substituted or unsubstituted acenaphthylenyl group, substituted or unsubstituted acenaphthyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted benzophenanthrenyl group, substituted or unsubstituted pyre A nil group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted chrysenyl group, a substituted or unsubstituted tetracenyl group, a substituted or unsubstituted benzofluoranthenyl group, a substituted or unsubstituted perylenyl group, A substituted or unsubstituted benzopyrenyl group, a substituted or unsubstituted naphthoanthracenyl group, a substituted or unsubstituted pentacenyl group, a substituted or unsubstituted benzoperylenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzopyrenyl group , A substituted or unsubstituted coronenyl group, or a combination thereof.

R14는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C30 헤테로아릴알킬기 또는 이들의 조합일 수 있다.R 14 may be a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C4 to C30 heteroarylalkyl group, or a combination thereof.

R14는 치환 또는 비치환된 페닐알킬기, 치환 또는 비치환된 나프틸알킬기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 크리세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 코로네닐알킬기 또는 이들의 조합일 수 있다.R 14 is a substituted or unsubstituted phenylalkyl group, a substituted or unsubstituted naphthylalkyl group, a substituted or unsubstituted fluorenylalkyl group, a substituted or unsubstituted anthracenylalkyl group, a substituted or unsubstituted fluoranthenylalkyl group, a substituted Or an unsubstituted acenaphthylalkyl group, a substituted or unsubstituted acenaphthenylalkyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrenylalkyl group, a substituted or unsubstituted benzophenanthrenylalkyl group, a substituted or unsubstituted pyrenylalkyl group, Substituted or unsubstituted triphenylenylalkyl group, substituted or unsubstituted chrysenylalkyl group, substituted or unsubstituted tetrasenylalkyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenylalkyl group, substituted or unsubstituted perylenylalkyl group, substituted Or an unsubstituted benzopyrenylalkyl group, a substituted or unsubstituted naphthoanthracenylalkyl group, a substituted or unsubstituted pentacenylalkyl group, a substituted or unsubstituted benzoperylenylalkyl group, a substituted or unsubstituted dibenzopyrenylalkyl group , A substituted or unsubstituted coronenylalkyl group, or a combination thereof.

R1 내지 R4 중 적어도 하나는 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합일 수 있고, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.At least one of R 1 to R 4 may be a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, or a combination thereof, and R 1 to R 4 are each independently present or two adjacent to each other are connected to form a ring. I can.

다른 구현예에 따르면, 상술한 화합물, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다.According to another embodiment, there is provided a hardmask composition comprising the above-described compound and a solvent.

또 다른 구현예에 따르면, 재료 층 위에 상술한 하드마스크 조성물을 도포하고 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.According to another embodiment, the steps of forming a hardmask layer by applying the above-described hardmask composition on a material layer and heat treatment, forming a photoresist layer on the hardmask layer, exposing and developing the photoresist layer to Forming a photoresist pattern, selectively removing the hardmask layer using the photoresist pattern, exposing a portion of the material layer, and etching the exposed portion of the material layer Provides a method of formation.

하드마스크 층의 우수한 내식각성, 갭-필 특성 및 평탄화특성을 확보할 수 있다.It is possible to secure excellent etch resistance, gap-fill characteristics, and planarization characteristics of the hard mask layer.

도 1은 평탄화 특성의 평가 방법을 설명하기 위해 하드마스크 층의 단차를 예시적으로 보여주는 참고도이다.1 is a reference diagram illustrating a step difference of a hard mask layer by way of example in order to explain a method of evaluating a planarization characteristic.

이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the embodiments of the present invention. However, the present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein.

이하 본 명세서에서 특별한 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 중수소, 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C2 내지 C30 헤테로고리기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.Hereinafter, unless otherwise defined herein, the term'substituted' means that the hydrogen atom in the compound is deuterium, a halogen atom (F, Br, Cl, or I), a hydroxy group, a nitro group, a cyano group, an amino group, an azido group, amidino Group, hydrazino group, hydrazono group, carbonyl group, carbamyl group, thiol group, ester group, carboxyl group or salt thereof, sulfonic acid group or salt thereof, phosphoric acid or salt thereof, C1 to C30 alkyl group, C2 to C30 alkenyl group, C2 to C30 alkynyl group, C6 to C30 aryl group, C7 to C30 arylalkyl group, C1 to C30 alkoxy group, C1 to C20 heteroalkyl group, C3 to C20 heteroarylalkyl group, C3 to C30 cycloalkyl group, C3 to C15 cycloalkenyl group, C6 It means substituted with a substituent selected from a C15 cycloalkynyl group, a C2 to C30 heterocyclic group, and combinations thereof.

또한 상기 치환된 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C2 내지 C30 헤테로고리기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 치환된 C6 내지 C30 아릴기는 인접한 또 다른 치환된 C6 내지 C30 아릴기와 융합되어 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리를 형성할 수 있다.In addition, the substituted halogen atom (F, Br, Cl, or I), hydroxy group, nitro group, cyano group, amino group, azido group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, carbonyl group, carbamyl group, thiol group , Ester group, carboxyl group or salt thereof, sulfonic acid group or salt thereof, phosphoric acid or salt thereof, C1 to C30 alkyl group, C2 to C30 alkenyl group, C2 to C30 alkynyl group, C6 to C30 aryl group, C7 to C30 arylalkyl group, C1 to Two adjacent substituents among a C30 alkoxy group, a C1 to C20 heteroalkyl group, a C3 to C20 heteroarylalkyl group, a C3 to C30 cycloalkyl group, a C3 to C15 cycloalkenyl group, a C6 to C15 cycloalkynyl group, and a C2 to C30 heterocyclic group It can also be fused to form a ring. For example, the substituted C6 to C30 aryl group may be fused with another adjacent substituted C6 to C30 aryl group to form a substituted or unsubstituted fluorene ring.

또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S, Se 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1개 내지 3개 함유한 것을 의미한다.In addition, unless otherwise defined in the specification,'hetero' means containing 1 to 3 heteroatoms selected from N, O, S, Se and P.

본 명세서에서 "아릴기(aryl group)"는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 의미하며 넓게는 탄화수소 방향족 모이어티들이 단일 결합으로 연결된 형태 및 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합고리 또한 포함한다. 아릴기는 모노사이클릭, 폴리사이클릭 또는 융합된 폴리사이클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.In the present specification, "aryl group" refers to a group having one or more hydrocarbon aromatic moieties, and broadly, hydrocarbon aromatic moieties are linked by a single bond and non-aromatic in which hydrocarbon aromatic moieties are directly or indirectly fused. It also includes fusion rings. Aryl groups include monocyclic, polycyclic or fused polycyclic (ie, rings that share adjacent pairs of carbon atoms) functional groups.

본 명세서에서 "헤테로고리기(heterocyclic group)"는 헤테로아릴기를 포함하는 개념이며, 이에 추가하여 아릴기, 사이클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에서 탄소(C) 대신에 N, O, S, P 및 Si에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다.In the present specification, "heterocyclic group" is a concept including a heteroaryl group, and in addition to this, instead of carbon (C) in a cyclic compound such as an aryl group, a cycloalkyl group, a fused ring thereof, or a combination thereof It means containing at least one hetero atom selected from N, O, S, P and Si. When the heterocyclic group is a fused ring, one or more heteroatoms may be included in the entire heterocyclic group or each ring.

보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 아릴기 및/또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기, 피리도인돌일기, 벤조피리도옥사진일기, 벤조피리도티아진일기, 9,9-디메틸9,10디히드로아크리딘일, 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 본 발명의 일 예에서, 헤테로고리기 또는 헤테로아릴기는 피리딜기, 카바졸릴기 또는 피리도인돌일기일 수 있다.More specifically, a substituted or unsubstituted aryl group and/or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted A substituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted naphthacenyl group, a substituted or unsubstituted pyrenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted quarterphenyl group, a substituted or non-substituted A substituted chrysenyl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted perylenyl group, a substituted or unsubstituted indenyl group, a substituted or unsubstituted furanyl group, a substituted or unsubstituted thiophenyl group, a substituted Or unsubstituted pyrrolyl group, substituted or unsubstituted pyrazolyl group, substituted or unsubstituted imidazolyl group, substituted or unsubstituted triazolyl group, substituted or unsubstituted oxazolyl group, substituted or unsubstituted thiazole Diary, substituted or unsubstituted oxadiazolyl group, substituted or unsubstituted thiadiazolyl group, substituted or unsubstituted pyridinyl group, substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, substituted or unsubstituted pyrazinyl group, substituted Or an unsubstituted triazinyl group, a substituted or unsubstituted benzofuranyl group, a substituted or unsubstituted benzothiophenyl group, a substituted or unsubstituted benzimidazolyl group, a substituted or unsubstituted indolyl group, a substituted or unsubstituted qui Nolinyl group, substituted or unsubstituted isoquinolinyl group, substituted or unsubstituted quinazolinyl group, substituted or unsubstituted quinoxalinyl group, substituted or unsubstituted naphthyridinyl group, substituted or unsubstituted benzoxazineyl group, Substituted or unsubstituted benzthiazinyl group, substituted or unsubstituted acridinyl group, substituted or unsubstituted phenazineyl group, substituted or unsubstituted phenothiazinyl group, substituted or unsubstituted phenoxazineyl group, substituted or unsubstituted Cyclic fluorenyl group, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, substituted or unsubstituted carbazolyl group, pyridoindolyl group, benzopyridooxazineyl group, benzopyridothia Jinyl group, 9,9-dimethyl9,10 dihydroacridinyl, a combination thereof, or a combination thereof may be a fused form, but limited thereto It doesn't work. In one example of the present invention, the heterocyclic group or the heteroaryl group may be a pyridyl group, a carbazolyl group, or a pyridoindolyl group.

이하 일 구현예에 따른 화합물을 설명한다.Hereinafter, a compound according to an embodiment will be described.

일 구현예에 따른 화합물은 헤테로고리를 포함하는 다환고리 화합물이 하나 또는 복수 개 연결될 수 있다.In the compound according to an embodiment, one or more polycyclic compounds including a heterocycle may be connected.

일 구현예에 따른 화합물은 헤테로고리를 포함하는 다환고리 화합물 간의 연결부(linking site)가 공액화(conjugated)된 견고한(rigid) 평면 구조를 포함할 수 있다.The compound according to an embodiment may include a rigid planar structure in which a linking site between polycyclic compounds including a heterocycle is conjugated.

일 구현예에 따른 화합물은 하기 화학식 1로 표현될 수 있다.The compound according to an embodiment may be represented by the following formula (1).

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112018069393609-pat00006
Figure 112018069393609-pat00006

상기 화학식 1에서, In Formula 1,

Z는 O 또는 S이고,Z is O or S,

L은 단일결합 또는 이중결합이고,L is a single bond or a double bond,

A는 적어도 하나의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 6각 고리이고,A is a substituted or unsubstituted hexagonal ring containing at least one nitrogen,

R1 내지 R12는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,R 1 to R 12 are each independently hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkenyl group, substituted Or an unsubstituted C1 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 To C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 heteroarylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof,

R1 내지 R12는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성한다.R 1 to R 12 are each independently present or two adjacent ones are connected to each other to form a ring.

일 예로, A는 적어도 하나의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 방향족 6각 고리 또는 적어도 하나의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 비방향족 6각 고리일 수 있다.For example, A may be a substituted or unsubstituted aromatic hexagonal ring containing at least one nitrogen or a substituted or unsubstituted nonaromatic hexagonal ring containing at least one nitrogen.

일 예로, A는 하나의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 방향족 6각 고리 또는 하나의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 비방향족 6각 고리일 수 있다.For example, A may be a substituted or unsubstituted aromatic hexagonal ring containing one nitrogen or a substituted or unsubstituted non-aromatic hexagonal ring containing one nitrogen.

일 예로, A는 두 개의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 방향족 6각 고리 또는 두 개의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 비방향족 6각 고리일 수 있다.For example, A may be a substituted or unsubstituted aromatic hexagonal ring containing two nitrogens or a substituted or unsubstituted non-aromatic hexagonal ring containing two nitrogens.

일 예로, A는 세 개의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 방향족 6각 고리 또는 세 개의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 비방향족 6각 고리일 수 있다.For example, A may be a substituted or unsubstituted aromatic hexagonal ring containing three nitrogens or a substituted or unsubstituted non-aromatic hexagonal ring containing three nitrogens.

화합물은 헤테로고리를 포함함으로써 후속 식각 공정에서 노출되는 식각 가스에 견딜 수 있는 높은 내식각성을 나타낼 수 있다.Since the compound contains a heterocycle, it may exhibit high etch resistance capable of withstanding an etching gas exposed in a subsequent etching process.

일 예로, A는 적어도 하나의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 비방향족 6각 고리이고,In one embodiment, A is a substituted or unsubstituted non-aromatic hexagonal ring containing at least one nitrogen,

상기 치환은 적어도 하나의 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합으로 치환된 것일 수 있다. 여기서 아릴기는 예컨대 비축합 아릴기 및/또는 축합 아릴기일 수 있고 헤테로아릴기는 비축합 헤테로아릴기 및/또는 축합 헤테로아릴기일 수 있다.The substitution may be substituted with at least one substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof. Here, the aryl group may be, for example, a non-condensed aryl group and/or a condensed aryl group, and the heteroaryl group may be a non-condensed heteroaryl group and/or a condensed heteroaryl group.

상기 A가 적어도 하나의 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합으로 치환됨으로써 화합물의 전체적인 링파라미터(ring parameter)를 증가시키고, 후속 식각 공정에서 노출되는 식각 가스에 대해 더욱 높은 내식각성을 나타낼 수 있다.Wherein A is substituted with at least one substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof, the overall ring parameters of the compound The (ring parameter) may be increased, and higher etch resistance may be exhibited with respect to the etching gas exposed in the subsequent etching process.

일 예로, A는 적어도 하나의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 비방향족 6각 고리이고, 상기 치환은 적어도 하나의 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 코로네닐기 또는 이들의 조합으로 치환된 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.As an example, A is a substituted or unsubstituted non-aromatic hexagonal ring containing at least one nitrogen, and the substitution is at least one substituted or unsubstituted methyl group, a substituted or unsubstituted ethyl group, a substituted or unsubstituted propyl A group, a substituted or unsubstituted butyl group, a substituted or unsubstituted pentyl group, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, Substituted or unsubstituted anthracenyl group, substituted or unsubstituted fluoranthenyl group, substituted or unsubstituted acenaphthylenyl group, substituted or unsubstituted acenaphthenyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or Unsubstituted benzophenanthrenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted triphenylenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted tetrasenyl group, substituted or unsubstituted Benzofluoranthenyl group, substituted or unsubstituted perylenyl group, substituted or unsubstituted benzopyrenyl group, substituted or unsubstituted naphthoanthracenyl group, substituted or unsubstituted pentacenyl group, substituted or unsubstituted It may be substituted with a benzoperylenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzopyrenyl group, a substituted or unsubstituted coronenyl group, or a combination thereof, but is not limited thereto.

일 예로, 상기 화합물을 열처리할 경우 복수의 화합물 간의 중-축합 반응이 일어남으로써 가교될 수 있으며, R1 내지 R4 중 적어도 어느 하나가, 바람직하게는 R2 및/또는 R3가 중-축합 반응의 반응 사이트(site)가 되어 가교될 수 있다.For example, when the compound is heat-treated, a polycondensation reaction between a plurality of compounds may occur, thereby crosslinking, and at least one of R 1 to R 4 is, preferably R 2 and/or R 3 is polycondensation It becomes a reaction site of the reaction and can be crosslinked.

일 예로, R1 내지 R4 중 적어도 어느 하나가, 바람직하게는 R2 및/또는 R3가 C3 내지 C30 알킬기일 수 있다. 이와 같이 긴 지방족 알킬기로 치환되는 경우 화합물이 더욱 우수한 저장 안정성을 가질 수 있다.For example, at least one of R 1 to R 4 , preferably R 2 and/or R 3 may be a C3 to C30 alkyl group. When substituted with such a long aliphatic alkyl group, the compound may have more excellent storage stability.

일 예로, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다. 알콕시기 또는 히드록시기와 같이 친수성 작용기에 의해 치환되는 경우 화합물이 더욱 우수한 용해도를 가질 수 있고 이에 따라 하부 막질과의 친화도가 증가하여 이로부터 제조된 하드마스크 층의 막 평탄성이 더욱 향상될 수 있다.For example, at least one of R 1 to R 4 is a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, or a combination thereof, and R 1 to R 4 are each independently present or two adjacent to each other are connected to form a ring can do. When substituted by a hydrophilic functional group such as an alkoxy group or a hydroxy group, the compound may have more excellent solubility, and accordingly, the affinity with the lower film may increase, and the film flatness of the hardmask layer prepared therefrom may be further improved.

일 예로, R1 내지 R4 중 적어도 둘은 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.For example, at least two of R 1 to R 4 are a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, or a combination thereof, and R 1 to R 4 are each independently present or two adjacent to each other are connected to form a ring can do.

일 예로, R2 및/또는 R3은 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고, R2 및 R3는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.For example, R 2 and/or R 3 may be a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, or a combination thereof, and R 2 and R 3 may each be independently present or linked to each other to form a ring.

일 예로, R1 내지 R4는 서로 같거나 다를 수 있다.For example, R 1 to R 4 may be the same as or different from each other.

일 예로, R2 및 R3은 서로 같거나 다를 수 있다.For example, R 2 and R 3 may be the same as or different from each other.

일 예로, 상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 하기 화학식 2 및 화학식 3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.For example, the compound represented by Formula 1 may be represented by any one of Formulas 2 and 3 below.

[화학식 2] [화학식 3][Formula 2] [Formula 3]

Figure 112018069393609-pat00007
Figure 112018069393609-pat00008
Figure 112018069393609-pat00007
Figure 112018069393609-pat00008

상기 화학식 2 및 3에서, In Formulas 2 and 3,

Z 및 R1 내지 R12는 전술한 바와 같고, Z and R 1 to R 12 are as described above,

X1 내지 X3는 각각 독립적으로 CRa, CRbRc, N 또는 NRd이고, X 1 to X 3 are each independently CR a , CR b R c , N or NR d ,

X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N 또는 NRd이고,At least one of X 1 to X 3 is N or NR d ,

Ra 내지 Rd는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,R a to R d are each independently hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkenyl group, substituted Or an unsubstituted C1 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 To C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 heteroarylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof,

Ra 내지 Rd는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성한다.Each of R a to R d is independently present or two adjacent two are connected to each other to form a ring.

일 예로, X1 내지 X3 중 적어도 두개는 N 또는 NRd일 수 있다.For example, at least two of X 1 to X 3 may be N or NR d.

화합물에서 Ra 내지 Rd의 방향족성 및 방향족고리의 개수를 조절함으로써, 화합물의 내식각성을 조절할 수 있다.By controlling the aromaticity of R a to R d and the number of aromatic rings in the compound, the corrosion resistance of the compound can be controlled.

일 예로, Ra 내지 Rd 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합일 수 있다.For example, at least one of R a to R d may be a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof. have.

일 예로, Ra 내지 Rd 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 코로네닐기 또는 이들의 조합일 수 있다.For example, at least one of R a to R d is a substituted or unsubstituted methyl group, a substituted or unsubstituted ethyl group, a substituted or unsubstituted propyl group, a substituted or unsubstituted butyl group, a substituted or unsubstituted pentyl group, Substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted fluorenyl group, substituted or unsubstituted anthracenyl group, substituted or unsubstituted fluoranthenyl group , A substituted or unsubstituted acenaphthyl group, a substituted or unsubstituted acenaphthenyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, a substituted or unsubstituted benzophenanthrenyl group, a substituted or unsubstituted pyrenyl group, a substituted Or unsubstituted triphenylenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted tetrasenyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenyl group, substituted or unsubstituted perylenyl group, substituted or unsubstituted A substituted benzopyrenyl group, a substituted or unsubstituted naphthoanthracenyl group, a substituted or unsubstituted pentacenyl group, a substituted or unsubstituted benzoperylenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzopyrenyl group, a substituted or It may be an unsubstituted coronenyl group or a combination thereof.

일 예로, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 CRa, CRbRc일 수 있다.For example, at least one of X 1 to X 3 may be CR a and CR b R c.

일 예로, Ra 내지 Rc 중 적어도 어느 하나는 수소 또는 중수소일 수 있다.For example, at least one of R a to R c may be hydrogen or deuterium.

일 예로, Rb 및 Rc 중 적어도 어느 하나는 수소 또는 중수소일 수 있다.For example, at least one of R b and R c may be hydrogen or deuterium.

일 예로, Ra 내지 Rc 중 적어도 어느 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합일 수 있다.For example, at least one of R a to R c may be a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof.

일 예로, Rb 및 Rc 중 적어도 어느 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합일 수 있다.For example, at least one of R b and R c may be a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof.

일 예로, Ra 내지 Rc 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로알킬아릴기 또는 이들의 조합일 수 있다.For example, at least one of R a to R c may be a substituted or unsubstituted C6 to C30 alkylaryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroalkylaryl group, or a combination thereof.

일 예로, Rb 및 Rc 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로알킬아릴기 또는 이들의 조합일 수 있다.For example, at least one of R b and R c may be a substituted or unsubstituted C6 to C30 alkylaryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroalkylaryl group, or a combination thereof.

일 예로, 상술한 화합물은 치환 또는 비치환된 아릴알킬아민과 프로파길기를 포함하는 화합물 및 알데히드기를 가지는 방향족고리 화합물을 반응물로 하여 중간체를 합성하고, 상기 중간체를 PD 촉매 하에 고리화(cyclization)하여 합성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 반응물의 알데히드기를 가지는 방향족고리화 합물의 방향족성 및 방향족고리 개수를 조절하여, 화합물의 내식각성을 조절할 수 있다.As an example, the above-described compound is a compound containing a substituted or unsubstituted arylalkylamine and a propargyl group, and an aromatic ring compound having an aldehyde group as a reactant to synthesize an intermediate, and the intermediate is cyclized under a PD catalyst. It may be synthesized, but is not limited thereto. By controlling the aromaticity and the number of aromatic rings of the aromatic ring compound having an aldehyde group of the reactant, the corrosion resistance of the compound may be controlled.

일 예로, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 NRd이고,For example, at least one of X 1 to X 3 is NR d ,

Rd는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C30 헤테로아릴알킬기 또는 이들의 조합일 수 있다.R d may be a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C4 to C30 heteroarylalkyl group, or a combination thereof.

일 예로, Rd는 치환 또는 비치환된 페닐알킬기, 치환 또는 비치환된 나프틸알킬기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 크리세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 코로네닐알킬기 또는 이들의 조합일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.For example, R d is a substituted or unsubstituted phenylalkyl group, a substituted or unsubstituted naphthylalkyl group, a substituted or unsubstituted fluorenylalkyl group, a substituted or unsubstituted anthracenylalkyl group, a substituted or unsubstituted fluoranthenyl Alkyl group, substituted or unsubstituted acenaphthylenylalkyl group, substituted or unsubstituted acenaphthenylalkyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenylalkyl group, substituted or unsubstituted benzophenanthrenylalkyl group, substituted or unsubstituted pi Renylalkyl group, substituted or unsubstituted triphenylenylalkyl group, substituted or unsubstituted chrysenylalkyl group, substituted or unsubstituted tetrasenylalkyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenylalkyl group, substituted or unsubstituted perylenyl Alkyl group, substituted or unsubstituted benzopyrenylalkyl group, substituted or unsubstituted naphthoanthracenylalkyl group, substituted or unsubstituted pentacenylalkyl group, substituted or unsubstituted benzoperylenylalkyl group, substituted or unsubstituted dibenzo It may be a pyrenylalkyl group, a substituted or unsubstituted coroneylalkyl group, or a combination thereof, but is not limited thereto.

일 예로, Rd는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴메틸기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C30 헤테로아릴메틸기 또는 이들의 조합일 수 있다.For example, R d may be a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylmethyl group, a substituted or unsubstituted C4 to C30 heteroarylmethyl group, or a combination thereof.

일 예로, Rd는 치환 또는 비치환된 페닐메틸기, 치환 또는 비치환된 나프틸메틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐메틸기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐메틸기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐메틸기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐메틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 파이레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 크리세닐메틸기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐메틸기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐메틸기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐메틸기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐메틸기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 코로네닐메틸기 또는 이들의 조합일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.For example, R d is a substituted or unsubstituted phenylmethyl group, a substituted or unsubstituted naphthylmethyl group, a substituted or unsubstituted biphenylmethyl group, a substituted or unsubstituted fluorenylmethyl group, a substituted or unsubstituted anthracenylmethyl group , Substituted or unsubstituted fluoranthenylmethyl group, substituted or unsubstituted acenaphthylenylmethyl group, substituted or unsubstituted acenaphthenylmethyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenylmethyl group, substituted or unsubstituted benzophenanthre Nylmethyl group, substituted or unsubstituted pyrenylmethyl group, substituted or unsubstituted triphenylenylmethyl group, substituted or unsubstituted chrysenylmethyl group, substituted or unsubstituted tetrasenylmethyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenylmethyl group , A substituted or unsubstituted perylenylmethyl group, a substituted or unsubstituted benzopyrenylmethyl group, a substituted or unsubstituted naphthoanthracenylmethyl group, a substituted or unsubstituted pentacenylmethyl group, a substituted or unsubstituted benzoperylenyl It may be a methyl group, a substituted or unsubstituted dibenzopyrenylmethyl group, a substituted or unsubstituted coroneylmethyl group, or a combination thereof, but is not limited thereto.

일 예로, 상기 화학식 2로 표현되는 화합물은 하기 화학식 2-1로 표현될 수 있다.For example, the compound represented by Formula 2 may be represented by Formula 2-1 below.

[화학식 2-1] [Formula 2-1]

Figure 112018069393609-pat00009
Figure 112018069393609-pat00009

일 예로, 상기 화학식 3으로 표현되는 화합물은 하기 화학식 3-1로 표현될 수 있다.For example, the compound represented by Formula 3 may be represented by Formula 3-1 below.

[화학식 3-1] [Chemical Formula 3-1]

Figure 112018069393609-pat00010
Figure 112018069393609-pat00010

상기 화학식 2-1 및 3-1에서, In Formulas 2-1 and 3-1,

Z 및 R1 내지 R12는 전술한 바와 같고,Z and R 1 to R 12 are as described above,

R13 내지 R15는 수소, 중수소, 할로겐, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,R 13 to R 15 are hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 aryl An alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 heteroarylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof,

R13 내지 R15는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성한다.R 13 to R 15 are each independently present or two adjacent to each other are connected to each other to form a ring.

화합물에서 R1 내지 R15, 바람직하게는 R13 내지 R15의 방향족성 및 방향족고리의 개수를 조절함으로써, 화합물의 내식각성을 조절할 수 있다.By controlling the aromaticity and the number of aromatic rings of R 1 to R 15 , preferably R 13 to R 15 in the compound, the etch resistance of the compound can be controlled.

일 예로, R13 내지 R15 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합일 수 있다.For example, at least one of R 13 to R 15 may be a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof. have.

일 예로, R13 내지 R15 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 코로네닐기 또는 이들의 조합일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.For example, at least one of R 13 to R 15 is a substituted or unsubstituted methyl group, a substituted or unsubstituted ethyl group, a substituted or unsubstituted propyl group, a substituted or unsubstituted butyl group, a substituted or unsubstituted pentyl group, Substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted fluorenyl group, substituted or unsubstituted anthracenyl group, substituted or unsubstituted fluoranthenyl group , A substituted or unsubstituted acenaphthyl group, a substituted or unsubstituted acenaphthenyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, a substituted or unsubstituted benzophenanthrenyl group, a substituted or unsubstituted pyrenyl group, a substituted Or unsubstituted triphenylenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted tetrasenyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenyl group, substituted or unsubstituted perylenyl group, substituted or unsubstituted A substituted benzopyrenyl group, a substituted or unsubstituted naphthoanthracenyl group, a substituted or unsubstituted pentacenyl group, a substituted or unsubstituted benzoperylenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzopyrenyl group, a substituted or It may be an unsubstituted coroneyl group or a combination thereof, but is not limited thereto.

일 예로, R13 은 수소 또는 중수소일 수 있다.For example, R 13 may be hydrogen or deuterium.

일 예로, R15는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합일 수 있다.For example, R 15 may be a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof.

일 예로, R15은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 코로네닐기 또는 이들의 조합일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.For example, R 15 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted A substituted fluoranthenyl group, a substituted or unsubstituted acenaphthylenyl group, a substituted or unsubstituted acenaphthenyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, a substituted or unsubstituted benzophenanthrenyl group, a substituted or unsubstituted Substituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted triphenylenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted tetrasenyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenyl group, substituted or unsubstituted per Relenyl group, substituted or unsubstituted benzopyrenyl group, substituted or unsubstituted naphthoanthracenyl group, substituted or unsubstituted pentacenyl group, substituted or unsubstituted benzoperylenyl group, substituted or unsubstituted dibenzo It may be a pyrenyl group, a substituted or unsubstituted coronenyl group, or a combination thereof, but is not limited thereto.

일 예로, R15는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로알킬아릴기 또는 이들의 조합일 수 있다.For example, R 15 may be a substituted or unsubstituted C6 to C30 alkylaryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroalkylaryl group, or a combination thereof.

일 예로, R15은 치환 또는 비치환된 알킬페닐기, 치환 또는 비치환된 알킬나프틸기, 치환 또는 비치환된 알킬바이페닐기, 치환 또는 비치환된 알킬플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 알킬안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 알킬플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 알킬아세나프틸레닐기, 치환 또는 비치환된 알킬아세나프테닐기, 치환 또는 비치환된 알킬페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 알킬벤조페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 알킬파이레닐기, 치환 또는 비치환된 알킬트라이페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 알킬크리세닐기, 치환 또는 비치환된 알킬테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 알킬벤조플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 알킬퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 알킬벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 알킬나프토안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 알킬펜타세닐기, 치환 또는 비치환된 알킬벤조퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 알킬다이벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 알킬코로네닐기 또는 이들의 조합일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.For example, R 15 is a substituted or unsubstituted alkylphenyl group, a substituted or unsubstituted alkylnaphthyl group, a substituted or unsubstituted alkylbiphenyl group, a substituted or unsubstituted alkylfluorenyl group, a substituted or unsubstituted alkylanthracenyl Group, a substituted or unsubstituted alkylfluoranthenyl group, a substituted or unsubstituted alkylacenaphthylenyl group, a substituted or unsubstituted alkylacenaphthyl group, a substituted or unsubstituted alkylphenanthrenyl group, a substituted or unsubstituted Alkylbenzophenanthrenyl group, substituted or unsubstituted alkylpyrenyl group, substituted or unsubstituted alkyltriphenylenyl group, substituted or unsubstituted alkylchrycenyl group, substituted or unsubstituted alkyltetracenyl group, substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted alkyl benzofluoranthenyl group, a substituted or unsubstituted alkyl perylenyl group, a substituted or unsubstituted alkyl benzopyrenyl group, a substituted or unsubstituted alkylnaphthoanthracenyl group, or a substituted or unsubstituted alkylpentacenyl It may be a group, a substituted or unsubstituted alkylbenzoperylenyl group, a substituted or unsubstituted alkyldibenzopyrenyl group, a substituted or unsubstituted alkylcoroneyl group, or a combination thereof, but is not limited thereto.

일 예로, R14는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C30 헤테로아릴알킬기 또는 이들의 조합일 수 있다.For example, R 14 may be a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C4 to C30 heteroarylalkyl group, or a combination thereof.

일 예로, R14는 치환 또는 비치환된 페닐알킬기, 치환 또는 비치환된 나프틸알킬기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 크리세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 코로네닐알킬기 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.For example, R 14 is a substituted or unsubstituted phenylalkyl group, a substituted or unsubstituted naphthylalkyl group, a substituted or unsubstituted fluorenylalkyl group, a substituted or unsubstituted anthracenylalkyl group, a substituted or unsubstituted fluoranthenyl group. Alkyl group, substituted or unsubstituted acenaphthylenylalkyl group, substituted or unsubstituted acenaphthenylalkyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenylalkyl group, substituted or unsubstituted benzophenanthrenylalkyl group, substituted or unsubstituted pi Renylalkyl group, substituted or unsubstituted triphenylenylalkyl group, substituted or unsubstituted chrysenylalkyl group, substituted or unsubstituted tetrasenylalkyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenylalkyl group, substituted or unsubstituted perylenyl Alkyl group, substituted or unsubstituted benzopyrenylalkyl group, substituted or unsubstituted naphthoanthracenylalkyl group, substituted or unsubstituted pentacenylalkyl group, substituted or unsubstituted benzoperylenylalkyl group, substituted or unsubstituted dibenzo It may be a pyrenylalkyl group, a substituted or unsubstituted coroneylalkyl group, or a combination thereof, but is not limited thereto.

일 예로, R14는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴메틸기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C30 헤테로아릴메틸기 또는 이들의 조합일 수 있다.For example, R 14 may be a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylmethyl group, a substituted or unsubstituted C4 to C30 heteroarylmethyl group, or a combination thereof.

일 예로, R14는 치환 또는 비치환된 페닐메틸기, 치환 또는 비치환된 나프틸메틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐메틸기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐메틸기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐메틸기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐메틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 파이레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 크리세닐메틸기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐메틸기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐메틸기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐메틸기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐메틸기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐메틸기, 치환 또는 비치환된 코로네닐메틸기 또는 이들의 조합일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.For example, R 14 is a substituted or unsubstituted phenylmethyl group, a substituted or unsubstituted naphthylmethyl group, a substituted or unsubstituted biphenylmethyl group, a substituted or unsubstituted fluorenylmethyl group, a substituted or unsubstituted anthracenylmethyl group , Substituted or unsubstituted fluoranthenylmethyl group, substituted or unsubstituted acenaphthylenylmethyl group, substituted or unsubstituted acenaphthenylmethyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenylmethyl group, substituted or unsubstituted benzophenanthre Nylmethyl group, substituted or unsubstituted pyrenylmethyl group, substituted or unsubstituted triphenylenylmethyl group, substituted or unsubstituted chrysenylmethyl group, substituted or unsubstituted tetrasenylmethyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenylmethyl group , A substituted or unsubstituted perylenylmethyl group, a substituted or unsubstituted benzopyrenylmethyl group, a substituted or unsubstituted naphthoanthracenylmethyl group, a substituted or unsubstituted pentacenylmethyl group, a substituted or unsubstituted benzoperylenyl It may be a methyl group, a substituted or unsubstituted dibenzopyrenylmethyl group, a substituted or unsubstituted coroneylmethyl group, or a combination thereof, but is not limited thereto.

상술한 화합물의 분자량은 예컨대 약 500 내지 10,000, 약 1,000 내지 8,000, 약 1,500내지 6,000, 또는 약 2,000 내지 4,000일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The molecular weight of the above-described compound may be, for example, about 500 to 10,000, about 1,000 to 8,000, about 1,500 to 6,000, or about 2,000 to 4,000, but is not limited thereto.

상기 분자량을 가지는 화합물을 사용할 경우, 베이크 공정 중 핀-홀 및 보이드의 형성이나 두께 산포의 열화 없이 더욱 균일한 박막을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 하부 기판(혹은 막)에 단차가 존재하는 경우 혹은 패턴을 형성하는 경우 더욱 우수한 갭-필 및 평탄화 특성을 제공할 수 있다.In the case of using a compound having the above molecular weight, it is possible to form a more uniform thin film without deterioration of the formation of pin-holes and voids or thickness distribution during the baking process, as well as when there is a step difference or a pattern on the lower substrate (or film). In the case of forming, it is possible to provide more excellent gap-fill and planarization properties.

다른 구현예에 따르면, 상술한 화합물, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다.According to another embodiment, there is provided a hardmask composition comprising the above-described compound and a solvent.

상기 하드마스크 조성물에 포함되는 용매는 상기 화합물에 대한 충분한 용해성 또는 분산성을 가지는 것이면 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 디아세테이트, 메톡시프로판다이올, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜부틸에테르, 트리(에틸렌글리콜)모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 사이클로헥사논, 에틸락테이트, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 메틸피롤리돈, 메틸피롤리디논, 아세틸아세톤및 에틸 3-에톡시프로피오네이트에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The solvent included in the hardmask composition is not particularly limited as long as it has sufficient solubility or dispersibility in the compound, but, for example, propylene glycol, propylene glycol diacetate, methoxypropanediol, diethylene glycol, diethylene glycol butyl ether , Tri(ethylene glycol) monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, cyclohexanone, ethyl lactate, gamma-butyrolactone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethyl It may include at least one selected from acetamide, methylpyrrolidone, methylpyrrolidinone, acetylacetone, and ethyl 3-ethoxypropionate, but is not limited thereto.

상기 화합물은 상기 하드마스크 조성물의 총 함량에 대하여 예컨대 약 0.1 내지 50 중량%, 약 0.5 내지 40 중량%, 약 1 내지 30 중량%, 또는 약 2 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 화합물이 포함됨으로써 하드마스크의 두께, 표면 거칠기 및 평탄화 정도를 조절할 수 있다.The compound may be included in, for example, about 0.1 to 50% by weight, about 0.5 to 40% by weight, about 1 to 30% by weight, or about 2 to 20% by weight based on the total content of the hardmask composition. By including the compound in the above range, the thickness, surface roughness, and level of planarization of the hard mask can be controlled.

상기 하드마스크 조성물은 추가적으로 계면활성제, 가교제, 열산발생제, 가소제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.The hard mask composition may further include additives such as a surfactant, a crosslinking agent, a thermal acid generator, and a plasticizer.

상기 계면활성제는 예컨대 플루오로알킬계 화합물, 알킬벤젠설폰산염, 알킬피리디늄염, 폴리에틸렌글리콜, 제4암모늄염 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The surfactant may be, for example, a fluoroalkyl-based compound, an alkylbenzene sulfonate, an alkylpyridinium salt, a polyethylene glycol, or a quaternary ammonium salt, but is not limited thereto.

상기 가교제는 예컨대 멜라민계, 치환요소계, 또는 이들 폴리머계 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 적어도 2개의 가교 형성 치환기를 갖는 가교제로, 예를 들면, 메톡시메틸화글리코루릴, 부톡시메틸화글리코루릴, 메톡시메틸화멜라민, 부톡시메틸화멜라민, 메톡시메틸화벤조구아나민, 부톡시메틸화벤조구아나민, 메톡시메틸화요소, 부톡시메틸화요소, 메톡시메틸화티오요소, 또는 부톡시메틸화 티오요소 등의 화합물을 사용할 수 있다.The crosslinking agent may be, for example, melamine-based, substituted urea-based, or these polymers. Preferably, a crosslinking agent having at least two crosslinking substituents, for example, methoxymethylated glycoruryl, butoxymethylated glycoruryl, methoxymethylated melamine, butoxymethylated melamine, methoxymethylated benzoguanamine, butoxy Compounds such as methylated benzoguanamine, methoxymethylated urea, butoxymethylated urea, methoxymethylated thiourea, or butoxymethylated thiourea may be used.

또한, 상기 가교제로는 내열성이 높은 가교제를 사용할 수 있다. 내열성이 높은 가교제로는 분자 내에 방향족 고리(예를 들면 벤젠 고리, 나프탈렌 고리)를 가지는 가교 형성 치환기를 함유하는 화합물을 사용할 수 있다.In addition, as the crosslinking agent, a crosslinking agent having high heat resistance may be used. As a crosslinking agent having high heat resistance, a compound containing a crosslinking substituent having an aromatic ring (for example, a benzene ring or a naphthalene ring) in the molecule can be used.

상기 열산발생제는 예컨대 p-톨루엔술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 피리디늄p-톨루엔술폰산, 살리실산, 술포살리실산, 구연산, 안식향산, 하이드록시안식향산, 나프탈렌카르본산 등의 산성 화합물 또는/및 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디에논, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 그 밖에 유기술폰산알킬에스테르 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The thermal acid generator is an acidic compound such as p-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, pyridinium p-toluenesulfonic acid, salicylic acid, sulfosalicylic acid, citric acid, benzoic acid, hydroxybenzoic acid, naphthalenecarboxylic acid, or/and 2,4 ,4,6-tetrabromocyclohexadienone, benzointosylate, 2-nitrobenzyltosylate, and other organic fonate alkyl esters may be used, but the present invention is not limited thereto.

상기 첨가제는 상기 하드마스크 조성물 100 중량부에 대하여 약 0.001 내지 60 중량부, 약 0.5 내지 40 중량부, 또는 약 1 내지 30 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함함으로써 하드마스크 조성물의 광학적 특성을 변경시키지 않으면서 용해도를 향상시킬 수 있다.The additive may be included in an amount of about 0.001 to 60 parts by weight, about 0.5 to 40 parts by weight, or about 1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the hardmask composition. By including it in the above range, the solubility can be improved without changing the optical properties of the hardmask composition.

또 다른 구현예에 따르면, 상술한 하드마스크 조성물을 사용하여 제조된 유기막을 제공한다. 상기 유기막은 상술한 하드마스크 조성물을 예컨대 기판 위에 코팅한 후 열처리 과정을 통해 경화된 형태일 수 있으며, 예컨대 하드마스크 층, 평탄화막, 희생막, 충진제 등 전자 디바이스에 사용되는 유기 박막을 포함할 수 있다. According to another embodiment, an organic film prepared by using the above-described hardmask composition is provided. The organic film may be in a form cured through a heat treatment process after coating the above-described hardmask composition on a substrate, for example, and may include an organic thin film used in electronic devices such as a hardmask layer, a planarization film, a sacrificial film, and a filler. have.

이하 상술한 하드마스크 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of forming a pattern using the above-described hardmask composition will be described.

일 구현예에 따른 패턴 형성 방법은 기판 위에 재료 층을 형성하는 단계, 상기 재료 층 위에 상술한 화합물 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 적용하는 단계, 상기 하드마스크 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계를 포함한다.The method of forming a pattern according to an embodiment includes forming a material layer on a substrate, applying a hardmask composition including the above-described compound and a solvent on the material layer, and heat-treating the hardmask composition to form a hardmask layer. Forming a photoresist layer on the hardmask layer, exposing and developing the photoresist layer to form a photoresist pattern, selectively removing the hardmask layer using the photoresist pattern, and Exposing a portion of the material layer, and etching the exposed portion of the material layer.

상기 기판은 예컨대 실리콘 웨이퍼, 유리 기판 또는 고분자 기판일 수 있다.The substrate may be, for example, a silicon wafer, a glass substrate, or a polymer substrate.

상기 재료 층은 최종적으로 패턴하고자 하는 재료이며, 예컨대 알루미늄, 구리 등과 같은 금속층, 실리콘과 같은 반도체 층 또는 산화규소, 질화규소 등과 같은 절연층일 수 있다. 상기 재료 층은 예컨대 화학기상증착 방법으로 형성될 수 있다.The material layer is a material to be finally patterned, and may be, for example, a metal layer such as aluminum or copper, a semiconductor layer such as silicon, or an insulating layer such as silicon oxide or silicon nitride. The material layer can be formed, for example, by a chemical vapor deposition method.

상기 하드마스크 조성물은 전술한 바와 같으며, 용액 형태로 제조되어 스핀-온 코팅 방법으로 도포될 수 있다. 이때 상기 하드마스크 조성물의 도포 두께는 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 약 50 내지 200,000Å 두께로 도포될 수 있다.The hardmask composition is as described above, and may be prepared in a solution form and applied by a spin-on coating method. At this time, the coating thickness of the hardmask composition is not particularly limited, but may be applied to a thickness of, for example, about 50 to 200,000 Å.

상기 하드마스크 조성물을 열처리하는 단계는 예컨대 약 100 내지 700℃에서 약 10초 내지 1시간 동안 수행할 수 있다.The step of heat-treating the hardmask composition may be performed at, for example, about 100 to 700° C. for about 10 seconds to 1 hour.

일 예로, 상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 실리콘 함유 박막층은 예컨대 SiCN, SiOC, SiON, SiOCN, SiC, SiO 및/또는 SiN 등의 물질로 형성할 수 있다.For example, it may further include forming a silicon-containing thin film layer on the hard mask layer. The silicon-containing thin film layer may be formed of, for example, a material such as SiCN, SiOC, SiON, SiOCN, SiC, SiO and/or SiN.

일 예로, 상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에 상기 실리콘 함유 박막층 상부 또는 하드마스크 층 상부에 바닥 반사방지 층(bottom anti-reflective coating, BARC)을 더 형성할 수도 있다.For example, before forming the photoresist layer, a bottom anti-reflective coating (BARC) may be further formed on the silicon-containing thin film layer or on the hard mask layer.

상기 포토레지스트 층을 노광하는 단계는 예컨대 ArF, KrF 또는 EUV 등을 사용하여 수행할 수 있다. 또한 노광 후 약 100 내지 700℃에서 열처리 공정을 수행할 수 있다.The step of exposing the photoresist layer may be performed using, for example, ArF, KrF, or EUV. In addition, after exposure, a heat treatment process may be performed at about 100 to 700°C.

상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계는 식각 가스를 사용하여 건식 식각으로 수행할 수 있으며, 식각 가스는 예컨대 CHF3, CF4, Cl2, BCl3 및 이들의 혼합 가스를 사용할 수 있다.The step of etching the exposed portion of the material layer may be performed by dry etching using an etching gas, and the etching gas may be CHF 3 , CF 4 , Cl 2 , BCl 3, and a mixed gas thereof.

상기 식각된 재료 층은 복수의 패턴으로 형성될 수 있고, 상기 복수의 패턴은 금속 패턴, 반도체 패턴, 절연 패턴 등 다양할 수 있으며, 예컨대 반도체 집적 회로 디바이스 내의 다양한 패턴으로 적용될 수 있다.The etched material layer may be formed in a plurality of patterns, and the plurality of patterns may be various, such as a metal pattern, a semiconductor pattern, and an insulating pattern, and may be applied as various patterns in, for example, a semiconductor integrated circuit device.

이하 실시예를 통하여 상술한 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 권리범위를 제한하는 것은 아니다.The above-described implementation examples will be described in more detail through the following examples. However, the following examples are for illustrative purposes only and do not limit the scope of the rights.

화합물의 합성Compound synthesis

합성예 1Synthesis Example 1

[화학식 1b][Formula 1b]

Figure 112018069393609-pat00011
Figure 112018069393609-pat00011

100mL 둥근 바닥 플라스크에 벤질-(2-브로모-4,5-디메톡시벤질)-아민(1.68g, 5mmol), 4-메틸벤잘데히드(0.66g, 5.5mmol), 1-에티닐-2-페녹시벤젠(1.455g, 7.5mmol), 15mol% 요오드화구리(CuI, 0.1425g) 및 톨루엔(30ml)을 넣은 후 100℃에서 3시간 가열하여 합성을 진행하였다. In a 100 mL round bottom flask, benzyl-(2-bromo-4,5-dimethoxybenzyl)-amine (1.68 g, 5 mmol), 4-methylbenzaldehyde (0.66 g, 5.5 mmol), 1-ethynyl-2- Phenoxybenzene (1.455g, 7.5mmol), 15mol% copper iodide (CuI, 0.1425g) and toluene (30ml) were added, followed by heating at 100°C for 3 hours to proceed with synthesis.

이후 혼합물을 셀라이트(celite)로 여과하고, 에틸아세테이트로 세척하여 고체를 얻었다. 이후 상기 고체(0.3mmol)를 디메틸포름아마이드(DMF)에 녹인 용액을 2구 둥근 바닥 플라스크에 10mol% 팔라듐(Ⅱ)아세테이트, 20mol% 트리페닐포스핀 및 탄산세슘(5당량)을 넣고 질소로 플러싱(flushing)한 용액에 적가하였다. 이후, 상기 혼합 용액을 100℃ 질소기체 조건 하에서 2시간 동안 반응을 진행하였다. 반응 후 상온으로 냉각시키고, 포화 염화암모늄 수용액(saturated NH4Cl(aq))으로 ??칭하였다(quenching). 수용액 층을 에틸아세테이트로 추출한 후, 브라인(brine)으로 세척하고 황산나트륨 하에서 건조시켰다. 건조 후 감압하여 농축하고 상기 화학식 1b로 표현되는 화합물을 얻었다.Thereafter, the mixture was filtered through celite and washed with ethyl acetate to obtain a solid. Thereafter, a solution in which the solid (0.3 mmol) was dissolved in dimethylformamide (DMF) was added 10 mol% palladium (II) acetate, 20 mol% triphenylphosphine and cesium carbonate (5 equivalents) to a two-neck round bottom flask and flushed with nitrogen. It was added dropwise to the (flushing) solution. Thereafter, the reaction was carried out for 2 hours in the mixed solution under nitrogen gas conditions at 100°C. After the reaction was cooled to room temperature, it was quenched with saturated aqueous ammonium chloride solution (saturated NH 4 Cl (aq)). The aqueous layer was extracted with ethyl acetate, washed with brine, and dried over sodium sulfate. After drying, the mixture was concentrated under reduced pressure to obtain a compound represented by Formula 1b.

[반응식 1][Scheme 1]

Figure 112018069393609-pat00012
Figure 112018069393609-pat00012

합성예 2Synthesis Example 2

[화학식 2b][Formula 2b]

Figure 112018069393609-pat00013
Figure 112018069393609-pat00013

4-메틸벤잘데히드(0.66g, 5.5mmol) 대신, 1-나프탈렌알데히드(0.858g, 5.5mmol)를 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 화학식 2b로 표현되는 화합물을 제조하였다.A compound represented by Formula 2b was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 1-naphthalenealdehyde (0.858g, 5.5mmol) was used instead of 4-methylbenzaldehyde (0.66g, 5.5mmol).

합성예 3Synthesis Example 3

[화학식 3b][Formula 3b]

Figure 112018069393609-pat00014
Figure 112018069393609-pat00014

4-메틸벤잘데히드(0.66g, 5.5mmol) 대신, 1-파이렌알데히드(1.26g, 5.5mmol)를 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 화학식 3b로 표현되는 화합물을 제조하였다.A compound represented by Chemical Formula 3b was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 1-pyrenealdehyde (1.26g, 5.5mmol) was used instead of 4-methylbenzaldehyde (0.66g, 5.5mmol).

합성예 4Synthesis Example 4

[화학식 4b][Formula 4b]

Figure 112018069393609-pat00015
Figure 112018069393609-pat00015

4-메틸벤잘데히드(0.66g, 5.5mmol) 대신, 9-안트랄데히드(1.236g, 6.0mmol)를 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 화학식 4b로 표현되는 화합물을 제조하였다.A compound represented by Chemical Formula 4b was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 9-anthraldehyde (1.236g, 6.0mmol) was used instead of 4-methylbenzaldehyde (0.66g, 5.5mmol).

비교합성예 1Comparative Synthesis Example 1

플라스크에 1-나프톨(28.83g, 0.2mol), 벤조퍼릴렌(41.4g, 0.15mol), 파라포름알데히드(12.0g, 0.34mol), 그리고 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 162g을 넣고, 이후 p-톨루엔 술폰산모노하이드레이트 0.19g을 첨가하고 90℃ 내지 100℃에서 5시간 내지 12시간 교반하여 합성을 진행하였다. 반응 후 혼합 용액을 상온까지 서서히 식히고, 증류수 40g 및 메탄올 400g에 넣어 강하게 교반한 후 정치시켰다. 상등액을 제거하고, 침전물을 PGMEA 80g에 녹인 후, 메탄올 320g을 넣고 강하게 교반하고 정치시켰다(1차 정제공정). 다시 상등액을 제거하고 침전물을 PGMEA 80g에 녹였다(2차 정제공정). 상기 1차 정제공정과 2차 정제공정을 3회 반복하여 실시하였다. 정제 후 중합체를 PGMEA 80g에 녹인 후, 감압 농축하여 하기 화학식 5로 표현되는 중합체를 얻었다. (Mw: 2,500)1-naphthol (28.83 g, 0.2 mol), benzoperylene (41.4 g, 0.15 mol), paraformaldehyde (12.0 g, 0.34 mol), and propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) 162 g were added to the flask. 0.19 g of p-toluene sulfonic acid monohydrate was added, and the mixture was stirred at 90°C to 100°C for 5 to 12 hours to proceed with the synthesis. After the reaction, the mixed solution was gradually cooled to room temperature, added to 40 g of distilled water and 400 g of methanol, stirred vigorously, and allowed to stand. The supernatant was removed, and the precipitate was dissolved in 80 g of PGMEA, and then 320 g of methanol was added, stirred vigorously, and allowed to stand (first purification step). The supernatant was removed again, and the precipitate was dissolved in 80 g of PGMEA (second purification process). The first purification step and the second purification step were repeated three times. After purification, the polymer was dissolved in 80 g of PGMEA, and concentrated under reduced pressure to obtain a polymer represented by the following formula (5). (Mw: 2,500)

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112018069393609-pat00016
Figure 112018069393609-pat00016

비교합성예 2Comparative Synthesis Example 2

500ml 2구 둥근 바닥 플라스크에 잔톤(30g, 0.153mol)과 레조시놀(37.04g, 0.336mol)을 넣고, 황산(138.67g, 1.414mol)을 넣은 후, 환류 냉각관을 설치하고 120℃에서 12시간 동안 교반하여 합성을 진행하였다. 반응 후, 혼합용액을 0℃로 냉각시키고, 얼음물을 적가하면서 교반하여 고체를 얻었다. 상기 고체를 여과하고 세척한 후, 진공오븐에서 80℃에서 8시간 건조하여 단량체(51.2g)를 얻었다. Xanton (30g, 0.153mol) and resorcinol (37.04g, 0.336mol) were added to a 500ml two-necked round bottom flask, sulfuric acid (138.67g, 1.414mol) was added, and a reflux condenser was installed, followed by 12 at 120℃. Synthesis proceeded by stirring for a period of time. After the reaction, the mixed solution was cooled to 0° C. and stirred while adding ice water dropwise to obtain a solid. The solid was filtered and washed, and then dried in a vacuum oven at 80° C. for 8 hours to obtain a monomer (51.2 g).

500ml 3구 둥근 바닥 플라스크에 상기 단량체(50g, 0.131mol)와 옥살산(0.59g, 0.007mol)을 넣고, 에틸락테이트(136.5g)를 넣었다. 상기 500ml 3구 둥근 바닥 플라스크에 냉각기를 설치 하고, 90℃에서 100℃로 온도를 올리면서, 37% 포르말린(22.15g, 0.273mol)을 1시간 동안 서서히 적가하며 12시간동안 교반하였다. 교반 후 반응액을 상온으로 냉각한 후 메탄올과 물 혼합 용매에 천천히 떨어뜨려 고분자를 침전시켰다. 침전물을 여과하고 상기 메탄올과 물 혼합용매를 이용하여 3회 세척 후, 진공 오븐에서 48시간동안 건조하여 하기 화학식 6으로 표시되는 고분자를 얻었다. (46.5g, Mw: 2,700).The monomer (50g, 0.131mol) and oxalic acid (0.59g, 0.007mol) were added to a 500ml 3-neck round bottom flask, and ethyl lactate (136.5g) was added. A cooler was installed in the 500ml 3-neck round bottom flask, and 37% formalin (22.15g, 0.273mol) was slowly added dropwise for 1 hour while raising the temperature from 90°C to 100°C, followed by stirring for 12 hours. After stirring, the reaction solution was cooled to room temperature, and then slowly dropped into a mixed solvent of methanol and water to precipitate a polymer. The precipitate was filtered, washed three times with the methanol and water mixed solvent, and dried in a vacuum oven for 48 hours to obtain a polymer represented by the following formula (6). (46.5g, Mw: 2,700).

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112018069393609-pat00017
Figure 112018069393609-pat00017

유기막의 형성Formation of organic film

실시예 1 내지 4, 비교예 1 및 비교예 2Examples 1 to 4, Comparative Examples 1 and 2

상기 합성예 1 내지 4, 비교 합성예 1 및 비교합성예 2에서 얻어진 각각의 화합물을 1,5g씩 계량하여 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)와 사이클로헥사논이 7:3 부피비로 섞인 혼합 용액 10g에 균일하게 녹인 후에 여과하여 하드마스크 조성물을 제조하였다. 상기 하드마스크 조성물을 실리콘 웨이퍼에 스핀-코팅한 후, 약 400℃에서 2분간 열처리(soft bake)하여 유기막을 형성하였다.Synthesis Examples 1 to 4, Comparative Synthesis Example 1 And 1,5 g of each compound obtained in Comparative Synthesis Example 2 were weighed, uniformly dissolved in 10 g of a mixed solution of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and cyclohexanone in a volume ratio of 7:3, and filtered to obtain a hard mask composition. Was prepared. The hardmask composition was spin-coated on a silicon wafer and then heat treated at about 400° C. for 2 minutes (soft bake) to form an organic film.

평가1. 내식각성Evaluation 1. Corrosion resistance

실시예 1 내지 4, 비교예 1, 2에 따른 유기막의 두께를 측정하였다. 이어서 상기 유기막에 CFx 가스 또는 N2/O2 혼합 가스를 사용하여 각각 120초 및 60초 동안 건식 식각한 후 유기막의 두께를 다시 측정하였다. The thickness of the organic films according to Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 was measured. Subsequently, the organic layer was dry-etched for 120 seconds and 60 seconds using a CFx gas or an N 2 /O 2 mixed gas, respectively, and the thickness of the organic layer was measured again.

건식 식각 전후의 유기막의 두께 차이와 식각 시간으로부터 하기 계산식 1에 의해 식각율(bulk etch rate, BER)을 계산하였다.From the difference in thickness of the organic layer before and after dry etching and the etching time, the bulk etch rate (BER) was calculated according to Equation 1 below.

[계산식 1][Calculation 1]

식각율(Å/s)=(초기 유기막 두께 - 식각 후 유기막 두께)/식각 시간Etching rate (Å/s) = (initial organic layer thickness-organic layer thickness after etching)/etching time

그 결과는 표 1과 같다.The results are shown in Table 1.

  Bulk etch rate(Å/s)Bulk etch rate (Å/s) CFx etch rate(Å/s)CF x etch rate (Å/s) N2/O2 etch rate(Å/s)N 2 /O 2 etch rate (Å/s) 실시예 1Example 1 2525 2626 실시예 2Example 2 2424 2525 실시예 3Example 3 2222 2323 실시예 4Example 4 2323 2525 비교예 1Comparative Example 1 2929 2727 비교예 2Comparative Example 2 3333 3030

표 1을 참고하면, 실시예 1 내지 4에 따른 유기막은 비교예 1과 비교예 2에 따른 유기막과 비교하여 식각 가스에 대한 충분한 내식각성이 있음을 확인할 수 있다.Referring to Table 1, it can be seen that the organic layers according to Examples 1 to 4 have sufficient etch resistance to the etching gas compared to the organic layers according to Comparative Examples 1 and 2.

평가 2. 갭-필 특성 및 평탄화 특성Evaluation 2. Gap-fill characteristics and flattening characteristics

도 1은 평탄화 특성의 평가 방법을 설명하기 위해 하드마스크 층의 단차를 예시적으로 보여주는 참고도이다.1 is a reference diagram illustrating a step difference of a hard mask layer by way of example in order to explain a method of evaluating a planarization characteristic.

실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 2에 따른 하드마스크-조성물을 실리콘 패턴 웨이퍼(너비(w) 20nm, 깊이(d) 200nm, line & space type 패턴)(1) 위에 도포하고 400℃에서 120초 간 베이크하여 두께 2,000Å의 박막(2)을 형성하였다.The hard mask-compositions according to Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 2 were applied on a silicon pattern wafer (width (w) 20 nm, depth (d) 200 nm, line & space type pattern) (1), and 120 at 400° C. Bake for a second to form a thin film 2 having a thickness of 2,000 Å.

갭-필 특성은 패턴의 단면을 FE-SEM 설비(Hitachi, S-4800)로 관찰하여 보이드(Void) 발생 유무로 판별하였다. The gap-fill characteristics were determined by the presence or absence of voids by observing the cross section of the pattern with an FE-SEM facility (Hitachi, S-4800).

평탄화 특성(단차 측정)은 도 1에서 가장 두꺼운 부분(H0)의 막 두께와, 가장 얇은 부분(H1)의 막 두께를 FE-SEM으로 측정하고, 단차(|H0 - H1|)를 계산하였다. 단차(|H0 - H1|)가 작을수록 평탄화 특성이 우수한 것이다.For the planarization characteristics (step difference measurement), the thickness of the thickest part (H 0 ) and the film thickness of the thinnest part (H 1 ) in FIG. 1 were measured by FE-SEM, and the step (|H 0 -H 1 |) Was calculated. The smaller the step (|H 0 -H 1 |) is, the better the flattening property.

그 결과는 표 2와 같다.The results are shown in Table 2.

  -필 특성(Void 유무)Gap - Fill characteristics (with or without void) 평탄화 특성(단차, nm)Planarization characteristics (step difference, nm) 실시예 1Example 1 void 없음no void 4444 실시예 2Example 2 void 없음no void 4848 실시예 3Example 3 void 없음no void 5454 실시예 4Example 4 void 없음no void 5050 비교예 1Comparative Example 1 Void 있음Void Yes 7777 비교예 2Comparative Example 2 void 없음no void 6565

표 2를 참고하면, 실시예 1 내지 4에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막은 비교예 1 내지 2에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막과 비교하여 평탄화 특성 및 갭-필 특성을 동시에 확보 가능함을 확인할 수 있다.Referring to Table 2, it can be seen that the thin film formed from the hardmask composition according to Examples 1 to 4 can simultaneously secure planarization characteristics and the gap-fill characteristics compared to the thin film formed from the hardmask composition according to Comparative Examples 1 to 2. have.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements by those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also present. It is within the scope of the invention's rights.

Claims (17)

하기 화학식 1로 표현되는 화합물, 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물:
[화학식 1]
Figure 112021009751560-pat00018

상기 화학식 1에서,
Z는 O 또는 S이고,
L은 단일결합 또는 이중결합이고,
A는 적어도 하나의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 6각 고리이고,
R1 내지 R12는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
R1 내지 R12는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성한다.
A hardmask composition comprising a compound represented by the following Formula 1, and a solvent:
[Formula 1]
Figure 112021009751560-pat00018

In Formula 1,
Z is O or S,
L is a single bond or a double bond,
A is a substituted or unsubstituted hexagonal ring containing at least one nitrogen,
R 1 to R 12 are each independently hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkenyl group, substituted Or an unsubstituted C1 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 To C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 heteroarylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof,
R 1 to R 12 are each independently present or two adjacent ones are connected to each other to form a ring.
제1항에서,
A는 적어도 하나의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 비방향족 6각 고리이고,
상기 치환은 적어도 하나의 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합으로 치환된 것인, 하드마스크 조성물.
In claim 1,
A is a substituted or unsubstituted non-aromatic hexagonal ring containing at least one nitrogen,
The substitution is substituted with at least one substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof. Composition.
제1항에서,
A는 적어도 하나의 질소를 포함하는 치환 또는 비치환된 비방향족 6각 고리이고,
상기 치환은 적어도 하나의 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 코로네닐기 또는 이들의 조합으로 치환된 것인, 하드마스크 조성물.
In claim 1,
A is a substituted or unsubstituted non-aromatic hexagonal ring containing at least one nitrogen,
The substitution is at least one substituted or unsubstituted methyl group, a substituted or unsubstituted ethyl group, a substituted or unsubstituted propyl group, a substituted or unsubstituted butyl group, a substituted or unsubstituted pentyl group, a substituted or unsubstituted phenyl group , A substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted fluoranthenyl group, a substituted or unsubstituted Acenaphthylenyl group, substituted or unsubstituted acenaphthenyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted benzophenanthrenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted triphenyl Renyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted tetracenyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenyl group, substituted or unsubstituted perylenyl group, substituted or unsubstituted benzopyrenyl group , A substituted or unsubstituted naphthoanthracenyl group, a substituted or unsubstituted pentacenyl group, a substituted or unsubstituted benzoperylenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzopyrenyl group, a substituted or unsubstituted coronenyl group Or that will be substituted with a combination thereof, a hardmask composition.
제1항에서,
R1 내지 R4 중 적어도 하나는 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성하는 것인, 하드마스크 조성물.
In claim 1,
At least one of R 1 to R 4 is a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, or a combination thereof,
R 1 to R 4 are each independently present or two adjacent to each other are connected to form a ring, the hardmask composition.
제1항에서,
상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 하기 화학식 2 및 화학식 3 중 어느 하나로 표현되는 것인, 하드마스크 조성물:
[화학식 2] [화학식 3]
Figure 112021009751560-pat00019
Figure 112021009751560-pat00020

상기 화학식 2 및 3에서,
Z는 O 또는 S이고,
X1 내지 X3는 각각 독립적으로 CRa, CRbRc, N 또는 NRd이고,
X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N 또는 NRd이고,
R1 내지 R12 및 Ra 내지 Rd는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
R1 내지 R12 및 Ra 내지 Rd는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성한다.
In claim 1,
The compound represented by Formula 1 is represented by any one of the following Formulas 2 and 3, a hardmask composition:
[Formula 2] [Formula 3]
Figure 112021009751560-pat00019
Figure 112021009751560-pat00020

In Formulas 2 and 3,
Z is O or S,
X 1 to X 3 are each independently CR a , CR b R c , N or NR d ,
At least one of X 1 to X 3 is N or NR d ,
R 1 to R 12 and R a to R d are each independently hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C1 To C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkynyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heterocycloalkyl group, A substituted or unsubstituted C1 to C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 heteroarylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof ,
R 1 to R 12 and R a to R d are each independently present or two adjacent ones are connected to each other to form a ring.
제5항에서,
Ra 내지 Rd 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 코로네닐기 또는 이들의 조합인, 하드마스크 조성물.
In clause 5,
At least one of R a to R d is a substituted or unsubstituted methyl group, a substituted or unsubstituted ethyl group, a substituted or unsubstituted propyl group, a substituted or unsubstituted butyl group, a substituted or unsubstituted pentyl group, a substituted or unsubstituted A substituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted fluoranthenyl group, a substituted or Unsubstituted acenaphthylenyl group, substituted or unsubstituted acenaphthenyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted benzophenanthrenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted Triphenylenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted tetrasenyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenyl group, substituted or unsubstituted perylenyl group, substituted or unsubstituted benzo Pyrenyl group, substituted or unsubstituted naphthoanthracenyl group, substituted or unsubstituted pentacenyl group, substituted or unsubstituted benzoperylenyl group, substituted or unsubstituted dibenzopyrenyl group, substituted or unsubstituted Coronenyl group or a combination thereof, a hardmask composition.
제5항에서,
X1 내지 X3 중 적어도 하나는 NRd이고,
Rd는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C30 헤테로아릴알킬기 또는 이들의 조합인, 하드마스크 조성물.
In clause 5,
At least one of X 1 to X 3 is NR d ,
R d is a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C4 to C30 heteroarylalkyl group, or a combination thereof, a hardmask composition.
제5항에서,
X1 내지 X3 중 적어도 하나는 NRd이고,
Rd는 치환 또는 비치환된 페닐알킬기, 치환 또는 비치환된 나프틸알킬기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 크리세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 코로네닐알킬기 또는 이들의 조합인, 하드마스크 조성물.
In clause 5,
At least one of X 1 to X 3 is NR d ,
R d is a substituted or unsubstituted phenylalkyl group, a substituted or unsubstituted naphthylalkyl group, a substituted or unsubstituted fluorenylalkyl group, a substituted or unsubstituted anthracenylalkyl group, a substituted or unsubstituted fluoranthenylalkyl group, a substituted Or an unsubstituted acenaphthylalkyl group, a substituted or unsubstituted acenaphthenylalkyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrenylalkyl group, a substituted or unsubstituted benzophenanthrenylalkyl group, a substituted or unsubstituted pyrenylalkyl group, Substituted or unsubstituted triphenylenylalkyl group, substituted or unsubstituted chrysenylalkyl group, substituted or unsubstituted tetrasenylalkyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenylalkyl group, substituted or unsubstituted perylenylalkyl group, substituted Or an unsubstituted benzopyrenylalkyl group, a substituted or unsubstituted naphthoanthracenylalkyl group, a substituted or unsubstituted pentacenylalkyl group, a substituted or unsubstituted benzoperylenylalkyl group, a substituted or unsubstituted dibenzopyrenylalkyl group , A substituted or unsubstituted coronenylalkyl group or a combination thereof, a hardmask composition.
제5항에서,
R1 내지 R4 중 적어도 하나는 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성하는, 하드마스크 조성물.
In clause 5,
At least one of R 1 to R 4 is a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, or a combination thereof,
R 1 to R 4 are each independently present or two adjacent to each other are connected to each other to form a ring, hardmask composition.
제5항에서,
상기 화학식 2로 표현되는 화합물은 하기 화학식 2-1로 표현되는 화합물이고,
상기 화학식 3으로 표현되는 화합물은 하기 화학식 3-1로 표현되는 화합물인, 하드마스크 조성물:
[화학식 2-1] [화학식 3-1]
Figure 112021009751560-pat00021
Figure 112021009751560-pat00022

상기 화학식 2-1 및 3-1에서,
Z는 O 또는 S이고,
R1 내지 R15는 수소, 중수소, 할로겐, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
R1 내지 R15는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성한다.
In clause 5,
The compound represented by Formula 2 is a compound represented by Formula 2-1,
The compound represented by Formula 3 is a compound represented by the following Formula 3-1, a hardmask composition:
[Chemical Formula 2-1] [Chemical Formula 3-1]
Figure 112021009751560-pat00021
Figure 112021009751560-pat00022

In Formulas 2-1 and 3-1,
Z is O or S,
R 1 to R 15 are hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 aryl An alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 heteroarylalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof,
R 1 to R 15 are each independently present or two adjacent to each other are connected to each other to form a ring.
제10항에서,
R13 내지 R15 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 코로네닐기 또는 이들의 조합인, 하드마스크 조성물.
In claim 10,
At least one of R 13 to R 15 is a substituted or unsubstituted methyl group, a substituted or unsubstituted ethyl group, a substituted or unsubstituted propyl group, a substituted or unsubstituted butyl group, a substituted or unsubstituted pentyl group, a substituted or unsubstituted A substituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted fluoranthenyl group, a substituted or Unsubstituted acenaphthylenyl group, substituted or unsubstituted acenaphthenyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted benzophenanthrenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted Triphenylenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted tetrasenyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenyl group, substituted or unsubstituted perylenyl group, substituted or unsubstituted benzo Pyrenyl group, substituted or unsubstituted naphthoanthracenyl group, substituted or unsubstituted pentacenyl group, substituted or unsubstituted benzoperylenyl group, substituted or unsubstituted dibenzopyrenyl group, substituted or unsubstituted Coronenyl group or a combination thereof, a hardmask composition.
제10항에서,
R15는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐기, 치환 또는 비치환된 코로네닐기 또는 이들의 조합인, 하드마스크 조성물.
In claim 10,
R 15 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted fluorine. Lantenyl group, substituted or unsubstituted acenaphthylenyl group, substituted or unsubstituted acenaphthyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted benzophenanthrenyl group, substituted or unsubstituted pyre A nil group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted chrysenyl group, a substituted or unsubstituted tetracenyl group, a substituted or unsubstituted benzofluoranthenyl group, a substituted or unsubstituted perylenyl group, A substituted or unsubstituted benzopyrenyl group, a substituted or unsubstituted naphthoanthracenyl group, a substituted or unsubstituted pentacenyl group, a substituted or unsubstituted benzoperylenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzopyrenyl group , A hardmask composition that is a substituted or unsubstituted coronenyl group or a combination thereof.
제10항에서,
R14는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C30 헤테로아릴알킬기 또는 이들의 조합인, 하드마스크 조성물.
In claim 10,
R 14 is a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C4 to C30 heteroarylalkyl group, or a combination thereof, a hardmask composition.
제10항에서,
R14는 치환 또는 비치환된 페닐알킬기, 치환 또는 비치환된 나프틸알킬기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 아세나프테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조페난트레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 크리세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란테닐알킬기, 치환 또는 비치환된 퍼릴레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 나프토안트라세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐알킬기, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 다이벤조파이레닐알킬기, 치환 또는 비치환된 코로네닐알킬기 또는 이들의 조합인, 하드마스크 조성물.
In claim 10,
R 14 is a substituted or unsubstituted phenylalkyl group, a substituted or unsubstituted naphthylalkyl group, a substituted or unsubstituted fluorenylalkyl group, a substituted or unsubstituted anthracenylalkyl group, a substituted or unsubstituted fluoranthenylalkyl group, a substituted Or an unsubstituted acenaphthylalkyl group, a substituted or unsubstituted acenaphthenylalkyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrenylalkyl group, a substituted or unsubstituted benzophenanthrenylalkyl group, a substituted or unsubstituted pyrenylalkyl group, Substituted or unsubstituted triphenylenylalkyl group, substituted or unsubstituted chrysenylalkyl group, substituted or unsubstituted tetrasenylalkyl group, substituted or unsubstituted benzofluoranthenylalkyl group, substituted or unsubstituted perylenylalkyl group, substituted Or an unsubstituted benzopyrenylalkyl group, a substituted or unsubstituted naphthoanthracenylalkyl group, a substituted or unsubstituted pentacenylalkyl group, a substituted or unsubstituted benzoperylenylalkyl group, a substituted or unsubstituted dibenzopyrenylalkyl group , A substituted or unsubstituted coronenylalkyl group or a combination thereof, a hardmask composition.
제10항에서,
R1 내지 R4 중 적어도 하나는 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성하는 것인, 하드마스크 조성물.
In claim 10,
At least one of R 1 to R 4 is a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, or a combination thereof,
R 1 to R 4 are each independently present or two adjacent to each other are connected to form a ring, the hardmask composition.
삭제delete 재료 층 위에 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 하드마스크 조성물을 도포하고 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계,
상기 하드마스크 층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계,
상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,
상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고
상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계
를 포함하는 패턴 형성 방법.
Applying the hardmask composition according to any one of claims 1 to 15 on the material layer and performing heat treatment to form a hardmask layer,
Forming a photoresist layer on the hardmask layer,
Exposing and developing the photoresist layer to form a photoresist pattern,
Selectively removing the hardmask layer using the photoresist pattern and exposing a portion of the material layer, and
Etching the exposed portion of the material layer
Pattern forming method comprising a.
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