KR102249665B1 - Gas sensing ability enhancing apparatus using the bias and method thereof - Google Patents

Gas sensing ability enhancing apparatus using the bias and method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR102249665B1
KR102249665B1 KR1020190054757A KR20190054757A KR102249665B1 KR 102249665 B1 KR102249665 B1 KR 102249665B1 KR 1020190054757 A KR1020190054757 A KR 1020190054757A KR 20190054757 A KR20190054757 A KR 20190054757A KR 102249665 B1 KR102249665 B1 KR 102249665B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
bias voltage
semiconductor
detection device
electrode
Prior art date
Application number
KR1020190054757A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200129805A (en
Inventor
전형탁
김현우
최명식
방재훈
이남규
박현우
최형수
엄완식
최연식
Original Assignee
한양대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한양대학교 산학협력단 filed Critical 한양대학교 산학협력단
Priority to KR1020190054757A priority Critical patent/KR102249665B1/en
Publication of KR20200129805A publication Critical patent/KR20200129805A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102249665B1 publication Critical patent/KR102249665B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
    • G01N27/16—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by burning or catalytic oxidation of surrounding material to be tested, e.g. of gas
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/002—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the work function voltage
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/27—Association of two or more measuring systems or cells, each measuring a different parameter, where the measurement results may be either used independently, the systems or cells being physically associated, or combined to produce a value for a further parameter
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/407—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
    • G01N27/4073—Composition or fabrication of the solid electrolyte
    • G01N27/4074—Composition or fabrication of the solid electrolyte for detection of gases other than oxygen
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4141—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for gases
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/061—Sources
    • G01N2201/06113—Coherent sources; lasers

Abstract

바이어스를 이용한 가스 감지 능력 향상 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치는 기판과, 기판 상에 형성되고, 산화성 가스 및 환원성 가스 중 적어도 하나의 가스를 감지하는 가스 감지층 및 반응 시간 및 회복 시간을 제어하기 위해, 감지된 적어도 하나의 가스에 대응되는 바이어스 전압을 인가하는 바이어스부를 포함한다.A gas sensing capability improvement apparatus and method thereof using a bias, wherein the semiconductor-type gas sensing apparatus according to an embodiment includes a substrate and a gas sensing device formed on the substrate and detecting at least one of an oxidizing gas and a reducing gas. It includes a bias unit for applying a bias voltage corresponding to the at least one gas sensed to control the layer, reaction time, and recovery time.

Description

바이어스를 이용한 가스 감지 능력 향상 장치 및 그 방법{GAS SENSING ABILITY ENHANCING APPARATUS USING THE BIAS AND METHOD THEREOF}Gas sensing ability improvement device using bias and its method {GAS SENSING ABILITY ENHANCING APPARATUS USING THE BIAS AND METHOD THEREOF}

가스 감지 능력 향상 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 바이어스 전압을 이용하여 반도체형 가스 감지 장치의 반응 시간 및 회복 시간을 제어하는 기술적 사상에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for improving gas sensing capability and a method thereof, and more particularly, to a technical idea of controlling a reaction time and a recovery time of a semiconductor type gas sensing apparatus using a bias voltage.

최근 센서는 기존에 적용되던 개별적 소자 및 기기의 이용뿐만 아니라 자동차, 스마트폰, 웨어러블 기기 등 다양한 분야에서 접목되어 활용되고 있다. Recently, sensors are being used in various fields such as automobiles, smartphones, and wearable devices, as well as the use of individual devices and devices that have been previously applied.

IoT 시대가 본격화됨에 따라 센서의 활용은 더욱 높아지고 있으며 일례로 일반 자동차에는 200여개, 스마트폰에는 20여개에 달하는 센서가 장착되고 있는 상황이다.As the IoT era is in full swing, the use of sensors is increasing, and for example, 200 sensors are installed in general cars and 20 sensors are installed in smartphones.

센서의 종류에는 온도 센서, 가스 센서, 압력 센서, 광 센서 등이 있다. 이 중 가스 센서는 검출하고자 하는 가스의 농도를 감지하는 센서로 최근 유해 가스와 미세 먼지의 증가로 관심과 수요가 높아지고 있다. Types of sensors include temperature sensors, gas sensors, pressure sensors, and light sensors. Among them, the gas sensor is a sensor that detects the concentration of the gas to be detected, and recently, interest and demand are increasing due to the increase of harmful gases and fine dust.

유해 가스로는 황산화물(SOx), 질소산화물(NOx), 산화물(Oxidant), 탄화수소, 불소화합물, 일산화탄소, 이산화탄소, 암모니아 등이 있으며 인체에 악영향을 끼치거나 대기 중에서 반응하여 스모그 현상을 발생시킬 수 있다.Hazardous gases include sulfur oxides (SOx), nitrogen oxides (NOx), oxides (oxidants), hydrocarbons, fluorine compounds, carbon monoxide, carbon dioxide, and ammonia, and may adversely affect the human body or react in the atmosphere to generate smog. .

하지만 국내 센서 수요의 80% 이상을 수입에 의존하고 있는 것이 현 실정이며, 한국의 기술력은 세계 센서 시장을 주도하는 미국의 63% 수준이다. However, at present, more than 80% of domestic sensor demand is dependent on imports, and Korea's technological prowess is at the level of 63% of the US, which leads the global sensor market.

또한 센서는 다품종 소량 생산의 산업 구조 특성 때문에 대기업보다는 중소기업이 개발을 주도하고 있으며 기술적 고부가 가치성 때문에 기술선진국들은 기술이전을 기피하고 있을 뿐만 아니라 기술보호 장벽을 높이 쌓고 있다. 이에 센서 원천 기술 확보 및 기술 주도를 위해 우리나라에서도 활발하게 연구를 진행 중이다.In addition, small and medium-sized enterprises are leading the development of sensors rather than large companies due to the industrial structure of small-scale production of various types of products, and technologically advanced countries are not only avoiding technology transfer because of their high value-added technology, but also building up barriers to technology protection. Accordingly, research is actively underway in Korea to secure the original sensor technology and lead the technology.

한편, 가스 감지를 위한 반응 시간(Response Time)과 회복 시간(Recovery Time)은 센서에서 감도만큼이나 중요한 인자다. 반응 시간이란 센서가 타겟 가스를 감지할 때 90%의 포화상태가 될 때까지 얼마만큼의 시간이 필요한지를 말하며, 회복 시간은 감지를 마치고 90%의 원상태로 회복하는데 소요되는 시간을 말한다. 감도와 별개로 가스를 감지하는데 많은 시간이 걸린다면 데이터 처리 및 연산 측면에서 매우 불리하며 실시간 가스감지가 어렵다는 문제가 있다.On the other hand, the response time and recovery time for gas detection are as important factors as the sensitivity of the sensor. The reaction time refers to how long it takes for the sensor to become saturated at 90% when detecting the target gas, and the recovery time refers to the time it takes to recover to the original state at 90% after completing the detection. Apart from sensitivity, if it takes a lot of time to detect gas, there is a problem that it is very disadvantageous in terms of data processing and calculation, and real-time gas detection is difficult.

한국등록특허 제10-1755269호, "산화물 박막 가스 센서 및 이를 이용한 가스 센싱 방법"Korean Patent Registration No. 10-1755269, "Oxide thin film gas sensor and gas sensing method using the same"

본 발명은 기판에 바이어스를 인가하여 반응시간 및 회복시간을 단축함으로써 신뢰성, 안정성, 데이터 및 연산 처리 속도 문제를 보완하여 각종 센서와 웨어러블 소자 및 기기에 적용 가능한 반도체형 가스 감지 장치 및 그 방법을 제공하고자 한다.The present invention provides a semiconductor-type gas sensing device and method applicable to various sensors, wearable devices and devices by applying a bias to a substrate to shorten the reaction time and recovery time to compensate for the problems of reliability, stability, data and operation processing speed. I want to.

본 발명은 레이저를 이용하여 바이어스 전압을 인가함과 동시에 장치를 히팅 시킬 수 있는 반도체형 가스 감지 장치 및 그 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a semiconductor-type gas sensing device and method capable of heating the device while simultaneously applying a bias voltage using a laser.

본 발명의 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치는 기판과, 기판 상에 형성되고, 산화성 가스 및 환원성 가스 중 적어도 하나의 가스를 감지하는 가스 감지층 및 반응 시간 및 회복 시간을 제어하기 위해, 감지된 적어도 하나의 가스에 대응되는 바이어스 전압을 인가하는 바이어스부를 포함할 수 있다. The semiconductor-type gas sensing device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a gas sensing layer formed on the substrate and sensing at least one gas of an oxidizing gas and a reducing gas, and controlling a reaction time and a recovery time, It may include a bias unit for applying a bias voltage corresponding to the at least one detected gas.

일측에 따르면, 반도체형 가스 감지 장치는 기판 상에 형성되고, 바이어스 전압을 수신하는 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함할 수 있다. According to one side, the semiconductor gas sensing device may further include a first electrode and a second electrode formed on a substrate and receiving a bias voltage.

일측에 따르면, 바이어스부는 바이어스 전압을 인가하기 위해 레이저(Laser)를 포함할 수 있다.According to one side, the bias unit may include a laser to apply a bias voltage.

일측에 따르면, 반도체형 가스 감지 장치는 기판 하부에 형성되고, 레이저에 노출되면 전류가 흐르는 전류 유동층을 더 포함할 수 있다.According to one side, the semiconductor gas sensing device may further include a current flowing layer formed under the substrate and through which current flows when exposed to the laser.

일측에 따르면, 바이어스부는 적어도 하나의 가스가 산화성 가스인 경우, 반응 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가하고, 회복 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가할 수 있다. According to one side, when at least one gas is an oxidizing gas, the bias unit may apply a positive bias voltage during a reaction time period and a negative bias voltage during a recovery time period.

일측에 따르면, 바이어스부는 적어도 하나의 가스가 환원성 가스인 경우, 반응 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가하고, 회복 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가할 수 있다.According to one side, when at least one gas is a reducing gas, the bias unit may apply a negative bias voltage in a reaction time period and a positive bias voltage in a recovery time period.

일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치의 동작방법은 기판 상에 형성된 가스 감지층을 통해 산화성 가스 및 환원성 가스 중 적어도 하나의 가스를 감지하는 단계 및 반응 시간 및 회복 시간을 제어하기 위해, 바이어스부를 통해 감지된 적어도 하나의 가스에 대응되는 바이어스 전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다. The method of operating a semiconductor-type gas sensing device according to an exemplary embodiment includes a bias unit in order to detect at least one of an oxidizing gas and a reducing gas through a gas sensing layer formed on a substrate, and to control a reaction time and a recovery time. It may include applying a bias voltage corresponding to the at least one gas detected through.

일측에 따르면, 바이어스부는 바이어스 전압을 인가하기 위해 레이저(Laser)를 포함할 수 있다. According to one side, the bias unit may include a laser to apply a bias voltage.

일측에 따르면, 바이어스 전압을 인가하는 단계는 기판 하부에 형성된 전류 유동층에 레이저를 노출시켜, 전류 유동층에 전류가 흐르도록 제어할 수 있다. According to one side, in the step of applying the bias voltage, the laser is exposed to the current flowing layer formed under the substrate, so that current flows through the current flowing layer.

일측에 따르면, 바이어스 전압을 인가하는 단계는 적어도 하나의 가스가 산화성 가스인 경우, 반응 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가하고, 회복 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가할 수 있다.According to one side, in the step of applying the bias voltage, when at least one gas is an oxidizing gas, a positive bias voltage may be applied during a reaction time period and a negative bias voltage may be applied during a recovery time period.

일측에 따르면, 바이어스 전압을 인가하는 단계는 적어도 하나의 가스가 환원성 가스인 경우, 반응 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가하고, 회복 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가할 수 있다.According to one side, in the step of applying the bias voltage, when at least one gas is a reducing gas, a negative bias voltage may be applied in the reaction time period and a positive bias voltage may be applied in the recovery time period.

일실시예에 따르면, 기판에 바이어스를 인가하여 반응시간 및 회복시간을 단축함으로써 신뢰성, 안정성, 데이터 및 연산 처리 속도 문제를 보완하여 각종 센서와 웨어러블 소자 및 기기에 적용할 수 있다.According to an embodiment, by applying a bias to the substrate to shorten the reaction time and recovery time, reliability, stability, data and operation processing speed problems can be compensated and applied to various sensors, wearable devices, and devices.

일실시예에 따르면, 레이저를 이용하여 바이어스 전압을 인가함과 동시에 반도체형 가스 감지 장치를 히팅 시킬 수 있다.According to an embodiment, the semiconductor-type gas sensing device may be heated while applying a bias voltage using a laser.

도 1은 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치에서 레이저를 이용하여 바이어스 전압을 인가하는 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 내지 도 3e는 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치에서 바이어스를 인가하는 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치의 동작방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a semiconductor-type gas sensing device according to an embodiment.
2 is a view for explaining an embodiment in which a bias voltage is applied using a laser in a semiconductor gas detection device according to an embodiment.
3A to 3E are views for explaining an embodiment in which a bias is applied in a semiconductor gas sensing device according to an embodiment.
4 is a view for explaining a method of operating a semiconductor-type gas detection device according to an embodiment.

이하, 본 문서의 다양한 실시 예들이 첨부된 도면을 참조하여 기재된다.Hereinafter, various embodiments of the present document will be described with reference to the accompanying drawings.

실시 예 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 및/또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiments and terms used therein are not intended to limit the technology described in this document to a specific embodiment, and should be understood to include various changes, equivalents, and/or substitutes for the corresponding embodiment.

하기에서 다양한 실시 예들을 설명에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.In the following description of various embodiments, when it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the invention, a detailed description thereof will be omitted.

그리고 후술되는 용어들은 다양한 실시 예들에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In addition, terms to be described later are terms defined in consideration of functions in various embodiments, which may vary according to the intention or custom of users or operators. Therefore, the definition should be made based on the contents throughout the present specification.

도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.In connection with the description of the drawings, similar reference numerals may be used for similar elements.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다.Singular expressions may include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

본 문서에서, "A 또는 B" 또는 "A 및/또는 B 중 적어도 하나" 등의 표현은 함께 나열된 항목들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다.In this document, expressions such as "A or B" or "at least one of A and/or B" may include all possible combinations of items listed together.

"제1," "제2," "첫째," 또는 "둘째," 등의 표현들은 해당 구성요소들을, 순서 또는 중요도에 상관없이 수식할 수 있고, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 뿐 해당 구성요소들을 한정하지 않는다.Expressions such as "first," "second," "first," or "second," can modify the corresponding elements regardless of their order or importance, and to distinguish one element from another It is used only and does not limit the corresponding components.

어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에 "(기능적으로 또는 통신적으로) 연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나, 다른 구성요소(예: 제3 구성요소)를 통하여 연결될 수 있다.When any (eg, first) component is referred to as being “(functionally or communicatively) connected” or “connected” to another (eg, second) component, a component is referred to as the other component. It may be directly connected to the element, or may be connected through another element (eg, a third element).

본 명세서에서, "~하도록 구성된(또는 설정된)(configured to)"은 상황에 따라, 예를 들면, 하드웨어적 또는 소프트웨어적으로 "~에 적합한," "~하는 능력을 가지는," "~하도록 변경된," "~하도록 만들어진," "~를 할 수 있는," 또는 "~하도록 설계된"과 상호 호환적으로(interchangeably) 사용될 수 있다.In the present specification, "configured to" (configured to)" is changed to "suitable to," "having the ability to," "to," "to," "suitable for" in hardware or software according to the situation, for example, ," "made to," "can do," or "designed to" can be used interchangeably.

어떤 상황에서는, "~하도록 구성된 장치"라는 표현은, 그 장치가 다른 장치 또는 부품들과 함께 "~할 수 있는" 것을 의미할 수 있다.In some situations, the expression "a device configured to" may mean that the device "can" along with other devices or parts.

예를 들면, 문구 "A, B, 및 C를 수행하도록 구성된(또는 설정된) 프로세서"는 해당 동작을 수행하기 위한 전용 프로세서(예: 임베디드 프로세서), 또는 메모리 장치에 저장된 하나 이상의 소프트웨어 프로그램들을 실행함으로써, 해당 동작들을 수행할 수 있는 범용 프로세서(예: CPU 또는 application processor)를 의미할 수 있다.For example, the phrase “a processor configured (or configured) to perform A, B, and C” means a dedicated processor (eg, an embedded processor) for performing the operation, or by executing one or more software programs stored in a memory device. , May mean a general-purpose processor (eg, a CPU or an application processor) capable of performing the corresponding operations.

또한, '또는' 이라는 용어는 배타적 논리합 'exclusive or' 이기보다는 포함적인 논리합 'inclusive or' 를 의미한다.In addition, the term'or' means an inclusive OR'inclusive or' rather than an exclusive OR'exclusive or'.

즉, 달리 언급되지 않는 한 또는 문맥으로부터 명확하지 않는 한, 'x가 a 또는 b를 이용한다' 라는 표현은 포함적인 자연 순열들(natural inclusive permutations) 중 어느 하나를 의미한다.That is, unless stated otherwise or unless clear from context, the expression'x uses a or b'means any one of natural inclusive permutations.

상술한 구체적인 실시 예들에서, 발명에 포함되는 구성 요소는 제시된 구체적인 실시 예에 따라 단수 또는 복수로 표현되었다.In the above-described specific embodiments, constituent elements included in the invention are expressed in the singular or plural according to the presented specific embodiments.

그러나, 단수 또는 복수의 표현은 설명의 편의를 위해 제시한 상황에 적합하게 선택된 것으로서, 상술한 실시 예들이 단수 또는 복수의 구성 요소에 제한되는 것은 아니며, 복수로 표현된 구성 요소라 하더라도 단수로 구성되거나, 단수로 표현된 구성 요소라 하더라도 복수로 구성될 수 있다.However, the singular or plural expression is selected appropriately for the situation presented for convenience of description, and the above-described embodiments are not limited to the singular or plural constituent elements, and even constituent elements expressed in plural are composed of the singular or However, even if it is a component expressed in a singular number, it can be composed of pluralities.

한편 발명의 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 다양한 실시 예들이 내포하는 기술적 사상의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다.Meanwhile, although specific embodiments have been described in the description of the present invention, various modifications are possible without departing from the scope of the technical idea included in the various embodiments.

그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니되며 후술하는 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention is limited to the described embodiments and should not be defined, and should be defined by the claims and equivalents as well as the claims to be described later.

도 1은 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a semiconductor-type gas sensing device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치(100)는 기판에 바이어스를 인가하여 반응시간 및 회복시간을 단축함으로써 신뢰성, 안정성, 데이터 및 연산 처리 속도 문제를 보완하여 각종 센서와 웨어러블 소자 및 기기에 적용할 수 있다. Referring to FIG. 1, the semiconductor-type gas sensing device 100 according to an embodiment shortens the reaction time and recovery time by applying a bias to the substrate, thereby compensating for reliability, stability, and data and operation processing speed problems. It can be applied to wearable devices and devices.

또한, 반도체형 가스 감지 장치(100)는 레이저를 이용하여 바이어스 전압을 인가함과 동시에 반도체형 가스 감지 장치(100)를 히팅(Heating) 시키는 역할을 수행할 수 있다.In addition, the semiconductor gas detection device 100 may apply a bias voltage using a laser and at the same time perform a role of heating the semiconductor gas detection device 100.

구체적으로, 반도체형 가스 감지 장치(100)는 바이어스 전압을 인가하여, 반도체형 가스 감지 장치(100) 표면에 산소 반응기가 쉽게 부착 및 탈착할 수 있어 반응 시간 및 회복 시간을 빠르게 할 수 있다. 또한, 대부분의 반응 가스들은 극성 화합물이기 ‹š문에 바이어스 전압을 인가하면 반응 가스들이 반도체형 가스 감지 장치(100) 표면에 보다 빠르게 도달할 수 있다.Specifically, by applying a bias voltage to the semiconductor-type gas sensing device 100, the oxygen reactor can be easily attached and detached from the surface of the semiconductor-type gas sensing device 100, so that a reaction time and a recovery time can be accelerated. In addition, since most of the reactive gases are polar compounds, when a bias voltage is applied, the reactive gases can reach the surface of the semiconductor-type gas sensing device 100 more quickly.

이를 위해, 반도체형 가스 감지 장치(100)는 기판(110), 가스 감지층(120) 및 바이어스부(130)를 포함할 수 있다. To this end, the semiconductor-type gas sensing device 100 may include a substrate 110, a gas sensing layer 120, and a bias unit 130.

예를 들면, 반도체형 가스 감지 장치(100)는 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor, FET) 기반의 가스 센서일 수 있다. For example, the semiconductor gas sensing device 100 may be a field effect transistor (FET)-based gas sensor.

일실시예에 따른 가스 감지층(120)은 기판(110) 상에 형성되고, 산화성 가스 및 환원성 가스 중 적어도 하나의 가스를 감지할 수 있다. The gas sensing layer 120 according to an exemplary embodiment is formed on the substrate 110 and may detect at least one of an oxidizing gas and a reducing gas.

예를 들면, 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치(100)는 별도의 제어부(Control Unit)를 더 포함할 수 있으며, 제어부에서 가스 감지층(120)을 통해 산화성 가스 및 환원성 가스 중 적어도 하나의 가스를 감지할 수도 있다.For example, the semiconductor-type gas detection device 100 according to an embodiment may further include a separate control unit, and at least one of an oxidizing gas and a reducing gas through the gas detection layer 120 in the control unit. You can also detect the gas.

또한, 반응 시간은 반도체형 가스 감지 장치(100)가 타겟 가스를 감지할 때 90%의 포화상태가 될 때까지 소요되는 시간이고, 회복 시간은 반도체형 가스 감지 장치(100)에서 가스 감지를 마치고, 원상태로 회복하는데 소요되는 시간일 수 있다. In addition, the reaction time is a time taken until the semiconductor-type gas detection device 100 reaches a saturation state of 90% when the semiconductor-type gas detection device 100 detects the target gas, and the recovery time is the gas detection by the semiconductor-type gas detection device 100 , It may be the time it takes to recover to its original state.

또한, 산화성 가스는 이산화질소(NO2) 가스일 수 있으며, 환원성 가스는 일산화탄소(CO) 가스일 수 있다. In addition, the oxidizing gas may be nitrogen dioxide (NO 2 ) gas, and the reducing gas may be carbon monoxide (CO) gas.

일측에 따르면, 가스 감지층(120)은 플로팅 게이트(Floating Gate)의 형상으로 구현될 수도 있다. 예를 들면, 가스 감지층(120)은 제어 전극, 플로팅 전극 및 감지 물질층을 포함할 수 있다. According to one side, the gas sensing layer 120 may be implemented in the shape of a floating gate. For example, the gas sensing layer 120 may include a control electrode, a floating electrode, and a sensing material layer.

보다 구체적인 예를 들면, 반도체형 가스 감지 장치(100)는 감지 물질층을 보호 절연막을 사이에 두고 서로 마주보며 이격된 제어 전극과 플로팅 전극 사이에 형성함으로써, 가스 감지 시 유전상수가 변하여 커플링 비를 변화를 야기하여 플로팅 전극의 전위에 직접 영향을 줄 수 있다. For a more specific example, the semiconductor-type gas sensing device 100 forms a sensing material layer between a control electrode and a floating electrode that are spaced apart from each other with a protective insulating layer therebetween. Can directly affect the potential of the floating electrode by causing a change.

여기서, 반도체형 가스 감지 장치(100)는 반응 전/후에 따라 제어 전극에 인가된 동작 전압이 플로팅 전극에 전달되는 전압이 달라지고, 결국 반도체 바디의 채널 형성 및/또는 채널 저항에 영향을 주게 되는 점을 이용하여, 이를 소스/드레인 전극을 통해 흐르는 전류로 감지하게 되는 메카니즘으로 동작할 수 있다.Here, in the semiconductor-type gas sensing device 100, the operating voltage applied to the control electrode varies in the voltage applied to the floating electrode depending on before/after the reaction, which in turn affects channel formation and/or channel resistance of the semiconductor body. Using a dot, it can act as a mechanism that senses it as a current flowing through the source/drain electrodes.

일측에 따르면, 기판(110)은 기설정된 기판 전압(Vsub)이 인가될 수 있다. 예를 들면, 기설정된 기판 전압(Vsub)은 접지 전압(GND)일 수도 있다.According to one side, the substrate 110 may be applied with a predetermined substrate voltage Vsub. For example, the preset substrate voltage Vsub may be the ground voltage GND.

일실시예에 따른 바이어스부(130)는 반응 시간 및 회복 시간을 제어하기 위해, 감지된 적어도 하나의 가스에 대응되는 바이어스 전압을 인가할 수 있다. The bias unit 130 according to an embodiment may apply a bias voltage corresponding to the sensed at least one gas in order to control the reaction time and the recovery time.

일측에 따르면, 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치(100)는 기판 상에 형성되고, 바이어스부(130)를 통해 인가되는 바이어스 전압을 수신하는 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)을 더 포함할 수 있다. According to one side, the semiconductor-type gas sensing device 100 according to an exemplary embodiment is formed on a substrate and receives a bias voltage applied through the bias unit 130. ) May be further included.

일측에 따르면, 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)은 소스 전극(Source) 전극 및 드레인 전극(Drain) 전극일 수 있다.According to one side, the first electrode 140 and the second electrode 150 may be a source electrode and a drain electrode.

예를 들면, 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)은 가스 감지층(120)에 인접하여 형성될 수 있다. 다시 말해, 가스 감지층(120)은 제1 전극(140) 및 제2 전극(150) 사이에 구비될 수 있다. For example, the first electrode 140 and the second electrode 150 may be formed adjacent to the gas sensing layer 120. In other words, the gas sensing layer 120 may be provided between the first electrode 140 and the second electrode 150.

한편, 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)은 가스 감지층(120) 상에 형성될 수도 있다. Meanwhile, the first electrode 140 and the second electrode 150 may be formed on the gas sensing layer 120.

다시 말해, 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치(100)는 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)을 통해 기판(110)에 바이어스 전압을 인가할 수 있다. In other words, the semiconductor gas sensing device 100 according to an exemplary embodiment may apply a bias voltage to the substrate 110 through the first electrode 140 and the second electrode 150.

일측에 따르면, 바이어스부(130)는 가스 감지층(120)을 통해 감지된 적어도 하나의 가스가 산화성 가스인 경우, 반응 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가하고, 회복 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가할 수 있다. According to one side, when at least one gas sensed through the gas detection layer 120 is an oxidizing gas, the bias unit 130 applies a positive bias voltage in the reaction time section and a negative bias voltage in the recovery time section. Can be authorized.

다시 말해, 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치(100)는 산화성 가스의 경우 반응 시간 구간에서 양의 바이어스 전압을 인가하여 산소 반응기(O-)를 더욱 생성하고, 회복 시간 구간에는 음의 바이어스 전압을 인가하여 산소 반응기를 빠르게 제거함으로써, 반응 시간 구간 및 회복 시간 구간을 단축시킬 수 있다.In other words, one embodiment of a semiconductor type gas detection according to device 100 by applying a positive bias voltage at the reaction period of time for the oxidizing gas an oxygen reactor (O -) and further generate, in the negative bias recovery time interval By rapidly removing the oxygen reactor by applying a voltage, the reaction time section and the recovery time section can be shortened.

또한, 바이어스부(130)는 가스 감지층(120)을 통해 감지된 적어도 하나의 가스가 환원성 가스인 경우, 반응 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가하고, 회복 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가할 수 있다.In addition, when at least one gas sensed through the gas sensing layer 120 is a reducing gas, the bias unit 130 applies a negative bias voltage in the reaction time section and a positive bias voltage in the recovery time section. can do.

다시 말해, 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치(100)는 환원성 가스의 경우 반응 시간 구간에서 음의 바이어스 전압을 인가하여 산소 반응기를 더욱 빠르게 제거하고, 회복 시간 구간에는 양의 바이어스 전압을 인가하여 산소 반응기를 더욱 빠르게 보충함으로써, 반응 시간 구간 및 회복 시간 구간을 단축시킬 수 있다.In other words, in the case of a reducing gas, the semiconductor gas sensing device 100 according to an embodiment removes the oxygen reactor more quickly by applying a negative bias voltage in the reaction time section, and applies a positive bias voltage in the recovery time section. Thus, by replenishing the oxygen reactor more quickly, the reaction time section and the recovery time section can be shortened.

일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치(100)에서 적어도 하나의 가스에 대응되는 바이어스 전압을 인가하는 예시는 이후 실시예 도 3a 내지 도 3e를 통해 보다 구체적으로 설명하기로 한다. An example of applying a bias voltage corresponding to at least one gas in the semiconductor gas sensing device 100 according to an exemplary embodiment will be described in more detail with reference to FIGS. 3A to 3E.

일측에 따르면, 바이어스부(130)는 바이어스 전압을 인가하기 위해 레이저(Laser)를 포함할 수 있다. According to one side, the bias unit 130 may include a laser to apply a bias voltage.

또한, 반도체형 가스 감지 장치(100)는 기판(110) 하부에 형성되고, 레이저에 노출되면 전류가 흐르는 전류 유동층을 더 포함할 수 있다.In addition, the semiconductor-type gas sensing device 100 may further include a current flowing layer formed under the substrate 110 and through which a current flows when exposed to a laser.

한편, 반도체형 가스 감지 장치(100)는 가스 센싱 물질을 감지하기 위해 전류 측정부를 더 포함할 수도 있다. Meanwhile, the semiconductor-type gas sensing device 100 may further include a current measuring unit to detect a gas sensing material.

일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치(100)에서 레이저를 이용하여 바이어스 전압을 인가하는 예시는 이후 실시예 도 2를 통해 보다 구체적으로 설명하기로 한다. An example of applying a bias voltage using a laser in the semiconductor gas sensing device 100 according to an exemplary embodiment will be described in more detail with reference to FIG. 2 in the following exemplary embodiment.

도 2는 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치에서 레이저를 이용하여 바이어스 전압을 인가하는 실시예를 설명하기 위한 도면이다. 2 is a view for explaining an embodiment in which a bias voltage is applied using a laser in a semiconductor gas detection device according to an embodiment.

도 2를 참조하면, 반도체형 가스 감지 장치(200)는 도 1을 통해 설명한 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치일 수 있다. 따라서, 이후 도 2를 통해 설명하는 내용 중 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치를 통해 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다. Referring to FIG. 2, the semiconductor gas detection device 200 may be a semiconductor gas detection device according to the exemplary embodiment described with reference to FIG. 1. Accordingly, descriptions overlapping with those described through the semiconductor-type gas sensing device according to an exemplary embodiment will be omitted from among the contents described with reference to FIG. 2 hereinafter.

다시 말해, 반도체형 가스 감지 장치(200)는 기판(210), 가스 감지층(220), 바이어스부, 제1 전극(240) 및 제2 전극(250)을 포함할 수 있다.In other words, the semiconductor type gas sensing device 200 may include a substrate 210, a gas sensing layer 220, a bias unit, a first electrode 240 and a second electrode 250.

일측에 따르면, 바이어스부는 바이어스 전압을 인가하기 위해 레이저(Laser)(270)를 포함할 수 있다.According to one side, the bias unit may include a laser 270 to apply a bias voltage.

또한, 반도체형 가스 감지 장치(200)는 가스 센싱 물질을 감지하기 위해 전류 측정부(230)를 더 포함할 수도 있다.In addition, the semiconductor-type gas sensing device 200 may further include a current measuring unit 230 to detect a gas sensing material.

구체적으로, 전류 측정부(230)는 반응 시간 구간 및 회복 시간 구간의 단축 여부를 전류 측정을 통해 검출할 수 있다.Specifically, the current measurement unit 230 may detect whether the reaction time period and the recovery time period are shortened through current measurement.

도 2에서는 전류 측정부(230)를 복수개로 도시하여 설명하나, 도 2에 도시된 복수개의 전류 측정부(230)는 하나의 전류 측정부(230)일 수도 있다. In FIG. 2, a plurality of current measuring units 230 are illustrated and described, but the plurality of current measuring units 230 illustrated in FIG. 2 may be a single current measuring unit 230.

가스 감지층(220)은 기판(210) 상에 형성되고, 산화성 가스 및 환원성 가스 중 적어도 하나의 가스를 감지할 수 있다. The gas sensing layer 220 is formed on the substrate 210 and may detect at least one of an oxidizing gas and a reducing gas.

예를 들면, 반도체형 가스 감지 장치(200)는 별도의 제어부(Control Unit)를 더 포함할 수 있으며, 제어부에서 가스 감지층(220)을 통해 산화성 가스 및 환원성 가스 중 적어도 하나의 가스를 감지할 수도 있다.For example, the semiconductor-type gas detection device 200 may further include a separate control unit, and the control unit may detect at least one of an oxidizing gas and a reducing gas through the gas detection layer 220. May be.

일측에 따르면, 가스 감지층(220)은 플로팅 게이트(Floating Gate)의 형상으로 구현될 수도 있다.According to one side, the gas sensing layer 220 may be implemented in the shape of a floating gate.

바이어스부는 반응 시간 및 회복 시간을 제어하기 위해, 감지된 적어도 하나의 가스에 대응되는 바이어스 전압을 인가할 수 있다. The bias unit may apply a bias voltage corresponding to the sensed at least one gas in order to control the reaction time and the recovery time.

일측에 따르면, 제1 전극(240) 및 제2 전극(250)은 기판 상에 형성되고, 바이어스부를 통해 인가되는 바이어스 전압을 수신할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(240) 및 제2 전극(250)은 소스 전극(Source) 전극 및 드레인 전극(Drain) 전극일 수 있다.According to one side, the first electrode 240 and the second electrode 250 are formed on a substrate and may receive a bias voltage applied through the bias unit. For example, the first electrode 240 and the second electrode 250 may be a source electrode and a drain electrode.

예를 들면, 제1 전극(240) 및 제2 전극(250)은 가스 감지층(220) 상에 형성될 수 있다.For example, the first electrode 240 and the second electrode 250 may be formed on the gas sensing layer 220.

한편, 제1 전극(240) 및 제2 전극(250)은 가스 감지층(220)에 인접하여 형성될 수 있다. 다시 말해, 가스 감지층(220)은 제1 전극(240) 및 제2 전극(250) 사이에 구비될 수도 있다.Meanwhile, the first electrode 240 and the second electrode 250 may be formed adjacent to the gas sensing layer 220. In other words, the gas sensing layer 220 may be provided between the first electrode 240 and the second electrode 250.

다시 말해, 반도체형 가스 감지 장치(200)는 제1 전극(240) 및 제2 전극(250)을 통해 기판(210)에 바이어스 전압을 인가할 수도 있다. In other words, the semiconductor gas sensing device 200 may apply a bias voltage to the substrate 210 through the first electrode 240 and the second electrode 250.

일측에 따르면, 바이어스부는 가스 감지층(220)을 통해 감지된 적어도 하나의 가스가 산화성 가스인 경우, 반응 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가하고, 회복 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가할 수 있다.According to one side, when at least one gas sensed through the gas sensing layer 220 is an oxidizing gas, the bias unit may apply a positive bias voltage in the reaction time period and a negative bias voltage in the recovery time period. have.

다시 말해, 반도체형 가스 감지 장치(200)는 산화성 가스의 경우 반응 시간 구간에서 양의 바이어스 전압을 인가하여 산소 반응기(O-)를 더욱 생성하고, 회복 시간 구간에는 음의 바이어스 전압을 인가하여 산소 반응기를 빠르게 제거함으로써, 반응 시간 구간 및 회복 시간 구간을 단축시킬 수 있다.In other words, the semiconductor type gas detection device 200 by applying a positive bias voltage at the reaction period of time for the oxidizing gas an oxygen reactor (O -), and further generating a recovery time period, by applying a negative bias voltage oxygen By rapidly removing the reactor, the reaction time section and the recovery time section can be shortened.

또한, 바이어스부는 가스 감지층(220)을 통해 감지된 적어도 하나의 가스가 환원성 가스인 경우, 반응 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가하고, 회복 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가할 수 있다.In addition, when at least one gas sensed through the gas sensing layer 220 is a reducing gas, the bias unit may apply a negative bias voltage in a reaction time period and a positive bias voltage in a recovery time period.

다시 말해, 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치(200)는 환원성 가스의 경우 반응 시간 구간에서 음의 바이어스 전압을 인가하여 산소 반응기를 더욱 빠르게 제거하고, 회복 시간 구간에는 양의 바이어스 전압을 인가하여 산소 반응기를 더욱 빠르게 보충함으로써, 반응 시간 구간 및 회복 시간 구간을 단축시킬 수 있다.In other words, the semiconductor-type gas sensing device 200 according to an embodiment removes the oxygen reactor more quickly by applying a negative bias voltage in the reaction time section in the case of a reducing gas, and applies a positive bias voltage in the recovery time section. Thus, by replenishing the oxygen reactor more quickly, the reaction time section and the recovery time section can be shortened.

일측에 따르면, 반도체형 가스 감지 장치(200)는 기판 하부에 형성되는 전류 유동층(260)을 더 포함할 수 있다. According to one side, the semiconductor gas sensing device 200 may further include a current flowing layer 260 formed under the substrate.

구체적으로, 전류 유동층(260)은 레이저(270)를 통해 인가되는 빛 에너지에 노출되면 발생되는 전자를 통해 전류가 흐르는 물질로 구현되어, 레이저(270)에 의해 흐르는 전류를 통해 바이어스 전압을 인가할 수 있다. Specifically, the current fluidized layer 260 is implemented as a material through which a current flows through electrons generated when exposed to light energy applied through the laser 270, so that a bias voltage can be applied through the current flowing by the laser 270. I can.

보다 구체적으로, 전류 유동층(260)은 레이저(270)에 노출되면 소정의 전류가 흐를 수 있으며, 전류 유동층(260)에 흐르는 소정의 전류에 의해 양의 바이어스 전압 또는 음의 바이어스 전압이 생성되어 제1 전극(240) 및 제2 전극(250)을 통해 생성된 양의 바이어스 전압 또는 음의 바이어스 전압을 인가할 수 있다.More specifically, when the current fluidized layer 260 is exposed to the laser 270, a predetermined current may flow, and a positive bias voltage or a negative bias voltage is generated by a predetermined current flowing through the current fluidized layer 260. A positive bias voltage or a negative bias voltage generated through the first electrode 240 and the second electrode 250 may be applied.

일측에 따르면, 레이저(270)는 전류 유동층(260)에 조사되는 빔의 위치를 제어하여 양의 바이어스 전압 또는 음의 바이어스 전압을 인가할 수 있다. According to one side, the laser 270 may apply a positive bias voltage or a negative bias voltage by controlling a position of a beam irradiated to the current flowing layer 260.

다시 말해, 바이어스부는 레이저(270)의 조사 위치를 제어하여 양의 바이어스 전압 또는 음의 바이어스 전압을 인가할 수 있다.In other words, the bias unit may control the irradiation position of the laser 270 to apply a positive bias voltage or a negative bias voltage.

보다 구체적으로, 레이저(270)는 기판(210)에 인접한 전류 유동층(260)의 일측면을 기준으로 기설정된 제1 영역에 빔을 조사하여 음의 바이어스를 인가할 수 있으며, 전류 유동층(260)의 일측면과 평행한 전류 유동층(260)의 타측면을 기준으로 기설정된 제2 영역에 빔을 조사하여 양의 바이어스 전압을 인가할 수 있다. More specifically, the laser 270 may apply a negative bias by irradiating a beam to a first region preset based on one side of the current flowing layer 260 adjacent to the substrate 210, and the current flowing layer 260 A positive bias voltage may be applied by irradiating a beam to a second region preset based on the other side of the current flowing layer 260 parallel to one side of.

다시 말해, 바이어스부는 기판(210)과 가까운 쪽에 레이저를 조사하도록 제어하여 기판(210)에 음의 바이어스 전압을 인가할 수 있고, 기판(210)과 먼 쪽에 레이저를 조사하여 기판(210)에 양의 바이어스 전압을 인가할 수도 있다.In other words, by controlling the bias unit to irradiate a laser near the substrate 210, a negative bias voltage can be applied to the substrate 210, and a positive bias voltage can be applied to the substrate 210 by irradiating the laser to the far side from the substrate 210. It is also possible to apply a bias voltage of.

한편, 전류 측정부(230)는 전류 유동층(260)에 흐르는 소정의 전류를 측정하여 반응 시간 구간 및 회복 시간 구간의 단축 여부를 검출할 수 있다.Meanwhile, the current measuring unit 230 may measure a predetermined current flowing through the current fluidized bed 260 to detect whether the reaction time section and the recovery time section are shortened.

일측에 따르면, 전류 유동층(260)은 광전 변환 소자일 수 있다. 또한, 전류 유동층(260)은 레이저(270)에 노출되면 전류가 흐르는 도체 또는 반도체일 수도 있다.According to one side, the current flowing layer 260 may be a photoelectric conversion device. Further, the current flowing layer 260 may be a conductor or a semiconductor through which current flows when exposed to the laser 270.

일측에 따르면, 전류 유동층(260)은 레이저(270)를 이용하여 바이어스 전압을 인가함과 동시에 반도체형 가스 감지 장치(200)를 히팅(Heating) 시킬 수도 있다. According to one side, the current flowing layer 260 may apply a bias voltage using the laser 270 and simultaneously heat the semiconductor gas sensing device 200.

즉, 일실시예에 따른 전류 유동층(260)은 바이어스 전압을 인가함과 동시에 히터의 역할도 수행함으로써, 단순히 바이어스 전압만을 인가할 때 보다 반응시간 및 회복시간을 보다 더 단축시킬 수 있다. That is, the current flowing layer 260 according to an exemplary embodiment applies a bias voltage and also acts as a heater, thereby further reducing a reaction time and a recovery time than when only a bias voltage is applied.

또한, 반도체형 가스 감지 장치(200)는 전류 유동층(260)과 레이저(270)만으로 상대적으로 적은 소비 전력과 높은 집적도로 바이어스 전압의 인가와 히팅 기능 동시에 수행할 수 있는 장치를 구현할 수 있다. In addition, the semiconductor-type gas sensing device 200 may implement a device capable of simultaneously applying a bias voltage and performing a heating function with relatively low power consumption and high integration with only the current flowing layer 260 and the laser 270.

도 3a 내지 도 3e는 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치에서 바이어스를 인가하는 실시예를 설명하기 위한 도면이다. 3A to 3E are views for explaining an embodiment in which a bias is applied in a semiconductor gas sensing device according to an embodiment.

다시 말해, 도 3a 내지 도 3e는 도 1 내지 도 2를 통해 설명한 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치에서 바이어스를 인가하는 예시를 설명하는 도면으로, 이후 도 3a 내지 도 3e를 통해 설명하는 내용 중 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치를 통해 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다. In other words, FIGS. 3A to 3E are views for explaining an example of applying a bias in the semiconductor-type gas sensing device according to the exemplary embodiment described with reference to FIGS. 1 to 2, and contents described later through FIGS. 3A to 3E Descriptions that are overlapping with those described through the semiconductor-type gas detection device according to one embodiment will be omitted.

도 3a 내지 도 3e를 참조하면, 참조부호 310는 감지된 적어도 하나의 가스가 산화성 가스인 경우, 반응 시간(Response) 및 회복 시간(Recovery)에 인가되는 바이어스 전압에 따른 산화성 가스의 반응을 나타내고, 참조부호 320은 감지된 적어도 하나의 가스가 산화성 가스인 경우, 시간(Time)에 따른 바이어스 전압(Bias)의 변화를 나타낸다. 3A to 3E, reference numeral 310 denotes a reaction of the oxidizing gas according to a bias voltage applied to a reaction time (Response) and a recovery time (Recovery) when at least one detected gas is an oxidizing gas, Reference numeral 320 denotes a change in bias voltage Bias over time when at least one detected gas is an oxidizing gas.

참조부호 330은 감지된 적어도 하나의 가스가 환원성 가스인 경우, 반응 시간 및 회복 시간에 인가되는 바이어스 전압에 따른 환원성 가스의 반응을 나타내고, 참조부호 340은 감지된 적어도 하나의 가스가 환원성 가스인 경우, 시간(Time)에 따른 바이어스 전압(Bias)의 변화를 나타낸다.Reference numeral 330 denotes a reaction of a reducing gas according to a bias voltage applied to a reaction time and a recovery time when the sensed at least one gas is a reducing gas, and reference numeral 340 denotes a case where the sensed at least one gas is a reducing gas , Represents the change of the bias voltage (Bias) over time (Time).

참조부호 350은 반도체형 가스 감지 장치의 가스 반응(Gas Response)에 따른 시간 변화를 나타낸다. Reference numeral 350 denotes a time change according to a gas response of the semiconductor-type gas sensing device.

구체적으로, 참조부호 310 내지 320에 따르면, 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치는 산화성 가스인 이산화질소(NO2) 가스가 감지되면, 반응 시간 구간(Response)에서는 양의 바이어스 전압을 인가하고, 회복 시간 구간(Recovery)에서는 음의 바이어스 전압을 인가할 수 있다.Specifically, according to reference numerals 310 to 320, the semiconductor-type gas sensing device according to an embodiment applies a positive bias voltage in a reaction time period (Response) when nitrogen dioxide (NO 2) gas, which is an oxidizing gas, is detected, In the recovery time period (Recovery), a negative bias voltage may be applied.

다시 말해, 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치는 이산화질소(NO2) 가스가 감지되면, 반응 시간 구간(Response)에서 양의 바이어스 전압을 인가하여 산소 반응기(O-)를 더욱 생성하고, 회복 시간 구간(Recovery)에는 음의 바이어스 전압을 인가하여 산소 반응기(O-)를 빠르게 제거함으로써, 반응 시간 구간(Response) 및 회복 시간 구간(Recovery)을 단축시킬 수 있다.In other words, the semiconductor type gas detection apparatus according to one embodiment is nitrogen dioxide (NO 2) When gas is detected, by applying a positive bias voltage at the reaction time intervals (Response) the oxygen reactor (O -) further generate and recover time interval (recovery) is by applying a negative bias voltage reactor oxygen (O -) can be shortened, and the reaction time interval (response) and recovery time interval (recovery) by removing fast.

참조부호 330 내지 340에 따르면, 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치는 환원성 가스인 일산화탄소(CO) 가스가 감지되면, 반응 시간 구간(Response)에서는 음의 바이어스 전압을 인가하고, 회복 시간 구간(Recovery)에서는 양의 바이어스 전압을 인가할 수 있다.According to reference numerals 330 to 340, in the semiconductor-type gas sensing device according to an embodiment, when carbon monoxide (CO) gas, which is a reducing gas, is sensed, a negative bias voltage is applied in the reaction time period (Response), and the recovery time period ( Recovery) can apply a positive bias voltage.

다시 말해, 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치는 일산화탄소(CO) 가스가 감지되면, 반응 시간 구간(Response)에서 음의 바이어스 전압을 인가하여 산소 반응기를 더욱 빠르게 제거하고, 회복 시간 구간에는 양의 바이어스 전압을 인가하여 산소 반응기를 더욱 빠르게 보충함으로써, 반응 시간 구간(Response) 및 회복 시간 구간(Recovery)을 단축시킬 수 있다.In other words, in the semiconductor-type gas sensing device according to an embodiment, when carbon monoxide (CO) gas is detected, a negative bias voltage is applied in the reaction time section to remove the oxygen reactor more quickly, and the oxygen reactor is removed more quickly in the recovery time section. By applying the bias voltage of to replenish the oxygen reactor more quickly, the reaction time interval (Response) and the recovery time interval (Recovery) can be shortened.

일측에 따르면, 반도체형 가스 감지 장치는 반응 시간 구간(Response)과 회복 시간 구간(Recovery)의 사이에 존재하는 시간 구간인 포화 시간 구간(Saturation)에서는 바이어스 전압을 0V로 유지할 수 있다. According to one side, the semiconductor-type gas sensing device may maintain the bias voltage at 0V in the saturation time period (Saturation), which is a time period between the reaction time period (Response) and the recovery time period (Recovery).

참조부호 350에 따르면, 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치(352)는 기존의 반도체형 가스 감지 장치(351)와는 다르게, 감지되는 가스에 대응되는 바이어스 전압을 인가하여 반응 시간 구간(Response) 및 회복 시간 구간(Recovery)을 단축시킬 수 있다. According to reference numeral 350, the semiconductor-type gas detection device 352 according to an embodiment is different from the conventional semiconductor-type gas detection device 351, by applying a bias voltage corresponding to the detected gas to respond to the reaction time period (Response). And it is possible to shorten the recovery time interval (Recovery).

도 4는 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치의 동작방법을 설명하기 위한 도면이다. 4 is a view for explaining a method of operating a semiconductor-type gas detection device according to an embodiment.

다시 말해, 도 4는 도 1 내지 도 3e를 통해 설명한 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치의 동작방법을 설명하기 위한 도면으로, 이후 도 4를 통해 설명하는 내용 중 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치를 통해 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다. In other words, FIG. 4 is a diagram for explaining an operating method of the semiconductor-type gas sensing device according to an embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3E. Descriptions overlapping with those described through the gas detection device will be omitted.

도 4를 참조하면, 410 단계에서 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치의 동작방법은 기판 상에 형성된 가스 감지층을 통해 산화성 가스 및 환원성 가스 중 적어도 하나의 가스를 감지할 수 있다. Referring to FIG. 4, in operation 410, in the method of operating the semiconductor-type gas sensing device according to an exemplary embodiment, at least one of an oxidizing gas and a reducing gas may be detected through a gas sensing layer formed on a substrate.

다음으로, 420 단계에서 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치의 동작방법은 반응 시간 및 회복 시간을 제어하기 위해, 바이어스부를 통해 감지된 적어도 하나의 가스에 대응되는 바이어스 전압을 인가할 수 있다. Next, in step 420, in the method of operating the semiconductor-type gas sensing device according to an exemplary embodiment, a bias voltage corresponding to at least one gas sensed through the bias unit may be applied to control a reaction time and a recovery time.

일측에 따르면, 바이어스부는 바이어스 전압을 인가하기 위해 레이저(Laser)를 포함할 수 있다. According to one side, the bias unit may include a laser to apply a bias voltage.

일측에 따르면, 420 단계에서 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치의 동작방법은 기판 하부에 형성된 전류 유동층에 레이저를 노출시켜, 전류 유동층에 전류가 흐르도록 제어할 수 있다.According to one side, in step 420, the method of operating the semiconductor-type gas sensing device according to an embodiment may control the flow of current through the current flowing layer by exposing the laser to the current flowing layer formed under the substrate.

일측에 따르면, 420 단계에서 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치의 동작방법은 적어도 하나의 가스가 산화성 가스인 경우, 반응 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가하고, 회복 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가할 수 있다.According to one side, in step 420, the method of operating the semiconductor-type gas detection device according to an embodiment is, when at least one gas is an oxidizing gas, a positive bias voltage is applied in the reaction time section, and a negative bias is applied in the recovery time section. Voltage can be applied.

또한, 420 단계에서 일실시예에 따른 반도체형 가스 감지 장치의 동작방법은 적어도 하나의 가스가 환원성 가스인 경우, 반응 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가하고, 회복 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가할 수 있다. Further, in step 420, the method of operating the semiconductor-type gas sensing device according to an exemplary embodiment applies a negative bias voltage in the reaction time section and a positive bias voltage in the recovery time section when at least one gas is a reducing gas. Can be approved.

결국, 본 발명을 이용하면, 기판에 바이어스를 인가하여 반응시간 및 회복시간을 단축함으로써 신뢰성, 안정성, 데이터 및 연산 처리 속도 문제를 보완하여 각종 센서와 웨어러블 소자 및 기기에 적용할 수 있다.Consequently, the present invention can be applied to various sensors, wearable devices, and devices by applying a bias to the substrate to shorten the reaction time and recovery time, thereby compensating for the problems of reliability, stability, and data and processing speed.

또한, 레이저를 이용하여 바이어스 전압을 인가함과 동시에 반도체형 가스 감지 장치를 히팅 시킬 수 있다.In addition, it is possible to heat the semiconductor-type gas sensing device while applying a bias voltage using a laser.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described by the limited drawings, various modifications and variations can be made from the above description to those of ordinary skill in the art. For example, the described techniques are performed in a different order from the described method, and/or components such as systems, structures, devices, circuits, etc. described are combined or combined in a form different from the described method, or other components Alternatively, even if substituted or substituted by an equivalent, an appropriate result can be achieved.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and those equivalent to the claims also fall within the scope of the claims to be described later.

100: 반도체형 가스 감지 장치 110: 기판
120: 가스 감지층 130: 바이어스부
140, 150: 전극100: semiconductor type gas detection device 110: substrate
120: gas sensing layer 130: bias unit
140, 150: electrode

Claims (11)

기판;
상기 기판 상에 형성되고, 산화성 가스 및 환원성 가스 중 적어도 하나의 가스를 감지하는 가스 감지층 및
반응 시간 및 회복 시간을 제어하기 위해, 상기 감지된 적어도 하나의 가스에 대응되는 바이어스 전압을 소스 전극(Source) 전극인 제1 전극과 드레인 전극(Drain) 전극인 제2 전극을 통해 인가하는 바이어스부
를 포함하고,
상기 바이어스부는,
상기 바이어스 전압을 인가하여, 상기 적어도 하나의 가스의 산소 반응기가 상기 가스 감지층의 표면에 탈착 또는 부착되는 동작을 촉진시키는
반도체형 가스 감지 장치. Board;
A gas sensing layer formed on the substrate and sensing at least one gas of an oxidizing gas and a reducing gas, and
A bias unit that applies a bias voltage corresponding to the sensed at least one gas through a first electrode as a source electrode and a second electrode as a drain electrode in order to control reaction time and recovery time
Including,
The bias unit,
By applying the bias voltage, the oxygen reactor of the at least one gas promotes the operation of desorption or attachment to the surface of the gas sensing layer.
Semiconductor type gas detection device. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 바이어스부는,
상기 바이어스 전압을 인가하기 위해 레이저(Laser)를 포함하는
반도체형 가스 감지 장치.The method of claim 1,
The bias unit,
Including a laser (Laser) to apply the bias voltage
Semiconductor type gas detection device. 제3항에 있어서,
상기 기판 하부에 형성되고, 상기 레이저에 노출되면 전류가 흐르는 전류 유동층
을 더 포함하는 반도체형 가스 감지 장치.The method of claim 3,
A current fluidized layer formed under the substrate and through which current flows when exposed to the laser
Semiconductor type gas detection device further comprising a. 제1항에 있어서,
상기 바이어스부는,
상기 적어도 하나의 가스가 상기 산화성 가스인 경우, 상기 반응 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가하고, 상기 회복 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가하는
반도체형 가스 감지 장치.The method of claim 1,
The bias unit,
When the at least one gas is the oxidizing gas, a positive bias voltage is applied in the reaction time section, and a negative bias voltage is applied in the recovery time section.
Semiconductor type gas detection device. 제1항에 있어서,
상기 바이어스부는,
상기 적어도 하나의 가스가 상기 환원성 가스인 경우, 상기 반응 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가하고, 상기 회복 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가하는
반도체형 가스 감지 장치.The method of claim 1,
The bias unit,
When the at least one gas is the reducing gas, a negative bias voltage is applied in the reaction time section, and a positive bias voltage is applied in the recovery time section.
Semiconductor type gas detection device. 기판 상에 형성된 가스 감지층을 통해 산화성 가스 및 환원성 가스 중 적어도 하나의 가스를 감지하는 단계 및
반응 시간 및 회복 시간을 제어하기 위해, 바이어스부에서 상기 감지된 적어도 하나의 가스에 대응되는 바이어스 전압을 소스 전극(Source) 전극인 제1 전극과 드레인 전극(Drain) 전극인 제2 전극을 통해 인가하는 단계
를 포함하고,
상기 바이어스 전압을 인가하는 단계는,
상기 바이어스 전압을 인가하여, 상기 적어도 하나의 가스의 산소 반응기가 상기 가스 감지층의 표면에 탈착 또는 부착되는 동작을 촉진시키는
반도체형 가스 감지 장치의 동작방법.Detecting at least one gas of an oxidizing gas and a reducing gas through a gas detection layer formed on the substrate, and
In order to control the reaction time and recovery time, a bias voltage corresponding to the at least one gas detected by the bias unit is applied through a first electrode as a source electrode and a second electrode as a drain electrode. Steps to do
Including,
Applying the bias voltage,
By applying the bias voltage, the oxygen reactor of the at least one gas promotes the operation of desorption or attachment to the surface of the gas sensing layer.
How to operate a semiconductor-type gas detection device. 제7항에 있어서,
상기 바이어스부는,
상기 바이어스 전압을 인가하기 위해 레이저(Laser)를 포함하는
반도체형 가스 감지 장치의 동작방법.The method of claim 7,
The bias unit,
Including a laser (Laser) to apply the bias voltage
How to operate a semiconductor-type gas detection device. 제8항에 있어서,
상기 바이어스 전압을 인가하는 단계는,
상기 기판 하부에 형성된 전류 유동층에 레이저를 노출시켜, 상기 전류 유동층에 전류가 흐르도록 제어하는
반도체형 가스 감지 장치의 동작방법.The method of claim 8,
Applying the bias voltage,
By exposing a laser to the current fluidized layer formed under the substrate, controlling the current to flow in the current fluidized layer
How to operate a semiconductor gas detection device. 제7항에 있어서,
상기 바이어스 전압을 인가하는 단계는,
상기 적어도 하나의 가스가 상기 산화성 가스인 경우, 상기 반응 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가하고, 상기 회복 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가하는
반도체형 가스 감지 장치의 동작방법.The method of claim 7,
Applying the bias voltage,
When the at least one gas is the oxidizing gas, a positive bias voltage is applied in the reaction time section, and a negative bias voltage is applied in the recovery time section.
How to operate a semiconductor-type gas detection device. 제7항에 있어서,
상기 바이어스 전압을 인가하는 단계는,
상기 적어도 하나의 가스가 상기 환원성 가스인 경우, 상기 반응 시간 구간에서는 음의 바이어스 전압을 인가하고, 상기 회복 시간 구간에서는 양의 바이어스 전압을 인가하는
반도체형 가스 감지 장치의 동작방법.The method of claim 7,
Applying the bias voltage,
When the at least one gas is the reducing gas, a negative bias voltage is applied in the reaction time section, and a positive bias voltage is applied in the recovery time section.
How to operate a semiconductor-type gas detection device.
KR1020190054757A 2019-05-10 2019-05-10 Gas sensing ability enhancing apparatus using the bias and method thereof KR102249665B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190054757A KR102249665B1 (en) 2019-05-10 2019-05-10 Gas sensing ability enhancing apparatus using the bias and method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190054757A KR102249665B1 (en) 2019-05-10 2019-05-10 Gas sensing ability enhancing apparatus using the bias and method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200129805A KR20200129805A (en) 2020-11-18
KR102249665B1 true KR102249665B1 (en) 2021-05-10

Family

ID=73697584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190054757A KR102249665B1 (en) 2019-05-10 2019-05-10 Gas sensing ability enhancing apparatus using the bias and method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102249665B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002181776A (en) 2000-10-03 2002-06-26 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor ion sensor and its manufacturing method
JP2007163253A (en) * 2005-12-13 2007-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Hydrogen gas sensor
JP2014032194A (en) * 2012-07-31 2014-02-20 Robert Bosch Gmbh Method and controller for measuring gas parameter using field effect transistor having gas sensitivity
JP2018115888A (en) 2017-01-17 2018-07-26 株式会社日立製作所 Fet type gas sensor and control method of gas sensor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3288801B2 (en) * 1993-04-28 2002-06-04 新電元工業株式会社 Gas sensor
KR101755269B1 (en) 2016-02-17 2017-07-10 한국과학기술연구원 Gas sensor having oxide thin film and method for sensing gas using the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002181776A (en) 2000-10-03 2002-06-26 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor ion sensor and its manufacturing method
JP2007163253A (en) * 2005-12-13 2007-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Hydrogen gas sensor
JP2014032194A (en) * 2012-07-31 2014-02-20 Robert Bosch Gmbh Method and controller for measuring gas parameter using field effect transistor having gas sensitivity
JP2018115888A (en) 2017-01-17 2018-07-26 株式会社日立製作所 Fet type gas sensor and control method of gas sensor

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200129805A (en) 2020-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Jung et al. SO2 gas sensing characteristics of FET-and resistor-type gas sensors having WO3 as sensing material
Hong et al. Highly selective ZnO gas sensor based on MOSFET having a horizontal floating-gate
ES2554128T3 (en) ISFET device
Hong et al. Improved CO gas detection of Si MOSFET gas sensor with catalytic Pt decoration and pre-bias effect
US20110146382A1 (en) Carbon dioxide sensor and associated method for generating a gas measurement value
JP2015172595A5 (en)
JP2016502644A5 (en)
JP4434749B2 (en) Microstructured gas sensor that controls gas sensing characteristics by applying an electric field
Shin et al. Effects of IGZO film thickness on H2S gas sensing performance: Response, excessive recovery, low-frequency noise, and signal-to-noise ratio
KR102249665B1 (en) Gas sensing ability enhancing apparatus using the bias and method thereof
US20180202960A1 (en) Fet-Type Gas Sensor and Method of Controlling Gas
US20070235773A1 (en) Gas-sensitive field-effect transistor for the detection of hydrogen sulfide
RU2526225C1 (en) Gas sensor
Wu et al. Effect of a pre-bias on the adsorption and desorption of oxidizing gases in FET-type sensor
JP6810345B2 (en) Gas sensor and gas detection system
Ruiz et al. Analyses of the ammonia response of integrated gas sensors working in pulsed mode
KR101755269B1 (en) Gas sensor having oxide thin film and method for sensing gas using the same
Yeom et al. Fast-response/recovery In2O3 thin-film transistor-type NO2 gas sensor with floating-gate at low temperature
JP2020503527A (en) Detection sensor with selective high electron mobility transistor for detecting gaseous or liquid components
KR20200094460A (en) Gas sensing ability enhancing apparatus using the bias
Lee et al. Detecting ions in air using a nanofield-effect transistor (nanoFET)
JP2009250690A (en) Abnormality detecting device and abnormality detection method of oxygen sensor
Velasco‐Vélez et al. Co‐adsorption processes, kinetics and quantum mechanical modelling of nanofilm semiconductor gas sensors
EA201900554A3 (en) GAS SENSOR FOR INDICATION OF VOLATILE ORGANIC COMPOUNDS
KR100771526B1 (en) Gas sensor and manufactutring method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant